Diodos

12.1.1 Introducción

Para el estudio de la teoría de funcionamiento de los diodos, transistores, y circuitos

integrados, es necesario comprender las características básicas de los
semiconductores. En este capítulo se discutirán los conceptos básicos de la teoría
atómica, y luego se presentará paso a paso la operación de los diodos. Además, se
presentarán algunos principios básicos, símbolos y aplicaciones de semiconductores
específicos.

12.1.2 Semiconductor Intrínseco

Todos los materiales están formados por átomos, que a su vez están compuestos de
electrones, protones y neutrones. Para comprender mejor un semiconductor, en esta
sección veremos la constitución de los átomos y dos de los principales materiales
semiconductores: el silicio y el germanio.
Un átomo es la partícula más pequeña que tiene las características originales del
elemento al cual pertenece. Para los diferentes elementos debe haber diferentes
átomos, lo que significa que cada elemento posee una constitución única y específica
de sus átomos.

Electrón en órbita

Núcleo

Fig. 12.1 Modelo atómico de Bohr

Según el modelo atómico clásico de Bohr, la estructura de un átomo es como un
sistema planetario. El centro del sistema es el núcleo, y los planetas son los electrones
que giran alrededor del núcleo en órbitas, como se ve en la Fig. 12.1
El núcleo está compuesto de protones, con carga positiva y neutrones, que no tienen
carga. El electrón es la partícula básica con carga negativa. Los átomos de cada
elemento tienen un cierto número de electrones y protones. No obstante, la cantidad
de electrones es siempre igual al número de protones para cada átomo. Esto permite
que el número de cargas positivas sea igual al número de cargas negativas, y se
mantiene en estado neutral. Por ejemplo, el átomo más simple que existe es el de
Hidrógeno, que posee un protón y un electrón, como se muestra en la Fig. 12.2(a). En
la Fig. 12.2(b) e aprecia el átomo de helio, que tiene dos protones, dos neutrones y
dos electrones que giran alrededor en órbitas.

Un electrón en órbita
Dos electrones
en órbita

Dos protones y
dos neutrones
en el núcleo
Un protón

(a) Átomo de Hidrógeno (b) Átomo de Helio

Fig. 12.2 – Átomos de Hidrógeno y de Helio

Un semiconductor es un elemento con 4 electrones de valencia. Esto significa que

existen 4 electrones en la órbita exterior de los átomos del material semiconductor, y
se llaman electrones de valencia. La cantidad de electrones de valencia es el punto
clave en la conductividad de un elemento. Un conductor tiene un electrón de valencia,
el semiconductor tiene 4 electrones de valencia y el aislador tiene ocho electrones de
valencia.

Tanto el silicio como el germanio tienen cuatro electrones en su órbita exterior, como
se muestra en las Fig. 12.3 y 12.4. Por lo tanto, generalmente se usa silicio o germanio
como materiales semiconductores. El átomo de germanio se muestra en la Fig. 12.3, y
tienen 32 protones en el núcleo. Sus electrones se distribuyen en órbitas según el
siguiente orden: dos electrones en la primera órbita, ocho electrones en la segunda
órbita, dieciocho electrones en la tercera órbita, y cuatro electrones en la quinta y
última órbita.

El semiconductor más común es el silicio o sílice. Tiene 14 protones y 14 electrones.

Como se muestra en la Fig. 12.4, dos electrones en la primera órbita, ocho en la
segunda, y los restantes cuatro en la órbita exterior.
No importa si se trata de silicio o de germanio, la cantidad de electrones es igual a la
cantidad de protones; por lo tanto, el átomo es neutro. Esto significa que no existe
carga adicional en el átomo. Si se pierde un electrón de valencia, entonces la cantidad
de electrones será menor que la cantidad de protones y se convierte en un ión
positivo, con una carga positiva.
 Fig. 12.3- Átomo de germanio Fig. 12.4 – Átomo de silicio

Electrón de
valencia
compartido

(a) El enlace covalente se forma al

Compartir un electrón de valencia (b) Diagrama de enlaces covalentes

Fig. 12.5 – Enlaces covalentes en átomos de Si

Cuando los átomos de silicio se conectan entre sí como material sólido, se convierten
en una estructura cristalina, y la conexión la forman los enlaces covalentes. Estas
fuerzas de unión son establecidas por electrones de valencia de cada átomo. El silicio
o sílice se asemeja a un trozo de material cristalino.

En la Fig. 12.5, cada átomo de silicio tiene cuatro átomos similares que lo rodean. Los
átomos adyacentes de silicio comparten los electrones de valencia de los demás. Por
lo tanto, se tienen ocho electrones de valencia para cada átomo, lo que hace que el
átomo de silicio adquiera un estado de estable.
Fuerzas iguales de los átomos adyacentes atraerán a estos electrones compartidos, y
por lo tanto, se forman los lazos covalentes entre estos electrones de valencia y los
átomos. Los lazos covalentes que existen en el cristal intrínseco de silicio se muestran
en la Fig. 12.6. El germanio tiene también cuatro electrones de valencia, por lo tanto
tenemos la misma situación de enlace que con el silicio.

Fig. 12.6 – Enlaces covalentes en cristales intrínsecos de silicio

A temperatura ambiente, el silicio obtiene energía del ambiente mismo. El electrón de

valencia que tenga suficiente energía escapará del enlace con el núcleo y se convierte
en un electrón libre, como se muestra en la Fig. 12.7.

Electrón libre

Energía térmica
Agujero

Fig. 12.7 – Generación de un electrón libre

Cuando el electrón escapa de su posición original y se convierte en un electrón libre,

dejará un espacio vacío en la covalencia. Este espacio vacío se llama “agujero”, y por
lo tanto, cuando el electrón de valencia adquiere fuerza externa, tal como la que
proviene de la luz, calor, o potencia eléctrica, se excita y se escapa de la órbita. Este
electrón de valencia se convierte en un electrón libre. De manera igual, se generará un
agujero, y una vez que el electrón libre pierde la energía, se combina con el agujero y
de nuevo se convierte en un electrón de valencia. Por lo general se forman pares de
electrones – agujeros, excepto a temperaturas de cero absoluto.
Sin embargo, se debe tomar notar que la cantidad de electrones y agujeros en el trozo
de silicio es la misma a temperatura ambiente y por lo tanto no posee ninguna carga.
El germanio es muy parecido al silicio, excepto que tiene una conductividad más alta
puesto que tiene una mayor cantidad de electrones libres. Tiene una mayor cantidad
de aplicaciones, siendo una de las razones que se puede usar bajo condiciones de
alta temperatura.
En la Fig. 12.8, se le aplica un potencial (polarizado) para liberar los electrones y que
sean atraídos hacia el terminal positivo. Este movimiento causado por el flujo de
electrones libres inducirá una corriente en el semiconductor, llamada “flujo de
electrones”.
Se tiene también otra corriente inducida por los agujeros en el nivel de valencia. Los
agujeros en esta órbita todavía están atados a los átomos del cristal, por lo que no se
pueden mover libremente. Sin embargo, un electrón puede “dejarse caer” a un agujero
en su vecindad y dejar un agujero en su sitio original. Da la apariencia que el agujero
se ha movido de su posición, como se puede ver en la Fig. 12.9. A esto se le llama
“flujo de agujeros”.

Fig. 12.8 – Flujo de corriente inducida por el movimiento de los electrones libres
(excitados por calor), moviéndose en el material intrínseco.
 Electrón de valencia Agujero

Agujero

Fig. 12.9 – Flujo de agujeros en la masa de silicio

12.1.3 Semiconductores Tipo n y Tipo p

En la banda de conducción no existen suficientes electrones libres ni suficientes

agujeros en la banda de valencia de un trozo intrínseco de silicio. Por lo tanto, el
material de silicio (o de germanio) es generalmente contaminado con electrones libres
y agujeros para mejorar su conductividad y que sean útiles para efectos eléctricos. Si
se puede controlar adecuadamente la concentración de impurezas, entonces se puede
controlar la conductividad. El procedimiento de “contaminación” (dopaje) le
suministrará corriente a los conductores (electrones y agujeros), de tal forma que se
reduce la resistencia en la sustancia y se mejora su conductividad. Estos materiales se
pueden dividir en materiales tipo n y tipo p, dependiendo de las impurezas en el
semiconductor.

12.3.1 Semiconductores Tipo n

Al contaminar el silicio puro con materiales impuros que tengan cinco electrones de
valencia se aumentará la cantidad de electrones en la banda de conducción. Estas
impurezas pueden ser de arsénico, fósforo y antimonio, que tienen todos cinco
electrones de valencia.
En la Fig. 12.10, cada átomo (en la figura se trata de antimonio – Sb) con cinco
electrones de valencia, forma enlaces covalentes con cuatro átomos vecinos de silicio.
Cuatro electrones de valencia del antimonio se utilizan en los enlaces covalentes, y el
electrón que sobra no está atado a ningún átomo. Este se puede considerar como un
electrón libre. La cantidad de estos electrones libres se puede controlar agregando la
cantidad adecuada de impurezas. Los electrones libres donados por el material impuro
no dejan agujeros en los átomos.

Los principales portadores de corriente son los electrones, por lo que llamamos a este
tipo de semiconductor como tipo n. La letra n implica que se trata de electrones con
carga negativa. En los semiconductores de tipo n, los electrones entonces son los
principales portadores. A pesar de ello, todavía se genera una cantidad de agujeros
por ionización térmica, y no son producidos por elementos con cinco electrones de
valencia. Estos agujeros en los materiales de tipo n se llaman portadores minoritarios.

Electrón libre (conductor)

Fig. 12.10 – Átomo impuro con 5 electrones de valencia en cristal de

silicio. En el centro hay un átomo de antimonio. El electrón sobrante es un
electrón libre.

12.3.2 Semiconductor Tipo p

Agujero

Fig. 12.10 – Átomo impuro con tres electrones de valencia en cristal de silicio.
En el centro hay un átomo de boro.
Al dopar el silicio puro con materiales impuros con tres electrones de valencia, se
aumentan los agujeros en el silicio. Estas impurezas son tales como el aluminio, boro,
y galio, con tres electrones de valencia.
En la Fig. 12.11, cada átomo con tres electrones de valencia tratará de formar enlaces
covalentes con cuatro átomos vecinos de silicio. Sin embargo, solamente hay tres
electrones de valencia en el átomo de boro que se pueden usar en los enlaces
covalentes, y se requiere un electrón libre adicional. Por lo tanto, se forma un agujero
debido a la carencia de electrones libres. La cantidad de agujeros se puede controlar
agregando una cantidad adecuada de impurezas.

Los principales portadores de corriente son los agujeros, por lo que llamamos a este
tipo de semiconductor como tipo p. La letra p implica que se trata de agujeros con
carga positiva.. A pesar de ello, todavía se genera una cantidad de electrones por
ionización térmica, y no son producidos por elementos con tres electrones de valencia.
Estos electrones en los materiales de tipo p se llaman portadores minoritarios.
12.4 Unión p-n Bajo Condición de no bias

12.4.1 Unión p-n

En la Fig. 12.12 se muestra un cristal de silicio. Una mitad está dopada como tipo n y
la otra como tipo p. Por lo tanto se forma una unión p-n. Esta es la construcción básica
de un diodo. Existen muchos electrones (portadores mayoritarios) y pocos agujeros
(portadores minoritarios) inducidos por la ionización térmica en la región de tipo n. Hay
muchos agujeros (portadores mayoritarios) y muy pocos electrones (portadores
minoritarios) inducidos por ionización térmica en la región tipo p, como se muestra en
la Fig. 12.12. La unión p-n no es solamente la estructura básica de un diodo, sino que
también es la estructura principal de los transistores y otros tipos de dispositivos de
estado sólido.

Portador principal: Portador principal:

electrón; minoritario: agujero; minoritario:
Unión p-n agujero electrón
Tipo Tipo
p n

Agujero Electrón
Fig. 12.12 – Estructura p-n en el momento de contacto.

12.4.2 Región de Agotamiento

Si no existe polarización externa, los electrones en el material tipo n se desviarán sin

control. En el momento de contacto, hay algunos electrones cerca de la unión que se
difundirán dentro del material tipo p y se combinarán con los agujeros cerca de la
unión.
Cuando los electrones se mueven a lo largo de la unión y se combinan con los
electrones, los átomos con electrones de valencia cinco cerca de la unión se
transformarán en iones positivos. A la vez, los átomos con electrones de

valencia tres cerca de la unión se convertirán en iones positivos debido a que han
obtenido un electrón adicional. En este tipo de fenómeno, si los electrones en el
material tipo n tienden a difundirse en la región de material tipo p, deberán vencer la
fuerza de atracción de los iones positivos y la fuerza de repulsión de los iones
negativos. Por lo tanto, una vez que las capas ionizadas se forman, uno de los lados
de la unión se convertirá en una región sin suficientes electrones, y la otra más bien
con suficientes electrones. Estas regiones desprovistas de portadores se llaman
regiones agotadas. El ancho de las mismas aumentará hasta que los electrones ya no
se mueven a través de la unión p-n en equilibrio, como se muestra en la Fig. 12.13.
 Regiones
Iones negativos agotadas Iones positivos

Fig. 12.13 – En estado de equilibrio, hay muy pocos electrones (puntos negros) en la
región p, y pocos agujeros (círculos) en la región n. Estos son portadores minoritarios.
Estas parejas de electrón-agujero se generan por ionización térmica.

Los iones positivos y negativos formarán una barrera de tensión a través de las
regiones agotadas. A 25ºC, la barrera de tensión para el silicio es de 0.7 V, y de 0.3 V
para el germanio. Cuando aumenta la temperatura en la unión, se disminuye la tensión
de barrera, y viceversa. La tensión de barrera determinará la tensión aplicada en los
dos terminales para iniciar la conducción de corriente en el diodo. Para más detalles,
leer la siguiente sección.

12.5 Unión p-n Bajo Condición Polarizada

12.5.1 Polarización Directa

Bias (polarización) es la tensión constante aplicada en un semiconductor para que

funcione bajo ciertas condiciones. La polarización directa (hacia delante) permite que
la corriente pase a través de la unión p-n. En la Fig. 12.14, la tensión directa se
conecta en al diodo a manera de polarización directa. El terminal negativo de la batería
se conecta a la región de tipo n (cátodo), y el positivo a la región p (ánodo).

Ánodo Cátodo

Fig. 12.14 – Conexión con polarización directa. En este caso se usa una resistencia
para limitar la corriente y proteger el diodo.

La teoría básica de la polarización directa es la siguiente: El terminal negativo de la

batería repele a los electrones en la banda de conducción de tipo n, y el terminal
positivo repele a los huecos en la región p de la unión (similar a las cargas diferentes
que se repelen).
Cuando tratan de superar la tensión de barrera, la tensión externa suministrará la
energía suficiente para los electrones en la región n. Estos electrones pasarán a través
de la región agotada y de la unión para combinarse con los agujeros de la región p. El
terminal negativo de la batería repondrá los electrones que se van de la región n. Por
lo tanto, la corriente en la región n es el resultado de que los electrones en la banda de
conducción se muevan hacia la unión. Una vez que los electrones ingresan a la región
p y se combinan con los agujeros, se convierten en electrones de valencia. Se mueven
en la región de agujeros uno por uno, hacia el terminal positivo de la batería. Los
electrones de valencia que se mueven dan la apariencia de que el agujero se mueve
en la dirección opuesta. Por lo tanto, la corriente en la región p es el resultado de que
los huecos se muevan hacia la unión. La Fig. 12.15 muestra a un diodo bajo
polarización directa.

Región agotada

Resistencia
para limitar la
corriente
Flujo de agujeros Flujo de electrones

Fig. 12.15 – Flujo de electrones en la unión p-n de un diodo

Nota: La tensión de barrera no es la tensión de la fuente, por lo que no es posible

medirla con un voltímetro. El diodo conducirá corriente solamente cuando la tensión
externa supera a la tensión de barrera, como se muestra en la Fig. 12.16. La tensión
de barrera es de 0.7V para un diodo de silicio y de 0.3V para uno de germanio. Una
vez que la corriente de polarización pasa por el diodo, la tensión en los dos terminales
mantendrá la magnitud de la tensión de barrera. La corriente directa (IF) cambiará
ligeramente debido a la influencia de la resistencia total del semiconductor.

No conducción Conducción

Flujo de huecos Flujo de electrones

 Fig. 12.16

12.5.2 Polarización Inversa

Polarización inversa es la resistencia al paso de la corriente por la unión p-n. En la Fig.

12.17, la tensión directa se conecta al diodo a manera de polarización inversa. El
terminal negativo de la batería está conectado a la región p, y el terminal positivo a la
región n.

Cátodo
Ánodo

Fig. 12.17 – Conexión con polarización inversa

El principio básico de la polarización inversa es la siguiente: El terminal negativo de la

batería atrae a los huecos en la región p de la unión p-n. El terminal positivo atrae a
los electrones de la región n de la unión p-n. Conforme los electrones y los agujeros
dejan la unión p-n, la región agotada se hará más ancha; habrá más iones positivos en
la región n agotada y más iones negativos en la región p.

(a) La corriente de transición fluye y la (b) Cuando la tensión de barrera

es igual a
región agotada se hace más ancha la de polarización, la corriente
no fluye.

Fig. 12.18 – Polarización Inversa

Cuando el diodo se conecta con polarización inversa, la zona agotada se convierte en

una capa aislada de iones positivos y negativos. Como se muestra en la Fig. 12.19, la

Región agotada ancha que

actúa como capa de aislamiento
unión p-n muestra un efecto capacitivo. La región agotada se hace más ancha debido
a una mayor polarización inversa, la capacitancia es menor y viceversa. Esta
capacitancia interna se llama “capacitancia de agotamiento”.

Regio-
nes de
iones.
Placas
polares

Fig. 12.19 – Región agotada que se aumenta debido al aumento de la polarización

inversa.

Se sabe que la mayor parte del flujo de portadores tendrá valor cero poco después de
aplicar la polarización inversa en el diodo. Sin embargo todavía quedará una pequeña
corriente fluyendo. La corriente inversa del germanio es más alta que la del silicio. Esta
última es del orden de los A o nA. En la región agotada todavía quedan “pares
electrón – hueco” generados por ionización térmica. Aunque en pequeña cantidad,
todavía hay algunos electrones bajo la polarización inversa en la unión p-n antes de
combinarse con los agujeros. Este proceso producirá los portadores minoritarios en los
materiales.
Básicamente, la corriente inversa de fuga depende únicamente de la temperatura en la
unión, y es independiente de la magnitud de la polarización inversa. A mayor
temperatura la fuga será mayor.
Cuando la polarización inversa externa es lo suficientemente alta, sucede un efecto
de avalancha. Supóngase que tenemos un electrón en la banda de conducción. Se
acelerará hacia el terminal positivo del diodo una vez que reciba suficiente energía del
exterior. En la senda de movimiento, si este electrón colisiona con el átomo y empuja
el electrón de valencia fuera de la banda de conducción, se tendrán dos electrones
libres. Cada uno de ellos chocará con un átomo y se tendrá un electrón libre, y por lo
tanto, dos electrones libres producirán cuatro. Utilizando el mismo mecanismo,
encontramos que habrá más electrones generados mediante colisiones. A este efecto
se le llama “efecto acumulado de avalancha”, y aumentará súbitamente la corriente
inversa.
La mayoría de los diodos no pueden funcionar en la región de avalancha inversa, ya
que se dañarían debido a la alta disipación de potencia. Sin embargo, existe un diodo
en particular – el diodo Zener, que trabaja en la región de avalancha inversa. Este
diodo en particular lo veremos en la Sección 12.8.

12.6 Símbolo, Aspecto y Medición de un Diodo.

Si la corriente en un dispositivo es proporcional a la tensión, y si la curva de i vs. v es

una línea recta en el plano de coordenadas planas, esto implica que el dispositivo es
lineal. Por ejemplo, el dibujo de la curva de corriente vs. tensión de una resistencia es
una línea recta. Esto significa que la resistencia es un dispositivo lineal común.
Debido a la tensión de barrera en el diodo, éste posee una relación no lineal entre la
corriente y la tensión.
 Fig. 12.20 – Símbolo del diodo rectificador.

El símbolo del diodo rectificador se muestra en la Fig. 12.20, donde el terminal p es el

ánodo y n el cátodo. La flecha va del terminal p hacia el n, o sea, del ánodo al cátodo.
Por lo tanto el flujo de corriente en el diodo se puede expresar como una flecha que va
de p hacia n. El flujo de electrones es de n hacia p.
En la Fig. 12.21 se muestran varios diodos comunes. La mayoría de ellos traen
impreso la dirección p-n. Algunos tienen barras o anillos en el terminal n.

(a) Diferentes tipos de diodos

(b) Identificación de los terminales de un diodo

Fig. 12.21 – Algunos diodos corrientes

La batería en un ohmímetro analógico puede proporcionarle al diodo polarización

directa o inversa. Esta función puede usarse fácilmente para probar la polarización de
la unión p-n. Algunos de los multímetros digitales tienen también la función para probar
diodos.
Para medir un diodo bajo condición directa, la punta positiva (negra) del medidor se
debe conectar al ánodo del diodo, y la punta negativa (roja) al cátodo. El método se
muestra en la Fig. 12.22(a). Cuando el diodo está bajo polarización directa, su
resistencia interna es muy baja, de unos 100 (o aún más bajo). Si los cables del
probador se invierten, como en la Fig. 12.22(b), entonces la batería interna del
medidor pondrá al diodo bajo polarización inversa. Por lo tanto, el medidor mostrará
una resistencia muy alta (idealmente es infinita). Si el medidor muestra una resistencia
baja en ambas direcciones, esto implica que el diodo ya ha sido cortocircuitado. Por
otro lado, si el medidor muestra una resistencia muy alta en ambas direcciones, el
diodo ya está bajo circuito abierto. En caso de un medidor digital para la prueba de
diodos, si éste funciona, mostrará siempre la tensión directa del diodo, como se
muestra en la Fig. 12.22(c).

(a) Al usar un multímetro (b) Bajo polarización inversa, (c) Usando un

multímetro
de tipo analógico para probar mostrará resistencia muy alta digital para
probar el diodo
el diodo, mostrará resistencia bajo polarización inversa mostrará el voltaje
directo
baja con polarización directa del diodo bajo condición
de
polarización directa (el
volta-
je directo es igual a la
suma
del voltaje de barrera y de
la
caída de tensión en la
resistencia.
12.7 Forma Aproximada de Expresar un Diodo

12.7.1 Diodo Ideal

Existen diversas formas aproximadas de expresar las características de un diodo bajo

diferentes condiciones.

De lo que hemos discutido con anterioridad, sabemos que el diodo será conductor bajo
polarización directa, pero no lo hará bajo polarización inversa. Por lo tanto, el diodo
ideal actúa como conductor (resistencia cero) bajo polarización directa, y como
aislador (resistencia infinita) bajo polarización inversa.

En la Fig. 12.23 se muestra la corriente y la tensión para un diodo ideal. En este

dibujo se puede ver que las características de un diodo ideal son resistencia cero bajo
polarización directa y resistencia infinita bajo polarización inversa. En realidad, no es
posible fabricar un diodo ideal.

Diodo ideal

Polarización inversa

Polarización directa

(a) Curva de un diodo ideal (b) Un diodo ideal actúa como interruptor

¿Qué tipo de dispositivo se puede considerar como diodo ideal? De manera ideal,
cuando el interruptor está cerrado (ON), la resistencia es cero. Cuando el interruptor
está abierto (OFF), la resistencia es infinita. Por lo tanto, el diodo ideal se puede
considerar como un interruptor. Cuando el diodo es conductor (polaridad directa),
funciona como si estuviera cerrado. Cuando no conduce (polaridad inversa), actúa
como si estuviera abierto. Los conceptos se describen también en la Fig. 12.23(b).
 Fig. 12.24 – Ejemplo

Ejemplo 12.1

Use el modelo de un diodo aproximadamente ideal para calcular la carga de corriente,

la carga de la tensión, la carga de la potencia, la potencia del diodo y la potencia total
en el circuito de la Fig. 12.24.

Respuesta: La fuente de tensión coloca al diodo bajo condición de polarización directa,

por lo que se le puede considerar como un interruptor cerrado. El circuito actúa como
si la fuente de tensión de 10V estuviera conectada directamente a la resistencia de 1
k. Por lo tanto, la Ley de Ohm determina la corriente:

I = 10V / 1 k = 100 mA

Como el interruptor está cerrado, toda la tensión caerá en la resistencia de carga, lo

que permite que VL = 10V. En segundo lugar, del producto de VI conocemos la
potencia:

Fig. 12.24 – Ejemplo

La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales:

12.7.2. Segunda Aproximación

En la Fig. 12.25 se muestra una segunda aproximación del diodo V-I. Esta figura
muestra que la corriente de diodo existe únicamente cuando la tensión es mayor de
0.7V, lo que significa que el diodo conduce bajo esta condición. Por lo tanto, el
potencial en el diodo es de 0.7V y es independiente de la magnitud de la corriente.
La Fig. 12.25(b) muestra el circuito equivalente de la segunda aproximación. Aquí, el
diodo es considerado como un interruptor con un potencial de barrera de 0.7 V. Si la
fuente de tensión es de más de 0.7V, el interruptor se cierra y el potencial en el diodo
es de 0.7V. Esto sucede porque la tensión de barrera del diodo es de 0.7V. No importa
cuál sea la magnitud de la corriente, la caída de tensión del diodo se mantiene
constante en 0.7V.
Por otro lado, si la fuente de tensión es menor de los 0.7 V o tiene un valor negativo, el
interruptor de polaridad inversa actúa como un interruptor abierto, y el diodo estará
bajo un estado de circuito abierto.

(a) Curva del diodo para 2ª aproximación (b) La 2ª aproximación hace que el
diodo funcione como un interruptor
más una batería

Fig. 12.25

Ejemplo 12.2. Use la segunda aproximación para calcular la carga de la corriente, la

carga de tensión, la potencia de la carga, la potencial del diodo y la potencia total en el
circuito de la Fig. 12.26.

Respuesta: Reemplace el diodo por un interruptor cerrado y una tensión de barrera de

0.7 V. Por lo tanto, habrá dos fuentes de tensión en serie, con direcciones opuestas.
Hay que restar una de otra y luego usar la Ley de Ohm:

El potencial de la carga es:

 Otra forma de calcular el potencial de carga: fuente de tensión – tens. del diodo

La potencia se obtiene mediante V x I

La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales:

Fig. 12.26 – Ejemplo 12.2

12.7.3. Tercera Aproximación

La tercera aproximación consiste en considerar la resistencia interna r0 del diodo. En la

Fig. 12.27, se muestra el efecto de la r 0 en el diodo. Una vez que el diodo de silicio
comienza a conducir, el potencial se aumentará linealmente o proporcionalmente con
la corriente. Entre mayor sea la corriente, más alta será la tensión. El potencial IR de r0
debe ser sumado a la tensión total del diodo.

Tercera aproximación
 Polarización
inversa

Polarización
directa

(a) Curva del diodo basada en la tercera (b) Circuito equivalente basado en la
aproximación tercera aproximación

Fig. 12.27

El circuito equivalente basado en la tercera aproximación se puede considerar como

un interruptor, una tensión de barrera de 0.7V y una resistencia r0 conectada en serie,
como se ve en la Fig. 12.27(b). Cuando la tensión suministrada es mayor que los 0.7V,
el diodo comienza a conducir. El potencial total en el diodo es:

Ejemplo 12.3. Utilice la tercera aproximación para calcular la carga de corriente, la

carga de tensión, la potencia, la potencia del diodo y la potencia total en el circuito de
la Fig. 12.28. Nota la resistencia básica 1N4001 es de Rb = 0.23 -

Fig. 12.28 – Circuito en serie

Respuesta: El diodo puede considerarse como un interruptor cerrado (ON), una

tensión de barrera de 0.7V y una resistencia de 0.23 conectados en serie. Se restan
las tensiones opuestas y se suman las dos resistencias. Se usa luego la Ley de Ohm:
 En vista de que la resistencia interna de 0.23 es mucho más pequeña que
la carga de 1 k, se puede ignorar la resistencia interna. Por lo tanto el
resultado es muy parecido al de la segunda aproximación.

Existe solamente una pequeña diferencia en la potencia del diodo. La razón es que la
caída de tensión en la resistencia interna del diodo hará que el potencial en el mismo
sea ligeramente mayor.

12.8. Diodos Especiales

El diodo rectificador es uno de los diodos más comunes. Puede usarse en un circuito
rectificador para convertir tensión AC en tensión DC. En el siguiente capítulo
estudiaremos la teoría de operación de los mismos.

Existen tantos tipos de diodos como se quiera y sus funciones no se limitan solamente
a rectificación. Los que no son de rectificación los clasificamos como de tipo especial,
tales como diodos Zener, fotodiodos, diodos Schottky, y diodos Varactor. Más tarde
nos referiremos a ellos.

12.8.1. Diodos Zener

El símbolo del diodo Zener se muestra en la Fig.12.29. Está hecho con material de
silicio con una unión p-n. La diferencia entre un diodo rectificador y un diodo Zener es
que este último trabaja en la región de disrupción inversa. La tensión de disrupción de
un diodo Zener depende de la concentración de impurezas, las cuales deben ser muy
bien controladas durante su fabricación. La característica de este diodo es que la
tensión permanece casi constante aún cuando la corriente cambie súbitamente con la
disrupción. Las características de tensión y corriente se muestran en la Fig.12.30.
 Polarización
directa

Polarización
inversa

Fig.12.29 – Símbolo de diodo Fig.12.30 – Curva característica de

Zener un diodo regular

12.8.1.1 Disrupción del Diodo Zener

Existen dos situaciones de disrupción en un diodo Zener: La disrupción por avalancha

y la disrupción Zener. Esta última sucede bajo condiciones de baja polarización
inversa. Al diodo se le agregan gran cantidad de impurezas para bajar la tensión de
disrupción. Esto hará que la región agotada se convierta en un fuerte campo eléctrico
y cuando la polarización inversa se aproxima a la tensión de disrupción (Vz), el campo
eléctrico será lo suficientemente fuerte como para expulsar a los electrones hacia
fuera y formar una corriente.
La tensión de disrupción de un diodo Zener es menos de 5V, y es inducida
principalmente por la ruptura. Si la tensión de ruptura es mayor de 5V, entonces la
ruptura por avalancha se convertirá en un asunto serio. La ruptura por avalancha
generalmente sucede a tensiones de disrupción inversa.

Al principio habrá únicamente una pequeña cantidad de corriente inversa. Cuando la

tensión inversa aumenta permitirá que los conductores minoritarios tengan energías
suficientes y se muevan más rápido. Estos conductores minoritarios colisionarán con
los átomos y hará que los electrones de valencia se vayan lejos de los átomos. Estos
electrones de valencia se convierten en electrones libres. A continuación, los
conductores minoritarios originales y estos electrones libres continuarán con su acción
y producirán más electrones libres.
Por ejemplo, un electrón libre colisiona con un átomo y produce otro electrón libre.
Estos dos producirán a su vez otros dos electrones libres al colisionar con sendos
átomos por lo que ahora se tienen cuatro electrones libres. Estas colisiones suceden
en forma continua. Las tensiones de disrupción de los diodos Zener comerciales están
entre 1.8V y 200V.

12.8.1.2 Características de Disrupción

La Fig. 12.31 muestra la curva de características inversas del diodo Zener. La

corriente inversa (IR) es un valor pequeño antes de alcanzar el “codo” de la curva. En
este punto el diodo Zener comienza a mostrar disrupción, la resistencia Zener (Z R)
disminuye y la corriente aumenta muy rápido. A partir del codo, la tensión de
disrupción permanece casi constante, aumentando solamente cuando hay un
incremento de IZ. Esta es la principal característica del diodo Zener, de ajustar la
tensión. Puede mantener una tensión constante entre los dos terminales dentro de una
región particular de corriente inversa.
Para mantener funcionando un diodo Zener, debe suministrarse un mínimo de
corriente inversa IZX. De la curva de características, vemos que la corriente inversa es
más baja que el punto de inflexión (codo), la tensión ha cambiado en forma obvia y el
diodo perderá su función de ajuste. Existe también una limitación en cuanto a la
corriente máxima IZM; si la corriente es mayor que este límite, el diodo se daña.

codo

Fig. 12.31 – Curva de características inversas de un diodo Zener. VZ (o VZT) es la

tensión en IZT.

Por lo tanto, el potencial de terminal de un diodo Zener permanece constante para la

corriente inversa, desde IZK hasta IZM. En la hoja de datos, VZT es la tensión inversa
cuando la corriente inversa es IZT.

12.8.1.3. Circuito Zener Equivalente

La Fig. 12.32(a) muestra el diagrama aproximadamente ideal de un diodo Zener en la

región de disrupción inversa, donde el diodo se comporta como una batería.
La Fig. 12.32(b) es el diagrama equivalente para el diodo Zener real, donde se incluye
la resistencia Zener RZ. La curva de tensión no es como las líneas verticales ideales.
Pequeños cambios en la corriente inversa cambiarán ligeramente la tensión Zener,
como se muestra en la Fig. 12.32(c). La relación de VZ a IZ es la resistencia, y la
ecuación es la siguiente:
 (a) Ideal (b) Real

Fig. 12.32 – Circuito equivalente de diodo Zener

En general, RZ se determina mediante la corriente inversa específica I ZT , llamada

“corriente Zener de prueba”. Por lo general, RZ es constante en la región de corriente
inversa.

Ejemplo 12.4 . Se tiene un diodo Zener con 2 mA de corriente, que cambia de I ZK a IZM
en la región lineal, y el correspondiente cambio VZ es de 50 mV. Determine la
resistencia Zener.

Respuesta: RZ = VZ / IZ = 50 mV / 2 mA = 25

Ejemplo: Un diodo Zener tiene 5  de resistencia. De la hoja de datos, sabemos que

IZT = 20 mA, VZT = 6.8 V, IZK = 1 mA, e IZM = 50 mA. ¿Cuál es la tensión del diodo
cuando la corriente es igual a 30 mA?. Determine también la tensión del diodo cuando
la corriente es de 10 mA.

Respuesta: En la Fig. 12.33 vemos el circuito equivalente de ese diodo.

Cuando IZ = 30 mA, está 10 mA más alto que cuando IZT = 20 mA.

IZ = +10 mA
VZ = IZ RZ = (10 mA) (5) = + 50 mV

Como la corriente es más alta que IZT, la tensión Zener se aumentará, por lo tanto la
tensión en IZ = 30 mA será:

VZ = 6.8 V + VZ = 6.8 V + 50 mV = 6.85 V

Cuando IZ = 10 mA, es 10 mA menos que con IZT = 20 mA

IZ = +10 mA
VZ = IZ RZ = (-10 mA) (5) = - 50 mV

Como la corriente es más baja que IZT, la tensión Zener se disminuirá, por lo tanto la
tensión en IZ = 10 mA será:

VZ = 6.8 V + VZ = 6.8 V - 50 mV = 6.75 V

Fig. 12.23

12.8.1.4. Estabilización de Tensión con Diodo Zener

El diodo Zener se usa corrientemente para rectificar la tensión. Cuando la tensión de

entrada se cambia (en el límite), el potencial en los dos terminales del diodo Zener
permanece constante. Sin embargo, VIN se cambia con IZ, y el rango de entrada se
limitará a las corrientes altas y bajas (IZK e IZM) del diodo.

Por ejemplo, si el rango ajustable es de 4 ma a 40 mA para el diodo Zener de la Fig.

12.34, entonces el potencial en la resistencia de 1 k para la corriente mínima es de:
 Como

Para la corriente mínima, el potencial en la resistencia de 1 k es:

Este ejemplo demuestra que la tensión de salida del diodo puede sostener
10V (hay un pequeño cambio debido a la resistencia Zener) cuando la
tensión de entrada está entre 14V y 50V.

Fig. 12.34

Ejemplo 12.6. Determine los límites superior e inferior de entrada en la Fig.

12.35(a). Suponga los parámetros que se suministran a continuación:

Fig. 12.35(a)

Respuesta: La Fig. 12.35(b) representa el circuito equivalente de la Fig. 12.35(a).

Cuando IZK = 1 mA, la tensión de salida es:
Por lo tanto:

Con la tensión de salida es:

Por lo tanto:

Fig.12.35 (b) – Circuito Equivalente de la Fig.12.35 (a)

12.8.1.5 Limitación con Diodos Zener

En aplicaciones con AC, el diodo Zener se puede usar para limitar la amplitud de la
tensión. En la Fig.12.36 se muestran tres circuitos de limitación Zener. El circuito de la
Fig.12.36 (a) es para limitar el pico positivo de tensión como tensión específica Zener.
Para el medio ciclo, el diodo Zener actúa como un diodo normal bajo polarización
directa, limita la tensión negativa a –0.7V. Sí el diodo Zener se invierte como se
muestra en la Fig.12.36 (b), entonces el pico de tensión negativa está limitado en
forma de tensión de disrupción del diodo. La tensión negativa está limitada a 0.7V. Sí
se conectan dos diodos Zener en serie y espalda contra espalda, entonces las
tensiones pico negativa y positiva están limitadas como tensiones Zener más 0.7V.,
como se muestra en la Fig.12.36 (c). Durante el ciclo positivo D2 funciona como diodo
Zener, y D1 actúa como un diodo normal bajo polarización directa. Los papeles se
cambian durante el ciclo negativo.
Fig.12.36 – Efecto limitador de diodo Zener en tensiones de onda senoidal

Ejemplo 12.7. Determine la tensión de salida de cada diodo Zener en la

Fig.12.37

Fig.12.37

Respuesta: Las salidas son tal como se muestra en la Fig.12.38. Nótese que
cuando uno de los diodos Zener está en disrupción, el otro debe estar bajo
condición de polarización directa, y la tensión del terminal es de 0.7V.
 Fig.12.38

12.8.2 Diodo Varactor

Básicamente, el diodo Varactor es una unión p-n bajo polarización inversa. Se aplica la
polarización inversa en la unión p-n, y luego ambos lados de la región de disrupción
se convierten en las uniones de un capacitor. La región de disrupción inducida por la
polarización inversa se convierte en el dieléctrico del capacitor debido a sus
características de no conducción. Las regiones de tipo p y de tipo n se convierten en
las placas del capacitor, como se muestra en la Fig.12.39.

Región de disrupción

placa /diel/plac

Fig.12.39 – Un diodo Varactor bajo polarización inversa se puede convertir en un

capacitor variable

Cuando la polarización inversa aumenta, la zona de disrupción se hace más ancha.

Por lo tanto el dieléctrico lo hará también. Esto disminuye la capacitancia. Sí la
polarización inversa disminuye, la región de disrupción se hace más angosta y la
capacitancia aumenta. Por lo tanto, la capacitancia de un diodo Varactor es
inversamente proporcional a la polarización inversa, como se muestra en las Fig.
12.40 (a) y (b). La curva de capacitancia vs. tensón es tal como se muestra en la
Fig.12.40 (c).
 (a) VR aumenta, (b) VR disminuye, (c) Capacitancia vs.
capacitancia disminuye capacitancia aumenta tensión inversa

Fig.12.40 Capacitancia del Varactor depende de la tensión inversa

La capacitancia la determina el área de la placa A, la constante dieléctrica

, y el ancho del dieléctrico, según la fórmula:

La capacitancia del diodo Varactor se controla mediante la concentración de dopaje, y

el tamaño y forma del diodo mismo. La capacitancia del diodo puede ir desde pF hasta
cientos de pF.
La Fig.12.41(a) a continuación es el símbolo de un diodo Varactor y la Fig.12.41(b) es
el circuito equivalente donde Rs es la resistencia en serie inversa, y C v es el capacitor
variable.

(a) símbolo (b) circuito equivalente

Fig.12.41 – Diodo Varactor

El propósito principal de un diodo Varactor reside en los circuitos de modulación. Por

ejemplo, todos los moduladores de equipos de televisión y radio utilizan diodos
varactores.

En circuitos de modulación el diodo Varactor se puede usar como capacitor variable.

La frecuencia modulada se puede ajustar por medio de la tensión variable. En la
Fig.12.42, dos diodos Varactor constituyen los capacitores variables del circuito
paralelo resonante.
La tensión variable DC puede controlar la polarización inversa del diodo, lo cuál
significa que también pude controlar su capacitancia. La frecuencia resonante del
circuito es:

Esta aproximación puede usarse cuando Q  10.

Fig.12.42 – Diodos Varactor en circuito resonante

Ejemplo 12.8. El rango de capacitancia de un varactor es desde 5 pF hasta 50pF. Este

diodo se puede usar en el circuito resonante de la Fig.12.42. Cuando L = 10 mH,
determine el rango de resonancia.

Respuesta: El circuito equivalente es como se muestra en la Fig.12.43.

Nota: Los diodos varactor se conectan en serie. La capacitancia total mínima es:

Por lo tanto, la frecuencia máxima de resonancia es:

La capacitancia total máxima es:

 La frecuencia mínima de resonancia es:

Fig.12.43

12.8.3 Diodo Emisor de Luz (LED)

La operación básica de un LED es como sigue: cuando el dispositivo está bajo

polarización directa, los electrones de la región n se mueven a través de la unión p-n y
se combinan con los agujeros de la región p. En vista de que el electrón libre en la
banda de conducción tiene un nivel más alto de energía que el agujero en la banda de
valencia, cuando se recombinan, el electrón cede su energía, ya sea en forma de calor
o de luz. En superficies expuestas de mayor tamaño en el semiconductor, los fotones
se ven como luz visible. En la Fig12.44, este proceso se conoce como Luminiscencia
Electrónica.

Energía Lumínica

Fig.12.44 – Teoría de emisión de luz de un LED y su símbolo

 Fig.12.44 – Aspecto de diodos LED

La Fig.12.44(a) muestra a un LED bajo corriente directa, donde R es la corriente límite.

La potencia lumínica es proporcional a la magnitud de la corriente, como se muestra
en la Fig.12.45(b).

(a) Operación directa (b) Característica de luz vs. corriente

directa

Fig.12.45 – Operación de un LED

En general la caída de tensión de un LED en funcionamiento es de unos cuantos

voltios. Por ejemplo, el TIL222 es un LED de color verde donde la caída mínima de
tensión es de 1.8V y la caída máxima de 3V. La magnitud de la resistencia para limitar
la corriente se determina por la luminiscencia (es decir, la magnitud de la polarización
directa). Generalmente, es de unos cientos de ohmios. En la Fig.12.45(a), E=5V la
caída de tensión del LED es de 1.7V, iF debe ser de unos 20 mA. La resistencia R = (5
-1.7)V / 20mA=165 .

Un LED generalmente se usa para mostrar situación de encendido y en pantallas

digitales. Se usa ampliamente en instrumentos, productos de consumo y aplicaciones
científicas. Estos LEDs generalmente se usan en pantallas con puntos decimales. La
principal aplicación de los LEDs infrarrojos es en los acoplamientos por luz, utilizando
generalmente fibras.
12.8.4 Fotodiodos

Un fotodiodo es un dispositivo de unión p-n trabajando con polarización inversa, cuyo

símbolo se muestra en la Fig.12.46(a). I es la corriente inversa.

En el fotodiodo se dispone de una pequeña ventana transparente para dejar pasa la

luz a la unión p-n. El símbolo se muestra en la Fig.12.46(b)

(a) Polarización inversa (b) Otro símbolo

Fig.12.46 – Fotodiodo

Recuérdese que siempre habrá una pequeña corriente de fuga en el diodo rectificador
bajo polarización inversa, y el fotodiodo tiene esa misma característica. En el diodo
rectificador, la corriente inversa se incrementará cuando la temperatura también
aumenta. La razón es que existen más pares de huecos – electrones inducidos a alta
temperatura.

Sin embargo, el fotodiodo es un tanto diferente del diodo rectificador. Casi puede
ignorarse la corriente I, que corrientemente se le llama corriente oscura. Si se
incrementa la intensidad de la luz (luminiscencia por unidad de área – lm/m2),
entonces la corriente inversa se aumenta en la forma en que se muestra en la
Fig.12.47(a). La Fig.12.47(b) muestra la curva característica de un fotodiodo bajo
polarización inversa.

A partir de la curva característica en la Fig.12.47(b), sabemos que la corriente oscura

para un dispositivo es de 25 A bajo una polarización inversa de 3V. Por lo tanto la
resistencia del dispositivo bajo condición no polarizada es:

Para una condición de polarización inversa con 3V y una luminiscencia de 25000 lm /

m2 es de unos 375 A. La resistencia bajo estas condiciones será de:
 A partir de este cálculo sabemos que un fotodiodo se puede considerar
como una resistencia variable controlada por la luminiscencia.

(a) Luminiscencia vs. corriente

Corriente
oscura

Corriente inversa

(b) Corriente Inversa

Fig. 12.47 – Características de un fotodiodo típico

La Fig. 12.48 explica que en un fotodiodo no existe corriente inversa bajo condiciones
nulas de luz. Cuando la luz brilla sobre el fotodiodo, la corriente inversa es
proporcional a la luminiscencia.
 Luz apagada Luz encendida

(a) No hay luz, no hay corriente (b) cuando hay luz la resistencia
disminuye y hay corriente inversa

Fig. 12.48 – Operación de un fotodiodo

12.8.5 Diodos Schottky

Los diodos Schottky se usan en alta frecuencia y en circuitos de conmutación de alta

velocidad. También se llaman diodos de difusión en caliente. El símbolo se muestra en
la Fig. 12.49.

Unión silicio - metal

(a) Símbolo (b) Estructura interna de un diodo Schottky

Fig. 12.49

El diodo Schottky se fabrica conectando un semiconductor dopado ( generalmente es

del tipo n) con un metal (oro, plata o platino). Por lo tanto, la unión no es del tipo p-n.
La Fig. 12.49(b) muestra la forma de la unión metal semiconductor.

En el diodo Schottky existen solamente portadores mayoritarios, y no hay minoritarios.

En la bande de conducción existen muchos electrones pero solamente unos pocos
están dopados en el semiconductor de tipo n. Una vez que se aplica la tensión directa
al diodo, los electrones en el material tipo n se moverán hacia la región metálica y
dejarán escapar inmediatamente un tanto de energía. El diodo Schottky es diferente
de un diodo tradicional, ya que no hay portadores minoritarios, y por lo tanto puede dar
una respuesta muy rápida bajo tensión. Es lo que se puede llamar un diodo
conmutador de alta velocidad. Por lo tanto, se puede usar en rectificación de señales
de alta frecuencia, así como en circuitos digitales para reducir el tiempo de
conmutación.

12.8.6 Diodos Túnel

El diodo túnel tiene características de “resistencia negativa”, la cual es importante en la
amplificación de microondas de osciladores. La Fig. 12.50 muestra los símbolos de los
diversos diodos túnel.

Región de resistencia
negativa

Región de
tensión normal

(a) Símbolos para el diodo túnel (b) características del diodo túnel

Fig. 12.50 – Características y símbolo del diodo túnel

Los diodos túnel se fabrican de germanio o de arseniuro de galio. En ese diodo se

tienen concentraciones más altas en las regiones n y p que en los diodos corrientes.
Como una alta concentración hace más angosta la región agotada, esto hará que el
diodo sea conductivo bajo polarización inversa, sin producir el efecto de disrupción,
como se muestra en la Fig. 12.50(b).

Siendo la región de agotamiento más angosta, los electrones en esta región tendrán
que pasar a manera de túnel hacia la unión p-n mediante polarización directa baja,
actuando como conductor, según se muestra en la los puntos de A a B en la curva.

Una vez en el punto B, la tensión directa generará el efecto de barrera y por lo tanto la
corriente disminuirá cuando la polarización se aumenta. Esta región es la región de
resistencia negativa.

El efecto es opuesto a lo que indica la Ley de Ohm: la tensión aumenta, y la corriente

también. Una vez alcanzado el punto C, actúa como un diodo normal.

Un circuito resonante en paralelo se puede expresar mediante un capacitor, un

inductor y una resistencia en paralelo. En la Fig. 12.51(a) , R p es la resistencia
equivalente en paralelo. Una vez que el circuito produce resonancia, generará una
onda senoidal atenuada, como se muestra en la Fig. 12.51(b). Esta condición de
atenuación es causada por la resistencia en el circuito resonante debido a que debe
haber disipación de potencia cuando la corriente fluye a través de la resistencia. Esto
se opone o se resiste a la oscilación continua.
Si el diodo túnel se conecta en serie con el circuito resonante, y se mantiene la
polarización en la región de resistencia negativa, como se muestra en la Fig. 12.52,
entonces la oscilación se mantendrá en la salida (onda senoidal constante). La razón
es que el efecto de resistencia negativa cancelará la resistencia positiva del circuito
resonante.

Circuito Punto
resonante de bias

Fig. 12.52 – Oscilador de diodo túnel

12.8.7 Diodo Láser

La luz de láser es monocromática. Esto significa que contiene un color único y ninguno
otro dentro de la luz. La luz de láser también se llama luz coherente

porque tiene una única onda, o un rango de longitud de onda muy reducido. Es
diferente de la luz no coherente, con un amplio espectro de longitud de onda.

La luz del diodo láser es luz monocromática, pero la luz de un LCD (pantalla de cristal
líquido) es no monocromática. La Fig. 12.52(a) muestra la estructura básica del diodo
láser. La unión p-n la forman dos capas de arseniuro de galio dopado (contaminado), y
el tamaño de la unión p-n afectará la longitud de onda de la luz emitida. Uno de los
lados de la unión es una superficie altamente reflectiva, y el otro lado es parcialmente
reflectiva. En el exterior se encuentran pines del ánodo y el cátodo.

Lado Superficie
parcialmente altamente Lado
reflectivo reflectiva parcialmente
reflectivo
 Superficie
altamente
reflectiva

Región
Unión agotada
p-n

Fig. 12.53 – Estructura básica y operación del diodo láser

La operación básica es la siguiente: Se aplica una polarización directa a la unión p-n,

lo que hace que pasen electrones a través de la unión, y que haya una recombinación
en la región agotada. Este proceso es igual que en un diodo normal. Cuando un
electrón cae dentro de un agujero, se induce la recombinación y se libera un fotón.
Este fotón liberado colisiona con un átomo y produce otro fotón. Toda esta acción
aumenta la corriente directa. Habrá más electrones ingresando a la región agotada,
liberando más fotones. Estos se diseminan al azar en la región agotada, y algunos de
ellos colisionan en forma directa con la superficie reflectiva. Finalmente, cuando hay
suficientes fotones, se forma un fuerte haz de luz láser, inyectados de la superficie
parcialmente reflectiva de la unión p-n.

Los fotones generados mediante este procedimiento tienen la misma energía, la

misma relación de fasor y frecuencia. Por lo tanto, la luz del diodo láser es de una
única longitud de onda. Existe un valor crítico de corriente para este diodo.

Cuando la corriente es más baja que este valor, el diodo láser actúa como un LED
normal, siendo la luz que emite no coherente.

Los diodos láser y los fotodiodos generalmente se usan en sistemas de lectura de

señales de equipos CD (disco compacto). La señal de audio se almacena en el CD en
forma digital. La luz del diodo láser puede enfocarse mediante una lente y luego
dirigirla hacia la superficie del disco compacto. Cuando el disco rota, la lente y el haz
de láser se activan y la señal almacenada cambia debido a los “baches y partes
“planas” en la superficie. La señal reflejada por la pista del disco se proyecta a través
de la lente en el diodo infrarrojo, y luego la señal se recupera en forma de señales
digitales de audio por el fotodiodo.

12.9 Hoja de Datos de Diodos

La mayoría de los fabricantes de diodos suministran la información de sus productos

en una hoja de datos, como referencia para su aplicación. Una especificación típica
debe incluir el valor máximo, características eléctricas, características mecánicas y
parámetros variables. En esta sección vamos a tomar un ejemplo para explicar la Hoja
de Datos.
En la Tabla 12.1, se tiene una lista de las capacidades máximas de una serie de
diodos rectificadores (IN4001 – IN4007). Estos son valores máximos seguros. Una vez
que la corriente sobrepase estos valores, el diodo se daña.

Con el fin de mejorar la confiabilidad y la vida del diodo, éste siempre opera por debajo
del valor máximo especificado. Este valor máximo por lo general se base en la
operación a 25 º C. Una temperatura más alta podría disminuir su valor especificado.

La explicación de la Tabla 12.1 es la siguiente:

VRRM Tensión inversa de pico máxima constante en el diodo. Bajo esta

situación, N4001 es 50V e IN4007 es 1000V. Es igual al valor PIV.

VRSM Tensión inversa de pico máxima discontinua en el diodo.

IO Corriente directa máxima promedio para rectificador de 60 Hz de onda

completa.

IFSM Corriente directa máxima no repetible (1 ciclo). La Fig. 12.54 muestra

los valores de corriente no repetible que exceden en más de 1 ciclo
para 25 y 175 grados Centígrados. Las líneas a puntos implican los
valores de falla de los dispositivos. Nota: en la línea continua inferior, el
valor de la corriente para diez ciclos es de 15 A, pero la misma para 1
ciclo es de 30 A.

Tabla 12.1

Valor Símbolo IN4001 IN4002 IN4003 IN4004 IN4005 IN4006 IN4007 Unidad
Valor de VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
pico inverso
continuo
máximo
Valor de VRMS 60 120 240 480 720 1000 1200 V
pico inverso
discontinuo
máximo
Valor del VR(rms) 35 70 140 280 420 560 700 V
efecto de
tensión
inversa
Corriente I0 A
directa
promedio
(60 Hz, TA =
75 ºC)
Corriente IFSM 30 A
directa
máxima de
pico no
repetible
Rango de Tj - 65 +175 ºC
temperatura
de
operación
en la unión

Corriente de pico directa máxima no repetible para descarga

Corriente de pico no repetible según diseño
Corriente de pico directa máxima no repetible para carga
específica
Corriente de pico no repetible según diseño

Fig. 12.54 – Corriente directa de pico máximo no repetible

12.10 Resumen

1. Según el modelo tradicional del Átomo de Bohr, los electrones se asemejan a

planetas moviéndose alrededor de un núcleo en diferentes órbitas.
2. El núcleo está compuesto de protones y neutrones. Los protones tienen carga
positiva y los neutrones no poseen carga. La cantidad de protones y neutrones
depende del peso atómico.
3. Los electrones tienen carga negativa y se mueven alrededor del núcleo en
diferentes órbitas. La distancia del electrón al núcleo depende de su nivel de
energía. Las órbitas de los electrones en el átomo son bandas discontinuas de
energía. Se llaman “capas”, y se denominan como K, L , M. Cada capa tiene
una cantidad máxima permisible de electrones. Bajo estado neutro, el átomo es
neutro también debido a que tiene un número igual de protones y de
electrones.
4. La capa exterior del átomo se llama banda de valencia. Los electrones en la
banda de valencia la abandonarán si obtiene suficiente energía del exterior.
5. El silicio y el germanio tienen cuatro electrones en sus bandas de conducción.
El silicio (sílice o silicón) es el material semiconductor más corriente.
6. Un cristal es un material sólido compuesto de átomos que se unen entre sí
mediante uniones llamadas “enlaces covalentes”. En una estructura cristalina,
los electrones de valencia que abandonan su átomo original se convierten en
electrones de conducción o electrones libres. Poseen más energía que los
electrones en los lazos covalentes. Estos electrones libres se mueven
libremente dentro del material. Cuando los electrones abandonan los lazos
covalentes y se convierten en electrones libres, se formarán al mismo tiempo
agujeros (huecos), llamados parejas electrón – agujero. Estas parejas de
electrón – hueco se generan por ionización térmica debido a que los electrones
ganan su energía del exterior y rompen luego los lazos covalentes.
7. Los electrones libres pierden su energía y ocupan los agujeros. A esto se le
llama recombinación. Sin embargo, los pares electrón – hueco se generan en
cualquier momento debido a la ionización térmica. Por lo tanto, en el material
siempre habrá electrones libres.
8. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los electrones libres se
generan por ionización térmica. Estos electrones se mueven todos hacia una
misma dirección y se convierten en una corriente. Esta corriente es intrínseca
al conductor.
9. Otra corriente es la de huecos. Los electrones de valencia llenan los agujeros y
generan nuevos huecos, que actúan como electrones moviéndose en dirección
opuesta.
10. Un conductor tiene una gran cantidad de electrones, por lo que es fácil que la
corriente transite. El aislador tiene solamente unos pocos electrones, por lo
tanto no puede conducir la corriente a temperatura ambiente. La conductividad
de un conductor intrínseco está entre la de un conductor y la de un aislador,
por lo tanto, puede conducir pequeñas cantidades de corriente.
11. Al agregar impurezas con electrones de valencia en un semiconductor, se
forma material de tipo n. Estas impurezas son átomos con cinco electrones de
valencia. Este proceso se llama dopaje o contaminación. Al agregar impurezas
con tres electrones de valencia a un semiconductor se forma material de tipo p.
Estas impurezas son átomos con tres electrones de valencia.
12. Los portadores mayoritarios en un semiconductor de tipo n son electrones. Se
generan por dopaje. Los portadores minoritarios son huecos causados por los
pares electrón – hueco generados por ionización térmica. Los portadores
mayoritarios en un semiconductor de tipo p son huecos. Se generan por
dopaje. Los portadores minoritarios son electrones causados por los pares
electrón – hueco generados por ionización térmica.
13. Un material tipo n con otro material tipo p puede formar una unión p-n. La
región cercana a la unión p-n se convierte en la región agotada. En ella no hay
portadores mayoritarios. La zona de agotamiento se forma por ionización.
14. La corriente solamente conduce a través de la unión p-n bajo polarización
directa. Sin polarización o bajo polarización inversa, no hay corriente. Bajo
polarización inversa, existen solamente pequeñas corrientes debido a los
portadores minoritarios generados por ionización térmica. Esta pequeña
corriente por lo general se puede ignorar. Una unión p-n simple puede formar
un diodo semiconductor.
15. Un diodo puede conducir corriente bajo polarización directa y ser resistivo a la
corriente bajo polarización inversa.
16. La tensión de barrera para un diodo de silicio bajo polarización directa es de
0.7V, y para el germanio es de 0.3V. Estos valores varían ligeramente con la
magnitud de la corriente directa.
17. Un diodo Zener funciona en la región de disrupción inversa.
18. Cuando VZ < 5V, la disrupción Zener es dominante. Cuando V Z > 5V, domina
la disrupción de avalancha.
19. En el rango de corriente Zener, la tensión en el diodo permanece constante.
20. El diodo Zener se puede usar como rectificador de tensión y como limitador del
circuito.
21. La tensión de operación de un diodo Zener es de 1.8 v a 200V.
22. Bajo polarización inversa, el diodo varactor funciona como un capacitor
variable.
23. La capacitancia de un diodo varactor es inversamente proporcional a la
polarización inversa.
24. En un diodo Schottky se tiene una unión metal – semiconductor. Su principal
aplicación es en circuitos ON / OFF de mucha rapidez.
25. El diodo túnel se puede usar en circuitos resonantes.
26. Un LED emite luz bajo polarización directa.
27. Entre mayor sea la luminiscencia, el fotodiodo tendrá mayor corriente inversa.
28. Cuando la corriente inversa excede el valor crítico, el diodo láser emite luz
monocromática (onda única).