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    Diodo Schottky

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    El diodo Schottky tiene una unión metal-semiconductor de tipo N en lugar de una unión P-N. Estos diodos se caracterizan por su alta velocidad de conmutación y baja caída de voltaje directa (típicamente 0.25-0.4V). Se construyen uniendo un metal a un semiconductor tipo N ligeramente dopado, formando una barrera Schottky. Cuando el diodo está polarizado directamente, los electrones en el semiconductor ganan energía para cruzar la barrera y conducir corriente.

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    El diodo Schottky tiene una unión metal-semiconductor de tipo N en lugar de una unión P-N. Estos diodos se caracterizan por su alta velocidad de conmutación y baja caída de voltaje directa (típicamente 0.25-0.4V). Se construyen uniendo un metal a un semiconductor tipo N ligeramente dopado, formando una barrera Schottky. Cuando el diodo está polarizado directamente, los electrones en el semiconductor ganan energía para cruzar la barrera y conducir corriente.

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    diodo schottky

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    El diodo Schottky tiene una unión metal-semiconductor de tipo N en lugar de una unión P-N. Estos diodos se caracterizan por su alta velocidad de conmutación y baja caída de voltaje directa (típicamente 0.25-0.4V). Se construyen uniendo un metal a un semiconductor tipo N ligeramente dopado, formando una barrera Schottky. Cuando el diodo está polarizado directamente, los electrones en el semiconductor ganan energía para cruzar la barrera y conducir corriente.

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    Diodo schottky

    A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el
    diodo schottky  o diodo de barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se
    caracterizan por su velocidad de conmutación y una baja caída de voltaje
    cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).

    Símbolo esquemático

    Curva característica
    Diodo schottky

    Construcción

    En un extremo, hay una unión formada entre El metal y el semiconductor de


    tipo n ligeramente dopado. Esta es la unión unilateral. En el otro extremo, el
    metal y el contacto semiconductor fuertemente dopado está presente. Se
    llama Contacto bilateral ohmico (ver Figura 2 y Figura 3). En este contacto,
    ningún potencial está presente y no es rectificador.

    Si se incrementa el dopaje del semiconductor, El ancho de la capa de


    agotamiento disminuye. Cuando el ancho se reduce a un cierto nivel, los
    portadores de carga se canalizarán fácilmente a través de la región de
    agotamiento. Cuando el dopaje es muy alto, la unión nunca puede actuar
    como un rectificador y se convertirá en un contacto óhmico. Este diodo
    puede ser un diodo y un contacto óhmico simultáneamente.}

    Cuando un diodo Schottky está en condición imparcial,los electrones que se encuentran en


    el lado del semiconductor tienen un nivel de energía muy bajo en comparación con los
    electrones presentes en el metal. Por lo tanto, los electrones no pueden fluir a través de la
    barrera de unión que se llama Barrera de Schottky. Si el diodo está polarizado hacia
    delante, los electronespresente en el lado N obtiene energía suficiente para cruzar la barrera
    de unión y entra en el metal. Estos electrones entran en el metal con tremenda energía. En
    consecuencia estos electrones son conocidos como portadores calientes. Así el diodo se
    llama así. diodo portador caliente.
    Diodo schottky

    Aplicaciones
    Utilizado en fuentes de alimentación de modo conmutado.
    Utilizado en protección de corriente inversa.
    Utilizado en la protección de descarga.
    Utilizado en aplicaciones de sujeción de tensión.
    Utilizado en mezclador de RF y diodo detector.
    Utilizado en aplicaciones de celdas solares.

    Características

    Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la


    flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo
    rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de
    alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en
    sentido directo es bastante grande y supera la capacidad de este diodo.

    No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

    El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la


    tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.
    Diodo schottky

    De que depende su modo de operación

    Un diodo de barrera Schottky también se conoce como Schottky o diodo


    portador caliente. Un diodo de barrera Schottky es un semiconductor de
    metal. Se forma una unión al poner en contacto el metal con un material
    semiconductor de tipo N moderadamente dopado. El diodo de barrera
    Schottky es un dispositivo unidireccional que conduce flujos de corriente solo
    en una dirección (flujo de corriente convencional del metal al semiconductor)

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