RESÚMEN DE

SEMICONDUCTORES
Física de semiconductores

9 DE NOVIEMBRE DE 2022
UNIVERSIDAD VERACRUZANA
VAlDES VILLA SEALTIEL ALEJANDRO
RESÚMEN 1: ESTRUCTURA ATÓMICA DE LA MATERIA
Los átomos tienden a formar enlaces para formar moléculas, pero el caso de los
cristales es especial, la última banda de electrones de un cristal está conformada
por la ultima capa de cada átomo del cristal debido a que están muy próximos
unos a otros.

En el mundo de los semiconductores estos pueden ser extraídos naturalmente,

como es el caso del germano o creados artificialmente. El germanio es utilizado en
gran parte de la electrónica si de semiconductores hablamos, únicamente
superado en uso por el silicio, en ambos casos su estructura cristalina se compone
de enlaces covalentes de 1 electrón, puesto que tiene 4 electrones de valencia y
estos enlaces solo se romperán aplicando cierta cantidad de energía.

Entonces, cuando se le aplica la energía suficiente al cristal de germanio el

electrón de algún átomo se separará del mismo, provocando que se genere un par
electrón-hueco y solo se podrá rellenar hasta que otro electrón rellene dicho
espacio. Esto es fácil ya que en ausencia de un electrón el átomo presentará una
carga positiva que atraerá a otro electrón libre de carga negativa, atrayéndose
mutuamente. Esto es lo que permite que pueda haber un flujo de corriente a través
del cristal.

Sin embargo, los cristales de germanio no son 100 % puros y nunca se quedarán
sin electrones libres, en realidad, un cristal de esas características es meramente
hipotético y se le conoce como “ideal”, estando a una temperatura de cero
absoluto. Es decir, los cristales de germanio utilizados diariamente son impuros y
sus electrones pueden ser excitados por la temperatura ambiente fácilmente.
Regresando con el punto de las impurezas, estas pueden ser muy útiles ya que
mientras más impuro sea el cristal, mejor será su conductividad, ya sea un
elemento pentavalente o trivalente.

Mientras que el primer tipo de elemento deja un electrón libre sin enlace, el
segundo no logra completar los enlaces del germanio, dejando entonces un
hueco. Es decir, mientras que las impurezas pentavalentes provocan cargas
negativas o cristales tipo-n, los enlaces trivalentes generan cristales tipo-p.

Los semiconductores tienen entonces, una concentración de impureza donadora y

una concentración aceptadora.

Dentro de las impurezas también existen otros conceptos como la región de

ionización débil, que se refiere a la concentración de electrones con respecto a la
temperatura.
Al aplicar una temperatura cualquiera a un semiconductor puede haber una gran
dispersión de velocidades de los portadores (enlaces electrón-hueco) sin importar
el incremento de energía de los mismo.

RESÚMEN 2: ESTRUCTURA CRISTALINA

La palabra cristal se asocia principalmente a uno de los 3 estados de la materia:
los sólidos, a pesar de que existen sólidos que no son cristalinos y líquidos que si
lo son.

El sólido cristalino está compuesto de átomos en posición fijas y ordenadas,

presenta una estructura periódica característica de cristales grandes como de
partículas de polvo. En esta estructura, los átomos no sé alteran a pesar de la
vibración atómica continúa.

Esto no significa que todos los sólidos cristalicen de forma idéntica, sino que cada
variedad se identifica por una simetría determinada. La sal común cristaliza en una
estructura cúbica llamada cubo de cara centrada, dónde cada átomo de sodio
tiene seis átomos de claro como vecinos más próximos y todos los seis son
equidistantes. Existe otra estructura llamada cubo de cuerpo centrado a la que
pertenece una de las formas cristalinas del hierro.

Los semiconductores de la columna IV de la tabla periódica cristalizan en

estructura de diamante, que se produce como resultado de enlaces covalentes.
Estos enlaces se forman mediante paredes de electrones de spin opuestos. La
estructura electrónica permite que cada átomo forme cuatro paredes usando los
cuatro electrones de las capas externas.

Cada átomo tiene cuatro vecinos equidistantes en geometría tetraédrica La

estructura de diamante está compuesta por dos redes de tipo cubo cara centrada
los cuales se desplazan, una con respecto a la otra, por un cuarto de la diagonal
del cubo.

En la tierra hay cristales naturales los cuales se originaron durante el periodo de

enfriamiento de la corteza terrestre, y su tamaño depende de la lentitud con la que
ocurrió ese enfriamiento.

Los cristales también son hechos en laboratorio cuando se requiere, como es el

caso de los cristales de silicio y germanio que son estudiados y empleados
extensamente por sus propiedades semiconductoras.

Las propiedades físicas de los semiconductores sé alteran sensiblemente por la

presencia de átomos de elementos distintos del constituyente básico denominado
impurezas. Las propiedades direccionales de los monocristales son importantes
en la investigación de la estructura electrónica de los semiconductores.

Hay dos técnicas de producir monocristales semiconductores, una consiste en su

obtención a partir de una fase liquida, dónde se le agregan las impurezas que se
deseen. La otra, llamada método de refinamiento de zonas, consiste en eliminar
las impurezas de un policristal para luego introducir las que se quieran estudiar.

En el procedimiento de fase liquida se funde un material en polvo, purificado, que

se mantiene en un crisol a una temperatura superior al grado de fundición del
cristal, por medio de radiación, conducción o inducción.

Una pequeña porción de un cristal que sirve de semilla se fija a la parte inferior de
una varilla y se pone en contacto con el líquido. Al retirar lentamente la varilla se
produce el cristal como una continuación de la semilla. Durante el crecimiento
debe utilizarse una atmósfera de gas inerte, aunque es posible hacerse en vacío.
Antes de la cristalización se introducen las impurezas, pero su concentración no
será igual en las dos fases porque la distribución se rige por el coeficiente de
distribución k:

Dónde c0 y c1 representan la concentración de las impurezas en la fase sólida y

en la líquida. La concentración de impurezas en el líquido varía durante el
crecimiento del cristal, y como consecuencia la concentración en el cristal no es
uniforme.

Con el método de refinamiento de zonas se toma un material impuro o

policristalino, en forma de varilla que se fija en sus extremos. Con un espiral de
poca extensión de van fundiendo por inducción pequeñas zonas de la varilla hasta
recorrer toda su longitud. Se debe realizar en un ambiente gaseoso o en vacío, las
impurezas se concentran en la parte fundida de la varilla, ya que posee en su
mayoría un coeficiente de distribución menor a uno. Al final todas las impurezas se
han concentrado en uno de los extremos de la varilla, de esta manera se obtiene
monocristales muy puros.
RESÚMEN 3: Materiales intrínsecos y extrínsecos
Semiconductores intrínsecos y extrínsecos
Intrínsecos
En caso de carecer de impurezas o agitación térmica, un cristal semiconductor no conduce
electricidad. Con el aumento de temperatura se rompen los enlaces y se liberan
electrones que pueden moverse en el campo eléctrico aplicado y producen cierto grado
de conductividad eléctrica
El electrón que se libera deja un estado vacío, llamado agujero el cual puede ser ocupado
por un electrón vecino, desplazando el agujero en sentido contrario al electrón.
La conductividad eléctrica y la corriente aumentan al aumentar la temperatura.
Extrínsecos
Los semiconductores cuyas propiedades físicas dependen de la presencia de impurezas se
les llama extrínsecos. Para obtener semiconductores de este tipo se introduce un cristal
de cierto número de impurezas cuyos átomos tengan una concentración mucho menor
que la del constituyente básico.
Las impurezas de uso mas frecuente provienen de las columnas V(P,As,Sb,Bi) o
III(B,Al,Ga,Ln) de la tabla periódica. Al introducir en un cristal un elemento de la columna
V, llamado donador o dador, en una posición en que sustituya a un átomo de silicio se
produce un electrón adicional, el electrón libre tiene una energía de ionización muy baja y
a temperatura del helio liquido (4,2°k), permanece en órbita alrededor de su átomo, A
temperaturas mas elevadas se ioniza y contribuye a la conductividad eléctrica, dejando
atrás el ion positivo del donador.}
La conductividad de estos conductores suele ser superior a la conductividad de un
semiconductor intrínseco. Por otra parte, la conductividad iónica es insignificante ya que
la mayoría de los donadores tiene una movilidad muy baja
Concentración de electrones y agujeros en función de la temperatura
Semiconductores intrínsecos
Aunque a la temperatura de cero absoluto, la banda de Valencia de los semiconductores
esta totalmente ocupada por electrones y la banda de conducción permanentemente
vacía, a temperaturas superiores a cero, un cierto numero de electrones se excitan y
pasan a la banda de conducción
Semiconductores extrínsecos
Los donadores suministran niveles de energía que están representados como niveles
localizados en la región prohibida. La diferencia de energía corresponde a la energía de
ionización del electrón adicional del donador, el cual, al ganar esta energía pasa a la banda
de conducción y participa en la conductividad.
RESÚMEN 4: PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE LOS MATERIALES
Importancia de las propiedades eléctricas

Podemos encontrar tres tipos principales de materiales:

 Conductores: Se precisa una alta conductividad eléctrica para transportar

corriente
 Aislantes: Se precisa tener una baja dielectricidad para impedir la ruptura
del material
 Semiconductores:
o Dispositivos fotoeléctricos: Optimizar sus propiedades eléctricas para
fabricar fuentes primarias
o Transistores, circuitos lógicos: Para mejorar sus propiedades
eléctricas permite la fabricación de chips

Portadores eléctricos y el enlace atómico

 La carga eléctrica es responsable de las propiedades eléctricas de un

material
 Tipos de cargas: electrones, iones y huecos (espacios entre electrones)
 Tipos de enlace:
o Metálicos: Facilidad de movimiento en el que los electrones se
comparten por todos los núcleos atómicos
o Covalente: Alto grado de localización, pero con gran dificultad de
desplazamiento, los electrones están compartidos por un par de
átomos
o Iónico: Gran dificultad de movimiento, el material es formado por
interacciones electrostáticas entre iones positivos y negativos
Teoría de bandas

La teoría de bandas es la teoría responsable de describir la estructura electrónica

de los materiales basados en bandas. Se utiliza para revelar cómo los átomos
metálicos se ensamblan entre sí para crear capacidades conductoras, aislantes o
semiconductoras en los materiales.

Se basa en la teoría de que, en las moléculas, los orbitales de los átomos se

enmascaran para producir un número considerado de orbitales moleculares.
Luego, cuando los átomos se juntan para unirse, los orbitales atómicos
desaparecen y se crea un nuevo tipo de orbital, del tamaño de una cinta.
Dependiendo de su conductividad eléctrica, los materiales sólidos pueden ser
conductores, aislantes o semiconductores. La última propiedad se explica por la
teoría de bandas, que establece:

Que los orbitales atómicos de valencia, de los N átomos de un sólido, forman

enlace metálico y se combinan entre sí para dar orbitales moleculares con
energías muy semejantes. Debido a la pequeña distancia de energía que hay
entre ellos, estos orbitales moleculares crean una banda. Se obtienen la cantidad
de orbitales moleculares como orbitales atómicos se combinen.

Los orbitales atómicos se unen para formar un solo orbital gigante que tiene forma
de una banda. Cada banda se forma con energía similar, por lo que es posible que
se establezcan varios de estos elementos con un nivel energético distinto.
La forma más básica se puede encontrar en:

 Banda de valencia: Es la que se forma por la mezcla de los orbitales de

valencia de cada átomo, es decir, es una banda ocupada por los electrones
que se encuentran en el último nivel energético de los átomos. Esta forma
enlace, pero no interviene en la conducción eléctrica.
 Banda de conducción: Es la que se forma por los electrones libres o por la
combinación de los primeros orbitales vacíos de cada átomo. Intervienen en
la conducción de electricidad ya que pueden moverse con facilidad.
 Banda prohibida: Es aquella que se encuentra de forma intermedia entre la
de valencia y la de conducción. Si las bandas se llenan hasta alcanzar el
límite superior, los electrones no pueden responder porque hay una brecha
de energía y esto le impide moverse libremente.

Conductividad eléctrica

La conductividad se basa en la capacidad de mover o excitar electrones para que

pasen de la banda de valencia a la banda de conducción. Se puede comparar con
una ciudad que representa un material sólido, donde cada casa es un átomo y la
habitación es la órbita donde están los electrones.

Si un elemento no es conductor, todos los electrones están alrededor de sus

átomos y encerrados en sus casas. Por el contrario, si el material es conductor, los
átomos están tan juntos que pueden combinarse, como derribar las paredes de
una casa y hacer una sola habitación.

Esta gran sala con todos los átomos representa la banda de valencia, y los
electrones se pueden encontrar en sus respectivas salas. En este caso, sin
embargo, la banda de conducción es como un corredor que se forma a su lado.
Cuando los electrones están allí, no están posicionados y pueden moverse.

La conductividad eléctrica en un metal con defectos

La conductividad en un metal puro va a ser determinada por su estructura de
bandas, así mismo su conductividad será dependiendo del número de portadores
y de la movilidad de estos mismos, como bien se sabe los metales tienen distintas
variedades de creación ocasionando que estos mismos considerando factores
tales como la temperatura, imperfecciones en su red cristalina así como su
procesamiento y endurecimiento pueden ocasionar una serie de defectos mismos
que nos harán tener una mayor o menor movilidad de las cargas eléctricas a
través de estos.

Aplicaciones de los semiconductores

 Termistores: basados en la fuerte dependencia térmica de la conductividad

eléctrica de los semiconductores
– Ejemplos: termómetros, alarmas contra incendio
 Transductores (medidores) de presión: al aplicarse presión sobre un
semiconductor, sus átomos y su estructura de bandas se comprimen,
disminuyendo el gap semiconductor.
 Diodos o dispositivos de unión p-n: rectificadores de corriente
 Transistores o uniones n-p-n/p-n-p

Aislantes y propiedades dieléctricas

En un gran número de aplicaciones eléctricas y electrónicas se necesita

materiales que impidan el paso de corriente eléctrica o la aíslen: aislantes
cerámicos y plásticos (polímeros).

 Alta resistencia eléctrica y muy baja conductividad eléctrica.

 Gap energético entre las bandas de conducción y de valencia muy grande.
 Comportamiento dieléctrico
Por tanto, un aislante eléctrico debe ser material dieléctrico con una resistencia
dieléctrica alta.

Polarización y constante dieléctrica

En un material dieléctrico, los electrones están fuertemente ligados a sus

respectivos núcleos atómicos sin poder abandonar sus posiciones de equilibrio.

Tipos de polarización:

– Electrónica

– Iónica

– Molecular

Piezoelectricidad

Propiedad de algunos materiales dieléctricos basada en la estrecha relación ente

su estructura cristalina y la polarización.

a) Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus átomos y

moléculas se retuercen y el material en su conjunto cambia de tamaño:
electrostricción
b) Al aplicar presión a un material dieléctrico, este se contrae, sus átomos y
moléculas cambian de tamaño y forman dipolos eléctricos. Esta
polarización, a su vez, crea una diferencia de potencial en el material:
Piezoeléctrico

Ferroelectricidad
Por lo general, cuando se elimina un campo eléctrico de un material polarizado,
algunos o todos los dipolos que forma desaparecen debido al desorden térmico.
En los materiales ferroeléctricos, el orden de los dipolos es tan fuerte que un gran
número de ellos permanecen orientados incluso después de eliminar el campo
eléctrico externo.