Lab 5 Elc-115 2022
Lab 5 Elc-115 2022
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1. Objetivos
Los objetivos de este segundo laboratorio de MOSFET son:
1. Polarizar un transistor NMOS.
2. Utilizar un transistor NMOS en una configuración de amplificador de fuente común y medir
su amplificación.
3. Estudiar el efecto de la resistencia de fuente y el condensador de derivación en la
amplificación.
4. Estudiar el efecto de una resistencia de carga sobre la amplificación.
2. Antecedentes
En las lecciones de ELC-115 hemos estudiado como usar un MOSFET como un amplificador
básico de fuente común. Hemos estudiado que elegir un punto de polarización adecuado en la
característica de transferencia es muy importante para garantizar una buena amplificación y reducir
la cantidad de distorsión al tiempo que permite una buena oscilación de voltaje de salida. En el
laboratorio de hoy, el estudiante aprenderá cómo polarizar correctamente un transistor NMOS en
una configuración de fuente común y usar este circuito para amplificar una señal de entrada.
2.1 Polarización
El amplificador de fuente común con un transistor NMOS se muestra en la Figura 1. La
polarización se realiza fijando el voltaje de la compuerta con un divisor de voltaje y también
utilizando una resistencia de fuente R La resistencia de la fuente proporciona retroalimentación
S.
negativa y estabiliza la corriente de polarización en función de las variaciones de temperatura y las
características del transistor. Este es un esquema de polarización popular para circuitos de
transistores discretos. Otros métodos de polarización son posibles, como el uso de una resistencia de
retroalimentación de drenaje a puerta, o el uso de una fuente de corriente constante. Este último es
popular en los circuitos integrados. Nos centraremos en el primer método, ilustrado en la Figura 1.
1
𝐼𝐷 = 2 𝑘𝑁 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 cuando VDS > VGS- Vt (1)
Por lo tanto, para obtener una cierta corriente de polarización I necesitamos aplicar una tensión
D
entre compuerta y fuente, V igual a,
GS
2𝐼
𝑉𝐺𝑆 = √ 𝐾 𝐷 + 𝑉𝑡 (2)
𝑁
Una vez que se conoce la tensión de la compuerta V , se pueden encontrar los valores de la
G
resistencia R yR Elegimos las resistencias de tal manera que la resistencia paralela sea
G1 G2.
2𝐼
𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = √ 𝑘 𝐷 (4)
𝑁
Para que el amplificador funcione correctamente, uno debe asegurarse de que el voltaje de drenaje
no baje más de
2.2 Amplificación
Para las frecuencias de señal de interés podemos suponer que los condensadores actúan como un
cortocircuito lo que implica que el circuito de CA se puede dibujar como se muestra en la Figura 2a.
El transistor puede ser reemplazado por su pequeño circuito equivalente de señal de la Figura 2b.
(a)
(b)
Figura 2 (a) Circuito de CA del amplificador de fuente común y (b) el modelo de transistor equivalente de
señal pequeña. Fuente: Ref. [2]
2𝐼𝐷
𝑔𝑚 = (6)
𝑉𝑂𝑉
𝑅𝐺
𝐺𝑣 = 𝑅 𝐴𝑣 (9)
𝐺 +𝑅𝑠𝑖𝑔
Observe que la resistencia interna Rsig forma un divisor de voltaje con la resistencia R = R || R
G G1 G2
que atenúa la señal de entrada. Es por esa razón que necesitamos mantener la resistencia paralela
R || R grande en comparación con R .
G1 G2 sig
Para el transistor NMOS (del arreglo CD4007CN) usaremos los valores de las
características eléctricas KN , V y λ obtenidas en el laboratorio 4 [3].
t
a. Encuentre el valor de V .
D
b. Encuentre los valores de resistencia R y R Seleccione los valores que están disponibles
S D.
comercialmente.
c. Usando el valor de resistencia real de R encuentre V y V .
S S G
d. Encuentre los valores de las resistencias R y R
G1 G2.
e. ¿Cuál es la disipación total de potencia de DC en el amplificador? (sugerencia: la disipación
de potencia es V xI ).
DD total
Para su reporte incluya los resultados de sus mediciones en LTSpice y compara con los cálculos
realizados a mano. Discuta los resultados cuando resulte apropiado. Incluya los cálculos de la
distorsión armónica total (THD). Explique la disminución de ganancia en baja frecuencia.
Referencias
1. Spiegel. ESE206 Electrical Circuits and Systems Lab II: MOSFETs, Biasing a transistor
and Common Source Voltage Amplifier. University of Pennsylvania, 2005.
th
2. "Microelectronic Circuits, Sedra, Smith, 5 edition, Oxford University Press, New York,
2004.
3. Ramos. Laboratorio IV ELC-115 2022, Universidad de El Salvador.
https://drive.google.com/file/d/1ePgFVJdqMSyN1Wo_F9g8-d4lIja90Nit/view.