Universidad Tecnológica de Coahuila

Dispositivos controlados por compuerta

Docente: Ricardo Martínez Alvarado
Zamorano Lara Jose Miguel
21 de septiembre del 2022

I. INTRODUCCIÓN Diferentes variedades de GTO están disponibles en el

mercado actual con capacidades de voltaje asimétricas y
Es de suma importancia reconocer todos los tipos de
simétricas. Los GTO con idénticas capacidades de bloqueo
tiristores y su funcionamiento para implementarlos en circuitos
directo e inverso se denominan GTO simétricos (S-GTO).
de control de potencia eléctrica, en este caso se estará
Estos se utilizan en los inversores fuente actuales, pero estos
consultando los dispositivos controlados por compuerta GTO e
son algo más lentos. La mayoría de los GTO asimétricos (A-
IGBT.
GTO) se utilizan debido a su caída de tensión de estado ON
II. CONCEPTO GTO más baja y características de temperatura estables.
Estos GTO asimétricos tienen una capacidad de voltaje
Un Gate Turn off Thyristor o GTO es un dispositivo de
inverso apreciable (típicamente de 20 a 25 V). Estos se utilizan
conmutación de semiconductor bipolar de tres terminales.
donde nunca ocurrirá el voltaje inverso a través de él o un diodo
Similar al tiristor convencional, los terminales son ánodo, conductor inverso se conecta a través del circuito.[3]
cátodo y compuerta como se muestra en la figura a
continuación. Como su nombre indica, tiene la capacidad de III. FUNCIONAMIENTO GTO
desactivar la puerta.
Activación
Estos son capaces no solo de encender la corriente
La operación de activación de GTO es similar a la de un
principal con un circuito de activación de compuerta, sino
tiristor convencional. Cuando el terminal del ánodo se hace
también de apagarla. Una pequeña corriente de compuerta
positivo con respecto al cátodo aplicando una corriente de
positiva activa el GTO en el modo de conducción y también
compuerta positiva, la inyección de la corriente del agujero de
mediante un pulso negativo en la compuerta, es capaz de
la compuerta hacia delante polariza la unión de la p-base del
apagarse. En que la puerta tiene flechas dobles que distinguen
cátodo.
al GTO del tiristor normal. Esto indica el flujo de corriente
Esto da como resultado la emisión de electrones del cátodo
bidireccional a través del terminal de puerta. [3]
hacia la terminal del ánodo. Esto induce la inyección del
orificio desde la terminal del ánodo a la región de la base. Esta
inyección de agujeros y electrones continúa hasta que el GTO
entra en el estado de conducción.
En el caso del tiristor, la conducción comienza inicialmente
al encender el área del cátodo adyacente al terminal de la
puerta. Y así, mediante la difusión del plasma, el área restante
entra en la conducción.
A diferencia de un tiristor, GTO consiste en elementos de
cátodo estrechos que están fuertemente interdigitados con el
terminal de puerta, por lo que el área inicial encendida es muy
grande y la dispersión del plasma es pequeña. Por lo tanto, el
GTO entra en el estado de conducción muy rápidamente.[3]
Apagado
Para apagar un GTO conductor, se aplica un sesgo inverso
Ilustración 1 Diferencia del GTO con un tiristor en la puerta haciendo que la puerta sea negativa con respecto al
cátodo. Una parte de los agujeros de la capa base P se extrae a
La corriente de compuerta requerida para apagar el GTO través de la puerta que suprime la inyección de electrones desde
es relativamente alta. Por ejemplo, un GTO con 4000 V y 3000 el cátodo.
A puede necesitar-750 A de corriente de compuerta para En respuesta a esto, se extrae más corriente de agujero a
apagarlo. Por lo tanto, la ganancia de apagado típica de GTO través de los resultados de la puerta más supresión de electrones
es baja y está en el rango de 4 a 5. Debido a esta gran corriente del cátodo. Eventualmente, la caída de voltaje a través de la
negativa, los GTO se utilizan en aplicaciones de baja potencia. unión de la base p causa un sesgo inverso de la unión del cátodo
Por otro lado, durante el estado de conducción, GTO se de la puerta y, por lo tanto, el GTO se apaga.
comporta como un tiristor con una pequeña caída de voltaje de Durante el proceso de extracción de orificios, la región p
estado ON. El GTO tiene una velocidad de conmutación más se agota gradualmente de modo que el área de conducción
rápida que el tiristor tradicional y tiene mayores rangos de queda exprimida. Como este proceso es continuo, la corriente
voltaje y corriente que los transistores de potencia.[3] del ánodo fluye a través de áreas remotas formando filamentos
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de alta densidad de corriente. Esto provoca puntos calientes los dos transistores. La única manera de volver a obtener el
locales que pueden dañar el dispositivo a menos que estos control sobre el transistor es mediante el voltaje de compuerta
filamentos se extingan rápidamente. cuando el VDS ha caído lo suficiente.[2]
Mediante la aplicación de un voltaje de compuerta
negativo alto, estos filamentos se extinguen rápidamente. Los transistores IGBT utilizan la mejor parte de estos dos
Debido a la carga almacenada en la región de base N, la transistores comunes, la alta impedancia de entrada y la alta
corriente de ánodo a compuerta continúa fluyendo incluso velocidad de conmutación de los MOSFET con bajo voltaje de
aunque cese la corriente de cátodo. Esto se denomina corriente saturación de los transistores bipolares, y los combinan para
de cola que decae exponencialmente a medida que los producir otro tipo de dispositivo de conmutación de
portadores de carga en exceso se reducen por el proceso de transistores, es decir, manejar un gran colector-emisor
recombinación. Una vez que la corriente de cola se reduce a un Corrientes con virtualmente ninguna unidad de corriente de
nivel de corriente de fuga, el dispositivo conserva sus compuerta.
características de bloqueo hacia delante.[3] Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) combina la
puerta aislada del MOSFET (de ahí la primera parte de su
IV. APLICACIONES nombre) con las características de rendimiento de salida de un
Debido a las ventajas como excelentes características de transistor bipolar convencional (de ahí la segunda parte de su
conmutación, sin necesidad de circuito de conmutación, nombre).
operación sin mantenimiento, etc., el uso de GTO predomina El resultado de esta combinación híbrida es que el
sobre el tiristor en muchas aplicaciones. Se utiliza como un "transistor IGBT" tiene las características de conmutación y
dispositivo de control principal en helicópteros e inversores. conducción de salida del transistor bipolar, pero está controlado
Algunas de estas aplicaciones son: por voltaje como un MOSFET.[1]

 Variadores de CA VI. APLICACIONES

 Unidades de CC o interruptores de CC Los IGBT se utilizan principalmente en aplicaciones de
 Fuentes de alimentación estabilizadoras de CA electrónica de potencia, como inversores, convertidores y
 Disyuntores de CC fuentes de alimentación, si los MOSFET de potencia bipolar y
 Calefacción por inducción de potencia no cumplen totalmente los requisitos de los
 Y otras aplicaciones de baja potencia dispositivos de conmutación de estado sólido. Los transistores
bipolares de alta corriente y alto voltaje están disponibles, pero
V. CONCEPTO IGBT su velocidad de conmutación es lenta, mientras que los
Un IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada o MOSFET de potencia pueden tener velocidades de
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un conductor de energía conmutación más altas, pero los dispositivos de alto voltaje y
que puede ser apagado y combina los beneficios de los alta corriente son costosos y difíciles de implementar.[1]
MOSFET y los transistores. En un estado estático, permite un
control sin energía, lo que resulta en una resistencia activa La ventaja de los dispositivos de transistor bipolar de
mínima. Los IGBT se usan en la electrónica de potencia con puerta aislada en BJT o MOSFET es que proporcionan una
valores de conmutación de hasta 1,000 kVA. Las aplicaciones mayor ganancia de potencia que los transistores bipolares
clave incluyen el suministro de energía de modo de estándar, así como una operación de mayor voltaje y menores
conmutación, convertidores de frecuencia, inversores y pérdidas de entrada de MOSFET. Ilustración 2
convertidores directos de CD.[2]

En términos físicos, un IGBT cuenta con una estructura de

cuatro capas N-P-N-P. El circuito equivalente puede ser creado
con un MOSFET y dos transistores. La aplicación de una señal
positiva en la compuerta forma un canal conductor entre el
recolector y el emisor. Debido a la unión p-n del lado del
colector en la dirección de conducción, se inyectan orificios
desde este punto hasta la capa epitaxia dopada débilmente. Esto
crea un plasma de orificio de electrón, responsable del flujo de
corriente. Como este plasma primero debe ser acumulado (o
Ilustración 2 Representación de IGBT
reducido para apagar), las pérdidas de conmutación son mucho
mayores que con los MOSFET.[2]

La conexión es un modo no deseado de operación. Cuando

hay corrientes altas, puede conectarse un transistor, como en el
caso de un tiristor, debido a la retroalimentación (necesaria) de
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VII. CONCLUSION
Las aplicaciones que tienen los dispositivos controlados
por compuerta son muy amplias, en el mundo de la electrónica
son mayormente utilizados para controlar altas de voltaje, ya
que sirven como apagadores y encendedores en diferentes
circuitos de potencia.
VIII. REFERENCIAS
[1] Definiciones - IGBT - item Glossar. (2018, May 2). Retrieved
September 21, 2022, from https://glossar.item24.com/es/indice-de-
glosario/articulo/item//igbt.html
[2] Erick, R. (2021, April 1). Transistores IGBT de Potencia.
Transistores. Retrieved September 21, 2022, from
https://transistores.info/transistores-igbt-de-potencia/
[3] Tiristor GTO de desconexión de compuerta. (2022, April 30).
Electronica Lugo. Retrieved September 21, 2022, from
https://electronicalugo.com/puerta-turn-off-tiristor/