Mosfet

MOSFET
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere

una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los
tiempos de conmutación son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia
están encontrando aplicaciones cada vez más numerosas en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de
descarga electrostática.
https://www.youtube.com/watch?v=t_d2PLoOGcI
Los dos tipos de MOSFET son 1) MOSFET decrementales y 2) MOSFET

incrementales.
Un MOSFET de tipo decremental con canal n se forma sobre un substrato de silicio

tipo p, con dos regiones de silicio n. La compuerta está aislada del canal por una
capa muy delgada de óxido. Las tres terminales son compuerta, drenaje y fuente.
En el caso normal, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a
fuente es VGS, y puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones en el área del canal n son repelidos, y se crea una región de agotamiento
abajo de la capa de óxido, dando como resultado un canal efectivo más angosto y
una alta resistencia del drenaje a la fuente RDS. Si se hace que VGS sea
suficientemente negativo, el canal se decrementa hasta desaparecer, “se agota”,
por completo y presenta un valor muy alto de RDS, y no pasa corriente del drenaje
a la fuente: IDS = 0. El valor de VGS, cuando eso sucede, se llama voltaje de
estrechamiento VP. Por otra parte, si VGS se hace positivo, el canal se incrementa
haciéndose más ancho y aumenta IDS, debido a la reducción de RDS. Con un
MOSFET de tipo decremental de canal p, se invierten las polaridades de VDS, IDS
y VGS.
Un MOSFET de canal n de tipo incremental no tiene canal físico. Si VGS es
positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en
la superficie, bajo la capa de óxido. Si VGS es mayor o igual a un valor llamado
voltaje umbral o voltaje de entrada,VT, se acumula una cantidad suficiente de
electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.
Se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS en un MOSFET de tipo incremental
de canal p, o voltaje de entrada,VT, se acumula una cantidad suficiente de
electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.
Se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS en un MOSFET de tipo incremental
de canal p.
Ya que un MOSFET decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta,
mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con cero voltaje
de compuerta, en general los MOSFET de tipo incremental se usan como
dispositivos de conmutación en la electrónica de potencia.
Los MOSFET requieren poca energía de compuerta, y tienen una velocidad muy
grande de conmutación, y bajas pérdidas por conmutación. La resistencia de
entrada es muy alta, de 109 a 1011 . Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es
su alta resistencia en sentido directo en estado activo, y por consiguiente grandes
pérdidas en estado activo.
Características en estado permanente
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden
de los nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente
de drenaje ID y la corriente de compuerta IG suele ser del orden de 109 . Sin
embargo, la ganancia de corriente no es un parámetro importante. La
transconductancia, que es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de
compuerta, define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante.
La transconductancia, también llamada a veces conductancia mutua, es la

característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con
la tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recíproco de la
resistencia.
Características de salida de un MOSFET de canal n incremental. - Hay tres regiones

de operación: 1) la región de corte, donde VGS ≤ VT; 2) la región de estrechamiento
o saturación, donde VDS = VGS - VT, y 3) la región lineal, donde VDS ≤ VGS - VT.
La región de estrechamiento se presenta en VDS = VGS - VT. En la región lineal, la
corriente de drenaje ID varía en proporción con el voltaje de drenaje a fuente, VDS.
Debido a la gran corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET se
operan en la región lineal, para las acciones de conmutación. En la región de
saturación la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier
aumento en el valor de VDS, y en esta región se usan los transistores para amplificar
voltaje.
La transconductancia gm :
Características de salida MOSFET incremental.

La Resistencia de salida,
La resistencia es muy alta en la región de estrechamiento, del orden de los
megaohms, y en la región lineal es muy pequeña, normalmente del orden de los
miliohms.
Para los MOSFET de tipo de decremental, el voltaje de compuerta (o de entrada)

podría ser positivo o negativo. Sin embargo, los MOSFET de tipo de incremental
responden sólo a un voltaje de compuerta positivo. En general, los MOSFET de
potencia son del tipo de incremental.
Características de conmutación
Formas de onda y tiempos de conmutación.
El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia

de entrada hasta el valor del voltaje umbral.
El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel de
umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere para activar al
transistor hasta la región lineal.
El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el necesario para que la capacitancia
de entrada se descargue desde el voltaje de sobresaturación V1 hasta la región de
estrechamiento.
El tiempo de caída tf es el necesario para que la capacitancia de entrada se

descargue desde la región de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS ≤
VT, el transistor se desactiva.
Taller 1:
Realizar un cuadro comparativo entre Mosfet decremental e incremental.

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Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere

Los dos tipos de MOSFET son 1) MOSFET decrementales y 2) MOSFET

Un MOSFET de tipo decremental con canal n se forma sobre un substrato de silicio

Características en estado permanente

La transconductancia, también llamada a veces conductancia mutua, es la

Características de salida de un MOSFET de canal n incremental. - Hay tres regiones

Características de salida MOSFET incremental.

Para los MOSFET de tipo de decremental, el voltaje de compuerta (o de entrada)

Formas de onda y tiempos de conmutación.

El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia

El tiempo de caída tf es el necesario para que la capacitancia de entrada se

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