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    Ejercicios 5

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    Christina Timana
    1. El documento presenta 16 problemas propuestos relacionados con el diseño y análisis de circuitos analógicos que incluyen transistores MOSFET. Los problemas cubren temas como el cálculo de corrientes y voltajes en circuitos MOSFET simples y amplificadores, el diseño de circuitos para lograr valores específicos de corriente y voltaje, y el análisis de parámetros como la ganancia, resistencia de entrada y otros parámetros de los amplificadores.

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    1. El documento presenta 16 problemas propuestos relacionados con el diseño y análisis de circuitos analógicos que incluyen transistores MOSFET. Los problemas cubren temas como el cálculo de corrientes y voltajes en circuitos MOSFET simples y amplificadores, el diseño de circuitos para lograr valores específicos de corriente y voltaje, y el análisis de parámetros como la ganancia, resistencia de entrada y otros parámetros de los amplificadores.

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    1. El documento presenta 16 problemas propuestos relacionados con el diseño y análisis de circuitos analógicos que incluyen transistores MOSFET. Los problemas cubren temas como el cálculo de corrientes y voltajes en circuitos MOSFET simples y amplificadores, el diseño de circuitos para lograr valores específicos de corriente y voltaje, y el análisis de parámetros como la ganancia, resistencia de entrada y otros parámetros de los amplificadores.

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    Dispositivos y Circuitos Analógicos - EL114

    Problemas Propuestos

    Mosfet
    1.- Suponga que Q1 es idéntico a Q2. El NMOS tiene Vt = 0.6V,
    nCox = 200A/V2, L = 0.8m y W = 4m. Encuentre la
    corriente y el voltaje de drenaje de Q2. Considere que la
    corriente ID que circula por Q1 es 40A.

    2.- Los transistores NMOS y PMOS del circuito de la figura tienen


    kn’(W/L)n = kp’(W/L)p = 1mA/V2 y
    Vtn = -Vtp = 1V. Encuentre las corrientes de drenaje IDn e IDp y el
    voltaje vo para vi = 0V, +2.5V y -2.5V.

    3.-

    Diseñe el circuito de la figura para establecer una ID =


    0.5mA y VD = 10V. El Mosfet tiene Vt = 1V y kn’(W/L) =
    1mA/V2. La fuente VDD vale 15V.

    1
    4.- Considere que VDD = VSS = 10V, I = 0.5mA,
    RG = 4.7M, RD = 15k, Vt = 1.5V y kn’(W/L) =
    1mA/V2. Encuentre VGS, VG, VD, VS. Además calcule los
    valores de gm y ro suponiendo que VA = 75V.

    5.- Para los transistores NMOS del circuito de la figura tienen Vt = 1V,
    nCox = 120A/V2, L1 = L2 =1m. Encuentre los valores de W para Q1 y
    Q2, y el valor de R para obtener los valores de voltaje y corriente
    indicados.

    6. Para los transistores NMOS del circuito de la figura tienen Vt = 1V,


    nCox = 120A/V2, L1 = L2 = L3 = 1m. Encuentre los valores de W
    para Q1, Q2 y Q3 para obtener los valores de voltaje y corriente
    indicados.

    2
    7.-En los circuitos mostrados, los transistores están caracterizados por Vt = 2V y k’(W/L) = 1mA/V2.

    Encuentre los voltajes marcados de V1 a V7.

    8. En los circuitos mostrados, los transistores están caracterizados por Vt = 1V y k’(W/L) = 0.4mA/V2.
    Encuentre los voltajes marcados de V1 a V8.

    3
    9. Para cada uno de los circuitos mostrados,
    encuentre los voltajes de nodo indicados. Los
    transistores NMOS tienen un
    Vt = 1V y kn’(W/L) = 2mA/V2.

    10. Para los circuitos mostrados, nCox = 2.5pCox = 20A/V2, |Vt| =1V, L = 10m y
    W = 30m (Para el circuito (c) W = 75m). Encuentre las corrientes y tensiones indicados.

    11. Para los dispositivos de los circuitos de la figura nCox


    = 50A/V2, L = 1m y
    W = 10m, Vt = 1V. Encuentre V2 e I2. ¿Cómo
    cambian estos valores si Q3 y Q4 son cambiados por
    otros con W = 100m?

    4
    12. Los transistores de la figura tienen Vt = 1V y kn’ =
    100A/V2. Encuentre los valores de V1, V2 y V3 para
    cada uno de los siguientes casos.

    a) (W/L)1 = (W/L)2 = 20
    b) (W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20

    13. Diseñe el circuito de la figura para que el PMOS opere en


    saturación con VD = 1V e ID = 1mA bajo las siguientes
    condiciones:

    a) |Vt| = 1V y kp’(W/L) = 0.5mA/V2


    b) |Vt| = 2V y kp’(W/L) = 1.25mA/V2

    14. En el circuito de la figura, el NMOS tiene un Vt = 0.9V y VA = 50V y opera con VD = 2V.
    Determine:
    a) gm y ro
    b) Rin
    c) Av (vo/vi)
    d) ¿Cuál será VD y la ganancia AV si I aumenta a 1mA?

    5
    15. Se muestra un amplificador de fuente común. Si el transistor tiene Vt = 1V y kn’(W/L) = 2mA/V2 :

    a) Demuestre que VGS = 2V, ID = 1mA y VD = +7.5V


    b) Si VA = 100V, determine gm y ro
    c) Halle Rin y AV

    16. Se muestra un esquema para acoplar y amplificar un pulso de alta frecuencia. No se dan los datos del
    NMOS y el circuito usa un cable coaxial de 50. El transistor Q1 opera como fuente común y Q2 opera
    como puerta común. Para una operación apropiada del sistema la Rin2 debe ser 50, esto es para evitar
    reflexiones de señal en alta frecuencia. Si se sabe que el punto de polarización de Q1 es igual que Q2
    ¿Cuál es la amplitud de los pulsos de corriente id1? ¿Cuál es la amplitud de los pulsos de voltaje vd1?
    ¿Cuál valor de RD se necesita para proporcionar pulsos de 1V en vd2?

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