s10.s1 Material
s10.s1 Material
(7.5)
(7.6)
FIGURA 7.6 : Modelo de dos transistores para tiristor en estado transitorio.
en la que Cj2 y Vj2 son la capacitancia y el voltaje de la unión J2,
respectivamente; qj2 es la carga en la unión. Si la rapidez de aumento de
la tasa dv/dt del voltaje es grande, entonces ij2 sería grande, y eso
causaría mayores corrientes de fuga lcBo1 e lcBo2. De acuerdo con la
ecuación (7.5), los valores suficientemente altos de lcBo1 e lcBo2 pueden
causar que (α1 + α2) tienda a la unidad, y causen un encendido no
deseado del tiristor. Sin embargo, una corriente grande a través de los
capacitores de la unión también puede dañar al dispositivo
• Durante el proceso de encendido de un tiristor, hay un efecto
regenerativo, o de retroalimentación positiva. En consecuencia, un tiristor
se puede activar con una corriente de compuerta pequeña, y retener una
conducción con grandes valores de corriente anódica.
• Si un tiristor está en estado bloqueado, un aumento de voltaje rápido
que se aplique a través del dispositivo puede causar un gran flujo de
corriente a través de su capacitor de la unión interna. Esta corriente
puede ser lo suficientemente grande como para dañar al dispositivo. Por
lo anterior, la tasa di/di aplicada debe ser menor que el valor nominal
ACTIVACiÓN DEL TIRISTOR
Un tiristor se enciende, aumentando la corriente anódica. Esto se hace de
una de las siguientes maneras.
Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, hay un aumento en la
cantidad de pares electrón-hueco, que aumenta las corrientes de fuga. Este
aumento en las corrientes hace aumentar a α1 y α2. Debido a la acción
regenerativa, α1 + α2 puede tender a la unidad, y el tiristor se puede
activar. Este tipo de activación puede causar avalancha térmica, y en el caso
normal se evita.
Luz. Si se deja incidir luz en las uniones de un tiristor, aumentan los pares
electrón-hueco y el tiristor puede activarse. Los tiristores activados con luz
se encienden dejando que la luz incida sobre la oblea de silicio.
Alto voltaje. Si el voltaje en sentido directo, de ánodo a cátodo, es mayor
que el voltaje de ruptura en sentido directo VBO, pasa una corriente de
fuga suficiente para iniciar la activación regenerativa. Esta clase de
activación es destructiva, y se debe evitar.
dv/dt. Se ve en la ecuación (7.6) que si la rapidez de aumento del voltaje
ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas
puede bastar para activar el tiristor. Un valor alto de la corriente de carga
puede dañar al tiristor, y se debe proteger contra una alta tasa dv/dt. Los
fabricantes especifican la tasa dv/dt máxima admisible en sus tiristores.
Corriente de compuerta. Si un tiristor está polarizado en sentido directo, la
inyección de corriente de compuerta al aplicar voltaje de compuerta
positivo, entre las terminales de la compuerta y el cátodo, enciende al
tiristor. Al aumentar la corriente de compuerta, disminuye el voltaje de
bloqueo en sentido directo, como se ve en la figura 7.7
La figura 7.8 muestra la forma de onda de la corriente anódica, que sigue a
la aplicación de la señal de compuerta. Hay un retardo llamado tiempo de
encendido, ton, entre la aplicación de la señal a la compuerta y la
conducción de un tiristor. Se define a ton como el intervalo de tiempo entre
el 10% de la corriente de compuerta en estado estable (0.1 IG) y 90% de la
corriente en el tiristor, en estado de encendido (0.9 IT).
Es el tiempo necesario para que la corriente del ánodo suba de 10% de la
corriente de estado de encendido (0.1IT) al 90% de la corriente de estado
de encendido (0.9 IT). Estos tiempos se ven en la figura 7.8.
Se deben tener en cuenta los siguientes puntos para diseñar el circuito de
control de compuerta.
1. La señal de compuerta debe retirarse después que haya encendido el
tiristor. Una señal de control continua aumentaría la pérdida de
potencia en la unión de la compuerta.
2. Aunque el tiristor está polarizado en sentido inverso, no debe haber
señal de compuerta, porque de lo contrario puede fallar a causa de un
aumento en la corriente de fuga.
(retención)
FIGURA 7.7 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo en sentido directo.
FIGURA 7.8 Características de encendido o activacion.
Ejemplo 7.1 Determinación del valor crítico de dv/dt para un tiristor
La capacitancia de la unión J2 con polarización inversa en un tiristor es CJ2 =
20 pF, y se puede suponer independiente del voltaje en estado de apagado. El
valor límite de la corriente de carga para encender (o activar) el tiristor es 16
mA. Calcular el valor crítico de la tasa dv/dt.
Solución
CJ2 = 20 pF e iJ2 = 16 mA. Como d(CJ2)/dt = 0, el valor crítico de la tasa dv/dt
se puede calcular con la ecuación (7.6):
-3 -12
dv/dt = ij2/Cj2 = (16 X 10 ) / (20 x 10 = 800 V/ us)
APAGADO DEL TIRISTOR
Un tiristor que está en el estado encendido puede apagarse reduciendo la
corriente en sentido directo hasta un valor inferior al de la corriente de
retención IH. Hay varias técnicas para apagar un tiristor. En todas las
técnicas de conmutación, la corriente anódica se mantiene inferior a la
corriente de retención durante un tiempo suficientemente largo para que
todo el exceso de portadores en las cuatro capas fluyan o se recombinen.
Debido a las dos uniones pn exteriores, J1 y J3, las características de
apagado serían semejantes a las de un diodo, con un tiempo trr, de
recuperación inverso y una corriente pico IRR de recuperación inversa. IRR
puede ser mucho mayor que la corriente normal de bloqueo inverso IR. En
un circuito convertidor conmutado en línea, donde el voltaje de entrada es
alterno, como se ve en la figura 7.9a, aparece un voltaje en sentido inverso
a través del tiristor inmediatamente después que la corriente en sentido
directo pasa por el valor cero. Este voltaje en sentido inverso acelera el
proceso de apagado, arrastrando el exceso de portadores de las uniones
pn, J1 y J3. Se pueden aplicar las ecuaciones (7.6) y (7.7) para calcular trr, e
IRR. La unión pn interior, J2, requiere un tiempo, llamado tiempo de
recombinación, trc, para que se recombine el exceso de portadores. Un
voltaje negativo inverso reduciría este tiempo de recombinación. El trc
depende de la magnitud del voltaje inverso. Las características de apagado
se ven en la figura 7.9a y b, para un circuito conmutado en línea y un
circuito de conmutación forzada, respectivamente.
Fig. 9 : Circuito de conmutación para el apagado del transistor
El tiempo de apagado tq es la suma del tiempo de recuperación inverso trr;
y el tiempo de recombinación trc. Al final del apagado se forma una capa
de agotamiento a través de la unión J2, y el tiristor recupera su capacidad
de oponerse al voltaje en sentido directo. En todas las técnicas de
conmutación, se aplica un voltaje en sentido inverso a través del tiristor,
durante el proceso de apagado.
El tiempo de apagado, tq, es el valor mínimo del intervalo entre el
momento en que la corriente en estado de encendido ha bajado a cero, y el
momento en que el tiristor es capaz de resistir el voltaje en sentido directo,
sin encenderse. El tiempo tq depende del valor pico de la corriente en
estado encendido y el voltaje instantáneo de encendido.
La carga de recuperación inversa, QRR, es la cantidad de carga que se
debe recuperar durante el proceso de apagado.
Su valor lo determina el área de la trayectoria de la corriente de
recuperación inversa. El valor de QRR depende de la rapidez de bajada de
la corriente de encendido y el valor pico de la corriente de encendido,
antes de apagar. QRR es causa de la pérdida correspondiente de energía en
el interior del dispositivo.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican por difusión, casi en forma exclusiva. La corriente
anódica requiere un tiempo finito para propagarse hasta toda el área de la
unión, desde el punto cercano a la compuerta, cuando se inicia la señal de
compuerta para encender el tiristor. Los fabricantes usan diversas
estructuras de compuerta para controlar la di/dt, el tiempo de encendido y
el tiempo de apagado. Los tiristores pueden encenderse con facilidad con
un impulso corto. Para apagarlos, requieren circuitos especiales de control,
o estructuras internas especiales para auxiliar en el proceso de apagado.
Hay varias versiones de tiristores con capacidad de apagado, y el objetivo
de todo dispositivo nuevo es mejorar la posibilidad de apagado.
Con el advenimiento de nuevos dispositivos con posibilidades tanto de
encender como de apagar, el dispositivo que sólo tiene posibilidad de
encender se llama "tiristor convencional" o sólo "tiristor". Otros miembros
de la familia de tiristor, o rectificadores controlados de silicio (SCR, de
silicon-controlled rectifier) han adquirido otros nombres, basados en
acrónimos. Dependiendo de la construcción física y el comportamiento en
el encendido y el apagado, se pueden clasificar los tiristores, en forma
amplia, en 13 categorías:
1. Tiristores controlados por fase (o SCR).
2. Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT, de bidirectional
phase-controlled thyristors).
3. Tiristores de conmutación rápida (o SCR).
4. Rectificadores controlados de silicio fotoactivados (LASCR, light -
activated silicon-controlled rectifier) .
5. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
6. Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT, de reverse -
conducting thyristor).
7. Tiristores apagados por compuerta (GTO).
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH, de FET- controlled thyristor).
9. Tiristores de apagado por MOS (MTO, de MOS turn-off).
10. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO, de emitter turn-off).
11. Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT, de integrated
gate-commutated thyristors).
12. Tiristores controlados por MOS (MCT, de MOS-controlled thyristor).
13. Tiristores de inducción estática (SITR, de static induction thyristor).
Cuando se aplica una tensión positiva entre ánodo y cátodo, o mejor dicho
se polariza el dispositivo en forma directa, el SCR no conducirá ya que dos
de sus junturas quedan en modo de conducción y una de ellas queda con
polarización inversa.
Para lograr la conducción de todas las capas del SCR, se aplica un pulso de
corriente adicional en la puerta, de esta forma se polariza la juntura no
conductora y el dispositivo logra la conducción. La corriente del circuito
principal está ahora limitada por la resistencia de carga. Cuando se aplica
el pulso de corriente en la puerta del SCR, el diodo queda en modo de
conducción y no pierde esta condición mientras el voltaje de la fuente
principal mantenga su polaridad y la corriente circulante por el SCR tenga
un valor suficiente para mantenerlo en conducción.
Esta corriente mínima que requiere el SCR para permanecer en conducción
se conoce como corriente de mantenimiento (IH o Ih), cabe mencionar que
la corriente de mantenimiento puede ser del orden de los miliamperios.
El SCR también posee ciertas características mencionadas en el análisis del
diodo, tales como el voltaje de ruptura, tensión de barrera y corriente de
saturación. Existen varios métodos para disparar los SCR´s,
configuraciones basadas en transistores cuyo estado de corte y saturación
permite obtener pulsos de corriente para señales de control. También se
utilizan microcontroladores programados para poder otorgar pulsos el
tiempo exacto que se requiere disparar un tiristor.
Métodos de disparo:
Se llama disparo al paso del estado de bloqueo al de conducción en
forma estable. La intensidad de mantenimiento (IH) marca el paso
irreversible del estado de conducción.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo
debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer
un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor
alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL , corriente necesaria
para permitir que el SCR comience a conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción
deberá circular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del
estado de conducción al estado de bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:
7.6.1.- Por puerta.
7.6.2.- Por módulo de tensión. (V)
7.6.3.- Por gradiente de tensión (dV/dt)
7.6.4.- Disparo por radiación.
7.6.5.- Disparo por temperatura.
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y
gradiente de tensión son modos no deseados.
Disparo por impulso de puerta
El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor
consiste en la aplicación en puerta de un impulso positivo (entrante) de
intensidad mediante la conexión de un generador adecuado entre los
terminales de puerta y cátodo, mientras se mantiene una tensión
positiva anodo-catodo.
En la figura 4.6 se ilustra la pequeña parte de la pastilla que alberga el
área intermedia entre los terminales de puerta y cátodo. La tensión
anodo-catodo es alta y la barrera de potencial de la unión de control se
ha visualizado a lo largo de toda la unión con ayuda de signos + y -
indicativos de las cargas eléctricas presentes en la zona de carga
espacial.
Al iniciarse el impulso de intensidad de puerta ip, una nube de huecos
parte del terminal de puerta a través de la capa de control en un recorrido
lateral hacia la parte mas próxima de la unión de cátodo.
Simultáneamente, una nube equivalente de electrones es inyectada por la
unión de cátodo en la capa de control e inicia su recorrido lateral al
encuentro de los huecos. Lo mismo que estos, tienden por difusión a
acercarse a la unión de control. Algunos de los electrones son captados
por su elevada barrera de tensión y aceleran hacia la capa de bloqueo,
arrancando pares electrón-hueco por choque con los átomos de la red
cristalina. La velocidad de generación de pares depende obviamente de la
intensidad de puerta y de la tensión anodo-catodo soportada por la unión
de control.
Figura 4.6: Disparo por impulso de puerta
Los huecos generados se dirigen a la unión de catodo y a su llegada
extraen una nube de electrones por atracción electrostática, que a su
vez se dirigirá en parte a la unión de control, pudiendo generar nuevos
pares. Un proceso análogo tiene lugar con ellos electrones que se
dirigen a la unión de ánodo. Se provoca así un área local de conducción
en la parte de la pastilla cubierta por el terminal de catodo y vecina al
terminal puerta. Si la densidad de corriente alcanzada es suficiente, la
conducción se auto mantendrá independientemente del impulso de
puerta y se extenderá el área de conducción a toda la pastilla, supuesto
que el circuito exterior permita intensidad suficiente.
Los portadores inyectados por la corriente de puerta siguen teniendo
influencia durante cierto tiempo después de la anulación de ip hasta
que desparecen por recombinación (fig. 4.6b).
Disparo por derivada de tensión
Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positiva entre ánodo y
cátodo con tiempo de subida muy corto del orden de microsegundos, los
portadores sufren un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la
tensión exterior aplicada. No hay tiempo para que se organicen las
distribuciones de concentración N y P y adquieren la situación de
bloqueo directo, de forma que permanecen con el mismo perfil que en el
caso de no polarización pero desplazadas, la de huecos P hacia la unión
catódica y la de electrones N hacia la unión anódica (Fig. 4.2).
Como consecuencia la unión de control queda vacía de portadores
mayoritarios, ensanchándose su zona de carga espacial. Aparece en dicha
unión una diferencia de potencial elevada que se opone a la tensión exterior
y un campo eléctrico capaz de acelerar fuertemente los minoritarios de las
proximidades. Estos atravesaran la unión arrancando por choque con la red
cristalina pares electro-hueco si el campo acelerador es suficientemente
elevado, aumentando así la intensidad de fugas. Parte de estos nuevos
portadores que se dirigirán a las uniones de cátodo y ánodo como
mayoritarios, se recombinaran antes de llegar a las mismas.
Otra parte provocara a su llegada la inyección de minoritarios en las capas
de control y bloqueo por las uniones de cátodo y ánodo respectivamente.
Como se dijo para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad
De fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso
regenerativo, el tiristor en conducción estable y permanecerá así una vez
pasado el escalón de tensión que lo disparo. El circuito exterior debe
permitir la elevación de la corriente de ánodo por encima de la de
enclavamiento.
Para producir este tipo de disparo bastan escalones de un valor final
bastante menor que el de tensión de ruptura por avalancha, con tal de
que el tiempo de subida sea suficientemente corto. El valor de la derivada
de tensión dv/dt necesario, es dependiente de la tensión final y de la
temperatura y tanto menor cuanto mayores son estas.
Limitaciones del tiristor
Las más importantes son debidas a:
Frecuencia de funcionamiento.
Sobretensiones y pendiente de tensión (dV/dt).
Pendiente de intensidad (dI/dt).
Temperatura
En cctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el
fabricante, se pueden utilizar cctos supresores de transitorios. Se
conectan en bornes de la alimentación, en paralelo con el semiconductor
o en paralelo con la carga. Una solución muy utilizada en la práctica es
conectar en paralelo con el tiristor un ccto RC (Red SNUBBER), para evitar
variaciones bruscas de tensión en los extremos del semiconductor:
Limitaciones del tiristor
Limitaciones del tiristor: frecuencia
Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)
Una variación rápida de la intensidad puede dar lugar a una destrucción
del tiristor.(creación de puntos calientes)
En caso de que la tasa de aumento de la corriente del ánodo di/dt sea mayor que la velocidad de propagación de la corriente
en el área de unión, entonces habrá una posibilidad de que se forme un punto caliente local. Dado que la corriente sube en la
vecindad de la puerta a la unión del cátodo, se puede formar un punto caliente en esa región.
Un procedimiento posible es añadir una inductancia L para conseguir que
la pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en
las características del estado de conmutación.
Limitaciones de la temperatura
Si los períodos de bloqueo y de conducción en un tiristor son repetitivos,
la potencia media disipada en un tiristor será:
Podemos decir que las pérdidas con una tensión de alimentación dada y
una carga fija, aumentan con el ángulo de conducción (α). Si la
conducción se inicia en t1 y termina en t2 , la potencia media de perdidas
será:
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parámetros más
importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y
calculada también la potencia media que disipa el elemento en el caso más
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador más
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento
semiconductor al medio ambiente.
Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6°C/W y con Rcd = 0.2°C/W, alimenta a una
carga resistiva de 10Ω a partir de una señal alterna de 220VRMS. Si la
conducción del SCR es completa (α = 0°). Calcular el disipador para una
temperatura ambiente de 40 °C utilizando la gráfica representada en la
figura.
Extinción del tiristor. Tipos de conmutación.
Entenderemos por extinción, el proceso mediante el cual, obligaremos al
tiristor que estaba en conducción a pasar a corte. En el momento en que
un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre
el mismo
Conmutación forzada.
Para provocar la conmutación del tiristor, será necesario anular la
corriente anódica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda
pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duración es inferior a un valor determinado por toff (valor
intrínseco al tiristor utilizado) no tendrá lugar la conmutación del
dispositivo
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CONTROLADO
Una forma de controlar la salida de un rectificador de media onda es
utilizar un SCR en lugar de un diodo. En la Figura 3.13a se representa un
rectificador de media onda controlado básico con una carga resistiva. Se
deben cumplir dos condiciones antes de que el SCR pueda entrar en
conducción.
1. El SCR debe estar polarizado en directa (vSCR > 0).
2. Se debe aplicar una corriente a la puerta del SCR.
A diferencia del diodo, el SCR no entrará en conducción en cuanto la señal
del generador sea positiva.
La conducción no se inicia hasta que se aplica una corriente de puerta, lo
cual es la base para utilizar el SCR como medio de control. Una vez que el
SCR conduce, la corriente de puerta se puede retirar y el SCR continúa en
conducción hasta que la corriente se hace igual a cero.
Figura 3.13. (a) Rectificador controlado básico, (b) Formas de onda de tensión
Carga resistiva
La Figura 3.13b muestra las formas de onda de la tensión para un
rectificador controlado de media onda con carga resistiva. Se aplica una
señal de puerta al SCR en wt = α , donde α es el ángulo de disparo. En la
Figura 3.13a, la tensión (continua) media en la resistencia de carga es
2
La potencia absorbida por la resistencia es Vrms / R, donde la tensión
eficaz en la resistencia se calcula mediante
Ejemplo 3.10. Rectificador controlado de media onda con carga resistiva
Diseñe un circuito que genere una tensión media de 40 V en una resistencia
de carga de 100 Ω a partir de un generador de alterna de 120 Vrms a 60 Hz.
Determine la potencia absorbida por la resistencia y el factor de potencia.
Solución.
Si se utiliza un rectificador no controlado de media onda, la tensión media
sería Vm/π = 120 /π = 54 V. Se pueden encontrar algunas formas de reducir
la tensión media en la resistencia a los 40 V especificados para el diseño.
Podría añadirse una inductancia o una resistencia en serie a un rectificador no
controlado o se podría utilizar un rectificador controlado.
El rectificador controlado de la Figura 3.13a tiene la ventaja de que no altera
la carga ni introduce pérdidas, de modo que optamos por él para esta
aplicación. Reordenamos la Ecuación 3.52 para determinar el ángulo de
disparo:
La Ecuación 3.53 da
La potencia en la carga es
El factor de potencia del circuito es
Problema: Para el circuito simple de control de potencia con carga resistiva
de la figura, calcular: La tensión de pico en la carga, la corriente de pico en la
carga, la tensión media en la carga y la corriente media en la carga. Realizar
también un estudio del circuito mediante el programa Pspice, obteniendo las
Formas de onda para un ángulo de retardo α = 60°.
Solución:
- Tensión de pico en la carga
Se corresponde con el valor de la tensión máxima suministrada por la fuente:
La resistencia equivalente
Sustituyendo A y simplificando
El ángulo de extinción β se define como el ángulo para el que el valor de
la corriente se hace cero, como ocurre en el caso de un rectificador no
controlado. Cuando wt = β
que debe resolverse numéricamente para obtener β . El ángulo β - α se
conoce como ángulo de conducción, . La Figura 3.14b muestra las
formas de onda de la tensión. La corriente (continua) media de salida es
= 2,19 A
= 3,26 A
obteniéndose
Vs
R
Figura 4.10. (a) Rectificador controlado de onda completa en puente, (b)
Rectificador controlado de onda completa con transformador de toma media.
(c) Salida para una carga resistiva
Carga resistiva
En la Figura 4.10c se muestra la forma de onda de la tensión de salida de un
rectificador controlado de onda completa con una carga resistiva. La
componente media de esta forma de onda se determina a partir de
Solución.
La tensión media de salida se calcula utilizando la Ecuación 4.23:
La corriente media de carga es
=0
La potencia en la carga es
RECTIFICADORES CONTROLADOS TRIFÁSICOS
Podemos controlar la salida del rectificador trifásico sustituyendo los SCR
por diodos. En la Figura 4.19a se muestra un rectificador trifásico
controlado de seis pulsos. Cuando se utilizan SCR, la conducción no se
produce hasta que se aplica una señal de puerta estando el SCR
polarizado en directa. Por tanto, se puede retrasar la transición de la
tensión de salida a la tensión instantánea máxima línea a línea del
generador. El ángulo de disparo a está referenciado con respecto al punto
donde comenzaría a conducir el SCR si fuese un diodo. El ángulo de
disparo es el intervalo entre el momento en el cual se polariza en directa
el SCR y el momento de aplicación de la señal de puerta. En la Figura
4.19b se muestra la salida del rectificador controlado con un ángulo
disparo de 45°.
Figura 4.19. (a) Rectificador trifásico controlado, (b) Tensión de salida para α = 45°
La tensión media de salida es
(17.15)
(17.19)
Ejemplo 17.2 Determinación de los valores de circuito de disparo de UJT
Diseñar el circuito de disparo de la figura 17.15a. Los parámetros del UJT
son Vs = 30 V, = 0.51, Ip = 10 uA, Vp = 3.5 V e Iv = 10 mA. La frecuencia de
oscilación es f=60 Hz, y el ancho del pulso de disparo es tg = 50 us, Suponer
que VD = 0.5.
Solución:
T = 1/f= 1/60 Hz = 16.67 ms. De acuerdo con la ecuación (17.17), Vp = 0.51
x 30 + 0.5 = 15.8 V. Sea C = 0.5 uF. Según las ecuaciones (17.15) y (17.16),
los valores límite de R son:
Figura : Circuito de disparo
De acuerdo con la ecuación (17.14), 16.67 ms = R x 0.5 uF x In[1/(1 - 0.51)],
y R = 46.7 kΩ, que queda dentro de los valores límite. El voltaje pico de
compuerta es VB1 = Vp = 15.8 V. Según la ecuación (17.18),
(17.20)
(17.21)
(17.22)
La corriente de compuerta lG en el punto de valle es
(17.23)
(17.25)
Ejemplo 17.3 Determinación de los valores para un circuito de disparo con
UJT programable
Diseñar el circuito de disparo de la figura 17.16b. Los parámetros del PUT
son Vs = 30 V e lG = 1 mA. La frecuencia de oscilación es i=60 Hz. El ancho
de pulso es tg = 50 us, y el voltaje pico de disparo es VRk = 10V.