Trabajo Práctico N°2 - Electrónica II - Módulo 1

TRABAJO PRÁCTICO
N°2 – MÓDULO 1
ELECTRÓNICA II - AMPLIFICADOR DE AUDIO CLASE B
20 DE JUNIO DE 2020
UNLAM
Electrónica II Lucas Garbarino Prof. Pablo G. Galli
Prof. Adrián Martínez
TP N°2 – Circuito amplificador Clase AB

Componentes utilizados en el circuito:
 Transistores
- BC556A (Q1, Q2, Q5, Q7) – Bipolar PNP
- BC546A (Q6) – Bipolar NPN
- 2SC1775 (Q3, Q4) – Bipolar NPN
- IRFP240 (Q8) – MOSFET canal N
- IRFP9240 (Q9) – MOSFET canal P
 Diodos
- 1N4148 (D1, D2, D3)
El circuito amplificador fue simulado en el LTSPICE.
1) El amplificador de audio de este trabajo práctico consta de 3 etapas.

Realizaremos la descripción de cada una de las etapas apoyándonos en el libro
Audio Power Amplifier Design de Douglas Self, e iremos describiendo cada uno
de los componentes de cada etapa y la función de cada uno.
También describiremos otros elementos importantes del circuito como los filtros
de zumbido, la realimentación negativa, la red de salida, etc.
1
 Etapa 1 (etapa de entrada)
La primera etapa consta de un par diferencial hecho con transistores bipolares

PNP. Los transistores Q1 y Q2 son los que forman este par diferencial; son
transistores idénticos (BC556B). Es una etapa de transconductancia: una tensión
diferencial de entrada resulta en una corriente de salida que es esencialmente
insensible a la tensión en el puerto de salida. Se denomina también etapa
preexcitadora; su función es comparar la señal de salida con la señal de entrada,
para entregar a la etapa amplificadora la señal de corrección necesaria.
Una de las razones por la que se usa un par diferencial en la entrada es su baja
componente de continua. Además, tiene una ventaja adicional de que la corriente
en las dos ramas del diferencial no fluye a través de la red de realimentación.
Otra de las razones es que su linealidad es muy superior a la de las etapas de
entrada con un solo transistor.
Se busca que las corrientes de colector en las dos ramas del diferencial sean
iguales para eliminar la distorsión del segundo armónico provenientes de los
dispositivos de entrada. Las corrientes de colector dependen, entre otras cosas,
de los valores exactos de los resistores de colector R2 y R5 y del hFE de los
transistores Q3 y Q4.
La etapa diferencial de entrada está polarizada con la realimentación negativa

(la cual se describe posteriormente) y con la resistencia R1, que reemplaza a la
fuente de corriente que normalmente polariza al A.D. La R1 tiene un valor de 39
kΩ; a esta resistencia se le asigna un valor muy alto porque, como explicamos
anteriormente, se busca una baja corriente en la etapa diferencial de entrada.
Las resistencias R2 y R5 son las resistencias de carga del colector y tienen el

mismo valor (2,7 kΩ). Como dijimos antes, siempre se busca que estos resistores
tengan el mismo valor para que las corrientes en las dos ramas del diferencial
estén lo más balanceadas posible.
 Etapa 2 (etapa amplificadora)
La segunda etapa consta de otro par diferencial, pero esta vez hecho con
transistores bipolares NPN. Este par diferencial consta de Q3 y Q4, que son
transistores idénticos (2SC1775). Aunque técnicamente se considera una etapa
de transimpedancia, éste no es un nombre muy utilizado y puede dar lugar a
confusión. Esta etapa proporciona toda la ganancia de tensión del sistema y la
excursión completa de la tensión de salida, por esa razón se la denomina etapa
amplificadora.
La etapa amplificadora en este caso es una etapa push-pull, en la cual la señales

push-pull se toman de los dos colectores del par diferencial de entrada. La señal
2
de tensión que llega a esta etapa es de algunos mV. Esta etapa también se
denomina etapa excitadora.
Esta etapa presenta una red de compensación de polo dominante de Miller, que
básicamente consta de los capacitores C10 y C11 de 68 pF que se conectan
entre la base y el colector de los transistores Q3 y Q4, respectivamente.
- Fuente de corriente
La carga del colector es una fuente de corriente (que actúa como carga activa).
La fuente de corriente está formada por el transistor Q5 y el diodo D1 (el cual
puede ser reemplazado por un transistor con la juntura base-colector en
cortocircuito). La presencia de dos resistores de emisor (R11 y R12) hace que
esta fuente se denomine fuente Widlar con 2 resistencias de emisor (o doble
Widlar). El transistor Q5 se conecta como fuente de corriente constante y
aparece en la etapa amplificadora como una carga de muy elevada resistencia
(la resistencia de la salida de la fuente de corriente –ro-). Por lo tanto, al utilizar
una carga activa, la etapa amplificadora tiene una ganancia de tensión más alta
que al utilizar una carga resistiva.
Esta etapa diferencial se polariza con la corriente suministrada por la resistencia

R9 de 220 Ω. En principio, la corriente se divide igualmente entre los transistores
Q3 y Q4, pero para que dicha corriente se reparta equitativamente se debe
cumplir que el hFE de Q5 sea muy elevado. Esto se debe a que la corriente que
circula por Q3 es la suma de las corrientes que circula por el diodo D1 más la
corriente de base de Q5; por lo tanto, para un hFE elevado, IB5 se hace muy
pequeña.
𝐼
𝐼 =𝐼 + 𝐼 =𝐼 +
ℎ
Si hFE5 >> 1, entonces 𝐼 ≅𝐼 𝑦𝐼 ≅𝐼
Los resistores R11 y R12 son idénticos (ambos valen 100 Ω). El hecho de utilizar
dos resistencias de emisor y no una como en una Widlar convencional, se debe
a que en esta última la relación entre la corriente suministrada por la fuente (IO)
y la corriente de referencia (IREF) es logarítmica. Con la doble Widlar, se elimina
este problema y se llega a la siguiente relación:
𝑅
𝐼 =𝐼
𝑅
Para este circuito, IO = IC4, IREF = IC3, RE1 = R11 y RE2 = R12. Por lo que deducimos
que, para R11 = R12, se cumple que IC4 = IC3.
La resistencia R10 de 15 kΩ forma parte de esta fuente doble Widlar, ya que

permite determinar la corriente de referencia 𝐼 . Por otro lado, la elección del
3
diodo D1 puede tener que ver con la compensación de la tensión VBE ante
variaciones en la temperatura, además de que es más económico.
 Etapa 3 (etapa de salida)
La tercera etapa consta de dos transistores MOSFET unidos por medio de sus
fuentes. Es una etapa de ganancia unitaria, ya que se trata de una configuración
drenaje común o seguidor de fuente. Es la etapa de potencia clase AB, ya que
los transistores están polarizados a una pequeña corriente distinta de cero. Es
una configuración de simetría complementaria, con un MOSFET de canal N y
otro de canal P. Los MOSFET elegidos para esta configuración son el IRFP240
(Q8) y el IRFP9240 (Q9).
Los MOSFET de potencia tienden a tener un ancho de banda mucho mayor que
los bipolares utilizados en la etapa de salida, y además mejoran la respuesta en
alta frecuencia y tienen una alta impedancia de entrada; sin embargo, también
tienen algunas desventajas como la baja transconductancia y una resistencia de
encendido muy alta que hace que la eficiencia de salida sea mediocre.
La polarización de la etapa de salida depende del valor fijado a la resistencia

variable R13. Este valor, como hemos mencionado, se ajusta en el laboratorio
(para la realización de este TP, se ajustó en el simulador). La caída de tensión
en R13 fija la tensión VGS de polarización de los MOSFET, como se mencionó en
el análisis teórico de continua.
Los resistores R18 y R19 son resistores de protección, que se utilizan para suprimir
las oscilaciones parásitas que se producen en alta frecuencia.
- Diodos Zener
En paralelo con los MOSFET de la etapa de salida, hay dos ramas de diodos.
Hay un diodo Zener de 15 V en cada rama (ZD1 y ZD2), en serie con un diodo
semiconductor 1N4148 (D2 y D3) Los diodos Zener se colocan para proteger a
los transistores de salida, ya que evitan que la tensión vGS se acerque a los
valores máximos especificados por el fabricante. Para el caso de IRFP240 e
IRFP9240, según la hoja de datos, la máxima tensión VGS es de ±20 V. Por lo
tanto, al poner un Zener de 15 V, en serie con diodos semiconductores, se evita
que la VGS supere los 15,6-15,7 V para impedir que el dispositivo se dañe, ya que
esta es la causa más común de las fallas en los MOSFET.
En continua, ninguno de los diodos conduce ya que la tensión VGSQ de ambos

MOSFET vale aprox. 3,074 V en módulo.
4
 Realimentación negativa
El circuito presenta una realimentación negativa desde el punto de salida hacia

la base de Q2, que es una de las entradas del par diferencial de la etapa de
entrada.
El uso de la realimentación negativa en este circuito amplificador de audio

proporciona grandes ventajas, tales como la reducción de la distorsión armónica,
la reducción de la impedancia de salida, la mejora en la respuesta en frecuencia,
la estabilización de la ganancia y la reducción de los corrimientos de continua
(esto último se analiza mejor en el punto 2)
Los componentes de la red de realimentación son los resistores R7 y R8, el

capacitor C3 que se encuentra en paralelo con R7 y el resistor R6 y el capacitor
C4, ambos conectados en serie. La malla de realimentación de continua no es la
misma que en señal, por ende la función de cada uno de estos componentes
también cambia.
- Continua
En corriente continua, la red de alimentación consta sólo de los resistores R7 y

R8 conectados en serie, ya que los capacitores C3 y C4 quedan en circuito
abierto; de esa manera, en continua se anula la rama de R6. Esto último permite
lograr la estabilización del punto de salida, ya que garantiza que la ganancia o
transferencia de la red de realimentación (β) sea unitaria en CC. La corriente que
circula por R7 y R8 es pequeña, de esa manera la tensión en la base de Q2 (VB2)
es prácticamente igual a la tensión de salida (VO), por ende β≈1.
- Señal
En presencia de señal, en frecuencias medias, el capacitor C4 de 220 µF se

comporta como un cortocircuito (reactancia muy baja) y el capacitor C3 de 10 pF
se comporta como un circuito abierto (reactancia muy alta). De esa manera, la
malla beta queda conformada por R6 en paralelo con R7 más R8. Los resistores
R7 de 15 kΩ y R8 de 12 kΩ permiten que β de señal tome valores muy bajos;
todo esto gracias a que el resistor R6 es de muy bajo valor (150 Ω). Esto se
comprueba a partir de la fórmula de la ganancia β en señal:
𝑣 𝑅
𝛽= =
𝑣 𝑅 +𝑅 +𝑅
De esa manera, al tener un β muy bajo, y suponiendo un sistema fuertemente
realimentado (1+AVS β >>1), la ganancia del sistema termina dependiendo
prácticamente de los componentes de la malla beta (R6, R7 y R8):
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𝐴 1
𝐴 = ≅
1+𝐴 𝛽 𝛽
 Filtro de entrada RC
En la entrada de la etapa 1 existe un filtro RC compuesto por los capacitores C1

y C2, y por los resistores R3 y R4. Es un filtro pasa bandas que se utiliza para
bloquear las señales de radiofrecuencias (RF) antes de que entren el
amplificador; de lo contrario, cualquier intento posterior de filtrar las RF será inútil.
El bloqueo de las RF se produce ya que el capacitor C2 de 100 pF aporta un
polo en altas frecuencias (aprox. en 600 kHz). Por otra parte, este filtro también
se utiliza para bloquear la continua: el capacitor C1 de 2,2 µF evita el paso de
componentes de CC provenientes de algún circuito anterior.
 Filtros de zumbido
El circuito presenta dos filtros de zumbido idénticos construidos con transistores

bipolares y una red de resistores y capacitores. Para la fuente que entrega los
+49 V, el transistor del filtro es un NPN BC546B (Q6), mientras que para la fuente
que entrega los -49 V, el transistor del filtro es un PNP BC556B (Q7).
Ambos filtros poseen la misma red de resistores y capacitores. Para el filtro

construido con Q6, los resistores son R14 y R15, mientras que los capacitores
son C7 (en paralelo con R15) y C6 (en paralelo con R14). En tanto que para el
filtro construido con Q7, los resistores son R16 y R17, mientras que los
capacitores son C9 (en paralelo con R17) y C8 (en paralelo con R16).
Estos filtros de zumbido eliminan el rizado de la fuente de alimentación, que en

Argentina es de 100 Hz (es decir, el doble de la frecuencia de la red domiciliaria).
Esto se explica por el hecho de que la salida de un rectificador de onda completa
tiene un período que es la mitad del período de la señal senoidal de la red
domiciliaria (T/2), por lo tanto, su frecuencia será el doble.
El uso de transistores evita el uso de capacitores grandes debido a la presencia

de las capacidades parásitas internas en el transistor, que quedan en paralelo
con los capacitores externos, aumentando así la capacidad.
 Filtros de capacitor
Además de los filtros mencionados anteriormente, también existen dos filtros de

capacitor para las dos fuentes de alimentación: el capacitor C13 para la fuente
de +49 V y el capacitor C14 para la fuente de -49 V.
Estos capacitores se conectan a la salida del rectificador y permiten obtener una

tensión de salida cuya forma de onda es una continua con algo de rizado. Esto
se obtiene gracias al ciclo de carga y descarga del capacitor, el cual ocurre cada
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medio ciclo para un rectificador de onda completa. El rizado resultante se reduce

luego con el filtro de zumbido explicado anteriormente.
 Red de salida
La red de salida del circuito es la que vincula la etapa de salida con la carga de
8 Ω (el parlante). Incluye una red Zobel formada por el resistor R21 y el capacitor
C12 en serie, que se encuentra luego del inductor de salida. La red Zobel se usa
para evitar que aparezca una reactancia inductiva en la salida del amplificador
debido a la bobina de voz (carga inductiva) del parlante. También evita el paso
de las corrientes inversas generadas por el parlante y reduce la inestabilidad en
altas frecuencias.
La red de salida también presenta un inductor en serie con la salida del

amplificador, cuyo valor suele estar entre 1 y 7 µH. Este inductor se coloca para
reducir la inestabilidad que aparece al introducir un capacitor en paralelo con la
carga de 8 Ω. Debe ser un inductor de núcleo de aire para eliminar la posibilidad
de una distorsión adicional debido a la saturación de los materiales magnéticos.
Al aumentar mucho la inductancia de salida, la frecuencia de corte superior del
amplificador (y el pico/sobreganancia que aparece a dicha frecuencia)
disminuye, pudiendo llegar incluso a la banda de audio.
El inductor L1 está en paralelo con el resistor R20, el cual se coloca para reducir
el factor de calidad Q de la red LC que aparece a la salida, reduciendo de esa
manera el zumbido y los picos de la respuesta transitoria (overshoot).
2) El análisis teórico de continua ya fue hecho en papel. Dichas hojas se incluirán

en un archivo PDF.
Aclaración importante: Para el análisis teórico de continua no se tuvieron en

cuenta los filtros de zumbido formados por los transistores Q6 y Q7, que de
acuerdo al simulador producen una caída de 2 a 3 V de tensión respecto al valor
de la fuente (49 V). Por lo tanto, los cálculos teóricos realizados pueden diferir
ligeramente de los valores obtenidos en el simulador o bien en el laboratorio.
Realizamos un cuadro comparativo de los valores de continua teóricos y los

valores obtenidos en el simulador:
Valor teórico Valor práctico

𝑉 -0,7 V -0,582 V
Q1 (BC556B) 𝐼 0,619 mA 0,586 mA
𝑉 -48,05 V -45,472 V
𝑉 -0,7 V -0,582 V
Q2 (BC556B) 𝐼 0,619 mA 0,585 mA
𝑉 -48,05 V -45,472 V
7
𝑉 0,7 V 0,627 V
Q3 (2SC1775) 𝐼 2,2075 mA 2,152 mA
𝑉 62,995 V 58,719 V
𝑉 0,7 V 0,627 V
Q4 (2SC1775) 𝐼 2,2075 mA 2,164 mA
𝑉 44,9547 V 42,492 V
𝑉 -0,7 V -0,6186 V
Q5 (BC556B) 𝐼 2,2075 mA 2,164 mA
𝑉 -45,705 V -43,102 V
𝑉 3,074 V 3,017 V
Q8 (IRFP240)
𝑉 49 V 48,956 V
𝑉 -3,074 V -3,009 V
Q9 (IRFP240)
𝑉 -49 V -48,956 V
En el cuadro comparativo no hemos incluido los valores de Q6 y Q7, ni tampoco

las corrientes de los transistores Q8 y Q9 ya que ninguno de estos parámetros
fueron calculados en el análisis teórico.
Ahora debemos analizar cómo se estabiliza la tensión continua de salida (VO)

ante cualquier desequilibrio o corrimiento de los puntos de polarización producto
de variaciones de la temperatura o de alguno de los parámetros de los
transistores. Para ello partimos de un corrimiento positivo de la tensión de salida
(+∆𝑉 ) y trasladamos dicho corrimiento a las distintas etapas del circuito hasta
llegar a la salida.
 El corrimiento positivo +∆𝑉 se traslada a la base de Q2 (una de las entradas

del par diferencial) y produce un corrimiento positivo +∆𝑉 .
 Como hay un corrimiento positivo en la base de Q2, la tensión diferencial
𝑉 − 𝑉 < 0, lo que se traduce en un corrimiento de la tensión diferencial
de la etapa 1 (−∆𝑉 ).
 Como la salida tomada del colector Q1 invierte la fase de la tensión
diferencial de entrada, aparecerá un corrimiento positivo +∆𝑉 , el cual se
traslada a la base de Q4 produciendo un corrimiento +∆𝑉 .
 Al haber un corrimiento positivo en la base del Q4, se cumple que la tensión
diferencial 𝑉 − 𝑉 < 0, por lo que aparece un corrimiento negativo de la
tensión diferencial de la etapa 2 (−∆𝑉 ).
 La salida tomada del colector de Q4 (que es el transistor en el cual se aplica
el corrimiento en la entrada) no invierte la fase de la tensión diferencial, por
lo que aparecerá un corrimiento negativo −∆𝑉 , el cual se traslada a la
compuerta de Q9 produciendo un corrimiento −∆𝑉 .
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 Como la etapa de salida se considera un drenaje común o seguidor de

fuente, la fuente sigue a la compuerta; es decir, en la fuente aparece la
misma fase que en la compuerta, por lo que el corrimiento negativo se
traslada al punto de salida como −∆𝑉 .
 Como partimos inicialmente de un corrimiento positivo en el punto de salida
(+∆𝑉 ), llegamos a la conclusión de que dicho corrimiento es compensado
con un corrimiento negativo −∆𝑉 de acuerdo a lo analizado anteriormente.
De esa manera, se corrigen posibles desbalances en la salida en continua.
3) La potencia máxima de la señal de salida sobre la carga de 8 Ω se calcula a

partir de la máxima excursión posible de la señal de salida:
𝑉
𝑃 =
2𝑅
En frecuencias medias, el inductor L1 es un cortocircuito (ya que, como vimos,
toma valores del orden de los µH), por lo que el resistor R20 (que se encuentra
en paralelo con L1) queda cortocircuitado. A su vez, el capacitor C12 presenta una
reactancia muy alta en frecuencias medias, dando lugar a un circuito abierto, por
lo que no hay corriente sobre R21. Por último, el capacitor C14 se encuentra en
cortocircuito, con una reactancia muy baja.
Para analizar la máxima excursión de Vo, debemos analizar los semiciclos

positivo y negativo.
 Semiciclo positivo
Durante el semiciclo positivo, la máx. excursión de Vo está determinada por la

máx. excursión de la tensión vDS del transistor Q8. La vDS8 en principio puede
excursionar desde VDD hasta vDS = VGSQ – VT, que es el valor límite para que el
MOSFET se encuentre en zona de saturación y no entre en zona óhmica. Sin
embargo, la saturación del transistor Q5 también limita la excursión de vDS8.
Según la hoja de datos del BC556B, VcESAT5 = 0,06 V (valor típico). Si

despreciamos la caída de tensión en la resistencia R12 (o la consideramos de
aprox. 0,5 V), y consideramos que la vGS experimenta pequeñas variaciones en
torno al punto de reposo (porque es una configuración seguidor de fuente o
drenaje común), al saturarse Q5, la tensión Vo alcanza el siguiente valor:
𝑣 =𝑉 −𝑣 −𝑉 −𝑉
𝑣 =𝑖 𝑅 ≅ 0,5 𝑉
𝑉 = 3,074 𝑉 (Cálculo teórico)
𝑣 = 49 𝑉 − 0,5 𝑉 − 0,06 𝑉 − 3,074 𝑉

9
𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟓, 𝟖𝟏𝟔 𝑽

Para entender mejor lo explicado anteriormente, se recomienda mirar el gráfico
en papel de la excursión durante el semiciclo positivo que se encuentra en el
PDF adjunto.
Consideramos ahora la limitación impuesta por el límite de la región de

saturación del Q8.
Tomamos una VT = 3 V (valor típico tomado de la hoja de datos del IRFP240) y

una VGSQ = 3,074 V (tomada de los cálculos teóricos).
𝑣 =𝑉 − 𝑉 = 3,074 𝑉 − 3 𝑉 → 𝑣 = 0,074 𝑉
𝑉 =𝑉 −𝑣 = 49 𝑉 − 0,074 𝑉 → 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟖, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Como se puede apreciar, es claro que la saturación del Q5 ocurre antes de que
Q8 entre en la zona óhmica.
 Semiciclo negativo
Durante el semiciclo negativo, la máx. excursión de Vo está determinada por la

máx. excursión de la tensión vDS del transistor Q9. Al igual que antes, la vDS9 en
principio puede excursionar desde VDD hasta vDS = VGSQ – VT, pero la saturación
del transistor Q4 también limita la excursión de vDS9.
Según la hoja de datos del 2SC1775, VcESAT4 = 0,5 V (valor máximo). Si

despreciamos la caída de tensión en la resistencia R9 (o la consideramos de
aprox. 0,5 V), y consideramos que la vGS experimenta pequeñas variaciones en
torno al punto de reposo (porque es una configuración seguidor de fuente o
drenaje común), al saturarse Q4, la tensión Vo alcanza el siguiente valor:
𝑣 = −𝑉 +𝑣 +𝑉 −𝑉
𝑣 ≅ 0,5 𝑉
𝑉 = −3,074 𝑉 (Cálculo teórico)
𝑣 = −49 𝑉 + 0,5 𝑉 + 0,5 𝑉 + 3,074 𝑉 → 𝑣 = −44,926 𝑉

Por lo tanto:
𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟒, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Para entender mejor lo explicado anteriormente, se recomienda mirar el gráfico
en papel de la excursión durante el semiciclo negativo que se encuentra en el
PDF adjunto.
10
Consideramos ahora la limitación impuesta por el límite de la región de

saturación del Q9.
Tomamos una VT = -3 V (valor típico tomado de la hoja de datos del IRFP240) y

una VGSQ = -3,074 V (tomada de los cálculos teóricos).
𝑣 =𝑉 − 𝑉 = −3,074 𝑉 − (−3 𝑉) → 𝑣 = −0,074 𝑉
𝑉 = |−𝑉 −𝑣 | = |−49 𝑉 + 0,074 𝑉|
→ 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟖, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Como se puede apreciar, es claro que la saturación del Q4 ocurre antes de que
Q9 entre en la zona óhmica.
Analizando la excursión en ambos semiciclos, concluimos que la excursión

máxima posible en el semiciclo negativo es menor que en el semiciclo positivo.
Por lo tanto:
𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟒, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Calculamos ahora la potencia máxima:
𝑉 (44,926 𝑉)
𝑃 = = → 𝑷𝑺𝒎𝒂𝒙 = 𝟏𝟐𝟔, 𝟏𝟒 𝑾
2𝑅 2∗8Ω
4) La Sensibilidad de entrada es el nivel de tensión eficaz (Vef) que se necesita
aplicar en la entrada del amplificador para obtener la potencia máxima (nominal)
en la salida, manteniendo los controles de nivel de entrada al máximo. Esto
significa que la sensibilidad de entrada es la máxima tensión eficaz que puede
aplicarse en la entrada sin que haya recorte en la salida.
Para calcular la sensibilidad, debemos conocer la ganancia del sistema:
𝑣 𝑉 𝑉
𝐴 = → 𝑉 = → 𝑉 ( ) =
𝑣 𝐴 √2𝐴
Según los cálculos teóricos, la ganancia del sistema realimentado es:
𝑨𝒗𝒔𝒇 = 𝟏𝟖𝟏
Por lo tanto, calculamos la sensibilidad de la siguiente manera:
44,926 𝑉
𝑉 ( ) = → 𝑽𝒊𝒎𝒂𝒙(𝒆𝒇) ≅ 𝟏𝟕𝟓, 𝟓𝟓 𝒎𝑽
√2 ∗ 181
11
5) Embalamiento térmico
Para estudiar mejor el efecto de la temperatura sobre los transistores de la etapa

de salida, debemos analizar las curvas iD – vGS de los transistores MOSFET de
potencia, para distintos valores de la temperatura de juntura (TJ). Analizamos las
curvas para un MOSFET genérico (extraída del libro de Sedra-Smith) y las
curvas para los MOSFET utilizados en el circuito (IRFP240 e IRFP9240)
- IRFP240
- IRFP9240
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Como podemos apreciar, hay un punto en el cual las curvas de transferencia

para diferentes valores de TJ se intersectan. Ese es el punto de coeficiente cero
de temperatura, el cual está definido a un valor aproximado de vGS = 6,5 V para
el IRFP240 y vGS = 4,8 V para el IRFP9240. A valores más altos de vGS, la
corriente iD exhibe un coeficiente negativo de temperatura; esto significa que si
un MOSFET opera por encima de su punto de coef. cero de temperatura, no se
ve afectado por la posibilidad de embalamiento térmico. Sin embargo, a bajas
corrientes, el coeficiente de temperatura se vuelve positivo (en la región por
debajo del punto de coef. cero de temperatura), y el MOSFET de potencia
puede ser fácilmente afectado por embalamiento térmico. La razón por la que
ocurre esto es que, a bajas corrientes, vGS – VT toma valores bajos; de esta
manera, la dependencia de temperatura está dominada por el coef. negativo de
temperatura de VT (que por lo general está entre -3 y -6 mV/°C)
Para el caso del circuito de este TP, la tensión vGS de ambos transistores
MOSFET está en aproximadamente 3,074 V. Esto significa que los dos
transistores están en zona de coef. de temperatura positivo, lo cual es
razonable ya que están polarizados a corrientes muy pequeñas. Por lo cual, el
circuito no está protegido frente a la posibilidad de corrida térmica; ergo, deben
existir medios de protección contra embalamiento térmico.
Otra cuestión importante para que el circuito funcione correctamente es evitar

que las tensiones vCE de los transistores de las 2 etapas diferenciales se
acerquen al valor máximo permitido, que es la tensión de ruptura (VCEO). Si la
vCE llegase a superar este valor, se producirá la ruptura de avalancha de la
juntura colector-base. Esta ruptura no es destructiva mientras la disipación de
potencia del dispositivo se mantenga dentro de límites seguros, pero de todas
maneras se debe evitar.
Para el BC556B, VCEO = -65 V, mientras que para el 2SC1775 VCEO = 90 V. Los
transistores Q1 y Q2 de la etapa de entrada no se ven afectados por este
13
fenómeno ya que, si bien la VCEQ de ambos es de aprox. -48 V, la ganancia de

la 1° etapa no es muy grande y por lo tanto no tienen gran excursión. En
cambio, los transistores Q3 y Q4 de la etapa amplificadora sí corren este riesgo
ya que la VCEQ de ambos está en aprox. 63 V y 45 V, respectivamente. Dado
que en esta etapa hay gran excursión, existe el riesgo de que la vCE alcance la
VCEO.
Cálculo de disipadores
Debemos calcular primero la potencia máxima que pueden disipar los

transistores en este circuito.
Calculamos primero la máxima potencia que puede disipar cada MOSFET:
𝑉 (49 𝑉)
𝑃 = = → 𝑷𝑫𝑵𝒎𝒂𝒙 = 𝑷𝑫𝑷𝒎𝒂𝒙 = 𝟑𝟎, 𝟒𝟎𝟗 𝑾
𝜋 𝑅 𝜋 ∗8Ω
La potencia máxima disipada también puede ser calculada teniendo en cuenta
el margen de corrección de la fuente de alimentación (debido al rizado de ésta)
y el margen de seguridad de la carga. Esta es la potencia que utilizaremos para
el cálculo de los disipadores.
(1,1 ∗ 𝑉 ) (1,1 ∗ 49 𝑉)
𝑃 = =
𝜋 (0,8 ∗ 𝑅 ) 𝜋 ∗ (0,8 ∗ 8 Ω)
𝑷𝑫𝑵𝒎𝒂𝒙 = 𝑷𝑫𝑷𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟓, 𝟗𝟗 𝑾
La potencia total disipada en ambos MOSFET es:
𝑷𝑫𝑻𝒎𝒂𝒙 = 𝑷𝑫𝑵𝒎𝒂𝒙 + 𝑷𝑫𝑷𝒎𝒂𝒙 = 𝟗𝟏, 𝟗𝟖 𝑾

Ahora debemos usar la curva de reducción de potencia y los siguientes datos
extraídos de la hoja de datos del IRFP240 e IRFP9240
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- TC0 = 25°C
- TCmax = TJmax = 150°C
- PD0 = 150 W (máxima potencia permisible del dispositivo)
- θJC = 0,83°C/W (valor máximo)
- θJA = 30°C/W (valor máximo)
En principio, consideramos que los dos transistores están atornillados al mismo

disipador, por ende, para los cálculos tomamos la potencia disipada en ambos
transistores.
Debemos calcular la temperatura de la cápsula (TC) cuando los transistores

disipan la máxima potencia permisible en ese circuito.
𝑇 −𝑇
𝑃 =
𝜃
𝑇 =𝑇 −𝑃 𝜃 = 150°𝐶 − 91,98 𝑊 ∗ 0,83 °𝐶 ⁄𝑊
𝑻𝑪 = 𝟕𝟑, 𝟔𝟔°𝑪
Calculamos ahora la resistencia térmica cápsula-ambiente (θCA). Consideramos
ahora una temperatura ambiente de TA = 50°C, que suele ser en la mayoría de
los casos la temperatura del gabinete donde se guarda el amplificador.
𝑇 −𝑇 𝑇 −𝑇 73,66°𝐶 − 50°𝐶
𝑃 = → 𝜃 = =
𝜃 𝑃 91,98 𝑊
𝜃 = 0,257 °𝐶/𝑊
Los transistores IRFP tienen un encapsulado TO-247. Si elegimos contacto
directo con silicona, la resistencia térmica cápsula-disipador es θCD = 0,2°C/W.
Calculamos ahora la resistencia térmica disipador-ambiente para elegir el

disipador:
𝜃 =𝜃 +𝜃 → 𝜃 =𝜃 −𝜃 = 0,257 °𝐶 ⁄𝑊 − 0,2 °𝐶 ⁄𝑊
𝜃 = 0,057 °𝐶 ⁄𝑊
Si vamos a la tabla de disipadores en la página: http://www.disipadores.com/
vemos que no es posible encontrar un disipador que cumpla con estas
características. Por lo tanto, debemos seleccionar un disipador por cada
transistor.
Repetimos las cuentas entonces con la potencia disipada en cada transistor:
𝑇 =𝑇 −𝑃 𝜃 = 150°𝐶 − 45,99 𝑊 ∗ 0,83 °𝐶 ⁄𝑊
15
𝑻𝑪 = 𝟏𝟏𝟏, 𝟖𝟐°𝑪
𝑇 −𝑇 𝑇 −𝑇 111,82°𝐶 − 50°𝐶
𝑃 = → 𝜃 = =
𝜃 𝑃 45,99 𝑊
𝜃 = 1,344 °𝐶/𝑊
𝜃 =𝜃 −𝜃 = 1,344 °𝐶 ⁄𝑊 − 0,2 °𝐶 ⁄𝑊 → 𝜃 = 1,144 °𝐶 ⁄𝑊
Consideramos un margen de seguridad del 30% para cada disipador.
𝜃 = 1,144 °𝐶 ⁄𝑊 − 30% ∗ 1,144 °𝐶 ⁄𝑊 → 𝜃 = 0,8 °𝐶 ⁄𝑊

De acuerdo a la página http://www.disipadores.com/alta_potencia.php#, existen
varios disipadores posibles, entre ellos el ZD-55 (con ranura), el ZD-51 y el ZD-
18.
Anexo: Simulación en LTSPICE

La simulación en LTSPICE se hizo para verificar que el circuito funcione
correctamente. Sin embargo, es importante aclarar que, en esta simulación, la
tensión en el punto de salida en continua no es de 0 V, sino de aprox. 44 mV.
Esta pequeña tensión en la salida hace que en continua circule corriente sobre
la carga; dicha corriente es de aproximadamente 5,5 mA. Por esa razón, en el
circuito original simulado, el transistor Q8 está polarizado a 5,5 mA mientras
que el Q9 está cortado en ausencia de señal.
𝑉 44 × 10 𝑉
𝐼 = = = 5,5 𝑚𝐴
𝑅 8Ω
Para corregir este error, una posible solución es introducir un capacitor de

desacople entre la red Zobel y el inductor de salida, como se aprecia en la
página 14 del libro de Douglas Self.
16
A continuación, mostraremos las gráficas de la tensión de salida y de las

corrientes en ambos transistores. Como se puede apreciar, los transistores sólo
conducen durante medio semiciclo, y están polarizados a una pequeña
corriente distinta de cero para eliminar la distorsión por cruce.
La eliminación de la distorsión por cruce se puede apreciar fácilmente en las

siguientes gráficas. La primer gráfica muestra la señal de salida para una
entrada de 𝑉 = 1 𝑚𝑉 y una R13 = 2,5 kΩ, mientras que la segunda gráfica
muestra la tensión de salida para la misma entrada y una R13 = 2,785 kΩ.
Como se puede observar, en el primer caso aparece distorsión por cruce dado
que los transistores de la etapa de salida están cortados en ausencia de señal.
Al subir R13, dicha distorsión se elimina, como se puede apreciar en el segundo
caso.
17
Bibliografía
 Audio Power Amplifier Design, Douglas Self 6° edición.
 Circuitos Microelectrónicos, Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith, 4°
edición.
 Apunte de Circuitos amplificadores de potencia de baja frecuencia,
Pablo González Galli
 Apunte de Disipación de calor en semiconductores de potencia, Pablo
González Galli
 Sensibilidad de entrada – El cajón del electrónico
https://elcajondelelectronico.com/tag/sensibilidad-de-entrada/

18

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TRABAJO PRÁCTICO

TP N°2 – Circuito amplificador Clase AB

El circuito amplificador fue simulado en el LTSPICE.

1) El amplificador de audio de este trabajo práctico consta de 3 etapas.

 Etapa 1 (etapa de entrada)

La primera etapa consta de un par diferencial hecho con transistores bipolares

La etapa diferencial de entrada está polarizada con la realimentación negativa

Las resistencias R2 y R5 son las resistencias de carga del colector y tienen el

 Etapa 2 (etapa amplificadora)

La etapa amplificadora en este caso es una etapa push-pull, en la cual la señales

Esta etapa diferencial se polariza con la corriente suministrada por la resistencia

Si hFE5 >> 1, entonces 𝐼 ≅𝐼 𝑦𝐼 ≅𝐼

La resistencia R10 de 15 kΩ forma parte de esta fuente doble Widlar, ya que

 Etapa 3 (etapa de salida)

La polarización de la etapa de salida depende del valor fijado a la resistencia

En continua, ninguno de los diodos conduce ya que la tensión VGSQ de ambos

El circuito presenta una realimentación negativa desde el punto de salida hacia

El uso de la realimentación negativa en este circuito amplificador de audio

Los componentes de la red de realimentación son los resistores R7 y R8, el

En corriente continua, la red de alimentación consta sólo de los resistores R7 y

En presencia de señal, en frecuencias medias, el capacitor C4 de 220 µF se

En la entrada de la etapa 1 existe un filtro RC compuesto por los capacitores C1

El circuito presenta dos filtros de zumbido idénticos construidos con transistores

Ambos filtros poseen la misma red de resistores y capacitores. Para el filtro

Estos filtros de zumbido eliminan el rizado de la fuente de alimentación, que en

El uso de transistores evita el uso de capacitores grandes debido a la presencia

Además de los filtros mencionados anteriormente, también existen dos filtros de

Estos capacitores se conectan a la salida del rectificador y permiten obtener una

medio ciclo para un rectificador de onda completa. El rizado resultante se reduce

La red de salida también presenta un inductor en serie con la salida del

2) El análisis teórico de continua ya fue hecho en papel. Dichas hojas se incluirán

Aclaración importante: Para el análisis teórico de continua no se tuvieron en

Realizamos un cuadro comparativo de los valores de continua teóricos y los

Valor teórico Valor práctico

En el cuadro comparativo no hemos incluido los valores de Q6 y Q7, ni tampoco

Ahora debemos analizar cómo se estabiliza la tensión continua de salida (VO)

 El corrimiento positivo +∆𝑉 se traslada a la base de Q2 (una de las entradas

 Como la etapa de salida se considera un drenaje común o seguidor de

3) La potencia máxima de la señal de salida sobre la carga de 8 Ω se calcula a

Para analizar la máxima excursión de Vo, debemos analizar los semiciclos

Durante el semiciclo positivo, la máx. excursión de Vo está determinada por la

Según la hoja de datos del BC556B, VcESAT5 = 0,06 V (valor típico). Si

𝑣 = 49 𝑉 − 0,5 𝑉 − 0,06 𝑉 − 3,074 𝑉

𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟓, 𝟖𝟏𝟔 𝑽

Consideramos ahora la limitación impuesta por el límite de la región de

Tomamos una VT = 3 V (valor típico tomado de la hoja de datos del IRFP240) y

𝑉 =𝑉 −𝑣 = 49 𝑉 − 0,074 𝑉 → 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟖, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Durante el semiciclo negativo, la máx. excursión de Vo está determinada por la

Según la hoja de datos del 2SC1775, VcESAT4 = 0,5 V (valor máximo). Si

𝑣 = −49 𝑉 + 0,5 𝑉 + 0,5 𝑉 + 3,074 𝑉 → 𝑣 = −44,926 𝑉

𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟒, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Consideramos ahora la limitación impuesta por el límite de la región de

Tomamos una VT = -3 V (valor típico tomado de la hoja de datos del IRFP240) y

𝑣 =𝑉 − 𝑉 = −3,074 𝑉 − (−3 𝑉) → 𝑣 = −0,074 𝑉

𝑉 = |−𝑉 −𝑣 | = |−49 𝑉 + 0,074 𝑉|

→ 𝑽𝒅𝒔𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟖, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Analizando la excursión en ambos semiciclos, concluimos que la excursión

𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒐𝒎𝒂𝒙 = 𝟒𝟒, 𝟗𝟐𝟔 𝑽

Para calcular la sensibilidad, debemos conocer la ganancia del sistema:

Para estudiar mejor el efecto de la temperatura sobre los transistores de la etapa