Diapositiva 8.2-Tipos de Enlace
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Diapositiva 8.2-Tipos de Enlace
no metales
Clave:
Metales
No metales
Metaloides
Fig. 9.1
La tabla periódica de los elementos
H He
Li Be B C N O F Ne
Na Mg Al Si P S Cl Ar
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
Rb Sr Y Zr NbMo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
Fr Ra Ac Rf Ha Sg Bo Ha Me
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er TmYb Lu
Th Pa U Np PuAmCm Bk Cf EsFm MdNo Lr
Se clasifican:
A) Según las fuerzas que intervienen en el E.Q.
1. Enlace Iónico
2. Enlace Covalente
-Teoría Enlace de Valencia (T.E.V.)
- Teoría de la Repulsión del Par Electrónico de la Capa
de Valencia: TRPECV
- Teoría del Orbital Molecular: TOM
- Teoría de Linnett del Doble cuarteto
3. Enlace Metálico
4. Otras Fuerzas de enlace
B) Según el incremento de la polaridad en los enlaces químicos
∆δ δ + δ- ∆δ δ+ δ-
A:A → A:B → A + B
E. Covalente E. Covalente Polar E. Iónico
E. Homopolar E. heteropolar E. Electrovalente
Homonuclear heteronuclear electrostático
A: + B+ → [ A → B ]+
E. Covalente Coordinado
E. Dativo
Complejo dador-aceptor
Los tres modelos de enlace químico
Muchos Muchos
átomos átomos
Muchos
átomos
Muchos Mar_ de
iones e
FeO Fe2O3
Tres maneras
_
de representar la formación de
Li+ y F por transferencia de electrones
(o (o
Fig. 9.4
Representación de la formación de iones con
diagramas de orbital y símbolos electrón punto - I
..
+ Mg2+ + 2
..
Cl
..
Cl
Representación de la formación de iones con
diagramas de orbital y símbolos electrón punto - II
Problema: Use estructuras de Lewis y diagramas de orbital para
mostrar la formación del potasio y iones de sulfuro a partir de los
átomos, y determine la fórmula del compuesto.
Plan: Dibuje los diagramas de orbital para el K y el S. Para llenar los
orbitales exteriores, el azufre debe ganar dos electrones, y el potasio
debe perder un electrón.
Solución:
2K
+
2 K+ + S 2-
S
K. .. .. 2-
.. ..
..
+ S 2 K+ + S
K.
Las fuerza electrostática y la razón
por la cual los compuestos iónicos
se quiebran
Fuerza
Fuerza repulsiva
externa El cristal se
quiebra
Fig. 9.8
Puntos de fusión y ebullición de algunos
compuestos iónicos
Compuesto pf( oC) pe( oC)
Fig. 9.9
Vaporización de un compuesto iónico
Fig. 9.10
ENLACE COVALENTE
Formación del enlace covalente, H2
Energía Energía
liberada absorbida
Energía potencial (kJ/mol)
cuando se cuando se
forma el rompe el
enlace enlace
(Energía de (Energía de
enlace -) enlace +)
núcleo
atracción
repulsión
+ +
Las fuerzas
atractivas y
repulsivas
en el enlace
covalente
longitud de
enlace
Fig. 9.12
Enlace Covalente
• Los materiales con enlace
covalente se caracterizan
porque los enlaces se
forman por la
compartición de los
electrones de valencia
entre dos o más átomos.
C O 1 143 358
C O 2 123 745
C O 3 113 1070
C C 1 154 347
C C 2 134 614
C C 3 121 839
N N 1 146 160
N N 2 122 418
N N 3 110 945
Tabla 9.4 (p. 349)
Los fuertes enlaces dentro de las
moléculas y las débiles fuerzas entre ellas
Fuertes enlaces covalentes dentro
de las moléculas
Fase gaseosa
Fase líquida
Fig. 9.14
Los enlaces covalentes de sólidos de
redes covalentes
Fig. 9.15
El espectro infrarrojo (IR) del acrilonitrilo
balanceo
Banda de
Impureza H2O combinación
estiramiento
estiramiento ba- estiramiento
lan-
estiramiento ceo
torcimiento
Acrilonitrilo
deformación
agitación agitación
2.5 5.0 10 14 25
Longitud de onda (µm)
Fig. 9.B
Enlaces covalentes polares
O2 H-F
Enlaces covalentes polares
A mayor diferencia
en
electronegatividad,
más polar es el
enlace. Aumenta la
Polaridad
Principalmente
covalente
Fig. 9.18
La densidad de carga del LiF
Fig. 9.20
Sustancias no polares Sustancias polares
Las
flechas
indican la
dirección
del
momento
dipolar.
Fig. 9.22
Teoría de bandas
Se basa en el hecho de que los átomos de un metal contienen
orbitales atómicos, los cuales pueden estar llenos o vacíos. Si
tenemos una gran cantidad de átomos muy juntos entre ellos,
la superposición de orbitales da lugar a regiones, las cuales se
denominan bandas.
Figura diferencia energética entre las bandas de valencia y de
conducción en un metal, semiconductor y aislante.
Banda de
Conducción
Orb.vacíos
Banda de
valencia
Orb. Con e-
De valencia
Dopaje consiste en introducir impurezas dentro del
semiconductor para modificar su
comportamiento
- Soluciones sólidas
-Compuestos ínter metálicos
-Fases ínter metálicas
Acero : Fe – C
156pm -67 pm
Bronce: Cu – Sn
r. atóm.: 145 pm - 145 pm
Defectos puntuales
alteraciones o
discontinuidades de la red
cristalina con respecto a la
ideal, provocadas por uno
o varios átomos.
Se originan por el
movimiento de átomos
durante el calentamiento o
procesado del material,
introducción de impurezas
o por aleación
Tabla : Carácter del enlace en los 4 tipos fundamentales de
materiales de ingeniería
Tipo de material Carácter del enlace ejemplo