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    Actividad 4 Corte 2 Electronica 3

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    El primer documento presenta el diseño de un oscilador BJT de onda senoidal por el método de corrimiento de fase operando a 10 Khz. Incluye los valores de componentes como R3=500Ω, R2=51KΩ, R1<=10kΩ, C=3.28nF y C2=9.84μF. El segundo documento presenta el diseño de un oscilador Colpitts BJT a la misma frecuencia, determinando valores como C1=500pF, C2=55pF, C7=C5=2775pF, R

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    El primer documento presenta el diseño de un oscilador BJT de onda senoidal por el método de corrimiento de fase operando a 10 Khz. Incluye los valores de componentes como R3=500Ω, R2=51KΩ, R1<=10kΩ, C=3.28nF y C2=9.84μF. El segundo documento presenta el diseño de un oscilador Colpitts BJT a la misma frecuencia, determinando valores como C1=500pF, C2=55pF, C7=C5=2775pF, R

    Descripción original:

    electronica 3

    Título original

    ACTIVIDAD 4 CORTE 2 ELECTRONICA 3

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    El primer documento presenta el diseño de un oscilador BJT de onda senoidal por el método de corrimiento de fase operando a 10 Khz. Incluye los valores de componentes como R3=500Ω, R2=51KΩ, R1<=10kΩ, C=3.28nF y C2=9.84μF. El segundo documento presenta el diseño de un oscilador Colpitts BJT a la misma frecuencia, determinando valores como C1=500pF, C2=55pF, C7=C5=2775pF, R

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    El primer documento presenta el diseño de un oscilador BJT de onda senoidal por el método de corrimiento de fase operando a 10 Khz. Incluye los valores de componentes como R3=500Ω, R2=51KΩ, R1<=10kΩ, C=3.28nF y C2=9.84μF. El segundo documento presenta el diseño de un oscilador Colpitts BJT a la misma frecuencia, determinando valores como C1=500pF, C2=55pF, C7=C5=2775pF, R

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    REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

    INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO


    “SANTIAGO MARIÑO”
    EXTENSIÓN BARCELONA

    SEGUNDO CORTE

    DISEÑO DE OSCILADORES

    Semestre 2021-2

    Autor: WILFREDO SALAZAR

    C.I.: 16.717.525

    PUERTO LA CRUZ, DICIEMBRE 2021


    1.- Diseñar y simular en el multisim un Oscilador BJT de onda senoidal por el método de
    corrimiento de fase, para una frecuencia F0 de 10 Khz.

     Escoger el transistor de su preferencia y descargue el datasheet.


     Escoja el voltaje VCC
     Consideraciones de diseño: Ieq = 2 ma, VE = VCC/10, Av > - 29

     C = C1= C3 = C4 = C5, C2 = 3000*C


     R = R5 = R6 = Rth//β*re, R1 <= (β *R3)/10, re=26mv/Ieq, Rth=R1//R2,
    debe cumplirse que β*re>R.

    R3=500Ω

    R2=51KΩ

    β ⋅ R3
    R1 ≤
    10

    200 ⋅500
    R1 ≤ ≤ 10 kΩ
    100

    R1 ⋅ R 2
    Rth = =9,09 kΩ
    R 2 + R1

    R th β ⋅ r e
    R= =1,98 kΩ
    Rth + β 1 ⋅r e
    1
    C= =3,28 nF
    f 0 ⋅2 π ⋅ √ 6 ⋅ R

    C 2=3000 ⋅ C=9,84 µF

    V1
    R2 R4 12V
    51kΩ 540Ω XMM2

    C3
    XSC1

    3.28nF Ext Trig


    +
    C1 C4 C5 Q1 _
    A B
    BC547BG + _ + _

    3.28nF 3.28nF 3.28nF

    XMM1

    R5 R6 R1 C2
    R3
    1.98kΩ 1.98kΩ 9.75kΩ 9.84µF
    500Ω
    2.- Diseñar y simular en el multisim un Oscilador Colpitts BJT de onda senoidal, para una
    frecuencia F0 de 10 Khz.

     Escoja el transistor de su preferencia  y descargue su datasheet.

     Escoja el voltaje de polarización Ve.

     Consideraciones de diseño, Ieq = 2 ma, VE = Ve/10, R2>0.1*β*R1, C7=C5=5*C,


    L4=10H, C2=B*C1, C=C1//C2, Av=10, Av= 1.1*(C1/C2), Av*B ≥ 1.

    1
    B≥ =0,1
    Av

    C 2=0,11 C1

    B=0,11
    C=C 1+C 2

    C1=500pF

    R1=20kΩ

    C2=55pF

    C=500pF+ 55pF
    C=555 pF

    C7=C5=5*C

    C7=C5=2775pF

    ( ) =0,46 H
    2
    1
    f 0⋅ 2 π
    L 3=
    C
    R2 >0 , 1⋅ β ⋅ R1 >400 kΩ

    V1
    L4
    R3
    10H 10V
    332kΩ
    C5

    C7 2775pF XSC1
    Q1
    BC547BG
    Ext Trig
    2775pF +
    R2 _
    A B
    401kΩ _ _
    R1 + +

    20kΩ
    XMM1

    L3
    0.46H
    C2
    C1
    55pF
    500pF

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