Instituto Tecnológico de Tijuana

Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica

Ingenierı́a en Electrónica

Diseño con Transistores — ETF-1013

Problemas de evaluación
Docente: Ing. Cipriano Ponce Oliva

Integrantes No. de control

Covarrubias López Ilich Uriel 18210361
Rivera Villegas Jesus Daniel C18211871

Tijuana, Baja California, 17 de Junio del 2022

Índice
1. Objetivos 1

2. Resumen 2

3. Introduccion 3

4. Marco teórico 4
4.1. Estructura del transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4.2. Transistor NPN y PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4.3. Curva caracterı́stica del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.4. Frecuencia de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.5. Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.6. Punto de operación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

5. Amplificador de audio 11

6. Análisis en frecuencia 18

7. Resultados 22
7.1. Amplificador de audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
7.2. Análisis en frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

8. Conclusiones 24

9. Referencias 25

I
Índice de figuras
1. Estructura del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Partes del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3. Transistor NPN y PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4. Curva de operación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5. Onda de diente de sierra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6. Onda de diente de sierra con frecuencia de corte. . . . . . . . . . . . . . . . . 8
7. Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
8. Caracterı́sticas del ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
9. Diversos puntos de operación dentro de los limites de operación de un transis-
tor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
10. Diseño del amplificador, primera parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
11. Diseño del amplificador, segunda parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
12. Diseño del amplificador, tercera parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
13. Diseño del amplificador, cuarta parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
14. Diseño del amplificador, quinta parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
15. Diseño del amplificador, sexta parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
16. Análisis en frecuencia, primera parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
17. Análisis en frecuencia, segunda parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
18. Análisis en frecuencia, tercera parte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
19. Diagrama del circuito a simular del amplificador de audio . . . . . . . . . . . 22
20. Señal de salida del amplificador de audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
21. Diagrama del circuito a simular del análisis en frecuencia . . . . . . . . . . . 23
22. Respuesta en frecuencia del amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

II
1. Objetivos
Diseñar un amplificador de audio multi-etapa que cumpla ciertos parámetros estable-
cidos.

Analizar la respuesta de frecuencia de cierto amplificador y seleccionar los valores de

los compone

1
2. Resumen
En el presente reporte se expondra los analisis matematicos sobre los tres amplificadores
propuestos en relacion a el analisis de frecuencia. En el primer problema se desarrollara un
amplificador de audio utilizando transisores BJT. En el segundo se desarrolla el circuito
para un amplificador multitransistor que mejorara sus respuestas de ganacia de entrada,
impedancia de entrada, impedancia de salida o su ancho de banda. Para el tercero y ultimo,
el desarrollo de un circuito de etapa diferencial seguida de un de un amplificador en colector
comun. Todos estos amplificadores bajo las condiciones requeridas por el profesor.

2
3. Introduccion
Luego de haber estudiado las caracteristicas de un amplificador desde la perspectiva de
entrada-salida, determinar las especificacionoes de amplificadores que satisfagan ciertos re-
quisitos de entrada y salida, se tiene que dichos transistores pueden conectarse con otros
elementos del circuito para genrarar una ganacia en voltaje. Las resistencias de entrada y
salida dependen de la configuracion: de emisor comun, drenaje comun, o base comun. En su
interior, los amplificadores utilizan uno o mas transitores como dispositivos de amplificacion,
los cuales se polarizaon con una sola funete de alimentacion en cd para que trabajen adecua-
damente en un punto Q deseado. Por medio de transistores, pueden construirse amplificadores
que den una ganacia en voltaje.

3
4. Marco teórico
4.1. Estructura del transistor bipolar
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre
las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 1 observamos el aspecto útil
para análisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones
sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P.
Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces
la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

Figura 1: Estructura del transistor

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de

forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. En la figura 2 vemos el aspecto
tı́pico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en cualquier circuito integrado.
Sobre una base n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p y n, en las
que se ponen los contactos de emisor y base. Es de señalar que las dimensiones reales del
dispositivo son muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo.

Figura 2: Partes del transistor

4
 El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahı́ la indicación p+). Cuanto más
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombi-
nación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a
colector, como veremos más adelante. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo
puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición
se tratase.

El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caracterı́sticas de esta
región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
En posteriores apartados se tratará el tema.

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como amplificadores (recibien-
do una señal débil y generando una fuerte) o como interruptores (recibiendo una señal y
cortándole el paso) de la misma.
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Con-
cretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando
se cumple la condición: IE = 0 ó IE ¡0 (Esta última condición indica que la corriente por
el emisor lleva sentido contrario al que llevarı́a en funcionamiento normal). Para polarizar
el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es
decir, basta con que VBE=0.
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en
todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa
y la colectorbase en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:

VB E = Vγ
IC = β ∗ IB

donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0,6 voltios).

En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector

se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:

VB E = VB E sat
VC E = VC E sat

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores de-
terminados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente). Es de señalar especialmente que cuando el
transistor se encuentra en saturación circula también corriente por sus tres terminales, pero
ya no se cumple la relación [1]:

Ic = β ∗ IB

5
4.2. Transistor NPN y PNP
Los transistores NPN y PNP son transistores de unión bipolar, y es un componente eléctri-
co y electrónico básico que se utiliza para construir muchos proyectos eléctricos y electrónicos.
Los transistores de unión bipolar se pueden encontrar tanto como partes de circuitos inte-
grados como en componentes discretos. En los transistores PNP, los portadores de carga
mayoritarios son huecos, mientras que en los transistores NPN, los electrones son los porta-
dores de carga mayoritarios.

El término ’PNP’ significa positivo, negativo, positivo y también conocido como abaste-
cimiento. El transistor PNP es un BJT; en este transistor, la letra ’P’ especifica la polaridad
del voltaje necesario para el terminal del emisor. La segunda letra ’N’ especifica la polaridad
del terminal base. En este tipo de transistor, la mayorı́a de los portadores de carga son hue-
cos. Básicamente, este transistor funciona igual que el transistor NPN.

Los materiales necesarios que se utilizan para construir los terminales del emisor, la base
y el colector en este transistor son diferentes de los utilizados en el transistor NPN. Los
terminales BC de este transistor están polarizados constantemente invertidos. La principal
diferencia entre el transistor PNP y NPN es la polarización correcta de las uniones del tran-
sistor. Las direcciones de la corriente y las polaridades de voltaje se invierten constantemente
entre sı́.

El término ’NPN’ significa negativo, positivo, negativo y también conocido como hun-
dimiento. El transistor NPN es un BJT , en este transistor, la letra inicial ’N’ especifica
una capa cargada negativamente del material. Donde, ’P’ especifica una capa completamente
cargada. Los dos transistores tienen una capa positiva, que se encuentra en el medio de dos
capas negativas. Generalmente, el transistor NPN se utiliza en varios circuitos eléctricos para
conmutar y fortalecer las señales que exceden a través de ellos [2]. Como se observa en la
figura 3.

Figura 3: Transistor NPN y PNP

6
4.3. Curva caracterı́stica del transistor
Para que un transistor funcione convenientemente, existen varias formas de hacer su
conexión. Si las tensiones o señales son aplicadas en la base y colector, y el emisor queda
conectado al mismo tiempo a las dos baterıas, siendo un elemento común al circuito de
entrada (base) y salida (colector), se dice que el transistor polarizado de esta forma esta en
la configuración de emisor común.
Esta configuración es la más usada y a partir de ella se pueden estudiar las curvas carac-
terı́sticas de un transistor. Una curva caracterı́stica no es más que la obtención de un gráfico
en el que se representan las diversas magnitudes que varı́an en un componente cuando está en
funcionamiento. En el caso de un transistor, se pueden conocer seis valores, tres intensidades
y tres tensiones, de los cuales al menos se deben conocer tres para, a partir de ellos, calcular
el resto. En un transistor se denomina punto de funcionamiento, o punto Q de un transistor,
a un conjunto de tres parámetros en los que el transistor se encuentra funcionando, y son
la intensidad de base, la intensidad de colector y la tensión de colector emisor. En cualquier
zona de funcionamiento, y cualquier tipo de transistor, se debe cumplir la primera ley de
Kirchhoff, por lo tanto:

IB + IC = IE

Para hallar las curvas caracterı́sticas de un transistor, lo que se hace es colocar en un

gráfico las diversas tensiones y corrientes de base y sus correspondientes de colector. En la
figura 4 se aprecian los diferentes modos de operación de un transistor, es decir, sus curvas
de trabajo. [3]

Figura 4: Curva de operación.

4.4. Frecuencia de corte

La frecuencia de corte (o el corte) determina dónde se corta la señal. Los sintetizadores
simples solo tienen filtros de paso bajo. Si una señal contiene frecuencias que varı́an de 20 a
4000 Hz y la frecuencia de corte se ajusta en 2500 Hz, se filtran las frecuencias por encima
de 2500 Hz. El filtro de paso bajo permite que las frecuencias por debajo del punto de corte
de 2500 Hz pasen sin sufrir alteración alguna.En la Figura 5 se muestra una onda de diente

7
de sierra. El filtro está abierto, con la frecuencia de corte ajustada a su valor máximo. En
otras palabras, esta onda no se filtra.

Figura 5: Onda de diente de sierra

En la Figura 6 se muestra una onda en diente de sierra con la frecuencia de corte de filtro
ajustada en un valor cercano al 50 por ciento. Este ajuste de filtro da lugar a la supresión de
las frecuencias más altas y al redondeo de los bordes de la onda de diente de sierra, lo que
hace que parezca una onda sinusoidal. Este ajuste hace que el sonido sea más suave y menos
“metálico”.

Figura 6: Onda de diente de sierra con frecuencia de corte.

4.5. Ancho de banda

El ancho de banda de un amplificador es el margen de frecuencia que el dispositivo es
capaz de amplificar como se ve en la Figura 7.

Figura 7: Ancho de banda

El ancho de banda se expresa en MHz y viene determinado por rango definido la frecuen-
cia superior y la frecuencia interior: Anchodebanda = Fsup (M HZ) − Finf (M HZ)

8
 Hay que tener en cuenta que el çorte”de amplificación en las frecuencias lı́mite, llamado
selectividad, no es perfecto, amplificando frecuencias próximas a ambos extremos.

Figura 8: Caracterı́sticas del ancho de banda

Cuando sea necesaria una amplificación más selectiva, con mayor discriminación de las
frecuencias adyacentes a la banda a amplificar, se podrán colocar amplificadores monocanales
de alta selectividad, con una mayor discriminación de estas señales. [4]

4.6. Punto de operación

El término polarización es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicación de
voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de
transistor, el voltaje y la corriente de cd resultantes establecen un punto de operación sobre
las caracterı́sticas, el cual define la región que se empleará para la amplificación de la señal
aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las caracterı́sticas, se le conoce
también como punto quiesciente. Por definición, quiesciente significa quieto, inmóvil, inac-
tivo. La Figura 9 muestra una caracterı́stica general de salida de un dispositivo con cuatro
puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la
operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la región activa.

Figura 9: Diversos puntos de operación dentro de los limites de operación de un transistor.

Concentrándonos en la región activa es posible elegir muchos puntos de operación di-

ferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dará al circuito. Si no se utilizara
la polarización, el dispositivo estarı́a al principio totalmente cortado (desactivado), lo cual
producirı́a la A, esto es, corriente cero a través del dispositivo (y voltaje cero a través del

9
mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus
valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una señal de entrada. En tanto que el
punto A no resultará apropiado, el punto B proporciona esta operación deseada. Si se aplica
una señal al circuito, además del nivel de polarización, el dispositivo variará sus valores de
corriente y voltaje a partir del punto de operación B, lo que permite que el dispositivo reac-
cione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva como la parte negativa de la señal
de entrada. Si, como podrı́a suceder, la señal de entrada es pequeña, el voltaje y la corriente
del dispositivo variarán, pero no lo suficiente para llevarlo al nivel de corte o saturación.

El punto C permitirı́a cierta variación positiva y negativa de la señal de salida, pero el

valor pico a pico serı́a limitado por la proximidad de VCE = 0V /IC = 0mA. La operación en
el punto C también tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el hecho de que
el espacio entre las curvas IB cambia rápidamente en esta región. En general, es preferible
operar donde la ganancia del dispositivo es más constante (o lineal), de tal modo que la can-
tidad de amplificación en toda la excursión de la señal de entrada es la misma. En punto B es
una región de espaciamiento más lineal y, su operación tiene un mayor grado de linealidad. [5]

Para el BJT que se polarizará en su región de operación lineal activa debe cumplirse:

La unión de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la región p

más positivo) con un voltaje resultante de polarización directa entre la base y el emisor
de aproximadamente 0.6 a 0.7 V mı́nimo.

La unión de base a colector debe estar polarizada inversamente (región n más positi-
va), estando el voltaje de polarización inversa en cualquier valor dentro de los lı́mites
máximos del dispositivo.

10
5. Amplificador de audio
Diseñar un amplificador de audio utilizando transistores (BJT o FET) que cumpla con el
siguiente conjunto de especificaciones.
Un amplificador de audio debe suministrar una potencia media de 0.1 W a un altavoz de
8 Ω desde un micrófono que produce una señal senoidal máxima de 10 mV pico y tiene una
resistencia interna (fuente) de 10 kΩ.

11
Figura 10: Diseño del amplificador, primera parte

12
Figura 11: Diseño del amplificador, segunda parte

13
Figura 12: Diseño del amplificador, tercera parte

14
Figura 13: Diseño del amplificador, cuarta parte

15
Figura 14: Diseño del amplificador, quinta parte

16
Figura 15: Diseño del amplificador, sexta parte

17
6. Análisis en frecuencia
Para el amplificador de multitransistor, escoja parámetros de transistor idóneos. La fre-
cuencia baja de 3 dB debe ser menor o igual que 20 Hz. Suponga que los tres capacitores de
acoplamiento son iguales. Sea CB → ∞. Determine la pendiente de la gráfica de Bode para
la magnitud de la ganancia de voltaje en frecuencias muy bajas.

18
Figura 16: Análisis en frecuencia, primera parte

19
Figura 17: Análisis en frecuencia, segunda parte

20
Figura 18: Análisis en frecuencia, tercera parte

21
7. Resultados
7.1. Amplificador de audio
El circuito final del amplificador de audio se muestra en la figura 19.

Figura 19: Diagrama del circuito a simular del amplificador de audio

Al introducir una señal de entrada de 10mV pico con una frecuencia de 1kHz, se obtiene
en la salida la señal mostrada en la figura 20.

Figura 20: Señal de salida del amplificador de audio

22
7.2. Análisis en frecuencia
El circuito a simular se muestra en la figura 21. Se utilizó una capacitancia calculada de
155,4uF , y una señal de entrada de 50mV p o −26dB.

Figura 21: Diagrama del circuito a simular del análisis en frecuencia

Al hacer un barrido de frecuencias desde 10Hz hasta 10kHz, se obtiene una respuesta en
frecuencia mostrada en la figura 22.

Figura 22: Respuesta en frecuencia del amplificador

23
8. Conclusiones
Para el amplificador de audio, vemos que en la figura 20 se muestra una amplitud de salida
de 1,32V p, que es ligeramente mayor al valor pico esperado de 1,26V p para una disipación de
100mW en la bocina. Dado que la señal de salida tiene una forma senoidal, es decir no existe
distorsión por alguno de los transistores entrando en saturación o corte, y la amplitud está
dentro del 5 % del valor esperado, podemos asegurar que el diseño cumple con los requisitos
establecidos de manera satisfactoria.
En el caso del análisis en frecuencia del segundo amplificador, la figura 22 muestra que
a una frecuencia de 13,63Hz se da la frecuencia de corte, cuando la amplitud está 3dB por
debajo de la amplitud máxima. Al ser menor la frecuencia de corte a 20Hz, se cumple el
objetivo del diseño.

24
9. Referencias
[1] Gerold W. Neudeck. (1994). El transistor bipolar. 19 de junio del 2022, de Ed.
Addison-Wesley Iberomanericana Sitio web: http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/
tema5.pdf

[2] GSL industiras. (2020). Diferencias entre transistores NPN y PNP. 19 de junio del
2022, de GSL Industrias Sitio web: https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/
diferencias-entre-transistores-npn-y-pnp.

[3] Archie Tecnology. (2020). Curvas caracterı́sticas de los transistores. 19 de junio del
2022, de Tecnologı́a electrón Sitio web: https://tecnologiaelectron.blogspot.com/2021/
04/curvas-caracteristicas-transistores.html

[4] Carlos Ruı́z . (2020). Caracterı́sticas de las onodas. 19 de junio del 2022, de BIRTLH Si-
tio web: https://ikastaroak.ulhi.net/edu/es/IEA/ICTV/ICTV04/es_IEA_ICTV04_Contenidos/
website_6115_ancho_de_banda.html

[5]Muhammad H. Rashid. (1999). Circuitos microelectrónicos . Puerto Rico: International

Thomson Editores.

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