El documento describe una experiencia sobre las características de un diodo semiconductor. Se explican conceptos como polarización directa e inversa, y se miden las resistencias directa e inversa de diodos de silicio y germanio. Luego, se implementa un circuito para medir la corriente y tensión directas de los diodos variando la tensión de alimentación, y se grafican los resultados. Finalmente, se calcula la resistencia dinámica de los diodos.
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El documento describe una experiencia sobre las características de un diodo semiconductor. Se explican conceptos como polarización directa e inversa, y se miden las resistencias directa e inversa de diodos de silicio y germanio. Luego, se implementa un circuito para medir la corriente y tensión directas de los diodos variando la tensión de alimentación, y se grafican los resultados. Finalmente, se calcula la resistencia dinámica de los diodos.
El documento describe una experiencia sobre las características de un diodo semiconductor. Se explican conceptos como polarización directa e inversa, y se miden las resistencias directa e inversa de diodos de silicio y germanio. Luego, se implementa un circuito para medir la corriente y tensión directas de los diodos variando la tensión de alimentación, y se grafican los resultados. Finalmente, se calcula la resistencia dinámica de los diodos.
El documento describe una experiencia sobre las características de un diodo semiconductor. Se explican conceptos como polarización directa e inversa, y se miden las resistencias directa e inversa de diodos de silicio y germanio. Luego, se implementa un circuito para medir la corriente y tensión directas de los diodos variando la tensión de alimentación, y se grafican los resultados. Finalmente, se calcula la resistencia dinámica de los diodos.
● Verificar las características de operación de los diodos semiconductores.
● Describir , a través de la experiencia , un diodo ,como se polariza y analizar sus características principales como por ejemplo la curva característica de Voltaje – Corriente (V – I)
II. BASES HISTÓRICAS
En 1883 Edison encontró que podía detectar los electrones que fluían a través del vacío del filamento incandescente a la placa metálica montada en el interior del foco. Este descubrimiento llegó a ser conocido como el efecto Edison.
John Fleming 1890, encontró que el efecto Edison también podía ser utilizado para detectar ondas de radio y convertirlas en señales eléctricas. Continuó desarrollando un tubo de vacío de dos elementos llamado válvula Fleming, más adelante conocida como diodo. III. MARCO TEÓRICO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma un límite llamado unión pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo básico. Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión pn es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.
IV. EQUIPOS Y MATERIALES
1. Fuente de poder DC 2. Multímetro 3. Miliamperímetro 4. Microamperímetro 5. Voltímetro DC 6. Diodo semiconductor de Silicio y Germanio 7. Resistencia de 100Ω 8. Cables y conectores
INFORME PREVIO
1. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar (uno de Silicio y otro de Germanio). Es el dispositivo semiconductor que tiene dos regiones denominadas N y P y se encuentran en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican de silicio (mayormente) y de germanio. Una parte llamada N (negativo) y la otra llamada P (positivo), están separadas por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Diodo de Silicio
Diodo de Germanio
El diodo se puede polarizar de 2 maneras:
Polarización directa: El positivo de la fuente de alimentación coincide con el ánodo en el diodo y el cátodo del diodo coincide con el negativo de la fuente de alimentación. Entonces, permite el flujo de corriente y se comporta como un cortocircuito. Polarización inversa: El negativo de la fuente de alimentación coincide con el ánodo en el diodo y el cátodo en el diodo coincide con el positivo de la fuente de alimentación. Entonces, actúa como un aislante y no permite que fluya la corriente lo que se llama circuito abierto. Nota: La figura muestra la polarización directa (Forward Bias) y polarización inversa (Reverse Bias). Fuente: Fluke
Diodos en buen estado
Nota: La pantalla muestra OL (indica alta resistencia). Fuente: Fluke
Nota: La pantalla muestra 601Ω (está dentro del rango de funcionamiento). Fuente: Fluke Diodos en mal estado
Nota: La pantalla muestra OL (indica alta resistencia en polarización directa, se entiende
que el diodo está en mal estado). Fuente: Fluke
Nota: La pantalla muestra resistencia nula y da pitidos (el diodo está en cortocircuito). Fuente: Fluke
2. Explicar los conceptos de Resistencia Dinámica, Corriente de Polarización
Directa, Corriente de Polarización Directa y Tensión de Pico Inverso.
Resistencia Dinámica (análisis AC)
Se mide por la relación de cambio de voltaje y cambio de corriente a través del diodo. Nota: Gráfica y fórmula para hallar la Rd
Corriente de Polarización Directa
Es el nivel de corriente máximo en polarización directa para que el diodo se queme debido a una disipación excesiva de potencia. Por ejemplo el diodo 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarización directa cuando se le emplea como rectificador.
Corriente de Polarización Inversa
Esta corriente inversa incluye la corriente producida térmicamente y la corriente de fugas superficial. Se deduce que la temperatura puede ser importante a la hora del diseño, ya que un diseño basado en una corriente inversa de 50uA trabajará muy bien a 25 ºC con un diodo 1N4001, por ejemplo, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unión alcance los 100 ºC.
Tensión de Pico Inverso
Esta clasificación de Voltaje Pico Inverso (PIV) se proporciona y describe en la hoja de datos proporcionada por el fabricante. Sin embargo, si el voltaje que llega a través de la unión en condiciones de polarización inversa aumenta más allá de este valor especificado, la unión se dañará.
Nota: La tensión de pico inverso se ve en la gráfica (Breakdown Voltage)
V. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de
Silicio. Registrar los datos en la tabla 1.1
Diodo de silicio (1N4007)
Resistencia Directa
Nota: Medición en Multisim
Resistencia Inversa
Nota: Medición en Multisim
Rdirecta Rinversa 535,44Ω 1,1MΩ
Resistencia medida en el diodo SB360
Resistencia directa (selector puesto en 2000Ω) Resistencia inversa (selector puesto en 200MΩ)
Rdirecta Rinversa 212Ω 10.8MΩ
2. Implementar el circuito de la figura 1.1.
a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V),
observar y medir la corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla 1.2. VCC(V) 0.540 0.573 0620 0.686 0.792 0.899 1.175 1.702 2.215 2.732
Vd(V) 0.53 0.55 0.58 0.61 0.63 0.65 0.67 0.70 0.72 0.73 Rd : Resistencia dinámica del diodo ∆ Vd :Variación del voltaje del diodo ∆ I d :Variación de la corriente del diodo
Los diodos actúan tal como la teoría lo afirma, conducen cuando se encuentran en polarización directa y se comportan como un circuito abierto cuando se encuentran polarizados indirectamente. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
