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    Informe Transistor BJT

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    Este documento presenta un resumen de un laboratorio realizado sobre el transistor BJT. En la primera parte, se construye un circuito básico para comparar los resultados con la teoría. En la segunda parte, se usa un transistor para controlar un relay y un LED, funcionando en saturación y corte. Finalmente, se incluyen cálculos teóricos sobre la recta de carga del transistor y sobre cómo hacer funcionar el transistor en el sistema de control.

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    Este documento presenta un resumen de un laboratorio realizado sobre el transistor BJT. En la primera parte, se construye un circuito básico para comparar los resultados con la teoría. En la segunda parte, se usa un transistor para controlar un relay y un LED, funcionando en saturación y corte. Finalmente, se incluyen cálculos teóricos sobre la recta de carga del transistor y sobre cómo hacer funcionar el transistor en el sistema de control.

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    Informe Transistor Bjt (1)

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    Este documento presenta un resumen de un laboratorio realizado sobre el transistor BJT. En la primera parte, se construye un circuito básico para comparar los resultados con la teoría. En la segunda parte, se usa un transistor para controlar un relay y un LED, funcionando en saturación y corte. Finalmente, se incluyen cálculos teóricos sobre la recta de carga del transistor y sobre cómo hacer funcionar el transistor en el sistema de control.

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    Este documento presenta un resumen de un laboratorio realizado sobre el transistor BJT. En la primera parte, se construye un circuito básico para comparar los resultados con la teoría. En la segunda parte, se usa un transistor para controlar un relay y un LED, funcionando en saturación y corte. Finalmente, se incluyen cálculos teóricos sobre la recta de carga del transistor y sobre cómo hacer funcionar el transistor en el sistema de control.

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    de 5

    1

    Latorre Martínez Carlos Mario, Raul Alandette, Cesar David Montaño


    Laboratorio con transistor BJT

    - Multímetro
    Resumen – En el presente laboratorio haremos un informe - Transistor 2n3904(NPN)
    detallado sobre el transistor. Para ello realizaremos un circuito
    básico en la primera parte para realizar las comparaciones entre
    el montaje y los resultados teóricos. En la segunda parte ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
    realizaremos un sistema de control usando un relay y un led,
    para que el transistor pueda funcionar en saturación y corte
    Collector−Emitter Voltage: 40 Vdc
    (prendido y apagado)
    Collector−Base Voltage: 60 Vdc
    Emitter−Base Voltage: 6.0 Vdc
    Palabras claves: transistor, corte, saturación. Collector Current – Continuous: 200 mAdc
    Operating and Storage Junction Temperature Range: −55 to
    I. INTRODUCTION +150 °C

    E l transistor es un dispositivo semiconductor que trabaja


    CIRCUITO:

    como un interruptor o como un sistema de amplificador. El


    primer transistor fue inventado en diciembre de 1947 en la
    Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Houser
    Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
    patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio
    de 1948,a la cual siguieron otras patentes acerca de
    aplicaciones de este dispositivo.

    (usando una resistencia de base de 46500ohm)

    Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones CÁLCULOS TEÓRICOS:


    semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la
    base y la región del colector. Estas regiones son, Para graficar la recta de carga se usa la siguiente ecuación:
    respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y tipo N, Vcc – Ic * Rc – Vce = 0
    tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del (y = m.x + b)
    semiconductor está conectada a un terminal, denominado
    emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda. Ic * Rc = Vcc – Vce
    Ic = Vcc / Rc – Vce / Rc
    Según el informe que ha presentado la Semiconductor Ic = (-1 / Rc) * Vce + Vcc / Rc
    International Association, el ITRS 2015 (International
    Technology Roadmap for Semiconductors), se prevé que los
    fabricantes cesen en el empeño de reducir el tamaño de los
    transistores en un intervalo de cinco años. Una tendencia que
    existe desde hace más de 50 años y que con esta predicción de Grafica.
    nuevo se plantea si se vería afectada otra que tomó
    dimensiones de ley, la de Moore [2].

    II. POLARIZACIÓN DC DE BJT Y RECTA DE CARGA


    PENDIENTE
    Materiales usados en el montaje:
    - Fuente de poder DC de 10V y 20V
    - 2 resistores de 1K ohm

    2

    EVIDENCIA.
    3

    III. TRANSISTOR EN UN SISTEMA DE CONTROL


    Para el montaje se necesitó los siguientes materiales:
    - pila de 8.76V CALCULOS TEORICOS:
    - relé 6V
    - resistor de 500ohm Antes de realizar nuestro montaje debemos realizar
    - LED blanco nuestros cálculos para que nuestro transistor funciones en
    - Micro NC la región de saturación (prendido).
    - Multímetro
    - Transistor Para ello primero debemos hallar la corriente del colector,
    como en el colector están la fuente y la bobina del relé.
    Para el montaje se utilizó un transistor 2N2222A, ya que Con el tester mediremos la impedancia de la bobina del
    es un transistor que cumple los requerimientos para el relé y dividirlo con el voltaje.
    funcionamiento óptimo del circuito.

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
    Ic=VCC/Rbobina
    Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W Midiendo con el tester en los terminales de la bobina nos
    100ohm
    Tensión colector-base (Vcb): 60 V
    8.76V/100omh=0.087A
    Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
    Ya con hallada la corriente obtenida y con la beta del
    Tensión emisor-base (Veb): 5 V transistor es de 100 de ganancia, procederemos a hallar la
    corriente en la base. Pero también se tendrá que hacer un
    Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A despeje de variable el cual despejaremos Ib:

    Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C


    Ic=Ib*β
    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
    Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft):
    Ib= Ic/ β
    250 MHz
    Ya con nuestra ecuación despejada, procederemos a
    Capacitancia de salida (Cc): 8 pF colocar nuestros valores en las variables:

    Ganancia de corriente contínua (hfe): 100 0.087A / 100=0.00087A

    CIRCUITO CON RELE: Para que el transistor esté en funcionamiento y que esta
    no sufra daños, se tiene que colocar una resistencia
    adecuada en la base. Ya colocada la resistencia en la base
    para verificar si el transistor funciona se debe medir
    voltaje en la base y en el emisor si este da 0.7 o un poco
    más quiere decir que el transistor funciona y si este está
    por debajo del voltaje 0.7V, el transistor no está en
    funcionamiento.

    Para nuestro circuito hallaremos Rb, ya teniendo los


    valores de Ib y Ic y también el voltaje base-emisor,
    podremos hacer un despeje de la variable Rb que la
    desconocemos para hallar su valor y ya despejada colocar
    los valores:

    Ib=VCC-VBE/RB
    Rb=VCC-VBE/IB
    Reemplazamos:
    4

    8.7-0.7/0.00087=9194ohms

    Para que el transistor pueda funcionar correctamente se


    necesita una resistencia 9K o 10K ya que comercialmente
    la resistencia tiene una tolerancia según las
    especificaciones del fabricante:
    5

    IV. REFERENCIAS

    [ Wikipedia, «Wikipedia,» United States Patent Office, 3 Octubre 1950. [En


    1 línea]. Available: https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni
    %C3%B3n_bipolar#:~:text=%E2%80%8B%E2%80%8B%E2%80%8B
    ] %20El%20transistor,dise%C3%B1o%20de%20circuitos%20digitales
    %20integrados.. [Último acceso: 13 Marzo 2016].
    [ xataka, «xataka,» 28 Julio 2016. [En línea]. Available:
    2 https://www.xataka.com/componentes/de-nanometros-miniaturizacion-y-
    ley-de-moore-el-futuro-de-los-transistores. [Último acceso: 26 Julio 2016].
    ]

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