U UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

N “ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”

E VICE-RECTORADO “LUÍS CABALLERO MEJÍAS”
X NÚCLEO CHARALLAVE
P
O

COORDINACIÓN DE INGENIERIA MECATRÓNICA CHARALLAVE, NOVIEMBRE 2022

ASIGNATURA: ELECTRONICA II / SECCIÓN: 01
PROFESOR: Anibal Herves

Repaso de Teoría de
Transistores
Un transistor es un dispositivo electrónico que regula el paso del flujo
de corriente o de tensión en un circuito, actuando bien sea como un
interruptor y/o amplificador de señales eléctricas (tensiones y corrientes).

La invención del transistor por William Bradford Shockley EMISO COLECTOR

fue en 1948 y fue galardonado con el premio Novel de física.. Su R N P N
C
invento inició una auténtica revolución en la Electrónica que ha E B
superado cualquier previsión inicial. Fue durante tres décadas el BAS
dispositivo favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados. E
Hoy en día, el uso de los Transistores Bipolares (BJTs ) ha
declinado en favor de la tecnología
CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados. + IC COLECTOR ( C )

Algunos historiadores lo consideran como “el mayor BASE ( B)

invento del siglo XX”. Fue un invento fundamental para el + IB
desarrollo tecnológico de nuestro tiempo. Sin los transistores el - IE
mundo tecnológico que nos rodea
no habría sido posible: radio, televisión, calculadoras, relojes
digitales,
ordenadores, MP3, equipos de música, EMISOR ( E )
DVD.

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 Ell transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de estado sólido, que consiste en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

El transistor esta formado por la unión de tres semiconductores. Puede ser NPN o
PNP. En nuestro caso un NPN. Tiene tres patillas: Emisor, Base y Colector. Sobre su carcasa
encontremos escrito su nombre o referencia. Este es su símbolo. La intensidad entra en el
transistor por el colector ( C) y sale por el emisor ( E ). La intensidad que entra por la base (B)
del transistor es la responsable de controlar el funcionamiento del transistor, que puede
funcionar como un Interruptor o como un Amplificador. Hay que analizar cada transistor dentro
del circuito en el que se encuentra, de modo que, dependiendo de la intensidad que entra por su
base (IB) se comportará como un INTERRUPTOR ( que se abre o se cierra entre colector y
emisor) o como un AMPLIFICADOR (que deja pasar mas o menos intensidad de colector a
emisor dependiendo del valor de la IB)

El Transistor es un dispositivo cuya

resistencia interna puede variar en función de la
señal de entrada. Esta variación de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente
que circula por el circuito en que se encuentre
conectado.

La denominación de bipolar se debe a que

la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos (+) y electrones (-), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones.

EL TRANSISTOR SIN POLARIZAR

El transistor esta compuesto por tres

zonas de dopado, como se muestra en la
figura. La zona derecha es el "Colector", la
zona central es la "Base" y la zona izquierda
es el "Emisor". El Emisor está muy
impurificado, la Base tiene
una impurificación muy baja, mientras
que el Colector posee una impurificación
intermedia.

Un transistor se puede suponer similar

a dos diodos, tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" (el de la izquierda en este
caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha
en este caso).

ANTES Y DESPUÉS DE LA DIFUSIÓN

Consideremos un transistor NPN sin

polarizar ( sin pilas y en circuito abierto ), en
estas condiciones se produce un efecto

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llamado "Difusión" (como un gas en una
botella), donde los

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electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se
recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y
negativos. Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, ósea, hasta
conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean dos zonas de deplexión
( z.c.e ), una en la unión base – emisor E-B (W E) y otra en la unión base – colector C-B
(WC ).

EL TRANSISTOR POLARIZADO

Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen

resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones: Base común (BC), Emisor común
(EC) y Colector común (CC). Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en
4 zonas diferentes, de manera que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.

Zona ACTIVA: UE en Directa y UC en Inversa. AMPLIFICADORE

S
Zona de SATURACIÓN: UE en Directa y UC en Directa. CONMUTACIÓN

Zona de CORTE: UE en Inversa y UC en Inversa. CONMUTACIÓN

Zona ACTIVA UE en Inversa y UC en Directa. SIN UTILIDAD

INVERTIDA:

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR

La figura siguiente muestra un transistor NPN configurado en base común.

Físicamente está compuesto de tres partes, Emisor, Base y Colector, siendo la Base, la
región más estrecha.

Base

VEE VCC

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 La fuente de tensión VEE polariza directamente la unión PN de Base-Emisor, lo cual
da lugar a que el emisor inyecte electrones en el material tipo P de la base. La mayoría de
los electrones atraviesan la estrecha región de base, cruzan la segunda unión y llegan a la
región N polarizada positivamente ( zona derecha ), que constituye el colector. Un reducido
porcentaje de estos electrones, alrededor del 1% de los electrones son capturados por
la base. Los Huecos de la base van hacia el emisor.
Mientras que la unión Base-Emisor representa a un diodo polarizado directamente,
con sus propiedades características de baja impedancia y baja caída de tensión, la unión
Base-Colector esta inversamente polarizada debido al signo de la fuente VCC. Esta unión
BC constituye en esencia un diodo polarizado inversamente, y de impedancia muy
elevada.

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En un transistor NPN, la corriente media en el circuito de emisor (IE ) se toma positiva si sale
del Emisor ( E), tal lo indica el símbolo del transistor. La corriente medida en el circuito
colector ( IC ), se toma positiva entrando al Colector, mientras que la corriente de base ( IB )
es positiva si entra a la Base del componente. En el transistor PNP, el sentido de las
corrientes es opuesto al NPN.

En general, esto es relativo, no existe una regla general para adoptar el sentido
positivo de las corrientes. Por lo general, se consideran como positivas todas las corrientes
que entran al transistor y negativas, las que salen de él.

La corriente de colector ( IC ), consta de dos componentes, siendo la más importante

la debida al alto porcentaje de electrones emitidos por el Emisor y que alcanzan la zona
de colector ( Electrones Rojos desde E hasta C ). Este porcentaje depende
exclusivamente de los aspectos de construcción del transistor ( tamaño y forma del material
y dopado del emisor ) y puede considerarse constante en un transistor especifico. La
Constante de Proporcionalidad se le llama Alpha “ α “ ( o
hFB ), ósea la proporción de Corriente de Colector aportada entre el Emisor y el Colector es αIE ,
que representa aproximadamente un 90% al 99% de la Total. El segundo aporte a la
corriente de colector lo representa el flujo de corriente a través de la unión Colector – Base,
inversamente polarizada cuando IE = 0. A esta fracción comúnmente se le denomina
ICBO (antigua Io en el diodo). La ICBO representa entre el 1% al 10% de la Total Corriente
de Colector, según sea el aporte de la fracción EC. Ahora bien, como ambas corrientes
entran al Colector, se considera a este sentido como positivo para la Corriente de Colector y
por lo tanto se debes cumplir que:

IC = αIE + ICBO (1)

Si aplicamos las Leyes de Kirchhoff al circuito siguiente tenemos que:
IE = IB + IC (2)

Sustituyendo (1) en ( 2 ):
VBE VCB IC
IE = IB + ( αIE + ICBO ) IE

IB
IE ( 1 - α ) = IB + ICBO
Si despejamos la corriente de Base IB , tenemos:

IB = IE ( 1 - α ) - ICBO , pero IE = IB + IC , luego resulta que:

IB = ( IB + IC ) ( 1 - α ) - ICBO = ( IB + IC ) - α( IB + IC ) - ICBO

IB = IB (1 - α ) + IC ( 1 - α ) - ICBO

α IB = IC ( 1 - α ) - ICBO , finalmente tenemos:

IB = [ (1 - α )/ α ] IC - ICBO / α ( 3a )

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IB = IC / β - ICBO / α ( 3b )

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 Siendo β = α/(1 - α ), y representa una Ganancia de Corriente entre el
Colector y el Emisor. Al parámetro β también se le llama como hFE.

ANALISIS DE LA UNION BASE – EMISOR

Apliquemos ahora la Ley de Kirchhoff de las Tensiones a la malla Base – Emisor de
Entrada en el sentido de circulación de la corriente de base:

VBE + IE RE - VEE
Luego, la Corriente de Emisor será :

IE = ( VEE – VBE ) / RE ( 4 )

Donde VBE es la tensión en la unión Base – Emisor, polarizada directamente. La

Figura siguiente muestra la Curva Característica Tensión Vs Corriente y el Punto de
Operación ( Q ) de esta unión BE.
iE

VEE RE
/

(Q)

0 esta Curva Característica depende del estado de la unión

Es importante tener presente que
del Colector y de la Temperatura de Trabajo, pero en condiciones normales de Trabajo son pequeñas
y se desprecian.

De manera similar a como ocurre con los diodos, en los transistores también existe
una tensión umbral o de codo ( VBEQ ), en los de silicio es 0,7 V. La experiencia con los
diodos también nos indica que el transistor tiene un comportamiento similar, de tal manera
que es posible linealizar esta unión Base – Emisor y obtener modelos lineales aproximados
de los transistores.

La resistencia rd representa la pendiente de la recta de Carga en el Punto Q. Si

aplicamos la ecuación del diodo:

rd = VT / IEQ ≈ ( 25 x 10-3 / IEQ ) Ω , a Temperatura ambiente. Con VT = KT / q.

Esta resistencia suele ser relativamente pequeña y por lo tanto, la impedancia vista
en el circuito Base – Emisor es muy reducida.

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 En los casos donde se estudia el comportamiento en gran señal se considera esta
impedancia de entrada muy pequeña y despreciable, de manera que rd ≈ 0 Ω , también
se adoptara para los transistores de silicio una tensión umbral ( o de codo),VBEQ = 0,7 V.

MODELO LINEALIZADO DEL TRANSISTOR POR TRAMOS EN LA UNION

BASE - EMISOR

Con la finalidad de mostrar el

uso del Modelo Linealizado del
Transistor por Tramos consideremos el
circuito siguiente, al cual se le ha
RC
agregado una Fuente de Tensión
Variable en el tiempo de la forma Vi (t)
= Vm Cos ωt tal como muestra la figura:

En primer lugar debemos obtener el Circuito Equivalente del Circuito de Entrada Base –
Emisor en DC ( o Estática ), aplicando el Principio de Superposición. En este caso, se elimina la
Fuente de AC y se construye la Curva Característica, y se traza la Recta de Carga del Circuito
de Entrada.
De acuerdo con el circuito, su Curva Según la Curva Característica en Estática obtenida
del –Circuito
Característica en Estática del Circuito de Entrada Base Emisor de
será:Entrada Base – Emisor, el circuito
iE equivalente por tramos será:

Pendiente = 1/rd
IE

IEQQ

Pendiente = -1/Re

VBEQ VEE vBE

0,7V

Obtenido el Circuito Equivalente por Tramos en DC del Circuito de Entrada Base-

Emisor, le agregamos ahora la Fuente de AC, para así completar el Modelo por Tramos del
Circuito de Entrada Base-Emisor. La Nueva Curva Característica del Circuito de Entrada se
muestra a la derecha.

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 De acuerdo con la figura anterior, si despreciamos el valor de rd , el circuito
equivalente quedaría tal como se muestra a continuación:

IEQ

VBEQ
Veamos ahora como analizamos el modelo obtenido. De la grafica de la curva
característica, tenemos que:

VEE - Vm > VBEQ = 07 V

Por lo tanto la unión esta siempre polarizada directamente y los puntos de trabajo se
encontraran por encima del codo, este nos sitúa un límite máximo para la tensión de cresta
Vm que permite trabajar en zona lineal para cualquier tensión VEE dada. Así tenemos que:

iE = (VEE + Vm Cosωt - VBEQ )/Re

ahora bien, como iE = IEQ + ie , entonces podemos obtener la corriente de emisor en

reposo
:

IEQ = (VEE - VBEQ )/Re

y su componente dinámica o en alterna será:

ie = ( Vm / Re )Cosωt

Las suposiciones impuestas para llegar a la ecuación iE = (VEE + Vm Cosωt -

VBEQ )/Re , son que la Curva Característica Tensión – Corriente de la unión ( ver figura
anterior), puede ser considerada como una línea recta vertical, esto permite suponer que rd
<< Re , y que por lo tanto se cumple la inecuación VEE - Vm > VBEQ = 07 V, se cumple.

ANALISIS DE LA UNION COLECTOR - BASE

Con el objeto de completar el modelo buscado, se necesita encontrar un modelo de
circuito equivalente para la unión Colector – Base. Probablemente la forma más sencilla
es considerar las características de salida de un transistor en la Configuración Base
Común que se muestra en la figura siguiente:

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 Trabajando de forma normal, el diodo iE
Colector – Base esta polarizado
inversamente, de manera que vCB > - 0,5
V. Cuando se cumple esta condición, las
curvas características Tensión – Corriente
pueden ser consideradas como una familia de
líneas rectas que obedecen a la ecuación ( 1 )
obtenida anteriormente,

IC = αIE + ICBO

Este hecho conduce al circuito

equivalente de la figura siguiente. La fuente
de corriente αIE es una fuente dependiente
controlada por la corriente IE.

Por tal motivo la fuente de corriente αIE es el mecanismo mediante el cual, los
cambios en la corriente de emisor de transmiten al circuito de colector. Este tipo de fuente
siempre estará presente en los modelos de elementos activos. En el caso de los
transistores de silicio, para los cuales αIE >> ICBO a temperaturas de trabajo normales, el
modelo se reduce al simplificado y en el cual el diodo puede ser eliminado al tener un
comportamiento ideal. Por otro lado, a fin de evitar la región no lineal que se encuentra a la
izquierda de la curva característica, se hace necesario que siempre se cumpla la condición:
vCB > - 0,5 V. Este modelo de gran señal, también es utilizable en los cálculos para baja
frecuencia.

Una vez analizada la unión Colector – Base estamos en condiciones de establecer el

Modelo Lineal por Tramos del Transistor, en nuestro caso, un NPN. Este modelo es
igualmente aplicable al transistor PNP. Ahora bien tomando como referencia el circuito de
esta sección, el circuito equivalente del Modelo Lineal por Tramos seria:

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 RC

IE IC

IB

CIRCUITO ORIGINAL MODELO LINEAL DEL TRANSISTOR POR TRAMOS

EN CONFIGURACION DEL CIRCUITO ORIGINAL EN CONFIGURACION
BASE-COMUN BASE-COMUN

CONFIGURACIONES BASICAS DE UN TRANSISTOR

i) CONFIGURACIÓN BASE COMÚN ( BC)

La zona que más nos interesa es la zona activa,

por lo tanto a continuación analizaremos esta zona. La
zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad. El
negativo de la fuente VEE repele los electrones de la zona
del emisor que cruzan la UE.

Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p

de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrón cruce la barrera de
potencial de la UE. Después ese electrón baja la barrera de potencial de la U C para salir por
el colector. Este es el efecto transistor de la zona n a la zona p tiene que subir la barrera de
potencial pero luego es más fácil porque tiene que bajar la barrera.

De los electrones emitidos por el emisor,

aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un
99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto
transistor. De aquí la palabra Colector. El colector
"Colecta" los electrones, esto es, los recoge. La base es
muy estrecha y además está muy poco impurificada, esa
es la razón de que la probabilidad de que un electrón
se recombine sea muy pequeña (por ejemplo el 1%). El
emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base
es un dispositivo de control.

CORRIENTES EN UN TRANSISTOR

En el caso de un diodo se tenía una curva característica tal como la mostrada, En el

Página 12
transistor en cambio, también se pueden tomar criterios, todas la corrientes entrantes, es
como un nodo.

Página 13
 EJEMPLO: Suponga que en un transistor IE = 100 mA. Si se recombinan el 1 % y no
se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va
a favor del electrón es negativo y si va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de dirección a IE para que sea positivo.

ii) CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN (EC)

Esta configuración es la más utilizada.

Como en la configuración en BC solo analizaremos
la zona activa. Como en el caso anterior solo el 1 %
se recombina y el 99 % no se recombina. La
dirección de IE la cambiamos como en la
configuración anterior. Resultando que:

La Ganancia de Corriente
:
( βcc ) = IC / IB = 99 / 1 = 99
A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por
ser muy pequeña, en comparación con la I C. de
manera que se cumple que:

En electrónica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia (pequeña

señal) y de transistores de potencia (gran señal). Es una forma muy sencilla de diferenciar a
los transistores que trabajan con potencias relativamente pequeñas de los transistores que
trabajan con potencias mayores.

TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA: Se le llama

transistor de baja potencia, o pequeña señal, al transistor que
tiene una intensidad pequeña (IC pequeña), lo que
corresponde a una potencia menor de 0,5 W. En este tipo
de transistores interesará obtener βcc grandes ( βcc = 100 ÷
300 ).

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TRANSISTORES DE POTENCIA: Se le llama transistor de
potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC
grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W.
En este tipo de transistores la βcc que se puede obtener en su
fabricación suele ser bastante menor que en los de baja
potencia ( βcc = 20 ÷ 100 ).

CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA

Si variamos el valor de la fuente VBB de la

malla de entrada, tomando valores de IB y VBE
podemos obtener la característica de (la malla de)
entrada. Asi se obtiene la curva característica del
diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial,
similar a un diodo semiconductor.

CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

De manera parecida, si analizamos la malla

de salida y obtenemos distintas curvas para
diferentes valores de IB. Ajustando VBB fijo un valor de
IB que voy a mantener constante (por ejemplo IB = 10
μA). Ahora variando VCC mido valores de VBE y IC y
obtengo la correspondiente curva de IB = 10μ A.
Hago lo mismo para IB = 20 μA, etc... Y así
sucesivamente para diferentes valore
s de IB.

En cada una de estas curvas hay diferentes

zonas: UE = diodo EB = Unión de Emisor.

UC = diodo CB = Unión de Colector.

 Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIÓN.

o UE directa y UC directa.
 Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.
o UE directa y UC inversa.
 Zona a partir de 3: ZONA DE RUPTURA.
o UE directa y UC muy en inversa.

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 Recuerde que en activa conociendo el valor de IB se puede calcular la IC ( IC = βcc · IB
). La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no conduce .

 ZONA ACTIVA: Se utiliza en el diseño de Amplificadores y demás Circuitos Lineales

ZONA DE CORTE Y SATURACIÓN: Se utiliza en el diseño de circuitos de

Conmutación (Corte abierto y Saturación cerrado), para control automático o control
electrónico.

En este caso, el control del transistor es por

corriente, mientras que el control en un diodo es por
tensión.

RUPTURA: En Avalancha, se destruye el transistor.

Ahora veamos como pasamos de una zona a otra.

 EJEMPLO: Consideremos el circuito siguiente.

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 Una vez obtenido esto, el valor y el Para pasar de una zona a otra, de saturación a
signo de las tensiones nos dirá en que zona activa, se varía la UC de directa a inversa. Si la
estamos trabajando. VCE se encuentra entre 0 V y 0,2 V, la UC está
en directa y el transistor está en Saturación. Si
VCE es mayor o igual a 0,2 V la U C está en
inversa y por lo tanto en transistor está en
Activa.

TRANSISTOR EN ESTADO DE
CORTE

Analizaremos ahora lo que ocurre en Corte. En esta situación, la corriente de base IB

= 0, por lo tanto la ecuación: IC = β IB no se cumple.

Veamos lo que ocurre internamente.

Existen "Portadores minoritarios

generados térmicamente" en la zona p de la base
que crean una pequeña corriente llamada ICEo RC
(corriente entre colector y emisor). En este caso,
la letra "o" significa open = abierto en inglés, y
quiere decir que el circuito está abierto por la VCC
base). ICEo = Corriente de corte de minoritarios.

RC

VCC

De ese valor hacia abajo se pone una pila que polarice la U E en inversa, y por lo tanto al ser
IB = 0 , el diodo base – colector ( DBC ) no conduce, ya que esta polarizado inversamente. Por otro
lado el diodo base- emisor (DBE ) también queda polarizado inversamente y tampoco conduce, de tal
manera que la malla de salida Colector- Emisor queda abierta, tal como se muestra en la figura
siguiente.

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 Colector
Colector
Colector
DBC RC
Base Base
Base
VCC
DBE
Emisor
Emisor
Emiso
r
POTENCIA DISIPADA POR EL
TRANSISTOR.

La potencia se disipa en las uniones. Veamos un ejemplo concreto:

Entonces, el valor de la potencia total o potencia disipada, se calculara mediante la formula:

APROXIMACIONES PARA EL TRANSISTOR

Las características de entrada y salida no son lineales:

Para facilitar los cálculos usaremos las siguientes aproximaciones.

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PRIMERA APROXIMACIÓN (Transistor Ideal)

Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las características de
entrada y salida son estas:

SEGUNDA APROXIMACIÓN ( Diodo BE como fuente de tensión ideal)

Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece más al
funcionamiento real del transistor.

TERCERA APROXIMACIÓN ( Diodo BE como fuente de tensión real)

La aproximación más exacta o la que más se parece a la realidad, por lo tanto algo más
compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero también en complejidad.

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 EJEMPLO ILUSTRATIVO DEL USO DE LOS MODELOS APROXIMADOS:

En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se comete en cada uno de
ellos. Consideremos el circuito siguiente:

1ª APROXIMACIÓN

Para saber donde estamos hacemos una hipótesis. Hipótesis: ACTIVA.

Vemos que la UE está en directa y la UC está en inversa por lo tanto la hipótesis es

correcta, estamos en activa.

 2ª APROXIMACIÓN

También queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia

esta en VCE y debido eso se recomienda usar la 2ª aproximación en vez de la 1ª
aproximación.

En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incógnitas se toma: IC = IE.

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 La 3ª aproximación no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos
trabajando (punto Q). En practicas se podría utilizar la 3ª aproximación midiendo la tensión
VBE con el voltímetro, pero en problemas no se usa la 3ª aproximación.

Si supiéramos su valor, aplicamos la 3ª aproximación y se ven los valores que salen:

 3ª APROXIMACIÓN

Por ejemplo con un voltímetro mido la tensión VBE y me sale el siguiente valor:

Como se ve los errores son mínimos comparándolos con la 2ª aproximación, por eso
usaremos la 2ª aproximación.

HOJA DE CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB............................... 60 V (máximo valor en inversa)

VCEo.............................. 40 V (máximo valor en inversa con la base abierta)

VEB.................................. 6 V (máximo valor en inversa)

En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en:

 Transistores de pequeña señal (IC pequeña), por ejemplo: 2N3904.

 Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

CORRIENTE Y POTENCIA MÁXIMAS

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión
más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta.

En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

 Tj = Temperatura de la unión.
 TC = Temperatura de la capsula.
 TA = Temperatura del ambiente.

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EJEMPLO: Tj = 200 ºC

Para sacar el calor de la unión tenemos que el flujo calorífico ha de pasar de la

unión al encapsulado y posteriormente al ambiente.

Hay una resistencia térmica unión-cápsula que dificulta que el calor pase de la unión a la
cápsula (jC).

Hay una resistencia térmica cápsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la
cápsula al ambiente (CA).

jC = 125 ºC/W, CA = 232 ºC/W, jA = 357

ºC/W Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.

Factor de ajuste: Indica como disminuye la PDmáx por cada grado de aumento de
temperatura por encima de un valor determinado.

EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmáx = 350 mW (a 25 ºC) Factor de ajuste = - 2,8 mW/ºC

Si TA aumenta a 60 ºC: PDmáx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW. Ese factor de ajuste es el
inverso de la resistencia térmica: Factor de ajuste = 1 / jA

Otro parámetro fundamental : Es el parámetro βcc , el cual relaciona las corrientes de

colector y de base mediante la ecuación: IC = βcc · IB Zona Activa. Recuerde que: βcc = hFE

Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catálogo suele venir:

IC hFE

(mA mín typ máx

) 0,1 40...........

1 70............. ...........

10 100............. ...........300

50 60............. ...........

100 30............. ...........

Este valor es para la zona activa. Como se ve en la gráfica, existe una tolerancia de
fabricación o dispersión de valores en la fabricación que por ejemplo para I C = 10 mA va
desde 100 hasta 300.

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 DETECCIÓN DE AVERÍAS EN CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Consideremos el siguiente circuito, aplicando los modelos del

transistor. 1era aproximación:

Esto es cuando no hay averías. Dos tipos de averías comunes que podemos tener son
que la base este abierta o que la base se encuentre cortocircuitada, veamos estos dos
casos:

RB abierto = RBo RB cortocircuito = RBs

En este caso de la base en cortocircuito, se puede estropear la unión BE.

BANDAS DE ENERGÍA (CONSIDERACIONES ENERGÉTICAS)

Vamos a comparar el transistor sin polarizar con el transistor polarizado en la zona activa.

Página 23
 Como se ve en el dibujo, las bandas de energía se han movido al polarizar el circuito
en la zona activa. La zona n del colector a bajado y la zona n del emisor a subido con
respecto al caso del circuito no polarizado. Ahora los electrones suben la barrera de
potencial de la UE, un 1 % se recombinan en la base, y el 99 % bajan la barrera de
potencial de la UC cediendo una energía en forma de calor (DE).

Si estamos en el caso en el que el 1 % se recombina y el 99 %

consigue pasar la barrera:

Otro coeficiente:

Significado de αcc: De los electrones emitidos por el emisor, la mayoría llegan al

colector, en nuestro ejemplo un 99 %. Ese mismo valor pero expresado en tanto por uno
nos da el valor de αcc (αcc = 0,99 en nuestro caso).

Relación entre βcc y αcc:

Debemos de hacer la observación de que la proporción de recombinación en la base y

recogidos por el colector respecto a los emitidos, varía de un transistor a otro. O sea, en
nuestro ejemplo era de 1
% y 99 % respectivamente (acc = 0,99). Otros transistores tendrán otras proporciones y por tanto
otro valor de acc.

EJEMPLO: Si αcc = 0,98 , entonces:

CURVAS DE ENTRADA Y EFECTO EARLY

Vamos a analizar las curvas de entrada de para 2 casos distintos:

Página 24
 Ajusto VCE a 1 V y obtengo el punto A.

Ajusto ahora VCE2 = 20 V y obtengo otro punto de IB y VBE (punto B). Con esto la curva queda
más a la derecha. Nos da una curva distintas por el "Efecto Early". Veamos porque ocurre esto.

El emisor emite electrones libres (100 %), algunos se recombinan en la base y el resto van
al colector hacia la pila VCC.

EJEMPLO: Punto A: VCE = 1 V

5 % se recombina y 95 % sigue al colector.

Punto B: VCE = 20 V

Ahora el + 20 V atrae con más fuerza a los electrones que el

+ 1 V y cruzan más rápido la base, la probabilidad de
recombinarse con un hueco es menor, con lo que llegan más al
colector y la proporción acc aumenta. Esto produce una
variación en el bcc. Al
recombinarse menos electrones
en la base, la corriente de
recombinación IB disminuye.

En Conclusión:

CORTE Y RUPTURA

Veamos que ocurre cuando estando en corte vamos aumentamos el valor de VCE:

Tenemos un valor en el que hay una ruptura por avalancha. Para que no ocurra la
avalancha la VCE
tiene que estar por debajo de ese valor:

Página 25
 3ª aproximación

Normalmente usamos la 2ª aproximación, pero cuando hay errores muy grandes usaremos la
3ª aproximación.

Vamos a ver dos casos, con un transistor de pequeña señal y con uno de gran señal:
Transistor de pequeña señal : 2N3904
(potencia <= 0,5 W)
Transistor de gran señal : 2N3055
IC = 100 mA rBbe = 1,5 W (potencia > 0,5 W)

Se trabaja con intensidades

mayores, entonces las diferencias
también son mayores.
Aproximamos los 0,85 a 0,7.
IC = 10 A rBbe = 0,09 W

VBE = 0,7 + 10 · 0,09 = 1,6 V

El punto de trabajo en el de gran señal esta más a la derecha que en el de pequeña señal.
Las corrientes son tan grandes que la caída I C·rBbe se hace importante, y habría que tenerla en cuenta.
Si vemos la característica de salida:

SATURACIÓN: Para el 2N3904: rBbc = 2,8 W IC = 100 mA , VCE = IC · rBbc = 0,28 V

Este valor de VCE nos aleja del ideal. Con el de gran señal (2N3055):

IC = 10 A rBbc = 0,5 W VCE = IC· rBbc = 10· 0,5 = 0,5 V

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Se aparta más del ideal que el anterior, porque el valor de VCE es mayor, el de potencia tiene una
inclinación mayor.

RESISTENCIA TRANSVERSAL DE BASE

Veamos lo que ocurre en la zona activa:

El electrón del 1 % (el que se

recombina), tiene que cruzar una distancia
muy larga para llegar a la pila. Toda zona
tiene una resistencia:

Los electrones que no se

recombinan también tienen que
cruzar una sección y longitud,
entonces también hay una
resistencia, pero como el área
(A) es tan grande se desprecian
esas resistencias (re y rc).
Entonces solo nos fijaremos en
la "Resistencia transversal de
base", porque el área no es tan
grande en esta zona y por lo
tanto esta resistencia no se
puede despreciar:

Además esto se ve acentuado si hacemos lo siguiente. Si aumenta la tensión inversa entre colector y
base.

El voltaje base-emisor ( VB'E ) vence la barrera de potencial de 0,7 V. Además de la barrera

hay que tener en cuenta la resistencia:

Página 27
EL MODELO DE EBERS-MOLL

El funcionamiento del transistor se puede explicar mediante el siguiente modelo

equivalente:

VBE' = Es la tensión entre los extremos de la zona de deplexión de la unión BE.

Cuando esta tensión es mayor que aproximadamente 0,7 V, el emisor inyecta un gran
número de electrones en la base.

αcc = La corriente del diodo de emisor controla la corriente de colector. Por esta razón
la fuente de corriente de colector obliga a que fluya una corriente αcc·IE en el circuito de
colector.

Luego se podrían hacer aproximaciones:

 αcc = 1, lo que implica que IC = IE

 rb' = 0, un cortocircuito
 etc...

PROBLEMA RESUELTOS

PROBLEMA 1. Diseñar un circuito en EC que

cumpla los requisitos siguientes: VBB = 5 V, VCC
= 15 V, hFE = 120, IC = 10 mA y VCE = 7,5 V.
Resolverlo usando la 2ª aproximación.

Solución:

Colocando los datos que da el problema en el circuito emisor común se ve que falta por determinar el
valor de RB y RC.

Malla de entrada y ecuación de la ganancia:

Malla de salida:

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PROBLEMA 2. En circuito de la figura, hallar utilizando la 1ª y 2ª aproximación: a) La corriente de
base. b) La tensión colector-emisor y c) La potencia disipada en el transistor.

Solución:

1ª Aproximación 2ª Aproximación

POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN
Los transistores BJT son elementos muy versátiles. Se pueden conectar dentro de un circuito
de muy diferentes maneras, como ya hemos visto, obteniéndose así distintos comportamientos. Por
ejemplo se puede conseguir ganancia en tensión, en intensidad de corriente o en ambas, según la
clase configuración del transistor, emisor común, colector común o base común.
Un transistor en el seno de un circuito se ve afectado por las distintas intensidades de corriente
que lo atraviesan y por las tensiones a las que están sometidos sus terminales.
En la figura siguiente están representados estos tres tipos de circuitos, prescindiendo de
cualquier otro elemento, como pueden ser baterías, condensadores. El nombre de "común" se le da al
terminal del transistor que esta conectado a tierra y es compartido por la entrada y la salida.

BASE COMÚN ( BC ) EMISORCOMÚN ( EC )COLECTOR COMÚN ( CC )

- VCC - VCC

SALIDA RC SALIDA
RC RBC
ENTRADA
ENTRADA
SALIDA
ENTRADA

RE RE

+ VCC + VCC

Página 29
MODOS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR

Puesto que el transistor BJT tiene dos uniones,

existen cuatro combinaciones posibles, según estén en
polarización directa o inversa. ( Ver pagina 2 ). A cada
una de estas combinaciones se les conoce como modo
de trabajo. Se tienen, por tanto, cuatro modos de
trabajo; se denomina a cada modo de trabajo según
estén las polarizaciones de cada unión.

En el modo activo directo, la unión emisor-base TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

está directamente polarizada y la colector-base
inversamente polarizada. En este modo, el transistor se
comporta como una fuente de corriente controlada. Se
dice, entonces, que se trata de una fuente de corriente
controlada porque es posible "controlar" las
corrientes que fluyen por el transistor.

La corriente del colector, Ic, depende del valor de la

corriente del emisor, Ie, es decir, si Ie aumenta
también lo hará Ic y, por el contrario, una disminución
en Ie provocará una disminución en Ic. Así pues, TRANSISTOR BIPOLAR NPN, POLARIZADO
controlando Ie, automáticamente se controla Ic. EN MODO ACTIVO DIRECTO.
El control de Ie se lleva a cabo con el potencial base emisor. En la figura 3 se muestra al BJT
con el modo de polarización activa.

Este modo se podría asemejar a un grifo normal y corriente por el que fluye agua. El agua sería
la corriente de colector y abrir o cerrar un poco el grifo equivaldría a variar el potencial Vbe. El
resultado sería un aumento o disminución en el chorro de agua que en el transistor se traduciría en un
aumento o disminución de la corriente del colector, Ic. De ahí que se diga que el transistor cuando
trabaja en modo activo director se comporta como una fuente de corriente controlada.

El segundo modo se denomina de corte, que se produce cuando las dos uniones están
polarizadas de forma inversa. Puede compararse con dos diodos colocados de forma opuesta al paso
de la corriente. Como ya se sabe, en este caso no circula corriente apreciable, razón por la que se
llama modo de corte. Se puede decir que, en este caso, el transistor se comporta como un interruptor
abierto.

Si, por el contrario, se tienen las dos polarizaciones de forma directa, se dice que el transistor
está en modo de saturación. Aquí, las corrientes circulan como si "prácticamente" no existiese
transistor alguno. El transistor en, este caso, se comporta como un circuito cerrado.

Los modos de corte y saturación son "comportamientos interruptor" que, serán utilizados en
electrónica digital debido a esta cualidad.

CURVAS CARACTERÍSTICAS
Como se muestra en la figura, los transistores
tienen múltiples formas de comportarse, dependiendo de
las tensiones entre sus terminales. Cuando un usuario
adquiere un transistor, necesita saber este
comportamiento para ponerlo en práctica en su circuito y
utilizarlo como más le convenga.

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 Los fabricantes proporcionan esta información para evitar que el usuario la tenga que deducir
a base de hacer medidas. Sin embargo, una forma mucho más completa de proporcionar esta
información que consiste en dar la "curva característica" del transistor.

La curva característica de un transistor es una gráfica donde, en el eje horizontal, está

representado el valor del potencial entre el colector y el emisor, Vce y en el eje vertical el valor de la
corriente del colector, Ic. Cada línea, a su vez, corresponde a una corriente de base, Ib, distinta.

Observando pues la curva característica de un transistor se puede saber cómo funciona éste,
según las condiciones a que esté expuesto. Sin embargo, si únicamente se dispone de esta gráfica
no resultará muy útil, ya que lo que interesa de verdad es saber el comportamiento del transistor en
un circuito concreto, no en general.

Al poner un transistor en un circuito, en realidad, lo que se está haciendo es limitar los valores
posibles que pueden tomar sus terminales. Por ejemplo, si en un circuito se tiene el colector a ocho
voltios y el emisor a tierra ( 0 voltios ) la diferencia de potencial entre ambos es, como mucho, de 8
voltios; pero nunca podrá ser mayor.

A efectos prácticos esto se traduce en que existe una recta (llamada recta de carga) que
depende del circuito en cuestión, la cual representa todos esos valores posibles. Solapando esta
recta junto con la curva característica del transistor se obtiene gráficamente la respuesta del transistor
en ese circuito.

En la figura anterior se ilustra la característica de salida generalizada de un transistor BJT. A

parte de esta curva, también es posible obtener las curvas características de entrada y de
transferencia. La corriente del colector que está totalmente relacionada con la corriente del emisor, si
Ie aumenta o disminuye, Ic hará lo mismo. Ic también se encuentra relacionada con la corriente de la
base, Ic es proporcional a Ib cuando el transistor está trabajando en modo activo.

Recuerde que la relación que existe es exactamente la siguiente: Ic = Ib, siendo  lo que se
denomina ganancia del transistor y es una característica de éste que nos da el fabricante.

Una de las curvas más importantes de un transistor es la curva del área de máxima seguridad
"SOA" (Sfae Operation Area). En el funcionamiento en continua, este área define la región de
posibles combinaciones de IC - VCE dentro de la cual el punto de trabajo puede estar sin daño y sin
disminución de la fiabilidad del transistor.

LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN (EC)

La configuración de emisor común, es la más usada. En él, el

transistor actúa como un amplificador de la corriente y de la tensión, es
decir, un amplificador de potencia. Aparte de los efectos de
amplificación, también invierte la tensión de señal, es decir, si la
tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a
negativa en el colector; pero estos efectos se producen con la corriente
alterna.

Para entender las propiedades de este tipo de configuración se

analiza un transistor tipo PNP. Se tiene la unión base-emisor, BE,
polarizada directamente y la unión emisor-colector, BC, inversamente
polarizada. Se aplica una tensión a la base y otra al colector y se
tienen dos resistencias, RB conectada a la base y Rc conectada al
colector.

El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia R B, la corriente que

circula por el colector, Ic, depende de la corriente de base, IB, como se indica con la formula Ic = IB,
donde  es el factor de

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amplificación de corriente o ganancia - corriente de colector; Ic es mucho más grande que Ib y ese
aumento viene dado por , que es un parámetro característico del transistor operando con el modo
de polarización activa.

Al pasar la corriente por Rc se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión que se
obtiene a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Es posible colocar una
resistencia en el emisor, Re, que va a perjudicar mucho la amplificación de tensión, pero va a
hacer que el transistor sea mucho más estable y no le afecten los cambios de la temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias es posible conseguir
corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si se aumenta la resistencia de
base el valor de la corriente Ib será menor, lo que implicará que Ic también sea menor, y al pasar una
corriente de colector menor a través de Rc, el potencial que se obtendrá a la salida será mayor; pero
si se disminuye Rb aumenta Ib y con ella la corriente de colector, y la tensión de colector disminuirá.

Disminuyendo mucho la resistencia de base se puede llegar a un punto en el que se pasa de la

zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-base, que está inversamente
polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y, por lo tanto, en saturación. Esto se
produce porque Ib aumenta y, en consecuencia, Ic también aumenta.

Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal. Es decir,
que a iguales variaciones de la corriente de base, Ib, se producen iguales variaciones de la corriente
de colector, Ic. El primer punto en el cual al aumentar Ib ya no aumenta Ic pertenece a la zona de
saturación.
También es posible modificar los valores de la corriente de base, de colector y de la tensión de
salida "jugando" con la tensión de entrada o con la resistencia de colector.
Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de operación.
La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor determinan el punto de
funcionamiento de un circuito. Este punto, conocido también como punto de reposo, se encuentra
situado en la recta de carga.

Para saber cuál es el punto de operación de un transistor hay que determinar el valor de Vc,
potencial de colector, Vb potencial de base, e Ic corriente de colector cuando el potencial trabaja en
zona activa. Para determinarlas se puede usar las curvas características que representan a un
transistor, o también hallar el punto matemáticamente, usando dos fórmulas ya conocidas, la ley de
Ohm V=IR y la igualdad Ic=Ib. Combinando correctamente ambas fórmulas es posible determinar
los datos que se necesitan para obtener el punto de funcionamiento.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA

Un factor muy importante, capaz de desestabilizar a los transistores y que todavía no se ha

tomado en cuenta, es la temperatura. Se sabe que los semiconductores pueden permitir el paso de
corriente, pero necesitan una pequeña ayuda; se les puede dopar, o aumentar la temperatura, para
que circulen los electrones. Pues bien, los transistores son uniones PN, y los materiales tipo P y tipo
N son semiconductores dopados, luego van a permitir el paso de la corriente. Pero, por ser
semiconductores, les va a influir mucho una variación de temperatura.

Si se tiene un circuito de emisor común "aparentemente" estable, con un punto de

funcionamiento definido, se puede producir una gran inestabilidad con un aumento de temperatura.
Esto sucede porque al aumentar la temperatura se incrementa la corriente del colector, aunque la
corriente de base permanezca constante.

Este incremento en Ic produce que la caída de potencial en la resistencia Rc sea mayor, luego
la tensión Vc va a ser menor. La consecuencia inmediata de este hecho es que el punto de
funcionamiento se va a desplazar. Esto ocurriría en el mejor de los casos porque incluso puede llegar
a producirse la destrucción del transistor.

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 La primera solución para evitar que se produzca un aumento de la temperatura es colocar un
ventilador, o "algo" que baje la temperatura cuando esta aumente y la mantenga siempre constante.
Pero esto tiene dos inconvenientes, el primero es que resulta muy costoso y el segundo que ocupa
mucho espacio, y al diseñar un circuito electrónico siempre se tiende a reducir el espacio al máximo.

La segunda solución es colocar una resistencia Re en el emisor;

al aumentar la corriente del colector, Ic, también se incrementa la
corriente del emisor. Si se coloca una resistencia, se va a producir una
caída del potencial, luego la tensión en el emisor va a ser menor.

Si se tiene un circuito con PNP, que es el que se está

analizando desde el principio, cuanto más grande sea Re más
negativa va a ser la tensión Ve; hacer la tensión de emisor más
negativa es exactamente igual que hacer la tensión de base más
positiva; la unión emisor-base va a estar "menos" directamente
polarizada y esto va a producir que el transistor conduzca menos.

Luego, se compensa el aumento de la corriente de colector,

debido al aumento de la temperatura, con la disminución de esta EMISOR COMÚN CON ESTABILIZACIÓN ANTE LA TEMPERA
misma corriente debida a la disminución de la corriente que circula por
el transistor al estar "menos" directamente polarizado.

Conectar Re produce una desventaja para nuestro circuito, y ésta es la disminución de la

amplificación de tensión en el transistor. Este es el precio que
tenemos que pagar para que nuestro circuito
sea estable

POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN

En este caso, se polarizara el transistor

con una sola fuente de alimentación, Si
observamos la siguiente figura, el transistor
esta polarizado mediante dos fuentes de
alimentación, una de 5 V y otra de 10 V, lo cual
en la practica resulta muy costoso.

En este punto se analizara el circuito de polarización de emisor ( resistencia en el emisor,

RE ) polarizando el circuito de tal forma que solo se usa una fuente de alimentación. Veamos como
esto puede ser posible en el siguiente circuito. Aplicando un Thevenin al divisor formado las dos
resistencias de desde
, visto 1K y la
la fuente
base delVtransistor,
BB tenemos:

RC

Ri ≈ 0

VCC
5V
VBB
5V RE

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 Ahora si movemos lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10 V en los dos lados se
pueden unir. Así nos hemos ahorrado una fuente de alimentación, este es el "Circuito de polarización
por división de tensión".

ANÁLISIS APROXIMADO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE

TENSIÓN.

Así, si despreciamos IB tenemos:

Vemos que, si la aproximación es buena, se tiene que cumplir la condición anterior:

EJEMPLO: Aplicamos valores numéricos a lo que hemos

hecho.

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Tiene que funcionar bien para los tres valores del catálogo.

CATÁLOGO:

Para comprobarlo vamos a ver la recta de carga de continua:

¿Qué curva de IB pasa por ese punto Q?

Si cambiamos el transistor, Q es el mismo pero varía la I B. No cambia la recta de carga ni el

punto Q, lo que cambia es la IB, se "Auto adapta". El punto Q es muy estable, prácticamente no
cambia de sitio, para hacer los cálculos no hemos usado la b, solo para la IB.

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON 2 FUENTES DE TENSIÓN.

Supongamos ahora el siguiente circuito, formado por una fuente VEE , una fuente Vcc
y tres resistencias de polarización RB , RE y RC, tal como muestra la figura:

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Análisis: En este caso todos los circuitos estarán en ACTIVA.

Malla de entrada:

Malla de salida:

Recta de carga de continua:

Gráficamente tenemos:

Si el punto Q no saliese centrado, se

podría cambiar la colocación del punto Q variando
los valores de las resistencias y de las fuentes

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 . El cuadro siguiente muestra un resumen de los circuitos de polarización de un
transistor y sus respectivas formulas usadas en cada tipo de polarización.

Página 37
Página 38