LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA I
ELT-2690
NOMBRE: Univ. Cruz Poma Delia
C.I. 8529734
DOCENTE: ING. Pacheco Tarqui Antonio
FECHA: 04/03/2022
 CUESTIONARIO
1.- Tiristores:
1.1.- SCR

El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o cátodo y G o gate o

puertade control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior sección pero que posee
una entradaadicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 12.8.a
se muestra elsímbolo del SCR y en la figura 12.8.b su modelo a nivel transistor. En el modelo a nivel de
transistor se observaclaramente que al introducir una corriente por la línea G se produce la conducción
de los transistores, es decir, eldisparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO. La figura 12.9
permite ver claramente como lascaracterísticas del SCR varían con la corriente de su puerta cuyos
valores son del orden de miliamperios oinferiores.

Simbolo del CSR Modelo a nivel del Transistor

Características del I-V del CSR

• A continuación se detallan algunos parámetros característicos de los SCR.

• Tiempo de conducción (Turn-on Time). Tiempo de duración mínima de la tensión de disparo para pasar
elSCR de bloqueo a conducción. Este tiempo tiene dos componentes: TON=td+tr, siendo td el tiempo de
retraso(delay time) y tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el
TON=td+tr=3µs+0.2µs=3.2µs.

• Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de las condiciones
demantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF=tq de 10µs.

• Máxima corriente de conducción. Máxima corriente eficaz que puede circular por el SCR durante
elestado de conducción. Para el 2N5060, la IT(rms)=0.8A.

• Velocidad crítica de elevación. Variaciones muy rápidas de tensión entre el ánodo y cátodo en un
SCRpueden originar un disparo indeseado. Para evitar este problema, la variación de tensión ánodo-
cátodo no debesuperar un valor conocido como velocidad crítica de elevación (dv/dt); si se supera este
valor además de producirel disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un
dv/dt=30V/µs. A veces transitorios en laslíneas de alimentación pueden originar problemas de
comportamiento del SCR al ser superado su velocidad crítica

1.2.- TRIAC

El triac funciona como dos tiristores en paralelo, pero opuestos, el triac es un dispositivo que
conduce corriente en ambos sentidos

Para disparar un triac, hay que suministrarle una corriente en la puerta, con lo que el triac conduce
corriente, por ello, es este el dispositivo que utilizamos en esta práctica como interruptor.

1.3.- DIAC

El diac es un dispositivo capaz de conducir la corriente en cualquier dirección. El diac es equivalente a

dos diodos de cuatro capas en paralelo, pero opuestos. El diac no conduce hasta que se alcanza su
tensión de cebado en sus extremos.
Una vez que el diac está conduciendo, la forma de hacer que no conduzca es el bloqueo por disminución
de corriente, es decir, se debe reducir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento del diac.

1.4.- GTO

El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal
gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente
en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fácilmente
mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la
aplicación de técnicas de modulación de anchura de pulsos. En la figura se indica su símbolo. El
MGTO1000/2000 de Motorola es un GTO diseñado para aplicaciones de alta velocidad y es capaz de
porporcionar hasta 18 A.

Símbolo de un GTO

1.5.- UJT

El transistor de unión única o sus siglas UJT del ingles significa (Uni Junction Transistor). Es un
componente electrónico de conmutación a base de semiconductores en sus 3 terminales. El transistor
Unijunction es un dispositivo muy simple que consiste en una lámina de silicio del tipo n; con un contacto
en cada extremo(base 1 y base 2) y con un contacto rectificador para el terminal del emisor; formando la
única unión dentro del dispositivo de ahí el nombre de única unión.

El transistor de unión única también se le conoce como un diodo de doble base. Pero con características
de conmutación únicas de UJT, que lo hacen muy diferente de los BJT y FET convencionales; el cual actúa
como transistor de conmutación en lugar de amplificar las señales debido a la forma en que está
construido. Presenta una resistencia negativa en sus características que lo emplea como osciladores de
relajación en una variedad de aplicaciones. La principal desventaja del transistor de unión única es su
incapacidad para proporcionar una amplificación adecuada.
1.6.- PUT

El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunión y

suscaracterísticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su símbolo. Es un dispositivo de
disparoánodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión
más negativa queel ánodo, es decir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus
terminales. Como ejemplo

sencillo, la figura 12.17.b muestra el esquema de un oscilador de relajación basado en este dispositivo.
La tensiónde puerta está fijada a un valor constante a través de las resistencias R1 y R2. Si inicialmente el
condensador estádescargado, la tensión del ánodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el PUT está
cortado. En estascondiciones, el condensador se carga a través de R aumentando la tensión del ánodo.
Llegará un momento en queVA=VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el
condensador C produciendo unacaída de tensión en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que
impida circular a través del PUT la corriente demantenimiento mínima de conducción el dispositivo se
cortará y el condensador se carga nuevamente a través deR repitiéndose el proceso.
2.- Transistor de potencia
2.1.- BJT

TRANSISTOR BIPOLAR NPN

(NPN BIPOLAR TRANSISTOR)

En un principio un transistor está formado por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos se deben cumplirse dos condiciones.

1. La zona de Base debe ser muy estrecha( fundamental para que sea un transistor).

2. El emisor debe estar muy dopado.

Normalmente, el colector está muy poco dopado y es mucho mayor.

CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR.
CARACTERÍSTICAS REALES DE UN TRANSISTOR BIPOLAR NPN Y PNP
2.2.- MOSFET

A diferencia del BJT, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,y solo requiere de
una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación esmuy alta y los tiempos de
conmutación son del orden de los nanosegundos.Los MOSFET de potencia están encontrando
aplicaciones en convertidores de bajapotencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no tienen los
problemas de fenómenos desegunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de
descargaelectrostática y requieren cuidados especiales en su manejo. Otro inconveniente quetienen es
que resulta relativamente difícil protegerlos en condiciones de falla porcortocircuito.

Tenemos dos tipos de MOSFET: a) de tipo decremental y b) de tipo incremental

En ambos tipos de transistores, el canal de conducción puede ser “p” o “n”. ElMOSFET de potencia que
se utiliza como dispositivo de conmutación es el de tipoincremental por lo que solamente trataremos
este tipo de transistor.La figura anterior, muestra elesquema básico del MOSFET incremental de canal n
y de canal p.El dispositivo tiene tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. El MOS de canal “n”,esta
formado por un substrato tipo “p” donde tiene difundidos dos regiones de silicio“n+” muy dopadas, para
formar conexiones de baja resistencia (drenaje y fuente).Entreambos terminales tenemos la zona del
canal (inducido para el MOS incremental).Lacompuerta esta aislada del canal por una capa muy delgada
de oxido de silicio. Cuandose aplica un voltaje positivo VGS entre compuerta y canal (o fuente cuando
esta ultimaesta conectada al substrato), este atrae a los electrones del substrato p y los acumula enla
superficie, bajo la capa de oxido. Si VGS es mayor o igual a un valor denominado“voltaje umbral” o
voltaje de entrada “VT”, se acumula una cantidad suficiente deelectrones para formar un canal n virtual,
y la corriente circula entre drenaje y fuente, siaplicamos un voltaje entre estos terminales. Para el MOS
de canal p, el proceso essimilar, con la diferencia que se invierten todos los voltajes y corrientes.La
próxima figura, muestra la estructura básica del MOSFET de potencia, denominado“V-MOS”

2.3.- IGBT

En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. UnIGBT tiene una alta
impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas perdidas porconducción en estado activo como los
BJT. Sin embargo, no tiene el problema desegunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y la estructura
del microcircuito, secontrola la resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para que se comporte
comola de un BJT. Veamos el dibujo del corte transversal del IGBT
L

Cómo se puede observar la estructura de silicio de un IGBT, es idéntica a la de unMOSFET, a excepción

del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT separece mas al de un BJT que al de un
MOSFET. Esto se debe al substrato p+, causantede la inyección de portadores minoritarios en la región n.

Los IGBT tienen menores perdidas de conmutación y de conducción, y al mismotiempo comparte

muchas de las propiedades ventajosas de los MOSFET de potencia,como la facilidad de excitación de
compuerta, corriente pico, buenas característicastensión corriente y robustez.. En forma inherente un
IGBT es más rápido que un BJTpero resulta mas lento que los MOSFET.

3.- Circuitos integrados:

3.1.- Timer 555 (hoja técnica)
3.2.- TCA 785 (hoja técnica)
3.3.- CD4017B (hoja técnica)
3.4.- Microcontrolador

Un microcontrolador (abreviado µC, UC o MCU) es un circuito integrado programable, capaz de ejecutar

las órdenes grabadas en su memoria. Está compuesto de varios bloques funcionales, los cuales cumplen
una tarea específica. Un microcontrolador incluye en su interior las tres principales unidades funcionales
de una computadora: unidad central de procesamiento, memoria y periféricos de entrada/salida.

Características de un Microcontrolador:

- Velocidad del reloj u oscilador

- Tamaño de palabra

- Memoria: SRAM, Flash, EEPROM, ROM, etc..

- I/O Digitales

- Entradas Analógicas

- Salidas analógicas (PWM)

- DAC (Digital to Analog Converter)

- ADC (Analog to Digital Converter)

- Buses

- UART

- Otras comunicaciones.

3.5.- Arduino
Arduino es una plataforma de hardware libre, basada en una placa con un microcontrolador y un
entorno de desarrollo, diseñada para facilitar el uso de la electrónica en proyectos multidisciplinares.

Por otro lado Arduino nos proporciona un software consistente en un entorno de desarrollo (IDE) que
implementa el lenguaje de programación de arduino y el bootloader ejecutado en la placa. La principal
característica del software de programación y del lenguaje de programación es su sencillez y facilidad de
uso.

¿Para qué sirve Arduino? Arduino se puede utilizar para desarrollar elementos autónomos,
conectándose a dispositivos e interactuar tanto con el hardware como con el software. Nos sirve tanto
para controlar un elemento, pongamos por ejemplo un motor que nos suba o baje una persiana basada
en la luz existente es una habitación, gracias a un sensor de luz conectado al Arduino, o bien para leer la
información de una fuente, como puede ser un teclado, y convertir la información en una acción como
puede ser encender una luz y pasar por un display lo tecleado.

Hay otro factor importante en el éxito de Arduino, es la comunidad que apoya todo este desarrollo,
comparte conocimiento, elabora librerías para facilitar el uso de Arduino y publica sus proyectos para
que puedan ser replicados, mejorados o ser base para otro proyecto relacionado.

Arduino dispone de una amplia variedad de placas y shields para usar dependiendo de nuestras
necesidades.

Las shields son placas de circuitos modulares que se montan unas encima de otras para dar
funcionalidad extra a un Arduino. Esta Shields son apilables.

Las shields se pueden comunicar con el arduino bien por algunos de los pines digitales o analógicos o
bien por algún bus como el SPI, I2C o puerto serie, así como usar algunos pines como interrupción.
Además estas shields se alimenta generalmente a través del Arduino mediante los pines de 5V y GND.

Cada Shield de Arduino debe tener el mismo factor de forma que el estándar de Arduino con un
espaciado de pines concreto para que solo haya una forma posible de encajarlo
4.- Interfaz
4.1.- Transformador de pulsos

Un transformador de pulso es un transformador mejorado que produce pulsos eléctricos de gran

velocidad y amplitud constante. Suelen utilizarse en la transmisión de información digital y en
transistores (especialmente con circuitos conductores de compuerta).

Un buen transformador debe tener aislamiento galvánico (baja inductancia de dispersión que permita
que el circuito conductor primario funcione en otro derivado eléctrico potencial de un circuito conductor
secundario) y capacitancia distribuida. La baja capacitancia de acoplamiento también es fundamental
para proteger el circuito.

Algunos tipos de transformadores de pulso apuntan hacia complementar unidades lógicas para las líneas
de transmisión. Estos funcionan con umbrales de potencia inferiores. Muchos de estos transformadores
funcionan como transformadores de banda ancha. En el caso de los transformadores tipo transmisión de
datos digitales, están optimizados para reducir las distorsiones de señal.

El rango de frecuencia y la conformidad de la señal se determinan mediante factores externos como

capacitancia interbobinado, la capacitancia individual de cada bobinado e incluso resistencia. Los efectos
negativos de estas externalidades producen rebasamientos, caídas, oscilaciones, además de tiempos de
subida y bajada limitados. En lugar de estas consideraciones, los transformadores de pulso están
diseñados según los grados de potencia, la inductancia, los valores nominales de la tensión, la frecuencia
de operación, el tamaño, la resistencia, el rango de frecuencia y la capacitancia de bobinado.
4.2.- Optoacoplador

Un optoacoplador es un componente electrónico que se utiliza como transmisor y receptor óptico ( de

Luz), es decir que puede transmitir de un punto a otro una señal eléctrica sin mesecidad de conexión
física ni cables (por el aire), mediante una señal luminosa. Por eso también se llama optointerruptor.

Activamos una luz y esta luz llega a un detector que genera una tensión de salida, interruptor cerrado. Si
no se activa la luz o no le llega la luz al detector, este no genera ninguna tensión de salida, es decir
interruptor abierto.
Si combinamos una fuente óptica (generalmente un Led) con algún tipo de detector óptico
(generalmente un semiconductor de silicio llamado fototransistor) en un solo encapsulado, el dispositivo
resultante es un optoacoplador o interruptor óptico.

¿Cómo Funciona?

Tiene una salida de luz (LED emisor) y una entrada de luz, que detecta cuando recibe la luz del LED
cuando esta rebota contra alguna superficie (fotodetector). Como ves es similar al transistor, pero en
lugar de corriente con luz.

Cuando le llega una señal eléctrica (tensión) a los dos extremos del LED (emisor) este emite una señal
luminosa, que recibe el receptor o detector.

Este al recibir esta señal luminosa genera en sus bornes (patillas) una tensión eléctrica, que será la
tensión de salida.

Como vemos cuando le llega una tensión a la entrada se genera una luz y al recibirla el detector este
genera una tensión de salida.

Es como un interruptor. Si no llega luz al detector el interruptor estará abierto, si le llega luz del led el
interruptor sería cerrado.

5.- Identificación de componentes electrónicos

5.1.- Identificación y prueba de transistores BJT

La mejor forma de identificar un transistor es anotar su referencia y, posteriormente, consultar sus

características en las especificaciones técnicas de fabricante.

1.- Lo primero es extraer el transistor del circuito para obtener una mejor lectura. Si es un componente
aún no soldado puedes ahorrarte este paso.

2.-Prueba Base a Emisor:

 - Conecta el cable positivo (rojo) del multímetro a la base (B) del transistor, y el cable negativo
(negro) al emisor (E) del transistor.

- Si es un transistor NPN en buenas condiciones, el medidor debe mostrar una caída de voltaje
entre 0.45V y 0.9V

- En caso de ser un PNP, debería verse en pantalla las siglas OL (Over Limit).

3.- Prueba Base a Colector:

- Conecta el cable positivo al multímetro a la base (B), y el cable negativo al colector (C) del
transistor.

- Si es un NPN en buenas condiciones, se mostrará una caída de voltaje entre 0.45v y 0.9V.

- En caso de ser un PNP, entonces aparecerá nuevamente OL.

5.2.- Identificación y prueba de mosfets

 Conectamos la sonda negativa al Source del MOSFET.

 Sujetamos el MOSFET sin tocar ninguna de sus partes metálicas ni con los dedos ni con las sondas
hasta nuevo aviso.

 Sin mover la sonda negativa del surtidor y el multímetro en modo diodo, conectamos la sonda
positiva en el drenador. Aquí no deberíamos estar obteniendo ninguna lectura.

5.3.- Identificación y prueba de igbt

 . Tienen 2 estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conducción).

 . Pueden controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con reducida potencia de control.

 . Son capaces de soportar altas tensiones y elevadas intensidades cuando están bloqueados, con
pequeñas caídas de tensión entre sus extremos, cuando están en conducción.

 . Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Podemos probar los IGBTs con los siguientes pasos:

Paso 1

Cortocircuitamos G1 con E1 y G2 con E2

Paso2

Con el multímetro en modo diodo, comprobamos entre C1 y C2E1 para comprobar la unión
semiconductora. Con la sonda positiva (+) en C1 y la negativa (-) en C2E1, el multímetro debería marcar
cómo circuito abierto. Si cambiamos las sondas de posición deberemos ver la caída de voltaje del diodo.

Paso3

Comprueba la unión entre C2E1 y E2. Con la sonda positiva (+) en C2E1 y la negativa (+) en E2, deberás
ver un circuito abierto. Si le damos la vuelta a las sondas, veremos la caída del diodo de protección de
nuevo. Hasta aquí todo fácil tan solo se trata de testear si el diodo de protección está dañado o con
fugas.

Paso 4

Conecta una batería de 6v con el terminal positivo (+) a la puerta G1 y el terminal negativo a E1. Usando
el multímetro en modo diodo, deberías de ver la caída de tensión del diodo en ambos sentidos,
posicione las sondas entre C1 y C2E1 y viceversa.

Paso 5

Ahora conecta la batería (+) en G2 y (-) en E2. De igual manera que antes, deberías ver en ambos
sentidos la caída de voltaje de un diodo entre C2E1 y E2.

Si todos los pasos están bien, significa que el IGBT está Bueno

5.4.- Identificación y prueba de SCRs

5.5.- Métodos de construcción de circuitos impresos PCB

 - Usar la protoboard.

- Componentes básicos usados en los circuitos electrónicos.

- . Leer esquemáticos.

- Armar circuitos en protoboard.

- Armar circuitos en placa fenolicas pre-perforadas o multiproposito.

- Soldar componentes.

6.- Señal eléctrica

6.1.- Transitorio en Circuitos CA con carga RL.

6.2.- Valor eficaz. Potencia, voltaje, corriente

El significado físico del valor eficaz es designar el valor de una corrienterigurosamente constante que al
circular sobre una determinada resistenciaóhmica produciría los mismos efectos caloríficos que dicha
corriente variable.

La idea de valor eficaz surge de la necesidad de medir la efectividad de unafuente de tensión o de

corriente, al suministrar potencia a una carga resistiva

- El valor eficaz o RMS (root mean square ) de una corriente periódica es igual alvalor de corriente
de cd que suministra la misma potencia promedio o activa auna resistencia, que la suministrada
por la corriente periódica

Donde: T es el periodo de la función

- Igualando las dos expresiones y resolviendo para Ieff

 - El valor eficaz de la tension se calcula de la misma manera que la corriente.

- la potencia eficaz resultará ser:

Es decir que es la mitad de la potencia máxima (o potencia de pico)

La tensión o la potencia eficaz, se nombran muchas veces por las letras RMS

O sea, el decir 10 VRMS ó 15 WRMS sifnificarán 10 voltios eficaces ó 15 watios eficaces,

respectivamente.

6.3.- Valor medio. Potencia, voltaje, corriente