Informe de Práctica de Laboratorio #1

Actividad de repaso.
Rodríguez, V. Juan. Sosa, S. Andrés. Villarreal, P. María.
C.C. 1094967997 C.C. 1010033614 C.C. 1192723973
[email protected] [email protected]
[email protected]

Universidad del Quindío. Facultad de Ingeniería. Programa de Ingeniería Electrónica.

Carrera 15 Calle 12 Norte Armenia, Quindío, Colombia. Tel.: +57 (6) 7359300

acuerdo a las hojas de especificaciones con lo que

se encontró el comportamiento de la frecuencia de
Resumen — En el presente informe se mostraron los
los amplificadores finalmente se realizó el análisis
resultados analíticos, matemáticos y simulaciones de
en baja frecuencia, alta frecuencia y haciendo uso
los dos circuitos propuestos para analizar y resolver
de acuerdo a los requerimientos de los transistores del papel semilogarítmico se realizó el diagrama
BJT y FET lo que se logró haciendo uso de la hoja de bode de las respuestas en frecuencia
de especificaciones, en donde se procedió a la encontradas.
implementación de los cálculos requeridos con la No menos importante se hizo uso de herramientas
información necesaria aplicada. De acuerdo a la de simulación para corroborar los procedimientos
evaluación de cada circuito se describió el matemáticos elaborados en lo cual se confirmó la
funcionamiento en DC y AC, con ello enseguida se parte teórica de los dos amplificadores
analizó la frecuencia de los amplificadores con
transistores BJT y FET. Se utilizó herramientas de
simulación como parte práctica, se verifico los II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS
análisis y cálculos realizados en la parte teórica.

● Punto 1
I. INTRODUCCIÓN
Se presentaron dos circuitos
amplificadores a solucionar con requerimientos
específicos para transistores BJT y FET en sus
funcionamientos para determinar la respectiva
región de operación del amplificador, las cuales se
determinaron para el amplificador emisor común
y para el amplificador dreno común se determinó
como lineal el punto de operación en DC y AC
De acuerdo a la recta dinámica de los
amplificadores, se determinó el 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 y con ello
se logró determinar la forma de onda del voltaje a
figura 1. se muestra un circuito amplificador emisor
la salida de acuerdo a la ubicación del punto de común
operación, se continuo con el orden de la solución
matemática con el análisis en pequeña señal En la figura 1 se muestra un circuito para el
teniendo en cuenta los procedimientos que cual se realizó el análisis completo como se
requirió esta parte, se determinando las muestra a continuación
capacitancias parásitas de los transistores de
 β=400−800 ,
Se escogio β=400

Análisis en DC:
En este análisis se redibuja el circuito
teniendo en cuenta que los capacitores actúan
como un circuito abierto

figura 3. se muestra un circuito amplificador emisor

común en DC

Figura 2. se muestra un circuito amplificador emisor

común
En el análisis DC, se busca determinar el
punto de operación o de trabajo en el transistor,
Primero se inició realizando un divisor de permitiendo determinar si está operando como
voltaje para una forma equivalente para resolver el conmutador o amplificador, para ello se debió
circuito; se encontró el voltaje en la resistencia de encontrar VceQ e IcQ
4 kΩ, y luego encontrando una resistencia
Se continuo con la malla de entrada (1) en
equivalente de Th
donde se tiene:
Para encontrar VBB se empleó la siguiente
formula Vbb=IbRb+ Vbe+ IcRe
Por lo tanto, se tiene que:
VCC ( R 1 )
Vbb= [ 1] Vbb−Vbe
R 1+ R 2 Icq=
Rb
+ℜ
[ 3]
β
Se continuó encontrando la resistencia de
Thévenin teniendo en cuenta que es el paralelo Con la Malla 2 se tuvo en cuenta:
entre R1 y R2 de la siguiente manera:
Vcc=IcRc+ Vce+ IeRe
R1∗R 2 Ie=Ic
Rb=Rth= [ 2] Vce=Vcc−Ic ( Rc +ℜ ) [ 4 ]
R 1+ R 2

Para la recta dinámica:

Si Vce=¿0
 Vcc −VcQ=−( I c ' −IcQ ) ( Rp+ Rc ) ;
Ic= =10 mA
Rc+ ℜ
' VceQ
Si Ic=0
Ic= + IcQ [7]
Rp+ Rc
VCE=VCC=12 V Cuando Ic=0

Análisis en AC
Vce=IcQ ( Rp+ ℜ) + ( VceQ ) [ 8 ]

Se continúa con el análisis AC, en Ganancia en voltaje y corriente (𝐴𝑣, 𝐴𝑖),

donde se asumió un punto de operación análisis en pequeña señal.
considerablemente alto, por lo que los
capacitores se comportan como corto circuito.

figura 6 se muestra un circuito amplificador

emisor común en pequeña señal
figura 4. se muestra un circuito amplificador
emisor común en AC
β∗26 mV
hie= [7 ]
Siendo 6.655 mA
RP=RC ∨¿ RL
Malla de salida en la que se siguió la Ganancia en voltaje Av.:
ecuación, dependiendo de las incógnitas
necesarias Para determinar Zin se siguió la ecuación

0=IcRp+Vce+ ReIe ; Vce=Ic ( Rp+ ℜ) Z¿ =ℜ∨¿ ( hie + βRe ) [ 8 ]

Sumando corrientes y voltajes

Para Out se apagan las fuentes:
' '
I c =IcQ+ Ic → Ic=I c −IcQ [5 ] Z out −Rc=1 k Ω [ 9 ]
Vc e ' =VceQ +Vce →Vce=Vc e' −VceQ [ 6] Ganancias:

Vc e ' −VceQ=−( I c' −IcQ)(Rp+ Rc) V0

Av= [ 10 ]
Vi
Cuando Vc e ' =0
; V 0=Io ( Rc∨¿ Rl)
  Punto 2
Rp=Rc∨¿ Rl=500 Ω
Este punto consistió en el análisis completo del
V o =Io ( Rp ) → Io=−βIb circuito de la figura 1, en donde se empezó
empleando las siguientes fórmulas para realizar el
V 0=−BIb ( Rp ) divisor de voltaje respectivamente así:

Para V i−Ib ( hie )+ Ib ( βRc ) V DD ( R 1)

V BB= [ 1]
R1 + R2
V i=( hie+ βRc ) Ib
En seguida se encuentra la resistencia de Thévenin
V0 −βIb ( Rp )
Av= = así:
V i I b ( hie+ βRe ) Rth=R 1∨¿ R2 [ 2 ]
Io
Ai= [ 11 ] Se procede a realizar el análisis en DC en donde
Ii se tiene en cuenta que los capacitores actúan como
un circuito abierto. Se redibuja el circuito como se
− βIb ( Rc ) muestra en la figura 7, simplificando las
→ Io=
Rc+ Rl resistencias y con ello reduciendo el circuito a dos
resistencias ya que se no existiría la resistencia de
I i∗Rb carga por el capacitor en circuito abierto.
Ib= ¿ ¿

Análisis en frecuencia

[ Av ]∗s 2
Av ( s )=
(s +ωi)(s +ωo)

Análisis por instante de tiempo

Ti=C 1∗Req

Req=Rb∨¿(hie+ βRe)

ωi=1=ta=c 1

¿ Figura 7. Amplificador dreno común en DC

1
ωo= [ 12 ]
ta Aquí se tienen en cuenta los valores del datasheet
de acuerdo al transistor 2N3684 cuyos valores de
1 rad
¿ =500 =79.57 Hz I dss
(1 ut )( 2 k ) s
y voltaje de estrangulamiento son útiles para
continuar con los cálculos.
−2.452 S2
Av ( s )= Se continúa realizando la malla de entrada en
(s +500)( s+ 315.25) donde las fórmulas a ejecutar son las siguientes

V BB=V GS + I d∗R s
En donde despejamos para encontrar I d así: I d=I d ´ - I dcq

V BB−V GS V ds = V ds ´−V dsq

I d= [ 3]
Rs
Con ello se hizo la relación teniendo los valores
En donde utilizo la fórmula que se relaciona con obtenidos con anterioridad, obteniendo l siguiente
ecuación:
la ecuación [ 3 ] ya mencionada

I d=I dss
( 1−
V GS 2
Vp )[4] (V ds ´−V dsq) = -( I d ´−I dcq )*( Rc ) [ 8 ]

En donde, se despejo la incógnita I dresultando la

En seguida se relacionó la formula [ 3 ] y [ 4 ] siguiente ecuación:

( )
V BB−V GS V GS 2 V ds
= I dss 1− [ 5] I d=I dcq + [ 9]
Rs Vp Rc

Se continua con la mallan de salida en donde se En seguida se despeja I ds ´ asi:

tuvo la siguiente ecuación.
I ds ´ =V dsq + I dcq∗¿ ( Rc ) [ 10 ]
V DD=V ds + R S∗I d [ 6 ]
Con el análisis llevado a cabo hasta ese momento
se pudo continuar con la gráfica que determina el
De donde se despejo a la variable necesaria, en punto de operación, la recta de carga en AC y DC
este caso a V ds así: y se determinó la región de operación del
amplificador la cual resulto ser lineal.
V ds V DD =V DD−R S∗I d [ 7 ]
Se continuo con el análisis en pequeña señal para
Ya con estos cálculos se continuo con el análisis la cual se redibujo el circuito de manera que el
en AC en donde se tuvo en cuenta que los circuito quedara en su forma hibrida
capacitores actúan como cortos en los circuitos Se tuvo en cuenta las resistencias y sus posiciones
Aquí se redibuja el circuito de tal forma que se para determinar los valores necesarios; para
tienen en cuenta las 4 resistencias organizadas con
determinar gm se empleó la siguiente formula:
sus tierras, se redujo el circuito haciendo los
paralelos posibles entre las resistencias con
excepción a la resistencia de carga 2(I DSS )
gm =

( )
(V GS ) [ 11 ]
Ya con el circuito simplificado se continuo con el
análisis de las fórmulas siguientes ¿ V P∨¿∗ 1− ¿
VP
0 = I d∗R c + V ds
Para determinar el valor de AV se tuvo en cuenta

V ds = −I d ( Rc ) los valores de V i y de V o para lo que se tomaron

las siguientes ecuaciones respectivamente.

I d ´=I dc + I d
V o =g m ¿V GS* ( R j)
V ds ´ = V dsq +V dc
 V i = V GS *(1+ gm∗R j )
Para continuar con el análisis se tuvo que:
Las cuales se remplazan en la fórmula de AV
τ 0=¿(1 μf )(R +R )¿ [ 15 ]
l s

Vo
AV = [ 12 ] τ l =C1∗Req
Vi

Para encontrar A I se tiene en cuenta los valores

Req=Z ¿= RG
de I O y de , I i de la siguiente manera:
τ l =C1∗RG

I O=
I D∗RS
RS + R L
= gm∗V GS
RS
RS + R L ( ) 1
w i= ↔ τ l =1 μf (510.29 k )
τl

V i V GS (1+ gm∗R S ) τ =0,51028

I i= =
RG RG
1
w i=
Las cuales se remplazan respectivamente en la 0,51028
siguiente formula.
1,959 rad /seg →0,311 Hz
Io
Ai = [ 13 ] Para el capacitor Co
Ii
τ o=C o∗Req
Análisis en baja frecuencia
Para esta parte de los cálculos de adecuo el Req=R l+ R s
circuito para proceder con los análisis:
Con respecto a las constantes de tiempo se analizó
el capacitor 1 en donde C0 sería similar al
τ o=( 1 μf ) ¿ ¿)= 1 μf ∗2 kΩ=0,012
capacitor 1 cerrado
1 rad
w i= =83.33
τ 1 =C1∗R EQ τo seg

R EQ=Z ¿=R g Av( s 2)

Av(seg)=
(s +83.33)(s +1.9597)
τ 1 =¿ C 1( R g ) [ 14 ]
Para el bode final
Para el capacitor de entrada
Av (s2 )
τ 0=¿¿ C 0 (Req ) ∗0.75∗1
(s+ 83.33)( s+ 1.9597)
Av(seg)=
( S+297.615 k )( S+297,6 M )
Se tiene en cuenta el circuito modificado mostrado
en la figura 11, en donde se tuvo en cuenta que se
realiza Análisis en frecuencia alta:

R EQ=Rl + R s
 Req =R B

Cto=Cds+Cmo

Req =R s+ R l
Se continuo con el teorema de Miller que está
Cgs=1.2 pf
relacionado directamente con el punto 1 llegando
al siguiente circuito:
Cgd=4 pf

Cds=0.8 pf

Cmi=(1− Av) Cgd

1
Cmo=(1− ) Cgd
Av

los resultados y cálculos se encuentran en la

Figura 8.
sección III

Se representó la impedancia del capacitor así: III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

1 ● Punto 1
Z=
sc Se empezó determinando los valores de V BB
reemplazando los valores respectivamente de la
Se tuvo en cuenta que la resistencia R_d ya que en ecuación
este análisis no se toma en cuenta dicha
12 ( 4 k )
resistencia o a una impedancia relativamente Vbb= =2.086 V
grande, en este caso se representaron estos 4 k +19 k
elementos como un circuito abierto, entonces: Se determina Rth reemplazando los valore de la
ecuación [ 2 ]
1 pd ≪Cgs y Cgd≪10 pf

0,1 pd ≪Cds≪1 pf Rb=Rth=3.30 k Ω

Vbb−Vbe
Icq= =6.655 mA
Rb
+ℜ
β

Con la Malla 2:
Figura 9.
Vce=VceQ=12− (6.655 mA )( 200+1 k Ω )=4.014 v
En donde:
Cti=Cgs+Cmi Para la recta dinámica:
 Si Vce=¿0 Figura 10. Amplificador emisor común, punto de
Vcc operación en DC y AC
Ic= =10 mA
Rc+ ℜ

Si Ic=0 Ganancia en voltaje y corriente (𝐴𝑣, 𝐴𝑖),

VCE=VCC=12 V análisis en pequeña señal.

β∗26 mV
Análisis en AC hie= [7 ]
6.655 mA
Se continúa con el análisis AC, en
donde se asumió un punto de operación =1.562 k Ω
considerablemente alto, por lo que los
capacitores se comportan como corto circuito.
Ganancia en voltaje Av.:
Siendo Para determinar Zin se siguió la ecuación
RP=RC ∨¿ RL
Z¿ =3.304 k Ω∨¿ 1.562 k Ω+ ( 400∗200 )=3.172 k Ω
Malla de salida en la que se siguió la
ecuación, dependiendo de las incógnitas
necesarias
Para Out se apagan las fuentes:
0=IcRp+Vce+ ReIe ; Vce=Ic ( Rp+ ℜ) Z out −Rc=1 k Ω [ 9 ]
Sumando corrientes y voltajes y cuando Vc e ' =0 Ganancias:

−VcQ=−( I c ' −IcQ ) ( Rp+ Rc ) ; V0 −βIb ( Rp )

Av= = =−2.452
V i Ib ( hie+ βRe )
VceQ
I c' = + IcQ [7]
Rp+ Rc Ib
=¿
' Ii
I c =12.389 mA
−400 (3.304 k Ω)(1 K Ω)
=−7.706
Cuando Ic=0 ( 1.562k Ω) +(400)(200)+3.304 k Ω(2000)

Vce=IcQ ( Rp+ ℜ) + ( VceQ )=8.672 v [ 8 ]

Análisis en frecuencia

Análisis por instante de tiempo

Ti=C 1∗Req

Req=Rb∨¿(hie + βRe)

ωi=1=ta=c 1

¿
 1 ● Punto 2
ωo= [ 12 ] Se empezó determinando los valores de V BB
ta
reemplazando los valores respectivamente de la
1 rad ecuación [ 1 ]
¿ =500 =79.57 Hz
(1 ut )( 2 k ) s
10 ( 840 kΩ )
−2.452 S2 V BB=
Av ( s )= 840 kΩ+1.3 MΩ
(s +500)( s+ 315.25)
8.4 M
Vcq=4.014 v Vj=0.6 v V BB =
2.14 M
Cob=10 pf Cib=25 pf F=300mHz
V BB=3.92523 v
Icq 6.605 mA
Cb= = =135.79 pf
2∗pi∗f ∗Vt 2 pi ( 300 m ) ( 26 mv ) Se determina Rth reemplazando los valore de la
Cb 25 pf ecuación [ 2 ]
Cjc= = =45.428 pf
( ) ( )
1 1
Vbe 3 0.7 3
1− 1− 1
Vj 0.6
Rth = 1 1 = 510. 28037 kΩ
Cbe=135.79 pf +45.428 pf =181.218 pf +
840 kΩ 1.3 MΩ
Cb 10 pf Análisis en DC
Cjc= = =5.36 pf
( ) ( )
1
Vbc 3.314 13
1− 1−
3
Vj 0.6 Teniendo en cuenta los valores de I dss y V P
1 v 1−v 2
Z= I 1= I dss =7.5 mA
sc z
I 1=
v1
z
1− (
V2
v1 )
v1
I 1= ( 1− Av )
z V P=−5.0 v

Se realizó la malla de entrada de acuerdo a la

cmi=Cbc ( 1− Av ) cmo=Cb 1−
1
Av ( ) formula [ 5 ] y se resolvió la ecuación, dando el
resultado de V GS

Cti=Cbe+Cmi Cto=Cce+cmo

( )
2
−V GS V GS
Rcq=Rb||hie Req=Rc|| Rl = I dss 1−
Rs Vp
Thi=Cti+ Req Tho=CtoReqo
V GS =−1.88747
1 1
WH = Who=
Thi cho
En seguida se soluciona I d de acuerdo a la
ecuación [ 4 ]

Diagrama de Bode:

( )
2
Ver anexo Bode 1. (−1.88747)
I d=7.5 mA 1−
−5.0
 I d=2.5012449mA Figura 11. Amplificador dreno común en AC

Se continuo con la malla de salida, encontrando Continuando con el cálculo se realizó el análisis
en AC, con el circuito simplificado como se
como primera medida a V ds de la ecuación [ 6 ]
muestro en la figura 7, se tuvieron en cuenta
valores encontrados anteriormente, como:
V ds =10−( 2 k∗2.5012449mA )
I d=2.5012449mA
V ds=¿4.99751 v
V dsq =4.99751 v

RG =R1∨¿ R2
Análisis en AC

1
RG =
1 1 = ¿ 510.28037 kΩ
+
840 kΩ 1.3 MΩ

RC =R S ∨¿ R L

1
RC =
1 1 = ¿ 1.6 kΩ
+
2 kΩ 10 KΩ

Se despejo las incógnitas de la ecuación [ 8 ]

Para encontrar I d de [ 9 ]

4.99751 v
I d=2.5012449mA + =5.624 mA
1.6 kΩ

Para calcular se tuvo en cuenta la ecuación [ 10 ]

V ds =4.99751 v +2.5012449 mA∗¿ (1.6 kΩ

) = 9v
Con los datos determinados se encontró el punto
de operación en la recta de carga en DC y AC en
lo cual la región de operación del amplificador fue
lineal, se puede observar en la figura
 La ganancia de salida se determinó por la posición
de la resistencia de R s es decir:

Zinout = R s=2 kΩ

Para gm se tiene en cuenta la formula [ 11 ]

2(7.5 mA )
gm =
¿−5.0 v ∨¿∗ 1− (
(−1.88747) =
−5.0 v
¿ )
1.8675m℧

Se continuo con la incógnita de AV la cual se

determinó con la formula [ 12 ]

1.8675 m℧ (1.6 kΩ)

AV = ¿ = 0.75
Figura 12. Amplificador dreno común, punto de (1+1.8675 m℧∗1.6 kΩ) ¿
operación en DC y AC
Para determinar Ai se tuvo en cuenta la ecuación
Análisis en pequeña señal
Se continuo con el análisis en pequeña señal, en [ 13 ]
donde se tiene el circuito adecuado a este análisis
como se puede observar en la figura 1.8675 m℧ (2 kΩ)(510.2803 kΩ)
Ai =
(1+ ( 1.8675 m℧∗2 kΩ ) ( 2 kΩ+10 kΩ ))
¿ 33.5427

Para la parte de análisis matemático del análisis en

baja frecuencia se tomó en cuenta las ecuaciones
[ 14 ]
1
W 1= ↔ τ 1∗1 μf ( 510.28 k )
τ1

τ =0.51028
1 rad
W 1= =1.959 =0.311 Hz
0.510280 seg
Figura 13. Amplificador dreno común, análisis en
pequeña señal. De acuerdo al análisis matemático se tiene en
cuenta la ecuación [ 15 ] ,entoinces :
Se determina que la ganancia de entrada es el
valor del paralelo de R1 y R2 denominado como
τ 0=¿ (1 μf ) (12 KΩ)=0,012 ¿
RG es decir:
W 1 ras
0 = =83.33
τ0 seg
Zin¿= RG =510.2803 kΩ
 1 1
Fi= = =141,77 kHz →890,7
2 πReqCti 2 π ( 510,28 k)(2,2 pf )
1 1
Fo= = =47,367 k ¿ MHz →
2 πReq 2 Cto 2 π (1.6 kΩ)(2,1 pf )

1
Whi=
τhi
τhi=( 510,28 k )( 2,2 pf )=1.1226 x 10−6 ms

Av∗1 0.75∗1
Figura 14. Amplificador dreno común, análisis en AvHi( s)= =
baja frecuencia. (S+ wi)(S +wo) ( S+297.615 k )( S+297,6 M )

Teniendo como resultado la función de

transferencia para el diagrama de bode

0.75(s )
2 Diagrama de Bode:
Av(s)= Ver anexo Bode 2.
( s+83,33)(s+1,9597)

IV. CONCLUSIONES

Los transistores son uno de los elementos de

mayor importancia y utilidad en los ámbitos
electrónicos, para los diseños de los diferentes
dispositivos electrónicos de la actualidad, siendo
estos los sustitutos a los antiguos tubos de vacío,
que eran demasiado voluminosos e ineficientes si
se compara con los transistores. por ello, es de
Figura 15. Amplificador dreno común, análisis en suma importancia acostumbrarse a revisar el
baja frecuencia datasheet de los distintos transistores que se
Análisis en frecuencia alta pueden encontrar en el mercado, para conocer sus
características y, de esta forma, elegir el más
Teniendo en cuenta el datasheet apropiado según la aplicación.
Para las aplicaciones es de gran relevancia hacer
Cgs=1,2 pf de manera precisa los análisis de los elementos a
Cgd=4 pf utilizar, determinar sus voltajes, corrientes y
potencias picos, contrastando con el datasheet del
que se esté utilizando, para no ir a saturar o causar
Cmi=(1−0.75)∗4 pf =1 pf daños en el material, ya que, aunque de manera
1 teórica, los transistores en sus diferentes
Cmo=(1− ) 4 pf =1.33 pf
0.75 configuraciones pueden llegar a tener elevadas
ganancias de tensión y de corriente, en la manera
Cti=Cgs+Cmi →1,2 pd+1 pf práctica estos tienen un límite que el fabricante
Cti=2,2 pf del transistor nos ofrece en el datasheet, evitando
Cto=Cds+Cmo → 0.8 pf +1.33 pf =2.1 pf la ruptura o daño en las uniones del transistor.
El amplificador dreno común con el transistor
FET, trabaja óptimamente con señales muy
pequeñas, ya que si se introducen señales muy
grandes habrá una atenuación en la señal de salida