Practica 0

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrónica
DISPOSITIVOS ANALOGICOS Y SUS APLICACIONES

Docente: M. C. MAURO HUERTA RIVERA
Reporte #1
Circuitos de Polarización con BJT
Cristian Obed Cruz Luna

Andy Cruz Olguin
Aldo García Villa
1. INTRODUCCION.
El funcionamiento de la red polarizada proviene de una serie de conocimientos

en circuitos, como las Leyes de Kirchoff, Leyes de Thévenin, Leyes de
transformación de fuentes. El propósito de esta investigación es trazar la
relación entre la corriente y el voltaje en un gráfico y observar el punto de
operación óptimo del transistor bajo el estándar inicial.
2. MARCO TEORICO
Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar),

es un dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que puede ser
utilizado para controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña
cantidad de corriente en el conductor base controla una mayor cantidad de
corriente entre el Colector y el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una
señal débil, como un oscilador o un interruptor.
Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las capas de

semiconductor de tipo N y P. Consulte la Figura 1 a continuación.
Figura 1 La figura 1a muestra un corte 2N3904 A-92 que revela los terminales
de Emisor E, Base B y Colector C unidos al silicio. La figura 1b muestra los
cortes de capa de tipo N y P y arreglos
Polarización Fija:
La polarización fija es la más sencilla y rápida para realizar, pero

también la más inestable ante las variaciones de beta, por tanto,
también la menos usada.
La polarización fija solo se usa en la configuración emisor
común, ya que en la configuración base común cortocircuita la
entrada, y en la configuración colector común cortocircuita la
salida.
Figura 1: Esquema de circuito de polarización fija para transistor bjt
En la figura 1 se muestra el esquema del circuito para la

polarización fija con transistor BJT.
La resistencia RC limita la corriente máxima que circula por el

transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que
la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que
ingresa a la base del transistor (I B), la cual determina en que
zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).
Dando valores específicos a estas resistencias podremos

determinar con exactitud el punto de trabajo del transistor (Q). Lo
que estamos buscando es polarizar al transistor en su zona
activa, sobre su recta de carga, para lograrlo debemos hacer uso
de las ecuaciones características del circuito.
Este circuito determina el punto Q de reposo del transistor para

unos valores dados de Vcc, R B y RC, a pesar de ser sencillo, este
circuito es el más inestable con las variaciones de la
temperatura.
Del circuito obtenemos la relación existente de la corriente de
colector (IC) y el voltaje colector emisor (V CE). Aplicando Ley de
Kirchoff:
VCC = VCE + IC*RC (1)

Esta ecuación modela la recta de carga, en ella V CC y RC son
constantes, y VCE e IC son las variables.
Cuando la corriente de colector es 0, la tensión colector emisor
es igual a la diferencia de potencial de la fuente, es decir:
VCE = VCC
(2)
Cuando la tensión colector emisor es igual a cero V CE = 0, la (IC)

corriente de colector será el voltaje en la fuente, entre la
resistencia de colector IC = VCC/RC.
Figura 2.
En la figura 2 se muestra la recta de carga estática con el punto de

reposo que representa la intersección de esta recta con la curva IB
correspondiente. El valor de la corriente de base se puede calcular
aplicando LCK al circuito de entrada.
De esta situación tenemos que:
VCC = VBE + IB* RB (3)
Debido a la naturaleza del transistor sabemos que su

comportamiento entre la base y su emisor es el de un diodo por lo
que la tensión en este punto será de 0.7v
VBE = 0.7V.
De la ecuación (3) podemos deducir que
IB = (VCC-0.7V) /RB (3.1)
La ecuación que relaciona las corrientes del transistor se define

como
IC = β*IB (4)
De la segunda ley de Kirchoff podemos obtener que
IE=IC+IB=(β+1)*IE (5)
La ganancia de corriente en el transistor se define como β o hFE, y
es adimensional ya que relaciona IC/IB.
Ejemplo:
Realizaremos un ejercicio para ejemplificar de manera practica el comportamiento de este

circuito.
Equipo necesario:
 Fuente DC 12V
 R1= RC = 220 Ω
 R2 = RB = 47 KΩ
 Voltímetro
 Amperímetro
Ejercicio: Hallar los valores de IB, IC y VCE.,
β = 50
IB = (Vcc – 0,7V)/ RB = (12V-0,7V) / 47k = 240.4 μA
IC = β.IB = 50 * 240.4 μA = 12.02 mA
Vcc = VCE + IC . RC → VCE = Vcc - IC . RC = 12V – 12.021 mA * 220 Ω = 9.3553 V
Podemos verificar con la simulación estos datos en la siguiente imagen.

Transistores, polarización por divisor de tensión
Esta configuración es muy utilizada como fuente de corriente, también se

conoce como circuito amplificador, la idea principal de este circuito es
proporcionar una corriente de colector (ó emisor) constante e independiente del
ß
KSP2222A
NPN General Purpose Amplifier
El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del

transistor, relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto
mayor es el número de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una
corriente de base pequeña es capaz de entregar una corriente de colector
grande (ganancia de corriente del transistor)
Usamos el término 'beta', pero en una hoja de datos 'hFE' es normalmente lo

que utiliza el fabricante
Symbol Parameter Test condition Min max

hFE DC Current VCE = 10V, IC = 0.1mA, 35 300
Gain VCE = 10V, IC = 1mA, 50
VCE = 10V, IC = 10mA, 75
VCE = 10V, IC = 150mA, 100
VCE = 10V, IC = 500mA, 40
Cálculos teóricos
Criterios:
 Vcc=12V
 IcQ=2 mA
1
 Vceq= Vcc
2
 Datos de dieño
1 1
V ℜ= Vcc= ( 12 ) =1.2 v
10 10
Para malla directa

Propuesta: Vcc 12v
KSP2222A : β ≈50
 Ley de voltaje de kirchoff
V CC −V RC −V CE −V ℜ=0
Teniendo en cuenta los valores de Vcc ,V ℜ,V CE se sustituyen en LVK para

encontrarel valor de V RC
12V −V RC −6 v−1.2 v =0
 V RC =4.8 v
 Ley de ohm Para el calculo de las demas incognitar de la malla cerrada
V =RI
Vℜ 1.2V
 Re = = =600 Ω
IC 2 mA
V RC 4.8 v
 RC = = =2.4 kΩ
1C 2 mA
βRE 50 ℜ
 R 2≤ = =3 K Ω
10 10
 VE=VBB−VBE
 VBB=VE+VBE=1.2 V +0.7 V
 VBB=1.9 V
R 2VCC 3 K 12 V
 R 1= −R 2= −3 K=15.94 K Ω
VBB 1.9 V
Ecuaciones para calcular la recta de carga.
y 2− y 1 y−4 0−4
 m= = =
x 2−x 1 12−0 12−0
 P ( 0,4 icmax ) Q(12 vcc , 0)
−1
 Y= x+4
3
Resultados:
Simulando el circuito en el software proteus, se puede observar que los valores
calculados de resistencias y los propuestos en las corrientes, se cumplen
ampliamente según se observa en la imagen pese a ser un transistor diferente
debido a que la biblioteca de componentes no cuenta con el KSP2222A, pero el
2n2222 cuenta con una β simular a la que se había calculado en el transistor,
es decir 50.
Recta de Carga
RECTA DE CARGA
4
recta de carga
Vce=6v Ic=2mA
3.5
2.5
Ice
1.5
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12
Vce
Conclusiones
Se observa en este curso que el contenido reflejado en este pequeño esquema
técnico con fines prácticos, comprende los objetos de investigación de varios
dispositivos en el desarrollo de equipos electrónicos como objetivos de
investigación, y también se entiende como objetos de uso en la práctica , Ya
sea con fines industriales, prácticos, académicos u otros. Los productos
electrónicos cubren una amplia gama de áreas de desarrollo y práctica, y lo
que es incluso emocionante es todo el trabajo realizado para realizar el uso real
de estos dispositivos y sus aplicaciones, como los nuevos productos
electrónicos que se lanzan al mercado. Mercados, aplicaciones de control
industrial, osciladores y otros productos electrónicos discretos que existen en el
entorno actual.
3. BIBLIOGRAFIA
John LeDuc. Conceptos básicos

Tomado de: https://www.digikey.com/es/articles/transistor-basics
Polarización por divisor de tensión

Tomado de: https://sites.google.com/site/vapelectronica/home/diseno-de-
hardware/transistores-polarizacion-por-divisor-de-tension
Datasheet. KSP2N2222A
Tomado de:
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-df/view/181076/FAIRCHILD/
KSP2222A.html

Practica 0

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Practica 0

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Practica 0

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de Ciencias de la Electrónica

DISPOSITIVOS ANALOGICOS Y SUS APLICACIONES

Circuitos de Polarización con BJT

Cristian Obed Cruz Luna

El funcionamiento de la red polarizada proviene de una serie de conocimientos

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar),

Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las capas de

La polarización fija es la más sencilla y rápida para realizar, pero

Figura 1: Esquema de circuito de polarización fija para transistor bjt

En la figura 1 se muestra el esquema del circuito para la

La resistencia RC limita la corriente máxima que circula por el

Dando valores específicos a estas resistencias podremos

Este circuito determina el punto Q de reposo del transistor para

VCC = VCE + IC*RC (1)

Cuando la tensión colector emisor es igual a cero V CE = 0, la (IC)

En la figura 2 se muestra la recta de carga estática con el punto de

VCC = VBE + IB* RB (3)

Debido a la naturaleza del transistor sabemos que su

La ecuación que relaciona las corrientes del transistor se define

Realizaremos un ejercicio para ejemplificar de manera practica el comportamiento de este

Ejercicio: Hallar los valores de IB, IC y VCE.,

IB = (Vcc – 0,7V)/ RB = (12V-0,7V) / 47k = 240.4 μA

IC = β.IB = 50 * 240.4 μA = 12.02 mA

Vcc = VCE + IC . RC → VCE = Vcc - IC . RC = 12V – 12.021 mA * 220 Ω = 9.3553 V

Podemos verificar con la simulación estos datos en la siguiente imagen.

Esta configuración es muy utilizada como fuente de corriente, también se

El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del

Usamos el término 'beta', pero en una hoja de datos 'hFE' es normalmente lo

Symbol Parameter Test condition Min max

Para malla directa

Teniendo en cuenta los valores de Vcc ,V ℜ,V CE se sustituyen en LVK para

 Ley de ohm Para el calculo de las demas incognitar de la malla cerrada

Ecuaciones para calcular la recta de carga.

 P ( 0,4 icmax ) Q(12 vcc , 0)

John LeDuc. Conceptos básicos

Polarización por divisor de tensión

También podría gustarte