Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 230 vistas

    2021-3 MOSFET Polarización

    Cargado por

    Nicolas Carvajal
    Este documento presenta información sobre la polarización de MOSFETs. Explica tres métodos de polarización: por retroalimentación, por divisor de tensión y por espejo de corriente. Incluye definiciones, ecuaciones y ejemplos numéricos para ilustrar cada método. El objetivo es enseñar cómo fijar el punto de trabajo de un transistor MOSFET mediante tensiones de continua aplicadas a las terminales del dispositivo.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    2021-3 MOSFET Polarización

    Cargado por

    Nicolas Carvajal
    230 vistas19 páginas
    Este documento presenta información sobre la polarización de MOSFETs. Explica tres métodos de polarización: por retroalimentación, por divisor de tensión y por espejo de corriente. Incluye definiciones, ecuaciones y ejemplos numéricos para ilustrar cada método. El objetivo es enseñar cómo fijar el punto de trabajo de un transistor MOSFET mediante tensiones de continua aplicadas a las terminales del dispositivo.

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Este documento presenta información sobre la polarización de MOSFETs. Explica tres métodos de polarización: por retroalimentación, por divisor de tensión y por espejo de corriente. Incluye definiciones, ecuaciones y ejemplos numéricos para ilustrar cada método. El objetivo es enseñar cómo fijar el punto de trabajo de un transistor MOSFET mediante tensiones de continua aplicadas a las terminales del dispositivo.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    230 vistas19 páginas

    2021-3 MOSFET Polarización

    Cargado por

    Nicolas Carvajal
    Este documento presenta información sobre la polarización de MOSFETs. Explica tres métodos de polarización: por retroalimentación, por divisor de tensión y por espejo de corriente. Incluye definiciones, ecuaciones y ejemplos numéricos para ilustrar cada método. El objetivo es enseñar cómo fijar el punto de trabajo de un transistor MOSFET mediante tensiones de continua aplicadas a las terminales del dispositivo.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    Está en la página 1de 19

    Jhon Jairo Ramírez Echeverry

    [email protected]

    Polarización del MOSFET


    Incremental
    Grupo 03.
    2021-3.
    L. y Mc. 9 - 11 am.
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Definición de polarización
    • Polarizar el transistor es fijar el punto de trabajo Q (VGSQ, IDQ) a través
    de las tensiones de D.C. para determinar la zona en que funcionará el
    dispositivo.
    • Para hallar el punto de trabajo se especifican las ecuaciones de voltaje
    de Kirchhoff de la malla de entrada y de la malla de salida.
    • Se verifica si el transistor está en zona de triodo o de saturación.
    • Si está en zona de saturación, se omite la solución que no tiene
    sentido (ecuación cuadrática).
    • La representación gráfica es muy útil para el análisis de estos circuitos.
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Polarización por retroalimentación
    VDD = I D RD + I G RG + VGS Malla de El transistor se encuentra en saturación:
    VGS = VDD - I D RD entrada 1 W +
    I! = µ" C#$ V%& − V%&(())
    2 L +
    VDD = I D RD + VDS Malla de I! = k V!! − I! R ! − V%&(())
    VDS = VDD - I D RD salida , - /!"#
    Con k = µ" C#$ ok =
    VDS > (VGS - VGS (th ) )
    ,
    + .
    VGS = VDS ∴ 0$%"#&'$%()*)

    I D = k (VDD - I D RD - VGS (th ) )


    2
    VGS = VDD - I D RD
    Polarización por retroalimentación
    Ejercicio: halle el punto de trabajo Q para el siguiente circuito.
    Solución:
    IDon = 6mA
    (
    VGSon = 8V IG = 0 A I! = k V"# − V"#(%&)
    VGS(th)= 3V
    I!)*
    k= ( k = 0.24mA / V 2
    V"#)* − 𝑉+,(-.)

    VGS = VDD - I D RD VGS = 12V - I D 2kW

    I D = 0.24mA / V 2 (12V - I D 2kW - 3V )


    2

    I DQ = 2.75mA
    Polarización por retroalimentación
    Ejercicio: Halle R para que ID = 80 µA. Halle el valor de VD. Suponga
    VGS(th) = 0,6 V, 𝜇n𝐶𝑜𝑥=200𝜇𝐴/𝑉2, L = 0,8 µm y W = 4 µm.
    Solución:
    VGS = VDS ∴ VDS > (VGS - VGS (th ) )
    El transistor se encuentra en saturación.
    R = 25 kΩ y VD = 1 V

    Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Polarización por división de tensión
    IG = 0 A ID = IS
    R2
    VG = VDD
    R1 + R2 Malla de
    entrada
    VGS = VG - I D RS

    VDD = I D ( RD + RS ) + VDS Malla de


    VDS = VDD - I D ( RD + RS ) salida

    I D = k (VGS - VGS (th ) )


    2
    Con:
    I D = k (VG - I D RS - VGS (th ) )
    I DON
    2 k=
    (VGS ON - VGS (th ) )
    2
    Polarización por división de tensión
    Ejercicio: Para el circuito halle el punto de trabajo Q
    IDON = 3mA
    VGSON = 10V
    VGSTh= 5V
    Solución:
    I D = k (VGS - VGS (th ) )
    2 I!"#
    k= (
    V$%"#&'!"($%)
    M k = 0.12mA / V 2
    I D = 0.12mA / V 2 (18V - I D 820W - 5V )
    2
    Polarización por división de tensión
    Ejercicio: Determine los voltajes en todos los nodos y las corrientes a través de las ramas
    del circuito. Suponga VGS(th) = 1 V y k’ (W/L) = 1 mA/𝑉 ! .

    Solución:
    IG = 0 A VG = 5V VGS = 5V - I D (6kW)

    I D = k ' (VGS - VGS (th ) )


    1 W 2

    2 L
    1 W
    I D = k ' (5V - I D 6kW - 1V )
    2

    2 L
    I D = 0,5mA I S = 0,5mA I G = 0
    VDS = 4V VGS = 2V VD = 7V
    Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Ejercicio:
    Ejercicio: Halle RD para que VD = 0,1 V. Cuál es el valor de la resistencia efectiva entre
    el drenaje y la fuente, rDS. Suponga VGS(th) = 1 V y k’ (W/L) = 1 mA/𝑉2 .

    VDS = 0,1V
    VGS = 5V ∴ VDS < (VGS - VGS (th ) )
    VGS ( th ) = 1V

    El transistor está operando en la región de triodo.

    Solución:
    RD = 12,25 kΩ y rDS = 250 Ω

    Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
    Ejercicio:
    Ejercicio: Halle RD y RS para que ID = 0,4 mA, VD = 0,5 V. Suponga VGS(th) = 0,7 V,
    𝜇. 𝐶/0 = 100𝜇𝐴/𝑉 1, L = 1 µm y W = 32 µm.

    VDS = VDG + VGS


    VG = 0V y VD = 0,5V ∴ VDG = 0,5V
    VDS = VGS + 0,5V ∴ VDS = VDG + VGS

    El transistor se encuentra en saturación.


    Solución:
    RS = 3,25 kΩ y RD = 5 kΩ

    Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
    Ejercicio:
    Ejercicio: Suponga que los transistores canal N y canal P del circuito han sido construidos
    de manera que k’n(Wn/Ln) = k’p(Wp/Lp) = 1 mA/𝑉 1 y VGS(th)(n) = - VGS(th)(p) =1 V. Halle IDN,
    IDP y V0 si: Vi = 0 V , Vi = 2,5 V ó Vi = -2,5 V Solución:
    a) Con Vi = 0 V 𝑉"# = 2.5𝑉y 𝑉$" = 0 𝑉
    • IDP = IDN =1,125 mA y VO = 0 V
    b) Con Vi = 2,5 V, VGS = 0 V en QP ∴ está en corte.
    En QN 𝑣"$ = 2,5𝑉 − (𝑉% ) y 𝑉% es negativo ∴ 𝑣"$ > 1𝑉.
    Es decir, QN está en zona de triodo.
    • IDN =0,244 mA y VO = -2,44 V
    c) Con Vi = -2,5 V, QN en corte y QP en zona de triodo:
    • IDP =0,244 mA y VO = 2,44 V
    Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
    Contenido
    1. Definición.
    2. Polarización por retroalimentación.
    3. Polarización por divisor de tensión.
    4. Ejercicios.
    5. Espejo de corriente.
    Espejo de corriente
    Ejercicio: Halle Rref para que IDQ2 ≈1mA, si VDD = 10V. Use VGS(th) y k igual a los valores
    que halló en el laboratorio para los transistores MOSFET con los que cuenta. Halle
    VGSQ1, VGSQ2 y el rango de valores de RL para los que la fuente de corriente funciona
    adecuadamente.
    VGSQ1 = VDSQ1 = VGSQ 2 ∴ I REF » I RL
    V -V
    DD GSQ1
    R =
    ref I
    REF
    VDD = I RL * RL + VDSQ 2
    VDS ³ VGSQ 2 - VGS (th )
    VDD - I RL * RL ³ VGSQ 2 - VGS (th )
    VDD + VGS (th ) - VGSQ 2
    RL £
    I RL
    Tomada de: Práctica de Laboratorio “El Transistor MOSFET: Amplificadores y fuentes de corriente”. Electrónica Analógica I. Universidad Nacional de Colombia – Sede Bogotá.
    Jhon Jairo Ramírez Echeverry
    [email protected]

    ¡Gracias por su atención


    y participación!
    Electrónica Analógica I.
    Grupo 03.
    Período 2021-3.

    También podría gustarte