CURVAS CARACTERÍSTICAS Fet

CURVAS CARACTERÍSTICAS
DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
1.- OBJETIVOS
 Evaluar la característica e transferencia, del transistor FET de canal N.

 Evaluar la característica de salida, del transitor FET de canal N.
 A partir de la definición del punto Q, determinar los componentes de polarización
del FET.
2.- FUNDAMENTO TEORICO:
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET)
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en

realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de

semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Características
 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Construcción
Tienen tres terminales, denominadas

puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT. El transistor
de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde
el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p.
Funcionamiento
1.- VGS = 0 y VDS variable
El canal n se comporta como una resistencia cuyo

valor depende del voltaje existente entre D y S.
Cuando VDS llega a ser lo suficientemente grande
la corriente iDS comienza a ser constante, VDS
puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el
que ocurre el rompimiento por avalancha), la
nomenclatura significa “voltaje de ruptura entre D
y S con VGS = 0”.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene

en corto las terminales de Gate y Source, mientras
varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
IDSS = Corriente entre D y S con VGS = 0.
VPO = Voltaje entre D y S a partir del cual

la corriente comienza a ser
constante. Aquí comienza la
región de saturación
BVDS0 = Voltaje de ruptura entre D y S con

VGS = 0.
Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica
I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno

tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal
en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en
el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo
también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de

aislamiento entre el canal y la puerta:
 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un
aislante (normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la
unión PN del JFET con una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control
de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-
fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son
los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1
a 200V.
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una
recuperación ultra rápida del transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,
usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para
detectar cadenas de ADN iguales
3.-MATERIALES:
 3 multimetros.
 1 protoboard.
 4 cables con terminales plug banana.
 1 resistencias de 10 Ω ½ W.
 2 transistores FET. 2N3819
 1 potenciometro de 5K Ω.
4.-PROCEDIMENTO EN EL LABORATORIO
4.1 preparado del circuito para la determinación de las curvas características del
transistor
Armado del circuito en el protoboard:
4.2 Toma de datos para la determinación experimental de la característica de

transferencia y de salida
Conectando al circuito armado 3 voltímetros de la siguiente manera:
Llenamos la tabla T1:
Tabla T1: corriente de drenaje, en miliamperios (id=VRD / RD), en función del voltaje
drenador surtidor VDS; con parámetro: VGS
VDS (V) Parametro

VGS = -0.4V VGS = -0.3V VGS = -0.2V VGS = -0,1V VGS = 0V
0 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA 0 µA
0,5 10 µA 210 µA 850 µA 1.86 mA 2.76 mA
1,0 20 µA 250 µA 940 µA 1,98 mA 3.05 mA
2,0 20 µA 290 µA 1.05 mA 2.10 mA 3.36 mA
4,0 30 µA 340 µA 1.1 mA 2.10 mA 3.96 mA
6,0 40 µA 420 µA 1.25 mA 2.53 mA 4.12 mA
4.3 toma de datos para la determinación experimental del voltaje de

estrangulamiento
Conectando al circuito armado 2 voltímetros y 1 amperímetro de la siguiente manera:
Llenamos la tabla T2:
VDS (V) VGS = Vp De donde Vp = -2.85
4 -2.85 V
10 -2.90V
5.-TRABAJO Y DESARROLLO POSTERIOR A LA ADQUISICIÓN DE DATOS
5.1 Grafica de la característica de transferencia
a) A partir de la tabla T1, graficar la corriente de drenador en función del voltaje

compuerta-surtidor. Considere el voltaje VDS como parámetro.
Grafi ca de id vs VGS
20
18
16
14
Vds = 6
id [mA]
12 Vds = 4
10 Vds = 2
8 Vds = 1
6 Vds = 0,5
Vds = 0
4
2
0
1 2 3 4 5
VGS [V]
b) Observe que las curvas tienden a sobreponerse, cuando el voltaje VDS tiende
a ser mayor. Considerando la curva correspondiente al mayor voltaje de VDS,
evalué el voltaje de estrangulamiento y la corriente de saturación cuando VGS
= 0V.
De la ecuación:
si id = 0 El voltaje de estrangulamiento es:
Vgs = Vp =0
si Vgs = 0 La corriente de drenaje en saturación es:
iD = IDSS = 0 µA
5.2 Grafica de características de salida
a) A partir de la tabla T1, grafica la corriente de drenaje en función del voltaje

drenador-surtidor con parámetro: “voltaje compuerta surtidos”.
Grafica de id vs VDS
4.5
4
3.5
3 Vgs = -0,4
2.5 Vgs = -0,3
id [mA]
Vgs = -0,2
2 Vgs = -0,1
1.5 Vgs = 0
1
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7
VDS [V]
b) Observe que las gráficas, e identifique la región óhmica y la de saturación.
Tres zonas de funcionamiento:
Condición ecuación
CORTE: VGSQ£ VGSoff ID = 0
ZONA OHMICA: VGSoff £ VGSQ £ 0 ID = VDSS / RDS
VDSQ£ VDSsat RDS = VDSS / IDSS
SATURACIÓN: VGSoff £ VGSQ £ 0 ID = K IDSS
VDSQ ³ VDSsat
VDSS à tensión para estrangular el canal: |VGSoff|
VDSsat à frontera entre zona óhmica y saturación (no constante)
Caso particular Vgs = Vp= 0 IDSS = 0 µA

2
V GSQ V GSQ
2
[
V DSsat= 1−
V GSoff
2
] |V GSoff |
[
K= 1−
V GSoff
2
]
0
[ ]
V DSsat= 1−
0
|0| K= 1−
0
[ ]
0
V DSsat=0 K=1
CORTE: ID = 0
ZONA OHMICA: ID = VDSS / RDS = 0/10=0
SATURACIÓN: ID = K IDSS =1*0 µA = 0 µA
5.3 Parámetros del modelo del transistor FET en CA para pequeña señal
a) Considere variaciones, indicadas en la tabla T1 y T2, alrededor del punto VGS

= -1,5V, VDS = 4V (y la corriente de drenador medida en estas condiciones),
para determinar los parámetros del modelo en Ca para pequeña señal.
I DSQ= 0.382
I DSS I DSS = I DSQ /0. 382 =340 uA/0.382= 890.05 uA
V GSQ= 0.382 V GSoff V GSoff = V GSQ /0 .382 =-0.3/0.382= -0.79
2I V
gm= DSS 1− GS
−V GSoff (
V GSoff )
2 ( 890 . 05uA ) −0 .3
gm =
−(−0. 79 )
1− (
−0 .79
=1. 39 mS)
5.4 Circuito de polarización
a) Para el punto de operación Q con VGS = -1,5V, VDS = 4V ( y la corriente de

drenador medida en estas condiciones), calcular las tres resistencias de
polarización mostradas en la figura 4, considere una fuente Vcc = 10 V. este
cicuito, debe ser armado y presentado en la siguiente
Practica de laboratorio.
RG = 1MΩ
VGS = - ID RS
RS = 882.4 Ω
VDS= VDD - IDS(RS+RD)

RD = (VDD-VDS / ID) – RS = 16.8 KΩ
b) Sobre la gráfica, de la característica de salida, graficar la línea de carga en

CD y al línea de carga en CA. Considerando que el drenador trabaja, con osin
capacitor a tierra. Asimismo considere una carga de 220K, conectada al
drenador mediante un capacitor en serie con la indicada carga; la reactancia
de este capacitor, considere Xc = 0.
Grafica de id vs VDS
4.5
4
3.5 Vgs = -0,4
3 Vgs = -0,3
Vgs = -0,2
2.5
id [mA]
Vgs = -0,1
2 Vgs = 0
1.5 linea de carga en cd
1 lina de carga en ca
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7
VDS [V]

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 Evaluar la característica e transferencia, del transistor FET de canal N.

2.- FUNDAMENTO TEORICO:

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El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en

La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de

 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

Tienen tres terminales, denominadas

1.- VGS = 0 y VDS variable

El canal n se comporta como una resistencia cuyo

La curva que se obtiene para cuando se mantiene

IDSS = Corriente entre D y S con VGS = 0.

VPO = Voltaje entre D y S a partir del cual

BVDS0 = Voltaje de ruptura entre D y S con

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de

Armado del circuito en el protoboard:

4.2 Toma de datos para la determinación experimental de la característica de

Llenamos la tabla T1:

VDS (V) Parametro

4.3 toma de datos para la determinación experimental del voltaje de

Conectando al circuito armado 2 voltímetros y 1 amperímetro de la siguiente manera:

Llenamos la tabla T2:

VDS (V) VGS = Vp De donde Vp = -2.85

5.1 Grafica de la característica de transferencia

a) A partir de la tabla T1, graficar la corriente de drenador en función del voltaje

si id = 0 El voltaje de estrangulamiento es:

si Vgs = 0 La corriente de drenaje en saturación es:

a) A partir de la tabla T1, grafica la corriente de drenaje en función del voltaje

b) Observe que las gráficas, e identifique la región óhmica y la de saturación.

Tres zonas de funcionamiento:

CORTE: VGSQ£ VGSoff ID = 0

ZONA OHMICA: VGSoff £ VGSQ £ 0 ID = VDSS / RDS

VDSQ£ VDSsat RDS = VDSS / IDSS

SATURACIÓN: VGSoff £ VGSQ £ 0 ID = K IDSS

VDSS à tensión para estrangular el canal: |VGSoff|

VDSsat à frontera entre zona óhmica y saturación (no constante)

Caso particular Vgs = Vp= 0 IDSS = 0 µA

ZONA OHMICA: ID = VDSS / RDS = 0/10=0

SATURACIÓN: ID = K IDSS =1*0 µA = 0 µA

a) Considere variaciones, indicadas en la tabla T1 y T2, alrededor del punto VGS

a) Para el punto de operación Q con VGS = -1,5V, VDS = 4V ( y la corriente de

VDS= VDD - IDS(RS+RD)

b) Sobre la gráfica, de la característica de salida, graficar la línea de carga en

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