Resumen—Este documento presenta la práctica 9 del labora- Realizar la simulación.
torio de electrónica aplicada en donde se estará analizando la Explicación del contenido del reporte. amplificación con un JFET, muy parecido a un BJT pero ahora funciona con voltaje en vez de corriente. Palabras clave—Polarización por divisor de voltaje III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA Se pide realizar un circuito mostrado en la siguiente figura, I. I NTRODUCCI ÓN contiene las instrucciones para calcular cada una de sus partes, lo cual se mostrará en el reporte. P ARA esta práctica se estará utilizando al JFET como un amplificador, a diferencia de la práctica anterior que se uso como un interruptor, como ya sabemos los transistores tie- III-A. Polarización por divisor de voltaje CD nen estas funciones, la diferencia es que está vez utilizaremos voltaje para que funcione. I-A. Marco teórico Se tendrán en cuenta los siguientes conceptos. I-A1. Transistor de efecto de campo (FET): El JFET actua como un dispositivo controlado por tensión, ya que una tension de entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tension compuerta-fuente VGS determina cuanta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando VGS es cero, la corriente maxima de drenador circula a través del JFET. Por otra parte, si VGS es suficientemente negativa, las capas de agotamiento entran en contacto y la corriente se corta. Este voltaje se le conoce como VGS(apag), en las hojas tecnicas lo nombran como voltaje de estrangulamiento (pinch- ´ off), por lo tanto, el FET puede ser utilizado como interruptor o amplificador. I-A2. Corte: Cuando la tensión de GATE es lo suficiente- mente alta como para cerrar completamente el canal, no circula corriente entre Drenador y fuente lo que hace que el JFET sea equivale a un interruptor abierto. I-A3. Saturación: Si la tensión en la GATE es 0, no se afecta al ancho del canal que se comporta como un buen conductor, permitiendo la circulación de corriente máxima y comportándose como un interruptor cerrado. I-A4. Polarización de la zona ohmnica: Cuando la tensión de GATE está entre los valores extremos anteriores, el JFET se comporta como una resistencia controlada por la tensión.
Figura 1. Figura 8.1
II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES Las actividades a realizar en la práctica se listan a conti- Se procede a hacer la implementacion del circuito de nuación: polarización por divisor de voltaje de la figura 8.1 para esto Análisis matemático del circuito. siga el siguiente procedimiento: 1. Elija un transistor JFET, canal N, comercial y descargue su El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ hoja de datos. durante el periodo 2021-2022I. Se eligió el 2N5458 REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2021-2022I
2. Mediante la hoja de datos determine los valores de voltaje correspondan con los valores calculados. Realice una tabla con pich-off (Vp), corriente de saturación (Idss) y cálcule la beta los valores calculados y los obtenidos por la simulación. de acuerdo a la ecuación (8.1). No creo que haga falta hacer la tabla, los valores varı́an por Vp = 7v, Idss = 9mA muy poquito y se pueden observar en la siguiete imagen del 2 ∗ IDSS 2(9mA) circuito simulado: β= = = 367,34uA (1) Vp2 72 3. Utilizando el mismo procedimineto de la práctica 7, dibuje la curva caracterı́stica del transistor de transferencia seleccio- nado:
Figura 2. Curva caracterı́stica
4. A partir de la curva caracterı́stica de transferencia selec-
cione un punto de operación. Indique los valores de Id y Vgs Se escogió Vgs = -0.5V y Id = 7.75mA 5. Utilizando el divisor de voltaje dado por la ecuación (8.2) determine las resistencias R1 y R2. Nota: Proponga primero los voltajes VDD y VG Se propone VDD = 16v y VG = 1V R2= 100K. R2[V DD − V G] 100k[16 − 1] R1 = = = 1,5M Ohms VG 1 (2) 6.Suponga que se desea tener una ganancia de corriente alterna, calcule el valor de Rd a partir de (8.3) para obtener dicha ganancia. Usamos la corriente de saturación de 9mA. Usamos AV = 2.2. IDDS 2(9mA gm0 = −2 = = 2,5714 × 10−3 (3) VP −7
−0,5 gm = 2,5714 × 10−3 [1 − ] = 2,3877 × 10−3 (4) −7 Figura 3. Simulación del circuito 8.1 AV −2,2 RD = = = 921,36 (5) −gm −2,3877 × 10−3 7. Mediante el análisis de la malla que se forma por los elementos VDD, RD, JFET y RS determine el valor RS. V DD − RD(ID) − V DS RS = (6) III-B. Circuito amplificador ID 16 − (921,36)(7,75mA) − 7 RS = = 240 (7) 7,75mA A partir del circuito anterior se realiza la implementación 8. Una vez calculados todos los elementos arme el circuito de del circuito amplificador de la figura 8.2 la figura 8.1 y verifique que los valores VG, VGS, ID Y IDS, REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2021-2022I
III-C. Preguntas Preguntas de comprensión: 1 Defina trasconductancia es la caracterı́stica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recı́proco de la resistencia. 2 Mencione las caracterı́sticas y dibuje los circuitos de las otras configuraciones de amplificación de los JFETs
3 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de un amplificador
fuente común en comparación de emisor común? Creo que afectan a la amplificación y al desfase de onda 4 ¿Qué otras aplicaciones tienen los FETs? Es un Aislador, amplificador RF, Mezclador, amplificador con CAG y troceador. 5 ¿Qué otro tipo de transstores de efecto de campo existen? Figura 4. Figura 8.2 Existen los MOSFET, IGBT, MESFET, MODFET, FREDFET y DNAFET 1.A partir de las ecuaciones (8.6),(8.7) y (8.8) calcule los 7 ¿Qué diferencias existen entre un circuito amplificador con capacitores de acoplamiento para una frecuencia minima de transistor bipolar y uno conformado por transistor de efecto operación de 20Hz. de campo? 100k ∗ 1,5M Tiene varias diferencias, el tamaño es una de ellas, consumen R1 ∥ R2 = = 93750 (8) menos energı́a, la impedancia de entrada es muy alta y que se 100k + 1,5M pueden controlar con voltaje. 1 1 C1 = = = 848nF IV. C ONCLUSIONES 2πf (0,1)R1 ∥ R2 2π(20)(0,1)(93750) (9) La práctica me quedó algo cucha pero es debido a que este laboratorio ha sido un clavo en el ataud de mis ojos, 1 1 realmente me costaba hacer las prácticas con este programa C2 = = = 330mF (10) y con un problema que tengo en los ojos pero bueno ya va 2πf (0,1)RS 2π(20)(0,1)(241) a terminar. Utilizamos un transistor para amplificar, eso no 1 1 es una sorpresa pero a diferencia del transistor BJT antes C3 = = = 7,28uF visto en esta ocación trabajamos con voltajes ya que este 2πf (0,1)(RD + RL) 2π(20)(0,1)(921 + 10k) (11) transistor responde a voltaje, es realmente más util que el otro ya que las fuentes de corriente no son muy comunes ası́ que para hacer funcionar el otro se tiene que complicar bastante a comparación de este, a demás que este se suele usar en circuitos integrados ya que su tamaño es más pequeño. Realmente entendı́ más este que el BJT, el mundo de los FET llegó para ayudar bastante. R EFERENCIAS [1] Tables generator. https://tablesgenerator.com/. Recuperado el 4 de octubre de 2021. [2] Falstad. https://www.falstad.com/circuit/. Recuperado el 4 de octubre de 2021. [3] Hostmath. https://hostmath.com/. Recuperado el 4 de octubre de 2021. [4] Overleaf. https://www.overleaf.com/. Recuperado el 4 de octubre de 2021. [5] ConceptoDefinición https://www.conceptodefinicion.de. Eecuperado el 19 de Octubre de 2021
