Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial en Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo

FECHA: Septiembre 2014

AGRADECIMIENTOS -II-

 A Roberto Giral y Javier Calvente como

directores del proyecto.

 A todos los compañeros del laboratorio

GAEI que me prestaron su ayuda y consejos,
en especial a los estudiantes Harrynson
Ramírez, Albert Teixidó, y Antonio
Martínez.

 A todos los compañeros de la universidad

con los que he compartido horas y horas de
docencia durante todos estos años.

 Y siendo tópico y no menos cierto, al

imprescindible apoyo, comprensión y
paciencia de mi novia junto con mi familia
que en los momentos más adversos han
estado apoyándome en todo momento.
 LISTADO DE ABREVIATURAS -III-

Abreviatura Especie

MOSFET Transistor de efecto campo metal oxido-semiconductor.

DIP Dual in-line package.
SMT Surface-mount technology.
SMD Surface-mount device.
DC Direct current.
VDC Direct current voltage.
IEEE Institute of electrical and electronics engineers.
PWM Pulse width modulation.
FPWM Pulse width modulation operation frequency.
V Voltio.
A Amperio.
Ω Ohmio.
W Vatio.
F Frecuencia.
H Henrios.
Pin Potencia de entrada.
Pout Potencia de salida.
U/v Under-voltage.
Cbs Condensador de bootstrap.
Dbs Diodo de bootstrap.
Ig Intensidad de entrada.
Io Intensidad de salida.
Vg Tensión de entrada.
Vo Tensión de salida.
Vc Tensión intermedia.
Q Interruptor/transistor.
D Duty cicle.
M Permeabilidad.
L Inductancia.
Ls Inductancia de salida.
Lm Inductancia magnetizante.
Qrr Bootstrap diode reverse recovered charge.
Qg Turn on gate charge transferred.
Vbs Bootstrap capacitor voltage ust after refresh.
Idr Bootstrap diode reverse leakage current.
Iqbs Upper supply quiescent current.
Fig Figura.
Ton Tiempo encendido.
Toff Tiempo apagado.
RHP Right half plane.
LHP Left half plane.
CI Condiciones inciales.
SOIC Small outline integrated circuit.
SPD Semi-Plano Derecho
 LISTADO DE FIGURAS -IV-
Figura 1. Esquema de los diversos convertidores que existen en función del tipo de corriente implementada ............ 13
Figura 2. Esquema de un convertidor Buck ................................................................................................................. 15
Figura 3. Configuraciones de trabajo del convertidor Buck. ........................................................................................ 16
Figura 4. Formas de onda característica de un convertidor Buck, para un ciclo de trabajo (D) = 83,3 %. ................. 17
Figura 5. Diagrama esquemático de un convertidor Boost. .......................................................................................... 18
Figura 6. Configuraciones de trabajo convertidor Boost. ............................................................................................. 19
Figura 7. Formas de onda característica de un convertidor Boost para un ciclo de trabajo (D) = 25 % ...................... 19
Figura 8. Transistores de Potencia. Ref. [13] ............................................................................................................... 21
Figura 9. Transistor MOSFET de canal N.................................................................................................................... 22
Figura 10. Zonas de trabajo MOSFET de canal N ....................................................................................................... 22
Figura 11. Esquema de circuito Buck-Boost con acoplamiento magnético entre inductores ....................................... 27
Figura 12a. Esquema del circuito en modo Boost, Q1 en Toff..................................................................................... 27
Figura 12b. Esquema del circuito en modo Boost, Q1 en Ton. .................................................................................... 28
Figura 12c. Formas de onda del circuito en modo Boost ............................................................................................. 29
Figura 13a. Esquema de circuito en modo Buck, Q2 en Toff...................................................................................... 30
Figura 13b. Esquema de circuito en modo Buck., Q2 en Ton. ..................................................................................... 30
Figura 13c. Formas de onda del circuito en modo Buck. ............................................................................................. 31
Figura 14. Circuito bidireccional ................................................................................................................................. 32
Figura 15. Corrientes modo Boost sentido normal ....................................................................................................... 33
Figura 16. Corrientes modo Buck sentido normal ........................................................................................................ 33
Figura 17. Corrientes modo Boost sentido inverso. ..................................................................................................... 34
Figura 18. Corrientes modo Buck sentido inverso ....................................................................................................... 34
Figura 19. Pantalla de programa para el cálculo de núcleos del fabricante Magnetics ................................................. 36
Figura 20. Elementos magnéticos del convertidor bidireccional, a la izquierda vemos el Transformador 1:1 y la
derecha el inductor L.................................................................................................................................................... 36
Figura 21. Comparación inductancia real vs teórica de L. ........................................................................................... 37
Figura 22. Comparación inductancias reales vs teórica de Lm .................................................................................... 37
Figura 23. Condensador MKT de 22 µF, a efectos ilustrativos. Ref. [14] .................................................................... 38
Figura 24. Condensador SMD de 4,7 µF, a efectos ilustrativos. Ref. [15] ................................................................... 38
Figura 25. Señal sin filtrar. ........................................................................................................................................... 39
Figura 26. Filtro pasivo LC de segundo orden. ............................................................................................................ 39
Figura 27. Forma de onda del filtro LC........................................................................................................................ 40
Figura 28. Driver Hip4081A ........................................................................................................................................ 41
Figura 29. Patillaje del driver. ...................................................................................................................................... 42
Figura 30. Esquema de funcionamiento medio puente. ................................................................................................ 43
Figura 31. DEAD-TIME (ns) VS HDEL/LDEL RESISTANCE (kΩ) ......................................................................... 43
Figura 32. Conexionado condensador de Bootstrap .................................................................................................... 44
Figura 33. Transistor MOSFET de canal N, IRFB4110Pbf ......................................................................................... 45
Figura 34. Características dinámicas del IRFB4110PbF .............................................................................................. 46
Figura 35. Tabla de características DEAD TIME vs HDEL/LDEL resistance ............................................................. 46
Figura 36. Esquemático circuito protección intermedia ............................................................................................... 47
Figura 37. Diagrama de funcionamiento ...................................................................................................................... 48
Figura 38. PCB de protección y control. ...................................................................................................................... 49
Figura 39. Sensor de corriente AD8210. ...................................................................................................................... 50
Figura 40. Esquema simplificado. ................................................................................................................................ 50
Figura 41. Esquema bidireccional ................................................................................................................................ 50
Figura 42. Regulador de línea LM317 ........................................................................................................................ 51
Figura 43. Esquemático de conexionado del LM317 ................................................................................................... 51
Figura 44. Regulador de línea LM7805 ....................................................................................................................... 52
Figura 45. Esquemático de conexionado del LM317 ................................................................................................... 52
Figura 47. Curvas Rds vs Tj ......................................................................................................................................... 53
Figura 46. Curvas ID vs Vds ........................................................................................................................................ 53
Figura 48. Characteristics Rise time mosfet IRF4110PBf. ........................................................................................... 54
Figura 49. Características térmicas mosfet IRF4110PBf.............................................................................................. 55
Figura 50 .Disipador de temperatura 350AB. Ref. [16] ............................................................................................... 55
Figura 51. Disipador de temperatura TO-220. Ref. [17] .............................................................................................. 55
Figura 52. Esquema del control de tensión .................................................................................................................. 56
Figura 52. Esquema sentido normal de la corriente para modelo promediado de gran señal. ...................................... 60
Figura 53. Esquema sentido inverso de la corriente de modelo promediado de gran seña, se ha considerado Ci = Co.
..................................................................................................................................................................................... 61
Figuras 54. Diagramas de polos y ceros para las funciones de transferencia Gvod1(s) y Gvod3(s) para el sentido
normal de la corriente. ................................................................................................................................................. 78
Figuras 55. Diagramas de polos y ceros para las funciones de transferencia Gvod3(s) y Gvod1(s) para el sentido
opuesto de la corriente. ................................................................................................................................................ 79
Figura 56. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod1(s) sentido normal de la corriente....................... 80
Figura 57. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod4(s) sentido normal de la corriente....................... 80
Figura 58. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod1(s) sentido opuesto de la corriente. .................... 82
Figura 59. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod4(s) sentido opuesto de la corriente. .................... 82
Figura 60. Forma de onda de las oscilaciones parásitas ............................................................................................... 84
Figura 61. Características de las capacidades internas del transistor IRFB4110Pbf..................................................... 84
Figura 62. Mejora de señal tras colocar snubber RC. ................................................................................................... 85
Figura 63. Capa externa placa de circuito impreso ...................................................................................................... 86
Figura 64. Visualización señales en lazo abierto modo Buck Vg=48, Dc=0,5 en sentido normal .............................. 90
Figura 65. Visualización señales en lazo abierto modo Buck Vg=48, Dc=0,5 en sentido opuesto ............................. 90
Figura 66. Visualización señales en lazo abierto modo Boost Vg=24, Dc=0,5 en sentido normal.............................. 91
Figura 67. Visualización señales en lazo abierto modo Boost Vg=24, Dc=0,5 en sentido opuesto ............................ 91
Figura 68. Transitorio de arranque sentido normal modo Buck ................................................................................... 92
Figura 69. Transitorio de arranque sentido opuesto modo Buck .................................................................................. 92
Figura 70. Transitorio de arranque sentido normal modo Boost .................................................................................. 93
Figura 71. Transitorio de arranque sentido opuesto modo Boost. ................................................................................ 93
Figura 72. Formas de ondas típicas para salida Vo=48 V: (a) y (b) corrientes y voltajes para modo boost sentido
normal con Vg=39 V; (c) y (d) corrientes y voltajes en modo buck sentido normal con Vg=55 V. ............................ 94
Figura 73. Formas de ondas típicas para salida Vo=48 V: (a) y (b) corrientes y voltajes para modo boost sentido
opuesto con Vg=39 V; (c) y (d) corrientes y voltajes en modo buck sentido opuesto con Vg=55 V. .......................... 95
Figuras 74. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor
en modo Buck lazo abierto en sentido normal . ........................................................................................................... 98
Figuras 75. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor
en modo Buck lazo abierto sentido opuesto. ................................................................................................................ 99
Figuras 76.. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor
en modo Boost lazo abierto en sentido normal .......................................................................................................... 101
Figuras 77. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor
en modo Boost lazo abierto en sentido opuesto . ....................................................................................................... 103
Figuras 78. Formas de ondas de las tension del pulso de gate y las corrientes de entrada y salida en modo Buck_Boost
en sentido normal. ...................................................................................................................................................... 104
Figuras 79. Formas de ondas de la tensión de pulso de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en
modo Buck_Boost lazo abierto en sentido opuesto.. .................................................................................................. 105
Figura 80, configuración experimental de los dispositivos utilizados para el ensayo bidireccional. .......................... 106
Figura 81. (a) Modo Boost Vg= 39 V, (b) modo Buck-Boost Vg≈ 47 V y (c) modo Buck Vg= 55 V, la salida Vo=48
V sentido normal de la corriente. ............................................................................................................................... 107
Figura 82. (a) modo Boost Vg= 39 V, (b) modo Buck-Boost Vg≈ 47 V y (c) modo Boost Vg= 55 V, la salida Vo=48
V sentido inverso de la corriente. ............................................................................................................................... 108
Figura 83. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una intensidad de salida constante. .......................... 109
Figura 84. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una tensión de entrada Vg constante. ....................... 111
Figura 85. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una intensidad de salida constante. .......................... 112
Figura 86. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una tensión de entrada Vg constante. ....................... 114
Figura 87. Canales 2 y 4 formas de señal del sensado, canal 1 y 3 corrientes de entrada y salida de los inductores. . 115
 LISTADO DE TABLAS -VI-

Tabla 1. Requisitos del convertidor bidireccional. ....................................................................................................... 35

Tabla 2. Rizado pico a pico de las variables Il, Ig y Vc. ............................................................................................. 35
Tabla 3. Funcionamiento lógico de activación del HIP4081A. .................................................................................... 42
Tabla 4. Factores del estandar IPC-2221A ................................................................................................................... 86
Tabla 5. Eficiencia respecto la intensidad IRo para el sentido normal de la corriente. .............................................. 110
Tabla 7. Eficiencia respecto la tensión de entrada Vg para el sentido normal de la corriente. ................................... 111
Tabla 8. Eficiencia respecto la intensidad IRo para el sentido opuesto de la corriente. ............................................. 113
Tabla 9. Eficiencia respecto la tensión de entrada Vg para el sentido opuesto de la corriente. .................................. 114
Índice general

Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

0.-INDICE GENERAL

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo

7
Índice general

ÍNDICE GENERAL
0.-INDICE GENERAL..................................................................................................... 7
1.-MEMORIA DESCRIPTIVA ..................................................................................... 11
INDICE MEMORIA................................................................................................... 12
1.1.- Introducción ........................................................................................................ 13
1.2.- Objetivos del proyecto ........................................................................................ 14
1.3.- Fundamentos teóricos. ........................................................................................ 15
1.3.1.-El convertidor Buck ...................................................................................... 15
1.3.2.-El convertidor Boost ..................................................................................... 18
1.3.3.-Características generales de los convertidores conmutados DC-DC. ........... 21
1.3.4.-Metodología de análisis implementada. ........................................................ 24
1.4.- Antecedente del proyecto. .................................................................................. 27
1.5.- Funcionamiento bidireccional, ventajas y aplicaciones. .................................... 32
1.6.- Diseño y construcción de los PCBs. ................................................................... 35
1.6.1.-Diseño y construcción de los inductores....................................................... 36
1.6.2.-Condensadores intermedios C y filtros Co y Ci. .......................................... 38
1.6.3.-Necesidad de filtro LC. ................................................................................. 39
1.6.4.-Funcionamiento del driver de control HIP4081A......................................... 41
1.6.5.-Transistor MOSFET. .................................................................................... 45
1.6.6.-Regulación empírica de las resistencias de puerta (gate).............................. 45
1.6.7.-Regulación empírica de las resistencias de tiempo muerto. ......................... 46
1.6.8.-Protegiendo al driver de los picos de la tensión intermedia.......................... 47
1.6.9.-Funcionamiento bidireccional del sensor de corriente AD8210 ................... 50
1.6.10.-Funcionamiento de los reguladores de tensión. .......................................... 51
1.6.11.-Disipador de temperatura. ........................................................................... 53
1.6.12.-Control de tensión. ...................................................................................... 56
2.-MEMORIA DE CÁLCULO ...................................................................................... 58
INDICE MEMORIA DE CÁLCULO ........................................................................ 59
2.1.-Cálculo de las ecuaciones diferenciales promediadas de las variables de estado.60
2.2.-Ecuaciones en equilibrio de las variables de estado. ........................................... 62
2.3.-Cálculo de matrices. ............................................................................................ 66
2.4.-Funciones de transferencia. ................................................................................. 69
2.5.-Diagrama de polos y ceros................................................................................... 77
2.6.-Diagramas de Bodes. ........................................................................................... 80
2.7.-Cálculo de condensador de Bootstrap y elección del condensador. .................... 83
2.8.-Cálculo y necesidad de circuitos de red snubber RC........................................... 84

8
Índice general

2.9.-Cálculo del ancho de pista de la PCB. ................................................................. 86

3.-SIMULACIONES PSIM ............................................................................................ 88
INDICE SIMULACIONES PSIM .............................................................................. 89
3.1.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo abierto .............................. 90
3.2.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo abierto ............................. 91
3.3.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo cerrado ............................. 92
3.4.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo cerrado. ........................... 93
4.-PRUEBAS EXPERIMENTALES ............................................................................. 96
INDICE PRUEBAS EXPERIMENTALES ................................................................ 97
4.1.-Modelos de ensayo en lazo abierto ...................................................................... 98
4.1.1.-Ensayo modo Buck. ...................................................................................... 98
4.1.4.-Ensayo modo Buck sentido inverso. ............................................................. 99
4.1.2.-Ensayo modo Boost. ................................................................................... 101
4.1.5.-Ensayo modo Boost sentido inverso. .......................................................... 103
4.1.3.-Ensayo modo Buck-Boost. ......................................................................... 104
4.1.6.-Ensayo modo Buck-Boost sentido inverso. ................................................ 105
4.2.-Pruebas en lazo cerrado. .................................................................................... 106
4.2.1.-Ensayo Bidireccional. ................................................................................. 107
4.2.2.-Eficiencias. .................................................................................................. 109
4.3.-Pruebas de sensado. ........................................................................................... 115
5.-PLANOS .................................................................................................................. 116
INDICE PLANOS .................................................................................................... 117
5.1.-Plano de potencia ............................................................................................... 118
5.2.-Plano de protección y control. ........................................................................... 118
5.3.-Layouts de potencia ........................................................................................... 120
5.4.-Layout de protección y control .......................................................................... 121
6.-PRESUPUESTO ...................................................................................................... 122
INDICE PRESUPUESTO ........................................................................................ 123
6.1.-Amidamientos.................................................................................................... 124
6.1.1.-Cápitulo 1: Placa de potencia...................................................................... 124
6.1.2.-Cápitulo 2: Placa de control y protección ................................................... 127
6.1.3.-Cápitulo 3: Otros componentes................................................................... 130
6.2.-Precios unitarios ................................................................................................ 132
6.2.1.-Capitulo 1: Placa de potencia...................................................................... 132
6.2.2.-Capitulo 2: Placa de control y protección ................................................... 135
6.2.3.-Capitulo 3: Otros componentes................................................................... 137
6.3.-Aplicación de precios ........................................................................................ 139

9
Índice general

6.3.1.-Capítulo 1: Placa de potencia...................................................................... 139

6.3.2.-Capítulo 2: Placa de control y protección ................................................... 142
6.3.3.-Capítulo 3: Otros componentes................................................................... 145
6.4.-Resumen del presupuesto. ................................................................................. 147
7.-ANEXO .................................................................................................................... 148
REFERENCIAS ........................................................................................................... 150

10
Memoria descriptiva______________________________________________________

Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-DC

Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

1.-MEMORIA DESCRIPTIVA

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo

11
Memoria descriptiva______________________________________________________

INDICE MEMORIA
1.1.- Introducción .......................................................................................................... 13
1.2.-Objetivos del proyecto ........................................................................................... 14
1.3.-Fundamentos teóricos ............................................................................................ 15
1.3.1.-El convertidor Buck ........................................................................................ 15
1.3.2.-El convertidor Boost........................................................................................ 18
1.3.3.-Características generales de los convertidores conmutados DC-DC .............. 21
1.3.4.-Metodología de análisis implementada ........................................................... 24
1.4.-Antecedente del proyecto ....................................................................................... 27
1.5.-Funcionamiento bidireccional, ventajas y aplicaciones ......................................... 32
1.6.-Diseño y construcción de los PCBs ....................................................................... 35
1.6.1.-Diseño y construcción de los inductores ......................................................... 36
1.6.2.-Condensadores intermedios C y filtros Co y Ci .............................................. 38
1.6.3.-Necesidad de filtro LC .................................................................................... 39
1.6.4.-Funcionamiento del driver de control HIP4081A ........................................... 41
1.6.5.-Transistor MOSFET ........................................................................................ 45
1.6.6.-Regulación empírica de las resistencias de puerta (gate) ................................ 45
1.6.7.-Regulación empírica de las resistencias de tiempo muerto ............................. 46
1.6.8.-Protegiendo al driver de la tensión intermedia ................................................ 47
1.6.9.-Funcionamiento bidireccional del sensor de corriente AD ............................. 50
1.6.10.-Funcionamiento de los reguladores de tensión ............................................. 51
1.6.11.-Disipador de temperatura .............................................................................. 53
1.6.12.-Control de tensión ......................................................................................... 56

12
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.1.- Introducción.

Los convertidores son dispositivos eléctricos, capaces de hacer variar y/o transformar
una corriente o tensión eléctrica de entrada en otra de características diferentes a su salida;
generalmente poseen una fuente de tensión en su entrada, su salida puede ser controlable o
no. Su potencia de entrada ha de ser equivalente a la suma de todas de sus pérdidas internas
(eléctricas, caloríficas y magnéticas) en conjunción a su potencia de salida.
Dependiendo del tipo de corriente empleada entre su entrada y su salida tenemos:

•Rectificadores
AC-DC
•Fuentes de alimentación conmutada

•Transformadores
AC-AC
•Autotransformadores
CONVERTIDORES
DC-AC •Inversores
•Elevadores (Boost)
DC-DC •Reductores (Buck)
•Elevadores-Reductores (Buck-Boost, Cuk, Flyaback...etc.)

Figura 1. Esquema de los diversos convertidores que existen en función del tipo de corriente implementada

La variación y/o transformación de la energía de entrada, ha de ser lo más eficiente que

pueda ser, en el caso de los conversores DC-DC es muy importante un buen diseño del
circuito, evitando pérdidas por efecto Joule, por otro lado los componentes eléctricos
comúnmente utilizados y necesarios son los inductores y los condensadores; como
consecuencia de ello es inevitable añadir capacidades parásitas que pueden perturbar el
comportamiento del circuito, ya sea por contacto eléctrico o mediante inducción por campo
magnético, a esto hay que añadir las fuentes EMIs que pueden causar otros dispositivos
adyacentes; por ello se requieren diversos sistemas de protección y aislamiento. Los
convertidores DC-DC también utilizan semiconductores así como diodos y transistores,
existiendo una gran variedad en el mercado. Los convertidores DC-DC empezaron a
construirse en los años 60, cuando aparecieron los primeros componentes semiconductores,
desde entonces hasta hoy día, se emplean en muchos campos, desde la industria
aeroespacial, desarrollo del coche eléctrico, las energías renovables, pasando por todo tipo
de dispositivos electrónicos en nuestro propio hogar, etc. y cada vez se pueden encontrar
más aplicaciones.

13
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.2.- Objetivos del proyecto.

El objeto de éste proyecto es modificar el diseño de un convertidor conmutado continua-

continua unidireccional de tipo elevador-reductor, que ha sido estudiado con anterioridad
en el artículo [1], implementándolo de forma bidireccional en corriente. Para permitir la
comparación con los resultados publicados, las características eléctricas del convertidor
bidireccional serán las mismas que las del unidireccional: tensiones de entrada y salida
entre 36 V y 55 V y corrientes de entrada y salida entre 0 A y 16 A, lo que significa que el
convertidor puede procesar una potencia máxima de 880 W. Está previsto que el
convertidor desarrollado en el presente proyecto pueda ser utilizado en trabajos posteriores.
Es por ello que se pretende comprobar el funcionamiento del convertidor operando tanto
en modo elevador como reductor de tensión. La determinación de su eficiencia en distintos
puntos de trabajo y la comparación con los resultados del convertidor previo deben ayudar
a decidir cuándo utilizar uno u otro. Si bien para caracterizar el convertidor se realizarán
pruebas en lazo abierto y en lazo cerrado con un control de tensión similar al utilizado en
[1]. Se dejará preparado el convertidor para que pueda ser controlado en modo de corriente.
Es por ello que se implementarán y comprobarán sensores de corriente de las corrientes de
los dos inductores del convertidor.

Para poder realizar el presente proyecto se ha tenido en cuenta los siguientes aspectos:

El trabajo ya realizado en anteriores investigaciones.

a) Recopilación y estudio de la información.

b) Simulaciones del circuito mediante el programa Psim.

Las tareas concretas a realizar en el presente proyecto son:

a) Adquisición de los conceptos y estudios del anterior proyecto.

b) Realización de nuevos cálculos.
c) Comprobación de las modificaciones mediante simulaciones Psim.
d) Montaje de planta en el laboratorio.
e) Comprobación y funcionamiento en el laboratorio.
f) Obtención de eficiencias del convertidor en el laboratorio.
g) Comprobación y funcionamiento experimental del sensado de corriente.
h) Redacción del proyecto.

14
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.3.- Fundamentos teóricos.

Para entender el mecanismo de funcionamiento de la planta de potencia de tipo

elevador-reductor o “Buck-Boost" es fundamental saber las características más generales
tanto del convertidor elevador “Boost” como del convertidor reductor “Buck” en cuya
conexión en cascada se basa.

1.3.1.-El convertidor Buck

El convertidor unidireccional Buck (o reductor) figura (2) es un convertidor de

potencia, DC/DC, que obtiene a su salida un voltaje continuo menor que a su entrada. La
acumulación y cesión de energía en el inductor son controlados por dos dispositivos
semiconductores (transistor y diodo) que conmutan de forma complementaria de forma que
el inductor quede conectado entre fuente de alimentación y la carga o tan solo en paralelo
con la carga. En los convertidores las ecuaciones (1) y (2) caracterizan el comportamiento
del condensador y del inductor.

𝑑𝐼𝐿(𝑡)
𝑉𝐿(𝑡) = 𝐿 ·
𝑑𝑡
(1)
𝑑𝑉𝑐(𝑡)
𝐼𝑐(𝑡) = 𝐶 ·
𝑑𝑡
(2)

Sw

+
Vg Ds Vc

Figura 2. Esquema de un convertidor Buck

Donde:

 Vg = Tensión de entrada.
 Vo = Tensión de salida.
 Vc = Tensión del condensador.
 VL = Tensión del inductor
 IL = Corriente del inductor.
 Io = Corriente de salida.
 Sw = Interruptor.
 Ds = Diodo.

15
 Memoria descriptiva______________________________________________________

Si se analiza el convertidor en MCC (modo de conducción continua) en régimen

permanente, es decir cuando el inductor nunca llega a estar descargado totalmente durante
el ciclo de conmutación, se describen 2 etapas de funcionamiento:
1. Cuando el interruptor (suele ser un MOSFET de canal N) se encuentra cerrado, el
inductor y el condensador van acumulando energía y al mismo tiempo ésta se
entrega a la carga, figura (3a). La energía acumulada en el inductor y la tensión en
el condensador son:

E = 1⁄2 · L · (IL)2
(3)

Vc = Vo = Vg − VL
(4)

2. Cuando el interruptor se encuentra abierto, el inductor fuerza la conducción del

diodo (suele ser un diodo Schottky en la implementación unidireccional). El
inductor y el condensador siguen alimentando la carga cediéndole parte de la
energía almacenada anteriormente sin llegar a descargarse totalmente, como se
muestra en la figura (3b).

VL = −Vo
(5)

Sw Sw
w w

Vg Ds Vg Ds

(a) (b)
Figura 3. Configuraciones de trabajo del convertidor Buck.

16
Memoria descriptiva______________________________________________________

Figura 4. Formas de onda característica de un convertidor Buck, para un ciclo de trabajo (D) = 83,3 %.

Donde:

 Vg = Tensión de la fuente.
 Vo = Tensión de salida de la carga.
 VL = Tensión del inductor.
 IL = Corriente del inductor.
 Sw = Pulsos del interruptor.

La relación entrada/salida con el Duty cicle (D) es:

𝑉𝑜 𝑡𝑜𝑛
= =𝐷
𝑉𝑔 𝑇
(6)

Normalmente se diseñan los parámetros del convertidor de tal manera que la corriente
del inductor tenga un rizado con forma aproximadamente triangular superpuesto a un nivel
de continua. Por otra parte, la tensión del condensador cuyo valor DC muy frecuentemente
se desea regular a un valor constante, tiene un rizado superpuesto de forma algo más
compleja, con tramos que en primera aproximación corresponden a parábolas (el rizado de
la tensión en el condensador resulta fundamentalmente de integrar los tramos rectilíneos
de la corriente).

17
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.3.2.-El convertidor Boost

El convertidor unidireccional Boost (o elevador) es un convertidor DC/DC que obtiene

a su salida un voltaje continuo mayor que a su entrada, pero la corriente de salida es menor
que la de entrada. La inductancia L acumula energía y su corriente es conmutada entre el
interruptor (transistor) y el diodo.

Ds

Vg Sw

Figura 5. Diagrama esquemático de un convertidor Boost.

Donde:

 Vg = Tensión de entrada.
 Vo = Tensión de salida.
 Vc = Tensión del condensador.
 VL = Tensión del inductor
 IL = Corriente del inductor.
 Io = Corriente de salida.
 Sw = Interruptor.
 Ds = Diodo

Si se analiza el convertidor en MCC (modo de conducción continua) en régimen

permanente, el funcionamiento básico del convertidor Boost presenta dos estados distintos
dependiendo del estado del interruptor (transistor).

1. Cuando el interruptor está cerrado la bobina L almacena energía de la fuente al

igual que en la ecuación (3), a la vez la carga es alimentada por el condensador C,
figura (6a).

𝑉𝑐 = 𝑉𝑜
(7)
𝑉𝑔 = 𝑉𝐿
(8)

18
 Memoria descriptiva______________________________________________________

2. Cuando el interruptor está abierto el único camino para la corriente es a través del
diodo Ds y circula por el condensador (hasta que se carga completamente) y la
carga, figura (6b).

𝑉𝑔 − 𝑉𝑜 = 𝑉𝐿
(9)

Ds Ds

Vg Vg Sw
Sw
w w

(a) (b)

Figura 6. Configuraciones de trabajo convertidor Boost.

Figura 7. Formas de onda característica de un convertidor Boost para un ciclo de trabajo (D) = 25 %

Donde:

 Vg = tensión de la fuente.
 Vo = tensión de salida de la carga.
 VL = tensión del inductor.
 Vs = tensión que pasa por el interruptor.
 IL = corriente del inductor.
 Sw = pulso del interruptor.

19
Memoria descriptiva______________________________________________________

La relación entrada/salida con el ciclo de trabajo (D) es:

𝑉𝑜 𝑇 1
= =
𝑉𝑔 𝑡𝑜𝑓𝑓 1 − 𝐷
(10)

Al igual que en el condensador Buck, el diseño de los parámetros del convertidor, se

realiza de tal manera que el inductor tenga un rizado con forma aproximadamente
triangular superpuesto a un nivel de continua. Por otra parte la tensión del condensador
cuyo valor DC muy frecuentemente se desea regular a un valor constante, tiene un rizado
superpuesto de forma algo más compleja, con tramos que en primera aproximación
corresponden a parábolas. Como en el convertidor Buck, el rizado de la tensión en el
condensador resulta fundamentalmente de integrar los tramos rectilíneos de la corriente.

20
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.3.3.-Características generales de los convertidores conmutados DC-DC.

Los convertidores tienen que ser lo más eficientes posible, para ello tendrán que tener
una relación de potencia entrada/salida lo más cercana a la unidad es decir un rendimiento
aproximado del 100 %, en la realidad esto nunca sucederá, debido a las pérdidas internas
de sus componentes pasivos ya sean resistencias, condensadores e inductores, o por
pérdidas de conducción y conmutación de sus transistores, etc.
𝑃𝑖𝑛
ƞ=
𝑃𝑜𝑢𝑡
(11)

Una de las características más importantes de los convertidores, es la implementación

de sus interruptores mediante semiconductores operando en conmutación, es decir
alternando entre presentar una impedancia muy elevada y no conducir corriente
(idealmente circuito abierto) a tener una impedancia casi nula (idealmente cortocircuito) y
tensión muy baja. Aunque en las implementaciones de los conmutadores se utilizan
también diodos de potencia, los elementos fundamentales son los transistores que pueden
ser de diversos tipos entre los que destacan los BJT, MOSFET o IGBT.

En función de las frecuencias de trabajo y los niveles de tensión y corriente que deben
soportar se optará por un tipo determinado de transistor u otro, figura (8).

Figura 8. Transistores de Potencia. Ref. [13]

21
Memoria descriptiva______________________________________________________

En nuestro caso dado que los niveles de corriente y tensión son modestos pero la
frecuencia de conmutación prevista es de 100 kHz utilizaremos transistores de tipo
MOSFET de canal N, que incorporan un diodo interno (bulk diode) con el ánodo conectado
al surtidor (fuente) y el cátodo al drenador, tal como se muestra en la Figura (9) en la que
también se muestra que habitualmente el surtidor está conectado al substrato.

Figura 9. Transistor MOSFET de canal N

El MOSFET posee tres zonas de trabajo, una zona de corte, una zona lineal u óhmica y
una zona de saturación; tal como muestra la figura (10a).

(a) (b)

Figura 10. Zonas de trabajo MOSFET de canal N

En los convertidores conmutados como el nuestro siempre se trabaja alternando entre

las zonas de corte y óhmica. Lo ideal sería una curva como se muestra en la figura (10b)
sin pérdidas de conducción ya que una de las dos variables eléctricas, tensión o corriente,
es cero. En la práctica, la resistencia en conducción, habitualmente del orden de algunos
miliohmios, es la principal responsable de las pérdidas denominadas de conducción. En
algunos casos es posible que se active el diodo en antiparalelo en cuyo caso las pérdidas de
conducción suelen ser más significativas puesto que dependen de la caída de tensión en
conducción del diodo.

22
Memoria descriptiva______________________________________________________

La conmutación es otra de las principales causas de pérdidas de potencia, ya que se

producen retrasos entre los instantes de encendido y apagado del MOSFET debido a la
carga y descarga de capacidades parásitas internas del componente. También se producen
pérdidas debido a que el paso de corte a conducción requiere de un paso por la zona activa
en la que ni la tensión ni la corriente son nulas.

La optimización de las pérdidas es un tema complejo que depende de múltiples factores,

en ocasiones con efectos difíciles de cuantificar. Así por ejemplo, sin superar los límites
del dispositivo, cuanto mayor sea la tensión puerta-surtidor aplicada al MOSFET más
pequeña será la resistencia en conducción y menores las pérdidas asociadas. Sin embargo,
las pérdidas de conmutación aumentan puesto que al conmutar se pierde la energía
almacenada en las capacidades parásitas del MOSFET que, por ejemplo en el caso de la
capacidad puerta-surtidor aumenta cuadráticamente con la tensión aplicada a la puerta.

23
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.3.4.-Metodología de análisis implementada.

El método de análisis del éste convertidor es el mismo que se ha utilizado anteriormente

durante la investigación del convertidor unidireccional, es decir, asumiendo el modo de
conducción continua (MCC), mediante el estudio promediado en el espacio de estado
(SSA), tal como se hace referencia en la publicación científica [2]. El estudio en el espacio
de estado presenta las siguientes ventajas:

 Permite analizar sistemas de más de una entrada o más de una salida.

 Pueden ser sistemas variantes o invariantes en el tiempo.
 Las condiciones iniciales pueden ser diferentes de cero.
 Proporciona información de lo que pasa dentro del sistema.
 Resultados sencillos y elegantes.

Este análisis se centra en el término estado. Se dice que un conjunto de variables

define el estado de un sistema si se cumple:

1. A partir de los valores de dichas variables y del valor de la entrada al sistema se

pueden determinar estados futuros del sistema de forma unívoca.
2. A partir de los valores de dichas variables de estado, de sus derivadas y del valor
de la entrada al sistema en un determinado instante, se pueden determinar todas
las magnitudes del sistema en ese instante.

Si el espacio de estado es lineal e invariante en el tiempo, tenemos de manera formal un

sistema con M elementos que almacenan energía (inductores, condensadores, etc.) y N
generadores (entradas de control), el objetivo es determinar M ecuaciones diferenciales de
primer orden que tienen la siguiente forma:

M N
dxk (t)
= ∑ akm · xm (t) + ∑ bkn · un (t) (k = 1 … M)
dt
m=1 n=1
(12)

Siendo xm las variables de estado y un los valores correspondientes a los generadores.

En forma matricial la anterior expresión (7) queda expresada como:

dx1 (t)
a11 ⋯ a1M b11 ⋯ b1N
dt x u1
⋯ =( ⋮ ⋱ ⋮ ) · ( …1 ) + ( ⋮ ⋱ ⋮ )·(…)
dxM (t) aM1 ⋯ aMM xM bM1 ⋯ bMN uN
( dt )
(13)

24
Memoria descriptiva______________________________________________________

La expresión vectorial derivada de (8) es:

𝑥̇ = A · 𝑥 + B · 𝑢
(14)

Donde x es el vector de estado y u es el vector de entrada. Las matrices A y B estarán

formadas por coeficientes reales y dependerán de los parámetros del circuito. Esta ecuación
se conoce como ecuación de estado en forma normal.
Existe otra ecuación (15) que se utiliza junto a la de estado que se conoce como la
ecuación de salida. Esta ecuación tiene la forma:

𝑦 =C·𝑥+D·𝑢
(15)
Donde C y D son matrices de coeficientes reales y donde el vector y está formado por
todas aquellas magnitudes que queremos conocer y que no son variables de estado. Esta
ecuación y la anterior se conocen como ecuaciones de estado.

Según lo ya comentado, las variables de estado estarán relacionadas con los

condensadores y las bobinas, que son los elementos que almacenan energía en el circuito.

Una vez identificadas las variables de estado hay que analizar lo que se persigue para
así simplificar la tarea de obtención de dichas ecuaciones. Así pues para obtener la ecuación
de estado del condensador hay que establecer relaciones donde aparezca la corriente del
condensador y para la bobina habrá que hacer exactamente lo mismo.

Para sistemas lineales e invariantes en el tiempo como lo será el nuestro, se puede

realizar la transformada de la Laplace de las ecuaciones de estado. Obteniendo las
siguientes formas:

𝑠 · 𝑋(𝑠) − 𝑥0 = A · 𝑋(𝑠) + B · 𝑈(𝑠)

(16)

𝑌(s) = C · 𝑋(𝑠) + D · 𝑈(𝑠)

(17)

Realizando lo siguientes arreglos en (16) obtenemos (18):

(𝑠I − A) · 𝑋(𝑠) = 𝑥0 + B · 𝑈(𝑠)

𝑋(𝑠) = (𝑠I − A)−1 · 𝑥0 + (𝑠I − A)−1 · B · 𝑈(𝑠)

(18)

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Memoria descriptiva______________________________________________________

Substituimos (18) en (17) obtenemos (19):

𝑌(𝑠) = C · (𝑠I − A)−1 · 𝑥0 + C · (𝑠I − A)−1 · B · 𝑈(𝑠) + D · 𝑈(𝑠)

(19)

Si nuestras condiciones iniciales son x0=0 tenemos:

𝑌(𝑠) = C · (𝑠I − A)−1 · B · 𝑈(𝑠) + D · 𝑈(𝑠)

(20)

𝑌(𝑠) = [(𝑠𝐼 − A)−1 · B + D] · 𝑈(𝑠)

(21)
En definitiva tendremos la función de transferencia (22) que relaciona la salida y la
entrada del sistema:
𝑌(𝑠)
𝐺(𝑠) = = (𝑠I − A)−1 · B + D
𝑈(𝑠)
(22)

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Memoria descriptiva______________________________________________________

1.4.- Antecedente del proyecto.

Para poder realizar éste proyecto, se ha tenido que repasar y analizar el convertidor
con acoplamiento magnético entre inductores y amortiguamiento de red RC utilizado en el
proyecto anterior [1], que se puede observar en la figura (11). Anteriormente cuando fue
analizado se describió que poseía una gran eficiencia y un gran ancho de banda.
Éste convertidor es unidireccional; el sentido de la corriente solo puede ir en una
determinada dirección, ya que los diodos actúan de barrera, también posee un filtro LC a
la salida. La planta requiere de la red de amortiguamiento RC colocada en paralelo al
condensador de la tensión intermedia vC que ya fue estudiada en el artículo [1]. La red RC
junto al acoplo magnético estabiliza y amortigua oscilaciones en la dinámica de
funcionamiento en lazo cerrado del convertidor ya que fundamentalmente permite situar
sus ceros de lazo abierto en el semiplano izquierdo. Recordemos que en lazo cerrado los
polos se sitúan en lugares geométricos que comienzan en los polos de lazo abierto y acaban
en los ceros de lazo abierto. Utilizando una realimentación de ganancia elevada puede
asumirse que los polos de lazo cerrado se situarán prácticamente encima de los ceros de
lazo abierto, por lo que la situación de dichos ceros y el estudio de la denominada dinámica
cero asociada son de gran importancia en los diseños de la planta y del control del
convertidor.

Figura 11. Esquema de circuito Buck-Boost con acoplamiento magnético entre inductores
EL convertidor es controlado por modulación de anchura de pulsos (PWM) de los
transistores Q1 y Q2 que abren o cierran las zonas del circuito para poder operar en modo
Buck o modo Boost. A continuación se puede observar en las figuras (12a) y (12b) el paso
de Toff a Ton del modo Boost. Para este modo Q2 permanecerá siempre cerrado, mientras
el transistor Q1 conmuta. Debido a que el circuito se encuentra en régimen permanente, es
muy difícil comprobar si los condensadores se encuentran en carga o descarga, para poder
verificarlo nos hemos ayudado de la figura (12c) que nos muestra las formas de onda de
las variables mediante simulación en Psim.

Figura 12a. Esquema del circuito en modo Boost, Q1 en Toff.

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Memoria descriptiva______________________________________________________

En Toff el condensador intermedio C y el condensador de red de amortiguamiento Cd

van acumulando tensión, su corriente proviene de la inductancia magnetizante Lm que se
descarga. La corriente iL pasa por la carga Ro y se ha de mantener igual en los dos
devanados debido a la relación del transformador 1:1.

Figura 12b. Esquema del circuito en modo Boost, Q1 en Ton.

Durante Ton se cierra Q1, lo que provoca un que el primario del transformador quede
conectado entre la fuente de entrada y masa, como consecuencia de ello, la corriente de
entrada se va incrementando y las inductancias Lm y L acumulan energía. Se ha omitido la
corriente del diodo iDs (muy insignificante) y la del condensador Co ya que la tensión se
mantendrá igual al finalizar el semiperiodo. Mientras la corriente iL atraviesa la carga Ro
y retorna por los condensadores C y Cd.

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Memoria descriptiva______________________________________________________

Figura 12c. Formas de onda del circuito en modo Boost

29
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Para el funcionamiento en modo Buck, el transistor Q1 permanecerá siempre abierto

mientras Q2 irá conmutando. En las figuras (13a) y (13b) podemos observar los dos estados
ON y OFF de duraciones respectivas Ton y Toff. En la figura (13c) observamos las formas
de onda en modo Buck en un régimen permanente.
Durante Toff, la corriente magnetizante iLm es negativa e insignificante; la suma de está
corriente negativa a la corriente iL es igual a la corriente de entrada ig. La tensión intermedia
vC puede apreciarse muy levemente que sube, la cual carga el condensador intermedio C y
el condensador de amortiguamiento Cd, la suma de sus respectivas corrientes son igual a
la corriente de entrada ig. Por otro lado la corriente iL de los devanados son iguales debido
a la relación del transformador 1:1, y a través del devanado secundario se carga Ro y retorna
por el diodo Ds2. Se ha omitido la corriente del condensador Co ya que su función es
eliminar el rizado de alta frecuencia de la tensión de salida y su evolución no es
significativa para entender el funcionamiento básico de los intercambios de energía en el
convertidor.

Figura 13a. Esquema de circuito en modo Buck, Q2 en Toff.

Durante Ton se cierra el transistor Q2, y se puede apreciar que se reduce muy
levemente la tensión intermedia Vc, las sumas de la corriente del condensador C y del
condensador de amortiguamiento Cd tienden a descargarse hacia la corriente magnetizante
iLm que es negativa, Por otro lado la corriente iL atraviesa la carga Ro respetando las
equivalencias en los dos devanados del transformador con relación 1:1. Nuevamente se ha
omitido en el esquema la corriente del condensador Co.

Figura 13b. Esquema de circuito en modo Buck., Q2 en Ton.

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Memoria descriptiva______________________________________________________

Figura 13c. Formas de onda del circuito en modo Buck.

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Memoria descriptiva______________________________________________________

1.5.- Funcionamiento bidireccional, ventajas y aplicaciones.

El circuito a diseñar substituirá los actuales diodos por transistores tipo MOSFET de
canal N tal y como se observa en la figura (14), que serán Q2 y Q4 respectivamente, de
esta manera se podrá llegar a tener control de la corriente en ambos sentidos, ya que lo que
se busca es lograr la bidireccionalidad de la planta, también se añade un condensador Ci
que actuará como filtro de entrada tal y como posee la estructura unidireccional en la salida
con Co.

1:1

𝐿𝑚 L
𝑄2 𝑅𝑑 𝑄3 + 𝑉𝐿 −

𝐶𝑖 𝑄1 C 𝑄4 𝐶𝑜
𝐶𝑑

Figura 14. Circuito bidireccional

Desde este momento para no tener confusión en el sentido y modo de empleo del
convertidor llamaremos al sentido normal de la corriente al sentido que hasta ahora
siempre había llevado y sentido opuesto o inverso a la nueva adaptación.

32
Memoria descriptiva______________________________________________________

Con la incorporación de los 2 nuevos transistores, tenemos ya un puente completo o 2

semipuentes; los transistores serán controlados complementariamente en función de cada
uno de los semipuentes, de esta manera se evita el cortocircuito y la posible destrucción de
la planta, es decir cuando conduzca Q1 no conducirá Q2 y cuando conduzca Q4 no
conducirá Q3; y viceversa.

1:1
L
ig
iLm iL
Q2 Q3
vg Ci Rd Q4
Q1 C Co Ro

Cd

Figura 15. Corrientes modo Boost sentido normal

1:1 L
ig
iLm iL
Q2 Q3
vg
Ci Q1 C Rd Q4 Co

Cd

Figura 16. Corrientes modo Buck sentido normal

 Independientemente de Ton o Toff

 Durante Ton modo Boost (transistor Q1), y modo Buck (transistor Q3).
 Durante Toff modo Boost (transistor Q1), y modo Buck (transistor Q3).

En las figuras (15) y (16) se pueden observar los sentidos que adoptan las principales
corrientes para los dos modos en los distintos intervalos de conmutación y considerando el
sentido normal del flujo de energía.

33
Memoria descriptiva______________________________________________________

1:1
L
ig

iL
Q2 Q3
iLm Rd
Co C Q4
Ro Q1 Ci vg

Cd

Figura 17. Corrientes modo Boost sentido inverso.

1:1
L ig

Q2 Q3
iLm Rd
Ro Co Q1 C Q4 Ci
vg
Cd

Figura 18. Corrientes modo Buck sentido inverso

 Independientemente de Ton o Toff

 Durante Ton modo Boost (transistor Q1), y modo Buck (transistor Q3).
 Durante Toff modo Boost (transistor Q1), y modo Buck (transistor Q3).

Al intercambiar de posición la carga Ro y la fuente vg, la corriente encuentra el camino

de conducción que anteriormente los diodos no permitían, en la figura (17) y (18) pueden
observarse los caminos que recorren las corrientes para ambos modos de funcionamiento.
El convertidor bidireccional presenta algunas ventajas en función de la aplicación, por
ejemplo en la carga y descarga de baterías, en lugar de dos convertidores unidireccionales
con solo un bidireccional es suficiente, todo esto puede dar lugar a un menor número de
componentes electrónicos y por consiguiente un menor coste. Y también si su diseño de
PCB es óptimo la reducción de espacio ocupado ya que solo se implementa un convertidor.
Por otro parte el hecho de eliminar los diodos y substituirlos por transistores puede dar
lugar a un pequeño incremento de la eficiencia ya que no se producen caídas de tensión
considerables, siempre y cuando los tiempos muertos de la activación de estos transistores
no sean muy elevados (ya que producirían pérdidas de conmutación reduciendo la
eficiencia y parte de esa energía se pierde en forma de calor).
Este convertidor puede ser utilizado en aplicaciones como la de cargador/descargador
de baterías en función de la tensiones de entrada y salida, sistemas de alimentación, también
como regulador de tensión en función del tipo de control y por tanto como control de
motores, etc.

34
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.- Diseño y construcción de los PCBs.

En principio la planta ha de mantener las mismas inductancias y los mismos valores de

los condensadores, así como el filtro RC. Anteriormente las inductancias L y Lm del
convertidor, así como el condensador intermedio C, ya fueron dimensionadas de acuerdo
con la tensión de salida deseada y el valor del rizado de las formas de onda, al igual que
los transistores que fueron seleccionados en función de la intensidad que debe circular por
ellos y a la tensión que deben soportar, teniendo en cuenta los tiempos de conmutación de
los mismos.

Estos son los requisitos del convertidor:

Tensión de entrada (Vg) Rango (36 V-55 V)

Tensión de salida (Vo) Rango (36 V- 55V), nominal para
algunas pruebas serán 48 V.
Intensidad máxima de entrada (Ig) 16 A
Frecuencia de trabajo 100 kHz
Tabla 1. Requisitos del convertidor bidireccional.

Disponemos de los datos de los componentes anteriores que son:

L= 35 µH, Lm=35 µH, C=7 µF, Cd= 66 µF, RC= 1,5 Ω, Co=100 µF
Valores de rizado ya obtenidos en el anterior proyecto.

Rizado Modo Buck Modo Boost

ΔILpp (𝑉𝑔 − 𝑉𝑜) · 𝑉𝑜 · 𝑇 𝑉𝑔 · (𝑉𝑜 − 𝑉𝑔) · 𝑇
𝑉𝑔 · 𝐿 𝑉𝑜 · 𝐿
ΔIgpp (𝑉𝑔 − 𝑉𝑜) · 𝑉𝑜 · 𝑇 𝑉𝑔 · (𝑉𝑜 − 𝑉𝑔) · 𝑇 · (𝐿 + 𝐿𝑚)
𝑉𝑔 · 𝐿 𝑉𝑜 · 𝐿 · 𝐿𝑚
ΔVcpp (𝑉𝑔 − 𝑉𝑜) · 𝑉𝑜 2 · 𝑇 (𝑉𝑜 − 𝑉𝑔) · 𝑇
𝑉𝑔2 · 𝑅𝑜 · 𝐶 𝑅𝑜 · 𝐶
Tabla 2. Rizado pico a pico de las variables Il, Ig y Vc.

35
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.1.-Diseño y construcción de los inductores.

Los inductores serán construidos en base a una inductancia de 35 µH para trabajar a

100 kHz, que era la que tenía el convertidor unidireccional del proyecto anterior.
Para la construcción de los inductores de nuestro circuito, nos hemos ayudado del
software de la empresa Magnetics figura (19), que diseña y fabrica núcleos toroidales de
ferrita con gap distribuido entre otros.

Figura 19. Pantalla de programa para el cálculo de núcleos del fabricante Magnetics

Con ayuda de las ecuaciones de la tabla (2) hallamos el rizado de las inductancias L y
Lm aproximadamente entre 6 A y 4 A respectivamente. Las características del diseño se
encuentran en el anexo.

Figura 20. Elementos magnéticos del convertidor bidireccional, a la izquierda vemos el Transformador 1:1 y la derecha el inductor L.

36
Memoria descriptiva______________________________________________________

Para verificar que las inductancias son de 35 µH. aproximadamente y que pueden
trabajar a los 100 kHz, se caracterizan con el analizador de impedancia QUADTECH 1920,
En la figura (21) y (22) se puede ver la gráfica semilogarítmica para el diferente rango de
frecuencias a las que se les ha sometido.

INDUCTANCIA "L"
4,0E-05
3,9E-05
INDUCTANCIA (H)

3,8E-05
3,7E-05
Real
3,6E-05
Teórica
3,5E-05
3,4E-05
1,E+04 1,E+05
FRECUENCIA (Hz)

Figura 21. Comparación inductancia real vs teórica de L.

TRANSFORMADOR (LM)
4,2E-05
INDUCTANCIA (H)

4,0E-05
Real primario
3,8E-05
Real secundario
3,6E-05 Teórica 1:1

3,4E-05
1,E+04 1,E+05
FRECUENCIA (Hz)

Figura 22. Comparación inductancias reales vs teórica de Lm

El resultado de las inductancias se asemeja al teórico, y se dan por buenas las

inductancias conseguidas tanto para el inductor L como para Lm.

37
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.2.-Condensadores intermedios C y filtros Co y Ci.

Los condensadores intermedios C y los condensadores de los filtros de salida Co, se han
implementado con los mismos componentes que en el proyecto anterior [1], que son los
condensadores de tipo MKT (película de poliéster metalizado).Por cuestiones de
disponibilidad comercial, el condensador intermedio amortiguado Cd de 66 µF se ha
implementado mediante la conexión en paralelo de 3 condensadores de 22 µF que soportan
hasta 100 V y tienen una tolerancia del ±10 %. La Figura 23 muestra la fotografía de uno
de los condensadores cuya capacidad es muy estable con la tensión de trabajo pero son
muy voluminosos en comparación con otras tecnologías de condensadores.

Figura 23. Condensador MKT de 22 µF, a efectos ilustrativos. Ref. [14]

Para ocupar menor sitio en el PCB, sabiendo que la capacidad de los filtros Co y Ci es
de 100 µF, se han empleado 3 condensadores MKT (película de poliéster metalizado) de
22 µF de 100 V con tolerancia de ±10% más 10 pequeños condensadores SMD de 4,7 µF
de 100V, X7S, 1812, para cada uno de los filtros. Los SMD son más pequeños, pero cuya
capacidad aunque tiene una tolerancia de fabricación del ±20%, decrece fuertemente con
la tensión de trabajo.

Figura 24. Condensador SMD de 4,7 µF, a efectos ilustrativos. Ref. [15]

38
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.3.-Necesidad de filtro LC.

La planta unidireccional, tiene un filtro de salida Co, pero al dotarla de bidireccionalidad

el lado opuesto ha de tener otro filtro, en este caso lo llamaremos Ci, para asegurarnos de
su necesidad se realiza la simulación mediante el programa Psim. En la figura (25), hemos
alimentado la planta en sentido opuesto y observamos como su tensión de salida tiene un
rizado bastante feo.

Figura 25. Señal sin filtrar.

La función de transferencia característica de este filtro es la siguiente:

Figura 26. Filtro pasivo LC de segundo orden.

𝑅
𝑉𝑜(𝑠) 𝑅·𝐶·𝑠+1 𝑅
𝐻(𝑠) = = =
𝑉𝑖(𝑠) 𝑅 2
+ 𝐿2 · 𝑠 𝑅 + 𝐿2 · 𝑠 + 𝐿2 · 𝑅 · 𝐶 · 𝑠
𝑅·𝐶·𝑠+1
(18)

39
Memoria descriptiva______________________________________________________

En este tipo de filtro trata de reducir el rizado de la corriente inyectada a la carga.

Realizando un par de pruebas empíricas por simulación se colocó un condensador a la

entrada (sentido normal de la corriente) de 100 µF. En la figura (27), se ve claramente la
mejora; no hay requisito explícito del amortiguamiento.

Figura 27. Forma de onda del filtro LC

40
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.4.-Funcionamiento del driver de control HIP4081A

Como la etapa de potencia entregará energía en ambos sentidos, necesitaremos controlar

un puente completo o puente en H. Un puente en H está formado por 4 interruptores de los
cuales existen 2 tipos de estructuras basadas en MOSFETs; las formados por 2 transistores
superiores de canal P junto con 2 inferiores de canal N, así como también la estructura
únicamente formada por 4 transistores de canal N.
Para éste proyecto requerimos 4 transistores MOSFET de canal N. El diseño se vuelve
más complejo ya que requiere de circuitos denominados bombas de carga que carguen los
denominados condensadores “bootstrap” que el “driver” conectará entre la puerta y el
surtidor del MOSFET de lado alto para hacerlo conducir. Este tipo de circuitos
normalmente se sirven de la conmutación del MOSFET de lado bajo para operar lo que en
nuestro caso no garantiza que los transistores de lado alto puedan permanecer conduciendo
durante largos intervalos de tiempo tal como requiere el convertidor. Recordemos que para
obtener buenas eficiencias el transistor de lado alto de uno de los semipuentes debe estar
permanentemente en conducción mientras hay conmutaciones en el otro semipuente. Por
esta razón se escoge el driver de control HIP4081A figura (28), ya que dispone de una
bomba de carga interna de alrededor de los 30 µA, que repone la carga del condensador de
bootstrap aunque no haya conmutaciones en el semipuente.

Sus principales características son:

 Puede controlar 4 transistores de canal N

independientemente en medio puente o
puente completo.
 Suministra voltaje bootstrap máximo a 95
VDC.
 Tiempo muerto programable por usuario.
 Circuito interno de la bomba de carga 30 µA.
 Puede desactivar los 4 transistores mediante
el pin DIS.
 Entrada con umbrales lógicos compatible
Figura 28. Driver Hip4081A desde los 5 V a 15 V.
 Consumo de energía bajo.

Entre sus principales aplicaciones destacan las siguientes:

 Amplificador clase D para sonido.

 Fuente de alimentación para puente completo.
 Controlador de motores de gran rendimiento.
 Cancelación del ruido en sistemas.
 Controladores de potencia en vehículos de Baterías.

41
Memoria descriptiva______________________________________________________

El driver está encapsulado en un circuito integrado de plástico tipo DIP de 20 pines de

conexión, figura (29).

 AHI, BHI, ALI y BLI; se conectan las entradas de control

PWM.
 VSS; se conectará la masa del integrado.
 DIS, deshabilita las salidas que van a los gates de los
MOSFETs.
 HDEL y LDEL, son los pines de retraso de tiempo
muerto de accionamiento del lado alto y bajo.
 BHB y AHB, son las entradas de tensión y descarga de
los condensadores de bootstrap.
 AHO, BHO, ALO y BLO; pines de salida hacia las gates
de los transistores de ambos lados del puente.
 VCC y VDD, se conectará la alimentación del integrado.
 ALS y BLS, se conectan a los surtidores de lado bajo.
Figura 29. Patillaje del driver.  AHS y BHS, se conectan a los surtidores de lado alto.

Para que el driver trabaje seguro y no se puedan activar MOSFETs altos y bajos al
mismo tiempo en un mismo lado cuenta con protección interna, siguiendo una lógica de
trabajo, de tal manera que esto no pueda suceder y pueda llegar a provocar algún
cortocircuito indeseable. Para ello se muestra la siguiente tabla de la verdad de su lógica
de activación de salidas.

Entrada Salida
ALI,BLI AHI,BHI U/V DIS ALO,BLO AHO,BHO
X X X 1 0 0
1 X 0 0 1 0
0 1 0 0 0 1
0 0 0 0 0 0
X X 1 X 0 0
NOTA: X significa que puede tener los dos estados tanto “1” como “0”.
Tabla 3. Funcionamiento lógico de activación del HIP4081A.

42
Memoria descriptiva______________________________________________________

En la figura (30) podemos observar cómo funciona internamente uno de los dos lados
del puente, en este caso es el lado A; se puede apreciar como las puertas lógicas actúan de
manera que entre alto y bajo no puedan llegar nunca a conectarse al mismo tiempo. DIS
complementa las puertas AND dando un valor opuesto; de esta manera si DIS está activado,
AND no se cumple y las puertas continuarían con la lógica a 0.

Figura 30. Esquema de funcionamiento medio puente.

Una de las características más importantes del HIP4081A es que puede controlar los
tiempos muertos entre las conmutaciones de los MOSFETs altos y bajos, y viceversa. Este
control se basa en dos pequeños circuitos idénticos dentro del integrado que retrasan la
conmutación de la puerta del MOSFET. Se colocan dos resistencias: una entre el pin VDD
y el pin HDEL que controlará el retraso de conmutación del MOSFET superior o alto, y
otra resistencia entre el pin VDD y el pin LDEL que controla la conmutación del MOSFET
inferior o bajo. Cada una de las resistencias establece una corriente inversamente
proporcional al retraso creado. El retraso se convierte en tiempo muerto, el cual es
necesario para evitar la posible conducción simultánea de los MOSFETs superiores e
inferiores. El valor de estas resistencias se puede obtener mediante la figura (31), en esta
gráfica proporcionada en la documentación técnica del propio chip se puede ver la
proporcionalidad entre tiempo muerto y el valor óhmico de la resistencia.

Figura 31. DEAD-TIME (ns) VS HDEL/LDEL RESISTANCE (kΩ)

43
Memoria descriptiva______________________________________________________

Debido a que emplearemos 4 transistores MOSFET de canal N como ya se había

mencionado antes, se requerirán condensadores y diodos de bootstrap para los transistores
de lado alto que carguen los condensador de “bootstrap”; se ha considerado que la bomba
de carga interna no es suficiente para cargar dichos condensadores si están muy
descargados, circunstancia que se puede producir en el arranque o en conmutación. Para
dichos sub-circuitos el fabricante nos proporciona un esquema de conexionado, y a su vez
nos indica la fórmula recomendada a emplear para el cálculo del condensador.

Figura 32. Conexionado condensador de Bootstrap

Para el cálculo, la fórmula empleada es:

(Idr +Iqbs )
Cbs = (Q g + Q rr + )⁄(Vbs1 − Vbs2 ) (19)
fPWM

Dónde:

 Idr = Bootstrap diode reverse leakage current.

 Iqbs = Upper supply quiescent current.
 Q rr = Bootstrap diode reverse recovered charge.
 Q g = Turn-on gate charge transferred.
 fPWM = PWM operating frequency.
 Vbs1 = Bootstrap capacitor voltage just after refresh.
 Vbs2 = Bootstrap capacitor voltage just after upper turn on.
 Cbs = Bootstrap capacitance.

44
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.5.-Transistor MOSFET.

Uno de los requisitos importantes, ha sido utilizar el transistor MOSFET IRFB4110Pbf.

Figura 33. Transistor MOSFET de canal N, IRFB4110Pbf

Es capaz de soportar 100 V entre drenador y surtidor, dependiendo de las condiciones

que marca su hoja técnica. Es asimétrico en cuanto a los tiempos de encendido y apagado,
los cuales se han tenido en cuenta para considerar las resistencias de retraso en el driver.

1.6.6.-Regulación empírica de las resistencias de puerta (gate).

Los transistores MOSFETs son dispositivos controlados por tensión, para poder
activarlos es necesario aplicar un voltaje determinado entre la patilla de puerta (gate) y la
patilla de fuente (source), este voltaje lo dictamina su hoja de características, en nuestro
proyecto el MOSFET IRFB4110Pbf aplicando una tensión de 12 V aseguramos la
activación. Por otro lado la naturaleza (semiconductora) de la estructura interna del
MOSFET presenta unas capacidades parásitas (debido al emparejamiento simultáneo de
materiales dopados y opuestos) que en ocasiones producen efectos de oscilaciones de
tensión no deseadas (ringing) durante su activación y desactivación. Para el evitar el efecto
(ringing) normalmente se coloca una resistencia a la entrada de puerta (gate) entre otros
componentes. El valor de esta resistencia se opone a la carga de tensión del condensador
parasito que tiene en la puerta, por un lado se gana al disminuir el “ringing” a cambio de
aumentar los tiempos de encendido y apagado del MOSFET.
En un principio emulando al anterior proyecto de convertidor colocamos resistencias de
10 Ω en cada patilla de puerta, observando que el tiempo de desconexión parecía excesivo
se determinó:
1. Bajar el valor de la resistencia de puerta hasta los 2,2 Ω, a consecuencia surgían
problemas de capacidades parásitas deformando la señal de puerta con oscilaciones
en el pulso de encendido complementario, la carga era demasiado rápida y producía
armónicos.
2. Se introdujo un diodo rápido en anti-paralelo con la resistencia de gate a 10 Ω, de
esta manera la carga sería suave y la descarga rápida lo que mejoró mucho.
3. Finalmente para quitar el mayor ruido posible fue gracias a la introducción de una
red snubber RC entre drenador y surtidor de los transistores de nivel bajo.

45
 Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.7.-Regulación empírica de las resistencias de tiempo muerto.

Para saber el valor de las resistencias de retraso que se necesitan, en principio se tomó
la opción de saber el tiempo de retraso de encendido y de apagado, que marcan las hojas
técnicas de los transistores MOSFETs IRFB4110PbF.

Figura 34. Características dinámicas del IRFB4110PbF

Mediante la gráfica de la hoja técnica del

HIP4081A y los tiempos del IRFB4110PbF
se decidió obtener el valor de las resistencias,
para el caso erán de 60 kΩ para HDEL y 180
kΩ para LDEL apróx. Pero posteriormente se
observó que durante las pruebas entraban las
conmutaciones demasiado proximas
produciendo cortocircuitos y se decidió
ajustarlas empiricamente. Los valores finales
son de HDEL= 560 kΩ y LDEL= 680 kΩ,
aunque dista mucho de los valores teóricos la
escala es proporcional.

Figura 35. Tabla de características DEAD TIME vs HDEL/LDEL resistance

46
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.8.-Protegiendo al driver de los picos de la tensión intermedia.

El driver HIP4081A, ha demostrado ser bastante sensible a las diversas pruebas y

ensayos al que se ha sometido el convertidor; una forma de protegerlo ha sido construir un
pequeño circuito de protección anteriormente diseñado, basado en el SA555.

Figura 36. Esquemático circuito protección intermedia

El IC SA555 cuya función principal es producir pulsos de temporización con precisión,

tiene como sus funciones secundarias la de oscilador, divisor de frecuencia, modulador o
generador.

 Como temporizador (una vez activada la salida del 555 produce un pulso
predeterminado de tiempo y luego posteriormente se apaga).
 Como circuito oscilador, biestable o “astable” (el 555 al activarse su salida se
caracteriza por una forma de onda rectangular, por el cual el ancho de pulso
puede ser modificado “PWM” a través de los valores de ciertos componentes de
su diseño).
 Circuito monoestable (el 555 al activarse su salida permanece a una tensión
constante).

En función de la necesidad haremos uso de su hoja de datos que nos indica cómo
realizar el conexionado básico.

47
Memoria descriptiva______________________________________________________

Figura 37. Diagrama de funcionamiento

Nosotros lo emplearemos como una función monoestable, para ello mediante la

alimentación por el pin 8 (VCC) a través de los divisores de tensión de los resistores
internos, se convierte en tensión de referencia en los dos comparadores internos, con una
tensión aproximada de 1,66 V. figura (37), será comparada con nuestra tensión intermedia
que será escalada al nivel de tensión que nosotros establezcamos; por ejemplo si vamos a
trabajar con una tensión máxima de 55 V en la zona intermedia pues calibramos el
potenciómetro R20 de la figura (36) de tal manera que dispare a 60 V sabiendo que el driver
HIP4081A soporta tensiones de trabajo de hasta 85 V, modificamos el potenciómetro a
1,52 V que son ± 55 V ya que suponemos alguna ligera oscilación durante el encendido.

En caso de que el umbral supere la tensión de referencia 1,66 V el pin 3 (OUT) activa
la entrada del pin 3 (DISABLE) del driver HIP4081A. Para visualizar el disparo se acopla
un led de color rojo en la salida. Si todo ha vuelto a la normalidad y no hay ningún problema
mediante el pulsador de RESET anulamos la salida del pin 3. Posteriormente mediante el
botón de SET rearmamos el circuito nuevamente para restablecer las condiciones iniciales.

48
Memoria descriptiva______________________________________________________

Debido a que inicialmente este circuito no estaba integrado en la placa de potencia se

colocó junto con el control de tensión.

Figura 38. PCB de protección y control.

49
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.9.-Funcionamiento bidireccional del sensor de corriente AD8210

El sensor de corriente AD8210 figura (39), actúa como amplificador diferencial ideal
de pequeñas tensiones en presencia del modo común de altos voltajes. Opera en un rango
que va desde los -2 V a los 65 V. Su tensión de alimentación es de 5 V. Disponemos de 2
sensores SMD (SOIC), uno colocado antes de la entrada del
transformador y otro colocado después del inductor de salida (sentido
normal de la corriente).
El AD8210 se compone de dos bloques principales, un
amplificador diferencial y un amplificador de instrumentación. Una
corriente de carga que fluye a través de la resistencia de derivación
externa (shunt) produce una tensión en los terminales de entrada del
Figura 39. Sensor de AD8210. Los terminales de entrada están conectados al amplificador
corriente AD8210. diferencial. En la figura (40), se puede observar el esquema de
interno.
Cuando la señal de entrada a la AD8210 es 0
V, las corrientes en R1 y R2 son iguales. Cuando la
señal diferencial es distinta de cero, la corriente
aumenta a través de una de las resistencias y
disminuye en la otra. La diferencia de corriente es
proporcional al tamaño y la polaridad de la señal de
entrada.
Las corrientes diferenciales a través de Q1 y
Q2 se convierten en una tensión diferencial por R3 y
R4. A2 está configurado como un amplificador de
instrumentación. La tensión diferencial se convierte
en una tensión de salida de un solo extremo por A2.
La ganancia será de 20 y se fija internamente. Figura 40. Esquema simplificado.

En nuestro modelo debido a que el convertidor

será bidireccional tendremos que hacer unos reajustes
como indica la figura (41), para que pueda leer en
ambas direcciones, para ello modificaremos según
marca la hoja de características del sensor en modo
bidireccional, añadimos unas referencias de tensión;
para VREF1 la alimentaremos mediante un regulador
de 3 voltios y VREF2 irá unida a masa GND. De esta
manera las tensiones de salida en función del sentido
de la corriente serán: sentido normal (0 V-1,5 V) y
sentido opuesto (1,5 V-3 V).

Figura 41. Esquema bidireccional

VOUT = (Ishunt · R shunt ) · 20 ± 1,5 V (20)

50
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.10.-Funcionamiento de los reguladores de tensión.

Los reguladores de tensión son dispositivos que tienen la misión de proporcionar

diferentes tensiones de trabajo, que serán requeridas en la circuitería del convertidor. En
nuestro caso implementamos tensiones de trabajo de 12 y 5 V.
Para poder alimentar el driver de control de manera constante a 12 V aproximadamente,
se requiere un regulador de tensión ajustable, para ello se ha
utilizado el LM317, con encapsulado TO-220 figura (42).
El regulador es capaz de suministrar en condiciones
normales hasta 1,5 A a una tensión de salida regulable entre
1,2 V y 37 V. Éste dispone de protección por limitación de
corriente y exceso de temperatura.
El regulador podrá ser alimentado de forma independiente
con una fuente externa o bien a través de la tensión intermedia Figura 42. Regulador de
línea LM317
Vc, como será en nuestro caso. Se han realizado ensayos con
fuente externa observando una ligera mejora en la eficiencia.

Figura 43. Esquemático de conexionado del LM317

Para regular la tensión a 12 V, requiere de circuitería externa mediante un potenciómetro

para poder regular R12 y una resistencia fija R11; la tensión entre la patilla de ajuste y
salida es siempre de 1,25 V por lo tanto el cálculo es el siguiente:

VR11 = 1,25 V (21)

VR11 1,25
IR11 = = (22)
R11 R11

51
Memoria descriptiva______________________________________________________

IR11 = IR12 (23)

𝑉𝑅12 = 𝐼𝑅12 · 𝑅11 (24)

Por consiguiente tenemos:

1,25
VR12 = ( ) · R12 (25)
R11

VOUT = VR11 + VR12 (26)

Con el propósito de evitar pequeñas caídas de tensión se coloca el condensador C 24 de

100 nF como condensador de desacoplo y para mejorar los transitorios se coloca el
condensador C25 de 10 µF.

Para poder alimentar las zonas del circuito a 5 V utilizamos

el regulador de línea LM7805 que entrega 5 V de corriente
continua, el encapsulado utilizado es el TO-220, la tensión de
entrada comprende entre 7 V-25 V, puede proporcionar
corrientes de hasta 1 A.

Figura 44. Regulador de línea LM7805

Figura 45. Esquemático de conexionado del LM317

El condensador C26 actúa como condensador de desacoplo y C27 absorbe pequeños

rizados.

52
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.11.-Disipador de temperatura.

Los transistores necesitarán un disipador estático para evacuar el calor producido por el
paso de corriente y las pérdidas de conmutación; recordemos que los transistores utilizados
son los IRFB4110PbF. En primer lugar se calcularán las pérdidas de conducción y
posteriormente las pérdidas de conmutación, para ello nos fijaremos en la figuras de la hoja
técnica del transistor.

Figura 46. Curvas ID vs Vds Figura 47. Curvas Rds vs Tj

En primer lugar calculamos RDSON:

𝑉𝑑𝑠
𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 = (27)
𝐼𝑑𝑠

Nos ayudamos de las figuras (46) y (47), si sabemos que trabajaremos a 16 A en el peor
de los casos, podemos obtener VDS≈0.12 V y calculamos RDSON, multiplicando por la
relación de coeficientes Tjmáx=175 ºC y Tj=100 ºC que es a la temperatura que queremos
operar.
0,17
RDSon = = 10 mΩ
16
Calculamos la potencia perdida en conducción:

Pc = Ids 2 · D · RDSon (28)

53
Memoria descriptiva______________________________________________________

Substituimos:
1.65
Pc=162 ·1· ·0.010=1,68 W
2.5
A continuación calculamos las pérdidas de conmutación con ayuda de los parámetros
de la hoja técnica del transistor si sabemos que:

:
Figura 48. Characteristics Rise time mosfet IRF4110PBf.

Psw = 0,5 · Vg · Ids · F · (Tr + Tf ) (29)

Substituimos:

Psw=0,5·48·16·100000·(67·10-9 +88·10-9 )= 5,95 W

Ahora ya podemos obtener la potencia total pérdida:

Pd = Pc + Psw (30)
Substituimos:

Pd=1,68+5,95=7,63 W
Con los datos obtenidos hasta ahora, ya podemos calcular el disipador, y para ello
emularemos el circuito equivalente de temperaturas internas del transistor.

Tj − Ta = Rjc + Rcd + Rda (31)

Rjc + Rcd + Rda = Rja (32)

Tj−Ta
Pd = (33)
Rja

54
Memoria descriptiva______________________________________________________

Si sabemos que Tjmáx=175 ºC, calcularemos para unas condiciones de Tj=100 ºC y

una temperatura ambiente de Ta=35 ºC. Nos ayudaremos de la hoja técnica:

Figura 49. Características térmicas mosfet IRF4110PBf.

100-35
Rja= =8,51 ℃/W
7,63
Rda=8,51-(0,402+0,5)=7,61 ℃/W

Por tanto hallaremos un disipador para unos 7,61 ºC/W aproximadamente como mínimo
satisfaciendo los requisitos, teniendo en cuenta que puede haber algún error de lectura de
gráficas, escogemos un disipador sobredimensionado. En nuestro caso hemos escogido el
350AB heatsink figura (50), no solamente por la disipación, sino porque a la hora de
confeccionar el diseño de la placa juega un papel fundamental en los espacios de colocación
de los 4 MOSFETs.

Figura 50 .Disipador de temperatura 350AB. Ref. [16]

Por otro lado observando que en ocasiones el LM317 se calienta un poco, se le ha

colocado un pequeño disipador que puede verse en la figura (51) para evitar que se estrese
demasiado.

Figura 51. Disipador de temperatura TO-220. Ref. [17]

55
Memoria descriptiva______________________________________________________

1.6.12.-Control de tensión.

El control de tensión implementado está basado en el empleado en el artículo [1]. Se ha

modificado y adaptado a la nueva planta, para poder realizar la toma de eficiencias.

Figura 52. Esquema del control de tensión

Los cambios más significativos han sido en primer lugar la de introducir un transistor a
la salida del pin 7, para poder invertir la entrada BLI del driver, que controla el MOSFET
de lado bajo del semipuente B; debido a que anteriormente el control estaba destinado a
controlar un solo semipuente, compuesto por un MOSFET lado bajo y otro lado alto. Y en
nuestro caso será un control a través de las 2 entradas ALI y BLI, de los MOSFETs lado
bajo del driver HIP4081A. Complementariamente el driver controlará internamente los
MOSFETs lado alto, en función de la conexión y desconexión de los transistores lado bajo,
debido al tipo de configuración deseada como consecuencia previa de haber alimentado a
una tensión fija constante a 12 V. sus entradas AHI y BHI tal como marca su hoja técnica.
Otra modificación asociada al control, ha sido la de prever y asegurarse que los
condensadores intermedios y del filtro de amortiguamiento RC de la placa de potencia, han
sido cargados previamente antes de poder dar pulsos de entrada al driver. Se realiza para
poder evitar un sobrepico en el transitorio de arranque y evitando así la posible destrucción
de algún componente; al estar el jumper sw3 colocado estamos cortocircuitando el control
a través del pin 7 (Buck) de manera que los pulsos no llegan. Los condensadores C4 y C5
actúan retardando los pulsos cuando el jumper es retirado, pasado unos instantes hasta que
los condensadores C4 y C5 son cargados a una determinada tensión no se produce el
cambio para que el control actúe, de esta forma se suaviza la transición de funcionamiento

56
Memoria descriptiva______________________________________________________

del control. La capacidad se elige empíricamente en función del tiempo que uno quiera al
igual que la resistencia R34, a mayor valor de está, la carga será más lenta. Al volver a
colocar el jumper los condensadores C4 y C5 se vuelven a descargar Por otro parte,
mientras el jumper se encuentra insertado en la placa de control, los condensadores
intermedios y del filtro RC se cargan a través del diodo volante de los transistores lado alto.
Hay que recordar que se trata de un control unidireccional en función de la salida de la
tensión, y que solamente se busca la toma de eficiencias para poder comparar ambos
convertidores, de modo que si invertimos la entrada del convertidor previamente hemos de
intercambiar las conexiones de control BLI y ALI del cable que va hacia la placa de
potencia y que conecta con los pines de entrada del driver, si no, no funcionará
correctamente.

57
 Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48V, 16A)

2.-MEMORIA DE CÁLCULO

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Memoria de cálculo______________________________________________________

INDICE MEMORIA DE CÁLCULO

2.1.-Cálculo de las ecuaciones diferenciales promediadas de las variables de estado 60

2.2.- Ecuaciones en equilibrio de las variables de estado ........................................... 62
2.3.-Cálculo de matrices ............................................................................................. 66
2.4.-Funciones de transferencia .................................................................................. 69
2.5.-Diagrama de polos y ceros................................................................................... 77
2.6.-Diagramas de Bodes ............................................................................................ 80
2.7.-Cálculo de condensador de Bootstrap y elección del condensador ..................... 83
2.8.-Cálculo y necesidad de circuitos de red snubber RC........................................... 84
2.9.-Cálculo del ancho de pista de la PCB .................................................................. 86

59
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.1.-Cálculo de las ecuaciones diferenciales promediadas de las variables de estado.

El convertidor es controlado a través de sus MOSFETs de lado bajo Q1 y Q4, cuyos

respectivos ciclos de trabajo son d1 y d4, luego se han expresado las ecuaciones en
función de d1 (boost) y d3 (buck).
1. Sentido normal de la corriente:
1:1
L
ig
Lm iL
iLm vCd1 iLd3
Rd
vg
C vC Co vO Ro
(iLm+iL)d1 vCd3
Cd

Figura 52. Esquema sentido normal de la corriente para modelo promediado de gran señal.

Analizando el circuito de la figura (52) se obtienen las siguientes ecuaciones

diferenciales de las variables interesadas siguiendo el mismo procedimiento del artículo
[1].

𝑑𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡) 𝑣𝑔(𝑡) − 𝑣̅𝐶 (𝑡) · (1 − 𝑑1(𝑡))

=
𝑑𝑡 𝐿𝑚
(34)

𝑑𝑖̅𝐿 (𝑡) 𝑣𝑔(𝑡) − 𝑣̅𝐶 (𝑡) · (1 − 𝑑1(𝑡)) + 𝑣̅𝐶 (𝑡) · 𝑑3(𝑡) − 𝑣𝑜(𝑡)
=
𝑑𝑡 𝐿
(35)

𝑣̅𝐶 (𝑡) − 𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡)

𝑑𝑣̅𝐶 (𝑡) (𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡) + 𝑖̅𝐿 (𝑡)) · (1 − 𝑑1(𝑡)) − 𝑖̅𝐿 (𝑡) · 𝑑3(𝑡) − 𝑅𝑑
=
𝑑𝑡 𝐶
(36)

𝑑𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡) 𝑣̅𝐶 (𝑡) − 𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡)

=
𝑑𝑡 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑
(37)

𝑑𝑣𝑜 (𝑡) 𝑖̅𝐿 (𝑡) 𝑣𝑜(𝑡)

= −
𝑑𝑡 𝐶𝑜 𝐶𝑜 · 𝑅𝑜
(38)

60
Memoria de cálculo______________________________________________________

2. Sentido inverso de la corriente mediante la figura (53):

1:1
L
_ + (iLm+iL)d1
iL iLm Lm
vg vCd3 + +
Rd
C vC Co vO Ro
iLd3 Vcd1
- -
Cd

Figura 53. Esquema sentido inverso de la corriente de modelo promediado de gran seña, se ha considerado Ci = Co.

𝑑𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡) 𝑣̅𝐶 (𝑡) · (1 − 𝑑1(𝑡)) − 𝑣𝑜(𝑡)

=
𝑑𝑡 𝐿𝑚
(39)

𝑑𝑖̅𝐿 (𝑡) 𝑣𝑔(𝑡) − 𝑣̅𝐶 (𝑡) · (1 − 𝑑1(𝑡)) + 𝑣𝑜(𝑡) + 𝑣̅𝐶 (𝑡) · (1 − 𝑑3(𝑡)) − 𝑣̅𝐶 (𝑡)
=
𝑑𝑡 𝐿
(40)

𝑑𝑣̅𝐶 (𝑡) 𝑖̅𝐿 (𝑡) · 𝑑3(𝑡) − (𝑖̅𝐿 (𝑡) − 𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡)) · (1 − 𝑑1(𝑡)) 𝑣̅𝐶 (𝑡) − 𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡)
= −
𝑑𝑡 𝐶 𝑅𝑑 · 𝐶
(41)

𝑑𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡) 𝑣̅𝐶 (𝑡) − 𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡)

=
𝑑𝑡 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑
(42)

𝑑 𝑣𝑜 (𝑡) 𝑖̅𝐿 (𝑡) + 𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡) 𝑣𝑜(𝑡)

= −
𝑑𝑡 𝐶𝑜 𝐶𝑜 · 𝑅𝑜
(43)

61
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.2.-Ecuaciones en equilibrio de las variables de estado.

Si el convertidor se encuentra en un estado estacionario reescribimos las ecuaciones

anteriores para las derivadas igual a cero, ya que en estos momentos no se producen
variaciones temporales.

1. Sentido normal de la corriente:

𝑣𝑔 − 𝑣𝐶 · (1 − 𝑑1)
0=
𝐿𝑚
(44)

𝑣𝑔 − 𝑣𝐶 · (1 − 𝑑1) + 𝑣𝐶 · 𝑑3 − 𝑣𝑜
0=
𝐿
(45)

𝑣𝐶 − 𝑣𝐶𝐷
(𝑖𝐿𝑚 + 𝑖𝐿 ) · (1 − 𝑑1) − 𝑖𝐿 · 𝑑3 −
0= 𝑅𝑑
𝐶
(46)

𝑣𝐶 − 𝑣𝐶𝐷
0=
𝑅𝑑 · 𝐶𝑑
(47)

𝑖𝐿 𝑣𝑜
0= −
𝐶𝑜 𝐶𝑜 · 𝑅𝑜
(48)

62
Memoria de cálculo______________________________________________________

2. Sentido opuesto de la corriente

𝑣𝐶 · (1 − 𝑑1) − 𝑣𝑜
0=
𝐿𝑚
(49)

𝑣𝑔 − 𝑣𝐶 · (1 − 𝑑1) + 𝑣𝑜 + 𝑣𝐶 · (1 − 𝑑3) − 𝑣𝐶
0=
𝐿
(50)

𝑖𝐿 · 𝑑3 − (𝑖𝐿 − 𝑖𝐿𝑚 ) · (1 − 𝑑1) 𝑣𝐶 − 𝑣𝐶𝐷

0= −
𝐶 𝑅𝑑 · 𝐶
(51)

𝑣𝐶 − 𝑣𝐶𝐷
0=
𝑅𝑑 · 𝐶𝑑
(52)

𝑖𝐿 + 𝑖𝐿𝑚 𝑣𝑜
0= −
𝐶𝑜 𝐶𝑜 · 𝑅𝑜
(53)

63
Memoria de cálculo______________________________________________________

Resolviendo los sistemas anteriores obtenemos en el punto de equilibrio de las

variables de estado.
1. Sentido normal de la corriente:

−𝑣𝑔 · 𝑑3
𝑖𝑙 =
𝑅𝑜 · (−1 + 𝑑1)
(54)

𝑣𝑔 · 𝑑3 · (−1 + 𝑑1 + 𝑑3)
𝑖𝑙𝑚 = −
𝑅𝑜 · (1 − 2 · 𝑑1 + 𝑑12 )
(55)

𝑣𝑔
𝑣𝑐 = −
−1 + 𝑑1
(56)

𝑣𝑔
𝑣𝑐𝑑 = −
−1 + 𝑑1
(57)

−𝑣𝑔 · 𝑑3
𝑣𝑜 =
−1 + 𝑑1
(58)
2. Sentido opuesto de la corriente:

𝑣𝑔 · (1 − 2 · 𝑑1 + 𝑑12 )
𝑖𝑙 =
𝑅𝑜 · 𝑑32
(59)

𝑣𝑔 · (−2 · 𝑑1 − 𝑑3 + 𝑑1 · 𝑑3 + 1 + 𝑑12 )
𝑖𝑙𝑚 = −
𝑅𝑜 · 𝑑32
(60)

𝑣𝑔
𝑣𝑐 =
𝑑3
(61)

𝑣𝑔
𝑣𝑐𝑑 =
𝑑3
(62)

64
Memoria de cálculo______________________________________________________

(−1 + 𝑑1) · 𝑣𝑔
𝑣𝑜 = −
𝑑3
(63)

Los promediados de las corrientes de los inductores y las tensiones de los

condensadores pueden expresarse en términos de sus correspondientes valores del espacio
de estado más las pequeñas señales de variación ac:

𝑖̅𝐿𝑚 (𝑡) = 𝑖𝐿𝑚 + 𝑖̂𝐿𝑚 (𝑡)

(64)

𝑖̅𝐿 (𝑡) = 𝑖𝐿 + 𝑖̂𝐿 (𝑡)

(65)

𝑣̅𝐶 (𝑡) = 𝑣𝐶 + 𝑣̂𝐶 (𝑡)

(66)

𝑣̅𝐶𝐷 (𝑡) = 𝑣𝐶𝐷 + 𝑣̂𝐶𝐷 (𝑡)

(67)

𝑣̅𝑜 (𝑡) = 𝑣𝑜 + 𝑣̂𝑜 (𝑡)

(68)

𝑑1 (𝑡) = 𝑑1 + 𝑑̂1 (𝑡)

(69)

𝑑3 (𝑡) = 𝑑3 + 𝑑̂3 (𝑡)

(70)

65
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.3.-Cálculo de matrices.

Considerando que nuestro modelo de estado es continuo e invariante en el tiempo

tenemos la siguiente forma de espacio de estado:
𝑑𝑥̂
̂ + 𝐵3 · 𝑑3
= 𝐴 · 𝑥̂ + 𝐵1 · 𝑑1 ̂
𝑑𝑡
(71)

Donde 𝑥̂ será nuestro vector de estado, A nuestra matriz de estado, B1 y B4 son las
matrices de entrada.
1. Sentido normal de la corriente:

𝑥̅ = (𝑖𝑙𝑚 𝑖𝑙 𝑣𝑐 𝑣𝑐𝑑 𝑣𝑜)𝑇

−1+𝑑1
0 0 0 0
𝐿𝑚
−1+𝑑1+𝑑3 −1
0 0 0
𝐿 𝐿
1−𝑑1 1−𝑑1−𝑑3 −1 1
𝐴= 0
𝐶 𝐶 𝑅𝑑·𝐶 𝑅𝑑·𝐶
1 −1
0 0 0
𝑅𝑑·𝐶𝑑 𝑅𝑑·𝐶𝑑
1 −1
( 0 𝐶𝑜
0 0
𝑅𝑜·𝐶𝑜)

𝑇
−𝑣𝑔 −𝑣𝑔 −𝑑32 ·𝑣𝑔
𝐵1 = ((−1+𝑑1)·𝐿𝑚 0 0)
(−1+𝑑1)·𝐿 𝐶·(−1+𝑑1)2 ·𝑅𝑜

−𝑣𝑔 𝑣𝑔·𝑑3 𝑇
𝐵3 = (0 (−1+𝑑1)·𝐿 𝑅𝑜·(−1+𝑑1)·𝐶
0 0)

66
Memoria de cálculo______________________________________________________

Por tanto queda expresado:

−1+𝑑1
0 0 0 0
𝐿𝑚
𝑖𝑙𝑚 ̇ −1+𝑑1+𝑑3 −1 𝑖𝑙𝑚
0 0 0
𝑖𝑙̇ 1−𝑑1 1−𝑑1−𝑑3
𝐿
−1 1
𝐿 𝑖𝑙
𝑣𝑐̇ = 0 · 𝑣𝑐 +
𝐶 𝐶 𝑅𝑑·𝐶 𝑅𝑑·𝐶
𝑣𝑐𝑑 ̇ 1 −1 𝑣𝑐𝑑
0 0 0
( 𝑣𝑜̇ ) 𝑅𝑑·𝐶𝑑 𝑅𝑑·𝐶𝑑 ( 𝑣𝑜 )
1 −1
( 0 𝐶𝑜
0 0
𝑅𝑜·𝐶𝑜)
−𝑣𝑔
(−1+𝑑1)·𝐿𝑚 0
−𝑣𝑔
−𝑣𝑔
(−1+𝑑1)·𝐿
(−1+𝑑1)·𝐿
+ −𝑑32 ·𝑣𝑔 · (𝑑1) + 𝑣𝑔·𝑑3 · (𝑑3)
𝑅𝑜·(−1+𝑑1)·𝐶
𝐶·(−1+𝑑1)2 ·𝑅𝑜
0
0 ( )
( ) 0
0

67
Memoria de cálculo______________________________________________________

2. Sentido opuesto de la corriente:

𝑥̅ = (𝑖𝑙𝑚 𝑖𝑙 𝑣𝑐 𝑣𝑐𝑑 𝑣𝑜)𝑇

1−𝑑1 −1
0 0 0
𝐿𝑚 𝐿𝑚
−1+𝑑1−𝑑3 1
0 0 0
𝐿 𝐿
−1+𝑑1 𝑑3−1+d1 −1 1
𝐴= 0
𝐶 𝐶 𝑅𝑑·𝐶 𝑅𝑑·𝐶
1 −1
0 0 0
𝑅𝑑·𝐶𝑑 𝑅𝑑·𝐶𝑑
1 1 −1
( 0 0
𝐶𝑜 𝐶𝑜 𝑅𝑜·𝐶𝑜)

𝑇
−𝑣𝑔 (1−2·𝑑1+𝑑12 )·𝑣𝑔
𝐵3 = (0 0 0)
𝑑3·𝐿 𝑅𝑜·𝑑32 ·𝐶

−𝑣𝑔 𝑣𝑔 −𝑣𝑔·(−1+𝑑1) 𝑇
𝐵1 = ( 0 0)
𝑑3·𝐿𝑚 𝑑3·𝐿 𝑅𝑜·𝑑3·𝐶

Por tanto queda expresado como:

1−𝑑1 −1
0 0 𝐿𝑚
0 𝐿𝑚
𝑖𝑙𝑚 ̇ −1+𝑑1−𝑑3 1 𝑖𝑙𝑚
0 0 0
𝑖𝑙̇ −1+𝑑1 𝑑3−1+d1
𝐿
−1 1
𝐿 𝑖𝑙
𝑣𝑐̇ = 0 · 𝑣𝑐 +
𝐶 𝐶 𝑅𝑑·𝐶 𝑅𝑑·𝐶
𝑣𝑐𝑑 ̇ 1 −1 𝑣𝑐𝑑
( 𝑣𝑜̇ )
0 0 𝑅𝑑·𝐶𝑑 𝑅𝑑·𝐶𝑑
0 ( 𝑣𝑜 )
1 1 −1
( 𝐶𝑜 𝐶𝑜
0 0 𝑅𝑜·𝐶𝑜)
−𝑣𝑔
0
−𝑣𝑔 𝑑3·𝐿𝑚
𝑣𝑔
𝑑3·𝐿
𝑑3·𝐿
(1−2·𝑑1+𝑑12 )·𝑣𝑔 · (𝑑3) + −𝑣𝑔·(−1+𝑑1) · (𝑑1)
𝑅𝑜·𝑑32 ·𝐶 𝑅𝑜·𝑑3·𝐶
0 0
( 0 ) ( 0 )

68
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.4.-Funciones de transferencia.

A continuación se obtienen las funciones de transferencia con la transformada de

Laplace, para el sentido normal de la corriente, salida relacionada con sus entradas.

𝑉𝑜(𝑠) 𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺1 (𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑1(𝑠) 𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0
(72)
𝑉𝑔
𝑘1 = −
−1 + 𝑑12

𝑎3 = 𝑅𝑜 · 𝐿𝑚 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · (𝑑1 − 1)

𝑎2 = (((𝑑1 − 1) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝑑32 · (𝑑3 + 𝑑1 − 1)) · 𝐶𝑑 + 𝑅𝑜 · 𝐶 · (𝑑1 − 1)) · 𝐿𝑚

𝑎1 = −𝑑3 · (−𝐿𝑚 · 𝑑32 − 𝐿𝑚 · (𝑑1 − 1) · 𝑑3 + 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (𝑑1 − 1)2 )

𝑎0 = −𝑅𝑜 · 𝑑3 · (𝑑1 − 1)2

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜

𝑏4 = (𝑅𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑) · 𝐿 · 𝐿𝑚

𝑏3 = ((((𝑑1 − 1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 · 𝐶) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝐿𝑚 · 𝐿

𝑏2 =
= ((𝐶𝑑 + 𝑑12 · 𝐶𝑜 + (−2 + 2 · 𝑑3) · 𝐶𝑜 · 𝑑1 + (𝑑32 − 2 · 𝑑3 + 1) · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (𝑑1 − 1 + 𝑑3)2 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 ·
· (−1 + 𝑑1)2 · (𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑)

𝑏1 =
= (𝐿 + 𝐿𝑚 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜) · 𝑑12 + ((−2 + 2 · 𝑑3) · 𝐿𝑚 − 2 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 − 2 · 𝐿) · 𝑑1 + (−1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + 𝐿 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ·
· 𝑅𝑜

𝑏0 = 𝑅𝑜 · (−1 + 𝑑1)2

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺2 (𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑3(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0
(73)
𝑉𝑔
𝑘2 = ⁄(−1 + 𝑑1);

𝑐3 = 𝑅𝑜 · 𝐿𝑚 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑;

𝑐2 = 𝐿𝑚 · ((−𝑑3 · (𝑑1 − 1 + 𝑑3) · 𝑅𝑑 + 𝑅𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝑅𝑜 · 𝐶);

𝑐1 = −𝑑3 · (𝑑1 − 1 + 𝑑3) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑1)2 ;

𝑐0 = 𝑅𝑜 (−1 + 𝑑1)2 ;

𝑑5 = 𝑠 5 𝐿𝑚 𝐿 𝑅𝑑 𝐶 𝐶𝑑 𝑅𝑜 𝐶𝑜 ;

𝑑4 = (𝑅𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑑3 = ((((𝑑1 − 1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 · 𝐶) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝐿𝑚 · 𝐿;

𝑑2 =
= ((𝐶𝑑 + 𝑑12 · 𝐶𝑜 + (−2 + 2 · 𝑑3) · 𝐶𝑜 · 𝑑1 + (𝑑32 − 2 · 𝑑3 + 1) · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (𝑑1 − 1 + 𝑑3)2 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 ·
· (−1 + 𝑑1)2 · (𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

69
Memoria de cálculo______________________________________________________

𝑑1 = (𝑑1 − 1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + (−1 + 𝑑1)2 · (𝐿 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜);

𝑑0 = +𝑅𝑜 (−1 + 𝑑1)2

Una vez ya se han obtenido las funciones de transferencia para ambas entradas, si
substituimos las variables por sus datos, es decir {Ro = 9.6, L = 35·10^(-6), Co =
110·10^(-6), C = 7·10^(-6), Cd = 66·10^(-6), Rd = 1.5, Lm = 14·10^(-6)} podemos
obtener una visión comparativa de la estabilidad de la planta en lazo abierto, a través de
sus límites de trabajo teóricos. Para ello manipularemos la entrada y salida de tensión a
través de los ciclos de trabajo con sus ecuaciones (6) y (10), en función de los modos de
funcionamiento ya sea Buck-Boost, Buck y Boost.

 BUCK-BOOST
Para el modo buck-boost tendremos una entrada de ciclo de trabajo d1=0 y
d3=1substituyendo en la expresión (72) y (73), obtenemos:

𝑉𝑜(𝑠) 𝑉𝑔
𝐺1 (𝑠) = = 𝑅𝑜 · 2
𝑑1(𝑠) 𝑠 · 𝐿 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑠 · 𝐿 + 𝑅𝑜

𝑉𝑜(𝑠) 𝑉𝑔
𝐺2 (𝑠) = = 𝑅𝑜 · 2
𝑑3(𝑠) 𝑠 · 𝐿 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑠 · 𝐿 + 𝑅𝑜

Las funciones coinciden en el límite de los dos modos.

70
Memoria de cálculo______________________________________________________

 BUCK

Para el modo Buck d1=0, dejando en función a d3.

𝑉𝑜(𝑠) 𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺1 (𝑠) = = 𝑉𝑔 ·
𝑑1(𝑠) 𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0

𝑎3 = 𝑅𝑜 · 𝐿𝑚 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 ;

𝑎2 = 𝐿𝑚 · ((𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 − 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑3));

𝑎1 = 𝑑3 ((−𝑑32 + 𝑑3)𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 𝑅𝑑 𝐶𝑑)𝑠;

𝑎0 = 𝑅𝑜 𝑑3 ;

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑏4 = (𝑅𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑏3 = ((𝑅𝑑 𝐶𝑑 (𝐶𝑜 − 2 𝑑3 𝐶𝑜 + 𝑑32 𝐶𝑜 + 𝐶)𝑅𝑜 + 𝐿 (𝐶 + 𝐶𝑑))𝐿𝑚 + 𝑅𝑑 𝐶𝑑 𝑅𝑜 𝐶𝑜 𝐿) ;

𝑏2 = ((𝐶𝑑 + (𝑑32 − 2 · 𝑑3 + 1) · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑3)2 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

𝑏1 = (−1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + 𝐿 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜;

𝑏0 = 𝑅𝑜

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺2 (𝑠) = = 𝑉𝑔 ·
𝑑3(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0

𝑐3 = 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑;

𝑐2 = 𝐿𝑚 · ((𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 − 𝑑3 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑3));

𝑐1 = ((−𝑑32 + 𝑑3)𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 𝑅𝑑 𝐶𝑑);

𝑐0 = 𝑅𝑜;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑑4 = (𝑅𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑) · 𝐿 · 𝐿𝑚;

𝑑3 = ((((−1 + 𝑑3)2 · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝐿𝑚 · 𝐿;

𝑑2 = ((𝐶𝑑 + (𝑑32 − 2 · 𝑑3 + 1) · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑3)2 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

𝑑1 = (−1 + 𝑑3)2 · 𝐿𝑚 + 𝐿 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜;

𝑑0 = 𝑅𝑜;

71
Memoria de cálculo______________________________________________________

BOOST

Para el modo Boost d3=1, dejando en función a d1.

𝑉𝑜(𝑠) (𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0)

𝐺1 (𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑1(𝑠) (𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0)

−𝑉𝑔
𝑘1 =
(−1 + 𝑑1)2

𝑎3 = 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑1);

𝑎2 = 𝐿𝑚 · ((−1 + 𝑑1) · (𝐶𝑑 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑑1 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

𝑎1 = −𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑1)2 + 𝐿𝑚 · 𝑑1;

𝑎0 = −(−1 + 𝑑1)2 · 𝑅𝑜;

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑏4 = 𝐿 (𝐶𝑜 (𝐶𝑑 + 𝐶)𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 𝐶 𝐶𝑑)𝐿𝑚;

𝑏3 = ((𝐶𝑜 (𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝑑1 𝐿 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 𝐶 + 𝐿 𝐶𝑜)𝐶𝑑 𝑅𝑑 𝑅𝑜 + 𝐿 𝐿𝑚 (𝐶𝑑 + 𝐶));

𝑏2 = ((𝐶𝑜 (𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝑑1 𝐿 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 𝐶 + 𝐿𝑚 𝐶𝑑 + 𝐿 𝐶𝑜)𝑅𝑜 + ((𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝐿 𝑑1 + 𝐿)𝐶𝑑 𝑅𝑑) ;

𝑏1 = 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑1)2 + (𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 − 2 · 𝑑1 · 𝐿 + 𝐿;

𝑏0 = (−1 + 𝑑1)2 𝑅𝑜

𝑉𝑜(𝑠) (𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0)

𝐺2 (𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑3(𝑠) (𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑠 2 + 𝑠 +)
−𝑉𝑔
𝑘2 =
(−1 + 𝑑1)

𝑐3 = 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑;

𝑐2 = 𝐿𝑚 · ((𝐶𝑑 + 𝐶) · 𝑅𝑜 − 𝑑1 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

𝑐1 = 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−1 + 𝑑1)2 − 𝐿𝑚 · 𝑑1 ;

𝑐0 = (−1 + 𝑑1)2 · 𝑅𝑜;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 ;

𝑑4 = 𝐿 · (𝐶𝑜 · (𝐶𝑑 + 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑) · 𝐿𝑚;

𝑑3 = ((𝐶𝑜 (𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝑑1 𝐿 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 𝐶 + 𝐿 𝐶𝑜)𝐶𝑑 𝑅𝑑 𝑅𝑜 + 𝐿 𝐿𝑚 (𝐶𝑑 + 𝐶));

𝑑2 = ((𝐶𝑜 (𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝑑1 𝐿 𝐶𝑜 + 𝐿𝑚 𝐶 + 𝐿𝑚 𝐶𝑑 + 𝐿 𝐶𝑜)𝑅𝑜 + ((𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝐿 𝑑1 + 𝐿)𝐶𝑑 𝑅𝑑) ;

𝑑1 = (𝑅𝑜 𝑅𝑑 𝐶𝑑 (−1 + 𝑑1)2 + (𝐿𝑚 + 𝐿)𝑑12 − 2 𝐿 𝑑1 + 𝐿) ;

𝑑0 = (−1 + 𝑑1)2 · 𝑅𝑜;

72
Memoria de cálculo______________________________________________________

1. Sentido opuesto de la corriente

𝑉𝑜(𝑠) 𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺(𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑3(𝑠) (𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0)
(74)

−𝑉𝑔
𝑘1 =
𝑑32

𝑎3 = 𝑑3 𝑅𝑜 𝐿𝑚 𝑅𝑑 𝐶 𝐶𝑑 ;

𝑎2 = (((1 + 𝑑3 − 𝑑1) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)) · (−1 + 𝑑1)2 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝑑3 · 𝑅𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝑑3 · 𝑅𝑜 · 𝐶;

𝑎1 = (−1 + 𝑑1)(−(−1 + 𝑑1)(−1 + 𝑑1 − 𝑑3)𝐿𝑚 − 𝑅𝑜 𝑑32 𝑅𝑑 𝐶𝑑 + 𝐿 (−1 + 𝑑1)2 ) ;

𝑎0 = −𝑅𝑜 · 𝑑32 · (−1 + 𝑑1);

𝑏5 = 𝑠 5 𝐿𝑚 𝐿 𝑅𝑑 𝐶 𝐶𝑑 𝑅𝑜 𝐶𝑜 ;

𝑏4 = ((𝑅𝑑 · 𝐶 + 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑏3 = ((((−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · (−𝐿𝑚 + 𝐿)) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐶 · 𝐿;

𝑏2 = ((−𝐶𝑑 − 𝐶𝑜 · 𝑑12 + 2 · 𝐶𝑜 · 𝑑1 + (𝑑32 − 1) · 𝐶𝑜 − 𝐶) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (𝐶𝑜 + 𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜 · 𝑑12 − 2 · 𝐶𝑜 · 𝑑1)) · 𝑅𝑜 +

((−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑑;

𝑏1 = (−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ;

𝑏0 = 𝑑32 𝑅𝑜

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺(𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑1(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0
(75)
−𝑉𝑔
𝑘2 =
𝑑3

𝑐3 = 𝐶 · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑐2 = (−(−1 + 𝑑1) · ((−𝑑1 + 1 + 𝑑3) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)) · 𝑅𝑑 + 𝑅𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿)) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝑅𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑐1 = (−1 + 𝑑1) · (−1 + 𝑑1 − 𝑑3) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 − 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ;

𝑐0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑑4 = ((𝑅𝑑 · 𝐶 + 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑑3 = ((((−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑜 + 𝐶 · (−𝐿𝑚 + 𝐿)) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐶 · 𝐿 ;

𝑑2 =
= ((−𝐶𝑑 − 𝐶𝑜 · 𝑑12 + 2 · 𝐶𝑜 · 𝑑1 + (𝑑32 − 1) · 𝐶𝑜 − 𝐶) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (𝐶𝑜 + 𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜 · 𝑑12 − 2 · 𝐶𝑜 · 𝑑1)) · 𝑅𝑜 +
+ ((−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ) · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑑 ;

𝑑1 = (−𝑑12 − 1 + 2 · 𝑑1 + 𝑑32 ) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 ;

𝑑0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

73
Memoria de cálculo______________________________________________________

 BUCK-BOOST

Para el modo Buck-Boost tendremos una entrada de d3=1 y d1=0, substituyendo en la

expresión (74) y (75), obtenemos:

𝑉𝑜(𝑠) −𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺(𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑3(𝑠) 𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0

𝑘1 = −𝑉𝑔

𝑎3 = 𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝐿𝑚 ;

𝑎2 = ((2 · 𝑅𝑑 + 𝑅𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝑅𝑜 · 𝐶) · 𝐿𝑚 − 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝐿;

𝑎1 = 2 · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 − 𝐿;

𝑎0 = 𝑅𝑜

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 ;

𝑏4 = ((𝑅𝑑 · 𝐶 + 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑏3 = ((−𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 + 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝐿) · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (𝐶𝑜 + 𝐶);

𝑏2 = (−𝑅𝑜 · 𝐶𝑑 − 𝑅𝑜 · 𝐶) · 𝐿𝑚 + ((𝑅𝑜 + 𝑅𝑑) · 𝐶𝑑 + 𝑅𝑜 · (𝐶𝑜 + 𝐶)) · 𝐿 ;

𝑏1 = 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐿;

𝑏0 = 𝑅𝑜;

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺(𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑1(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0

𝑘2 = −𝑉𝑔

𝑎3 = 𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑎2 = ((−𝐿𝑚 + 𝐿)(𝐶 + 𝐶𝑑)𝑅𝑜 − 𝐶𝑑 𝑅𝑑 (𝐿 − 2 𝐿𝑚));

𝑎1 = 2 · 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 − 𝐿 ;

𝑎0 = 𝑅𝑜;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑑4 = (𝐶𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 + 𝐶𝑑 · 𝑅𝑑 · 𝐶) · 𝐿 · 𝐿𝑚;

𝑑3 = 𝑅𝑑 · ((𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝐿 − 𝐿𝑚 · 𝐶) · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 + 𝐿𝑚 · 𝐿 · (𝐶 + 𝐶𝑑);

𝑑2 = ((−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝐶𝑑 + (𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝐿 − 𝐿𝑚 · 𝐶) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝐿 ;

𝑑1 = 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐿 ;

𝑑0 = 𝑅𝑜

74
Memoria de cálculo______________________________________________________

 BUCK

Para el modo Buck d3=1, dejando en función a d1.

𝑉𝑜(𝑠) −𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺(𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑3(𝑠) 𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0

𝑘1 = −𝑉𝑔

𝑎3 = 𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝐿𝑚 ;

𝑎2 = (((−𝑑1 + 2) · 𝐿𝑚 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)) · (−1 + 𝑑1)2 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜) · 𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜 · 𝐶;

𝑎1 = (−1 + 𝑑1) · ((−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 + (3 · 𝐿𝑚 − 2 · 𝐿) · 𝑑1 + 𝐿 − 2 · 𝐿𝑚 − 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑);

𝑎0 = 𝑅𝑜 − 𝑑1 · 𝑅𝑜;

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 ;

𝑏4 = 𝐶 · 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐶 · 𝐿𝑚 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 · 𝐿 + 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑏3 = ((((−1 + 𝑑1)2 · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝐿 − ((𝑑12 − 2 · 𝑑1) · 𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝐿𝑚) · 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐿) · 𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 · 𝐶 · 𝐿 ;

𝑏2 =
= (𝐶𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 − 2 · 𝐶𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑1 + (𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜) · 𝐿 − 𝐿𝑚 · (𝐶 + 𝐶𝑑)) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ·
· ((−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 + (2 · 𝐿𝑚 − 2 · 𝐿) · 𝑑1 + 𝐿);

𝑏1 = 𝐿 + 2 · 𝐿𝑚 · 𝑑1 − 𝐿𝑚 · 𝑑12 + 𝐿 · 𝑑12 − 2 · 𝐿 · 𝑑1 + 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ;

𝑏0 = 𝑅𝑜

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺(𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑1(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0

𝑘2 = −𝑉𝑔;

𝑐3 = 𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑐2 = (((𝑅𝑜 + (2 𝑑1 − 1 − 𝑑12 )𝑅𝑑)𝐿 + (−𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 (−1 + 𝑑1)(𝑑1 − 2))𝐿𝑚) 𝐶𝑑 + 𝐶 𝑅𝑜 (−𝐿𝑚 + 𝐿))

𝑐1 = (𝑅𝑜 𝑅𝑑 𝐶𝑑 − (𝐿 (−1 + 𝑑1) − 𝐿𝑚 (𝑑1 − 2))(−1 + 𝑑1)) ;

𝑐0 = 𝑅𝑜;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜;

𝑑4 = ((𝑅𝑑 𝐶 + 𝑅𝑜 𝐶𝑜)𝐶𝑑 + 𝐶 𝑅𝑜 𝐶𝑜)𝐿 𝐿𝑚 ;

𝑑3 = (((𝑅𝑑 (𝐶𝑜 𝑑12 + 𝐶𝑜 + 𝐶 − 2 𝐶𝑜 𝑑1)𝑅𝑜 + 𝐿𝑚)𝐿 − 𝐿𝑚 𝑅𝑜 𝑅𝑑 (𝐶𝑜 𝑑12 + 𝐶 − 2 𝐶𝑜 𝑑1))𝐶𝑑 + 𝐿𝑚 𝐶 𝐿) ;

𝑑2 =
= (𝐶𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 − 2 · 𝐶𝑜 · (−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑1 + (𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜) · 𝐿 − 𝐿𝑚 · (𝐶 + 𝐶𝑑)) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ·
· ((−𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝑑12 + (2 · 𝐿𝑚 − 2 · 𝐿) · 𝑑1 + 𝐿);

𝑑1 = 𝑅𝑜 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 + 𝐿 · (−1 + 𝑑1)2 − 𝐿𝑚 · 𝑑1 · (𝑑1 − 2);

75
Memoria de cálculo______________________________________________________

𝑑0 = 𝑅𝑜;

 BOOST

Para el modo Boost d1=0, dejando en función de d3.

𝑉𝑜(𝑠) 𝑎3 · 𝑠 3 + 𝑎2 · 𝑠 2 + 𝑎1 · 𝑠 + 𝑎0
𝐺(𝑠) = = 𝑘1 ·
𝑑3(𝑠) 𝑏5 · 𝑠 5 + 𝑏4 · 𝑠 4 + 𝑏3 · 𝑠 3 + 𝑏2 · 𝑠 2 + 𝑏1 · 𝑠 + 𝑏0

𝑘1 = −𝑉𝑔/𝑑32

𝑎3 = 𝑑3 𝑅𝑜 𝐿𝑚 𝑅𝑑 𝐶 𝐶𝑑;

𝑎2 = (𝑑3 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (1 + 𝑑3)) · 𝐿𝑚 − 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · 𝐿 ;

𝑎1 = (1 + 𝑑3) · 𝐿𝑚 − 𝐿 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ;

𝑎0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

𝑏5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 ;

𝑏4 = (𝐶𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 + 𝐶𝑑 · 𝑅𝑑 · 𝐶) · 𝐿 · 𝐿𝑚;

𝑏3 = ((−𝑅𝑑 𝐶𝑑 (𝐶 + 𝐶𝑜 − 𝐶𝑜 𝑑32 )𝑅𝑜 + 𝐿 (𝐶 + 𝐶𝑑))𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 𝐿 𝑅𝑑 𝐶𝑑 (𝐶𝑜 + 𝐶)) ;

𝑏2 = ((𝐶𝑜 · 𝑑32 − 𝐶𝑜 − 𝐶 − 𝐶𝑑) · 𝐿𝑚 + (𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜) · 𝐿) · 𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · ((𝑑32 − 1) · 𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑏1 = 𝐿𝑚 · 𝑑32 + 𝐿 − 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑;

𝑏0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

𝑉𝑜(𝑠) 𝑐3 · 𝑠 3 + 𝑐2 · 𝑠 2 + 𝑐1 · 𝑠 + 𝑐0
𝐺(𝑠) = = 𝑘2 ·
𝑑1(𝑠) 𝑑5 · 𝑠 5 + 𝑑4 · 𝑠 4 + 𝑑3 · 𝑠 3 + 𝑑2 · 𝑠 2 + 𝑑1 · 𝑠 + 𝑑0

𝑘2 = −𝑉𝑔⁄𝑑3

𝑐3 = 𝑅𝑜 · 𝐶 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 · (−𝐿𝑚 + 𝐿);

𝑐2 = (−𝐿𝑚 + 𝐿) · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 − 𝑅𝑑 · ((−𝑑3 − 1) · 𝐿𝑚 + 𝐿) · 𝐶𝑑 ;

𝑐1 = (1 + 𝑑3) · 𝐿𝑚 − 𝐿 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ;

𝑐0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

𝑑5 = 𝐿𝑚 · 𝐿 · 𝑅𝑑 · 𝐶 · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 · 𝐶𝑜 ;

𝑑4 = (𝐶𝑜 · (𝐶 + 𝐶𝑑) · 𝑅𝑜 + 𝐶𝑑 · 𝑅𝑑 · 𝐶) · 𝐿 · 𝐿𝑚 ;

𝑑3 = 𝑅𝑑 · ((𝐶𝑜 · 𝑑32 − 𝐶 − 𝐶𝑜) · 𝐿𝑚 + (𝐶𝑜 + 𝐶) · 𝐿) · 𝐶𝑑 · 𝑅𝑜 + 𝐿𝑚 · 𝐿 · (𝐶 + 𝐶𝑑);

𝑑2 = (((𝐶𝑜 𝑑32 − 𝐶𝑜 − 𝐶 − 𝐶𝑑)𝐿𝑚 + (𝐶 + 𝐶𝑑 + 𝐶𝑜)𝐿)𝑅𝑜 + 𝑅𝑑 𝐶𝑑 ((𝑑32 − 1)𝐿𝑚 + 𝐿)) ;

𝑑1 = 𝐿𝑚 · 𝑑32 + 𝐿 − 𝐿𝑚 + 𝑅𝑜 · 𝑑32 · 𝑅𝑑 · 𝐶𝑑 ;

𝑑0 = 𝑅𝑜 · 𝑑32 ;

76
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.5.-Diagrama de polos y ceros.

Las funciones de transferencia varían en un sentido u otro de la corriente lo que dará

lugar a cambios dinámicos en sus modos de funcionamiento respectivo, para verificar la
estabilidad de una manera gráfica se pueden emplear los diagrama de polos y ceros.
El diagrama de polos es una herramienta básica para dictaminar la estabilidad de un
circuito. Los polos son las raíces dominantes de la función de transferencia anteriormente
obtenidas y son los que dictaminan si un circuito es inestable, estable o marginalmente
estable.

Sentido normal de la corriente:

GVod1(s) GVod3(s)

77
Memoria de cálculo______________________________________________________

Figuras 54. Diagramas de polos y ceros para las funciones de transferencia Gvod1(s) y Gvod3(s) para el sentido normal de la
corriente.

Observando la figura (54), de los diagramas vemos que no existe ningún polo en el
semiplano derecho, lo que un principio muestra la estabilidad del circuito, aunque se
observa que existen polos muy cercanos al eje imaginario, lo que llamaríamos un circuito
marginalmente estable. Las raíces de los ceros solo juegan un papel de compensación, ya
que un cero en superposición con un polo anula a ambos. A medida que nos acercamos a
la zona Buck-Boost por ambas entradas los polos más a la izquierda son anulados por los
ceros pero luego posteriormente en la zona Buck vuelven a aparecer. Recordemos que en
lazo cerrado los polos se sitúan en lugares geométricos que comienzan en los polos de
lazo abierto y acaban en los ceros de lazo abierto.

78
Memoria de cálculo______________________________________________________

Sentido opuesto de la corriente:

GVod3(s) GVod1(s)

Figuras 55. Diagramas de polos y ceros para las funciones de transferencia Gvod3(s) y Gvod1(s) para el sentido opuesto de la
corriente.
En principio no presenta polos en el SPD , y tampoco ceros con lo cual los polos no se
dirigirán al SPD. El circuito presenta estabilidad marginal en todos los modos de
funcionamiento para ambas entradas. Las diferencias más significativas con el sentido
normal de la corriente se encuentran en el modo Buck-Boost, ya que en el sentido normal
quedan 3 polos completamente anulados mientras que en el sentido opuesto aun aparecen
aunque muy cerca de los ceros. La principal causa es la asimetría del circuito, es decir la
falta del inductor a la salida deriva en ecuaciones diferentes que logran casi el mismo
comportamiento, lo que dará lugar oscilaciones.

79
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.6.-Diagramas de Bodes.

Sentido normal de la corriente.

Figura 56. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod1(s) sentido normal de la corriente.

Figura 57. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod4(s) sentido normal de la corriente.

80
Memoria de cálculo______________________________________________________

El diagrama de Bode es una representación gráfica que sirve para caracterizar la

respuesta en frecuencia de un sistema. Éste consta de dos gráficas separadas, una que
corresponde con la magnitud de dicha función y otra que corresponde con la fase.

Para obtener experimentalmente la respuesta en frecuencia de un sistema se siguen los

siguientes procedimientos:

 Se aplican señales senoidales a distintas frecuencias.

 Se determinan las ganancias y desfases que produce el sistema a dichas
frecuencias por comparación de las senoides de salida y entrada.
 Finalmente se representan los puntos (y los unimos) en dos diagramas
logarítmicos (uno para amplitudes y otro para fases) que constituyen el llamado
diagrama de Bode.

Los diagramas de bode que se han obtenido en lazo abierto, han sido realizados
respecto a los ciclos de trabajo, por lo que estamos asumiendo realimentaciones
proporcionales unitarias, los cuales únicamente nos sirven para determinar las diferencias
que existen entre un sentido de corriente y el otro; en este caso no sirven para poder
determinar un control de realimentación, al no ser figura de mérito.

Una de las principales diferencias entre el sentido normal de la corriente figuras (56)
y (57) y el otro sentido opuesto figuras (58) y (59) son los puntos críticos de resonancia
que no coinciden a la misma frecuencia entre los distintos modos aproximadamente entre
los 203 Hz y 303 Hz, por ejemplo el modo Boost se encuentra algo retrasado respecto al
modo Buck-Boost, mientras que el modo Buck se encuentra ligeramente adelantado. Otra
diferencia que se observa en la figura (59) con respecto las otras, es que a partir de la
frecuencia 104 Hz el desfase disminuye y posteriormente aumenta. Todas estas diferencias
claras son debido a la falta del inductor de salida L en sentido opuesto de la corriente.

Actualmente se están realizando pruebas en un convertidor simétrico, cuyos resultados

experimentales entre otras cosas, harán que estás diferencias mostradas entre un sentido
y el otro de la corriente prácticamente no existan.

81
Memoria de cálculo______________________________________________________

Sentido opuesto de la corriente.

Figura 58. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod1(s) sentido opuesto de la corriente.

Figura 59. Diagrama de bode de la función de transferencia GVod4(s) sentido opuesto de la corriente.

82
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.7.-Cálculo de condensador de Bootstrap y elección del condensador.

Para el cálculo se emplea la ecuación (18) y obtenemos los valores de las hojas
técnicas del diodo de bootstrap ES1B, el diodo escogido ultra-rápido.
(100·10−6 +1,9·10−3 )
Cbs = (210 · 10−9 + 1,9 · 10−9 + )⁄(15 − 14,5) = 0,47 µF
100000

El resultado de la capacidad de bootstrap es de 0,47 µF, por lo tanto escogemos un

condensador algo sobredimensionado de 1 µF.

83
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.8.-Cálculo y necesidad de circuitos de red snubber RC.

Debido a la inductancia de dispersión del devanado primario del transformador, se

genera un sobrepico en el drenador del MOSFET ocasionado por esta inductancia, que
trata de mantener su corriente al apagarse el MOSFET de lado bajo del semipuente. Para
atenuar este sobrepico se colocan una red snubber formado por una resistencia y un
condensador.

Para proceder al cálculo del filtro RC hemos seguido los siguientes pasos:
1. Obtenemos la frecuencia del harmónico con el osciloscopio (F).

Figura 60. Forma de onda de las oscilaciones parásitas

2. La capacidad parásita de salida del transistor MOSFETs de la hoja técnica (Coss).

Figura 61. Características de las capacidades internas del transistor IRFB4110Pbf

3. Calculamos la inductancia L causante de la resonancia en el MOSFET:

1
𝐿= (74)
(2·𝑃𝑖·𝐹)2 ·𝐶𝑜𝑠𝑠

84
Memoria de cálculo______________________________________________________

4. Calculamos la resistencia del snubber (Rs).

L
Rs ≈ √ (75)
Coss

5. Calculamos el condensador del snubber (Cs), la capacidad amortiguadora se elige

generalmente para ser al menos entre 3 y 4 veces el valor del condensador de
resonancia parásita.
Sirve como punto de partida, posteriormente es posible que se tenga que hacer un
reajuste empírico, entre capacidad y resistencia manteniendo la misma constante τ=R·C.
En la figura (58) se puede observar y comparar la mejoría de la señal.

Figura 62. Mejora de señal tras colocar snubber RC.

85
Memoria de cálculo______________________________________________________

2.9.-Cálculo del ancho de pista de la PCB.

Para el cálculo del ancho del trazado mínimo requerido se ha respetado el estándar IPC
2221A “Generic Standard on Printed Board Design”, que define una serie de factores
para el tipo de capa de cobre utilizado. En este caso la capa es externa por ambos lados
El cálculo del ancho de pista “trace width” (W), para la zona que ha de soportar la
máxima intensidad; se han tenido en cuenta los siguientes parámetros:

 Máx. current: 16 A
 Trace Thickness (T): 35 µm
ǀ w
 Temperature Rise: 35 °C
T ǀ
 Ambient Temperature: 25 °C
 Length: 100 mm

Figura 63. Capa externa placa de circuito impreso

Fórmulas aplicadas para el cálculo:

Área = (I⁄ (T[°C])B )

C
(76)
K·
2]
𝐴𝑛𝑐ℎ𝑜[𝑚𝑚] = Á𝑟𝑒𝑎[𝑚𝑚 ⁄𝑇ℎ𝑖𝑐𝑘𝑛𝑒𝑠𝑠[𝑜𝑧] · 𝑌 (77)

𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑[𝑖𝑛𝑐ℎ]
𝑅[Ω] = 𝑅𝑣 · ⁄ · (1 + 𝛼 · (𝑇𝐶 − 𝑇𝑅𝐸𝐹 )) (78)
Á𝑟𝑒𝑎[𝑖𝑛𝑐ℎ2 ]

Factores que marca el estándar IPC-2221A que se han tenido en cuenta:

Y 1,378[mil/oz] para cobre

B 0,44
C 0,725
K 0,048 (capa externa)
𝑹𝑽 6,787·10−7 [𝑜ℎ𝑚 − 𝑖𝑛𝑐ℎ]
Tabla 4. Factores del estandar IPC-2221A

86
Memoria de cálculo______________________________________________________

Los resultados obtenidos son:

 Ancho trazado (W): 6,43 mm

 Resistencia: 8,58 mΩ
 Voltaje: 137,32 mV
 Potencia disipada: 2,2 W

Para la realización de las pistas del regulador de tensión LM317T se ha tenido en

cuenta la máxima intensidad de paso que son los 2,5 A que su hoja técnica nos indica.
Los cálculos obtenidos mediante las fórmulas (99) y (100) son:

 Ancho trazado (W): 0,497 mm

 Resistencia: 111,07 mΩ
 Voltaje: 277,66 mV
 Potencia disipada: 694,16 mW

Para el resto de pistas se ha implementado como mínimo el mismo grosor según

ha convenido partiendo de los 0,497 mm.

87
 Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48V, 16A)

3.-SIMULACIONES PSIM

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Simulaciones psim_______________________________________________________

INDICE SIMULACIONES PSIM

3.1.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo abierto .............................. 90

3.2.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo abierto ............................. 91
3.3.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo cerrado ............................. 92
3.4.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo cerrado ............................ 93

89
Simulaciones psim_______________________________________________________

3.1.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo abierto.

Sentido normal de la corriente:

En la figura se puede apreciar el modo de funcionamiento de trabajo del
convertidor, en este caso se trata de modo Buck. Teniendo una frecuencia de trabajo de
100 kHz con un ciclo de trabajo del 50%.
Se puede apreciar que la tensión de entrada es de 48 V obteniendo por tanto una
salida de 24 V. Siempre teniendo en cuenta que los componentes de simulación son
ideales.

Figura 64. Visualización señales en lazo abierto modo Buck Vg=48, Dc=0,5 en sentido normal
Sentido opuesto de la corriente:

Figura 65. Visualización señales en lazo abierto modo Buck Vg=48, Dc=0,5 en sentido opuesto

90
Simulaciones psim_______________________________________________________

3.2.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo abierto.

En la figura se puede apreciar el modo de funcionamiento de trabajo del convertidor,

en este caso se trata de modo Boost. Teniendo una frecuencia de trabajo de 100 kHz con
un ciclo de trabajo del 50%.
El convertidor está trabajando con una tensión de entrada en este caso que es de 24 V,
obteniendo una salida de 48 V. aproximadamente. Siempre teniendo en cuenta que los
componentes de simulación son ideales.
Sentido normal de la corriente:

Figura 66. Visualización señales en lazo abierto modo Boost Vg=24, Dc=0,5 en sentido normal
Sentido opuesto de la corriente:

Figura 67. Visualización señales en lazo abierto modo Boost Vg=24, Dc=0,5 en sentido opuesto

91
Simulaciones psim_______________________________________________________

3.3.-Funcionamiento del convertidor en modo Buck lazo cerrado.

Para la simulación y verificación de funcionamiento en lazo cerrado se ha colocado un

control de tensión el cual se ha ajustado para obtener un punto de consigna a la salida del
convertidor de 48 V. De esta manera tendrá que regular automáticamente, ya que en
pruebas experimentales posteriores se tendrá que realizar la toma de eficiencia.
En esta figura se puede apreciar la regulación trabajando en modo Buck, para una
entrada de 55 V obtenemos una salida aproximada de 48V. También se aprecian los
transitorios durante los 3 primeros milisegundos debidos a los ajustes del control y los
tiempos muertos en nanosegundos emulando la carga de capacidades parásitas de los
transistores así como resistencias y pequeñas inductancias del cableado, se han tenido en
cuenta también las tensiones iniciales de los condensadores de entrada y los intermedios.

Figura 68. Transitorio de arranque sentido normal modo Buck

En esta otra figura se puede apreciar en sentido inverso, viendo claramente que al
tener la planta una estructura asimétrica el comportamiento es un poco distinto.

Figura 69. Transitorio de arranque sentido opuesto modo Buck

92
Simulaciones psim_______________________________________________________

3.4.-Funcionamiento del convertidor en modo Boost lazo cerrado.

En la figura (70) vemos que el transitorio de arranque del modo Boost dura casi el
doble de tiempo si lo comparamos con el modo Buck, y sus picos de corriente son más
altos al conmutar el MOSFET lado bajo del semipuente A por el cortocircuito del
transistor.
La entrada Vg= 24 V, y tiene un ciclo de trabajo del 50 % por tanto obtenemos una
salida aproximada de 48 V.

Figura 70. Transitorio de arranque sentido normal modo Boost

El sentido opuesto figura (71) también muestra divergencias y su transitorio se

retrasa todavía más con respecto el sentido normal, la falta del inductor a la salida provoca
que la estabilización se retrase.

Figura 71. Transitorio de arranque sentido opuesto modo Boost.

93
Simulaciones psim_______________________________________________________

(a) (b)

(c) (d)

Figura 72. Formas de ondas típicas para salida Vo=48 V: (a) y (b) corrientes y voltajes para modo boost sentido normal con Vg=39
V; (c) y (d) corrientes y voltajes en modo buck sentido normal con Vg=55 V.

94
Simulaciones psim_______________________________________________________

(a) (b)

(c) (d)

Figura 73. Formas de ondas típicas para salida Vo=48 V: (a) y (b) corrientes y voltajes para modo boost sentido opuesto con Vg=39
V; (c) y (d) corrientes y voltajes en modo buck sentido opuesto con Vg=55 V.

95
 Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48V, 16A)

4.-PRUEBAS EXPERIMENTALES

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Pruebas experimentales___________________________________________________

INDICE PRUEBAS EXPERIMENTALES

4.1.-Modelos de ensayo en lazo abierto ...................................................................... 98

4.1.1.-Ensayo modo Buck ....................................................................................... 98
4.1.4.-Ensayo modo Buck sentido inverso .............................................................. 99
4.1.2.-Ensayo modo Boost .................................................................................... 101
4.1.5.-Ensayo modo Boost sentido inverso ........................................................... 103
4.1.3.-Ensayo modo Buck-boost ........................................................................... 104
4.1.6.-Ensayo modo Buck-Boost sentido inverso ................................................. 105
4.2.-Pruebas en lazo cerrado ..................................................................................... 106
4.2.1.-Ensayo Bidireccional .................................................................................. 107
4.2.2.-Eficiencias ................................................................................................... 109
4.3.-Pruebas de sensado ............................................................................................ 115

97
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.-Modelos de ensayo en lazo abierto.

4.1.1.-Ensayo modo Buck.

(a) (b)

(c) (d)
Figuras 74. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en modo Buck
lazo abierto en sentido normal .

En esta prueba la tensión de entrada es aproximadamente vg=55 V, solamente

observamos el semipuente B en los pulsos. Si aplicamos la ecuación (6) del ciclo de
trabajo en modo Buck en todas las figuras:

𝐷 = 𝑣𝑜/𝑣𝑖

Tenemos:

0,8 = 𝑣𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 44 𝑉.
0,6 = 𝑣𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 33 𝑉.
0,4 = 𝑣𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 22 𝑉.
0,2 = 𝑣𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 11 𝑉.

Vemos como claramente la salida vo es proporcional al ciclo de trabajo para una

determinada entrada de tensión. A medida que el ciclo de trabajo es más pequeño las
diferencias entre la corriente de entrada y de salida como es lógico se acentúan. Hay que
comentar que la carga a la salida se ha ido variando para no tener que estresar con
corrientes altas a la salida en los ciclos de trabajo pequeños.

98
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.4.-Ensayo modo Buck sentido inverso.

(a) (b)

(c) (d)

Figuras 75. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en modo Buck
lazo abierto sentido opuesto.

En la figura (71) observamos el semipuente A con los canales 1 y 2 que son las
tensiones de puerta de Q1 y Q2 respectivamente; canal 3 y 4 son las corrientes ig e iL.
Para el cálculo hay que tenerlo en cuenta que al canal 2 hay que aplicarle un factor de
corrección de x10 debido a una mala configuración de la sonda, ya que la tensión de
entrada vg es aproximadamente igual a 55 V. Si aplicamos (6), tenemos:

0,84 = 𝑉𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 46,2 𝑉.

0,63 = 𝑉𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 34,65 𝑉.
0,44 = 𝑉𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 24,2 𝑉.
0,24 = 𝑉𝑜/55 → 𝑣𝑜 = 13,2 𝑉.

99
Pruebas experimentales___________________________________________________

En este experimento las sondas de corriente se han invertido para que salieran valores
positivos como es lógico, todo y eso se puede apreciar en las figuras (71d) y (71c), que la
corriente pasa por debajo de cero en algunos instantes sin verse recortada, este es
característica importante únicamente de los convertidores bidireccionales, ya que si la
planta fuera unidireccional la corriente se vería recortada al trabajar en DCM.

100
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.2.-Ensayo modo Boost.

(a) (b)

(c) (d)

Figuras 76.. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en modo Boost
lazo abierto en sentido normal .

El modo Boost se ha probado con una entrada vg=24 V. De antemano sabemos que la
corriente de salida será menor que la de entrada. Respetando:

(1 − 𝐷) = 𝑣𝑖/𝑣𝑜
Por tanto:

𝑣𝑜 = 𝑣𝑖/(1 − 𝐷)

𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,2) → 𝑣𝑜 = 30 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,3) → 𝑣𝑜 = 34,28 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,4) → 𝑣𝑜 = 40 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,5) → 𝑣𝑜 = 48 𝑉.

Hay que tener en cuenta que el tanto por ciento del ciclo de trabajo que se muestran en
las figuras así como la frecuencia, no son los reales del todo por falta de resolución del

101
Pruebas experimentales___________________________________________________

osciloscopio en el instante de la captura, por eso hay alguna variación. Las dos señales
de pulso visualizadas son las del semipuente A. Canal 1 y 2 son los transistores Q1 y
Q2 respectivamente, y canal 3 y 4 son las corriente ig e iL. Al igual que en el modo
Buck las formas triangulares de las corrientes son debida a la carga y descarga de las
inductancias. Al cerrar el transistor Q1 las inductancias se cargan de corriente ya que
la fuente se encuentra conectada directamente a masa, y posteriormente al abrir Q2 y
cerrar Q1 estás se descargan. Lo mismo pasa con la inductancia de salida que se carga
a través de los condensadores intermedios y el filtro RC cuando Q1 se encuentra
cerrado, posteriormente al cerrar Q2 toda esa energía acumulada en la inductancia de
salida L se descarga en la carga Ro.

102
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.5.-Ensayo modo Boost sentido inverso.

(a) (b)

(c) (d)

Figuras 77. Formas de ondas de las tensiones de los pulsos de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en modo Boost
lazo abierto en sentido opuesto .

El ensayo en modo Boost se ha realizado con una entrada vg=24 V. El canal 2 muestra
la tensión de puerta, la tensión de drenador es el transistor de lado bajo del semipuente B,
en la figura 77 algunos ciclos de trabajo no se corresponde al real debido a la baja
resolución del osciloscopio en el momento de la captura de la imagen, los ciclo de trabajo
tomados son del 20 %, 30 % 40 % y 50 % respectivamente al igual que en el ensayo
normal de la corriente.

𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,2) → 𝑣𝑜 = 30 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,3) → 𝑣𝑜 = 34,28 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,4) → 𝑣𝑜 = 40 𝑉.
𝑣𝑜 = 24/(1 − 0,5) → 𝑣𝑜 = 48 𝑉.

103
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.3.-Ensayo modo Buck-Boost.

Figuras 78. Formas de ondas de las tension del pulso de gate y las corrientes de entrada y salida en modo Buck_Boost en sentido
normal.

Las formas de ondas de la corriente del modo Buck-Boost se caracterizan por no tener
rizado triangulares en las corrientes, en este ensayo, se introdujeron dos duty del 20%
para los dos transistores lado bajo.

Las sondas de tensión que se muestran son la del canal 1 del semipuente A lado alto,
y canal 2 semipuente B lado bajo.

104
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.1.6.-Ensayo modo Buck-Boost sentido inverso.

Figuras 79. Formas de ondas de la tensión de pulso de gate y las corrientes de entrada y salida del convertidor en modo Buck_Boost
lazo abierto en sentido opuesto..

El modo Buck-Boost no presenta forma triangular en las corrientes, en este ensayo, se

introdujo un duty del 20% para el modo Boost y un duty del 80% para el modo Buck.

Las sondas de tensión que se muestran son la del canal 1 del semipuente A lado bajo,
y canal 2 semipuente B lado bajo.

105
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.2.-Pruebas en lazo cerrado.

Figura 80, configuración experimental de los dispositivos utilizados para el ensayo bidireccional.

106
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.2.1.-Ensayo Bidireccional.

(a) (b)

(c)

Figura 81. (a) Modo Boost Vg= 39 V, (b) modo Buck-Boost Vg≈ 47 V y (c) modo Buck Vg= 55 V, la salida Vo=48 V sentido normal de
la corriente.

Para el ensayo bidireccional hemos acoplado el control de tensión que se presenta en

el artículo [1] con las modificaciones introducidas explicadas en el apartado de la
memoria descriptiva 1.5.12. En la figura (81a) y (81b) observamos las tensiones de puerta
de los transistores Q1 y Q2, por otro lado los canales 3 y 4 son las corrientes de entrada
y salida.
Durante las pruebas de lazo cerrado el convertidor presentó problemas debido a la
inductancia de dispersión del transformador, produciendo ruidos en la conexión y
desconexión de los transistores. La perturbación era tal que al sobrepasar cierta corriente
cercana a los 7 A en el modo Buck-Boost se cortocircuitaban los transistores del
semipuente A de ambos sentidos de corriente. Se logra reducir la perturbación añadiendo
diversos filtros snubber en la planta, el más significativo el que se coloca entre los
inductores del transformador. Para el cálculo empleamos las fórmulas y los experimentos
empíricos que se explican en el apartado 2.8.

107
Pruebas experimentales___________________________________________________

(a) (b)

(c)

Figura 82. (a) modo Boost Vg= 39 V, (b) modo Buck-Boost Vg≈ 47 V y (c) modo Boost Vg= 55 V, la salida Vo=48 V sentido inverso
de la corriente.

Como puede apreciarse tanto en el sentido normal como en el opuesto, se ha llevado

el convertidor al límite de potencia para probar el convertidor según los requisitos. En las
capturas se refleja que están trabajando aproximadamente a unos 800 W y en algún caso
ligeramente por encima.
En las primeras pruebas de lazo cerrado se ajusta el potenciómetro de referencia del
control de tensión para tener a la salida una tensión aproximada de 48 V.

108
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.2.2.-Eficiencias.

EFICIENCIA RESPECTO DE LA
INTENSIDAD [IRo]
98,50

96,50
IRo=2A
η[%]

94,50 IRo=4A
IRo=5A
92,50 IRo=6A
IRo=8A
90,50
IRo=10A
88,50 Iro=12A
39,00 41,00 43,00 45,00 47,00 49,00 51,00 53,00 55,00

Vg [V]
Figura 83. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una intensidad de salida constante.

En la figura (83), se han obtenido las curvas de eficiencia respecto diversas corrientes
de salida. De esta gráfica se puede obtener información bastante importante en cuanto a
rendimientos que se observan en la tabla (5).
La gráfica presenta dos zonas lineales una que comprende desde los 39 V a 47 V que
es la zona Boost y desde los 49 V a los 55 V zona Buck. La zona intermedia es la zona
Buck-Boost, entre los 47 V y 49 V aproximadamente. Posee dos crestas observables una
primera en que podríamos decir que el modo Boost empieza a desconectarse mientras el
semipuente B continua conectado y a continuación la otra cresta en la que empieza a
conmutar el semipuente B una vez ya ha entrado en zona Buck mientras el lado alto del
semipuente A continua permanentemente conectado.
El ajuste de éste solapamiento, que sirve para los dos sentidos de la corriente por
igual, se ha realizado de la siguiente manera.

1. Nos colocamos en la zona lineal Buck, en el límite más cercano al Buck-boost.

2. Mediante el potenciómetro de solapamiento del control, hacemos desaparecer
casi todos los pulsos de Buck.
3. Nos colocamos en la zona línea Boost, en el límite más cercano al Buck-Boost.
4. Volvemos a reconfigurar con alguna vuelta el solapamiento, y hacemos
desaparecer casi todos los pulsos de Boost.

Y así sucesivamente intentando reducir al máximo esa región no lineal.

109
Pruebas experimentales___________________________________________________

Seguramente es aún posible mejorar la eficiencia con el actual circuito, las

resistencias de ajuste de tiempo muerto de los pulsos del driver juegan un papel
fundamental. Nosotros colocamos resistencias fijas que fuimos bajando hasta un
límite de seguridad, aunque con potenciómetros se hubieran aproximado algo más.
Los snubbers RC también consumen en su conjunto un poco de potencia aumentando
las pérdidas, pero actualmente son necesarios, quizás con otro diseño en que los
transistores estuvieran aún más juntos y las pistas más cortas, estas eficiencias
hubiesen sido algo mejores. Siempre comparando con este mismo control de tensión.

η(%)
Vg
2A 4A 5A 6A 8A 10 A 12 A
39,00 89,13 93,34 94,17 94,83 95,44 95,74 95,79
40,00 89,32 93,41 94,33 94,94 95,58 95,80 95,86
41,00 89,51 93,46 94,38 95,04 95,67 95,97 96,04
42,00 89,62 93,58 94,48 95,16 95,79 96,10 96,17
43,00 89,74 93,64 94,54 95,20 95,84 96,18 96,25
44,00 89,87 93,75 94,63 95,25 95,91 96,22 96,32
45,00 90,06 93,86 94,74 95,37 96,05 96,32 96,43
46,00 90,45 94,12 94,85 95,49 96,17 96,44 96,54
47,00 91,11 94,54 95,19 95,74 96,32 96,61 96,71
48,00 89,84 94,33 95,06 95,57 96,07 96,24 95,82
49,00 91,46 94,80 95,19 95,90 96,12 96,46 96,38
50,00 90,81 94,40 95,12 95,59 96,15 96,28 96,26
51,00 90,21 94,04 94,77 95,33 95,93 96,13 96,17
52,00 89,82 93,82 94,59 95,18 95,84 96,03 96,14
53,00 89,69 93,68 94,42 95,07 95,75 95,95 95,98
54,00 89,44 93,52 94,37 94,97 95,67 95,91 95,93
55,00 89,34 93,40 94,26 94,87 95,57 95,84 95,84

Tabla 5. Eficiencia respecto la intensidad IRo para el sentido normal de la corriente.

En la tabla vemos que el mayor rendimiento es del 96,71 % a 12 A y 46 V

respectivamente. Hay que tener en cuenta que el convertidor ha sido diseñado para
trabajar a 16 A, pero debido a la naturaleza de la prueba con 14 A en la salida en modo
Boost estaríamos muy por encima de los 16 A de corriente en la entrada, y el inductor se
satura, siendo peligroso alcanzar corrientes superiores a 16 A en la entrada se ha
discriminado en la gráfica de rendimiento.

110
Pruebas experimentales___________________________________________________

EFICIENCIA RESPECTO DE LA
TENSIÓN [Vg]
99,00

97,00

95,00
Vg=39V
η[%]

93,00
Vg=43V
91,00 Vg=47V
Vg=48V
89,00
Vg=51V
87,00 Vg=55V

85,00
2,00 4,00 6,00 8,00 10,00 12,00

IRo [A]
Figura 84. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una tensión de entrada Vg constante.

En la gráfica de la figura 84 vemos que para distintas tensiones de entrada podemos

ver que tensión de entrada logra una mayor eficiencia, en nuestro caso para una entrada a
47 voltios es la mejor. Y la menos eficiente en su conjunto es la de 55 V.

η (%)
Iro (A)
39 V 43 V 47 V 48 V 51 V 55 V
2,00 88,64 89,17 90,61 90,75 90,01 88,52

3,00 91,77 92,18 93,12 93,19 92,33 91,68

4,00 93,27 93,64 94,35 94,37 93,79 93,24

5,00 94,12 94,65 95,33 95,16 94,82 94,40

6,00 94,97 95,28 95,86 95,59 95,35 94,95

7,00 95,27 95,64 96,18 95,87 95,67 95,30

8,00 95,49 95,93 96,40 96,11 95,93 95,63

9,00 95,70 96,09 96,53 96,24 96,10 95,77

10,00 95,83 96,24 96,73 96,33 96,23 95,91

11,00 95,86 96,25 96,78 95,95 96,25 95,92

12,00 95,82 96,29 96,72 95,07 96,21 95,87

Tabla 7. Eficiencia respecto la tensión de entrada Vg para el sentido normal de la corriente.

111
Pruebas experimentales___________________________________________________

EFICIENCIA RESPECTO DE LA
INTENSIDAD [IRo]
98,50

96,50
Iro=2A
94,50
η[%]

Iro=4A
92,50 Iro=5A
Iro=6A
90,50
Iro=8A
88,50
Iro=10A
86,50 Iro=12A
39,00 41,00 43,00 45,00 47,00 49,00 51,00 53,00 55,00

Vg [V]

Figura 85. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una intensidad de salida constante.

La gráfica de eficiencia respecto la corriente de salida (sentido inverso), no presenta

características significativas con respecto al sentido normal, a corrientes bajas suelen dar
rendimientos mediocres y a partir de 4 A y 5 A ya realiza una mejora significativa.
La zona de solapamiento sigue siendo prácticamente la misma no hace falta ajustar el
potenciómetro nuevamente, el solapamiento tiene un rango que va desde los 47 V a los
49 V. Como se ha explicado en el anterior ensayo presenta crestas al pasar de un modo a
otro.
El rendimiento máximo lo alcanza a 12 A con una tensión de 49 V. Condiciones que
comprenden al límite inferior del modo Buck, aunque luego la tendencia es ligeramente
a la baja. Se aprecia que el rendimiento en modo Buck y sentido inverso es ligeramente
superior que en el sentido normal de la corriente pero por apenas unas décimas, apenas
es relevante.
Durante la pruebas siempre ha sido normal escuchar un poco de zumbido en la zona
de solapamiento al pasar de un modo a otro, pero en sentido opuesto éste zumbido es
ligeramente inferior.

112
Pruebas experimentales___________________________________________________

η (%)
Vg
2A 4A 5A 6A 8A 10 A 12 A
39,00 89,64 93,58 94,55 95,21 95,58 95,80 95,78
40,00 89,69 93,65 94,60 95,26 95,73 95,95 95,94
41,00 89,78 93,72 94,64 95,33 95,77 96,07 96,07
42,00 89,78 93,79 94,74 95,43 95,90 96,18 96,16
43,00 89,86 93,82 94,76 95,47 95,95 96,27 96,28
44,00 89,92 93,85 94,80 95,52 95,99 96,29 96,33
45,00 90,01 93,99 94,89 95,63 96,10 96,39 96,46
46,00 90,14 94,19 94,93 95,63 96,16 96,45 96,55
47,00 90,25 94,37 95,15 95,81 96,35 96,61 96,65
48,00 89,23 93,90 94,68 95,41 96,00 96,26 96,42
49,00 92,04 94,71 95,60 96,08 96,42 96,66 96,87
50,00 91,13 94,17 94,93 95,49 96,03 96,30 96,24
51,00 89,62 93,84 94,72 95,26 95,89 96,18 96,22
52,00 89,05 93,41 94,36 95,01 95,65 95,98 96,06
53,00 88,85 93,25 94,16 94,87 95,53 95,85 95,91
54,00 88,55 93,08 94,02 94,75 95,45 95,79 95,85
55,00 88,14 92,88 93,91 94,57 95,30 95,64 95,73

Tabla 8. Eficiencia respecto la intensidad IRo para el sentido opuesto de la corriente.

113
Pruebas experimentales___________________________________________________

EFICIENCIA RESPECTO DE LA
TENSIÓN [Vg]
99,00

97,00

95,00
Vg=39
η[%]

93,00
Vg=43
91,00 Vg=47
Vg=48
89,00
Vg=51
87,00 Vg=55

85,00
2,00 4,00 6,00 8,00 10,00 12,00

IRo [A]

Figura 86. Gráfica de eficiencias para Vo=48 V, manteniendo una tensión de entrada Vg constante.

Al igual que en el sentido normal la tensión de entrada con más rendimiento es la de

47 V y la menor la de 55 V. El rendimiento más alto alcanzado es de los 96,66 % a unos
11 A.

η (%)
Iro (A)
39 V 43 V 47 V 48 V 51 V 55 V
2,00 89,40 89,63 90,20 90,13 89,51 87,79

3,00 92,35 92,53 92,95 92,71 92,41 91,11

4,00 93,56 93,79 94,41 93,94 93,79 92,85

5,00 94,59 94,84 95,21 94,87 94,71 94,05

6,00 95,11 95,46 95,76 95,17 95,23 94,55

7,00 95,41 95,77 96,06 95,77 95,60 94,95

8,00 95,62 96,00 96,30 95,89 95,84 95,29

9,00 95,70 96,15 96,41 96,05 96,11 95,45

10,00 95,84 96,26 96,56 96,40 95,67 95,01

11,00 95,74 96,30 96,66 96,50 95,55 94,80

12,00 95,69 96,20 96,56 96,45 95,88 94,77

Tabla 9. Eficiencia respecto la tensión de entrada Vg para el sentido opuesto de la corriente.

114
Pruebas experimentales___________________________________________________

4.3.-Pruebas de sensado.

Figura 87. Canales 2 y 4 formas de señal del sensado, canal 1 y 3 corrientes de entrada y salida de los inductores.

Para las pruebas de sensado se han utilizado resistencias shunt de 4 mΩ, en un

principio se utilizaron de 2 mΩ pero el exceso de ruido impedía una lectura aceptable.
Para comprobar que la lectura es correcta utilizamos la ecuación (30). De esta manera
vemos si la corriente de salida del sensor es proporcional, comparándolas a la de la figura
(87) que son la corriente de entrada y de salida de la placa de potencia canal 2 y 3
respectivamente.

VOUT1 = (1,23 · 0,004) · 20 ± 1,5 V = 1,598 V

VOUT2 = (1,25 · 0,004) · 20 ± 1,5 V = 1,6 V

La lectura es muy aproximada a la corriente real.

115
 Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

5.-PLANOS

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Planos_________________________________________________________________

INDICE PLANOS

5.1.-Plano de potencia ............................................................................................... 118

5.2.-Plano de protección y control ............................................................................ 118
5.3.-Layouts de potencia ........................................................................................... 120
5.4.-Layout de protección y control .......................................................................... 121

117
5.1.-Plano de potencia

5.2.-Plano de protección y control.

119
5.3.-Layouts de potencia

CAPA BOT CAPA TOP

CAPA BOT COMPONENTES CAPA TOP COMPONENTES

5.4.-Layout de protección y control

121
 Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

6.-PRESUPUESTO

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Presupuesto_____________________________________________________________

INDICE PRESUPUESTO

6.1.-Amidamientos.................................................................................................... 124
6.1.1.-Capitulo 1: Placa de potencia...................................................................... 124
6.1.2.-Capitulo 2: Placa de protección y control ................................................... 127
6.1.3.-Capitulo 3: Otros componentes................................................................... 130
6.2.-Precios unitarios ................................................................................................ 132
6.2.1.-Capitulo 1: Placa de potencia...................................................................... 132
6.2.2.-Capitulo 1: Placa de control y protección ................................................... 135
6.2.3.-Capitulo 3: Otros componentes................................................................... 137
6.3.-Aplicación de precios ........................................................................................ 139
6.3.1.-Capitulo 1: Placa de potencia...................................................................... 139
6.3.2.-Capitulo 2: Placa de protección y control ................................................... 142
6.3.3.-Capitulo 3: Otros component ...................................................................... 145
6.4.-Resumen del presupuesto .................................................................................. 147

123
Presupuesto_____________________________________________________________

6.1.-Amidamientos.

6.1.1.-Cápitulo 1: Placa de potencia

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

FARNELL- EPCOS - B32524Q1226K - C6,C7,C8,C10,C11 9
1200757 CONDENSADOR, 22UF, 100V ,C12,C16,C17,C18
FARNELL- TDK - C4532X7S2A475M - C1,C2,C3,C4,C9,C 10
2112738 CONDENSADOR, 4,7 UF, 100V, 13,C14,C15,C19,C
X7S, 1812 20,C21,C28,C29
FARNELL ABL HEATSINKS - 350AB1500B - DIS 1
150019 DISIPADOR DE CALOR, 0.5°C/W
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - C5 1
1215545 BFC237390002 - CAP, FILM,
2.2UF, 10%, 100V, RADIAL
FARNELL- KEMET - C330C684K5R5TA - C22,C23,C30,C31, 5
2112944 CAPACITOR, 0.68UF, 50V, X7R, C32
RAD
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - C24,C27 2
1215515 BFC237021104 - CAPACITOR,
0.1UF, 100V
FARNELL- RUBYCON - 25ML10MEFC4X5 - C25 1
8126380 CAP, ALU ELECT, 10UF, 25V,
CAN
FARNELL- MULTICOMP - MCCA000488 - C26 1
1759364 MLCC, 1206, X7R, 100V, 33NF
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - C33 1
1215515 BFC237021104 - CAPACITOR,
0.1UF, 100V
FARNELL- VISHAY SEMICONDUCTOR D1,D2 2
1612374 DIODO, ZENER, 0,5W, 15V, DO-
35
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - D3,D5 2
1611158 ES1B - DIODE, ULTRA-FAST, 1A,
100V, DO-214AC
FARNELL- LED TECHNOLOGY - D4 1
1208851 L02R5000Q1 - LED, 5MM, VERDE
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP TAP, J1,J2,J6,J7 4
0-0928814- ACODADO, 6.3X0.8MM
1
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP - J3 1
171825-4 171825-4 - HEADER, 4PIN

124
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8 VÍAS J4,J5 2
1462689
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD J8,J9,J10 4
1352374 CONNECTOR HEADER 2POS,
2.54MM
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD J11 1
2132184 CONNECTOR HEADER 3POS,
2.54MM
FARNELL- INTERNATIONAL RECTIFIER - M1,M2,M3,M4 4
1436955 IRFB4110PBF - MOSFET, N, 100V,
TO-220AB
FARNELL- RESISTOR, METAL STRIP, R002 R1,R2 2
1292476 1W 1%
FARNELL- WELWYN RESISTENCIA, 1R5 4 R3 1
1219254 WATT 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R4,R5,R8,R9,R10, 6
9339337 0,25W 5% 2R2 R14
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W R6,R7 2
9341129 5% 100K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R11 1
9341587 0,25W 5% 240
FARNELL- BI TECHNOLOGIES/TT R12 1
1327867 ELECTRONICS TRIMMER,
POTENTIOMETER, 10KOHM
20TURN THRU HOLE
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R13 1
9339655 0,25W 5% 680
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R15 1
9339620 0,25W 5% 560K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R16 1
9339442 0,25W 5% 330K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R23,R24 1
9339450 0,25W 5% 3R3
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE PRUEBA, TP1,TP3,TP5,TP6, 13
1463076 CONECTOR, ROJO TP7,TP8,TP9,TP10
,TP11,TP17,TP18,
TP20,TP21
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR U1 1
2102581 REG, LINEAR, 1.2V TO 37V, ADJ,
3TO220 –LM317
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR U2 1
1102157 , LM7805

125
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

FARNELL- INTERSIL DRIVER, FULL U3 1
9664130
BRIDGE, 4081, DIP20 ,HIP4081A

126
Presupuesto_____________________________________________________________

6.1.2.-Cápitulo 2: Placa de control y protección

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓNCANTIDAD

FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - C2,C3,C4,C9,C10 9
1215515 BFC237021104 - CAP, FILM, ,C14,C17,C19,C2
PET, 100NF, 100V, RAD 5
FARNELL- CDE MALLORY CAPACITOR C20 1
1614468 POLY FILM 1UF, 5%, 50V,
FARNELL- RUBYCON - C5 1
8126380 25ML10MEFC4X5 - CAP, ALU
ELECT, 10UF, 25V, CAN
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 2,2 C18 1
1457681 NF, 100V, X7R, 5 MMP
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS C21,C26,C27 3
4986222 CAPACITOR CERAMIC
180PF 50V, C0G, 5%, RAD
FARNELL- KEMET CAPACITOR MLCC, C22 1
1457663 100 PF, 100V, 5%, RADIAL
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 10 C23,C24 2
1457680 NF, 100V, X7R, 5 MMP
FARNELL- DIODES INC. DIODO, D8,D9,D11 3
1858673 RECTIFICADOR, 100V, 1A,
DO-41
FARNELL- MULTICOMP LED, RED, T-1 D10 1
1381766 3/4 (5MM), 4MCD
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R12 1
1128786 CARBON FILM, 1.8KOHM,
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R13.R14,R15,R3 4
1128022 CARBON FILM, 3.3KOHM, 5
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R16 1
1127979 CARBON FILM, 1MOHM,
250mW, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R17 1
1128052 CARBON FILM, 6.8KOHM,
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R18,R19,R33,R3 4
1128009 CARBON FILM, 22KOHM, 6
250mW, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R21,R24 2
9339060 PELÍCULA DE CARBÓN,
10K, 0,25W, 5%

127
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓNCANTIDAD

FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R11,R20,R22,R2 6
9341129 0,25W 5% 100K 9,R30,R32
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R23 1
9339655 0,25W 5% 680
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, R25,R26 2
9339434 PELÍCULA DE CARBÓN,
33K, 0,25W, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R27 1
1128031 CARBON FILM, 390KOHM,
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R28 1
1128001 CARBON FILM, 180KOHM,
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R31 1
1127993 CARBON FILM, 150KOHM,
250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, R34
2368822 CARBON FILM, 470 OHM,
250mW, 5%, FULL REEL
FARNELL- TE CONNECTIVITY / SW1, SW2 1
2060813 ALCOSWITCH SWITCH,
SPST, 0.05A, 24VDC, SMD
FARNELL- FAIRCHILD TO92-1 3
9845178 SEMICONDUCTOR MOSFET,
N CHANNEL, 200MA, 60V,
TO-92
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE TP2,TP3,TP4TP5 12
1463076 PRUEBA, CONECTOR, ROJO ,TP6,TP7,TP8,TP
9,TP10,TP11,TP1
3,TP15
FARNELL- TEXAS INSTRUMENTS IC, U6 1
8454434 TIMER, 555, PDIP8
FARNELL- TEXAS INSTRUMENTS IC, U7 1
1106088 PWM CONTROLLER, 3524,
DIP16
FARNELL- ARIES TOMA, DIP, 16VÍAS DIP16 1
1674786
FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8 DIP8 1
1462689 VÍAS
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP SW3 1
4218176
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP - J124 1
171825-4 171825-4 - HEADER, 4PIN

128
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓNCANTIDAD

FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD J12,J13 2
2132184 CONNECTOR HEADER 3POS,
2.54MM

129
Presupuesto_____________________________________________________________

6.1.3.-Cápitulo 3: Otros componentes.

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

FARNELL- MOLEX CONTACTO, N/A 15
9773789 PIN, 22-30AWG,
CRIMPAR
FARNELL- MOLEX CONNECTOR, N/A 2
4234145 HOUSING,
RECEPTACLE, 2POS,
2.54MM
FARNELL- MOLEX - 10-11-2033 - N/A 2
2396204 CONNECTOR, RCPT,
3POS, 1ROW, 2.54MM
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD N/A 1
5392123 CONN RECEPTACLE,
5POS, 2.54MM
MAGNETICS- INDUCTOR TOROIDAL N/A 1
77083A7
MAGNETICS- INDUCTOR TOROIDAL N/A 1
0077438A7
RS-357-738 HILO DE COBRE N/A 1
ESMALTADO
RS-7125364 CABLE UNIPOLAR N/A 1
ROJO
RS-7125358 CABLE UNIPOLAR N/A 1
NEGRO
RS-7125355 CABLE UNIPOLAR N/A 1
BLANCO
RS-7125327 CABLE N/A 1
UNIPOLARAMARILLO
RS-535997 CABLE UNIPOLAR N/A 1
VERDE/AMARILLO
FARNELL- CABLE APANTALLADO N/A 1
1204273
FARNELL- TERMINAL FASTON N/A 4
587280
FARNELL- PINZAS DE N/A 4
8281831 COCODRILO
FARNELL- PINZAS DE PRUEBA N/A 4
152735
FARNELL- TERMORETRACTIL N/A 1
1008433

130
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN DENOMINACIÓN CANTIDAD

FARNELL- ETTINGER N/A 4
1466842 SEPARADOR, M3X16-
VZK
FARNELL- ETTINGER N/A 4
1466745 SEPARADOR, M3X6-
VZK
FARNELL- TORNILLOS M3X20 N/A 9
1419790
FARNELL- TUERCA M3 N/A 8
1420788
FARNELL- MULTICOMP - MK3306 N/A 5
520214 - KIT AISLANTE, MICA
TO-220

131
Presupuesto_____________________________________________________________

6.2.-Precios unitarios.

6.2.1.-Capitulo 1: Placa de potencia

CÓDIGO DESCRIPCIÓN PRECIO UNITARIO

(€)
FARNELL- EPCOS - B32524Q1226K - 5,470
1200757 CONDENSADOR, 22UF, 100V
FARNELL- TDK - C4532X7S2A475M - 0,950
2112738 CONDENSADOR, 4,7 UF, 100V, X7S,
1812
FARNELL- ABL HEATSINKS - 350AB1500B - 23,540
150019 DISIPADOR DE CALOR, 0,5°C/W
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - 1,200
1215545 BFC237390002 - CAP, FILM, 2,2UF,
10%, 100V, RADIAL
FARNELL- KEMET - C330C684K5R5TA - 0,360
2112944 CAPACITOR, 0,68UF, 50V, X7R,
RAD
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - 0,290
1215515 BFC237021104 - CAPACITOR, 0,1UF,
100V
FARNELL- RUBYCON - 25ML10MEFC4X5 - 0,240
8126380 CAP, ALU ELECT, 10UF, 25V, CAN
FARNELL- MULTICOMP - MCCA000488 - 0,050
1759364 MLCC, 1206, X7R, 100V, 33NF
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - 0,290
1215515 BFC237021104 - CAPACITOR, 0,1UF,
100V
FARNELL- VISHAY SEMICONDUCTOR 0,090
1612374 DIODO, ZENER, 0,5W, 15V, DO-35
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 0,380
1611158 ES1B - DIODE, ULTRA-FAST, 1A,
100V, DO-214AC
FARNELL- LED TECHNOLOGY - L02R5000Q1 - 0,240
1208851 LED, 5MM, VERDE
FARNELL- 0- TE CONNECTIVITY / AMP TAP, 0,140
0928814-1 ACODADO, 6,3X0,8MM
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP - 171825- 0,230
171825-4 4 - HEADER, 4PIN
FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8 VÍAS 1,040
1462689

132
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN PRECIO UNITARIO

(€)
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD 1,560
1352374 CONNECTOR HEADER 2POS,
2,54MM
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD 0,320
2132184 CONNECTOR HEADER 3POS,
2,54MM
FARNELL- INTERNATIONAL RECTIFIER - 4,180
1436955 IRFB4110PBF - MOSFET, N, 100V,
TO-220AB
FARNELL- RESISTOR, METAL STRIP, R002 1W 0,410
1292476 1%
FARNELL- WELWYN RESISTENCIA, 1R5 4 0,260
1219254 WATT 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,016
9339337 5% 2R2
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,085
9341129 5% 100K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,040
9341587 5% 240
FARNELL- BI TECHNOLOGIES/TT 1,520
1327867 ELECTRONICS TRIMMER,
POTENTIOMETER, 10KOHM
20TURN THRU HOLE
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,018
9339655 5% 680
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,019
9339620 5% 560K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,017
9339442 5% 330K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,019
9339450 5% 3R3
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE PRUEBA, 0,430
1463076 CONECTOR, ROJO
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 0,690
2102581 REG, LINEAR, 1,2V TO 37V, ADJ,
3TO220 –LM317
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR , 0,690
1102157 LM7805
FARNELL- INTERSIL DRIVER, FULL BRIDGE, 6,790
9664130 4081, DIP20 ,HIP4081A

133
Presupuesto_____________________________________________________________

134
Presupuesto_____________________________________________________________

6.2.2.-Capitulo 2: Placa de control y protección

CÓDIGO DESCRIPCIÓN PRECIO UNITARIO

(€)
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS - 0,280
1215515 BFC237021104 - CAP, FILM, PET,
100NF, 100V, RAD
FARNELL- CDE MALLORY CAPACITOR POLY 3,490
1614468 FILM 1UF, 5%, 50V,
FARNELL- RUBYCON - 25ML10MEFC4X5 - 0,250
8126380 CAP, ALU ELECT, 10UF, 25V, CAN
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 2,2 NF, 0,270
1457681 100V, X7R, 5 MMP
FARNELL- VISHAY BC COMPONENTS 0,067
4986222 CAPACITOR CERAMIC 180PF 50V,
C0G, 5%, RAD
FARNELL- KEMET CAPACITOR MLCC, 100 PF, 0,420
1457663 100V, 5%, RADIAL
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 10 NF, 0,270
1457680 100V, X7R, 5 MMP
FARNELL- DIODES INC, DIODO, 0,017
1858673 RECTIFICADOR, 100V, 1A, DO-41
FARNELL- MULTICOMP LED, RED, T-1 3/4 0,110
1381766 (5MM), 4MCD
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128786 FILM, 1,8KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128022 FILM, 3,3KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1127979 FILM, 1MOHM, 250mW, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128052 FILM, 6,8KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128009 FILM, 22KOHM, 250mW, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,018
9339060 PELÍCULA DE CARBÓN, 10K,
0,25W, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,085
9341129 5% 100K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,25W 0,018
9339655 5% 680

135
Presupuesto_____________________________________________________________

CÓDIGO DESCRIPCIÓN PRECIO UNITARIO

(€)
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA, 0,018
9339434 PELÍCULA DE CARBÓN, 33K,
0,25W, 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128031 FILM, 390KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1128001 FILM, 180KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
1127993 FILM, 150KOHM, 250mW 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTOR, CARBON 0,008
2368822 FILM, 470 OHM, 250mW, 5%, FULL
REEL
FARNELL- TE CONNECTIVITY / 0,300
2060813 ALCOSWITCH SWITCH, SPST,
0,05A, 24VDC, SMD
FARNELL- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 0,340
9845178 MOSFET, N CHANNEL, 200MA,
60V, TO-92
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE PRUEBA, 0,430
1463076 CONECTOR, ROJO
FARNELL- TEXAS INSTRUMENTS IC, TIMER, 0,810
8454434 555, PDIP8
FARNELL- TEXAS INSTRUMENTS IC, PWM 1,070
1106088 CONTROLLER, 3524, DIP16
FARNELL- ARIES TOMA, DIP, 16VÍAS 1,510
1674786
FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8 VÍAS 1,040
1462689
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP 0,130
4218176
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP - 171825- 0,230
171825-4 4 - HEADER, 4PIN
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD 0,320
2132184 CONNECTOR HEADER 3POS,
2,54MM

136
Presupuesto_____________________________________________________________

6.2.3.-Capitulo 3: Otros componentes.

PRECIO UNITARIO
CÓDIGO DESCRIPCIÓN
(€)
FARNELL- MOLEX CONTACTO, PIN, 22-30AWG,
9773789 CRIMPAR 0,081
FARNELL- MOLEX CONNECTOR, HOUSING,
4234145 RECEPTACLE, 2POS, 2.54MM 0,068
FARNELL- MOLEX - 10-11-2033 - CONNECTOR,
2396204 RCPT, 3POS, 1ROW, 2.54MM 0,068
FARNELL- MOLEX WIRE-BOARD CONN
5392123 RECEPTACLE, 5POS, 2.54MM 0,250
MAGNETICS-
77083A7 INDUCTOR TOROIDAL 4,650
MAGNETICS-
0077438A7 INDUCTOR TOROIDAL 4,850
HILO DE COBRE ESMALTADO
RS-357-738 (BOBINA) 17,120
RS-7125364 CABLE UNIPOLAR ROJO 7,410
RS-7125358 CABLE UNIPOLAR NEGRO 7,410
RS-7125355 CABLE UNIPOLAR BLANCO 7,410
RS-7125327 CABLE UNIPOLARAMARILLO 7,410
CABLE UNIPOLAR
RS-535997 VERDE/AMARILLO 7,410
FARNELL-
1204273 CABLE APANTALLADO 0,860
FARNELL-
587280 TERMINAL FASTON 0,489
FARNELL-
8281831 PINZAS DE COCODRILO 1,490
FARNELL-
152735 PINZAS DE PRUEBA 13,010
FARNELL-
1008433 TERMORETRACTIL (PAQUETE) 27,850
FARNELL- ETTINGER SEPARADOR, M3X16-
1466842 VZK 0,370
FARNELL-
1466745 ETTINGER SEPARADOR, M3X6-VZK 0,370
FARNELL-
1419790 TORNILLOS M3X20 3,130

137
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO UNITARIO
CÓDIGO DESCRIPCIÓN
(€)
FARNELL-
1420788 TUERCA M3 4,580
FARNELL- MULTICOMP - MK3306 - KIT
520214 AISLANTE, MICA TO-220 0,260

138
Presupuesto_____________________________________________________________

6.3.-Aplicación de precios.

6.3.1.-Capítulo 1: Placa de potencia

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
EPCOS - B32524Q1226K -
FARNELL- CONDENSADOR, 22UF, 5,470 9,000 49,230
1200757 100V
TDK - C4532X7S2A475M -
FARNELL- CONDENSADOR, 4,7 UF, 0,950 10,000 9,500
2112738 100V, X7S, 1812
ABL HEATSINKS -
FARNELL- 350AB1500B - DISIPADOR 23,540 1,000 23,540
150019 DE CALOR, 0,5°C/W
VISHAY BC COMPONENTS
FARNELL- - BFC237390002 - CAP, FILM, 1,200 1,000 1,200
1215545 2,2UF, 10%, 100V, RADIAL
KEMET - C330C684K5R5TA
FARNELL- - CAPACITOR, 0,68UF, 50V, 0,360 5,000 1,800
2112944 X7R, RAD
VISHAY BC COMPONENTS
FARNELL- - BFC237021104 - 0,290 2,000 0,580
1215515 CAPACITOR, 0,1UF, 100V
RUBYCON -
25ML10MEFC4X5 - CAP,
0,240 1,000 0,240
FARNELL- ALU ELECT, 10UF, 25V,
8126380 CAN
MULTICOMP - MCCA000488
FARNELL- - MLCC, 1206, X7R, 100V, 0,050 1,000 0,050
1759364 33NF
VISHAY BC COMPONENTS
FARNELL- - BFC237021104 - 0,290 1,000 0,290
1215515 CAPACITOR, 0,1UF, 100V
VISHAY SEMICONDUCTOR
FARNELL- DIODO, ZENER, 0,5W, 15V, 0,090 2,000 0,180
1612374 DO-35
FAIRCHILD
SEMICONDUCTOR - ES1B -
0,380 2,000 0,760
FARNELL- DIODE, ULTRA-FAST, 1A,
1611158 100V, DO-214AC
LED TECHNOLOGY -
FARNELL- L02R5000Q1 - LED, 5MM, 0,240 1,000 0,240
1208851 VERDE

139
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP
0,140 4,000 0,560
0-0928814-1 TAP, ACODADO, 6,3X0,8MM
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP -
0,230 1,000 0,230
171825-4 171825-4 - HEADER, 4PIN
FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8
1,040 2,000 2,080
1462689 VÍAS
MOLEX WIRE-BOARD
FARNELL- CONNECTOR HEADER 1,560 4,000 6,240
1352374 2POS, 2,54MM
MOLEX WIRE-BOARD
FARNELL- CONNECTOR HEADER 0,320 1,000 0,320
2132184 3POS, 2,54MM
INTERNATIONAL
RECTIFIER - IRFB4110PBF -
4,180 4,000 16,720
FARNELL- MOSFET, N, 100V, TO-
1436955 220AB
FARNELL- RESISTOR, METAL STRIP,
0,410 2,000 0,820
1292476 R002 1W 1%
FARNELL- WELWYN RESISTENCIA,
0,260 1,000 0,260
1219254 1R5 4 WATT 5%
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,016 6,000 0,096
9339337 0,25W 5% 2R2
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,085 2,000 0,170
9341129 0,25W 5% 100K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,040 1,000 0,040
9341587 0,25W 5% 240
BI TECHNOLOGIES/TT
ELECTRONICS TRIMMER,
1,520 1,000 1,520
FARNELL- POTENTIOMETER, 10KOHM
1327867 20TURN THRU HOLE
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,018 1,000 0,018
9339655 0,25W 5% 680
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,019 1,000 0,019
9339620 0,25W 5% 560K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,017 1,000 0,017
9339442 0,25W 5% 330K
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
0,019 1,000 0,019
9339450 0,25W 5% 3R3
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE
0,430 13,000 5,590
1463076 PRUEBA, CONECTOR, ROJO
FAIRCHILD
SEMICONDUCTOR REG,
0,690 1,000 0,690
FARNELL- LINEAR, 1,2V TO 37V, ADJ,
2102581 3TO220 –LM317

140
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
FARNELL- FAIRCHILD
0,690 1,000 0,690
1102157 SEMICONDUCTOR , LM7805
INTERSIL DRIVER, FULL
FARNELL- BRIDGE, 4081, DIP20 6,790 1,000 6,790
9664130 ,HIP4081A

TOTAL (€) 130,499

141
Presupuesto_____________________________________________________________

6.3.2.-Capítulo 2: Placa de control y protección

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
VISHAY BC COMPONENTS -
FARNELL- BFC237021104 - CAP, FILM,
1215515 PET, 100NF, 100V, RAD 0,280 9,000 2,520
FARNELL- CDE MALLORY CAPACITOR
1614468 POLY FILM 1UF, 5%, 50V, 3,490 1,000 3,490
RUBYCON - 25ML10MEFC4X5
FARNELL- - CAP, ALU ELECT, 10UF, 25V,
8126380 CAN 0,250 1,000 0,250
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 2,2
1457681 NF, 100V, X7R, 5 MMP 0,270 1,000 0,270
VISHAY BC COMPONENTS
FARNELL- CAPACITOR CERAMIC 180PF
4986222 50V, C0G, 5%, RAD 0,067 3,000 0,201
FARNELL- KEMET CAPACITOR MLCC,
1457663 100 PF, 100V, 5%, RADIAL 0,420 1,000 0,420
FARNELL- KEMET CONDENSADOR, 10
1457680 NF, 100V, X7R, 5 MMP 0,270 2,000 0,540
DIODES INC, DIODO,
FARNELL- RECTIFICADOR, 100V, 1A,
1858673 DO-41 0,017 3,000 0,051
FARNELL- MULTICOMP LED, RED, T-1
1381766 3/4 (5MM), 4MCD 0,110 1,000 0,110
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 1,8KOHM,
1128786 250mW 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 3,3KOHM,
1128022 250mW 5% 0,008 4,000 0,032
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 1MOHM,
1127979 250mW, 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 6,8KOHM,
1128052 250mW 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 22KOHM,
1128009 250mW, 5% 0,008 4,000 0,032
MULTICOMP RESISTENCIA,
FARNELL- PELÍCULA DE CARBÓN, 10K,
9339060 0,25W, 5% 0,018 2,000 0,036

142
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
9341129 0,25W 5% 100K 0,085 6,000 0,510
FARNELL- MULTICOMP RESISTENCIA,
9339655 0,25W 5% 680 0,018 1,000 0,018
MULTICOMP RESISTENCIA,
FARNELL- PELÍCULA DE CARBÓN, 33K,
9339434 0,25W, 5% 0,018 2,000 0,036
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 390KOHM,
1128031 250mW 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 180KOHM,
1128001 250mW 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 150KOHM,
1127993 250mW 5% 0,008 1,000 0,008
MULTICOMP RESISTOR,
FARNELL- CARBON FILM, 470 OHM,
2368822 250mW, 5%, FULL REEL 0,008 1,000 0,008
TE CONNECTIVITY /
FARNELL- ALCOSWITCH SWITCH, SPST,
2060813 0,05A, 24VDC, SMD 0,300 1,000 0,300
FAIRCHILD
SEMICONDUCTOR MOSFET,
FARNELL- N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-
9845178 92 0,340 3,000 1,020
FARNELL- KEYSTONE-PUNTO DE
1463076 PRUEBA, CONECTOR, ROJO 0,430 12,000 5,160
FARNELL- TEXAS INSTRUMENTS IC,
8454434 TIMER, 555, PDIP8 0,810 1,000 0,810
TEXAS INSTRUMENTS IC,
FARNELL- PWM CONTROLLER, 3524,
1106088 DIP16 1,070 1,000 1,070
FARNELL-
1674786 ARIES TOMA, DIP, 16VÍAS 1,510 1,000 1,510
FARNELL- MULTICOMP TOMA, DIP, 8
1462689 VÍAS 1,040 1,000 1,040
FARNELL-
4218176 TE CONNECTIVITY / AMP 0,130 1,000 0,130
FARNELL- TE CONNECTIVITY / AMP -
171825-4 171825-4 - HEADER, 4PIN 0,230 1,000 0,230
MOLEX WIRE-BOARD
FARNELL- CONNECTOR HEADER 3POS,
2132184 2,54MM 0,320 2,000 0,640

143
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)

TOTAL (€) 20,482

144
Presupuesto_____________________________________________________________

6.3.3.-Capítulo 3: Otros componentes.

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
MOLEX CONTACTO,
FARNELL- PIN, 22-30AWG, 0,081 15,000 1,215
9773789 CRIMPAR
MOLEX CONNECTOR,
HOUSING,
0,068 2,000 0,136
FARNELL- RECEPTACLE, 2POS,
4234145 2.54MM
MOLEX - 10-11-2033 -
FARNELL- CONNECTOR, RCPT, 0,068 2,000 0,136
2396204 3POS, 1ROW, 2.54MM
MOLEX WIRE-BOARD
FARNELL- CONN RECEPTACLE, 0,250 1,000 0,250
5392123 5POS, 2.54MM
MAGNETICS-
4,650 1,000 4,650
77083A7 INDUCTOR TOROIDAL
MAGNETICS-
4,850 1,000 4,850
0077438A7 INDUCTOR TOROIDAL
HILO DE COBRE
ESMALTADO 0,017 1,000 0,017
RS-357-738 (BOBINA)
CABLE UNIPOLAR
0,074 1,000 0,074
RS-7125364 ROJO
CABLE UNIPOLAR
0,074 1,000 0,074
RS-7125358 NEGRO
CABLE UNIPOLAR
0,074 1,000 0,074
RS-7125355 BLANCO
CABLE
0,074 1,000 0,074
RS-7125327 UNIPOLARAMARILLO
CABLE UNIPOLAR
0,074 1,000 0,074
RS-535997 VERDE/AMARILLO
FARNELL- CABLE
0,860 1,000 0,860
1204273 APANTALLADO
FARNELL-
0,489 4,000 1,956
587280 TERMINAL FASTON
FARNELL- PINZAS DE
1,490 4,000 5,960
8281831 COCODRILO

145
Presupuesto_____________________________________________________________

PRECIO
TOTAL
CÓDIGO DESCRIPCIÓN UNITARIO CANTIDAD
(€)
(€)
FARNELL-
13,010 4,000 52,040
152735 PINZAS DE PRUEBA
FARNELL- TERMORETRACTIL
0,027 1,000 0,027
1008433 (PAQUETE)
ETTINGER
FARNELL- SEPARADOR, M3X16- 0,370 4,000 1,480
1466842 VZK
ETTINGER
FARNELL- SEPARADOR, M3X6- 0,370 4,000 1,480
1466745 VZK
FARNELL-
0,031 9,000 0,279
1419790 TORNILLOS M3X20
FARNELL-
0,045 8,000 0,360
1420788 TUERCA M3
MULTICOMP - MK3306
FARNELL- - KIT AISLANTE, MICA 0,260 5,000 1,300
520214 TO-220

TOTAL (€) 77,366

146
Presupuesto_____________________________________________________________

6.4.-Resumen del presupuesto.

5.4.1.-Presupuesto de ejecución material.

Capítulo 1: Placa de potencia 130,499

Capítulo 2: Placa de control y protección 20,482
Capítulo 3: Otros componentes 77,331

Total ejecución material (€) 228,312

5.4.2.-Presupuesto ejecución por empresa.

Presupuesto de ejecución material 228,312

Gastos generales de la empresa (12%) 27,397
Beneficio industrial (8%) 18,265

Total ejecución por empresa (€) 273,974

5.4.3.-Presupuesto global.

Presupuesto de ejecución por empresa 273,974

IVA (21%) 57,535

Total ejecución por empresa (€) 331,509

147
Referencias_____________________________________________________________

Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48 V, 16 A)

7.-ANEXO

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo
Presupuesto_____________________________________________________________

Características del inductor L.

Características del transformador 1:1 de la inductancia de magnetización Lm.

149
Presupuesto_____________________________________________________________

Departamento de Ingeniería Electrónica Eléctrica y Automática

Implementación bidireccional del Convertidor DC-

DC Buck-Boost de Inductores Acoplados (48V, 16A)

REFERENCIAS

TITULACIÓN: Ingeniería Técnica Industrial especialidad Electrónica Industrial.

AUTOR: Pedro Javier Varea Sosa

DIRECTOR: Roberto Giral Castillón
CODIRECTOR: Fco. Javier Calvente Calvo

150
LISTADO DE REFERENCIAS, BIBLIOGRAFIA Y CITAS.

Para la realización de éste proyecto nos hemos ayudado de los siguientes artículos,
libros de consulta y páginas webs.

[1] C. Restrepo, J. Calvente, A. Cid, A. El Aroudi, and R. Giral, “A Noninverting Buck-Boost Dc-Dc Switching Converter
with High Efficiency and Wide Bandwidth”, IEEE Trans. Power Electron., Vol. 26, no. 9, September 2011.
[2] R. Middlebrooks and S. Cuk, “A general unified approach to modeling switching-converter power stages,” in Proc. Rec. IEEE
Power Electron. Spec. Conf., Jun. 1976, pp. 18–34.
[3] C. Restrepo, J. Calvente, A. Romero, E. Vidal-Idiarte, R. Giral, “Current-Mode Control of a Coupled-Inductor Buck–Boost
DC–DC Switching Converter”, IEEE Transactions On Power Electronics, Vol. 27, no. 5, May 2012.
[4] Muhammad H. Rashid. Electrónica de Potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones. 3ª Edición. México: Pearson
Educación, 2004. 904 pp.
[5] E. Soria, J. Martín Guerrero, L. Gómez. Teoría de Circuitos.1ª Edición. España: Mc Graw Hill, 2004, 387 pp.
[6] A. Bruce Carlson. Circuitos. 1ª Edición. México: Thomson Learning, 2005. 840 pp.
[7] A. Bueno, A. de Soto Gorroño. Desarrollo y Construcción de Prototipos Electrónicos: Tutoriales Orcad10 Y LPKF5 De Ayuda
Al Diseño. 1ª Edición. España. Marcombo Ediciones Técnicas, 2005. 415 pp.
[8] F. Martínez Rodrigo, L. Herrero de Lucas, S. de Pablo Gómez. Convertidores Continua-Continua. España: Secretariado de
Publicaciones e intercambio editorial, 2008. 161 pp.
[9] G. Garcerá Sanfelín, E. Figueres Amorós, A. Abellán García. Conversores Conmutados: Circuitos de Potencia y Control.
España: Servicio de Publicaciones UPV, 1998. 265 pp.
[10] Fundación Wikipedia, Inc. (2014, 11 de febrero). Convertidor Buck. Recuperado el 25/07/2014, de
http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Buck.
[11] Fundación Wikipedia, Inc. (2014, 4 de marzo). Convertidor Boost. Recuperado el 25/07/2014, de
http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Boost.
[12] Fundación Wikipedia, Inc. (2014, 28 de enero). Convertidor de Potencia. Recuperado el 25/07/2014, de
http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_de_potencia.
[13] Uned I.T. Industrial Electrónica. (2011, 15 de marzo).Transistores de Potencia. Recuperado el 25/07/2014, de
http://uneditindstrialelectronica.blogspot.com.es/2011_03_01_archive.html
[14] FARNELL element 14. Fecha (no disponible). 2296889. Recuperado el 25/07/2004, de
http://es.farnell.com/epcos/b32524q1226k/cap-film-22-uf-100v-10-radial/dp/1200757?Ntt=1200757
[15] Loscomponentes.com. Fecha (no disponible).19010601. Recuperado el 25/07/2004, de
http://www.loscomponentes.com/index.php/circuitos-4/pasivos/condensadores/cond-cer-100uf-10v-1812-
smd.html
[16] FARNELL Element 14 HEATSINK online. 150014-40. Recuperado el 25/07/2004, de http://es.farnell.com/abl-
heatsinks/350ab1000b/heat-sink-0-67-c-w/dp/523185
[17] Mercado libre. disipador-to220-de-calor-para-semiconductores-to220-580-MEC2540315047_032012-O.
Recuperado el 25/07/2014, de http://articulo.mercadolibre.com.ec/MEC-404968186-disipador-to220-de-calor-
para-semiconductores-to220-_JM