2 Parcial Potencia

¿Es un componente que permite el enlace entre los circuitos de baja potencia y de potencia, internamente cuenta con un Led y
un foto-diac?
a) Opto-transistor
b) Foto resistencia
c) Transistor NPN
d) Opto-Acoplamiento
Cuál es la función principal de un circuito excitador

Es la conmutación de un dispositivo semiconductor de potencia del estado activo al estado inactivo y viceversa.
¿De qué depende el tamaño y el material del encapsulado de los componentes electrónicos?
a) Solo varían por ser apócrifos
b) Estéticas
c) De la potencia a disipar
¿Es un componente electrónico que varían su resistencia dependiendo de la luz que percibe?
a) Diac
b) Diodo Zener
c) Foto Resistencia
d) SCR
9. ¿Qué tipo de transistor de efecto de campo representa el siguiente símbolo? ( por ejemplo bjt tipo p)
10. Un JFET 2N5486 tiene una corriente de puerta de 1nA cuando la tensión inversa de puerta es 20 V. ¿Cuál es la
resistencia de entrada de este JFET?
Respuesta: 2000000000
11. Que es un FET

Respuesta: Es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimilado al de una fuente de corriente controlada por
tensión.
De los siguientes transistores de efecto de campo cuáles de ellos hacen relación a transistores unipolares
a) JFET-P b) MOSFET-P c) PNP d) JFET-N e) UJT-P f) MOSFET-N g) NPN h) UJT-N
El optoaislador funciona mediante una luz Uv la cual es emitida por un diodo led.
Falso
El calor es aquella fuerza eléctrica la cual es anulada por un disipador
Verdadero
Falso
Cuál es la función de la pasta térmica
a) Es rellenar el contacto entre dos materiales
Conducir el calor térmico por su composición
9. Que se debe hacer cuando el bloque del disipador es grande y se desea reducir el volumen
Usar ventiladores
Que son las sondas de medida

a) Es la medida exacta y precisa de las múltiples sondas de un osciloscopio
b) Es una la medición de forma precisa mediante las sondas pasivas
c) Es aquel que se encarga de disminuir el ruido para no perturbar la medida
d) Es la disminución del ruido a través de las sondas pasivas.
El JFET es un dispositivo que tiene mucha semejanza a

a) MOSFET
50. En diodos LED’s decimos que dependiendo del color se tendrá más consumo energético
cuál de los siguientes colores demuestra más energía
a) Verde
Para los circuitos digitales el transistor debe ser usado como un

Interruptor
Un transistor de la región de corte
Funciona como un aislante
Un transistor en la región activa
Funciona como un amplificador
A cual dispositivo electrónico corresponde el símbolo representado en el dibujo
JFET canal N
A cuál tipo de transistor unipolar (FET) pertenece la curva característica
Mosfet de enriquecimiento
Elige un transistor de potencia que tenga menores pérdidas en conducción

BJT
Elige el transistor de potencia que tenga la mayor capacidad para bloquear altas tensiones y conducir grandes
intensidades
BJT
MOSFET de potencia
Dispositivo controlado por tensión, impedancia de entrada alta, funcionamiento análogo a los BJT.
Hablando de las regiones de operación de un BJT: Qué es la zona de saturación

Corriente de colector elevada, caídas de tensión entre colector y emisor pequeñas.
Alta impedancia de entrada y bajas pérdidas de conducción en estado ON
IGBT
A qué corresponde esta estructura
Configuración triple Darlington.
Hablando de las regiones de operación de un BJT Qué es la zona lineal

El transistor actúa como amplificador.
Elige el transistor de potencia que tenga un tiempo de conmutación menor

MOSFET
Hablando de las regiones de operación de un BJT: Qué es la zona de corte

La corriente de base es nula, se pueden soportar altas tensiones de colector a emisor.
Cuál es la característica de compuerta de un IGBT

Características de activación y desactivación controladas, requisito de señal continua en la
compuerta, capacidad de soportar voltajes unipolares y capacidad de corriente unidireccional.
Cuáles son las diferencias entre las características de compuerta de los BJT y los MOSFET
El BJT es controlado por corriente mientras que el otro es controlado por voltaje
18.- Cuáles son las diferencias en las características de control entre los BJT y los MOFSET
Los MOFSET son mucho más rápidos que los BJT.
19.- Cuál es la característica de control de un IGBT
Son transistores de potencia de voltaje controlado. Son adecuados para alto voltaje, gran corriente y frecuencias hasta
de 20KHz y se consiguen hasta para 1700V y 2400A.
20.- Cuáles son las diferencias entre los BJT y los IGBT
Los IGBT son más rápidos que los BJT. Los IGBT ofrecen características muy superiores de
activación y de salida que las de los BJT.
21.- Cuáles son los tipos de diodos de potencia
De propósito general (normales), de recuperación rápida y Schottky
La ventaja de los IGBT frente a los transistores MOSFET de potencia es que
a. El control se realiza por corriente b. El control se realiza por tensión.
c. Pueden conducir mayor corriente.
d. La frecuencia de conmutación es mayor
Para una determinada aplicación se emplea un convertidor electrónico de potencia que debe manejar 3A y conmutar
a 100KHz de los semiconductores de potencia que se relacionan cuál es el que debería emplearse
a. SCR.
b. TRIAC.
c. BJT de potencia.
d. MOSFET de potencia
18. La resistencia drenador-surtidor de un MOSFET de potencia trabajando en su zonaóhmica (RDS(ON)) tiene la
siguiente característica
a. Aumenta al aumentar la temperatura.
26. En el circuito e la figura, la carga tiene una componente inductiva muy grande, de forma que la corriente a través
de ella (Io) puede considerarse constante y de valor 10 A. el interruptor conmuta con una frecuencia de 1KHz y con un
ciclo de trabajo de 0.3. si se consideran ideales los semiconductores Cómo es la potencia entrada con respecto a la de
salida
a. Mayor, ya que en la entrada está presente durante todo el intervalo de conmutación la tensión de 100V.
POTENCIA
1. De la siguiente gráfica que conlleva que el valor de VDS sea igual a 0
a. El valor de Id = IDss
2. En un FET existen diferentes terminales el drenador (D) es aquel que:
a. Es el terminal por el que entran los portadores
b. Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET
de canal n y los huecos en el de canal p).
3. Qué valor de ID nos daría un valor de VDS máximo (Pag 87):
a. 0
4. Cuál de los siguientes transistores corresponden a los FET:
a. MOSFET de deplexion
b. MOSFET de acumulación canal n
c. MOSFET de campo positivo
d. JFET canal p
e. MOSFET de tolerancia
Dada la siguiente gráfica cuál de los valores de Vgs podría generar un peligro para
el transistor
b. VGS = 0v
El siguiente símbolo a que representa:
d. MOSFET de acumulación canal N

Para el funcionamiento más habitual los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensión negativa
entre (PAG 90):
a. Ninguna de las anteriores
b. Vdg
c. Vds
d. Vgs
Para el funcionamiento más habitual los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensión positiva entre
(PAG 90):
a. Vdg
b. Vgs
c. Vds
El siguiente símbolo corresponde a:
c. JFET canal N
Existen varias zonas en un transistor el siguiente enunciado a cuál corresponde. En esta zona el transistor se
comporta como una resistencia variable dependiendo del valor de VGS. Un parámetro que presenta el
dispositivo para VDS = 0 (rds on) y distintos valores de VGS (PAG 91).
ZONA OHMICA O LINEAL
20. Grafico transistor efecto de campo

La polarización es cero y la zona de depleción es delgada existe un canal de baja resistencia entre el drenado y
la fuente.
Una polarización inversa moderada entre puerta y canal da como resultado un canal más estrecho.
Polarización mayor que la tensión de estrangulamiento, no hay camino conductor entre drenado y fuente.
PRIMER PARCIAL
1. En la manipulación de un MOSFET se debe tener cuidado de:
Que sufra una descarga electrostática
2. En un JFET con canal P existe circulación:
Solo de huecos
3. Identifique la característica que no corresponda para los FET:
Los BJT son térmicamente mas estables que los FET.
4. La corriente máxima corriente de drenaje en un JFET ocurre cuando:
VGS = 0 y VDS = ⎢Vp⎢
5. La 𝑰𝑫 mínima para un JFET ocurre en el momento en que:
VGS = VP´
6. La mayor Z de entrada de un MOSFET se debe a que:
Existe un aislamiento entre la compuerta y el canal
7. Los terminales de un JFET son:
Fuente, Drenaje y Compuerta
8. Los transistores de efecto de campo se caracterizan por ser dispositivos:
Unipolares
9. Los transistores efecto de campo son por naturaleza:
Amplificadores de potencia
10. Los transistores efecto de campo son semiconductores controlados por:
Por voltaje
11. Que diferencia básica hay en un MOSFET tipo empobrecimiento y un enriquecimiento:
El uno posee canal y el otro no
12. Que tipo de transistor efecto de campo con canal n son comerciales:
El MESFET

2 Parcial Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

2 Parcial Potencia

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

2 Parcial Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

¿Es un componente que permite el enlace entre los circuitos de baja potencia y de potencia, internamente cuenta con un Led y

Cuál es la función principal de un circuito excitador

11. Que es un FET

Cuál es la función de la pasta térmica

a) Es rellenar el contacto entre dos materiales

Conducir el calor térmico por su composición

Que son las sondas de medida

El JFET es un dispositivo que tiene mucha semejanza a

Para los circuitos digitales el transistor debe ser usado como un

A cual dispositivo electrónico corresponde el símbolo representado en el dibujo

A cuál tipo de transistor unipolar (FET) pertenece la curva característica

Elige un transistor de potencia que tenga menores pérdidas en conducción

Hablando de las regiones de operación de un BJT: Qué es la zona de saturación

A qué corresponde esta estructura

Configuración triple Darlington.

Hablando de las regiones de operación de un BJT Qué es la zona lineal

Elige el transistor de potencia que tenga un tiempo de conmutación menor

Hablando de las regiones de operación de un BJT: Qué es la zona de corte

Cuál es la característica de compuerta de un IGBT

d. MOSFET de acumulación canal N

20. Grafico transistor efecto de campo

También podría gustarte