MICROELECTRONICA

Los continuos avences tee oot é-

gicos en el campo de la ~ectróni­
ca obligan a una reviSH)n continua
de 10$ tex tos publicados sobre el
tema, en especial si, como en este
caso, se trata de una obra eminen-
te mente didáctica.
El pl"esligio del profesor Mili ·
man, avalado por sus muchos
años de docencia en la Universi-
dad de Columbia y por sus traba-
jos de investigación en el Instituto
Tecnol6gico de Ma ssachusetts,
ha convertido su M!Croe!ect rOfllca
en una obra básica para 1'J en se-
ñanza de la ingenieria eléctrica 'i
computadoras.
Su trabajo en colaboración con
el prolesot" Arvin Grabe' -el!
alu mno del proPio M ill man - ha
sido revisado y actualizado, incor-
porando las más recientes innova-
ciones tecnológ ica s , con lo que el
li bro se ha convertido en una he-
rramienta de primer orden pa ra
Jos estudiantes de electrónica.
La obra se ha distribuido en cin -
co pa rtes, iniciándose con el estu-
d io de los c ircuitos integrados
(di spositivo s semicond uc tores),
par a cont inuar con los ci rc uitos y
sis te mas d igi ta les, emcnñeece-
'res, de rec ogida de dato s y proce-
'sa rmentc de la señal, pa ra acabar
'co n los ci rc ui tos y siste mas de po-
t enc ia.
I En su plan t eamiento, bu sc ando
la m áxima facilidad pedag6gica,
'se ha procurado que, sin perder la
Ic ont inuidad , se pu ed an aisla r
'u no s ca pitulos de ot ros, de m odo
'q ue permite seleccio na r temas
'espec süc os para d is t intos c ursos.
I En rea lida d, el t ext o co ntie ne
¡suf ic ient e m aterial para do s o tr es
cursos d e di spositivos, c irc uitos y
:sist em as electr6 nicos. El objeto
de este libro es co nducir al lect or.
i-P! SO a paso , desde un concct-
MICROELECTRONICA
 BIBLIOTECA TECNICA

MICROELECTRONICA

Jaeob Millman, Ph. D.

Profesor Cha rles Bat ch elor . Emerilus
de la Co lumbia Universil y

Arvin Grabel, Se. D.

Profesor de Ingeniería El ectrónica e lntorm áuca
de la Northea etem Unive rsily

Sexta edición
totalmente actualizada

EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S. A.

BARCELONA(ESPANA)
 Colección dirIgida por Alfonso En señat Bad las ,
Docto r Ingeniero Industrial, Profesor de la E. T. S. l. l. B.,
Departamento de Inge nierla Eléctrica
de la Universidad Politécnica de Barcelona

l ilulo de la edici6rl o rigina l: Mlcr oe tectronlcs.

<O de la trad ucción: Enr ie Belza I Vall s. Ingeniero Industrial, ex Profe-

sor Encargado de Curso de la E. T. S. 1. 1. de Barcelona.

Es propied ad, 199 3

© McGraw-HilI , lnc.

el de la edición en castellano: Ed itor ial Hi sp ano Eur o pea, S. A . 8 0(i

1 rcotesta, 6-8. 08021 Barcelona (España).

Quedan rigurosamen le prohibidas, sin la autorización escrita de los Ii-

tulares del _Copyright .., bajo las sanciones establecidas en las l eyes.
la reproducción total o parcial de esta obra por euakJJier med io o pro-
cedimiento, corJll renddos la reprog ral1a y al tratamie nto informátiCO, y
la dist ribución de ejefl'l)lares de ella mediante alqui ler o préstamo pU..
blieos, asl como la alC portación o importación de esos ejemplares para
su dstribución en venta fuera del ámbito de la Com.xridad ECOfI6rnica
Europea.

Depósílo Legal : B.1n OO-l99 3.

ISBN: 84- 255-0865- 1.

1," reimpresión: Junio 1993

lJ,l PEFIGfW', S . L • Carrer del RiJ, 17 (Nau 3) • 082 91 Ripollet

 Indice

Sobre 1111 lut()f~ ,. 1·1 . Fuerzas, campos y energía

- Parl fculú cargadas
41
41
Prelacio • 21 - Intensidad de campo 42
- Potencial 42
Prólogo. Bren' hisloria de la eleclró ni(,1t 25 - Concepto de barrera de energía po-
ten cial 44
Antecedentes 25
La era deltubo de vado 2. 1·2 . La conducción en los metales 44
- Descubrimiento de los tubos de vecrc . 2. - Densidad de corriente . 4.
- Aplicaciones iniciales 27 - Conductividad • 47
- Ind ustrias electrónicas 27
- Componc nles . 27 1· 3. El semiconductor intrínseco . 48
- Comunicaciones 28 - El hueco 48
- Computadores (cálculo) 28 - Co nducción en semiconductores in·
- Controles . 29 trfnsecos 50

- A nál isis y teoría 30 1.4. Semiconductores extrínsecos . 51

- Semicond uctores tipo n 52
La era del transistor 30 - Semiconductores de tipo p 52
- Descu brimiento del transistor de unión bipo- - Ley de acción de masas 53
lar , 31 - Concen tración de portadores • 53
- Invención del circuito integrado 31 - G e neració n y recombinaciÓR de cal-
- Microelectrónica
- Tr ansistor de efecto campo
32
33 ." .
1.5. Variaciones en las propi edades del sili-
55

- Circuitos integrados digitales 33

- Circ uitos anal ógicos . 34 cio 55
- Té cnicas de fabricación 34 - Co ncentración intrínseca 55
- Movilidad 5.
- Ind ustrias de la comunicación y control 35 - Co nductividad 5.
- La industria del cálculo . 35
1-6. Difusión 5.
El futuro 3. - Relación de Einstein 57
- Corrie nte lolal . 57

1.7. Scmiconductor cs grad uad os . 58

PRIMERA PARTE - Ley de acción de masas 5.
- Un ión abrupta en circu ito abierto 5.
Oi5positints Semironductol'ft
Referencias • 60
l. ~I('On ductores 41 Tem as de rep aso 60
6 Indlce

2. El diodo de unión 61 3. Tr ansislores de unión bipolares (BJT) 97

2-1. La unión en un circuito abierto 61 3-1. La fuente ideal de corriente controlada 97

- Región de la carga espa cial 61 3-2 . El transistor de unión 100
- Comportamiento físico de un transis-
2-2. La unión pn polarizada 63 lar bipolar 102
- Unió n pn con polarización directa 64
- Unión pn con polarización inversa 64 3-3 . Representación Bbers-Moll de BIT . 104
- Contactos óhmicos 64 - Ganancia de corriente con gran señal 105
- La unión pn en cortocircuito y en cir- - Modos de trabajo del transistor 106
culto abierto 65 - Concentración de portado res minori-
- Grandes tensiones directas 65 tarios 108
3-4. Características en base común 109
2-3 . Caracrerlstlcas tensión-intensidad 65 - Características de salida 109
2-4. Dependencia de la característica VII - Características de entrada . 111
con la temperatura 68 - Efecto Early o modu lación del ancho
2-5. Diodos de germanio 69 de la base 111
2-6. El diodo como elemento de un circuito 69
- El diodo ideal 69 3~5 . Configuración en emisor común (CE) . 112
- Concepto de recta de carga 70 - Las características de salida 112
- Las características de entrada . 115
2-7. Modelos de gran señal 71 - El modo activo inverso 115
- Análi sis de circuitos dc diod os utili-
zando el modelo de gran señal 72 3-6. Corte y saturación 116
- Corte 116
2-8. Aplicaciones elementales de los diodo s 75 - Corte en el transistor invertido 117
- Rectificadores 75 - La región de saturación en emisor
- Circuit os cortadores y fijadores 76 común 117
- Resumen de tensiones en un BIT 119
2-9. Modelos de diodo s de pequeña señal 80
- Capacidad de difusión. 83 3-7. Modelos de continua . 11 9
- Capacidad de transición 84 3-8. El transistor de unión bipolar como in-
terruptor 126
2-10. T iempos de conmutación del diodo de - Velocidad de con mutación del BIT 128
unión . 84
86 3-9. El transistor de unión bipolar como am-
2- 11. Diodos Zener
86 plificador 129
- Multiplicación dc avalancha .
- Notación 131
- Ruptura Zener 86
- Mode los de diodo Zc ner 87 3-10. Model o BJT para pequeña señal 132
- Un regulador Zener 87 - Modelo de baja frecuencia 133
- Caracteristicas de temperatura 88
3- 11. El BJT como diodo . 138
2-12. Diodos de barr era Schottky 88 3-} 2. El par de emisor acop lado 140
2- 13. Diodo de unión en escalón . 89 3-13. Limitaciones en [os transistores 142
- Capacidad de deplexión . 89 - Corriente de colector máxima 142
- Expresión analítica de la concentra- - Máxima disipación de potencia 142
ción de portadores minoritarios . 91 - Máxima tensión de salida 143
- Descrip ción del control de carga de - Perfo ración 143
un diodo 93 - Máxima tensió n nom inal de entrada 144
- Capacidad de difusión 94

Referencia s 94 Refe rencias 145

Temas de repa se 95 Temas de repaso 145
 índice 7

4. Trall ~i~lore~ de erecto campo . 147 5- 1. Tecnología de los circuitos integrado s

monolíticos [microelectrónica] 184
4- 1. La fuent e ideal de corriente con tensión 5-2. El proceso planar. 186
regulada 147 - Crecimiento del crista l del sustrato 186
4- 2. T ransistores de unión de efccto campo 149 - Crecimiento c pitaxial 187
- Funcio namiento del J¡';ET 150 ~ Oxidación 187
- Fotolitografía 188
4- 3. Caracte rística te nsió n-corriente de un - Difusió n 189
JFET 15 1 - Implantació n de io nes . 190
- La región ó hmica . 152 - Metalización 19 1
- La regió n de saturación o de estríe-
ción 153 5-3 . Fab ricación de tra nsistores bipolares 19 1
- Ruptura 154 - Fabricación de tra nsisto res 19 1
- Co rte 154 - Ca pa e nte rrada 193
- Fabri cación del pnp 193
4- 4. Característica de tran sferencia del JF ET 154 - Tr ansistores de emisor múltiple 195
4-5. El MESFET 1S5 - Elnansistor Scho ttky 195
4-6 . El MOSFET de acumu lación 155 ~ Transistores supcr -B 196
- Estructur a del MO S de acumu lación 156
- Co mportamie nto físico del MOSFET 5-4. Fabricación del FET 197
de acumu lación 157 - Fa bric ació n del NMOS de acumula-
ció n 197
4- 7. Características tensión -corri ent e de un - Autoaislamie nto 197
MOSFET de acumu lación 157 - Transistores NM OS de dep lcxió n 198
- Expr esiones a nalfticas dc las curac- - Largo y ancho de puerta 198
tcrtsticas tensión -co rrient e 157 - Fabricación de JF ET 199
- Región ó hmica . 157
- Regió n de saturació n 15X
5-5 . Tec nología CMOS 200
- Características del MO SFET de acu-
5-6. Diod os monolít icos 200
mulació n de ca nal p 160
- Caracte rísticas del diud o 202
- Co mparación ent re transistores
PMOS y NMOS 16 1
5-7 . Co ntacto metal-semiconductor 202
4-8. El MO SFETde dople xión 16 1 5-8. Resistencias integradas 20 2
4-9. Símbo los de los circuitos MOSFET . 162 - Resisten cia pelicular 203
4-10 . Análisis en continua de los FET 163 - Resiste ncias difundidas 203
- Recta de polarizació n 163 - Resisten cias de iones imp lantad os 204
- Resiste ncias epitaxialc s 205
4- 11 . El MOSFET como resis tencia 166 - Resiste ncias de cstricción 205
4- 12. El FET co mo interru ptor 168 - Resistencias MO S 206
4-1 3. El FET como ampli ficador . 172 - Resiste ncias de película delgada 206
4- 14. Model os FET de pequeña se ñal 173
- El modelo de baja frecuencia 174 5-9. Cond ensadores integra dos 207
~ Modelo de a lta frecue ncia 178 - Co nde nsado res de unión 207
- Conde nsado res MO S y dc película
4- 15. Dispositivos CMOS . 178 delgad a 207

Referencias 180 5- 10. Emp acado de circuitos integrados . 208

Temas de repaso 18 1 5- 11. Ca racter ísticas de los co mponentes in-
tegrados 209
5- 12. Disposición de los circuitos microelec-
trónico s 209
S. Fabricació n de circuitos illle¡:rlldos 183 - Circuitos bipolares 210
8 lndl"
- Circuitos MOS 210 - La puerta transmisión . 245
- Cruces . 210 - Familias lógicas eMOS 246
- Trazado con comp utador 211
6-10. El inversor BIT . 247
Referencias . 211 - Inversor de transistor Sehottky 248
Temas de repaso 211
6-1 1. La puerta 1TL NAND . 248
- Actuaci ón de l transistor de entrada 250
- Tiempo de almacenamiento bajo 251
SEGUNDA PARTE - Diodos de enganche de entrada 251
Circuitos y sislemas 6-12. EtapasdesalidaTIL 252
digitales - La etapa en tótem 252
- Salida de t res estados 254
6. Circui los 16gh:os bás icos (digitales) 215 - La característica de transferencia 254
6·1. El sistema binario 215 6-13. Familiaslógicas1TL 254
6-2 . Algebra de Boo le . 217 6- 14. Circuitos lógicos de emisor acoplado 256
- Sistemaslógicos 218 - Puerta básica OR/NDR de emisor
- La puerta DR 218 acoplado (ECL) 257
- La puert a AND 220 - La tensión de referencia VII • 258
- Puerta NOT (inversora) 221 - La característica de trans ferencia 259
- Función de inhibición (y habilitación) 222 - Márgenes de ruido 262
- La característica NOR 262
6· 3. Puertas OR-exc1usiva, NANO y NOR 222 - La etapa de salida 262
- Puerta Og-exdusíva 222 - Topología ECL OR/NOR 263
- Leyes de Morgan 224 - Disipación de potencia 263
- La puerta NAND 226 - Número de salidas (fan-out) 264
- La puerta NOR 226 - Familias ECL . 264
6-4. Caracterfsticas de las puertas lógicas 227 6-15 . Comparación entre familias lógicas 264
- El inversor ideal 228
- Característica de transfe rencia del in- Referencias . 265
versar real 228 Temas de repaso 266
- Margen de ruido 230
- Fan-out (salida en abanico) 231
-Fan-in . 231 7. Combinación de sislema s digita les 269
- Disipación de po tencia 231
- Velocidad de actuación 232 7-1. Montajes de puertas normalizadas 269
- Criterios de diseño 272
6-5 . El inversor NMOS 233
- La carga saturada 234 7-2. Suma dores binarios 272
- Carga lineal (no saturada) 236 - Semisumador 272
- La carga dc dep lexión . 237 - Funcionamiento en paralelo 273
- Resumen 239 - Suma dor comp leto 274
- Sumadores MSI 275
6-6 . Retardo de propagación de un inversor - Fu ncionamiento en serie 277
NMOS . 239
6·7. Puertas lógicas NMOS 241 7-3. Funciones aritméticas 278
6·8. El inversor CMOS 243 - Sustracción binaria 278
6-9. Puertas lógicas CMOS 244 - Unidad aritmét ica lógica (ALU)!
- La puerta NOR 244 Función generador 279
- La puerta NAND 245 - Multiplicadores binarios 279
 índice 9

7-4. Comparador digital 2HO Temas de repaso 311

7-5. Comprobador generador de paridad 2H2
7~6. Decodificador demultfplex 2H3
- Sistema de codificación binar io-dcc¡- H. Circuitos y slseemesseceenctales 313
mal (BCD) . 2H3
- Decodificador dc BCD a dccimal 2H3 8-1. Una memoria de 1 bit 3 13
- DemulHplex 2H5 - Célula de almacenamiento de 1 bit 313
- Deeodificador-Dcmultíplex de 4 a 16 - Un interrup tor sin oscilaciones 314
líneas 285 - Biestable de fijación 3 15
- Decodificador-excitador de lámpara . 2H.
- Demultíplex de orden superior 2H. 8~2. Propiedades del circuito de un biestable
de fijaci ón . 3 15
7-7. Multíplex-sclectur de datos . 2H. 8-3. El FUP-FLOP SR temporizado 3 17
- Conversión paralelo a seno 2HH - Sistema secuencial . 3 18
- Selección secuencial de datos . 2HH - El FLlP-FLOP S R 3 19
- Muhíplcx de orden superior 289
- Lógica combinacional 289 8-4. FUp·FLOP tipos J· K. T y D 320
- El FLlP-FLDP J-K 320
7-S. Codificador 290 - Puesta a 1 y a O(Preset and clear) 321
- Etapas de salida 292 - Condición de auto-oscilación . 321
- Codificador con prioridad 293 - FU P-FLO P J·K ordenador-seguidor 322
- El FLlp·FLOP tipo O . 323
7-9. Memoria de sólo lectura (RO M) 294 - El FU P~ FLOP tipo T . 323
- Convertidores de código 295 - Resumen 323
- Programación del ROM 29.
-ROMSNMOS . 29. 8-5. Registradores de desplazamiento 324
- Registrador de entrada- serie. salida
7- 10. Direccionado bidimensional de un paralelo (SIPO) 325
ROM. 299 - Registrador de entrada y salida en
- Ampliación de la información 300 serie (SISO) 326
- Ampliación del direccionado 300 - Registrador de entrada y salida en
serie (PISO) 326
7- 11. Aplicaciones de los ROM 300 - Registrador de entrada y salida en pa-
- Tablas de recurreneia 300
ralelo (PIPO) 326
- Generado res de secuencia 30 1
- Generador de ondas . 301 - Registradores de desplazamiento a
- Imagen visible de siete segmentos 302 derecha e izquierda (bidireccional) 327
- Lógica combinatoria . 303 - Línea de retardo digital 327
- Gener ador de caracteres . 303 - Generador de secuencias . 327
- Almacenamiento de programas . 303 - Contador de anillo registrador de
desplazamiento 328
7- 12. ROMS programables (PROMS) 304 - Contador de anillo Johnson 329
7· 13. PROM borrable . 304
-EPRO MS. 304 8-6. Contadores asíncronos 329
- E!PROMS 306 - Contador asíncrono 329
- Contador reversible 33 1
7· )4. Lógica de disposición programable 306 - Contador divisor por N 332
7· 15. Disposiciones lógicas programables
(PLA) 307 8~ 7. Contadores síncronos 333
- Programación de un PLA 309 - T ransporte en serie 334
- T ransporte en paralelo 335
- Contador síncrono reversible con
Referencias 3 11 transporte en paralelo . 335
10 lnd/u

- Contado r de décadas síncrono 335 - Funcionamiento básico del CCO . 362

- Electrodos por bit . 364
8-8. Ap licaciones de los contado res 336 - Frecuencias máxima y mínima de
- Contador directo 337 funcion amiento 364
- Divisor por N • 337
- Med ición de frecuencia 338 9· 8. Estructuras CCD . 365
- Med ición de tiempo 338 - ceo de dos fases 365
- Medición de distancias 338 - Estructuras de entrada y de salida 367
- Medición de velocidad 338 - O rganización de una memoria ceo . 367
- Calculadora digital (computado ra) 339
9-9. lógica de inyección integrada 368
Referencias 339 - Fusion ado de elementos 369
Temas de repaso 339 - Inyección de corriente _ 370
- Inversor . 371
- Puerta NAND 372
- Puerta NO R 373
9. Sistemas integrado.~ a muy gran escala • 34 1 - FLlp · FlOP 373

9-1. Registradores de desplazamiento MOS 9-10 . Microp rocesadores y microcomput a-

dinámicos . 34 1 dores . 373
- Inversor MO S d inámico 342 - Microcomputadores 375
- Célula de memoria bifásica dc rela- - Microcomp utador de un chip 375
ción . 34 3 - Ap licaciones 376
- Aplicaciones 344
- Registrador dc desp lazamiento MOS Referencias 377
estático . 344 Tem as de repaso 377

9-2. Etapas del regi.strad or dc dcsplazamien-

to de no relación . 345
- Célula de registrador dinámico de dos TERCERA PARTE
fases y de no relación 345
- Etapa de registrador de desplaza- O rcuilos , sistemas
miento dinámico CMOS 346 amplificadol"es

9-3. lógica dom ino CMOS 347 10. Etap as IImpliiicadons basicas a baja Ire-
9-4. Memorias de acceso aleatorio (R AM) 349 eue ncte . 383
- Selección lineal 349
- Direccionado bi-dimensional • 350 10- 1. Onda s pa ra una entrada seno ida l 384
- Organización básica RAM 350 - Notaciones 385
- Amp liación de la memor ia 352
10-2. Punt o de funcionamiento del BIT 387
9-5 . Células de memoria de lectura-escritur a 352 - Estabilidad de polarización 388
- RAM MOS estático 353
- Célula RAM eMQS estática . 354 10-3. Polarización del BIT para circuitos
- Célula RAM dinámica de 4 MOS- integrados 389
FET . 355 - Resistencia de salida 390
- Cé lula RA M dinámica de un MOS- - Repetidor es de corriente 39 1
FET . 356
- Organ ización del chip RAM diná- 10-4. Fuen te de corriente Widlar 392
mico 357 - Variaciones de temperatu ra 394

9-6. Cé lulas RAM bipolares 360 10-5. Fuen tes de corrie nte de tres tran sis-
9-7. Dispositivos acopla dos en carga (ceO) 362 tores 395
 índice 11

10-6. Polarización del BIT con componen - - Aná lisis de la etap a amplificadora
tes discretos ~ Análisis . 396 FET generalizada . 420
- Acop lamiento capacitivo 396 - La etapa en fuente común ' 422
- Análisis en contin ua 398 - La configuración en drenaje co-
- Incremento de corriente por variar mún 422
Bf 399
- Increme nto de corriente por variar 10-16. Am plificadorcs BIT en cascada . 4 23
1m 400 - Etapas FET en cascada 4 26
- Incremento de [a corriente por va-
riar V8 f: 400 10- 17. Etapas de transistores mixtas (com-
- Incremento total de corriente 400 pound) . 426
- Configuración CC-CC (Darlin g-
10-7. Diseño de polarización con compo- Ion) . 427
nentes discretos 40 1 - Conexión CC-CE . 427
- Consideraciones de diseño . 403 - Co nexión CE-CB (Cascodo) . 427

10-8. Polarización del FET 404 10-18. El amplificador diferencial 428

- Fuentes de corriente 404 - Modo diferencial 429
- Circuito polarizado de cuatro re- - Modo co mún 429
sistencias . 406
10-19. An álisis de amplificadores diferen-
ciales 430
10-9 . Análisis lineal de circuitos de transis-
- Ga nancia A n M del modo diferen-
tores 408
cial 4 30
10-10. Amplificador en emisor común . 410
- Ga nancia A CM del modo común . 4 31
- Ga nanc ia o amplificación de co-
- Relación de rechazo del modo
rricnt e A¡ 410
común 4 31
- Resistencia de entrada R. . 4 11
- Salida par a señales de entrada ar-
- Ga na ncia o amplificación de ten-
bitrarias 432
siónA . . 4 11
- Efectos de la resisten cia de fuente 434
- Resistencia de salida 4 12
- Resistencias de entrada y de sa-
lida . 434
10- 11. El seguidor de emisor 4 13
- La ganancia de corriente 4 14 10-20. Amplificador es diferenciales FET 434
- La resistencia de entrada 4 14 10-2 1. El amplificador ope racional (A mp-
- Ga nancia de tensión 4 15 Op) 435
- La resistencia de salida 4 15 - El Amp -Op ideal 436
- Etapas Amp-Op inversoras prác-
10- 12. El amplificador en base común 4 16 ticas 437
10- 13. Comparación entre configuraciones - La etapa no inversora práct ica 439
del amplificador BIT . 416
- Co nfiguración en emisor común 10-22. Aplicaciones elementales del Amp-
(~~) 4 16 Op . 440
- Configuración en colector común - Amplificador sumador 440
(CC) 416 - Suma no inversora 44 1
- Co nfiguración en base común - Convertidor de tensión a corrien-
(~B) 417 te (amplificador de transcondu c-
tanela] 44 1
10-14. A mplificado r en emisor común con - Convertidor corriente- tensión
una resistencia de emisor 4 17 (amplificador de transreslsteucia] 442
10-15. Etapas amplificadoras FET . 418 - Integrad ores 443
- Circuitos equivalentes de peque-
ña señal 4 18 Referencias 443
12 Indice

Temas de repaso 444 - Cascada Emisor Común-Emisor

Común (Ce-Ce) '1 fuente co mú n-
fuen te común (Cs-Cs) en alta fre-
11. Respuesta en frecuenci a de tus ampliiica- cuencia . 48U
dores 447
11· 11. El amplificador cascodc (CE-CS) 485
11- 1. Caract erísticas de respuesta en fre- 11-1 2. El amplificador operacio nal a alta
cuencia 447 frecuencia . 4BB
- Consideraciones sobre fidelidad 448 - La etapa no inversora . 488
- Respuestas en alta frecuencia 449 - La etapa inversora 489
- Respuesta en baja frecuencia 451
- Respuesta total 451 11-13 . El efecto de los condensadores de
- Ancho de banda 453 acoplamiento y de paso 490
- La respuesta completa en baja
11-2. Respuesta de un amplificador a un frecuencia 491
escalón 453 - Etapas en cascada a baja frecuen-
- Tiemp o de subida 454 cia 493
- Pendiente 455 - Resumen 493
- Pr uebas con ond a cuadrada 456
Referencias . 494
11-3. Ganancia de corriente de cortocir- Te mas de repaso 494
cuito en emisor común 45 6
- El paráme tro Ir . 458
12. Amplificadores realimentados 497
11-4. La función ganancia generalizada 459
- Determinación del número de po- 12-1 . Clasificación y representación de los
los y de ceros 460 amp lificadores . 498
- La apro ximación del polo do m¡- - El amplificador de tensión . 498
nante . 460 - El amplificador de corriente 499
- El convertidor Tensión -Corriente
11-5. Respuesta en alta frecuencia de una o Amplificador de Transeondue-
etapa en emisor común 46 2 ranci a 499
- La función de tran sferencia 463 - El conver tidor Corrien te-Te nsión
- Eq uivalente hfbrtdo -n unila teral 463 o Amplificador de Tr ansirnpedan -
- Impedancia de entrada de Miller 464 cia 499

11-6. Producto gan ancia-ancho de banda 465 12-2. El concepto de realimentación 500
11-7. Etapa en fuente común a alta fre- - La fuente de señal (entrada) 50 1
cuencia . 466 - La señal de salida 50 1
11-8. Seguido res de emisor , y de fuente a - La red de muestreo . 50 I
alta frecuen cia . 467 - La red de Co mparación o Suma-
- Ganancia de tensi ón 467 dora 502
- La impedancia de salida Z o 469 - La red de rea limentación 503
- La impedancia de ent rada Z¡ 470 - El amplificador básico 503
- El seguidor de fuente 472 - To pologías del amplificador reali-
mentado . 503
11-9. Método de la constante de tiem po
para hallar la respuesta 473 12-3. El amp lificador realimentado ideal 5U4
- El coeficiente a, 473 - Relación de retorno o ganancia del
- El coeficiente a ! 478 lazo 506
- Sup uestos funda mentales 506
11-10. Respuesta en frecuencia de elapas
en cascada 480 12-4. Propiedades de am plificadores con
 índic e 13

realimentación negativa 507 múltiple lazo 546

- Dcscnsibilidad 507 - Amp lificador con rea limentación
- Distorsión no lineal. 508 positiva-negativa 547
- Red ucción del ruido S Il - Estructu ra McMillan 548
- Rea limentació n seguidora 550
12-5 . Impedancia e n amp lificadores reali- ~ Realimentació n salto de rana 550
ment ados 512
- Resistencia de entrada 512 Refe rencias 550
- Impeda ncia de salida 5 13 Te mas de repaso 55 1
- Fórmula de la impeda ncia de
B1aekman 5 14
13. K..labilidad y respu esta de lus amplifi cado-
12-6. Prop iedades de las topo logías de am- res realim enlados . 553
plificadores realimentados 5 16
- El ampli ficador para lelo-paralelo 5 16 13-1. Efectos de la realime ntación sobre el
- El amp lificador ser ie-serie . 5 17 ancho de banda 553
- El amplificador paralelo-serie 5 18 - Función de dos polos 554
- El amp lificador ser ie-paralelo 5 18 - Función de tres polos 554

12-7. Análisis aproximado de un amplifica- 13-2. Estab ilidad . 555

dor reali mentado 5 19 - Definición de la estabilidad 556
- El amplificador sin realimentac ión 5 19 - Estabilidad en amp lificadores rea-
- Plan gene ral de aná lisis 520 limentados 557

12-8 . Análisis gene ral de amplificadores 13-3. Pruebas de estabilidad 55 7

rea limentados 523 - Criterio de Nyquist . 558
- Ganancia (relación de transferen- - Margen de fase 558
cia) con realime ntación 524 - Margen de gana ncia 558
- Proceso de análisis 526 - El diagra ma de Bude 560

12-9. Más sobre la impedancia en amplifi- 13-4. Co mpensac ión . 563

cadores realimentados 530 - Compensación por po lo dominante 564
12-10 . Triple realimentación e n paralelo 532 - Cancelació n polo-cero 565
- Las impedancias de entra da y de - Una nota para el lector . 566
salida 534
- Opciones de diseno 536 13-5 . Respuesta en frecuencia de amplifi-
cadores realimentados. Función de
transferencia de dob le po lo 567
12- 11. El par paralelo-serie 537
- Res istencias de entrada y de sali- - Modelo de circuito 568
- Respues ta en frecuencia 569
da 538
- Resp uesta a un escalón. 569
12-12. El par serie-paralelo 539 13-6. Margen de fase del amp lificador rea-
- Impedancias de entrada y de sa- limentado de dos polos 572
lida . 540 13-7. Respu esta del ampl ificador rea ttmen-
tado de tres polos 576
12- 13. El triple e n serie 541 13-8 . An álisis aproximado de un amp lifica-
- Impedancias de entrada y de sali- dor realimentado multi-polo 576
da 542 - Margen de fase . 578
- El polo domina nte 578
12-1 4. Análisis gener al de amplificadores
realiment ados multi-etapa 543 13-9. De termin ación aproximada de los po-
12- 15. Am plificadores rea limen tado s de los en lazo abierto 579
14 índice

13- 10. Más sobre la compensación 588 - Compe nsación interne 621
- Separación de polos 589 - Compensación adap tada 62 1
- Co mpe nsación por capacidades - Compensación por efecto Miller 62 1
en para lelo . 59 1 - Cancelación polo-cero 625
- Anál isis del lugar de las rafees
(opcional) 59 1 14-9. Rit mo de variación 626
- Resumen 592 - Efecto del ritmo de variación sob re
una señ al de entrada 621
Refer encias 592
Tem as de repaso 593 14-10. Circuitos BIFET y DIMOS 628
14-11. Amplificadores operacionales de
tres e tapas . 629
14-12. O tros tipos de amplificadores opera-
14. CancterÍOilins del amplificador operac io- cionales 630
nal • 595 - Estru ctura de etapa única . 630
- Amplifica dores de instru menta-
14-1. Estructura del amplificador operacio- ción . 63 1
nal 595 - El Amplificador de Transconduc-
- Est ructura de dos etapas 596 ranci a Operacional (OTA) 634

14.2 la eta pa de ganancia con carga activa 597 14-13. Amplificador es ope racionales MOS 63S
- la recta de ca rga 597 - Circuitos NMOS 635
- Modelo de pequ eña señal . 598 - Amp-Op CMOS 636
- Limitaciones de las fuent es de co-
rriente pnp 60 1 Referencias 638
Temas de repaso 638
14-3 . la etapa difere ncial 602
- la relación de recha zo del modo
común (CMRR) 602
- Resistencia de entrada R., . 603 CUARTA PAR'ffi
- la ganancia en el modo diferencial
AI>AI 603 Pr ocesad o de señales
, adquisidón de dalos
14-4. Desplazam iento de nivel 608
- El mulliplicador V'f. 609 15. Gen era d ón y confofllllllción de ondas 643

14-5. Etap as de salida 610 15-1. Osciladores senoid alcs . 643

14-6. Tensiones y corrient es offset 6 13 - Criterio de Barkhausen . 644
- Técnicas universales de eq uilibra- - Conside raciones prácticas 644
do 6 16
15-2. Oscilador de cambio de fase 645
14-7 . Medición de los parámetros de un - Funciona miento a frecuencia varia-
amplificador operacional 616 ble 647
- Te nsión offset de entrada V¡., • 6 17
- Corriente de polarización de en- 15-3 . Oscilador de puente de Wien . 647
trada . 6 17 - Estab jhzación de la amplitud 648
- Ganancia de tensión diferencia l en
lazo A. - AnAl 6 18 15-4. Forma general de un circuito osci-
- Relación de recha zo del modo lador 649
común 6 18 - Relació n de retorno . 649
- Osciladores sintonizablc s Le 649
14-8. Respuesta en frecuencia y compensa-
ción . 620 15-5. O scilador de crista l 650
 lndice 15

15-6. Multivibrado res 652 16-1 . Señales y procesado de señales . 687

- Mullivibradores monoestables 65 4 16-2. Toma y ret enci ón de informació n 69 1
- Multivibrad o res es tables 657 16-3. Muhíplell. y d cmultfplex analógicos 693
- Demultfplcx analég ico 694
15-7. Co mparadores . 658
15-8. Formación de ondas cuadradas a pa r- 16-4. Convertidores de digital a ana lógico
tir de una senoidc . 660 (DI A) . 69 4
- Señalador de tiem po a partir de - Co nvertidor Ol A tipo escaleta 696
una scnoidc • 66 1 - Co nvertidor DI A muhiplicador 697

15-9. Com parador rcgcncranvo (d ispa rador 16-5. Convertido res de analógico a digital
Schmitt) . 66 1 (Al U) 698
- Disparador Sch miu aco plado en - Convertidor A /D co n contador 698
emisor 664 - Co nvertido r A I D por aproxima-
ciones sucesivas . 700
15- 10. Generado res de ondas cuadradas y - Convertid or A /D comparador en
triangulares 665 pa ralelo (Aas h) 70n
- G enerado res de onda triangular . 666 - Convertidor A I O de relación o de
- Modulación del ciclo de servicio doble pendiente . 702
(duly) 668
- Oscilador gobernado por tensión: 16·6 . Circuitos de inlegración y diferencia-
VCO (Vohajc Co ntrollcd Oscilla- ción . 703
lor) 668 - Cemente de polarización y offset
en continua . 703
15-1 l . Gen erado res de impulsos 670 - G anancia finita y ancho de banda . 704
- Muhivibrado r monoes table de re- - Circuito práctico 705
petición . 67 I - Integrador diferencial 706
- Oiferenciado r 706
t 5- I2. El lemporizador integrado 555 672
- El muhivibrad or astablc 673 16-7. Cálcu lo analógico elect rónico . 706
16-8. Pilt ros act ivos Re . 708
15- 13. Ge neradores de base de tiempo . 67 4 - Ca racterís ticas ideales . 708
- El barrido 67 4 - Ca racterísticas reales de respues·
- Generadores de ba rrido 675 la en frecuencia . 7 10
- Especificación de filtros 7 10
15-14. G eneradores de ondas en escalera 677
- Con tador de almacenamie nto 678 16-9. Funciones Buttcrwonh y Chebyshcv . 7 11
- Aplicaciones 678 - La función bicuadrada 7 11
- Polin omios de Butlerworth 7 12
15- 15. Modula ción de una onda cuadrada 680 - Filtros Chcbyshev 7 14
- Mod ulación de amplitud 680 - Transformación de frecuencia 7 16
- Mod ulador rccortador 680
- Demoduladores 682 16-10. Secciones del amplificador simple 7 17
- A mplificador rccortador cstabñi- - Secciones paso-bajo 7 17
zado 683 - Secciones paso-airo 720
- Modu lación de ancho de impulso 683 - Secciones paso-banda . 720
- Secciones de rechazo de banda 722
Referencias 684 - Redes pasa-todo 723
Temas de repaso 684 - Sección general bicuadrada de
Friend _ 726

16. A eondid ooamienlo y conVCDión de 16-1 l . Secciones bicuadradas de l Amp-O p

dalo,'i 68 7 múlliple 726
16 lndice
- La secc ión de filtro universal o de - Rectificador de puente . 756
estado variable. 727 - Medidor rectificador 756
- Multiplicadores de tensión 756
16- 12. Filtros gobernados por conde nsa-
dor . 729 17-4. Filtros capacitivos 756
- Resistencia simulada 729 - Tensión de salida en carga 758
- Integradores 730 - Circuito de onda completa . 759
- Etapa de ganan cia . 73 1 - Análisis aproximado 759
- Secciones unipolares 73 1 - Filtros de entrada capacitiva e in-
ductiva 760
16- 13. Amplificadores logarítmicos y expo-
nenciales 733 17-5. Suministro de potencia regulado 760
- Amp lificador Jogarítmico con - Estabilización 762
transistores apar ejados 734
- Amp lificado r exponencial [anti- 17-6. Reguladores monolíticos 762
logarítmico) 736 17-7. Regulador de conmutación 764
- Multiplicador logarítmico . 737 - Topologla del regulador de conmu-
tación básico . 765
16- 14. Multiplicadores anal6gicos 738 - Tensión de salida regulada . 766
- Cuadrados y rafees cuadradas 739 - Rendimiento 766
- Modulador equilibrado 740 - El interruptor de potencia 766

16-15. Convertido res alterna-continu a de 17-8. Topologías adicionales del regulador

precisión 740 de conmutación 767
- Limitador de precisión 741 - Tensiones de salida negativas 768
- Rectificad or rápido de media - Convertidor continua-continua a
onda 741 contratase acoplado por transfor-
- Rectificado r de onda completa 742 mador 769
- Detector activo de media 743 - Generación de las ondas de con-
- Detector activo de pico 743 mutación . 770

Referencias 744 17-9. -A mplificadorcs de gran señal 772

Temas dc repaso 745 17-10 . Distorsión armó nica 773
- Distorsión de segundo ar mónico . 773
- Generación de armónicos de or-
den superior 775
QUINTA PARTE - Potencia de salida 775

Elec trénl ra de 17- 11. Clasificación de los amplificadores 776

gra ndes seña les - Clase A . 776
- Clase B . 776
17. Clrcuuos y sistemas de potencia . 749 - Clase AB 777
- Clase e . 777
17-1. Conversión de alterna a continua . 749
17-2. Rectificadores 750 17- 12. Rendimien to de un amp lificador
- Rectificador de mcdia onda 750 clase A 777
- Tensión dc diodo 75 1 - Rendimiento de la conversión 777
- Corriente (o tensión) alterna 752
- Regulación 752 17-13 . Amp lificadores en contrafase (p ush-
- Rectificador de onda completa 754 pull) clase B 778
- Ten sión inversa de pico 754 - Rendimien to 779
- Disipación 780
17-3. Otros circuitos de onda completa 755 - Distorsión 780
 lndlce 17

17- 14. Funcionamiento elase AB 78 1 C. Resumen de teoría de circuitos 805

17-1 5. Amp lificador es de potencia integra-
dos . 782 C-I . Redes resistivas 805
17-16. Conside racio nes térmicas 783 - Fuentes de tensión y de corriente 805
- Tempe ratura máxima de la unión 783 - Resistencia . 806
- Resistencia térmica 783 - Ley de Kirchhoff de las corrientes 806
- Curva de reducción de la disipa- - Ley de Kirehhoff de las tensiones 807
ción . 784 - Combin ación de resistencias en serie
y en paralelo 8 10
17-1 7. Tran sistores de potencia de efecto
campo (VMOS) . 786 C-2. Teoremas sobre circuitos 8 11
- Características del VMOS 788 - Teorema de superposición 811
- Aplicaciones 788 - Teorema de T hcvcnin 812
- Teorema de Norton 8 13
Referencias 789 - A nálisis por el método nodal 81'
Temas de repaso 789 - Análisis de mallas . 8 15

C-3. Estado scnoida l en régimen perma-

nente 8 16
AP ENDl CES - Fasores . 8 18
- El operador j 819
A. Constantes y factores de conversión . 79 1
C-4 An álisis simplificado de una red senoi-
A·1 . Valor probable de constantes físicas 79 1 dal . 820
A-2. Factores de conversión y prefijos 792 - Rcactancia . 820
- Impedancia 821
- Admitancia 822
B. Fabricant es y especificaciones de semícou- - Análisis de redes 822
ductores . 793 - Teorema de MiIler 823

8 -1. Fabricantes de dispositivos electróni- C-5. Excitación exponencial 823

cos . 793
8 -2. Especificaciones del diodo de silicio IN C-6. Respuesta de un circuito Re a un esca-
4153 794 Ión . 825
B-3. Especificaciones del transistor bipolar - Circuito RCpaso-alto 825
de unión n-p-n de silicio 2N2222A 795 - Descarga de un condensador a través
8 -4. Especificaciones para el transistor de si- de una resistencia . 827
licio de unión, de efecto campo, de de- - Circuito RCpaso-bajo 827
flexión y de canal N 2N 4869 797
8 -5. Especificaciones del transistor de sili- C-7. El diagrama asintótico de Bode 828
cios MOS de efecto campo, de acumu-
lación y canal- P 3N 163 798 C-8. Cuad r ipolos 832
B-6. Especificaciones de la puerta NA- ND - Parámetro z: 834
positiva TIL Schottky de baja poten- - Parámetro h 834
cia (LS74 IO o LS54IO) con salida en
totem 799 C-9. Gráfico de recorrido de la señal 838
8 -7. Especificaciones del amplificador ope-
racional LM741 800
8-8. Especificaciones para el transistor en
potencia N-P- N de silicio 2N567 1 801
8 -9. Especificaciones de los dispositivos de D. Problemas 843
transistores de uso general CA 3045 Y
CA 3046 803 E. Soluciones de una selección de problemas 95 1
 Sobre los autores

Ja cob MilIman es profesor emérito de la Universidad de Columbia donde ocupó la cátedra «Charles
Batchellor» de electrónica. Obtu vo sus grados B.S . (193 2) y Ph. D. (1935 ) en Fís ica, por el Instituto
Tecno lógico de Massachu setts. Su primer año de graduado lo pasó en Mun ich, Alema nia (1932- 1933).
Enseñó ingenieríaeléctricaenel «CiIYCol1ege»de Nueva York (1936· 194 1Y1946-1951) Yen Columbia
(1952· 1975) . Durante la segunda guerra mundial trabajó en el desarro llo de sistemas de radar en el
«Radiation Laboratory. del MIT ( 1942- 1945).
El Doctor MiIlman es autor o coautor de ocho libros de texto; Etectronic s (194 1 rev isado en 1952);
Pulse and Digital C¡rCII¡rs (1956); Vacllum TlI1Je and Semiconductor Etectronis ( 1958); Pul se, Digital,
and Switching Wal'ef orms ( 1965 ); Electra nics Devices and Circuits ( 1967); lntegra ted Etectro nics
(1972); Etectro nic Fundamentals and Appíications (197 5); M ícro eíectronícs (1979). Estos libros han
sido tradu cidos a diez idiomas.
El profesor Millman es colaborador y mie m bro vitalicio del IEEE y co laborador de la «American
Physical Society». Recibi ó la «G reat Te ache rs Awa rd» de [a Universidad de Co lumbia (1967) , la
«Edu cation Medal » del IEEE (1970), y fue propu esto para el «Cent enial Hall of Fame » del IEEE como
uno de los mejores profesores de Ingeniería Eléctrica de todos los tiempo s.
Ha pronunciado numerosas conferencias fuera de los Estado s Unidos: en Italia, España, Israel ,G recia,
Brasil, Uruguay, Aleman ia, Hol anda y Fran cia .
Arvi l Grab el ha ejercido desde 1964 en la facultad de la «Northeasrern Uníversity» siendo actualm ente
profesor de Ingeniería Eléctrica y de Computadores . Obtuvo los tres grados de la Universidad de Nueva
York . Como instructor de Ingeniería Eléctrica ha e nseñado en el «New York UniversityGraduat eCenter»
en los Laboratorios Bel!. Ha sido profesor invitado de la Universid ad de Californi a, en Santa Bárbar a y
en la «Co oper Union para el Progreso del Arte y de la Cie ncia». El libro Basíc Electrical Engineeríng
del que es coautor, está ya en su quinta edición. y ha sido tradu cido a seis idiomas.
 Prefacio

El principal objetivo de este libro es e l de se rvir de texto en los cursos de e lectrónica moderna para los
estudiantes de ingeniería eléctrica y de computadores. Nuestra intención es la de remarcar los conceptos
fundamentales en los que se apoya la operación física, el análisi s y el diseño de circuito s integrados y
sistemas. Compaginando este objetivo con una div er sidad de apli caciones esperamos abarcar tanto la
sustancia como lae sencia de la cuestión. La exten sión y profundidad del tratamiento hace que este volumen
sea tambiénun valiosoauxiliarpara ingenieros,científicos y profesionales de campos afinesa la ingeniería
eléctrica y de calculadoras.
El texto , dividido en cinco secciones principales. está organizado de forma que suponga la máxima
flexibilidad pedagógica sin perder la continuidad. De esta forma, cada profesor puede adaptar el material
a un cierto número de cursos distintos que satisfagan las necesidades e intereses tanto de alumnos como
de profesores.
La primera parte (capítulos I al 5) estudia las característi cas de los dispositivos semiconductores
empleados en los circuito s integrados (lC). Los cinco capítulos remarcan las propiedades de los semicon-
ductor es y estudian el funcion amiento físico y las características de los diodo s de unión, transistores
bipolares (BJT) y transistores de efecto campo (FET). El último capítul o describe las técnicas de
fabricación de los le. Se trata de exponer los procesos em pleados y las limitaciones impuestas por la
fabricación al diseño de circuitos.
Estos cinco primero s capítulos están dedicados a qu ienes no tienen conocimientos previo s de electro-
nica . y abarcan el material fundamental requerido para entender el resto del libro. Para la primera parte
sólo se requieren los conocimientos físicos y matemáticos comprendidos en el primer o segundo cur so de
un programa típico de ingeniería. La mayor parte de estudiantes han seguido un curso de análi sis de
circuitos antes de em pezar a estudiar electrónica. Aun cuando esta preparación es valiosa, no es
indispensable pues el análisis elem ental de circuitos empleado en este capítulo queda explicado en el
Apéndice C.
La segunda parte (capítulos 6 a19 ) trata de circ uitos y sistemas digitales, y la tercera (capítulos lü al
14) de circuitos y sistemas amplificadores. Si se dese a puede ponerse la tercera parte (analógi ca) antes
que la segunda (digital). El material contenido en la primera parte suministra los conocimientos nece sarios
para cualquier otra secc ión. Hemos antepuesto los sistemas digital es por dos motivos:
1. En muchas universidades a los ingenieros y científicos matemáti cos se les exige un solo curso de
electrónica. Evidentemente, para estos estudiantes tal curso se refiere a la electróni ca digital. Con una
selección cuidadosa de los tema s comprendidos en las dos primeras partes se puede formar un cur so, lo
que proporciona al instructor la libertad e iniciativa de elegir las materias más adecuada s a sus fines.
2. Sólo se requiere una teoría de circuito s elemental , del nivel descrito en el Apéndice C. Por tanto,
el estud iante no necesita ningún requisito en cuanto a ingeniería eléctrica para asimilar estos temas.
El primer capítulo de la segunda parte trata de las puerta s lógicas empleadas en el sistema digital. Nos
referimos al funcionamiento y características de las cuatro principales tecnologías de le. Las dos familias
de transistores de efecto campo (FET) son la NMOS y la CMOS . mientras que la lógica transistor-transistor
22 Microelectr ónica moderna

(TT L) Y la de emisor acoplado (ECL) son las familias norma les del transistor bipolar de unión (BJT)
estudiado. Los circuitos integrados a pequeña esc ala (SSl), media esc ala (MSI) y gran escala (LSI) y los
sistemas derivados de estas puertas lógicas se estudiarán en los dos siguientes cap ítulos (circuitos y
sistemas combinacionales y secuenciales).
El último capítulo trata de sistemas integrados a muy gran esc ala (VLSI) en los que se estudia la célula
de memoria de acceso aleatorio (RAM) estática o dinámica. Asimismo se introducen las tecnologías
empleadas únicamente en los sistemas VLSI, tales como la lógica inyección-integrada (1 2 L), CMOS, y
dispositivos acoplados.
El desarrollo de circuitos y sistemas amp tifícadores en la tercera parte (capítulos lOa 14) es semejante
al de. la segunda parte. Los dos capítulos iniciales están enfocados hacia las propiedades de las etapas
amplificadoras básicas BJT y FET. Se estudian los métodos de polarización de los sistemas integrados, y
el empleo de modelos de pequeña señal para valorar el funcionam ient o de amplificadores de etapa única
o en cascada. También se describe el amplificador operacional (Op-Amp) como bloque constructivo
básico. Estos amplificadores se usan para formar sistemas amplificadores realimentados. Los conceptos
fundamentales y las técnicas desarrolladas se emplean en el análisis y diseño de las cuatro topo logías
básicas de amplificadores realimentados. La arquitectura interior y el funcionamiento de los modernos
chips Op-Amp se verán en el capítulo 14 que trata conj untamente muchos de los conceptos vistos
anteriormente en la tercera parte.
La cuarta parte (capítulos 15 y 16) examina los circuitos y sistemas de recogida de datos y proceso s
de la señal. Muchos de estos circuitos se usan tanto en sistemas digitales como analógicos y emplean
puertas lógicas y Op-Amp. Se estudian circuitos para generar ondas sencidales. en rampa o de impulsos
y para la conversión de señales analógicas en digitales (o viceversa ). Entre los circuitos descritos figuran
integradores, filtros activos incluyendo los capacitivos y los amplificadores multiplicadores y logarítmi-
cos.
La última parte (capítulo 17) revela al estudiante los circuitos y sistemas de potencia. Se trata la
co nversión de c.a. en c.c. lo que conduce al estudio de los reguladores de tensión monolíticos. También
se ex aminan los circuitos y dispositivos amplificadores de alta tensión y gran potencia.
El texto co ntiene suficiente material para 2 o 3 cursos semestrales de dispositivos, circuitos y sistemas
electrónicos. Con el constante aumento de componentes en un chip integrado, la diferencia entre elemento,
circuito o sistema electrónico se ha hecho confusa, y en este libro no se ha intentado diferenciarlos entre
sí. Un bloque monolítico tal como un Op-Amp se conside ra a veces como un elemento, y un chip
microelectrónico a gran escala merece la calificac ión de sistema o por 10 menos de sub -sistema.
En el prólogo que sigue a este prefacio se relata brevemente la historia de la electrónicaSe espera que
tanto el instructor co mo el alumno lean esta fascinante historia antes de iniciar el estudio del texto.
Muchos ingenieros electrónicos diseñan nuevos prod uctos, subsistemas o sistemas conectando entre
sí chips integrados normales de tal forma que el conjunto cumpla los obje tivos externos deseados.
Naturalmente estos ingen ieros deben saber qué chips IC existen en el mercado. qué funciones desarrollan
y cuáles son sus limitaciones. Los diseñadores de los chips deben conoce r cuáles son las funciones que
necesitan ser desarrolladas y cuáles son las limitaciones que afectan mayormente el funcionam iento del
sistema en que se incluya el chip.
Bajo este punto de vista, el objeto de este libro es co nducir al lector, paso a paso, desde un conocimiento
cualitativo de [as propiedades de un semiconductor hasta la comprensión del funcionamiento de elementos
de estado sólido y apreciar finalmente cómo se co mbinan éstos para formar ICs, con características
entrada-salida útiles y defin idas. A lo largo de este libro se estudia una gran variedad de ch ips integrados.
No sólo describiremos lo que se fabrica sino que intentaremos llegar a un profundo conocimiento de las
funciones digitales y/o analógicas que desempeña el chip. Después de estudiar cada circuito o sistema se
hace referencia a un chip específico comercialmente adquirible y que realice la función deseada . Se
ex ponen las limitaciones de los elementos y circuitos reales frente a los ideales. Para aprecia r el
funcionamiento no ideal, en el Apéndice B se dan las especificaciones de los fabricantes de elementos y
 Pref acio 23

de ci rcu itos integr ado s rcp rc sc ntmi vos. La profund idad del es tudio. la amplia selecc ión de asun tos. y el
aspe cto práctico se co mbinan parapreparar al e st udian te para act uar con c ficnc¡a inmediatamcmc d esp ues
de graduarse.
La atenci ón pre stada al uspcc to pedag ógico se re fl ej a en la e xplicación dct com po rtamieruo de los
dispos itivos. ci rc uito s y sistl'mas y e n e l contex to e n q ue se estudian los usumos específico s. Nos hem os
es for zado en asegura r la intro duc ción de los co nce ptos nuevos e mpleando las t éc n ica s an al ñir as co nocida s
y q ue e l de sa rrollo de nue vos m étodos de anális is se ba se solame nte en conceptos vistos an te rior ment e.
Además. hem os pue sto gran cuidado en la se lección de los muchos ejem plo s y cálculos num éricos
inco rpor ados e n el texto.
Muchos de los procedimientos de anñlis ¡s ex pues tos conducen a dlclllos man uale s qu e un ingen iero
maneja frec uentemente . Tales cá lculos son va lioso s ya q ue ayudan a penetrar en el funcion am iento del
ci rcu ito o sistema diseñado. Cuando se empican conjun tamcruc co n ca lculac iones simuladas. se propor-
ciona al inge niero una porcmc herramienta par a e l diseño. Se debe es timular a los a lumnos a em picar
simuladores ta les CO Ill O SI'ICE y MICROe AP 11 . siendo ambos aptos para se r uu lizndos co n computadores
person a le s,
La s pregu ntas de repa so a l final de cada capítulo so n una buena ayu da p¡lra re solve r los aproximada -
mente 800 problemas planteados en el ap éndice D. Em ple ando conjunuuneme las preguntas y los
problemas se comprueba la cap tación por parte de l alumno de los co ncep tos fundu mcn ralcs y se
propor c ion a ex per ienc ia e n e l t1 iseli o y anal ¡sis de c irc uitos elect rónicos . Ent odo s los pro blemas nu mér ico s
se han e mpleado va lores rcahsricos de los pa ráme tros.
Las preg untas de rcpa so son una prue ba de los conoc imientos cualitat ivos de las mate rias del texto y
pueden servir también para toru uu parte de un e xamen,
Hem os recibido va liosas opiniones y suge rencias de much os profesores e inge nieros. Todos el los ha n
influido en esta ob ra. y a IOdos e llos e xpresamos n uestro ugrad ccim icmo y aprecio. Q uedamos es pec ial-
me nte agradecid os al profesor Arth ur Dick crson cuyos co men tarios han re su ltad o va liosos e n la prc p¡¡ ra·
ción de este libro , y nos sentimos obligados ha c ia David Damsun q ue cont ribuyó mucho desde e l
ma nuscrito ha sta la produ cc ión, a los co me ntar ios y j uicio s de San jcev Rno y a Mary Ros enbcrg cu yas
co mpro bac io nes o p,íginas finale s fue ron de g ran ay uda,

JACOIl M I I.L M M~
A rn 'I S GKAIiEL

P.S . Yo estoy e ntre las do s gene raciones de ingenie ros eléct ricos que han es tudi ado e lectrónica con
los lib ros de Jacob Millnum. IIe tenido e l placer de ser una ver nuis " alu mno» suyo cua ndo trabajamos
ju ntos en e l plnn teamicutc y orgunlzactón de este libro y en la preparaci ón deta llad a de los se is primero s
ca pítulos . He intentado conservar e l es tilo de este ve rd ade ro maestro en lo que re sta deltexto. Los últimos
o nce c apítulos so n de mi exclusiva responsabilidad y por tauro reflejan la calidad de l estud iante y no 1"
del me nto r,
Agra dez co a Jar o b Millrnan la oport unid ad qu e me ha da do de colaborar co n él, Su estilo e influencia
han co ntri buido eno rme mente sobre mí corno enseñar ne y autor .

AR VIS GKA IU:L

 Prólogo.
Breve historia
de la electrónica

Para la maycrta de nosotros la palabr a e lectró nica nos sugie re una varieda d de cosas desde los «chips»
y calculadoras hasta la televisión y Jos transistore s . Así, mient ras co nve nimos en los térm inos es pecíficos
que fo rman la e lect rónica. su de finic ión es algo amb igua . En los párrafos q ue siguen y e n e l resto de l
pró logo de finimos 1:. electrónica tul co mo la e mp leamos en es te lib ro. no en e l sentido de l d icciona rio.
sino siguiendo los matices de 1<1 disciplina. Hemos elegido la historia como vehículo para conseguirlo. ya
que son los esfuerzos individuales los que contribuyen o han comribuido en elcampo que verdaderamente
define la disciplina.
En sentido e stricto, la electránica es la c ienc ia y tec no log ía relat iva al movi miento de ca rgas en un gas .
en el vacío o en un sem iconduc to r. Obsérvese qu e e l mo vim ien to de ca rgas excl usivamente e n un metal
no se co nsidera e lectrónica. A p rinc ipios de l siglo xx se em picó es ta separación para di stinguir e l ca mpo
de la ingenie ría e léctrica de l entonces nac iente campo de la elect rónica. En aqu e lla époc a la ingenie na eléc-
tric e trata ba de disposi tivos q ue depend ían exc lus ivame nte de l mov imient o de los e lectro nes en los meta les.
lales co mo motores. ge neradore s. bom billas de filam ent o. y sistem as de comunic aci ón por cable (teléfo no
y telégr afo ). Si n embarg o. a medida q ue nos ace rca mos a finales de l sig lo la sepa ración históricaen treelec-
rrtcidad y electrón ica va perd iendo su fun ción o rigina l.
Ac tua lmente los ingen iero s e léc tricos prácticos cu mplen d iversas funcio nes co n d istintas ap lica c ion es
(d iseño. de sarro llo. prod ucción . inves tigac ión e incl uso e nse ña nza). T ratan con siste mas q ue pe rmit en
co munica rse co n lodo e l mund o. qu e mani pulan grande s cant id ades de dat os. qu e permiten auto matizar
co mplejos proce sos de fabricación. y tratan también co n los e leme ntos e mpicados par a conseguirlo. El
campo de la ingeni e ría e léctrica aba rca asimismo la pro d ucc ión. dis tribuc ión y co nve rsión de la e nergía
eléctrica. El gr upo cita do en la p rime ra de las dos frases an tcriores posee la prop iedad co mún de proce sar
inform ación, mient ras qu e el g rupo ci tado en la seg unda se puede considerar co mo procesado de la e nerg ía.
Esta distinció n ent re el procesado de info rmaci ón y e l p rocesado de energ ía es lo q ue se para la elec trónica
de l res to de las ingen ierías eléctri ca s. En co nsec uenc ia. la e lectrónica co mprende c uatro "ü': com unica -
c ión, cá lculo. contro l y compo ne ntes.
Este pró logo co mpre nde una bre ve histo ria de la e lec trónica moderna . enfoca da pri ncipalmen te e n e l
de sarro llo y aplicacione s de los dispositivos e lectró nicos y el crecimiento de las indus trias resultan te de
la utilización de estos dis positivos en ci rcu itos y siste mas prácti cos.
La histo ria se divide en dos per íodos de tiempo qu e de no mina mos era del tubo de vacío y era del
transistor, La prime ra aba rca el desarro llo habido en la primera mita d del s iglo xx . y la seg unda emp ieza
co n la invención del tran sis tor e n 194 K. En e l último apartado se espec ula so bre la futu ra ma rcha de la
e lectró nica. Estas desc ripcio nes sos tiene n y pe rfi lan los punt os técnicos tratados en e l texto.

ANTECEIlENTES
Los orígenes de la ingen iería eléctrica se basan en los descu brim ientos de gra ndes c ient íficos co mo
Ampé re. Co ulomb. Faraday. Gauss. He nry. Kírchboff Ma xwcIl y Oh m. La prim e ra apli c ac ión prácti ca
26 Mtcroetectronica moderna

de sus trabajos. en el contexto de la electrónica moderna, fue en el desarrollo de los sistemas de

com unicación . En 1837 Samuel Morse. profesorde Arte en la Universidad de Nueva York probó el sistema
telegráfico. Lo signiñcetlvo dc l telégrafo eléctrico fue la introd ucción de un método eficazde codificación
a señales eléctricas. Los puntos y rayas del alfabeto Morse represent an el primer empleo de señales
digitales (binarias).
Cerca de 40 años más tarde ( 1876) Bell inventó el teléfono e introdujo el método de codificar una
información (el habla¡ co mo una señal eléctrica continua. y decodificándola luego en el receptor. La
invención de l fonógrafo por Edison en 1877 demostró que las señales eléctricas pod ían almace narse y por
tanto recuperarse. El disco del gramófono puede conside rarse como primera memoria de sólo lectura
(RO M ).
La introducción de las comunicaciones por radio se basa en la contribución de James Clerk Maxwell
que en 1865 compiló las investigaciones precedentes en una consistente teoría de l electromagnetismo
conocida hoy como ecuaciones de Maxwell. El mayor sallo hacia ade lante es deb ido a las predicciones
de Maxwell sobre la existencia de ondas electromagnéticas capaces de propagarse en el espacio. Aquí
tenemos un caso en el que la teoría precede a la expe rimentación ya que no fue hasta 23 años más tarde
que Hertz produjo tales ondas en experimentos de laboratorio. Maree n¡ fue el primero en explotar el
empleo de las ondas Hertzianas como así se les denomin ó. En 1896 Marconí emitió con éxito estas ondas
detectándolas desde una distancia de 2 millas. La telegrafía sin hilos tuvo su humilde origen en estos
ex perimentos.

LA ERA DEL TUBO DE VAcío

La era de l tubo de vacío abarca la primera mitad del siglo xx. La electrónica moderna se fonn ó
tecnológicamente durante este período.
El origen del vocablo «electrónica» se puede atribuir a H. A. Lore nrz.que en 1895 adm itió la ex istencia
de ca rgas discre tas que denominó electrones (reintrod uciendo la palabra emp leada por los antiguos
griegos). Dos años más tarde J. J. Thompson comprobóexperimentalmenle la existencia de los electrones.
En aquel mismo año Braun construyó el primer tubo electrónico, un primitivo tubo de rayos catódicos.

Descubrimiento de los tubos de vacío

En 1904 F1eming inventó un dispositivo con dos elementos , el diodo. al que llamó válvula. Consistía
en un filamento ca lentado que emitía electrones (efecto Edison) y que estaba situado próximo a una placa
metálica. El conjunto de esta estructura estaba encapsulada en vacío.
Una tensión positiva de placa a filamento (cátodo) daba paso a una corr iente mientras que una tensión
negativa anulaba la co rriente. Esta propiedad unilateral de la válvula la hizo idónea para delectar señales
de radio (sin hilos).
Dos años después. Pickard emple6 como detector un cris tal de silicio, y una aguja apoyada en él. Éste
fue el primer diodo semiconductor. no obstante no resultó práctico y pronto fue abandonado, y así en 1906
pareció que los semiconductores electrónicos tenían una muerte prematura.
La invención en 1906 del audi6n (triodo) por parte de De Forest fue el embrió n en los primeros tiempos
de la electr6nica. Realmente se puede afinna rque la electrónica tal como se conoce actualmente no existiria
sin la invención del triado. El audt ón de De Forest consiste en intercalar un tercer electrodo (rejill a) entre
la placa y el cátodo de la válvula de Fleming. La tensión de la rej illa regula la circulación de cargas entre
placa y cátodo. Una pequeña variación en la tensi ón de la rej illa se traduce en una gran variación de la
tensión placa-cátodo. con lo que el audión resulta ser el primer amplifi cador.
 Prólogo. Breve historia de la electrónica 27

El triado fue e l prime r di spositivo que mostró la propiedad del circ uito llamada hoy de fuente
dependiente. Ya que retiene la prop iedad unidireccional de la válvula. el triodo eq uivale tam bién a un
interruptor controlado. Actu almente. lodos los circ uitos ele ctr ónicos se va len de las carac terísticas de
e leme ntos que se co mportan como controladore s de fuente o de corte.

Aplicaciones iniciales
Hacia 1911 los avances tecnológicos ta les como un mej or vado y el recubrimient o de l cá todo co n
óxido hicieron de l audi ón un e leme nto seguro iniciándose así la e ra de la elect r ónica pr áctic a.'
La primera aplicac ión de los tubos de vac ío es tuvo dirigida a las comunicaciones por teléfono y radio.
fundándose simultánea mente en los Estados Unidos en 1912 e l «Instit ute of Rad io Engínee rs» (IR E). Es
de ad m irar la imaginación y persp icacia de estos pri meros ingenie ros q ue captaron inmed iatame nte la
importan cia de la radio y fundaron su propia asociació n profesional. El «American lnstitute of Elec trical
Engin eer s» (Al EE) que cuidaba de los inte reses de los ingenieros eléct ricos co nvencio nales fue fundado
en 1884. Ambas asociaciones se fusionaro n en 1963. form ándose e l «Institute ofElect rical and Electronic
Bng ineers » (IEEE) que asum ió medio siglo de desarro llo de la profesión.
Em pleando sólo los diodo s y triados disponib les. de l ingenio de es tos nuevos ingenie ros surgiero n
muchos nuevos circuitos. siendo notabl es los de a mplificado res en cascada, a mplificadores regenerat ivos
(Arms trong, 19 12f . oscilado res (De Foresr. 1912), hete rodin os (Annstrong, 1917). y multivibradores
(Eccle s-Jo rdan. 19 18).
El oscilador fue el primer eje mplo de gene ració n de señ ales e lec trónicas con med ios exclusivamen te
elec tr ónicos. El aumento de ganancia tanto e n e l am plificado r regener ativo (rea lime ntació n positiva) como
e l en cascada. j unto con la modif icación de frecue ncia dada por e l heterodino mejoró el procesado de la
señal y la detección de señales débiles. Los pri meros multivibradores fueron los precurso res de los
mode rno s flip-flo p y relojes (circuit os de tiem po).

Industrias eleclrónicas
El amplificado r tuvo aplicación come rcial cas i inmediat a en la te lefonía a larga distancia . Los avances
en la tec nología de los tubos conseg uidos por las compañías telefónicas impu lsó una nueva indu stria: la
radiodi fusión comercial. En 1920 la Westinghou se Elect ric Co rporation c reó la em isora KOKA en
Pittsb urgh. Pensilvania. Ape nas cuatro años más tarde ya exi stían 500 en los Estados Unido s, y e n 1926
ya era realidad la red de radiodifusión . Simultáneame nte se introdujo la rad io en e l mu ndo indu strial.
Las indusrrias ctectr énicas ' abarcan IlllO O más de los grupus de: compo nentes. co municac io nes, control
~ cá lculo.

COM PONENTES

En un princip io las indu stria s de los componentes se c rearo n para fab rica r los d istintos tipo s de
dispo sitivos elec trónicos así co mo e leme ntos pasivos de circ uitos (resi stencias . conde nsado res . indnct a n-

Ca, u"lm.nt • . '" I'ftlfo,,,, Millm"n n""io o'" mi,mo "n".

En . ' Ia él"lt " Ann' l"'n~ ",in o, ludi,mlo on 1.1 UniveNi,I,"1,le Columhia.
La, aclivid¡lIk . ,le mUl"h,,, l"ompanía' al",,,,ul más de Una " "I..~or¡a. fro..... mo.....nl" . '''111lialc' o divi, ion. , ¡,lcnlilk a,ja...n" Un ~ r1J I"' .
28 Microt lutróllic'a moderna

c ías. Iransfonnadores. erc.). Los ingen ie ros y cient íficos de estas o rganizac iones consiguieron g randes
avances e n el desarrollo de nuevos y mejores dis positivos. incl uye ndo e l ca tc r uamie nrc indi recto de l
c átodo. los rubos reucdo y pentodc con un c uarto y un q ui mo electrodos en el inte rio r de un m edo. y los
tubos co n gas comoel u ratron. Dispon ie ndo de nue vos ele me ntos pront o se idearon nuevos circuito s qu e
facilit aron e l mando único de sintoni zación. e l co ntrol au tom ático de ganancia l AGO. y la operación
muhibanda .

CO M UN I CA C IONF_~

Las se ñales de radio se transmit en mejor a frecuencia s por encima de los 51X) kH z. Co mo la frecue ncia
de las señ ales q ue represe ntan la info nn ació n est ánormalment e bastante por debajo de los SOO klfz. estas
se ñales de ben cod ificarse y pasarse a 1:1 frecu e nc ia de transmisión mediante un proceso de no minado
modll/acián Los primeros sistema s de em isión por radio em plearon la mod ulació n de amp litud (A MI.
Para aument a r la fide lidad y reduc ir las inte rfere ncias atm osfé ricas. Armsrrong ideó y dcsurrollo en 1930
la frec uencia mod ulada (FM ).
La tele visión en blanco y neg ro e mpezó e n 1930 basada e n e l lconosco p¡o y e l ktnescope (te Zwor ykin
(las primeras cámara y pantalla respecti vament e ). En 1940 lntclevisión en Estados Unidos estaba muy
poco divu lgada. y su expansión se vio frenada por la segunda g ue rra mundial. La introducci ón de l color
en la televisi ón co menzó haci a 1950. durante los años 60 JXISÓ a ser e l sistema domi nante.
Las t écni cas e mpleadas en rad iodifusió n se ada ptaron tam bién e n erra s ap licaciones. Los sistemas
telefónicos se transformar on e n una de las más importantes formas de co munica c ión elect r ónica. A su
vez. ci rcuitos cre ados pa ra telefonía se e mplearon ampliame nte en sistemas de recepción de radi o. El rada r
(cre ado duran te la seg unda guerra mundial ) ut iliza comunic aci ones por rad io para ayudar a la navegac ión
ta nto por aire como por mar.
Cada una de las inno vaciones citadas hizo q ue se idearan nue vos circuitos . Entre és lOli. est á el
amp lificador de reali men tación negativ a inventado por Blac k ( 1927). e llimitador de FM y e l discrim i-
nador de FM . O tro circuito desarrollado fue el ge ne rado r en di entes de sierra que pro porcio na la base de
tiem pos lineal para los prime ros osc ilosco pios y pa ra los slstcrna s de de ñc xi ón en tele visi ón. Muchos de
los nue vos sistemas de co municación e mplean seña les di scret as (impulsos) en lugar de señales conti nuas.
En co nsec uencia hubo de des arro llarse una varied ad de circuuos de impu lso s para la lempo rizac ió n y
sincro nización necesarios e n telev isión . radar y a iras aplicacio nes y para la ge nerac ión y modu lación de
impulso s. Además. los nue vos sistemas de co municacio nes operan a má s a lias frec uencia s y se basan en
ele me mos m icroondas tales co mo e l klysrron y e l mag ne rron.

CO M I' UT ADORES (CÁ LCU LO)

Aun c uando los transistores y los ci rcuito s integrados dieron pie a l ex trao rdi nario crecimiento de la
ind ustria de l cá lculo. sus o ríge nes parlen de la e ra del tubo de vacío. Dura nte unos 300 año s ira habido
g ran inte rés e n las máquin as calculadoras. En 1633 Sc hickard (junte co n su co mpañero Keplc r. el
as trónomo ) describió una calcu lado ra mec ánica para sum ar . restar , multiplicar y dividir. Dise ñé una rued a
con die z radios. uno de los cuales e ra má s largo q ue los demás. Esta rueda iba sit uada mecánicamente
j unto a otra rueda similar. Cuando la primera de es tas rueda s haya avanzado 10 Increme ntos angulares .
que corresponde n a los l Odígitos . e l radio largo engarza co n la s iguiente rueda que avanza un paso. En
ot ras palabras. invent ó el e llevar» en aritm ética. Por la mism a época Pascal ( 1642) y Leibnit z (1671)
tuviero n ideas parec idas. Pe ro e l pri mer es fuerzo serio para construi r una calculadora mecánica fue hecho
200 años después ( 18331 por Babbage. un profesor de matemát icas inglés. Esta máq uina contenta lodos
 Prólogo, Breve historia de la electrónica 29

los elementos de una computadora digital moderna . Empleaba tarjetas perforadas (inventadas 30 años
antes por Jacq uard. un fabricante de tapices francés) para la entrada y la salida, conteniendo ambas
memoria y una unidad aritmética: era una máquina de programa almacenado. Sin embargo la tecnología
de entonces no permitió convertir la idea en una máquin a práctica."
La primera calculadora efectiva fue electromecánica, no electrónica, y fue construida en 1930 por IBM
bajo la dirección del profesor Aiken de la Universidad de Harvard. Se le llamó la «calculadora IBM de
secuencia automálica controlada, Mark h . Tenía 17 m de largo y 3 m de altura y era de aspecto muy basto.
Estuvo en servicio haciendo cálculos durante más de 15 años. La primera calculadora elec trónica fue
'completada en 1946 por Eckerl y Mauchly en la «Moore School of Electrica l Engineeri ng» en la
Universidad de Pensilvanta. Se le denominó ENIAC. Se empleó para el cálculo de tablas balísticas para
las fuerzas armada s y no fue una calculadora de em pleo general. Contenía 18.000 tubos de vacío . Ocu paba
40 bas tidores con equipo y precisaba un local de 10 x 13 metros . Van Newmann. asesor del proy ec to,
sugirió que la calculadora emplease la numeración binaria y la lógica de Boole y que tuviese progra mas
para las operaciones básicas.
En 1946 la IBM introdujo la primera calculado ra electrónica pequeña del tipo 603, y dos años más
tarde surgió la IBM 604, calculado ra digital de uso ge neral, de las que se vendiero n unas 4.000 máquin as
en 12 años. Así pues, se puede considerar el año 1948 como el de l principio de la industria de las
computadoras (casualmente el transistor se inventó ese mismo año) .
En esa época se dedicaron a investigacione s en este campo varias instituciones entre las que se pueden
citar las Universidades de Harvard, Princeton y Pen silvania , el Instituto de Tecnología de Massachusetts.
el Instituto Coura ru de la Universidad de Nueva York y el I nstituto de Estud ios Avanzados. Estos
ingenieros y científicos apoyados por entidades gubernamentales desarrollaron conce ptos que seg uida-
mente se aplicaron a calculadoras comerciales de uso general.
La IBM 650 considerada como el caba llo de batalla de la industria se introdujo en 1954. Esta máquina
con tubos de vacío, así como otras fabricada s por distintas compañías constituyen lo que se llama primera
generación de ca lculadoras digitales.
Dura nte los últimos tiempo s de la era del tubo de vacío se desarrollaron tamb ién las computadoras
analógicas. Tales máquinas se usan para resolver grandes sistemas de ecuaciones diferenciales, y se basan
en la construcción de circuitos electrónicos cuyo comportamiento está gobernado por una serie de
ecuaciones análogas a las que se pretende reso lver. El analizador diferencial desarrollado por Bush en el
Institut o de Tecnología de Massachusetts fue la primera calc uladora analógica electrom ecánica. Las
versiones electrónicas adquirieron realidad al inventarse el amplificador operacion al.'

CONTROLES
El or igen de las industrias de control electrónico está en la electrón ica industrial, que puede definirse
como el empleo de dispositivos electrón icos en el manejo y control de máqu inas en la industria (que no
sean de comunicación ni de cálculo). Los elementos empleados fuero n los tiratrones. diodos gaseosos.
rectificado res de mercurio y tubos de alta tensión y gran potencia. Estos dispositivos se emplearon en
circuitos de alta tensión y potencia, rectificadores de alterna a continua, inversores de continua a alterna,
y circuitos de transmisión de alta ten sión. También se aplican a la regu lación de velocidad de motore s,
reguladores de tensión, calentamiento dieléctrico y por inducción, y otros varios procesos de control
industrial. También en esta época se empezó a usar el computador analógico en sistemas de control.

~ Lo, c,rucrw, dc B abba~c no rueron baldíos. Su, inlenl", 1M'" coo'l ruir la ca!culadu ra 'e Iradujeron en un per fec,:iunamienlu en el n",nejn
dc m"'1uinas-hc rra mien ,"s lo '1ue fue un ¡;ran ¡",p ae!oc n la ind u, lriu de la In¡;lalerru ~ iclori"na .
~ EIlérmi no "amplific..dor opcra<" ional ~ lo in vcnló J. R. Ragazzini. un colega de Millma" en la Univcf';id,,¡J de Culumhia. y 1"" lc'rilJnnenle
unu de los pro rc,",c, dc Grabel en la Universidad de Nueva Y" rk.
30 Microetectr óníca moderna

Análisis y Teoría
Además del crecim iento Indus trial se hicieron gra ndes progresos analíticos y teóricos. Lo que sigue es
una breve indicación de la magnitud de los logros.
El análisis de circ uitos y las técnicas de s íntesis progresaron notab leme nte con los trabajos en equipo
en los laboratorios de la BeUy del Instituto de Massachu sctts. Bode y Nyquist desarro llaron la teoría del
amplificador realimentado y transformaron el conce pto de l circuito de Black en otro. exte nd iendo así su
empleo.
Shannon de Estados Unidos por un lado y Kotelnikov de la Unión Sov iética po r otro desarrollaro n una
teoría sobre la información que prod uciría un gran impacto en la transmisión de dato s. Una a plicación
particu lar fue la codificación y modulació n de impul sos. técnica pro puesta por Reeves.
Otra cont ribución de Shannon fue el empleo del álgebra de Boole en el aná lisis y diseño de circuitos
de conmutació n ( 1937). En Gran Bretaña Turing expuso el conce pto de una máquina calc uladora universal .
y Wilkes desa rro1l6 la mic roprogramación.
Los sistemas por muestreo introducidos por Ragazzini y Zadch se ap licaro n a funciones de control
preparando el camino para los sistemas de control basados en procesos de cálc ulo d igital.
El estudio de los materiales. en especialla aplicaci ón de la mecá nica cuántica a los sólidos condujo a
nuevos dispositivos y más tarde con tribuyó en la invención del transistor. Para aprovechar las ventajas
apo rtadas por la electrónica se crearon los transductores que convierten la luz, el sonido. la presión . la
tempera tura o cualquier otra variable en señales eléctr icas.
Nueva s formas de ins trume ntos (oscilosco pios, vo ltí metro s de tubos de vacío. erc. ) empica n la
electró nica para mediciones y para comprobació n de equipos electrónicos.
La década de 1950 fue de transición . Señala el final de los sofist icados sistemas de tubos de vacío y
el co mienzo de la edad deltransistor. Actualmente todo el campo está do minado por los semiconductores
salvo las ap licacio nes de alta tensión y gran potencia. Ciertamente. los tubos de vacío han desapa recido
de todos los cursos de ingeniería eléctrica.

LA ERA DEL T RANS ISTOR

La era de la electrónica con semiconductores co mienza con la invención de l transistor en 1948. Sin
embargo esta era fue con secuencia de trabajos anteriores realizados entre 1920 y 1945. Durante este
período el estudio de las propiedades electro magné ticas de los semiconductores y metales fue la principal
ocupación de los físicos. Co ntribuyero n eficazmente Block . Davydov , Lark-Horovit z. Moti. Schottky.
Sla rer. Somrnerfcld . Van Vlcck, Wigncr, Wilson y otr os de universidades de todo el mundo. Se hicieron
intento s para fabricar dispositivos electrónicos com pactos. En 1930 Lülíeruhal y Heil registraron una
patente de un dispositivo amplificador sólido. y precursor de los transistores de un ión y de efecto campo.
Si n em bargo estos elementos no progresaban y muy probablemen te ninguno de los inven tores pudo
explicar la leoría subyacente.
No hubo gran ímpetu en el desarro llo de los elementos de estado sólido hasta 1945. Los tubos de vacío
tenían sus limitaciones: consumen potencia aún cuando no estén en servicio. y los filamentos se quemaban
exigiendo la sustitución deltubo. M. J. Kel ly, en aquel entonces directo r de investigación y más tarde
presidente de la Bell Laboratories. previó que unas co municaciones telefó nicas eficaces iban a requer ir
conmutación electrónica y mejores amplificadores , preferiblemente a los sistemas electromecánicos.
Formó un grupo de físicos teóricos y exp erimentado res. además de un ingeniero eléctrico y un qu ímico
para investiga r el estado sólido. El siguiente entreco millado está sacado de la autorización para trabajar
en este grupo: ..Las investigaciones seguidas en este caso tienen po r objeto lograr nuevos conocimientos
que puedan ser utilizados para el desarrollo de co mponentes tota lmente nuevos así como apa ratos y
 Prólogo. Breve historia de la electrónica 31

elementos de los sistemas de comunicación.» Uno de los principales objet ivos era el de co nseguir un
amp lificador de estado sólido que eli minara los inconvenientes del tubo de vacío.

Descubrimiento del transisto r de unión bipolar

En diciembre de 1947 se reali zó una prueba en la que se presionaron dos sondas de oro próximas entre
sí con tra la superficie de un cristal de german io: se pudo observa r que la tensión de salida de l «colector»
(respec to a la base de germanio) era superior a la de entrada en la sonda «emisor». Brattain y Bardeen se
dieron cuenta de que esto era lo que buscaban s iendo éste el nacimiento del amplificador en estado sólido
en forma de transistor de contacto. La actuación del primer transistor era verdaderamen te pobre . Tenía
poca ganancia y ancho de banda. era ruidoso y s us cara cterísticas variaban mucho de uno a otro ejemp lar.
Shoc kley, de l grupo puntero , dedujo que las dificultades proced ían de los puntos de conta cto. Propu so
eltrans istorde unión y casi inmediatamente comp letó la teor ía de su funcionamiento. El nuevo disposit ivo
tenía portad ores de cargas de amba s polaridades, po r tanto se trataba de disposi tivos bipolares. Los
portado res eran los electrones, ya bien conoc idos y otras «part fculas ex tra ñas. que se pueden explicar sólo
por la mecánica cuántica y que se comportaban como si fuesen cargas positivas. Se les denomin ó «huecos»
porque representaban lugares del cristal en donde deb ieran haber electrones pero que sin emb argo no los
hay. La teoría de Shock ley predice que con poca tensión aplicada pueden consegui rse grandes densidades
de corriente. Inmediatamente surgió la posibilidad de conseguir dispositivos prácticos impo rtantes sin
ji/amemos calientes.
Las propiedad es eléctricas del transistor depe nden del co ntrol cuidadoso de las impure zas es pecíficas
que contenga (del orden de un átomo de impu rezas por 100 millones de átomos de germanio). En
consecuencia no se pueden fabricare lementos fiables s in cristales excepcionalmente puros a los que añadir
las impurezas deseadas.Teal, de los laboratorios Bell. pudo fonnar cristales de germani o con un contenido
de impurezas menor de una parte en mil millones. A part ir de aquí se pudieron fabricar transistores de
unión por crecimiento, seguidos un ano más tarde de los transistores de unión por aleación . Así. en 1951,
tres anos después de l desc ubrimiento de la amplificación en un sólido ya se fabricaron come rcialmente .
La compañia American Telephone and Telegraf (ATr) tomó una import ante decisión: no mantener
secretos estos descubrimientos. Actua lmente mantiene simposios para comunicar sus co noci mientos a
profesore s (que a su vez los transmiti rán a sus alumnos) así como a ingenieros y científicos de otras
empresas , y ofreció licencia de sus patentes a cualquier empresa interesada en fabricar transistores. Las
primera s co mpañías que fabricaron trans istores fueron: RCA . Raytheon . General Elect ric, Westinghouse
y Westem Elect ric (el brazo industrial de ATI). Ot ras emp resas ya ex is tentes o de nueva creación pronto
empezaron a fabricarlos.
En 1954 la Texas lnstruments. en su nuevo laboratorio dirigido por Teal anunció la fabricación de
transistores de silicio. El silic io permite trabajar a 200 "e mientras que la variación de características del
germanio limitan su uso a los 75 "c. Actualme nte la gran may oría de elementos sem iconductores se
fabrican con silicio.
Barde en, Branai n y Shockley reci bieron el prem io Nobe l de Física por su invención del transistor y
su contribución al entendimiento de los semiconductores. Éste fue el primer Nobel conced ido en 50 años
a un dispo sitivo de ingeniería.

Invención del circ uito integrado

En 1958 poco después de unirse a la Texas Instrumerns. Kilby concibió la idea de un circuito
monolí tico, es decir. la idea de emplear german io o silicio para co nstruir un ci rcuito co mpleto. Las
32 Microetectrontco moderna

resistencias se form aban con la masa del se mico nd uc to r o por difusión de un semiconduc tor c n orro. Kilby
formóun conden sado r usa ndo una capn metéli ca y e l semiconduc tor co rno armadura s y una capa de óxido
co mo dict écrri co (tambi én ideó Ull conde nsador de unión ). Par a demostrar sus conc e ptos const ruy ó un
osc ilador y un multívibrador de ger manio. formando c irc uitos intercon ectando los hi los de oro, si bien en
la descripción de la pa tente consta que las co nex iones puede n hacer se dep ositando una capa de materia l
co nd ucto r. En 1959 Kilby anuncio e n una co nve nc ió n del iR E e l c ircuito sólido que luego se llam ó circuito
integrado. En es a m isma época. Noycc (Direc tor de investigación y de sarrollo de Fairchild Sem iconductor
y presidente del Co nsejo de Intc ü tu vouunbién la idea do un ci rcuito r nonolñico para fabri car -dispositi vos
múltiples en una pieza de silicio. co n la posibilidad de rea lizar cone xiones e ntre e llos co mo parle de l
pro ce so de fabricac ión. reduciend o así el tamaño. peso. e tc.• as ¡ co rno el coste por e lemento ac tivo».
Explicó cómo se pueden fabricar resiste ncias y ca pacidades. y có mo se pueden a islar unos de otros
e leme nto s mediante diod os 1"11. y cóm o puede n lle va rse a cabo las concx ione s va po rizando metal a través
de ve ntana s en la capa de ó xido.
La clav e para la fabricac ión de circuitos integ rados fue e l tran sistor plunar y 1:1 ela borac ión en rnusa.
El proceso plnnar usa transistores en los que las regio ne s de hase y de e misor se d ifundían en e l co lec to r.
El pr imer transistor por difu sión fue creado por Hoemi e n Faircbild (19 58) . Un nue vo paso fue la
pusivacién de las unione s co n una capa de óxido. S e e mplea ron técni cas de fab ricaci ón fotolh ogr éñcns y
los procesos de d ifusión de sarrollados anteriorme nte po r Noycc y Moo re. El proceso en masa permitió
fabric ar num ero sos «c hips» en una so la oblea . En 196 1tant o Fairchi ld co mo Te xas lnstrumcn rs fabr icaban
ya comerc ialmente ci rcu itos integrad os sie ndo pro nto seg uidas por otros fabri cant es.

Microelectrónica
Actualme nte se pueden fabrica r en un so lo c hip de s ilicio. adem ás de c ircuitos ind ividuales. subsiste-
mas e inclu so sistemas completos co ntenie ndo m illa re s de com pone ntes . La voz ..electróni ca » se refiere
al d iseñ o y fabricación de estos c ircuitos integrados con gra n de nsidad de co mpo nentes. Moo rc (fue
dir ec to r de investiga ción en Fairc hild y pres idente de lntcl ) ya observó en 1964 que e l núm e ro de
co mpone ntes de un chip se ha ido duplicand o cada año hasta 1959 c uando se introdujo el rran slstor planar
y pred ijo ace rtadamente que esa tend en c ia prosegui ría. Un chip grande m ide LInos J x 5 111m de superficie
y 0.3 m m de grue so (co mo unas tres veces e l e speso r de un ca bello). Es tos chips pued en cont en er (e n
19R4) hasta unos 400.000 co mponentes lo que eq uiva le a 30.000 com pone ntes/mm ", Estas cifras son
di ficiles de co nce bir so bre todo ten iendo e n c ue nta que los c ircuitos integrad os se e laboran e n una fábrica
indu strial y no e n un labonnorio . Los siguientes dat os da n una idea aprox imada del aum ento de
co mponentes en un chip:

195 1 - Transistore s di scretos.

19!1O - Integ ración a pequeñ a esc a la (SS I) men os de 100 co mponentes .
1966 - Integración a medi a esc a la (MS I) e ntre 100 y 1.000 co mponentes.
1969 - Integración a g ran esc ala (LS I) e ntre 1.000 y 10.000 co mponentes .
1975 -ehucgr acién a muy gran escala (VLS l) más de lO.mM) co mponentes.
(En 19R4 un chip VLS I 1enía 100.000 com po nentes o més por chip).

Las ind ustrias e lectrónicas se pued en d ividir e n: fabr icant es y usuarios de chips. Los fabrican tes de
c irc uitos integ rados so n el sec tor nui s imp or tant e de las indu strias de co mpo ne ntes. micntrus qu e los
usuarios so n a menu do las com pañ ías q ue cons truye n eq uipos pam co municac iones. co ntrol y cá lculo.
Desde la invención de l c ircuito integra do mu chas innovaci ones han co ntribuido al auge de la mlcroelec-
irón ica: en lo que re sta de es ta secció n se descri be n varias de e llas.
 /'((Uogo. ltre ve historia de /" electr ónic a 33

TRA NS ISTOR DE EFECT() C AM I)( )

Muchos de los tra bajos qu e condujeron a la inve nción del transisto r bipolar lle van a e stud iar el electo
que so bre la co nductividad tic los semic onduc tores tiene la apli cación de un campo eléctrico. Shocklcy
propuso en 195 1 el transistor de un ión de e fec to ca mpo (JFET), pe ro pronto fa llaron sus intentos de
fab ric arlo debido a q ue no se pudo conseguir una supe rficie es ta ble. Esta d ificultad q uedó superada WIl
la introd ucción del proceso planar y la pasi vación co n d ióxido de silic io (S i~) . En 1958 se fabricó el
prime r J FET por T cszner e n Francia.
Las técni cas em pleadas paru conseguir el J FET co nd uje ron a un re sult ado aún más importante: e l
transisto r «meiul- óxido-scmlconducror nnnsisror de e fec to call1 pll >> ( M ( )S F I ~: I') . Sil es truc tura csni fo rma -
da por un e lec trodo menilicc <la pue rta ) sit uado so bre el S i0 2 e ntre dos electro do s en e l sem icond uctor
{fuente y dren aje ). La corriente en el «c ana l» entre fuente y drenaje se puede reg ular ap lica ndo una tensión
adecuad a e ntre la puerta y e l semic onduc tor. Atalla y Ka hng de Bell Labo ratode s ( 1% 0 ) anuncia ro n este
disposit ivo. Dos años más tarde . Ho fstein y Heiman de RCA reg ist raron una pate nte por su MOS FET.
adecuado para la fabricació n de c ircu itos integrados. Las sucesivas mejo ras de prm:eso y de dis eñ o así
co mo e l crecimient o de las industrias del cá lculo han hecho de los dispo sitivos MO S los tran sisto res Ill'ís
unive rsal mente e mpleados.

C IR CU IT OS INT E"II AIl O S I)J(;JT A L ES

El auge de las indust rias de l cálc ulo estimu ló un nue vo desarrollo de los circuito s integ rado s: a su vez,
los nue vos conceptos sobre estos cir cu itos determ inaron una nue va estructura de las calcu lado ras. Do s de
lo s ma yores avances co rres ponde n a una llueva co nfigu rac ión de los c irc uitos y a mem orias sem icon duc -
tor as.
La ve loc idad. co nsum o de pote ncia y den sidad de com ponen tes son cuestiones a tene r e n c uenta e n
los c ircu itos integ rados d ig ita les. Una pri me ra fumi tia l óg ica bipolar fue la d e trans isto r acop lado ide ada
por Buie ( 196 1) de Pac¡fic Se miconduct or. de la qu e se der iva la M.~ i("(f fl'¡ IIIJú/t,r ·ll"lIlI.fis/or (lTL ) normal.
El principal rasgo dc l lTL es e l e mpleo de tran sisto res eo n em isores múltiples para aume ntar la densidad
de com po nentes. Mo torola cn 1962 nurodnjo una línea bipolar de alta veloc idad conocida co mo 11Í.~/( ·/ltll'
emisor aceptado (E C L ). Se consiguie ron ch ips bipo lares de g ran densidad c mpica ndo transistore s co n
múlti ples co lectores ( 1972). Esta nueva tecn olo g ía desarro llada sim uttñncumcn tc po r Hart y Slo b tic
Phillip s (H o landa) y por Be rgcr y Wicdman de IB M (A lema nia ) se denomi nó M,~ im de ill.l'l'CcitÍ lI
i llli'gn u/a (F L ).
El em pleo de MO S FETs resultó atracti vo por q ue se pued en co nseg uir g ra nde s densidades de compo-
nen tes. Orig ina lme nte la fabricación emple ó PM OS . es dec ir, MOSF ETs cuyo func iona miento de pe nde
<le I fl ujo de huecos. L" mejora en los métodos de fabr icución co nd ujeron al e mple o de e lem en tos
metal-óxido -sem icon ductor de can" I " (N MOS ). En estos Imnsis torc s la con duc ción es po r los ele ctrones
result and o un a gran ve locidad de trabajo. Ac tua lme nte la tecno logía NMOS e s la predo minante .
El metal- óxido -semicond uc tor complementario rC MOS ) es una co nfig urac ión q ue empica tanto el
PMOS d e cana l /' como c l NMOS de can al " . E n un p ri nc ip io se apl ic ó a re loje s digit ale s dc hidn a s u
bajísimo con sum o de poten cia. Rec ien tes progresos habid os en la red ucció n de l tam a ño han hecho del
C MOS u na de las mejores recn olog tas de los u ños 19XO. Se pre vé {lue en 1990 la lec no log ía C MOS
prevale zca sobre la NMOS .
S in e mba rgo . e s e n l'IS me mo ria s semiccnduc to ras don de el MOS FET nen e mayor fuerza . Las
II/l' /II IJI"ÍlU d e accrso a l t'a for i o (R A M ) capaces de a lmacenar y re stitu ir datos (escritura y lec tura re spec -
rlvamen te ). se desarroll aron en principio e mplea ndo tran sist ores bipo lares y se co mercia lizaron en 1970.
Estos primeros RAM po dían alm ace nar aproxim adamente 1.0 00 bits de inform ació n. Co n la tec nolog ía
34 M icroeleclrÓllicQ moderna

MaS se pudo disponer de 16.000 bits RAM en 1973, 64.000 bits en 1978 y 288.000 en 1982, alcanzándose
el millón de bits en 1986.
Las memorias de sólo lectura (ROM) emp leadas para las tab las de las calc uladoras (p. ej. para hallar
los valores de sen x) se introdujeron por primera vez en 1967. En un suces ivo adelanto aparece el ROM
programab le (PROM) y el de borrado (EPROM) del que los datos almacenados se pueden anular (borrar )
para almacenar otros nuevos.
Más de la mitad de los circuitos integrados Ma S fab ricados en 1970 lo fueron para la industria de
calculadoras. Con la idea de normalizar el dise ño de los chips conservando al mismo tiempo los circu itos
demandados por los consumidores, varios fabricantes de circuitos integrados propusieron subdividir la
disposición de la calculadora por funciones. Este concepto condujo al microprocesado r desarrollado por
M. E. Hoff de Intel ( 1969). En 197 1 la misma Intel introduj o el microprocesador de 4 bits seguido un año
más tarde por un elemento de 8 bits. Pronto comenzaron otras empresas a fabricar microprocesadores y
a los finales de la década de los 70 se disponía ya de unidades de 16 bits. Los progresos en los
microprocesadores condujeron a la «calculadora en un solo chip». Cochran y Boone de Texa s Instrumen ta
patentaron en 197 1 una microcalculadora en un solo chip, si bien la lntel 8048 fue la primera comercial-
mente asequible.
Otra consecuencia derivada de la tecnología Ma S es el dispositivo de carga acoplada (CCD) inventado
en 1970 por Boyle y Smith de S eU Laboratories, y que consiste en colocar entre drenaje y fuente una
cadena de puertas próximas entre sí. Las cargas introducidas en el ca nal bajo las puertas pueden transferirse
desde un electrodo de puerta al siguiente cuando se aplican tensiones de puerta apropiadas . Estos
dispositivos se han empleado en memorias y registrado res en un RAM de 64.000 bits construido en 1977.
Recienteme nte el CCO ha encontrado aplicac ión en fábrica s, procesado de imágenes y comunicaciones.

CIRC UITOS ANALÓGICOS

El mayor desarrollo en los circuitos integrados analógicos se produjo en 1964 cuando Widlar que
entonces estaba en Fairchild Sem iconductor creó el amplificadoroperacío nal (el ~A 709). Desde entonces
el amplificador operacional se ha convertido en caballo de batalla en el procesa do de señales analógicas.
Se han desarrollado también otros circuitos comprendidos los multiplicadores analógicos, los conver-
tidores digital-analógico (D/A) y analógico-digital (AIO ) y filtros activos. La mayoría de estos circu itos
emplean transistores bipolares, pero también se han empleado MOS hasta fina les de la década de los 70.

T ÉCNICAS DE FABRICACIÓN

El aumento en la densidad de componentes debe mucho a quienes mejoraron los procesos de

fabricación. Estas mejoras comprenden el crecimiento epitaxial ( 1960) , la fonn ación de máscaras ( 1969)
y la implantación de iones ( 1971). El ancho mínimo de líneas en los chips integrados era de 25 micras en
1961 y actualmente es de 2 micras estando previsto que sea de l micra en 1990. Puesto que la superficie
decrece y la densidad aumenta como el cuadrado de la dimensión lineal se espera que a finales de la actual
década se disponga de circuitos con densidad de componentes 600 veces mayor que la de los primitivos
circuitos integrados. Otra contribución al diseño y fabricación de circuitos integrados eficaz fue el diseño
con ay uda de computador. Los programas SPICE y SU PRE M desarro llados en la Universidad de
California en Berkeley y en la de Stanford respectivamente usan amp liamente esta técnica.
Desde los pocos fabricantes de circuitos integrados ex istentes en 1960, la industria ha ex perimentado
un crecimiento inusitado. Como ejem plo, en el Silicon Valley (región al sur de San Francisco en Santa
 Prólogo. IIreN: iIi.~lOrill de ItI electr ónica 35

Clara . Californ ia) entre llJ67 y 11)61) se formaron 24 nu evas companías tic mic roele ct r ónica. En 19H4 se
dedi caron a la fabrica ció n de circuitos inte grados más de lOO empresas .

Industrias de la comunicac kin y control

Al p rincip io estas ind ustrias fueron ad opt ando la e lec trónica dc e stado só lido co n cie n a leru itud . pero
actualm ent e todo e l equipo. e xce pto las pa rles de aita te nsió n y g ran potencia. es tá tran slsrcri zado . Se
emplean tanto transistores d iscre tos co mo integ rado s. Los tran sist ore s d iscr eto s se e mplean pri nc ipa lmc nte
en aplic acione s de tensión (J pot encias medias incl uidas las ind ustria les y otro s (etapas de salida de a ud io.
sistemas de e ncend ido en aut om óvile s. arrastre de ci ntas. sum in istros de potencia. ctc.).
La indu stria de comunicac iones ha ca mb iado drásticament e debi do a la micro e lectrónica . En 1970 la
tra nsmi sió n de daro s era sólo una pequeña pa rle del vo lumen total de tod as las com unicac iones. No
obstante. hasta 19 80 la trunsm ision digital ig ua ló o superó la nnuló g ica. La ado pc ión de la tra nsm isió n
PCM se pu ede atribu ir dir ectamente a la electró nica. Lo s sis temas te lefónico s actua lme nte uti lizan
circuitos integrado s pa ra la conmutación y las memorias. Los filt ros activos a frecuencia voc al se equipan
co n circu itos integ rados analóg icos. Evidentemente . los saté lites de comun icaci ones han sido posib les y
eco nó m ic amente viables grac ias ula electrónic a .
La introducción de la com unicación d ig ital ha supues to mucha s inn ovacione s en los c ircuitos. Alg unas
de estas innovacio ne s so n h ábiles modificaciones con las qu e lo s c ircu itos trad ic io nales se han adap tad o
a las nue vas tecnologías y usos. Ot ras so n nuevas. ent re las q ue están los filtro s de co ndens ador y los filtros
d igitales. Un nuev o cmn IJo {le la electrónica . e l proces ado de señales d igita les. ha prosperado porque lo s
circu itos integrados han posi bilitado el en lace en tre comun icac io nes y cálc ulo .
Asimi smo . la industria del contro l se ha visto m uy in fluida por la e lectrón ica de sem lcond uc tc rcs. En
alguna s ap licac iones trad iciona le s tales co mo la regulación de ve locidad de motores y lo s rectificadore s
e inve rsores de pote ncia. e l rect ificador go be rnado de silic io (S C R). un disposit ivo b ipo lar de c uatro capas.
ha reemp lazado a l tiratrón. Al princip io de la e ra de los transisto re s se empleó un a peq ueña calc ulado ra
en e l co ntro l de máquinas herramientas. La a utom atiz ació n de ]lruceso.s industriales fue posi ble med iante
grandes calc uladoras e lec tró nicas.
La introdu cción de los mic rop roc esadores. m icrocom putado ras y otros ci rcuitos d igit ale s integrado s
ha cond uc ido a ingen ioso s ins trumento s y a una va rieda d de sis temas de control d ig itale s. Con la
microelectrónica. las ca lculado ras ha n pa sado a ser compone ntes integ rale s de sistemas de co ntrol.

La industria del c álculo

Lo m ás notable de la rev ol uc ión microelectrón ica ha s ido la creac ión de una ind ustria com pletamente
llueva : la de las calc ulado ras .
Mie ntras que los orígenes de la c alcu ladora e lec tró nic a se basan en e l tub o de vac ío pro nto se dejó
scmi r e l im pacto de la tccnolog fa de los se m ico nd uc tores .
La primera computadora uunsis tori zada pa ra un objetivo espec ial file de sa rrollada por C ray e n 1 95 fl . ~
La IBM 7090n094 ( 1959 ) fue la prime ra calc ulado ra de e mpleo ge neral de la segund a ge neració n. es
decir, trnnsistorizada . La tercera ge nerac ió n se carac teriza por Ull ci rcu ito integrado h íbrido (m ucho s
transistorcs discretos en una capi. ún ica) ( lBM 360 en 1964 ). Simult.inc umcntc otros fabricante s entre los
que figur an Burrou ghs. Co ntrol Data y Un ivac in troduje ron calculadoras medi as y grandes conten ie nd o

~ nay~' un fundador de " ( '<lm ",1 !la la C''' I~ lI'' l lO 'n ~ Il"e luq o fundó la "Clay COIl1 [1 I1 I<·"._
36 Mtcroetectrontca moderna

circuitos integrado s. En las máqu inas IBM serie 370. 1970 de tercera generación se emplearon memorias
de semiconductore s.
En 1965 se inició una nueva revolución en la industria de las calculadoras cuando la Digital Equipment
Corporation introdujo su minicalculadora PDP8 . primera máqu ina que se vendió por debajo de los 20.000
dólare s. Desde entonces la minicalcu ladora se convirtió en lo más principa l de la industria. abarcando
numerosas empresas de todo el mundo .
En los años 80 empieza a desarro llarse e introdu cirse la cuarta generación de máquin as que emplean
chips VLSI tanto para el procesado com o para la memoria. Actu almente se pueded isponerde una var iedad
de tamaños que van desde simples micro-procesadores a supercalculadoras capaces de desple gar decena s
de millon es de instrucciones por segundo. Se han realizado muchas innovaciones para conseguir más
velocidad. mayor capacidad y más flexibilidad de proceso. entre las que están los chips más rápido s de
alta dens idad. incluido el proceso paralelo. y nuevos conceptos de recopilación y montaje . Además la
partición del tiempo y la distr ibución del cálculo han influido en el uso de estas máquina s.
El impacto de la microelectrónica ha sido bien expresado por Noyce en 1977: «actualmente la
microcalculadora con un coste de quizás 300 dólares tiene más capacidad de cálculo que la primera
calculadora electrónica grande ENIAC. Es 20 veces más rápida. tiene más memoria. es centenares de
veces más eficiente. consume la potencia de una bombilla y no la de una locomotora. ocupa un volumen
30 .000 veces menor y cuesta como máximo 10.000 veces menos . Se puede adquirir por correo o en el
come rcio local».

EL FUTURO
A lo largo de la mayor parte de la vida del lector le ha sido posible tener comunicación televisiva con
todo el mundo y de hecho con millon es de kilómetros en el espacio. Lo que es sorprendente no es la cos a
en sí sino el hecho de haberlo conseguido. Es aterrador que algui en desde el «John son Space Center»
pueda manejar un interruptor y dar órde nes a un veh ículo espacial a un billón de kilómetro s lejos. hacer
girar su cámara de televisión. enfocarla y enviar imágenes a la T ierra . (Aún a la velocidad de la luz necesita
cerca de dos horas para transmitir la instrucción y recibi r la señal). Nada de esto sería posible sin los
ade lantos en electrónica culminados con el circuito integrado descrito en las secciones anteriores. Sin
emba rgo esto es historia y su logro señala el camino futuro de la electrónica.
La posibilidad de transmitir imágenes de televi sión desde un ingenio espacial ex ige que los equipos
de comunicación. cálculo y control actúen al unísono como una entidad única. Es evidente que los distintos
campos de la electrónic a se van uniendo y el sistema electrón ico «inteligente» resultante es el centro de
la edad de la información.'
Las cada vez más extensas comunic aciones ju nto co n el abaratamiento de las calculadoras ha hecho
que éstas se vayan introduciendo en todo s los aspectos de la sociedad. Ademá s de las ap licacione s
industriales tradicionales. la relativa facilidad con que se puede almacenar la información. recuperarla,
manipularla y transmitirla ha afectado a nuestros dom icilios y a nuestros trabajos. La automatización
(procesadores. corres pondencia electrónica , etc. ) está transformando nuestra formad e Irabajar. El manejo
de la energía , las aplicacione s al control. sistemas de seguridad. televisión por cables. y calculadoras
personale s son alguna s de las aplicaciones domésticas de la electrón ica. Como ejemp los de la influencia
de la electrónica en los transporte s podemos citar el metro de San Francisco, el sistema de encendido en
los automóviles así como el control de gases y los sistemas de seg uridad. Tal será el impacto de la
microelectrónica que según Noyce. al final de este siglo la elec trónica será comparable al motor eiéctri co
actual , que pasa desapercib ido.

7 A la época que va dew e los años 80 hasta el siglo XXI se le ha llamado la «edad de la infonn aci6n" . porque más del 50% de los trabajos
desarrollados en los ESlados Unidos pueden elesifica rse comOde infann ación .
 Prólogo. Bre ve historia de la electr ónica 37

Cree mos que las industrias e lectrónica s seg uirán siendo 1:1S cuat ro «C .. = Componentes . Co munica-
ció n. Cá lculo y Con trol. Cada vez habr é más dific ulta d para co nside rarlas co mo entidades sepa rad as ya
que cada vez se irán co mbinando más . Asimismo [a distinci ón ent re dispo sitivo, circuito y sistema se rá
cadu vez más confusa. En la próx ima d écad a I;¡ ele ctrón ica estará do minada por la tecn olo gía basada en
el silici o. Sin embargo las inve stigacio nes sobre nue vos materi ales. so bre lodo de l arsen iuro de ga lio (Ga
As) pro bablemente e mpezarán a jugar un papel significativo. Tambi én se es pec ula co n que materiales
org ánico s como e l DNA pueda n emplearse e n electr ónica a finales de l siglo.
El futu ro de la ele ctrónica se deduc e cla rament e de las siguientes estadfsrica s so bre el merc ado de
e lectró nica en los EE.UU.. e n milla res de mi llones:
1985 1990
venta de elementos 2 15 400
venta de c ircuitos integrados [[ 35
Estos datos indican que la creatividad e inge nio de los ingenieros y cient fficos de aye r e s e l tra mpolín
para e l mañan a.
 PRIMERA PARTE

Dispositivos
Semiconductores

Los dispositivos sem ico nductores son los componentes ce nt rales e mpleados en el procesado de
señales eléctr icas que aparece n en los s iste mas de comunicaci ón. cálc ulo y co ntrol. El compo rta-
mie nto e léctrico de estos dispositiv os controla las fuentes y conm utacio nes necesarias en los
circuitos de proceso de las seña les. En los c inco ca pítulos de es ta sección se expondrá el funciona -
mien to físico y carac terísticas de los pri ncipales e lementos se miconductores. Se introducen las
aplicac iones de circ uitos e lementa les p..ra de mostrar cómo so n aprovec hadas sus caracte rísticas e n
conm utadores y amplificadores . El capitulo 1 trata de los conce ptos q ue go bierna n las pro piedades
e léctricas de los se micond uctores. Los capítulos 2 a l 4 tratan de Jos diodos de unión y de los
trans istores bipola res y de efecto campo. El ca pítulo 5 se refiere a la fabricació n de circuito s
integrados.
 Semiconductores

El contro l delllujo de partí cu las cargad as es fund amental para e l funcion amie nto de los dispositivo s
e lectró nicos . Por 1¡1010. los mate riales e mpleados en estos d ispositivos de ben ser capaces de proveer una
fuente de cargas mó viles. y el proceso qu e go bierna este mo vim ie nto de cargas ha de pod erse regul ar. En
este ca pítulo se verá n 1:1S propiedades física s de [os se m ico nd uctore s e n cua nto se relacionan a los
dispositivos electr ónicos . Estud iare mos e n parti cul ar las carac terísticas de los materi ales q ue nos permitan
d isting uir los semiconduc to res de los ais lan tes y de los cond uctores y ve remos tambi én e l do pado de un
semicond ucto r co n impu rezas p¡lra co ntrolar su funcion amiento.
Vere mos tam bién los dos proce sos de transporte de c arg as: 1) por despl azamient o. que es e l moví-
mient o de cargas prod uci do por un cam po e léctrico. y 2) por d ifusión , q ue es el mo vimiento result ante de
una d istribuc ión de ca rgas no uniforme.

1-1. FUERZAS, CAMPOS Y ENERGÍA

En es ta secc ión introduciremos las cantidades básicas q ue descr iben los e fcctos de las partfculas
cargadas. Para la mayor pa rte de los estud iantes no es má s qu e UII bre ve rep:lso a mater ias ya trat ada s
anterio nnente en cursos de flsicu.

Partículas cargadas
El electrón es la principal de las part ículas cargadas neg ati vam ente. c uya carga o ca ntid ad d e
electricidad es de 1.(lO x \O I~ cou lom b. El núm ero de elec trones por coulom b es la recíproc a de la carga
elec trónic a. o aproxim adamente 6 x 101" . Puesto qu e una co rriente de I amper io es igualu un co ulom b
por seg undo. una co rriente de un picoam pcr io <pA o 1O11 Al represe nta el movimiento de 6 m illone s de
electrone s. S in embargo. una corri en te de I pA es tan peque ña que e xisten co ns ide rables d ific ultade s para
medirl a.
T rat ánd ose de úrcmos. frecuentem en te conv iene co ns idera r e l núcleo posi tivo y la band a de e lec trones
inter ior co mo una carga posit iva equivalent e (e l núcleo) cuyo va lor es un múlti plo entero de la carga d e
un e lec tró n. El num ero de elnfl"OlIt',I" d e val encia, es deci r. los q ue están e n la ban da más ex te rior,
propo rcionan una carga neg.u iva q uedando e l áto mo neutro. Bajo ciertas co nd iciones uno o más ele ctrone s
puede n e sca pa r dcl átomo dejando un ion posi tivo. De ig ual forma. se pued en añad ir uno o más e lec trones
a la band a de valencia c reando un io n negati vo . Po r ejemp lo. los iones sod io y d o ro de la sal co m ún so n
simples partícu las ioni zad as. teniendo cada una de e lla s una carga igual a la del e lectrón. El ion sod io e s
positivo y el ion cloro e s negativo corno result ad o de la supresión y ad ición re specti vam en te de un electró n
de va lenc ia.
En un c ristal de silicio cad u ion comparte un par d e elec trones co n sus vec inos. A es ta co nfig uración
42 síicroetectnmtca IIw tlerJ/u

se le d eno min a halltla cOl'alt-II /I' . Pued en d arse ci rcu nstanc ias e n las qu e fultc un elec tr ón de la estructura
dejando un «hueco - en e sa banda'. Eslos h ueco ... pueden pa"'in dL' UlI ion n urro cn e l cri sta l produ c ie ndn
un e fecto eq uivale nte al tlcl mo vimi cruo de c argas positivas . La mugniunl de la cilrgil asociada con el
IlUCCO es la del elect rón.

Int ensidad de ca mpo

Se d ice q ue e xiste un campo eléc trico e n las vec ind ades de UIliI pan ícu la cargada . es decir, qu e una
pa rtíc ula cargada eje rce una fucrzu sobre otra partfc ula carg ada de acue rdo con I¡¡ ley de Co ulomb, En
l'aso umdimcu sional ' (' 1\ e l lj Ul' la Cn r!!i' 1/ , l's lií en .1",,' la tucrzn eje rcida sob re la carga 1/ _, s ituad a a una
disuuwiu urbüruriu .c cs en ncwruus (N1:

F, = N (1· 1)

e n donde E es ];1 pcrmirividud del med io ...n e l que reside n las cargas. Según la te rcera ley de Newton actúa
sobre q, una fue rza igual y contraria.
El mo vim icmo de 1/ - Sl' de duce upl icamlo la scg undu ley l it' Nc wron . resultando

C. _ CJ l q ~ d )
,. , = - ( lII ~ t\ N 11-2)
, 4 1T1:'(x x u)- dt
en donde 11I . cs lunurs u de 1/ . v l' la velocidad e n el sentido de ,L Para un sis tem a no relativista (11I , es
n11lSlal1lCl li¡ Ecuación ( 1-21 ~l: l"l'¡illcc a
dt" (l . ) )
F, = m -. -tll N

=
dnudc ", (11 ) 111 cs la ncclcraciún.
Un buen mé todo para ocwribir e l e fect o dc las part fcula-, eargad as cs va lié ndose de la imensídad lIt'!
campo el éctrico f . defi nid a corno lu fuc rzu eje rcida so bre una curgu pos itivu unidad . As í pue s. la fue rl il
..obre una l'¡¡rga 1/ en un campo eléctric o cs. en una dimensión:

F , = qE . N ( 1·4 )

Poten cial
Po r defi nición. el potencia l \ ' te n vnltios] de l punto H re specto al pun to A es e l trabaj o rea lizado para
tru...lndar una carga unidad positi va desde A hasta B. En un a dimensión con A e n .1-" y B a una di stanci a
arb itraria .r te ndre mo s '

\' = - f " t:. , d.I' v (1· 51

'.
1 En la >c1.'~ itÍn 1· ,1 ... C'1U.tiar ~ el h"",'" C"" " ' l'unaJur d~ ,'a' r a ,
~ El ,""mf'" ¡. 1a fun / a r~"." " ' mo n l~ ~., ¡jn ~" Iro_ .1I1m·n_¡Ulle', En m oc hil' O_lruclul;" dn rni ni.-a_." un¡runni dad I"'n n il<'una ,op "''''' III;O.' i.",
" " i<l imon_i,," al ,
, El _ignn ;t _ig"i fi.,., ..iV";" 1" " ,k li"i "I<"''' ,
 Semiconductores 43

en la que 'l., repre senta la componente en x del campo.

Diferen ciando la Ecuación (1-5) tendremos:

dV (1-6)
'1:= - - V/m
dx
El signo menos indica que el campo eléctrico va dirigido desde la zona de mayor a la de menor
potencial.
Por definición, la energía potencial U es igual al potencial mulliplicado por la carga q en consideración.
o sea (en juli os).
lj sqV J ( 1-7)

Si consideramos un electrón. q se sustituye por -q (siendo q la carga electrónica).

Siendo la energía relativa a un solo electrón tan pequeña, es conveniente introducir la unidad de energía
(trabajo) llamada etectrán-volt (eV) definida como

J eV = 1.60 x 10- 19 J

Naturalmente. cualquier tipo de energía. ya sea eléctrica. mecánica, térmica u otra puede expresarse
en electrén-volr.
La Ecuación (1-7) indica que si un electrón se desplaza a través de un potencial de IV. su energía
cinética aumentará y la potencial disminuirá en 1.6 x 10· ,~ 1. o sea I eVoComo cada electrón posee muy
poca energía se necesita un enorm e número de ellos para tener una corriente débil. En consecuencia, se
puede manejar con ellos una potencia razonable.
La ley de la conservación de la energía dice que la energía total W que es igual a la suma de la energía
potencial U más la cinética n/\,ln. se conserva constante. En cualquier taso

w= U + Im ol = const (1-8)

Energr.

Energfa potencial U
Tensión V

o d

_
~
V
¿
A B

- -+--
o
-1.;--
d
-,
Dislaocia Dislancia
~J (b) (r )
Figura 1·1. (a) Sistema plano-paralelo: un elecll'ón abandona A con velocidad inicial" .. movibldose en un campo retardador.
(b) tensión. y (c ) II barrera de energra potencial .

Como ejemplo de esta ley consideremos dos placas paralelas A y 8 separadas una distancia d como se
ve en la Fig. I-Ia teniendo 8 una tensión negativa VJ respecto a A. Un electrón abandona A y se dirige
hacia B con una velocidad v..en la dirección .r. ¿Qué velocidad tendrá el electrón si llega a B?
44 Microelectrónica moderno

Por la defi nició n de la Ec. ( 1-5) es evi de nte que só lo tiene significac ión la d iferen c ia de pote ncia l. Po r
tanto podemos arbitrariamente co nectar A a tierra , o sea co ns iderar q ue su tensión es cero. Por tan to la
te nsión en B será 1'= ·1',1 Yla e nergía potencia l será U = .qV,r S i ig ualamos la energía total en A co n la en
B tendremos
J 11-91

Es ta ecuació n ind ica q ue v debe ser menor que "'o. lo q ue es evidentemente cor recto ya q ue el electrón
se mue ve co ntra e l cam po . La veloc idad fina l alc anza da por e l e lectrón e n este sistema co nse rvador es
inde pe ndient e de la forma de variació n de la dis tribuc ión del ca mpe e ntre las dos plac as y depende só lo
de la d ife renc ia de tens ión 1/ ,. Obsérvese q ue si el e lectrón ha de alcanzar e l e lectrodo B su veloc idad
inicia l debe ser suficientemente grande para q ue J m Vr1 > q VJ> Pues de otra forma la Ec . ( 1-9) nos llevaría a l
absurd o de que v sea imagina ria. Vamos a elaborar aho ra estas consideraciones.

Concepto de barrera de energía potencial

Partiendo de III Fig. l - Is . en la que los ele ctrodos so n g randes e n com paración de d podemos traz ar
(Fig. 1- 1h ) una curva lineal de potencia l Ve n funció n de la d istancia .r (en e l es pac io entre electrodos ). En
la Fig . 1- 1{' se rep re senta la en erg ía potencia l U e n función dc .r: la c urva t : se de d uce de la h multiplicando
cada o rdenada porla cargade un e lec trón (un núme ro negativo). La energ ía total W de l e lectrón se ma ntiene
co nstante por lo q ue viene represe ntada po r una línea hori zont al.
La e ne rgía c iné tica a c ualquie r distancia XI es la d iferenc ia entre la e nerg ía total W y la potencial U en
ese punto. La difere nc ia es má xima e n O señalando que la e nergía ci né tica es máx ima cuando e l electrón
abandona el e lectrodo A. En el punto P es ta d ifere ncia es nula. lo que indica q ue no exi ste e nergía ci n ética
por lo q ue la par tícu la q ued a de ten ida en ese pun to. Esta di stan c ia XIIes IIImáx ima que e l e lectró n pued e
reco rrer desde A. El e lectró n e n e l punto P (do nde .r = x) se de tiene mom ent áneament e y luego retrocede
y vuelve a A .
Considerem os un punt o tal co mo.r, q ue está más alejado que x" del e lectrodo A. Aquí la energía total
W es me no r q ue la pote ncia l U. de form a q ue 1<1 di fe rencia. q ue repre se nta la energ ía c iné tica. es negativa.
Es ta c-, una cond ició n tfsicamcmc impos ible ya que una e ne rg ía cinét ica neg ativa (m i' ~n <O) supone una
velo c idad imag inaria. Se llegaa la co nclus ión de q ue fa partfcula nunca avanzará hasta una d istancia mayor
q ue XII del e lectrodo A. En e l punto P la dife re nci a es nul a 10 que significa q ue no hay ene rg ía c inética y
1<1 partícu la q ueda pa rada. La d istancia XII es la uuixitun a la que e l electrón puede desplazarse. El ante rio r
aná lisis nos co nd uce a 1<1 co ncl us ión vc rdadc rumc rue im po rtante de q ue nunca podrá n en tra r e lectro nes
en la zon a so mb read a de la Fig. I- le . Po r tanto. en e l punto P la pa rtícul a se co mpo rta co rno si hub iera
chocad o co n una pa red o ba rrera só lida alterá ndose la d irección de su trayectoria. De esta for ma la barre ra
de cncrg fu poten cial ju ega un papel imp ortante e n e l aná lisis de dispos itivos semiconducto res .
Hay que hacer co nstar que lo de «col isio na r co n una ba rrera de potenc ial» no es má s que una frase
descriptiva co nve niente, pero sin que haya un ve rdade ro choque e ntre materia les só lidos.

1·2. LA CONDUCCiÓN EN LOS METALES

En un meta l la s e lectron es de conducción o de valencia de un átom o e stán tan asociados a un ion co mo
co n c ualquier otro, co n lo que la ligazón con cualq uier átom o indi vid ual es prác tica me nte nula. Se gún se a
e l metal, por lo men os uno, y a veces dos o tre s e lec tro nes por átomo están libres de mov er se e n e l inte rior
de l meta l bajo la acció n de campos e léctr icos aplicados .
. La Fig. )-2 ex una rep resent ac ión esque mática en do s dim ensiones de la d istribución de c argas dentro
 Semiconductores 45

o
8 8 08 ~ EIC'C lroflC s de valencia o lib res

O
0 e-
8 8 O
8 •
Zona de iones
O O

O
8 8 • •
O O
O O

8 8 8 8 O

¡'¡ gura 1-2. Dispuvicjún esq uemátic a de los átomos en un plano de l meta l (útomos monovulemesj . Les puntos negros representa n
el g¡¡S elccrrómco. y cada álamo ha cor uríb uído con un electrón a esle 1!as .

del metal. Las zonas sombreadas representan la carg a positiva neta de l núcleo junt o co n los electrones
internos estrechamente ligados al núcleo. Los puntos negros represe ntan los electrones exteriores o de
valencia de l átomo. A estos electrones no cabe co nsiderarlos como perte necientes a un átomo determinado:
son los que han perdido completamen te su individualidad y pueden circ ular libremente de uno a otro átomo
dentro del metal. Así pues. un metal pucde ser co nsiderado como una región que cont iene una red periódica
tridimensi onal de iones pesados fuertemente enlazados, rcde udos por una nube de e lectrones que pueden
moverse libremente. Esta image n constituye la des cri pció n de un metal conocida como ga s electrónico.
De ac uerdo con la teor ía del gas electrónico de un metal. los electrones están continuamente en
movimiento cambian do la dirección de su trayectoria en cada co lisión co n los iones pesados casi
estacionarios. La distancia media entre co lisiones se denom ina recorri do libre medio. Como el movimient o
es aleatorio. el número de electrones q uc cruza n una unidad de s uperficie en un determ inado tiem po es
nulo en promedio y por tanto es tamb ién nu la la corriente media.
Veamos ahora cómo cambia la situaci ón si se aplica al meta l un campo e léctrico '1 constante. Como
resullado de estas fuerzas e lectrostáticas los electrones se ace leran y la velocidad crecería indefi nidamente
con el tiemp o si no fuera por las colisiones co n los iones. En cada co lisión inel éstica con un ion el electrón
pierde ene rgía y cambia de dirección . La probabilidad de que después de la co lisión un electrón se mueva
en una determinada direc ción es igual a la probab ilidad de qu e lo haga en la opuesta. Por tanto. la veloc idad
de un electrón aumenta linealmente con el tiemp o en tre co lisiones, y co mo promedio se reduce a cero en
cada colisión.
Se llega a una situación de equilibrio cuando se alcanza una velocidad de desp lazamiento vd" Esta
velocidad es de sentido opuesto al campo eléct rico. La velocidad en el momento I después de la colisión
es al siendo la aceleración igual a q/m. En consecuencia, la velocidad de desplazamiento es pro porcional
a;r y viene dada por
(1- 10)

en dond e la constante de proporcionalidad ~l se denomina mo vilidad de los electrones".

4 Cuandouisle mj . de un npc tic ponoo(lfe< de carga.e sucle llIlad ir un .u b{ndice a 11. La_ dimen<iollt:s tic la movilidad son: melroscuadrados
por voll- segundo.
46 Microelectrónica moderna

De acuerdo con la teoría ante rior, al mov imiento térmico aleatorio se superpone la velocidad de
desplazamiento de equilibrio. Este flujo dirigido de iones co nstituye una corriente que podemos ahora
calcular.

Densidad de corriente
En la Fig. 1-3 hay N electrones distribuidos uniformemente en un conductor de longitud L y sección
A. Un electrón. bajo la influencia de un ca mpo eléctrico ( recorre L metros en T segundos lo que da una

N Electrones

Figur a 1·3. Conductor empleadopara calcular la densidad de corriente.

velocidad de desplazamiento v" igual a LIT. La corriente J es por definición el total de cargas que pasan
por una sección en la unidad de tiempo. laque es igual a la carga de un portador multiplicada por el número
de éstos que cruzan la sección en un seg undo. De donde (en amperios):

J "" lJ N. .l. = qN!'.!!. A 11 -1 1I

T 1. L
La densidad decorriente. quedesignaremos} es la corrie nte por unidad de sección de l med io co nductor,
admitiendo una densidad uniforme iendremos
I
J ~ -- (1-121
A
Sustituyendo la Ec. ( 1· 11)en la (1·12) tendre mos
'INl',¡ A /m ~ 11-13)
J " LA
En la Fig. .1-3 puede verse que LA es el volumen que ocupa n los N electrones. La conce ntració n de
electrones 11 es pues
N
m (1 -1 4)
LA
y la Ec. ( 1-13) se convierte en

J ..: nnr, '" p,..r, 11-151

en la que P, = lJll es la dens idad de carga en coulomb por metro cúbico.

Esta deducción es independien te de la forma del med io de conducción. En consec uencia. la Fig. 1-3
no representa necesa riamente un hilo conductor y puede represe ntar igualmente tanto una porción de la
descarga gaseosa de un tubo como un volumen eleme nta l de un semiconductor. Por otra parte ni P, ni l 'J
son necesariamente constantes sino que pueden variar con eltiernpo.
 S emico nductores 47

Cond uctividad
Acabamos de ve r qu e \'" es proporcio nal a %. De las Ecuaciones ( 1- 10) Y ( 1-15 ) re sult a

J = "//L'" = qllll t; = rif.. A/m ~ ( [ - 16)

donde

( l· 171

es la con d uctivid ad del materi al. Recorda ndo q ue 't L = V es la tensión aplicada a través de l con d uctor .
podemo s ded uci r la co rriente I de la Ec . (1- 16) resu ltando la Ley de Oh m.

L uA V
1 = JA = ffl;A ' - = - V " A ( 1-1BI
l. L U
La resistencia R de l conductor es en ohm s (U)

L L
R " - = p - n ( 1-1 91
ITA A
siendo la resistividad l' la inve rsa de la co nduc tiv idad.
Co mo ya se ha ind icado antes. la ene rg ía qu e adq uie ren lo s e lec tro ne s de l campo eléc trico aplica do se
cede . co mo resultado de las colisiones. a lo s ione s de la red . Por tanto. en el interior de l metal se di sipa
energía siendo la densidad de potencia térmi ca (en watt por met ro cúbico) J - oiP, (es ta relación es aná loga
, p " VI " V' IR).

Ejemplo J-J

Una línea dc co nd ucc ión cn UIl c hip tiene 2.8 mm de longitud y una secc ión recta re ctangula r de 1 x
4 micras. Una corrie nte de 5 mA pro duce una ca íd a de tensión de 100 m V e n dich a línea . Deter minar la
co ncent ración de e lec trones dado qu e la mo vilid ad es de 5(X) cml/V. s.

Soluci án.

La conccmraclón de elect rones puede deducirse de a de la Ec. ( 1- 17). La co nd uctiv idad sc determina
reso lvie ndo 1:1 Ec. ( 1- 18)

IL
=.
s x 10- 1
x 2.8 x JO - '
= 3.50 X lO' (ñ-rnl " !
U "
VA 0 . 1 x (10 " x 4 x lO ro)
y de la Ec. ( 1- 17)obtendremos
IT 3.5 x lO'
11 = - ..
"11 1.60 x 10 IY X 500 x 10 4
= 4.38 X I(l ~ ' m .1 = 4.3H X IO! ' c m

Co mo se vio e n la Ec . ( 1· 17) 1:1con d uctividad es p ropo rcio nal a la co nc entrac i ón de portad ores d e
cargas. La co nce ntración de e lect rones libres ha llada en e l Ejem plo 1· 1 es un va lor típico de l con d uctor.
Poco s po rtado res se hall an en los alslarues. y la conce ntrac i ón de e lec tro nes e s del ordcn de 10 7 m ·-'. Lo s
48 Microelectrónica moderna

materiales -cuya con centració n de portadores esté comprendida entre la de los conductores y la de los
aislantes se denominan semiconductores cuyas propiedades se estudiarán en las dos próximas secciones.

1·3. EL SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Los tres semiconductores más emp leados son el silicio. el germ anio y el galio. Como los dispos itivos
de silicio son los predominantes nos limitamos al est udio de éste.
La estructura cristalina del silicio consiste en una repetición regul ar tridimensional de una célula
unitar ia en forma de tetraedro con un átomo en cada vértice. La Fig . 1-4 es una representación simbólica
de esta estructura en dos dimensiones. Los ála mos de s ilicio tienen 14 electron es, cuatro de los cuales son

-.l" UJ"L-J ../-í

Enlace covalenre

EI"" o,,, de valencia

+4f;-J

]:D:D:
• +4 . • +4 . •

I?'O" O<i1idO

j:crtrt
. +4 •• +4 •• +4.

/"\1"\1",
Fig ura 1·4. Representación bidim ensiona l de un cris tal de surcio.

de valencia, por lo que el átomo es tetravalente. El núcleo iónico inerte del silicio tiene una carga + 4
medida en unidades de carga electró nica. La fuerza de en lace entre átomos vecinos es el resultado del
hecho de que cada electrón de valencia de un álamo de silic io es co mpartido por uno de sus cuatro vec inos
más próximos. El enlace covalente se representa en la Fig. 1-4 por las dos líneas que unen cada ion con
cada uno de sus vecinos. Los elect rones de valenc ia sirven de unión de un átomo con el siguiente con los
que resulta que estos electron es queden fuertemente unidos al núc leo. Por tanto. a pesar de la disponibilidad
de cuatro elec trones de valencia, pocos de ell os están libres para co ntribuir a la conducc ión.

El hueco
A temp eratu ra muy baja (d igamos U "K) la estructura ideal representad a en la Fig. [-4 es bas tante
aceptable y el crista l se convierte en un aislante ya que no hay disponible ningún port ador libre de
electricidad. Sin embargo a temperatura ambiente algunos de los enlaces cov ale ntes se rompen de bido al
 Semiconductores 49

Enlace covalerae rolo Electrón libre

·L
Enlace covalente
Hueco

Blecrrones de valencia

Figura I_S.Crislal de siliciocon unenlace covelenre roto.

suministro de energía térmica al cristal lo que posibilit a la cond ucción. La situación queda representad a
en la Fig. 1-5. En este caso. un electrón que nonnalmente fonna parte de un enlace covalente se ha
representado fuera de l en lace y por tanto libre para circular al azar por el cristal. La energía Ec; necesaria
para romperel enlace covalentees de 1.1 eV para el silicio a lemperatura ambiente. La ausencia del electrón
en el enlace covalente está representada por un pequeño circulo en la Fig. 1-5 Y tal enlace covalenre
incompleto se denomina hueco. La importancia del hueco rad ica en que puede servir de portador de
electricidad comparable en su efectividad al electrón libre.
El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad se explica cualitativamente de la
siguiente fonna: Cuando un enlace est é incompleto de form a que haya un hueco. es relativamente fácil
que un electrón de valencia de un átomo vecino aband one el enlace covalenre para llenar el hueco. Un
electrón que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posición inicial. Por tanto,
el hueco se mueve efectivamente en dirección contraria al electrón. Este hueco en esta nueva posición
puede ser llenado por un electrón de otro enlace covalente y por tanto el hueco se desplazará un lugar en
sentido opuesto al movimiento del e lectrón. He aquí un nuevo mecanismo de cond ucción de la electricidad
que no supone electrones libres. En la Fig. 1-6 se repr esenta esquemáticamente es te fenómeno: un circ ulo
con un punto representa un enla ce completo y un círculo vaclorepresenta un hueco. La Fig. 1-6a represent a
una suces ión de 10 iones con un enlace roto. o hueco. en el ion 6. Imaginemos ahora que un electrón del
ion 7 pasa al hueco del 6. resultando la co nflgurución de la Fig. 1-6/1. Si co mpararnos esta figura con la
1-6(1 se ve como si el hueco de esta última hubiera pasado del ion 6 al 7 moviénd ose hacia la derecha. y
esta observación determina que el movimient o del hueco en una dirección significa el traslado de una
carga négativa a igual distancia pero en sentido opuesto. Por lo que respecta a la circulación de co rriente
eléctrica. los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que las del e lectrón. Podemos
considerar que los electrones son entidades físicas cuyo movimiento constituye un flujo de corriente. El
argumento de que los huecos eq uivalen a portadore s de cargas positivas libres puede justificarse con la
mecán ica cuántica.
50 Microelectr ónica moderna

Conducción en semicond uctores inlrín secos

La estructura de l cristal rep rescntada en las Figs. 1-4 y 1-5 suponc una muestra de silicio puro . es decir.
que no co ntenga áto mos ajenos. Estos cristales puros constituyen un ,~{'lII i("m/(JIIl"101' intrínseco, Co mo se

lo'igur a 1-6, Mecanismo por el cual un hueco contribuye a la conductividad.

ve e n la Fig. 1-5 1arotur a de un cntacc covalen te se trad uce en un electrónlibre y un hueco. En consec uencia
la co nce ntració n de huecos p y la de elec trones 11 deben ser igu ales
p 11 = =", ( 1-20)
siendo 1/, la concen tración intrí nseca. La agitac ión t érmic a ge ne ra nue vos pares ele ctr ón-hueco . mientras
desapa rece n o tros por la reco mbinación. El va lor de 1/, depe nde de la tem pera tura. y sus variacio nes se
verán en la Secc ión 1-5.
Tanto los huecos como los ele ctrones part icipan en e l proceso de co nd ucción, Debid o a que los
mecanismos por los que se mueven los huecos y los ele ctron e s e n e l cris tal difieren entre sí. la mo vilidad
de estos portadores es d istinta , Para distinguir los valores de huecos y electrones se e mplean los subíndices
p y 11, Estos penadores se mueven en direccion es opuestas en un ca mpo e léctrico. pero como son de signo
co ntrario ambas corrientes so n en e l mismo sentido, La densid ad de co rriente J resultante de un campo
e léctrico ! se dedu ce de la Ec. ( 1- 16) mod ificada para co mprende r ambos port ador es, y es
A/m ~ ( \.21)
La co nductividad es .
fT = q( II~" + PJ.t,,) ( 1-22)
Ta b la I- ! Pr op ied a des de l s ilicio int r ínseco
Propiedad \'"Ior
Número atómico 14
Peso atóm ico 2tl, I
Densida d (gkmJ ) 2.33
Permitividad relativa (const ante d ieléctrica) 11.9
Atomovcm ' 5.0 x lO!l
Energ ía El,.. a O"K (eV ) 1.2 1
Energía E(; i l nu "K rcv ¡ L I2
Rcslsnvf dad a JOn "K (11 .cun 2.30 x 10'
Mov ilidad clcc tronc .. ~l » a J(KI "K [cm !/(V.S ll 15lKl
Mo vilida d de huecu s r e,. iI JIMI "K Icm!/(V,SI I -175
Co rc emracióu inlr inM'\:o iI JIM' "K (cm 'l l AS \ 111'"
Co ns tante d ifusió n electrones D. a JIKI "K (c m ~/s) .' 4
C ons tan te d ifusilÍn hU Cl ' O S D,. II J(M' '' K (c rn!/s) U

Fuente: S. M. SIC led.). " VSLl Technology». McGraw·H i11 Honk Cumpany, Nueva York. 198] .
 Semiconductores 51

En un semiconduct or iutnnseco fl = 11 = " , la El', ( 1-22) sI.' con viert e en

(1, = (/11, ( l t " + 11,, ) (U 'm) I

La tabla 1- 1 d a h», va lo r...'s de a l g. u l1 a ~ propiedades im poruuuc-, del silk io, O hSCrW Sl' q uc el silic io
nen e de ! urden de I (J' " ¡¡ t OIl IOS/C lll " micmno queu le11l jl\..·nuura nmh ic nrc t.tüü "K ) 11, = lü'" C I11 ' . De aq uí
que só lo 11 11 tiuunn de entre 10'-' de d ios corunbuya con UI1 ele ctrón libre (y 11 11 hueco ) debido a la roturn
de enlace covnlcmc .

Ejemp lo /-2

Una bar ra dI.' silicio imnn scco tiene J mm de longitu d y una secc ión recta rcctan gulur de 50 x 100
micra s . Determi nar la Intensid ad de l campo e léctrico en la barr a y la tensión a través de c lla cuando c ircula
una co rriente de I ¡.tA , tod o e llo a J(lO"K ,

Sollldóu

La inten sidad de \..'a lllpo se puede de ducir de la dens idad de corriente y de la conducti vidad

J / 1 I
I = - = - x - = - ' 1/ V/m
(1 A Ir A
Valiéndonos de l va lor de fl dado en 1;1 Tabla 1- 1 tend remos
10 ~

.. x ~. ] O x 10' x 10
.. x 1110 x In
En la q ue el factor ID! redu ce la re sistividad de n cm a n m.
l '" 4.60 x 10' V/m = 4.6(J x lü' v /cm
La tensión a través de la barra es
cL = 4.60 x lO' x J x 10 ' 1] l(0 V

El resultado o btenido en e l ejemplo 1-2 indica q ue pa r:! o btener una peq ue ña co rrie nte ( 1 Jl A ) se
necesita una te nsión ex trao rd inariamente alta, S in e mba rgo , esto no es de extrañar ya que 1u co nce ntración
de portadores intrí nsecos se parece much o nuts a la de un aislante q ue a la de un conducto r. Así pues, los
semico nd uctores intrín secos no so n ade cuad os para d ispositivos electrón icos, En la sección 1-4 ve remos
un proc edimien to co n e l q ue se puede aum entar la conce ntrac ión de portad ore s.

I-~ . SEM ICll NDUCTll llES EXT RÍNSECOS

Para aumentar e l núm ero de port adore s el procedimiento cor rie nte es e l de introducir e n un sem lcon-
duc to r intrínseco una pequ eña cantidad de impurezas c uidadosamente co ntro lad a, La adición de impure-
zas, frec uentemen te átom os triv alcmes o pent avalentcs . for ma un se miconduc tor extrínseca o dopado ,
Cada tipo de Impureza forma un sem iconduc tor con una c lase de portadores predom inante. El nive l normal
52 Micro electrónica moderna

de dop ado es del orden de I átomo de impurezas por cada 10" a JO- ála mos de s ilicio. Las propiedades
física s y químicas son ese ncial me nte las mismas del silicio y sólo varían marcadamente las eléct ricas,

Semiconductores tipo n
La Fig. 1-7 represe nta la est ructura de l cris ta l que se ob tiene al do par con una im pureza pentavalente.
Cua tro de los cinco electro nes de valencia oc upa n enlaces covale ntes y el quinto queda inicialmente sin
e nlace y constituirá un portador de corriente. La e ne rgía necesaria para desliga r del áto mo este quin to
electrón es sólo del orde n de 0.05 eV para el s ilicio. e ne rgía .considerableme nte menor que la nece saria
para romper un en lace covalenre. Como impurezas pentavalentes adec uadas está el antimonio. el fósforo

-J. I 1\ \. W .JL'
Electrones de valenci. Enlaces covelen tes

l0" de sihcic

• +4 ~+4. • +4 •

] :[ ] :)c.---=-~~.+-- •
Electrón I;b~
• +4 • • • • •• •
] :1"--- •
Jon de impureza pc:nl.lv. lenle.
• +4 •• +4 •• +4 .

{·\~l-\ l·,
Figura 1·7. Red de cristal con un átomo de silicio desplazado por un átomo impurifi cador pentavalente.

y el arsé nico . Estas impurezas producen elec trones portadores en exceso y se les denom ina donadores o
de tipo 11 .
Si se dopa un material sem iconductor intrínseco con impurezas tipo n, no sólo aume nta el núm e ro de
electrones sino que el número de huecos desc iende por debajo de lo que renta el semiconductor intrínseco.
Esta baja en el núme ro de huecos es debida al gra n número de electro nes presentes lo que aumenta el ritmo
de recombinaciones de elec trones con huecos. En consec uencia . los portadore s dominantes son los
elect rones negativos. y el do pado con do nadores lleva a un semiconductor de tipo 11 .

Semiconductores de tipo p
El boro. el ga lio y el indio son áto mos triv ale ntes que añadidos a un semiconductor intrínseco
proporc ionan elec trones para completa r únicamente tres en laces cov alentes. La vacante existente en el
cuarto en lace forma un hueco como se ve e n la Fig. 1·8. Este tipo de impurezas posibil itan port adores
posi tivos ya que se crean huecos que puede n aceptar elec trones. Por ello las imp urezas triva lentes se
 Semiconductores 53

deno mina n tl Ct'I' llIdoI"lH y forma n lus se micond ucto res de tipo p e n los q ue los portado res predominantes
son los huecos.

Ley de acción de masas

Hemos visto que al añadi r impurezas de tipo n decrece e l número de huecos , y de igual forma al añadir
impurezas del tipo p disminuye la concentració n de elec tro nes libres por debajo de la del semico nd ucto r
intrínseco. Un análisis teó rico (sección 1· 7) nos de mostrará q ue e n co nd iciones de eq uilibrio térmico e l
produ cto de las co ncentrac iones de ca rgas positivas y nega tivas libres es constante e inde pendiente de la
cantida d de donado res o ace ptado res. Esta re lación se den om ina ley dt' acciólI de masas y viene dada por
IIp = ni ( 1-24)

La co ncentración intrínsec a " . es funció n de la tem perat ura (secció n [-5 ).

-J. I /\
• .4 L-t-tJ
m.
Electrones de valencia

k: \.
+<l
Enlace covaleme

. . .4.
[0 ' de síücío

• • Hueco

] •
: 1.-------4A/-.-- •
• .,
• •
.4 •
•• •
J :~ • ---- •
• •
Ion de impureza mvaleme
. '4 • • •4 • • •4 .

{ ' \ I'\I'\
Figura 1-8. Red de cristal t lHl un álamo de silicio desplazado por un ála mo impurifkador m valen te.

De tuda e llo sacamos [a co nclusión de qlle las impurezas e n un semico nd uctor intrfnsecc no sólo
aumenta la co nd uctividad sino q ue sirve tam bién pura prod ucir un cond uctor en e l que los port ado res de
carga sea n predo m ina ntemente huecos o e lectro nes. En un sem ico nd ucto r de tipo 1/ [os e lectrones se
denom inan portador es ma yoritarios. En un material de lipa p los huecos son los pa rladores mayorita rios
y los elect rones los mino ritarios.

Concentración de porl adores

Hemos ya indicado anteriormen te que para ionizar los átomos de impurezas se requi ere muy 'poca
energía. La temperatura a la que normalmen te trabajan Jos dispositivos electrónicos' (> 200 ~ K ) propor-
ciona energía té rm ica sufic iente para ionizar virtualmente tod as las impurez as. Este hech o. j unio co n la
ley de acc ió n de ma sas nos perm ite determinar la den sidad de carga en un se mico nductor.
54 MlcrtnlrClrdnlca modrma

Sea ND la concentración de 4tomos donadores y N A la de átomos aceptadores. Puesto que todas esta:
impurezas están précticamenre ionizadas producirán una densidad de iones positivos y de iones negalivo:
NDYNA respectivamente. Para mantener el cristal eléctricameme neutro la densidad de cargas positivas
debe ser igual a la concentración de cargas negativas como se indica en la Ec. (1-25)
No +p = NA + 11 ( 1-25)

Consideremos un material de tipo 11 en el que NA sea igual a cero. Como el número de electrones e:
mucho mayor que el de huecos en un semiconductor de tipo n (n» p). la Ec. (1-25) se reduce a
n = N" (1·261
EI/ IIII material de tipon fa concentración deelectrones libreses aproximadamente iguala la densidac
de áromos dalladores.
La concentración p de huecos en el semiconductor de tipo a se obtiene a partir de la Ec. (1-24) o sea:

p ~
ni
- (1 ·27)
No
De igual forma. en un semiconductor tipo p con N II = O tendremos

p = NA (1 ·281
y
n ~­
ni 11 ·291
NA

Una pieza de silicio lipo ll tiene 3 mm de longitud y una sección recta rectangular de 50 x 100micras.
La concentración de donadores a 300 "K es de 5 x 10 14 crrr., que corresponde a un étomo de impureza por
JO" átomos de silicio. Por la piezacircula una corriente de J ~A . Determinar la concentraciónde electrones
y huecos. la conductividad y Ja tensión entre extremos. (Obsérvese que se lrata de una muestra de tipo n
que tiene las mismas dimensiones y corriente que el silicio mttfnseco del Ejemplo 1-2).

Soluci6n ~

De las Ec. ( 1-26) Y( 1-27). Yempleando los valores de n, y ~. dados en la Tabla 1- 1 tendremos:
11 = N/J = 5 X 10 14 cm .,

Como 11 » p. sólo hay que considerar en la Ec. ( 1-22) la concentración de electrones. por Joque la
conductividad seré
u = qllp.,. = 1.60 x 10 1" x 5x 101<1 x 1.5 x 10' = 0. 12 (Hocm) 1
 Sem icondu ctores SS

La tensión ded ucida de 't·J... en donde según la Ec. ( 1-2 1) '1 - l/o, es

= !.. = IL = 10- " (0.3) = 0. 05 V

V"", a L Aa (5xlO - 1)(IO - 2)XO. 12
Compa rando los resu ltados de los Ejemplos 1-2 y 1-3 se ve cla ramente la utilidad de emplear
semiconductores extrínsecos en los dispos itivos electrónico s. Para tener una pequeña co rriente de I ~A
hay que aplicar una tensión de 1.380 V a la muestra intrínseca. mientras que son suficientes 50 mV en la
muestra de tipo 11. La reducción de la tensión en 28.000 veces iguala exac tamente la reducció n de la
resist ividad (de 2.30 x lO' a 1/0 = 8.33 U: cm). El enorme aumento del -número de electrones libres (de
1,45 x 10 ma 5 x I O '~ cm-') tiene lugar cuando sólo un átomo de silicio de entre 100 millones es sustituido
por un átomo de impureza.
Cabe añadi r donadores a un cristal de tipo p. o inversamente añad ir aceptadores a un material de lipa
1/. Si se igualan las concentracio nes de donadores y aceptado res en el semiconductor, éste permanece
intrínseco. Los huecos de los aceptadores se com binan con los electrones de co nducción del donador para
=
no dar ningún portador libre adicional. Por tanto. en la Ec. (1-25) siendo No N" obse rvamos que p ti , =
ti?
Yen la Ec. ( 1-24 ) que ,,! = o " ='',= co ncentración intrínseca.
Amplia ndo los conceptos anteriores cabe indicar que s i la concentración de átomos donadores añad idos
a un semiconductor de tipo p supera la concentració n de aceptadores (No >N" ) el material pasa de ser de l
tiPO!J al tipo 11. Inversamente. la adición de un número suficiente de ace ptadores a una muestra de tipo "
la convie rte en un semiconductor del tipo p. Esto es precisamente Jo que se hace en la fabricación de
transistores integrados. Para determ inar la concentrac ión de portadores en estas ci rcunstancias No se
reemplaza por No-N" en las Ec. ( 1·26) Y( 1·27) cuando el materi altipop se pasa a semiconductor de l tipo
11. Análogamente cuando un semiconductor de lipa 11 se convierte en tipop. N" de la Ec. (1-28) Y( 1·29)
se sustituye por N,, -N/l'

Generación y recombinación de cargas

En un semico nduc tor intrínseco el número de huecos es igual al número de electrones libres. La
agitació n térmica genera g nuevos pares electrón-huecos por un idad de volumen y segundo. mientras
desaparecen otros pares como consecuencia de la recom binaci ón: dicho de otra form a. los elect rones libres
caen en los enlaces covalemes vacíos con la pérdida de un par de portadores móviles. Como promedio,
un hueco (o un electrón) existe dur ante t . (o t,.) segundos antes de recombinarse . A este tiemp o se le
denomina "ida media de l hueco (o del electrón). Estos parámetros son muy impo rtantes en los sistemas
semiconductores porque indican el tiem po requerido para que las co ncentracio nes de electrones y de
huecos motivadas por el cambio vuelvan a sus conce ntracio nes de equilibrio.

1-5. VARIACIONES EN LAS PROPIEDADES DEL SILI CIO

La con ductividad de un semiconductor dada en la Be. (1-22) depende de la concentración de huecos
y de electrones y de la movilidad. Ya que los sistemas semiconductores están sometidos a muy diversas
temperatura s de trabajo. las variaciones en los parámetros debidas a ello tienen su impo rtancia .

Concentración intrínseca
En un sem ico nductor intrínseco la densi dad de pares hueco-electr ón aumenta con la temperatura.
"i
Teóricamente la concentración intrínseca varía co n T según
56 Microelectró"icQ moderna

(1 .)0)

donde EGO es la energía nec esaria para romper un en lace co valente a O"K en electr ón-vol t. k es la consta nte
de Bollz man n en e lectro-vol¡ por grado Kelvin y A..es una co nstante inde pendiente de T.
En los sem iconduc tores ex trínsec os e l aum e nto de 11/ co n la tem per atu ra a fecta también a la den sidad
de c argas . Po r ejemplo . consi deremos una mu estra de tipo 11 con una concentrac ión de don ad ore s Np
so metida a un aumen to de temper atura de sde 300 a 400 "K. La densidad de elect rone s " a 400 °K no debe
va riar aprecia blemente de su valor a 300 "K porq ue las impurezas donado ras ioni zadas proporc ionan la
cas i tot alidad de port ado res. No obsta nte. la ley de acc ió n de ma sa s indica que la conce ntració n de huecos
p crece. Análoga mente. en se micond uc to res de tipo p. 11 crece moderadament e co n la tempe ratura y p c:
NA se mantiene co nstante.

Movilidad
Dentro de l margen de tem peraturas entre 100 y 400 "K la movilid ad de e lec tron es y huecos varia
proporcion a lmente a T:", Para el silicio m = 2,5 pa ra los e lectrones y 2,7 para los huecos. La mov ilidad J.1
decrece co n la temperatura porqu e hay más portadores y és tos son más activos a temperaturas altas. Cada
uno de estos factore s favo rece e l nú mero de co lisio nes y Il de crec e.
La mo vilidad e s también función de la intensidad de l ca mpo e léctrico y del nive l de dopado. En un
s ilicio de tipo 11. Il es co nstante a una tem per atu ra dada só lo si íf < 10\ V/c m. Con í' > 1Q'l V/c m. J.1 e s
inversame nte pro porciona l a '1 y la ve loc idad se ace rca a los 10 ' cm/s (la velocidad de saturació n). E~tre
10 \ y io- V/c m Il varía aprox imadam ente co mo '1 112•
H

Conductividad
La co nd uctividad de un sem ico nd uctor intrínseco crece al au men tar la te mperatura po rque e l aumento
de pare s hueco-e lectrón es mo:yor que el descenso de su mov ilid ad. En un semico nd uctor extrínseco y
de ntro de l campo e ntre los 100 y 600 "K el n úmero de port ado res mayo ritarios e s cas i cons tante. pe ro la
menor mo vilidad hace q ue la conductivi dad decrezca con la temperatu ra.

1·6. DIFUSIÓN
Ade má s de por una co rriente de co nd ucción, e l tran spon e de ca rgas en un se mico nd uctor puede
rea lizarse por un mecanismo den o minado difusión, lo q ue normalment e no sucede en los met ales. A
contin uació n ve remos los rasgos pri nci pa les de la d ifusió n.
Es posible q ue la concentració n de partfcula s e n un se m iconductor no se a uniforme. Ta l co mo se indic a
en la Fig. 1·9 1a co nce ntración de huecos p varía con la d istan cia .r en e l se m ico nduc tory ex iste un grad ie nte
de co nce ntración dpldx en la de nsidad de portadore s. La ex iste nc ia de ese gradiente imp lica que si se traza
una superficie imagi na ria (ind icada co n trazos en la figura) la den sid ad de huecos en un lad o de tal
superfic ie es mayor que la del o tro lado. Los huecos tie nen un mo vim ient o aleatorio moti vado por la
ene rgía t érmica. De acu erdo co n es to los huecos se moverán continua me nte ade lante y atrás a través de
e sa superficie y cabe espe rar que en un cien o intervalo de tiempo. mayor núme ro de e llos cruce n la
superfic ie desde e l lado de mayo r de nsidad a l de menor que no en se ntido contrario. Es te tran sport e de
huecos co nstituye una corrier ue en e l sentido pos itivo de .r. Obsérvese q ue este tran sp one de c argas no es
 Semiconductores 57

ll-'---, ",
I~ " I l ~lII

;~:;~i.::.' :· , '. : Dc'I, id...1tI.-

~: ;~:~;~;:::

figura 1-9. Represemacién de una densidad no uniforme de huecos y la densidad de comerse de dirusión resultante.

el resultado de la repulsión mutua e ntre ca rgas de l mismo signo s ino que es simplemente el resultado de
un fenóme no estadís tico. Esta difu sión es exa ctamente análoga a la que existe en un gas neutro si hay un
gradie nte de concen tración en el mismo' . La densida d de co rriente de difusión de huecos JI' es proporciona l
al gradiente de concentración. y viene dada por
dp
Jh
.-
= - qD -
P ds
A/m l (1-]1)

en donde O (metros cuadrados por segundo) se denomina COI w a llff de Jifllsió" de los hueros. Puesto que
p de la Fig~ 1-9 decrece al aumentar .r, dpldx es negati vo y se preci sa'el signo menos en la Ec. ( 1-31) de
forma que J será positivo en la dire cción positiva de.r. Ex iste otra ecuación similar para la densidad de
P
corriente de difusión de electro nes. (p es reemplazada por 11 y el signo «menos» po r el «más» en la Ec.
(1-3 I) J,

Relación de Einstein
Puesto que tanto la difusión como la movilidad so n fenómeno s estadísticos tennodinámicos D y 11 no
son independientes. La relación entre ellos viene dada por la ecuación de Einstei n
o,
- = -
O" = VT (1-32)
jJ.p jJ."

en donde VT es la «tensión equ ivale nte de temper atu ra» defin ida por

v, ~ fT = _ T_ V (1 -331
q 11 .600
siendo rla constante de Bolt zmann en julio s por grado Kelv¡n. Obsérvese la dife rencia e ntre y k. la r
última es !!! constan te de Boltzma nn en electro-volt por grado Kelvin. (En el apénd ice A- I se dan los
valores de k Y k. De la Seco 1-3 se deduce que k = 1.60 X 10-1" k. A temperatura amb iente (300 "K). Vr =
O.0259V y ~ = 38.60 ,
(En la tabla 1-1 se dan los valo res med idos de J.I y los ca lculados de O par a el silicio.)

Cor riente total

Puede exis tir sim ultáneamente dentro de un semiconductor un gradiente de tensión y un gradie nte de

(, El t:l mi """, pmcew parel cual el arornl de UIII Ilof puede ell..,nderse 1 100, 1. habil": ión.
58 Microetectrontca moderna

concentrac ión, En lal caso la co rriente tota l de huecos es ig ual a la suma de la corrien te de de sp lazamient o.
[Ec. ( 1· 16) co n la 11 reemplazada por 1'1y la co mente de d ifusió n (Ec. 1-31 ) o sea

ell' A/m ~
"DI' -, ( 1· 34 )
(X

Análogam e nte. la co rriente de elect rones es

d" (1-35)
" D" -,t.\'

\ ·7. SEMICONDUCTORES GRADUADOS

El semicond uctor rep resentado e n la Fig. l -I üc tien e una co nce ntrac ión de huecos q ue es funció n de
.r, es dec ir q ue el dop ado es g rad ua l (no uniforme ). La den sidad de electrones deb e va riar algo co n .r a
co nsec uencia de la ley de acción de masas. S upo nga mos qu e ex iste un equ ilibrio t érmic o y q ue lIO se
inyectan portadores desde ninguna fue nte externa (excitación nula). En es tas co nd iciones no puede ha ber
un mo vimient o es table de cargas y sí só lo e l movi m iento a leatorio de bido a la ag itac ión t érmica. Por tanto
la co rriente total de huecos de be ser cero y tamb ié n lo se rá la co rriente 101;11de electrones. Como p no es
constante ca be e sperar una co rrie nte de d ifusión de huecos no nula. Para que desaparezca la corrien te total
de huecos deberá exist ir una corrie nte de de spla zami ento de huecos q ue sea igual y co ntraria a la de
difusión. Pue sto que una corriente de co nd ucción req uiere un c ampo eléctrico llegamos II la co ncl us ión
de que un dopad o no uniforme gene ra un ca mpo eléc trico en e l interior del sem icond uctor. Hallarem os
aho ra ese ca mpo y la variac ión de ten sión co rres pond iente a lo largo de la pie za.
Hacien do }r = 0 en la Ec. ( 1-34) Y hac iend o uso de la ec uac ión de Einste in D,. = )1r V T (Ec . I·3 2)
ten d re mos

V/m ( (· 36)

Si la concennuclón de do pado pel') es co noc ida, pued e calcularse e l campo '/ (x ) y de 'l = - ef\lldx
podemos ca lcular e l potencial

elV :
_ V, elp (1 -371
"
Unión
l"
,, 1':, Tipop Tipo u

/'
,, , ,/
p,I tP I N,
, , ,
" " V.
I .TI
¡...:

'" lb'
"·i~u ra t · IO. (a) Un semiconductor ~raduadn: /' t l l nn 0:'\ con sta nte. (/'1Unól llniÓfl />II e n la ti"e l' Y'I ("Ia n uniformeme nte dOl'óll!ll'
cnncoucemracionev de imp uraa\ N 1 )' NI, rcvpcctivaruente.
 Semiconductores S9

Integrand o la Ec. ( 1-36) ent re x, donde la ccocenrración esp, y la lensión V, y J."! donde P = p! Y
V = V! tendremos

V~I !5!IV~- v (1 ·)8)

Obsérvese que la diferencia de potencial entre dos puntos depende únicamente de las concentraciones
en ellos y es independiente de su separación .1/ .'·,. La Ec. (1·38) puede expresarse de la fonna

(1 ·)9)

Esta es la relación de Boltzmann de la teoría cinética de los gases.

Ley de acción de masas

Partiendo deJ n = OYprocediendo como antes se llega a la ecuación de Boltzmann para los electrones.

11 ·40)
Multiplicando las Ecs. (1-39) Y ( 1-40) tendremos
(1-41 )
Esta ecuación indica que el producto "1' es una constante independiente de x y por tanto del dopado
. ,,1.
en condiciones de equilibrio t érmico. En un semiconductor mrrfnseco 11 = P = 11 Y np = , que es la
ley de acción de masas introducida en la Ec. (1·24 ).

Unión abrupta en circuito abierto

Consideremos el caso especial de la Fig. 1·IOb. La mitad izquierda de la barra es de tipo peon una
concentración constante NA' mientras que la mitad derecha es de tipo " con una densidad uniforme ND' El
plano señalado con línea de trazos es una uni6n metal ürglca (Pll) que separa las dos porciones de distinta
concentración. Este tipo de dopado en el que la densidad cambia abruptamente de l' a 11 se denomina en
escalón. La unión queda localizada en el plano en el que la concentración es nula. Como se ha descrito
antes.fa teoria señala que entre las dos secciones existe un potencialllamado It'IIsió" de contacta V"' La
Ec. ( 1·38) nos permite calcular V~ con lo que

v (1·42)

= =
ya que 1', PI" = concentraci6n de huecos en equilibrio lénnicoen el lado p y 1'1 p.. = concentración de
electrones en equilibrio t érmic o en el lado 11 .
= =
De la Ec. ( 1·28), P,... NA' Y de la Ec. {l- 23) P_ n/IND de forme que
N",ND
V , In v (1. 4))
n,,
La misma expresión para V. se obtiene del análisis correspondiente visto anteriormente. basado en
igualar la corriente 100al de electrones I a cero (problemal - 18). La unión pn, se estudia ré detal ladamente
en el capítulo 2. · .
60 Microeleclróllica moderna

REF ERENC IAS

Sbccktcy. W.: " Elcctro ns and Holcs in Sc miccod ucto rs", D. Van Nos lra nd, Princeton , NJ , ( reimpresión), 19;
2 Yang. E. S.: "Fundamcutals of Semicond uctor Deviccs." McGri¡W- Hill Hook Com pany, Nucva York , 197R.
3 Sze, S, M.: "P hyslcs of Semicond uctor Dcvices." 2," ed., John Wilcy & Son s, Nueva York, 1979,
4 Adler. R. B.. A. C. Smhh, y R, L. Longin i: "Inrroduction lo Se miconductor Physics.' vol. l. S EEC, John Wile)
& Sons , Nuev a York. 1965 .

TEMAS DE REP ASO

. -1 Defin ir la intens idad de campo eléc trico.
) ·2 Definir la e nergía potencial.
1-3 Defin ir el elec tron-von.
1·-1 Dar la descr ipció n gas -electrónica de un metal.
1·5 Defi nir la movilidad,
.·6 Def inir la cond uctiv idad.
1·1 ¿Por qué un semico nd uctor intrínseco a O"K ac t úa co mo un aislante ?
1-8 ¡,Qué es un hueco'! ¡,Có mo co ntribuye a la conducción?
1·9 (a) ¿Qué es la conce nu acicn intrínscca de hueco s'!
(h) ¡,Cuál es la relaci ón entre la densidad e n el lema 1·9(/ y la conce ntración de electro nes?
1·10 ¡,Cmll es la dife rencia e ntre semiconductores intrínsecos y extrínsecos ?
1·11 Representar en dos dime nsiones un cristal de silicio conte niendo un átomo de impu reza donad ora ,
1·12 Repetir el tema ante rior con un átomo de impureza recept ora.
I · 13 ¡,Qué tipo de semico nd ucto r resulta al dopar s ilicio co n impure za =: (a ) do nador a. y (h ) rece ptora '!
1· 14 Establecer la ley de acción de masas.
1- 15 Un semicond uctor nen e unas co ncentraciones N n y N,. de donadores y rece ptores respe c tivame nte. ¿Qué
rela ción debe em plearse para determinar las co nce ntraciones 11 de electrone s y p de huecos?
1·16 Describir la recombinacl én.
1-17 Def inir la vida media de un pCll~.u l lJ r.
1-18 La resiste ncia de un scrmconduc tor e xtrínseco. ¿aumenta o disminu ye con la tem peratu ra? Explíquese
brevemente.
1-19 Repetir el tema anterior para un semico nd ucto r intrínseco,
1-20 Definir la tensió n equivalente de te mperatu ra.
1· 2 1¡,Qué condiciones debe haber para que e xisla difusión?
1· 22 Definir la co nstante de difus ión para: (a) huecos y (b ) elec trones .
1· 23 ¡.E.~ l¡¡ n relacio nadas la d ifusió n y el dc spluzamiento? ¡,Có mo'!
1·2-1 Escriblr una ecuación para la cornemc neta de elec tro nes e n un semico nd uctor y ex presar cl s ignificado físico
de cada t érmino.
1·25 Definir un semicond uctor grad uado.
1·2 6 ¡,Por qué de be e xistir un r ampo eléctrico cn un semic onducto r g raduado'!
1-27 ¡,De qué parám etros depe nde la diferencia de potenc ial de cont acto e n una unión 1111 e n escalas e n circ uito
ab ierto?
 El diodo de unión

La unión P" es el bloque constructivo básico del que depende el funciona miento de lodo dispositivo
semiconductor. Basándonos en las propiedades de los semiconductores descritos en-el capítulo 1
desarrol laremos el comportamiento de la un i6n pn. Dirigiremos especialmente la atención en (as ca racte-
rísticas volt-amperio y en los modelos de circuitos representand o el funcionamiento de la unión , Puesto
que la un i6n p" es por sí misma un dispositivo de dos elementos (diodo) estudiaremos también su empleo
como elemento de circuito.

2·1. LA UNiÓN EN UN CIRCUITO ABIERTO

Cuando un cri stal de semicon ductor se dopa con aceptadores por un lado y do nadores por el opuesto.
se forma una uniónpn (Fig. 2· 1). En esta figura los iones donadores se representan con el s igno " más» y
los electrones con un pequeño punto negro . Los huecos est én dibujados con peq ueños círculos vacíos y
los iones acep tadores con el signo «menos». Se supone que la unión de la Fig. 2-1 ha alcanzad o el equilibrio
y que el semico nductor tiene una sección recta uniforme.

Iones aceptadores Unión Ionesdonadores

00 0!8
-
• • • , 0 •0 • • •
H""" 000
• • •
0 :0
, 000
• • •
0 Electmnes
0000
o o o o
0:0
, 000
• • • •
0
0000
e. o o o
0 :0
, 0000
• • • •
u-o o 11'.
Tipo 1I Tipo p
~ .1
Región de deplex.ión

Flgur. 1-1. Representación esquemálicade una unión pn

Región de la carga espacial

Inicialmente existe un gradiente de concentraci ón a travé s de la unión lo que hace que los huecos se
difundan hacia la derecha y los electrones hacia la izquie rda . Vemo s pues que los huecos que neutralizaban
62 üicrocíectr ánlco moderna

los rones aceptadores próx imos til a unión en el silicio de tipo » han des aparecido co mo consec uenc ia de
la comb inació n con los electrones difund idos a través de la unión. De igual forma. los electrones e n el
silicio de tipo 11 se han combinado con huecos que han cruzado la unión desde el material p. Los iones no
neutralizados en las proximidades de la unión se conoce n con el nom bre de ("lIIRa.\ descubiertas y se
traduce n en una densidad de carga fi " como puede apreciarse en la Fig. 2-20 . Co mo la regió n de la unión
no contiene cargas móv iles se la dc nomina r l'xión de deptex íán de carga espacial o de transiciáu. El anc ho
de es ta regi ón es del orde n de unas pocas décimas de micra (aproximadamente como la longit ud de onda
de la luz visible). Sólo existen portadores fuera de esta reg ión; hacia la izquierda son predomi nanteme nte
huecos (p "" N ,) Y hacia la derecha. e lectrones (11 "" N"l.
En la secci ón 1-7 se demostró que de una co ncentració n de cargas no uniforme resu lta un campo
eléctrico y la diferenc ia de potenc ial e n la un ión, La distribución de carga. que es cero en la unión. forma
un dipolo eléctrico . es deci r, que es nega tivo e n un lado y pos itivo e n el otro. La forma de la cur va de /1,
en func ión de .e depende de cómo es té graduada la unión (la unión abru pta es estud iada en la Seco 2- 13),

Densidad de carga P,

'"
Lado p Lado n

'"

Pote ncial electrostanco V

,,,
,,
J' = O ,
le )

',,""
,,
,,
,
Ba rrera de energfa pote ncia l de ele ctron es.
,,, ,
,
,
1' -0 -wr h'"
DistanL' ja desd e la unión. .\
,"

Figura 2-2. la I Densidad de carga: (/) ¡ intcnsidnd de campo eléctrico: (e l potencial elect rostático: (ti ) barre ra de potencial para los
ele r troue-, en la rcg tóu de dcplc xiún de una unión {'II.
 El diodo de unión 63

La intensidad delcampoeléctrico y las variaciones de potencial se obtienen de la distribución de cargas

y de la ecuación de Poisson.
<1'. - P. (2- 1)
d:r ~ e

en la que E es la pennitividad [constante uie léctrica del med io). Normalmente E se expresa como E ". E,E.
siendo E , la constante dieléctrica rela tiva y E. es la permitividad en el vacío. Recordando que ~". ·(d Vldx ),
la integración de la Ec. (2-1) da
' pJx')
't (x ) ".
J - IV,.
- - ds'
E.
(2- 2)

Como se represe ma en la Fig. 2·2h,;< es negativa porquee Jcampo vadirigidode derecha (más) a izquierda
.
(menos). Obsérvese que ~ (-W,)". l; (W )". O; es decir, se admite que no existe campo fuera de la región
de carga espacial.
LaFig. 2-2(' representa la variación del potencial electrostáticoen la región de transición,y es la integral
negativa de la funclón a (x) de la Fig. 2-2h. Esta variación constituye una barrera de energía potencial
(Sec. 1- 1) que se opone a la prosecución de la difusión de huecos a través de la barrera. En la Fig. 2-2d se

~
Ccmacrcs
metálicos ,
p
,f------'p'----
" "

"
<.)
"
(bol
Figu ra 2·3. UniÓl1 p11; (a) con polarización dirccla. y (b) con polariución inversa.

ve la forma de la barrerade energía polencial contraria al flujo de electrones que cruzan la unión desde el
lado» . La Fig. 2-U es similar a la 2·2c salvo que está invertida ya que la carga de los electrones es negativa.
Obsérvese la existencia en la zona de transicióndel potencial de contacto Vo visto en la Seco1-7.
En circuito abierto la corriente total de huecos debe ser nula. Si esto no fuera cierto. la densidad de
huecos en un extremo del semiconductor iría creciendo indefinidamente con el tiempo, cosa que
evidentemente es físicamente imposible. Puesto que la concentración de huecos en el lado p es mucho
mayor que en el lado 11, una gran corriente de difusión de huecos tiende a atravesar la unión desde el
material p al 11. Como aparece un campo eléctrico en la unión en sentido tal que una corriente de
desplazamiento tenderá acruzardesdeellado s al p para contrarrestar la corrientede difusión. Lacondición
de que la corriente de huecos resultante sea nula nos permite calcular la altura de la barrera de potencial
V (Ec. ).43) en función de la concentración de donadores y aceptadores. Con las densidades de dopado
hábltuales el valor de Vo es del orden de algunas décimas de volt.
También la corriente total de electrones debe ser nula: por tanto la difusión de electrones desde el tipo
11 al p debe verse contrarrestada por el desplazamiento de electrones desde p a ti .

2·2, LA UNIÓN pn POLARI ZADA

La característica eléctrica esencial de la unión P" es que permite la circulación de portadores en un
64 s ttcroetectrontco moderna

sen tido y la impid e pr ñcticamenre en el otro. Ve remos a con tin uac ión CI)1l10 se lleva a cubo 1:1 acci ón de
I"{'('(iji"l'uc/" I" <1 1 aplicar una tensión e xte rior :11:1 unión.

Unión rn con polart zacl ón directa

Enla Fig. 2-3 c/ se aplica una tensión VIJ a la unión, con el polo po sitivo de la bater ía conectado al iado
p y el negat ivo al iado 1/ . De acuerdo con la Fig. 2-2 suponemos que no hay ninguna caída de tensión a

l ra vé ~ de la pauc de ~c ll1 i t:l lll d uc t or Iueru de l¡. rcgitJll de deptexión ni en los coruuctos metálico s. En
l'1I11\ CCUCIlCl a 1:1tensió n apl icada reducirá la barrera de potencial e n la cumu ía \1 1• es deci r. pert urbánd ose
el equili brio establecido en tre la difu sión y el desplaznmicmo de portadores a tra vés de la unión. L'I
consec uencia de la d ismin ución dcl potencial de la unión ex pe rmi tir qu e pasen huecos desde el ludo 1) ¡L!
1/ , Anñ logum cnt e. ahora pueden difund irse electrones desde el lado 11 al p, El despla zam iento de huccns
hacia la derecha y de electrones hacia la izquierda constit uyen una corr ien te en el mismo sen tido. Ast. Ia
corriente resultante que atra viesa la un ión es la suma de la s corrientes de huecos y de elect rones. Un:1 vez
los electrones (y huecos¡ c ruzan la un ión se convie rten e n port adores minorita rios en la región p (o /1) y
forman una corrie nte rnino ritar¡a inyectada. Esta co rrien te de di fusión puede se r imp ortante si lo es el
numero de portadores d isponibles. La tensión aplicada con la p(llarid'ld indicada en [u Fig. 2-.10, que da
origen a esta corriente. se denomina polari:adón directa y la unión esté polarizada direrunnente ,

Uniéu 1m con pola rización inversa

La po laridad de la ten sión aplicada en la Iig. 2· .1" (o pues ta a la de la Fig. 2-3a) pola riza inversamente
la un ión. El efecto de esiu tensión es incrementar 1:1 barrera po tenc ial e n c¡ VD y e n consec uencia reduci r
el flujo de portad ores mayoritarios (huecos e n cl tipo P y elect rones en el 11). No obstante . los portadores
minoritar ios (electrones e n el lipa P y huecos en el 11 ) ya qlle están por debajo de la altur a de la barrera de
potencial no se ven afectados por este alime nto de la barre ra. Sin em bargo. las condiciones iniciales de
eq uilibrio resultan afectadas y ci rc ula una pequ eña corriente de 1/ .1 JI a trav és de la unión (opuesta alu
polurización dire cta l. Esta corrie nte. represen tada por 1, se den omin a corriente elesaturación inve rsa y es
muy peq ueña ya que ex isten pocos portadore s minoritarios. De cumuo ant ecede se deduc e que 1, es
inde pendiente de la tensión inversa aplicada .
El mecanismo de la conducci ón con polarización inve rsa puede también describi rse de la siguiente
forma: LoI polaridad de \'IJ es tal que hace que tanto los huecos en el tipo l' y los elec trones en el 11 se
apart en tic la unión. En consecuencia la reg i ón de de nsidad de carga ne g.u¡ va se e xtien de nuls a la izquierda
de la unión (Pig . 2-2(1) . Y la región con densidad de ca rga pos itiv a se alarga hacia la derecha. Este proceso
no puede prosegu ir indefinidamente porque un flujo c on tinuo de huecos haci a la izq uic rd a requiere que
éstos sean sumin istrado s a través de 1:1 un i ón desde el silicio tipo 11. C 0 1ll 0 hay sólo unos pocos de tales
portadores. la corrie nte resulta nte es virtualm ente nu la. La pequeña corr ien te de saturación que haya es
debida a los pares elec trón-hueco gene rados rérmic am erne. Los huecos usí formados e n el s ilicio tipo 11
vagan por donde la t111 i6n y son forzado s por el campo elé ctrico a c ruza ría. Puede aplicarse un razonamient o
análogo a los electrone s generad os t érmicumerue e n el material tipo JI,

Con tac tos óh micos

A l comenlar las polarizac iones directa e inver so. supusimos que la tensión externa \' J se aplicaba
directament e a la unión. dando lugar a un aumen to o disminución del potencial e tect rosutrie;, e n la unión.
 El diodo de unión 65

Para ju stificar este supuesto debemos puntualiza r cómo se realizan los contacto s eléctricos al semicon-
ductor desde el circuito exterior de po larizació n. En la Fig. 2-3 se señ alan los contactos metál icos de que
están provistos los materiales l' y 11 homog éneos. con lo que se han añadido dos uniones meral-semico n-
ductor, una en cada extremo del diodo, y debe mos es perar q ue se produzca una tensión de contacto en
estas uniones adicionales. Sin emba rgo deberem os supo ner que tales uniones representadas en la Fig. 2-3
se han fabricad o de forma que no sean rectifi cadoras. Dicho con otras palabras: el potencial de contacto
en estas un iones es constante independientemente del sentido y magnitud de la co rriente. A un contacto
de este tipo se le deno mina COI/ lacto óhmico . Considerando que la diferencia de tensión a través de la
unión metal-semiconductor se mantiene constante y qu e la caída de ten sión en el cristal es despreciable,
aproximadamcnte toda la tensión aplicada aparecerá como un cambio de la altu ra de la barrera de potencial
de la unión 1"' .

La unión pn en cortocircuito y en circuito abierlo

I
Si la tensión VI>de la Fig. 2-3 fuera cero, la unión plI es taría en cortoc ircuito. En estas condiciones no
habría ninguna cor riente (/ = O) Yel potencial electrostático VIJ pcrmanecerfa sin variación e igual al valor
en circuito abierto. Si circulara alguna corriente (/ "#:. O)el metal se calentarla. Al no haber ninguna fuente
exterior de energía, la necesaria para calentar los conducto res metálicos debería suministrarla la barra pn,
y por tanto ésta debería enfriarse. Naturalmente, en condiciones de equilibrio t érm ico. el ca lentamiento
del metal y el enfriamie nto simultáneo de la barra es imposible por lo que llegamos a 1,1 conclusió n de que
1 = O. La suma de tensiones a lo largo de un ci rcui to cerrado debe ser cero y por tanto el potencial V" de
la unión deb e estar compensado exactamente por el potencial de contacto metal-semico nductor de l
contacto óhmico.

Grandes lensiones directas

Considere mos la situación cuando V" de la Fig. 2-30 aumcmc hasta aproximarse a Vil' Cuando Vfj = VI'
desaparece la barrera y la corriente tenderla a crecer arbit rariame nte. De hecho la barrera no puede nunca
quedar redu cida u cero pues la resistencia del cue rpo del cristal y la de los contactos óhmicos limitan la
corriente. En estas condiciones no se puede supone r que toda la tensión VIJ se manifieste ¡l través de la
unión. En resumen, si \'" se hace comparable a Vo la corriente en una unión on real viene gobernada por
la resistencia de lus contactos óhmic os y por lu del cuerpo del sem iconductor.

2-3. CARACTERíSTI CA TENSIÓN-INTENSmAD

La naturaleza aproximadamente un ilateral de la unión lm fue desarrollada en la Seco2·2. Ahora vamos
a describi r cuantitat ivame nte la caracteristica vott-ampcrio que relaciona la tensión aplicada a la unión
con la co rriente que produce. Una particularidad significativa de esta característica es que relaciona [o que
ocurre en la vecindad de la unión con las cantidades en los terminales ex teriores accesibles. La unión P"
junto con sus contactos óhmicos. es deci r, sus termin ales. forman un dispositivo de dos elementos
denomin ado diada di' unión,
El análisis teórico de la unión pn (v éanse las Ref. I a 4 al final del ca pítulo) nos conduce a la relació n
dada en la Ec. (2-3 ) representada en la Fig. 2-4.

A (2-31
66 Microelectrónico moderna

El sentido positivo de 11) es dell adop al 11 (en el se miconductor) siendo VD positivo e n una pol arización
direct a. Uno de los factores de los que depende 11 en la Ec. (2·3) es la cla se de sem ico nductor em pleado.
Para el silicio r¡ es aproximadame nte igu al a 2 con corrientes normales. La te nsión equivalente de
v,
tem peratura viene dada e n la Be. ( 1 ~33 ) rep rodu cida por comodidad en la Ec. (2-4).

T
V¡ ""' 11,600
v 12-4)

A tem peratura a mbiente (T = 293 ~'K ) . v, = 25 mV.

1f}. mA

0.2 0.4 0.6 0.8

, ,A

,.,
'"
Fi/.lura 2·4. (ti ) Cencre rtsuca de 1111 diodo tic unión, y (b) la característica rcusión-corricnre mostrando el orden de magnitud de la
corriente y la tensién de ruptura.

La corriente 15 de saturación inversa depend e de la conce ntración de huecos y elec trones en la zona de
la unión. Así 15 sirve como «factor de escala» de las comentes de la unión ; para densidades especificadas
de port adores un aument o del área se traduce en un aume nto de la capaci dad de com e nte de la unión .

La Ec. (2-3) indica que con polarización di rec ta y VD varias veces mayor que V¡ , lo que hace que el
ex ponente sea mucho ma yor que 1, In varía exponenci almen te co n la te nsión aplicada . En es te caso. la
Ec. (2-3 ) puede aprox ima rse en

A (2-5)

El resultado era de es perar ya que un desce nso en la barrer a de potencial perm ite que los porta dores
se difundan más a través de la unión. Análoga me nte. cuando V I I es var ias veces Vr , //l es negativa de valor
I para polariza ció n inversa. Ta nto el signo negativo se ñalando una com e nte de " a p co mo el valor
~onstante de corriente para polarización inve rsa son cong ruentes co n lo visto en la Seco2·2.
Co mo sea que las corrientes directa e inve rsa difi ere n e ntre sí e n varios órde nes de magnitud se e mplean
do s esca las distintas de intensidad para represent ar las caracterís ticas de la unión como e n la Fig. 2-4h.
La porción a trazos de la ca racterística de polariza ción inversa indica que a un a tensión - Vz la unión ac usa
una desviación brusca de la Ec. (2-3 ). A esta tensión puede exis tir una corriente inver sa fuert e y la unión
es tá en la región de rupturn , fe nómeno que se estudiará en la Seco 2- 11.
En la Fig. 2 ~5 es tá re presentada la carac te rística directa del IN4l 53, que es un diodo de silicio de
conmutación rápida. En ella puede verse que existe una tensión de codo, de partida o umbral Vy por debajo
de la cual la corriente es muy pequeña (menos de 1 % de su valor nomin al). En esta figura Vy es de
aprox imadame nte 0,6 V por encima de los c uales la corrie nte au me nta' ráp idam ent e. La característica del
diodo indic a que por debajo de la te nsión umbral la corriente es desp reciab le.
 El diodo de unl6n 67

l OO

80

60

20

o /
0.2 0.4 0.6 0.8 1,0

FIgura 2;-S. Caracte rística direc ta tensión -com ente de un diodo de silic io IN 4 153 a 25 o C.

El parámetro r¡ puede dedu cirse de la naturaleza ex ponencial de la característica volt-ampe ric. De la

Ec. (2-5) tendremos

log Iv ;; lag l s + (2·61

1000
500

"lO
50.0

10.o
s.oo
/
10 o
OSo

0.1o
I
0.0 S
/
0.0 I o 0.2 0.4 0.6 0 .8 1.0 l.2 VI) . v

Figura 1·6. Característica logarítmica de un diodo de: silicio IN41 53 a 25 o C.

La representació n de log lo en función de Vti nos da una línea recia de pendiente O.434/rl Vr de donde
se deduce n . En la práctica esta relación lineal se observa con niveles de co rriente bajos. En la característica
logarítmica del IN 4 153 a T = 25 9C de la Fig. 2-6 se cumple la relación lineal cuando ID< 25 mA. De la
pendiente, r¡ es aproximadamente igual a 2. A niveles de corriente mayores la pendiente disminuye ya
que la tensión total aplicad a no aparece Integra a través de la unión sino que co mprende también la caída
óhmica en los contactos y en la masa del semiconductor. Además se ha determinado que con corrientes
altas r¡ se aprox ima a la unidad. siendo
68 Microelectroutca moderna

Ejemplo 2-1

Derermlnar e l c ambio de la ten sión del diodo co rrespond ie nte a un c ambio de 10 a 1 de I IJ' a 300 ~K .

Solución

De la Ee. 2-5 tendremos

y
o sea

de donde
llJ' 0.4J4( V/l ~ - 11»
log - - y 2.3031j V r la g - -
1m I/JI

A T =: 300 ' K. VI =: 26 mV de III Ec. 2-4 y co n I,,/lm=: 10. VIl_O- \ ! I>I =: 60 11 mv . Por tanto para 11 =: 2 la
variación de Vu necesaria para que la corriente varí e de IDa l . es de 120 mV . Si 11 =: 1, la variación nece saria
se rá de 60 mV.

2-4. DEPENDENCIA DE LA CARACTERÍSTICA VII

CON LA TEMPERATURA
La característ ica del diodo de la ecuación (2-3) tiene dos términos, Vr e ' ,que dependen fuerteme nte
de la te mperatura. La Ec. (2-4) ex pres a la relac ión funcional entre v, y la temperatura. El análisis teó rico
de una unió n de silic io ind ica que ' ,cambia un 8 % por grado centígrado. Los diodos rea les só lo llegan a
estos resul tados aproximadamente , debido a que exi sten compone nte s de la corriente de saturación inversa
debidas a fuga s superficiales. Dato s exp erim entales demuestran que 1. varía un 7 %/-'c. y puesto que
=
( 1,07)10 2 se llega a la conclus ión de que la co rr iente de saturació n inve rsa se dupl ica cada 10 "C de
aum ento de temperatura.
Conociendo 1, a la temperatura TI podemos c alcular 1, a cua lq uier otra temperatura T.

A 12-7)

Si la tensión apli cada es constante, un aum ento de te mperatur a causa un increme nto en Is. Sin embargo
se puede reducir la tensión al aume ntar Tmanteniéndose la corr iente a su valor inicial . Se ha de termi nado
que a tem peraturas próx ima s a la amb iente

uv;
- = - 2.2 mVrC (2 -8 )
JT

para co nse rva r cons ta me.r . Ob serv emos que dV,/dT de crece a l aum enta r la tempe ratura.
 El diodo de uni6n 69

2-5. DIODOS DE GERMANIO

En e l comercio se encuentran diodos de uni6n fabricados con germanio que se utilizan en circ uitos.
La base de su funcionam iento es la misma descrita para los diodos de silicio, estando la característica
voH·amperio dada por la Ec. (2-3). Existe n dos d iferencia s: ( 1) 11 = l. Y(2) el valor de /, en un diodo de
gennanio es del orden de tres o cuatro veces mayor que en uno de silicio de igual tamaño y con la misma
densidad de dopado. Otra particularidad distintiva para la característica voh-amperio del germanio es-que
la tensión umbral es V 1 =0,2 V.

2-6. EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO

En es ta sección empezaremos a est udia r las propieda des del circuito de un diodo. Como punto de
partida describiremos las características de un diodo ideal.

El diodo ideal
Un diodo ideal es un dispos itivo de dos elementos que se represent a con el símbolo de la Fig 2-7 Y
tiene la característica volt-ampe rio de dicha figura'.

----+--"0

lo' l b)

figura 2-7. (a ) S'mbolo y (b)Caracterislica lensiÓn·com enle de un diodo ideal.

Observando la curva se ve que la corriente en este dispositivo circula s610en una dirección por lo que
el diodo ideal resulta ser un elemento de circuito unilateral. Esta cualidad tiene interés en la conmutación
ya que de ella se deri va una característica ON-OFF (cerrado -abierto). O bsérvese que cuando VDes cero, '»
pued~ ,tener cualquier valor positivo, y cuando iD es cero , Vil puede tener cualquier valor negati vo .
condicio nes que corresponden a un interrupt or. Esta propiedad del diodo se utiliza ampliamente para la
rectificación y form ación de ondas ya que es la única apropiada para la transmisión y procesado de señales
de la polaridad adec uada ,
La unión pI! descrita en las seccio nes anteriores de este mismo capítulo sólo se apro ximan al ideal.
Comparando las Figs. 2·4a y 2-7 b se ve que el diodo real tiene una peque ña pero no nula corriente inversa
y que ex iste una caída de tensión con la polari zación directa. Adem ás, la característica no lineal de la unión
pn requiere métod os gráficos de aná lis is del tipo de scrit o en lo que resta de esta sección.

I Cuando la variable e. runción del ' ¡"mpo se n:pn:'Cnla ~on lelo m;nú~ula , ~omo Vil e iD' La. mayúscula. 'C emplean para indicar valon:.
ron' lan!el , Esle ~ri lerio se ligue en lodo el rexro.
70 Microelectrónica moderna

Concepto de recta de carga

El ci rcuito repre sentado en la Fig. 2-Sa contiene un diodo pn re al cu ya característica volt-amperio es
la de la Fig. 2· 8h. Aun cuando el símbolo de un diodo físico es e l mismo que para uno idea l. en este texto
los diferenciamos co mo se ve en las Fig. 2-70 y 2-8a.

'"' 'h<

Figura 1·8. (u) Circuito y (b ) caracrerísnca del diodo y recta de carga del circuito .

Según la ley de Kircbhoff para e l circuito de la Fig. 2-80 tendremos:

y despej ando I P'

1 V" A
- V, + A (2-9)
R ' R

Esta última ecuaci ón defin e una líne a recta de nominada recta de carga repre sentada también en la Fig.
2·8b. Obsérvese que la pendient e de es ta recta y sus intersecciones co n los ejes dependen sólo de R
y de VM' La ecuación (2· 9) y la característica del diodo deb en satisface rse simultáneamente: su punto de
interse cción Q es el único que lo cumple. Los va lores de la intensidad en el diodo y la tens ión a través
de éste se represent an I' IQ Y V,lQrespcc¡ivame nte. El subíndice Q se emplea para designa r valo res de reposo
q ue exi ste n en e l Circuito.
• R

Dispo - 11 '.. I'H

snrv c •

Figur a 1-9. Dispositivo alimentado por una fuente a través de una resistencia en serie.

El concepto de recta de carga tiene más ap licaci ó n que la dada para e l diodo. Consideremos un
dispositivo cualq uie ra e n serie co n una res istencia R y una fuente V AA lal como se indica en la Fig. 2-9. De
la ley de Kirchhoff y despejado 1, lc nd rc mos:
. I VA A
1, = - RO.• + R A (2· 10)

1 En elapé ndíce e ngU/ll un resumen de la teoría de circuitos emp kada en ene libro par. el análisis de circ uitOI electrónicos.
 E l dio do de uni6n 71

Esta es la ecuac ión de la recta de carga: su intersecc ión co n la caracrerfsríca volt-ampe rio del dispositivo
contenido en el recuadro determina los valores de trabajo de la corrien te y tensiones en el circuito.
Obsérveseque la rectade carga pasa por los puntos i, = O. 1', = VM e i, = VM I R. '', = O, independientemente
de la caractertsüca de / dispositivo, siendo su pendie nte igual a - IIR .

R,

'"
Figura 1-10 . Cambio del punto de trabajo : (o ) cuando varia V A A Y (b) cuando varia R.
lb)

Es instructivo estudiar los cambios que se prod ucen en el punto de operación del circuito de la Fig.
2-80 al variar VM Y R. Estos camb ios quedan representados en la Fig. 2-lOa en el caso de ser R constante
y VAA variable. En caso de que varíe R y se mantenga constante VAA la representación será la Fig. 2-lOh.
En esta última figura se observa que si V"" crece (o decrece) lo también crece (o decrece). Obsérvese que
con pequeños cambios en VAA la porció n de característica del diodo ent re puntos Q adyacentes es
aproximada mente lineal. Sin embargo. para grandes variaciones de VM ' como sería desde VM / a V>lM la
porción de curva del diodo no es lineal. En la Fig. 2-lOb es evide nte que si crece R, disminuye IDQ'

2·7. MODELOS DE GRAN SE ÑAL

Es conve niente representar el diodo por una combinación de elementos de circuito lineales e ideales
formando un circuito equivalente o modelo. Mientras el diod o se utilice j unto con otros elementos o
dispositivos. el modelo nos permitiré calcular las corrie ntes y tensiones en la red valiéndonos de los
métodos ordinarios de análisis de circuitos.
El diodo ideal (Fig. 2-7) es un dispos itivo binario en el sentido de que exi ste en sólo uno de dos posibles
estados: es decir, que en un mome nto dado el diodo es tará ON u Off. Cons ideremos un diodo real cuya
característica sea la de la Fig. 2- 11. Si la tensión ap licada a ese diodo supera la tensión umbral Vycon el
ánodo A (lado p) más positivo que el cátodo K (lado n) el d iodo tiene polarización directa y está en ON.
Estará en Off si la tensión aplicada es meno r que Vy, polarizando el diodo en sentido inverso.
Como se observa en la Fig. 2- 110 los dos segmentos lineales se aproximan a la característica directa
del diodo. Esta representación la forma una fuente de tensión Vy en serie con una resistencia R
(normalme nte entre 5 y 50 Q para los diodos de silicio) como en la Fig. 2- 11 h. Esta característica lineal
es válida porque con VD <Vy la corriente directa es tan pequeña que se puede despreciar. Además. la caída
de tensión en el diodo es pequeña frente a la tensión aplicada al circui to. de forma que la diferencia entre
la característica lineal y la real supone un erro r despreciab le. Efect ivamente, el estado en conducción DN
puede considerarse como un diodo ideal en serie con una batería Vy y una resistencia R, . Hay que tener
en cuenta que los únicos terminales accesibles para las medici ones son los A y K.
72 Microelectrónica moderna

Pendíente » ..!...
R,

'-_.L V"

(a) lb)
¡" ig. 2· 11. (u) Caractertsuca directa linealiaada del diodo; (b) modelo del diodo para polarización directa.

V" A

--- -=-<-- 1, R, R,

Pendiente ~ 1
R,

'd
'"
¡"iaura 2·) 2. (1I) Característica inversa idealizadadel diodo; (b )
'"
modelo del diodu basado en la representación 'Ul terior; ( 1') modelo
para incluir Ins pérdidas superficiales.

En es tado de co rte (c r r ) la ca racterística se aprox ima a una recta que pasa por e l ori gen como se
repr esenta en la Fig. 2- 12(1. sie ndo la pendie nte igual a I /R,. Esta representación da pie al c ircuito
eq uiva lente de la Fig . 2- 12b.
Como la re sis ten cia e es en ge ne ral de va rios centenares de ohmios y aú n más. muc has vece s se pued e
supone r q ue es infinita y co ns ide rar a l di odo con polar ización inver sa co mo un ci rcuito abierto. Cuando
se requi ere más pre cisión se puede e mplea r e l circuito de la Fig. 2-12(". La fue nte de co rr iente /, se e mplea
par a ind icar la co rriente de saturación inve rsa c ons ta nte. La re siste ncia R, de la Fig. 2- 12(' pued e tamb ién
tener en cue nta el aumento de la corrie nte inversa al acrecenta rse la ten sión inve rsa debid o a las pérd idas
supe rficiales.

Aná lisis de circuitos de diodos utilizando el modelo de gran señal

Un método ge nera l para e l anál isis de circuitos q ue co ntengan va rios di odos. re sistencias y fuente s
co nsis te en atribuir (supone r) el es tado de c ada diod o.' Pa ra e l e stado e n co nducción ON . se ree mp laza el
diod o por e l ci rcu ito de la Fig. 2- l l h. empleándose el de la Fig . 2- 12h para los diodos e n co rte Off. Una
vez sustituidos los diod os por sus ci rcuitos eq uiva lente s toda la red es linea l y tant o las tensione s co mo
las intensidades pueden ca lcularse co n las le yes de Kirchhoff. La supos ición de que un di odo est á en
co nd ucció n se co mprue ba si la co rriente en é l e s e n sentido d irec to . S i la co rriente va de ánodo a cá todo
la primera supos ic ión era acert ada . S i III co rriente va e n se ntido inver so (de cátodo a áno do ) e l supuesto
de que es tá en cond ucc ión es falso y deb e ree mpre nderse e l an álisis suponiendo e l d iodo e n corte OFF.
De fonn a aná loga. comproba mos s i e l d iodo es tá en corte hallando la tens ión a tra vés de é l. S i esta
ten si ón es e n sentido inver so o es en sentido di rect o pe ro me nor que Vy e l d iodo es tá en osr. S i esta ten sión

J No hay que p",,,",up'= por e11l. ; lenien"" U[1<riencia n l"Ssuposieio n...... n n cor=lu. pero 5; no lo son ya lo ;nd ica.~ el ,n. ji.; "
 El díode de unl6n 73

es en sentido directo y mayor que Vyel supuesto es incorrecto )' debe suponerse en conducció n al reanudar
el llnálisis.
En el siguiente ejemplo, así como en el texto. emplearemo s el método de análisis que antecede .

Ejemplo 2-2
Determinar la ten sión de salida v en el circ uito de la Fig. 2· 13a con las tensiones de entrada siguientes:
(a ) v, = \', = 5 V; (b) v, = 5 V. v, = Ó. y (e)
\ '1 = \', = O. Se usa un diodo de silicio que tiene R, =30 a. Vy =
O.6V, /,=O yR,-+oo. .

So/ucí6n
Observemos Que no están señalad as las re feren cias (tierra ) en la Fig. 2- 13a. Todas las ten si ones
Indicadas están medidas respecto a la referencia con ca rdas de ten si ón considerada s positivas. El ci rcuito
de la Fig. 2· 13a está reproducido en la Fig. 2-13b en la que se ha incluido el punto de referencia.
D'

na o
4.7 tO
o,
. , V
~70 0
o,

270 0
4.7 en
1 ".

~J
" '. • •
" " 'v
2700
" "'
(DI (b l
Figura 2·13. (a) C ircuito pan el Ejemplo 2·2 ; (b) esq uema alternativo para el circ uito de la pane Q .

,--~o 1'01.,-'.'_ ,

~700
o
"1Il o -'-------j
'

4.1 en
1 ~7 0 O
0.1> v

"f-;o-l
4.7 kO

• , 270 n
' v '-------> s v sv.. J U " 9,---:- -, '-v--,yj
(DI tb)

JO n 0 1> V

- I
JO n OI> V
•

,,'
Figur a 2.14 . C ircuito equ ivalente para el Ejem plo 2-2: {al los dos diodos cortados: (b ) d iodo D I en cene y D2 co nduciendo ; (e)
los dos <liodos en conducción.
74 Microeleclrónica moderna

(a) Con ,. = =l' , 5 V supondre mos que D I y 0 2 es tá n en corte. La sustitució n de los di~os por el
modelo de I~ Fig~ 2-12b siendo R ---J _ nos lleva al circ uito de la Fig. 2- 140. La observ ación de es te
circui to pon e en ev idencia que no ~ ircul a comente alguna. En consec uencia la caída de tensió n a t.ravés
= =
de cu alquier res istencia es nula. y por la ley de Kirchhoff VDI V Dl O < (Vy) confinnando así la primera
suposición. Por tanto la Fig . 2- 12b es válida para esta situación y vemos que l'.. = 5V.
=
(h) Supongam os que D! es té en corte y 02 en conducción con ", 5Vy ,.} = O. Utilizando los modelos
de las Figs. 2- llb y 2- 12b se obtiene el ci rcuito de la Fig. 2- 14b . Apli cando la ley de Kirchhoff al lazo
interior tendremos que
- 5 + 4700/ m + 0.6 + 3D/ m + 270/ 02 = O

Despejando ' m
5 - 0.6

Co mo I D] es positivo (en se ntido directo) la supos ición de que 0 2 está e n conducció n es correct a. En
el lazo exterior no hay corriente. por lo que

v" =5 - 4700/ 02 =5 - 4700 x 0.88 x 10- ' = 0 .864 V

También puede calcularse "Bde
v" = 0.6 + 300/1)2 = 0.6 + 300 x 0.88 x 10- ' = 0.864 V
Al no exis tir corriente en el exterior
VOl = o; - 5 = 0 .864 - 5 = - 4. 136 V
El valo r negativo de VIII confirma nuestra supos ición de que D I está en corte. As í. el ci rcuit o de la Fig.
2·14b representa las co ndicio nes del circuito y el valor calculado de v = 0 .864 V es la tensión de sa lida.
Si en lugar de suponer que D2 está e n conducció n hubi éra mos supuest~ que eslá en corte' /m hubiera s ido
= =
cero. Sin corriente e n ningún diodo "B 5V hacie ndo que V, J1 5V. Com o este valor es mayor que Vy =
O.6 V, nuestra supos ición hub iera sido errónea. De igual forma. si se considera D I e n conducc ión y D2 en
corte. la ley de Kirchhoff ap licada al lazo exterio r nos da ría

- 5 + 4700/ m + 0.6 + 30/ m + 270/ m + 5 = O

El cálculo cond uce a un valor negativo de I/JI y el supues to anterio res falso.
(e) El circuito equ ivalente de la Píg. 2· 14c es aplicable c uando v, = 1'1 = O suponiendo ambos diodos
D, y D z en conducción. Por razones de simetría. en ambo s di odos e xiste la misma corriente l . La ley de
Kirchh off exige suministrar una co rrie nte 21 a estas ram as. Para el lazo inte rior la expresi6n es:

- 5 + 4700 x 21 + 0.6 + 00 + 270)1 = O

de dond e 1 = 0,454 mA.
El valor positivo indica que la suposición es correc ta. y por tanto
v" = 0 .6 + (30 + 270)/ "" 0.6 + 300 x 4.54 x IO ~ " = 0.736 V

Observamos e n el Eje mplo 2-2 que exis te n valores dispa res de v que depende n del estado de los diodos.
B

Cuando ambas e ntrada s so n «altas» (p. ej . 5V ) la sa lida es tam bién alra. La salida es «beja» c uando una
o las dos e ntradas so n también bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan «puertas
AN D~ (Y) y se es tudiarán deta lladamente en el ca pítulo 6.
 El diodo de unión 75

El './1
'"
Figura 2- 15. (a ) Rect ificador de media onda. y ( b ) onda s de co rriente y de tensión.

2-8. APLICACIONES ELEMENTALES DE LOS DIODOS

Muchas clase s de circ uitos aprovechan la partic ularidad ON-OFf de los diodos para modificar notable-
mente la forma de ondas eléct ricas. Ahora expondremos las bases de tales circ uitos, y en suces ivos
capítulos trataremos de algunas aplicaciones específicas.

Rectificadores
Consi deremos el circu ito de la Fig. 2- 1511 en el que la combinación de un diodo idea l y una resistencia
de carga en serie se alime nta con una tensión senoidal. Duran te el primer sem i-ciclo de la onda de entrada
el diodo está en cond ucción (ON) ex istie ndo una corriente I'/R e Durante el semi -ciclo negativo de '\', el
diodo está en corte (OFF) de forma que la corriente es nula (Fig. 2- 15). Como sólo circula corrien te dur ante
medio ciclo a este circuito (Fig . 2- 15a ) se le deno mina rectificador de media onda. Es sign ificativo que
el valor med io (componente continua) de la corri ente a lo largo de un per iodo no es cero mientras que el
valor medio de la tensión en el mismo periodo sí lo es . Este hecho constituye [a base de los circ uitos
rectificado res empleados para convertir la co rriente alterna. normalmente disponible, en corriente co ntinua
necesaria a la mayor parte de los sistemas electrónicos.
El circuito de la Fig. 2- l 6a emplea el condensador e a manera de filtro para conve rtir la onda de la
Fig. 2- 15h en la casi constante (c.c.) de la Fig. 2- 16h. A co ntinuac ión describirem os cualitativamente el
'1
efecto del co ndensador en la respuesta del circuito. En el instante ' = la tensión a través del condensador
es VI y en ese momento la tensión de en trada es igual a VI actuando sobre el diodo.

•
\ Entrada

~ I - ·""

,b)

Figura 2-16. (a)

'"'
Rectificador con condensador de filtro; (o) tensión de salida de l circuito de la parte o,
76 Microetectronica mo derna

Des pués de I la tensión del co ndensad or, es deci r, la ten sión de salida 1'" s igue a la tensión de e ntrada
hasta 1, c uando \:, llega a VIII . Después de / ! la tensión de e ntrada dismi nuye a mayorrilffio, que la descarga
e
de l co nde nsadorcon ñndose el diodo. Esto hace que la desca rga de sea a trav és de Re Si la constante de
tiempo R e es mucho mayor que el periodo T de la onda de e ntrada . la des carga será lenta. con lo que
entre t, y ~ " 1' , baja muy poco, repitiéndose a partir de aquí el proceso. En los circ uitos de rectiñcadores -
filtro (Sec. 17· 4) las variaciones (rizado) de la onda de salida so n not ablement e me nores de lo que aparec e
en la Fig. 2-16h res ultando 1'" virtualme nte co nstan te.
u.. I

", ,
"
• '1
•
" '""::> R,

Co) lb)

Fig ura 2·1 7. lu) Circ uito equivalcme recnrt caocr : (h l onda de come nte mostrando los ángulos de ence nd ido y de ext inc ión.

Empleando un diod o real e n la Fig. 2·15a se llega al circu ito eq uiva lente de la Fig. 2·17a, válido para
polarizac ión di recta. La ce-riente i se ded uce por la ley de Kirchhoff:

. v, -Vy V", sin wl - V y

1= = A (2- 11)
R,
que es mayor que cero sólo cua ndo 1', >Vy. Así , la onda de comente represenlada en la Fig. 2~ 17b no se
inicia cuando rol = O. sino que hay un ángu lo um bral o de ignició n 0, dado por

f/J = sen - l
v'
-
, V,,, (2 -12)

Análog amente exi ste un áng ulo de extinción al final del semi-ciclo posit ivo, c uyo valor es 1t - (/1,
Este circuito puede emp learse como cargador de balerí as (e n ca lculadoras) sustituyendo R t de la Fig.
2~ ISa por VBB , tensi ón de la balería, en serie con una resis tencia limit adora de corriente R ' En ese caso,
s
el ángulo de cebado viene dado por la Ec. (2- 12) cambiando Vy por Vy + VRB•

Circuitos cortadores y fijadores

Los circuitos cortado res se usan para se lecc ionar para su transmi sión aquella parte de la onda que es t é
por encim a o por debajo de un nivel de refere ncia , Bajo este punto de vista el rectifi cador de la Fig. 2· 15a
es un circuito cortador ya que sólo se transmiten a la sa lida las ten sion es de entrada superiores a Voy. Muy
frecuentem ent e los diodos e mpleados se polarizan con una ten sión de referencia que de termina la parte
de se ñal que ha de transmitirse.
El circuito de la Fig. 2· ISa es un s imple circuito cortador. Suponiendo que el diodo sea idea l, vemos
que "~se iguala a VR cuando el diodo D est é en conducció n y 1'" = ", cuan do está en corte. La transición
de OFF a ON tiene lugar cuando la tensión de ent rada alcanza el valor de referencia VR como puede verse
en la onda de la Fig. 2- 18b.
 El diodo de uni6n 77

"

• • --f----\~__o"+-7\_-- w,
.
D

", • ".
'
. )

Figura 1·18. (a) Circ uito recortade r de diodo, y (h) su onda de salida.
(b)

El circuito equivalente de la Pig. 2-19 caracteriza al cortador de la Fig. 2· l 8a cuando se emplea un

diodo real (no ideal). En la Fig. 2- l 9b se ve claramente que ", es Vi cuando D está en corte. La corriente;
se deduce
; = :v~ v,
, _-,,"",V2R'--,"--:~ A (2- 13)
R¡ + R

Je donde
R[ R
v., = ;R¡+ Vl' + VR = Rf +R V ¡ + R + R (V R + Vl') v (2-14)
[

Como la polarizaci6n directa requiere que ; > O. en la Ec. (2-13)observamos que el pase de OFF a ON
tiene lugar cuando Vi se iguala a Vy+ VR. Este punto de transici6n supone un cambio abrupto de pendiente
en la gráfica de v~ en funci6n de v¡. llamada característicade transferencia, y representadaen la Fig. 2-20.
La pendiente en esta figura es igual a la unidad mientrasD est éen corte lo que indica que v~ = vI" En estado
de conducción, la pendiente viene dada por el coeficiente de v¡ en la Ec. (2-14). La onda de la Fig. 2·20
muestra c6mo se emplea la característicade transferencia para determinar la tensi ón de salida de una señal
de entrada.
R

• •
~ H,

u~
Ji, - -
U¡ 1) +_ " , ", -,
o_'·~_.
,.) •
'"
.'gura 1·19. Modelos para el circ uito de la Fig. 2· 18a con: (a) polarizaelén di recta. y (h ) polarización inve rsa.

Ob s érvese que la característica de transferencia de la Fig. 2·20 se deduce de la aproximaci ón lineal de

la característica del diodo que supone una transici6n brusca de la polarización inversa a la directa. En la
realidad tal tran sici ón no es abrupta sino gradual. y por tanto tiene lugar no en un punto sino a lo largo de
una pequeña zona de ten si ón que normalmente es de 0.1 o 0.2 V. Esto hace que la onda de salida difiera
algo de la trazada en la Fig. 2-20. Afortunadamente. en muchas aplicaciones v¡es significativamente más
78 Microelectrónica moderna

grande que las pocas décim as de volt de la región de ruptura po r lo que la repr esentación lineal aproximada
es válida.

Ca racterística de transferencia

--'lc--A~ · ~~- " -r--r-r-r s

Pendiente e I

Figu ra 2-20 . Carac rertsuca de transferenci a de circuito recortadcr mostrando la ond a de entrada y la de salida resultante.

Ejemplol.J

Esboza r para el circ uito de la Fig. 2-210 en el que la tensión de entrada es la onda en dientes de sierra
de la Fig. 2- 21b: (a ) la característica de transferencia v en func ión v y (b) la onda de salida v. Los
parámetrosdeldiodo sonR¡ = IOn, Vy= 0,6 Ve /. =0. '" "

Solución

Los circuitos equivalentes co n polarización directa e inversa vienen dados en las Pígs. 2-220 y 2-22b
respectivamente. Con polarización inversa la relació n de salid a es ve = \'s ya que no ex iste corrie nte alguna.
En la Fig. 2-22a la salida puede ex presa rse

v" = VR - Vt - iR¡ =6 - 0.6 - JOi "" 5.4 - JOi V

La corrie nte, hallad a resolviendo la ecuación de Kírchhoff para las tensiones es
6 - 0.6 - v. 5.4 - u.
i "" = A
JO + 1000 101 0

"O '.
• • IOV - - - --

'. •

,,, <',

"'lgura 2· 21. (al C ircuito para el Ejemplo 2-] ; (h) onda de en trada pa ra el Ejemplo 2,3 .
 E l diodo de unió" 79

Ikn f en
•
wn
• ;¡- 0,(, V
" '. " '.
o
• • 6V
6V

fo ) (6)

U". V

"1----------7 _...!...
re

~> 5.351----"''--(
Pendi ente Pe diente E I
Wf
5.35 1--- - - .(

00 ,. re
v entrada "
fe ) {dI

Figura 2-22. Modelos para el Ejemplo 2-3 con polar ización: ( a ) directa. y (h ) inversa; ( e) característica de transferencia del
circuito de la Fig. 2-2 la ; (d) onda de salida para la entrada de la Fig. 2-2 l h.

El pu nto de ruptura se ded uce de la ecuación de la corriente, y es el valor de v, para el que i es cero;
por lanto
v, = VI<' - v, = 6 - 0.6 = 5.4 V

El diodo está en conducción (ON) cuando v, <5,4V y en carie (OFF) cuando 1', > S,4V. Sustituyendo i
en la ecuación de 1'" resulta
Rf R(V R - V,l
v" = R + R v, +
f R¡ + R
IOc, 1000(6 - 0.61 v,
+ = + 5.35 V
10 + 1000 lO + 1000 101

La característica de transferencia está representada en la Fig. 2-22c y en la Fig. 2-22d se ve la onda de

salida deduc ida de la de entrada y de la característica de transferencia.
De la onda de salida pueden deducirse tres particularidades. La primera es que el circuito de la Fig.
2-2 1a es el que se ve en la Fig. 2- 18a pero con el diodo conec tado a la inversa. Como consecuencia tenemos
que el c ircuito de este eje mplo transmite tensiones de entrada por encima de un nivel dado (aproximada-
mente VR - Voy) mientras la porción de la señal de ent rada por encima de VR + Vyqueda corta da en la Fig.
2- 18a. La segunda particularidad es que para R » R¡ como es en este caso, la tensión de salida es
prácticamente constante con VR - Voy = 5,4 V cuando el dio do está en conducción. La diferencia real es
80 ItIkroeltc/r6nica moderna

D,
1---l>I-- V..

".

., lb!
Figur. Z-lJ. (a) CircuilOreccrtador de dos niveles. lb) Circuilo moslrandoel em pleo de diodos limiladores.

del orden de 1% lo que correspon de a la relació n RjR, y por ello muchas veces resulta conveniente
simplifica r el modelo de l diodo atendiend o a su te nsi ón umbral despreciando el efecto de Rr La tercera
observa ción es que la tensión de salida y la característica de transferencia tienen la misma forma. Por
tanto. podemos emp lear esta técn ica en el laboratori o para obtener la característica de transferencia
ap licando una entrada en diente de sierra y Irazando la onda de salida en un osci loscopio!
Combinando las propied ades de los circ uitos cortadores de las Figs. 2- 1So Y2-2 1a se llega al cortador
dedos niveles de la Fig. 2-230 . Si v YR re presentan el equi valente deThévenin en los terminales de salida,
las Figs. 2- 230 Y 2-23b son idénlicas. Para estos circu itos la tensión de salida queda restringida a estar
entre V" y V,} (aproximadameme). El análisis de este ci rcuito forma parte del prob lema 2-26. Puesto que
D1 y D2 de la Fig. 2- 23b evitan que la salida supere V, } o quede por debaj o de V. , se les puede llamar
diodos íim itadores.

2-9. MODELOS DE DIODOS DE PEQUEÑA SEÑAL

Los circuitos descri tos en la sección anteri or utilizan el funcionamiento ON-QfF de los d iodos. En estas
aplicaciones la se ñal aplicada (normalmente variables co n el tiem po) es grande en co mparación con el
nivel de po larizaci ón (la lensión de refere ncia co nstante) y para describir el diodo se utilizan los modelos
de las Figs. 2· 11 y 2-12. Vamos a estudia r ahora la situación creada cuando la amplitud de la señal es
pequeña com parada co n la polarización . Para represe ntar el diodo es conveniente emplear el circ uito
"

u, U
•

• ,(1) - V.sen w'

wl lb)
tigur. Z·2oI. (a ) Circuilode diodo con e",dlación conSlanle y sellOidal; (b ) variacione s en l. recta de afga y en lu ondas de rnlr w
y de Ialida para Iacorrie nle de la parte e .
 Btdtodo de uni6n 81

equivalente de pequeña señal o incremental para permitimos relacionar la componente de la respuesta

debida a la señal aplicad a (exci tación) v,(t). Para desarrollar el modelo de pequeña señal resulta útil el
circuito de la Fig. 2-24a .
En el circuito de la Fig. 2-240, Vm <vM' de forma -que el diodo se mantiene en todo mom ento con
polarización directa. El valor instantáneo de la tensión v(t) aplicada al conjunto diodo-resistencia es:
v{t) = VA A + v..( t) = V.~ A + V", sen wt v (2· 15)

En cada momento podemos trazar una recta de carga (Fig. 2- 24b) en la terma desc rita en la Sec o2-5.
Los valores máximo y mínimo de v{t) son VM + Vm y VM - Vm respectivamente, y para rot = n rt (siend o n
un número entero) v = VM ' Como pued e verse en la fig. 2-24b . la corriente iD está formada por una
componente senoida l superpuesta al valor de referencia I DQ Yviene expresada por
io = IOQ + iJ t) = IOQ + Id senes A (2- 16)
En la Ec. (2-16) iD es el valor instantán eo de la co rriente del diodo e I nn la componente en continua de
iDe id la componente variabJe con el tiempo de iD' cuyo valor de pico viene dado por Id' . La forma de la
corriente expre sada en la Ec. (2-16) es debid a al hech o de q ue la característ ica del diodo Q¡ y Q2 puede
aproxima rse a una línea recta cuya pend iente es igual a la relació n volt-amp en o del diodo en Q. En es ta
zona el diodo se comporta linealmente . Es decir, el valor de rep oso 1DQ (en continua) viene fijado por la
tensi ón de polarización constante VM' Yla componente senoidal ii t) la produce la exc itación v,(t).

Figura 2·25. Circuitoequivalentede pequeña señal de la Pig. 2-24a.

Las componentes de tensión e intensidad varia bles con el tiemp o en el circuito de la Fig. 2-24a se
pueden determ inar analíticamente (en lugar de hacerl o gráfica mente como en la Fig. 2-24b) aplicando la
ley de Kirchh off al circuito equivalente de pequeñ a señal de la Plg. 2-25. Aqu í el diod o se sustituye por
su resistencia incremental rd := l!gd siendo gd la conductancia incremental dada por:

g
d -
= dio
dv o
I
Q
U (2· 17)

Obsérvese que gd es simplemente la pend iente de la característica del diodo calculada en el punto de
trabajo Q y en consecuencia el valor de r d es función de la corrie nte de reposo. Para hacer uso del circuito
de la Fig. 2-25 tenemos que establecer previamente los valores de reposo de tensiones y co rrientes del
diodo.
Para un diodo de unión , empleando la Ec. (2-3 ), la Ec. (2-17) se conv ierte en:
15 E
V
IXI"'1 V r = IOQ + 15
gd = u (2· 18)
r¡V T l1V T
Lo más frecuente es que 1DQ » l. con lo que la Ec. (2- 18) se reduce a

I l1VT
rd = - = -- n (2· 19)
gd IOQ

s El uso d e minúscula s y may~sclllas en las variables y subfndi~s de la Ec. (2· 16) responde a la forma no rmal e n que se represenllln las
compo ne ntes de lensi6n e inlensidad en los circuilos eleclJ6n icos. La du plicid ad de subrndíces, lal como VloA ind ica unalensión de alime nlación ,
 82 Microelectrónica moderna

y podemos observar que la resistencia incremental varía en razón inversa con la corriente. A T = 20 -c,
= =
V 25mV; por tanto, r J 25 TlIIOQ estando IDQ en rniliamp erios y r Je n ohmios . Para un diodo de silicio
r
(1l=2) e I DQ =5 mA,rJ = 100.

Ejemplo 2-4

El circuito de la Fig. 2·24 se utiliza a 20 "C, siendo V"" = 9V , Vn • = 0,2 V Y R, = 2 k n. En el modelo

de gran señal del diodo , Vi' = 0,6V. R, = 10n y 11 = 2. Determin ar: (a) la componente alterna de la tensión
a través de RL y (b) la tensión total a través de ella.

Solución

(a). En primer lugar hay que determinar los niveles de polarización del modelo en co ntinua de la Fig.
2-260. De la ley de Kirchho ff se deduce IOQ

9 - 0 .6
I IJQ = 2000 + 10 := 4. 18 mA

Según la Ec. (2-l9) la resistencia increment al es

2 x 25
= 12.0 ¡¡
4.18

,., '01
FIgu ra 2·26. Modelos en co ntinua (a ) e incremental (h) para el Ejempto 2·4 .

Haciendo uso del modelo de pequeña señal de la Fig. 2-26h obtendremos la componente allem a de la
tensión de salida de la relación del divisor de tensión:
2000
V" .ac == 2000 + 12 x 0.2 sen wt = 0 .199 sen w l V

La ten sión total V,,(/) es la suma de las componentes co nstante y variable. La tensión de reposo a través
de RL es :

o sea
v" (r) == 8.36 + Q.199 sen wf V

Las onda s de la Fig. 2-27son lo que se vería si se aplicase la salida a un osci loscopio. En la Fig. 2-270,
con el mando del selector puesto en continua (de) el osci loscopio traza la curva de va que es la tensión
instantánea de salida: observamos que la componente alterna ape nas si se aprecia. Sin embargo, la Fig.
 El diodo de unión 83

2.27h co n e l se lector en alterna (ac) y la sensibilidad aume ntada. la componente alterna se puede medir.
En efec to. e l modelo de pequeña señal cum ple una función análoga a la de pasar e l se lec tor de continua a
alterna. Eliminando e l nivel de referencia o reposo (e n continua) podemos apreciar el efec to que tiene la
entrada variable con eltiempo sobre la sa lida tam bién va riable co n e l tiempo.

0.1 V/cm

s., 1"~ I Or Sens ibilidad

o
Selec tor
6)
Sens ibilidad
vertica l vert ica l

'"' oh '
fo'igur1l2.27. Gráfk lls d e las ten sione s de salida del Eje mplo 2 -4 vistas e n la pantalladel osc iloscopio: (lI¡eo n el mando de l se lecto r
puesloen 'T, y lh ) co n dich o mand o en m. La line a de trazo s corres po nde a (l V.

'"' '"
" igu ra 2· 2'1. Mode los de diodos de peque ña senlll co n: ((1) polarización direc ta. y (h ) po];tril.al'ión in versa.

Ca pacidad de difusión
Para o btener los resultados de l Ejemplo 24 hemos supuesto q ue la frecue nc ia de la e xcitació n se noid al
era suficie ntemente baja para pode r desp recia r el efe cto de l a lmace namie nlo de ca rgas e n e l diodo. A
frecuenc ias de excitaci ón más elevadas los efecto s de l almacena mien to de cargas se tienen en c uerna por
medio de la capacidad de dif'l.fió" C¡¡ e n e l modelo de peq ueña señal de la flg. 2-28(1. El origen de C(I se
puede describir cualitat ivame nte con e l siguiente razon am iento: En una unión polar izada e n di recto,
algunos huecos se di funden desde e l lado p al n, En co nsec uencia e n e l lado 11 y junto a la unión tenemos
una conce ntrac ión de huecos mayor de lo normal de bido preci samen te II esa difu sión . Este exceso de
densid ad de huecos puede co nsiderarse como una carga almace nada e n la veci ndad de la unión . La c uant in
de ese exceso la esta blece e l grado de polarizació n d irecta, Al irse apartando de la unión decre ce e l exceso
M4 M;croefforú l/;m ll/odema

de huecos por Sil rccom biuacion co n los ctccr rone s ma yori tarios . Lo mismo puede decirse de los clcct rones
que pasa n al ladop. Si ahora se aplica una señ al q ue incremente en V la polarizac ión directa. la mayor
ó

difusión de hueco s (e lectro nes) motiva una va ri[lció n.1.Q en la ca rga almacenada ce rca de la unión , En e l
límite. la rel ación Q/.1. V define la capac idad de difusión (.'/1' En un diodo de unión e n e l q ue un lado
é

esté mucho ma s do pado q ue el otro (co rno es frecuente ) la capac idad CI> (ded ucida en la Scc . 2- 13) vald rá
(en faradi os)

C l > == dQI == 'T /" I.! = 2. F (2-20)

dVI.! VI r"
La vida media t de los portadores en la El'. (2-2 0) mide e l tiempo de recombinación para e l exceso de
portador es minori tarios. Como r = r,¡{ j) la vida de los portado res puede co nsiderarse como una «constan te
de tiempo de difusión ».

Ca pacidad de t ran sición

Como mode lo del diodo co n polarización inversa se utiliza e l circuito eq uivale nte de la Fig. 2-2Rh. La
rcsistcnciar, es la rcslstcnc¡a incremcn tallcom o se defin e en la El' , (2- 19)1con el subíndice rque sig nifica
llllC e l diodo tiene polarización inver sa. El eleme nto C , llam ado capacidad de depíexián, transición,
barrera o de ( 'U I"KII (' .\'1J11c/lIf represent a la va riació n de la ca rga a lmace nada en la región de dcplc xi ón
respe cto a la variación de tensión en la unión . Anter ior mente (Sec. 2-2) se indicó que e l aume nto delni ve l
de polarizació n invers a hacía incrementar e l ancho W de la zona de dcp lcxión . Un aume nto en W va
acompañado de iones adic ionale s des cubiertos en la reg ión de la ca rga espac ial. Ya q ue e xisten iones
pos itivos e n un lado de la unión y negativos en el otro . C, equivale a un co nde nsador parale lo en e l que
,A
e, == W F (2-2 1)

donde W es e l ancho de la zona de dc plcxión. A el arca o sec ción de la unión y E la pemuti vida d del
semic onduc tor. Debem os tener en cuenta que W es func ión de la ten sión de po lariza c ión inversa por lo
q ue C , de pend e de la tensión , En una unión en esca lón (q ue veremos de talladament e en la Seco 2- 13), W
cs inversamen te proporciona l a la ra íz c uad rada de la ten sión de polar izac ión inve rsa,
Los condensadores en los modelos de la Fig. 2-2 X se ap roximan en alto grado a los efe ctos de l
almacenamiento (te carg as en un diodo. Tanto co n polarización directa co mo con inversa existen las
capacidades de dcplex ion y de difusión. pero co n polarización direc ta e l valor de lacn pacidad de dcplexión
es lan peq ueño allado de C" q ue generalmen te se desprecia. Análogamente en un diodo co n po larización
inve rsa e xiste una pequeña d ifus ión de portadores, pero esta capacidad es desp reciab le frente a C/,

2-10. TIEM POS Il E CO NMUTAC IÓ N Il EL IlIOD O IlE UNIÓN

La respuesta transitoria de un diodo al pasar de l estado de co nd ucc ión a l de corte (o al re vés ) supo ne
quc transcu rre un c ierto inter valo de tiemp o an tes de q ue alcance c l nue vo estado . Ya que esto supone una
limit ación prücrica imp ortant e. en los siguie ntes párrafos estudiaremos la conm utac ió n de ONa 01'1'. En la
Fig, 2-29 se represe nta g ráficamente la secuencia de hechos q ue aco mpañan a la polarizac ión inversa de
un diodo en conduc ción . Co nside remos 'lile se aplica la tens ión de entrada en esc a lón v; de la Fig. 2-29h
al circuito diodo-resist encia de la Fig. 2-2911 Ysupongamos q ue dura nte un lapso de tiempo largo antes de

~ Alguno, pmgrnma, de a n:\lis¡, d~ circ uilo, induy~n ('la, (a pa(jd ad~s en lo, m"MI " s para com pl~ lar l'" y I"" a mayor p,.,(j 'i ón
 E l diodo de rmión 85

, =Oel diodo ha estado polarizado en directo con la tensión Vi = V, . En el instante ' =Ola tensión aplicada
pasa súbitamente a ,VII manten iéndose a este nivel para' > O. Si suponemos que Rl y V, son mucho más
grandes q ue R,y y respectivamente. la corrie nte en el circuito será io '" VJ: IRL • siendo este el valor ind icado
en la Fig . 2-29c para / ::;; O. La polarización directa motiva que un mayor número de portadores atraviesen
la unión de forma que la densidad de portado res minori tarios en exces o es alta. Con polariza ción inversa
el exceso de portadores minoritarios en las proximidades de la unión es virtualmente nulo. Por tanto una
inversión súbita de la tensión no puede ir aco mpañada de un ca mbio de estado del diodo hasta que el
número de portadores minorit arios en exceso quede reducido a cero. Es decir, estos portadores deben
retroceder a través de la unión hacia el lado ori ginal. Este movimi ento de carga produce una co rriente en
sentido inverso. El periodo de tiempo durante el que el exceso de portadores minoritarios decre ce hasta
cero, o sea entre t = O Y t = /, se denomina tiempo de almacenamiento t,. Durante ese tiempo el diodo
conduce fácilmente y la corriente determ inada por la tensión aplicada y la resiste ncia de carga exterior es
-VJ Re La caída de tensión en el diodo baja ligeramente debido al cambio de la corriente en la resistenc ia
óhmica de l diodo pero sin inven ir( Fig. 2·29d). Enel instante I = " = '. el exceso de densidad de portadores
minoritarios queda anulada. A continuación de este tiempo la tensión de l diodo empieza a invertirse hacia
-VII' y la corriente decrece hacia 1..

0'0
V' !-__{
R, o
o
o 1
I fe)
I
" o
O
I
'D I
I
- - j v. I
O

t---'.-1
o

- v'o\-- - - - - - v.. - - --- - - - - - - -

Figura 2·29. (a ) circuitodiodo-resistencia: (b ) onda de entrada aplicadaeneste circuito mostrando un pase abruptode polarización
directaa inversa: ondasde corriente, (e) y de tensión (ti) señalando los tiempos de almacenado y de transición,

'1
El tiempo transcurrido ent re y el momento en que el diodo se ha recuperado completamente se
denomina tiempo de transici ón t,. Este tiem po de recuperación se comp leta cuando los portadore s
minoritarios que se hallan a alguna d istancia de la unió n se han d ifundido y atravesado la unión y cu ando
además la capacidad de transición de la unión polarizada inversamente se cargue a través de Nl a la tensión
- V...
Nonnalmente los fabricantes especifican el tiempo de recu peración inversa t" del diodo en co ndiciones
de trabaj o típicas, en función de la forma de onda de la corriente de la Fig. 2- 29c. El tiempo /.. es el
transcurrid o desde que se invierte la co rriente en t = Obasta que el diodo se ha recuperado hasta un punto
determinado por la corriente o la resistenci a del propio diodo. Si el valor especificado de NL es de algunos
centenar es de ohm ios los fabricantes corrientemente especifi can el valor de la capacidad eLen paralelo
86 Microelectrónica moderna

con R del circ uito de medida utilizado para determinar I . Existen co mercialmente diod os con ,.. que van
desdemenos de un nanosegundo a un microsegundo pa; a diodos destinados a conmutar corr ientes alias.
En el lN4 153 el tiempo de recuperació n inversa es de unos pocos nanosegundos en las condiciones de
prueba dadas en el Apéndi ce B- 2.
Bt nempc de recuperació n directa t"es el tiempo nec esario para que la tensión del diodo pase del 10
al 90% de su valor final cuando se pasa deOFF(colle) aON(condueción). Puesloque t., « t.. normalmente
1., se des precia .

2·11. DIODOS ZENER

La multiplicaci ón de avalanch a y la ruptura Ze ner son los do s proce sos que provocan la zona de ruptura
en la caracterfstica con polarización inversa de la Fig . 2·4a rep roducida en la Fig. 2-300. Los diodos que
posean una disipació n de potencia adecu ada para trabajar en la región de ruptura se deno minan Diodos
Zenel' y su símbolo es el de la Fig. 2-30b. (la denomi nación de «diodo Ze ner.. se emplea inde-
pendie ntemenre de l mecanismo de ruptura). Estos elementos se em plea n co mo reguladores de tensión así
como en otras ap licacio nes que requi eran una tensión de referenci a constante.

"

- - - - - -- - - - - /11.

A
,.
• •
., .,
t lKu n 1.)0. (Q)CuacteriSl k ade poiuizad ón inveru indÑ:;l.ndo la 1l'8iónde llIp1ura ; eb) simbolo del r'. iodo zerer.

Multiplicación de avalancha
Cons ideremos la sig uiente situació n en un diodo con pola rización inve rsa: un portador generado
t érmicamente (parte de la co rriente de saturación inve rsa) cae en la barrera de la unión y adquie re energía
de la tensión aplicada. Estos portado res chocan co n un ion del cristal e imparten suficiente ene rgía para
romper un enlace covalente. Adem ás del portador origina l se ha ge nerado un nuevo par efectr én-hueco.
Estos po nadores pueden adq uirir energfa suficiente de l campo. chocar con ot ro ion del cristal y crear airo
par electrón -hueco . De esta fonna cada nuevo po rtador produ ce portadores adicionales debidos a la
colisión y acción d isruptiva de los enlaces . A este proceso se le llama multiplicación de avalancha. El
result ado es una corriente inversa elevada y se dice que el diodo está en la región de rup tura o avalancha.

Ruptura Zener
Aun cuando los portadores dispo nibles inicialmente no adquieran energía suficie nte para rompe r
enlaces es posible iniciar la ruptura por ruptura directa de los enlaces. Puesto que existe un campoe lécmco
 El diodo de unión 87

en la unión puede aparecer una fuerza suficientemente elevada sobre un electrón para romper su enlace
covalente. El nuevo par hueco-electrón fonnado acrecienta la corriente inversa. Obsérvese que este
proceso llamado ruptura Ze ner no implica colisiones de portadores con iones del cristal.
La intensidad de campoeléctrico l aumenta al aumentar laconcentraciónde impurezas para una tensión
aplicada fija. Se ha determinado que la ruptura Zener se produce con un campo de aproximadamente 2 x
101 V1m. valor que se alcanza con tensiones de 6Y o ligeramente menos en uniones fuertemente dopadas.
Endiodos poco dopados la tensión de ruptura es más elevada y el efecto predominante es la multiplicación
por avalancha. Existen diodos de silicio con tensiones de avalancha desde unos pocos volts hasta unos
centenares de ellos con potencia de hasta SOW.

Modelos de diodo Zener

La característica del diodo Zener puede aproximarse a una relación volt-amperio lineal,en forma muy
parecida a los diodos con polarización directa. El modelo de la Fig. 2-310 resulta de tal representación.
En muchos casos la característica representada en la Fig. 2-30a es virtualmente vertical en la ruptura por
lo que la resistencia estática R z = O.

(,) (b)

figura 2·31 . Modelos de continua (a) y de pequeña señal (b ) del diodo Zener.

En la Fig. 2-31b se representa el modelo dinámico o de pequeña señal. La resistencia dinám ica 1'. es
la inversa de la pendiente de la característica volt-amperio en la zona de trabajo. Relaciona la variación
de la corriente de trabajo a/ z con la variación de tensión a Vz haciendo a Vz = rzA./z. Idealmente. ' zes igual
acero 10 que corresponde a una característica vertical en la región de ruptura. Para valores de Vz del orden
de unos pocos volts, r es del orden deunos pocos amnios. Sin embargo. con corrientes por debajo de /,t de
la fig. 2~30a en el coJo de la curva, r, puede llegar a valer algunos centenares de ohmios. Estos valores
de r, se obtienen también para V. > IbY y para niveles de tensión bajos , particularmente con corrientes
inferiores a un mA. .
La capacidad de un diodo de avalancha es la capacidad de transición y por tanto varía inversamente a
una potencia de la tensión. Puesto que C, es proporcional a la sección recta transversal del diodo, los de
gran potencia tienen una capacidad muy elevada. Son normales valores de Cr comprendidos entre 10 y
10.000picofaradios.

Un regulador Zener
El diodo Zener de la Fig. 2-320 se emplea para mantener una tensión de salida V" = V inde-
pendientemente de las variaciones de la resistencia de carga R L y de la tensión no regulada V, >V,. Para e l
análisis del regulador se utiliza el circuito equivalente de la Fig. 2- 32b en el que se supone R. = O. La
ecuación que describe este circuito es. según las leyes de Ohm y de Kirchhoff: .
 88 Microelectrónica moderna

1, - t,
v, - Vz
- Vz
A 12-22)
Iz ~ ~

R, R,.

R, R,
,
.., R, v. v,

,.,
Fia ura 2·32 . (ti ) Circuito regulador Zener, y (h ) circuátcequivale nte. '"
En esta última ecuación vemos que IL = V)RL aumenta (disminuye) cuando disminuye (aumenta) la
resistencia de carga. Si n embargo, la corriente 1, es inde pendiente de RL ; por tanto Iz varfa con las
variaciones de la carga pero la salida se mantiene consta nte en Vi: ' I z vie ne limitado tanto en los valores
bajos como altos de la corrient e. La limitación alta proviene de la máxima capacidad de disipación de
potencia del diodo Zener. La corri enle / L Ii (Fig. 2-30a) representa e l valormfn imo de la corriente del diodo
para que tenga lugar la regu lación . Por debajo de / zK la regu lación es pob re y la tens ión de salida se desv ía
de Vz. El campo de toler ancia de Iz res tringe los valore s de la carga para los que se alcanza la regulación.
Para un diodo dado estos límit es de Iz a su vez limitan los valores mí nimos y máxi mos de V5 para el buen
funcion amiento de l circuito.
Algunos fabricante s es peci fican el valor de I ZK mínimo. por debajo del c ual no puede usar se el diodo .
Muchos diodos come rcia lmente asequibles presentan un codo agudo en su característica aún en el margen
de los mic roamperios . En el caso de no ser conoc ida I ZIi una forma e mpírica de estimarla es tomando para
ella de un 5 a un 10% de la máxim a corriente nomi nal.

Características de tempe ratu ra

Un punto de inte rés en relación co n los diodos Zener y con todos los dispo siti vos de semiconduc tores
en general es su sensibilidad al calor. Su coe ficiente de temperatu ra viene dado por la variación porcen tual
de la tensión de referencia por cada grado ce ntígrado de variación de la tem peratura del d iodo : es te dat o
lo suministran los fabr icante s. Este coeficiente puede se r positi vo o negativo y generalme nte estará
comprendido en tre ± O, I % Ygrado. Si la tensión de referencia es superior a 6 V, c uando el mecanismo
físico corresponda a la multi plicación por ava lancha el coeficient e será positivo. En cam bio por debajo
de los 6 V cuando tiene lugar la ruptura Zene r el coeficiente será negativo.
Los diod os de referencia compensados t érmicamente proporcionan una tensió n virtual me nte constante
dentro de un amplio margen de temperaturas. Estos dispositivos constan de un diodo Zcner con
po larización inversa y coeficiente de temperatura positivo. combinando en un mismo chip con otro diodo
polarizado en di rec ta y de coe ficiente de tem peratur a negativo. A ma nera de ejemplo. el diodo de referenci a
de s ilicio Mororola I N824 I de 6.2V tie ne un coefic iente de temperatura de ± 0.005 % ·C a 7.5 mA en la
zona e ntre -55 a + 100 "C. La resistencia dinámica es solame nte de 10 Q . La estabi lidad de tensión con el
tiempo de alguno s de estos diodos de refer encia es comparable a la de las cé lulas convencionales normal es.

2· 12. DIODOS DE BARRERA SCHOTI KY

La unión form ada por un meta l y un semiconductor extr ínseco puede se r rectificadora u óhmica. Debido
a la d iferente concent ració n de portadores e n los dos materiales e xiste una barrera. Los contactos óhmicos
 El diodo de unl6n 89

empleados para las conex iones en dispositivos semicondu ctore s existen cuando se trata de eliminar el
efecto de la barrera . Éste es el caso de la unión entre aluminio y silicio fuertemente dop ado usada en la
fabricación de ci rcuitos integrados . Si n embargo, cuando se usa silicio ligeramente dopado (o arseniuro
de galio) la unión aluminio-silici o es rectifi cadora y los dispositivos así formad os se denominan Ba rrera
Schottkyo simplemente diodos Scnouky ,
'o
Diodo
de bam:ra
Schollky

Diodo de 5ilil;io.

,., 'b<
Figura 1-33. Diodo de barrera Schouky: (a) ca ractertaica, y (b) sfmbclc del circuito.

En la Fig. 2·3 3a se establece la comparación entre las caractertsticas volt-am periode un diodo Schouky
y un diodo de unión de silicio . O bservemos que amb as caractertsnc as tienen el mismo perfil por 10 que la
Ec. (2· 3) define también el comporta miento de la barrera Sch ou ky. Si n emb argo entre estas dos
características se aprecian dos diferencias fundamentales: ( 1) en el diodo Schouky la ten sión umbral Voy
es menor, y (2) la corriente de saturación inversa es mayor. Amb as particula ridad es son consec uencia de
la mayor concentraci6n de electrones en el metal. Con mayor número de portadores disponibles se obtie nen
corrientes similares a tensiones más bajas, y en forma aná loga este número de portadores acrecie ntan la
corriente de saturación inversa.
El principal uso de estos dispositivos en circ uitos integrados es por conmutar más rápid amente de lo
que lo hace el diodo de unión . Debido a que es un dispo sitivo de portadores mayorita rios (recuérdese que
en un metal no hay portadores minoritarios) el tiempo de almacenamiento es despreciable y eltiempo de
recuperación inversa comprende únicamente el tiempo de transmisión visto en la Fig. 2~29c.

2-13. DIODO DE UNIÓN EN ESCALÓN

En esta secc ión presentaremos co n más aproximac ión cuantitativa varios de los co nceptos descrit os
anleriormente en este mismo capítulo. La unión en escalón , introducida por primera vez en la Seco 1·7 se
emple a aquí para estudiar la capacidad de deplexi ón Cr, variaciones en la densidad de portadores
minorit arios, y la capacidad de difu sión CD •

Capacidad de deplexión
Una unión abrupt a se forma cuando hay un cambio abrupto de iones aceptadores en un lado con iones
dadore s de otro lado . Una unión así se form a entre el em isor y la base de un transistor planar. No es
necesari o que las concentraciones de dadores y receptores sean iguales. De hecho es frecuentem ente
ventajoso tener una unión asimétri ca . La Fig. 2· 34b es un gráfico de la densidad de carga en func ión de
90 M;croelectr6n'~ic~a~a~l~
o~d~er~lI~a,-- _

la distancia a la unión. en la que la concentració n de aceptadores N,¡ se supone mucho mayo r que la de
dadores NV' Puesto que la carga neta debe ser cero. se ded uce que:
NA. Wp "" N oW" m- 2 (2·23)

,.o

'"
Densidad de ca rga P, :

----c-"".....~-- - It', O

'"
Intensid ad de campo "

,-

1<"1

Tensión V

o
,",

Figura 2-34. fa ) Unión P" abrupta co n po larización inversa . (h) den sidad de ca rga. (e) intensidad de cam po. (d) variación de
lensión con la distencie a la unión

Si N,¡ »N"J
entonces W « W = W. La relación entre tensión y densidad de carg a viene dada por la
I ' .
Ec. (2-1):
cPV - qN n
-- = - -- (2-24)

Las líneas de Fl ujo eléc trico parten de los iones dado res positivos y term inan en los iones receptores
=
negativos. Así pues no hay líneas de flujo a la derech a de .r W. de la Fig. 2·34. y" -dvtdx O a .r = = =
W = W. Integrando la Ec. (2-24) sujeta a esta co ndición tendremos:
•
dV - qN n
- = - - (x - W) = - 't; (x ) V/m (2-25)
ds E
 El diodo de unión 91

Desprec iando la pequ e ña ca ída de tensió n a tra vés de W pod remos es coge r arb itrariamente V = O e n
.r = O. Integ rand o la Ec (2~25) con e sta co nd ición tendremo s
V "" - qN/J (x 2 - 2 Wx ) V (2-26)
2,

La va riación lineal de la intensidad de campo con re lación ar y la dependen cia de la tensión respecto
al cuad rado der quedan reflejada s e n las Figs. 2-34c y 2-34d. Estas grá ficas deben com pararse co n las
co rrespo ndie nte s curvas de la Fig. 2-2.
En .r = W . V = Vi = tensión de la unión o barrera . o sea
2
V "" c¡N v W V (2-27)
, 2,
En esta secc ió n hemos e mpleado e l signo V para rep resentar la tensión a una distancia c ualq uie ra .r de
la unión . Aho ra e mplearemos VD para la ten sió n ex terior aplicad a al diod o.
Pue sto qu e el potencial de barrera repr esent a una ten sió n inver sa. se re baja aplicando una tensió n
direcia: Así
Vj = Vu - Vo V

sie ndo V negativo pura una po larización inve rsa aplicada y V , la ten sión de contac to (Fig. 2- 2c/). Esta
ecuaci6n y la 2- 15 confirm an cua litativamente qu e ~or d~ la capa de dcp lexión crece con la ten sión
D

ap licada . Ahora ve mo s qu e W va ría co mo ..[V¡ = -J V~ -Vf)

S i A es el área de la unión. la carga Q e n la d istanci a W es:

Q = qN /JWA e
La ca pac idad de dcplexién increm ent al e, e s:
dQ dW
el = -
av; - :.: qN f)A -
uv,
F (2·28 1

De la Ec. ( 2~ 2 7 ) , cJ WId ~ =E lq N JW. y po r tan to

,A
CT =- F (2-291
W
Esta ec uac ión es e xactamente la m isma qu e se ob tiene para un conde nsado r plano paralelo de supe rfic ie
A y d istanc ia W entre placas con un d ieléc trico de permiti vidad 1. 10 qu e ya se anticipó e n la Ec. (2 -2 1).
Despejando W de la Be . (2 -27) y sustituyendo e n la Ec. (2-29 ) tendremo s

C
T
= A
[2( Vu
qt:No
- V IJ) ]'" F (2·)01

A vece s co nviene esc ribir es ta ecuación co mo

CI = A Cu ( 1 - V)"'
;: " F (2-3 11

siendo C" la capaci dad de la unión po r unidad de supe rficie y co n po laridad nula (VO= O).

Expresión analítica de la concent ració n de por ladores minorit arios

S i la tensión a travé s de un d iodo se a plica en sen tido directo . la barrera de potencia l en la unión se
92 Microelectr ónica moderna

rebaja y huecos de l lado p entran en la región 11 , y anál ogame nte elec tron es de l tipo 11 p:lsan al lado " .
Definiremos p co mo la conce ntración de huecos en e l semicond uctor de tipo 11. Si designamos po r p.., el
pequ eño valor de la concentrac ión de huecos ge nerados térmicamente, la concentració n de huecos
inyectados o en excescp'; sera p ', == p" - p"". A medida q ue los huecos se difunde n en d iado n encuentran
abu ndantes e lectro nes co n los que se recombinan . Por tant o pJ x} decrece con la distancia .r e n e l ma terial .
11 . Se ha det erminado q ue el e xceso en la densida d de huecos cae ex ponencialmente co n .r.

p~(x) = p~( O) ~ - _T/Lp = p,,(x} - p"u (2·32)

e n do nde " (O) es e l va lor de la conce ntración inyectada de minorita rios e n la unión .r = O. El parámetro
.
L de nominado longitud de difu sión de huecos está rel acio nado con la constante de difusión D (Sec. 1- 11)
y con el tiempo de vida medio t r seg ún
,
L" = W p 1'p ) l /2 m (2-33)
Lp represent a 1u di stanci a desde la un ión en la q ue la co nce ntrac ión inyectada ha bajado hasta l/E de
su valor e n .r = O. Se puede de mostrar que L es igual a la distancia med ia que un hueco inyectado reco rre
antes de reco mbl narse co n un elec trón , po r íanto. L represent a e l cami no libre medio para los huecos.
En la Pig. 2-35a puede verse e l comportam teruoex pc ncncia l de la den sidad de parladores mino ritarios
e n exceso en funció n de la di stanc ia en cualq uiera de los lado s de la unión . La zona som breada por debajo
de la c urva en e l tipo fI (o tipo 1') es proporcio nal a 1:1 carga de los huecos (o e lectrones inyectad os ).
Obs ér vese q ue 11 indica la concentració n de ele ctrones en el mate rial tipo p a una distancia .r de la unión ,
y tir (O) e l valor de tal densidad en .r = O.
Conce r uracíén. Co nce mracio n.

P.
"p x· o
la ) lbl
F iJ:u ra 2·.\5 . Densidad de po rtadores min oritario s e n rundún lIe la distancia a la unión. con polarización dire cta (u l e inversa
(/11. La reg ión de dc plexién se conside ra tan peq ueña en re l"c ió n a 1" long ilU d de d ifusión q ue no se ha illdicado en la ñg ura . Obs ér-
vexe qu e las C ur~;IS nose han dib ujado a esca la. pllcslo que p~(O) es muchomayor que p ,",.

En la Sec o2-2 ya se seña ló 4ue una pol arizac ión directa V rebaja la ..hura de la barrera y aporta más
ponadores oue crucen fa 11 lI ;ÓII . Por l a ll10 T' (O) debe ser func ión de V. De la re lación de Bolt zmarm [Ec.
(1 -39») parece razonable q ue fi JO) de ba dc~ndcr ex ponenc ia lme nte de V. Se ha hallado que:

1',,(0) = p..,,~ VI Vr (2- .14)

Esta ecua ción da la co nce ntrac ión de huecos e n e l extremo de la reg ión» (en .r = () j ustam en te afuera
de la región de tran sici ón) en func ión de la co nce ntración p ,", de po rtado res min or itarios en eq uilibrio
 El diodo de "n ió" 93

lénn ico (alejado de la unión ) y de la tens ión V. co ns tituye la lla mada ley de la unión. Una ec uació n s imila r.
intercam biando las p y las" dará la conce ntrac ión de e lectro nes e n la región p en func ió n de V.
La Fig . 2-35h re presenta la densid ad de eq uilibrio de portado res m inor itarios c ua ndo una tensión
exterior pola riza inversamente la uni ón . Lejos de la unió n los portadores minorit arios igua lan a los va lores
P y Il de equ ilibrio térmico. situació n que es tam bién la de la Fig. 2-35a. A medida q ue los portado res
';no~rios se aproximan a la unión so n barri dos r épldame nre y su densidad va disminuyendo hasta cero
en la unión . Este resultado se ded uce de la ley de la unión Ec. (2-34) ya q ue la co nce ntración P..(O) se
reduce a cero co n una tens ión negativa e n la unión .
La ca rga inyec tada con po larización inversa viene dad a por el área de las zona s sombreadas de la Fig.
2.35b. Esta carga es negativa ya que representa menos ca rga de la pos ible en condicio nes de eq uilibrio
ténn ico sin tensión aplicada .

Descripción del cont rol de ca rga de un diodo

De la Ec. (1-34) se deduce que la co rriente de difusión de huecos I (O) q ue atravie sa la unió n bajo
polarizac ión dire cta es pro porcional a la pendient e e n e l o rige n de 1: c urva P" de la Fig. 2·35a. La
correspo ndiente co rrie nte de difusión de e lec trones /. (O)e s proporc io nal a la pend iente e n e l o rigen de la
curva 11 de la m isma fig ura. Te óricame nte se puede de m os tr ar que la co rrie nte de desp la za mi ento
de port~dores minorit arios que atravie san la unió n es despreciable fre nte a la co rriente de difusión de
portadore s minoritarios. Por tanro.f (O) represe nta la corrie nt e total de hu e co s que pasa n la uni ón
de iaq u ierda a de recha. e /J O) es 1; corriente total de electrones que la cruzan de derecha a izquierda, por lo
que la corrie nte lolal l en el diodo será la suma de ambas, o sea

1 "" 1,.(0) + 1,,(01 A 12-35)

La corriente inversa de saturaci ón de huecos (o e lectro nes) es proporcio nal a la pendiente en x = Ode
la curvap. (O " ) de la Fig . 2-35h. La co rriente inversa de satu ración es la suma de ambas y es negativa .
Para simplificar el razonamiento supond re mos que uno de los dos lados. por ejemplo el de material p
está muc ho má s dopado que el "de forma que toda la corriente 1 que atraviesa la unión es debida a los
huecos q ue pasan del lado p a l /l. o sea que I "" 1 (O). Según la Ec. ( 1·34)
•
ap; Aq DpI'~( O) - '4
I,.(x ) "" - AqD P -d' "" e .• A (2-361
.l L,.
haciendo uso de la Ec. (3-32) para p. (x) . La co rriente de huecos 1 viene dada por I,.(x ) de la Ec. 2·36 con
.r e ü.o sea
I = AqDpp'IOI
A 12-371
L,
El e xceso de carga min orit aria Q ex iste só lo en el lado 11 y vie ne da do po r la superficie sombreada en
la regió n 11 de la Fig. 3-35a multiplicada po r la secc ión rect a A de l diodo y por la carga e lectrónica q. Por
tanto. de la Be. (2·32) se o btiene

Q "" L" Aqp '(O) ~ -_. 'L. dx "" AqL"p'( O) e (2-38)

Eliminando p'(O) de las Ea. (2 ·37) y (2 -38) tend remos

I ~ fl A (2-39)
T
siendo 'r E L,!ID ,:::::: t , vida media de los huec os (Ec. (2- 33 )).
94 Mi croelectrónica moderna

La Ec. (2-38 ) es una relación importante conocida co mo descripci ón del control de la carga de 1111
diodo y establece que la corriente de un diodo (consistente en huecos que cruzan la unión desde el lado p
al 11 ) es proporcional a la carga Q de exceso de portadores minoritarios almace nada. El factor de
proporcio nalidad es la inversa de la constante de tiempo (tiempo de vida media t) de los portadores
minoritarios. Por tanto, en estado de equilibrio la corriente I suministra parladores minoritarios al
mismo ritmo en que desaparecen por la recombinación. La ca racterización de un diodo por su control de
carga describe el dispositivo en función de la corri ente I y de la carga Q almacenada, mien tras que la
carac terización por medio del circuito equivalente lo hace en función de I y de la tensión " en la unión.
Una ventaja inmed iata a la representación por el co ntrol de carga es la de sustituir la relación ex ponencial
entre I y V por la relación lineal entre I y Q. La ca rga Q es simplemente un parámetro cuyo signo determ ina
cuando el diodo está polarizado en directo o en inverso. Si Q es positivo la polarizació n será d irecta. y
viceve rsa.

Capacida d de difusión

En la Seco2-8 se introdujo la capacidad de difusión eDcomo modelode l almace namiento de parladores

minoritarios en la vecindad de un diodo con polarización inversa. Podemos ahora deducir este elemento
basándonos en la descripción del control de carga recién visto. De las Ecs. (2-39) y (2- 17) tenemos:

e • -dQ
1) dV
=
dI
T -
dV
:= TKJ
T
= -
rJ
F (2-40)

en la que gol ¡¡¡ dtld V es la conducrancia incremental del diodo . Sustituyendo la expresión de la resistencia
incremental del d iodo r ,¡ = I /g" dada en la Ec. (2- 18) en la Ec. (2-40) resulta
TI,
e l) := - F (2-41)
"v,
Vemos que la capacidad de difusión es proporcional a la co rriente ID. En la deducción anterior hemos
supuesto que la corriente lo en el d iodo es debida sólo a los huecos. Si no se cumple esta suposición. la
Ec. (2·40) da la capacidad de difusión Cw debid a única mente a los huecos. y se puede deducir una
expresión similar para la capacidad de difusión COI> debida a los electrones. La capacidad de difusión total
es la suma de COp y Co..'

REF ER ENCI AS
Gray, P.E., D. De Will, A.R. Boothrcy d. y lF. Gibbons: "Physlcal Elecrronlcs and Circuir Models of
Transistors," vol. 2, SEEe, John Wiley & Sons. Nueva York, 1964.
2 MiIlman, J., y C.C. Halkias: "Integrated Electronics." McGraw-Hill Book Company, Nueva York, 1972.
3 Yang, E.S.: "Fundamcnrats of Semiconductor Devices," McGraw·Hill Book Company, Nueva York, 1978.
4 Muller, R.S., y T.1. Kamins: "Device Electronics for Imegrered Circuits," John Wiley & SonsoNueva York.
1977.
5 Ghausi, M.S.: "Principlesand Deslgn of Linear Active Circuits," McGraw-Hill Book Company. Nueva York,
1965.
 El diodo de unión 95

TEMAS DE REPASO
2.1 En una uni6n pII. ¿dónde es máxima la inten sidad del campo eléctrico? Explíquese.
2.2 (a ) ¿Q ué es la regi6n de deplexión?
(b) Los huecos y los electrones ¿co nstituyen la carga espa cial ?
(e) Los iones dadores y aceptadores ¿constituyen la carga espacial?
2.3 (a) ¿Cuál es el mecanismo para la mayor parte de la corriente en una unión con polarizaci6n directa ?
(b) ¿Qué polaridad debe tener la te nsión externa para tener polarización directa ?
2.4 (a) Con polarizaci6n inversa ¿aumenta o disminuye el esp esor de la región de deplexi6n?
(b) ¿Q ué pasa con la tensión en la uni6n?
2.5 (a) ¿Qué es un contacto 6hmico?
(b) ¿Se puede medir directamente la tensi ón de co ntacto de un contacto 6hmico?
2.6 Escribe la relaci6n volt-amperio para una uni6n pll y expresa el s ignificado de cada término.
2.7 ¿Po r qué la co rriente de saturació n inversa puede co nsiderarse un factor de esc ala de la corriente del diodo?
2·8 ¿Qué se entiende por tensión umbral ?
2·9 ¿C6mo puede determinarse TI de la característica logarítmica?
2·10 (a ) ¿C6mo varía con la temperatura la corrie nte de saturación inversa de un diodo p"?
(b) Con corriente constante, ¿cómo varí a la tensión del diodo con la temperatura?
2·11 ¿Q ué parámetros de un diodo de germanio difi eren de los de uno de s ilicio?
2·12 (a) Esboza la característica volt-amperio de un diodo ideal.
(b) Explica c6mo esto semeja un interruptor.
2·13 ¿Cuál es el significado de la recta de carga?
2·14 Dibuja un modelo de diod o de gran se ña l con polari zación directa .
2·15 Expli ca c6 mo un diod o funciona co mo rectificador.
2·16 Explica la acci6n del condensador de filtro en un ci rcuito rectificador.
2·17 Describe el funcionamiento de un diodo cortador.
2·18 ¿Qué se entiende por características de trans ferencia?
2·19 (a) Dibuja el modelo de pequeña se ñal de un dio do pn con polarización directa e inver sa.
(b) Explica el significado ñsíco de cada elemento.
2·20 Con polarizaci6n directa y corrie nte del diodo c rec iente, ¿aumenta o disminuye (a) la resistenci a increment al.
y (h) la capacidad de difusi ón?
2·21 Explica cómo se usa el circuito equivalente de pequeña señal para determinar la respuest a en un circ uito que
cont enga un diodo.
2·22 ¿Por qué no aparece la fuent e de polari zaci ón co nstante en el modelo de pequeña seña l de un circuito
conteniendo un diodo?
2·23 La capacidad de deplexión ¿a umenta o disminuye al c rece r la tensi ón inversa?
2·24 Expli ca el significado físico de los tiempos de almacenamie nto y de tran sici ón.
2·25 Describe el mec anis mo físico q ue produc e: (a) la ruptura por avalancha y (b) la ruptura Zcner.
2·26 (a) Esboza la característica volt-amperio de un diodo Zen er.
(b) Señalar en e l esbo zo el codo de la c urva.
(e) ¿Q ué significa ese codo?
2·27 Dibuja los modelos de grande y de pequeña se ñal del diodo Zener.
2·28 ¿,En qué se diferen cia un diodo de barrera Schollky de un diodo de unión de silicio?
2·29 Esboza [a dens idad de portadores minoritarios en un diodo pll de unión abrupta con polarización directa e
inver sa.
2·30 ¿Qué se entiend e por descripción del co ntrol de la carga de un d iodo?
 Transistores de unión
bipolares (BJT)

El transistor de unión bipolar es uno de los principales dispositivos de semiconductores empleados en

la amplificación y conmutación. El objetivo de este capítulo es describir los principios físicos que
gobiernan el funcionami ento deltransistor bipolarde unión y tratar a este elemento corno un elemento del
circuito. El desarrollo de las características volt-amperio deltransistor, de la pequeña señal y del circu ito
equivalente se basa en los correspondientes conceptos vistos en el capítulo 2 para el diodo de unión. En
particular se presentan lasecuaciones de Bbers-Moll que describen el funcionamiento del transistor bipolar
en las variedades activa, saturación, en corte e invertida. Se estudia el comportamiento de una etapa en
emisor común tanto como amplificador como conmutador, Debido a su importancia en los circuitos
integrados trataremos también del par emisor-acoplado (d iferencial).

3· 1. L A FUENTE IDEAL DE CO RRIENTE CONTRO LADA

"
"
Al,

J J J J
lQI {b l
lo'igura J.I, (a ) Fuente de come nte ideal gobernad a por co rrie nte, co n (h ), excitac ión por tensi én y resistencia <le carga.

I I'Jl,cisando mb , l. fuc:nle puede le ner 00s terminales de e ntrada y dos de sa lida. Sill embargo. la mayor pane de: di ' JIO'itivo s e leo: uÓllicos
tienen un lenni nal comúll para e mrada y salidl.
1 Unl fUenlCcOO ll'Ollda se representa mcd iante el símbolo qu e apar ece e n la Fig. 3· 1. La neclla e n el inte rior de l cuadrado sc:i1ala la di recc ión
de la co m ente , mien l'll5 que los sign os + y _ ind ican la polaridad de la fue nte de le nsión. En c u. lq u~r CI . o la ;nlens id ad de la fuente se .., i1a la
I lgebraicamc nle a11adode:l c uadrado.
Sabemos q ue:es deseable go bernar c antidades sUSlanc ¡ales de:e ne. gia con poc o I . sto de: e lla. Consideremos la enc:rlrl me:cbica nc:cc:..ria para
eerrar un inte rruptor que acc iona un aco nd icio nado r de 120 " Y 10 A insla lado en una ventana. Apro~im ldamente , e sLo su pone: mOVer 1 cm un
intcrru plor de 0,05 K, en 0,2Ss, lo que s upo rte: una pote ncia de 0 ,02 W. As! . la e nerg ra y polC ncia gobern ada por e ste e sruenc equivale a leYI\fl,ar
la unid. d de sde e l suelo hasla la venla na e n 0 ,25•.
98 Microelectrónica moderna

lo que corrientemente se denomina ganancia de corriente. Físicamente, A está relacionad o con los
procesos que suceden en el dispositivo empleado para tener la fuente gobernada.
En la Fig. 3-la se pone en evidencia que el efecto de il se transmite a la salida por medio de la fuente,
mientras que la señal aplicada al terminal de salida no afecta a la corriente de control. Este proceso
unita/era/ permite que aquellas partes de un circuito en las que se aplica la señal de control queden ais-
ladas de elementos del circuito conectados a la salida.
En la Fig. 3-l b se conecta a la entrada una fuente de señal ' ', en serie con una resistencia R" y se sitúa
una resistencia de carga RL a través de la salida de la fuente gobernad a. La corriente de control es i l = vJR,
y la tensión de salida
. ARL
V2 = AI IR L = - - R v.• ' (3-1)
,
En la Ec. (3-1) vemos quecuandoAz; Ie, > 1ent onces I v2 1> I v, I y se tiene amplificación de tensión.
Además si A > l como normalmente es el caso, se tiene también ganancia de corrie nte ya que la de salida
es mayor que la de entrada. También es cierto que la potencia disipada en RL es mayor que la suministrada
por vJ • Por tanto, una fuente controlada es capaz de dar una ganancia de potencia. Una consecuencia de la
amplificación es la de que la potencia necesaria para el control es menor que el conjunto de la potencia
gobernada. Esto.j unto con la propiedad unilateral permit e gobernar la fuente como a un interruptor.
Las características volt-amperio de salida son una buena ayuda para poner de manifie sto la depend encia
de la intensidad de la fuente en la variable de control. Para la fuente gobernada de la Fig. 3-la estas
características son las representadas en la Fig. 3-2b como familia de curvas de v2 en función de v2 para
distintos valores de i l. La característica horizontal indica que i 2 es independiente de v2. (Esto es cierto para
cualquier fuente de corriente ideal.) Para demostrar el funcionamient o co mo interruptor, consideremos.el
circuito de la Fig. 3·3a. El dispositivo en el recu adro tiene las características de salida trazadas en la Fig.
3-2b en la que puede verse la recta de carga representando la ley de Kirchhoff para el bucle de salida. La
/1 /1 /2

1"

f ll ---

ooe-----!c-
r, - -

'"
Figura 3-2. Carac rerfstlca tensión-intensidad de una fuente de corriente gobe rnada, con la onda resultante de una excitación en
escalón.
 Transistores de unMn bipolares (BIT) 99

1 2
"

R,
- ".tR.
/1 •
D.ispo '
srnvo
• -" R, " - - - r --
" •
" c;? J
a - 00 r,
(. ) (b)

Figura 3· 3. (a) Circuito empleando una fuente de corriente gobernada , (b) la onda de entrada

onda de tensión de entrada es la de la Fig. 3-3h Yla de corrie nte, también de entrada, la de la Fig. 3-2a.
Supongamos que el valor de i 1 = Vj R• corres ponde a la corriente J". de la Fig. 3-2a. Cuando l '• = O(O ::; t
~ T I)' i l = Oel punto de trabajo está en Ql resultando \ '2 = V22 e i 2 = O. Esta situación corresponde a la de
un interrupto r abierto. Para t >T , la corriente de control es JI' haciendo que el punto de trabajo pase a Q~ ;
en Ql' vl = V2Q y i l . = J1r lo que corresponde a un interru ptor cerrado con una tensión V2Q a través de él.
"Las ondas de salida resultantes están representadas en la Fig. 3-2h. El razonamiento anterior nos lleva a
ja conclusión de que en los termin ales de salida 2-3 el dispositivo se comporta como un interrupt or cuyo
estado (abierto o cerra do) depende de la señal aplicada a los terminales 1-3. Además, la tensión y la
corriente de salida, que dependen sólo de los ele mentos exteriores V11 y Re están gobernados por la:
corriente de entrada i.. O bsérvese que sise de sea que la caída de ten sión a través del interruptor controlado,
sea nula, debe seleccionarse la corriente de control V.ft. igualada a J14 • Con esta corr iente de entrada. fa
de salida es V1/ RL y v1 = VII - i1R L = Ocorrespondiendo al punto Ql de la Fig. 3-2b.
/1 /2 /2

I! l

I~I
f"
,,
1"

o
, ~ /I " O
00
o " 00
(. ) "~",, '"
00
v,.
"

(b)

Figur a 3· 4. Recta de carga para el circuito de la Fig. 3- 3<:1: ondas de;2y v engendradas poru na señal de entrada senoidal.
2
100 Microelectrónica moderna

También puede demostrarse el funcion amiento como amplificado r median te el circuito de la Fig. 3-3a.
Consideremos que ' ', = VII + V", sen ror siendo V.. < VII ' La tensión VII se emplea para polarizar el
dispositivo al punto Q de la característica de salida (Fig. 3-4h) . Además supondremos que la componente
senoidal de v~ , la señal. produce una corriente ; 1 co mo indica la Fig. 3- 40. Esta var iación de i l produce la
corriente i, y la tensión v, representadas. En las cond iciones fijadas anteriorme nte en esta secc ión. la
amplitud de la componente senoida l de I'Zes mayor que V"' dem ostrando nuevamente que la seña! queda
amp lificada. Es de observar que la tensión de polarización VI Ies esencial para el proceso de amp lificac ión.
Faltando V I I la corriente de salida se anula siemp re qu e la entrada senoida l sea negativa. Esto hace que el
circuito actúe como cortador o rectificador siendo la salida sólo una porción de senolde. Así pues, en
contraste con el funcionamiento de interruptor gobernado. la actuación com o amplificado r necesita que
para el nivel de seña l utilizado el punto de trabajo quede restringido a la mitad de la característica
volt-arnperio. Si los niveles de la señal de entrada son muy inferiores inferiores que el nivel de polarización, el
análisis de los circuitos amp lificadores lleva por sí mismo al emp leo de modelos de pequeña seña l que se
verán en la Secció n 3- 10.
Hay que hacer constar que los dispositivos reales sólo se aproximan a la ca racterística ideal. Por tanto,
para usar en amp lificadores conviene que los disposi tivos muestren unas características de corriente (o de
ten sión) constantes dentro de los valores de funcionam iento.

3·2. EL TRANSISTOR DE UNIÓN

El transistor bipolar de unión (BJT) , llama do tamb ién transistor de unión o transistor bipolar es
un dispositivo de tres elementos formado por dos uniones unida s a una capa semiconductora común. Los
dos tipos de transistores de unión están repr esentados en la Fig . 3-5. En el transistor IJIIP de la Fig. 3-50
la región común de tipo 11 está entre dos capas de tipo p . Análogamente en el trans istor IIIJII de la Fig. 3-5h
nay una reglón P entre dos capas de tipo 11. Los tres elementos de un BJT se de nominan emisor. hase y
colector y se indica n con los símbolos de la Fig. 3-6. La flecha en el emisor seña la la direcció n de la
corriente cua ndo la unión emisor-base está con polarización directa. En ambo s casos, se consideran
positivas las corrientes l e I f/ e I c cuando se dirigen hacia el interior del transistor. En la figura se indica
también la tensión entre cada par de terminales mediante un doble subíndice. Así por ejemplo V Cf/
rep resenta la caída de tensión ent re el colector (e) y la base (B ).

/,1L /,1 L
,., ,b¡

Fig ura J·5. Corriente co nvencíonat positiva en un transistor f lll fl (a) y /11111 (h! .
 Transistores de unión bipolares (lJJT) 10I

/'"1("
1(-/1

1""

r",
'" "
"I
/"'P
"""
'" '"
Figu ra 3-6 . Sfmbclo de circu ito para transistores /mI' (Q ) y "1'" (h ).

La repre sentaci ón del transistor bipolardc la Pig. 3-5h muestra una estructura simétrica que nos perm ite
elegir como emisora a cualquiera de las regiones n. Sin emba rgo, en un transistor rea l como elllfJlI planar
de un circuito integrado como el de la Fig. 3-7 el emisor y el colector tienen diferencias marcadas.
Conl a~hlS d~ alurníni"
Cu le<:tnr

Sustrato JI

1(1)

e mlta.'l" ••k aluminin

Colector Base Emisor

r""--"--=-+-'-"''---I-'----'-'''l~J. _ A i. lamientu 1'+

Emisllr (n + )

. 'I.--II-+-,r Rase Uipo pl

Cnlc~ lm (l ipn .. ¡

Figura 3-7 . Estructura de un transistor np" integrado co mpre nd iendo un sustrato p. isla a islada y co ntactos de a luminio.

La Fig. 3-7a representa la secci6n recia del transistor. distinguiendo con el sombreado las distintas
concentraciones de impurezas, En la vista superior de la Fig, 3-7h puede verse cómo están hechos los
contactos del aluminio a las regiones de co lector. base y emisor. Obsérvese cómo. debido al dop ado
102 Microelectrónica moderna

selectivo del bloque de silicio queda una región p entre dos" form ando así un transistor npn. El nombre
de «transistor planar» o plano proviene del hecho de que los tres terminales C. 8 y E van conec tados a los
cont actos del alum inio al colector. base y emisor respec tiva mente estando los tres contactos sobre 111/
mismo ptano.
Tal co mo se aprecia en la Fig. 3-7 la supe rfic ie oc upada por e l emisor es notab lemente menor que la
del co lector. Esta diferencia es debida a que en la mayor parte de apli caciones del BJTla región de colector
manipula más poten cia que el emisor por lo que preci sa má s superficie para disipar el calor. La segunda
diferencia estriba en las den sidade s de dop ado de las regiones de emisor y de colector. Generalmente el
emisor sirve com o fuente de cargas móviles. Se emplea una densidad de dopad o alta (y de ahí la
designación n +) para resaltar la facultad de hacer más portadores asequibles. Es decir, cuando la unión
emisor-base tiene polari zación directa el emi sor inyect a electrones a la base, desde donde se desplazan
hacia el colector. Si el diodo colector-base está po larizado inverso. los electrones portadore s minoritarios
en la base son barridos al interior de la región del colector donde se convierten en el mayor componente
de la corriente del colector. Al co lector, como su nombre indica, no se le pide norm almente que ceda
muchos portadores. por laque su nivel de dopado no necesita se r tan alto como para el emisor(la pequeña
región n • del colector ayuda a form ar un buen contacto óhmico). La región de la base se dopa a un nivel
interm edio entre los de l emisor y el colector. por los moti vos qu e se exp onen en el capítulo 5.

Comportamiento físico de un transistor bipolar

Las prestaciones esenciales de un BJT como elemento de un circuit o pueden apre ciarse considerando
la situación representad a en la Fig. 3·8. En ella hay un transistor pnp con unas fuentes de ten sión que
polarizan en sen tido d irecto la unión emisor- base (VEB positiva) y en sentido inverso la unión colector-base
(VCB negativa). Al estudiar el diodo pn en el capítulo 2 vimos que Vu (VeB) apare ce a través de la muy
reducida región de carga espacial del emi sor (co lector). El campo eléctrico queda confinado en la región
de deple xíón. siendo nulo en el resto del semiconductor. Por tanto. el potencia l es co nstante en cada región
(emisor. base o colec tor) y no ex isten corrie ntes de co nducc ión. En consec uencia , en un BJT las
compo nentes de la corriente son todas corrientes de difu sión .
E e

R,
-" •
"u
•
'a " R,
8

VE!
•-=- 1·1 -e- 1'«
•

Figu ra J-8. Circuito en base común mostrando las fuentes de polari zación VEE y Vce

Imaginemos de moment o un transistor ideal cuya base esté tan liger amente dopad a en comparación
co n la región de emisor que podamos despreciar toda s las corrientes debidas a los electrones. Supondremos
también que el espesor de la región de la base es pequeño frent e a la longitud de difu sión , de tal forma
que podamos despreci ar también la recombinación en esta región . En este transistor ideal una tensión
di recta Vu inyecta huecos a la base. y lodos éstos pasan a través de la base a la región del colector. Esta
acción tiene la consecuencia de que la corriente de colector sea igual a la de emisor 1/ 1 = 1/ 1 para
cualquier tensión inversa de co lector V O l' Este transistor posee precisamente la característica de I~ fuente
de corriente controlada descrit a en la sección 3- 1 con una ganancia de corr iente unidad (A 1). Las =
características de salida de este transistor ideal son las de la Fig. 3·2h con i~ = -/,. 11 = 1 r- Y l 'l = -VCB '
 Transistores de unién bipolares (BJ T) 103

\ Región de dep1ex ión

~ Rcgión,:.Ie NtSCl

.-
l' p
C"'-do
itI,-iIIco dt c_""
E
" - dift<u
I e
c_"'.... "-
poNIIlMpo<

r;:- ¡.y« " iÓIIdt

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l."" ..
.....
"""",b<...
l<ln c"""'......
N ' U/lI<ión

'~N
";;)
n
1/•
.-v" .
Figura 3-9. Compon ente s de: comeme e n un transis to r WfI la unió n emisor-base con polar iución direc ta y la unión colector-base
con polarización inversa .

Con side remos ahora e l co mportam ie nto de un tran sisto r práct ico (no idea l) e n e l ci rcuito de la Fig.
3-8. Ya no podem os olvidamos de la reco mbinac ió n o los efectos de la conce ntració n de elec trones en e l
transistor real. En la Fig. 3-9 están se ñaladas las diversa s com po nentes de co rriente en un transisto r pllp
polariza do para co rres ponder al ci rc uito de la Pig. 3- 8. En esta situaci ón vo lveremos a suponer q ue no
existe campo e léctrico en el semico nd uc to r fuera de la regió n de deplcxi ón. co n lo q ue aparece n las
tensiones VES y V O l en las uniones de e miso r y de colector respectivamente. La unión emisor-base
polarizada en di recto inyecta mu chos huecos e n la base (inyecc ión direc ta) donde se co nvierten e n
portado res minoritarios. Los e lectrones q ue cru zan la un ió n desde la base a l emisor (inyecc ión inversa )
se mantienen poco s al dise ña r elt ransistor . do pando me nos la base q ue e l e misor . En la estrec ha región
de base los huecos se difunden hacia la unión co lector-base , y un peq ueño número de e llos se recombiuan
co n elec trone s en la base s iendo é sta una parte de la co rriente de la base. Los huecos q ue llegan a la unión
colector-base son env iados al interior de l co lecto r debido a la polar ización inversa. En las co ndic ione s de
polarización de la Pig. 3-9 es tos huecos co nstituye n lit mayo r co mpone nte de lc' Si n embargo hay ot ra
pequeñ a componente de la co rriente de colecto r de bida a los por tad ores gen erado s térmicamente. Los
huecos ge nerados de esta forma e n la reg ión de la base pene tran en e l colector y los e lectro nes ge nerados
térmicamente en el propio colec tor cruzan la unión introducién dose en la base. Estas dos corrie ntes

p
" l'

1('//
e t:
"
-
u."k"
• le
m
' «, Ion

v~ vn 1·' /1

(a} (b)
Hgura J . IO. (a) COmponenles dc cc me r ue en un tran sistor "lIp . (h) repre sema cióude gran señat (Ebers- Moll l de un tranvixtor 1"'1'.
104 Microelectr6nica moderna

térmicas constituyen la corriente de saturación inversa de la unión colector-base indicada en la Fig. 3-9.
En consecuencia, tal como se ve en esa figura es evidente que la corriente del colector está formada de
dos componentes, una debida a los huecos inyectados en el diodo emisor-base, y la otra atribuida a los
portadores generados térmicamente que cruzan la unión colector-base.

3-3. REPRESENTACIÓN EBERS-MOLL DEL BJT

La actuación del transistor bipolar puede describirse en términos conceptuales o cuantitativos, viendo
en la figura 3-5 que este dispositivo está formado por dos uniones pn acopladas. La región de la base es
común a ambas uniones formando el enlace entre ellas. El transistor bipolar se fabrica con una región de
base sumamente estrecha (considerablemente menor que una longitud de difusi6n). En consecuencia existe
una interacci6n eléctrica significativa entre las uniones tal como se explic6 en la seco 3-2, a la que se le
denomina acción transistor. Las componentes de corriente que comprenden las lE; e le están señaladas en
IaFig. 3-IOa para un transistor pnp. Las tensiones VEa y V ca son las caídas de tensión entre emisor y base
y entre colector y base respectivamente. Admitiendo que no exista caída de tensión alguna en los
semiconductores que forman las regiones de emisor, base y colector, estas tensiones son las existentes en
las respectivas uniones. Con ambas tensiones referidas respecto a la base, a esta conexi6n se le denomina
configuración enbase común. La corriente de emisor de la Fig. 3-10aliene dos componentes. La corriente
relacionada con el diodo emisor-base se representa 'EO y la relacionada con el diodo colector-base se
designa 1m , La componente cxlt I co es la parte de I co acoplada al emisor a través de la base, y análogamente
a/EO 'es la fracción de I ED acoplada al colector.
Basándonos en las consideraciones hechas en el párrafo anterior podemos construir el modelo
Bbers-Moll de la Hg. 3-lOb. Los dos diodos en oposici6n (cuyos cátodos están unidos) representan las
uniones del transistor bipolar, mientras que las dos fuentes controladas indican la conexión entre uniones.
Las corrientes leD e lco están relacionadas con VEa y Vca según I'a relación volt - amperio del diodo dada en
la Ec. (2-3)3. Por tanto, lE e Ic pueden expresarse en función de las dos corrientes del diodo:

le == leo ~ aRIco = les (€V.·"IVT - 1) - aRlcs (€VCB/I'T - 1) (3-2)

le = - orlso + leo = - aFhs (€V"" IVT - 1) + les (€V"H/Vr - 1) (3-3)
Las relaciones expresadas en las Ecs. (3-2) y (3-3) se conocen como Ecuaciones de Ebers-MolI.
lES e les de las Ecs . (3-2) y (3~3) son las corrientes de saturación inversa de las uniones emisor- base
y colector-base respectivamente. Los parámetros aF y aR son ambos menores que la unidad ya que no toda
la corriente de un diodo se acopla con la otra unión. Los subíndices indican: F, transmisión directa
(Forward) de emisor a colector, y R, transmisi6n inversa (Reverse) de colector a emisor. Las cuatro
cantidadeslES' les' a F y a R , son función de las densidades de dopado y de la geometría del transistor. Estas
cantidades no son independientes sino que están relacionadas te6ricamente por
aFh.~ = astes (3-41
A esta ecuaci6n a veces se le llama condición de reciprocidad del BJT.
La corriente de la base se halla igualando a cero la suma de las corrientes en los terminales, o sea

(3-5)

] Muchostransiston::s integradoslrabaj"-ll con corrienlell que acoslumbrana ser de por lo menos nueve veces mayon::s que IIlS de saturación. Por
lo tlUll0l't = I como se ve en la seco2-3.
 Transistores de unían bipolares (BIT) 105

Conv iene indicar el valor típico de las cantidades que figuran en las Ecuaciones de Ebers-Moll. En un
transistor integrado (Fig. 3-7) las peq ueña s dimensiones emp leadas norma lmente son:

0.98 5 al' 5 0.998 y

siendo In e In del orde n de IO- ' ~ A depen diendo ambas de las respec tivas secciones de la unión. En
consecuencia , con un nivel de dopado dado de dona dores y aceptadores, se pueden regular las corrientes
variando las dimen sio nes del dispositivo. Esto se tiene en cuenta en el diseño de ci rcuitos integra dos para
obtener transistores con distintas intensidades nomina les. Con este métod o se pueden aumentar I H e In
hasta unos 10 11 y JO 'I ~ A, respe ctiva mente. U F se man tiene prácticamente inva riado , y segú n la Ec. (3-4 )
a./( puede rebajarse por debajo de O, l . El escalo nado de dimensiones se usa en transistores discretos para
alcanzar niveles de corriente y de potencia superiores a 10 qu e se puede conse guir en un chip.
Las ecuaci ones de Ebers-Moll para un dispos itivo I1pll se deducen de las Ec. (3-2) y (3-3) una vez
admitamo s que la co rriente directa en cada diodo va de p a 11 , y que la polarizació n directa precisa de una
ten sión positiva de p a 11 . En consec uencia . el sentido de todas las corr ientes compo nen tes y de las tensiones
en las uniones de un transistor IIpn son contrarias a los de un dispositivo pl1jJ como se aprecia en la Fig.
3-11u. De este razonamiento se deduce que las Ec. (3-2 ) y (3-3) son válidas para un transistor 111)// si se
intercala un signo menos delante de V UI' V U1' y en cada componente de corrien te. Los resultados quedan
de manifiesto en las Ec. (3-6) y (3-7) .

(3-61

le (3-71

Basándonos en estas ecuaciones se obtiene el modelo repr esentado en la Fig. 3. 1Ib.

p n p

E e

Co ) (b )

~'igura 3-11. fu) Compone ntes de corriente y. (11) represe ntac ión de gra n señ al de un tra nSISlOr 111111.

Ganancia de corriente con gran señal

Cons.ideremos un transis tor npn esta ndo el diodo emisor-base con polarización directa (Vf B <O) y co n
los termi nales de colector y de base conocirc uitado s (V("~ = O). En estas condiciones , de las Ec. (3- 6) Y
(3-7) se obtiene
lE. = !e.s (IE - Vu IV r - 1) y
por t a nt o ./~ = -a, l B y U F será
106 Mlcroelectr6nlca moderna

o r == - ~:I Vr~_O = O (3-8)

El valor de UF tal como lo da la Ec. (3- 8) es la ganancia de corriente en cortocircuito directo en base
común.'
Análogamente, cuando Vcs < O.la ganancia de corriente en cortocircuito inverso u R viene dada por

aR == - ~;I v...._o = O (3-9)

Obsérvese que en la Ec. (3-9) la unión que está polarizada en directo es la de colector-base y el diodo
emisor-base es el cortocircuito invirtiendo así las funciones del colector y el emisor de las condiciones en
directo de la Ec. (3-8).
Las defmiciones de las Ec. (3-8) Y(3-9) son aplicables tanto a los transistores npn como a lospnp. En
un dispositivo npn, Ic es positivo mientras lEes negativo, y lo contrario sucede en un transistor pnp. En
consecuencia UF y ~ son siempre positivos.
Cuando Vcs = OY VES < O,la corriente de la base [Ec. (3-5)] se puede expresar:
l B = - (1 - aF)!e (3-10)

Puesto que los valores típicos de UF son próximos a la unidad (como hemos visto antes en esta misma
sección), lS resulta muy pequeño comparado con lE siendo Ice lE prácticamente iguales.
A veces es conveniente expresar las corrientes de colector y de emisor en función de la corriente de
base, mucho más pequeña. Combinando las Ec. (3-8) y. (3-10) obtendremos

(3-11 )

(3-12)

donde
_~"~F_
~F = 7 (3-13)
1 - aF

La cantidad ~F es la ganancia de corriente directa en cortocrrcuíto con emisor común (también

representada por hF E ) .
Un análisis similar para las condiciones en inverso nos dará la ganancia de corriente inversa en
cortocircuito con emisor común. .
~R = .,-::"--
"R (3-14)
1 - aR
En transistores integrados ~F suele estar comprendido entre 50 y 250, Y ~R entre 1 y 5.

Modos de trabajo del transistor

Cada una de las uniones de un transistor bipolar de unión puede estar polarizada en directo o en inverso .
Con ello pueden formarse los cuatro modos de trabajo señalados en la Tabla 3-1. En las subsiguientes

4 A veces aF iC designa por Sil ce rrespoedler ue paJámelro h (hFll). (V6asoel llptndiee el, donde el subfndice B indica hue coml1n.
 Transistores de uni6n bipolares (BIT) 107

secciones de este ca pítulo se hace un det allado análisis del funci onam iento del BIT en cada caso. Aq uf
pretendemos exam inar bre vement e es tas modalidades y hacer resa ltar sus rasgos distintivos.
En la región activa en directo el tr ansistor bipo lar se comporta como fuente controlada. Se llega a es ta
conclusión por las &S. (3-6) Y (:r-7) para las condiciones apuntadas en la T abla 3- 1. Con tensio nes de
polarización de la unión de alguna s décimas de volt , y supo niendo q ue I es tan pequ eña qu e se puede
despreci ar . como es casi siempre e l caso. le = - alr Asf pues, el contro1 de la corriente de entrada 'E
determina la corriente de sa lida 1(;'" Esta es la acc ión de una fuent e de corriente gobernada ya quelos cam bios
del nive l de polarización emi sor-ba se ajustan el valor de ' EY por tanto el de 1(;'" Con las cara cterísticas de
fuente gobernada o bteni bles . e l BIT puede e mplearse como amplificador pre valeciendo el modo act ivo-
direct o en circuitos analógi cos.

Tabla 3·1. Modos de Irabajo del Transtsior Bipolar

Modo Polarización de la unión
Emisor-base Colector-base
Activo-directo Directa Inversa
Umbral (corte) Inversa Inversa
Saturación Directa Directa
Activo-inverso Inversa Directa

'E
En el modo (corte) ambas uniones es tén inversamente po larizadas: tant o como le son del o rde n de
las corrientes de saturación inversa s del d iodo (prob. 3·5). La situac ión es la de co rriente casi nula con
tensión inversa «grande» en la unión (V~ ::1> Vr ) y funciona aprox imadamente como un interrup tor abierto.
Con los dos diodos con polarizaci ón directa. en saturación, la corriente de colecto r puede ser apreciable
pero la tensión a trav és de la un ión del colector será pequeña. Esta situación es aproximad amen te la de un
interruptor cerrado. El funcionamiento del BIT entre corte y sa turación eq uivale al de un interru ptor
(compárese es to con el razonamleruo de la secc ión 3- 1).
El mod o activo-inverso es se mejante al direct o pero con una diferencia signi ficat iva. Aun cuando el
funcionamiento e n la regi ón activa-inve rsa es el de una fuente controlada (lE = - a¡~ la pequeña ganancia
de corriente a " frente a UF hace que esta modalidad no sea adecuada e n genera l para la amplificación . Sin
embargo tiene aplicación en circuitos digitales (Ca p. 6) y en algun os circuitos de conmuta ción analógico s.

EjemploJ·l

Un transistor npn trabaja con la unión colector-base polarizada invers amente con por lo menos algunas
décima s de voIt y con el emi sor en circuito abi erto . Determinar: (a) su modo de funcionamiento, (b ) las
corrientes de cole ctor y de base , (e) los valores dele y VEl a temperatura ambiente siendo l ES = 10- u A.
' a = 2X 1O 1$ A. Yal" = 0,99.

Soluci6n

(a). Con el diodo col ector-ba se con polarización inversa vemos en la tab la 3- 1 que e l modo de trabajo
será o bien en corte o bien activo-directo. Cuál de estas cond iciones es la existente se deduce de l estado
de la unión emisor-base. De la Ec. (3·6) sie ndo , F = O(circuito abierto) tendremos:
108 Microelectrónica moderna

de donde

(1)

habiendo hecho uso de la condición de reciprocidad de la Ec . (3- 4), n/es =n,JES'

Invirtiendo y tomando logaritmos de ambos lados, tendremos

VE B = In = in(f3F + 1) (2)
Vr 1 - aF

En (2) se observa que VEB es positivo polarizando en inverso la unión de emisor por lo que el transistor
está en corte.
(b) Con lE = O, la ley de Kirchhoff dice que le = - lB' La corriente de colector se obtiene de la Ec. (3-7)
en la que se ha sustituido (1).

l e = - l B = - aPXR!cS + l es = (1 - aPXR)/CS (3)

(e) Sustituyendo valores en (2) tendremos
V EB I
;;;c--c:'=;;"" = In ~---'-~~
25 x 10-' I - 0.99
y V é B = 115 mV

El valor de n R según la condición de reciprocidad es

a h s = 0.99 IO -I ~ ~ 0.495
aH = F I
es
2 x IO -' ~
Sustituyendo valores en la (3) obtendremos.
Ir = -lB = (1 - 0.99 x 0.495) "Y 2 X IO -' ~ = 107. X IO -I ~ A

El resullado indica que para l E= Oel transistor. entre los terminales de base y de colector, actúa como
un diodo y que la corriente hallada es la de saturación inversa del colector con el emisor-en circuito abierto.
Aun cuando el valor de l e encontrado es muy pequeno crece notablemente con la temperatura.
La corriente dada por (3) en el ejemplo 3-} se conoce frecuentemente como corriente de cole ctor
inversa . Como veremos en la Sección siguiente este dato es muy importante en un BIT que generalmente
se designa leo' Realizando un análisis semejante con el colector en circuito abierto y el diodo emisor-base
con polarización inversa se obtiene la corriente inversa de emisor l Eo' Ambos resultados quedan estable-
cidos en la Ec . (3-15).

l eo = (1 - aPXR)les (3-15)

Concentración de portadores minoritarios

En la Fig. 3-12 está representado el exceso de portadores minoritarios en la región de la base debido
principalmente a la inyección directa. Se entiende por espesor de la región de la base a la distancia que
media entre el lado de la base del emisor-base y la regi6n de deplexión del colector-base. Idealmente, el
exceso de densidad de portadores minoritarios decrece linealmente a través de la regi6n de base. En
 Transistores de uní áu bipolares (IJJT) 109

realidad la distribución viene dada por la línea de trazos que ya tiene en cuenta la recombinación. La
concentración es nula en la confluencia colector-base ya que los portadores minoritarios que llegan ahí
son lanzados al interior del colector.

Oensidad de
porladores
minorita rios

Emisor J' Base

,.0

Figura 3· 12. Cc ncenn acjon de portadores mm or ñanos e n las regiones de con e. acl i~ a di n:cla y de satu ración .

En esta misma figura 3- 12 están representadas las respectivas densidades de portadores minoritarios
en corte y en saturación. Tal como es de suponer. polarizando en inversa la unión emisor-base se evita la
inyección directa. de forma que esta densidad es virtualmente nula. En saturación existe un exceso de
portadores minoritarios por encima del nivel para el modo activo directo. Este exceso se atribuye a la
inyección de portadores en la base por el diodo colector-base polarizado en directo.

3·4. CARACTERÍSTICAS EN BASE COMÚN

Ahora estamos en condiciones de trazar gráficamente las características volt-ampere del BJT bas én-
donas en las ecuaciones de Ebers-MolI y en los modos de funcionamiento vistos en la sección anterior.
Como ejemplo de estas caracterfstícas nos referiremos al transistor P"P 2N2907A. En la próxima sección
que trata del circuito en emisor común emplearemos el transistor l/1m 2N2222A. Estos transistores son
complementarios. es decir. que sus características y clasificación son casi id énticas salvo que el signo
aritmético de las tensiones y corrientes reflejan la diferencia entre dispositivos P"I' y "1'".
Enel transistor {mp . los mayores componentes de corriente comprenden huecos. Puesto que los huecos
van de emisor a colector y salen de la base. refiriéndonos a las polaridades convencionales de la Fig. 3-5
tendremos que l E es positiva mientras que le e l B son ambas negativas. Las tensiones V1B y VCB en las
uniones son positivas para polarización directa y negativas para polarización inversa. En un transistor "1'"
todas las polaridades de corrientes y tensiones son contrarias a las de un dispositivo pnp, Obsérvese que
en ambos tipos de transistor lBe Ic tienen el mismo signo opuesto al de lE"

Caracter ísticas de salida

Es conveniente plantear las ecuaciones de Ebers-Moll dir ectamente en función de lEe Jed e la siguiente
forma: en el caso de un transistor pnp resolver I cs (El cBh . ¡) de la Ec. (3-3). Sustituir este valor en la Be.
(3-2) e ide ntificar1m de la Fig. (3 ~ 15h) . El resullado (probl. 3·6) es:
(3- 16al
110 Microelectrónica moderna

Procediendo de forma similar encontraremos

(3- 16b)

Estas ecuaciones son válidas para un transistor "P" añadiendo el signo menos delante de Ic.1 E• VEB y
VCB (prob . 3-6). En la Ec. (3-16b) vemos que lc depende únicamente de la corrient e de entrada lE y de la
tensión de salida VCB' En la Fig. 3-12 están representadas las características de salida que muestran esta
relación y forman la familia de curvas delc en función de V cs para distintos valore s de lE' Para representar
mejor el funcionamiento en los distintos modos de trabajo se han dibujado solamente las partes de
características en las proximidade s de VCB = O. Estas características se pueden medir mediante el circuito
de la Fig. 3-8 supuesto que podamos variar la amplitud de cada suministro de potencia y los valores de
las dos resiste ncias .
En la región activa directa (Tab la 3-1) te es positivo, Ices negativo y VCB también negativo. Obsérvese'
que es costumbre (como en la Fig. 3 ~13) situar los valores crecientes de lId en el sentido positivo del
eje y y los valores crecientes de la tensión de polarización inversa VCB en el sentido positivo del ejex. La
corriente de colectaren la región activa directa es independiente de VCB y por tanto constante para un valor
dado de lE' Esto resulta evide nte en la Ec. (3-16b) que evaluada en la modalidad activa directa resulta

(3-171

Esta ecuación es valida para un transistor npn si se cambia -lco por + 'co: Si lE = O tendremos según la
Ec. (3 ~17) que lc =-leo y el transistor está en corte. Con lE =O la característica no coincide técnicamente
con el ~eV pero figura así porque lco es extraordinariamente reducida. Obsérvese que puesto que el... ""
1,1/,1- 1/, IB
.
Corriente de colector
l e, mA

Regió n activa

egión de
-25 f E "' 15 mA
ruración

- 15 ts

-, s

+0.8 +0.4 O ..
Tensión de colect or
0.8
/00 _
1
1 1.2

Figura J.I3. Característica de salida en base común del transistor pllp de silicio 2N2907A en la.'; proximidades de la tensión de
colector O. Obsérvese que los ejes Va positivo '1 negativo están invertidos respecto a lo que es normal.

Las curvas señalan que aumentando VCB de forma que se polar ice en directo la unión (V,s 2 0.6 V)
aumen ta también la corrient e de colector (le se hace menos negativo). Con ambos diodos con polarización
direc ta el transistor está en satu ración.
Las características de salida del BJT invertido nos dan l f: en función de V ES para distintos valores de
le En estascondiciones l\i(que actúa como comente de emisor) es positiva e lE (actuando como corrient e
de colector) es negativa. asándonos en la Ec. (3-16 ) se obtie ne una familia de curvas (no representadas)
simi lares a las de la Fig. 3-13.
 Transistores de unión bipolares (BIT) 111

B
l' c8 ~ - 10 o
1-- rv
,
:Me -
<
1- t- g" -
I I .: E 6
0-
~

•
oB Colector abIertO

oV
1-- .nn, "
8-
~.
o I "'CB ..
-,ro -

~
•
·e
••
o
'I/.
6~
1--
1-
o .05 '1--
, o,
-c
o 1--
~V
'" oT
o • 6
Corriente de emisor f ,. . lilA
I T
B o 0.4 0.5 06 0 7 0,8
T ensión de em isor VEH ' V

l.' '"
Fi¡,: ura 3-14 . ( a) Ca racte rística de enerada en base común ( V EH e n funció n de It ) para el IransiM'}f pnp 2N2907 A; ( b) La misma
caracte rfstica n aza da co mo /¿ en función d e Vu ' O bs érve se la similitud con la curva de 1111 diodu .

Carac te rísticas de entrada

Las ca racterís ticas voll-ampe rio de e ntrada son la repr esent aci ón de l t: en función de VE8 para distintos
valo res de VOl. Como se ve en la Fig. 3- l4estascurvas repre sentan las caracre ns tices de l diodo emisor-ba se
a distinta s tensio nes colec tor-base . Estas ca racterísticas ponen e n evi denc ia la ex istencia de una ten sión
de co rte o umbral Vy = O,5V , por debajo de l cual 'E
es extrao rdinariamente bajo. Si tra zamos la
ca racterística con polarización inve rsa ( V lIl < O) estando el co lector en circuit o abie rto podremos o bse rvar
una co rrie nte de saturac ión igual a 1E(J' Una segunda part icularidad de es ta c urv a es la de que la
ca racterística del diodo em iso r-base qued a a fectada al variar V CI . Veremos ahora los fenómenos relacio-
nados co n el perfil de las curvas de la Fig. 3-14.

Efecto Early o modulación del ancho de la base

En la Secc ión 2- 13 se indi có q ue e l anc ho de la región de deple xión de una unió n crece al aum en tar la
tensión de pola rización inversa. Co nsid eraremos únicamente los efecto s debidos a la unión co lector-base
estando e l diodo emisor -ba se co n polarización d irecta. En c onsec ue ncia, el e spe sor efectivo W de la base
decrece en la Fig. 3- 12 al aumentar VC8 • Esta mod ulac ión del an cho de la base se co noce co mo Ef ecto
Early. Podemos atribu ir tres co nsecue nc ias a la mod ulación del ancho de la base. (1) Cuando es muy
estrec ha hay men os oc as iones de reco mbinac ión hacie ndo crece r a , cu ando c rezca Va (2) el gradiente I I;
de co nce ntrac ión de portado res minoritarios en la base aume nta (ya que la co rriente de difu sió n es
,
propor cio nal al gradie nte de concer nraci ón. J aumenta co n la tensión de pol arización inver sa en el d iodo
co lector-base ) y (31 co n tensiones extremada me nte altas W puede q uedar reducida a cero prov ocando la
ruptura del BJT . Este fen óm eno de perforac ió n se estudi ará e n la Sc c. 3-13 . Según e l efe cto Early.
mantenien do Vu constante. 11. crecerá al crece r VOl I l.
Esta co ncl usió n e xplica la de sviaci ón de la
caractertsticade entrada en la Fig. 3-14. En la Secc ió n 3-5 ve remos otras manifestacion es de la mod ulación
del ancho de la base .
 112 Microelectrónica moderna

3-S. CONFIGURACIÓN EN EM ISOR COMÚN (CE)

Muchos circuitos de transistores de unión bipolares emplean la configuración en emisor común
representado en la Fig. 3- 15. Ello es debido principalmente a que es preferible usar para control la pequeña
corriente de base que la de emisor. En la configuració n en emi sor co mún la corriente de entrada l B Yla
tensión de salida VCE son las variab les independientes, mientra s que la tensión de entrada VB.!: y la corriente
de salida I C son variables dependientes.
Creemos que el funcionamiento físico de un BJT se comprende más fácilmente si nos referimos a un
dispositivo pnp . Por ello los precedentes estudios relativos a la confi guración en base común y a las
ecuaciones de Ebers-MolI se basaron en el transistor p np. Sin embargo. se usan prevalentemente
dispositivos np" tanto en circuitos integrados co mo en forma de componen tes discretos en circ uitos con
transistores. Por tanto enfocaremos el estudio de la confi guración en emisor común hacia el trans istor npn
utilizand o. como ya se indicó anteriormente. el transistor discreto 2N2222A. muy empleado en la industria.

Las características de salidas

La Fig. 3- 16 es la familia de curvas características de salida en emisor co mún en las que se da le en
función de Va para varios valores de l B' En estas características se ha superpuesto una recta de carga
correspondiente a una Re - 500Q Yuna tensión de alimentación de Vc:( "" lOV, La construcción de la recta
de carga se basa en las leyes de Kirchhoff, lo que es igual al método desarrollado en la Sección 2-4. La
característica de salida delimita tres zonas o regiones de funcionamiento. Aquí comentaremos la región
activa dejando las de corte y saturación para la Sección siguiente.

Va
• 1,

V"
E
1, I
FI~ura 3-15. Un circuito en emisor común que emplea un transistor Ilpll.

Para un transistor npn en la región activa debe modificar se la Ec. (3- 17) haciendo I = - a,J + I ,
Combinand
om man o esta ecuacr'6n con la Ec. (3-5) tendremos: C E CO

_ ctFI B l eo
Ie - + (3-18)
I - ctF I - ctF

Siendo J3F = a/(1- cxF ) seg ún la Ec. (3~ 13) podremos escribir la Ec. (3- 18) de la siguiente forma

le :=o f3rlB + (fh + 1) l eo 13- 19)

Es norma l que trabajando el BJT en la región activa l B» I co' por tanto
l e :=o f3 F I B (3-20)

5 Los rabricanles 00 facililan las cal'l\clelÍslicas de entrada y de salida de sus transislorcs ya 'Iue raramente se utilizan en los diseños tanto
analógicos cOmOdigillllcs. S in embargo, enes eeracten suces son necesarias para comprender el lraosi' lor.la. caraclerísticas que figuran en este
cepüutc han sido determinadas uperimenlalmeme.
 Transistores de uni6n bipolares(BIT) 113

es una buena aproximación de la corriente de colector muy emp leada.

LaEc. (3~20) indieael funcionamiento de fuente gobernada en el modo act ivo. Controlando la corrie nte
de entrada 1, podemos detenninar la de salida l e'
So
/, " :00", ,,

160
O
I~O

O
80
........ ;;.:.;¡ <.,..
(]e
O 40
''¡" <, t-....
00 , •, 6 , 10
O

Tensión coleclor-emisorVCE' V

Figura 3-16. Caracterfslica de salida en emeor comüe dellransislor IIpllde silicio 2N2222A. La recte decarga correspondea V"
rr¡ OV,yRc = 500 n

La ganancia de corriente directa en continua hFE es una cantidad que los fabricantes de dispo sitivos
especifican y que viene dad a por
le (3-2 11
hFl:: =- = f3F
i,
Los subíndices F y E indican «transferencia direct a» y «emisor co mún» respect ivamente. Siendo en
general 1m despre ciable comparada con otras corrientes en la región activa , hf[ y 13, tienen prácticamente
el mismo valor'.
Si aF fuera verdaderamente constante, entonces, de acuerdo con la Ec. ( 3-18). le seria independiente
de VCE Y las curvas de la Fig. 3-16 serian horizontales. Se admite que debido al efecto Early (lF aumenta

Figura 3-17. Caracterfslica de salida en emisor común para un rransístor I/pll. con VBE como parfmelro. Las curvas se prolongan
(lineas a lrazos)hacia el eje negaliyo Va' Eslas Hneas se cortan en la lensión Early.

• A veces . 1. ganancia de corriente se le del is na Pk Cornil hF'E " p"" .. I'pen la lileratura se empl"n a "ftes indislinllmente.
114 Microelulrónlca moderna

sólo el 0.1%, de 0.995 a 0.996 al crecer I Ve[ I desde unos pocos ,,011 hasta JOV. Enionces P , aumenta
desde 0.995 I ( 1- 0.995) = 200. hasta 0.9961( 1-0.996 ) =250 o sea aproxi madamente un 25%. Este ejemplo
numérico de muestra que una variación muy pequeña (0. 1%) de a~ se traduce en un cambio muy gra nde
(25%)en el " ala rde p,. Debe queda r claro que un ligero cam bio en u, tiene un gran efecto sobre P, y por
tanto en las curvas en emisor común . Por tanto. las características en em isor común están nonnalmente
sujetas a amplias variaciones aun entre transistores de un tipo dado. Estas vaneclooes en íJ, deben tenerse
muy en cuenla en el diseno de circu itos.
La influencia del efec to Early sobre las curvas de salida en emisor com ún queda reflejada gráficamente
en la Fig. 3- 17. En esa figura se han trazado curves de " en función de VCEcon " arios " ala res de VK' todo
ell o relati vo a un transistor npn típico. Si prolongamos la porción recta de estas curvas hacia atrás del eje
VCEco mo se señala con las líneas de trazos. jed as ellas van a parar a un mismo punto -V~. La tensi ón VA
se denomina tensión Early y está no rmalmente com prend ida entre 50 y IOOV. La tensión de Early
dete rmina la pendie nte en la carac terística /!;en función de Ve[ (Fig. 3- 17) para un "a la r de V' Edado. La
inversa de esta pendiente tiene las dimen siones del ohm, y en suces ivas secciones relacionadas con
modelos de Bl T. este efecto se manifestar é por sí mismo co mo una resistencia asoc iada con la fuente
gobernada.
P, {nonna1iladol

1.0

flI-- ), 18. Variaciones de ~ normaIlzada con la eonYnle de cokctor ' c J*1l un lransisl:or inlegrado. ~ la ac:a!a Jop'
rilrniea de:: 1('

Tambi én la ganancia de corriente en emisor común P, ... h' E"aria con la corriente de colector co mo se
" e en la Fig. 3- 18 para un transistor integrado típico y en la Fig. 3- 19 para el 2N2222A. Obsérvese que
en ambas figuras. 3· 18 y 3-19' / c está en esca la logarít mica. En la Fig. 3- 18 se puede ver que p, disminuye
de su nivel medio tamo para "a lares peq ueños como gra ndes de //. La mayoría de circuitos integrados-

,.0r:::¡:::::¡==::¡:=:¡::=:¡::=::;¡::;:;;;;¡C::¡:=::¡:=¡:::::¡:==:¡:::::¡=:::¡
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~ 2.0 1- 1__ - -- --
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o ~ 0.2 0.50.1 • o 2.0 l .O lO 10 10 JO SO 10 100 lOO ' 00 lOO
'e, lit A
fil __ J·19. Oan'a5de jI, (norma lizadasl" unidad con Vn:- 1 V.I<- JOmA I T- 2S ~e n función de:: la corrienledecol«tor"
l ira distinlu tcmpe raluras 1jde la unión . eorrespondienla al lranUuOl" 2N22 22A (conesla de:: Mocorollo lDe.).

, &londebOdo.ricaoIpatMilN~(aleonimtnt.jaf.r. ercc-dc ...... ~. Je~emlroirt)'CCci6a.ponadofe'"

con ..&lora alle. de 'e:-
Los detalb de _1IiI..-:o.x.e. nt".,a de, objI:to de C'SIe Iibru.
 Transistores de unton bipolares (lJJT) 115

bipolares utilizan transistores en su zona media donde ~F es ca si constante. Las curvas de la Fig. 3· 19
también acusan la disminuci ón de hF( = ~, con niveles altos y bajos de corriente; sin embargo la ganancia
de co rriente nonnalizada es razonab lemente constante. Ob sérvese el incremento de h' Edebido al efecto
Early cuando VCE aumenta de 1 a 10V. Ambas familia s de curva s rnues.ran una amp lia variación de P,
aún en un transistor de un tipo en particular. Los fabricantes de dispo sitivos. generalmente especifi can los
valore s mínimo y máximo para algun os va lores de Va y distintas temperatu ras.

" 1"" ~ U .:' v

1-
{

,1• • ~, ,. o.-1-
{
1-
•
,. o. • 1' -
,.'• '1-1-
- '11'
";:.. .. o.
j o.
ur o

~•• • 1-
-s ~

.,
o
-o
o
O' 1-
,
u
oT
o 0.2 0.4 0.6
1 1'
o.a
'" 1-
o 0.4 us 0.6 0.7 0.8
Corriente de base lB ' mA Corr ie me de base l B , mA
{., {be

fo'ig ura J·20. (a) C aractertsuca s de entrad a e n emisor común (V BE en (unción de ) deltransisto r 2N2222A. (h) Las mismas curvas
trazadas como l , en función de VBE (Obsé rvese la se mejanza con la carecre nsric a del diodo).

Las ca racteríst icas de entrada

Lascaracterfsricas de entrad a (Fig. 3·20) son curv as que muestran la relación entre 1, YVBC para dis tintos
valore s Va ' Se puede observar que con el colector cortocircuitado con el emi sor y éste con polarización
directa. la característica de ent rada es esen cialmente la de un diodo co n polarización directa . Si Vac se
anula, l B será cero ya que en estas condiciones tanto la unión de emi sor como la de co lector están en
cortocircuito. En genera l el increme nto de IVCE I siendo Va E constante, reduce el ancho de la base debido al
efecto Early con el resultado de disminuir la corriente de recombina ción de la base. Estas considerac iones
explican la forma de las caracterfsticas de entr ada representad as en la Fig. 3·20.

El modo activo inverso

Las ca racteristicas de entrada y de salida del transistor invertido tienen la misma forma general de las
Figs. 3-20 y 3- 16. La caracter ística de en trada acti va inversa muestra el funcionamiento de la unión
colector-base con polarización directa. Recuérdese que en el modo activo inverso a,ll y P" tienen valore s
menores que a y ~F respectivamente . En consecuencia. para un valor dado de i 11 el valor de l E será menor
f
en el modo activo inverso que en la región activa directa.
116 Mlcroel«tronlaJ moderna

3-6. CORTE Y SATURACIÓN

En 1. Sec. 3-2 se indicó cuaJitativamenleque el funcionamiento de un BIT en corte o en saturaci6n se
aproxima al estado de un interruptor abierto o cerrado respecnvamente. En esta Sección veremos la
actuación del transistor en ambos casos, bajo un punto de vista más cuantitativo.

Corte
En corte. ambas uniones (temen polarización inversa. En la configuración en base común ya demostra-
mas que se prcduceer COI1ecuando la corrientede entrada 1",- OYpor lanto I r--III -I_ Ahora examinare-
mos la operación cuando con emisor común la corriente de entrada l. =O. Es importante tener en cuenta
uue teóricamente ninguna de las dos uniones tiene polarización inversa si la base está en clrcuito abierto
(prob. 3·5). Según la Ec. (3-5), si 1, =0,1, =-le y valiéndose de la Ec. (3-18) tendremos
leo
le =-h = 1
- a,
• lceo "(3-22)

Los subíndices de la corriente la.l'l enla Ec. (3-22) indican que la corriente va de e (colector) a E
(emisor) cuandoB (el termlnal que falta) eslj O (abierto). Con le - I co' a, está muy próxima a cero por
la recombinación en la región de deplexi6n emisor-base. Por tanto;de la Ec. (3-22) deducimos que le
=-lE = Icm = leo ya efectos pñcticos el transistor está muy aproximadamente en corte. En el ejemplo
3-1' la relación dada por la Ec. (2) indica que al acercarse a, a cero, VD - O. Por tanto, el corte de un
transistor de silicio (lE =O) requiere una tensión inversa V, ,{ préctícamente nula y -1, =1(" =lco'
La corriente de colector en un transistor Iíslco (no ideahzado, real, comercial) cuando la corriente de
emisor es nula se designa con el signo /Df'" Existen dos fACtores QUC contribuyen a hacer 1.-.0mayor Que
l co : (1) existe una corriente de fuga que fluye no a través de la unión SlOO alrededor de ella y por la
superflcíe (esta corriente es proporcional a la tensión a través de la uni6n) y (2) lao supera a l co porque
pueden generarse nuevos portadores por colisión en la región de transición de la unión de colector,
conduciendo a la multiplicación de a....alancha. Pero aun antes de aproximarse la ruptura, esta componente
de muItipHcac:iÓll de la corriente puede alcanzar proporciones considerables (Fig. 3-40).
El valor de lno a 2S "C' en un transistor de silicio con una disipación de potencia de algunos centenares
de míliwalS es del orden de los nanoamperios.Los BIT integrados de pequeñas dimensiones tienen valores
de I de unas decenas o centenas de picoamperios.
{Jg transistor de germanio tiene una lelO del orden de los mícroamperios. La sensibilidad de 1rtl~ en
relación a la temperatura es la misma que la de la corriente de saturación inversa IJ de un diodo pn (Sec.
2- 4). Concretamente, se ha determinado que I ClO se duplica aproximadamente por cada 10 "C' de aumento
de temperatura, en el caso del silicio. Sin embargo, dado el bajo valor absoluto de IfJO en el silicio, estos
transistores se pueden usar hasta temperaturas de la unión de hasta 200 "C' mientras que los transistores
de germanio quedan limitados a unos 100 OC.
Además de la variaci6n de la corriente de saturación inversa con la temperatura, puede haber también
una gran variabilidad (con un factor ~ 100) de 1c:1O entre ejemplares de transistores discretos de un
detenninado tipo. Por ello en las especificaciones de los fabricantes (Apéndice B-3) figuran los valores
mbimos de lno. Un transistor de silicio de baja potencia se considera que «pierde» si lno supera los 10
nA a 2S "C.
 Transistores de unían bipolares (BJT) 11 7

Corte en el tran sislor invertido

Tendremos en corte el transistor invertid o polarizando cn inverso el diodo emisor-base con el colector
en circuito abiert o. En estas cond icione s la co rriente de corte de emisores I El/O . Para valores especificados
de Va y VI/E (con polarización inversa) las corrlc r ues de corte de colector y de base se designan ' a x e 1111.
respeclivamente. El valor máximo de estas corrientes figura también en las especi ficaciones y son del
mismo orden de magnitud que le80.

La región de saluración en emisor comú n

En la región de saturaci ón la unión de colector (y tambi én la de emi sor) es tá polarizada en directo por
lo menos a la tensión umbral. Como sea que la tensi ón V 8~. (o VII(') es sólo dc unas pocas décimas de volt.
Va = VI/E - VIIC también es de unas poca s décimas de volt en saturación. Portanto. en la Fig. 3- 16 1a región
de saturació n est á muy próxima al eje de ten sión cero. do nde se unen todas las curvas caye-reu , épidam cnte
hacia el origen. En la Fig. 3- 16 se ha señalado. sobre las caracrens ticas. una recta de ca rga co rrespondiente
a una resi stencia Re = 500 n y una tensión de alimen tación de 10 V. Observam os que en la región de
saturació n la corriente de colector es aprox imada mente independiente de la corriente de base para unos
valores dado s de Vee y Re- Por tanto debemos cons iderar que la irrupción de la saturación t'cne lugar en
el codo de las curvas de l transistor de la Fig. 3- 16.
Las curvas de la Fig. 3- 16 no nos permiten leer la tensión co lector-emisor V,.•'. . ....11 con alguna precis ión.
En su lugar nos valdremos de la Fig. 3-2 1 en la que se han extendido las características en la zona entre
Oy 0.5 V de la Fig. 3- 16. Yse ha superpuesto la misma recta de carga correspondiente a Re = 500 n: y Vec
= 10 V. Observamos que en saturación tanto le como Va son cas i independi entes de '/J' El camb io de 'B
desde 120 a 160 JlA (Pig. 3-2 1) representa un cambio en Vn .. o de unos 50 mV y una variación de
inapreciable aún con la esca la amp liada. Contrariamente. en la Fig. 3- 16 una variación de 40 ¡JA en (de '8
'e
40 a 80 Jl.A) va acompañada de un cambio significativo tanto de le como de Va ' Esta es la región activa
en la que le = Pr lB' En saturación l B ya no «co ntrola» 'e
de forma que CJ.r ya no relaciona ambas. Es
conveniente introducir el parámetro

= /el
'11 en satura ción
0 ·23)

'N ~ ~Oo" A
O
----
~
1100

~
Recia de carga
so

:~o 0. 1 02 O.) 0.4

Tensión colector-emisor Vcr \1
-m

O.S

Figura 3·21. Ceracrertsncas detrransísror2N2222A en vcerca de la región de safuracién: sobrepuesta. una recia de cargacorres-
pendiente a V., = 10 V Y R, = seo Q
118 Microelectrónica moderna

para relacionar le e l. en saturación. Obsérvese que 11""'.... < 11" El caso de 11"""... =B, corresponde a la
región activa. Tan to la Fig. 3· 16 como la Fig. 3·2 1 muestran que en saturación I c viene determinada por
los elementos externos Vce y Rc y vale aproximadamente ValRc'
También vemos en la Fig. 3·21 que la tensión co lector-e misor VCE l .. 1 varía algo co n l•. En circuitos
digitales que emplean el BIT co mo interrupt or. el valor de VCl l " l tiene su importancia. (Se puede
considerar VcE ~ l co mo indicador de cuanto se aproxi ma un interruptor práctico al ideal.) Para de tenn inar
analíticamente el valor de V Cl se emp lean las ecuaciones de Ebers-Moll. Los detalles de este análisis
se deja n para el lector (proble~';3.7). El procedimiento es el siguiente: partiendo de la Ecs. (3·6) y (3·7)
se obtiene la expresión de l •. Despeja r/l D e I CD de las ec uac iones de Ic e 1, . Toma r el logaritmo de IEI/l eo
e idenlificar VCE = Vo - VuY 13""..... =1(" 11 • . El resulladoes:
I/u" + PlorrA ¡ P,, (3.24)
Vct: = Ve lol ....u :::: V, In 1 A
P" onado '11,
La tabla 3· 2 indic.. las variaciones de VCE l"' J al variar Pror<ada' a temperatura ambiente para un transistor
integrado que tenga IlF :::: l OO Y Ila = l .

Tabla 3·2. Variación de VCE ''''' con 11.. ...:......

,
v. ...",,, tmvr
99.9

'86
99

,JI "
14' ne
" 10

su
0. 1 0 .0 1

" 19
"
En la tabla 3-2 vemos que Vel '''1decrece al decrecer P_ y el BIT llega más lentamente a saturación.
La deducción de la Ec. (3· 24) prescinde de la resistencia del sem ico nductor que fonna la región de
co lector' , Aún con una resistencia baja como de 5 n una corriente de 10 mA produce una caída de 50 mV.
por 10 que generalmente se admite que Vel 1. .1 es de unos 0.2 V, También se observa que a med ida que
13,.- se aproxima a 13,. VCl 1...1 es de unos 0 .3 v . ro Generalmente se loma Vn 1"1 = 0.3 V como frontera
entre las regiones activa y de saturación. Los transistores que trabajan en esta zona se dice que están
escasa mente saturados o en el borde de saturación.
La mayor parte de fabricantes de transistores discre tos facilitan las variaciones de Va l. .l en función
de l e para un p_ = 10. En la Fig. 3·22 se representan tales curvas correspondientes a un 2N2222A. Con
co rrientes altas se nota un aumento de Va ("1 deb ido a los efectos de la resistencia de la masa."
En toda la zona de corrientes medias el valor de Va hall es comparable al de los transistores integra-
dos. En la Fig. 3-22 está también representada la variación co n Ic de la tensión emisor-base en saturación
V. l l..r
A veces para definir el BIT en saturación se emplea el valor de Va tor/le. cantidad denominada
resistencia de saturació n en.emisor eom lÍtI, que se representa por Rels' Rcs O Ra IM!L Para especificar
apropiadamente Ren debe mos indicar el punto de trabajo en el que se ha determinado. Téngase en cuenta
que cuando RCES se determina a parti r de valores med ios quedan incluidos los efectos de la resistencia de
la masa, La utilidad deR w proviene del hecho (co mo se ve en la Fig. 3·2 1)de que a la izquierd a del codo
cada curva, para un valor dado de 1, . puede aproximarse a una línea recta.

• La n:toiotencia di: la maaa dd cmo... ~ lambitn .... d~ De lOdn forrnm. la dI:..sidad de 00pad0 Y las d~. Ii~.. $011 loo.
f'!Wom;nanIn en la IniUC'Olcia lid ~
." El limite de VCE ¡_ ,a mroida q\lC Plor~* I~ndc: a Pf es >eJun la Be. (3-241. rnfino..,. "" n embvro P ranada " r F com:s,ponoe a la R:J ÍÓIl
"'+iY"por klQUI: los IUpues!OS empicados al tlc<Juco. la & . (3·24) ya 110$011 ~, r ."'os.
La ........U....: 1Ón de 8IT do'Cl't'l<K p«milr ~ lalni~~ di: la ........... mcllOf~ e" ,.n;..i_ ¡Nt ~
 Trandr/orts dt un/6n bipolares (BIT) 119

l.
• TI ·25-C
1.2

l .o
.......
•
6
1'" ,..."

• /
• 1
l O . ....

oe .s 1.0 2.0 S.O 10 20 SO 100 200 SOO

Corr iente de: colec tor J•• mA

FiKUTI ,)·22. Tensiones de ~turación de l lransislOr 2f1l2222A en (uneión de 11 corrien te de co lector ¡nora 1)1, '" 10. Obsérvese
que J, eSl' dibujada 1 esca la logaritm ica tCorted . de MoI:orol. lne.).

Resum en de tensiones en un BJT

En la tabla 3-3 se indican los valores de las ten siones de trabajo tfpicas de un transistor. A lo largo del
texto estos son los valores que empleare mos.

Ta bla 3-3. Te nsiones ñ plcas en la uni ón , a 2S · C

VCE01 V~
p",,/od~
Co"ridod sa/lfrtJd 6tr V.-.. _ . UmIN'" ¡oktil'O SoturtJrió" C(JTt~

ValOf(en V) 0.3 0.2 O., 0.2 O. o

Es razonable esperar que la variación por temperatura de la ten sión a través de una unión con
polarización directa sea la misma que en un diodo. es deci r -2.2 mV re.En saturación. el tran sistor consiste
en dos diod os con po larización directa, en oposición . Por tanto debem os anticipa r-que el cambi o de tensión
en una unión. debido a la temperatura quedará ca ncelado por el ca mbio en la otra unión. Este es el caso
de VCE .... , cuyo coeficiente de temperatura es una décima parte del de VBE 1... 1•
Los valores de las corrientes y ten siones ob tenidos de cálc ulos manuales basados en los datos de la
tabla 3·3 se corresponden bien co n los valores ex perimentales. Sin embargo no hay que olvidar que estos
valores son los tfpicos pero no exac tos,
Existe una variedad de motivos en el diseñ o. fabricación y manejo de circuitos que exigen que el
diseñador disponga de resultado s más precisos. En esta situaci ón se emp lean mucho simuladores tales
como el S PICE. Pero aún se emplean los cá lculos «con lápiz y papel » para indicar los valores nominales
de los da las de l ci rcuito.

3·7. MODELOS DE CONTINUA

A part ir de lo visto anteriormente respec to a las ecuaciones de Ebers-MolI podemos co nstruir un
model o de corriente co ntinua (ce) para cada reg ión de trabajo de un BIT. Nos referim os especialmente a
la configuración en emiso r co mún. pero los modelos se aplican igualmente a circuitos en base común.
120 Microelectrónica moderna

e
, te

',1, ~, 14
~-r- J

(. ) lb)

Figu ra J ·23. CiKl.litos equivakntn de g~ n señal (~n con tinua) de un transistor "P" para runcionamiento: ( Q) lC1ivo directo, y
tb) ~n larcl!-i6n de saturactón.

En la Fig. 3-230 vemos el modelo para la región activa directa basado en la Ec. (3-11). Como las
com entes de saturación inversas son sumamente pequeñas generalmente se desprecian . La balería del
ci rcu ito base-em isor es V8 l que según la tabla 3-3 vale normal mente 0 .7 V, La fuente de corriente
gobernada B, 1, relaciona I c con ' ,1 en la región activa. La resistencia R" señalada con trazos en el dibujo.
es consecuencia del efecto Early. Normal mente Ro es suficie ntemente grande frente a las resistencias
exteriores utilizadas que en muchos cálculos manuales se puede desprecia r."
La corriente /c, o entra en el terminal colec tor y deja el terminal de la base en la región de co rte (l c =
O). Las caídas de ten si ón producidas por / 0 10 a trav és de las resistencias exte rnas de base y co lector son
menores de unos pocos milivoh a la temperatura ambiente. En consecuencia. frecuentemente es co nve-
mente representar el corte po r circ uitos abiertos entre cada par de termin ales del transistor.
En saturación, el circuito equivalente de la Pig. 3-23b sirve para determ inar las corrie ntes y tensiones
en un circ uito. Las dos baterías representan los va lores de saturació n en los terminales. V,IC 1...1 y Va 1"'1'
El em pleo de estos modelos en el aná lisis de circuitos BJT requiere que conozca mos la región en
función. El método requiere que. al igual que con los circuitos de diodos en la Sec o2-7. demos po r supuesta
una determinada región en funcionamiento y comprobar med iante aná lisis tal suposició n. La observación
de la co nfiguración del circuito y los motivadores de polarización. así como algo de experiencia ayudan
a co nje turar correctamente. Los cuatro eje mplos siguientes muestran la metodología empleada en el
análisis. Cada uno de los circuitos de estos ejem plos. norma lmente se incorpora como una parte de los
circuitos ana lógicos y digitales descritos más ade lante en el texto.

Ejemplo ].]

Determinar la región de funcionamiento y los valores de / ,1 . / c y V..{l del ci rcuito de la Fig. 3-240 sie ndo
R,I igual a: (a) 300 k n y(b) 150 k n. El transístor em pleado tiene P, = 100. Prescindir de las cor rientes
de saturación inversas.

Soluci6n

O bservando el circ uito de la Fig. 3-240 resulta evidente que ten iendo la base unida a una tensi ón
positiva y el emisor conectado a tierra. V,IC será mayor que cero. Por tanto podemos decir co n seguridad
que la unión emisor-base tiene polari zación directa. En con secuencia el BJT está en su modo activo directo
o bien en saturaci ón. Supongamos el funcionamiento activo-directo y emplee mos el mode lo de la Fig.
3-230 para tener el circuito equivalente de la Fig. 3-24b. O bsérvese qu e en la Fig. 3-24a el termin al + Vce
 Transistores de uni ón bipolares (BJT) 121

significa una conexió n al term inal positivo de la fuente de tensión. llevando implícito que el termi nal
negativo de la fuente esté co nectado a tierra.
Para comprobar nuestra suposición se ca lcula Vce- Si ésta resulta ser mayor de 0, 3 V la suposición ha
sido co rrecta. Si VCE es menor de 0.3 V (véa se tabla 3-2) señala una suposición errada; el BIT está en
salUración y debernos calc ular de nuevo las corrie ntes y tensiones usando el modelo BJT dado en la Fig.
3-23b.
(a) En el circuito de la Fig. 3-24b la ley de Kirchhoff aplicada al lazo emisor-base da

J...::.~
e

'.
H.c - lkO
;.
v
ct'
J.-=-
_ (l OVj v••,.....,~,
(0.7 V )

(.) (b)

Figura 3·24. (a ) Diagrama esquemáncc de la configuradón en emisor común; (b ) clrceuc equivalente del apartado anterior.

- Vee + / BR B + VBE = O
Despejando lBy sustituyendo valores tendremos"
10 - 0.7
= 0.03 1 mA = 31.0 "A
300
y para el lazo de colector
Ir = PFIB y - V ec + fc R e + V eE = O
de donde
l e = 100 x 0.03 1 = 3. 10 mA
y

V ce - fc R e = 10 - 3.1 x 2 = 3.80 V
V eE =
Siendo VCE> 0 .3 V queda confirmada nuestra su posición inicial.
(b) Con R~ = 150 ka y haciendo uso de las mismas relaciones que en la parte (a) obtendremos

10 - 0.7
150
= 0.062 mA = 62.0 fLA l e = 100 x 0.062 = 6.20 mA

y
Va = 10 - 6.2 x 2 = - 2.40 V

11 Para lo. d lcul<a e. co nveniente expresar la cOrTiente en miliampcrios y la re.iueRCi.en kiloohmio. , y uf 10 haremo. u lvo que . e indique
lo contrario.
122 Microelectrónica moderna

Siendo VCE meno r de 0,3 V no es válid a nuestra suposición y el BJT está en saturación. C iertamente,
teniendo una tensión de alimentación del colec tor positiva es física mente imposible que VCE sea negativo.
En saturac ión V.!E ,...) = 0,8 V Y VCE (••u = 0,2 V. Estos valores nos dan

10 - 0 .8 = 0.0613 mA
150
la - 0.2
= 4.90 mA
2
8 e

R,
E
(2 70 kllJ
Re !] km
-_ Vu
.- ( IO V )

- lú z lO V

'o, ,"
Figura J · 25. (a) Circuito para el ejempl o 3-3; (b) el circuito anlerior co n el rransístor sustituidn por su modelo en co ntinua (Fig.
3-23a).

Ejemplo J.]

Determinar para el circuito de la Fig. 3·25a la región de funcionamiento y los valores de l B' le y VCf
teniendo el transistor P, = 100.

Solución

Este circuito se diferencia del de la Fig . 3·240 en do s aspectos: (I ) se ha añadido una resistencia de
emisor, y (2) las resistencias de base y de colector están co nectadas a tierr a y el emisor está conec tado a
través de REa una tensión negativa . Supondre mos que está trabajando en el modo activo di rect o; el circuito
equivalente es el representado en la Fig . 3-25h.
Apli cand o la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor tendremos:
I /lR /I + VIIt: - h R" - Vt:t-." = O
Puesto que la ley de Kirchhoff requiere que lE = - (l, + IC) y Ic = PI" la ecuación se convierte en
I N (R/I + (1 + {J,JR" I + V lI t: - Vu = O
Despej ando 1, y aplicando los valores numéricos:
Vu; - VN ,_ la - 0.7
= 0.025 1 mA
+ (1 + {J,-)Rf; 270 + ( 1 + 100)l /)
 Transistores de unién bipolares (BJT) 123

L,I ex presió n de Kircbh off para e l lazo colec tor-emiso r nos da

J( Re + ru . - I " R E ~ FII '" (l

Para la modal idad de cmisor susmuírcmos ·JI por 1(/ + B,I1/ = ( 1 + P,) lBY con le = P,II/' obtendremos

{J, I I,R e + \ '(1 + l{J, + III HR I - \ '1.1. = O

Despejando Vn y aplicando los valores co noci dos se obtiene

Vf/ '" \lu - {J, J" (U( + {J, f3~ IR,)

100 +
"" 10 - 100 x 1l,{1251 ( 1 + I )( 1) = 4.96 V
I on

Evide ntemente Vn es mayor que 0,3 V lo que c onf irma nuestra suposic ión de 4 ue se ope ra en 1,1re gión
activa dire cta. y por tanlo

1, {J, J¡¡ "" 100 x 0.025 1 '" 2,51 mA

Red de pola r ización de bas e.

R,
1 10 l. n

R,
tuc em
R,
f..-
f I
(11 eu R, •
N, - \ ,: kn
' "rr
ll~
,r
VI
!I : l.I1 1
1
~

MI ,"
e

R,
1I Ill. n l
'" ,.
-1l)'O'1 \ ·1 • I

uesu
R, - - "
11: \'1

(l. )

)'iJ:ur ll .' -26 .\<11 Ci rcu ilt>I"lra e l EJemplo J-'¡; (/, ) el m hmo circuito se ilal'lIlllu la red de polarización de la base . En la parte (¡-I se
~u~ l i 'uye es ta red por su equ ev..le me de T hevenin. En (dI e1Ir." cis to r es lá repr esen tado e n su modelo ucnv o -direcio .
 124 M;croelrc'rótl;m moderna

Rjemplo 3-4

(a) Hallar Ic y Vn en el cir cuito dc la Fig. 3-260 . El tran sistor tiene 11, = 150 . (M ¿C uá l es e l mínimo
va lor de Rc para q ue e l tran sisto r est éjustamente saturado ?

So luci ón

(a ) Por con ven ien cia la Fig. J -2&1 se rep rese nta co rno en la Fig. J - 261,. La red de po larizac ión de la
base indicada e n est a última figura se puede sustituir por su eq uiv alent e d e Thevcnin cu ma en la Fig . J · 26("
e n la que

V/l H
NI
11,
+ Nz
Vcr =
1I x 12
110 + 1I - 1.09 V

R" = 11, 1111, - R IR 2

11 , t 11, - 11 0 x 1I
110 + 11 - IO kU

Obsérvese la se mejan za de este c irc uito con el de la Fig. 3-24a (co n el añad ido de Rf ) . S upo nd rem os
también q ue se ope ra en la reg ión ac tiva-directa cuyo mod elo es e l de la Pig . ) -260'/. Proce die ndo 1;01 110
en e l ejemplo 3· 3 co n Y u reempl azand o VH e n e l lazo de base y \lec ree mplazando a \lu en el de co lector.
ten d remos

1.09 - 0 .7

12

l e = ISO x 2.04 X 10- 1 = 0 .30!) mA

(h ) Al bo rde de saturación Yft. = 0.3 V Y ~¡.,.. ..... = ~, = 150 . Si no hay ca mbios en la red de polarizac ión
de la base . lB se mantiene en e l valo r hall ado en la part e (a ). Con ~, = 150 l c tam bién es igual a lo hallado
en la parte (a ). o sea O.)Ob mA. Ento nce s. de la ec uación de Kircbboff para e l lazo co lecto r-e miso r de 1;1
pa rte (a) se determ ina R e

Vec - Vn Ih + I
U e = -'-'-'-;--'-" - U~'
1C' {J,
12 - O.) 150 + I
O.) O!) 150 x 1.20 = 37. 0 kH

Este es e l va lor de Rf" corres pond iendo al bo rde de satu rac ión. C ualq uie r valo r de R{. q ue sea supe rior
a 37.0 k..l.l•• red uce Ie- y e n conse cueu c¡a . siendo 1,1 cons tante. lle va a l transi stor más all é uc saturación.

Ejemp lo 3-5

Ha lla r le y Ver para e l c ircuito de la Fig. 3·27a. El trans istor tiene 111 = 125 Y flR =2.
 Transistores de unión bipolares (BIT) 125

Solución
Suponga mos la situación en activa-directa. La ecuaci ón de Kirchh off del lazo emisor-base es, co n
I, --(~+ 1)/,

Examinando esta ecuación vemos que con VBt: > O, lB será negativa. Esto es imposible en un transistor
npn. Con leBo~ O, l B deber á ser tambié n igua l o mayor que cero . Es decir, que la unión emisor-base no
puede tener polarización directa: con polarización inversael BJT estará o bien en carie o en el modo acti vo-
inverso. Si suponemos que está en corte tendremos que lB = le = lE= O. En consecuencia la ca ída de tensión
entre base y tierra es Vt:t: = 5 V Yla caída entre co lector y tierra es de O V. Estos valores hacen que VBe sea
positivo (5 V) polari zando en directo la unión del diodo colector-base . Por lanto, el BJT sólo puede estar
en el modo activo-inverso.
La Fig. 3-27b corresponde al circ uito equivalente para este caso . En la figura se ve que la ecuación de
Kirchh off en el lazo base-colector exige que :
- Vu + I,R, + V'C - leRe = O

B '"
(0.7V¡
e
• .1>1'"=
. ; -- _ .. .

R,
(20 kUJ
r.- t
R, • E R,
rom 1, I R, (J o kl"1)
",
20 sn
(5 km

,., 'O)

Figura ]·Z7. (a) C ircuito para el Ejemp lo 3·S; en la parle (h ) se utiliza el circuito equivale nte activo -inversa de jrransistor.

En el modo activo-inve rso -le = ü3, + 1) lB; si despejamos l it' result a

5 - 0.7
+ ({3u + I )R e 20 + (2 + 1)1 0 = 0.086 mA

Las corrientes de colector y de emisor serán

Ir· = - (2 + 1) x 0.086 = - 0. 258 mA
11-.- = f3 H I" = 2 x 0.086 = 0. 172 mA

El valor de Vet: se ded uce de la ecuació n de Kirchhoff para el lazo colector-emisor

 126 Microelectrónica moderna

S ustituye ndo los valores numéricos conocidos

Ya ' = - Vl.¿- + hR¿- - le R e
= - 5 + 0. 172 x 5 - ( -0.258) 10 = - 1.56 V

I I
Obsérvese que en e l modo activo-inverso VCE es ne gativo y Va > 0,3 V ya q ue se han invertido las
funciones de co lector y emiso r. Si J Va I
<0 ,3 V siendo VCE nega tivo , esto indica saturación del transistor
invertido.

3·8. EL TRANSISTOR DE UNiÓN BIPOLAR COMO INTERRUPTOR

El c ircu ito de la Fig. 3-28a esel de un simp le inte rrupto r. La onda de tens ión de en trada v,represen-
tada en la figura se emp lea para controlar e l estado del interru pto r (entre colec to r y e miso r). Para ' <TI' ' ',
= • VI Y el diodo emiso r-base tie ne po larizac ión inversa. Si des preciamos las componentes de corriente
Inversa," ya que el diodo cole ctor-base está po larizado en inverso, el BIT está e n corte y no hay corriente
alguna en ningún punto de l circui to, En co nsecuencia Vo - Vcco y siendo le - O esto no es más que un
inte rruptor abie rto. En la práctica ic '" leo Y vo = Vca -1 ca R L • Sin embargo, siendo lcodel orden de los
nanoamperios y RL de l o rde n de los kiloohmios, V o d iferirá de Vc<' en tan sólo unos pocos milivolt . y por
tanto, a efectos prác ticos \ '0 = Vcc
La tensió n de entrada pasa a ser Vz cuando T, < , <Tz. El valor de Vz se elige de fonna que el transistor
=
estéporlomenosenellímitede lasaturación,Según latabla3 -2, VCE = Vo V CE l>all s 0,3 v ,« ic = (V cc -VCEI ..O)/RL'
Estos valores se aproximan a los de un interruptor cerrado. Ob sérv ese que la corriente e n un interruptor
cerrado viene de term inada por los elementos externos Vcc y R L , Para Vec »0.3 v.t; = Vc¡!R L,

".
<, ".

"
-- -
'o
, - -- -
, ---- - --- - - -
"
R,
•
v,
• -'. ' .
" , - --- -., --- - - --
1
-0J--a-
T

(..¿ .....
~) W
Fig ura J ·28. (a ) Un interruptor BJT con ~u onda de entrada; (11) Ondas de l ' y de I mosusndo los tiempos de subida. toral. de
retardo y de almacenaje du rante la interrupción, " ,

l. De aquí en adelaRle prescindirem os en lo. dk ulo s de es las corrie nles. salvo 'l ile se indique lo conl"" io.
 Transistores de unión bipolares (BJT) 127

En el momento I = T! la onda de entrada cae nuevamente a -VI ocasionando eventualmente que el

transistor retome al estado de corte. En la Fig. 3-28 están representadas las curvasde "oe ic-Más adelante
en esta misma sección se tratará de los transitorios de la conmutación.
La naturaleza de las características de la conmutación es verdaderamente deducible de la cerac tertstica
de transferencia del circuito. que es una gráfica de V o en función de Vs .

Ejemplo 3·6

El circuito de la Fig. 3-28a utiliza un transistor 2N2222A, Vce = 10 V R, = 500 Q 'Y R, = 47 kO. (a)
Trazar la característica de transferencia del circuito, (b) esbozar la forma de onda de salida para1 :S 10 ms
con la tensión de entrada mostrada en la Fig. 3·29a. .

Soludón

(a ) En la Fig. 3-16 se ha superpuesto la recta de carga de este circuito a las características de salida del
BJT, y en la Fig. 3-20 se encuentran las curvas volt-amperio de entrada. En esta última figura se aprecia
que no hay ninguna corriente de base apreciable mientras no se supere la tensión umbral. Vemos en la
Pig . 3· 16que con / B = O. v, = VCf = 10 V.

"•. v "... v

10 - -- - - -
,
, ,,,
,,
6 ,,,
,,
• :""'"
,,
2
,,
• 5.876 ,
Va".1l
'. ~ 10
"•. v
5 0 0 .72

O , : .q4 , 5 l. ms

Figu ra J .Z9. (ti) Onda de entrada. y (h ) caracrerfsuca ee transferencia para el Eje mplo ) ·6.

Ya se indic6 en la Seco 3-5 que al aumentar V' Elas curvasde la Pf g. 3·20h se desplazan hacia la derecha.
Por tanto. podemos admitir que con Vce = 10 V se puede producir el corte en las proximidades de V' E=
0.7 V. Esto erade esperarya que un aumento de v, hace que el funcionamiento delt ransistor pase del corte
a la región activa-directa.
Una vez el transistor está en la región activa. V' E= 0,7 V Ysegún la ecuación de Kirchhoffpara el lazo
base-emisor
V, - VIII: o, - 0.7
i» = 47 mA
R,
. Asf como i, aumenta linealmente con v, vemos que a lo largo de la recta de carga V'E disminuye casi
linealmente hasta que el transistor se acerca a la saturación. El inicio de la saturación (mostrado en la Fig.
128 Microetectr ánica moderna

3- 16 ) tie ne lugar al aproximarse 1, a 120 ~A . Inte rpolem os e l valor de 11/ en la ci tada fig ura y tomemos
11 0 ~ A. El correspo ndiente valor de ", se rá

o 11 0 = v., - 0.7 y D, = 5.87 V

. 47
Un poste rior aume nto de 1', y por tant o de i, no influye en la salida.
Obtendr emos pu ruos de la característica de tran sferenci a determi na ndo primero i I para d istintos valores
de 1'" y seg uidamente hallar a parti r de e llos los corres pond ie ntes valores de I'CE de la rec ta de c arga de la
Fig. 3- 16 e n la región activa-directa. En saturac ión iCE < 0,3 V.
La ca racter fstica de transferencia exacta de la Fig. 3-29h se ha redondead o en las pro ximidade s de co rte
y de saturac ión. Esto ha y q ue atribuirlo a l hecho de q ue el tran sisto r no cambia re pentinament e en las
proximidade s del co rte , sino que co mo se ve e n la Fig. 3-20hexi ste un codo e n la caracte rística de e ntrada.
En forma análo ga, e l codo en las características de sa lida de la Fig. 3- 16 m uestra q ue en las proximidades
de saturació n se unen c urvas de d ist into s valore s de 18 ,
La aproxi mac ión lineal de las carac te rísticas de tra ns fe rencia su pone transiciones a bruptas , de corte a
la región activa , y de és ta a saturación. Como se puede apreciaren la Fig. ) ·29b es ta aproxi mación resulta
muy pró xima a la característica exacta. y por tanto es muy e mp lead a.
(h) La re spuesta a una onda de en trada que varía linealment e co n e l tiem po tiene la mism a forma q ue
la característica de transfe rencia. Así, las curvas de la Fig . 3·29h representan las ondas de salida e xacta y
aprox.imad a en func ión del tiempo. La esca la de tiem po corresponde a la pendiente de la o nda de en trada
que esde 2V/m sy v" =V'r , I Yl I •
La ca racterística de tran sferencia aproxi mada refleja e l c omportamie nto de l circuito . Los dos seg men-
tos hori zontales co rres ponde n a los dos estados del interruptor ; abierto (OfF ) o cerrado (ON). A lo largo
de es tos seg me ntos. la salida no re sulta afectada por las variaci ones de la e ntrada ya que e l transi stor es tá
en corte o saturado. La línea q ue une las porciones horizontales de la carac te rística repres enta una
depe nde ncia lineal de la salida respecto a la e ntrada. Este es e l func ionamie nto de una fue nte gobernada,
nece saria a e fectos de amp lificació n, adm inistrada por e l tran sistor polarizado en la región ac tiva d irecta.

Velocidad de conmulación del BJT

En la descripción del circu ito de la Fig. 3-28a hecha a l pri ncipio de es ta Secció n nos referimo s a los
estados de l interruptor (ON y OFF). A hora nos referim os a los transitorios en las o ndas de la Fig. 3-28.
Como se aprecia en esta fig ura, la corrien te no re sponde inm edi atamente a la señal de e ntrada. sino
que por e l contrario hay un retraso . El tiempo q ue trans cu rre d urante este retraso j unto con e l nece sario
pa ra q ue la co rriente alcance el 10% de su valor máximo (saturación) co nstituye e l tiempo de retra so 1.1'
La onda de co rrie nte tiene un tie mpo de subida t, no nulo. que e s el tiempo necesario para que la co rrie nte
suba a trav és de la reg ión activa desde el 10 al 90 % de le (, al)'
El tie mpo total de co nm utación ION es la suma de los tiempos de retraso yde subida, lo N = (J + 1,_Cuando
la se ñal de entrada retoma a su estado inicial en e l mom en to t = T1 tam poco la corriente responde
inmed iatamente . El interv alo que tran scu rre desde la trans ición de la onda de entrad a hasta q ue ic haya
bajado hasta el 90 % de les se de nomina tiempo del almacenamiento t•. A este tie mpo le sigue el tiempo
de caída I¡que es el necesario para q ue ie caiga desde el 90 a l 10% de l e( ..,). El tiempo de co rte 10 FF es la
suma de los tie mpos de a lmac enamiento y de ca ída tOff = 1, + I r Comen taremos ahora las razones físicas
de cada uno de estos intervalos; su cálculo exacto es complejo. En la Secc ión 11-5 se dará n métodos
aprox imados de cá lculo de es tos tiem pos e n relac ión co n la regi ó n act iva.
Tres facto res contribuyen al tiempo de retraso; ( 1) c uando se a plica la señal a la entrada del tran sistor
se necesita un c ierto tiempo para cargar la capac idad de transición de la unión del emi sor de forma que e l
 Transistores de unión bipolares (BIT) 129

transistor pueda pasar del co rte a la región activa. (2) aun cuando el transistor haya llegado al punto en el
que los portadores minoritarios hayan comenzado a cruza r la unión de co lector hacia la base. se necesita
algún tiempo antes de que estos portado res puedan cruzar la reg ión de la base a la unión del colector y ser
reconocidos como corriente de colector, y (3) se necesita algún tiempo para que la corriente de co lector
suba hasta el 10% de su valor máximo.
Los tiempos de subida y de bajada son debidos al hecho de que si para saturar el transistor o para
llevarlo de saturación a corte se emplea una corrien te de base escalonada. la corriente de colector debe
cruzar la regió n activa. La corrie nte de colector crece y decrece según una curva exponen cial cuya
constante de tiempo es T, que se puede demostrar que vale T, - j3 g ( C~ RI. + l / wT) siendo C~ la capacidad
de transición del colector y ffiT la frecuencia a la que la ganancia de corriente es la unidad.
La demora del transistor en responder al borde posterior del impulso durante un riempo r es de bida al
hecho de que un transistor en saturación tiene un exceso de portad ores minoritarios almacenados en la
base lo que le impide responde r hasta tanto este exceso sea eliminado . En la Fig. 3- 12 está indicada la
densidad de carga almace nada en diferentes condiciones de trabajo. El efecto del exceso de cargas
almacenadas en la base es similar al transitorio de l corte de un diodo pn co mentado en la Sección 2~ 10.
Considere mos que el rranslstor est é en su región de saturación y que en el momento ' = TI se emplea
un impulso en escalón para pasar el transistor a corte como en la Fig. 3-2!t Puesto que el proceso de corte
no puede comenzar hasta que la densidad anormal de portadores (zona más sombreada de la Pig. 3· 12)
haya sido eliminada, puede transcurrir un tiempo relat ivamente largo 1, antes de que elt ransistor responda
a la señal de corte en la entrada. En casos extremos este tiempo de almacenam iento puede ser varias veces
superior a los tiemp os de subida o de ca rda en la región activa. Es evidente que cuando los transistores se
empleen en aplicaciones en las que la rapidez sea apremia nte ser á ventajoso reducir el tiemp o de
almacenam iento. Para evitar la saturación del transistor y por tanto eliminar el tiempo de almacenamiento
existe un método que cons iste en emplea r un diodo Schottky j untamente con el BJT , Este dispositivo
compuesto se den omina transistor Schouky y se estud iará en la Sección 5-3,

3-9. EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR CO MO AMPLIFICADOR

El circuito de la Fig. 3· 30 es una etapa de amp lificador en emisor común. A e fectos de mostrar la
función amp lificadora utilizaremos un transisto r 2N2222A con un Vec = 10 V YRL = 500 n. Las caracte-
rísticas de salida y la recta de carga ya representadas en la Fig. 3- 16 se reproducen.'por conveniencia. en
la Fig. 3-31. En la Fig. 3-30 se ha seleccionado R, = 232,5 kO para polarizar el dispositivo en la región
activa directa en Q correspondiente a /~ = 40 Il A ' /q l = 8 roA y V Cf O = 6 V. El co ndensador C/I llamado de

+ "o-( 10 V I

R,
lO.S kil I

e•

H, '" t>Oll n
•
t', • r', sen lI)/

I"¡~ura J-.m. Etapa am plificado ra elemental en emiso r comú n.

130 Microelectrónica moderna

o 1, -200 "A

o
160
IC .m A " , ,. A
o
120
o ~Re('/~ cJ.
- ' ,-¡qc~ Q- - so---
li 40
L--~ , _ --- --- -Y1--- ¡...... n--
oo
- 4 t
'no
6 8 10

Te nsión cotec ror-emisor \'ce l'

o 46
,, 8 l/ce v
-
,,
,,
,

Figura 3-31. Caractensncas de sahda en emisor comú n mostrando la recta de carga y la componente seno jdal de la señal.

bloqueo sir ve para aislar la corriente continua de polarización de la fuente de señal¡" = V,.. sen rol y de su
resistencia R.. Este condensador actúa como circuito abierto cuando no hay señal de entrada, ya que la
reactancia de un condensador es infinita a la frecuencia cero (en continua). Admitamos que a la frecuencia
angular de la señal la reacta ncia de eH es suficientemente baja comparada con R, que la co mbinación de
estos dos elementos en serie es igual a R . En consecuencia. el efecto de l condensador sobre la seña l
transmitida desde la fuente ", hasta la entrad a de l amp lificador puede despreciarse. La amplitud de V,", se
elige de forma que dé una componente de señal de la corriente de base ih = 1"", sen rol. y siendo 1"", = 20
JlA. La corriente instant ánea total de base i, es la superposición del nivel de polarización en continua. más
la corriente de la señal. Por tanto

iB = I RQ + i¡, = 40 + 20 s in wf /LA

Como se ve en la Fig. 3-31 el efecto de esta señal hace que tamo ic como I 'n : varíen senoidalmente
(a proximadamente) alrededor de sus niveles de reposo . Estas cantidades puede n expresarse:

i c = l eo + i, = I r Q + J~", sen w f A 13-251

eno = Vc t.Q + r. , ~ = VCi:Q + V ro.", sen wl V 13-26)

La tensión instantánea total de salida l 'cr puede observarse en un osciloscopio s i el selec tor está en DC
(co ntinua) (Fig . 2·27a). Si el selector está en AC (a lterna) só lo apare cerá en la pantalla la salida se noida l.
V«", sen e». (Fig . 2·27h).
Vemos en la Fig. 3-31 que la pequeñ a variación en ia debida a la señal (lb'" 20 JlA) motiva que '<m= =
4 mA y Veo", = 2 V. Los niveles aumentad os de la señal en la salida son un índice de la amplificación dada
por el circuito.
 Transist ores de unión bipolares (BJT) 131

Notación
Llegados a este punto es conveniente hacer algunas observaciones sobre los símbolos empleados en
los transistores. Concretamente. los valores instantáneos de cantidades que varían con el tiempo se
representan con letras minúsculas (i para las corrientes. l ' para las tensiones y p para las potencias). Los
valores máximo. medio (continua) y eficaz se representan. con las mismas letras pero en mayúscula (l. V.
P). Los valores medios (continua) y los instantáneos totales se indican con un subíndice en mayúscula
correspondiente al electrodo correspondiente (8 para la base. C para el colector y E para el emisor). Las
componentes variables de algún valor de reposo se indican con el subíndice en minúscula del símbolo del
electrodo interesado. Se emplea un solo subíndice si es evidente el electrodo de referencia. pero si hay la
posibilidad de confusión deberá emplearse el subíndice convencional. Por ejem plo. en la Fig. 3-3 1
indicamos las corrientes de colector y de base así como las tensiones en la configuración de emisor común
con la notación ahora descrita. Las variaciones de las com ponentes de las corrientes de colector y de
emisión así como de las tensiones respecto al punto de reposo son:

i, = ie - le == t! i c Ve = Ve - Ve = a Ve (3-27)
il , = is - 1/1 = Ci i H t'h = l'/I - Vo == CiVil

La magnitud de la tensión de alimentación se indica repitiendo el subíndice del electrodo. Cuanto

antecede queda resumido en la Tabla 3-4.
En el párrafo anterior se evidencia que estamos interesados en los cambios que debido a la señal
aplicada ocurren en las tensiones y corrientes alrededor del punto de funcionamiento. En la siguiente
sección demostraremos que se necesita V,m = 26.5 mV para hacer I¡,migual a 20 ¡..tA. por tanto, la ganancia
de tensión (o amplificación) Al es:
2
75.5
v., 26.5 x IO - ~

y la ganancia de corriente es
4 X 10- .1
= 200
20 x I O ~ (o

Tabla J ·4 Resumen de notaciones

Notació n Tensión base (colector¡ Corriente "ase (colector)

respecto emisor respecto circu ito exterior
Valor total instantáneo VB (Vd iB (id
Valor de reposo VB(Vd l B (Id
Valorde la componente variable VI> ( v,) i¡, (O
Valor eficazde la componente variable Vb (Ve) I~ (1<)
Tensión de alimentación VBBC Ved

Observemos que I..II~", es la relación entre la variación de la corriente de colector I:J. i e y la corriente
de base a i 8 alrededor del punto Q. '
También es evidente. viendo la Fig. 3-31,que 1'" e i, están desfasadas 180°. Esta inversión de fase entre
la tensión y la intensidad de la señal indica que el BIT funciona como una fuente gobernada por ilol ~.
 132 Microetectr ánica moderna

Co rno ya se ha ind icado anterio rmen te, la fuente gobernada es e l fundament o de la amp lificación
ten iendo muy en c uenta que sólo resulta ampl iada la señal.
La potencia de la señal ce dida a la resistencia de ca rga Rl es:

P, = U,Y R I . = (
4 x
ViJO O
')' 500 = 4 mW

La potencia total sum inistrada co njuntame nte por las fuentes de po lar izac ió n y de señal es:

P.\ = v., i.:

V2 ' v'2 +
V
cc t
I
CQ +
I
I IQ ) w
2.65 x 10 - ~ 2 x I o- ~
= x v'2 + 10 (8 x 1O ~ 1 + 4 x 10 ~) = 80.4 mW
v'2
Es evi de nte q ue la potencia to tal sum inistrada a l ci rc uito es co nside rableme nte mayor q ue la potencia
de salida de la se ña l. Sin embargo la potencia de entrada de la seña l V... /",)2 es de tan s610 0.265 ~W
mientra s q ue la de salida es 4 m W o más q ue la sum inistrada por la fuente de seña l.
Veamos ahora cómo podem os de termin ar los nive les de salid a si se red ujera la amplitud de la entrada
para co rres po nder, por eje mplo, a l . = I ~ A . Natura lmente no pode mos detectar tan pequ eño cambio e n
las características de sa lida de la Fig. 3- 3 1. En e l Eje mplo 2·4 y e n la Sección 2-9 ya de mos tramos que
es ta s ituación se puede manejar mej or med iante el mode lo de peque ña se ñal de l di spositivo . Una cuestión
adicional es que las caracter ísticas volt -a rnperio so n características en co ntinua que intrínsecamen te
el iminan todos los efec tos de l almacenam ie nto de cargas que puedan estar presen tes. Estos puede n
introducirse en e l mode lo para peq ueña señal de l que tratarem os en la sig uiente Secc ión.

3-10. MODELO DE UJT PARA PEQUEÑA SEÑA L

El ci rcuito eq uivale nte para pequeña seña l del BJT se deduce de los mode los de pequeña se ña l en los
diodos de la Secc ión 2-9 y dc la represent ación de Ebers-Mol l de la Secc ión 3-3. Los elementos qLle forman
e l c ircuito eq uivalente relac ionan las variac iones de te nsió n y de corr ie nte a lrededor de l punto Q.

'.
:, ,
~- --'VVv - -,
,'
" ,, . ,,
«, '.
, -J. '

Figur a 3-32. Circ uitueq uivalcmc hlhrido· /t de pequcña ,cñat. La revistcncin I'~ (Hneudl." lrum ) nonua tmeme \C unute ya que ge -
neralm c me ' u efecto es despreciable .

Il Llmvc nd""almcnle "" c" " , idc ra ' lile la polencia .h,;patla e, p,,,iliv,, , i la curt ienle e" un e1 e", enlu v:< <I ¡r i~ ida de "'" ' ;[ 111 ,·m" tllna caida
dc tcn, i,\n ). Si UlIa tllCllle , u'llini' lra pUlc, ...ia. taccmcrae vadc ",e nm a m", (aument'HIc len,i ón) , E, e n" ' le ,cn li<l"'lue 'C inte'l'''' I'''IUccl lIer a'C
e ntre V, ," i, indica una di, ipoción de I"'.c ncia en la ea'~a _
 Transistores de uni6n bipolares (BJT) 133

Cada elemento del modelo es función de las tensiones y corrientes de reposo establecidas por la
polarizació n. Como los ca mbios los provoca la señal de entrada, el circuito equivalente nos permite
relacionar la señal de salida con la de entrada.
En la Fig.3-32 está represenrado el circuito equivalente híbrido - 1t del BJT conectado en emisor común.
Podemos identificar los elementos de este modelo con los de la representación de diodos acoplados del
transistor . La unión em isor-base polarizada en directo está representada por 1"0 y Co siendo esta últim a la
capacidad de difusión y estando relacionada con la resistencia incremental del diodo emis or-base".
Corrientemente r. tiene valores comprend idos entre unos pocos centenares y varios millares de ohmios.
La capac idad C es la de la región de dep lexión de la unión colector-base co n polarización inversa. La
resistencia incr¿mcntal ,. de este d iodo es la señalada con trazo discontinuo en la Fig. 3-32. Esta resistencia
•
tiene en cuenta la realimentación (modulación del ancho de base) entre la entrada y la salida. deb ida al
efecto Early (Sección 3-4). Debido a su extremadamente alto valor (varios megaohmios) muchas veces
en los cálculos se desprecia TI' (esto es lo que haremos en lo sucesivo salvo que se indique otra cosa). El
acoplamiento entre uniones se representa en el modelo por la fuente de corriente gobernada 8", 1'0' Yes
proporcional a la corriente de entrada ;6' La resistencia de salida ,." tambi én es consecuencia del efec to
Early y es igual a la inversa de la pendiente de las líneas de trazos de la Fig. 3- 17, estando su valor
comprendido típicamente entre unas decenas y unas cen tenas de kiloohmios.
La resistencia r6 es la resisten cia de dispe rsión de la base y tiene en cuenta la cafda de tensión en el
recorrido entre el contacto de la base y la región activa de la base (entre b y e) bajo el emisor, (Véase Fig.
3-7.) Esta resistencia decrece al aumentar los niveles de corriente, estando sus valores típicos compren-
didos entre 40 y 400 Q . Debido a la mayor área de la sección recta de la región de colector (Fig. 3-7) la
resistencia de dispersión del colector es del orden de I n: y normalmente se desprecia (excepto en
transistores discretos de corrientes altas o en simuladores).

b '. •
'. '. '.
, ,
¡'¡gura J-JJ. Modelo hlbrido-lt de baja frecuenci a.

Modelo de baja frecuencia

Las capacidades C o ye pueden calcularse co mo se vio en el capítulo 2, empleando las Bes. (2-20) Y
(2-29). De estas ecuacione~ se deduce que tanto Co como C~ dependen de las tensiones y corrientes del
BH en el punto de funcionamiento. Con los niveles nonnales de trabajo, los valores de Co' tanto en
transistores integrados como en transistores discretos de baja potencia, están comprendidos desde unas
decenas hasta cien o doscientos picofaradios. C" es ge neralmente de unos pocos picofaradios (entre 1 y
5). Con frecuencias de señal baj as. la reacrancia de amba s capacidades es extremadamente alta; por
ejemplo con ro = 10' rad/seg. La reactencia de C R =50 pF es de 2 M n y la de e =2 pF lo es de 50 M n.
A tales frecuencias los efectos de C oy C" son desprecia bles y por consiguiente sl pueden considerar como
circuitos abiertos.
Esto nos conduce al modelo de baja frecuencia representado en la Pig. 3-33.

I ~ O bsérve<e q" e la. rc. i" enc ia. de peq ueña Se" ar "" """ HIM con nnn üsculas. Esta ""lac i6n nos pc m,ite d i. lingu ir 111.' can lid. des increme ntales
de loo parámelro , e n COI1';I1"&y de I. s lesislcnc ia. n.íca,.
134 Mtcroetectr ánica moderna

En esta figura se ve que:

Con \'CE = O, no hay corr iente alguna en rv y

i.
¡,o = e.», = g ", rrti" o = g", I"rt
1,
Conviene introduc ir

{3,,= - . 61cl
A1n \'n -con,, ~ I '(" EO
= :- 1'1
1/, " , ,_. ..
(3-281

El parámetro 13~ es el incremento (en alterna) de la ganancia de corrien te directa en cortocircuito y

emisor común, calculado en el punto de trabajo". El valor constante de V CE indica que no hay camb io
incremental en esta cantidad y por tanto, I'CE = O. (La condición VCE = Oe i< ~ Orepresent a un cortocircuito
entre co lector y emisor en relación a la seña l. Sin embargo, no indica un co rtocircuito físico de conexió n
en tre estos termina les). Para evaluar 13 se puede em plear la línea vertical de trazos que pasa por Q en la
0

Fig. 3-31, lo que veremos en el ejemplo 3-7 de esta misma Sección. De la Ec. (3-28) y de l análisis del
modelo de la Fig. 3-3 resulta

{3" = g",I" rt (3-291

El parámetro gm = V v" llamado transconductancia refleja el cambio incremental de ¡c alrededor del

punto de trabajo debido al cambio incremental en la tens ión emisor-base. La caída de tensión i~ ,.~ es tan
pequeña que permite admitir que los cambios en la tensión base-term inal de em isor reca igan en la unión.
Cua ntitativamente gn, se puede expresa r:

g", = - 61c- I
A VnE ,·" - " ,, n " . \ ·n l'
ale
= - - I
ilun !:: \ 'n : - ll
(3-30)

Cons ideramos conveniente repetir lo dicho anter iormente relativo al sign ificado de \1,_. = O. Mantener
constante I'ce supone que no exista ningún cambio incremental en \'CE. Por tanto, \',. = O Yen la Fig. 3-33
esto equiva le a cortocircuitar co lector y em isor.Téngase en cuent a que no estamos conecta ndo físicamen te
los terminales e y e en el transistor real: esto sólo quiere decir que la co mponente I 'CE de la señal es nula.
Según la Ec. (3-17) , ic = - a l' iE tanto para un transisto r npn como para uno pnp y la Ec. (3-30) se
convierte en I ~ :

'
.~'"
= - 0'
I
ill,-
-
¡¡ .
[IV:
I
r. ,- "
(3-3 11

Deseamos relacionar gn, con la cond uctancía de l diodo em isor-base. La cond ucranc ia incremental de l
diodo viene dada por la Ec. (2- 17) como

"I~ Lo_~ Fabricantes llaman a esla cllnl idad 11/" sin e mba rgo nO!iotros .e guiremo s llamá ndole Ilo ya que es lo mb empleado ~Il la lileralur a.
En la Ec. (J. ) II SUP"nemos 'l ue 0'-1' e' i",tepend ieme de vIIF:
 Transistores de uni6n bipolares (BJT) 135

en donde i(l y 1'0 son las corrientes y tensiones directas del diodo. En un transistor 111m. l' . polariza en
directo el diodo emisor y "se = " D' 81.

Sin embargo ji es en sentidoopuesto a j" (de 11 a 1') de forma que j. _= -i1I. Por tanto (Jj E I (J" N=E -di/ II D
d" Y

0 -32)

La Ec. (3-32) es válida para un transistor pnp porque polarizando en directo la unión del emisor se
tiene que i e =i,) Y I'M =- I'(l '
La conductancia gJdel diodo emisor se designa en la Ec. (2-19) con T\ = I de donde K =- ljV para
un transistor 111'" y 1:4 = +l i JV, para un dispositivo Imp. J , T

Enel transistor "1'" (P"P; I[Qes negativo (positivo):así '~ J es positivo en ambos casos y se puede escribir
'':J =ll¡';Q I N,. De las Ecs. (3-31) y (3-17) Ydespreciando leo comparada con lCQ se obtiene la simple
expresión siguiente de la transconductancia

}: '" - cr¡ ll,ul

V,
1/,"1
1J·33)
" V,
La Ec. (3-33) indica que g", es directamente proporcional a la corriente de reposo de colector e
inversamente proporcional a la temperatura. A la temperatura ambiente y expresando l CQ en miliamperios
tendremos:

Km =
!!ud
25 mA 13·34)

Las Ecs. (3·29) y (3-34) nos permiten determinar r K ya que p~ lo especifica el fabricante. Una vez
conozcamos 1'. podremos calcular r~ a partir de la resistencia de entrada. De la Fig. (3-33) se deduce que

1"; =1'1,+ 1".. 1J·35)

Muchos fabricantes de dispositivos emplean el sfmbolo r, como h... en un punto de trabajo dado".

EjemploJ·7

Determinar en el circuito de la Fig. 3-30: (a ) el valor de V, que dé una señal de salida de 2 V de pico,
(b) el valor de la señal de salida con V. = 2 mv, y (e) repetir la parle h. con V, = 265 mV. Supóngase el
trabajo a baja frecuencia y a temperatura ambiente.

Soluci6n

El primer paso es trazar el modelo de pequeña señal a baja frecuencia. Esto se consigue sustituyendo
primero el transistor por circuito equivalente de la Fig. 3-33. Ahora s610 hay que añadir al modelo los
elementos de circuito exteriores al BJT que influyen en Jos valores incrementales de tensiones y de
corrientes. dando como resultado la Fig. 3-34b. Obs érvese que en el modelo no figura la aportación de
polarización ya que no contribuye a las variaciones de tensión y de corriente. Además como la tensión
incremental a través de Vce es cero, actúa como un cortocircuito.
 136 Mtcroetectr áníca modertla

R. " 600 e

~ ,.
- r,
62H1
•
-
'. +;.,.t,·,
0.32 ••
,
RI =~oon

, ,
o••

,"
fo'i ltura .' -34. Eq uivale nte de baja frecuencia y pequeña :<eña l de l circuiro de li! Fig. ] -.lOd\>1Eje mplo ] -7.

El valor de g.. se determina por la Ec. (3-3 4) con

3-9).
'e=8 OlA (la co rriente de reposo dad a en la Sección
Km = ;\ = 0.32 U
Il.. se ded uce de las ca racterísticas de la Fig. 3-31 a lo largo de la línea de trazos vertical. y es :
( 12 - 4) xI O'
{1 = = 'lOO
.. (bO - 20l x 10 " -

(O bsérvese que 11 es la gananc ia de co rrie nte A ob ten ida e n la Sec o3-9). Haciendo uso de la Ec. (3-28)
tendremos: " ,
/3.. 2tXJ
r" = - ~ - -'l = b25n
.1:", IL L

La resistencia de disper sión de 1,1 base 1'1, o btenida por medición es de 100 Q 'n. De la pendiente de la
ca ractc rfsrica de colec to r e n e l punto Q de la Fig. 3 -3 1 se dedu ce que 1'" es de más de 5 k.o.. As í e l efecto
de r" es despreciable: co mo es t á en paralel o co n RL = 500 .o. la co m binación en paralelo de r" y R¡. es de
5OOU.
(ti) Ahora se co mpleta el mode lo . Con viene sustituir 1',. R, Y R,I por un eq uivalente de ThevenÍ} co mo
se ve e n la Fig. 3 ~ 34/).
, 11 R ,R.
R. = R. RIj = N. + RIj
Como R I, = 232.5 k!l J> te, = flOO n . l -: = e, Y R : = R •. En la Fig. 3-34h

". u '" Wk"" de' 11.. ,bdo ... en d "I"'nd;"y K '~'""""ntkn a un PU:>!o <k lraheaj" ..>w1>Io:tn<'111" d' '>l ' 'k> al <Ir .........jC'mpl<>. por lo 'l ~ .........
1".....·nk... C"R>f'...· ar .
 Transistores de unión bipolares (BIT) 137

y aplicando la relación del divisor de tensión tendremos

t.: = '. V.
" R. + rl> + r"
Combinando estas ecuaciones resulta
- g-r.RL - f3,fiL
~ = R .+ ,.+ ,. v, = R , + TI> + r: v. = A I·~

La relación v.. /~ se den omina ganancia de tensión A ~/.

El s igno menos en la expresión de A. (y de v) indica la fase inversa discutida en la Sec o3-9. El cálc ulo
da:
A _ - 200 x 500 _
v - 600 + 100 + 625 - - 75.5

y teniendo en cuenta que la tensión de entrada V

" .., = V' '''
v., 2
= 26.5 mV
V"" = IA.I 75.5
siendo éste el valor indicado en la Sec o3-9.
lb) Con una señal de entrada V_ = 2 mv .J a amplitud de la salida es

V..... = 1A v! V .... = 75.5 x 2 x 10 - ' = 15 1 mV

Ce) Con V_ = 265 mV. obtenemos:

V._ = 75.5 x 0.265 = 20.0 V

Este resultado es evidentemente falso pues corresponde a una situac ión físicamente imposible. Con
una señal de entrada diez veces mayor que la de la parte (a) y suponiendo un funcionamiento lineal.
debe ríamos esperar ' ... = 10 x 20 J.1 A = 200 J.1A. Una ráp ida inspecc ión de la recta de carga de la Fig. 3·3 1
revela que una señal senoidal de amplitud 200 J.1A con ItIQ = 40 J.1A lleva al BH a saturación durante el
semiciclo positivo y a corte du rante el semiciclo negat ivo. Aprovechamos esta parte de l ejemplo para
hacer notar que el uso del modelo de pequeña señal queda restringido al funciona miento en la zona lineal
de la región activa. En la Fig. 3-29h se represe nta la ca racte rística de transferencia de un circ uito similar.
También observamos que su empleo como amplificado r queda limitado al segmento lineal que une el
corte y la saturación. Si emp leáramos la característica de transferencia con la entrada dada , observaríamos
una salida altamente disto rsionada y cortada.
Los resultados del Ejemplo 3·7 demuestran qu e sólo se consigue la ampl ificación dentro de unos limites
de la señal de entrada. ex istiendo otras restricciones para el funcionam iento como ampl ificador . En nuestro
análisis hemos supuesto que los efectos de C y C eran despreciables a la frecuencia de la señal. pero este
no es del caso co n frecuencias más altas. pC:r ta~o. la ganancia result a afectada. lo que limita el campo
de las altas frecuencias que pueden utilizarse. Con baja frecuencia los límites de funcion amiento se
manifiestan cuando presci ndimos del supuesto de que C. tiene una reactaocia desprecia ble. La respuesta
en frecuencia del circuito amplificado r será tratada en el ca pitulo 11 .
138 Microelectr áutce modema

3-11. EL BJT COMO DIODO

La eficiencia en 1a fabricación y la facilidad con que se pueden compag inar las características hace
que muy frecuentemente se empleen BJT a manera de diodos en los circuitos integrados. En algunas
seccio nes anteriores de este capítulo hemos observado que cortoci rcuitando dos terminales del transistor
o bien dejand o un circ uito ab ierto . el BJT act úa co r no un diodo con polarización inversa. Ahora
co nside remos el funciouaml erno con polarización directa de una de las conexiones de l BJT más empleadas
como diodo .
+ I'ce

1, ¡ R

¡'e
l::.
.•
'~,:

L'I base y el colector del translstor de la Fig. 3-35 est ñn conectados: esta configuración emplea como
diodo la unión hase-emisor. Lo que resta del ci rcuito de esta figura señala que el colector, así como la
base, retoman a la tensión de aliment ación Va ' a través de la resistencia R. Esta tensión positiva polariza
en directo la unión emisor-base. y como l' He" = Oes menor que la tensión umbral, e l diodo co lct tor-base
queda con polarizació n inversa. En consec uencia el BJT está en la región activa directa. Por la ley de
K irchhoff tendremos

(J ·36 )

con Vu = 0.7 Ven el modo activo, la corriente INes una constante que depende sólo de la tensión de
alimentación V Yde la resistencia R.
(Y '

Podemos emplear la ley de Kirchhoff para relaciona r IRcon las corrientes del transistor . Puesto que 1("
= ~f IB. IN= /r + 1 ,será

(J-37)

Como IRes constante. y ~f » l. Ir '" INes también constante. Esta observación es la base para la fuente
de corrieme descrita en el siguiente eje mplo.

Ejemp lo 3-8

El circuho de la Fig. 3-36a es una /l/ ell1e de contente muy empleada para la polarización de un BJT
en circuitos analógicos integrado s. Los transistores Q 1YQ2 son idénti cos; es decir,que han sido fabricados
para que tengan ca racrerfsncas parejas. (a ) Determinar Ir en función de los parámetros del circ uito. (h)
Calcular l e para VI"{" = ID V, R = 10 K n y P,. = 100. (e) Repetir la parte (h ) para PF = 200 .
 Transistores de unión bipo lares (lJJT) 139

Sotuct án

( o) La corrie nte /11 viene dada por la Be. (3·36). Las ten sion es base -emisor V/11; de cada transistor son
igua les co mo consecuencia de la ley de Kircbho ff. Puesto que 01 y 02 so n dos rmnsisrores idénticos y
trabajan con el mismo valo r de " .,. las corrientes de base y de colector de ambos son ta mbié n iguales.
Apl icand o la ley de Kirchhoff a l nudo donde van conec tada s las dOli base s y e l colector de OI tendremos :

t "«
R

(Ic

01
•
-'. •
..2-
O'
T
R«l
1

~R. R,'
7
·u ·u 7
:

('1 lbl

Sustituyendo l. - Ic'l3FYdesp ejando le nos da

t, •
{J, \ ' C( - I 'NI
(J, +
( h) S ustituye ndo por los va lore s dad os: " R

lOO 10 - 0 .7
Ie - = • n,tJl::! mA
lIJO + 2 In
(e) Para p, - 200
::!O(l \O - 0 ,7
/, =
+ 10 " 0.921 mA
200
"
Los result ad os del anteri or eje mplo nos hacen ver qu e aún con una va riac ión de l I()()% en t la variaci ónP
de le es del o rden del 1%. La co rrie n te de colector de 02 es virt ualmente cons tante e independiente de IOli
parámet ros delnanslstcr. El valo r de Ir: ocpende ünicarrente oc "n:'
y R. Este es el comportamiento de una
fuente de co rrie nte constante. lo q ue nos permite trazar e l mode lo de l circuito de la Fig . 3-36fl tal como
se represe nta en la Fig . 3-36h. La resisten cia R..comprendida en tre las líneas de trazos e s la resi sten cia de
salid a de 0 2 Yes debida principalmente al efecto Early.
140 Microelectrónica moderna

" rr
,
R, 1" I R,
... I'g _
• V., V.,
•
QI Q'

11
7 7
V, v,

FiJ:urll 3·37. Par (d iferencia l) deem isoracoplado.

3-12. EL PAR DE EMISOR ACOPLADO

El par de emisor acoplado o diferencial de la Fig. 3-37 es la configuración de transistor más importante
empleada en circuitos integrados. En esta figur a. la fuente de corriente 1El la rea liza el circuito de la Fig.
3-36a u otro similar (Sec. 1O~3 ) . Además. hemos supuesto que Q I y Q2 son unos transistores idénticos y
que las dos resistencias de co lector son de igual valo r". En esta sección tratarem os de demo strar que el
par diferencial puede emplearse tanto de amplificado r como de interruptor. Para ello desarrollaremos la
característica de transferencia del circuito.
La ecuación de Kirchhoff para el lazo que abarca las dos uniones emisor-base es:

- VI + VII/ I - VI/U + V~ = () iJ·3HI

Con el transistor polarizado en el modo activo-directo. la corriente inversa de saturación de la unión

co lector-base puede des preciarse. Las corrientes de co lector In e I C1 vienen dadas por la Ec. (3-7) como
In = al- lt. .~ t:""""., (3-39)

(3·401
En las Ecs. (3-39) y (3-40) se supone que

y qu e las com po ne ntes de saturación inversa de In e In son despreciables. Ahora ex presare mos la
relación I C/lC2
In = f tl''' ' ' - \' ",.,JI Vr = é ',¡/I" (3.4 1)
In

n V. ío. fabricanln eon'lTuyet1 haMa einco ua n. i01""'. l"ácl....amcnle idénl.......en un wJoeuerpo Cvéa'le Apé nd....e Bl. También exi..en Vlll in<;
Iran.i .I"",. en un solo ceerpo. eon di .~i li vos "P" y p"p, ton ro><luto un par n e.. nt"eu.do enmo en la Fig. J ·31 . Se emplu n también en el d i".,.....
de eireui',," imegrados simulado•.
 Transistores de 111I;Ó" bipolares (HI T) 141

En la Ec. (3-38) vemos que VREI - VRP := VI - V, ::: V,I siendo V,l la diferencia e ntre las dos tensiones
de entrada . La ley de Kirchhoff aplicada ái nudo de e m isor req uiere q ue
1("1 I (' ~
- Un + II, ~) = ín = - +- (3-41)
a / u¡

Dividien do ambos miembros de la Ec . (3-42) por le/a ~ resu lta

(r/ I/..Ie" = I ('~ + I (3-431
In i .,
S ustituyendo la Ec. (3-4 1) en la (3 -43) y despejando In tend remos

or t u.
(3-4 4)

Proced ie ndo de igual modo para le

a l-l(,,..
+ e ' I-.,.TI 13-451

Figura J -J 8. Carac rertsncas de transferencia de tensi ón (1, e n función de V) del par de e misor acoplado.

Vemos en las Ecs . (3-44) y (3-45) q ue au me ntando los valores de V,¡por enci ma de 4 V 1i' le e In se
aproxi man a a~H: y a cero respecti va men te. Por e l co ntrario, un valor negativo de V'I siendo V,¡ > 4 V T I 1
hace que 1("/ tien da a cero e leJ lo haga a a~ fE.' Basá ndo nos e n las Ecs. (3-44) y (3-45 ) podemos trazar la
ca racterística de transferencia V"I y V"2q ue viene n de finidas por

V o l "!!'S v-, (3-461

V,,~ == Vc c (3-471

de donde resu ltan las caracterís ticas de la Fig. 3- 39. en la que tam bién se ha seña lado la difere ncia
(di ferencial) de la salida V~ = V"I - V"r
Las cara cter ísticas de transferen cia represent ad as e n las Figs . 3-38 y 3-39 pueden interpretarse de la
sigu iente forma : En primer lugar, aplica ndo V,I > 4 VT = 100 mv se hace que 1, 1"" C\ l u: e le2"" O.
Simultáneame nte V~l = Vee y Vol::: Vce - a.~ 1 ¡.;¡.;Rc puede n hacerse pequeñas eligiendo adec uadamente Rf!

1.l 1'''1 Y 1'~.1 se el igen sie mp re para manten. , Q I y Q2 e n la regió n acliva.

142 Microelectrónicamoderna

-~-
- -- - - - - - - ---- --::--

... - .... - - -
-+ -'t- - Vrr - I>. F'uR r;
v\
"',
- 3 1'r - Vr
- 4V - 2V r
r

Figura ) ·)9. Caraclerlslica de transferenc ja de lensión W" en runcioo de V} del par de em isor acop lado.

Así. podemos aproximar la salida de Q I a la de un interruptor cerrado y la Q2 a la de un interruptor abierto.

El estado de estos Interrup tores se invierte al aplicar Vd < -4 Vr- La salida diferencial muestra también dos
niveles distintos, uno positivo y el otro negativo al variar VJ alrededor de 4 Vr
Una segunda observación muy importante es la de que dentr o de l campo -2Vr :::; Vd:::; 2 Vr las cantidades
Ic/'/Cl' V,,¡, V.,] y V.,responden ladas ellas a las variaciones de Vol en una forma cas i lineal. Dentro de este
campo de entradas el circuito actúa como una fuente gobernada (amplificador). Estas propiedade s de
Inrerrupcíon y de amplificación de l par de emisor acoplado se emplean muy extensamente: las de
interrupci ón en circuitos digitales (parte 2) y las de amplificación en circuitos analógico s (parte 3).

3-13. LIMITACIONES EN LOS TRANSISTORES

Se ha supuesto que los transistores empleados en los circui tos descritos en este ca pítulo han estado
operando dentro de unos límites aceptables de corriente. tensión y disipació n de potencia. Ahora
comentaremos los límites fijados en las especificaciones de los fabricantes y que no deben ser sobrepasa-
dos al emplear BJT.

Corriente de colector máxima

Aún cuando no se sobrepasen los valores de potencia y tensión estipulados. hay un valor máximo de
la corriente que puede conducir el colector y que depende del área de la secció n recta de la unión y de los
conductores que conectan los terminales del transistor con la salida al exterior. Este valor. que fija la
máxima corriente de saturación alcanzable, es de 800 roA en el transistor 2N2222A.

Máxima disipación de potencia

Puede destruirse un dispositivo si la unión colector-base queda sometida a un exceso de potencia. La
 Trans istores de unión bipolares (BJT) 143

máxima disipación de potencia Po es el valor empleado para señalar el límite del poder de transmisión
de poten cia del colector. En el 2N2222A PD es de 0,5 W a una temperatura ambiente de 25 De. Con
temperatura ambiente más alta PD debe rebajarse 12 mW/ De. Cuantitativamente esto supone que Po es
igual a
P,,(T) = 50{) - 12( T - 25) mW

en la que PD (T) es la disipación máxima de potencia a la temperatura de r grados centígrados .

Máxima tensión de salida

Existe un límite superior de tensión que puede soportar la unión de colector ya que existe el peligro
de averiar el transistor con tensiones altas. Existen dos formas de averías: por avalancha ya vista en la
Seco 2- 11 y por perf oración que veremos en esta misma Sección.
La máxima tensión inversa de polarización que puede aplicarse antes de que se produzca la quemadura
entre los terminales de colector y de emisor, con e l termi nal de la base en circuito abierto se represent a
con el símbolo BVw r La ruptura puede producirse por multiplicación por avalancha de la corriente leo
que atrav iesa la unión de colector. La característica en em isor común del 2N2222 A, extendida hasta la
región de ruptura y BYCEO "" 50 Y puede verse en la Fig. 3-40. Las especificaciones señalan el mínimo
valor de BVcw a 40 V.

10
- _1
fe -5 0/ , V ) /
~
E 8
_c
~ »> /
~ 6
"8
•
~
.3- / )
"e 4
Y
8 2
10
/

O
O 10 lO 30 40
O \ 60
Tens ión coíe cror-enus c r Ver V

Figura 3-4ft Ca rac terísticas en e misor común de l trans istor 2N2222 A extend id as en la reg ión de ruptura.

En la configuración en base común la tensión de salida de ruptur a BVc/!o acos tumbra a ser aproxima-
damente el doble de BYeso: Si la base retoma al emisor a trav és de la resistencia R, la tensión de ruptura.
designada por BVCHI' estará co mprendida entre BYa o y BV c IJo ' Dicho en otras palabras, la máx ima tensión
colector-emisor admisible depende no sólo del transistor sino también del circuito en el q ue esté inclu ido.

Perforación
Un seg undo mecanismo por el cual el transis tor puede inutilizarse al aumentar la tensión del colector
144 Microelectrónica moderna

es el denomin ado perforación y es debido al aume nto de espesor de la región de transición de la unión de
colector al aume ntar la tensión de dicha unión (efecto Earl y).
La región de transición de una unión es la región de ca rgas descub iertas a ambos lados de la unión en
la posición ocupada por los áto mos de impureza s. A med ida que aumenta la tensión aplicada a la unión .
la región de transición pene tra más en la base. Puesto que la base es muy delgada existe la posibi lidad de
que con tensiones mode radas la reg ión de transición se difunda com pletame nte a través de la base y alcance
la unión de l em iso r. Esta perforac ión rebaja la barrera e n la un ión emi so r-base y en con sec uencia la
corriente de emisor puede llegar a ser excesiva: por tanto. e xiste un límite superior para la tensión co lecto r-
base .
La perforación difiere de la ruptura por ava lanc ha e n que se produce a una tens ión fija e ntre colector
y base (dada por Ven la Ec. (2-27) con W = W,J. y no de pende de la configuración del circ uito. En un
transistor dado el limite de tensi ón lo de term ina la perforaci ón o la ruptura seg ún cual de los dos ocurra a
tensión más baja.

Máxima tensión nominal de entra da

Conside remos el circ uito de la Fig. 3-41 en el que V" repre sen ta la tensión de po larización necesaria
para ma nte ner el transistor en corte. Supongamos que el transistor es tá ju stam ent e en el punto de corte.
con lE= O de form a que 1, = 1('10- Si pretend emos que en corte VU" . O V, la propia condición de corte
ex ige que

(J-481

FIKura 3·4 1. Elapa en emisor común polarillda para manlener ellransislor en la región de corte .

Com o ejemplo ex tremo conside remos que R,l sea grande. de 100 k O Yque queremos prevenir el caso
de que In o lleg ue al valor l00~A como puede sucede r con un transistor de potencia grande o co n uno de
mediana potencia a elevada te mpe ratu ra. En es te caso V'II debe ser por lo menos 10 V. Cuando I n o sea
pequeña. la tensión a trav és de la unión base-emisor será de 10 V y por tanto deberemos emplear un
transistor cuya tensión inversa má xima tolerab le en la unión base -emiso r sin llegar a perforación sea
superior a 10 V. Por este motiv o los fabricantes especifica n la tensión de perforación represent ada por
BYi.1lO' El subíndice Oindica que BV uo es1á valora da con la condición de que la corrie nte de colecto r sea
nula. La ten sión de perfo ración puede estar comprendida e ntre 0.5 V Yvarias dece nas de voll. Si BVE.a
es por eje mplo de 6 V (co mo es el caso e n el lran sisto r2N2222A) debe elegirse VlllIcon un valor má ximo
de 6 V.
Los tran sistores integrados pequeños están sujetos a los mismos valore s máximos . que son de l mismo
orden que los ind icados para el 2N2222A.
 Transistores de unión bipolares (BJT) 145

REFERENCIAS

Hodges, O.E., Y H.O. Jackson: "Analys¡s and Design of Digital Integrated Circuirs," McOraw-Hill Book
Cc mpany, Nueva York, 1983.
Z Gray, P.R., y R.O. Meyer: "Analys¡s and Design of Analog Inlegrated Circuits,' 21 ed., John Wiley and Sonso
Nueva York. 1984.
3 Yang, E.S.: "Pundamenrals of Semiconductor Devices,' McOraw-Hill Book Company , Nueva York , 1978.

4 Orebe ne, A.B.: "Bipolar and MOS Analog Integrated Cucuit Design,' John Wiley and Sons, Nueva York .
1984.

Lo s tres document o s sigu ientes so n cl ásicos en e l as unto :

S Schockley, W.: The Theory of P-II Juncrtons in Serniconductors and P' II Junction Transistors, Bell Systems
Tech. J., vol. 28, pp. 435-489, Julio 1949.
6 Ebers, 1.1. y 1.L. Mol!: Large-Signal Behavior of Junction Transistors. Proc. /RE , vol. 42, pp. 176 1- 1772,
Diciemb re, 1954.
7 Early, l.M .: Effects of Space-Charge Layer Widening in Junction Transistors, Proc. IRE, vol. 40, pp.
1401-1406, Noviembre 1952.

TEMAS DE REPASO
3-1. Cítense tres características de una fuen te de corriente gobernada.
3·2. Dibujar una recta de carga en [a caracterfstiea de salida de una fuente de corriente gobernada ideal y señalar
el punto de dicha recta en el que el funcionamiento se aproxima a (a) un interruptor abierto, (b) un interruptor
cerrado, y (c) una fuente gobernada.
3-3. Dibujar el símbolo del circuito de un transistor ntm indicando los sentidos de referencia de las tres corrientes
y las polaridades de referencia de las tres tensiones.
3-4. Repetir el tema anterior para un transistor pnp.
3·5. Indicar las componentes de la corriente de elec trones y huecos para un transistor pllp polarizado en la región
activa directa.
3-6. (a ) Escribir la ecuació n de Ebers-Moll para un transistor pnp-
(b) Dibujar un modelo dc circ uito basado en las ecuaciones de Ebers-Moll.
3-7. Establecer la condición de reciprocidad.
3-8. Repetir el lema 3-6 para un transistor "pll.
3·9. Def inir a F y Q R Ydescribir brevemente el significado de cada uno.
3·10. Definir de palabra y mediante una ecuación la ganancia de co rriente en emisor común.
3·11. ¿Cuá l es el significado de ganancia de corriente inversa"en cortocirc uito?
3·12 . Definir las cuatro formas o modos de funcionar e! BIT e indicar su principal actuación en cada caso.
J·13. En un transistor pllp en su región activa, ¿cuál es el signo, positivo o negativo. de 1( , 1,., lB' VCBy VES?
J-14. Repetir el tema 3- 13 para un transistor"p".
J ·15. (a) Esbozar la característica de salida en base común de un transistor e indica r sus regiones activa , de corte
y de saturación.
(b) Explicar cualitativamente la forma de estas curvas.
J-16 . Esbozar la característica de entrada en base co mún y explicar su forma.
J·17. Explicar la modulación del ancho de base (efecto Early).
J-18. (a ) Dibujar el circuito de un transistor en la configuración en emisor común.
(b) Esbozar la característica de salida y explicar su fonna.
J·19. (a) ¿Cuál es el orden de magnitud de la corr iente I CBO?
(b) ¿Cómo varía ICBOcon la temperatura?
(c) ¿Por qué lcBo difiere de l co?
146 Microetectronica moderna

3·20. (a) Definir ~(,,<z:

(bl ¿Cómo difiere ~r"", de ~F?
3·21. (a) Cua los valores t ípicos de Vce u,m y de VBI: /W¡"
(b) ¿Cuáles son los valor es de Va en el bord e de saturaci ón, VBE e n co rte y V8E en la región acti va?
3-22. Dibuj ar los modelos de continua de un tran sistor en ca da una de las cua tro region es de trabajo.
3-23. Explicar cómo puede usarse un transistor co mo interr uptor.
3-24. (a) C itar los factore s q ue det erminan la veloc ida d de co nmutac ión de un BIT.
(1) Explíque se el significado de cada término del apartado ante rior.
)·25. Expli car có mo pued e usarse un E.'T co mo am plificador.
3·26. Ind icar si los sigu ientes s ímbolos se refi er en a valores e n co ntinua. va riables en el tiempo o insta ntáneos '"
-. ..' Va' v t;!' y V" ,
3·27. {a) Dibu jar el c ircuito híbr ido 7[ equivalente.
(h ) Explicar el or igen (o proceso fís ico ) q ue hace aum entar cada t érmino .
3·28. Dibuja r el circuito eq uiva lente a baja frec uenci a del BJT.
3·29. (a) De fini r la tran scond ucranc¡a g .
(h) Esc rib ir una ecuación qu e rela~ione gm co n la g ananc ia de corrie nte Po'
)·30. (a ) Demostrar por medio del d iag ra ma de un circuito cómo pued e utiliza rse un BJT co mo d iodo .
(h) ¿C uál es el régimen de funcionamie nto de l BJT del apa rtado a nterior?
J·31. (a) Esbozar el c ircuito de una fuent e de corrien te.
{h ) Exp licar breveme nte por q ué es to es una fuent e de comente.
}·32. Dibuj ar la config uraci ón de l c ircuito de un par de e misor acoplado.
J .)), Bxpl icar brevemente cómo pued e usarse el pa r d iferen cia l a manera de am plificador y de inte rr up tor.
3·34 . ¿Q ué es lo q ue limi ta la corrie nte qu e un transisto r puede tran sportar?
) ·J5. (a) Definir la perforación.
(h) ¿Q ué limitación e n el func io namie nto de un tra nsistor puede atr ibu irse a la perforaci ón ?
 Transistores
de efecto campo

El transistor de efe cto campo, o s implemente FET (de la denominac ión Pield-Effect -Tran sistor ) es un
dispositivo semiconductor de tres term inales muy emp leado e n circuitos digitales y analógicos. Existe n
dos tipo s de tales d isposi tivos, los MOSFET y JFET. sig las correspo ndie ntes a Transistores Meta l-
Oxldo-Se mlco nd ucror. y Unión (j unction) Efec to Campo respecti vame nte.
Lo s FET tienen la particu larid ad de ser de fa brica ción más s imple y de oc upar meno s espacio e n un
ch ip qu e los BlT. La den sidad de co mpo nentes resu ltan te pued e ser e xtraord inariame nte alta . supera ndo
frecuen temente los 100 .00 0 MOSFETen un so lo chip. ai ra ven tajosa cualid ad e s la deque les dispositivos
MOS se pueden conectar co mo resiste nc ias y como conde nsado res. Esto posib ilita di señar sistemas
formados excl usivame nte de MQS FET sin ningún otro co mpo ne nte. Apro vech and o e sta cualidad. e l
MDS FET es e l di spositi vo do m inan te e n los s istem as integr ados a mu y grande escala (VLS I). Lo s JFET
gozan de las propiedades de te ner una resistencia de entrad a alta y ruido bajo. por lo que se emplean e n
c ircuitos de procesado de seña les.
A d ife rencia de l BIT tratado en e l ca pítulo 3 . el FET es un d ispositivo de portadores mayoritario s. S u
funcion amiento se basa en la aplicación de un campo eléct rico para gobernar la corrien te. Así. e l FET es
una fuen te de corriente de tensión contro lad a. En e ste ca pít u lo exami nare mo s los pri nc ipio s físic os que
rigen e n ambos tipos de FETy que emplearemos para de sarrollar las características volt-amperio. Ta mb ién
tratarem os de l FETcomo interru ptor y co mo am p lificado r. Describiremos prime ramen te el JFET po rque
su func ionamie nto se desarroll a di rectamente de la u niónplI y de sus pro pied ades semicond uc roras. las
ca rac terfsncas del MDSFET se comp rende n más fácil me nte una vez co noc ida la relac ión te nsi ón-corriente
del JF ET.

4·1. LA FUENTE IDEAL DE CO RR IENTE CON TENS IÓN REGULADA

En e l párr afo de introducción de este ca pítulo se ha aludido al hech o de que el FET funciona co mo
fuent e d e corr iente de ten si6n co ntrolada. Así co mo se trat ó de la fuent e de co rriente gobernada (Sec . 3- 1)
antes qu e de l BIT. será co nven iente describir las propiedades de la fuente de corriente de ten si6n regu lad a
antes de es tud iar el FET.
Esta fuente ideal. representada e n la Fig. 4 -10. es un element o de tre s terminales en e l q ue la tensión de
control v, se aplica a los terminales 1-3 y la fuente de co rrie nte K. 1', actúa e ntre los termi nales 2-3. El
pará metro K. llamado transconductancia o conductancia mul lla relac iona la po tencia de la fue nte c on la
tensión de co ntro l (con referencia a la F ig. 3-33). E n la Fig. 4- lh est án represe ntadas la s c erecterfsnc es
de salida sobre las que se ha señalado una recta de ca rga co rrespo ndiente a RL y V!!, Esta rec ia de ca rga
represe nta la ec uación de Kirchhoff del lazo de salida (conte n iendo los term inales 2-3) de l circu ito de la
Fig. 4-2.
En el punto a de la rec ta de ca rga. correspondiente a v, = V,. la tensión \'! es ..alta» mien tras qu e la
corriente t. e s «baja». Est os va lore s co rresponden aprox imada mente a un interruptor abierto . Análoga -
men te e l func ionamiento en el pun to b de la rec ta de c arga. en don de 1', = VII> supo ne una corrien te «alta.
 148 Microelectrónica moderna

1,
1 2
~
• •
" "
3 3

l. )

", "

I
• v,.
o "o ", o
v" V" V, V"
",

~
lb )
Figur a 4· 1. (al Representación de l circuito, y (b) característica ten sión -intensidad de una fuente de co rriente ideal gobe mada por
tensión.

y una caída de tensión «baja» a través del dispositivo. 10 que se asemeja a un interru ptor cerrado. En
consecuencia una señal de tensión Vi = VI aplicada entre los terminales 1-3 controla el estado de l interru ptor
en los terminales 2·3. Es decir, que si vj pasa de V/" a V/ ~ se cierra entre 2 y 3 el interruptor que estaba
abierto. e inversamente una variación de V, de V11> a V," abre el interruptor.

.-
2

~
• Fuente de
corriente 1,

" ", '0' ",

~

3
tensión
regulada
-

3
:T V"

Figura 4·2. C ircuito q ue emplea una fuente de corriente gobernada como interruptor o co mo amplificador. La recta de carga es la
indicada en la Pig. 4-l h.

En la Fig. 4- lb vemos también el comport amie nto del circuito de la Fig. 4-2 cuando vj = V IQ + V I'" sen
WI .que queda indicado por la variación senoidal de v, alrededor del valor de reposo V IQ' La tensión de
salida correspondiente Vz es también senoidal con un valor de cresta Vz.. superpuesto al nivel de reposo
 Transistores de efecto campo 149

V2Q • Asim ismo. i z es la suma de una componente en continua I~ y una senoide de I~m de valor de cres ta.
Lo más frecuente es que la amp litud de la compo nente senoidal ~e la tensión de salida V~m sea mayor que
V,., con lo que se consigue una ganancia de tensión (amp lifica ción).
Esta breve introducción nos demuestra que la fuente de corriente con tensión gobernada puede
emplearse como interruptor o como amplificador. En las próximas seccio nes analizare mos el funciona-
miento físic o y las características de los FET y de mos traremos que estos disposi tivos poseen propiedades
de fuente de corriente.

4-2. TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO CAMPO

En la Fig. 4-3 vemos la estructura básica de un JFET de canal ,,1. Los terminales de drenaje y de/l/ell1e
los constituye el contacto óhmico en los extremos de una barra semicon ductora de tipo /l . Se puede obligar
que los portadores mayoritarios,electrones. fluyan a lo largo de la barra aplicando una tensión entre drenaje
y fuente. El tercer terminal . denominado pu erta se forma conectando eléctricamen te las dos zonas
sombreadas p". La zona tipo 11 comprendida entre las dos p. se de nomina canal y por ella circulan los
parladores mayoritarios entre fuente y drenaje.
G
r - - - - -r--O Puel1a

'--+--OD
r- Drener.c

1' ) lb)

Figura 4·3. (u ) Estruc tura, y (h) símbolo deltra nsistor de unión de efecto campo. de canal 1/ (l FET).

En la Fig. 4-3h se han señalado las co nvenciones norm alizadas para los terminales positivos de
corrie ntes y tensiones y en ella figura también e l símbolo de un JFET de canal a. La estructura y símbolo
para un JFET de canal p [os podemos ver en la Fig. 4-4.
Las est ructuras representadas en las Plgs. 4-3 y 4-4 permiten describir la act uación de los JFET . La
Fig. 4-5 corresponde a la sección recta de un JFET planar integrado de canal 11. La vista superior muestra
cómo se hace n los co ntactos de aluminio con las regiones de fuente. drenaje y puerta.
Tipo ,,+ G
Puel1a
'\ -.L
x
Fuente
S
~.

Canalllpo p
D
Drenaje -"• •

Tipo Ir!) I s
,,'
Fi~ura
'"
4·4. T ransistor de unión de efec to campo. de canalp. (a) estructura. y (h ) símbolo del circuito.

I La estructura actual y fabricación dd JFET figuran en el caoncro 5.

150 Microetear ónica moderna

Funcionamiento del JFET

Co nsidere mos la represe ntación gráfica del dispositivo de canal 11 de la Fig. 4-3. reprod ucid o para
mayor convenienc ia en la Fig. 4-6(/. El di agram a esquemá tico de la Fig. 4-6b corres ponde al di spositivo
de la Fig. 4-6a. e n configuración de fuente co mún. Aun c uando nuestro estud io está diri gid o hacia un
di spositivo de ca nal " es aplica ble igualmente al caso de canal p si ad miti mos que las po laridade s de las
te ns iones y e l sentido de las corrientes de éste son o puesto s a los de un JFET de ca nal 11.
Ob se rve mos que las regio nes de puerta y e l c ana l fonnan una unión plI q ue e n su funcionamiemo com o
J FET se mantiene co n polar izac ión inversa. Una tensión puerta-fuente ne gati va polariza e n inversa la
unión . al igual que lo hace una tensión positi va drenaje-fuente. Hay que record ar que a ambos lados de
una unión 1m con polarización inversa (la regió n de de plexi ón) hay zonas de carga es pacial (Scc. 2-1) .
Los parladore s de corriente se han pro pagado a través de la unión dej ando sólo iones positivos descu biertos
en el lado " e iones negativos e n e l p . Cuando crece la polarizaci ón inversa de la unión también lo hace
e l es peso r de la región de carg as descu biertas inmóviles. Ahor a pode mos justifi car e l uso de la reg ión de
puer ta p '. En la Seco2- 13 vimos que la región de de plexión se e xtiende más en la zona de menor dopado .
As! e l uso dep + forma una ca pa de carga espacial que está casi totalme nte en e l cana l 11 . La conductividad
de es a región es nominalme nte cero por la falta de portadores de corriente. Por tanto e l ancho efectivo del
ca nal de la Fig. 4-6 irá disminuyendo al aume ntar la polar izaci ón inve rsa. A una determinada tensión
Contacto de puerta
Co ruoclo
de fuente

Comaoo
S us ll'lllO l' de drenaje

FiKura 4·5. Estructu ra de un JfET ¡ nlq~r¡td... . pb llM tic Gmatl'.

Puerta tipo p"

Región <le<leplex ión

~~~,
~~
Fuente t-----j~ Drenaje
21>( 1'
r1" '"
D
Puerta I;po l' 1"
• r 'r>r>
G
V(i(;
s
1"
V,,,, ~

(<1' ,"
. de Ci.,I;III/ I1ltlsl r;lIll.l.~ la región de ¡k r kx i6n q ue ctms lriñe el canal.
FiRur ll 4· 6. Esnuctura de un Jf l:;
 Transistores de efecto camp o 151

puerta-fuente Ves = V llamada tensi ón de es uiccíán el ancho del c ana l queda reduc ido a cero porque han
sido eliminadas del" ";n ismo todas las cargas libres. En co nsec uencia. para una determinada ten sión
drenaje-fuente. la corriente de drenaje será func ión de la ten sión de polarización inve rsa de la unió n de
puerta. Para desc ribiresle disp ositivo se emplea la voz de efecto camp o porque el gobierno de la corrien te
es e l efecto de la ex ten sión del c ampo asoc iado con la región de dep lexi ón al aum enta r la polarizaci ón
inve rsa .

4·3. C ARACTE RÍSTICA TENS IÓN-CO RRIENTE DE UN J FET

La característica de dren aje de un FET discreto típico de ca na l " represe ntada en la Fig. 4-7 da IIJ e n
funció n de V/u con VGS co mo parámetro. Para apreciar cu alitativament e el porqué estas curvas tienen la
fonna re presentada consideremos primeram ente el caso en el que I-(;.f- O. Para 1/)- Oel canal entre las uniones
de puerta está completamente ab ierto . En respue sta a la apl icación de una pequeña tensión Vos la barra de
lipa" ac túa como una simple resiste nc ia sem lcond ucto ra. y la corriente l o crece linealmente co n VOS' Al
au ment ar la corri eme.Ia caída ó hmica de tensión a lo largo del c anal tipo 11 polariza en inverso la unió n
de puerta y la porc ión conductora de l canal empezará a es trec harse . Debid o a la ca ída óh mica a lo largo
del propio canal la esrricci ón no es uniforme. sie ndo tant o má s pronunciada cuanto más alejada de la fuent e
co mo puede ve rse en la Fig. 4-6 . Ex iste una ten si ón Vos a la c ual el ca nal se c ierra. Esta tensión. no
claramente definida es la que en la Fig. 4·7 e mpieza adoblar la curva de com e nte tendie ndo a adq uirir un
valor co ns tante. En princi pio no es posi ble cerra r co mpletame nte e l ca na l anulando en co nsecuenc ia lo.
Cie rtamente. si se llegara a es to no e xistiría la ca ída óhmica nece saria para prop orcionar la polarización
inve rsa requerida. Obsérve se q ue cada c urva carac terística tiene una regi ón óhmica o no saturada para
pequeño s valores de VDSe n la que 111 es proporcional a Vos' Cada curva tiene tam bién una región de corriente
co nstante o de saturación para valores g randes de Vos e n la que 11) se ve poco afectad a por VDS"

Región
óhmica Región de
o no saturada ruptu ra
" Región de corrien~'
¡.....L.....I.. constante o
, I I de saturación

~
-c
e Gs · U. l V
s O
, I O., 1-
J j-
1.0

2
1 1.' f-- f-
- 2.0
I

O
10 20 30 40 SO
Tensión drenaje-fuente Vos' V

Fig u ra 4·7. Caracrerfstice de salida del JFET de caoal n 2 N4R69 (Co rreara de Siticomx lnc.).

Co n Ves = O la tensión nece sari a para polari zar en inve rso la unión viene sum inistrada por V . Si se
aplica una Ves negativ a. la regi ón de depl ex i6n resu lta nte reduce e l anc ho de l canal incluso con s = íJ: o.
152 MicroelecJróll;ca modema

Así la est ricci én tiene lugar co n un valor meno r de Vll'l Ye l valor máx imo de I D queda rebajado como se
apre cia en la Fig. 4-7 . Con VGS ::: V • la ten sión de esmccí ón. JD ::: O ya que e l ca nal queda co mpletamen te
cerrado para cualq uier valor de V'; O!: o.
Obsérvese que también se señala una curva para Ves ::: +0,2 V que corresponde a polarización di recta.
Rec uérd ese que la corrie nte de pue rta es muy pequeña ya q ue la ten sión es men o r que la tensió n umbra l
Vy ::: 0.5 V para el silicio. La corrie nte de puerta cuando Ves S Oes virtualmente n ula y frecuenrem erue se
de spreci a.
En la Fig. 4 -7 se distinguen c uatro zon as de trabajo de los JFET. que so n las de: resistencia óhmica .
saturación, rup tura y corte. cad a una de las cuales va mos a tratar con má s de talle .

La región óhmica
En la reg ión de resiste ncia variab le de un J FET. Vos es peq ueña pe ro In pued e ser apreciable. La
situación co rresponde a la de un Interruptor ce rrado. Vamo s a desc ribir anal ítica mente la relación
ten sió n-corriente en esta región.
S uponga mos e n pr imer lugar que se aplica una peq ueñ a te ns ión Vni e ntre dre naje y fuent e. La pequeña
co rriente de d ren aje In no tendr é e fecto apreciable e n e l pe rfil de l ca nal. En es tas cond icio nes pode mos
co nsiderar que la sección transversa l A de l canal es uniform e en toda su lon gitud . Po r tanto A ::: 2 hW
siendo 2h la anchura de l ca nal correspondiendo a una co rriente de dren aje nula pa ra un valor dado de Ves
y sie ndo W la dime nsió n del ca nal normal a la direcci ón de h co mo se ind ica en la Fig. 4-6.
Puesto q ue no c ircula co rrien te en la región de deple xi6n med iante la le y de Ohm [Ec. ( 1-21))
obtendremo s la corrie nte de dre naje :
.
1,. : AqN"J.L•./. . ::: 2h Wq N " IJ... L V", : 2hl/N"J.L. (W)
L Vm (4 - 11

sie ndo L la longi tud del c anal. La Ec. (4 · 1) de scribe la característica tensión-corriente de la Fig. 4·7 para
valo res mu y pequeños de VDI Y pone de manifiesto q ue e n estas condiciones e l FET act úa como una
01'
resistencia óhmica c uyo valor lo detennina V (;5. La relación V D en el origen se denomina resistencia de
drenaje ' os '0"'· Con V(3 ::: O. lo que hace h ::: a . obtendremos de la Ec. (4- 1):

"""'1'0 , :::=
2-c1 -
ti" (wl.)
N;," J.L.
• 14·2)

El parámetro rlJ~ (UN, tiene importancia e n las aplica c iones como interruptor ya q ue es un índ ice de
cuánto se desvía el FET de un interrupto r ideal en el q ue la resiste ncia O N es cero. En las especificaciones
de los fabricantes se citan valo res de '/JI ,ON , q ue van desd e unos pocos o hmios hasta va rios ce ntenares
para los FET y MOS FET co me rciales de ca nal ». Puesto qu e la mov ilidad de los huecos es menor que la
de los elect rones r /JI IO N I es mucho más a lta pa ra los FET de ca na l l' q ue para los de ca nal " . Es ta mayor
movilidad significa una mayo r rapidez de conmutación y estos fac tore s contribuye n a que prevalezca n los
d ispositivos de l ca nal n so bre los de ca nal p.
El concepto de q ue e n la región óhm ica el JFET es una res istencia vari ab le co n la ten sión se puede
ded ucir de la Ec. (4 -1) Y Fig. 4-6 de la sig uiente forma : El ancho h del c ana l es función de la tensi ón de
polariz ació n inversa Vas Un aumen to de Ivr.~1 d ism inuye h e In para un valor dado de V()\. En
c onse c ue ncia. la pe nd iente de la ce recrerfstica 1" en funci 6n de V/l'i e n su origen dec rece al a um e ntar
I V" 1-
Ob sérvese que In de pende de la relaci6 n WIL. Esta cantidad es important e e n e l dise ño de l FET ya que
sirve de fac tor de escala para la co rrie nte de l dispositivo. Para una determinada de nsidad de dopado e l
aju ste de WIL permite fabricar en un mismo chip FETs con di stintas ca pac idades de conducc ión de
corrie ntes. Además. según la Ec. (4 ·2 ) se puede co ntrola r ' ,.( ,ON, seleccionando la relación WIL
 Transistores de ef ecto campo 153

Regi6n tle tlcp lelli6n

s o

G,

Figura 4·8. Des pu ésde l pUnTOde esmccíén. 31 au mentar VDS aumen ta L ' , pero li e fl} se mantiene n prá cticamen te co nstantes. (C I
y G l esTAn unidos entre sr.)

La región de saturación o de estricción

Co nsideremos el caso en el l:J.ue se emplee VIl.{para crea r un campo eléctrico ! ~ a lo lar go del eje x para
un valor dad o de 1VGS I < I V .1. Si circ ula una corriente de drenaj e apreciable IDel extre mo de la puerta
próximo al dre naje es tá más p~larizado inversa men te que e l e xtremo de fuente. y por tant o l ()~ límites de
la región de deple xión no son paralelos al eje de l canal sin o 'lile co nverge n como se ve en la Fig. 4·8.
Seg uidamente comentaremos c ualitativame nte lo que sucede e n e l canal a med ida que aume nta la tensión
de drenaje y se aproxi ma la es tricción.
Al aumentar V,,\ aum ent an ~ e In mientras disminuye b (x) debido al estrechamiento del canal, y por
tanto la densidad de corriente J = /,f2h (x) W tam bién aumenta. Vemos que no se puede prod uci r un
es trec ham iento total (b = O) puesto que si tal sucedie ra J llegar ía a ser infinito lo que es físicame nte
imposible. Si J fuera c reciendo sin límite, seg ún la Ec. (4- 1) tam bién crece ría '1, puesto que Il n perma nece
co nstante. Sin e mbargase ha comp robado e xperi rnent almenre q ue la movilidad es función de la inten sidad
del ca mpo eléctrico y se mantiene constante s610si 'l ., < l OJV/ cm en silicio tipo 11. Pa ra campos moderados
de IOl a 104V / cm la movilidad es aproximadame nte inver sam en te propor cional a la raíz cuadrada del
campo ap licado . Para campos más elevados como en el caso de la estricción Il n es inversamente
proporcional a 1,. En esta región la ve locidad de desplazamiento de los electrones tv, = ~J.l se mantiene
constante y ya no es válida la ley de Ohm. En la Ec. (4- 1) se ve q ue tanto I como b se mantienen consta ntes
lo que ex plica la zona de corriente co nstante en las ca racterísticas V-I de la Fig . 4-7.
¿Q ué ocur re si V DS se aumenta hasta más allá de la contracción perm aneciendo V GS co nstante? Como
se ha ex plicado antes, el ancho mínim o de l canal b....n = (') tiene un valor constante no nulo. Este valo r
mínimo se da en el extremo de l drenaje de la barra. Cu ando aumenta Vos este aumento de tensión
increm ent a '1, en la sección del cana l adyace nte a la fuent e. Refi riéndonos a la Fig. 4-8, la región de
velocidad limitada L' crece co n Vos mientras qu e b se manti ene fij o.
Hay q ue tener cuidado para no co nfundir el dist into significado e ntre estricción y saturac ión altratar
de dispositivos semicond ucto res. A lo largo de la porción de co rriente constante de las caracrcrrstlcas. la
estricción se refiere al hecho de que VIJ.I se emplea para ce rrar e l canal cas i enteramente. La tensión de
esmcción V, se refie re a la tensión aplicada a la puert a que bloquea totalme nte el cana l inde pendiente mente
de V/IS. En un FET, la saturación se refiere a l valor limit ador de la velocidad de desp lazamie nto. Así pues.
e l número de portadore s que pueden ser transp ortados a través del canal po r unidad de tiem po q ueda
154 Microeíectr áníca moderna

limitado o saturado .e IDpermanece consrar ne. Éste es un significedo de saturación verdaderamente distinto
de l visto en el Ca p. 3 para el BIT.
La característica de corrie nte co nstante de la Fig. 4 -7 muestra que el FET se aproxima a la fuente de
corriente ideal gobe rnada por tensión de la Fig. 4- I en donde ",. ;1 y ,.! co rresponden a VGI , los y Vos
respectivame nte.

Ruptura
La máxima tensión que se puede aplicar entre dos terminales cualquiera de un FET coincide con la
mínima tensión capaz de producir ruptura por avalancha. a través de la unión de puer ta (Sec. 2·ll ). En la
Fig. 4· 7 se ve que se produce la avalancha a un valor menor de J V,n I cua ndo la puert a tiene polarización
inversa que cuando V(;,f = O. Esto es debido al hecho de que la tensión de pola rización inversa de la puerta
se suma a la de drenaje aumentando en consecuenc ia la tensión efectiva en la unión de puerta. Las
especificaciones de los fabricantes (Apéndice 8 -S) indican cuál es la ten sión de ruptura entre drenaje y
fuente estando la puerta cortocircuitada con la fuente. Esta tensión se designa BVDS.'i y su valor va desde
unos cuantos volt en dispositivos integrados hasta más de SO V en FETs de potencia.

Corte
I 1 I I
En un FET real . aun estando en corte. o sea con Vos > Vp subsiste la misma corriente de fuga
de drenaje 1",1 (OFF). La corriente inversa de fuen te denom inada tambié n corriente de corte de puerta y
designada 1(;5$ es la corriente puerta-fuente con el drenaje cortoc ircuitado con la fuente para I V(;1 I > t V 1.
Los fabricante s especifican los valores máximos de IDI /(»1 , e 1t;S5' Cada una de estas puert as puede varer
entre IpA en circuitos integrados y decenas de nanoamperios en FET discretos. A la temperatura de 150
"C estos valores de ben multiplicarse aproximadamente por 1.000.
Observe mos que en corte, con I VGI I > I V, I JD • O Y VDr puede se r gra nde. Éste es el comportamiento
de un interruptor abierto.

4-4. CARACn : RÍSTICA DE TR ANSFERENCIA DEL J FET

La carac terística tensión -corriente de la Fig. 4-7 indica que en la región de saturación el valor de la
corriente de drenaje / 1) depende de la tensión Vesde polarización inversa. La caractertsticadetransferencia
relaciona Iti con V(;j a un valor constante de Ves-La Fig. 4·9 correspon de a la característica de transferencia
-=
del FET de ca nal " 2N4869 con Vm 10 V. La corriente de drenaje a VG5 = Ose designa con el símbo lo
IDst que para el 2N4869 es de S mA. Para los JFET fabricado s comercíalmer ue. JDIS va desde alguna decena
de microamperios hasta centenares de miliamperios. Los valores más bajos de I DS.'i son propios de los JFET
integrados. y los más altos de los dispositiv os de potencia.
Las características de transferencia pueden expresarse analíticamente como en la Ec. (4-3)

1" :::: l un ( V
vn)'
I -: (4·) )

V C;I y V, son negativas en un JFET de canal 11 y positi vas en uno de ca nal p. por tanto la Ec. (4·3) es
válida para ambos tipos.
 Transistores de efecto campo 155

, E
-e
_0
.~
4~
~

2 _1
o
- _ .... ~_-,O-_ _ L_~ O u
-) - 2 - 1 o
Tensión puerta-fuente VGS.V

Figura 4·9. Característica de uansferencia {Ir en función de VGSl del JFET 2N4869 de canal " ron Vos '" 10 V.

La cara cterística de transferencia demuestra nuevamente el comportamiento como fuente contro lada
del JF ET. Si consideramos Vas como entrada e ' o co mo salida. la Be. (4-3) Y la Fig. 4-9 descri ben una
fuente de corriente gobernada por tensión: el funcionamient o como tal es la base de los circ uitos
amplificadores JFET.

4·5. EL MESFET
El MESFET es un JFET cons truido en arseniuro de galio (GaAs) con una región de puerta metal-se-
miconductor (un diodo Schottky). Los principios de funciona miento y características del MESFET son
similares a los del JFET de silicio descrito en las Sec o4-2 a 4· 4. La movilidad de los e lectrones en el GaA s
es de 5 a 10 veces mayor que en el silicio lo que le permite operar a frecuencias mayo res que las toleradas
por los d ispositivos de silicio. Como la movilidad de huecos en el GaAs es menor que en el silicio. los
MESFET de canal" tienen muchas aplicacione s.
Inicialmente el MESFET se empleó en circuitos de microondas con una frecuencia de trabajo
comprendida generalmente entre I y 10 gigahertz (GHz). A partir de 1984 se han fabricado comerc ial-
mente circuitos lógicos rápidos con MESFET. Estos circuitos lóg icos se diseñan para que sean compatibles
con la familia lógica bipolarde gran velocidad den ominada lógica de em isor acoplado (EeL). (Sec . 6- 14).

4·6. EL MOSFET DE ACUMULACIÓN

En un transistor de unión de efecto campo, la sección efectiva del canal está gobe rnada por un ca mpo
eléctrico aplicado al canal a través de una unión pn. Empleando un electrodo de puerta metálico separado
de l canal semiconductor por una capa de óx ido se obtiene un dispositivo de efecto campo básicamente
distinto. Esta disposición metal-óxido-sem iconductor (Ma S) permite controlar las características del
canal por un campo eléctrico creado al aplicar una tensión entre la puerta y el sustrato. Un dispositivo de
esta índole se denomina MOSFET o Transistor MaS. Su importancia queda patente por el hecho de
fabricarse más circuitos integrados con MOS que con cualqu ier otro elemento semiconductor.
Existen dos tipos de transistores MOS. El MOSFET de deptexi ón cuyo comportamiento es similar al
de l JFET; con tensión de puerta nula y una ten sión del drenaje dada. la corriente alcanza su máximo.
decreciendo luego con la tensión de puerta aplicada (de la polaridad apropiada) como en la Fig. 4 -7. El
segundo tipo. llamado MOSFET de acumulación no acusa ninguna corriente cuando la tensi ón de puerta
156 Mícroetectr ónica moderna

Puerta
Puerta (metal) C "'~ I :l 1l
s ti IJ ,;
Fuente Drenaje
" Drenaje

Regiones tipo" Regjones tipo P

sustrajo tipo P s ustrato tipo 1I

,.,
'"
Figurll 4· 10. Estructura de MOSFET de- acumulación; { al de canal n. y ( h ) de canal p .

es nula. aumentando la corrie nte de salida al aumentar la tensión de pue rta. Ambos tipos pueden ser de
ca nal p o de ca nal 11. En esta y en la pró xima secció n con sidera re mos las caracte rísticas de un tipo de
acu mulació n de canal " y en la Secció n 4 -7 las de un MOS de depl e xi6n .

~
" .1 (; I~ l

" " .1 t; l~' IJ I t '

5,0:

SUSlralO 1' tc u~rpo). p

'o, '"
Flgure 4_1 1.Transistor de acumulación NMOS polarizado mostrando el canal inducido, con (a) \' /).1= O. y (h) V n.\" O.

Estruct ura del MOS de acumulación

La Fig. 4· 100 representa esquemáticame nte la es tructura de un MOSFET de ac umulació n de canal "
yen la Fig. 4· 1DI} la de uno de canal p. Los eleme ntos representado s en la Fig. 4- 1Ose conocen comú nmente
como transistores NMOS y PMOS respectiv ame nte. Co mo se ve e n la Fig. 4· 100 las do s zona s de tipo u
embebidas en el sustrato tipop (el c uerpo) son los electrodos de fue nte y de dre naje. La regi6n comprendida
entre fuente y dren aje es el canal que es tá c ubierto con una fina capa de dióxido de silicio (SiO,). La puerta
la forma el elec trodo metálico situado sobre la capa de óx ido. Ac tualmente e n la fabri cación de l MOSFET
se utiliza una ca pa conductora de polisilicio' para la puerta en lugar del met al dibujado en la Fig. 4 ·10.
Sin embargo. los pri ncipios físicos que determ inan el fu ncion amie nto del MOSFET son los mismos para
ambo s tipos de puerta.
La parte me tálica de la puerta junto con la ca pa aislante de óxido y el canal se mico nductor form an un
condensador plano paralelo . Debido a la ca pa aislante de di óxido a es te dispositivo se le llama tam bién
Tr ansistor de efec to campo y puerta aislada (l GFET). Esta capa aisla nte determ ina una resistencia de
e ntrada ex traordinariamente alta para el MOSFET (de 10 1ll a 10 15 Q).

~ Por poti. ilid o -e e n l~ndf:' un <ilicio dnpado en el que la. pan" individuale< dC' la e<" OCIU", cri~alina esu n oo erlla d.... at ala r. Su
comp"n ~m ....nll' e••,m;tar al de' un melal.
 Transistores de efecto campo 157

Comportamiento físico del MOSFET de acumu lación

En la Fig. 4· lla se ve un transistor NMOS en el que la fuente y el sustrato est én conecrados a tierra y
la tensi ón drenaje-fuente V1JS se sitúa en cero. La tensión positiva aplicada a la puerta crea un campo
eléc trico dirigido perpendic ularmente a tra v és del óxido. Es te campo acaba en cargas negativas ..induci-
das. en la proximidad de la superficie semiconductora como se veen la Fig.4- Ila. Puesto que el sustrato
tipo P contiene muy pocos electrones las cargas positivas superficiales son principalmente electrones
procedentes de la fuente y drenaje de tipo /l . Estas cargas móviles negativas. que son portadores
minoritarios en el sustrato tipo p . forman una capa de inversión. que se forma únicamente si Vc;s supera
el nivel umbral Vr J Las cargas inducidas bajo el óxido forman un canal 11 . A medida que crece la tensión
de puerta hacia Vr también crece el número de cargas negativas inducidas en el semiconductor. y en
consecuencia aumenta la conductividad del canal. Aplicando una tensión posiliva enne drenaje y fuente
nace una co rrie nte en el canal inducido en tre drenaje y fue nte. Así. la corrien te de drenaje se acrecienta
por la ten si ón positiva de puerta. y al d ispositivo se le llama MOSFET de acumulación.
Consideremos ahora la situación en la que Vos aumenta desde cero manteniéndose V C;.I a un valor
positivo constante mayor que v, (es decir. que Vc;s-V r > O). Con valores pequeños de VDS (Vo.~ <Vos· Vr)
un aumento de Vos va acompañado de un aumento de la corriente de drenaje lo. El comportamiento del
MOSFET es el de una resistencia y a esta zona se le denomina regi ón óhmica. A medida que crece V1JS la
caída de tensión a lo largo del canal también crece y por tanto disminuye la tensión a través del óxido de
puerta y el lado de drenaje del canal Voo = VLIS - Vo.~' Es ta diferencia de ten si ón reducida rebaja el campo
a través del extremode drenaje del dieléctrico. la que se traduce en menos inversiónde cargas en la porción
del canal inducido. El canal se está cerrando e IDcrece mucho más despacio que el aumento de Vos en la
región óhmica cerca del origen. Idealmente una vez llegado a la esrricción. un nuevo incremento de Vro:
no afecta a IDhabiéndose llegado a la corriente de saturación, Esta n'gió" de saturaci ón es de naturaleza
similar a la velocidad de saturaci ón en un JFET. El valor de IDque se alcanza en saturación depende de
Ves- Los aumentos de Ves >Vr aumentan Jos valores de saturación de lo.

4-7. CARACTERÍST ICAS TENSIÓ N-CORRIENTE DE UN MOSFET DE

ACUM ULACIÓ N
Los fabricantes de transistores MOS integrados no facilitan curvas de las características tensión-co-
rriente. Cuando se prec isan o se desean. se deducen de las expresiones analíticas del funcionamiento del
MOSFET en cada región.

Expresiones analíticas de las características tensión- corriente

Existirá un canal de inversión entre fuente y drenaje siendo Vm = O sólo si V C;I < V r Con V C;.I < v, no
habrán cargas libres en el extremo de drenaje del canal. e IIJ = O. Asf Vr es análogo a la tensión de estrtcclón
de un JFET. La condición de que V C;,f <Vre lo = Osupone que el MOSFET esté en corte loq ue corresponde
a un interruptor abierto.

Región óh mica
Como ya se ha descrito en la Sección anterior. cuando Vc;s > Vr la conductividad del canal viene
158 Microdutnh ,ica moderna

gobernada por V/J.~ en la reg ión ó hmica (tambié n llamad a de /10 saturació n o triodoí. Prec isando más. la
región ó hmica queda defin ida por V(,.\' - V t > V/l.\' (o bien Veil) - VIi.\ · Vns > V.,. Un aná lisis teórico d e la
región ó hmica 4 cond uce al resultado de qu e la carac terística de d renaje viene dada por

'/1 = ~ C~) 12 ( Vt i" - VI) V In - v1,.\1 (4-4)

s iendo L la longit ud de l cana l. W e l ancho de l ca na l medid o perpend icular mente a L (Fig . 4· lO Y 4 - 11 ).

Y k un par ámetro en microampe rio s po r te nsión al c uad rado . Es te par áme tro es k = Jl~C.J2 s ie ndo Jl~l a
mov ilidad de los e lec trone s y C,. la ca pac idad de puert a po r unidad de supe rfic ie (e igual a efT",. rel ación
e ntre la pc nnitivida d y e l e spe sor de la ca pa de óx ido) . Es d e notar qu e V, depende tambi é n de C" así como
la de nsida d de do pado del d renaje y fue nte tipo 11 Ysustrato tipo p.

Región de sa turación
Idealme nte en la reg ión de saturació n e n la que VG.~ - VI T < VIJ.• (pero mayor qu e cero) I/J es co nstante
e indepen diente de VDS' El valor de I(l depende só lo de la ten sión e fec tiva de control V(;S - VT como se da
e n la Ec. (4· 5 ).

1" = k (~) (V liS - VJl! = 1m (4·51

en la q ue e l sub-índ ice S añad ido a I/J ind ica qu e se toma en consideración la corrie r ue de dren aje en
saturació n.
La línea d ivisori a entre las regiones óh mica y de saturac ió n viene dada por VGS - VT = VDS' Sustituyen do
e ste valoren la Ec. (4-4) se obt iene la Ec. (4·5). La c urva de trazos de la Pig. 4- 12 q ue seña la la separac ión
e ntre ambas region es viene dada por

(4· 61

De las Ec. (4-4) Y (4-5) se desprend en algunas observac iones notables. En prim e r lugar. la relación
WIL es un parámetro importante que sirve como factor de escala para la corriente de dre naje , As I. dos (o
más) MOS FET de ig ual va lor V, pero de d istinta capac idad de c orriente pueden fabricarse e n un mismo
chip empleando dos (o más) va lore s dis tintos de WIL. E n seg undo lug ar. e l pa rámetro k tiene unos valores
típicos co mp rend idos e ntre 10 y 50 ~ / ~ en los NMOS co mercia les actua les. En consecue ncia só lo se
obtiene n valores altos de ID(varios miliam pe rios) en d ispositivos de re lación WIL alt a. es decir. disposi-
ti vos q ue oc upe n muc ha superficie.
Las característica s ten sión -corriente de la Fig . 4- 12 se deducen de las Ecs . (4-4) y (4- 5 ) para un
MOSFET de acumulación de ca nal 11 co n k =20 Jl AfVl. WJL = } y Vr = 2 V.La línea d ivisori a entre las
regione s óhmica y de sat uración señalad a en la Fig. 4~ 12 se ob tiene trazando la parábol a de la Be. (4·6).
Obsérvese q ue si mu ltipl icamos WIL po r un factor F./p q ueda tambi én multiplicada por e l mism o factor
par a los mismos valores de VDS y VG.I ,
La carac tertsric a de tra nsfe rencia del MOSFET es una gráf ica de 'D
en función de VGS co n un va lor
constante de VPS en la regió n de saturaci ón. La c urva de la Fig. 4· 13 es la ca racterística de tran sferencia
de l MOSFET de la Fig . 4· 12.
 Tronststores de efecto campo 159

Reg ión ó hm ica _ _ Saluroción --l

I
I 6.0
I
' 00 I

'1 250
I s
_0 I
I
.~ 200
/ ' .0
~ /
-::l 150 I 4.5

·<31 100 /
I
' .0

/ a.s

1 2 3 4 5 6
Te nsión d renaj e-fuent e Vos' V
Figu ra 4· 12. Car acterísticas de salida del NMOS de acumu lació n.

Las características de la Fig. 4 ~12 corresponden a un MQS FET ideal. En realidad /0 crece ligeramente
con Vos en la regiónde saturación,debido a la «modulación de longituddelcanal»quees unefecto análogo
a la modulación del espesor de base en un BJT. En la Fig. 4- 14se ve que si prolongamos las características
reales hacia el segundocuadrante. todas ellas concurren en VDS = ~ If)... Debidoa su semejanza con el efecto
Earlye n los BIT.lacanlidad 1/1 se denomina también lens;ó" Earfy.cu )'os valores típicos vandesde 0.01
a0.03 v-. Paratener -en cuenta la modulación de longituddel canal. se modifica la Ec. (4~5) introduciendo
el factor ( 1 + A Vos) como consta en la Ec. (4-7).

In = k ~ (VCi.~ - VTr (1 + AVu.'\ 1 ( 4~7)

Corrientemente el término (1 +A Vos) es despreciable en circuitos digitales. pero puede tener su
importancia en circuitos analógicos.

300

'50
"1
.
_i::l 200
•
e
e
~ '50
~
~

,.
100
•
·E
o
u
v,
00 2 3 4 S 6
Tensión pue rta-fuente VGS' V

F igura 4·13 . Car.llcterislica de lransrerend a del lransiSloc de acumulación NMOS de la Fig. 4·12 .
160 Microelectrónica moderna

"' .c-:
"
,." ........
.... '" ........

-_----
"'; ..... . . . ... . > ... ...
"' --'"
""~::.=::=------

Fi¡¡:urIl4 -14. Prolongación de las caracrerrsnces de salida deltra nsis to r NMOS mostra ndo el erecic de la modul ación de longilud
del canal.

Ohmicao

1 r
00 salurada Corriente COnSlarl!d
o saturació n -- ]
-,o
- so r-i W----¡::::::¡:::::::j I
Y DS • - 30 V
I D!O N)
_ 18 - <O

~ - 3O
1/
....C;¡ - 2O
/
- 10
/
- 1O
IDSS ~O/
o - 10 20 - 30 - .fO - SO
O
f• -.
Vcs • V
12 - 16 - 20

1'1 lb)

Figura4.I S. (a )Caracterlsl1casdedrenaje y {b)caracterlsl1ca de transferencia para V/)s = - JO V del PMQS deacu mulación 3N 133
(Cortesía de SiticomxIne.).

Características del MOSFET de acumulación de canal p

El transistor PM OS repre senlado en la Fig. 4- IOb co nsta de dos zonas tipo p en un sustrato tipo n. Los
principios ñsicos de es te MOSFET son los mismos que los de l NM OS. Las Ecs. (4 -4) a (4-7) so n aplica bles
una vez reco nocido que todas las polaridades de las ten siones y los se ntidos de las corrientes de un PMOS
so n opuesta s a las correspo ndie ntes e n un NMOS. Asim ismo. al ca lcular el parámetro k debe sustituirse
J.1. por la mo vilidad de huecos J.l .
En la Fig. 4- 150 se ve n las ca~acterfslicas ten sión -corrient e de un transistor discreto PMOS y en la Fig .
4-15b su caracterfstica de transferenc ia. Ob sérve se q ue la forma gene ral de estas curvas es similar a las
de l NMO S de las Pigs. 4-12 y 4- 13. Sin embargo, v éanse los distintos nive les de co rrientes y te nsiones
en estos e lementos. En la fabricación de MOS FET discretos. las dim ension es pueden ser mayore s de lo
 Transistores de efecto campo 161

que convierteen los MaSFET integrados. En consec uencia, pueden obtenerse transistores MaS discretos
para mayor corriente que puedan funcionar con mayores tensiones aplicad as.

Comparación entre transistores PMOS y NMOS

Cronológicamente en los sistemas MaS se emplearán los transistores de acumulación de canal p por
ser de fabricaci ón más fácil , tener mejor rendimiento y ser más fiables que los de canalu. Las posteriores
mejoras en la fabricac ión han dado el dominio de los NMOS y, salvo la tecnol ogía CMOS (Sec. 4-15),
los dispositivos PMOS han quedado cas i totalmente obsoletos, debido a las razones expuestas en el párrafo
siguiente.
La mov ilidad de los huecos en el silicio con intensidades de campo normales es de unos 500 cm 2/(V s).
Por otra parte, la movilidad de los electrones es de unos 1.300 cm 2/( Vs). Con esto, en dispositivos de
iguales dimen siones: ( 1) la corriente en un transistor PMOS es menos de la mitad que en un NMOS, y (2)
la resistencia ON de un MOSFET de ca nal p es de cas i tres veces la de uno de canal n, A su vez, para tener
los mismos valores de corriente y de resistencia que en un transistor NMOS de be aumentarse la relación
WIL de un PMOS para tener en cuenta la menor movilid ad de los huecos [Ec, (4-5»). Por ello , 'Ios
dispositivos PMOS requieren una superficie tres veces mayor que la de un transistor NMO S equivalente
ya igual co mplej idad los circuitos NMOS son más pequeños que los PMOS. y debido a su mayor densidad
de componentes son también más rápidos en funciones de conmutación . La velocidad de actuaci ón está
limitada principalmente por la constante de tiempo RC, y C es directamente propo rcional a la sección recta
de la unión. Estas razones hacen que se empleen cas i excl usivamente los dispositivos NMO S.

4-8. EL MOSFET DE DEPLEXION

Se puede formar un segundo tipo de transistor MOS si entre las zonas tipo 11 de drenaje y de f uente se
difunde en el sustrato un cana l n. Considere mos el funcionamiento de ese canal n en la estructura de 1\
Pig. 4- 16. El signo menos de la Fig. 4-15 representa los electrones libres en el canal próximos a la superficie
del óxido. Con V/l$ = Ouna tensión de puert a negativa induce cargas positiva sen el canal. La recombinaci ón
de las cargas positivas inducidas con las negativasex istentes en el canal provoca ladeplexiénde portadores
mayoritarios, de donde le viene el nombre de «MOS FET de Deplexión ».
Si la tensión de puerta se hace más negativa pueden eliminarse los portadores mayo ritarios y con e llo
desaparece el canal. En estas condic iones la corriente de drenaj e es nula. El valor menos negativ o de V¡;s
con el que el canal queda libre de portadores mayorit arios constituye la tensión umbral Vr

Aluminio
Ci ( - ) /) ( + )
" S

sic ,

(.) lb )

Figura 4·16. Estructu ra de un M0 5FET de canal n en modo deplexí ón, con (a) Vos'" O.y (h) VT <VG,~ < O.
 162 Mlcroeleclronica moderna

"G,l" -+2.0 Deplexlón Acumu lación

300
""
". +I.S 1 lSO
1 _0
u
Acumulación .0'
+1.0 e 200
1;
.lJ 'SO
-o.s e
s
u

O
"§ 100
U 1=
SO -O,
} DepleJli6n
"G,l" - -1.0
V,
2 J 4 S 6 -J -2 - 1 O +1 +2 +3
Tensión de drenaje-fuente V DS' V Tensión puerta-fuente VGS' V
l" lb)
Figura 4-17. Caracterlslicas (a) de salida y (b) de nau sferencía, de un transis tor de dep lexión NMOS .

=
Con VGS O, la aplicaci6n de una te nsión VDS positiva provoca una corriente de dre naje apreciable
designada l oss' Al ir disminuyendo Vas hacia el umbral disminuye también la corriente de drenaje. Para
un valor dado de V(;S, los valores crecientes de Vos saturan la corriente de dre naje pues el canal se contrae.
El caso es similar al de saturación de los dispositivos de acumulación. Obsérvese en la Fig. 4-15b que
debido a la caída de tensión en el canal motivada por ID la zona del canal más próxi ma al dre naje se debilita
más que la zona vecina a la fuente . Este fen6me no es análogo a la estricci6n de los JFET en el extremo
del canal más próximo al drenaje (Fig. 4-6) .
Los MOSFET de dep lexi6n poseen ambas zonas: óhmica y de saturación. Estas zonas están repre-
sentadas analíticamente en las Ecs . (4·5) y (4-6) . Obsérvese, sin embargo. que en el transistor de deplexión
NMOS. Vres negativo.
Un MOSFET del tipo descrito puede también funcionar a modo de acumulació n: basta aplicar una
tensi6nde pue rta positiva de fonnaque se induzca n cargas negativas en el ca naltipon. Lascargas negativas
inducidas añad idas hacen aume ntar (ac umu lación) el número de portadores mayoritarios presentes. Con
Vas positivo la corriente de drenaje ID es mayor que l oss• Esto puede verse en la Fig. 4-17a en la que se
ven las caracterfsticas tensión-corriente de un MOSFET de deplexión de cana l n con k 20 IlA¡V!. WIL =
= = =
1, Y Vr -2. V. La funció n de transferencia para este dispositivo- con VDS 5V se describe en la Fig.
4-17b . Obsérvese que en la Fig. 4-17 no están incluidos los efectos de la mod ulación de longitud del canal
[Ec. (4-7)).

4-9. SíM BOLOS DE LOS CIRCUITOS MOSFET

En la Fig . 4-18 están representados c uatro símbolos corrientemente util izados de circ uitos MOSFET
de canal n. Los símbolos correspondientes a las Figs . 4-180 y 4- 18b pueden emplearse indistintamente
para dispositivos de acumulación o de deplexi6n. Si no se indica la conexión del c uerpo o sustrato se
supone que está conectado con el terminal de fuente o que B está unido a la tensi6n más negativa. Esta
conexión po lariza e n inverso la unión pn formada por las regiones de drenaje y de fuente y el sustra to. En
muchos casos la tensión más negativa (OV) es a tierra. Cuando en un mismo ci rcuito se emplean elementos
de acum ulación y de deplexión conj untamente se dist ingue el MOSFET de deplexi6n empleándose el
 Transistores de efecto camp o 163

Drenaje
O

"".,
o ~ B

~ SS~'~'O
..
Puerue
, lb)

.-JO
L...j",--~
~S .,
(c-) h/l

Figura 4.18. 51mbolos de circuito para un transistor NMOS. Loo transistores rene en su modo de acumulación como en el de
deplexiónpueden representarse en las fonnas Q y b, Los srrnbolos e y d representan M05FET en los modos de acumulacióny de
deplexiénrespectivamente. Para los dispositivos PMOS se cambia elsentido de las flechas (obsérvese queen la parle h frecuente-
mente se prescindede la fleche).

símbolo de la Fig. 4- 1&1. Más frecue ntemente se e mplea la Fig. 4-18bcomo símbolo de circuito MOSFET
de canal n con las conexiones norm ales al sustrato.
El sentido de las comentes en los term inales es propio del circu ito. así. en un MOSFET de canal e, ID
es positivo. e I{ nega tivo. Puesto que la es prácticamente nulo. ID= IJ • la caída de tensión entre drenaje y
fuente se señala VDJ' Y e ntre puerta y fuente VC!' Ambas cantidades son positivas e n un MOS FET de
acumulación de canal n. Para funcionar e n el modo de deplexión se requ iere que VC! sea negativo y Vos
positivo.
Para los MOSFET de canal p se emplean los símbolos de la Fig . 4·18 con el sentido de las flechas
invertido. las corrientes y te nsiones de los termi nales son el negativo de las cantidades correspondientes
al MOSFET de canal n. En el MOSFET de canal n normal se cortocirc uita la fuente y el sustrato, y éstos
a su vez van conectados a la tensión más positiva para asegurar que la unión formada por el cuerpo tipo
n se mantenga con polarización inversa.

4·10 ANALlSIS EN CONTINUA DE LOS FET

Las técnicas descritas en esta Sección se aplican igualmente a los JFET y a los MOSFET. Además, los
m étodos de análisis son válidos tanto para el dispositi vo de canal p como par a los de canai n.

Recta de polarización
Consideremos el circuito de la Fig . 4· 19 en donde se emplea la resis tencia de fuentes R, para fijar Va.s
sin nece sidad de un suministro adicio nal de potencia (Fig . 4-6). Puesto que le = Ono hay carda de tensión
alguna a través de Re y la ley de Kirchhoff aplicada al lazo puerta-fuente es:
- VaJ
VGJ = - loRs or ID = - - (4·8)
R,
164 Microelectrónica moderna

R,
D
j'"
G •
V/l.~
•
I' (;S S
R,
R,

Figura 4· 19. EtapaJ FET auto-polarizada.

La Ec. (4-8) corresponde a una línea recta llamada recta de polarizaci ón, dibujada en la Fig. 4-20 j unto
con la caracterís tica de transferencia del JFET. La intersección entre amba s líneas determina los valores
de operac ión (reposo) de la corr iente de drenaje I y de la tensión puerta-fuente Veso'
La tensión drenaje-fuente Voso se calcu la porra ley de Kirchh off ap licada al lazo dren aje-fuente. y
tendremos

14-9)

Sust ituyendo loo en la Ec. (4~9) tendremos el valor de reposo de la tensión V N Q entre drenaje y fuente
que existe en el circuito. Obsérvese que la Ec. (4-9) define la recta de carga de l circuito. Situando la recta
de carga sobre la característica de salida se puede también determina r Voso de la intersección de ambas
líneas para Veso.

Ejemplo 4-1

Consideremos el circuito de la Fig. 4-210 donde se emplea un MOSFET de acumulación de cana l n

cuya característica de transferencia es la de la Fig . 4- 13b repetida por conveniencia en la Fig. 4-22.
Determi nar IDQ ' Voso y la tensión de salida Voo.

Figu ra 4·20 . La recta de polarización. determinada por Rs se ha trazado sobre la caracterlstica de transferencia. la intersección Q
~s elpunto de reposo, y la co rriente de d renaje y la tensión puerta -fue nte existe ntes en el circ uito se indican co n 10Q Y V(¡SO respec -
nvament e.
 Transistores de efecto campo 165

H ' OD (1 5 V)

R,
N, (40 km
050 kUl 1(; O
a
•
R,
R
. ~.
(60 kn ) +
,
I 'is
R,
u oo eru "e.. _ (Sk m
(6 VI c-~_ _ + _ ----O
,., (b,
Fi~ ur1l4 .21. (a) C ircuito MOSFET de acumula ci ón auto- polar izada ; (h ) Equivalcnrc al ante riore n el que elcircuito de polurizución
de puerta (Vl lfl • N, '1 N2 ) se sustituye por s u equiv ale nte de Thevenin VGG '1Nr,.

Soiuci án

En primer lugar. sustit uir las resistencia s de polarizació n de puerta R I YR2 Y la tensión de dre naje VVlJ
por su eq uivalente de Th évenin co mo se ve e n la Fig. 4-2 Ib . (Obsé rvese la analogía e ntre es to y e l anális is '
del c ircu ito BJT del Ejemplo 3-4.)
La ec uación de la recta de polarización se deduce de la expresión de Kircbhoff para el lazo puerta-fuente
de la Fig. 4-2 Ih.
I
or I IJ =: - -R VCi .\
"

Es co nve nie nte expresar las corrien tes en rniliamperios y las resi sten cias en kilooh mios y así lo harem os
en los cálc ulos numéricos. Sustituyendo valores
VG S 6
5 + 5

Recta de polarización
JOO

Caractcns uca
~ 50 de transferencia

"XI
>50

' 00

50

• s e
"'i ~lIra 4·22 . Caractertsuca de transferencia y recta de pola rización de un transistor dc efecto campo Metal-Ox ide - Sem icon-
duc tor para el Ejcmplo 4- 1.
166 Microelectrónica moderna

'o . ¡¡.A

300

250

200

+VDo(6V j
150

DI'D 100

50

S
00

(. ) lb)

f igu r a 4·23. (a ) Transistor NM OS de acumulación conectado como una resistencia: (b) carecterrsuca de resistencia no linea l del
circuitoamerior.

La recta de polarización resultante puede verse en la Fig. 4·22, de donde

IOQ = 0. 19 mA

De la Ec. (4-9) Ysustituyendo valores

VasQ = 15 - 0.19 x 40 - 0.19 x 5 = 6.45 V

La tensión entre d renaje y tierra es

6.4 5 + 0 . 19 x 5 7.40 V

4· 11. EL MOSFET COMO RESISTENCIA

En la introducción a es te capítulo ya se indicó que una de las ventajas del MO SFET es q ue se puede
usar como co ndensador, como resisten cia y co mo eleme nto acti vo de tres terminale s. En la Secc ión 4-5
se de most ró q ue la ca pa aislante de óxido entre puerta y canal formaba un condensador plano-para lelo.
Ahora veremos e l empleo del MOS FET de acu mulación a ma nera de resistencia .
Co n las co nexiones de la Fig. 4· 23a e l MOSFET tiene la ca rac terística de salida de la Fig. 4-23b.
Conec tando la puerta al drenaje se tiene VGS = Vos' La característica de resiste ncia indica da en la Fig. 4-23b
es e l lugar geomé trico de los puntasen lasque VGS = Vos' Co mo resulta evidente de la figura esta co nex ión
del MOSFET da una resis tencia no lineal. Ob sérvese q ue el MOSFET trabaja en la región de saturac ión
ya que Vas - Vr < VDS: ade más, con esta conexión, Vos = VGS = v, aún cuando ¡ D= O.
En e l siguie nte eje mplo veremos e l mé todo para traza r la rec ta de carga de un MOSFET co n una
resiste ncia de dre naje no lineal.
 Transistores de efecto campo 167

Ej emplo 4-2

En el circuito de la Fig. 4-240 se e mplea un MOSFET , QI , con las ca racterísticas de sa lida de la Fig.
4- 24h. La ca rga MOSFET Q2 tiene la ca racterística de resistencia q ue se muestra en la Fig. 4-23h, Trazar
la caracte rística de transfe rencia 1'" = VOS 1 e n función de 1', = Veis/'

Solucíon

En pri mer lugar hay que construir la recta de carga y a partir de e lla dete rminar VOS1 al variar Vas,.
Recordando que la ret'/a de carg a es fa representacián gráfica de la ley de Kil"chllOff para el lazo de
drenaje , tendremos.

0 1' V".\ l = V OII - VIJ .\ ! (4- 10)

Puesto q ue 1"• = O tanto para Q I como para Q2, I DI = I 'o

~ .,.

60

1- I'/J/J

Carga
O:

•
Excitador
Q'
,•
,,

'0 ' ,.,

Figu ra 4-24. (a ) Circu ito de transis tor de efecto campo Meta l-O xido-Sem ico nductor con resistencia de carga MQS FET no lineal;
(b ) Carac teríst ica de salida MOSFET con Hneade carga no lineal, para el Ejemplo 4-2.

La característica de carga de la Fig. 4-23b representa a ID! en función de VDS!" En esta figura vemos
que cua ndo 1m = 320 !lA , VGS! = V OS! = 6 V, En consec uencia V OSI = 6 • 6 = O V, Esto dete rmin a un punto
de la rec ta de carg a de la Fig. 4· 24b (1DI = 320 !lA , VDSI = O V), De igual forma . cuando ID1 = 80 !lA . V a s1
= V OS! = 4 V. el punto 10 1 = 80 !lA , V OSI = 6 ·4 = 2 V también perte nece a la recta de ca rga de la misma
figura, Así pues, para cada valor de l D! de la Fig. 4-23b en el que Va s2 = V/m se encuentra un valor de VDSl'
y este par de valores determinan un punto de la recta de carga de la Pig. 4· 24b debi do a las cond iciones
impuestas por las leyes de Kirc hhoff.
Ya construida la recta de carga (Plg. 4-24b ) pod emos determinar VOSI (la salida) en función de Ve sl (la
= =
entrada) . Para valores de v¡= VGSI S; Vr 2 V, la corriente 10 1 es nula y VDSI 4 V. Aum entando VI hasta
5 V. tendre mos VOSI = 1,5 V determinado por la intersección de la recta de ca rga y la característica de V@
= 5 V. La carac terística de transferencia rep resent ada en la Fig. 4-25 se halla dete rminando e l valor de
VOSI en la intersección de la recta de carga con la ca racterística de cada valor de VGSI '
168 Microelectrónica moderna

1>0' V

1>/. V
00 2 3 4 S 6

Figura 4· 25. Característica de transferen cia de tensión (l'" en función de \,) para el Eje mplo 4-2.

In. ",A

+U
250

200 +1.0

lo }
ISO
+0.5
Resistencia
100 no linea l. O
~ O. S
SO
Vc;s m - 1.0 V

00 VDS ' V
2 3 4 S 6

lb}

Figura 4·26. (a) MOSFET modo-deplexión conectado como resistencia. ( b) Caraclerfstica de resistencia no lineal ( Vos - O).

Los dispositivos de dep lexión pueden cone cta rse com o indica la Fig . 4-200 para obtener las caracte-
rística s de resiste ncia. En este circuito Vas = Oya que los termi nales de puerta y de fuente están conectados
entre sí. La característica de resistencia resultante , con VGS = O, es la señalada con trazo más grue so entre
las características del MOSFET de la Fig . 4-26b . El análisis de circuitos MOSFET utilizando resistencias
de carga MOSFET de dep lexión es semejante a lo dado en el Ejemplo 4-2. En los problemas que figur an
al final de este capítulo se incl uyen varios de estos circuitos.

4·12. EL FET COMO INTER RUPTOR

Los transis tores de efecto campo metal-óxido-semiconduct or se emplean mucho en ci rcuitos digital es
por su fonna de trabajar a manera de interruptor. Para exponer el funcion amiento del MOSFET como
interruptor gobernado emplearemos el circuito de la Fig. 4-240 Yel Ejemplo 4 . La onda de tensión de 42

entrada tiene la forma en escalón representada en la Fig. 4-270. Para t < T la tensión de entrada es de 1,5
V, Ypor tanto, de la característica de transfere ncia de la Fig . 4-25 deducimos que v = 4 V. La corrie nte
IDI es cero como se desprende de la recta de carga de la Fig . 4 b. Esta es la caracrertsiic a de un interruptor
424

abierto ya que la tensión a través de él es «apreciable» mient ras qu e la corriente es nula.

 ,
Transistores de efecto campo 169

U¡ , v

5.0 - -- - ~--
' 01-- -..,

" I--~ " ----+-- -

°o
! -- - +T - - - - - - ,·. °0 T

,,' lb,
Figura 4·27. «(1) Onda de: ennada en escalón de lensión h') aplicada al circuilo de la Fig. 4 · 240, Y(b ) Onda de lcn sión ':"resullanlc.

Para' >T la tensión de entrada es de 5 V res ultando "6= 1,5 V {Flg. 4-25)e I = 125 ~ (F ig. 4· 24b).
Esta situación se aproxima a la de un interrup tor cerrado ya que existe una corrf~nte apreciable con poca
tensión entre terminal es (drenaje y fuente). La ond a de salida es la de la Fig. 4-27b.
Los dos estados posibles del interruptor puede n ded ucirse de la caractertsrica de transferencia dad a en
la Fig. 4-25. Mientras Il j 5; Vr = 2 V,la tensión de salida es de 4 V Yla corriente nula según la Fig. 4-24h.
Las tensiones de entrada superiores a unos 5 V apenas introducen variaciones ni en ", ni en 10 1' En
consecuencia la corriente de salida depe nde casi exclusivamente de la característica de carga y la V/)/} del
drenaje. La pequeña variación de la tensión de salida al variar la de entrada queda patente en el
«allanamiento» de la característica de transferencia de la Fig. 4·25 con v, ~ 5 V.
Un interruptor real no puede cambiar de estado instantáneamente (Fig. 4-27b). Trataremos de la
respuesta transitoria en la Sección 6-6.

El c ircuito de la Fig. 4-280 utiliza un MOSFET de deplexi 6n de las características de la Fig. 4·28b:
(o ) Esbo zar la onda de salida correspo ndiente a la de en trada dada en la Fig. 4-280, suponiendo que RD =
36 kO, (b ) ¿Cuáles serán los nuevos niveles de salida si Ro es de 50 kO?
' D' ''A.

' os
.lOO

25O
"

"<
o
9.0
lOO
- 0.5
1'/. V
o
o

l. ,
-3.,\-- - ,
l •
• • °
,,' lb,
Figura 4·28.(0 ) CircuitoMQS FET modo.de ple~ ión y onda de lensión de COlu da ; (b )CIII"8Clcríslic as de sa lida. Las rectas d e c u g a
OOITC!iponden I Vno = 10 V Y Ro '" 36 kn (línea COnlinua) y R(l '" 50 kn (linea de Iruos). k J Onda de ~ns¡ón de salida.
170 Microelec/r6nica moderna

Soluci6n

(a) Sob re las características de salida de la Fig. 4~ 28b se traza la recia de carga para VPO 9 Vy Ro =
= 36 kO. Cuando I < O la tensión de entrada es también cero, y según la intersección de la recta de carga
y la característica VGS =O tendremos Vos = I'~ = l A V. Análogamente la tensión de salida valdrá 9 V
=
cuando V I = VGS -3,5 V. Siendo la onda resultante la de la Fig. 4-28 c. (b) Pasando Ro a valer 50 kQ la
recta de carga pasa a ser la línea de trazos de la misma figura . Para ( > O el MOSFET está en corte ya que
1'1 es mayor que I
vII. Por tanto. 1'" = 9 V. Con 1', = Ocomo es el caso cuando I <O, la tensión de salida es
de 0,8 V deducidos de la intersección entre la línea de trazos y V{iJ = O.
Observamos que con un valor fijo de VOD • al aumentar RD disminuye la tensión a través del interruptor
«cerrado». Sin embargo. también decrece la corriente puesto que In vale aproximadamente VorJRo.

so
~_---- H .O
Ol
Carga:
__- - - -30.S
30

• í Caracterfalicade carga:
_-'----0 "as K
- I .S V
10 _ - - - - - , ' - - - -0.5
- 1.0
,
1. 1 (b )

..- 6.0

'00
------,.,
..------' 0
..- •.s

. . - - - - - - - : . , . . - - - , - - - • .0
Línea de carga.
a.s
2.'
2 J s 6

1' )
Figura 4·29. (a) Circuito para el Ejemplo 4.4 empleando un transistor de acumulación NMOS. con un transistor de deplexión
NMOS conectado como carga; (b) caraclerfslice de la resistencia decarga de deplexi6n: (e) línea de carga correspondiemea la parte
b superpuesta a las curvas de salida de QI.
 Transistores de e/e clo campo 171

Ejemplo 44

El circuito de la Fig . 4·29a emplea un MOSFEf de depíexión Q2 co mo carga del MOSFET de

acumulac ión Q l . Esta con fig uración es de uso corrie nte en c ircuitos integrados digita les. El MOSFET de
carga Q2 tiene k - 20 J.lA I V2, WIL - 1/4 y Vr - -2 V Ysus caract erísticas de salida son las represen tadas
en la Fig. 4·29b. Las ca rectertsnca s del MOSFEf de acumulaci 6n so n las dadas originalme nte e n la
Fig. 4· 12 que co rrespo nde n a un dispositivo con k = 20 ¡JAIl!'. WIL = 1 Y V, = 2 v, y q ue para mayor
comodidad
. .
crrcuuo .
.
se reprod ucen en la A g. 4·29c, Tra zar la función de transferencia " en función de ", de este

Soluci6n

En la Fig. 4-29b ve mos la característica de carga para VGS! = O de la que resu lta la recta de carga de la
Fig. 4·29c, La construcción de la recia de carga sigue el proc ed imien to em pleado para formarla Fig.4 -24h
valiéndo se de l hecho de qu e IIJI = 1m y V{I.U + V{)S] = Vfm = 5 V l Ec, (4- IOll, Puesto qu e I{I! = 20 ~ cuando
VDS/ está co mp rend ido entre S y 2 V , l fJI - 20¡.tA al pasar VOS1 deO a 3 V. A l bajar Vos1 desde 2 aO V, Va s l
aumenta de 3 a 5 Ve 1m = 1m decre ce desde 20 a O ~. Estos valores de VIII e n func ión de VfJ~ 1 forman la
rec ia de carga e n la Fig . 4-29c. La func ión de transferencia rep resentad a e n la Fig. 4· 30 se obtiene vari ando
", = VGl l y hallando los correspondie ntes va lore s de 1'.. = V{)SI de la intersecci ón de la rect a de ca rga co n
la característica tensió n-corrie nte de QI. Con v, ::> 2 V. Q I está e n corte Y"" = 5 V (la inte rsección de la
recta de carga con la característica de salida tiene lugar a VOS1 = 5 V) e 1m = O. Al aumentar 1', el pun to de
trabajo se desplaza a lo largo de la recta de ca rga hacia e l eje ID, Pa ra cada va lor de 1'; determ inare mos e l
correspo nd iente va lor de 1',,' Por eje mplo, co n 1'; = 2,5 v,
1'" = 4,7 V Y análog amente. para 1', = 3 v, ,'" =3
V. Cua ndo 1'; supera los 3,5 V las características de salida se agrupan alrededor de la rect a de ca rga y 1'..
tiend e hacia 0.2 v.
Lacaracterística de tra nsferencia puede obte nerse analítica oex penmental mente. ap lica ndo a la entrad a
una onda e n form a de diente de sie rra. Asr se puede hacer variar "j
linealmente con el tiem po: en
consecue ncia la "ariación de ".. co n e l tiempo es la función de transferenci a (véase el ejemplo 2· 3).
La función de transferenc ia de la Fig. 4· 30 demuestra qu e e l c ircuito de la Fig . 4-29a goza de las
tlfOpi.e~ades ~e un interruptor go bernado. Este c ircuito muest ra un perfil más escarpad o en la reg i6n de
.ransicióe abierto-cerrado q ue el de la funci ón de transfe renc ia de l circuito de acu mulac i6n de la Fig . 4 -24 .
Las co nsec uenc ias prácticas de e sta diferencia las ana lizaremos e n la Secci ón 6 -5.
p.. , v

'r-- - ,
4

,
,

z J 4 s

FiRura 4·30. C.radtrf~ica de traMftrenC"i. de Itn~ i6n detcecuitode la Fil . 4·2% YEjemplo 4-4.
172 Microelectrónica moderna

4·13. EL FET COMO AMPLIFICADOR

Los circuitos amplificadores con transistores de efecto ca mpo se vale n de la natur ale za de es tos
di sposi tivos co mo fuente de corriente gobernada por ten sión . Como ya se ha comentado anteriorm e nte e n
es te mismo ca pítulo. en la región de sa turación IDdepende só lo de Ves (a proximadame nte) lo q ue permite
su funcionamien to como fuente gobernada: Estudiaremos e l empleo de l FET co mo amplific ador consi -
derando e l c ircu ito en fuente co mún de la Fig. 4-31. en la q ue la seña l que se pretende amplificar es v. '
mientras q ue VGG proporciona la polarización inversa necesaria e ntre puert a y fuen te del JFET . Las
ca racterísticas tensión-corriente del JFET son las de la Fig. 4-32 so bre las q ue se han superpuesto la recta
de carga co rrespondie nte a VVD = 30 V YRlJ = 6 kil. El va lor de V(;G se ha elegido en 1.5 V de forma que
e l transistor queda polarizado en e l punto Q. resultando VlJSQ = 19 V e 1lJ() = 1.8 mA .
La tensión instantánea puerta-fuente es Ves = 1', - V(;G' S uponiendo que 1', sea una senoide con 0,5 V de
pico . la variación de l'c;s co n e l tiem po mostrada en la Fig. 4·32 será una se noide superp uesta al nive l de
'»
reposo. Las formas de ond a result antes para y " M se han trazado a l iado de las características.

Ro
Rr; 6 kO
IOkU

"
-•.
¡

figu.... 4·3 1. EtapaamplifICadora lFET en ruenlt t'OrTIún.

Observemos que ambas ca ntidades puede n considerarse co mo unas senoides superpuestas a los
respec tivos valores e n co ntinua. Por tanto:

"'(ó.\ - - V(i(i + "'l ' - -1.5 + 0.5 sen w l (4· 111

i/} - I'JQ +iJ -1.75 +0.75 sen wt mA 14· 121
1'" = 1'11\ = V1H Q + 1',.., = I 9.5 - 4.5 se n w ( (4· 13)

Ob ser vemos e n la Ec. (4-12 ) Y en la Fig. 4-32 que la seña l de salida es mayor que la de la e ntrada.
c umpliéndose así la amplifi cació n. El signo negativo de la Ec. (4 - 13) indica la fase inversa de la se ñal de
sa lida de ten sió n en re lación a la se ñal de entrada . Esto supo ne que al aum enta r I'G.~ dism inuye vD;'; ten iendo
e n c uenta la capac idad de suministro de potenc ia de la fuente go bernada. Esta situació n es análoga a la
de l amplificador BJT desc rito en la Seco3-9.
I I
La ga nancia en tensión Al. es la relación entre la amrlitud de la se ña l de salida V_ y la de la señal
de e ntrada V_. En e l c ircuito de la Fig. 4· 31. la ganancia es Al' 1= 4.5/0.5 = 9. Ob sérv ese que só lo q ueda
amp lificada la señal de en trada. La mayo r potenc ia de señal a la sa lida (en relac ión a la de e ntrada) se
obtiene só lo a expensas de la potenc ia de polarizac ión V001DQ suminis trada. Efecti vamen te. en es tecircuito
la pote nci a de pola rizació n es significativame nte má s alta que la de e ntrada.
Es de notar que e l JFEf se polariza hacia la med ia de las ca racte rísticas. Si elegimos e l punto de
funcionamiento m uy próximo a la reg ió n óhm ica o cerca de la tensió n umbral. la se noid e de sa lida quedaría
 Transist ores de ef ecto camp o 173

, I'cs· O

- 1.0
L7S
1 - 1.5
- L.S
- ! .O
1
."
001 ;-- - - , 10 20
" 15

19.5

•.s

Figur a 4· 32. C...acleríslicasde u ridadel JFET de la Fig. 4-.11. L1 recia tk carga connpondc a V00 '" JOV )' Rf) '" bUl El pulllO
Q se tu.fijadoen \'G(;" '" - 1.5 V. Las señales ~noidales superpcestas en los nivelesde reposose tu.n represenladoPMa', •. l'OS)' l",s

cortada durante el semicicto positivo o negativo de la señal de entrada. De igual forma. con el punto de
trabajo en Q de la Fig. 4-32 , la máxima señal de entrada que se puede amplificar sin distorsión apreciable
queda reducida a los valores de "cs correspondientes a la parte de la recta de carga por enc ima de l umbral
y por debajo de la región óhmica . (Compárese esto con lo expuesto en la Sección 4- 1.)
El com portamienlo del FET como amplificado r puede relacionarse con la caracrertstica de rransferen-
cia del circuito. En la Fig. 4-30 queda de mostrado que los segmentos casi horizontales representan
aproximadamente un interruptor abierto o cerrado. La parte de curva compre ndida entre ambos segmen tos
indica q ue un cambio en \l . provoca un cambio en l ' . En particular. a lo largo de la mayor parle de esta
zona. la variación de \I~ es ~ayorque la de \l j ' lo que indica una amplificación, De hecho se puede determin ar
la ga nancia de l circuito determ inando la pendiente de la característica de transferencia en el punto de
trabajo.
En esta Sección se ha tratado del ci rcuito JF ET. Como tanto los MOSFET de acumulación como los
de deplexión tienen unas características ten si ón- corriente similares. pueden considerarse ambos como
fuentes de corriente gobe rnadas por tensión. y por tanto pueden emplearse tanto el uno como el otro a
manera de amplificadores. pudiendo aplicarse a ellos lodo lo comentado anteriormente.

4·14. MODELOS FET DE PEQ UEÑA SEÑAL

El circuito equivalente de pequeña señal, válido tanto para el JFET como para el MOSfET se utiliza
174 Microelectrónica moderna

par a relacionar en tre sí las variacione s incrementales de las corrie ntes y tensiones de l transistor a lrededor
del punto de reposo. En la Sección 4- 13 vimos que io ' vos y "es tiene n todos ellos una componente en
co ntinua y otra en altern a supe rpuestas . La compo nente e n alterna representa la variación a lrededor de l
punto de trabajo provocada por la apl icación de una señal seno ida1. Así, em pleando la misma notación
que para el BJT (Sec . 3-9) tendremos:
id = io - IV Q = óil)
V d_, VDS V DSQ = Ó VO S 14- 141
VI:' = VG S - VG S Q = I1 V G S

El modelo de baja frecuencia

El modelo FET de pequeña señal es un circuito que se emplea para mo strar la relació n exi sten te entre
i D' I'DS y
"cS" En la Fig. 4- 33 está repre sentado e l ci rc uito e q uiv a le nt e de baja fre cu en ci a de l FET . No
se seña lan en la figura los elementos capaci tivos. es de cir , de almacenamiento de ene rgía, ya que tales
elementos sólo influyen e n su co mportam iento co n frecue ncias altas (véase Sec o3- 10).
Los elementos de la Fig. 4-33 está n rel acionados co n los procesos físico s q ue tie nen lugar en el FET.
La fuen te de corriente gobernada por tensió n gm v , señala dependencia de id sobre V~, cuando e l FET
funcione en la región saturada. El parámet ro g", es I~ pend iente de la característica de transfe ren cia (Fig.
4-9 ) ca lculada en reposo. La re sistencia de salida rol, es la pendi ente de la característica de salida evaluada
en e l punto de trabajo. Fís icame nte. es te parámetro se atribuye a la modulación de la longitud de l c anal
(Se c. 4-7) . Los circu itos abiertos (1' --t q ue aparecen entre g y s y entre g y d indica n que la unión
0<»

fo rmada por la pue rta y el canal de un JFET está po larizada en inve rsa. Como ya se ha indicado antes
(Sec c. 2-9) el efecto de la gran resiste ncia increme nta l de una unión con polarizaci ón inversa so bre el
funcionamien to de l circuito. casi siempre se puede de spreciar. En el MOSFET los trayecto s entre puerta
y fue nte y en tre puerta y d renaje d iscurren a través de la capa a islante de óxido. y por tanto. la res istencia
extremadamente alta de ese itinerario no tiene influe ncia alguna sobre e l funcion amiento de l e lemento y
del circuito.
El valor de g se puede de term inar analít icamente de las ex presiones de la corr iente de drenaje en las
Ecs. (4-3) y (4 -5) para e l JFET y el MOSFET respectivament e. La trans conductancia 8",es

14- 15)

Puesto que iD rep resenta la corriente de drenaje total y I'cs la tensión tota l puerta-fuen te (véase Fig.
4-32) la Ec . (4-3) se convierte en

' ,nss ( --v;:-

/V = v",) I -

o• d

'\ I
\1-------'
, -
Figura 4· 33. Circuito equivalente a baja Frecuencia y pequeña señal de un transistor de efecto campo.
 Transistores de efecto campo 175

y empleando la Ec. (4· 15) tend remos

Km= - 2:;¡XS(1_V~:Q) (4-16)

Recuérdese que para los JFETS de canal n, V~ y Ves son amba s negati vas e If)I¡~ positiva . En los
dispositivos de canal p, Vp y Ves son positivas e IDS S negativa. Adem ás I Ves l < I Vp ' Por tanto VesQIVp
es positivo y menor que la unidad , y IIJ_\'/Vp es nega tivo. En consecuencia R., es siempre positivo tanto para
el JFET de canal /1 como para el canal p .
La E c. (4-3) calculada en el punto de trabajo permite escribir 1· ( VesQIVp ) en la fonna ± (I DQI!DSS) ,¡
con lo que la Ec . (4-16) se transforma en

Km =
+
- V2 VID Q I D S!>" (4- 17)

"
Como ya se ha demostrado que gmes siempre positi vo, puede escribi rse esta ecuación en la forma
alternativa
21 ~ /DQ
D SS V/IJQ
gm = - --v;:- I/}s.~ = g"", I[)ss
(4- 18)

=
El término gm= 2/ 0ss /Vp es el valor de gm cuando VG.IQ O con lo que IDQ IDSS' =
Análogamente, en un transistor NMOS, Km se puede expresar

g", = 2 ~k (~) I DQ (4-19)

[La derivación de la Ec (4-19) se deja a manera de ejercicio para el lector en el Problema 4-39.J
Com o I'd' refleja el efecto de la modu lación de longitud del canal . se emplea la Ec. (4-7) para relacionar
i o y 1'os' En el MOSFET la conductancia de salida gd. se expresa:

(4-20)

Aplicando la Ec. (4-20) en conjunción con la Ec. (4-7 ) tendremos

Al DQ
(4-21)
+ AV nsQ
De donde

rtl., = (4-221

Para los FET integrados, normalmente se calcula la Ec. (4-22) con VDSQ = Ocon 10 que queda reducida a

1
"<1.• = - - (4-231
Al DQ
La forma norma l de trabajo de un FET integrado es con una tensión drenaje- fuente del orden de unos
pocos volt. Por tanto , el término VDS de la Ec. (4-22) es mucho men or que la unidad y así la Ec. (4-23)
es una buena aproximación de la El.
(4-22). Para los FET discretos, especialmente si se emplean con
niveles de tensión y de potencia moderados, '"d' se calcula por la Ec . (4-22) . (Para el JFET de canal n
 176 Microelectrónica modern a

2N4869 empleado en e l Eje mplo 4-5 v éanse las Figs. 4 ·7 y 4- 32) .

La Ec. (4-22) también es válida para e l JF ET ya qu e el término de modul ación de longitud de ca nal
(1 + Á VDS) puede tambi én introducirse en la Ec. (4-3).
R,
roen ,

R,
", 6kn
' 1>---- - - ---'

FigurIl4-J4. Equ ivalente en pequeñ a señal del circu ito de la Fig. 4-31.

Ejemplo 4-5

Hallar la ganancia de ten sión de la etapa amplificadora de la Fig. 4-31 . Los dat os del JFET son: I vss
= 5 mA. Vp = 3.6 Vy),,= O.OI V I.

Solución

El circ uito eq uivalente es el de la Fig. 4- 34 e n la que el JFET es tá representado por el mod elo dado en
la Fig. 4-33. De la recta de carga y las car acterísticas expuestas en la Fig. 4-32 se ded uce n: IDQ = 1,8 mA ,
VCSQ = -1,5 V YV DSQ = 19 V. De la Ec. (4- 15) tendremos

s; =
2X5( l
3":6 - 3.6
1.5) = 1.62 x 10 - .1 U
_ 1.62 m A/V
El valor de '"lb deducido de la Ec. (4-22 ) es

"J., = 1 + 0.0 1 x [9 .5 = 66.4 kf]

0.01 x 1.80
La ten sión de sa lida es v, =-8mRL \'~, donde RL es r lb 11 Rv!y \'~! =v.. El va lo r de RLes
= 6 x 66 .4 = 5.50 kO
RL 6 + 66 .4

y Av = 1~~ 1 = g",R L = 1.62 x 5.5 0 = 8.9 1 V

Es te val or de la ga nancia obten ido analíticamente está de acuerd o con el dete rminado gráf icamente e n
la Seco 4·13.

Ejemplo 4-6

La tensión de a limentac ión Vvv en el circuito de la Fig. 4-210 Yde l ejemplo 4-} varía en + 0.3 V. ¿En
c uánto varía VD..~Q debido al cambio en Vvv ? Empléese e l modelo de pequeña se ñal tom ando r , 50 kO:.
d
=
 Transistores de efecto campo 177

eoxn -o en
Red de polar ización de puerta Equiv alente de Thevc nin

150ldi

+
O.)V

- 15 V
IOOkn
R~'V
0.3 V
•

(a) lb )
Figura 4·35. ( a) Circuito de transistor mctal-óxido -scmicund uctor de efecto campo. mostr ando un camb io en la tensió n d e
alimen tación a manera de fuente de señal [0,3 VI. (b) C ircu ito de la parte a hab iendo sustituido la red d e polari zación d e pue rta po r
so equivalente dc Th évenin .

Soluci án
El ca mbio en la tensión de alimentación puede repr esentarse co rno en la Fig. 4-35a . Obteni endo el
equ ivalente de Thevenin de l circuito de polari zación de puerta. la etapa MOSFET queda representada
co mo apare ce en la Fig. 4-35h (véa se también la Fig. 4-2Ih). Esdiflcil deterrninar las pequ eña s variaciones
de la tensi ón de alimentación tanto e n la recta de polariza ció n de la Fig. 4-22 como de las carac terísticas
de salida del transistor. Por tanto, es co nve nie nte co nside rar estas variaciones como una pequeña seña l
(incrementa l) en contin ua aplicada al circ uito. En la Fig. 4 -36a puede verse el modelo de pequeña seña l.
La Fig. 4-36b muestra la conversión de una fue nte de corriente gm\'x, en paralelo con I',¡, en una fuente de
tensión g.r,¡,\'.~_, = J.ll'~, en serie co n 1',/, ' A l s ímbo lo ¡.t se le llamafac/o}" de amplificaciólI~

~ " 1:",1",/., (4-24 )

se en , J 60 en f( '.,
"

•
II", V~ • '.. 40kn
+ '""~ 40 ~11

0. 12 V 0.12 v •
• •
0.3 V O,J V
Skn S xn

(' S (b)

Figuru 4· 36. (a) Modelo de pequ eña señal para et circuito de la Fig. 4-35b. (b ) Circuito de la parle e co n la fuente de corriente
~m v.' e n para lelo con r,l" co nvenida en su fuente de ten sión eq uivalente.

De la Fig. 4-36h Yaplicando la ley de Kirchhoff al lazo de puerta y drenaje ten drem os

l'~ , = 0.12 - 5i"

y - 0.3 + 40 id + 50i" - JLt",,_, + Si" = O

No debe co nfundirse 1-1 como factor de al1lplificaci ón co n la l1Iovilidad de portadores.

178 Microetectronica moderna

El va lo r de Il se o btie ne ca lc ula ndo prim ero g.... De l eje m plo 4- 1 ten dr em os loo = 190 IlA Ycon
k =20 IlAJVl YWIL = I junio co n la Ec. (4-17) tendremos
g", =2 V 20 X 10 - "(1 ) 190 x 10 (, = 1.23 X 10 - 4 U = 0. 123 mAlV
y
J.L = 0. 123 x 50 = 6. 15.
S ustituyendo la expre sión de \'~ , en la ecuación de Kirchhoff del lazo de drenaje y despejando itl se obtiene

;,/ = n.) + 0. 12 x 6. 15 = 8.25 x 10 - 1 m A = ~.25.fLA

90 + 5 (1 + 6. 151

y la te nsión I'do será

VJ. = - 40i" + 0.3 - 5iJ

= - 40 x 8.25 X 10- 1 + 0 .3 - 5 x 8.25 x 10- )
= - 0.0713 V = -7 1.3 mV

y la tensión total ~'DS = VD.'\9 -¡'ti. =6.45 -0 ,0713 =6,39 V. Este resultado se ñala que con un c ambio del 2%
e n VDIJ' I'os cambia e n un 1, l %.

Mode lo de alta fr ecuencia

A altas frecuencia s se deben añadir a l circuito eq uivalente de pequeña seña l FET los efecto s de las
capacidades re lacionadas con la unión polarizada e n inve rso y co n la capa de óx ido (Fig. 4-37). Debido a
q ue e xiste unión entre puert a y fuente y e ntre puerta y d renaje, cad a una dc las capacidades e y e
.' ~
co ntiene una compone nte de la capacidad relativa a la región de de ple xió n. Adem ás, es tas capac idades
co ntienen co mponentes atribuidas al co nde nsador form ado por la capa de óxido. la región de contac to
met álico y la capa semico nd uctora . Para los cá lculos con pape l y lápiz es co nveniente combinar estos
efecto s como en la Fig. 4-37. El mode lo empleado para cá lculos simulados re present a estos efectos
mediant e e leme ntos ca pac itivos.

4· 15. DISPOSITIVOS CMOS

En circuito s digitales integ rados se em plea m ucho un di spositivo compuesto de dos transistores FET;
uno NMOS y otro PMO S. Estos transistores co mpuestos han ido adquiriend o impor tancia en su aplica c ión
c n c irc uitos analógicos. La co mb inación de transistores NMOS y PMOS e n un mismo chip se de nom ina

e
T~
d

" '"

."¡gura 4·3 7. Modelo FETde alta frecuencia 'J pequeñaseñat.

 Transistores de efecto campo 179

+ 1 1111

mos
Carga
r-nos

"

~ ~ t US 1'" N MOS c..

In
'"'
Figura ~-JIl. (a ) lutcrrupro r compl em ent ario Illehll-(Íxido-sc micnnd uc!orconlcn iendo el excitad or NMOS y la carga PMOS . Re-
prescnracidn del inter rupto r ideal del circuito C MOS de la pune 1/ c uando cltnmxis tcr NMOS de la parle h es!,í en cond ucción y.
(d cuando eltransistor PMOS cundure .

MOS contpíemeutarlo o simplemente CMOS . (La fabricación de tales dispositivos y los circuitos que los
utilizan constituyen la tecnotogta CM OS.) En esta Secc ión pretendemos faci litar una breve introducción
a la configuración del CMOS para poder informar sobre las propi edades del circuito en que se utilizan.
En diversas secciones de la primera, seg unda y cuarta partes del texto se trata de aplicaciones espe cífi cas
de la tecno logía CMOS.
El circuito CMOS de la Fig. 4-3Ra, usado en aplicacione s digita les consta de un transistor NMOS
(exc itador) al que está conectado un transistor PMOS a manera de carga. Los terminales de puerta de
ambos transistores están conectados entre sí. Supongamos que la tensión umbr al Vr es la misma para los
dos e igual a Vorl2. Aplicand o una tensión posit iva \'1 > v, simultáneamente se cierra ( ü N) el transistor
NMOS y se corta el PMOS (recuérdese que se precisa una ten sión de puerta positiva en un transistor de
canal » y negativa en el canal p). Estando conecta dos en serie los termina les de dren aje y de fuente de los
dos transisto res no circula corriente alguna por el NMOS (por estar el PMOS cortado). Por tanto la tensión
de salida es prácticamente nula. Esta situación está esq uematizada en la Fig. 4-37h en la que el interruptor
cerrado representa al NMO S y el abierto al PMOS.
Análogamente , cuando se aplica una tensió n de entrada negativa (o cero) el PMOS se cierra (pasa a
ON) pero el NMQS se cort a. La disposición de los interruptores en la Fig. 4-38(" equivale (aproximada-

+ t·OD

Tensió n continua
de polarización PMO S
0---1 Carga
"
ViO----------<>
" " •
, ¡ g," lV., 1 "dl l " dl2
"
'.
52
NMO S
SI
Fuente gobernada .... ~

l' ) l b)

F igura 4·39. (a) Con figuració n del c ircuito. y (/¡ } equivale nte de hnja fre cuencia de la e tapa am plificadora C MOS.
180 Microetectr ántca madema

mente ) a esta situación. Nuevamente, al estar uno de los transistores en corte no circula ninguna corrie nte
por el ci rcuito. La tensión de salida es alta: Voo en el caso ideal de la Fig. 4-3& Yaproximada mente Vno
en el de la Fig. 4-380.
La acción descrila es la de apertura y cierre de un interruptor median te la ten sión de entrada controlada.
Sin embargo. como no hay corriente en ninguno de los dos estados del interrupt or la potencia disipad a
por los transistore s es prácticamente nula (cie rtamente sólo se consume potencia en el C MOS du rante el
intervalo de conmutación). La extremadamente poca potencia consumida en los circuitos CMOS es la
mayor motivación para su extenso empleo.
Los circuitos analógicos metal-óxido-semicondu ctor complementarios emplean frecuentemente la
configuración rep resentada en la Fig. 4-39a. El transistor PMOS proporciona la carga resistiva para el
NMOS que funciona como fuente gobernada.
La Fig. 4-39b corresponde al modelo de pequeña señal (incremental) del circ uito de la Fig. 4·39u.
Obsérvese que no esta la fuente K,..Jv(.J en el modelo del PMOS deb ido a que v. ,; = 0 (1a fuente y la puerta
están ambas a tensión constante). La resistencia de carg a roh! es normalm ente del orden de decen as de
ktloohmios. Si tuviéramos que emp lear como carga una resistenci a de v a lor r~ . esta ocuparía mucho más
espacio del chip del que ocupa el transistor PMOS, lo que es una gran ventaja de la tecnología C MOS en
circuitos analógicos.
Una segunda ventaja de este circuito es la doble función que desempeña el transistor PMOS: (1)
proporcion a al circuito la resistencia en co ntinua (análogamente a la Fig. 4·26) Y(2) provee la resistencia
de carga en alterna (pequeña seña l). Los valores de estas resistencias pueden ser notablemente distintos
ya que las necesidades de la polarización y las del procesado de la señal difie ren entre sí. Por ejemplo,
supongamos que r~ = 20 kQ sea la necesaria para tener la ganancia de tensión deseada. Si esta resistencia
tuviera que conducir una corriente de 0,5 má. Ia caída de tensión a través de ella sería de 0,5 x 20 = 10 V.
Frecue ntemente una carda de tensión de esta envergadura exigir'ia una tensión de alimentaci ón mayor de
la que puede admitir el dispositivo empleado. Sin embargo. el transistor PMOS permite emplear niveles
de tensión más prácticos proporcionando al mismo tiempo la resis tencia incremenral de 20 k.Q necesaria
para alcanzar la ganancia de tensión prevista. Recuérdese que r Jo! es la pendiente de la ca racterística de
salida en el punto de reposo y puesto que se está operando en la reg ión de saturación dond e la curva es
cas i horizontal. r ,¡o! puede adquirir valores altos. del orden de decen as de kiloohmio s.

REFERENCIAS

Hodges, D.E. Y H.O. Jackson : "Analys¡s and Design of Digital lntcgratcd Circuits," McOra w-HiIl Book
Company. Nueva York, 1983.
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Nueva York, 1984.
J Yang. E.S.: "Fundamentals or Semiconductor Dcvíces,' McOraw-Hill Book Company, Nueva York. 1978.

4 Grebene. A.B.: "Bipolar and MDS Analog tntegrated Circults Destgn," 101m Wiley and SonsoNueva Yor k.
1984.
5 Muller , R.S. y T.I. Kamins: "Device Elecrronics for Integrated Cfrcuus." John Wiley and SonsoNueva York,
1977.
 Transistores de efecto camp o 181

TEMAS DE REPASO

4· 1. Citar tres propiedad es de una fuente de come nte idea l gobe rnada por te nsión .
4·2. (a) Esbozar la estructura básica de un J FET de ca nal 11.
(b) Dibujar e l símbolo de l circ uito de un JFIIT.
4· 3. Dibuja r la familia de ceracterísncas de dre naje de un J FIIT de canal n y explicar cualitativamente s u Icrma.
4·4 . Definir la tensi6n de estricción.
4·5. I I
¿Cómo se campan a un JFIIT ante: (a ) peq ueños valores de Vo s y ( b) grandes valores de VDS '! I I
4· 6. Esbozar la sección de un transistor NMOS de acumulación.
4·7. Repenr eltema anlerior para un transistor PMOS de acumu lación .
4·8. (a) E.s bozar las ca racte rísticas de salida y de transferencia de un trans isto r NMDS de acumulación.
(h ) Explicar cualilativamente la fonna de las características de l punlo anterior.
4·9. ¿ Por qué se prefieren los dispositivos NMDS a los PMOS ?
4· 10. Repeti r e l te ma 4-8 para: (ti) un transistor NMOS de deplexi6n y (b ) un transistor PMOS de de plexión.
4· 11. ¿C uál es e l s ig nificado de la tensi ón um bral Vr en un MOSFET: (a) en e l mod o de acumulación, y (b) en e l
modo de deplextón?
4·1 2. ¿Cuál es e l significado de la relació n WIL en la corriente de dre naje de un MOS FET?
4·13. (a) Explica r verbalm ente q ué se entiende por mod ulació n de la lo ngitud de l canal.
(h) ¿Q ué efecto tiene la modu lación de la lo ngitud de l canal so bre la co rriente de d renaje ?
4·14 . Explicar cómo se emplea la lfnea de polarización para determinar la lensión y la co rriente de reposo en un
ci rcuito FET .
4· 15. Dibuja r los srmbolos de circ uitos e mpleados para los MOSFET con y s in sustrato co nectado .
4· 16. (a ) Most rar el diagrama del ci rcuito de un dispos itivo NM OS de acumulac ión conectado a manera de
resistencia.
(h) Esbozar la caractensnca de resistenci a.
4·17 . Re petir e l lema anterior para un transistor NMO S de deple ltión.
4·1 8. Exp licar cómo puede emplearse un FET como interruptor.
4·1 9. Expl icar cómo puede emplearse un FET como a mplificador.
4·20. Dibujar e l modelo de peque ña señal y baja frecuencia de un FET y explic ar el significado de cede e le mento.
4·21. (a ) ¿Q ué elementos deben añadirs e al mod elo del tema anterior para que e l ci rcuito equivalente sea válido
a a lta frecue ncia ?
(b ) ¿C uál es e l origen flsico de estos e leme ntos?
4·22. (a ) Dibujar el c ircu ito equ ivalent e de pequeña se ñal de una etapa en fuente com ún.
(b) ¿Po r qué en este modelo no aparece la te nsión de alimemaci6n Voo?
4·23. ¿Q ué se e ntie nde por Tecnologla CMOS ?
4· 24. (a ) Dibujar esquemáticamente e l diagrama de circ uito CMOS usado e n aphcaciones dtguel es.
(b ) Explicar las ventajas de este circ uito.
(e) ¿Hay algunos inconvenientes? S i los hay. cítense.
4·25. Re petir el tema anterior para un circuito CMOS ana lógic o.
 Fabricación
de circuitos integrados

Un circuito integrado es tá formado por un monocristal de silicio de superficie normalmente compre n-

dida entre 1 y 10 mm de lado. que co ntiene elementos activos y pasivos. En este capítulo se describ en
cualitativamente los procesos empleados en la fabricación de tales circuitos. Estos procesos son: prepa-
ración de la oblea, crecimiento epítaxi al. difusión de impurezas. implantación de iones, crecimiento del
óxido, fotolitografía, grabado quími co y metalización . Se emplea el proceso múltiple que ofrece una
excelente identidad de resultados en la producción de un elevado número de circuitos integrados a bajo
coste.
Cada paso de la fabricación contri buye a las propiedades y limitaciones de los circuitos producidos.
Con los comentarios que sigue n pretendemos dar una visi6n de conjunto de la tecnolo gía de los circ uitos
integrad os y las implicaciones de esta tecnología e n el diseño de circuitos. Tra taremos particularmente de
la fabricaci6n de bipolares y MOS.

Q/
,.->-----,
Sustrato
Aluminio
s
"
el E2 B2 Bl El el

Sustrato P Aislamiento r
fa)

+l'rr

el

01 O'
El

lb'

Figura S-l. (a) Sección transversal de la disposición planar integrada de la Fuente de corrientede la parle (b).
184 M icroelectrónica mo derna

5· 1. TECNOLOGÍA DE LOS CIR CUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS

(MICROELECTRÓNICA)
El término «monolítico» se deriva de las palabras griegas mOllo (que s ignifica «único») y titilas (que
significa «piedra»). Así un circuito integrado monolítico se co nstruye en una única «pied ra» o crista l de
silicio. La palabra «integrado» se debe a que todos los componentes del circuito: transistores. diodos,
resistencias, capacidades y sus interconexiones se fabrican como un ente único. Obsérvese que no se
incluyen inductancias: una de las co nsecuencias de la cons trucci ón de circuitos integrados semíconduc-
lores es prec isamente que no pueden conseguirse valores de induclancia pr ácticos,'
La variedad de procesos con los que se fabrican estos circ uitos se desarrollan sobre un plano único y
por tanto puede hablarse propiamente de tecnología ptanar . La Fig. 5·l a representa la estr uctura de un
integrado bipolar, lo que es la materialización del circuito de la Fig. 5· lb. (Esta es la fuente de corriente
introducida primeramente en la Seco3- 11.) El circ uito NMOS de la Fig. 5-20 descri to primerame nte en
la Seco 4·12 se construye como queda representado en la Fig. 5·2b. Como puede verse en las Figs. 5· la
y 5·2b estas estructuras están formadas por varias capas de material. Estas varias capas son: las regiones
de silicio dopadas" y p. el dióxido de silicio (Si0 2 ) denominada también capa de óxido. y las zonas
metá licas.
Las capas de silicio forman los elementos del sistema as! como el sustrato o cuerpo en el que se
construye el circu ito integrado. Además las zonas de silicio se emplean para aislar unos de otros
compo nentes. Para formar las capas de silicio se emplean tres procesos distintos que son el epítaxlal. el
de difusión y el de implantación de iones.

l.}

, ,
Ql
, ,~-,--..,
Q2

(Cuerpo) Pul¡,¡licio
81
\ SI GI DI 51 a2 D2 _A luminio

SU81ralop

(bJ
Figu ra 5· 2. (a) Circ uilo MOS de Cl nal " con carga de deplexíón, y (b)dispos ición comocirc ulto integrado .
 Fabricaci6nde circuitos integrados 185

'tI'

-'1
•

•• ••

, -=

", 1<"1

Figura 5-3. Laoblea de 10cmde la rolograrla (a) con' iene numerosos chipsidénticos al (b). La ID lcro-fotograña (e) es unapequeña
parte del chip (b) muy ampliada.
186 Microelectrónica moderna

La capa de óx ido se utiliza para proteger la supe rficie de l c hip de los cont aminante s e xtern os y para
perm itir la formació n selecti va de las regione s u y p. El ó xido se e limina por corrosión química que
de scubre las parte s de la supe rfic ie en las q ue se deberán formar esa s regiones 1/ y p. Las zo nas a corroe r
se delimitan por técni cas de fotolitograffa.
La fina capa metálica se obt iene normalmente por deposici ón química de vapor de aluminio sobre la
superficie del chip . Para delimitar los trazados se emplea la fotolitografTa y med iante corrosión se elimina e l
aluminio sobrante dejando sólo las conexiones entre componentes .
Las rep resentacion es de las Figs. 5-1 y 5·2 so n só lo parte de un co nj unto más co mplejo: sobr e una
oblea únic a de silicio se fabric an simultáneam e nte muchos de tales circuitos. El c ristal de silicio (oblea)
forma el sustrato so bre e l q ue se hacen todo s los co mpone ntes del ci rc uito .
En 1985 para fabri car ci rcuitos integrados se empleaban obleas de 10 cm como la presentada en la
Fig. 5 ~3 a. (Para la produ cción comercia l se han introd ucido las obl eas de 15 cm de d iáme tro y se espera
q ue en 1990 se dispongan de 20 cm . El espe sor de la o blea de 0,2 a 0.3 mm , da la suficie nte res istencia
mecánica para impedir su fle xión . Es ta dimen sión supe ra a la nece sari a para alcanzar las ca rac terísticas
e léctricas ex igidas a los compone ntes .) Completand o el proce so de fabricac ión, la o blea se divide en l OO
a 8.000 partes rec tangulares co n I a 10 mm de lado (pa ra los más g randes) . Cada una de estas partes
co ns tituye un circuit o único como e l de la Fig. 5 ~3h que puede contener, co mo poco , desd e unas decenas
de componentes hasta var ios cientos de miles. La microfotograña de la Fig. 5~3('c om pre nde unos pocos
de los componentes contenidos en e l c hip de la Fig. 5 ~3h.
Ahora podemos apreciar algunas de las significativas ventajas de la tecn olo gía microelectrónic a. Si se
fabrican de una so la vez un conjunto de 20 obleas de 20 cm equiva le a fabricar simultánea me nte hasta
160.000 circuitos integrado s. y siel promediode componentes porcircuito fuera tan só lo de 700 e l conjunto
co ntend ría másde 100 millones de co mponentes . Algunos de estos c ircuitos res ultar én imperfectos debid o
a defectos de fabricación , pero aú n cua ndo los buenos fueran tan sólo e l 10% del tot al se habrían producido
16.000 chips de una so la vez.
La tecnología de los circ uitos inte grad os presenta las sig uientes ventajas respec to a las técnicas
convencionales con elementos di screto s interc onectados :
l . Baj o co ste (de bido a las gra ndes cantidades producidas).
2. Tam año reducid o.
3. Gran fiabil idad . Todos los componentes se fabrican simulláneame nte sin so ldad uras y se reducen
los fallos tanto eléctri co s co mo mecánico s.
4. Mejores pre staciones. Deb ido a su bajo co ste se pueden e mplear ci rcuitos más co mplejos para
conseg uir mejores c aracterís ticas de func io nam ie nto.
5. Igu aldad de c arac terísticas. Ya que todos los transistores se fabrican simultáneame nte y por el
m ismo proc eso, los par ámetros correspondient es as í co mo la variación de característica s co n la tem per a-
tura tienen práctic amente los mismos va lores.

5-2. EL PROCESO PLANAR

Tal como ya se ha indicado brev emente en la Seco 5-1 la tecnología planar para la fabric ación de
circuitos integrados comprende se is o s iete proce so s inde pe ndie ntes: (1) creci mie nto del c ristal del
sustrato. (2) crec imiento epiraxial. (3) oxida ción. (4 ) fotolitografía y grab ado qu ímico. (5) difu sión. (6 )
implantación de ione s y (7) metali zación. Examinaremos eada uno de ellos con mayor de talle.

Crecimiento del cristal del sustrato

Un fino cr istal de silicio se sujet a a una varilla y se introd uce en un c riso l con silicio fundid o al que se
 Fabricacidn de círcuítos integrados 187

han añadido impurezas aceptadoras. Seguidamente se retira muy lentamente en condiciones muy contro-
ladas la varilla del silicio fundido. A medida que se va extrayendo se va formando un lingote de cristal
tipo p de unos 10 cm de diámetro y unos 50 cm de longitud . Esta técnica se conoce como proceso
Czoc hralski o simplemente CZ. Seguidamente se corta el lingote en obleas circulares de un espesor
aproximado de 0.2 mm que form aran el sustrato sobre el que se Fabricarán todos los componentes
integrados. Una de las caras de la ob lea se lapida y pule para eliminar las imperfecciones superficiales
antes de proseguir con el siguiente paso.

Crecimiento epitaxial
En la Fabricación de circuito s integrados se emplea el proceso epitaxial para crecer una capa de silicio
co mo ampliación de la existente en la oblea del mismo material. Este creci miento se llev a a cabo en un
horno especial llamado reactor donde se introducen las obleas de silicio calentándolas hasta 900 a 1.000 "C.
En la tecnología corriente. como origen del silicio a recrecer se emplea la reducción de los gases . Si H~ o
Si C I ~ . El primero de éstos tiene la ventaja de necesitar menos temperatura y tener un crecimiento más
rápido que con el segundo.
La reacción química para la reducción del S iCL~ es

SiCl~ + 2H ~ ~ Si + 4H CI
y para la del S i H~

S1"H~ "1atmosférico, S" + 2H~

IOC(I'C 1 l5-lb )

Una capa epita xial de tipo /l. normalmente de 5 a 25 pm ( 1 pm = 10-"m) de espesor se crece sobre un
sustrato de resistividad aproximada de 10 n cm . lo que corresponde a N A = lA X l ü" átomos/cm', El
proceso epitaxial descrito indica que se puede escoger la resistividad de la capa epítaxial de tipo 11
independient emente de la del sustrato. En general. para la capa tipo" se toman valores de 0 , I a 0.5 n cm.
Puesto que es necesario producir capas epitaxiales con una concentración dada de impureza s. hay que
introducir impurezas tales como PH.J para el dopado tipo 1/ o B !H ~ para el tipo p en los vapores de
SiCI~ - h id róge no. Existe un aparato para el co ntrol preciso y Fácil de impurezas que consiste en un tubo
largo de cuarzo envuelto por una bobina de inducción a radiofrecuencia . Las obleas se colocan en un
soporte de grafito y éste se introduce en el reactor calentando el grafito hasta unos 1.200 ''C. Un puesto
de co ntrol introduce y elimin a los varios gases requerid os para acrecentar debid amente las capas
epita xiales. Con esto se puede formar una unión abrupta pn semejante a la de la Pig . 2-1.

Oxidación
Para el éxito de la tecnolog ía del silicio se requiere habilidad para depositar una capa de óx ido sobre
la superficie del silicio. Las características sobresalientes del SiO~ como pasivador son:
1. Puede eliminarse con ácido fluorhídrico HF al que la capa de silicio es resistente,
2. Las Impurezas empleada s para el dopado del silicio no penetran en el dióxido SiO], Así cuando se

~ PIJe~oque •• oblea tiene aprolÚmadamenle un ts pnor de 0.25 mm. la C'IIpIepitlXia l es de una dtci ma pill'\e, o menos, que el ....MRlo.
188 Mtcroeíearonica moderna

emplean las técnica s de l enmasca ram iento (descritas en e l apartado «fotolitog raña») se pued e lograr un
dopado se lectivo de zo nas específicas de l chip.
Mu y frecu entemente la oxidación t érmic a de l silicio se lle va a cabo en prese ncia de vapor de agua . La
reacc ión quím ica e s:

15-2)

El e spesor de las capas de óxido es tá ge ne ralmente comprend ido ent re 0 ,02 y 2 pm. y e l valor q ue se
elija depend e de la barrera necesaria pa ra e vitar la pene tración del dopante. En e l espe sor de la c apa de
S iO. influye n varios factores tale s como la tempe ratura de l proce so , la concentració n de impureza s y e l
tiempo de proces ado.
A menudo se emplea co mo pasivador el nitruro de silicio , S i IN~. debido a sus propiedades para e l
enmascarado, Es frec uente emplearlo co mo sep arado r entre dos capas de S iO,. El nitruro imp ide la
penetració n de l dopanre e n la capa subyace nte de S iO, (esencial e n los MO S). La ca pa ex terior de d ióxido
de silicio o btenida por deposici ón química de vapor. recubre completame nte el c hip al q ue sirve de
pro tección contra roce s y dañ os mec ánicos.

Fotolitogra fía
La técnica monolítica de scrita e n la Sec o 5· 1 req uie re la e liminación selectiva del SiO. par a fonnar
aberturas por donde puedan difundirse las impureza s. El procedimiento emplead o para esta elim inac ión
es el de fotocorrosíón repre sentado e n la Fig. 5-4. Durante e l proceso fotolit ogr áfico se recubre la oble a
con una película uniforme de una e mulsión fotosensible. Se dibuja una re pre sen tación amplia e n blan co
y negro de las zonas que han de q ued ar abiertas y cerradas. redu ciéndose luego es te d ibujo fotográfica -
ment e. El negativo ya red ucido a la d imen sión adecuada se co loc a a manera de máscara so bre la emuls ión
como se ve e n la Fig. 5-4. Sometiendo la e mu lsión a los rayos ultraviolet as a través de la máscara se
po limeriza la foto rresina bajo las zo nas transparentes dé la másc ara. Se reti ra luego dic ha máscara y se
«revela» la oblea med iante un producto químico (ta l como e l tricloroetilen o ) que dis uelv e las partes no
ex puestas (no polimeri zad as) de la emu lsión dejando la s upe rficie como en la Fig. 5-4b. La e mulsión que
no se ha e liminado con el rev e lado se fija para q ue res ulte resiste nte a los productos corros ivos que se
emplea rán a cont inuació n. El c hip se sumerge ahora en una so luc ión corrosiva de ácido fl uorhídr ico q ue
e lim inará e l óxido de las zonas a través de las q ue debe rá difund irse e l dopan te. Las porci ones de SiO.
pro tegidas por la película no q uedan afec tadas por el ácido (Fig . 5-4c). Una vez difundidas las impurezas,
la má scara resta nte se e limina mediante un disolvent e quím ico (tal co mo e l H2S0~ cali ente) y por abra sió n
mec ánic a. En e l proceso descrito se emplea una Iotorres ina negativa. au nque también se e mplea la posi tiva
e n la que las partes del polímero e xpues tas so n e lim inadas co n lo que se retie ne e l material no expuesto.
Los siguientes pasos de l proce so so n inde pe nd ientes del tipo de fotorresína em pleado.

Ultravioleta
Potorresina pohmerizada

FoIOfTe'Sina
Má§cara :~~~~~~~~
S,01

Chip de silicio

(o ( (b) ('l
Figura 5-4.Técnica fololilográfica: (a ) enmascarado yexposición a una radiación ullraviolcla, (b) foronesínay (e) revelado.
 Fabricación de circuitos integrados 189

La co nfecc ión de una máscara fotográfica es una c ues tió n complicada y costosa. Una vez determinada
la disposición del circuito se prepara un dibujo a gran esca la en e l que figu re la localización de las abe rturas
en las q ue deberá eliminarse el SiO: para un de termi nado paso del proceso. Invariablemen te la di sposic ión
del c hip se obtiene con la ayud a de un orde nador. El dibujo se hace a escala de elrededorde 500/1 quedando
de un tam a ño más fácilmente manejable para e l dibujante. Esta técnic a permite controlar I u m en e l proceso
de produc c ión, con una resolución entre líneas adyacentes de 2 u rn.
El dibujo del circ uito se subdivi de en varios niveles, de nom inados niveles de enmascarado , q ue se
usan e n la fabricación de l c hip. Por ejemplo, en un d ispositivo MOS la disposición de pue rtas es tá e n un
nivel . las ve ntanas de cont acto de fuente y drenaje e n otro. et c. Por procedimientos ó pticos manejados por
orde nador se convierte e l dibujo en información digital y se transfie re a una lámin a fotose nsib le. Esta
lám ina. e n la que el modelo q ueda red ucido unas 100 veces. puede usarse direc tamente sobre e l c hip o en
combinación con una cámara para una segunda red ucción de 5 a l Ovece s. Las imáge nes bidimensionales
en las varias lámina s constituyen las más caras e mpleadas para cada uno de los pasos sig uientes e n la
fabr icaci ón de los ci rcuitos inte grados. (Implantació n de iones, oxid ación. metalización . e tc.)
- Los me nores detalles que se pueden o btener con el proceso Iotolitogréfico descrito quedan limit ados
por la longitud de onda de la luz. Los haces de elec trones tienen una o nda muc ho más co rta que las
radiaciones ópticas y so n capaces de defin ir zona s mucho más pequ eñas. Por lo que actualmente para la
prepa raci ón de másca ras se emplea la litogr afía con haces de e lec trones . Un haz m uy fino de e lectrone s
barre una máscara recubierta con una resina sensible a los electrone s. De esta fonna e l diseño qu eda
impreso en la máscara. Las ventajas de es ta forma de preparar las máscaras co nsisten en una mayor
preci sión . la supresión de dos etapas de reducción fotogr áfica y la red ucc ión de tiempo. En la produ cci ón
industrial . el ma yor cos te del eq uipo necesario queda compensado por las ventajas que aporta.

Difusión
Hist ór icame nte la difusión de impurezas fue e l paso decisivo e n el proceso planar. A un antes de la
introducción de los circuitos integ rados ya se emplea ba este método en la producción de transisto res
discretos . La introducc ió n de impurezas a conce ntraciones controladas se lle va a cabo e n un horno de
difusión a unos 1.000 "C Y durante una o dos horas. Un horno de di fusión a loja normalmente 20 obleas
en un so porte de c uarzo dent ro de un tubo también de cuarzo. La tem peratura debe regularse c uidadosa-
ment e de forma que sea uniforme en toda la zona. Las fuent es de impure zas pueden ser gases . líq uidos o
só lidos puestos e n cont acto con las superficie s de silicio e n e l inter ior del horno. Co mo impure zas gaseosas
generalmen te se utilizan hidruros de boro. arsénico y fósfo ro. Un gas iner te (nitrógeno) conduce los átomos
de impure za hasta la superficiede las obleas desd e dond e se di funde e n e l silic io.
Para mayor simplicidad de los dibujos. en todas las secc io nes transversales que figuran en los esq uemas
de es te capítul o. las zonas de difusión late ral (Fig. 5-5a) figuran co mo vertic ales cuando e n realidad si se

Contacte de base
Contacto de c miMlf Contacte de colector
Dj fu ~ión aislamiento

Isla de
aistamíell10 p

S UstnlO p
SllSIr.t lo P

'o, ,b¡

Filur. s-s. SecciÓfllransversal de un Ira ns i ~or inlegrado: (a) idealizado. y (h) real .
190 Microelectrónica moderna

10'
,
<,
10'•
1'.. I
Difusién de
fósforo del emisor
,,(tipo 11)
•
s X 10 1
Difusión
10
"
~
de boro de la
10'
, base (tipo p)

I~
eoncenrrecr
1 '.. • . I
10' • --- --- --- n epf~ la
- -- - ~ --- - N, r;

i'
10
" 0.7¡m- ¡-
1, X. ll m
10 I 1 2 1 J
~Emi$Or-+Base+-Col«lor-
Jo'lgura 5·6. Perfil trpico de impurezas en un transistor monolCtico píanar de doble difusión. Obsérvese que N(.\·). en átomo por
centrmetro c übíco.está en escala logarítmica.

abre una ventana en la capa de Sial y por ella se introd ucen impurezas. éstas se difundirán lateralmente
la misma distancia que lo hacen verticalmente. Por tanto las impurezas avanzarán po r debajo de la capa
pesivadora de óxido y el perfil de las uniones debería trazarse más reallsticamerne como en la Fíg . 5-5h,
En un transistor bipolar se emple an frec uentemente dos difusiones de impurezas. Para un dispositivo
"p llla primera es la difusión de la base tipopen el colector recrec ido epitaxialme nrede tipo". Y la segunda
es la de la región emisor de tipo 11 en la base tipo p . La Fig. 5-6 represent a el perfil de impu rezas típico de
un transistor monolítico !lp" con dob le difusión.
La concentración N ac en el colectorepitaxial está representada por la linea de trazos de la Fig. 5-6. La
co ncentración N de boro es alta (5 x IO IK átomos/cm) en la superficie y va decreciendo dentro del silicio
=
como puede verse en la figur a. A ladistanciax .r. en la que N se iguala aN IIC la densidad neta de impurezas
es nula. Para .r <x la concentración neta de impurezas es positiva. y si .r > .r. será negativa. Por tanto .r
es la distancia desile la superficie a la que se forma la unión de colector. Para'el transistor cuyo perfil d¿
impurezas es el de la Fig. 5-6. .r = 2.7 J1m .
La difusión de em isor (fósfo}o) parte con una concentración superf icial mucho más alta (próxima a la
solubilidad sólida) de unos 11)21átomos/cm) y penetra hasta 2 um en dond e se forma la unión de emisor.
Esta unión se co rresponde con la intersección de las d istribucio nes de impurezas de base y de emisor.
Puede verse que el espesor de la base de este transistor monolítico es de 0.7 um. Normalmente se trata la
unión emisor-base como abrupta. mientr as que la de base-colector se considera como linealmente gradual
debido a la variación más lenta de la concentración en función de la distancia.

Implan tación de iones

La implantación de iones es un segundo procedimi ento para introd ucir impurez as. Un haz de iones
apropiados (boro para el tipo p y fósforo para el tipo 11) se aceleran con energías entre los 30 y los 200 ke V.
La profundidad de penetración se determina por la energía de aceleración y por la co ncentració n de iones
 Fll 1Jril'(I('j(J" de circ uitos integrados 191

dop cntc s. Este procedimie nto se emplea Ircc ucruemente donde se requie ran capas fin as de si1ic ¡o dopado
como es en la regió n de e misor de un BJT , el canal en un MOS FET y la región de puerta de UlI JFE T. En
estas zona s fina s la impla ntación de iones perm ite co ntrolar mejor lu co nce ntrac ió n de dopado que el
proce dimiento de di fus ión. La c apa de S iO, pasiv ada forma una verdadera barrera fren te a los io ncs
impluruados con lo q ue só lo q uedan dopada s las zonas de fin idas íoroluográfic umen te. También es
vcn tajo-,u la implantación de ione s P0f{IUC se realiza a baja tempera tura . En consecuencia, las regiones
previamcmc difundidas (o im plantadus l tiene n men o s tendencia a exten de rse lateralm ent e .
Otra part ic ularid ad del proceso de impl antac ió n de iones es que e l poten cial de ac ele ración y la
conc c mruc ión tic ione s d opan res se reg ulan eléctri c am ente de sde fuera del ap arato e n q ue se produce
la implant ac ión. Por e l contr ario. en el proceso de d ifusión deb e co ntrolarse la temperatura sob re toda 1;1
superficie dentro de l horno. Todas es tas ve ntaja s han hecho qu e 1;1 imp lantac ión de ione s se co nvierta e n
el princ ipal proce d im iento e n la fabricación de ci rcu itos integrad os.

Metalización
La me talización se emp lea pa r;l for mar las inte rcon exione s entre los componentes de un c h ip. Estas
cone xio nes se forma n depositando una tenu e capa de alumi n io (el cond uctor más frecu entemen te usado)
so bre tod a 1,1 superfic ie de l chip. La deposición se co nsigue por evaporación e n alto vado en e l inte rior
de un reci pient e . Se ca liem a e l alumi nio h a ~I a q ue se vapor ice . LI S molécul as gaseosas formadas irradian
uniformemente en toda s d irecciones y cubre n co mpletame nte lit superficie de In ob lea. La s uu yectori ns
de las co ne xiones se defin en con una nutscura e liminando por corrosi ón el alumini o so brante . En esta
Secc ión hem os descrito la técn ica plunur relat iva a la fab ricac ión de circ uitos mon olíticos integ rados .
Hem os toca do los sie te proceso s citados al prin cipi o de la Sec o) ·2. En las c uatro secc iones sigu ien tes
describ ire mos las sec uencias en estos proceso s necesari os para fabr icar transistores. diod o s, resis tencias
y condensadores .

5·3. FABRICACIÓN DE TRANSISTORES BII'OLARES

En e st;1 secc ión pretende mos de scribir la fa bricación de l BJT plana r para c ircuitos mOllolí ticos
medi ante lo~ proce sm tratados en la Scc. ) ·2. Para segu ir la sec ue nc ia de fabr icac ión nos ccnrr urcmos en
la construcción de dos tran sistores IIJlII en la fuen te de co rrie nte de la Fig. )· 1h. E n la Sec . S-R describírem os
la fabricación de resistenci as.

Fabricación de transislores
Una vez pre parada la ob lea te fsust raro lipo Jl) se cre ce una ca pa c pitax ialt ipo 1I . lal co rno se ve e n la
Fig. S, 7(/. Esta capa forma las region es de colec to r de los transi stores. Seg uidamente se dep osit a una C¡lpa
de óxido para cubrir la supe rfic ie. Ahora deben aislarse ent re sí bI S regiones de ambos tra nsistores . Para
e llo se for man tres venta nas e n el SiO, lFig . 5-7h) med iante foto litog rafía y co rro sión. Se d ifunde una
reg ión p' e n la capa epita xial ex puesta hast a q ue alca nce el sustrato. Este proceso estab lece una ístu aislada
alrededor de cad a tran sistor co mo se ve e n la vist a supe rior de la Fig. S-h. El aislamiento l'iéc frif'O se
COI/.\"i!t /({' conectando el SIIslra lo a la tcnsiríl/ mú.\" lit'XCII i I 'ti del f' i 1"f'lIiIn. Co n es to se g arantiza q uc 1a un ión
pll e ntre los cole c tores y e l sus trato pe rmane zca co n pol anzución inversa .
Una vez co mp letada la difusión de aislami en to se rec ub re nue vamente la o blea co n una capa de S in ,.
Co n una llueva más ca ra se forman las ven tanas e n las qu e se d ifund e n las base s de tipo p como sc ve en
la Fig. 5-7il. quedando defi nida s las regione s de las base s e n la vista super ior de la Fig. 5-7t'.
 192 Mieroetearonica moderno

Se recrece una capa de Si0 2 para cubrir la oblea después de la difusión de la base. Con una tercera
máscara y un proceso de corrosión se elimina el SiO l como preparación para la difusión superficial de
emisor (Fig. 5- 7]). Obsérvese que también se difunde una región 1/+ en la región de colector de cada
transistor. Aquí se hace el contacto en aluminio del colector, y la zona /1+ contribuye a formar un buen

Regione s de base

Capa epltaxlal n

Sustrato P
(11)

Ventana de difusión de aislamiento Difuso res de emi sor u+ u+ ,,+

~SiO' t¡2 "m 11 '

p ...

( b) Ij)

:-:--:"'IAil lamienlD pt
A
L'rJ) ~,,', r.i ,"
í~p
..
" Sust rato
e2
Aluminio
I
-- --------- -~ -- ---------
Ep ilaJr. ial /1 El 82 el 81 El SiO,
" Sección
- transversal
•
,,- " .'
(,)
. ; =-'. (,)

Difusión de base

. "
- .-
p -

I d)

Fig. 5-7. Secuencias en la fabricación de un transistor npn. (a) Crecimtentoepitaxialnpo n, y oxidación (Sia,); (b) enmascaramiento
y grabado pa ra exponer la superficie tipo n para la difusión de a islam iento; ( e) vista su perior después de la difusión de aislamiento
tipo p; (dJ difusión de la base; (l!') vista superior después de la difusión de base ; (J) difusión de emisor n+ (tanto los emisores de los
transistores como las regiones de contactos de los colectores se d ifunden ssmulté neamente) ; (g) metalización y paslvacién (Sial);
(Il) vista superior del chip mostrando los contactos y las mterconex iones e ntre co m po ne ntes. Obsérvese qu e la capa de SiO se supone
transparente para que sean visibles las regiones de base. em isor y colector. Las dimensiones seña ladas son las no rma lel en los c ir-
cuitos integrados comerciales modernos .
 Fabricación de clrculloslnlegradoJ 193

contacte óhmico (véase la Sec o5-1). Despué s de la difusión de co lector se crece otra capa de SiOzsobre
la superficie de la oblea.
El último paso de l proceso es la metalización . La capa de óx ido se graba con una cuarta másca ra para
desc ubrir la oblea alll,donde se desee n los co mactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio ;
el sobra nte se elimina químicamente (una sexta máscara) dejando los contactos y las conexiones deseadas .
En la sección transversal de la Fig. 5-1g Yen la vista superior de la Fíg. 5·7h puede verse el resultado de
esta secuencia . La Fíg. 5-7g es idéntica a la Fig. 5-la para QI YQ2.
Las d imensiones seña ladas en la Fíg. 5-7 son las típicas empleadas en la fabricación comercial de BJT
de _pequeña geome tría». Al co nstruirse ambos transistores simultáneamente y ñ sicamenre próximos, sus
carac rertstices eléctricas son prácticamente idénticas. Para fabricar transistores con propiedades eléctricas
distintas, normalmente se modifica la geo metría del disposhi vo. En part icular. para obtener BIT de mayor
corriente (aumento de l u) se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositiv o qued a
aumentado. Empíricamente se acostumbra a limitar a 10: 1 la relación entre las superficies de emisor de
transistores muy próximos entre sí, y ello debido a las limilacione s del proceso de difusión.
En la fabricación de circuitos integrados comerciales corrientemente se emp lea la implanta ción de
iones en las zonas de emisor y de base. Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor
mediante la implantaci ón. Además, co mo la implantación se reali za a menor temperatura que la difusión
se minim iza el inconveniente de la difusión latera l de base y em isor.

Capa enterrada
La fabricación del BIT indicada en la Fig. 5-7 casi siempre se modifica añadiendo un nuevo paso al
proceso como en la Fig. 5-8 (yen la 5-7). Las do s regio nes n' , conocidas como capa enterrada, entre las
capas n y p se depos itan antes del crecimienroepitaxi al. Recuérdese que con el símbolo n' se designa una
región" con mayor concen tración de dopado que otra des ignada simpleme nte como de tipo n. la
utilización de las regioees n' cumple dos funciones: (1) mejora la formación de la capa epirexial, y (2) la
mayor de nskíed de electrones en la ca pa n' reduce la resistencia en serie entre la unión de colector y el
terminal del propio colector (ver Sec. 3-7).

Fabricación del pnp

La gran mayorfa de transistores bipolares integrados son pnp, si bien en algunos circuitos se neces itan
los npn. Por ejemplo. en el par de emisor acoplado de scrito en la Seco 3·12. Las resistenci as de colector

Q2 QI
•
82 CI 8/ El

S""" p

Fil.'" S.... Tl'lns istores intq.rados mo5ll'lndo la capa merncb..

194 Mlcror/rclr6nlca modema

Ai~l"miclllo P
•
S u~lrlllOp

Figura 5·9. SecciÓll transyersal de un IransislOflaleral p"p .

ge nera lmen te se logran utilizando un par de tran sistores pss e n co nfig uración de fuent e de corrie nte. Las
dos clase s de tales transisto res más corrientemente em pleadas so n el ¡mp latera! y e l pnp vertical.
En la Fig. 5· 8 puede apreciarse que la base . e l colector y la región aislada forman un transistor pnp
parásito. Elténn ino «lateral.. se refiere al hecho de que los tres e lementos est én ubicados en un plano
horizont al contrariamente al plano vertical de los tran sistore s "plI. Análoga me nte. un di spo sitivo p"p
vertical par ásito se form a por la base y e l col ec tor del transistor "/'" y e l sust rato de tipo p. Estas
observ acione s cond uce n a la fabricaci ón de los dos tipos de tran sistore s I"'P empleados e n c ircui tos
integrados.
El p"p lateral , cuy a sección tran sve rsal es la de la Fig. 5· 9. se form a impl ant ando las reg iones tipo p
de emi sor -y de co lector a l mismo tiem po q ue se fabrican las bases de d isposi tivos IIpll . Asimi smo se forman
simultánea mente e l co ntac to 1/' de base de l tran sistor p"p y los e misores 11' de l BIT II pll. Así ve mos q ue
tanto los transistores "1'"como los pllp se fabrica n seg ún las mism as sec uencias del proce so. Todo lo que
se necesit a para e l P"P son ve ntanas ad icionales en las máscaras.
El transistor lateral p"p tie ne un valor de ~ F co nsiderablemente meno r que e l del "p". Esto es deb ido
a q ue el e misor de tipop no puede inyectar poriado res mino ritarios e n la base tipo 11 con la mism a eficacia
que lo hace e l emisor tipo u' e n la base tipop de un BJT IIpll . Adem ás. la mayor área de la base y el hech o
de que algunos de los huecos inyectados migren haci a el sustrato hace que d ismin uya e l núm ero de huec os
que lleg an al co lector. Por tanto. Jos transistores pnp laterale s se e mp lea n ge neralmente e n circuitos con
poca co rrie nte de colect or.
El trans istor P"P vertical se emp lea donde se req uieran mayores corrientes y potencias. En la Fig. 5· IO
es tá rep resent ado e ste d ispositivo y en ella se ve q ue tam bién puede fabri car se sim ultánea mente y con los
mismos procesos empleados para los transistores npn. Los dos pasos simullá neos so n: ( 1) la fabricación
de las reg iones p de em isor del transis tor pl1p y las bases de los IIpll. y (2) la fabri cación de la región n:
de base de l sustrato P"P y los emisores de los transisto res npn.

, h , ,

•
SU5Iralop

Ya hem os hecho notar que e l sustrato debe conectarse a la ten sión más negativa de l ci rcui to. Por tanto,
un tran sistor p flp ve rtical só lo se puede util izar si su colector es tá a una ten sión negati va fijada. A es ta
co nfigu ración se le denomina seguidor d~ emisor y será come ntada e n la Sec. l O-lO .
 Fabricación de circuitos integrados 195

b
sial

Aislamiemu p.

( /11

Contacto colec tor Contacto emisor Contacto base

Isla aislada

lb!
Figura 5·11. (a) Sección transversal. y (b) vistasuperiorde un transistor de müulples emisores.

Transistores de emisor múltiple

La densidad de componentes de un circuito integrado puede mejorarse utilizando racionalmente las
dimensiones chip.Se puede ganar espacio empleando un conjunto de dos o más dispositivos en un mismo
chip que compartan una o más regiones en común. Los transistores reunidos más comúnmente empleados
son los de emisor nllílfiple cuya disposición. representada en la Fig. 5- 11 es la base de la lógica
rrallsisfOr-rransútor (lTL o T'L) que se tratará en la Seco 6-11. En la Fig. 5-11cada línea de emisor puede
considerarse como el emisor de un transistor separado y cada uno de ellos comparte con los demás una
base y un colector comunes. Efectivamente. esta disposición simula las dos configurecionesequivalemes
de la Fig. 5-12. Se han fabricado transistores de emisor múltiplecon más de 60 líneas.

El transistor Schottky
Para aumentarla velocidadde funcionamiento del circuitoes necesario evitarque los transistoresentren
en saturaci ón (Sec. 3-8) lo que se puede conseguir empleando un diodo Schonky como enlace entre base
y colector, como en la Fig. 5- 13a. Si se intenta saturar este transistor aumentando la corriente de base. cae
la tensión de colector. D conduce y la tensión base-colector queda limitada a unos 0.4 V. Puesto que la
tensión de colector queda polarizada en directo a tensión inferior a la umbral (0.5 V) el transistor no entra
en saturación (Sec. 3-6).
Como puede apreciarse en la Fig. 5-13b la metalización de aluminio para formar el terminal de base
hace contacto también con la región 11 decolector (perosin intervenir la región 11' ). Esta simple disposición
196 Microelulrónlca moderna

forma un diodo metal- semiconductor entre base y colector. El dispositivo de la Fig. 5- 13besequivalente
al circuito de la Fig. 5-130. Esto constituye un transistor Schouky que se representa con el símbol o de la
Fig. 5-13c. Obsérvese que puesto de la unión metal-semiconductor se forma durante el proceso de
metalización . este transistor requiere el mismo número de pasos en la fabricación que un dispositivo npn,

8 8

'" '"
Figura SoIZ. (a) Tres transistores con colectores y terminales de base comunes y eb) un ltansislOf llnico de emisor mlllliple
equivalente.

El transistor Schottky se emplea en circuitos digitales para aumentar la velocidad de conmutación.

Existe un cierto retraso (tiempo de almacenamiento) al pasar un transistor de ON (saturación) a OFF (corte)
porque hay que eliminar primero el exceso de portadores minoritarios en la base . Conectando el diodo
Schonky entre base y colector se evita que el transistor llegue a saturación con lo que prácticamente se
anula el tiempo de almacenamiento. (Recuérdese que el almacenamiento de portadores minoritarios en
un diodo Schonky es prácticamente nulc.)

Transistores Super-ji
En un transistor monolítico npn el valor típico de i3 F es del orden de 150. Este valor puede aumentarse
hasta 2.000 o 5.000 mediante la implantación (o difusión) de la región de emisor en la región de base de
tipop (Fig. 5-7J). Losdispositivos fabricados de esta forma se denominan transistoressuper-p. Este mayor
valor de P es consecuencia de ser la capa de base más fina de lo usual. lo que va acompañado de una
disminuci6n de la tensión de ruptura de la unión emisor-base. Por eso estos transistores se utilizan
únicamente en circuitos en los que tal unión quede somet ida a tensión baja.

Diodo Schonky
D , " ez eJ b

el ..2"J '"
'o,
FIKura 5·13. (a) Diodo Schollky conectado entre base y colector para form ar un tnlnsistor Schollky: (h ) sufonnación. y (e) sfmbelo
del circuito de un transistor scbonky.
 Fabrlcac/6nde c/rcul/os integrados 197

54. FABRICACIÓN DEL FET

Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de
deplexión, queda explicada la fabricac ión de transistores MOS (Fig. 5-2). En esta Sección se incluye la
construccióndel JFET.

Fabricación del NMOS de acumulación

El primer paso consiste en recubrir completamente una oblea de tipo n con una capa de nitruro de
silicio (Si}N4) . En la Seco3-2 vimos que los dopantes empleados penetran menos fácilmente en el Si}N4
que en el Si02• El primer paso de máscaray corrosión se usa para definir unazona suficientementeamplia
para abarcar la fuente. puerta y drenaje. El SiJN4 se elimina químicamente de la superficieexterior de la
zonadel transistor. Seguidamentese implantaunacapa p. junto a la superficie expuestadel sustrato p . La
implantaclénp' sirve para aislar entre sidispositivosadyacentes comose explicóen la Seco5-3. Estaparte
del procesosecuencial se completacreciendo unacapa ( I ¡..lm) de Si02 sobre la regiónp· implantada, como
se indicaen la Fig. 5·140 (la región Si}N4 no queda afectada por la oxidación).
En la segunda parte del proceso se elimina el Si N4 (pero no el Si02) sobrante por medio de una
corrosión selectiva recreciendo térmicamente sobre la zona del transistor una fina capa de Si02 (Fig.
5-14b). Este procesofacilita la capa de óxido que hay debajo la puerta de los transistores.
Ahorasedepositasiliciopolicristalinollamadomáscomúnmentepolisiliciosobrelaoblea. Unsegundo
procesofotolitográfico define la zona de puerta y eliminael exceso de polisilicio. Las Figs. 5-14c y 5-14t/
representan la sección transversal y la vistasuperior del chip. Las puertasde polisilicioreducenla tensión
umbral VT pordebajode la obteniblecon puertas de metal, y en consecuenciapuedenemplearse tensiones
de alimentación más bajas por lo que la mayoría de MOS integradoscomercialesse fabrican con puertas
de polisilicio.
Las regiones de fuente n· y de drenaje se obtienen nonnalmente por implantación de iones. El6xido
del campo y la puerta de polisilicio impidenque los dopantes penetren por debajo de esas regiones. Sin
embargo, si penetran en la fina capa de óxido pennitiendo la fonnación del drenaje y de la fuente. A
consecuenciade la implantación de iones se auto-alineanpuerta y fuente, y puertay drenaje y puesto que
estos electrodos no se superponen, las capacidades entre ellos C" y CJd quedan muy reducidas.
Despuésde la implantación de fuentey drenajese recubretoda la obleacon unacapa protectoraaislante
(normalmente de SiO~) . Para definir las conexiones al dispositivo (incluido el cuerpo B) y dejar al
descubiertopor corrosión las superficies de contacto se emplea una tercera máscara. Luego se vaporiza
aluminiosobreel toraly con una cuarta máscarase perfilen lasconexiones del circuito (Fig.5-l4e y 5-14/).
Obsérvese que la Fig. 5·14e corresponde a Ql de la Fig. 5-lb.

Autoaislamiento
La implentaciónp"de las Figs. 5-1~ y 5-141actúa como resistencia baja del contacto B al sustratodel
MOSFET. Normalmente la fuente y el cuerpoestán conectadosentre sr como en la Fig. 5-11kcon lo que
el diodo fuente-sustrato está en corte. En un NMOS la polaridad de la tensión del drenaje es positiva
respecto a la fuente y por tanto respecto al sustrato p. Por tanto, el diodo drenaje-sustratoestá en corte
(Fig. 5-14e). Bvideraemente no se necesita ningunaisla aisladaen un transistor MOS y la corrientequeda
confinada al canal entre D y S. En un BIT la difusión de aislamiento ocupa una proporción muy alta de
lasuperficie del transistor, y esta carenciade límitesdel aislamientohace que la densidadde empaquetado
del MOSFETsea unas 20 veces mayorque en el transistor bipolar integrado.
198 Mlcroeleclr6n;oo moderna

Capa de óxido

_ __ _Lfnea cenlral
,
(., Región de fuente u" ~ Reg ión de drenaje,,+

(d)
Campo de óxido

./' "-
Oxido de puerta
Aislador

(b) ('1

Puene de polisilicio

•
l"
I{I

FlguraS-14. FabricaciÓlldel MOSFET de ac umulació n: (a) implantación de p+'Y crecimiento grueso de ÓllKto; (b) grabadoselecliv o
de S i N Ycrecimie nto finode óxido; (e) depo sició n de la puerta de po lisilicio; (d) vista superior mostrando 1. relación de aspeclO
tWIL) d~ la puerta 'Y las regione s,,+de d renaje 'Y de fuente implantadas; (t') 'i (j) secci ón transversal 'i vista superior mostrando la
metalización y la intercomunicació n entre el sustrato 'i la fuente.

Transistores NMOS de deplexión

La fabricación de los MOSFET de deplexión es semeja nte a la de los de acumulación. El único paso
adicional que se requiere es el de implantación del cana l 11 (véase Q2 en la Fig. 5 ~ 2b). Este se forma antes
de la deposición de la capa de puerta de polisilicio y supone un paso más de máscara y co rrosión.
El proceso NMOS de cuat ro máscaras descrito es el más sencillo que se puede emple ar. Para mejorar
el rendimiento y tener un control más efectivo sobre las propiedades eléctricas del transistor. muchos
procesos industriales emplean un mínimo de siete máscaras.

Largo y ancho de puerta

Normalmente para obtener transistores de distintas corrientes nominales sólo se puede ajustar la
 Fabricaciónde circuitos integrados 199

geo metrla del dispositivo. Según la Ec. (4·5) la corriente de drenaje l o varía con WIL. relación entre el
ancho y la longitud de puerta. La mayor parte de los chips de alta densidad (VLSI) emplean ele memos de
las mfnima s dimensiones elcan zables tz pm en 1986). Para W¡L = l tanto el ancho como el largo de puerta
pueden ser de 2 um . Para hacer que WIL = 1/4 como en el Ejemp lo 4-4 se emplea el ancho rnfnimo y se
aumenta L cuatro veces. resullando así una puerta de 2 x 8 um .
Todos los dispositivos fabricados de esta form a son para corrientes débiles (50 a 300 IlA como se ve
en las Figs. 4· 12 y 4-17). Para aumenta r el nivel de corriente hasta por ejemplo I mA. se pueden constru ir
= =
MOSFET con WIL 4 0 W 8 um y L = 2 um . Teóricamente se puede aumenta r WIL para tener cualquier
nivel de corriente deseado. Sin embargo al aumentar el área de la puena se aumenta también la capacidad
de l dispositivo 10 ql)C: a su vez afecta desfavora blemente sobre la velocidad de funcionamiento. y por ello
es raro que se fabriquen MOSFET con una relación WIL mayor que 10.

Fabricación de J FET
Un FET de canal 11 se fabrica por el proceso de elaboración de un bipolar. La capa epitaxial que
constituía el colector del BJT ahora se convierte en el canal 11 del JFET . Como se ve en la Fig . 5· 15 las
islas aisladas se difunden en la capa epitaxlel n para separar los dispositivos individuales. La reg ión de
puerta p' es implantada (o difund ida) en el canal 11 y se crece una tenue capa de óx ido . Luego se recubr e
toda la oblea co n SiO,. El enmascarad o y corrosión definen las superficies de contacto para los terminales.
Frecuen temente las regione s 11' se implantan debajo de las regiones de los contactos de drenaje y de fuente
para tener unos buenos contactos óhmicos. Seguidamente se recubre el lodo con una capa de alumini o y
con una última máscara se perfilan las interco nexiones desead as. El proceso se completa eliminando por
corrosión el aluminio en exceso.
S G
, --'Ir-- ....L---''I'-- " __SiOJ

Aislamienlop+

SuW'8l0,.

Figura 5·15. Fabricación 'J e~rut1 ura dell rar15 islorde unión de efecto cempo.

QI QI
NMOS
r ., SI
A
GI DI
,r DI
'MOS

GI
A
SI
, + J"fll>

" Aislador Carll'

PMOS
SiO:

r,
•
• e;
p

¡
r. 1 ..,
rICura SoI6. tal Secdón IT8ll5yersal del e MOS inteSTado empicado JI3IF1I formar la ronfil uBCión de lb ).
200 M ícroetearonica moderna

5·5. TECNOLOGÍA CMOS

Lo s c ircuitos co mple mentarios metal-óxido- se micon du ctor requieren que los transistores N MOS y
PMOS de acumulaci ón se Fabriq uen ambos en un mismo c hip. Pa ra co nsegu irlo hacen Falla por lo me nos
dos pasos ad iciona les . E l c ircuitoCMOS de la Fig. 4-38a. repeti do para mayor comodid ad e n la Fig . 5-l6b
es t é fab ricado co mo se rep resenta en la Fig. 5- 160. En esta mi sma Figura se ve que e tr ransisro r PMOS se
ha co nstruido e n un asiento de tipo 11 im plantado o d ifundi do e n e l sust rato p. La reg ión tipo 11 actúa de
cue rpo 82 o de sustrato de l tra ns istor PMOS. y para ob tene r esa reg ión se necesita por lo me nos otra
máscara y otra co rrosión. E l segundo paso ad iciona l reque rid o es e l de la im plantación de iones de las
reg iones de fuente y drenaje tipo p de l P MOS . E l res to de los pro cesos para fonnar las regiones de óxid o.
las áreas de puerta de polisilicio y la metalización son idénti cos a los co rrespondientes a los tran sist ore s
NMOS de ac umulación.
Como sie mpre. la con fig uración del ci rcuito es la qu e determi na la máscara de met ali zación . Por
eje mp lo. el inversor de la Fig. 5- 16h neces ita qu e se fo rme n co nex iones entre D I YD2 as í co mo entre G l
yG2 .
Se d ispone n co nex iones al sustrato separadas 8 I Y82. Obsérvese q ue 8 I est é unido a S I y co nectado
a la me nor tens ión (O V en la Fig . 5- 1611) mientras qu e 82 está co nectado a S2 y manten ido a la mayor
tensión positiva VD!)" Pues to que 8 1 es de tipo p y 8 2 de tipo 11 e l d iodo pn que se forma e ntr e es tas zo nas
es tá con polari zaci ón inversa . co n lo qu e a utomáticame nte e l NMOS y e l P MOS q ueda n aislados entre sí.
Hay q ue obse rvar-que e l transistor PMOS oc upa men o s espac io en e l c hip qu e e l NMOS. Esto es porque
la mo vilidad de los huecos e s me nos de la mitad qu e la de los electrones . E l fac tor k de la Ec. (4 .4) es
dir ect am ent e proporcional a la mo vilidad y para que ambos tra nsis tore s co nduzcan la m isma co rriente.
WIL debe ser mayor en e l PMOS que en e l NMOS .

5·6. DIODOS MONOLÍTICOS

En la fuent e de co rriente de la F ig. 5· 1b la base de Q I est é en co rtocircu ito con el colec tor . c on lo que
ex iste una unión d iodo e ntre los te rm inale s de em isor y de base . Es ta es una de las ci nco cone xio nes
posibles. Las tres configurac iones de d iodos más corrient es son las representadas en la Fig. 5 - 17. que se

Cátodo
, An...lo Cálodn
2
An,x!" A",x!n Cátodo
2

p p r

'" ", '"

I'i~ura 5-17. Sección transversa! y co nex iones de diodos integ rados: (11) diodo emisor-ba se con el colec to r en ce nex.ircuitn con la
base; (b ) diodo emisor-base co n el colec tor abie rto; (" )diod o co tec tc r-base (no hay em isor difundido ni implantad o).
 Fabricación de circuitos integrados 201

Cátodo común Anojo común

J J
A."""
Anodo
I
o ~ I ""
,o
Cátodo
I
o
""
I ~
Cátodo
1
o

Sustrato p

I ¡¡ J fM
Figura 5-18. Pares de diodos: lu ) cátodo común: (b) ánodo com ün.

8
'o, 'b) ,,'
6

1/ 1/
4

, 11I
17

O
o 0.4 0.8 U 1.6
Te nsión directa V.
Figllr aS.19. Caraoerüncas tensi6n·oorriente típicas de los tres tipos de d iodos de la Fig. 5· 17: (o ) Unión base-emiso r con el colec-
tor cor1ocircuitadocon la base; ( 6) diodo base-emisor (colector abiert o) ; ( C') unión colecto r-base (emisor abierto) (Corlrs(tJ dr FtJir ·
,hild St miC'onducfor) .

ob tien en a par tir de una estruc tura de BJT emp leando e l di od o emis or-base co n el co lec tor en cort oci rcui to
co n la base (Fig. 5- 17a ). e l diod o co lec tor-base con e l co lec tor abierto (Fig. 5- 17h) Yel d iodo co lec tor -base
co n e l emisor en circuito abie rto (o no co nstruido siquiera) (Fig. 5- 17c). La e lección de uno u otro tipo
de diod o de pende de las aplicac ione s y prestacio nes deseada s. Los d iodos co lec tor-base son los q ue tienen
mayor te nsión de ruptura nom ina l (-12 V m ínimo ) y so n adecuados para form ar sistemas de d iod os co n
cátodo co mún difundidos en una sola isla a islada. como en la Fig . 5 - 18a . Tam bién pued en construirse
d ispositivos co n ánodo común con la difu sión co lec tor-base c omo en la Fig. 5- 18h. Es te último caso prec isa
un aislam iento ind ivid ua l pa ra cada d iodo y los ánodos se co nec ta n por meta lización.
Se emp lean mucho las reg iones de emisor y de base para forma r di od os. siempre que las tensiones
inversas req ueridas po r e l ci rcuito no exceda n la menor te nsión de ruptura base em isor (-7 V). Pued en
formarse fáci lment e d ispo siti vo s de ánodo com ún medi ante la di fusión de em isor y de ba se emplea ndo
un transistorde em isor mú ltiple en una sola zona aislad a. Esta est ructura es la mism a q ue la de la Fig. 5 - 11.
El co lector puede co nectar se a la base (F ig. 5-170) o dej arlo ab ierto (flotante) co mo e n la Fig. 5 - 17h.
202 sticroelectr ánico moderna

Caracteristicas del diodo

Las caracrcrbticus direc tas tensión -corrien te de los tres tipos de d iodos c itados anteri orment e so n las
repre ser uaduven la Fig. 5- 19. Pued e o bser varse qu c el tran sistor co nec tado co mo diodo (emi sor -base co n
el co lector co rtoc ircuitado conla base ) pro vee la máxima co nducc ión para una ten sión dada. El tiempo
inve rso de rccupemcién de es te diodo es tres o cuatro veces men o r q ue e l del diodo co lec tor -base .

5·7. CONTACTO METAL·SEMICONDUCTOR

Son posibles do-, tipos de unión en tre metal y semico nd uctor : la óhmica y la rectificadora. La primer a
es la adec uada cuando ha de co nectar untcrmina l a un se miconduc to r. Por o tra parte e l coruactorec tiñ cad or
e s un d iodo metal- scm iconductor deno minado barrera Schollky {Sec. 2- [2).
Ya se indicó e n la Sec. 5 -1 que e l aluminio actúa co mo imp ure za tipo p c uando está en contacto co n
el silicio. Si el aluminio se emplea co rno term ina l de un silicio tipo 11 y se pretend e ten er un contacto
óhmico. debe ev itarse la forma c ión de una unión 1m . Por es te moti vo se hacen difu sione s ,,' e n las regi one s
11 ce rca de la super ficie en que se dcposhu el aluminio (Fig. 5 -7x J. Por otra parte. si se prescinde de la
di fusión 11 - y se de posita di rectamente e l alum inio so bre el silicio tipo 11 se form ará una e structura
eq uiva le nte a una unión 1111 resultando un exce le nte dio do meta l-se mico nd uc tor. En la Fig. 5-200 e l
co ntac to I e-, una barrera Sc honk y. mient ras q ue e l contacto 2 es ó hm ico (no rectifi cador) existiendo un
d iodo Sc houky e ntre ambo s terminales co mo se ve e n la Fig. ; -20h.

Al z

Susuaio tipo 11
I ,
o
Anndo
of o
Cátodo
Sustrato npc p
,., <"
F'i¡:ura 5-2 0. (,/) DinlluS dl llll¡'y integrado: El aluminio ';1 la regió n ligc nauentc dupada /l forman una unión rccuñcadora, mientras
que la regilín Iucncmc mc dnp¡lda /1" }" el meta l Ionnan un rcntac to ¡íhm il;u; lb) Símholn del d iodo Scho nky.

5·8. RESISTENC IAS INTEGRA I>AS

En los c ircuitos inte grados monolíticos xe obtie nen las resistenci as utilizando la resistividad de
vo lume n de una de las regione s del tran sistor . La técni ca lll¡ís co rrie nte es usa r la región difund ida o

Figura 5-21. Relativ o a la resistencia pelicula r (¡lh m s por c uadro).

 Fabricaci6n de circuitos integrados 203

implantada de tipo p deltransistor bipolar. Aunque tambié n puede usarse la capa epitaxial y la regi ón n'
del emisor. Con la tecnología MOS a veces se emplea la capa de polisillcio . Ta mbién se emplea para
formar resiste ncias el sustrato tipo 11 del transistor PMOS en la fabricación del CMOS. La técnica de
deposición de una fina película es completamente distinta. y con ella se fabrican resistencias integradas.
En esta sección describiremos brevemente estos m étodo s.

Resistencia pelicular
Las capas semíconductoras empleadas para form ar resistencias son muy tenues, y po r ello conviene
introducir una magnit ud llamada resistencia pelicular.
Si en la Fig. 5-21 el ancho W es igual a la longitud L tendremos un cuadro L x L de resistividad p .
espesor r y sección recta A = Lt. La resistencia de este cuadro (en ohmio por cuadro, indicado con el
sfmbolo UlD ) es:
pL p
Rs = - ~ - (5-21
LJ ,
Obsérvese qu e Rs es independiente del tamaño del cuadro. Normalmente la resistencia pelicular de las
difusiones de base y de emisor cuyos perfiles aparecen en la Fig . 5-6 son de 200 y 5 O/ D respectiva-
mente.

Resistencias difundidas
La Fig. 5- 10 representa la fabricación de una resistencia difu sa de base. y se repite en la Fig. 5-220. El
valor de la resistencia se puede calcular por
pL L
R ~ - = R sw
-,W (5-31

en donde L y W son la longitud y el ancho del área difusa como se puede observ ar en [a vista superior.
Por ejemplo, una resistencia de 25 micras de ancho y 250 micras de longitud contiene 10 cuadros (de 25
X 25 micras) y su valor es de JO X 200 - 2.000 Q , Al calcular R se introducen correcciones empíricas para
tener en cuenta los contactos extremos.
Obsérvese que en la Fig. 5-22a la cap a epitaxia l de tipo 11 (1a región de co lector) sirve para aislar la
resistencia tipo p de los demás componentes del ch ip.
La estructura de una resistencia difusa en emisor de tipo 1/' es s imilar a la de difusión de base. Una
difusión f1~ en la base tipo p se realiza simultáneamente con la difusión para los em isores del BJT en el
chip. La región de base aísla la resistencia de los de más co mponentes.
Puesto que la resistencia pelicular de las regio nes de base y de emisor vienen f ijadas por el proceso de
fabricación. las únicas variables disponibles para dise ñar una resistencia son su ancho y su longitud .
Raramente se emplean anchos menores de 5 um porque los pequeños errores en la máscara o su colocac ión
o en la precisión de la fotolitografía pueden suponer una variación significativa en el valor de la resistencia .
Para aumentar la longitud y por tanto el valor de la resistencia puede emplearse el método señalado en la
Fig. 5-22b que no ocupa mucho lugar en el chip.
La gama de valores que se pueden obtener en las resistencias de difusión está limitada por el espacio
disponible en el chip. Los valores práct icos de resistencia van desde 20 a hasta 30 ka para las resistencias
difundidas de base y entre 10 a y I ka para las de difusión de emisor. La tolerancia resultante de las
204 Microelectrónica moderna

,
Resistencia p
Reg ión de aislamiento 11

SUSlTllIOp

ro)

~ [8
l- e
'1
1I

<'1
JI
@;
r<l
:" ~

Figura 5·22. (a) Sección transversal: (b ) vistasuperior de una resistencia difundidatipo p; (el procedimiento para aumentar la lon-
gitud de la resistencia.

variaciones de l perfil y de los errores geomé tricos pueden ser de hasta el ±20 % del valor nominal, con
una relación de tolerancia de l ±2 % para el anc ho mínimo . Co n un anc ho de las resistencia del orde n de
las 50 11m la tolerancia mutua es de aproximadamente el 0.2 %. Por esta razón en el diseño de circu itos
integra les conv iene utilizar. cua ndo ello es posib le, la relación entre resistencias mejo r que el valor
absoluto de éstas. El va lor de las resistencias aume nta con la temperatura. En las resistenc ias de difusión
de base esta variación es del orden de 2.000 ppmfC (partes por millón por grado centígrado), y de 600
ppmf'C en las de emisor.
La Fig. 5·23 represe nta el circuito equ ivalente de la resistencia de difusión R. comprendidas las
capacidades parásitas de las uniones base -aislamiento C l y de ais lamiento-sustrato Cl' Además puede
verse que existe un transistor parásit op"p con el sustrato como colector, el aislami ento tipo n como base
y la resiste ncia del material tipo p co mo emisor. El co lector tiene polarización inversa porque el sustrato
tipop está a la tensión más negativa. También es necesario que el emisor tenga po larización inversa para
mantener el transistor parásito en corte. Estas cond iciones se cumplen situando todas las resiste ncias en
la misma región aislada y conectando toda la región de ais lam iento tipo 11 en tomo a las resiste ncias, al
potencial más positivo ex istente en el circuito. Los valores típicos de I3F para est e transistor parás ito van
desde 0,5 a 5.

Resistencias de iones implantados

Como sea que las regio nes de base y de emisor frecuentement e se forma n por implantación de iones.
puede también emplearse este proceso para fonnarre sistencias de la misma estructura que en la Fig. 5 ~22.
Las resistencias de implantación tipo n se pueden fabricarmed iante un proceso MOS similar al empleado
para fonnarel cana l en un transistor NMOS de deplexió n. Las resistencias obtenidas por implantació n de
iones tienen valores comparables a los alcanzados con la difusión de base. Sin embargo. las tolera ncias y
las variaciones por la temperatura están bien por debajo de los que se obtie nen por d ifusión . Los valores
 Fabricación de circuitos integrados 205

F igur a 5-23. Ctrcuuoeq uivalerue de una resiste nc ia d iFund ida .

de las res istencias implantadas se pueden aj ustar hasta el 3 %. Yel coeficiente de temperatura se puede
rebaja r hasta 100 ppmt'c. También las tole rancias mut uas se pueden mejorar en un 25 % en comparación
con las de difusión.

Resistencias epitaxiales
La resistencia pclicular de la región epitaxial de co lectores de unas seis veces mayor q ue la de difusión
de base. y por tanto es posible fabri car resistencias utilizando dicha capa epitaxial. Tales resistencias
queda n def inidas por la difusión del aislamiento que las rodea (Fig. 5-22). Este efect o resulta importante ,
y para mantener ajus tados los valores de la resistencia de be contro larse c uidadosame nte la difusión de
aislamie nto. La variación con la tempera tura de las resiste ncias epit axlal es es de unos 3.000 ppmf C y las
tolera ncias absoluta y mutua son del orden del 30 y del 5 % respectivame nte.

Resistencias de estricción
Observemos lo que sucede a la resistencia de la Fig. 5-22 si se le añade una difusión de em isor como
e n la Pig . 5-24. El mater ial de tipo 11 no contribuye a la conducción. pues de hacerlo [a corriente de I a 2
tendría que cruzar en sentido inverso al diodo np hacia el contacto 2. Es decir. que sólo circ ulará por e l
mate rial n la peq ueña corriente de saturació n inversa del d iodo. Al queda r reducida la sección recta de la
zona conductora del materialp, aumentará la resistencia. Se pueden formar resistencias de más de 50 kilo
si bien su valor real no es fáci lmente controlable (tolera ncias abso lutas de ±50 % con tolerancias mutuas
de t lO %). Las resistencias de esrríccion son no-lineales puesto que depende n de la tensión aplicada.
situaci ón análoga a la de la variación con la tensión del ca nal de un FET.
A es tas resistencias deben aplicarse las mismas limitaciones que a la tensión de ruptura inversa
base-em isor BV"EO (- 6 V) ya que su construcción es idéntica a la de una unión base-e misor. presci ndiendo

1
R e~i slcncia de cslricc ió n
Emisor Flotante

p • n p
Región de .islamiemo n

Sustrato P

Figura 5·24. Corte transversalde una resistenciade esrnccién.

206 Microetectroníca moderna

del term inal de e miso r. Esto no es problema serio ya q ue tetes resistencias se emplean nor malm e nte e n la
polari zación a baja ten sió n a través de la unión base-emisor con po larizac ión directa.
Con resisten cia s e pitaxiales de esrricci én se pueden conseg uir en poco es pacio va lores alt os de
resistencia para ope rar a tensiones m és a lias . La es tructura es la de una resis tencia epitaxial de tipo 11 dentro
de la q ue se hace una d ifusión o implanl ación de tipo p. La base tipo p limit a la conducción a la capa
epitaxlal aume ntando así la resistenc ia. La unión en tre la base p y la c apa epitaxlal es esencial mente la
unión colector-base de un transistor . Es ta unión tiene una ten si ón inversa de ruptura mayor q ue la de la
un ión emisor-base .

Resistencias MOS
Los circuitos metal-oxido-semiconductor utilizan generalmente resistencias d ifund ida s o impl antadas
deltipo descrito anterio rme nte. Puede n emplearse tam bién a iras tres es truc turas de resisten cia: la primera
de e llas e s la resis tencia de polisilid o quc se form a al mismo tiempo q ue la región de puert a d el transist or
MOS. Las tole rancias y los coe ficie ntes de te mperatura de estas resistenci as son co mpara bles a los de las
re sistenc ias d ifundid as .
0 1r0 tipo de resis tencia hace uso dc la difusión tipo JI q ue forma e l sust rato del tran sis tor P MOS e n la
recn olog fa C MOS. Efecüvamenre.esto e s an álogo a la re sis tencia epita xiat e n la tec nolog fa bipolar. Estas
resistenc ias tienen un coeficiente de temperatura alto y unas to lerancias pobres.
El tercer tipo de resisten cia es et rran sisror MOS en sí mism o. C uando se polari za en la regi ón óhmic a.
e l MOSFET se co mpo rta co mo un a resistencia (no lineal). Adem ás. como se ha de scrito e n la Sección
4 ·1 1 y e n el Ejemplo 4-4 . tanto los MDSFET de acumulación como los de deplexién, se emplea n en la
regi ón de saturación como resistencias no line ale s.

Resistencias de película delgad a

Para fabric ar resistenc ias en circuitos integrado s puede e mple arse la t écnica de depositar por vapori -
zación una fina pelíc ula. El met al (que generalmente e s nicro m INiCr J) se deposi ta con un es peso r men o r
de 1 pm sobre la ca pa de S iDo empleando másc ara y corro sión para conseguir el trazad o deseado. La
res istencia metálic a así form ada se cubre con una capa aisl ante e n la qu e se practic an las aperturas
nece sarias para los co ntactos óh m icos. Lo s va lore s normales de la resistenc ia pe licular de estas ca pas de
nicrom est é co mprend ida entre 40 y 400 Q/lJ, resullando un as resisten cias de 20 a SlJ.OOD Q . El
coefic iente de tem peratu ra y las toleranc ias so n compa rab les a los de las resistencias obtenidas por
implantación .
Para fabri ca r resi stenci as de pe líc ula fina se em plean también otros materiale s tale s co mo e t ramalio.
llegándo se a uno s va lores de resistencia tan alias como de 2 1úl11:J y uno s co eficientes de te mperatura
tan bajos co mo 10 pprnf'C.
Las resistencias de d ifusión o de implan tación no pueden aj us tarse una vez fabri cadas. S in embargo
e n las de pe lícula fin a puede hacerse co n precisión co rtando part e de e lla con un rayo láser. aunque es te
proced imiento es muy co stoso y sólo se usa cuando se requ ieren va lores mu y preci sos. Una de e stas
ap licac ione s es la fabricac ión de los flhr os activos (Se c. 16·7 ) q ue se e mp lean en las comunicac iones
telefónicas modernas.
 Fabricación de circuitos integrados 207

5-9. CONDENSADORES INTEGRADOS

Los conde nsadores en los circuitos integrados se fabrica n empleando la capac itancia de la región de
dep lexión de una unión pn con polar ización inversa.

A Metalización de aluminio c ;» 0.2 pF/mill

A e-uo-so n 8

e,

Capa lipa n

J, , e,

Sustrato.
(bl
Figura 5·25. (o)
'"
Condensador integrado lipa unión, y (b) circuito equivalente. (Corles(o de MOlOrola bu~. ).

Condensadores de unión
La Fig. 5-250 represe nta la sección transver sal de un co nde nsador de unión. El co ndensador está
forma do por la unión con polari zación inversa J 2 q ue sep ara la capa epitaxial de tipo " de la superior de
difusió n de tipo p. Aparece una unión adicional JI entre e l plano epitax ial de tipo 11 y el sustrato, y una
capac idad parásita C I relacionada con es ta unión pola rizada en se ntido inverso. El circ uito eq uivalente de
es te co ndensador de unión puede verse e n la Fig. 5-25b en el q ue la capacidad deseada C, debe se r tan
grande como sea posib le en relación a C l ' El valor de C 2 de pende de la superficie de la unión y de la
concentrac ión de impurezas. Esta unión es, de modo funda menta l. linealmente grad ual. La res istencia R
en ser ie (en tre 10 y 50 Q ) representa la resistencia de la capa tipo 11.
Es ev ide nte que el sustra to debe estar a la tensión más negati va para min imizar C l y aislar e l
condensador de los demás ele mentos manteniendo la unión 1 1 co n polari zació n inversa. Puntualicemos
que e l conde nsadorde unión C 2 está polar izado ya que la unión pn 1 2 sie mpre está co n polarización inve rsa.

Condensadores MOS y de película delgada

La Fig. 5-260 rep resenta un condensador MOS no polari zado. Esta estructura es la de un condensador
plano paralelo co n Si0 2 como die léctrico (de un espesor de 500 Á). La placa s uperiores una fina pelíc ula
superficial metálica (alum inio). La placa inferiores la región »' fuer teme nte dopad a q ue se form a durante
la difu sión (implantació n) de em isor en un proceso bipolar o durante la impl antación de las regiones de
drenaje y fuente en los procesos MOS. El circ uito eq uiva lente del co nde nsador MOS es el de la Fig. 5-26b
en el que C 1 represent a la capacid ad parásita de la unión colector-susrraro. y R la peque ña resistencia en
serie de la región 11+ . Obsé rvese que la placa superior no es necesariam ente met álica sino que puede ser la
capa de polisilicio empleada para fo rmar las regiones de puerta de l transistor MOS.
Algunos procesos industriales de fabricación de MOS emplea n dos capas de polisilícío ten iendo así
una capa adicional para las intercone xiones entre los compone ntes. Las dos capas de polisilicio es tán
208 Mtcroe íectroutca mode rna

Metalización de aluminio:

~2
4 x lU • pFI¡J-m'

~n:
sial
ñpo , • 0.5 n·cm

Susuao tipo p • 5 n·cm

Sustrato tipo p
,.) ,b)

Figur a 5-26. (a ) Estructura, y (h ) circuuo equ ivalente de un conde nsador MOS.

separadas por una ligera zona de SiO, lo que forma un condensador (Fig. 5-27). A los conden sadores
construidos de es ta forma se les denomin a condensadores potí-poti.
Los condensadores de pelícu la delgad a se fabrican de forma similar a los condensadores MOS . Se
vaporiza una película conductora (placa superior) sobre la capa de SiO l (el dieléctrico), y la placa infer ior
la forma la región //' fuer temente dopada debajo del óxido.
La capacidad del conde nsador MOS o de unión es bien pequeña , generalmente del orden de 4 x 10 ~
pF/~m ! . Un conde nsador de 40 pF ocupa un área de 1 0~ um ' o cubre un rectángulo de I x O, I mm sobre
la superficie del chip. La mayor parte de los condensadores integrados son de meno s de 100 pF. Se han
conseguido valores por encima de los 500 pF pero sólo a expe nsas de ocupar la mayor parte del área del
chip.
El empleo de películas de tantal io puede aumentar 10 veces la capacidad por unidad de superficie .
Co mo dielécrricose recrece una capa bien controlada de peróx ido de tantal io (Tap), y para la placa
superior se deposita tantalio metáli co (pues el aluminio es soluble ene l Ta,O\). El aumentode la capacidad
se obtiene a expensas de nuevos pasos en el proceso. - .

Aislamiento.
Polisilicio ~===::¡!

Figurll 5·27 . Condensador MOS Formado de dos capas de polisilicio.

S-lO. EM PACADO DE CIRCUITOS INT EGRADOS

El ciclo de fabricación queda completado cuando se han cumplido todos los procesos necesario s para
formar e interconectar todos los componentes. Cada ob lea se corta en chips (Fig. 5-3 ) obteniéndose así
los sistema s microelectrónicos individuales. Seg uidamente los chips se encapsulan en "pastillas» deján-
do los prepar ados para su uso. Unas co nexio nes unen los termin ales de los chips con las pati llas de la
«pastilla. siendo éstas las que unirán los elementos externos con los del chip. En general. las conexiones
ex ternas vienen determ inadas por la forma en que se utilizará el circuito. Norma lmente . las señales de
entrada y de salida. las tens iones de alimentación . conex ión a tierra y en general los compo nentes no
incluidos en el chip se apl ican a las conex iones ex teriores del conj unto.
 Pabrícacián de circuitos integrados 209

Com únmente se usa el encapsulado de dos en línea co mo el de la Fig. 5-28, que puede tener entre 8 y
40 patillas, dependi endo su número de la función a desempeñar por el circ uito (a unque no siempre se
utilizan todas).

Figura 5·28. Encapsutadointr:gn.doedos en Une. _.

5-11. CARACTERÍSTICAS DE LOS COM PONENTES INTEGRADOS

Basados en la tecnología de los ci rcuitos integrados vista hasta ahora, podemo s resumir las caracterís-
ticas más significativas de tales ci rcuitos de la siguiente forma :
1. Los circ uitos integrados normali zados. de existencia en los almacenes de los fabr icantes. son muy
econ ómicos. Por ejemplo. el LM741 Op-Amp de la Nationa l Semiconduc tor, conteniendo 21
transistores. 1 diodo. y 12 resistencias se puede adquirir por menos de 50 centavos de dólar (al por
mayor) . Sin emb argo, los chips de diseño especi al (poca producción) son relativamente cos tosos.
2. El red ucido tamaño de los circuitos integrados permite ubicar sistemas complicados (de varios
centenares de chips) en un solo instrumento de tamaño manejable.
3. Puesto que todos los componentes se han fabricad o s imultáneamente en condiciones muy co ntrola-
das y deb ido a que no existen j untas soldadas . los dispos itivos microelectrón icos son de gran
seguridad.
4. Debido a su bajo coste se pueden conseg uir circuitos muy complejos en un solo chip para mejorar
sus características de func ionamiento. La ad ición de un transistor a un circuito integrado lo encarece
en menos de un centavo.
5. Los paráme tros del disposit ivo están igualados entre sí. s iguiendo bien la tempera tura.
6. Existe un margen restringido en el valor de las resistencia s y capacidades. Normalmente 10 O <R
<50 k n ye <200 pF.
7. Se consiguen toleranci as pobres al fabricar resistencias y ca pacidades de valores especfflcos . Por
eje mplo. es clásico un ± 20% de su valor absoluto excepto para los componentes de implantación
de iones. La tolerancia relativa entre resistencias puede fijarse en ± 2% ya que todas ella s se han
fabricado al mismo tiempo y con las mismas técnicas.
8. Los componentes tienen coeficientes de temperatura altos y pueden ser sensibles a la tensión.
9. La respuesta en alta frecuencia está limitada por las capacidades parásitas.
10. No se pueden integrar inductencies ni Iransfonnadore s práct icos.
11, En la fabricación de resistencias y capacidades de pelícu la delgada se requie ren pasos extra lo que
aumenta el coste y disminu ye la productividad. Por tanto. estos dís positiv os de película delgada sólo
deberfan usarse si se necesitan sus características especiales. Se utilizan primordialmente cuando se
requ ieren valores precisos de las resistenci as. porque pueden ajustarse co n rayos láser .

5·12. DISPOSICIÓN DE LOS CIRCUITOS MICROELECT RÓNICOS

Conviene ci tar algunas de las técnic as de integración más comúnmente emp leada s para aprovec har al
máximo el área de l chip.
210 Microeleclrdnica moderna

Circuitos bipolares
Las siguientes reglas se emplean en la fabricación de circuitos bipolare s.

l. Para tener en cuenta la difusión lateral, prever unos bordes de aislamiento de espesor doble que el
de la capa epitaxial.
2. Puesto que la difusión de aislamiento oc upa una parte apreciab le de la superñcie del chip debe
reducirse al minimo el número de islas aisladas.
3. Situar todas las resistencias tipo p en una misma isla y conectar ese aislamiento a la tensión más
positiva del circuito. Con resistencias tipo fil as regiones de aislamiento deben conectarse a la tensión
más negativa del circuito.
4. En el diseño de resistencias. proyectarlas tan estrechas co mo sea posible de acuerdo co n las
limitaciones del caso. Las resistencias que deb an tener una relación muy ajustada deben tener el
mismo ancho y estar situadas muy próximas entre sí.
5. Todos los transistores que tengan sus co lectores unidos deben situarse en la misma isla aislada. En
muchos circuit os cada transistor debe estar en una isla separada.
6. Conectar el sustrato a la tensión más negativa del circuito.
7. Reducir las dimensiones de las regiones de emisor)' de base. así como los contactos, al mínimo
compatible con las corrientes del dispositivo.
8. Fijar la geometría de los componentes y de la metalización de acuerdo con las exigencias de
funcionamiento del circuito. Por ejemplo, el transistor de la etapa de salida de un amplificador debe
tener más sección que los demás transistores si esa etapa de salida ha de suministrar la corriente
máxima.
9. Prever las conexiones metálicas tan carl as y anchas como sea posible. particul armente las de emisor
y colector de un transistor en saturación.
10. Distribuir los elementos tratando de conseguir el mínimo tamaño del chip.
11. Emplear un pautado para el dibujo. lo que simplificará el trazado de las sucesivas máscaras.
12. Reducir al mínimo el número de cruces.

Circuitos MOS
Muchas de las reglas anteriores son aplicables también para la fabricación de circ uitos MOS. Obsérvese
que no son necesarias islas aisladas, aumentando así la densidad de co mponentes. En la integración a gran
escala es importante utilizar para la puerta las dimensiones mínimas compatibles con los niveles de
corriente empleados. Las puertas de polisilicio permiten consegu ir dispositivos más pequeños. Como el
polisilicio constituye una verdadera barrera para los dopantes.fa implantación de las regione s de drenaje
y de fuente se auto-alinean reduciendo al mínimo los errores debidos a la co locac ión de la máscara.

Cruces
Muy frecuentemente en un circuito monolüico se presenta el caso de que deban cruzarse conductores.
Estos cruces no pueden hacerse directamente ya que resulta ría una co nexión eléctrica entre dos partes del
circuito. Como todas las resistencias están protegidas con Si0 2 puede emplearse cualquiera de ellas como
zona de cruce. Dicho de otra form a, si la metalización de aluminio pasa por encima de una resistencia no
se establecerá ningún contacto eléctr ico entre resistenci a y aluminio.
A veces el esquema es tan complejo que pueden necesitarse puntos de cruce adicionales. Se puede
 Fabrlcad6" d~ drcui/os btt~,radoJ 211

obtener una estructura de difusi6n muy empleada en circuitos bipolares y que permite los cruces, de la
siguiente forme: durante la fabricación del emisor se difunden impureus n' a lo largo de una Unea en la
región epitaxial, abriendo ventanas para el contacto en ambos extremos de tal línea. Este proceso forma
un «conductor difundido». Se deposita aluminio sobre el Si02 aislante (entre los dos contactos extremos)
según una Une. normal a la sección difundida formando un cond uctor de conexi ón para alguna otra parte
del circuito. Con esto los dos conductores (uno de aluminio y otro de material n·) se cruzan entre sí sin
que hay. contacto eléctrico. Al conduclor de difusión se le denomina «cruce enterrado».
En la fabricación. del MOS se tiene un equivalente al cruce entemdo mediante una segundacapa de po-
lisilicio (Fig. 5-27). En consecuencia puede hacerse una conexión empleando una capa enterrad. de
polisilicio tan bien como con metalizaciónde aluminio.

Trazado con computador

Un. vez se ha fabricadoel chip no se pueden modificar los componentes de un circuito integrado. Por
tanto, para un diseño dado se requiere, antes de ponerlo en fabricaci6n, un análisis más profundo del que
se requiere para los circuitos con elementos discretos. Se emplean extensivamente los computadores para
el diseño y equipos para el análisis de circuitos. su fabricaci6n y su disposición. Estos equipos no se
emplean para el diseño. pero proporcionan la infonnación necesaria para valorar la eficacia de un diseño
dado. No se fabrica ningún circuito imegredo comercial sin estos análisis.

REFERENCIAS
I Grebere, A.B.: -aipolar and MOS Analog Integrated Circuil Design ," John Wiley and Son s, Nueva York.
1984.
2 Sze, S.M.,ed.: "VLSI TechnoIogy," McGniw -Hill Book.Campany, Nueva Yod, 1983.
3 Ghandi, S.K.: "VLSI Fabrication Principies," John Wiley andSMs. Nueva Yodo 1983.
.. CoIdasser,R.A.,yS. DiehJ-NagJe: "MateriaIsand Devic:es-, McGn w-HillBookCompany,NuevaYork, 1985.
5 Hodgcs. O.E.. Y H.G. Jadcson : • Analysis and De:sign of Digital Inlegraled Circuits," McGraw·HiII Book
CofTlpany. Nueva York, 1983.
6 Gny, P.R., y R.O. Meyer: "Allllysis lUId Design of Allllog lntegrated Círcuus," 2' ed., Jobn Wiley andSons o
Nueva York. 1984.
7 Yang. E.S.: "Fundamentals of Semiconductor Devlces," McO""w·HiII Book Company, Nueva York. 1978.
8 Oldham, W.G.:TheFabrication of Microelectronic Circuits, SclentificAmerimR, vol. 287, n.· 3, pp.111·128.
Septiembre 1977.

TEMAS DE REPASO
5·1, alar cincovenlajasde loscircuilos inlegrados.
5-1. Charlos pasos a seguir en la fabricación de circuitos monoUlicos integrados.
S·J. Describirel crecimiento ephuial.
5-4. Describir el proceso de fOlocorrosión.
5-S. (a ) Describir el proceso de difusión.
(b ) ¿~ se entiende por perfil de impurezas?
5-6. (o) ¿Cómo se forma La capa lupeñlCial de SiOI ?
(b) ¿Para quf se forman las capas de SiO!?
212 Microeleclrónica moderna

5·7. Explicar cómo se consig ue ~ I mslamiemc entre los componentes de un circuito imegrado.
S-S. ¿Cómo se conec tan entre sr los co mponentes de un circuito inlegrndo?
5-9. Describir el proceso de implanlación de iones.
S-lO. Esbozar la sección transversal de un lran.s isror bipolar integrado.
5-11. Definir la capa enterrada ¿para qué se emplea?
5·12. Describir un transistor lateral fJIIP zpor qué es de poca gana ncia de corriente?
S-U. Describir un transistor pllp vertical ¡Jlor qué es de empleo restnngkío?
5-14. Describir un translstcr super-B,
S-IS. Esbozar la sección transversal de un l FET de canal 1/ .
5-16. Esbozar la sección transversal de un transistor NMOS de acumulación.
5-17. Repetir el tema anterior para un transistor NMOS de deplexión.
5- 18. (a) ¿Qué se entiende por polisilicio?
(h ) ¿Qué erecto tiene una puerta de polisilicio?
5-19. Esbozar la sección de un mmsisror compue sto CMOS.
5-20. (a) ¡.Cómo.se fabrican los diodos integrados?
(h) Dibujar esquemáticamente los dos tipos de diodos emisor-base.
5-21. Esbozar la vista superior de un transistor de múltiple emisor. Señalar las regiones de aislamiento. colector.
base y emisor.
5-22. ¿Cómo se hace un cco recrode aluminio con un sibcjc de üpoe de forma que sea : (a )óhmico. y (h) reclificador.
5-23. ¿Por qué se elimina etüempo de almacenamienrn en un diodo metal-semiconductor?
5-24. ¿Qué es un transistor Schou ky? ¿Por qué queda eliminado ~ I tiempo de almacenamiento de taltransisror? Para
cc nstrctr este transistor ¡,es necesario algún paliO ex tra? Explrquese .
5-25. Esbozar la sección uanversat de un transistor Schotlky integrado.
5-26. (a ) Definir la resistencia pelicular R •
J
(h ) Esbozar la sección de una resistencia integrada.
(r1 ¿De qué orden de magnitud es la mayor y la menor resistencia integrada?
5-27. (a) Esbozar el circ uito equivalente de una resistencia de difusión de base mostrando todos los elemento s
parásitos.
(h) ¿Qué debe necerse (el leriormenle) para minimizar el efecto de 105 elementos parásil05?
5-28. Describir una resistencia de pelíc ula delgada.
5-29. (a) Esbozar la secc ión tranversal de un condensador de unión.
(h) Dibujar el ctrcuite equivaleme mostrando todos los elementos parásitos.
S-JO. Repetir el tema ante rior para un conde nsador MOS.
S-JI. ¿Cuáles son las dos dislinciones básicasenlre un coecenseccr ce unión y 01 ro MQS?
S-J2. (a) ¿A qué lensión se conecta el susirero? ¿Por qué?
(h) Repetir el punto (a) para las islas aisladas que contie nen las resiste ncias.
(e) ¿Pueden ubicarse varios transistores en una misma isla aislada? Explíquese.
5-33. Cilar seis caracrensncas importantes de los com ponentes integrados.
5-34. Citar seis reglas aplicables al diseño de circuitos monolñicos.
 SEGUNDA PARTE

Circuitos y sistemas
digitales

Los circuitos digitales se valen del funcion amiento como interruptor de los dispositivoselectrónicos
para el procesado de señales eléctricas representativas de datos numérico s o cod ificados. Estas
señales digitales generalmente son binarias. es decir, que son señales que tienen sólo dos niveles
distintos. y se utilizan muy extensamente en sistemas de comunicació n, control y medición, así
como en computadores. En esta sección trataremos de los circuitos y sistemas usad os para el
procesado de señales digitales.
Inclusoen un sistemadigital a granescala son pocas las operaciones distintas que se puedenrealizar
si bien éstas puedenrepetirsenumerosas veces. Los cinco elementos que forman un sistema digital
son: sistemas lógicos, aritméticos y circuitos de memoria conjuntamente con los disp ositivos de
entrada y de salida. En el capítulo 6 introduciremos los circuitos lógico s llamados también puerros
Mgicas. Nos referiremos especialmente al funcionamiento de los bloques constructivos fundamen-
tales que comprenden las cuatro tecnologfas de fabricación de uso más comente, que son: NMOS,
CMOS, lógica transistor-transistor (ITL) y lógica de emisor acoplado (ECL). Los circuitos
combinacionales y secuenciales, es decir, la interconexión de muchas puertas lógicas serán tratados
en los capítulos 7 y 8 respectivamente. .
La realización práctica de la mayoría de circuitos descritos en los cap. 6 y 8 es considerada como
integració n a pequeña escala (SSI) o a medio escala (MSI). En el capítulo 9 se estudiarán los
sistemas de integración o gran escalo (LSI) y a muy grande escala (VLSI). Se incluyen los sistemas
de memoria, formacione s lógicas y microprocesadores.
 Circuitos lógicos
básicos (digitales)

E l álge bra de 8 00l e es un sistema para el análi sis mat emát ico de la lóg ica y fue ideada en e l sig lo XIX
por el m atem ático inglés George 8 001e. Las puerta s lógicas se refieren a los ci rc uitos digitales utilizados
en el manej o de las ec uac io nes del álgebra de 8 001e . En e ste cap ítulo se trat ar éde las puerta s lógicas NOT.
AND y D R (NO . Y. O ) así co me de sus co mpleme nta rias NANO y NO R. E l prin ci pal o bje tivo es describir
c uantitativ ame nte la reali zación de estas puert as utili zando ci rcuitos integ rados. La s d os familias lógicas
q ue utilizan FETs son las NMOS y CMOS . y las dos famili as lógica s bipolares más importantes so n las
EC L y TIL. Las c uatro famili as l ógicas de pe nden para su func iona mien to de la aptitud de los FET y BJT
para actua r co mo un d ispo sitivo binar io (por ej . un interruptor).
Este ca pitulo lo abrire mos co n un bre ve co me nta rio so bre los núm eros binarios y su rep rese ntaci ón
co mo se ña les eléctricas. A esto le segu irá un a in trod ucción al álge bra de Bo ole . A muchos lector es esto
les pued e servir de rep aso de lo que hayan pod ido Iratar en otros lugares.

6·1. EL SISTEMA BINARIO

Una se ñal. o dispositi vo o ci rcuito binari o está en uno de d os es tad os posibles . Por eje mplo .
conside remos el circuito de la Fig . 6 - 1. La ten sión V" es d e 5 V c ua ndo e l interruptor S e st á abierto y de
O V cua ndo S e stá ce rrado . No son po sibles otro s valo res d e VII' C omo tant o e l inte rru ptor co mo V" est én
en uno u a iro estado. ambos func ionan de un a forma binaria. En los cap ítulos 3 y 4 hem o s vis to qu e tant o
e l BJT co rne e! FET tie nen las c aracrensñcas de interru ptor goberna do y po r remo so n d ispositivo s binari os .
Los circuito s interruptore s de do s estados co n tran sistores so n rápid os. fiables y eco nó mico s y se pued en
fabricar en grandes cantid ades. Por tanto. lo s sis temas digitales ac tuale s trabaj an co n nume rac ión binaría
o de basedos. Puesto que el á lge bra de Bo ole e s la represen tación lóg ica de do s est ados. e l sis tem a binari o
. se utiliza indi stint am ent e para o peraci ones lóg icas y aritmética s y así se utilizaran los mi sm o s c irc uito s
para lle var a ca bo ambas funci ones.
Para de sig nar lo s dos est ados se utilizan 'varias formas. Numéricamente los dígitos binarios son I y O;
Yen sis te mas lógicos los d os estados son «verd adero » y « fa lso» o «s í» y " no ». En e lec trónica frecuente-
ment e se utili zan los sfmbolos ON y OFF o HI y LO . Estos ú ltimos signos . HI y LO. ge ne ral me nte
corre spo nde n a los nivele s de ten sió n o de corrie nte en un e le mento iruerruptor. Para indica r los ni vele s
de ten si ón corres po ndie ntes a los dígit os binari os I y O se emplean las design aci one s VI I ) Y VIO)
respecti vam ent e . Puesto que c ualquie r estado e s posible. cada dígito b inario o bit es capaz de tran smitir
informaci ón. Un grupo de bits que tenga un det erminado signific ado co nstituye una il/formación. po/ahra
o CÓlJigO.
La represe ntac ión de los núme ros en e l siste ma bin ario (de base 2 ) e s en lod o análoga a la emplead a
en e l siste ma decimal (de base 10 ). En realidad el número deci mal 378 no es más qu e 300+70+8 o b ien 3
x 10~ + 7 x 10 1 + 8 x leY'. Cada lugar en un número decimal representa una po tencia de 10. y cada d ígito
2 16 Microelu lró,,/ca moderna

-s v

J~.¡
~
Figura 6· 1. Circuito binario .

es e l número de vece s q ue existe la corre spo ndien te potencia de 10. Un núme ro binario es t é formado par
una ser ie de los dígitos 1 y Oca da uno de los cuales multiplica una pote ncia de 2. El número ID10 11 es =
I x 2~ + O x 2~ + I x 2 1 +O x 21+ I x 2 1+ I X 211 lo q ue es igu al a l número deci mal a j . Co n tres dfgitos
decimales se puede n representar 1.000 números distintos. del O al 999. siendo e l mayor de e llos 10 1.1 . De
igual forma, un número de 6 bit puede represe ntar 2b valores dis tintos. del OaI 28 _1. Ge nera lizando tene rnos
la relac ión de la Ecuación (6- 1)

N = 2" - I (6· 1)

donde 1/ es el núm ero de bits y N el mayor número decima l q ue se puede representar co n 1/ bits.

Un núme ro decimal D se puede pasa r al siste ma binario B de la siguie nte forma :

l. Fonnar dos filas de números co mo e n la Ta bla 6· 1.
2. Empeza ndo por el extre mo de la derecha. dividi r por 2 e l nú mero D y co loca r la parle e ntera D. del
cocient e en la prime ra columna de la fila D.
3. Co locar e l resto R, (si lo hay) en la primera co lumna de la fila B (R1 será uno o cero ya que lJ es
recesariame nre par o impa r).
4. Dividir D, par 2 y colocar e l coc iente D 1 en la seg unda columna de la fila D .
5. Colocar el resto R, (Oo 1) en la seg unda columna de la fila B.
6. Re petir los pasos 4 y 5 hasta e ncontrar un cocient e ce ro. Los dígi los de la fila B leídos de izq uierda
a derech a. fonnan la represe ntaci ón binaria de l núme ro decimal D . El lugar de má s a la izq uierda.
q ue represe nta la mayor pote ncia de 2 es e l hit n/{;.{ sig lli/imrim (MSB) y e l mas a la derech a e l hit
mellos s ig1/ifkati1'O (LSB).

Tabla 6-1: Co nversió n de decima l a binario

C,,/m/lllll k + / ('O//l/1II1lI 1.;. Cnlmlllw 2 e n/mI/mI /

O O• • n. ,n D~ = D ,f! O• • 1)/2 N" decima l D

(Fi la D)
O R. R, R, N" binario B
(Fila BI

Ejemp/o 6-J

Co nvertir e l número dec ima l 73 a l siste ma binario.

 Circuitos 16gicos básicos (digitales) 2 17

Solución

Preparar una di sposición semejante a la de la T abla6- 1como se ve en la Tabla 6-2. Laexpresión binari a
de 73 es e l número de 7 cifras 100 1001. 10que se puede comprobar calculando:

1001 001 = 1 x 2" + O x 2~ + O x 2" + 1 x 2' + O x 2'

+ O x 2 1 + I x 2'
= 64 + 8 + I = 73
T abla 6-2: Preparación para ejem p lo 6-1
8 7 6 , , s 1

o I
-2 - o
2 , 9
- -, 18
- = 9
lO
-2 -" JJ
- • 36 J) = 73
'2 = - - 2
2 2 2 2
o I o o I o o I B

El procedim iento seguido en la Tabla 6- 1 puede ex tende rse para co nven ir un número dec ima\ O a otro
de base B. Los suces ivos restos Rl' R1. • • .R. leídos de izquierda a derec ha forman el número de base /l
buscado . Si por eje mplo B = 5. R só lo puede vale r ü . 1. 2. 3 o 4. Frec uentemente se indica la base e mpleada
medi ante un subíndice. AsI. NI" es un número decimal y N1 un núme ro binari o.
Así como la coma en e l siste ma decimal separa las potencia s positivas y negativas de 10. la coma e n
e l siste ma binario separa las potencias posi tivas y negativas de 2. El número binario 10\.0 11 tiene e l
eq uivalente decimal 5,375.
Los núme ros negati vos se represcr uan añadiendo un sig no a la izq uierda del bit más significativo. Un
(O)designa un número positivo y un ( 1) un número negativo. A sí O" lOOI (Xl l eq uivale al +73 dec imal y
1"1001 001 al -73. El signo " se emplea para indicar que la primer a cifra es ta q ue indica e l sig no.
En el sistema digital se e mplea una variedad de rep resentaci ones de rivada s de números y cód igos
binarios. A\ tralar de la aritm ética binaria e n la Sección 7-3 introd ucirem os alg unas de ellas.
, ,

'' T
1' (0 ) I

T
'"'01

.LL.
,
1
T
,., ,"
Figu ra 6 -2. Ood n para lóg ica: (11) rt Kiliva. y ( h ) Il<'gal iva.

6·2. ÁLGEBRA DE 1l00LE

El álge bra de Boole es una lógica simbó lica de dos es tados . Una variable A asume uno de los dos
valores pos ibles. Oo l . Así . A puede ser I (A = 1) o puede ser O(A = O). Si A no es I de be ser O. El álge bra
de Boole conte niendo dis tintas variables req uie re únicamente tres funciones lógicas básicas llam adas
2 18 Miuo~/u'ró"iC'a moderna

ANO. OR Y NOT . Una /",~,.ttllú.l( jnJ es un ci rcuito que se e mplea rara c umplimentar una funci ón lógica
básica . Las combinaciones de puertas lógicas sirve n para plan te ar ec uaciones co mplejas de 8 001e. Estos
c ircuitos serán tratados en e l Capítulo 7.

Sistema s lógicos
La impl ementación de la puerta de pende de la fon na e n c..¡ue se defina una se ñal bina ria. En un s iste ma
de co ntin ua o nivel l ógico un bit se carac ter iza por uno de los dos nive le s de ten sió n. S i co mo e n la
Fig. 6· 2(1 [a te nsión más pos itiva es e l nive l I y la ot ra e l O. [V(I » V(OlJ. se dic e q ue e l sistema emp lea
lóg icapositil'll. Por o tra pa rte un sistema de lógica 1/('grllil'{l . COl1l 0 el de la Fig. 6- 2". es el que desig nol al
potencial má s negativo como I y al má s positi vo como nivel O. 1\' (0 » \1 ( 1l l. Hay que te ne r e n c ue nta
que e l valor absolu ro de ambas tensione s no es significativo en esta s definiciones. Concretamente. e l estado
O no repre senta necesar iamente un nivel de te nsión cero. aunque en a lgunos sistemas pueda se rlo.
En un sistema din ámi co e de lágice, t/~ impltl.ms. un bit se reconoce por la pre senc ia o ausen cia de un
im pulso . Un I signific a la existencia de un impulso positivo en un siste ma di nám ico de lóg ica positiva y
un im pulso negativo supone un I e n un sistema dinámi co de lógica negativa. En ambos siste mas un Oen
una e ntrada (o salida) en un momento dado s ignifica que no hay impulso a lg uno en ese preciso momento.

La puerta OR
La puerta OR tiene dos o más entradas y una so la sa lida . y funcio na segú n III siguiente definición : La
salida de II/W puerta OR t'Sfrí ell es/arlo 1 si 1/1'"
(J más entradas eslcÍII ell estada l . Las IJ e ntrada s de un

c ircuito lóg ico se de signan con A. B.....N Yla salida co n Y. Hay que tener en c uenta q ue cada una de estas
variab le s puede tomar uno de los dos va lores posibles 0 0 l . En la Fig. 3-6a fig ura d símbolo normalizad o
del c ircuito ce ju nto con la ex pres ión de 8 00le para e sta puerta. La ec uac ión debe leerse .. Y igual a A o B
o ... oN... En luga r de de finir or almente la o peració n lógica pued e e mplea rse e l mé todo de la Tab la de la
verdad que contiene una Tabla de todos los valore s de e ntrada posibles y sus corres pond ientes sa lidas.
Quede claro q ue la tabla de la verdad de dos e ntrada s de la Fig. 6·Jbequivale a la defi nición anterio r de
la ope ración DR.
S uponga mos que las o ndas A y B tie nen los niveles bina rios en funci ón de l tiem po rep resentados e n
la Fig. 6·3('. Entonces. la onda de salida Yen e sa mism a figura se co rres ponde con la labi a de la verdad
de la Fig. 6·3b para una puerta OR de lógica positiva. Ob sérve se que con V (O) = Ose c umple la oper ación
0 11. tanto en el sistema de nive l lógico co mo en e l di námi co.
Recordando que A. B Y C sólo pueden lomar los valores o l . pueden co mprobarse fáci lment e las
ü

sig uientes ecuaci ones Booleana s correspond ientes a la operac ió n 0 11. (+)

A +B + C :c (A +B) + C= A+(B +C) (6·2)

A + B B + A 16-3)
A + A = A 16-4)

A + 1 = 1 16-5)
A + O =A (6·61
 Clrcullos (dg;cos básicos (digUa (ts) 219

Estas ecuaciones quedan j ustificadas lanto por la definición de la operación OR como por la labia de
la verdad.
Hemos hallado una puerta OR de un simple diodo: el circuito de la Fig. 2· 13 obedece a la tabla de la
verdad de la Fig. 6-3h con Jógka negativa.
A

A~ n,,[
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F"'1U ~ 6-3. Puma0-: la) " mbolodel ~itt1l ilo. l bl lablll de la verdad.Cc)onda paral6aica posili"l.

A o---:
_~ ",,1
11
,----,-
r .. 111" ' \'
,
1'10' !
T,
J
T,
,
T,
l
T,

.., •
I'el ,

Enlr"a Salida. 1'10'

, H I
T, f, T, T,
I
u
, u
,
, "u
u
,
, , '",1
1'1011
, f,
,
T,
O
T, T,
,.,
""
F1111 ~ , ... PuM. "..o: (a) Sfmbolodel circuilo; (b)IIb1. de 11 verdad; (e) ondapara l6f:iCl ~i li" • .
220 MkroeltctTÓnica moderna

La puerta AND
La puerta AN O tiene dos o m és e ntradas y una sola salida . y func iona de ac uerdo con la siguiente
definición: La salida di' un AND esld t I! estado 1 sólo si todas las entradas est án t ll l . En la Fig. 6- 4a
puede verse el símbolo de esta puerta y su expresión de 8 00 1e. La ecuación de be leerse: Yes igual a A y
B y ... N.IA veces se pone un punto (.) o un aspa (x) entre los símbo los para indicar la operación AN O. )
Se puede comprobar que la labia de la verda d de dos e ntradas de la Fig. 6-4" concuerda con la definición
dada de la operación ANO . Las ondas de la Fig. 6-4c corre sponden a la tabla de la ve rdad de la Fig. 6-4b
para lógica posi tiva. Anteri ormente a es te ci rcuito se le llam ó de coincidencia porq ue debe n existir al
mismo tiempo lodos Jos impulsos de entrada para te ner un impu lso de salida.
Puesto que a, 8 y e sólo pueden valer Oo I se pueden verificar las siguien tes e xpresiones relativas a
la operación AN O

ABC : IAB¡C : AIBC) 16-71

AS = SA 16·8 )
AA A (6-9)

Al = A 16- 10)
AO = O (6- 11 )

AIB + C I = AB + AC (6- 12)

Estas ec uacio nes se pued en comprobar por la definición de la operación ANO. por la tabla de la verdad
o por el com portamie nto de los circuitos ANO vistos más arriba. Además. por med io de las ec uaciones
(6- 10) (6· 12) Y(6- S) se puede ver que

A + AH =A (6· 13)

Anélogamem e. de las Ecs. (6- 12) (6-9) Y(6-5) se deduce que

A +BC= (A + B)( A + Cl (6· 14)

Más adelante de es te mismo capüulc tendre mos ocasión de refer imos a est as dos últimas ec uaciones.
El circuito de la Fig. 2· 13 analizado e n el Ejemplo 2-2 es una disposición de diodo-resistencia para
puert a ANO de lógica positiva. Todo lo que hay que hacer para tener una pue rta AN O de lógica negativa es
invert ir los diod os.
Obsérvese que este mismo circuito (Fig. 2-13 ) puede em plearse tanto para la puerta ANO de lóg ica
positiva como para la puert a OR de lógica negativa. Estoes debido al hecho de que V (O)e n lógica posit iva
y V ( 1) en nega tiva represeman ambas el menor de Jos dos niveles de tens ión. y asimismo V ( 1) Y V (O)
son las te nsiones mayores e n lógica positiva y nega tiva respectivameme. Co n es to llegamos a la con cfusión
de que una pue rta OR negativa tie ne el mismo circuito que una ANO positiva. E.s te resultado no queda
limitado a la lógica con diodos. sino que es válido independienteme nte de l material empleado para form ar
el ci rcuito.
 CircuitOJ: 16gicos básicos (digitales) 221

Puerta NOT (inversora)

El circuito NOT tiene una sola entrada y una sola salida. y responde a la negación lógica de acuerdo
con la siguiente definición: La sa ítdade /lf! circuito NOT toma el estado J sólo y únicamente si la entrada
no tiene el estado J. La norma para indicar una negación lógica es un pequeño círculo en el punto en que
la Unea de la señal se une a un símbolo lógico. En la Fig. 6-5a se indica una negación en la entrada de un
bloque lógico y en la Fig. 6--5b una negación a la salida: la Fig. 6~5c representa el símbolo de la puerta
NOTY la expresión de Boole. La ecuación debe leerse: «Y igual a NO A. o bien ..fes el complemento de
A." (Para indicar la operación NOT a veces se emplea una vírgula n
en lugar de un guión (-).) La Fig. 6~5d
es la tabla de la verdad.
Al circuito que cumple la negación lógica se le denomina NOT, pero como invierte el sentido de la
salida respecto al de la entrada se le conoce también como inversor. En un verdadero sistema binario sólo
se reconocen dos niveles V(O) y V(I ) y la salida, así como la entrada del inversor deben actuar entre estas
dos tensiones. Cuando la entrada es V(O) la salida debe ser V( 1) Yviceversa. Idealmente un ci rcuito NOT
invierte la señal conservando su fonna y los niveles binarios entre los que actúa la señal. Los transistores
de efecto campo (FET) comentados en las Secciones 3·8 y 4-12 son inversores. Observemos en las Figs .
3-29 y 4·25 que una transición de baja a alta tensión en la entrada provoca la transición inversa en la salida.
Además las fuentes ideales gobernadas introducidas en las Secciones 3-1 y 4-1 son circuitos inversores
cuando actúan como interruptores controlados.
Enlrada Salida.
A y

O 1
1 O

(b) (,' (di

'"
figura 6·5. Negación l6gica. (11) en la ennada; (b) ala salida de UD bloque lógico; (e) s1'mbolo del circuilo inversor (puenl f'\'OT) (d)
libia ele la verdad.

A partir de las definiciones básicas del NOT. AND YOR pueden comprobarse las siguientes identidades
de Boole .

ji = A (6·15)
ji + A 1 16· 16)
AA = O 16·17)
A + AB = A + B 16-18)
Ejemplo6·Z

Comprobar la ecuación (6-18).

Soluci6n

Puesto que B + I = 1 YA I = A. se deduce que :

A + AB = A(B + 1) + AB = AB + A + A B = (A + A)B + A B+A

habiendo empleado la Ecuación (6·16).
222 Microelectrónica moderna

Función de inhibici ón (y habilitación)

Un circuito NOT precediendo un terminal (S) de una puerta AND actúa como inhibidor. Este circuito
AND modificado da lugar a la siguiente relación lógica: Si A = 1.8 = l • .. M = l . entonces Y= I siempre
que S =O. En cambio. si S = 1. la coincidencia de A. B... M se inhibe (e imposibilita) e Y = O. A esta
configuración se le denomina también circuito de anticoincidencla. El símbolo lógico se representa en la
Fig. 6-00juma con su expresión de 800 1e. Esta ecuación se lee « Yigual a A y B y ... M Yno S 'l . En la Fig.
6-6b se ve la tabla de la verdad de una puerta ANO con tres entradas y un terminal inhibidor (S).
Eltenni nal S se llama también de inhibición. El bit habilitador S = O permite a la puerta cumplir su
lógica ANO mientras que el inhibidor S = I mantiene la salida en Y = O independientemente del valor de
los demás bits de entrada.

Entrada Salida
A B S Y

1 O O O O
A~---,
2 O 1 O O
B J 1 O O O
•
S
1
O
I
O
O
I
I
O
S~----' 6

,
7
O
I
I
O ,,
I O
O
I I O
c., c"
Figura 6-6. (a) Símbclcdel clrcunc 'j expresen de Boolepara una puertaAND con lerrninal de inhibición S. (b) Tablade la verdad
para y: ABS.

Es posible también un circuito ANO con dos entradas. una de las cuales sea inhibidora. Este circuito
satisface la lógica. «La salida es verdad ( 1) si la entrada A es verdad (1) supuesto que B no lo sea (O) o lo
que es lo mismo. supuesto que B sea falso (O).» También es posible otra configuración con más de un
tenninal inhibidor.

6-3. PUERTAS OR.EXCLUSIVA, NAND y NOR

Las tres puertas comentadas en esta Sección no son más que simples combinaciones de puertas ANO.
OR e inversoras. Debidoa su importanciaparael procesadode señalesdigitales yengeneral a sudisposición
con transistores se las considera como puertas básicas.

Puerta o n-Exctuslva
Una puerta ca -Excl usiva responde a la siguiente definición: La salida de un on -Bxclusivo de dos
entradas está en estado I si una y sólo una de las entradas está en estado l. El símbolo nonna lizado y la
tabla de la verdad están representados en las Figs. 6-70 y b. El circuito de la Fig. 6-3 se refiere a un
en-Inclusive si hay que distinguirlo del oa-Bxclusivo.
La anterior definición equivale a: «si A = 1 o B = 1 pero no sim ultáneamente, Y = 1». En la notación
de Boole
 Clrcullos 16glcos básicos (¿Igllalu) 223

y = lA + BII A B ) 16-19)

Esta fu nción lógica puede llevarse a cabo utilizando puertas lógic as bésicas como en la Fig. 6- Ra.
=
Otra definición equivalente sería la siguiente: «si A = I Y B Oo si B 1 YA O. entonces Y = 1.., Y = =
la expresión de Boole es

y = AH + BA (6-20)

En la Fig. 6-8b eSlá representado el diagrama de bloques que sa tisfece esta lógica . Se empl ea un
oe-Bxclu sivo en la secc ión eritménca de una calculadora. y en otras apl icaciones como la de "amparador
d~d~s;guQldad~s. circuito de ocoptomiemo. o detector porque como puede verse en la labia de la verdad .
y = l só lo si A '# B. Esta propiedad se emplea para comprobar la desigualdad entre dos bits. Si el bit A no
es id éntico al B se: tend rá una salida. e igualmente «s i A y B so n ambos I o si A y B son ambos O no se
obtiene salida alguna. e Y = 0». Esta misma premi sa puede ponerse en forma de Boo le

Y=AB+AB (6-21)

.r

~,,[
filO'
, ,
r " .1+ H o T, T, T, T. "
•• B

~"
......
., B
Salida.
r
~ .. o T, T, T, ro
T
o o
o I
, ,
o

,
""'U
o •
1 o
fI(OI
, ,
o T, T, T, T,
,., ",
Figura 6·7. Pucna OII· Exclusiva: (a) Sfmbclc del circuilo; lb) tabla de la verdad: {d Icnnes de onda para lógica posuiva.

r r

r · ... . H.~
'"
Ficura 6-&. Dos disposiciones de I1 puena Oll.-ExclusiYI .
'"
224 Microelectrónica moderna

Esta ecuación nos lleva a un tercer planteamientode bloques del ca-Exclusivo. que está.indicadopor
el diagrama lógico de la Pig . 6-9a. Un detector de igualdad da una salida Z = 1 si A y B son ambos I o si
ambos son O, y par tanto, haciendo uso de la Ec . (6-15)

Z =Y =
, AB +AB (6-221

Si deseamos la salida Z se puede prescindir de la negación de la Fig. 6-9a o añadir un inversor en

cascada con la salidadel OR-Exclusivo.
Una cuarta posibilidadpara esta puertaes
y :::: <A +B)(A +lil (6-2))

que se puede deducir de la definición o de la tabla de la verdad. Esta lógica está representada en la
Fig.6-9h.
Se puede observar que un os-Exclusivo de dos entradas se campana como un inversor controlado o
un inversorcon una entrada inhibidora. O sea, que si A es la entrada y B =S el inhibidor, de la labia de la
verdadde la Fig. 6-7 se deduce que Y = A si S = 1 mientras que Y = A si S:::: O.
Queda demostradoque a veces hay varios caminos para formar un circuito lógico. En la práctica hay
uno de ellos que resulta más ventajosoque los demás. Frecuentemente se utilizael álgebra de Boole para
manipular una ecuación lógica y transformarla de forma que sea mejor desde el punte de vista de la
construcción real. En la próxima sección comprobaremos mediante el álgebra de Boole que las cuatro
expresiones anterioresdel OR-Exclusivo son equivalentes.

A---.-
B-,,-+-
y y

Y ·(~I
,. r afA +B )(A + 8 )

Figura 6-9. Dos disposiciones adicionalesde II puerta OIt·EJ¡c1usivl. '"

Leyes de Morgan
Las dos ecuaciones binarias siguientes se conocen como teoremas de Margan .
A + S + e + . ..
ABC " ':::: (6-24)
A + B + C + . . . :::: ABC . •. (6-25)
Para comprobar la Ec. (6-24) obsérveseque si todas las entradas son 1,cada miembro de la ecuación
es cero. Por otra parte si una (o más de una) entrada es Ocada miembro de la ecuación (6-24) valdrá 1.
Por tanto.con cualesquieraentradas posiblesel segundo miembro de la igualdad se iguala al primero. La
Be. (6-25) se cbmprueba de forma similar. Las leyes de Margan completan la lista de las identidades
básicas de Boole. Para posteriores referencias, todas estas relaciones se resumen en la Tabla 6-3.
Con la ayuda del álgebra de Boole vamos a demostrar la equivalencia de los cuatro circuitos
oa-Bxclusivc de la sección anterior. Utilizandola Ec. (6-24) resulta evidente que la Ec. (6- 19) equivale a
la Ec. (6-23), pudiéndosedesarrollar esta última con el auxilio de la Tabla 6-3 de la siguiente forma
(A + B)(A + S) :::: AA + BA + AE + BE :::: BA + AS (6-26)
 Circuitos 168100s bdslcos (digitales) 225

quedandodemostradoque el ca-Exclusivo de la Ec. (6-21) es equivalente al de la Ec. (6-23).

Tabla 6-3 Resumen de idenlldades blislcas de Boole

Lty~s frmdom~"'OltS

'" ANO NOT

A + o .. A 040 =11 A +A -
A + I '" I AI "'A ~A "U
A + A = A AA "'A A -A
A+A =I AA = O
LtytsusociotiYO$
IA+BI+C -A + lB + Cl IABIC .. AlBO
LtytS C'OIlnllllotil'O$
A +8 -8+A AB ,.BA
Lty dislrilmtil'O
AIB + Cl .. AB + AC
Lt~s d~ Margon
;;ur:-;: = A + B + ...
A+B+' " -A8'' '
Idtlltidodu ouxj/jortS
A+AB -A A+AB =A+B
IA +BJIA+CI -A+BC

De las leyes de Margan se deduce que para hallar el complemento de una función booleana deben
cambiarse todas las operaciones OR por AND y viceversa, negfll./do todo sfmbolo binario. Aplicandoeste
procedimientoa la Ec. (6-21) Y haciendo uso de la identidad Z =A resulta la Ec. (6-23).
Con la ayudade lasleyesde Morganse puededemostrarque uncircuito ANDen lógicapositivatambién
funciona como puertaOR en lógica negativa. Sea Yla salida y A. B• ... N las entradas a una AND positiva
de forma que:
Y =AB···N (6-27)

y de l. Ec. (6-24)
(6-28)

Si se complementan la salida y todas las entradas de un circuito, de forma que un I se convierta en O

y viceversa, la lógica positivase convierte en negativa (tomar como referencia la Fig. 6-2). Puesto que Y
e y representan el mismo terminal de salida, y A YA el mismo de entrada. etc. ..., el circuito que funciona
como lógica AND positiva en la Ec. (6-27) también funciona como puerta OR negativaen la Ec. (6-28).
Con un razonamiento similarse puede comprobarque un mismocircuito AND de lógica negativaes un OR
de lógica positiva dependiendo de cómo se definan los niveles binarios. Ya hemos comprobado este
resulladoparael circuitocon diodos de la Fig. 2-13 pero la prueba presentees independiente de cómo esté
formadoel circuito. .
Quedeclaroqueen realidadnoes necesarioemplearlas lees conexiones,OR, ANO YNOT. Son suficientes
lason y NOT puessegún las leyesde Margan de la Ec. (6·24).laANDpuede obtenersede la OR ode la NOT
como se ve en la Fig, 6- lOa. También puedenelegirse como circuitos básicos lógicos los AND y NOT, Y
de la ley de Margan de la Ec. 6·25 se puede deducir el OR como en la Fig. 6·lOb . Esta figura pone de
manifiestoque un circuito OR (AND) negado en la entrada y la salida equivale a una lógica ANO (OR).
226 Mlcroelectr6nica moderna

La puerta NAND
En la Fig. 6-80 la negación antesdel segundoANO puede muy bien ponerse a la salida del primero sin
cambiar la lógica. Estasecuencia ANO-NOT aparecetambiénen la Fig.6·1 Oh Yen otras muchasoperaciones
lógicas. Este ANO negadose designaNOT- ANO y abreviadamenteNANO. En la Fig.6-11 están representados
el sfmbolológico. la ecuaciónde Boole. la tabla de la verdad y la forma de onda.

,.,

,1 ~ + B
II~ -

'"
Fi._ra 6-10. (Ir) Conversiónde una puerta 0Il en ANU invirtiendoIOdu las enlrada; (b) Una puerta ANO se convierteen 0Il si se invier-
len lodas las en lJ1ldas y se niega la salida.
A

l., ""/ l l
V(O)O

8
T,
I
T,
I
T, T. "

VII)

Entrada Salida
O T, T, T, T.
A 8 Y
Y
o O ,
O 1 I
'O I V(ll

" O
V{O)
O T, T, T, T.

1" '<1
Figura 6-11. Puerta NAM): (a) Srmbolodel circuito; (b) labia de la verdad; (c)onda para lógica posiliva.

Se puede formaruna puertaNAND colocandoun transistorinversor(Fig. 3-280) después de una puerta

ANOde diodos. Aesta realizaciónse ledenominalógicade diodo-transistor(DTI..) y fue unade las familias
lógicas semiconducroras desarrolladas. Ha sido suplantada por otras familias lógicas. que veremos más
adelanteen este mismocapítulo. de funcionamiento notablemente mejorado.

La puerta NOR
Una negacióna continuaciónde una puertaOR se denomina puerta sor-oa o simplementeNOR. En la
Fig. 6-12 aparecenel símbolo lógico. la expresión de Boole.fa tabla de la verdad y la forma de onda. Se
forma una puerta Dll.. NOR situando un transistorinversor a continuaciónde una puerta OR de diodos.
 Circuitos/6gicoI b6sicos (digitales) 227

,., T, "
B

n i)

EnlTada Salida.
_. o T, T, T, T.
r
B
,-
O O 1

''b
O I O
I O
I , O
O
1 I
[
" \01
o T, T, T, T, "
Ibl l rl

Figura 6-12. Puena NOR: (o) Srmbolodelcircuito: (b) labia de la verdad: (e) onda para lógica positiva.

6·4. CARACTERíSTICAS DE LAS PUERTAS LÓGICAS

El diseño y fabricación de puertas lógicas utilizando transistores reales (comercialmente accesibles)
da lugar a circuitos cuyas ondas de entrada y de salida son sólo aproximadas a las vistas en la Seccion &-2.
El paso de V(O) a V(I) o viceversa no puede ocurrir instantáneamente. Además las tolerancias de
fabricación. las variaciones de temperatura u otros cambios ambientales pueden modificar los niveles de
tensión. Puesto que las entradas dependen de los niveles de salida de otras puertas. cada circuito lógico
sirve de carga para la etapa precedente . Estas cargas pueden degradar los niveles lógicos . Cada desviación
respecto al ideal limita la actuación de los circuitos reales. Centraremos nuestro estudio en los inversores
ya que como hemos demostrado antes. los interruptores básicos BIT y FET funcionan como inversores.

'"
;===-~~+B
(b) (rl

Fiaura 6-13.Empleode puenas NOIt paraformar: (al un inversor, (b) una puerta0It y (e) una puertaANO.
228 Mtcroeíear ón íca moderna

'.

VIO, K o~o - -,1-- - - - .,

,., lb,

Figura 6·14 . (a)Caraclerrslica de Irans{erenci. y lb) ondas de tensió n y de corricnle de un inversor kita l.

El inversor ideal
El inversor ideal, alimentado de una fuente única V DD , y de pend iendo su salida de una sola entrada
tiene la característica de transferencia (1'" en función de \'¡) de la Fig. 6· 14a . Obsérvese que la transición
de uno a otro est ado ocurre súbitame nte a una tensión de entrada "1 = V0rJ2. Co n esto. el estado de salida
queda cla ramente determinado para cualqu ier tensió n de entrada (excepto V0cf2) Y no exi ste ning una
incertid umbre en cuanto-a.l estado de la salida.
En la Fig. 6- 14b están representadas las ondas de tensión y de corriente de salida corres pondientes a
la transic ión de V( 1) a VeO) y otra veza V( 1)en un interr uptorgobernado ideal. La potencia estática dis ipada
=
en cua lquiera de los dos estados es nula pues to qu e cuando " I) ~ O. ; O (in terruptor idea l abierto) y
=
cuando ; '#- O. ". O (interruptor ideal cerrado). Además. siendo la transición de uno a otro estado
instantánea, la potencia din ámica disipada. es deci r. la potenc ia consumida durante la conmutación
tamb ién es nula.
Hay ot ras dos características del inversor ideal relacionadas co n la interconexión de es tas puert as: ( 1)
el ci rcuito de entrada no representa una carga para el impul so de señal (la salida de una puert a anterior ) y
(2) la salida de un inversor es capaz de impulsa r a un número cualquiera de puertas s imilares sin que: se
degrade el nivel de sal ida...
Las características del inversor idea l son aplicables igualmente a puertas de entradas múltip les (ANO.
ORoNAND. NOR).Ade más. tates puertas ideales puede n admi tir cualquier número arbitrario de entradas sin
efectos de carga que pert urben las etapas anterio res . Las anteriores con siderac iones nos hacen ver que al
eva luar la idoneidad de una puerta real resultan muy impo rtantes las siguientes carac terísticas :

l. El orden de valores de la tensió n correspondiente a los niveles lógicos V(O) y V( 1).

2. La región incierta o gama de tensiones de entrada en los qu e el estado de salida no está def inido.
3. La velocidad de conmutación,
4. Disipación de potencia estática y dinámica .
S. Efectos de carga en la entrada y salida.

Característica de transferen cia del inversor real

La ca racterística de transferenc ia de un circu ito inversor rea l adquirible comercialmente. repre sentada
en la Fig . 6- l S acusa varias desviaciones respecto a la carac terística ide al de la Fig. 6-140 . Estas diferencias
son : que las tensiones V( 1) y V(O) no son constantes: que pueden diferir de la tensión de alimentación y
de cero, respectivamente, y que la transición de uno a otro estado no es abrupta. La forma gene ral de la
 Clrcul/os I6glcosbásicos (dlgl/ales) 229

curva de transferencia es similar a las características de transferencia de los dispositivos BJT y to'"ET de
las Figs. 3·29 y 4-30 respectivamente'. En el caso del BIT la característica muestra que el transistor está
en corte con Vi < V (tensi ón umbral) y Vo = Vce (tensión de alimentaci6n). La operaci6n está en la regi6n
activadirecta (funciona como fuente gobernada) para VI> v., y "odisminuyeal aumentar v/hastacomenzar
la saturaci ón. Un nuevo incremento de v/satura más fuertemente el BIT Y Vo queda limitado en VCE(JIIIJ -
0,2 V. Análogamente un MOSFET está en corte para v¡ < Vr • Aumentando v¡ por encima de Vr se hace
que el MOSFET opere en su regi6n saturada lo que va acompañado de una disminuci6n de vO' Si VI sigue
aumentando, el MOSFET pasa a su regi6n 6hmica y Voexperimenta s610 pequeños cambios de valor.

'.

B Pendienle:.-I

o I'IL

l· ,I
Región incierta.
Figura 6·15. Caracterlstica de transferencia de tensiónde un inversorreal.Los puruosen que la pendientees-t definen los niveles
lógicosano y bajo.

La característica de transferencia resulta útil para definir los valores de tensión que corresponden a
V( 1) YV(O) . En los puntos A y B de la característica de la Fig. 6-15 la pendiente es igual a la unidad. A la
izquierda de Ay a la derecha de B la pendiente es menor de uno, mientras que entre A y B es mayor. Como
sea que la pendiente es un índice de la ganancia de tensión entre la entrada y la salida, se llega a la
conclusión de que la transición de UII O a otro estado requiere IlIIa ganancia de tensión mayor que la
unidad. Obsérvese que la pendiente negativa indica una negación lógica.
Los valores de laordenada y de la abscisa del punto Ase designan VOH YV'L respectivamente. V'L indica
el máximo valor de 1'; identificable como lógica Oque define el estado de salida como 16gica l. Por tanto.
VOH es el mínimo valor que puede adquirir V( 1). De igual forma, en B. VOL es el valor máximo de Vo
correspondiente a V(O) y V/u la tensi6n de entrada mínima (lógica 1) necesaria para provocar esre estado
de la salida.
En la Fig. 6-16 están señalados los recorridos de las tensiones de entrada y de salida correspondientes
a V(O) y V(l).
Puesto que la salida de la puerta I sirve de entrada a la puerta 2 es necesario que VOH> V/H y VOL < V'L
para que la puerta cumpla la función. Si por ejemplo VOH -c V/H existirían valores de la señal de excitaci6n
correspondientes a V( 1)que no provocarían la transici ón a V( 1) de la puerta 2. Por tanto. en el circuito se
habría introducido un error lógico. y lo mismo podría argumentarse para comprobar que VOL < V/L'
La anterior descripción de las caracterfsricasdel inversor se pueden aplicar también a las puertas NAND

I Antesde proseguir el esrudiode lo que teSla de ese capfrulopuede ser convenienle repuar lu Secciones)·8 y 4-12.
230 MicroelI!Clr6nica moderna

'. '.
¡

Región ínciena

-'-- - -- - •• V"

VVL o
:l======C----_-!
Salida de
¡
Entrada de
la puerta I la puerta 2

Figura 6·16. Niveles de tensiones de entrada '1 de salida empleados para definir el margen de ruido (NM) '1 la región inciena .

y NOR. Para éstas debe interpretarse 1'.. como la combinación de entradas necesarias para provocar la
transición entre estados. Los circu itos co n lógica no inversora . tales como los A NO y OR tienen sus
caracter ísticas co n pendiente positiva. Para este caso . loca lizamos puntos semejante s a A y B en los que
la pendiente de la característica sea +1. Haciendo este cambi o. las conclu siones a las que se ha llegado en
los párrafos anteriore s se pueden ap licar a ci rcuitos lóg icos no inversore s.

Margen de ruido
En un ci rcuito electrónico se entiende por «ruido» la presencia de cua lquier señal no deseada . Existen
muchas fuentes de ruido entre las que figura el rizado de l suministro de potencia y las radiacio nes
electromagn éticas (por ejemplo las luces ñuorescente s o las señales de radio y televisión ). Como siempre
existen ruidos. es necesario que las puertas lógicas no respond an a ellos e introdu zcan errores lógicos. Por
«margen de ruido.. (designadoNM por las iniciales «Noise Margln») se ent iende el grado de inmunidad
del circuito lógico ante las señales no deseadas. Los valore s NM ff y NM L corresponden a los márgenes de
ruido para V( 1) y V(O) respectivamente. En la Fig. 6-16 se puede apreciar que

N M H = Vo u - VIII NM f • = Vil. - VOL (6·29)

La impo rtancia del margen de ruido radica en que una señal no de seada de valor menor que e: NM no
alterará el estado lógico. Los ruidos que superen el NM se co nviene n en señales de entrada en la lona de
incertidumbre o provocan una transición no deseada.
+s V
Resistencia de entrada de las
o.r en puerlas de earga = 2 kn cada puerta.
lntcrruptor

=
gobernado

Señales { c.r en

.
o
dcentrada
,
.~v -=. ~ , ..::.
.\" l n

." ,"
Fijtufa 6-17. t<1) Diagrama del circuito. y (b) circuito equlvateuremo strando la salidaen abanico (fan·oul).
 Circuitos16gicos b ástcos (digitales) 23 1

Fan-out (salida en abanico)

Una puerta lógica debe ser capaz de suministrar la entrada a varioscircuitos semejantes. El «fan-out»
es el término empleado para indicar el número de circuitos que una puerta puede excitar. El siguiente
ejemplo muestra el efecto de cargar la salida de una puerta.

Ejemploó-3

La Fig. 6-17arepresentael circuitode una puertaen estado l. La cargaconsisteenN entradas idénticas.

cada una de ellas con una resistencia de entrada de 2 kil. Para asegurar un funcionamiento correcto, la
tensión l'; de entrada a las puertas de carga debe ser por lo menos de 3,5 V. Determinar el número de
puertas que se pueden atender, es decir, determinar el fan-out.

Solución

El circuito de la Fig. 6-17b es el equivalente del de la Fig. 6- 17a. La combinación en paralelo de las
N resistencias idénticas es 21N kil que es la carga equivalente en la puerta. De la Fig. 6· 17b

'l/N
VI "" 0. 1 + 2/N x 5 2: 3.5 V

Despejando N tendremos N "" 8.57. Puesto que el número de etapas ha de ser un número entero. el
fan-out es 8. Obsérvese que si se toma N = 9 tendríamos ", = 3.44 V, valor por debajo del especificado.

Pan-in es el número de entradas que un circuito lógico puede admitir. Si se excede de este valor la
puerta lógica producirá una salida en estado indetermi nado o incorrecto. Además, las señales de entrada
pueden resultar deterioradas por la carga excesiva.

Disipación de potencia
Las curvas de la Fig. 6- 18corresponden a las ondas típicas de tensión y de corriente en un circuito de
puerta real. Observemos que en cualquierade los estados lógicos ni l ' ni i son nulos. En consecuencia, la
disipación de potencia en continua o estática tampoco es nula y la puerta consume energfa cualquiera que
sea su estado. Además aunque hagamos V(O) "" Oe I OFF = O (reduciendo a cero la disipación de potencia
estática) ladisipación dinámica no será nula debido al tiempo finito de transición entre estados. Obsérvese
que durante el intervalo de la conmutación TI < t < Tl , y r .l < , < T4 tanto v como ; difieren de cero.
Enel consumo total de potenciade la puerta contribuyen tanto la disipación estática como la dinámica.
A veces el factor dominante es la disipación estática. y en otros casos, como ciertos sistemas VLSI
fabricados con la tecnología CMOS, \a disipación dinámica representa la mayor parte de la total.
 "

uu

n(l~ I::;=:+==í-~f- _

Fi~lIrH 6· IH. On d a ~ ..1<: cornc me y de 1I'I1SiúUl l"ak"s '"11 un inlclTuplllr. [xi,!.. li ¡"I"K i,"m .1..' pc lito'ncia enlos d" , (" lados lógicos
(cslálkll) y duramc Ia transición entre csladus uhuauuca ).

Velocidad de actua ción

L,I veloc idad a la q ue puede trabajar una puerta depende del tie mpo necesario para que una señal sc
propa g ue desde la e ntrada hasta la salida y del tiempo de trnnsicíón de lino a otro es tado. En la Fig. 6· 19
se hall represent ado las onda s lípkas de e ntrada y de salida de un inve rsor. Los tie mpos de .1"1/1"(/0 y de
bajada 1, y // respectivamente miden los Iicmpos de transición entre es tados lógicos. Ambos términ os sc
definen por c ttic rnpo transc urrido d urante la variación de te nsión desde el 10 a l 90% de lu diferencia
\ '( 1)-\ '(0) , Los tie mpos de subida y de bajada tie nen su impo rtanc ia ya que los bordes de e ntrada y de

"
<JO'";

".

10'" L_--.:--.::::==:::=-- --.:~:_.

l-'iJ:ura 6-19. On da _de e ntrada y de sa lida e n un cielo. en las que M: ve e1 1Ío'rl111t. de ~u l>id;l . el de bajada . e l {k uncic jo y el retard ..
de plOpa¡!'ló ón
 Circuitos lógicos básicos (digita les) 233

salida de la señal se emplea n frecuent ement e para excitar otros circuitos . (Esto es partic ularm ente
significativo en cuestiones de tempori zación y s incronizac ión que se verán en e l Capítulo 8.)
El retr aso de prop agación I, es la di ferencia e ntre los momen tos cn quc las tensiones de entrada y de
salida está n a150% de su valo r. Obser vemos que deb ido a que las transiciones de V(O) a V( 1) Yde V( 1) a
V( O) no so n necesariament e iguales, los tiempos de demora difieren en tre sí y muchas veces se des ignan
añadiendo los subínd ices llL y L/l . Así, 1 HL Y 1 UI son los retra sos de tran smisión de alta a baja y de baja
a a lta resoect ivamente.
ta respect i , ,
La onda rectangul ar de la Fig. 6- 19 representa una señal de ent rada idea l co n una transición instant ánea
U, := O) en el mom ento en que la seña l rea l alcanza e l 50 % de su valor. Esta en trada per mite calcular el
retraso de propagación (Sec. 6-5) con más realidad que part iendo de la se ñal de entrada re al. Como se
indica e n la misma figura los t érminos 'p lll . y 'p Ul son so lame nte valora cion es de la respuesta dc la sa lida a
los impulsos rectang ulares de e ntrada.
El tiemp o necesario para que un circuito lógico realice do s transiciones sucesivas (de form a que vuelva
a su es tado orig inal) con stitu ye el tiem po de un c iclo señalado '" ' en la Fig. 6-19. Muchas veces este tiempo
se expresa por su inversa la frecuencia ! cx' Normalmente los sistemas digital es o peran con tiempos de ciclo
del orden de 20 a 50 veces mayor que elretruso de propagación de la puert a.
Frecuentemente se utiliza e l produ cto retraso-potencia (a veces llamado impropiam en te de veloc idad-
potenc ia) para comparar entre sí puerta s lógicas: no es más q ue sim plemente el produ ct o del retraso de
propagación por la disipación de poten cia de la puerta . No obstante. como dos realizaciones de ci rcuit o
lógico distintas pueden tener el mism o producto. much as veces e l diseñador tiene que decidir si para la
aplicac ión que se pretende es más impor tante la rap idez de la actuación o e l bajo consumo de potencia .
Gener almente los fabricanles especifican los valores corrientes de ' y P .
p '"

6-;. EL INVERSOR NMOS

La fam ilia lógica NMOS es una de las c uatro tecnologías más usad as para form ar ci rcuito s digitales.
El único componente utilizado en la fabricación es el tran sistor NMOS que se puede usar tur no como
interruptor gobernado que como res isten cia . El poco espacio oc upado por cada tran sistor en el chip junto
co n la sencilla config uració n del c ircuito hacen que el circuito NMOS te nga la más alta den sidad de
componentes. Esta gran densidad es aprovechada en los siste m as integ rados a muy gran escala (IIL51) e n
donde por ahora domina la tec notogt a NMO S. Si bien los c irc uitos lógicos NMOS no se encuentran en el
mercado en encapsulados integrados a pequeña y mediana es cala (SS! y MSI) como sucede en las otras
tres familias lógicas que trataremos, hemo s preferido co mentar esta fami lia en primer lugar porqu e su
comportam iento se asemeja al de la simple combinació n de interruptor y resistenci a de la Fig. 6-1.
+VDD +VDD +V DD

~:G I
MOSF ET
de carga
tresisrencia¡
Salid a Q2
d
Sa lid a. Q' "
" '.
Entrada MOSFET ', E n l~ada 1
excita dor Entrada
'. {interr upto r }
F--J • Q'

7 7

IQ) (b) (e )
Figura 6-20. Inve rsor MOSFET: (CI ) estructura básica . (h ) esquema de l circuito con carga. (1")el circ uito de (h) en e l que se indican
las conexiones del sustrato.
234 Microetectr énica moderna

La carga sa tura da
La estructura básic a de un NMOS inverso r es la rep rese ntada e n 1:1 Fig, 6- 20a . El excitado r es un
dispositivo de acum ulación . siendo posib les varias form as de resiste ncia de ca rga. Una de estas cargas
e mplea un transisto r de acumu lación (Pig. 6-20 b) c uyas co nex io nes del sustrato pued en ve rse e n la
Fig. 6-20c. Este ci rcuito fue ana lizado en el Ejem plo 4-2 para e l caso e n q ue V¡JI) = 6 V estando amb os
transisto res caracterizados por k - 20 't A / I/.! , Vr = 2V Y WIL - l . La ca racte rística de resistencia, la línea
de cargas y la carac terística de transfere ncia dadas e n las Figs. 4·23/,. 4-24 Y4-25 se repit en para mayor
co modidad e n la H g. 6-2 1. Recuérd ese que la carac terística de resistencia (Fig. 6-2 Ia ) es 1m e n funció n
de V¡;S~ = VOS~ · La línea de carg¡¡ se construye a partir de [as leyes de Klrchboff', es deci r, q uc /1>1 = l/l~ ' Y
V /JI ! = V/JI! -VVI~'

'D, /l-A

_ -- -.... 6.0 · V" s u... V

Ca rac lc r í~ l ica
de resiste ncia .
-----+- 5.5 5
5.0
......---:,...'
VOl/ "J·S \' 1

., 3
VOL - 2 V
C
:

40
2 ,,
- - - -- "1-- -
3.5
,
3.0 V'L · 2,5 V I
00 2 3
• 5 , ' 5
VDS' V 0 L _L...l..!.....l_-'--_ L_ L _
0 a 3 s • , Vf . v

Co ) C')

I'lJ: Ura 6 -2 1. (111 Cara ete ríslica de re~iSlc rK ia uolineal y rec ta de carga pa ra un a ca rga de ac urnu tac ión (sa tu rad;l). Tam u el exc ilat!m
ccmo la carg a tien en la m h ma relal"ió u tlt" avpccto ( WIL '" t ). lh ) Car ac ren suca de Hal\~re rl."oc i allcl inver sor . En lo s punl." A Y B
la pe ndieme es igua l 11 uno .

La característica de transfe rencia (Fig . 6-2 lb> cs la represen tac ión g ráfica de ", = V I ' .I" I en func ió n de
v, = V(;.,/ para cada punto de la recta de carga.
En los puntos A y B la pendient e de [a curva es igua l a la unidad ' y co n e llos se determina n Vm l = 3.8 V.
Vm =2 V. VII. = 2.5 V y \1111 = 4 V.
Es e vide nte que la forma de la carac terfsticu de transferencia dc !a Fig. 6-2 1h no se puede co mparar
favo rablemente con la ideal de la Fig. 6- 14(/. De hecho el funcionamicmo de este ci rcuito es inace ptable
ya q ue e l margen de ruido (N MI/) es negativo ( VII//- VIII = 3.8-4.0 = -0 .2 V).
En es te c ircuito sólo se pueden ajustar tres paráme tros: e l factor k. \1, Y la relaci ón W/L. Se puede
de mostrar (proble mas 6·3 1 y 6·3 3) que las variac iones de k y de V, infl uyen poco o nada sobre e l
compc na mier uo dc l c ircuito. Sin e mbargo se puede mej orar conside rablem en te alte rando la rel ació n W/L
de l transistor de ca rga . E..lo q ueda dem ostrad o e n e l eje mplo 6-4 .

Eje mplo 6-4

El MQSFET excitador tiene WIL = l . pero el de carga de la Fig. 6-20h se cambiu de fo r ma que WlL = 1/4.

1 PaIll hallar estos puntos de pendienre umdad "l." putd e uli lizlII" una escuadra de e-
 Circuitos lógicos básicos (digilales) 235

Tant o Q I como Q2 tiene n k = 20 ~lA / \n y VT = 2 V. La ten sión de alimentaci ón es VlJO = 6 V. (a) Esbo za r
1:1 c aructerística de transfe rencia: ( h) determinar e l margen de ruido,

SlI/IICiríll

(a) En 1:1 Pig. 6 -2 la se hun trazad o 1:1S ca racter ística s d e Q I. Las de Q2 se dan tamb ién en la mi sma
figura salvo qu e la esca la de / 1) deb e multiplicarse por la relac ión W/L = 1/4. La característica de carg a
viene dada por 1".'en función de V Ol .' para V,;\.' = VIJI.' . Los co rres pon dien tes valores aparecen cula sig uiente
tabla
2.(\ 3.11 J .5 .¡,II ~. u (¡ ,H

1", l¡..tAI 1I 5,
ü
11.3 2(1 , n ,11.3 '¡~ . n snn
E.~1a resis tencia de carga nos llev a a la línea de c <l rga de la Pig . 6-22(/, basada en I/JI = 11>.' Y VI)\ I =
l. a cara cterística de transfe re nc ia de la Fig. 6- 22/1 ( 1'" = VI' " en func ión de 1', = \/1 ;\/) se dedu ce
V / J/I-Vt>,I."
de la linea dc carga ,
(11 ) En la Fig. 6-22h es tán señalados apro ximadamente los puntos de la característica de transferenc ia
con pendiente unidad . q ue quedan identifi cados por FOil = 3,9 V, \ '''1 = 0,9 V Y VI/I = 3,fl V, VII = 2, I V.
Val iéndonos de la Ec. (6-29) te ndre mos:

NM u = 3.9 - 3.6 = 0 .3 V y NM, = 2. 1 - 0 .9 = 1.2 V

La c urnctcrtstica de trans feren c ia de la Fig. 6-22h se ap ro xima má s a la ideal que I¡¡ de la Fig. 6 -2 1h
(con W/L de Q2 = 1). Comparando e ntre sí las Figs. 6-2 1h Y6-22 /, se ve qu e si disminuye la re lación W/L.
V( 1) y V(2 ) quedan más claramente definidos y la pendi ente e n la reg ión de transi c ión e s mayor . El e fec to
de redu cir la relación W/L se aprecia co mpa rando [as línea s de c arg:l de las Figs. 6- 2 1a y 6-220. En es ta
seg und a fig ura . la línea de carga corta m és caractensricas de salida en la región óhmica de lo que lo hace
la d e la Fig. 6 -2Iu, mo tivando qu e la tra nsició n entre estados se a más abrupta.

350
Vas l z6.0V

300

250 ___- - - - 5.5 U

". V

.--- - - - - 5.0 1'''11 ~ l .1J VI

.__- - - ---4 5
J ,,,
2
,,
;..-- - - - - -4.0 _ _- _O_Y_VI
l'u/ -.1 _
e car 3.
J .5
JO
2.5
! , I V ~ VII:
,
,,
2 J 4 5 6 VIII .. 3.6 V
O 2
,., J

,"
4 6

Fil:urn 6·22, ltI) Lin ea de ca rg a, y lb¡ carnr tc rfsrir a de tran sfe rencia de (e lis ió n del inversor del Ejemplo 6·"(, La ca rga de
ac unrulacién tiene WIL '" 1 sie ndo la relación de' avpectn del e xcitador i ~ II ;1I ;. Ia unidad ,
236 Microelectr6nica moderna

Una subsiguiente disminución de la citada relación se traduce en una mejora del margen de ruido y en
unos niveles lógicos definidos más abruptamente. Sin embargo esto sólo se puede lograr a expensas de
ocupar más área del chip ya que debe increme ntarse la longitud de Q2. Por tanto. los diseñ adores de
circu itos deben compaginar la mejora de las prestacio nes con la reducción de la densidad de co mponentes.
La práct ica indica que relaciones entre 1/4 y 1/5 perm iten llegar a soluciones de compromiso aceptables.

l D2, p.A

25' "G.\'2 -9.0 V

m
8.S
200

l1S 8.'

IS. 7.'
+"CC +"DD
l2S 7.'

G 100

7S
' .S
s.o
". ' .S
S.O
".0---1 25
4.S
4.'
3.S
V

(.,
2 3 4 S
• VM'2 '

l')

" ... V
" G.l1 - 6.0 V
300

25. Linea S.S s

" OH :S.7 V ,,
de carga

S.c
4 ,,I
4.'
3 :
2 ~o.! ..:'~ :.: ~+
I _ 8
4.'
3.'
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I
vi ,,"/H
I

'.
3.' VIL " " 4.7 V

2 3 4 S •
2.'
" M'I ' V
2 , 4 s •
1') (d,

FiRura 6·23. (o) Un inversor NMOS con carga lineal; (h) ceracterfsrica de resisrenclede carga; (e) Hneade carga; (dlcaraclerlslica
de ua nsferencíad e tensión.
 Circuitos lógicos bási cos (dig ita les) 237

Ca rga lineal (no sa tura da)

Existe una seg unda r éc nic u para mejorar las prestaciones de un NMOS inversor . q ue co nsiste e n
empicar una rcsístcnci u de carga lineal (óhmic a o no suunumc) . De lo visto e n la Secció n 4-7 se ded uce
que un MOS¡-:'ET uubaj ant e n la región úlunica s¡

(6-30)

En 1,1 Fig. 6 -21a la puerta (1\: Q 2 eslá conect ad a a una Fuente suparud a 1""" = 9 V . Aplica ndo la ley de
Kin-hhoff al lazo G.-S.-D -tier ra-C . te ndremos:

Ve s] - VoS! + V uo - V e;G := O (6-3 1)

por tanto V e .Q - V OS1 == V GC; - VOIl := 9 - 6 = 3 V,

y con VT = 1 V. se c umple la El'. (6-30) de form a q ue Ql se ve obligado a trabajar en su región linea l.

Cons ide remos e l inve rsor de la Fig. 6-23 e n el q ue Q·l tie ne las caract er ísticas rcpresemadas e n la
Pig. 6-2 1a y Q2 las de la Fig. 6 -23b . De la El'. (6-3 1) se gedu ce

V()S 1 := Ve;S 2 - 3 (6-32)

Para cada va lor de VGSl de la Pig. 6- 23b , se determ ina VDS2 medi ante la Ec. (6 -32) . La corriente /D2 para
cada par de valores Ves] y VOS2 se coloca sobre Vosz resu ltando la carac te rística de carga de la Fig. 6- 23b.
Ob sérvese que puesto que Q2 opera en su región óhm ica. la característica de carga es casi lineal. En la
= =
Fig. 6-23{' se ha trazado la línea de ca rga par tiend o de \ 11' \ 1 6-V[)ll e 1m JI)!' La característica dc
transfe re ncia resultant e ( 1'" = \//>1/ en función de l', = \ 'C;.II ) puede ve rse e n la Pig. 6-23d. Esta eur va se
parece m ucho más a la característica ideal que la de carga de acumulación. Ob sérv ese que eligiendo Vee
mayor que VDD en por lo meno s VT' V(I ) "" VDO' Los márg enes de ruido son NM H = 5,7-4,7 = 1 V YNM L =
2,5- 1,7 = 0,8 V. El mayor incon venient e de usar la carga lineal es que se necesitan dos sum inistros de
tensión dis tintos. Muchos sistemas, tanto analógic os como digitales, han de trabajar con una sola fuente
por dive rsas razones (cos te, tamaño, dispon ibilidad o dis ipación de potencia , etc.).

La carga de deplexión
El empleo de un transistor de carga NMOS de deplexión (Fig. 6-24) es una tercera forma de mejorar
la actua ción de un inversor. Esta configuración aparece por primera vez en la Fig. 4-29a y se hace uso de
ella en e l Ejemplo 4-4. Las carac terísticas de de plexión de Q2 se muestran en la Fig. 4-29b repit iénd ose
para mayor comodidad en la Fig. 6-24b. El MOSFET de ac umulación Q I es e l mismo q ue se e mplea en
otros inversores comentados e n es ta Sección (F ig. 6-23c o 6-24c). Procediendo como en el Eje mpl o 4-4
se o btiene n la línea de carga de la Hg. 6-24c y la caracrertstíca de transferencia de la Fig. 6 -24d. Como
con la ca rga lineal, VJ I) "" V/)o pero VrÁO) es de ta n só lo de unas pocas décimas de volt. Obs érvese qu e la
curva de tran sferencia se aprox ima mucho a la característica ideal. Los márg enes de ruid o conseguidos
son NM H = 2,4 V yNML = 2, 1 V.
A pesar de q ue para fabrica r dispositivos de dep lexión y de acum ulación en un solo chip se requi eren
pasos adicionales en el proceso, la gran mejora o bten ida en su funcionam iento hace que esta configuración
se emplee mucho en los ci rcuitos lógicos NMOS actuales.
238 Microelectrónica moderna

_------+1.0
40

30
__- - --.o.,
Caracteríslica de carga
20

10
___- --+--<l.., VGS - - loS V

O, 1 ) 4 s
lb)

~o . V

,1==:::',s.,;A
:~

~.6V- I·n !',,. ~ 3.4 V

0'2 ) 4 5 6
00 ~)
Figun 6·24. Inversor NMQS con carga de dep lu.i6n: (a ) Co nfigu ración del ci rcuilo; (h) ca racrertstíca lensión- co m ente de
declexién ; {(") linea de carga; (d) cerecrertsnce de n ansferencia.
11•• V

, la Carga de deplexién W I
[F ig. 6 - 24(dl )
L -4
s 2b Lrnee de carga W I
L -¡ [Fi,.6-B(dll
4 W 0 -I
3e Carga de salur~ci6n - (Fil · 6-22(b)J
L 4
)
4d Carga de saluración 7W - 1 (Fi¡.6-2I(b)1
1

2 ) 4 S 6
Flgura 6-25. Comparación entre las carxterfsticasde transferencia de tens ión en un invCflOfNMOS con do!; cargas de IC1Jm u[ación
distintas. una carga lineal y una carude deplcXiÓfl.
 Circuitos lógicos básicos (digitales) 239

Resumen
Los tres métodos empleados para mejorar la actuación de un inversor son: reducir la relación WIL,
utilizar una carga lineal (no saturante], y emplear una carga de deplexión. En la Fig. 6·25 están
representadas las características de transferencia de cada uno de los cuatro casos presentados en esta
sección. Estascurvas demuestran claramente que la carga de deplexión (curva la) es la técnica más eficaz.

6-6. RETARDO DE PROPAGACIÓN DE UN INVERSOR NMOS

El retardo de la propagación depende de la rapidez con que se cargan y descargan las capacidades del
MOSFET y de las cargas del circuito durante la transición entre dos estados. En relación con el propio
dispositivoexisten las capacidades de puerta-drenaje, drenaje-sustrato y fuente- sustrato. (Si éstos no están
conectados entre sí.) Además, el óxido relativamente grueso introduce capacidades «laterales» con cada
uno de los elementos del dispositivo. (Véase la Fig. 5-2 Yobsérvese que la capa metalizada, el óxido y ya
sea la puerta, el drenaje o la fuente constituyen las tres capas de un condensador.) Todas las capacidades
del dispositivo son dependientes de la tensión haciéndose necesario un cálculo simulado para obtener
resultados aj ustados. Para los cálculosmanuales pueden sumarse todos los efectos capacitivos para formar
un único condensador total C"" como en la Fig. 6-26a.

+ V DD

Carga R,

+VIlO 1" '.

Inlerru plur
gobernado
1"
-"
".
Entrada
Ro.
r'"'
~

(., ± <',
Figura 6·2 6. (a) Inversor NMOS de carga de deplex ion, con carga capaci tiva. (h) Re presentación del c ircuito equ ivale nte.

El inversor en su forma más simple consta de un interruptor gobernado, una resistencia de carga RL y
unacapacidad equivalente G (Fig. 6·26b). Puesto que el elemento de conmutación no es ideal se incluye
IO
,

la resistencia RON durante el intervalo en que Q 1 está en conducción. Cuando QI está en corte (OFF) se
supone que el interruptor abierto tiene resistencia infinita. Consideremos que la entrada esté en V(O) de
form a que V o = V(l ) = VDO; así C'd' queda cargado a VDD' Ahora, en el momentot=O se cierra el interruptor
debido a una transición instantánea de laentrada de V(O) a V( 1). La salidadebe hacer la transición contraria
y G,O/ descargarse hacia V(O). En la Fig. 6-26b está representado el circuito equivalente para t ;:: Ocon el
interruptor cerrado (RONconectada a tierra). El condensador se descargará hacia V(O) = RON VDJ (RON +
240 Mtcroete ctr ánica moderna

R1) con una constante de tiempo 'CHL = C". RoJ?¡/(RoN + R ) .3 La onda de salida para vo( t ) es la de la Fig.
6- 27a, El retardo de propagación t HL' como se ve en la misma figura , es el tiempo que transcurre para
que Vo caiga desde V(l) hasta V' [m~dia entre V(I ) yV(O)]. Obsérvese que
V' = V(O) + 1 [V(I ) - V(O)] = 1 [V(I) + V(O) ] (6.33)

1'(1 ) 1'(1 ) - ---- - - -- - - - -- - c-~-~

---

J"
,, ~ [1'( 1) + 1'(0 )1 1" - - - -

,,
,
_ .1- ~ _ _

J
J

O /pHI. u
~) ~I
Figurll (0-].7 . O ndas de salida de la Fig. 6- ]'6h mostrand o: ( a ) la I ra nsic i '~n de V(I ) a V(O), y (b) la tra nsición de V(O) a V( 1).

El circuito equivalente para la transición de ON a OFF es el representado en la Fig. 6-26b con el

=
interrup tor abierto y con Vo = V(O) en el instante t O, El condensador se irá cargando exponencia lmente
desde VW) hacia V( 1) con una cons tante de tiemp o t m. = C,mR¡. como ind ica la Fig , 6-27 11 . Co mo
RL :> R ON' t Ui » t HL y por tanto ( Uf » tpHL '
Si R L Y R ON fueran constant es: t Uf Y t HL podrían calcularse a part ir de las expresiones analíticas de las
curvas exponenciales de la Fig. 6:27, Srn embargo. puesto que estas resistencias no son lineales (varían
con la tensión) para calcular el retardo de propagación se emp lea un método apro ximado más simple.
Segu idamente veremos esa forma de cálculo basada en la cuantía de la carga transferida a (o desde) C,a"
En una transición de V(1) a V(O) la corriente disponible para descargar C." es ie = ;1)- ;¿ (Fig. 6-26). Esta
corriente varía con el tiempo. y designaremos el valo r medio de ie con 1",.. Durante un interv alo de tiemp o
/'i. t la variación de carga en C/o / es 11(1).1t1t. Si durante este interv alo de tiemp o la variació n de la tensión
de salida es /j, Vo la variación de carga vendrá dada también por Cw/ Ó v o' de donde

I /u J~ ( = c,,,, UV" 16·34 )

con /j, 1 = IpHL ' de la Fig. 6-27a. Ó ", = (V(I )-V(O)]/2 y de la Ec. (6-34)

C"U [V 1
I /'IIL = 21/,,.-1 () - V(O )I (6-35)

El valor de /",.se obtiene calculando ie = io-iLmedido a VOHY a V' = (Von + VoJ /2 y promediando amb os
valores. Así pues

(()-36)

Ejemplo 6-5

Determinar IpHL para el circuito inversor de la Fig. 6· 24a. Supóngase que Cw, = 0,2 pF Yque la señal
de entrada tiene V(O) = 0,3 V Y V(I ) = 6 V.

3 Para co mprobar eslos resultados oosla el eq uiva leme de Thh ellin de la pcrte del circullo quc conliene ROI/' R y VDI>"
L
 Circuitos Mgico.s básicos (digilales) 24 1

Soluci ón

= =
Para calcular I pHl véase en la Fig. 6·24d que la salida está en V 011 Vos¡ 5,8 V Yque la entrada ha
cambiado a V ( 1) = \'r.~ , = 6V . Pa ra es te par de va lores se o bt ie ne la corrie nte i{l = 320 mA de la
Fig. 6-24c. Para el transistor de carga. cuando V,JSI = 5,8 V, VIU } - V/JI)- VIJ.\I -. 6-5,8 = 0,2 V. Las
características de carga del MOSFE:.. de la Fig. 6-24b seña lan que il. = ilJ! = 5 J.1A con V m ! = 0,2 V YV(;.~ ! = O.
= =
A la tensión V' del 50% [Ec. (6·33)J VOS¡= V'" (5.8 + 0,5)f2 3,15 V y VGs / se mantiene en 6 V.
Correspondiéndose con este par de tensiones tendremos (Fig. 6-24c) iD = i1JI = 3 10 IJA. De la caracte rística
de carga de la Fig. 6-24b. en la que V(iI! = O Y V/m = 2,85 V tendremos iL =1m = 20 IJA. Y así, de la Ec.
(6-36) se obtiene

1320 - 5) + 0 10 - 20)
= 303 1J.A
2
y la Ec. (6-35) da
0.2 x IO -' ~ (5.8 - O.S)
1" 111. = 2 x303 x ]{) -¡' = 1.7S ns

Haciendo un cálculo análogo (probl. 6.40) para el retardo de propagación. ya que la salida sube cuando
la entrada cambia bruscamente de V( 1) a V(O), obtendremos ' pUl = 26,5 ns. O bsérvese que tal como era de
esperar ~» ipHL ' El análisis seguido en el Ejemplo 6·5 es sólo aproxi mado, pero concuerda bastante
bien (= Z5%) con el cálc ulo con simulado r.

6·7. PUERTAS LÓGICAS NMOS

Los inversore s de la Secció n 6-5 se pueden modificar para formar puertas NAND y NOR empl eando
múltiples excitadores alimentando una sola carga. El circuito de la Fig. 6·28a es una puerta NOR de dos
entradas (fan-in2) consiste en dos excitadore s NMOS de acumulación idénticos y una carga de deplexión .
Como inversor ideal este circuito se co mporta en forma análoga al de la Pig . 6-28b en el que los
interruptores están abiertos con entradas V(O ) y cerrados con entrada YO) . En consecuencia si una
cualquiera de las entradas, o ambas. de la Fig. 6-28b está en V( 1) queda cerrado un interrupt or y ' ', = V(O )
= O. La salida Yes V( 1) = VD/J sólo si las dos entradas A y B están a V(O) (ambos interruptores abiertos).
En e l circuito real NOR de la Fig. 6·28a. una o más señales de entrada mayores o iguales a VIH hacen
que la salida sea menor o igual a V OL' Só lo cuando amba s entradas estén por debajo de V IL tendrem os ", 2:
V OH' En la Fig. 6-16 los valores de las tensiones de salida y de entrada se designan : VQ ( 1) ? VOH' VQ(O) :5
VOL' V¡( 1) 2: VIH , y V¡(O) :5 VII: Empleando estas notaciones, la lógica NOR queda expuesta en la tabla de la
verdad de la Fig. 6-28c,
Cabe aumentar el número de entradas (fa n-in) colocando exc itadores adicionales en paralel o. El
máximo número de ellos viene limitado por la corriente que el MOSFET de carga puede tolerar y por los
efectos de la carga de la entrada (tal como e,.),
La puerta NANO de la Fig. 6·29a se ha formado conectando en serie los excitado res y la carga. La Fig.
6-29bes el equivalente idealizado y la Fig. 6 -29c es la tabla de la verdad. En la Fig. 6-29 b sólo hay corriente
si ambos interrupto res están cerrados, es decir que tanto A como B deben estar en lógica I para que la
salida sea V(O) = O. Cualquier otra combinación de entradas dará una corriente nula en RL y en consecuencia
v = VOD e y = l. La puerta NAND NMOS de la Fig. 6-29a dará Y = 0.10 que co rresponde a v :5 VOL sólo si
Q Q

A y B son I (tensiones de entrada mayores o iguale s a V/H ) .

Obsérve se que cuando uno o los dos excitadores están en corte se consume muy poca potencia en
cualquier circuito, pero si los dos están en conducción la disipa ción de potencia estática ya no es
242 Mkmelet'/rtJII;m //wtlenw

.v~

y .. lA -t RI
" r

• •
~
•
0, 0,

0,

7
y
l" lb(

, e r
" Estado 0' Estado 0. Estado
.. VIL O .. VIL O >VOH 1
e VIL O ;;. V/H 1 e VOL O
;;. V/H 1 "' VIL O <; V OL O
;;' VI H 1 > VOL 1 <; VOL O

1"

Fi¡:unl ó· ZII. ( n) Puert a N"" NMOS : (h) su ruprcse ntxclón idealizad a; ( e) tah la de la vcn.laO.
-tVOD

t V oo

, • r
Y ~"' B

0,
" y e .<4B " Estado. 0' Estado
" Estado.

O V¡ IO) O V.. ru 1
, " V. IO)
VI(O) O .m
l' 1 l'..( 1) 1
V..ll ) 1

). VI(l ) 1 V¡IO ) O
VjO } 1 Vllll 1 V..(O) O

7
.J,.
l" lb( 1' 1

)'¡gura 6·29. (el ) Puerta l'lANf) NMOS de dos e ntradas : Ih ) su representación idealizad a: (e ) labia de la ve rdad.

despreciable. La puerta NA NO consume potencia sólo du rante una de las cuatro condiciones de entrada
posib les. mientras que la puerta NOR disipa potencia dura nte tres de los cua tro estados. Sin embargo. la
NOR aventaja a la NANO en que lodos los terminales de fuente de los excitadores están conectados a tierra.
Esta conexión permite que cada sustrato quede conectado directamente a su terminal de fuente Facilitando
la Fabricació n.
Una importante part icularidad en la Fabricación de circuitos NMOS es el hecho de que requiere un solo
transistor de carga independientemente del número de sus entradas . lo que influye notablemente sobre la
densidad de component es alcanzable. Además, aun cuando la relación W/L del MOSFET de dep lexión
 Circuitos lógicos b ásicos (d;gilalesj 243

necesita más área de la ocupad a por cada excitador, ello no representa un aumento significativo de la
superficie total del chip ya que sólo se necesita un transisto r de carga .
Las configuraciones de circ uitos MOSFET comentadas en esta sección son una forma de lógica de
transistor directamente acoplado (DCTL) que ya fue tratada al desarrolla r los circuitos lógicos bipolare s.
Otro ejemplo de DCTL emp leando MOSFET es la puerta AOI (AND-OR- INVERT) que se verá en la Sección
7-1.

~~ , V

+ V DD + ¡ 'IJO VI cortado
s

)<
,.{
Carga
PMO S 4
O'
J QI y Q2
»,
conducen

r
Excitador
NMOS
O' d- Q2 conaoo.
•
O ~" V
O 2 J 4 s
'" '" '"
Fig ura 6 ·.10. (a) Diagrama de c ircuito de un inversor ( MO S; (b) Sil re prescmacién equivalente de intertuprorc s; «'1carac tcnsuca
de transferencia de tensión del sistema e n (a) con Vllll = :5 V Ytens iones umb ral de 2 V(Q I) y -2 V(Q 2)

6·8. EL INVERSOR CMOS

Los circuitos digita les complementa rios meta l-óxido-semiconductor son muy empleados por lener la
ventaja de virtualmente no tener ninguna disipación de potencia est ética en ninguno de los dos estado s de
lógica I o O. El inversor básico CMOS , descrito ya en la Secci ón 4-15 tiene la configuraci ón de la Fig .
6·30. El excit ador NMOS y la carga PMOS conectados en serie son dos transistores de acumulación, Sus
drenaje s están unidos y la señal de salida se toma en este nudo. La seña l de entrada se ap lica s imullánea-
mente a ambos disposi tivos en el terminal común de puerta formado al conectar entre sí amba s puertas .
= = =
La tensión de entrada v; varia entre VeO) OYV(1) Voo' Cuando v, Otendremos VGSI OYQI está en =
corte (OFF) mientras que VGS1 = -V/JI) Y el PMOS Q2 está en condu cción (ON), No obstante, puesto que los
dos FET están en serie, la corriente en Q2 es igual a la de Q I (1m - 1m = Ol aun c uando la tensión de
puerta tenga un valor que te ór icarnenre provocaría la conducción, En otras palabras: Q2 opera en el origen
de la característica de salida del PMOS correspondiendo a una tensión de puerta \1(,_, .\. = - \1" >, . Puesto que
VI J.U - O se dedu ce que "1, = V/J/J' Se ha cumplido la inversión porqu e 1'" = V (1) cuando v, = V (O).
Supongamos ahora que Vi = VDO = VGIl; entonces Q l está en conducción. pero Q2 con V(¡Sl = Oestá en
corte. Por tanto //)/ = -/ IJl'" O Y QI trabaja en el origen de la característica de dren aje del NMOS
independiente de Vcs r Ya que la tensión a través de QI es cero, Vd = O, Nuevamente se llega a la propiedad
del NOT; vlJ = VeO) cuando 1'; = V( Il, En cualquier estado lógico QI o Q2 está en OFF y la disipac ión de
potencia en reposo es teóricame nte nula, En realidad, esa potencia es igual al produc to de las corrientes
de fuga en OFF por Voo lo que supo ne unos pocos nanowatt por puerta.
De los razonamientos anteriores podemos deducir que el circuito de la Fig. 6-30b es análogo al
funcionam iento de un CMOS . Como siempre ha de haber un interrup tor abierto, no existirá corriente
alguna entre la tensión de alimenta ción y tierra y por tanto también la potencia será nula, En una situación
ideal la conmutación es instantánea sin con sumo de potencia dinámica . En el próximo párrafo demostra-
remos Que en la práctica la potencia din ámica no es cero .
 244 Mtcroetectron íca moderna

+1 1>1)

Excuad orev
L._ _ 'I _ _ /,_ _" ' NMOS H

,., <b ,
Figura 6· JI . Pucna "UM CMOS: ( a) c!itjucma del circuuo ; (b ) rcpresemación ideal.

=
Consideremos el circuito de la Pig. 6-3Oa en el que VDD 5 v, Q 1 tiene Vr 2 V. Y Q2 tiene Vr -2 = =
V. Supon gamos que el factor de proce sado k y la relación W/L sean las mismas para el PMOS y el NMOS .
De nuestros anteriores razonamientos deducimos que con VI S 2 v, Q l está en corte y con VGS2 S ~ 3 V. Q2
está en conducción. La tensión de salida en estas condiciones es vu - Vuu= 5V. An álogamente con Vi ~
3 V. V (;\ ~ <!: -2 V. cortando Q2 y pasando Q 1 a conducción de forma que la salid a sea V(O) = O v. Siri
embargo. creciendo v, desde cero en el es pacio 2 <vi <3 V estarán los dos dispositivos conduciendo con
10/ = -Imy decreciend o vodesde 5 a O V. En V¡= 2,5 V, 1'0 - V/JI/2 - 2.5 V como se veen la característica
de transferencia de la Fig. 6-3Dc. Obsérvese que la curv a de esta figura se acerca mucho a la carac terística
del inverso r ideal de la Fig. 6-140 . Con los dos dispositivos en conducción durant e la transición entre
estado s(2 < \ ~ < J V) circula una corriente en el circuitoconsumiéndose potencia dimlrnica.Frecuent emente
esto es un factor significativo en los sistemas integrados a pequeña escala de tecnología C MOS. En general
en un sistema digit al se pretende una alta velocidad de acción. lo que corresponde a un tiempo de ciclo
corto 1, ,, y una frecuencia alta f ni' (Hg. 6- 19). La disipación de potencia dinámica aumenta y muy frecuente-
mente se necesita una puerta lógica para los cambios de estado . La potencia media consumida por una
puerta e MOS es proporcional a la frecuenciaf cK'

6·9. PUERTAS LÓGICAS CMOS

Las puertas NAND y NOR complementarias metal- óxido- sem iconductor pueden formarse a partir del
inverso r básico cas i en la misma forma que con la tecnología NMOS . Sin embargo. la principal diferencia
estriba en que cada excitador NMOS requie re su propia carga PMOS4• En consecuencia los integrados no
tienen tanta densidad de componentes como los circuitos NMO S.

La puerta NOR
En la Fig. 6-320 está representado un circuito eMOS NOR de dos entradas, y en la Pig . 6-32b la
repre sentación mediante interruptores ideales. Los excitadores están conectados en paral elo (como en el

4 En la Sección 9-S seesrudia una fonna de ctrcuno CMOSen el que se reduce el número de PMOS de carga.
 Ctrcuttos toglcos básicos (digitales) 245

i' i'
G.
l Q' nOfnlJl
.:.L PMOS

!_~
·0 '
v,
S

G
T
D

~~IOS
vo
I~~
V(I 1'i VCOJI e
e e
,., ,,'
'"
t'ijtu ra 6-32. ( a ) Puert a de transmis ión C MOS : (b) la tensión de e ntrada e, v ( I I y la de gn hicn m se co ns ide ra V( 1) a l principio. )'
lu ego V (()): k ) , ímoo lo del circu ito.

NMOS) pero las cargas lo están en serie. La necesidad de esta disposición se hace evidente al analizar el
circuito de la Fig. 6-3Ib. Con cualquiera de los dos A y B en lógica 1,I a salida queda puesta a tierra. No
existe ningún caminoentreel nudo de salida y el suministro de potencia Voo' Si tal camino existiera haría
que Vo = VDD en contradicción con la ley de Kirchhoff. Poniendolas cargasen seriesi una o las dos entradas
están en 1 uno o los dos interruptores de carga permanecen abiertos, Y análogamente, si ambas entradas
están en V(O) ambos interruptores están cerrados abriendo un camino desde la salida hasta VDD '

La puerta NAND
La puerta CMOS NAND se forma conectando en serie los excitadores y en paralelo las cargas. Esta
configuración apareceen el Problema 6-48.

La puerta de transmisión
La configuración del MOSFETcomplementario de la Fig. 6-320 actúa como puerta de transmisión
(digital o analógica) gobernada por las tensiones complementarias e )'
C. Consideremos una lógica
positiva con dos niveles lógicos VeO) y V( 1). Supongamos que e = I de forma que V C I =V(I ) y VC1 =V(O)
como en la Fig. 6·32b, (prescindamos por ahora de los valores entre corchetes). Si A = V( 1), entonces V(¡,~ I
=V(l )- V(l) =O YQ I está en OFF. Peco I vG51 I =V(l )- VeO) > Vr y vr;Sl es negativo motivando que el
PMOS Q2 entre en conducción, Puesto que no hay ninguna tensión de drenaje aplicada Q2 trabaja en la
región óhmicaen donde VVS1 '" O. Dicho de otra forma: Q2 actúa como una pequeña resistencia conectando
la salida con la entraday B =V(I) =A. De forma similar se puede demostrar que si A =V(O) entonces Q2
está en OfF mientras que Q 1 conduce y B = V(O) = A.
Consideremosel caso en que e =ode forma que vGI =V(O) y VGl =V( 1) como indicanlos valores entre
corchetesde la Fig. 6·32b. Si la entradaes V( t ) como se indica, entonces vGSI es negativa y el NMOS Q t
es OFF y vG51 = OestandoQ2también cortado. Como ninguno de losdos FETconduce, tenemos un circuito
abiertoentre entrada y salida y por tanto queda inhibida la transmisión a través de la puerta. Si la entrada
es V(O) nos encontraremos otra vez con que ambos dispositivos estén cortados, En resumen, si e = Ila
puerta transmite la -mrada a la salida de forma que B = A mientras que si e = o no hay posibilidad de
transmisión.
246 Microelectrónica moderna

r- - -- - - -- - ---- --¡
I + J' lJlJ I
I I
I I
I

I
I
..1 H I
" I
I

L JI
Puena básicaNOR Inversor I Inversor ~

Doble separación

Figura 6·33. PuertaNOR CMOSde dos entradas con doble separacióndebida a los inversores 1'12.

La n del PMOS está unida a V(1) , la más alta tensión positiva del circuito, y el sustrato p del NMOS
a V(O) , la tensión más negativa . El símbolo de una puerta de transmisión es el representado en la Fig.
6-32c. El control e es binario (sólo puede tener uno de los dos valores), pero la entrada Vi puede ser o bien
digital, como se ha visto en párrafos anteriores, o bien una señal analógica cuyos valores instantáneos han
=
de estar entre V(O) y V( 1). Por ejemplo, una señal de entrada senoidal con V(O) -5 V Y V( 1) = + 5 V (y
cuyo valor de pico no supere los 5 V) aparecerá en la salida si e = l (vG1 = + 5 V), pero no se transmitirá
a través de la puerta si e = o(vG1 = -5 V).

Familias lógicas CMOS

Los circuitos lógicos complementarios de metal-óxido-semiconductor se pueden adquirir en el
mercado como subsistemas de integración a pequeña y a gran escala. Las familias lógicas CMOS son las
de las series 4000B . 74C y 74HC estando todas ellas fabricadas con puertas de polisilicio. Los circuitos
de estas series pueden operar a tensiones de alimentación tan bajas como 3 Votan alias como 20 V. una
circunstancia que proporciona al diseñador una considerable flexibilidad. Cuando trabaja con una
alimentación a 5 V, cada salida es capaz de estimular una entrada de una puerta TTL de la serie 74LS (esta
serie será tratada en la Sección 6-13).
La Fig. 6-31a corresponde a la estructura básica de la puerta NOR en esta familia lógica. Las salidas de
estas puertas están doblemente separadas, es decir, que la salida de la puerta básica constituye la entrada
al primero de un par de inversores en cascada como se ve en la Fig. 6-33 . Los inversores en cascada no
afectan la función lógica llevada a cabo . Sin embargo, las dimensiones de los MOSFET del inversor 2 son
mayores, con lo que su salida es capaz de excitar muchas puertas similares (son corrientes «tan-out» de
más de 50). La salida doblemente separada de la Fig. 6-33 también puede alimentar una carga no incluida
en el mismo chip que la puerta NOR con mayores capacidades de las conexiones.
La familia de circuitos CMOS más moderna es la serie 74HC que utiliza métodos de fabricación más
avanzados para reducir el tamaño del conjunto. En consecuencia el retardo de propagación es menor que
el de otras familias CMOS. Esta familia CMOS de alta velocidad también puede excitar la entrada de una
 Circuitos lógicos básicos (digitales) 247

puerta 1TL 74LS con retardo de propagación comparable, y al igual que con cualquier circuito CMOS la
disipación est ética de la puerta es extremada mente poca. Como sea que la característica de transferencia,
particularmente con la doble separación. es t é muy próxima a la del circuito lógico ideal. los márgenes de
ruido son amplios y las puertas CMOS gozan de una buena inmunidad ame el ruido.

6-10. EL INVERSOR BJT

El inversor BIT de la Fig. 6-34a es simplemente el transistor interruptordescrito en las Secciones 3·5,
3-6 y 3-8. Las características de transferencia pueden deducirse de la siguiente forma:
l. Con i -, S 05 V = \!,• la tensi ón de corte. (véase labia 3- 11el BJT est á cortado y despreciando I ClJ la
tensión de salida es l' «e- . "
2. El transistor es escasamente conductor cuando V¡ es ligeramente supenor a U,5 V y la pequena
corriente de colec tor que se forma hace decrecer "" desde V"" en 1, R".
3. En la región activa directa. Btff "JI., = n.? V e l e = ~f JO/,,' Y
!JI - VB t"l O NI (6 -)7)
' ,1 =
La tensión de salida viene dada por

(6-)8)

Braonces, según la Ec. (6-38) v. decrece con v¡

-.
" tt
,,
,,
,",,,
"I B,

i'
• •
" _
-, B,
-. __u " 8 Pendien te =·1
•
" ¡
<b ,
Figura 6·34. (a ) Crrccuo: (h) '" e de transferencia de un inversor 8 1T.
caracterrsuc

".
( 'une A

,,
,, ACliva

,, directa

,, 8
~·ot · Va ..." ----r----
°0 Vu .. •.,tC ....... . ',. "
Figu r. 6·35 . Reprcsetltación con trazos recios de l. car.clerfslicl de lTlrIsrerencia de un inversor BIT.
248 sticroetectrónic« II/ tu /t'mll

=
4- El crecimtcnto continuado dC" \', satura lige ramente clunnslsror y \'" 0.3 V. Con \'" =0 ..1 V puede
hallarse ". por la Ec . 16-3M ) e 1/1 de la Be. 16·3 1).
5. Un poste rior aumento de ", salura fuert emeruc cl tmnsisto r y l '" = \ '1 1 ",," = 0.2 V.

La caracte rística de transferencia res ultante pued e verse e n la Fig. 6· 34b. En esta m isma figu ra se han
señalado los puntos de pend ien te - 1 de forma que se pued en determinar V"'H' VOL' VIL Y V/H' Observemos
(¡ue Vellf = V(( . y VII. vale a proxi mada mente VI./ll fJ., ,! = n,7 V. Obs érvese asimismo qu e VOl. es. ta mbién
=
apro ximadamente. Va tM 1 0 ,2 V siendo VIII e l valor de v ; co rres po ndiente a ' ', = 0 ,2 V obtenido de la Be.
(6 -3~O . Basándonos en estas observac iones trecneruemerue es con veniente representar la caractcrlstlca de
transferen cia como en la Fig. 6 -35 . Los tres segme ntos recto s representan e l es tado de l circuito cuando e l
BJT es tá en las reg iones de co rte, activa directa y saturación. Los valores de VOI/' VIL' VOL Y V/H se dedu cen
de los dos puntos de q uiebro A y B. El punto A repre sen ta la transición desde co rte a act iva d irecta, mien tras
q ue en B e l transistor es tá en el límite de saturación. La ca racterística aprox imada de la Fig. 6 -35 dn
sufic iente precisión pa ra los cá lculos manu ales o btenié ndose result ados más aj ustados de los cá lculos
s imulados.
La caracterís tica de la Fig. 6· 35. con valores de VOL = 0 ,2 V Y VII. = 0 ,7 V da UIl O S márgenes de ruido
a lgo op timi stas. Los diseños más conservado res part en de Vm. = 0 ,3 V (VCE e n el borde de saturación) y
=
V'L 0 ,5 V. la tensión de co rte. El valor de V/H pued e regularse ajustan do R, o Rc ' Co n un va lor de Rc
dad o, la red ucc ión de R, hace qu e e l UJT se sature co n un va lor más bajo de 1', (véase Ec. (6-38)J. El mismo
efec to se co nsigue aumen tando Rc co n RB fijo.

Inversor de tra nsistor Schott ky

Para llevar un BJT hasta saturación ex iste un a lim itació n debida a que e l retardo de prop ag ación
aumenta al aumentar e l tie mpo de alm acenamien to de port ado res minoritario s (ve r Sec o3-8). Este e fec to
no se da en el MOSFET puesto q ue el FET es un dispositivo de po rtadores mayoritanos. Po r tan to. eltiempo
de alm ace namient o no se toma en con side ración e n las Figs. 6 - 19 y 6-27. Para evitar la saturación de un
transistor bipo lar se co nec ta un d iodo Sc houky e ntre la base y e l co lec tor co mo en la Fig. 5- 13a. A es ta
co mbinación se le denom ina trans istor Schonky y se la repre senta co n e l símbo lo de la Fig. 5- l3e. En la
Seco 5-3 se descri be la fab ricac ión de este di spositivo y se explica e l porqu é un tran sistor Sc bou ky no
puede llevarse a saturació n.
La base de varios de los circuitos TIL más comentes descr ito s e n las Seco6 -11 a 6- 13 es triba en la
mayor ve loc idad de conmutació n qu e se o btiene con los transistore s Sc ho uky.

6· 11. LA PUERTA TTL NAND

La tecnolog ía de integraci ón a peq ueña esca la (SS !) más e mplead a e n las dos últi mas décadas
( 1966~ 19 85)ha sido la de la familia lóg ica transistor- transis tor (TIL) . La pue rta NANO es e l bloq ue
co nstructivo TIL básico, y Sil desarrollo procede de un a anterior familia ló gica bipolar integrada llamad a
lóg ica diodo-transistor (DT L). Como ayuda para e l aná lisis de la pue rta NAND TIL p uede ser ú til e l
siguiente eje mplo desc ribiendo e l c ircuito NAND DTL.

I!.'jelllpl0 6-6
 Circuitos lógicos básicos (digi,alt.f) 249

La puerta NANO D11.. de lógica positiva de la Fig. 6-36 es esencialmente un circuito ANO de diodo (Fig.
2-13) en cascada con un inversor BIT. Las entradas binarias A, B Ye tienen niveles lógicos correspon-
diendo a las salidas V(O) y V( 1) de puertas semejantes. Los parámetros del BIT son: V, = 0,5 V, VlE I()N, =
0,7 V, Vu ,...., = 0,8 V Y VCE ,.... , = 0,2 V. La lensión de corte del diodo es de 0.6 V Y cuando conduce la
caída de tensión a su través es de 0.7 V. Supóngase que Q no esta cargado por la etapa siguiente: (a)
Comprobar que el circuito funciona cnmo puerta SASO pam P, < P, ._ .' (M Hallar P,._ : (c ') i.Fundunar;í
el circuito si no se emplea D 2'!

Soluci6n

(a ) Los niveles de salida del inversor BJT (Fig. 6-35) son VeO) = Ver ,.,.H= 0,2 V YV( 1) = VCT = 5 V.
Si por lo menos una de las entradas está en VeO) su diodo conduce y V = 0,2 + 0,7 = 0,9 V. Puesto que se
necesita una tensión de 2 x 0,7 = 1,4 V para que DI YD2 conduzcan,'estos diodos estarán en corte y V~E
=O. Puesto que lutensión de corte de Q es 1'7 =0,5 v. Q esni en OH'. 1;1 salida se eleva hasla .5 V e Y = 1.
Esto confirma las tres primeras líneas de la tabla de la verdad de la NANO de la Fig. 6· li b.

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r ,
D
, , -s-: ,,,L __
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D DI DI _ _ _ ___ _ _ _
r
Ci rru ilo enb"ada
D RJ I --¡;-- Q
"j i
r- -
ell.pl. siguie nle
(S .nl 1

Lo. T

Flgur. 6·36. Puena NlVID de lógica pos ilivl Tran sislOf-Diodo (DTL).

Si todas las entradas están en V( 1) = 5 V supondremos que todos los diodos de entrada estén en Off ,
que D I YD2 conducen y que Q está en saturación. Si estas condiciones son ciertas, la tensión en P es la
suma de la caída en los dos diodos más V., rJO/! o sea V, = 0,7 + 0,7 + 0,8 = 2.2 V. La tensión a través de
cada diodo de entrada es 5-2, 2 = 2,8 V en sentido inverso justificandoel supuesto de que O está en OFF.
Determinemos ahora la corriente de la base de Q

J, ~
V I I ' - \'1'
~
5 - " O.56tJ l1lA
R, 5

,, ~
\ 'If' h~"
R,
:
O.H
-
5
: 0..160 OlA

1" = 1, - I ! = 0.560 - 0.160 = O.4IXl mA

Admitiendo que P, > P, ,_. este valor de- l . satura Q y hace que "" = \'( I ) = \ '11._. Yconfirma la última
línea de la labia de la verdad de NAN O.
(h) El valor de P, ,_. es le ,_11,.
25(1 ,' ¡;('rtJt'It'('u ú ll i m 1II11l1t'rlW

5 - 0.2
= 2.182 mA
2.2

. = l ,,_n = 2.182 = 546

f3 A mln) lB 0.400 .

Así, con ~F ~ 5.46 el supuesto de que Q esté saturado es válido.

(c) Si por lo menos una de las entradas estéen V(O). entonces V,. =0.2 + 0.7 = 0.9 V. Por tanto. si entre
el PUnlO P y la base B hay un solodiodo DI , entonces V1J1, = 0.9-0.6 = 0.3 V represenrandoü.é V la tensi ón
de corte del diodo. Puesto que la tensión de corte de la hase es V, = 0,5 V, teóricamente Q estáen corte.
Sin embargo, éste no es un diseño verdaderamente conservador. ya que una pequeña punta de ruido
(> 0,2 V) pasará Q a ON. Un diseño más conservador emplea (res diodos en serie en lugar de los dos
señalados en la Fig. 6-36.
Enloscomentarios anterioreshemos supuesto. fuerade la realidad.que la puerta NAND no tenianinguna
carga. Si excita N pue rtas análogas podemos decir que su ..Ia n-out» (salida en abanico) esN. Bl rransisror
de salida acula ahora como ..sumidero» de la corriente en la entrada de las puertas que excita. En airas
palabras. cuando Q est é saturado (Y = O) la corriente de entrada l de una etapa posterior (Fig . 6-36) se
suma a la corriente de colector de Q. Supongamos que lodos los diodos de entrada a la siguiente etapa
(considerada como una fuente de corriente) están altos a excepción del excitado por Q. De esta forma.Ja
corriente en este diodo es 1= (5-0.9)/5 = 0.820 mA. A esta corriente se le denomina carga normal. Ahora
la corrieme toral de colector de Q será le = 0.820N + 2.182 roA. siendo 2,182mA la corriente de colector
descargado hallada en la parte a del anterior ejemplo. Siendo la corriente de base casi independiente de
la carga. lf/ se mantiene a su anterior valor de 0.400 mA. Si atribuimos a ~F Im'~) el razonable valor de 30.
el « fan- out» vendrá dado por
le =~F ¡"';.I /IJ' O sea
1, = 0.820N + 2.182 = 30 (OAllO) = 12.0 mA
de donde N =11.97, pero comaN ha de ser un número entero es prudente tomar N = 11 . Naturalmente no
debe sobrepasarse la corriente nominal de Q.
El circuito básico lTL NAND que emplea la topología de la puerta DTL puede verse en la Fig. 6· 37.
Las uniones de emisor del transistor Q I de emisor múltiple de la Fig. 6·37 reemplazan los diodos D-~e l
rectángulo de la izquierda de la Fig. 6·36. Además D 1está sustituido por la unión de colector de Q I. La
unión de emisor y la resistencia de emisor RJ de Q2 de la Fig. 6·37 sustituyen a D2 y R2 de la Fig. 6-36.
Ambo-, circuitos utili zan un inversor de s,llidil tQJ o Q l. La cx plicacicn del funcionamien to de la puerta
TTL es parulc!nala del interruptor DTt.. Así pu és. si por lo menos una de las entradas esul en l/(O) = 0.2
V. enton ces:
V,. = 0.2 + 0.7 = 0,9 V.
Para que la unión de colector de Q I esté con polarización directa y Q2 y Q3 estén ero ON se necesita
que V,. sea de unos 0.7 + 0,7 = 1,4 V. Por tanto, Q2 yQ3 est én cortados (OFF); la salida sube a V = 5 V,
e Y = V(1) . Por otra parte, si todas las entradas están altas (a 5 V) los diodos de entrada (las un~mes de
emisor) tendrán polarización inversay Vp sube a Vcc y lleva Q2 y Q3 a saturación. Entonces la salida es
Va """ =0.2 V e Y =V(O) (y Vp queda a unos 1.6 V).

Actuación del transistor de entrada

Las explicaciones dadas en el párrafo anterior suponen que QI actúe como unos diodos en oposición
y no como un transistor. A las mismas conclusiones se llega si se tiene en cuenta el funcionamiento de
QI como Iransistor.
 Circuitos lógicos básicos (digita les) 25 J

Condición 1. Si por lo mellos IIl1a entrada está baja, v, = 0,2 V. El emisor de Qltiene polarizació n
directa y suponemos que Q2 y Q3 están en corte (OFF). La corriente ICI ( = l) en el colector P debe ser la
corriente desde el emisor a la base de Q2 . Por tanto I e l es igual a la coniente de saturación inversa del
diodo de la unión de emisor de Q2 . Puesto que esta corriente es suma mente pequeña (unos pocos
manoamp erios) 101 » Ic/ fl r Y QI está en saturación. La tensión en P es igual a V O ; (lAIJ+ v¡= 0,2 + 0,2
= 0,4 V. Esta tensión es demasiado pequeña para poner Q2 y Q3 en cond ucción. Esta argumentación
confirma nuestra suposición de que Q2 y Q3 están cortados. y por tanto Y = V( 1) = Voc'
Condición 2. Todos las entradas est án altas. Los emisores de Ql tienen polarización inversa mientras
que el colector la tiene directa porque la base de tipo p está conectada a los 5 V positivos de la alime ntación
(a través de la resistencia de 4 k n ). Por tant o Q 1está operando en el modo inverso (Sec. 3 ~3 ). La ganancia
de corriente inversa PR de un transistor integrado es muy poca «1). La corriente de entrada (ahora la
corriente de colector del transistor invertido) es P../III" La corriente J (ahora la corrie nte de emisor del
transislor invertido ) es -( I + ~II) ItcrEsta fuerte co rriente satura Q2 y Q3 e Y = \/(0). Esto concluye h
argumentación de que la Fig. 6-37 obedece a la lógica NAND.

"
14 H ll "
I LA kil I
R,
t~ H 11
V' r
p

., - I
V'

VJ
R
e , R,
, 't t i kl1 1

~' ,
"T ~

Figura 6·37. Configuración de la puerta básica NANOTrL.

Tiempo de almacena miento baj o

Vamos a demostrar que debido al funcíonamientocomo transistor-de Q 1durante la transición. el tiempo
de almacenamiento t (Sec. 3- 14) queda muy reducido . Obsérvese que la tensión de base Q2, que es igual
a la tensió n decolectordeQ I.es deO,8 + 0.8 = 1.6 V durante la saturación de Q2 y Q3. Si ahora cualquiera
de las entradas cae a 0.2 V. mstaruáneument c la tens ión de la base oc Ql pasa a 1l.9 V. En este momento
la unión de colector se polariza en inverso por 1,6·0.9 = 0.7 V. la unión de emis or está con polarización
directa y Q I está en su región activa directa. la elevada corrie nte de colector J de Q I elimina rápidamen te
la carga almacenada en Q2 y Q3. Esta actuación de transistor es lo que le da al1TL una ve locidad mayor
que la de cualquier otra lógica saturada. Hasta que no se hayan elimi nado las cargas de Q3 y Q2 (de forma
que estos transistore s se co rten) no se saturará Q 1, como se ha comentado en la l.· condición.

Diodos de enganche de entrada

Estos diodos (representado s con líneas de trazos en la Fig. 6·37) frecuente mente se colocan entre cada
entrada y tierra con el ánodo a tierra. Estos diodos no forman parte del circuito con señales de entrada
252 Microetectrontca modenur

positivas, pero limitan a un valor de seguridad las tensiones negativas en la entrada. Estas señales negativas
pueden estar motivadas por resonancias entre Inductancias parásitas de las conex iones y las capacidades
en paralelo.

6·12. ETAPAS DE SALIDA TT L

En los comentarios de la Seco 6· 11 relativos al fan-ou t se tuvieron en cuenta dos circunstancias: ( 1) el

transisto r de salida debe satura rse cuando esté cargado por N puertas. y (2) no debe sob repasarse la
corr iente nominal de este transistor. Ahora añadire mos una nueva cons ideración (dinámica).
En el terminal de salida de la puerta ITL existe una carga capacitiva eL consistente en las capacida des
de los diodos con polarización inversa de las puertas de salida. más cua lquier capacidad parásita de las
conexiones. Si la resistencia del ci rcuito de colector es Rc' entonces cuando la salida pasa de l esta do bajo
al alto, el transistor de salida se corta y la capacidad se carga exponencia lmente desde V CE MI hasta Vce
La constante de tiempo R{e l de esta onda puede sunone r reta rdos de tiempo proh ibitivos para el
funcion amiento de estas puena s.

La etapa en totem
El retardo de salida puede reducirse disminuyendo Rc pero esto aumentaría la disipación de potencia
cuando la salida esté en su estado bajo ya que la ten sión a través de Re es Vee- Va I""¡- En la Fig. 6-38 se
representa una solución mejo r. en la que el transistor actúa como un circu ito activo, sustituyendo la
resistencia pasiva. A esta configuración de salida se le denomina amp lificador totem porque el transistor
Q4 se «asie nta» sobre Q3. También se le deno mina etapa de salida cond uctora de potencia o separador de
potencia.
El transistor Q2 actúa como partidor de fase ya que la tensión de emisor está desfasada respecto a la
de colector (con un aumento de la corr iente de la base. aumenta la tensión de em isor y decrece la de
co lector). Segu idamente vamos a explicar detalladamente el funcionam iento de este ci rcuito exci tador
re ñrténdonos n 1:1 puerta ITL de la ñg . 6-3K.
sv

.." e,
1.4 en
8,
e•
rona

Q'
QI
E,
8,
\
A t( O' />0
r
f--
e,
R
I
e 8, I
I
E, QJ e . .1
f-- ' 'T
,," ___
I
I
JI
J
-
Figura 6·38. Puerta NAND TfL oon satidaen une m. 04. DO Y100n proveen la actuaeién acuva.
 Circuiw.I· /óg;c·O.5 trasteos (d ig i w JI.'.5) 253

Cuando Q2 Y Q3 pasan a saturación. la salida está en su estado bajo. Para este estado querríamos q ue
Q4 estuviera en OFF ¿lo está? Obsérvese que la ten sión de co lector de Q2 respecto a tierra N viene dada
por:

Puesto que la base de Q4 está unida al colector de Q2 tendremos V-.w = Vc"'~ = 1,0 V. Si faltara el diodo
DO, la tensión base-emisor de Q4 sería

~ '/fI ~ '" \'H "~ - \ '( , .,...." . = 1.0 - n.:! = n.x V

que pondría Q4 en saturaci ón. En estas condiciones la corriente constante a través de él sería
v(( - \-'( ,. ~" .," - V( 1. lo ••• " ) - O.:! - n.:!
100 A = 4h OlA
100
lo que e.. excesivo y malgastado , Ahora se ve clara la necesidad de uñadlr /JO.Con él en su lugar, la suma
de VB E4 y Voo es 0,8 V. Por tanto Q4 y DO están ambos cortados . Resumiend o : si CL. está a la tensión alta
V( 1) Yse excita la puerta , Q4 y DO se cortan y Q 1 condu ce. Debido a la elevada corriente en su región
activa, Q3 descarga rápidamente CL y a medida que ' ', se aproxima a V(O ), Q3 entra en saturación. El
transistor Q3 de abajo del totem es considerado como un sumidero de corriente que descarga Ce
Supongamos que estando la salida en VeO ) hay un cambio de estado debido a que una de las entradas
cae a su estado bajo. Entonces Q2 cambia a OFF lo que moti va que Q3 se corte ya que V S D cae a cero. La
salida se mantiene momenténeamenre en 0,2 V ya que la tensión a tra v és de el. no puede cambiar
instantáneamente. Ahora Q4 se satura y DO conduce. como se puede comprobar

\111 "'4 = \/m ..'...... + V, .... + r., = O.X + 0.7 + n.::! = 1.7 V

y las corrientes de base y de co lector de Q4 serán

) - 1.7
= 2. 36 OlA
14 lA
) - n.:! - n.7 - 0.2
- - -- - - - - - = 'W .O OlA
0 _1

Por tanto si ~, supera ~ F 1...... ' = '("JlB~ = 39,0(2.,3 6 = 16,5, Y Q4 está en saturación. Se puede decir que
Q4 es una fuente que suministra corriente a CL' Mientra s Q4 se mantenga en saturación, la tensión de
salida crece exponencialmente hacia Ve, con la constante de tiempo muy pequeña (100 +Rn;~ + R¡) el.,
siendo Rc.w la resistencia de saturación (Sec. 3· 10) de Q4 y R, (de unos pocos ohms) la resistencia directa
del diodo. Al aumentar l' decrece la corriente en Q4 , que pierde saturación, y finalmente l' alcanza un
valor estable cuando Q4 queda cortado. Por tanto. el valor final de la tensión de salida es: "

t' = \ '" - \ '11/ / - \ '/ ." ~ 'i - ( L'i - n .tl = 3.9 V= \ '( 11
" . , •• , ..... , •• ~ •• ~ ., '

Si se suprimiera la resistencia de 100 O , el cambio de VeO) a V( 1) sería más rápido. S in embargo se

necesita esta resistencia para limitar las puntas de co rriente durante los transitorios de cambios de estado.
En particular, Q3 no pasa a OFF (debido al tiempo de almacenamiento) tan rápidamente co mo Q4 pasa a
ON. Si ambos transistores del totem cond uje ran al mismo tiempo, la tensión de alimentación quedaria
cortocircuitada de no existir la resistencia de 100 n. El pico de corriente librado por la eliminación durante
eltransitorio queda limitado a I("~ + 1.. =39 + 2.4 =41,4 mA si se emplea esa resistencia de 100 O. Estas
254 Microelectr ónica moderna

puntas de corriente provocan ruidos en el sistema de distribuci6n de potencia y aumentan el consumo de

potencia a altas frecuencias.

Salida de tres estados

Para ampliar las prestaciones de un sistema digital muchas veces se hace necesario combinar entre sf
varios chip idénticos (Fig. 7-31). Consideremos un diseño tal que la n-ésima salida Y. corresponda a Y. I
del chip 1, a Y.,J del chip 2, a Y,.¡' del chip 3, etc. Según sea la 16gica especificada se requiere que cualquiera
de las Y. I , Y..z, Y,.¡', ere. (pero s610 una de ellas) aparezca en una salida Y. , Esto se consigue uniendo entre
sí todas las Y. I , Yal , erc., (conexión OR enlazada) y habilitando s610 el i-ésimo chip mientras Y.,¡ deba estar
en Y., La etapade salidaen totem. Tf'Lcde la Fig. 6-38. modificada para incluir la habilitación puede verse
en la fig. 6-3911 Ysu correspondiente circuito de salida de colector abierto en la Fig. 6-39h.
En la Fig. 6-39a si la señal del chip selector o de habilitación (CS) es baja, DI y D2 están en OFF y la
salida está en estado t o en estado Osegún que los datos de entrada sean Oy l . No obstante, si CS está
alto, D I YD2 están ON; estos diodos enganchan Q3 y Q4 OFF, Yla salida Y es realmente un circuito abierto.
Esta situaciónconocida como tercer estado de alta imp edancia permite la conexión OR de las salidas de
varios chips. El circuito de la Fig. 6-39b funciona en forma similar de tres estados. No obstante los
fabricantes designan la configuración de la Fig. 6-39a como salida de triple estado (TS) y la de la Fig.
6-39b como salida de colector abierto (OC).

La característica de transferencia
La puerta 1TL NAND(Fig. 6-38) se convierte en inversor cuando todas las entradas están unidas entre
sí. La aprc xlmacl ón lineal a la característica de transferencia del inversor resultante, representada en la
Fig. 6-40 difiere de la de la Fig. 6-35 del inversor BIT básico. La siguiente argumentaci6n cualitativa
justifica la fonna de tal característica (Fig. 6-40). Se deja para el lector la evaluación numérica de los
valores críticos de tensión (ProbJ. 6-66).
Con Vi <VIL tanto Q2 como Q3 están cortados, Q4 en saturaci6n y la salida es V( 1). En el puntoA, Q2
empieza a conducir. Sin embargo. la corriente producida en Q2 es insuficiente para provocar la caída de
tensi6n VE"'1 = VBU necesaria para poner Q3 en conducción. La disminuci ón de VCN1 mantiene a Q4 en
estado de conducción pero ya no est é en saturación y da cuenta de la disminución de 1"1" Aumentando \','
hasta su valor en B se aumenta la comen te de emisor en Q2 y por tanto Q 3 pasa a ON. Entre B y e de la
Fig. 6-40, Q3 está en su región activa directa y la salida decrece al incrementarse vj (similar a la regi6n
entreA y B de la Fig. 6-35). Al ir Q2 conduciendo más, Q3 pasa a saturación y Q4 a corte (en el puntoC),
quedando la salida limitada a VCE ("" 1 con VI > VIH •

6-13. FAMILIAS LÓGICAS TTL

La familia 16gica TfL original se denomin6 serie 54n4' y usaba el circuito NANDde la Fig. 6-38 (o
con la etapa de salida de la Fig. 6-39 incorporada) como bloque constructivo básico. Para aumentar la
velocidad se añadieron transistores Schouky llamándose aesta familia serie74S. Elretardode propagaci6n
quedó reducido a un tercio a expensas de duplicar la disipaci6n de potencia. No obstante, el producto

, Las series 54 y 74lienen id~nlicas caraclerlsliclJ et~clricas. La serie 54 puede operarenln: los ·55 y + 125 OC mientras que la 74 sóloenlre O
y 70 "C.
 Ctrcuttos togicos b ásicos (digilalrs) 255

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t'i gur1l6••l'J . E1;Ipasde sa lida de Hes e stados gu !lcrlllldas po r 1111<1 señal delchip sc tector u de habilitación (es ); ((1) c unuc m. ( /l) e n
cole ctor ubicno.

'.
A
"~ ,, Q'~

,, 8
, Y QJ w.
,,
Q2

I'u l __ ..J _ e QJ SalUliiCión

"
Figura 6-40. Representacióncon lIazas rectiunecs de la e......cteriSlica de transferenci.. del 'TTL.

retardo-potencia se mejoró respecto la serie 74 . Tanto la serie 74 como la 74S han sido s uplantadas por
la serie 74LS (Schouky de baja potencia ), la 74AS (Schouky avanzada) y la 74ALS (Schouky avanzada
de poca potencia).'
La serie 74LS es en la práct ica (en 1987) la famili a nonnal TIL de uso genera l, en la que la puerta
NANO básica es el circuito de la Fig. 6-4 1. Su topología es simi lar a la de la Fig. 6·38 exce pto que se han
sustituido los BIT por transistores Schottky. En la Fig. 6-41 la designación de los trans istores Q 1 a Q4 se
corresponde con las numeraciones de la Fig. 6-38. Los transis tores con numeración más alta son los que
ha habido que añadir. Obsérvese que el transistor de emisor múltiple Q l de la Fig. 6· 38 ha sido
reemplazado por el circuit o ANDde diodo Schottky (D 1, D2 YD 3). La adición de Q6 elimina virtualmente
el segundo punto de quiebro B de la Fig. 6-40 ya que tanto Q6 como Q3 deben ser conductores para la
corriente ex istente en Q2. Además, debi do a que ambos Q6 y Q3 cam bian simultáneamente, el punto A
de la Fig. 6-40 ocu rre a tensión de entrada más alta. El qu iebro e corresponde JI una tensión de entrada a
la que el transistor Q3 está enganchado debido al diodo Schottky . En con secue ncia, se reduce la diferencia
de tensión entre Vn: Y Vm·
La inclusión de Q5 provee mayores corrientes de carga, cuando la salida es V(l) que la que podría dar
Q4 solo. Obsérv ese que los emisores de Q4 y Q5 van conectados a la salida (a través de la resistencia de
4 Idl). Los diod os D4 y D5 se emplean para aumentar la velocidad en que Q4 se con a cuando la salida
debe cambiar de V(I )a V(O).

, Tlml*!n u islCn ~ cimá lOS en la serie Sol.

256 Microelectrónica moderna

'5 V

120 0
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zo en
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r.s kn

Figura 6-41. Configuración del circuito de la puerta NANOTTL Schottky de baja potencia {serie 54n4 LSj. Los elementos repre-
sentadosen tonosmás claros reemplazan a los correspondienres en [a Fig. 6-38. Los transistores Q5 y Q6 Ylosdiodos D4 y D5 son
componentes adicionales. La numeración de los distintos elementos secorresponde con la empleada en la Fig. 6-38.

Puede verse el funcionamiento de baja potencia comparando los valores de las resistencias asociadas
con el transistor Q2 en las Figs. 6-41 y 6-3 8. Se puede dividir por 51a disipación de potencia conseguible
con una velocidad comparable.
La puerta NANO 74AS es la más rápida de la serie TfL. Se han hecho intentos para minimizar el retardo
de propagación a expensas de la disipación de potencia. La configuración del circuito es semejante a la
de laFig. 6·41 salvo que se emplean resistencias más pequeñas para mejorar la velocidad (menorconstante
de tiemp o) aunque aumenta la disipación de potencia (corrientes más elevada s).
La serie 74ALS se deriva de la 74LS cuyo diseño se utiliza para reducir al mínimo la disipación de
potencia. Como el retardo de propagación también se reduce, esta serie tiene el mejor producto retardo-
potencia que cualquier otra familia lógica . El consumo de potencia se reduce debido al empleo de
resistencias más elev adas y la correspondiente disminución de corriente. La velocidad aumenta por la
anexión de elementos activos tales como tres seguidores de emisor pnp para reemplazar DI , D2 Y D3.
(En la Sec o6-14 demostraremos que la resistencia de salida de un seguidor de emisor es baja, de forma
que la constant e de tiempo resultante también es pequeña.) La mejora de procesos técnicos permite fabricar
dispositivos pequeñ os que a su vez mejoran las características de velocidad de la serie 74ALS .

6·14. CIRCUITOS LÓGICOS DE EMISOR ACOPLADO

La familia lógica más rápida actualmente disponible es la lógica de emisor acoplado. Su velocidad es
debida a usar el interruptor de corriente no saturante basado en el par de emisor acoplado (diferencial)
descrito en la Seco 3-12 y cuyo circuito está reproducido en la Fig. 6-420. En esa Sección se demostró que
 Circuitos lógicos básicos (digitales) 257

todas las tensiones '1 corrientes I c l , l c¡, 1'0 1 '1 Vw respond en a la diferencia de tensión Vd "" 1'r" 1'2 como se
indica en las Figs. 3-38 '1 3·39 que por comodidad se han repetido en las Figs. 6-42b y c. La suma de
corrientes iel + i n - u,JEE = l EE. para todos los valores de las tensiones de entrada 1'\ y vz. Ob servemos que
a efectos prácticos, con Vd 2: 4 V r - 100 mV - 0, 1 V (a temperatura ambien te), i o = I EE.e i n "'" O. La
situación es la contraria con 1'" negativa siendo 1 "" I 2: 4 Vr- Aquí Q I est é virtualmente cortado '1 toda
la corriente está en Q2. Si seleccionamos \11 para que sea una tensión fija de referencia V• • entonces cuando
[a señal de entrada ", = \', cambie de V.. + 0. 1 a V. -0.1 la corriente I fE cambiará de Q, a Q2' La variación
de \1, desde V.-O,I a V. + 0.1 volverá a pasar la corriente de Q2 a Q l , Mientras estos transistores QI y Q2
estén en conducción (- O, I < \'" < 0.1) están en su región activa directa '1 uno cualquiera de ellos es t é
virtualmente cortado si v" está fuera de estos limites.
H' cc

"• QI

" -,---"'-----
.,O"'-- - -- j -- - - '

-U'r - :U'r- "'r "'r 2...T ] ...r .....r

- H'r
<',

_~_o::c ~
_", _

k'
Figura 6-41 , (a ) Par de emisor acop lado co n carac terísticas de transferenc ia de (b) corrien te de colector y (e) lensión de salida,

I I
Obsérv ese que cuando 1'" ~ 4 V r, "", estar é alto y \ '1(' bajo, o viceversa. En t érminos de Boole las
dos salidas son complementarias (si VD' es Y. 1'02 será Y). Las puertas lógicas de emisor acoplado
aprovechan esta circunstancia para habilitar símulr ánea mente ambas entradas Y e Y.

Puerta básica ORiNORde emisor acoplado (ECL)

La topología normal de la puerta ORINORde emisor acoplado es la representada en la Fig. 6-430. Se
obtiene a partir de la Fig. 6-420 empleando una tensión de referencia constante V.. para v 1 de Q2. y con
258 Microelectr ónica moderna

transistoresen paralelocon unaresistenciade colectorcomúnen el lugar de Ql . La Fig. 6-43a corresponde

a un «fan-ln» (númerode entradas)de 2. Si una de las entradas A o B está en V(I) >VR + 0,1, las salidas
serán VOl:::: V(O) y V02:::: V(l), y si ambas entradas son mayores que Vil + 0,1, nuevamente \'01 =V(O) YVOl
:::: V( 1). Sin embargo, si ambas entradasA y B están en V(O) <~R-O~, vo ~ V( 1) YV02 :::: V(O). Por tanto, V02
es la salida OR ( y, :::: A + B ss y ) y VOl en la salida NOR [Yl = ( + ) = 11 como se ve en la Fig. 643b.

La tensión de referencia Vil

La fuente de corriente de la Fig. 6-43 está formada de la manera más simple por una resistencia RE
situada entre el emisor común y el negativo del suministro. A partir de la Fig. 643 (con REsustituyendo
l EE ) aplicando la ley de Kirchhoff al lazo formado por Vil' V/If1' RE y VEEpermite expresar la corriente I en
REcomo 1= (VIl - V,'IE1 + VEE)/R E. Puesto que la variación de VBEl con la corriente en la región activa es
pequeñaencomparación con Vil + VEE' I se mantiene esencialmente constante enel parde emisoracoplado.
Estacorriente constante simula la fuente de corriente l EEde la Fig. 6-42a.
'ú

r2 ~ r (ORI

- I' U
;: Ct : Yl ~ JO ( S OR )

,,,
Figura 6·43. (a) Puerta ECLOR/NOR. (b) 51mbolo lógico. '"
R.
su

--,,,¡
(907

04
o, R.
'. R.
04
•
Ud en ¡ _ V BEIO N '

,~ ¡ R, '.
(4 .98 k l1 ) R.
(6 . 1 kU I

- 1' U' - vu:

( ~5 , 2 0 V) (- S.20 V)
Idl lb)
Figura 6·44. (a)Cír cuilo utilizadopara formar la tensiónde referencia Vft en la puerta ECL (b) Equivalentede Thevemnde la
red de baseempleadaen el ccc unc anterior,
 Circuitos lógicos b ásicos (digitales) 259

El circuito de la Fig. 6-43a requiere tres suministros de potencia (VcC' V i l y VR) . Se puede obtener una
puerta ECL más práctica con un solo suministro (II EE ) poniendo IIcc a OY (a tierra) y derivando II R de la
configuración de la Fig. 6-44a. Para calcular VR obsérvese que el equivalente de Th evenin del circuito es
el de la Fig. 6- 44b , en el que

V B n = ( II EE y (6-39)
- 2Vn ) R" + R, R"
siendo VDla tensión a través de cada diodo.
Si admitimos que lH 4 provoque una caída de tensión despreciable en RB en comparación con V8 /1'
entonces
V H = - V/W - VI/üON I4 ( 6 -4 (J)

Empleando los valores numéricos mostrados en la Fig. 6-440 Ysuponiendo V/) = 0,75 V tendremos,
según las Ec. (6-39) y 6-40)
V _ (5.2 - 2 x 0.75)(0.90 7)
BH - 0.907 + 4.98 = 0.570 V

VI/ = - 0 .570 - 0 .75 = -1.3 2 V

El motivo para elegir V BE ONJ 4 = 0,75 y (en lugar de 0,7 Y) es que para conseguir las velocidades de la
lógica de emisor acoplado dkL) hay que emplear dispositivos de pequeñas dimensiones, lo que lleva a
que los transistores operenacorrientes más elevadas en relación a los valoresde l ES generalmente habidos.
Esta mayor corriente necesita que VBE(ON) > 0,7 V, Y es práctica normal tomar 0 ,75 V para la tensión
base-emisor en los circuitos ECL. Vamos a justificar la suposición de que VD = 0,75 y , Puesto que I D»
l/l~ tendremos, según la Ec. 6~ 440

5.20 - 1.50
= 0.63 mA 16-41)
0.90 7 + 4.98
De la Fig. 5-19a hallamos para el diodo base-emisor con el colector abierto, VD= 0,75 V a 0,63 mA
como habíamos supuesto.

La característica de transferencia
El circuito utilizado para determinar la función de transferencia OR se deduce de la Fig. 6-43 con RE
en lugar de la fuente de corriente l EE como está representado en la Fig. 6-45a. Sólo se ha dibujado un
transistor de entrada Ql ya que todos los otros en paralelo (tal como el Q3 de la Fig. 6-43) se consideran,
a efectos de este comentario, como en no conducción. Para trazar la característica aproximada de
segmentos rectilíneos de la lógica OR se han de cumplir dos condiciones: (1) si v, = V(O), Ql está en OFF,
Q2 en ON y "02 = V(O); y ( 2) si Vi = V(1 ), Ql está en ON, Q2 en OFF y VOl = V(l ).
Para ca lcular la primera V(O) co nside re mos Q2 de la Fig. 6-45a en co nducc ión :

V t: = V R - V Bt.U N = -1. 32 - 0.75 = - 2.07 V (6-42)

V f: - ( -Vt./.) Vf : + Vf :f .
16-43)
u, R,
260 Microelectrónica moderna

I - / - -2 .07 + 5.20 = 4.02 mA 16-44)

C2 - E - 0.779

V 02 = - / C2 R 2 = - 4 .02 x 0.245 = -0 .98 V = V(O)

Vamos a comprobar la pnmera condición , o sea que Q 1 está en OFF cuando Vj =VeO)
VBE1 = VeO) - VE = - 0.98 + 2.07 = 1.09 V

Puesto que este valor es superior al de la tensión umbra l V = 0,5 V, Ql no está en corte y el circuito
de la Fig. 6·45a nofunciona apropiadamente, pero esta dificultad se remedia fácilmente. Para cortar Q 1
el valor de VeO) debe hacerse más negativo lo que se logra con el circuito cambiador de nivel de la Fig.
6·45b , Conectando la baseB5 de Q5 al co lector C2 de Q2 y tomando la salida en el emisor de Q5 tendremos

V ,,3 = V,, 2 - VBF.ON = - 0.98 - 0.75 = - 1.73 V = VeO )

R,
R,
(220m
!' Cl I CI ! (245 n)
el C2 "., T

", QI Ql Y,

V,
• OS
• QS
V,61
VUElONI _
".,
50 kn
"¡ R,
(179 )
so n

- VEE
(-5.2 0 V)

1') (b )

Figura 6·45. (a) Puerta básica ECLcon IEl! originado por RE y VEl!o (b) Circuito desplazador de nivel (seguidor de emisor).

Obsérvese que con la adición de Q5 y con v., = VeO) tenemos

VB F.l = Vi - VI'" = - 1.73 + 2.07 = 0.34 V < VI' = 0.5 V

lo que confirma la condición 1 de que Q1 está en OFF con una entrada VeO) .
Para calcular V(O supongamos la segunda condición, es decir, que para Vi = V(I ), Ql conduce y Q2
está cortado. Puesto que la = O, V02 = OY vos = - V BE (ONl "" 0,75 V = V(l) . Comprobemos el supuesto de
que Q2 esté realmente cortado. Puesto que VE = vr VB~I = V(l)-VBE ( O = -0,75-0 ,75 = -1,5 V, Y Vm =
VR- VE = . 1,32 + 1,50 = 0,18 V. Puesto que esta tensión es menor que =0,5 V queda comprobado que Q2
está cortado.
Hay que advertir que los valores hallado s de VeO ) y V( 1) son sólo aproximados ya que se han
despreciado las corrientes de base y ademá s la corriente en el transistor cortado no es exac tamente nula
(vale alrededor del 2% de su valor en conducción). Si se toman en cuenta estos términos (Prob l. 6·75 ),
V(I) = -0,90 V Y VeO) = . 1,74 V. Obsérves e que estos valores son simétricos respecto-a la tensión de
 Circuitos lógicos básicos (digi/ales) 261

referencia VR = -1.32 V ( 1.32-0.9 = 0,42 = 1.74 - 1,32). En la Fig. 6-46 se representan las características
real y aproximada respectivamente.

~ •. v
VOl - - I. 32 V
V/L - - 1.4J V VJH - - 1.I I V

- 1.6 - 1.S - 1.1 - 1.0 o

o
'0. o. - 0.8
- VoH - - 0 .9 V
- 1.0

- l.2
- - Aproximado
- 1.4

- 1.6

- - - - - - V Ot - - 1.74 V
- 1.8

Figura 6-46. Caraclerfslicade transferencia oa/No~

+ Voc -
.
Ql
+ Vcc ~O

--
~ ~
'"y r
1• 1 - (:;:¡-;SI

I~
R, R, R,
moO) (2'" O) (90 7 0)
il i
111 ~i1
(',..i .I

~~QJ ~~I
V. Elapas de salida
Q2 l DI
del seguidor de emisor
02
R,
'O kn R, (6.1 kn
'OkO (719) R,
(4.98 kn)

i _ V~
t ~.
lraerruptor de corriente Circuilo
de tensión
de referencia

Figura 6·47. Circuito completode la puerta OR/NaRECL{serie 10.(00 ).

262 Mtcroetearontco moderl/a

El arg umento empleado aquí de que Ic es esenci almente cons tante supone que Q2 es té siem pre e n
cond ucció n con V6f = Vn 1011'" Sin embargo. con QI en ON Q2 debe estar e n OFF e lEvie ne determinado
por el nivel de entrada V(I) . Así Ic = (V(I)- V' EI + VuJ/Rc '" ' n' Se deduce (Prob l. 6-76) que ' n es
ligeramente mayor que Jo (co n Q2 en ON). No obstante para tener unas características OR/NOR simétricas .
la tensión In R, cuando Q1 conduce debe ser igual a la ca ída (InRI) a través de RI cuando Q2 está en ON.
De aquí se deduce que RI debe ser lige rame nte inferior a R1 como en la Fig . 6-47 .

Márgenes de ruido
Ge neralmente se determinan V'L y V'Hde forma que la diferenci a e ntre tensiones de entrada de una
corriente de co lector del transisror ors del ! % de la del transistor ON. Los valores de V'L y V/H así obtenidos
difieren muy poco de los dados por los puntos de pendi ent e unidad (Probl. 6-74). Según la Ec. (3-4 1) la
variació n de Vd necesari a para que le/ln = 100 se calcula en Vd '" 112 mV. Por simetría VIN = VJI + 0.112
y V'L = VJI-0.112. To ma ndo V.., = - 1.32 V. V/H =- 1.2 1 Vy VIL = -1,43 V.
El margen de ruido se calc ula por la Ec. (6-29)

NM H = V(m - V/H = - 0.90 + 1.21 = 0.31 V

NM L = VIL - VOL = - 1.43 + 1.74 = 0.3 1 V
Obsérvese que la simetría de la función de transferencia da lugar a igual marge n de ruido. NM H = NML
=0,31 V',

La ca racterística l\;OR
La salida NOR se obtiene del emisor de un cambiador de nivel Q6 (idéntico al Q5 de la Fig. 6-45b)
conectado al co lector de Ql . La característica de transfere nci a NOR está también indicada en la Fig. 6-46 .
Co n tensiones de entrada altas aparecen grandes diferencias entre las características OR y NOR. Al le
creciendo VI más allá de VIIr le, con tinúa creciendo y la salida NOR cae por deb ajo de VOL" No obstante
cuando VIse hace suficientemente grande para saturar Q I la corriente de emisor aume ntada hace aume ntar
Vc' Con VCC\ constan te en Vcc r_ = 0.2 v. fa tensi6n Vn tam bién crece. Por tanto. a medida que "'1sigue
creciendo por encima de la tensi6n a la que se alcanza la saturación de Q1, la salida NOR sube nuev ament e
como se ve en la Fig. 6-46 (Probl. 6-7 3). Sin e mbargo. en el funcionam iento normal se limita a la tensi6n
de entrada.

La etap a de salida
El circuito de la Fig. 6-4 5b. además de ser un cambiador de nivel se denomina también seg uidor de
emisor. Expliquemos el significado de esta voz : puesto que Vle (()N I es prácticament e constante e
independient e de la corriente del transistor. cualquier increm ento de la tensión base-tierra se traduce en
igual incremento de la tensión emi so r-tierra. Asf pues. el emiso r «sigue» a la base en cuanto a las
variaciones de tensión. El circui to es un amplificador de gan ancia en tensió n aproximadamente uno. Esta
conclusión es válida aun cuando varíe la carga exterior de emisor y en con sec uencia la resistencia de salida

1 El mlJ*o de los punlOSde pendimle unidad pAl1l elll cu]u NM H y ~ cond uce I teW1Lado$ nurnairol. que sólo difieren en aJl"nos mi li....ll.
 Circuitos í ágicos luh iL'mi (digita les) 263

R de un seguidor de emisor es extremadamente baja (véase la Sec. 10-12 para el cálculo cuantitativo de R ).
Un seguidor de em isor constituye una excelente etapa de salida ya que proporciona la baja res istenc ia de
sal ida necesaria para conseguir grandes velocidades al excitar una carga capacitiva (las entradas a las
puertas que comprenden la carga).

Topología ECL ORINOR

La configuración completa es la de la Fig . 6-47 cons istente en los tres circui tos principales ya
comentados : (l) El par diferencial conmutador de corriente, (2) la red de la tens ión de referencia y (3) la
etapa de salida seguidora de em isor. Los va lores de los componen tes dados en la figura son los típicamente
usados en la fami lia ECL serie 10.000 que se verá más ade lante en esta m isma sección.
En las puertas ECL no está prev ista ninguna carga interior al chip, y no habiendo ca rga los emisores
de Q5 y Q6 están abíenos . La resistencia de carga de cada segu idor de emisor la dan las conex iones de
transmisión (frecuentemente una líne a de transmisión de SOn) y la res istencia de entrada de la etapa
siguiente. Las res istencias de 50 kQ conectadas entre la base y VEE de los transistores de entrada pueden
suponer la carga para las salidas del exci tador . Obsérvese que sin señal de en trada (A y B permanecen en
circuito abierto) estas conexiones de resistencia aseguran que las e ntradas es tén en VeO). Así pues, las
puertas ECL tienen subida activa y bajada pasiva.
El circuito de la tensión de referencia se diseña de tal forma que VR resulte prácticamente constante,
independ ientemente de la corriente de base en Q2, haciendo 'n
mucho más grande quc l/l~ ' En par le, este
elevado valo r de 'n cuenta para la alta dis ipación de potencia de las puertas ECL. Los diodos IJ I YD2 se
emp lean para compensar la temperatura de la unión base-emisor de Q4 y juntamente con R mant ienen '
igua l a' El '
Como puede verse en la Fig. 6-47 hay dos cone xiones distintas a VeT (tierra) ; una pa ra el segui dor de
emisor y otra para el interruptor de corriente y la tens ión de referencia. El mo tivo de separar estas
conexiones es para ais lar los transitorios de las interrupciones (elevados picos de corriente y de tensión
causados por la carga y descarga de la carga externa y de las capacidades de salida parásitas) que aparecen
en la sal ida de los seguidores de emisor afectando el par diferencia l y el circuito de referencia (etapas
internas). Teniendo las puertas ECL un margen de ruido bajo (0,3 V) esta configuración ayuda a contener
los nive les de ruido .

Disipación de poten cia

Una consecuencia dcl e mpico dc interruptores de corriente no saturante es que V I'I' puede sum inistrar
una corriente relat ivamente alta . Esto supo ne una disipación de potenc ia mayor que la de otras fam ilias
lógicas . La corriente lEA (despreciando las co rrie ntes de base) es:

VII - ( - V II,) - · 1.32 + 5. 2

(),6.\6 m A
Ii, (l. J

Según la Ec. (6-4 1) la corriente del diodoes rf) o:; 0.63 mAy según la (6-44) , ' EE o:; 4.02 mA . La corriente
'v 'n-
total suministrada por VEE es 'r o:; + +1&\ = 0,63 + 4,02 + 0,64 = 5,29 rnA, y la potencia co nsumida
es PD = 5 ,29 x 5,2 = 27,5 mW. O bsérvese que e n este valor no está incluida la potencia suministrada a la
carga por el seguidor de emisor (para la d isipación normal por puerta. véase la tab la 6-4) .
264 Microetectronica moderna

Número de salidas (tan-out)

En las puertas ECL el número de salidas no está limitado por la corrie nte en continua que puede
suministrar la etapa de salida , sino que viene determ inado por la capacitancia de la carga. Cada puerta de
carga que debe ser excitada tiene una capacidad e a la salida de la puerta exci tadora, y con un fan-out N,
la capacidad total será NC. Para conservar la velocidad (tanto de propagación como de subida) de una
puerta ECL sólo puede usarse un número limitado (unas 10) de tales puertas.
La gran velocidad de las puertas ECL obliga a que la transmisión de la señal de una puerta no degrade
la calidad de la señal que tiene un tiempo de subida del orden de I ns. Con la velocidad de la luz en un
semiconductor, que es de unos 1,5 x 108 mIs (aproximadamente la mitad que en el vacío) un tramo
conductor de más de 4 cm supone un retardo de más de 0,25 ns, lo que es comparable con el tiempo de
subida. Por tanto las vías de transmisión de estas dimen siones deben ser tratadas como sistemas de
distribución (líneas de transmisión). Una línea de transmisión mal termin ada puede provocar que alguna
de las señales transmitidas se refleje hacia atrás hasta el extremo emisor. Lo mejor que puede pasar es que
la señal reflejada se combine con el impulso inicial, deteriorándose la calidad (resonancia), y lo peor es
que la señal reflejada se retrase lo suficiente para que aparezca como una segunda señal e introduzca
errores lógicos. Para evitar cualquier reflexión , las líneas de transmisión usadas para interconectar puertas
ECL deben terminarse con su resistencia carac terís tica (usualmen te entre 50 y 100 O).

Familias ECL
La familia lógica ECL más popular es la serie 10.000 (o serie 1OK) que tiene un retardo de propagación
de tan sólo unos 2 ns. Esto se atribuye a la pequeña variación de tensión entre V(O) y V( 1) Yal interruptor
no saturante excitando un circuito de baja resistencia. Existe también en el mercado otra familia lógica
ECL que es la serie 100.000 (o lOOK)s.
La serie IOK está diseñada de forma que la tensión de referencia con compensación de temper atura,
quede siempre entre V(O) y V( 1). No obstante, estas tensiones varían con la temperatura, y los cambios de
los niveles lógicos pueden ser perju diciales. Las modificaciones del circu ito en la serie lOOK hace que las
tensiones V(O ) y V( 1) sean cas i insensibles a la temp eratura,
La serie l OOK es más moderna y por ello emplea técnicas de fabricación más avanzadas, y en
consecuencia consig ue las mayores velocidades alcanzables actu almente, con retardos de propagación
menores de 1 ns. Sin embargo, debido a su circuito de la tensión de refere ncia más complejo, su disipación
de potencia es mayor que en la serie 10K.
La familia lógica ECL trabaja a distintos niveles lógicos y con una tensión de alimenta ción negativa.
Esto es diferente de otras familias lógicas (TfL y CMOS) ex istentes en ci rcuitos integrados a pequeña y
media esca la. A veces es necesario y conveniente co nstruir sistemas en los que las diferentes secciones
que lo forman utilicen distintas familias lógicas. Muchos fabricantes proporcionan adaptadores para
facilitar la interconexión entre puertas ECL y las familias ITL y CMOS, pudiendo ser de TIL a ECL o
de ECLa ITL.

6·15. COMPARACIÓN ENTRE FAMILIAS LÓGI CAS

En la Tabla 6-4 se exponen los datos de funcionamiento de los circuitos clásicos para cada una de las
familias lógicas comentadas en este cap ítulo. Las características específicas q~e se dan en esta Tabla

s Las designaciones lOK y lOOK fueron imroducldas por Fairehild Semiconduclor. Dos series similaru MEClIl Y MEClIII las emplea la
Motorola Campan)" que desarrotl6 la serie orig in. 1MECLI. La serie MECLl I es comparable COn l. toK pero can Un retardo de propagaci6 n de
cas i el dob le. La. MECLIII liene práclicam enle propiedades idénticas a la lOOK pero con subid. más rápida.
 Ctrcuttost ágicos básicos (digitales) 265

co rrespon den a la temperatura normal de trab ajo de 25 OC. El recorrido lógico , que es la diferencia entre
\I,m y V{~ se basa en los va lores m ínimo y máximo respecti vame nte de es tas cantid ade s. Aná logame nte .
NM H = " m{(....; \ .", ,_, ,YNM,. = VH f....4J-Voc(.....,. representan los valo res en e l peor de los casos, Todo s los
de más da tos qu e aparece n en la tabla hall sido ya de fin idos pre viam en te e n este capítu lo.
Comparando los datos de la tabla se llega a las siguientes co ncl usio nes (ya estab lec idas a lo largo del
ca pítulo ):

L La famili a ECL tiene los men ores retard os de pro pagación , lo qu e representa qu e so n los circ u itos
lóg icos más rápidos disponibl es.
2, La familia TIL 54n4 ALS tien e e l mc nor producto retard o - potencia.
3. Los circuitos lóg icos CMOS son los que d is ipan menor pote ncia .

No se han incl uido en la tabla los daros corre spond ien tes a las pue rtas NMOS pues no e xis ten co mo
ci rcuitos integrados a peq ueña y medi a esc ala, aunq ue se utilizan mucho a gran y muy grande e sca la
(capítulo 9 ) porq ue perm iten la ma yor de nsida d de co mponentes en un ch ip de cua lqu ier tecnología , Es
interesante ob serv ar que cualqui era de las cuatro prin ci pa les fam il ias l ógicas vistas en este capítulo es <d a
mejo r» bajo un CiCl10 punt o de vista ,

Ta bla 6·4 Compa ración entre fami lias lógicas

Familia , JI'IÚ ' rrL CMOS· ECL
Parámetro 74 L'i 74 AS 74 ALS' 74 C 74 HC IO K l OO K

Ten..ii lll Ilu mina l de

;llmll'I1I '11·it'oll. V. , , , , , -.'i . ~ -U
\ "' nd >.imu. V 05 1I..'i n.." UA 0..1 ~ 1.7 - 1.7
1',,,, l11 inilllt>, V ~.7 ~.7 ".!.7 ~.~ ~ .~ - OH - H.I)
l '" ma cimo. V tl.l< O.K U.K l.O \.0 - 1..1 - 1.4
1·/IIl11ínilllu. V ~ .1I ~ .1I ~ .O .l..'i .l..'i - I. ~ - \.2
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REFER ENCIAS
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C'o l l1l'¡m)'. ~ 11C \';1 Y oek. 1')1'( .' -

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7 W.fl:" ./mm lfll flISo filJ..\) /¡lff · C¡I"nú'.I. cdícionc-, es pel·i:lks so bre lógica de 1m scnuc ond ucrorcs y Illc mor i:l.
Octubre 1970 hasta e l presente.

TEMAS DE REP ASO

6· 1. ¿Que se entiende por número binario?
6·2 . Definir (a ) lógica pos itiva y (b) lógica negativa.
6· 3. ¿Qué se entiende por lógica dinámic a?
6-4. Definir una puerta OR y esc ribir su tabla de la verdad .
6·5. Evaluarlas siguientes expresiones : (a) A + 1, (b) A + A. (e ) A + O.
6-6 . Definir una puena AND y esc ribir su tabla de la verdad.
6· 7. Evaluar (a ) A 1, (b) AA, ( e) A O. (á) A + AB.
6-8 Definir una puena NOT y escribir su tabla de la verdad.
6 -9 Eval uar las siguientes e xpresio nes: (a ) A; (b) A A ; ( e) A + A.
6-111 Def inir un inhibidor y da r la ta bla de la verdad para A HS.
6 -11 . Definir una en- E xclu siva y dar su tabla de la verdad .
6-12. Mostrar dos diagramas de bloques lógicos para una ca -Exclusiva.
6·13. Demostrar q ue las siguientes ex presio nes de 8 0011.' repr esent an una ca-Exclusiva: (a ) + AB, (b) (A + B) (A +
8) .
6· 14. Enunciar las dos form as de las leyes de Morgan .
6· 15. Mostrar cómo se forma una ANO co n puertas OR y NOT.
6· 16. M o str ar cómo se fo rma una OR con pu ert as ANO y NOT.
6· 17. Definir una pue rta NANO y dar su tabla de la ve rdad.
6· 18. Definir una puen a NOR y dar su tabla de la verdad .
6· 19. Definir (a) fen-out. (b ) Ian-¡n.
6· 20. Definir el margen de ruido.
6·2 1. Esbozar un inversor NMOS con una carga de acumulación.
6·22. Repe tir el tema 6·21 para : (a) una carga lineal, (b ) una carga de dcple xi ón.
6·23. ¿Qué efecto tiene la disminu ción de la relación W/L del tran sistor de carga sob re el funcionam iento de l
inversor?
6·24. Definir (a ) tiempo de subida , (h) tiempo total, (e) retard o de propagación .
6· 25. Esbozar una puerta NMOS NO R de dos entradas y co mprobar que satisface la ecuación NOR de Boole.
6·26. Re petir el lema 6-25 para una puerta NANO de dos e ntrada s.
6·27. Re petir el lema 6-25 para un inversor ANO·OR.
6 · 28 . ¿Qué se entiende por lógica inte rconectada?
6·29. (a) Esbozar el circuito de un inversor CMOS.
(b ) Comprobar q ue esta configuració n cumple la operación NOT.
6-30. Esbozar el circ uito de una puerta e MOS NANO de dos e ntradas y co mprobar que satisface la ecuación NANO
de Boole.
6·3 1. Citar cinco propiedades deseables de las puerta s CMOS.
6·32. (a) Esboz ar el circuito de una puerta de transmi sión empleand o transistore s CMOS.
(b) Exp licar su funcionam iento.
6·33. Dibujar el circuito de una puerta TIL NANO Ye xplicar su funcio namiento .
 Ctrcuitos togicos básicos (digitales) 267

6·34 . Dibujar un separador de salida en totem y explicar su funcionamiento.

6-35. Explicar la función de una puerta TTL de tres estados.
6-36. (o ) Esbozar una puerta ECL OR ( y también NOR) de dos entradas.
(b ) ¿Qué parámetros determi nan el margen de ruido?
(c) ¿Por qué no son iguales las dos resistencias de colec tor?
(ti) Explicar por qué práct icamente no existen picos de potencia.
6-37. Citar y comentar por lo menos cuatro ventajas y cuatro inconvenientes de las puertas ECL.
6-38. Comparar las virtudes relativas de las familia:r.16gicas NMOS . CMOS. TTL y ECL.
 Combinación de sistemas
digitales

A med iados del siglo XIX C harles Babb age admi tió que un sistema digita l debe contener una un idad
de control (lógica), otra arit mética, y me moria (la facul tad de a lmacenar datos) así com o los mecanismos
de entrada y de salida apropiados. Estas unidades se utilizan también en Jos sistemas electr6nicosdigitales
modernos para el cálculo. comunicación y control.
Para proce sar las señales binarias empleadas en los sistemas digitales bastan unos pocos tipo s de
circuito s bási cos. Estos bloque s constructivos elementales se usan repetidamente en varia s configuracio-
nes topológicas para desempeñar funciones específicas. El control y la aritmética binariase llevan a cabo
mediant e combinaciones de puert as lógica s, y como se hizo norar en la Seco 6-3, toda operación lóg ica
puede lograrse con un único tipo de puerta (p. ej. una puerta NANO). También puede construirse a partir
de puertas lógicas básicas una célula de memoria básica; el biestable o FLIP-A.QP (FF) . Debido a que este
es un bloqueconstructivofundamentalen loscircuitos secuenciales.tales como registradoresy contadores,
será tratado en el Cap. 8.
En este capítulo nos referiremos a circuitos cuyo funcionamiento depende de combinaciones lógicas.
El número de funcionesa realizarno es grande. incluyendo la suma y multiplicación binarias, la selección
de daros {multiplexor) y decodificación (demultiplexor). Los fabricantes de circuitos integrados encap-
sulan en UIl chip circuitos y subsistemas para realizar estas funciones y también preparan encapsulados
conteniendo varias puertas. Estos bloques constructivos se encuentran normalmente en el mercado en las
tres tecnologías TIl., CMOS y ECL.

7·1. MONTAJES DE PUERTAS NORMALIZADAS

Las puertas fundamentales descritas en el Cap. 6 se emplean en grandes cantidades aun en sistemas
digitales relativamente simples. En consecuencia es más eficaz y conveniente construir varias (o muchas)
puertas en un solo encapsulado que encapsular individualmente cada puerta. La siguiente lista de
componentes digitales integrados a pequeña escala es típica, pero en modo alguno exhaustiva:

NANO cuádruple de 2 entradas NORcuádruple de 2 entradas

NANO triple de 3 entradas OR cuádruple de 2 entradas
NANO doble de 4 entradas s on-Exclusivo cuádruple de 2 entradas
NANO simple de 8 entradas on-Bxclusivo cuádruple de 2 entradas
ANO doble de 4 entradas NORtriple de 3 entradas
ANO triple de 3 entradas NORdoble de 4 entradas
Inversor séxtuple OR triple de 3 entradas
270 Microelectr ónica moderna

AOI doble de 2 bandas y 2 entradas NQR simple de 8 entradas

AOI simple de 2 bandas y 4 entradas OR s éxtuple de 2 entradas
AOI simple de 4 bandas. y 4-2·3·2 entradas OR triple de 4 ent radas
AOI simple de 4 bandas y 2 entradas NOR triple de 4 entradas.
AOI simple de 4 bandas y 2·2·3-2 entradas

Estas combinaciones pueden adquirirse en la mayor parte de las familias lógicas (TIL, CMOS, erc.)
citadas en la Seco 6- 15. El número de puertas por chip está generalmente limitado por el número de
terminales (patillas) disponibles. El encap sulado más corriente es el de dos en línea. (de pl ástico o de
cerámica) con 14tenni nales, siete en cada lado (Fig. 7-1c). Las dimen siones del conj unto, que es mucho
mayor que el tamaño del chip, son aproximadamente 20 x 7.5 x 5 mm. En la Fig. 7-la está representa do
el esquema de un NA ND triple de tres entradas. Obsérvese que hay 3 x 3 = 9 contactos de ent rada. tres de
salida, uno de alimentación y uno de puesta a tierra: en total. catorce.
J'n 1( J r .ll 311 .I.~ 3 1' "o- IN ltJ I C I r

IN ! ,oj ~ 1I zc ~ r uvu
(h ,
'"

'e,
Fil:ura 7- 1. Visla supe rior de las f;()lIe ~ illnC' s de carga de : (al Puert a ~ ,\M) lriple de 1fes enU"eJ"s. (hl l' lIen a "' ~ ()~ IR inversora du"lc
..le dos banda s y do s enll ad as. 11) ene arsul<ldu de dos en line a.
r-CC
e !Jo n

..n 1.6 kü 4 kn

r O'
O'

8 DO

00 ~0

o'
"n
(2)
Figura 7·2. Puerta .oo-o e-tnve n TTL.
 Combinació" de sistemas digitales 271

En la Fig. 7-lb está representado un AOr (inversor AND-OR) doble de dos bancas y dos entradas. Esta
combinación precisa 4 patillas de entrada y una de salida para cada AOI, o sea 10 para el doblado. Si se
añade una para la alimentación de potencia y otra para la puesta a tíerra, vemosque de las 14 disponibles
se utilizan 12. La voz «dos bandas» indica el número de puertas AND que alimentan las puertas OR y se
refiere a un sistema lógicode dos niveles.
Elesquema de esta puerta AOI viene dado por la Fig. 7-2 dispuestoen lógica TrL. El funcionamiento
deesta red quedaclarocon lasexplicacionesdadasenel Cap. 6. Q 1Ylaentrada de Q2(quesecorresponden
con los transistores de igual numeractón de la Fig. 6·37) forman una puerta AND.la disposición idéntica
de Q5 y Q6 forma una segunda puerta ANO. Puesto que los colectores de Q2 y Q6 están unidos en P, la
salidade este nudocorrespondea cualquierade las entradas 2 y 3 o 4 y 5. Además,debido a la inversión
en un transistor, aparece la operación NOT en P. resultando una lógica AND-oR-Invertida (AOI) con
representación (AB + CD). Finalmente, obsérveseque Q3,DOy Q4 forman la etapa salida en totem de la
Fig.6·38.
Otra forma de analizar el circuito de la Fig. 7-2 consiste en considerar que Q 1 YQ2 (juntamente con
la salidaen P) forman un circuitoNAND, y de igual forma. Q5 y Q6 forman una segundapuerta NAND. Las
salidas de estas dos configuraciones NAND están unidas entre sí por la conexiónde los colectoresde Q2 y
Q6, formando un AND. Por tanto, la salida en P será. según la ley de Morgan [Ec. (6-25)].
(AB)(CD) = AB + CD
lo que confirma la obtenciónde una lógica AOI.
Una lógica interconectada se refiere a la facultad de efectuar operaciones lógicas adicionales conec-
tandoentre sí las salidas de varias puertas. La puerta de la Fig. 7·2 es un ejemplo de lógica AND-interco-
nectada. La puerta AOI NMOS de la Fig. 7-) representa una configuración en-interconectada. Los
excitadores Q 1, Q2 Y Q3, Q4 puede considerarse que cumplen la operación ANO. Cada una de estas
configuraciones, junio con sus cargas NMOS de deplexlén Q5 y Q6 actúancomo inversoras. La conexión
entre las respectivas salidas cumplen la operación DR. Obsérvese que sólo se necesita un transistor de
deplexlón. ya que la interconexión entre las puertas conecta en paralelo Q5 y Q6.

I<'tgllrIl1.J. Puerta IIND-OR-inverl NMOS.

Algunas de las funciones más complejas descritas en este libro requieren más de 14 patillas. y estos
circuitos integrados se encapsulancon 16, 20, 24 Yhasta 64 terminales.
Las combinaciones normalizadas consideradas en esta sección forman ejemplos de integraci ón a
pequeña escala, (SS). Menos de 12 puertas (unos 100 componentes) en un solo chip, se considera
272 MiC'To~/utrónica moderno

integración a pequeña escala. Los biestables (flip-flop) descritos en la Seco8~3 son también SSI. Muchas
otras funciones que se comentan en este capítulo constituyen una inugrad6n a escala media (MSI)
conteniendo más de 12 pero menos de 100 puertas por chip. Las memorias de la Seco 7-9 y otras
Iormeclcces en este capítulo y en el 9 pueden contener más de lOO puertas (más de 1.000 componentes)
y se califican como de integración a gran escala (LSI ). Muchos chips de memorias y de procesado de
seilales contienen mis de 10.000componentes fonnando la integración a muy gran escala (VLSl).

Criterios de diseño
El diseñador, al proyectar un sistema elécmcodebe hacerlo empleando cuanto sea posible los sistemas
integrados normalizados tratando de reducir al mínimo el número de chips (y por tanto el coste). Es
preferible un chip integrado a media escala que varios de ellos a pequeña escala que cumplan la misma
función, y asimismo es preferible uno a gran escala que varios a escala media. Es decir, que al diseñar un
sistema digital debe realizarse a base de encapsulados nonnalizados a media o gran escala (MSI o LSI).
Las puertas discretas (SSI) deben utilizarse únicamente para establecer las necesarias relaciones entre
subsistemas integrados.
En el Apéndice 8-1 figura una lista de los fabricantes de circuitos integrados. Estas empresas pueden
facilitar datos, manuales e instrucciones valiosas para el diseñador por tenerlo informado al dla de los
nuevos encapsulados y sus aplicaciones. En el Cap. 8 se trata de las principales funciones desanolladas
por tos circuitos integrados a escala media. En el Cap. 9 se trata de los encapsulados a gran y muy gran
escala (LSI y VLSI). El sistema LSI rMS versátil es el microcomputador, que es un computador
programable, en un solo chip.

7·2. SUMADORES BINARIOS

Un calculadordigital debe contener, naturalmente, circuitos que efectúen operaciones aritméticas tales
como suma, resta, multiplicación y división. Las operaciones btsicas son la suma y la resta, ya que la
multiplicación no es más que una suma repetitiva, y la división una resta también repetitiva.
Supongamos que se desea sumar dos números en aritméticadecimaJ y obtener, por ejemplo,los dígitos
de las centenas. Deberemossumar conjuntamente no sólo Josdígitos de las centenas de cada número sino
también los dígitos que se arrastran de las decenas (si los hay). En fonna análoga, en aribnética binaria
deberemos sumar no sólo los dígitos de cada lugar significativo de los números a sumar sino también (en
caso de que los haya) el dígito que se arrastra del lugar significativo próximo inferior. Esta operación se
lleva a cabo en dos pasos: primero, sumar los dos bits correspondientes a los dígitos 2" y luego sumar el
resultado de lo que se lleva del 2",1. A un sumador de dos entradas se le denomina semisumador porque
para completar la suma se requieren dos semisumadores.
Veremos cómo se construye un semisumador a partir de puertas lógicas: Un semisumador tiene dos
enlradas.--A y B-que representanlos bits a sumar, y dos salidas,D (para los d(gitosde igualsignificación
que A y B) Ye (pan el bit que se lleva).

Semisumador
En la Fíg. 7-4a esü, representado el símbolo del semisumador y en la Fig. 7-4b su tabla de l. verdad.
Obsérvese que la columna D es la suma de A YB mientras esta suma pueda ser representada por un solo
 Combinación de sistemas digitales 273

dígito. Si la sumafuera mayorde lc que se puede representarcon unsolo dfgito, la columnaD representaría
el dígito de la suma correspondiente al mismo lugar significativo que los sumandos. Es decir, que según
vemos en las tres primeras filas de la tabla. D da directamente la sumadeA y B. Puestoque la sumadecimal
ce I más 1 igual a 2» se escribe en forma binaria «01 más Ol igual a 10», en la última fila resulta D = O. El
l deberá «llevarse» al lugar de la cifra significativa inmediata superior, o sea C = l .

A 8
Entrad a Sal ida
A 8 Sume D e
A
_ D_BA+AB
HA
o o
o, I
00
01 ,,
o o
o B

, ,
o 01
10
o
o ,

e D

,,' '"
,<,
"'i~ura 7·4 . (al S ím bo lo de un se m i·\Ull1ador . (b) Tab la de la ve rd ad pa ra los bil de l dí~ ito D y de l arra stre C. ( d Dispo sic ióo 1;00
blOllues lóg icos norm aliz ados.

.,' '"
Fi gu r a 7-S. (al Símbolo de un sumado r com plelO. (b) Sumador bi na rio de 4 b il e n pa raleln fOfIDadO por s umildofes cn mp!clm e n
casc ada .

En la Fig. 7-4b vemos que D corresponde a la función DR· Exclusiva, y e sigue la lógica de una puerta
ANO . Estas funciones quedan indicadas en la Fig. 7-4c y pueden llevarse a cabo de muy distintas maneras
con los circuitos vistos en el Cap. 6. Por ejemplo, se puedeconstruir una oa-Bxclusiva con cualquiera de
las cuatrotipologías de!a Sec.:..,.6· 15 y en cualquierade las familias lógicas de laTabla6·4. Laconfiguración
de la Fig. 6-8b (Y= AB + HA) se construye en lógica TIl.. con el circuito AOI de la Fig. 7-2. El inversor
para B (o para A) es una puerta NANOde una sola entrada. Puesto que Y tiene una topología AND-oR(más
que AOI) se coloca un transistor inversor entre el nudo P y la base de Q4 de la Fig. 7-2.

Funcionamiento en paralelo
Dos números multidígitos pueden sumarse en serie (una columna cada vez) o en paralelo (todas las
columnas al mismo tiempo). Consideremos primeramenteel funcionamiento en paralelo. Para un número
binario con N dígitos hay (además de una tierra común) N conexiones de señales por cada número. La
e-ésima Hnea del número A(o B ) se activa por A. (o B) que es el bit para el dígito 2" (n = 0, I....,N-I).
274 Mtcroelectr ántca moderna

Sumador completo
Con circuitos integrados , la suma se realiza con sumadores comp letos y no con dos semisumadores
(por razones de economfa de componentes). El símbolo de l sumador comp leto (FA, full-adder) es el
indicado en la Fig. 7-50. El circuito consta de tres entradas: los sumandosA~ y 8~ Yel arras tre C~' I de l bit
inmediato inferior. Las salidas son: la suma S~ (a veces designada 1:) Y el arrastre C.' La Fig. 7- 5b
representa un sumadoren paralelo de 4 bit. FAO corresponde al bit menos significativo, y no tiene entrada
de arrastre, por tanto C. , = O.
A partir de la Fig. 7·6 cabe determinar el circuito en el interior de l bloque FA. Esta figura es la tabla
de la verdad para sumar 3 bits binarios. Con esta tabla podemos comprobar que las expresiones de Boole
deS~y C.son

Sil "" A"B"CII _ 1 + A,,8...,C"_1 + A"B"C,,_ I + A"8"C,,- 1 (7·1)

CII ::: A"B"C" _1 + A"B.Cn ~1 + A"B"CII _ I + A"B"C" _I (7·2)

Eottadas Salidas
LIDa A. B. C. _l s, C.

,
O O O O
,
O O

, O
O
O
,
,
I
O I
O
O
J O 1 O 1
4 1 O O , O

,
S I
, O 1 O 1

, I O O I

I I I I 1 1

Fi~ur1l 7-(o. T~ hla de la venl arl de un ' urnóulllr oc ~ hiloEl bit menos ,ig ll i Fi c~ l ¡ yt>( LS HJ e, C n l , y el má, ,i~ ll i fieal iYII ( M S B )c,
A".

Obsérvese que el primer término de S corresponde a la línea I de la tabla. el segundo término a la

Ifnea 2, el tercero a la 4 y el último a la 7.~(Estas son las únicas líneas en las que S. ::: 1). Análogamente,
el primer término de C. corresponde a la Hnea3 (en la que C~ = 1), el segundo término a la línea 5, etc.
La función ANDse denomina a veces producto de A y B YC. Asimi smo, la operación OR + se expresa
como suma. Por tanto, expresiones tales como las de las Ecs. (7· 1) y (7-2) representan una suma de
productos de Boole. Una ecuación de este tipo se dice que está dada en forma canónica o normalizada y
a cada uno de sus términos se le llama minterm. Un minrerm contiene el producto de todas las variab les
de Boole o sus complementos.
La expresión de C~ puede simplificarse notablemente de la siguiente forma: puesto que Y + Y + Y =
Y. 1u Ec. (7-2 ) cün Y ='A "H" le " I se convierte en

C" ::: (A"B"C" I + A"B" C" d + (A"8"C,, 1 + A" H"C" 1)

+ fA "iJ"Co" 1 + A"B"C" d (7.] )

Puesto que X + X := I siendo X =A" en el primer paréntesis, X = B. en el segundo y X = C._I en el

tercero, la ecuación anterior se reduce a

C" = 8 "C" _1 + C" lA" + A"/J,, (7-4)

 Combinación de sistemas digitales 275

Esta expresión podríaescribirse directamente a partir de la tabla de la verdad de la Pig.7-6 observando

que C~ = 1 si, y sólo si, por lo menos dos de las tres entradas son 1.
Es interesante observar que si se cambian todos los 1 por O y todos los O por l se intercambian las
líneas O y 7 así como las 1 y 6, 2 Y 5 Y 3 Y 4. Ya que esta permuta de los 1 y los Ono cambia la tabla, esta
es igualmente válida, cualquiera que sea la lógica representada por la Fig. 7-6, si se complementan todas
las entradas y salidas. Por tanto, la Ec. (7·3) es cierta si se niegan todas las variables, o sea

C" = E"C" _I + C" _lA" + A"8,, (7-51

Al mismo resultado se llega (Probl. 7-2) transformando la Ec. (7-4) de Boole.

Hallando D~ = (A " + B" + C" . ,) c:'" ycomparando elresultadocon la Ec. (7-]) encontraremosque S" SI!
D"+A"B"C~" ,osea:

S; = A"C" + 8"C" + C" - IC" + A"8" C,,_ I (7-61

LasEcs. (7-4)Y(7-6) se cumplimentan en la Fig.7-7 conelempleode puertasAOI del tiporepresentado

en las Figs. 7-2 y 7-3.

Sumadores MSI
Existen en el mercado sumadores completos de 1, 2 Y4 bit cada uno de ellos en un solo encapsulado.
La Fig. 7 ~8 representa la topología lógica para la suma de 2 bit. Las entradas a la primera etapa son AD y
B,,; la entrada señaladaC' l está a tierra. La salidaS"es la suma. El arrastre C"está conectado internamente
y no a una patilla de salida. La segunda etapa del bit menos significativo (LSB) es idéntica a la de la Fig.
7-7 con 11 = O.
Como el arrastre de la primera etapa es C,,' debe negarse antes de introducirlo en la etapa 21• Sin
embargo, el retraso introducido por la inversión no es deseable, puesto que la limitación de la velocidad
máxima de fun cionamiento proviene precisamente del retraso de propagación (Sec. 6-15) del arrastre a
través de todos los bit del sumador. El retardo de la puerta NOTse elimina completamente en el arrastre
conectando directamente r'" a la siguiente etapa y completando las entradas A l YB I antes de introducirlas
en esta etapa. En la Fig. 7-8 se utiliza este último método. Obsérvese que ahora las salidas S I y C l se
obtienendirectamente sin necesidadde inversores. La lógica seguida para el arrastreen esta segundaetapa
viene dada por la Ec. (7·5) y para la suma por la Ec. (7-6) modificada, en la que cada símboloes sustituido
por su complemento.
En un sumador de 4 bit, C l no sale al exterior sino que está conectado interiormente a la tercera etapa
que es idéntica a la primera. Asimismo, la cuarta y la segunda tienen topologías idénticas. Un sumador de
4 bit precisa un encapsulado de 16 patillas; 8 de entrada. 4 de salida de suma, 1 salida de arrastre, 1 de
entrada de arrastre, l para la alimentación y 1 a tierra. La entrada de arrastre sólo se necesita si hay dos
unidades aritméticasen cascada. Por ejemplo, poniendoen cascada un sumadorde 2 bit con otro de 4 nos
da la suma de dos números de 6 bit. Si la unidad de 2 bit se emplea para los dígitos 24 Y2s deberá sumarse
4 a todos los subíndices de la Fig. 7-8. Por ejemplo, C.I se llamará ahora CJ y procederá de la salida de
arrastredel sumador de 4 bit.
El chip MSI (54LS283) para un sumador binario completo de 4 bit contiene unos 200 componentes
276 Mtcroetectr óntca moderna

c.

Figura , .,. Disposición lógica de la n-ésíma etapa de un sumado r completo.

A, ~ A,B, e ,

B~ , C""

s,
~

r,

c,

(2 1) (~o)
Figura '·8. Diagram a lógico de un sumador complete integrado de 2 bit
 Combinaci6n de sistemas digitales 277

(resistencias, diodos o transistores). El tiempo de retraso de la propagación desde la entrada a la salida del
dato es de unos 16 ns, con una polencia disipada de 190 mW .

LSB LSB
1
2' Bin;lÓ\'! Decimal
f. O =0ii0i = TI = 8

(11) =0101 1= 11 = A
¡'-r-+!
(<"/ = I lllOlJ = 24 = Suma

¡J)
n Tiempo_
= 000 10= 2 '" D¡re~ ncia

Figura ' ·9 . (D. b)Ondas de impub os ~ presenlaliyas de los números B y A. (C. dJ Ondas de suma y de diferencia.

Funcionamiento en serie
En un sumador en serie las entradas A y B son trenes de impulsos sincronizados en dos líneas del
calculador. Las Figs. 7-9a y b representan trenes de impulsos típicos represent ativos de los números
decimales 13 y 11 respectivamente. La suma (24) y la diferen cia (2) están representadas por los trenes de
impulsos de las Figs. 7-9c y d. Un sumador en serie es un dispositivo que loma como entradas las ondas
de las Figs. 7-90 y b Yda como salida la de 7-9c. Asimismo un sustractor (Seo. 7-3) da la salida de la Fig.
7·9d.
Hemos hecho notar que la suma de dos número s multidfgit os puede hacerse añadiendo a la suma de
los dígitos de igual significación el arrastre (si lo hay) resultante del lugar inmediato anterior . Con respecto
a los trenes de impulsos de la Fig. 7-910 dicho equivale a decir que en cualqui er momento debemos sumar
(en fonna binaria) a los impulsos A y B el de arrastre (si lo hay) procedente del resultado obtenido un
periodo de tiempo anterior T. La lóg ica citada se logra con el circuito sumador completo de la Fig. 7- 10.
Este circuito difiere de la configuración del sumador en paralelo de la Fig. 7-5 en que incluye un tiempo
de retardo TD igual al tiempo T entre impulsos . Así el impul so de arrastre se retras a un tiempo T y se
añade a los impulsos dígitos de A y B en su momento exacto.
Comparando las Fígs. 7-5 y 7- 10 se ve que la suma en paralelo es más rápida que la en serie porque
en la primera se suman simultáneamente lodos los dígitos y en la segunda se hace secuencialmente. Pero
mientras para una suma aritmética en serie sólo se necesita un sumador completo,en el sistema en paralelo
se necesita uno por cada bit. Por tanto, la suma en paralelo es mucho más cos tosa que la en serie.

FA

c. j
ss,
:nU -
Figur a '-lO. Sumador completo en serie.
278 Microetectr ántcamoderna

La unidad de retardo de tiempo TD es un FLIP-FLOP (biestable) tipo D y la serie de números A•• 8. YS.
se almacenan en registradores de desplazamiento (Sec . 8-4 y 8-5) .

7·3. FUNCIONES ARITMÉTICAS

En esta sección y en las dos siguientes veremos adem ás del sumador ya citado otras unidades
aritméticas. incluyendo el s~::fractor,la unidad aritmética lógica (ALU) , el multiplicador, el comparador
digital y el comparador de paridad.

Sustracción binaria
El proceso de sustracción (8 menos A) es equivalente a la suma si se emplea el complemento A del
sustraendo. Para justificar esta premisa vamos a considerar el siguiente razonamiento (aplicado específi-
camente a un número de 4 bit). La función NOT cambia los I y O Yviceversa. por tanto'
A másA= 1111
A más A más l = 1111 más 0001 = 10000
o sea
A = 10000 menos A menos 1
y finalmente
B menos A = (B más A más 1) menos 10000 (7-7)
Esta ecuación indica que para restar un número A de 4 bit de otro número B también de 4 bit sólo se
requi ere sumar B, A Y I (un 2.a bit). La operación B menos_A debe dar una respuesta de 4 bit. El término
«menos lOOOO)} de la Ec. (7-7) infiere que la suma (B más A más t) tiene un quinto bit del que deberemos
prescindi r. Sumando un I al complemento a uno de UIl número binario . se fonna el compl emento a do s
de dicho número. Así, para un número binario B, B más 1 es la representación del complemento a do s de B.
Ejemplo 7·1

Comprobar la Ec. (7-7) paraB = 1100 YA = 1001 (en decimal, 12 y 19).

Solución

B más A más 1= 1100 más 0110 más 0001 = 10011. Los cuatro bit (menos significativos) 0011
representan el decimal 3 y el quinto bit 1 es un arrastre.
Puesto que en notación decimal 8-A = 12-9 = 3, Yla respuesta correcta se obtiene calculando la suma
dentro del paréntesis de la Ec. (7-7) teniendo en cuenta que se debe ignorar el arrastre.
En la Ec. (7-7) el I del I<'!pon es el arrastre de salida el = I del sumador de 4 bit Ycabe emplearlo
para el I que debe sumarse aA. A este bit se le denomina"arrasrre de rerorno (EAC) porque este arrastre
realimenta la entrada C.I del bit menos significativo de A. En la Fig . 7-11 se indica esquemáticamente el
proceso de sustracción mediante un sumador paralelo de 4 bit.
El método de complemento que acabamos de describir sólo es válido si 8 es mayor que A de forma
que la diferencia resulte positiva y se genere un arrastre de (B + A + 1). Si B es menor que A. el bit más
significativo (MSB) de B (que difiere del correspondiente bit de A) es Omientras que el de A es l. Puesto
que A = Oel bit más significativo de (8 más A) es O. Por tanto no habrá arrastre en la suma (8 más A más
0001) Y hay que modificar el método de la Fig . 7-11 . Vamos a demostrar que si no hay arrastre en el

I Para evilar collfusinncs cOn la opcmción '"011. emplearemos la. palabra. " más" (o ..menos" ) en lugar de los signos + y - en las <iguienles
ecuu,·ioncs.
 Combinación de sistemas digitales 279

" ¡

e¡ Sumador e I

[:iJ (EAC)

Figura 7-11, Sumador para.ele de 4 bit s implificado, emp leado como sustracror.

sis tema de la Pig. 7-11 , la respuesta co rrecta de 8 menos A es negativ a y se ob tiene por la suma (8 más
A) complementando los díg itos de la suma So' SI' SI' YSJ' De la Ec. (7·7)
=
8 menos A (8 más A) menos 111 I =
= men os [ I l t l menos (8 m ás A)]
= menos (8 más A)
ya que 1I 11 menos un número binario de 4 bit es e l comp lemento de dic ho número.
Resumiendo: para restar A de 8 efec tuar la suma (8 más A) y ver si existe arrastre . Si lo hay, la difere ncia
B menos A es positiva y viene dada por S de la Fig . 7-11. Pero si el arrastre es nul o, la diferencia es negativa
y viene dada por S. En la Fig. 7- 11 se han omiti do los c ircu itos para de tectar el arrastre y para obtener el
co mp lemento de S cuando falta el arrastre de retomo.
Un mé todo alterna tivo para representar números binarios negativos cons iste en valerse de un bit
adicional llamado bit de signo. El número decimal posit ivo , por ejemplo e146, se escribe e n fonna binaria
()J\() ID111O mientras que si fuera negativo se escribiría 1"0 IOI I I O. El bit de signo es el dígi to situado a
la izq uie rda del signo A. Como ya se ha indicado , el bit de signo es cero para números positivos y uno para
los negativ os. El valor del número está representado por los dígitos binarios situados a la derec ha de l bit
de signo, con el más significat ivo junto a la separación A. Téngase en cuenta que este signo de separación
no siem pre se emplea.

Unidad aritmética lógica (ALU) / Función generador

La sustracción puede hacerse tam bién util izan do una unidad aritmética lógica (ALU) tal como la
74AS- 18l A (o bien la 74AS-88 IA). Usando cuatro (o tres) líneas se lectoras de función se pueden resolver
las siguientes ope racio nes con dos números de 4 bit B menos A, A menos B, A más B, A EB B, A + B, AB,
A = B, A > B así como airas operaciones aritméticas y lógicas. Estos encapsulados integrados a escala
med ia tienen 24 patillas y tienen la comp lejidad de 85 puertas equivalentes (unos 800 co mponentes).

Multiplicadores binarios
El encapsulado 74LS26 1 de 16 patill as se emplea para rea lizar en para lelo el prod ucto de 4x4 bit y
para dar una sa lida de 4 bit. Empleándo la conjuntamente con el ch ip 74LS284 se consigue un pro ducto
de 8 bit en unos 40 ns. A esto mis mo se puede llegar con e l encapsulado 74AS274 de 20 patillas y gr an
co mplejidad. Obsérvese que hace falta un seg undo ch ip para o btener los 8 bit resultantes de la mult ipli-
cación de 4 x 4 bit. Sin este segundo chip sólo se ob tiene n los cuatro bit más sign ificativos de l prod ucto.
280 Microetectronica moderna

7·4. COMPARADOR DIGITAL

A veces es necesario saber si un número binario A es mayor, igualo menor que otro número B. El
sistema para determinarlo se denomina comparador de magnilud digital (o binario). Consideremos
primeronúmeros de un solo bit. Como ya se indic6en la Seco6-3. la puertaNOR-Exciusivaes un detector
de igualdad. ya que

E "" AB + AB "" {~ A
A =
"
B
B
(7-91

La condiciónA > B vienedada por

C=AB= 1 (7-10 )

ya que si A >B. entonces A "" J Y B =O. siendo así e = 1. Por otra parte, si A "" B o A<.B (A =O, B = 1)
entonces C =O.
Análogamente. la restricción A <B viene determinada por

D = AB = I (7-11)

El diagrama de bloques lógico de n-ésimo bit de la Fig. 7-12 tiene las tres salidas deseadas C.' D. Y
En' Consta de dos inversores, dos puertas AND y del circuito AOl de la Fig. 7-2. Asimismo se puede
considerarque la Fig. 7-12consta de una puertaNOR-Exdu siva y de dos puertas ANO. (Obsérvese que
las salidas de las puertas ANOdel bloqueAOl de la Fig. 7-2 no son accesibles, y por tanto hay que formar
puertas ANDadicionales para tener Cn y D•.)

..
H, ~ Dn E .~~ B.
(A u < 8. ,

r -----------l
A.
H.
..... n
,
AOI ,I
I
,
I
I
J ,,
E~ .A. B. +A. H.
tA. · 8. 1
11
-----e T ___: ________ J
NCJk- E xc l u~ lv a ..,
A.
ii)
-
Figura 7. 12. Comparad or digital de I bit.

Consideremos ahora un comparador de 4 bit. A = B requiere que

por tanto. la puerta ANO (E de la Fig. 7-13) descrita por

E = E,E,E, E, (Fig.7-12)
 Combinación de sistemas digitales 281

=
implica que A = B si E 1 YA :;:. 8 si E =O(se supo ne que la entrada E' se mantiene alta, E' = l .)
La desigua ldad A> B requiere que

Al > B l (M SB)

o Al ·= Bl y
o A3 = Bl y y
o Al = B3 Y A z = Bz Y Al =81 y Ao > e;
Las condiciones anteriores se sati sfacen por la expresión de Boole

(7-13)

si, y sólo si C = 1. La puerta AND-OR para e está indicada en la Fig. 7- 13 (supuesto que e = O).
La co ndición de que A >8 se obtiene de la Ec. (7 ~ 13) intercambiando A y 8 , o sea

(7- 14)

Enlrada

" '~---
"'''::====t¡~l--,
8'.0
0- - - - 1-

E,
"Ji
~

E,

"R, ~
e
A > H
Salida
«,
,1"

ti"

e
A> IJ
Entrada

A ~n

Entrada
~~~~" Sa lida
Figura 7-13. Comparador de magnitud de 4 bit. Supuesto C ' ~ OY E' ~ l. Si E ~ I e ntonces A ~ B Ysi C =1, A > B. S i D =1, A
< B teniendo D la misma lopología que C pero con A y B intercambiadas.
282 Microetectr ánica moderna

imp lica q ue A <B si , y sólo si D = l . Esta parte del sis tema ~o bt iene de la Fig. 7-13 cam biando A por 8,
S parA y e por D . AdemásD se puede deducir de D = EC ya que siA ~8 (E=O) y si A > 8 (C= O),
entonces A < 8 (O = 1). Sin embargo esta utilización de D introduce el retardo de propagación adiciona l
de un inversor y de una puert a ANO. Por tant o, la l ógica indicada en la Be. (7- 14) para D se fab rica en el
mismo chip que para C de la Ec. (7-13) y E de la Ec. (7- 12).
El 74 HC85 es un e ncapsulado a media escala q ue per mite com para r magnitudes de 4 bit. Si hay q ue
co mparar números de más cifras se pueden emplear varia s de estas unidades en cascada. Consideremos
un comparador de 8 bit. Designemos con El el tenninal de sa lida A = B de la etapa corre spondiente a los
bit menos significati vos, con Cl el terminal de es ta etap a para A >B y con Dl la sa lida A <B. Entonces.
= =
las conexiones E' El' C' C l y D' = Dl (F ig. 7-13) deben hacerse a las et apas de los bit má s
significa tivos (Pro b. 7·8 ). Para la etapa corr espondie nte a los bit menos sig nificativos, las sa lidas C' y D '
=
es tán conectadas a tierra (C' O Y D ' = O) Yla en trada E' lo es tá al suministro de tensi6n (E' = 1). ¿Por
qué? El 74HC6 88 es uno de tales co mparadores de 8 bit.

7·5. COMPROBADOR GENERADOR DE PARIDAD

Otra operación aritmética que se encuentra frecuentemen te en sist em as digi tales es la de determinar si
la suma de los bit binarios e n una infonnaci6n es impar o par . La salida de una puerta Ok-Exclusiva es 1
si una de las entradas es 1 y la otra es O; o dicho de otr a forma . la salida es 1 si la suma de los dígitos es
l . Una extensi6n de este concept o al OR- Exclu sivo múltiple de la Fig. 7·14 lleva a la conc lusi6n de que
=
Z = 1 (o Y O)si la suma de los bit de ent rada A , B, C y D es impar. Por tan to, si la entrada P' está a tierra
=
(P' = O) tendremos P Osi la suma es impar y P 1 si es par. =
El sistem a de la Fig. 7-14 no es s610 un comprobador de paridad , sino q ue puede usarse tambi én para
generar un bit de paridad P. Indep endien temente de la paridad de la informació n de ent rada de 4 bit.Ia
parid ad de c édlgc de 5 bit A. 8 . C. O y P es impar. Esto proviene del hecho de que si la suma de A. B . Cy
D es impar (o par ), P se rá O (o 1) y portanto la suma deA . B. C . D Y P será siempre imp ar.

z y

C_ -H'
D'--++L ___
__
....,
Oll.·Ellc!usivo
P' -+<--'
F1¡tu ra ' · 14. Comprobador de paridad impar. o generador de bit de paridad para una infnr macién de ~ bit. Supo niendo P' = n, P =
() (o 1) represen ta paridad impar (o par)
Lineas de lransmisión

de4 bit

Enlrada
do
información
I

~e A
8

D P'h
L
'--
A
8
e ~ P,
-'"
Salida

D
p'
.,¡;:- Bit de paridad
P'
Gene rador del Comprobador
bit de paridad de paridad
"'i~ u ra ' · 15. Una infurma cié n binar ia se co mprueba generando un bit de paridad en la entrada de una linea y comp robando en el
extremo receptor el sistema de paridad de los bit transmitido s más el generado.
 ComhilluciÓII de sistemas digitales 283

El empleo de un código de paridad es un método eficaz para aumentar la fiabilidad de la transmisión

de información binaria. Tal como se indica en la Fig. 7-15 se genera un bit de paridad PI que se transmite
junto con los N bit de entrada de la información. A la recepción se comprueba la paridad de la señal
aumentada de (N + 1) bit. Y si la salida del comprobador p ! es Ose puede suponer que no hay error en la
transmisión del mensaje. mientras que si p! = I indica que hay un error (debido quizás al ruido) en la
recepción. Obsérvese que con un solo comprobador de paridad sólo se pueden detectar los errores en un
número impar de dígitos.
Existe ungenerador-comprobador de paridad de 9 bit (74HC280)con entradascontroladasde tal forma
que puede aplicarsea cualquiera de los dos tiposde paridad. Para informaciones de más de 8 bit se pueden
emplear varias unidades en cascada. (Prob. 7- 14).
La unidad 74HC386 integrada a escala media contiene cuatro puenas Ok -Exclusivade 2 entradas.

7-6. DECODIFICADOR DEMULTIPLEX

En un sistema digital pueden transmitirse tanto instrucciones como números mediante niveles binarios
o trenes de impulsos. Si por ejemplo los cuatro bit de un mensaje se disponen para transmitirinstrucciones
se pueden lograr 16 órdenesdistintas.Esta infonnaci6n esté codificada en sistema binario. Frecuentemente
se precisa de un conmutador de varias posiciones que pueda funcionar de acuerdo con este código. Dicho
de otra fonna: para cada uno de los 16 códigos una. y sólo una línea debe ser excitada. Esta forma de
identificar un código panicular se denomina decodificación.

Sistema de codificación binario-decimal (BCD)

Estecódigotraduce números decimales sustituyendo cada cifradecimal por una combinación decuatro
dígitos binarios. Como hay 16 formas distintas en que se pueden disponer 4 cifras binarias. 10 combina-
ciones cualesquiera pueden representar los dígitos decimales de O al 9. Por tanto tenemos una amplia
disponibilidad de códigos BCD. Una de éstas llamada código binario decimal natural es el código 842 1
empleado para representar el número decimal 264 en la Tabla 7-1. Este es un código ponderado porque
sus dígitos decimales son iguales a la suma de los productos de los bit de las señales codificadas por las
sucesivas potencias de dos. empezando por la derecha. Necesitamos 4N bit para representar en notación
BCN un número decimal de N dfgiros. Los cuatro bit de la derecha representan las unidades. los cuatro
siguientes las decenas, los siguientes las centenas. etc. Por ejemplo, el número 264 necesita tres grupos
de 4 bit. como puede verse en la Tabla 7· 1,Obsérvese que estas tres décadas pueden representar cualquier
número desde el O al 999. Por tanto tiene una resolución de una parte en mil. o sea 0. 1 %. Esto requiere
l:! hit que en un c ódig o normal puede resolver una parte en 2 1! = 4096 , o sea 0,025%.

Ta bla ' ·1 Representación BCD del decimal 264

, ,
Factor ponderado
Código BCD
Dígitos decimales
800
O
400
o
,
200 100
o
su
O
40

.2Q 10
o
8
o
,
o tl

Decodificad or de BCD a decimal

Supongamos que deseamos decodificar una instrucci ón BCD representativa de un número decimal.
porejemplo e15. Esta operación puede llevarse a cabo con una puerta AND de cuatro entradas excitadas
284 Microelectrónica moderna

por los cuatro bit BCD. Por ejemplo, la salida de la puerta ANO de la Fig. 7-16 es 1 sólo si las entradas
= e
BCOsonA 1 (LSB),B = O, = 1 YD = O. Ya que este código representa al número decim al 5, la salida
se señala «línea 5».
En la Fig. 7- 17 se representa un decodifi cador BCD a decimal. Esta unidad MSI (74HC42) tiene cuat ro
entradas A, B, e y D, Y 10 líneas de salida (de moment o prescindimos de las líneas de trazos). Ademá s ha
de haber una conexión a tierra y otra a la alimentación de potencia, yp0l..consiguiente se hace necesario
un encapsulado de 16 patillas. Las entradas comp lementari as A. B , e y D se obtienen de inversores en el
mismo chip. Como se emplean puertas NANO una salida es O(baja) para el código BCD correcto, y es 1
(alta) para cualquie r otro código (no válid o). Al sistema de la Fig. 7· 16 se le denomina tambi én
udecodifi cadorde 4 a 10» indicando qu e una entrada de 4 bit selecciona una de las 10 líneas de salida. En
otras palabras, el decodifi cador actúa como un conmut ador de 10 posiciones que responde a las
instrucciones de una entr ada BCD.

Unea5

Figura 7-16. La salida es I si la entrada BCD es0 101 y es Opara cualquierotra iusuuccién de entrada.
S A A8!C C D D
¡, A Une. d,
o•
sll id
, -
t-- - - , -- :c ""
I D

I, A
- ~
+-,
, -- -- - - ~" <
n~
,1
i ··
I
,,1
, A
~c~ ,
,
+--
,, - ----- -- --' I~ ¿
D
,,I
,, A
L__
--- ----- - --- -,~ a DCHA
j~ 9
D
Figura 7-17. Decodificador BCD. decimal.

Alguna s veces se desea decodificar sólo durant e ciertos intervalos de tiempo. En tales aplic aciones se
añade una entrada adicion al inhibidora a cada puerta NAND . Tod as estas entradas se unen entre sí y se
excitan mediante una señal binari aS como se indica con las líneas de trazos de la Fig. 7-17. Si S = I queda
liberada una puerta y tiene lugar la decodifi cación, mientr as que si S = O no hay coincidencia posible y la
decodificaci ón queda inhibida . La entrada adiciona l puede emplearse cualquiera que sea el número de
entradas y de salidas del codificador.
 Combinación de sistemas digitales 285

Demultíplex
El demuuíplexes un sistema para transmitir una señal binaria (con los datos en serie) a una de entre N
líneas, elegida medianteunselector. Elequivalente mecánico deldemultíplex sería un conmutador rotativo
unipolar de N posiciones conectado como en la Fig. 7-18a. El selector determina el ángulo de giro del
brazodel conmutador. Un decodificadorse convierte en demultíplex añadiendo las conexiones de trazos
de la Fig. 7-17. Si se aplica la señal a S, la salida será el complemento de tal señal (ya que la salida es O
si todas las entradas son 1) apareciendo únicamente en la línea seleccionada.
Líneas
de salida Inforrnaclon
0'-::-- -0 0 Xo o o Línea de
"ú~rmación X,
,
o ~2 X,: O?C..
,
sa~da
Dirección '" 0--------<1.\"_ 1 _ --~.,o ' .....
X,v _ I O-
Direccionado
1') lb)

Figura 7·18. Semejanza mecánica de: (a } undemultfplex. y (b } unmultfplex.

Información ~ "'"l....-

Habilitación ~-~
.s
Ffgura 7·19. Un decodificador se con vierte en un muluplex (con una entrada habilitador a) si clrcrrninalSde la Fíg . 7-17sesaca
dela puert a A~ IJ.

Se puede aplicar a un demultíplex una señal de cebado conectando en cascada el sistema de la Fig.
7-1 7 con el de la Fig. 7-19. Si la enlrada de la habilitación es O, S será el complemento del dato. Por tanto,
el dato aparecerá (sin inversión) en la línea con el código deseado. Si la entrada de habilitación es 1, S =
Olos datos se inhibenen cualquier línea y todas las entradas permanecen en l .

Decodlñeadnr-Demultíplex de 4 a 16 líneas
Si se aplican a las entradas de la Fig. 7-17 las instrucciones correspondientes a un número decimal
mayor que 9, esta instrucción será rechazada, es decir, que las 10 salidas permanecerán en l . Si se desea
seleccionar 1de las 16 líneas de salida el sistema se ampliaráañadiendo 6 puertas NANO más y utilizando
los 16códigos posibles con 4 bit binarios.
El 74HC154es undecodificador-demultíplex de 4 a 16líneas.Tiene 4 líneasde selección, 16de salida,
dos entradas de habilitación, una patilla para tierra y el suministro de potencia, en total se necesita un
encapsulado de 24 patillas.
También existen decodificadores-demunfplex de 2 a 4 líneas (74HCI39) y de 3 a 8 líneas (74HC138)
en encapsulados integrados individuales.
Un demultíplex de 1 a 2 líneas se forma con dospuertas NANO de dos entradas. La línea de salida
cero procede de la NANO cuyas entradas son S y A mientras que la línea de salida uno se conecta a la
NAND cuyas entradas son S y A. Esta última entrada se denomina de control ya que si A = O(o 1) en la
línea O(o 1)aparecerá el complemento del dato s:
286 st ícroetectrontca modema

Decodificador-excitador de lámpara
Algunos decodificadores van equipados con unas etapas de salida especiales de forma que pueden
excitar lámparas tales como los tubos Burroughs Nixie. El indicador Nixie es un tubo de descarga de gas
de cátodo fria de un solo ánodo y 10 cátodos que son unos alambres petfi1ados con la forma de las cifras
Oa19. Estos cátodos están conectados a las líneas de salida Oa 9 respectivamente. y el ánodo lo está a una
tensión fija. La combinación de decodificador-excitador de lámpara-indicador Nixie hace visible el
número decimal correspondiente al número BCD aplicado. Por tanto si la entrada es 0 101 lucirá en la
lámpara el número 5.
En la Seco 7- 11trataremos de un decodificador cuyas cifras se forman con siete segmentos que se hacen
visibles por tratarse de diodos emisores de luz. Estos dispositivos son muy corrientes en calculadoras,
relojes y en una gran variedad de instrumentos.

Demultípl ex de orden super ior

Si el número N de líneas de salida supera las 16. se disponen demullíplex de N = 16. 8.4 o 2 formando
..árbol.. para alcanzar el número de salidas deseado. Por ejemplo, para N =32 podemos usar un
demullíplexcon el erronco..NI =4 Ycuatro..ramas.. Nl =8 comoen la Fig. 7-20. Obsérvese que el número
total de líneas de salida esN = N ,Nz = 32. Las líneas del Oal 7 las decodifica el demultfplex N 10 • mientras
que Nl , decodifica los ocho siguientes y así sucesivamente.
Para ED = 0 1 las líneas 8 a 15 se decodifican secuencialmente a medida que el selector CSA pasa de
000 a 00 1, a..... a 111. Por ejemplo la Hnea 12 se decodificará con la selección EDCBA = 01100 que es
la representación binaria del decimal 12. La línea 19 se decodifica con EDCBA = 100 11, etc. Puesto que
en un encapsulado hay dos decodificadores de 2 a a Irneas. para el sistema de la Fig. 7-20 se necesitará el
equivalente de 4.5 encapsulados. Este mismo sistema se puede fonnar con NI = 8 Y N, = 4 (Prob. 7-16) o
con NI = 2 YN z = 16. ele. El diseño más adecuado lo determina el coste total. .
Se puede diseñar un demullíplex de 64 salidas con NI =NJ =8. con un total de 9 encapsulados. ¿Por
q ué" Para valore.. IlIUY prundc.. lit': N ..c requi e re una mayor rum ificuci ón {Pmh. 7- I 7)en litlIue cada salida
de 1;, Fig. 7-::!{J e.. I;t cntradu il otr o dcmullíplex.

7·7. MULTÍPLEX·SELECTOR DE DATOS

La función dc vcmpcúada po r un muluplcx es lu de seleccionar 11m. de entre N líneas de e ntrada y
transmitirla a un canal de Información único. El conmutador de N posiciones conectado como en la Fig.
7-18h es el equivalente mecánico de un multíplex. Comparemos las Figs. 7- 180 y 7-18b. Puesto que el
demuhíplex tiene unasola línea de entrada cuya señalse transmite a una de entre varias salidas. es evidente
que el mullíplex realiza el proceso inverso.
El demultíplex de la Fig. 7-17 se convierte en multíplex mediante las dos modificaciones siguientes:
( I ) Adición de una puerta NANO cuyas entradas incluyen las N salidas de la Fig. 7-17. y (2) Añadir a
cada puerta NANO una entrada de datos individual Xo' XI '" XN • La Fig. 7·21 representa el sistema lógico
de un multfplex-selector de dates de 4 a I línea. Esta lógica AND-OR es equivalente a la lógica
NANO·NAND descrita anteriormente en I y 2. Obsérvese que tanto en el mullíplex como en el
demultíplex se emplea la misma configuración de decodificador. Si el código seleccionado es 0 1. en la
salida Y aparecerá XI y si es II tendremos Y = XJ' ere.• supuesto que el sistema es t é habilitado (S = O).
Existen en el mercado los siguientes muhrplex-selecrc r de dalas: 16 a I línea (74AS250) uno por
 Combinación de sistemas digitales 287

NI ~ 8 Sa lidas
O
EO - 00
N.
,

01
e •
NU
A

-."
"
S
N I- "
e • A

16
10 l'
E D N"
II

e B A

- lO
11
Nu
II

e B A
Figura '·10. Arbol demu ltlp[ell: de 32 salidas s iendo NI un demultlplell: de" saMas y Nz otrodc 8 U1lK1as.

enca psulado; 8 a 1 línea (74HC 15 lA ) uno por enca psulado; 4 a 1 línea (74HC253) dos por encapsulado;
y 2 a 1 línea (74HC I57) cuatro por encapsula do. El mu ltíplex 1 de 16 es un encapsulado de 24 patillas
con 16 entradas de datos. un selector de cód igo de 4 bit. una entrada ínhíbídora, una salida. una de
alime ntació n y un terminal detierra. Para un selector de 16 a 1 líneas la Fig. 7·21se amplía desde 4 puert as
ANO de 4 entradas hasta 16 puertas AN O de 6 entradas.
tnhihición
o Selec.
habilitaci6n ~
S A A8 B

Informa ~~;':'J~J~;t~
de e ntrada
x.

Sali da

x,~~)-U
l

Fig u ra ' ·1 1. Muil.fplu de 4 a l línen . Desee tetes sistem as se encapsulan formando el?4HC2S] . Obsérvese q ue A es el bit menos
significat ivo; A y B se couenen de inversores del pro pio c h ip.
288 Microelectr ónica moderna

Conversión paralelo a serie

Consideremos una información de 16 biten paralelo. de fonna que Xn represente el bit 2". XI el bit 2 1• e re.
Medi ante un contador (Sec . 8-6) se puede cam biar el cód igo de tal forma que sea (J(X)() durante los T
primeros seg undos. 000 1 durante los T siguientes. OO IOdu rante otros T, etc. Co n estos ca mbios de código,
la salida del multíplex sera X, durante el prime r período T . XI durante el segundo. X. durante el tercero. etc.
La salida Y es una onda que representa en serie los datos varios aplicad os en paralelo a la entr ada. En airas
palabras, se ha llevado a cabo una convers ión de paralelo a serie de una información de 16 bit. ESte proceso
em plea 16 T segundos.
En un sistema digit al tal como una calculadora, o un siste ma de comunicación de datos. etc.•
frec uentemente se necesita un tren de impu lsos con fines de ensa yos y mando (excitaci ón). El generador
de sec uencia se obtiene por medio de un convertido r paralelo-serie. Eligiendo apropiadamente el dala de
e ntrada X se puede obtener cualquier forma de ond a desead o.

Selección secuencial de dato s

Cambiando el cód igo en la forma indicada en el párrafo ante rior se simula el funcionamiento de un
conmutador electromecánico. Si los datos de entrada son un Iren de impu lsos. la información aparecerá
secuencia lmente e n el canal de salida. es decir que el impulso Xo aparece rá durante T segundos. seguido
del XI durante otros T segundos y así sucesivamente. Si el numero de: fuentes de entrad a es M, Xo se rá
seleccionado nuevament e durante el intervalo MT < 1 < (M + 1) T.

Entrada
, .! • S
"',~
'.
N,
Xl

,•
e H
•
N ll

Xl'
'.
e " Salida

.1' I~
H <
"
l. ,
NI - 4 r

X. N" , D
.r ~l

e
x.
B
"
N"
X,

e B "
Figura 7·11. Mullfplex selector de Iblm de 32. Ilmeas. siendo N I un multf¡Ke x de 4 a llloeas y N z otro de 8 a 1 lineas.
 COf1/IJiIlU<;;ÓII de sistemas digitales 289

Mu ltíplex de orden superior

Si el número de líneas de entrada e s mayor de 16 e l diagrama ló gico lom a una topología que no es más
qu e la inversa de la de la Fig. 7-2 0 . Por ejemp lo. para seleccion ar uno de entre 32 datos de entrada deber é
emplearse e l sistema de la Fig. 7 ~22 . E l r nulrfplex N!(J sitúa secuenci almente los da las de e ntrada Xo a Xl
en la línea Loa med ida que el cód igo C OA va pasando de 000 a 00 1. a.¿ 111. De igual form aNzl transmi te
los da tos de XI a Xu en la línea L I a medida que C OA va pasand o de OCIO hast a 111. C oncretamente. si el
cód igo e s C OA = 100 . entonces X4 aparece en L". X I Z en L I' XZfl en Lz y X~I en L ). S i se de sea qu e e l d ala
X20 pase a la sa lida, ED deberá se r ig ua l a 10 de forma q ue NI seleccione e l dala de la línea L z. Re sumiendo :
co n e l código E DCOA = 10100 el munfplex tran sfiere el dala de entrada X20 a la línea de salida Y. En e l
Prob o7-20 se da una so luc ión alte rnativa para se lecci o nar un o entre 32 datos de e ntrada empleando dos
mult fple x de 16 entradas de daros. O bsérvese que e l núme ro toral de líneas de entrada es N = NI",. P era
valores muy grande sde N puede ser necesario un rercer n ive l NI de mu ltíplex. Las salidas d e NI se conectan
a las e ntradas de N .' Yías salidas d e és tos a las e ntradas de N •. Esa: sistcmu selecc iona una e ntrada de entre
N = N.,NzN r

Lógica combinaciona l
l.a ex presi ón de Boole para la sa lid a Y del mult fplex de la Fig. 7 ~21 es:

r = x.,H/i + X ,HA + X .JJA + ..r,BA 0 - 15)

Como se vio en la Seco 7-2 la co mbinac ión ló gica d e tres variables vie ne represe ntada por la suma de
prod uctos A. B y C. C ad a «min te rm .. es de la form a C OA o los c omple mentos de esta s variab les . Portanto.
un mulnplex puede sa tisfacer cu alquier ecuación lóg ica-co mbinaciona l si se eligen edecu adgmente las
= =
entradasx. Por ramo se requie re queX C a bienX C. Si los t érminos contie nen ambos C y C. entonces
X = e + e = I Ys i falta un término, enlonces X = o.

Ejemplo 7·1

Formar 1" siguien te ecuac ió n lüg ic a· colll bin ac ion al a p art ir de un muluplc x de 4 entradas

r -' CIJA + e ll A + CHA + C IJA 17- 16)

Solución

Puesto que nA representa el decirnal U. e l co eficien te de nA es X". Por tan to. X" = e + e = l . Puesto
qu e BA represen ta el deci mal l . el fact or multiplicad or de HA es Xl' Por tanto X , = C. Puesto q ue DA
represen la el 3. X J = C. Puesto q ue HA qu e represen ta e1 2 no a pa rece en la ecuación. X 2 -o. Resumiend o :

X,,= I XI = e x! =o y X, =c
Si se emple an es tos va lores e n el multíp lex de la Fig . 7~21 . l a salida Y iguala a la lógica ccrnbín ecícna l
de laEc . (7- 16).
En este ejemplo se ha formado una ecuaci ón de Boule de tres variables med iante un multiple x de 4 a
290 Microelectrónica moderna

1 líneas. En general se puede generar una ecuación de N variables con un selector de da tos de 2"- 1
entrad as.

7-8. CODIFICADOR

84 llaves
de entrada

k"'
-
h' l

. / 11 ',
.
• Codtñcador

··
:... ll'~!

./. 11'83

5V
•
:I.
...
Y6 r, y! 1'1~
Código de salida de 7 bit

Figura '·23. Diagramade bloquesde uncodificador que genera una información de salida paracada carácter de un teclado.

Un decodificador es un sistema que acepta una infonnación de M bit Yestablece el estado l en una (y
sólo en una) de 2M líneas de salida (Sec. 7-6). En otras palabras, un decod ificador identifica (reconoce)
un código particular. Al proceso inverso se le denom ina codificador. Un codificador tiene un número de
entradas, de las que sólo una está en estado 1, Yse fonna un código de N bit depe ndiente de cuál de las
entradas sea la excitada.
Supongamos por ejemp lo que se desea transm itir un cód igo binario con cada pulsación a un teclado
(una máquina de escri bir o un teletipo). En el teclado hay , por ejemp lo, 26 letras minúscu las. 26
mayúsculas, 10 cifras. y unos 22 caracteres especia les; y por tanto el número de códigos necesarios es de
aproximadamente 84. Esto puede satisfacerse con un mínimo de 7 bit (27 = 128, pero 26 = 64). Mod ifi-
quemos el teclado de fonna que si se presiona una tecla se cierre un interruptor que conecta una
alimentación a 5V (correspondiente al estado 1)a una línea de entrada. La Fig.7-23 representa el diagrama
de bloques de un codificador. En el interior del bloque sombreado hay una serie de conductores cruzado s
recrangularmente (matriz) y vamos a determ inar cómo conectarlos para formar los códigos deseados.
Para explicar el proceso del diseño para construir un codificador simplificaremos el anterior ejemplo
limitando a JO el número de teclas de l teclado correspondientes a las cifras de l Oal 9. Un código de salida
de 4 bit es suficiente en este caso, y tomaremo s el sistema BCD para los cód igos de salida. La tabla de la
verdad que defme este codificador puede verseen la Tab la 7-2, La entrada W" (n =O. 1, 2,... 9) representa
la tecla n-ésima. Cuando W" = l la tecla ti está presionada. Como se supone que no hay más que una tecla
activada simultáneamente, en cada fila todas las entradas menos una están en O. De esta tabla de la verdad
se deduce que Yo= l. osi W. = l. o sl Wl = 1. 0 si W, = 1o s¡ W7 = l. o si W9 = 1, yde ahí que en notación
de Boole
 Combinación de sistemas digitales 29 1

Yo :: W . + w, + w, + W , + W9 (1.11)
y análogamente
Y, : W, + W, + W. + W,
Y, = W. + W, + W. + W,
(7· 18)
y) = W, + W.

Las puertas OR de las Ecs . (7 ~ 1 7) y (7~ 1 8) se forman co n diodos (Fig. 7-24 ). (Compárese con la Fig.
2-13 pero con los diodos invertidos porque estamos considerando una lógica positiva.) Una disposi ción
de codi ficador como la de la Fig. 7-24 se denomina matriz rectangular de diodos y es semejante a la
disposición lógica programa ble (PLA) descrita en la Seco7- 15.

Tab la '-2 Tabla de la verdad para codlñca r los números dedmales del Oal 9

Entradas Salidas
w. w, w, w, w.• w, w, w, w, w" Y. Y, Y, y.

O O O O O O O O O 1 O O O O
O O O O O O O O 1 O O O O 1
O O O O O O O O O O O O
O O O O O O 1 O O O O O 1 1
O O O O O 1 O O O O O 1 O O
O O O O 1 O O O O O O O 1
O O O 1 O O O O O O O 1 O
O O 1 O O O O O O O O 1 1 1
O 1 O O O O O O O O 1 O O O
1 O O O O O O O O O 1 O O

Incidentalmente, pued e construirse un decodificador como una ma triz rectangular de diod os (Prob.
7-29) lo que se dedu ce del hecho de que un decodificador está fonnado de puertas AND (Fig. 7-16) Yde
la posibilid ad de form ar puerta s AND con diodos (Fig. 6-36).
Cada diodo del codificador de la Fig. 7-24 se puede reemplazar por el diodo base-e mi sor de un
transistor. Si el colec tor es tá unido a la tensión de alime ntació n Vce- resulta una puerta Ode seg uido r de
emiso r. T al configuración está representada e n la Fíg. 7 -25a para la sa lida Y2• O bsérvese que si cualquiera
de las W., Ws' W, o W, están en estado alto la salida del seg uido r de emisor también es tá altacumpliéndose
que Y2 = W. + W~ + W, + W, como requiere la Ec. (7-18).
Por cada e ntrada del codificador se necesita sólo un transistor (co n emisor múlt iple). La base se une a
la línea de entrada y cada em isor a una línea de salida distinta de acuerdo con la lógica del codi ficador.
Por ejemplo. puesto que en la Fig. 7·24 la !fnea W, está unida a tres diodos c uyos cá todos van a Yo, y. y
Y2 esta combinación puede sustituirse por el transi stor Q7 de tres em iso res conectado como en la Fig.
7-25b. El máximo número de emisores que se pueden necesitar es igual al número de bit del código de
salida. Par a e l codificador en particular es bozado en la F ig. 7- 24. Q I. Q2 . Q4 'i Q8 tiene n un e misor cada
uno: Q3. Q5. Q6 Y Q9 liene n dos y Q7 tiene tres emi sores.
292 Mtcroe íectrontca moden Vl

Etapas de salida
Un codificador bipolar utiliza etapas de salida normales TIL. Si cada línea de salida del cod ificador
va a la entrada de datos de la Fig. 6-39a resulta una salida de exci tació n en totern. Si una línea de salida
del codificador va a la entrada de datos de la Fig. 6-39b tend remos una salida en co lector abie rto.
10 líneas de entrada
11 ' 0

1\'1
- ;

"1<,
11' )

---
11'.,

- "!<,
~
11',

11'j
;

-- "" "
11 '6
- ,
"1<, ~

11' ,
~

I I '~

11',
- "
/.

;
" "1<,
~ ~

• ~ -"1<,
5V
-
- f-

r ., r¡ l' ¡ r,
Código de salida de 4 bit.
Figura 7-24. Mnulz codificadoru purutra nsformurun munerudecimul ¡I código BCD . Se puedesuprimir la llave Wg yaquela salida
es s iempre OI K)f) salvo quee st é urtivadu illg ullH de la... ortas nue ve llave s.

"oc

",O-
Q'

J', ~ y Y,
(11 ) (b)
t<'igu r Il7·2 S. (11 ) Puerta ORseg uidora de e misor. 1M La línea IV, del co dificmlor de la Fig . 7- 24 va conectada a la base dcltrunsixtor
de tres emis ore s.
 Comb;" ació" de sistemas digitales 293

Codificador con prioridad

Vamos a prescindir del supuesto de que en cualquier momento haya presionada una sola tecla . Si
accide ntalmente se presionan simultáneamente varias de ellas vamos adar prioridad y cod ificar la de orde n
más elevado. Por ejemplo, si se activan simultáneam ente Ws y W, se pretende que la salida corresponda
a W,. La tabla de la verdad de un cod ificador de 10 a 4 líneas con prioridad es la ex puesta en la Ta bla 7-3.
Una X en la tabla significa que esa entrada es irrelevante. Puede ser I o O y por tanto no importa cual sea
su estado. Sin embargo sí habrá que tener en cuenta un Oen la tabla. que en la Tabla 7·2 se podía despreciar,
ya que ésta queda determinada únicamente por los 1 en su diagonal.
La expresión de Boole para Y1 deducida de la Tabla 7-3 es

Y, = W"W" W1 W"W,W-I W\ W~ + W"W"W7W" W, W~ W\

+ W.,W"W7W" + W"W" WJ () · 19)

Esta ecuación puede simplificarse notablemente. Obsérvese que

Y, = W"W"(W 7 8 + W, ) (7·2 tll

donde
8 "" W"W,W~W_IW~ + W"W.W~ WI + W, (7· 2 1)

Tabla '·3 Codificador con prioridad (10 líneas decimales a 4 Uneas BCD)
Entradas Sutidas
I\'~ w, IV. IV, IV. IV, IV. IV~ W, w" r, 1', 1', Y.

o o o o o o o o o I o o U u
o o o Il o U o o I X U Il Il
o o Il Il o Il o I X X U Il o
o o o Il o o I X X X U Il I
o o o o o I X X X X o I Il U
o o o o I X X X X X U Il I
o o o I X X X X X X o u
u o I X X X X X X X o I
o I X X X X X X X X I U Il Il
X X X X X X X X X o Il

De la Be. (6-HI) con A = W1 se obtiene:

Y1 = W"WS (W7 + 8) ()· 2 2 )

yde laEc. (7-21)

B = W"C + W" = W" + e (1·23)

en donde se ha hecho uso nuevamente de la Ec. (6- 18) Ydonde

294 Mtcroetectronica moderna

e= W,W~W , W~ + W, W~W . :: w.WiW ,w~ + W , )

= W~ W~( W. + W~ l (7-14 1

De las Ecs. (7-22), (7-23) Y(7-24)

Y1 :: W'IWK( W1 + Wh + W,W~ W, + W ,W~ W! } (7-25)

Para generar Wy WI = W 9 + WI (ley de Margan ) se emplea una puerta NOR , y para gene rar Y I se necesita
una puerta AND·OR de 2-2-4-4 entrada s. Proced iendo de forma similar se halla la lógica combinacional
para Yo, Yz e y) (Prob. 7-30 y 7-3 1).
La lógica anterior se fabrica en un chip integrado a media escala (74LS 147) cuya prio ridad cod ifica
10 líneas decimal a 4 lfneas BCD_Entre sus aplicaciones figura la codi ficación de teclados pequeños.
convers ión analógico-dig ital (Sec . 16-5) y el control de perturbacio nes de un computado r con prioridad.
El encapsulado 74LS 148 codifica ocho líneas de datos a binario de tres líneas.

7·9. MEMORIA DE SOLO LECTURA (ROM)

Consideremos el problema de conveni r un cód igo binario a otro. Ta l siste ma de conversión de código
(denomin ado ROM y esbozado en la Fig. 7-26a) tiene M entradas (X". XI' ...X II ) y N salidas (Y", Y, ...
Y~ ) pudiendo N se r mayor. igual o menor de M. Cada código de M bit dete rmina un cód igo de salida
es pecífico de N bit. Esta traslación de código se lleva a cabo , co mo indica la Fig . 7-26b, decod ificando
las M entradas en 2 M !: ~ líneas de información (Wo' Wl . .. WII _ 1) cod ificando luego cada Ifnea a la forma
de salida que se desee. Si las entradas adoptan todas las combinac iones de 1 y de Oposib les. en la salida
se leerán informaciones de fJ..N bit (no todas estas 2M inform aciones prec isan ser únicas ya que se puede
pretender tener el mismo código de salida para distinta s informacione s de entrada).
La relación funcional entre las informaciones de salida y de entrada se rea liza en el bloque cod ificado r
de la Fig. 7-26. Como sea que esta información queda almace nada perm ane ntemente se dice que el sistema
tiene «memoria no disipable» . Los elementos de la memoria son los diodos de la Fig. 7-24 o los emisores
de los transistores de la Fig. 7-25. La información de salida para cualquier códi go de entrada puede leerse
tantas veces como se desee. No obstante. ya que la relación almacen ada entre los códigos de salida y de

Código C ódigo M
2 : "
de entrada de entr ada Líneas de
de M bit. de M bil. infonnaci6n.

x.~
X. ,--------, 1 11 '0
Codificador
Sistema de ccnverslén 11' 1
de código (ROM). x,

x,
Matrizde la

'"..,
memoria

Código
de salida Salida
de N bit. Y.\·.l Y,

'" '"
Flg ur a 7-26. ((1) Co nversión de lino a otro cértigo emplcamlouna memo ria de " íln leclllra ¡ RO M). (/1) Sl' puede considera r Ul1ROM
como un decodi ficador del cód igo de ent rada scguidu de un codiñcador del cód i ~ (l de salida .
 Combinación de sistemas digitales 295

entrada no se puede modificar sin añadir o eliminar elementos rnemorizadores. a este sistema se le llama
memoria de sólo lectura. abreviadamente ROM (Read-Only-Memory).

Convertidores de código
La Tabla 7-4 corresponde a la labia de la verdad para traducir de código binario a código Gray. Al
pasar de una línea a la siguiente del Grey. sólo se cambia un bit. y sólo uno. de Oa I o viceversa. (Esta
propiedad no define unívocamente un código y por tanto se pueden formar varios códigos Gray). Los bit
de entrada (1 ) en la Tabla 7-4, se decodifican en un ROM formando las líneas de Informaci ón Wo' W1o••
W u como se indicaen la Fig. 7-26b codificando luego [(2) de la Tabla 7-4}al código de Gray deseado Y),
Y1• Yl e Yo, Las W son las salidas miruerm del decodificador.
Tabla 7·4. Conversión de código binario a Gray [(1) a (2)] y de Gray a binario «1) a (3)]
(2) (J)
(1) tnform. Salidas código Salidas código
Emrada decodif Grar binario

x, x, Y, Y, Y, Y, Y, Y, Y"
,, ,u ,, o IV"
,u ,, n o o o ,, ,
, IV, u u ü

I I I
e
,u u
I IJ IV,
IV,
u
u ,o I I u
u
o
u
I I
u
I I
IV, n
1
1 " I

"o
I
I
I
"n l'
I IV,
IV,
IJ
u
I
I
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I "I
I
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I
I
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I
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I u IJ I
ü

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I
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I I
u IV. I I u "u 1 I
I

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I
I IJ "
IJ I IV, I I u I I 1
1
I
I

u I I I I I u u
u
1
I " I
W".
W,' I I I
" I u I
I u I u u n
I
I "n " I
\V' I
1\1" I u
,,
I "I ,
n u I
I 1 n 1\1,. I u 1 I I
1\1" u u u I n

Por ejemplo:

De la tabla de la verdad (Tabla 7·4) se deduce

(7-271

Esta ecuación se cumple conectando ocho diodos con sus cátodos unidos todos a Yo y sus ánodos
conectados a las líneas W l • W2• w, W6 • W9 , WIO• W ll y Wl~ del decodificador. (O se pueden usar los diodos
base-emisor de los transistores en fonna análoga para fonnar una puerta Ok-s eguidor-de-emiscr, como
en la Fig. 7· 25a.) Asimismo, a partir de los demás bit de salida. Por ejemplo

17- ,\iJ

Consideremos la traducción inversa. de Gray a binario. Las entradas de código Gray (1) de la Tabla
296 Micro electr6nica moderna

74, se disponen en el orden Wo' W• ... W. s (correspon dientes a los números decimales del O al 15). El
código binari o correspondiente a una información de entrada dada W. queda registrado como cód igo de
salida para esa línea [(3) de la Tabla 7-4]. Por eje mplo, de ( 1) y (2) de la Tabl a 14 vemos en su línea W••
que el cód igo Gray 1001 correspo nde al cód igo binario 1110 y es ta relació n se mantiene en (1) y (3 ) de
la Ifnea W, de la Tabla. De esta misma tabla se dedu ce la relación entre los bit de salida binaria (3) y los
de entrada Gray ( 1). Por ejempl o:

(7· 29)

Esta ec uación define cómo han de disponerse los elementos de la mem ori a en el cod ificado r. O bsérvese
que para conven ir un código binari o a Gray la ROM emplea la misma disposición decodificadora que
para la conversión de Gra y a binario. Sin e mbargo. los codificadores son completamente distintos. Dich o
de otra form a. los chips integr ados para estos dos ROM son co mpletamente distintos, e mpleándose
máscaras individuales para la matriz de los elementos de memoria del cod ificador.

Programación del ROM

Co nsideremos la memoria de sólo lectura (ROM) bipolar de 256 bit dispuesta en 32 inform aciones de
8 bit cada una. La entrada del decodifi cador es un códi go binario de 5 bit. Ysus salidas son las 32 líneas
de informaci ón. El codificador está formado por 32 transistores (es tando cada una de las bases conec tada
a una línea dist inta) y con 8 e misores cada transistor. El cliente rell ena la labi a de la verdad que desea que
satisfaga su ROM, y entonces el constructor prepara una máscara para la mel alización de forma que quede
conectado un e misor de cada transistor a la linea de sa lida apro piada o en su caso dej arlo flotante. Por
ejemplo. para la conversión de código Gray a binario, la Ec . (1-29) se ñala que un emiso r de cada uno de
los transistores Ql, Q2. Q4, Q7, Q8. Q II . Q I3 Y Q14 va co nec tado a la línea Y", mien tras se dejan
desconectad o los e miso res correspondientes a cada uno de los demás transistores QO, Q3, Q5, Q6... Este
proceso descrit o se denomina programación seglín demanda , o de más cara programada. Téngase en
cuenta que es tamos considerando una programación «al po r menor».

ROMSNMOS
Las memori as de sólo lectur a se form an corrienteme nte con la tecnología NMOS . frecuent emente
como Chips de inlegración a gran escala. f recuenteme nte los ROM se fabrican como panes de un siste ma
más complejo en un solo chip tal como el microp roce sador (Seo. 9- 10). Co nside re mos por eje mplo un
código de entrada de 10 bit. resultando 210 = 1024 líneas de información. y con 4 bit para el cód igo de
salida. La matriz de la memoria para este sistema consta de 1024 x = 409 6 intersecciones como se ind ica
esquem áticamente en la Fig. 7· 27. Este es un ROM de 4-Kilobit (q-kb) organizado como lkb x 4. Esta
designación proviene del hecho de que 2 10 = 1024, es apro ximadamente 10]. Así el ROM de 64 kb tiene
2& X 2 10 = 64 X 2 10 bit. La conversión de código a desarr ollar por la ROM se programa perm ane ntemente
durante el proceso de fabricación utilizando una máscara diseñada para inclu ir u omitir unt ni.nsislor MOS
en cada intersección de la matriz. La Fig. 7·27 represent a un codificador de es te tipo en el que se puede
ver cómo se conecta n los FET de mem oria entre las líneas de información y de bit
He mos demoslrad o anteriormente que la relación entre los bit de salida Y y las líneas de informac ión
W se satisface por la función lógica O RoConsideremos por ejemplo que la conve rsión de código de seada
exija que
YI = W. (7· ) 0 )
\V 500 y) = Wo + W 500
 Combinación de sistemas digitales 297

l ineasde 4 b il Y11 Y, Y, Y,

Uneas de
1.024 intornJaciones
_ fETs de
" memoria.
¡

"
.,
··•

·•·
Figura 7.27. CodifK:ador NMOS ROM(5ÓloesWJ representadas S delas 1.024Jfneas deinformación).

Esta relación se cumple con las conexiones de la Fig. 7-27. La puerta NOR para Y de la Ec. (7-30) es
precisamente la dibujada en la Fig. 6-280, con las señales W. y W1 aplicadas a ¡as entradas A y B
respectivamente.
La inclusión o exclusión de una célulade memoria MOS en una intersección de la matriz. se determina
durante la fabr icación, en el proceso de enmascarado, para la puerta de óxido (Fig. 5- 14). Si el MOSFET
tiene una puerta norma l de óxido fino su tensión umbral VT es baja; si la capa de óxido es gruesa, V será
alta. En respuesta a un impulso positivo en la línea de infonnación, el elemento de umbral bajo conl ucirá
y se detectará una lógica O(por la acción del inversor) en la línea de bit. Por otra parte si se aplica un
impulso positivo a la puerta de óxido grueso (de umbral alto) ésta no conducirá, como si realmente no
existiera en el circuito, En otras palabras, construir una puerta de óxido grueso en un punto de la matriz
equivale a no construir un MOSFETen tal posición, como se ve en la Fig. 7-28. La ROM es una memoria
permanente, no volátil, porque si se interrumpe el suministro de potencia y se repone luego, no se pierde
la relación entrada-salida programada.
Un ROM estático no necesita relojes y la salida se mantiene mientras la dirección de entrada
permanezca válida. Existen disponibles ROM en gamas desde 1 hasta 64 kb (de Intel, Mostek, Texas
Instruments y otros)con normalmente 4 u 8 bit de salida. Los tiempos de acceso están comprendidos entre
0,1 y Ills (como una vez y media mayor que en el ROM bipolar) y con una disipación de potencia de 0. 1
a l W.
Comoejemplo de ROMestático citemos el lntel 2316 de 16 kb(2048 x 8) en encapsulado de 24 patillas.
Utiliza MOSFETde canal 11 (NMOS). funciona con una alimentación única de 5 Vde forma q ue entradas
y salidas son compatibles con la lógica rn... El direccionado bidimensional visto en la Sec. 7-2 se emplea
también con ROM integrados a gran escala. El ROM 2316 está organizado según la Fig. 7·29. Para 2048
informaciones se necesitan once bit de direccionado. Obsérvese que siete de estas entradas (del A4 al A¡pl
las emplea el decodificador X para obtener 128 líneas. La matriz de memoria es cuadrada con 128
298 Microelectrónica moderna

co lumnas que deben reducirse a 8 salidas (O~ a 0 1 ) , 10 que se consig ue co n 8 selectores ( 16 a l) utilizando
entradas (A~ aA) de direccionado de cuatro columnas. Esta organización es una amp liación de la ex puesta
en la Fig. 7-30 para un ROM de 2 kb (512 x 4) aun cuando los dos esq uemas (Figs. 7-29 y 7-30) se han
trazado algo distintos.

.,. Q'

O xido grueso
(no tran sisto r) Difusiones tipo -n
Figura ' · 28. Matriz ROM MOS (sólo están repre semad as Ias un ees Wo y WSOO' y las d e bit Yo e y) de la Fig. 7-21).

Ocho bit de salida por infOfJJ\ació n

Co lum nas o
direccionado Y O~ o. o: OJ o~ o) o. o,
.', L,,L,J, .Lr', .L,r , '--r--'-í' deOcho16 Iselectores
I
"
Filas o .., O ' • • • . ... . . • • 1! 1
.-1 : lmu lllplex)

...
direcc ionado X

~
O 12B columnas

.. , ¡;
... i'l
~
• 1211 '1 12R = 16..\t14 bil
M&Iriz de memoria
.-1,
(codifi cado r)
... i
'. ] I! 7
.~ I ~

Figura 7·2 9. O r~ an i l al: ió lI tic 1;1 ROM B IóA de 1(1l b dela lmel. (2.(l4Kinfllnll ad o nes de K bit). No esnl n repre sentados 111.' c ir-
r uilOs de loC lcecióll.

El decod ificador es un ROM MOS estético (Fig. 7-29) contiene puertas N A ND que son estáticas, por
laque la disipación de potencia es relativamente alta. Un ROM dinámico emp lea inve rsores dinám icos o
temp orizados en el decod ificador y/o FET de carga requ iriendo una cadencia de reloj mínima pues de 10
con trario se perdería la información. No obstante la disipación de potencia es menor que en el RO M
estético. La mayor parte de los ROM come rciales son est éticos po r la ventaja que supone no necesitar
relojes y dar una salida que permanece válida mientras esté aplicada la entrada.
Se cons igue aumen tar el número de bit por infonn ación (t'xpallsió" de la info rmació n) o el número de
Informacio nes con el mismo número de bit por informaci ón (t'xpa llsión de direccionadosinterconectand o
varios encap sulado s ROM como se describe en la Sec. 7· 10 para los chips bipolares.
 Combina cí án de sistemas digitales 299

7-10. DIRECC IONADO IlIOIMENSIONAL D~: UN ROM

Algunos fabricantes (Apé ndice B· 1) suministran ROM MOS y bipolares en gama desde los 256 bit
hasta los 64 kb. Con cuatro u ocho lineas de salida. Existen también ROM mayores que constituye n
ejemplos de integración a gran escala (LSI). El tiempo necesario para que aparezca una salida válida de sde
el momento en que se aplica una entrada a la memoria se de nomina tiempo de acceso, que en el ROM
bipolar es de menos de lOO ns.

uuecctonadc
X o de filas
IY.
A.

!Y,
A,
'b ,
• IY Memoria de 2.048 bil.
A, ~
•• Matriz 64)( 32

A, ! •
•
- ''b
"
codificadora

A. J •
•
A, !Y"

Direccio nado Y
o de columnas
A.
A,
A,
8.,
Selector Sejector
, . I
Selector
Ka l
Serecmr
j\il t

B ,~~-,

", ~-L_/

4 bit de salida por inform ación y J r, r, r.

Fi~ura 7·.10. ROMde2 kb t ~ 12 \ -1 hilf cun direccionado en dos direcciones. Oh"'-'r ~e'e 'l\le el direccionado de column;lsi\ . A J .A~
' l' a plica a lo, ruarro ,ekcllul's mnltfplc x. El " hil' selector deentrada (,S,e emplea ron ñnc dl' habilitación.

En un ROM con gran número de entradas. la disposición de decod ificación de la Pig . 7-26 es
impract icable. Consideremos por eje mplo un ROM de 5 12 x 4 = 2048 hit (M = 9 Y N = 4 ). En e l
decodificad or se necesitan en total 5 12 pue rtas NANO, una por cada línea. Se consigue una gra n economía
empleando la topología de la Fig. 7-30. Una e ntrada (fila) de 6 bit genera M lineas horizontal es. Si en la
matriz de memoria se utilizan 32 líneas Y (verticales) el númer o tot al de bit será M x 32 = 2048 como
pretend íamos. No obstante. como sólo est én especi ficadas c uatro líneas de salida deberán e mplearse cuatro
selectores de 8 a I lineas. Cada multfple x viene alimentado por una columna de d ireccionad o de 3 bit. A
esta disposición se le llama X· Y o de direccio nada bidimensional, O bs érvese que ahora se necesitan 64
puert as NANIl para el decodificador y 4 X9 = 36 para los selectores de la configuració n NANlHMN I>( ANU-OR)
de la Fig. 7-2 1. (Evidentemente Ull selector de 8 entrada s necesita nue ve puerta s ). El tot al de 64 + 36 =
100 NAND es muy ventaj oso frente a las 5 12 necesarias para la disposición decodificadora de la Fig. 7-26
a igualdad de tamaño dcl ROM. Para la Fig. 7-30 se necesitan 64 transistores con 32 emisores cada U[l O,
mientra s que en la Fig. 7-26 hay 5 12 transistores de cuatro e miso res cada uno .
300 Microetectr ánico moderna

Ampliación de la infor mación

Se consigue fácilmente aumentand o el número de bit por información. Por ejemplo. se obtiene un
ROM de 5 12 x 8 bit empleando dos de 512 x 4 bit. El direccionado de la Fig. 7- 27 se aplica a los dos
chips simultáneamente. Los 4 bit de menor signiñcancia se obtienen de uno de los dos encapsulados y los
4 más sign ificativos del otro.
. Y
Y"
,
Y. » J'
IJ'. r ,,1 11 Y,11 1,Y OI Y"
1J'" Y" Ir Ol

<:~
~
Al •
. lO)
256 X 4 ·
• 256
ll)
x4 .. (2)
256 X 4
--;-
..
l3J
256 X 4

.'1 ,':'- es, es, · es, es, 1- es, es, - es, es,
Inhibición
A 9 As A~ A B A ~A 8 A~A .

~
Decodi-
Bcedcr
~ ,

Figura '·31 . La ampliación de direccionado conviertecuatro ROMs de 256 x 4 en una memoria de 1.024 x 4 bit.

Ampliación del direccionado

Tener informaciones adicional es (sin aumentar sus bits) es más complicado. Por ejemplo. para tener
1024 informacion es de 4 bit cada una se necesitan cuatro ROM de 256 x 4. un decodificador exterior de
2 a 4 líneas y etapas de salida de tres estados (Fig. 6-39) como indica la Fig . 7-3 1.
El funcionamiento de este sistema se explica de la siguiente forma : Las entradas Ar ..... .A o se aplican
en paralelo a los cua lro ROM de 256 x 4 cuya" salidas ORestén unidas entre sí. Una entrada de 2 bit A~ As
se aplica a un decodificador (Fig. 7-17) cuyas cuatro salidas gobi ernan los cuatro chip s CS r Por ejemplo.
si A9 = OYAs = I entonces CS1 = Opara el chip I y CS 2 = I para todos los demá s. En consecuencia el chip
I queda habi litado mientras que los otros tres presentan una gran impedancia de salida. Po r tanto . en la
salida sólo aparecen Yo = YOI ' YI = YI I • Y1 = Y11 e YJ = YJ I del encapsulado 1. Cada combinación de O y I
en las entradas A9A 8 , • •• .AI Aoseconvierte en un código de salida de 4 bit, con un total de 1024 ínformaciones
de 4 bit en la memoria.

7·11. APLICACIONES DE LOS ROM

Como se ha visto en la sección anterior. un ROM es una unidad de conversión de código. Sin embargo.
muc hos sistemas práct icos distintos representan una tras lación de uno a otro código.
A continuación veremo s las aplicacione s más importantes de los ROM .

Tablas de recurrencia
A veces se requieren de una calculadora cálculos de rutina tales como funcio nes trigonométricas .
logaritmos. exponenciales. raíces cuadradas. etc. Si esto ocurre con suficiente frecuenc ia es más econ é-
 Combinación de sistemas digitales 30 1

mico emplear un ROM a manera de labia de recurrencia en lugar de seguir un programa más complicado
para el cálculo. Una labia de recurrencía de por ejemplo Y = sen X es un sistema de conversión entre el
código de entrada representativo del argumento X en notación binaria (con cualquier precisión deseada)
y el código de salida que dé los valores correspondientes de la función seno. Evidentemente, cualquier
cálculo para el que se pueda establecer una tabla de la verdad podrá resolverse con un ROM (uno distinto
para cada labia).

Generadores de secuencia
Si en un sistema digital se precisan trenes de P impulsos con fines de control o ensayo, éstos se pueden
obtener con P muh íplex conectados paraconversión de paralelo a serie (Sec. 7·7). Un procedimiento más
econ ómico de suministrar estas secuencias binarias es emplear una ROM con P salidas, cambiando el
direccionado mediante un contador. Como ya se indicó en la Sec. 7·7. la entrada al codificador pasa de
W. a W,. a Wr -' etc. cada T segundos. Con esta excitaci ón la salida Y, de la ROM representada por la
Tabla 7-4 (conversión de códigoGray a binario) es:

Y, ~ 11 000011 0011 1100 (LSII) (7-l l)

Esta ecuación se obtiene leyendo losdígitos de la columna Y1 de arriba a abajo. Ello indica que durante
los 2T primeros segundos Y, se mantiene bajo, durante los 4T segundos siguientes Y, está alto, en los
siguientes 2T otra vez bajo, en los otros 2T alto y en los siguientes 4T bajo y en los últimos 2T Y1 está
alto. Pasados estos 16T segundos se va repitiendo la secuencia mientras se suministren impulsos al
contador.
Simultáneamente con Y, se crean otros tres trenes de impulsos sincronizados, Yo' YJ e Yr En general,
el número de secuencias obtenidas es igual al número de salidas de la ROM. Se puede generar cualquier
serie deondas binarias si la tabla de la verdad está bien especificada.es decir, si la ROMestá correctamente
programada.

Generador de ondas
Si la salida del generador digital de secuencias se convierte en tensión anal6gica tendremos un
generador de ondas. Consideremos una ROMde 256 x 8 bit, secuenciada por medio de un contador de 8
bit. Cada pasodel contador representa un 360/256 = 1,406· de la onda. La ROM está programada de fonna
que las salidas de Y. a Y, dan el númerodigital correspondiente a la amplitud analógica en cada paso. Las
salidas de la ROM alimentanun convertidor digital/anal ógico (Secc. 16-4) y 1a salida de la onda analógica
deseada. Esta salida varía en pequeños pasos discretos (cada uno de ellos de menos del 0.5% del valor a
plena escala) y por tanto puede ser conveniente un simple filtrado.
r,
r,I Ir,
y· I~Jy~
o 2 l 4 S 6 7 8 9 10 11 12 U 14 IS
r,
(.) (b )

Figura 7·32. (o ) tde nlincaciÓf! de los segmenlO'!l e n una ima gen visible de 7 segme ntos. (h ) Rgura resu tlanle e n cada uno de tos 16
códigos de e mrada de 4 bit.
302 Microelectrónica moderna

Ima gen visible de siete segmentos

Es práctica común hacer visible la lectura de un aparato digital (medidor de frecuencia. voltímetro
digital. etc.) mediante el indicador num érico de siete segmentos como el de la Fig. 7-32. de los que e xiste
una gran variedad en el come rcio. Un indicador de estado sólido cuyos segmentos reciben su lum inosidad
de unos diodo s em isores de luz de arseniuro o fosfururo de galio. Trab ajan a baja tensió n y poca potencia
y por tan to pueden ser e xcitados directamente por puertas 16gicas integradas.
Las 10 primeras imágenes de la Fig. 7-23b son las cifras del Oal9 que en el instrumento digit al están
representadas en fonoa BCD. Un código de 4 bit tiene 16 estados posibles. y las imágenes del 10 al 15 de
la Fig. 7·23b son los únicos símbolos utilizados para identificar una condici6n de BCD no v éhda .

Tabla 7·5 Co nvers l én del c6digo BCD al del indicador de siete segmentos

Entradas en c6digo Informa ció n Sa lidas en código

bina rio decima l decodificada (1,, 1indicador de 7 segm entos

SJ - D X1 =e XI =B Ka - A W. Y, Y, Y. Y, Y, Y, Y.
O O O O W. I O O O O O O
O O O I W, I 1 I 1 O O I
O O I O W, O 1 O O 1 O O
O O I I W, O I I O O O O
O I O O W. O O I 1 O O I
O I O 1 W, O O I O O I O
O 1 1 O W. O O O O O I I
O I 1 I W, I I I I O O O
I O O O W. O O O O O O O
1 O O 1 W. O O I 1 O O O
1 O I O W,. O I O O I I I
I O I I W" O I I O O I I
I I O O W" O O I I I O I
I I O I W" O O I O I I O
I I I O W,. O O O O I I I
I I I I W" I I I I I I I

El problem a de pasarde la entrada BCD a las salidas de siete segmentos de la Fig . 7-32 se resuelve
fácilmente empleando un ROM. Si un segmento excitado (lumin oso) se iden tifica como en estado Oy uno
apag ado como en es tado I se obtiene la tabla de la verd ad (Ta bla 7-5). Esta tabla se comprueba de la
siguiente fonna: Para la inform ación W (corres pondiente a la cifra O) ve mos e n la Fig. 7-3 2 qu e Yh 1 =
Yque todos los demás valores Y son O. Pata w, = = =
(correspondiente a la cifra 4 ) Yo Yl Y 4 1, e Yl Y1 =
=Y ,= Y6 = O, Y así sucesivamente. La ROM se programa tal como se ha explicado en la Seco7-9 para
responder a la tabla de la verdad. .
Por ejemplo:

(7-32)

Hay que observar que una ROM puede no usar el mínimo núm ero de pue rtas para lleva r a cabo una
conv ers ión de código particular. Consideremo s la Ec. (7· 32) escrita co mo suma de produ ctos. Reempla -
zando W. po r XJ X2 XI Xo iiI DeSA y empleando expresion es análogas para las salidas de los demás
decodificadores. la Ec. (7. 32) se convierte en
 Combinación de sistemas digitales 303

Yo ~ i5EBA + DeBA + i5CBA + DEBA + DEBA

+ DeBA + DeBA + DCBA (7-331
Existen técnicas algebraicas y gráficas y programas de cálculo para minimizar estas expresiones de
Boole. Obsérvese por ejemplo que pueden simplificarse los térm inos segundo y tercero

i5CBA + i5CBA = i5CA

ya que B + B = l . Procediendo de esta forma (Prob. 7-40) se obtiene la siguiente expresión minimizada
de Yo

Yo = DCBA + CA + DB (7-341

Empleando las expresiones minimizadas de Yo' y l....y6 se economizan alrededor del 20% de los
componentes requeridos por la ROM. Un chip construido de esta forma (por ejem plo el 74HC45 11) se
denomina «decodificador/excitador de BCD a siete segmentos».
La minimi zación de las ecuaciones de Boole result a pesada y lenta (sobre todo si el número de varia bles
de cada producto es mayor de cinco). Hay que comparar el coste del tiemp o empl eado para minimizar y
diseñar un chip integrado especial, con el de programar sencilla mente una ROM ya existente. Salvo el
caso de tener que fabricar un enorme número de ejemplares (particula rmente si la matriz es muy amplia)
la ROM es el procedimiento más económico. Las disposiciones lógicas programabl es qu e estudiaremos
en la próxima sección aportan un métod o conveniente para diseñar funcione s lógicas complejas empleando
elemento s fijos.

Lógica combinatoria
Si se dan N ecuaciones lógicas de M variables en la forma canónica de suma de pro ductos, pueden
cumplirse estas ecuaciones con una ROM de M entradas y N salidas . Como ya se ha indicado anterio r-
mente,esta es una solución económica cuando M y N son grandes (es pecia lmen te si lo es M ). Sin embargo,
= =
en el diseño lógico de una etapa de un sumador completo en el que M 3 Y N 2 (números pequeños) y
que se vend e en grandes cantidades es más eco nómico usar distintas combinacio nes de puertas. como en
la Fig. 7-7, que emplear ROM.

Generador de caracteres
Los caracteres alfanuméricos se pueden «escribir» en la pantalla de un tubo de rayos catódicos (del
tipo de televisión) con la ayuda de una ROM.

Almacenamiento de programas
En una ROM se almacenan permanentemente programas de control (por ejemp lo en una calculadora
de bolsillo).
304 Mtcroetectronica moderna

7-12. ROMS PROGRAMABLES (PROMS)

Muchos fabricantes suministran ROM programables denominados PROM (véase Apéndice B·1).
Estos chips integrados proporcionan flexibilidad al diseñador y permiten reducir costes, especialmente
cuando sólo se precisan pequeñas cantidades de un determinado ROM . El coste de la máscara de
conexiones es elevado cuando hay que amortizarlo entre pocas unidades. Además la demora en el
suministro puede ser excesiva.
Una PROM contiene una matriz codificadora en la que están hechas todas las conexiones que puedan
ser requeridas. Por ejemplo, la ROM de 256 bit descrita en la sección anterior puede convertirse en PROM
conteniendo 32 transistores con 8 emisores cada uno (designados Eo' El ···· E7 ) . Cada emisor Eo está unido
a la salida Yo, cada emisor El a la salida YI, y así sucesivamente. En serie con cada emisor se añade una
fina cinta de polisilicio que actúa como fusible que abre al circuito cuando pasa una corriente superior a
la prescrita a través del elemento de memoria. El usuario puede fundir o eliminarestos fusibles-para abrir
las conexiones oportunas a fin de que la ROM responda a la relaci ón funcional deseada entre entrada y
salida.
Otra forma de ver la ROM es considerarla como una matriz consistente en una disposici6n AND y otra
DR. Esta organización engendra una relaci6n funcional entrada-salida en forma de suma de productos. La
memoria programable de s610 lectura consiste en una disposición AND fija y otra OR programable como
se ve en la Fig. 7-33. Las X de esta figura representan conexiones a las entradas de puerta (fusibles).
Obsérvese que sólo existen algunas conexiones AND, mientras todas las conexiones de entrada OR están
hechas. La programación se lleva a cabo fundiendo las conexiones OR no deseadas. Para «quemar» el
programa se emplea un aparato llamado programador que suministra la corriente necesaria para abrir el
fusible. Evidentemente, una vez la ROM ha sido programada fundiendo fusibles el programa ya no se
puede alterar. No obstante, en ciertos MOS PROM se puede borrar el programa y escribir eléctricamente
uno nuevo.

7·13. PROM BORRABLE

Existen dos tipos de MOS PROM en los que se puede borrar el programa, y que son el llamado «PROM
borrable (EPROM)>> y el «PROM borrable eléctricamente» (cambiable) (E1PROM o EAROM ). En la
próxima sección estudiaremos ambos tipos.

EPROMS
Las memorias programables de s610 lectura programadas fundiendo las conexiones no admiten
cambios, pues el fusible quemado no puede repararse. Los PROM borrables se basan en la estructura
especial MOS representada en la Fig. 7-34a . A este transistor NMOS de doble puerta a veces se le
denomina FAMOS (de las iniciales de Ploating-gate Avalanche-injection Metal Oxide Semi conductor).
La puerta 1 es de polisilicio y se deja «flotante» en cuanto no tiene conexión alguna . Esta puerta está
completamente rodeada de Si01y por tanto noexiste ningún camino para la descarga y la carga almacenada
en ella. Aplicando una tensión positiva alta (unos 25 V) entre la puerta 2 y el drenaje, la elevada intensidad
del campo eléctrico en la región de deplexi6n de la unión pI! drenaje-sustrato provoca la ruptura por
avalancha, y de esta ruptura nace una corriente adicional elevada. En consecuencia, los electrones de alta
energía, acelerados por el campo eléctrico. penetran en la fina capa de óxido y se acumulan en la puerta
1. No habiendo vía para la descarga, la carga acumulada fuerza que la tensión en la puerta I pase a negativa
cuando la de la puerta 2 y del drenaje sean cero. Esta tensión negativa en la puerta l evita que se induzca
 Combinación de sistemas digitales 305

A 8 e D

,-----
... . r:-
,--- ,-----
.., v

-
'F Conexiones de la disposición
,
o.
, ,
~,
l' r- ,
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J
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1 · /

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1 ·,
l' r- , , , ,
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Conexiones de la disposición ANO

~
~ ' ~i
,
r
'
I '-;
~
,
~ ',
\¡
..
-
i~' r~ )11 l
Salidas
Figura 7-33. Organización de una memoria programable de sólo lectura consistente en una disposición ANO fija y otra Da progra-
mable. (Las X representan conexiones fusibles.¡

un canal entre la fuente 11+ y la regiónde drenaje cuando se aplique a la puerta 2 un nivel de tensión normal
para la lógica 1 (unos 5 V) (Fig. 7-34b). El resultado es que se ha almacenado una lógica I en esta célula
ROM. La programación del PROMse resuelve colocando lógicas l en las células apropiadas.
Las excelentes propiedades aislantes del Si02 pueden mantener durante muchos años las cargas
inducidasen la puerta l. (Se estimaque más del 70% de la carga se mantendrátodavía después de 10años
30 6 sticroe tectr ánica lIIot!erl/tl

Salida
o Ifnea
de bit y~

/ Ctlnla"IU<.l e drellaj,· ( 11 '.. )

Línea de información
(del decodificador Xl

'"' ",
t'iguru 7-.\.1. (a l l.suucturu de puerla llul<l llle do: po li..i1 id o H'AMOS ¡ e mpicada para kumar un" PRO M [EPRO Mtlxu rublc. (I'J
Dia!!ram:l ,k l d rOlilu de una célula EI'RC lM lipit:a e nrplealldn el FAMC)S.

aú n a la te mpe ratura de 125"C. ) Sin embargo. se puede borrar e l e leme nto expc nl éndolo a los rayos
ultr av ioleta. La corriente fotoe léc trica produc ida e lim ina la carga de la pue rta , po rq ue el S iO l se hace
ligeramente cond ucto r bajo la acción de es tos rayos.

E' PROM S
Los EPRO M tienen e l inconven iente de necesitar un tiempo de e xposición largo para borrar co n
ultr avioletas. por lo que no es adecuado cn aplicaciones qu e req uie ran cambios rápid os. Lo s ElPRO M
solven tan es te incon ven ien te permitiendo un bor rado e léc trico re la tivame nte ráp ido de l d ato a lmace nado .
Se emplea una es tructura similar a la de la Fig. 7 -34a en la (lue el e spesor de l óx ido entre la puer ta I y la
reg ión de silic io se red uce hasta llegar a l orden de uno s 100 Á . Una ten sió n de l o rden de lo s lO V (tensión
mayor q ue el nivel lóg ico positivo norm al) aplicada a través de la cap a de S iO l e xtre mada mente delgad a
hace q ue los elec tro nes fluyan a la puerta I por tln proce so mec:ín ico -cuánti co. Las cargas inducida s evitan
la formación de un canal cua ndo se aplica una lógica I a la puerta 2, q ucd ando e n co nsec uenc ia a lmaccnado
un l . El borra do se cons igue invirt iendo la tensión neces itad a para almace na r la lógica l .

7·14. LÓGICA DE DISPOSICIÓ N PROGRAM AIlLE

Esta lóg ica (PAL) está re lacion ada con la PRO M e n e l sentido de q ue tam bién es un a matriz q ue
co mprende una form ación A NO y otra OR o S in embargo en un a PAL la O f! es fija y la A NO prog ramable.
En mucho s sis temas lógicos las expres io nes sim plificadas de Buolc se alca nza n co n la d ispo sic ión PAL.
En la Fig. 7·35 vemos un PAL de 16 informa ciones de 4 bit, e n la 4ue las X re pres entan co ne xiones
(unione s fusibles). Obs érvese 4 ue sólo figuran conexiones espec íficas OR mientras qu e están todas las ANO
posibles. El programa se prepara fundiendo I:IS co nex iones AN i) no deseada s em plea ndo las m ismas
técn icas empleadas para los PROM. El «Mon olit hic Memorics 1011 8» es un PAL típico de 8 kb,d isp onible
en un encapsulado de 20 patillas. Co ntiene 10 líneas de e ntrada y 8 de salida pudi end o alm acenar 10 24
(2 10) informaciones dc 8 bit.
Ta mbi én se puede n formar PAL e mplea ndo d isposiciones AO I ( IOL8 ). El proceso de programar es
idéntico qu e para la disposición ANO-OR, las salidas so n lo s «mi ntcrm - re lac ion ados co n las co mbinac iones
de la puert a ANO-O R.
 Combina ci ón de sistemas digiJa/es 307

8 D

.1 r: .e- e- itlCcnea jones de ladisposición o.

, , , , ,
l'
I
l'
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l'
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, / ,
Conexiones de ladisposición AND

JI, I
1""
Sal idas.
Figura '-35. Disposición lógica programable(PALjformada por una AND programable yunaOR fij a.

7· 15. D1SPOSICIO NF-S LÓGICAS PR OGR AMABLES (PLA)

Esta disposición es la más ve rsátil de las disposiciones A ND -OR integradas. En un PLA existen todas
las cone xiones de las puertas ANI) y OR o El programa se prepara fundiendo los e nlaces no dese ados .
308 Mlcroetectrontco modema

Lo que sigue ilustra sobre el uso y versatilidad del PLA. En la Seco7-9 se comentó el ROM (lntel
2316A) de 16 kb (2048 x 8) que tiene M = II entradas y N =8 salidas. Para cada aumento de M en una
unidad se duplica el número de bit. Por ejemplo, si M = 16 conservándose N =8. el número de
informaciones en 2 1h - 65.536 Yel de bit 65.536 x 8 - 524.288. Este enorme número de hit no es factible
con un solo ROM en un chip. siendo necesarios 16 encapsulados ROM de 16 kb interconectados para la
extensión de direccionado (Sec. 7-10). Este sistema satisface N = 8 ecuaciones lógicas combinacionales
A B e o

Conex iones <le la d isf'll",ición tlR

r- r- r- ' 1' , l' ,

1, 1,
-, , l' l'

r- r- r-
l'

l' ,
1,
- l'

r- ' 1' r- r- l' l'

1, 1/
r- r- l'

l' l' l' l'

1, 1,
l' l' l' l' l'
1/ '
l' l' l' l'

......
_ .'
-:'
l'
l' l'

l' l'
1/

, , . .. '
."
10' 9
Ccn e xjoecvde la lli"I" "' I' I.m "''' 0

I 1 1
Y, l' l YI r,
Salidas
Figur a ' -)6 . Disposición lógica programable (PLA). Tanto ladisposición "'ND como la ORSOIlprogramables.
 Combinación de sistemas digitales 309

con M = 16 variables (Sec. 7-11). Cada ec uación se expresa en form a canónica de suma de productos.
Cada prod ucto contie ne 16 facto res habiendo un total de 65 .536 térmi nos (o informa c iones ).
Cons idere mos un sub-conjunto del sistema ROM anteri or. El número de entradas y de salidas se
mant iene el mismo (M = 16 YN = 8) pero cada suma tie ne, por ejemp lo, sólo 48 t érminos de productos
en lugar de 10565.536, a los q ue se les llama prod uctos pa rciales de las variables de entrada porque cada
producto 1/0 contiene todos los 16 impul sos (o sus com ple me ntos). Ta l sistema de lógica combinac ional
se conoce como ordenación lógica programable (PLA) de 16 x 48 x 8 lo que ind ica que hay 16 entradas,
8 sa lidas y un rotal de 48 productos parciales co mo indica la Fig. 7-36.
El decodificador del PLA de la Fig. 7-36 contiene 48 puertas ANO. La salida de cada una de ellas es
un término de producto parcial siendo normalment e pequeño e l núm ero de entradas a cualquie r puerta:
como máximo igual al número de bit de datos de entrada (16). La matri z cod ificadora consiste en oc ho
puertas DR cuyas sa lidas son las ocho funciones de sa lida del PLA. El máxi mo nú mero de entradas a
cualquier puerta OR es igual al número de térm inos de producto (48) , aunque norm alment e es mucho
menor. A manera de eje mplo consideremos dos ec uaciones lógicas combinac ionales (d istintas de las ocho
llevadas a cabo por el PLA de la Fig. 7-36) tales como

Ou =: A JAn + A~A 4 A I + A IIAlU A 7AJ + Au + A I 5 A 14 (7-351

01 =: A 5A4A o + A 9A 4A 1 + A I 2A 6 (7-361

Estas dos salidas emplean siete términos de producto porque A¡\4A I es co mún a ambas. Los 48 - 7
= 41 términos restantes queda n dispon ibles para las sei s sa lidas restant es desde 0 2 a 0 7. Una de las
puertas AN D tiene una entrada, tres tienen dos entradas , una tiene tres y otra cuatro. La puerta OH. de 0 u
tiene cinco entradas y la de O I tiene tres.

Tabla 7· 6 Tabla de la verdad de un PL.A para las Ec. (7·35) Y(7·36)

En/radas Solida s
Térm ino 15 14 13 12 IJ /0 9 s 7 6 5 4 s 1 11 11

11 X X X X X X X X X X X X 11 X X / n /
I X X X X X X n X X X X I X X U X I I
2 X X X X J u X X U X X X I X X X u J

,,
3 X X J X X X X X X X X X X X X X 11 I
11 I X X X X X X X X X X X X X X 11 I
X X X X X X X X X X I 11 X X X I J 11
6 X X X X X X X X I X X X X X X J U

La Tabl a 7·6 es la tabla de la verdad correspondiente a las ecuaciones anteriores. Se emplea lóg ica
positiva y cada línea representa un término de producto. Si un dato de entrada es cierto (o falso) apa rece
una lógica 1 (o O) en la columna represen tativa de tal entrada . Si e n un producto falta una variable hay
unaX (indiferente) en la columna de l dato de e ntrada y en la fila del prod ucto en co nsiderac ión. Si la salida
O. es I (o O)e llo significa que el término de producto represent ado por la Hnea conside rada es tá prese nte
(o ause nte) en la k-ésima función de salida .

Programación de un PLA
La Tabla 7-6 (ampliada hasta cubrir 8 funciones de salida y hasta 48 térmi nos de produ cto) es una
tahla de p rogramación para nn PLA de 16 x 48 x ~ . El usuario rellena la tabla pa ra satisfacer sus funcio nes
310 Mtcroetectr ántca moderna

r- 48 lt'nn illOS de producto - ,

1 6 Ifnl."~sc.lc
entrada
. 1 ,,_-:t_~ :t-1 ---':T
Matrices
producto
(puertas ANO)

f'., Líneas de producto

Matriz
(J"
de memorias
(puertas OR )

8 funciones
de s alida.

u,

Figura 7·37. FPLA 825100 ( 16 x 48 x 8), (Co rtes'a de Sigile/les ).

lógicas combinacio nales y el fabricante construye una máscara para la met alizació n y obtener las
conex iones opo rtunas. Por ejemplo. si figura una X e n la p-ésima e ntrada de dal as. y el r-ésimo t érmino
de producto, no se hace conexión de aluminio e ntre la entrada p (ni er are su comple ment o) y la I'-é!lma
puerta ANO. Por otra parte. si la entrada p-ésima es I (o O), para elténnino l' se metal iza e ntre A (o A ) Y
la r- ésima puerta ANO. Análogamente si la salida k-ésima es I (o O). para la m-és ima línea de pr~duct~ se
conecta con aluminio (o no se conecta) elténnino m a la entrada de la k-ésim a pue rta DR. El 6775 de la
Monolithic Memories lnc., (o el DM 8575 de la National Semiconductor ) es un ejemplo de dispositivo
lógico prog ramable con máscara con 14 entradas. 8 sa lidas y 96 t érminos de producto ( 14 x 96 x 8). Es
compatible con la lógica TrL y su tiempo de acceso es de aproxim adamente 50 ns.
Existen tam bién dispositi vos lógicos programables e n el propio talle r (FP LA) tales como el Signencs
82S IOO (16 x 48 x 8) represe ntado en diagrama de bloques en la Fig. 7· 36 . Bsre c hip bipolar e mplea
puertas AND de diodos (S houky) y puerta s O R seguido ras de e misor (Fig. 7-37 ). Este FPLA está
re presentado en la Fig. 7-37 en que cada X representa una unión fusible. Este sistema se program a en el
taller quema ndo selectivamente los fusibles para cortar las conexiones cojj venie ntes para satisface r la tabla
de l programa como se ha explicado ar ucrlormc nte. El com pleme nto A, de Al se obti ene medi ante un
 Combl"acidll de sistemas digilales 311

inv ersor (no represe ntado e n la figur a ). También se pued e conseg uir e n e l c h ip e l com ple me n to de cada
salida , pe ro este c ircuito se ha o m itido en la figu ra pa ra mayor s im pl ic idad . El e ncapsulado es co m pa ti ble
con salid as de tres es tados o de colec tor ab ierto (Fig. 6--39) incluye nd o ta mbi én c hip de habilitació n de
contro l.
El PLA (o FPLA) está dise ñado pa ra la ejecució n de f un cio ne s lóg ica s co m plej as: puede m an ej a r más
da tos de entrada y es más económico qu e e l ROM . Sirve para e l mi smo tipo de ap licacione s q ue el R OM
(Sec. 7· 11) s upuesto q ue el número de términos de producto nece sa rios se a una pequeña pa rte de l tot al de
co m binaciones de e ntrada posible.

REFER ENCIAS

Ho dgcs, D. A., YH. G . Jackson : Analysis and Design of Digitallntcgra tcd Circuits," McGraw·HiII, Nu eva
M

Yurk, 1983.
Z Hlnkeslce. T. R.: "D igna! Dcslgn with Srundurd MS I and Ui l," Juhn Wilcy and Sons, Nucv a York , 1975.
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-1 T3Uh, H., y D. Schilling : "D igitallmcgratcd Elecrrcnics," Mcflraw-Hill Bonk Com pany , Nueva York, 1975.
S Mano, M .M.: "Computcr Syslem Architcctu re," 2.' ed., Prcnt icc·Hall, Engjcwood Chffs, NJ ., 198 2.

6 Tau b. H.: " Digital Circuns and M tcruproccssors." McGraw·t1 ill Book Company, Nueva York, 1982.

7 IEEE Jmm wl ll¡ Solid-SItl/t' Circuits, publicación es pecial anual sobre lógica y memoria de los semiconduc-
tores , Nueva York , Oc tubre 1970 hasta el presente.

TEMAS DE REPASO

7· 1. (a) ¿Cuántos terminales de entrada necesita un chip conte nie ndo c uatro puerta s NOR de dos entradas?
Explíquese.
(b) Repeti r lo anterio r para un chip con dos puertas AOI de dos en tradas.
7·2 . Describir 55 1. MSI, LSI y VLSI.
7·3. Dibujar la configuración de unu puerta integrada TT L AO I y e xplicar su funcion amiento.
7· 4. Repetir el lema anterior para una puerta NMOS AO!.
7·5. ¿Qué tipo de co nexionado se empica en el tema 7-3? y ¿en el 7-4?
7·6. (a) Hallar la tabla de la verdad de un semisumador.
(b ) Muéstrese su c umplimie nto para el dfgito D y el arrastre C.
7·7 , Muéstrese el sistema de un sumador binario en paralelo dc 4 bit construido med iante sumadores comp letos
de I bit.
7·8. (o) Dibujar la tabla de la verdad e n un sumador de 3 bit Yexplicar clarame nte el significado de 105 slmbo los
de e ntrada y de salida de la tabla .
(b ) Escribir las expre sioees de Boole (sin simplificar ) para la suma y el arrastre.
7·9, (o) Mostrar el sistema para un sumador binario co mpleto e n serie.
(b) Explíquese su funcionamiento.
7, 10. Definir los co mp lemcntosa uno y a Ik", de un numero binar io.
7·1 1, (a) Consideremos dos núm eros A y B de cuatro bit siendo B > A . Demostrar que para res tar A de B sólo sc
necesita sumar B, A y l .
3 12 Microetectronica moderna

(h ) Ind icar de forma senci lla un susrractor de 4 bit obtenido a part ir de un sumador com pleto.
7·12. Considere mos dos números A y B de un bit i.Cuáles so n las puertas lóg ic as necesari as para com probar qu e:
(ulA = 8. (hl A > B ytdA < tr!
7· 13 (ti) Considere mos dos nú memsA y B dc4 hiloSi E = I repreSl,.· nla A = B escribirla c " presión de Boole para
E. E" pliq uesc .
eh) Si e = I re pre scnl a la desiguald ad A > B. escr ibi r la c"pres i6n de IItlu lc para C. Exptlquese.
' · 14. Explicarel sistema para un comprobador de pari d ad impar d e 4 bit
7· 15. (a) Mostrar un sistema para aumentar la fiab ilidad de una lrans misiórl de informaci ón binaria e mpleando un
comprobador y gene rador de pari dad .
(h ) Explíquese el fundonamie nlo de l siste ma,
7· 16. Esc ribir e l nume ro decimal 538 en sistema BCD.
' · 17. (a) Defini r un decodificador.
(h ) Ind icar có mo se decodific a e l códi go de 4 bit 10 11 ( LSB ).
' · 18. (a) De finir un demuhfp le x.
(h ) Mostrar có mo invertir un decod ificado r e n un demuhfple x.
(1") Indicar có mo se añade a l sistema una seña l de habilita ción.
7· 19. Diqujar e l diagra ma lóg ico de bloq ues de un ár bo l der nuh lple x de I a 32 sa lid as e m picando un .. tr on co .. con
c uatro líneas de salida. Indica r el dir eccionado co rrec to.
7·20. (a) Defini r un multlplex .
( h ) Dibujar el diagra ma lógico de bloq ues de un multfplex de 4 u I line a.
7. 21. Mo strar cómo puede e mplearse un mult fplc x a man era de: (a) co nve rtid or par alelo-serie . y (b) selec to r
secue ncia l de dat os .
7· 22. Dibujar el dia grama lógico de bloques de un selec tor- mulu ple x de 32 a I línea . Empl éense sele c tore s con un
má ximo de oc ho líneas de entrada. Ind lq uese el d irecci onado COTTecIO.
7· 23. (a ) Definir un codificador.
(h) Ind icar un codilic ador de mau iz de diodos para lransform ar un nu mero dec imal a código binario .
7·24. (a) Ind icar una matri z codifcadora empleando seg u idores de emiso r. En el c aso concreto de un decodificador
para tran sformar un número dec imal a código binario . señ a lar las conexiones: (b) a la sal id a Y,. Y (e) en
la línea W . •
f
7· 25. (u ) Definir un codificador de prior idad .
(b) Escribir la labi a de la verdad para un codificador de pr ior idad de 4 a 2 líneas.
7-26. (a) Desc rib ir una memoria de sólo lectura .
(h ) Dibujar el di agra ma de bloq ues de una RO M.
(e) i.Q ué es lo que se almacena en la memor ia?
(d) i.De q ué están form ados los eleme ntos de me mori a?
' · 27. Ind icar e l di agrama de bloques de una RO M de 6 24 x 4 b it e mp lea ndo d ireccionado bid ime nsion al. Em pléese
una matriz de 64 x 32.
7-28. (a ) Escribir la tabla de la verdad para co nve n ir un cód igo binario a G ray.
(h ) Escribir las se is primeras lineas de la tab la de la ve rdasd para co nven ir un cód igo G ray a bin ar io .
7·29. Explíquese lo q ue se e ntiende po r prog ram ac ión c on m áscara de una RO M.
7·30. (a ) ¡,Q ué se ent iende por PRO M?
(b ) i.Cómo se rea liza la programac ión en el ta lle r?
7·J I. Citar tres aplicac iones del RO M ex plicándola s bre vem ente .
7·32. (a) i.Q ué es un indicador visible de siete segmento s?
(b ) Mostrar las dos siguie ntes Hneas en la tab la de con vers ión de código BCD a l de s ie te seg me ntos 000 1 y
010 1.
7·3J. (a ) i.Q ué s igni fICan las siglas EPR OM y El PROM?
(b ) Explica r brevement e su funcionam iento.
7·34. (a ) Re petir el tema 7-330 para el d isposi livo FA MaS.
(h) Esbozar la sección de un FAM a S y e xplica r brev emente su Iuocionam enro.
7· J S. (a ) Com parar una d ispos ición ló gica prog rama ble ( PLA) ron un a lóg ica de d isposic ión pro gramable (PA L).
(b) i.C6mo es lán el PA L y el PLA relacionados ron un ROM?
7·)6. ¿Qué se e ntie nde por un PLA de 16 x 48 x 81
 Circuitos y sistemas
secuenciales

Muchos sistemas digitales deben trabajar en sincronismo con una secuencia de señales binarias (un'
tren de impulsos). Por ejemplo.el funci onamiento de una calculadora digital depende de recibir en primer
lugar una instrucción de la memoria y almacenarla en un registrador hasta que queda ejecutada. El dato a
procesar debeobtenersede sumemoria. Bltercer paso consisteen ejecutar la instrucción.Simulláneamente
un contador debe avanzar para preparar la instrucción siguiente. Para el buen funcionamiento del sistema
la temporización y secuencia de estos pasos es critica. Los circuitos y sistemas secuenciales se emplean
para procesar sincrónicamente señales binarias. También se necesitan circuitos capaces de almacenar
señales binarias (memorias).
EJ bloque constructivo básico incorporado en los circuitos secuenciales es el biestable o FLlP-fl.OP. En
este capítulo trataremos de registradores y contadores. dos tipos de circuitos basados en los FUp- A-QP (o
biestables). También describiremos varias aplicaciones típicas de estos circuitos.

8· 1. UNA MEMO RIA DE 1 BIT

Todos los sistemas vistos en el Cap. 7 están basados en una lógica combinatoria. Las salidas en un
momento dado dependen sólo de los valores de las entradas en ese mismo momento. De estos sistemas
se dice que 110 tienen memoria. Obsérvese que una ROM es un circuito combinatorio, y de acuerdo con
la definici ón anterior no tiene memoria. La memoria de /111 ROM se refi~,.e al hecho de qll~ «memoriza »
fa relaci ónfuncionai a ure las variables de salida y las de entrada. No almacena bit de información.

Célula de almacenamie nto de 1 bit

El circuito digital básico de memoria se obtiene por el acoplamiento mutuo de dos circuitos NOT, NI
YN2 (puertas NAND de una sola entrada) en la forma representada en la Fig. 8-10. La salida de cada puerta
se conecta a laentradade la otra, y esta combinación de realimentación se denomina biestable o FLlP-Fl.OP.
La propiedad más importante del biestable es que puede permanecer en uno de dos estados estables. ya
sea Q = 1 (Q = O) que constituye el estado J o Q = O(Q = 1) que es el estadoíl. La existencia de estos dos
estados estables es debida a las interconexiones de la Fig. 8-10. Por ejemplo. si la salida de NI es Q = 1
también lo será Al' entradade N2. Este inversor tiene el estado Oen su salida Q. Puesto que Q está unido
a Al. la entrada de N I es O. y la correspondiente salida es Q = 1. Este resultado está de acuerdo c~ la
primera suposición de que Q = l . Un razonamiento similar nos lleva a la conclusión de que Q =o. Q = I
es también un estado posible. Es también comprobable que la situación en que ambas salidas estén en el
mismo estado (ambas I o ambas O) no es compatible con esta conexión.
Puesto que la configuración de la Fig. ¡·8a tiene dos estados estables se le denomina también circuito
binario o biestable. y puesto que puede almacenar un bit de información (ya sea Q = I o Q = O). forma
3 14 stkr oetectronica moderna

R,
o ,\ ' 1 °Q

R,
° .V2 Q

'0'
° ".
F1gun B·I . (a) Memoria de I bil.O bies .able. (b) fJ bics!abk proviu o de medios par. inlroducir el dato en la ctlula.

una unidad de memoria de I bit o célula de almacenamient o de I bit. Esta inform ación queda cerrada o
bloqueada por lo que a veces se denomina también cierre.
Supongamos que se desea almacenar un estado dado. por eje mplo Q = l. o que por el co mraric
queremos recordar el estado Q = O. Deberemos ..esc ribir.. un I o un Oen la célula de memoria cambiando
las puertas NOT de la Fi,g . 8· la por puertas NANO de dos entradas. N I y N 2 Yalimentar por las entradas 8 .
y B2 como en la Fig. 1-8h. :si suponemos B I = 1 Y B!= Oel estado de cada entrada y salida de puerta será
el que indica el esquema. Siendo Q = Oes evidente que para entrar un Oen la memoria se necesita que 8 1
= I Y8 1 = O. Análogamente se puede demostrar que para almacenar un I es necesario que 8 1 = O Y Bl. =
= =
1. Si 8 1 I Y B1 I se pueden suprimir estos dos terminales de las puertas NAN D sin afectar la lógica .
Dicho de a ira forma. el estado del biestable no esrá afectad o por la co mbinación de entrada B I = 8 1 = l.
Si antes de aplicar esta serie de entradas tenemos Q = I (o O) la salida seguirá siendo Q = 1 (o O) una vez
hayamos pasado a 8 I = 8 1 = l. Obsérvese que 8 . = 8 1 = O tampoco es admisible IProb. 8- 1)

Un inter rupt or sin oscilaciones

En un sistema digital es [recuente tener que pulsar una tecla para introducir un 1 o un Oen un punto
determinado. Muchos interruptores saltan o vibran varias veces antes de quedar fijos en la posición de
cerrado. La cé lula de almacenamiento antes descrita puede empicarse para obtener un cambio de estado
único cuando el interruptor cierra por primera vez indepe ndientemente de los saltos que pueda n seguir.
Consideremos la situación de la Fig. 8· 2 en la que el conmutador unipola r de dos posiciones est é al
principio conectando B] a tierra. c" forma que 8 ] = O. Desprecian do la corrien te de entrada de la puerta.

'M

1-- + ----jR.
,
Q
BiCl;t.hlc
d,
4 trul"
1

R,
1
_ 1 I

Ua ve
fijaciÓn
,~
°" " '1''---"-----;
. °
B: Q

., _ -""-01 Q
---,
Fi~ura S·2 . 1a t E! bilNablc de la Fig. S- lb hace q~ el ron......'lOde l inlerruploc se prud uz¡;a ~i n osc ilacioncl>. Formn de onda de
lb) B!. 11"18, Y(<1) Q.
 Circuitos y sistemas secuenciales 3 15

la tensión 8 , es de 5V qu e se considera la ten sión de estado 1: así q ue inicialme nte B I = l . En e l insta nte
1= " se pulsa la teda y e l conmutador pasa de la posic ión 2 ala l . En la fig 8-2b esté re presen tad a la o nda
,
de B,,. Para que el conmutado r alcance e l contac to I se necesita unticmpo r' = t ., -t de form a que B pasa ,
de I a O en el instante t; No ob stan te, co mo se ve en la Fig . 8-2e. el co ntacto re bot a y la conex ión se
interru mpe d unnuc los {nterva tos r, a t, y 1, a f n , (Para d ibu jar la figura se han puest o dos reb otes ). La
salida Q es la rep resentad a en la Fig. 8- 2(/ que es co ngruente con la lógica vista anteriorm e nte. o sea q ue
Q = 0 si BI ::: 1 y 8 : = 0 ; Q = I si BI = O YIJ: = 1. Q no qu eda afec tad a (no varía ) s i 8 , = lJ: = 1. O bsérve se
que el di spo sitivo ha elim inado los rebo tes o vibraciones pue sto qu e la salida Q mues tra un so lo ca m bio
de estado de O a I en el primer instante e n que BI queda co nect ado a tierra. De igua l form a se puede
demostrar qu e Q sufriré un solo salto de I a Oal vo lver e l inte rru pto r de B, a B] aun c uando se p rod uzca n
vibraciones en e l contacto B, (Prob. 8-2). Existe en e l mercado un c ircu ito integrado (74 LS 279A) c on
a
cuatro biestables, adecuado es ta aplicaci ón. Puesto q ue B I es.tá seña lado S y a B! se le de nom ina R, e l
encapsulado co ntiene cuatro biestables SR.

Biestable de fijación
La adición de dos puerta s N AND preced ie ndo a N I y N2 de la Fig. 8- l b, j untame n te co n un inve rsor,
dará el sistema (F ig. 8-3) para e l almace naje de un a info rmación bin aria de un bit. C uando la entrada de
habilit ac ión es a lta (G = 1) los dat os de entrada D se trans fieren a la salida Q. Esta afirmaci ón se co m prue ba
realm ente basándo se en la lógica satisfecha po r e l co nj unto N I-N2. Es dec ir, si D = O, S = O, R = 1, B, :::
1. B,• ::: Oy Q= O. Y análogamente, si D ::: 1, .) = I,R=O ,B I =0, 11,= •
I y Q = 1. Mie mras C se a ig ua l a
l . cualq u ier camb io en e l d ato D aparecerá e n Q.
S i el sis tema está inhibido (G = O) entonce s BI = B; = 1 indep end ie ntemente de l valor de D. Por tanto,
Q retiene el valor bina rio q ue ten ía inmediatamente antes de qu e G cambiase d e I a O.
La cé lula de memoria de la Fig. 8-3 se pued e cons truir de la co nfigurac ión AO! de la F ig. 7- 2 (P rob.
8-3). Se fabrican cuatro de tales biestables en un solo enca ps ulado de 16 pa tilla s (74 LS 375) co n salidas
compleme ntarias (Q y Q), así co mo encapsulados de 20 pati lla s co n ocho bie stables (74 ALS 57 3) con
una salida separada de tres es tados .

8-2. PROPIEI>AD ES DEL CIRC UIT O DE UN IlIESTABLE DE FIJACIÓN

En la Sec o !:l . I se describió la puert u de fijación N AN D en funció n de sus relacion es lógicas. En esta
secc ión no s valdrem os de las propiedades del circuito de las puert as para de mostrar la natura leza biestable
riel sistema .
Se pueden también form ar biestab les a partir de puerta s NORco mo se ve en la Fig. 8·4 . Con side re mos
el c aso e n e l que amba s entrada s en cada pue rta SOR esté n unid as e ntre sí. haciendo q ue c ada una ac t úe
co mo un inve rsor. En la Fig. 8-5a est á represent ada la ca ructc rlstica de tran sfe ren cia de l inversor. S in
realimen tación (hnca somb reada de la salida de la puerta 2 a la ent rada de la puert a I en la Fig. 8-4 ) los

Date
~
S

,\'3
",
o----:-;;ic=:~ ·~~~Q
<>---- N I .

H'bili ":~
;. LS.V
4
R

Figura 8-3. Unbiestable de fijación transfiere el d~ IO D a la salida Q si G = l.

3 16 Microetectr óntca moderno

"~---==rQ
" -~
-clD
:.;'", Q

Figura 8·4. Puerta de fijación fonnada conectando cruzadas dos puertas NOR .

dos inversores es tán en cascada. La función de transferencia I'a! en función de 1'" se ha re presentado en la
Fig. 8-5" . La línea de realimentación de la Fig. 8-4 hace que I',{ se iguale a I',,! : es ta relación es tá indicada
sombreada en la Fig. 8-5fJ mediante una línea recta de pendi ente unidad. La característica de transferenci a
y la rel ación de tensión deben cumplirse simultáneamente. y por tanto el funcionamiento del ci rcuito queda
confinado a es tar en la intersección de amba s curvas. Se ve que hay tres estad os pos ibles. C A. B Y e de la
Fig. 8-5h). en el biestable. Sin embargo. tal como se ve en el párrafo sigu iente sólo existen en realidad los
A y B,
La pendiente de la característica de transferencia (gananc ia del circ uito) es mayor que la unida d entre
p y P' . En consecuencia. si se está en es tado C cualquier señal extraña (ruid o) lle vará la sa lida a A o a B
(según sea la polaridad del impulso del ruido). La situación es análoga a los posible s resultados de lanzar
una moneda: puede caer de cara. de cruz, o (teóri camente) de canto. Pero la más ligera perturbación hará
que la que ha caído de canto pase inmediat amente a cara o a cruz. Llegamos a la conclusión que do s de
los tres estados posible s. (A y B de la Fig. 8-5" o caras y cruces de las monedas) so n dinámi cas y
es táticamente estables, mientras que el tercer es tado (C o canto) es inestabl e. As í con sólo dos estados
dinámicamente es tables se confir ma la naturaleza biestable del dispositivo. Obsérvese que e n A y en B.
donde la pendiente de la característica de transferencia es nula . cualquier peque ña perturbación no tiene
efecto alguno.
Los biestables pueden adquiri rse en cualquiera de las cuatro tecnologías de integración que se han visto
en el Cap. 6. Frecuentem ente se emplean biestables para «esc ribir» (S) o «borrar» (R) circuitos para
funcionar sincrónicamente con una sec uencia de impulsos. El biestable SR es un bloque co nst ructivo muy
corr iente en circuitos sec uenciales como se describi rá det alladamente en la Seco 8-3. La Fig. 8-6
corresponde a 1:1 topología dcl 74 LS 279 A en la que se identifi can dos pue rtas NANO y las cone xiones de
realimentación. El biestable ECL de la Fig. 8-7 utiliza las salidas NOR de la puerta básica ORiNOR. Los
circuitos de las Figs 8-8(1 y 8-8fJ son realiza cione s NMOS y CMOS respecti vamente de biestables SR que
emplean la topología de puerta NOR acop lada.

t'"

r ,

L ". " r'

'" '"
Figura 11-5 . (a ) Ca ructc rlstica de trans fe rencia Inve rsora. (b] Curacr e rrsuca de tran sjercn cta de tens ión de inversores en cascada. La
acción de la realimen tación ind ica que los puntos A y 8 corres ponden u dus estados es tables del biestable (El punto e es
d im\m ícamcmc i nestablc l.
 Circuitos y sistemas secuenciales 317

8·3. EL FLlp· FLOP SR TE MPORIZADO

Frecue ntemente se presenta el caso de tener que escribir o borrar un biestable en sincronismo con un
tren de impulsos. A un biestable gobernado de esta forma se le denomina FUP-FLOP. En esta secc ión
introduciremos un tipo de FLIP-FLOP y en la Seco8-4 veremos otros tipos comercialmente d isponibles.
,

'i
1-.

Q
¡
"
" X ~
..
,
f...

S R

~~ I
~~ T
PuertaNANO LS Puerta NANIJ L S

Figura 8·6. El biestableSR 74LS5279construido por dos puertas NANO TIL LS.

- J'u
Puertas NOR ECL

Figura 8·7. El biestable ECLempleando las salidas NOR.

318 Microe íectr ánica moderna

Sistema secuencial
Muchos sistemas digita les están temporizados. es decir. que funci onan en sinc ronismo co n un tren de
impulsos de periodo T. sistema denomin ado reloj (abreviadame nte Ck) tal como indica la Fig . 8-9. El
ancho ' del impu lso se supone pequeño comparado con T. los valore s binarios de cada punto del sistema
se supo'nen consta ntes en ca da intervalo entre impulsos. La transición de uno a otro estado de l sistema
só lo puede tener lugar mediante la aplicación de un impulso de re loj . Sea Q la sa lida (O o 1) en un
detenni nado nudo dur ante el s -ési mo interv alo (bit de tiem po n) preced iendo e l '~-ésimo impulso del re loj
(Fig. 8·9). Enton ces Q•• l es la salida corre spondiente en el interval o inmediatame nte posterior al e-ésimo
impulso. Un sistema en el que los valores Q,. Ql '" Q. se o btienen co n una sec ue nc ia de tie mpo a interv alos
T se denomina sistema lógico secuencial (pa ra distingu irlo de l combinacional). El vator de Q•• 1 puede
de pender de los va lores d urante el bit de tiempo anterior (e l u- ésimo) . En estas cond iciones el circuito
secuencial posee me moria .
+1'00

(o ,

Puertas NOR e MOS.

+l'oo

s R

COI
flll:ur. B-B. BieSlables (a) NMOS y (b) e MO S fonnados con puertas 1'fOa.
 Circuitos y sistemas secuenciales 3 19

E l FLlP -FLOP SR

S i el termi nal habilitado r de la Fig. 8 ~3 se em plea corno ent rada de l re loj (Ck ) y si se suprime e l in versor
par a proporcionar dos entradas de dat os;S (escritura) y R (horrado) obtendremo s el n.re-n.oetemportzado
SR de la Fig. 8- 10. Las puertas NI y N2 forma n el bie stab le mientra s que las N3 y N4 son las de control
y gobierno que pro graman e l estado de l FLlp·F LO P despu és de apa recer el impulso.
Obsérv ese q ue entre impulsos de l reloj (Ck = O) las salidas de N3 y N4 son I independ iente mente de
los valores de R o 5. Por tanto, e l circuito es equiv alente al bie stab le de la Fig. 8-la . Si Q = I se ma ntiene
I y si Q = Ose mantiene en O. Dicho de otra forma : El FLl P- FLOP 110 cambia de estado entre dos impulsos
del reloj, es invariable dentro de un bit de tiemp o.

r- - - - - - - - - - - - tBit de tiempo
iempo Bil de -,

n n -Il- . « T
HfI O~ Q~+l

..J LJ LJ L
O T 2T
L.- L.-
(II - I)T »r
--=- _
(lI +I) T I

Figura 8· 9. La sa lida de un oscilador maestro empleada a manera de tren de impulsos de! reloj para sincronizar un sistema sec uen-
cial.

Consideremos ahora el instante t = nT ( + ) en e l que haya un impu lso de l reloj (Ck = 1). S i 5 = O Y R
= O, las salidas N3 y N4 serán J. Por el razo nam iento ex pues to en e l párrafo anterior. e l estado 0 " del
FLlP-FLOP no cambia. De ahí que una vez pasado e l impulso (en el bit de tiempo 11 + 1) e l estado 0 ", 1 es
idéntico al Q". Si des ignamos los valores de R y 5 en e l intervalo inmediatam ent e ant erior a t ::: liT por R"
y S ,entonces Q ,= Qn si S ::: Oy R ::: O. Esta relación se encuentra en la primera línea de la tabla de la
verdad de la Fig: 8- IOh. " "

~;,r" 'X :
S. R. 0. , [

, Q.,
O O - S

O ,
,,
O
O
-

- R
'("k

¡¡
R N4 ~ Q

I DI I
,
1 Puertas de r-- Biestable
----j
gobierno (a ) (b, ,<,
Figura 8·10. (a) ~LtP.tU)1' temporizado. j/J) Tabla de la verdad {El signo interrogante indica q ue no se puede predecir es te es tado}.
(l")Simbol odeJcircuito.

Si Ck = 1, 5. = 0 Y R.= 1, ento nces B t ::: I y B1 =0, la situación es la de la Fig. 8-lh Y el es tado de

salida es O. Por tanto, una vez pasa do e l im pulso (al bit de tiempo 11 + 1) hallamos O." = Oconfirmando
la lerf..era línea de la tab la de la verdad . Si se intercambian R y S Ysim ultánea mente se intercambian tam bién
Q y Q no se a ltera e l d iagram a lógico de la Fig. 8-100. Por tanto, la seg unda linea de la tab la de la Fig.
8- IOh se ded uce de la tercera .
= =
Si Ck 1, Sn::: I y R" 1, las salidas de las puertas NAND, N3 YN4 son ambas O. Por tanto, las ent radas
B I de NI Y B2 de N2 so n O, de form a que las salidas tan to de N I co mo de N2 debe n ser l . Esta co ndición
320 Mtcroetectroutca modema

es lóg icamente inconsistente co n nuestra notac ió n de las do s sa lidas Q y Q. De bemos llega r a la concl usión
de qu e el transistor de sa lida de cada puert a NI y N2 está cort ado co n e l res ultado de qu e nm bus salidas
es tán a lias (1). Al fina l de ca da impu lso. las entradas B I Y B! aumentan de O a l . Depend iendo d e c uá l de
los impulsos crece más rápidamen te y dc las asimet rías de los pa rám etros pued e re sult ar c ualq uiera de los
est ados estables Q = I (Q::: O) oQ ::: O(Q = 1l. Por este moti vo se ha señ alado W II un interrogante e l valor
de Q•• I en la cuarta línea de la tabla de la verd ad. De ese es tado se d ice q ue e s indeterminado. ambiguo
o indefin ido. por lo qu e hay ev itar que se dé la con d ició n S. ::: I y R. ::: l .

8·4. FU I'-FUlI' TI POS J·K. T Y[)

Ademá s de los Fl. lI'-FLOP SR existen otras tre s var iantes de la me moria b ésica de I bit come rcial mente
d isponible . que son los tipos J -K. T y D . El A..IP-A..OP J-K e lim ina la ambigüedad de la tabla de la verd ad
de la Fig 8- IOh. El de tipo T actú a como un inte rruptor de pala nca y cambia e l est ado de sa lida :1 cada
impulso de l reloj; Q• • I = Q•. El de tipo O actúa co mo una un idad de retard o que hace qu e la sa lida Q siga
a la en trada O pero con un bit de tiem po de retraso; Q 1 D . Veamo s a cont inuación cad a uno de es tos
tres tipos de A.lP-H.OP. .' . •

El FLlp·FLOP J·K
Este bloq ue con st ructivo se nh tiene añadiendo al FUP- FLOI' SR dos puert a s ANO. A l Y A2 (Pig S- l it/ l.
Eldato de en lrada.f y la salida Q se apli can a A 1, Puesto que su salida a limenta a S ten drem os qu e S :::
JQ. Amllog ame nte e l dato de entrada K y la salid.. Q se aplican u A2 y por ta nto R ::: KQ. La lóg ica segu ida
po r es te siste ma viene da da por la tab la de la verdad de la Fig. 8- li b. Esta lóg ica puede c omp roba rse co n
refe rencia a la Tab la H·I . Para las dos en tradas Je da tos) y K existen cuarrocom binacíones posibles. Pa ra
cadu una de e llas h;IYdos est ados posibles de Q y por tanto la Tabla 8- 1 tiene oc ho líneas. De los bit de
cada línea J . K . Q y Cl se ca lculan S = ) Q y R = K Q y se introdu cen e n lascolumn as q uinta y
sex ta de la t;bla~ EI~plea~do estos valo;es d; S .y R ), refrrié~dollos a la tabla de la ve rda d del HJP-FLOP
SR dc la Fig. 8-IOhse obtiene la séptima colum~'!:.Finalmente. la oc tava col unm a se deduce de la séptima
ya que Q. = I en la linea 4. Q.::: Oen la línea 5. Q.::: 1 e n la línea 7 y Q.::: Oen la 8.
Las col umnas 1. 2 y 8 de la Tab la 8- 1 forman la tabla de la verdad de l H.IP-Fl.or ) ·K de la Fig . 8- l ib.
Obsérve se qu e las tres primeras lineas de 111/(/ tabla de la \'C'rdlld J -K 5011 idh llicas a la rorrespondirmes
d f1111l tabla c/c /111 SR (J.::iE' 8-51J). S in embarg o. la amb igüeda d de l estado S. = 1 := R~ q ueda aho ra
reemplazado por Q = Q para J = [ ::: K , Si tos das cllf/"(lda.\' de datos del FU P-Fl.OP ./ -K .WlI/ a/W,L /a
". I • n
salidu estará colllfl/ellll'IIf(ula!,or los i/l/{J/lI,I'O.\'tJe{ reloj.
No es realmen te necesari o em plea r las puertas AN [) A 1 Y A2 de la Fig. 8 · l la ya qu e pue de c umplirse
la misma función añadiendo un termin a l de entrada ex tra en cad a un a de las puerta s NAND N3 Y N4 de la

J~

O~ .<1 -s Q-
J. ' ', Q. 'I
O o Q.
Reloj o O
Q~
I O I
A"o-- A:! - R 0- O I O

O.
,., lb,
Figura 8· 11. (11 ) Conversión de un R.!P- n.o , SR en J-K. (b) Tabla de la verd ad.
 Circuitos y sistemassecuenciales 321

Fig. 8-10a. En la Fig. 8-12 q ueda indicada ~ ta simplificac ión (prescf ndase de las entradas a trazos. es
decir. supóngase q ue amb as sean l ). Q y Q en las entradas se obtienen mediante las conexio nes de
realimenteci én desde las salidas (líneas gruesa s) .

Puesta a I y a O(Preset sud clear)

La tabla de la verdad de la Fig. 8- l l b nos informa de lo que sucede e n la salida al aplicar un imp ulso
de reloj . en funció n de los da tos de e ntrada } y K. El valo r de la salida antes de aplicar el impulso es
arbitrario. Al ai'iadir las entradas sei'ialadas con líneas de trazos en la Fig. 8- 12 se puede de terminar e l
estado inicial del FLl P-R.QP. Por ejemplo. puede ser neces ario «borrar» un biestable. o sea especificar que
Q = 0 cuandoCk = 0.
La operación de borrad o puede cump lirse progra mando que la entrada de borrado sea O y la de
acep tación sea 1; Cr = O, Pr = 1, Ck = O. Ya q ue Cr = O la salida de N2 (F ig. 8- 12) es Q = 1. Puesto que
Ck = Ola sa lida de N3es L y por tanto todas las entra das aN I son l y Q = Ocomo se q uería. An álogamen te.
si se desea que para aceptar, el biestable esté en estado 1 es necesario esc oger Pr = O, Cr = 1, Ck = O. Los
daros para puesta al estado I o O se denominan entradas directas o asíncronas: no est án en sincronismo
con el re loj pero pueden aplicarse en cualquier moment o entre dos impulsos del reloj . Una vez es tablecido
=
asincrón icame nte e l estado del FLlp·FLOP deben mante nerse las en tradas direc tas en Pr 1, Cr I antes =
de que llegue e l siguiente impulso para habilitar el biestable. No de be e mplearse e l da to Pr = 0, Cr = O
puesto que co nd uce a un estado ambigüc ¿Por q ué?
El símbolo lógico del FLIP-FLOP } -K es el de la Fig. 8- 12b. Y las e ntradas para un funcionamie nto
correc to pueden verse en la fig 8·12c.

Tabla 8-1 Tab la de la verd ad para la Fig. S· lla

Columna 2 J , , 6 7 8

Linea J. K. Q. ¡j. s. R. QH'

,
J O
O
O
O
O
I
I
O
O
O
O
O
Q
Q.}
. Q.

~J
3 I O O J J O
,
4 I O I O O O

,
6

8
O
O
J
J
I
I
J
I
O
I
O
I
J
O
J
O
O
O
I
O
O
I
O
I
n
ij
O

¡j.

Condición de auto-oscilación
Puede presentarse una di ficultad física co n un FLIP- FLOP } -K constru ido como en la A g . lt-- 1·2. La tabla
de la verdad 8- l está basada en una lógica co mbinacional que supo ne que las e ntradas son inde pendien tes
de las sa lidas. Pero deb ido a la conexión de rea lime ntación Q {ID en la en trada a K (J) la entrada ca m biará
durante e l impulso del reloj (Ck = 1) si la salida cambia de estado . Cons idere mos por eje mplo q ue las
entradas e n la Fig. 8- 12 son J = l. K = I YQ = O. Al aplicar un imp ulso la salida pasa a Q = I {de acuerdo
con la 7' lfnea de la Tabla 8- 1) realizándo se este cam bio des pués de un tiemp o tu igual al retra so de
programación (Sec. 6-4) a través de dos puertas NANO en serie en la Fig. 8-7. Ah ora} = 1, K = I Y Q = 1,
=
Yen la 8" fila de la Tabla 8- l vem os que la entrada retrocede nuevamente a Q O. Por tanto, duran te e l
322 Microelectrónica moderna

tiem po t (Fig. 8-9) que -dura el impulso (con Ck = l) la salida osc ilará ade lante y atrás e ntre O y l. Al
=
finalizar"el impulso (Ck O)el valor de Q es am biguo. _
Esta situación se denomina condici ón de auto -oscilaci ón y se puede ev itar s i / <1iJ <T. No obstante.
con componentes integrados el retraso de propa gación es muy pequ eño. norm atmenre muc ho menor que
el ancho de l impulso '" no satisfacié ndose la desigua ldad anterio r y que dando indeterminada la sa lida. Se
pueden emplear líneas de retardo en serie con las cone xione s de la realimentación de la Fig. 8· 12 a fin de
aume ntar el reta rdo del lazo más allá de 1, y po r tanto e vitar la a uto-oscilación. Seguidame nte
de scribiremos una solución integrada más práct ica.

I
~
I
a
~NJ - 1 'P'O - <> o p,
• •
<> : ' " lImen",". - Ck
Habililac ión
BOfndo
I
o o
I
o ,
I

c,o¡ - PuestB 1 o 1 o I
L- N4 o I
* La Fig. K·M da Q~. I

"1 (' 1 (,'

Figura 8· 11. (a ) Un RJp-FUJI' J· K. (b) S rmbolo lógico. (d Condicione s necesaria s para un Iuncionamiemo srocrcnc (fila I ) borrado
sínl;tOfl() (fila 2)0 pee sta en I (fila ) .

I Q.. S Q

(,
"
FI¡ura 8.13. Un FL ¡p.. R.Op orde nador-se~u idor J-K.

FLlp·FLOP J·K ordenador-seguidor

En la Fig. 8-13 se presentan dos FLlp· FLOP SR en cascada con realimentación desde la salida del segundo
(llamado seguidor ) a la entrada del prime ro (llamado ordenador ). Se ap lican impulsos positivos del reloj
al ordenador que se invierten antes de excitar con ellos al seguido r. Con Pr = l . Cr = I Y Ck = I J:.I
ordenador queda habilitado. siguiendo la labia de la verdad J·K de la Fig . 8- l lb. Además. pues to que Ck
= Oel FLIP-fWP SR seguidor queda inhibido (no puede cambiar de es tado) con lo que Q queda invariado
durante eltiemoo de l impulso r . Evide ntemente. la d ific ult ad de la auto-oscilaci ón queda solventada
con la topología deL!>rdenad&.seguidor. Cuando ha pasado el impul so. Ck = O de form a que el
ordenador se inhibe y Ck = 1 con lo que se habilita el seguido r. El seguidor es un FUp· FLOP SR que sig ue
=
la lógica de la Fig. 8- IOb. Si S = Q,,= I YR = QII = O. entonces Q 1 Y Q = O. Anál ogame nte si S = Q"
 Circuitos y sistemas secuenciales 323

::: OY R =Q" = l. entonces Q::: O y O = l. En otras palabras. en el intervalo entre impulsos del reloj la
salida Q no cambia, pero 0 11 sigue la lógica J-K: al finalizar el impulso el valor de O" se transfiere a Q.
Hay que observar qut" los datos en J y K deben mantenerse constantes mientras dure e l impulso. pues
de lo contrario puede resultar una salida errónea (Prcb. 8· 121. El encapsulado MSI de 16 patillas
(MC8-104135) contiene dos FLtP-FLOP J-K ordenador-seguidor independientes. Algunos de estos d ispo-
sitivos comerciales tienen también puertas NAND o ADI en las entradas (54 LS 72) para proporcionar
entradasJ y K múltiples evitando así la necesidad de puertas exteriores en aplicaciones en las que puedan
ser necesarias.

E l FLlp·FLOP tip o D

Si se modifica un FLIP-FLOP J·K añad iéndole un inversor como en la Fig. 8- 140 de forma que K sea e l
complemento de J.la unidad se denomina FLIP-FLOPD..s.egún la labia de la verdad J-K de la Fig. S- l lh,
QH I = 1para D. = J.::: Kn::: I y On' l = OparaD"::: J. ::: K; ' O. port anto O•• I ::: D•. La salidaQ ". I después
del impulso (bit de tiempo 11 + 1) se iguala a la entrada D" antes del impulso (bit 11 ) como se ve en la tabla
de la Fig. 8- 14 c. Si el FLIP·FLopde la Fig. 8- 140 es del tipoSR [a unidad funciona también como biestable
tipo D con el reloj (Ck) sustituido por la habilitación (G) de la Fig. 8· 3. No hay ambigüedad porque no es
posibleJ=K= l .

I
~-,.----!¡;/;-'Ql(l,­ - o
p,
~

" :,o!.t:;_~' , Q- • I
o
t oI

'0' ," 10' 1

Flguu 8·14. (a) Conversión de un A..lI'- R.Ol' J·K al lipo D. (b) 51mbolo lógico. (e") Tabla de la verdad.

El biestable tipo D es un binario empleado para provocar un retardo. El bit en la línea D se transfiere
a la salida en el impulso siguiente del reloj. y por tanto esta unidad retrasa un bit .

El FLlP-FLDP tipo T

Esta unidad cambia de estado con cada impulso del reloj y por tanto act úa como interruptor lógico. S i
J = K = 1entonces Q. +I ::: Q. de forma que el FLIP-FLOpJ -Kse convierte en tipo T. La Fig. 8·150 representa
tal sistema con una entrada de datos T. La Fig. &- 15h corresponde al símbolo lógico y la 8- 15(' a la tabla
de la verdad. Los biestables SR y D pueden tambléncon venirse en FLlP-FLOpinterruptor o complementario
(Pmb. 8- 14)

Resumen
Existen cuatro conñ guraclones importantes de FLIP-FLOP. que son: SR.J-K. D y T_Las lógicas seguidas
por cada uno de ellos se repiten para mayor facilidad en la Tabla 8·2. Un FLIP-FLOP integrado se excita
324 Microelectrónica moderna

sincrónicamente por un reloj y pueden haber (o no) en tradas directas para funcionar asincrónicamente.
para habilitación (preset, PI') y para borrado (elear, Cr) . Una e ntrada directa solo puede ser O durante el
intervalo entre impulsos del reloj cuando Ck = O. C uando Ck = 1 ambas en tradas asíncronas deben ser
= =
altas; PI' I Y Cr 1. Las entradas deben ma ntenerse constantes d ura nte el ancho del impulso, Ck 1. =
En un FLtP-FLOP ordenador-seguidor la salida Q se mantiene constante d uran te el impu lso y s610 cambia
después de q ue Ckpase de I a Oen e l borde final de ese impu lso. También es posible d iseñar un FLtP-FLOP
J-K de fonna que la salida cambie en el borde inicial del impulso. El chip 74LS I09A es un FLIP-FLOp J -K
excitado al inicio del impulso con entradas de escritura y de borrado. El MC I OH 176contiene seis RIP-FLOP
D exc itados también al inicio del impulso.

Tabla 8·2 Tabla de la verdad de los FLIP·FLü P

SR J-K D T Entradas directas

S" R" Q"., J. K" Q. " D" Q"., T. Q. " ct e- p, Q

e u Q.
ü

e Q. I I Q.. o I o
I o I ([ o e o Q" o ü

u
([ ([ u o I I
r I Q.

Fig. ,-, Fig.8- 11 Fig. 8- 14 Fig. 8-15

.. Se refiere a la tabla de la verdad de los SR, J-K, D o T para Q"./ en funciónde las emrac as.

El FLIP-FLOP interruptor o comp lementario no es tá dispon ible comercialmente ya que puede usarse un
J-K como T conectando entre sí las entrada s J y K (Fig. 8- 15).

T 7~, (J" • 1

Reloj I (J"
([ Q.

'"
Figura 8·15. (a) RJI'-R.OP J-K convertidoeiupc T con entrada de datos T. (b) Srmbolo lógico. (e) Tablade la verdad.

Existen FLJP-FLOP en todas las familia s digitales integradas, s ie ndo sus frec uencias máximas de
funcionamien to las incluidas en la Tabla 6-4.

8-5. REGISTRADORES DE DESPLAZAMIENTO

Puesto que un biestable es una memoria de I bit," FLJP-FLOP pueden a lmacenar una información de 1/
bit, Y a esta combinac ión se le denom ina registrador. Para poder lee r los dalas de la Información en un
regist rador en serie. la sa lida de cada FLJP-FLOP se conecta a la e ntrada del sig uie nte. Esta configuración
recib e e l nombre de registrador de desplazamiento es tando re presentada en la Fig 8-16. Cada FLIP-FLOP
es ordenad or-seguido r de tipo SR (oJ- K) . Obsérvese que la etapa e n la que se debe a lmacenar el bit más
 Circuitos y sistemas secuenciales 325

Salidas - f.' ,
Puesta 1 _ p'.
Habilitación ~----1 ;--+--+""-+-+""-+-+T-+-+-'

• O S, O O S, O
• O
FF3 FF2 FI 'lO
• ex Q. ji , ¡¡ ¡¡
• Q•

( MSB) (L SBI

Filura 8-16. Regisuador de desplazamientode 5 bit.

significativo (MSB) se conviertee n un biestable tipoD (Fi;.;. 8-14)conectando S y R a través de un inversor.

El registrador de desplazamiento de cinco bit de la Fig. 8· 16 se puede adquirir en un chip con un
encapsulado de 16 patillas (integración a esca la media). Explicaremos a continuación el funcionami ento
de este sistema suponiendo que se deba registrar la serie de datos 0 10 1) . (El bit menos significativo es el
dígito situado más a la derecha; en este caso el 1).

Registrador de entrada-serie, salida paralelo (SIPO)

Los fUP-fLOP se borran aplicando O a la entrada de borrado (mientras la habilitación de escritura
permanece baja) de fonna que todas las salidas Qo' Q r-.. Q. sean O. Entonces se pone Cr en I manteniendo
Pr constantemente igual a I (manteniendo la habilitación de escri tura en O). Se aplica el tren de datos en
serie y el reloj síncrono. El bit menos significativo (LSB) se entra en el ordenado r de FF4 cuando Ck pasa
de Oa I por la acción de un FLIP- FLOP tipo D. Después del impulso del reloj. et t se transfiere al biestable
seguidor de FF4 y Q. = I mientras que rodas las demás salidas se mantienen en O.
Al segundo impulso del reloj. el estado de Q. se transfiere al biestable ordenado r de FF3 debido a la
acción de un FLIP- FLOP SR. Simultáneamente. el bit siguiente (un I en la informació n 0 10 11) entra en el
ordenador de FF4. Después del segundo impulso del reloj el bit en cada ordenador se transfiere a su
seguidor. y Q. = 1. Q3 = l. Ylas demás salidas siguen en O. En la Tabla 8·3 se dan las lecturas del registra dor
después de cada impulso. Por ejemplo. después del tercer impul so Q.l ha pasado a Ql' Q. a Q.l' y el tercer

Tab la 8.] Lectura del registrador de desplazamiento después de cada impulso del reloj
Impulso
del reloj Q. Q.• Q, Q. Q.
1 0 U U O

2 - -- - _ I 1------.0 o u
l O O=:::: ' I O . °
°_ , ----
,
4

O
I I
O I ------ O ---.. 1
I
"<; I
O
326 Mtcroetectrontca m oderna

bit de entrada (O) ha entrado en FF4 de forma que Q~ = O. Podemos seguir fácilmente este proceso y ver
que registrando cada bit en el FLIP-FLOP MSB y desplazándolo hacia la derecha para dejar lugar para el bit
siguiente, la infamaciónde entrada queda instalada en el registrador después del fl-ésimo impulso del reloj
(en un código de fl bit). Naturalmente, en el momento de quedar registrada la Informaci ón deben cesar los
impulsos del reloj. Cada salida es alcanzable en una línea distinta y -pueden leerse simultáneamente.
Entrando los datosenserie y saliendoen paralelo este registrador es un convertidor serie-pa ralelo, lIam ado
también registrador de entrada-serie y salida-para lelo (SIPO). Un c ódigo temp oral (bits dispuestos en
función del tiempo)se ha transformado en un c6digoespacial (información almacenada en una memoria
estática).
Se precisan FLlp· FLOP ordenadores-seguidores debido a problemas de retardo entre etapas (Sec. 8A ).
Si todos los FLIP-FLOP cambiaran de estado simultáneamente habría una ambigüedad sobre el dato a.
transmitir de laetapa precedente. Porejemplo, en el tercer impulso del reloj Q. cambia de I a Oy resultaría
dudoso si Q 1 debe quedar en l o en O. Así pues, es necesario que Q. continúe en 1hasta que este bit entre
en FF3 y solo entonces pase de I a O. La configuración ordenador-seguidor realiza esta acción. Si en la
Fig. 8-13 la entrada J (K) la llamamos S (R) Ysi suprimimos las conexiones de realimentación tendremos
un FLlp·FLOP SR ordenador-seguidor. El 74LS 164 es un registrador de desplazamiento SIPO de 8 bit con
entradas de habilitación.

Registrador de entrada y salida en serie (SISO)

Podemos tomar la salida Qoy leer el registrador en serie si aplicamos 11 impulsos del reloj, para una
información de 11 bit. Después del u-ésimo impulso cada FLIP-FLO P está en O. Obsérvese que la cadencia
del reloj puede ser mayor o menorque la frecuencia original de los impulsos. Por tanto, este es un método
para cambiar el espacio por tiempo en un código binario, proceso llamado de separación.
El encapsulado 74LS91 MSI es un registrador SISO de 8 bit con entradas de excitación y salidas
complementarias. Puesto que un chip SISO sólo necesita-una patilla de entrada de datos y otra de salida
de datos independientemente del número de bit a almacenarse pueden conseguir mediante las tecnologías
de integración a gran y muy gran escala registradores de gran capacidad.

Registrador de entrada en paralelo-salida en ser ie (PISO)

Consideremos la situación en la que se disponga de los bit de informaci ónen paralelo, es decir de las
salidas de un ROM (sec.7-9) y se desea presentar este código, por ejemplo 0 1011 en serie.
El bit menos significativo se aplica a Pro' el bit Z' a Pr,... de fonna que Pr(J = I, Pr , = 1, Pr2 = O, Pr) =
1YPI'4 = O. Primeramente se borrael registrador con el' = OYluego se mantiene el' = l . Un I en la entrada
de habilitación activa todas las k-ésimas puertas NAND de entrada en las que Pr, = l . La habilitación de
los k·és imos FLIP-FLO P es PI' = OYpor tanto en la etapa correspondiente es 1 (Tabla 8-2). En el ejemplo
presente FFO, FF I y FF3 se activan y la información de entrada 0 1011 queda escrita en el registrador con
todos los bit en paralelo debido al impulso de habilitación.
Tal como se ha explicado anteriormente, la info rmaci ón almacenada puede leerse en serie en Q(J
aplicando cinco impulsos. Este es un convertidor de paralelo-serie , o espa cial-temporal. El 74ALS 166
es un registrador PISO de 8 bit de entrada en paralelo y salida en serie.

Registrador de entrada y salida en paralelo (PIPO)

Los datos se introducen. corno .se ha explicado anteriormente, aplicando un I en el ténninal de
 Circuitos y sistemas secuenciales 327

habilitación o de escritura. quedando disponibles en paralelo en las salidas Qll' Ql.... Si en un momen to
dado se desea leer el registrador se aplica cada salida Qk a una entrada de una puerta AND de dos entradas
Nk y se excita la segunda entrada de cada ANDcon un impulso de lectura. La salida de N I es O exce pto
durante el tiempo del impulso en que se leerá 1si Q¡ = l . (En la Fig. 8-16 no están representadas las puertas
v»Obsérvese que en esta aplicación el sistema no funciona como registrador de desplazamiento ya que
no es necesario ningún reloj (ni entradas en serie). Cada FLIP-FLO P se emplea sencillame nte como una
memoria aislada de lectura-escritura de I bit.

Registradores de desplazamien to a derecha e izquierda (bidireccional)

Algunos registradores de desplazamiento comerciales están equipados con puertas que permiten
desplazar los datos de derecha a izquierda y viceversa. Una aplicación de este sistema es la de dividir o
multiplicar por potencias de 2 como veremos seguidamente. Consideremos un registrado r con desplaza-
miento a la derecha como el de la Fig. 8· 16 en el que la entrada en serie se mantenga-baja.
Supongamo s que se almacena un número binario en un registrador con el bit menos significativo
almacenado en FFO. Apliquemos ahora un impulso de reloj . Cada "bit se traslada al lugar significativo
inmed iato inferior. y por tanto queda dividido por 2. El número que queda en el registrador va le la mitad
del n úmero origina l supuesto que FFO estuviera al princip io en O. Puesto que el bit 2° se pierde al
desplazarse a la derecha. si el FFO estaba originalmente en el estado 1,corre spondiendo al número deci mal
1, después del desplazamiento el registrador tendrá un error respecto al decimal 0,5. El siguiente impulso
del reloj vuelve a dividir por 2. y así sucesivamente.
Consideremos ahora que el sistema esté conectado de forma que cada impulso de reloj provoca un
desplazamiento hacia la izquierda. Cada bit pasa ahora hacia el dígito significativo inmediatamente
superior con lo que el número almacenado queda multiplicado por 2.
La Fig. 8- 17 corresponde al diagrama lógico del registrador de desplazamiento bilateral de 4 bit
74LS194A. Este registrador es universal porque puede funcionar en todas las modalidades vistas en esta
sección: SIPO. SISO, PISO, PIPO Ycomo registrador bidirecciona l. Tiene dos entradas de control. So y
SI que permiten realizar las cuatro formas operacionales reseñadas en la Tabla 8-4. La comprobación de
esta tabla es objeto del Probo8· 17. El registrador universal de desplazam iento de 8 bit. 74ALS299 tiene
la estructura representada en la Fig. 8-17. Tiene el equivalente de 87 puertas en un encapsulado de 24
patillas.

Línea de retardo digital

Un registrador de desplazamiento puede hacerse servir para introducir un retraso de tiempo .6. en el
sistema, siendo 11 un múltiplo entero del periodo T del reloj. Así. un tren de impulsos en la entrada aparece
en la salida de un registrador de " etapas retrasado un tiemp o 11 = (1I- l) T

Generador de secuencias
Una importante aplicación de los registradores de desplazam ien to es la de generar secuencias binarias.
A este sistema se le denomina también generador de información. de código o de carácter. Los FLIP- FLOP
registradores de desplazamiento se preparan para dar el código deseado. El reloj ap lica los imp ulsos de
328 Microelectrónica moderna

desp lazamiento y la salida del registrador da una característica temporal correspondiente a la secuencia
especificada . Evidenteme nte. acabamos de describir un regis trador de entrada en paralelo y salida en serie.
En operacione s de comprobación a veces es necesario repetir el código continuamente, lo que se consigue
fácilmen te realimentando la salida Qo del registrador hacia la entrada en serie formando un registrador de
«reenrrada». A esta configuración se le denomina memoria dinámica o circulante, o memoria de
registrador de desplazamiento de sólo lectura.

Tab la 8·4 Modalidades de funcionamiento de un registrador universal

So (*) S, (*) Modalidad operacio nal
o O Reloj inhibido
I I Entrada en paralelo (**)
I O Desplazamiento a derecha
O I Desplazamient o a izquierda

• Soy SI sólo deben eambiar miemras la entradadel reloj sea alta.

.. El dalo se entra en e1l'llP·l'lopdespufs de un impulso del reloj. Duranle la inlroducei6n se inhibe la entrada de dercs en serie.

Entrada Entradas en paralelo Entrada

serie de ~~ ~ serie de
desplazamiento r- • \ desplazamil'nto
a derecha A B e D a izquierda

COIlIrOI
de modo
{S'
s, - - -

rl, .. ! • • r- ! ~
?~ •
Ir ' Ir

~ L, ' ,I
Reloj I ,,I

i ~
Borrado
.,J~ r>o'C I ~éI ' -P"I
r,¡;,
~f~
~
,
11°~ .1..E.
Q
>n
~
Q
..J,
• •
Salidas en paralelo
Figura8·17. Diagrama lógico de registrador de desplazamiemobidireccional 74LS 194A de 4 bit (16 patillas). (Crm~.~ra d~ Texax
tnstrumenn IlIc.)

También se puede formar un generador de secuencia a partir de un multípl ex (Seo. 7-7) y se puede
generar un número de secuencias simultáneas utilizando un ROM (sec. 7-9).

Contador de anillo registra dor de desplazamiento

Consideremos un registrador de desplazamiento de 5 bit (Fig . 8- 16) con Qoconectado a la entrada en
 Circuitos y sistemas secuenciales 329

serie. Tal memoria circulante forma un contador de anillo. Supongamos que todos los FLIP-FLOP están
borrados(en O) y que FFO está preparado de tal forma que Qo = 1 YQ4 = QJ = Q2 = QI = O.
El primer impulso del reloj transfiere el estado de FFO a FF4 de forma que después del impulso, Q4 =
1, YQJ =Q2 = QI = Ql} = O.
Los sucesivos impulsos van transfiriendo el estado 1 progresivamente a lo largo del anillo. La cuenta
se lee observando cuál es el FLIP-FLDP que está en estado 1: no es necesario ningún decodificador.
Consideremos un contador de anillo con N etapas. Si el intervalo entre impulsos es T la salida de
cualquier etapa binaria es un tren de impulsos de periodo NT, con una duración T cada uno de ellos. El
impulsode salida de una etapa se retrasa un tiempo T respecto a un impulso de la etapa precedente. Estas
pulsaciones pueden emplearse cuando se requiera una onda secuencial de disparo. Así, un contador de
anilloes semejante a un conmutador rotativoen el que cada impulso haga avanzar un paso al conmutador.
Puesto que hay un impulso de salida por cada N impulsos del reloj el contador es también una unidad
de división porN o un escalímetrodeN = 1. Normalmente los contadoresregistradores de desplazamiento
TIL trabajan a frecuencias del orden de los 25 MHz.

Contador de anillo Johnson

La topología en la que Ql} (en lugar de Q) realimenta la entrada del registrador de desplazamiento se
denomina contador de Johnson. Este sistema es un escalímetro de 2N: l . Para demostrar esta añjmacíón
supongamos que inicialmente todas las etapasde la Fig. 8-16 están en estado O. Puesto que S4 = QD = 1 el
primerimpulso ponea FF4en estado 1; Q4 = 1Ytodos los demás biestables permanecen en O. Como ahora
S) = Q4 = I YS4 continúa en estado 1, tendremos que después del siguiente impulso Q4 = 1, Ql = 1, Q2 =
O, Ql =OYQl} =O. Dichode otra forma:el impulso 1 sólo cambiael estadode Q4' el impulso 2 sólo cambia
Q) de Oa l. Prosiguiendo el análisisvemos que los impulsos 3, 4 Y5 van haciendo pasar Q2' Ql y Qo del
estad.Q Oal 1. Después de cinco impulsos, todos los FLlp ·FLOP están en estado 1. Después del impulso 5,
S4 = Qocambia de 1 a O. Por tanto el sexto impulso cambia Q4 a O. El séptimo pone nuevamente Q) en O,
y así sucesivamente hasta que en el décimo impulso han vuelto a Otodas las etapas y el ciclo contador se
ha completado. Queda demostrado que esta configuraci6n de anillo de cinco etapas es un contador de
lO: l . Para leer la cuenta se precisaun decodificador de 5 a 10 líneas, perodebido a una sola forma de onda
generada só lo se necesitan puertas AND de dos entradas (Prob. 8-19).
Casi todos los contadores y registradores existen en la tecnología CMOS. La numeraci6n de tales
encapsulados integrados son idénticos que para la familiaTIL salvo las letras que indican la tecnología
correspondiente. Así un registrador bidireccional TIL 74LSI94A tiene prácticamente las mismascarac-
terísticas que el CMOS 74HC194.

8-6. CONTA DORES AsíNCRONOS

Los contadoresde anillo vistosen la secciónanterior no utilizan los FLIP-FLOP con toda su eficacia. Un
contador de 5: I (o 10: 1 con el anillo de Johnson) se consigue con cinco etapas, mientras que cinco
FLIP-A..OPS deñnen 2~ = 32 estados. Modificando las conexiones entre etapas (no empleando la topología
de registrador de desplazamiento) vamos a demostrar que n binarios pueden actuar como un contador de
2",1.

Contador asíncr ono

Consideremos una cadena de 4 biestables ordenador-seguidor J-K con la salida Q de cada etapa
330 Microelectrónica mode rna

conectada a la entrada del reloj del binario siguiente como en la Fig. 8- 18. Los impul sos a contar se ap lican
a la entrada del reloj de FFO. En todas las etapas, J y K van conectadas a la fuente de tensión de forma
que J = K = l . Esta conexión convierte cada etapa en un FLIP-FLO P de tipo T (F ig. 8-1S) con T = l.
Recordemos que en un binario con T = 1 el ordenador cambia de estado cada vez que la onda en su
entrada del reloj pasa de Oa 1, y que el nuevo estado del orde nador se transfiere al seguidor cuando el
reloj cae de I a O. Este funcionamiento necesita que:

l . Qo cambie de estado en el borde de caída de cada impulso.

2. Todos los demás Q hacen una transición cuando ( y sólo cuando) la salida del FLlP- FLOP anterior pase
de I a O. Esta transición negativa recorre todo el contador desde el bit meno s significativo al más
significativo .
Q" Q, Q, Q,

Q. Q, J
Impulsos
Ck FFO
J,

FFI
Q,
"
Ck
Q,

FF2
7,

Ck FF3

iJ. K, iJ, K, iJ K, iJ,

(MSBl
l LSBl

Figura R-IR. Cadena de FU P·F l. OI'S conectados como contador asíncrono (74 LS93l. El encapsulado 74LS 393 es uncontador binario
dohle de 4 dígitos.

Siguiendo estas dos reglas se obtienen las onda s de la Fig. 8-19. La Tabla 8-5 expresa el estado de
todos los binarios de la cadena en función del número de impulsos exteriores aplicados. Esta tablase puede
comprobar directamente por comparación con las ondas de la Fig. 8- 19. Obsérvese que en la Tab la 8-5 se
han ordenado los FLIP- FLOP en sentido inverso al de su ordena ción en la Fig. 8-18 . También vemos que la
ordenación de los estados Oy 1en cualquier línea de la Tabla 8 ~S es precisamente la representación binaria
del número decimal de impulsos de entrada. Por tanto, la cadena FLlP-FLOP cuenta en sistema binario.
Una cadena de 11 binarios contará hasta elruimero 2" antes de volver por sí misma a su estado inicia l.
A una cadena de este tipo se la denomina contador de módulo 2". Para leer el contador, las palabras
(números) de 4 bit de la Tabla 8-5 se obtiene con un decodifi cador que a su vez excita un indicador

Tab la 8-5 Estado de los FLIP-FLOP de la Fig. 8-18

Salidas de' RlF·R OP Sal idas de FU p·Fl.OP
N" impulsos N" impulsos
de entrada Q, Q. Q, Q" de entrada Q, Q, Q, Q"
n u v o
" U u "o ", O I

, O , '" O
,
O

" ,
O
"u O
,I
J
" O
, I
,
1 O
,
,
4 O
U ,
U
O
U IJ
14 ,
I
, O
I

6 u , , ,
7 ,
I
", " 1
, ,I

8
" , I
U U
16 O O
 Circuitos y sistemas secuenciales 331

numérico vis ible (Sec. 7- 11). En cualquier contador so n posib les parásitos salvo qu e lodos lo s FLlP-FLOP
cambie n de es tado simu ltáneamente . Para eliminar e ste inco nve nie nte a la sa lida del decodifica dor se
emplea un impulso de fijaci ón (5 en la Fig. 7- 17) que imposibilita la lectura de l co ntador hasta que hayan
desa parecido tales parás itos y se haya llegado a una situac ión esta ble .

Contador reversible
Un contador que pueda co ntar hac ia adelante y hacia atrá s se denom ina reversible o directo-inverso.

Imp ulsos de entrada

Salidas J~...JI!-.Jl_1 ~..JI_JL...JL.J~_I L..JI_JL--'L.JL...JIL..J L...JL_

[
Q.
O

01 1-
, L
[---------]r----'-- I
Q,
O ,----- L
~ :-------- - - -- - -~ - - - - - j
L
f" i~u r:1 K- 19. OmJas de l com.ntor de -t cs(ado s. Obsér vc w que dc vpué-,de l i lll p u t so.~ W nene Q" '" l. Q I = O. () : = l. Q , = n. Esl,j'
salidas binarias c orresponden al número decima l 5 .

En el contado r dir ecto , como hemos visto ya. la en trada de exc itac ión de un binar io va co nectgda a la
salida Q de l binario anterior. La cuenta ser á en sentido inverso si la cone xión se hace co n la salid a Q como
vamos a de mostrar.
Si un binari o hace una tra nsición de O a l , la salida Q la hará de 1 a O. Esta transición negat iva de Q
provoca un cambio de es tado en e l binario siguiente. Por tanto . para la conex ión inversa deben ap licarse
las sig uie ntes reglas:

1. El FLlP-FLOP FFü hace una tra nsición para cada impu lso exterior ap licado.
2. Ca da uno de los demás binarios hará una transición cuando (y só lo cuando) e l FLlP-FLOP anterior
pasa de l estado Oal l .

S i se ap lica n estas reg las acualquiera de los n úme ro s de la T abla R-5 result a e l núme ro inmediatam ent e
inferior de la labia. Por ejemplo. consideremos e l númcro 12 que c n forma binaria es e l 11 00. Al siguie nte
impu lso. e l Ode más a la derecha (correspondiente a Q,,) se conv ierte en l . Este cambio de Oa 1 hace q ue
QI cambie de estado de O al, lo que a su vez hace q ue Q¡ pase de I a O. Esta última tran s ición es tá e n e l
sentido que no afecta a l binario siguien te, y por tanto Q j conserva e l estado l . El resultado fina l es q ue e l
contado r lee 1011 que es precisamente e l núm ero birlado 11. Pue sto que hemos empezad o con 12 y
term ina mos con 11 ha len ido lugar una cuer na inversa.
El d iag rama de bloqu e s lógico dc l contador reversible es e l de la F ig. 8-20. Para simplific ar e l d ibujo
no se han incl u ido las conex iones a J y K. Para un co ntador as íncrono sie mpre hay que conside rar queJ
332 Microelectrónica moderna

=K = I como en la Fig. 8· 18. Las puertas ANO'OR de dos niveles ca I y CG2 entre eta pas constituyen un
multíplex. que gobierna el sentido del contador. Obsérvese que esta comb inación l.Qgica es equivalente a
una configuración NANO-NAND. Si la entrada X está en I (o O), en tonces Q (o Q) está efect ivamen te
=
conectada al sig uiente FLIP-FLOP y los impulsos se suman (o restan ). En otras pala bras: X I conv ierte el
=
sistema en un contador directo, y X Oen contado r inverso. El control X no debe pasar de I a O (o de O a
1) entre impulsos de entrada porque se podría produci r una cuenta espuria. (El contador síncrono de la
Fig. 8-22 no adolece de este inconveniente y por tanto los co ntado res revers ibles se operan sincró nica-
mente, Sec o8-7).

J Q

Impulso Ck FFo
K Q

X " l. Dírectc
X .. O. Inverso I
Figura 8·20. Contador reversible(se sobreentiende queJ=K '" 1).

Contador divisor por N

Se puede desear contar en base N que no sea potencia de 2. Podemos preferir . po r eje mplo, co ntar en
base 10 ya que el sistema decima l es el que nos resulta más famili ar. Para co nstruir un contado r con este
objeto se empieza con una cade na de 11 FLlp·FLOP siendo 11 el menor número para que 2 n > N . Añádase a
ello una realimentación tal que al coruarN todos los binarios vuelvan a O. Este circ uito de realimentació n
es una simple puert a NAND cuya salida alimenta todas las entradas de borra do en paralelo. Ca da entrada a
la puerta NAN O es la salida Q de un FLlp·FLOP qu e pasa a I al co ntar N.
Apliquemos el proceso anterior a un contador de décad a. El menor valor de 11 para que 2" > l Oes 11 =
=
4 Yse necesitarán 4 FLIP-FLOps. El número decimal lO es en binari o 1010, Ypo r tanto Qo o. Q J = 1, Q!
=
= O Y0 1 1. Las entradas a la puerta de realimentació n NANO son Q1 Y Q\ sie ndo el circuito completo el
de la Ffg. 8-210. Obsérvese que desp ués del déci mo impulso 0 1 y 0.\ están ambas en l. la salida de la
puerta NANO pasa a O y los demás FLIP-FLOP quedan borrados (pasa n a O). (Obsérvese que 0 1 y 0 3
primeramente pasan a I retomando a Odespués de l déc imo impulso. generando una punta est recha .)
Si el retardo de propagación desde la entrada de borrado a la salida de l FLIP-FLOP varía de una a otra
etapa puede no llevarse a cabo la ope ración de borrado. Si en el eje mplo anterio r FF3 ocupa un tiempo de
repos ición notablemente superior al de FFl , cuando 0 1 retom e a ü. fa salida de la puerta NANO pasa a l.
de forma que el" = 1 Y 0 1 no se borrará. Pueden darse grandes variaciones en el tiemp o de propa gación si
las salidas del contador están desigualmente cargadas. Se puede eliminar esta d ificultad emplea ndo un
biestab le para memor izar la salida de la puerta NANO al N·ésimo impul so. La conex ión de la Fig. 8-2 1a
entre la salida PIde la NAN O y la entrada de borrado P~ está abierta y entre estos dos puntos se intercala
el circuito de la Fig. 8-2 lb. El funcionamiento del biesta ble se verá en detalle en el Prb. 8-24. E l co ntador
de década 74LS90. que no necesita el biestable, queda indicado en el Probo 8-26. Existe un enca psulado
con dos de tales contadores (74LS390). El problema 8-28 trata de un contador 12: I (74LS92).
Para formar un contador divisor por 6 se emple a un con tador asíncrono de 3 bit Y puesto que para N
= 6. QI = 1 = 0 1 tendrem os que 0 1 y Q~ son las entradas a la puert a NANO de realimentación. An álo g a-
mente, un contador divisor por 7 necesita una puerta NANO de tres entradas On' QI y 0 1 ,
 Circuitos y sistemas secuenciales 333

Impu
~
J Q
"if:;"'
o 1.- ¡r 1-l U
?~
Ck

K
FFO

cr Q 1
'a FFJ

era:
Ck

K
FF2

cr o: -L, FFJ

Q
P, P,

,.,
I' , ~--

[mp~ ~_ _
(7¡, ........( .j.;

Figura 8-21 . (a) Cc ntador de décadas (1 = K = l I. (b) Un biestable evita dificultades en la reposición a 1debida s 11retardos internos
desiguales .

En alguna s aplicaciones importa poder program ar el valor de N de un contador divisor por N, ya sea
por medio de conmutadores o a través de las entradas de control de dato s en los terminales de habilitación .
La figur a del Prob o8-29 corresponde a un contador programable.
Supongamos que se pretende contar hasta 10.000 haciendo visible la cuenta en el siste ma decima l. Ya
que 10.000 = IO~ se necesita conectar en cascada cuatro unidad es contadoras como en la Fig. 8-21. Se
empleará un decodifi cado r de BCD a decimal exci tador de lámpa ra (Sec. 7-6) o un decodificador de BCD
a indicador de 7 segmentos (Sec. 7- 11) con cada unidad . para hacer visible s los cuatro dígitos decima les
que indican la cuenta.

8·7, CONTADORES SÍNCRONOS

El retardo de propaga ción es el tiempo necesario para que un contador complete su respuesta a un
impulso de entrada. En un contador asíncrono este tiemp o es mayor cuando cada e tapa está en su es tado
1, pues en esta situación el próxim o impulso debe hacer cambiar de estado todo s los FL 1P-F LO P anterio res.
Ningún binario en panicular responderá hasta que la etapa precedente haya completado nominalmente la
transici ón. Los impulsos del reloj realmente se propagan a lo largo de la cadena. El t iempo de propagación
será del orden de la suma de los retardos (Sec. 6-15) de todo s los binarios. Si la cadena es larga puede
darse el caso de que el tiempo total sea mayor que el intervalo e ntre impul sos de entrada, y en ese caso
no será posible leer el contador entre dos impulsos.
Si el funcionamiento asíncrono de un contador se modifi ca de tal forma que todo s los FL1P-FLOP se
exciten simultáneamente (sincr ónicamente) por los impul sos de entrada, puede reduci rse conside-
rablemente el tiempo de retardo. La cadencia de repeti ción es tá limitada por el retardo de cualq uier
FLIP- f1..0P más el tiempo de propagación de las puertas de control requeridas. Norm almente la frecuencia
máxima de funcionami ento de un contador síncrono de 4 bit es superior a los 100 MHz en la familia ECL
(MCI01 37). En la familia Tf'Leste valores norm almente de 75 MH z en la serie AS y como máximo uno s
334 Microetectrouica moderna

40 MHz en las series CMOS y LS. La serie IODK de la familia ECL puede trabajar con frec ue ncia más
elevada que la serie IOK que es aproximadame nte el doble de la de un contador asíncro no. Otra ventaja
del contador síncrono es que no llegan a la salida picos decodificado res ya que lodos los n .re-n.o r- cambian
de estado al mismo tiempo. Por tanto. no son necesarios impulsos de fijación cuando se decodifica un
conladorsíncrono.

Transporte en serie
La Fi g. 8 -22 representa un c o n tad o r síncrono de 5 bit. Cada FL1P-FLOP es de tipo T obte nido uniendo
el terminal J al K de un f-1..1P-FLOP } - K (Fig. 8 - 15) . Si T = O no hay ca mbio de estado c uando se ex cit a el
binario, y si T = 1 la salida del FLIP- FLOP se compleme nta a cada impulso.
u,
Impulsos

Q. Q, Q, Q,
n FFO Ck I' Fl Ck f F2 "k FF.1 k FF4

T,

Las conexiones a hacer e n las e ntradas T se deduce n de la gráfica de 1<1 onda de la Fig. 8- 19.

Qu Ca mbia co n cada impulso To = I

QJ Com pleme nta sólo si Qo = 1 TI = Qu
Q2Pasa a Q 2sólo si Qn = QI = I T 2=QoQl
Q .1 Camb ia sólo si Qu = Q 1= Q 2 = I T., = QOQ IQ2

Extend ie ndo es ta lógica a Q~ deducimos que T~ = Q¡>Q I Q ~Q , Ypor tan to la lógica T viene dada por

(8- 1)

Evide ntemente. las puertas NAN Dde dos entradas de la Fig. 8-22 c umplen esta lógica.
El tiempo mínim o entre impulsos, Tm ," , es el inter valo requer ido por cada purno .r y K pa ra alcan zar su
valor de es tado variable, y viene dado por

( 8- 2)

siendo TFelliempo de propagación de un I'L1 P-fLOP y TG el de una pu erta ANo(en realidad una puerta
NANDmás un inversor). La máxima frecuencia de los impulsos para el transporte e n se rie es la inver sa de
T"",,.
 Circuitos y sistemas secuenciales 335

Transporte en paralelo
Puesto que el transporte pasa a través de todas las puertas de control de la Fig. 8-22 se trata de un
contador con transporte en serie o asíncrono. La máxi ma frecuencia de trabajo puede mejora rse empleand o
el transporte en paralelo en el que el impulso a cada binario proviene de una puerta AN D de entrada múltipl e
excitada por las salidas de los FUP- FLOP precedente s. De la Ec. (8-1) se deduce que

(8-3)

Por tanto, T~ se obtiene de una puerta AND de cuatro entrada s alimentada por Qo' Q j' Q2 y QJ'
Evidentem ente para el transporte en paralelo
Tm ," = TF + TG (8-4)
considera blemente meno r que el tiempo par a el tran sporte en se rie dado por la Ec. (8-2) especialmente
si n es grande (relaciones de división altas).
Los inconvenientes de los contadores con transporte en paralelo son: (1) número de entradas de las
puertas elevado: la puerta que alimenta Tk necesita k entradas , y (2) la gran carga de los FLIP-FLOP al
principio de la cadena; el número de salidas de Q"es (11-1) ya que debe alimentar las puertas transportadoras
de las sucesivas etapas.

Contador síncrono reversible con transporte en paralelo

Como se ha explicado en la sección precedente, un contador queda invertido s i se emplea Q en lugar
de Q en el acoplamiento de etapa a etapa. Por tanto, se obtiene un contador síncrono reversible si las
puertas de control CG de la Fig. 8-20 se intercalan entre los FLtP·FLOP de la Fig. 8-22. Este cambio se
puede ver en la Fig. S-23 en la que CG se representa ahora como una puerta NAN D-NAND (equivalente a
la lógica AND-OR de la Pig. 8-20). Obsérvese que CG l es idén tica en las Figs 8- 15 y S-23. Toda s las puertas
de control en el contador asíncrono son de dos entradas, mie ntras que en el síncro no el número de entradas
de CG2 son 3, las de CG3 son 4, etc. Las entradas extra a las puertas, según la Ec. (S-3) se utilizan para
el transporte en paralelo. En otras palabras, los bloques ca de la Fig . S-23 cumplen las lógicas de
reversibilidad y de transporte en paralelo.

Contador de décadas síncrono

Diseñar un sistema divisor por un número no múltipl o de 2 presenta much as más difi cultades para un
contador síncro no que para uno asíncrono. Para simplificar el proceso se empl ean matri ces de control
(gráficas de Kam augh).
Con una gran dosis de paciencia y mucha intuición se puede deducir el diseño por observación directa
del gráfico de la forma de onda. Consideremos por ejemplo un contador síncrono de década s con transporte
en paralelo. El gráfico de la Fig. S-19corre sponde a la forma de onda salvo que des pués de l décimo impulso
todas las ondas vue lven a O. Puesto que después del décimo impulso Qo = O YQ2= O, FFO y FF2 quedan
excitadas como en un contador sfncrono de 16: l . Por tanto , de la Be. (S-I )

To = J o = K o = I 1 2 = J 2 = K 2 = QoQI (S-J)
Obsérvese en la Fig. S-19 que FF I queda fijado si Qo = 1. No obs tante para evitar que QI pase al
después del décimo impulso se inhibe por Q)' Esta situación es equivalente a
336 Microelectránica moderna

Subiendo
Im pulsos
Control
X
X= l sube x X
O. QI Qo
X=Obaja FFO j.¡ 001 FF'
O f OO2 FF2 Ji 003
Jo Qo J I QI
",,",ñ J 2 Ql
. ",F. - a
~ Ck

~
X
P ek
~
00-
X
Y .
ek

O,
K2 Q2

- Q. tj
X
)r----'
FF3

Figura 8·23. Contador srncrono revers ible co n arra stre en paralelo. El co ntrol X puede cambiarse de «s ubiendo .. a «baj ando » o
viceve rsa en tre impulsos de entrada si n íntrod ucír c ue ntas es púreas, ya que e l co nta dor só lo respo nde a la apl icación de un impulso
del reloj .

(8-6)

Finalmente . deseamo s que FF3 cambie de estado de Oa 1 después del octavo impulso y que retome a
Odespués de l déc imo. Si
J3 = Q"Q IQ !, K., =Qn (8-7)

con laque se siguelalógicadeseadaporque p, = QI = Q 2 = 1, de forma que J, = I .K] = 1 antes del impu lso
8, mientra s que Qo = 1, QI =O Y Q 2 =O de forma que f l =O K ] = 1 ante s de l impulso 10. Las Ec.(8-5) a
(8·7) vienen dadas por el diagrama de bloques lógico de la Fig. 8-24 .
Los contadores síncronos reversib les de década s pueden adquirirse en el mercado (por ejemplo, el
MClO137 o el 74ALS168) en un encapsulado integrado a escala media. Existen tamb ién contadores
binario s de 4 bit tales como [os MClOI 54 y 74LS697. Los FLIP-FL OP están pro vistos de entradas de
hab ilitación (con lo que son programab les) y entradas de borrado que no constan en la Fig. 8· 23. La di visión
por núme ros distintos al2, 5, 6, ID, 12 Ypotencias de 2 no está previ sta comercialmente y debe diseñarse
como se ha explicado anteriormente.

8-8. APLICACIONES DE LOS CONTADORES

Muchos sistemas entre los que cabe incluir las calculadoras digi tales, la manipulación de dato s y los
Impulsos

'. O.
"ek O
" O O,
FFO
Tu ~ 1
Ck FFI ek FF2 Ck
'"Q,
'. Q
" Q
O,
x, Q X,

O.

F igura 8·24. Conlador slncrono de décadas con arrastre e n paralelo.

 Circuitos y sistemas secuenciales 337

sistemas de con trol industriales, emplean contado res. Describi remos brevement e alg unas de las ap lica-
ciones fundame ntales.

Contador directo
El contador di recto se aplica en muchos procesos industriales. Los contadores opera n eficazme nte
dond e el humano puede fallar debido a la fatiga o a limitaciones de veloc idad. Naturalmente, se necesita
que aquello que debe ser contado se convierta primero en una señ al elé ctrica pero es to nonnalment e no
supone una limitación importante. Por ejemp lo se pueden co ntar objet os haciéndolos pasar alineados en
una cinta transportadora entre una célu la fotoeléctr ica y una fuent e de luz.
La entrada de habilitación permite el contro l de procesos industriales. El contado r pued e preparar se
de form a que emita un impulso de salida cuando la cuent a alcance un número prefijado . De esta form a
puede e mplearse el contado r para contar. por ejemplo el número de píldo ras vertidas e n un frasco. Cuando
se llega al núme ro prefijado el impul so de salida se utiliza para desvia r las píldoras baclael frasco siguie nte
volv iendo al mismo tiempo el con tador a cero para empezar a contar el seg undo bote .

Divisor por N
Hay muchas aplicaciones e n las que se desea variar la frecuen cia! de una onda cu adrada pasándol a a
f IN. siendo N un múlt iplo de 2. En las ondas de la Fig. 8- 19 se ve que un contador cum ple con esta funció n.

.... 11 .. '
"
e o
~ Contador
N;I
R R ,

" )

I'lgura 8·25. (u) Contador N;I cargado con una redque conviertela ondacuadrada de salida (h) en impulsos{elo (d). Si la frecuencia
de entrada es f el espaciado entre impulsospositivos es T '" N/r.

Detector
Entrada de cruce
po<~R>- Contador

Oscilador
DivOOr
po<
de cristal
lo'
K Q

1
FI¡ ura 8·26. Sislema de medición de frecuenciu por mediode un contador.
338 Mtcroetectr ántca moderna

Si en lugar de ondas cuadradas se precisan impulsos estrechos o puntas para un sistema de sincroni.
zación, éstos se pueden obtener de las ondas de la Fig. 8- 19. Un peq ueño acop lami ent o RC a la salida
del contador, como en la Fig. 8-250, hace aparecer un impulso posit ivo en cada transición de O a I y un
impu lso negativo en cada paso de 1 a Ocomo en la Fig. 8-25c. Si contamos sólo los impu lsos positivos
como en la Fig. 8-25d (los impulsos negativos se elimi nan mediante un diodo como en la Fig. 8-25a)
resulta que cada binario divide por 2 el número de impulsos positivos aplicados. Los cuatro FLIP-FLOP
jun tos completan la división por N = 24 = 16. Por cada 16 impul sos aplicados a la entrada aparecerá uno
solo en la salida. Una cadena de 11 binarios emp leados para dividir o reducir la esc ala del número de
impulsos constituye un escaííme tro. Una cadena de cuatro FLlP-FLOP constituye un circuito de esca la 16.

Medición de frecuencia
El principio básico por el que se emplean los contado res para determinar con precisión las frecuencias
queda reflejado en la Fig. 8-26. La señal de entrada cuya frecuencia se trata de medir se convierte en
impulsos por med io de un detector de cruce por cero (véase Sec o15- 10) y se aplica al contador a través
de una puerta ANO. Para determinar la frecuencia ya sólo falta mantener la puerta abierta a la tran smisión
durante un intervalo de tiempo conocido. Si el tiempo de apertura es por eje mplo de Is, el contador ya
dará directamente la frecuencia en ciclos por segundos (hertz). El reloj para temporizar la apertu ra es un
oscilador de cristal de precisión, cuya frecuencia es de por ej . 1 MHz . El osc ilador de cristal gobierna un
circuito de escala 106 que divide la frecuencia del cristal por un millón . La salida del divisor consiste en
una señal de I Hz cuyo período se mantiene con tanta precisión como la frecuencia del cristal. La salida
del divisor gobierna el tiempo de accionamiento de la puerta fijando un biestable en su estado 1 durante
unsegund o. Este sistema está expuesto únicament e a pequeños errores. Una fuente de error proviene del
hecho de poder haber una' variación de ± 1, dependiendo del instante en que tuvo lugar el último impulso
en relación al tiempo de muestreo. Naturalmente. además de esto, la precis ión depende a su vez de la
precisión del oscilador de cristal.

Med ición de tiempo

El intervalo de tiempo entre dos pulsaciones se puede medir con el circuito de la Fig. 8-26. El biestab le
se ha convertido en tipo SR, aplicándose el primer impulso al terminal S y el seg undo al R, sin conectar
Ck . Con esta configuraci6nel primer impulso abre la puerta AND para la transmisión, yel seg undo la cie rra.
La señal del oscilador de cristal (o una frecuencia meno r procedente de la cadena divisora) se convie rte
en impulsos que entran en el contador a través de la puerta. El número de impulsos reg istrados es
proporcional al tiempo en que la puerta está abierta y por tanto mide el valor de ese tiemp o.

Med ición de dista ncias

En los sistemas de radar y de sonar se emite un impu lso y se recibe reflejado al ca bo de un tiemp o T.
Como la velocidad de la luz (o de l sonido) es conocida, la medición de T (realizada como antes) nos da
la distancia existente desde el emisor al objeto ca usante de la reflexi ón.

Medi ción de velocidad

Una medición de velocidad se puede convertir en una medición de tiemp o. Por ejemplo. si se colocan
 Circuitos y sistemas secuenciales 339

do s conjuntos de cé lula fotoel éctri ca y foc o de luz a una cierta di stan cia entre sí, la veloci dad media de
un objeto que se desplace de uno a otro de estos puntos es inversamente proporcional al tiempo entre
impulsos generados. Por este pro cedimiento se han med ido las velocidades de proyectiles.

Calculadora digital (computadora)

En una calculadora digital un problema se resuelv e sometiend o los datos a un a sec uencia de operacio -
nes de acuerdo co n el programa de instru cciones introdu cid o en la computad ora. Los co ntadores puede n
emplearse para ir contando las operaciones a medida que é stas se realicen e iniciar la sig uiente op eración
de la memoria al completarse la ant erior.

REFERENCIAS

1 Mano, M.M.: "Cornputer System Architecture," 2' ed., John Wiley and Sons, Nueva York, 1982.
2 Peatman, J.B.: "Design ofDi gital Systems," 2" ed., McGraw-Hill Book Company, Nueva York, 1981.
3 Hodges, D.A., y H.G. Jackson: "Analysis and Design of Digital Integrated Cucuhs.' McGraw-Hill Book
Company, Nueva York, 1982.
4 Taub, H.: " Digital Circuits and Microprocessors," McGraw-HiIl Book Company, Nueva York, 1982.
S Chirlian, P.M.: " Digital Circuits," Matrix Presa, Champaign, Ill., 1976.
6 Taub, H., y D. Schitling: "Digital lnlegrated Electronics.' McGraw-HilI Book Company, Nueva York, 1977.

TEMAS DE REPASO
8-1 (a) Definir un biestable.
(b) Mostrar cómo construir un biestable a partir de inversores y comprobar que el circuito tiene dos estados
estables.
8-2 Modificar el biestable descrito en el lema anterior de forma que se puedan introducir los datos por medio de
una entrada habilitadora.
8-3 (a) Definir un sistema secuencial.
(b) ¿En qué se diferencia de un sistema combinacional?
8·4 ¿Qué se entiende por estado estable?
8-5 (a) Dibujar la característica de transferencia de un biestable.
(b ) Explicar el porqué en la práctica s6lo son posibles dos estados.
8·6 (a) Esbozar el sistema lógico para un FUP- FLOPSR temporizado.
(b) Comprobar que el estado del sistema no sufre cambios entre dos impulsos del reloj.
(e) Formar la tabla de la verdad.
(ti) Justificar las entradas en esta labia.
8·7 (a) Añadir a un FLIP-FLOPSR dos puen as AND para formar un FLtP-FLOP J- K.
(b) Formar la tabla de la verdad.
(e) Comprobar el apartad o anterior constituyendo la tabla de J~, K~, Q~ Q~, S~, R~ Y Q~ + l '
8-8 Explicar qué se entiende por condición de auto-oscilación en relación al FLlP-FLOPJ-K delrema anterior.
8-9 (a) Dibujarun sistema de FLIP-FLOpJ -Ktemporizado incluyendo las entradas de habilitación (Pr ) y de borrado
(Cr).
340 Microelectrónica moderna

(h ) Ex plicar la operación de bo rrado.

8· 10 (a) D ibujar un siste ma de FLIP-FLOP l -K ord e nador-seguido r.
(h) Explicar su funcio namiento y demos trar q ue se elimina la auto -osc ilación.
8·11 (a) Mosl rar como convertir un FL IP-FLOP j- K en una unidad de retardo (Iipo D).
(h ) Forma r la labia de la verdad.
(e) Comprobar esta tabl a.
8· 12 Repeti r el lema anterior para un FLIP-FLO P interruptor (Iipo n.
8· 13 Dar la labia de la verdad para cada ttpo de RJHLOP: (a) SR. (b)1·K. ( e) D y (d) T.
¿C uáles so n las entrada s directas Pr, Cr y la de l reloj Ck para (, J escritu ra. (/) borrado Y(g J funcio na mie nlo
normal le mporizado.
8·14 (a) Definir un regis trado r.
(b) Conslruir un reg istrador de desp lazamien to con RJP-fLOP SR.
(e) Explicar su func ionamiento.
8· 15 (o) Explicar el porqué puede haber auto -oscilació n en u n regis trador de des plaza miento.
(b) ¿Cómo se supe ra es ta di ficultad?
8·16 Expifquese có mo se e mplea un registrador de desp lazam ien to como co nvertidor de (a) da tos de ser ie a paralel o ,
y (b) da tos de paralelo a serie.
8·1' Explíq uese có mo se emplea un reg istrador de desp lazami ent o co mo genera do r de sec ue ncia s.
8·18 Explíq uese có mo se emplea un registrador de des plaza miento a manera de memoria de sólo lectu ra.
(a ) Idem a ma nera de contador de an illo.
(b) Dibujar las ondas de salida de c ada FLIP- FLOP de una unidad de tres e tapas.
8·19 (a) Esboz ar e l diagrama de bloqu es de un contado r Johnson.
(h) Dibujar la onda de sa lida de cada FLIP-FLQP de una unidad de tres etapas.
(e) ¿Por qué número N d ivide este sistema?
8·20 (a) Dibujar e l di agrama de bloques de un co ntador asíncrono .
(h) Esbozar la form a de o nda a la salida de cada FLIP-FLQP de un contado r de tres etapa s.
(e) Explíq uese cómo se traza esu onda.
(d) ¿Por qué número N div ide este sistema?
8·2 1 (a) Dibujar el d iagrama de bloques de un con tador re versibl e.
(b) Explicar su funcionarnlenro.
8·23 Explicar cómo se modifi ca un con tador as ínc rono para que d ivida poe N, no s iendo N poten cia 2.
8·24 (a ) Dibujar e l diagrama de bloq ues de un contador as íncro no de década s.
(b) Explicar su funcionamiento.
8· 25 Repe tir e l tema anterior para un co ntador así ncrono d iviso r po r 6.
8· 26 ¿Cu ál es la ventaja de un comador sínc rono so bre uno asíncrono?
8·27 (a) Dibuj ar e l diagrama de bloques de un co ntador síncrono de cua tro eta pas con arras tre en se rie.
(b) Explicar su funcio nam iento.
(e) ¿Cuál es la frecuen cia máxima de funci onamien to?
De fi ni r los s ím bo lo s d e la ecuación.
8·28 (a ) Rep etir el lem a ante rior s i el arras tre es en paralel o.
(1) ¿Cuáles son las vent ajas e inconvenie ntes de un co ntado r de arras tre e n par alelo?
8·29 Explica r có mo se pueden med ir frec uencias co n un cont ador.
8·30 C itar se is apli caciones de los contadores (sin explica rlas).
 Sistemas integrados
a muy gran escala

Un chipconteniendo más de I.OOO componenles se considera tntegrado a granescala (LSI) (siglas de

Large-Scale -lntegrated) y los sistemas conteniendo sobre los 10 .00 0 se consideran integrados a mI/Y gran
escala (VLSI). Sin embargo, en la terminología coni ente el t érmino (.VLSl» se emplea para designar
sistemas con 100.000 o más componentes. En 1985 se produjeron comercialmente ch ips integrados
conteniendo másde un millónde transistores. Eneste capítulo describiremos los chips LSI y VLSIdigitales
más empleados. Estos, jun io con los PAL. PLA Y PROM descritos en la Seco 7-12 a 7· 15 se usan
ampliamente en el procesado de señales digitales así como en aplicacio nes de control y en siste mas de
com putación.
En circuitos integrados (IC) de mem oria constituyen la clase más e mpleada. Se inclu yen los registra-
dores de desplazamiento MOS y las memorias de acceso aleatorio (RAM) tambi én conocidas como
memorias de lectura y escritura. tanto est áticas como dinám icas.
La dens idad de cornponer ues. la velocidad y el consumo de potenci a son tres puntos importantes a
conside raren el diseñode siste mas VLSI . Introducimos dos tec nologías ad icionales: dispositivos acopla-
dos en carga (CC D). una tecnol ogía MOS, y la lógica de inyección integrada (PL) que es una tec nología
bipolar cuyo uso a veces mejora el funcionamiento del cir cui to. Para increm entar la densidad de
componentes o para reducir el consumo de potencia tambié n se emplea n circuitos lógicos dinámicos o
tempor izados en realizaciones MOS y CMOS. Los sistemas integrados a muy gra n esca la frecuent emente
utilizan circui tos lógicos dinámicos como bloques constructivos bá sicos e mplea ndo un generador de reloj
que es esencial pan! es tablecer la temporización en siste mas digitales. Dos de ta les circ uitos son el
registrador de desplazamie nto MOS dinámico y la lógica domi no CMOS ; ambos se describe n en la pe ne
inicial de este ca pítulo.
El ca pítulo termina con una breve introducció n a las caracterí sticas del sistema VLS I. El microproce-
sador. el más corriente de los sistemas en un solo chip, es el compone nte básico de los computado res
personales (DC), los sintetizadores. y una gran variedad de sistemas e instrume ntos de control.

9·1. REGISTRADORES DE DESPLAZAMIENTO MOS DINÁMICOS

Los registradore s de desplazamient o muy largos (abarcando cente nares de bit) no son prácticos si están
construidos a base de R..IP- R..OP tal como se co men t ó en la Sec o8-5. Se consume demasiada potencia,
requi riéndose excesivas superficie s de silicio . Un ca mino alternativo es construir una eta pa de registrado r
de desplaz amiento LSI conectando e n cascada dos inve rsores din ámicos MOS. Se almace na un bit
cargando la ca pacidad parásita e ntre puerta y sustrato de un MOSFET. Describiremos primeramente un
inversor dinámico extendiéndo se luego a una cé lula de almacenamiento dinámica de I bit. Aún c uando
esta técnica está quedando obsoleta en los siste mas de memoria MOS deb ido a la disminución de las
dimen siones de los dispositivos. la describ iremos como introducci ón a los circ uitos lógicos d inámicos.
 342 Microetearonica moderna

r 'lln I ~ VI

'-.i:LfL,
r
r,o---j o .

l" ",
Figura 9·1. (a) Inversor NMOS dinámico. (b) O nda del reloj .

Inversor MOS dinámico

El circuito de la Pig. 9-1 muestra un inve rsor MOS I dinámico que requiere una onda del re loj <1> para
su funcionamiento co rrecto. Empl eando MOSFET de acumu lació n de canal n se supone lógi ca positiva
co n e l estado Ocon O V Yel es tado I co n VDD =: 5 V. El conde nsado r C representa la capac idad parásita
r- 0,1 pF ) entre la puerta y el sustrato del siguiente MOS alimentado por VD.
Cuando <1> = O V, las puertas Q2 y Q3 están e n O V Y ambos NMOS de acumulación es tán en co rte
(OFF). La tensión de alimentación está desconectad a del circuito y prácti camente no sumini stra potenci a
alguna. Esto difiere del inversor normal NMOS men cionado e n la Sec o6-5 en e l que un transi stor MOS
está en cond ucció n y por tanto siempre hay disipación de potencia en el circuito. Cuando e l reloj está a 5
V, tanto Q2 como Q3 es tán en conducc ión (ON) y tiene lugar la inver sión de Vi. Por eje mplo, si Vi = O V,
Q 1 está en corte, C se ca rga hasta V/JI' 1 a través de Q2 en ser ie co n Q3, y ~/" = 5 V. Si V, = 5 V, Q 1 es tá
e
e n co nd ucción, se descarga a tierr a a través de Q3 y Q1 Y V (I = OVoObs érvese que Q3 es un interrupto r
bidi reccion al : e l terminal 2 actúa co rno fuente c uandoC se carga a la tensión de sumini stro. mientras que
e l terminal I se convierte e n fuente mient ras C descarga a tierra .

r,o-tTl 1'"

e, .,
(d) lh I

Fil:ura 9-1. ( a) Etapa dll registrador de desplazamiento NMO S dinám ico de relació n y dos fases. (b) Ondas 01 y 02 de las dos rases
d e rc1oj.

I En e. le eapilu10.e emplea n sin6nimamenle Jos siguientes término s; MOSFET. MOS. FET, NMOS y transistor.
! A I lll ;,,~o dc e, le c apílulo se sup""e uuc 1" len, ¡,;» IIIlll>ml \' Te' meno r'lllC la <lc alimcm ,..-i<ill \'1>1, y l/u" \'ON'" /l.
 S istemas integra dos a muy gra n esca la 343

Las principales particularidades del MOSFET aplica bles a este inversor dinámico (así como al
registrado r de desp lazamien to) so n:

l . El MOS es un conmutador bidireccional.

2. Su resistencia de entrada, muy elevada . permite almac enar temporalmente datos en la reducida
capacidad pue rta-sustrato del MOS .
3. El FET de carga puede supri mirse mediante un im pulso del reloj para reducir la disipac ión de
potencia está tica .

El inversor que acaba mos de comentar se deno mina in versor de relación. Este nombre prov iene de l
hecho de q ue cua ndo la entrada y e l reloj es tán altos. los transistores Q I y Q2 forma n un divisor de tensión
entre VOD y tierra . Por tanto, la tensión de salida Vodepende de la relac ión entre la res istencia en co nd ución
de QI y la resiste ncia efec tiva de carga Q2 (normalmente menor de 1:5), Esta relación depende de la
relaci ón de aspecto de Q 1 Y Q2.

Célula de memoria bifásica de relación

La conexión en cascada de dos inversores dinámicos de la Fig. 9· I permite q ue cada bit de información
e
almacen ado en la capacidad de la primera puerta NOT sea transferido a l siguiente inversor aplicando un
segundo ímpulsode reloj desfasado del primero . La Fig. 9-211 rep resenta un re gistrador de desplazamiento
dinámico MOS. y en la 9-2b pueden verse las ondas del reloj necesarias. Estas ondas no se superpo nen
ya que 13> ' l . Cuando (3 < Il habrá superposición. Cada e tapa de l registrador neces ita seis MOS FET. La
entrada Vi es la tens ión en la capacidad de puerta e l de QI, aplicada ah í po r la etapa anterior (o por la
señal de entrada si ésta es la primera etapa del registrado r de desp lazam iento) . Cuando 1 = t i el reloj /PI
se hace positivo (para dispositivos NMOS) . los trans istores Q1 Y Q2 form an un inverso r y el conmutador
bidirecci onal Q3 conduce. Por tanto se transfiere a el e l complemento de l nivel de CI. C uando /PI cae a
O(en el instant e t z= 12+), Q2 y Q3 están cortados y (¡ retiene su carga mien tras cIl 1 se man tenga a O V. Sin
=
em bargo a 1 I)+, cua ndo <1>2 = VOD, Q4 y Q5 actúan como un inve rsor y e l conmutador Q6 se cierra. Por
tanto, el dato almacenado en C2 se invierte y se deposita e n C3. El bit ( 1 ó O) transfe rido a la salida Vo es
idéntico al que hubo en la entrada Vi pero retrasado un tiempo determin ado por e l período del reloj . En
otras palabr as. la etapa de registrador de la Fig. 9-2a es una línea de retardo de I bit. A la combinació n
QIQ2Q3 se le puede llamar inversor-ordenador y a Q4Q5Q6 , secci ón-seguidora. Para rete ner los da tos
almace nados en el regist rador , el ritmo al que se introd ucen los da tos en el circuito no debe ser menor que
un cierto valor mínimo. Si e l período del reloj es excesiva mente largo la carga se dispersará por las
capacidades parásitas y se perde rá la inforrnacién. Los FET de carga de la Fig . 9-2a están te mporizadc-.

lVIR~~_
Entrada ~--
Reloj Lectura
Figura 9-3. Registrador de desplazamiento recircularue (WiR: es la abreviatura de escrítura pe ro no recircufación). Las puertas
I\ND,OR 'J NOT se fabrican enel mismo chip que el registrador.
344 Microetectr áuica moderna

porq ue las puerta s están go bernadas por los imp ulso s del re loj . También se pued en e mplear c argas no
te mporizadas (las pue rtas conectadas a ten siones fijas) pe ro tale s c ircuitos d isipan mayor poten cia . El
dispositivo ln tel 240 1 es un registrado r de desplazami ento din ám ico dob le de 1024 bit cons tru ido co n
NMOS. Empica una alimentac ión única a SV y es co mpa tible co n la TIL. Traba ja a un ritmo mínimo de
25 kH z y máximo de 1 MHz co n una d isipac ión de potencia de 0, 12 mw/bit a 1 MH z. Es interesante hace r.
notar que este chip contiene 2 X 1024 )( 6 = 12288 MOSFETs ap arte los circuitos de co ntro l necesarios
para convertirlo en una memoria recirculaute (Fig. 9 -3).

Aplicaciones
Las aplicacione s típicas de los registradore s de despl azam iento MO S so n: memo rias en serie para
calculadoras , tubos de rayos ca tód icos, equ ipos de co municac ión, co mo mem or ias de re paso y sepa rado re s,
y líneas de retardo. La Fig. 9-3 rep resenta una memoria de registrador de de splazam ie nto di nám ico
circulante en serie. La sa lida del registrador se devue lve a su entrada a través de una co mbinac ió n AND- OR.
Si e l termi nal wlR de lectura pero /I D escritura está e n es tado I e l da to digit al en el tenn inal de entrada
se introdu ce en el registrador. Después de un ciclo de imp ulsos ca da bit se desp laza a la de rec ha pa sando
a la siguiente etapa como se ha explicado en re lación a la Fig. 9-2. Cuando ha n e ntrado sec uencialmente
en el registrado r el núme ro de bit desead os se inicia la recircutacián cambiando w/R a l es tado O. De esta
forma queda inhibida la entrada dc más datos en e l registrador y los bit alm acen ados en la memoria
recirculan de sde la salida a la entrada del registrador de de sp lazami ent o en sinc ro nismo con los im pul sos
del reloj . Se obtiene en la salida una lectura no destruct iva del tren dc da tos si la ent rada de lectura se
exci ta co n lógica 1.
S i el registrador consta de 1024 etapas, la mem or ia circulante puede a lmacenar una información de
1024 bit en serie. Conside remos que cuatro sis temas So, S I, S2 y Stdel tipo de la Fig . 9-3 se e mplean c on
entradas y salidas de datos independientes. Los termina les W/R es tán unidos entre sí así como los
terminales de lectura, y el mismo re loj sincroniza todos los siste mas . La co nfig uración resultante es una
memoria en serie que puede considera rse alm acenador a de 1024 info rmaciones de 4 bit cada una. Los
cuatro bit de una infor mación en pa rticular a parece n simultáne amente : e l bit menos significativo en la
sa lida de So y el más significa tivo cn la 5). Un período de re loj má s tard e. se podrá lee r o tra informac ión
de 4 bit. Para ampli ar e l sistema hasta informaciones de 11 bit son nece sarios 11 reg istradore s de
des plazamientos con rec irc ulac ión. S i se necesit an más informac iones, deberán emplearse registrador-
mayore s.
Cuando ~a se ha obtenido e l obje tivo deseado de los datos ci rc ulantes e n la me mor ia de la Fig. 9-3, el
terminal W/R se cambia a la lógica l . Esto inhibe los bit de la última etapa de l registrad or impidi en do su
entrada en la primera etapa. Dicho de otra form a. el co ntenido de la me moria queda borr ado y al m ismo
tiem po se pueden introd ucir nuevos da tos e n el registrador.

Registrador de desplazamie nto MOS estático

Un registrador de desplaza mient o «estático» es e stable e n co ntinua y pued e trab ajar sin un m ínimo en
el ritmo del reloj. Es decir, que puede almacenar datos indefinidament e supues to q ue se sum inistre poten cia
a l circuito. Sin emba rgo, las células del registrad or estático so n más gra ndes que la s dinámi cas y consume n
más poten cia. por lo q ue su empleo es limitado.
 Sistemas integrados a muy gran escala 345

9-2. ETAPAS DEL REG ISTRADOR DE DESPLAZAMIENTO DE

NO RELACIÓN
En la Sec 9-1 se ha indicado que el FET de carga Q2 de la Fig. 9-2 debe tener una resistencia mucho
mayor que el excitador Q l para que la tensión VON en el estado bajo sea muy próxima a cero. En la Seco
4-3 se remarcó que la resistencia del FET es proporcional a L/W. Por tanto, Q2 debe tener un canal de
mucha mayor longitud L y menor ancho W que Q l . En consecuencia el inversor ocupa una superficie

, ,-o

02 02 O'
V. Va "YDD Ya=YDD 1'0 = o

01

r C 01

lC
::1
le
r Te
~ T ~ T

, <1> " l'DD <1> = I'DD ¡(I = o

( a) (b ) fe) (d l

Figu ra 9·4. (a ) Inversor NMOS d inámico de no re lación . (h ) V. = VeO) y 0 = VDO' k ) v. = Y( 1) Y 0= V DO (d ura nte el impulso ).
(d ) La entrada se mantiene en V(l) y 0 = O(después de terminado el imp ulso). '

mayor que el mínimo posible . Además, puesto que la capacidad parásita de almacenamiento se carga a
través de Q2 durante una parte del ciclo, la gran resistencia de Q2limila la velocidad de funcionamiento
. del registrador. Ambas dificu ltades se pueden evitar utilizando un inversor dinámico en e l que no influya
la relación, como el de la Fig. 9- 40 (en donde Ql y Q2 tiene geometrías idénticas). Obsérvese que no hay
suministro de potencia en continua en este inversor. El impulso del reloj 1.1 (Fig . 9-lb en el NMOS) debe
suplir la energía necesaria para este circuito. La disipac ión de potencia es proporcional a la frecuencia del
reloj.
Para comprender el funcionamiento de un inversor de no relación consideremos primero el caso en el
que Vi = O. Durante el impulso la situación es la de la Fig. 9-4b. Como la tensión de puerta de Q I es O y
la de Q2 es VDD; entonces tendremos (para un NMOS de acumulación) que Ql está en corte y Q2 en
conducción. Por tanto, e carga a VDDa través de Q2. Al final de cada impulso IP cae a Oy ambos MOSFET
quedan cortados, y así con Vi = O(lógica O) la salida Vo = VDD (lógica 1) y se ha producido una inversión.
Consideremos ahora que Vi = VDD y que 4> = VDD como en la Fig. 9-4c. Ambos MOSFET están en
conducción cediendo corriente a e, cargándose éste rápidamente. Pues to que Vo = Vi = VDD no hay
inversión dura nte el impulso. Sin embargo al terminar el impulso cuan do la tensión del reloj vuelve a O
tendremos la situación de la Fig. 9- 4d. Ahora la puerta Gz de Q2 está en O y éste está cortado mient ras
G I de Ql está en VDD y Q1 conduce . En consecuencia e se descarga hasta Oa través de Q l. Por tanto,
poco después de finalizar el impulso, Vo = O mientras que Vi = VDD lo que indica que ha habido una
inversión lógica.

Célula de registrador dinámico de dos fases y de no relación.

Si se conectan en cascada dos inversores del tipo de la Fig. 9-40 a través de puertas abiertas
346 Microetectr óiüca moderna

" "

r, Q'

r e,
T

" "
la) lb ,
¡¡¡gura 9-5. (4) Etap a de registrado r de desplazamiento dinámico NMQS de no relación y dos fases. (b) Ond as de dos fases 0, y
0 ¡ del reloj.

bidireccionale s de transmisión, se obtiene la etapa de regi strador de de splazamiento de no relaci ón de la

Fig. 9-5 . El primer inversor se alimenta de la fase <1>1 y el segundo de la <1>2 estando las ondas
correspondientes representada s en la Fig. 9-5b. Al inicio del impulso <1>1 (r = t t~) el conmutador QO cierra
y la tensión a través de Co (tensión de entrada de Q l) se iguala al nivel de entrada Vi. Por la acción de
inver sión descrita ,juntamente con la Fig. 9-4. la tensión a través de CI después de finalizar el impulso <1> 1
(1 = 12~ ) corresponde al estado lógico comp lementario de Vi. Como ahora <1>1 está en su nivel bajo. QO abre
y Vi queda retenida en Co hasta el final del período de <1> 1 (t = (5).
En el momento 1 - 1] -t la segunda onda O 2 pasa a su nivel alto V DD pe rmitiendo la tra nsmisión a través
de Q3 situando efectivamente a C I y C l en paral elo. Si en el instante 1 = l J la tensión en C , (o Cl) es VI (o
Vz), en 1-'/ la tensión en Ven e; (q ue debe ser la misma que la de C,) se haUará según el Probo9·5 que es
CIV I + ClV2
V ~ (9·1 )
CI + C2
Si el » Cz se ve en la Ec. (9-1 ) que V ""VI . En otras palabras, el impulso <1>1 hace que la tensión de
salida (a través de C I) del primer inversor apareza (a través de C2 ) en la segunda puerta NOT . Finalmente.
por la acción inversora descrita, al final del impul so <1>2(desde I = (4 ~ hasta ( = (5) el nivel lógico Vo a través
de Cl será el complemento del de C2. que a su vez es el complemento de l de Co, Evidentemente en un
período del reloj el nivel de entrada Vi se ha desplazado a lo largo de la etapa hasta la salida Vo como
sucedería en una línea de reta rdo de l bit o en un regist rador de desplazamiento de un bit.
En la Fig. 9-5 no hay aportación alguna de potencia en continua. pero los impulsos del reloj deben
poder suministrar las fuertes corrientes de capacidad. Además, para asegu rarse de que C l sea mucho m-is
grande que Cl debe añadirse al chip una superficie adicional para Ci . Se puede redu ci r la carga de los
excitadores del reloj añad iendo otro transistor en cada inversor como en el Probo9-6. Esta modifi cación
nos da una etapa con ocho MOSFET . En la literatura se describen varios registradores de desplazamie nto
de cuatro fase s. de gran velocidad y de no relaci ón. Debido al mucho es pacio qu e ocupan en el chip los
registradore s de desplazam iento de dos fases y de no relación adem ás de la complicación que suponen los
excitadores del reloj de cuatro fases. este sistema se emplea poco.

Eta pa de registrador de desplazamiento dinámi co CMOS

Se puede formar una etapa de registrador de de splazam lento diná mice CMOS simiI ar al circuite NMOS
 Sistemas integrados a muy gran escala 347

de la Pig. 9-5 interponiendo puertas de transmisión CMOS bidireccionales (Sec. 6·9) entre inversores
est iucos CMOS (Sec. 6-8). Este circuito. representado en la Fig. 9-6. utiliza puertas de transmisión TI y
11 para cumplir la función de interruptor bidireccionaLMOS de la Fig. 9-5. Las.puertas de transmisión
están gobernadas por los relojes complementarios <1l y e:J).Cuando <1l = VDD . TI conduce y n actúa como
circuito abierto. Los inversores CMOS se han señalado 11 e 12.
La explicacióndel funcionamiento de la etapa de registrador de la Fig. 9-6 es muy parecida a la dada
en relación a la Fig. 9·5. Cuando <1l = VDD (lógica 1)TI transmite y la entrada Vi aparece a través de Co.
Debido al efecto inversor de 11 aparecerá a través de CI el complemento de Vi (VI = Vi). En el siguiente
semlcíclo. 41 = O. TI abre. Co retiene la tensión Vi y VI se mantiene en V;. Asimismo. cuando 41 = O. Tl:
cierraponiendoen paralelo C2 con CI e 12 haceque la tensión.il través de C3sea el complemento de la de
C2. En consecuencia. al final de un ciclo completo Vo =Vo =V, quedando demostrado que esta célula se
campana como una línea de retardo o un registrador de un bit.

"

Figura 9.6. C~l ula de regislrador de desp tazamiento CMOS din4mica .

LaetapaCMOSconstade ochoMOSFET(o cuatro pares complementarios). Ladisipaciónde potencia

es muy poca ya que no haycircuitosde continua; sólo se emplea potencia para cargar transitoriamente los
condensadores. De las explicaciones del circuito dadas anteriormente resulta evidente que la tensión de
salida no depende de la relación entre las resistencias de cualesquiera elementos y por tanto el funciona-
miento es de no relación.

9·3. LÓGICA DOMINO CMOS

Las puertas lógicas CMOS normales (Seo. 6·9) necesitan un transistor de carga PMOS y un FET
excitador NMOS para cadaentrada lógica. En la Seco4-8 vimos que los dispositivos PMOS ocupan más
superficie que los transistores NMOS a igualdad de corriente. Para realizar funciones lógicas complejas.
es decir. aquellas quecontienen muchas variables de Boole se necesitan superficies del chip ya significa-
tivas. (Compárese esto con las realizaciones NMOS para las que sólo se añade un FET por cada entrada
adicional.) Se consigue mejorar la densidad de componentes en circuitos CMOS empleando un circuito
lógico dinámico conocido como lógica domino.
El circuito de la Fig. 9-7 corresponde a una puerta AN D- OR domino empleada para cumplir la función
y = AB + CDE . La parte del circuito que contiene desde QI hasta Q7 es una puerta AOI que se emplea
para excitar el inversorestáticoCMOS de Q8 a Q9. Obsérvese que la parte AOl del circuito es similar a
la puertaAOI NMOS de la Fig. 7-3. La reducción del área de chip de la porción AO! de 2 a 3 entradas de
348 Microetectrontca moderna

la puerta de la Fig. 9-7 proviene del hecho de necesitar sólo siete FET , de los cua les s610 uno es un transistor
PMO S, en comparación con los diez transistores (5 NMQS y 5 PMOS) necesario s con la tecnologíaCMOS
normal.
La acción de la puerta domino está gobernada por el reloj <D de una fase aplicand o al PMOS de carga
(.[l y al transistor NMOS de gobierno Q1. La ca pacidad parásita C¡actúa como la carga en la parte AQI del
circuito. Cuando el> = O, Ql está cortado y no hay corriente en las ramas AN D- OR del AOI. El PMOS de
carga ([l está en conducción cargándose C; hasta VD D' Con la entrada al inversor alta [ V(. »). la tensión de
salida v, = VeO).

¡¡-- -- -1-- -,
: .o-----J Q7

".
I Y " A B +CDE
I
I
I
Q6
.' ..
:
L..:~ "::':""'_ ~ __
Inversor
QS

I
I

~-------.J Q4 I
I
_ -" ,,--,:J AOI

Figura 9·7. Puerta AND- OR CMOS domino.

El transist or Q I pasa a conducción y el Q7 a corte cuando $ = l . Si cualquiera (o ambos) A y B o C y

D YE está (o están) a V( 1), Cjmede descargar a tierra a través de Q3- Q2-Q 1 o Q6-Q5-Q4-Q l . La descarga
de C; hace que la entrada del invers or sea baja [lI(O)] y en consec uenc ia 1'0 = V( 1). La capacidad C; no
puede descargar cuando AB + CDE = VeO) por no existir ningún paso a tierr a y por tanto \'0 no varía. Es
importante tener en cuenta que las entradas lógicas pueden cambiar únicam ente c uando <D = O. Cuando <I>
= 1 no pueden cambiar, pues puede ex istir alguna vía para la descarga.
Los circuitos lógicos domin o mejoran la densidad de componentes sólo c uando se emplea un núm ero
elevado de variables de entrada. Para que las puertas domino funci onen correctamente se nece sita Q! y
los FET inversores Q8 y Q9 de la Fig. 9-7. Así. para una puerta OR de dos entra das, un circuito domino
empl ea dos FET de entrada y un PMQS de carga así como Q l . Q8 Y Q9 con un total de seis transistores.
Este número es igual al de elementos usado s en la realización e MOS normal. Tal com o se ha descrito
anteriorment e en esta misma sección , se puede co nstruir una puerta AN D- OR de 2 a 3 entradas utilizando
menos PMQS y menor número total de transistores que con la realización es tática e MOS de la misma
 Sistemas integrados a muy gran escala 349

puerta. Una aplicación de la lógica domino CMOS está en la fabricación del PLA (Sec. 7·15) en donde el
reducido número de transistores PMOS y de FET totales empleados eco nomiza mucha superficie del chip.

9-4. MEM ORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM)

El funcionamiento de un sistema digital requiere que se puedan almacenar y recuperar datos a voluntad .
Las memorias semiconductoras comprenden un conjunto de células de almacenamiento cada una de las
cuales puede almacenar un dato de l bit. En estas memorias, en contraste con un registrador de
desplazamie nto, la información puede ser introduc ida o sacada aleatoriamente de cada elemento. Por eso
a este sistema se le denomina memoria de acceso aleatorio, abrev iadamente RAM. Puesto que cada bit
puede ser extraido (leído) o introducido (escrito) en cada célula, al sistema se le denomina también
memoria de lectura-escritura RfW (read-write) para distinguirlo de la mem oria sólo lectura (ROM) (véase
la Seco 7-9).
En la construcción de RAM se emplea tanto la tecno logía MOS como la bipolar siendo prevalentes
los circuitos con tecnología MOS. Las memorias de acceso aleatorio se pueden adquirir en encapsulados
integrados a esca la media para almacenar hasta 64 bit o integrados a muy gran esca la capaces de almacenar
256 y 512 kb. A principios de 1986 apareció en el comercio un RAM de 1 Mb (1Mb 2 11lkb = 2 20 = =
1048576 bit) Y se espera que en 1990 se construyan de 4 Mb. Los RAM con más capacidad de
almacenamiento (más de 4 Kb) se fabrican con polisilicio. Los sis temas computadores más corrientes
utilizan para la memoria interna RAM de 64 y de 256 kb.
Se emplean circuitos estáticos y dinámicos para constru ir RAM, emp leándose casi excl usivamente
circuitos dinámicos para grandes capacidades de almacena miento. Estos circuitos necesitan men os
transistores y por tanto se pueden incluir más células en un solo chip (de unos 6 x 6mm) .
El RAM tiene la ventaja de que el tiempo de acceso es el mismo para cua lquier bit de la matriz. En
una memoria de registrador de desplazamiento en serie el tiempo de acceso depende de la posición de l bit
en el momento de su acceso. Uno de los inconven ientes del RAM es su volatilidad, es decir, que pierde
toda la información almacenada si falla el suministro de potencia. Difie re de l ROM en que en éste la
infonnación se almacena permanentemente durante la fabricación y así no es volátil. (Recué rdese que los
datos se almacenan durante la operació n de enmascarado.)
En lo que resta de esta secció n se tratará del sentido y carac terísticas básicas del RAM, y en la próxima
se describirán circuitos de células de memoria estáticas y dinámicas.

Selección lineal
Para comprender el funcionamiento de un RAM exa minemos el circ uito de l FLIP-FLOP SR simple de
un bit de la Fig. 9-8 con entrada de datos y líneas de salida. En la fig ura se ve que para leer datos de salida
o para introducir (escribir datos) en la célula es necesario exci tar la línea de direccionado (X = J). Para
escribir debe excitarse también la línea de habilitación de esc ritura si la entrada de escrit ura es de lógica

Direccionado X

w
Figura 9·8. Memoriade lectura/escriturade 1bit.
350 Microelec'rónic~a~m""o~d~e~m~a,--- _

I (oO) ,entonces S = I (o O)yR= O(o 1). Por tanto, Q = I (00) Yla lectura será I (o O) de acuerdo con
lo escrito.
Supongamos que dese amos un RAM de 16 kb organizado en 1024 informaciones de 16 bit cada una.
Este sistema precisa de) O líneas de direccionado , 16 de entrada de datos y 16 de salida de datos. Se
necesitarán en total 1024 X 16 = 16384 células de almacenamiento. De estas células 16 se disponen en
una línea horizontal excitadas todas ellas por la misma línea de dir ecció n. Habrán en total 1024 gru pos
como éste. excitado cada uno por una línea distinta. En otras pala bras. el di reccionado se logra excitando
una de entre 1024 lfneas . Este tipo de direccionado se den omina unidimensional o selección lineal (Pro b.
9- 11). El número de patillas de encapsulado de dirección se redu ce desde el incómodo número de 1024
a tan sólo 10 incluyendo en el chip un decodificador de 10 a 1024 líneas.

Direccionado bi-dimensional
Se puede conseguir una gran eco nomía en el número de puert as NANO necesarias en el decod ifica dor
antes mencionado (Prob. 9·12) disponiendo los 1024 elementos de mem ori a formando un cuadro de 32
x 32 almacenando cada uno de ellos 1 bit de una informa ción . Se necesitan 16 de tales encapsulados; uno
para cada uno de los 16 bit de cada información.
Cada información se identifica con una célula de memoria de la matriz mediante un número X-Y. Para
leer (o escri bir) una célula determinada, (por ejemplo la 1·3) un decodifi cador X identifica la fila I (Xl) Y
otro decod ificador Y localiza la columna 3 (Y3). Este direccionado bi-dimensional (llamado tambi én
direccionado o selección X-Y) queda representado en la Fig. 9-9 para un RAM de 16 kb (128 x 128).

Organización básica RAM

La memoria de 1 bit de la Fig. 9-8 requiere conexiones distintas para leer o escri bir. Ta nto para el RA M
bipolar como para el RAM MOS es posible formar un fL,1P- fL,OP (co mo demostramos en las Figs. 9- 12 y
9-14) que tiene un termin al común para escribir y leer, tales co mo los l y 2 de la Fig. 9-10 . Esta
configuración requiere emplear no s610 el dato de escrit ura W (escrit ura 1) sino ta mbién el de su
complemento W (escritura O). En elterminal de la célula en la que se aplica W (o W) se obtiene la lectura
R (o R) o el sentido de la salida S (o S). En la Fig. 9- 10 se representa esquemáticamente esta memoria.
En la Fig. 9-9 se indican los elementos básicos con los que se co nstruye un RA M incluyendo la
dispos ición rectangular de las células de almace nado. los decod ifica dores X e Y. los amp lificadores de
escri tura para excitar la memoria y los amplificadores de sentido para detect ar (leer) la inform ació n digital
alm acena da. Los amplificadores R/W O y.R/W l no están explícitamente ind icados en la Fig. 9·9 (pero sí
en la 9- 12).
En la Fig. 9· 11 se representa la organizació n (llamada tamb ién diagramafuncionañ de una memoria
de lectura-escritura para 4096 informaciones de 1 bit. Obsérvese que en esta disposición hay 64 filas y 64
columnas . Por tanto, cada decodificador tiene seis entradas. La en trada de datos Din (o salida D Olu)
corresponde a W (o S) de la Fig. 9·10. Los comp lementos de Din y D oul así como los direccionados AO...A9
se generan en el propio chip. Los dos decodi ficado res van también en el ch ip. El terminal CS es la ent rada
del chip selector (a veces llamado también CE o chip habil itador). Si CS = I el chip queda seleccionado.
El complemento de la entrada de habilitación de escritura se se ñala WE o R/W (lectura pero no escritura).
Por tanto hay lectura si R/W = 1 y escritura si R/W = O. La tabla de la verdad del funcionamiento de este
chip es la indicada en la Tabla 9-1.
 Sistemas integrados a m"y gran escala 351

Ta bla 9·1 Tabla de la verdad del RAM de la Fig. 9·16

es R/ W tI· WE D,. D,,", Modo
1 X Indiferente X Alta impedancia s in selección
11 11 11 11 Escribir O
11 11 1 1 Escribir I
11 1 X D"" , Lectura

Lrnea de bit O U nea de bit 1

~
x. '-,'
para la columna 1 para la columna 1

~ \ /
~
0-0 0-1
· . o 0-127

~ "'•.
~ ~
X,

~ i~ 1- 0 1- 1 o o
Unea
o 1-121

A.
- ]~
~
o
o .
o •
•
de bit O
para la
columna
Lfnea
de bit
•
para 1
X., o o
· 127 colurnna

- L- 121-0 127-1
· o . 127- 121
127

.,
;~ ~f-rl~
L., . 1."
A. mplificadores
R/WO
rl' '1 A amplificadores
y. Y, o o o YIl 1 R/W1

Decodificadores de columnasde 7 a 128 lrneas

I
1 1 1 1w
AJ As A9 A A II
j 1
A ll
j
A I¡

l'i~u r3 9. 9. 0rgani73ción de un MOS/RAM estático de 16384 íntormaciones de I bit Cada cuadro sombreado representa una célula
de 6N MOS.
X
O!lula
Direccionado y,~-,1~4:'.j
} alm~ci,na.
e mie nto

"~

Escritura 1 ~
s
Lectura o sentido 1
Habili~ci~~l Línea de bit O
escnl~
W o,----.j...---~~--l
o-----' R llI' O Lectura o senlido O.
Escritura O
Figura 9-10. Se puede Formar una célula de almacenami ento básica con entradas y salidas complementarias y con amplificadores
de escritu ra y de senlido co ncurrentes a un nudo com ún ( 1) para los datos reales y (2) para los datos compleme ntarios.
352 Microelectrónica moderna

.. ,
.,
.'.
--
..
64 x 64 (4096)

..-
D.
_ 1---4
"""""""""
de 6 • 6411neu.
a.;p..
sclecror

D"., sentido

Figura 9-11. Organización de una RAM estjtica de 4096 inrormaciones de l bit (4 kb x 1) (Con esfa dt Ma STERCorpor atiOrl).

A las 16 entradas seña ladas en la Fig. 9· 11 hay que añadir una toma de tierra y un term inal de sum inistro
de potencia . Así este RAM de 4096 kb va en un e ncaps ulado de 18 pa tilla s.

Ampliación de la memoria
Muchas veces hay que almacena r informaciones de más de I bit. Si se requieren 4096 tnformacío nes
de 4 bit será nece sario utilizar cu atro encapsulados co mo los de la Fig . 9- 11. Las 12 línea s de dirección
se aplica n en para le lo a los cuatro enca psulados. y con es = I (o es
= O)se selecciona n sim ultáne amente
tod os los chips . Un d ireccionado específico selecciona una de las 4096 info rmaciones; los 4 bit de da tos
entran (o salen) y se esc riben (o leen) en la mem o ria a travé s de c ua tro terminale s independie nte s D in (o
= =
Dou,) co n R/W O (o R/W 1). Se puede ampliar e l número de infonnacione s almacenada s e n un RA M
mediante la organización de ampliació n de l d ireccionado de la Fig. 7-3 1. repre sent ada para un ROM .
Comercia lmente se puede n adquirir RA M de múltiple s Info rmacione s capace s de almace nar gran
número de bit. La TMS 441 6 de la Texas Instruments es un RAM de 64 kb dis puesto par a almacenar
16384 info rmacio nes de 4 bit. En la Seco9-6 se describen otros módu los RA M.

9·5. CÉLULAS DE MEMORIA DE LECTURA· ESCRIT URA

Las cé lulas de a lmace nam iento básicas de un RAM se fab rican con tecn ol ogía bipolar o MOS. El RA M
más ge neralmente empleado utiliza trans istores MO S porque con e llos se cons igue la más alt a dens ida d
de componentes y por tanto se pueden almacenar más bit e n un chip de tamaño dad o. Las cé lulas MOS
está ticas son las prevalentes en RAM pequeños ( S: 16 kb ) si bien se ha presentado (e n 1985) un prototipo
de chip CMOS con posibilidad de almacena r 25 6 kb. Más frecuentemente se util izan célula s de memoria
MOS d inám icas en RAM desd e 16 kb a 1Mb. Frec ue ntemente a las mem orias de acceso aleatorio se las
-íesigna con DRAM si son d inámicas y con SRAM si son estática s .
 Sistemas integrados a III IIY gran escala 353

Los circuito s de almacenaje con em isor acoplado. compatible co n ECL se e mplean en RAM bipo lare s
sobrepasando raramente los 16 kb de almace nam ie nto. También figuran en el merc ado RA M basado s en
puertas TIL, teniendo una capacidad erure 64 bit Y4 kb . Como sea que los circuitos CM OS disipan menos
potencia. se diseñan para ser compatibles co n TIL, y en consec uencia se utilizan frecuentemente en luga r
de RAM TIL. En esta secc ión y en la 9-6 se co mentarán var ios tipos de cé lulas de memoria bipolares y
MOS .

RAM MOS estático

El FLl P- FLo r MOS de la Fig. H-H es una memoria de I bit Yes la célula básica de ahnaccnanucnrode! RAM
MOS es tático. En la Fig. 9-12, Q 1 co n Q4 forman tal unidad biestabl e y los MOSFET Q5 -Q6 forman e l
circuito de puerta s a través del q ue e l nudo interior N I (o N 2) queda co nect ado a la lfnea de datos de l bit
O (o 1). En la Fig. 9-12 se ha indicado la cé lula 1-3. Esta cé lula de seis tran sisto res se incluy e e n la
disposición de la memoria en la forma que se ve e n la Fig. 9-9" Las línea s de bit O Y bit I se co nectan a
lada s las cé lulas de la misil/a columna. Para se leccionar UD:l cé lula de una colu mna en panicular (p. ej . 3)
es necesario exc itar tal columna ( y .~) " Para se leccionar tina cé lula de la fila l . el decodificador de línea

Linea de date, Lfnea de dato.

ARJWOde bil O bit t
todas las células ---~h
de columna 3

Cétulade memoriade 6 MOS(1-3)

1!
9
•

<J 11 Lectura O Lectura 1

Escritura O
I~
Amplificadores R/W O r~_- e>-------j
Amplificadores R/W I
R h'

Fig ura 9- 12. C éfulu de ¡11rllacemlj~ ( I " J l l'(ln le n i~n d ll Ó mmsisrores NMOS. Figuran también las lmeasde d ireccio nado XI e Y, y
1 1I.~ amplificudorcs de escr itura y dt· lectura. Sc ;lIma,'<'Il<l una 16g i<"a I si Q:! conduce.
 354 Mtcroeíearonica moderna

debe excitar XI. Dicho de a ira fonna, para localizar una célula determinada (1·3) se emplean el
direccionado bi-dimensional.
En la Fig. 9-12 se han incluido los amplificadores de lectura y escritura de cada una de las Hnea s de
datos. Obsérvese que QI7 y Q IO (o Q9) forman una puert a AND con entradas WE y W (o W), siendo WE
la habituaci ón de escritura y W la escritura (o entrada de datos Din). La salida de lect ura o sentido S
puede señalarse también D OU I.
Se desea leerla célula 1·3. Deberemos poner XI e 1) en Voo (lógica 1 para un NMOS). Supongamos
que se ha almacenado un I en esa célula (Q2 en conducción y Q I cortado, de fonn a que el nudo N2 está
a O Vy NI a Voo)' Para leer, WEse pone a O. Entonces Q17 está cortado y por tanto QIO (o QJ) no
conduce, con lo que la línea de datos del bit 1 (o O) queda unida a veo a través de la carga Qf2 (o Qt 1).
En consecuenciacircula corriente desde Voo hacia Q2 a través de QI2, Q8 YQ6 (asfcomo a trav és de Q4
desde Voo), con la que Ja Unea de J bit queda efectivamente a tierra. Por tanto Q I4 está cortado y S = Duul
=VVD (lógica 1) como Q 1 está en corte no circula corriente por Q3 , Q5 , Q7 Y Q 11 en serie, y Ja línea de
dato de O bit está a Voo, Q l3 conduce y S= O V. Hemos visto pues que el FLlP-A..OP 1-3 almacena un I
(ya queS = 1 yS = O).
Paraescrib¡r un 1en la célula se direcciona (Xl = I e Y3 = 1) se pone WE = l . W = 1 YW = O. Entonces
• Q I7 YQ10 conducen y Q9 está cortado. Por tanto la línea deJ bit l está a tierra y la del bit Oa vcc a través
de Ja carga Q 11. Ahora la corriente pasa desde VDD a la línea de bit l a Iravés de Q4. Q6. Q8, Q 1OYQ 17
a tierra. Así el nudo Y, está efectivamente a tierra. Con esto se corta Q I y NI pasa a VOD . En consecuencia
Q2 se mantiene en conducción y N2 en O. Cuando se elimina el direccionado (Q5 , Q6, Q7 YQ8 en corte)
Q2 conduce. Q1 está cortado y queda escrito un 1 en la célula elegida.

Célula RAM CMOS estática

La célula RAM CMOS estática es similar en cuanto a estructura y funcionamiento que la célula NMOS
de la Fig. 9· 12. El circuito CMOS de la Fig. 9· 13 corresponde a una célula de memoria de 6 MOS de la
Fig.9·12 con la misman umeraci6n de los transistores. No figuran los amplificadores de sentido necesarios
para leer y escribir datos. Los transistoresQ I a Q4 de la Fig. 9- J3 son Jos inversores CMOS cruzados que
forman el FUP-A..OP. Los transistores Q5 y Q6 forman las puertas de transmisión que constituyenelcamino
de entrada (o salida) de datos a la célula de memoria. Leer y escribir un 1 o un Oes lo mismo que en el
circuito NMOS de la Fig. 9- 12.

A RJW - O _..--~ ,-----t- A R/W = 1

de todas IlIS células de todllS las células
de columna J Q6 de columna J

Fl¡uu , .1]. Cl!:lulaóememoriaCMOS esUlica. La nume radón de los tru\sistores coindde con laempleada enla Fil.9·12.

Muchos fabricantes de circuitos integrados producen RAM MOS estáticos con capacidades de
memoria de entre 1 y 16 kb. Obsérvese que un RAM de 16 kb que emplee células de almacenamiento de
 Sistemas int egrados a muy gran escala 355

seis transistores, sean como los de la Fig. 9· 12 o la 9-13 tiene 6 x 16384 = 98304 MOSFET sólo en la
disposición de la memoria. Con los ci rcuitos aux iliares necesarios (a mplificadores de sentido. ere) tales
circuitos contie nen más de IOO.OOO elemenlos. Para aumentar la capacidad de memoria en las d imensiones
del chip es evidentemente importante reduci r el núme ro de transistores po r célula. Lo co memado a
continuación en relación a las células diná micas es el princi pal med io de conseg uir esa reducción.

Célula RAM dinámica de 4 MOSFET

La superficie de silicio ocupada por lacélula de 6 tra nsistores de la Fig. 9· 12 puede reducirse cambiando
los FET de carga Q3 y Q4 por cargas temporizadas. En otras palabra s. los dos inversores acoplados
cruzados que formanel biestable son ahora inversores diná micos C0 019 se ve en la Hg. 9- 14tl. Laexciración
de puerta de cada carga viene suplida por las líneas de infonn ación del decod ificador X. Los MOSFET
Q3 y Q4 actúan simultáneamente com o carga y como transistores de selecc ión de línea. redu ciéndose así
=
la célula desde un dispositivo de seis elemento s a uno de cuatro. Si X O. Q3 y Q4 están co rtados y no se
puede introducir información (escribir ) ni sacar (leer) de la célula. Sin em bargo. si X = l . Q3 Y Q4 estarán
en conducción y los cuatro transistores forman un biestable capaz de alma cenar un 1 (Q2 en conducción)
o un O (Q I en cond ucción).
Al igual que en el registrador de desplazamien to MOS dinámico de la Fig. 9-2 la Información en la
célula de memoria dinámica de la Fig. 9· 14(1 se almacena en las cap acidade s par ásitas C ¡ y C2 entre puena
y fuente de Q l y Q2 respectivamente. Si se almacena un 1. Ca (o C I ) se ca rga a VOD (o a O) y si se esc ribe
un Oes válida la inversa. Supongamo s que después de haberse almacenado el dato en la célula transcurre
un tiempo T. La carga de los condensadores decrece du rante ese período debido a las inevitables co rrientes

Actúa sobre ¡'oo

Línea toda la columna Lrnee
de co lumna de column a
de bit O de bit¡

r 00

Unea de fila

1_

H~u nl 9- 14. ftl l ("...[ ula d i n ~ mic;a .k" N MOS. Se ~Illla<-....n a una Ui¡!M.:a t si la 1<:nsi,ín a 1r"'Ts tic el es ' "11' de forma qce 02 con-
dulOl. (b) l.a célula de mcmorn. corno pa rte de una RA M org an izada romo en la FiC_9-9. Tod os los Fl.J ~·H_n.. de la co lumna Yie
~ p<)f....n ,'u;¡ ndt l '<C uplica un impulSll p<.lSil iv'l Jl'lra p<lOCT e n l"ln dul. icín Q 'J Q' s UpuC'''1l 4 Uc- X '" l .
356 Microelectrónica moderna

Un eade
/ columnao debit

A amplificadores R/W
Fi¡:ura 9· 15. En el recuadro sombreado una célula de memoria d inám ica de un MOSFET. Está organizada en la RA M como se
ind ica cn la Fig. 9-9. No está indicado el circuito de reposición.

de fuga. Si T se prolonga mucho la tensión del estado 1 puede dismi nuir tanto que se aproxime mucho al
nivel O perdiéndose la información. Este mismo fenóm eno es el motivo por el cua l un registrador de
des plazamiento dinámico no puede funcionar a una frec uencia por de bajo de cie rto lím ite.
Evidentemente se hará necesario algún circu ito adiciona l para reforzar el dato almacenado antes de
que la pérdida de tensión en el condensador sea exce siva . Se añaden dos transistores (Q y Q' en la Fig.
9-14h) para reponer todos los FLlP-F LOP de una determinada co lumna . La onda de reposición l ' es un
impulso de menos de 1 J.1s que se repite aproximada mente cada 2 ms. Todas las cé lulas de una determ inada
fila se repone n simultáneamente direccionándola mientras l' es alta. Obsérvese que dura nte el período de
reposición Q3 en serie con Q forman la carga de Q I, y Q' en serie con Q4 actúan de carga para Q 2. Si al
principio del ciclo de reposición la tensión a través de C2 es mayor que la de C I ( "" O) entonces Q I está
cortado y C2 se carga hacia VDD por la corriente en Q y Q3 . La corriente que carga CI a través de Q ' y Q4
es menor que la de C2 porque Q2 está en conducción. Por tanto , C2 sube rápidamente a VDD y la tensión
a través de Q2 cae a cero manten iendo a OV la de C I. En otra s pa labras , debido a la acción de rea limentac ión
regene rativa en el FLlP-FLOP la célula se repone hasta su estado inic ial (lógica I en este caso).
Obsérvese que la orga nización de la célula de 4 transistores en el RAM es la misma que la de la célula
de 6 MOS de la Fig. 9- 12. El número de transistores ev itados al pasar de una célula de 6 MOS a una de 4
en un RAM cuadrado de 16kb, teniendo en cuenta los MOSFET que hay que añadir para gen erarla tensión
vde reposición es de (2 X 16384) - (2 x 128) = 325 12.
Además de ocupar mucho menos espacio en el chip, la cél ula di námica econ omiza much a potencia.
Los elementos de carga sólo conducen durante el impulso de re posición y sólo dura nte este corto período
se disipa potencia.

Célula RAM dinámica de un MOSFET

En la Fig. 9- 14 los eleme ntos de almacenado son condensado res, pero no hay ninguna razón
fundamen tal para utilizar un FLIP-FLOP para cargarlos o descargarlos. Hay la posibilidad de diseñar una
memoria dinámica empleando un solo condensador y un transi sto r actua ndo como puerta de transmisión
para cargarlo o eliminar la carga ahí almacenada. La Fig. 9- 15 representa la más sencilla de todas las
 Sistemas uuegrados a 11111)' gran escala 357

célu las RAM que se emplean en RAM dinámicos comerc iales gra ndes (de 4 kb a 1 Mb). No se necesitan
entradas ni salidas complementarias y por tanto su disposición es la de la Fig. 9-9 exce pto que emp lea una
sola línea de bit (dato) para conectar todas las células de una columna. Como en los RAM descrit os
anteriormente. sólo se selecciona una célula de memori a en un momento dado, que depende del
direccionado X e Y.
La célula se escribe aplicando la tensión de la línea de bit al condensador C I a través del transistor. La
lectura se hace conectando C I a la línea de bit a través de la puerta y detectando el nivel de tensión de l
condensador. Esta sencilla célula tiene el inconveniente de que su lectura es destructiva . lo que es debido
a que el transistor de la célula escogida pura Icer sitúa su capacida d de almacenado Ct en paralelo con la
capacidad C2 de la línea de datos. Si Vt es la tensión a través de Cl la tensión de lectur a V viene dada por
la Ec. (9- 1) co n V2 = Oo V = C¡\I¡feC ] + C2). Puesto que hay muchas células conectadas a la línea de
columna.Cz > C I y V « VI. La información almacenada que se deba retener de berá regenerarse des pués
de cada operación de lectura hasta su valor inicial Vt. A fin de aument ar la relación C I/C2 se empleula
tecnología de puerta de polisilicio de dos capas y canal ».
El condcnsadorC I también pierde tensión debido a las corrientes de fuga por lo q ue hab r é que disponer
de un circuito adicional para regenerar periódicamente la infonnación almacenada como se hizo en la Fig.
9- 14b. En cada línea de datos hay un amplificador de rep osición.
La célula de memoria dinámica de un transi stor descrita en el párrafo anterior constituye el ci rcuito
básico más usado en RAM de gran capacidad (de 64 kb a 1Mb).

Organización del chip RAM dinámico

Los chips DRAM clásicos de 16 a 64 kb tienen una disposición similar a la Fig. 9-16. La memoria está
dividida en dos partes iguales y los circu itos periféricos se coloca n a lo largo de los bordes de cada pa rte.
Los circuitos de soporte de la memoria comprenden los cod ificadores de columna . separadores y los
amplificadores de direccionado y de reposición. registradores de entrada y de salida y circuitos de co ntrol
y de temporización. Los RAM dinámicos generalmente se encuentran en la industria en enca psulados DIP
norma lizados de 16 patillas.' Para un DRAM de 64 kb tal co mo el 4 164 de Mostck o cl TMS 4 164 de
Texas Instrumerus (estos de patillas com patibles) las ocho líneas de direcc ionado de filas y las ocho de
columna se multiplican en ocho conexio nes de patillas. Esto se logra añadiendo dos seña les de reloj

.
Media formación
de la ~:~ moria
Circuitos
, /
1'- periféricos

Media formación
de la memoria

FIKu ra 9·16. Disposición típica de chip de una RAMdinámica de 64 kb (DRAM).

 358 Microelectrónica moderna

generadas exteriormente llamadas de fijación de filas ( RA~de fijación de columnas (CAS). En la

práctica se aplican los complementos a estas señales RAS y CAS a las patillas fijand o los dire ccionados
de filas y columnas en el chip. Ademas de las ocho líneas de dirección, 7 de las 8 patillas restantes se usan
para las dos señales de fijaci ón, las de habilitaci6n de escritura (WE) , las líneas de entrada y de salida de
datos. toma de tierra y alimenta ci6n a 5V. La última patilla no se conecta.
Los DRAM de gran capacidad. como el TMS 4256 de 256 kb x 1 bit. de la Texas Instruments emplea
chips organizados como en la Fig. 9-17. Esta disposición se aprecia fácilmente en la microfotografía de
la Fig. 9-18. La memoria está dividida en cuatro partes de 64 kb. cada una de las cuales está organi zada
como se indica en la Fig. 9-16. Las 9 líneas para el direccionado de filas y las 9 para el de co lumnas
necesarias para seleccionar uno de entre 262.144 bit se fijan en el chip por medio de los direc cionados
RAS y CASoLas 16 conexiones de patillas son: las nueve líneas de direccionado. las dos de datos , dos de
fijación , la señal de habilitación de escritura (WE ), tierra , y alimenta ción a 5V. Las señales de control y
de temporización son compatibles con TIL.
Se puede modificar la organización básica de la Fig. 9- 17 de forma que sus 256 kb de capacidad pued an
almacenar 64 K informaciones de 4 bit (64K x 4). La Fig 9-19 muestra uno de tales chips (el TMS4464
de la Texas Instruments) que está disponible en un encapsulado DIP de 18 patillas. Las cuatro líneas de
datos se emplean tanto para entrada como para salida. Para proporcionar este multíple x se añade una señal
de hab ilitación de salida (O) a la parte del sistema de control y temporización. Así, las 18 conexiones de
patillas se emplean en las_ocho líneas de direcci6n, cuatro línea s de dato s, cuatro señales de control y
tiempo (RAS. CASoWE, G), toma de tierra, y alimentación a 5V .

.¡
RA S
-y
CAS
..f
Tem porizaci6n y gobiem

I
Med ia "'~ Oecodi· Media
fol1lllCÍÓn
de 64 K
ficador
de mas
"""""',
de 64 K

256 amI, 256 a mI,

Direccionado de Sl'nti o de sonli o
do filas

Media Oooodi· Media ~egislrador

~ fonn aci6n hoador
r~~itn entrada ~
de 64 K de rila. de da los
~

Ir ,... Decodif icado r de rol umnas 1::: Separadores

entrad a/ ... lida

, 1:=: y Sl'lector
de 1. 4

OeoOOi-
Media
formación hcado r
Media
fonnación f... Registrado
de n lida '1--0 DO"'
de 64 K de ma. de 64 K
Direccionado
de col umna.

"" 2% a mI,
de senti o
256 amI,
d e semi o

, Med ia
forma ción
Decodi-
fíeador
Medie.
formación
de 64 K de filal de 64 K
"

Figura 9-17 , Disposición y orgamzación del chip de un DRAM de 256K x l bit (lal c omo el TMS 4256 de Texas lnstrum ents lnc.).
 Sistemas integrados a muy gran escala 359

figura ' ·18. Microfotog rarra del DRAM TM 5 4256 de 256 kb, (C onn ía dl' Tu as l nstrn nll' nfs t ......)

RAS
I
( "AS
1
••I

r-
r-r-
Ir
Mtdi, Decodi"
fo"""ción fic.do r
d~()¡¡ Jo;
",+1++1+--1 d ~ I; I ..

A . -++t+''---
- -~ ("lu rnna'l) 1-
-- , Dd~i r~C<'ionad
256 arnp 256 urnp
.•,+ 1+'-- - -1 M.rn r;do ,k .. nrido
...+I-l-- - -1
· ,-+'- - -- 1 Med ia
fOlllllld ón ,..,.,
D=>di·

-~· L_ _ _' d~MK d~ filu

"~ , ..- ·--

F1guu 9· 19.Organiuci6'l de un DRAM de 256 kb en una memo ria de 64k )( 4 bil (la TMS 4464 ).

También se encapsulan múltiplos de RAM dinámica de 64 kb en mód ulos conteniendo varios chips
de forma que se pueden almacenar 64 K informaciones de varios bit. La Texas lnstruments encapsula
varios chips 4164 para informaciones de 8 y 9 bit. (TMS4 164FM8 YTM S 4164EL9 respecti vamente).
También existen disponibles módulos DRAM mayores, basados en el chip TMS 4256 de 256 kb, que
360 Microelectrónica moderna

proporcionan memorias de 256K x 4 bit, 256K x 8 bit Y256K x 9 bit. Además se encapsulan en un solo
módulo cuatro chips TMS 4256 como el DRAM de 1M x I bit (TM S 4256 FCI ).
Las RAM dinámicas descritas tienen cielos de lectura o esc ritura del orden de los 250 ns con tiem pos
de reposición de menos de 4 ns. Son corrientes las potencias de trabajo de 300 mW y las de re poso de
unos 12,5 mW.

9-6. CÉLULAS RAM BIPOLARES

La principal aplicación del RAM bipolar es en sistemas que requieran las más altas velocidades de
funcionamiento (como en los sistemas ECL). Frecuentemen te requieren dos pasos decodificadores.
Consideremos una memoria de I kb x 1, organizado en disposición de 32 x 32. El decod ificador de fila
selecciona una de las 32 filas, y los 32 bit (la «palabra») sale y se sitúa en un regis trador. Se emplea un
segundo código de 5 bit para acceder al registrador y seleccionar el bit deseado. Análogamente. el dat o se
almacena escribiendo simultáneamente toda la inform ación. Un circuito de memoria BJT común como el
de la Fig. 9-20 se denomina célula de emisor acoplado porque las líneas de datos D¡ y Do están conectadas
a los emisores de los dos transistores Ql YQ2. S i bien ambos Q I y Q2 tienen dos emisores cada uno , estos
BJT operan en su modo normal y no invertido como en las puertas TIL. Las combinaciones de
transistor-resistencia Q I-R l y Q2-R2 son los inversores acoplados cruzados que forma n la célula. Tal
como se ve en la Fig. 9-20 se emplean dos líneas de direcc ionado de filas, X y x* con diferen tes niveles
de tensión. Los niveles de tensión típicos de X* son V(O) = 1,3V y V(l) = 4,3V, y los de X son VeO) = O,3V
y V( 1) = 2V. Obsérvese que los niveles de tensión de X* sirven como alimentación del colector Ver Los
valores de reposo de X y de X* son sus valores V(O). Por reposo se entie nde los intervalos de tiempo en
que la célula no es accesible para lectura o escritura. Las líneas de dato s Do y Dt se co nectan al suministro
de 1,5 V(norma lmente), a través de R4 y R3respectivamente. Al no circ ular corriente por estas resistencias
du rante el reposo, el valor de reposo de D o y D I es de 1,5 V. Este reducido valor de la tensión de repo so
contribuye a disminuir la disipación de potencia en la célula de mem ori a. Las tensiones en Do y D I difieren
de 1,5 V sólo durante los intervalos de lectura o escritura como se verá a continuación.
El funcionamiento de la célula se basa en el empleo de los transistores de emisores múlti ples a manera
de interruptores de corriente. Los niveles de tensión se el igen de forma que Q l y Q2 no conduzcan nunca
simultáneamente. Así,Q l se emplea para leer (o escribir) Ull 1y Q2 para leer (o escribir) unO. La operación
de leer o escribir se-gobierna conmutando la corriente en el BJT que conduce desde la línea de fila (X) a
la línea de.datos adec uada (Do o D t).
Líneasde fila
X ' -~-----r--

Eu

"-I-- - ---J-- - 1--

0, ¡J"
1.5'1'
Linea de bit I Linea de bit O
Figura 9-20. Célulade memoria acoplada enemisor.
 Sislemas ¡nlegrados a muy gran escala 361

Para escribir un 1, X YX* se sitúan en V(l) y D I =V(O). De esta fonna el emisor El de Q1 está con
polarización directa y circula corriente por QI. La tensi6n Ve l = VBl decrece y siendo Do = 1,5 V Y X =
V(l) ambas uniones de emisor de Q2 tienen polarizaci6n inversa y por tanto está cortado. Cuando las
tensiones vuelven a su nivelde reposoX = V(O ) y Do = DI = 1,5V, QI sigue conduciendo ya que éxr tiene
polarizaci6n directa. La corriente de base para Q1 la recibe en cuanlía suficiente a través de Rz. Si bien el
emisor EX2 de Q2está bajo,X* = V(O) hace que Ve! = VBZ decrezca desde su valor cuando X* = V(I) y el
menorvalorde VB2 eliminavirtualmente cualquiercorriente de base en Q2. Por tanto es razonable admitir
que Q2 está cortado. Se almacena un I en la célula porque Ql conduce y existe un paso de corriente en
la línea X (a través de EXI).
Con 01 =V(l ) la lectura del 1 almacenado se consigue haciendo X y X* =V(l). Esta tensión polariza
inversamente los emisores EXI y EX2. Puesto que X* = V(I) hace circular suficiente corriente de base a
través de Rz para polarizar en directo la uni6n El , Ql sigue conduciendo. El camino de la corriente se
conmutaa la lfnea D¡ y retoma a tierra por RJ y la alimentación de 1,5 V. La tensión en DI crece a causa
de la caída de tensi6nen R3 y direccionandoesta mayor tensión se indica la presencia de un l.
Para escribir Uf) O, X = V(I) y Do = V(O) . Las condiciones ex.istentes en El y Ea son inversas de las
encontradas para escribir un l . El funcionamiento del circuito es el mismo salvo que el que conduce es
Q2 con el paso de corrientea travésde EX2 duranteel reposo. El Oalmacenado se puede leer de la memoria
haciendo X y X* = V(I) manteniéndose Do y DI a 1,5V. Por analogía, el Oes direccionado por el aumento
de la caída de tensi6nen R4 debida a la conmutación de la corriente hacia la línea Do.
El circuitode laFig 9-21es unasegundacélula de memoria BJT generalmente usada cuando el proceso
bipolarempleado permite construir los diodos Schotrky SOl y 5D2. Este circuito es una célula acoplada
por diodo ya que las líneas de datos están conectadas a Q1 y Q2 a través de los diodos Schottky. Las
tensiones de reposonormalespara las líneas de fila y de dato son de 2,5 y 1,5 V respectivamente. Durante
los intervalos de escritura la tensión es de 2,5 V. La lectura de un bit almacenado está dirigida por la
disminuci6n de las tensionesen las líneas de datos. El funcionamiento de la célula de memoria es similar
al del circuito de emisor acoplado de la Fig. 9-20. La conducción en QI y Q2 determina si se almacena
un 1 o un O y conmutando la corriente en el BJT conductor de una línea de fila a, o desde, una línea de
datos, se puede leer un Oo un 1 de la memoria.

3.5 v

R,
SDI SDl

01 02

LÚleadcfl1a
x-+-------+----__+_
R, R,

D, D,
I.SV
Uneade bit I Línea de bit O

Figura '·21. C~lula de memoria bipolaracopladapor diodo.

362 Microelectr ónica moderna

9·7. DISPOSITIVOS ACOPLADOS EN CARGA (CCD)

Un MOSFET diseñado con un canal extraord inariamente largo y con muchos ("" 1000) electrodos
(puertas) estrechamente espaciadas entre fuente y drenaje puede funcionar como memoria en serie o como
registrador de desplazamiento . Cada electrodo de puerta forma co n el sustrato un conde nsador MOS (Sec.
5-9) que puede almacenar carga. Por ejemp lo, si se aplica una lógica I a la fuente, una carga será
almacena da por el condensador más próximo a la fuente, supuesto que se apliq ue una ten sión adecuada a
la primera puerta El . Si se elimina de El esta ten sión y al mismo tiempo se ap lica a E2 aquella carga se
desplazará a E2. Repitiendo este proceso la carga se transfie re de conde nsador en condensador, por lo que
a esta configuración se le denomina dispositivo acoplado en carga (CCD).
Con estos disposi tivos se pueden construir registradores de desplazamiento y memorias en serie de
gran densidad. Ten iendo las memorias en serie un uso más limitado que las RAM, los CCD no se emp lean
mucho como elementos de memoria en sistemas digitales. Sin embargo, se encue ntran en el procesado de
imágenes y en sistemas de procesado de seña les en los que su gran densidad en serie puede ser una
condición valiosa. Como el procesado de imáge nes y de seña les digitales abarca una zona importante del
control moderno (especial mente en robótica) y de la tecnología de las comunicaciones, en esta sección y
en la sigu iente haremos una breve introducción a las estructrua s CCD .

Funcionamiento básico del CC D

Para compren der mejor el funcionamiento de l dispositivo descri to en el párrafo anterior consideremos
un sustrato de tipo p recubierto de una fina capa de óx ido sobre la que se ha depos itado una serie de
electrodos metálicos muy estrechamen te espaciados, de los cua les se representan cinco en la Fig. 9-22.
Para facilitar la explicación supongamos que la tensión umbral es cero y que no hay electro nes presentes.
Consideremos la situación (Fig. 9-22)cuando la tensión en la puerta 3 es + Vy lodos los demás electrodos
están a tierra. Esta tensión positiva repele los huecos del sustrato debajo de E3 que se desp lazan hacia
abajo sepa rándose del Si02. En consecuencia quedan expuestos iones negat ivos inmóviles formándose
una región de deplexión debajo de E3. Las líneas de l campo eléctrico se extie nden desde el electro do
cargado positivamente, y a través del dieléctrico hasta la región de deplex ión y a las cargas inmóv iles
negativas. El perfil de potencial (la variación de tensión en función de la distancia paralelame nte a la
superficie del óxido) es el representado en la Fig. 9-22 , que a su vez representa también la barrera de
energ ía potencial (edepóslto») de los electro nes, que son los portadores minoritarios. Si en la región debajo
de E3 se introduce un grupo de electrones, estas carga s se puede n mover libremente en el depósi to, pero
no cruzar su pared de energía potencial (Sec. 1-2). En airas palabras, mientras exista la tensión +V las
cargas negativas no pueden escapar quedando retenidas debajo de E3 cerca de la superficie de l cana l.

o o r- o o

, ,
I
~ .siÚCiotipo 11

Depósito de
energfa potencial -e-
Figura 9·22. La más simpleearucturade un CCDde cenaln {sustratop). El edeposíro»de energfa potencial se rorma debajo de la
puerta3 si este electrodoestá con tensi6n positiva y todos los demás a la tensión del sustrato (lierra).
 Sistemas integrados a mllY gran escala 363

Consideremos ahora cómo la carga almacenada se desplaza de izquierda a derecha bajo el canal.
desplazándose los bit binarios a lo largo de este registrador de desplazamiento. Veamos la estructura de
la Píg. 9-23(1 consistente en 10 placas. estando unidos entre sí cada tres electrodos. Si en el momento (=
(1 las tensiones son <1>1 = + V, q,2 = q,J = O. entonces tal como indica la Fig. 9-23h se fonnarán depósitos
de energía potencial, como en la Fig. 9-22. debajo de los electrodos 1.4,7 YID. Los signos menos indican
esquemáticamente que la carga se almacena cerca de la superficie debajo de E l . E1 YEIO pero no debajo
de E4 10 que indica que se ha entrado la información digital 1011 en el CCD. En el instante 1 = 121a tensión
q,z pasa a + V pero <1>1y <1>1mantienen su va lor ant erior. El perfi l de potenci al queda alterado como
en la Fig. 9-23c. La carga almacenada queda ahora compartida entre dos eleclrodos adyacentes debido a
la difusión de los electrones del dep ósito original al nuevo que se ha formado.
Poco después de haberse establecido la situación de la Fig. 9-23c. l<1>d empieza a menguar, y en el
=
momento ( = (J. <1>1 + V/2 mientras que q,2 y <1>J no varían. El perfil de potencia en n es el de la fig 9-23d.
El campo eléctrico deformado por las diferencias de tensión entre <1>1 y <1>2 desplaza los electrones al
depósito más profundo. Finalmente, cuando f = 14 Y<1>1 = O. <1>2 = + V. y <1>J = O, el perfil de potencial será
el de la Fig. 9-23e. Como resultado de estos cambios secuenciales de tensión la disposición inicialde carga
almacenada ( 10 11) se ha desplazado un electrodo hacia la derecha como se ve claramente comparando
las Fig. 9-23b Y9-23e.
La secuencia descrita representa una transferencia de un electrodo al siguiente del registrador de
desplazamiento CCD. Ya que se necesitan tres tensiones se necesitarán también relojes de tres fases. Las
ondas <1>1. $ 2 Y$ J necesarias para concordar con los perfiles de la Fig. 9·23 vienen dadas en la Fig. 9-24,

::~
I: S U5lralO de silicio tipo P
:i fa )
1 CEe = ,;,,\- 1

t" , 1 t Potencia l
4> 1 " +V
4>1 " O
4» " O
W
-
D __---Jn_--Ju_-_---JD (b)
o
I " f1
4>1 '" " V
4>1 .. .. J'
4» " O
(, I I I I ,,)
o

V
4> 1 '" +2: r
1>¡ '" -+- V I (d )

4>¡ '" O

1 "" 4
</ll '" O
</ll " +1'
</l¡ " O
r---,'"
lo I I I I r ,.)
Figura 9·23. Tra nsferencia de carga en un CCO (o) . Cada tres electrodo s alte rnados estén a la misma tensión. aplicé ndcs eles las
tensiones trifásicas 01 ' 0 2 Y0 J (Fig. 9·24). (/J a e) Variaciones del perfil de tensión du rante el intervalo de un despla zamiento. La
energla potencial para carga negativa es proporcional a la tensión , y por tanto estas curvas representan también los depósitos de
'Ilergfa potencia l de los elecnones.
 364 Microelectrónica moderna

en la que también se indican los tiempos 11. tz. t3 Yt4 de la figura anterior. Obsérvese que en ti de la Fig.
= = = = =
9-24,<1)1 + V,<ta2 Oy l1» o como en la Fig. 9-23; en 12, ~1 + V. <Il2 + Vy <1)3 Oen ambas figu ras, =
etc . La primera transferencia tiene lugar entre II y t4, la segunda entre ts y re, la tercera entre t7 y rs. la
cuarta entre t9 y 110. Evidentementeen cada ciclo de entrada de periodo Ttienen lugar tres desplazamientos.
Durante el intervalo entre desplazamientos (por ejemplo entre 14 y 15) la tensión del reloj se mantiene
constante y el perfil de potencial inalterado.

Electrodos por bit

En la fíg 9-23b se ve claro que si se sitúa un bit lógico debajo de un electrodo. no se podrá almacenar
información alguna bajo los dos electrodos siguientes, o dicho de otra forma . una célula de almacenado
consta de tres electrodos, almacenándose en ella un bit. En este CCD el número de electrodos por bit es
tres (EIB = 3). La información se lee a la salida, es decir el electrodo lO, en el que en el instante t = I~
existe un l. Según la Fig. 9-23 se requieren tres desplazamientos antes de que el siguiente bit (el 1
almacenado bajo el electrodo 7) pueda ser detectado. Después de tres transferencias el O bajo la puerta 4
aparecerá en la salida. Puesto que durante el periodo T se producen tres desplazamientos, la información
deberá ser lerda (o escrita) a razón de una por ciclo de la onda de entrada.
En el razonamiento anterior se ha supuesto para simplificar que la tensi ón umbral Vr es despreciable.
En realidad, todos los niveles señalados Oen la Fig. 9-23 Y9-24 deben estar a una tensión por encima de
Vr para que el campo eléctrico penetre en el canal y forme la región de deplexi6n.

meenlo mlenlo m,en o ~'"

" o
11 \

" o - 1/
\ 1/
7
" o '\ \ /
FIgura9.24.Ondas de excitacién trifásica para el CCO de la Fig. 9-23a . El perfil de potencial de la Fig. 9-23b corresponde al instante
/1 de esta figura: la Fig. 9-23c corresponde a ' 2' ele .

Frecuencias máxima y mínima de funcionamiento

No es posible el funcionamiento de un CCD en régimen permanente (en continua). Los portadores
generados térmicamente quedan retenidos en los depósitos de energía potencial vacíos y e n su momento
cambia el estado lógico de Oa 1. Este fenómeno fija un límite inferior a la frecuencia del reloj (10kHz a
1MHz).
La célula CCD no requiere ninguna potencia en reposo ya que sólo disipa potencia al cargar las
capacidades efectivas de la célula. En consecuencia, el límite superior de la frecuencia del reloj (de l a 30
MHz) se determina por la máxima disipación de potencia posible. Además un aumento de frecuencia
,
 Sistemas integrados a muy gran escala 365

reduceel rendimiento de la transferencia de una célula a la siguiente. Port anto. la frecuencia máxima debe
limitarse al punto en que las pérdidas en la transferencia se hacen inaceptables.

9·8. ESTRUCTURAS CCD

Un CCO no puede formarse a base de componentes discretos ya que se necesita un canal continuo y
único para establecer el acoplamiento entre las regiones de deple xi ón. Las puertas (Fig. 9-23) deben distar
muy poco entre sí (elum) para proporcionar este acoplamiento, y esta separación tan pequeña es difícil
de realizar prácticamente. Para eludir las dificultades de fabricación se han desarrollado algunas estmc-
turas alternativas conpuertas de polisilicioy metálicas. Unade tales estructurasde electrodosde polisiticio
está representadoen la Fig. 9-25 para un CCOde tres fases de canal n, Esta estructura de electrodos planos
emplea puertas solapadas de distintos perfiles. Muchos de estos CCO se fabrican dispuestos en fil as
paralelas entre sí para cubrir la superficie del chip. Con una separación mínima entre filas (de 2 a 3 11m)
estacélulade tres electrodosocupa una pequeña partede la superficie delchip para cada bit. Las estructuras
de electrodos planos (Fig. 9-23 y 9-25) necesitan relojes de tres fases para transferir cargas longitudinal-
mente en una sola dirección. Laconstrucción de electrodos no planos permite emplear relojes de dos fases
que sólo necesitan dos electrodos por bit como veremos seguidamente.
~I ~, ~) ~I
TresfaseS d~
lreIOj ' SiO~

Nitruro
de silicio -........~~§:@~ª~~~§:i@~~
~

Polisilicio ~
Figura 9-25. Estructura de los elec trodos para un ccn trifásico de canal 1/. Los electrodos son de polisillcic-n, lenicndo cada uno
un perfil distinto.

CCD de dos fases

La puerta metálica de la Fig. 9-260 puede emplear un temporizado en dos fases. La mitad derecha de
cada electrodoestá sobreuna capa de óxido más fina que la parte izquierda. con laque las líneas de fuerza
penetran más en el sustrato en el lado izquierdo del metal. Por tanto, la región de deplexión y el perfil de
la energía potencial tienen la misma forma escalonada que los electrodos de dos niveles. Uniendo entre
sí electrodos alternos tendremos un sistema de dos fases cuyas ondas del reloj <1>1 y <l>z son las de la Fig.
9-27.
Supongamosnuevamente que la tensión umbrales cero. El perfildeenergía potencial estárepresentado
en la Fig. 9-26 para los tiempos n , ' 2,/3 y (4 de la Fig. 9-27. En el instante 1 "" 11, <1>1 = OY<1>2 "" V, de forma
que no hay barreradebajo de E 1Ylaescalonada bajo Ezes la de la Fig. 9·26b. Supongamos que se almacena
una lógica I bajo E! y E4 Yque indicamos los portadores minoritarios con el signo menos. Es conveniente
colocar estos signos mell os próximos al fondo del depósito aún cuando en realidad los electrones se
almacenan próximos a la superficie en la posición longitudinal de mínima energía potencial.
Cuando 1 = n. <1>1 =<1> 2 =V(2 y el perfil es igual bajo cualquiera de los electrodos como en la fig 9-26c.
Las flechas en esta gráfica quieren indicar que a medida que el tiempo crece de 11a 12 y a (3 la tensión
crece bajo los electrodos impares y disminuye bajo los pares. Por tanto, en el instante 1 =13 se obtiene el
perfil escalonado de la Fia. 9-26d. Los electrones almacenados bajo el lado derecho de E2 y E4 se ven
366 Microelectr6nica moderna

O'i::=L~
grueso I

1 Sustrato de silicio tipoP

1
Oxidofino I
lO'

I I

(b,

t .. I I 0' -_ _ .-- .----_----,.---_

~
fl l .. t V
1' 1
I
. l " "2 V p

( ,. '¡
. 1 .. tV Id)
fl z " i V
p

: :'; FJ LJ LJ
o

1'1

P
Figura 9·26 . Transferencia de cerge en un CCDde dos fases. (a ) Estructura de los electrodos. (b ) a (e) Perfiles de energfa potencial
correspondíerues a los tiempos indicados en la Fig. 9·2 7.

forzados hacia la menor energía potencial quedando retenidos bajo E3 y Es respectivamente. Finalmente,
cuandot =t4 en que cI:t1= V y cI:t2 = Ose tiene el perfil de la Fig. 9-26e. En el intervalo t4- tI la infonnación
se desplaza un electrodo a la derecha. Entre t5 y 16 se produce un segundo desplazamiento. De acuerdo
con los razonamientos de la anterior sección, hay dos electrodos por bit (E/B = 2). Así pues, la célula de
registrador de desplazamiento tienedos electrodos. y se debe leer (o escribir) la información sólo una vez
por periodo del reloj en el intervalo tH 4 o H- t6 llamado intervalo de entrada-salida (/ /0).
1,
D<~pl .... ·
m,enlo
, _m'en~
-' r
" ,o _ 110-.. r--1I0-

" o
,; tI
' ."
f )
I J '6 ( 1 lB

1i'12ura 9·27. Ondas de las dos fases del reloi del ceo de la Fi2. 9-26.
 Sistemas integradosa muy gran escala 367

La Fig. 9*28a corresponde a una excelente disposición de la estructura de los electrodos en un CCD
de dos fases. El electrodo de polisilicio El está perfilado como su equivalente metálico de la Fig. 9*26a
con másespesorde óxidoen la izquierda. Los iones de tipo p implantados bajo el lado izquierdode E2en
el sustrato tipo p compensan la tensión bajoeste electrodo. Cuandose aplica a E2 una tensiónpositiva los
huecos son repelidos abandonando la alta concentración de cargas negativas. En consecuencialas líneas
de fuerza del lado izquierdo de E2 terminan en estos iones negativosy no penetran mucho en el sustrato.
por tanto, el perfilde energíapotencial está mucho más próximo a la superficie en el lado izquierdo que
en el derechode E2 como se pretende.
Las ondas cfll y <1>2 de la Fig. 9-27 esencialmente son ondas cuadradas simétricas que teniendo unos
tiempos de subida y bajada no nulos forman un solape de dos fases. Resumiendo, también pueden
emplearse losimpulsos positivos nosolapadosdelreloj paradesplazarla carga almacenadabajounapuerta
hasta la siguiente (Prob. 9*18). Esta disposición puede adaptarse al funcionamiento de una sola fase
haciendo cfll una tensiónconstante, empleando un corto impulsopositivo <1>2 y ajustandoapropiadamente
sus respectivas amplitudes (Prob. 9-20).
También se construyen CCOde cuatrofasesen los que la disposiciónde puerta de polisiliciocombina
la estructura de puerta planar de la fig 9-25 con la no planar de la Fig. 9-28. Durante un ciclo del reloj
tienen lugardos desplazamientos de datos, necesitándose cuatro electrodos por bit.
Polisilicion
Dos rases dc reloj 11 I
" " " y Oxidode silicio

Figura 9·28. Estructuradcelcctrodossolapados dc unCCD dc dos fascs.

Estructuras de eutrada y de salida

En la Fig. 9-29a se ha añadidouna fuentede difusiónS y una puerta G en el extremo de entrada de un
registrador CCO. El depósitode potencial debajo del primer electrodo El actúa como drenaje. de forma
que S. G, y El forman un MOSFET. En S y en G se aplican tensiones con lo que la corriente fluye hasta
tanto el depósitoquede cargadoa la tensiónde S.
La salidase deducedel drenajede difusiónD añadidoal extremo de salida del registrador como en la
Fig. 9-29 que detecta la corriente de salida. La detección de la tensión y de la carga se consigue
construyendo en el mismochip un amplificador de salida o añadiendo uno exterior.

Organización de una memoria CCD

Los dispositivos de memoria acoplados en carga tienen tiempos de acceso más lentos que el RAM
debido a su funcionamiento en serie. Sin embargo, el CCD constituye un excelente medio para reponer
memorias para un terminal CRT y es un sustituto económico para memorias de registradores de '
desplazamiento pequeños.
En una memoria CCO la 'información debe desplazarse hacia la salida antes de poder ser leída. El
tiempo de accesode cada bit en el caso más desfavorable se denomina tiempo latente. Para un número
dadode bitpor chipeste tiempo latente dependede la organizacióndel chip. Seguidamentedescribiremos
dos organizaciones, comúnmenteutilizadas, llamadas serpentina y de acceso aleatorio LARAM.
368 Mtcroelectr ónica moderna

La serpentina es la más fácilde fabricar de las dos memorias CCO. y está representada en la Fig. 9~30.
Es una organización síncrona en la que la información se va desplazando de célula a célula a manera de
una larga serpiente (de donde le viene el nombre) en un registrador de desplazamiento recirculante.

S G
" "E, E _
N 1
" " D
Salida

Suslratop Suslralop
Dep&ito "
Figura 9-29. Estructuras para: (a ) inyectar.y (b) detectarcargas en un CCO de canal n.

Relojes

Entrada de dato
¡\f·bil rcu

M· bit eC D
____ -.J~ Amplificador
I . ... de regeneración
M· bitCCD

Amplificador de regeneracién !

~I
~I
------'------'I1 _......
l1li"""'"
,l!·bil cm
S. lid. d, Id" .

Figura 9-30.Organizaciónen serpentinao srncrona de una memoria CCO. El reloj multifasese aplica simultáneamente a todas las
seccionesdel CCD (entre los amplificadores de regeneración).

El LARAM se diseña para tiempos de acceso cortos y consiste en un cierto número de memorias
recirculantes cortas funcionando en paralelo, que comparten las líneas de entrada y de salida. Se emplea
un decodificadorpara excitar aleatoriamente los registradores loque le dael nombre de memoriadeacceso
aleatorio a esta organización. El 2464 de lntel es un CCO de 64 kb dispuesto como 256 registradores
independientes de 256 bit cada uno (Fig. 9-31). Un decodificador de 8 a 256 líneas puede seleccionar
aleatoriamente cualquier registrador. Las operaciones 110 se llevan a cabo en forma similar a las de un
RAM de 256 bit.

9-9. LÓGICA DE INYECCIÓN INTEGRADA

La l ógica de inyecci ón integrada. o más simplemente PL, desarrollada simulláneamente en 1972 por
los ingenieros de la Phillips Research en Holanda y por Laboratorios IBM en Alemania Occidental es una
tecnorogfa de integración a muy gran escala que combina la elevada densidad de componentes del MOS
con la mayor velocidad de los BlT. Los avances de la tecnología MOS. tales como la reducción de
dimensiones al mínimo, han mermado el empleo del FL. Sin embargo, se pueden adquirir en el mercado
 Sistemas integrados a muy gran escala 369

RAM, microprocesadores, y convertidores A/D y OlA en PL. Además, prosiguen invest igaciones y el
desarrollo de esta tecnología si bien a un nivel inferior. comparado con el de la década de su introd ucción.
Por ello hemos incluido esta sección a fin de introduci r los princi pios básicos de la operación FL.

Fusionado de elementos
En la fabricación de bipolares puede aumentarse la densidad de componentes eliminando las resisten-
cias que ocupan superficie y reduciendo notablemente (o suprimiendo) las islas aislada s que separan
dispositivos. Una de tales técnicas. que se enc uentra tamb ién en los BJT de em isores múltip les empleados
en las puertas TIL y en las células de almacenamiento de emisor acoplado consiste en fusiona r
componentes. Es decir, que cuando una región serrúconducrora es parte de dos o más componentes. se
dice que este dispositivo es combinado. Este proceso economiza mucha superficie del chip.

Am pl. Rc" . reci r~ull nle Amp!.

I
_.1$Il.Ad.dlp.to. Salida de dall10
e re~en . CCD de 2S6 bit, n.- I e re"en

Anlpl. Reg. rc~¡"ulon le Ampl.

e resen . ceD de 256 bit. n.O2 rlc regen
U Adap. Ent rada de datll5
n ene•. daeOI Habilitació n cscritura
I I
I I
I I
I I
I I
l I
A mpL J~ rttima"IIl"~ [ A mpl. _ En.. ,,""' d.,
de rettm.CC'D.re 2S6 btt, n.- 2S6dc re.p .- d i.eccionado
'-¡--'

1-- ElIlrada CE
cmporiuodo"
1-- Entrada es
-.-1-1-'
'----.------'
Enl radu de l reloj;
n lalra 1. >«
Figu ra 9·3 1. MemoriaCCO2464de lr nel, de 65536bit(64 kb)organizada como 256 registradoresdedesplazamientorecirculerues
de 256 bit cada uno. Losregistradores pueden direccionarse aleatoriar ueme. El reloj de cuatrofases se obtiene de un chipaparte(el
5244 de Intel) (COl"/fs (a de tmet Cmpol"clli ol/ ).
,.
rr-

Entradas procedentesde
elapas anteriores
I " .
r-~-~----+-- A las bases
de las etapas
siguienles

Flllur. 9-J1. lnversores BIT en paralelo.

370 Microelectrónica moderna

En la tecno logía bipo lar norma l (Sec. 5-3) si no se emplean is las aislada s. los cole ctores de todos los
BJT estarán en una capa epilaxial tipo 11 única y por tant o a la misma tensi ón. En la puerta DCTL NOR
bipo lar (Fig. 9-32) son los emisores de todos los transistores los que están a igua l tensión (a tierra). Estos
emisores pueden mantenerse a tensión cons tante s i los transmi sores de mú ltiple em isor se fab rican y o peran
en el modo inverso . O sea, cada región de emi sor 11+ pasa a ser un colector y la región de colector normal
pasa a ser la de emisor común para el di spositivo fusionado. Esta técni ca se emplea para formar los tres
colectores y los emi sores a tierra de la Fig. 9-32 como se ve en la Fig. 9-330. El sustrato 11 + se usa para
mejorar la ganan cia de corr iente del BJT invertido.

Inyeclnr B e, e, e,

l"

Exterior R,
al chip
Vee

Inyector de corriente

'"
Figura9-33. (11) Sección transversal de un transistor de colector múltiple. Obsérvese que las regiones n+ que forman un transistor
de emisor múltiple se emplean a manera de colectores. (h ) Configuración del circuito indicando el inyector de corriente pI/p.

Inyección de corriente
Se puede conseg uir una nueva economía de la superficie del c hip eliminando de éste Re (Fig. 9-32).
Sustituyendo Re por una fuente de corriente de resistencia de salida (teó ric ame nte infinit a) de valor mucho
más alto de lo que se puede fabricar para ~ 0 se aumenta la ganancia de los inversores de la puerta NOR.
Como se indica en la Seco6-5 una ganancia alta supone una mej ora en e l fun cionamient o de la puerta. La
fuente de corriente o inyección de corriente se forma emp lea ndo el transístor pnp co n base a tierr a seña lado
Q en la Fig. 9-33b. Obsérve se que la resistencia Rx es exterior al chip . El valor de la corriente.
evid entemente es

(9·21

La corriente de colector o}o de Q es también la corrien te de base de l tran sistor mult ico lector. La
implantación de una región p adicional en la capa ep itaxial » forma e l lransisto r pnp lateral Q para e l
 Sistemas integrados a muy gran escala 37 1

inyector. El co lectorde Q es tamb ién la base del BJT m ulricolecrorcon lo que estas regiones queda n unida s
como se ve en la Fig. 9-330 .
Hay que resaltar que todas las corrientes de inyector provienende Vce a trav és de la única resistencia
R•• ext erior al chip. Normalmente un chip se con struye con líneas de difusión larga s llamadas vías. cada
una de las c uales suministra corrie nte de base a todos los transistore s npn adyacentes a ella. La Fig. 9-34
muestra la vista superior de una posible dispos ición de un chip lógico de inyección. Un rectángu lo
som breado representa un transistor "P"
cuya base (la e ntrada del transistor) se indica con un peq ueño
círculo, y cuyos colectores (las salidas inver soras) se presentan con un pequeño cuadrado. Tod as las
regiones p están sombreadas y todas las n se han dejado en blanco. Hemos eleg ido arbitra riamente el
número de colectores en cada transistor multicolector. La posición de los colec tores y de los contactos de
la base de cada puerta Pl. se determin a de forma que se simplifiquen las intercone xiones entre puert as
para c umplir la lógica deseada. El inversor inferior izquierdo de la Fig. 9-34 corresponde a la dispos ición
de electrodos de la Fig. 9-33. El emi sor de cada transistor vert ical es la región " a tierra (no so mbreada).
La organ ización de la Fig. 9-34 muestra únicamente ocho inversores. pero natu ralmente puede ex tenderse
vertical y horizo ntalmente en un sistema integrado a muy gran escala.

FIgu ra 1)·34. Vista 5uperior de un c hip integr aoo con lógica de inyecc ión (1IL). Cada cfrcu lo reprnenla una cooe:dÓll de entrad a
(base p ) de un lran5iMor vertical)' cada cuadrado una u lida tcotector n ).

Co n los antecedentes expuestos en el párrafo anterior podremos ahora describir el funcionamiento de

las puert as básicas y de los RJ P-A.OP fabricados con tecnología FL.

Inversor
El inversor QI de la fig 9-35 es tá cargado por Q2. Ca da transistor es té polarizado por una corriente de
inyección li' Al nivel lógico bajo Vi '" O. Q I está e n cort e y la señal de e ntrada V¡actúa como un sumidero

Fhw ra.9-35. Inversor Ilt.: 0 1eSlj directam ente acoplado ~ la e tana slauienre 02.
372 Microelectrónica moderna

para Ij de forma que 18 ! =Oe In =O. Por tanto, 1 =I YQ2 está en conducción, por lo que V =0,75V
81 OD
= V CEI. Por otra parte, si la entrada es alta V, '" 0,75 V, {a corriente de base 18 1 crece por sob re Ij y QI tiende
a saturarse . En consecuencia , Va :1 cae muy bajo ( '" OV). Ahora Q2 está en corte porque QI actúa de
sum idero para I de Q2 con lo que In = 1. reduciendo 181 a cero. Evidentemente se ha producido una
inversión por Q{ ya que Vo = O,75V para V,= O, Y Vo =O para V, =0,75V . La variació n lógica es de unos
0.75V dependiendo su valor exacto de la corriente de po larización Ii'
Obsérvese que en saturación la corriente de co lector es l .y la de base vale aproximadamente lo mismo.
Por tanto para llegar a saturación basta una gana ncia de corriente en emisor com ún PF de tan s ólo la unidad .
Un transistor trabajando en inverso tiene un valor de Il.. mucho menor que norma lmente ( '" lOO). No
obstante, se pueden conseguir fáci lmente ganancias de corriente en em isor común mayores que la unidad
(ent re 2 y lO) para el transistor.
Cuando un inversor pasa de uno a otro estado la tensión de las capacidades del transistor deben variar,
provocando un reta rdo Ipd en la propagación. Las corrientes de carga (y de descarga) de estas capacidades
las suministra el inyector. Valores grandes de I j llevan valore s peq ueños de 'pd ' pero esto es a ex pensas de
disipar más potencia.
Otra ventaja de la configuración PL es que puede trabajar dentro de una amplia gama de velocidades
variando simplemen te la corriente total de inyección, al varia r la única resistencia R)(. El campo de trabajo
va desde aproximadamente I nA al mA. Una vez se ha diseñado y cons truido el chip se puede ajustar la
velocidad al valor deseado camb iando Rr

Puerta NAND

Es extremadamente sencillo obtener una puerta ANO en lógica de inyección. En la Fig. 9-36a, YI es
una variable lógica en la salida de un inversor 12L, e Y2 es otra variable en el colector de una segunda
puerta FL. Conectando entre sí Y¡ e Y2 tendremos Y = YIY2 en el nudo com ún de esa figura. Si se aplica
Ya la entrada de un inversor, la salida será la función NAND YIY2 como se aprecia en la figura.
Si A(B) es una variable lógica aplicada exteriormente , para tener A(B) en el colector de una puerta PL
se deberán emplea r dos inversores en cascada como se indica por las líneas conti nuas de la Fig. 9-36b. De
esta forma se obtiene la función NAND AB .

;¡
A
--13-,
::r :
...., AO
I ",i""+B
---- --
Y, -o :
,-8- J ñ B

B
Y,

(, ) (b)

Fig Ufll 9 -36. (11) Puerta "'ANU utiliza ndo la ANO intercone ctada para lógicas internas varia bles [colector]. ( h) Puerta NANO pa ra vana-
bles lógicas apl icadas externamente [co nexiones de trazo conttnuo). La parle a trazos de es te circu ito es u na puerta NOR. (Para
simplificar se han omitido los inyectores.)
 Sistemas integrados a muy gran escala 373

Puerta NOR
En el Capítulo 6 se comprobó que todas las funciones lógicas combinativas pueden genera rse mediante
puertas NA ND exclusivamente. Según la ley de Margan (Seo. 6-3), A + B ~ A B y por tanto se obtiene la
función NOR de la puerta AND interconectada con entradas A y B,lo que qu eda representado por las I'neas
de trazos de la Fig. 9-36h. Obsérvese que los dos transistores de entrada tienen cada uno de ellos dos
colectores mientras que los otros tres inversores tienen uno solo .

D, I ¡jI
D,~---i"''' I ~[ lB,
NI Q
N2 i!
NI ~, Q

i!
I ~( ID,
D, [ 1B¡
,., lbi
Figura ' ·37. (a) Biestablede fijación (célutade memoria de I bit). (b ) Diagramade conexiones (2Lpara esle A.IP-FLOP.

FLIp·FLOP

Los circuitos secuenciales tales como los registradores y contadores vistos en el Cap. 8 se basan en
FLIP-R.OPS que se forman fácilmente con puertas PL. La célula de almacenamiento de I bit o biestabl e de
la Fig. 8- lb se reproduce en la Fig. 9-370, mientras que el esquema de conexiones resultantes de las reglas
anteriores se representa en la Fig. 9-37b.
A partir de los circuitos PL básicos de las Fig. 9-35 a 9-37 se pueden construir RAM estát icos, memo rias
en serie (como las descritas anteriormente en este capítulo), y una varie dad de circuitos secuenciales y
combinatorios.

9·10. MICROPROCESADORES Y MICROCOMPUTADORES

Un microprocesador es un sistema de un solo chip conteniendo circuitos aritméticos, lógicos y de
gobierno de un sistema de procesado de dato s de uso general y de cálculo. Mucho s micropro cesadores
modernos contienen también una reducida memoria o tienen inco rporado un circuito de reloj en el mismo
chip. Esta combinación de circuitos (sub-sistema ) constituye la unidad central de pro cesad o (CPU ) del
sistema. La organización interna clásica de un microprocesa dor represe ntada en la Fíg. 9-38 muestra los
principales subsistemas incorporado s.
Los procesadores adquiribles en el mercado pueden tener capacidades de inform ación de 4, 8, 16 y 32
bit. Para construir microprocesadores se emplean lada s las tecnologí as tratada s en este libro . La tecnología
dominante es la MOS con puerta de polisilicio de 2 um, tanto en NMOS como PMOS.
Para funcionamiento a gran velocidad se emplea una tecnología bipola r tal como la familia TTL ALS.
La rmcrofotograffa de la Fig 9-39 es la del procesador CMOS de 32 bit con referencia MC68020 de
Motorola. Este chip mide aproxim adament e 9,5 x 8,9 mm, y contie ne más de 200.000 transistores.
374 Microeieclronica moderna

Registrador de estado

I I PROM
Acumu lador
RAM
I I - -
Co ntad or
de pmgramll

I I Regi'lradur de in.. rua:ione.

ALU
I
Co ne xione s internas
Temporizad o
y co nlm l

Adapl. datos I I Adapl. din:Cción !

Datos Direccionado Co nt ro l

•
A la memoria 'J entr ./ul. (110)

Figu... 9·38. Organización ¡"lema c" sita de un microprocesador.

• •

- .
FIEura 9·39. MicrofolOi.rarra del microprocesador Me68020 (Cor lts(a de MOIorola l il e.)
 Sistemas integrados a muy gran escala 375

La organización funcional mostrada en la Fig. 9-3 9 indica que en el chip van inco rporadas ciert o
número de secc iones (ROM, PLA. cumplimentación de dala s, ele) que son circuitos individuales
integrados a muy gran escala. Esta técn ica de integració n de varios subsistemas en un chip único es la más
empleada para diseñar una integración a muy gran escala .

Microprocesador
1I.0M b---~ ¡OUI r-~ RAM

Control Almacenaje
memoria lemporalde dates

FlgufI 9-40. MicrocomputadorobIenidoaftadiendo a un microprocesador memoria.dispositivos de enlradaJsalida, y un reloj.

Microcomputadores
Para poder cumplir con todas las tareas asignadas a un computador es necesario añadir a la unidad
central CPU una memoria adicional. circuito s de gobierno y adaptadore s periférico s para los dispositivos
de entrada-salida (1/0 ). La fig 9-40 representa un diagrama de bloques de tal sistema. En com putado res
«específicos». es decir. los diseñados para cumplir tareas concretas, como es el caso de los sistemas de
inyección electr ónica de carburante, se emplea un ROM no vol átil para almacenarel programa y las lab ias.
Si el programa no está completamente definido se emplean PROM. EPROM YEEPROM. El almacen a-
miento temporal reside en los chips RAM. y en caso de gran volumen de memori as se emplean discos
magnéticos (rígidos o flexibles). Los dispositivos de entrada -salida (110) co mprenden teclados. tubos de
rayos catódicos . e impresoras. Los sistemas de comunicaciones o de control basados en los mícro proce-
sadores emp lean frecuentemente transductores y convertidores de altema/continua y de conti nua/alterna
que transforman cantidades ffsicas en señales digitales y viceversa.
Otros sub-sistemas de control y de procesado se diseñan para actuar conjuntame nte con el CPU (no
representado en la fig 9-40) comprendiendo coprocesadores y chips de manipu laci6n de memorias. Los
coprocesadores tales como el MC6888l de Mororola, diseñado para trabajar con el MC68ü20 amplían la
capacidad de cálculo del CPU. El acceso d irecto a la memoria lo facilit a la man ipulació n de la misma . lo
que permite la transmisión eficaz de informa ci ón a (o desde ) el RAM desde (o a) los discos magn éticos.
El número de chips auxiliares circundando el procesado r puede llegar a ser de unos 100,estando montados
lodos los chips sobre circuitos impresos (PC) de tamaño no mayor que esta página. El número de
transistores equivalente en este montaje frecuentemente supera el millón.

Microcomputador de un chip
La integración con el CPU de los circuitos de control, temporizaci6n , memoria ROM y RAM. acceso
l/O y periféricos forman un microcomputador en un chip único. El MC6&IIC 11 , cuya microfotografía es
376 Microetectroníca moderna

la de la Fig. 9-4 J. es uno de tales chips. Co ntiene má s de 100.0 00 trans istores en un vo lumen de
6.5 x 7 A mm y comprende un Cl'Ll.temporización. l/O. mem oria (RA M . RO M . EE PROM) Yco nve rtido r
altern a/cont inua. La Fig. 9-4 1 muest ra tam bié n el espac io re lativo necesario par a los tre s tipos de memoria .
Empez ando por e l fondo del chip. la primera franja con tie ne 5 12 bit del EEP RO M. Lo s 8 192 del RO M
formanla seg unda franja. y la tercera la forman los 25 6 de l RAM. El m icrocomputa dor de un chip puede
aume ntarse mediante otros ch ips. tanto para am pliar la ca pac idad de me moria co mo pa ra es tablece r la
relació n con una var iedad de l/O y de ele men tos de co municac ión.

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11., "': . -
•

Figura 9-41.Microfotograña del MC68HCII , microcomputadoren unsolo chip (Corte.da de MIJ/oro/alllc. )

Aplicaciones
Un est udio detallado de las ap licaciones de los microprocesadores so brepasa ría los objet ivos de es te
libro. C iertamente, much os departamen tos de inge niería e léc trica y de co mputad ores ofrecen (y a veces
so licitan) c ursos de d ise ño dig ital. arquitectura de co mputado res. y diseño basado e n lo s mic rop rocesa-
dores. en los que se trata de sus aplicacion es . La siguiente lista abarca e l campo e n e l q ue se aplica n
microp rocesadores.
En el procesado de seña les d igitales interv ienen los mic ro pro ce sadores. Lo s procesado re s pro gram a-
bles en un solo chip. como e l TM S320 10 de Texa s lnstrumen ts. so n ca pace s de eje c utar las func io nes en
tiemp o rea l del aná lisisespec tral. filtr ado d igita l. co mprens ión hablada. fo r ma de dato s y sfr ucs¡s mu sica l.
Estas variadas ap licaciones ya señalan que e l microprocesador se ha con verti do e n e l principal
componente en los sistemas electrónicos. S u naturale za program a ble le da flex ibi lidad suficiente para
 Sistemas integrados a muy gra n escala 377

preparar diversas funcio nes con los m ismos elementos . En rea lidad su campo de aplicaciones no tiene
más límite que la imaginación de q uienes los usan .

Consum idores electrónicos Inst rumentaci ón

Calculadoras Equipos de auto-ca librado
Relojes digitales Equipos de gob ierno de radiaciones
Juegos de video Sistemas de análisis de laboratorio
Instrumentos de control Registradores de datos
Sistemas de entretenimiento dom éstico Aparatos para diagnósticos
Sistemas de seguridad doméstica Instrument os médi cos
Gestión de la energía doméstica. Sistemas de seg uridad y detección de ince ndios.
Come rcio e Industria Oficinas y negocios
Cont rol de máquinas y procesos Te rm inales de las redes de calc uladoras
Control de tráfico Equipos aut omáticos de bancos
Navegación Terminales en puntos de ven ta
Sistema de aterrizaje automát ico Te rm inales de las reservas
Inyección electrónica de carb urante Term inales de contro l de almacenes e inventario
Control de emisores (polución) Máquin as copi adoras.
Comunicación de datos.

REFERENCIAS
1 Hodges, D.A. (ed.): "Se miconductor Memories",IEEE Press, Nueva York, 1972.
2 Elmasry, M.l. (ed.): "D igital MOS Integrated Circuits", IEEE Press, Nueva York, 198 1.
3 Hodges, D.A.: Microelectronic Memories, Scíemific American , vol. 237, nº 3, pp. 130-145, Septiembre, 1977.

4 IEEE Jonmot ofSalíd-Sune C írcuíts. edición espec ial anual sobre lógica de los semicond uctores y mernc na ,
Octubre 1970 hasta el presente.
S Dígest of Technica í Papa s, Intemational Solid-State Circuits Con ference, anuario de 1954 hasta el prese nte.

6 Hodges, D.A., y H.G. Jackson: "Analysis and Des ign of Díghal Inregrared Circuits" , McGraw-Hill Book
Company , Nueva York, 1983.

7 Mead, c., y L. Conway : " Introduction to VLSI Systems", Addison-Wes ley Publishing Company, Read ing,
Mass., 1980.
8 l. E. Smith (ed.): " Integrated Injection Logic''. IEEE rress, Nueva York. 1980.

9 IEEE Transocuons Etectron Devíces , vol. ED-23 , n~ 2. Ed ición especial sobre d ispositi vos de carga y
transferencia, Febrero, 1976.

TEMAS DE REPASO
9·1. (a) Dibujar el circuito de un inversor MOS dinámico de una sola fase.
(b) Explicar su funcionamiento.
9·2 Cítense tres cualidades importantes de un MOSFET en un inversor dinámico.
9·3, Explíquese qué se entiende por inversor de relación.
378 Mtcroetear ónica moderna

9·4 . (a) Dibujar el circuito de una etapa de un registrador de desplazamiento NMOS dinámico de relación. de
dos fases.
(b) Dibujar las ondas del reloj.
(e) Explíqueseel funcionamiento del circuito.
9·5. (a) Dibujar e'l diagrama de bloques de un registrador de desplazamiento recirculanre.
(b) Explíquesesu funcionamiento incluyendo la forma de escribir y de leer no destructivamente.
9·6. Explíquese cómo obtener una memoria en serie capaz de almacenar 512 informaciones de 8 bit cada una.
9·7. (a) Esbozarel circuito de un inversor MOS de no relación.
Explicarsu funcionamiento si: (b) V, '" OY(e) si Vi = VDO'
9·8. Repetir el tema 9-5 para una etapa de registrador de desplazamiento de no relación.
9-9. (a) Dibujar una etapa de un registrador CMOS dinámico.
(b) Explicar brevemente su funcionamiento.
9·10. (a) Dibujarel circuito de una puerta AOI de lógica domino.
(b) ¿Cómo se puedeconvertiren una puerta ANO- OR?
9·1 1. (a) ¡,Cuál es la principal ventaja de la lógica CMOS domino?
(b) Explíquese.
9· 12. Esbozar las ondas de un reloj de dos fases con solape y sin él.
9·13 (a) Citar cuatro ventajas de las memorias de acceso aleatorio semiconductoras sobre las de núcleo.
(h) ¿Qué ventajas tiene [a memoria de núcleo sobre la RAM?
9-14. (a) Dibújese el diagrama de bloquesde una memoria de lectura-escritura de 1 bit.
(b) Explicar su funcionamiento.
9·15. Explicar la selección lineal en una memoria de acceso aleatorio (RAM).
9·16. Repetir el tema 9-1 5 para un direccionado bidimensional.
9·17. (a) Dibújense en forma de diagrama de bloques los elementos básicos de un RAM con direccionado
bidimensional empleado para almacenarcuatro informaciones de I bit.
(b) ¿Cómo se amplfaeste sistema para informaciones de 3 bit?
(c) ¿Cómose amplía este sistema para 2S informaciones de 3 bit cada una?
9·18. ¿Cómo se amplía [a memoria de un RAM de 1024 x I hasta uno de 4096 x I?
9·19. Explicar cómo se amplía un RAMde 1024 x 1 hasta uno de 1024 x 16.
9·20 . (a) Esbozar el circuito de una célula RAM estática de 6 MOSFET.
(b) Explicar brevemente su funcionamienlo.
9·21. ¿Cuántos transistores se evitan al pasar de una célula estática RAM de 6-MOSFET a una dinámica de
4-MOSFETen un RAMde 64 kb? Explíquese.
9-22. (a) Dibujar una célula dinámica RAM de 4-MOSFET.
(b) ¿Por qué se necesita un circuito adicional para renovar los datos almacenados en la célula?
9·23. (a) Mostrar cómo se sitúa la célula de 4-MOSFET del tema 9-22 en un RAM.
(b) ¿Qué dispositivosestán relacionadoscon una columna dada?
(e) Explicar la función que desempeña cada MOSFET.
9·24. Dibujar unacélula de memoria dinámica de I-MOSFET y explicar brevemente su funcionamiento.
9·25. Mostrar la organizaciónde un DRAMde 64 kb.
9-26. ¿Cuántos transistores se evitan al pasar de una célula de 4-MOS a una célula dinámica de I MOSFET en un
DRAM de 256 kb?
9·27. (a) Esbozarel diagrama del circuitode una célula RAM de emisor acoplado.
(b) Explicarsu funcionamiento.
9·28. ¿Por qué la célula RAM bipolar normalmente necesita dos pasos de decodificación?
9·29. Cítense cinco características importantes del RAM.
9·30. (a) Explicar cómo se forma un depósito de energía potencial bajo un electrodo de un CCO.
(b) Si el sustrato es de tipo p ¿son los electrones o los huecos los que quedan capturados en el depósito?
9·31. Consideremos un CCD con electrodos planos y excitación de tres fases:
(a) ¿Cuántosdesplazamientos de carga ocurren en un ciclo?
(b) ¿Qué se entiende por electrodos por bit?
(e) ¿Cuál es el valor de E/B en este CCO?
9·32. Quées lo que determina: (a) la frecuencia mfnima de funcionamiento de un CCD. y (b) la frecuencia máxima.
9.33. (a) Esbozar esquemáticamente la forma de los-electrodos en una memoria de dos fases acoplada en carga.
 Sistemas integrados a muy gran escala 379

(b ) Dibujar las-ondas de excitación.

(e) ¿Cuántos desplazamientos de cargas hay en un ciclo?
9·34. Explicar cómo se introduce la información en el registrador para la memor ia CCD de! tema anterior.
9·35. Describir la organización en serpentina de una memoria CCD.
9·36. Repetir el tema anterior para la organizació n LARAM .
9·37. Dar cinco razones de porqué en la integración a pequeña escala el MOSFET domin a sobre el BlT.
9·38. Definir e! fusionado de elementos.
9·39. (a ) Explicar por qué en DCTL no se necesita resistenc ia de colector y por qué puede sustituirse por una
fuente de corriente.
(b) Indicar tal inyector de corriente.
(e) ¿Qué elementos del inyector son exteriores al Chip?
9·40. (o) Dibujar la sección transversal de un inversor I1L. incluida la fuente de corriente.
(b) Mostrar e! mode!o de circuito de una unidad I1L.
9·41. Explicar el funcionamiento de un inversor IlL.
9·42. (o) A YB son accesibles en los co lectores de dos inversores I 2L.
Mostrar có mo se obtiene la función NAND AB .
(b) Repetir el apartado anterior si A y B SI< aplican exteriormente.
9·43 Mostrar có mo se consigue la función NOR A + B co n n,
9·44. Mostrar el esquema de conexiones de un biestable con n,
9·45. ¿Qué funciones se necesitan en un chip microprocesador?
9·46. ¿En qué difiere un microcomput ador de un microprocesador?
 TERCERA PARTE

Circuitos y sistemas
amplificadores

La electrónica modernase apoya en la disponibilidad de dispositivos fiables para la amplificación

de señales. Sin ellos se puede decir que casi todos los sistemas de comunicaciones, control,
instrumentación y cálcu lo serían impracticables. En las Seco3-1 y 4-1 se demostró que la fuente
gobernadaes un elementoamplificador. Además en esos mismos capítulos vimos que tanto el BIT
como el FET se comportan como fuentes gobernadas cuando se polarizan apropiadamente. En esta
partedeltextoexaminaremoscómo seutilizan transistoresen etapas amplificadoras y a su vez cómo
se interconectan tales etapas en sistemas de amplificación. Cuando se dan características de fuen te
gobernadalos transistores responden linealmente. En consecuencia el análisis de circuitos amplifi-
cadores conduce por sí mismo a emplear modelos incrementales de pequeña señal (Sec. 3-10 Y
4-14).
Los dos primeros capítulos de esta parte tratan del comportamiento de las configuraciones básicas
del amplificadorde transistores. En el capítulo 10nos referiremosespecialmente al funcionamiento
del circuito a baja frecue ncia y al proceso de polarización. La respuesta en frecuencia y las
limitaciones en el comportamiento de estos circuitos básicos será tratado en el capítulo 11. El
importantísimo tema de las realimentaciones y su empleo en el gobierno del comportamiento del
circuito será el objetodel capítulo 12mientrasque la estabilidad y la respuesta en frecuencia lo será
del 13. El objetivo del Cap. 14, en el que se describe detalladamente el amplificador operacional.
(el circuito integradoanalógico predominanteIC) es doble: (1) este sistema amplificador en un chip
es un componente esencial en circuitos de procesado de señales y de adquisición de datos; esto
serviré de introducción a la cuarta parte, y (2) se resallan las técnicas de diseño de amplificadores
y el materialde los cuatrocapítulosanteriores se integra por el estudio del amplificadoroperaoionef.
 Etapas amplificadoras
básicas a baja
frecuencia

En los capítulos 3 y 4 se describieron el funcionamiento físico. las características volt-amperio y el

comportamiento como elementos del circuito de los transistores bipolares de efecto campo (FET). Ahora
utilizaremos estos conocimientos para analizar el comportamiento de las etapas amplificadoras básicas
BJTyFET.
En la Seco 3·3 se demostró que un BIT actúa como fuente gobernada cuando está polarizado en la
región directa activa. Análogamente, un FET funciona como fuente gobernada cuando está polarizado en
la región de saturación (Sec. 4-2). En las Seco 3-9 y 4-13 se vio que se pueden usar los transistores como
amplificadores cuando estén adecuadamente polarizados. Los transistores se polarizan en su región
adecuadamediante la aplicaciónextemade tensiones ycorrientes continuas. Esdecir, estafuente constante
(en el tiempo) establece un punto de trabajo. Las señales de entrada variables (por ejemplo, la corriente
de base y la tensión puerta-fuente) se superponen a los valores de reposo para dar una señal de salida
variable con el tiempo (corriente de colector, tensión de drenaje, etc). Lo que se pretende amplificar es la
señal variable de entrada; la excitación constante ya establece la polarización apropiada. En los Cap. 3 y
4 vimos que para determinarlos niveles de reposo se empleaban métodos gráficos y modelos en continua.
Además, el circuito equivalente de pequeña señal constituía una representación adecuada del transistor
que nos permitía obtener la señal de salida gobernada por la de entrada variable. El empleo del modelo
de pequeña señal se basa en el comportamiento aproximadamente lineal del BJT en su región activa y del
FET polarizado a saturación.
Idealmente, la señal de salida de un amplificador debería reproducir fielmente, a nivel más alto de
energía, la onda de entrada. Como sea que los dispositivos reales adolecen de limitaciones propias, los
circuitos de que forman parte no pueden responder como ideales. El campo de amplitudes de entrada que
pueden ser procesadas eficazmente (llamado campo dinámico) es restringido. Una consecuencia de esta
limitación es la distorsión, que es el grado en que la salida no se identifica con la entrada (Fig IO-2b). No
siendo los transistores unas fuentes gobernadas ideales, como resulta evidente de su circuito equivalente,
existirán restricciones tanto en la amplificación o ganancia alcanzable como en el campo de frecuencias
con las que se puede conseguir la amplificación. Los valores de parámetros usados en el circuito
equivalente y el campo dinámico dependen ambos de los niveles de reposo. A su vez, el comportamiento
dinámico es un factor para la selección del punto de trabajo. Además la localización del punto de trabajo
debe controlarse porque las características del dispositivo varían por las tolerancias de fabricación y por
los cambios ambientales como es la temperatura.
El párrafo anterior subraya varios aspectos de los amplificadores de transistores de los que tratamos
en este capftulo. La sección inicial está enfocada hacia los métodos para conseguir un punto de trabajo
estable tanto en los circuitos integrados como en los formados de componentes discretos. Sigue un estudio
detalladode las configuracionesdel amplificador BJT básico y de las etapas FET análogas. Eneste capítulo
únicamente trataremos delfuncionamientoa baja frecuenciaen elque se puedendespreciar las capacidades
internas del dispositivo. Los efectos de estas capacidades se investigarán en el Cap. 11.
384 Microelectrónica moderna

Muy frecuentemente se disponen varias etapas en cascada para am plificar la se ñal de una fuent e. tal
como la cabeza de un loca-discos, hasta un nive l adecuado para la actu ación de otro transd uctor como
sería un altavoz. En co nsecue ncia , co nsidera remos e l comporta m iento a baja frec uenc ia de los amplifica -
dores en cascada. Tamb ién haremos una introducción a l amplificador operacional. q ue es un circuito
integrado muy empleado en siste mas amplificadores e n cas cada.
Ya que en un trans istor amplificador existe n tensione s y co rrie ntes tanto co ntinuas co mo variables e ro
el tiem po, en la sección inicial de este capftu lo se expondrá n las notaciones empleada s para di sti nguir los
diversos componentes.

10-1. ONDAS PARA UNA ENT RADA SENOIDAL

Co nsideremos la etapa en emisor común represent ada en la Fig . lO- la, e n la que las fuentes lee y V('c
proveen la polarizació n, siendo la corriente de fuente ih(t) la señal a amp lificar . En la Fig. 1O·lb se
re presentan dós series de ca racterísticas de colector; la de trazo cont inuo para ~F = 50 y la de trazo
discontinuo para ~F = 125, todo ello para eltransistor de la Fig. lO-l a . Los dos puntos de trabajo, Q l para
~F = 50 YQ2para ~F = 125 están seña lados sobre la recta de carga correspondiendo a V ee = IOV y Re = Ika.
Estud iemos primeramente la situación para ~F = 50. En la Fig . 10- lo se ha trazado la característica de
transferencia'aprox imada de l circuito de la Fig. lü- !e . I'~ = "e en fu nción de iq tal como se indicó en la
Seco 3· 8. Obsérvese que º.l,
~ r n la porción lineal de la caracte rística entre corte y saturac ión. Para una
señal ib(/) = 1"", sen 001 = 'l2 1b se n oot = 20 se n OO( ~A. la co r ri e n te i ns tan tá nea de bas e ie = I BB
+ ib varfa senoid almente alrededor de QI y 40 S.·in S. 80 ~A (entre los puntosA y B de la característica de
transferencia). Como se ve en la Fig. 10-20. e l BJT se ma ntiene en la región activa di recta d uran te todo
el recorrido alrededor de Q l motivado por ihU). Por taruo.Ia o nda de sa lida resultante es la reproducción
fiel de la seno ide de entrada co mo se indica por la curva de tra zo co ntinuo de la Fig. 10· 2b.
=
Según la ley de Kelvin aplicada a la Fig. lO- la. se tiene I'e i~ e + V ee O bien ie (Vee- \'eJlRe lo que =
indica que i c contiene componentes constantes y variables en e l tiempo . Asimismo. toda co rriente o tensión
del BJT tiene una componente en continua y otr a variable en el tiempo. Cuando la operación está confinada
en la porción lineal de la caracte rística de transfe rencia de la Fig. I 0-2a e l tran sistor se co nduce linealmen te.
Las ondas de la Fig. 10-3 representan las corrientes y tensiones de l BJT para una e ntrada senoída l y suponen

le . mA
' 00
+Vee (10 V ) 80
" "ReCia de carga
160
Re
60
(Ikm
120

4
------~ ------1~

2
-----------~~~~~~
1~"'40IlA

8 10

(. ) (b )

Figura 10-1. (a ) Etapa elemental en em isor com ún. (11) Caracre nstica de colecto r deltransistor e n ( a ). con trazo continuo para Pf
= 50 Yco nt razo d iscontin uo para PI = 125. Sobre la recta de ca rga es tán señalados los puntos de funcio namiento (lB = 60 IJA) para
ambos valores de P,.
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 385

Corte 10 !O r - -v
I \
A I \
~
8 Activa directa
Q, 8.
B 6 ~: >-
\ I
\ I
4 4 ,,-,
\ I
I

a a
Saturación

,.
(6'
Figura 10-2. (a ) Característicade transferencia (vo en función de!» ) del circuito de [a Fig. lO-la ( ~ '" 50). (b ) La onda de salida
(trazocontinuo)es unaréplicade lasenoidede entrada(lb = 2Oj.lA),Con lb= BO[.l.A sedeforma taondaJe salida (trazodiscontinuo).
'e /0

L , L ,
w w

(o, (6'

",

VOQ --
= ". ---

L ,
w

(,' (d ,
Figura 10-3. Ondas senoidalesde corriente y de tensión del transistor, (a) corriente de colector ic ' (b ) corriente de base ' u- (e)
tensióndecolector ve- (d) tensión de base vB' (Nota: Cada cantidadconstade un términoconstante encontinuayotrosenoídalmenre
variable,enalterna).

un funcionamiento lineal. Cada onda de esa figura con tiene una senoi de nos distorsionada , superpuesta a
un nivel de reposo. Una consecuencia del funcionamiento lineal es que la componente en continua de la
respuesta hay que atribuirla únicamente a la exc itación en con tinua y la compo nente variable s610 a la
señal de entrada .

Notaciones
A fin de evitar confusiones, el «Instilute for Electrical and Elect ronic Engineers (IEEE) >> ha adoptado
386 Microelearontco moderna

una terminología normalizada para los símbolos representativos de los componentes específicos de las
corrientes y tensiones. La Tabla 10- 1 comprende los signos corres pondientes al transistor bipolar y la
Tabla 10·2 los correspondientes al FET.
Los criterios seguidos son los siguientes:
1. Las minúsculas i y v designan valores instant áneos de corrientes y tensiones.
2. Las mayúsculas V e I significan valores eficaces (o de pico) de las componentes en alterna o valores
medios en continua de todas las cantidades.
3. Los sub-índices en minúscula se utilizan só lo con las componentes de tensión o co rriente variables
con el tiempo.
4. Los sub-índices en mayúscula se refieren a ca ntidades totales en continua.
5. Los dobles sub-índices se refieren a valores de alimentación.
6. Las corrientes se consideran positivas cuando entran en un terminal desde el circuito exterior.
7. Las tensiones se consideran positivas cuando se miden respecto al nudo de referencia (normalmente
tierra). Para las tensiones medidas entre un par de terminales (no la referencia) se emplea un subíndice
adicional. Así "es es la tensión instantánea entre colector y emisor
8. El subíndice adicional Q se añade a las variables del circuito para indicar valores de reposo.

T abl a 10·1 Símbolos de tenslcnes y co rri entes para el tra nsistor bipo lar

Comp onente Tolal

variable (ce + ca)
Reposo
Item Alimentación (estático) Inst. Eficaz lnst. Eficaz
Tensión colector Ve, Vn , V, V,
Corriente colectoir le, 1"
";, f,
UC

ir" 1,
Tensión base V" V" '. V. <, V,
Corriente base f.. f" ;. J. ;, t,
Tensión emisor Va - Vn , V, V,
Corriente emisor
";, UL-

1• •- f o", t. t, J.

Tabla 10-2 Símbolos de tension es y corrient es en el FET

Com ponente Total

variable (ce + ca)
Reposo
Item Alimentación (estático) lnst. Eficaz lnst. Eficaz

Tensión drenaje V"" V,~ ", V, V"

Corriente drenaje ;, t,
'"
_i"
1"" 1" f.
Te nsión puerta V,
V"r. V o",
'. V r; Ve;
Corriente puerta fe;e; fr.", 1, t, i" le;
Tensión fuente V" V" <. V. V,
Corriente fuente 1" í, "
t, 1,
'" "
 Etapas amplificadoras básicas a bajafrecuencia 387

A manera de ejemplo de notaciones tomemos la tensión de colector. La cantidad total es la suma de

las componentes en continua y en alterna. lo que se puede escribir

Ve =: Ve + v,o (10 ·1)

que según la Fíg. 10-3b se convierte en

II =:
C
VCQ + V2vc sen OOf (10·2)

Obsérvese que la componente en continua de la Fig. 10-3c es la tensión de reposo Vc ya que el valor
medio de la senoide durante un período es cero. Esto es a consecuencia del supuesto de~inealidad. Si la
señal instantánea se distorsiona como en la curva de trazos de la Pig. 1O.2b, el valor medio de "e no será
VCQ debido al comportamiento no lineal del transistor.
Para mejor comprender las notaciones consideremos cómo han sido medidas las cantidades de las Ec.
(10-1) y ( 10-2). El valor instantáneo vces lo que se observa en el osciloscopio cuando el mando selector
está en «continua,•. Si está en «alterna», en la pantalla sólo aparece v,.'
La Ec. (10- 1) puede escribirse

v=
, ve -Ve =I1"e

en donde se ve que ", es el cambio incremental de IIC ' Recuérdese que los cambios incrementales son la
base para el desarrollo de los circuitos equivalentes de pequeña señal. Estos modelos nos permiten
determinar analíticamente los componentes variables en el tiempo de la respuesta en lugar de hacerlo
gráficamente como en la Fig. 1O-2b. De hecho, con señales muy pequeñas, la técnica gráfica obliga a
interpolar entre las características señaladas en la Fig. la-l a lo que da muy poca precisión.
En otras secciones de este capítulo suponemos un funcionamiento de pequeña señal (incremental)
utilizando los circuitos equivalentes desarrollados en la Seco3-10 para el BJT y en la Seco4-14 para el
FET. Con estos modelos es conveniente obtener las respuestas de las etapas del amplificador empleando
las técnicas de análisis de redes convencionales. Juntamente con el análisis en continua de las próximas
secciones, pueden calcularse las tensiones y las corrientes totales.

10-2. PUNTO DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT

El transistor bipolar funciona más linealmente cuando se limita a trabajar en la región directa activa.
El punto de trabajo debe elegirse de forma que el transistor se mantenga en todo momento en su región
activa, para lo que se superpone una señal variable al nivel de reposo. La distorsión de la señal de salida
se produce si se ha elegido un punto de trabajo que sature, o corte (o ambas cosas) el BJT al aplicar una
señal. Ahora surge la cuestión de "como elegir el punto de funcionamiento. Enfocaremos la cuestión por
medio de la etapa en emisor común de la Fig. la-l a cuyas características se ven dibujadas en la Fig. 10-
lb para J3F = 50 (trazo continuo) y ~F = 125 (trazo discontinuo).
La situación para J3F = 50 ha sido vista en la sección anterior, en donde ya observamos que con ib(t) =
20 sen rot IlA, se restringe el funcionameinto a la parte lineal de la característica de transferencia
obteniéndose una señalde salida no distorsionada l ' (curva en trazo continuo de la Fig. 10.2b).Sin embargo.
si aumentamos la amplitud de pico de ib(t) por encima de 60 !lA (por ejemplo a 80 !lA ) el transistor pasa
a corre durante el semicíclo negativode ;/1). La CUlVa a trazos de la Fig. 1Q-2b representa la onda de salida
cortada (distorsionada) en esta situación. Ya que la característica de transferencia es aproximadamente
lineal para U.:5:;Il .:5: 180 j.1A. podemos eliminar esta distorsión cambiando QI de posición para que
388 Microelectrónica moderna

corresponda a I BB = 90 !lA. Con este valor de I BB la señal hace que 10 :S; iB :s; 170 !lA Y nuevamente el
funcionamiento queda dentro de zona lineal de la característica de transferencia .
La Fig. 10Aa es la característica de transferencia del circuito de la Fig. 10-1 a para ~F = 125 Yestá
basada en la característica señalada a trazos de la Fig. lO-l b. La aplicación de una señal i~(t ) = 20 sen
rotuA hace que el BIT se sature durante el semicíclo positivo d('i~ produ ciendo la onda recortada de laFig.
10-4h. Mientras que una señal de 20 IlA de pico puede ser procesada linealente situando Q2más alto sobre
la característica de transferencia (reduciendo ¡IIB) no se puede seleccionar ningún punto de funcionamiento
que dé una salida sin distorsión si la amplitud de pico de t, es de 80 J1.A. Basándose en la caracterís tica de
transferencia, la máxima señal senoidal que puede reproducirse sin distorsión tiene una amplitud de unos
39 )lA. En realidad, se debe empl ear un valor algo más bajo, porque la caracterís tica de tran sferencia
real no es lineal en las proximidades de corte y de saturación. Así, la magnitud de la señal determina el
límite superior de la zona dinámica. El límite inferior (señal mínima que se puede procesar) generalmente
lo determina el nivel de ruido del sistema.
u,,, V u,,, V

10 10

8 8

6 6
A

Q,
2
B
~==_-:- ~_ w,
20 40 60 80 • 2.
1" lb,
Figura 10-4. (u) Caracrertstíc a de la transferencia del circuito de la Hg. lO-la para Ilf '" 125. (h) Onda de sa lida resultante de una
señal de enlrada ;h (l) '" 20 sen (id]lA .

No se puede elegir arbitrariamente cualquier punto de trabajo sobre la región activa, porqu e las distintas
condiciones de los transistores limitan la zona de funcionamiento útil. Estas condiciones (Apéndice B),
que no deben sobrepasarse son: disipación máxima de colector P cem..)' tensión máxima de colector VCEC "'.. r
corriente de colector máxima Ic l .....] y máxima ten sión base-emisor VDEC .... , ]'

Estabilidad de polarización
En la secc ión precedente se ha supuesto que se empl eaban dos transistores, uno de ellos con J3f = 50
Yel otro con J3 F = 125. Esto es clásico para los valores de ~f de los transistores que se encuentran en la
prácti ca . (vé anse las especificaciones de los fabricantes en el Apéndice I:S). Las varia ciones ce Pf
representan las varíacioaes de fabricación de una a otra unidad. Obsérvese sin embargo que esto no quiere
decir que las técnicas de fabricación sean deficientes. El proceso de fabricación controla sólo Uf [no
~f = a /O -uF )) , ya que U f ' está relacionado con la geometría y con los niveles de dopado empleados.
Para un transi stor con un recorrido de J3 f de 50 a 125 el correspondiente recorrido de U f es de 0.980 a
0 .992, variación de poco más del 1%. Con ~f ~ 100, controlar J3 F con una tolerancia del 1% supondría
una tolerancia de Uf de menos del 0.01%. (Es corriente expresar el recorrido de J3f de un BIT a las
temp eratura s extremas de funcionamiento.)
 Etapas amp lificadoras básicas a baja frecuencia 389

+ Vcc A laca rga

+Vcc

1, ¡ R
A la carga

IClrr= B lln ,"

•
Q1 v al

Vm VOEI
-
Q'
-e- ~

,,' 1"
Fig ura 10-5. (a ) Circuito «espej o» de fuente de co rrie nte. (h) re prese ntació n de (al con Q2 sus tituido por un d iodo equivale nte. (el
Su equivalente de Norton.

Considerem os ahora las ca racterísticas de la Fig. 10-1 b correspondiente a los valores mín imo y má ximo
de PF para un transistor dado, sobre e l campo de temperaturas de trabajo. Para el circuito de la Fig. ID-la,
el pun to de funci onami ent o puede es tar en cualq uier lugar entre Q¡ y Q] (Fig. lO-lb) para 50 $; PF:o:;: 125.
Evidentemente, vista la forma de la onda de salida de la Pig . 1O-4b, es ta forma de polar ización es
inadecuada. Para e l funcionamiento correcto del c ircuito se requ iere poder controla r la situació n del punto
de funcionam iento, es decir, deben estabilizars e las condiciones de polarización. Para tal estabilización
debe restringirse el funci onamiento a una pequ eña zona de la recta de carga de ntro del alcance espec ificado
para PF de fonn a que la señal (por ejemplo I h = 20 sen (O t )lA ) qued e acom odada. El sentido de la frase
anterior es que hay 111/ COII/rol efectivo de la polar ización cua ndo la corrient e de colector, y por tanto la
de emisor se mantiene prácticamente constante e independiente de las variaciones de Pr . En la Fig. 10-1h
vem os que mant eniend o la co rriente de col ector a 3 mA o ligeram ent e más , se lim ita e l funci onam ien to
del BJT a la re gión activ a dire cta (Figs . 1O-2b y 1O-4b) tanto para Pr = 50 co mo para BF = 125.

10-3. POLARIZACIÓN DEL BJT PARA CIRCUITOS INTEGRADOS

La Fig. 10-50 representa la disposición clásica de un circ uito de pola rización e mpleado e n circuitos
integrados. Este circuito, y sus similares se denominan f uellle de corrie nte o «espejo» y se di señan para
mantene r la co rriente 1(" , a un valor co nstante (es te circuito se vio e n el eje mplo 3-8) . Recuérd ese que ya
encontramos este circu ito en la Sec o3- 11 em pleándolo en una e tapa de amplificador difer encial (etapa de
emisor acoplado) de la Sec o3- 12 y luego nue vament e en relació n co n las puertas ECL (Sec. 6-14). El
amplifi cador diferencial es uno de los principa les bloqu es co nst ructivos en los amplifi cadores integrados
y 10 trataremos det alladament e en la Sec o 10- 15. En la Fig. 10-50 com pro bamos que Q2 está co nectado
com o diodo tal co mo se apreci a e n la Fig. 10- 5b . El c ircuito de la Fig . Jü-Sr- es la re presentación eq uivalente
de la fuente de co rriente . La resis tencia r es la de sa lida de la fuente y re fleja e l hecho de que las fuente s
prác ticas no son ideales. "
La eficacia del c ircuito de la fuent e de co rriente es debida a las part icularidades de la tecnología de
integraci ón. En part icular, Q I y Q2 son transistores idénticos y R puede mante nerse ent re los límites
impuestos por el fabricante.
Ya que ambo s transistor es son Idénticos. las co rrientes de colec tor In e lo pueden expresarse :
( 10-3)
390 Microe!eclr6nica modem..

En la Ec. (10-3)se ha prescindidodel efecto Early (Sec. 3-5) y de las componentesde corrientedebidas
a la polarización inversa de las uniones de colector. De la Ec. (10-3)de deduce

I el "" e' V"'. I - ~·",.~lIl'l (10.4)

In
La ley de Kirchhoff para el lazo que contiene ambas unidades emisor-base de la Fig. 10-5a requiere
que
(10-51

yen consecuencia I r l "" Id [Ec. (10-4)], ya que Ilfl "" Pn "" P.. se deduce que l B] =I B2 =lB '
La corrientelR llamada ~ referencia se determina por la ley de Kirchhoff aplicada al lazoque contiene
Vcc' R y VOE' y despejando I R tendremos

(10-61

y por la ley de Kirchhoffaplicada al nudo

l e + 2l n - I N = O (1 0-71
Recordando que I c =PF lB' sustituyendola Ec. 10-6 Ydespejando le de la 10-7 obtendremos

Vnt:
(10-8)

El resultadode la Ec. (10-8) indica que Ir "" IR es esencialmente constante dentro de un amplio campo
de valores de p.... Para P.. > 1, 1l,..l(IlF + 2) es prácticamente igual a la unidad y, a manera de ejemplo, l c
varía sólo un 3% para 50 ::;; PF ::;; 200.
Obsérveseque si Il.. » 1, I C2 '" IR aun cuando se desconecte Ql. Esta es la base del «espejo»; Vcey R
determinanel valorde l C2 (el «objeto»)y la conexiónde Ql tal como se muestraen laFig. 1O·5a constituyen
la «imagen» In =I C2'

Resistencia de salida
Para el funcionamiento eficaz del circuito se requiere que Ql opere en la región activa directa. Este
hecho se manifiestaen la característica tensión-corriente de la corriente de fuente l el en función de V CE1
de la Fig. 10-6. Con VCEl < 0,3 V, Ql está saturado y se comporta como una resistencia r CE(U,) (Sec. 3-6).
En la regiónactiva directa (VeEI > 0,3 V),/CI se mantiene esencialmente constante. El ligero incremento
de I CI se atribuye al efecto Early. La pendiente de la característica en esta región es la inversa de la
resistenciade salida rode la fuente de corriente. Su valor es:

(10-9)
Obsérvese que si VA' la tensión Early, es infinita, la característica volt-amperio es la curva de trazos
de la Fig. 10-6Yro tiende a infinito (un circuito abierto).
El funcionamie nto de la corriente «espejo» se basa en que l el =I C2' Una consecuencia adicional del
efecto Early es hacer que la relación Ic /!C2 difiera de la unidad. Los valores de trabajo de V y V de
la Fig. IO-Sa puedendiferir sensiblemente. La conexióndiodode Q2 haceque VCE".! = VB E = oJe mig~tras
 Etapas amplificadoras básicas a bofa frecuencia 39 1

Pendiente _..!.
'.
,,
,
,I Activa directa

,1
-r Saturación
v(;E("') '" 0.3 V
Figura JO·6. Carace rrsuca ten sí ón-co rríente del circuito de fuente. La línea de trazos horizontal es la caracte rística de la fuente
para unatensión Early infinita.
que los valores típicos de V ec1 pued en oscil ar e ntre 1 y 30 V. A medida qu e Vef:1aume nta, el e fec to Earty
hace que In cr ezca desde le co n un factor ( 1 + Vef:I /V) ' Como Vet:1 = 0 ,7 « VA se ded uce q ue lu = le y
que l e/In > 1. Con valores g randes de VCEI ' Ie/ I el pued e apartarse hasta un 20% de la unid ad. Varios d e
los circuitos tratados má s adelante tienen re sistencias de salida may ores que las dadas por la Ec. ( 10~9) .
En consecuencia la tensión Ea rly e fectiva aumenta apreciablemente y hace qu e Ir/In se acerque a la
unidad .

Ejemplo 10-1

(a) En el circ uito de la Fig. 1O-5a determinar R de tal forma qu e l e =: I mA. Los parámetros del tran sistor
son V8E = 0,7 V, ~F = 100 y se admite una tensión Earl y infinita. La te nsión de alimentación e s de 15 V.
(h ) Con la R obtenida en la parte (a ) determinar la variación en porce ntaje de le para ~F = 200 .
(e) Re petir la parte (a) para l e = 50 !lA.

Solución
(a) De la Ec. (10-8) tenemos
~ .,.,..:1",
00'---" . _15_ -_0_.7
100 + 2 R
de donde R = 14.0 kQ . E ntonce s
200 15 - 0.7
1.0099 mA
200 + 2 14.0
1.0099 - 1
(b ) Ycam biando a porcentaje =: x 100 =: 0.99%
1
(e) Nuevamente, empleando la Ec. ( 10 -8) tenemos :

5 _ 100 . 15 - 0.7 y
o.0 ~ 100 + 2 R
R 280 kn

Repetidores de corriente
La combinación de d iodo y resisten cia de la Fig . 10-5 q ue es tablece la corriente de referen cia IRpuede
392 Microelectrónica moderna

emplearse para alime ntar más de una carga. La Fig. 1O~7a representa uno de tales circuitos a veces llamados
repetidores de cor riente o fuente de corriente múltiple. Si todos los transistores son idénticos y despre-
cia ndo el efecto Ear ly, resultará que todas las com entes / o ' lo ".! eN so n también idént icas y "" 11/' Se pueden
consegui r dist intos valores de I CI ' lo ".! CN escalonando las superficies de emisor de Q 1, Q2 ... QN. La relación
entre las corrie ntes máxi ma y mínima de colector alcanzadas por este método es aprox imadamente igual
a 10 deb ido a limitaciones en la fabricación.
En la Fig. 1O-7a vemos que las bases de todos los BJT están conectadas y todos los emi sores puestos
a tierra. Por tanto , muchas veces es conveniente fabricar los N transi sto res como un solo dispositivo
fusionado de colectores múltiples. El circuito de la Fig . 10~7b es el mismo de la Fig. 1O-7a pero
sustituyendo Q 1, Q2...QN por QM. En el transistor fusio nado , el escalonado de las superficies de colector
da lugar a disti ntas corrientes de colector.

10-4. FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR

Los resulta dos del Ej. 10-1, partes (a) y (b), indica n que el circuito de la Fig. 1O-5a da una buena
estabilidad de polarización empleando elementos con valores que entran dentro de las posibilidades de
fabricación. Sin embargo, éste no es el caso de l Ej . 10-1 parte (e) pues la fab ricaci ón de R = 280 k.Q
es prácticamente imposible. Frecuentemente se usa la fuente de corriente Widlar de la Fig. 10-8 para
formar fue ntes de corrientes déb iles. En el circu ito de la Fig. 10-8 se ha supuesto que ambos transistores
son idénticos. La acción de R E hace que V8E I y V 8 E2 difieran entre sí.
,y", ,y",

"1 R ¡," I lc~ "xl R

N
C
e } N Cciecrcres
2
C,
Q QN Q
Q2 QM

~ ~

"1 (b,

Figura 10· 7. (a ) Repet idor de corriente. Si todo s los transistores son idént icos , las co rrientes le l' In .. leN serán iguales. eh\ El
repetid or de corriente utilizando un trans istor de colector rnülriple para co nservar el área del chip.

En es ta config uración V8 EI es menor que Vm y por tanto Ict es inferior a 1('2 [Ec. ( 10- 4)]. La naturaleza
asimétrica del lazo base -em isor hace que el circuito actúe más como una <dente» que como un «espejo» .
En efe cto, Q2, Vce y R establecen la corr iente de referencia 1// y el valor de REdeterm ina el grado en que
lo es menor que 1//.
La ecuación de Kirchhoff para el lazo emisor-base de la Fig. 10-8 es

o
( 10- 10)

Como se indica en la Ec. ( 10·3) la corriente de colector de un transistor depende fuertemente de la

 Etapas amplificadoras básicas a baj a frecuencia 393

"oc
"¡ R

I C1 (f ¡'n
Q2 QI

V on V _
Ol 1
R,

Figura 10·8 . Pueraede corriente Widlar.

tensión base-emisor. En la Be. (10-3) se dan los valores de l eI e la para transistores npn idénticos,
viniendo dada su relación en la Ec. ( 10-4). Esta última ec uación se puede tambi én escribi r tomando
logaritmos naturales de ambos miembros.

V1It: 2 - VlJ f : 1 = A VM: = ( 10- 1\)

Igualando é Voc de las Ec!'. (10 - 10) y (10 -11 ) tendremos

VI i -,
R f: = ( I ) In t; (10·12)
In I + -
#,
La corrient e de referenci a IR dada en la Ec. (10-6 ) com o expresión de Kirc hhoff para el lazo
comprendiendo Vcc' Q2 y R, es la misma en las Figs. 10-50 y 10-8.
Según Kirchhoff

IR = In ( l + - [ ) +-
In (10-13 )
f3F f3,..
Como se desea que le. se a menor que lel" puede despreciars e el término lel Pr de la Ec . (10 -13 ).
Combinando las Ecs (10- 6) y ( 10-13) resu lta
V ee - V
II E 2 Vec - V8 t:2
'-'-'--;;-'''' ~ (10-14)
R R

para Pr » 1.
El valor de Iel se deduce de la Ec. (10-14) Y pues to que I el es la corriente especifi cada, la resistenc ia
REse ca lcula por la Ec. (10-1 2). El Ej. 10-2 ilustra so bre e l diseño.

Ejemplo 10-2

Determinar REen el circuito de la Fig. 10-8 siendo Vcc = 15 V, R = 14,0 kíl . V,n = 0.7 V, Pr = 100. Y
el valor deseado de Iel = 50 ~A . Empléese VT = 25 m V.
394 Microetectrontca moderna

Solución

De la Ec. ( 10-14) tenemos

lIJO 15 - 0.7
l.OI mA
100 + 14.0
y empleando la Ec. ( 10- 12)

O.O:!5 In ~ := 1.49 kH
0.050 + 11.-,,) O. OS

Obsérvese que aun cuando en el circuito de la Fig. 10-8 se emp lean dos resistenc ias. la resistenc ia
total es de 14.0 + 1.49 := 15.49 k.O: . Todos los valore s está n de acuerdo con las posibilidades de
fabricación. y la resistencia total es suficientemente pequeña para no ocupar demasiada superficie del chip.
La resistencia de salida Ro de la fuente de corrie nte W idlar se ca lcula usando el circ uito equivalente
de pequeña seña l de l B1T. En el Prob o 10-52 se ve que Ro "" r(J{ l + gJ?f)' Evidentemen te este valor es
varias veces mayor que la resistenc ia de salida ro de un espejo de corriente único. O bsérvese que con R¡,;
= O. Ro = /'0: por tanto podemo s atribu ir el aumento de Ro a la presencia de RE' El empleo de R¡,; es una
forma de reali mentac ión que, tal como se describe en la Seco 12-5 aumenta los nive les de resistencia en
el circuito. A veces es conveniente constru ir fuentes de corriente en las que Q I y Q2 teng an resistencias
de em isor como en la Fig . 10-9. Si R , YR,- son igua les tamb ién lo será n las corrientes en Q1 y Q2. Debido
a las resistencias de emisor. la resistencia de salida de esta fuente de corriente es mayor que " 0 ' El circu ito
de la Fig. 10-9 se usa tambié n para proveer distintas corrientes en Q l YQ2 sin necesidad de esca lonar
las áreas de emisor. El emp leo de transistores idénticos hace que la relación lePo. sea propo rcional a la
relación R¡R , (Prob. 10-9).

Variacio nes de temperatura

Ta nto las fuentes de corrientes simp les como las Widlar puede n tener que trabajar entre tem peraturas
tan bajas como - 55°C y tan alias como + 150°C. Por tanto, hay que tomar en cons iderac ión los efecto s
sobre la corrien te de la fuente de los cambios de Pf y VB€ debidos a la temperatura. Desp reciamos los
efectos de leo' la corrient e de saturac ión inversa de co lec tor debido a su escasísimo va lor (l eo "" IpA
a T = 3DD-e ).

Q2

R,

Figura 10-9. Pueruede corrien te co n una reslstenc¡a de emíso r en cada transistor. Si R 1 = R l el circuito actúa como «espejo »: Con
R1 ;. R 2el cornportamientu es co mo el de la fuente Widlar de la Fig. 10-8.
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 395

Los dos transistores de las Figs. 10-50 y 10-8 son idénticos de forma que sus respectivas ~F se «sigu en»,
es deci r, que las ~F de cada BJT varían de igual fonna. Como la corriente de fuente de cada uno de estos
circuitos es virtualmente indep endiente de ~F' las variaciones de ésta con la tem peratura ge nera lmente
provocan cambios más bien pequeños de la corriente . Sin emba rgo , es te no es necesariamente el caso si
consideramos el efecto de los cambios en VBE que decrece 2,2"mV cada grado de aum ento en la temperatura.
La corriente de referencia IRde las Figs. lO-50 y 10-7 de pende de la diferencia VCC,-VBI:' Frecuente-
mente Vcc » VBE de form a que las variaciones de VBE cambian muy poco l /l' En genera l, si Ó IR es el
cambio en IR motivado por un cambio Ó VBI: en VBE, se puede demostrar (Prob. lO-lO) que ó /,/IR es
inversamente proporcional a (VC!VBE- 1). Evidentemen te. con pequeño s valores de Vec' la variación
relativa Ó I,/IR puede llegar a ser significativo.

lO-S. FUENTES DE CORRIENTE DE TRES TR ANSISTORES

La relación entre las corrientes de fuente y de referenci a lell Rdifiere de la unidad en 2/~F' Co n los
valores típicos de Pr una diferencia entre el I y e12% se puede despreciar. Ademá s, los amplificadores
integrado s también emplea n transistores pnp laterales de ~r bajo (Sec. 5-3)a manera de fuentes de corrie nte
en los que la diferencia entre le e IRes de un pequeño tanto por ciento. Para aprox imar más le a IRcomo
se desea en algunas aplicaciones se usan frecuentemente fuentes de corriente con tres transisto res. Dos de
los tipos más corrientes son la f uente Wilson (Fig. 10-100 ) Y íe fuente de corriente con ganancia (Hg.
10- IOb). Lo más empleado es el uso de transistores idénticos en cada uno de los circuitos de la Fig. 10-10 .
'Voc , voc

") R 1'<1
"I R

)'e
QJ Ql

l" lO'
Flgufa l0-10. Puenres de ccrríemede tres transistores; (a) circuito Wilson, (b) fuente de corriente con ganancia.

La corrie nte de fuente lel de la Fig 10- 100 puede ex presarse como (Pro b. 10-13):
f3} + 213,.. f3~' + 2f3¡-· Ve€" - 2VRH
lu 110- (5)
l
eI
"'" f37c- + 2f3F + 2' m· + 2f3f-' + 2 R

La diferencia es

evidentemente esta diferenc ia es extremadamente pequ eña para cualquier valor modesto de Pr . Por
= =
ejemplo , si J3 r 20, Ic/I R 220(22 1 y la diferencia entre In e IRes meno r de l 0 ,5% y si Pr 100 , Ir ,!I" =
396 Mtcroetectr ómca moderna

= 5100/5101 . Estos valore s indican que las variaciones de I3F influye n poco sobre /el' Clásicamente, un
cambio del I00% en 13, provoca un cambio en l el del orde n de unas pocas centésimas por ciento .
La resistencia de salida de una fuente de corriente Wil son es substancialmente mayor que ro de Ql ya
que el transistor Q3 conectado en diodo actúa como resistencia de emisor.
La corrie nte de fuente /el para el circuito de la Fig. 10-lOb puede establecerse (Prob. 10·14) como:
PFlfh + 1)
In = IR f3 } + f3F + 2 ( 10· 16)
La similitud entre las Bes. (10-15) y ( 10- 16) ind ica que en el circ uito de la Fig. 1O- lOb, le l es
práctica mente independiente de 13,. La resistencia de salida de esta fuente es la ro de Q l . No obstante, este
valor se puede incrementar emp leando resistencias de emisor en Q 1 Y Q2 como se hace en el circuito de
la Fig. 10-9. Las dos resistencias de emisor pueden emplearse para hacer lel distinto de IR'
+V~

FJgura 10-11. Fuentede corriente cescodo.

También se emplean OlfOS circuitos, especialme nte la fuente de corrie nte cascado de la Fig. 10·11.
Tales circuitos se emplean para mejorar la respuesta en frecue ncia o para aumentar la resistencia de salida
por encima de la obtenida en la fuente Wilson, asegurando al mismo tiempo que la corriente de fuente sea
independiente de las variaciones de J3,.

10-6. POLARIZACI ÓN DEL BJT CO N COMPONENTES DISCR ETOS -

ANÁLISIS
La estabilidad de la polarización es lan Importante en etapas de transistores construidas con compo-
nente s discretos como si son integradas. Como los BIT emparejados son costosos y puesto que no hay
restricciones en cuanto al valor de las resistencias. no se emplean fuentes de comente. El objetivo del
dise ño se mantiene, conservando la corriente de colector constante al variar (3.... Para alcanza r la estabi lidad
de la polarización se permíte que la corriente de base varíe con 13,. En la Fig. lO-lb , para mantener l "" 3
mA independiente de las variaciones de ¡:S, se requ iere que lBdecrezca al crecer ¡:S, . El circuito con cJ'atro
resistencias de la Fig. 10-12es la disposición de polarizació n con componentes discretos más generalmente
empleados.

Acoplamiento capacitivo
En la Fig. 1O~12los condensadores eS I y eSl se denom inan de bloqueo o de acoplamiento, El e SI
se
 E tapas amp lificadoras básicas a baja frecuencia 397

+ V'l:"
¡
R, C
R, "
,
f-..-
~
R,
Re Ce

Figu ra 10-12. Etapa amplificado ra en emisor com ún. de componentes discretos.

emp lea para unir la señal Vs Oc: la fuente de entrada co n el trans istor, y CBl une la seña l de salida del BJT
con la carga Re En condiciones de reposo erll l y CIIl actúan como circuitos abiertos ya que la reac rancia
de un, condensador es infinita con frecue ncia cero (continua). El valor de estas capacidades se elige
suficienteme nte elevado para que a la mínima frecue ncia de la señal su reacta ncia sea tan pequeña que
puedan considera rse como cortocircu itos.
Esto sirve para aislar I'I y RL de las cua tro resistencias R I • Rl , Re y RE emp leadas para establece r la
polarización . Estos condensadores bloquean las com ponentes en continua deja ndo paso libre a las
tensiones de la señal. Por ejemplo. la tensión de reposo de l colector no debe aparecer en la salida, pero "o
es una réplica amplificada de la señal de ent rada "s- La tensió n de la señal de salida muchas veces sirve
de entrada a otra etapa amplificadora (R, es la resistencia de entra da a esa etapa) sin afectar su polarización
debido al efecto de bloqueo de C1I2• El condensador CE (llamado de paso o hypass) se elige de forma que
se pueda tratar como un cortoci rcuito a la frecuencia mínima de la señal. Así. en condiciones de reposo
N¡.; se emp lea para estabil izar la polarizac ión, pero a las frecuencias de la seña l el emisor queda conectado
a tierra.

1
R,
,
f/
f-..-
R II =R I IR ¡

• Va -
1,
R,
R,
, " v" -
R,
la J' =.....!!.2..- R, •-=- 1'ce
1/11 R +R ¡I

1
,., '"
Figura tO-I3 . (a) Co nfiguració n de polarización de cuatro resiste ncias. (h\ El circuito aruenor con la red de polarizac ión de base
sus¡huida por Sil equivalenle de Thevemn.

En este capítu lo consideraremos estos condensadores suficientemente gra ndes para que su reacta ncia
398 Microelectrónica moderna

sea nula para todas las frecuencias de la señal. En la Seco 11- 13 se considerarán los efectos del tama ño
finito de los condensadores de bloqueo y de paso so bre la re spuesta en frecue nc ia de un amplificador.

Análisis en continua
En la Fig. 1O-1 3a puede verse el circuito equivalente e n conti nua del c ircuito de la Fig . 10- 12. Este
circuito fue analizado en el Eje mplo 3-4 en donde se encontró conveniente sustituir la red de po larización
de base Vcc' R , y R 2 por su equiva lente de The venin co mo está re presen tado en la Fig. 10-13h en la que
se indican los valores de Voo y R B de la Ec. ( 10- 17)
R,
VIII! =: - V cc R ,IIR, 00-17)
R1 + R2
La ley de Kirchhoff en el lazo de la base da

( (0- (8 )

se llega a una solució n aproximada si 18 « le (p¡» 1) y si I/? s « Vos. Entonces

V I/ IJ - V I /E
le =: (10-19)
R,
Obsérvese que si VOE es constante en la Ec. (10- 19), le tam bié n lo es. En efec to, es te circuito funciona
de manera sim ilar a una fuen te de corrien te con Vos y REc um pliendo la func ión de Vcc y R de la Fig. 1O-5a.
Una vez calculado le' VCE se deduce de la ex pres ió n de Kirchhoff para el lazo del colector en la Ec. ( 10-20).

( 10-201

Si no es válida la aproximació n tomada para obtener la Ec. ( 10- 19) Yse co noce p¡, e l cá lculo del punto
Q puede ded uc irse analíticam ent e. En la región activa Ic viene dado por la Ec. (3- 19), es decir

00-21)

En esta últim a ec uació n se incluye e l efec to 1m porq ue a veces este e fecto puede ser significativo e n
circ uitos de co mponentes discretos. Co n ci rc uitos integrados e l efecto de leo es muy frecue ntemente
despreci able. Ahora de las Ecs. (10 - 18 ), (10 - 20) Y (10 -21) pode mos despejar/B, l e y VeE ya que V/lf. es
conocido en la región activa. Obsérvese q ue las co rrientes e n la reg ión act iva directa vienen determi nadas
por el ci rcuito de base y por los valores de p¡ e Ico.

Ejemplo 10-3

Los valores de los elementos del circ uito de la Fig. 10-13 a son: Vec = 28 V, Rc = 6,8 kil, Re = 1,2 kil,
R , = 90 kn y R2 = 10 kil. Determi na r e l punto Q suponiendo q ue leo pueda des preciarse. cuando (a ) p¡
= 60y(b) ~, = 150.

Soluci ón

(o ) De la Ec. ( 10-17) se obtiene

 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 399

10 90 x 10
Vss = :=--"'-0-=
90 + 10. 28 : 2.80 V Rs = = 9.0 kfi
90 + 10
Haci endo Vu = 0,7 Ven la región ac tiva di recta, la Ec. (10-1 8) se rá

2.80 = 91s + 0 .7 + 1.2(1/1' + Id

2 . 10 = 10.21s + 1.2/ c
Sus tituyendo le = PF 1, =60/, o 1, =lel60 y despejando le re sult a
2. 10 l.53
le = 0 . 17 + 1.2 = 1.53 mA y Is = 60 = 0 .025 5 mA

O bsérvese que estos valo res de corrie ntes se o btiene n sin hacer referencia a las te nsio nes de cole ctor
y por tant o son independient es de Re y de Vce-
Sust ituyend o valores en la Ec. ( 10-20) tendremos :

28 = 1.53 x 6 .8 + VeE + (1 .53 + 0.0255) 1.2

con lo q ueVec = 15.7 V.
(b) La ec uac ión de Kirchhoff para e l la zo de la base es la ya dada en la parte (a) . Sustituyendo 1, =
lelI 50 se tiene

1 - 2. 10 - 1 66 A 1 1.66
e - 0 .068 + 1.2 - . m y a <: ISO = 0.011 mA

que con la Ec. (10 -20) da

28 = 1.66 x 6 .8 + V (" E + (0.011 + 1.66) x 1.2 y V CE = 14 .7 V

Comparando lo s res ultados de las panes (a) y (b) se ve que el punto Q va ría sólo un pequeño tant o po r
ciento para una variació n de P, de 2.5 :1. indicando con ello la efic aci a de l circui to de la Fig . 10013a .
Seguida me nte analizaremos los inc re mentos de corri ente resulta ntes de camb ios de Y de tem per at ura . P,
P
Se ha señ alado ya que F camb ia con la susti tución de l transisto r y con la tem pe ratura. Adem ás VJE decrece
a razón de 2 ,2 mV r C e leo se duplica cada I()PC d e aumento de tem peratu ra.
Pre scindiremos de las vari ac iones de VCE co n la temperatura po rque tal variación es mu y pequeña y
además el funcionam iento en la regi ón activa di recta dej a a le prácticament e independiente de la
tem peratura .
Despejando 1, en la Ec . (10-21 ) y sustituye ndo esta re laci ón en la Ec . (10- 18 ) se llega. despu és de
ordenar los términos. a

l Ha + (1 + f3F)R c _ V _ V (HB + RC )( f3 F + 1) 1 ( 10.22)

e f3F - II' R BE + f3F C'O

Est a ecuac ión ind ica claramente qu e le vari ará al vari ar uno o más de los parámet ros P,. V' lO l eo

Incremento de cor riente por variar ~,.

Co nside re mos qu e un BIT cuya gana ncia de corriente sea ~I'I se sustituye por o tro de ~n > ~I'I' Vamos
a determ inar el cambio de corriente resultante lile = lo - lo donde lo (o lo ) corresponde a ~n (o ~Fl) . Si
~" » I el segundo miembro de la Be. ( 10-22) es prácticame nte independi ente de Y por tanto. P,
400 M icroelectró nica m oderna

RlJ + ( 10-23)
I cz

Despejando de esta ecuación IcP cl y restando una unidad del resultado se llega a
In - In "" lile "" I + R 1I li I3 M 2
(10-24)
In l e¡ RE: f3F1f3n
siendo éf "" ~F- ~FI Ydefiniéndose M como
1
M ~ ~ -r-r-x-rr-x- ( 10-25)
1 + R,¡![RE:(1 + 13,.-) ] 1+
para ~F » l . El parámetro M 2 (MI) corresponde a ~F1 (o ~Fl)' Como se desea para tener buena esta bilidad
en la polarización que .1.lcllc , sea pequeño, es evid ente que R j ~,RE debe mantene rse reducida. Con RIJ
« PF Rf' M "" l . Además, para una desviación de PF (por ej. P'/PFl "" 3), un circuito con alto valor de PF
será más estable que otro que emplee un transistor con PF más baja.

Incremento de corriente por variar l co

De la Ec. (10-22) siendo PF » 1 y si PF y VBE se mantienen constantes se deduce que:

M e = R /f3 F
Ro ++R RE
E
M eo ""
( RB)
I + RE M I lile o (10-26)
B

Incremento de la corriente por variar VBE

De la Ec. (10-22) siendo PF » 1 y si PF e Ico se mantienen constantes se ded uce que:
M,
- -R Ii VIII: ( 10-27)
F

Obsérvese que en las Ecs. (10-26) y ( 10-27) se supo ne que se utiliza un BJT con PFl •

Incremento total de corriente

Para tener la variación total de corr iente dentro de un campo de temperatura dado , debid a a una
variación simultánea de PF , Ico y VBE se suman los incrementos individu ales hallados en las Ecs. (10-25),
(10-26) Y( 10-27). El cambio fracciona! en la co rriente de colector viene dado por

lil c "" (1 + R Il ) Mlli/ m _ Mili V llt. + ( 1 + R u ) M 211 f3 ( 10-28>

1('1 R¡, In I('IR ,: R I:" f3f'lf3n

donde MI (o M 2) co rresponden a PFl (o PF2) . Obsérvese que al ir crec iendo T crecené I C(j! Cl y.1.p mientras
que .1.VBfJlCl dec rece. Por tanto, todos los términos de la Ec. ( 10-28) son positivos cuanto T crece y
negativ os cuando mengua.
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 401

10-7. DISEÑO DE POLARIZACIÓN CON COMPONENTES DISCRETOS

El siguiente ejemplo muestra las técnicas de diseño para la polarización con componentes discretos.
También se utiliza para examinar las dimensiones relativas de los tres componentes de dl/ICI en la Ec.
(10-28) . Los valores del transistor empleado son los normalmente encontrados en la práct ica. Muchos
circuitos para aplicaciones comerciales deben trabajar entre Oy 70OC; otros, tales como los empleados en
naves espaciales, automoción y aplicaciones militares deben funcionar muchas veces entre - 55°C Y 100
ó150"C. Frecuentemente los fabricantes suministran dispositivos para la gama de - 65 a 175°C para cubrir
la amplia variedad de aplicaciones,

Ejemplo 10-4

Se emplea una alimentación de 12 V para polarizar el transistor del circuito de la Fig 10-12. Basándose
que en la señal que hay que amplificar está determinado que 1.00 S le S; LI5 roA Yque 5.0 S; VCE S; 6
=
V. La resistencia de colector es Rc 1,5 kll que se ha elegido para tener la ganancia deseada. Los
parámet ros del BIT son:

T= -55"C menor valor de I3F = 40 V8E = 0,88 V

T=+125"C mayor valor de I3F = 400 V8E =0.48 V

(a) Diseñar el circuito (R1, R2 YRE) para cumplir la especificación. Consideremos que el efecto de Ico
es despreciable.
(b) Con los valores obtenidos en (a) determinar fa parte del incremento de corriente d le atribuible a
=
la variación de l ca con la temperatura. Las especificaciones del fabricante indican que: leo 2.0 pA a T
= =
-55°C e leo 525 nA a 125VC,
(e) ¿Cuál es el orden de valores de I c y VcEque se deben encontrar en mediciones de laboratorio a T
= 25VC. dado que 75 S; I3F ::;;200 y V8E = 700 ± 25 mV?
Empléense los valores hallados en la parte (a) .

Solución

Consideremos que las condiciones nominales del circuito se cumplen en una de las temperaturas
extremas ( ~ 55OC), Las desviaciones respecto al comportamiento nominal se miden en el otro extremo de
la gama de temperaturas (12SOC), El principio básico de este método del «caso más desfavorable» consiste
en cumplir las especificaciones del circuito para 13, mínima y controlar las desviaciones habidas cuando
P, sea máxima . Sabemos que/c crece con I3F de forma que se debe llegar a I c = 1 mA cuando T = - 552C.
=
Para PF 400 a T = 125OC, Ic ::;; 1.15 roA o .6. l e S; 0.15 roA . Análogamente, al crecer I3 F , VCE decrece
=
(Ejemplo 10-3) y en consecuencia, a T -55OC tomamos VCE = 6,0 V.
De la Ec. (10-20) Ycon los datos para T = - 55°C se obtiene:

12 = 1.00 x 1.5 + 6.0 + (1.00 + 1.00)

40 RE

que resolviendo daR E =4.39 k.O. La relaciónRBIRE se obtiene de la Ec. (10-28) despreciando el término
.6.lco· Como RE es conocida, de esta relación se deduce RB• En nuestros cálculos se supone M2 = 1, es
decir RIJ« I3,RE' En la Be. (10-28) se necesitan los siguientes datos: .6. VSE= 0.48 - 0.88 = - 0.40 V, PF 1
= 40,13F:l = 400 Y.6.13 = 400 - 40 =360. Sustituyendo:
402 Mtcroetear ántca moderna

0. 15 = _ 1 x ( -OAO) + (1 + RB) I x 360

1.00 4. 39 RE 40 x 400

= =
Resolviendo. ha llaremos RJRé 1.62 YRB = 1.62 x 4.39 7 ,11 ka . Para obtener los valores deR , y
R en la Ec. (10-17) se debe calcular previamente V BB de la Ec. (10 -18) a T = -55\!C.
2

VllB = 1.00 x 7. 11 + 0.88 + (1.00 + 1.00) 4.39 = 5.56 V

40 40
Resolviendo la Ec. ( 10-17) ten d re mos R , y R 2 en función de Vcc' V88 y R8 .

R1 = s, Vcc y R2 = s, V8 8 Ra V cc
V B fj V cc - V B S V cc - V B fj
y sus tituye nd o por sus valores numéricos :

12 12
R 1 = 7. 11 5.56 = 15.3 kn
- 5.5 6

Co mpro bemos si el va lor de VCE a 12S\!C está dent ro de la especificación

12 = I.I S x 1.5 + Vn : + ( 1.15 + ~.~~) = 4.39 y Vo .: x .5 .22 V

lo q ue efectivamente así resulta.
También hay que comprobar la supos ición de que M "" l .
I I
M, = = = 0.996
- I + Rn/{JnR /:; I + 7. 11/(400 x . 4 .39l
Va lor suficie nteme nte próx imo a la unidad para no introducir prác ticamente ningún error.
Ahora se diseña e l circu ito con R , = I S.3 kL"2. R2 = 13.2 ka, RE= 4. 39 ka y Rc = I.S ka.
(b) Para obtener ó.lc motivado por las variaciones de Ico supond remos q ue ~F y VSE se ma ntienen
constantes a su va lor para T = -S5\!C. La Be. (10-26) co n i\ l eo "" 5 25 nA dará

7. 11)
Me = ( I + 4.39 x r x 525 = 137ó nA = 1.3~ ¡.¡.A

suponiendo M "" 1.i\l co es m ucho más pequeño que I e con lo q ue la presunc ión de que se puede despreciar
el efecto de i\ leo resulta válida.
(e) En esta parte del problema est udiaremos e l efecto de la variación punto po r punto a una temperatura
dada. Resolviendo la Ec. ( 10 -22) Ydespreciando e l término l eo se puede expresar lc co mo

le _P " _--,-'-V""C;I;-
c:-,, ,I-,-V,,.,,
= -;:;
RfI + ({JF + 1)R f
Se observa q ue Ic será máximo cuando sea máximo ~f y mín imo V8E' Se da n las co nd icio nes contrarias
para e l va lor mínimo de le' Así, empleando los va lores ha lla dos en la parte (a) tendremos

200(5. 56 - 0.675)
= 1.098 Ol A
In ma' l = 7. 11 + (200 + 1)4.39

7515.56 - 0.72 51
¡ nm in l 1.064 m A
7. 11 + (75 + 1)4.39
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecueucia 403

La gama de valores de VCE se calc ula emp lea ndo los valores de Icl"" , ) e IC(min, en la Ec. (10-20). Estos
son :

12 = 1.{)ó4
1.064) 4.3 9
x 1.5 + VO'-""''' I + ( 1.(1ó4 + -----;:¡s

1.098)
12 1.098 x 1.5 + Ve nmi"1 + ( 1.098 + 200 4.39

= =
de dond e VeElmin) 5.52 Vy VCEII"" l 5,67 V.
Los resultados de esta parte demu estran la e ficacia del método de diseño. A una tem peratur a dada
podemos ver q ue los valores de rep oso se despl azan aproximadame nte un 3% con una di spersión de ~F
de casi 3: 1.

Consideraciones de diseño
Hay tres ob servaciones relati vas a los resultados y métod os del eje mplo 10-4 que mere cen un
co mentario: ( 1) Si hay que determinar la desviació n total en los valores de reposo , hay que tener en cue nta
las tolerancias de las resistencia s y de las tensiones de alime ntac ión. (2) Para funci onar so bre una amplia
gama de temp e raturas, las desviaciones produ cidas por las variaciones de VOE' son comparables a las que
resultan de los cambios de ~F' (3) Lo más import ante, REY Re no pueden especi ficarse independi entement e
una vez se han se leccionado Vec y Q. De la Ec . (10- 20), supues to que l e » l B' (Re + RE) = (V cc - VCE)/lc
quedando así fijada la suma de es tas resisten cia s. En co nsecue ncia, cua lquier aumento de RE debe ir
acompañado de una disminución de R c ' La importancia de esta prem isa pued e apre ciarse en la Ec. (1O-28).
Admiti endo q ue 11 l e se considere ig ual a 11 V BE e 11 ~, R E vie ne determinada por la Ec. ( 10-28) y por tanto
Re queda es peci ficada. Aumentando REpara un 11 VnEdado disminuye 11 le (mejo ra la es tabilidad de la
polari zación). Desafo rtunadamen te, co mo veremos en el próximo párrafo e l descenso de Re red uce la
ganancia de la etapa. Estos requi sitos estáticos (polarización) y di námico (am plificación) no puede n ser
tratados independ ientemente. El diseñador del circuito deb e hacer una elección basada en una soluc ión
de compromiso entre el comporta miento es tático y el dinám ico . Sin embargo, una cuestión de gran
importancia es que sin un grado razonable de estabilidad en la polarización, e l funcio nam iento dinám ico
no puede satisfacer las especifi caciones (Fig. 1O-2h).
Hemos observ ado ante s que con co ntinua CB , Ce y CE de la FiE:' 10-12 actúan como ci rcuito s abiertos.
Las condiciones de reposo se pueden obtene r traza ndo una rec ta de ca rga estática (co ntinua) co rrespon-
diente a Vcc y a la resistencia total del lazo de colec tor Re + RE (supuesto ~F » 1) como se ve en la Fig.
10-14. Puesto que admitimos que CE actúa como un cortocircuito, a la frecuencia de la señal e l emisor
queda puesto a tierra . Anál ogamente Ce act úa de co rtoci rcuito haciendo que la res istencia e fect iva del
colector sea R L = R c 11 R L . Por tanto la resisten cia equi valente en alterna del lazo de colec tor es R L• Para
determi nar la señ al de salida, es deci r, las variaciones alrededo r del punto Q de bida s a la se ñal de entrada
deberemos trazar la recta de carga diná mica. La pendient e de esta recta (Fig. 10-14) es . l/R 'Lpasando
por el punto Q. Recuérdese que cuando la seña l de entrada es ce ro (sen rOl = I/1t) só lo queda aplicada la
polarización y el c ircu ito es tá en su es tado de re poso. La proyección sobre el eje Vá del seg mento de la
'«
recta recta de ca rga din ámica causada por la seña l de entrada 11 alrededor de 180 de term ina la señal de
salida 11 VCf' Si Vec y el punto Q están es pec ificados queda det erminada la recta de carga es tática . Sin
embargo una reducci ón de Re y por tant o de R 'I. (con lo q ue se puede aumentar RE) aum enta la pendiente
de la recta de ca rga din ám ica (se sitúa más verticalment e ). Para un valor dad o de 11 in la proyección de
esta parte de recta sobre el eje VeEdecrece (de crec e I1 I'eE) ' La seña l de sa lida reducida para una señal de
entrada dada indic a una me ngua de ga nancia (amp lificación) de la etapa .
404 Microelectrónica moderna

/ Recia de cargaestática(en continua

, \ Recta de carga dinámica

1"-
Pendiente ~ -
1,
" R

'\
Q\, I
1,
Aumenta

-,
Vcc

Figura 10·14. Rectas de cargaestáticay dinámica para una etapa BIT de componentesdiscretos.

10·8. POLARIZACIÓN DEL FET

Las técnicas de polarización que estabilizan el punto Q en los circuitos FET tanto integrados como de
componentes discretos son semejantes a las vistas en las dos secciones anteriores para los BIT. En los
circui tos MOS los esquemas de polarización controlan las desviaciones del punto de funcionam iento
motivadas por variaciones de fabricación sobre la tensión umbral VT Ysobre el parámetro k de transcon-
ductancia. Los circu itos JFET tanto si son integrados o de componentes discretos se polarizan de forma
que queden controladas las variaciones de la tensión de estricción V y de la corrie nte de saturación de
drenaje loss existentes de uno a otro ejemplar. Tanto los MOSFET como"los JFET trabajan en todo momento
en sus regiones de saturación, de forma que presentan características de fuente gobernada.

Fuentes de corri ente

El circuito de la Fig. lO-ISa es un espejo de corriente MOS integrado. El trans istor Ql proporciona
a lacarga una corriente 10 1, La corriente de referencia RR = 102 la suple V00' R Yel transistor de acu mulació n
=
Q2 (Sec. 4-11) . Estos componentes determinan también el valor de VVS2 V GS2 y puesto que las puertas
están unidas entre sí VGS1= VGsr Los valores de v, y de k son idénticos para QI y Q2 ya que se han
fabricado simultáneamente. Por tanto,en MOSFETs con la misma relación de aspecto (WIL) las corr ientes
IV I e 102 son iguales.

Ejemplo 10-5

Dos transistores idénticos de las características dadas en la Fig. 4-12 Yrepetidas en la Fig. 1O-15h se
emp lean en el circu ito de la Fig lO-ISa. La tensión de suministro es de 6V, y R = 20 kíl . Determ inar la
corriente de fuente.

Solución

La Fig. 1O-15b representa la característ ica de carga , que es el lugar geométrico de los puntos en los
 Etapas amplificadoras básicas o boja frecuencia 405

que VDS~ =vasr La recta de carga correspondiente a VDD=6V y R =20 ka está también representadaen la
misma figura. El valor de I D2 = IR= 9{J IlA se obtiene de la intersecció n de la recta de carga con la
característica de resistencia. Siendo Q I YQ2 MDSFET idénticos y V GSI = Ven ' IDI = 90 J.1A.
Recordando que la corriente de drenaje para unos valores dados de VT y de k son proporcionales a
WIL, haciendo distintas las relaciones de aspecto Q 1 YQ2 se puede hacer que ID I difiera de IRcomo en la
Ec. (10-29) (Prob. 10-34).
IDI (WIL )I
(10-29)
I R = (WIL h
siendo (WIL)¡ y (WIL)l las relaciones de aspecto de QI y Q2 respectivamente.
60
Pendiente de la recta de carga ~ - 2~K _----"'~
300 Característica
de resistencia
MOS'
:l. "'" ss
...i:¡ 200
S.O
.~
Alacarga
.. ISO
.lj
"
.! 100 4.0
8 a. s
Q2
'o
o
01 2 345 6
Tensióndreneje-fuente V1>5' v
(<l) (b )

Figura 10-15. (a) Fuente de corriente NMOS. (b)Caraclerfsticade salida del NMOS, recta de carga yca racterfs ticade resistencia
no lineal. l a intersección determina la corriente de referencia de la fuente.

La característica tensión-intensidad de la fuente de corriente de la Fíg . 10-1 5a es similar a la dada en

la Fig. 10-6 para el circuito BJT, La región de baja tensión de la Fig lQ-6 indicand o que el BJT está
saturado, corresponde al funcionamiento del FET en la región óhmica. Para el MOSFET, la pendiente no

Carga
PMOS

Q3 Ql

Figura 10-16.Fuente de corriente MOSFETcon una PMOS. Este circuito se construyecon las técnicas de rebncacíoo CMOS.
406 Mícroeíectrontca mo derna

nula de la carac terística y .¡ se atri buye a la modulació n de la lon gitud del canal (Sec. 4-3). La inversa de
esta pendiente es la resistencia del espejo de corriente.
La resistencia R. que debe ser grande para valores pequeños de fuente. se sustituye frecuentemente por
un transistor de carga NMOS de deplexión (Fig. 4·26) y en forma similar R puede sustituirse por un
transis tor PMOS conectado como resistencia de carga (Fig. 10-16). Este tipo de ci rcuitos se fabrican con
tecnología CMOS normal. La fuente de corrie nte se puede graduar ajustando la relación de aspecto de Q3
así com o de QI y Q2.
Se pueden mejorar las carac terísticas del espejo de corriente emplea ndo MOS semeja ntes a las fuentes
de corrie nte Wilson (Fig. ID- IDa) y cascodo (Fig. 10-11 ).

Circuito polarizador de cuatro resistencias

Los fabricantes de transistores de efecto campo normalmente facilitan inform ación sobre los valores
máximos y mínimos de ¡ DSS y Y p a temperatura ambi ente. así como los datos necesarios para corregir estos
valores frente a variaciones de temperatura. En la Fig. 10-17 puede verse la carac terística de transferencia
de un tipo dado de JFET de canal n (o MOSFET de dep lexió n). Las curva s superior e inferior corresponden
a los valores extremos de variaciones del dispositivo y de la temperatura. y la curva de trazos es a

Pendiente de la Hnea de polarización _ _ ...!...

Ro
8

o Veo

Figura 10·17. Caracterísncas de transferencias máxima y mi, made unJFET de canal n. La Hnea de polarización trazada entre A
y B aseguraque la corriente de drenaje IDesté siempre entre ~ I e loo'

R,

Figura 10·18. (a ) Red de polarización FET de cuatro resistencias, (b ) el circuito anterior con la red de polarizaciónde puertasus-
tituida por su equivalente de Thevenin.
 Etapas amplificadoras bdsicas a ba)afrecuencia 407

temperatura ambiente. Supongamos que basándonos en las consideraciones antes comentadas hay que
polarizar el dispositivo de forma que la corriente de drenaje esté comprendida entre /01 (punto A) e loz
(puntoB)de la Fig. 10-17.El circuito de la Fig. 10-180 puede diseñarse garantizando que/o está siempre
entre /01 e 102 , Obsérvese que este circuito ya fue comentado para el MOSFET en la Seco4-10 (Fig. 4-21).
Obsérvesetambién la similitudal circuito BIT de la Fig. 10-13. En la Fig. lO-IBa no están representados
los condensadoresde bloqueousadospara unir la señal de entrada con el transistor y el FET con la carga.
Estos condensadores de acoplamiento así como el de paso a través de Rs se emplean en las etapas FET de
componentesdiscretos. En este capítulo supondremos que a las frecuencias más bajas de la señal estos
condensadorestienen una reactancia nula y pueden considerarse como cortocircuitos.
El circuito de la Fig. 10·18b es el mismo que el de la Fig. 10·180, en el que la red de polarización de
la puerta Voo' R I y Rz se han reemplazado por el equivalente de Thevenin Vaa y RG [Ec. (1O-20)J:

no-so:
Para el circuito de la Fig. lO-IBa la ecuación de Kirchhoff aplicada al lazo de puerta es:

o 1" = (10-11)

La Ec. (10-31)es la de la rectade polarización(Sec. 4-10). Construyendo la recta de polarizaciónsobre

la característica de transferencia de forma que pase por los puntosA y 8 se asegura que/DI :s; / o:S; /00' La
pendientede la recta de polarización es • 1/Rs de donde se puede deducir el valor de Rs' La intersección
con el eje Xespecifica el valor necesario de VGG'
En nuestro análisis suponemos le =O. Sin embargo en el lazo de puerta existe una pequeñacorriente
de saturación inversa /GSS' La resistencia Re se elige tan grande como se pueda manteniendo al mismo
tiempo la caída de tensión less RG en cuanUa despreciable (NJess« V 00) ' Los valores grandes de R
minimizan los efectos de la carga en la etapa anterior y la corriente en las resistencias RI y Rl' En el
siguienteejemplo veremosel métodode diseño a seguir.

Ejemplo 10-6

Hay que diseñar el circuito de la Fig. 100ISa de forma que 5.0 s: ID s: 6.0 mA y Vos :2 8.5 V. Las
características del JFET empleado son las de la Fig. 10-19. La tensión de alimentación es de 28 V, YRG
~ roosn.

Soluci6n

Señalar los puntos A y B de la Fig. 10-19correspondientes a ID = 5 Y6 mA respectivamente.Trazar

la recta de polarización definida por esos dos puntos A y B de donde deduciremos V00 =3V. Según la
pendientede la recta de polarización.

4 - O
= y R.\, = 0.75 kit
R.\· O- 3

Las resistencias R 1 y R z se obtienen de VGG YR a

408 Microelectrónica moderna

Il

_4 - 3 -2 - 1 o 2 J 4
FJgura 10-19. Caracleristicade transferencia y línea de polaril.ación parael Ejemplo 10-6.

V 28
R 1 = Re 1m = 100 - = 933 k!l
• V (i(¡ 3

R,

Obsérvese queR G se ha elegido arbitrariamente a su mínimo valor. La resistencia del drenaje se obtiene
de la ley de Kirchhoff aplicada al lazo drenaje-fuente. La tensión VDS es mínima cuando IDes máxima, es
decir
- V oo + loRD + Vos + 11,Rs = O
- 28 + 6R o + 8.5 + 6 x 0.75 = O y Ro = 2.5 kn
Las resistencias Ro y R s no pueden especificarse independientemente. Esta situación es la misma que
la del circuito BIT de la Fig. 10-12 descrito en la sección anterior (véase también el ejemplo 10-4).

10-9. ANÁLISIS LINEAL DE CI~CUlTOS DE TRANSISTORES

En las anteriores secciones de este capítulo nos hemos referido a la polarización de 'un transistor para
establecer un punto de trabajo estable. Consideraremos ahora la respuesta de los circuitos de transistores
ante la aplicación de señales variables con el tiempo . En particular trataremos del funcionamiento con
pequeña señal para las que se puede admitir que los transistores actúan linealmente. En estas condiciones
los componentes de la señal de respuesta se obtienen mejor empleando los circuitos equivalentes de
pequeña señal (incremental) de los BIT y FET.
El circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia de un BJT se representó primeramente en
la Fig. 3-33 repitiéndose luego para mayor comodidad en la Fig . 10-20. Asimismo, los valores de los
parámetros del modelo dados en las Bes. (3-28), (3-29), (3 ~33) Y(3-34) se repiten en las Ecs. (10-32) a
(10-35).

(10-32)
 Etapas amplificadoras básicas a baja fr ecuencia 409

{j" = ¡:",r.. o ( 10-33)

g",
~ l/col ~ lleo! (m Al ( 10-34)
v, 25

a temperatura ambiente.
Además ", está dada en la Ec. (lO~9) y repelida en la (10-35)

V,
r., = I/cQI (1 0-351

B '. e
•

Figura 10·20. Circuito equivalente hlbrido - lt de baja frecuencia.

Observamos en estas ecuaciones que los parámetros de pequeña señal dependen de leo' Así las
cantidades en continua (polarización) deben determinarse previamente al análisis de peque-ña señal.
Generalmente los fabricantes de estos dispositivos facilitan los datos de p y de la resistencia de entrada
Rj en un determinadopuntode trabajo. En laconfiguración en emisor-común, frecuentemente Poy R¡ figuran en
los catálogos como Ji!, y 11" re spe ctivamente, ya q ue los fabri cantes miden ambos parámetros
h (Apéndice ej . Téngase en cuenta que si el circuito dise ñado funciona en cond iciones de reposo distin tas
deben ajusta rse los valores de los parámetros del modelo.
Existen muchos circuitos de transistores que no consisten simplemente en las configuraciones de
emisor, base o co lector común. Por ejemplo, un amplificado r en emisor común puede tener una resistencia
de realimentación entre colector y base o tener una resistencia de em isor. Además. un circuito puede estar
formado por varios transistores interconectados de alguna forma . Para determinar analíticamente el
comportamiento con pequeña señal de circuitos amplificadores relativamente complicados pueden seguir-
se las siguientes normas simples:

l. Dibujar limpiamente el esquema real de conexiones .

2. Señalaren este esq uema los puntos B (base) , e (co lector) y E(em isor). S ituarestos punto s a manera
de inicio de l circuito equivalente. Mantener la misma posición relativa que en el circui to origi nal.
3. Sustituir cada transisto r por su modelo .
4. Transferir todos los com ponentes (resistencias, condensadores y fuentes de señal) desde la red al
circuito equivalen te.
5. Puesto que sólo estamos interesados en los cam bios de los valores de reposo , se sustituye cada
fuente de continua independiente por su resistencia interna. La fuente de tensión ideal se sustituye
por un cortocircuito y la de corriente (también ideal) por un circuito abierto. Esta es una implicación
de la operación ideal, que efectivamente permite emplear la superposición.
6. Resolver el circuito lineal resultante, para las corrientes en la red y las tensiones en los nudos,
aplicando las leyes de Kirchhoff
410 Microelectrónica moderna

Hay que advertir que el proceder anterior no se refiere únicamente a las bajas frecuencias . Una
condición básica estriba en que las tensiones y las corrientes sean suficientemente pequeña s para que
resulte un funcionamiento lineal. Dicho con otras palabras: durant e todo el recorrido de la señal , los
parámetos del modelo deben mantenerse esencialmente constantes. Estas normas son igualmente aplica-
bIes a los circuitos FET,

lO-lO. AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

La Fig. 1O-21a representa esta configuración, si bien para mayor simplicidad se han omitido las
resistencias de polarización y los condensadores de acoplamiento y de paso (bypass ) si los hay. La Pig.
10-2 lb muestra la etapa en emisor común con e l transistor sustituido por el circuito equivalente de la Fig.
10-20. Supondremos que las tensiones y corrientes varían senoidalmente (o alternativamente son de la
forma Ae") pudiéndos e proseguir el análisi s del circuito empleando los métodos y notaciones dados en
el Apéndice C. Las cantidades que tienen interés son: ganancia de corrie nte, resistencia de en/rada,
ganancia de tensión y resistencia de salida.

Ganancia o amplificación de corriente Al

Para la etapa amplifi cadora BIT, Al es la relación entre corrientes de salida y de entrada, o sea

,
A -= ~ 110-361
t,
En el circuito de la Fig. 10-21 vemos que V " = l¡/' • , y empleando la relación del divisor de corriente,
lo = g",V• rj(r~ + Rc)' Combinando estos resultados y haciendo 8nr n =J3~ y R L =R c 11 r, tendremos
,. R¡
Al == {3" -~R- =- (3" -R (10- 37)
1'" +. (' e:
para,.o »Rc encontraremos que R L = Re y Al = Po' Con estas aproximaciones Al se iguala a la ganancia
de corriente en cortocircuito del BJT y es independiente de la carga R c '
•
R, R,

\1" .
,
~ - - - - - - - - -1

e 1 x
1
1
•
• 1
R, r. 11, ! 1
K•• 1/. I
r. v,
1
•
'"
1

1l _

R"
__ __ 1
-l
l'
R:.

r,,) lh)
Flgura 10·21. (u ) Etapa en emisor común. y (h ) su circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia. El modelo de pequeña
señal deltranxistor es lo representado sombreado. (N o/u: Para mayor simplicidad se han omitido panes de la red de polarización
suponiendo que afecta poco al funcionamiento del circuito con pequeña se ñat.)
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 411

Resistencia de entrada R.,

La res istenci a R de la Fig . 10-21 representa la resisten ci a de la fuente de señal. La resistencia que se
ve mirando desde lbs terminales de entrada B y E del transistor es la resist encia de entra da R, o sea :
V,
R¡ == - = 1"1, + tu = h, ~ (10-38)
t,
Obsérvese que R j tambi én es independiente de la carga e igu ala la resistencia de ent rada en
cortocircuito h¡. Si r • » I"b como es lo normal . Rj "" r.

Ganancia O amplificación de tensión Av

La relación entre las tensiones de entrada V" y de salid a V, constituye la ganancia de la etapa. Siendo
RL la combinaci ón de Rc y ro en paralelo tendremos:
- gIllV" RL ( 10-391
/¡,(R, + I"/> + t ,,)

donde Ib(R , + ,.b + ,. " ) es la expresión de Kirchh off para el lazo de la base . Sustituyendo V " = 1," • y las
Ecs. ( 10-38) y (10-3 3) en la (10-39) se llega a

A l' = - /3"R L = ~ /3" RL (10-40)

R, + R¡ R, + 1"1> + 1""

para ,." » Rc, RL = Rc Y la Ec. ( 10-40) se reduce a

- /3"R c
(10-41 1

O ....sérvese que no pued e aumentarse Aj aumentando arbitrariamente Re Si Rr » r". RL "" r, y Av pa sa

a ser
- /3"1",,
A l' = = - Kml"" 110-42)
R, + r., + ,."
para r " » R, + r/> . Sustituyendo las Ecs. (10-34) y (10-35) e n la (10-42) se llega a I Al' I "" \!,\IVTsiendo
esta la ganancia máxima de la etapa.
La situación de la Ec. (10-42) se da frecuentemente en etapas amplificadoras integradas. Tal como se
representa en la Fig . 10-22a, las etapas integradas utilizan a menudo fuente s de corriente pnp en lugar de
la resistencia Rc de la Fig . 10-210. El espejo (Q2 y Q3) polariza ambo s y provee la resistencia de carga
para QI como se ve en la representación de la Fig 1O-22h. Si la corriente en R" es despreclablé'frente a
1", como frecuent em ente sucede, I n "" 1" Y se estabiliza el punto de trabajo de QI. La Fig . 1O-22c es el
equivalente de pequ eña señal de la Fig. 1O-22b, Yes idénti co a la Fig. 1O-21b si Ro se identifica con Re
Evidentemente, si R » r como es el caso si se utiliza una fuente Widlar o Wilson en lugar del simple
espejo de com ente de la Fig. 10-220, la amplificación Al' de la etapa vendrá dad a por la Ec. ( 10-42). El
término «carga activa» se aplica a la fuente de corriente usad a como se ha desc rito en el párrafo anterior.
En la Seco 14-2 se presenta un detallado examen de las cargas activas.
Alguna s veces en la literatura profesio nal V/Vi> se identifica con una ganancia de tensión. Esta cantidad
es la relación de transferencia de tensión entre entrada y salida, llamada a veces ganancia de transduccián,
cuya relación con Al' y Al es :
4 12 Mi croelectrón ica moderna

+ !'cc
Carga activa

Ro
+ v cc
Carga activa
(fuente «espejo»)

Q2 Ql
•
1'"

"
7

• R,
lb )

Q' "
'. • • •
»,
V, v, V.
" ¡ Km V.
'"
Ro Vo

,,,' (e'
Figura 10-22, (al Una fuente de corrteme pllp cornocarga en una etapa en emisor común. (b) Representación equivalentede (a) .
(e) Circuito equivqlenrede pequeña señal de la etapa.

R, v"
X o ( 1Q-42a )
R, + R, v,
Puesto que est a ganancia no incluye el efecto de la res istencia R, de la fuente de señal, generalmente
resulta menos útil en el diseño de amplificador es prácticos.

Resiste ncia de salida

En un circuito de et apa única , la resistencia de salida R~ es la resistencia Re vista desde la carga. Por
definición .R se halla hac iendo la tensión de fuent e V igua l a cero y Re tendiendo hacia infinito, aplicando
una fuente v:
a los termi nale s de salida y midiendo 'la co rriente /2 prod ucid a. Por tant o Ro '= V /12
' Con
=
V, O, /h Y V Kso n nulas. As í, /1 V/J'" y=
Ro =: V2 = ro (10-43)
1,
Norm almente los sistem as amplificadores co nstan de varias etapas. Co nsideremos la situac ión en la
q ue los terminales X-y de la Fig. IO-2 Ib estén co nectados a la entrada de otra etapa . Aq uí conviene
co nocer la resistencia de salida R'" de la etapa amplificado ra, es decir, la resi stencia de salida q ue inclu ya
los e fectos de Re' En la Fig. IO-2 1b se ve cla ramente que R'o es la combinac ión de r" y Rcen paralelo
,..R
R;, = , e = R 1. (10-44)
ro + R e
 E tapas amplificadoras básicas a baj a frecuencia 413

Obsérvese que para r,,»Re «, =R c'

En la práctica, el caso en que r, »R e se da con tal frecuencia que es conven iente suponer que r,
tiende a infinito. Análogamente, los valores de rl> que se encuentran son suñcíentemenre pequeños para
suponer que 1'1> = O introduzca errores casi siempre despreciables. Con estas suposic iones se simplifican
grandemente los cálcu los manuales permitie ndo al diseñador fijar rápida mente las prestaciones del
circuito . Cuando es necesaria una gra n precisión se emp lean programas de análisis de circuitos (tales
como SPICE , MICROCAP 11, etc) con la ayuda de co mputadores. En lo que resta del texto el lector puede
suponer que r/> = OY r" = infinito, salvo que se indique otra cosa. Los resultados de la configurac ión en
emisor común se resumen en la primera co lumna de la Tabla 10-3. En la Tab la 1O-3A se ha hecho uso
de los supuestos citados; los resultados de la Tabla 1O-3B incluye n estos elemento s y sólo se supone que
p"ro »r¡,+r K+R s'

ro-u. EL SEGUIDOR DE EMISOR

El esquema de la Fig. 10·230 corresponde a un amplif icador en colector común (Ce). A esta
configuración se le llama también seguidor de emisor porque su ganancia de tensión es próxima a la unidad
[Ec. ( ID-50)} y por tanto un cambio en la tensión de la base se manifiesta con un cambio igual en la carga
en el emisor. Dicho de otra forma, el emisor sigile a la señal de entrada. Veremos más abajo que la
•

8 r, E

R, • R,
-'. • v.
,.1
•
X

• R, 1" • • g Ol Y .
R, V.
0, v,
e
y
R'o R'•
~

(,)
lb)
Figura 10·23. (a) Etapaen colectorcomún(seguidorde emisor), y (b) su circuitoequivalente de baja frecuencia.

Ta bla IO-3A. Ecuaciones aproximadas de una eta pa amplificadora (rD ~ oo. rb =O)
COl/fig uraci6/1

Cantidad· CE ce eB
A, -o + (J,,) ~- t
I + {J"

R, r, + ({J" + I)R, - '-' -

1 +{J"
- -'-
Rm
- {J,R, +
R , + R,
({3"
R, + R,
l }R"
- A,-R. Re+- R, - -Re
R,
R, + r,
R"
1 + {J"
R;, R, R,JIR" Re
414 Microetearonica moderna

Tabla 10-38. Ecuaciones de una etapa amplificadora

Configuración
Cantidad CE ce eB
A,

R, '. + '" + RÉ(t + P,,)

~ p~
R, + 'o + ' .. R, + R, I + (P"RJ Rd

R" '. '.~1

R, + ,. + ,,,
1 + p" , ..[ t + R. ::'+,J
R; R.llRc Rt llR" RDI~c

• El valor de R puede calcularse l am b i~n dClenn inando la resistencia Thhenín en los tenmna1esindicados. Mencionamos ahora eslo porque a
veces el el u;vale8te de Thhenine sd m~lodo más eflcez de oblener Ro y lo utilizamos a lo l argo de1 le ~lo, En la Tabla 10-38 se toman los valores
R¡= Rc I Ro yR' E= RE j l , o

resistencia de entrada R j de un seguidor de emisor es muy alt a (centeneres de kiloohmios) y la de salida

R mu y baj a (dece nas de ohmios ). Por tan to la uti lización má s co rriente de un circuito en colec tor común
e; a manera de etapa separadora que cumple la funci ón de transformación de resistencias (de alta a baja)
dentro de un amplio campo de frecuencias con ganancia de te nsión próxima a la un idad. Ademá s el
seguidor de emi sor aumenta el nivel de potencia de la señal, es decir, que proporciona una ga nancia de
potencia,
La Fíg. 1O-23b repre senta el circuito equivalente del seg uidor de em isor . Ob sérv ese que e l colec tor
está a tierra respec to a la señal (porq ue la alimentación Vce se ha sustituido por un cortoci rcuito de acuerdo
con la 5" regla dada en la Seco10-9).

La ganancia de corriente
Aplica ndo la ley de Kirchhoffa la Fig . IO-23b, la corrient e de salida 1" vend rá dada por
Jo = - h - g",V" ( 10-45)

y
v" = ¡",... (10-461

Combinando las Ecs. ( 10-45 ) Y( 10-46), haciendo ~o = gno ", y la form aci ón de la relación IjIbresu lla

A, ~ -t: ~ - ( ~" + 1) ( 10-47)

t,

La resistencia de entrada
La resistencia de entrada R, es la re lación V Jlb' Aplicando la ley ele K.irchhoff al lazo exterior de la
Fig . IO-22b se obti ene
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 415

Sustituyendo 1" de la Ec. ( JO-47) y dividi endo por I~

R, = -V" = 1" " + (1 + (3,,)R1:

J"
Observamos en la Ec. (10 -49 ) que R,para e l seguido r de emisor es notablement e mayor que Ni '" r.
para la etapa en emi sor comú n, aún con peq ue ños valores de RE porque P.. » l.

Ganancia de tensión
La tensión de salida es V"::: - 1~R r Puesto que V, ::: I¡,R, + V~, con las Ecs. (10-47 ) y (10-48) se llega,
despué s de algunas manipulaciones algebraicas a
({J" + 1lR /;
A l' = -V" ( JO-50 )
V, R, + 1" " + ({Jo + ¡)RE R" + Ri
Con (Pn + I )RF. » R, + /".' co mo es lo normal.Aj es aproximadamente igual pero ligeramente inferior
a la unidad.

La resistencia de salida
La resistenc ia R' n es la resistencia de Thevenin vista desde los terminales X-Y. Como la tensión de
Theven ¡n es sim pleme nte V" ::: A\V " la determinación de la corriente de cortocircuito 1" nos da R'" ::: Vjl ,,'
Obsérvese que 1" ::: -1" y haciendo Rf ::: O (cortocircuit o ) se puede llegar a (Prob. 10-46).
, (R , + ¡.,,)RE/O + (3,,)
R - 110-51 1
" - [(R, + 1",,)/(1 + {3,,)] + R,;;
La Ec. (10 -51 ) indica que R ' ~ es la c om binación de las resistenc ias RI:: y (R, + Rn)/(I +P) en
paralelo. En la Fig. I0-23b vemos que R,, ::: Ro 11 RE::: Oy por tanto
R, + !""
R" ~ I + ~"
Obsérvese que la resisten cia de salida es f unción de la resistencia de fue nte R ,. Como P.. » l . R" de un
seguidor de emísor es pequeña (oh mios) comparado con la resistencia de e ntrada que es g rande (dece nas
o centenas de klloohmios). Los resultados para la etapa en co lec tor común figuran en la tercera co lumna
de la Tabla 10-3.

Figura 10·24. Circuito equlvatente de baja frecuencia de la etapa en base común.

416 Mtcroetectron íca moderna

10-12. EL AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN

El circuito de la Fig. 3~8 es una etapa amplificadora en base común si VEl: Y REse sustituye JX)r una
fuente de señal V de resiste ncia interior a R . El circuito equi valen le es el de la Fig. 10-24, Yobservamos
• •
que el empleo del modelo de pequeña señal y los resultados obtenidos son independientes de que est é en
consideración un transistor npn o pnp. Aplicando a este circuito las defini ciones de A,. R" Av y R. dadas
en la Sección 10- 10. se llega a los resultados de la cuarta co lumna de la Ta bla 10-3. Se deja para el lector
la comprobación de estas f6nnulas (Prob . IO~ 42 ).

10-13. COMPARACI()N ENTRE CONFIGURACIONES

DEL AMPLIFICADOR BJT

En la Tabla 10-4 se dan los valores numéricos deA /. R¡, AV,RoY R' ~ de las tres configuracio nes básicas
=
del amplifi cador BJT. para Rc RE= 1.5 ka y R, =0.6 ka y un transistor que tenga Po= 100, '. = SO
n yKm = 0.1 {} . El valor de Km corre sponde a un BJTpolarizado a ICQ = 2,5 roA [Ec. (10-34)]. El valor
= =
de , .. 50 ka se obtiene para una tensión Early VA 125 V. Para cada configuración se dan tres valores
de A"R¡. A y, Roy R'o· La primera columna de cada circuito se obtiene de las ecuaciones de la Tabla 1O~ 3A
('. = O" . -+ 00 ). La T abla 1O~3B se aplica para el cálculo de los restantes valores , con , . = 50 a .,.
-+ 00 en la columna 2 y'. = O" .. = 50 kO en la columna 3 (para las tres configuraciones). La comparación
entre daros de cada configu ración demuestra la utilidad de las relaciones aprox imadas de la Tab la 10-3A.
Con la excepci ón de valores de R. señalados 00 • los resullados de la columna I no difieren más del 5%
de los de las co lumnas 2 y 3. Además. los resultados de la co lumna I (para cada circuito) concuerdan.
dentro de un 10% con los medidos para un tran sistor con los valores de oarámetros dados.

_.
Tabla 10-4 Comparación entre configuraciones BJT
CE CC CS
T• • o ,... son r. _ o r. _ o
T. - son ""'~. ""'~
T• •
r._son r• •
T• .. soIln r.

... soIln
x

...
CfNIlid<MI ,. _ O. T. _ X '. _ x ~ O. T._ x T. _ '" r. _ SOUI , .=O. T._ X

l ..... ¡ ' 00
l. 00 en
•00
1.0S Iln
97.'
1.00 Iln Al..
".en '"m lln " .
lB 1. 7 110
Baj.
8.,;.
O.. . .
9.900 10.•
O.. . .
n
O....
10.2 n
R,
I .... ~ I
""'"
Alto 9).8 OO.s 9l. 0 110';' O.sso 0_989 0.989 Bo';' 2.44 U l U 3
R. Al. • • ~o lln Boj. 13.8 n Ib.3 n IU O Alta • • 1.93 tol O
RO I .S0 kn r.so en 1.4b kll - IH O Ib. l n ISob O !.SOkU r.so eu I.SO en

r.n ·8• • 100. K.. .. 0 .IO U .R. ~0. líO k n . y Rr .R. '" r.s en.

Config uración en emisor común (CE)

En la Tabla 10-4 vemos que sólo la etapa en emisor común es capaz de proporcionar una ganancia de
tensi ón y de corriente mayor que la unidad. Esta configuració n es la más versátil y utilizada de las tres
Obsérvese que los valores de R.o y R• est én entre los de las configuraciones CE y CC .

Configuración en colector común (Ce)

En la etapa en colector com ún, A. es alta (aprox imadamente igual a la de la etapa en emisor común).
 E/apas amplificadoras básicas a bajafrecuencla 417

Aves menor que la unidad (pero próxima a ella) Rj es la más alta y R" la más baja de entre las tres
configuraciones. Este circuito se emplea mucho como etapa separadora e ntre una fuente de alta
impedancia y una carga de impedancia baja.

Configuración en base común (eH)

Raramente se emp lea sola la etapa en base común (o como una de entre varias etapas e n base com ún
en cascada) debido a que la gran disparidad entre las resistencias de ent rada y de salida impiden
virtualmente cualquier ganancia. En la Tabla IO~3 vemos que siem pre ~ realiza que Al < 1, y con Re y
Rs del mismo orden. también.Av puede ser menor que la unidad. La etapa en base común se usajuntame nre
con otras (por ejemplo una cascada CE~CB) por su extremadamente baja resis tencia de entrada que
contribuye a mejorar la respuesta en frecuencia de las etapas combinadas. Es interesante observar que la
ganancia de transducci6n V" I V~ de la etapa en base común es alta. pero debido a la resistencia de entrada
sumamente baja la ganancia en tensi6n de la etapa tambi én es baja.

10-14. AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON UNA RESISTENCIA

DE EMISOR
La ganancia de tensi 6n de una etapa en emi sor común depende de~" como indica la Tabla 10-3. Este
parámetro del BIT depende de la temperatura. su envejecimiento. proceso de fabrica cíén . así como de
otras variables, presentando el mismo grado de variabilidad que ~F' En consecuencia, frecuentemente se
necesita hacer que la ganancia de tensi6n de la etapa Av sea prácticamente insensible a las variaciones de
~.. (Esto es análogo a hacer le independiente de p,. para estabilizar el punto Q.) Una forma sencilla y
eficaz para conseguir una ganancia de tensión insensible es añadir una resistencia de emisor RE a la etapa
en emisor común como indica la Fig. 1O~25a . La desensibi lización conseguida es consecuencia de la
realimentaci6n facilitada por RE' (En el Cap. 12 se verá el concepto general de realimentaci6n).
En esta secci6n demostraremos que REtiene los siguiente efectos sobre el comportamiento dinámico
de la etapa amp lificadora: deja la ganancia de comente prácticamente invari ada aumentando la resistencia
de entrada en (1 + ~..> RE: también la resistencia de salida aumenta. Co n la condici6n de que (1 + ~,,)
R¡»R, + r lI;, la ganancia de tensión es virtualmente independiente de ~" aproximadamente a ~RdRE'
Para el aná lisis en baja frecuencia de este circuito puede emplearse el circuito equivalente de la Fig .
I O~25b . En este circuito vemos que

•
R,
B e
R, '.
R.
-1, r, 6 ", y.
•
• E 1·1
R,
'.
" R, '. R,

~
R'•
(' ) (b)
Figura 10·25. (a) Etapaenemisor comúncon resistencia de emisor. (b)C ircLlitoequivalentede la etapa. válido para baja frecuen-
cia.
418 Microelectrónica moderna

1" = g",V". (lO-53)

v, = - 1" R e (lO-54)

(lO-55)
Las ecuaciones de Kírchhoff para el lazo de la base dan

- Vs + Ib(R s + r".) + (h + g",V".)R e = O (lO-56)

y
V b = lb + r". + (h + gmV".)Re (lO-57)
De las Ecs. ( 10-53) y (10-55) resulta
1"
Al = h = {3o (lO-58)

Sustituyendo la Ec. (lO-53) en la (10·55) y dividiendo por lb resulta

Y,
R, = - = '. + (1 + ~,,)R, (lO-59)
lo
Combinando las Ecs. (l0·53) a (10-56) y desp ejando VJVsresulta
Yo - ~,,R e
Av = - = (10-60)
v, Rs + ;". -+ (1 + {3,,)Re
Para (1 + ~) RE» R, + rft , la Ec. (10-60) se reduce a
-Re
Av = - - (10-61)
R,
independiente de los parámetros del transistor. Hacer que Ay sea independiente de las variaciones de ~ Q
es a expensas de una reducción apreciable de la ganancia comparada con la que se obtiene con una sola
etapa en emisor común . Sin embargo. en muchas aplicaciones el beneficio obtenido compensa este
inconveniente.
Las resistencias de salidaR"y R '" de la Fig. 10-25a son respectivamente infinita y Re ya que admitimos
que r" tiende a infinito. Si incluimos el efecto de 1'" (Prob. 10-47) las resistencias de salida serán las dadas
en la Tabla 1O-3B.

10-15. ETAPAS AMPLIFICADORAS FET

Las principales configuraciones del amplificador FET son análogas a las de las etapas BJT comentadas
en anteriores secciones. El anétísis de estas etapas se basa en el modelo FET de pequeña señal introducido
en la Seco 4·14; el método empleado es semejante al seguido para el BJT (Sec. 10-9). En esta sección nos
.referiremos a las configuraciones de fuente común (CS) y drenaje común (CO) empleando las notaciones
de comentes y tensiones para el FET dadas en la Tabla 10·2.

Circuitos equivalentes de pequeña señal

El modelo de baja frecuencia y pequeña señal , válido tanto para el JFET como para el MOSFET está
 Etapas amp lificadoras básicas a baja frecuencia 4 19

representado en la Fig. 4-36 Yrepetido para mayor comodidad en la Fig. 10-260. Los párametros K.. y rd
del modelo quedan definidos por las Bes. (4- 17). (4- 19) Y (4-23) repitiéndose también para mayor
comodidad en las Bes. ( 10-62) Y( 10-63).
2
K... = lV~ V /Vo/DH para J F ETs ( 10· 62n )

¡ IV
g... = h.Jk L IDQ para MOSF ETs ( 10-62b)

J VA
'J - AI
-- ' JQ I,)(}
(10·63 )

Obsérvese que tanto los valores de .$... como los de rtl dependen de la polarización. Comparando la Fig.
10·260 con el modelo hfbrido-n del BJT (Fig . 10-10) se ve que son equivalentes si r" = O Y r~ --+ 00
(circuito abierto ).
La resistencia de salida r" norma lmente no es suficientemente grande para poderla despreciar (así
como se desprecia ro en el modelo BJT). Corrienteme nte r" es del orden de unas pocas decenas de
kiloohmíos para el MOSFET; para el JFET r" puede ser de hasta varios centenares de kiloohmlos. El
valor de K", para un FET polarizado a IOQ es inferior que el de un BJT polarizado a ICQ ::: ID(}' Por tanto,
para conseguir la misma ganancia de tensión que un BJT con resistencia de colector Rc,la etapa FEl
necesitará normalmente una resistencia de drenaje RD > Re" Debido a los altos valores de RD frecuente-
mente empleados. no se puede despreciar en el modelo la resistencia de salida incremental rti" Puesto que
en el análisis del amplificador FET debe incluirse r4' muchas veces es conveniente emplea r el modelo de
la Fig. 1O-26b. La tensión de la combinación fuente-resistencia ( J.l. V ,-r) de la Pig. 10-26b es la fuente
de tensión eq uivalente ala fuente de corriente K",V,. en parale lo con 1" en la Fig. [0-26. La magnitud J.l..
llamada factor de amplificación viene dada por

(10-64)

El circuito abierto entre puerta y fuente en el modelo ' hace que I =O de forma que es inoportuno
considerar A, y R¡en etapas FET (co rrientemente). Para la mayor parté de circuitos FET,la ganancia de
tensión Av y la resistencia de salida R" son los elementos más importantes que describ en la actuación
amplificadora.

D G D
,•
'.
1", v"
'. v" ¡.IV,.
,
- s s
,. -1", '"

••¡
'"
flgu r.IO-;u. Dos (onn as del cin:u iloequivalenle de baja (recue ncia y peque ña sdal de l FET.

1 Un moddo de toda ~ dcbien ineluir las lniSkncias r y r ~nln: drCRilje y put:l' 1oiI Yenue f"'''1e y puert a rupclI;l ivommle. EsIaS
rc:sisleneiaf, 5<l ponn puos de corrien lC de fl.lC nIC Yde dn:naje . pw~a .lfavts de la tapa de óxido ~n el MOSFET o . través de la uni6rl p" con
poIariu<:iól'l i,,"en.~ " ~I JFET. Las mcdiciones (a" t;OfTlO el w lisis ~) indican qt>C' '41 Y ' son supclioru a 10.000 Mn por lo qu~ es
razooabl~ considerarlas t;OfTlO clrc u;kI$abicr\o$. .,
420 Microelectrónica mode rna

El circuito básico que ana lizamos es el de la Fig. 1O-27a. Ob sérvese qu e si medimos la tensión de la
salida desde drenaje a tierra (neutro, señalado N) esta es una etapa en fue nte común con resistencia de
=
fuente . Si R O la etapa es en [uente común normal (Fig. 1O~ 28a ) . Análogamente si la salida se toma
entre fuente 'y tierra, siendo Ro = O. el circuito es un amp lificador seguidor de fuente en drenaje común
(Fig. 1O-28b ). Al incluir Ro esta etap a se co nvierte en etapa en drenaje común con resistencia de drenaje.

Análisis de la etapa a mplificadora FET generalizada

La Fig. 1O-27b representa al circuito equivalente de la etapa FET generalizada (básica) de la Fig.
1O-27a. Obsérvese que empleamos la forma de ci rcuito equivalente de la Fig. 1O-26b . Aplicando la ley
de Kirchhoff al lazo del drenaje y suponiendo una excitación senoidal. tend remos

( 10-65)

Según la Pig 1O-27b la tensión entre G y S viene dada por

( 10-66)

Combinando las Ecs. ( 10-65) y (10-66) tend remos

R o + ([" 110-671

Las tensiones de salida VO l y V Ol entre drenaje y tierra y entre fuente y tierra respecti vamente son
,
r O
,
~ V'l
7,)
G , R, y.,
S ,
Y, R, y.,
-s-
R~2 ~ l R~J
N

Figura 10·27 . (a)

'"
Etapa en fuente común con resistenc ia de fuente. y
lb)

(b ) circuito eq uivalente de peque ña señal. El modelo de la

Fig. IO·26b (en trazos menos intensos) se emp lea para represe ntar el MOSFET en (u ).

- JLR/I
(10-681
RIJ +( I +

(10-69 )

La gananci a de tensión de la etapa en fuente común con resistencia de fuente es

 Etapas amplificadoras básicas a baja fre cuencia 421

V...
A l' :: - = ( 10-701
V.
Con ~ » 1, y medi an te la Ec. (10 -64 ), Al' se puede expresar
~ K",Rt..
(10-71)
+ C",R.R ,./Rn
La resistencia de salida R' 0 1 es la resistencia Thevenín vista mir ando los terminales 1 y 2. La co rrien te
de co rtocircuito se puede ex presar como

- / ~ = / JI N,• • I.
-
r,l + (1
p.
----,-J::-----,-o_ V
+ ¡,L)R.~ '
(10-72)

• •
RD

'.,
V.C? ~

,.) lb)

Figura 10-28. (a) Etapaen fuente común, y (b) erepaen drenaje común (seguidor de fuenle). Esle cucuuo se puede deducirdc la
fi g. 1().27a haciendo R. = O(para (a )1o bien Ro = O(para (b) ].

T abl a 10-5 Ecuaciones de las etapas FET

COlifi8/frQCio,,~s

Coflfidad es CS con resistenciade fllmf~ CD

A, - I'-N,. - K_R,.·
r ol ... N,. ... U + I'-IR., .. ,-,----'7""'''''
+ k...N ,R,/ R" rol ... R.O + 1'- 1

R" r ol'" R.U + JJ. 1 - r ,,( \ ... N_R,. l ~ .. .L

+ JJ. g_
R:. R" 11 rol R" I R u R.· . R"

Puesto que VOl es la tensió n Thevenin. se deduce que

R:. = V
/ " . :: RD(rJ + Rs(1 + ¡,L)J := R,~II,.,1 + R.O + ¡,L)) ( 10-73)
oc RI> + ",1 + Rs(1 + ¡,L)
La resistencia de salida R ~I de la e tapa en fue nte co mú n con res istencia de fue nte es

R" l "" re + Rs(l + ¡,L) = r.,( 1 + K...R s ) ( 10-74)

para ~ » 1.
En la segunda columna de la Tabla 10-5 constan los resu ltados de la etapa e n fuente común con
resistencia de fuente.
422 Microelectrónica moderna

En una forma similar, al hallar la resistencia de T hevenin entre S y N tendremo s

Y 2 Rs{rJ + Ro) Ro + rJ
Ro + rJ + ( 1 + ¡.,L)R~·
( 10-75)
R.I'II I + ¡.,L
R;,2 = 1:
I
R, - u =

NuevamenteR ~2 ::: Ro2 1 1 Rs y así

Ro + rJ
( 10-76)
1 + 1'

La etapa en fuente común

HaciendoR, ::: O, podemos deducir las Ecs. (10-70) y ( 10-74) a:

-g",R D
A v -- ~ -- (10-77)
Y, 1 + R¡)rJ
y
R"I ::: r ¡J (l0-7S)

La confi guración en drenaje común

La configuración en drenaje común o seguidor de fuente se obtiene a partir de la Fig. 10-27 haciendo
Ro ::: O y utilizando V02 como salida como se ve en la Fig. 1O-28b. En esta situación las Ecs. ( 10-69) Y
(10-75) se convierten en
_ V"2
AV - (10-791
Y, I"J + Rs(l + JL )

( lO-SO)

Para J.l » 1 y l /g", «Rs,AI' = I YR'o2"" ROl::: l/g"" Estos resultados indican que el seg uidor de fuente
tiene una ganancia cercana a la unidad y una resistencia de salida baja como su semejante BJT el seguidor
de em isor. Los resultados para la etapa en drenaje común figura n en la Tabla 10~5 , columna 3.
Las ecuacione s de la Tab la 10-5 se pueden obtener directamente de la Tabla 10-38 por la similitud
entre los modelo s de las correspond ientes etapas BJT y FET , El procedimiento a segu ir es :
1- Identificar RD , Rr r, y Kmde la etapa FET con Re' RE' I"a y Km respectivamente de la etapa BJT
semejante.
2- Fijar rb ::: O y después de emplear ~o ::: Kmr n hacer r ~ -e oo. Por ejemp lo. utilizando el valor de Ra
de la configuración en colector común de la Tabla 10-38 , la identificación del paso l da Ro::: f d II
(Rs +
r, + 1" n)/ (l + P) , que al aplicar el paso 2 queda en Ra ::: rd 11 (Rs + r n)/O + gn,!' ~) que cuando r ~~ 00
se reduce a Ro::: rd I1 us;» rJO + 11), siendo éste el valor de Ro dado en la Tab la 10-5 para la etapa en
drenaje común,
 Etapas amplificadoras básicas a baja fr ecuencia 423

Se previene al lector que no llegue a concl usiones erróneas al observar que el tratamiento de los
amplifica dores FET es con mucho más breve que el de las etapa s BJT. Mientras que los amplificadores
BJT se emplean con mayor frec uencia , mucho s amplificadores integrados modernos emplean BJT y FET
en un mismo chip (tecnologías BIMOS y BlFET). Ademá s se fabrica n con tecno logías NMOS y CMOS
una variedad de sistemas de procesado de señales que utilizan tanto circu itos digital es como analóg icos .
Los conceptos básicos de amplificadorson comunes para ambos tipos de transistores, y las config uraciones
BJT y FET descritas son semejantes. Puesto que las conclusiones respecto a los amplificadores BJT se
pueden aplicar directame nte a las etapas FET cons ideramos que repetir para los amp lificadores FET los
análisis detallados de las etapas BJT es innecesario (además de ineficaz y tedio so).

10·16. AMPLIFICADORES BJT EN CASCADA

Vemos en la Tabla 10·3 que la ganancia de tensión de un ampl ificador de una sola etapa depende de
la res istencia de carga de la etapa (Re para las etapas de emisor común y de base común y RE para la
configuraci ón en colector común). Tal como se puntual izó en la Seco 10-7, la magnitu d de la resistencia
de carga no se puede especificar independientemente deb ido a las condiciones impuestas por la'polariza-
ción. Por tanto, la ganancia conseguida con un circuito de una sola eta pa puede muy bien no ser suficiente
para el fin particular propuesto. Además , las resistencias de entrada y salida pueden tener valores que no
sean los adecuados al objeto pretendido. Para superar estas dificultades se pueden conectar en cascada dos
o más etapas; es decir, conectar la salida de una etapa a la entrada de la siguiente como se ve en la Fig.
10-29.
1
•
R, - -• N
N
~ ~ •
• Etapa I 's • Etapa 2 ~ R,
'.
" Q h
e
W
'a
~

"
h
e
W
'a
~

---
-

FigUflll O.29. Representación gráficadedos etapasencascada.

El análisis de la configuración en cascada se basa en los resultados obtenidos para una sola etapa tal
como se describe a continuación. En primer lugar ob tendremos el equivalente de The venin de la primera
etapa en los terminales 1-1' , es dec ir, la porción de l circuito de la Fig . 10-29 que figura en la 10- 30a.
Para este amplifi cador de una sola eta pa la tensió n de salida (fuente de tensión Thevenín) es A I'I V, Yla
resistencia de salida R~ " Esta combinación actúa como fuente de señal y como resis tencia de fuente de
la segunda etapa como en la Fig. 1O-30b. Para la etapa de la Fig. 1O-30b la tensión de salida es Al ? veces
la de entrada o sea Va = A I'IA I'::! V• . Y

110-81)

El método que lleva a la Ec. (10-8 1) es aplicabl e a varia s etapas repitiendo el proceso . Obsérvese que
si AI'1 y An son mucho más grandes que la unidad , la ganancia total de la cascada Al' es mucho mayor
que la ganancia que pueda tener cualquier etapa. Vere mos esto en el s iguiente ejemplo :

Ejemplo /0- 7

El amplificador en cascada de la Fig 10-3 1 consta de dos etapas en emisor com ún, una de las cuales
424 Microelectrónica moderna

tiene una resistencia de emisor. y una etapa en co lector común. Obsérvese que no están representadas las
compone ntes de polarización y se supo ne que su efecto es despreciable. El trans istor QI tiene ~u::: 100
y /" K ::: 1.0ka: los trans istores Q2 y Q3 tienen ~u::: 100 y /".::: 0,5 kn. Determinar la ganancia total.

•
"
V,
• Etapa
1
Val "'AV 1V,
I nl' ,
., ,
R'
Etapa
2
"
í V.

l:l.·.. A
1'1 (b1
Figura JO-J O. (11) Primera etapa no cargada de l amp lificador de la Fig. 10-29. (b) La segund a elapa impu lsada por el equivalente
de T hevenin de la prime ra.

Solución

Primero obtendremos el equivalente Théven in de la primera etapa en los termi nales 1-1'. Esta es una
etapa en emisor común con una resistencia de emisor para la que la ganancia de tens ión viene dada en la
segunda columna de la Tab la 1O-3A. Sustituyendo valores tenemos
,

lkil zen

Q3

Ha
• roen .,
l'

V, Ha

"
Figura 10-31. Amplificador de tres etapas en cascada para el Ejemplo 10-7.

-100 x I
A VI = = - 7.63
2 + I + 1I + \0010.1
La resistencia T hevenin es R'ol::: RCI = I k.O:, Ahora obtendremos el equi valente Thevenln de la
segu nda etapa en los term ina les 2-2 ', Ta l como se ve en la Fig . 1O-32b e l equ iva lente T hevenin
de la primera etapa es la fuente de señal de la segunda . La ganancia de tensión de esta etapa en emisor
común, según la columna I de la Tab la 1O-3A es
- IOOx 2
Al "= = - 133
- 1 + 0 .5
y la tensión de salida de la etapa 2 es A\I Al! V.I = I020V.\ . Esta tensión exci ta la etapa en colector común
y tiene una resistencia de fuente R'", = 2 kO como se muestra en la Pig . 1O-32c,
 Et apas amplificadoras básicas a baj a frecuencia 425

• • •
"n , Hn
,
•
"
,,~
•
v.
~lOon; l R
:.' ~ ,1"
(a ) l b) (e)
Fig ura 10-32. (a ) Primera e tapa no cargada del amplificador de la Fig. 10-3 1. (b ) La segu nda etapa: la fuente de seña l VOt y la
resis tenc ia de fuente ROl forman el equ ivalente Theve nin de la primera etapa. (el La etapa en colector común (terce ra); V02 YROl
son el equivalente de The venin de (b ).

De la columna 3 de la Tabla 10-3Ase tiene

(100 + 1) x 5
A ~,~ = 2 + 0.5 + 5(100 + 1) = 0.995
La ganancia total es. según la Ec. (10-81)

Es interesante observar que si se pidiese a un amplificador de una sola etapa. por ejemplo el Q2, que
diese la mismaganancia al ser excitadopor lafuente de señal de la Fig. 10-30 se necesitaría una resistencia
de colectorde 30 kil. A temperatura ambiente los parámetros de Q2 indican / eQ= 5 mA. En consecuencia.
para esta sola etapa Vec debería exceder de 150V. tensión evidentemente impracticable para la mayoría
de circuitos de transistores. (Los valores señalados en este parráfo se comprueban en el Probo10-65.)
La ganancia total de corriente Al l/O es igual al producto de las ganancias de las etapas individuales
porque la corriente de salida de una etapa no es igual a la corriente de entrada de la siguiente. En la Fig.
10-31podemosverque lacomente de salidade Q 1(en la resistenciade l k Q ) no es lade entrada (corriente
de base) de Q2. De todas formas podemos deducir Al de la ganancia de tensión total Av.
Consideremos la situación de la Fig. 1O-33a en la que el amplificador consiste en un cierto número de
etapas en cascada. Para este circuitoAl' = V¡ V" Convirtamos ahora las combinacionesen serie de V s y R s
en su fuente de corriente equivalente como en la Fig. IO-33h. Para el circuito de la Fig. IO-33b, podemos
identificar la ganancia de corriente con Al = Ijl.. Sin embargo lo = -Vj RL Yde la conversión de la fuente
/s = VjR... o sea
- V./R 1. - R"
Al = 1"
- = - -- V"
(10-821
J, V/ R" R ¡. V,,

Por tanto, conociendo Rs y RL podemos deducir Al de Al' (o viceversa).

Las resistencias de entrada y de salida de una configuración en cascada son simplemente la resistencia
de entrada de la primera etapa y la de salida de la última. En el circuito de la Fig. 10-31 la resistencia de
entrada es la de una etapaen emisorcomún con una resistenciade emisor. Esta es evidentemente superior
a la que se puede conseguir con una etapa única en emisor común. Análogamente, la etapa de salida en
colector común provee una resistenciade salida verdaderamente baja. Así, pues, el amplificador de la Fig.
10-31 tiene una resistencia de entrada alta y una resistencia de salida baja. con una ganancia de
aproximadamente 1000. En la Tabla 10-4 vemos que esta combinación no se puede lograr con cualquier
configuración sola.
426 Mtcroetearontca moderna

,--------{- t-----, , ,

~
R,
, R,
'-l
R, v.
Amplificador-
v,

t, • ", IR,
V, /,
A A .-
, . -v, r "
l" lb'
FlgunI 10-33. Amplificadorimpulsado por: (Q) una fuente de tensión. 'Y (b) una fuente de corriente.

Eta pas FET en cascada

Las etapas de transistores de efecto campo se conectan en cascada para conseguir mayore s ganancias
de tensión de las que se pueden conseg uir con una etapa única. La ga nancia total de los am plificadores en
cascada viene dada por la Ec. (10-8 1) en la que A ,,; son las gan anci as de tensión de las etapas individu ales
(Tabla 10-5). En la mayor parte de amplificadores BJT en cascada se emplean configuraciones semejantes.
tales como las de fuente común-tuentecomün. (CS-CS), fuente común-drenaje co mún (CS-C D) (Ejemplo
10-7) y casca do (la fuente común-puerta común del Prob.I O-72) .

10-17. ETAPAS DE TRANSISTO RES MIXT AS (COMPOUND)

Las Figs. 10-34 Y 10-35 representa n tres amp lificadores de etapas en cascada muy empleados como
circuitos integrados. Cada uno de estos circuitos se puede co nside rar como un BJT equivalente. de dond e
le viene el nombre de «mixto» o «compuesto• . Estos circuitos combinan o mejoran las propiedades que
se pueden conseguir con las distinta s configuraciones. El co mportamiento de las etapas de transistores
mixtos es similar al del amplificador en cascada del Ejemp lo 10-7. En los dise ños de circuitos integrad os
frecuen temente se utilizan estos elementos como etapas individuales en un amplificador en cascada.
,
,

-'" JI'

Tl'lInSistor
'u compue sto
(. 1 (b )

flguralo..J4. Transistores mmos (compueslOS): (Q) Par Darlingron(cascada CC-CC), 'Y (b)cascada CC.cE.
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 427

Config uración CC-CC (Dar lingto n)

La cascada colector común-colector común de la Fig. 1O-34a se denomina frecuentemente trans istor
Dartington o par Daríington. La fuente de corriente l EE se emplea para proporcionar la polarización del
'd
circ uito. Para el transistor compuesto (sombreadojr., es la corriente de entrada ~ 1,. = + 1'2es la salida.
Obsérvese que la corriente de entrada de la señal en Q2 es la corriente de emisor de Q 1, o sea

de dond e la ganancia de corriente de l transistor mixto P.. es

1,-
~o, ~ -1 ~ ~o(~" + 2) ~ ~, (10-83)
"
para P~ » 2. Para P~ = 100, P: "" 1Q4; evidentemente, la gan ancia de corriente se ha acrecentado.

Etapa CE Etapu en

•
'1
R, N,. V..

Figura 10·35. El easccdc ocascada m eo.

Con más frecuencia se emp lea el transistor Darlington como seguidor de emi sor porque tal como indica
la Tabla 10-3 el valor extremadamente elevado de P,~. hace que Av sea virtualmente igua l a la unidad, R¡
extremadamente grande y R extremadamente bajo .
•

Conexión CC~CE
El circuito de la Fig. l D·34b corresponde a un circuito colector común-emisor común de propiedades
similares a las del par Darlington. La ganancia de corriente del transistor mixto es aproximadamente 13~
ya que la corriente de emisor en QI es la de base en Q2.
La composición CE-CC es preferible a la configura ción CC-CC al formar etapas en emisor común
equivalentes. La ventaja de la configuración CC-CE es deb ida al hecho de que los colectores de Ql y Q2
no están conec tados como en el par Darlington . A causa de la conex ión de los colectore s (esencia lmente
en paralelo) se reduce la resistencia de salida (ro < 00). Además, la respue sta en frecuencia de la cone xión
CC-CE es superior a la de l circuito CC-Ce.

Conexión CE-CH (Caseodo)

El empleo primario del circuito cascodo (emisor comú n-base común) de la Fig. 10-35 es el de facilitar
428 Mtcroetectr óníca moderna

una ganancia de tensión alta dentro de un campo de frecuencia más amplio del que puede conseguir una
etapa en emisor com ún. La respuesta en frecuencia de la etapa CE-CB se estudiará en la Seco11· 11. En
la Fig. 10-35, la corriente Ib l es Vj (R, + R l ) para la etapa en em isor co mún, o sea
V,
t. , = (10-84)
R. + 1'.".1

= =
Se observa qu e ~O l 1M I d -1,2' con ~02 » 1, la gana ncia de corr iente de la etapa en base común es
igual a la unidad . Podemos llegar a la conclusión que /" = /.-1 "" /"1=~" I b l , de do nde la ganancia total de
corr iente es Al = I j l h' = ~" .
La tensión de salida V" = -1"Rc que con la Ec. 10-84 nos da

Al' = V" = - {3" R c ( 10-85)

V, R" + 1',, 1
El valor de Av en la Ec. (10-85) es el corres pondiente a etapa ún ica en emisor común con una resistencia
de carga Rc ' Sin embargo, en el circuito cascodo la resistencia de carga de la etapa en emisor com ún es
R¡ para la etapa en base común. Como indica la Ta bla 10-4, el va lor de R¡ es significa tivamente más bajo
que el deR c necesario para obtener la ganancia. Esta baja resistencia de carga en la etapa en em isor com ún
es lo que mejora el funcionamiento de l circuito cascado a altas frecuencias

10-18. EL AMPLIFICADOR DIFERENCI AL

El amp lificador diferencial, par de emisor acoplado, o par diferencial es un bloque constructivo
esencial en los modernos amplificadores integrados . Este circui to, representado en la Fig. 10-36 ya fue
citado en la Secc. 3- 12 en donde se puso de manifiesto que su funcionamien to se fundaba en la facultad
de construir elementos emparejados en un solo chip. También se vio que con pequeñas diferencias de
tensión VJ (4V r >jVJ Ien la FLg 3·3 3), el par diferencial se comporta como un amplificador lineal. En este
capítulo exa minaremos con mayor detalle su comportamien to a baja frecuencia.
En la Fig . 10-36 se ha incluido la resistencia de salida Rf: de [a red de polarización de la fuente de
corriente (Sec. 10-3). Como veremos próxima mente, esta resistencia juega un papel importante en la
actuació n. Supondremos que la corriente en Rf. es des preciable co mparada con la l EE' Obsérvese que no

•
R, R,
»,
J/ '1 '"I ""
QI Q2

v, v,

R,

••
Figura 10-36. Etapa acopladaenemisora par diferencial.
 Etapas amplificadoras basteas a baja fre cuencia 429

= =
se ha señalado ninguna R, OYque la resistencia de dispersión de la base I' h Opara nuestro an álisis de l
ampli ficad or difere ncia l. En la próxim a sección se trata rá de los efe ctos de es tos e leme ntos .

Modo diferencial
Para VI = V2 y sup oniend o 131' » 1, las co rrie ntes de co lector y de emisor de cada etapa so n ig uales
(le = 1l El). Todas es tas corrientes tienen mag nitudes iguales (aproximadame nte) a l EE./2 de bido a la simetría
del ci rcuito y a la despreciable corriente en RE'
Incrementemos ahora V en /). 1'/2 Y d ismi nuyamos simultá nea men te V 2 en /). 1'/2. Efectivamente
estamos aplicando una señal increm ental ó -n a B I y una señal -/).1,/2 a B2• La ten sión diferencial Vd =
V -V aum enta en /). 1'. Co n /). l ' <4V e l circuito funcio na linealmente co mo ind ica la característica de
tr~ns2ferencia para la Fig. 3-33 . (Estacaracterística de tran sferen cia es só lo una aproximación ajustada a
la situac ión qu e estamos viendo aqu í. ya que la Fig. 3-33 fue de sarrollada para Rf: -e oo.) Así. I C I crece /).
/c e /el disminuye en igual cuantía (el increment o de In =-/)./ r)' Como / e =11El los cambios e n / CI e l C2
apa recen también en los emi sores. En consec uencia, la corriente e n R" permanece inv ariable (el incremento
de corriente en Rf: es nulo) haciendo que la ten sión VEse mantenga asimi smo cons tante. Recuérde se que
en el anális is de pequeñ a señal las tension es constantes se reemplazan por co rtocirc uitos. Así, en nue stro
model o incremental cada emisor está a tie rra .
La situación que acabamo s de describir se conoce como modo dife rencial porque las señales de entrada
(,1. 1'/ 2) aplicadas a QI y Q2 son igual es y opu estas ex istiendo una señal diferen cial Vd' Para el modo
diferencial puede dibujarse el circuito increment al como en la Fig. 10-37a. Obsérve se que el modelo para
los transistores no está mostrad o ex plícitamente pero sí implícitamente debido al funcio nam iento incre -
mental. Ya que amb os lados del circuito son idénti cos sólo deberemos analizar uno de e llos. Es te co ncepto
de semi -circuito lo emplearemos en la pró xima sección pa ra a nalizar detalladamente el amplificador
diferencial.

Modo común
Considere mos que las dos ten siones VI y V2 aumentan en t.. 1,/2. La ten sión diferencial Vd permanece
nula , mientras que I n e I n son igual es. No obsta nte, como ex iste Rf: tanto una co mo otra experimentan
un pequeño incremento S I c' Nue vame nte aparece n en e l em isor los cambios de ' c y por tanto la co rriente
en REaum enta en 2 SIc. La ten sión VEya no es cons tante sino que debe aumentar en 2 SI c;RE' Es ta situación
en la que se aplican se ñales iguales a QI y Q2 se denomina modo com ún. El circuito eq uivalente
incremental está representado en la Fig 1O-37b. en la que va implícito que QI y Q2 se repres enta n por
SI/S modelos de peque ñaserial.
En la Fig. 1O·37b se ven dos resistencias, cada una de e llas de val or 2RE • La ten sión a través de cada
una es 2 SI!?!,: e igual es los ca mbios incrementales en VE: así. las dos resistencias e stán e n paralelo y 2RE
I12RE = RE' Como se ve en la figura las do s mitades del circ uito son simétricas y sólo será necesario anali zar
una de ella s. El equ ivalente de l modo común es el de una etapa en emisor común co n una re sistencia de
emisor.
Result a evidente en la Fíg. 10-37 que , dependiendo de la seña l de entrada. e l am plifi cador diferencial
actúa o bien com o etapa en emisor co mún o bien como etapa en e misor común con res istencia de emisor.
Por tanto la ganancia de esta etapa es notabl emente ma yor en el funcionamiento c omo modo diferencial
que como modo co mún. Normalmente los amplificadores diferenciales se diseñan de forma que a e fectos
prácticos sólo resulten amplificada s las señales diferencia.
Como anteriormente se ha señ alado varias veces. no pueden fabricarse en un chip condensadores
430 Microelectrónica moderna

v.,
v., +--~v.,

••
1

(,' (b'

Figura 10·37.Elconceprcde med io circuito: (a ) equivalente de pequeña señal y modo diferencial, y (b ) equivalente de pequeña
señal y modo comün del par diferencial. (Se sobreentiende que los transistores se sustituyen por su circuito equivalente incremental.)

gra ndes (de paso y acoplamiento), y por ello los circ uitos integ rados son generalmen te acop lados
directamente. Sin embargo , en muchos amplificadores diferenciales existe el efec to producido por los
condensadores de paso y de acop lamiento como consecue ncia de la simetría del circuito. La tensió n VE
permanece cons tante en el modo diferencial , y tal como se aprecia en la Fig. IO-37a , el emi sor es tá a tierra
para el análisis de peq ueña se ñal. As í. es como si RE est uviera con «bypass». Anál ogament e, la tensión
entre los dos colectores Vo l-V~l es nula en el modo común y es el doble de la variac ión de V"I (o V,) e n el
modo diferencial . Co mo la señal ap licada Ó. v puede hacerse posi tiva o negativa, la tensión Vo 1-V"1 puede
ser positiva o nega tiva (alrededo r de O V). Este es simp lemente el efecto prod ucido por un condensador
de acoplamient o.
También es difíci l, con cua lquier tecnología de integración, fabricar gra ndes resistencias, si bien e n la
Fig. 10-36 Re se represent a como una resistencia. esta res istencia normalme nte está fonnada por la
resistencia de sa lida de un espejo de corr iente (Fig . 10-22). En la Sección 14- 2 se tra ta rá de estas cargas
activas.

10-19. ANÁLIS1S DE AMPLIF1CADORES DiFERENC1ALES

El análisis del amplificador diferencial se basa en el concepto de sem i-circu ito citado en la Seco10-18.
Este método se vale de la simetría del circ uito tanto en el modo diferencial co mo en el modo común.

Ganancia A lJ.If del modo diferencial

Co nsideremos que se aplica una seña l VDM a la base de Q/ de la Fig. 10-36 Y que a 8 2 se le aplica
- VDM' En estas condiciones del circui to de la Fig. :O-37a es válido (con Ó. v/2 sustituido por VDM ) .
Empleandoel concepto de semi-circuito,es decir, analiza ndo sólo una mitad del circ uito, se llega al modelo
de pequeña señal de la Fig. 1O-38a. Este es el modelo de una eta pa en em isor com ún con R, I'~ O, Y = =
según la entrada Av en la primera columna de la Ta bla 10-3A.
 Etapas amp lificadoras básicas a baja frecuencia 431

B e
•
B • .
, V. B", V .
•
• vo' R, v.,
E
'. v. 2R,

~) ~)

Figura 10·38. Modelosde pequeña señalpara(al el modo diferencial,y (b) el modo común.

V"I
A/JM = - - = - (3"R c = ~1f",Rc ( 1086)
-
V/),I' r"

Co n VDM positivo, Vol = A oMV 1m y como se ve en la Ec. (10-86) , ADA! es negat ivo de forma que VOl está
defasada 180"respecto a V OM (Vol se ha invertido). Puesto que Q 2 está excitado por .VOM' V~l = - A O.lf VO M y
Vo2 est é en fase con V DM (V~l no invert ido).

Gan anci a A CM del modo común

Cuando se aplica una señal Vn , a ambas bases de la Fig. 10-36 (modo comú n) es válido el circuito de
la Fig. l 0-37bresultando el circuito equivalente de la Fig. 10-38b. Para este circuito la ganancia A CM (segú n
la entrada Ajen la segunda columna de la Tabla 1O-3A) será :

A CM = - V"-I ~ - (3"R c 1[0-871

Ve u 2({3" + l )Rf : + r"
Con Po » 1, y dividiendo por rl(, la Ec. (10-87) se convierte en
- If ",R c Re
ACM = = ~- 110-881
I + 21f",Rf; 2R"
para 2g",Rf » l. Como la misma señal se aplica a Q I ya Q2, tanto V"I como V~2 estén defasados 1800
respecto VnI'

Relación de rechazo del modo comú n

En principio el amplificador diferencial se dise ña para ampli fica r seña les diferenciales; por tanto se
requiere que A D..., » A CM' Una forma de valorar la actuación de un amp lificador diferencial es med iante
la relación de rechazo del modo comú n CMRR de finida como
OM
CMRR "" A 110-891
ACM

Combinando las Ecs. (10-86) y (10-88) resulta

CMRR = 1 + 2¡': ",R" = 2K..,R¡: 110-901
432 Microelectrónica moderna

Como puede verse en la Ec. ( 10-90) los grandes valores de la CM RR requieren grandes valores de RE
y frecuentemente se necesita emplear fuentes de corriente con resistencia s de salida altas. Obsér vese que
si RE-e "". la CMRR -e "". A CM :::: O y no aparece en la salida ninguna componente en modo común. Con
estas condiciones se ha trazado la caracterí stica de transferencia de la Fig. 3-33.

Salida para señales de entrada arbitrarias

En nuestros anter iores comentarios se supone la existencia de señales ya sean en modo común o en
modo diferencial. Esto no se ajusta a la realidad y raramente sucede en el mundo real. Sin embargo . las
seña les de entrada arbitrarias se pueden descomponer en compone ntes en modo común y componentes
en modo diferencial. Consideremos aplicada s a Q 1 Y Q21as señales VI y V1 respectivame nte. Este par de
señales se pueden representar como suma y diferencia de otras dos señales V/m y VO l O sea:
V2 = Vc ,\! - V/al

Despejando V011 YVOl de estas ecuaciones tendremos

VI V1
V IH I = C-'--;;c--'-" (I0 -9I a)
2

(I0-91b l

El efecto de esta descomposición está representado en la Fig. 10-39. Se aplica la superpos ición porque
el circuito actúa linealmente. La salida consta de dos componentes. una de ellas atribuida al parde fuente s
VOM y la otra al par de fuentes VOl" Así pues. una de las componentes de la salida es de bida a la señal de
entrada diferencial y la otra está producida por la entrada en mod o común. La ten sión de salida es
( 10-92a )

A m I( Vm l
+ Ve",)
CM RR ( 10-92h )

La Ec. ( 10-92h) demue stra la importancia de la CM RR si sólo hay que amplifi car se ñales diferencia les.
A medida que la CMRR aumenta. la componente de salida en modo com ún va perdiendo importancia.
La tensión de salida V,,¡ se expresa
V"2 = - A lJMVm t + A cMVcM il!)-93a )

- -A m I (V
- 11.11 -
Ve", )
CM R R (IO-93bl

Substituyend o las Ecs. (10-9 1) en las ( 10-92) y (10-93) se tiene

V"I = AmI (V + VI + V 2 )
2 .r CM RR ( 10-940 )

V" 2 ~
- AoM (V _V, + V,\ ( 10-94h )
2 J CM RR I

(2) Esto ~s 'em~jante a la descomposici6n de una función en sus panes par~s e imp,nes empleada en cak ulac¡'lIles y en '<Cr ies de Foune r.
 Etapas amplificadoras bdsicas a bqjafrecuencla 433

.v~

v~ }
v,
v••

- va
Flgur.l0.J9.Representación deseñalesarbilr. rias VI YV1en lascomponentes diferencial (VDM) Yde modo común(VCM)' Estos
se aplicana l. base del par diferencial.

Las Bes. (10-94) son una fonna alternativa de las tensiones de salida que figuran en la Hrerarura.
Obsérvese que la señal diferencia V~ aparece explícitamente.

Ejemplo 10-8

El amplificador diferencial de la Fig. 10-36 está diseñado con Re = 100 ill Y RE. = 500 leO. Los
parámetros de pequeña señal del translstor son P =10' Y8. =5.0 010. Se aplica a Q I una senoíde de 2
D

roV de tensión eficaz y no se aplica señal alguna (VI = O) a Q2. (a) Determinar la tensión de salida V101'
(b) Repítase lo anterior suponiendo que VI =OYque la senoide se aplica a Q2.

Soluci611

Debemos calcular AJ»I' AOf Ydescomponer la señal de entrada en sus componentes de modos común
y diferencial. Delas Bes. (10-86) y ( la-SS) se obtiene
- 5 x 100
AU M = - 5 x 100 = - 500 ACM = -;-C+--=2'-x-';5':'x':'-;5"0~
' O = - O. 10

(a) Con V1= O, lasEe s. (lO-91) dan VQM = VCM = V/2 = 1 mv. Con la Ec. (10-930) tendremos

V"' ~ -( -500)10 - ' + (-0 .10)10- ' ~ 499 mV - 500 mV

(b) Con VI = O, las Ecs. (10-91) dan VLUI = -(V.p.) =-1 mV y Vc...= V.p. = I mV. Nuevamente. con la
Be. (lO-93a) se tiene

VDI = - ( - 500)( -10 - ' ) + ( - O. IO)(IO- J ) "" - 501 mV ..... - 500rnV

De los resultados obtenidos en (a) y (h) es evidente que a efectos prácticos sólo ha sido amplificada
la señal de modo diferencial. Esto esla consecuencia de tener una CMRR = A DM I A cM = 5.000. Los
434 Mi croelectrón ica m oderna

fabricantes incluyen en sus catálogos el valor de las correspo ndientes CMRR expresados en decibelios
(dB). En este circuito, CMRR en decibelios = 20 lag 5000 = 74 dB.

En el Ejemplo 10-8 queda reflejada la situación corriente en la que sólo se utiliza un terminal de salida.
Análogamente, con frecuencia se aplica una sola señal de entrada. Vemos también en el resultado de este
mismo ejemplo que el defase de la salida respecto a la entrada de pende de cuál de las bases se excita.
Cuando la señal se aplica a B2 , Val está defasada 180" de VI' es decir, que se ha invertido y a B2 se le
denomina entrada inve rsora .
Las señales de entrada y salida están en fase cuando la señal se aplica a B I por lo que a ésta se le
denomina entrada 110 inversora. El valor de J3n = 10" puede alcanzarse con la combinación CC-CE (Fig.
1O~34b) YR = 100 kQ se logra con una carga activa (espejo de corriente).
c

Efectos de la resistencia de fuente

Los efectos sobre A OM y A CM de la resistencia de la fuente de señal puede exp licarse realmente por el
análisis del par en emisor acoplado. Supuesto que el circuito permanezca equilibrado (es decir. una
resistenciaR,está conectada aambosS , y Bl)e l análisis es idént ico al descrito en esta sección. Se modifican
los valores de Ao M y ACM para incluir R, y r, como dados en la Tab la 1O~3b . Sin embargo, lo más frecuent e
es que con los valores típicos se puedan despreciar sus efectos (R, S I OkQ Y r, "" 1OOQ). Empleando los
valores dados en el Eje mplo 10·,8 para que r" =I3j g", =2MQ, es ev idente que R, + rb S; 10,1 kQ es
des preciab le frente a r~ .

Resistencias de entrada y de salida

Las resistencias de entrada y de salida pueden ser identificadas para ambos modos, común y diferencial.
No obstan te, dos de ellas tienen un interés_ particular; la de salida en el modo diferencia l, R' nM ¡ y la de
~u

entrada en el modo diferencial R;mM

" ", J,
En el modo d iferencial R'"'OAl
.., J
es justamente R' o de la etapa en'em isor
común, es decir, Rc' Una advertencia: cuando Rc se deduce de una carga activa no puede presci ndirse de
la resistencia de salida r" del BIT sino que debe incluirse co mo se da en la Tabla 1O-3b.
La resistencia de entrada en modo difere ncial R ifOM) es la resisten cia vista por la señal diferencial V d'
es decir, la medida entre los terminales de base de Q I y Q2. Puesto que en el modo diferencial ambos
emisores están puestos a tierra, la resistencia de entrada es simp lemente la suma de las resistencias de
entrada de cada transistor, o sea:
R ¡WM) == 2r", (10-95)

10-20. AMPLIFICADORES DIFER ENCIALES FET

El par de fuente acoplada o amplificador diferencial se construye con MOSFET como se ve en la Fig.
10-40 (en amplificadores diferenciales, también se emplean los JFET). La estructura equilibrada de este
amplificador conduce a un análisis paralelo al del par de emisor acop lado descrito en la sección 10-18. La
ganancia del modo diferencial A DM es la ganancia de una etapa en fuente común (Tabla 10·5 ) y para la
etapa en fuente común con resistencia de fuente es la co lumna 2 de la misma Tabla 10-5 la que da la
gananciaA c Al en modo común. La relación de rechazo CMRR definida en la Ec. ( 1 0~89) es
 Etapas amplificadoras básicas a baja fre cuencia 435

v,, ~--1 1-- - . v"

v, o----J

FIgur a 10·46. Par acoplado por fuente.

CMRR ~
I + :!R s(l + ¡.tI
r,¡ + Ro
Para 1'<1 » Rv y 1..1 » 1, la Ec. ( 10-96) se reduce a
CMRR "" 1 + :!K",R s = :!g",R .~ ( (0-97)

Obsérvese que la resistencia 2R, se deduce del concepto de semicircuito emple ado para describir el
amplificador diferencial.
Para formar RD de la Fig. 10-40 se emplean cargas activas . frecuentemente MOSFET de deplexión.
De hecho, la mayor partede amplificadores MOSFET o JF ET fabricados en un chip em plean cargas activas
para conseguir valores de resistencia altos y conservando la superficie del chip.

10·21. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL (AMP-OP)

El amplificador operaciona l o Amp-Op es un amplificador directamente acoplado de gran gananc ia
que se emplea para llevar a cabo una gran variedad de funcione s. A veces se desc ribe como el circuito
integrado lin eal básico (IC) y muchos fabricantes encapsulan entre una y cuatro unidades idénti cas en un
solo chip. Aún cuando muchos Amp-Op compre nden la casc ada de un par diferencia l. etapa en emisor (o
fuente) común y seguidor de emisor (o fuente ). se emplea mucho como amplificador de una sola et apa.

Ulo----!-, UD = " .4 ,.u;

D, A~> O ~ -.<:J
u , e-----ot
- .
,.,
Figura 10·41. AmplificadorOperacional (Amp-Op). (u) s rmbo lo del circuit o, y (b) circuito equivalente.
436 M ícroelectronica moderna

El objetivo de esta sección es el de introducción a las configuraciones básicas del Amp-Op que vo lveremos
a encontrar en [os Cap.l l a 16. El Cap.14 está dedicado exc lusivamente a un exa men más detallado del
diseño interno v a varias de sus aplicaciones. En la Cuarta Pane se tratará de otros muchos circuitos en los que
el Amp-Op terma parte integrant e.
El diagrama esquemático del Amp-O p puede verse e n la Fig . 10-410 Ysu correspond iente circuito
equivalente en la IO-4Ih . En esta última figura se ve que el Amp-Op es una fue nte de tens ión gobernada
"o "i
por tensión. La tensión de salida es la señal diferencia = VI -"2' amplificada. Los signos - y + e n la
entrada del Amp-Op se refieren a los terminales de entrada inversor y no inversor. O sea, que si 1' 2 = 0 , "o
"o
est a defasado 180" (invert ido) respecto a la señal de entrada " ¡- Asimismo, si 1'1 = Ola sa lida y la entrada
"2 están en fase (no invertidos).

El Amp-Op ideal
El amplificador operacional ideal goza de las sigu ientes características:

1. La resistencia de entrada R; ---7 00 (circuito abierto) . Por tanto110 hay corriente en ningún terminal de
entrada.
2. La resisten cia de salida R = O.
3. La ga nanc ia de tensión A: ---7 e<>. La tensión de salida "o
= -A,Y; es finita (11'u1< e<». Así, cuando A,.
tienda a infinito se requiere que "; = O.
4. El amplificador responde igualmente a todas las frecuencias (el ancho de banda es infinito) .
5. "o
Cuando VI = "¡, = O indepe ndiente de VI 1 l. La inversa tam bién es cierta.
Ta nto para el Amp-Op ideal como para el práctico real se emplea el mism o símbo lo. Para disting uirlos
se ha indicado la gananc ia finita A" en el triángulo para el caso rea l y se ha omitido en el caso idea l (Fig.
10-42),
El circuito de la Fig. 10-420 es una etapa amplificad ora inve rso ra e mpleando un Amp-Op ideal.
Debido a que [a corriente de entrada es nula, existe la corriente I en ambas R 1 Y R¡. Además. ya que Vi =
Ose deduce que
1 V" V"
~
(1 0-981
R, R,
de donde

V" R,
A l' ~
(10-991
V, R,
En la Ec. ( 10-99) se observa que Aj.depende únicamente de la relación de resistenci as. Recuérdese que
en la fabricación de circuitos integrados, se puede controlar la relación de res istencias con mucha más
prec isiónque los valores individual es'de cada res istencia. Además. al díseñar el circ uito se puede conseguir
la ampl ificación deseada para una aplicació n dada controlando los valores de resistenci as exteriores al
dispositiva amplificador. Esta es una de las propiedades del sistema de rea limentación comentado en la
scc. 12-3. (Obs érvese que Rl provee la realimentación desde la sa lida a la entrada.)
El Amp-Op se usa a ma nera de etapa amplificadora no in versora en el circuito de la Fig . 1O-42b (la
Fig . 10- 42c corresponde al esquema de un circui to alternat ivo). Para hacer que en la Fig 1O-42b, V. = 0,
se requiere que '

v, o (10-1001
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 437

Despejando suponiendo que Av ::: V.lV, tendremos

R,
::: 1 + (10-101)
R,

R, [i
_ v, _o+ '. " -• '. '.
. I -
• R,

" " R,

(.,
~

(h) ('1
Figura 10·42. (a) Etapade Amp-Op inversora. (b. e) Dosesquemas de etapade Amp-Opno inversora,corrientementeempleados.

La Ec. ( 10- 101) indica una vez más que la realiment ación proporcionada por R, hace que Av dependa
s610 de la relaci6n de resistencias R/R I • -

Sien la Fig. IO-42hacemos R2 ::: O.Av ::: I (y la resistenciaR, es innecesaria). Esta etapa (representada
en la Fig. 1043) se denomina de gananciaunidad o seguidora de tensión ya que tiene resistencia de entrada
infinita (al ta) , resistencia de salida cero (baja) y ganancia unidad. Obsérvese que este circuito tiene
propiedades casi idénticas a las de los circuitos seguidores de emisor y de fuente descritos anreriormeme.
Vamos a demostrar que las etapas del Amp-Op se aproximan mucho a las siguientes.

Etapas Amp-Op inversoras prácticas

LaFig. lOMa representa el circuitoequivalente de una etapa inversora empleando Amp-Op prácticos.
'*
Para demostrar los efectos de las desviaciones respecto al ideal (R¡<oo, A. <00, R" O) hallaremos el
equivalente de Thevenin de la etapa vista por la resistencia de carga R" Primeramente reemplazaremos
la fuente VI y las resistencias R, y R, por un equivalente de Thevenin como el indicado en la Fig. 1O-44b.
La fuente equivalente es V ,R/{ R¡ + R,) y la resistencia equivalente R, 11 RI • Obsérvese que cuando R i »
R I como es 10 usual, estas magrntuoes se reuucen a VI y R I respecuvamente. A st pues el efecto de la
resistencia de entrada del Amp-Op puede despreciarse supuesto que R,»R I • En lo que resta del análisis
supondremos que este es el caso,
En la Fig. IO-44h
V.. ::: - A,.V; + IR" 110- 1021
y
(10-103)

Flgur. 10·.U . SeguKlordetensión.

438 Microelectrónica moderna

Aplicando la ley de Kirchhoff

~Vl + ¡(R I + R! + R,,) - A"Vi = O (J0-104)

Combinandolas Ecs. (10-102) a (10-104) y despejando V jV, tendremos

V.. - A ,.R! + R"
A l' = - = ([O-lO S)
V, RI(I + A,,) + R! + R"
Obsérvese en la Ec. (10-103) que si A,,» 1 y A"R, » R2 + R~, Al' tiende a ~R/Rl ' Si Aves suficiente-
mente grande Al' tiene el mismo valor que en el caso ideal. El efecto de R" es despreciable (Al' es
independiente de R) siempre que A,.R , y A"R2 sean cada una de ellas mayor que Ro' Podemos llegar a la
conclusión deque si Aves muygrande, latensión deTheveninA"V, = - R2V/R I yes virtualmente independiente
de las desviaciones respecto al idealdel Amp-Op.
Para hallar la resistencia de Thevenin RT (resistencia de salida de la etapa vista por Rt ) calcularemos
la corriente de corto-circuito Jj. Para RL = O(cortocircuito) la corriente l,~ en la rama R I -R 2 es
V,
lA = (10·106)
RI + R!

-------------- - - - - - - 1
R, '

+
V, R, R, R,
-A, v,
+
_ _ ___ __ __ _ _ __ __ _ ____ J

(ti) (b)

Figura 10-44. {al Circuito equivalente de etapa inversora no ideal de Amp-Op. (b) El mismo circuito habiendo sustituido V. R J Y
Ri por su equivalente de Thevenin R' ( V' 1"

y la corriente lBen R" es

- A"Vi
/ 11 = - -- ( 10-107)
R..
Combinando las Ecs. (10-106), (10-107) Y( 10-103) con V" = Ose tiene:

IIO-IOS )

de donde
(R I + R ! )R"
110-1091
+ A ,.) + R ! + R"

El valor de RT; es significativamente inferior que R". En la forma de la derecha de la Ec. (10-109) el
nomeradores e, 11 (R , + R!) loquees menorque R". Esta resistenciaestá divididapor un términopositivo
elevado (para A,. » 1)Ypor tanto RT -e Ocuando A,. ---) oo.
 Etapas amplificadoras básicas abaja frecuencia 439

Ejemplo /0· 9

Se d iseña una etapa Amp -Op inve rsora con R =5 ka . R z = 10 kO y RI- = 100 0 . El Amp-O p tie ne A,
I
=5 x 10'. R" = SOO n yR, -e _ : (a ) Determinar la tensión a través de RL para una seña l de e ntrad a de 1j V
de tensión e ficaz. (b) Repetir lo anterio r suponie ndo qu e se trat a de un Amp-Op ide al.

Sol"dó"

(a ) El equivalente de Thevenin de la etapa viene dad o por las Ecs. (l O- lOS) y ( 10- 1()9). Haciendo
operaciones nu mé ricas tendremos

- 5 x 10~ x 10 + 0.5
A V = x 1.5 = - 1.9998 V
,-, 5( 1 + S x 1O~ ) + 10 + 0 .5
(5 + 10)0.5
5 x I O~ ) + 10
Empica ndo e l eq uivalente de Theven¡n. la ten sión a través de R~ es
RL lOO
Y = A "Y I X ( - 2.999X ) = - 2.999 = ~J. O V
" R,. + R" 100 + 0.027

(b) En e l Amp-Op ideal. la ten sión a través de RL es si mplemente Al V. o V = -(R/ R.) VI = -I 10/5 ) 1.5
H

= ·3.0V.
Es tos resultados indican que co n los valo res co rrientes de Al y d e R" la d ifere ncia e ntre los valores
reales y los idea les e s desprec iab le .

La etapa no inversora práctica

La etapa no inversora práct ica (Fig . 1O-4S) se anali za en idé ntica form a q ue la elilpa inve rsora . El va lor
de Al' viene dado por la Ec. ( 10- 110) Ye l de R r por la ( IO~ 109 ) ad mitiendo q ue R, --) ee.

A,.I R I + R ~l
( 10- 1101

•
" . R•
•

R,
'.

F1guu 10-45. Cin;uiloequivalenle de etapa de Amp-Opno ideal y no inversora.

440 Microelectrónica moderna

El objeto del Probo10-83 es precisamente la comprobación de estos resultados. De las Ecs. (10-110)
y 00-109) se llega fácilmente a la conclusión de que la etapa no inversora se aproxima mucho al caso
ideal cuando A,. es muy grande.

\0-22. APLICAC IONES ELE MENTALES DEL AMP-OP

En esta sección introduciremos varios circuitos básicos de amp lificador operacional muy empleados
en la amplificación de sistemas y señales.

Amplificador sumador
La disposició n de la Fig. 10-46 puede emplearse para obtener una salida que sea co mbinación lineal
de un cierto número de señales de entrada. Como en la entrada del Amp -Op existe una tierra virtual
tendremo s
e,
=-+ + -1:"
R, R"
y
1).. = - R'¡ = _(R'R, u , (lO-l I la)

= R". entonce s
R'
1).. = - R
1
( VI + 1:2 + . .. + VII) uou r»
....!.- R'

R,

Figura 10-46. Amplificador sumador inversor.

x

Figura 1047. Amptificador sumadorno inversor.

 Etapas amplificadoras básicas a baja f recuencia 441

y la salida es proporcional a la suma de las entradas.

Naturalmente, se pueden emplear muchos otros procedimientos para combinar señ ales. El método que
estamos comentando tiene la ventaja de que se puede extender hast a un número muy elevado de entradas,
necesitándose tan sólo una resistencia adiciona l por cada entrada adicional. El resultado depende, en el
caso límite de una gran ganancia, sólo de las resistencias involucradas, y debi do a la tierra virtual hay una
mínima interacción entre las fuentes de entrada.

Suma no inversora
Se puede obtener una sumadora cuya salid a sea una combinación linea l de las entradas sin cambio de
signo empleando el amplificador no inversor. En la Fig . 1O~47 podemo s ver tal sumadora. Según la Ec.
(10-10 1) la salida viene dada por

v" == ( + RR')
l V+ =
(R +R R') V+ ( 10-112)

en donde la tensión en el tenn inal no inversor v • se halla por superpos ición. Por eje mplo, la contribución
a v, debida a 1" 2 es v'.¡r p / (R'2+ R'P2) siendo R' 2 1a combinación en paralelo de todas las resis tencias
unidas al nudo no inversor excepto R' 2; es decir, R' 2 = R' 1 11 R' l 11 R' 4 11 11 R' ~.
Con 11 resistencias iguales de valor R'2cada una~
R;/(II - 1)
( 10-113)
R; + R; /(I/ - \)
"
y

v .. = -1 (V "I + V! + . . . + VII' ) (10-1 14)

n

La salida viene dada por las Ecs. (10-1 12) Y(10-114) .

Es posible efectuar adiciones y sustracciones simultáneamente con un solo amp lificador operacional
sustituyendo la resistenciaR de la Fig. 10-47 por las n resistencias y tensiones de entrada de la Fig. 10-46.
Nuevamente se determina por superposición la contribución a Vo de cualquiera de las tensiones de entrada.
Hay que resaltar que cuando se está considerando una de las tensiones vt. 1'1' " v~ el terminal de entrada
positivo está efectivamente a tierra (si se puede despreciar la corriente de polariza ción ). Análogamente,
si se está considerando una de las tensiones 1" l. v' 2"" 1" o. la R de la Fig. 10-47 representa la combinación
en paralelo de R I , Rr .. Ro'

Convertidor de tensión a corriente (amplificador de tr anscond uctancia)

Frecuentemente se desea convertir una señal de tensión en una corriente de salida proporcional. Esto
es necesario, por ejemplo, para la excitación de una bobina de deplexi ón del tubo de un televi sor. Si la
impedancia de carga no tiene ninguno de sus extremos a tierra (si está flotant e), el simple circuit o de la
Fig. 10-46, con R' sustituida por la impedancia de carg a ZLconstituye un excelente convertidorde tensi ón
a comeme. Con una sola entrada, \'1 = v,(t),la corriente en ZLes
. v.,(t)
/L = - - (10-1 15)
R,
442 Mtcroetearonico moderna

Obsérvese que i es independiente de la carga ZL debido a la tierra virtual de la entrada del Amp-O p.
Puesto que la misma corriente circula Dar la fuente de señal y por la carga es necesario que la Iueme de
señal sea capaz de suministrar este corriente de carga. Por otra parte. el amplificador de la Fig. 10·480
necesita muy poca corriente de la fuente de señal por la resistencia de entrada muy elev ad a vista desde el
terminal no inversor.
Si la carga Zl está a tierra puede emplearse el circuito de la Fig. 104gb. En el Probo10·88 veremos
que si R ¡R~ =R'/R. tendremos
L-.(II
11 0·11 6 )
R,

Convertidor corriente-tensión (amplificador de transr esistencia)

Las fotocélulas y tubos fotornultiplicadores dan una corr iente de salida indepe ndiente de la carga. El
circuito de la Fig. 10-49 corresponde a un Amp-Op empleado a manera de convertidor de corriente a
ten sión. Deb ido a la tierra virt ual en la entrada del amplifi cador, la corriente R, es cero e i, circula por la
resistencia de realimentación R' .
La tensión de salida es I'~ = -(R', Hay que tener en cue nta que el límite inferior de la corriente en este
circui to lo fija la corr iente de polarización de la entra da inversora. Es frecuente co locar un cond ensador
C' en paralelo con R' a fin de reducir el ruido de altas frecuencia s y la posibilidad de que se prod uzcan
oscilaciones. El convertidor corriente-tensión constituye un excelente med idor de corriente ya que es un
amperfmetro con tensi ón nula a través del medid or.

R
-, z,
"
•
R, R,

z,

(" (b,

FIRura 10·48. Cc nvertidor rensién-corrieme para (al carga flotante, y (b) carga aliena.

e'
" - -:
¡ - 1r-
: R' :

'.
¡:::---:r-+-t""!~-JL ,,. "- I,R'
'.
F1llur a 11-49. Convm)dorcorrienle-lensión.
 Etapas amplificadoras básicas a baja frecuencia 443

Integradores
Si en la Fig. 10-42a se sustituye la resistencia R, por un condensador e, como se indica en la Fig.
= =
10-50, el circui to actúa como integrador. En esta última figura i¡ I'jR 1 e ic C(dvjdt); puesto que no
entra corriente en el Amp-Op, i l = -ic Luego
v, = _ e dv"
RI dt
integrando y despej ando \'"

v" = _ _ 1_
R 1C
f "., di ( 10· 117)

y por tanto el amplificador da una tensión de salida que es proporcional a la integral de la tensión de
entrada.
Si la tensión de entrada es constante, 1', = V, la salida será en rampa , "" = -VI/Rle. Un integrador como
éste constituye un circuito de barrido adecuado para el tubo de rayos catódicos de un osc iloscopio y recibe
el nombre de integrador Mil/er o barrido Mil/el'. El ci rcuito de la Fig. 10-50 es el de un integrador ideal.
el integrador práctico será tratado en la Secc. 16-6.
e

Figura lO-SO. Circuitointegrador Amp-Op.

REFERENCIAS

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York,1984.

7 Soclof S.: "Analog Integrated Circuit s," Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J., 1985.
444 Microelectrónico moderna

TEMAS DE REPASO
10-1. Dibujar un circuitode polarización fija y explicar por qué no resulta satisfactorio si se sustituye el transistor
por otro del mismo tipo.
10-:' ¿Qué se entiende por campo dinámico?
10-3. Explicar porqué la corrientede colector en reposo debe ser esencialmente independientede las variaciones
de PF para lograr estabilizarla polarización.
10-4. (a) Esbozar el esquema del circuitode un espejo de corriente.
(b) Explicar brevementecómo funciona este circuito a manera de fuente de corriente.
10·5. ¿Qué efecto tiene la tensión Early V" sobre la corriente de salida de un espejo?
10-6• . (a) Dibujarel circuitode una fuente de corriente Widlar
(b) Cítense dos ventajasdel circuito Widlar.
10-7. Repetir el tema 10-6 para una fuente de corriente Wilson.
10-8. (a) Dibujar la red de polarización de cuatro resistencias.
(h) Explicar brevementecómo actúa esta configuración para mantener Iq¡ constante al variar Pf"
10-'. Explicar la funciónde: (a) un condensadorde acoplamiento. y (b) un condensador de paso.
lO-lO. Cftense tres causas de variaciónde la corriente de colector en un circuito de componentes discretos.
10-11. Un transistor se excita con una corrientede base senoidal grande. cuyo valor supera el de reposo Iso para O
S rot <x y es menor que Iso para n: S ex < 2n:. Las variaciones de la corriente de colector alrededor de ICQ
¿son mayores cuando rot::: 1C/2 o cuando rot::: 3 rr./2? Explíquese la respuesta con el auxilio de una
construccióngráfica.
10-12. Esbozar el esquema del circuito de una fuente de corriente MOSFET y explicar brevemente su funciona-
miento.
10-13. Explicar cómo la red de polarización de cuatro resistencias tiende a minimizar las variaciones de IDO
motivadaspor los cambios de uno a otro FET.
10-14. Explicar las diferenciasentre iD' id' ID e Id'
10-15. (a) Para un carga acopladapor capacidad. la carga en continua ¿es mayor o menor-que la carga en alterna?
(b) Mostrar el efecto de la carga acoplada capacitivamente basándose en las rectas de carga estática y
dinámica.
10-16. Relacionar (a) g"" (b) rJl y (e) r.. con la corriente de colector en reposo I co'
10-17. Calcular las cantidades del tema 10-16 para un transistor a temperatura ambiente siendo I co ::: 0.5 mA y
teniendo V,,::: l20V.
10·18. Dibujar el circuito equivalentea baja frecuencia de una etapa en emisor común.
10-19. Repetir el temaanterior para: (a) una etapa en colector común. y (h) una etapa en base común.
10·20. ¿Cuál de las configuraciones (CE, CB, Ce) tiene: (a) la mayor R¡. (b) la menor R,~ (e) la mayor Ro, (l!) la
menor Ro.(e) la menor AvY (/) la menor A¡?
10·21. (a) Comparar los valoresdeAV'A¡>R¡y Rode una etapa en emisor común con resistencia de emisor REcon
los de una simple etapa en emisor común.
(b) ¿Qué ventajas se derivan del empleo de tal etapa?
10-22. (a) Dibujar la cascada de una etapa en emisor común y una etapa en colector común.
(b) ¿Cuáles son lagananciade tensióntotal, la resístencíade entrada y la resistencia de salida de lacascada?
10·23. Se desea un amplificadorde gran gananciacon grandes resistencias de entrada y de salida. Si se emplea una
cascada de tres etapas ¿qué configuraciónconviene a cada una de ellas? Explfquese.
10-24. (a) ¿Cuál es la resistenciade carga efectiva de una etapa interior de un amplificador en cascada?
(b) ¿Cuál es la resistenciade fuente efectiva de tal etapa?
10-25. (a) Dibujarelcírcuíto de un seguidor de emisor empleando un par conectado Darlington.
(b) ¿Cuál es la ventaja del par Darlington?
10-26. (a) Esbozarel esquema del circuito de un amplificador cascodo.
(h) ¿Cómo se equiparan Av y Al de este circuito con los valores correspondientes de una etapa en emisor
común?
10·27. Dibujar el esquema del circuito de un par de emisor acoplado (diferencial).
10-28. (a) Definirel modo diferencial.
(h) Definir el modocomún.
 Etapas amplificadoras básicas abaja fre cuencia 445

(e) Dibujar el semi-circuito equivalente de los apartados (a) y (h) .

10-29. Definir la relación de rechazo del modo común.
lO-3D. Escribir una ecuación para la tensión de salida de un amplificador diferenc ial en función de CM RR. de la
ganancia diferencial AOM ' y de las señales de entrada en los modos comú n y diferencia!.
10-31. ¿Dentro de qué campo de diferencias de tensión Vdactúa linealmente el par de emisor acoplado?
10-32: Dibujar el modelo de baj a frecuencia de (a) la etapa en fuente común, y (h) la etapa en drenaje común.
10-33. Se debe construir un amplificador FET de gran ganancia y resistencia de salida baja. Si se emplean cuatro
etapa s:
(a) ¿Cuál es la configuración de cada una de ellas?
(h) ¿Cuál es la ganancia total?
10-34. Cítense cinco propiedades del Amp-Op ideal.
10-35. (a) Dibujar el esquema del circuito de una etapa Amp-Op no inversora. e indicar su circuito equ ivalente.
(h) ¿Cuál es la ganancia de tensión de esta etapa?
10-36. Repetir el tema anterior para una etapa no inversora.
10-37. (a) Dibujar el esquema del circuito de un integrador .
(h) Deducir una expresión que demuestre que la salida es proporcional a la integral de la entrada.
 TI TI
Respuesta en frecuencia
de los amplificadores

Las señales utilizadas en muchos sistemas electrónicos necesitan ser amplificadas con un mínimo de
distorsión. En estas condiciones los dispositivos activos involucrados deben funcionar linealmente. por
Jo que hay que aplicar los criterios de pequeña señal. El primer paso para el análisis de estos circuitos
consisteen emplear un modelo lineal para sustituir al real. Luego ya es cuestión de análisis determinar las
características de transmisión de la red lineal.
En el Cap. 10ya enfocamos la cuestión del funcionamiento a baja frecuencia de las etapas amplifica.
doras. Para ello consideramosquetanto las capacidades internas de los transistores como loscondensadores
exteriores de acoplamiento y de paso, si los hay.tienen unefecto despreciable en cuanto al funcionamiento.
Sin embargo. se exige a los amplificadores que trabajen dentro de un amplio campo de frecuencias. El
limite inferior deeste campo puedeser en continua (etapas directamente acopladas) o de unos pocos hertz
y el límite superior puede llegar a ser de varias decenas de megahertz. El estudio de amplificadores de
banda ancha se vio estimulado por la necesidad de amplificar los impulsos que existen en sistemas
de comunicación tales como la televisión y el radar. Al hacer el análisis de amplificadores en un campo
de frecuencias tan amplio hay que incluir las capacidades antes despreciadas. Puesto que la reactancia
capacitiva varía con la frecuencia,las características de transmisión de los modelos lineales dependen de
esa frecuencia. La ganancia del amplificador depende de la frecuencia de la señal de entrada lo que puede
dar una señal de salida con distorsión en frecuencia. En este capitulo veremos cómo una señal de entrada
de bajo nivel conteniendo muchos componentes de frecuencia desde cero (continua) hasta unos pocos
megahertz se puede amplificar con una distorsión mínima.
Al enfocar esta cuestión investigaremos primeramente la respuesta de amplificadores BJT"y FET de
una sola etapa. Los amplificadores de múltiples etapas se tratan relacionando la respuesta global con la
respuesta en frecuencia de las etapas componentes. Se han desarrollado métodos para evaluar aproxima-
damente esta respuesta en frecuencia.
Los amplificadores integrados. que invariablemente están acoplados directamente, tienen su campo
limitado a las frecuencias altas debido a las capacidades internas del transistor (CK y ell en un BIT). Las
etapas de componentes discretos están también limitadas a bajas frecuencias debido a los condensadores
de acoplamiento yde paso utilizados. Portanto trataremos primeramente delcomportamiento de las etapas
simples y múltiples a alta frecuencia y luego veremos sus limitaciones a baja frecuencia.

11·1. CARACTERÍSTI CAS DE RESPUESTA EN FRECUENCIA

La aplicación de una señal senoidal de bajo nivel a la entrada de un amplificador da una onda de salida
también senoida1. Sin embargo, con unaexcitación no senoidal. Jaonda de salida no es una réplica exacta
de la señal de entrada ya que los componentes de la entrada a distintas frecuencias se amplifican
448 Mtcroetectronico moderna

diferentemente. Cuando los efectos de los elementos internos capacitivos, o cuando el circuito exterior
(condensadores de acoplamiento o las impedancias de carga) tienen una componente reactiva, la gananc ia
A = A L e es un número comp lejo.Tanto el valor deA como el ángulo de fase e dependen de la frecuencia
de la excitación. En lo que resta del texto utilizaremos los símbolos A y e citados. La característica de la
respuesta en frecuencia de un amplificador es la representación gráfica de la ganancia y fase en función
de la frecuencia. Invariablemente, para representar la respue sta en frecuencia se emp lea el diag rama de
Bode. El gráfico asintótico de Bode constituye una aprox imación adecuada de esta característ ica.

Consideraciones sobre fidelidad

Las siguientes consideraciones sugieren un criterio que puede utilizarse para com parar dos amplifica-
dores en cuanto a su fidelidad al reproduc ir la señal de entrada. Cualquier onda arbitraria de importan cia
en ingeniería puede reducirse a la representación del espect ro de Fourier. Si la onda es periód ica se tendrá
una serie de senos y cosenos cuyas frecuencias serán todas múltiplos enteros de la frecuencia fundamental.
Esta frecuencia fundamental es la inversa del tiempo que transcurre antes de que la onda se repita a sí
misma . Si la onda no es periódica el período fundam ental se extiende desde menos infinito hasta más
infinito. En este caso, la frecuencia fundamental es infinitamente pequeña: las frecuencias de los sucesivos
términos del espectro difieren de una cantidad infinitesimal en lugar de finita y la serie de Fourier se
convierte en una integral. El cualquier caso, el espectro comprende térm inos cuyas frecuencias se
extienden, en el caso general, desde cero a infinito.
Consideremos una seña l senoidal de frecuenci a angul ar ro repre sentada por V", sen (rol + $). Si la

~,, (I ), v

20
8 I',,{ I) '" sen 00/ + sen 200,/

1.5 o l' {I)'" sen ro t + 0.75 sen 200I

" " "

1.0
o
0.5
r \

- 2.0

Figura 11-1. Distorsió n de amplitud y de fase. La amplitud de la onda 2 difiere de la onda 1; además. la ca racterística de fase de
las ondas [ y 3 son distintas.
 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 449

ganancia de tensión del amplificadorvale A y la señal sufre un cambio de fase (retraso angular) ela salida
será

Así pues, si la amplificación A es independien te de la frecuencia y el desplazamiento de fase e es

proporcional a la fr ecuencia (o es cero) el amplificador conservará la fo rma de la se ñat de entrada , si
bien desplazada en el tiempo (retrasada) en una cuantía e/ro.
Las ondas de la Fig. 11-1 muestran la distorsi ón resultante cuando la amplificación de los componentes
de distintas frecuencias no es uniforme. Cada una de las tres curvas de la Fig. 11 -1 es la onda de salida de
un amplificador excitado por la tensión O, I sen root + 0,I sen 2 000 t. La curva de trazos corresponde a un
amplificador de A = 10 Y8 = {)Q a las dos frecuencias f 0= roj21C y 2f o' La tensión de salida Vo = 1,0 (sen
. .
ro t + sen 2m t) es una réplica de la señal de entrada.
Lacwva señalada con Wl 2 ocurrecuando A = 10 con f oY A = 7,5 con 2fo Y 8 = {)Qen ambas frecuencias.
.
La salida es v, = 1,0 sen mo t + 0,75 sen 2 mo t. En la tercera onda v, =1,0 sen root + 1,0 sen (2 mo t - 30\1) Y
es el resultado de la introducción por parte del amplificador de un desfase de - 3{)Q a la frecuencia 2Ic'
Se aprecia claramente la distorsión debida a las variaciones de A y de 8 con la frecuencia. La situación a
laque varían tanto A como 8 con la frecuencia, como es el caso de la mayoría de amplificadores prácticos,
será el objeto del Prob.ll-I.
Estos comentarios sugieren que la cuantía en que la respuesta en amplitud del amplificador no es
uniforme y.el retraso de tiempo no constante con la frecuencia puede servir como medida anticipada de
la falla de fidelidad. En principio no es necesario especificar las respuestas de amplitud y de retardo, ya
que en casi todos los circuitos prácticos ambas están relacionadas y especificando una de ellas queda
también especificada la otra. Sin embargo, se pueden dar casos particulares en que el indicador de
distorsión más sensible sea una u otra de las respuestas.

Respuestas en alta frecuencia

Consideremos el circuito de la Fig. 11-20. El condensador CM' como se demostrará en subsiguientes
secciones, es el efecto de las capacidades internas del dispositivo amplificador (C. y C~ para el BIT; C••
YCp para el FET). En la Fig. 11-2b puede verse la representación frecuencia-compleja ' (plano s) del
circuito de la Fig. 11 .2a.
En la Fig. 11-2b, Z =R; 111/ S CM =R/ ( I + sRP,") y de la relación del divisor de tensión
Z R¡
V, = V. = (I 1-1)
R. +Z R. + R¡ + sCMR¡R.
como Vo = - g",RL VI' sustituyendo en la Ec. (11-1) tendremos

(11-2)

y dividiendo por R; + R .:
- g",RL.R,.J(R. + R,.)
(11-3)
+ sCMR.R,.J(R. + R;)

(1) En los Aptndic<:s C2 y C5 se comer ua la Frecuencia compleja !

450 Mtcroe íectr ónica moderna

(11 ·4)

Obsérvese en la Ec. (11-4) que al crecer la frecuencia f de excitación disminuye A,w; fina lmente A I'H ~ O
a medida que J~co . As ismismo eHrepresent a un ma yor des fase en retra so al aumentar f . Conf= A I'H i;
= A vo l V'2 "" 0,707 A V/I. Expresado e n decibelios- esto cor responde a una reducci ón de A VH de 3 db del va-
lor de A VII recibiendo fH el nombre de f recuencia superior de 3 db. Como la potencia es prop orcional al
cuadrado de la tensión, A VH = A VII/ V'2 corresponde a un nivel de pot encia a la frecuencia f = I« igual a la
mitad de la potenci a af= O. Por ello alH se le denomina también ji'ecuencia superior de media potencia,

R,

R. I ,. v, v" v,
, R,
v"
c" se" N,

(bJ
(u}

Z = R,II-
,
., C.\1

Figur a 11·2 . (u) Circ uito paso bajo. ( h ) Re presenta ción de \/./)en el ca mpo de frecuencias {plano- s I.

Frecue ncia relat iva

0. 1
O O

-, - 1S

•o -'O
~
_,,,,¡¡_Magnill~"~~il!:=1 - 30
.,
>

~
-e
s•
- 1S
relaliva
. s
,
,• ~

••
~

- 20 -óO
"
~

- 2S I - ]S

- JO
:==Re¡¡1 - 90
Figura 11· 3. Diagrama nonn alizadode Bode de la función de uansferen cia de l circuito de la Fig. 11 -2b.

La carac terística de respuesta en frecuencia dada en la Ec. ( 11- 5) está representada en el di agrama de
Bode de la Fig. 11-3. Las curvas a trazos indican los valore s reales y las de trazo continuo corres ponden
al diagrama asint 6nico de Bode. Obsérvese qu e el eje de frecuencias se refiere al!!H ' y el de gananc ia a
AI'f/A\'fJ' Este circuito funciona como sistema de paso bajo porque como se ve en el diagrama de Bode las

(2) L.a ganancia de lensión u presada e n de<:i belil>S n 20 log Av

 Resp uesta en frecuencia de los amplificadores 451

frecuencias por debajo de f l! se transmiten con una atenuación mín ima; y las superiores a f H sufren una
atenuació n.
Con los valores típicos de los parámetro s que se dan en las etapas ampli ficadoreas prácticas (CM::::
lOO pF , R.. :::: R, :::: I kQ),fH:::: 8MHz. Evidentemente, al aumen tar (o disminuir) R¡ y R, (o CM ),fHdecrece
(o aumenta) .

Respuesta en baja frecuencia

El circuito de la Fig.I I-4 representa una etapa amplificador a en la que l/sCe representa la impedancia
del conden sador exterior de acop lamiento (C8 en I.a Fig. 10-12 o Ca para una etapa FET) . De la Fig. 11 -4

V ,-_ R;V,
R , + R ¡ + 1IJ'Cc

(11-5)

La Ec. (11-5) se puede replantear como:

_ + R;)
- g",RLR¡I(R,
A VL (s ) - ( 11-6)
I + 11 sCdR, + R ¡)
I
R, ICC
" -- -"

v,

Figura 11-4. Representacióndelcircuitopaso-alto.

La frecuencia angular roL es la inversa de la co nstante de tiempo del circuito C,. (R, + R) (esto es la
resistencia equivalente vista desde Ce) y a s::::1'OOL' l/roL Ce :::: R, + R,. Obsérvese que A yL(s) --) A 1'0 cuando-
s:::: 1'00--)00. Cuando 00--)00 la reactancia de Ce tiende a cero, condición en la que el efecto de los
condensadores de acoplamiento es despreciable . Con s :::: 1'ro la magnitud y la fase de A1 'L Uro) son:
A , :::: A 1' /1 _ ' 1 JI.
\1. V I + (J 1/!)2 fJ¡, - tan J ( 11-7)

En la Ec. (11-7) se observa que Al' tiende a cero cuando lo hace f L e indica la atenuac ión a baja
frecuencia. Este tipo de resp uesta es la ae un sistema pa so alto como se ve en el diag rama de Bode de la
Fíg. 11 *5. f L es ísfrecuencia inf erio r de 3 dh o de m edia potencia . Con los valores típicos corrientes (Ce
:::: IjlF, R, :::: R;:::: 1 kQ) roL:::: 500 rad/s y Ic : : 80 Hz. Evidentemente al aumentar (o disminuir) Ce
disminuye (o aumenta) f e

Respuesta tota l
El circuito de la Fig. 11 -6 contiene tanto un dispositi vo capacitativo e como un condensador de
"
452 Mtcroetectronica moderna
Frecuencia relativa f/f,
0.1 0.2 (l.5 1.0 20 5.0 10

- 5 h:!!=8:.~=:¡¿. 75

60

Figura 11·5. Diagramanormalizadode Bodede la funciónde transferenciade! circuito de la Hg. 11-4.

°
acoplamiento C e' Del razonamiento anterior se desprende que la respuesta del circuito queda limitada en
las dos frecuencia s, baja (Ce) y alta (CM)' Sin embargo, f L y f H están muy separadas como se desprende
de los valore s típico s indicados. En consecuencia, las frecuencias en las que C e y CM influyen sobre la
respuesta son completamente dispares. En la Tabla 11-1 figuran las reactancias de CM y de Ce a varia s
frecuencias basadas en los valores numéricos dados anteriormente.

.
1
R, ICe

• ,---,
r-, R,
" C:./

Figura 11·6. Círcuítcen el que la respuesta queda limitadá tanto para altas como para bajas frecuencias.

Tabla 11·1. Re actancias de Ce y CM a varias frecuencias

Frecuencia angular (rad/s) 50 0 5 x 10' 5 x te' 50 x 10·

Reacrancia de Ce = lmF (W) 2K 200 0.20 0.02
Reactancia de CM = 100 pF (W) 50M 2M 5K l OO

La resistencia en serie con Ce es R. + R¡ = 2 kO . Como puede verseen la Tabla 11·1, con ro» lOooL =
5 X :i0} rad/s, la reactaneia de Ce es despreciable comparada con 2kQ (recuérdese que 2000+}200 2000). =
O sea qu e con ur ~ 5 x tü'rad/ s puede prescindirse del efecto de Ce' Análogamente, para w Sw HIIO-
=
5 Mrad/s la reacrancia de CM es mucho más grande que R s 11 R¡ 500 n , El efecto de CAl se puede
considerar despreciable para ~ 5 Mrad/s . La consecuencia de cuanto queda expuesto es que podemos
subdividir adecuadam ente la respuesta total en tres zonas de frec uencia: medias , alfa s y baj as.
Para tener la respue sta total se determina la ganancia del amplificador en cada una de las tres zonas
de frecuencia y se combinan estas respuesta s. Así. se empl ea la banda media para determinar Avo' el
circuito equi valente de alta frecuen cia para obtener f ll y se calcula f La partir del modelo de baja frecuencia
por el que se introduce Cc' Basándose en los valores de los parám etros R¿ = R¡ l k.o. C c I¡.tF. CM 100 = =
 R espuesta eu frecuencia de los amplificadores 453

Bal/Ja media Afia trecuencia Baid frecuencia

Ni Ce ni C" afectan El e fec to de las capa - C l . afec ta a la
a la respue sta. La ga nanc ia cidadcs internas (C" ) respuesta y la
es co nstante y es Impo rtante , pero reac rancia de CII
no hay defase la reacrancia de Ce es tan g rande que
(e sto se vio e n es despreci abl e . sus e fectos pueden
el capí tulo 10 ). desp reciarse .

pF. R, = 2 kO y g. = 0.1Q en la Fig. 11· 7 e stá trazada la respuesta com puesta uel circu ito de la Fig. 11· 6.
Los valores de A I O . /L y/ H se obtie nen de las Bes. (1 1·3) y ( 11·6).
"'.-- -- -7"----::=-- - - - ---:::-, , -- ----,
A~i nlótica /~
.:Y'í~acta

In

JO 211 511 IOU 200 0.5 r.o 2.0 s.c In 2f)

Frec uencia. U, f recucncia. MlIl
Figun 11·7. Diagrama de Bodepara el sisl~ma rep sesemado por la Fig. t i -lb 11 alias frecuencias y por la Fig. t l-4 a frecuencias
bajas. Obsérvese el quiebroodiscoolinu idad en el eje de frecuencias.

Ancho de banda
E1campodefrecuenciascomprendidoemre f L y I H conslitu yeel ancho de banda de la etapa am plificadora.
Pode mos ant icipar en té rm ino s gene ra les q ue una se ña l e n la q ue sus c o m pone ntes de t recue ncres
de amp litud apreciable estén todos comprendido s entre I L y I H pa sa rán por la etapa sin excesi va distorsi ón .
Sin e mba rgo. este crite rio debe aplicarse co n precau ción. En e l di agr ama asi ntótico de Bode de la Fig.
11-7 vemos que ent re 11. y IN' A•. e s co nstante . S in embarg o , la ca racterística de fase acu sa un ade lanto
en JI. y un re1rasC? en IN" En la Fig. 11- 1 ya ind icamos qu e un desplazam iento de fase introdu cía una
distorsión aun cua ndo la ganan cia se co nse rvase co nstante .
Mucho s amplificadores tienen J;, » f L por lo qu e e l ancho de ba nd a [Ec. ( 11-8)] es aproxi madame nte
J . En los circuitos int egr ados qu e in variablemente es tán d irectamen te acoplados (sin co ndensado re s de
a~oplamiento) la resp uesta a baja frecuencia se ex tiende de sde co ntin ua (ro = O), y el anc ho de banda es
simplementej. ; Por tanto, la respuesta de l amplificador sólo está limi tad a en la a lta ten sió n,

11 ·2. RESP UESTA DE UN AMPLIFICADOR A UN ESCALÓ N

Un criterio alternativo respec to a la fidel idad de un amplificad o r es su respuesta a una onda de entrada
en part icu lar . De entre tod as las o nda s di sponible s la m á s ge neralme nte e m pleada es la de esca lón
d e ten si ón. En función de la re spue sta de un c ircuito a un escalón . la respue sta a una o nda arb itraria se
puede expre sar en forma de la superposición integral. Otra particularidad que hace recomendable el escalón de
454 Microetectr ánlca moderno

tensión es el hecho deque esta onda permite que pequeña s distorsiones se manifiesten cl aramente. Además.
bajo un punto de vista experimental. se pueden adquirir come rcialmente generadores de impul sos (un
escalón corto) y de onda cuadrada (un esca lón repetitivo).
Mientra s un amplific ador pueda ser representado por un polo único [Ec. ( 11-3)] la correlación entre
su respuesta en frecuencia y la forma de ond a de salida viene dada en la Fig . ll-B . Generalmente . aún para
circuitos amplificadores más complicados existe una relación Intima entre la distorsión del ex tremo
anterior del escalón y la respuesta en alta frecuencia. Análoga mente. hay una rel ación íntima entre la
respu esta en baja frecuencia y la distorsión de la parte plana del escalón . Naturalmente . cabía espe rar esta
relación ya que la respuesta en alta frecuencia mide esencialmente la facultad del amplifi cador para
responder fielmente a variacione s rápidas de la señal, mientras que la respu esta en baja frecuencia mide
la fidelidad del amplificador ante señales de variación lenta. Una de las cualidades importantes de l esc alón
es que combina los cambios de tensión más abruptos con los más lentos posibles.

~
A,·"V.

1.0
0.9 - - - -- -

1- -<.----1
Figura 11·8. Respuesta normalizadadel circuito de la f ig. 11-2a a un escalón.

Tiempo de subida
La respuesta del circuito paso-bajo de la Fig t 1-2 a una entrada en escalón de amplitud V. es exponencial
con una constante de tiemp o I/row Puesto que la tensión del condensador no puede cambiar instantáneamente.
la salida parte de cero para ir subiendo hasta su valor de equilibrio A \"0 V" La salida viene dada por

V" :=:: A voV, (1 - e".....') ( ]]·8)

El tiempo necesario para que va alcance la décima parte de su valor final es O. l/roNy el necesario para
llegar a las nueve déci mas partes es de 2.3/row Obs érvese que la constante de tiempo es CM multiplicada
por la resistencia equiv alente R, 11 R;. La diferencia entre estos do s valores se denomina tiempo de subida
" del ci rcuito. como muestr a la Fig. 11- B. El tiempo 1, es un indicador-de cuán rápidamente el amplificador
puede respo nder a una discontinuidad en la ten sión de ent rada . Así tenemos
2.2 2.2 0.35
I ~ - ~--~ --
( 1]-9)
, WH 2rrfH fH
Obsérvese que el tiempo de subida es inversamente proporcional a la frecuencia superior de 3 dB . Para
un amplificador con paso de banda de I MHz . t, 0.35 us . =
La relación entre t, Y/ Nen la Ec. ( 1 1 ~9) es exacta para un circuito de un solo polo . No obstante la Ec.
(t 1-9) es una buena aproximación (entre el 3 y el 4%) para circuitos multipolo.
Co nsideremos un impulso de anchura TI" ¿Cuál debe ser la frecuencia superior de 3 dB, / H' de un
 Respuesta en frecuencta de los amplificadores 455

amplificador para amplificar una señal sin excesiva distorsión ? Elegirf Higualo mayor que la inversa del
ancho del impulso T . Para/" = Irr . la onda de salida de la Fig. 11 -9 es la respuesta al impulso de entrada
•
indicado. • •
Amplitud
nonnalizada

Impulso de entrada
¡.........,~

f, =o.3s r,
Figura 11·9. Respuesta nonnalizada de! clrculto paso-hajo a un impulso.

Pendiente
Si se aplica un escalón de amplitud V. al circuito paso-alto de la Fig. 11 -4 . la salida será

U" := A voV,E- IIf H • .. HC O := V " E - I!! H , + H.l C , 11 1·10)

Para tiempo t pequeños comparados con la constante de tiempo (R • + R,)Ce la respuesta viene dada
por
11 1·\1)

En la Fig. 11 ·10 vemos que la salida es inclinada , siendo la pendiente en el instante 'l.expresada en
tanto por ciento :

p =V,, ~V:,
V"
x 100% := "
(R, + R,Je ( x 100% 111-\2)

La misma expresión es válida para la inclinación de cada semi-ciclo de una onda cuadrada simétrica
de Vo de valor pico a pico '1 periodo T, supuesto que tomemos ' , = T12. Si f lrr es la frecuen cia de la =
onda cuadrada. podemos expresar P en la forma
p := T x 100 := WL x 100 := 7Th x 100% 11 1-13)
2(R, + R,le,. 2f(R, + Ro\ f
""
v.I-_ = = =:::::::.v"
'1 ,,".
,,
,
,
00
Figura 11,10, Inclinación (o cafda) de una onda cuadrada.
456 Microelectrónica moderna

Obsérveseque la pendiente es directamente proporcional a la frecuencia inferior de 3 dB. Si se desea

pasar una onda cuadrada de 50 Hz con menos del 10% de pendiente.jj no debe superar los 1.6 Hz

Pruebas con onda cuadrada

Existeun procesoexperimental (denominado prueba con onda cuadrada) consistenteen observar con
un osciloscopio la salida de un amplificador excitado por un generador de onda cuadrada. Es posible
mejorarla respuesta de un amplificador añadiéndole al circuito ciertos elementosque deben ser ajustados
con precisión. Es muy conveniente poder ajustar estos elementos al mismo tiempo que se observan los
efectosde tal ajusteen la forma de ondade salida del amplificador. Otra forma de actuar es tomando nota
de los datos después de cada ajustey a partirde ellos trazar las curvas de respuestaen amplitud y en fase.
Además del mayor tiempo empleado con este último procedimiento existe el problema de no resultar
evidente cuál de las respuestas en amplitud y en fase corresponde a la máxima fidelidad . Por otra parte.
la respuesta a un escalón facilita inmediatamente una información valiosa.
Mediante una selección cuidadosa de dos frecuencias de onda cuadrada es posible examinar indivi-
dualmente las distorsiones en altas y bajas frecuencias. Consideremos por ejemplo un amplificadorcon
una constantede tiempo de 0.1 I.IS en alta frecuencia y de 100 ms en baja frecuencia. Una onda cuadrada
de semiperiodo iguala variasdecenasde microsegundos, en un osciloscopioapropiadode barrido rápido.
acusaráel redondeo en el extremo anteriorde la onda sin acusar la pendiente.En el otro extremo. una onda
cuadrada de semiperiodode aproximadamente 10 ms, con un barrido lento señalará la pendiente. pero
no la distorsióndel mismo extremo anterior.
De cuanto antecede no se debe sacar la conclusión de que las respuestas de amplitud y de fase
transitorias y permanentes carecende importanciaen el estudio de los amplificadores. Las características
en frecuencia se empleanpor los siguientes motivos: En primer lugar, se conoce mucho más en cuanto al
análisisy síntesisde circuitosen el campode las frecuencias que en el de los tiempos,y por tal motivo el
diseño del amplificador se hace frecuentemente a base de la respuesta en frecuencia. En segundo lugar,
muchas veces es más fácil llegara la comprensi ón cualitativa de un circuito partiendo del estudio de la
respuesta en régimen permanente en casos en que los cálculos de los transitorios sean extremadamente
dificultosos. Lacompensaci ónde un amplificador frente a oscilacionesindeseadas (Cap. 13)se consigue
en el campo de la frecuencia. Finalmente. a veces se requiere un amplificadorcuyas característicasestán
especificadas basadas en la frecuencia. especialmentecuando se trata de amplificar señales senoidales.
En las próximas secciones se tratade la respuestaen alta frecuencia de las etapas amplificadoras BIT
y FET. Nos referiremos primeramente al comportamiento en alta frecuencia por ser ésta la principal
limitación en los amplificadores integrados. Los resultadosa los que se llega son aplicablestambién a las
etapas de componentes discretos, y a continuación se tratará de las características de respuesta a baja
frecuencia.

11-3. GANANCIA DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EN EMISOR

COMÚN
Consideremos un amplificador de unasolaetapa en emisorcomúnexcitado por una fuentede corriente
I~,siendo R, = O(cortocircuito). El circuito de la Fig. 11-11 es el modelo de pequeña señal de esta etapa
con el transistorsustituido porel equivalentehfbrído-xde la Fig. 3-32. Obsérvese que en la Fig. 11-11 se
supone r~ = O. La corrientede salida es lo = I~ de forma que la ganancia de corriente de la etapa A l = IJI b
es ~ del transistor. En la Fig. 11-11 es evidente que ~ varía con la frecuencia debido a las capacidades CK
y C~. Según la Fig. lI-llla ley de Kirchhoff requiere que
 Respuesta enfrecuencta de los amplificadores 457

(11-14)
y
1" = g",V". - JI< = V".(g", - se,..) (11-15)

•
r,
- 1
,le,
t,
¡ K", V .

Figura 11·11. Circuito empleadopara obtener la caracterfslica de respuestaen frecuencia para la gananciade corriente ~(s) del
emisor-común en cortocircuito. El transistorestá representadopor su modelohfbndo-xde ene frecuencia.

Combinandolas Ecs. (11-14) y (11-15), Ydespejando JJl b tendremos, después de ordenar términos
I" ~ A, ~ ~(s) ~ ~,,(I - sC./g m) ~ ~,,(I - s/w,) (11-16)
t, I + sr ll (C l l + C,..> I + s/WfJ
En laEc. (11·16) hemosempleado gm r R = /lo' y COz YcollPueden ser realmenteidentificados. El siguiente
ejemplo, que emplea los valores de los parámetros normales de un transistor integrado, mostrará las
variaciones de Pcon la frecuencia.

Ejemplo 11-1

(a) Esbozar la magnitud de Pcomo función de la frecuencia, empleando el diagrama asintótico de

Bode. (b) Determinar aproximadamente la frecuencial Tpara la que I PUwT ) I = 1. Los parámetros del
transistor son Km = 0,050, r R = 2 kO, C K = 19,5 pF Y el' = 0,5 pF.

Soluci6n

(a) Según la Ec. (11-16)

/3" = = 0.05 x 2000 = 100 1:", ,,"""~O~.O~5::-:-;-;11 = 10" rad/s

1:",1"", w: = el< = 5 x 1O -

2.5 X 107 rad/s

2 x 103(19.5 + 0.5) x 10 12

Osea,
100(1 - sIIO")
I + s/(2.5 x 107 )

Paralo que el diagrama de Bodees el de la Fig. 11·12.

(b) En la Fig. 11-12 vemos que el crucecon OdB,correspondiente a P= 1, tiene lugar en roT = 2j x IrP
rad/s, o bien/T= ro/21t = 395 MHz.
458 Microelectrónica moderna

.o, dB

- 3"- - - - - - - -- ------- -

Figura 11·12. Diagrama asintéucc de Bode para I~ Uro) l.

El parámetroj',
En el ejemplo 11-1 el empleo de la característica asintótica da unos result ados de gra n preci sión en la
frecuencia de ganancia unidad debido a la gran separac ión ex isten te e ntre rop y 00,. Para construir un
amplificador de ganancia de corrie nte mayor que uno, es ev idente que la frecuencia de funcionamiento
debe se r menor que f r' En consec uencia para ro ::;; 00 r la Ec. ( 11- 16) se puede aproximar con la función
un solo polo

~lsI ~ ~.. 111-171

1 + s/ w(j

La aproximació n contenida en la Ec. ( 11-17) es equivalente a decir que la corriente I~ en CI' es una
componente despreciable de lo (1~ < s; V K ) El diagrama asintónico de Bode de esta función es idéntico al de la
Fig. I 1-12 para el campo de frecuencia 00<00,
Par a determinar f r , frecuencia a la que la gan ancia de corrie nte de cortocircuito en emisor común es
la unidad, se emplea la Ec (11- 17). Por tanto .

1.B{jwT>1 = 1 = V 1 +.B~¡WIW{J)2
que con .B~, ~ l . da
Wr = /3"W¡1 6 111- 181

Sustituyendo oopde la Ec. ( 11-16) en la ( 11-18) tendrem os

- ~..
f , - 2rr r..(C .. + C",J (11 -1 91

=
Obsérvese que para CK » CjJ.,fr g.J 2 rtC K , El pará metro f T , al igual que otros parámetros del J:SJT,
depend e de las cond iciones de funcionamien to del dispositi vo. Norm alm ent e,f r va ría con la corriente
de colector de reposo como se ve en la Fig. 11-13.
Puestoquej , "" J}J~ s e le puededar a este parámetro una segunda interpretación : repre sent a el producto
ganancia de corrientede cortocircuitopor el ancho de banda, es deci r que para la configuració n en emis or
común co n la sa lida cortoci rcuitada , Ir es el producto de la ganancia de co rriente a baja frecuencia
 Respuesta enfrecuencJa de los amplificadores 459

multiplicada por la frecuencia superior de 3 dB . Es de observa r que en cierto sentido se puede sacrificar
la ganancia a favor del ancho de banda y viceversa. Así pués, si se dispone de dos transis tores de igualf ro
el que de los dos tenga menor 130 tendrá un ancho de banda mayor.
Ir, MHz

400

300

200

100

0
s as
0
" 10 20

figura II·U. Variaci6nde fr segúnlacorriente de polarización IcQde un transistor integrado típico.

En la prácticaf r es la que se em plea para determinar por med ición el valor de la capacidad C K' La
trasconductancia 8m se determina de la corriente de polarización I CQ [Ec. (10-34)]. f r se hall a por
mediciones (Prob. 11-8) o viene dada en las especificaciones de los fabricantes ob teniendose C" med iante
mediciones independientes. Norm almente los fabricantes especifican la capacidad de salida en base
común ClIb =::: e".
La frecuencia/, representa también un límite superior de frecuencia en la que es válido el mode lo
hfbrido-x del BIT.) Para frecuencias de exc itación más allá de f ro el circuito equivalente hfbrido-n no
describe fielmente el comportamiento observado. Como sea que los transistores se emplean raramente
conf> f r (salvo en los circuitos microondas) un estudio de los modelos utilizados estaría fuera del obje to
de este libro . Obsérvese que en el eje mplo 1 t -1 el cero tiene lugar a una frecuencia mayor que f r por lo
que la precisión de la frecu encia del cero (z/2rt) es cuestionable.
El resultado de la Ec. (11-18) no es privativo de la eva luación de la ga nancia de corriente de l BIT.
Muchos circuitos electrónicos se representan frecuentemente por funcio nes de un solo polo sobre el campo
útil de frecuencias de trabajo. En cua lquier sistema de un solo polo. con gran ganancia, la frecuencia de
ganancia unidad es el producto de la ganancia COII frec uencia cero por la fre cuencia de 3 d8.

11·4. LA FUNCIÓ N GANANCIA GENERALIZADA

Antes de proceder a obtener la característica de la respu esta en fr ecuencia AH(s) de Jos amplificadores
de una o de varias etapas pemútas enos hacer algunas observaciones generales relativas a la forma de A (s).
La respuesta en alta frecuencia del amplificador de la Fig. 11-2 queda determi nada por una constante
de tiempo única CM R. Rj (R. + R ;J. En realidad un amp lificado r mu ltietapa contiene por lo menos dos
condensadores y quizás un tercero si laetapa excita una carga capacitiva. En estas circ unstancias la función
de transferencia a alta frecuencia viene dada por una ecuación de la fonna
() A o( 1 + s/z .) (1 + s/zl)'''( 1 + s/z",)
AH s = (l + Slpl) (I + slp~) ... (l + slpn) (1 1-20)

() ) FR:CU~ nlemenl~ f.,J2 u el lfmile u... do en la l i l~'alura_

460 Microelectrónica moderna

En la Ec. (11-20). Al1 es el valor de AH(s) calculado con s = O lo que corresponde a la ganancia en
continua o en la banda media. Los valores de s para los que AH(s)-+oo se denomin an posos de la función
=
de transferencia mientras que los valo res de s que hacen A¡¡(s) O constituyen los cer os de la misma
n
-función. Supo niendo > m la función de transferencia de la Ec. ( 11-20) tiene n polos en - PI' -P2••·• - P,
y m ceros fin itos - %1' - Zl'''' - zm' Cuando s crece lo suficiente AH(s)-+s mIs" = lIs n-my cuando s tiende a
infin ito A/s) tiende a O. Se dice que AH(s) tiene n-m ceros al infi nito. Obs ervamos que para la ganancia
de corrie nte de cortocircu ito de la Ec. (11-16) Als) tiene un polo en - 001\ Y un cero finito en +00.. La
función de transferencia de la Ec. (11-3) muestra que la etapa de laFig. 11-2 tiene un polo en -ro¡¡y ningú n
cero finito. Sin embargo. debe tene r un cero en el infin ito [ya que s -+00. Av/s) -+ 0]. Obsérvese que la
frecue ncia de un polo (cero) tiene la magnit ud P;(z¡)/21t. es decir'!H = OOH /2rr..

Determinación del número de polos y de ceros

El número de polos en una función de transferencia es igual al número de eleme ntos almacenadores
de ene rgía independie ntes en la red. En los amplificadores electrónicos los elementos de almacenaje son
casi exclusivamente condensadores. Un condensador es indepe ndiente si se le puede asignar una tens ión
arbitraria independiente de todas las tensiones de los demás co ndensadores. Por eje mplo, dos co ndensa-
dores en paralelo no son independientes pues la tensión a través del primero debe ser la misma que a través
del segundo. Asimismo, dos condensadores en serie no son independientes porque la carga almacenada
Q es la misma en cada componente . y la tensión a travé s de un condensador e es QIC. Ade más. si un
lazo de la red puede recorrerse pasando sólo a través de condensadores, no todos estos valores e son
independientes (ya que la suma de las tensiones alrededor de un circui to cerra do debe ser nula) .
El número de ceros en una función de transferencia viene determinado co nociendo el número de polos
y el comportamiento de la red cuando s tienda a infin ito. En la Ec. (11·20) Ay(s) tiende a cero cuando s
tiende a Infinito porque hay n-m polos más que ceros. En gene ral. siA,,(s) -e 1/s l cuando s -+00, entonces
el número de ceros f initos es menor que el de polos.
El comportamien to de una red cuando s -+00 se deduce usua lmente median te inspección. ya que la
tensión a través de un condensador en nula cuand o s -+00. Por eje mplo. en la Fig. 11-2
V. _ -I
A VH = - cuan do S-l> <XI
V, s
Por tanto, el número de ceros es uno menos que el de polos . Puesto que el circuito contiene un solo
condensador. AVH debe contener un polo y (según la argumentación anterior). ningú n cero finito. Esta
conclusión queda confirmada en la Ec. (11-3).

La aproximación del polo dominante

El diagra ma de Bode deA~(s) de la Ec. (1 1-20) representa la ca racterística de la resp uesta en frecuencia
del amplificador. La frecuencia superior de 3 dB I H se obtiene de l diagrama de Bode . Obsérvese que para
trazar la caracterís tica de la respuesta en frecue ncia se necesita conocer la situación de todos los polos y
ceros; es decir. se deben conocer ZI' z2''' zm y PI' P2'" Pn4 .
Si la frecue ncia del polo más bajo f P I = P J 2l't en A/s) es mucho más pequeña que las frecuencias de
todos los demás polos y ceros, de todas formas la frec uencia superior de 3 dB f H de AH(s)es aproximada-

(4) Bxisten numerosos programasde compuladoras peracalcular l a~ rafeesde un polinomio.

 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 461

mente i pl" Así con frecuencias de excilación dentro del ancho de banda de un amplificador, AH(s) actúa
simplemente como un sistema de un so lo polo con función de transferenciaAJ( l -sIP l ) . Esta aproximación
se conoce como aproximación de polo domina nte. Obsérvese que cuanto más separados est én los demás
polos y ceros de PI tanto mayo r será la precisión de esta aproximación .
A veces la respuesta en alta frecuencia de un amplificador no tiene ningún cero finito, es dec ir, que
AH(s) sólo ~on liene polos. En esta situaci ón un ampl ificador con tres polos reales' tiene una función de
transfere ncia

(11-21)

Alternat ivamente, efectuando los productos indicados , la Ec. (11-21) puede escribirse

(11-22)

donde
1 1 1
al = - +- +-
PI P2 P3
1 1 1
a, +- +- ( 11-23)
P lP3 P2P3

a,
Consideremos la situación en la quepl«Pl<P) o sea en la que PI es el polo dominante. Entonce s:

1 1
al = - o PI =-
p, a,
1 a, a,
a2 = -- ~ - o P2 = - (11-24)
PlP 2 p, a,
a,
a3 = - -
1
~ -a, o Pl = -
P lP2P3 p, a,

La importancia de la Ec. (1 1-24) radica en que podemos fija r aproximadamente la situación de los
polos conociendo los coeficientes a l' a 2 y a3 en AH(s). Además la aproximación del polo dominante nos
da el valor de la frecuencia de 3 dB f H como

f H= p"!= - I- (11-25)
21T 21Ttll

=
La forma de la Ec. (11-24),Pl al - 1!at es ap licable a una función de Iransfere ncia de n polos reales.
Sin embargo, en relación a la respuesta del amplificador sólo estarnos interesados por PI y P2 (a l y a2) . En
primer lugar. p 1 determina el va lor apro ximado de f H Yen segundo lugar, la separación entre P1 YP2 indica
el grado en que es válida la aproximación del polo dominante. En la mayor parte de las funcio nes de
transferenciaque seencuentran,pjP 1 = a ~/a2 ~ 8 da f H dentro de l 10% y P I dentro del 20% de su valor real.

(S) Todos los poloseslán en el eje n:alnegalivo del pleno-r

462 Microelectrónica moderna

A medida que p/ P I aumenta, el error entre los valores reales y los aproximados va disminu yendo.
Obsérvese que en la aproximaci ón del polo dominante, los valores f H y P I siempre son menores que los
correspondientes valores reales.
De mayor importancia que la conveniencia numérica aportada por las Ecs . (11·24) y (11-2 5) es el
hecho de que los coeficientes a l' Q 2' y así sucesivamente se pueden determinar por las constantes de tiempo
del circuito tal como se describe en la Seco 11-9. Esto permite al diseñador del circuito relacio nar la
respuesta global con los componentes en particul ar (etapas) que produ cen tal respuesta.
Se deben tener en cuenta las tres siguientes limitaciones del método de polo domin ante :
1- So lamente es válido para funciones de transferencia con polos reales.
2- Cualquier cero (o todos) de la función de transferencia debe estar por lo menos dos octavas sobre
el polo dominante.
3- La representación de la función de trans ferencia por un solo polo dominante no da resultados
precisos en cuanto a la característica de fase.

11-5. RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UNA ETAPA EN EMISOR

COMÚN
En la Fig. 11-14 se representa el circuito equivalente emp leado para evaluar el comportamiento en alta
frecuencia de la etapa básica en emi sor común de la Fig. 10-21. En la Fig. 11-14 aparecen también los
valores numéricos típicos de los parámetros del transistor y de los componentes del circuito. Como el
circuito tiene dos condensadores independientes, la funció n de transferencia tiene dos polos. Cuando s
=
tiende a infinito B y C qued an en co rtocircuito (haciendo Vo VII) cayendo la salida a cero como l /s a
consecuencia del condensador C; Seg ún lo visto en la sección anterior debe haber un cero menos que el
número de polos, y por tanto es de esperar una función de transferencia de dos polos y un cero.
e,
(O.S p F )
8 e
R, • •
{O.30 ka¡ R,
r,
t 2 ka ) (0.60 km u"

"
E

Figura 11·14. Circuito equivalente a alta frecuencia de la etapa básica en emisor común (Fig. 10-210). El modelo hfbridc- 1t del
BJT está señaladocon tinta más apagada.

El cero lo podemos hallar observ ando la Fig. 11- 14. Si co n s =: Zl' Vo = O no ex istirá corriente en R/ .
Así, la corriente sC~ VII en C debe ser igu al a la corr iente de la fuente gobernada g., VII' Por tanto, el ce ro
viene dado por sCu VII = gn¡ VII o sea s = gmCu == Z r-
Obsérvese que este valor es el mismo hallado para el cero de la ganancia de co rriente en cortocirc uito
de la Ec. (11-16). Tal como era de esperar, este cero aparece en el subs iguiente cálculo de la función de
transferencia mediante el análisis nodal (Apend. C-2).

(6) La restsrenc¡e RL = Re 11 roque para Re « ro es aproximada me nle Re' Si la elapa considerada alime nta una ca rga e xle rior. la resislencia de
la carga lambitn esu en pnmlelo conR c
 Respuesta enfrecuencia de los amplificadores 463

La función de transferencia
Las ecuaciones nodalesde las tensiones, tomando V~ y Vo como variables son:

1 1 ) V.
V" ( - + - + sC" + sC", - sC", V" = ---'- (11-26)
R. r; R,

V"(g,,, - sC..) + V o (sc.. + ~J = O (11-27)

Resolviendo las Ecs. (11·26) y (11-27) despejando Vr:/V, y replanteando el resultado en la forma de la
Ec. (11-22) tendremos
V..
AV/f( s) = V".
(11-28)

r"R" ~ ,.• IIR • (11-29)

donde
r" + R"

El término - P/l/(R. +rK ) del numerador de la Ec. (11-28) se identifica como ganancia AyO en
continua (banda media) de la etapa [Ec. (1040)). Observando la Fig. 11·14, la resistencia equivalente
j(l se puede admitir como la resistencia con frecuencia nula vista por C siendo C = O. Como veremos
másadelante(Sec. 11-9)la resistenciaequivalenteROK( I + Ig",RL ) + R L qu~ multipli~a C~ en el coeficiente
e
s de la Ec. {IT-2S} es la resistencia vista por e con =O. Por tanto, como ya se adelantó en la anterior
sección, el coeficiente s está relacionado con I~s constantes de tiempo del circuito.
Vamos a ver si la función de transferencia de la forma AvlÁs)-Ayo(1- slz1)/ ( 1 + als+ ~s2) tiene
un polodominante.Valiéndonos de los valores numéricosdados, a l ='9,43 X ITPs y O2 = 1,53 X 1O·T1l S2.
LaEc. (11-24) nos daP I = l/al = lQ,6 x 10 rad/s y P2 = 0/0 2 = 6,16 X lQ9rad/s. La separación esp!P I
=58 de fonna que -PIes el polo dominante. El valor de 1 1 =gjC ~ =1011 rad/s está más alejado de PI que
p . Por tanto, -PIesel polodominante y segúnla Ec. (I1-25)elanchodela bandatotal es f H = p/21C = 16,9
MHz. Ladeterminaci én de los polos de AVH(s) resolviendo la ecuación cuadrática de la Ec . (11-28) dap l
=10,7 x lQ7 rad/s y P2 = 6,06 X 109 rad/s. El cálculo de f H de la función de transferencia da f H =17,1
MHz, resultadoque demuestra la validez del método de polo dominante.

Equivalente híbrido-1t unilateral

La gran separación entre PI y los dos puntos P2 y z. es una situación propia de las etapas en emisor
común. Siendo así, una función de transferencia [Ec. (11 -30)] que contenga un solo polo dominante
constituye una aproximación muy buenade la respuestaen frecuencia.
A vo A vo A vo
A ,,<,) - ~ (11-30)
v - 1 + slpl 1 + als 1 + SI2-rrfH
Aplicando elteoremade Millersepuedeobteneruncircuiloequivalente con la funciónde transferencia
indicada en la Ec. (11-30). Procediendo como en el Apéndice C-4 se llega al circuito de la Fig. 11-15,
llamada a veces híbrido-rt unilateral con K = VJV K • Suponiendo despreciable la corriente en CI' (Sec.
11-3) , K =.g",RL • El circuito de la Fig. 11·15 tiene dos constantes de tiempo independientes, una
relacionada oon la capacidad de entrada CM = C" + Cp(l + g",Rd y la otra con la de salida (representada
 464 Microelectrónica moderna

co n la líne a de trazo s) C~ ( 1 + g~,RJ/g ",RL=. C~ c uando g mRL» 1. La constante de tiempo de la entrada es

CI I mu lti pl ic ad o po r la re sist e nc ia e qu iva le n te v is ta po r C~; e s ta re sis tenci a equiv ale nte es R, 11
R. Yes tá señalad a po r R"'. e n la Ec . ( 11-29) . Obsérve se q ue CM R~ co rresponde a Jos dos primeros t érminos
del coe ficienle s en la Ec. ( 11-28). La constante de tiem po de salida para g", RL » I es C~ Rp e l ter cer t érmino
en el coe ficiente s de la Ec. (11-28). Así e l c ircuito de la Fig. 11· 15 tien e el mismo coe ficien te a l q ue e l
obtenido en la Ec. ( 11-28) Ypor tanto nos da el mismo po lo do mina nte .
Surge una nueva simplificac ión cua ndo se investigan los va lores numérico s típicos de las do s
7
constantes de tiempo. Para unos valores dad os:

R'..e.11 =
2{O.3 ) [19.5 + 0.511
2 + 0.3
+ 0.05 x 600)1 = 9 . 13 ns
RLCI' = 0.6 x 0.5 = 0.30 ns
Evide ntemente R~ C I / "» RL C y es p ráctica común en lo s cá lculos manu a les presc indi r de los efecto s
de la co nstante de tiempo de salid a RL C~ . En e l circui to de la Fig. 11-1 5. al de la Be. ( 11·30) res ulta se r

III = R"oC.II = R,r"+R,1'" IC" + CI'( I + g,,,Rtl l (11-31)

= =
Aplica ndo va lores num éricos.j., lf2'lt a l 17 ,4 M Hz. valor sufic ientemente ap rox imad o (dentro de l
2%) para un cá lculo manua l. S i e n e l coeficiente a l se h ubier a incluido R L C~. el va lorde f l/habría res ultado
idéntico a l hallado antes. S i se requ iere más precisión se emplea n simulado res (SPICE. Micro cap 11 . et c.) .
e•
B r e
• •
R,

-, v. e. Cu(l +8.. RL ) +Gv. ¡.: re'''''.R,)I R, V.

v.,
Q -
G..
,,o
S.. R/.

-
.r E

Figura 11·15. Circuitoequivalentehíbrido unilateral obtenidoempleandoel teorema de Miller.

En el circu ito eq uiva lente de la Fig. 11-15 no ex iste com unicación e ntre entrada y salida (don de C~
es tá en la Fig. 11- 14 ). En consecuenc ia e l model o hfbrido -n unilate ral no p ued e e mplearse pa ra ca lcular
la im ped ancia lode salida en alt a frecuen cia. En es te c aso hay qu e em plea r e l ci rc uito de la Fig. 11- 14.

Impedancia de entrada de Miller

La im ped ancia de entrad a Z¡ (s) de l ci rcuito de la Fig. 11·1 5 e s simpleme nte la com binación en parale lo
de r. y C M' En la ded ucción de es ta figura se ha sup ue sto qu e la corr iente J en C~ es despreciable
u
co mpa rada co n gm V. y q ue K = -8",RL e s co nstante. Al gun as veces los va lores de los compo ne ntes son
tales que estas suposiciones introducen errores en % de varios puntos en Z¡ (s) y en co nsecuencia también en fJl"
Si no se prescinde de IJI deben modificarse K = ~ 8..RL/(1 + s RLCJI) y Z¡. La impedancia resultantees la combina-

(1) Obstrve se que expl"<" ando la. res i s(en~;as en Hl y la. ~a pacidades en p;~ofa r.d ios (pF) la. ~on,t an les de (ienlpo vendrán dadas en
nano>egundos (nsl.
 Respuesta en frecuencia de los amplificado res 465

ción en paralelo de r•• C.' R~ Y C~. surgiendo R~ y C. de la aplicación del teorema de Miller a C~ . Con la
frecuencia s =jO) los valores de R~ y de C~ son:

R.~ g~ (1 + w'R~C~) C. C.( = 1 + 1 /::~iC~) (1 1·32)

La deducción de la Ec. ( 11·32) Ydel valor de f H resultantes se dejan para el lector en los problemas
11·12 y 11·13.

11·6. PRODUCTO GANANCIA·ANCHO DE BANDA

Mediante la función de transferencia de un solo polo de la Ec. (11-30) se deduce que el producto de la
ganancia de tensión por el ancho de banda es

l A vof H I Cm R,
"" 21f CM R s =
¡, R,
+ 21f f TRLC" R~ (11·33)
Las cantidades f H YA vo que caracterizan la etapa del transistor dependen de RL y de R•. En la Fig.
11 ·16 puede verse la form a de esa dependenci a así como el orden de magnitud de tales cantidades. Aquí
f H se ha representado como función de RI,. para varios valores de R•. La curva más alta de f H de la Fig.
11 ·16 para R. = O corresponde al caso de tuente de tensión idea!.' Observemos que para cua lquier valor
de RL el ancho de banda es más alto al ser más bajo R•. El producto ganancia de tensión por ancho de
banda aumenta al aumentar R L y decrece al aumentar R.. Aun cuando conozcamos el valor de l producto
para unas R. y RL en particu lar. no lo podemos emplear para determinar la mejora de l ancho de banda
correspondiente a un sacrificio de la ganancia. Si variamos la ganancia modificando RL • R. o ambas. en
general el producto ya no será el mismo que había sido.
f IloMHz

2 X 10)

10'
lit " O

1000
300 0
o
Q' 1.0 I.S >0
Ficura 11·16. Anchode banda f" en función de R Lcon la res islencia de fumle R. com~ parimetro, de un ampliflcadol en emiso r
comdn de una sola etapa. Pana c;alcullll" fH se empl ea la Ec. (II·JI) Y los valores numtncos dados en la Fig. 11·14 .

(S) ~ CI"" pua R, ""Od n Jor de '" señaladou CITÓlleO P'X'lucb conslanlCde liempo C,.R, es ~.bk • ~.c.... No obsI" lC . a. fOl1Tlll
a.
de b .,"¡lIC ión de 1Md,buj ldll es indiu li n de $jt ~ filicu ltillC me.
466 Microelectrónica moderna

11·7. ETAPA EN FUENTE COMÚN A ALTA FRECUENCIA

El análisis a alta frecuencia de la etapa en fuente común es paralelo al del emisor común visto en la
secc ión anterior. Obsérvese la similitud entre el modelo en alta frecuencia de la etapa en fuente común de
la Fig. 11-17 con la Fig. 11-14 para la etapa en emisor com ún. Si en la Fig. 11 -14 rb = O Y r~ tiende a
infinito, la única diferencia entre los dos circu itos es la ex istencia de una tercera capaci tancia CJ , en la
salida de la Fig. 11-17. Si bien existen tres capacitancias, éstas no son independi entes porque forman un
=
lazo (Sec . 11 -4). Así. la función de transferencia AyH(s) VJ V. tiene s610 dos polos y por analogfa con la
Fig. 11-14 un cero finito.
Las ecuaciones nodales para el circuito de la Fig. 11-17 son:

~: = V.v.(~. + SCR' + sC.vJ) - sC...dV" (l1·34a )

G o
,
R,
oon nl K~ v,. r R,
, C" (2" 10-' 1'.. ) e:" (SOkm (10 Ul)
v,
1'. V,, t3 pFI 115pFl

s
RI.= r~lI R"
(16 kn l
Figura 11:17. Circuitoequivalentede elta frecuencia de una etapa en fuente común.

o= V....(g", - sC"J) + V"(~L + sC... ú + SCJ,, ) (l1 · 34b l

Resolv iendo las Ecs. (1 1-34) y desp ejando AyO = -g",RL tendrem os. des pués de alg unas
manipulaciones algebraicas:
A vo (! - sC"jg", )
=v"
- (11-35)
V. 1+ a ls + a 2s2

dond e
a, R.,C"" + [(1 + g",Rd + RLl CII ,¡ + R LCú "
= ( 11·36)
a 2 = R"RdCIl.,C"J + C""C"., + C""CIl,/)
Nuevamente se observa que al comprende la suma de las constantes de tiempo; cada una de las
resistencias equivalentes es igual a la resistencia a frecuencia cero (los condensadores está n en circ uito
abierto) vistas en cada uno de los terminales del condensador. El coe ficiente a2 puede conside rarse como
el producto de las constantes de tiempo como se describe en la Seco 11 -9.
Veam os ahora la Ec. (11-35) para determinar si es aplicable la condición de polo domin ante.
Empleand o los valores típicos de los parámetros dados en la Fig. 11-17 se obtiene a partir de las Ecs. ( 11-
36) Y( 11·24)
al = 0.3 x 3 + [(1 + 2 x 16) + 161 x 1 + 16 x 1.5
= 0.9 + 49 + 24 = 73.9 ns
a 2 = 0.3 x 16[3 x I + 3 x 1.5 + 1.5 x 1]
= 43.2 (nsf
 Respuesta enfrecuenc ía de los amplificadores 467

y de la ecuación (11·24) obtendremos

1 1 6
P, = al = 73.9 x 10- 9 = 13 .5 X 10 radls
al 73.9 x 10- 9 9
P2 = a2 = 43.2 x 10 18 = 1.71 x 10 rad/s
La separación entreP 2y P I es de 126:1. El ceroes táens = gJC d = 2 x I09rad/s. Estos valores indican
que Pi es el polo dominante. De esta forma la función de transfe:encia se puede aproximar mediante la
función de un solo polo de la forma de la Ec. (11-30) confll = (O H /21t = 1/21ta l = 2.15 MHz. La solución
exacta de la Ec. (11·35) pone de manifiesto que los valores de fHy PI obtenidos con la aproximación de
polo dominante se desvía menos del 1 por ciento.
Para llegar al circuito unilateral aproximado de la Fig. 11-18 podemos valemos del teorema de Miller
con K = VJV.$' = - gmRc Obsérvese que aun cuando Cg • es la menor de las tres capacitancias, es la que
tieneunefecto máspronunciado sobre al y portantosobref 11' Estoesdebido al efectoMilIerqueesencialmente
multiplica Cpi por la ganancia de la etapa. Como se ve en la Fig. 11 -1 ~ , la impedancia de entrada de la
etapa es (aproximadamente)puramente capacitiva, y es:

(11-37)

Obsérvese que la impedancia de salida (Pig. 11·17) contiene componentes resistivas y capacitivas
(Prob.1 1-12 y 11-13).

U-8. SEGUIDORES DE EMISOR Y DE FUENTE A ALTA FRECUENCIA

En esta sección examinaremos la respuesta en alta frecuencia de los seguidores de emisor y de fuente
(etapas en colector y en drenaje común). Trataremos primero la etapa en colector común y seguidamente,
por analogía, describiremos la de drenaje común. Puesto que los seguidores de emisor y de fuente actúan
frecuentemente como separadores, es decir, con ganancia (casi) unidad, gran impedancia de entrada. y
baja impedancia de salida. consideraremos cada una de estas cantidades a alta frecuencia.

Ganancia de tensión
En la Fig. 11-19 se representa un modelo en alta frecuencia del seguidor de emisor con una carga
resistiva RE, Debido a su baja impedancia de salida, muchas veces se usa el seguidor de emisor para
alimentar cargas capacitivas (cuyo símbolo se señala a trazos). Consideremos el condensador de carga
conjuntamente con el estudio de la impedancia de salida a alta frecuencia.
La función de transferencia del seguídor deemísortiene dos polos (dos condensadores independientes)
s a
y un cero finito. 'A medida que tiende infinito la impedancia 1sCIl tiende a cero (cortocircuito); por
tanto Vo tiendea cero como íls debido al cortocircuito en la entrada.
La función de transferencia se deduce de las ecuaciones nodales empleando VI y Vo como variables.
Estas ecuaciones son:

v,(J...
R"
+ sC", + .e;!-) _ V" (.!.)
z.,
= v.
R"
( 11-J8)

-v{z'".) + V"CI". + ~J = g",(V I - VII) (l1 -J9)

468 Mtcroetectronica moderna

a o
•
R•

• e;. ' .. '.

"
s
Términos del erecto Miller
Figura 11-18. Representación unilateral del modelode la Fig. 11 -17.

=
En la Ec. ( 11-39) se hace uso de V. VI-V". Resolviendo simultáneamente las Ecs. ( 11-38) Y (11 -39)
=.
Ysustituyendo = rj ( I + sr.C . ) se obtiene. despu és de algunas manipulacion es algebraicas:

An M I =
V" + se ,,1',,/( I + {3,,1
( 11-40)
V, R. + 1'.. + ({3.. + IlR1, I + t' I '~ + (/ ~.~ ~
siendo

a,
+ {3" lR,.:JC¡<
(11-411
(l + {3,, )RI-.-

Rf.-R./""C " C"

( 11 -42)
R, + 1'" + (1 + {3,,)Rf .-
c.
(1'u r Fl

B e
• • ,, •
v,
R. <, I
(0.6 knl
" u.o knl
' . R, -'-
(] .Sknl TCL
I
'.
" ,,

Z BC l. z;
Figura 11· 19. Circuitoequivalemede alta frecuencia del seguidor de emisor. El condensadorC Lforma pane de la carga.

Vemos nuevamente que a l es la suma de las constantes de tiemp o y que a 2 pued e interpretarse como
el producto de tales constantes. El cero Z I en s = - g../C. en la Ec. ( 11-40) se puede hallar tambi én por la
Fig. 11-19. Con Vo = O no hay corriente alguna enREy por tanto la corriente en z. debe serigual y opuesta
a g"y". O sea
(l + SI'"C ") V,,
r = -g,!, V"
•
de donde z. = ~ (Po + 1)/1'. C. "" - gJC", Empleando los va lores de los par ámetros indi cad os en la Fig.
11-19 (las resistencias tienen los mismos valores usados para hallare! co mportamienlo a baja frecuencia
en la Tabla 10-4) tendremos que
tll = 0 .566 ns tI~ = 0.0573 X IO ~· II s
g",
y ZI = - = 5. 12 x 10'" rad/s
C.
 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 469

La frecuencia angularaproximada del polo dominantees:

PI :: WH :: ..!.- :: ;;-;-;-;--,-I:-;c= :: 1.77 X 109 rad/s

al 0.566 x 10 9

WH
fH :: - = 281 MHz
2"
Análogamente .
P2 = X 109 rad/s

y también i , = p)21t = 1.57 GHz.

La relaci6npJpI es iguala 5.5lS y laaproximación del polo dominanteno da resultados particularmente
ajustados. Resolviendo lospolosmediante la Ec. (11-40) tendremosPI =2.30 x 109 rad/s y P2 = 7,57 X 109
rad/s. Con estos valores. J11 = 339 MHz.
Vemosque las frecuencias .fu de los polos y del cero son todas ellas del orden de magnitud de f ... Ya
que estos valores eetan en el lfmrte de frecuencia para el que es válido el circuito equivalente. los valores
numéricos son cuestionables. Sin embargotodosellos muestran las magnitudesaproxlmadasobtenídasde
cálculos simulados.
Comparando f H de la etapa en colector común con JH = 16.9 MHz en emisor común en la Seco 11-6.
vemosque laetapa en colectorcomún tiene un anchode bandaconsiderablementemayorque la de emisor
común. En realidad. una etapa en emisor común Re = 1,5 ka excitada por una mente R. = 0,6 ill Y
empleando el mismo transistor tiene f H =4.37 MHz. Así llegamos a la conclusión de que cuando una
etapaen colectorcomúnestá excitada(o excita) por otra en emisor común, el valor defl/de la cascada es
simplemente la de la etapa en emisor común.

La impedancia de salida Z.
Las impedancias en alta frecuencia Z, y Z' o se obtienen del equivalente de Thevenin de la etapa. La
tensión en circuitoabierto medida a través de RE es simplemente Vo = AVI/ V•. La corriente h es VJREque
r-uando RE = Ola corriente de cortocircuito / « viene dada por
1 ~ (~" + OV. I + u,Cj(l + ~"l (11-43)
se R" + r.. 1 + sR"r..(C.. + Cp.)/R.• + r..)
La impedancia de Thevenin Z· o = VJI s<' es
Z' ~ Rd(R., + r .1/(1 + ~,,)l I + sr.,R" (C... + C,J/(R.,+ r... )
(11-44)
" RE + [(R, + r, I/(I + ~,,)) 1 + QIS + a2s2
viniendo dadas al y Q2 como en la Ec. (11-41).
Observemos en la Fig. 11-19 que Z' o = Zo IIR E y si RE tiende a infinito, Z' o = 20. Por tanto, de I~ Ec.
(11-44) se tiene .
Z ~ R., + r, I + sr.R. (C, + C,I/(R. + r,l (11-45)
" I + ~" [1 + sr,Cj(l + ~,,))(I + sR,C,1
Podemos identificar (R, + I'K)/(l + Po) como resistencia de salida a baja frecuencia Ro (Tabla 10-3).
Teniendo Z, la fonna
(l + S!zl)
(11-461
+ slpI) (1 + Slp2)
470 Microelectr6nica moderna

Z.
(Escala log.)

396

IS.81--"

S.17 X 109

1.33 x loa 3.33 X 109

Figura tI -20. Aproximación asintótica de la magnitud de la impedancia de salida Zo del seguidor de emisor de la Fig. 11-19.

= =
Con los valores indicados en la Fig. 11·19, ZI 1,33 X 108 rad/s, PI 3,33 X 109 rad/s y P2 = 5, 17 X 109
rad/s. Basándonos en estos valores trazamos la gráfica de 10glZo(jro)1 en función de lag co.de la Fig. 11-20.
Obsérvese que para ro < PI' I Zo(jro) I aumenta al hacerlo la frecuencia. Esta es la forma de actuar una
impedancia inductiva denIra de este campo de frecuencias. Cuando se emplea el seguidor de emisor para
alimentar cargas capacitivas (eL en la Fig. 11-19) a alta frecuencia, el circuito puede funcionar como
circuito resonante. En sistemas excitados por impulsos, tales como los de la familia lógíca de emisor
acoplado ECL de alta velocidad (Sec. 6·13), la combinación de la impedancia de salida inductiva y la
capacitancia de la carga puede dar un rizado excesivo en la onda de salida. Normalmente los diseñadores
ya previenen una amortiguación suficiente (componente resistivo de Zo) para reducir al mínimo estos
efectos.

La impedancia de entrada Z/
La impedancia de entrada Z¡ de un seguidor de emisor es, tal como se ve en la Fig. 11-19, la
combinación en paralelo de e y ZB'C' La deducción de los resultados para ZB'C (s) y Z/ (s) dados en las
Ecs. (11-47) y (11·48) se deja~para el lector (Prob. 11·23)
I + sCjgm I + S!27fJT
2 B,cCs ) = {3"RE I + sr .. C" = {3u RE I + sl27fJ (3 (11·47)

1 + S(l !WT)
(11-48 )
+ s(l!w(3 + {3,,R~,.J + S2({3"RE C",!WTJ

Véase que en las Ecs. (11-47) y ( 11-48) se ha puesto que ~o» 1, ~¡¡RE» r, y OOT"" g jCK·
En el caso de que no se suponga rb igual a cero, mediante las aproximaciones dadas por la Ec. (11-48 )
Ysiendo ~¡¡RE» rb, Z; (8) se convierte en

(11-49)
 Respuesta enfreeuencía de los amplificadores 471

z ae

60 (1 ka)

40 (1000)

20 (l O O )

2 s ro 20 so 100 200 500 1000

Figura 11·21. Diagrama asint6l: ico de Bode de la impedancia de entrada Z de l seguido r de emisor de la Fig. 11·19 Y Ec. (1 )· 50).
NOIa: Las frec uencias de polos y ceros se ob tienen valiéndose de la aprox i:nac ión de polo doennanre.

Con los valores de los parámetros dados en la Fig. 11 -19 Ycon r" =son, la Ec. ( 11-49) se convierte
en

kn ( 11 -50)

La variación de la magnitudde esta función con la frecuencia (para ro< 1010 rad/s) queda representada
enel diagrama asintóticode Bode de la Fig. 11-21. Obsérvese que la impedancia decrece con la frecuencia
y que este decrecimiento tiene lugar a frecuencias por debajo de la/H de la etapa. Efectivamente, a f H ...
300 MHz (wH " 1.90 x 1000rad/s) Zjes menord e llúl. El diseñador debe teneren cuenta estadisminución
de Z;si el circuito debe presentar un aislamiento adecuado.
Con Irecuenclasjcla impedancia Z/J(' puede aproximarse como
Z BC "" P.R ,; o YB C "" I + slw¡J (11-51)
I + slw lJ (J•.RI::
La admilancia de la Ec. (11-51) representa la combinación en paralelo de la capacitancia y resistencia
dadas en la Ec. (11-52)

CB C =- - (11-52)

Esta capacitancia es bien pequeña (0,133 pF para los valores numéricos empleados). Al estar CIIC en
paralelo con Cy la capacitancia dentro del campo de frecuencias de funcionamiento utilizadas es simple-
mente C + l/REOOr este valor es considerablemente inferior que el de la etapa en emisor común (C¡=
C. + CII (J + E. RL)J . Así pues, el seguidor de emisor no cargacapacitivamente la etapa anteriorlo quees una
cuestión de importanciaen sistemas de gran velocidad y alta frecuencia. (Frecuentemente, los aparatos de
laboratorio empleanseguidores de emisor comoetapade entrada a fin de minimizar los efectos del aparato
sobre las mediciones.)
472 Microeíear ónica moderna

La pequeña capacitancia de entrada puede tambié n aprox imarse mediante el teorema de Miller para
que el efecto de C~ en la entrada sea C~ (I -K). Como K es muy próximo a la unidad en un seguidor de
emisor, este término es aproximadamente nulo quedando Cl' en la entrada .

El seguidor de fuente

La Fig. 11-22 representa el modelo de seguidor de fuente válido para altas frecuencias. Observemos
que este circuito es similar al circuito equivale nte del seguido[llde emisor de la Fig. 11- 19 si planteamos
= = = =
las siguientes identidades: r~ -e 00, CgJ Cl" Cl ' C~ YRL r, Rs RE' Solamente la capacitancia C,¡, no
puede ser identificada y deberán incluirse sus efectos sobre los coeficientes a l y a r Obsérvese que SI el
seguidor de fuente excita una carga capacitiva CL se puede añadi r C,¡. a la capacidad de ca rga.
Haciendo tales idenli ficaciones y aña diendo los efectos de CJ , pode mos emplear los resultados del
seguidor de emisor para la etapa en colector común. A continuación se dan los resultados de AI 'H(J ),fH' Z,
vz,
(Se deja para ellecror Ia deducción de tales resultados en los Probo 11-24 y 11-25)
A vo(l - g", sIC Il., )
( ]] ·531
I + a ls + a2s2
( R~ + RLl CIl.,
siendo a, = R,Cll d + +
1 + g",RL
( ]] ·541
R,R L
a, + g",R L
(CIl,/CIl.< + e.e:

R, e.. s

. ",
1."..c~ e"

Figura 11·2 2. Circuito equivalentede alta frecuencia del seguidor de fuente.

e,

N
~.

c.1
, eo.." .ni.ndo
...¡... nei••
y rU' OI"
e, e, N
¡ obomod...

Rrl
(.) (b)

Figura 11·23. (a) «ed con tres co ndensadores , (b ) dicha red. con C l y CJ en circ uito abierto. La resistencia [fr. de frecuencia cero
se define paresia configuración.
 Respuesta enfrecuencia de los amplificadores 473

La Irecuencia superior de Sdlljj.es (aproximadamente) 1/2rr. GI que con gmRL » 1 y RL> R, se convie rte
en:
(1 1-55)

CL) 11 (1 + g",R L ) [1 + sR¡.(CJs + CI/S) I (1 + g",R¡.)]

sClIs(I + sR¡. c</s)
(1 1-56)

(11-57)

11-9. MÉTODO DE LA CONSTANTE DE TIEMPO PARA HALLAR

LA RESPUESTA
La forma de las Bes. (1 1-28). (1 1·35). (11-40 ) Y(11-53) en las que el coeficie nte a l es la suma de las
constantes de tiempo y al su producto no es exclusiva de las etapas en em isor, fuente, colector y drenaje
común. También pueden expresarse siempre en esta fonna los coeficientes de la característica polinomial
de cualquier sistema lineal que contenga resistencias,condens adores y fuentes gobernadas. En esta sección
describiremos un procedimiento para hallar estos coeficientes pordetenninación directa de las resistencias
equivalentes necesarias para calcular las constantes de tiempo.

El coeficiente a l
Considere mos la red de la Fig. 11-23a en la que la parte de circuito N en el interior del rectángulo
contiene sólo resistencias y fuentes gobernadas. Con tres condensadores independientes indicados. la
función de transferencia tiene tres polos, con lo que su denomin ador se expresa como en la Ec. ( 11· 22).
Se puede escribir el coeficiente a l como

( 11-58)

en donde ROII , R022 YRO JJ son las resistenc ias a frecuen cia cero vistas desde Cl' Cz y C3respectivamente.
Obsérvese 'que con frecuencia cero (en continua) los condensadores están en circuito abierto y los
productos RC de la Ec. ( 11 -58) se denominan a veces constalltes de tiempo en cortocircuito.
Para justificar la fonna de al en la Be. (11-58) podemos valemos de la siguiente argumentación .
= =
Consideremos C, C J O(circuito abierto) con lo que el circuito sólo contiene C I como en laFig. 11 -23b.
La función de transferencia del circuito de esta última figura tiene un solo polo cuya frecuencia angul ar
es simplemente la inversa de la constante de tlempo t del circuito. Pero en este caso 1" es igual a C I
multiplicado por la resistenc ia equivalente a través de sus terminales, es decir RO I I como está indicado en
la Fig. 11-23b. Obsérvese que dejando Cl = C) = Oen la Ec. ( ll- 58) se llega al mismo resultado. El mismo
= =
argumento se puede aplicar si consideramos CI=C) = OYC I C, O. En estas condiciones las constantes
de tiempo son ROll Cz y ROl\ C I respectivamente.
La forma de la Ec. (11-58) se puede extender a un sistema conteniendo M cond ensadores como en la
Ec. (11-59)
M

a l = :LR?;C¡ (11 ·59)

;_1
474 Microetectrontca moderna

siendo R" .. la resistencia a frecuencia nula vista desde C" Alte rnativ amente pode mos co ntemplara, como
suma de las constantes de tiempo en circuito a bierto. s ie ndo frl C la co nstante de tie mpo del circui to
cuando todas las demás capacitancias estén en circuito abierto. En" lo~ dos ejem plos s iguientes veremos la
aplicaci ón de es te mé todo.

Ej emplo 11·2

Determinar el coeficiente a, e n la función de transfe rencia de la eta pa e n e misor común de la Fig.

11- 14.

Solllció"

Con dos condensadores la Be. ( 11·59) nos da :

Para calc ular la resiste ncia R~ a frecuencia cero 'lisia desde C. , los co ndensadores está n en circ uito y
se suprime la fuente de tensión independie ntecortoc ircuitándo lacomoen la Fig. 11 ·24a . De la observación
de esta figu ra se des prende que
r.,R.,
R. + r.
Al circuito de la Fig. I 1·24h se le provee de una fuente de prueba I, y se calcula la ten sión V, pa ra qu e
K.: = V/ " En esta misma figura. después de haber identificado ¡f. como se ha indicado . la ley de Kirchhoff
da:
V, = 1,E?':, + Rd l , + g",v . )
y sustituyendo y. = 1(0/, tenemos

~ = V, = ~ + Rd I + g...m. )
1,
por tanto
al = m.c.. + I R~(1 + g",Rd + Rd C..

R~
r -- --- - -- -, t v, -
•
I[ -"..-'f---:-.----l. 1
11,· O[ ,,
" l R~
IL J
R~
1.-,-- -,

(.) 'b}
F igura 11· 14 . Clrcuüo em pleado pan ca lcu larl as rcs islc:nciao¡ de: frc:cuc: ncia uro lci rcu ito abie rto) ; (a) RO y. lb) RO pat a la e lapa
en em isor común. • •
 R espu esta en frecu encia de los amplificadores 47 5

que es la misma expres ión que la de la Ec. (11-28).

Ejemplo 11-3

(a) Detenninar el coeficiente al de la función de transfe rencia de la etapa amp lificadora cuyo circ uito
equivalente sea el de la Fig. 11-25. (b) Con los valores num éricos indicados buscar la frecue ncia superior
de 3 dB aproximadajj, (c) Comparar este valor con el obtenido en la Seco 11-7 para la etapa en fuen te
común. (Nota: Esta etapa es un amplificador en fuente común con res istencia de fuente R,. Los parámetros
del dispositivo y los componentes del circ uito tienen los mismos valores ya empleados en la Sec o11-7.)

So lución

(a) El circuito tiene tres condensadores : por tanto, va liéndo nos de la Ec. ( 11-59) tendremos:

Para calcular las tres constantes de tiempo deben hallarse J?D~., J?DrJ Y RO
" . Suprimien do ", y poniend o
las capacidades en circuito abierto podemos identificar RO . como se ve en la Fig . 11 -26a. Co mo existe la
misma corriente en R D , r, y }IV • estos elementos se pued~n transformar en sus fuentes de corriente [IlV~s
I (T J +R o)] - resistencia equiva~ente (Ro + rd) en paralelo. Esta com binació n está en paralelo con R, y se
puede reconvertir a su equivalente de Thevenin como se aprecia en la Fig. 11-26b. La fuen te de tensión
equivalente }.1 ' V~, y la resis tencia eh serie R,. son

¡.t' = ¡.tRA, R", = s, 1I (R D + I' d)

rJ + RD
La aplicación de una fuente de prueba VI y el cálculo de la co rriente 1, como se indica en la Fig I t · 26b
nos da f(J~. = Vji,. Con V~. = VI la ley de Kirchhoff nos lleva a

J, ~ -,-
V;2-
,(I:..,+'---f"'-")
R , + R",
de dond e
v, R. + R",
= - =
J, 1+ ¡.t'

R,
(300 U ) G D

·;,T"F<!>. 13.0 pF ) (2 ,1
m
X 10' "- lu,, )
e"
n.s pF)
'.
(80 ,,11)
•

• RD
" S (20 kl1) uo
- R,
(2 kilj

, ,
Figura 11·25. Circuitoequivalente de alta frecuenciade la etapaen fuente com ün con resistencia de fuente.
476 Mtcroetear ántcamodem a

R,
R,

.! j
• - 1,

• v,
v"
-
_ R~.
-
'. v"

~ "VI' R,
,, .--
RAPo
RD +
• ',j

,, ' V"
RA "' Rs l ( r,j+RD)
R,

(,) (b )

F ig ura 11·26, (a)C1rcuiloempJeadopara hallar R"gs. (b ) El circuito en (a)conla parle drenaje-fue nte (R , IlV ,r y RD)sustit uida
por un equiva lente de Thevenin Jl' V" . R s gs d
A,

La resistencia If~d puede ca lcularse a partir del ci rcuito de la Fig. 11-27a. Aplicando la ley de Kirch hoff
en D tenemos
(11

{21

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo de la derecha

(JI

Com binando de ( 1) a (3) y despeja ndo /l nos da

r ,¡ + J,LR ,. + (1 + J,L) R ., J
12 = , (41
Ro + r" + R :,'( l + ¡L)

y la tensión V, es, aplicando la ley de Kirchhoff al lazo exterior:

(51
Substituyendo (4) en (5) y despejando V/1, tenemos
R0 ,¡ = V, = R + Ro[r" + ¡..¡.R, + (1 + ¡L) Rsl
If 1, ' R¡) + r ,¡ + R,~( I + ¡L)
La tercera resistencia R °,j, se obtiene por medio de la Fig. 11-27b. Obsérvese que no hay corriente en
R, de fonna que V" aparece como se indica a través de R, La ley de Kirchhoff exig e que /1> = /1 + /2' siendo
V, + ¡LV¡,- , 1 V, - VM"
/ 1 = Y 2 =
1",/ Ro

La tensión de control V" es I / R,. Combina ndo estas ecuaciones y despejando 1, obtendremos

r ,ÁRs + Ro)
+ I",¡ + (1 + ¡L) R s
 Respuesta enfrecuencta de los'amplificadores 477

Figura 11·27.Circuitoempleadoparacalcular (a) ROJd' Y(b) R~. de la etapa de la Fig. 11 -25.

(b) El cálculo numérico de a l es el siguiente

5 Il = g",rJ = 2 x 80 = 160
R, = R, 11 (Ro + ,,) = 2 11 (20 + btl) = 1.96 kll
Il' = Il R A, = 160 x 1.96 = 3.14
rJ+ R o 80+ 20

y
o = 0.3 + 1.96 = 0.546 kll
R)!s 1 + 3.14
, _ 20[80 + 160 x 0.3 + (1 + 160)2J _ 21 6 kll
R Md - 0.3 + 20 + 80 + 2(1 + 160) - .
, _ 80(2 +20) _
R" - 20 + 80 + (1 + 160)2 - 4.17kll
por tanto
al = 0.546 x 3 + 21.6 x 1 + 4.17 x 1.5 = 29.S ns
y
1 1
fH = - -
27TOI
= :;--::-= 7-:"--;1"0 :0
2 7T X 29.5 x
- \l = 5.40 MHz

(e) Observamos que el valor de!Hhalladoen la parte (b) es mayor que el correspondiente (2,15 MHz)
a laetapaen fu ente comúnsimple. En la Sec.10-15 vimos que la realimentación suministrada porR.reduce
la ganancia. Aquí vemos que al mismotiempoaumenta el ancho de banda. En el Cap.12 se tratará de los
efectos de la realimentación.
478 Microelectrónica moderna

El coeficiente a l

La situación del polo no dominante más próximo, y por tanto la separación entre los polos dominante
y no dominante viene determinada por a r Como se ve, por ejemplo, en las Ecs. (11 -28) y (11-36), a2
comprende el producto de las constantes de tiempo. Tal como se ve en la Ec. (11-36) todos los pares de
capacitancias posibles forman las constantes de tiempo en a r Por tanto , en el circuito de la Fig. 11 -23,°2
se expresa

( 11-601

siendo Rj., la resistencia a frecuencia cero vista por C. cuando se cortocircuita e. En la Be. ( 11- 60),
" I I
Rl n es la resistencia vista por C1 cuando C, está en cortocircuito y C, en circuito abierto como está
representado en la Fig. 11 ·28. Análogamente Rll:l es la resistencia vista por C J con e, en cortocircuito y
C2 abierto; R1JJ se obtiene cortocircuitando C 1 y abriendo CI' La notación racionalizada sigue el siguiente
criterio : el subíndice señala los terminales entre los que se mide la resistencia, y el exponente indica el
condensaor cortocircuitado. Todas las capacitancias sin ningún subíndice ni exponente están abiertas. Así,
cada término de la Ec. (11-60) es el producto de una constante de tiempo en circuito abierto por otra en
cortocircuito.
La forma general de cada término de 0 2 es:

(J1-61)

,~

ronltniendo
"'yfu.nl"
.;.l.... i..
¡obemadao.

Figura 11·28. Redde la Fig. 11 -15 empleada paradefinir R I22(CI está en cortocírcutto y CJ en circuito abierto).

La Ec. (11-61) indica que para cualquier par de condensadores C; y C¡ podemos hallar la constante de
tiempo en circuito abierto para uno de ellos y la constante de tiempo en cortocircuito del otro . Obsérvese
que el condensad!?r cortocircuitado para determinar Rijj (Ri,.) es aquel para el que se calcula la constante
en circuito abierto. Por tanto, el valor de al no varía si se sustituye R?nC-ft\ lCl por R(JllC1RlnC r
Frecuentemente la elecci6n de cuál de las forma s de la Ec. (11-6 1) emplear conduce al análi sis más
conveniente del circuito .
Mientras que existen cuatro parámetros en cada uno de los términos de la Ec. (11-60) sólo hay que
calcular las resistencias en cortocircuitos Riii ya que las en circuito abierto RO ;¡ ya son conocidas por el
cálculo de a l ' El siguiente ejemplo muestra la forma de proceder para el cálculo de la constante de tiempo
en cortocircuito.

Ejemplo 11-4

Determinar el coeficiente al para el circuito de la Fig. t 1·14.

 R espu esta en frecuencia de los amplificadores 479

Solución

Para e l sistema de dos co ndensadores

las resistencias en circuilo abierto ~ y R~ son co noc idas (Eje m plo 11· 2). A sí pues. debe mos ca lcu lar
ya sea R=ya sea R ~ . Para mayor claridad calc ularemos am bas. usando la Fig . 11-2 9a para R: y la Fig.
11·29b para R~ .
En la Fig. 11· 29a co rtocircuua r C. hace que 1'. = O. En consecuencia it,: es t é e n cortocircuito y la fuente
de co rriente 8... 1'. en circuito abie rto (1 = O). Por tanto, y R;

resultado o btenido en la Ec. ( 11·28)

En la Fig . 11-29b cortocircuítando C~ se sitúan RO~ RL y la fuen te de corriente K", v. e n parale lo. La
tensión a través de la fuente de pendie nte es I'~ y la corrien te a través de ella es 8", v~ Ypor tant o esto es
una resistencia I'/ K.. \'~ = l/g.... Así pues.RI'. es simplemente la combinación en paraIe lodeRo~ R L y 118.... o sea
1 R~ L
R: ~ R~ 11 R, 11 gm = mll + g., Rd + R,
En consecuencia , empleando el resultado para ~ de l Ejemplo 11·2 o btend remos
R",.R,
al = [R~(1 + g...Rd + Rd C.. X R~(1 + g...Rd + RL C. = RO,.C..RLCI'

que co mo era de esperar nos da el mismo resultado anterior.

El procedim iento que queda descrito no constituye una ap roximación . sino que da los valores exactos
de los coeficientes a l y a; Vem os que empleando e l método de las constantes de tiempo se obtiene n los
se
mismos resultados que o btendrían usando la reg la de Crame r o la elim inaci ón ga ussiana para reso lver.
simultáneamente. las ecuac iones noda les de l c ircuito. Para un circuito co n dos nudos co mo es la etapa en
emisor común. este procedimient o no aporta ningun a ventaja real ya que la func ión de tran sfe rencia tie ne
sólo dos polos y se puede deduc ir fácilmente . Sin embargo. cuando se trata de amplifica dores co n c uatro
o más nudos esta técnica resulta co nvenie nte ya que a l (y a l) se obtienen direct ame nte. Po r e l con trario.

• R'
,. --------
•
R, R,
r, l'. 1:...... R¿
", . o

I.. J
, l. J
,
(. l (b)

Figura 11.29. Cin.:uilOS de la etapa en emisor comün empleados para calcular lo ) R ~ y lb) R... .
480 Microelectrónica moderna

el empleo del análisis nodal exige hallar el polinomio completo (todos los n coeficient es) . Ademá s, tal
como se demostrará en sucesivas secciones , el cerrar y abrir condensadores tiende a desacoplar partes del
circuito (etapas). Cada constante de tiempo está relacionada con una parte del amplificador y el impacto
sobre/, de los valores de los elementos de esta parte del circuito es evidente. En consecuencia el diseñador
del cir~uito puede valorar mejor los resultados de cambiar los valores de los componentes. Cuando se
emplea conjuntamente con simuladores de cálculo, el diseñador tiene la ventaja de percibir el comporta-
miento del circuito y los datos numéricos exactos.

n-lo. RESPUESTA EN FRECUENCIA DE ETAPAS EN CASCADA

Los amplificadores se diseñan para que proporcionen ganancia dentro de un margen de frecuencia s
especificado. En la Seco 10-16 se vio que conectando etapas en cascada, la ganancia total. igual al producto
de las ganancias de las etapas individuales. aumentaba considerablemente. En esta Sección examinaremos
los efectos de unas etapas en cascada sobre la respuesta en frecuencia del amplificador completo.
Demostraremos que el producto ganancia-ancho de banda aumenta en comparación con el de una etapa
sola. Por tanto, dado un valor de/H , la ganancia del amplificador en cascada es mayor que la conseguida
por una etapa sola que tenga igual/N"

Cascadas Emisor Común-Emisor Común (Ce-Ce) y fuente común-fuente común

(Cs-Cs) en alta frecuencia

La Fig. 11-30a representa un par de etapas en emisor común conectadas en cascada, siendo su circuito
equivalente a alta frecuencia el de la Fig. JI -30b. Obsérvese que no están representados los componentes
de polarización ni los condensadores de acoplamiento y de paso . cuando se emplean. ya que estos
elementos no influyen en el comportamiento a alta frecuencia.
Como las dos etapas están en cascada , podemos esperar una funci ón de transferencia de cuatro polos
y dos ceros, es decir. dos polos y un cero de cada etapa. Sin embargo no podemos expresar la función de
transferencia como producto de ganancias individuales a alta frecuencia AVHI (s) y AVH2(S) ya que las etapas
están acopladas entre sí mediante C~I y C~2' Así, tal como se ve en la Fig. 11·30b, cambiando el valor de
RC2 se afecta la entrada de la etapa 2 (efecto Miller). Como la entrada a la etapa 2 es parte de la carga de
la etapa 1, ésta, a su vez, repercute en la entrada de dicha etapa I por efecto Miller. Si considerásemos la
etapa 1 (o la 2) separadamente, eliminaríamos este acoplamiento y el resultado obtenido sería erróneo.
Podemos tener la función de transferencia completa escribiendo las cuatro ecuaciones nodale s" del
circuito y resolviendo el sistema de ecuaciones resultante. Este proceso además de ser engorroso dificulta
relacionar el comportamiento individual de las etapas con la respuesta total. En lugar de ello, emplearemos
los razonamientos anteriores sobre el amplificador de una etapa para aproximamos a la respuesta en alta
frecuencia. Basándono s en este análisis podemos suponer razonablemente que los ceros de la función de
transferencia se producen a una frecuencia suficientemente alta para poder ser despreciados. Como lo que
primero que nos interesa es el cálculo de la frecuencia superior de 3 dB,fH' consideramos que es aplicable
la condición de polo dominante, y todo lo que hace falta es calcular el coefi ciente al' Esta aproximación
es justificable porque muchos amplificadores prácticos están diseñados 'para que tengan un polo dcmi-

('}) Para un amplificad", de In:s elapa. se necesitan seis ecuac i"nes n<>dal e•. En genera l se necesila n d"s ~u aci"nes por eta pa de r"rma que el
número de ecuaciones slmuhénea s a resolve, Crece rápidameme.
 R espuesta eIJ frecuencia de los amplificadores 48 1

02

,,'
Etapa 1 Etapa 2
~ - --- -- - - -- - - - - - - --- - - I
( ~I
:
, - ,
1

1
,, lJl l ( :'1 ("1 I

,,,
,,,
: R,

,,,
R C1 I OJo
"' 1
,, " , -
:
,L El
,I r: ,L ,,
..J J

(b)

Ffgur a JI-30. (ti) Amphficadnr cn cascada emisor- común. emisor -co mún. y (b) su circuito equivalente a altas Frecuencias.

nante. Además, corno veremos en el siguiente desarrollo, el coeficiente (/ 1 de la cascada está relacionado
con el coeficiente a l de las etapas individuales, factor esencial en el diseño de l amplificador. Basándonos
en el cálculo de ClI podemos determinar a continuación el coe ficiente '': (si es necesario) y exa minar la
validez de la aproximación del polo dominan te. En el Ejemp lo 11 -5 se realiza este cálculo.
El circuito de la Fig. Il -3 l se emplea para evaluar la resistenci a en circ uito abierto nece saria en la
expresión de a l [Ec. (1 1-59)] . Pura evita r que la notación resulte dem asiado engorrosa son convenientes
las siguientes igualaciones: C I = C" ¡,C~ = C~¡, e l = c._
\
y c~ = C~ 2 corno en la Fig. l 1-30l}. Una de las
ventajas de los condensadores en circuito ab ierto (Fig. 11 -31) es que se desaco plan las etapas. Así pues,
de los resultados obtenidos en el análisis del amplificador en emisor común de una sola etapa, las Ir'!! y
f('n de la primera etapa se pueden expresar

R II.. 1 = R(lII = R , 11,- ..1 ( 11-62)

En la Ec. ( 11-62) la resistenciaR¡.1identificada en la Fig. 11-3 1, es la carg a efectiva en la primera eta pa,
es decir R('I en para lelo con la resisten cia de entrada R,~ = r. ~ de la segunda etapa.
La resistencia de fuente de la segunda etapa es la resistencia de salida R ' ol = Re! de la primera (Sec.
10-1\) Yen forma similar que para la primera etapa tendremo s
R" - R"H -- R el
,,~ - 11 r ..- ~ ( 11 -63)

Obsérv ese qu e con I"h = 0, R¡.I = RU 02' Empleando las Ecs. ( 11-62) Y( 11-63) juntamente con la ( 11· 59)
se obtiene
482 Mtcroe íearántca moderna

,, '
R, ,
:,~ . :
~, ~ o ,,
IL R, ..J
C.. ga.r",, 'i••
on I. primcrulap.
R LI " RCl IIR a
~ RCll lr. ¡

Figura U -JI. Circuito empleado para calcular las resistencias de frecuenci a cero de la cascada CE ·CE de la Fig. 11-3Uh.

(1 1-64)

Podemo s identificar los dos primeros términos de la Ec. (11-64) como coeficiente a l de la primera
etapa carga da (lIamémosle 0 11), El último par de términos de la misma ecuación es el coeficiente 1 de la °
segunda etapa (lIamémosle ( 12) ,
Empleando la aproximac ión del polo dominante, la frecuencia superior de 3 d B ,f1l' de la cascada es
I I
fH ~ - ~ (1 1-65)
27TOI 211'(/ 11 + 211'(/ \2 l/fHI + l/fH 2
Evidentemente, la Ec. (1 1-65) relaciona j ., con la frecuencia superior de 3 dB ,fHl Y1112 de las etapas
individuales. También vemos que 111 es menor que 1;/1 y 1;/2 y por tanto llegamos a la conclusión que la
conexión en cascada reduce el ancho de banda.
La reducción del ancho de banda es un proceso aditivo como se desprende de la Ec. ( 11-65) mientras
que la ganancia en la banda media se multiplica . Con números mayores que la unidad , su producto aumenta
más rápidamente que su suma 10. Esto nos lleva a la conclus ión de que el produ cto ganancia-ancho de banda
de la cascada aumenta por encima de lo que lo hace una eta pa indiv id ual. Consideremos dos etapas en
cascada caracterizadas por las frecuen cias de banda media y superior de 3 dB, de valores IDOy O, I MHz
Y \O Y I MHz respectivamente. Cada una tiene un producto gan ancia-ancho de banda de 10 MHz. La
cascada tieneuna ganancíagloba l de 100 x \O = lOOO y de la Ec. ( 11-65),111 = i/[(l/O,l) + (1/1)] 0,91 MHz. =
El producto ganancia- ancho de banda de la cascada es 9 10 MHz claramente superior que el de cualq uiera
de las etapas.
Por analogía los resultados dados por la Ec. ( 11-65) son apl icables a un par de etapas en fuente común
en cascada. Los valores de a l l y a ' 2 los da la Ec. (11-36) de la Sec o 11-7.
El resultado de la Ec. ( 11-65 ) se puede extender de la siguiente forma a un amp lificador de N eta pas
°
en cascada: El coeficiente 1 de la cascada es la suma de los coeficientes a l de las etapas individuales. La
resis tencia de carga efectiva de cualquiera de las etapa s es su resistenc ia de co lector (o drenaje ) en para lelo
con la resistencia de entrada a In etapa siguiente. La resistencia señal-fuente de la etapa es la resistencia
de salida de la etapa anterior. En la primera etapa se utiliza la resis tencia señal-fuente.

Ejemplo 11·5

Los parámetros utilizados en la cascada CE -CE de la Fig. 11-30 son los s iguientes:

(lO) Dado, ,, nílme ro, a ,.' {}2" " " ,,' .. cada <l . es ~ ,i ""- II. ' " prod UC IO es ;;.que '" suma . Si 11 ~ 2. a l ;;' 2. Norma lme nlc en las c lapas <le
amplificador lamo la ganancia como el ancho de banda son mayor es oc 2.
 R espuesta enfrecuencia de los amplificadores 483

R" == 600 n . n., == 1.5 en . Un = 600 n . 1",, 1 = 1.2 kn , 8"'1 = 0.1 n. C " I ==
24.5 p F. C/,- I = 0.5 pF , 1",,2 := 2.4 en . 811/2 = 0.05 n . C"2 = 19.5 pF , Y
C/'-2 = 0.5 pF.

(a) Determ inar e l valor aproximadodejj.yla situac ión apro ximada de l polo dom inante, (b) Determ inar
la situación aproximada del polo no dom inante más ce rcano y comentar la va lidez de la aproxim ación del
polo dom inante.

Solució"

(a) Para hallar/ H calcularemos primero las resistencia s de las Bes. (1 1-63) Y( 11-64). O sea

R1 , ~ 600 11 1200 ~ 0.40 kil

RL I := Re l 11 1",,2 := 1.50 112.4 = 0.923 kn
y
U~2 = 0.40(1 + 100 x 0.923) + 0.923 = 38.2 kili
R1, ~ 1.5 2.4
0.923 kil
11 ~
m4 = 0.92 3(1 + 50 x 0.6 ) + 0.6 == 29.2 kf]
La Ec. (1 1-64) da
al = 0.40 x 24 .5 + 0.5 x 38.2 + 0 .923 x 19.5 + 0.5 x 29.2 = 61. 5 ns
y de la Ec. (11-65), 11-65),
1
x 6 1.5 x

El polo do minante está situado en - PI' siendo

1 1
PI = - = 9 == 1.63 X 107 rad/s
(J I 61.5 x 10
Es interesante determinar los valores de / HI y 1112 del amplificador. Lo s dos prim eros térm inos para e l
cálculo de a l nos dan a ll y los dos último s nos dan a 1r Estos son:
(J I I = 28.9 ns (1 12:= 32.6 ns
de donde
1
fm ~ --~ ~
5.5 1 MH z
21U111 2nx 28.9 x 10- 9

Y
1
fm ~ --
10- 9 = 4.88 M H z
27T(l12 2n x 32.6 x

Con estos valores se aprec ia la menna def Hdebida a co nectar las etapas en casc ada (a menos del 60%
de 1HZ' q ue es el menor de los dos) . Sin e mbargo las ga nancia s a frecuencia med ia de las dos etapas so n
- 100 Y-18,5 respectivamente lo que da una ganancia total de 1850. Resu lta evide nte que la gananc ia se
ha incrementado en un porce ntaje notablemente mayor que e l po rcentaje de di sminución de!" .
484 Microelectrónica moderna

(b) Para hallar la frecuencia angu lar Pr del segundo polo deberemo s ca lcular el coe ficiente al" Con
cuatro conden sadores hay seis productos de constante s de tiempo en ci rcuito abiert o y en cortocircu ito;
así al puede expresarse
tl2 =' R?,CIR h C I + R~I CIR!ll C3 + R?C 1m4C4
+ R~2C2R hC3 + R~lC1Rl4 C4 + RQ3C3RJ4C4

Rl¡ R"
r -------,
•
1 o

Ro
o
Io ,,
o
,I Q.:
,,,
», R" ,.: ¡:,,,:Q. : R"
- o'"'
o
Q. o
I
,
o ,
,L _ _ _ _ _ _ _ ...J,
(, )

R'
•
• , 1

[ '., '., R"

(b)
,.l
Q, l ¡ /I",". l R"

rr
,
1
m

' .1 " ,1
n

Rc lr , :
l
!..: l
1 ,.

II ,I _ 1,
R
n
IL ,
..J

(,)

Flg. 11·32. Circuitos equivalente s empleados para calcular, (a ) R 122 , (b) RJ44 Y(c) R 244 ,

La relación entre la anterior ecuación y el circuito de la Fig. 11 -30b indica que sólo se deberán calcular
dos términos no identificados anteriormente. En la Fig. 11-30b vemos con C, en circuito abierto . la parte
de circu ito que cont iene C l está desacop lada de la segunda etapa (C J y C) , Las resistenc ias vistas desde
CJ y C4 son por tanto independien tes de que C I este abierto o cerrad o, As í, R ' .U = ¡(J3J y R l 44 =' RlI44 • Ylos
t érminos segundo y tercero de la expresión de 0 2 pueden esc ribirse

t.a resistencia R I 22 se calcula a partir del circuito de la Fig. 11-32a . Con C.I y C4 abiertos. R Il 2 =' RL I es
 Respuesta en frecuencta de los amplificadores 485

simplemente el valor de Rln para la primera etapa cargada. Aná logamente cortoci rcuitando C l se se para
completamente la primera etapa del cálculo de R)44' que como se ve en la Fig . 11-32b es Ra , y del valor
de R)44 para la segunda etapa. Así, el par de t érminos que contienen Rln y RJ44 son precisamente los
coeficien tes a2 de las etapas individuales.
El restante par de resistencias de cortocircuito se determinan cortocircuitando C 2• Se observa en la Fig.
1 1 ~3 1 que cortoclrcuitando C, se hace qu e la tensió n a travé s de la fuen te Kml VKI sea v. l • Esta relación V·
=
rrepresenta una resis tencia v.Je; VK1 1/g", 1 como se aprecia en el circui to de la Fig. 11· 32c. Como se
veen esta última figura I/Cm l es mucho más pequeño tanto deRcl co mo de RO I I por lo que la combinación
en paralelo de est as resistencias vale aproximadamente 1ICm l , Para calcular KJ ) ) y R O", se emp lea la Fig
11- 32c, salvo que la resistencia de fuente efec tiva es I/C", en lugar de Re, (véase Fig. 11-31) . O sea
1
Rh = 1'''' 2 11 R("l 11 - 11 R~I Y Ri4 = RMI + g"' 2Rn) + Ro
gm l

La combinación de todos los términos de los tres párrafo s anteriores nos da

Las resistencias R 2I I Y R 244 son

Rh ~ 2.4 1 11.5 11 0.0111 0.4 = 0.01 kil
Ri4 = 0.01(1 + 50 x 0.6) + 0.6 = 0.9 1 kQ
Empleando estos valores y los anteriormente determinados en la parte (a) , tendremos

l/ l = 0.40 x 24.5(0.923 x 0.5 + 32.6) + 0.923 x 19.5 x 0.6 x 0.5

+ 38.2 x 0 .5(0.010 x 19 .5 + 0.91 x 0.5) = 342 x 10- 18
S

La frecuencia angular del polo es

P2 = ~ = 61.5 x IO - '! = 1.80 X I OB rad /s

(/ 2 342 x JO ~I B
/
y
1.80 X JO B = 28.6 MH z
2"
Como los polos están separados por un factor mayor de la, podemo s adm itir que la apro ximación del
polo domin ante es válida. Esto se comprueba con computación s imulada que daP I = i,?9x107 rad/s,P2 =
= =
I6.J X 107 rad/s y los correspondientes valores I, 2,85 MHz y f. 25.6 MHz. El error en el calculo de
polo dominante es de cerca del 10% Yel valor exacto de f H es '2,71 MH z. Así pues, f H = 1/2 na! da una
aproximación muy ajustada del verd adero va lor. Obsérvese además que f 1/ = 1/2 nal es menor Que el
valor real.
Una observación notable: Las etapas I y 2 actuando co mo amplifica dores de una sola etapa tendrían
frecuencias de polo de 5,51 y 4,88 MHz respec tivamente. Si n embargo a consecuencia del acoplamiento
entre las etapas cuando se sitúan en cascada, las dos frecu enci as de polos correspondientes de la cascada
son aproximadamente 2,59 .v 28,6 MHz. Por tanto , uno de los polos se ha acercado al origen y el ot ro se
ha apartado. Muchas veces se emp lea esta particu laridad para compensar amplificadores operaciona les.

11·11. EL AMPLIFICADOR CASCODO (CE·C H)

El amp lificador cascodo (Fig. 10·35) comprende una etapa en emisor común en cascada con una etapa
486 Microelectrónica moderna

en base común, En la Seco 10-17 ya vimos que la ganancia en la banda media de esta combinación es
prácticamente la misma que la de una etapa en emisor común con la misma resistencia de carga Ro que
la etapa en base común. Aquí veremos que la respuesta en frecuencia del conjunto es mayor que la obtenida
por la etapa en emisor común correspond iente. Para ello calcularemos el coeficien te (1 1 de l am plificador
cascado y lo compararemos con a I de una etapa en emisor com ún con una ca rga Ro '
El ci rcuito equivalente de alta frecuencia del amplifícador cascodo está represen tado en la Fig. 11-33a
yen la Fig. 11-33b lo está el empleado para ca lcular las resistencias en circuito abierto . Sig uiendo el
procedimiento señalado arueriorme nte en esta misma sección, el coeficiente a l de la cascada CE-CH es la
suma de los a 1 de la etapa en emisor común cargada a 11 y de la etapa en base común (11 2 ' Para la etapa en
emisor común

( 11-66)

Etapa en emisor-común Elapa en base.comün

~j' ~
81
•
CI sa
• - C2
•
~C~"~,
R, gMl V~

v{;2 ' . \'. 1

R"
8.., V. ,
'< V. l C" C,.¡ R~ V,

- -
-;:- El B2

,,)

R'
.' '.,)11. 1

•
1 • -
L 11, • O
'., ".. R"

Rn
(b)
'., 0., R"

Fig ura 11· 33. (a) Circuito equivalen te de alfa frecuenc ia de l amplificadorc ascodo (cascada base-comú n, emisor-comdn), (b ) cir-
cuito empleado calcular R OKI y RO~l '

en donde R °K I viene dada en la Ec. (11-62) como s,

11 r. l • La resistencia RL I es igual a RCl 11R'2siendo s,
la resiste nciade entrada de la etapa en base cornun.Tal como se describió en la Seco10-2 y tal como figur a
en la Tabla 10-4 la resistencia de entrada R1 ", rJ( I+Po) de una etapa en hase com ún es extremadamente
baja y po r tanto tamb ién lo es RL I "" R i2' La Ec. ( 11·66) es aplicable tambié n a la etapa en em isor común
correspondientecon Ro como carga. Como Rn » R'l vemos que el efecto multiplicador de MilIer de C ul en el
amplificador cascodo queda muy reducido respecto al de la et apa en emisor común. Esta reducc ión
de la inllue ncia de CII I es lo que mejora la respuesta en frecuencia del amp lificador CE -CH.
f H de la etapa en base común es mayor que en la etapa de emisor común. Como se deduce de l Probo
11 -220, el coeficiente de una etapa en base común puede aproximarse por
 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 487

Con los va lores param étrlcos norm ales. el valor de "u en la Ec. ( 11-67). Y por tant o e l de f lll" es
comparable al de un seg uidor de emisor. y su efecto sob re la respu esta globa l es mínimo.

Ejemplo J 1·6

Un amplif icador ca scod o tie ne Rn :::: Rn :::: 1.5 kn. y R, :::: 300 n. . Los tran sistore s so n idé nticos y
riene n r ~ :::: 2 kU. 'lJ., :::: 0.050. ....0 e :: e ::
n :::: lOO. • 19.5 pF. • 0.5 pF YOOy::::
,
25 X IQQrad/s . (a) determinar
f H de l ci rcuito, (b) determinar f" de una etapa en emisor co mún ten iendo Re:::: 15 kQ exc itada por un a
fuent e con R, :::: 30 0 Q empleando el transisto r del q ue se han dado sus pará metros más arr iba. Comparar
los resultados con los obtenidos en la parle (a) .

Solució n

(a) Seg ún la Ec. ( 11-62) tenemos para la etapa e n emi sor común

R%, :::: 0.30 11 2.0 :::: 0.26 1 kn

De la Tabla 10-3 tenemos para el amplificado r en base común

2.0

y
R" ~ R" 11R" ~ 1.5 11 0.0[ 98 ~ 0.0[ 95 kil
Por tanto
(/1 1 = 0.26 1 x 19.5 + 0 .5[0.261(1 + 50 x 0.019 5) + 0.019 51 = 5.36 ns
Para la etapa e n base común la Ec. ( 11-67) da
[
(/ I ~ :::: 2.5 + 0.5 x 1.5 = 1.15 ns

o sea
5.36 + 1. 15 :::: 6.5 1 ns

_ v,

R,

v,

Figura 11·34. Etapa no inverso ra empleando un Amp-Op representa do co mo de un so lo polo domin ante en 5 '" - O)~.
488 Microelectrónica moderna

y
1 1
fH - - = -r-r-r-r-r-r--rr-z9 = 24.4 M H z
211'a , 211' X 6.5 1 X 10-

(b) Para la etapa en emisor común equ ivalente

a, = 0.26 1 x 19.5 + 0.5[0.261(1 + 50 x 1.5) + 1.5] = 15.8 ns

1 I
fH = -¡ "
- a- , = ~2"-X-I~5-'.8~X~IO~-",,9 = 10. I MH z

Bvldenteme nre el amp lificador cascado liene un valor de J 11 mavor que la etapa en emisor común. Si
la resistencia de carga Ra se acrecienta (por ej. a 5 kil) la mejora de fHes aún más fuert e ( 18.7 MHz para
el cascado y 3,82 MHz para la etapa en emisor común).

11·12. EL AMPLI FICADOR OPERAC IONAL A ALTA FRECUENC IA

Los amplificadores operacionales prácticos, son frecuentemente la cascada de un amplificado r dife-

rencia l, etapa en emisor común y seguidor de emisor (Sec. 10-18) diseñados de forma que su respuesta
en alta trecuencia esté caracterizada po r un solo polo domin ante. Así, su ganancia A. es
A .....
A ,.(s) = I + s/WIt (1 1-68)

siendo A,o la gananc ia (en la banda med ia) '1 (¡), la frecuencia ang ular del polo dominante. El producto
ganancia -ancho de banda del Amp-O p es A.oro, (Sec. 11-3). Seg uidamente determinarem os la frecuencia
superior de j dB de las etapas básicas inversora y no inversora. Para fijar la atención sobre el efecto del
polo dominante trataremos el amplificador operacional co mo ideal en todos los aspectos excepto en que
la ganancia viene dada por la Ec. ( 11- 68).

La eta pa no inver sora

La Fig. 11-34 representa el modelo de la etapa no inversora en la que la fuente gobernada muestra la
variación de frecuencia. La ganancia Av de esta etapa es la dada por la Ec. ( l a- l a) que con Ro = O Y A"
dado en la Ec. ( 11· 68) resulta
+ R 2)/ (1 + s/ w¡,)
A ....,(R.
(11·69)
R.ll + A... ) (l + s!w,, )] + R2
Simplificando fracciones. y reagrupando términos se puede esc ribir

R .(I + A....) + R 1 1 +
= -cA
::..!:!
vaL (11·70)
I + S/WH
 Respuesta enfrecuencia de los amplificadores 489

de donde
A",,(R. + Rl) w¡, [R I( I + A .,,,) + R 2 l
(11-711
R1(l + Av,,) + R l R1 + R2
El producto ganancia-ancho de banda de la etapa A"o (t)H igual que A,(l (t)h Y puede observarse en el
diagrama de Bode de la Fig. 11-35. Normalme nte los fabricantes ya especifican el valor de ese producto
(como frecuencia de 3 dB de ganancia unidad ). En consecuenc ia, en un Amp -Op con un producto
ganancia-ancho de banda de 1 MHz, una etapa no inversora con una ganancia 20 tiene un ancho de banda
fH = 1/20 MHz == 50kHz.
A , dB

Figura 11-35. Diagrama asintóticode Bode para la etapa amplificadora de la Fig. [ 1-34.

Como la ganancia A vo viene fijada por la relación de resistencias RI.R tanto la ganancia como el ancho
de banda de un Amp-Op dado quedan espec ificados una vez seleccionada " dicha relación .
Siendo A,o grande ( = I ~) se pueden aproximar A,o y fH resultando
R_ fA, ..
A I,o = I + --= J'I = " -A ( 11-72)
R. I' (J

Obsérvese en la Ec. (1 1-72) la relación explícita de l« con el producto ganancia-ancho de banda y la

ganancia en la banda media de la etapa. Los Amp-Op típicos tienen Avo = I (}~ Yun producto de unos pocos
megahertz. Por tanto. podemos afirmar que la frecuencia f h del polo dominante es más bien baja
(normalmente entre 5 y lOOHz).

La etapa inversora

El análisis de la etapa inversora es como el de la eta pa no inversora que acabamos de describi r. Los
resultados (Prob. 11 -46) vienen dados en las Bes. ( 11-73) Y(1 1-74)

A""

+ A,...l + R, ]} (11 -73)

490 Microelectrónica moderna

Ob sérvese q ue e l valor de oo/{ e n la Ec. ( 11-73) es idénti co a l de la etapa no inversora. Así pues, para
linos valores dados de R , y R2 1as etapas mversora y no inver sora en Amp-Op idénticos tiene n e l mismo
ancho de banda.
Para Avo» t, la Be. (1 1-73) se reduce a
R, _ A",,!/¡
fU (11 ·74)
Ayo = - R : - I + 1
A I,o I

Obsérvese q ueel prod ucto gana ncia-ancho de banda de la etapa inve rso ra no es igu al aA ,Qf". A valores
iguales de A1,o la etapa no inversora tiene un ancho de banda más am plio . La razón de esta diferencia
quedará aclarada al estudiar la respuesta en frecuenc ia de amplificadores realimen tados (Cap. 13).

11·13. EL EFECTO DE LOS CONDENSADORES DE ACOPLAMIE NTO Y

DE PASO
En las ocho Secciones precedentes se ha tratado de la resp uesta e n alta frecuencia de los amplificadores.
r ~d todos los c ircuitos llamados de co mponentes di scretos e mp lean co ndensadores de acop lamiento y de
paso (bypass). (A lgunos amp lificadores integ rados tam bién emp lean condensado res de acoplamiento.)
Anter iorme nte ya se ha dem ostrad o que estas capacidades afectan a los amplif icado res a baja frecuencia
y es en es te ca mpo de frecuencia en el que esta mos interes ados en esta Sección. En la Fig. 11-36 vemos
el circuito eq uivalente de una etapa en emisor co mú n co nteniendo un co nde nsador de paso C¡; y otro de
acoplam iento Cs' Obsérvese que és te es e l modelo de la etapa am plif icadora de la Fig . 10-12 para la que
C, de la Fig. 11-36 es CS 1' Aquí no tomamos en co nsideración C S 2 ya que representa e l condensador de
acoplamiento entre la salida de esta etapa y la entrada de la sig uien te . Por tan to sus efe cto s se inclu yen en
el anális is en baja frecue ncia de la segu nda etapa.
Cada uno de los dos condens adores Cs y CE influyen so bre el fun cion amien to a baja frecuencia. En
primer lugar supongamos Que C". cumpla perfect ament e su m isión de paso res pecto a RE' es deci r, que CE
act úa co mo un cortoc ircu ito {alternativamente, se supo ne CE infini to) . Para este circuito tenemos un
condensado r Cs y por tanto la función de transferencia tiene un polo en la inversa de la constante de tiempo
de l ci rcuito. La ganancia es ce ro con co ntinua (s = j oo = O) ya q ue C e está e n c ircuito abierto haciendo Ih
VK y por tan to Vo = O. La re sistencia equivalente RE s en e l lazo de base es Rs + r•. Obsérvese que estamos
emplean do la notaci ón de la Sección an terior ya q ue REe es la res istencia vista por Ce cuando CE está
cortocirc uitado .
Como
J" = V,I(R~ + l/ se ".), v, = 1""1,, Y v" = - ¡':",Y" Rc .

la función de transferencia puede e xpresarse

A ( ) _ A I'{}.IR t¡Co A Y Os l21Tf L B

s - [ + sRtiCB ( 11 -75)
VL
[ + s/2rr! LB
siendo

2rr(R , + r"lCo (1 1-761

A vo se o btiene e n la Ee . (l l ~7S) para s = j ro--700, es decir, a frecuencias en las que C s actúa como un
cortoci rcuito pro porcio nando un acoplamien to ideal. El diagr ama de Bode de la Ec. ( 11- 7S) tiene la forma
vista en la Fig. II -S.
 Respuesta en fre cuencia de los amplificadores 491

e,
f-- • ,
,. «,
R,

v,
•
R, e,

Figura 11·36.Representaciónen baja frecuenciade unaetapa enemisorcomún de componentes discretos incluyendo los conden-
sadoresde acoplamiento y de paso.

Veamos ahora cuáles son los efectos de CE cuando CB supone un acoplamient o ideal. Como se ve en
la Pig. 11-36 el circuito tiene un condensador eEy la funció n de transferencia tiene un solo polo en I/C /lB
E:
siendo RBEla resistencia vista por CEcon C$en co rtoc ircuito. Podemos espe rar un cero en la función de
=
transferencia. Este cero tiene lugar en s ZI con lo que ZE~DO (circuito abierto ) haciend o l b' V~ y Vo O. =
=
La impedan ci a ZEes RE JI I/sCE R¡(1 + sRECE) que se hace infinito cuando sCr RE - 1. Así, =
1
ZI = -- = Wl:: ( 11-77)
R toC E
La resistencia equ ivalente es idéntica a la resistencia de salidaR' ode un seguidor de emisor (véase Fig.
10-23). Por ranto.Ia función de transferencia es
A \'(J ( R ~!RE ) ( 1 + .\·!w¡)
( 11 -781
1 + S R~Cf'

siendo
R1:{R., + 1'...)/ ( 1 + /3,,)
( ( 1·791
R¡: + (R , + 1"...)/11 + (3,,)

B polotiene lugaren s =-P I = -l /RilECE ycomoRBr « R E (recuérdese queñ ", del seguidordeemisores baja)
la frecuencia PI del polo es mucho mayor que roE' Así pues, para frecuencias próxima s a PI el diagram a
de Bode de la Ec. ( 11-78) es el que aparece en la Fig . 11-5. La frecuen cia inferior de 3 dB l u es

La respuesta completa en baja frecuencia

Tanto CEcomo CBafectan a la respuesta en baja frecuenci a. Si considera mos s imultáneame nte ambos
condensadores esperamos una función de transferenci a co n dos polos y dos ceros . La función de
transferencia resultante (Prob. 11 -51 ) es

A \,() b l wn) ( 1 + sR1:C t )

A vd s ) =
I + {/ ,.\. + l/ ~ S ~
492 Microeleclrónica moderna

siendo
al = R ~Ct::
+ R2C/I = RI-:C E + [R. + r; + (1 + {3,,)Rd C/I) ( 11-82)
nz = R ~Cf:R~C/I = R~CHRfCE = Rt::Ct::(R., + " ,,)eH

----- ----- - - -70

- --------
20 dB/Década

40 dB/Dé¡;ada
20 dB/Dé¡;ada

Figura 11-37. Diagrama astmoucc ce Bode de la respuesta en baja frecuencia del circuito de la Fig. 11 ·32.

La Fig. 11-37 representa la forma del diagrama asintótico de Bode de la Ec. (l l -Bl ) suponiendo
Zl<Pl<Pl. Nuevamente se observa que la banda media tiene lugar con mele vado. Así, la frecuencia inferior
de 3 dB está relacionad a con el polo más alejado del origen, es decir con la mayor frecuencia de polo (Pz)·
Valiéndonos de la aproximación de P2de la Ec. ( 11-24) tendremos
al m;Cr:: + R~ CB
p~ = a2 = R~Cf;R~C/l
que después de sustituir ROE' /f!, y RE, Ydividiendo nos da
I 1
p, = + (11 -83)
- (R, + " ,,)C n CIoR/:.{R" + r,,) I ( 1 + {3,,)
Re + (R" + ",,) I (1 + {3o)
comparando las Ecs. ( 11-76) y ( II-BO)con Jos términos de la Ec. (1 1·M3) resulla
1 I
P2 = R' C + R'C = 21rl.!LB + hE> = 21Th (l1 -B4)
B /1 E E
'donde f UJ y f u son lasfrecuen ciasde 3 dB asociadas con C, y Cf. respectivamente [Ecs.( 11-76) y (I I-BO)] .
La frecuenciajj es (aproximadamete) la inferior de 3 dB del circuito.
El resultado de la Ec( 11-84) se puede extender a circuitos con más de dos condensado res como indica
1. Ec. (1 1-85):
N
= 21T ::¿ f L/( ( 11 -85)
K _l

La resistencia RKKse define como la resistencia vista por CK cuando todos los demás co nde nsadores
están en cortocircuito. Así, la frecuencia inferior de 3 dB puede hallarse aprox imadamente sumando
simplemente las frecuencias inferiores de 3 dB atribuidas a cada uno de los condensado res de l circuito.

Ejemplo 11-7

Una etapa amplificadora de un transistor tiene RF, = Re = 1,5 kn, R, = 600 .Q y los parámetros del
 Respuesta ell frecuencia de los amplificadores 493

transistor Po = 100 Y r, = 1,0kn. (a) Determinar los valores de CI!y CE necesarios para tener J,. = 50 Hz.
Supóngase qu e ambos condensado res contribuyen por igual en}I.' (b) Con el res ultado anterior determinar
e l cero introd ucido por Cf;.

Solución

(a) Para unafL g lobal igual a 50 Hz, j~ = fu: = 25 Hz. Mediante las Bes. ( 11-76) Y (1 1- 80) se tie ne

1
fUI 25 o CH = 3.98 ¡.tF
2niO.6 + I.O)C/J
f l. E 25

27TC¡,{ [ 1.5(0.6 + I .OJ/ ( 1 + IOO)]/[ 1.5 + (0.6 + 1.0)/(1 + IDO)]}

o Cf ; 406 ¡.tF
( b) De la Ec . . (1 1-66). h = W,/27T = 1!27TR I,C,o = 1/(27T X 1.5 x 0.406) =
0.261 Hz .
Los va lores hallado s en e l Ejemp lo 11-7 p:ml las ca pac idad es cor responden a la situac ión típ ica
ex istente en la práctica en la qu e el valor de CE necesario es mucho m:lyor qu e el de CIJ' Además , e l cero
introduc ido por CE tiene lugar a frecu encia tan baja , compa rad a con la deseada de;;., qu e su efecto so bre
la respuesta en baja frecuencia es prácticamente de spreciabl e. Ta nto e l tamaño como el coste de lo s '
cond ensadores aumenta n al aumentar su capacid ad. En consecue nc ia, al d iseñar un amplificador se
acostumbra a e legir CE para satisfacer el valor espec ificado de J;.: Entonces se elige C B pura quefu teng a
lugar a una frecuenci a mucho más baja qu e j~. Una buena no rma em pírica con siste en elegirfi.R:5fJIO. Con
los va lore s del Eje mplo 11 7 e sto nos da CE = 103 IlF y CB ;:: 19.9 IlF , haciendo así la capacidad total
M

alrededor de la mitad de la hallada en el Eje mplo 11 -7.

Eta pas en cascada a baj a frecuencia

La frecuen c ia inferior de 3 dB, J;. de un amplificad or e n c asc ada se o btiene fác ilme nte por extensión
de l método de scrito en la Seco 11- 13 p,ua el amplifica dor de e tapa ún ica . Se puede ex presarle e n la forma
original dada en la Ec . ( 11-85) y reproducida algo alterada en la Ec . ( 11-86) :
N I N I
j, ~ L ic, ~ -2 L R, e 111-861
"~I . 7T" _1 "" "
Siendo RKI( la constante de tiempo del circu ito c uando todo s los demás co ndensa dores es tán en
cortoci rcuito . Según la Ec. (11-86) resu lta e vidente que la fre cuencia inferior de 3 dB total JL está
relacionada con las frecuen cias infer iores de 3 dB de las etapas ind ividuale s. O bsérvese q ue la norma
empírica dada inmediatamente después del Ejemplo 11-7 es aplicable tambi én a e tapas e n ca scada a baja
frecuen cia .

Resumen

La determinac ión de la gana ncia y de las frecuencias superior e inferi or de 3 dB de lo s amplificadores

en casc ada puede resumirse de la siguiente forma :
494 Microelectr6"ica moderna

1- La ganancia en la banda media es el producto de las ganancias de las etapas individuales.

2- La frecuencia superior de 3 dB,fH' es la suma de las inversas de las frecuencias superiores de 3 dB,
/m de las etapas individuales. El valor de cada/Hi es la inversa de la suma de las constantes de tiempo en
circuito abierto de la etapa.
3- La frecuencia inferior de 3 dB,fL' es la suma de las frecuencias inferiores de 3 dB / u: de las etapas
individuales. Cada valor de/u: es la suma de las inversas de las constantes de tiempo en cortocircuito de
la etapa.
Los valores defH y ft. se esbozan utilizando la aproxímacién del polo dominante lo que generalmente
concuerda bien con los valores medidos, Esto resulta muy útil en los cálculos normales realizados en las
primeras fases del diseño.

REFERENCIAS

1 Grey , P.R., y R.G. Meyer: "Analysis and Design of Analog Integrated Chcuus", 21 ed., John Wiley and Sons.
Nueva York, 1984.

2 Ghausi, M.S.: "Eleclronic Devices and Circuits: Discrete and lntegrated," Holt, Rinehart and Winston,
Inc., Nueva York, 19.85.
3 Moschytz, G.S .: "Linear Integrated Networks : Fundamentals," Van Nostrand, Reinhold Company, Nueva
York , 1974.

4 Cochrun, B.L., y A. Grabel: On the Determination of the Transfer Function of Electronic Círcuns, IEEE
Trans . Circuir Theory, vol. CT-20, pp. 16-20, Enero 1973.
S Grebene, A.B.: "Bipolar and MOS Analog Integrered Circuit Design," John Wiley and Sons, Nueva York,
1984.
6 Sedra, A.S., y K.C. Smith: "Microelectronic Circuits," Hnlt, Rinehart and Winston, Inc., Nueva York, 1981.

7 Schilling, D., y C. Belove: "Electronic Círcuirs-Discrete and Integrated," McGraw-HilI Book Company,
Nueva York, 1979.

8 SocIof, S.: "Analog Integrated Circuits," Prentice.Hall, Englewood Cliffs, N.J., 1985.

TEMAS DE REPASO
n-i. Definir la caracterfstica de la respuesta en frecuencia de un amplificador.
n-z, Esbozar la respuesta en alta frecuencia de una función de transferencia de un solo polo.
U·J. Defmir/H' frecuencia superior de media potencia.
U·4. Repetir el tema 11-2 para un sistema de paso-alto de un solo polo.
11·5. Deftnir el ancho de banda.
U·6. (o) Esbozar la respuesta a un escalón de un sistema paso-bajo con una sola constante de tiempo.
(h) Definir el tiempo de subida t,.
11·7. (a) Definir la inclinación o pendiente.
(b) ¿Qué relación hay entre la pendiente y fu
11·8. (a) D.fm"!,'
(b) DeflOirlr
(e) Escribir una ecuación que relacionej; con/r
 Respuesta en f recuencia de los amplificadores 495

11·9. (a) Escrib ir la función de transferencia de un amplificador con tres polos y dos ceros finitos.
(h) ¿Bajo que condiciones tendrá este amplificador un polo dominante?
11-10. Los tres polos de un amplificador "todo-polo" estan muy separados
(a) Escribir una expresión para la localización aprox imada de los polos en función de los coeficien tes de la
función de transferencia.
(b) ¿Cuál es el valor aproximado de/H?
11-11. Dibujar el circu ito equivalente hfbrído-n de una etapa en em isor común.
11-12. En una etapa en emisor común, empléese el teorema de Miller para hallar la capacidad de entrada de una
etapa en emisor común.
11-13. Definir el producto ganancia-ancho de banda (tensión) .
11-14. Dibujar el circuito equivalente de una eta pa en fuente común, válido a allas frecuencias .
11-15. Mediante el teorema de Millerobtene run modelo unilateral de una etapa en fuente común a altas frecuencias.
11-16. (a) Definir la constante de tiempo en circuito ab ieno.
(h) Escribir una ecuación para el coeficiente a l' en función de la constante de tiempo en circuito abierto ,
para un circuito con cuatro condensadore s.
11-17. ¿Qué se entiende por resistencia a frecuencia cero RO;;?
11-18. Expresar cada término del coeficiente a2 explicando su significado.
11·19. (a) Aproximar las dos primeras frecuencias de polo en función de los coeficientes al y a2'
(h) ¿Cuál es, aproximadamente el ancho de banda de 3 dB?
11·20. ¿En qué condiciones es válida la aproximación del lema 11-191
11-21. Explicar brevemente cómo calcular ROII y Rl ~ l"
11-22. (a) ¿Cuál es mayor: (OH para unaetapaen emisor común oúJH para una etapa en colector común? Explíquese .
(h) Una etapa en emisor común está en cascada con otra en colector com ún: ¿Cuál es la frecuencia de 3 dB
global?
11-23. ¿Cómo afectan los condensadores de acoplamiento y de paso a la respues ta en frecuencia de una etapa
amplificadora?
11-24. Escribir una expresión mediante la que se pueda aproximar la frecuencia inferior de 3 cm. Identificar cada
término.
11-25. (a) ¿Por qué la cascada de etapas aumenta el producto ganancia-ancho de banda de un amp lificador?
(b) La respuesta al apartado (a) ¿es siempre ciena?
11·26. Comentar las ventajas del amplificador cascado.
11·27. Relacionar la ganancia en la banda media Ava y la frecuencia a media potencia/Hde una etapa de Amp-Op
no inversora con la ganancia en conlinua A,o y el ancho de banda f~ del Amp-Op .
11·28. Repetir el Tema 11·27 para una etapa inversora.
 Amplificadores
realimentados

La realimentación es uno de los procesos fundamental es en la naturaleza. Es el mecanismo de

coordinaciónentreel ojo y la manoempleado para volver esta página, para controlar y mantener constante
la velocidad cuando se conduce un automóvil, para conservar constante la temperatura del cuerpo y para
el control natural de población en los ecosis temas. Por realime ntaci ón entendemos el proceso mediante
el que una parte de la salida se reentra a la entrada para que participe en el sistema de excitación. Esta
acción. convenientemente aplicada, tiende a hacer que el sistema se regule automáticamente.
En los capítulos anteriores hemos visto casos en los que se aplica la realimentación a circuitos
electrónicos. Se ha empleado por ejemplo para hacer que el punto de trabajo de un trans istor resulte
insensible a las variaciones de Pr y a las de temperatura (Sec. 10-7). En una etapa en emisor común
conteniendo una resistencia de emisor (Sec . 10- 14) la realimentación facil itada por Rf: ayuda a mantener
sensiblemente constante la gananciaal variar Po' El ancho de banda de la etapa del amplificador operacional
(Amp-Op) de la Sec. 11· 12 quedó demostrado que es mayor que el ancho de banda del Amp-Op ,
atribuyéndose el aumento a las resistencias de realime ntación Rz (y R ,) . La baja resistencia de ent rada y
alta de salida del seguidor de emisor (o de fuente) son debidas al efecto de realimentación.
Los ejemplos citados ponen de manifiesto algunas de las ventajas que se pueden derivar del uso
apropiado de la realimentación, es decir: el control de los niveles de impedancia y aumento de l ancho de
banda, además de hacer al circu ito relativa mente insensible a las variaciones debidas a la fabricación y a
los cambios ambientales. Esto último tiene una gran importa ncia en la electrónica moderna porque perm ite
gobernar el funcionamiento del circuito sin recurrir a componentes de precisión caros (o reducie ndo su
número).
Los ejemplos citados lo son de realimentación negati va; o sea, que la seña l de realimentació n de salida
a la entrada está desfasada 18Do respecto a la excitación aplicada . Así, la seña l de entrada al amp lificador
es proporcional a la diferencia entre las seña les de exci tació n y de salida. Tal como vere mos en las
subsiguientes secciones, este mecanismo diferenciador es fundamental para establecer los beneficios de
la realimentación negativa.
Sin embargo las ventajas de la realimentación van aco mpañadas de los correspo ndientes inconve nien-
tes. Para conseguir la desensibilidad en la etapa en emisor común con resiste ncia de emiso r y aumentar el
ancho de banda en la etapa del Amp-Op se debe reducir la ganancia por debajo de su valor antes de
introducir la realime ntación. Puesto que la mag nitud y la fase de la gananci a var ían con la frecuencia es
posible introducir un desfase suficiente que produzca una realimentación positiva. En estas condiciones
el amplificador puede perder la estab ilidad y enge ndrar una señal de salida independie nte de la entrada (e
incluso sin señal de entrada) o dicho de otra forma, puede osc ilar. Aun cuando se emp lea la realimentación
positiva para establecer los dos estados estables de un biestab le (FLIP-FLüP) (Sec. 8-1) y para construir
circuitos oscilantes, las oscilaciones no desead as pueden inutilizar un amplificador. Además, frecuente-
mente los circuitos electrónicos contienen caminos para la realimentación indeseados pero inevitables.
Las señales que retroceden porestos caminos pueden dete riorar el funcio namiento normal. El efecto Miller
multiplicador de Cu (o CRrl) en amp lificadores a transistores con la correspondiente reducción de la
498 Mtcroetectronica moderna

frecuencia superior de 3 dB constituye un ejemplo de realiment ación inevitable (y a veces indese able). A
veces se observan efectos semejantes causados por elementos parásitos (tales com o la capacidad entre los
ténn inales de entrada y de salida de un encapsulado integrado).
En este capítulo se estudiarán los efectos de la realimentación sobre la ganancia del amplificador,
distorsión, niveles de impedancia y sensibilidad frente a las variacio nes de los parámetros. En particular
examinaremos el funcionamiento de los cuatro amplificadores realimen tados básicos de un solo lazo,
terminando el capítulo con una breve introducción a los amplificadores realiment ados de múlti ples lazos.
En el Capítulo U trataremos de la estabilidad y de la respuesta en frecuencia de los amplificado res
realimentados.

12·1. CLASIFICACIÓN Y REPRESENTACIÓN DE LOS

AMPLIFICADORES
Antes de proseguir con el concepto de realimentación conviene clasificar los amplificadores prácticos
basándonos en las fuentes gobernadas para cuya aproximación se han diseñ ado. Las cuatro grandes
categorías de esta clasificación se corresponden con los cuat ro tipo s de fuentes go bernadas ideales. Cada
una de las dos fuentes de tensión y las dos de intensidad , dependientes ya sea de la tensión o de la corriente,
tiene una impedancia de entrada cero o infinita y una impedancia de salida tambi én cero o infinita. En
consecuencia las impedancias de fuente y de carg a no afectan a la relación entrada-sa lida de estas fuentes
ideales. No obstante, los amplificadores prácticos tienen impedancias de entrada y de salida finita s. no
nulas. Para clasificar los amplificadores debe ten erse en cuenta la magnitud de los niveles de impedancia
del amplificador en relación a las impedancias de carga y de fuente.

El amplilicador de tensión
En la Fig. 1 2~ 1se representa el esquema de un amplificado r de una etapa o de varias etapas en cascada.
Obsérvese la similitud entre este circuito y el de un Amp-Op de la Sección 1O~21 . La parte correspondiente
a la salida (zona sombreada de la Fig. 12-1) represe nta el equivalente de Thevenin del ampli ficador, siendo
R¡ la resistencia de entrada del mismo ' . La resistencia RL es la carga y R. es la resistencia de la fuente V,.
Si la resistencia de entrada es mucho mayor que R., entonces V;""V,. Análogamente, si RL » Ro Vo ""A,., I 1,
V¡ = AY,. El amplificador da una tensión de salida proporcional a la de entrada y el f actor de propor-
natidad es independiente de la magnitud de las resist encias de f uen te y de carga . A un circuito como éste

R,
,
v, V, R,

Figura 12·1. Circuito equivalente de un amplifk ador de ten si ón.

1 En las figullI5 de e5ta sección se ve la cnUllda resistiva y las impedancias de salida. El comentario es aplicable igualmcnt<: a las impedancias
gencraliudasZ I y Zacomo en la Tabla 12· 1.
 A mp lificadores realim entados 499

se le denomina amplificador de tt nsión o convertidor de tensión-tensi ón funcio nando como fuente de

tensión gobernada por tensión . El símbolo a, de la Fig. 12· 1 repre senta V)V, cuando RL tiende a infi nito.
y es por tanto la ganancia en ci rcuito abierto.

El amplificador de corriente
Una fuente de corrie nte ideal gobernada por corrt er ue es unilateral. tiene una resistencia de entrada
Ri igual a cero y una resistencia de salida Ro
infi nita. El amplificador de corriente o convertido r de
corriente-corriente práctico de la Fig . 12-2 se aproxima al funcionamiento ideal cuando IR,I
« R,. de
forma que I~/, , y cua ndo R, « IRI
o haciendo Io =A . / , =A, t , , O sea que la com ente de salida es
proporcional a la entrada indepe ndiente de R, o Re Obsérvese que con RL = O. Ap /j / I representa la
ganancia de corriente encortocircuito. El circuito de la Fig. 12· 2 es análogo al mode lo BJT más simple
basado en las ecuac iones de Bbers-Mo ll en las que l..= P/~.

El convertidor Tensión-Corriente o Amplificado r de Transconductancia

El conve rtidor tensión-corriente o amplificado r de transconductanc ia está basado en la fuente idea l de
corrie nte gobernada por tensión. Obsé rvese la semejanza entre este tipo de am plificador, represe ntado en
la Fig. 12-3 Yel modelo híbrida -K unilateral de l BIT. Para aproximarse a las caracterist icas ideales. en
el co nvertidor tensión- corriente práctico R, « Ri y RL « I I IRo l.
.
I "" G., .. .
Estas condiciones hace n que V,"'V. e
V - G V de forma que G . el factor de proporcionalidad. es indepe ndiente de las resistencia s de
carga y de fuente. El parámetro G.= /.V " siendo RL =0. es la conductancia de transferencia en
cortocircuito (o simplemente la transconductanck ñ. Obsérvese la semejanza de G. del amplificador
completo con la definición de R. para el transistor.

.( D R,
1,
T.l
R, <}"I' .. i:'
R,

L 1
Amplificador de corncme

Figura 11-1. Circuito eq uivalente de un amp lificadorde corr iente

El convertidor Corriente-Tensión O Amplificador de T ra nsimpedancia

Blc uarto tipo de amplificador representado en la Fig. 124 se aproxima al funcionami enlode una fuente
ideal de tensión gobernada porcorriente. Par ser la tensión de salida proporcional a la coniente de entrada .
a esta categoría de amplificadores se les denomina de transimpedancia o convertidores comente-tensi ón.
El amplificador práctico debe tener IR,I « R, y IRo I « RL para aproximarse al ideal. o sea. 1, ... 1, Y
V ... Z J".Z / . Al parámelro Z ¡:¡ VJI tendiend oRL a infinito. se le deno mina impedancia detransferencia
t~ co;':Xj;;~ilo o simplemen~ Iran~imp~dancia. La Tabla 12- 1 resume las características de los cuatro
tipos de amplificadores.
500 Microelectrónica moderna

R,

v,

Convertidor tensión-corriente

Figura 11-3.CirCuito equivalente de unamplificador de tensión-corriente(transconductancia).

Tabla 12-1. Caracteristlcas del amplificador básico

Amplificador tipo
Tensión Corriente Transconductancia Transimpedancia
Parámetro Ideal Práctica Ideal Práctica Ideal Práctica Ideal Práctica
Z, '" Alta ; IZ,j»-R, o Baja: IZ,l ~R. , Alta ; IZA~ R. tl Baja: IZ,I ~ R.
O Baja: JZ~ "" R" , Alta ; IZ.~ »-R, Alta : IZ"I»-R, O Baja: IZ.~ ~ R,
z" "
Ganancia V,. = A,.V, V" - A,-V. t; = Al. 1" - A,I . V,. = G...V. J,. .. G",V. v" = Z~J. V" .. Z",I.

Circuito Fig. 12-1 Fig. 12-2 Fig. [2-3 Fig . 1 ~ -4

Modelo

1, R, R,

Convertidorcorriente-tensión
Figura 12·4. Circuito equivalente de amplificador corriente-tensión(transimpedancla)

12·2. EL CONCEPTO DE REALIMENTACIÓN

En la Seco 12- 1 se han descrito las características de los cuatro tipos básicos de amplificador. La
realimentación puede hacer que las características del amplificador práctico se aproximen a las del ideal.
De cada amplificador tomaremos una muestra! de la señal de salida, a través de una red apropiada, y la
reenviaremos a la entrada. En la entrada, la señal de realimentación se combina con la fuente de señal
exterior mediante una red sumadora o mezcladora. Esta señal combinada se aplica a la entrada del

2 En ese c:onleXIO por «mueSIJ8» enlendCll'WS una sedal continua proporcional a la salida. y no al mucslTl:o periódico empleado pllnI generllil"
una sei'ial discrela enel tiempo.
 Amplificado res realimentados 50 1

amplificador práctico como se ve en la Fig. 12-5. Incorporados a la top ología del amplifl cador'b éslco de
un solo lazo existen los cinco elementos que form an el sistema de realimentació n, que son: las señales de
entrada y de salida, el muestreo de la salida, la comparac ión y el procesado de la seña l cotejada por parte
del amplificador básico.

La fuente de seña l (entrada)

El bloque de la Fig. 12-5 representa la señal que debe ser amplificad a. La fuente de señal puede estar
modelada como fuente de tensión V, en serie con R, o como fuente de corriente " en para lelo con R,.

La seña l de salida
La salida puede ser, o bien la tens ión a través de la resistencia de carga R ~ (o impedancia 2 ,) o la
corriente en ella. La señal de salida es la que se pretende que sea independiente de la carga e insensible a
las variaciones de parámetros en el amplificador básico .

La red de muestreo
La función de la red de muestreo es la de proveer una med ición de la señal de salida, es decir, dar una
señal que sea proporcional a la salida. En la Fig. 12-6 pueden verse dos rede s de muestreo. En la Fig.
12-60 se muestrea la tensión de salida conectando la salida de la red de realimentació n en paralelo co n la
carga. Esta configuración se denomi na en paralelo o shunt, La corriente de salida se muestrea como en
la Fig. 12-6b en la que la salida de la red de realimentación va conectada en serie con la carga .
¡ - ----- - - ----------------- l
-•
I ,

Fuenle
I

1,, Ro'
,

AmplificadO(
-••
de se ~ at
com¡>ar:ldora v., bl.sico Redd e V Carga
•
+
ometcJadorn prácllco mueSlreo
--= -
I
,,I 12. I
,I • Red de
VI realimen_
I I"" i~n
I -
I
IL ~

Am pllficador re alimentado

Ftg u r-a 12-5. Estructu ra básic a de am plificador rea lime ntado de lazo único. El am pl ific ador bás ico pu ede se r cua lqu iera de los
cuatro circ uitos de las Fig s . 12-1 a 12-4.

Los dos circuitos de la Píg. 12-6 tienen iguales señales de salida y de muestreo. Aun cuando esta
situación es prevalente, no es indispensable para el funcio namiento correcto. To do lo que se necesita es
que la señal muestreada sea directamente proporci onal a la de salida.
502 Microelectr ónica moderna

MUC'I"'O MUC. I"'"

c lcn. l n
" 'o ,---. de corrionlo

- -
Amplili· • Amplili ·
,,'~ V. Carga cado, Ca,ga
Msiro b:h iro
- -
l. '----
- -
,'" '"
",alimcn · ,'" '"
"'alimcn ·
ladón loción
-

l·' lb'
Hgu ra 12-6 , Conexiones de la realimentación a la s¡lIilhl de! amplificador bavlco. muestreando la sa lida de: (<1 ) lensi¡\n, y {!JI
corriente.

La red de Comparación o Sumadora

En la Fig. 12-7 se han representado dos circ uitos muy co rrientes empleados para co mparar o sumar
las señales de entrada y de realimentación. El ci rcuito de la Fig. 12-7a tiene conexión serie y se emplea
para comparar la se ñal de tensión V, y la de realimentación lIt La seña l de entrada del amp lificador V, es
proporc ional ula diferenc ia V, - V/ resultante de la comparaci ón , Pum comparar, frec uente mente se emplea

Compal"ad6n de
Com"" ad ""''''
¡cn,ión[se, ie . comen""

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Amphfi.
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Fillllr:! 12-7. Ccuc xiones de la realimenlat:i¡\n ;l la rruru du del ampliflrudor M sÍl'o: (11) comparación de l<'nsiollcs en serie, y lb)
l"lll1\ lmnll'¡'\1l dc cor ncmes e n purulclo.

un amplificador diferencial (Sec. 10- 19) ya que su tensión de salida es proporcional a la diferencia ex istente
entre las señales en las dos entradas. La Fi~ . 12-7b corre spond e a una co nex ión en para lelo. en la que se

amplificador es proporcional a la diferencia - l..

.
compa ran las corrientes de fuente I y de realimentació n I ,. Obs érvese que la corri ente I , de en trada del
t.
 Amplificadores realimentados 503

La red de realimentación
Este bloque de la Figura 12-5 es nonnalmente una red pasiva que pued e contener resistencias.
condensadores e inductancias, aunque lo más frecuent e es que sea puramente resistiva. En varia s de las
clases de circuitos Integrados estudiados en la Cuarta Parte, la red de alimentación la forman condensa-
dores o combinaciones de resisten cias y capacidades. Una de las fun ciones de la red de realimentación es
la de convertir la muestra de la señal de salida a una forma apropiada para la comparación . Consideremos
por ejemplo un amplifi cado r realimentado en el qu e la salida es una tensión y las corrientes se comparan
en la entrada. La transmi sión desde la salida hasta la e ntrada de la red de re alim entación debe convertir la
tensión de salida en una corriente. en una proporción deseada. en la entrada.

El a mplificador básico
El amplificador básico de la Fig. 12-5 es una de las cuatro configuraciones dada s en las Figs. 12-1 a
12-4.
Este circuito amplifi ca la señal diferencia resultante de la co mparación. En un sis tema rea limentado,
este es e l proceso responsable de la desensíbilidad y del control de la salida.
Consideremos el amplifi cador realimentado de la Fig. 12-8 en el que el amplificador bási co es el
amplifi cador de corrie nte de la Fig. 12-2. S upong amos' que A¡ aumente debido quizás al a ume nto de ~o
en uno de los tran sistores que co mpre nde A. El c rec imiento de A tiende a incrementar la co rriente de
carga lo y por tanto la de realimentación Ir Despreciando la co rriente en R, la corriente de control 1; = 1, - I
mengua . Co n un a excitació n red uci da. la salida del amplific ador tiende a disminuir. lo que compensa e{
efecto del incre mento de A,. Esta acc ión es la base de la realimentación negativa . Co mo la red sumadora
da una señal diferencia. la e ntrada al am plifi cador varía en sentido opu es to a la variación en la salida. El
resultado neto es una seña l de sa lida co nstante independie nte de las variaciones de Aj • En la próxima
Sección haremos un estudio cuantitativo de la desensibilidad proporcionada por los amplificadores
realimentados.
Amplificador bñvíco de co rriente

Com pnruclé n de corrientes

,------- I
--J.... , Muestreo de corríc mc
--------¡
,
,-
,, 1..

~ ~A,I, ,
1, R, R, R.. ,,,
1
,,
,
Fuentc ,
-- -- -" -- -- -"
..!L.
Red de
rcalime n-
ración

Figura t2-8. Amplificador realimentadoconcomparador y muestreo de corriente.

Topologías del a mplificador realimentado

Existen cuatro tipos de amplifi cadores básico s, cada uno de ellos con cara cterísticas apro ximadas a las
504 Microetectr ántca moderna

de una fuente gobernada ideal. Tal como es de esperar hay cuatro topo logías básicas de amplifi cador
realimentado de un solo lazo. teniend o cada una de ellas la estructura de la Fig. 12·5. Las cuatro
configuraciones de realimentación son: paralelo-paralelo (o simplemente paralela), par alelo -serie, serie-
paralelo. y serie-serie (o simplemente serie). Estas designaci ones corres ponden a las conex iones de entrada
y de salida respectivamente entre la red de rea liment ación y el amplificador básico. Por ejemplo, en el
amplifi cador paralelo-serie las entradas de la red de realimentación y del amplificador están conectadas
en paralelo y las salidas lo están en serie. Por lo tanto, se comparan corrie ntes y se muestrea la de salida.
Otra forma de nomenclatura se basa en la entidad muestreada y en las conexiones de entrada usadas. Así,
la topología corriente -para lelo c orre~ ponde a una co nex ión paralel o-serie . De igua l forma las topo logías
corriente-serie, tensión-serie y tensión-paralelo equivalen a las serie-serie. paralelo-serie y paralelo-pa-
ralelo respectivamente. Emplearemos las designaciones iniciales ya que son las más usadas en la literatu ra.
Los niveles de impedancia decrecen cuando las redes están co nectadas en paralelo y aumentan cuando lo
están en serie. Así es de esperar que la configuración paral elo-serie tenga una impedancia de entrada baja
y una impedancia de salida alta. Estos niveles de imped ancia corresp onden al amp lificador de corriente
de la Fig. 12-2 y Tabla 12·1. En la Secció n 12-6 trataremos detalladament e de las caracterís ticas y
propiedades de las cuatro topologías citadas.

12·3. EL AMPLIFICADOR REALIMENTADO IDEAL

Las cuatro topologías de amplificador realimentad o tienen varias caracterís ticas comunes y toda s ellas
están representadas por la configuración de la Fig. 12-5. En esta Sección examinaremos los efectos de la
realimentación sobre el conjunto de propiedades del amplificador (ganancia, estabilidad, dist orsión, etc).
Los niveles de impedancia en el amplificador realime ntado serán comentados en la Sección 12-5.
Como primer paso hacia un método de análi sis que ponga de relieve las ventajas de la realimentació n
consideremos la representación del amplificador realimentado ideal de la Fig. 12·9. El amplificad or básico
de la Fig. 12-9a puede ser uno cualqui era de los cuatro reseñados en la Tabla 12- 1 conectado en una de
las cuatro topologías de realimenta ción descritas en la anterior Sección. La señal de entrada X" la de salida
Xn' la de realimentaci ón Xr y la de diferencia (comparación) X, representan. cada una de ellas. ya sea una
tensión o una corriente. Estas señales y las funciones de transferen cia A y ~ las podemos ver resumid as
en la Tabla 12-2 para las distintas topologías. El símbolo formado por el anill o repre senta la red sumado ra
cuya salida es la suma algebraica de todas las entradas

X¡ =X, +Xr (12- 1)

La señal X' re presentando la salida de la red sumadora. es la entrada 1, del amplificador. Se introduce
,
el t érmino X, por conveniencia; en subsiguientes Secciones resultará conveniente distinguir entre la señal

Tabla 12-2. Señales y relaciones de transfer encia en amplificadores realimentados

Señalo Topa Ría realíme suacián

Relación Paral-paral Parai- serie Serie- serie Ser íe-pa ral

x.. Tensión Corriente Corriente Tensión

x.. X.. X, Corriente Corriente Te nsión Tensión
A V./I, U I, 1./\', V./V,
I, I V.. 1, 11.. V, II.. v,/r..
 Amplificadores realimentados 505

de comparación y la de entrada al amplificador. Si la señal de realim entación X, está desfasada 180"

respecto a la de entrada X, como es el caso en sistemas con realiment ación negativa , entonces X, es una
señal diferencia. Es decir , que X, disminu ye al crecer Ix,l.
La transmisión inversa de la red de realimentación ~ está defi nida por
X,
~ ~ ­ (1 2-2)
X"
La relación de transferencia ~ frecuenteme nte es un número rea l, pero en genera l es función de la
frecuencia. (No debe confundirse este símbolo con el empleado para la ganancia de corriente de
cortocircuito en emisor común.)
, ,
X, , xl ~ X, + XI X¡ "' X ¡
AmpliO·
cador
X " zA X, =AX,

", básico
X
Carga eXlerior

',-
X," /iX"
$e ilal de realimenlación
Red de

,
realimen·
lación 1.----- .
(o)

"
Xle l~
~ X" X, X,
tb ,
Figura 12-9, Modelo de amplificador realimentado ideal: (ti) diagrama de bloq ues: (b) reco rrido de la señal.

La ganancia del amplificador A es

A ¡;;¡ x: = X"
(]2-JI
XI X;

La ganancia con realimenta ción A F se obtiene sustituyendo las Ecs. ( 12~ 1) Y(12-2) en la (12 -3), y es

( 12-4)

La ganancia A en las Ecs. (12-3) y (12-4) representa la función de transferencia sin realimentación, Si
~ = O, eliminándose la señal de realimentación , no exis tirá realimentación y la Ec. ( 12-4) se reduce a la
(12-3). Frecuentemente a A se le denom ina ganancia a lazo abierto ( ~ ::: O) y se designa AUL ' Cuando ~ ;f.. O
existe un lazo de realimentación y A F es la ganancia a lazo cerrado.

I I I I I I
Si AF 1<1A la realimentaciónse llama negativa: Si AF > A es positiva (regenerativai. Vemos
que en el caso de realimentación negativa , 11. A~ I> 1. [Ec. (12·4)] .
506 Micro electrónica moderna

Relación de retor no o ganancia del la zo

La seña l ~j de la Fig. 12-90 se multiplica por A al pasar a través del_am plificador. y por p e n la
transmisión a través de la red de realime ntaci ón . Esta trayec tori a parte de la entrada de l ampli ficador
reco rriendoellazo formado por el amplificado r y la red de reali me ntac ión. El producto -Apes la ganancia
detlazo o relaci ónde retorno T. La Ec. ( 12-4) puede esc ribirse en función de AQL YT de la siguie nte fonna
A A " l.
A, '= I _ AfJ = "1"+7. 112-5)

Para realimentación negativa, - A P= T> O.

Pode mos interpretar físicam ente la re lación de reto rne co nside ra ndo la se ñal de e ntrada X, = O Y e l
trayec to entre X y l abiert o. Si ahora se aplica una seña l ~ a la entrada del a mplificado r tend remos X,
,
=X =A posea' • '

r = - A~ = - ~'I .v.
)¡ i U
( 12-6)

La relación de retomo resulta ser la negativade la relació n entre la se ñal de realimen tac ión y la en trada
al amplificador. A veces a F = I-AI} = I + T se le denomin a d iferenci a de retomo. Si consideram os una
realiment aci ón negat iva. tanto F como T son mayores de cero (núme ros positivos).
El gráfico del itine rario de la señal en la Fig. 12-9b describe la m isma re lació n dad a e n las Ecs . ( 12-2)
y ( 12-3) . La transmitancia A representa e l amp lificado r de la Fig. 12-9a y la rama p expresa la tran smi si ón
=
inversa a trav és de la red de realimentación. El cá lculo de Af XJX , por reducc ió n nos da la Ec. ( 12-4).
Co n Xs = O se di stingue bien el lazo formado por A y por p. En adelant e em pleare mos la represent ación
g ráfica de recorridos del sistema para facilitar el co ncepto de circuitos práct icos.

Supuestos fundamenta les

En la representació n del amplificadorrealime ntado idea l de la Fig. 12· 9 van implíci tas tres condiciones
q ue cond ucen a la fórm ula pa ra A, e n las Ecs . ( 12-4) Y( 12·5):

1. La seña l de entrada se transmite a la salida a través de l amp lificador A y l/ O por la red de

realimentación p. Así. si se desacti va e l ampl ificado r haciendo A = () (por eje mplo reducie ndo a ce ro ,~ .,
del transistor) la señal de salida de be hacerse cero. Este supuesto es equivalente a decir q ue la red de
realimentación es unilateral.
2, La señal de realimentación se transmit e desde la sa lida hasta la entrada sá ío a través de la red de
realimentació n. Es decir. el amplificador A es unilateral y sólo transmite desde la entra da a la salida.
3. La relación de transfe renc ia Pes independiente de las resistenc ias de fuente y de carga R, y R¡ (Fig.
12-H ).
Los disposi tivos prácticos sólo cumplen aproximadame nte estas co nd iciones. Por eje mplo. la red de
reali mentaci ón. normalmente co nsta de ele mentos pas ivos (R. C. L) y por tanto transmiten una se ñal desde
la entrada has ta la salida. Análogamente, tanto A co mo p es tán afec tados por las resistenci as de carga y
de fuente. Estas desviaciones respecto al ideal se pueden incl uir e n un aná lisis a proxi mado q ue resulla
válido para la mayor parte de circuitos práct icos. Recorde mos las aprox imac iones hechas e n ca da una de
las con figuraciones de amplificado res es tudiadas. Además. en la Seco12· 8 formularem os un proced imien-
to mé s ge neral de análisis de amplificadores rea limen tados ideal es.
 Amplificadores realimentados 507

12·4. PROPIEDADES DE AMPLIFICADORES CON REALIMENTACIÓN

NEGATIVA
Puesto que la realimentación negativa reduce la ganancia, ¿por qué se emplea? La respuesta es por las
varias ventajas que se logran a expensas de perder ganancia. Seguidamente veremos algunas de estas
ventajas.

Desensibilidad
La relación de transferencia del amplificador Af cambia con las variaciones debidas a las tolerancias.
sustituciones. temperatura. envejecimiento y otras variables en las características del transistor y de otros
componentesdel circuito. La función sensibilidad S~ (relación entre el cambio f raccionalen G y el cambio
fraccional en.r), tal como se define en la Ec. (12-7 ) es una fonna adecuada para expresar el efecto que las
variaciones de x tienen sobre el funci onamiento del sistema G

S~; == ~~~~~; (12-7)

Cuando tx xlx « 1, ó. GIG es dGldx y la Ec. ( 12-7) se convierte er r'

u .1" dG dGIG
s· ~ - - - -- ( 12-SI
, G dx - dsts

Un valor de ~« I significaque G es insensible a las variaciones de x ya que I!!. GIG «/)" xtx. Por el
contrario. siS~ » I significa que G es muy sensible a los cambios de .r. Un valor de ~ aproximadamente
igual a la unidad refleja el hecho de que G es directamente proporcional a x y que por tanto los cambios
fraccíonales de G y de x son virtualmente iguales. Esta situación existe para las variaciones de la relación
de retomo T respecto a los cambios de ganancia en el amplificador interno (Ao L ) ' Así, s;.Findica también
la sensibilidadde Af respecto a las variacionesde la gananciaen el amplificador básico. Esto se demuestra
escribiendo la Ec. (12-4) en la forma
A -~ 1 - A~ T
A , ~ I - A~ {3 =
K - - {I2-91
~ 1- A~ 1+ T
siendo K = - l/p. Si en la Ec. (12-9) T varía en I!!.T. AF variará en M f
lo que se puede expresar
K(T + ATi KT K AT
.l A r = [ + T + ilT - ~ = (T + d T)(1 + T)

Buscando M flA f y empleando [a Be. ( 12-7) tendremos

S;' - I (12-101
T - [ + T + a. T

que si T ~.l a71 . se convierte en

,.A , I (12- 111
;)T = T+T

l Cuando G dependc dc más de unavariable. se sustituyc la dcrivada dGldxpol" la dcrivarlaparcial OO/lix

508 Mtcroetectronica moderna

El resultado de la Ec. (12-11) es exactamente el que se obtiene si para calcularS1T se emplea la Ec.
(12-8). La Ec. (12-11) demuestra que se puede hacer que la ganancia en lazo cerrado sea insensible a los
cambios de ganancia en el amplificador básico aumentando el valor de T. Por ejemplo, en un amplificador
= =
con T 49 una variación en T de liT + 25 (aproximadamente un aumento del 50% en la ganancia del
= =
amplificador básico) nos da 51' 1/(1 + 49 + 25) In5. Obsérvese que se ha empleado la Ec. (12-10)
debido al valor grande de liT. El correspondiente cambio fraccional de A; es, seg ún la Ec. ( 12-7)
aA F - -sr S.» ' = -25 -1 = 0.0068
AF - T T 4975
o sea que Al' varía en aproximadamente un 0,68%. De igu al forma, una variación liT = - 25 (un 50 % de
pérdid a de ganancia) d aSA~ = 1/25 decreciendo A l' un 2%. Un nuevo incremento de Treduce la variación
de Ar Estos valores muestran la eficacia de la realimentación negativa. La ganancia en lazo cerrado Al' se
puede gobernar con precisión aun cuando varíe sustancialmente la ganancia del amplificador interno. La
insensibilidad (o estabilidad) de la ganancia en lazo cerrado ante las variaciones de la de lazo abierto
n
resullante del incremento de Tpuede verse en la Ec. (12-9). Cuando T» 1, TI(I + = 1 Y
1
AF ~ K ~ - ~ (12-12)

Amplific ador de tensió n

v,

Figu ra 12-10 . Am plificad or ideal de tensión

Puesto que P es la función de transferencia de la red de realimentación pasiva corriente, Al' es

esencialmente independiente de la ganancia del amplificador básico, dependiendo sólo de la relación de
los componentes pasivos . Esta es la situación que se encuentra en las etapas inversoras y no inversoras
del Amp-Op (Sec. 10-21) en las que la ganancia era proporcional a la relación de resistencias R/R ,. Aun
cuando lo expue sto es exacto únicamente para variaciones pequeñas de T, la Ec. (12-11) nos da un~
estimación de la mejora en la sens ibilidad; o sea que el cambio porcentual de Al' es igual al camb io
porcentual de T dividido por (1 + n. Con los valore s numéric os dados antes , el cambio de Al' es del 1%
para un cambio del 50 % en T. Obsérvese que mientras la Ec. (12-11) indica que IiA/Af es igual para
cambios positivos o negativos, éste no es el caso para grandes variaciones de T.

Distorsión no lineal
En este Capítulo y en los 10 y 11 se ha supuesto que la etapa amplificadora actuaba linealmente, es
decir , en las condiciones de pequeña señal. Sin embargo, si se aplica una señal grande, la característica
del amplificador acusa su no linealidad y la onda de salida resulta distorsionada (Fig. 1O~2b). Con el
siguiente razonamiento expondremos el efecto de la realimentación sobre la distorsión no lineal.
El amplificador de tensión de la Fig. 12-10 es ideal en todos los aspectos excepto en que su campo
dinámico es limitado. Es decir que las amplitudes de la señal de entrada que pueden adaptars e a un
funcionamiento lineal son limitadas. Esto puede verse en la característica de transferencia de tensión de
 A mplificadores realimentados 509

~o ' V

5
,
,
I I I
-60 - 40 20 <O 60

-,
-,
-5

Figura 12-11. Característica de transferenciade tensióndel amplificador de la Fig. 12-10.

la Fig. 12-11 que representala relación entre laseñal de salida Vo y la de entrada Vi' Elorigen decoordenadas
de la figura representa el punto de trabajo. y la pendiente la ganancia de tensión. La linea de trazos de la
Fig. 12-11 es la prolongación de la parte lineal de la característica de transferencia (OS I 1', I:s; 40 mv )
e indica una ganancia de tensión A,. = 100 . En la región no lineal de la característica A, < lOO llegando a
valor cero cuando I\' i I ;:: 60 mV, (En un amplificador BJT. el segmento horizontal de la Fig. 12-11 en
el que A. = Ocorresponde al corte o a saruracío n.) De la característica de transferencia resulta evidente
que las señales de entrada I v¡ 1 ;:: 40 mV darán una onda de salida distorsionada.
La característica de transferencia de tensión de la Pig. 12-11 puede expresarse analíticamente de la
siguiente forma.
Iv,,1 100 Iv,l; O "I v'¡ " 40 rnV }
Iv,,1 100 <iv,1 - 0.041 - 2500 (Iv,1- 0.04)' ; 40 " v, " 60 rnV ( 12- 13 )
Iv,,1 = 5; Iv'¡ > 60 rnV
En la Tabla 12-2 se identifican algunos puntos representativos de la característica de transferencia.

Tabla 12-2, Valor es Ivol en funció n de 1,,/ I según Ec, (12-13)

I~·..I. V 1.0 2.0 4.0 4 .44 4.75 4. 94 5.0
Iv,1 = 1 ~·,I . m V 10 20 40 45 su ss en

El amplificador realimentado de la Fig. 12- 12 utiliza el amplificador descrito por la Ec. ( 12-13) y
Fig. 12- 11 . La red de realimentaci ón está diseñada para que V, = 0 ,09 \'0' La característica de transferencia
l'd l', del amplificador realimentado se cons truye calculando los valores de 1', correspondientes a los valores
de 1'" y 1'. de la Tabla 12-2. La ley de Kirchhoff aplicada a la Fig. 12- 12 nos da r = l' + )'f = v + O. 091'o
.' ' I I
Suslituyendo valores resultan los datos de la Tabla 12-3 de donde se deduce la característica de
transferencia de la Ptg. 1 2~ 1 3 (trazo continuo).
Tabla 12-3, Valores de Ivol en función de IV, I dela Fig, 12-J3
Iv,,1I V) 1.0 2.0 4.0 4.44 4,75 4. 94 5.0
I~.,I ImV) 100 200 400 444 478 500 5]0
IvA (mv ) 10 20 40 45 50 55 60
510 Mtcroeíectr óntca moderna

En la Fig. 12~13 se observa que la característica de transfere ncia es prácticamente lineal en toda la
gama de tensiones de entrada. Por tanto, con v, :-:;; 500 mV no es de esperar que se produzcan distorsiones
no lineales.
Tam bién se encuentra en la Fig. 12-)3 la característica de transferencia vista en la Fig. 12·11. A la
vista de estas curvas resulta evidente que el am plificador realimentado tiene menos ganancia (A F = 10).
Sin emba rgo. conectando en cascada dos de estas etapas de amplificador realime ntado la ganancia es
nuevamente 100, y con 1Vi I s: 50 mV la distorsión introduc ida es mínima.
Comparación de tensiones Amplificador Muestreo de tensión
R, ,,-------- I ,,--------
, ,,
~·V'
+
,,, +n
,,
,, V, ,, R,

,
,,
, I
<>A'V. ,,,
,
V"

L_ -- -- L --- --
+ Red de
resumen-
1', lad ón
- v,=O.09 v,

Figura 12-12. Ampl ificador realimen tado con comparador '1 muestreo de tens ión. El amp lificador tiene la carectersuca de trans -
ferencia de la Fig . 12-11.

En la argumentación anterior hemos supuesto que el amplificador interno era ideal. limitado sólo por
la amplitud de la seña lque pueda procesar. No obstante , en los amplificadores prácticos continúan siendo
válidos los rasgos esencia les citados . Concre tamente. la característica de transferencia del amplificador
realimentado se aproxima a ser lineal mucho más que la del amplificador básico.
Supongamos que la señal aplicada al amplificador de la Fig. 12-10 es una senoide cuya amplitud se
extiende hasta ligeramente por debajo del límite de linealidad (por ejemplo. una senoide de 50 mV de
amplitud para la característica de la Fig . 12- 11). La relativamente poca distorsión consiste simplemente
en un segundo armónico generado en el dtsposítívo.gmagc.üz- 13)conl v, I ~ 40 mV la tensión de salida
Vo depende de vl. y recorda ndo que sen' rot = 0,5 - 0,5 cos 2 rot la salida contiene el segundo armónico .
La tensión de distorsión puede considerarse como una fuente de señal exterio r Vd aplicada a la salida del
amplificador. Ahora se introduce una realimentación negativa y la amplitud de la fuente de señal aume nta
(preamplificación) en la misma cuantía en que se reduce la ganancia. Así pues, la tensión de distorsión
Vd introducida en la salida del amplificador básico tiene el mismo valor que en el amplificador no
realimentado. El gráfico del recorrido de la seña l en este sistema puede verse en la Fig. 12-14a y su
diagrama de bloques en la 12-14b.
Por superposició n se obtiene :

(12- 141

Observemos que la distorsión a la salida queda dividida por ( 1 + T). Como en genera l T es función
de la frecuencia debe calcularse a la frec uencia del segundo armónico. Obsérvese que la reducción de la
distorsión en ( 1 + 1) correspo nde a la linealización de la carac terística de transferencia en la Fig. 12-13.
La seña l aplicada al amplificador realimentado puede ser una señal exterior o ser la salida de un
amplificador anterior a la etapa o etapas realimentadas. Para multiplicar por 11 + TI la entrada al
amplificador realimentado es necesario, o bien aumentar la ganancia nom ina l de las etapas
 Amplljlcadoresrealimentados 511

preamplificadoras o bien añadir una etapa más. Para aprovechar todas las ventajas de la realimentaci ón
al reducir la distorsión no lineal, estas etapas preamplificadoras no deben introducir ninguna distorsión
adicional debida a la mayor salida que se les exige. Como sólo se introducen arménicos apreciables
cuando el recorrido de la salida es grande. la mayor parte de la distorsión aparece en la última etapa. Las
etapas preamplificadoras tienen menos importancia en cuanto a la generación de armónicos.

_Sin /
realimentación

Con realimentación

v,.mV
200 .00
- 1
1
1 -2
-,
,I
-- -.
1
1
-S

Figura 12-13. Característica de trensferencía del amplificador realimentadode la Pig. 12-J2.

En la deducción de la Be. (12-14) se ha supuesto que puede despreciarse la pequeña distorsión

adicional que puede surgir del componente de segundo armónico reenviado de la salida a la entrada. Este
supuesto conduce a un pequeño error. Además hay que tener en cuenta que los resullados dados por la
Ec. (12-14) sólo son aplicables en caso de pequeña distorsión. Para la deducción se ha empleado el
principio de superposición, por lo que es necesario que el dispositivo trabaje aproximadamente lineal.

Reducción del ruido

Empleando el mismo razonamiento que en el caso de la distorsión no lineal se puede decir que el ruido
n
introducido en la salida de un amplificador queda dividido por (1 + si se utiliza la realimentación. El
ruido que se introduce en la entrada equivale a una segunda señal que no queda afectada por la
realimentación. Si (1 + 1) es mucho mayor que la unidad podrfaparecer que esto supone una considerable

, " '.
"•
" ~"
v( 1 U¡ A I
,
"
~) ~)

Figura 12·14.Representacióndelasedaldedístorsíén vdaplicadaa unamplificadorrealimentado, sobre:(a)el gráficode recorrido

de la señal.y (b ) el diagramade bloques.
512 Microelectrónica moderna

reducción del ruido de salida. Sin embargo, como se ha visto ante s, par a una salida dada, la amplificación
del preamplificador debe multiplicarse por ( 1 + n
para una ganancia total prefijada. Como el ruido
generado es independiente de la amplitud de la señal puede haber tanto ruido generado en la etapa
preamplificadora como en la de salida. Además este ruido adicional será amplificado, al igual que la señal,
por el amplificador realimentado, de forma que el sistema completo puede resultar más ruidoso que el
amplifi cador original sin realimentación. Los preamplificadores especiales de bajo ruido se emplean en
diversa s aplicacione s tales como sistemas estéreo de alta calidad, para aprovechar los beneficios de la
realimentación y mejorar la relación señal/ruido . La ganancia adicional necesaria par a compensar la que
se pierde debido a la realimentación negativa puede con seguirse reajustando los parámetros del circuito
mejor que añadiendo una etapa más con el resultado de una reducción defmida causada por la presencia
de realimentaci ón. En particular el zumbido introducido en el circuito por un suministro de potencia
deficientemente filtrado se puede rebajar apreciablemente.

12-5. IMPEDANCIA EN AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

En este mismo capítulo ya hemos indicado que se emplea la realim entación para aproximar las
características de un amplificado r práctico a las de uno ideal. Para ello es necesario que las resistencias
(impedancias) de entrada y de salida del amplificador realimentado tengan valore s apropiados (Tabla
12~1) . Seguid amente examinaremos los efectos de la topología de una realimentación en el amplificador
sobre los niveles de impedancia.

Resistencia de entrada
Si la señal de realimentación retoma a la entrada en serie con la tensión aplic ada , la impedancia de
entrada aumenta? Lo dicho es válido independientemente de la cone xión de salida. Es decir, que el
aumento de la resistencia de entrada tiene lugar en ambas co nfiguraciones : serie- paralelo y serie-serie.

Consideremos el circuito de la Fig. 12-150 que representa el circ uito de entrada conectado en ser ie de
un amplificador realimentado. La ley de Kirchhoff apli cada al lazo nos da V. = V + V I
La señal de realimentación es VI = ~ Xo siendo Xo la señal de salida y Combinando estas Xo=AV¡.
fórmula s tendrem os
v,
- A~

de donde la resistencia con realimentación R tF es

R1F ¡¡¡¡¡ ~' = R¡ ( 1 - A(3 ) = R, ( [ + n (12-15)

Co n VI = O(sin realimentación y ~ = O) la resistencia de entrada es simplemente R,~ evidentemente la

realim entación ha aument ado la resistencia de entrada. Podemos justificar cualitativ amente este resultado
de la siguiente forma : Puesto que en un amplific ador con realimentación negativa V/ está defasado 180·
respecto a V" Vi es menor de laque sería si no existie ra V,. Por tanto I = V;fR,decrece:lo que hace crecer
la relación V, /1.

4 Si bien en UlC: eapílulo trataremos sólo de circuitos I rrecuencia de la banda media, las relaciones que se deducen son aplicables tambit n a
cualquier frecuencia de señal.
 Amplificadores realimentados 513

•
r, v, R, R,

•
v, V,
"» ~ /

, o)
''l
F igura 12-15. C ircu Iros para calcular la res iste nci a de enrrada a un amp lifica dor rea limc ntadc : (11 ) conexión en se rie, y (h ) conexión
en paralelo.

Cuando a la entrada de un amplificador con realimentación negativa se emplea una conexión en

paralelo, la impedancia de entrada disminuye (independiente de la conexión de salida). En la Fig. 12· 15b
se representa la conexión de entrada en paralelo de un amplificador realimentado. En este circuito
Ir = In,,; x" = Al;

Combinando estas ecuaciones y teniendo en cuenta que V = l , R.,, se llega a

V R¡ R¡
Rw '=i . l. = I _ A¡3 = l+T ( 12-16)

La Ec. (12-16) indica claramente que la resistencia con realimentación es menor que sin ella cuando
se emplea la realimentación negativa (T> O). Tanto la topología paralelo-serie como la paralelo-paralelo
acusan este descenso de la impedancia de entrada.

Impedancia de salida
Cuando la salida de un amplificador realimentado está conectada en paralelo, la rea limentación
negativa reduce la resistencia de salida (independientemente de la conexión de entrada). Consideremos
el circuito de la Fig. 12-1 30 que representa la conexión de salida en paralelo de un amplificador
realimentado. Como estamos considerando un dispositivo ideal, son aplicables los supuestos fundamen-
tales planteados en la Sec.12·3. De esta forma la tensión de salida Vo se atribuye al amplificador básico
AX¡ y Pes independiente dela resistencia de carga. Podemos calcular la resistencia de salida ROF con el
teorema de Thevenin. (Recordemosque la resistencia de Thevenin es la de salida e igual a la relación entre
la tensión en circuito abierto y la corriente en cortoclrculto.)

La tensión en circuito abiertoes

v, = A X
- A~ .

Obsérvese que no aparece la señal de entrada X, pero está implícita. La corriente de cortocircuito se
obtiene cortocircuitando los terminales t y 2 de la Fig. 12·16a y su valor es:
514 Microelectrónica moderna

Con VD= O(cortocircuito) no hay señal de realimentación; X, = OYX, = X" Hallando la relación VJI",
resulta
V.. R.. R..
R o l' == -, 112- 171
- A~ 1+ T
"

Ro J

~4X'
•
v,

, -
-
¡
l
R "~
, 2
-

JoJ lb J

Figur a 12-16. Relativo al cálculo de la resistencia de entrada a un amplificador realimentado: (al conexión en paralelo: (h)
conexión en serie.

La Ec. (12- 17) demuestra que la resistencia sin realimentación Ro se reduce al añadirle realimentación
negativa (T > O).
La impedancia de salida aumenta cuando un amplificador con realimentación negativa emplea una .
salida enconexión serie (independientemente de la configuración de entrada). El circuito de la Fig. 12- 16b
muestra una salida conectada en serie. En forma similar a la empleada para la salida conectada en paralelo
se llega a
1,, = -I'~ = 1 A X
- A~ ,

Con los terminales I y 2 abiertos no se reenvía ninguna señal (X = O) YXi = X" siendo la tensión en
circuito abierto V = - AX. Ro' Combinando estas relaciones y hallando V JI se obtiene
"" , '" '"
Rol' = ROl (1 - A ,B) = R" (J + T) ( 12-1 81

Las Bes. (12-15) a (12-18) para R1F y Rol' son casos especiales de la fórmula de la impedancia de
Blackman [dada en la Be. (12-21) Ydeducida en la Seco12-9]. Estas ecuacione s son aplicables al sistema
de realimentación ideal y satisfacen los supuestos fundamentales dados en la Seco12-3. Los amplificadores
prácticos sólo se aproximan a este modo de funcionar.
Los valores de Ro. R¡. A YP(y por tanto n deben modificarse para incluir las resistencias de fuente y
de carga R. YR¿. Yla naturaleza no unilateral de la red de realimentación antes de emplear las Ecs. ( 12-15)
a ( 12-18).

Fórmula de la impedancia de Blackman

Las resistencias de entrada y de salida dadas por las Bes. (12-15) a ( 12- 18) pueden hallarse calculando
 Amplificadores realimentados 515

R¡(o RJ y T independientemente. Por ejemplo.en la Ec. (12-15), RlF = R¡ cuando T= O. Como se puede
conseguirque T = Ohaciendo A = O, es decir, reduciendoa cero la gananciadel amplificadorbásico. R¡es
simplemente la resistencia de entradade la red pasiva resultante. Bodes llama a esta situación «sistema
muerto» porqueA = Ocorresponde a la supresión de la fuente gobernadaen el sistema. Llamaremos R/D
a la resistencia de entradadel «sistema muerto».
La relaciónde retornoTpuede calcularse mediante la Ec. (12-6) como se indica en la Sec.12-3. En la
Ec. (12-6)se calculaThaciendoX. = Oosea suprimiendo la fuentede señal. En la Fig. 12-15a la supresión
de V. cortocircuita los terminales de entrada. O sea que se mide T con la entrada en cortocircuito y.
empleando la nomenclatura de Bode, se designa este valor con Tsc' Así. la Ec. (12-15) se puedeescribir
también .

Ru: = R/J) (1 + Tsc-J ( 12·19)

Análogamente. hacer X. = /. = O en el circuito de la Fig. 12-15b equivale a abrir el circuito de los

terminales de entrada. La relación de retomo medida se representa Toc; la Ec. (12-16) se convierteen

( 12-201

Siendonuevamente RIf) la resistencia de entrada con A = O.

En las Ecs. (12-17)y (12-18),R oF=Rocuando T = O(A = O) siendo la resistenciade salida del «sistema
muerto» ROD ' El valor de T(Fig. 12-160) se mide cuando los terminales 1 y 2 están en el circuito abierto
quedando identificadoToc (si los terminales I y 2 están en cortocircuitono hay realimentación). Asípues,
la Ec. (12·17) se reducea la (12-20) conRIf) sustituido por RoD' En el cortocircuito de la Fig. 12-16b se
da la sítuacién inversa en la que la aperturadel circuito de los terminales 1 y 2 elimina la realimentación.
La relación T =Tse se mide estando los terminales 1 y 2 en cortocircuito. Por tanto. la Ec. (1 ;2-18) puede
escribirse como en la Be. (12-19)conR OD sustituidopor R1D•

Combinando las ideascontenidas en los párrafos anterioresse justifica la Ec. (12-21). forma general
de la fórmula de la impedancia de Blackman.
1 + Tsc
ZF:== Z o 1 + Toe (12-21)
En la Ec. (12-21)tenemos:

l . ZFes la impedancia vista desde un par de terminalesA y B de un amplificadorrealimentado.

2, ZD es el valor de Z, del sistema muerto. es decir. es la impedancia vista desde los terminales A y B
cuandola ganancia del amplificador se hace cero.
3. Tsc es la relación de retomo medida con los terminales A y B en cortocircuito.
4. Toces la relación de retorno medida con los terminales A y B en circuito abierto.

Obsérveseque la Ec. (12-21) se reduce a la (12-19) si '!oc= O Ya la (12-20) si ! sc" O,

La fórmula de la impedancia de Blackman es aplicable a todos los amplificadores realimentados y no
sóloa lasíruacíén ideal descrita en lasFígs. 12-15 y 12-16. En las cantidades Toc' T y ZD están englobados
losefectos de cargade la red derealimentaci6n Ii en el amplificadorbásicoA y el ~ecto de las resistencias
de carga y de fuente R, y RL respectivamente sobre los valores de A y p. En el análisis de las cuatro
topologías básicasde un solo lazo de las secciones siguientes incluiremosestos efectos de carga.

s Muchos de los lúminos empleados al describir los ampliflCado~s realimenrados han sido introducidos por Bode.
516 Microelectr ónica moderna

12·6. PROPIEDADES DE LAS TOPOLOGIAS DE AMPLI FICADORES

REALIMENTADOS
En las cuatro secciones precede ntes se descri bieron algunas de las característ icas generales de los
amplificadores realimentados de un solo lazo. Cada una de las cuatro topolog ías introd ucidas en la
Sec.12~2 se aproxima a uno de los cuatro tipos de amplificador (Sec. 12- 1). En esta sección estudiaremos
características específicas de las cuatro topologías, y en lo que resta del cap ítulo comentaremos disposi-
tivos de transistores que aproximan estos circuitos.

El amplificador paralelo-paralelo
La Fig. 12-17 representa la red de doble entrada de un amplificador para lelo-paralelo . La conexión en
paralelo de la salida significa que se muestra la tensió n de salida, mientras que la conexión en paralelo de
la entrada supone una comparación de corrientes. Así, la red de realimentación comporta una trans ferencia
de tensión a corriente.
Mediante los teoremas de Theve nin o de Norton es posible rep resentar el amplificador interno por
cua lquiera de los cuatro tipos de amplificadores vistos en la Sec .12-1. Obsérvese que Vi = z; 1; y que la
fuente de corriente gVi en paralelo con ro se puede convertir en su equivalente de fuente de tensión. La
representación de la Fig 12-17 está basada en los paráme tros l.
Es de esperar que las redes en paralelo tengan niveles de impedancia bajos, lo que se demuestra de la
siguiente forma , empleando la fónn ula de la ímpedencia de Blackman [Ec. (12 -21) ).
Red de rea limentación

•
" Conversión de
r,
ten sión a corriente ,
•
R, y.

-1, o
/1 1
F, " gJ ',
'. Zm-

Amplificador básico

Figu ra 12- 17. Topologfa de am plific ador realimentado parale lo-paralelo (tensió n en paralelo).

Cuando los terminales 1·(' de la Fig. 12-17 están en cortocircuito, 1, y Vi son nulos, y por tanto Tse =
O. Si los terminales 1-1' están abiertos 1, = - 1, Y Toc *- O. La impedan cia de entrada resultante ZI1' es baja
ya que ZIQ está dividida por (t + Toc). Aná logamente, al calcu lar ZOF' cortocircuitando los termina les 2 y
2' se hace Vo = Oy en consecuencia /, = 1; = ü.de forma que Tse = O. Abriendoelcircuitode2-2' se permite

6 Dos Il:'d~s d~ dos entradas en paralelo se pu ~den n:pres~nla r por una red ~qui ~aJ~nl~ de parámetros y iguales a la suma de los parámetros y
de las redes consti luyentes. Sin embargo. en circuitos prácticos muchas veces resulta diffcil idenliflcar las redes i nd i ~i du ales.
 Amplificadores realimentados 517

Red de realimentació n
1 2

• !;l
Convertidor de
V,
corriente a tensi ón
R,
--=- -
•
v, -,; • -
-
V, " ~
_ ¡,. .,:
- r
"
z Amplificador basteo

Figur a 12· 18. Repre sentación de un arnplificadur realimentado con cuad ripolos serie-serie.

*
que una señal retome a la entrada y Toc O. Nuevamente Zj., es bajodebido a la división de Zg., por (1 + Toc),
Los bajos valores de Z¡Fy ZOF obtenidos hacen que la función de transferencia sea independiente de R, y
RL, Como se indica en la Tabla 12- 1el amplificador paralelo-paralelo forma un convertidorcorriente-ten-
si6n o amplificador de transimpedancia . En la Tabla 12~4 . al fina l de esta secci ón. se relacionan las
propiedades de los cuatro amplificadores realimentados.

El amplificador serie-serie
La Fig. 12-18 corresponde a la conexión serie-serie en la que se muestra la corriente de salida lo. La
conexión serie de entrada requiere una comparaci6n de tensiones. (En un circuito en serie. la corriente es
la misma en todos los elementos.)

Red de realimemaci ón

" Conversión de
co rriente a corr iente

-
'; + •
v,

Amplificador básico
Figura 12-19. Co nfiguración del amplificador realimentado paralelo-serie.
518 Microelecirónica moderna

Para determinar ZIF debemos calcular Toc y Tsc' La apertura de los terminales de 1~ l ' hace que I¡y Vi
sean ambas nulas. Abriendoel circuito de una conexión en serie se tiene Toc =O. Cortocircuitando 1-1"
( :F- O Y por tanto Tsc:F- O. Según la Ec. (12~21), Z/D queda mulriplicado por (1 + Tsc) en virtud de la
realimentación. Por analogía ZOf es grande al ser Toc =Oen una conexión serie, y Tsc:F- O. Teniendo
impedancias de entrada y de salida altas, el amplificador seríe-seríe se comporta como convertidor
tensíén-corríente o amplificador de transconductancia (Tabla 12-1).

El amplificador paralelo-ser ie
Esta configuración está representada en la Fig. 12-19. Basándonosen los comentarios anteriores este
amplificador tiene una impedancia de entrada baja y una impedancia de salida alta. La corrientede salida
lo es esencialmente independiente de la resistencia de carga RI. existiendo en la entrada una comparación
de corrientes. Segúnla Tabla 12-4la topología paralelo-serie es la de un amplificador de corriente.
Redde reatímenrecíon

Conversión

R,
V(
tensión-tensión
Vo
,

v,
v, z ZOf

l'

Z If Amplificadorbásico
Figura 12·20. Representación de unamplificador realimer uado con cuadrípolos serie-paralelo.

El amplificador serie-paralelo
La topología de la Fig. 12-20es la de un amplificador serie-paralelo. Volviendo sobre los mismos
comentarios tenemosque la conexión de entrada en serie supone una impedancia de entrada alta y una

Tabla 12·4 Propiedadesde las estructuras del amplificador realimenlado

Señal de
Clasificación Señal salida Impedancia Impedancia
Topolog ía Amplificador comparada tmuestra} de entrada de salida-
Paralelo- Convertidor Corriente Tensión Baja Baja
Paralelo corriente-tensión
Paralelo-Serie Corriente Corriente Corriente Baja Alta
Serie-Serie Convertidor Tensión Corriente Alta Al..
tensión corriente
Serie-Paralelo Tensión Tensión Tensión Al.. Baja
 ¡\ mpJijic(uJores realimentados 519

comparación de tensiones. Análogamente. la baja impedancia de salida y el muestreo de tensiones

caracterizan la salida en paralelo. Así. esta configuración se aproxima a la de un amplificador de tensión.

12·7. ANÁLISIS APROXIMADO DE UN AMP LIFICAD OR

REALIM ENTADO
Los amplificadores realimentados prácticos se diseñan normalmente para aproximarse a las caracte-
rísticas de una de las cuatro topologías básicas. Por tanto. es conveniente analizar estos circuitos de forma
similara la empleada parael amplificador ideal ya estudiado. Elmétodo de análisis se basa en los siguientes
supuestos:

l. El amplificador básico es unilateral, pero su ganancia refleja la carga de la red de realimentación y de

las resistencias de fuente y de carga. La ganancia de este bloque es la del amplificador sin realimen-
tación: la llamaremos AOl lo que la diferencia de la situación ideal.
2. La red de realimentación es unilateral (Sec. 12-3). Este supuesto equivale a decir que la transmisión
hacia adelante a través de la red ~ es despreciable frente ti la que pasa por el amplificador.

El primer paso para el análisis es la identificación de la topolog ía. Se define el/azo de entrada como
una malla conteniendo la tensión de señal aplicada V. y o bien: (a) la región base-emisor del transistor
bipolar de entrada. o (b) la región puerta-fuente del primer FET del amplificador. o (c) la sección entre
las dos entradas de un amplificador diferencial u operacional. La conexión de entrada se reconoce como
serie si en el circuito de entrada hay un componente Wen serie con V, y si W está conectado a la salida
(la parte del sistema que contiene la carga). Si esto es así. la tensión a través de W es la señal de
realimentacién X, e V
Si noquedan satisfechas las condiciones anteriores deberemos tantear la conexión en paralelo. El Iludo
de entrada queda definido por. (a) la base del primer BJT. o bien (b) la puerta del primer FET. o (e) el
terminal inversor de un amplificador diferencial u operacional. Para la excitaci ón externa se emplea una
fuente de corriente de forma que la señal de corriente J. entra en el nudo de entrada. La configuración
queda identificada como paralela si hay conexión entre el nudo de entrada y el circuito de salida. En esta
conexión. la corriente constituye la señal de realimentación X = Jr
La salida muestreada puede ser de tensión o de corriente. Debe especificarse el nudo de salida del q ue
se toma la tensión de salida Vo (respecto a tierra). Esta tensión VII aparece a través de la resistencia
'o
(generalmente representada por RL ) siendo la corriente de salida la de Re Los ensayos para el tipo de
muestreo son los siguientes:

J. Poner Vil = O(es decir. hacer RL =Ocortoclrcuitando la salida). Si XI pasa a cero. el sistema original
presenta un muestreo de tensión existiendo una conexión en paralelo.
2. Hacer Ju =O(es decir hacer RL infinita abriendo e l circuito de salida). Si XI se anula. el muestreo en el
amplificador original es de corriente, existiendo la conexión en serie.

El a mplificador sin realimentación

E~ conveniente descomponer el amplificador realimentado en dos bloques: elamplificador básico A ( Il
y la redde realimentación Pporque conociendo A'1L y Ppodemos calcular las caractertsricus importantes
delsistema realimentado.Se puede determinar laconfiguracióndel amplificador básico sin realimentaci ón
pero teniendo en cuenta la carga de la red ~ observando las siguientes reglas:
520 Micro e/('c/níll;ca Ill OlIl' rna

- Para hallar el circuito de entrada:

l . Hacer Vo = O en una conexión de salida en para lelo. o dicho de otra forma. cortocircultar el nudo de
salida.
2. Hacer 10 = Oen una salida conectada en serie. o dicho de otra forma, abrir el ci rcuito del lazo de salida.

- Para hallar el circuito de salida

l . Hacer Vi = O para comparación de corriente. es deci r, cortocircuitar el nudo de entrada (de forma que
no llegue a la entrada del amplificado r ninguna corrie nte de realim entación ).
2. Hacer 1;= O para comparación (de tensión) en serie. O sea. abrir el circuito de l lazo de entrada (de
forma que no llegue a la entrada del amplificador ninguna tensión de realimentación ).

Este proceso asegura que la realimentación quede reducida a cero sin alterar la carga de l amp lificador
básico.

Plan genera l de análisis

Para hallar AF' R¡r y Ror se desarrollan los siguientes pasos :

1. Identifi car la topología como se ha indicado antes. Esta prueba determ ina si X/es una tensión o una
corriente.
2. Dibujar el circuito amplificador básico sin realimentación siguiendo las reglas ya citadas.
3. Sustituir cada dis positivo activo por su modelo apro piado .
4. Identificar X,Y Xo en el circuito obtenido.
5. Calcular P= X/X".
6. Calcul ar A0 1. aplicando las leyes de Kirchhoff al c ircuito equivalente obtenido.
7. A pllnirdeAoL Yphallar T y A¡.
8. Hallar RIfJ y Roo del circuito equivalente. Para hallar RfF y ROF aplicar la fórmula de la impedancia de
Blackman.

En los dos ejemp los siguientes veremos el proceso de aná lisis aprox imado .

Ejemp lo 12·1

Determinar Ar. T. RIF YROF del seguidor de emisor de la Fig. 12-2Ia.

Solución

Puesto que la entrada contiene un compo nente RE que está conectado a la salida (VOestá tom ado a
través de Re) la entrada está conectada en serie y se comparan tensiones. La tensión de rea limentació n V¡
se mide a través de R e como queda indicado. La polaridad empleada es compatible con la red sumadora
de la Fig 12·9a en la que Xi = XJ + XI' Evidentemente V¡es negati va; un incremento de V/hace decrecer V¡
como requiere una realimentación negativa.
La conexión de salida se dete nn ina haciendo Vo = O (RE=Ü). Co n RE = Ose elimina la realimentación
y V¡ = O. Así. la salida está conectada en paralelo y la topología del seguidor de em isor es serie-paralela.
Ahora de bemos dibujar el amplificador sin realimentac ión, y para ello seguiremos los pasos ya citados
 A mplificadores realimentados 521

e
R, B R, B

v,
- /,
•
",
• v,
- t,
•
v, -
E
•
V, R, V.

•
V.

R"
,b)
/.,
R, 8 e
•
Y,
{¿ R, E
r,
•
V. Km 1'. r~ V, R 6"

-
N i ::: R, II r,
R.
"•
•

' el

Figura 12-21. (11) Seguidor de emisor. (h) Represemacron del amplificador sin realimentación. {c) Su circuito equivalente.

en esta Sección. Para el circuito de entrada haremos Vo = O Ypor tanto aparecerá V, directam ente a travé s
de B y E. El circuito de salida se obtiene haciendo 1; = O(se abre la entrada) y REfigura sólo en el lazo de
salida. Siguiendo estas normas se llega al circuito de la Fig. 12-2 1b del que su circuito eq uivalente es el
de la Fig. 1 2 ~2 lc. Para que sea compatible con la Fig. 12-210. se mide Vo de emiso r a co lector.

Se observa en la Fig. 12-2 1c que V, =oVo y que ~ =' Y/N " =- t. Además. en la misma figura V" =g..
VR ' siendo e R' =R II I" y v = I" V /(R.• + 1" ),
~ E f. E O . ~.l ~

Combinando estas igualdades se obtiene

V.. }: ",,. ~ R í-.
A0 1 =
V, R . + r"
yT= rM OL es

T = }:",I"" Rí
R , + r"
Con estos valores y después de simplificar. tend remos
{3" R't.
R . + r; + f3.,Rí-.
(La relación g",r" = p.. se emplea en la determ inación de AF ) . Si RE « r" como es el caso corriente.
R' , = R f. YA, = ~" R[ (R, + 1"" + ~.. Rf. ). Comparando este resultado con la entrada A, de la etapa en co lector
común de la Tabla 10-30 se ve que si P. » 1 ambos son iguales. La ligera diferencia entre los dos
resultados es atribuible a haber despreciado la transmisión directa de la red de rea limentació n.
Para hallar R" v Ror emp learemos la fórmula de la impedancia de Blackm an [Ec. 02-21)1. La
observación de la Fig. 12-2l c nos da Rm = R, = r•. Para calcularTo, deberemos abrirel cl rculto de entraca.
522 M/croelectrdn/ca moderna

Jo que se consigue haciendo que R, tienda a infutito en laexpresiónde T. Si R, tiende a Infinito, TQC = Olo
que es compatiblecon nuestrosrazonamientos anteriores sobre las entradas conectadas en serie. Hacer
R. = Oequivale a cortocircuitar la entrada. Por tanto

Tsc = 71Jt. -o = {j"RÉ!r. "" g...Rt

que con la Ec. (12·21)da
RtF = r. ( 1 + g ..,Rí,J "" r. + ¡l"R Í:;
Nuevamente. con lJo » 1 este resultado es el mismo que el dado en la Tabla 10·3.
La resistencia de salida del sistema«muerto» es ROD = r•. Para calcular T3C y Toc de T haremos RE= O
YR E ~ o<> respectivamente. Así, Tsc =OYToc =13. rj(R, + rx) de donde

r.. r..(R" + ,.)/{3.. RA + '.

R OF = ~

1+ I~.,r./(R. + r. JI r; + (R" + ' .I/{3"

para r. » (R. + r .>JIl•. Para P. » l. ROT es la entrada dada para la resistencia de salida en la Tabla 10-36.

Ejemplo12·2

Detenninar Ar Ty ROF para la etapa en fuente común con resistencia de fuente de la Fig. 12-22a.

Soluci611

El circuito de entradaes análogo al del seguidor de emisor y por tanto conectado en serie. Haciendo

D D
R. G R. G
/·1 o /·1 o
T S R. V.
y. y. R. V.
v, R,
o S
v, o
R,. R,.
~l "H' 'b)

R. G r, D
o

V.
-
, .. y.
/.
o

R. V.
v,
o
R, S R,
,,)
Flaura 11..22. (a) Amplifi cador en fuente común con resistenc ia de fuente. (b) Diag rama esquemático. (e) C ircuito eq uivalente
del amplificador sin realimentació n.
 Amplificadores realimentados 523

=
Vo Ono se elim ina la realimentación porque Jo y en consecuencia V, no se anulan. Cuando lo = O. V, O =
Yla salida también está conectada en serie (e l amplificador es del tipo serie-se rie).
Para trazar el circuito de entrada del amplificador sin realiment ación se abre el circuito de sa lida (lo = O).
La resistencia de realimentación R. aparece en se rie con V. como se ve en la Fig . 12-22b. Para el circ uito
de salida haremos I¡ = O. Nueva mente aparece R. en el lazo de salida como indica la Fig. 12-22b. El circ uito
equivalente de esta figura está representado en la Fig. 12-22c.

=
En esta última figura V" = -I,,RD YV, = - I/ ?,; por rento. f = V,f\'. R, RD. Puesto que no hay corriente
en el lazo de puerta. V" = V.' Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo de drenaje tendre mos

l., = p.V/(r,¡ .4o R o + R d . Siendo V.. = - I..R ,•• se tiene:

V.. - p.R II
A"l - =
1' , 1",/ + R" + 11 ,
Siendo la relación de retomo

p.R"
t = - (JAn!. =
r ol + 11" + 11 ,

Combinando estas ecuaciones y simplificando quebrados:

A"I p.U"
A, = =
1 + T r./ + R ,• t 11

que es el mismo resul tado dado por la Ec. (10-70).

Observando la Fig. 12-22c se observa que la resiste ncia de salida Roo con la fuente gobe rnada
suprimida , es R , + re- Las relacio nes de re torno T,.. y T.... , se obtiene n haci en do R,. = CID Y R,. = O
respectivament e. A!>í T•• = 71... - ?C. = O Y T.... = 71.... :; () ~ RI, (r, + R.). La resistencia de salida
con reali me ntación R Ol = Ro" ( 1 + T.....) = (R. + r) [ 1 + JlR J(r ¡ + R I )) . Re solv ie ndo las fra cci o nes y
s im plifica nd o términ os. se t ien e R,,! = r ¡ + R, (1 + J.I ) '" I"J (1 + X. R.,) si J.I » l . y e l resu ltado es
idén t ico a l d ado por la Ec . ( 10 -74) y la Ta b la 10-5. El a ná lis is a prox ima d o e m ple ad o e n
este eje mplo y los valores reales son idénticos porque en es ta eta pa no hay ningún cam ino para una
alimentació n directa. Como la puerta está en circuito abierto a baja s frecuencias. el hacer Il Ohace que =
lo y Vosean ta mbién cero. Por el contrario. en el Ejemplo 12-1 poner 13 del transistor a ce ro no hace que Vo
= () de bido a que existe un itinerario form ado po r V.' R , . "~ Y R"

12·8, ANÁLISIS GENERAL DE AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

En el Ejemplo 12-1 se ha visroque el análisis aprox imado da unos resultados que difi eren de los valores
reales debido a que se ha supuesto que la red de realimentación tie ne un solo sentido (de la salida a la
entrada). Antes de dedicamos a los amplificadores realime ntados multi -etapa desa rrollaremos un proce -
dimiento de análisis que tiene en cuenta la alimentac ión directa e n la red p. El análisis se basa en el
diagrama de bloques de la Fig. 12-5. Sin embargo no se ha hecho ninguna aproximación conve niente al
bloque amplificador o a la red de realimentaci6n.
En un amplificador realimentado de un solo lazo existen do s fuentes : la de se ñal X. y la gobernada (el
524 Microelectrónica moderna

amplificador básico) cuya variable de gobierno es X, Inicialmente trataremos la fuente gobernada como
fuent e independiente. es decir. suponiendo que i ;es una variable independiente. Esta técni ca es la m isma
empleada al plan tear una serie de ecuaciones nodales ode malla. La fuente gobernada se trata inicialmente
como inde pend iente escribiendo una ecuaci6n que relacione la variable de control con las variables nodales
(o de malla). Ya que se ha supue sto que el amp lificador realimentado se comporta linealmente, es aplicable
la superpos ición. Por tanto,'oda tens i6n o corriente del sistema tiene dos componentes , una atribuida a
XI y la segunda i ¡. La salida X, puede ex pres arse

X" = t u XI + ' u XI (12· 22)

siendo ' uX, y'.).1las componentes de salida debidas a XI y t i re spectivamente.

=
La se ñal comparada Xi se puede ejcríbir tambi én en la forma de la Ec. ( 12-22) es deci r, X¡ AX, +
Bk¡. Por sustitución de los valores deX¡ obte nidos de la Ec. ( 12· 22),X¡ se puede expresar
(12·23)

Basándose en las Bes. (12·22) y (12-23) se puede construir el gráfico de recorrido de la señal de la Fig.
12-23 . Obs érvese que en la Pig. 12-23 no hay realimen taci ón ya q ue ambas fuentes se cons ideran variables
=
independien tes. La ec uación reducida es simp lemente kl X l ' Esta relación introduce la tran smitancia
unidad entre X; y i¡, representada con trazo discontinuo en la Pig. 12-23 que equi vale a ce rrar el lazo. El
gréñco de la Pig. 12-23. aplicable a todo amp lificador realimentado de un so lo lazo independientemente
de su to pología. es simplemente una consec uencia del principio de superposición.
Basándose en las Bes. (12-22) Y(12-23) los varios parámetrosr quedan definidos como

"2... x,X I, ¡
-:r-
X. " O
(12·24)

X'Ix . _o
'n· -X..
Obsérvese que los parámetros t se defmen en fonna análoga a las definiciones de los varios parámetros
de dos entradas.
En la Ec. (12·24) hacer i; = OequivaJe a suprimir la fuente gobernada, es decir, hacer que la ganancia
del amplificador básico sea cero.

Sin embargo, con i ¡= Ola señal de salida Xo~ O [Ec. (12-22)] es '11 X" Para la transmisión desde la
entrada a la salida a través de la red de realimentaci6n, la rama que cuenta es Ja /. l . Suprimiendo la fue nte
gobe rnada (representada por la rama ' 12) el siste ma resulta ser pasivo, o sea es ef sistema muerto . O sea,
=
poner ' 12 O tiene los mismos efec tos que hace r k¡ = O.
La ram a de transmitancia ' 21 representa la componente de X¡ engendrada por la fue nte de señal X, y
refleja el hecho de que las fuentes prácticas y las entradas del amplificador tiene n impedancias finitas no
nuJas. La transmisión desde la salida a la entrada a través de la red de realimentaci6n está representada
por la rama 'n'

Ganancia (relación de transferencia) con realimentación

Uamaremos ganancia co n lazocerradoa la relaci6nXoIX,• En la Fig . 12- 23 Ja rama ' u está en para lelo
con el itinerario que contiene ' 21' ' 12 Y la rama de realimentación 'n'
Por tanto
 Amplificadores realimentados 525

(1 2-251

"
x",= , -__ x,
, ', &?0X

'"
~
x •

Figura 12·23. Gráfi ca del reco rrido de la señal con la entrada del amplificador (Xi) ' es una variable independiente desconectada'
de la salida de la red comparadora Xi' Puesto que ahora SI X o y Xi depend en de X, y puede delenninarseX¡ por superposición,

Comoya se observóanteriormente, t l 2 es el únicotérminode la Ec. (12-25)que dependede la ganancia

del bloquedel amplificador básico. Si esta ganancia se reduce a cero, AF se convierteen

A l'· = - X"I
X, " ~ _ O
""' Al) = 111 (12-261

Ao de esta última ecuaci6n es la ganancia del sistema muerto. Obsérvese que Ao es igual a tu, el
parámetro relacionado conel pasode alimentaci6n directaa través de la red de realunentación. La relación
de retomo T indica la transmisi6n alrededor del lazo de realimentación formado por el amplificador '12 y
la red de realimentaci6n ' 21" Si se elimina la ramaentre X¡y .ti y se suprime la fuente de señal X" empleando
la Be. (12-6)se tiene

T- - ~XI
X, X, -n
(12-271

Obsérvese que eliminando la rama entre Xi yi ¡ ya no hay sistema de realimentación, y tal como se ve
en la Fig. 12-23, T es simplemente la cascadadel amplificadorbásico y la red de realimentación.
Cuando la transmitancia 'n entre la salida del amplificador y el circuito sumador es cero queda
eliminado el paso de la realimentaci6n. La relación de transferencia del amplificador no realimentado
resultante. ganancia AOL en circuito abierto es, según la Ec. ( 12-25)

Am . == X"I" .,,_0 =
X (11 + (1 1(11 = An + (1 1 ' 11 (12-281

Como estamos interesados en construir un amplificador, AOL es generalmente mucho mayor, y A o

menor que la unidad, ya que esta últimaes la relación de transferenciade una red pasiva (resistiva). Asr,
AOL =(121 21'
Empleando los términos definidos en la Be. (12~26) junto con (12-28) podemosexpresar AF como
Am .
(12-291
1+ T
Una forma alternativa de expresarAF es
A = (11 + (( 11 )( -(1 1111)/( - (11 ) = A ,) + KT
F (1 2-)01
I - (1 1(12 + T
siendo

(12-31)
526 Microelectrónica moderna

El parámetro K depende sólo de los elementos pasivos que comprend en 12 1 y 122,

Si I AlJ [ « 1KT 1, entonces A ol

_ ::: KT y

KT
A l' = (12-32)
1 + T

Para T» 1, A,,=K = - I/P e indica que la ganancia en lazo cerrado es esencialmente independiente de
la ganancia del amplificador básico, dependiendo sólo de la relación de componentes pasivos. Esta es la
situación que ya encontramos en las etapas del Amp-Op de la Sec o 1O~21 en la que la ganancia era
proporcional a la relación de resistencia s RiR r
Obsérvese que las Bes. (12-32) y (12-9) son idénticas porque en la (12-32) hemos omitido la
transmisión directa AD •
Podemos dar un significado adicional aK = -l/p[Ec. (12-7)) examinando la Ec. (12-22). Si la ganancia
del ampli ficador básico es infinita (f l l y por tanto Av!. y T se hac en infinitos) y X(I permanece finito. la
entrada al amplificdor seréX, = X¡ = O. En la Be. (12-22), hacer que X¡ = Oindica queXr!X. = - (12/ ' 22) = K
que es la ganancia del amplificador realimentado cuando Ttiende a infinito. Hacer X¡ = Oequivale a decir
que la señal de realimentación t2r\o y la componente de la señal de entrada t21X. son iguales en magnitud
y opuestas en fase. Esta situación ya la encontramos en la Sec.IO-21 al comentar la etapa de Amp-Op
inversor. Allí se demostró que cuando afíende a infinito, V¡ tiende a cero, y la corriente producida por la
fuent e de señal V,IR I se equilibraba con la señal de realime ntación V(lIR2.

Proceso de análisis
Para un determinado circuito se determinan los parámetros ' suponiendo en prim er lugar que la fuente
gobernada del dispositivo modelo es una fuente indep endiente ; o sea que debemos prim ero identificar
X¡ y luego aplicar las Ecs. (12-24). Veremos este proceso en los do s ejemplos siguientes. Hemos elegido
deliberadamente dos circuitos ya analizados antes , de forma que nos podamos fijaren las técni cas usada s
para obtener los parámetros 1y comparar los resultados con los hallados antes analíticamente .

Ejemplo 12~3

(a) Calcular los parámetros t del seguidor de emisor de la Fig. 12-240. (b) Valerse de los resultados
así hallados para determinar A F , T, A D YK.

Solución

(a) En la Fig. 12-24 tenemos el circuito equivalente del seguidor de emisor. Los parámetros X = V ,
X¡ = V~ , X" = Ve yi; = (>Kestán identificados en el circuito equivalente. Obsérvese que (>/r está relacionado
con la fuente gobernada haciendo que gmV~ funcione como fuente de corrie nte independiente.

Para determinar 111 mediante la Ec. (12-17) se suprime k ¡ = t>/r Yla Fig. 12-24 queda reducida al circuito
de la Fig. 12-25a. Empleando en esta última figura la relación del divisor de tensión tendremos:

/11 =
V,\
V, F~ o n
R,
R , + r " + RE
 Amplificado res realiment ados 527

8 r,
o
V.
R,
o
V,

e
Figura 12-24, Modelode pequeñaseñal delseguidorde er uisorempleadoenel Ejemplo 12-3. No/a: Aefectosdel análisisla fuente
gobernada se identificacomo gm ~i distinguiéndose de Vna través de r•.

Haciendo Vo = Ocomo en la Fig. 12-25b:

ro
121 = - Vol
V,· \',, ~O R. + 1'"

En el circuito de la Fig. 12-25c , V, = O YRf está en paralelo con (R, + r .). Así

112 = V" l
-,¡-
R¡.: (R~ + 1'".)
= g", R.,
V", V, _ u + 1"" + RE
Para calcular 122 se emplea el circu ito de la Fig . 12-25d. Recordemos que In representa la transmisión
desde la salida al circuito de comparación a través de la red de realimentación. En consecuencia se trata
Vo como la variable independie nte ya que lo que nos interesa es saber qué fracción de Vo contribuye en V.
más que saber cómo se halla V D (los parámetros 112 y 111 lo indican). En la Fig. 12-25d el empleo de las
técnicas de divisor de tensión nos da
-1"",
/ 22
R.• + r.

8
o
' . E 8
o
r,
E
V. V.
R, o R,
o R, V, o JI" ~ o
v, v,
e e
(,) (b)

8
r,
E '.
8~
r. -
o o
V.
R, o R,
A

V, ~ O
t Cm V . R, V,
V, ~ O
V,

e e
(,) (d)

Figura 12-25. Circuitos empleados paracalcular los parámetros I del ejemplo 12-3. (a) 111, el sistema " pasivo». (h) /¡l' (e) /ll' (d)
I ll·
528 Microeleclróllica moderna

(b) De las Ecs. ( 12-26), ( 12-27) , ( 12-3 1) Y( 12-25) respec tivamente:

T=

recordando que R."r" = (3"

¡-,,¡(N, + r ,,)
K = =
- I',,/(R , + 1',,)

V" A LJ + [R,/ (R" + 1"" + Nf ) ] + ( 1) [/3" R,.J(R. + 1'" + Rf:ll

A,- =
V, 1 + I + i{3" R,.;I(R, + ,." + R,J]
y simplificando
+ 1) R I::
({J"
R, + r" + ({3" + OR,..

que es el valor dado en la Tabla 10·3.

Alternativamente, se calcula T directamente mediante el circ uito de la Fig. 12-17c. Mediante las
técnicas de divisor de corriente se obtiene

y V. = Ibr•. Combinando estas relaciones y empleando la Ec. (12- 27) tendremos

. Vol
7 = -r- = {3" R •.
V ,,\'. ~ n RI:. +R, + I'"

como antes.
Obsérvese que sólo '12 depende del parámetro 8", (o ~o) de la fuente gobernada. Todos los demás
parámetros (dependen de los elementos resistivos del circuito.

Ejemplo 12-4

(a) Determi nar la ganancia de tensión VofV. de la etapa de Amp-Op no inversor de la Fig. 12· 260
calc ulando antes Ao' AOL.' T Y K.

Solución

El circuito equivalente de la etapa (suponiendo queR¡ tiende a infinito y Ro = O) para el Amp-Op está
=
representado en la Fig. 12·26b. En esta misma figura se identifica X, V" Xo = Vo y XI = Vi' La fuente
gobern ada se hace independiente considerando que sus valores A. 0'1 sean como se muestra.
 Amplificadores realimentados 529

... R,
,... •
~

•
"
R,
.,
R,

-e-
"'" .> lb)

Figura 12·26. (O') Elapano inversorade Amp-Op: (b ) Círcuiloeq uivalenle plIl11 el ejemplo 12-4.

En la Fig. 12-26b, Vo = -A. p"¡. Haciendo p"¡ = O se hace Vo = O Y por tanto f u = AD = O. Además, la
supresión de V, nos da

- A ,.

Con V, = Ola relación del divisor de tensión da

• R,
Vi = - A~ V, R + R
1 2

y de la Ec. (12-27)

T=

y
T R,
tn = - ---, =
'n R 1 + R2

Cuando Vo = Ono hay caída de tensión a tra vés de R" y VI = - V, Y así '2' = - 1

De la Ec. (12-28) AQL = AD + ' 1/21=O+(-A)(-l)=A.

K = _!l! = _ - 1 = R1 + R2 = R,
+-
/22 RI/( R I + R 1) RI R,
La ganancia Ap a lazo cerrado es, según la Ec. (12-29)
A OL A" A .,(R 1 + R 2)
AF = -I-+- T =I + A "R I/(R , + R
2
) = ~Rc-,:;(:;:I,,-+:.e,A;-,:')":+"-;RC-,
=
que es el resullado obtenido en la Ec. ( 10-1 10) con Ro O. Nuevamente vemos que con valores grandes
deA.,A, .K= l +R/ R ,.
vemos que en cada uno de los ejemplos. con valores grandes de T, A F se hace independiente de l
elemento amolificador (8 A., etc.). En co nsec uenc ia A..'" K Ydepereíe sólo de los elementos resistivo s
0
,

extenores al disposrnvo amplificador, y el comportamiento del amplificador realimentado se aproxima

mucho al de) amplificador ideal visto en la Sec. 12-1. Análogamente en la Seco12-3 ya se indicó que se
requieren valores grandes de T para mejorar el funcionamiento, es decir, redu cir la distors ión , aumentar
la estabilidad, etc. Así al diseñar ltmplificadores realimentados se elig en los valores de los elementos
530 Microelectrónica moderna

externosparaconseguirla ganancia totaldeseada AF mientras que la ganancia del amplificador internose

elige para alcanzarla relación de retomo pretendida.
En los análisis de estos dos últimos ejemplos se ha supuesto que los dispositivos amplificadores
operabana la frecuencia delabandamedia, peroeste métodode análisis es aplicablea todas las frecuencias
siempreque se utilicen los modelos apropiados. Aquí, los parámetros r son función de la frecuencia y de
ellos se deducen los valores de AF(s), T (s), AOL(s), Ao(s) y K (s).

12·9. MÁS SOBRE LA IMPEDANCIA EN AMPLIFICADORES

REALIMENTADOS
En la Sección 12-5 se estudiaron los efectos de la realimentación sobre las resistencias de entrada y de
salida, y se introdujo la fónnula de la impedancia de Blackman [Ec. (12-21)l. Ahora emplearemos el
análisis generalde la Sección anteriorparadeducir tal ecuación.
Supongamos que queremos determinar la impedancia de entrada de un amplificador realimentado.
Podemos aplicar una tensiónV, y medir la corriente J, como en la Fig. 12-270. Entonces la impedancia de
entradaes ZIF_VfI,. O bienpodemos aplicaruna corriente 1, y medir la tensión V, como en la Fig. 12-27b
con loqueZj, = VJJ,. Ambos procedimientos debendarel mismo resultadoya que la impedanciade entrada
es independiente del métodoempleado paramedirla. Calculemos ahora ZIFpara cada uno de los circuitos
de la Fig. 12-27.
El circuito de la Fig. 12-270 es un amplificador realimentado, y haciendo X, = V" Xo = 1, podremos
escribir un par de ecuacionesanálogas a las (12-22)y (12-23) o sea

t, I I[V , + 11!,t
(12-331
X, = 121 V, + f~ ~l"

Obsérveseque la Ec. (12-33) es independiente del tipo de fuente gobernadaempleada y de que la señal
XIsea una tensióno una corriente. La función de transferencia de este sistema, de la forma dada en la Ec.
(12-25) es
1,
~ - ~
/I[ + / 1' 1 ~ 1
( 12-341
V, Zw I - / I ~ f~ ~

o alternativamente
J -/ [ ~r ~ ~
( 12-35)
+ 1 12 r ~l /ll l

-1,

Amplilkador
v, 1, Amplificador
",alim~nlado ",a1im ~ola do

v, V,
z• . -1 Z/F" -
, 1,
(b'
(o,
Figu r a 12·27. Dos posibles circuitos para determinar la impedancia de entrada. (a) ap licar una tensión y medir la corr iente; (h)
aplicar una corrie nte '1 medir la tensión.
 Amplificadores realimentados 531

En la &(12·34) podemos identificar • t 12 t22 como relación de relamo. Recué rdese que T se ha medido
con la fuente suprimida (X. = O). Asf la relación de retomo se mide con los terminales de entrada
cortocircuitados <V, = O) Yes T se- 1\
Bl t érmino t. 1 de la Ec. ( 12·34) es 1¡V, cuando la ganancia del amplificador interno se anu la (Xi = O).
Por tanto Ilt l l es la impedancia de entrada del siste ma muerto que se representa po r 2 1D y
. 1+7'sc
2 u ' ::: ZI/I (12-36)
I + t i ! I ! I / t ll

Ca lculemos ahora ZIF para el circ uito de la Fig. 12·27b. En este amp lificador realimentado X. = I YX"
::: V. de fonna que
(12-37)

La función de transfere ncia del sistema descrito por la Ec. ( 12-37) es

V, . tíl + tí!I ;. . I + ,í! I! ./Ií. (12-38)
I,
= Zm = I
-
..
t I! ' ! !
= t .. I
-
. ,
' . ~t ~ ~

Haciendo ~I = Ose reduce el circui to al sistema muerto : por tanto l' 11 Z/D. La relación de retomo se =
calcula con /, = O. es decir. en circuito abierto de forma que To- t' ..Ir'22 y =-
2m = Z1/'
1 + lí! ';./';1
(12-391
I + T'K ·
Igua lando las Ecs. (12-22) y (12 -23), obtendremos
1 + Tst"
2m =Zwl+Toc (12-40)

que es la fónnula de la impedancia de Blackman.

Ejemplo 12·5

(a) Detenninar la resistencia de entradaR 1F de una etapa de Amp-Op inversora. Incl úyase en el modelo
la resistencia RI de entrada del Amp-Op. (b) Ca lcular R1F cuando Ni ----+ 00

Soluci6n

(a) El circuito equivalente de la etapa corresponde al de la Fig 12-28. La resistencia de entradaR,D del
sistema «muerto» detenninada haciendo t>1 O es =
Rw ::: NI + RAIR,
R, R,

R, .,
• •
- A. Y,
•
••

Figura 12·28. Circuiroequivelenrede la etapa inversora del Amp-Op del ejemplo 12-5.
532 Microelectrónica moderna

Con los terminales de entrada abiertos no ex iste corriente alguna en R. yen consecuencia
- VI R¡A"
Toc =~VI
= -;0-''-'';,.
R¡ + R z
Las resistencias R. y R¡están en paralelo cuando se co rtocircuitan los terminales de entra da . Por tanto
R ,lIR,

_ .11 I + (lRAIR,) A./(R ,IIR,) + R, ) = R

R,,.- - IR, + R, Rzl I + IR A,1(R¡ + R
I 211
• + R,

En la Fig. 12-28 resulta evidente que R1F= R l + Ru ; por tanto

R,R R,[R,/( I + A.JI

R = '
.u R¡ ( 1 + A,,) + R2 R, + [R, /(I + A"JI

La resistencia R...puede reconocersecomoe , 11 RJ(l + A.), siendo la resistencia Ru'(l + A.) exactame n-
te la reflejada entre los term inales X-X emplea ndo el teorema de Miller.
(b) De la parte anterior, tendiendo RI a infinito:

R,

Obsérvese que con valores grande s deA. (tendiendo a infinito) la resistencia de entrada es simplemente
R¡ ya que R... tiende a cero. De todas formas este es el resultado esperado pues cuando A. --+ 00 el terminal
inversor es virtua lmente tierra (Sec. 10-2 1).

U-lO. TRIPLE REALIMENTACiÓN EN PARALELO

Cada uno de los amplificadore s realimentados analizados en las tres secciones precedentes contiene
solamente un elemento activo. En general los amplificadores prácticos tienen dos o más etapas de form a
que se puedan consegu ir simultáneamente grandes gananci as con lazo cerrado y grandes relacio nes de
retomo. En esta Sección y en las tres siguientes introduciremos cua tro amplificadores rea limentados
multietapa comúnmente empleados. Cada amplificador con transistores reales se aproxima a una de las
topolog fas de realimentación de un solo lazo. Por ejemplo, las etapa s de transis tor llevan de por sí una
realimen tación suplida por C.. (o C~) y por tanto a altas frecuenc ias no son propiamente amp lificadores
de un solo lazo. Adem ás cuando se utilizan etapas en emisor (o fuente) comú n que contengan RE(o Rs)'
a manera de etapa del amplificador básico. incluso a baja s frecuencias hay realimentación. El tipo de
realimentación descrito en las frases anteriore s se denomina realimentación local ya que el lazo de
realimentación rodea una sola etapa. En circuitos mu ltíetapa nos encontramos con una realimentación
global, es decir la realimentación total alrededor de un cierto número de etapas en cascada.
El amplificador de tres etapas de la Fig. 12-29 tiene la estructura paralelo-paralelo de la Fig. 12·17 Y
se denomina corrientemente como triple en paralelo. El ampli ficador interno de tres etapas remarcado en
la Fig. 12-29 puede modelarse según un amplificador equivalente simple como el de la Fig. 12-30. La
 A mp lificadores realimentados 533

Redde realimemaci6n

Amplificador interno
Figura 12-29. Amplificadorrealimentadobipolar, Iriple-paralelo.

fuente gobernada Z l. y la resistencia r, en serie son el equivalente de Thevenin del bloque amplificador
••
de la Fig. 12-29. La resistencia r~ es la erutada al amplificador de tres etapas en cascada
R,

l'
+
L-Jl-cc'--+------+------i;-------,R
' ~
Amplificallurinterno

Figura 12-30. Representación delcircuitoequivalente del triple-paralelo.

r;

R, Z",I¡

Figura 12-31. Modelo aproxiinadodel amplificador básico{sin realimentación) deltriple-paralelo. Las resistencias RF tanto en la
entradacomo en la salida son el efecto de lacarga del amplificador básico por parte de la red de realimentación.

Estas cantidades son:

( 12-411
(12-42)

7 Obstrvese que,b esl' incluida. Como la conuión enparalelo ueee una resistencia de eneada muy baja, despreciar'b puede I veces introducir
Un error.
534 Microelectró nica madema

siendo A. 2 YA.l las ganancias de tensión de la segunda y tercera etapas respectivamente.

En la Fig. 12-3 I vemos el amplificador sin realimentación, en el que se ha eliminado la realimentación
suplida por RF• Obsé rvese que están inclu idos Jos efectos de carga de RF sobre los circuitos de entrada y
de salida .
En la configu ración paralelo-paralelo la red de realimentación transmite una corriente JI a la entrada,
que es proporcional a la tensión de salida Vo. Así, cuando Vo = Ono se reenv ía ninguna corriente hacia la
entrada y RF queda conectada desde la entrada a tierra como en la Fig. 12-31. Análogamente cuando se
=
suprime 1, la eliminación de la realimentación hace que VI O ya que no hay corriente en r l' En
consecuencia, la conex ión de RF entre la salida y tierra seña la los efectos de carga en la salida de RF •
En el ci rcuito de la Fig. 12-3 1, el cálculo de AOL = VJI , (Prob. 12-26 ) da

A _ - Z", R~ Rí.
OL - R,' + r i R'L + (12·4))
TI'

siendo
y

El valor de K = - I/P se puede hallar directame nte dejando en cero la seña l de co mparació n y
despejando XJX•. En el circuito de la Fig. 12-30, l. = O supone que V. = O; la ley de Kirchhoff aplicada al
nudo de entrada nos da VJ RF = -/, Y K = - RFo bien b = I IR ~..
Cuando A D se supone despreciable, la relación de retomo es

T := A Ol • "" _ ,BA m. "" A O L (12·44)

K R,
Por tanto, se emplea la Ec. (12.44) para calcular T a partir de l valor apro ximado de AOL ' Para el triple
paralelo la sustitución de la Ec. (12-43) en la ( 12-44) lleva a

T = 2", ---,!!",L_ R; RF ( 12· 45)

R,.. + RE. R~ + r ; R~ + r¡ R F + R.

Las impedancias de entrada y de salida

=
En un amplifi cador real imentado en paralelo Tsc O como se ha visto en las Sec o12-5 y 12-6. Tanto
la impedancia de entrada l/1 como la salidaZo F quedan reducidas por sus respectivos valores de 1 + Toc'
Para l /F el valor de Toc' se deduce del valor de T haciendo en la Ec. (12·4 5) R, -e oo. Análogamente,
haciendo RL -e O<> hallaremos el valor de Toe necesario para calcular lo!" Aplicando la fórmula de la
impedancia de Blackman . tendremos:

'. 1 R,
+ TI R ._ "- (12-461

r; 11 R ,
( 12-47)
+ TI R, _ ,,-

obteniéndose 2/0 YlOD de la Fig. 12- 3 1.8

I Eld lculoZ/Dde IIFi g.12.JOd. Zro " r, R(R,...RL . r.)quecon Rf » RL(como rn elejemplo 12·6) se reduce . 1. Ec.{12-46). Anilogunen le.
con Rf » R, el dlculo de loo de l. Fig. 12-30 se ml uce . 1. Ec. (12·47).
 A mplificadores realimentados 535

Bjemplo 12·6

El triple en paralelo de la Fig. 12· 29 está diseñado para ser alime ntado por una fue nte de 600 O Y
excitar una carga de 600 O. Los valores de los transistores y co mponentes utilizados so n los dados en la
Tab la 12·5 . La resistencia de real imenta ción RF es de 20 ka. (a) Determ inar la ganancia a lazo abierto. la
relación de retom o, y la ganan cia a lazo cerrado. a las frecuencia s de la med ia banda ; (b) de term inar las
impedancias de entrada y de salida .

Tab la 12·5 Va lores de los par ámetros del trip le de la Flg, 12· 29 YEje mplo 12·6:

Parámetro Etapa I Etapa 1 Etapa J

~~ (mUl 4.0 JlI 4J1

'. 25 IJI 2.5

~.. 100 100 10 1
R,· (k íl) 'O IJI O.MI

Solución

(a) Primero debe mos caracterizar el amplificador básico . De las Ecs. ( 12-41) o btendre mos
r¡ = O + 25 = 25 kn r.; = 0.60 kn
Según lo descrito en la Sec o10· 16
- 100 x JO
= - 25.0
30 + 10
- 100 x 0.6
= - 4.8
10 + 2.5
Sustitu yendo estos valores en la Ec. (12·42).

2 m = 100 X 30 X ( - 25.0) ( -4 .8) = 3.60 X 10'kn

La relación de retom o y la ganancia a lazo abierto se ca lculan mediante las Bes. (12·44) y (12·43)
respectivamente.

En estas ec uaciones
R: = R. II R , = 0.6 11 20 = 0.582 kll
y
RL = R, 11 R, = 20 110.6 = 0.582 kn
- 3.6 x 10' x 0.582 0.582
AO L = = - 4040
0.582 + 25 0.582 + 0.6
536 Microetectr ánica moderna

~ 404 0
T = -=20 202

AO L - 4040
Al'" = l+T .= '-1-+"'2"0=
'2 = - 19.9 kU = - 20 kf ] = - R ,.·

(b) Para determin ar Z¡f y ZOf emplearemos las Ecs . (12-46) y (12-47 ). Para Z/D obtene mos

Z" = 2511 20 = 11. 1 kn

La re lación de retomo en ci rcuito ab ie rto Toc se ob tiene de T haciendo R, -e ee, En es ta co ndición R',
--? R f Ysegún la Ec. (12-45)
3.6 x I O ~ 0.6 20
3.94 X 10-1
Toe = 20 + 0 .6 0 .582 + 0.6 20 + 25
Po r tanto

La impedancia de salida del sistema «muerto » ZOD es

ZOll = r; 11 RI-' = 0.60 11 20 = 0.582 kU

Cuando RL _ x , Rí. - R/.-, y R1/( R f • + R,.-) _ I ; por tanto, de la Ec. ( 12-45),
~ 1 0.582 _ 398
Toe = 3.6 x 10- (1) 0 .60 + 20 + 0.6 0.582 + 25 ~

y
0.582
ZOF = = 0 .00 146 kf] = 1.46 n
I + 398

Los resultados obtenidos indican clarame nte que Zlf«R, y ZOf« RL • Así se han satisfecho las
condiciones dadas en la Tabla 12· 1, Yes te amplificador realimentado se aproxima m ucho al conve rtidor
corriente-tensió n idea l (amplificador de transimpedanc ia) .

Opciones de diseño
Las Ecs. ( 12-43), ( 12-45), ( 12· 46) Y( 12-47) dan las ca racter ísticas pe rtine ntes de l triple en parale lo.
Describirem os cualitativamente algunas de las opciones de diseño a elegir. Nos referiremos al funcio na-
miento en la banda media ya que la respuesta en frecuencia y la estabilidad de l am plificador se rán tratadas
en subsig uientes secciones.

Evidentemente, el amplificador debe tener una gana nci a Af especi ficada, es decir, que se co noce la
gama de señales de salida co rrespondiente a la ga ma de señales de entrada . Tam bién están es pecifica das
las res istencias de fuente R, y de carga RL que e l amplificador debe excitar. Par a qu e e l amplificador se
 Amplificadores realim entados 537

aproxime a un funcionamiento ideal dentro de límites especificados, los valores dado s de R. y R L

determinan los de Z/f y ZoF respectivamente. Además, las variaciones de ganan cia (desestabilidad) y la
distorsión no lineal constituyen unas exigencias de diseño.

I
Con TI» 1, la ganancia del amplificador de la Fig. l2~29 esA F "" K ~ RFydeesla forma la ganancia
=
especificada determina la resistencia R F de la red de realimentación. Cada una de las demás especifica-
ciones del diseño dadas en el párrafo anterior dependen del valor particular de la relación de retomo T
(Secs. 12-3 a 12·5). El diseñado r del circuito debe seleccionar el mayor valor de T calculado para
cumplimentar cada una de las especificaciones independientemente. Es decir, se determina un valor de T
que satisfaga las exigencias respecto a la distorsión, otro valor de T (Toc) que satisfaga la especificación
de la impedancia de entrada, y así sucesivamente, eligiéndose el mayor de todos los valores. Obsérvese
que un incremento de Treduce Z/f, ZaF, la cuantía de la disto rsión no lineal y la estabilidad. Así pues, al
elegir el mayor valor de T se satisfacen todas las demás exigencias del diseño . Como T depende de la
relación de transferencia del amplificador interno Zm (y RF) el valor de Zmqueda prescrito. Así, los
requisitos básicos del diseño se han «traducido» a especificaciones en las redes individuales del amplifi-
cador realimentado.
Debe tenerse en cuenta que el proceso de diseño , aun cuando es aplicable a todas las topologías, no es
tan sencillo como parece en el párrafo anterior. No se han considerado entre otras cosas la respuesta en
frecuencia y el funcionamiento en continua (estabilización de polarización) . En general, el proceso de
diseño es interactivo : opciones que afectan a las características de procesado de señales influyen sobre el
funcionamiento en continua, y viceversa.
1" 1"

-" Q1
Q2

R,
Ro.

Figura 12·32. Representacióndel par BIT paralelo-serie.

12-11. EL PAR PARALELO-SERIE

El amplificador de dos etapas de la Fig. 1 2~3 2 e s unparparalelo- serie. Es evidente que la comparación
de corriente se realiza en la entrada. Ahora veremos que el muestreo de corriente tiene lugar en la salida
demostrando que la corriente de realimentación Il es proporcional a la de salida lo. Suponiendo que 13» 1,
la corriente de emisor en Q2 es lo. Los caminos a través de las resiste ncias RE y RF forman un divisor de
=
corriente y por tanto ñes proporcional a lo. Además, haciendo lo O se hace que II O. =
El circuito de la Fig. 12·32 es sólo aproximadamente el amplificador paralelo-seríe de la Fig 12-19
debido a la realimentación local de Q2 proporcionada por RE.
=
Para detennin ar el valor aproximado de AOL I o /1 , se emp lea el amplificador sin realimentación de la
Fig. 12-33. Como puede verse en esta figura están incluidos los efectos de la carga de la red de
realimentación obtenidos aplicando las reglas citadas en la Sec o12-7. Observamos también que sólo se
elimina el circuito de realimentación global, pues la local debida a la resistencia de emisor en Q2 queda
incluida como parte de Ao L ' Admitiendo los siguientes sup uestos, el análisi s de l ci rcuito de la Fig. 12-33
(Prob. 12-30) nos lleva a los resultados de la Be. (I2~48)
-538 M/cToe/ectr6nica moderna

I
- - = (12·48)
[3

Resistencias de entrada y de salida

la impedancia de entrada Z" se reduce deb ido a la conexión en paral elo en la entrada. Razonando
como en la Secc ión anterior se obtiene
___ __~.~,
r
Z' F = 1 + TI R ._ _
(12-49)

suponiendo que RF » T" l '

Si Tg2-+ ... Ia impedancia del sistema muerto será también infinita. Inclu yendo r02 en el modelo (Prob.
12-29) Y suponiendoRF » RE.Zon será

ZOV "' r"2 (1 + RI:: +[3",R,+ R )

T,.1 n
(12·5 0)

Etapa emisor conuln

81
•
Rr
• '" . <l>,~~
... ~
.
"t R.
'"
v,.
I .........í Ro ~
El

R, ", R,

EO •
Fi¡ur. (2.33. Modelo del amplif.aldot bisico del par pl!.&lelo- serie indum el erCC10 de carga de la mi de rcalimc nlación linIO
en la enlTlda (RF en sene cco RE) comoen la salida (R F 11 RE)'

Obsérvese que Re l es la resistencia de fuente efectiv a de esta etapa. La Ec. (12-50) indica qu e la
realimentación local en serie suministrada por RE aumenta la resistencia de salida.
= =
En una conexión en serie Toc OY Tsc se ca lcula haciendo Ro Oen la expresión de 7-. Ve acuerdo
con las mismas aproximaciones empleadas en la deducción de la Ec. ( 12-48) tendremos Tsc '" T, Y

(12·51 )

Efrmph> 12·7

Se diseña un amplificador paralelo-serie con los siguientes parámetros: R. = 10 kn. RE =O.so kíl. R F
=10 ka, ~ =Ra. =2,0 k!l, ' .1 = 0.5 W , P.l = P. 2 =Po - 100. Y ' Id =0,50 ill. Las resis tencias de
salida,01 Yr 02 son suficientement e grandes para poderlas despreci ar. Determinar los valores aproximados
de AQl. . T y Ar
 Amplificadores realimentados 539

Solución
Supondremos que RF » R E' RF » rK1, ~"RE » Re, y que la corriente en R, es despreciable. Por tanto
emplearemos las Ecs. (12-48) y tendremos

AO L =
- 100 x 2
= - 400
10
- 20 T ~ - 400 = 20
0.5 0.5 - 20
Entonces, AF = - 400/(1 + 20) = - 19.0
El cálculo de estas ecuaciones, pero sin tener en cuenta las suposiciones mencionadas, nos lleva a AOl
== ~ 358, T== 17,1, K = - (RF + RE)/R E = -21 YAF = - 19,7.
Los valores aproximados basados en los supuestos citados están razonablemente próximos a los más
ajustados, Resaltamosel hecho deque al hacer tales suposiciones el diseñador puede apreciarrápidame nte
el comportamientodel circuito.

12·12. EL PAR SERIE·PARALELO

La Fig. 12-340 representauna realización BIT del par serie-paralelo, La salida conectada en paralelo
es bien evidente. En la entrada, la señal de comparación VK1 == V, es aproximadamente la diferencia entre
V, y la tensión a través de RE, .
El circuito equivalente del amplificador de dos etapas en cascada de la Fig. 12-34b, es el amplificador
de la Fig. 12-34a con la red de realimentación global eliminada de acuerdo con las normas dadas en la
Seco12-7. Una de las dos etapas es de emisor común con resistencia del emisor y la otra de emisor común
simplemente, por tanto el lazo de realimentación local de la primera etapa queda incluido en el cálculo de
AOl ' NaruralmenteA g¿ es el producto de las ganancias de tensión de cada etapa y que según la Tabla 10-3
es
•

~ -e-

v. R,
R,
/ ."
-e-
(.)
•

r ·l· <j> 1
R.

1- !
'.1
<D"'"
I <l
I ~ N.

• '-r - J
Y, R. I ! " 1 Ro>
-
"f J ,
!
R, «, !,
N,
i

<b)
Figura 12·34. (a ) Parserie-paralelo realirnentadc, y (h ) circuito equivalente del amplificador sin realimentación.
540 Mtcroeiectr ónica moderna

- A A _ _ _ _ - /3..IRn - /3..1R u
(12-52)
Ao t, - d ..1 - R• + r. 1 + { l + ,....,,1
Q )R't: Re l + r-a

siendo
y

Elvalorde Psedeterminasiguiendoel procesodado en la Sec. 12-7. En la Fig. 12-34b la malladivisoria

de tensión da VJ= - REVr/(RE+ R, ) y

P = YL = _ RE (12-53)
V,. RE; + RF
Suponiendo Po» I y P o1R' E» R, + r l l el valor aproximado de T será

T .. l3"lR Cl R L 1 (12-54)
Rn + r"l

Imped ancias de entrada y de salida

En el amplificador serie-paralelo es de esperar un aumento de la impedancia de entrada Z" y una
disminución de la de salida ZaF. Suponiendo

(12-55)

La impedancia de entrada viene dada por

(12-56)

Se deja para el lector(Prob. 12·34) la deducción de las Bes. (12·55) y (12-56). Obsérvese sin embargo
que Z'D (as! como el valor exacto de 200) incluye los efectos del lazo de realimentación local sobre la
impedancia de entrada de la primera etapa.

Ejemplo 12·8

Elamplificador serie-paralelo de la Fig. 12-34a estádiseñadoempleando transistorescon lossiguientes

parámebOs:r. 1 = 5,OkO' Po1 ~ 125(paraQ 1); r d =2.50 kO. ~ol = 125 (paraQ2). Loselementosdelcircuito
empleados son: Rel = 9,0 kn, Ro = 3.0 Idl, RE= 0,20 kn YR, =6,0 kn. El amplificador está excitado
por una fuente con una resistencia interna R. = 2:) k.O. Determinar AOl.' T YA,.

Soluci6n

Para calcularAOl.. emplearemos 108 resultados del análisis aproximado [Ec. (12-52)]
 A mplificadores realimentados 541

A = - 125 x 9.0 - 125 x 2.02 = 773

OL
2.5 + 5.0 + (125 + 1) 0.194 9.0 + 2.5
siendo Ri,; = Re 11 RF = 0.20 11 6.0 "'" 0.194 kn y R u = Rn 11 (R,.- + Re) =
3.011(6.0 + 0.20) = 2.02 kll .
La Ec. ( 12-53) nos da

~ = _ 0.2 = 1
y T = - A O L f3 =
773
= 24.9
0.2 + 6.0 31 31
y basándonos en estos valores
773

12-13. EL TRIPLE EN SERIE

En la figura 12-350 está representada la versión FET del amplificador serie-serie de la Fig. 12-18
denominado co rrientemente triple en serie. La corrie nte de salida es reenviada a través de R F Ycontribuye
a la ~ a íd a de tensión V, a través de Rs ' La comparación de tensiones tiene lugar en el lazo de entrada. La
com ente total en Rs es 1, + lo lo que indica que R forma par te de la red de realimentación global y de la
red de realimen tación local de la primera etapa. D~ igual fonna R,• y Rs actúan como una resistencia en la
fuente de la tercera etapa proveyendo así la realimentación local de esta etapa.
El circuito equivalente del amplificador sin realimentación corresponde al de la Fig. 12-35b e incluye
los efectos de carga de la red de realimentación. Este amplificador de tres etapas en cascada consta de dos
etapas en fuente común con realimentación local (etapas 1 y 3) Yde un amplifi cador en fuente común
(etapa 2). Suponiendo z.cc- RI de formaq ue R, 11 RI '" RI YRF + Rs"'RF,A Ol• es el producto de las ganancias
de estas etapas. o sea de

A0 1. =
/..
V, R IJI +
- jJ.1R
1'''1 +
IlI

í l +
._ -
jJ.¡) R s
( _
"'_ .. R m + (1
",
R ,R p ) ~----"''------- (12-57)
542 Mtcroetectrontca moderna

-'.
R.,

,
v.,
•
v,

Figura 12·35. (o ) Un FET lripie serie. (b) Circ uitoe quivelenredel ampiificador sín realimentación .

Obsérvese que el último término de la Ec. (12·57) es la relación de transferencia tensión-corriente de

la tercera etapa.

Haciendo en la Fig.12-35b. V~' I =O. resulta V,. =ItP S. Portan to. B = V1/10 = -Rs y la relación de retomo
puede ser aproximadamente
T = A 3 = fL lfL3Cm2 ROIR l. 2R s
01J (12-58)
[R Ol + rd l + (1 + fLl )Rs l [R Ol + rJ3 + (1 + ,ul )R FI

Impedancias de enlrada y de salida

La resistencia de entrada de esta etapa es prácticamente infinita en la banda de frecuencias medias. La
resistencia puerta-fuentedel MOSFET es del orden de 1D I! Q Yeste valor se multiplica por (1 + T ) debido
a la realimentación en serie. Enconsecuencia. en este circuito 2'F se considera normalmente com~c circuito
abierto. En etapas con transistores discretos la impedancia en entrada es simplemente la resistencia
equivalente de la red de polarización de puerta.
La impedanciade salidaZoo del sistema muerto es la resistenciade salida de unaetapa en fuente común
con resistencia de fuente como se determina en la Tabla 10-5. Suponiendo R, » Rs' tendremos
(12-611
 A mplificado res realimentados 543

en donde Tsese obtiene de T haciendo R", = O.

Ejemp lo 12-9

En la Tabla 12·6 figuran los parámetros del FET y las resistencias de drenaje empleados en el triple
en serie de la figura 12-35 . Las resistencias de la realimentación son R, = 10 kil Y Rf =0,50 kíl. Hallar
AOl.' T YA, del sistema.

Tabla 11-6. Parámelros del FET y valor de loscomponenles del Ejemplo 12·9 y Figura Il·JS
Parámetro

T..",ui .(/III Il ..., mU ..... UI R" . kll

~ .U ;'in
"
l ;'ill .'in
(1'
{} ! U lnn l ;'in .'iO

{}.\ 1.0 BU 1.10

'"

Solución

Para calcular AOl. y T emplearemos los resultados del anáJ isis aproximado de las ecuaciones ( 12-57) Y
(12·58) respectivamente. Observemos que el supuesto de que R, » R, es razonable e introduce sólo un
pequeño error. En la Ec. ( 12-57) se emplea el valor de Ru siguiente
R ,. ~ = R m nr..~ : 50 11 100 = JJ .J kU
Luego
- 150 x 50
AOL : 50 + 50 + (1 + 150) 0.5 ( - 1.5 x 33.3)
no
10 + 130 + (l +
Puesto que P::- R¿» -0.5 ka tendremos:

T = '-A oLP :: - 19 1.6 ( - 0.5):: 95.8

La ganancia A, con lazo cerrado es

I-' -~
[9 1.6
A + 95.8 :: 1.98 mU
- I+ T :
valor ciertame nte muy próximo a · l/p ya que T Jo 1. Cuando se tiene en cuenta la carga de R, en R.. es
decir, se calculan R, 11 R. Y R, + R.. y se e mplean en la Ec. (12-57), el valo r de AOl. es igual a 187,2 mO.

12·14. ANÁLISIS GENERAL DE AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

MULTI-ETAPA
Los amplificadores realimentados muíti-etepa se pueden analizar para incluir la transmisión desde la
544 Microelectr6nica moderna

entrada a la salida de la red de realimentación. El método empl eado se basa en el análi sis de una sola etapa
visto en la Sección 12-8. El proceso es el siguiente:
l. Dibujar el circuito equiv alente del amplificador.
2. Identificar k¡. Es conveniente referirlo a una etapa en emi so r (o fuente) común ya que V~ (o V,,)
se miden respecto a tierra .
3. Aplicar las defmiciones de las Bes. (12-24) y calcular los parámetros t. Est os parámetros sirven
para determinar AOl, T Y Al'
El siguiente ejemplo muestra este proceder.

Ejemplo 12~10

(a) Determinar los parám etro s I para el amplificador serie-para lelo de la Fig 12-34a. (b) Empleando
los valo res de los eleme nto s de l Eje mplo 12·8 ca lcu lar A D , AOl..' T y Ar

Soluci6n

(a ) El c irc uito equival ent e viene dado en la Fig. 12-36 en la que Q¡= ~
está refe rida a la etapa en
_2

emisor común. Para calcular In se emplea la Fig. 12-37a. Cuando visto desde los terminales X-X' la
primera etapa es un segu idor de emi sor, el teorema de Thevenia aplicado a es os terminales lleva al circuito
de la Fig . 12-37b. De la Tabla 1O-3a.

(/3,,1 + I ¡RE R;, = Rl:._IIR. +r =

R. + r .. 1 + ({J" + 1 + {J .

• --
. •
v" ' .. Y. l

•
v, v.

R,

Figura 12-36. Circuito equlyaleme de l par serie-paralelo. A efectos del análisis. [a fuente gobern ada de la etap a en emiso r común
C."
queda idenlificada por 8.. 2

En la Fig. 12-37b la relación del divi sor de ten sión nos da

 Amplificadores realimentados 545

BI el
•
'., v.,
1-'
' .. 1 V. l
R, R"

El R,
•
v, •
R, R" v.

(01 (b )

BI el ea el
• +
R, '" - V"
<1>,.,v" •
El R... rdVl<.! ¡ K.. V. ! V,, = O

V
'9
¡

-
R, R,

- E2

Id

81 82 C2 v•

R,
- lb r . l v:, ~.. Re
'.,
•
V" <t> ,.,V.• R"
- K"' l V. l E2
-
/.¡ El R, ~
V, " O
R, - /,

" Id)

Figura 12-37. Circu'tos equ ivalentes emp leados para ca lcular los parámctros I del Ejemplo 12-10, (a) circuito para t ll , y (b)
equivalente de Thevenin. {el circuito para tu : (d) circuito pura t l 2 y T

Paracalcular (21' Va= OYse emplea el circuito de la Fig. 12-37c. La parte del circuito comprendida
dentrodel rectángulo sombreado es una etapa en emisor común con resistencia de emisor R' E=RE 11 RF•
Haciendo Ru = RAl 11 Re l la Tabla 10-3(1 nos lleva a
V...~ - P" IRf.I
I~ l = - =
V" R" + 1"...1 + (P", + 1) RJ;

Tanto (12 como la relaci6n de retomo T se calculan a partir de la Fig. 1 2~ 37d, La carga efectiva en la
etapaen emisor común es Rix = Ro 11 (Rf + R' a) , Por tanto
546 Microelectrónica moderna

=
La corriente 1, Vj (R, +.R') g...flu O.!(R, + R',) se repart e entre Rf y R~ del seguidor del em isor.
=-
Haciendo uso de la relació n del divisor de corriente tendremos

Siendo 1, = -(Poi + 1) l b Y V.I = /¡, r. I , entonces V. l =- r.//( Poi + 1). Combinando las relaciones de
V.I ,I,. 11' V~ y 2 y formand o T = -
V. V.IO.
2 ' se tiene

T = {3", R L I RE Knr2 R 1.2

{3"1 + I RE + R" R, + R:,
Calculando In = TII '2 lendremos

{3" ,R L , Rl:.- I
In = ,
(3"1 + I Rt: + R" e, + Rol
(b) Aplicando los valores dados en el Ejemplo 12-8 se llega a:
2.5 + 5.0 2.5 + 5.0
R;, ~ 0.20 11 1 + 125 ~ 0.0459 kl1, R" ~ 1 + 125 ~ 0.0595 kl1

R " ~ 2.5119.0 ~ 1.96 en. Ru ~ 3.0 11 6.0 ~ 2.0 kl1

R, ~ 0.20 11 6.0 ~ 0. 194 kl1

~ ~ 3.0 ~ 0 332
A/) 1 1, 0.0459 + 6.0 + 3.0 .

T ~ 12511 .96J 0.20 50 (2) ~ 24.8

125 + I 0.20 + 0.05956.0 + 0.0459
Empleando /fm 2 = {3..2Ir..2 = 125/2.5 = 50 mU

- 125 x 1.96 )
Am. = (11+ '12 12 1 = 0.332 + ( - 50) <2 .0) ( 2.5 + 5.0 + 126 x 0.194
~ 767
O sea
767 ~ 29.7
+ 24.8
Los valores hallados no difieren más del 1% de los obtenidos en el ejemplo 12-8 utilizando el análisis
aproximado.

12·15. AMPLIFICADORES REALIMENTADOS DE MÚLTIPLE LAZO

La disminución de sensibilidad provocada por amplificadores realimentados de un lazo único esté
limitada por el valor de la relación de retomo . Puesto que los dispositivos reales tienen una ganancia finita,
 A mplificadoresrealimentados 547

lasensibilidad no puede anularse,es decir, la función de transferencia A, no puede hacerse completamente

independiente de la gananciadel amplificador básico (sin realimentación). Además, las variaciones en los
valores de los componentes pasivos que comprende la red de alimentación motivan también variaciones
en A, . Obsérvese que estas variaciones de los elementos no están afectados por la cuantía de la
realimentación. Por ejemplo. en la etapa de Amp-Op no inversor de la Fig. 12-26, para A.. y por tanto
T » l . Al = I + Rj RI Yla precisión con la que podemos especificar Al es directamente proporcional a la
precisióncon la que se puede fabricar la relación de resistencias.
Los amplificadores con lazo único fallan cuando se produce un fallo en uno de los elementos
amplificadores. Si la ganancia del amplificador interno se anula, también tiende a cero la ganancia con
realimentación (que se convierte en AJ. En muchas aplicaciones es importante una protección contra
fallos catastréñcos, como puede ser el caso de instrumentación médica (equipos de cardiología), naves
espaciales tripuladas, comunicaciones por satélite y cables submarinos (cuya reparación es costosa. jenta
y extremadamentedificil).

Para superar estas dificultades se emplean frecuentemente amplificadores realimentados de múltiples

lazos.Talcomose contemplaen estaSección. un amplificador realimentado de múltiple lazo es un circuito
multi-etapaque contiene dos o más lazos de realimentación globales" Los siguientes comentarios son una
breve introducción a las propiedades de varias clases de estos amplificadores.

Amplificador con realimentación positi va-negativa

El amplificador de tres etapas de la Fig. 12-38 contiene dos lazos de realimentación. El interior lo
forman Al' AJ Y11, y da una realimentación positiva ya que la señal reenviada y la señal aplicada (desde
Al) y Xl estánen fase. La realimentación introducida porf I abarcando las tres etapas es negativayaquela señal
reenviadaestádesfasada180" (a la frecuencia a media banda) respecto a la señal de entrada X•. Para mayor
comodidad supondremos que el efecto de todas las vías de realimentación es despreciable.
Este amplificador estádiseñado para hacer que la señal de salida sea invariable respecto a los cambios
de ganancia Al' La relación de transferencia puede expresarse
X.. A , (A,A J I' - A,A ,j,l)
X, = Al" = 7
1-+'-';-IA ' =';A"-,A:','/~)J
-:'-',A:'-,"A-'-.,¡;C,'''I;- ;
A IA 2A )
= 112-601
I - A ~A ,l h + A IA 2A 1f l

En la Ec. (12-60) vemos que si Ar4l 2=1 tendremos Af . = l/JI independientemente de Al' a iro punto
de vista de este amplificador es considerar que/1 es una realimentación global respecto a un amplificador
que comprende Al en cascada con el amplificador realimentado de ganancia Al AJ(l-A l AJ/l). Si A2 AJ

~
~ x. Al AJ -AJ

Fill:Url 12·J8 . GráfICO de recorridode la :K'i\at de un amplifICador reatimenlado mullitazo posuivo-eegauvo.

, Los Implifl(:adon:s de un Iazo,en casca:la" los ciraJilOll ee luoúnioo que o;on~1rI UIIlI Tulimclllllri6n Joc.I. en cenefa! no se: ttaWl (:Onll)
cimJilode mú1típk lazo.
548 Microetectronica moderna

= l este amp lificador con realimentación interior tiene una ganancia infinita . En cons ecuencia. Al ll . y T
/ 2
son ambas infinitas. y tendiendo T a infinito. la sensibilidad es nula.
El circuito de la Fig. 12-39 es una versión BJT de este amplifica do r. El lazo interior. de realimentación
positiva lo fonna la conexión serie de R 1 y R 1 alrededor de Q 2 YQ3 . La conexión de realimentación en
parale lo de Q3 a QI a través de R, provee la realimentación negat iva total.
El primero de dos inconvenientes potenciales de este circuito es su sensibilidad respecto a los
/¡
compone ntes de l lazo de la rea limentació n positiva . Para un funci onamiento co rrecto A2 A l debe ser
igual a 1, y cualquier desv iación de este valor se traduce en una dependencia de A, y Al . E segundo
inconveniente es la estabilidad del amp lificador, cualquier emp leo de rea limentac ión positiva. potencial-
mente puede provocar oscilacione s.

Estructura McMillan
El amp lificador de la Fig. 12-40. propuesto originalm ente por McM illan para la transmisión segura
por cable submarino. utiliza vías de realimentación tanto hacia atrás como hacia adelante. En la configu-
ración de acoplamiento cruzado y canal en para lelo. los amplificado res A I YA l son normal mente de lazo
único. Esta topología se emplea para proteger de un fallo en uno de los canales sin interrumpir la
transmisión de la señal desde la entrada a la salida. Vamos a demostrarlo seg uidamente.

La función de transferencia de este amplificador (Prob. 12-44) se puede expres ar

X" A l (1 - A~/ ~ I) + A2 (1 - A./ u )
(12·61)
A F = X, = 1 - AIA JI J~ I

R"

02
01 R,

R,

Fi¡:llra 12·39. Disposición bipolar del umphfica dor de la Fig. 12-) 8.

Normalme nte se diseñan ambos cana les para que sean idénticos. cona , = A2 = A Y/.2=111 = J. En estas
condiciones
2A (1 - AfI 2A (1 - A /) 2A
(12 -621
A, -'- - , ---A ~ r~ - ,.. 11- + Af i O - Afl -= + Al
=
Si Al l según la Ec. (12-62). A, =A. Supongamos que Al = O. es deci r. que ha habido un fallo
=
catastrófico en uno de los canales. La Ec. (12-6 1) indica que A, = A2 A existiendo la misma transmisión
 Amplificadores realimentados 549

x, x,

/"
x, x.
f"

x, A, x.
Fig ura 12-40. Amplif icador McMil lan de dos ca nales con realime ntación d irect a e inversa. Norma lmente sólo debe actuar uno de
los canales para proporcionar la salida deseada.

entre entrada y salida. Recuérdese quea, es un amplificador de realimentación negativa de forma que aun
con Al = Oel funcionamiento del circuito muestra los beneficios de un amplificador de lazo único.
La estructura de la Fig. 12-40 también es insensible a cualquier cambio qu e ocurra e n un canal. O sea,
si A varía de forma que Al fll7. I mientras que A2/21 = O, de la Ec. (12-6 1) se tiene

A , = A 1 ( 1 - A J!J = A , = A
1 - A II -
no habiendo variación alguna en Ar Análogamente, sifl2 cambia, de forma que Af12'!:- I, tendremos
A (1 - Af I2 J = A
A", =
I - Afl1

Figura 12·41. Am plificador McMillan de tres cana les con realimentació n dire cta e inve rsa

Se llega a la conclusión de que este amplifi cado r es invariable frente a los cambios en los elementos
tanto activo s como pasivos. Nuevamen te encontramos el inconveniente de que Afd ebe ser exactamente
igual a la unidad, y cualquier desviación de este valor (en ambos canales) hace cambiar Af .
La topología de la Fig . 12-40 se puede ampliar a más de dos lazos como se ve en el circuito de tres
canales de la Fig. 12-41. En este circ uito se pueden producir dos fallos sin que se interrumpa el servicio.
En efecto, la multipli cidad procurada por los canales paralelo s permite la tran smisión de la señal mientras
siga funcionando uno de ellos.

x,oo- __~ x. ~ Al Al Al

Figura IZ--U. Gráfica de recorrido de la se ñal de un amplificador realime ntado de lazo múl tiple e n «nido » (seg uidor).
550 Miaol'/t't'(r tÍll i nl moderna

Realimentación segu idora

La Fig. 12-42 corresponde al gráfico de circulación de la seña l de un amplificador de realimentación
seguidora, En esta topolog ía. llamada también de «nido», cada lazo de realim entación parte del mismo
nudo (la salida) y termina en la entrada de uno de los amplificadores. Esta estructura se emplea
frecuen temente en filtros activos porque cada término de la característica de trans ferencia puede estable-
cerse por un lazo de realimentación. Esto queda demostrado por la Ec. (12· 63) dedu cida de la Fig. 12-42
(Prob . 12A O).

A, (12-63)

Realimentación salto de ran a

La topologfa de este amplificador , representada en la Fig. 12-43, se em plea tamb ién para filtros activos.
Co mo se ve en esta figura, los lazos de realimentación solapados hacen depender la señal de entrada de
cada amplificador de la señal de salida de cada amplificador. Esto se aprovecha en los filtros activos para
hacer que cada término de la función de transferencia [Ec. ( 12-64 » depe nda de la ganancia de lazo de un
lazo de realimentación (Prob. 12-41).

A, ( 12-(14 )
A ~A I .r 1 - A : A ,,f ,

f,

1, ' ~\
f,

Fi):llra t 2-·B . Gr áfico .1,' recorrido de 1;1....·'\;11<Id umpliñ cador realime ntado de l 'I~ U nuillipk en ,, ~ahtl de rana ».

Las topologías últimamente expuestas pueden ampliarse para tener más lazos de realimentación de los
que se representan en las Figs. 12·42 y 12-43.

REFEREN CIAS

Bode. H.W.: "N e two rk Analy s¡s und Feedback Amplifie r Dcsig n.'' O, Van Nosrraud Compauy. Princctcn.
NJ ., 1945.

2 Btack man. R.B : Erfel'l of FCl" lhal'k.m lmpedanre. Bt'I/ S.H J(' /1/ Tl'f"f¡, 1., \'01. 22, n" J, p. 2. 1943
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 A mplificadores realimentados SS 1

6 Ghausi. M.s .: "E tectrooic Devices and Cucuüs : Discrete and hnegrared," Hall, Rinehart & winsron, Nueva
York, 1985.
7 Schilling. D. y H. Relave: "B lectronic Círcuus Decrete and lnregrated," McGraw-Hill Book Company,
Nueva York, 1979.
8 Soclo f. S.: "Analog Integrated Cecuírs." Prentice- Hall. Englewood Ctiffs , NJ .• 1985.

9 Block. H.S.: Stabilized Feedback Amplifien. Bl'1I S)'stl'''' Tecñ. J.• vol. 14, pp. 1-18, enero 1934.

TE MAS DE REPASO

12.1. (a ) Dibujar el circuito equivalente de un amplificador de tensión

(b) ¿Qué condiciones deben cumplirse para que este amplificador funcione idealmeme?
12·2. Repetir el lema 12-1 para un amplificador de corriente.
12·3 . Repetir el tema 12-1 para un convertidor tensión-corriente.
12·4. Repetir el tema 12-1 para un convertidor corriente-tensión.
12-5. Citar cinco panes constituyemes de un amplificadorrea limenlado de lazo único.
12·6. Dibujarel diagramade bloques de un amplificador realimentado y describir la función de cada bloque.
12-7. Citar las cuatro tcpologfas básicas de amplificador realimentado de lazo único.
12·8. (a) Dibujar el diagrama de bloques de un amplificador realimentado de lazo único.
(h) Defmir A y P
(e) ¿Qul!: relaciónexisleenlTc AF y A?
12·9. Identificar X.. X Xt y X/ como corriente o tensión para cada una de las topologías de realimentación.
U·I0. Identificar A y ¡tpara cada una de las cuatro topologfas.
12·11. Definir; (a) realimentación negativa, y (b) realimentación positiva.
12·12. Definir de palabra y mediante una ecuación (a) la ganancia Aoccon lazo abierto y (b) la relación de retomo
T.
12· 13. Expresar AFen función de Aoc y T.
12· 14. (a) Definir la sensibilidad.
(b) ¿Cuál es el valor de Af con grandes valores de T?
(e) ¿Cuál es el significado de la respuesta de (h)?
12·15. Citar cinco carecrerísrces de un amplificador. que quedan modificadas por una realimentación negativa.
12·16. Enunciar los tres supuestos fundamentales empleados en el método de análisis aproximado.
12·17. Para tener el amplificador sin realimentación, describir cómo se obtiene: ( a) el circuito de entrada y (h) el
circuito de salida.
U ·18. Indicar para cada una de las cuatro topologfassi (a ) la impedancia de entrada y (b) la impedancia de salida.
aumentan o disminuyen a consecuencia de la realimentación.
U · 19. (a) Establecer la fónnula de la impedancia de Blackman.
(b) Definir los términos TseY Toc'
(e) ¿Qué se entiende por sistema «muerto»?
U · 20. (a) Dibujar la representación de dos entradas de un amplificador paralelo-paralelo.
(b) En función de la fórmula de impedancia de Blackman, explicar cuál de las resistencias deentrada y de
salida aumentan o disminuyen.
12· 21. Repetir el tema 12-20 para un amplificador paralelo-serie.
12·22. Repetir el lema 12·20 para la lopologfa serie-serie.
12·23. Repetir el tema 12·20 para la lopologia serie-paralelo.
12·24. (a) Expr-esar X.y X/ como superposición de dos términos.
(b) Definir los parámetros l.
12·25. (a) ldentiflCarA o. T. K YAot en función de los paráme tros l.
(b) ¿Cuál es el significado de cada término?
552 Mtcraetectrontca moderna

12·26. ¿Qué diferencia hay entre la realimentación local y la global ?

12·27. ¿Qué cuatro circuitos comunes se emplean para aproximar los cuatro amplifi cado res realimentados básicos?
12·28. (a) ¿Cuáles de los circuitos del tema 12-27 contienen lazos de realimentación local ?
(b) ¿Cuáles no?
12·29. Citar cuatro tipos de amplificador realimentado multi- Iazo.
12·30. ¿Qué propiedades pueden mostrar las topologías de mulli-Iazo que no se puedan lograr en amplifi cadore s
de lazo único?
12·31. (a) Dibujar el gráfico de circulación de la señal de un amplificador McMillan de dos canale s.
(b) ¿Qué características tiene este ampl ificado r que no tengan las demás configuraciones comentadas?
 Estabilidad y respuesta
de los amplificadores
realimentados

Se requieren amplificadores con realimentación negativa para funcionar dentro de una banda de
frecuencias especificada, o alternativamente para dar la respuesta deseada a una excitación de función en
escalón, En estecapítulo examinaremos el efecto de la realimentación sobre la respuesta del amplificador.
Desarrollaremos métodos para comprobar si la respuesta en circuito cerrado es estable. Se incluyen
también las técnicas de compensación que se emplean para asegurarse de que el funcionamiento del
amplificador realimentado sea estable y genere la respuesta deseada.

13.1 EFECTOS DE LA REALIM ENTACI ON SOBR E EL ANCHO DE

BANDA
Consideremos unamplificadorrealimenladoen elque la redde realimentación, la impedanciade fuente
y la impedancia de la carga sean todas resistivas. En estas condiciones la ganancia en lazo abierto AOl.
(amplificador sin realimentación) y la relación de retomo T tienen los mismos polos. Consideremos en
principio q ue A ()! . (s) tiene un solo polo dominante de forma que
Ao 1'0
AOI (s l :-: y T( s) = 03-1)
. I + slw¡, 1 + slw¡.
siendo A" YT" los valores en mitad de la banda de AOl- y r respecnvameme. y oo_la frec uencia angulardel
polo dominante. Valiéndonos de la Ec. (12-5) tendremos
Ar/(I + slw¡,} A d(l + Tu) A F(J (13-2)
A,.ü ) = = =
I + TI/O + slw¡, ) I + slw,.(l + Tu) + S I W II

En la Ec. ( 13-2) se identifica la ganancia a media banda y lazo cerrado Am = AOl./( I + T) , y 0011'
frecuencia angular de dB , como

( 13-3)

Por la Ec. (13-3) resulta evidente que la realimentación negativa ha incrementado el ancho de banda
multiplicándolo por el factor ( I + T) que es el mismo factor por elque queda reducidoAQL' Asf, para una
función de un solo polo dominante,

(13-4 )

lo que indica que el producto ganancia por ancho de banda del amplificador sin realimentación es igual
al producto ganancia por ancho de banda con realimentación. Esto lo hemos ya visto antes al tratar de las
etapas de Amp-Op en la Sección 11-12.
SS4 Mlcror/rct r6nlca moderna

Fu nción de dos polos

Supongamos ahora queAOL(s) y T(s) estén representados por una función con dos polos en el eje real
negativo. en s, =- 001 Ys) = - (0) . O sea
Aa Aa
AOl-ts) = 1 + s( 1/w, + I/~) + S2/ w ,WJ
= + a ls + O ;rS2
(1 ) ·1 1

Ta Ta
l1s) ~ = (1)·6)
I + s (O /WI) + (lIw) ) + S2/ W ,W2 I + a,s + Q;rS!

Recordemos que si 001 y ro) estén muy separados.entonces 00, .. 1/a, y 002 .. a, a J" Sustituyendo las &S .
(1 )-5) Y(13-6) en l. (12-5) tendremos
A ,o (1 ) . ) )
a,s I + aís + tlis!
1 +1 +
+ To
La aplicación de la aproximaci ón del polo dominante a la Ec. (13·7) en general no es válida.
Observemos que la frecuenciadel polo aproximada o', = 1/0' 1 = {1 + T.)001 queda aumentada en ( I + T.).
mientras que el segundo polo en oo') = a' /a ' ) permanece en 002, Evidentemente. es posible seleccionar r.
de forma que (1 +T) 00, > 001' En esta situación! los polos en lazo cerrado son complejos (ver Prob. 11 -26) y
el ancho de banda OON se deduce de I A F UooN ) = 0.707 Am. Decualqeer forma. la reducciónen o', = a/( I
+ T.) es indicativa de una mejora del ancho de banda. Por tanto. se llega a la conclusión de que la
realimentación negativa reduce la distorsión de frecuencia y de fase. La respuesta en un sistema de dos
polos seri tratada en deta1le en la Sec. 13-S.
La Ec. ( 13-?) señala que los polos de AF son funciones de T•• la cuamra de realimentación. En la Fig.
13-1 se representa el movimiento de los polos en lazo cerrado al ir creciendo T•. Estos polos parten de
-(1)1 Yde ~. los polos de T{s). y se desplazan cada uno hacia el otro a 10 largo del eje real negativo al ir
aumentando T. desde cero. Los polos coinciden en - {oo, + (O2){l . por tanto. AF tiene dos polos iguales en
ese punto. Los polos pasan a ser complejos al crecer más T•• con la parte real manteniéndose en - (oo, +
0)J)fl.. Vemosque los polos en lazo cerrado se mantienen siempre en el semi-plano izquierdo. Jo que según
se describe en la Sec. 13·2 indica un sistema estable.
/w

Plano J
Polo S I ........
en laze cerrado

o
- wa w, o

2
Polo s) .,/
en laro cen o
F'llun IJ-I.l.u gaf de las n.lccs de una rullCión de tn.nsrerellCi. de dos pokJs.

Función de Ires polos

Cuando 7ls) y A(L(s) son funciones de tres polos. como es generalmente el caso en amplificadores de
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 555

tres etapas, el problema de determinar el ancho de banda es aún más complejo. La ganancia con lazo
cerrado puede expresarse

A ¡.{s) =
1+
s

t;
(
-
1
+ -1 + -1 ) + s' ( 1 +- 1
-
1+ "'1 "'~ w\ I + To "'l"'~ "'I"'.!

o
Af t l
A,.t,-) = ( 13·9)
ti 1''- (I ~s! l/.l S 1
1+ + +
1 + Tu 1 + Tu 1 + Tu

Las frecuencias angularesde los polos en circuito abierto son rol' rol y roJestando todas ellas en el eje
real negativo como se ve en la Fig. 13-2. Como se evidencia en el lugar geométrico de las raíces, el
aumento de ro puededesplazar dosde lospolos al semi- planoderecho. Estos polos en el semi-plano derecho
introducen términos con exponentes positivos en la respuesta transitoria, lo que hace inestable al
amplificador. Sin embargo, se observaen la Fig. 13~2 que cuando los polos se mantienen en el semi-plano
izquierdo de fonna que el amplificadorsea estable, la reducción del coeficiente al por (1 + Tol indica que
mejora el ancho de banda. En subsiguientesSecciones iremos describiendo con detaUeel grado de mejora
y el precio que deberá pagarse por ello.

Inestable

"

Figura 13·2. Lugarde las rafees de una función de transferencia de tres polos. Los polos sin realimentación (T '" O)son - rol' • (02
'J' rojOmientras que los polosdespués de haber añadido la realimentación(T > O). son SI' S2 y sJ.

Si la red de realimentación contiene elementos reactivos se introducirán polos y ceros adicionales a

T(s) y quizás a AOl (s) que deberán incluirse al determinar la respuesta en frecuencia. Además. los polos
y los ceros de la red de realimentaciónpueden provocar la inestabilidad del amplificador. Puesto que la
cuestión de la estabilidad es de enorme importancia, vamos a tratarla en primer lugar, para volver luego
y examinar en detalle la respuesta de los sistemas realimentados mulrípolo.

13·2. ESTABILlDAD
En el Capítulo 12 se ha visto ya con algún detalle la realimentación negativa en la que la relación de
'eterno es T > O. Si T > Ola realimentación se denomina positivo o regenerativa. En estascircunstancias, la
556 Microelectrónica moderna

I
ganancia res ultante A F I puede se r mayor que la ganancia e n lazo abierto IAOLI (ga nanci a sin
realirpenlad ón)- Co nsideremos - 1 < T < O; con referencia a la Ec. ( 12-5) llegamos a la conc.l us ió~ de
I l.
que I A F < AOL En los primeros tiempos de la electrónica. los dispositivos amplificadores di sponibles
(triados de vacío) eran inca paces de con seguir aún moderadas ganancias. Se em plearon am plifi cadores
regeneretívos , propuestos primeramente por Armstrong. para aumentar la ganancia efect iva de tales
dispositivos. No obs tante, el desarrollo de nuevos disposi tivos evitarán la necesidad de la realimentación
positiva . Este hecho. asociado con la poca estabilidad es ca usa de que se e mplee raramente la ree limen-
tac íón positiva.
Para ex plicar la inestabilidad en un amplificador con real imentac ión positiva consideremos la siguiente
situación. No se aplica señ al alg una. pero debido a alguna pertu rbación transitori a aparece una se ñal Xo
e n los tenninales de sal ida. Refiriéndonos a la Fig. 12-9. una parte de esta señal t~.~o(PXJ se ree nvía al
ci rcu ito de e ntrad a y aparece en la salida como una señal increme ntada tI/2~o(- AIM) . Si este término se
iguala justam ente a Xo. la salida espúrea se ha regenerado a sí misma. En otras palabras, si - TXo = Xo (es
decir. T =• 1) el amplificador osc ilará. Por tanto. si se intenta tener una gran ganancia haciendo ITI
cas i
igual a la unidad. existe la posibilidad de que el amplificador entre espontáneamente en os cilación. lo que
sucedería si debido a variaciones de la tensión de suministro, a envejecimiento de los transistores, etc.•
llegase - T a valer la unidad . Tiene poca razón pretender aumentar la amplificación a expensas de la
estab ilidad. De hecho , debido a todas las ventajas enumeradas en la Sec o 12-3. la realimentación en los
amplificadores es casi siempre negativa. No obstante. se emplean combinaciones de positi va y negativa
(Sec .12- 15).
Atln los amplificadores diseñados para tener realimentac ión nega tiva en la mitad de la banda o sobre
una zona de frecuencias. pueden osci lar. Para q ue la señal de co mparac ión X, = t1lX • • tl~(J (Fig. 12-9) sea
una señal diferencial, tdl"debe estar desfasado ISO· respecto a t2IX,. En e l Capítul o 11 se de mostró q ue
el des plazamiento de fase se introdu ce en la respuesta para frec uencias fue ra de la zona media de la banda.
Cuando en el lazo de real imentación se introd uce un nuevo desplazamiento de 180". la señal de
,x.
reali mentación tdí". qued an. en fase con t2 con lo que res ulta una realimentaci ó n positiva.

Delinlclón de la estabilidad
Si se diseña un amplifi cador para que tenga realiment ac ión negativa den tro de una detenninada zo na
de frecuencias, pero entra en osc ilación a alguna frecuencia mayor o menor. no resulta adecuado como
ampl ificador. Por tanto, al diseñar un am plificador realimentado hay que asegurarse de que el circuito
resulta esta ble a todas las frecuencias y no solamente a las de la zon a intere sada. En el sen tido aplicado
aquí, un sistema es estable si una perturbació n transitoria de duración finita da una re spuesta q ue
desaparece. Un sistema es inestable si tal perturbación tran sitori a produce una salida que persiste
indefin idamente o va aumentando hasta quedar limitada por algun a no linealidad del circuito.
Las ideas expuestas en el párra fo anterior dan una represent aci ón física de lo que se entiende por
es tabilidad. Matemáticamente. la definición de es tabilidad seria : un sistema es estable si, y s610 si. todas
lasseñales deentrada limitadasproducenseñalesdesalida limitadas. Una señal .x(t)es limi tada si Ix(t) IS
constante, para cualquier t. Por eje mplo. sen mi está limitado a la unidad. An álo gamente, si x(t) = O para
t < O y [ "1 para I ::;; O. x(t) es tá también lim itada por la unidad . mient ras que E· l ' no lo es tá para t ~ O.
Normalment e inte resa só lo la resp uesta definida por t 2:O ya que es costumbre suponer q ue se aplica la
=
exci tació n en el instan te' O.
La cuestión de la estabilidad comprende el estudio de la func ión de transferencia del circuito ya que
ésta det ermina el comportamiento transitorio de la red. Si exi ste un po lo co n parte real positiva . esto no s
dará una componente de la salida que aum enta exponencialmente con el tiempo y por tanto no es limitada.
Así. la consecuenci a de la defmiciórl de estabilidad para los sistemas linea les es que todos los polos de la
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 557

función de transferencia deben estar en la mitad izquierda abierta del plano de frecuencias complejas (s-).
La voz «abierta» de la frase anterior se refiere a que el eje} queda excluido del semi-plano izquierdo.
Consideremos un sistema con función de transferencia íls, es decir. que existe un polo en el origen
(que es un punto sobre el ejej] . Si este sistema se excita con una función escalón, la respuesta del sistema
es la función en rampa t. La función en rampa no es limitada mientras que el escalón de entrada sí que lo
es. Por tanto, de acuerdo con la definición, el sistema es inestable. Así, los polos en la mitad izquierda del
plano s indican que las partes reales de los polos deben ser negativas. (Los osciladores senoidales que se
comentan en la Sección 15-1 constituyen unos ejemplos de sistemas diseñados deliberadamente para que
tengan polos en el eje}.)

Estabilidad en amplificadores realimentados

La ganancia Af(s) en lazo cerrado de un amplificador realimentado dada en la Ec. ( 12-5) se repite.
mayor comodidad en la Ec. ( 13-10)
' ) -_
A!',.{ Aod s )
(13 - [O)
I + T(s )

El método para determinar AQL y T está descrito en la Seco12-7. y la respuesta en frecuencia de estas
cantidades puedecalcularseempleando las técnicas de la constante de tiempo de la Sec.I I-9. Emplearemos
esta técnica en la Seco 13-8. Como se ve en la Ec. (13- 10) los polos de Af son los ceros de I + T(s) y
cualquier polo deAOl.(s) que no sea común con T(s). Si admitimos que el amplificador sin realimentación
es estable. todos los polos de AOL están en e l semi-plano izquierdo. Así el amplificador realimentado es
estable cuando los ceros de / + T(s) estántodos en el semi-plano izquierdo.
Alternativamente. ningún cero de I + T = F puede estar en el semi-plano derecho si se pretende que
el amplificador sea estable. Veremos en la siguiente Sección los métodos de probar su estabilidad.

,"
---..., <, ---"" \
,, ,
I \
1
\ I \ ...' = 0 ,
\

... =_ }... ~ o
- 1 ~.. 1 .... = - '"' ,.

' \,
e

(<1) ( b)

Figura 13-3. Diagramasde !'IyquiM para un sistema (a) estable, y (h) Inestable. No ta : En (ti) el pumo -1+ jOno queda encerrado.
mientras queen (h) si lo eslá.

13·3. PRUEBAS DE ESTABILIDAD

En 1931 Nyquist ideó una construcción gráfica. llamada luego Diagrama de Nyqu íst, para determinar
si un amplificador realimentado tiene algún polo en el semi-plano derecho. El diagrama es una repre-
558 Mtcroetectrontca moderna

sentacló n gráfica e n coordenadas de Tj (ro) / eUro). Es dec ir. para ca da frecuenci a angular _ 00 <
toe + 00 se calculan TUro ) y e Uro) y cada uno de estos valores es la coordenada de un punto de la curva.
En la Fig. 13-3 se representan dos diagramas de Nyquist: en cada uno de ellos la línea de Irazo continuo
corresponde a ro ~ O Yla de trazo discontinuo a ro < O. Sólo hay que calcular los valores de T Uro) para
ro~ . Siendo los coeficientes de n~ ) reales como deben ser en un sistema físico. T(- j ro) = T ' Uro). Es
decir, T(-jrol es la conjugada de T{jro). Por tanto. las curvas de trazo discontinuo son la imagen especular
de las obtenidas para ro ~ O.

Criterio de Nyquist
El criterio de Nyquist estableceque el número de circunvalaciones en sentido dextr ógiro alrededor del
punto - l + jO es igual a la diferencia entre el número de ceros y el de polos de F(s) = 1 + T(s) en
el semi-plano derecho. Para tener estabilidad hay que asegurarse de que F(s) no tenga ningún cero en el
semi-plano derecho, es decir.que Af(s) no tenga polos en ese semi-plano. Puesto que F = l + T, los polos
de F son idénticos a los de T, y si el amplificador sin realimentación es estable. F(s) no tiene polos en el
citado semi-plano derecho. Por tanto, en estas condiciones. el número de circunvalaciones alrededor de
- 1 + JO deberá ser nulo para que el amplificador realimentado sea estable.
El número de circunvalaciones alrededor de - 1 + jOse determina trazando un radio vector ydibujando
el lugar geométrico de los puntos para _00 < ro « + 00 comose indica en la Fig. 13-3. En la Fig. 13-3a se inicia
el proceso en el punto l (ro= - 00) procediendo sucesivamente a lo largo de los puntos numerados de
forma que al llegar al punto 10, ro = + oo. Si el radio vector gira 360" alrededor de - I + JOexiste una
circunvalación. En la Fig. 13-3b no existe tal circunvalación. y para un sistema estable en lazo abierto. la
ganancia Ar(s) en lazo cerrado no tiene polos en el semi-plano derecho y por tanto es estable.
Lo anterior no es válido para el diagrama de la Fig. 13-3b en donde siguiendo el mismo proceso que
en la Fig. 13-3a se tienen dos circunvalaciones alrededor de - l + JO. Por tanto, 1 + T1( s) tiene dos ceros
en el semi-plano derecho por lo que An (s) es inestable ya que contiene dos polos en ese semi-plano.

Margen de fase
Los diagramas de Nyqulst de la Fig. 13-3 están reproducidos en la Fig. 13-4 para ro ~ O. figurando
también elcírculo unidad correspondiente a T(jro) = 1(0 dB). La frecuencia angular en la que el diagrama
de Nyqulst y el círculo se cortan se denomina ft"ec//encia anM/f/u/" de cruce roa porque TUro) es mayor
que I para ro < roa y T(iro) es menor que 1para ro>ooa' Comparando los dos diagramas se observa que en
roO I ' L T, - 18OV. o sea I L T, 1< 18Wyel sistema es estable mientrars que Lf)j roa 1) - 180" ( ILT~ I > 180'!)
corresponde a un sistema inestable. Por tanto es conveniente introducir el mar?,ell de fa se 0 M definido
como
ePA! "" L T(jwd + 1 80~ ( 1)·11 1

Obsérvese que en general L TUro() es un número negativo. Una alternativa al criterio de Nyquist.
muy empleada en el diseño es: Un sistema en lazo cerrado es estable cuando el margen de fase es positivo
(0 M > O). Por tanto. L T(jroa) debe ser menos negativo que - IRO".

Margen de ganancia
En la Fig. 13·4, la frecuencia angular en la que el diagrama de Nyquist corta al eje real negativo
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 559

correspondiendo a L T::= 180", se define como la frecuencia a ngular de cruce (1)0 . Para w > W ¡'l , LT < -180"
y LT -180" para W < W0. La magnitud de T(jW0) se emplea para definir e l margen de ganancia GM como
GM =: - 20 la g T(jw~) =: - T(jw~) dB (13- 12)

Imaeinario Imaginario

Margen de ganancia
Margen
de fase
v ,-.., CCrculo unidad Cfrculo unidad

(" (bl
Figura 13·4. Panedel diagramade Nyquislde la Fig. 13-3 para ro ?; O, utilizado paradefinirlos márgenesde fase ~~ y de ganancia
GM.En (a) 0"" e Oy GM > O, y el siste ma es estable, mientras queen el sistemainestable de (b), tanto 0'11 comoG Mson negativos.

l TI. oa Faxe. grados

-2 0 dB/década
O·
- 90"/década

:::i:¿:;:i: 1- lllO' '''' (o. ra<l/s

Escala 10g .

--60 d B/década
(u)

1TI. ae Fase. grados

-
-20 dB/década

"l= = ;w;.~--' r- 180o.... ro, radjs

Escala log.

--4S0/década

(11) --60 dB/década

Figura 13·5, Diagramasesintóncos de Bodecorrespondientes a: (a) Fig. 13-41.1, Y(b) 13-4b.

560 ñítcroetectrontco modema

Observemos la Pig. 13-4 que en un sistema estab le. T. Uro l ) e 1, y puesto que el logaritmo de un
número inferior a la unidad es negativo. GM.>O. Para un sistema inesrable T, Oro0 2) > I yen co nsecuencia
GM) < O. Podemos llegar a la conclusi6n de que GM > Oes una indicaci6n alte rnativa de estab ilidad. Sin
embargo. para el diseño se emplea mucho menos que el margen de fase.

El diagr ama de Bode

Frecuentemente es más conveniente expresar la inform aci ón contenida en el diagrama de Nyquisl en
un diagrama de Bode ya que podemos alterar este diagrama si varía la situación de un polo (o cero) o el
valor de T en la banda media. En particular el diagrama de Bode asintótico es extraordinariamente útil
para los cálculos manuales realizados por los diseñadores de ci rcuitos . Nuevamente se emplean simula-
ciones de cálculo para conseguir la precisi6n requerida del valor de los com ponentes en el diseño final.
Los diagramas asintóticos de Bode de la Fig. 13-5 corresponden a los d iagramas de Nyqui st de la Fig.
13-4 1• En la Fig. 13-5, T(j ro) (en decibelios) está trazado con línea negra y la curva de fase en tono menos
intenso. También se indican las frecuencias aproximadas de cruce de ganancia y de fase. el margen de
fase y el cruce de ganancia. Obsérvese qu e el valor de O dB en la curva de magnitud y - [80'-' en la
característica de fase están sobre la misma posición vertic al. Esto es co nveniente al esbozar el diagra ma
de Bode; en la mayor parle de sistemas. puesto que ro" < rou' la estabilidad es ev idente.

Ejemplo 13-/

La relación de relamo de un amplificador de dos polos es

100
",-c-7.;;;;:::;-c--;;c",
7h. ' :: 11 + .f/ IO")(1 + .\/ 107 )
(a) Detenninar el margen de fase. (b) este amplificador ¿es estab le?

So luci6n

(a) La Fig. 13-6 corresponde al diagrama asintótico de Bode. siendo ro" = = 3,16x 101 rad/s. /01,3
Vemos en la curva de fase que L T = - 157,51l Yvaliéndonos de la Ec. ( 13- 11) tendremos

<bM = - 157.5 + 180 :: 22S

como se indica en la Fig. 13-6.
(h ) Siendo cfl M > O. el amplificado r es es table. El cálc ulo de OJ(; y cfl M mediante el diagrama de Bode
=
real y comprobado por MICROCAP JI da roo 3,09 x 101 rad/s y cfl M = 20.2'-', lo que est é en buen acuerdo
con los valores obtenidos valiéndose del d iagrama asintótico . Obsérvese que en el Ejemp lo 13· 1 no
podemos identificar la frecuencia de cruce de fase ni por tanto el margen de gananci a. Esto es debido al
hecho de que en un sistema de dos polos el ángulo no es nunca de - 18er pero se acerca aslntéricamenre
a ello a med ida que ro tienda a infinito. Esto supone que 1111 amplificador realimentado de dos polos
siempre es estabte. ío que se confirma por e l lugar de las raíces en la Fig. 13-1.:

1 Pun t o que no se dan ",,10m numl!ricm, los diasr_ de 80dedc la Fi&. 1)., ~p""... nl.n..,1 de las vafÍIS situaciones posibloes.
1 fl¡ nenurio p~""r que los polos ldicionaln motivados pot de mcnlos putsilos (f;opac:idad de los enc:ap:sul.-i <», ir>dud&/'lf;iI de las
o:onuiones. elo:.1no aCeden aIl'unc...."imlOy I:wobilidad del si" ema .
 Estabilidad y resp uesta de los amplificadores reattmemados 561

'''~-------"'---------~---~

"
20 ··(,0
~
~
~

g
,
~

~
Margen e
- ro
~
tic fa se - 120 '"
-s
o
2
•""
"
u,

~
- IIHl
"
-24U

ro- lO' ,' ro-

lO" 10'
Frecuencia angul;lr. r<ldl,
10"
""
Figura 13·6. Diagramaasintóticode Bode parael ejemplo 13-1.

Ejemplo 13·2

La relación de retomo de un amplificadorde tres polos es

T( s) = To
(1 + .~/w ¡) (1 + .f/ I07 )(1 + .fIl O~ )

(a) Determinar los márgenes de ganancia y de fase para T o = I O~ cuando: (I) 00, = 106 rad/s. y (2) rol =
100 rad/s. (b) El amplificador con lazo cerrado ¿es estable en los dos casos del apartado anterior? (e)
repet ir las dos parles an terio res para 00, = lO" pero roredu cido a lO.

Solución

(a) (1) El diagrama asintóticode Bodepara T(s) siendo 00, = 1Q6 rad/s. está representado DO!" las curvas
más negras de la Fig. 13-7. Con ro > 108 rad/s, la pendiente de TUro) es de -60 dB/década y TUIO" ) =20
dB. Así pues, roo tiene lugar a - 20 dB/ - 60 dB/década = 1/3 década ( IOlll) sobre lO" rad/s o ro" = 1 0~ x
1Ull.t = IOK.ll rad/s =2,15 x 1O~ rad/s. La pendiente de la curva de fase es -45!!/década para 10" :::;; ro:::;; 109
rad/s. Así, en una tercera parle de década la fase varía en - IS· lo que hace que LTU IO~·Jj ) = 240". El
valor de IÍ'Mes por tanto: lflM=- 240 + 180 =60u como se ve en la Fig. 13-7. De forrna similar se obtiene la
frecuencia angular de cruce de fase. Para 106 < ro < IDK rad/s, la pendiente de la caracterfstica de fase es
·90o/década.A ro = 101 rad/s, L T = - 13S\!, por lo que roa tiene lugar a - 4SU/ - 90'.'/década = + O,S década ó
1ao~ sobre 107 rad/s. Por tanto ro. =107 X 1Oo~ = 107.\ =3,16 x lü rau/s. El mismo valor que se lee en una
curva cuidadosamente trazada. En la característica de magnitud, TUI07 .~) = 40 dB, haciendo GM =-40
6
dB. (2) El diagrama de Bode para (0) = 100 rad/s representado en la Fig. 13-8 da roa = 10 rad/s y <D.¡¡ =
I07 .~ rad/s. Los correspondientes márgenes de ganancia y de fase son: GM = 40 dB YlflM = 90º.
562 Mlcroelectr6nica moderna

IT l,o.IB L r.Grados

To "' lo-
80 o

-4,

4. - 90

1ó- l0
2. - 135

o -I SO

-2. - 22.5

-40 - 270

10" 10' 10" 10' 10' 10'

Frecuencia angular. radls

Figura 13-7. Diagrama asinlónico de Bode del amplificador de tres polos del Ejemplo 13-2. Obsérvese que la caraclerlstica de
fase es la misma para ambos valores de To'

(b ) El amplificador de la parte o apartado J es inestable (cllM = • 60°) Yel del apartado 2 es estable (cllM
= 90"). Nuevamentese compruebala eficaciadel diagrama asmtótico de Bode comparando los resultados
obtenidos en la parte a con los obtenidos por cálculo. Con 001 = lO' rad/s, los valores exactos son: 00 _=
9
2,09 x 100 rad/s. ro =3.30 x 107 rad/s.cll M =_6 1.5°. yGM =·38,4 dB.Cuandoro l = IOOrad/s. roa =O,W6
x 10 6 rad/s, ro. =3.16 x 107 rad/s, GM = 40.8 dB Y41., =83.8°.
(e) En la curva más inferior de la Fig. 13-7se ve la magnitud del diagramade Bode para TI) = 10. Puesto
que la fase no se ve afectada por las variaciones de magnitud, la curva de fase es la misma que en la parte
a apartado 1 como en la Fig 13-7. De estas características, los valores aproximados son IDa = 107 rad/s,
B
OOr = IO rad/s. cllM = 452 YGM = 20 dB. Por tanto el amplificador es estable.
Comparando los resultados del Ejemplo 13-2 se pueden sacar varias conclusiones. El amplificador
inestable con To = 10' Y rol = lO' rad/s. se estabiliza reduciendo TI) o rol ' La reducci6n de To ha ido
acompaftada de lacorrespondientedisminuciónde coa sin alterar ro13 con lo que el amplificador se estabiliza.
No obstante éste es un método ineficaz de estabilizaci6n porque la disminuaci6n de Tp reduce también
ciertas ventajas (sensibilidad, distorsi6n, etc) derivadas de la realimentaci6n negativa.
La disminuci6n de rol hace decrecer también el valor roa sin variar To' En esta situación 001 «co2 sin
que haya cambio alguno en ooe-Esto es debido a que el polo dominante (ID l) de T($) s6lo puede introducir
un retardo de fase máximode 90". Por tanto, roe debe ser debido al retraso de fase de 90" provocado por
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 563

n
-.loo

- 120· ~~
- 20 dO/década
- 1;'\ 0·
e
~

Ji
o
- 1110° u,

- 270·
- 60 dBJdéc;¡<Ja

, 7
''''
f' n:..~ IlI.-i¡¡ angular. roKlh.
figura (J·8 . Diagrama as inlónico de Bode de un ampliflC;tdur de 1~5 polos mosl~ndo la compmSOldón por eSlredlamienlo de
banda. Desplazando el polo dominante de n s) hacia el ori gen se estabiliza elamplifteadOf ~alime n lado.
los polos no dominantes (rol y ro). Si, como es en el caso del Eje mplo 13-2, IOw, $" ro/lO, el diagrama
asintótico de Bode indica que los - goo de desplazamiento de fase son provocad os por el polo en - wl
antes de la introducción de cualquier contribución del polo situado en - col' En casi lod os los amplifica-
dores prácticos , el margen de fase cIlM es por lo menos de 45°. En consec uencia el margen de fase se
determina por la fase del polo en - co] (y quizás por los restante s polos no domina ntes). Además, para
cIl M ~ 45 9 , COl ~ COa y la pendiente de la caracrerfstica de magnitud es de = 20 dB/década para co $" wa • Bajo
estas condiciones 00 1 y ro" están relacionado s po r To y la especificac ión de coa y T o determina el va lor de
co. necesario para estabilizar el amplificador. Este es el fundamento de las técni cas de compensación que
se tratan en la próxima sección.

13-4. COMPENSACIÓN
Podemos considerar que el proceso de diseño de un amplificador realimentado consta de tres pasos:

1.- Diseño del amplificador a la frecuencia correspondiente a la mitad de la banda para cumplir con
la ganancia, desensibilidad, distorsión, nivel de impedancia, y otras especificaciones.
2.- Pruebas de estabilidad del amplificador.
3.- ¡Hacerlo funcionar! Es decir, asegurarse de que el amplificador es estable al mismo tiempo qu e
cumple con las especificaciones nominales del diseño .

El capítu lo 12 ha estadoentocado hacia el prime ro de estos pasos; el segundo de ellos ya ha sido tratado
en las secciones anteriores de este capítulo. Ahora trataremos del crucial tercer paso.
En el capítulo 11 se demostró qu e para valores grandes de To el co mportamiento del amplificador
realimentado se aproxima al de una Fuente gobe rnada ideal. Asimismo, se necesitan valores grand es de
T para reduci r la distorsión y controlar las variaciones de gana ncia. Sin embargo los amplificadore s
r:alimentados son propensos a la inestabilidad para valores grandes de To ' Aún en un sistema de d os
polos, intrínsecamente estable, si T(I es grande, la respuesta que se obtiene (Sec. 13-5) puede no resultar
satisfactoria. La respuesta del amplificador realimentado viene determinada por los polos de A,(s); estos
564 Microelectrónica moderna

polos están relacionados con la relación de retomo T( s). Como To no se puede cambiar debido a las
exigencias en la media-banda (paso 1) habrá que modificar los polos de T (s) para asegurar que a lazo
cerrado el amplificador sea estable y responda correctamente. Para conseguir esto (paso 3) se compensa
el amplificador realimentado. es decir se insertan componentes adicionales en el circuito que alteran la
localización de uno o más polos de T( s) sin variar 10'

Compensación por polo domin ante

El principio fundamental de lacompensación de polodominante consiste en estrechar deliberadamente
la banda T(s). O sea, el polo dominante en la relación de retomo no compensada se mueve acercándolo al
origen en forma semejante a la disminución de ro. en el Ejemplo 13·20. Queda la cuestión de dónde debe
situarse este polo dominante para tener estabilidad y la respuesta deseada a lazo cerrado . En la próxima
Sección veremos que los polos de AF , y por tanto la respuesta en lazo cerrado, dependen del margen de
fase. En consecuencia la situación del polo dominante en la relación de retomo compensada está
relacionada al margen de fase pretendido.
Para aclarar el procedimiento consideremos una relación de retomo no compensada de la forma
To
71s) ~ (13-13)
11 + (S/WI» (1 + (S/W2)J 1I + (s/w )))

Para estabilizar el amplificador, se desplaza ro. acercándolo al origen de forma que 10 ro. :::; ro/lO.
Además, si suponemos que ro) ~ 10 ro2 la Fig. 13·9a es la característica de fase asintótica en las
proximidades de rol" La porción horizontal de la curvaen - 9Q'Jpara ro < 00/1 0 es la contribución de fasedebida
alpolodominante en- rol ' Eligiendoel margen de fase (90l! ~ $,w ~ 4511) queda especificado oo(¡ como indica
la Fig. 13- 9a. Como ya quedó indicado en la Seco13-3. con $,\/ ~ 45l!, 000 S; ~2 Ycon 00 S; 00 G la pendiente
de T(jro) es de - 20 dB/década. Ahora se puede determinar la situación de 001 mediante la característica
asintótica de magnitud representada en la Fig. 13·9b. Puesto que roo es conocido se traza por ese punto
una línea de pendiente - 20 dB/década que se prolonga hacia atrás (frecuencias menores) hasta cortar la
horizontal correspondiente a T(1' La frecuencia angular del polo dominante oo. es la del primer codo de
T(s ). y por tanto esta intersección define el valor de 001, Obsérvese que $M viene determinado únicamente
por la porción de la característica de fase debida al polo no dominante - 002, A medida que $.w decrece
tanto roo como rol crecen.

ITI . da

i T
--------""'" ,
,,
No compe nsado', - 20 dflf d~cad a

Compensado
-.,
-20 dB/década -40 dB/década \
,
OL- - ""_ -"-_ _ w

Col Ch)
Figura 13·9.Mostra ndo la técnica de compensación. Laespe cificación de ~M en(a ) permite determinar00(". En (h) la identificación
de 000 permite ca lcular 1Il 1" '
 Estab ilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 565

Ejemplo 13~3

La relación de retomo compensada de un amplificador de un solo lazo es

10'
T(j ) = [1 + (jlwl>J [1 + (jI lO' )) (1 + (j /l08)1
Determinar rol de fonna que el margen de fase sea aproximadamente de 67S ,

Solución

Supongamos que debido a la compensación, 10 CO I 5; ro/ID o rol 5; lü' rad/s. En consecuencia. la

característicade fase es la línea de trazo continuo de la Fig. 13-100. Para 4lM '" 67,5°, LTUro) = - 112.SO
y, como se ve en la citada figura. roc; = l(1'-s rad/s. En la característica de magnitud de la Fig. 13- lOb se
traza una línea de pendiente -20 dB/década pasando por roe; y prolongándose hasta cortar la ho rizontal de
SOdB, correspondiente al valor de Te)" De esta intersección rol = IOI.S=3 16 rad/s. Téngase en cuenta
que los valores de rol y roc; sólo son aproximados ya que se basan en características asintóticas. siendo no
obstante muy próximosa sus verdaderos valores. Los verdaderos valores de roc;Y41_, para rol =3 16rad/s.
son 3.03x lO" rad/s. y 7 1.4° respectivamente.
La relación de retomo en este ejemplo es la misma que la del Ejemplo 13-2. Las líneas de trazos de
la Fig. 13-10 corresponden a rol = 10" rad/s (Ejemplo 13-2a. parle 1) y muestran los efectos de la
compensación sobre T(j) . Observemos que para rol < ro 5; roe;. T(jro) decrece significativamente respecto
a los valores sin compensación. Recuérdese que la reducción de distorsión no lineal. desensibilidad, ele,
depende de ti + TI. Con esto no se obtienen tantos beneficios de la realimentación negativa como en el
caso de un amplificador no compensado. Estees el precio que hay que pagarparaestabilizar el amplificador.

Ca ncelación polo-cero
Un método alternativo de compensación que da el mismo resultado que el de polo dominante es el de
cancelación poto-cero. En esta técnica se incluye en el amplificador una red que tenga una función de
transferencia de un polo y un cero. de fonna que la relación de retomo compensada Te(s) sea:
TC<s) = T<sl I + slzc
I + sl wc

En estaexpresión T (s) es la relación de retomo no compensada. y ze y cocson las frecuencias angulares

del cero y del polo respectivamente. de la red de compensación. El valor de ze se elige para cancelar el
polo de T(s) más próximo al origen, y ooc se elige para tener el margen de fase deseado. Empleando el
valor de T(s) del Ejemplo 13-2a. parte l.fa cancelación polo-cero requiere que Zc = 1Qt' rad/s; es decir,
debe cancelar el polo en - rol = • 10" rad/s. Para tener 4lM = 67 S como en el Ejemplo 13-3 elígiremos
(Oc = IOH = 3 16 rad/s. Obsérvese que la relación de retomo compensada, para un valor dado de 4I es la
M
misma tanto si se emplea la compensación por polo dominante como si se emplea la cancelación polo-
cero.
Un inconveniente de la cancelación polo-cero es el de la sensibilidad de los componentes. Es decir.
quelos valores de Zc y ooc no vienendeterminados necesariamente por los mismos elementos del circuito.
Si estos elementos tienen distintas tolerancias. diferente edad, desiguales variaciones con la temperatura,
etc, puede no llegar a conseguirse la cancelación deseada. El diagrama asintótico de Bode constituye una
valiosa ayuda para el diseñador del circuito. En la compensación de un amplificador realimentado
566 Microelectronica moderna

L r , Grados

o ---- --------""",
" No compensado
"
\
-90 - -, \ \
- 135 r: '0
9.., "' 6 7.5 :

-180 L:,,
,,
- 225 ,,
,
I 111' \
(01
lo' 10' 10' 10' 106 ,I 107 108 109
Frecuencia angular rad/s ¡
,,
,,
trt. dB ,,,
,,
80 >-__ ~. """ ,I
60
Compensado
"1,, "
:1 \

40 , ' No compensado
\

,I
,,
\ ,\
20 \
: \

\
\
- 20
\
(bl

Figura 13·10. Diagramad e Bode empleado pata compensar el ampliflcadc r del ejemplo 13· 3.

proporciona el valor inicial de diseño de rol y por tanto los valores de los componentes necesarios. No
obstante. la característica asintótica es una aproximación de T(s) y por tanto proporciona sólo valores
aproximados, Para llegar al diseño final se emplea el análisis que veremos en próximas Secciones,
juntamente con los correspondientes cálculos.

Una nota para el lector

En las Secciones anteriores nos hemos dedicado a la cuestión de la estabilidad considerando la
respuesta en alta frecuencia. Este campo de frecuencias es del mayor interés para los circuitos integrados
 Esta bilidad y respuesta de los amplificadores realimen tados 567

amplificadore s, ya que éstos van, en general , directamente acoplados. En circuitos de componentes

discretos que empleen condensadores de acoplamiento y de paso se puede introducir suficie nte desfase a
bajas frecuencias para hacer la realimentación positiv a. En consec uencia, se deben hacer prueba s de
estabilidad a baja frecuencia , y si es necesario proveer la compensación adecuad a.

13-S. RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

REALIMENTADOS.- FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA DE DOBLE
POLO
Las cuatro configuraciones de amplificadores realimentados empl ean frecuentemente redes de realí-
mentación resistivas, Si suponemos que la realimentación directa o gananc ia Av del sistema muert o es
despreciable, la ganancia AOL en lazo abierto y la relac ión de retom o T tienen los mismos polos. Esta
condición se utilizó en la Sec. 13- 1para demostrar que el ancho de banda de un sistema de un polo aumen ta
por un factor (1 + To )' Además, aludimos al hecho de que la realimentación negativa mejora el ancho de
banda en sistemas multipolo. En esta Sección estudiarem os la respue sta de una función de transferencia
de dos polos y en la siguiente trataremos de sistemas de orden superior .
Consideremos que AOL(s) y T(.~) son las funcion es de dos polos dado s en las Ecs. (13-5) y ( 13-6). La
gananciaAis)en lazo cerrado ha quedado establecida en la Ec. ( 13-7) y repetida en la (13- 14) para mayor
comodidad.
A H )
A¡.{s) = ,
l/ 15 l/ 2S '
1 + +
+ Tu + To (13- 14)

I +
I
,e
+ To ce ¡
A F ()

~)
+W, +
s'
(1 + Tu )w l w2
o bien
AFV (13- 15)
l + (s/w,,) ( I/ Q) + (s/w,y
/w

Plano s
,
Polos en ~
,y' Q > O.S

lazocerrado
Q = o.s
.~

"" Q<O.S
". ~
O
-c.l¡ - 101 1 O

Polo s en
a .»
lazo cerrado
Figura 13·11 . Lugarde las rafees de un amplificador realimentado de dos polos.

Siendo A fQ = AJO + To ) el valor de A F en la mitad de la banda, y estando definid os rony Q por

Q == w" (13- 16)

WI + W~
568 Mtcroeíectronica moderna

Los polos deA r vienen dados por

s 1 1. ~-
= - - ~ - v i - 4Q' (13-17)
w" 2Q 2Q
o
~ = _ Wl + (t/~ ... (t/ l + w~ V I _ 41)~
( ]J-I~)
. , - 2 ~

Obsérvese que cuando To = O(sin realimentación) co" = "¡CO I 002 , Q"'i" = "¡OO I 0021 (00 1 + (0 2) y los polos
de Ar están en - 00 1 Yen '- 002 los de AOI: Evidentemente éste es el resullado correcto: sin realimentación,
la ganancia del sistema debe ser Arn.(s), El movimiento de los polos de Ar a medida que To aumenta en
el lugargeométrico de las raíces está representado en la Fig. 13-1 Yrepelido en la 13-1 l. En la Ec. ( 13- 17)
se observa que los polos de Ar son reales, negativos y desiguales para Q<0,5. negativos. reales e iguales
a - (00 1 + ro~)/2 para Q =0.5. y complejos para Q> 0,5.

Modelo de circuito
Vamos a demostrar que la red de la Fig. 13-12 es análoga al amplificador realimentado de dos polos.
La función de transferencia del circuito de dicha figura puede expresarse
V,,(,f )
(1)-191
v.,(.~)

Introduciendo]

w"Re ( 13-201

L
• .---f'----.-~ r
r,

~-.J~
R

!-
Figura 13·12. Circuito RLCequivalente a un amplificador de dos polos.

lleva a
V,,(s)
(13 -21)
V¡{s) I + (s/ w,,) (I /Q ) + ($ 2/ W,,2)
procediendo la segunda igualdadde la Ec. (13-15), Evidentemente, la Fig. 13-12 es un modelo de circuito
de amplificador de dos polos, en el sentido de que ambos tienen las mismas respuestas en frecuencia y
transitoria. Ahora pueden darse significados físicos a 00" y a Q en relaci6n al amplificador realimentado.
Por analogía con los fenómenos de resonancia, se observa en la Ec. (13-20) que:

3 Obsérvese que la conversión de V, y sL a su equivalente de Norton demueslJaque este circuito achÍacomocitcuito resonante en paralelo.
 Estabilidad), respuesta de los amplificadores realimenta dos 569

ro = frecuencia angular de resonancia no amortiguada de oscilación (R--t oo ) .

Q"= factor de calidad a la frecuencia de resonancia.

Una consecuenciade la analogíaque acabamosde ver es la de que la res puesta de una red que contenga
resistencias. condensadores e induc tancias (circuitos RLC ) p uede conseguirse empleando la realimenta-
ción con circuitos que contengan únicamente resistencias, capacidades y fue ntes gobernadas (amplifica-
dores de transistor). Esto tiene gran importancia, ya que no se pueden fabricar inductancias en un circuito
integrado. En circuitos de componentes discretos, el valor de L que se precisa es lan elevado que se evita
su empleo debido al tamaño de la inductancia. La facullad de conseguir un funcionamiento RLC con el
empleo de amplificadores, resistencias y capacidades constituye la base de los filtros activos (Sec. 16-8).

Respuesta en frecuencia
Si en la Ec. (13-2 1) s es sustituida por joo, esta expresión nos dará la respuesta en frecuencia del
amplificador de dos polos realimentado. Es conveniente emplear elfactor de am ortigua ción k en lugar de
Q. Ambos están relacionados por
I
k ~­ (13-22)
2Q
Así, de las Ecs. (13-21) y (13 -22) se obtiene

IA'.¡
Am =
~~==o
V [l
(13-23)

y
A, 2k(wlw,,)
L- = - tg. - I
(13-24)
AH) 1 (w/w,,>2
La Ec. (13·23) es la magnitud normalizada o caracteristica de amplitud estando dada la ceractertstica
de fase por la Ec. (13-24). Los picos de amplitud de la respuesta se obtienen igualando a cero la derivada
de la cantidad sub-radical. Se encuentra un pico en

w = w" V I 2k' (13-25)

cuya magnitud viene dada por

l IA,
A¡o l"''' = 2J. ~
1 (13-26)

Obsérvese que si 2F > l . u k > 0.707 o Q < 0.707. la magnitud de la respuesta no contendrá ningún
pico. En la Fig. 13-13 se representa un conjunto de respuestas.
Para (ro/ro )« 1, la Ec. (13-24) muestra que la característica de fase es aproximadamente lineal viniendo
su pendiente de tenn inada por el valor de k. La característica de fase es - 9a' en ro = ro" para todos los
valores de k aproximándose a - 181)' cuando (ro/ro)>>I.

Respuesta a un escalón
En esta Sección se ha probado que independientemente de la cuantía de la realimentación negativa
570 s ttcroetectronica moderna

01 ,(1 ,--- - - - - - - - - - - - - - - - --,

.1.1)

2.11

'"
o.• r
", ~~====::~~~:s2~~
A. 11.7
- ' IH,
A.",
0.5
OA
1J..1

0, 2

nz (U UA 0 .6 1).11 1.0 2.0 H I 01.0 s.c

Figuu )J - I). Gráfica normalizada de la respuesll.amplilud-frec-uencia de un amplifICador reaJimenlado de dos polos.

empleada. un amplificador de dos polos se mant iene estable (los polos están siempre en el semi-plano
izquierdo s ). No obs tante. si la ga nancia del lazo To es demasiado gra nde. la respuesta transitoria puede
ser complctameme insatisfactoria.
Por ejemplo. en la Fíg. 13-14 se indica una posible respuesta a un esc alón de ten sión . Obsérvese que
la salida supera en un 37% su valor final. oscilando antes de llegar al valor de régimen permanente. Esta
respuesta tan violenta no es aceptable en casi ninguna ap licación. Los pará metros importantes de la forma
de onda se indican en la Fig. 13-14 Yse definen de la siguiente form a:

Tit'tufm de subida = tiempo que tarda la onda en pasar de l 0. 1 al 0.9 de su valor permanente.
Tiempo elr retarda = tiempo que larda la onda en pasar del O al 0.5 de su valor permanente,
So/m' mlol' o punta = valor de pico en exces o sobre el valor permanente.
=
Perloelo de amortiguacián intervalo de tiempo para un ciclo de osci lación.
Tiempo de estabilización =
tiempo para que la resp uesta se estabilice dentro de un ± P% del valor
permanente <P se especifica para cada aplicació n en particular. por ej. P = 0. 1).

Se obtiene la expresión analítica de la respuesta del amplificador a un escalón de amplitud V haciendo

Ves) = VIs en la Ec. (13- 21) Y resolviendo por la transform ada inversa de Laplace. Recordando que
d = 100k, los polos dados en la Ec. ( 13- 18) pueden ponerse en la form a:

(13-27)

Si k. = l. fos dos polos coinciden. corre spondiendo al caso de amortiguación crítica. S i k<l los polos
son complejos conjugados correspondiendo al caso de sub-a mortiguación en el que la respuesta es una
senoide cuya amplitud decae con el tiempo. S i k> I ambos polos son reales y negativos lo que corresponde
 Estabilidad )' respuesta de los amplificadores realimentados 57 1

o.•
07

06

,
07 ,,,
,
,,,
o. r ,
,
re-r--t Tiempo de l ubida
Tiempo de retardo t.
Tiempo de estabilización
Figura 13-14. Respuesta a uneSClIÓfl de un amplificador reeumeraedc de dos polos con íactor de amortiguación t : 0.3.

a un circuito sobre-amortiguado en el que la respuesta se va acercan do a su valor final sin sufrir

oscilaciones. En el caso de sub-amortiguación es co nveniente introducir la frecuenci a de amortiguación

W,¡ iII VI (13-28)

y la respuesta v,,(I) a un escalón de magnitud Ven un amplificador de ganancia Am en la banda media.

viene dada por las siguientes ecuaciones:

Con amortiguación critica. k=l

v,,(t)
== 1 - ( 1 + w"tlf' · ....·1 (13 -29)
VAro
Sobreamo rtiguado, 1<> 1

(13-30 )

donde
y

Si 4 1c"» l . se puede aproximar la respuesta con

 572 Microeleclrónica moderna

v.,(l)
- - = l - fE - "'~'l2k (13-31)
VA F O
Subamortiguado, k<1

(13-32)

Estas ecuaciones están representadas en la Fig. 13-15 en coordenadas normalizadas x ~t/To y y=

v~(t)/VAFO siendo T" -= 27t/00"el periodo no amortiguado. Si se iguala a cero la derivada de la Be. (13- 32) se
= =
obtienen las posiciones x x", y las magnitudes y Y", correspondientes al máximo y al mínimo. Los resultados
son:
w"/", 111 u"(t,,,)
(13-33)
x", = 271" = 2(I _ k2)"2 Ym = VA
FO

siendo m un número entero . Los máximos los da m impar y los mínimos m par. Mediante la Ec. (13-33)
se puede trazar rápidamente la fonna de la onda sub-amortiguada de salida. De la Ec. (13-33) se deduce
que el sobrevalor viene dado por la expresión [- 7tkm/(1 _k2)ln].
Obsérvese que con una amortiguación fuerte (k grand e o Q pequeño) el tiempo de subida " es muy
largo. Al decrecer k (Q o T; aumentando) disminuye Ir" En el caso de amortiguación crítica encontramos
de la Fig.l3-15 que', = 0,53 T" = 3,33/00 Si se aumenta la realimentación de forma que k<1 el tiempo de
0
,

subida también decrece, pero esta mejora se obtiene a expensas de una vibración (oscila ción) en la
respuesta,que puede resullar inacep table en algunas aplicaciones. Frecuentemente se especifica k ~ 0,707
(Q .s; 0.707) como respuesta satisfactoria lo que corresponde a un sobrevalor del 4,3% o menos. En
general , el sobrevalor rara vez supera el 10%, así k ~ 0 ,6 (Q 5: 0, 83).

1.6

lA

1.2

1.0

0.8

0.6 2

O., •
0.2

oO 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 l A 1.6 1.8 20 2.2 2.4 2 6 2.8 3.0 x
Figura 13·15. Respuestanonnaliz.ada de unamplificador reanmenraoo ce dos polos a unescalón.

13·6. MARGEN DE FASE DEL AMPLIFICADOR REALIMENTADO DE

DOS POLOS
El diseño de un amplificador realimentado de dos polos requiere seleccionar las frecu encias de polo
en lazo abierto para que den la respuesta deseada en lazo cerrado. El objetivo de esta selección es relacionar
 Estabilidad y respuesta de los ampliflcadoru realimentados 573

la respuesta en lazo cerradocon el margen de fase y los valores de diseño de las dos frecuencias de polo
en circuitoabierto.
Convieneintroducir el conceptode factor de separaciónde polos n =m/m r- Con ello las Ec. (13-16)
se convierten en
V ,,( I + Tu)
Q = n +I (13-34)

y los polosen lazo cerradodados en la Ec. (13-18) se pueden expresar como

s = - wl(l2+ 11) (1 ::t VI 4Q2) (13-35)

Para especificarel valorde Q( ode k) se emplealarespuestaen lazocerrado mostradaen lacaracterística

de respuesta en frecuencia de la Fig. 13-13 o la respuesta a un escalón representadaen la Fig. 13-15. Es
decir, que basadasen la magnitud de los picos de frecuenciasi los hay, o en el sobrevalorde la respuesta
en frecuencia. si lo hay. estas curvas indican el valor de Q del circuito. Por tanto, puede emplearse la Ec.
(13-34) para obtener el factor de separación de polos n. Resolviendo la ecuación cuadrática resultante
tendremos
1+ To
,, =
Q2 (13-36)

en dondese suponeque (1 + T.)/(f» l. Estesupuestoes razonableya que en la mayoríade las respuestas

prácticas Ql<1 y (1 + T.) esde porlo menos 10paraobtenerla desensibilidad pretendida. Enconsecuencia,
vemosque los polosen lazoabiertodebenestar ampliamenteseparados.Por tanto, si bien el amplificador
dedos poloses íntrínsecamenteestable. muyfrecuentemente debe compensarseparaalcanzarla respuesta
en lazocerradodeseada.
El margen de fase 0,w se deduce de T(s) que puedeexpresarse
T(s) = Tu (13-37)
(1 + slwl)(1 + sll/wl)
La frecuencia angularde crucede ganancia COa obtenida de la Ec. (13-37) haciendo TU!O(¡) = 1, es:
Wa = ~"' + 1 [ /4"'(10 - 1) + 1 _ 1]'" (13-38)
Wl 2 V ~2+ If
r
Con n1» I , y 0»1, comoes el casononnal, y valiéndonosde la Ec. (13-36) podemosescribir la Be.
(13-38)como:

Wa =
;;;; Q'TV2 ( v'4Q' + 1 - 1)'"= 'v'2
' ( v'4Q' + I - I )'" (13-39)

Observamosen la Ec. (13-39) que 000 también está muy separada de rol para los valoresde T. y de Q
que normalmente se encuentran.
El margen de fase0", [dadoen la Ec. (13-11)] para T(s) de la Ec. (13-37) es:
<PAI = - tg Wa tg - 1 Wa + 180·
W! I/W.

que puede ponerseen la fonna

<PM = (90 - 19 -, :~) + (90 - tg wa) - 1
flWI (13-40)
tg -I~+ tg _llfWI
Wa Wa
574 Microetea r ónica moderna

Puesto que ro I « roG' tg l(ro1IwG) corresponde a un ángulo muy pequeño que frecuentemente se puede
despreciar. con lo que
tg - 1 ~ (0 -4 1)

que sustituyendo la Ec. (13·39) resulta

"'"
tPM - tg - 1 Vi rY4cr + I - 1) - 112 (l J-42)

Obsérvese que la Ec. (134 1) expresa la misma relación comentada en la Sec. 134, es decir. que 0 '"
viene detenninado por (1)2 cuando los polos en lazo abierto están ampliamente separados.
La Ec. ( 13· IS) se emplea paraobtenerel ancho de banda en lazo cerrado. O)H' despejando O)N cuando
A, VroH) =A"jfi. Y

w.
WH ::: Q V ~
l2Q'=I [I + V+ I
4 Q'
(2Q2 1)2
] '" Q2 > 0. 5

~ w.
Q
~ [V 1 + (1 _4Q'2Q') '
y-----:¡-=- _
1
] '" (0 ·4J )

Q' = 0.5
Así, la especificación de roN y de Q determina el valor de (1). necesario, y mediante la Ec. (13 34) se 4

calcula O)j ' Empleando el factor de separación n se obtieneel valor de (1)2 requerido. En el siguienteEjemplo
se exponeel proceso de diseño.

Eje mplo 13-4

Hay que diseñar un amplificador realimentado de do s polos con T. = 99 y OOH = 101 radls. Determinar
001, (1)2 Y0 ., para los siguientes valores de Q = (a) 0.316, (h) 00500. (c) 0.707, (ti) 0,833 Y(e) 1.00.

Soluci6n

(a) El factor de separación de polos n se obtiene de la Ec. (13-36).

I + To 1 + 99
11 = := 1000
Q' (0.JI6)'
00 según la Ec. (13·43) es

I'
,
0

10
, = ~
0.J16 Y
/1 - 2(0.316)'
2
[VI + 4(0. 3 1 6)~
[ 1 - 210.JI6)']' - I
w.. = 2.85 X 101 rad /s

Empleando la Ec. (13-34) resulta

2.85 x 101 = "'1 V HXlO( I + 99) y "'1 = 9.0 1 x 10" rad/s
por tanto (1)2 = nro. = 1000 x 9.01 x 10' = 9.01 x 101 radls.
El margen de fase. deducido de la Ec. (13-42) es
 Estab/lldad y respuesta de los amplificadores realimentados 575

rPM = tan - 1 v'2 [V4(0.316)4 + I - 11 112 = 84.r

Los valores de oo•• (1)2 y 0 M para cada uno de los valores dados de Q se hallan de la misma forma, y los
valores obtenidos son los tabulados en la Tabla 13-1.

Tabla 13·1 Frec:uenclasde polo en lazo abierto y márgenes de rise del Ejemplo 13-4

"'... 0,. "':. ,pAl.

Q n M,,"ll.~ w.Jw" i.:rmlls Mrf/(f/~ grados
0 .J16 1000 21D 2.85 90.1 90.1 84.3
O .~OO .00 U .~ 15 5 77.7 31.1 7.5.3
0.707 a» 10.0 1.00 70.7 14.14 65.5
0.833 1.... 8.71 0.871 72.6 10.4 59.2
1.000 100 7." 0.786 78.6 7.86 5 1.8

Los datos de la Tabla 13-1 indican que para un valor dado de Ta• 001 no varía apreciablemente con Q.
mientras que ro, y el factor de separación de polos lo hacen marcadamente. En el Ej.l3-5 vemos las
variaciones de actuación cuando T" y 002 permanecen constantes.

Ejemplo13-S

Se diseña un amplificador realimentado con T, =99 Y 002 = lO' rad/s. Determinar C1J1 y OOH para los
siguientes valoresde Q: <a) 0,316,(6) 0,500, (e) 0,707, (<1) 0,833 Y(e) 1,00.

SoIucMn

El factor de separación de polos depende únicamente de T" Y de Q. Por tanto los valores de n que
figuran en la Tabla 13-1 son aplicables también a este problema. Para Q = 0.316, n 1000 Y =
w~ 10 7
4
Wl = -;; = 1000 = 10 rad /s

Según la Ec. (13-34)

W" = 104 Y IOOO(l + 99) = 3. 16 x 1()6 radls

La relación OOH/ro~ depende sólo del valor de Q [Ec. (13-34)]. Por rento, también es aplicable a este
problema la relación oojroH dada en la Tabla 13·1. y para Q = 0,316
6
w" w" 3.16 X 10 6 di
- = 2.85 o. WH = - 2 85= = 1.11 x 10 ra s
WH 2. 8 5 .
Los demás valores determinados de igual forma, son los de la Tabla 13-2.
Los resultados anotados en la Tabla 13-2indican que cuando (1)2 es fijo. oo. y el ancho de banda en lazo
cerrado aumentan al aumentar Q (y decrecer k). Esto está representado gráficamente en la Pig. 13-13 en
laque ron' frecuencia en laqueA¡1A f'O = 0,707, aumenta al disminu irk . Obsérvese también que los valores
de ID" son simplemente QOO2.lo que se confirma por la Be. (13-34) ya que
w" = Wl Yn(l + Tol = W2 Yn(l + To ) = Wl Vr,(I'---:+~To,)T
ln = QW2
n
576 Microeleclr6nica moderna

Tabla 13·2 Valores de rol y de roN del Ejemplo 13-5

Q
o,.
feradls
-..
Airad/s
".,
Mrad/s

0.316 10.0 3.16 1.11

0.500 25.0 5,00 3.23
0.707 SO.O 7.07 7,07
9,S<;
0.833 ".4 8.))

1.00 100.00 10.00 12.7

13·7. RESPUESTA DEL AMPLIFICADOR REALIMENTADO DE TRES

POLOS
Si AQL YTson funciones de tres polos,la ganancia en lazo cerradoAF(s) viene dada por la Ec. (13-8).
El lugar de las raíces en la Fig. 13-2 muestra el movimiento de los polos deAFo medida que T aumenta
desde cero. Vemos en dicha figuraque los dos polos más próximos al origen (~ID. Y - Ol.z) se m8even uno
hacia el otro a lo largo del eje real negativo, llegan a coincidir pasando luego a ser complejos. El tercer
poto (- rol) se mantiene en el eje real negativo pero alejándose del origen.
El movimientode los tres polos indica que en un sistema estable, la respuesta es debida primeramente
a los polos en lazo cerrado més cercanos al origen, es decir,los polos en lazo cerrado correspondiendo a
los polos en lazo abierto en - (1)1 Y - Ol.z. En la Sec.13-4 demostramos que se obtiene un sistema estable
con valores moderados y altos de To cuando (1)1 está ampliamente separado tanto de 00 2 como de (0). Si
además ro, y ro} estánseparadospor lo menosen dos octavas (00)~2) la realimentación hace que el tercer
polo se separe de ro. y Ol.z en un grado aún mayor. En consecuencia, el sistema de tres polos se puede
aproximar bastante bien a una función de dos polos que corresponda a los polós en lazo abierto en - COI Y
- Ol.z. Por tanto, los resultadoshalladosen la Sec.l3-5 para la funci6n de transferencia de dos polos pueden
aplicarse al amplificadorde tres polos. La precisión de esta aproxímaci én"normalmente es suficiente para
los cálculos de tanteo necesarios para obtener los primeros valores de diseño. Casi siempre los valores
fmales se basan en encetes anaUticos.
La aproximación de dos polos se emplea también en el análisis y diseño de amplificadores con más
de tres polos. Si estos amplificadores han de ser estables se precisa una compensaci6n estrechando 1'(s).
Consecuentemente, su respuestaestá dominada por los dos polos más próximos al origen. Recuérdese que
hemos empleado ya la aproximación de dos polos al caracterizar la respuesta en frecuencia de un
amplificadoren cascada. Cuandose consideroun amplificador de dos etapas en emisor o en fuente común
(Sec. 11-1) ya observamos que contenía cuatro polos y dos ceros. Sin embargo. el cero y un polo
introducidos por cada etapa quedaban muy alejados de los polos dominantes. y llegamos a la conclusión
de que la representación de dos polos representaba adecuadamente la función de transferencia del
amplificador.

13·8. ANÁLISiS APROXIMADO DE UN AMPLIFICADOR

REALIMENTADO MULT1·POLO
En el caso general, la detenninaci6n de la respuesta exacta de un amplificador realimentado es tan

.( Con Q S 0,831. aprolIilPllCi6n de dos polosda nonnalmenle ... mur menor del 12... II:R la eoIocaciónde kla polos en lIIZocerrado.
 Estabitidad y respuesta de los amp lificadores realimentados 577

2Dkl'l

Q3
•
aoen 10Hl 0.6 kn 0.6 kO Y"

Figura 1.1-16. Triple en paralelo para el eje mplo J ] ·6. El conde nsador Ce se empica para compensar el amplificador.

complicada que requiere el uso de computadores. Si los polos en lazo abierto están muy separados se
puede emplear un simple métodoaproximado. Describiremos y justificaremos esta técnica con la siguiente
argumentación.
Se ha demostrado que en un amplificador de tres polos, si las frecuencias de los polos de T(s) son rol
= 101, ro 2= 7x l01 Y ooJ = l,8x l O~ rad/s, el sistema con lazo cerrado es inestable para To ~ 3 r. En este
amplificador debe hacerse T" notablemente inferior a 3 1 para que tenga una respuesta aceptable (Figs.
13-13 y 13-1 6). Si el amplificador realimentado debe cumplir con la condición de desensibilidad y de
reducir la distorsión no lineal deben usarse frecuentemente valores de To notablemente altos (frecuente-
mente To>3 1). En consecuencia. como se ha descrito en la Seco3-4, el polo dominante en T(s) debe
desplazarse hacia el origen haciendo que 00 1 esté bastante separado de los restantes polos de la función de
transferencia. Si además el primer polo no dominante en s = - 00 2 queda separado de los restantes polos
por [o menos dos octavas ( 4rol:">: 0)~ ) tanto T(s) como AOL(s) se pueden aproximar por [a función de
transferencia de dos polos. Así
ro A" ( 13-44)
(1 1.1' + ti :,\"

Como los dos polos más cercanos al origen están ampliamente separados. son aplicables las condicio-
nes de polo dominante.
1
WI = - ( 13-45)
0,

Por tanto, el factor de separación de polos, ti = ro/ro J es

11 = -
oi
(/:
( 13-461
y las Ecs. ( [3-34) pueden escrib irse
+ 70 ( 13-47)

Para aproximar la respuesta de un amplificador realimentado multí-polo se utilizan las Ecs. (13-45) a
(13-47)juntamente con los resultados del sistema de dos polos estudiados en las Sec. 13-Sy 13·6 . Se puede
observar que en la Ec. (13-44) se supone que la red de realimentación es resistiva y que todos los ceros
de la función de transferencia están suficientemente alejados de ro2 para que su efecto sea despreciable.
Enla siguiente Sección veremos como a I y a l' y por tanto la respuesta del amplificador, están relacionados
con los elementos del circuito.
578 Microetectronica moderna

Margen de fase
Sustituyendo la Ec. ( 13-45) en la ( 13-4 1) se puede expresar la frecuencia angu lar del cruce de ganancia
como
IUc ' = - _ ::
" '-
' -r-- ( 13·4 8)
, (1 2 ta n cPM

W,
11 = - = To sen cP.1/ tg cPM (13-491
W,
Puesto que 11 = 1'jQ2. de la Ec. ( 13-49) se ded uce
Q_ 1 (]J-SO)
V sen o\/ tg . U,u

que clara mente muestra la relación entre Q y el margen de fase . Todas estas exp resiones son sólo
aproximadas; para un cálculo más ajustado del margen de fase se de be tener en cuenta el pequeño desfase
introducido por los restantes polos no dominantes (rol' ro4• etc). En la Tabla 13-1 se indica la relación ent re
0", y Q. Recordemos que Q = 0,5 (amortiguación crítica) da dos polos idént icos en el eje real. Así, con
0 ",>76.3° se cuenta con que los polos en lazo cerrado estén sobre el eje real negativo. mientras que
0 M <76,3° da polos complejos. Cuando Q = 0.707 vemos en la Fig. 1 3 ~ 13 que la respuesta en amplitud no
acusa ningún pico. Esta situación corresponde a O,1.1 = 65Y .
Hemos visto ya en este capítulo que en los amplificadores prácticos lo más corriente es que 0 ,?4Y .
Mediante las Ecs. (13-50) y ( 13-42) hallamos qu e Q=I ,18 para 0 ,1.1 = 45°. La curva de la Fig. 13- 16 indica
que k = I/2Q = 0,42 da un sobrevalor de cerca del 20% y la respuesta en amplitud (Fig. 13- 13) acusa un
moderado valor de pico. Evidentemente. cualquier aum ento posterior de Q (disminución de k) dará una
respuesta inaceptable.

El polo dominante
Un amplificador realimentado puede diseñarse de forma que la función de transferencia en lazo cerrado
tenga un polo dominante. Este es el caso frecue nte en Amp-O p comerciales (ver Seco l4~ 8 ) . En la Tabl a
= = = =
13-1 observemos que 0 M 84,Jo corresponde a Q 0,3 16 1/1W, o Q 2 0.1. Sustituyendo este valor en
la Ec. (13-35) tendremos los polos en lazo cerrado s= - 0 ,113 rop + n) y S2= ~ 0 ,887 rol(l + n). Estos
polos están separados entre sí de casi tres octavas y podemos llegar a la conclusión de que existe la
condición de polo dominante para Q :S 0.3 16 (Q1:O:;: 0.1). Ta mbié n se puede decir cuando 0 \, tiende a 90' .
la respuesta en lazo cer rado se puede aproximar con un polo dominante único.
Se puede conseguir un margen de fase de aproximadamente 90" só lo si los polos en lazo abierto están
muy separados entre sí (11 muy elevado). En estas co ndiciones tanto A OL(.~ ) como T(s) pueden representarse
por una función de transferencia de un solo polo. el situado en s = - l/a l = - l/rol' Por tanto. la ganancia
en lazo cerrado puede expresarse como la función de un polo en la Ec. (13-2) y. roH=w IT" = Trlal para
To » 1. Ahora vamos a determinar la situación de los polos no do minante s de la respuesta en lazo cerrado.
suponiendo que son aplicables las co ndicio nes de polo do minante. El exame n de las Ecs. ( 13-5) Y( 13-7)
para un sistema de dos polos señala que si A , (s) tiene un polo dom inante. también AUL debe tener uno
(001)>ro l). De ahí que en el sistema en lazo abierto 00 1"" 1/° 1 y (01= o/a,. Las frecuencias angulares de los
polos en lazo cerrado son (aproximadamente) l/a ' l = ( 1 + TO)/al = (1 + To)ool ya' / a 'l = a/lI 2= ro 2 De
este análisis se deduce que cuando la respuesta en lazo cerrado acusa un polo do minante, los polos no
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 579

dominanles están situados aproximadamente en las mismas frecuencias que los no dominantes del
amplificador en lazo abierto.

13.9. DETERMINACiÓN APROXIMADA DE LOS POLOS EN LAZO

ABIERTO
Las argumentaciones desarrolladas en las anteriores secciones de este capítulo se han basado en el
supuesto que las frecuencias de los polos. tanto de la gananacia Aot. en lazo abierto como de la relación
de retomo T. son conocidas. Tal como se describió en la Sec.I I-9, el cálculo preciso de los polos de un
amplificador mulnerapaes dificil y engorroso. Ciertamente, la detenni nación precisa de los polos en lazo
abierto y cerrado de un amplificador realimentado multietapa sólo se puede conseguir valiéndose de
computadores.
Como ya se indicó, la información relativa a la respuesta en lazo abierto debe conocerse antes de la
fabricación (para pruebas de estabilidad y control del comportamiento en lazo cerrado). El diseñador de
un amplificador realimentado necesita más información que los valores escuelas de los polos en lazo
abierto. El diseñador de un circuito debe poder relacionar la selección de valores de los elementos
específicoscon las condiciones de funcionamiento. Por ejemplo, en nuestros comentarios sobre el circuito
en emisor común de una etapa, de los Capítulos 10 y 11 , admitimos que la ganancia en tensión A yO se
puede aumentar aumentando la resistencia de colector Re" Para mantener el mismo punto de operación, y
por tanto los mismos valores de 105 parámetros del BIT de pequeña señal, un Incremento ARe de Re debe
ir acompañadode un aumento de la tensión de suministro Vocde ARe leQ' Además al crecer Rc decrece el
ancho de banda. Por tanto, el diseñador se enfrenta con tener que elegir entre la ganancia. el ancho de
banda y el consumo de potencia. Análogamente, en un amplificador realimenlado debe saber cuáles son
las etapas que introducen polos más próximos al origen, para lograr una compensación eficaz y poder
predecir la respuesta en lazo cerrado. El objetivo de esta sección es aproximar los polos de la respuesla
en lazo abierto y relacionarlos con los valores de los elementos específicos.
Las aproximacionesque adoptaremos para alcanzar este objetivo se basan en los siguientes puntos:

l. Cuando se emplea realimentación resistiva. los polos de AOl. Yde T son idénticos.
2. Se emplea el análisis aproximado de la Sec. 12-7 para determinar los polos de AOL y por tanto de T.
3. Para aproximar la respuesta en lazo cerrado sólo se necesitan las dos frecuencias angulares de polo
más pequeñas m. y m2
4. Estas frecuenciasse pueden aproximar calculando los coeficientes a. y Q J de la función de trensferen-
cía, empleando el método descrito en la Seco11-9.

, ,,
I , ,,
(e,l (Cl)
c., '" l c. ,, '" c•• '"
.....
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Todas las reslSl:enClas en b loohmlOS

F1¡:ur. 1J.1 7. C ircuilo equivalente de ah. rrccUC1lCi a del amplifICador sin realimentac ión para c1lriple en pilr~c1o del Ejemplo
11-6, Est,lncluido el efecto de car,a de R, lanlo a la en.rada como ala salida.
580 Mtcroetectrontco 1lI0demD

5. Basándonos en valores estimados de rol y 00 2se predice el funcionamiento en lazo cerrado.

6. Los resultados aproximados se compa ran co n el aná lisis de computador.
Al hacer el análisis supondremos qu e se cumplen todos los requerimientos del diseño en la mitad de
la banda. Por tanto, se cono cen lodos los paráme tros del dispositivo y los valores de las resistencias.
Además, los ceros de la función de transferencia tales com o los introducidos por ejemplo por C • se
suponen suficientemen te alejados de 00 1 y OOl para poder despreciar sus efectos. En los dos ejemplo;'que
siguen se expone el método de análisis.

Eje mplo 13·6

El triple en paralelo de la Fig. 13·16 está diseñado con C e = 55 pF Y con los paráme tros de los
transistores dados en la Tabla 13·3. Determinar: (a) las frecuencia s angu lares aproximadas 00 1 y 002 en lazo
abierto, y (b) los polos aproximados en lazo cerrado. Con los resultados de la parte (a): (e) estimar el
margen de fase del diagrama asintótico de Bale. (d) Estimar el margen de fase a partir del valor de Q. y
(e) Comparar los resultados de las partes (e ) y (d) . Se supone que en todos los transistores I"~ = OY1",,-')00.

Tab la 13·] Par ámetros de los tra nsistores para ellrlple en paralelo de la Flg. 1]·7.
Parámetro
Transi stor r • • 'd1 11 .. , mU ~" C • . pF C~. pf

QI zs 4.0 100 1.6 0.5

Q2 10 10 100 40 0.5
Q3 2.' 40 100 10.0 0.5

Solució n
Este amp lificador es el empleado en el eje mplo 12·6 de la Seco12· 10.
(a) Seg ún los resultados de ese ejempl o. To = 202. En la Fig. 13-17 se representa el circuito equiva lente
del amplificador en lazo abiert o incluid o el efecto de carga de R~. = 20 Hl. S iguiendo el método descrito
en la Sec. 11·9 y haciendo C. I = C11 C~ l = el' C. 2 = C J • C~2 + Ce = C•• C. l = e , y C~ l = C6, podemos
determin ar que los coeficientes a l y a l son
tll := R\'ICI + R ~ ~ C~ + R ~JCJ + R~4 C + R ~~ C~ + R ~C"

l/ ~ mI I CI(R hc~ + Rt ,C J + R.\4C + m~C~ + m,~,C6)

+ R~~C~ (Ri IC.l + R~4 C + R ~ ~ C.~ + Rlt,C,,)

+ Rt .C .(Rl 4 C4 + R~ ~ C~ + Rl"C,,)
+ R~4C4(R ~ s C~ + Rtx,C6 ) + R~s CsR1.t,Cf>

Los valores (en k.Q) de las resistencias necesarias para el cálculo de a l y a2 son:

R LI = Redlr ! := 3011 10 = 7.5

Ru := Rd lr J = 10112.5 = 2.0
 E!ilabilida d y respuesta de IOj' amplificado res realimentados 58 1

Rn " Rd IR, IIR, = O.óOIl20Iltl .60 == 0.2%

R" " R.IIR, II'·. , " 0 .6~ 1 20112 5 " 0.569
"
..
R" " m l(1 + K",.RI.l ) + R I . t
o 0.569< 1 + -t.ü x 7.5) + 75 25. 1
R~.l = R I . I o 7.5

..
R" o RI1.( 1 + K ", ~ U I. ~ ) + Rn 7.5( 1 + 10 x 2.0) + 2.0 o 159.5

R"~~
o R n = 2.0

R'k, R ~~ (1 + K,,,dll.\ ) + RI..\ := 2.0(1 + 40 x 0.296) + 0.296 = 25.9

Rh = RI.I = 7.5
Rl.• = R~~ = 2.0 R:"" == R'k, = 25.9
Ri. = Rl.ll~IIR':, = 7.5J10.25110.569 = 0. 174
K ", I

R~. R ~ .• = 2.0 R~ = R~ = 25.9

R~ ~ = R ~~ = 2.0

R~ = R ~ :: 25.9
Rt~ Ud l- '- IIU'I, = 2.0110. 101175 = 0.094
K ",1

U-:'" = Rt . ( 1 + g"" Rul + Un = 0. 094(] + 40 x n.296) + 0.296 = 1.50

U~ = R o = 0.296

Se invita al lector a comprobar estos valores.

Sustituyendo los valores de resistencia y de capacidad en las expresiones de a l y a 2 tendremo s:

{/ I = 156.0 + J59.5Cc = [56.0 + 159.5 x 55 :: K92Kns

nz = 1757 + 657. IC(" 1794 + 657. 1 x 55 :: 37.9011 (ns l!
de donde
o 0 - - = 0. 1[20 x ro- rOlO/S;
'"' a, H92H

0. J 12 x 10'
l, o '"'
2.
o
2n
o I7 .H3 k Hz

a, 8928
ClJ1 0 - 0 - -
235.5 x 10" rad /s :
uz 37.900

235.5 x 10'
l, o '"'
2rr
o
2.
o 37.47 M Hz
582 Microetectrontca mudertUl

(b) La separación de los polos en circuito abierto es

w~ al ( 89 2 8) ~
11 = = - = - - - = 2 103
WI (I ~ 37 .900
Así. de las Ecs. ( 13·47)
V 2103(1 + 202)
= 0 .310 5
2 103 + 1
y de la Ec. ( 13-35)

s = - (J . 1 1 2( ~1 ()) + 1) [ 1 + V I 4(O . 31 05)~ J

o
·~ I - 2.555 X H1 7 rad/s s~ = - 2. 102 X 10 M rad/s
La separación de polos en lazo cerrado es:

10: = 8 .24
I
~I = 2. 102 x
.~ l 2.552 x 10

Puesto que esto es más de tres octavas se ap lican las condiciones de po lo dom inante. Vimos en la Ec.
( 13-3) que en estas condiciones el polo dominante en lazo cerrado era
W 1/ = 15d = (J + To) w¡, = {1 + T O )W l

o
l.I'd = (1 + 202 ) x 0 .1 12 x IOh = 2.274 X 10 7 rad/s

Eviden temente los dos valores son aproximadamente iguales.

Además en la Seco 13·1 se observó que el po lo no dominante prácticamente no se ve afectado po r la
realimentación cuando se cumplen las condiciones de polo do minante. La comparación entre 15,1 Yro!
apoya esta concl usión.
(e) A partir de los resultados de la parte (a ) podemos escribir
To
71.\) =
11 + ( slw l )JI I + (.I' lw~ J1
202
=
{l + 1., /10. 11 2 x 10'11 111
En la Fig. 13·18a vemos el diagrama asintótico de Bale para T Uro) y en él observamos que 0,11 = 90".
El diagrama asintó tico de Bale de T Uro) de la Fig. 13- 1811 incluye los efec tos del tercer polo del
sistema. Empleando la extensión del método de la Sec. 11-9 se puede de mostrar que
al = 1704 + 4 17 .5C c = 1704 + 4 17 .5 x 55 = 24 .670 (nsP

37.930 ti !
WJ = 1 0~ rad/s
= - - = 1.538 x
24.670 a)
Obsérvese que la incl usi ón del tercer polo no cambia 0,11'
(d) El marge n de fase se determina mediante la Ec . (13-42).
cPM = tan " ! V2 [V4fO.3 106 )4 + I _ 11- 112 = 84,50
 Estabilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 583

ITl d8 L T.Grados

6O f-- ".- - - - - -- ..--- - - ---;:-------j

"g~'i"'d¡~~~
~
.\6. 1
<lO
- 20 dBJl:).(ciaa
o
F,~

-4S°lDécada
20 90 °
-4S°lD&:ada
"

1.1 2 2.354 1 -40 d BfD«ada

,O" ,o 10" 10 1 10" ,O"
Fn:cuencia angular. radls

" )

I Tl dB L T. Gtadm

Frec uencia angular. nuJIs

lb)

F1gurI 1.J.18. Diagramas asintóticos de: Bode para e l Ejemplo 13-6. (11) la aproomacién de dos polos. th) la inclusión de l terce r
polo.

(e) Los resultados de las partes (e) y (d) pueden co mpararse favorablemente. La 'd iferencia se atribuye
al pequeño error introducido por la aproximación asintótica de la característica de
2.263 x IOJ , la contribución de oo! es
~ = _ _ 1 ~ = 2.354 x )(1' = _5 50
O. tan w~ 2.263 x lO' .

que es exactamente la diferencia entre los resultados de las partes (e) y (d) .
584 M;croelu lron;ca moderna

7' Ro R"
(9.0) C.lOJ

R,
IlSl
• R,
Re 16.01
" '0. 2)
Todas lu resislcncias en kiloohmios
.,
e, c.
I . ~!,F 1 . ~ .p F

• , • " •
' .0 Y" e,:.1>o"y"
11 pF
",~.
e.u
B
,.ó' 25
Yd: e,
22 pF
¡ 0. 1 y., >O Y.
• .-- ;'
~ Y, 0 20 6.0 IZ,; 02

- -
R't
lb)

F1¡ UrI (J· 19. la ) E.~ucm a de un JIU~- p;l fil lclo. (b) Modclodc alla rrttuencia del amplirlC~donin realímcnlación. incluyendo
el CfCCIOdc Clrlla dc la red de re. limcnlaciOO.

El cálculo analítico del triple en paralelo de este ejemplo da los s iguientes resu ltado s: TII = 202.
= =
ro. O. l 120x 1rt rad/s. ro2 2.406x 1O" rad/s. y los po los en lazo cerrado S I 2.87x 10' rad/s. $ 2 =. =
- 1.76x I(1 rad/s. Vemos que los polos en lazo abie rto son prácticamen te iguales que los hallados con el
cálculo aproximado de la parte (a). Sin embargo lcs' poloe en lazo cerrado no están tan separados como
los ca lculados . Este se atribuye a la suposición de que los ceros de la función de transfere ncia tenían efec to
= =
nulo. Con C4 CU2 + Ce = 0,5 + 55 55.5 .pF. la segunda et ap a in t roduce un ce ro en s + ~ •./C4= =
+ 10/55.5 = 1.80 x 10M rad/s. (Sec . 11-5). Naturalmente este cero tiene una frecuencia ang ular menor que
00,. La inclusió n de este ce ro en la exp resión de To da un ma rge!l de fase de 77 ,S" ya que ese cero produce
un desfase ad icional de 7". Tal como se vio en el luga r de las rafees de la Fig. 13-1 yen nuestros anteriores
comentarios. al red ucirse 0.., se incrementa Q y por tanto los po los en circuito cerrado se aproximan entre
sf co mo indica tamb ién el cálculo. En la próxima Secc ión estudiare mos más detalladamente la técnica de
compensación (Ce) emp leada en este eje mplo.

Ejemplo 1J·7
El circuito de la Fig. 13-19a corresponde al par serie-para lelo analiza do en el Ejempl o 12-8. En la Fig .
13- 19b em represent ado el circuito equivalente aproxi mad o del amplifi cador sin realimentación. (o)
 Estab ilidad y respuesta de los amplificadores realimentados 585

Detenninar los polos en lazo abierto y cerrado . (b) Esbo zar el diagrama asintótico de Bode y fijar el margen
de fase.

So lución

(a) Las resistencias R'E,RL I y RL1 identificadas en la Fig. 13- 19b son:

R" ~ RdlRr ~ 0.20116.0 ~ 0.194 kf!

RL I = Rnll",,-2 = 9.0112.5 = 1.96 kíl
Ru = Rd l(Rf · + RE) = 3.011(6.0 + 0.20) = 2.02 kfl
Para tener las frecuencias de polo en lazo abierto calcu laremos los coefici entes al y a 2 por el método
de la Seco11-9, o sea:
a l = R~ I CI + R~2 C2 + R~3CJ + R~4C
(/ 2 = R1IlCI (RhC I + RhC J + m4C4) + R~2C2(Ri.\CJ + R ¡4C4) + R~3C.1Rl4C4
RilOY Rn o son las resistencias equivalentes vistas por las capacidades en la etapa conteniendo
realimentación local. Por tanto, para calcular estos valores nos valdremos de la fórmu la de la impedancia
de Blackman .
Para RilO: La Fig. 13-200 es el sistema muerto en el que

RYw = l',,- lll(R. + RD = 5.011(2.5 + 0.194) = 1.75 k!l

Evidentemente, cortocircuitendo los terminales de C I se hace Tsc = O. Para calcular T oc se emp lea el
circuito de la Fig. 13-2Db. La relación del divisor de corriente da
R Í,'
1" = - g ", 1 V"x .
RÉ + R. + 1""-1

- g", lr... IRÉV...

v... = 1..." ,,- 1
(R ~ + R. + 1" ,,-1 )

de donde

Toe = - -'
-v 125 x 0.194
V, Rj.: + R., + r... 1 0.194 + 2.5 + 5.0
~ 3.15
así

o R~I/) 1.75
R II =
l + Toe + 3.15
Para R21o: en la Fig. 13-200 hallamos

R~2D = R Ll + R.II(I"... I + RE) 1.96 + 2.51115.0 + 0.194) ~ 3.65 kn

Toc' deduc ido de la Fig. 13-20b es

586 Mtcroetearontca moderna

T oc = 3,15
Para calcu lar T se cuando se cortocircu ita el emp leare mos el circuito de la Fig. 13-20c. Admitiendo
que R. y RL1 están en paralelo, tendremos:
RÉ + R,IlRL 1
1" := -gm I
V " RÉ + (R.tIIR ¡) y v, = I"V"I
L

!Ri: -

R,
'.,
f--o

~l R~1/l
R" R,
,.,
J-
~'- "

.\''''1 ' ' 1

R" R,
•
' -, v.,

~v., R"

,
R' ,
R' '
, R'

,.) (b) ,,)

Figur a 13·20.CircuitosempleadosparacalcularROn mediante la relaciónde impedanciasde Blackman. (a) Para el sistema pasivo.
(h)para el cálculo de Tel("' (e) para ca1cularT se"

Combinando estas ecuaciones:

Tsc =
v. =
¡3,,[Rí-: + R,IIRul 125[1.94 + 2.5111.961
= 25.7
V. 1'" + RÉ + (R"IIR u ) 5.0 + 0. 194 + (2.511 1.96)
Luego

RI.', = RO 1 + Tsc = 3 65 1 + 25.7 = 23.4 kD

W J I + Toc . 1 + 3. 15

En la etapa en emisor común que contiene C 3 y C4 las resistenci as son:

R~3 = R LI = 1.96 ka y R~4 = R~3(1 + g"'2Rd + R u
= 1.96(1 + 50 x 2.02) + 2.02 = 202 kfl
Las demás resistencias se hallan de la siguiente forma : Cortocircuitando C I se tiene
Rh = R L 1 + RmIR.• = 1.96 + 0 .194112 .5 = 2. 14 ka
Rh = R~3 = 1.96 ka
Cortocircultando C 2

Rh = R" IIR,II(R" + -'-)

g",
= 1.96112.51110.194 + 0.0201 = 0. 179 kfl

El cálculo de R442 es similar al de R440 excepto que se sustituye R3l O por R 3/

Entonces

R14 = RiJ (1 + g"'2Rd + Ru = 0. 179(1 + 50 x 2.02) + 2.02 = 20.3 ka

Cortocircuitando C) se elimina toda la parte izquierda de l circuito; por tanto
 Es tabilidad}' respu esta de los amplificadores realim entados 587

R J= R
~ '" = 2'02 kíl
Con los valores de capacidaddados en la Fig. 13·1 9b Ylos calculados de las resistencias obtendremos
(/ 1 = 0.422 x i i + 23.4 x 1 ~ + 1.96 x ~2 + 2n ~ »: 1.5 .". lXli.9 ns

(/ 1 = 0.422 x 11{ 2. 14 x 15 + 1.96 x 22 + 2112 x 1.5) +

23.4 x 1.510.179 x :'2 + ~() 3 x 1 li l + 1.% x ~ 2 x 2.0 2 x 1.5
= 2959 (n s) ~

6
Los polos en lazo abierto tienen las frecuencias angulares rol = l/a l =2.59x10 rad/s, y 002=aJa l =
1,30x lf! rad/s. En el Ejemplo 12-8 se obtuvo el valor de T = 24.9. De las Ecs. (13·47) y (13-35) resulta

V 2959( 1 + 24~91
Q = - ..- = n.7 17
385.9

2.59 x 1t)f·( 50.3_~ .1~ I1 ~ 4Q~ \

I = -
, -+-

~ - 6.64 x 10 ' (1 :!: J I ,(U ) rad /:-

En las ecuaciones anterioresse emplea el valor de n = ro/rol = 1.30x lQ&/2.59x leY' = 50.3.
Obsérvese que el valor de Q = 0.717 es cercano a 0.707 con el que no existen picos en la respuesta de
amplitud. Por tanto podemos decir que la respuesta en amplitud deun par serie-paralelo prácticamente no
I T I. d B L T. Gra dos

IU'

Figura 13-21. Diagrama esinténcode Bodede T (jro) parael Ejemplo 13-7.

588 Microetectronica moderna

tiene picos. Asimismo, la respuesta a un escalón tiene poco sobrevalor «3%).

(b) En la Pig. 13-21 está trazado el diagrama asintóti co de Bod e para
24 9
T(s) = (1 + .1"/2 .59 x I(¡t')( 1 + .\·/1.30 x IO~)
=
El margen de fase señalado en la Fig. 13-21 es 0M = 6O,Y. Si se emplea la Ec. (13-42) , 0 M 65,0". La
dife rencia entre ambo s resultados se atribuye a errores en la aprox imación asintótica de la característica
de fase en la Fig. 13-21. El error de fase debido al polo en - ro2 es de unos 5" (aprox imadamente la diferencia
entre ambos valores).
El anál isis y cálculo del circuito de la Fig. 13-19 nos da
WI = 2.64 x 10" rad/s fV~ "" 1.27 X IOK rad /s

s = - 6.59 X 107 t l ± j 1.035 ) rad/s

Los valores aproximados no difieren más del 3% de los valores reales, lo que demuestra la eficacia de
los cálculos aproximados como herramientas para el diseño.

13-10. MÁS SOBRE LA COMPENSACIÓN

Se ha demostrado en Secciones anteriores que para conseguir una determinada respuesta en lazo
cerrado el polo dominante - rolde T(s) ha de estar amp liamente separado del siguiente polo en 00)..
Frecuentemente se debe compensar el amplificador básico para alca nzar la separación de polos requerida.
En la Seco 13-4 demostramos que se consigue una compensación efectiva cuando al amplificador sin
realimentación se le estrecha del iberadamente la banda . Ahora veremos que el método para aproximar los
polos en lazo abierto tratado en la Seco 13-8 puede emplearse también para obtener los valores iniciales
de diseño de los elementos del circuito de compensación.
La técnica más sencilla para conseguir el estrechamiento de banda es insertar un condensador
compensador Ce en el amplificador en lazo ab ierto . Es ev idente que la adición de Ce aumenta el valor
del coeficie nte a 1 en la función de trans ferencia y por tan to disminuye el de rol = l/al ' Si el coeficiente s
del amplificador compensado es l/ If " ent onces

(]J-5 Il

dond e a l es el coeficientes del amplificador no compe nsado y R'~_c es la resistencia equ ivalente en circuito
ab ierto vista por C(.. [La Ec. ( 13-5 1) se obtie ne en forma similar a la empleada en el Ejemplo 13-6.]
Puesto que cada t érmino en el coeficiente de s! puede expresarse como el produ cto de una constante
de tiempo en circuito abierto y en cortocircuito. a le' el valor compensado de este coef iciente, puede
escribirse

( 13-52)

En la Ec. (13-52) W C es la constante de tiempo del conde nsador e cuando Ce está cortocircuitado.
Obsérvese que en el Ej~mplo 13-6 hemos expresado (Jl e y CI!C en [a fo~a de las Ecs . (13 -51) y (13-52).
Valiéndonos de la Ec. (13-46) el factor de separación de polos n viene dado por
 Estabilidad), respu esta de los amp lificadore.r realime ntados 589

n 113-53)
Q' '"
lI~ + R~' (C' ( ,.~- , RfiC )
U l '

°
Puesto que se conocen 11 , 1 0 2 Ylas resistencias en ci rcuito abierto y en cortocircuito , resolviendo la
Ec. (13-53) tendremos el valor de diseño inicial de Cc necesario para obtener la separación de polo s
deseada.
Examinemos los dos extremos resultantes de la compensación capac itiva simple. Para estrecha r
significativamente la banda del amplificador es evide nte que R(ln: Cc de la Ec. ( 13-51) ha de ser mucho
más grande que (1, (si (l IC ~ 10a l como es necesario para desplaza r OOIe "" l/alc a una década más próxima
al origen que 00, . RO('("C r O ~ 9(1 ,). Por tanto podemos emplear la apro ximación a, "" R(lccCr En el primer
caso conside remos que

Entonces

W IC = - - -
~ _" _, c = -rr-r-__ ( 13-541
N
L RfiC
j ~ 1
u c
Observemo s que según la Ec. ( 13-54) ro2(' es independiente de Ce y por tanto constante. Así. Ce se
puedeobtener directamentede la Ec. ( 13-54). El valor de rolCempleado se puede calculara partirdel factor de
separación de polos n o de la técnica del diagrama asintótico de Bode presentada en la Sec o13-4.
En el segundo caso extremo suponemos que

(/ 2 ¡¡;. R~cCc (.,.i, RFC;)

y por tanto

W ¡c = - - -
113-551

Algunos amplifi cadores práctico s presentan las condiciones extremas descritas en las Ecs. (13 ~54) Y
( 13-55). Sin embargo esto no siempre es así.

Separación de polos
La técnica seg uida en el Ejempl o 13-6 de añadir un condensador C, entre la base y el colector de la
etapa interior puede denominarse de sepa ración de polos. Empleando Cc de esta forma se beneficia del
efecto multiplicador de Miller (Sec. 11-5) resultando unas capacidades que pueden fabricar se realmente
en un chip. Se puede demostrar que este tipo de compensación hace que OOIC<OO¡ y oole >ro2. Así ro,c se
desplaza desde rol hacia el origen (est rechando la banda) y OOl C se mueve desde 00 2alejándos e del orige n,
y de ahí nace la voz de «separación de polos». Obsérvese que esta sepa ración resu lta ev idente en la
situación descrita por la Ec. ( 13-55).
590 M icroelectrónica moderna

Ejemplo 13-8

Determi nar Ce cuando Q2 = 0, 1 en el amplificador del Ejemp lo 1 3 ~6 .

Soluci6n

En el Ejemplo 13-6 se calcularon a le y a n: como

a le = 156.0 + 159.5Ce ozc = 1794 + 657. IC e

Para que Q2 = 0,1, siendo T o = 202, la Ec. (13-36) dice que

To + 1 202 + 1 _
11 = Q2 = 0. 1 - 2O3O

Valiéndonos de la Ec. (13-53) tendremos

3 _ (156.0 + 159.5Ccl 2
20 O - 1794 + 657. ICc
y resolviendo la ecuaci6n cuadrática resultante se llega a Cc = 54,8 pF. En el Ejemplo 13-6 se hall6 que
= =
para Cc 55 pF, Q2 0,0966. Como n crece y Q decrece al aumentar Cc se espera una leve reducci6n de
Q2 para un ligero incremento de Cc' Obsérvese que en la ex presi6n de a IC ' un valor de Ce > 30 pF da
a le'" 159,5 Ce y a2e'" 651,7 e ; Por tanto .

159.5Cc
2.447 x I O~ rad /s
65 I.7Cc
y
2.447 X 10M
= 0.120 x lOt> rad/s
2030
Despeja ndo Ce
I
52.2 pF
159.5 X 0. 120 x 10'

ao en

I-- - r ---j Q2 QJ
•
ao en ee roen 0.6 en o.e an ""

Figura 13·22. Tripleen paraleloconcompensación decapacjdad en paralelo.

 Estabilidad y respuesta de Jos amplificadores reatimentados 591

Todos estos resultados son casi iguales a los valores reales obtenidos. Por tanto podemos llegar a la
conclusión de que esta situación es muy aproximadamente la del primer caso extremo antes comentado.

Compensación por capacidades en paralelo

Un inconveniente potencial de la separación de polos es que el cero en s = g"/(C r + C 2) también se
acercaal origen afectando al margen de fase y a los polos en lazo cerrado (Ejemplo 13-6). Una técnica de
compensación alternativaconsisteen añadir una capacidad Ce en la entradade la segunda etapa. como en
la Fig. 13-22. Como Ce está derivado a tierra, el cero introducido por la segunda etapa permanece en
gmlC,q. y suefecto sobreel margende fasees despreciable.Con los valoresde los componentesdelEjemplo
13-6. las Ecs. (13-51)y (13-5) se convierten en

a le = 156.0 + 7.5e e ns al C = 1794 + 262.46Cc (OS) 2

Resolviendo la Ec. (13-53)con n =2030 tendremos Ce =9430 pF. Evidentemente este valores mucho
más grande que el obtenidoen el Ejemplo 13-6. Además no se puede fabricar en un chip una capacidad
de 9430 pF lo que hace que esta técnica sea impracticable en el diseño de circuitos integrados.
Un segundo inconveniente de este método consiste en que mientras provee la separación de polos
adecuada. decrece el ancho de banda en lazo cerrado. Tomando Ce = 9430 pF se tiene
(/I e = 70.89}J.s l/ lC = 2.477 (jJ. S ) 2

de donde
W IC = 1.410 X 104 rad/s W 2C = 2.864 x Ilf rad/s

Ambos valoresson inferiores a los correspondientes al Ejemplo 13-6.

En consecuencia 0)" = ..,f¡ I + 1) ro l ro 2 es menor con compensación por capacidad en paralelo, y tal
como nos da la Ec. (13-43), se reduce el ancho de banda. También podemos observar que O)x < 0)2cuando
se emplea esta técnica y no se produce la separación de polos.

Análisis del lugar de las rafees (opciona l)

Los polos del amplificador en lazo abierto compensado vienen dados por
I + a le S + a lCs2 = O

,w

l') l b{

Figura 13-23. Lugar de las rarees mostrando (a ) se paración de polos. y (h) esrrec hamíec«. de banda de ambos polos. Se da la
situaci6n (a) cuando se emp lea la co mpensación por efec to Miller. y la situación (/1) cuand o SI.' emplea la de capacidad en para lelo.
592 Mtcroetectrontca moderna

(13-561
1+ ais + (/ ~S ~

Supongamos que Z I >002 , En la Fig. 13-23a se señala el lugar de los polos al ir variando C"
Evidentemente hay separación de polos, siendo esta la situación ex istente en los Ejemp los 13-6 y 13-8.
Alternativamente, supongamos ahora que 00 1< ZI <co2 indicando la Fig. 13·23b el lugar de las raíces.
Obsérvese que tanto oole como <02e son menores que sus correspondientes valores en el ampl ificador no'
compensado . Frecuentemente la compensación por capacidad en para lelo conduce a esta situación con
disminución del ancho de banda.

Resumen
Los pasos a seguir para el análisis y diseño de un amplificador rea limentado se pueden resumir de la
siguiente forma:

l . Empleando los valores de los co mponentes nece sarios para satisface r las especificaciones en el centro
de la banda, aproximar AOL(.S) y T(s) usando los métodos descrito s en la Seco 13-8.
2. Prueba de estabilidad como se indica en la Seco13-3.
3. Compensar el amplificador para tener aproximadamente la respuesta deseada en lazo cerrado. Para
predecir la respuesta en lazo cerrado se emplea la aproximación de dos polos ,las Secs. 13-5 y 13·6, Y
los métodos descritos aquí y en la Seco13-4 proporcionan las bases para la compensación.
4. Emplear cálculo simulado para obtener la respuesta en lazo cerrado y la función de transferencia en
lazo abierto.
5. Compa rar la respuesta del punto anterior con los valores previstos.
6. Ajustar los valores de los componentes para reduci r la diferencia entre las respuestas reales y las
previstas.
7. Repetir los puntos 4, 5 Y6 hasta obtener los valores finales de diseño.

REFERENCIAS

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York. 1984.
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NJ ., 1945.
 Estabilidad)' respuesta de los amplificadores realimentados 593

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10 Thom ron. R.O., C.L. Searle . 0 .0 . Pederson. R.B. Adle r. y EJ . Ange lo. Jr: "M ulristage Transistor Circuits,"
SEEC Co rnrnittcc Ser ies, vol. 5. pp. 108-1 18, John Wiley ano Sonso Nueva York, 1965.

TEMAS DE REPASO
13·1. Considerar un amplificador realimentado con función de transferen cia de un polo solo.
(a) ¿Cuál es la relación entre la frecuencia superior de 3 dB con y sin realimentación?
(b) Repetir la parte (a) para la frecuencia inferior de 3 dB.
(e) Repetir la parte (a) para el producto ganancia-ancho de banda .
13·2, Considerar un amplificador realimentado con función de transferencia de doble polo.
(a) Esbozar, sin demostración, el lugar geométrico de los polos en el plano s despué s de la realimentación .
(b) ¿Por qué el amplificador es estable independientemente de la cuanlfa de realimentación negativa?
13-3. (a) Indicar (sin demostrar) un circuito que tenga la misma función de transferencia que el amplificador
realimentado de doble polo.
(b) Esbozar la respuesta a un escalón tanto con sub-amortiguaci ón co mo con sobre-amortiguación.
13·4. Definir, para larespuesta de un amplificador de dos polos sub-amortiguado: (a) tiempo de subida. (b) tiempo
de retardo , ( e) sobrevalor o punta, (d) periodo de amortigu ación (e) tiem po de estabilización.
13·5. (a) Esbozar. sin demostración. el lugar geométri co de los polos de un amplificador de tres polos después
de añadir la realimentación .
(b) Indicar dónde el amplificador se hace inestable.
13·6. Consideremos un amplificador múltiple con 1sil Is 15 l.
< 21 < 31 < ... < J Sn Bajo qué circunstancia s la
respuesta con realimentación viene determina da por
(a) S I y S 2' y (b) por SI solamente.
13·7 (a) Definir la estabilidad.
(b) Para que haya estabilidad ¿dónde deben estar los polos de A,(s)?
13·8. (a) Explicar el criterio de Nyquisl.
(b) Dibujar el diagrama de Nyquist de un sistema estable.
(e) Repetir la parte (b) para un sistema inestable.
13·9. (a) Defmirel margen de fase 0 M
(b) Señalar 0 M sobre los diagramas de los Temas 13-8b y 13·8e.
13-10. (a) Definir el margen de ganancia.
(b) Señalar el margen de ganancia en los diagrama s de los Tema s 13-Sb y 13-Sc.
13-11. (a) Dibujar los diagramas de Bode correspondi entes a los tema s 13-Sb y 13-Sc.
(b) Identificar los margenes de ganancia y de fase en los diagramas de Bode del apartado anterior .
13·12. ¿Qué se entiende por compensación?
13· 13. Explicar con la ayuda del diagrama de Bode, cómo puede compensarse un amplificador.
13-14. Describir el método mediante el que se pueden determinar los dos primeros polo s dominantes de un
amplificador en lazo abierto.
13-15. (a) Si la respuesta en lazo cerrado muestra un polo dominante, ¿debe la respuesta en lazo abierto tener un
polo dominante? Expliquese.
(b) Comentar el punto anterior.
13-16. Describir la separación de polos.
594 Mtcroelectrontca mo derna

13-17. Comparar los m étodos de compensac ión del polo dominante por erec to Miller o por ca pacidad en para lelo .
13-18. (a) ¿Qué se entiende por realimen tación posiliva?
(b ) ¿Có moesfán relacionadosAr '1 A en un amplificador con real imentación pos itiva?
(e) Si T = - I ¿Cuál es la ganancia A,.?
 Características
del amplificador
operacional

El amplificador operacional (Amp-Op) es el más empleado de los circuitos Integrados analógicos. En

este capñulodescribiremos las propiedadesde los Amp-Op prácticos y relacionaremosestas caracterfstieas
con las técnicas del diseño de circuitos integrados analógicos. Siendo el Amp-Op un circuito mulüetapa
que casi siempre emplea la realimentación, las materias tratadas en este capúulo van unidas a muchos de
los conceptos discutidos en los Capúulos 10a 13.

14·1. ESTRUCTURA DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

El Amp-Op introducido en la Sec . 10-21 es una fuente de tensión de dos entradas gobernadas por
tensión. cuya tensión de salida es proporcional a la diferencia entre las dos tensiones de entrada. En la
Seco10-2 1 se describieron las características del Amp-Op y su empleo en los amplificadores inversores
y no inversores básicos. La respuesta en frecuencia de estos amplificadores se coment ó en la Seco11- 13.
En la Tabla 14·1 se resumen los dates del Amp-Op ideal y del práctico.

Tabla 14·1. Ca racterísticas del Amp-Op

Propirdad ki eaí Práctico (típicoJ
Ganancia en lazo abierto Infmita Muy aha (» 10' )
Ancho de banda en lazo abierto Infmita Polo dominanle ($O 10 Hz)
Relación de rechazo
del modo común Infinita A lta (~ 70 dB)
Resistencia de entrada Infinita Alt a (~ 10 MQ)
Resistencia de salida Cero Baja «500 Q )
Corrientes de entrada Cero Baja « 0,5 }lA)
Tensiones y corrientes offset Cero Baja « 10mV. <0,2 nA )

Vamos a examinar algunas de las razones que abonan los valores lisiados en la Tabla 14-1. Puesto que
las etapas del Amp-Op básico son amplificadores realimentados, es deseable tener una ganancia en lazo
abierto elevada (y por tanto una relación de retorno alta) para asegurar una dependencia exclusiva de la
ganancia en lazo cerrado respecte a las resistencias de realimentación RI y RI (véase la Fig. 104 2).
Análogamente, la mayor parle de Amp-op se diseñan para una función de transferencia que contenga un
polodominanle. Enestas condiciones. Jos productos del ancho de banda por las ganancias en lazo abieno
y en lazo cerrado son iguales. Asf. para una ganancia en lazo cerrado dada. el ancho de banda queda
prontamente determinado.
596 Mtcroetectronica I1UJ' /(' TlUJ

Para asegurar que la señal de salida sea pro porciona l a la d ife rencia e ntre las tensiones de entrada es
necesaria una e levada re laci6 n de rechazo de l mod o común . Con un va lo r a lto de és ta , las seña le s de l modo
co mún que frec uentemente contienen co mpo ne ntes en co nlinua afectan poco a la salida del amp lifica dor.
Para aproximarse a las características de un amplificador de tensión idea l, e l Amp-Op debe ten er una
resiste ncia de entrada a lta y una de salida baj a. La comente en ca da una de las dos entradas es idea lmente
nu la. Esta s corrientes en continua forman pa rte de las corrie ntes de polarización de la e tapa de e ntrad a y.
puesto q ue los c ircuitos integrados invariable men te están directamente acoplados. deben ser peq ueñas
pa ra ev itar interacciones no deseadas co n la fuente de seña l.
En un c ircuito integrado «ideal» podemos compag inar e xactamente las caracter ísticas del tran sistor
con los va lores de los componentes. Independien teme nte de c uan sofis ticada sea la técnica de fabricación,
en la précnca rea l es imposible una co mpag inac ión exacta. Las te nsiones y co rrientes «offset»! so n índ ice
de l desequ ilibrio del circ uito, q ue evide nteme nte de be ser baj o.

Estructura de dos eta pas

La mayoría de los Amp-Op disponib les en el me rcado emplean la estruc tura de la Fig. 14-1. Esta
co nfig uración en cascada, se denomin a corrientemente amplifi cador operacional de dos etapas porque
única men te e l amplificador d iferenc ial y la etapa de ganancia contri buye n a la ga na ncia de ten sió n global.
El amp lificador d iferencial se emplea como etapa de en trada para provee r las entradas inversora y no
inversora. la alta relaci6 n de rechazo del modo común. y la gran res istencia de e ntrada. así co mo la ga nancia
de tensión. La baja resiste ncia de salida del Amp -Op se logra po r la e tapa seg uido ra de em isor de sa lida.
El desplazador de nive l ajusta las tensiones en continua de form a que la señal de tensión de salida queda con
refere nci a a tierra. Se necesita ajustar los ni veles en continua porque las etapa s de ganancia e stán
directamente acop ladas. Como sea que no se pueden cons tru ir en un chip condensadores de ca pacidad
e levada. los ci rcuitos integrados quedan virt ualme nte d irec tame nte acopl ados . La e tap a de ga nanci a
interior es un amplificador de tensión de gran ganancia q ue se e mplea para tene r una gran ganancia e n
lazo abierto.
En el párrafo anterior vemos q ue las eta pas de entrada y de sa lida deb en re lac ionar el Amp -Op con e l
mundo ex te rior, es decir, que debe n servir de intermedia rios entre las fuent es de las señales de entrada y
el amplificador y entre el amplificador y la carga. Al d iseñar las etapas de e ntrada y de salida , a veces hay
que sacrificar la ga nancia pa ra conseguir una re lación apropiada con e l exte rior. En estos casos se aumenta
la ga nancia de la eta pa amplificadora interi or de forma que la amplifica ción rotal satisfaga las ex igencias
del d iseñ o.
Dedi caremos las cuatro secciones sig uiente s a la de scripción de cada una de las cuatro etapas de la
estructura de la Fig. 14· 1. enfocadas hacia las etapas BJT; los Amp-Op FET se verá n en la Se co 14- 10. En
los prob lemas ilustrativos de es ta sección se e mplea n los datos numéricos del Am p-Op lipa 741.
introd ucido en 1966 po r Fa irc hild Semic ond ucto r, Inc., ac tua lmente lo fabrica n m uchos con structo res.
74 1 emplea la estructura en dos etapas de la Fig. 14-1. y probablem ent e e s e l Amp-Op má s ext ens amen te
usado.

-.:
Amplificador ~ Etapa de Desplazador Seguidor
Entrada{s)
direrencial ganancia f-. de nivel f-. de emisor f- Salida
-
Figura 14·1. Arquhcc tura de un Amp·Op de dos etapas.

1 Se lrala de lensi",n.. y corrientes «de'pl l.ladao~ '" «descentradas» respeclo a Una posición central. No ex isliendo Una denom in.....ión
eomümrer ne aceptada en e"' lellano. respeumos el vocablo orig inal «offsel» (N. dtl T.l.
 Características del amp lificador operacional 597

14·2. LA ETAPA DE GANANCI A CON CARGA ACTI VA

La etapa interior del Amp-Op debe tener una gananc ia de tensión alta. En la Sec o lO-lO se demostró
que la ganancia de una etapa BJT depende de la resistencia de co lecto r empleada y del valor de p~ del
transistor. Frecuentemente en esta etapa se emplean transistores compuestos de alto ~~ tales co mo el par
Darlington Colector común-Emisor común en cascada (Seo. 1O~17 ) . Sin embargo no puede fabricarse
convenientemente en un chip una resistencia de co lector elevada, y aun cuando no fuera éste el caso, los
niveles de tensión resultantes no son practicab les. Por ejemplo. a través de una resistencia de 100 kil
conduciendo una corriente cont inua de I mA existe una caíd a de tensión de 100 V, por lo que se necesitaría
un suministro de potencia a más de 120 V para ob tener señales de salida de 20 V de pico a pico .
Evidentemente esto no es conveniente.
Para solventar esta limitación se emple an cargas activas. Una carga activa es una fuente de com ente
cuya resistencia de salida se emp lea en lugar de la de colector como se ve en la Fig. 14-2. La fuente de
corriente (carga activa) de esta figura está formada por un par de transistores latera les pnp Q3 y Q4 (Sec .
5-3). El emp leo de transistores Imp determi na el sen tido apropiado de la corr iente de colector en el
transistor npll QI y proporciona la gran resistencia de salida, Puesto que casi toda la corriente está en la
fuente y no en la resistencia de salida, queda solventada la necesidad de tensio nes de suministro alias.
También es evidente que la resistencia de salida de la fuente es, en el modelo de pequ eña señal , la
resistencia de co lector.

Carga activa

•
o', A la etapasiguiente

Figura t4·2. EJapaen emisorcomúnen la que la fuenle de corríeme seemplea como carga activa.

La recta de carga
Para demostrar la efectividad de la carga activa tracemos la recta de carga sobre las car acterísticas de
salida de QI . Supongamos que la fueme de corriente está diseñada para dar una corriente de I mA, y que
=
el transistor Iml' tiene una tensión Ea rly V" 100 V. La tensión de realimentación es de 15 V. Según las
leyes de Kirchhoff

- In := In y (14. ' )

La característica tensión-corriente de la fuente de corriente representada en la Fig. 14-30 refleja la

598 Mtcroetectronica moderna

lo - m"

100 1'' '

1.2
., 8O, A

" ----
1.O
60 1'; - - -
O8
40 1'''
O6 RecU. de carga
2O, A
o.•
o.2 1•• - 10 ,."

O
,
o 2 4 6 8 10 12 14 16
, b)

FiIU'" .".J.(a) Caraclerisüca lensión-corrie nle de una Ieemeoeccmeme. (b) Rmadecugl clWldo seemplea comOcargl lClivl .

tensión Early. La curva de la a es la de una resistencia no lineal. y siguiendo el método descrito en la Seco
4·1 1se puede construir la recta de carga de la Fig. 14·3b. La recta casi horizontal entre A y B co rresponde
a la gran resistencia r o = V) lel = 10011 = 100 kíl. Efectivamente si se prolonga la recta de car gas ( línea
de trazos) cortarlo el eje VCEI en VA = 100 V. Así pues. par a tener la misma recta de carga (entre A y B)
utilizando una resistencia de co lector se necesitará una ten sión de alimentación de 100 V. Ob servando la
Fig. 14·3b se ve que un pequeño cambio en 1' 1 produ ce un gran cambio en VCEI' y por tanto se ha
conseg uido una gran ganancia .
R, '•

•
v, e., r. '''1 ' 01 I
....".
. II UÍ<OI<

R,
'I¡ura 1...... CiJeuiloequivalenlt:a baja fJecuencia del de la Fig. t4-2.

Mode lo de peq ueña señal

En la Fig. 144 se representa el modelo de pequeña seña l de la etapa que con tiene Q I Yla carga activa.
 Características del amplificador operacional 599

Puesto que la resistencia de colector ro) de un transistor pllp frecuentemente es de valor comparable al de
la resistencia de salida r o l del transistor npll . ambas deberán incluirse en el modelo. La carga efectiva en
esta etapa es la combinación en paralelo de "01' y Rol Y la resistencia de entrada R, de la siguiente etapa.
Obsérvese que Ri también ha de ser grande para minimizar la carga. De no ser éste el caso, la ventaj a de
la carga activa se ve contrarrestada, y la ganancia de la etapa reducida, En la Fig. 14·1 la carga de la etapa
de ganancia es la resistencia de entrada del seguidor de emisor. Esta gran resistencia de entrada ayuda a
reducir el efecto de la carga en esta etapa.

Ejemplo 14-1

La Fig. 14-5 representa el esquema simplificado de la etapa de ganancia del Amp-Op 74 1. La fuente
de señal y la resistencia de fuent e rep resen tada comprende el equ ivale nte de Thevenin del
amplificador diferencial que sirve de entrada a la etapa de ganancia. El transistor P"P Q13B es parte de

R,
If.09 Mn j

v,
•
50kn loa n

Figura 14-5. Etapa de ganancia de un Amp· Op de lipo 741 . los transistores QI6yQI7 fonnan Ufl conjunto Cotecsor-ccm ün.
Emisor-común (CC-CEI. ylosQI 38 yQI2sonla carga activa. La combinación V ·R representa elequivalente deThevenin de
la etapa diferencial. • •

la carga activa de la fuente de corriente en la etapa. Los transistores están numerados correspondiéndose
conel diagrama delcircuito delamplificador completo de la Fig. 14·1 9. Los transistores están polarizados
a ICt 6 =16 ~ A e 1m =leoll =550 ~A. Todos ellos tienen Po= 250 Ylas tensiones Early son 100y 50 V
para dispositivos /lpn y pnp respectivamente. Supongamos I'Jt =O para todos los BJT.
Determinar la ganancia de tensión V) V,. la resistencia de entrada R'2y la de salida R;'l en esta etapa.

Soluci6n

La etapa de ganancia es una cascada Colector común-Emisor común. El diagrama esquemático del
circuito de pequeña señal es el de la Fig. 14-60. El modelo Incremental del circuito est é representado en
la Fig. 14-6b. Siguiendo el proceso descrito en la Seco10- 16 hallaremos primeramente la ganancia Ar¡
del seguidor de emisor (etapa en colector común). Mediante la Tab la 10-3 tendremos
(250 + I¡50

empleándose r... = {J.JR", = {3"V ,I1("l1o = 250 x f~ = 39 1 kn.

600 Microelectrónica moderna

r.16
(391 " 1)
+ +
V.16 +
R,
(6J)l) Mn)
v.1J r." J 8.... V. l• '-
(182 ill)
(1 1.4 Ul)
+ r... V.
50'" (90.9k!l)
100 0

Etapa CE
lb!

Fig ura 14-6. (o ) Representación en alterna de la Fig. 14-5. (h ) el c lrr uitu eq uivale nte de pequ e ña señal de (al vá lido a baja s Irec uen-
ctas.

La resistencia de salida de esta etapa (que actúa como resistencia de fuen te de la etapa en emisor co mún)
es, segú n la Ec. (10-52)
6090 + 391
R .. = 5011 250 + 1 = 17.0 kll

Véase que,." de Q I6 es W = 6.25 Mil Y6.25 M.o 11 50 kn = 50 xn.

La resiste ncia efectiva de colector para la etapa en emisor común es el valor de rodel transistor pnp de
carga, o
50
Re" = r..,. = 0.55 = 90.9 kn

La resistencia de salida ,.,,,, deltransistor I1pll Q 17 es

100
r"" = - = 181.8 k!l
0.55
Mediante la ecuaci ón de la ganancia dada en la Tabla 10·3 para una etapa en emisor com ún con
resistencia de emisor, se llega a
- 250 x 90 .911181.8
A, ·~ = = - 334
- 17.0 + 11.4 + 0.1 + 250 x 18 1.8 x 0. 1/( 181.8 + 90 .9)
 Caractertsticas del amp lificador operacional 601

La gananciatotal de la etapa es

La resistencia de salida de la cascada Colector común-Emisor común es la resistencia de salida de la

etapaen emisorcomún. Con los resultados de la Tabla 10-38 se obtiene

R;, = 90.9 11 [ 181. 8 (1 + 250 x 0. 1 )] = 71.8 kn

17.0 + 11.4 + 0. 1
La resistencia de entrada R'l es la resistencia vista mirando la etapa en colector común. La .esistencla
de emisor efectiva de esta etapa es de SO ka en paralelo con la resistencia de entrada R~ de la etapa en
emisor común. Así, de la Tabla 10-3 tenemos
R, = 11.4 + (250 + 1)0.1 " 36.5 kn
y
RE = 50 1136.5 = 21.1 kO

por tanto
Ru = 391 + (250 + 1)21.1 = 5.69 MCl

Limitaciones de las fuent es de corriente pnp

Los transistores pl1p tienen valores de I3F más bajos, menor corriente admisible y tensiones Early VA
inferiores que en los transistores npn, y en consecuencia la actuación de las fuentes de corriente pnp es
algo inferior a la de las npn. Los valores más bajos de VAse traducen en una resistencia de salida inferior.
Esta limitaciónpuedesuperarse empleando una fuente de corriente Widlar, Wilson o cascado, cada una
de las cuales tiene una resistencia de salida mayor que la de una puerta simple.
Paracompensar las otras dos limitaciones normalmente se emplean ciertos circuitos técnicos. Uno de
tales circuitos es la fuente de corriente compuesta pnp-npn representada en la Fig. 14-7. La fuente básica
está fonnada por los transistores pnp Q3 y Q4 mientras que los transistores npn Q 1 Y Q2 actúan como

Fuente de "v{r
corrienteprrp

1" Amplirtc adof

de corriente
compuesto np"

1'·
F1ilura 14-7. Fuentedecorrientemilua prrp.rrplI. Los transistores Ql y Q2 aculancomo emplíficedcres de corriente.
602 Microd utrónica moderna

amplificador de corriente. Si la relaci6n entre las áreas de los emisores de Q2 '1 Q I es AlA" entonces
tendremos

/.. - / N (1+ ~:) (14·2)

supuesto que los transistores npn tengan P, » AJA. (Prob. 14-4). La consecuencia de la Ec. ( 14-2) es la
de que se puede increme ntar la corriente de sa lida, pero sólo Q I '1 Q2 cond ucen la mayo r co rriente. Por
ejemplo supongam os que l. '" 100 ~A, que es un límite práctico para un transistor lateral pnp '1 que
hacemos AlA, = 4 entonces /o = 500 ¡..LA. Sin embargo, Q2 que es el transistor npnde mayo r área conducirá
la mayor parte de esta corriente (- 400 JiA).
Recientes adelantos en la tecnologfa permiten fabricar transistores npn '1 pnp co n características
complementarias. La fabricación de lates dispositivos resulta más cara ya que precisa de varios procesos
adicionales. Analog Devíces. Jnc., emplea esta tecnología en la fabricación de algunos de sus Amp-Op
u a iras productos analógicos integrados.

14·3. LA ETAPA DIFERENCIAL

En la Fig. 14-8 se representa la estructura básica de una etapa de amplificador diferencial integrado .
El elemento activo en la citada figura es un BIT (o FE1) o una etapa compuesta tal como una configuración
cascodo o un par Darlington (Sec. 10-17). La etapa de entrada diferencial tiene tres cerac terfstlcas
Importantes que son: la relación de rechazo del modo comú n, la resistencia diferencial de entrada R¡¿o '1
la ganancia A/MI del modo diferencial.

La relación de rechazo del modo común (CMRR)

La relación de rechazo del modo común de una etapa diferencial BIT se ded ujo en la Ec. ( 10- 30)
repetida por conveniencia en la Be. (14-3)

CMR R :: I + 2g...RE (14·))

en donde se ha supuesto que r. » R. y P.. » 1. La Ec. ( 14- 3) indica claramente que para que el CMRR
sea grande, lo ha de ser tamb ién RE' En la Fig. 14-8, REse ident ifica co mo resistencia de salida de la fuente
de corriente empleada en la polarización de los elementos activos. Si se emplea una fuente de corriente
simple y el elemento activo es un BJT, entonces R f; :: V...llo y g", :: 1~I2 VT ' (Recuérdese que cada mitad
del par diferencial acarrea la mitad de la corriente de fuente.} Empleando estos valores en la Ec. (14-3)
tendremos

CMRR= 2 (.!E..)(V A) = VA (14 ·4)

2V T v,
/0

En un transistor npn con V,. = 100 V, CMRR:: 100 V/25 mV = 4()()() o CMRR = 72 d B. Esta es
(aproximadamente) la relación de rechazo de l modo común mín ima aceptable anotada en la Tabla 1 4~ l.
Para aumentar esta relación debe aumentarse la tensión Early efectiva, es dec ir,la resis tencia de salida de
la fuente de corriente. LosAmp-Op con relaciones de rechazo de l modo comú n co mprendidas en tre 80 y
90 dB emplean nonnalmente fuentes de corriente wnsce, Widlar o cascado.
 Caractensttcas del amplificador operacional 603

- -- R R

- --
v.
:.-
- - -- "'- ~
1
7

fU CP R,

1
"1 Ib l
Figura 14·8. (a) TopologlabAskade un amplificadordiferencial. (b) Disposición en emisor acoplado de (al.

Resistencia de entrada Hu
La resistenciade entradadiferencial R~de la etapa diferenciales la resistenciade entradadel Amp-Op.
Para aproximar la entradade una fuente de tensión ideal gobernada por tensión, R~ debe ser grande. La
resistencia diferencial de entrada es
R,.¡ _ 2r "" 2{3.. = 2{3"V T (1 4·51
.. s; le
En la Ec. (14·5)observamosqueuna R~elevadarequiere corrientes de polarizaciónmás bienpequeñas.
Por ejemplo, para un transistor con ~. "" 250 Ysiendo R;,¡ = I Mn se necesita una corriente de colector
le= 12,5 ~A .
Paraaumentar RiJ se empleancorrientementedos técnicas: emplear etapas de entrada FET y emplear
en el pardíferencial transistcres de ~ elevado. El uso de etapas diferenciales FET,que se verán'en la Seco
14· 10, (procesos BIFET yBIMOS) dan unas resistencias de entrada superiores a 1011 n. Esta técnica se
emplea en el Amp-Op Analog Devices AD5449.
Cuandoel valor efectivo de ~Q de los elementos activos se incrementa con el uso de un par Darlington
con transistor compuesto, la impedancia de entrada aumenta apreciablemente. No obstante, otras limita-
ciones, como la respuesta en frecuencia, muchas vecesexcluyen las etapas de entradadel par Darlington.
El empleo de transistores super-ji (Sec. 5·3) en el par diferencial da una alta resistencia de entrada a los
niveles de corriente habitualmente tratados. Para un transistor super- P<P.. =5(00) polarizado a le = 12,5
~A, R~ = 20 Mn. Evidentemente, de una reducción de corriente resulta un aumento en ROl'

La ga nancia en el modo diferencia l A mi

Puesto que la etapa de entradadel Amp-Op es una de las dos etapas de ganancia conviene hacer que
604 Microelectrónica moderna

la ganancia en el modo diferencial A DM sea alta. En consecuencia, también en estas etapas se emplean
cargas activas. De la Ec. ( 10-86) se deduce

IAo.,,1 "" I~
On u
I " /3"R
r.
L
"" K,,,R L (14-6)

Recorda ndo que I 'lm = VJ2 [Ec. (10-9 1)] podemos expresar la tensión de salida diferencia l del
amplificador como

(14-7)

siendo R l la combinación en para lelo de la resistencia Re de la carga activa y la resistencia de salida ro

del elemento activo. De la expresión de K.., en función de la corriente de polarización resulta

(14-81

+ I'C{-
1+1S VI

r-;=====!:====::-, Fuente de
corriente lEE

Q8

• QI Q'
Entrada

QJ
Q'
1'oWu." " rr
(I 91' A l Sal ida

Q1

QS Ca rgas
Q6
act ivas

!ka soen !ka

~ vu
( - 1S V¡

Figura 14·9. Etapa de entrada del Amp·Op tipo 74 1. El elemento activo en el par difere ncial es tá formado por los transistores
cancelados CC-CB Q I-Q 3 y Q2-04.
 Coraclerútlcas del amplificador operaclolUll 60S

Esta últimaecuaciónpone de manifiesto que la transconductancia eficaz de una etapa diferenciales la

cuarta parte de la de un BIT únicopolarizado por una corrientede colector la'

EjempÜJ ]4·2

La Fig. 14-9 corresponde a la etapa de entrada del Amp-Op 741. Las combinaciones de transistores
npn-pnp 01 y 03 Y Q2 Y 04 forman el elemento activo del par diferencial. Las cargas activas las
proporcionan las fuentes de corrientede tres transistores OS, 06 YQ7. Los transistores Q8 y Q9 forman
una fuente de corriente pnp que se emplea para la polarización de base y asegurar que los transistores
permanezcan en su regiónactiva cuandono haya ninguna señalde entrada aplicada. Los transistores del
Ql al Q6 están polarizados a le = 9,5 ¡.LA, Y todos ellos tienen Po= 250. Las tensiones Early son de 100
y de 50 V en los transistores npn y pnp respectivamente.
Determinarla ganancia VjVl' la resistencia de entrada diferencial R1tI , y la resistencia de salida Ro.
Empléese la representación esquemática de pequeña señal de la etapa diferencial de la Fíg. 14-10.

Solución

Para analizar este circuito resulta conveniente el método de obtener el equivalente de Norton de la
etapa. La conversión del equivalente de Nortonal equivalente de Tbevenín dará la resistencia de salida y
la gananciade tensión. En la Pig. 14-10, Yde acuerdo con la ley de Kirchhoff,la = la + la' El elemento
activo compuestoQ2 y Q4 puedeconsiderarse como un seguidor de emisor (Q2) excitando Q4 conectado
comouna etapa en base común,es decir, un circuito cascodo. Esto se pone de manifiesto en el circuito
equivalente de la Fig. 14-lla. La resistencia de entrada de la etapa en base común es rJ(1 + Pa).. l/grnt
y puede representarse el seguidor de emisor por su equivalente de Trvenín -VJ2 en serie con 1/g"'2
como

1,·,
- '" A laetapa
de ganancia

Ika SOkO IkO

Flgufa 14·10. Representación de pequeñaseñal de laetapa diferencial de un Amp-Opde npc 741. La carga acliva es la fuenle de
corríenre con ganancia(QS. Q6 'J Q7).
606 Mtcroetectr óntca moderna

Q:
Q'
~
-1,.
Q'
- 1,.
r-
-'
,

Seg uidor de Etapa en base

e misor (etapa en comú n Carga lICIiva de
coiecroc común) gran res istend a

'"

l'
:.,¡ Carga
, r •• acriva

Equivalente de 'rhe vemn de la

e tapa en cclector comün
lb '
"'¡gura . 4· 11. la ) Otro trazado de l ci rcuilo de la Fig . 14 - 10 para mostrar las conex ionc:sCC-C B. (b) Ctrcuuo equivalen te de la
J2
pene del amplirltado r en base com ún. La e tapa en cciecroc com ún se ha sustiluido por su eq uiva lente de Thhen in V en serie
con I/K. ! . (,Ntlltr. se ha e mpleado e l concepeodel sem i-circu ilo pre sentado en la Se cc ión 10- 19 ).

se ve en la Pig. 14-l l b. O bsé rvese que en la condición de circuito ab ierto (Rn-)oo) la ganancia de la
e tapa en colector común es la unidad . y que con R. = O su resistencia de salida es rK / ( 1 + P)=o l/g.r La
comente 1", es. seg ún la ley de Kirchhoff para el lazo
_ _- ..;.V"'J2:::-_ - g. VJ
1.... := -
II g",: + I/g..,. 4
1/ I l.
ya queg. !y g~ son iguales purque 0 O = I lc~ Suponiendof .. » I . Cc~ = - In = s; Vj4. Por la simetría
del circ uito. In = R",VJ4. Y siendo l o la corrie nte en la ca rga act iva tendre mos 1C6 = In = K.YJ4. Por
tant o. la corriente de sa lida lo es

/ := ,I.'",lt" + ,l.'", V./ ,l.'", V"

" 4 4 := 2
Haciendo operaciones

9 .S
g", = = tl.JH m U y /.. = O.19V.1 mA
25
Tal como se ve en la Ag. 14·10 la resistencia de sa lida de la etapa es la combinación e n paralelo de
las res istencias de salida R". y R"" de Q4 y Q6 respec tivamente. La resistencia de salida de la e tapa en
colector común (Q2) actúa como resistencia de em iso r Q4 como se aprecia en la Fig . 14-12. Ambas
resistencias R... y R"" vienen dada s por

R. = r.. (1 +
 Caroaertsttcas del ampliflcador operacional 607

ya que R. = r. = O. Los valores paramétr ícos necesarios para el cálculo de RfM y Roo son

t. 9.5 1
g", ~ = g ",~ = g" 06 = V, = 25 = 0.38 mU -g",~ = -0.38 = 2.63 kll
r....
VA
= - = -
50
= 5.26 Mn , 06 -
,
lOO -
- -9.5 - 10.5 Mll
le 9.5
./!".. 250
r..~ = r..1> = = 0.38 = 658 kfl
g",~

250 x 2.63)
R ,,~ = 5.26 ( 1 + = 10.5 Mll
658 + 2.63

R,. = 10.5 ( 1 + 250 x 1) = 14.5 Mn

658 + 1
y

R" = R," 11 R,. = 10.5 11 14.5 = 6.09 Mll

1/'.,1

Q4

Ikn l R.

Cargaacuve
Figura t4 ·lZ. Representaciónde allema de laetapa diferencial empleada para poder calcular la reslstencle de salida Ro'

La tensión equivalente de Thevenin es

v" = I"R " = 0. 19Vd x 6090 = 11 57 Vd

Con lo que la ganancia de la etapa de entrada diferencial es

Al = V" = 11 57
V,
608 Microelectr ánica moderna

La resistencia de entrada del modo diferencial de esta etapa Ri<J es el doble que la resistencia de entrada
de la etapa seguidora de emisor Q2 (véase la Ec. (14-5) ). La resistencia de emisor de esta etapa es Ilgm4'
la entrada a la etapa en base común (Q4). Por tanto

R,,¡ = 2 ( r n ! + {3..,, + ')

¡; "' ~

o sea
R i" ::: 2 lMM + 6."iM) ::: 2.63 MH
La ganancia global de las dos primeras etapas es A lA2 220x 1157 2,54xlO}. Este valor es la = =
ganancia en lazo abierto del Amp-Op ya que tanto la etapa de desplazamiento de nive l como la de salida
seguidora de'emisor tienen prácticamen te una ganancia de tensión unidad. Norm almente los fabricantes
especi fican el valor mínimo de la ganancia en lazo abierto en 2x lOS. Las diferencias qu e puedan darse se
atribuyen a las tolerancias de elaboración en las corrie ntes de polarización. P y ten siones Early del p

trans istor. Además. los efectos parásitos relacionados con el sustrato tienden a rebajar la ganancia del
amplificador. En la Tabla 14-2 se resumen los datos del tipo 74 1 así como los de otros Am p-O p que se
estudian en este capítulo.

T ab la 14·2. Datos típicos de algunos tipos de Amp -O p

Tipo 74 1 LM 118 LM IOH AO 6 11 AD507K

(2 etapas) (3 etapas) e uper b (BIFET) (banda ancha)

- ·1.",iO. off« ,
d•••'..do ,mV) s5 s, :s O..'i 'S.'i
_ Corri. . .. d. pelan,ac ión ,nAl esoo s 2 ~ 1l s U.U2.'i s l~

- 'n<n,nI, off"" ' n"'\ s 2110 ", ~ ll s o.cm s l~

"
_ G. n....i••n 1.. <>.bi. ~o(d B \ ll1ó IUU I(I {)

se
- CMRR ,d8 1 9U
'" 1110

- R..i.l<n< i. d< . .. ,.d" {Mil >

, , IUO 11)" .111U
n. z
- RII"'" <1<'''''''''00 'V/IJ' ¡ U..'i 2: ~O
", .' ~

.l ~
_ fr"",u,n' i. do ~' n_ i . lI/I idacl,MH,\
_ F,,,,,,n. n<;' <1<
IO(KI
" 211{) MlU
l"'''I'": ¡.' ~ 1I1l 10
,
pi' ''''

- 1 1<,"1'" d. " " b,Io " <;'" , ~ , ¡ U J U.9

14·4. DESPLAZAMIENTO DE NIVEL

Puesto que no se pueden emplear condensadores de acop lamiento (si el amplificador ha de trabajar
con cont inua) se hace necesario desplazar la tensión de una etapa antes de aplicar su salida a la etapa
sigu iente. También se necesita un desplazamiento de nivel para que la salida sea muy próxima a cero en
el estado de reposo (sin señal de entrada). La resistencia de entrada de la etapa de desplazamiento de nivel
debe ser elevada para evitar carga a la etapa de ganancia. Asim ismo es conveniente que la resistencia de
 Características del amplificado r operacional 609

salida sea baja para excitar apropiadamente la etapa de salida. Un seguidor de emisor (Fig. 14-13) puede
servir de compensador y al mismo tiempo de desplazador de tensión. Si la salida V. se toma en el emisor,
el cambio de nivel será VlI • V = • V. l .. · 0,7 V. Si no es suñcieme esta variecién se deberá tomarla salida
j

en la unión de dos resistencias en la rama del emisor como se ve en la Fig. 14- I Jo. Entonces el
desplaumiento de tensión se ve acrecentado por la caída a través de R,. Esta disposición tiene el
inconveniente de que la tensión de señal sufre una atenuación R/ (R, + R1) . Esta dificultad se evita
sustituyendo RJ por una fuente de corriente /. como en la Fig. 14-13b. El desplazamiento de nivel será
ahora V.. - V, = - (V8t." + /.. R\) Yno hay atenuación en alterna para una fuente de corriente de resistencia
muy alta.
La Fig. 14-13c representa otro desplazador de tensión en el que se emplea un diodo de avalancha.
Entonces V.. • V, =- (Vil + Vi) ' También puede emplearse en lugar del diodo Zener un cieno número de
diodos pn polarizados en directo. Si la resistencia dinámica del diodo Zener (o de la cadena de diodos) es
pequeña comparada con R1 puede despreciarse la atenuación de la señal.

, v, v,
"
-•
R, R, v,
v.
l.

'" '" 'd

Figura 14· 13. De:spln adoresdc nivel empleando un seguidor de em isor.

El multiplicado r VII;
En la Fig. 14-140 puede verse una interesante fuente de tensión fabricada fácilmente en fonna
monolítica. Si la corriente de base puede despreciarse frente a la corriente en R}y R~ el circuito actúa como
un «multiplicador de V,u » debido a

V = -V"
R
IR) + R~) = VIIi: (I + -R
R
,) (14-9)
4 4

Esta fuente de tensión se emplea en lugar de R, de la Fig. 14·13a tal como se ve en la Fig. 14-14b. El
cambio de nivel en continua V, • V..se puede expresar

V¡- v, = Vn ( 2 + ~:) (14- 10)

La ganancia de tensión para pequeña señal, supuesto que P.. » 1 es

Al · =
V..
-v, --- -
I + K_ ~ R l +
K...~Rl
K_! (R l + R. IIl1 + K..., R~)
-
1
610 Microeíectr óntcamoderna

1', Q~

Multiplic ador Vl/E

R,

R, R,
r-

R,

'o, ,.,
.'¡gura 14-14. (a ) Un multiplicador VfII. es una fuente de tensión V. (h) El circuito anterior empjeado cc mo desplazador de nivel.

para M"'/?2» 1 y R ~ » (RJ + R )1(1 + 8m,R) , EI circuito de la Fig. 14·14b tiene la ventaja de que el
desplazamiento de nivel en continua depende de la relaci6n R'¡R( que se controla con precisi6n y que se
alcanza con ganancia unidad. El mayor inconveniente del circuito es que la dependencia respecto a la
temperatura de V" - V, es la misma que para BR~' (- 2,2 mV f e). La etapa elevadora del Amp -Op tipo 74 1
normalmente es un simple seguidor de emisor.

14·5. ETAPAS DE SALIDA

La etapa de salida de un Amp-Op debe ser capaz de sumini strar la corriente de carga, y su resistencia
de salida debe ser baja, A su vez, esta etapa debe proveer un recorrido grande de la tensió n de salida;

QI (sal)

Q2Corte

- 1' lIl " UN'

v,
Ql Co rte l' I I,' OS'

_ --L _
Q2 (~t )

- 1'/./

l ~l lbl
Figura 14-IS. Etapa de salídad c segúidor de ernisor cc mplementario. (l/ ) Esquema dcl circ uito, (h) Caracrerlsríca de transferencia
de tensión . El tramo hor izontal de la caracte rtstíc a e n las pro ximidades del or igen introd uce distorsién de cruce,
 Características del amp lificador operacional 6 11

r
f Polarización \ "

_ _ ..J. - 1'1'1: + V -,,,,,,

- I 'H
a

'o ,
'"
Figu ra 14-16, (a) Diodos conectados en serie en el seguid or de emiso r complementario . (h) En la caracterfstica de transferencia
de tensión no se acusa distorsión de cruc e. Sin em bargo, cuando Vi == 0, Vo no es nulo, sino igual a -V8E2'

idealmente la tensión de salida de pico a pico debe aproxi marse a la tensión total de suministro Vcc + Vu '
En la Fig. 14 -15a está represe ntada una co nfiguración común en la etapa de salida que posee estas
condiciones y que constituye un seg uidor de emisor complementario . Si la señal de entrad a V¡se hace
positiva, el transistor npn Q I actúa como fuente de la corr iente de alimentació n de la carga R¿y el transistor
tmp Q2 se corta, Contrariame nte, si V i se hace negativa Q 1 se corta y Q2 actúa como sumidero para
absorber corr iente de la ca rga, es decir para disminuir le Por tanto, si V¡ es una senoide, Q I conduce la
carga durante el sem iciclo positivo y Q2 durante el semíciclo negativo. Como cada transistor conduce
durante sólo la mitad del tiempo, el recorrido de la tensión de salida es el doble del que se puede alcanzar
con un seguidor de emisor de una sola eta pa.
Con el circuito de la Fig. 14-150 existe una dificu ltad fundamental debida a que la tensió n de salida
se mantiene virtualmete nula hasta que V i = Vl/flON I' Este fenómeno se denomina distorsión de cruce que

+VCC

R
R,

• V" ~

V,

- Vrr
Figur a 14· 17. Empleo de un multiplicador VBf (el recuadro seña lado V) para eliminar la distorsión de cruce en el seg uidor de
emisor ccrn ptemenrarío
612 Mtcroetear ánica moderna

-tl'cc +Vce

re
Q 13B

O"

R.
R,

R,
• V. ~

Q20

v, Q2J

- Vn -
Figura 14·18. Etapad e salida de un Amp-Op tipo 741. (No figura el circuito de protección.)
r--------------.,...~+ J'cc

QU A

QI36
Salida

Entrada Entrada
º"
O' O' OH
C,
40 en
39 kn Q ~O
OJ
+1',,, , "
Q23
+l'n

O'

O' Q"
O" A adj ust A
offset adjust
offset
Hn ..n soen ..n suen roo n

L-_~_~' 'L
I ,
-r-r- I I
I I
, LI_ , -...J
I
Red de polarización Amplificador Etapa de ganan cia Desplazamiento de nivel Etapa de salida
diferencial Ce -CE
Figura 14. 19. Diagrama esquemático del Amp-Op tipo 741.
 Caractensttcas del amplificado r operacion al 613

se puede observaren la característica de transferencia representada en la Fig 14-15. (En realidad, la salida
deja de ser cero para V,'" V lE (cut.in) Vv· 0,5V. Sinembargo, la conienteene l transistores tanpequeiiaque
la tensión de salida resulta despreciable}
Prácticamentese puede eliminar la distorsión de cruce aplicando una tensión de polarización V > 2 Vv
entre las dos bases, de forma que exista una pequeña corriente en los transistores en estado de reposo. Una
técnica habitual consiste en emplear un par de diodos pn conectados en serie como se indica en la Fig
14-J6. Es corriente fabricar los diodos DI y D2 como diodos BIT (Sec . 5-6). La característica de
transferenciadel circuitode la Fig. 14-100 es la de la Fig. 14-16b en la que se puede ver que prácticamente
se ha eliminado la distorsión de cruce. Sin embargo, la característica no pasa por el origen y con V, = O,
. '
V ;tOoRecordando que V se obtiene de la etapaelevadora de nivel, tendremos V = Ocon señal de entrada
cero haciendo que el valor de reposo V, sea aproximadamente igual a - Vm . .
Para eliminar la distorsión de cruce se emplea también el circuito de la Fig. 14-17. El bloque rotulado
Ves el circuito multiplicador V' Ede la Fig. 14· 14b que se emplea en lugar de los diodos DI y D2 en la
Fig. 14-160. La tensión de salida de este bloque está diseñado para aplicar aproximadamente 1,1 V entre
las dos bases. Así, ambos Q1 YQ2 conducen ligeramente por debajo de las condiciones de reposo.
Las etapas de salida de las Figs. 14-160 y 14-17 se emplean ambas en Amp-Op tipo 741 fabricados
comercialmente. La configuración básica de la etapa de salida está representada en la Fig. 14·18. Los
transistores Q14 YQ20 forman el seguidor de emisor complementario. Las pequeñas resistencias R6 y R1
limitan la corriente de salida. En lugar de los diodos DI y D2 se emplea el par Darligton QI 8 y Q19. Esta
disposición es preferible a la de dos diodos BIT conectados en serie ya que el par Darlington puede
fabricarse en menos espacio. La fuente de corriente de la Fig. 14-160 está fonnada en parte por QI3B. La
Pig. 14-19 es el esquema completo del circuito del Amp- Op de tipo 741.

14·6. TENSIONES Y CORRIENTES OFFSET

En Secciones anteriores hemos visto que el Amp-Op ideal está perfectamente equilibrado. es decir que
.
V = O cuando V = V = O. Pero un Amp-Op real acusa un desequilibrio debido a desajuste en los
"
transistores de entrada. Este desajuste da lugar a unas corrientes de polarización desiguales en los
terminales de entrada y a unas lensiones base-emisor también desiguales (Fíg. 14-20). Frecuentemente,
para equilibrar el amplificador se requiere una tensión offset de entrada aplicada entre los dos tenn inales
de entrada.
En esta Sección trataremos de los errores en corrientes y tensiones en continua que representan
desviaciones respecto al ideal y que puedan ser medidas. Además, describiremos las especificaciones más

r,
Inversor R"
'O . •
1', H, +
No inversor
roo
• A,. I ",

., '"
Figurl 14. 20. (a ) Corrie ntes de poI.,-iZlCión de entrada I, t e 1' 1 y I1 tensión offKI V.... (h) C ircuito equivalente dd Amp-Op
mOSlI'lOOo lu rorrienll:S de: polarizad Ófly 1I tensión offse1.
614 Microelectrónica moderna

importantes en el funcionamiento de los Amp-Op. El modelo idealizado de Amp-Op (Fig. 1041) debe
modificarse para incluir la tensión offset y las corrientes de polarización como se ha representado en la
Fig. 14-2Ob.
Las principales especificaciones empleadas para describir el funcionamiento del Amp-Op, son las
siguientes:
-Corr íeme de polarización de entrada : La corriente de polarización de entrada es la semisuma de las
corrientes separadas que entran en los dos terminales de entrada de un amplificador equilibrado como en
la Fig. 14-20. Puesto que la etapa de entrada es del tipo de la Fig. 14-9. la corriente de polarización de
entrada será l . =(1.. + 1. 1 )12 cuando Vo = O.
-Corriente offset de entrada: La corriente offset de entrada 1(1 es la diferencia entre las corrientes
separadas que entran en los terminales de un amplificador equilibrado. Como se aprecia en la Fig. 14-20.
tendremos 1,(1 i i 1.. - 1'1cuando Vo = O.
-v ariación de la corriente offset de entrada: La variación de la corriente offset de entrada M jliT es
la relación entre el cambio de dicha corriente y la variación de temperatura.
-Tensi án offset de entrada: La tensión offset de entrada Vio es la tensión que debe aplicarse entre los
terminales de entrada para equilibrar el amplificador.
-v ariacl án de la tensión offset de entrada: Es la relación IiV,jIiT entre el cambio de la tensión offset
de entrada y la variación de temperatura.
-Tensi ón offset de salida: Es ladiferencia entre las tensiones en continuaexistentes en losdos terminales
de salida (o entre el tenninal de salida y tierra si hay una sola salida) cuando los dos terminales están a
tierra.
-Recorrido del modo común de entrada : Es el campo de la señal de entrada de modo común dentro
del cual el amplificador diferencial se mantiene lineal.
-Recorr ido de entrado diferencial: Es la méxlma diferencia de señal que puede aplicarse con seguridad
entre los terminales de entrada de un Amp-Op.
-Recorrido de la tensión de salida : Es la máxima variación de salida que se puede conseguir sin tener
una distorsión significativa (con resistencia de carga dada).
-Ancho de banda a plena potencia : Es la frecuencia máxima a la cual se obtiene una senoide cuya
magnitud sea el recorrido de la tensión de salida.
-Reíaci ón de rechazo de la alimentaci6n (PSRR): Es la relación entre la variación de la tensión offset
de entrada y la correspondiente variación de tensión de una fuente de alimentación, manteniéndose
constantes las tensiones de las dem ésfuentes de potencia.
-Ritmo de variaci ón: Es la evaluación del tiempo de cambio de la tensión de salida del amplificador
en lazo cerrado con señales grandes.

eu ~ln l R'
R
(1 00\;01 .2.- R I.L
" ',. ,.• .
~~
R,

'r '
"
~

~
-1"

'.1 '"
Figura 14·21. Ejem plo ilusrrativo, Si en (a ) se descooecta P de lierra y se aplica a ~I una señal. se est' con sid«arxio un Amp.Op
no íuveesor, pero si por el contrario es p. el que se desconec't. de lierra Yal que se k aplica una se ñaf, el circuito se con vien e en
una etapa de Amp-Op illverson.. -
 Características del amplificador operacio nal 615

Ejemplo 14-3
(a) Las etapas inversoras y no inversoras de l Amp -Op tien en la m isma co nfig uración (Fig. 14-210) sin
tener apli cada ninguna señal de ten sión de entrada. Su poni end o que la te nsión offset de entrada V,o = O.
hallar la tensión de salida debida a la co rriente de pol ari zación de entrada cuando l /lI = / 8 1 = / B = IDO nA.
(h ) ¿Cómo se pueden e liminar los e fec tos de la corriente de po larización para que Vo = O! (e) Con los
resultados del apartado h calcular Vo suponie ndo que 18 1 - / B1 = /10 = 20 nA. (d) Supon iendo /i<> =O,
detenn inar V" c uando Vio = 5 mv. ( e) Hall ar e l valo r de Vo cuando IK , = 20 nA y Vi<> =5 mY.

SoJud 6n

(a) Como ya se mencionó en la Sec o10·21 , con va lores muy g randes de Aa existe cortocircuito en tre
los dos termin ale s de e ntrada. Por tanto, no ha y co rrie nte en R. La co rriente /8 debe es tar en R' yen
=/ =
consecue ncia \1" BR'. Parti endo de / B 100 nA se tien e
V.. = l OO x 10 '1 X 101, = 0.1 Y = l OO mY

(b) Añadamos una resis tencia Rl entre eltenninal no inversor y tierra como se ve en la Pig. 14·2I b. Si
Vo = O, R YR' están en paralelo (R UR' = Ro) y la tensión desde el terminal inversor a tierra es - lB!?"
Puesto que entre los terminales de en trada la tensió n es nu la - '(11 Rp debe ser igual a - IBIRlo (para 181 =
/81)
RR ' [00 x 1000 _ k
R , = R" = R + R' = 1[00 - 90.9 n

=
Si 18 1# 82' deb emos tomar 18 1 R 1 / B/? .
(e) Hagamo s ' II! = ' BI· /jO en la Fig. 14. 2Ih. En la seg unda part e se ha demostrado que entrando / B I en
los dos terminales. inversor y no inve rsor, la sa lida es Vo = O. Apl icando la superpo sición a las dos fuent es
de co rriente / (jl e /'0 pode mo s hacer ahora / 11 1 :::: O y hallar e l e fecto de 1,0' Siendo la caída a través de R I
igual a ' /lIR I = OY esta ndo los dos terminales de entrada a la m isma ten sión , la ca ída a travé s de R será
cero al igual qu e la co rriente en la m ism a R. Por tanto /'" fluye en R' y V" = ' /ioR 'y to mando valo res
numér icos
V" = - 20 x 10 -~ x lO/' Y ::.; - 20 m V
El signo de Vo no es significa tivo ya que 1.. puede 'ser positi va o negativa .
= O. en tonce s I Bl = IB2 Y de la seg unda parte , V" = O. Por tanto podemos supone r que las
(ti) Si / jo
comentes de pol arización de la Fig. l4·2 1b son nulas y co nsiderar só lo el efe cto de una te nsión Vioe ntre
=
los terminales de entrada. La ca ída en R I es nula (para / /11 O) apar eciend o V.. a través de R dando lugar
a una corrie nte VJR . Es ta misma corriente c ircula por R' (ya q ue IB2 O) Ypor tanto =
V" = Rv, (R + R ,) = V;"
(R')
1+ R

(e) Haciendo operaciones

V" = - I;,,R' + V,,, 1 +( 1R1')

S i se d ivide n por un factor M los valores de todas las resistencias, la salida debida a V", no se altera ,
mientras que la componente de V" debida a 1.. queda dividida por M . Las ganancias inversora y no
inversora dependen só lo de la re lació n de resisten cias y por tant o son indep endi ent es del factor M.
616 Mkroelectrónica moderna

R'

R'

R
Potenciómetro ~~M~-1 Potenciómetro ~-'lM'-'r-M'\r---Ó-­
oocu ( IOO kn) rsoeni (100 eu
-v R, -v R,
(100n¡ (lO O n¡

(,) lb)

Figura 14· 22. Circuitos de equilibrado de tensiones offset de salida de etapas de Amp-Op, ea) inversoras , y (b) no inverso ras.

Técnicas universales de equilibrado

Muchas veces, al emplear un Amp-Op se hace necesario equilibrar la tensión offset. Esto representa
aplicar una pequeña tensión continua en la entrada para que la tensión continua de la salida sea cero. Las
técnicas aquí tratadas permiten equilibrar la tensión offset en relación al circuito interior del amplificador.
El circuito de la Fig. 14·220suministra una pequeña tens ión en serie con el terminal de entrada no inversor
en el margen + V [R/ RJ +R 2] = ± 15 mV si la alime ntación esde ± 15Vy RJ = IOO kO, R1 = 1000.
Este ci rcuito es emp leado para equilibrar amplificadores inversores aun cuando el elemen to de
realimentaciónR' sea un condensadoroun eleme nto no lineal. Si el Amp-Op se emplea como amp lificador
no inversor, para equilibrar la tensión offset se utiliza el circuito de la Fig . 14-22.

R'
uo kn)

~~7
2
v.
R
no ni ( UT ..c- ~ v
R,
OOk!1) " I
100 en v,
100kn
.....
s,
- v'
Figura 14·23. Sistema para medir Vi", ls l e ¡sr

14·7. MEDICIÓN DE LOS PARÁMETROS DE UN AMPLIFICADOR

OPERACIONAL
En esta Sección describiremos los métodos prácticos de medición de algunos parámetros importantes
 Características del amplificador operacional 617

de los Amp-Op . Concretamente examinaremos: ( 1) ten sión offset de entrad a V. , (2) corriente de
polarización de entrada 18 Ycorriente offset de entrada 1;0' (3) ganancia de tensión en la~':> abierto AOL ' (4)
relación de rechazo de modo común, (5) ritmo de variación. En los circuitos que estudiaremos en esta
Sección , los Amp -Op cuyos parámetros se pretend e determinar se señalan AUT (Amplifi er Under Test,
amplificador en prueba). El AUT se conecta en cascada con otro Amp-Op atenuador que se señala BUF
que aumenta la ganancia en lazo abierto y permite ajustar la tensión de salida del AUT al valor deseado.
La tensión offset de entrada del BUF de la Fig. 14-23 se equilibra mediante el dispositivo de la Fig. 14-22
aplicado al terminal inversor. Puesto que el BUF está unido al lazo de realimentación, la diferencia de
tensión entre sus terminales de entrada es nula.
Despreciando la corrien te de polarización del BUF tendremos que Vo =- =
V' ya que V8 D. Por tanto,
la salida del AUT es siempre igual a - V' que puede fijarse a cualquier valor deseado desde una fuente de
tensión exterior.
El sistema de la Fig. 14-23 puede oscilar si no está adecuadamente compensado (Seo. 13-4).
Nonnalmente un condensador en paralelo con R' estabilizará el lazo (Seo. 14-8).

Tensión offset de entrada V,••

Para hacer esta medición hagamos V' = Ode fonna que V. = O. Se cierran los dos interruptores S, y S2'
Según el modelo de circuito de la Fig. 14-2Db. Si Vo = O, tendremos VI = OYentre los terminales inversor
y no inverso r aparecerá V¡'" En otras palabras Vit , del AUT está a travé s de R y la correspondiente corriente
V;jR (que es' mucho mayor que la comente de polarización) también pasa por la resistencia de
realimentación R' y por tanto

V = ~o (R + R' ) = 1001 Vio = 103V¡o == V3

La lectura de V3 en voltios nos da V"oen milivoltios. Obsérvese que V"' se mide con la salida de AUT
puesta a cero como co rresponde a la definición de la tensión offset de entrada, La relación de rechazo de
la alimenta ción se obtiene repitiendo la medición de V. con dos valores distintos de la tensión de
alimentación Va ' y calculandoli.V;/li. Vce representando li.V;"
(y li.Vcc) la diferencia entre las dos tensiones
offset (o de fuente ) de entrada.

Corriente de polarización de entrada

Abramos el ínterruptor S, y cerremos el S2 de la Fig. 14-23 Yhagamos V' = O. La tensión a través de
R es ahora , según la Fig. 14-20h, Vjo - R¡ 8 1 Y

R + R'
V = R (V,." - Rnl n) = IO'\ (V¡" - 104 / 81 ) ~ V4 (14-13)

De las Bes. (14-12) y (14-13) se deduce

nA (14-14)

Si se deja S2abierto pero se cierra SI siendo V' = Ose obtiene 18 2 procediendo como ante s, y la Ec. (14-
14) nos dará + 182 , La corriente de polarizaciónes 18 = (18 1 + 18 2)/2 Yla corriente offset es l; = 18 1 - 10 2'
6 18 Microelectrónica moderna

Ganancia de tensión diferencial en lazo a bier to A. = A fMt

La ganancia en lazo abierto se defmecomo la relación entre la tensión de salida y la tensión diferencial
de entrada. Una medición directa de AD.lol' basada en esta definición es sumamente dificultosa. Es esencial
que los efectos de las tensiones y corrientes offset de entrada en el amplificador en lazo abierto queden
prácticamente anulados pues de no ser asf ~a gran amplificación de la entrada desequilibrada puede llevar
el amplificador a saturación (mientras que debe funcionar en su región lineal). Si deseamos una salida de
por ejemplo 10 V siendo AfMt = 100.000 se necesitará una señal de entrada de 0,1 rnV cuidadosamente
ajustada. Con señales tan pequeñas las tensiones de ruido pueden ser inconvenientes. Todas estas
dificultades se soslayan empleando el AUT en lazo cerrado como en la Fig. 14-23.
Se cierran los intenuptores SI y S1 y se sitúa V' a la tensión de salida recomendada, por ejemplo a
-io v.
Entonces V" = + IOV. Como la resistencia de salida del AUT es muy pequeña en comparación a su
carga de 100 W tendremos según la Fig. 14-19b, AY¡ = Vo ' La tensión a través de la resistencia R entre
los terminales de entrada del AUT es V;~ + Vi' y por tanto

V = R +
R R ' (V¡" + V¡) "" 10'(V
. V,,) -= V ~
¡" + A l' 114· 151

Restando la Ec. (14-12) de la (14-15) tendremos (para Vo = 10V)

10.1 VO> 10"
A D AI = A.. = V~ V) ~ V~ V) 11 4-1 6)

Si se ajusta V' a + IOV y se repite el proceder anterior, se obtiene A. para una salida Vo =. 10V. Si se
desea la ganancia A..en carga sólo se necesita colocar la resistencia de carga adecuada RL entre Vo y tierra
mientras se llevan a cabo las mediciones como antes.

Flgura.4-14. Circuu o de loma y relención.

Para Ar = 100.000, V$- V.\ = O, IV. con muy poca precisión pues deben restarse dos números grandes
y casi iguales. La dificultadse evita de la siguiente forma. Las sustracciones requeridas en las Bes. ( 14-16)
y (14-17) pueden hacerse electrónicamente con el circuito de la Fig. 14-24. El Amp-Opes un seguidor no
inversor de ganancia unidad, de resistencia de entrada muy elevada. El condensador e almacenará la
tensión medida V1• La entrada a este circuito [denominado SHS deSamp/e-Ho/d-Substract (mu estreo-re-
tenci6n-sustracción)) es la salida V de BUF de la Fig. 14-23. El proceso experimental es el siguiente: Se
cierran S). S2 y S , Y V' = O de forma que V = V) se almacena en el condensador de gran calidad C.
Seguidamente se abre S.' y se sigue el procedimiento indicado más arriba para medir A. (o 1.. ). Entonces
V es V, (o V.) YVSIU = V, - V$ (o V. - V).

Relación de rechazo del modo común

La relación de rechazo del modo común la defme la Ec. ( 10-89) comoCMRR = I AI>M' IA I siendo ~I>M'
CM
 Caracterlsticas del ampliflcadorop eracional 619

la ganancia diferencial y A CM la ganancia de modo común. El circuito para su medición es el de la Fig.

14· 23 con los interruptores SI y S2cerrados, V' =OYuna tensión de señal V, insertada entre el terminal
no inversor y tierra. Estas modificaciones llevan a la red de la Fig. 14-25. Aplicando la Ec. ( 1O-92a) al
AUT, siendo Vo = O.
(14-17)

Para hallar VDM YVCM buscaremos primero VI y V2 de la Fig. 1 4~ 24 . Evidentemente. VI = V" Empleando
la superposición tendremos
R' R R (14-18)
V2 =
V. R + R' + V R + R' ,." V • + V R'

R'
IlOk fil

R , -, Vo '" o _
(10 m
-, ~UT

-,
• IOOkn * "" roo in
~ -e-
Figura 14·25. Medición de la relaciónde rechazode modo común(CMRR).

puestoque R' » R. La tensión diferencia V.,es la tensión Yl a través de Rf Si tenemos en cuenta la tensión
offset de entrada (Fig. 14-2Ob) Yempleamos las Bes. ( 14-17) y (14-12) siendo R'»R se obtiene
VR R
Vd = 2VOM = VI - V2 - VI" = - K - v/o = - R' ( V + v }) (14- 19)

y
V + VR (14-20)
• 2R '
Sustituyendo las Bes, (14-19) y (14-20) en la (14-17)

- A OM
R (V + V}) +
2R' A CM
(V,
V+R2R)
' = O (14-21)

Puesto que ADM » Ac....... e l cuarto término de esta ecuación puede despreciarse frente al primero. Por
tanto. si designamos por VI> el valor medido de V se obtiene

( 14-22)

Pa r a CMRR = IO l , RIR' =2 x lO·} Y V. = IOV ha lla rem os q ue Vf> + V} = O,IV. Para V... = 5mV,
VI = 5V. Por tanto, V, = - 4.9V teniéndose muy poca precisión de esta medición ya que deben restarse dos
1,
tensiones grandes y casi iguales Iv, 1y IV) Esta dificultad se solventa cambiando la entrada a un nuevo
valor V; y midiendo el nuevo valor de V que llamaremos V~ . y de acuerdo con la Ec. (14-22) tendremos

CMRR 2~' (V:' + V}) = V;. (14·23)

620 Microetectr énica moderna

Restando la Ec. ( 14-22) de la (14 -23) se elim ina V, quedando

2R' V' - V
CMRR ~ R V; _ V: (1 4-24)
Si V' = 5V , V. = - 5V , CMRR = l eP Y R'/R = 500 tendremos V' . - V, =O,IV. No o bstant e, esta resta
puede h~cerse ahora electrónicamente co n el circuito SH S de la Fig. 14- 24 . El interru ptor 53 se cie rra
para med ir V, y se ab re para med ir V', .

14·8. RESPUESTA EN FRECUENCIA Y COMPENSACi ÓN

Muchas veces se pide que la respuesta en lazo cerrado de las eta pas básicas inversora y no inve rsora
del Amp-Op tenga un funcionamiento de polo dominante para todos los valores de la ganancia en lazo
ce rrado y baja frecuenci a. Así, el Amp -Op puede estar represen tad o por una fun ción de tran sferencia de
un solo polo. En Secciones ante riores se ha demostrado que los polos en c ircuito abierto deben estar
amp liament e separados y el margen de fase 0", ser de apro ximadamente 90° para tener este tipo de
respuesta en lazo cerrad o. Por ejemplo, para que los polos en lazo cerrado es té n separados por lo menos
en tres octavas (Q 2 S 0,1) la separació n de polo s necesaria [Ec. ( 13-36) ] es tl 2: T J Q 2 2: lOTo. Una década
de separación en la respuesta en lazo cerrado requiere Ql S 10/121 Y 1/ ~ 12,1 To' Puesto que T ... Aa/A F el
máximo valor de T se tiene con A, = 1, es decir q ue la etapa de Amp-Op se em plea como se parador de
ganancia unidad. Por tanto el funcionamiento de polo dominante req uiere que n2:12.1 siendo Ao e l valor
de Aoc. a baja frecuenc ia. Con los valores típicos de Ao ("" I{P) los po los en lazo abierto de ben estar se parados
más de se is décadas. Esta separación sólo se puede conse guir estrechando la banda (compe nsan do) del
amplifi cador en lazo abierto. Obsérvese que para aume ntar Q (dis minuir 0 ",) se necesita co mpensación
de bido al e levado va lor de Ao. C iertamente, sin compensac ión la respu esta en lazo cerrado del Amp-
Op de dos etapas clásico es inestable. Esto se puede demostrar fácilme nte para un Amp-Op tipo 74 1. El

- '.In
~
•
~

&

o - I HO

,n' ,O' ,u'

!O'
2 ~ Io'
IW ' O'
"' '"
s K10'

Figur a."'26. Diagrama asinl6niw de Bode de la ¡ananeil en lazo abierto del Amp-Op tipo 74 1. (Ohs~rWH:i6tr; se "- empleado
unl aptOlI.irnlC i6n de dos polos.)
 Características del amplificador operacional 621

análisis de este amplificador da x, = 2 x IO'. a ¡ = 8.86 px Y.. u! = 4.10 ps de donde los dos polos domi nantes
sen
1
./; 2 7T(11 IX.O k H l
'n
~ ~

x 1:'\ .8(1
a, 1:'\ .8(1
h 344 k Hz
'n x 4. 10
~ ~ ~

27T 1/ !

El diagrama asint6ticode Bode de la Fig. 14·26 ha sido trazado basándose en estos valores. Obsérvese
que aun cuando AOL(s) contuviera sólo los dos polos en - 2Tt1 1Y- 27t1l, 0 M se apro xima a cero y desemboca
en una respuesta en lazo cerrado inaceptable. En la práctica , el desplazamient o de fase introducid o por los
polos no do minantes hace que 0 M < () provocando la inesta bilidad. Por tanto. el amp lificador en lazo
abierto debe compensarse.
En la mayoría de Amp-Op comercia les la compe nsació n puede ser interna o adapt ada.

Compensación interna
La red de compensación se fabrica en el propio chip sin que normalmente esté previ sta una co nexión
exterior a ella. El fabricante especifica el margen de fase para una ganancia unidad en lazo cerrado. El
Am p-Op 74 1 está diseñado de esta forma. Más frecuentemente se emplea la compensación por efecto
MiIler.

Compensación adaptada
El fabricante no compensa el Amp-Op. El encapsulado integrado contiene termin ales que permiten el
acceso al amplifi cador interno de forma que se puede conectar una red de compensaci6 n exterior. El
usuario es el responsable de compensar el amplificado r para adaptarlo a su ap licaci6n particular. Uno de
tales amplificadores es el LM 108.
A veces se emplea una combinación de amb os métodos: el fabricante compensa hasta tener un margen
de fase dado para una cierta ganancia específica (normalmente mayor de la unidad). Además se prevén
accesos de forma que el diseñador del circuito puede modificar 0 M y compensar el amplificador para una
ganancia unidad .

Compensación por efecto Miller

El procedimiento más sencillo y corriente de compensació n consiste en conectar un condensador entre
la salida y la entrada de la etapa de ganancia. Este método es similar a la compe nsación del triple en
paralelo del Ejemplo 13-5. Debido al efecto MilIer el valor efectivo de la capacidad de compensación Ce
se ve incrementado por la ganancia de la etapa. Así, los elevados valores de capacidad necesarios se
consiguen con condensadores pequeños que cabe fabricarlos en el chip. Aunque empleados extensamente
en la compensación interna, las técnicas del efecto Miller se aplican también a la adaptada.
El Amp-Op 741 emplea un condensador de com pensaci6n de 30 pF conectado como se ve en la Fig.
l4-27a . El circuito equivalente de pequeña señal de esta etapa está representado en la Fig. 14-27b en la
que los valores numéricos son los obtenidos en los Ejemplos 14-1 y 14-2. El modelo de la Fig. 14-27b
puede modifi carse para hacer la fuente gobernada dependien te de VI como se ve en la Fig. 14·28 ya que
622 Microelectrónica moderna

+ I'("C

Polarización ~---j Ql 3B

Al desplazadorde nivel
Ce
y a la etapa de salida
Salidadel;
amplificador ~---l--j QI6
diferencial
R.
Q 17 (6.09 Mm R~ 2{71.8 kU)

50 en • •
loa n R" A ,.¡J',
Y, 1', (5 .69 MUl ( -220 V,l

Etapa de gananciaCC-CE.

(. ) (b)

Figura 14-27. (a) Etapa de gananciaCC-CEde un Amp-Op tipo 74 1con condensador Ce de compensación por efecto MilIer. (b )
Circ uito equivalentede dicha etapa.

VI = (Ra + Rn ) Vj R'"1' La forma del circuito de la Fig . 14-27 es análoga a la usada para calc ular la resiste ncia
asociada con C~ en el BJT (Eje mplo 11-2). Por tanto
R1r = 16.09 11 5.691 ( 1 + 4551 + 0.0718 = 1340 Mll
Ycon la Ec. ( 13-5 1)
a le =: al + R~cC c = R lfcCc = 1340 x J O 40 .2 ms

La frecuencia del polo dominante es

I I I
II =: -2rr
- "-lc = ~
2 -rr-R~~"c-C~(-. 2 rr X 40 • 2 X 10
1 = 4 .0 Hz ( 14-251

El polo no domi nante más próximo debe estar separado de en TJ Q2. Suponiendo que los polos en fl
lazo cerrado estén separados una década , n = 2xIOS/(JO/121) = 2,42x106 y12 = n/l = 9,68 MHz . En la Fig.
14-29 está representado el diagrama asintót ico de Bode del amp lificador compensado y según el cual
f G "" 0,8 MHz y ~M "" 90112 • Las curvas de trazos de la Fig. 14-29 son las características de magn itud y de fase
del amplificador no compe nsado. Los valore s calculados par a el Amp-Op 741 son:!. = 5 Hz,f = 15MHz ,
l
=
f G = 1 MHz y 0 M 84º. Estos valores se corresponden aproximadamente con los medidos. La diferencia en
el margen de fase es debida al desplazamiento introducido por los polos no dominantes.'
En la Secc. 134 vimos que con frecuen cias por debajo defr; , puede representarse T(s ) co n una función
de un polo TJ( 1 + s/2rcfl). Así ,l a frecuencia de cruce de gananciafG"" TJ I viene determinada por el polo
de la etapa de ganancia. Un método alternati vo para calcular el valor de condensador de compensación se

z Si se emplea el valor calculado de A,, " 2,5)(105. fo " I MHz.

3 Usando Aa = 2)(lQ5. el valor especificado por el fabricanle. com:spondc a R"'cc = 1070 M!l Yresulta f l '" 4,95 Hz y f o = 0,99 MHz.
 Caractensticas del amplificador operaciOllal 623

6.09 hin

• 1 1.11 en
• •
v, VI $.69 Mil
- 4SSV,

Figura 14-28. Represemaciénequivalentea la Fig, 14-27ben la que la fuente gobernada depende de Vr

basa en el circ uito de la Pig. 14-30. La fuente de se ñal g-Y ./2 es la corr iente de salida del amplifi cador
diferenciallEjemPIO 14-2) y el amplificador de la Fig . J4-30 es la etapa de gananci a. Como la ganancia
es grande, v"l» 1 1
VI y en fonna análoga al análi sis de las etap as del Amp-Op (Sec . 10-21 ), según la
ley de Kirchhoff
RmV, / ( 14·26)
= = - jwC( ·V"
2

Iln

•••
Magnilud

~
-e 60
-é
3
80

••••
Nn oompellslldo
o
,.
o
~
e
~
'a
~

" ro
•a
u,
~ ,

"
- 90'

20

o
, S 10 10l 10' 10' lO' 10'
Frecue ncia HI.

Figura 14.29. Diagrama asiméücc de Bodemostrando la compensacióndel Amp-Opde tipo741, Las curvasa trazosccrresponden
alamplificador no compensado.

En la Be. (14-26) se ha supuesto una excitaci ón senoidal. La frecuencia fa se determina cuando

I V,/V I = 1. Resolviendo la Ec. ( 14- 25)
J
e
e

-I

-. ...,-VJ
""po'"
altaganaoc:ia
ce-CE,
"'tgura 14-30. Representación alternativa de etapa de ganancia empleada para determinar el valor de e necesario para la
cornpe nsacién. e
624 Microelectrónica moderna

114·27)

Tomando para el Amp-Op 74 1. g... = O.38mU (Ejemplo 14- 1) YCc =30 pF. el cálculo numérico de
la Ec. ( 14-27) nos da
0.38 X IO- l
41T X 30 X JO- 12

'la que 1, =IJTo' I I = 1.01 x 1(Y>f2 x lOs =5 Hz

corno se ha indicado anteriormente. Este simple método resulta útil ya que f e; es aproximadamente el
produ cto ganancia por ancho de banda del amplificador en lazo cerrado. Conociendo f e; y To podemos
calcular el valor del condensador de compensación necesario a partir de la Be. (14-26).

Ejemplo 14-3

Una etapa no inversora que emplea un Amp-Op tipo 74 1 se diseña para que tenga una ganancia 10 en
lazo cerrado. Determinar0 ..., y Q de este amplificador.

Solución

Para obtener la ganancia Am = 10 en lazo cerrado emplearemos la Ec. ( 10- 10 1) que nos da
R2 R2
10 '" I + - o - = 9
R, R1
La relación en retomo de la etapa a baja frecuencia es
R1 Ao Ao 2 x JOs
To = A a "" = - = = 2 x 10"
R , + R2 I + R~R , AI-'u 10
La frecuencia de cruce de la ganancia es:

i., » Tuf . '" 2 x lfrl x 5 = 100 kH z

Puesto que la fase de T Uro) no varía al variar T(I el margen de fase se obtiene a partir de la Fig. 14-28
siendo 0 ..., = 90". Haciendo uso de la Ec. ( 13-36) tendremos

V "Tu
Q = -- -
~
-
'o =
~ 2 X lO4
= 0.0909
11 + 1 11 2.42 X IOfo

Obsérvese que este valor de Q es notablemente inferior que Q = ~ = 0 ,287, valor necesario para
tener una separación de una década de los polos en lazo cerrado. ConQ = 0,287 YTo = 2x l<r la separación
necesaria en lazo abierto es 1/ '" TJQz =2,42 x Io-s. La compensación interna para AftI = I en la 74 1 se
convierte en sobre-cc mpensaciénc uando A, > l . Es decir. que el amplificador en lazo abierto tiene menor
banda de la necesaria para lener la respuesta en lazo cerrado.
La compensación adaptada permite al diseñador seleccionar el valor de C{" que cumpla los requeri-
mientos del circuito en particular que se construya. Además el diseñador del circuito no queda limitado
al uso de la compensación por efecto Miller, sino que puede emplear otras configuraciones de circuito
para alcanzar el margen de fase deseado.
 Características del amplificador operacional 625

Co ns idere mos un Amp-Op 741 no compe nsado en el que el lenninal al que va conectado C c (Fig.
14-27) sea accesible desde el exterio r. Supo ngamos que se dese a una frecuencia de cruce de la ganancia
de 1 MHz (la misma frecue ncia que la del compensado interiormente de ganancia unidad) para AFo= 10.
Entonces. tal como se ha determinado en el E jemplo 14 -3. T(J =2 X ler. Puesto que la pendien te de la
caract erística de magn itud de T{s) es de -20 d B/década para J < Jro' se us a el diagrama asintóti co de
=
Bode (Fig. 14-3 1) para obtene r J, 50 Hz (Sec. 13-4) . Seaén la Ec. (14 -25) el valor nece sario de Ce es
1
Ce = :::: 2.4 pF
21t X 1.34 X Uf X 50

UO

....
. ,
]
]
.
, Li ~1]

~Bl:" ~" .
01 2
•
j
I ..
10'
II:! .-
,O'
.... -
'O'
Frecuencia. Hz
lO' ,O'
~ .-
,O' 10'

rllur a 14-31. Diag..-ma asinlól:icode Bode <magnitud) plInI compensar a voluntad un Amp-Op tipo741.empicado paraICOC't una
ganancia cn milad de: b banda (Iaro cc:lUdo) de: t O(20 dB).

Obsérvese que este valor Ce es mucho menor que el e mpleado e n el Amp-Op compen sado
interiormente. y con f. ::: 50 Hz aumenta el ancho de banda de T(s ) (con un factor 10). Las ven tajas de la
realimentación negativa alcanzan a un campo de frecue ncias más am plio en esta etapa que si se em pleara
un 74 1 con com pensación interior para alcanzar A FO 10 . =

Ca ncelació n polo-cero
También se puede lograr el estrechamiento rl.. h<lTlda mediante la cancelación polo-cero (Sec . 134 ).
R,

v.~-{l....
Entrada
invcrsora

R•
. . . . . . . 00
inversora
~. l h)

figura . 4-31. Dos circuilos empleados pan la compensación por cancelllCi6n dd poíc-eeee,
626 Mtcroetectr éntca moderna

Esta técnica se utiliza en el caso de que el diseñador pueda ajustar las frecuencias de polos y ceros. Los
circuitos de la Fig. 14-32 muestran dos métodos mediante los que se puede introducir un cero en la función
de transferencia en lazo abierto. El análisis de estos circuitos es el objetivo de los Prob. 14-32 Y 14-33.
Para compensar un amplificador realimentado se pueden emplear mucha s otra s configuraciones de
circuito. Para aumentar el ancho de banda de T(s) se usa una forma de red de compensación que haga que
T(s) tome la forma
To (1 + s/wz)
n s) = (14-28)
(1 + s/ w,.Y ( 1 + s/w~ )

La Fig. 14·33 es el diagrama asintótico de Bode de la Ec. (14-28 ), para la magnitud. La curva de trazos
en esa Figura muestra el grado en que T(s) se estrecha si se emplea compensación simple, para tener la
misma frecuencia de cruce. Observando el diagrama de Bode se ve claramente que el mayor ancho de
banda de 1'(3) es el de la Ec. ( 14-28).

14·9. RITMO DE VARIACiÓN

El valor de la capacidad Ce usada para estabilizar el Amp-Op y tener la respuesta en lazo cerrado
deseada , se calcula mediante el análisis de pequeña señal . También tiene importancia el funcio nam iento
del Amp-Op cuando se le aplica una señal de entrada grande. El ritmo de variación, definido en la Seco
14·16 co mo el ritmo máximo de ca mbio de la tensión de sa lida dVJdl..... . señala la limitación del Amp-Op
con gran señal.
En muchas estructuras en dos etapas el ritmo de variación es directamente proporcional al tiempo
necesario para cargar el condensador de compensación. En la Fig . 14-30 se representa el modelo de
Amp-Op útil para determinar aproximadamente el ritmo de variaci ón. La corriente 1 que excita la etapa
de ganancia es la salida de la etapa diferencial. Aplicando la ley de Kirchhoff tendremos
d
/ = / ; - Ce dI (V" - Vil (14-29)

puesto que la ganancia de la etapa Colector-común-Emisor-común es elevada I V~ 1» I v,I e /1 puede

despreciarse comparada con t. Por tanto

- Cc -
av..
(14· 30)
dI

I TI. dB

, ,', ¡,i -40 dB/década

""
:,, '
,,
,, -20 d B/década

Figur a 14·33. Diagrama asint61icode Bode (magnitud)paracompensacióndedos polos y uncero. la líneade trazosextendiéndose
hacia T~ es para_compensación por efecto MiIler.
 Caractensucas del amplificador op eracíorw l 62 7

La máxima corriente que puede suministrar la etapa diferencial es el doble de la de colector en reposo
observada en la característica de transferencia del par en emisor acoplado (Fig. 3·38 ). Así
¡IV" R' .. . 2/ c
-J ;; umo vanacro n = -
I c..
Para un Amp-Op 74 1 (l e = 9.5 ¡.tA Ye¡.= 30 pF) el ritmo de variación es de 2 x 9.5/30 = 0.63 V/¡.ts.
Substituyendo la Ec. (14·27) en la (14· 31) resulta
. ,. . 81tl c ¡
Ritme vilnaClon = - - " (14-321
Km
y como.s:. =Ir/V r. la Ec. ( 14-32) se conviene en
Ritmo variación = 81t\/ de; t 14-33)

En la Ec. (14·33) se observa que el ritmo de variación aumenta al aumentarjá. la frecuencia a media
banda con ganancia unidad del Amp-Op. Sin embargo el crecimiento de fa está limitado por la respuesta
en frecuencia de los transistores empleados. En un Amp-Op de dos etapas tal como uno de tipo 741, sólo
se puede aumentar fa marginalmente puesto que f r del transistor lateral pnp es del orden de 5 a 10 MHz.
Normalmente se consigue un aumento apreciable de fa empleando estructuras de tres etapas. El «National
Semiconductor LM118» es uno de tales amplificadores confa = 15 MHz y ritmo de variación de 50V/¡.ts.
También se puede mejorar el ritmo de variación disminuyendo K", para una f G dada. Hemos visto
anteriormente que una resistencia de emisor disminuye la ganancia de una etapa en emisor común (Sec.
10· 11). En consecuencia el valor efectivo de 8. para la etapa se reduce para una corriente de po lariz aci ón
dada resultando así aumentado el ritmo. El empleo de una resistencia de emisor en la etapa de entrada de
un Amp-Op 741 mejora el ritmo de variación en por lo menos un orden de magnitud.

Efecto del rit mo de variación sobre una señal de ent ra da

Consideremos una etapa de Amp-Op de ganancia unidad y no inversora polarizada con ±15V de
suministro, a la que se le aplique una tensión de entrada en escalón de l5V . El Amp-Op tiene un rilmode
variación de O,5V/¡.ts. Como la tensión de salida V.. no puede variar en más de O.5V/J.1s.la onda de salida
será como la de la Fig. 14- 34. La salida V" no alcanza los 15V, que es el valor esperado, hasta que hayan
transcurrido 30l-ls.
Consideremos ahora que la tensión de entrada V, a esta etapa de Amp-Op es V, = V", sen rol, Sin
limitación en el ritmo V = V sen oor. y
• •
1'.

Entrada Salida
1< ' - - - - - - -,- _

o 10 10 JO -lO 50

r l&ura 14·34 . Respuesta de un Amp-Op a una entrada de tensión en esca lón anc ho ev idencíandoel ritmo de variación .
628 Microetectr ánica moderna

dV. V... co s e s
- ::: W (l4·J41
dI
El m áxime valor de dVJdt se alcanza en e l cruce por ce ro de la se ñal de en trada, es decir, cuando rol
=mt siendo ti::: O, 1,2.,. Asf
e/V,, ¡ ::: wV... (l4·J51
dI ....n

Una reprod ucció n fiel de esta senoide requiere que roV.. sea igual o menor que el ritmo de variación.
Co nV = 15 V y un rilmo de O,7V/JJ.stendremos: ro ::: ribnOvariaci6nIV ::: 0,5 X 10"1I5 =3,33 x 1000radls
o/::: ~1t 5.31 kJfz co mo frecuencia máxima de la señal de en"'trada que puede am plificarse sin
=
distors ión. La onda de la Fig. 14-35 es la co nsecuencia de aplicar una señal de e ntrada se noidal de ISV,
cuya pendiente máxima es mayor que la del ritm o de variación . O bsérvese e n dicha figu ra la distorsión
que aparece en la proximidad del cruce por cero de la onda de e ntrada .

14·10. CIRCUITOS DIFET Y DIMOS

La implantación de iones (Sec . 5-2) hace co mpatible la fabri cación de JFETs (o MOSFETs) y BITs
en un mismo chip. El ténnino «tecnología BIFET (o BIMOS)>> se emplea co mú nmente para c ircuitos
integrad os fabricado s por este procedimien to.
Todo Amp- Op BIFET (o BIMOS) emp lea FET en la e tapa de entrada y BIT en las restan tes . Tales
am plificadores con etapas de entra da 1FET fueron introducidos prim er amente en los años 70. Hacia
med iados de los 80 se prod ujeron comercialme nte circuitos BIM OS , Las etapas dife renci ales de transis-
tores de efecto campo tienen varias ventajas respecto a las etapas de entrada BIT: mayor resis tencia de
entrada de l modo diferencial , menor corriente de entrada y por tanto menores corrientes offset , y mayores
ritmos de variación.
La res istencia puerta-fuente de un FET (cas i circuito abierto) comparada con r. de un BIT explica la
muy alta resistencia de entrada. frecuentemente las etapas diferenciales FET tienen resi stencias de entrada
de más de cuatro órdenes de magnitu d superiores a lo que se puede conseguir con BIT.
La corriente de polarización de en trada de un 1FETes la corriente inve rsa de sa turación I (;SS de la unión
puerta- canal con polarización Inversa . Norm alm en te es ta corriente es mucho m ás peq ueña q ue la comente
de base de un BIT polarizado para tenerle = ID' Camal iIo ::: IGSS es mu y peq ueña, la corriente offset causada

F1gun .4- 35. ErCC10del rilloode 'tarilCtón sobre una sellal senoídIl.
 Características del amplificador operacional 629

por desajustes del circuito es también muy inferior a las que nacen en los circuitos BIT. El uso de etapas
diferenciales MOSFET reduce aúnmás estas cantidades ya que la corriente de fuga a través del óxido de
puertaes muy inferiora ' GSS del JFET.
Para un valor dado de la corriente de drenaje ID' el valor de Kmen un FET es inferior al de un BIT
polarizado a l e = lo' Así, como se ve en la Ec. (1 4·32) una reducción de Km' para un valor dado defG,
aumentael ritmode variación. Este valorrebajadode K",se convierte generalmenteen una menorganancia
del mododiferencial A DM en una etapaFET, comparadocon los valores de AV M conseguidoscon circuitos
BIT. Parasuperar esta limitación, los Amp-Op BIFET y BIMOS emplean muchas veces unas estructuras
de tres etapas tales como los descritos en la siguiente Sección. Las características del «Analog Devices
AD611» figuranen la Tabla 14·2.
Una ventaja ad,icionalde lasetapasde entrada FETes su menor ruido lo que es debido al hecho de que
los FET son de por sí menos ruidosos que los BIT.

14·11. AMPLIFICADORES OPER ACIONALES DE TRES ETAPAS

La mayor parte de Amp-Op de alta frecuencia y BIFET (BIMOS) utilizan tres etapas (una etapa de
entradaamplificadora diferencialydosetapasde ganancia)ademásde la etapa dedesplazamiento de nivel
y la de salida de seguidor de emisor. La Fig. 14· 36a muestra la estructura típica, y la Fig. 14-36b es el
gráfico del recorrido de la señal en este amplificador. Obsérvese que esta estructura es similar a la de

Redde
n:lllimen-
- laci6n
f,
Redde
- resumen-
IllCilín 1-
t,

• - '"P"· Primer. Sesu nd.

elapade
~l?lazador
demvel ~
" enlnnla el'pll~
SllllllllciaD 1- y elapa '"
di1j<n:nciaJ SallllllC la" l 2 dc ulida

- GanallCiaA D Ganancia .. I

L. '''''''
n:. limen.
lIIdlín -
direclaud

,.,

,bj

Figura 14,36. (a) Disposición de unAmp-Opde tres etapas. (b) Representación gráfica del recorrido de la señal en (a) .
630 Microelecuó,,;ca moderna

múhiple lazo «nido» de la Fig. 12-42. Con tres etapas que proporcionan la ganancia en lazo abie rto, puede
reduci rse g de la etapa diferencial para mejorar el ritmo de variación (Ec. ( 14·32)]. Además, la estructura
de realimeri'tación multi-Iazode tres etapas se puede diseñar para tener mayores valores de la frecuencia de
cruce loque los que se obtienen en los Amp-Up de dos etapas. Así, queda incrementado tanto el ritmo de
variación com o la banda con ganancia unidad.
Como cada etapa contribuye con un polo dominante en el amplificador en lazo abierto , se dificultan
la estabilización y la compensación. Tanto las redes de realíment acl ón f y 12 como el circuito de
alimentación directa al sirven para compensar el amplificador. Clásic amente, cada uno de estos ci rcuitos
es una red Re, preferiblemente al solo condensador empleado para compensar un amp lificador de dos
etapa s. El lazo de realimentación conjuntof alrededor de ambas etapas de ganancia se em plea para obtener
un polo dominante en la función de transferencia en lazo abierto. El lazo de rea limentación interio r11 se
diseña para hacer que el polo de la segunda etapa de ganancia sea el polo no dom inante de l amplificador.
Con la red de alimentación directa se introduce un cero en la funció n de transferencia de l amp lificador.
El desplazamiento de fase positivo de este cero mejo ra el margen de fase y ayuda a estabilizar el
amplificador . Además, el desplazamiento de fase positivo tiende a aumentar la frecuenciaf, de cruce -de
ganancia (Prob. 1.. ·33). El LM 11 8 de la «National Semiconductor» es un Amp-O p de tres etap as con
banda de frecuencia con ganancia unidad de 15 MHz y un ritmo de variac ión de 50 V/Jls. En la Ta bla 14-2
figuran los datos relativos a los Amp-Op descritos hasta aquf en este capítulo.

14·12. OTROS TIPO S DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES

En los Amp-Op disponib les comercialmente se emplean otra s varia s co nfiguraciones. En esta Sección
describirem os tres de ellas: la estructura de una sola etapa, el amplificador de instrumentación, y el
amplificador ope racional de transconductencia (OTA).

..- .,.",
"
.
.... pl; r~....
di fen:na &l
- -
,.,.,..
<Xspt.
den;wl
- ....... 1-
u1idl
»,

-'----

Figurl . 4·37. Diagnun l de bloques de la disposición de un Amp-Op de una etapa.

Estructura de etapa única

Empleando una estruc tura de etapa única se puede cons truir un Amp-Op de alta velocidad con ritmo
de variación de 50V/~s y ancho de banda a ganancia unidad de 15MHz. Para alcanzar este resultado se
emple an configuraciones de circuito relativamente simples, pero ello supone procesos de fabricación muy
complejos. Porel contrario, la configuración de un circuito complejo de tres etapas se apoya en los procesos
normales de fabricación de circuitos integrados. El Amp-Op de etapa simple consiste en una etapa de
entrada diferencial, un desplazador de nivel y una etapa de salida como en la Fig. 14-37. La estructura de
la etapa diferencial está representada en la Fig. 14-38 en la que el elemento activo es un par de transistores
npn en conexión Darlington. La carga consiste normalmente en tran sistores pnp en conexi ón cascad o
excitando una carga npn también en conexión cascad o. T al como se describió en la Sec. 11· 11 I~
configuración cascado da un mayor ancho de banda para una gana ncia dada que la que da una etapa f..i.
emisor común. Esta disposición es la que proporciona un mejor funcionamiento a alta frecuencia. Par:-
 Características del amplificador operacional 631

ello se necesitan transistores pnp de alta frecuencia, excluyendo por tanto los dispositivos laterales pnp ,
La mayor complejidad del proceso de fabricación procede de la nece sidad de fabricar transistore spnp con
valores de PF • P. yfTcomparables a los de los dispositivos npn. Un incon venient e de estos Amp -Op consiste
en que la ganancia con lazo abierto '1 baja frecuenci a es del orden de 10 veces menor que la alcanzable
con circuitos de dos y de tres etapas (típicamente 80 dB en co mparación con 100 dB indicados en la Tabla
14-2).

Amplificadores de instrumentación
Los transdu ctores son dispositivos que convierten una magnitud fisica '1 sus variaciones en una señal
eléctrica . Como eje mplos de transductores se pueden citar las galgas de espesores, los pares tennoeléctri-
cos '1 otros. Cada uno de estos transductore s engendra una pequeña señal de diferencia que normalmente
debe amplificarse. Los amplificadores de instrumentación dan una salida qu e es múltiplo preciso de la
diferencia entre dos señales de entrada.
Se puede fonnar un sencillo amplificador de instrumentación mediante un Amp-Op co mo se ve en la
Pig. 14-39. Por superposición, '1 suponiendo que la corriente de entrada al Amp-Op es despreciable
tendremos

v., "" R,I +R, (1

R~
+ R 2 ) V,
R,
R, V
R, '
(14-361

114-37)

+1'«

C><gu
activas

Entrada no Entrada
inversora inversora

-"CE
Figura 14·38. Etapa de amplificador diferencialempleando transistores en conexién Darllngten, excitando una carga activa.
632 Microelectrónica moderna

Si las señales VI y V2 tienen resistencias de fuente R.. y R>'l' estas resistencias se suman a R) y RI
respectivamente.
Obsérveseque la fuente de señal VI ve una resistencia R) + R4 = 101kO.Si V2 =Ola entrada inversora
está a la tensión de tierra y por tanto VI queda cargado por R r- Si esto es una carga excesiva para el
transductorse puedeponerun compensador de alta resistencia precediendo cada entrada de la Fig. 14-39.
El sistemade tres Amp-Opresultante en la Fig. 14-40 es un amplificadorde instrumentación de continua,
con muy alta resistencia de entraday una relación de rechazo del modo común mejorada. (Ya que en un
chip pueden ir dos, tres o cuatroAmp-Op,el costo de esta configuraciónes reducido.)
Es fácil demostrarque la ganancia de cada separadorAl y A2 es igual a la unidad para la tensión de
modo común, pero que es alta para la señal diferencia. Como la tensión entre los terminales de entrada
del amplificadorescasicero,el nudo superiordeR está a la tensión VI y el nudo Inferiorde esta resistencia
a V2• Si consideramosuna señalde modocomún, VI = V2 y la tensión a través de R es nula. Por tanto, no
hay corrienteporR ni porR'. En consecuencia, V' 2 = V2 y V' 1 = V¡ y Al YA2 actúancomo un amplificador
de gananciaunidad. No obstante, si V¡#V2 pasa corriente por R y R' Y V' I - V' 2 > VI - V2 • Así, la ganancia
diferencial y la relaciónde rechazo del modocomúndel sistemade dos etapas han crecido por encimadel
circuito de etapa únicade la Fig. 14-39. Prosiguiendo este análisis (Prob. 14-38) tendremos

v, = (t +
2R') R
R R:(V2 - VI) (14-38)

R. CI OOkm

R,
n Hl )
v, •
v,
R,
( 1 km
V
R,
v.

(100 km

Figura 14·39. Amp-Op empleado como amplificador de instrumentación. Haciendo R¡lR2 ::: RJ /R4 se hace que Vosea propor-
cional a V2 - Vl

v, •Al R,

R' R,
v'a
R
R' ,
v' R,

R,

Figura 14·40. Amplificadorde instrumenración mejorado.

 Características del amplificador op eracional 633

Obsérvese que la ganancia diferencial puede variarse utilizando para R una resistencia ajustable.
El sistema consistente en solo A l , A2, R Y R' es un ampli ficador con doble salida (amplificador de
=
salida diferenciaf). Evidentemente yo 1 • V' 1 (1 + 2R'/R) (VI - VJ.
También existen disponibles en el mercado empllficadores para instrumentación monolíticos (en un
solo chip). Estos están diseñados para que tengan una resistencia de entrada diferencial muy alta (> lOO
MO) y una relación de rechazo del modo común extremadamente e levada (del orde n de 120 dB ). Se
necesita la resistencia de entrada diferencial para minimizar los efectos de la carga tanto en el amplificador
como en el sistema de medición. Como es frecuente el caso de amplificar señales diferenciales muy
pequeñas (= 10 J,lV) en presencia de señales de modo común relativamente altas (del orden de IV) se hace
indispensab le que los amplificadore s de instrumentación tengan una relación de rechazo del modo común
de valor extremadamente elevado.
Contrariamente a los circuitos de las Figs. 14-39 y 14-40, los amplificadore s de instrumentación
monolíticos se diseñan para trabajar en condiciones de lazo cerrad o, es decir, sin realimentaci ón global .
La ganancia del amplificador la detennina la razón entre dos resistencias Re; y Rjllamadas de ganancia y
de senlido respectivamente. Estas resistencias exteriores de precisión se conectan para que queden situadas
en el amp lificado r y aisladas respecto al ci rcuito de entrada. En co nsec uencia RJ y Re; no cargan la fuente
de la señal de entrada y se pueden ajustar para tener gananci as entre 1 y 1000.

R, R, R, R,

• • .~ )
A,

1/(' 1
I' n Iln I(".~ J

• 01 02 OJ Q' r.
y.
T~.
R, tensiónde

R.
j" - t.•
refermcil

-'.
j" ¡" ¡
1,

- y~~

F1gurl 14-41. Amplificador de in5tI'umesltaeiónmooolflico(AnaJa g De'l ices ADS21).

El AO 521 de cAnalog Devices» es un amplificador de instrumentació n monoHtico clásico cuya

COnfiguración tiene la forma mostrada en la Fig. 14-41. Las corrientes de referencia de las fuentes de
634 Microeleclr6nica moderna

corriente emparejadas/ l./2,I, e I~ las generanlas salidas del amplificador Al' Con Vj~ = O. es decir, cuando
la señal diferencia es nula y con la condición de modo común, el circuito está equilibrado con l . = /2 = /)
=/~ . Las entradas a A2 son iguales por estar equilibradoresultandoque VD=O. La aplicación de una señal
diferencia V¡~;t() hace que las corrientes de emisor en QI y Q2 estén desequilibradas. Aplicando la ley de
Kirchhoff al lazo que comprende V..' Ro y las uniones emisor-base de Q I y Q2 tendremos

- Vin + VBl." 1 + 1c;Rr; - V II U = O (14· 39 )

Puesto que V' EI =V,n ' despejando la de la Ec. (14-39)

_ ViII
(14-401
IG -
R(i

El desequilibrio varía las señales de entrada aA I • cambiando la corriente de referencia a las fuentes de
corriente 1I e 12, Las conexiones de salida deAI son tales que cuando se produce un desequilibrio, la salida
tiende a ajustarse por sí misma y hacer que 1CI =I n ' Ladiferenciaentre 11 e 12 es. según la ley de Kirchhoff,
la corriente la en la resistencia de ganancia Ro' Análogamente, las fuentes de corriente 1) e 14 están
desequilibradas y existe una corriente diferencia 1s en la resistencia Rs'
La actuación de A2 cuandose desequilibra el circuito es semejante a la de Al; así la salida de A 2 tiende
a hacer 1el =le' Puesto que V. es la diferenc ia entre las tensiones de base de Q3 y Q4 ,
V" = IsRs ( 14.4 1)
Lascorrientes 1se 1G son iguales aconsecuencia deemplear fuentes de corrientediferencialemparejadas.
Combinando las Bes. (14·40) y (14-41) se tiene

-
V"
:: A ~, = -
e, (14·42)
v, Ro
Evidentemente. ajustando la relación entre resistencias se pueden conseguir distintos valores de Av.

El Amplificador de Transconduclancia Operacional (OTA)

Un convertidor de tensión a corriente (Sec. 12-1)es un amplificador que da una corriente de salida
proporcional a una tensión de entrada. A la constante de proporcionalidad se le llama transconductancia
del amplificador. Un OTAes unamplificador en unsolochipen elque la transconductanciaestá gobernada
mediante una resistencia conectada exteriormente.
La Fig. 14-42 representa un circuito OTA simple en el que los transistores Ql y Q2 forman un par
diferencial. Las corrientes de colector de QI Y Q2 son las corrientes de referencia de las fuentes
complementarias (Q7-Q8 y Q9·QIO) que excitan la carga. La transconductancia variable de la etapa está
gobernadapor la resistencia exterior RI y la tensión de suministro Vr El ajuste de estos valores detennina
lacorriente de referencia 1/1 para lafuen te de corriente Q3 y Q4. Puesto que 1,'4 =/ /1 las corrientesde colector
son Id =Ir2 = 1,/2 lo que hace 8,.1=8"'1 =8... =1,/ 2Vr• Las corrientes de colector Id e 1<2 son g", V¡fl y
-g",V,j2 respectivamente. Estas corrientes de referencia hacen que 1" 0= Ir/'> = K,' yj2 Y por tanto
1" = 8",Y,,, = I/1V,j2Vr· Evidentemente. variando Rl • VI o ambas se pueden modificar la ganancia de la
etapa. Además. si RL « R.. de las fuentes de conie nte de salida. entonces

A\, :: -
V" t.s; = -
= -
INR I.
- (14·43)
v, v, 2V r
lo que significa que la ganancia de tensión del circuito se controla por la corriente de polarización l•.
 Caractenutcas cet amplificador operacional 635

,.'•~--l

- vu
Flguf l 14·41:. AmplifiOldor de uansconduclancil operacional.

14·13. AMPLIFICADORES OPERACIO NALES MOS

Los Amp-Qp Metal-Oxido-Semiconductor se emplean en aplicaciones integradas a gran o muy gran

escala en las que funciones anal6gicas y digitales del circuito se cumplan en un mismo chip. Las
aplicaciones típicas del Amp-Op MOS son los convertidores analógicos a digital (NO) Y digital a
analógico (OlA) (Sec. 16-5) y los filtros activos (Seo. 16· 16) empleados en el proce sado de señales
digitales. Actualmente no se dispone de Amp-Op MOS encapsulados ya que sus cualidades son en genera l
inferiores a las de los circuitos bipolares. Sin embargo. estas cualidades inferiores son suficientes en
muchas aplicaciones. y se tiene la ventaja de la gran densidad de componentes alcanzable con la tecnología
MOS.

Circuitos NMOS
La estructura básica del Amp-Op NMOS representada en la Fig. 14·43 es un derivado de la de dos

&,uilll>f

.~
de (ue nle
I C,
~ ,;
,•• AlnpM~ador
di(~ rmci.1
do"
"
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l~nni ...1D
1--
&,Wdot
C. "'po" AIJIplill.
~ v
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2 'U1&IICia
""'"
dc ..:JidI •

FlgUfI 14-4J. Disposición clis ica de un Amp-OpNMOS.

636 Microelectrdnlca moderna

etapas descritaen la Seco14-1. En parte,la modificaciónde la configuración del circuito es debida al hecho
de nodisponer de dispositivos complementarios. Por tanto no se pueden emplear en los Amp-Op bipolares
circuitos análogos a la etapa de salida seguidora de emisor complementaria y a la carga activa pnp
La etapa diferencial de entrada de la Pig. 14-44emplea como carga activa fuentes de corriente NMOS.
Como puede verse en las Figs. 14-43 y 14-44, se tiene una salida diferencial, alimentando cada salida un
seguidor de fuente. El desplazamiento de nivel es debido 8 Jos seguidores de fuente; las salidas de estas
etapas forman la señal de entrada a las etapas de ganancia y de salida.
+ 1'"00

j---+--~ Al seguidor de fuenle 1

j-- _ Al seguidor de (uc:ate 2

'-1
y.

- v~

Figura 14·44. Una etapa diferencia l NMOS con ca rga activa. Obsérvese que existe una dobl e salida excitando cada una de ellas
el seguidor de fuenle expuesto en la Fig. 14-43.

La gananciade tensión que se puedeconseguir con las etapas diferenci al y de ganancia es poca, debido
al reducido valor de g. en un transistor NMOS (comparado con el de un BIT con la misma corriente de
reposo). En consecuencia, la etapa de salida proporciona alguna ganancia de tensión, de forma que la
ganancia en lazo abierto del Amp-Op resulta adecuada (de UX)() 8 10.<XX». Obsérvese que estos valores
son por lo menos 10 veces inferiores a los que se obtienen en circuitos BIT. La compensación la
proporcionaelcondensadorCe (efecto Miller) conectado entre la salida y la entrada de la etapa de ganancia.
La alimentación directa a través del seguidor de fuente 2 ayuda a la estabilización del amplificador e
incrementa el margen de fase en forma muy parecida que en el Amp-Op de tres etapas (Sec. 14-11 ). Se
necesita la alimentación directapara minimizar los efectos del desplazamiento de fase introducido por la
etapa de ganancia en S " gjC e: Debido al bajo valor de gOl el cero se localiza en las proximidades de la
frecuencía de cruce de la ganancia; por tanto, no se puede despreciar su desplazamiento de fase. (paca g",
=0.5 mU y C;c =20 pF. la frecuencia del cero es de aproximadamente 4 MHz. Si el ancho de banda de
ganancia unidad ha de ser de entre 1 a 5 MHz.. evidentemente se debed tener en cuenta eldesplazamiento
de fase del cero.)

Amp-OpCMOS
El inconveniente de la falta de dispositivos complementarios en tecnología NMOS se solventa
empleando circuitos CMOS. La Fig. 14-45 muestra una forma simplificada de Amp-Op CMOS típico.
 Características del amplificador operacional 637

Al circuito
de refe rencia ~--~­ Q7
.de fuente

Q'

- 0-----1 QI ,
e
Q'
v" v"

Q' r
-v~

Figura 14-45. Circuito de Amp-Op CMOS de dos etapas. O bsérvese que la etapa de ganancia lo es también de salida. Puesto q ue
la salida alimenta la entrada a o tra etapa CMOS (supues to), no es necesa ria la baj a resistencia de salida de un seguidor de fuente.

Tal como se ve en la figura, se emplea una simple estructura de dos etap as consistente en una etapa
diferencial de entrada y otra de ganancia. Esta última sirve tambi én de etapa de salida del Amp -Op.
Las fuentes de corriente 11' 12 e IJ son fuentes PMOS similares a la de la Fig. 10·15 . Los transistores
QI y Q2 son los elementos activos de la etapa diferen cial. La fuen te de corriente NMOS formada por Q3
y Q4 sirve como carga activa de la etapa. La etapa de ganan cia comprende Q5 y su carga activa suplida
por la fuente de corriente Ir
El amplificador se compensa con el condensador C. Este condensador se conec ta a la salida por medio
del seguidor de fuente (Q6 y su carga activa , 2) , Puesto que la ganancia del seguidor de fuent e es próxima
a la unidad, e queda efectivamente conectado entre la salida y la entrada de la etapa de ganancia. Por
tanto, en la salida de la etapa diferencial el efecto de C es el de capacidad de en trada MilIer de la etapa de
ganancia. Sin emb argo, el efecto del seguidor de fuent e es aislar e de la salida como representa la Fig.

Seg uidor de fuente buffer

de ganancia unidad

~f--<1--l
: !

,N 1"' ¡' ;
Figu ra 14-46. C ircuito com pensador para un Amp-Op MOS . El seg uidor (buffer) de ganancia unidad permite la compensació n
por efecto Miller sin acompañar el movim iento del cero en la función de transferencia.
 638 M;croeleclr6n;ca moderna

14-46. Debido a la naturaleza unilateral del seguidor de fuente (de ganancia unidad), el cero en la función
de transferenci a tiene lugar en • gjC_ en vez de gj (C + C) . Puesto que C>Cti la frecuencia de l cero
está más allá de la frecuencia de cruce de la ganancia y ~I efecto de l desplazamiento de fase introd ucido
por el cero es mínimo.
La actuación del Amp-Op CMOS es comparable a la de l Amp-Op NMOS. Los Amp-Op CMOS tienen
una relación de rechazo del modo común algo inferior y un ritmo de variación algo superior que los de
los circuitos NMOS. No obstante, la tecnología CMO S puede igualar el funcionamient o de los circuitos
Amp-Op bipolares disponibles comercialmente.
La resistencia de salida de los Amp-Op tanto CMOS como NMOS es mayor que la que se obtiene en
circuitos BIT . Esto es debido en primer lugar al hecho de que la salida de los Amp-Op MOS es la salida
de la etapa de ganancia en fuente común en vez de la salida del seguidor de emisor en circuitos bipolare s.
Puesto que el principal uso de los Amp-Op MOS es el de exci tar otros circuitos MOS de resistencia de
entrada muy alta, la moderada resistencia de sali da afec ta muy poco sobre el funcionamiento .•

REFERENCIAS

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1984.
2 Gray. P.R., y R.O. Me:yer: "Analysis and Deslgn of Analog lnteg rated Circuils:' 2"cd., John Witey and Sons,
Nueva York, 19R4.
3 Sector, S.: "A nalog Imeg rated Ctrcuüs,' Pre ntlce- Hall. Eng lewood Cliñs. NJ .. 1985.
4 Ohausi, M.S.: "Eleclronic Devices aOO Ctrcuits: Discrete and lntegrated," Hall , Nueva York. 1985
S Hamilton, DJ., y W.O. Howard: "Ba sic Inlegraled Circuil Engineering," McOraw-Hill Book Company.
Nueva York, 1975.
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7 Solomon, J.E.: The Monolilhic Op-Amp: A Turoria l Sludy, /EEEJollrnalofSolid·SlateCircuiu , vol. Sc.9,
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York. 1980.
9 Brokaw, A.P.. y M.P. Ti mko: An Improved Monoluhtc lnstrumemarion Amplifier. IEEE J. Sotíd-State
Circuíts, vol. Sc· IO, pp. 4 17-423, Diciembre 1975.

10 Roberge. J.K.: "O pcrenon al Amplifiers: Theory and Pracüce," John Wiley and SonsoNueva York, 1975.

TEMAS DE REPASO

14·1. ¿Por qué es deseable: que un Amp-Op tenga una elevada relación de rechazo del modo com ún?
14·1. (o )Dibujar el diagrama de bloques de un Amp-Op de dos etapas ,
(b) Explíquese la función de cada bloque.
14-3. (a) Esbozar el esquema del circuito de un par diferencial con carga activa.
(b) ¿Qué venlajas resultan del uso de: una carga activa?
 Caracteristicas del amplificador operacional 639

14.4. (a) ¿Qué es la resistencia de entrada diferencial de un par de em isor acoplado?

(b) ¿Cómo depende esta resiste ncia de la corriente de reposo?
14·5. Indicar dos métodos mediante los que se pueden obtener resis tencias de e ntrada del Amp-Op muy altas .
14.6. (a) Most rar dos formas de circuitos de desp lazamiento de nivel usando un seguidor de emisor.
(b) ¿Cuál es la expresión del desplazam iento en cada circuito?
14·7. Dibujar el circu ito de un multiplicado r VBE y explicar su funcio namiento.
14.8. ¿Por q ué se emp lea un seguidor de emisor complementario como etapa de salida?
14·9. (a) Dibujar un circuito seguidor de em isor complementario simp le.
(b) Explicar por qué este circu ito acusa distorsión de cruce.
(e) ¿Cómo se puede modificar el circ uito del apartado a para suprimir la dis torsión?
14·10. Definir : (a) corriente de polarización de entrada, (b) corriente offset de entrada (e) tensión offset de entrada
(d) tensión offset de salida y (e) variación de la tens ión offset de entrada.
14·11. ¿Cuáles son las ventajas e inconvenientes relat ivos a "la compensación interna y a la adaptada?
14·12. ¿Por qué se emplea la compensación por el efecto MiIler para compensar un Amp-Op?
14. 13. Mostrar dos circu itos que permitan la cancelación de polo-cero.
14.14. (a) ¿Qué se entiende por compe nsación polo -cero?
(b) ¿Cuále s son las ventajas e inconve nientes de esta técn ica?
14.15. (a) Defi nir el ritmo de variación de la tensión offset de ent rada .
(b) ¿Cómo limita éste la respuesta de un Amp-Op?
14·1 6. Describir cómo se puede mejorar el ritmo de variación de un Amp-Op.
14· 17. Esbozar el diagrama de bloques de un Amp-Op con estructura de tres etapas.
14·18. Explicar por qué muchos Amp-Op de tres etapas tienen dos circuitos de rea limentación y uno de alime ntación
directa.
14· 19. ¿Cuáles son las ventajas e inconvenientes de una estructura de tres etapas?
14·20. Repetir el Tema anterior para una estructura de una sola etapa.
14·21. (a) Dibujar el esquema de circuito de un amp lific ador de instrumentación simple.
(b) Escribir una fórmula de la tens ión de salida de este circ uito en función de la tensión de entrada y de las
resistencias del circ uito.
14·22. Compárese la composición y funcionamie nto de un Amp -Op monolítico con el del Tema 14 -2 Ia .
14·23. (a) ¿Qué se entiende por amplificador operacional de transccnductancia?
(b) ¿Có mo se controla el funcionamiento de este amp lificador?
14·24. (a) Esbozar la estruc tura de un Amp-Op NMOS.
(b) Cítense tres razones por las que se emplea esta estructura.
14·25. Repetir el Tema anterior para un Amp-Op CMOS .
14·26. ¿Qué se entiende por amplificador BIMOS o BIFET?
 CUARTA PARTE

Procesado de señales
y adquisición de datos

La transmisión. recepción y procesado de la información en forma de señales eléctricas constituyen

la base de los sistemas electrónicos modernos para el control, comunicación y cálculo. Muchos de
estos siste mas emplean señales tanto analógicas como digitales para desarrollar sus funciones.
Evidentemente se necesita una variedad de formas de onda distintas de señal. Además, la forma de
estas se ñales (amp litud. fase. frecuencia. duración . tiempo de subida. etc.) debe ser apro piada a su
aplicación específica para tener un procesado efectivo. En los dos capítulos de esta parte del libro
trataremos un cierto número de circuitos empleados en la generación y procesado de señales. El
Capítulo 15 trata de la generación y conformación de ondas. Incluye oscilaciones senoideles,
generadores de reloj (onda cuadrada) y generadores de la base de tiempos. En el segundo capúulo
de esta parte se describirán los convertidores de datos analógicos a digitales (A/Dl y de digitales a
analógicos (OlA ). Además se comentarán circuitos de acondicionamiento de señales tales como los
amplificadores logarítmicos. integradores, multiplicadores. y fillros activos. Los circuitos tratados
en esta sección utilizan los bloques constructivos básicos (puertas lógicas, Amp-Op. conmutadores.
etc.) descritos en la" anteriores partes del libro.
 Generación
y conformación
de ondas

Existen tres formas básicas de onda s ampliamente utilizada s, que son: la senoidal (ge neración de
frecuencias), la onda cuadrada (función reloj) y la en rampa (generación en una base de tiempo). En este
capítulo vere mos los osciladores. multivibradores y circ uitos en dientes de sierra e mplead os e n la
generación de tales formas de onda.
Se introdu ce el comparador como bloque constructivo básico y el disparador Sch min (co mparador
regenerativo) que se emplea para generar una variedad de formas de onda.

15-1. OSCILADORES SENOIDALES

En la Sección 13-2 vimos que si se introd ucía suficiente des plazamiento de fase e n el lazo de
realimentaci ón cuando la ganancia del lazo era mayor que la unidad . el amplificador realimentado pe rdía
laestablltdad. es decir.oscilaba. Bajo estas circunstancias los polos en lazo cerrado pasabanal semi-plano
derecho no necesitándose ninguna excitación para producir una salida. Si los polos en lazo cerrado se
pueden situar sobre el ejej ,la respuesta natural del sistema es una senoide cuya frecuencia es la del polo.
Esta ideaconstituye la base de los circuitos osciladores senoidales. Es decir, un oscilador senoidal es un
amplificador realimentado diseñado para que tenga polos en lazo cerrado, sobre el ejej, a una frecuencia
igual a la de salida deseada.
Para aclarar elconcepto de oscilador consideremos el gráfico del recorrido de la señal de la Fig. 15-)a.
Este gráfico es el básico de un amplificador realimentado de un sólo lazo (Sec. 12·3) antes de cerrar e l
lazo (la conexión entre X" la salida de la red suma, y i r, la entrada a la red amplificadora está abierta). Si
X, = Oel gráfico del sistema sen! el de la Pig. 15- IIJ. Apliquemos ahora una señal X, "7 i , directamente
al ampllñcndor. A consecuencia de esta señal la salida del amplificador será X = I j . La salida de [a
" "' " rr -,
red de realimentación es X, ='1;<" ='I:'!!' , =-1 x, siendo T la re lación de retomo de!amplificador. Supon-
gamos que las cosas se ajustan de fonna que la señal X, sea idéntica a la señal de entrada X, aplicada

tn

'" '"
Fi¡¡: un 15.I . l,' IG raflCa del rC'COlTido& la -e"alen un amp lificador de una etapa anle, de ce rra r e! laro. lh ) El m i ~mo ~i-'¡ ... ma con
Llllil"l'ñal aplicada d irl'clame nle al am pliri, adoJ .
644 sttcroetectrontca moderno

exteriormente. Puesto que el amplificador no tiene forma de distinguir la fuente de la señal de entrada
aplicada. suceded . que si se elimina la fuente exterior y se conecta el punto X~ con el.t el amplificador
continuará dando la misma señal de salida X. de antes. Obsérvese que. naturalmente. decir que X~ = j~
t
significa que los valores de Xo y de X~ = son exactamente iguales en cualquier momento. La condición
X, = k. equivale a ·T = 1; la rela ci ón de retorna debe su ¡Rila! a m~lIos uno.

Criterio de Barkhausen
En una onda de salida senoidal. fa relación X~ =.t
equivale a la condición de que amplitud. fase y
frecuencia de X~ y de k.. deben ser idénticas. Por tanto. surge el importante principio siguiente: La
frecuencia a la que funciona un oscilador senoidal es la fre<:uencia/. para la que

T lj21rj :.l = - I (15·1 1

También puede expresarse la condición de oscilación senoidal como

Tfj 21Tj ;,J = I L T(j21Tj ;,J = - IHl jO (15· 21
o
PaJ1e real Tlj21ft:.l = - I PaJ1e imaginaria TIJ 21T/..l = O 11 5-.'\'
Las Ecs. ( IS-I) a ( 15-3) indican que para que un circuito sostenga la oscilación deben cumplirse dos
condiciones:

l. El desplazamiento de fase a través del amplificador y de la red de realimentación debe ser de 3~

(o 21tn radianes). Recuérdese que la definición de T incluye un signo menos. lo que equivale a un
desplazamiento de fase de 18(f'.
2. las ganancias del amplificador y de la red de realimentación deben ser iguales a la unidad.

A la condición de queT (jW) = -1se le denomina criterio d~ Barkhausen. Esta condición es consistente
con nuestro análisis de los amplificadores realimentados para los que Al = A f il o ( 1 + Tv; Con T = - l. A,
tiende a intinito. lo que puede interpretarse como que existe salida aún en ausencia de señal aplicada
exteriormente. En el Cap. 13 se describieron técnicas de compensación para evitar oscilaciones y para
asegurar que T (jro) <1cuando L T (jro) = - 18Cf'. Así. el criterio de Barkhausen es equivalente a decir que
tanto el margen de fase como el de ganancia son cero. En consecuencia. las frecuencias de cruce de fase
y de ganancia son iguales. La frecuencia de oscilación es la frecuencia en la que <l>Af =O.

Consideraciones prácticas
TI
Refiriéndonos a la Fig. 15-1 se ve que si 1 a la frecuencia del oscilador es precisamente la unidad.
entonces. con la señal de realimentación conectada a los terminales de entrada. la supresión del generador
exterior no introduce diferencia alguna. Si ITI es menor que la unidad (margen de ganancia positiva) la
supresión del generador externo supone el cese de las oscilaciones. Pero supongamos ahora que IT I es
mayor que la unidad. Entonces. si por ejemplo aparece en los terminales de entrada una señal inicial de
I V. después de una excursión por el lazo regresando a los terminales de entrada. aparecerá ahí con una
amplitud superior a I V. Esta lensión mayor reaparecerá con tensi ón aún más alta. y así sucesivamente.
 Generació n y conformación de ondas 645

Parece pues. que si IT I es mayor que la unidad. la amp litud de las oscilaciones irá creciendo sin límite.
Pero naturalmente. este crecimiento puede proseg uir únicamen te mientras no se vea limitado por el
funcionamiento no lineal de los elementos relacionados con el amplificador. Esta no linealidad se hace
más evidente a medida que crece la amplitud. La influencia de la no linealidad para limitar la amplitud de
las oscilaciones es esencial en el funcionamiento de todos los oscilado res práct icos como veremos
I I
seguidamente. La condición de que T = I no supone una zona de valores aceptables de T sino más I I
bien un solo y preciso valor. Supongamos ahora que inicialmente fuese posible satisfacer esa condición.
Luego. debido a los cambios de características de los componente s del circuito. y especialmente de los
transistores. debidos al envejeci miento. temperatura . tensión. etc.• si se deja el oscilador a sí mismo. en
I I
muy poco tiempo. T pasará a ser. o bien más peque ño o más grande de uno: en el primer ca so.
simplemente se parará la oscilación. y en el segundo, volve mos a estar en el caso de tenemos que va ler
de la no linealidad para limitar la amplitud. Un oscilador en el que la ganancia del lazo sea ex actamente
la unidad es una utopía completamente irrealizable en la práctica. Por tanto es necesario. al ajustar un
I I
oscilador práctico. arreglarse para tener un T algo mayor que la unidad (por el'. 5 %) a fin de asegurarse
I
de que por una variación incidental de los parámetros del circui to no caiga T po r debajo de la unidad.
Mientras que los dos principios citados antes debe n satisfacerse por considerac iones puramente teóricas .
se puede añadir un tercer principio general dictado por cons iderac iones prácticas, y que es : En todo
osciladorpráctico /a gananciade/lazo es ligeramente mayor que la unidad, estando limitada ta amptitud
de oscilación por el inicio de la no linealidad.

15-2. OSCILADOR DE CAMBIO DE FASE

Hemos elegido el oscilador de cambio de fase (Fig. 15-2) como primer ejemp lo por constitu ir un
ejemplo muy sencillo de los principios antes citados . Un amp lificador JFET de comp onentes discretos
seguido de tres células en cascada formadas por un condensado r e y una resistencia R. con la salida de la
última combinació n Re reenviada a la puerta. Si se puede despre ciar la carga de la red cam biadora de
fase. o sea si R »RL • el amplificador desfasa 180º cualquier tensión que aparezca en la puerta, y la red de
resistencias y capacidades introduce un desfase adicional. A una frecuencia determin ada, el desfase
introducido por la red RC es precisamen te de 180~ . y a esta frecuencia el desfase total desde la puerta
alrededor del circuito y retomo a la puerta es exactamente cero. Esta frecuencia en particu lar es a la que
el circuito osci lará suponiendo que la magnitud de la amplificación sea suficientemente grande .
La determinación de T Uro) por el método descrito en la Seco12-7 (Prob . 15- 1) da

( 15-4)

Siendo (1)" =roRC. Aplicando 1<1 Ec. ( 15-3) resulta ())~, = 1/6, de donde la frecuencia de oscilación i;
r
." =
1
2rrRCv6 (1 5-5)

A WN 1/v6 .
)g",R ¡j6 v6
T UWN) = < r:
)(5 - Wv6
de donde R.,RL = 29. Para sostener la oscilación, la ganancia de la etapa amplificadora JFET debe ser de
por lo menos 29.
646 Microetectrántca moderna

'Voo

RD e e
~ e e
•
-¡:: " R R R v"
>--
R, e, ....
Cond<n·

.,...,
lb)"p. ..)
R R R

., l b)

R R

oc,

Fig ura 15-2. Un oscilado r de desplazamiento de fase JFET Re . (hl Su circuuo equívatenre . (el Una versión Amp-Opde l oscilador
de desplazamiento de fase.

Si se incluye el efecto de carga de la red cam biadora de fase RC (Prob. 15-3) dismin uye la frec uencia
de oscilación y debe aumentarse la ganancia de la etapa JFET.
El FET de la Fig. 15-20 puede sustituirse por un Amp-Op como e n la Fig . 1 5 ~2c . Debido a la tierra
=
virtual, la resistencia ent re el nudo de entrada P y tierra es R 1 R Y por tanto la red de la Fig. 15-2c es
idéntica a la de la Fig. 15-20. Por consigu iente, la frec uencia de osc ilac ión vie ne dada por la Be. ( 15~5) .
IA I
Puesto que la ganancia del Amp-Op es Av = -R/ R Y v debe ser de por lo menos 29, R/R de berá ser
mayor que 29 (aprox . 5 %).
Es posi ble s ustituir el A mp-Op de la F ig . 15-2e por una e ta pa ún ica a tran s is tor co n R1 = 00 Y
R. = R - R, (Prob. 15-4).
Hay que o bservar q ue no siempre es necesario emplear un amplificador con ganancia de transfere ncia
lAI > 1 para satisfacer el criterio de Barkhausen. Sólo es necesario q ue ITI >
l . Exis ten es tructu ras de
redes pasivas en las que la función de transferencia de la red de rea limentación es mayor q ue la unidad en
algu na frec uencia particular. En e l Pro b. .1 5-6 veremos un circuito oscilador formado por un seguidor de
fuente y e l circuit o RC de ,.. Fig. 15-2 convenientemen te conectados.
 Ge neraci ón y conformación de ondas 647

Funcionamiento a frecuencia variable

Unoscilador de cambio de fase es particulannente adecuado para un campo de frecuencias desde unos
cuantos hertz hasta varios centenares de kilohertz incluyendo el campo de frecuencias audibles. La
frecuencia de oscilaci6n se puede variar cambiando cualquiera de los elementos de impedancia de la red
cambiadora de fase. Para variaciones que abarquen un campo de frecuencias muy amplio. normalmente
se varían simultáneamentelas rrescapacídades. Tal variaci6n conserva constante la impedancia de entrada
de la red cambiadora de fase (Prob. 15-2) así como la magnitud de T. Por tanto. la amplitud de laoscilaci6n
no se ve afectada al ir ajustando la frecuencia. El oscilador de cambio de fase se hace funcionar en clase
A para mantener la distorsión al mfnimo.
Pueden emplearse dos cambiadores de fase activos en lugar de la red de realimentaci6n pasiva de la
Fig. 15-2c para tener un oscilador senoidal con salidas en cuadratura (ondas senoida les y cosenoidales).

15·3. OSCILADOR DE PUENTE DE WIE N

La Fig. 15-30 representa un oscilador de puente de Wien en el que la red de realimentaci6nes un puente
equilibrado. El puente se ve claramente en la Fig. 15-3b. Las cuatro ramas del puente son 2 1, 2 2, RI YRr
La entrada al puente es la salida V. del Amp-Op, y la salida del puente entre l y 2 proporciona la entrada
diferencial de l Amp-Op.
En la Fig. 15-30 existen dos vfas de realimentación: la realimentaci6nposilivaa través de 2 , y ~ cuyos
componentesdetermínen lafrecuenciad e oscilación, y la realimentaci ón negativa a través deR , y R2 cuyos
componentes afectan a la amplitud de oscilaci6n y fijan la ganancia de la etapa del Amp-Op. La ganancia
del lazo viene dada por

n s) = - ( + -RR')Z, Z,+ Z2
I
I
(15-6)

Con 2 1 =(RCs + I)/Cs y 2 2 =RI(RCs + 1). la aplicación del cnreno de Barkhausen da

1
f .. = 21rRC y R I = 2R 2 (15·7)

R, R,
V.

• e
V.
~
)z, R

.....
de ganancia
V'
I
R

R e ) z,
R,
c/:
~

.> 'b)
flguu 15·J. (a}OsciIadordc puente de Wien, (b) red del puente.
648 Microelectrónica moderna

AsC, para mantener la oscilación,la ganancia de la etapa no inversora del Amp-Op es de 3 (o alrededor
de un S % mayor que 3). La máxima frecuencia de oscilación está limitada por el ritmo de variación del
amplificador. Para tener una variación continua de frecuencia se varían simultáneamente los dos coeden-
sadores (condensadores planos variables. al aire). Los cambios de campo de frecuencias se consiguen
conmutando a distintos valores las dos resistencias idénticas R.

Estabilización de la amplitud
Consideremos una modificación del circuitode laFig. 15·3 que sirve paraestabilizar la amplitud frente
a las variaciones debidas a fluctuaciones motivadas por el envejecimiento de transistores. componentes.
etc. Una modificación consiste simplemente en sustituir la resistencia R} por un sensistor (una resistencia
con coeficiente térmicopositivo).
La amplitud de la oscilación viene determinada por la cuantía en que la ganancia del lazo sobrepasa
la unidad. Si por cualquier motivo V~ aumenta, la corriente en R2 crecerá y A disminuirá. El mecanismo
de regulación introducido por el sensistor actúa cambiando automáticamente A con lo que la relación de
retomo es más constante. La temperaturade R2 se determina por el valor eficaz de la corriente que pasa
por ella. Si varía el valor eficaz de la corriente, debido a la inercia térmica del sensistor, la temperatura se
determinará por el valor mediodel valor eficaz a lo largo de muchos ciclos. Hay que tener en cuenta que
debido a la inercia t érmica del sensistor, su resistencia durante un solo ciclo es muy aproximadamente
constante. Por tanto, a cualquier amplitud fijada de la oscilación, el sensistor actúa enteramente como una
resistencia lineal ordinaria.
También se puedeusarun tenni storque tiene uncoeficientede temperatura negativo. pero sustituyendo
a R. en lugar de Rr

OR'

O.8R' 2R'

O.15R·

z,

Figura t54. Diodos Zener para controlar aUlomáticamente la ganancia del oscilador y por tamo eslabilizar la amplitud de la
scnoide.

La Fig. 154 indica otro procedimiento para estabilizar la amplitud. Inicialmente los dos diodos Zener
no conducen y la ganancia es

2R' ) 1.04 > I

+ O, l5R ' + O,SR' -
 Generacton y cooformact ón de ondas 649

y por tanto se inician las oscilaciones . Como la ganancia de l lazo es superior a la unidad va crecie ndo la
ampl itud de las oscil acione s hasta tamo su valor de pico supere la tensión de ruptura Vz de los diodos.
Cuando esto sucede ,la acción en paralelo de la resistencia 6R' reduce la ganancia y limita la amplitud en
apro ximadam ente Vz' Con este circuito se puede reducir la distorsión a aproximadamente el 0,5 %.
Los dos método s de estabilización descritos constituyen ejemplos de control automático de ganancia.
También se puede emplear un lazo activo de contro l ron un FET como resistenci a de tensión controlada.

15-4. FO R MA GENERAL DE UN CIRCUITO OSC ILA DOR

Muchos circuitos osciladores quedan comprendidos en la forma general representada en la Fig. 15-5a.
En el análisi s que sigue supondremos un elemento activo con resistencia de entrada sumamente elevada
como es un Amp -Op o un FET. La Fig. 15-5b represe nta el circuito eq uivalente linea l de la Fig. 15~5a
empleando un amp lificador con ganancia negativa en circuito abierto -Ay y una resistenc ia de Salida R g
•

Evidentemente la topologfa de la Fig. 15·5 corres ponde a una rea limentación parale lo-serie .

,
.¡
J
~
, R.

I
~
l, J a,
l,

-
/ '" o z,
l,
.-A"VIl •
1'1} l,

-
~
,
~

1, 1 lb l

Figura U ·5. (a) Forma general de un circuito oscilante, (b ) su circui to equi valente.

Relación de retorno
El valor de T se halla considerando el circuito de la Fig. 15-5a como amp lificador realime ntado con
la salida tomada de los terminales 2 y 3 Ytermina les de entrada l y 3. La impedancia de carga ZL está
'ormada por Z! en paralelo con la combinación en serie de ZI y Zl' con lo qu e
A,.Vll Z L V Z, V (158 )
V" := Z L + R" y l.l := Z , + Z~ " .
Combinando las relaciones de la Ec. ( 15-8) Ysustituyendo 2L resulta una relación de retomo
V I) A ,Z I Z2
T := - ~ := R,,(Z, + Z2 + 2) + Z2 (2, + Z ) (15·9)

Osciladores sinton izables Le

Los osciladores descritos en las dos seccio nes anteriores son circuitos Re sintonizables. Es decir, que
650 Mir:roeleclró"ica modem a

la frecuencia de oscilación se determinapor los valores de resistencias y capacidades empleados. Muchas

veces la frecuencia obtenible con tales circuitos está limitada a unos pocos centenares de kiloherta. Si se
necesitan frecuencias de oscilación más elevadas. tales como las empleadas en los receptores de amplitud
y de frecuencia modulada. la sintonización se logra variando una capac idad o una inductancia. En la
configuración de oscilador general de la Fig. lS-5. haciendo ZI' Z, y ~ reactancias puras (ya sean
induclivasocapacilivas) tendremos unosc ilador sintonizableLC. Si hacemos Z, = íX1,Z2 = jX2 y Z, = )X,.
siendo X = roL para una inductancia y -1/roC para una capacidad. la Ec. 15- 9) se conviene en

T = + A..K¡X2 (IS-I O)
jRJ.X¡ + XI + X, } - Xt(X, + X,)
Para que T sea real
(15- 11)

T "" A ,X 1X2 = -A..KI (15-12)

-X2(X 1 + Xl) XI + X,
En la Ec. (15-11) vemos que el circuito oscilará a la frecuencia de resonancia de la combinación de
XI·X2y Xr
Aplicando la Ec. ( 15- 11) a la (15- 12)resulta

T= + A,x, (15-13)
X,
Como T ha de ser positiva y de valor por 10menos la unidad. XI YX 2 deben tener el mismo signo (A.
es positivo). En oleas palabras. ambas reactancias deben ser de la misma clase: o las dos inductivas o las
doscapacilivas.Entonces.segúnlaEc.(l5-1 1),Xl = -{XI + X2) debe ser inductiva siXIyX2soo capacitivas.
o viceversa.
Si XI YXI son condensadores y XJ una inductancia. a este circuito se le denomina Osci íador Cotpins
y si XI YX2 son inductancias y XJ un condensador. el circuito es un Oscilador Haníey. En este último caso
puede darse un acoplamiento mutuo entre XI Y X2 (yen este caso no son aplicables las ecuaciones
anteriores).
También son posibles versiones con transistores de los osciladores LC descritos anteriormente. A
manera de ejemplo. se puede ver en la Fig. 15-60 un oscilador Colpitts de transistores. Cualitativamente
este circuito opera en la fonna ya descrita. No obstante. el análisis detallado de un circuito oscilador de
transistores es más dificultoso por dos razones fundamentales: En primer lugar, la baja impedancia de
entrada del transistor queda en paralelo con Zl de la Fig. 15-50 con lo que se complican las expresiones
de la ganancia del lazo dadas más arriba. En segundo lugar, si la frecuencia de oscilación está sobre la
zona audible, el modelo simple de baja frecuencia no resulta ya vétido. En estas circunstancias debe
emplearseel modelo hfbrído-n de la Fig. 3-32. En la Fig. 15-6b está representado un oscilador Hartley de
transistor.

15-5. OSCILADOR DE CRISTAL

Si uncristal piezoeléctrico,nonnalmente de CU3TZO. tiene electrodos aplicados sobre sus caras opuestas
y entre estos electrodos se aplica una tensión. se ejercerán fuerzas en las cargas del interior del cristal. Si
el dispositivoestámontadoadecuadamentese producirán deformacionesen el cristal y se fonna un sistema
 GeneracMn y conf ormación de ondas 65 1

(Co ndensadorde
Re Red de despIaum ~'o Re acopIamienlO) Red de dc~ azam ien lO
(""""""'"
"' ...... _ l
R, "',- "' ......-,c.
(Cond< o..... R,
11
~f def,~

~~
...
J.
L,

R,
R,
L
R,
R, :
FC'
------. e

r'
L,
. '.
londcnsador

(.,
Condenudor
"',"ro "'_
lb'
FIgu ra 15·6 . Osciladores induct ancia -c epacid ad Le. (u) Colpilts, y (b) Il artley.

electro-mecánico que vibrari.si se le excita oportunamente. La frecuencia de resonancia y la Q dependen

de las dimensiones del cristal, de la orientación de las caras respecto a los ejes y de cómo esté montado
el conjunto.
Existen en el mercado elementos para frecuencias desde unos pocos kí lohertz hasla unos cuantos
centenares de megahertz, y valores de Q desde varios millares hasta varios centenares de millares. Los
valores extremadamente altos de Q y el hecho de que el cuarzo tenga características muy estables frente
al tiempo y a la temperaturahace que los osciladores con cristales sean sumamente estables.
La Fig. 15·7 representaelcircuitoeléctrico equivalente de un cristal. La inductaneia L, el condensador
e y la resistencia R. representan respectivamente la masa, la deformación (inversa de laconstante el éstíca)
y el factor de amortiguamiento viscoso de un sistema mecánico. Los valores típicos para un cristal de 90
kHz son: L = 137 H,e =0,0235 pF y R = 15 ka. correspondientes a un Q = 5500. Las dimensiones de tal
cristal son 30 x 4 x 1,5 mm. Puesto que C' representa la capacidad electrostética entre e lectrodos con el
cristal como dieléctrico, su valor (-3,5 pF) es mucho mayor que C.

X
Reactanda

1
(induc tiva)
,,
L
I
I
'w,
I,

r l/
w,
,,
,,
,,
,
W~) M
f\pn 15·7. Crill" pieroeléctrico : (Q) Sfmtdo. (b) modelo dc:circuite, (t') reactatlCiaen funciÓll de la frttuenci.. suponiendo R .. O.
652 Microetectr ánica moderna

Si despre ciamos la resistencia R, la impe dancia del cri stal es una rea ctancia jX c uya dependencia
respe cte a la frecuencia es

)"' = -wC' w'

...
J. w: - w -,' (15- 141

dondeto '= I/LC es la frecuenc ia de resonancia e n se rie (frecuencia de impeda ncia cero) y w ! = ( I/L)( I/C
+ l/e) ~s la frecuencia de resonancia en paralelo (frecuencia de impedancia infinita). éomo C' »C
entonces W "" ro , Para el crista l cuyos parámetros so n los dados más arriba la frec uencia en paralelo es
tan sólo un 0.3
~. mayor que la en serie. Para ro, <ro <ro,. la reac tancia es ind ucti va, y fuera de este ma rgen
es ca pacit iva co mo indica la Fig. 15·7.
_ ~~ v

L e
hl I ~ ~#' ll .IOO l' f

s
I mil c::J I OMn
XfAl Condensador de paso
~. ~ en O.O ~~F

io'i~ura 15.s. <hdlat\or .x ni~l al FET <k I MHll(',,,-I.... í,¡ ,1.. Silin Jl'll el>.l.

Existe una variedad de circui tos osci ladores de cristal. Si se emplea un c rista l en lugar de ZI en la
configurac ión básica de la Fig. 15-Su. una combinación sin tonizada Le e n luga r de Z!y la capacidad CrJ
e ntre puerta y d renaje en lugar de Z•• el circuito resul tan te es e l de la Fig. 15·8. Por la teo ría comentada
en la secc ión precedeme.Ja reactancia del cristal, as í como la de la red LC de ben ser inductivas . Para q ue
la gana ncia del lazo sea mayor que la unidad vemos que segú n la Ec. (15- 13) X 1 no puede se r dema siado
peque ño. Po r tanto. e l c ircuito puede osc ilar a una frecue nci a com pre ndida e ntre ro, y ro.. pero pró xima
a l valor-de la reso nanc ia en para lelo. Puestc q ue ro == ro, la frecuencia de l oscilado r está funda ment a lment e
determi nada por e l c rista l y no po r e l resto del c(rcuilo.

15-6. MULTIVIBRADORES

Los osc iladores desc ritos en las secc iones ant er iores fo rman parl e de la clase de circuitosregenerativos.
Ob servamos que a la frecuencia de osc ilación. los oscil adores senoida les son amplificado res co n
realimentació n positiva. Los mu ltivibrado res forman otro importa nte gru po de circuitos regenerati vos muy
em pleados en aplicac iones de tempor izaci ón. Los multi vibradores se clasifi ca n en: ( 1) circ uitos biestables,
(2) c ircuitos monoestables. o (3) circuitos astables.
Los biestables y Ilip-ñop desc ritos e n las secciones 7-1 a 7-3 puede n conside rarse todos ellos como
multivihradores biestables, En la Sec. 15- 11 describiremos e l co mparado r regenerativo (disparador
Schmirtj que es otro circuito biestable . Una cuali dad important e de un circuito biestable es q ue mantie ne
un es tado de salida dado (nivel) salvo que se le aplique una seña l externa (disparo). Una señal externa
aprop iada provoca un cambio de estado, y este nive l de sal ida se mant iene indefi nidam e nte sa lvo q ue se
 Generación y conf ormación d e ondas 653

Amplificadores
Inversores
--;;;::=:::;-- J
Al CNI A'
Redes de acoplamienlo

CN'
Figura 15·9. Diagrama de bloques de un mumvíbrador.

le aplique una segunda señal. Así, un circuito biestable necesita dos disparos exteriores antes no vuelva a
su estado inicial .
El multivibrador monoestable genera un solo impul so de dura ción es pec ificada en respues ta a cada
señal de disparo exterior. Como su nombre indica. sóloexiste un estad o estable. La aplicación de un disparo
hace cambiar a un estado casi-estable. El circ uito se manti ene en ese estado durante un lapso de tiempo
fijado , transcu rrido el cual vuelve a su estado primitivo. Efectivamente, se genera una señal de disparo
interna que provoca la transición al estado estable. Norm almente, esta señal de disparo la provoca la carga
y descarga de un condensador.
Los multivibradoresastables tienen dos estados casi-estables (no estables) y las condicio nes del circuito
oscilan entre ellos. Obsérvese que no se necesita ningun a se ñal extern a para producir los cambios de
estado. El tiempo de permanencia en cada estado lo determinan los valores de los compone ntes. Debid o
a su oscilación entre estados, los circuitos estables se em plean para engendrar ondas cuadradas. Un contro l
preciso del periodo de la onda cuadrada, frecuentemente med iante un cristal, permite usar tales circuitos
como generadores de reloj en sistemas digitales.
La Fig. 15-9 muestr.. la configuración de un mult ivibrador común. Co mo se ve en esa figur a, los dos
amplificadores inversores AI YA2 forman un amplifi cador con realimentación positiv a. Frecuenteme nte,
en lugar de los amplificadores se emplean puertas l6gicas. Co mo ya se describi 6 en la Seco6-2la pendiente
de la característica entre los estados lógicos es mayo r que la unidad lo que indica qu e hay amplificación.
La naturaleza de las redes de acoplamiento entre etapas determina el tipo de multi vibrador. C uando CN l
y cm son ambos resistivos existe un funcionamiento biestable . Una seña l aplicada a A I que produ zca
una transición se transmite a través de eN I motivando el cambio de estado de A2. Una acción semeja nte
en CN2 fuer za a A1 a permanecer en este nuevo estado hasta la aplicación de un nuevo disparo.
Sin embargo, si CN l o CN2 o ambos co ntienen condensadores en serie, no se pueden transmit ir
indefinidamente señales en continua. Puesto que la tensión del condensador no puede cambiar instantá-
neamente, la- transiciones en A1 (oA 2) se transmiten durante un pequeño intervalo . La acción de la carga
(o descarga) de los condensadores como consecuencia de la tran sición inicial engendra un «disparo»
interno haciendo que las condiciones del circuito retomen a su estado inicial. Los circ uitos monoestables

R
-,
~.~r-bi~.
-, 1'" ,
•
[ Puerta I'IO R t :J'
Puerta N"OR

Figura 15·10. Multivibradormonocstableempleando puertas N"OR.

654 Microelectrónica moderna

emplean una de tale s redes de aco plamiento. mientras qu e ren to e N I como CN2 son ca pacitivos en los
muhiv ibradores as tables.

Multivibra dores monoestables

En la Fig. 15 -10 vem o s un circ uito mon oestable s im ple Que e mplea puertas NOR CMOS de ló gica
posi tiva como ele mento de amplificac ión. Obsérvese que e l aco plam iento entre las puertas NOR I y 2 es
capacitivo y entre las puertas 2 y I es resistivo (R = O). Supongamos qu e las puertas NOR rengan V(I ) =
Voo' VeO) = o.yq ue V r > Oes la ten sión umbral de l tra nsistor NMOS. Ade más supondre mos para mayor
se ncillez que la tran sición entre estados en las puert as es instant ánea ; o sea . q ue la ve locidad de
conmutación de las puerta s NOR es pequ eña comparada con la d ura ción de l impulso de sa lida deseado.
Consideremos q ue la señal de d isparo v,. es co mo la d e la Fi g. 15 - l la. Para 1<0 no ex iste corrie nte
en R y '', = V00 = V(I) . En consecuencia. la sa lida de la p uerta NOR 2 ca nce lada como inver sora es \ '01 =
V(O) = O. Co n ambas entrada s a la puerta NOR l en VeO) su tensión de sa lida es VOl = V( 1) = V00' Ypo r tanto
la ten sión I'c de l co nde nsado r e s
Ve = V" . - V.., Ve = Vi m - V/1/J = O (15· 15)
La aplicaci én en el instante r = O de la se ña l de d isp aro 1'.. > Vr provo ca una transición en la puer la NOR
l. y VOl pasa a ser V(U) = Ucomo en la Fig. 15- 1 l b. Puesto qu e "e no pued e cambiar instant á neamente ( I'e
(O') = 01. de la Ec. ( 15·15) se dedu ce que '', (O') = O. La ap licació n de VeO) a la entrada de la puerta 2 hace
qu e v02 (O' ) = Voo (Fig. 15·1 le). Bnconsecuencia, V(I)se transmite a la enrrad a de la pucrta NOR y mantiene
"01 = O. La ten sió n de l conde nsador \'c tiende a cargar a - V00 a través de la res istencia R como en la Fig.
15· 120 . Por tanto, v.., tiende a au mentar desde ce ro hacia VDO (Fi g. 15-IId) lcomo indica la Ec. ( 15- 16)
e, (1) = VO lJ (1 - E - ~Ii'C) (15· 16)

'. '"
1'00 · 1'l1l
l ' > 1',

00 r,
o T < TI
l.) lb)

"
Voo · l', ·
J V
"!
V~ f----,
"O
. ~

1" - !m2
,

o r, o r,
Id Id)

"·¡Rura . S. .I, Fonnas de ooda para el vibradof ~able de:la Fig. tS· to. (Q) impulw de disparo. (b . c1 1(n~ ión de salida de la
puena _ . (ti) len~ión de entrada en la puena _ 2.
 Generación y confo rmación de ondas 655

Cuando 1'. =Vr , la puerta NOR 2 cambia de estado. 1'02 =OY se produce una transición de Veo) a V( 1)
en la puerta NOR 1. El instante TI en el que se realiza la transición se calcula por la Ec. (15· 16) de la
siguiente forma:
E - TI/Re = V{Jo - VT
o
Vo /)
Tomando logaritmos de ambos miembros y despejando TI tendremos
VDD
TI = RC In V V (15-17)
DD r

Si Vr = VDJ2 como es el caso en puertas CMOS. la Ec. (15·17) se reduce a

TI = RC In 2 "" O.693RC (15-18)

• •
". ".

'" 'h>
Figura 15·1 2. Circuito equivalente al de la Fig. 15· 10. Con referencia a la Fig. 15-11; (ala S 1S T I' Y (b) 12: TI '

Justamente antes de la transición en las puena s NOR. en el instante 1 =TI ' '', (T I) =-VT' [Ec. 15·15») .
Justamente antes de la transición en las puertas NOR, en el instante 1 =TI' Ve (TI) =- VT 1Ec. 15-15].
En 1 = 1\ . \'01 = VDD y para mantener ve (1") = -V1" " , (T\) = • VDD + Vr. La tensión del condensador
Fig. 15-11, se representan las formas de onda para varias tensiones, con la condición de que VT = V/))2.
Obsérvese que la descarga del condensador (1 > TI) tiene la misma constante de tiempo Re que durante
el intervalo OS f :S: TI'
La tensión de entrada 1', a la puerta NOR 2 sube como indica la Fig. 15·11d hasta 3 VDJ2 en el instante
1= T" A veces este nivel de tensión es excesivo para los MOS de la puerta NOR. Para evitar esto se usa un
diodo de fijación como se ve en la Fig. 15-13a. El diodo O está en circuito abierto durante la mayor parte
del ciclo. Sin embargo mientras la puerta NOR 2 cambia en I = T I' el diodo O conduce asegurando que 1',

".

5.6 V Cu n>lanlc dc llcmr<' - H,(

---1 5 V
R D
e

"" ".
r,
fu) lb)
Figura tS-I3. (a ) Empleode un diodo de fijación D en un muttivibrador monoestable. ( h) Forma de la onda de l en~ión de entrada
a la puerta NOR 2.0 bsérvesc que el pico de tensión enr- T j ' es de 5.6 V . (V DO = V del diodo) y no 3 V ocP cu mo en la Fig. 15- l Id.
656 Microelectrónica moderna

v. ,-o
-, 1
L_ -'-.J ,, ,,
! •
Impu. po$il;YO '1
noe"';YO
Figura 15-14. Diqramade bloquesde un mullivitndormonoestable m...

no supere a VDO en más de la tensión de disparo V, de l pro pio diodo. En realidad. v. es ligeramente supen or
a VO/) + V, debido a la pequeña resistencia R del diodo. Puest o que Rr « R su combinación en para lelo es
aproximadamente igual a Rr Asf pues. la descarga del condensador de sde VDO + V hasta VDO tiene una
constante de tiempo igual a R(:. por lo que tiene lugar ráp idamente. En la Fig. 15- l'3h está representada
la forrna de la onda de ", para Vr = V/II[2 y V, = 0.6 v. .
Los multivibradores monoestables como el de la Fig . 15-10 se construye n en la práctica usando puerta s
e MOS comercia lizadas. Estando las puertas eMOS dob lemente compensadas empleando un suministro
= =
a 5 V tendremos V r Vmf2 2.5 V. Ade más. muchas puerta s CMOS tienen las ent radas protegidas por
diodos para evitar que se apliquen tensiones excesivas. Por tanto. los diodos de fijación se fabrican en el
chip. Los únicos elementos conec tados exteriormente son los elementos de temporización R y C.
También pueden emp learse la familia básica TfL 54n4 de puertas lógicas para co nstruir circuitos
monoestables en un solo chip. La familia TI 9600 emplea de entrada una puerta N ANO 1TL Yde salida
una etapa nonnal en totem. Las etapas interiores comprenden la cascada de un biestable. el circ uito
monoestable y el disparador Schmilt (Sec. 15-9) como en la Fig. 15-14. Los cinco circ uitos se fabrican en
un solo chip. La duración del impulso se regula con la resistencia R y condensador e
conectados
exteriormente. CorrientementeR O!: 5 kO y C ~ 1000 pF. Estos valores suponen un ancho de impulso mayor
de I ~ s . Sin embargo. con meno res valores de R y de e se puede redu cir la duración del impu lso hasta
una magnitud del orden de 100 ns. Si se elimina la etapa en totem y se loma la salida del disparadorSchmin .
podremos tene r impu lsos positivos y negativ os (líneas de salida a trazos de la Fig . 15-4).

'o,
Pueri l NON 1 R

'.1
hJc rta NOR 1 e Pucrt a NOR 2

~] R
{:=-:1
lb>

.' aura 15-15. (ul Muhivibralb e~l;;abk: de puerta M • . Ambu put' rtu",in ~adas como invCfSOrJ,s. (b) El c ristal ccevene
el eircuito anlerioof en un simple r.ent'rUlr de It'loj .
 Generación y confo rmación d e ondas 657

Multi vibradores astables

EJ circuito de la Fig. 15-10se puede modificar para formar un rnultivibrador estable como el de la Fig.
15- 150. Obsérvese que ambas puertas NOR se hanconectado como inversoras. Supongamosque las puertas
NOR tienen VeO) = OY V( 1) =V00' la tensión de alimentación. y una tensi ón umbral Vr = V0cf2 . Conside-
remos que como en la Fig. 15-161a puerta NO R 1 sufre una transición de \'( 1) a VeO) en el instante I = O.
',. "
'"
,. 00

T, :!Tl
, - v,
o T, zr, T, ¡r,
t--- T-----l
c.) c" C,) c"
."il:urla IS-16. On du para el cirL"IlÍlo de la Fig. IS- IS; (Q, b) te nsiones de salida de lu pue rln N"II: ( e) tensi ón d e e nlrada de la
puerla N" K 1: (ti) tensión del con d c n~,j",

Así, en I =0-. " lJl =VfW y " 01 = O. La tensión de entrada a la puerta NO R I tS l ', = Vr como es alrededor
del cambio de estado. Puesto que I'c = 1', - l'lJ2' "c(O- ) = Vr' Cuando I = O' . inmediatamente después de que
la puertaNOR I haya cambiado de eslado, 1'11I (O') = O. laque hace Que la puerta NOR 2 realice una transición
hacien d o que v(ll (0') = V00' (sin embargo. el empleo del diodo de lija ción limita v, en V00 + V) . Con
VOl = O Y VlJ! = V00 el condensador se carga exponencialmente hacia V00 con una constante de tiempo

t =RC. (La tensión "(" tiende hacia -Voo,) A medida que el condensador se va cargando v. va tendiendo
hacia cero. A I = TI' v, = Vr y se corta la puerta 1, v" =V00 hace que la puerta 2 haga una transición. La
tensión de salida vlll de la puerta NOR 2 cae a cero, y para mantener "c constante durante la conmutación.
", decrece por Vtxr la tensión del condensador carga exporenclalmeme hacia + VDO (" lJI = VDO' Y"01 = O)
con una constante de tiempo t = RC. A medida que "e tiende hacia V00 lo mismo hace '', y en el instante
1 = T!, '', = Vr completándose un ciclo. Este proceso se repite en cada ciclo como se indica en las ondas
de la Fig. 15-16. La onda de salida cuadrada es simétrica teniendo cada una de las puertas una tensión de
salida Voo durante un semi-ciclo y VeO) durante el otro. La Ec. (15-18) da el tiempo para la mitad del
periodo T. es decir. T = 2 TI = 2 Re In 2 = 1.39 Re. La frecuencia de oscilación!.. = Irr es
I 1 0.721
J." = - =
T 1.)9RC
= -- 115· 19)
RC

Pue rll NOIl I Pu e rll J«llt 2

"
'"
R, R,

DC D2
," -
e
FlKun 15- 17. Circui to asliIbk: ron diodos de fijad ón. Elig iendo distintos \'ll1~1 de resi stenci a (R I¡t R! ) se oblic:ne una onda de
ICnli 6n <te sal ida cuadrad. asi ml!llÍcl.
658 Mtcroeíear ántca moderna

Se puede diseñar e l c ircuito para que dé una ond a cuadrada as imé trica , ca mb iando ya sea VVD o Vr de
form a que Vr '# V mil (Pro b. 15· 25 ). También se e mplea la co mbinac ión de res istencia y diodo de la Pig.
15-17 para ge nerar una señal de salida asimétrica (Pro b. 15·1 7). En este circui to los diodos gob ierna n e l
curso de la ca rga: haciendo R I '# R2 se tiene una constante de tiempo diferent e para ca da per iodo de
transición resu ltando así una onda c uadrada as imétrica.
El circuito de la Fig. 15- 150 se modifi ca como e n la Fig . 15· 15h para formar un generad or simple de
reloj en el que la frecuencia fa del crista l gobi ern a con preci sión e l periodo de la o nda cuadrada . El
co nde nsado r C, se e lige de forma que 2rr.Cllfo '" I (es decir que la impedancia de R 11 sC 2 tiene un polo
e n s = - 1/2 Te! o y por tanto queda en circuito a bierto para! o)' El co ndensado r C I se elige para que con / o
teng a una reactancia despreciable. Asf, a la frec uencia de osci lación, los circuitos de la Fig. 15-15a y
15-15 h son idénticos si consideramos que en la primera el cristal sustituye a C. Los dos condensadores ayudan
a suprimir los armónicos superiores dando una frecuencia de salidaestable. Este simplegenerador de l re loj puede
trabaj ar a altas frecuencias « 30 MHz) si se emplean inver sores CMOS serie 74HC o 1TL serie 74LS o
74ALS.

15-7. COMPARADORES

Los circuitos mo no y estables vistos en 1.1 Seco 15-6 se valen de la acción de co nmutación gobe rnada
por tensión de las puertas lógicas digitales CMOS. Es decir. e l nive l de tensión de e ntrada determi na el
estado binario de la salida. V(O) o V( I ). En las Seco3- 12 y 10-15 vimos Que el ampl ificador diferencial (par
acoplado en e misor ) mostraba una tensión de salida binaria para se ñales de e ntrada 11'; I >4 Vr . Puncío -
nand o de esta form a. e l amplificador diferencial act ua como compara dor a nalóg ico lo que resu lta úti l en
la generac ión de ondas.

.
" -;-;-f~
,•
"~ "
Flgura I5. IS. El Amp-Op operando en lazo ebienc se conviene en un comparador.

Un comparador anal ógico o simple mente comparador tiene dos tensione s de entrada '.. y 1' 2 Y una
salida \'0' Frecuentemente. una de las entradas (1'2) es una tensión de referencia co nstante VII' y la otr a es
una señal variab le con el tiemp o. Recuérdese que esta disposici ón se emple a en la etapa de e ntrada de la
puert a OR/N OR ECL descrita en la Seco6- 14. El comparador ideal de la Fig . 15·1 8 con la carac terística de
=
transferencia de la tensión de la Fig. 15· 19a tiene una ten sión de salida co nstante 1'0 V(O) si 1' 1 - v! = 1';
<Oy otra ten sión (.....nstante distinta \'0 = V(I) si v; >O. Por tant o, si " 2 = VII' una tensión de referenci a, \ '0 =
VeO)cuando v. <t Jt Y "o = V(I) cuando \'. > VII' Clara mente. se compara la entrada con la referencia. y la
salida queda e n uno de los dos estados digitale s: ni ve lO de tensión V(O) y nive l 1 de V(l }. Se puede n
co nseg uir tensiones VeO ) y V(I ) co mpatibles con niveles lógicos TIL. ECL o MOS. Puede dispo nerse
tambi én de otras tensiones Iimitadoras, tales como ± 10 V.
Como ya se ha indicado anteriormente, la ca racterística de tran sfe renci a de un par diferenci al se
aproxima a la de un co mparador ideal. El reco rrido tota l de entrada entre los dos niveles e xtremos de salida
es » 8 Vr = 200 mV. que se puede reducir drá sticamente conectando e n casc ada el amplificador diferencial
can otras etap as de alta ganancia. Puesto que esta configuració n co rresponde a la topología del Amp-Op
de la Fig. 14· 1, puede e mplea rse un Amp -Op (lazo abierto) a manera de comparado r. En la Fig. 15-19b
se represe nta con trazo co ntinuo una carac terística de tran..ferencia típica de Amp-Op. Se o bserv a que el
 G eneración y eonf ormació n de ondas 659

cambio del estado de salida tiene lugar con un Incremento en la entrada .1.1', de tan sólo 2 mv. Obsérvese
que la tensión offset de entrada apona un error en el punto de comparación entre ". y VA' del orden de
I mY. En algunas aplicaciones esta tensión offset puede se- excesiva y se hace necesario equilibrarla como
en la Fig. 14-22.
Se han diseñado algunos Amp-Op para aplicar específicamente como comparadores de tensión buffer,
en lugar de como Amp-Op. No estando previsto que un comparador se emplee con realimentaci ón
negativa. se puede prescindir de la compensación de frecuencia con laque se tiene mayor ancho de banda
y más velocidad. El ténn ino ..buffer.. indica que el comparador no carga la fuente de señal debido a su
gran resistencia de entrada. Entre los muchos chips comparadores disponibles es t án los Fairchild ~A 110.
el National LM 111 . el Analog Devices AD604 y el Harris HA 2 111.

'. U" . V

10 ------
,•
,•
o " -, -,o , J , uf' mV

-.
VlOI -.
-6

'.1 '"
Figura 15-19. Caraclerislicade transferellt'ia de UDCOITIparador: (a) ideal y (b) páClico (comercial).

La región ambiguaé l '; puede ser tan pequeña como I S ~ Y Yeu iempode respuesta (el tiempo necesario
para que el comparador cambie de estado) puede irde 20 a 200 ns. También existen encapsulados de dos
o de cuatro comparadores independientes. Algunos chips han sido diseñados con una entrada inhibidora
de forma que pueda quedar inhabilitado durante los transitorios de entrada.
Para rener tensiones de salida limitadas independientes de las tensiones de suministro de potencia se
añade una resistencia R y dos diodos Zener en oposición para fijar la salida del comparador. tal como
indica la Fig. IS·20a. El valor de la resistencia se elige de forma que los diodos de avalancha actúen a la
corriente Zener recomendada. Las líneas de trazo continuo dan la salida r ' a trav és de los diodos. mientras
que las de trazo interrumpido representan la salida I'~ del comparador. si la señal de entrada se aplica al
terminal no inversor y la referencia VR al tenninal inversor se obtiene un comparador no inversor, Si se
intercambian las posiciones de 1', y I 'R resulla la caracrerfstíca del comparador inversor. Las tensiones
límites de v'.. son VZ • + VD;;;: V.. y. (V21 + VD) E -V", donde VD (- 0.1 Y) es la tensión directa de un diodo
pn. El añadir los diodos Zener tiene la segunda ventaja de que la limitación puede ser mucho más definida
para l· · .. que para v.., pero tiene el inconveniente de la pobre respuesta transitoria de l diodo de avalancha.
Los comparadores se emplean mucho en circuitos del procesado de señales y de generación de ondas.
Cadaaplicación se vale de la facultad del comparador de detectar si una señal es mayor o menor que otra
señal (o tensión de referencia). En este capítulo trataremos de los circuitos relacionados con la generación
de formas de onda. y en el capítulo 16 trataremos de otras aplicaciones de procesado de señales.
660 Microeleclróttica moderna

15-8. FORMACiÓN DE ONDAS CUADRADA S A PART I R DE UNA

SENOIDE
El comparador da onda s de forma no lineal porque su sa lida no guarda ning ún parec ido con la onda
de ent rada. Se emplea frecuentemente para transform ar una señal de variac ión lenta e n el tiem po a otra
de cambio abru pto. Uno de estos casos es la generac ión de onda cuadrada part iendo de una se ñal senoidal.
Volliol.

, '.
,.-----
•• ¡"z.... "D .. "..
c~ _

Comparador 6
no inversor
•,_ -lo:..
•
inversor ..
'. , -;
_1
-,
O z 3 •
0,
v" -, -. u"mV

____ . JI \
.... _----
Fi~u ra
., - 10
lbl
15-20. (0 1Un co mparador en Ci1wada con una ("om binación de ll'~i~('fI("ia )' diodo zener. t h)CaraclC'r¡~l ic a de lran,fell'fI("ia
de v.. )' v·... S i v. '" v, )' v! '" VII;' el com paradores no inversor. Se liene un cnm parador invehorcon v. '" VII; )' v!" v,,

Si se iguala V. a cero. la salida cambiará de un estado al otro muy rápidamen te (li mitado sólo por el
ritme de variación) cada vez que la entrada pase por ce ro. Esta configuración se den om ina detectar de
(T IICt' por aro. Entre las muchas aplicacione s de este detect or est án las siguie ntes:
Si la entrada a un comparador es una onda senoidal, la salida es una onda cuadrada. Si se em plea un
detector de cruce por cero (Fig. 15-2 10) la onda cuadrada se rá sim étrica (Fig. 15-21 r). La forma idea l
tiene los lados ve rtica les. pero e n realidad se extienden por una zona de una fracción de milivoltios de la
tensión de entrada ",'

"

o~
('1

~ " o 0,
(,)
~
"o-- T_
e
R R,
(d I

,.1
~

"
('1 l l l,
'-"'UrI 15· 21. Un deln: lor de peso pur o;emconvienC' una senoide VI en una onda ("\lad rada v... L..a..\ ondas de i m pu bo~ v')' vl
resu rlan de alimenlar con v~ un circuilode \"Uf\.,,¡anle de liempo Re rroocKb en Ci1wada con un diodo lim ilador .
 Generación y eonformacton de ondas 66 1

Señalador de tiempos a partir de una senoide

La salida ' ', de la onda cuadrada de la aplicación anterior se aplica a la entrada de un circuito RC en
serie (Fig. 15-2Ia ).Si laconstantede tiemp oRC es muy pequeña comparada con el periodo T de la senoide
de entrada, la tensión v' a través de R formará una serie de impulsos positivos y negativos como se ve en
la Fig. 15-21. Si v' se aplica a un cortador con un diodo ideal (Fig. 15-2Ia) la tensión en la carga vi. sólo
tendrá impulsos positivos (Fig. 15-2I e). De esta forma la senoide se ha convertido en un tren de impulsos
positivos cuya separación es T. Esto se puede usar para temporizar (por ejemplo en la tensión de barrido
en un tubo de rayos catódicos).
Obsérvese quela formaciónde ondasconseguida por la configuración de la Fig. 15-21a es muy notable:
una senoide convertida en onda cuadrada o en un tren de impulsos.
Unas puntas parásitas - positivas y negativas- denominadas ruido superpuestas a la señal de entrada
en las proximidades de VR puede «rechinar» (cambio de una a otra tensión binaria) varias veces antes de
estabilizarse en su nivel correcto. Esta dificultad se puede evitar, reduciendo simultáneamente el tiempo
de transición, si al comparador se le añade una reatimentac í án pos it íva o regeneración como veremos en
la próxima Sección.

15-9. COMPARADOR REGENERATIVO (DISPARADOR SCHMITT)

La característica de transferencia de la Fig. 15-2Db acusa una variación en la salida de -? a +7 V con
un recorrido de entrada de aproximadamente 1,0 mY. Por tanto, la ganancia es de 14.000, que se puede
aumentargrandemente empleandorealimentación positiva. En consecuencia, la variación total de la salida
tiene lugar en un intervalo de tiempo durante el cual la entrada cambia en mucho menos de 1 mv.
Teóricamente, si la relación de retomo se ajusta para que sea -1, la ganancla A¿con realimentación se hace
infinita [Ec. (12-4)]. Esta situación ideal supone una transición abrupta (tiempo de subida cero) entre los
valores extremos de la tensión de salida. Si se elige una ganancia del lazo mayor que la unidad, la onda
de salida continúa siendo virtualmente discontinua a la tensión de comparación. Sin embargo, ahora el
circuito presenta un fenómeno llamado histéresis que explicaremos más adelante.
El comparador regenerativo de la Fig. 15·220 se conoce comúnmente como disparador Schmin (por
el inventor de una versión de este circuito con tubos de vacío). La tensión de entrada se aplica el terminal
inversor 2 y la de realimentación al inversor 1. Suponiendo que la resistencia de salida del comparador
sea despreciablecomparada con R] + R, tendremos
R,

Siendo V I =Vi' con v = O, V

1 O
= A,Y¡, Yel análisis de pequeña señal da una relación de retomo

T =.
- R, A v
R , + R2
Evidentemente, con A. > 0, T < O, y la realimentación es positiva (regenerativa). Con R I =. 10 len,
R2 = 1000 YA. =14.000:
0.1 x 14,000
T ~ - 139
10 + 0.1
Es fácilmente comprobableque la realimentación es regenerativa. Si la salida aumenta en livo la señal
reenviada a VI' el terminal no inversor, es liVo R!(R , + R 2). Por tanto ", crecerá además por V R1 A J
é
O

(R, + R,) = - T Ii Vo lo que indica realimentación positiva:

662 Microelectrónica moderna

»,

v.
,. v,
" ",
Ganan cia del comparador = A.
-v.
",
I~ R
".
'"
", •
v, -' ~
R, ".
(lO km v.
V, ~
I l -R
-~ R, v, ",
( 100 m
- v.

,,)
v~ (1 V)
,,'
-,
v•
, ,,
,,
v, r- v, ",
"
- v•
Id)

Fi~ura 15-22. (al Comparador rcgenerarivo o dis parado r Schmitt. La onda de salida mues tra una transició n: (h) de + VQ a - VQ :
(e) de -Vo a + V.,: (d) la tens ión de salida a 10 largo de un cic lo ac usando la hisre.cs¡s (V 1- V2).

Hagamos Vo sa V, + VDYsupongamos que 1' 2 < VI de forma que \' 0 = + Vo' De la Fig. 15-22 ded ucimos
que la tensión en el tenninal no inversor es
R,
VI= V II + . (V,, - V,,¡ )=V l 11 5-20)
RI + R ~
Si ahora aumen ta 1'1' 1'., se manti ene constante e n Vo_y 1'1 = VI = constante hasta que 1'2 = VI' A esta
tensión umbral, critica o de disparo, la sa lida regenerativa ca mbia a \'" = -Vo permaneciendo en este valor
mientras 1'2 > VI' La característica de transferenc ia es la de la Fig. l S-22h .
La tensión en el terminal no inversor para 1'2 > VI es
R,

Con los parámetro s dados en la Fig. 15-22 Ysiendo V" = 7 V tendrem os

0.1 x 6
VI = I + " I + 0.059 " 1.059 V
10.1
0. 1 x 8
V, I - I - 0 .079 " 0.921 V
10. 1
 Generación y conf ormación de ondas 663

Obsérvese que V2 < VI y que la d iferencia entre estos dos valores es llamada hist éres ís V H'..

V1 2R1V"
VH "" - V 2 == = 0. 138 V (15-22)
R1 + R2
Si ahora decrece ,.1' la salida permanece en - V. hasta que "z iguale la tensión del terminal I o hasta
que \ 'z =Vr A esta tensión ocurre una transición regenerativa y como se indica en la Fig. 15-22c la salida
retoma a +V. casi instantáneamen te. La función de transferencia completa puede verse en la Fig. 15 -22d
en la que las porciones sin flecha pueden ser recorridas en cualquier dirección. pero los otros segmentos
sólo se obtienen si "zvaría como señalan las flechas. Obsérvese que debido a la bist éresis el circuitcdlspara
a tensión más alta con señales crecientes que con señales decrecientes.
También observamos antes que la ganancia de transferencia aumenta desde 14.fX)() hacia el infinito a
medida que la relación de relamo decrece desde cero a - 1 y que no hay hist éresis mientras ·T sea igual o
menor que uno. Sin embargo, no es factible ajustar la ganancia exactamente a - l. Los parámetros del
comparador, y por tanto la gananciaA" son variables en el recorrido de la señal. Por tanto. un ajuste que
TI
asegure que el máximo de I sea la unidad supone un campo de tensiones en los que la amplificación
es menor que uno, con la correspondiente pérdida de velocidad de la respuesta del circuito. Además. el
circuito puede no ser suficientemente estable para mantener I'exactamente en- I durante un largo periodo
de tiemposin tener que hacer frecuentes reaj ustes. por loque se elige 1T 1 mayor que la unidad, tolerándose
un pequeño valor de la histéresis. En algunas aplicaciones un exceso de histé resís no permilirfa e l
fun cionamiento correcto del circuito. Así, si el valor pico-a-pico de la señal fuera menor que VH el circuito
Schmill que hubiese respondido a una lensión umbral con una transición en un sentido. nunca se repondría
por sI solo. Dicho de otra forma: una vez la salida ha pasado. por ejemplo. a V" se mantendr áen este nivel
no volviendo nunca a -V" ,
Del mismo razonamientoexpuesto en el párrafo anterior se deduce que si v! supera justamente VI se
produce una uansicioe de la salida y VDse mantiene en - V" aun cuando haya algún ruido superpuesto a la
señal de entrada. Mientras la tensión pico del ruido no supere la histéresis VH' \'I no puede caer por debajo
de VI Y por tanto se evita un retomo de estado a + VO' En otras palabras, se ha eliminado el chirrido
mencionado en la Seco15-8.
La tensión offset de salida para el disrarador Schmin de la Fig. 15· 22n es I,la' siendo l. la corriente
de polarización de emrade. y RII =R I I R:. La adición de una resistencia RII en serie con la señal de
entrada \ '2 da una tensión offset de salida I¡..RII siendo 1... la corriente offset de entrada. Puesto que 1... < J.
la tensión offset resultante queda reducida.
Unade lasaplicaciones más importemesdel disparador Schmiu es la deconvertir una tensión de entrada
de variación lenta en una onda de salida con un cambio brusco, casi discontinuo, que suceda a un valor
preciso de la tensión de entrada. Por ejemplo, en la Fig. 15-23 se ve la aplicación de un disparador Schmill
a manera de circuito de cuadratura. La señal de entrada es arbitraria pero con excursión suficiente para
hacer que la entrada abarque los lfrnites del campo de hist éresis VII' Normalmente la salida es una onda
cuadrada asimétrica (como indica la Fig. 15·23) cuya amplitud es independiente del valor entre picos de
la señal de entrada. Evidentemente, la onda de salida tiene los bordes delanteros y traseros mucho más
rápidos que los de la onda de entrada.
Se pueden generarondasc uadradas simélricas haciendo V" =OYde las Ecs. ( 15-20) y ( 15-2 1) se deduce
que V2 =- V, =. R:V,,/C R 1+ R 2) . Aplic•mdo a tal comparador una entrada senoidal de frecuencia f = Iff Y
amplitud de pico VAl se tendrá una onda de salida simétrica de semi-periodo T{l.. Los bordes anterio r y
posterior de la onda no suceden en el momento en que la onda senoidal pasa por cero como en el circuito
de la Fig. 1;í·2 Iu. Estos bordes están desfasados por O. siendo O = sen:' VIV• .
Existen disponibles en el mercado disparadores Schmiu para usos especiales. El chip TII 32 de la
familia TTL actúa como una puerta NANO de lógica positiva con salida en rotem, e híst éresís de 0,8 V.
(V, = 1.7 V Y V2 = 0.9 V). Este encapsulado contiene cuatro disparadores Schmiu NAN D de dos entradas.
Esta topolog ía de comparador regenerativo es la base del multivíbrador monoestable T19600 (Sec. 15·6).
664 Microeleclronica moderna

"
v,
v,
,,
O

:~f-v
,
I

L ~,
I I

Figura 15-23.Respuesta de undisparadorde Schmittinversora una señal de entrada arbitraria.

Disparador Schmitt acoplado en emisor

El par básico acoplado en emisor puede convertirse en un comparador regenerativo como en la Fig .
15·24 . Las resistencias Rl y R2 son desiguales (R , >R 2) y por tanto Q I y Q2 tienen corrientes distintas
cuando están saturados. Estas difere ncias suponen histéresis, ya que se requieren distintas tensiones de
entrada para saturar y cortar Ql YQ2.
Consideremos que V es suficientemente bajo para cortar Ql. La corriente en R, es suficiente para
saturar justamente Q2 h~ciendo Vo = Vce" la ¡n O Rr Para ~F» 1, la tensión VE'" la (..l) RE: así, para que
Q1 pase a ON debe incrementa rse Vi~ hasta por lo menos VBE tON I + VE' Cuando V;~ sube por encima de este
umbral, QI conduce, la tensión Vc, decrece, se corta Q2 y hace que Vo == YEC oSi Vi~ es suficienteme nte
grande para satu rar justamente QI, la tensión vE== 1 C l(. .) RE' Puesto que R, R2 , lel (Sll ) < la. (..o' En
consecuencia, ahora Vi~ debe descender por debajo de l e l \" 0 RE+ VBE (ON! para cortar Q l . Este nivel umbral
está por debajo del requerido para que Ql pase a ON, siendo la diferencia entre estos niveles la tensión de
histéresis Vw Obsérvese que VH depende dl"lgrado de desajuste en R 1 y Rr

'el J R, R, J' e:

•
v.
v" -
J.
R,

-e-

Figura 15-24.DisparadorSchmin acopladoen emisor.

El análisis cualitativo del párrafo anterior ha supuesto que QI y Q2 están meramente saturados. Esto
no es necesario para el funcionamien to del circu ito pues Q l Y Q2 pueden llevarse a saturación.
Corrientemente los disparadores Schm itt con emisor acoplado se diseñan con VH del orden de algunas
décimas de vo ltio (véanse Probo 15-43 y 15-44).
 Generación y confo rmación de ondas 665

R
•v. .
'
--
•
....-...... R, B
'.
e ,'.r' "" V
"¡¡".
R,

~ t-V
V

1-] 1
"1 w R,

~ --
.., lb '
Figur a 15· 25. (a) Generador de onda cuadrada. (b) Ondas de salida y de tensión del cond ensado r.

15·10. G ENERADORES DE ONDAS CUADRADAS Y TRIANGULARES

El disparador Schrnitt inversor puede utilizarse para obtener un generador de onda cuadrada (multivi-
brador estable)conectando una red de realimentación RCentre la salida y la entrada inversora. El circuito
está representado en la Fig. 15·250 indicando que la señal exterior ha sido sustituida por la red Re de
realimentación. En esta figura la tensión de entrada diferencial \', viene dada por
R.
" -= ""'. - l' I "" /..' . - - R
.... +- R !1;.. "" 1;
• _ n l'
,... .. (15·23)
I

De la característica del comparador ideal resulta que l '.=l VO + V = Y.si, " < O. y si v• < O. ""=o
-y ,
Consideremos un momento en el que v, < Oo v, < tJv: = ~Y•. El condensador e se va cargando exponen-
ciahnente hacia Yo,: a través de la combinación Re. La salida permanece constante en Y. hasta que v, se
igualea +Ayp .. en cuyo instante la salida del comparador retrocede a ·V... Ahora v, carga exponencialmente
hacia -Yo'
Las ondas de las tensiones de salida VD y del condensador \', son las representadas en la Fig. 12-25. Si
hacemos I =Ucuando v, = - PV.. durante el primer semi-ciclo tendremos (ya que v, se acercaexponencial-
mente a y..con una constante de tiempo Re )

(15·24)

Puesto que a (= T/2 . 1',(1) = +pVo hallaremos T resolviendo la Ec. (15-24) lo que nos dará

T "" 2RC In -1 +-
I -
P
f3
= 2RC In (2R')
I + -
R 2
(15·25)

Obsérvese que T es independiente de V..'

Este generador de ondacuadradaes particularmente adecuado con frecuenciascomprendidas entre los
10 Hz y los 10 kHz. Con frecuenci as más elevadas el ritmo de variación del Amp-Op limita la pendiente
de las ondas cuadradas de salida. La simetría de la onda depende del desequilibrio existente entre los dos
diodos Zener (Prob. 15-39).
Si se desea que la salidasea ±V.. peroque T. '# TI de la Fig. 15-25. se reemplaza la resistencia R entre
los puntos A y B por la red de la Fig. 15·260. Esta técnica es la misma empleada en el circuito estable
CMOS de la Fig. 15-18. Durante el periodo en que la salida es positiva. D 1 conduce y D2 está cortado.
666 Microetectr ánica moderna

• y(~

'"
f
- Yn
~ v,
~
'b>
"¡ aura 15· 2:6. 1<11 f>arJII engendrar un;¡¡ onda l;Uadrad.1 no ~i mél:ril;a se emplea entre los nudm. A y B la red de: rni~enc~ y d ~
en lugar de R de l. Fig. IS-2S. (O bsérv ese que: esro es el eqeivaleme de l. red de la Fig , IS-11 .) lb) Al!em . livamenle l.
con fig uTllt'ión indicada puede conectarse al nudo A de la Fig. IS-2S de forma q ue T, ~ T z.

Por tanto el circuito queda reducido al de la Fig. 15· 25 salvo que V" queda disminuido por la caída en el
diodo. Puesto que el peri,odo es i nde~nd ieme de V"' TI viene dado por T/2 de la Ec. (15·25). Durame el
intervalo en el que la salida es negativa D I est é en corte y 0 2 conduce, Por lamo. la constante de tiempo
de la descarga e~ ahora re yr , viene dado por T/2 en la ee. (15-25) pero con R sustituida por R' , Si R'
= 2 R, evidentemente T2 = 2 T.
Un procedimiento alternativo para formar una onda cuadrada no simétrica consiste en conectar la red
de la Fig. 15·26h al nudo A de la Fig. 15·250. Supongamos que la resistencia potenciométrica cs pequeña
comparada con R y que la tensión de tal resistencia potenciom étrica también es pequeña. la tensión del
brazo del potenciómetro a tierra es V" Entonces el condensador se carga con una constante de tiempo
RCn. hacia (VI" + V)/2 pero descargahacia (VI"'V)f2 (con la misma constante de tiempo) por consiguiente
TIc#. Tz·

Generadores de onda tri angular

En la Fig. 15·25b se ve que la carga y descarga exponencial del condensador C hace que la onda de "c
sea casi triangular. Para linealizarel triángulo se necesita que C se cargue con una corriente constante. es
decir. haciendoque "cvaríe linealmenteconeltiempo (en rampa) y no exponencialmente como lacorriente
suministrada a través de R en la Fig. 15·25. Recuérdese que la capacidad de compensaciónconectada entre
lasalida y laentrada de laetapade allaganancia de un Amp-Op está alimentada por una corrienteconstante
con el resultado de la limitación del ritmo de variación. Se emplea un Amp-Op con un condensador C de
realimentación (un integrador) para suministrar una corriente constante a e en el circuito generador de
onda Iriangular de la Fig. 15-27. Debido a la reversión de fase en el Amp-Op Integrador, la salida de esta
etapa se reenvía al terminal no inversor del comparador y no al terminal inversor como en la Fig. 15·25.
Asl.e lcomparador actúacomoun disparador Schmitt no inversor. En efecto, la salida de la etapa Amp-Op
se emplea en lugar de la tensión de referencia V~ en el disparador Schmin.
Para hallar el valor máximo de la onda triangular supongamos que la tensi ón de salida ' ', del Schmiu
está en su valor negativo • (VL + Vil) = . Yo, Con un impulso negativo, la salida \" (1) del integradores una
ram/1tl creci ente. La tensión "1de entrada al comparador no inversor se obtiene por superposición, y es

v, =_ V"R 2 + v~R , (15.26)

R , + R2 R 1 + R2
Cuando ". sube hasta V"' el comparador cambia de estado. V.. = + V.. y \':(1) empieza a decrecer
linealmente. Por tanto el pico V.-. de la onda triangulartiene lugar cuando 1' , = V". Según la Ec. (15·26 )

V ...... - (15-27)
 Generación y conforma ción de ondas 667

Análogamente
R, (15-28)
V min V" R 1
y el recorrido pico-a-pico es
1
Vm u - Vmin = 2V R (15-29)
• R,

DisparadorSchmin Integrador

R, •

v,
(o)

u(1)

v.." _

V, (R'.R,)
- R-, -

y.. ,"

l·_-T"-_·I
lb)

Figura 15-27. (a ) Generador de onda triangular. (h) Onda de salida. (Observación; T I '" T l si V, '" O. Asimismo Vm., '" VoRlIR 1
"' . VO(m in. ) si VR '" O. La salida de onda cuadrada es - Va durante el intervalo T I y + Vaen el intervalo T 2-T r )

En la Fig. 15-27h puede verse la formade la onda triangular. De las Ecs. ( 15-27) Y( 15-28) debe quedar
claro que el valor medio es VR (RI + R¡l/R r- Obsérvese que si VI{ = O la onda se extiende entre -V" R/RI y
+ V" R/R j • El desplazamiento en tensión se gobierna aj ustando VR , y el recorrido pico-a-pico se modifica
cambiando la relación R/R l • Calculemos ahora los tiempos de barrido T I y T1 para V, = O. La corriente de
carga del condensador es
i,. = e dv,. = _ e dv:, ( 15-30)
di dt
donde v,.= -v;, es la tensión del condensador. Para 1'" = . Vo ' i = - Vj R Y la velocidad del barrido positivo
668 Microetectronica moderna

(15-31 )

habiendo hecho uso de la Ec. ( 15-29). Puesto que la veloc idad de l barrido ne gativo tiene la mis ma magni tud
calc ulada antes, T¡ = TI = T/2 = 1/2f, siendo la frecuenci a

f = 4R~~C (15-32)

Obs érvese que la frecuen cia es independiente de Yo' La frecuencia m áxima q ueda limit ada por e l ritmo
de variación del integrador o por su corriente máxima de salida q ue dete rmi na el ritmo de la carga de C.
El barr ido más lento lo limita la co rriente de polar izació n del Amp-Op. Los ca mbios de frecuenc ia por
décadas se obtienen variando los valo res de la ca pacidad según potencias de 10, Ylos ca mb ios de frecuencia
dentro de una década, con la variac ión continua de la res iste nc ia R .

Modulación del ciclo de servicio (duty)

Si se desean unos interva los de barrido distintos. T I,¡. T¡, de berá sustituirse R de la Fig. 15-270 por la
red de la Fig. 15+26a . Un procedimiento alternativo co nsis te en aplicar una tensión ajustable Vs '¡' O al
terminal no inversor del integrador como se indi ca en la Fig. 15-270. Ahora la velocidad de barr ido es (V
+ V)/RC y la pendi en te de la rama nega tiva es (Y" - V..) lRC. ¿ Por qué? La amplitud triangul ar pico-a-pico
no está afectada por la tensión Vs de control. Po r tanto

TI = Vo - v\ (15-33)
T, V,, +V,
Se puede dem ostrar que la frecue ncia de osci lación (Pmb . 15-40) viene dada po r la Ec. ( 15-32)
multi plicada po r [1- (V/VY J. La frecuencia di sminuye para V~,¡. O. El cic lo de servicio 6 de un osci lador
de onda cuadrada o triangular se define por TI/T siendo T = T I + T l • De la Ec. ( 15-33) se deduce que

Ó ~ T,
T
~ 1(1_ V,)
2 V"
( 15-341

El sistema de la Fig. 15-27 con la adición de Vs es un modulador as imétrico. La asi met ría varía
=
linealment e con v.~ y se ex tiende des de O para V~ = V" hasta 0,5 para V.~ OY hasta 1 para V~ Yo, =-

Oscilador gobernado por tensión: veo (Voltaj e Controlled Oscillator)

Observemos que V~ de la Fig. 15-27 no só lo modifica la as imetría del c iclo sino que altera tam bién el
periodo T = l/j. Esto constituye un ejemplo de conversión de tensión a frecuencia . No obstante f es una
función no lineal de Vs ya que la frecuencia depende de 1 - (VS Nj. En la Fig. 15-28 se representa un
para o btener un generador de ondas cuadradas o -triangulares cuya frecuenc ia de penda linealme nte de la
modul ación de una tensión 1'0' El inversor CMOS form ado por Q 1 Y Q2 actúa co mo un inte rrupto r de un
solo polo y do ble recorr ido (SPDT) . La etapa separadora de la Fig. 15-28 es un seguidor de tensión que
excita al Integrador desde una baja impedancia . Este siste ma d ifiere fundamentalmen te de l de la Fig. 15-27
en q ue ahora la velocidad de barrido la determi na 1'0. pero la amplitud de la o nda sigue esta ndo fijada por
los parámetros del comparador, es decir± PV,,. La tensión negat iva - 1',., se obtiene de un Amp-Op inve rsor
de ganancia unidad.
Su pongamos que la salida del co mparador Schm itt sea 1'" = V"' exce diendo \1" e l má ximo valor de 1'...'
 Generaci6n y conformación de ondas 669

,
OJ '.

T Interruptor seguidorde rension Integrador

CMOS SPDT
DisparadorSchmitt ,,)

lb )

Figura 15-28. (o ) Oscilador de tensi ón gobernadacuya frecuencia varíalin ealmente con la tensión de modulación vm" (b) Onda
cuadrada voy triangular v'o'

Entonces, para el CMDS inversor, el interruptor QI está cortado (OFF) y el Q2 en conducción (ON). La
entrada val integrador (la salida del seguidor de tensión ) es -I'm" Por tanto v',,(t) crece linealmente con una
velocidad de barrido vjRC VIs hasta que v', alcance el nivel umbral del comparador 13 V~ = V~R !(RI +
R2 ) . Entonces la salida del Schmin cambia de estado a '', = -V" como en la Fig. 15-28b. Ahora conducirá
Ql y Q2 estará cortado y la salida de l interruptor CMDS pasará a ser +v'" resultando una rampa lineal
negativa v'" = -vmlIRC hasta alcanzar el umbral negativo -I3V". Evidentemente los dos semi-ciclos son
idénticos, y

2
L'" ,
Re 'T2 "" V V )
f3 " - (- f3 ,,""
R2 V
R 1 + R! " (15-35)

La frecuencia oel oscilador viene dada por/= lrr o sea

f = R , + R 2 v",
(15-36)
4RCR 2 V"

indicando claramente que la frecuencia de este oscilador varía linealmente con la tensión v de modulación.
Experimentalmente se ha determinado que esta linealidad abarca más de tres décadas (desde menos de
2 mV hasta más de 2 V). El sistema de la Fig. 15-28 corresponde al de una onda cuadrada o triangular de
frecuencia modulada .
670 Microelectr ónica moderna

15-11. GENERADORES DE IMPULSOS

El generador de onda cuadrada de la Fig. 15-25 se ha modificado añadie ndo un diodo de fijación (D I )
en paralelo con e, como se ve en la Fig. 15-29. para que funcione co mo multivibr ador monoesta ble. Se
aplica un estrecho impulso negativo v, al terminal no inversor a través del diodo D2. Para seg uir el
funcionamiento del circuito supongamos que está en su estado estable con la salida en v = + V" y con el n

condensado r fijado a la ten sión del diodo DI en co nducción V, '"' 0,7 V (con aV" > VI)' Si la amplitud del
disparo es mayor que p V,,~ VI el comparador cambiará a una salida ¡I " = .V". Como indica la Fig. 15-29b,
ahora el condensador irá cargándose exponencialmente. con una constante de tiempo 'r = RC. a través de R
hacia -V" porque DI queda polarizado en inverso. Cuando v, se haga más negativo que ~ IW" la salida del
comparador vuelve otra vez a + V"' El condensador ahora empieza a cargar hacia + V" a través de R hasta
que v,. alcance VI y C queda fijado nuevamente en v,. = VI' En el Prob o15-41 se halla que el ancho T del
impulso viene dado por

T = RC In I + VIIVo (15-37)
l - ~

Si V,,» V I y R¡ = R I de forme que P= 0,5 tendre mos T =O ,69 RC.

El impulso de disparo Tp debe ser mucho más estrecho que la duración T del impu lso gener ado. El
diodo D2 no es indispensable pero sirve para un mal funcionamiento si apare ce una punta positiva de ruido
en la línea de disparo.
Puesto que un disparo genera una onda recta ngular que nace en un momento dado y qu e por tanto
puede emplearse como puerta de otras partes de l sistema, se le puede denom inar como circuito-puerta.
Además, ya que genera una transmisión rápida en un predetermi nado tiemp o T despu és de l disparo de
entrada, se le denomina también circuito de re/a rdo de tiempo .
Obsérvese que la tensión ve del condensado r de la Fig. 15- 29b no alcanza su valor v, = VI hasta que
T' > T. Por tanto hay un tiempo de recuperación T' -T du rante el cual no se puede exc itar nuevamente el
circuito. En otras palabras, el próximo disparo de sincronizació n debe retrasars e del ante rior impul so de

v,
¡
o r T T'

• u, '-
DI
~ " UI

.., R,
~

D'
R,
V, •
" • ~ v,
o
U¡ '" ji Vo R,

o -
1'"
lo¡
'"
Figura 15-29. (a) Multi vibrador monoestable. (b) Ondas de impulso de disparo negativo de corta duración v • de la tensión del
conde nsadorv<, y de l impulso de salida negativo, v,,, (Se supone T > T p') I
 Generaci ón y coofo rmacl án de olidas 67 1

entrada en por lo menos T' segundos. En el Probo15-42 se ve una alternativa de circuito monoestable con
recuperación más rápida.

Multivibrador monoestabl e de re petición

Consideremos laconfiguración de la Fig. 15·30a. En estado de reposo (antes de aplicar un disparo) el

JFETestéen corte porla tensión de polarización inversa puerta-fuenre-vroG de Q. Elcondensador se carga
a la tensión de alimentación Vce de fonna que la tensión en el terminal inversordel comparador es "r= VIT"
La tensión de la entrada no inversora es constante e Igual a PVa = Va RJ(R. + Rz ). Puesto que \ '< > PVa. la
salida del comparador está en su nivel bajo 1'" = • V..'
Supongamos que en el instante I = Ose aplica una señal positiva estrecha 1', con amplitud del impulso
aproximadamenle iguala V'. ElJFET conduce con unacorrienteconstante y altaque rápidamente descarga
linealmente e hacia tierra. Con pequeñas señales. v ya no cae linealmente sino que se aproxima
exponencialmente a cero con una constante de tiempo ;'m ' O N' e (Sec. 4-3). En la Fia. l5 -30h figuran las
ondas de 1',. y 1'". Tan pronto I'r cae por debajo de ¡iVce la sal ida del comparador pasaa su nivel alto 1'" = + V"'
Supongamosque el ancho Tp del impulso es suficientemente grande para que 1',_= Oal final de la señal
de entrada. Entonces, a ( = T. el condensador se carga exponencialmente hacia V con una constante de
tiempo Re. Cuando \'r = PVce el compar ador cambianuevamente y para v, > PVce' II~ se mantiene en • V~.
generando la onda positiva de ancho T representada en la Figv 15-30b . Se puede demostrar que

T = Re In (1+ ~:) (15·38)

"J o -r",' - -- - --
r
1 ,.
R R, " r - Re

.
~
OT,
'
• ~ ...rR, +1',.

" ~
,,"- -)
c=
~
'. =f=--+-T
-I -
- R R¡ • R +R 1
l'n ' • /ll'cc
_ 1""
-
,,' ",
Figura IS-30. (a ) Multivibradc r monoestable redrsparabte. (b) O ndas del impulso di: d isparo v" de la ten sión del condensado r ve'
y del impulso de salida y~. (Con T > T,.)

En la deducción de esta ecuación se ha supuesto que T » T . Más aproximación se tiene sumando T

al segundo miembro de la Ec. ( 15-38). '" '"
Obsérvese que a diferencia de las configuraciones monoestables (por ej. la de la Fig. 15-29) no se
necesita ningún tiempo de recuperación antes de que el sistema de la Fig. 15-30 se pueda excitar de nuevo.
Si aparece un segundo impulso positivo en cualquier momento" (menor o mayor que el JFET reduce n.
acero la tensión en e engendrándose las ondas de la Fig. 15-3Ob en el instante (=,. en lugar de 1 = O. Por
672 MicroelecJrónica moderna

tanto, en J = l' se inicia un nuevo intervalo T. Un circuito como éste constituye un mutti monoestable de
repetición.

15·12. EL TEMPORIZADOR INTEGRADO 555

El chip temporizador 555 se emplea mucho como multívibrador tanto monoestable como astable. Fue
introducido primeramente por Signetics empleando tecnología bipolar, ahora 10 suministran varios
fabricantes tanto en tecnología bipolar como en la CMOS. La configuración básica del 555 está
representadaen la Fig. 15-31 en la que puede verse que consta de dos comparadores, un biestable SR, un
transistor de descarga Q 1Yuna etapa de salida en totem. Con Vce =5 V el temporizador es compatible con
las series 54n4 ITL y con las familias lógicas CMOS.
El circuito de la Fig. 15-31 0 está conectado como multivibrador monoestable; la resistencia R y el
condensador e son exteriores al chip y sus valores determinan el ancho del impulso. Las tres resistencias
iguales Rl.establecen las tensiones de referencia VI y V2 para los comparadores I y 2 respectivamente, ya
que VI = 1. Vce /3 YY2= Vce /3. El valor ~e R1 no puede ajustarse con precisión. Sin embargo, las técnicas de
fabricación integradacontrolanaj ustadamente la relaciónde resistencias de formaque VI y V1 sonprecísas.
Antes de la aplicación de la tensión de .disparo v" el biestable SR se repone con Q = V(O) y Q = V(1).
Estos niveles vuelven va = V(O) "" OYsaturan Q I haciendo que la tensi ón umbral v~ sea aproximadamente
igual a cero. Puesto que v~ <VI la salida del comparador l es V(O). También la salida del comparador 2 es
V(O) ya que v, > V1•
En el momento ' = Ola aplicación de un impulso de disparo v, <V2 hace que la salida del comparador
2 sea V(l), fijado el biestable. Por tanto, Q =V(I), Q =V(O) hacen que v. =V(l > cortando Q I. El
condensador temporizador carga hacia Vce con una constante de tiempo t = Re . Cuando ". alcanza VI en

Cllip Ie mpt';I~llIf 555

R
R,

-Lt
_'_ _
Companuiof 1 ~_ _,
v, • R Q
E1apade
"3litb en
Salida
Umhno l V.
tóte m
v,
8 ie<lal>1e
() T,
(h /
"
R, SR v,
v,. _
v, • Tron~i~tor
¡¡ Q I de descarga

V, Comparador 2
R,
o T,
Id
V.

~j
~
O
~
L,
T,

Figura 15-31. (a) Configuración básica de!lemporizador SSS IC conectldo como multi... ibrador moooestable. Ondude: (b) im-
pulsode disparo ..... (c) Iensión umbral Y., y (d) impulscide salida ...o'
 Getleraciótl)' coof ormacton de ondas 673

+ 1'"
t11ip ..: mll<'ri/....k...555

R,
R,
f-
R. Umtlral V, F.J"f"I do: V.
V,
B= R Q - ""lilLo <'n
¡..eem Sar

le R,
B i~"Slahlc

'"
Dese
~"

---c' T~",i"~
RV-
~
v!
S Q QI de dcsc~rga
Di, ""rtl
,
CtNnp;lrlltlllf 2

FiKu rl 15-J l . Temporin dor 5551Cconecladocomo mullivibrador astable.

1= TI' el comparador l cambia y su salida pasa a ser V( 1). Esta transición repone el biestable. retomando
la salida " a su nivel original VeO). La baja resistencia de saturació n de QI desca rga rápida mente C. Las
ondas corjespondi entes a v" v, Y"..son las de las Figs. 15-31h, e y d.
El ancho del impulso J I 'llene determinado por el tiempo necesario para que la tensión '', cet
condensador cargue a VI' Para OS I S TI

11 5-391

Resolviendo la Ec. ( 15-39) a t = TI cuando ", (TI) = VI = 2V« /3 tendre mos

TI "" Re In Ver - VeO) 11 5-401
Ver' 13
Si V(O) =D, fa Ec. (15-41) se reduce a
TI "" Rel n 3"" 1.IR C 11 5-411

El mullivibrad or astable

La Fig. 15-32 muestra la conex ión del tempon za dor 555 a manera de mullivibrador asta ble. Suponga-
mos que en el instante 1=0, v. = VI motivando el cambio del co mpa rador I y haciendo s u salida V( 1).
e
Ahora se repone el biestable saturando Q I Ydescargando a través de R•. Al "" TI la tensión umbral es
VI "" Vci 3 y la salida de l comparador 2 pasa a ser V( 1) fijando e l biestable. El trans istor Q I se co rta y e
se carga hacia Ver a través de RA + R•. En el instante T l , ' ', = VI motivando una transición de l comparador
l completando así el ciclo. Las duraciones del impulso (Probo154 5) vienen dadas por
674 Microelectrónica moderna

TI = Rile In 2 T~ - TI = (RA + Rifle In 2 ( 15·42)

=
En la Ec. ( 15-42) se ha supuesto que V(O) O. Obsérvese q ue la o nda cuad rada no es sim ém ca. fo q ue
se a tribuye a las distintas constantes de tiempo du rante la carga y desca rga.
.
El periodo de la o nda c uad rada es T.. y por rento la frecuenci a de oscilacl ón f es
I I
f.. = T~ = (R A + 2R lflC In 2 (15-43 )

15·13. GENERADORES DE BASE DE TIEMPO

Un ge nerador de base de tiempo line al da una o nda de salida de la q ue una parte de e lla muestra una
variación linea l de tensión o de corri ente con el tiempo. Una aplicació n muy importante de ta les ondas
es tá re lacio nada co n el osciloscopi o de rayos catódicos. La re prese ntació n e n la pan talla de la gráfica de
la var iación respecto al tiempode una onda cua lq uiera req uiere la aplicació n e ntre una s placas de deflexión
de una tensión linealmente variable co n el tie mpo " Puesto q ue la o nda se emplea para barre r e l haz de
ele ctrones horizonlalme nte a través de la pantalla. se le de no m ina tensión de barrido, Hay ade más otras
muchas aplicac iones del circuito de base de tiempos . co mo en e l radar. te levis ión . medi ci ones precisas de
tiempo y modul ación de tiem pos. .
La Fig. 15-3311 muestra la forma lípica de una tensión de base de tie mpos. La tensió n. parti end o de un
c ierto valor inicial. crece linealme nte co n e l tiem po hasta una amplitud má xima V. tras lo cual cae a su
valo r inicia l. El tiempo T, necesario para volve r a l valor inicia l se denomina tiempo de rehabilitación o
de ,-"torno. Muy frecuentemen te la forma de la onda du rante e l retom o. y e l intervalo T, carecen de
importancia.
Sin embargo. en algunos casos se desea que e l tiempo de relamo sea muy co rto co mparado con e l
oc upado por la porción lineal de la onda. Si e t ne mpc de rehabilitac ión es ex tremada mente corto y en e l
mome nto en q ue termina el an terio r se inicia una nueva ten sió n linea l. la o nda será como la de la Fig.
15-33h. que por su forma se denom ina en dientes de sierra o e n rompo. Es cos tumbre llama rla también
de barrido aú n en aplicac iones que no supongan la de ñe xi ón de un haz de e lectrones .
Evidentemente la tensi ón triangular de la Fig . 15-27b es una onda de barrido con un tiempo de barrido
TI y un tiempo de retom o T!, Si se hace T! « TI se tendrá un perfil en diente s de s ie rra. El tiempo de
reto mo no puede red uc irse a cero por sus limitaciones introd ucida s por e l ritmo de variació n del integrador
o por su má xima co rriente de salida I (ya que la ve loc idad de barrido es dvtdt = /fe) .

El barrido

Una onda puede no ser periódica pero repe tirse a interva los irregu lares. En tales casos es conveniente
que e l c ircuito de barrido en vez de estar funci onando co ntinuame nte se mantenga en reposo es perando
ser excitado por la prop ia onda. Ta mb ién puede suceder que aunq ue la onda se repita re gul arme nte.la
parte de e lJa q ue interesa sea de corta duració n comparada con e l period o de la o nda co mpleta . Por ejemplo.
la onda puede estar fonnada por impulso s de I .... s co n inte rvalo de l oo ....s entre impulsos. En este caso el
barrido periód ico que puede dar la pau ta sinc ronizada más rá pida deberá tener un periodo de 100 p e. Si
co mo es habitual la base de tiempo se ex tiende sobre 10 cmel impulso ocupará 1 mm y no se apreci ará
ningún deta lle sobre la forma del impulso. Por otra parte. si se puede usa r un periodo de barrido de 1 ....s
o algo más . e l impulso aparec erá a todo lo anc ho de la pantalla. Por tanto, lo q ue aq uí interes a es un barrido
previ sto para por ejemplo un interva lo de 1,5 ¡.ts y q ue se man tenga en reposo hasta que e l pro pio impulso
lo pong a en marcha. Este es un circuito mo noes table de barrido e xcitado o provocado .
 Generación y conformación de ondas 675

~) ~l

Figura 15-33. (a ) Una lensión de berrido en general. El tiempo de barridoes T y el de relamo es T . La amplituddel berrido es
V" (h) Onda de tensión en dientes de sierra de periodo T.. • ,

La Fig. l5 ~34 es el diagrama de bloques de un sistema de base de tiempo para un tubo de rayos
catódicos. La onda v, que se quiere observar se aplica a través de un amplificador de video de alta calidad
(no representado en la figura) a las placas de deflexi6n vertical del tubo. Esta señal se aplica simultánea-
mente al sistema de barrido como entrada de sincronización. En el bloque 1 se selecciona la polaridad de
sincronización tomando la salida a través de una resistencia ya sea de colector o de emisor. El amplificador
(bloque 2) no necesita trabajar linealmente ya que todo lo que se necesita es que la salida v, sea
suficientemente grande y rápida para poder exci tar el generador de puerta (monoestable). El alguna s
aplicacione s se emplea un disparador Schmitt , para obtener impul sos escarpados en la parte creciente o
decreciente de la señal, a voluntad. Puesto que el disparador se emplea para iniciar el barrido, aparece en
la pantalla la parte deseada de la señal de entrada.
El tercer bloque de la Fig. 1 5 ~34 es un multiv ibrador monoestable cuyo ancho de puerta viene
determinado por la constante de tiempo RC(Fig. 15-29a). Una onda de disparo negativaj v, en la Fig.
IS-29b) se aplica al generador de barrido (bloque 4) cuya velocidad de barrido depende de una resisten cia
R, y un condensadorC , (Fig. 15-35). La salida del generador de barrido se amplifica linealmente (bloque
5) y se aplica a las placas de defle xión horizont al del tubo de rayos catódicos.
En el caso de que el tiempo de barrido sea corto en comparación con el tiempo entre uno y otro barrido
el haz de rayos catódicos permaneceré en un punto durante la mayor parte del tiempo, y si para ev itar
quemaduras en la pantalla se reduce la intensidad, los trazos rápid os quedan muy desvanecidos. Para
reforzar el trazado durante el barrido se aplica a la rejill a del tubo una entrada positiva derivada de las
salidas del mullí. De hecho, en presencia de esta señal intenslficadora puede ajustar se el brillo de forma
que al principio el punto no sea visible, pero haciéndose visible el trazado tan pronto se inicia el barrido .
(1) (2) ( 3) (4) " )

".
(Se~alde
video)
L A las placas de A inlensificl11
depl e ~ión verlical el haz de rayos .

Figura 15·34.Diagramade bloquesdel sistemageneradorde la base de tiempo para un tubo de rayos catódicos.

Generadores de barrido

El barrido más sencillo se obtiene cargando el cond ensador C I desde una tensión de alimentación Vcc
676 Microelectrónica moderna

a travé s de una resistenc ia R , tal como se indica en la Fig . 15-35a. En e l instante j » O se abre e l interruptor
S, y la tens i ón v' P) del barrido será

(15-44)

Para el razonamiento actual, la for ma física del interruptor S no tien e importancia . De spués de un
interv alo T, cuando la amplitud del barrido llega a V, el interruptor se cierra nuevamen te. La onda de
barrido resultante es la de la Fig. 15·35b (suponiendo nula la resistencia del interruptor).
Obsérvese q ue la tensión de barrido es exponencial y no lineal. En el cas o de un osci loscopio de rayos
cat ódicos se precisa q ue la velocidad de barri do sea co nstan te. Por tan to. una defi nición razon able de la
desviación respecto a la linealidad podr ía veni r dada por el error de pe ndiente o de veloc ida d de barr ido ,
e,"
"
_ Diferencia de pendiente al principio o fina l del barrido
(15-45)
es = Valor inicial de la pendiente

Si aplicamos esta defin ición a la Ec. ( 15-44) hallaremos (Prob. 15-50) q ue independientemente de la
constante de tiempo, para una amplitud de barrido dada V, y una tensión de alimentación Vcc
V,
e , =V- ( 15-461

La linealidad mejora a medida que decrece la relaci6n V¡V. Por tanto. e l circuito simple de la Fig.
15-350 s610res ulta útil en aplicaciones co n ten siones de barrido del orden de los voltios o de las decenas
de voltios . Por eje mplo. se puede co nseg uir un barrido de 20 V con un erraren la velocidad de barrido menor
del 10% emp leando una tensión de alime ntación de por lo menos 200 V. Una tensión de barrido de
centenares de vo ltios req ueriría una alim ent aci ón de miles de vo ltios, lo q ue es un gran inconvenient e.
Se co nsigue una gran mejo ra en la linealid ad empleando e l Am p-Op integrador (M iller) de la Fig.
15-35c en lugar del circ uito simple de la Fig. 15-35a. Si la ganancia de tensió n de l am plifica dor es A..• si
la res istencia de entrada es R¡= 00 y si la resiste ncia de salida es Ro = O, ento nces v' = A l' 1';, La entrada \',
es V/ A,. cuando la amp litud del barrido en la salida de l ampli ficadores V" Por tanto, según la Ec. ( 15-46),
e, = V, /A,'v lo que sig nifica que

e, (F ig. 15-35c) = -A1 e.,(F"19. 15-35(/) (15-47)

'"

s
".

o T,

'" rhl ,el

Figura 15·35. (a) Carga de un condensador a través de una resistencia a partir de una tensión fijada. (h) Onda exponencial resul-
rente. (e) Circuito de barrido integrado de Miller.
 Generaci ón y cosformact án de olidas 677

,1 \ a
(b)

v. v.
S R, • «,
,;
" Mullivibrador '. tl , e,
- v.
I T,------j
monoeslable
D' tu --,-v,
i-
... ' .. Id'
(. ) a T,
Figura 15·36, (a ) Gene rador de barrido gobernado . El interruptor S de las Figs. l 5-35a o l5 -35r es té excitado por el circuito
díodo -resistcncia FET . (b) Onda de impulso de video 1', a observare n la pantalla.jc) Tensión de salida Vo del mu11 ivibrado r monee s-
reble. (ti) Barrido generado en sincro nismo co n la señal de e ntrada.

Siendo A" "" 100.000, el circuito integrado enge ndra tensiones en rampa sumamente lineales.
También puede obtenerse un barrido aproximadame nte lineal con la configuración bootstrop" del
Prob. 15-54.
El interrupto r S puede ser un JFET excitado por un genera dor de cebado co mo indica la Fig. 15-3&1
(que se corresponde con la Fig. 15-35a ). La seña l de video v, que se pretende observar está re presentada
en la Fig. 15-36b. Como se ve en la Fig. 15·34 la seña l se amp lifica para formar un disparo v, para el
multivibrador monoestable cuya salida ' ', es la de la Fig. l5-36c, Exis te un peq ueño retraso (no
representado) entre el inicio del impulso en la Fig . l5-36b y el principio del ce bado en la Fig. 15-36c. En
estado de reposo Q está en conducción porque I'~ = + Vn y la te nsión del condensado r se mantie ne próxima
a cero ya que "os ¡ONI «R r- Durante el intervalo T, el FET está cortado por la tensión de puerta - Vn y el
"a
condensador se carga engendrando el barrido de la Fig. 15-36d. Al final del intervalo T" vuelve a "o
+V~ pon ie ndo en cond ucción el FET, descargándose rápidamente e durante un corto tiempo de retroceso
como se ha exp licado en relación con la onda 1',. de la Fig. 15-30b (El diodo D evita que la puert a de Q
soporte una corriente apreciable).
Se observa también que la velocidad de barrido viene determinada por R 1 C I del generador de barr ido.
mientras que su anchura la determ ina RC del generador de ceh;¡nn. S i la amplitud del barrido ha
de mantenerse nominalmente constante, deberán ajustarse los controles R y C siempre que se varíen los de
velocidad R I y C l • Los condensadores C I y C se maniobran sim ultá nea mente para cambiar el campo
de velocidades de barrido, y la resistencia R , que se emp lea para la var iación cont inua de velocidad está
relacionadaconR. No se ha intentado mantener constante la amp litud con alguna precisión. Dicha amp litud
se hace deliberadamente tan grande que el final del barr ido caiga fuera de la pantalla del tubo con lo que
no se observan las variaciones de amplitud.

15-14. GE NERADOR ES DE ONDAS EN ESCALERA

La simple disposición de la Fig. 15-37a se emp lea para engendrar la onda en esca lera de la Fig. 15-37h.

• E~pn: sión que s;gnifioa aproxima d.mcnle «l¡ra r del ro rdón. y que prov iene de que si Unextreme de una n:,islenoia cambi ade (cnsión. el 011'0
e~ ln: mo varIa en igual c uanli. como si un extremo «Iira<e.. del o lro (N. del T .).
67 8 sticroetectrontca moderna

Se aplica a un Amp-Op integrador un tren de impulsos negativos l ' del reloj. La salida l '.. del integrador

.
sube linealmente durante la duración T de cada impulso manleniéndose constante durante el tiempoentre
impulsos (Fig. 15-37cl. Si T « T = ~riodo del .reloj, la onda v se aproxima a la forma ideal de escalera.
Obs érvese que ni el contador ni el interruptor S intervienen en la formación de la onda en escale ra. sólo
se necesitan para reponer l '.. a cero después del número de escalones deseado (como veremos más adelante).
Si Ves la amplitud del impulso. la velocidad del barrido es V/RC y la altura yo de cada escalón es

V' = VT,. (15-48)

RC
Si se desea terminar la escalera después de por ejemplo siete escalones. se emplea un contador
asfncrono de tres etapas. La salida de cada uno de los tres AJP'FLOP (biestables) se aplica a una puerta AND
(Fig. 15-370). Después del séptimoimpulso hay coincidencia y la salida v"de la puerta ANO pasará a estado
allo manteniéndose asf hasta después del octavo impulso (diagrama de la Fig. 15-34). La onda resultante
se usa para gobernar el interruptor S de la Fig. 15-370 que descarga rápidamente C hasta cero como en la
Fig. 15-37c, Modificando el contador asíncrono con una puerta de realimentación adecuada, tal como se
explicó en relación con la Fig. 8·16 se puede conseguir la reposición a cualquier número de escalones
deseado.

Contador de a lmacena miento

El paso de un escalón al siguiente de la Fig. 15-37c tiene lugar durante un tiempo T~ (el ancho de un
impulso). Se puede tener una subida mucho más escarpada con la configuración del contador de
aímacena míenta de la Fig. 15-38. Para comprender el funcionamiento. supongamos que el condensador
C I está descargado y el C! cargado a una tensión v. Un impulso de entrada hará que C l se cargue a través
del diodo DI. La constante de tiempo a la que se carga es igual al producto de C l por la suma de las
resistencias del diodo y del.seguidor de tensión. Esta constante de tiempo puede ser muy pequeña en
comparación con la duración del impulso y C I cargará plenamente a " 1 = V con la polaridad indicada.
Durante eltiempo de carga de C I el diodoD2 no conduce y la tensión a través de C! se mantienenen v... Al
terminar el impulso de entrada el condensador CI queda a la tensión ", = V que ahora aparece a través de
D I . La polaridad de esta tensión es tal, que DI no conducirá . No obstante. el condensador C I descargará
sobre C, a través de D2 y de la resistencia de salida del amplificador. La tierra virtual en los terminales
de entrada del Amp-Op no toma corriente alguna. Por tanto. toda la carga C IV que abandona C, debe
transferirse a Cl' El Incremer uo de tensión a trav és de C! será pues

V' = C, V 115-491
C,
reduciéndose a cero la tensi ón a través de Cl' Siguiendo el mismo razonamiento. e l siguiente impulso
carga nuevamente el a la tensión Vdurante TI' transfiriendo abruptamente la carga C I Va C l al finalizar el
impulso. de forma que ,. decrece airo escalón de la misma magnitud V' dada por la Ec. ( 15·49) .

Aplicaciones

La onda en escalones frecuentemente se emplea para van ar escalonadamente una tensión. También se
utiliza con fines de muestreo (a muy alta frecuencia). Asimismo se emplea esta onda en escalones para
trazar sobre la pantalla de un osciloscopio una familia de caraoertsucas ten si ón-corrie nte del BIT o FET.
 Generación y conf ormación de ondas 679

(, )

¡-T-j
o
-v I
, 2 , • s , 7 8 9 10
,,, lb) ,,
(

(
,,
(

(
,
(
(

II
T'-H
,, -
v'
(,)

Figura 15-37, (u) Se obtieneuna onda enescalera v aplicando untrende impulsos estrechosv a un integrador Miller. Elcontador.
la puerta ".N D y el interruptor gobernadoS cumple ~ [a operación de reposición. Las ondas dl vp y v~ están representadas en (b) y
(e) respecuvam ente.

el D2

•
" DI

°-3..F
-v
rp

FIgura 15-38. Uncontador de almacenamiento generadorde escalera. El circuito de reposición es idéntico al de laPig. 15-37.

En esta aplicación cada escalón corresponde a un valor constante de la corriente de base o tensión de
puerta.
680 Microelectrónica moderna

N,

N,

'. N. P N.

Figura 15·39. Amplificador posaivo-regarivode gananciagobernada: A .. ± l. si R, = R4•

15-15. MODULACIÓN DE UNA ONDA CUADRADA

La variación de caracterfs uca de una porta dora de alta frecuencia proporcionalmente a una señal de
baja frecuencia se denomina modulación. El parámetro que se modula puede ser la frecuencia. la amplitud
o el ancho del impulso. El sistema de oscilador de tensión gobernada de la Fig. 15-28 es un ejemplo de
onda cuadrada de frecuencia modulada (FM). La Ec. (15·36) indica que la frecuencia/ es proporcional a
la magnitud de la señal moduladora ". '

Modul ación de amplitud

Multiplicandocualquier ondaportadorapor una señal moduladora ". se obtiene una señal de amplitud
modulada ya que el valor instantáneo de la portadora es proporcional a ". ' Para una portadora senoidal se
puede emplear un multiplicador analógico (Sec. 16-14).
Si la portadora es una onda cuadrada puede llevarse muy fácilmente a cabo la multiplicación con un
amplificador hifásico (Fig. 15-39). Si 1'" = + V"' la tensión de salida es 1" = -1'.,: con 1'" = .V" ' l" =+\'..' El
análisis se deja para el lector en el Probo 15-41. En la Fig. 15-400 la señal de modulación 1'.. se ha
representado (por faci lidad de dibujo) con trazos rectilíneos. siendo la portadora la onda cuadrada 1'" de
la Fig. 15·40h. La onda resultante.de amplitud modulada (AM)está esbozada en la Fig. 15-40('. Obsérvese
que cuando - y es positivo. y ' ... v y cuando .v es negativo y ' = -\' . En otras palabras, la onda cuadrada
queda multiplicada por [aseñal de~odulaci6n. 'Í\. este sistema a vec; s se le denomina modu lador de alt ura
de impulso o modulador de amplitud de impuls o (PAM).

Modulador recortador
Se obtieneun moduladorde amplitud sencillo «recortando..la señal mediante un interruptor gobernado
sincrónicamente por la onda cuadrada. El interruptor SI de la Fig. 15-4 l está gobernado por el negativo
de la onda cuadrada de la fig. 15-4Oh. La función de S,la puede muy bien desempcñarel interruptor JFET
 Generoct ón y cosfo rmacion de olidas 681

'.
- - -- - - ---""'.....- - - - - -- ----,7"''''--- , . )

1_ T,
t (b)
•
- Tl -

"
'.

-+-++++-t-H-i""-a-++-t-IH-+-++++::"'E:j- t Ce)

-'.
,.
Figura 15·40 . (a) Señal moduladora. (b) Onda portadora c uadra da de frec uencia constante. (e) Onda mod ulada en am plitud.

S de la Pig. 15-36 o el interruptor ana lógico CMOS de la Fi g. 6-32. Durante e l periodo T2 cuando v" (en
las Pigs. 15-40 y 15-41 ) es negativo, S. está abie rto y \' = v.... Du rante TI cuando \'0 es positivo, S. est é
cerrado y v = O, supuesto que la resistencia de SI ce rrado sea mucho meno r q ue R. Con las señales de
modulación v.. y de co rte \'0 de las Figs. 15-400 y 15-40h , respe ctivame nte. la onda \' es tal como indica
la Fig. 15-4 Ib. Obsérvese que la onda v es una versión reco rtada o muestrada de la o nda v..' por lo que
al circuito de la Fig. 15·41a se le llama recortado r.
,
'.
R

(. )
"
" - -VI

Figura 15. 41. (a ) Modu lador reco nador, (b) Re producció n recort ada de la señal modulado ra de la Fig. 1S- 40a . (e) O nda modulada
en amplitud.
682 Microelectr ónica moderna

Observemos que c uando SI est é abierto la señal \" re prod uce la se ñal de ent rada \.... y ta l como se ve en
la figura e n cada intervalo e n el que SI est á abierto se prod uce una aprecia ble variación en la te nsión 1'..'
Es declr. que cuando \'..es positivo. los extremos positiv os de la onda \'.. no se mant ienen a tensió n con stante
y lo mismo sucede en los extremos negativos c uando 1'. es negativo. Lo más co rriente es que la frecuencia
de trabajo del interruptor sea muy ele vada (unas 100 veces mayor ) frent e a la frecuenci a de la se ñal 1'...
Por tanto. no hay cambio apreciab le en 1'. mientr as SI esté abie rto. De acuerdo con esto, es apropiado
describir la onda 1'. . como una onda cuadrada de amplitud proporcional a l '.. y con un valo r medio (seña lado
a trazos) también proporcion al a la señal \.... También se puede decir que l ' es una onda cuadrada de la
frecuencia del interruptor, modulada en ampli tud por la señal de entrada y superpuesta a una se ñal
propo rcional a la propia se ñal de entrada 1'. ,
La frecue ncia inferior de corte del filtre paso alto es tal que la onda cuadrada de frecuencia
relativame nte alta pasa con poca distorsión mie ntras que la frecuencia de la señal está bastante por debajo
del punto de corte. En consecuencia, a la salida del filtro se tiene la onda de la Fig . 15-4 1cq ue corresponde
a l ' pero habiéndo le restado el valor medio,Obsérvese que 1' 1 es una rép lica atenuada de la onda 1" modulada
en amplitud, obtenida en la Ftg. 15-40.

Demodu ladores
El proceso de rec uperar la señal moduladora de la se ñal modulada e n am plit ud \'.. se de nom ina
demodulaci ón. El amplificador de ganancia positiv a-negativa e mpleado co mo mod ulador funciona
igualmente como de modulador. Esta afinn aci ón se justifi ca con el siguiente razonamie nto. Si la onda
modu lada \,' de la Fíg. 15·4Ocse utiliza como entrada \'. a la Fig . 15-39, tendremos que en el inte rvalo T.
(Fig. 15-4Oh) cuando 1" = -\'• . Ia ganancia A es -I , y en el siguiente semiperiodo T2 cuando r- = 1'• • A = + 1.
Por ranto.Ia salida 1" (en la Pig. 15· 39) en cualquie r periodo es 1'... (en la Pig. 15-40). Evidentement e se
ha recon struido la señal original 1'• •
En la Fig. 15-42 se indica una varia nte de dem odul ador que se corresponde con el modul ador recort ado r
de la Fig . 15-41. El interruptor Sl es tá gobernado por + 1'" y por tanto act úa en sincronismo con SI de la

r Filtro paso

L bajo

Figur a IS·42. Demoduledorsmcrono.

Fig. 15-4 1. Por ejemplo. en el intervalo TI de la Fig. 15-4I c. S2est á ce rrado y la salida es nula. Por tanto.
durante TI el e xtremo negat ivo de l' . está conectado a tierra y la ten sió n a trav és de e es -VI como se aprec ia
e n la Pig. 15-42. En el semiciclo siguiente T2 de la onda cuadrada Sl est é abierto. 1'1 = + V2• y \'2 = Vz + V I
que es la am plitud de \' (Fig. 15·41) durante T r A consec uencia del efec to de acoplamiento de e y del
interruptor gobe rnado S, la onda 1'. se reconvie rte e n la se ñal modu lada recort ada \' de la Fig. 15-4 Ih. Si
esta onda vse pasa por el filtro paso bajo de la Fig. 15-42 que rechaza la alta frecuenci a de la onda cuadrada
y transmite la señal de baja frecuen cia, la onda resultante 1' ) es la modulación I de la Fig. 15·4 0a. El
J
•

conjunto de condensador C. interruptor S! y filtro de paso bajo forman un demodulador síncrono.

 Generación y conf ormación de ondas 683

Amplificador recortador estabilizado

Veremos ahora un sistema modulador-<lemodulador que tiene una aplicación particularmente intere-
sante. Supongamos que se necesita amplificar una pequeña señal vJ t} (por ejemplo del orden de los
milivollios) y que dv.. !dl es extremadamente pequeña. Porejemplo. si laseñales periódica.el periodo puede
ser de minutos y aún de horas de duración. Un amplificador de alterna con el acoplamiento entre etapas
acostumbrado no es factible ya que los condensadores de bloqueo deberían ser prohibitivamente grandes
y se haría necesario un acoplamiento directo entre etapas. Pero con tal amplificador de continua no
podríamos distinguir entre los cambios de la lensión de salida debidos a las variaciones de la tensión de
entrada y los debidos a variaciones en algunos componentes activos a causa quizás de la temperatura.
Si el amplificador es de gran ganancia. aun un pequeño desplazamiento del puma de trabajo de la
primera etapa. amplificado por las etapas siguientes. puede suponer una gran variación en la salida.
Resumiendo, para este objeto se requiere un amplificador de continua extremadamente estable.
Para soslayar esta dificultad se utiliza un amplificador de alterna precedido de un modulador y seguido
de undemodulador. Esteprocedimiento queda representadoen la Fig. 15-43. Puesto que la señalde enlrada
v.. de variaci6n lenta es recortada. puede admitirla fácilmente un amplificador de alterna convencional
(que es un sistema de paso alto). Seguidamente se demodula la onda amplificada para reconstruir una
réplica aumentada de la entrada \.... A este sistema se le denomina amplificador recortador estabilizado.
Obsérvese sin embargo que el amplificador no estéestabilizado por el recortador sino más bien porque la
combinación síncrona de modulador-demodulador elimina la necesidad de un amplinca dor directarnente
acoplado exer no de desviaciones.
La respuesta en frecuencia de un amplificador recortador estabilizado es muy pobre. No obstante
existen amplificadores estabilizados en alta frecuencia. de varios fabricantes, que aumentan el recortador
con un Amp-Op acoplado en alterna. de alta frecuencia, de fonna que la respuesta global se extiende hasta
la frecuencia cero. Por ejemplo. el HA 2900 de Hani s Semiconductor o el 3292 de Burr-Brown tienen las
excelentes características siguientes: desviación de tensión offset de ± 0.3. ~ VfC ; desviación de corriente
offset ± I pAf'C; ancho de banda con ganancia unidad, 3 MHz. y ganancia mínima en lazo abierto
equivalente a 140dB.

Modulación de ancho de imp ulso

Si se aplica una onda triangular I'(t} a un comparador cuya tensión de referencia V" no sea constante,
sino más bien una señalde audio 1'.. (1), se obtendrá una sucesi6n de impulsos. El ancho de estos impulsos
refleja la Información audio. La Fig. 15-44a representa el sistema de modulaci ón de ancho de impulso,
Si l ' > l' la salida del comparador es l ' = Vn Ysi l ' <V entonces l' = . V como se indica en la Fig.
15-44b. Cu~ndo 1'. . =O el ancho del impulso es T/2 siendo"'T el periodo de la"onda triangular. A medida
que \'.. vacreciendo se va reduciendo linealmente el ancho de los impulsos de salida "n' El tren de impulsos
tiene un valor medio proporcional a la señal de modulación. Por tanto, un detector de valor medio puede
utilizarse como demodulador. Obsérvese que los retrasos de conmutación iguales. positivos y negativos
se compensan en el comparador y no afectan al ancho del impulso.

Fill...n 15·430 AmpliflC&dorrecortadorembi lizado .

684 Microelectrónica moderna

,,
o ,,
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2Tl
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y. I I I
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R '.
lb>
Ft'
FlllutIlIS.44 . (a) Un com parado r usado co mc modu lador de lincho de impu lso . (b) Como referencia se emplea la onda triangular
v" La señal modu ladora es v"' Yetue n de impulsos de salida es vo'

El sistema descrito es también un modulador asimétrico lineal (Sec . 15-10), La asimetría viene dada
por 5 = 0,5(1- vjV) siendo Ve l valor de pico de la onda triangular.

REFERENCIAS
I lI odges, O.A., y H.G. Jackson: "Analysis and Design of Digital Imegrated Circuits," McGra w-HiII Book
Com pany, Nue va York, 1983.
2: Grebene, A.B.: "Bipolar aOO MOS Analog lmegrated Circuir Deslgn,' 101m Wiley and Sons, Nueva York.,
1984,
3 Ghausi, M.S.: "Electronic Dev ices and Circuils: Discret e and Imegrated," Hal l, Nueva York, 1985 .
4 Schilling. D. y C. Belove: "Electronic Circuits: Discrete aOO Integrared,' McG raw-H iII Book Campan)',
Nueva York, 1979.
S Sector, S.: " Appliealion s of Analog lntegrated Círcuus,' Prenuce-Ha ll, Englewood C liffs, NJ ., 1985.
6 Ta ub, H., y D. Schilling: "D igltallntegrared Eleclronics, McGraw-HiII Book Campan)' ," Nueva York, 1977.

7 Sedra, A.S., y K.C. Srnith: "Microelectronic Circuits," Holl, Nueva York, 198 1.

8 Millman, l ., )' H. Taub : " Pulse, Digital and Switchlng w aveforrns.' McGraw-HiIl Book Cam pan)', Nueva
York,1965.

TEMAS DE REPASO

15-1, Establecer el criterio de Barkhausen, es decir. las cond iciones necesarias para sostener osci laciones senoi-
dates.
15-2. ¿Cuáles son los márgenes de ganancia y de fase necesarios para sos tener osc ilaciones seno ida les1
15·3. Esbozar el oscilador de desplazam iento de fase empleando: (a ) un Amp -Op. y (2) un JFET.
 Generación y conformación de ondas 685

15.4. (a) Esbozar la topologíade unoscilador de circuito resonante generalizado empleando las impedancias Z.
Zl y Z)"
(b) ¿A qué frecuencia oscilará el circuito?
(c') ¿En qué condiciones la configuración se reduce a un oscilador Cotpius? ¿y a uno Hartley?
15-5. (a) Esbozar el circuito de un oscilador de puente de wíen .
(b) ¿Qué componentes detenninan la frecuencia de oscilación?
(e) ¿Y cuáles la amplitud?
15-6. (a) Dibujar el modeloelécmco de un cristal piezoeléctrico,
(b) Esbozar la reecrencta en función de la frecuencia.
(c) ¿Sobrequé parte de la curvade reactancia se desea que se produzcan oscilaciones cuando se emplea el
cristal como parte de un oscilador senoidal? Explíquese.
15.7. Esbozar el circuito de un oscilador gobernado por cristal.
15-8. Comparar y contrastar los tres tipos de multivibradores.
15.9. Dibujarun multivibrador monoestable de puerta NORy explicar su funcionamiento,
15-10. ¿Cuál es la función de un diodo en el mulnvibradorCMOS?
15-1 l. Repetir el tema 15·9 para un circ uito estable.
15·12. (a) Esbozar la caracterfslica de un comparador ideal con tensión de referencia VR'
(b) Repetir el punto anterior para un comparador real.
15-13. (a) Citar dos mejoras en las característicasdel comparador que se puedenconseguirconectando el Amp-Op
en cascada con una combinación cn serie de una resistencia R y dos diodos Zener en oposición.
(b) ¿Qué determina la magnitudde la resistencia R?
15-14. (a) Esbozar el sistema indicado en el tema anterior para un comparador inversor con una referencia V"
(b) Dibujarla característica de transferencia realística si la tensión de salida se toma en el termmal de salida
del Arnp-Op. y también si se toma a trav és de los dos diodos Zener.
15-15. Esbozarel circuitopara convertiruna senoide en: (a ) una ondacuadrada y (b ) una serie de impulsos positivos.
uno por cada ciclo,
15-16. Explicar cómo se midela diferencia de fase entre dos senoídes.
15·17. Si se presentan picos de ruido en la señal de entrada de un comparador en las proximidades de la amplitud
V . ¿Por qué la salida puede rechinar?
15-18. (a; Esbozar un comparador regenerativc (disparador Schmitt) y explicar su funcionamiento,
(h) ¿Qué parámetros detenninan la ganancia del lazo? -
(e) ¿Cuáles la histéresis?
(el) Esbozar la característica de transferencia e indicar la histéresis.
15·19. Repetir el tema anterior para un disparador Schmitt de emisor acoplado.
15-20. (a) Dibujarel sistema de un generador de onda cuadrada empleando un comparador.
(b) Explicar su funci onamientodibujando las ondas de tensión del condensador y de la salida.
(e) Indicar un método paraobtener una onda cuadrada no simétrica (TI #:. T 2).
15-21. (al Empleando un comparador y un integrador dibujar el sistema de un generador de onda triangularcon
TI :::; Tr
Explicar el funcionamiento dibujando la onda de tensi ón del condensador.
(h)
15-22. Dibujar la configuración de un amplificador posilivo-negativo de ganancia controlada. y explíquese su
funcionamiento.
15-23. (a) En un oscilador gobernado por tcnsión ¿Cuál es la característica gobernada por la tensión exterior
aplicada?
(b) ¿Qué se entiende por modulación de asimetría del ciclo?
15-24. (a) Dibujarla configuración de un generador de impulso (de disparo único) empleando un comparador.
(b) Explicar su funcionamiento haciendo referencia a las ondas del condensador y de salida.
15-25. (a ) Uncondensador e se carga desde una alimentación Va través de una resistencia R. Se emplea un JFET
de canal" a manera de interruptor en paralelo con C. y está polarizado de forma que el transistor Q esté
cortado. La tensión Yr del condensador se aplica altenninal inversor de un comparador con tensión de
referencia V~ <V. Enel instante r:::; Oun impulso de cebado v, pone a Q enconducción. Esbozarlas ondas
1',. \', Y \'.. (salidadel comparador).
(b) Explicar el funcionamiento y demuéstrese que esta configuración funciona como mullivibrador mo-
noestable redisparable.
686 Mtcroelectronica moderna

15-26. Dibuja r el diagrama de bloques de un sis tema de base de tie mpos para un osciloscopio de rayos c atód icos.
15· 27. Esbozar la con figuración de un ge nerador de barr ido con onda de salida, ( a ) ex pone ncial , (b ) linea l, (e ) ind icar
una faro la de imerru pror de reposición.
15·28. (a ) Esbozar un sistema a base de un integrador para ge nera r una o nda esca lonada v, part ie ndo de un tren de
impulsos ,' .
(b) Esbozar ,. "y l ' Yexplicar su funcionamie nto.
(e) Explicar e"ómo reponer el sistema después de N impul sos .
15·29, Repetir el tema anter ior para un generador de esca lone s, cor neoor de atmace nam íemo .
15·30. Expljcar cérnn modul ar en amplitud una o nda portadora se no ida l 1', mediante una o nda de menor frecuencia

.'
" Explicarcómo modu lar la amplitud de una porta dora cuadrada " med iante una o nda de menor frecuencia
15·31. (a)
empleando un amplificador de ganancia co ntro lada positwe -negatlvo A.
1'..
(b) Explicar por q ué A puede emplearse ta mbién co mo demodu lador de amp litud .
15·32, Esbozar e! siste ma de mod ulador-recortador y e xplicar su funcionamiento.
15·33. ¿Q u~ es un amplificador recortador es tabilizado? Explíquese.
15·34, (a) Explicar cómo se emplea un comparador a mane ra de modulador de ancho de impulso.
(h ) Dibujar la onda moduladora 1'", y la correspo ndie nte o nda de salida ¡ ',, '
 Acondicionamiento
y conversión de datos

Los sistemas de control, comunicaciones, cálculo e instrumentación electrónicos pueden considerarse

como procesadores de la informació n co ntenida en las se ñales eléctricas presentes en el sistema. Er.
capítulos anterioresse ha indicado que la información resideen las características de la onda de señal. Por
ejemplo. el dato puede estar contenido en la frecuencia, fase, amplitud. duración del impulso o en la
presencia o ausencia de un impulso en un momento dado. En el Cap. 15 se han tratado circuitos para la
generación de una variedad de tales ondas. En este capítulo se describe un cierto número de circuitos
empleados en el acondicionamiento y conversión de daros. específicamente aquellos que se traducen en
una característica de la señal apropiada a una aplicaci6n particular. Se incluyen los convertidores de
anal6gicoadigital (A/D). dedigital aanal6gico (OlA) (llamados también AOCs y DACs respectivamente).
los filtros activos Re comprendiendo los circuitos gobernados por capacidad, así como otros varios para
el cálculo anal6gico.

16·1. SEÑALES Y PROCESADO DE SEÑALES

Para describir las ondas eléctricas conviene clasificarlas en ondas coniinuas y ondas discretas. En la
Fig. 16·1 se representan dos señales continuas y en la Fig. 16-2dosdiscreta'i. Comose vee n la Fig. 16-1una
señal continua se expresa por una funci 6n del tiempo definida para todos los valores de l. es decir. que 1
es una variablecontinua. La señal discreta existe s610 en determinados instantes. Su descripci6n funcional
es válida sólo para los intervalos discretos de tiempo.
Se puede percibir otra particularidad de las ondas de las Figs. 16· ) y 16·2 si consideramos la señal de
la Fig. 16-la como una tensi6n representativa de una cantidad física (quizás puede ser la tensión de salida
de un micrófono). La señal discreta de la Fig. 16-20 tiene la misma amplitud en los instantes 1 = O, TI' T1
YTJ que la señalcontinua de la Fig. 16- la . Ambas ondas de tensión tienen una correspondencia biunívoca
en tiempoy amplitudcon lacantidad física representada. La onda de la Fig. 16- la es una señal de muestreo

"
3

T, T, o T, T, T,
lb)

Figura I é-I, Dos ondas de señales co ntinuas.

688 Microetectr ánica moderna

" "
J

o, Ll._~-~-+J'-
r, r, r, o r, r, r,
,., lb'
"' jgura 16-2. Dos ~ñales discretas. uoodaen la l 'epre:;rola impul-.m c u)'".. ampli llklcs son I".. ce la fir.. 16· la e n los i o~lllnl ('s
(/JI T I' T )' T . re~pccl i vamenle. U onda e n (bl es la represe olaeiÓll binaria dt 2 bil de las a mpliludts en (tl l a T , . T! )' T J'
z

de datos o simplemente una señal de muestreo, y los sistemas que utilizan tales señales fonnan los sistemas
de muestreo.
En este contexto, la secuencia de los impulsos en cada intervalo de tiempo de la Fig. 16-2h es una
representación numérica o digital de las correspondientes muestras de tensión repre sentadas en la Fig.
16-2. Ni la amplitud ni el tiemp o de 1,15 señales de las Figs. 16- l h y l 6-2h corresponden a la cantidad
física 1'1' Esencialmente son señales en las que la información está co ntenida en la presenc ia o ausencia
de un impulso durante un período de tiempo dado.
Las ondas de las Fig. 16- la y 16-20 son señales ana lógicas y las de las Figs. 16- l b y 16-2h son digitales.
Ambos tipos de señales se encuentran frecuen temente en los sistemas electrónicos modernos. Evidente-
mente se necesitan circuitos que pro•.tesen estas señales pasándolas de uno a otro tipo. Las siguientes
descripciones ayudará n a exponer las distintas funciones que el circuito debe cumplimentar.
La Fig. 16-3 representa un sistema comerc ial de radio modulada en amplitud. El princip al objetivo de l
sistema es transferir una información audio desde el extre mo emisor al ex tremo receptor. El primer paso
del proceso es convertir una energía acústica en una señal eléctrica. La conversión la realiza un transductor,
corrientemente un micrófono. Como la salida del transductor es una seña l de bajo nivel se hace necesaria

Emisora
•
Cambiador de
Transduclor frecuenc ia Aolena
' (micró fono ) AmplifICador (modulador) e misora

h - - -- Propag ación
por el aire
Información Señal ejéctrice e n Señal en radío-frecuencia (rf)
aud io audio-frec uencia

Recepc ión

SeltttOf de Carnb iadore. de fr«uencla Transd\IC1Or

Amp lifICador fretu end a (mezclador )(deltclOr). Am plifICador {alllyozl

Mlllliplts sei\ales en r.f Sena! en rJ sele«ionada "Señal a frecuencia Stnal elktrica Infonnac ión
inlenneUia de audio audie.
f1¡;:ur. 16-3. Represenlaci6n griflCa de un sislemacomerc ial de radio cn amolilUll modulada.
 Acondicionamiento y conversión de datos 689

una amplificación. Las señales en radio-frecuencia (señales de frecuencia superior a los 500 kHz) se
propagan por el aire muchomejorque las de audio-frecuencia (20 a 20.000 Hz). Por ello frecuentemente
la informació n audio se traducea frecuencias de radio por un proceso denominado modulación.
En el receptor. el proceso para extraer la infonnación es casi inverso al de transmisión. La señal que
llega es débil y debe ser amplificada, pero además, como a la antena receptora llegan muchas señales
(estacionesemisoras)hay que identificar y separar la deseada, función a la que se denomina selección de
frecuencia. Por consideraciones prácticas se realizan dos traslados de frecuencia (demodulacién), el
mezclador y el detector. antes de extraer la señal de audio deseada. El transductor final. normalmente
altavoz, reconvierte la señal eléctrica en la onda acústica audible.
En un sistemade amplitud modulada (AM) la informaci ón de audio está contenida en la amplitud de
la portadora de radio-frecuencia(Fig. 16-4a). mientras que en el sistema de frecuencia modulada (FM)
la Informaci ón reside en lasvariacionesde frec uenciade la onda de radio. En los procesosde modulación
y de demodulación en el sistemade FM intervienen convertidores de tensión-frecuencia y de frecuencia-
tensión.
Si la infonnaciónaudioa emitir es la músicacontenida en un disco digital. la señal digitalalmacenada
se convierteen una onda analógica mediante un convertidor D/A. (Recuérdeseque un disco gramofónico
puedeconsiderarse como una memoria de s610 lectura ROM.)
Las transmisionestelefónicas modernas empleanseñales moduladas por impulsoscodificados(PCM)
en los que la infonnación oral se convierte en una señal digital en el transmisor reconstruyéndose luego
como señal analógica en el receptor. Para transmisiones a gran distancia las señales PCM son más
efectivas que las analógicas. porque los datos digitales se ven menos afectados por el ruido que las ondas
analógicas. Para tener en cuenta las pérdidas de transmisión, las señales analógicas deben amplificarse
periódicamente (aproximadamente cada 50 km). El ruido introducido por estos repetidores(amplificado-
res) es acumulativo pudiendo resultar unas señales seriamente perturbadas. En el sistema PCM los
repetidores detectan la señalde llegaday laregeneran y «limpian» paratransmitirla al repetidoro estación
siguiente. En consecuencia, a la señal se le suma el ruido introducido en un solo enlace. Obsérveseque
los circuitos digitales, al tenerun margen de ruido grande (Cap. 6) hacen la transmisióneficaz.

1--,.
I I
J
V ~
("

f\ (\ f\
f\

V
(h)
V V \.

Figura 16·4. Ondasde: (a) amplitudmodulada(AM).y (b) frecuencia modulada (FM).

690 Microelec/rónica moderna

Transmisores 1§~~g;~~ Sella! lran~mil ida

l elef6nico~ ~ - PCM

Sellale. Rettplo(eS
Fe" lelerónico.

Figura 16·5. Representac ión gráfica de un sistema telefón ico. Norma lmente se aplican 24 señales al multfplex y se emp lea un
demullíplex de 24: I para separar las dist intas conversaciones.

En la Fig. 16·5 se representa, simplificado, un sistema telefónico. La señal de audio, generada por un
micrófono, se muestrea, (circuito de muestreo y retención) y se convierte en digitalmedianteun convertidor
A/D. La señal digital se emplea para modular la señal PCM transmitida. En el receptor se demodula la
portadora y se reconvierte en señal analógica. En la transmisión de datos ésta función la realiza un
modulador-demodulador.
En la misma Fig. 16·5 figuran también dos filtros (selección de frecuencia). El filtro ami-amb igüedad
se usa el transmisor y elimina la ambigüedad en la señal muestreada. Para comprender el origen de esta
ambigüedad consideremosdos señales senoidales, VI = Zsennx lO]t y v2 = - 2sen 71tH)3t como en la Fig.
16-6. Las frecuencias de estas señales son 0,5 y 3,5 kHz respectivamente. Si se muestrean VI y v2 a un
ritmo de 4 kHz (es decir a cada 0,25 ms), los valores tomados son los indicados por los puntos señalados
sobre la senoide más amplia (de menor frecuencia). Como puede verse en la figura, VI y v2tienen en esos
instantes el mismo valor. Por tanto, existe una ambigüedad que imposibilita una reconstrucción única de
la señal original. Sin embargo si VI y v2 se muestrean al ritmo de 8 kHz (cada0,125 ms) ya no exis tiré esa
ambigüedad como se ve en la propia figura. Para evitar que se produzca tal ambigüedad la frecuencia de
muestreodebe ser por lo menos el doble de la mayor frecuencia contenida en la señal analógica. El objeto
del filtro es limitar la frecuencia máxima de la señal analógica que se debe muestrear a una mitad de la
frecuencia de muestreo. El filtro de reconstrucción se necesita a veces para alisar la onda de salida del
convertidor D/A.
La representación de la Fig. 16-5 es aplicable a muchos sistemas que emplean el procesado digital. Por
ejemplo,laseñaldeentradapuedeser proporcional a lavelocidaddeldesplazador utilizado para transportar
el portador de la oblea en la fabricación de circuitos integrados. Para la utilización de la potencia de un
computador digital (o micro-procesador) en el proceso de control, se muestrea la señal de entrada y se
convierteen su equivalentedigital. El computadortrabajasobre esta información y proporciona una señal
(digital) que indica si hayquecorregir la velocidad del desplazador. La salida digital se transforma en una
señal analógica que se amplifica (normalmente) y se aplica al sistema de transporte. Si, además, para el
controlsenecesita laposicióndeldesplazador, la señal de velocidadpuede integrarse yconvertirse también
en una señal digital. El multfplex permite el muestreo de las señales de velocidad y de posición
(desplazamiento) con el mismo circuito.
Lasdescripcionescualitativasdelos párrafosanterioresmuestran la variedadde funcionesque se deben
 A condicionamiento y conversi ón de datos 69 1

II - 0.5 kHz

2 - --

I s - 4 Hz

Figu r at 6-6. De most ració n de am bigüedad . la ~noide de 0.5 kHz y la de ] .5 kHz licnen la misma amplitud s i se mue slrc:ancada
0.2.5ms (frecuenc ia de muest reode 4 kH z ). Sin e mbargo. m ues.trea nOO cada 0. 125 ms (frecuenc ia de muestreo de 8 kHz ) tendre mos
diSlinlas am ph lude s en las dos señales.

cumplir para e l procesado efica z de señales. En las siguientes sec c iones se tratar é de la co nversión mutua
de señales analógicas y dig itales. En lo que resta de l capítulo veremos una variedad de circuitos útiles e n
el acondicio namiento y adquisición de datos.

16·2. TOMA Y RETENCi ÓN DE INFORMA CiÓN

Un sistema típico de adquisició n de dalas recibe se ñales de un cie no número de fuentes dis tintas y las
transmit e e n form a adecuada a una ca lculado ra o a un canal de co municació n. Un mullíp lex (Sec . 16· 3)
selecciona secue ncialmente cada señal. para co nve rtir seg uidamente la info rmación ana lógica en una
tensión co nsiante dur ante e l tiempo de sensibilizac ión por medio de un siste ma de adq uisición y retenci ón:
La salida constante de este circu ito puede co nve rtirse para su transm isión en una se ñal digita l mediante
un co nvertido r anal ógico-digital A/D (Sec. 16· 13).
El circuito de retenci ón en su forma más senci lla está formado por un interruptor S en serie co n un
condensador. co mo en la Fig. 16-70 . La tensió n a tra vés del co ndensado r s igue la se ñal de entrada d urante
: 1tiempo T cuando una puerta de co ntrol 16gica c ierra S y mant ie ne e l va lo r instant áneo a lcanzado a l
final de l i nt~rvalo T cuando la puerta de gobierno abre S. El interruptor puede ser un interruptor bipolar de
transistor. un M"OSf BT gobernado por una seña l de exci taci ón o una puerta de rransmisién CMOS,

"
o
. T e
Tensión de gobiemo de puerta ::¡
,., '"
Figura t 6-7. (a ) C ircuito s imple de lo ma y rc:lend ón . (h) s istema pnk t ico: El inlerru ploc MOSFET sustiltlye a l S de (a l. La baja
rc:sislencia de salida de l scguidor dc tens ión A I t"arfl3 nlpidameme C cuaedo el inle rrupl or MOSFET está cerrado . la gran res iso
e
lr nt" ia de entrada de A2 manliene la c era a en c:uando d ime rru ntor "f' a bee.
692 Microelectrónica moderna

La conñguracién de la Fig. l 6~7h corresponde a uno de los sistemas de retención prácticos más
sencillos. Un impulso positivo en la puertadel NMOS pone en conducción el interruptor y el condensador
de retención e carga hacia el valor instantáneo de la tensión de entrada. con una constante de tiempo (Ro
+ rDSl QN ) e siendo Ro la resistencia de salida (verdaderamente baja) del Amp-Op seguidor de tensión de
entrada Al y rDS(ONl1aresistencia en conducción del FET (Sec. 4~2). En ausencia de un impulso positivo
se corta el interruptor y el condensador queda aislado de cualquier carga a través del Amp-Op A2.
manteniendo la tensiónalcanzada. Se recomiendaque en los circuitos de componentes discretos o híbridos
se empleen condensadores con dieléctrico de policarbonato. polletileno, poliestireno, Mylaro Teñon . La
mayor parte de los demás condensadores no retienen la tensión almacenada, a consecuencia de un
fenómeno de polarizaciónque hacedescender esa tensión con unaconstante de tiempode varios segundos.
Esto es la resistencia de pérdidade condensador.
Recordemos que la célula básica en un RAM dinámico MOS (Sec. 9~5 ) debía reponerse cada unos
pocos milisegundos. Como un MOSFET es un condensador. la pérdida de carga en un circuito integrado
es análoga a la descrita más arriba. Sin embargo. si un sistema de toma y retención integrado se excita
frecuentemente (por lo menos una vez cada unas pocas décimas de milisegundo. como es lo corriente).
habrán pocas fugas ya que el tiempo entre tomas es considerablemente menor que la constante de tiempo.
Otros dieléctricos de los mencionados más arriba presentan también un fenómeno denominado
absorción dieléctrica que hace que un condensador «recuerde» parte de su carga anterior (si varía su
tensión). Aúncuando no se den los fenómenos de polarización y de absorción, la corriente en el interruptor
cortado « I nA) y la de polarización del Amp-Op circularán a través de C. Puesto que la corriente de
polarización máxima de entrada es menorque 1 nA, se deduce que con una capacidad de 0.5 J.1F el ritmo
de variaciónduranteel período de retención es de menos de 2 m V/s.
Dos factores adicionales influyenen el funcionamiento del circuito; el tiempo de apertura (normal-
mente menor de 100 ns) que es el tiempo transcurrido desde que se aplica el impulso al interruptor hasta
que éste se cierra, y el tiempo de adquisición que es el requerido por el condensador para pasar de un nivel
de tensión de conservación hasta el nuevo valor de entrada una vez cerrado el interruptor.
Cuando el condensador es mayor de 0.05 pF se debe incluir una resistencia de aislamiento de unos
10 kn entre el condensador y la entrada + del Amp-Op . Esta resistencia se necesita para proteger el
amplificador en caso de un cortocircuito en la entrada o que el suministro de potencia caiga súbitamente
estando el condensador cargado.
Si Ro y rDS10Nl son tan pequeños que se pueden despreciar. el tiempo de adquisición queda limitado
por la corriente máxima I que el Amp-Opseguidor de entrada pueda suministrar. La tensióndel condensador
varía a un ritmo dvfdt =/le. Puesto que la corriente de cortocircuito de un Amp-Op es limitada (25 mA
en el chip 74 1) se emplea un seguidor de emisor complementario exterior para aumentar la corriente

..- =-.1•• Seguidorde

emisorcomplementario

Fiaura Ifí·8. Sistema de retención mejorado. (El sc¡!uirlor de emisor complementeriu se cementa en ta Seco14-6.)
 Acondtcionamlento y conversión de da/os 693

disponible para cargar (o descargar) e con rapidez ex trema. En la Fig. 16-8 puede verse esta disposición
situada entre el interruptor de toma y el condensador . Obsérvese queA 1 no actúa ya como seguidor, sino
que su tenn inal de entrada negativo está ahora co nectado a la salida 1'0. Esta conexión asegur a que dur ante
el intervalo de mllestreo, 1'0 = Vi. Durante el interva lo de retenció n, 1'0 se mantiene al valor alcanzado por
1'., al final del tiempo de muestreo, salvo las variacio nes muy pequ eñas de tensión a través de e debidas a
la corriente de polarización del Amp-Op de salida y a las corrientes de fuga del interruptor y del seguidor
de emisor. Cuanto mayor sea la capacidad de e tanto menor es la variació n de tensión durante la retención.
Sin embargo , cuanto menor sea e menor será el tiempo de adqu isición y por tanto mayor la fidelidad con
que la salida sigue a la entrada durante el muestreo. Adem ás el condensado r de retención crea un polo
adicional con el que se debe contar al considerar la transmisión del laz.o y la esta bilidad. Por tanto, debe
elegirse e como compromiso entre estas tres circunstancias conflictivas. depe ndiendo de la aplicación del
caso.
Se puede adquirir un sistema de toma y retención (S-H) en un solo chip monolíti co (por ej. el HA 2420
de Harrís Semiconductor o el LF 198 de National Semiconductor) con el condensado r de almacenam iento
exterior. El tenninal inversor de AI es acces ible desde una patilla exterior. y por tanto este chip se puede
emplear para construir un sistema S-H ya sea inversor o no inversor que si se le añade la resistencia exter ior
habitual (Prob . 16-5) dará una ganancia.

16·3. MULTÍPLEX y DEMULTÍPLEX ANALÓGICOS

Tal co mo indica la Fig. 7-17b un multiplex selecc iona una de e ntre N fuentes y transmite las se ñales
(analógicas) a una única línea de transmisión. De todos los interruptores (m encionados en la sección
anterior) capaces de pasar las señales de entrada al canal de salida la mejor act uación se consigue con la

e,

",

e,
e]

", ~----k' 52 '>1---4 ".

Amp-OpC MOS
e,

"".~----4< 5" ')f--

Puertas de transmisiónCMOS
c,,~----'
Figura 16-9. Multlplex analógico de 16 entradas. empleando puertas de transmisión CMOS.
694 Microetectrontca moderna

pue rta de transm isión C MOS (Fig. 6· 32), S i e n la fab ricac ió n de esta pue rta se emplea ais lamiento
d ieléctrico se pued e obt ene r una co rriente de fuga de sólo I nA a + 125"C. con un tiem po de conmutació n
de 250 ns. Para esta aplicaci ón e xisten muc hos d ispositivos d istintos de tale s puertas CMOS.
En la Fig. 16-9 se represe nta un diagrama de bloq ues de un co nmutador analógico de 16 entradas. Se
o btien e un multfplex d ivisor de tiempo si el conmutado r MO S FET co mple me ntari0 51 se c ierra (e s deci r.
si e stá e n su estado de baja resistenc ia) du rante un tie mpo T. e l inte rru ptor 5 2 c ierra dura nte e l seg undo
per íodo T. 5 3 transm ite d urante el tercer pe ríod o '1', Y.J!sí suces ivamente. En la Fig. 16 -9 e l símbo lo CI (k
= 1.2•...16 ) repre sen ta la tensión de gobi e rno d igita l y CI su va lor co mplementario. ob ten ido de un inver sor
(no re pre sentado). Si CI e s igua l a l binario l . la puerta C MOS transm ite la se ñal ana lóg ica \ '1 a la sa lida.
pe ro si CI es el binario O no hay transm isió n alguna.
La Fig. 16- 10 corresponde al diagrama de bloqu es para ob te ne r las ten sio ne s de go bierno d igitale s
necesarias parn c l muh íple x de la Fig. 16-9, El co ntrol C I es la sa lida de la k-ésima Hncu de un deccdifi cador
de 4 a 16 líneus (Sec. 7-6). Las CU:lfTO líneas de dirección A.B. C y D so n las sa lidas de un con tador binario
exc itado por un gene rador de impulsos. Si el inte rvalo e ntre impulsos es T. se obt ie ne la d istribución de
tiempos con e l sistema de las Figs. 16- 10 y 16 -9 co rrespond iendo a una co nve rsión paralelo -ser ie vista e n
la Seco7-7.
.<
8
c,
Generador Decodifi- e,
de impulsos Contador C
cador
D
c"
I'lgura 16·10. Sistema de generación de tensiones de gobierno digitalesC\ para el mulnplex.

Demult íplex an alógico

El m ullíplc x arriba desc rito ha e ntrado e l dato ana lógico en un can al únic o. oc upa ndo cada señal
analóg ica Sil propio lugar en el tiempo. Al final de la línea de tran smi sión . deb e separarse c ada señal de
las de más y situarla en IIn canal indiv idual. Este proceso inve rso constituye la demodutac í án, estando
rep resen tado esq ue máticamen te en la Fig. 7- 17a, El co nmutador de múltiple s posic iones de e sta figura
se sustituye por N puertas de transmisión CMOS y la se rie de datos se aplica a la en trada de todas estas
puertas. Las se ña les de go bierno CI se obtie ne n de la forma ind icada e n la Fig. 16 - 10. Los sistemas para
CI e n los ex tremos e m iso r y receptor del c anal deben estar sinc ronizados, Este sistema ruulti plc x-
demult iplcx ec o nomiza e l volumen . peso y coste de N- I canales de tran smisió n ya que toda s las señales
a na lóg icas se transmit e n por un solo canal (N puede se r var ios ce ntenar es), El C D 405 1M de la Nat iona l
Sem icond uctor es un m ultiplex -de muhiplcx a nalógico de oc ho canale s.

16·4 . CONVERTIDOR ES DE DIGITAL A ANALÓG ICO (Ol A )

Mucho s sistemas admiten una inform ac ión digital a manera de se ñal de entrada y la traduce n o
co nvie rten en una tensi ón o co rriente analógica . A e ste siste ma se le den o m ina conve rtido r de digital ti
analógico o convertidor DIA (o DA C) , La info rmación di gital se pre senta e n una variedad de cód igos.
siendo los más usuales e l binar io puro o e l cod ificado bin ar io-dec ima l (SCD).
La salida \/0 de un conve rtido r D/ A de N bit viene dada por
V" = ( ::!,\I 1(/ ,\ ' - 1 + 2 ·\' - ~(/ ,V _ 1 + . . + 2 ~1I ~ + 21{1 1 + (/,,)V

= (0.\' 1 + 2:
I
{/ N - ~
I
+ :¡ 0 ,,,"' _ 1 +
,
+ 2 ,' _.. (/ 1 , )2""V
+ 2N _ I n., 1,,,· 1)
 Acondicionamiento y conversión de datos 695

- Vil
(- 10 v i Interruptor gobernadodigitalmente

R
f--'NIr-- - Líneade entrada
\1 SI:l
n Okm al Amp-Op

I ~O eru R'

t 1l,I X

C40 km ~-l-o " .

hn v ,1

~ \_1 R

[S R

Figura 16·11.Convertidor D/A con resiaencias crecientes segúnlas potenciasde 2,

siendo V un factor de proporc ional idad determ inado por los parámetros de l sistema , repres entando los
coeficientes aHla información binaria, sie ndo e , = 1(0) si el n- ésimo bit es 1(0). En este ci rcuito se emplea
una tensión de referencia estable VR • El bit más significativo (MSB ) es el correspondie nte a a /l'l s iendo
su valor ponderado 2/1- 1 V m ientras que el bit me nos significativo (LSB) corresponde a a~ sie ndo su valor
2'V = V.
Con sideremos por ejemplo una info rmac ió n de cinco bit (N = 5 ) de forma q ue la Ec. ( 16- 1) pasa a ser

v" = (16{/ ~ + ~al + 4{/~ + ~{/I + (I,,)V (16-2 1

Para mayor sencillez supongamos V = 1. Entonces si " , = l Ytodas las demás a son cero, tendremos Ve
=1. Si a =1 Ytodas las demás a son ce ro obtendremos V =2. S i a =u , = I Ytodos los demás son nulos ,
1 " o
Vo = 2 + 1 = 3V, etc . Evidentemente Vo es una tensión analógica proporcional a la entrada digital.
La Fig. 16-11 representa esquemát icamente un convertidor O/A. Los bloque s Se' SI' Sr .,SN.1 son
interruptores electrónicos gobernados digita lme nte . Por ejemplo. cuando hay un 1 en la línea de l bit más
signifi cativo. e l conmutador S/I.I conecta la res istenc iaR a la tensión de referencia - V(1' Por e l co ntrario,
si en la línea del bit más sign ificat ivo hay un O. e l conmutador conecta la res istenc ia a la línea de tierra.
Por tanto , este interruptores un conmutador electrón ico unipolar de dos dire cciones (SPOT) . El Amp -Op
actúa como co nvertidor corriente-tensión (Se c.10-22). Vem os que si e l bit má s sign ificat ivo es l y todos
los demás O, la corriente a través de la resistencia R es - VR IR y la sa lida es V¡?'IR. Análogamen te, la
= =
salida del bit menos s ignificativo será V~ V,/?'/ 16R (si N 5). Si los cinco bit son l la sa lida será
V R' V R'
V.. = (1 +~+ :l +*+-h)--t- = ( 1 6+ 8 + 4+ 2 + 1) I~R (16-3)

Lo que concuerda co n la Be. ( 16- 1) si V = V,/?'/ 16R. Est e razonamiento confi rma q ue la tens ión
analóg ica V~ es proporcional a la en trada dig ital.
696 Microetearonica moderna

VII15 VI r-' --,

R,
Qo--j
R,

Unea de entr. d.
al Amp-Op.
Linea de enlrada
al Amp·O p
(" , 1M
tl¡:ura 16. 12. Dos disposiciones de l interruptor gobernado digitalmente de la Fig. 16- 10. (o ) en 100em . y (b) en conl1guración
CMOS inversor. La resiste ncia R , depend e del bit q ue se co nsidere. asl. para el bit N·) de la Fig . 16· 11. R 1 '" 4 R.

Son posibles diversas variantes en los interruptores gobernados digitalmente de la Fig. 16- 11, dos de
las cuales se indican en la Fig. 16· 12. En la Fig. 16-120 un exci tado r MOSFET en tóte m alimenta cada
una @; las resistencias conectadas a la entrada del Amp-Op . Las dos e ntradas de puerta co mpleme ntarias
Q y Q proviene n de un MOSFET SR biestable o registrado r que ma ntiene la informa ción digita l para
conve rtirla en un número analógico. Suponga mos que la lógica I corresponde a-lO V y la lógica O a O
=
V (lógica negativa). Un I en la Ifnea de bit pasa el biestable e n Q I Y Q = o. y por tant o elt ransistor Q I
conduce . conectando la res istencia RI a la te nsión de referencia - V. mient ras el transisto r Q2 se mantiene
en corte. Análoga mente un Oen la Ifnea del bit de entrada conecta la resistenc ia al tenninal de tierra.
La Fig. 16-12b es una excele nte variante de interruptor ele ctr6 nico unipolar de dos direcciones. Esta
configuración cons iste en un inversor CMOS que alimenta un Amp-Op que a su vez excita R I con
resistenci a de sa lida muy ba,B. Queda indicado un sistem a de lóg ica positiva con V( 1) V. + 5 V Y = =
V(O) = DY,..EI complemento Q del bit Q = u. en consideración . se aplica a la ent rada . Por tanto, si u. = l .
entonces Q = O. la salida del inversores lógica I y quedan 5 V aplicados a R I • Por otra parte, si el n- ésimo
es un binario O. Q = 1 Y la salida del inverso r es de O V de fonna que R: queda conectada a tierra. Esto
confirma el funcio namie nto correcto del circuito de la Fig. 16-12h como con mutador unipolar de dos
direccion es.
La precisión y estabilidad del convertidor D/A de la Fig. 16-11 depende principalme nte e n la precisión
absoluta de las res istencias y de su variació n con la temperatura. Siendo todas las resistencia s disti ntas y
la mayor de ellas igual a 2N -1 R. en que R es el valor de la menor se llega a valores excesiv ame nte gra ndes .
resulta d ificultoso y ca ro conseg uir resistencias estables y precisas de tales valores. Por eje mp lo. para un
conve rtidor D/A de 12 bit la resistencia mayor es de 5. 12 MO y la menor de 2.5 kO. La caí da de tensión
a través de tan gran resistencia debido a la corriente de polarización afe cta a la precisión . Adem ás, la
fabricación práct ica de resistencia s tan grandes q ueda excl uida. Por otr a parte. si la resistencia más grande
tiene un valor razonable (5 1.2 kO) la menor (25 Q) puede se r del orden de la resistencia de salida del
conmutador. afectando nuevamente a la precisión. Por ello. este tipode convertidor se emplea raramente cuando
se precisan más de 4 bit. El convertidor tipo escalera que describiremos a continuación soslaya esta dificultad de
res istencias excesivamente grande.s y se emplean frecuentemente en sistemas de conversión de datos.

Convertidor D/A tipo escalera

En la Fig. 16- 13 podem os ver un circuito que utiliza dob le núme ro de resistencias que el de la Fig.
16-11 para el mismo número N de bits. pero de va lores R y 2R únicamente. La escalera de est e circuito es
un dispositivo divisor de corrien te y por tant o la relación e ntre resisten cias tiene más importancia que su
 A condicionamiento y conversión de da/ os 697

valor abso luto. Observe mos en la figura que de sde c ualq uier nud o la resistencia es 2R tanto hac ia la
izquierda co mo hacia la derech a o hac ia el interruptor .
Por eje mp lo. hacia la izqu ierd a del nudo O la resistencia a tie rra e s 2R; hac ia la izqu ierd a de l nudo I
existe la comb inación en par alelo de dos res istencias 2R a tierra e n serie co n R , co n resistenc ia toral R +
R = 2R. Yasí s ucesivamente. Por tanto. si cualquier interrup tor, porej . el N·2 . se conecta a V•• la resistencia
vista por V.. es 2R + 2R 11 2R = 3R. Yla tensión en el nudo N·2 es (V..{3R )R = V .. {3.

R,

N""" o
R
,.
So S, S.\' _l S" _I
,su MSB

Figura 16· 13. Convc rtidor Digilal-Analógico en escale ra R· 2R.

Considere mos ahora que e l bit más significa tivo sea de lógica I de fonna que la ten sión e n e l nudo
N·I sea V.{3. '
La salida se rá
VR R I + R! V'
V.. = '3 R
I
Si (16-4)

Análogamente. cuando el seg undo bit más significativo (N·2) e s el bi na rio y todos los de más so n 0, la
ten sión de sa lida en e l nudo N·2 es V/3, pe ro e n e l nudo N· I la ten sión es la mit ad de este va lor, por
motiv o de la atenuac ión debida a la res istencia R e ntre nudos y a la res istencia r desde el nudo N· I a
tierra . Por tanto. para e l seg undo bit más significativo (N· 2) se tiene V~ = V' {l. De igual forma se puede
demo strar (Prob. 16· 6) q ue e l tercer bit má s significa tivo da una sa lida V'/4. y así sucesi vame nte.
Evidentemente, la sa lida es de la forrn a de la Ec. (16· 1) con V' = 2N 'IV.
Debid o a las capaci dades parásitas entre nudos y tie rra se produce un retraso de tiempo en la
propagación de izqu ierda a derecha de la esca lera. Cua ndo se cierra S" el retraso e n la propagación es
mucho mayo r que cuando se c ierra e l interruptor de l bit más significativo. Así, cua ndo cambia la ten sión
d igita l apare ce una onda transitori a e n la sa lida ante s de q ue Vo se esta bleza en su prop io valor. Estos
transitorios se e vitan co n un cambiador O/A de esca le ra invert ida (Prob. 16·7 ).

Convertidor D/A mult iplicador

Un co nve rtidor D/A que em plee una se ñal analóg ica variable V. e n lugar de una ten sión de re fere ncia
fija se de nom ina convertidor DIA mllltiplicador. Por la Ec. ( 16- 1) vemos que la salida es el produc to de
la info nn aci6 n di gital y la tensión anal ógica V.( = 2''1 - IV) depend ie ndo e ste valorde la información binaria
(q ue representa un número menor que la unidad ). A e sta d ispo sición se le llam a a veces atenuador
698 Microetectrontca moderna

programable porque la salida Va es una fracción de la entrada V . Yla posición del atenuador se puede
gobernar con lógica digital. Este tipo de convertidor se emplea a vece s para gobernar la frecuencia central
o ancho de banda de un filtro de estado variable (Sec. 16-1 1).
El O/A básico descrito en esta sección debe aumentarse co n circ uitos adic iona les. Entre estos circ uitos
adicionales se incluye la tensión de referencia. el Amp-Op y las conexiones y circuitos lógicos necesarios
para la entrada de datos. Se pueden conseguir comercialmente sistemas monolíticos conteniendo todos
estos circuitos. El AO 558 de Analog Devices es un OlA bipol ar de 8 bit en el que los circuitos digitales
se fabrican con tecnología FL (lógica de inyecc ión integrada). T ambién se emplea la escalera R -2R en el
AO 754 1 que es un OlA de 12 bit (que puede funcionar co mo un co nvertido r OlA multíplex).
Frecuentemente para manejar 16 bit se utiliza una arquitectu ra segmentada de dos etapas. Los 4 bit
más significativos se decod ifica n digitalmente para seleccionar una tensió n de una cadena de resistencias
similar a la usada en el comparador de la Fig. 16- 16. Esta tensión pasa a se r la de refere nc ia Vil' de un Ol A
en esca lera R-2k. que convierte los 12 bit menos significativos. Efectiva mente. fos q bit más s ignificativos
di viden VII en 16 seg mentos desde O a 15 VII116 Y. Los 12 bit menos s ignificativos dividen luego la
fracción apropiada de V"en 4096 (2 ' !) partes. Así. para V" = 10 V. el OlA de 16 bit da una salida analógica
de O a 10 V con incrementos de 153 ~ Y . Esta arquitectura se emplea en el AO 7546 que incorpora la
esca lera básica del AO 754 1.
También se fabrican convertidores OlA de 16 bit con tecnología BI MOS (Sec. 14· 10) para aprovechar
la baja potencia de la lógica CMOS junto con la alta velocidad de los circu itos analógicos bipolares (AO
569). Recientemente se han introducido convertidores OlA con circ uitos C MOS gobernados porcapacidad
que han sido muy eficaces en la reducción de la potencia consumida ya que se han elimi nado la mayor
parte de las resistencias (Sec. 16- 12).

16-5. CON VERTIDORES DE ANALÓGICO A DIGITAL (AJD)

Frecuentemente se hace necesario que datos tomados de un sistema ñsicc se conviertan a fonnadigital. Estos
dalas normalmente aparecen en forma analógica eléctrica. Por ejemplo. una diferen cia de temperatura
puede estar representada por la salida de un termopar. el esfuerzo de un elemento mecánico se puede
representar porel desequilibrio eléctrico de un puente medidor de esfuerzos. etc. De aquí nace la necesidad
de dispositivos que conviertan la informac ión analógica a forma digital. Se han ideado muchos de tales
dispositivos. Seguidamente trataremos de los cuatro sistemas más corrientes: ( 1) Co nvertidor analógico-
digit al con contador (A ID). (2) el comparador A ID por apro ximaciones suces ivas. (3) el co mparado r AID
en paralelo. y (4) el comparador AID de relació n o de doble pend iente.

Convertidor AtD con contador

Expondremos este sistema haciendo referen cia a la Fig. 16-140. Un impulso de borr ado pone el
contador a cero. El contador registra en forma binaria el número de impulsos de la línea del rel oj. El reloj
es una fuente de impulsos igualmente espaciado s en el tiempo. Co mo el número de impulsos contados
crece linealmente con el tiempo, la información binaria que re presenta esta cuenta se usa como entrada a
un convertidor OlA cuya salida es la onda en escalera de la Fig. 16·14h. Mientras la entrada analógica
V. sea mayor que Vdel comparador (que es un amplificador diferendal de gran ganancia: ver Seco15-7) tiene
una salida alta y la puerta ANOestá abierta para la transmisión de los impulsos del reloj al contador. Cuando
Vd supera a \'. la salida del comparador cambia a su valor bajo y se cie rra la puerta ANO. Con esto se
detiene la cuenta en el momen to en que V. "" V d Yse puede leer en el contador la informació n digital que
re presenta la tensión de entrada analógica .
 A condiciona miento y conversi ón de da tos 699

B"""'" ~--------- --,

Reloj ~--- Cnnlador
binario
MSB

Comp;ü1ldor

",
lSB

",- -- -- ----'
EnlTllda analógica

'"

",

Puo del contador

o 2 J '" S " 1 11 9 10
Impulsos
lb!

Figur. 16-14, (11) Convertidor A/Dcon conlador, y (b) salida en escalera del convertidor OlA.

Si la tensión analógica varía con e l tiempo no es pos ible conve rtir continuamente e l dato analóg ico
sino q ue será necesario muestrear la señ.. 1de e ntrada a interv alos fijos. Si e l va lor máximo de la tensión
analógica está representado por 11 impulsos y si e l periodo del re loj es de T seg undos, e l intervalo m ínimo
entre muestre os (tiempo de conversión) es de liT seg undos .
Se obtiene una versión mejorada del A/D contador ADC lla mada de arras/re o servo -convertidor
mediante un contador reversible (Sec. 8·6 y Fig. 8- 18). Esta modificación del sistema de la Fig. 16- 14a está
repre sentada en la Fig. 16- 15. No se emplea ni impulso de borra do ni una puerta NAND . Sin e mbargo se
necesita un co ntador reve rsible. y la salida del comparado r a limenta e l gobierno de l contador. Para
comprende r e l funcionamiento del sistema supongamos inicialmente q ue la sa lida del convertidor DI A es
menor q ue la e ntrada analógica V~ con lo que la sa lida pos itiva de l com parado r hace q ue el contado r lea
subiendo . La sa lida de l convertido r DIA au men ta con ca da impulso de l reloj hasta superar V..' La línea
de control reversible ca mbia de estaco de forma que ahora cuenta bajando (pero sólo una cuenta, e l bit me nos
significativo) . Con esto e l gobierno cambia nuevame nte a la situación de subir y la c uenta aumenta e n un
bit menos sig nifica tivo. Este proceso se va repitiendo de form a q ue la salida digital osci la hacia atrás y
hacia delante en ± I bit menos significativo alrededo r de l valor correcto. El tiempo de co nversión es
pequeño para pequeños camb ios de la señal analóg ica muestreada '1 por tamoeste sistema se puede em plear
eficazmen te como convertidor de arra stre A/D.
700 Microtleclrón;ca moderna

Reloj ~-------_~
Conrrol
fevenible

V. _ o_ _
Enlradl l.llll6gic1.
J
Figura . 6-15. Conve n idor de llI1lISlre A/D.

Convertidor AtD por aproximacion es sucesivas

En lugar de l co ntador binar io co mo en la Fig. 16-15 este sistema se va le de un programador. El
prog ramado r pone e l bit más significativo en I y todos los demás en O. y e l co mparado r compara la sa lida
de l OlA co n la señal analógica. Si la sa lida de l OlA es la m ayo r, e l I de l bit más significativo se e limin a
y pasa al siguie nte inmediat o inferior. Si es la entrada analógica la que es ma yor, el I perm anece en su
lugar. A continuación se prueba un I en cada bit del decodificador OlA hasta tener al final del proceso e l
equi valente binario de la señal analóg ica. En un sistema de N bit el tiempo de conversión es de N periodos
del reloj frente al caso más desfavorable de '].N inte rva los de pu lsac ión para e l convertido r AID con
co ntador. El AO 7582 (de Analog Dev ices Col quees un encapsulado C MOS de 28 patill as e n dos líneas,
es un co nvertido r A/D de 12 bit q ue emplea las técni cas de las ap ro ximac iones sucesi vas.

Convertidor AtD compa ra do r en paralelo (Flash)

Este sistema es con mucho e l más rápido de todos los convertido res. Su fun cionamient o se comprende
fáci lme nte basándose en e l conve rtido r de A/D de 3 bit de la Fig. 16· 16. La ten sión analóg ica 1'. se aplica
simultánea mente a un banco de co mparado res co n umbrales igualme nte espaci ados (ten siones de refe-

Tabla 16·1 Tabla de la verdad del conver tido r AID de la Flg. 16·15.
Entradas Solidas
w, w. w, w, W, w! W, Y, Y, Y.
O O O O O O O O O O
O O O O O O O O I
O O O O O O I O
O O O O O I I
O O O O O
O O O I
O I I O
I I
 Acondicionamiento y conversión de datos 701

Señal
analógica
". VI " Ccnstanre

R
Co mparadores

• lI',

,
n
ri"'"
R

ov • h'~

" R ~
~: • ... h'~
r.
c------ó ,\ ISU
-.- R ,...
51'

<l '
.
J:'" 11'.. Cod ificado r
de prioridad
f-----d"
" R ,...

1'10 "
J I'
'; ... 11'.. r
f---ó LSB
8 R ,...

~V
• Il']
¡"Rl -

" R "-

~ II'¡
,
1-/11 - "
H
R -~
-Jo.
.'igura 16-16. Co nvertidor comparado r A/Den paralelo, de 3 bit.

= =
renc¡u VN I V/X, VN) 2 \I/X, ere). Este tipo de proceso puede llamarse de conversión por seccione s ya
que la entrada antilógica queda incluida en un campo de tensión determinado por los umbral es de los
comparadores adyacentes. Obsérvese que las salidas W de los comparadores toman una forma bien
distintiva: salida baja (lógica O) para todos los comparadores con umbra l por encima de la tensión de
entrada y salida alta (lógica 1) para cada comparador con umbral por debajo de la entrada analógica . Por
eje mplo, s i 2\1/8 < 1'. < 3\1/8 tendremos WI = 1, W~ = I Y todos los demás W igual es a cero. En esta
situación la salida digit al será ( y! = O, YI = 1, Yu = O), lo que significa una tens ión analógica de entrada
comprendida entre 2\1/8 y 3\1/8.
La tabla 16-1 es la de la verdad con entradas W y salidas Y. Comp arúndola con la tabla 7-3 se. demuestra
que la lógica es la de un codificador de 3 bit con prioridad; los valores de «X" en la Tab la 7-3 se han
sustituido por " I" . La columna se ñalada WIl en la Tabla 7-3 no figura en la Tabla 16- 1 porque si 1'" < V/8
entonces desde WI a W1 son todas 0, y también lo son las salidas (Y, O, YI O, YIl O). = = =
El tiempo de convers ión viene limitado únicamente por la velocidad de l comparador y del codificador
de prioridad. Usando el AMD 686 A de «Advanced Micro Devices» y conve rsión con codificador de
prioridad T I 147, se pueden conseguir retardos del orden de 20 ns.
Esta técnica tiene el inconveniente de la complejidad del conj unto. El número de comparadores
necesarios es de 2N I siendo N el núme ro de hit deseados (s iete comparadores, para el conve rtidor de 3
702 Microetectr ántca moderna

bit de la Fig. 16-16). Por tanto, e l núme ro de comparadore s aproximadame nte se duplica po r cada bit
añadido . y ade más cuanto mayor sea N mayor se rá la compleji dad del codi ficado r de priorid ad.

Convertidor AJD de relación o de dobl e pendi ent e

En la F ig. 1()"17se representa es te sistema. muy empleado. Considere mos un func ionamiento unipolar
s,
con V. > Oy V. < O. Inicialmente SI está abie rto, cerrad o, y el contador borrado. En el instante' S. ='.,
$,

'.
~ s ,
e B~'"
R

~
Salida
1'/1 Interruptor
analógico '----'""~ 1
digilal

Flaura 16-17. Re ~nlación esqueml.liClde un convertidor AlDdc: doble pend ienle.

conecta V.al integrador y se ab re S 1. La te nsión ana lógica muestre ada. y por tanto consranre. V.' se integra
a lo largo de un núme ro fijado " . de impulsos del re loj. Si el periodo de l re loj es T ia Integraci ón tiene
lugar durante un lapso de liempodefinido conocido T. = " ITy la o nda v a la sa lida del integr ador (Scc .6·7)
se indica en la Fig. I ()" 18.
=
Si se emplea un co ntad or as íncrono de N et apas y si " , r ,en e l inslante ,! (al final de la integración
de V) lodos los bies tables de l cont ado r estará n a cero. Esto se ve c larame nte e n la o nda de la Fig. 8- 14
"1
para un contador asínc rono de cuatro etapas en el q ue después de contar = 2' 16. Q, = =o.
Q. = O. Q!
=
= O Y QJ O. Dicho de otra forma . el contado r vue lve automáticamente a cero por sí mismo al final del
intervalo TI'Obsérvese tambi én e n la Fig. 8· 14 queen e l impulso 2Ne l es tado de QN. (bit m és sig niflcativo)
ca mbia de 1 a Opor primera vez. Este ca mbio de es tado se puede e mplear como señal de gobierno de l
interruptor analógico o la puerta de transmisi ón (Fig. 6· 32).
Debido al funcionamie nto del comedor desc rito en el párrafo anterio r. la tensión de referencia V" queda
automáticamente conectada a la entrada del integ rador en el instan te t =,}
e n cuyo momento la lectura del
co ntador es ce ro. Co mo VIf es negativo. la onda \' tien e la pend ient e positiva de la Fig. 16- 18. He mos
supues to que Iv.1 > V. de fonna qu e el tiempo de integración TI es meno r que TI' Mie ntras v sea
negativa. la sa lida de l comparador se rá pos itiva y la pue rta A NO pe rmite contar los impul sos de l reloj .
Cua ndo v cae a cero, en ' = ' .1' la puerta AND se inhibe y no entran má s impulso s del reloj e n e l contador.

o
" r
" '.
Fllun .6-.1. Ond... de salida del inlegradot de la Fil . 16-11.
 A condic íonamíenta y conversión de datos 703

Demostraremos ahoraque la lectura del cor nador en el instante ' )es proporcional a la tensión analógica
de entrada. El valor de \ 0en el momento t J viene dado por

L' =: - - I
Re ,, "
J" V dt - - I J"
Re "
VH el, =: O

Con V.. YVII constante.

o v.. = IV.IT,IT,
.~ i el número de impulsos acumulados en cl Intervalo T, es 11" tendremos que r1 =I/,T. Puesto que TI =
1/
1
T = 2"'T resulta

VII =:
T,IV.I = -",IV.I
--
IV.I
112 --¡¡ - =: (16-5)
TI "1 2
Siendo [ VII [ YN constantes queda demostrado que V.. es proporcional a la lectura del contador " 2,
Obsérvese que este resultadoes independiente de la constante de tiempo Re.
Elsistema comprende un secuenciador lógico automático (no representado en la Flg. 16-17) que borra
el contador enlre', Y'., loma una nueva muestra de la tensión analógica. retrocede S, a V.. en el instante
'. repitiéndose el proceso. obteniéndose as í una nueva lectura de V cada 1, = I + T + r, segundos. Esta
. .. l '
técnica puede ser muy precisa. Los volrfmetros digitales con seis cifras emplean este proceso. El contador
alimenta un decodificador de lámpara de forrna Que la salida se hace visible. En cada ciclo se obtiene una
nueva lectura de la tensión.
El sistema de doble pendiente es de por sí inmune al ruido debido a la integración de la señal de entrada.
es decir. que las Inevitables interferencias de 60 Hz (en Europa 50 Hz) pueden eliminarse escogiendo un
tiempo de integración que sea múltiplo entero del periodo de la línea de potencia. Esto pone en evidencia
un inconveniente del sistema como es el del tiempo de conversión muy largo ya que 1/60 s <= 16 ms. Tales
convertidores AID pueden adquirirse en distintos gradosde complejidad de empleo. EIICL 7 109 de ce Date!
Intersil.. es un NO monolítico de doble pendiente de 12 bit compatible con los microprocesadores.
e

.,~
Figur l 16·19 . Integrador Miller.

16·6. CIR CUITOS DE INTEGR ACI ÓN Y DIF ERENCIACI ÓN

El integrador analógico es muy útil para muchas aplicaciones de procesado de se ñales. El integrador
ideal introducidoe n laSec. lO-22y repetido para mayor conveniencia en la Fig. 16-1 9 emplea un Amp-Op
ideal. En el Cap.15 se describieron varios circuitos generadores de onda que llevaban incorporado el
circuitomostrado en la Fig. 16-19. Elobjetivode esta secciónes eltratarde circuitos integradores prácticos
en los que se tiene en cuenta el comportamiento no lineal del Amp-Op.

Corriente de pola rización y offset en continua

La etapa de entrada del Amp-Op es generalmente un amplificador diferencial. La tensión offset de
704 Microelectrónica moderna

-
ent rada en cont inua V aparece en la entrada del amplificador, y se integrará apareciendo en la salida co mo
.
una tensión creciente linealmente. La corriente de polarización de entrada circulará también a través del
condensador de realimentación, cargándolo y dando lugar a una componente ad iciona l de la tensión de
entrada, crec iendo también linealmente. Estos dos efectos (fuentes de error) aumentan continuamente la
salida hasta que el amplificador llegue a su punto de saturació n. Vemos que ex iste un límite en el tiempo
posible de integración debido a los componentes de erro r anterio res. El efecto de la corr iente de
polarización puede reducirse aumentando la capacidad de l conde nsador de realim entación e reduciendo
al mismo tiempo el valor de R para una constante de tiempo Re dada .

Ganancia finita y ancho de banda

El integrador proporciona una tensión de salida proporcional a la integral de la tensión de entrada,
supuesto que el Arnp-Op de la Fig. 16-19 tenga una ganancia lA,.I
infi nita y un ancho de banda también
infinito. La ganancia de tensión como función de la variab le compleja s es, despué s de transformar la Ec.
(l0-17)
V.,(S) -,
Z' 1
116-61
A ,.(s) = V ,(s ) = z, R C\'
resultand o evidente que el integrador ideal tiene un polo en el or igen .
Supo ngamos que en ause ncia de e el Amp -Op tiene un polo do mina nte en JI o SI ==- - 21t/ 1·• Por tanto,
la gana ncia de tensión A,. es aproximadamen te de

, ,
,
Integrador ideal

", Ganancia A en cadella abierta

20 IogA", r.,.,.- .,--",,
Integrador I
- --.- "
re" II
-~O dB/ dec
I
I
I

l /RCA",

Figura 1(i·20. Diagrama asinrónco de Bode [magnitud jde un integ rador practico. La lfnca de trazos representa un integrador ideal.
También está representada la ganancia del Amp-Op en lazo abierto.
 Aco"dicionamiento1 conveni6" de datos 70S

Secciones cid iDIenuI*Jf

r---------..,
,,, s. l

,
a ,
,,
1 s, R, e
,
LM IOI A

ftpn 16-11. Inlegradorcomercial (Cantna M Naliottal Stmir:onth«:tor CorporatiOll).

A ,,,, A •." (16-7)

A ,. ~ I + j (j/f,)
Si suponemos que la resistencia Ro de salida del Amp-Op es cero y la de entrada R¡ tiende a infinito,
conA... » I yA...RC » I/ Is, I se obtiene
- A
A.(,) ~ (1 + sIA...Is,I)( ~ + sRCA ~) (16-8 )

siendo A...la ganancia de tensión a baja frecuenciadel Amp-Op.

~I ~
¡:c
f1&v.ra 16-21.Integradcr diferencial , La rcnsi6n de salida Vo es piopoiciohala " integral de la dilcreocia de tensiones y .-Yl '

La funciónde transferenciaanterior tienedos polosen el eje real negativo en comparacióncon un polo

en el origen del integrador ideal. En la Fig. 16-20 se ven las curvasde Bode de las magnitudes de las Bes.
(16-6) a (16-8). Observemos que la respuesta de un integrador real difiere de la ideal tanto en baja como
en alta frecuencia. Paraaltas frecuenciasel funcionamiento del integrador queda afectado por el ancho de
banda finito ( - S/21C) del Amp-Op, mientras que a bajas frecuencias la integración está limitada por su
ganancia finita.

Circuito práctico
Un integrador práctico puede ir equipado con un circuito exterior para introducir las condiciones
iniciales como se ve en la Fig. 16-21.Cuando el interruptor S está en la posición lla entrada es cero y el
condensador e se carga a la tensión V, fijand o la condición inicial v.. =V. Cuando el interruptor S está en
su posición 2el amplificador quedaconectado como integrador siendo su salida V. más la integralrespecto
706 Microelectr ánica moderna

a l tiempo de la tensión de salida l ' por un factor co nstante. Si R, = R, la co rriente de polarización a través
de C es 1,,, (¿por qué? ) e n lugar de 18 red uciendo así el erro r debid o a esa corriente de po larizac ión .
El co ndensador C de be tener muy pocas p érdidas y normalment e tiene e l dieléctrico de Te flo n. de
poliestireno. o de Mylar co n valores de la capacidad entre 0 ,00 1 y lO J.l F.

Int egrador difer encial

El c ircuito de la Fig. 16-22 se denomi na a veces integrador diferencial porque su tensión de salida 1'0
se puede ex presa r (como e n e l Probo 16-15 )

o., = RIC f (V I - V2 ) dt ( 16-9)

o e n e l cam po de frecuencias co mo
VI - Vz
V" = RCf 06- 10)

Ob sérvese que es te circuito es el eq uivalente integr ado r del am plificador de instrume ntac ión (difere n-
cia ) de la Fig. 14-39. El circuito de la Fig. 16-22 se e mplea e n varias es tructuras de flhros acti vos
(Secs. 16-1O y 16-11).

Diferenciador
Si en e l circuito de la Fig. 16- 19 se intercambi an las posicio nes de R y C co mo en la Fig. 16- 23, el
circuito resu ltante es un diferenciador. Con una tierra virtual en la entrada de l Amp-Op tend remos
ic e dt.',
dt Y
.
IN = -
lJ"
R

Puesto q ue i l , = i H despeja ndo '; se tiene

do
V,, = - Ri= _ RC , ( 16-111
d,
Por tanto, [a salida es proporc iona l a la derivada de la ent rada respe cto a l tie mpo. Si la señal de en trada
es l' = se nw/, la salida será l ' = - RCw / cose». As í. la mag nitud de sa lida c rece linealmente u1crece r la
frec uencia y e l c ircuito diferd~ciador tiene ga nanc ia e levada a altas frecu encia s. Con es to se amplifican
las componentes de alta frecuencia del ruido de l amplificado r lo que puede ta par completa mente la señal
difer enci ada. A menor frecuenc ia, sin e mbargo. fu variación linea l de 1'" co n In frec uencia de In exc itación
senoidal hace que el dife renc iador actúe como un simple conve rtidor ce f recuencia a tensi ón.

16·7. CÁLCU LO ANALÓG ICO ELECTRÓN ICO

El Amp -Op es e l bloque constructivo fundamental en ca lculado ras a nalóg icas e lec tróni cas. A mane ra
de ejemplo, vea mos có mo programa r [a ecuac ión d iferenci al
d 2v dv
dt2 + KI dt + K 2v - VI = O ( 16-12)
 Acondicionamiento y conversión de datos 707

e
" o------j f-+---l>o
i c'

Figura16·23. Ctrcuítcditerenctador.

siendo V I una función dada del tiempo. y K, YK, dos constantes reales y positivas.
Empecemos por suponer que tenemos d 2vldl 2 en forma de una tensión. Por medio de un integrador
tendremos una tensión proporcional a dvku, y un segundo integrador nos dará otra tensión proporcional
a v. Un sumador (y cambiador de escala) nos da - K I (dl'!dr) - Klv + 1'1. Según la ecuación diferencial
( 16-12) esto es igual a eP I'ldl1 y por tanto la salida de este amplificador sumador se envía al terminal de
entrada donde en principio habíamos supuesto que disponíamos de d 21' /dI 2,
El proceso descrito está representado en la Fig. 16-24. Se supone la tensión ePl'ldrl accesible en un
terminal de entrada. El integrador (1 ) tiene una constante de tiempo Re = I s y por tanto su salida en el
terminal I es - dvldt. Esta tensión se envía a un integrador similar (2) y la tensión en el terminal 2 es + v.
La tensión en el terminal I se aplica al inversor y cambiador de escala (3) siendo su salida en el terminal
3 + Kl (dvldt). Este mismo Amp-Op (3) se utiliza como sumador. Por tanto, si la tensión l' . (r) se aplica
también a dicho amplificador tal como se indica, el terminal de salida 3 contendrá también el término
-v. y la salida completa será + KI (dvldl) ' v t - El cambiador-sumador (4) se alimenta de los terminales 2
y 3 Ypor tanto en el terminal (4) habrá una tensi ón - Klv - KI (d vldt) + VI. De acuerdo con la Ec. (16-12)
esto debe ser igual a J11'/dtl que es la tensión supuesta en el terminal de entrada, La calculadora se completa
conectando el terminal 4 al de entrada. (Este último paso no está en la Fig. 16-24 para mayor claridad en
la explicación). Las condiciones inicialesespecificadas (el valor de dvldt y de ven el momento' =O) deben
incluirse ahora en la calculadora. Obsérvese que las tensiones en los terminales I y 2 de la Fig. 16-24 son
proporcionales a dvldt y a l ' respectivamente, Por tanto las condiciones iniciales se obtendrán (como en
la Fig. 16-2 1) aplicando las tensiones correctas V, y V,- a través de los condensadores de los integradores
I Y2 respectivamente.

,
VI SI -
.. R
-"
., " e

r;>
d d,

""
ti ! R - JI R R, - K¡ ¡¡ K d"
dí+ ".
~ ", ~" ,
- I

trada
Integrador
1
Integrado r
"""'
Sumador
RC " l RC : I
ti.. . Kl
R R,
R

R, ...... J

S,
R ~ d,
+Kl;¡; - "l
"~ S umador
R
- : K
R, l

"'iJ:ura 16·24. Diagrama de bloques de un calc ulador analógico. A t '" O. S . y S, se abre n y 5 , se cierra. Cada entra da de Amp-Op
es co mo en la Fig. [6-21. - .
708 Microelectrónica moderna

La solución se obtiene abriendo simultáneamente los interruptores SI y S2y cerrando SJ(por medio de
relés) en el instante I = OYobservando la fonna de onda en el tenn inal 2. Si deseam os también la derivada
dvldt se puede tener su forma de onda en el terminal 1, El indicador puede ser un tubo de rayos catódicos
(con barrido por disparo) o un registrador. o para un análisis cualitativo de cantidades de variación lenta.
un voltímetro de alta impedancia.
Tamb ién se puede resolver la Ec. (16-12) con una calculadora que tenga diferenciadores en lugar de
integradores. Sin embargo, invariablemente se prefieren los integradores a los difere nciadores en aplica-
ciones de cálculo analógico. porque la ganancia de un integrador disminuye con la frecuencia mientras
que la de un diferencido r leóricamente crece linealmente co n la frecuencia. por lo que es más fácil
~stabi lizar el primero que el segundo frente a oscilaciones espúreas. A consecuencia de su ancho de banda
limitado. un integrador es menos sensible a las tensiones de ruido que el diferenciador. Ade más, si la onda
de entrada cambia rápidamente. el amplificado r de un diferenci ador puede sobrecargarse. Finalmente,
como cuestión práctica . es conven iente introducir las condiciones iniciales en un integrador.

16·8. FILTROS ACTIVOS Re

Los sistemas representados gráficamente en las Figs. 16-3 y 16-5 Ydescritos en la Sec. 16- 1 acusan la
necesidad de una selección de frecuencias en el procesado de seña les. Los fíltros acrivos Re son un tipo
de circuitos selectores de frecuencia en los que los únicos compo nentes utili zados son resistencia s,
condensadores y Amp -Op (elementos activos). El hecho de no necesitar inducrancías supone una ventaja
importante ya que la fabricación moderna de circuitos integrados excl uye el uso de inductancias. Aún en
los circuitos de componentes discretos deben evitarse las inductancias, si es posible, por ser voluminosas.
pesadas y no lineales. Además engendran campos magnéticos parásitos y puede n disipar mucha potencia.
Por eje mplo, a ro = 2n x 10 2 rad/s una reactancia de 10 kn requiere una inductancia de 1.6 henry
(H), y para construir una bobina de 1.6 H se necesitan muchas espiras. Por tanto resulta grande físicam ente
y su resistencia puede disipar una energía considerable.

Características ideales
Consideremos el sistema representado en la Fig. 16-25a en el que la señal de entrada \11(1) contenga
varios componentes de distintas frecuencias. Se utiliza el filtro para separar una banda de frecuencias de
entre las presentes. Es decir. que la señal de salida del filtro vP) contenga solamente alguna de las
frecuencias componentes de vl(t). Conviene de scribir las prop iedade s selectivas del filtro en t érminos de
la función de transferencia H Uro) = V¡VI como en la Fig. 16-25b. En la Fig. 16-26 están representadas
las cuatro características ideales de la respuesta en frecuencia, útiles en la cla sificació n de los filtros.
La característica paso-bajo de la Fig. 16· 260 indica que todas las frecuencias desde cero (continua) a
la de corte f Jl' se transmiten sinpérdidas. Las entradas con frecuencia de suscomponentes f > f ll dan salida cero.
I I
E." decir. que H U21tf) = H (j 21tf ) = n; para f < fl! y H U21tf) = Opara f > f l/' El funcionamienlo en
alta frecuencia de las etapas en emisor y en fuente común descritas en el Ca p. 1I aproxima esta respuesta.

'" '"
Figura 16·25. Representaciónde un ñurc atendiendo: (a) al tiempo. y (b) a la frecuencia.
 Acondicionamiento y con versión de datos 709

oL-_~- _ _ 1 oL---':----'-- _1
1, 1,
,.} lb}
H(Jh f)

o L-~ 1 oL-- '_ --'-_ _ 1

1,
(,)

FllI:ur. 16· 26. Respuestas del filtro ideal: (a) paso-bajo, (b) paso-banda, (e) paso-alto, y (d) rechazo de banda.

• I/¡jZM,1IB

HI¡11l/J. dB
'"
1I....... de

,. --1 - .. .., icl6ol

1--
,
"s --- --
--- -- --- - - " _'J_ V _
·' l~ultión de
11. -
,~

de ", em ....
~"
bondo de oi<"...
BlOl<d& deoi<m:_

\ e_.
....
,, ~ /- - ----- - -rv_
I
fu f.

'"
Figur. 16-27. C..-.:teristicn reales de frecuencia de un filtro: (a ) paso-bajo. y (b ) paso-banda.'
7 10 sttcroetectrontca moderna

La Fig. 16-26h corresponde a la característica paso-banda e indica que hay transmisión entre J. y J1 y
rcchazopara cualquier otra frccuencia compooente. Así tenemos JI(j 2rcf) = O para I -c 1, y I > / y HU 2rcf)
= Ha si t, S I S / :- La respuesta paso-att o de la Fig. 16·26c se ñala que HU 2ft/) = O si j < I L y una
=
Iransmi sión uniforme l/U 21tf) JI" si 1 > 1,. Los condensadores de acoplamiento y de paso de la Seco
11·10 aproxi man la respue sta paso-alto. Para rechazar una banda de frec uencias entre l . y I J se emp lea
el fihro de rechazo de ba~da cuya caracterts tíca es la de la Fig. 16-26d. en la que la salida es cero si l .
« 1 < I J y H o para cualquier otra [,

Ca rac terísticas reales de respu esta en fr ecuencia

Las características ideales de la Fig. 1().26 son sólo aprox imada s para los circ uitos prácticos. La Fig.
16· 270 correspo nde a la resp uesta real de paso-bajo. La banda de paso se ñalada en la Fig. 16-27a es la
zona de frecuencias que se transmiten sin exces iva atenuación. Obsérvese que no es necesario que HU
2rrJ) sea constante en la banda de paso; la diferencia HIl - H , se denomina rizado v. y normalmente no es
=
mayor de 1 da. usualmente 0.5 da . La frecuencia IN en la que HU 2n/ N) 110 - 3 (en da) se utiliza
frec uentemente para señalar el ext remo de la banda de paso, o sea, la frecuenci a de corte. A veces es
conve niente tom ar f e de la Fig. 16-27a co mo frecue ncia de co rte. O bsérvese que en la característica de
paso-bajo HU 2nf) = H~. "(para todas las frec uencias I S / c' Como I ces la máxi ma frecuencia en la que
HU 2nf) = H, a veces se denomina banda de rizado .
La banda de cierre co mpre nde la zona de frecue ncia s que se atenúan , entendie ndo por atenuació n la
diferencia (en da) 11" - Hr La frecuencia f.~ de cierre es la mínima en la que se alcanza la atenuació n.
Obsérve se que puede exi stir un rizado de paro.
El cambio de la banda de paso a la de cierre en un filtro real no es abrupto como en la respuesta idea l
represe ntada en la Fig . 16-26. La diferencia entre las frecuencias de paro y de corte (/J - / N o I I . l e)
constituye la band a de tran sición . Frecuent emente se elige 11 una octava por encima de la frecuencia de
=
corte (11 = 2/ H)' Es co rriente una atenuación superior a los 20 da en I I 2/H"
La respuesta en paso-banda de la Fig. 1().27b acu sa dos bandas de paro y dos de transición.
respectivamente. por encima y por debajo de las frecuenciasj, y J. que definen la banda de paso. Se pueden
tra zar unas carac terísticas similares de los filtro s paso-alto. y de los de rechazo de banda. e ide ntifica rlos
con las distintas banda s de frecuencia.

Especincaci6n de filtros
Empleare mos la respuesta de paso-bajo de la Fig. 16-27a para definir la informa ci ón que preci sa el
diseñad or de un filtro. Co mo mínimo. el diseñador ha de conocer las siguientes espe ci ficaciones:

l. La frecuencia de corte f" (o f e )' es decir , el campo de las frecuencias paso-banda.

2. La atenuación 11~ • H! de la banda de cierre.
3. La frecue ncia de corte. o sea / 1'
4. El rizado tolerab le y = 11,, · JI•. Si no se tolera rizado alguno, t> O y H , = Ho'

=
El rizado tolerable y Ho - H •. Si no se tolera rizado alguno . y = O YH . = Ha'
Otra particu laridad que se acostumbra a espec ificar es el nivel de impeda ncia en la entrada y salida del
filtro (los intermedios entre la fuente de señal y la carga). La caracte rística de la Fig. 16-27a es la magnitud
de la función de transferencia I/(jro). A veces se especi fican también la respuesta en fase (retardo) y la
respuesta lransitoria (tiempo de subida. sobrevaior) del filtro.
 Acondicionanüento y conversi ón de da/os 711

Co mo los Amp-Op adqu iribles ene l mercado tien en un anch o de banda con ga nanc ia unidad por encima
de 100 MHz. se hace posible d iseñar filtros hasta frec uencias de var ios megah erz r (* )
A causa de las limitaciones deb idas al ritmo de variación y a las d iferen cia s de uno a otro ejemplar de
Amp -Op en cuant o al produ cto ganancia-ancho de band a y a la ganancia en lazo abierto. se emplean
muchos filtros activos integrados en frecuencias audio. Ev iden tem ente . al disminuir e l an cho de banda de
ganancia un idad del Amp -Op, disminuye la frec uenc ia máx ima del filtro .

16·9. FU NCIONES 8UTTER W OIlTB y CBE8 YSBEV

Las respu esta s en rrecuencia representadas en la Fig. 16-27 son apr oximaciones de las característ icas
ideales de paso-bajo y paso -banda de [as Figs. [6-260 Y 16- 26h re specti vament e . Puede n hace rse unas
aproximac iones similares para el paso-alto y e l rechazo de banda de las Flgs. 16 -26(" y [6 -26d. Para
d iseñar un filt ro rea l deben expresarse matemáticamente las ca racterístic as de la Fig. 16-27 . La forma
genera l de [a función de trans feren cia H( s) puede e xp resarse
A (.I·)
1/( ,1") = - (16- 131
8(,1")

Ta bla 16-2 Funciones de transferencia bicuadrá lica s

Tipo de
característica Forma de la función de transferencia H(s) = A(s)fB(s)
K K l J + :.1
Paso-bajo
.1' + (w../Q h + 'u.'. .,' + I,u,/Qh + (" ~

/\"., K"e, + : J
Paso-alto
.,., + ( W..l O).1 + w.'. + (w../Q1,'- + w,',
K"
Paso-banda
.1" + (w./ Qh t w;,

K(.I' + w,'1
Rechazo de banda
.1" + (w..lQh + fU.'.

S ie ndo A{s ) y B{s ) po linom ios en [a frecuencia variable s. Eviden tem ente pa ra q ue haya estabilidad los
ceros de B(s) resid en en el semipla no izquierdo. La localización de lo s teros de A (s) no tiene re stricci ones .
S in emba rgo. se supone que e l número de po los fin itos de N( s) es igu al o meno r que el núm ero de ceros
de B(s) es decir. los po los de lf(s).

La función bicuadrada
Co nsideremos H( s) en la fonna
(/ ~.I' ~ + (/ 1.1' + I IIl

.\-~ + h ls + ho ( 16- 14)

(') A ", l. ' frecuencia" los Amp·Op '''n en, !,,,,,, y rrecucnlcmcnle , e emplcun oiro, lip", J ,' fihro,
712 Microelectrónica moderna

La expresi6n de la Be. (16-14 ) se denominafimción bicuadrát íca o simplemente bicuad rada porque
tanto nume rador como denomin ador son de seg undo grado en s. Las cuatro respuestas de la Fig. 16-26
se pueden aproximar por la Ec. (1 6 ~14) ajustando apropiadamen te el valor de los coeficientes . En el caso
de paso-banda de la Fig. 16-26b. H(s) =O para s =j 21tf igual a cero e infinito. El coeficiente a o =Osi
H (O) = O; análogamente si HU2rtj)--"0 cuandojs-see es necesario que a2 = O. Unos razonamientos análogos
aplicados a los tres casos restantes conducen a los resultados dado s por la Tabla 16-2.
La funci6n paso-bajo en la columna izquierda de la Tabla 16-2 puede esc ribirse
H"
H( ,) ~ (s-' / 00;,)
' + ( I/ Q) (s/ 00,,) + 1 116·15)
siendo H11 = . K/00211• _La Ec. (16-15) tiene la misma forma que la Be. (13 -13) para el amplificador
realimentado de dos polos. La respuesta en frecuencia de es ta funci6n está represe ntada en la Fig. 13-13
=
a medida que varía el factor de amortiguación k I/2Q. Como se ve en esta última figura . la funci6n de
dos polos no amortigua mucho a s/ooo = 2. Por ejemplo si k > 0.6. se supone que el pico está minimizado,
siendo la amortiguació n a s/roo = 2 menor de 14 dB lo gue da_poca selectividad, insuficiente para muchas
de las aplicaciones de los filtros. En general se necesitan funciones de orden superior para conseguir las
atenuaciones típicas que se dan en la práctica.
o ,-----¡¡---¡;.......=;'~:¡---...__,

- 10

~
.. - 20
~
r.
~

a
.~
.

" -4 0

0.2 0.3 0.4 0.5 0.7 1.0

Frecuen cia normalizad a rnloo~

Figura 16-28 . Caracteristicas del filtro Butterworth paso-bajo para distintos va lo res de n.

Polinomios de 8utterworth
El uso de los polinomios de Burterworthes una aproximación a la característica de paso -bajo. Así, H(s)
= HJB(s) siendo B(s) un polinomio cuya magnitud viene dada por

B' (w )
w"
~ 1+ (!!'.)'" (16·16)

Los filtro s que se valen de estos polinomios se denominan filtros de Butterw orth. En la Fig. 16-28 se
 AcondlcionamlenlO y conver$/dn de dalo! 713

representala respuestaen frecuencianormalizada para varios valores de n. Obsérvese que la magnitud de

H(jro)/HII es 3 dB con ro = roo paracualquier valor de 11, siendo luego decreciente. Cuanto mayor es" tanto
más se aproxima la curva a la respuesta ideal de la Fig. 16-260.Se observa también que no existe rizado
en el paso-banda siendo la respuestaesencialmente constante para (1) < 0\.. Los polinomios de Butterwonh
son parte de una clase de filtros de magllit//d-plalla-máxima (MFM); es decir. que las (11-1) primeras
derivadas de H(jw) calculadas a ro = Oson idénticamente cero.
Si normalizamos la frecuencia suponiendo mil = I rad/s. vemos que la Tabla 16-3 da los términos
Butterworth B~(.i) para 11 hasta ocho (hasta el octavo orden). Obsérvese que si 11 es par los términos son
productos de factores de segundo orden de la forma del denominador de la Ec. (16-15). Los términos
impares contienen todos ellos un factor (.f + 1). Estos polinomios tienen la propiedad de que sus raíces
estén situadas sobre una circunferenciaunidad.
El valor de 11 (o sea el orden del flltro) viene determinado por la atenuación requerida como se verá en
el siguienteejemplo.

Tabla 16·3. Polinomios de Butlerworth normalb.ados

n FII{"rOl·I!.~ t/('/ poííuomio B,j.~ )

+ 11
, (s

(s' + 1.<41<4.1' ... 11

(.1'+11(.1"+.1'+11
,
.\

(s' + 0.7M.I + 1)(.1' +" 1.114ll.r ...

, l.' + 1)(.1' + 0.611l.i + '[JI." + 1.611l.i
1)

+ 11
, l." + O.!il ll.r + Il(.~' + 1.414., ... 1)(., ' ... 1.932.1' ... 1)

7 (.1 + 11(.1" ... 0.445.1' ... Ills' ... 1.2<47.1' + I}(i' ... 1.802s ...
,
1)

(.1' + 0.390s + 1)($' + I.l lb ... 1)(.1" ... 1.663.1' ''' 11(i' + 1.962.1 '" 11

Ejemplo 16·1

Determinar el orden de un filtro Butterworth paso-bajo que deba dar una atenuación de 40 dB cuando
OJ/mll = 2.

Solución
Según la Ec. (16-16) la magnitud normalizada de la función de transferencia del filtro es
HU"'II'
¡---¡¡; = 1 +
1
(wlW,,)211

Una atenuación de 40 dB corresponde a H(jro)!Ho =0,01 Y por tanto

(0.010)2 = I +1 o 22.. = 1()'4 - I

2210
Despejando n. tomando logaritmos de ambos miembros
4
211 = log (10 - 1) y
n = 6.64
log 2
y puesto que el orden del filtro debe ser un número entero tomaremos 11 =7.
7 14 Microelectrónica moderna

Filtros Chebyshev
Cuando la especificación tolera un rizado moderado en el paso- banda. se emplea frecuentemente la
aproximación de lodo polo del filtro de Chebys hev. La funció n de transferencia es de la forma

il'U. H,
- w) = 1 + E2C~(w1wd (16- 17)

en do nde C. Coo/roe) son los térm inos definidos por

e, (:J = cos (11 cos - l

:J os : c :s
(16-18)

= co sh (11 COS h - '~)

wc
s:
wc
>

El parámetro E está relacionado con el rizado de paso-banda yen dB por

(16-19)

Tab la 16·4. Polinomiosnormalizados para filtros Chebyshev

11 Factores polinomiales del filtro Chebyshev

O.S-dB rizado (. - O.3493)

1 s + 2.863
2 ~) + 1.42S .1 + 1.5 16
J h + 0.6261 (1' + 0.626.1 + 1.1421
4 f.I ' + 0.J 5h + 1.0641 1.1 1 + 0.!I453 + 0.J 56)
5 h + 0.3621 (,1' + U. 224.1' + 1.036) {.11 + 1).5116.1 + 0.4171
6 f.ll + 0. 15540 + 1.0241h' + 0.4142,\ + 0.547511.1,1 + 0.57%1 + U. IHI
7 f.I + 0.2562, f.l1 + lJ. 1U 14.0 + loOl 5J 11' + 0.JIY4,\ + O.6M7, (.t' + 0.46 1(u + 0.2 5WJ
8 1.\1 + U.I»I72.\ + I.UI2J(.\1 + 1).24114.0 + 0.7413)(.\) + U.J711h + 11.31172)(.\ ' + 0.4311(u + O.OllltOs )

I.O-dB rizado (. - 0.5089)

I .1 + 1.W.5
2 tl l + I.I)000lI.I + I. IlI.1
J c.o + 11.4'141 C.o' + U.4Y4,0 + U.lJ'N)
4 11 1 + 0.27'11 + 0.'11117) b ' + 1l.fl74.1 + 0.27'1)
5 CI + 11.211'111 h ' + U. 17Y.o + U.o,IlIlI)l.I ' + 0.461\,1 + U.42YJ
6 Co' + U. 1244,1 + (/.\lYU7J(.I' + U. J 3\lll.. + tU s77){.• ) + lIAM2,o t Cl.12471
7 1,1 + (J. 2Cl~ ' 11 ' + tU l':I l4,1 t U.Y\l27, l.I' + U.25fl21 + Cl.ñ5J 51 1.l' + 1I.J 7U2,1 + U.23tl41
11 h ' + U.U7.0 + U.Y\l42) 1.1 1 + O. I'JIJ4.1 + U.7Bllt h ' + 1I.2Y\l4.1 + U..14l'M1) l .l' + U.3511b + 0.0702)

Para un rizado de 0.5 dB. E = 0,3493 Y para 't» I dB. E =0.5089 . La frecuencia f e = roe /2Tt es el
ancho de banda del rizado (Fig. 16-27). La frecuencia de 3 dB f ll está relacio nada con f( . por

f" = fe. cos h (..!. cosh I!) ( 16·20)

" ,
 Acondicionamiento y conversión de datos 7 15

En la T abla 16-4 se dan los ocho primeros polinom ios p<lra rizado s de 0,5 y de l dB. Cada uno está
=
normaliz<ldo paraü.S y 1.0dB de rizado y roe l rad/s. Se puede demostrar que las raíces de las funcion es
presentadas en la Tab la 16-4 están sobre una elipse cuya exce ntricidad depende del rizado.
En la Fig. 16-29a figuran la respuestas en frecuen cia normalizadas de un filtro Chebyshev de I dB
para dis tintos va lores de n. El rizado de paso-banda está represe ntado en la Fig. 16-19b para 1/ = 3 YY=
1 dB. Obsérvese nuevamente que al ir creciendo n la respuesta se apro xima cada vez más a la caracterfstic a
ideal.

Ej emplo 16·2

(a ) Dete rminar el orden de un filtro Chebyshev de un 1 dB de rizado que dé una aten uación de 40 dlí
aro/roe = 2; (b) determinar el ancho de banda de 3 dB del filtro.

0 r-=::-'=<P'<F'i7"~-----'::--=:l

- 10

-20
~
~

.g
i3
~ - 30
¡
s
.:i, -lO
:i

0.3 OA 0.5
Frec uemia norm ulizadu mlm"
l1L:TIJ
0.2 0..1 OA 0.5 0.7 1.0
I
fa) l b)
Figura 16· 21J. Ca ractensncas del (¡llro Chebys hev P¡tril di' liolo>< ~ il lm e' de n, Cólda c umoc nvnca lle ne un nzado pa'o- banda de
I dB.

Solución

(a) La respuesta normalizada según la Ec. ( 16· 17) es

H 2(jwl
----¡jf" = I + E2C ;'(I"¡WC )

Una atenuac ión de 40 dB corresponde él II(joo)/111I

= 0 ,0 1. Por tanto
. 2 _ I
(0.0 1) - I + (0.5089 J' C;'(2)
716 Mleroeleetr6nlea moderna

y
10' - 1
a (2) - (0.S089)' ~ 3.861 x 10'

o
C.,(2) - 196.5
Empleando la Ec. (16- 18) tendremos 196.5 = cosh (n cosh ' 12). Despejando n se llega a n = 4.536.
tcm éndose n =S.
(b) El valor def,/tc se deduce de la Ec. ( 16-20) con n = 5:
fN I 1
- - cosh - cosh - I - = 1034
fe 5 0.5089 '
De la comparaciónentre los resultados de los Ejemplos 16-;1 y 16--2 se deduce que si se tolera algún
rizado en paso-banda. puede usarse un filtro de orden inferior. Es decir. que un filtro Chebyshev necesita
menos etapas (es de orden inferior) que las necesarias para conseguir la misma atenuación que un filtro
Butterworth.
Esta observación se deduce también comparando las caracterfsticas de respuesta de las Figs. 16--28 y
16-290. Para aproximar las características de filtro se emplean también otras varias funciones.

Transformación de frecu encia

Las funciones de los filtrosButterworthy Chebyshev seemplean tambiénpara aproximar lasrespuestas
de pese-banda, paso-alto y rechazo de banda. Las siguientes transformaciones cccvierten las funciones
de pese-teje en cualquiera de las otras.
Para transformar la función de paso-bajo en otra de paso-alto se sustituye

o s = -wl (16-21)
p

en la expresión deH(s). A,r.la fonciónde paso-bajoH(s) = 1II1+(slco,)1 se convierte en H(P) =(plco,)lll

+ (pico,)] que es la fonción de paso-alto.
Las transformaciones de paso-bajo a paso-banda y de paso-bajo a rechazo de banda son las dadas por
las Ecs. ( 16-22) y (16-23) respectivamente. Se deja para el lector la comprobación de estas transfor-
maciones (Prob. 16-- ]8):
S2 + ~ Q [(Slw,,)2 + 1I (16-22)
p - ~

"nS slw"
slw o
P~S2+ ~ ""' =
Q[(s/woF + 1I
(16-23)

siendo Q = mJm"./o = ro¡nc la frecuencia central yIR =mJ2 Jt la de 3 dB.

Las Ecs. (16-21) a ( 16-23)se usan para convernr las funciones de los filtros paso-bajQ Bunerworth y
Chebyshev de las Tablas 16-3 y 16-4 en sus equivalentes de peso-ene, paso-banda y rechazo de banda.
Obsérvese que la función paso-bajo de 5 polos se convierte en función paso-bajo o de rechazo de banda
de 10 polos. En el de paso-banda. cinco polos proporcionan la atenuación a Irecueecias j" <1. y cinco
polos dan la atenuación para f > f ,.
 A condicionamiento y con ..ersión de datos 717

16·10. SECC IONES DEL AMPLIFICADOR SIMPLE

Frecuentemente los filtros se construyen conectando en casca da un cie rto número de secciones. cada
una de las cuales realiza una de las funciones de transferencia bícuadr éticas qu e figuran en la Ta bla 16· 2.
Así un filtro Chebyshev paso-b ajo de seis polos y rizad o 0 .5 dB tiene tres secc iones. Ca da sección se
emplea para facilitar uno de los factores cuadráticos de la Ta bla 16-4. A continuación exa minaremos
algunas de las secciones bicuadradas más e mpleadas que util izan únicamente un Amp-Op.
R,
e,

I R•.

R,
~
R,
• R R, I R
-

v, e,
V R.
•
V,
•
v, e, el
y •
v.

- i R.
- - -

1M
FiKura 16-30. Seccio nes paso-bajo Salle n y Key que em plea n: ta ) un amplificador no inversorIreafime ntac jén pos itiva). y (h ) un
amp lificador inversor (realimentaci6n negativa).

Secciones paso-bajo
El circuito Sallen y Key de la Fig. 16-300 em plea una eta pa de Amp -Op no inver sora para suministrar
realimentación negativa. La función de transferen cia de este circuito se puede ex presar como (Prob.
16-21):

(16-24)
A v)) + I

siendo At , = 1 + R~ IR. la ganancia de la etapa Amp-Op. Comparando la Ec. ( 16-24) con la función
paso-bajo de la Ec. ( 16· 15) se tiene
Y R I R!C ,C2
Q ~ (16-25)
w" = Y R ,R2C 1C2 RIC I (1 - Av) + C 2(R 1 + R 2)
Evidentemente los cinco parámetros de l circ uito Rl • R z• el' el y Al' proveen un grado de libertad
superior al necesario para especificar wlJ y Q. A veces . para simplifica r la fabr icación C I = C 2 = C y R. =
Rl = R con lo qu e las Ecs. (16-24) Y( 16-25 ) se reducen a

Av (16-26)
H(s) = R2CZs2 + RCs(3 A v) +1
1 ( 16-27)
w" = RC
718 Microelectrónica moderna

Observemos que igua lando ambas resistencias y ambas capacidades se tiene una consta nte de tiempo
Re q ue establece roo y la ganancia Al' que determ ina Q. Además observemos q ue para tene r estabilidad.
Al' < 3. Si A l' :?: 3. según la Ec. (16-26) el coeficiente s es S O ind icando que H(s) tiene polos en el
semiplano derecho.

Ej empl.o 16·3

Diseñar un filtro paso-bajo co n rizado no mayor de I dB desde continua hasta 1 kHz y que dé una
atenuación mínima de 40 dB a 2 kHz .

Solu ci6n

En e l Ej.16-2 se demostró que con un rizado de 1 dB se obtiene una atenuación de 40 d B con Wl filtro
Chebys hev de quin to orden. La ca racterística pol inomial normalizada. deducida de la Tabla 16-4 es

8(8) :: (s + 0 .289) (S 2 + 0, 179s + 0.988) ( S2 + 0.468s + 0.429)

Puesto q ue H (s) :: HJB(s) tien e tres factores. se usa un filtro de tres secciones. siendo és tas
H;,.
s + 0.289 H 2(s) :: S1 + 0. 179s + 0.988
H;,.,
H .M ) :: S2 + 0.468s + 0.429

Cada una de las funciones dadas más arriba está normalizada a la frecuencia angu lar de corte roe :: I
rad/s. La frecuenc ia de corte deseada es/;.. = 1 kHz o roe :: 2nx IO~ rad/s.
Las funcio nes no normalizadas, escritas en la forma de la Ec. ( 16-15) son:
H,,~
H,(s)
H1(s) :: (sI0 .289wcl + (s 2/0.988wl·) + (0. 179sI0.988wc) +

Ta ntoH ~ como H , se pueden lograr con secciones paso-bajo Sallen y Key (Fig . 16- 30a ) co n R :: R
1 2
y el:: e l' La co mparación de H! y H l con las Ecs. ( 16-26) Y (16-27) da

W .,1 = VO . 988 w~ :: 0.994wc :: 0.994 X 21T x lO} rad/s

I 0.179
Q, = 5.55
Q, =
- y
Y O.988

W",l = V 0.429w¿, :: 0.655w(" :: 0.655 X 21T x 10' ra d/s

-Q,I = 0.468 y Q.1 :: 1.4

Y O.4 29

Las Bes. (16-27) re lacionan Q y 000 con los pará me tros de l circuito. Obsérvese sin embargo q ue la
especificación de 000 no permite una determinación única de R y de e sino só lo su producto . En la
 Acondicionamiento y conversión de dolos 7 19

R,
R

'0' '"
r
Figura 16·31. Doscireuhcs que sírüen un ceroen el eje real negativo. (a) no inversor. y (h) inversor.

fabricación de filtros. es pecia lmente en tec nología híbrida. a veces result a conve nie nte e mplear el mismo
valor de la capacidad en todas las secciones. Elegirem os e = O.05~F. Por tanto

3.20 kll

1
0.655 X 21T x 10' x 0.05 x 10 6 := 4.86 kO

Resolviendo la Ec. (16 -27) Ydespejando A, tendremos Al' = 3 • I/Q. Ypor tanto.
1 1
A v~ = 3 - 5.55 := 2.82 A v] := 3 - - := 2.285
1.4
Puesto que Al'» I para un Amp-Op comerc ial. Al' = I+ R~ IR~. Para minimizar tanto el número de
valore s de resistencia usados como la dispers ión de valores de los eleme ntos (relació n e ntre la mayor y
la menor de las resis tencia s) e legire mos R~ .= 4.86 kíJ: e n ambas secc iones. y entonces
R ,,~ := ( A,,~ ~ I IR,, ~ = (2.82 - 1)4.86 := 8.84 kU

R".I = (A I' J - IIR"l = (2.285 - 1)4.86 = 6.4 kU

La secci ó n restant e H , (r}, co ntiene un po lo rea l de s = -0.289 00, := 0.2~9 x 21t x 10' ¡ad/s. El
seguidor de tensión que e xcita un ci rcuito Re como se muestra en la Fig. 16· 310 tiene una función de
transferencia
v, 1
V, RCs +
y se utiliza para lograr el polo real en 11,(.\" ). Co mparando las funciones de transfe rencia se llega a
1
Re ~ ;0-;;;;;;--
0.289wc
La elección de C:= 0 .05~ F da :
1
R ~ - - X 21T X 10] x 0.05 X 10- 6 = 11.0 kO
0.289
La Fig. 16-32 corresponde al circuito final.
Ta mbién se usan circuitos de realimentació n negativa e mpleando etapas Amp-Op inversoras para
obtener funcione s de tra nsfe rencia de paso- bajo. El circuito de la Fig. 16-30h corres ponde a una sección
bicuadrada de paso- bajo. Se pueden conseg uir polos reales con el circuito de la Fig. 16· 31 h. Las funciones
de transfere ncia de es tos circ uitos so n:
 720 Microetectronico moderna

H (s) 11" 116-2")

siendo:
R )(RIC I + HI Cl + R l C~ )
(/1 =
R1 + R 1(1 + Al ')

A ..R)
+ R I(l + A l ')

v, R,
( 16· 29)
V, - R1 X °R"C'--''-+
:-:

siendo A l' = - R¡,lR" .

0.05 pF O.O:/F

3.20 en 13 .20 kU
..
•
r-, 4.86kU 4.86 kU
r-,
~ 8.M en -
r-, 11.0 en

~ en
"..
0 .05 JI!":

4.86 sn
O.OS ,..F:
F ....6.25
¡VI •
»,
4.86 kU O'O S PF ~

, lo-
H¡
I
/f¡ /1 1
J
t'lgur a 16·32. Esquemadel circuito parael filtro paso-bajo Chebyshevdc 1dB Y5 polos descritos en el ejemplo 6·3.

Secciones paso -alto

Los circuitos de la Fig. 16-30 se convierten fácilmente en secciones de paso-alto intercambiando las
resistencias y los condensadores como se representa en la Fig. 16·33. Asimismo , intercambiando la
posición de R y de e en la Fig. 16-3 1 resulta un circuito con función de transferen cia de la fonna H( s) =
A\Rü!(RCs + I l.

Secciones paso-banda
En la Fig. 16·34 se ven dos secciones utilizadas para ob tener la respuesta de paso-banda . El circuito
de la Fig. 16-34(1 usa un Amp-Op no inversor (rea limentac ión positiva), mientras que en la disposición
de la Fig. l 6-34h se emplea realimentaci ón negativa . Obsérvese que en la Fig. 16-34b se supone un
Amp-Op idea l (ganancia infinita) mientras que en el circuito Sa llen y Key de la Fig. 16-340 se emplea
una etapa de ganancia finita. Las relaciones de tran sferen cia de tensione s las dan las Ecs. (16-30) Y( 16·3 1)
para [as Figs. 16-34a y 16-34h respectivamente :
 Acondicionamiento 1 contiersión de datos 721

(\6-30)

(\6·31)

e,
R,

e, e,
,
rl ,
(,t
,
V, R, o v, v,
v,
R• •

~
A.:I+R. IR" A. --R.JR~

~ ~
flglll'll 16-33. ScccioneI SaIleny Key pao-allOcon realimentación (a) positiva. y (b) IIC¡ ativa.

Se deja para el lec tor (Pro b. 16-28 Y 16·29) la com probación de es tas ecuaciones.
La ad ición de realimentac i ón positiva (R. y R. de ta Pig. 16-35) a l circuito de la Fig . 16-34b mejora
el funcionamiento del circuit o. La combinación de realimentación posi tiva y negativa permite la fab rica.
ción práct ica de circuitos de Q más alto e n filtros de orden elevado. Se puede demostrar (Prob. 16-31) que
la función de transferencia de este circuito viene dada por.
-A yRzC,s/(A y - 1)
( 16·)2)
R,RzC,CZS2 + s {R I(C I + Cz) RzCl f (A y 1)] + I

slendo A; > I -r,»,

Las seccio nes paso-banda de las Figs. 16.34 y 16-35 so n útiles para fonnarcircu itos de banda estrecha;
es decir. que e l paso-banda es una fracc ión de la frecuenci a de l cen tro. La respuesta de los ci rcuitos de
band a es trecha es simi lar a la obte nida con un simple ci rcuito reson ante en serie o paralelo co n una Q
moderada. En es tas circunstan cias las frecue ncias superio r e inferior de J...Q..B, / } y /. respec tivame nte
(Fig. 16-26b ) están tan próximas entre s( q ue la frecu encia ceol ral lo =v¡¡;
es mu y aprox imadamen le
igual a (f 1 + f Jn y el ancho de banda I}- I I = f JQ. En alguna s aplicaciones f z- f 1 > f o y se necesitan
circuitos pa sa-banda de banda ancha. Se pueden tener estas característ icas poniendo en cascada secciones
de paso-bajo y de paso- alto como en la Fig . 16-360 . S i w" > wlo (Fig. 16-36h) resulta la respuesta
paso-band a de la Fig . 16-36c. Obsérvese en esta últ ima fig ura que la atenu ación a baja s frecuencias (w/wL )
es de bida a la red de paso-alto mien tras que si W > w" la aten uación proviene de la secc ión de paso-bajo.
Amb as redes transmiten la señal en la banda de paso (wL:S W S coH).
722 Micro electrónica moderna

R,

e,
e,
•~+-!f--.-----F'
, R,
•
R,
R, ~:
" • " ,
R.
"
" V "

(., fO'
Fig ura )6 ·34. (al Seccié n paso-banda no inversora Sallen y Key, (bl un circuito paso-banda no inversor.

La es truc tura en cas cad a no puede em plea rse en el caso de band a es trec ha deb ido a la var iabilidad
(se nsibilidad) de los co mpone ntes . Si ooL Y 001/ fuera n cas i igua les, un peq ueño cam bio en una de ellas. o
en las do s. provocaría un erro r significativo en la banda de paso.

e,

R,

R, e,
"
, "
R,
R.

Figur a 16,35. C bcuiropaso-benda Delyiannis empleando amb as reabmemecío nes, positiva y negati va.

Secciones de rechazo de banda

La co nfig urac ión en paralelo de la Fig. 16-370 se em plea para form ar un filtro paso-banda de banda
amp lia. Si las redes de paso-bajo y de paso-alto tienen las resp uestas en frecuenci a re presentadas e n la
FIg. 16-36b Y 00/1 e 00 L' la Fig. 16-37b es la respuesta del ci rcuito de la Pig. 16-370. Tanto la secc ión de
paso-allo co mo la de paso-bajo atenúan e n la bandaentrc 00/1 y roL. Cuando 00 < 00'1 la transm isión se hace
a través de la sec ción de paso -bajo y si ro > OOL la se ña l se transm ite por la secc ión de paso -alto.
A los circuitos de rec hazo de banda estrecha se les denom ina a veces co mo filtros dentados. Esto
puede ded ucirse de la entrada «rechaza de banda» de la Tabla 16-2 en la q ue H(j 00) = Oc uando s = j(oo).
Obsérvese q ue H(j 00) 7:- O para tod as las (1) "(1),
como se ve en la respues ta en frecuencia repre sentada
en la Fig. 16-38. Para tener la respuesta de la Fig. 16-38 corrientemente se emplea el circuito de la Fig. 16-39 .
Los e leme ntos pasivos forman una red en doble T que habilita los ceros del ejej. Como se ve en la Fig.
= = = = =
16-39. la elecci ón de R I R1 = R. C I C l C, RJ Rfl YC J 2C da una funció n de tra nsferen cia: (co n
y = O),
 Acondicionamiento y conversión de da/os 723

V, A v (R 2C 2S 2 + 1)
H(s) = = (16-33)
V, R 2C 2 s2 + 2RC (2 - A \,h + 1

,Red . -' <d

-1 pase-bej e
I I
pase-al to

")

IIclL I- - - __
O.707Ho /. - -- - - - - ,
,,
,

l b)

H (iw )

H. - - - - - - - _y- ----...

0.70711Q - - - - -- - -- - - - - - - - - - - - - --,

l
,
l
l
l

le'
Figura 16-36. (a ) Un paso-bajo y un pa so- alto en ca scada pura fo rmar un circ uito paso-banda de band a ancha . (b) Las
características de respuesta en frecuencia de las redes paso-bajo y paso-alto dan la respuesta paso-banda (r-) de la casc ada.

En la Ec. ( 16·33) vemos que oon = 00 , == l/RC y Q de l diente viene de terminada por la ganancia Al' =
1 + Rcl IR h de la etapa del Amp-Op. Esta misma ec uac ión indica que la esta bilidad requiere que Al' < 2,
Frecuent e mente se desea que OO,¡. 000 , Los circ uitos en los que 00, > rouse denominan dentados de paso
alto. y c uando 00, < 001J 10 son de paso-bajo, La adic ión de la admit ancia Y (representada punteada en la
Pig. 16-39) convierte el circuito en una red ya se a de paso -alto o de paso-bajo. La elec ción de Y = l /R4
lleva a un den tado de paso-bajo . y se obtendrá de paso-alto si Y = s C4 ' En ambos ci rcuitos. e, = C l + e,
y IIR, = IIR , + IIR
"

Redes pasa-todo
La se lecc ión de una de las funciones del filtro Butterworth o Ch ebyshev (Sec. [6-8 ) para apro ximar
724 Microetectrontca moderna

Roo
paso-ano

R.,
paso-bajo

,.,
HUw )

~ ~-------------- - ------ /
- ------
O.70 7HQ

lb'
f<'l Kura 16-.'1. ( a ) C ircuito de rec ha zo de band a de canal e n paralele. (h ) Si (I)L < (IJ 11 en curacrerísnca s pase -alto y paso-bajo de la
Fig. 16· 36h. se tiene [a respuesta de recha zo de banda.

Magnitud

--~-~- - -- - --- - _.:-~-~-

r.
F igu ra 16-)8. Respuesta de un «d iente».

la magnitud de la respuesta del filt ro especifica también su característica de fase L JJUro). Frecuentemente
interesa también controlar respuesta de fase del propio filtro. Un proced imiento consiste en co nectar en
cascada una secc ión pasa-lodo con el filtro. La red pasa-todo tiene una magnitud I/ Ueo) = I a todas las
frecuencias. Sin embargo la respuesta en fase var ía con la frecuenci a. El ci rcuito de la Fig. 16- 40 es una
red pasa-lodo de un polo cuya función de transferencia es
V2 1 R Cs
H (, ) = - = 116.) 4)
VI 1 + RCs
Obsér vese que las frecuencias de polo y de cero de la Ec. ( 16-34) son igua les en magnitud . Sin embarg o.
 A condicionamiento y conversión de datos 72S

el cero está en el semi-plano de recho. La inspección de esta ecuación ind ica que HUm) = 1 para todas las
ro excepto para
L H( j w) =- 2 Ian- 1 R C (16-35)

R . -R R, - R

, ,
,,, ~
c1.;c
"
Cl -c
, , -: R.
•

" R] - RI2
,,,
:. y
R. "
,, ....
- , -
A o' - [+R IR
• •
Figur a 16·39. Red de dob le obj eti vo empleada para obt ener un . (\eOlado•. Si y", O las frec ue nc ias de denlado y de polo SOI\
iguales. La inclusión de Y ~ Oconv iene el circuilo en un denta do peso- ano (., pase- baje.

"

FlgullI 16-40. Red plISII-Iodode un polo.

La característica de fase está representada en la Fig. 16-4 1. La línea de trazos rectil íneos es la
aproximación de Bode. Ajustando la constante de tiempo RC del circuito se puede añadir un desplaza-
miento de fase de O a - l 8()\' sobre el campo de frecue ncia aproximada 1/10 RC < ro < 10/RC a la
característica del filtro.
L II l j wl

0.1 10

-'"
- ISlr ---- - - - - - - - - - - -- -

rlgur. 16.41. Caraclerfst ica de Iese de un a red ~-Iodo de un polo. También estli represenladoel diagnma ,1 sinlól ico de Bode
{fa-o;el.
726 Microelectrónica moderna

Se pueden preparar redes lodo-paso bicuadrát icas de la forma de la Ec. (16-36) emp leando el circuito
de la Fig. 16-42.
v, H (s) =
Sl - (wjQ)s + ~
(16-36)
V, 52 + (w,/Q)s + w~

e,
R,

R, C,

R,
~ "
R, R.

R, R.

-
Figura 16·42. Sección general bicuadrada de Friend.

La Ec. (16·36) indica que cuando 00 < 00 L HUoo) < Oy cuando 00 > 00 L HUoo) > O. A la respuesta
0
,
0
,

de fase del filt ro se le puede añadir un desp laza mie nto de fase tanto posi tivo como negativo.

Sección general bicuad rada de Fri end

Modificando el circuito de la fig. 16-35 (los eleme ntos señalados co n trazo menos intenso) se llega a
una sección bicuadrada general desa rrollada por Friend en los laboratorios de la BelJ Telephone. Este
ci rcuito. llamado resonador activo-normalizado de tamat ío puede usarse para formar toda s las funcio nes
de trans ferencia blcuadréticas, excepto las de paso-bajo. suprimiendo (abriendo el ci rcuito) las resisten-
apropiadas. Su ventaja en sistemas de comunicac ión a gran escala estriba en el hecho de que se puede usar
la misma topo logía en todas las secciones de filtro y en todos los filtros de un sistema multíplex. Los
ele mentos adicionales introducen vías de alimen tación en sentido directo entre la entrada y la salida. Estas
vías dan razón de SI y de los términos constantes añadidos al numerador de la Ec. (16 -32) . En consecuencia.
H (s) de l circ uito de la Fig. 16-42 tiene la forma dada en la Ec. ( 16-14).

16-11. SECCIONES BICUADRADAS DEL AMP- OP MÚLTIPLE

En la fabricació n de los filtros prácticos la actuación de las secciones se mejora introduciendo etapas
de Amp-Op adicionales. El coste de la mayor po tencia co nsum ida po r los Amp-Op ad icionales. frec uen-
temente queda más que compensado por la menor sens ibilidad ante las variaciones de los com ponentes.
la mayor facilidad de sintonización (ajuste de 000 y de Qen cada sección) y la norm alización de la topología
para tener tres o cuatro respuestas en frecuencia bás icas. Uno de tales circuitos. representado en la Fig.
16-43 puede emplearse como filtro paso-bajo. paso-ban da o paso-alto. Las etapasA V1 y An de dic ha figura
son amplificadores de tensión ideales de ganancia finita y se construyen empleando etapas de Amp-O p
básicas (Fig. 10-42). La función de transferencia de este circ uito (Prob. 16-43) se demuestra que es :
 Acondicionamiento y con versión de datos 727

A V IA I12 Z /lZ /J
( 16-371
(Z A + L it) (Ze + 2/JI ZAZoAvl A n

z,
z, I
r,

I' i ~u nl 16·4.l. Estructu ra bñvica de sección hicundrada de .2 Amp - ( Jp. Si c ada imp ed ancia ~<' d ige ya se a como R ti C. la respuesta
puede se r de pas o-ba je. pnxo.uhu ti paco-band a.

Dos de las cuatro impedancias Z". lB' Ze y 2 /) so n resistencia s y las o tras dos so n conde nsad ores . La
e lecc ión en cada caso de te rmina la naturaleza de las respuesta como se ve en la Tabla 16 -5.'

TlI bla 16·5. Selecdilll de illlllt't1 and a en elclrc ulto de 1:1Fig. 16-·0
ResIJlle.wl/ Z, Z8 Z, 1"
Paso-bajo R, 11.• C , R. 1/.' ("'
Paso-banda R, tI.•C, 1 /" C~ R.
Paso-alto I/.• e', R, 1 1,. C ~ 11,

La seccción de filtr o universal o de esta do va ria ble

La sección bic uadrudu uni versa l o de es tado va riable de la Fig. 16 -44 puede dar simuluinc umerue
salida s de paso-bajo. paso-banda y paso-alt o. Co mo puede ve rse en d icha fig ura e l circuito co nsiste en
dos integrado res y una etapa de ganancia inve rsora. la realimcn raci én negariva alrede do r de las tres etapas
R,

e,
e,
R,
R.

v,
R,

R. v.

Figura 16-44. Secci ón de filtre de esuuío va ria ble o uuive rsal. Las respue stas paso -bajo . paso -alto y paso -band a se alcanzan a vC'
V" YvR rcspecuvame me.
728 Microelectrónica moderna

la proporcio na R5 mientras que R~ y R1 forman un lazo de realimentación posi tiva alrededor de las dos
primeras etapas. Las tensiones VA' VB Y vcson las salidas de paso-alto, paso-banda y paso-bajo respectiva-
mente.
Cuall tat ívamerue podemos demostrar que ve es la salida paso-bajo, con el siguiente razonamiento:
Conside remos que el ci rcuito de la Fig. 1644 es un amplificador rea limentado en el que Rs y R, form an
un lazo de rea limentación resistivo alrededor de l amplifi cador contenido en el rectángulo sombreado. La
ganancia sin realime ntación A(s) es igual a AjD(s) teniendo D(s) dos raíces atr ibuida una a cada uno de
los integradores del amplificador. La relació n de retomo T = - pA(s) = - PAjD(s) cont iene los mismos
dos po los que A(s ) ya que Pes real porque la red de rea lime ntación es resist iva. Por tanto A F (s) =
A(s)/ [ I + T( s») = Aj ID(s) - pAJ Bvldentemente A, tiene dos polos y ningún cero fin ito y es una Iuncrc.,
bicuadrática de paso-bajo.
El circuito de la Fig. 16·45 es el mismo que el de la Fig. 16-44. En este amplificador realime ntado,
un integrador forma parte de la red de realimentación (en trazo menos intenso). Así pues, Pno es real,
pero contiene un polo en s = O debido al integrado r, es decir, P= K/s siendo K una constante real. El
amplificador incluye sólo un integrador y así tiene un solo po lo A(s) = A' j(l + stp , ). Empleando
nuevamente la Ec. ( 12-5) tendremos

R, / . R. ~

-
~: I
R, " C,

R,
R,
'7

R, .J,.
R,
...
Figura 16-45. El circuito de la Píg. 16-44 reproducido para mostrar va como salida. Obsérvese que el integrador formado por R •
e 2 y el Amp-Op forman parte dellazode la realimentación. 4

siendoD(s) una cuadrática. ComparandoA,(s) co n la entrada paso-banda de la Tabla 16-2 se ve que son
equivalentes .
De igua l forma pode mos demostrar que V A es la salida paso-alto ya que los dos integradores son parte
de la red de realimentación, y el amplificador básico consistente únicamente en la etapa de Amp-Op
inversora es independiente de la frecuencia .
Las diversas funciones de transferencia se pueden expresar (Prob. 16- 44) como
H = Ve = - R)R , H = Va = R 4RsC2sIR t
L B
v,. D(s)

VA - R}R4RSC1C2S2/R l
v, D(s) 116-38)
H II = - ~
v, D(.t) .
 A condicionamiento y con versión de datos 729

siendo

D (.f ) :: C IC !R .IR4R\ .! + R 4R 7 C2(RIR ~ + R IR~ + R2R~ ) s + 1

(16-39)
R~ R 1R !( R ~ + R 7)
La sección bicuadrada de la Fig. 16-44 es adquirible e n el mercado procedente de varios fabricantes,
incluid os Burr-Bro wn, Inc. y General Instruments. Inc. Estas secci ones norm alment e contienen los
condensadores de precis ión de 1000 pF ( C I y C!) y c uatro resistencias (ge neralmente R2• R R4 Y R~)
tam bién de precisión . Las otras tres resis tencias las fija el dis eñado r para alcanzar los valores" deseados
de 00". de Q y lu m ñxlma ganancia.

16-12. FILTROS GOBERNADOS POR CONDENSADOR

Los circ ui tos activos Re descri tos e n las tres secciones anteriores son todos ellos filtros a tiem po
continuo, o sea, que en todo momento ex isten señales de ent rada y de sa lida. Lo más frecuente es em plear
una tecnología híbrida consistente en emplear Amp-Op mono líticos y res istencias y condensadores de
película fina para forma r las seccio nes de segundo orden que com prenden es tos filtro s. Estos filtro s son
.sisternas de muestreo de datos ana lógicos (Sec. 16- 1) conte niendo sólo condensadores, Amp-Op e
interruptoresanalógicos. Si las frecuencias de la señal sonmuy inferioresa las de conmutaciónde los Interruptores
analógicos. estos filtros de muestreo de datos constituye n un substitutivo alterna tivo. pero equivalente,
de los filtre s activos Re. Entre las ventajas que pueden resultar de esta sustitución está n:
1. Todo el filtro puede fabricarse en forma monolítica.
2. Puede emplearse la tecnología MOS de alta densidad de co mponente s. lo que frecuentemente permite
situar en un chip único sistemas que requier an un procesa do de se ñales analógico o digital.
3. En las seccio nes bicuad radas (de seg undo orden) descrit as anter iormente, la frecuencia angular 0.>"
(Tabla 16-2) normalmente depende de la constante de tiempo Re. Con el sistema gobe rnado por
condensador puede hacerse que 00" depe nda de la relació n de capacidades. Puesto que la relación e ntre
componentes se puede ajustar con más precisión que los valores individu ales, se consigue tambi én más
precisión en la relación de transferencia del filtro fa bricado .
4. La supresión de res istencia disminuye el cons umo de potencia.
Las topologías de muchos de estos filtros se derivan de los filt ros de tiem po continuo descritos en las
dos secciones anteriores . En esta secció n descr ibirem os los fundame ntos del funcionamient o de tales
filtros y de su empleo en las etapas Amp-Op de gana ncia e integradora.

~L
f-
S¡ ----1 1-
~
f- _ 1-

~I Te ~ v~ '" ~
o !
":"
o ~
":"

lbl
'"
Figura 16·46. (al Uncondensador conmutado. y (b) su resistenciaequivalente.

Resistencia simulada
Considere mos el circui to de la Fig. 16·4 60 en el que los interruptores S, y S2sean complementarios.
El interru ptor SI (o 5¡) está cerrado (o abierto) durante TI seg undos y abierto (o cerrado) durante T,
730 Microelectrónica moderna

seg undos . El pe riodo de un ciclo de conmutaci ón es T = T. + T1 y f , = lffes la frecuen cia de interruptor .

Las ten siones V. y V! son fuentes ide ales de ten sión. y pa ra n uestro razo na m ie nto supondremo s q ue
VI > Vr Con S. cerrado y S2 ab ierto. C se c arga a VI' En el Instan te 1 = T. se abre S. y se cierra 51
=
descargándose C hasta Vr El ciclo se repi te a 1 T = T1+T1' Durante un c iclo la carga Q tran sportada de l
nudo I al 2 es Q = C(V. -V2 ) . Puesto que este sucede en T segundos. esto eq uivale a una corrie nte I~

Q C
t.; "" T "" T (VI - V 2) == CI: (VI - V 2) (16-40)

La corriente 1«1 es la misma e xistente en Ro<¡ de la Fig. 16-4611. o se a

VI - V2
-'-'-::-'-' ~ CI. (V , - V,) ( 16-4 1)
R"
o

(16-42)

La Ec. ( 16 -42) demue stra que conm utar pe riód icame nte e l co nde nsador eq uiva le a Conectar una
resiste ncia como en la Pig. 16 -46h. Obsérvese q ue esto es cierto s i la frec uencia de conmu tación f. es
much o mayor que las de las señales VI y V1 •

Int egradores
El circuito de la Fig. 16-470 es la real ización de condensador conmutado del integr ador a tiempo
continuo de la Fig. 16-47b. La función de transferencia del circuito de e sta úllima figura vien e dada por
la Ec. ( 16-6) repetida como en la Ec. ( 16-43)
V.. - 1
Av == - = (16-43)
v, RC.s
Sustituyendo R de la Ec. ( 16-42) en la ( 16-43) nos dará la fun ción de Iran sfe renc ia del integ rador de
con densador co nmutado
V" C,¡.
Al ' == - = - - - (16·44)
V, C Is
Evide nte me nte la Ec. ( 16 -44) demu estra que A l depende de la relacíún de capacidades C¡ C I ,

0_' ",
Figura 16-47. ID) Integrador concondensadorconmutado, y (b) su equivalenteen tiempo continuo.
 Acondicionamiento)' conversión de datos 73 1

Los transistores MOS temporizados en el integrador de la Fi. 16-48a representan los interruptores
SI y S2 de la Fig. 16-470. Las señales 41 y 41 proceden de un reloj de dos fases sin sobreposición. de
frecuencia f . (Fig. 1648b). El valor V( I) del impulso del reloj debe ser mayor que la tensión umbral VJ
del transistor NMOS. Análogamente. VeO) < VJ de fonna que el MOSFETes un interruptor abierto.

Eta pa de gana ncia

Una etapa de Amp-Op inversora se conviene en su equivalente de condensador conmutado sustitu-
yendocada resistencia de laetapa por la configuración de la Fig. 16-460. Esto est á representado en la Fig.
16-49 con interruptores MOSFET. Puesto que ambos pares mterruprores trabajan a la misma frecuenci a
f., la función de transferencia del circuito será
Av = -
V.
=
c,
(16-45)
V, C,
La ganancia Al' puede ajustarse con precisión ya que depende de la relación de los valores de los
componentes.
Sin embargo, el circuito de la Fig. 16-49a es impráctico. Puesto que los dos interruptores empleados
para formar R, no están nuncacerrados simultáneamente no se forma ninguna realimentaci ón alrededor
del Amp-Op. P1~a salvar esta dificullad se emplea la disposición representada en la Fig. 16-49b. Cuando
41= l. Cl se carga a la señal de entrada y C1 se descarga (de forma que no queda retenida la carga
previamente almacenada). Cuando 41 = Ola tensión en e l se aplica al Amp-Op y C! constituye la vía de
la realimentación. La ganancia viene dada por la Ec. (16-45)

•
VllI -
e,

" r---J:L.
- Vl l 1 r -

r, r r + T, _T
(.) ("
Fi¡:u ra 16·48. (u} El ci rcu ito de la Fig. 11'1·470 con MOSFETs temponzados usados co mo interr uptores. (h) O ndas de reloj de dos
fases sin so brepos ición.

Secciones unipolares
Las tablas 16-4 y 16-5 indicanque cualquierfiltro de orden impar tiene un poloen eleje real. Elcircuito
de la Fig. Ib-3 1 da potas en el eje real negativo en los filtros de tiempo continuo. La implantaciónde
condensadores conmutados en la Fig. 16-31 puede verse en la Fig. 16-50. De la Ec . (16-29) YEjemplo
16-3, la sustitución de las Ec. ( 16-45) Y( 16-42) permite expresar la función de transferencia como:
732 Microelectrónica moderna

H( s ) = V 2 = -C l s/ C 4f . (16-46)
VI (C .C 2S2/ C 3 C 4 f H + [S(CI +
Comparando la Ec. (16-46) con la Tabla 16-1 se tiene

~c,c,
w" = [ s C.C~ Q ~ I + (16-47)

",
",

("

R 1'«Jl

•
R l,,'l '
1
C,

"
"
•
T -e-
(b)
Figura 16·49. (a) Etapade gananciade Amp-Opinversor, no práctica, de condensador conmutado. y (b) un circuito práctico.

T anto 00" como Q dependen de la relación entre capacidades, que puede ser ajustada con precisión.
Además, roes directamente proporcional al. que a su vez es la frecuencia del reloj de dos fases. Como
la frecuencia del reloj puede ajustarse muy exac tamente, se pueden conseguir ro y Q con gran precisión.
El circuito de la Fig. 16-51 se pude sintonizar variando la frecuencia 1. del reloj. La especificación de la
relación entre condensadores determ ina Q ; por tanto, aumentando (o disminuyendo) ro" ajustando la
frecuencia de l reloj, aumenta (o disminuye) el ancho de banda roj Q.
EXisten en el mercado filtros co nmutados por capacidad de varios fabricantes. El MF6-100 (National
Semiconductor) es un filtro Butterworth paso-bajo de 6 polos fabricado co n tecnología CMO S. La
frecuencia de corte varía entre O, I Y20 kHz, necesitando una frecuencia del reloj de 100 veces la de corte.
 A condicionamiento y conversi ón de datos 733

.1 1
,

Etapade Amp-Op inversora. '" '

• •
1 1

'"
figura 16·50. VelSiónconcondensadores conmutados de 10 5 circuitos de la f ig. 16-31 que crea polos reales.

La ganancia de paso-banda es igual a la unidad. de forma que realmente se puede tener un filtro de 12
polos conectando en cascada dos circuitos.
La firm a EG&G tiene una serie (R 56XX)de filtros Che vyshev paso- banda de 6 polos cuya frecue ncia
central puede variarse entre 0.5 a 20 kHz. En esta misma serie existen también filtros de paso- alto y
dentados.
Se puede diseñar un filtro universal monolflico (Nationa lSem iconductor MF 10) que dé características
de paso-bajo. paso-alto. paso-banda, rechazo de banda y pasa-lodo. Se puede diseña r un filtro de cuatro
polos que requiere un reloj externo y ocho resistencias exteriores.

16-13. AMPLIFICADORES LOGARÍTMICOS Y EXPONENCIALES

En la Pig. 16-52 está representado un Amp-Op co n la resistencia de realimentació n R'l sustituida por
el diodo O l. Este amp lificador se usa cuando se pretende tener una tensión de salida proporcional al
logaritmo de la tensión de entrada.
Según la Ec. (2-3) la característica tensión-corrie nte del diodo es

supuesto que I'ITJVr» I. Entonces:

(16-48)
734 Microelectrónica moderna

~ ---<'-o "

Figura 16·51. Realización con condensador conmutadodel circuito paso-banda de la Fig. 16-34b.

Puesto que i, = 1', IR deb ido a la tierra virtua l en la entrada de l amplificado r. tendremos

0" = - oj'= - TjVT(ln ~ - In ls) (16-491

Amplificador logarítmico con transistores aparejados

Vemos en la Ec. ( 16-49) que \ '0 depende de la tem peratura debido al factor de esca la 11 VT ya la corr iente
de satu ració n 1,. El factor Tl cuyo valor normalmente depe nde de la corriente de l diodo puede eliminarse
sustituyendo el diodo por un transistor con base a tierra. Otra ventaja importante de utilizar un transistor
en lugar de un diodo es que la relación exponencial entre corriente y tensión abarca un campo de tensiones
mucho más extenso. Ampliando la Fig. 16-52 con un seg undo transisto r apa rejado se puede elimi nar de
la expresión de l ' la corriente de saturación inversa 1 (que se dup lica por cada IOc de aumento de
temperatura). El si;tema final, representado en la Fig. 16:53 comprende una etapa Amp -Op no inversora '
de salida con ganan cia Al' = 1 + Ri R.I •

"

v, •
'.

Figura 16·52. Amplificadorlogarftmicoelemental.

Seguidamente vamos a deducir la expres ión logarítmica de 1'0' Para esta argu mentación prescindiremos
de l potenciómetro de equi librado de alta resistencia. Para tran sistores emparejados y siendo j8 < jc la
entrada positiva a A2 está a la tensión

v == V BE2 - V BE I = V T In in - V T In ic v = - V T In ~cr ( 16-501

In

Puesto que l' es igual a la pequeña diferencia entre las tensiones base-emisor de Q2 y de Ql .
desp recia remos l ' frente a la tens ión de referencia VR' Puesto que i 8 2 < ;(1 y debido a la tierra virtual en la
entrada de A l. tendrem os
 Acondicionamiento y conversi ón de datos 135

R (elevada )
- le>
PI
-
r---'''''~------,
;. o

R,
R,
• •
A A2~'-r~ "

Resistencia R,
ofhet

R, R
(elevada) r:

-'rr
figura 16·53. AmplifICador logarilmico mejor ado,que emplea un amplifieldotdirereneial (Q I y Q21pan! susliluire l diodo de la
Fig. I6-52.

V. o,
(16-51)
in"" - y ¡e l"" -
R, R,
Puesto que A2 es un Amp-Op no inversor. \'" = v (R l + R. ) IR.t. La combinación de esta ecuación con
las ( 16-50) Y(16-51 ) nos da
v "" - V T R) + R. ln ( ';. Rl ) (16-52)
u R] R . V¡,¡
Experime ntalmente se ha hallado que la Ec. (16-52) se satisface dentro de un campo dinámico de
cuatro décadas co n tensiones de entrada desde 2 mV hasta 20 V. Por encima de los 20 V, los mayo res
valores de las corrientes de los transistores que circulan por las resistencias óhmi cas de colector y de base
dan una componente de caída de te nsi ón linea l que condu ce a una desviación res pecto a la rel ación
logarítmica . Con una tensión de entrada por de bajo de unos 2 mv, la corriente de en trada se hace
comparable a la de polarización y ya no resulta válida la relación logarítmica entre v y v .
El potenci ómetro PI se emplea para equilibrar la tensión offset de A l. es decir. con ~. = O se reg ula
P I hasta hace r V ' "" O (menos de 50 ~V) . El sistema se anula de la siguiente forma: Con ' ', = VI! R/R1 se
va variando P2 hasta que l'" = O, satisfaciendo así la Ec. (16-52).
Obsérve se que según la Ec. (16·5 2) la pendien te de la caracrerfsnca es.

do.. :: _ V, R 1 + R.
116-5J)
dOn e.} R1
Este resultado ha sido co mprobado expen mentalmenre. Puesto que V, es proporci onal a la
temperatura. debe elegirse para R1 una resistencia sensible a las variaciones de tem peratu ra. Si R) crece
lineal mente co n Tpuede hacerse que la pendie nte de la Ec. ( 16-53) se mantenga précticamente coostanre
aun variando la tempe ratura.
Se pueden co nstruir amplificadores logarítm leos con campos dinámice s de cinco órdenes de magn itud
736 Microelectrónica moderna

con Amp-Op de poca corriente de polarización . El empleo de tales amplificado res logarítm icos en el
procesado de señales puede explicarse de la siguiente forma: Con siderem os que hay que convertir en señal
digital una señal de entrada analógica cuyo campo dinámico es de ci nco órdenes de magnitud.Se necesitar é
un convertidor AfD de 20 bit si su poder de resolución ha de ser del 10% de la se ñal más pequeña. Un
convertidor A/D en paralelo (Flash, Fig . 16-16) necesitaría 2 20 Amp -Op lo que evidentemente no es
practicable. El convertidor A/D más lento de la Fig. 16-15 Ycon un reloj de 20 MHz necesita tu s por
conversión. El amplificador logarítmi co estrecha el campo dinámico de la señal de salida '', con lo que es
suficiente un AfD de 8 bit.

Amplificador exponencial (antilogarítmico)

Después del procesado, el campo dinámico redu cido de la salida del amplificador logarítmico debe
presentar frecuentement e el mismo campo din ámico de la entrada original. Es decir, la salida del
convertidor A/D empleado para recon struir una señal analógica debe desplegar también el campo
dinámico amplio de la señal- analógica de entrada. Paraeste objeto se emplea
. un amplificador exponen cial o
anrilogarírmico. Este sistema está representado en la Fig . 16-54 Ydebe compararse con el de la Fig. 16-53.
En el amplificador exponenc ial la corriente de realimentación in es constante y se deduce de la tensión
de referen cia VR , mientras que iC7. depende de la señal de entrada. En el ampli ficador logarítm ico la
conversión es efectiva.
Debido a la tierra virtual en las entradas de A I YA2, el colector y la base de Q I están a la misma tensión
-v = VBE1 - VBn • Despreciando l' frente a I'R tendremos

.
I rI = -
VR
y in = -u" (16-54)
R, R,
Del atenuado r de entrada es evidente que
R )V2
-v = (16-55)
Rl + R4
en donde se ha empleado la Ec. (16-50 ). Substituyendo las co rrientes In e In de la Ec. ( 16-54) en la
(16-55) se tiene

VR

R,
-'" R,

-o
R,

Figura 16-54. Amplificadorcxponcncial.

f
 Acondicionamiento y conversión de datos 737

V2 = - v, R ) + R. In( V<> R 2 ) (16.56)

RJ R 1 VR
Obsérvese que esta ecuación resulta idéntica a la Ec. ( 16·5 2) si se intercamb ian l ' y l' . Por tanto l'
es proporcional al anrilogaritmc o exponencial de 1'.. De la Be. ( 16-56) se ob tiene ' o o

R,V.
v" = ~ ex p - V R) + R.
( V, R, )
(1 6·57)
r
El sistema se equilibra para las tensiones offset y desaj ustes poniendo la entrada ", =O. y ajustando
luego el potenciómetro P hasta que 1'" = R, V~ /Rr

Multiplicador logaritmico
Los amplificadores logarítmicos y antlloga rftmicos pueden emplearse para multi plicar o dividir las
tensiones ana lógicas 1" 1 y l',~. En la Fig. 16-55 se lom an los logaritmos de ambas entradas. se suman estos
dos logaritmo s y finalmente se saca el antilogaritmo de esta suma. Vamos a comprobar que la salida es
proporcional al prod ucto de las dos entradas.

Sum aoor no
Amp. log inversor de ganancia unidad
R
'"

R
R

Amp. log

Figura 16·55. Mulliplicador logarflm icodedos señales analógicas.

Empleando las abreviaturas

y (16· 581

la Be. ( 16-52) se convierte en

((6-591

Para el amplificador ex ponenc ial co n entrada 1" , Y salida \"", la Ec. ( 16-57) se puede esc ribir en la
forma:

v' = - I t:
. ¡, .
, . .. , (( 6-601
" K~
De acuerdo con esta notación. la salida 1'0 del Amp-Op sumador de la Fig. 16-55 es
(( 6-611
738 Mtcroeíectr ómca moderna

Puesto que 1'0 es la entrada al amplifi cador antilogarítmico, 1'" = 1" " Ysegún las Bes. ( 16-60) Y( 16-6 1)

(]6-62l

En el Prob. 16-88 veremos que es posible elevar de entrada 1', a cualquier potencia poniendo en cascada
ampl ificadores logarítmicos y antilogarürmcos.
Se puede hallar el cociente de las señales de entrada si restamos el logaritmo de \ 'SI del de "-~! y tomamos
el antilogaritmo. Debemos puntualizar que el multiplicador o divisor logarítmico sólo vale con entradas
untpolares. a lo que a veces se le denomina operación en un cuadrante. Existen otras técnicas para la
mult iplicación precisa de dos señales; en la próxima sección describ iremos una de ellas.

16·14. MULTIPLICADORES ANALÓGI COS

En las Ecs. ( 10-86) y ( 10-88) se ve que la tensión de salida de un amplificador diferencial depende
de la corriente de fuente/n , es decir. que 1:", es directamente proporcional a lEE' El amplificado rdi ferencial
puede funcionar como multiplicador variando la corriente de fuente como en la Fig. l6 -56a . Aplicando
una señal VI! ' la corriente de referencia y por tanto l f E varían en razón directa de \'.sr Si además se aplica
una señall'sl al amplificador diferencial, la salida será proporcional al prod ucto de las dos señales 11.\1 y
\'sr Las dos salidas, inversora y no inverso ra. del amplificado r diferencia l excitan un ampl ificador
diferencial (Sec. 14-12). Esto tiende a eliminar los componentes de salida de modo común. El símbolo
de un multiplicador es e l representado en la Fig . 16-56h. La constante K es un factor de esc ala que afec ta
al campo dinámico de las señales de entrada.
El circuito de la Fig. l6-56a es un multipli cador de dos cuadrantes. puesto que \'.\., > VIIElllN , de Q3 y
Q4 . Esta limitación se solventa empleando la célula multiplicadora Gilhert de la Fig. 16-57 (que sustituye
la etapa diferencial y la fuente de comente en la Fig. 16-56a ). La señal d iferencial. que puede ser positiva o

R,

R,
R,
v¡ o.-- K
R.
Amplifl cadcr dife rencial

- y~~

,., '"
Figura 16-56.(al Amphñcadordiferencialempleadocomo multiplicador analógicode 2cuadrantes; (bl simbolo del multiplicador.
 Acondicionamiento y conversión de datos 739

Al amplificador l/a Al amplificador

diferencial diferencial

Q3 Q4
•
".,

Figura Ui·57. Célula Gilbenempleadapara obtener unmultiplicadordecuatro cuadrantes.

negativa, hace variar las corrientes de emisor ¡EE I e ¡m en los pares diferenciales Q 1-Q2 y Q5 ~ Q6. La
multiplicació n de l'SI y l'S! se lleva a cabo en cada uno de estos pares dife renciales. El funci onamiento en
cuatro cuadrantes se obtiene ya que ¡lo e ;8 so n las diferencias entre las corr ien tes de colector de los
amplifi cadores diferenci ales.
El AD534L es un multipli cador-divisor monolíti co. de una precis ión básica de l 0,25%, un ancho de
banda de I MH z y un ritmo de variación de 20V I~s. El circ uito es tá comple tamente pre-aju stado, es decir,
que no necesita ninguna red exterior de ajuste.

Cuadrados y raíces cuadradas

Puede em plearse el m ultiplicador analógico para obtenerel cuad rado y la raízcuadradade una función .
Conectando las dos ent radas como en la Fig. 16·5 8a hace la salida \'0 igual a I'si K. Si la señal de ent rada
se ampli fica por K antes de exci tar el multi plic ador, '', = VI, .
El circuito de la raíz c uadrada de la Fig. I s-s8b em plea el multiplicador en el lazo de realimentación
de una etapa Amp-O p inversora. La tierra virt ual en la entrada del Amp-Op hace que
. V.
/1 = - (16-63)
R,
la salida del mu ltip lic ador es "2= \'~ IK y puesto que i¡ = -i2, com binando es tas relaciones y
740 M/croe/ectrollico moderna

despejando ", se tiene

"" = ~~~z 1".1 (16-64)

La ca ntidad 1",1 es nec esa ria e n la Ec. ( 16-64) para asegurarqu~ I~ t érminos contenidos en e l rad ical
sean positivos. Obsérvese que hac iendo R: IR I = IIK resulta ", = -" 1",l.

Modulador equilibra do
El mulliplicador analóg ico puede e mplearse para enge ndra r una señal mod ulada en a mplitud (AM).
Si "SI = VI cos roJ y Vol = V2 cos rol , siendo W c la frecuencia ang ular po rtadora y w. ta frecuencia angular
de la señal, la sa lida ", del amplificador de la Fig. 16- 56h es

(16-65)

La Ec. (16 -65) de muestra que la am plitud de la portado ra var ía directame nte co n la señal. Haciendo
uso de la identidad ces (x + y) = cos .r cosv + se n .r sen y, en la Ec . ( 16·56) \'.. puede ex presa rse

2
"" = V,V. [ cos (w(" - w.~), + cos Iw( . + w .\)1 ] (16-661

•
,., '"
Fl¡ura 16-58. Empkodc un multiplicadorI manendccircuilo pua; (Q)ele'llr al cuadrldo. y (b) extfler la n.ízcu8drIdL

Puesto que la frecue ncia portadora !, = w,/2 1t no aparece e xplic ita en la Ec. ( 16-66) , e l circuito se
conoce como moautador equilihrado.

16.15. CONVERT IDORES ALTERNA-CONTINUA DE PRECISIÓN

Si se aplica una senoide cuyo va lor de pico sea inferio r a la ten sión umbralo de cort e Vy(-o,6V) al
ci rcuito rectifi cado r de la Fig. 2· 13 veremos que e n lodo mom e nto la salida es nula. Para poder rectifi car
sc-na les de mV, es e vide nte que de ber é reducirse V . Co locando e l diodo en e l lazo de rea lime ntación de
un Amp-Op la tensión de corte queda dividida po; la ganancia A" en lazo abierto del a mplifi cador. Por
tan to, V queda virtu alment e eli minado y e l d iodo se apro xima a un compone nte rectificador idea l. Si la
e ntrada ~'. de la Fig. 16-59u se hace posi tiva en por lo me nos V lA.
entooces v' supera Vy y D conduce.
Deb ido a la conexió n virtual e ntre las e ntradas inverso ra y no inversora (de bido a la realimentac ión con
D conduciendo), ,..."" .•..Por tanto el circuito ac túa co mo seguidor de tensión con tension es pos itiva s (por
 A condicionamiento y conversión de datos 741

encima de unos Q,6I ID'V = 60~V) . C uando '', oscila negativamente, D est é en corte y no se suministra
corriente alguna a la carga exterior, salvo la pequeña co rriente de polarización del Amp-Op y la corriente
de saturación inversa de l diodo.

Limitador de precisión
Modificando el circuito de la Fig. 16-59Qcomo en la Fig. 16-59b se puede obtener un limitador casi
ideal. Si v. < VR> v' seré positiva y D conducirá. Como se ha explicado antes, en estas condiciones la salida
se iguala a la tensión en el terminal no inversor, o sea, Vo = VR• Si v.> VRenlonces v' es negativa. D está en
co rte , y Vo = v,R d( R l + R) "" v. si R « Rl • Res umiendo : la salida s igue a la entrada cuando v, > V"
y \'" queda fijo en V!l' si ", es menor que Vii pero de unos 60 JiV. Cuanado D se polariza e n i n v ers~ en la
Fig. 16· 290 o 16-29h, puede apa recer una tensión diferencial notable entre las entradas, y el Amp-Op
debe ser capaz
•
de resist
•
ir esta tensión. Obsérvese que cuando \,• > V/f el Amp -Op se satura de bido a que
falta la realimentaci ón a través de D .

,----r--r---" '.
R 1
" ~-¡;¡" • "
'" lb '

filural6·S9. (a ) Rcccificadordc pn:c:i~ (b)árcuilode fijación (Hmilador) de precisión.

"
R
.' " ,, ~ ,;"
..... D'

.,¡,
,.,
,
m r
lb'
.'i gu ra 16-60. (a ) Rectificador de media onda de precisión . (b) Filtro RL paso -bajo que p uede co nectars e en cascada con el circu ito
en (al para te ner un detec ro r oe media.

Rectificador rá pido de media onda

Añadiend o R' Y D2 a la Fig . 16-59h Yhaciendo V" = O se obt iene el circu ito de la Fig. 16·6Oa. S i '',
pasa a negativa. DI conduce .D2 es t é en co rte y el circuito funciona como un Amp-O p inversor de forma
que VD = -(R'/R ) V; > Si v. es positivo. DI es tá en corte y D2 conduce. Debido a la realimentaci ón a través
deD2 existe una tierra virtual en la entrada y \'0 = O. Si 1', es una senoide .el circuito hace una rectificación
de med ia onda .
La principallimitaci ón de este circuit o es el ritmo de variación del Amp -Op . C uando la entrada pasa
por ce ro, la salida del Arnp-Op \,' debe pasa r tan rápid amen te co mo sea posible desd e + 0.6 a - O,óV (o
viceversa) para que la conducción pase muy rápidamente de uno a otro diodo. Si el ritmo de variaci ón es
de 1 V/J..ts, el tiempo de conmutación será de 1.2¡Js. Por rento, estos 1,2Ji5deben ser una pequeña fracción
del periodo de la entrada senoid al
742 Mtcroelearontca moderna

Una configuración no inversora altern ativa a la de la Fig. 16-600 consiste en poner a tierra el lado
izquierdo de R e introdu ci r 1', en el terminal no inversor. La sa lida vale ahora (R + R' )/R veces la entrada
con ten siones positivas y 1'" = 1', con entradas negativas si RL»R' . Por tanto se tendr á rect ificación de
media onda si R ' »R. Tanto en el rectificador de media onda inversor como en el no inversor deben
invertirse los dos diodos D I YD 2.

Rectificador de onda com pleta

El sistema de la Fig. 16-6 1a da una rect ificación de onda completa sin inversión y con ganancia R/R I ,
regulable con la resistencla s.. Consideremos primerame nte el semiciclo en el que 1', es positiva. Entonce s
D I conduce y D2 esta cortado . Puesto que D 1 conduce, hay una tierra virtual en la entrada deA l. Como
D2 está cortado y no hay corriente en la R cone ctada a [a entrada no inversora de A2 resulta que = O. "1
Así, el sistema cons iste en dos Am p-Op en casca da, con ganancia de A I igual a -R/R 1 y ganancia de A2
igual a -R/R I = -t. El resultado es :
R
v" = + R Vi >O para Vi> O (16-67)
1

Veamos el semiciclo en el que Vi es negativa. Ahora DI está en corte y D2 conduce como se indica en
la Fig. 16·6I b. Debido a la tierra virtual en la entrada de A2, 1'2 = 1'1=1'. Pues to que los terminales de entrada
de A1 están en la misma tensión (tierra) las corrientes que llegan al terminal inversor de A1 serán como
se indica en la figura. Aplicando a este nudo la ley de Kirchhoff:

R R R

R,
DI
"
Al A'
~
D'
R

"
1,1)

I', ..R ¡
ur:'R

1<
1< 1')
-,1<
o 01
" 1< ,
Al Al

D', D' •
~
« '"
- ,IR "
lb )

Figu r a 16·61 . (a} S istema rectific ador de onda completa. (h) Durante el scmicicln en el q ue v es negativ o. D I está en cone, y D2
conduce, co mo se indica. Obsérvese que VI = vl" VYqu e i "v/2R . '
 Acondicionamiento y converstán de dolos 743

o, v v 2 R
- + - + - = 0 o - -- v 116·68)
R, 2R R J RI A

La tensión de salida es 1'" = iR + 1', siendo la corriente i ig ual a 1'/2R ya que el term inal inve rsor de A2
no toma corriente. Por tanto:
t- .3 R
L' = - R + l' = - r = - - l' > () par a 1', <O ( 16 -69 )
" "!. R ::! RI '

habiéndo nos valido de la Ec. ( 16-58 ). Ob sérv ese que en la Be. ( 16 -69 ) el sig no de 1'" es positivo porque
en es te sem iciclo r es negativo. Puesto q ue l ' en la Ec. (16 -69) es igua l a l' de la Ec . (16 -68 ) las sa lidas
de los dos sem ic i~los son idén ticas confirmando así que el s istema reci'ifica la onda completa (con
gananc ia R/R. ). Ob sérvese q ue con c ualq uier o nda de ent rada \'" es proporc iona l al valo r absoluto de la
I
entrada 1', J

Detector activo de media

Consideremos e l c ircu ito de la Fig. 16-600 en cascada con e l filtro paso -bajo de la Fig. 16-60h. Si l'
es una portadora de amplitud modu lada , el filtro R1 C e lim ina la portadora y 1" " será proporc ional a l valor
medio de la se ñal de audio, o dicho de otra forma. esta co nfiguració n es la de un detector de media.

Detector activo de pico

S i se añade un condensador a la sa lida de l dio do de precisión de la Fig. 16 -590, con RL igual a inf inito.
resu lta un dele ctar de pico. El co ndensador de la Fig. 16-62a ma ntien e la sa lida e n el mome nto I = t ' a l
mayo r valor pos itivo alcanzado por la entrada '', antes de r' co mo se ve en la Fig. 16-62h . Esta forma de
funcionares debid a a l hec ho de que s i 1', > vo. la tensión en el termi nal no inversor supera a la del term inal
inverso r y la salida i-' del Am p-Op e s pos itiva por lo q ue D cond uce. y el condensado r se ca rga a través
del é l (por la co rriente de salida del amplificador) hasta e l valor de la en trada, pues el circ uito es un
seguidor de te nsió n. Cuando '', cae por debajo de la tensión de l co nde ns ador, la sa lida del Amp-Op pasa
a negativa y e l diodo queda con polarización inversa . Así , e l conde nsado r va ca rgando hasta que su ten s ión
se iguale a l va lor má s positi vo de la entrada. Para re po ner el circuito se pued e conectar en paralelo con
el condensa do r un interruptor de pocas pérdidas como es una puerta MOSFET.
El condensador integra también la corriente de polarización del Amp- Op, y además. si la salida está
cargada, el cond ensado r se descargará a travé s de e lla. Ambas dificultades se solventan modificando e l

', -

'"' '"
Figura 16·6Z. (a) Deiecicr de pico positivo. (b) Onda de entrada arbitraria v,. y la salida V correspondiente.
o
744 M icroelectrónica moderna

v..
'."
"~~ 01

'. '.
R,
o, el ~
R R,

- Vn - Vn

'"
flgurll 16·63. Versión mejorada del eerectoree pico .
'b>

sistema con un seguidor de fuente como se ve en la Fig. 16-63. Cuando el term inal inversor se conecta
a la carga en la sa lida, Vo se ve obligada a igualar el valor de pico de ' ', como se pretende (pero la tensión
delcondensador difiere de 1'0 en la tensión puerta-fuente del FET). Esta red es un caso especialdelcircuito
de toma y retención, y las considera ciones respecto a la corriente de fuga de l condensador que se hacen
en otras secciones son aplicab les tamb ién a esta configuración. Con un condensador idea l la tensión a
través de C. en posición de retención. varía sólo debid o a la muy pequeña corrie nte de entrada del FET
y la corrie nte inversa del diodo.
Si la entrada v, cae por debajo de la salida Vg el Amp-Op se saturará (y puede sobrepasarse la máxima
variación de entrada). Para prevenir esta dificult ad se añade a iro diodo al circuito como ind ica la Fig.
16·63b. Si ahora v. < v.' D2 conducirá y el Amp -Op será un seg uidor de tensión con lo que se forma un
co rtocircuito ideal entre los terminales de entrada. Si v, > v, ,D2 se corta y el circui to se reduce al detec tor
de pico de la Fig. 16-63a .
Para tene run detec tor-depico que mida el valormás negativo de la tensión de entra da basta únicamente
invertir el diodo D de las Fígs. (16-62) o ( 16-63) ¿por qué?

REFERENCIAS

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11 Shelngold, D.H. (Ed.): "Analog-Digital Conversion Handbook," 3' ed.• Analog Devices, Inc.• Norwcod,
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12 Hamilton, DJ.• y W.G. Howard: "Bas¡c Integrated Circuir Engineering," McGraw·HiII Book Company,
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14 Gray, P.R., D.A. Hodges, y R.W. Broderson (Eds.): Analog MOS Integrated Circuits, IEEE Press, Nueva
York,1980.
15 Friend.L: STAR: An Active Biquadratic Filter Section.IEEETrans. Ctrcuus and Syst., vol. CAS-22, febrero
1975.

TEMAS DE REPASO
16·1. ¿Qué funciones se deben cumplir en un sistema de amplitud modulada?
16·2. (a) Describir cuaütanvamenre el funcionamientodel sistema PCM
(b ) ¿Por qué debe emplearse un filtro anti-ambigüedad?
16·3. (a) Esbozar un sistema de toma y retención con muy alta resistencia de entrada y muy baja desalida.
(h) Explíqueseel funcionamiento de este sistema.
16·4. (a) ¿Qué es lo que limita el tiempo de adquisición en una configuración de toma y retencién?
(b) Esbozar un sistema para minimizar el tiempo de adquisición.
16·5. (a) Esbozar un sistema multíplex analógico.
(h) ¿Cómo estándispuestos los interruptores?
16·6. Dibujar un diagrama de bloques del que obtener las señales para un multíplex divisor de tiempo.
16·7. (a) Dibujarel esquemade un convertidorD/A. Emplear resistencias cuya relación de valores sea múltiplo
de 2.
(h) Explicarel funcionamiento del convertidor.
16·8. Indicar dos posiblesdisposiciones del interruptor gobernado digitalmente. de un convertidor D/A.
16·9. Repetir el lema 16-7 para una red en escalera cuyas resistenciastengan uno de entre dos valores: Ro 2R.
16·10. Explicarcómo un convertidor analógico-digital (DAC) funciona como un atenuador programablepara una
señal analógica.
16·11. (a) Dibujarel diagramade bloques de un convertidor A/D contador.
(h) Explicarel funcionamiento de este sistema.
16·12. Repetirel tema 16-11 para un servo ADC.
16·13. Repetir eJ tema 16-11 para un convertidor A/D paralelo-comparador de 2 bit.
16·14. Explicar mediante el diagrama asintótico de Bode. por qué un integrador práctico se desvíadel ideal tanto
a frecuencias bajas como altas.
16·15. Esbozarel circuitode un integradordiferencial y explicar su funcionamiento.
16-16. Mostrar cómo se puede modificar un integrador para convertirlo en un diferenciador.
16·17. Esbozar las características de respuesta en frecuencia ideales de los sistemas paso-allo, paso-bajo, paso-
banda y rechazo de banda.
16·18. (a) Escribir la función de transferenciade una función bicuadrática general.
(h) ¿Cuálesde loscoeficientes del apartado (a) deben serceropara tenerunacaracterística de paso-bajo?
«(.) Repetir el apartado anterior para las caracterfsticasde paso-alto y de paso-banda.
(ti) Repetir lo anterior para la respuesta de rechazo de banda
16·19. Definir por mediode un diagrama: (a) la banda de paso, (h) la de cierre, (e) la de transición, y (ti) el rizado
en la banda de paso.
746 Microetectmntca modema

16-20. ¡,Q ue d ilcrc nc ias e xisten en la respuesta en frec uenci a de lo s filtros Buue rworth y Chcbyshc v (de pa so -bajo )
dclmixmo g rado'!
16-21. Dibujar el e sq ue ma de un a secc ió n Salle n y Key de pas u-h ajo a re alim entac ión positi va.
16-22. ¡,C6 mo se puede mod¡ Ficur el circ uito a nte r ior para que se transfor me en sección pa so -alto '!
16-2.l Re petir el tema 16-21 para una sección con realimentac ió n negati va.
16-24. Dibuj ar e l di agr ama de bloques de Ull filtro paso-banda de ba nda ancha y e xplica r su funcionamiento.
16· 25. Repetir el te ma anter ior para un filtro de rec ha zo de band a.
16·26. Dib ujar el circuito de una secc ión paso-banda empleando un Amp-Op ide al.
16· 27, (ti) i.Qué se entiende por red dentada't
(b ) Definir 10.\ de ntados de paso-ano y de paso -bajo.
16 -28. (ti ) i.Que se entiende po r red pasa- to do'!
(b) ¿Para q ué se e mplea esta red ?
16-29, (a ) Escribir la ex presión de la func ión de tran sfere ncia de un sistema pas a-t odo de un polo .
(b) Repetir el apar tado anterior para un siste ma de dos polos
(e) ¿C uál es el máx imo despla zamiento de fase q ue se pue de alca nza r e n lo s apartados (a) y (h)?
16-30. Dibuja r e l ci rc uito de un filtro bicuadrudo u niversal y de mo stra r cómo se pued en co nsegu ir simulráncumcnrc
sa lidas paso -bajo. paso -hunda y paso -alto .
16-3 1. Demostrar que un co ndensado r co nm utado se co m por ta como una re sistencia.
16-32. Ci tar tres ven tajas de los filtros co n conde ns ador
16-33, Esbozar el c ircuito de un am plificado r logarítmico co n un Am p-O p y ex pl ica r su funciona mien to .
16-34. ¡,Qué utilidad tiene un amplificador loga rítmi co?
16-35. Esbozar el circuito de un m ultiplicador ana lóg ico y e xplicar su fu nc ion am iento.
16-36 . Repetir eltema anterior para una célula mult iplica dora Gilbcrt .
16· 37 . Describir brev ement e tres aplicac ione s de un mul tiplic ador anal óg ico .
16-3K, (a ) Esboz ar e l c ircu ito de un rectificador d e med ia o nda. de prec is ión, y ex p lic ar su func io namie nto .
(h) ¿Cómo puede emp learse este circ uito a ma nera de de tector de media?
16-39 . Esb ozar el circuito de un detector de p ico e n e l qu e la ca rga e xte r ior no descarg ue el co ndens ado r.
 QUINTA PART E

Electrónica
de grandes señales

El único capítulo de esta última parte del libro trata de los circuitos elec trónicos empleados en
aplicaciones de altas tension es. corrientes y potencias . Las dos principales materi as tratadas son la
conversión de corriente alterna en continua (s uministros de potencia ) y amplificadores de gra n señal
del tipo necesario pura alimentar altavoces y tubos de raym catódicos (CRT).
 Circuitos y sistemas
de potencia

Casi todos los circuitos electrónicos necesitan una fuente de potencia en continua. En los sistemas
portátiles de poca potencia se pueden emplear pilas. Sin embargo es más frecuente que a los equipos
electrónicos les suministre un circuito que convierta la onda en alterna de la línea de potencia en una
tensión continuade amplitudconstante. Examinaremos el procesode conversiónallema-continuabasado
en los simples circuitos rectificadores introducidos en el Capítulo 2. En este capítulo consideraremos los
circuitos reguladores empleados para controlar la amplitud de una tensión continua. Estos circuitos son
una clase especial de amplificadores realimentados. También trataremos de la conversión de continua a
alterna (reguladores de conmutación).
Un sistema amplificador consiste normalmente en varias etapas en cascada, Las etapas primera e
intermedias funcionan en el modo clase A de pequeña señal. Su objetivo es el de amplificar la pequeña
excitación de entrada hasta valores suficientemente grandes para estimular el dispositivo final. Esta etapa
de salida alimenta un transductor tal como un tubo de rayos catódicos, un altavoz, un servomotor, etc., y
por tanto ha de ser capaz de transmitir una variación grande de tensión o intensidad, o una cantidad
apreciable de potencia, En este capítulo estudiaremos tales amplificadores de gran señal. En los amplifi-
cadores de potencia tienen gran importancia las consideraciones térmicas, que comentaremos aquí, y se
introducirán los transistores de potencia tanto bipolares como FET.

17·1. CONVERSIÓN DE ALTERNA A CONTINUA

La principal fuente de energía eléctrica es en forma de corriente alterna de amplitud y frecuencia

constantes. (En los Estados Unidos el suministro normal es senoidal de 11O/220V de tensión eficaz y 60Hz
de frecuencia, mientras que en Europa es de 220V eficaces y 50Hz,ta'mbién senoidal.) La gran mayoría
de circuitos electrónicos necesitan para asegurar su funcionamiento adecuado de una tensión constante,
Por ejemplo, muchos mini-computadores requieren fuentes de5V capaces de suministrar una corriente de
IOOA. Otros sistemas de procesado de señales necesitan fuentes de 12 y de 15V en los que la corriente
varíe con las condiciones de la carga, Además, muchos accionamientos de motores y sistemas de control
necesitan poder ajustar los niveles de tensión para satisfacer las condiciones de trabajo.

Transformador Recnñcador Filtro Regulador

~~ A carga

Figura 17·1. Diagrama debloques de una fuente de potencia.

750 Microelectrónica moderno

La Fig . 17·1 representa el diagrama de bloque s de un suministro de po te ncia a partir de una fuente
primaria. Exce ptuando el rectificador, cuáles de los rest antes ci rcuitos se empleen dependerá de la
aplicación a que se destine. Tal como indican las ondas de la Fig. 17·1 . las funciones de los diversos
circuitos son las siguientes:

1. Transformador: Ajusta el nivel en alterna para adaptarlo a la amplitud en continua apropiada.

2. Rectificador: Convierte la tensión senoidalen una señal pulsarue.
3. Filtro: Suaviza la fonna de onda eliminando la componente en alterna de la salida del rectificador.
4. Regulador: Mantiene un nivel de tensi ón constante independiente de las condiciones de la carga y de
la amplitud del suministro en alterna.

El transformador puede ser elevador o rebajador. y su potencia nominal debe ser suficiente para
alimentar la carga y suplir las pérdidas en el rectificad or. filtro y regulador. La relación de transformación
viene determinada por el nivel de salida requerido y la amplitud de la ent rada . Los demás circuitos serán
tratados en sucesivas secciones.

17·2. RECTIFICADORES
Casilodos los circuitoselectrónicos necesitan una fuente de potenciaen continua. Si se Irata de sistemas
portátiles de baja potencia se pueden emplear balerías. Sin embargo. es más frecuente alimentarlos de un
suministrador de potencia. que es una pieza del equipo que convierte la onda allema de las redes de
potencia. en una tensión esencialmente continua. En esta sección se inicia el estudio de la conversión
alterna-continua.

Rectificador de media onda

Un dispositivo. lal como un diodo semiconductor. que puede convertir una onda senoidal de entrada
(cuyo valor medio es cero) en una onda unidireccional (si bien no constante) con una componente media
no nula. se denomina rectificador. La Fig. 17·2 representa el circuito básico de un rectificador de media
onda. Puesto que en un circuito rectificador la tensión de entrada 1', =V.. sen 0)/ tiene frecuentemente un
valor de pico V.. bastante grande comparado con la tensi ón umbral V del diodo, admitiremos para el
siguiente razonamiento que V, = O. Con el diodo idealizado para que ¿n estado de conducción sea una
resistencia R, y en estado de corte un cortocircuito. la corriente ; en el diodo o en la carga RL viene dada
po'
¡"" I", sen a si O -s a -c 7T (17· 1)
; = O
siendo a = wf y
V",
(17·2)
 Circuitos y sistemas de potencitl. 751

lde = -1 J,"
2. . .
ida (17-3)

"

.~ "
•
:)
T_~ ~

, (b)

"'
I.~
o •
__- - -
I
2• •
k'
Figura 17·1. (a) Circuito básico de rectificador de media onda. (h) Tensión de salida senoidal del transfonnador v l. (e) Comente
i de diodo y carga.

En el caso de media onda que estamosanalizando. de la Ec. (17-1) se deduce que

lde = -21
.. e
¡'" 1
l",senada =...!!!
.. (17-4)

Obsérveseque ellfmite superiorde la integralse ha cambiadode 2x a 1t ya que la comente instantánea

en el intervalo entre 1t y 2x es cero y por tantono contribuyeen la integral.

Tensión del diodo

Evidentemente. la tensión de salida media en continuaes
I",R L
Vde = ldcRL = - -
..
No obstante. la lectura de un voltímetro de continua conectado a través del diodo no viene dada por
(17-5)

I~Jporque el diodono puedeser tratadocomouna resistenciaconstante.pues tiene dos valores: Rlen su

estadode conducción e infinitoen el de corte.
Un voltímetro de continua leeel valormediode la tensión a través de sus terminales. Por tanto, para
obtener Vdc:a travésde) diododebensituarselas tensiones ínstlUltáneas como en Ja Fig. 17-3 Ydeducir por
integración el valormedicc-Así,

Vde = 2~ (LTt1".R/sen a da + r- sena da)

~
.1
"{1,.,R, - Vm)

habiendo hechouso de la Ec. (17-2). Por tanto

~
.
1
"-[1,.,R, - Im(R, + R L »)
752 Microeleclr6nlca moderna

Vd., = (17·6)
"
•

Figunl17.J. Tensión a tnlvEsdel diodo de la Fil. 17·2.

Este resultadoes negativo, lo que suponeque si el voltímetro hay que leerlo hacia arriba de la escala
se deberáconectarsu terminal positivo al cátododel diodo.Por la Ec. (17~5) se ve que la tensión continua
del diodo es igual al negativo de la tensión a través de la resistencia de carga, lo que evidentemente es
correcto porque la suma de las tensiones continuas alrededordel circuito completo debe ser cero.

Corriente (o tensión) allerna

Un amperímetro (o voltímetro) de valores eficaces está construido de forma que la def1exión de la
aguja indique la corriente(o tensión) eficaz. Un instrumento de esta índole puede ser de tipo térmico. Por
defmición, el valor eficaz de una función periódica del tiempo viene dado por el área de un ciclo de la
curva, que represente el cuadradode la función. divididapor la base. lo que expresado matemáticamente
es:

1m,. = ( 21T
1 r
Jo p. da
),n (17-7)

Teniendoen cuenta la Ec. (17-1)resulta

lrm. = (2
11T
L"I;;,ser. a da)
2
112 = 1; (17-8)

La tensióneficaz de salidaes l. RlJ..

Aplicando la Ec. (17-7) a la tensiónde entradasenoidalse obtiene

V",.. = v'"
v2 (17·9)

Regulación
Se entiende por regulaciónla variación de la tensiónde salida en continua en función de la corriente
de carga, también en continua. La regulación en porcentaje viene dada por:
V,..... ~_ _ V
% regulación s «' '''f)lU X 100% (17-10)
V,.......
 Circuitos y sistemas de pol encia 753

R.

l' •
-
-'. rVi'- 1" I R,

Figura 17·4 . Equivalente de Thevenin de una fuente de potencia, empleado para determinar la tensión y corrien te de carga.

donde vad o se refiere a corriente 111110 , y carga a la corriente de carga normal. En una fuen te de potencia
ideal la tensió n de salida es independ iente de la carga (la corriente de salida) y el porcentaje de regu lación
es cero.
La variación de Vde con Idoen el rect ificador de media onda se obtiene de la siguiente forma: De las
EC'. (17-4) Y(1 7-2).

I ,. -_ 1",
1T
V",!7r
Rj + R L
(17- 11)

Resol viendo la Ec. ( 17*11 ) para Vdo = IdoRL se tiene

Vm ( 17- 12)
Vd" = - - IdoRf
tt

Este resultado es consistente con el modelo de circuito dado en la Fig. 17-4 para la tensión y corriente
en continua. Obsérvese que el circuito rectificador funciona como si fuera una fuente de ten sión constante
(circuito abierto) V = V./rc en serie con una resistencia interna efectiva (la resistencia de salida) R" = Rf
Este modelo muestra que sin carga Vdose iguala a V./rc y que la tensión en continua decrece linealmente
al aumentar la corriente de salida en continua. En la práctica la resistencia R, del. secund ario del

"

DI
-" ~
o , I
2, •

+: R,
- 1 "

11\
B
Entrada
en e.e.
:.. .Vr-.r I~ '. •
A
]
~
D2
- 1,
O
1
• 2, •

l'~
Id<~--

O , 2, •
'" '"
Figur a 17·S. (u) Circuito rectificador de onda completa. (h ) corrientes i l e i 2 de los diodos, y corriente de carga i. La te ns ión de
salida es voiRL.
754 Mtcroetearonica moderna

trans forma dor e stá en serie con e l diodo y en la Ec. (17-12) se debería añadi r R. a R,. El mej or método
para ap reci ar la resisten c ia del diod o cons iste en trazar en ellaboratono una g ráfica de V"" en funció n de
/oJ.. ' La pe ndie nte neg ativa de la línea re sultan te da (R, + R) . Evidenteme nte, la Fig. 17· 4 represe nta un
mode lo de Th evenin. y po r tanto un rect ificador se compo rta como un circuito linea l respecto a la co rriente
y tensión med ias.

Rectificad or de onda completa

El ci rcuito de la Fig. 17· 5a corres ponde a un rectifi cad o r de onda co mpleta. Como puede verse en la
fig ura . es te c ircuito consta de dos circ uitos de medi a onda conectados de form a qu e un diodo co nd uzca
durante una mitad de l ciclo de po tencia y el ot ro diod o d urante el o tro se rnic iclo.
La corrie nte e n la ca rga es la suma de estas dos cc rrientes.v = ;1+ ;~. y tiene la form a ind icada e n la
Fig. 17-5h. Lo s valores en contin ua y los e ficaces de las corrientes y tensiones en la carga de e ste sistema
son
2/", 1
u JI'" = -2/",U
- I. (17.]))

Sie ndo / . dada po r la Ec. ( 17-2 J.y siendo \1", la tensió n de pico de! sec unda rio de l lrans fo rmado rt omad a
desde un e xtremo al punto medi o del de vanado. Obsérve se. co mpa ra ndo la Ec. ( 17- 13) co n la ( 17- 15 ) qu e
la ten sión de salida e n continua de la conexión de onda completa es e l doble q ue en el ci rc uito de med ia
ond a.
De las Ecs. ( 17-2) Y ( 17- 13) se ded uce que la te nsió n de salid a en continua va ría con la corr iente seg ún
la s iguiente ex presió n:
2V...
V.... = - - - / .... R, 117· 14)
u
Esta ex presión nos lle va al mode lo de Thevenin de la Fig. 17 -4 salvo q ue e l sum inistro interno (circuito
abierto) e , V = 2VJ7t en lugar de V Jrr.
C ua ndo c n e! an álisis se incl uye la ten si ón umb ra l del diod o V, (mode lo de la Fig. 17 -(~:I). circula la
co rrient e por e l d iodo durante men os de un semiciclo (rectificado r de med ia onda) co mo se aprecia en la
Fig. 17- 6h. En es te ca so. y con referencia a la Fig. 17-6 se tiene

(I 7 ·1 ~ )

La co rrien te med ia / ,~ t Pro b. 17-2 ) viene d ad a por:

V, ( 17-16)
+ U,
V, ( 17· 17)
UI + UI
pa ra los rect ificado res de med ia o nda y de onda co mpleta respect iva ment e .

Tensión inversa de pico

En cada circu ito rectificado r existe una te nsión máx ima a la qu e se pued e someter e l diod o. A e sta
 Circuitos y sistemas de potencia 755

v;.1
Diodo
R, v, ideal
+ .j.- ~ ,
u/rl)
- I
R,. ",
O
"'
rQ j lb )
Figura 17·6. (a) Circ uito eq uivalente de un rectillcador. El diodo está represe ntado por su modelo de gran señal Rr V1 Y un diodo
ideal. (h) O ndas de ten sión de entr ada y la corriente de carga. (No /a: el diodo no cond uce hasta que v. supere V;, esto Justifica los
ángulos el y el de encendid o y ex tinción respectivamente.)

tensión se le den omina tensión inversadepico porque tiene lugar durant e la parte del ciclo en que el diodo
no conduc e. Según la Fig . 17-2 resulta evidente que en el rectificador de media onda la tensión inversa de
pico es V ..' Vamos a ver que en el circuito de onda completa se llega al dob le de este valor. En el instante
en que la tensión del secundario del transformador respecto a su punto medio está a su valor de pico V..
el diodo DI est á en conducción y el D2 cortado. Si apli camos la ley d e Kirchh off alrededor del lazo y
prescindimos de la pequ eña caída de tensión a través de DI, obtend remos 2Vm como tensión inversa de
pico a través de D2. Obsérvese que se llega a este resultado sin hacer referencia a la naturaleza de la carga,
que puede ser una resistencia pura RL o una combinación de RL y algunos elemento s reactivos que pueden
haberse añadido para filtrar el rizado. Llegamos a la conclusión de que en un ci rcuito de onda compl eta ,
independien temente del filtro empleado, la tensión inversa de pico a través de cada diodo es el doble de
la tensión máxima del transformador medida desde su cen tro a cualquiera de sus extremos.
En la Sección 16-15 se trató sobre la rectificación de una senoid e con valo r de pico meno r que VT

,
D2
DI

R, ",
'i rA,
D' D3

Figura .7 .7, Puente recrificadcrd e onda completa.

17·3. OTROS CIRCUITOS DE ONDA COMPLETA

Existe una variedad de circuitos rectificadores aplicables para distinto s usos. Entre ellos están los
circuitos de puente, varios dobladores de tensión, y otros mu It iplicado res de tensión. Los puentes se aplican
no sólo en circuitos de potencia sino también como sistema rectificador en medidores de alterna de un
amplio campo de frecuencias.
756 Microeíectr ánica moderna

Rectificador de puente
Los principios del circuito puente están representado s en la Fig. 17-7. Para compren der su funciona-
miento basta observar que dos diodos conducen simultáneamente. Por ejemplo, durante la parte del ciclo
en la que la polaridad del transformador es la indicada en la figura, los diodos I y 3 están en conducción
y la corriente pasa desde el extremo positivo al negativo de la carga recorriendo el itinerario señalado.
Durante el siguiente semiciclo la tensión del transformador cambia de pola ridad, y son los diodos 2 y 4
que envían corriente a la carga en el mismo sentido que en el semi-ciclo anterior.
Las principales particularidades del circuito puente son: las corrientes tanto en el primario com o en el
secundario del transformador son senoidales y por tanto se puede emplear un tra nsformador más peq ueño
que el del circuito de onda completa de igual salida; se emplea un transformador sin derivación central;
y cada diodo tiene a su través la tensión del transformador s610en el ciclo inverso. Portado ello, el ci rcuito
puente es adecuado para aplicaciones de tensiones altas.

Medidor rectificador
Este instrumento , representado en la Fig. 17-8, esencialmente no es más que un sistema rectificador
de puente, salvo que no necesita transformador. Por el contrario. la tens ión a medi r se aplica entre dos
vértices del puente a través de una resistencia R, empleándose como aparato indicador un miliamperímetro
de continua conectado entre los otros dos vértices. Puesto que el miliamperímetro mide los valores medios
de la corrie nte, se calibra la escala para que indique valores eficaces al aplica rle entre los terminales de
entrada una tensión senoidal. En consecuencia. este aparato no da indicaciones correctas si se emplea con
ondas que contengan armónicos apreciables.

DI D'
R

Figura 11·8. Yoltfmetro rectiflcadcr.

Multipli cadores de tensión

En la Fig. 17-9 vemos un circuito doblador de tensión que da una tens ión aproximada mente doble de
la máxima del trans formador sin carga. Este circuito funciona cargando alternativamente cada uno de los
dos condensadores a la tensión de pico V del transformador. descarga ndo continuamente la corriente
desde los condensado res a través de la carga. Al mismo tiem po. los condensadores aplanan el rizado en
la salida.

17-4. FILTROS CAPACITI VOS

Frecuentemente se lleva a cabo el filtrado conectando en paralelo la carga y un condensador. El

 Circuitos y sistemas de potencia 757

• e

¡¡A, _ e•

l'i~lI rll 17-9. Puente ret:lifit:lldox a manera de circuito dob lado r de Ic n, ión. Los d,,, t:()fIdc-nsadorc:, reemplazan 1m; dos diOlkbdc:
I;l. Fi ~. 17 ·7 .

funcion amiento de este sistema se basa en el hecho de que el condensador almacena energía durante el
periodo de conducción y la devuelve a la carga durante el periodo inverso o no conductor. De esta forma
se alargael tiempo durante elque la corriente pasa por la carga disminuyendo considerablementc el rizado.
La tensión de rizado se define como desviación de la tensión de 1<1 carga respecto a su valor medio.
Consideremos el rectificador capacitivo de media onda de la Fig. 17· 10. Supongamos en primer lugar
que la resistencia de la carga RL es infinita. El condensador se cargará a la tensión máxima V... del
transformador. El condensador mantendrá esta tensión ya que no hay ningún camino porel que esta carga
se pueda eliminar pues el diodo no admitirá una come nte negativa. La resistencia de l diodo en el sentido
inverso es infinita y no puede circular ninguna carga durante esta partedel ciclo. Enconsecuencia la acción
del filtrado es perfecta, y la tensión v..del condensador se mantiene constante en su valor de pico como se
ve en la Fig. 17- 11.
Evidentemente, la tensión '', a través delcondensador es igual a la de la carga, ya que ambos e lementos
están en paralelo. La tensión \' en el diodo viene dada por
v ::: V I - v" (17·18)
En la Fig. 17·1 I se ve que la tensión en el diodo es siempre negativa y que la tensión inversa de pico
es el doble que la máxima del transformador. Por tanto, cuando se emplea el filtro. la presencia del
condensador hace que la tensión inversa de pico crezca desde un valor igual al doble del máximo del
Iransformador.
Supongamos ahora que la resistencia de carga RL sea finita. Sin el filtro capacitivo de entrada, la
corriente y la tensión en la carga durante el periodo de conducción serán funciones senoidales del tiempo.
La inclusión de un condensador en el circuito hace que éste se cargue en escalón con la tensión aplicada.
Además, el condensador debe descargar a Iravés de la resistencia de carga, ya que el diodo impedirá que
haya corriente en sentido negativo. Evidentemente el diodo actúa como un interruptor que permite que la
carga fluya hacia el condensador cuando la tensión del transformador supere a la del condensador y que
procede a desconectar la fuente de potencia cuando la tensión del transformador sea inferior a la del
condensador.

F.'1
-1
~EJ J 10
'1 /1,
ene.a. R, '.
~
'-----'-'--- --+-------'
.",.
~
Figur a . 7.IO. Recliftt ador dc: media onda coo filtrocapaci livo.
75 8 M lcrorlulr6nlCtl modrnlo

Tensión de salida en carga

Durante el interva lo en el que el diodo de la Fig. 17- IOes tá en conducción. la tensión del transformador
queda aplica da directamente a la carga (suponiendo que se pueda despreciar la cafda en el diodo). Por
tan lo,la tens ión de salida es v. = V. sen CJJI. MientrasD no conduzca, el condensador se descarga a través
de la carga con una constante de tiempo CN... La onda de salida de la Fig. 17- 12 est" formada de partes
senoida les (cuando D conduce) unidas con segmentos exponenciales (cuando D esté en corte) . El pun to
en el que el diodo em pieza a conducir se denomina de conexión I f y el en q ue cesa la conducción, de
desconexión 'l' lo que queda indicado en la Fig. 17-13.

" f
v. /~~ ,
•
\
\
\. ~/
''

Fll ur. 17·1 1. Tensiones en un reccifK:ador de media onda con filtro capacitivo. sin carga. La lensión de u lida v. es c:onslanle
(fiIlnldoperfec:lO). La lensión del diodoes negaliva en c:ualquierTTl(lmenlo. y la tensión invena de pico es 2 V.'

El momento del corte se obtiene (Prob. 17- 12) de la ex presi ón de la corriente; en la Fig. 17·10 cuando
= V.sen w. El tiempo en e l que; = Oda el ,,"gulo de corte {J)l r- El punto de cooeJ.ión se halla gráficamente
lo.
buscando el momento en el que la porción exponencial de v. en la Fig. 17· 12 corta la curva V.. sen WI(del
siguien te cic lo) . La validez de esta premisa parte del hecho de que en un instan te de tiempo superior a I f •
la tensión VI del trans formador (cu rva senoidal) es superior a la tensión del condensador lO. (curva
exponencial). Puesto que la tens ión en el diodo es V =VI - lO.' v será positiva más aH" de ' 1 Y el d iodo se
hará conductor. Por tanto, ' 1 es el punto de conexión. El e mpleo de un condensador grande para mejorar
el filtrado con una cargaR, dada . viene acampanado de un pico e levado de la co rriente /. del diodo para
una corriente de carg a media. especificada. ; se hace más picudo y el periodo de cond ucción disminuye a
medida que C se aumenta. Hay q ue remarcar que el uso de un filtro ca pacitivo puede imponer serias
restricciones al diodo ya que la corriente media puede muy bie n estar comprendida dentro de los valores
nominales y s in embargo ser excesivos los valores de punta.

Punto de corte

',-\
\
,.
flcurll 17·11. Forma leóric:a de las onda5 de c:orrienle del diodo Yde la lensí6n de ylida de un teCliflC1ldor de media onda con
filll'Ocapacilivo.
 Circuitos y sistemas de potencia 759

Circuito de onda completa

Co nsideremos un rectific ador de onda completa con filt ro capacitivo, obtenido co locando un conden-
sador C a través de RL de la Fig. 17-5. El análisis de este circuito requiere una simple extensión del realizado
para el circuito de media onda. Si en la Fig. 17-12 se añade una semi -senoide entre 7[ y 27[ se obtendrá la
onda completa de tensión marcada de trazos en la Fig. 17-13. El punto de conexión reside aho ra entre 7[
y 21tdonde la porción exponencial de v" corta esta senoide. El punto de corte es el mismo que el hallad o
para el rectificador de media onda.

'.
,
\ ,,, ,
, ,,
,, " \
\
\
,,
,
1
1
,
t

\
, \1
2, 3,

Figura 17·13.Onda aproximadade la tensiónde la carga en un rectificador de onda completa con ñh ro capaciuvo.

Análisis aproximado
Se puede obtener la tensión de salid a e n continua para uno s valores dados de los parám etos 00, R¡.• e
y V.. a partir de la construcción gráfica de la Fig. 17· 13, pero ta l análi sis es pesado y com plicado. Por
tanto. vamos a presentar una solución aproximada sencilla y suficiente para aplicaciones industriales.
Supongamos que la onda de tensión de salida de un circuito de onda completa con filtro capacitivo
pueda representa rse por la aproximación lineal mostrada e n la Fig. 17-13. Observemos que con valores
grandes de e (de modo que mCRL» I ) ro'l tiende a 7[/2 , y '', tiende a V.. en 1=' 1' Además sie ndo e muy
grande el decaimiento exponencial puede sustituirse por una ca ída lineal. Si llamamos V, a la pérdida IOtal
de tensión en el cond ensado r (1a tensión de rizado) tendremos que según la Fig. 17-13 el valor medio de
la tensión es aproximadamente

(17·19)

Sin embargo, es necesario expresar V, en función de la corriente de carg a y de la ca pacidad. Si T 2

representa el tiempo total de no conducción, el condensador, cuando se descarga con 1",. co nstante, perderá
una carga loc T2• Por tanto. la variación de tensión e n el condens ador será Id< Tl e. o sea

V /dc T2
, ::=
e (17-20)

Cuanto mejor sea la acción de filtrado. menor será el tiempo TI de conducción y más se aprox ima rá
T2 al tiempo de un semi-ciclo. por lo que supondremos que T2 = TI2 = 1/2 f, siendo f la frecuencia
fundamental de la red de potencia. Así,

(17-21)

y delaEc.(17-19'
760 Mtcroetear ónico moderna

J",
V" = Ve. - 4f C (17-22)

Este resu ltado está de acuerdo con el método de Thevenin de la Fig. 17- 14 con la tensión en circuito
abierto V = V.. Yuna resistencia de salida eficaz R == 1/4fC. 6

Vemos que el rizado varía en proporción di recta a la corriente de carga e inversa co n la capacidad. Por
tanto, para mantener bajo el rizado y asegurar una buena regulaci ón debe n emplearse condensado res
grandes (del orden de decenas de microfaradios). Los condensadores más corrientes para este tipo de
aplicación son los electrolíticos. que tienen polaridad por to que hay que tom ar la precaución de conectarlos
al circuito con el terminal marcado + al iado positivo de la salida.
Las principales cualidades que se pretenden al usar filtros con co ndensador de entrada son: poco rizado
y elevada tensión con carga ligera. La tensión sin carga teórica mente es igua l a la máx ima tensi ón del
transformador. Los inconvenientes de este sistema son: una regu lación relativamente pobre, mucho rizado
con cargas fuertes y las puntas de corriente que los diod os deben pasa r.
Aplicando a un circuito de media onda un análisis aproximado similar al qu e acaba mos de ver, se
mostrará que el rizado, así como la caída desde descargando hasta una carga dad a, son el dob le de los
valores ca lculados para el rectificador de onda completa.
L R

Dol ~O;fi"dO~ l.",. ,

,.,
L, R, L,

~I A la
reclificad~~ I_C carga

lb ]

Figura 17·14. Filtros: {al con entrada capacitiva, y (b ) con entrada inductiva.

Filtros de entrada capacitiva e inductiva

Empleando más de un elemento almacenador de energía se consigue filtrar más eñcazmenre la onda
de salida de un rectificador. El circuito de la Fig. 17-140 es un fi ltro de entrada capacitiva y el de la Fig.
17· 14h es de entrada ínductíva. En ambos circuitos las resistencias N, R. Y R1 son las de las bobinas
correspondientes a cada inductancia. Sus reactancías L r- L: y L de la Fig. 17- 14 se eligen para que resulten
elevadas a la frecuencia alterna. Así. act úan de atenuadores del rizado de tensión. pero como su reacrancia
es nula cuand o ro = O. no afectan a la salida en continua. El aná lisis de estos filtros es objeto de los Probo
17-13 y 17-14.

17-5. SUMINISTRO DE POTENCI A REGULADO

Un suministro de potencia regulado es un circ uito electrónico d iseñado para que dé una tensión en
continua predeterminada V.. independientemente de la corriente IL emanada de V..' de la tem peratu ra y de
 Circuitos y sistemas de potencia 761

cualquier variació n en la tensión de la línea de altern a. Un suministro no regulado co nsta de un

transformador. un rect ificador y un filtro como se ve en las Figs. 17-5 y 17-10.
Existen tres razones por las que un suministro de potencia no regulado es insufi ciente para muchas
aplicacione s. El primero es su pobre regula ción; la tensión de salida no se mantiene constante al variar la
carga. La segunda razó n es que la tensión de salida en continua varía con la entrada en a lterna. En a lgunas
pob lacione s, la ten sión de la red (de valor nominall1 5 V) puede variar entre 90 y 130V. y no obstante es
necesario que la tensión en co ntinua sea prácticament e constante . Y la terc era raz ón es que la salida en
continua varía con la temperatura debido principalmente a los e leme ntos se mi-co nductores empleado s.
En el circuito de la Fig. 2-3 2 pued e emplea rse un diodo Ze ner como regul ador simple. Este c irc uito,
ya descr ito en la Seco2- 11 está limitado por la corriente (y pote ncia ) nom inal del diodo Zener empleado .
Este diodo debe ser ca paz de soportar una corriente superior a la en viada a la carga.
Para salvar los tres incon venientes antes citados así como la limitac ión de co rriente del diodo Zener
se emplea el circuito con realimentación de la Píg. 17-15. T al sistema co nstituye un suministro de poten cia
regulad o. En la Fig . 17·15 vemos que este sistema repres enta un caso serie-paralelo (realime ntación de
tensión en serie ) si admitimos que la ganancia de tensi ón del seg uidor de emisor Q I (QI se denomina
también transistor o elemento de paso ) vale aprox imadame nte la unidad. en tonces V'o = Vo' y
(17-23)
siendo

(17-24 )

De la Ec. (I 7 ~23 ) se deduce que

Av

y
•
,-v
,
R,
¡ 1,

+ y'
+ 1'1 " Redde R,
Al '

Amplificador
realimentación
e"".
diferencial
R,

Figura 17·15. Unsistemade suministrode potenciaregulado.

76 2 sttcroetectrontca moderna

Estabili zación
Puesto que la tensión continua de salida \1" depende de la tensi ón continua de entrada V• .. de la
corriente de carga 11 y de la terupcnnura T. la variación 6.\'" de la tensión de salida dcl suministro de
potencia puede ex presarse de la siguiente fonnu:

~\ .
no
= ~.H· . + ~ .U
fI\ ' l\-'
+ ~j, T
.. il\ ..... ... iI/ 1 I ,,"r
o ( 17-2M

estando los tres coeficientes definidos por

.Jo / , lO

( 17-27)
s¡ "

m -2M )

11 7-29 )

para el factor de regulación de entrada, la resistencia de salida y el coeficiente de temperatura respectiva-

mente.
Cuanto rnés pequeños sean los tres coeficientes tanto mejor será la regulación. La variación ~ V• .en la
tensión de entrada puede ser debida a variaciones en la tensión de la red de a lterna o al rizado motivado
por un filtrado inadecuado.

17-6. REG ULADORES MONOLÍTICOS

Es Interesante observar que si se construyera un regulador de componentes discretos, topológicarnente

se parecería a la Fig. 17- 15: el amplificador Al sería un Amp-Op (tal como el ¡.tA74 1o el LM30 IA) y la
baterfa l ·/( sería sustituida por un diodode referencia (un LM103. LM199 o un Zener). Con el advenimiento
de la electrónica se ha hecho técnica y económicamente posible incorpora r todos 105 componentes en
forma monolítica. obteniéndose todas las ventajas de los circuitos integrados: un funcionamiemo exce-
lente. pequeño tamaño. empleo fácil. bajo coste y alta fiabilidad.
Como ejemplo de regulador monolítico est é el MC78lXX: de Motorcl a. de tres terminales, positivo.
de tensión fijada. La Fig. 17-16 representa la aplicación normal en la que se han solucionado las compleji-
dades del usuario. El condensador de entrada e, se necesita para compensar los efectos inductivos
relacionados con las largas líneas de distribución de potencia. mientras que el de salida C.. mejora la
respuesta transitoria. Estos dispositivos no necesitan ajuste alguno; tienen una salida preestablecida por
 Circuitos y sistemas de potencia 763

el fabricante a una ten sión industrial normali zada de 5. 6, 8. 12. 18 ó 24 V. (Un MC7824C representa un
regulador de 24 V). Debe haber una diferencia de 2V entre la entrada y la salida. Estos reguladores
admiten corrientes de salida por encima de 1,0 A. Tienen protecciones contra cortocircuitos internos que
limitan la corriente máxima que pasa porel circuito, contra inconvenientes térmicos y asegurando el buen
funcionamiento de la zona del transistor de salida. Los coeficientes típicos para la estabilización son :
Sv := 3 X 10- 3 Ro = 30 mO Sr = 1 mVr C

2
Entrada ~--r----<'-

C, c.
0.33 ,lIf 3 I,F
Cerámica Tantalio

Figura 17-16.Reguladormonolllico de tresterminales, positivo, tensiónfijada. La corriente de reposo es I •

Q

El nivel de complejidad que se puede afrontar con las técn icas de integración monolítica pueden
aprec iarse observando la Fig . 17- 17 que es el esquema del circuito MC7800C. Hacia la izquierda de l
recuadro sombreado tenemos la tensión de referencia VR de la Hg. 17-15. Este es el desp lazador de nivel
de la Fig. 14-lla con diodo Zener de entrada al segu idor de emisor. La zona sombreada de la Hg. 17-17
es el amplificado r diferencial Av de la Fig. 17· 15. Puede verse la semejanza de diseño con la configuración
del Amp-Op 741 de la Fig. 14-19. El divisor de resistenciaR , y R2 (Pig . 17-17 ) corresponde a la misma
red de realimentación de la Fig. 17-15. El par Darlington Q' y Q" de la ya citada Fig. 17-17 forma el
elemento de paso Q 1 de la Fig. 17- I5.
Los circuitos de prote cción están señalados con lfneas gruesas y merecen una explicación. Ellimitador
de corriente está formad o por R.l • R~, YQ2. La seguridad de funcio nam iento se cumple de la siguiente
forma. Si la salida baja debido a una sobrecarga, aumentando con ello la tens ión colector-emisor de Q' ,
el diodo Zener (que con cargas normales está cortado) conduci rá. En estas condiciones se envfa a Q2
suficiente corriente de base para que éste conduzca «robando» a su vez exci tación de base de la
combinación Darlington Q' Q" . De esta forma , el producto tensión -corriente del elemento de paso queda
limitado a una disipación de potencia razonab le.
Veamos a continuación la protección contra una sobrecarga térmica. Una fracción de la tensión de
referencia que aparece a través de R, se aplica a la unión base-emi sor de Q3. Con un valor fijado de VaEJ'
la corriente de colector IJ aumenta rápidame nte al aume ntar la temperatura. Por tanto, a tempe ratura
suficientemente alta (sea por disipación de potencia o por un ambien te ca luroso) el transistor Q3 conducirá
más, y nuevament e «debi litará» la excitación de base de los transisto res Q' Q" bajando así la temperatura.
El emp leo de reguladores monolíticos permite distribu ir tensiones no regu ladas por el equipo electró -
nico y prever una regu lación arbitraria como por ejemplo en los circuitos impresos individuales. Junto a
las ventajas de este cam ino están la mayor flexibilidad en los nivele s de tensió n, la regulación de las etapas
individuales y la mejora del aislamien to y desacoplo de tales etapas.
Existen reguladores monolítico s en multitud de variante s: fijos o variables , tensiones de salida positi vas
o negativas, fuertes corrientes de salida (> lA), tensiones de salida elevadas (> 24V) y salidas simp les o
dobles (±). El usuario puede disponer también del regu lador normal de tres term inales (Fig . 17·16) como
bloque constructivo básico para adaptar su funcio namiento a neces idades específicas. Estas técnicas serán
objeto de los Probo 17-19 y 17·20.
764 Microelectrónica moderna

1
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10
500 100 100
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Referencia
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Figura 17·17 . Esquema del circuito del regulad or monolítico serie Me 7800c (Cortes!a de Motoro/a Semiconductor,¡ne .).

17-7. REGULADOR DE CONMUTACIÓN

Los regulad ores vistos en la sección anterior tienen, a pesar de su utilidad, tres inconveniente s:

l. En un suministro de potencia que comprenda una conversión de alterna a continua (transformador,

puente rectificador y filtro) la polaridad y magnitud de la tensión en continua no regulada (en bruto)
puede ser un parámetro del diseño y no existe ningún problema inherente. Por el contrario. si en un
sistema con un suministro de tensión en continua (como p.ej. de + 5V para puertas TTL)se precisan
± 15V para operar el Amp-Op puede ser física y económi camente impracticable añadir la ayuda para
tensiones adicionales en continua.
 Circuitos y sistemas de potencia 765

2. Un sistema alimentado por una batería, tal co mo un sistema de co municacio nes en el campo o en un
satélite en el espacio, no tiene ninguna fuente de alte rna, y por tanto debe ge nerar todas las tensiones
(positivas o negativas)a partir de la única fuente de continua disponible. Este sistema es un conve rtido r
continua-contin ua.
3. La magnitud de la tensi ón de entrada debe ser mayor que la salida, y los reguladores serie son de por
sí ineficaces . Cuanto mayor sea la diferencia entrada-salida para una corriente dada, lanto mayores
serán las pérd idas. Un sistema regulador TTL trabajando a IOV tiene en el mejor de los casos un
rendimiento del 50 % y si 10 hace a 20Vel rendimiento baja al 25%.

Topología del regulador de conmutación básico

Estos tres inconvenientes pueden eliminarse usando un regulador de co nmutación. En la Fig. 17· 18 se
representa el lazo de control regulador básico. La tensión de entrada no regu lada es V.. y la de salida
regulada es Vo ' La corr iente de salida ced ida a la carga R L debe ser grande (por ejemplo, de algunos
amperios),
El bloque sombreado contiene circuitos de baja potencia que se fabrican en un solo chip integrad o. El
regulador de ref erencia es el de paso descrito en la Sec.17-6, cuya salida es la tensión de referencia
regulada V.., que sirve de tensión de suministro de potencia para todo s los circuitos del chip. Puesto que
la corriente motivada po r V..,res pequeña (p.ej . 10 mA), la escasa pérdida de potencia en el regulador de
paso no debe afectar sensiblemente al rendimiento conjunto del sistema.
La topología de la Fig. 17-18 corresponde a la de un sistema de realimentación serie-paralelo
(realimentació n de tensión en se rie) y la co mparación entre la entrada fija Vmcon una fracción RI(R, +
R 2) de la salida Vo se lleva a cabo con el amplificador diferencial (ampliticadorde error). También existe en
el chip un generador de onda triangular de periodo T (ci rcuito no indicado en la Fig. 17· 18) aplicándose
su salida v al terminal no inversor de un comparador que funciona como modu lador de ancho de l impul so
(PWM). La tensión de salida v. del amplificador de error se aplica al termi nal inversor PWM co mo en la
Fig. 17· 18. Este modu lador actúa como se describe en la Sec .15-15 enge ndra ndo una onda cuadrada \ 'A

•
" L
o
e

R,

Fi¡:ura 17·18. Topología de l reguladof-de coo mulación bá~ico. Los circe irosdel rectángulo sombreado se fabrican en un solo ch ip.
1...0$ demás compoeerues son etememos discretos eooeereoos eneecrmeme al eh ip.
766 Microetectrontca moderna

de periodo T cuya asimetría 5 varía linealmente con v"', La salida VA del PWM excita un interruptor de
potencia (indicadoen el bloquede la Fig. 17-18) creando una onda cuadrada (de periodo Ty asimetría del
ciclo5)cuyo valor mínimo es cero y el máximo Vin' Estaonda cuadrada se filtra mediante unacombinación
LC que actúa como un filtro paso-bajo. Si la reactancia de e es muy inferior a la de L a la frecuencia
fundamental, todaslas componentes de Fourier de la onda cuadradaquedan muy amortiguadas. Dicho de
otra forma: si T/2rr.C «2TCL(f o si "Le» T/2lf., Vo será una constante igual al valor medio de la onda
cuadrada.

Tensión de salida regulada

Puesto que hay un cortocircuito virtual entre los terminales de entrada del amplificador de error,
R1V ,j CR1 + R~) y la salida vendrá dada por
Vn'l =

Vo = V' d (1+ ~~) (17·30)

Obsérvese que esta tensión regulada es independiente de las variaciones de la tensión de entrada V", Y
de las variacionesde lacorriente decarga,dependiendo únicamente de laconstanciade la tensión regulada
V'''I y de la relación RjR 1• Si por ejemplo la tensión de referencia es la de alimentación para las puertas
lógicas TIL, de forma que V"'I = 5V, y si deseamos una salida Vo = 15Vsólo es necesario elegir R1 = 2R1•
Como ya se ha indicado antes, Vo es el valor en continua de la tensión de salida v /I de la onda cuadrada
del interruptor, cuyo valorde pico es V"" Por tanto, estaconfiguración sólose puede emplear si Vi. > Vo- Este
sistemade gobiernofunciona de manera que genera automáticamente una tensión de error v'" de tal forma
que el modulador PWM tiene el valorcorrecto de 5 para hacer que vB tenga el valor Vo en continua dado
por la Ec. (17-30).

Rendimiento
En la Fig. 17· 1Hse observaque la corriente de salida pasa desde v.. a través del interruptor de potencia
y la inductancia a la carga. Empleando un interruptor de bajas pérdidas (interruptor de transistor con VCEI ,.,)
baja y velocidad de conmutación alta) y un filtro con Q elevado (una inductancia con poca resistencia).
el rendimiento de la conversión supera frecuentemente el 90%.

El interruptor de potencia
La acción del interruptor de un polo y dos posiciones (SPDT) de la Fig. 17 -18 se puede conseguir
también con la combinación de la Fig. 17- 19(1, de un diodo y un interruptor de un polo y una posición
(SPST)(sustituido por un transistor en la Fig. 17- 19h). Están incluidos, el filtroLC,la carga R,.y el bloque
modulador del ancho impulso (PWM) que excita el interruptor, pero para simplificar se ha prescindido
de R1 , Rr, y del bloque integrado.
El circuito funciona de la siguiente forma: Cuando el interruptor está cerrado el diodo está polarizado
en inversa por V,n y la corriente de carga 11. la suministra 1'/1 = V"' a través de L. En la segunda parte del
ciclo,cuandoel interruptorestá abierto, la corriente de la inductancia no puede bajar instantáneamente (si
tal hiciera, la tensión en la inductancia L ditdt, sería negativa e infinita). Por tanto, en el instante en que
se abre el interruptor il. permanececonstante y la circulación de corriente debe ser desde tierra a través del
diodo y de la inductancia hacia la carga".Despreciando la caída en el diodo, tendremos \'/1 =O. Por tanto,
 Ctrcuttos y sistemas de pot encia 767

v"

V" > (J
V" e v,
~
\
PWM -~ 1'"
\',

lmcrrUl* >r 0..' ["'lcncia ln'c lllll""r dc ["' tcnd a

( lI! l b)

Fi~lIra 17·19. (a ) El inte rruptor unipolar de dos direcciones (SPDT )dc la Fig . 17· 18 se sustituye pnr ctrc de una direc c ión ($I'S1')
y un diodode retorno. (11) Disposición prácticudcl interruptorempleandotransistores. La sa lida es positivay menorque lnemruda.

1', es una onda cuadrada de periodo T y asimetría Ó. con un valor mí nimo cero y máximo V,n' Esta for ma
de onda es idéntica a la de 1', de la Fig. 17-18. Por tamo. el ci rcuito de la Fig. 17-19(1 actúa exac tamente
como el de la Fig. 17- llt Puesto que cuando el interrup tor se abre I'B retrocede de Von a cero, cstu
configuración ju stificarla el nombre de convertidor de ret roceso (flyback).
El interruptor SPST de la Fig. 17-19(1 puede compararse a un trans istor de potencia pnp QI corno
indica la Fig. 17-19h. Si la corriente de carga es de l A, la corriente de colector de Q l será de l A, Ycon
Pf = 100, la corriente de base será de lOmA. El transistor Q2 se emplea para suministrar esta elevada
corriente de base. Obsérvese que Q I y Q2 forman un par Darlin gton (Sec. l0- 14). Para exc itar estos
transistores con la tensión de polaridad apropiada de be inve rtirse la tensió n de salida 1'..\ de l PWM, y por
tanto, para completa r el interruptor de la Fig. 17-19h se hace necesari o el transistor Q3.
Con 1'..\ positivo, Q3 conduce y su corriente de colector (a trav és de las rcxlstencias de l Interruptor)
polariza Q I y Q2 a conducción, de forma que I' B '" Vio' Por otra parte,si \'..\ es negauv o o ce ro. Q3 no conduce
y no hay corriente en las resistencias de polarización. Por tanto Q I Y Q2 están cortados y el interru ptor
está abierto. Por la acció n descrita en el párrafo anterior. el diodo de retroceso se pone en conducció n y
1', = O. Este proceder señala que el interruptor de potencia de la Fig. 1?-19h es la realización pr áctica del
imerruptor ideali zado de la Fig. 17- 1911. Incidentalmcnte el transistor de baja potencia Q3 se fabrica
formando parte del chip integrado representado en el rectángulo sombreado de la Hg. 17-18.

17-8, TOPOLOGÍAS ADICIONALES DEL REGULADOR DE

CONMUTA CiÓN
En la configuración de [a Fig. 17-19101 tensión de salida es positiva y menor q ue la tensión de entrada
768 Mtcroetectronica moderno

(V I1 < V,n) como se ha compro bado en la sección anterior. Esta restricción se ev ita con la configuración de la
Fig. 17-20 como demostraremos seguidamente. Consideremos el interv alo TI cuando el interruptor está
cerrado. El diodo tiene polarización inversa por la tensión pos itiva Vo ' e l lazo de realimentación está abierto
y C se descarga a través de Re Haciend o CHl- » TI ' la ca ída e n Vu (tens ión de rizado) es pequeña. Dur ante
este intervalo la tens ión de entrada lo es a trav és de L y la inductancia il- aumenta en dil- = V.n drIL ::: V;,,T. /L.
Co nsideremo s ahora el intervalo T1 durant e e l q ue e l interrupt o r es tá abierto. Puesto q ue la co rrie nte
e n una inducta nc ia no puede cambiar insta ntáneamente . ¡¡(TI ·) = ¡l-(TI +) y por tanto e l diodo pasa a
cond ucc ión e ¡,. pasa 'a través del d iodo hacia C. En estado estable la tens ión a través de C debe ser la
=
mis ma al final del per iodo T TI + T1 q ue la que era al pr incip io r = O. Aná logamente la corrien te de be
me ng ua r (di l-kll < O) d urante T1 e n la cuantía V,nT/L qu e aument ó d urante TI' Despreciand o la ten sión
en e l d iod o de la Fig. 17-20 se de duce qu e 1'0 (ten sión de sa lida instantáne a ) viene d ada por

v" = Vin - L dildr > V;n

po rq ue diJdr es nega tiva. Esta argumentac ión demues tra que en es ~a con fig urac ión la salid a Vo supe ra a
la entrada . Incident almente la acción de interrupt or se obtie ne emp lea ndo e l par Dar flngton QI-Q2
e xcitado por Q3 en form a similar a la indicada e n la Fig. 17·1 9 b.

Tensiones de sa lida negativas

Para o btener un suminisiro nega tivo a partir de una ten sión cont inua se ut iliza , par a lo s co mpo nent es
de potencia la config uración de la Fig. 17-2 1. Su pondremos que Vo < O y seguidamente j ustificare mos esta
supo sición. El argumento es semejante al empleado en e l párrafo anterior. Durante e l intervalo TI c uando
el interru ptor esté cerra do. el diodo está en cort e porq ue la te nsió n de l cátodo es + V,n' y la del ánodo es
nega tiva . El co nde nsador de scarga ligeramente a travé s de la carga y la corriente de la inducrancia aume nta

L D
~,

"
e

F igura 17-20. La salida es poshiv u y mayo r que la entrada con esta dispos ició n de los co mp onentes de putcncia en un regulador
de r r mmutacié n

e n V,ft T/L. En e l momento en que se ab re el inte rrupt or ', no puede cambiar y e l di od o se ve ob ligad o a
co nduc ir de for ma que it c ircula por el lazo formado por L. C y O. Puesto q ue i/. ent ra en la placa inferior
de C . ésta se ca rga posit ivamente y la tensión de salid a es negativa . Otra pru eba de que VII < Oes que il-
de be d isminu ir d urante el inte rvalo T¡ lo mismo que creció du rante T I de fo rma q ue diJdr < O y por tanto
l ' "" L di [dt es negativa. No existen restriccio nes en cua nto a la magnit ud de V : puede se r mayor o me nor
fJ t. o be
que V,n' Su va lo r viene det erminado por e l lazo de gobierno de la Fig. 17· 18. S i Vo es ne gativo de
emplearse un desp lazamiento de nivel para q ue la te nsión efec tiva de rea lime ntación sea posit iva . Esta
configurac ió n se indic a en e l Probo 17-22 .
 Circuitos y sistemas de potencia 769

Figura 17-21. En unregulador-de conmutaciónesta topología dará una tensión de salida positiva.

Convertidor continua-continua a contra fase acop lado por transformador

Esta configuraci ón de regu lador de conmutació n es de la ma yor flexibil idad porque la salida VI) puede
ser mayor o menor que la e ntrada e n continua V , y el sig no de VI) puede ser el mismo o el opuesto al de
V in0 La topología de los componentes de pote ncia puede verse en la Fig. 17-22. Emplea un transfo rmador

con núcleo de hierro. con toma central en el primario (I'PI = 1'...) Yen el sec undar io (I's/ = vs) . El número
de espiras en el sec undario es e veces el del primario, de fonnaque I 'SI = 111',,/ YI 'S! = 11 v,,! ' Si 11 > I se puede
tener Vo > Vi" mie ntras que con 11 :S: 1, V," » V(l'
Los dos interruptores SWI y SW2 están gobe rnados por las ondas 1'..\1 y I',, ! que se obtienen de la salida
1'" del modula dor de ancho de impulso (PWM) (co mo se det alla en la Fig. 17-24). Las ondas 1'" . I'M Y I'M
están representadas en las Figs. \7 - 230 b Y e respectívarnente. La onda 1'" procede de l PWM de l bloque
sombreado de la Fig. 17· 18. Obsérvese que a SWI y SW2 los cierra el mismo ciclo de se rvicio, pero cada
uno actúa sólo una vez cada dos periodos de la onda v" o dicho de otra form a. cada Interru ptor actúa a
frecuencia mitad que la del convertidor de la Fig. 17- 18. El inte rruptor SWI (o SW2) es un transistor c uya
onda de base es 1'" (o l',,?).

----,,
, DI . V. L
+ + 8 V"
SWJ

V" e R,
V;.
V.
PWM r-;>'---+ -l - +
A + • +
~ ~

v"
SIV2 D2
,, 2
----,
Interruptor de potencia

, Figura 17·21. ReguJadorde conmutaciónen contreraseacoplado por transformador.

De la Fig. 17-22 se deduc e que las te nsiones primar ias- vie nen dadas po r
770 Microelectrónica moderna

si SWI ce rrado y SW2 abierto

si SWI abierto y SW2 cerrado ( 17-3 1)
si SWI abierto y SW2 abierto.

Esta onda es la rep resentada en la Fig. 17-23d. Las tension es sec undarias V S 1 = \'Sl tienen es ta m isma
forma pero n veces mayor. Mientras I'SI = IIS1 es posit ivo DI cond uce y D 2 es tá co rtado y 1'/1 = n V;"' Si
V SI = I'IJ son negativas, D2 conduce y DI está en co rte, y nuevam ent e 1'/1 = nVw ' Cuando V SI = I'Sl = O los
dos diodos quedan conectados en para lelo desde el punto B a tierra y por tanto actúan como diodo de
retomo como se ve en Fig. 17- 19 de forma que durante es te intervalo v/I = O. En co nsec uencia, la onda v8
es la ind icada en la Fíg. 17-23. Obsérv ese que 1'/1 es proporciona l a v~ . Debido al filtroLC , la tensión de
sa lida Vo es igua l a l valor med io de la o nda 1'/1 pudiendo se r mayor (o menor) que V;n' dependiendo de
que n supere (o sea menor) que la unidad . Si se invierten los diodos, e l signo de Vo es negativo . El bloque A
y B de la Fig. 17-22 sustituye al bloque del interruptor de potencia de l lazo de rea limentación de la Fig.
17· 19b. La sa lida regulad a está dada por la Ec. (17-19 ).

Generación de las ondas de conmutación

Vamo s a ver ahora la fonna de obtener las dos ondas de conm utación I'AI y V~1 a partir de la del PWM
"A ' El diagrama de bloques correspondiente es tá representado e n la Fig. 17· 24 , Y las ondas en la 17-25.
Para engendrar la onda triangular necesaria para el modulador de l ancho de impulso se emplea la onda
vn,,' del osc ilador de onda cuadrada de la Fig. 17-25a. La o nda v~ es la de la Fig . 17-25b. El c iclo de serv icio
Bde v es T/ (f, + T2 ) . El Flip-Flop se emplea como circ uito div isor por 2 cuya e ntrad a es 1'""., siendo las
dos sa1idas complementarias va y v.~ las de las Figs. 17-25c y drespe ctivament e. Las entradas a la puerta
AND, Al (A2) son va ( v.~ y v~., estand o las salidas V~ l y V A2 rep resentadas en las Figs. 17-25b y f
respectivamente. Estas ondas son las empleadas e n las Fig s. 17- 23b Y c.
El interru ptor SWl (SW2) de la Fig. 17·22 es tá sustituido en la Fig. 17-24 por el transistor de potencia
Q! (Q2). Las corrientes de base de Q I y Q2 1as proporcionan los tran sistores Q3 y Q4 excitados por las
ondas v Al y vM respectivamente. La complejidaddel sistema regulador de la conm utaci ón habría imped ido
su empleo si no fuera por el a lto nive l de sofisticaci ón alca nza ble con la m ic roe lec trónica moderna. De
ello es un ejem plo el e ncapsulado SG 1524 de la Silico n Gen er al : en este chi p se encu entran los sig uientes
circuitos: regulador de referen cia , modul ador de ancho del impulso (co nsis te nte e n el osci lador en dient es
de sierra y e l comparador), amplificador de e rror, dos transisto res (para Q3 y Q4 de la Fig . 17-240 o Q3

Sil' I Cena do
,.,
~ Sil' 1 Abierto D:-- ~O lb!
S lI' 2 Cenado
U~ 2 O SI\I 2 Abierto
O le l

O
o O
Id>

o O o o
 Circuitos J' sistemas de p otencia 77 1

"'"

A' '<' 'J

"
sw ,
"
Q
V ~"
Oscñeoor FLlP-FLOP
Q ~

Onda triangular
.¡

PWM "
A2 '"
" "
v'" t Fi, . 17-111 ) S W2
,

I' igura . 7-24. Diagrama de bloques del sislem,l empleado para generar las ondas v
"..
IyV 1de la Fig.17·23 a partir de la salida v"
del modulador de ancho del impuls(l. Eslán representados también los transistores 01y Q2 de potencia del interruptor ast como
lus Q3 y Q4 de e xc itació n de las bases.

de la Fig. 17-19), biestable de gobierno y dos puertas AND (Ftg. 17-24). así como ele mentos Iímitadores
de corriente y contra paralizaciones. Las ondas en la Fig. 17-24 son las rep rese ntadas en la Fig. 17-25.
El SG 1524 se sitúa e n el lazo de realime ntac ión de la Fig. 17- IR para form ar un regulador de
conmutación añadiendo las resistencias de realimentación R , y R1 Y los componentes discretos del
interruptor de potencia de la Fig. 17- 19h o de la 17-22. Con una te nsión V,. = 28 V se puede tener una
salida regulada Vu de 5 V Y I A en el sistema simple y 5V y 5 A en el de contra tase. Co n L ;: I mH y e ;:
1000 v.F como componentes dclli ltro se puede alcanzarcon el SG 1524 una regulación del 0.2% en la línea y
carga. con una variación má xima del 1%. El ci rcuito de gobie rno trabaja con una te nsión de referencia de
5 V, loma menos de lOmA y es capaz de funcionar por encima de los 100 kHz. (Las resistenci as R, y Cr
fijan la frecuencia.) Los transistores de salida de l chip admiten 100 mA y están protegidos contra
cortocircu itos. Se estabiliza el lazo de realimentación añad iendo una red Re de retardo.

V. , O
, l.'

" l b)
T11"0--4- r1=-l
~ I I I L, 1<1

iJ I I L, Id'
~ O O , 1<'
772 Microelectrónica moderna

17·9. AMPLIFICADORES DE GRAN SEÑAL

La Fig. 17-26 representa un amplificador de transistor simple que suministra potencia a una carga
puramente resistiva Re Empleando las notaciones de la Tabla 10-1, ic representa la corriente instantánea
total del colector, i,. designa la variac ión instantánea respecto al valor de reposo l e de la corriente de
colector. De igual forma. i B' i h e l B representan las correspondientes corrientes de base. La tensión instantánea
total colector-emisor es ve' y su variación instantánea respecto al valor de reposo Ve se representa por ve
Vrr

-'.
• v"

Figura 17·26. Etapa de L1n solo transistor discreto.

Supongamos que las características estáticas de salida son eq uidistantes entre sí para incre mentos
iguales de la corriente de entrada de base ih como indica la Fig. 17-27. Si la señal de entrada i h es senoidal,
las tensiones y corrientes de salida serán también senoidales, como puede verse en la misma figu ra. En
estas condiciones la distorsión no lineal es despreciable, y la potencia de salida es:
P =V'0'0
I = I'R '0 L (17- 32)
siendo Ve e I, los valores eficaces de la tensión e intensidad de salida ve e i e respectivamente, y RL la
resistenc ia de carga. Los valores numéricos de V,. e l,. se pueden determi nar gráficamente en función de
los valores máximos y mínimos de la tensión y de la corriente como se indica en la Fig 17- 27. Si 1", (V)
representa el pico de la corriente (tensión) senoidal, tendremos

"

w<
Figur a 17·27. Ceracrerfsncasde salida y Olidas de corriente y de tensión de la Fig. 17-26. Se supone una corriente de excitación
senoidal.
 Circuitos y sistemas de potencia 773

(17·33)

(17-34)

de forma que la potencia será

V", I", 1;,RL V~,
p~ -- ~ --
(17·35)
2 2
que puede escribirse también en la forma
p = (V mu - Vmin)( l m...., - l min)
( 17-36)
8
Esta ecuación permite calcu lar fácilmente la potenci a de salida. Todo cua nto hay que hacer es situar
la recta de carga en las caracterís ticas ten sión-intensidad del dispositivo y leer los valores Vm.., Vm in ,
1""," e l min •

17·10. DISTORSIÓN ARMÓ NICA

En la sección precedente se han idealizado los elementos activos considerándolos perfectamente

lineales. Sin embargo, generalmente la carac terística de transferencia dinámica (i,. en función de i,) no es
una línea recta. Esta no linealidad es debida a que las características de salida está ticas no son rectas
equidistan tes para incremen tos iguales en la exci tación de entrada . Hacie ndo referencia a la Fig. 10-3
vemos que la onda de tensión de salida difiere de la señal de entrada. A una distorsión de este tipo se le
denomina distorsión no lineal o de amplitud.
El lector puede preguntarse por qué en los anteriores capítulos rela tivos a la amplificación no ha sido
tratado este tema de la dis torsión. La respuesta hay que buscarla en la magnitud de la señal. Lo tratado en
el Cap. 10 se apoya en que cualquier sistema , independientemente de la característica de transferencia,
puede ser tratado analíticamente en forma lineal para peque ñas variaciones alrededor del punto de reposo,
caso que no se da en los amplificadores de potencia . Por su propia naturaleza un amplificador de potencia
debe dar una señal de salida grande, y por tanto debe tenerse en cue nta la curva de tra nsferencia completa,
sea o no sea lineal.

Distorsión de segundo a rmónico

Para estudiar la magnitud de esta distorsión supondremos que la curva dinámica puede ser represe ntada.
respecto al punto de reposo Q, por una parábo la en lugar de por una recta . Es decir , que en lugar de
relacionar la corrie nte alterna de salida i o con la excitación de entrada ih por medio de la ecuación i ,. = Gih
resultante en un circuito lineal, admitire mos que la relación entre i o e ih se aproxima más a la exp resión

;0= Gli h + G/ h (17-37)

siendo
.
las G unas constantes. Estos dos términos son el princ ipio del desarrollo en serie de i• como funció n
de l h.
77 4 M icroelectrónica moderna

Si la onda de entrada es senoidal de la forma

( 17-38)
la sustitución de esta expresión en la Ec. (17-37) la conviene en

i. =G/ .. cos wt+ Gj "", COS' (JJI

siendo ces! roI:= In + I{l. ros 2CJl1. la expresión de la comente instantánea total i c tomará la forma

(17-39)
siendo las 8 unas constantes que pueden calcularse en función de las G. El significado físico de esta
ecuación es evidente: muestra que la aplicación de una señal senoidal a una característica dinámica
parabólica, dará una corriente de salida que contiene, además de un término de la misma frecuencia que
la entrada, un segundo armónico y una corriente constante. Este término constante B" se suma al valor en
continua original /e dando una componente de corriente total en continua l e+B". Una dist orsión
parabólica 110 lineal introduce en la salida Ilfla componeme de f recuencia doble que la de la entrada
senoidat de excitación. Esto ya se vio en la Seco12-3 al tratar de los efectos de la realimentación negativa
sobre la distorsión. Además, puesto que una sella/ de entrada senoidal cambia el valor medio de la
corriente de salida. tiene lugar 'lila rectificación.
Las amplitudes B.., 8 1 Y B1 para una resistencia de carga dada. se determinan en las características
estéticas. Vemos en la Be. 17·27 que:

Cuando 0lI' = O: ie = 1_.

(17-40)
Cuando rot = 1tf}.:

Cuando Wl = n::

y sustituyendo estos valores en la Ec. ( 17-39) resulta

1",.. = l c +B,,+ B I +B!

Ic =lc + B,,-B ~ (17-41)

Este sistema de tres ecuaciones permite determinar las tres incógnitas B~ . 8 ¡ Y8 2 , De la segunda de
estas ecuaciones se deduce:

. ,
8 =8 0 7-42)
Restando la tercera de la primera
8 _ I ....~ - I mi..
, - 2 (17- 43)

Este valor de SI permite calcular S! ya sea por la primera o por la última de las Ecs. (17-4 1). Asi
tendremos
 Circuitos y sistemas de potencia 775

(11.44)

La distorsiónde segundo arm énico se define:

(17· 45)

(Para hallar la distorsión porcentualde segundo armónico debe multiplicarse D > por cie n.) Los valores
de ,....,. ,. ,. e JI' que figuran en estas ecuaciones se deducen directamente de las curvas características del
transistor y de la recta de carga.
Si la caracrenst íca dinámica tiene forma parabólica [Ec. (17-37)) Y si en la entrada figuran dos
frecuencias 00 1 y 00,. la salida estará formada por una componente continua, y otras componentes de
frecuencias oo.' CJl!' 200•• 2CJl~. (CJll + (¡)~ ) y (CJl I • (¡)!)(Probl. 17·22). La suma y la diferencia de frecuencias
se denominan de intermodulacián o de comh ínaciá n,

Genera ción de armónicos de ord en superior

En el análisis del apartado anterior se han supuesto unas caracrerfsticas dinámicas parabólicas. Esta
aproximación suele ser suficiente para amplificadores cuya variación sea pequeña. Para amplificadores
de potencia con variaciones de entrada grande. será necesario expresar la curva de transfe renc lad in émica
al punto Q por una serie de la forma

( 17-46)
Si suponemos que la onda de entrada es una función cosenoidal simple del tiempo. de la forma de la
Ec. ( 17-38) la corriente de salida será:

(17 -47)

Esta ecuación resulta de introducir la Ec. ( 1 7 ~38 ) en la Ec. (17-46) Yde hacer las transformaciones
trigonométricas apropiadas.
Obsérvese Que ahora figuran armónicos de tercer orden y superiores. Los coeficientes de Fourier 8 0 ,
S ,. 8 .•... pueden obtenerse por extensión del proceder anterior. aplicado a la Ec. ( 17-47) en lugar de la
(17·39).
La distorsión armónica es

D, •
1¡s;¡
B,1 D !!I IB.\I
, IBd ( 17·48 )

representando D. (5 = 2.3,4...) la distorsión del s-é simo armónico.

Potencia de salida
Si la distorsión no es despreciable. la potencia librada a la frecuencia fundamental es:
BiRL
(17-49)
2
Sin embargo. la potencia 10la1de salida es
776 Mtcroetectronica moderna

R,
P =(Bi +B ~ +B i + . . . ) ~ =
2
(1 + m + Di + ... )PI

o
(17 -50 )

donde la distorsión armónica total, 0[(1('10,. de distorsión se define como

D= V D; + DJ + D~ + ... (17 -51)

Si la distorsión total es el 10% de la fundamental. entonces

P =( ) +(O. I)' I P, = 1.01 P,

La potencia total de salida es tan sólo un 1% mayor que la potencia fundamenta l, cuando la distorsión
es del 10%. Portanto.el emplear paraelcálculc de la potenclad e salida únicamente elt érmino fundamental
PI' el error que se comete es bien pequeño.
Hay que observar que la cuantía total de distorsión no es necesariamente indicativa de la molestia que
causa alescuchar música. Normalmente. la misma cuantía de distorsión es tanto más molesta cuanto mayor
es la frecuencia del arm ónico.

17-11. CI.ASIFICACION DE LOS AMPI.l FICADORES

En todos los diseños y análisis de amplificadores vistos hasta ahora se ha admitid io tácitamente que
el transistor está polarizado hacia el centro de su campo de trabajo , como ind ica la Fig. 17-27 (obsérvese
la situación del punto Q en el plano i(" • I'{") . Este no es siempre el caso en los circuitos de potencia ,
habiéndose establecido tina clasificación (A. B, AB YC) para describir el funcionamiento del amplificador.
dependiendo deltipo de polarización empleado, En las próximas secc iones veremos el significado de esta
clasificación.

Clase A
Un amplificador de clase A es aquel en que el punto de trabajo y la señal de entrada son tales. que la
corriente en el circuito de salida (en el electrodo de colector o de drenaje) circula en todo momento. El
amplificador de clase A trabaja esencialmente sobre una porción lineal de su caractertstica.

Clase B
En un ampliflcador de clase B su punto de trabajo está situado hacia un extremo de su caracterfstíca
de forma que su potencia de repuso es muy pequeña, y en consecuencia. la corriente o la tensión de reposo
es aproximadamente nula. Si la señalde excitación es senoidal, sólo habrá amp lificación en un semi-ciclo.
Por ejemplo, si la corriente de salida en reposo es nula, será nula también durante medio ciclo.
 Circuitos }' sistemas de p otencia 777

Clase AB
Un amplificador de clase AB trabaja e ntre los extremos citados para las clases A y B. Por tanto. la
se ñal de salida se rá ce ro durante un lapso inferior a medio período de la se ñal de e ntrada seno idal.

Clase C
e
En un amplificad or clase c l punto de trabajo se elige de forma q ue la co rriente (o ten sión) de sa lida
sea nula duran te más de medio ciclo de una señal de entrada sen cidal .

17-12_ RENDIMI ENTO DE UN AMPLI FICADO R C LASE A

Si el diseño de un amplificador de potencia viene co ndic io nado ya sea por una fue nte de pote nc ia
limitada (co mo es e n e l ca so de los saté lites ) o por la má xima d isipació n to le rada. co mo en la Sec o 17-14
deb e ponerse la da aten ción en el rendim iento de la co nve rsión de pote ncia.

Rendimiento de la conversió n
Una valorac ión de la idone idad de un d ispos itivo activo para con ve rtir la poten cia e n co ntinua de la
fuente en una pote ncia (seña l) en alterna ced ida a la carga. se denomi na rendimie nto de la conversi ón ()
rendimiento teórico. En un amplifi cador de transis tores se de nom ina tambié n rendimiento del circuito de
colecto r y se represe nta por 11 . Por de finición. el rendimiento en tant o por c iento e s

•• Pulcn<'ia en trega da a la carga

Potencia len .~) enl.egada al circuilo de salida
x 100% (17-52)

En gene ral
Wi R L x 100% (17-53)
Ved l c + Bo)
Si los componentes de la d istorsión son des prec iab les , tendrem os

r¡ = ~ V",I", x lOO = 50 VII/I", % (17-541

Vc('/r · VC(-i("
do nde VJ/"'> rep resenta la ten sión (intensidad) de pico . El rendim iento de l c ircuito de co lector d ifie re de l
rendimiento g loba l porq ue en el denomi nado r de la Ec. (17-53) no es tá incluida la potencia tom ada por la
base.
Según las defin icion es de la Seco17· 11e l amp lifica dor de la Seco17· 9 opera e n cl ase A . Exami nare mo s
cualitativamente su re nd imie nto e n dos casos límites.

1. Peque ña señal . Con peque ña señal de sa lida . la potencia de sa lida e s co nsecue nteme nte peq ueña .
No obstar ue. la poten cia consumida por la polari zación e n c lase A se mant ie ne e n \Ice le que puede tene r
un valor apreciable. con lo que e l rendimiento de la co nve rsión resulta extremadamente bajo. O bsé rvese
también q ue la ca rga debe disipar una buena parte de la potenc ia en co ntinua VeJe aun con exc itació n
nula.
778 Mtcroetear áníca moderna

"
CaraclerfsCtcl
transfer
din4rniea
,,
,,
,,
_.....L.. _

,,
'oc o , ,, "
O jI I, .' 1, :

-" 1"

-, R, l'L" le
Excitación

") lb)
Figura 1' -28. (a) Seguidor de emisor con ucilación nula lrabajando como amplificador de: clase B. (b) Construcción gráfica para
de:le:rminar la onda de: comente de salida.

2 Selial máxima. Eligiendo cuidadosame nte el punto de polarización, el trans istor puede llevarse
desde saturación a corte. Puede demostrarse (Prob l. 17-25 ) que en es tas cond iciones l . = i e y V. = O.5VC'C'
=
resultando n 25%. Por cada watio de potencie de salida , se consumen internamente 3W. Bvide nre mente
desde el pun te de vista del rendimie nto. el operador en clase A no resulta muy adec uado para a mplificación
de potencia.

17· 13. AMPLIFICADORES EN CONT RAFASE (P USH·PULL) CLASE B

Si en la Fig. 17-26, VBS = O la corriente de reposo será l e = O. Por las definiciones dada s e n la Seco
17-11 este ci rcui to con polarización nula es un amplificador de cla se B, y an álogamente el seg uidor de
emi sor de la Fig. 17-28a trabaja en clase B. Supongamos que las ca racter ísticas de salida del transistor
estén igualmente espaciadas para intervalos iguales de excitaci ón , En es te tra nsistor ideal la curva de
transfe renci a dinámi ca (ie en función de i.) es una recia que pasa por el orige n (Fig. 17-28b) indicá ndos e
tambié n la construcción gráfica para trazar la form a de ond a de la corriente de colec tor. Obsé rvese que en
este circuit o de cla se B, la corriente de carga iL ,., i e es senoidal durante la mitad de cada período y es
ce ro durante el segundo semi-ciclo. En otras palabras, este circ uito actúa como rectificador más bien que
como amplificador de pote ncia.
Esta di ficultad se solventa empleando la etapa complementaria de salida, seguidora de e misor, de la
Fig. 14-13, repetida en la Fig. 17-29. A esta configuración se le de nomina amplificador en comrofase
(p ush·p uf!} de clase B.
Con valores positivos "ide la senolde de entrada, QI conduce y Q2 está en corte (i 2 =O), de forma que
i, es la semionda positiva de la Fig. 17· 2gb. Co n valores negativos de "j' Q I está en corte (jI = O) Y Q2
conduce , resultando para i z una semise noide positiva desfasada 180· respec to a la represe ntada en la Fig.
 Circuitos y sistemas de p otencia 779

17-28b. Como la corriente de carga es igual a la diferenc ia entre las corrientes de emiso r de los dos
transistore s:

En con secuencia. co n la característica de transfere ncia idealizada de la Fig. 17-28b, la corrie nte de
carga es una seno ide pe rfecta.
Las ventaja s del funcionamie nto en clase R respecto al tic clase A so n las siguientes : se puede ob tener
may or potencia de salida, el rend imiento es mayor, y la pé rd ida de potencia e n ause nci a de señal es
desprec iable . Por estos mot ivos, en sistemas e n los que la potencia de a lime ntació n e s limitada . co mo e n
el caso de funcionar con batería s o con cé lulas so lares , la poten cia de salida normalmente se suministra a
partir de c ircuitos de transistores en cor nrafase clase B. Los incon ve nie ntes so n: la distorsión de bida a los
arm énicos puede ser mayor , y la fuente de tensión deb e tener buen a regula ció n. En muchos amplificado res
integrados modernos, e l circu ito de salida de pote nc ia es la e tapa co mplementaria seguidora de e misor e n
contra tase.
" rr
QI

I"
" " " +-'- =0.-- 0
"

1" -;;1
Ql
R,

~
- Vrr

1') (b )

Figura 17·19 . (o ) Seguidor de emisor complementario, y (b) Amp lificado r en contrafase complementario e n emisor común.

Rendimiento
En la Fig. 17-29 la tensión de pico de la ca rga e s V.. = I",R e y la potencia de sa lida es

p = I",V", (17-56)
2
La co rrespond iente corrie nte co ntinua de colector en cada tran sisto r bajo carga es el valor medio de la
se mise noide de la Fig. 17-28h. Puesto q ue 'J'
= lire en esta forma de ond a, la poten cia de entrada en
continua proce dente de la alim entación será

p , = 2 ¡", V e e (17-57)
-n
El factor 2 es deb ido a que en e l sistema en co ntrafasc se em plean dos tran sistores.
.Hallando la relación entre las dos ecuacione s ( 17-56) Y( 17-57) se tie ne. para el rendim ient o de l circuito
de colector :
P tt V",
1] == - x lOO x lOO % I )7-5R)
P, 4 v..
780 Microelectrónica moderna

Si la caída a través de un transistor es pequeñafrente a la tensión de alimentación, V..""vOC' y en estas

condiciones la Ec. (17·58) nos muestra que el máximo rendimiento posible de la conversión es
251t = 78,5% para el sistema en clase B, frente al 25% de la clase A.
Este rendimiento elevado es debido al hecho de que en clase B no hay corriente si no hay excitación.
mientras que en clase A hay consumo de potencia aun cuando no haya señal. Podemos observar también
queen un amplificadordeclase B la dísipaciónen los colectores es nulaen el estadode reposo, aumentando
con la excitación, mientras que en el sistema clase A el calentamiento de los colectores es máximo con
entrada cero y disminuye al aumentar ésta. Puesto que en la clase B la corriente directa aumenta con la
señal, la fuente de alimentación requiere una buena regulación.

Disipación
La disipación Pe: de colector (en ambos transistores) es la diferencia entre la potencia de entrada al
circuito de colector y la potencia suministrada a la carga. Como 1... =Vj R L'
2 VccV... V:,
Pe " PI - P == - - - - - (17.59)
.". RL 2R L
Esta ecuación demuestra que la disipación del colector es nula si no hay señal (V.. =O), sube cuando
V.. aumenta. y pasa por un máximo a V", = 2Vc:c:/7t. La disipación máxima es:
2Vioc
PClm u l == .,rR (17-60 )
L

La potencia máxima que se puede entregar se obtiene para V", = Vce o sea:
V~c
Pm u == 2R (17-61)
L

Por lo tanto,

(17-62)

Si. por ejemplo. deseamos entregar IOW con un amplificador en contrafase clase B, entonces
Pn_o) = 4W, o sea que debemos seleccionar los transistores para que tengan una disipación de los
colectores de aproximadamente 2W cada uno. En otras palabras. podemos obtener una salida de cinco
veces la disipación de potencia de un solo transistor. Por otra parte, si colocamos dos transistores en
paralelo trabajando en clase A para tener IQW de salida, la disipación de potencia de cada colector debe
ser por lo menos de 20W (suponiendo un 25% de rendimiento). Esta premisa se basa en que P, == P/T1 =
20/0.5 = 40W. Esta potencia deentradadebe podersedisipar totalmente por los dos colectores en ausencia
de señal, o sea Pe = 20W por transistor. Por lo tanto. cuando no hay excitación se pierden 20W en cada
transistor. mientras que en clase B no hay disipación (en ausencia de seña l). Este ejemplo indica
superioridad del sistema en contrafase sobre el paralelo.

Distorsión
Las corrientes del sistema en conrrafese respecto a la distorsión son únicas. Consideremos el cornpor-
tamiento de la Fig. 17-29 cuando la característica de transferencia es no lineal. Sea QI o Q2 estará
conduciendo, dependiendode la polaridadde la señalde entrada. Si los elementos son iguales, i 2 e t.. serán
 Circuilos y sistemas de potencia 78 1

idénticos salvo que están desfasados 180'" entre sí. La corriente QI viene dada por la Ec. ( 17-47) que
repetimos aquí por comodidad

(17-63)

La corriente de salida deltransistor Q2 se halla reemplazando en la expresión de i., CJ.)/ por (001 + 7t) o
50'

(17-64)
de donde
;~ = le + 8~ + 8 ) COS (001 + 7t) + 8 l COS COS 2(wl + 7t) + ..,
o
( 17-65)

Según la Ec. ( 17-55)

(17-66)

Esta expresión muestra que el circuito en contrafase elimina rodas los armónicos pares de la salida,
quedando el tercer arm ónico como causa principal de distorsión. A esta conclusión hemos llegado
suponiendo que los dos transistores sean idénticos: si sus caracrerfsticas difieren sensiblemente, debe
esperarse que aparezcan arménicos pares.

17· 14. FUNCIONAMIENTO EN CLASE AB

Además de la distorsión introducida por el empleo de transistores no idénticos y por la falta de
linealidadde las características de colector. existe también distorsión causada por la falla de linealidad de
lacaractensticade entrada.Comose puntualizóen la Seco3-3 y Fig. 3-9. no circula unacorrienteapreciable
de base si la unión de emisor no está polarizada en directo a la tensión umbral V" que es de 0,5 V para el
silicio. Enestas circunstancias. unaexcitación con tensión de base senoidal no dará una corriente de salida
senoidat. No obstante lo mencionado en la Seco14-5 las consecuencias de una característica de entrada
no lineal merecen un mayor estudio.
La distorsión causada por la no linealidad de la característica es la que se indica en la Fig.17-30. Se
dibuja lacurva i" - 1'" para cada transistor. y laconstrucción es empleada para obtener lacom ente de salida
(suponiéndola proporcional a la corriente de base). En la región de corrientes pequeñas (para ",<V ), Ia
salida es mucho menor de lo que sería si la respuesta fuese lineal. efecto que se denomina distorsiÓ" de
cruce, Esta distorsión no existiría si la excitación se obtuviera de una verdadera fuente de corriente; en
otras palabras. si la corriente de base (en lugar de la tensión de base) fuera senoidal.
Para minimizar la distorsión de cruce. los transistores deben trabajar en clase AB, en la que. aun con
excitación nula. circula una pequeña corriente de reposo. En el circuito de la Fig. 14-14 la diferencia de
potencial entre las bases de los dos transistores se ajusta aproximadamente a 2Vl' Funcionando en clase
AB, hay menos distorsión que en clase B. pero el precio que se ha de pagar para ello es un menor
rendimiento y un mayor consumo de potencia. El cálculo de los componentes de la distorsión en un
amplificador clase AB o A en ccntrafase , debidos a la no linealidad de las características del colector,
necesita la construcción de las curvas de salida compuestas del par de transistores.
782 Microelectr ónica moderna

Ql ¡ _
,
v, ,,
L.L--'--r_~---- w,
:.J O v, 1
,
,I
__ __-1I .
Q2
II
I
I
'O> I
I
I

Wl
Figura 17-30 . Ca racte rístic a de transfe rencia de tens ió n de un seguidor de e misor co mpleme nta rio. La co rriente de salida ¡ está
distorsionada en relación a la señal de e ntrada V D porque n inguno de los tra nsis tore s de la Fig. 17-29a con duce c uando - Vy < v;
< V,

e,
I o.I I'F
14 ..".
r-
o t 500 p F
..,' _---.-----''.j 1L.::..-1
10 en ~----Il"
" J
1
lM 3841

, e, R,
z.v n e-a
5, F Altavoz
e,
0.1 p F

Figura 17· 31. Amplificador audio de 5 W (Cortrs(a de Na/ lonal Sennconducto r í .

17-15. AMPLIFICADOR ES DE POTENCIA INTEGRADOS

Existe disponible una gran variedad de amplificado res de potencia integrad os procedentes de distintos
fabricantes (Apéndice B-I ). Un Amp-Op industrial norm al. tal como el 74 1 (de coste inferior a 50
centavos ) puede suministrar una potencia de alrededorde 100 mW sin componentes adicionales exter iores.
A continuación se reseñan dos amplificadores de audio integrad os. de 4 y 20 W respectivamente.
 Circuitos y sistemas de potencia 783

El amp lificado r LM384 representado en la Fig. 17-31 est á diseñ ado para una amp lificación de 34 dB
con señales de 300 kl-lz, dando una potencia de 5W a una carga acop lada por capacidad. Los valores
indicados de los componentes dan una distorsión total por arm énicos menor del 1% a 1kHz y con potencia
de salida de 5W hacia una carga de 8 11. Cuando se emp lea este dispositiv o debe tenerse cuidado en el
conexionado del circuito para evitar acoplamientos indebidos o rea limentaciones de la salida a la entrada,
lo que podría provocar oscilaciones. Para evitarlas, el cable de entrada de be ser apantallado. y la red de
compensación RIC l conec tarse entre el terminal de salida y tierr a. El conden sador C.l se emplea para
anular los efectos de la inducrancia de los conductores de alimentación , mientras que el C l actúa com o
condensador de paso de baja frecuencia.
El amplificador de 20W de la Fig.I7-32 constituye otro ejemplo de l est ado de la lecnología de
amplificadores de potencia lineales monolíticos. Conectado como está indicado y con entrada de 260 mV.
el SGS TOA 2020 proporciona 20W a 411 con una distorsión de menos del 1% Ycon un rendim iento del
57%. La respuesta en frecuencia ( - 3 dB) va de 10 Hz hasta 160kHz para una ganancia de 30 d B. Además
el sistema tiene protección contra las sobrecargas de corriente y disparo t érmico por si se sobrepasa la
máxima disipación de potencia recomendada.
Los condensadores C , al C~ son conden sado res de desacop lo. Las redes R}C} y R l C6 son de com pen-
sación de retardo . de salida y entrada respectivamente, y C, proporciona una nueva co mpensación . Siendo
el nivel de salida en continua (V · + V '){l , la división de la fuente sitúa la sa lida en continua a avypuede
acoplarse directame nte la carga sin necesidad de un cond ensador de acoplamiento bastante grande. Los
diodos DI y D2 1imitan (y por tanto protegen) la salida frente a las variaciones inducti vas superiores a las
tensiones de suministro.

17·16. CONSIDE RACIONES TÉRMICAS

El amplificador de potencia de la Fig. 17-32 suscita una importante cuest ión. Con 20W de salida y
57% de rendimiento, la potencia de entrada es de 20/0,57 = 35.1 W. Por tanto , deben disiparse por los
transistores 15,I W. Veremo s seguidamente cómo se elimina este calor, y cuáles factores debe n tenerse
en cuenta para mantener un funcionamiento correcto.

Temperatura máxima de la unión

Todos los elememos semiconductores tienen fijada una temperatura máxima adm isible en su unión
1~_ ",que oscila normalment e entre 125 y 200'C para el silicio. Por encima de esta temperatura se
producirán fallos irreversibles.

Resistencia térm ica

El calor generado en el interior del dispositivo se desplaza desde su origen (la unión de colector) hacia
la envoltura, creándose un gradiente de temperatura . En consec uencia, existirá una diferencia de tempe-
ratura fija I1TJC entre unión y envoltura, proporciona l a la potencia disipada Pu ' El factor de proporciona-
Iidad re presenta la resi stenci a a la tran smisi ón del ca lor, y se denomina resistencia t érmica R,~ , Rall"'
Los subíndices de e denotan los dos puntos entre los cuales se tom a la med ición. Por tanto

(17-67)
784 Mtcroeíectrontca moderna

1"1+ la v)

0'

no R, ' ·0
Allavoz
10

e, e,
o.IIlF I I o.'IlF
~
V -( _ 18 V¡ -
R,
I OO kn
R,
J.len
c.
I 4.h F
~

ri ~lIra 17·32. AmplirlCadorde polencia iludiode 20 W (CllTtesía deSGSJAT f.'S Carl""atiOll ).

en donde PD está en watios y 9 en grados centígrados por wauo . La analogía eléctrica es ev idente: si Pc>
(o 9K ) lo asimilamos a la intensidad I (o a la resistencia R), ent onces 6TK es análogo a la c_aí~a de ten sión
6 V.
El valo r de la resistencia t érmica depende del tam año del tran sistor , de la rad iació n o convecci ón al
medio amb iente. de la ventilación forzada (si la hay) y de.la co nexió n t érmica de l elemento a l c has is
metálico o a un absor bedor de calor. Los valores típicos de dis rimos transisto res varían desde O.1:'C/W en
transistores de a lta potencia co n un sumidcro de ca lor e ficaz hasta I(XX) "C/W en transisto res peq ueños al
aire libre.

Curva de reducción de la disipación

Ge neral mente los fabricantes proporcionan curvas de di sipac ió n de potencia-te mpe ratura, se mejantes
a la de la Fig. 17-33. Puede deduci rse la tem peratura máxima de la unión TJ"..... o bse rvando q ue a 200'C
no puede disiparse pote ncia alguna (OW). Una disipa ció n nu la de potencia supone que no haya gra diente
de tem peratura y por tamo la unión debe estar también a 200'C [Ec. ( 17-67) ). En e l Apéndice 8 -8 se dan
las especificaciones del transistor tlp" de silicio 2N5 67 1. Este transistor es de potencia y corriente altas
=
(140W , l c JOA. l. =
lOA) Yde gran velocidad (tie mpo de ccnmuraclén- I u seg j."

• CornpW~n!C ..... dal"" elel tran";\Il1fele poICtKi. 2N!>tIl 1 n>n ..... deltr-r.k>f 2 N2222 A de petluci\;o dlllAprnd .cc 8 ·.11.
 Circuitos y sistemas de potencio 785

""
~ 100
E l' , s
e
:g ~ <,
~ 11
.~ I-"
'6
SO

2S
r-,
-Il r-,
bI! O
,.S SO 15 100 I H ISO 175 .,00
Temperatura de la envoltura Te' OC

FI¡ura 17·33. Curve'de reducciónde ladisipación del transistorde potencia 2NS671.(Cor/es(a dt RCA So/id-Sta/e Dil-isiO/l.)

Acumuladorde calor
R," '" 2a 8" C/W

Contacjc
~tgrasade ~I"Cona)
~~ R,_'"os·n w

~ ~ S'PM""

~.
. . o.o O CObre_[~~~~~~~§!!~~
Acumulador de calor

o PIeza de Separador
O o o
Pe Tablilla PCTablilla

Chip

'" '"
Fil!ura 17-34. (a) Montaje del acumuladorde calordel TOA 2020. Existendistintosacumuladores con resistencias térmicas com-
prendidas entre 2 y K''C/W. (h) Sección transversal del sistema ya montado(Cortesía oe SGS/ATES).

Puesto que la máxima ordenada de la Fig. 17-33 corresponde a P1h w ,, :::: 140 W, deduciremos de la Ec.
(17-67) que ej c :::: (200 · 25)/140:::: I,2Y CfW. La pendiente de la línea de la Fig. (17-33) es la inversa de
la resistencia térmica y se denomina f o('ton fe disipación de pOlencicl ll /l ,25 :::: 0,8 WrC). El valor de la
resistencia térmica está inversamente relacionadocon el área de la superficie de la envoltura. El 2N2222A
que tiene unaenvoltura o cápsula mucho más pequeña que la del 2N567I tiene Jc :::: 83° CfW. e
Paradisiparel calor de lacaja hacia el ambienteen los transistores de potencia. se utiliza un acumulador
de calor, que es una estructura metálica con una superficie de radiación relativamente grande, a la que va
unida la caja deltransistor. En la Fig. 17-34 podemos ver el sistema de montaje del chip TDA2020 de la
Fig. J 7· 32.
786 Mt croetear ánica moderna

T,

'" '""
T,

P, t 'a '"a
T,

O" toT H

T,

Figura 17.35. Analogfa eléctrica del sistematérmico.

Ejemplo 17·1

En los comentarios anteriores hemo s visto que el amplificad or de 20 W. TDA2020deb e disipar 15.1 W
de potencia interior. La temperatu ra ambiente es TII. = 30° C. Si la temperatura máxima ad misib le e n la
unión es T e,r
J'.",,! = 150"C y si >~ = 3° C/W. ¿cuál será la máxima resiste ncia ténnica acumu lador-ambiente,
e SA que se pued e tolera r?

So lución

Empl eando la analogí a e léctrica de la Ec. ( 17-67 ) o btendre mos para e l flujo de pote nci a e l mo de lo de
ci rcuito serie de la Fig. 17· 35
Ti = !J.TJ(" + !J.Tcs + óTSIl. + TII. = PD (eJC + Scs + e511. ) + TA (17-68)

Toma ndo Scs = 0,5 T¡W como indica la Fig. 17·34a. la Ec. (17-68) se convierte e n

150 = 15.1(3 + 0,5 + 9SA ) + 30

lo que nos da 9511. = 4,SO C¡W máxim o. El disipad or de calor de la Fig. 17· 34 es admi sible. ya que su
resisten cia t érmica máxim a pued e elegirse menor de 4 Y C/W.

17·17. T RANSISTORES IJE POTENCIA DE EFECTO CAMPO (VMOS)

En 19761 a Siliconex lnc . introduj o un nuevo tipo de tran sistor de potencia FET. que sa lva mu ch as de
las lim itaciones del transistor de potencia bipolar. Este nuevo disp ositivo e s un MOSFET de acumulación
de canal», pero construido de tal forma q ue la corriente c ircula vertic almente. po r lo que se de signa VMOS.
Esta co nstrucción d iferencia el VMOS del MOSFET de baja pote nc ia descrito en el Capítu lo 4 en e l que
los portadores fluyen horizo ntalmente desde fuent e a drenaje.
 Circuitos y sistemas de potencia 787

Aluminio

Figura 17·36. Sección Iransversal de un FETvenicl l.

La fabricación de l FET de potencia parte de un sustrato de silicio /l. en el que se crece una capa
epit axialvr. Luego se procede a dos difusiones sucesivas, la primera con imp urezas lipo p. y la seg unda
con impurezas tipo 11 como puede verse en la Fig. 17 36. La estructura que se obtiene hasta esta fase es
4

idéntica a la del transistor bipolar discreto visto en la Fig. 5-7d. En un transistor de unión bipolar la región
superior (o inferior) 1/ . es el emisor (o colector) mientras que en la ñg. 17·36 la parte superior (o inferior)
" . con st ituye una fuente (o drenaje). En la Fig. 5-7d. la reg ión p es la base. pero en el VMOS la sección
pes el canal 1/. Para perm itir la situación de una puerta de control sobre el canal. ex tendié ndose de fuente
a drenaje . se introduce un nuevo paso en la fabricación : se graba anisorr ópicamerue una muesca en V
isósceles sobre el silicio. como indica la Fig. 17-36. Prosiguiendo con el proceso normal de fabrica ción
descrito en el capítulo 5 se extiende una capa fina de dióx ido de silicio para formar. por metalización. el
electrodo de puerta y el contacto de la fuente.
Obsérvese que la superficie del drenaje (parte inferior de la Fig. 17436) es amplia y puede ponerse en
contacto con un almacenado r de calor para facilitar la elimi nación de la pote ncia disipad a en el interior
del elemento. La longitudf del canal (extensión vertical de la regiónp) viene determinada.por la diferenci a
entre las profundidades de las dispersiones p y " . (fuente). Por tanto. L puede hacer se verdadera mente
pequeño. por eje mplo L "" 1.5 um . Recordemo s que en el MOSFET norm al (horizontal) la longitud de l
canal viene determinada por las máscaras, corrosión y difusión lateral de la fuente y del dre naje por lo
que tiene mucha mayor longitud que en el VMOS. La puerta perfilada en V go bierna dos MOSFET
verticales. uno a cada lado de la muesca. y por tanto. si se conectan en para le lo los dos term inales S de la
Fig. 17·36 se duplica la intensidad admisible.

, I
v" · ,
IO V

1.6
8

,7

0.8
,
0.4
,
4
l
o 10 20 JO 40
;-
SO
Y DS ' V

Figura )7 .37 . Caracterislicas de salida de un lnnsistor de acumulac ión de clnal n (Cortts(a dt TtJas InSI,..mt,,'s./tte.).
788 Microetear ánica moderna

Los MOSFET de baja potencia del Capítulo 4 son simétricos entre fuente y drenaj e. Evidentemente,
según la Fig. 17-36 el VMOS se construye asimétrico por 10que no pueden intercamb iarse S y O.

Características del VMOS

La Fig. 17-37 representa las curvas tensión-corriente de un FET vertical que deben compararse con
las del MOSFET de acumu lación de canal n y baja potencia de la Fig. 4-12 . La intensidad de pico del
VMOS es de 2A (que contrasta con los 50 mA del MOSFET horizontal). Ob sérvese también que en la
región de saturación las características de la Fig. 17-37 son mucho más planas que las de la Fig. 4-12
(11) = constante. y por tanto la conductancia de salida es muy pequeña). En la fami lia 2N6657 mostrada.
el espaciamiento entre características (porencima de lo = 0,4 A) es constante para incrementos Iguales de
la tensión de puerta . En consecuenci a la transconductancia R", es constante (= 0.25 A/V) para lo ~ 0,4 A.
Por otra parte, en un MOSFET de baja potencia,g.. varía como la raíz cuadrada de la corriente de drenaje
[Ec. (4-18») en lugar de mantenerse constante.
El VMOS posee propiedades ventajosas entre las que figuran las siguientes:

1. La ca racterística de transferencia 11) en función de V(;,s es lineal (g", =co nstante) para lo ~ 0,4 A.
2. La conmutación es muy rápida ya que no hay almacenamiento de portadores minoritarios. Por
ejemplo. se pueden cortar o cerrar 2 A en menos de 10 nseg.
3. No es posible un embalamiento térmico (Sec. IO-3 ) ya que la resistencia drenaje -fuente tiene un
coeficiente de tem peratura positivo entre drenaje y fuente au menta Vos limita ndo en consecuencia lo'
(no se forman puntos calientes ni se pueden producir ruptura s secundarias).
4. No existe un desigual reparto de corrientes cuando trabajan VMOS en paralelo para increme ntar
la intensidad total. Si uno de los transistores trata de tomar más corriente de la que le corresponde. el
coeficiente de temperatura positivo entre drenaje y fuente aument a Vos limitand o en co nsecuencia ID.
5. Debido a su gran resistencia de entrada. el VMOS necesita muy poca potencia de entrada, y puede
ser excitado por puertas lógicas CMOS. La ganancia de potencia es extremada mente alta.
6. La resistencia en conducción es muy baja . Por la pendiente en el origen de las curvas de la Fig.
17-37. vemos que r n ';l ONI "" 30 .
7. Los FET de potencia presentan muy poco ruido.
8. La tensión umbral Vr varía entre 0,8 y 2 V. por lo que los VMOS son compatibles con la lógica
TIL.
9. En la Fig. 17-36 puede verse que el solape entre puerta y drenaje (y por tanto la capacidad entre
estos electrodos) es bien pequeño. En consecuencia, la realimentación capacitiva de salida a entrada es
mfnima, por lo que pueden utilizarse los VMOS en circuitos de alta frecuencia (ir '" 600 MHz).
10. La tensión de ruptura entre drenaje y fuente de un VMOS es alta. Esto es debido al hecho de que
la capa epitaxial absorbe la región de deplexión de l diodo 1m cuerpo-drenaje, con polarización inversa.

Aplicaciones
Los VMOS pueden emplearse como etapa de salida de un amplificado r de potencia de audio o radio
frecuencia. o de alimentación de un regulador de conmutación. Como ap licacio nes industria les podemos
citar: procesos de control, regulación de motores, excitaci ón de selenoldes y relés, en transductores
ultrasónicos, etc.
 Circuitos y sistemas de potencia 789

REFER ENCI AS

l . Millman, J., y C.C. Halki as " lntegre ted EJectronics: Analog and Digital Circuiu and Syslems, "
McGraw-HiII Dock Company, Nuev a York, 1972
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Yor k. 1984.
3. Gh ausi, M.S.: "Electronic Devíces a nd Círcuits: Díscrete e nd Integra ted ," HoIt , Nue va York, 1985.
4. Bohn, D . (Ed.) : _A udio Handbooke , NatKmalSe micond uetorCompany, Santa Cíere, Ca lif.,1 976•.
S. Mammamo , R., _Simplifying Converte r Design with a New lntegrated Reguletíng Pulse-Width Mo-
dulator», Application Note, Silicon General , ln c., lrvine, Calif., 1980 .
Las National Se miconductor Corporation , Fairchi ld Semico nductor Company, Texas lnstrumen ts, lnc.,
Silicon General. fnc.• y Unitrode Corporation han publicado ma nuales so bre reg uladores de ten sió n.

TEMAS DE REPASO
17.1. Cilar cuatro componentes de un convertidoraltema-conunua y explicar la runción de cada uno.
17·2. (o) Esbozarcl circuito de un rectificador de media onda.
(b) Deducir la ell.presi6n de: (1' la corriente en continua. y (2 ) la corrleme eficaz de carga.
17.J. Repetir el lema 17-2 para un reclificador de onda completa.
17..... (o ) Ocfinir lo que es regulación.
(b ) Deducirla ecuación de la regulación de un circuito de onda completa.
17.S. Dibujar d moddode Thevenin de un rectiflCadcwde onda completa.
17.. (a) Ocfinir la tensión inversa de pico.
(b) ¿Cuál es la leostón inversade picoen un circuito de onda completa empleando diodos ideales?
(e) Repenrel punlo anterior pala un rectirJcadcwde media onda .
17·7. Esbozar el circuilode un peenre rectifICador y explicar su funcionamiento.
17·8. Repetir el Tema 17·7 para un circuito rectificadorde medición.
17·9. Repetir el Tcma 17·7 para un doblador de tensión.
17·10. (a) Dibujar el circuito de un recuñcador capecírívo de media onda.
(b) Dibujar la lensión en régimen pemaeeme a través del condensador y del diodo. sin carga.
17·11. (a) Dibujar el circuito de un recnñcedor cepecíuvo de onda completa.
(b) Esbozar la tensión de la carga en ene círcauo.
17·1Z. Dibujarel circuito de un fillro de emrede inductiva y explicar cómo reduce el rizado.
17·13. Repetir el Tema anterior para un ñnro de entrada capacitiva.
17·14. Dar tres razones por las que una fuente no regulada es inadecuada en algunas aplicaciones.
17· 15. Definir el rector de regulación de entrada, la resistencia de salida y el coeficiente de temperatura de un
regulador de tensión.
17·16. (a ) Dibujar un diagrama simpliricado de una fuente de pcreocla regulada.
(b) ¿Qué tipo de realimentación emplea este regulador?
17·17. Cicar lres inconve n ien tes de los reguladores de paso que pueden evitarse con un reguladorde conmutación.
17·18. (a) Dibujar la topología del regulador de conmutación básico.
(b) Explicarcómo la tensión de salida en conlinua está detenni nada por este sistema de realimentación.
17· 19. EIlplicar por qué un regulador de conmulación puede tener un rendimiento de converstón verdederamente
allo.
17·20. (a) Dibujarel interruptordepolenciade un reguladordeconm utllCión tal comounSPDT. ¿Cómo se gobierna
el interruptor 'j cuál es su onda de salida?
(b) Ocmostrarque el inlerruptor del apanado (o, es equivalenlc a un SPSl' en serie con un diodo a tierra
790 Microelectr ónica moderna

¿,Por qué a este diodo se le den omina de retorn o?

17-21. (a ) Eq uipa rar el interruptor de potencia SPDT del regu lador bá sic o co n una co m binac ión de tres trans isto re s
y un d iodo.
(/» Exp licar la función de cada transistor y de l d iodo.
17-22. (a ) Dibujar los co mpo nentes de pote ncia de un regulador de co nm utac ión en e l qu e V" es posit ivo y mayor
que V,,,,
(h ) Comprobar que con esta config uració n V,,>V...
((") ¡.Q ué es lo que determina el valor numérico de V)
17·23. (a )' Repenr cltema 17-22 para un regulador en el qu e V se a ncg.uiva.
(h ) I usnfscar que V < O. "
17·24 . (a ) Dibujar e l inrernr prc r de po te nci a de un regulado r de conm utac ión en contratase acoplado por tran sfor -
mador.
(h ) Indicar la onda I'~ de l modul ador de anc ho de l impu lso . así como las ondas l 'AI y I'~ ! que go biernan los
dos interrupto res SPST en ser ie co n los primar ios del rransformadur.
(e) Esbozar las ondas del secu ndario delt rans formador.
(rI ) Dibujar la onda del interruptor de sal ida (la tensi ón de e ntra da ,11 fillro ).
17·2 5. (a ) D ihuja r en forma de diagrama de bloques e l sistema pa ra obtener las ondas I' AI y I'~.' del Tem a 17-24/>.
(h) Exp licar e l func ionamiento del sistema. con la ay uda de una gráfica de la on da.
(e) Mostrar los interru ptores gobernados po r I 'AI \ I'-, ~_ simu lados por tran sis tores.
17· 26. Citar 100m. los circuitos de gobierno de baja po te nc ia fabricado s en un so lo c hi p nucgrado. empleados con
un regulador de conmutación.
17·27. Dedu ci r una ex presión de la potencia de salida de un amplificador cla se 11 de gr an seña l en función de V.,""
\1"."" l."" e 1m ,.'
17· 28. Ratona r co rno puede prod ucir se una rectificación en un amplificador de potencia.
17· 29 . Defi nir la di storsión de intennndulación.
17·]0. Definir la di stor sió n armónica total.
17· 3 1. Def inir los am pli ficadores : (a ) clase 11, (h ) clase B, y ( r) da.\"(' AB .
17·32. (e/} Definir el ren dimie nto de conversió n '1 de una e tap a de potencia.
(h) Ded ucir una exp resión simple de 11 para un amplificador de cl ase A.
k) ¡.C uá l es el rendimiento teóric o máxi mo de un amplificador de cl ase A?
17-33, (a ) Dibujar el c ircuito de una etapa de pote ncia cl ase B.
(h) Co n una entrada se noidal ¡,Cuál es la fonna de la onda de salida'!
17· 34, (a ) Dibujar el circ uito de un ampl ificador de potencia en cnntrufase . de clase B .
(h ) C itar tres ventajas de la clase B respecto a la c lase A .
17· 35, Ded uc ir una expresión simp le para la potencia de sa lida de un amp lificado r de po tencia idealizado de c lase
!J . en contrn fasc.
17· J6. Demostrar que e l rendimiento de conversión máx imo de un circuito ide alizado cl ase R en conrrafusc es de l
78,5%.
17·37 . Hallar la exp res ión de 1,1 disipación dc co lector de una etapa clase U en contratase e n funci ón de V m y Re
17·J8. Dem os trar que en un amp lificador e n contratase equilibrado quedan el im inados los armónicos de o rden par.
17·39. (a) Explicar el origen de la distors ión de cruc e.
(h) Describir un método pa ra minimi zar es ta di stor sión .
17·40 . (a) Definir la restsrenc¡a térmica a
(11) Esbozar una curva de redu cción de la d isipac ión de un amplificador de potenc ia.
(e) ¿Có mo esté relacionad o 8 co n la curva del apar tado (/l l'!
17· 41. (a ) ¡.Qué es un acumulador de calor?
(h) Explicar por qué debe empicarse un acum ulador de ca lor con un amp lificador de potencia.
17·42 , (a) Esboz ar la secc ión transversa l de un FET de po tencia.
(/¡) Explicar brevemen te CÓ11l0 se construye este dis positivo.
17·4]. Citar dos dife rencias impo rtante s en las características de sal ida de un VMOS y de un MOSrET de baja
p otencia.
17· 44. C uar se is ve ntajas de un \'M OS.
 Constantes y factores
de conversión

A·I . VALOR PROBABLE DE CONSTANTES FISICAS·

Sím-
Con st ante Valor
bolo

Carga de l electrón .
Masa del ele ctr ón . . . . . . . . . . • . . . . . . . . . ... . .
,
m
1,602 X 10-" e
9, 109 x 10-3 1 kg
Relaci6n ent re carga y masa del electrón . , 1m 1,7 59 X 10 1 1 e / kg
Masa del alOmo de peso ató mico unidad Ihipot énca] 1,660 X 10-2 '7 kg ( hipot ~ti
M a s ~ del pro tón . 1,673 X 10-21 kg ca)
Relación de masas det prot ón y del elect ró n .. 1,837 X 103
Constante de Planck . 6,626 X 10-3 4 J-seg
Co nsta nte de Bo ltzmann . . , . , . 1,381 X 10-23 JJOK
8,6 20 X 10-5 eV/o K
Constante de St efan-Boltz mann . S,670 X 10- 8 W/(m1. )(" K4 )
Num ero de Avogadro . 6,0 23 X 1023 molecrmo le
Con stante de lo s gases ,' ' .' . 8,3 14 J/(gr) (mo le)
Velocida d de la luz . e 2 ,998 X 101 m /seg
Constante de Farad ay . F 9,649 X I al Cnnole
Volumen por mol .. .... .. . ..• •• ••. .. . . . . .. V. 2.24 1 X 10-1. m 3
Aceleración de la graveda d .. . •. • .... . . . .. . .. g 9,807 m/seg2
Per meabilidad del espacio libre . 1.257 X 10-' " 1m
Permisividad del espacio libre .
""'. 8,849 X 10- 1 2 F/ m

• E. A. Mechtl y , "Sistema in tern acio nal de unidades : Con stan tes fís icas y facto res de
conversión " , Administr ación Naciona l de Aero náu tica y del Espacio , NASA SP-7012.
Wash ington , D. c., 1964 .
792 Microelectrónica moderna

A-2. FACTORES DE CONVERSION y PREFUOS

amp erio (A) = 1 C/aeg I lumen por

pie cuadrado = 1 Ct-eandela (fe)
anptrom (A) = 1(1"10 m mega (M) = X lO'
= ,(J"" J.lm 1 metro (m) = 39,37 pulgad as
atm6sfera de presl6n = 760 mmHg micra (P) = X 1(1"6
culombio (C) = 1 A-ae¡ 1 micr6n = 10"6 m
1 electr6n volt (eV) = 1,60 X 10"19 J = 1 ~m
1 fara d (F) = ¡ ctv mil = 10"3 in .
1 pie (fl) = 0,305 m = 25J.1m
t caloda gramo = 4,185 J mili. = 5,280 pies (ft)
glg. (G) = X 109 = 1,609 km
1 henry (H) = 1 V-aeS/A mili (m) = X 10"3
1 hertz (Hz) = 1 ciclo/sea nan o (n) = X 10"'
1 pulgada (in.) = 2,54 cm l newton (N ) = 1 kg_m(seg1
1 joule (J) = lO' era: pico (p) = X 10"1
= 1 W-e eg l libra (lb) = 453,6 gr
= 6,25 X 10 11 eV I testa (T) = 1 Wb/m 1
= 1 N-m 1 ton elada = 2000 libras
= 1 C·V 1 volt (V) = l W/A
kilo (k) = X 10 3 1 wat (W) = 1 l /se¡
1 kilogramo (ka) = 2,205 lb 1 weber(Wb) = I V-scg
1 kil6metro (km) = 0,622 millas 1 weber por metro
1 lumen = 0 ,0016 W cuad rad o
(a 0,55 pm) (Wb/m 1) = 10'- gauss
 Fabricantes
y especificaciones
de semiconductores

n-i. FABRICANTES DE DISPOSITI VOS ELECT RONICOS

Pueden conseguirse catálogos e información sobre aplicaciones. de las siguientes productora s de

semiconductores :

Adve nced Micro Devíces 90 I Th ompson PI.. Sunnyvale. (:A 94086

America n Mic ro system s Ine. 3800 Homestead Road, Santa Cla ra. CA. 9505 1
Burr-Brown Research Cor p. 6730 S. Tueson Blvd., Tucspn, Arizona 85734
Fair child Semiconducto r 464 Ellis SI.. MI. View, CA 94Q42
Ferranti Elect ri c E. Bethpage Rd., Plainview, N. Y. 11803
General Electr lc Co. Schenectady. N. Y. 13201
General Instrument Cor p. 600 Wesl John SI.. Hicksville, N. Y. 11802
Har ris Semicond uct or Box 833. Melboume. FL 3290 1
Hitachi America, Lid. 111 E. Wackner Dr.• Chicago. H, 60601
Im sai 14860 Wicks Blvd.• San Leandro. CA 94577
ln tel Car po 3065 Bowers Ave., Santa C lara, CA 9505 1
Int ersillnc. 10900 N. Tantau Ave.• Cupernno. CA 95014
lIT Se miconductors 74 Com merce Way, wobum, MA 0 1801
Mono lithic Memories, l nc. 1165 E. Argues Ave.• Sunnyvale. CA 94086
Mostek Corp. 12 15 W. Crosby Rd.. Carollton. Texas 75006
Motorola Se miconductor Produ cls Box 209 12, Phoenix, Ariz. 85036
Nat ional Sem icond uct or, l nc. 2900 Semiconductor Dr.• Santa C lara, CA 9505 1
Píessey Sernlcond uctors 1674 McGraw Ave., Santa Ana, CA 92705
Rayth eon Semicond uctor 350 Ellis St.. MI. View, CA 9404 2
RC A Solid Sta te Division Box 3200, Sornervllle, N. J. 08876
SGS!AT ES Semiconducto r Cor p. 796 Massasoít Street. w altham, MA 03 254
Signet ics Corp. 8 11 E. Argues Ave.• Sunnyvale. CA 94086
Silicon Genera l 73826 Bolsoo Ave.• w estminster. CA 92683
Siliconix, l nc. 2201 Lauretwood Road. Santa Cla ra. CA 95054
Stewart-w arner Microcircuits 730 E. Evelyn Ave.•Sunnyvale. CA 94086
Teledyn e Sem iconducto r I300Terra Bella Ave.• MI. Yiew . CA 94043
Texas Instrument s Semiconductor G ro up Box 50 12. Dalias, Texas 75222
Toshiba America 280 Park Ave.• New York. N. Y. 10017
Micro electronics C enter ORe Space Park, Redondo Beach. CA 90278
Unit rode Cor po ra lion 580 Pleasam St.. w atertown. MA 02 172
794 Microelectrónica moderna

B·2. ESPECIFICACIONES DEL DIODO DE SILICIO I N 4153

(Cortesía de Texas Instrurne nts, Inc.)

Diodos de conmutación rápida para calculadores y aplicación de uso genera l.

TABLA B2·1 Valores máximo! absolutos (a 25 0 C)

IN41.51 IN4 1S2 IN41 S3 IN4 154 Unld ld

v
Y/t.., Ten l ión inyeUI de pico
V/t..,(..kV klem, ídem de Irlbljo SO" 40
lO "'O 2S V
P Dillpuió n co nl ln ul de polencll
I 25 0 e (o menos)-
'00 mW

T... Tem pe,.lurl de I lmac e nl do - 6 5 I :100 ·C

T, Temp. I 1,5 mm del c uef po . durlnte 10 1eI. lOO ·C

• Dccaelin u lmente hllta 200 0 C a ruón de :1 ,85 mWj O C

TABLA 82-2 Canclerfslicas eléctricas (a 250 C wvo otra indicaci6n)

IN4 1S3
Parám cUo Cond icio nes de plI." ba Min M" Unid ld

V
Y(8R¡Ten sión Inyersa de r up hu a

Conien! e Inyersa eslátlca

' 11 - 5p. A

VII - nomina l Y1I..,(..kll

" 0.05 ,A
J.
YII .-nominal VII"'(wkll T,4 - Iso·e 'O ,A

V, Tensi6n dire cll esl ática l ,, -O. lmA 0.49 0.55 V

t, - 0.25 mA 0.53 0.59 V
l " - I mA 0 .59 0.67 V
lF " 2 mA 0 .62 0.70 V
' F " lOmA 0.70 0 .8 1 V
' F - 20 mA 0 .74 0.88 V

C, Capac id ad 10111 VII - O t» I MHz 2 pF

'. Tie mpo de re cupeu clón Inver50 l F - 10mA,II1.., - lOmA

Rol. - 100 n
• nseg.

t, - lOmA, VII - 6V 2 nsee·

RL -lOOn
 Fabricantes y especificaciones de semiconductores 795

B·3. ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR

DE UNION n-pon DE SILICIO 2N2222A
(Cortesía de Motcrola Inc.)

Transistor muy emp leado normalmente en la industria paTa ap licaciones tales como interruptor de
velocidad media y como amplificadora frecuencias desde audio a VHF. Complemen ta el transistor p·n·p
2N2907 A.

TABLA B3·1 Valor es mbimos .bsolutos-

Callc tu fsticl Sí mbolo Vs lol Uni ds d

Ten sl6n co lector-emiso r YCEO 40 V

T ensión co lecto r-bue
T ensión e mlsol -bue
Conl ente de ee teetee ( pe rms nente)
Ve.
V..
le
"
800
6.0
V
V
mA
D!siplcl6n I T,A = 2S o e Po o., W
- po. e nc ima d e 2 50 e 3.33 mW I" C
Dlsipad tm 10111T e = 2 50 e Po 1.8 W
_ po. enc ima de 25 0 e 12 mW rC
Tempera lw a de 11 un ión: Tj, T.. s 65 a + 200 ·c
- Trabajo y a lmatena mienlo

• Temp eral w u T,A = I mb lenfe. TC = cajs , TJ = un ió n.

TA8LA 83·2 Cancterf.tiCll8eléctricas (a 250 e salvo iDdicaei6n contruia)

c.r ac terfstiRs e n ece te , OFF Símbolo Mio Mu Unidad

Te nalón ru ptura co lecto r-em ilOr B YCEO 40 V

(/ C = 10 mA, IB =0)
Tensió n rup tun co lect o r-blle
(JC = 1 0 ~ IE =O)
Tensión ruptulI emisor·b u e
BYc• o

BYEIIO
"
60
V

V
UE =IOj.lA, I C =O)
Corriente de cojector en co rle I CEX 10 .A
( YCE= 60 V, YB E(OF F) = 3 V)
Corde nte de colect or en corte ICI O 10 ,A
(YCS = 60 V .IE =O, T,A = 150° e)
Corriente de emi8cK en co r te In o JO .A
( YEB =3V.IC =0)
Cordente de base e n co l1e 1" 20 .A
(YCS = 60 V, YEB(OFF) = 3 V)

CatllCfll &ticas en con du<:clÓn. ON

(v. .. F• . 3-1 3 p ara YCE(lI t) y YSE(u t) . y Fil. 3-14 para " FE )

796 Mtcroz íectrontca moderna

TABLA B3·3 Caracter ísticas eléctricas (Continuación)

Car ac te r ísticas d e pequ eila seilal Sí mbo lo Min M" Unidad

Prod. ganl n cia X an cho de band a 1, 300 MH,

u c " 20 m A, Y e E = 2 0 v.r e i oo MHz)
Capacidad d e salida C~ 8.0 pF
(VCB = 10 V, IE "" 0,1 = 100 k Hz)
Ca pacidad de en tr ad a e; 25 pF
( VEB = 0,5 V,le = 0 ,1 = l OO k Hz)
Impedancia de en t rad a hi~ k.
(/C = 1 mA , Y CE = 10 V , I = 1kHz) 2.0 8.0
(le = 10 mA, VCE = lO '1, 1 = 1kHz) 0.25 1.25
Relaci6n rea lime ntaci6n tensió n
(le = I mA, YCE= I OV ,I=I k Hz)
'.. 8.0
X 10 - 4

(le = JO m A, CeE = 10 V,/ = 1 k Hz) 4.0

Ga nanci a d e co rrie n te pequeña seilal
(lC =lm A, VCE =IOV, I = I kHz )
'l'
SO 300
(l c = lO mA , VCE = 10 V ,I= 1kHz) ts 375
Adm ita ncia de salid a
'. ,n-,
(l e= 1 mA, Y CE = 10 V, I = J kHz) '.0 as
(lC = I D mA, VCE= 10 V ,I= I kH zJ 25 200
Co ns tante t iemp o co lector-base r¡,C, ISO ps
(lE = 20 mA , VCE = 20 V , I = 31 ,8 HMz)
Ruido NF 4.0 dB
(lC = 100 "A YCE = IOV,
R S = Jkn. / = 1kHz)

C8racter laticas de c on m utac ión 5 1m bolo Min M" Unida d

Tiempo de retard o ( Vee - J O V, 10 ns

VBE(o>f) - 0.5 V "
le - 150mA,
Tie m po de s ub ida IBI - 15 mAl l. 25 ns

Tiempo de almacenam iento

cree " 30 V,
t, m ns
le - 150mA,
ISI - 15 mA
Tiempo de calda / S2 - 15 mA l '/ 60 ns

Cle , tiempo , regl6n activa (le '"' 150 mA, T, 2.5 ns

VCE = 30 V)
 Fabricantes y upedftcodones de semiconductores 797

8·4. ESPECIFICACIONES PARA EL TRANSISTOR DE SILICIO

DE UNION, DE EFECTO CAMPO , DE DEPLEXION y DE CANAL·N
2N4869 (Cortesía de Siliconix , Inc.)

Específicamente diseñado para aplicaciones en frecuencia audio o sub - audio, en las que el mido ha
de ser en absoluto mínimo.

TABLA 84-1 Valora mbimOl.bIolutol (25 0 e)

Ta nlli6n pu ert a-dtenaje o puerta fu anle- - 40 Y

Con' lenle de puerta o da d renaje 50 mA
DlaJpad6n to tal
(decae 1,1 mW¡O C) 300 mW
TempeDturl d e Ilm acen lje - 65 • + 200"C

• Deb ido a su r;eometr(a alm';trlca. puede trabajar con los

I ..minsles de fuente '1 de drenaje inler umbiado ..

TAlLA 14-2 euacterfsticu elfctrlCllll (. 250 aaJ.YO ot,. indiC8.ci6n)

E
eua eler Csliu Mio .... .....
' Coadkiones d e pnteM

- 0.2:5 nA
S JGU ColTienl e Inven a de puerla Vas- - 30Y.I/D S -0
T
-0.25 ,A 150·C
A
B VGSS Tell$iÓn d. rt.l pl ura puertl-fuanle
T
VGJ' (orr) Tens16n di cortl paaerla.fuenle
-40
-1.8 -, V
V
l a - - 1,.A. VDS - O
VD;S- 20V , ID - l ,A
I
e 1,,, COI"rientede . tur lleión de dren ljl 2.5 7.' mA VDS - 20 V, Vas-O
A

D Tran.conductlneilo directa
I
N
's;" en f ue nta com6 o-
Cond udl acla de ..lida
1,]00 4,000 IJO- 1 ¡-Iklú

A en f_te colll6n 10 ,.n-' VDS - 20 V, VGS - O f -IUh

M
I
e e;
C•• Clpae klad de lraasf-iaver..
e n fuente com6 n , pF t- 1 MHz
ClIpa cldad d e enl rada
A pF I » I MHz
e n fu ente común
"
- DlD"ac16n impu bo = 2 mser;.
798 Microelectrónica mo derna

8-S. ESPECIFICAC IONES DEL TRANSISTOR DE SILICIO

Ma S DE EFECTO CAMPO, DE ACUMULACION y CANAL-P 3NI63
(Cortesía de Silico nix, Ine.)

Normalmente. MOSFET de corte para conmutación analógica y digita l de amplificadores de uso

general.

TABLA BS-. Valores máximos absolutos (2 50 C)

Tensión drenaje·fuente o puerta·fuente - 40 V

Tensión transitoria pue rta-fuen te ± 150 V
Corriente de drenaje - 50 mA
Temperatura almace naje - 65 a +200 °C
Temperatura de ¡rabajo de la unión - 55 a + 150°C
Disipac ión tota l
(decae 3 mW10 C hasta 150 0 C)
Temp. a 1,5 mm del cuerp o, durante lO seg.

TABLA B5-2 Características elécerícas (25 0 C y V8S = O, salvo otra indicación)

Ceracterfeñca Min M" Un id Conoicionlls 0 0 pr ueba

-
E tcss Corriente de fuga puerta-cuerpo - 10 pA V" ,s - - 40 V. VpI - O.
S -25 pA 12S"C
T BVos s Tensión ruptura drenaje-fuente -" V lo - - IOp A ,V"s - O
A 8Vsos
Vo ,
Tensió n ruptura fue nte·drenaje
Tensión pue rta-f uente
-"
- ) - 65
V
V
" - - 10 ",A, V(;o - V' D - O
Vos - - 15 V, ID - - 0.5 mA
T Tensión umbra l p uerta-fuente - 2 -J V
V"s" " Vos - V"s , ID - -I O"A
1 Corrien te de corte de drenaje
lo ss - 200 pA Vos - -15 V ,V"s -0
e Is os Corriente de ca ri e d e fuente - 400 pA VSD - -lO V. Ven - O, Vo, - O
A Corriente de drenaje en condue. -J - JO mA Vos - '-1 5V ,V" s - - IOV
lo .." ,
'os,,,,,, Reeíst. drenaje -fuente en co nd ue 230 n ves - - l OV. I" . _ - IOO ",A

D TISnSconductancia directa
1 "" en fuente com ún 2,000 ' ,000 vU V¡;,< _ - 15 V. 1" - - lOmA.
N g" .. Conductancía de salida t » 1 k H7.
A en fuente común 250 vU
M C.., Capac en tra da en fu ente común 25 pF
1 C,,, Capac idad inversa de trans.
e en fue nte Comú n 0.7 pF Vos - - 15 V , l o- - l O mA ,
A C".. Cap. de salida en fuente común J pF F» 1 MHz

S -, Retardo tiempo de cierre 12 o,

o,
Voo - - 15V
w t, Tiempo de subida
1,,,, T iempo de corte "30 o,
le""", - - 10 mA
Rr; -R¡ - l.SkO
 Fabricantes)' especificaciones de semiconductores 799

B·6. ESPECIFICAC IO NES DE LA PUERTA NAND POS ITIVA

TTL SCHOTTKY DE BAJ A I'OT ENCI A (LS74I DO LS541O) CON
SALIDA EN TOTEM (Cortesía de Texas Instruments. lnc.)

Las demás familias TTL tienen características muy similares para las puertas NANDo los inversores,

T ABLA B6· ) Condiciones de Irabajo re com endadas

Parám elro Familia Mio Nom M.. Unid ad

Tens i6n d e alimenlació n

"" ' .S
4.75
S
S
S.S
$.25
V

CorrMnle d e u lida . niYel - <00

alto ' O H "" - <00 ,A

Corr ien te de salida. nivel

bajo ¡OL "" •
8
mA

- SS
Templl ra lur a a mb ien te
"" O
I2 S
70
'C

TARLA R6·2 Caraclerística s eléctr icas de ntro de la aama de te mper aturas ambiente
recom endad as (salvo olr a indicación )

"".'mel ro Condi cion es de pru eb a l Famil;'" Min Tip M.. Unid

' .. Tensión llntrada , a llo ni yeI ,

o,
v

'"
Te ns ión llntrada , bajo nivel I
"" 0.8
v

Tllnsión d e fijación de
" entr ad a '" .. m.n . I, .. - li mA ~ I .~ V

v, , _ ...' n, VII
v,," Tensi6n u lida, aUo niVlll
- Y" m..
"" ..,' .S "
..
V
1"" _ mu
, _ m,n. V", _ l V
" 021
Y", Te noon u lida , bajo nivel
, '",", - m.. "" o.n OS
V

Corr iente lln lrada con len-

" si6 n d e ~ n lra d a máKima '" • m", '"', - S, ~ V O., mA

',. Corrienle en lrad a. allo

nIvel
'"
_ mu . v HU
_ J,7 V
" ,A
Cor rMmle en tr ada. bajo
'" '. _ m.., Y " _ O.4 V - 0.16 mA

-.
nivel
1,,, ceme me d~ ulida e n co r- _ ",
to e treu ltc
'" " mu "" - S _" mA

I En las co nd iciones sei'ialadu co mo m( n;mu o m' ximas d ebe n emp lelJ1.C los yalores a prop iado s
específi cos en las co ndicion es dll ',a bajo re co mllod a du .
, Tod o s los valores 1¡picos so n cOn Vce = 5 V y T... = 15° C
;) No d ebe hab er más de una u Ud a en corlo cir cu ilo al mismo liem po.
800 Microelectrónica moderna

B·7. ESP ECIFICACIO NES DEL AMPLIFI CADOR OP ER ACIONAL

LM741 (Cortesía de National Semiconductor. Inc.)

Se trata de un AMP OP monolítico de grandes prestaciones en un amplio campo de aplicaciones

analógicas. Está protegido contra cono-ci rcuitos y no requiere elementos ex teriores para la co mpensació n
en frecuencias. El LM741 e es idéntico al LM74 I salvo que el primero tiene ga rantizado su funcionamiento
entre O y 70" en lugar de - 55 a + 125" C.

TABLA B7· ) Valores máximos absolu tos

Ten sión d e s limen tadó n , LM741 = 22 V

Idllm LM741 C = 18V
Disipación de poten d a ) 500mW
Ten sió n d e enllada d iferen cia l = 30 V
Tensió n d e en l rada 2 :!: 15 V
Salida en cor lo ~ i",: u ito dllr ac16n inde f in i<1l
Te mpe"' Ula el maceRlje - 65"C a 150"C
Temper al Ule termina l (so ldad u re, 10 seg) ""' C

I Le tempen t llre mh im a de la un ión ea de I SOO e e n el

LM741 y de 100 0 C en el LM7 4I C. Para trab ajar a . \1&11
temperaturas debe n reducirse lo. va lores para lo. eleme n tOll
en enc aps ulado To-S, b aSlÍndose en un a resiB te ncle t" mlca
de 1SOo CfW en tr e u nió n y caje.
2 Con tend on es do a limentación inferi or es a ± l S V, la ten -
dó n de en trada máx ima ebsol uta es JKual a la de etlme nte-
elón.

TABLA B7· 2 Carac:lerfsticas eléctricas.

LM141 LM141C Uni·

PalÍmet ro Cond icio nes M In Tlp M.. Min Ip M.. d. d

Ten sión offse t de enl rada TA - 25-C. R. < Hn n , ,¡," r. •~

lO
~
Corr ient e o fbet de entra da T.. - 25-C lO
Corrient e de po lariz . de en t. T" - 25-C 2., seo 200 oA
Resist encia de e n trada
Corrient e de alimen tació n
TA - 25' C
T" _ 25"C, Ya - :!: 15 V
0.3 ...., ae
0.2 1.0
1.1
Mn
2.8 roA
GlIllancla de ten! 16 n ;,gran señal T" _ 2S"C, Va _ :!:1 5V
Y o", - :!:IOV,R L ;> a en se rsc VjmV
Tensió n offaet d e entrada R, < 10 kO
soc
s. " '''' 7.5m V
Co..,ie nle off set de entrada
ColYient e de po lni z. de ent ,
Gan ancia d e len sl6n ; gran sella l Ya - :!:15V, Y"", - ~ IO V
'S "" oA
O., ,A

L ;> 2 kn ~/mV
Veria clón lemli6n de salida Ya- :!: 15 V.RL - lO kn
/l L - 2kO
"
:!: 12
:!: IO
:!: 14
:!: I)
"
:!: 12
:!: 10
:!: 14
:!: I)
Campo d e le n,i ó n d e enUad . Ys-~ IS V ~ 12 ~ 12
Relac ió n d e l ech u o
de mo do co mú n
Relaeió n d e rech u o
d e la alime ntación
R, e 10 kll

• < 10 kll
10

" .
se 10

" .
so B

• SI nO se Indica o tra cosa , estu espec ificaciones son aplicabl es par a Vs = :1 l S V. '1 - s sc C ~rÁ "
I2S o C. No o bs ta nte , para el LM74 1C loo sa las espee ifiuclo nu q ued an lim itad as a 0 0 C < r t;;;;
70 0 Cy VS= :1J S V.
 FabrlCQ.IIlu y especificaciones de semicbnductoru 801

B-S. ESPECIFI CACIONES PARA EL TRANSISTOR EN POTENCIA

N·P·N DE SILICIO 2N567I (Cortesía de RCA Solid Stale Division)

Este transistor puede admitir corrientes y potencias elevadas, y es de conmulaci6n rápida. Es

especialmenle adecuado para amplificadores de corunutación, puertas de potencia, reguladores de ccn-
mutación, circuitos de conmutación de potencia, convertidores, inversore s, circu itos de control. amplifi -
cadores de continua y osciladores de potencie.

TABU B8-1 Valores máxim Ol ablo lutoa

c..d.lIUc, slmbolo v... u.....

..
Ten ll6 n colecto r""'" Ye~ 120 V
Tenl loSn Kllt . colectOJ'..milor
Con base . biert. VCBO(. ... ) V
Con rnilt. IIller.
be_mborRSE ",son VCEJll-> 110 V
ODA r..... .Ilta.
'--miIor <; SOn )' YBE = - I ,S V VC....C-I 120 V
'T_ 16. elllllor-beM Ym 1 V
o . r .le de col ect o.- le lO A
Cc:wr.t e do bue 1, \0 A
0tI...d6. tnDJUtor coa PD 1<" W
le.,. aje 250 e)'
YCB ...... 24 V
Culpo de telllpent ...... - ........ ·C
802 Mlcroekctr6nlca modema

TABLA 88-1 euacterlatlcaa el6ctricu; temperalw a caja Te = 15 0 e

Condlclonel
Ten.16n
Tensi6n
co lectlK
cc (V)
....
emilor o

ee (V)
Corriente
con llnul
(A) 2N5611

'" 'ce 'u '" 'e M" M..

earacter CltICII S (lIlbol o 1, 1, Unid

lu o 80 O 10 mA
eorrHmte de corte de colector lu ~ 110 -I .~ Il mA
Corriente de corte de em oor 1" 0 7 O 10 mA
Ten.l6n de sostenimiento
co leclor-emlsor
Con base abierta "etoho'l 0.2 O se V
Con reabl. exter,
bue~milor RBR < son V" t " b". 0.2 O 110' V
Con unl6n ba_milor
polariAclI en InnrlO " " t .l' l ... . - 1.5 0.2 120' V
)'RBE <SO
Tellll6n d6 "tUf. bue~D1i1oc l.' V
Tea.ión baM-emirlor
Ten ll6~ de ..t uncl6n
V' t u...

'" s "" 12
l.' V

colectOf~milo r O.1~ V
Rel.cl6n transferencia
ce dlrectl
Y'''u...
',. , 2 "u
20
12
20
20
100

I'fo d.lln lncle X ba ndl /, 10 2 50 MH,

Caplclclld de saUclI (I MHa) C. 10 O 900 pF

Tiempo de conm utlcl6n ,- V" _

1" -
O., ,.
+
(nlardo , ubidll) lO V " 1" -
1.2

Conm ulacl6a
Uelllpo de llmaeenamiln lo
'. 'ce -
lOV "
1" '"
1" -
12
l., ...
l. , -
Conmullci6n
' Iiem po de uld. " """ -
lOV " l•• -
1.2
D.' p'

Ro.lltencll té rmica
(uni6n<aj.) ' ¡.e 40 D.' I.H ' C/W

• EIlOl valorell no deben ael DUldidolsobre un. curYII.

 Fabricantes y especificaciones de semiconductores 803

8 ·9 ESPECIFICACIONES DE LOS DISPOSITIVOS DE TRANSISTORES

DE USO GENERAL CA 3045 Y CA 3046 (Cortesía de RCA.l

Cinco transistores de uso general sobre un sustrato común: dos transistores conectados internamente
fonnando un pardiferencial. Adecuadospara una variedad de aplicaciones desde las de continua hasta las
de muy alta frecuencia. Los transistores pueden emplearse a manera de dispositivos discretos. Además
tienen la ventaja de los circuitos integrados en cuanto a su similitud eléctrica y térmica. Eléctricamente
considerados el CA3046 es idéntico al CA3045. pero se suministra en un encapsulado de plástico de dos
en línea para aplicaciones sobreun campo de temperaturas dado.

Tabla 8 9·1: Valores mhlmos absolutos a 25 ·C.

CAJ045 CAJ046

Cada Trans. Total Encap. Cada Trans. Total Encap. Unidad

Disipación de potencia
TA hasta 55 ·C. 300 750 mW
TA >55 ·C. Baja 6.67 mwr c
lOO mW
TA hasta 75 ·C.
TA >75 ·C.
'"
Baja S mWrc
Tensión emisor-colector VCEO
Tensión colector-base VC80 "
20 "
20
V
V
Tensión colectro-sustrato VOD* 2. 20 V
Tensl6ncoleecor_lIl1stnlto V • l l V
<ro
Temperatura
de trabajo -5S a + l2S -ss a+ 125 'C
de almacenaje -65a+1S0 -65 a+ 150 'C

Temperatura a 1.6 ± 0,8 mm del

cuerpo. 10 seg. max. + 265 +265 'C

t E! colector de cada uansisror eslfo aislado det SUSlrato por un diodo integral.
El sustralo (tuminal 13' dt M contclaru al pun fo nutsntgalivo dtl circuifO t JCltrior para manlenrr t i aislamit fflOenlU
f,QrU;slorts y ptrmilir ti fun cionamiento normal dt titos.
804 Microelectrónica moderna

T a bla 8 9.2 Care crer tsnces en c on l in ua a 2S~C .

Lfmues: CA3045
y CA3Q46
Cond telo nes
Ca racte rística 5 1mboJo de prue ba e spec iales M ín. T ípico Máx. Un id .d
T ensión ru ptura colector-base v... ~ ".. 1, ze v
Te nsión ru ptu ra colector-emisor v.•". " , 1,
K lCl " .... f, • o
l m"'. 1" . o ,."" V
Ten sión ruptura colector-s ustrato v.....,..
K

1, • 10 " .... f" , .. o "

zn so v
Ten sión rupt ura emisor-base v.••~ .., 1, . IO " .... /, .n , 7 v
Co rrien te de colector de co rte 1, .. . v.. . 10 V.f" . o O.OO!
Corriente de colector de cort e v,", • ro V. f• • o "
o., "'
Relación de trans ferencia de,
corrie nte di recta (beta estática)
1" "

h.. V.. _ ) V { 1,
/' __
" 1m'"
10 m'"
1" _ 10 " ...
. ,.""
100
"

Co rriente o ffse t de e ntrada de l par V.. . ) V .I, " 1 m'" 0.3 2

Q \ yQ2 "
v. , _ ) vII., • I m'" 0.715 V
Ten sión base -emisor v. c.soc
Tensión o ffsel de entrada de l par v",
l • • 10 m'"
.. ) V. 1, . 1 m'" 0,45 , V
mV
d iferenci al 1VBEI - VBu l
Ten sió n o ffse t de entrada de los v.. .. ) V. I,
· 1 m' 0.4S , mV
transistores a islados
Iv aEJ - VIlBol I. VBBol• VIIE'lI.
l v aa· VBEl l
Coe ficien te de temperatura de la
te nsión base-emisor.
o1V. "
sr
V". _ l V.I,
· , m' - 1.9 mV/'C

Tensión de saturació n co lector-emisor v,...

eoe ñcleme de tempe ratura lo1 V,,~
f. _ I m .... I,
v"., _ l V.I,
·· 10 m'"
, m'
0.23
1.1
V
,V/'C

Tensió n offset de entrada. sr

Ta bla 8 9·3. C a r a cte r tsücas d e pequeñ a se ña l a 2S' C ,

Límites CA 3045
Co ndic iones y CA3046
Caracte rística Sfmbo lo de prueba espe c iales Mfn. Tfpico Máx. Unida d
Ruido en haj a frecuencia Nf" f - 1 kHz. V,-. _ ) V . ).25 ee
Caree. c ircuito equiv. de baja /.. _ 100 " ...
frecuencia y pequeña se ñal: Resistencia de fuente
Relación comemc transistor • I kí!
direcla k.
Impedancia emrede en
cono-encune k. 110
lrnpcdanciu salida en 3.' kn
circuito abierto k.• t 1 kHz. V". _ l V. IS.6 ,U
Relación transferencia
»
/ .. _ I m'"
inversa de tensión k" 1.8 >< 1Cl - '
en círc.ubícrte
Camclcríslicas de admilallcia:
Admituncia de rransf. v. 31 + j l ,S
direcla v. L » I MHz. V.-. _ } V. O.l + j O.04
Admitencia de entrada 1.. K 1 m'"
Ao.Imilancia de salida. V.• 0.0001 +j O.QJ
Producto [:.mlilllcia-ancho
de banda t. V.. - l V. I.. _ l mA 300 ,JO "",
Capacidad e misor-base. e•• V.. - l V. l. _ O o., ,F
Capacidad co lec tor-base. e.. V_ KlV ,I" . O e.se ,F
Capaci dad co lec tor-sustrato. c., V/ " - l V. 1r _ o 2.' ,F
 Resumen de teoría
de circuitos

A lo largo deltexto hemos empleado elementos pasivos lineales tales como resistencias.condensadores
e induc tanclas combinadas con fue ntes de tensión y de corrie nte así como dispositi vos de estado sólido
para form ar difere ntes c ircuitos, Los teoremas que se e xponen e n este apéndice son frecuentem ente
utilizados en el análisis de tales circuitos electrónicos.

CoI. REDES RESISTIVAS

Fuent es de tensión y de cor riente

En es ta sección vamos a pasar revista a algunos conce ptos y teo remas básicos relacionados co n las
redes resistivas co nteniendo fuentes de tensión y de corriente. En la Fig. C· I se se ñalan los símbolos y
direcciones de referencia de fuentes independientes de tensión y de corriente. Una fu ente de tensión ideal
se define como un gene rador cuya tensión de salida " = 1', es inde pendiente de la corri ente por él
suministrada. La tensión de sa lida es normalmente una tensión continua o una (unción del tiempo . co mo
por eje mplo 1', = V. ces f.l)f. Análogamente una fue nte ideal de corriente suministra una corrie nte i = ¡,
independientemente de la tensión existe nte entre sus dos te rminales. La polaridad de refere ncia para la
fuente de tensión ". significa que I culombio (e) de carga positiva pasando del lenninal negativo al pos itivo
a través de la fuente. adquie re una energfa de ¡',julios. De igual forma. la flecha de referencia en la fuente de
corriente i. indica que a trav és de la misma circulan en la dirección indicada, i, por segundo, de ca rga e
positiva. En cualquier fuente real, sea de ten sión o de corriente siempre hay una cierta e nergí a que se
convierte en calor en un proceso de conversión irrever sible . Esta pérdida de e ne rg ía puede re presentarse
por In pérdida en una resistencia R, en serie o en paralelo como la representada e n la Fig. I·C' Y l ·d. Una
fuente dl'fJC'lIdif'1IfC' o gobe rnada es aquella cuya tensi ón o corriente es funci ón de la te nsión o co rriente

-, -,
,r:rr:~ ).T
L... "LL "tt '" Id 'J )

fi¡:lI'" C· I. FuenlO< de Ien..ión y de c;orrimll!': tul y (h l ide.. Ie~; (el YIdI prk1icu . E1 loimbolode un ~nrador idal di!' 1l!'lI3oión o
un c1n:ulocon 10>0 ..i~...,. + y '. y e l di!' un genl!'rMlor ideal de corriente es una fkchaen el inlerior dl!' un d n;:ulo. u rni..tencia de
flH;'nle!rll!' rle'li,.nól R. dibuj ada ya!rll!'a en "l!'ril!' l;'Orl una fuenle di!' len.<i iófl v. o en paraldo l;'Orl una fllC'll le de corric:nle i."
806 Microelectrónica moderna

'.
I '.

(.) lb)

Figura C _Z. (o) Un modelo de transistor bipolar conüene una fuente de corriente g.,. yK gobe rnada por tensión. (h) El circuito
equivalente de un Amp-Opcontiene una fuente de tensión A. vigobernada por tensión.

existente en otro punto del circuito. Por ejemplo, la Fig. e -2a repre senta el modelo de circuito de pequeña
señal de un transistor a baja frecuencia. En la salida hay un generad or de corriente dependiente CMv"' cuya
corriente es proporcional a la tensión v" siendo Cn> el factor de prop orcionalidad.
airo elemento estudiado en este libro ha sido el Amp -Op, siendo la Fig. C-2b su modelo equivalente
de pequeña señal y baja frecuencia. Obsérvese que en la salida existe una fuente dependiente de tensión
A. Vi gobernada por la ten sión de entrada ~. y el factor de proporcionalidad A..

Resistencia
La ley de Ohm establece que la tensión Ventre extremos de un conductores proporcional a la intensidad
I que circula por él. El factor de prop orcion alidad VII se denomina resistencia y se expresa en ohmios
(abreviadamente n ) si V lo está en voltios e I en amperios

V = IR (C-l)

En muchos circuitos electrónicos conviene expresar lasresistenci as en kiloohmios (ill). La Ec. (C· l)
continúa siendo válida si I se exp resa en miliamperios (mA) y Ven voltios (V) . Si el conductor no obedece
la Be. (C-I) se dice que es una resistencia no lineal (o no óhmi ca).
Para hallar la resistencia R vista desde dos puntos de una red, se conside ra aplicada entre esos dos
puntos una fuente exterior de tensión V, y se determin a la corriente I suministrada por dicha fuente. La
resistencia efectiva será R = VII, supuesto que en este proceso cada fuente independiente del circuito ha
sido sustituida por su resistencia interna R,: una fuente de tensión ideal por un cortoc ircuito y una de
corriente, también ideal, por un circu ito abierto (Fig. C- I). No obstante , deben mantenerse en el circ uito
toda s los f uemes dependientes.
Las dos leyes básicas que permiten el análisis de redes (lineales o no lineale s) son las de Kirchhoff;
una de corrientes y otra de tensiones.

Ley de KirchholT de las corrientes

En cualquier instante . la suma de todas las corrientes que concurren en UII nudo es cero. Entenderemos
por nudo un punto al que concurren dos o más componentes del circuito, tales como los punto s l y 2 de
la Fig. e-3a. Normalmente, al aplicar esta ley las corrie ntes que llegan al nudo se toman como negat ivas,
y las que parten de él como positivas: también podría emplearse la convenció n contraria siempre que se
aplicase por igual a todos los nudos de la red. La dirección de referen cia positiva de la corriente en una
resistencia , puede elegirse arbitrariamente, pero en el bien entendido que si en el cálc ulo, dicha corriente
resulta negat iva el verdadero sentido será contrario al supue sto en principi o. E l principio físico en que se
 Resumen dt teona dt circuitos 807

I "
R, R,

"
•
~ I
R, '
,+
Ir
----J J:
~I
'"
F1&un C · .J.(o) U,.. caq:a ~ es! paralekJdc una fuenle de IensiOO de resislend a inlerior R•. (b) El mismo circuilo dibuj ado en
discinll forma . El pequel\o circu ioen el nudo I indica que eeee ese nudo y el 2 que se loma como referenc ia exisle un wm inisU"o
de palencia \l •• Como normalm enle un lennina¡ del s enerador se cooecta alchasi s melj lico sobr'e elque esIj ubicado, a este le nn inal
se le llama d~ ,j~I·I·Q . El if mbolo norm aliudo para indicar la lierra es el que se ve j unIo al nudo 2.

funda esta leyes el de la conservación de las cargas. ya que de no cumplirse supondría que alguna carga
se «pierde» o se «crea» en el nudo.

Ley de KlrchholT de las le nslones

La SImIa d~ las ca ldas de tensión o lo largo de una molla d~be ser nula en cualquier instante, A un
circuito cerrado se le denomina lazo o molla . La caída de tensión Vu entre dos nudos I y 2 de un circuito
(potencial del punto I respecto al del punte 2) se define como la energíaenjulios (J) eliminada del circuito
cuando una carga positivo qde I C pasa del punto lal Z. Por ejemplo. una caída de tensión de + 5 V entre
los tenninales t y 2 de una resistencia. quiere decir que se elimina del circuito. dlsip éndcse en forma de
calor una energía de 5 J cuando una carga positiva de 1 C pasa de 1 a 2. Si la tensión es de -5V. el punto
2 estaré a tensión más elevada que el l (V U = ·5 representa un aumento de tensión) y una carga positiva
de IC que pase de I a 2 ganará una energía de 5 J. Esto. naturalmente. no es posible si entre 1 y 2 hay
conectada única:nente una resistencia. pero sí lo será si se conecta al punto I el terminal negativo de una
batería. y al 2 eltenninal positivo.
Es evidente que las leyes de Kirchhoff son consecuencia de la ley de la conservación de la energía.
Para escribir las ecuaciones de Kirchhoff debemos recorrer completamente una malla. sumar todas las
caídas de tensión e igualar la suma a cero. Recuérdense las dos reglas siguientes:
(1) En uno resistencia hoy una corda positiva en ti sentido de la corriente y (2) En una bater ía (o
fu~nte de continua ) hay una calda positiva en el sentido del terminal positivo al negativo . inde-
pendientemente d~1 sentido de la co rriente ,
En los siguientes ejemplos se evidencianestas dos leyes fundamentales. Consideremos en primer lugar
la situación creada cuando se conecta una resistencia L directamente a los terminales de una fuente de
tensión real (no idealizada) (Fig. e-le). Este componente añadido se denomina resistencia de carea o
simplemente carga, Con ello se forma un malla única (Fig. C·3) de la que deseamos hallar la tensión a
través de Rl ,
La corriente i a lo largo de la malla circula por R. y Rl • Recorriendo este lazo en el sentido opuesto de
la rorriente partiendodel nudo 2, sumandoentre sí todas las caídas de tensión e igualando esta suma a cero
(tal como exige la ley de Kírchhoff) tendremos
- o. + iR. + iRL - O
0,
o y (C-2)
808 Microelectrónica moderna

Obsérvese que en circuito a bierto (RL -e <>O ) \' = 1', . resultado evidentemente co rrecto, ya que por un
=
circuito abierto no puede circular ninguna corrien te e i O. iR. = O y \' JI, tensión en circuito abierto. = =
Observ emos tamb ién que en cortocirc uito (RL = O, una conexión ide al de resis tencia nula) la tensión de
salida será \' = O. En este caso la intensidad es máxima (respec to a las variacio nes de RL ) e i = I',IR, =
co rriente de cortocircuito. La tensión 1', puede ser función de l tiempo . y en ese caso también 10 se rá JI.
Otra forma equivalente de representar el circuito de la Fig. e -3a puede ser el de la Fig. C-3h. En el
epígrafe de la figura se indica el significado de los símbolos en los nudos I y 2. Esta configuració n se
conoce con el nom bre de divisor de tensió n, Obsérvese que para cualquier valor finito de R L • v es menor
que 1'" y

E.. = (C-3)
v,

EjemploC-I

(a) Hallar las corrientes 11. 11 e 11en el circuito de la Fig. C-4

(h ) Hallar la caída de tensión Vl~'

Sotuct án

(a) To memos arbitrariamente como sentido positivo de las corr ientes el señalado en la figura.
Debemos sumar las caídas de tensión en cada lazo recorriéndolo en el sentido arbitrario de las flechas del
lazo. Obsérvese que la corriente en RI es 11 y la de R1 es I l • mien tras que la de R.l es la suma de I 1 e I r
Aplicando la ley de Kirchhoff se tienen las siguientes ecuaciones
Malla I VI2 + V :¡4 + V 4 1 = O (C-4)
Malla 2 V 32 + V 24 + V43 = O (C-S)

siendo las caídas de tensión las siguiente s 1

V I2 = / ¡R ¡ = / 1 V24 = - 13R 3 = - 2/ 3
VJ2 = I :¡R 2 = 9/2 V 43 = 14 ,

1' )1 + -" , -" J

- 14 V
- , , R , " 9 kU
- I kU 1 H"
"
I4V
HU

4
4

lo) lb)
Figura C·4. (al Red resistiva de dos lazos. (h ) La misma red con las tensiones (respecto a tierra ) de los nudos I y 3. pero habiendo
suprimido el símbo lo de la baler ía

I Po nie ndo R en kU e l en OlA.e liene ( 1 Hl. 1 OlA =' 1 V)

 Resumen de /eorla de circuitos 809

Sustituyendo valores en las Bes. (C-4) y (C-S)

11 -2/,,-6 =0
911 - 21" + ]4=0

ycomo sólotenemosdosecuaciones para las tres incógnitas deberemos recurrir a la ecuaciónde Kirchhoff
de las corrientes:
/1+/2+ /)=Oobien/l = - (/1+ /2)
Sustituyendo este valor de /3 en las ecuaciones para /1 e /2 y resolviendo el sistema llegaremos a
31,+211 =6
211 + lIl1 = - 14
Yresolviendo este sistema llegaremos finalmente a:

11 = 3,242 11 = - 1,862 Y 13 = - 1,379 mA

(b) La caída de tensión V24 es
V~ =- llR ] = 1,379 x 2 = 2,758 V.
La calda de tensión entre dos nudos de IIl1a red es independiente del itine rario seguido entre uno y
otro. Por ejemplo, puede determinarse V24 pasando de2 a 1 ya 4 sumando las caídas a lo largo de este
recorrido, es decir <,

V24 = - l IR, +6= - 3.242 + 6 = 2.758 V

que coincide con el valor hallado pasando directamente de 2 a 4 por Rl .

•
R, R, I

•
- '
•
-,
j" 1" 1" ",¡ ]

v~ R, V
R, R, R, V R,
2
R, 1"
2 2 2
(, ] lb ) (,)

Figura e-s. (a) Resistenciasen serie. (b) Resistenciasen paralelo. (e) Divisorde corriente.

Pararesolvereste ejemplo hemoselegido las dos mallas 1 y 2 pero en el circuito existe una terceraque
es la exterior 4-1-2-3-4. No obstante, esta tercera malla no es independientede las otras dos. Una malla
será independiente si su ecuación de Kirchhoffde las tensiones comprende por lo menos ulla tensi ón que
nofigure en las demás ecuaciones . El númerode ecuaciones independientes es igual al número de mallas
también independientes.
Sedenomina unión a un punto al que concurrantres o más elementos del circuito. De los cuatro nudos
de la Fig. C-4 son uniones los 2 y 4. El número de ecuaciones de Kirchhoff de las corrientes es igual al
nlÍmero de uniones mellas IlIIa. Por tanto, para resolver el problema anterior sólo se necesita una de estas
ecuaciones.
810 Microelectránica moderna

Combinación de resistencias en serie y en paralelo

El circuito de la Fig. C-Sa consta de tres resistencias en serie, lo que quiere decir que la misma
intensidad circula por cada una de ellas. Según la ley de Kirchhoff de las tensiones

La resistencia equivalente R entre I y 2 es por definición

V
R := 1 = R 1 + R2 + RJ (C-6J

Para hallar fa resistencia total R de /In circuito en serie. hasta sI/mar entre sí los valores de fas
resistencias individuales.
Unas resistencias estarán en paralelo cuando la misma tensión se aplica a cada una de ellas. Por tanto,
las tres resistencias de la Fig. C-S están en paralelo

recibiendo G sa [IR el nombre de conauctancía. siendo sus dimensiones A/V o sea la inversa de la
resistencia (ohmio) denominándose mho (u ohmio- 1)simbolizándoseO. Aplicando la ley de las corrientes
a la Fig. C-Sh se obtiene

La conducrancia equivalente entre 1 y 2 es por definición

1
G := V = G, + G2 + GJ (C-7)

Para hallar la canductancia lo/al en /1/1 circuito en paralelo deben sumarse tos conductancias
individuales. La Ec. (C-?) equivale a:

1- ~ .L + _, + _, (C-8)
R R, R2 RJ
Naturalmente , el número de resistencias en serie o en paralelo de los circuitos de la Fig. C-S no esté
limitado a tres: puede ser cualquier número de dos en adelante. En el caso particular de dos resistencias.
la Ec. (C-R¡ se reduce a
R1R 2
R ~ R,IIR, ~ (C-9)
R1+ R2
en donde el signo 11 debe leerse «en paralelo con ». De esta ecuación se deduce que dos resistencias en
paralelo tienen una resistencia efectiva menor que cada una de ellas.
Así como un circuito en serie da unaatenuación de tensión [(Fig . C- 3h) YEc.(C-3) J un circuito en paralelo
la dará de corriente. En la Fig. C-Se la intensidad / 1en R I (o la / 2 en R2 ) es menor que la que entra en el
nudo l. Por tanto aplicando la Ec. (C-9) tendremos

(C-IO)

o
 Resumen de teotta de circuitos 811

Obsérvese que si R. =0. / . =/. Intuitivamente se veque esto es correcto pues toda la corriente circulará
por el cortocircuito. Por otra parte, si R. tiende a infinito /. tenderá a cero, lo que también es cierto ya que
por un circuito abierto no puede circular corriente.

C-2. TEOREMAS SOBRE CIRCUITOS

Independientemente de la mayor o menor complejidad, siempre se pueden calcular las intensidades y

tensiones en una red mediante la aplicaci6n sistemática de las"leyes de Kirchhoff. Sin embargo, muchas
veces se puede simplificar el análisisempleando uno o más de los teoremas que veremos en esta secci6n.

Teorema de superposición
La respuesto de una red lineal que contenga varias fu entes independientes puede hallarse conside-
rando separadamente cada generador y sumando luego las respuestas individua/es. Al calcular la
respuesta debida a una detenninada fuente deben sustituirse todas las demás fuentes independientes por
sus respectivas resistencias internas es decir. haciendo v, =Opara una fuente de tensi6n, e i. =Opara una
de corriente.

Hallar las intensidades / I'/} e /) del circuito de la Fig. C-4 aplicando el teorema de superposici6n.

So/uci6n

Consideremos en primer lugar las intensidades l' 1. 1'2 e l' ) debidas a la fuente de 6 V. Deben
cortocircuirerse los nudos 3 y 4 para eliminar la respuesta debida a la fuente de - 14 V. Bsraconexién sitúa
R} y RJ en paralelo. como indica la Fig. C-6a. Esta combinación en paralelo tiene, según la Ec. (C -9) una
resistencia:
9X2
~ - - = 1.636 kU
9+ 2
La resistencia. vista desde la fuentede 6 V. será igual a la suma de Rl más el valor anterior. y por tanto
, _ 6
1I = 2.276 mA
1 - 1 + 1.636
Ypor la Ec. (C- IO) de la atenuación de corriente

"_I'-'"R.;,',... - 2.276 X 2
¡; = -t = - 0.414 mA
R2 + R 3 9 +2
y análogamente
- 2.276 X 9
= - 1.862 mA
2+ 9
812 Microelectr ónica moderna

Seg uida mente hal laremos las corr ientes 1' ;./'; e / ", debida s a la fuente de - 14 V. Para eliminar los
efectos de la fuente de ó V uniremos los nudos 1 y 4 como en la Fig. C-ób. Procediendo como ante s
tendremos
- 14
/~' = = - 1.448 mA
9 + (1 X 2)/3
/;: = + 1.448 X 1
= 0.96 55 mA
13 = + 1.448 X I = 0.4 826mA
La corr iente neta será la suma algebraica de las corrientes de bidas a ambas excitaciones o sea

/1 = /¡ + I¡' =2.276 + 0.96 6 = 3.242 roA

h =~ +J;' = - 0.41 4 -1.448 = - 1.862 roA
/ 3 = 13 + 1; = - 1.862 + 0.483 = - 1.379 roA
valores iguales a los obten idos en la parte a del ejem plo C- I. Obsérvese que en este caso partic ular, el
análisis mediante las leyes de Kirchhoff es más simple que emplea ndo la superposic ión.

Teore ma de T hevenin
Cua lquier red lineal puede sustituirse, respec to a 1111 par de terminales , p or 1111 generador de tensión
Vrb (igual a la tensión ell circuito abierto¡ ell serie cml fa resistenc ia R r h vista desde esos terminales.
Para determinar •R 11. deben cortocircuitarse todas las fuentes de tens ión independientes y abrirse el
circuito de todas las de corr iente también independientes. Este teorema se emplea frecuentemente para
reducir el n úmero de mallas de una red. Por eje mplo. el ci rcuito con dos mallas de la Fig. C-4 puede

6V
1
-1

R ,=
,
nn
,
tI, tI, r;! d
2 -r:,
9kn
3
- 14 V

R _ 2 R , -9kl1 1 kn 2kn
J - kn

, 3 •
~
le
<b,
'"
e
Fig u ra C -6. Superposición aplicada a la red de la Hg. ·4. Circuito desd e elq ue se calcula la res puesta deb ida a: (a) el sumímsrro
de ó V. y ( h ) el sllmillistm dc · 14 V.

reducirse a una malla única susti tuyendo los compone ntes de la izquierda de los termi nales 2 y 4 (inclui da
R 1 ) por su eq uivalente de Theven ¡n. En la Fig. C-7a se ha reprodu cido el ci rcuito de la Fig. C-4 . Los
componentes de la zona sombreada son los de la derecha de los nudos 2 y 4 Yse conse rvan inalterados en
la Fig. C-7/¡. Los dermi s elementos no ap:uecen ya en d icha figura , habiendo sido sustituidos por V r lo ' R......
Elteorema de Thevcnin establece que 1, Y 11, calc ulados para este circuito red ucido son idént icos a los
valores correspondientes de la Fig. C-4.
. .'
La tensi ón 1111• en circu ito abierto se halla desco nectando los componentes en la zona sombreada de la
Fig : C-7a . Scgün ta Ec. (C. 2) de atenuación de tensión

6x 2
VT h = T+2 = 4V
 Resumen de teoría de circuitos 813

'6V

1 en

..!>- ~ 2

- '1 -
2

l,
OkO
- ,
R Th
,
-
l,
1,1 2kO 14 V
•
V Th V.
j"
4 4

El equivalente de Thevenin se halla -

mirando en esta direc ción
(o) (b)

Fig ura C·7. Reproducción del circuito de la Fig. C-4. (h) aplicación del teorema de Thevenin al circuhode (a) mirando a la iz-
quierda de los nudos 2 y 4.

Para hallar la resistencia vista a la izquierda de 2 y 4, se supone reducida a cero la fuen te de 6 V. lo

que equivale a conectar a tierra el extremo de la resistencia de l kil, con lo que dicha resistencia queda
en para lelo con la de 2 ka. y
Ix 2
Rn = 1 +2 = Q.667 kn

Del circuito equiva lente de la Fig. C-7b tendremos

- (14 + V",) - 18
/2 = 9 + RT/. = 9.667 = - 1.862 roA

Y V24 = - 9/ 2 - 14 = 9 X 1.862 - 14 = 2.758 V

Estos dos valores están de acuerdo con los hallados en la Seco C- 1. Las intensidades J, e 11, no aparecen
en la Fig. C- 7b debiéndose hallar por la Fig. C-7a, es decir
- V 24 - 2 = _ 1.379 roA
l' ~ -2--
i75S
6 - V 24
l, - I ~ 6 - 1.758 ~ 3.242 mA
iguales a las halladas anteriormente.

Teorema de Norton
Cualquier red lineal puede sustituirse, respecto a un par de le/minales , por U/1 generador de corriente
(igual a la corriente de cortocircuito¡ en paralelo con la resisten cia vista desde esos terminales.
De los teore mas de Thévenin y de Norton de deduce que una fuente de tensión V en serie con una
resistencia R es equivalente a una fuente de corriente 1en paralelo conR, s iemprequel = V/R. En las Figs.
.
C-le y C- Id se representan estos circuitos equivalentes con v :::: V, R, =R e i, :::: V IR, = l .
8 14 Microelectrónica moderna

Como corolario de los teoremas de Thévenin y de Norton tenemos las siguientes relaciones. Si V
representa la tensi án ell circuito abierto, I la intensidad en cortocircuito y R (G ) la resistencia (conduc-
rancia) entre dos terminales en una red, tendremos

V ... IR "" L J ~ -V ~ GV R - -J
V
(C- I I)
G R
No podemos pasar por allO estas ecuaciones (recordatorio de la ley de Ohm) a pesar de su gran
simplicidad, porque realmente son muy empleadas en los análisis. Por eje mp lo. la primera ecuación que
establece que «la lensión en circuito abierto es igua l a la corriente de co rtocircuito dividida por la
conductancia» es normalmente el camino más sencillo para hallar la tensión entre dos puntos de una red .

Análisis por el método noda l

Cuando el número de tensiones en uniones (respecto al nudo de referencia, o tierra) es menor que el
número de mallas independientes, la elección como incógn itas de las ten siones nod ales co nduce a una
solución más simple que la de considerar incógnitas las intensidades de malla. Por ejemplo, el ci rcuito de
la Fig. C-4 tiene dos mallas independientes. pero sólo una ten sión de nudo independiente. En función de
la tensión independiente desconocida V14. las intensidades son:

l - = - 14 - V~.
" 9 / J = --"- ,
- V'4 (C- 12)

Según la ley de Kirchhoff, la suma de estas tres corrientes (que concurren en el nudo 2) debe ser igual
a cero, y por tanto

V¡4(t + j + II =f - Y = 4.444 mA

y V24 =4,444/ 1,6 11 = I/G = 2.759 V.

El proceso formal para plantear las ecuaciones nodales es aj ustándose a los siguientes pasos:

I Convertir todas las fuentes de tensión en serie con resistencias, en fuentes de corriente en paralelo
con conductancías. como se indica en la Ec. (C- I I), y se replantea el circuito.
2 Elegir un nudo de referencia O e identificar las tensiones variables V..' V/l, .. N como las caídas de .v
tensión desde los nudosA, B .... N al O. La elección de la referencia es arb itraria, bas éndoce frecuentemente
en la mejor conveniencia.
3 Escribir las ecuaciones de Kirchhoff de las corrientes en los nudos A, B....N en funció n de las
variables de tensión en los nudos. En circuitos que cont engan fuentes indepe nd ientes, el sistema de
ecuaciones resultante será de la forma
Ac G""V. - G... ,.\',. - - G ....... V,..'
"
B.. - G 4 It V... + G"I<V" - (j1t...,V... ~

'.
N .. - G~ ... .v.. - (j ,.NV,. - + (i" . . V" l.
 Resumen de teoría de circuitos 815

siendo G )) = suma de todas las conductanclas conectadas al nudo J

= suma de todas las conductancias conec tadas entre los nudo s J y K ,
G /K
1) = suma de todas las fuente s de corri ente entrantes en el nudo J
4 Resolver las ecuaciones para las tensiones de nudo deseadas. Otras tensiones y corrientes de l circuito
se determinan ap licando la ley de Kirchhoff de los tensio nes y la le y de Ohm.
Si el circuito contiene fuentes gobernada s, las variables de con trol (I'Ky v, de las figuras C-2a y C-2h
respectivamente) deben expre sarse en función de las variables de tensión de los nudo s antes de la solución.
(Es decir . ", y 1', deben expresarse en función de V~ . V/l ....V,...) La forma de las ec uacio nes en el te rcer paso
es como se indica. except o GK) "#G)K'

Aná lisis de mallas

El método de análisis de las mallas es aná logo al empleado con las tensiones de los nudos, salvo que
las ec uaciones se formulan en función de las corrientes como variable s. Se supone que una corri ent e de
malla señalada por I y 2 en la Fig. C-4a está presente en cada uno de los eleme ntos de l lazo . Por tanto , la
corriente en cada rama (componente) es la suma algebraica de las com entes que existan en ella. Por eje mplo
si en la Fig. C-4a, I~ es la corr iente en la malla I e 1/1 es la de la malla 2. la le y de Kirchhoff nos da, para
estos lazos
- n +- l ., . 1 t 11" +- / u) . '2 n
14 +- <jIu +- U" +- /,,) • 2 ()
o
.V , +- 2/ n
"
2/. , + 111" 14

Resolvi endo estas ec uac iones tendremos fina lment e: lA= 1, = 3,242 mA e In = 12 = 1,862 mA. La
corriente 1, en Rl es - (1" + 1,) = - 1,379 mA. Evidentemente estos valores so n los mism os que los hallados
en el ejemplo C-l .
El proceso formal para plante ar las ecuaciones de malla es ajustá ndo se a los siguie ntes pasos :

Convertir cada fuente de corriente con conducta ncia e n parale lo, e n una fuente de ten sión con
resistencia en serie, dibujando nuevamente el ci rcuito.
2 Elegi r una corriente de malla variable para cada lazo.
.1 Escribir las ec uacio nes de Kirchho ff de cada lazo en la dire cció n de la corriente para cada uno de
ellos .
En circuito s que contengan fuentes independie ntes. el sistema resu ltante se rá de la for ma
J.•

2,

N,
siendo
R )) = suma de todas las res istencias contenidas en la malla J.
R )K= suma de todas las resistencias comunes a amba s mallas (J y K)
V, = suma de todos 10.\ aument os de tensión en e l lazo. tomados e n el sentido de I }
816 Microeieclronica moderna

4 Resolver las ecuaciones para la intensidad deseada. Las demás tensiones y corrientes se pueden
hallar mediante las leyes de Ohm y de Kirchho ff de las corrientes.
En circuitos que contengan fuentes gobernadas. la variable de contro l se expresa en función de las
comentes de malla JI' JJ.... JN• En estos casos la forma de las ec uaciones de l Jer. paso son las indicadas
salvo RIJ#lJr

ca ESTADO SENOIDAL EN RÉGIMEN PERMANENTE

Si se aplica a una red lineal una exci tación senoidal (de tensión o de corriente) la respuesta (tensión
e ntre dos nudos. oconiente en una rama de la red) será también senoida l. (Se supone que han desaparecido
todos los transito rios. habiéndose establecido ya e l régimen pennanente.) Vamos a co mprobar esta
afinnación en la combinación en paralelo de la resistencia R y el conde nsador e de la Fig. e-8 a la que se
aplica una tensión senoidal
v - V.... cos wt = V", cos 2'11Jt (C- 13)

=
en donde f es lafrecuenciaen hertz (Hz) de la fuente. ro 2ft! es lafrecuencia angulary V", es el valor
máximo o de pico de la tensión. Vamos a demostrar que la corrie nte ; del generador es también de fonna
senoida!.
e
Un condensador es un componente (po r eje mplo. dos metales separados por un die léctrico) que
almacena una carga q (culombios) proporcional a la tensión v aplicada (voltios) de fo rma que

q - Ce (C- 14)

e
en donde el factor de proporc ionalidad se denom ina capacidad. Las dimensiones de son cu lom-e
bios/voltios. lo que recibe el nombre de faradio (F). La intensidad ;c en el condensador es por tanto

le - dq -
dt
e do
dI
(C-15)
o emp leando la Ec. (C-13)
ic - - wCV",sen wI (C-16)
La co rriente i. en la res istencia es. segú n la ley de Ohm
• v V",
'it'" R = R ces wt (C- l?)
y según la ley de Kirchhoff de las co rrientes ; =ilf + ie• o sea
i -
v.
R cos wt - wCV," sen (,)t (C- 18)

- i

+
• R e
 Resume" de teor ía de. circuitos 817

le --- - ---
w CV

u
e
o -
• I V
K •
R

r,,)

.
lb'
n¡;:ura C· 9. (a) Rep resentació n de la corriente como Iasor de magnitud I y fase O. lb) Suma de nsore s representando 1 = I t i .
'
que tiene la forma
i = l ", cos 9 cos wt - 1",sen8senwt (C- 19)

V.
siendo 1", cos O = R y (C-20)

Sabe mos por Irigonometría que

cos( O + 0:) = COS O CQS o: - sen 8 sen Ct (C-2 1)

con laque la Ec. (C-19) , siendo n a <01 equivale a
i = 1", COS(W I + O) (C-22)

Con lo que queda demostrado que la intensidad del generador es verdaderamente senoidal. El pico de
intensidad. o intensidad máxima es l. estando i defasada un ángulo 9 respecto a Id tensión de la fuen te V..
cos rot. Diremos que la corriente del generador avanza respecto a la tensión el ángulo de fase 9.
La corrie nte máxima 1., y la fase 9 se obtie nen de las Ecs. (C-20). Elevando al cuadrado amba s
ecuaciones y sumándolas tendremos
V'
1;' cos! 9 + 1;' sen" 0 = R~ +w 2C 2V;, (C· 23)

y puesto que ces' 9 + sen' 9 = I

I ~ (C-24)
•
Dividiendo la segunda ecuación de (C-20) por la primera, resulta
1", sen /J wCV",
1", cos O = V", / R

o tg8 =wCR (C-25)

En una red más complicada que la de la Fig. C-gel análi sis requeriría una manipul ación trigonom étrica
prohibitiva por exces iva. por IQque vamos a presenta r un método general alternativo más sencillo para
resolver redes senoid ales en régimen permanente. Pero previa mente introduciremos alg unos conceptos
importantes (tales como fasores. plano complejo. e impeda ncia) .
8 18 Mi croelectrón ica moderna

Fasorcs
En una red , cada inte nsidad (o tensión) es una senoide co n un valo r de pic o y un án gu lo de fase , por
lo que se puede representar mediante un vector, que es un seg men to rec tilíneo de una c ierta longit ud y
direcció n. En el caso de una senoide . este vector se deno mi nafasor. Su mag nitud (o mód ulo) re presenta
e l va lor e fec tiv o o efica z, dado por e l valor de pico di vid ido por 2. La di recc ión de l fasor es la fase e
en la onda senoidal l cos ((1)1 + e), contándose een sentido izquierdo a par tir de l eje hor izo nta l. En es ta
secc ión emplearemos negritas I (V ) para designar un faso r inte nsidad (o ten sión). En not ación fasor la Ec.
(C -22) se escribe
(C-26)

en do nde I = 1,/ \j2. En la Fig. C- 9a podemos ve r ese fuso r. E l fascr de tens ió n a pl ic ada e s, según
= =
la Ec. (C-13), V V LO°, siendo V Vm I "'¡ 2, Ysegú n la Ec. (C- 17) la intens idad en la resiste ncia será
IR = V IR L O~ , fasoresqueest énrepresentados por la Fig. C-9h. Obsé rvese que enlllla resistencia la intensidad
está en fase cou la tensi ón aplicada a ella.
Puesto que la Ec. (C-16) puede escribirse ic = roCV",cos ( ro( + 90"), e l fasor re prese ntaü vo de la co rriente
en e l condensador será

l e = wC V L 90" (C-27J

siendo V = Vf i 2 1a ten sión e ficaz. Obsé rve se qu e la intensidad en /111 condensador avanza 90~
respecto a la tensión a él aplicada. En la Fig. C-9h está represen tado el fasor le En e l ge ne rador, la
intensidad es la suma de intensidades en la resistencia y e n el condensador, lo que expresado en forma de
fasor
V
I = IR + le = R L O + we VL 90" (C-2R)

Es te fasor sum a pued e verse en la Fig. C-9h de la que se deduce q ue

III!= ~ +w2C !V 1 y tgO =wCR

R'
de acuerdo co n las Ecs . (C-24) y (C-25). Obsérvese lo senci llo que re su lta el anális is por medi o de los
fusores, e n comparación con las soluciones anteriore s a base de los va lore s instantáneos de co rrientes y
ten siones y del manejo de ec uaciones a base de identidade s trigonomé trica s. Aú n se pued e simplificar más
Eje j
o imaginario Eje j

Plano complejo

I • I Eje real 1, = .1

-, o ., o e
1

"

lo' lb)

Figura C· I O. (a) Relativoaloperadorj. (b) Fasor corriente en el plano complejo.

 Resumen de leorúJ de clrcuilOor 819

el anilisis introduciendo e l concepto de plano complejo, obteniéndose una so lución algeb raica en lugar
de trigonométrica.

El operador j
Una convención muy 11ti1 es la de em plear el símbolo j para representar un adelanto d~ fase de cxr,
=
con lo q ue en lugar de la Be. (C-27) se escribirá l e jwCV, y para la corriente total de la Ec. (C·28)

1 _ V +j w CV (C-29)
R
Esta ecuac ión debe interpre tarse como que el fasor 1 está fonnado combinando e l fasor bori zontal
VIR (de fase cero) con wCV en sen tido vertical (fase de 90"), por lo qu e al eje vertical se le denomina
también ejej. La corriente 1de la Fig . C-9b es idén tica a la hallada más arriba.
De la defi nición de j se deduce que)1 es un fasorde magnitud , la de l. pero su fase es 90' mayor que
la fase de l . En otra s pal abras,j «multiplicando» el fa sor 1, es un operador que hace girar 9{)Il a 1 e n sent ido
contrari o a las aguja s del reloj . Consideremos 1 = 1, un fasor de magnitud l y fase O. En ese caso )l = ji
tendrá magn itud 1 y fase 90" como indica la Fig. C-IO. Asimismo j (j l ) representa un giro de jl de 90°,
lo que se convierte en un faso r de magnitud unidad dirigido en el sentido nega tivo del eje horizonta l.
co mo en la Fig. C-IO. Por tan to, es correcta la expresión
j (iIl - j'1 - -1 o j - v=T (C-30)
y debido a e llo, a l eje vertical se le denom ina eje j o imaginario y al horizontal , eje real, así como e! plano
de la Fig. C-IOrecibe el nom bre de p lano complejo.
Las potencia s de j se detenninan fácilme nte, por ejemplo.
j' - jO') - j( -1) - - j (C-3\)

la que representa un fas or de magnitud l y fase -goo. La inversa de j es -j coma se com prueba fác ilme nte

-jI -- - -
I j
j j
j
-j' - -}
.
(C-l2)

=
ya q ue seg un la Ec. (C-30)! - l . Un punto situado en e l plano complejo constituye un núme ro complejo,
siendo eviden te que un faso r es un núme ro co mplejo. Por tanto, el análisis de ci rcuito s senoida les se
simplifica tratando las co rrie ntes y tensiones como nümeros co mplejos represent ativos de fasores .
Supo ngamos que se analiza (po r e l método general se ñalado e n la SecoC -4) un circuito co mplicado.
hallándo se la siguiente intensi dad compleja:

1 - 1, - j i , - 3 - j 2 mA (C-33)
Este faso restá reP'Tsentadoen el plano co mplejo de la Fig . C- IOb y de este diagrama se deduce q ue
la intensidad eficaz 1[ 1 y e l ángulo de fase 9 vienen dados por

III - 'N + 1/ - Vi3 - 3.61 mA

y
1,
8- -a.rc tg- - - " e l¡ ~ - - 33.7' - -0.588 ..d
1,
820 Microelectrónica moderna

La intensidad instantánea. si la frecuencia es f = 1kHz. será según la Ec. (C-22). i =3.6 12 cos (6.280f
- 0.588) mA.

C·4. ANÁLIS IS SIM PLIFICADO DE UNA RE D SENOIDAL

Consideremos una red senoidal que contenga resistencias, condensadores. inductancias y fuentes
senoidales. y se desea conocer la respuesta en rég imen permanente. Se puede llegar a un método de
solución directo análogo alempleado con redes de componentes únicamente resistiv os y fuentes de tensión
(o de corriente) continuas y constantes. El análisis consiste en plantear las ecuaciones de Kirchhoff de
tensiones y de corrientes correspondientes a la red y luego resolviendo para las corrientes y tensiones
complejas (fasores). Para llevar a cabo dicho análisis es preciso introducir previa mente el concepto de
resistencia o reactancia compleja. Después de definir la reactancia. se resuelven por este sencillo método
dísrinros circuitos específicos.

Reactancia
La relación entre la tensión V a través de un componente pasivo del circuito y la intensidad en el mismo
es, para cada uno de los tres componentes básicos, la siguiente

Resistencia:
v
- = R
1
Capacidad: ~ = j~C = ~~ -+j(:~) (C-34)

Inductancia: -V = JW
. L
1

La primera de estas ecuaciones es la ley de Ohm. La segunda se deduce de la Be. (C-27). Una
inductancia es un componente (por ej. una bobina de hilo conductor) cuya tensión en terminales l ' es
proporcional a la relación de cambio de la corriente. El factor de proporcionalidad L (Henris. H) se
denomina inducrancia. A partir de l ' =L dudt puede deducirse la tercera ecuación (C-34) en fonn a análoga
a la empleada en la sección precedente para deducir la Ec. (C-2?).
De las Ec. (C-34) se desprende que un condensador se co mporta como una «resistencia compleja»
• j lme y una inductancia actúa de modo semejante a una «resis tencia compleja» j wL. A una resistencia
comp leja se le denom ina normalmente reactanc ia, y se represent a con el símbolo real positivo X:

Rcactancia capacitiva = + jXc siendo Xc !! , l/(l)('

y Reactancia inductiva = + jX L siendo XL¡;; wL

Al aplicar a un circuito que contenga elementos reactivos la ley de Kirchhoff de las tensiones es
necesario recordar que la caída de tensi ón a través de un co ndensador es - jX¿ = -JlIme y a tra vés de
una inductancia es jXLJ = j roU . De cuanto antecede se desprende que la aplicación de la ley de Kirch hoff
de las tensiones al circuito serie de la Fig. C· I I conduce a:
 R esumen d e teoría de circuitos 82 1

v = RI + j wU - ...!....- I
wC
(C-35)

o /~ V _. V
R + j(wL - ¡/ wC ) R + jX (C-36)

siendo la reactancia total en serie X !! roL - 1/roC. Las corrientes pueden expresarse en forma de números
complejos normales 1 = l. + j/2" multiplicando numerador y denom inador po r el conj ugado complejo
(camb io de j por -j) del denominador, es decir

/ _ V R - jX
, V ,( R _jX) (C-37)
R +j X R - jX R + X
De esta ecuación vemos que la magnitud y fase de I vienen dadas por
X
y tg 8 - (C-38)
R

Las ca ntidades compleja s (fasores) pueden expresa rse de tres formas di stintas: Rectangu lar
(1 =l. + j/2) ; Polar / =I L ey Exponencial (/ = l e Jl ) . La convers ión entre estas formas viene dada por
J,
I = V / i + /J () = Ian·-'_
J,
le -3')
/ , = / cos (}

Impeda ncia
La relación entre la diferencia de tensiones ex istentes entre dos punlosA y B de una red y la intensidad
que ci rcula por ese tramo del circuito se denomina imp edancia Z entre A y B. En el circuito de la Fig. C- I I

Z - -v =R+ }.( wL - - I ) (C -40)

I wC

A R t: e A R ,w' I li wC

•
l.>lfl

H
3 v
B
V
~ ~ z

'"' 'h>

Figura C· 11.Circuito RLC en serie: (a) en el campo deltie mpo. y (b) en el campo de la frecuencia.

de la Ec. (C·35). Puesto que el generador V está situado directamente entre A y B. Z es la impedancia
vista desde la fuente V. Obsérveseque en uncircuitoen serie la impedanciaes igual a lasuma de las resistencias
más las reactancias del lazo. lo que es análogo a la ley que rige para los circuitos en serie con continua.
que dice que la resistencia total es la suma de las resistencias en serie. Hay que tener en' cuenta que aun
B22 Microelectrónica moderna

cuando Z es una cantidad comp leja no es un fasor ya que no representa ni una corriente ni una ten sión
variable senoi dalme nte con el tiempo.
Dos impedancias Z I y Z2en paralelo equiva len a una imped ancia Z dada por

(C-4I j

que se corresponde con la Ec. (C-9) para dos resistencias en para lelo. En la combinación de una resistencia
y un con dens ador en paral elo como en la Fig. C-B, Z¡ = R, Z2 = - j/roC = IliroC, Ysegún la Ec. (CA l)

Z 0=

R
R( IljwCj
+ lljwC
0= .,--;-e-=
R
+ j wCR
(C-42)

Al mismo resultado se llega aplica ndo la ley de Kirchhoff de las corrientes a la Fig. C-B. Empleando
notación fasorial

I 0= Ix + l e- '" -v + - V - 0=
V
-
. CV
+ jrlJ (C-43)
R 1JjwC R

y Z '" VII da el resultado de la Ec. (C-42).

Admitancia
La inversa de la impedancia se denomina admitaucia y se represe nta po r Y de forma que
Y=.I/Z = G+jB (C -44)
La parte real de Y es la conduc tanc ía G y la parte imagin aria es la susceptanc ía B. Si nos referimos
a una resistencia tendre mos que Z = R , G = l/R , Y B = O. Si por el contrario el elemento del circuito es
un condensador, Z = l /j roC e Y = jroC de forma que B = roC YG = O.
Pues to que 1 = V/Z , I = YV . Pa ra una resistencia I~ = G V~ y para un condensador I c = jroC Vc' En el
circuito de la Fig. C-8, con R y C en paralelo, V~ = V c = V , Yla corriente total es
1 =/~ +lc =(G +jroC) V

La admitancia de esta combinac ión es Y '" IN = G + j roe, lo que está de acuerd o con la Ec. (C-43)
siG = I/R .

Análisis de redes
Los teoremas desarrollados en la Sección C-Z para redes resistivas son aplicable s tamb ién a circuitos
excitados senoidalmente. Por ejemplo, el equivalente de T hevenin es el fasor tensión V n en circuito
abierto en serie con la impedan cia de T heven¡n Z Th. Análogam ente , la superpos ición revela el hecho de
que la respuesta del fasor de tensión (o comente) a un cierto número de excitaciones de igual frecuencia es
simplemente la suma de los componentes de tensión (o de comente) debidos a cada excitación por sí sola.
Los procesos de análisis de mallas y nudos son también análogos a los de l caso resistivo. Las tensiones
y corrientes variables son cantidades fasoriales en el caso seno ida l reemp lazando las resistencias por
impedanc ias.
 Resumen de teon a de circuitos 823

..!2.- Z'
-"
"1
Z'
1"
1, · I _ K

,,, 1 1/11
Figun C.12 . Relati vo at lcorema de Miller. Por óefinidón. K • V.¡vr- Las rednde(a) y de lb ) Iic:nen idállicu Icnstones noclales.
Dbsé.....ese que II - · Il ·

Teore ma de Miller
Este teorema es particularmente útil en relación con los amplificadores de alta frecuencia con
transistores. Consideremos una configuración de circuito cualquiera con N nudos distintos. 1. 2. 3....N
comoen la Fig.C-12. Sean las tensiones en los nudos V , • V,. •
Vi....
.
VN siendo VN = Opor ser N el nudo de
referencia o de tierra. Los nudos I y 2 (que llamaremos Nj y ~: ) están conectados a través de una
impedancia Z·. Supondremos conocida la relación V¡V" que llamaremos K. Vamos a demostrar que la
corriente/ 1suministrada por N, a través de Z' puede hallarsedesconectando Z' del terminal y puenteando
una impedancia Z 'f ( I· K) desde NI a tierra como en la Fig. C· I2h.
La corriente / 1viene dada por

VI - V: VIII - KI VI V,
1, = Z' - (C -451
Z' Z'/t l - K ) - Z,

Por lamo. si ZI = Z' (I - K) se conecta entre los terminales N. - N, la corriente l , suministrada por NI
será la misma que la del circuito original. Así pues, se llega a la misma expresión de / , en función de las
tensiones de los nudos en las dos configuraciones (Figs. C- 12a y h).
Análogamente se puede establecer que la corienre 12 emanada de N} se puede calcular suprimiendo
Z' y conectando entre tierra y N} una impedancia Z2
Z' Z' K
Z.- . I -I/K
= - -
K - I
(C-461

yaque se llega a ecuaciones nodales idénticaspara las configuraciones de las Figs. C-12a y h, ambas son
equivalentes. Hay que tener en cuenta que este teorema solo será útil para los cálculos si es posible hallar
el valor de K por algún medio independiente.

e-s, EXCITA CIÓN EXPONENCIAL

La excitación senoidal puede considerarse como un caso particular de excitación exponencial en la

que s = jw. Para esta situación. en la Tabla e ·lb se dan las admitancias e impedancias de los distintos
elementos (Obsérvese que haciendos = j w en la labia C-I b. se llega a los resultados de la Tabla Cok)
824 Microelectrónica moderna

TA BLA C ol. Relació n tensión/cor r iente de los eleme ntos con excitación : (a) va rla bje co n el tiempo; (6 ) expone ncial. y
(e) sencídat ,

Resistencia- Redes
(conductancía ) -lnductancia- Condensador- pasivas

a l E-citaci6n variabte cone lliem po. siendov .. v{t) e i = i(I) .

Sfmboloy " ~~ ~ " , " ,

ecuaciones ~
+ " -
~
+ " -
~f-
+" - f-
I)e = 1 ef',cdt Ecuación
diferencial
ie = c-d"
dl

b) E~citaci6nupo nendnJ siendo v = VE" e lE"

Impedancia. ~ . ' , , ,
~
"
o , " " e
(ohmios).
Sfmbclo y
-'--,¡w.-
+ v, _
~
+ v, _
~ f-
+ ve -
-=--j 1I,J-~
f-
ecuación 1 V = Z/
" -
Ve = sC le

Admitancla- " G - ~ " "

~
~ f-
(mho).
+ v, _ """----l f- rlll·..l...

• , "'
Sfmbolo y + v, _
-
ecuación YV
1" = G V"
-'-v / (" = sCVc I '
" sL l.

el b oilación senOldal, siendo v= V.. cos (/1)/ + e) e i = ' ", oos (/1)/ + IX)

Impedancia t, R - G
1, ,"'¡ _ ,x, , ~c -,x, ,
~ "
(ohmios).
Símbolo y
~
+ v, _ •" - ~ f-
+ v, _ ~1fJwJ-~l-
-s v
ecuaciones
V" = RI" V, = jwL I L 1 V = ZI =
Ve = :-c Ie (R + jXl
JW

= jXL I L = j l Xe

Admitancia
(mho).
51mbolo Y'
~

+ v, _
'.

-./VII'-
G -
.
.!
~ "
~
•"
,
,¡;;-, - ,8,

-
7 --1f-
+ v, -
,,,,( - ji,

~-+flWJ" ~}l-
ecuaciones. J" = GV" 1 Je = jw CV e YV =
" -
-- jwL
- vL
" = jB LV L = jBcV c
(G + jB1V

Para la variable de frecue ncia generalizad a s = o + j O,), los métodos de análi sis de circuitos son idént icos
a los expuestos en las Secciones C-2 a C-4 :es deci r, sustitu ir las resistenc ias, con densadores e inductan cia s
(elementos dependientes del tiempo) por sus impedancias (o admitancia s) e n e l ca mp o de frecuenci as
(plano-s). Una vez transfor mada la red de esta forma todos los teor emas y técni cas de aná lisis vistos en
la Secc ión C-2 son directament e apl icables. Así, si en la Fig. C- llh se sustituye j ro por s, la imp edanc ia
Z(sJ es
 Resumen de teoria de círcuítos 825

V I LCs 1 + RCs +
Z(.s) = - = R + sl: + - = (C-47)
I se sC
e l = V/Z se conviene en

J = sC V (C-48)
t.cv + RCs +

= =
Obsér vese en la Ec. (C-48 ) que haciendo s O (continua) tendremos I O; análoga mente, con valores
de s que hagan que el denomin ador de la Ec. (C-48) sea igual a cero, I tenderá a infinito.
En general. la relación entre la respuesta y la excitación (e n el campo de frecuencias) se denomin a
funci ón de transf erencia. Por tanto, si V" es la respuesta a una exci tación V"
V.. N (sl
A( s) = - = - - (C-49)
Vi D (s)

siendo A(s) la función de transferencia, Los valores de s que hagan que A(s) = Ose denominan ceras de
dicha función, y los valores de s que hagan A(s )~O<l, se denomin an p% s de la misma. En la Ec. (C-47)
=
los valores de s que moti van que N(s) Oson ceros de A(s). mientras que los que hacen que D (s) Oson =
polos de A (s),
En las próximas Secciones se evidencia mejor el uso de los po los y los cero s (y su importancia ).

C-6. RESPUESTA DE UN CIR CUITO Re A UN ESCALÓN

El problema de transitorios que más frecuentemente se encuentra en los circ uitos electrónicos es el
que se deri va de un cambio de súbito de la excitación en continua apli cada a la combinac ión en se rie de
una resistencia y un co nde nsador. Co nsidere mos el ci rcuito Re de paso-alto de la Fig. C- 13, al que se
aplique un escalón de tensión v" La tensión de salida l' " se toma en paralelo co n la resistencia.

'"
r-'1~-'--.---¡ .
v. ~ R '.

Figura e-1J. Circuito RC pase-alto,

Circuito Re paso-ano
Un escalón {le tensi ón es aquel que mantiene el valor cero en todo tiempo I < O, y el valor V en todo
tiempo , > O, La transición entre los dos niveles de tensión tiene lugar en el instante ' = O empleando un
cieno inter valo corto de tiempo. Así, en la Fig. C- 14 1', es igual a ce ro inmediatamente antes de t = O
ün stante que dcncrn inarem os z = O ) Yes igual a V inmediatamente después (instante que denom inaremos
f = O' ),
Por consideraciones elementales, la respuesta del circuito es exponencial, con una constante de tiem po
Re;;. r, tornando la tensión de salida la forma

Ce -50)
826 Microelectrónica moderna

';
-p -
1.0
o.s
, ~
V
0.5 0.607
08 1.0 0_368
\
"'as ,,
a.e O.13S
' .0 o-oso
4.0 0.0 18
SO 0 007
os
1\
04
,
OJ , -,
0.2 , <,
0.1
o , ,
111 -

o a , 4 , ,
x~ ­

Figur a C-14. Respuesta de un circuito Re pase-alto a un escalónde lensión. La línea de trazos es tangente a laexponencial en I =
0-.

La cc nsrame R, es igual al valor.en régimen permanente, de la tens ión de salida,ya que cuando r tíende
a infinito , v" tiende a 8 1_ Si a este valor fina l de salida lo llamamos VI entonces 8 . = VI" La constante 8 2
= =
viene determin ada por la tensión inicial de salida V¡ ya que para I O, ".. B r + B 1 • o sea 8 2 V, - V,. Por =
tanto, la solución general para un circuito co n una sola constante de tiempo, con valores inicial y final V¡
y VI respect ivamente es

v. :< v, + I V¡ - V,le- '" Ce-51)

Esta ecuación básica se emp lea mucho en este texto.

Vamos a determinar V, y V, en el circuito de la Fíg. C· 13. La entrada es constante ("¡ = V ) mientras
1> O. Puestoque =C (dv¿dl) , en régimen permanente i =O, la tensión final de salida iR es también cero,
í

o sea V, = O.
Podemos llegar al mismo resullado a través de l siguiente razonamiento: Hemos visto ya que un
condensa dorC equi vale a un circuito abierto para la frecuencia cero (ya que su reactancia es inversamente
proporcional aJ). Por tanto, cualquier tensión de entrada constante (en continua) queda bloqueada y no
puede alcanzar la salida, es decir V( = o.
El valor de V se determina a partlr de las siguientes consideracio nes básica s: Si la intensidad instantánea
a través del condensador es i, la variación de tensión en el mismo, en el momento ' I es (I /C)JII Oi di. Puesto
que la corriente siempre tiene un valor finito, esta integral tiende a cero cuando 10 hace I 1 de donde se
deduce que la tensión a través de un condensador no puede cambiar instantáneamente.
Aplicando este principio a la red de la Fig. C- 13 llegaremos a la concl usión de que, puesto que en el
instante ' = Ola tensión de entrada varia bruscame nte en una cuantía V, también la salida deberá ca mbiar
abruptamente en la misma cuantfa. Si suponemos que en un princip io el condensado r está descargado, en
= = =
el instante ' ()+ la salida alcanzará V, po r tanto V¡ V Y puesto qu e V, O, la Ec. (C·5 1) se conv ierte
en
(e·SlI

En la Fig. C· 14 están representadasla entrada y la salida . Ob sérvese que la salida descie nde a 0.6 1 de
su valor inicial en el tiempo O.5t, a 0.37 en It y a 0. 14 en 2t . La salida ha co mpletado más del 95% de su
 Resumen de teon a de circuitos 827

Flauu e-u. Circuito Re paso-bajo.

variación total en un tiemp o 3t y más del 99 % si t > St. Asf pues, aun cuando el régimen permanente se
alcanza asintóticamente, en muchas aplicacio nes podemo s admitir que se ha alcan zado ya después de St .

Descarga de un condensador a trav és de una resistencia

Co nsidere mos un condensador e cargado a la tensión V. En el instant e t = Ose conecta una resistencia
R en paralelo con el co ndensador. Deseamos hallar la tensión \'" del condensado r. en función del tiempo.
Puesto que el hecho de conectar entre sf e y R no puede cambiar instantáneamente la tensión, tendr emos
v. = Ven el mom ento ' = D·, Ytamb ién VI = V. Evidentemente. después de un tiempo infinito el condensador
se habrá descargado totalmente a través de la resistencia . y por tanto V, = O. Sustitu yendo estos valores en
la Be. (C- S I ) se obtiene la Ec. (C-S2) y el condensador se descarga como indica la Fig. C- 14.

Circuito Re paso-baj o
La respuesta del circ uito de la Fig. C- IS a una entrada en esca lón es expone ncia l. con constante de
liempaRe . Co mo sea q ue la tensión del condensador no puede cambiar ínstant éneamer ue. Ia salida parte
de cero y va subiendo hasta su valor permanente V como puede verse en la Fig. C- 16. La salida viene dad a
por
t·" = VII - { · .'He') (e -531

Obsérvese que los clrcunos de las Figs. C- 13 y C-IS son idénticos excepto que en la Fig. C-13 1asalida
I'~ = 1'" está tomada entre extremo s de la resistencia, mientras que en la Fig. C- IS la salida es "'" =vC' De
esta última figura
,
v

v'.

o
F1aura C-16. Respuesta de un circuitoRC paso-bajoa un escalón de lensión.
828 Microelectrónica moderna

obtenemos Ve '" v, - v" '" V _ VI! "'«"

siendo l', dada por la Ec. (C-52). Este resultado de ve co ncuerd a con la Ec. (C- 53).
Obsérvese que la impedancia Z(.r) en los circuitos de las Pig. C-13 y C-1 5 es

Z(J} '" R + ....!... = RCs + 1

es CJ
Evidentemente Z(s ) = O cuando s = - l/Re = 1ft. Puesto que J = V¡z y. en la Fig. C- 15. V. = I/sC
tend remos
I
(e-54)
+ RCs
=
En la Ec. (e-54) se observa que Vj V¡ tiene un polo en s - l/Re siendo este valor de s (polo de la
función de transferencia) el que detenni na la constante de tiem po del ci rcu ito.

C·7. EL DIAGRAMA ASINTÓTICO DE BODE

Las frecuencias de las senoides aplicadas a circuitos elecuónícos aba rcan un campo amplio. Por
ejemplo. la excitación de un sistema de audio puede ser tan baja co mo 20 Hz o tan alta como 20 kHz. Por
tanto paraca lcular la respuesta de la red hay que conocer la mag nitud y la fase de la funci ónde transferencia
del circuito G(s) a cada frecuencia. Un método conveniente de obtener esta informaci ón es mediante la
característica de respuesta en frecuencia. Esta característica es la rep resentación f ráfiCa de la magnitud
I
de GUro) en funci ón de ro y de L G(jro) en función tamb ién de ro. Nonnalme nte GUw) se expresa en
dec ibelios (dB) dados por

G(jw) en dB = 20 log IGUw)1

Cuando G(jro)se representa en dB (juntamente con la fase) la característica de respuesta en frecuenci a
se deno mina Diagrama de Bode.
La determinación de la característica de respuesta en frecuencia de una red o sistema mediante
manipulaciones algebraicas supone una cierta tarea. En muchas aplicaciones es suficiente una característica
aproximada. La naturaleza del diagrama de Bode permite trazar fácilmente una característica aproximada
llamada Diagrama asint ótico de Bode.
En general. la función de una red se puede expresar como cociente de dos polinomios ero s o j oo. Si la
función de la red se pone en la forma
I + a s + a..s! + . . . + a..,s'"
G(s) '" K I • • (C-56)
l + b,J + b!s· + · · · + b,.s"
los polinomios del numerador y del denominador se pueden poner en fonna factorial. quedando la función
representada por
GlJ) = K (1 + sh , )(1 + slz.!) •. • (1 + sli.,J
(C-57)
(1 + slp llO + slp!) . . . (J + slp.)

Obsérvese que =,. -z.!•.• y - PI' • Pr - son respectivamente las raíces de los polinomios numerador
y denominador. y que los términos -: son los ceros y los - P los polos de la función de la red . La curva
de la respuesta en frecuencia se halla haciendo que s pase a ser j oo. dando
 Resumen de teoría de circuitos 829

. _ K (1 + jc.lz , )(I + j c.lz!) . .. (1 + j c.lz...l (C.S81

Gl) ", ' - (1 + jc.lp,X I + jc.lp!l · •. (1 + jc.lp..)

Evide nteme nte e l va lor de G(jm ) es e l produ cto de una co nstante y un grupo de término s de la forma
( 1 + jrolro) O 1/( 1 + jroIro) . Cada uno de estos ténninos se puede considerar como un fasor individual. El
G(jW) res ultante tie ne una magnitud q ue es el prod ucto de las magn itude s, y un áng ulo q ue es la suma de
los ángulos ind ivid ua les .
La porción de la c urva de magnitud de l diagram a de Bode se expresa en d B. y segú n la Ec. (C·55) e s
una funció n logaritimi ca. Por e llo e l producto

(, + i,~ ) (, +i,:) .. .(. +~)

se conv iene e n la suma

(,+iW ) +(, + ~) +...+(1+i

t,,," t ! t l"
w
z..., tl"
)

cu ando los t érmino s individuales se cxprean e n dB . En co nsecuencia, las c urva s de fase y de magnitud
del d iagrama de Bode pue de considerarse que es tán co mpues tas de sumas de factores ind ividu ales.
Ento nces se ve que el comportami ento de los térm inos (1 + joo/ro) y 1/( 1 + joo/ro.. ) es im porta nte a l
construir los d iagramas de Bode . El de sarroll o de sus ceracterfstic as mostrará c iertas aprox imaciones
..implificador as útile s para e l bosq uejo rápido de estos diagramas.
Co ns ideremos las func ione s
. j ", I
G,I) "'1 • I + - y G l = .,-.,-':--..- IC·S91
w,. 1 + j c.l",..
A baja s frecuenc ias. (oo/w.. « I J, el valor d e ambas func iones es apro ximada me nte
G,f j",) : G;jwJ = I

o
(¡,Cj"'I"" • (;;j",)"" = 20 Iog 1 : O (C-ro)

A alias frec uenc ias. (w/w » I j. fas funciones pa<¡an a ser

H

(¡, lj"" • -W y G.( }f~

. ' : - ' -
W.. - c.I",..

o
W W
20 log - y (i~(jw)tllt = - 2t1 log- (C· 6 1)
w" w"
Se ve que las magnitudes a baja frecuencia son de O dB (ma gnitud un idad ). A a lta frecuen cia so n
G, : G ~ = O d Baro/w.. = I: G , = 20d B, G! = • 20 d B. a ro/oo = 10; G , = 40dB. G 1 = -40 d B a ro/w.. = 100 .
H

etc. El va lor de G , aumenta ( y Gl dism inuye ) en 20 dB por cada potenci a de 10 (década ) de aumento de
00100... Puesto q ue las potencias de 10 suponen incrementos linea le s en la escala logar ítm ica de frecu enci as .
la re presentación de las Ecs. (C·61) en e l grá fico de Bode se rán unas Ifneas rectas co n pe nd ientes de +
20 dB/décad a pa ra G , y de · 20 d O para G!. Precuenremerne las perdiemes de las recta s se e xpresan en
unidades de deci be lios po r oc tava. representando una octava un fac tor 2 en la frecuen cia . Para ooIfJ)~ = 2.
los valo res de G , Y G~ serán según la Ec. <C·6 1) de 6 y - 6 dO respec tivament e . Así. en un a oc tava desde
w/fJ)..= 1 hasta oYoo~ = 2. G I habrá variado en 6 dO YG . en · 6 dB . Las correspondientes pend ientes son
de 6 dB/octava y • 6 d O/oc tava . Como puede verse: 6 dO/oct a va y 20 d O/déc.ada rep resentan igua l
pendiente.
830 Microelectrónica mode rna

Los ángulos relacionados con G. y G2 son:

Ángulo G, = t,-1 (roIoo,,) y ángulo G,= _ t, · 1 (w!oo,,) (6-62)

• O,+ ,+~. •

40 • • • • •
~

o ¡._-;i-~~;;;~+20
Pendlcnle: •
20 •
o d' ~sIDt6tiC(l

- 20
+6dBJoct, o
-ao
_:: < • •

00, mdls
".
- 90 .1L.-IIL_.U.....lL.....
0, 100" loo" lOOro"
ro, radls
(11 )
'bi
Figura C-I7. Diagrama asinl61lcode Bodeplln (a) I + j W/IDo y (b) lIt I + jW/IDo)'

Cuando 00 = oo" los ángulos de G I y G2 son de + 45" y - 45· respectivamente. Para frecuencias en las
que 02:1000" el ángulo de G I está próx imo a 90· y el de G! lo está a-90°, A baja frecuencia (ooSO,leo)
ambos ángulos se aproximan a cero grados. Estos resultadosconducen a la aproximación rectilínea de la
Fig. C-17 para los ángulosG I YGl' La misma figura comprende las características de magnitud rectilíneas
(o asintóticas). Las curvas de trazoscorresponden a las respuestas exactas de magnitud y de fase. Ambas
curvas (aproximada y exacta) son razonablemente semejantes. El máximo error de la curva asintótica se
da cuandoro = 00" y es de + 3 dB para G I y de - 3 dB para Gl , Con una separación de una octava respecto
a la frecuencia del codo (00 = 00,/2) Y(00 = 2(0) el error es de + l dB para G 1 Yde - 1 dB para Gl' Con
frecuencias angulares separadas más de una octava de la frecuencia de quiebro, los errores son menores
de I dB Ygeneralmente se desprecian. El máximo errar en lacaracterfstica de fase tiene lugar a una década
de separación del codo y eo.: de unos 69 • A la frecuencia del Qu iebro el error es nulo, y a una distancia de
una octava es de casi 5·. Las curvas de la Fig. C-17 indican el signo algebraico de los errores para los
ángulos de G I y e;
El proceso pil.ra trazar el diagrama asintótico de Bode se reduce a expresar la función en la forma de
la Ec. (C-58) localizando las frecuencias de codo, deduciendo las curvas asintóticas componentes y
sumándolas para obtenerla resultante.

Ejemplo C·]

(a) Esbozarel diagrama asintótico de Bode de

 Resumen de teoría de círcuítos 831

10000s + 40J
+ 4105 + 4000
(h) Determinar e l valor de G(j800)

Soluci6"

(a) Se pone la ecuac ión de G(s) en la forma de la Ec. (C·58)

100( 1 + .1'/ 40)
G(. ) =
(1 + s/ IOlCl + .1'/400)
o
10011 + j lal40)
+ jiaJ IO)( 1 + j ..J4(0)
40 --- - - - - - - - - - - - - - - ...

.. ""'...
40d8

G(jW)...- - - - - - - -..... ===:~;:"

M;agnilud de (J.t¡ow401 '<,
lo ............... ......~
o - -- - - - - ....:;,-- - <".--,

Magnilud ue
- 20 I
l+j ro'400

.~,

"" Angula de (l+jro'40)

.. +.'0

....,
- <lO

0. 1 lO llII 11"1 llUIIl

F1aur. C- IS. Diagrama asinlÓlicode Bode para el ejemplo C-J.

832 Mlcrodeclrón;ca moderna

Las frecue ncias de codo son de 10 y 400 rad/s. para el denom inado r y de 40 rad/s para e l numerador.
En la Fig. C- IB se han dibujado las curvas componentes. Ob sérvese q ue e l valo r co nstan te de 40 d B =
20 10g 100 rep resenta e l mult iplicado r co nstante en G(joo). Las caracterís ticas de magnitud y de ángulo.se
señal an en la Fig. C- IB con línea de Irazos.
(h) De las curvas resu ltantes:

G(¡1!OO) = 22 dB
con 10 que de 20 logG = G(dB) se obtiene

(,V«lO) = Iog ,22 ~ 12.6

20
y
" GfjH<MH ~ - 5KS

La respuesta en frecuencia dada por el diagrama asintótico de Bode e n la Fig. C- IB se obtiene co n

muchos me nos cálculos de los necesarios para llega r a la carac terística e xac ta. Añadi endo a l di agrama
asintótico los errores a unas cuantas frecuencias se llega a unos resultados suficiente mente aproximados
para la mayorí a de análisi s prácticos.

e-s, eUADRI POL OS

Puede co nsiderarse q ue muchas redes tienen dos pares de term inales: Un par de e ntrada al que
normalme nte se aplica la exci tación y o tro par, de salida, del q ue se saca la se ñal deseada. El e mpleo de
las ca racterísticas de respuesta en frecuencia y las funciones de transferencia pone en evidencia la
import ancia de la relación e ntrada-sa lida de los sistemas. C ierta mente , estando los sistemas compuestos
por redes inte rconectadas, la respuesta total de l sistema dependerá de las respuestas de las redes
individuales. As í co mo e l equi valente de Tbevenin rep resenta efectiva mente e l co mponamie nto de las
redes de un par de terminales, los circuitos eq uivalentes concentrados en las ca racterfstlcas entrada-salida
repre sentan adec uadamente las redes complejas .
Las redes que contienen dos pares de terminales, uno de ent rad a y o tro de sa lida se deno minan redes
de dos pares de terminales. o cuadripoJos. Un polo es un par de term inales a los q ue se puede suministrar
o extraer energía y en los q ue se pueden hacer mediciones. Por tan to, es costumbre representa r estas redes
co mo en la Fig. C-19 en la que al mismo tiempo se seña la la convención norm al izada respect o a las
direcciones y polaridades de co rrien tes y tensiones. En la Fig. C~ 19 los termina les l y l ' re present an la
entrada y los 2 y 2' la salida. Algunos de estos dispositivos y la mayor parte de los circuitos e lec trónicos
tienen comunes los termin ales l ' y 2' . Por definició n, las tensiones salie ntes de los termi nales l ' '1 2' son
exactamente iguales a las que entran en I y 2 respectivame nte. Adem ás las medi c iones pueden hacer se
únicamen te en las puerta s pero no en tre los terminales I y 2 ni e ntre " y 2 '
Una red de esta índole se puede describir por cuatro variables, que son las corriente s y las tensio nes
de la puerta. Dos de estas variables pueden considerarse independientes y las otr as dos, dep endient es. Ya
que el sistema fun ciona linealmente las variables están relacionadas enlre sí por un conjunto de ecuacio nes
linea les. Estas ecuaciones relacion an las co rrientes y las tensiones de l c uad ripo lo definiendo así una serie
de parámetros. Existen se is posibles co mbinaciones medi ante las q ue se pueden e xpresar dos de las c uatro
varia bles en función de las otras dos. De es tos se is posi bles g rupos de parámetros, tres de e llos se e mplean
ex tensa mente en e l análisis de circuitos electrónicos debido a su fác il med ición .
Losparámetros deadmitancia o param étros y, se usan para re lacionar las co rrientes con las tensiones
del cuadripolo. En el campo de las frecuencias. las ec uaciones definidoras so n:
/ 1 = YIl(S)V1 + Y , :<,J)V~ (C-ó3J
(C·64l
 Resumen de teona de circuitos 833

-• 1,

Los e lementos )'u(s" )'12(S) ')'11(S) e )'n(s) tienen las dimen siones en mho. y se den ominan parámet ros
)'. Precuent emen te se supone implícita la dependen cia funcional de los parérnetros en la frec uencia
compleja variable s y los parámetros se representen simplemente y 11'YI ~ ' Y~I e )'!~ ; en ade lante e mp leare mo s
ambas notac iones.
El nombre específico que se le da a cada par ámetro lo de termina su re lación te nsi ón-corriente. S i se
cortoc ircuitan los term inale s 2 y 2' de la figura C- 19 1a tensi ón V. será necesaria mente nu la, En e stas
cond iciones las Ecs. (C· 63 ) y (C-64 ) dan •

\'11 ;; .!..!.I ". Admitancia de ent rada en co rtoc ircuito (C-651

• V I \' ¡ ' "

.":, = 1:
V,
I , '! • •
= Admil ancia de transferencia d irecta en c.c tC-MI

La voz «transfe renc ia directa » en la Ec. (C-66) ind ica q ue la red se emplea en su forma normal. con
jaexcitación aplicada a la entrada y la respuesta medida en la sal ida. S i la excitación se a plica a la puerta
2 y se cortoclrcuita la Lfas Ecs. (C-63l y (C-M) darán

- -v,1, I\', '. . Adm ilancia de transfe rencia inversa e n e.c IC-671

Y:' = 1:
.
I
v: \',' •
" Ad milancia de salida en cortocircuito IC·bSl

..Transferencia inve rsa » qu iere deci r que la excitac ión se aplica a la salida y la respuesta se mide e n la
entrada.
Tambi én se emplea otra termi nología para identificar los pa rámet ros y. particularment e cua ndo se usa
par", describir d ispositivos electrónico s. Con esta termi nolo g ía las Ecs. (C-63 l y (C -M ) se co nvie rten en
11 - .I', V , + r. v, ¡C ·ólJj

(e·7())

Los sub-índ ices i, 1"./ yo indican q ue e l par ámetro co n el que es tán relacionados so n la enrruda. la

J'!! + " 1:
" " + J' U
l'u<erl& I V,
!J', + ",1 1,_+ ,r , 1 1'u<er11 2

r
fl¡UrII c.1O. Cil'C\liloequivalenle de parimelro-, .
834 Microelectr ónica moderna

transferencia inversa. la transferencia directa y la salida respectivamente. Los paráme tros y de las Ecs.
(C--69) y (C-70) est én definidos por las Ecs. (C-65) a (C-68)
Muchas veces conviene representar una red de cuadripolos med iante un circuito equivalente que posea
las mismas relaciones entre terminales que las expresada s en las ecuaciones definidoras. La Fig. C-20
representa un circuito equivalente de parámetros y.

Parámetros z
Se puede establecer un seg undo grupo de parámetros despejando simultá neamente \'. y V~ de las Ecs.
(C-63 ) y (C-64). Los resultados son:

V, =
v» 1, , - .\· I ~
IC·7 1)
Y II.\·~~ - .\" .~.\"~ . -
y " .\'~~ .'" , !Y ~ .
"
V, =
,I '! I
1, , .r~~ t, (c-n )
,\' 11.1' )) - .\· I~ Y ~ I -"I ',I'! ! - .\ ' I~ Y~ I

En estas ecuaciones las tensiones V, y V~ son función de las intensidades 1, e I !. La forma general de
las Ecs. (C·71) Y(C-72) es

y
(C-N I

Los parámetros =u_ : '2' :~ . y :~~ se denomi nan de impedancia o pani metros z, Estos parámetros se
definen abriendo primero la puerta 2 (lo que hace que l . = O) Yexcitando la puerta l . repitiendo luego el
proceso abriendo la 1 y excitando la 2. -
Los resultados son

,,, l. _
-
V·I
'. ,! &u
Impedancia de entrada en ci rcuito abierto

Z~ 1 7.( =o ~ V
t,'l',. tI
=o Imp. de transferencia d irecta en circuito abierto
l e ·7) )
z
"
= V II
' ) ,, _ u
= Impedancia de salida en circuito abierto

Z,¡ = z, = VII = Imp. de transferencia inversa en circuito abierto

t, ',. 11
La Fig. C-2 1 corresponde al circuito equivalente más frecuen teme nte empleado para representar los
parámetros z.

Parámetros h
Hay un tercer conj unto de parámetros llamado híbr ido O de pará met ros h. Sus ecuac iones son
v, 11 ' 1'1 + " 1 ~V~ = 11.1, + Il,v: (C·76)
(C-77 )
 Resume" de teoría de circuitos 835

1, = 11 - = 11 =11 - ; 11
>7- f2 1:
(Z, - Z, l - Z, l
, (Z..
tZ! - Z,11 1 1
Entrada 1 V
,I
; 12
(Z, l
V. Entrada Z
I
a
"
Figura e·u .Circuito equivalente de parámetro -z,

Los parámetros h específicos se pueden definir excitando primero la ent rada y cortocircuitando la salida
( V~
= O) para luego excitar la salida y abrir la entrada (J I = O). Los resultados. ex presados en las Ecs.
(C-78 ). son
11 11 = 11, = VII = Impedancia de entrada en cortocircuito
t , '., -"

h'l == 11, = ti
, 1,_"
= Ga nancia de corriente directa en cortocircuito.
(C-78J
" :: = Ii" == Vi,
:
I
/, ."
== Admitancia de salida en circuito abierto.

1'1: == 11, = ~:I., _" = Ganancia de tensión inversa en circoabierto

Las cantidades h, y h,carecen de dimensiones estando representada cada una de ellas por una fuente
gobemada en el modelo de circuito de la Fig. C-22. Cuando se emp lea con transistores se suele añadir un
sub-índice adicional con el parámetro J¡ para indicar la conex ión de l transistor. Así. lit. es la ganancia de
corriente directa en la configuración en emisor común.

Ejemplo C·4

El circuito de la Fig. C·23 es el equivalente de una etap a amp lificadora en emisor común.
(a) Determinar h;.. y IIJ<.
(o) Esbozar un diagrama asintótico de Bode para " y h, para frecuencias angulares menores de
•
10 rad/s. •
(c) Determinar la frecuencia angular en la que I ",.Uro) Ies igual a la unidad.

Sotucton

(a) Seg ún las definiciones de las Ecs. (C· 78) tanto 11;,. como IIJ, se determinan cortocircuitando la
puerta 2 y excitando la I con una fuente de corriente 11• En las Figs. C-2 4a y C-24b pueden verse los
circuitos resultantes empleados para determina r h;,. y ht , respectivamente. Del circuito de la Fig. C· 24a se
obtiene
836 Microelectrónica moderna

r-"
z
"
- '1
v, h 21J I h" v,
(htt l) (hQ l

- 10.-_ -'------'- -'

a
"
Figura con. Circuito equivalente de parámetro -/J.

"n , pF

- '1
1,
,
so '1
a
-"
", 450 n K
S en 1'1

J
a
"
Figura C·Z3- Circuito para el ejemplo C-4.

siendo
450 x I/s(49 + I I x 1O - 1 ~ 450
z ~
450 + lfs(40 + 1) x 10 - 11 I + .~ x 2.25 x 10- k
Sustituyendo Z en la ecuación de VI la relación V/JI da
450
v,= /¡", = 50+-;-----'''''-~~~c
-
JI I + s x 2.25 x 10 "

Recordando
h = ~
5 070~1~
' ~+-;;s/~4~.4~4-"
X~1 0,-,"
, ([ + .1'/4.4 4 x 10' )

lo'

, [,
"n ' pF z
,
11= o
450 n v K
s soin ¡"
z
"
lb'
Figura C-24. (a l Circuito para determinar 11;. y (h) circ uito para determ inar hren el eje mplo C-4.
 Resumen de teorfa de circuitos 837

Para determinar h, se emplea el circuito de la Fig. C·24b. La corriente / 2 deducida por la ley de
Ki rcbhoff es
v
/J = - - /
V
= - - s x I x tO- I : V
5 • 5
ya que la corriente en la resistencia de SOtn, es nula porque v¡ =O. La tensión Ves / .Z y en los cálculos
para h¡ viene dada por
450
+ s x 2.25 x

~
-e

~
~-
~
3
'a
~

~" 10

•
~
o
- 10

~ -20
~-
-JO
o
'a
~
e -lO
<
-50
10" 4.44 JOl 4.44 1lJ' 4.44 lO" 4.44 10"
Fm:uenc ia anf!:ullll'". ndf:I
/.)

-2:bd~;;;;ñ~~;
-40

-eo
~-
O -80
~
.< - 100
4.44 ID' 4.44 10" 10·
Frecuencia angullll'", radfs
lb )

F1cllrll c·a Diagramu asintóticos de Bodepara (a ) h.. , '1 (b) h,. en el ejemploC4.
838 Microelectrónica moderna

Combinando las ecuaciones de V y de /l y hallando la re lació n /.jI1 tendremos

J, 90{1 - sl2 x 1011 )
1; = h,. = I + s/4.44 x lO'

(b) En la Fig. C-25 están trazados los diagramas asintóticos de Bode.

9
(e) Deduc ida de l d iagrama de Bode, la frecuencia ang ular en la que h",(joo) = OdB es de 4xlO rad/s.
ll
Obsérvese que la frecuencia de quiebro de 2xlO rad/s. está bien alejada de cualquier otra frecuencia
cr ítica de interés. y en consecuencia muchas veces se ad mite para h ,. la aproximación l
90
1Ir,. == I + s/4.44 x 107

G
<l o

(a) lb)
Figura C·l ó. (a) Elemento de ungráficode recorrido de la señal, y (b) un gráfico simple.

C·9. GRÁFICO DE RECORRIDO DE LA SEÑAL

Simplemente exp resado, este diagrama es la representación gráfica de un sistema lineal de ecuaciones.
Como tal, frecuente mente se utiliza para describir esquemáticamente un s istema e n función de sus partes
co nstit uyentes. Los dos e leme ntos bás icos de es tas gráficas so n los nudos y las ramas . Con un nudo se
indica una variable y con una rama la relación en tre un par de variables . La Fig . C-2OO muestra un
componente típico de la gráfica. Las variables XI y Xl se representan co n nud os. La flech a d irigida es la
rama cuya transm itancia G de fine la relac ión funcional Xl = GX1. El significado de la flec ha es el de indicar
la natu raleza unilateral de la re lación entre Xl y X,. A l estar di rigida la flec ha desde XI hacia Xl está
indicando que X2 depende de XI ' Así, en la gráfica de la Fig. C-26b, la dependencia de X.1 respecto a Xl
queda indicada por la transmitancia de la rama Gc' y la de X2 re spec to X.1 por la de G D'
En la Fig. C-26b, la variable del nudo Xl es G;X) + G ,.,X, resa ltando e l hech o de que e l valor de la
variable de un nudo está determinado sólo por las ramas que entran en él. Cada ram a incidente contribuye
al valor del nudo en una cuan tía igual a la transmit ancia de la rama mu ltip licada por el valor de l nudo de l
que procede la rama. Los nudos que tengan sólo ramas de entrada se denominan sumideros y los q ue só lo
tengan ramas sa lientes se de nominan fuentes. Los nudos XI y X~ de la Fig . C-26b son fuente y sum idero
respectivamente.
Puesto que el gráfico describe un conjunto de ecuaciones linea les, los elementos que lo forman pueden
G,

XIOX2 ; ;
G,
(,'
G, G,
, , , , G,G)
,
x, • x,
<
X, x, x,
(b)

Figura C-l7 . Gráficoequivalentepara unaconfiguración: (a) en paralelo, y (b) en cascada.

 R esumen de teona de circuitos 839

combinarse algebraicamenle. Este proceso de reducció n gráfico perm ite calcular la función de transferen-
cia, sie ndo esencialme nte un método para resolver el sistema de ec uacio nes para una de las variables. En
la Fig. C-27 se muest ran dos reducciones elementales. La configu ración de rama s en paralelo de la Fig.
C- 270 se reduce a la suma de lransmitancias de las ramas, y la estructura e n cascada al producto de las
rransmitancias de las ram as individuales.
Corrienteme nte se encuentra n otras dos configuracione s que son, las de lazo cerrado sobre sí mi smo,
y la es tructura de realimentación, que se pueden ver en las Figs. C-28o y C-28b. respectivamente.

G,

G,
• • x,o
(b)

Figura C.28. Gráficoequivalenlede: (a) un tazocerrado sobre sí mismo, y eb) un lazo de realimentación.

En el caso de lazo cerrado

y después de una senc illa transform aci ón, tenemos

G,
X! = I _ H , X ,
La fónnula de la rama equ ivalente de la Fig. C-28o const ituye la regla gene ral para eliminar del gráfico
estos lazos cerrados sobre sí mismos. Esta regla dice que todas las ramas que con curren e n un nudo
conteniendo uno de estos lazos tienen sus transmitancias dividida s por uno menos la transmitancia de
dicho lazo .
La Fig. C-290 representa una parte del circu ito, dem ostrando cómo e n la form ulación de las ec uaciones
de red puede aparecer un lazo de éstos. La expresión de Kirch hoff para la parte de circu ito es

con lo que se puede trazar el gráfico de la Fig. C-29b.

Empleando la reducción gráfica y despeja ndo VI de la expresión de Klrchhoff resulta
I IZ I
V, = 'I""=""A
La reducción del lazo de realimentación de la Fig. C-28b procede de

Sustitu yendo X, en I~ ecuación de X) Yrecombinando térm inos se tiene

G,G~
X. =
I G~H

que es la relación para la rama equivalente en el gráfico reducido de la Fig. C-28b. Obsérvese que se llega
al mismo resultado para el gráfico que contiene el lazo cerrado de la Fig . C-28h
840 sítcroetectr óntca moderna

Ejemplo e-s
El cuadripolo de la Fig. C-30 se caracte riza por sus parámetros y.
(a ) Trazar un gráfico de recor rido de la señal del circuito utilizand o como nudos V.' VI' 1,,1 2 Y V2•
(h ) Mediante este gráf ico calc ular la función de transferencia VlV,.

•
z,
1', +

, ¿, O~
1, ,,
lb ,
'"
Figura C · 29, (u) Seg mento de ci rcuito; ( h) gráfico de recorrido de (a ) mostrand o ellazo cerrado sobre ~¡ mismo.

Solu ci ón

(a) En primer lugar hay que establecer las ecuaciones que relacionan las variables e ntre sí. Obsérvese
no obstante que V es la exci tación re presentada por un nudo fuente , no pudié ndose indicar ninguna otra
variable por un mi'do fuente . En general, todos los demás nudos tienen ramas e ntrantes y salie ntes, salvo
los nudos sumideros. Las ecuaciones básicas que relaci onan 1 1. /~ . V, Y V~ son los parámetr os y de las dos
puert as dadas en las Bes. (C-63) y (C-64) que reproducimos aquí

1,
,- 1,

•
dripolo z,
'í'
"
Figura CoJO. Circuito para el eje mplo C-5.

Estas ec uaciones identifican las ramas A a O de la Fig. C- 3 1. En la puert a I de la Fig. C-30 la le y de

Kirchhoff puede esc ribirse

\/ , '" V. - I,Z,

corres pondie ndo a las ramas E y F.

La última relación que se necesita es la ec uació n de la ley de Ohm aplicada a la puert a 2

v~ = -/ ~ ZI_
que se represent a como rama G. Las siete ramas forman un posible gráfico que caracter iza el sistema.
(h ) La función de transferencia se obtiene reduciendo el gráfico. Las ramas G y O for man un lazo e.
 Resumen de teoría de circuitos 841

de reali mentación , que se sustituye por la rama eq uivalente H (vé ase la Fig. C- 28M cuya transmitanc¡a
es
- )' l I Z /,
1 + )' ~~z/,

como se ve en la Fig . C-32a. En esta misma figura , las ramas R, F YA fo rman un lazo de rea limentac ión.
Esta red ucción se mue stra en la Fig. C-32h en la que e l lazo de real imen tación se sustituye por la rama J
y el lazo cerrado sobre sí m ismo K. Las transmi tancias respecti vas de las rama s son

K = - YIIZ ,

.1"11 1,
-z,
A F , J"¡¡

-z,
V
• , v,
, I' ~ I

e 1, G "
,\' 22
D
Figura e -3I. Gráficodel recorridode laseñal del circuito de la Fig. C-30.

Se llega al gráf ico de la Pig. C-32c al eliminar e l lazo cerrad o K. Las transmlta ncias de rama afec tadas
por la reducción son E y J c uyos valore s queda n divididos po r (1 + Y I IZ), la tran sm itancia del lazo cerrado.
Las ramas equivalentes de J y E son L y M respectivamente.

"
YIl -z,
r B YI ¡ -, ,, z. c:: ~
E
1
11 V
V ¡ - J'¡ IZ,I(I+YnZ ,.J ¡
V• C ~
E
Vl VI y 1I Z L I( I +Y l ¡ Z , J

lo ) (b)

1/ (Y1l + Z, }

Figura C-J2. Reducción del gráfico de la Fig. e -31.

La Fig. C-32c indica que un lazo de realime ntac ión es tá formado por las ramas M, L Y H cuya reducc ión
dará
VI [ 1/(1 + YI\Z J] x l - Y ~ I Z¡J( I + J' 1 ~Z/Jl
V. [ J'l IZ,lO + .\'11ZLll x [ .I'11Z ,/( I + .I'IIZ, JI

S imp lific ando y com binando términos resu lta

V1 - .I'll Z L
V, 1 + .I'IIZ, + V ~lZI_ + Z ,ZI,(.I'1I."11 )' 11-"11)
 Problemas

CAPÍT ULO I

I -L Un elec trón parte con velocidad despreciable de un elec trodo s iendo acelerado por una tensión V.
Hallar el valor de V sabiendo que la velocidad final de la partíc ula es de 9,4 xlff mis.
1-2. Un electrón que tiene una energía ci nética de 10 11 J en la supe rficie de uno de dos electrodos
planosparalelos y que se mueve normalmente a la superficie. está frenado por un campo retardador
producido por un potencial '', aplacado entre electrodos, ¿Qué valor de V, se necesita para que el
electrón llegue al segundo electrodo con velocidad nula?
1-3. Los rasgos ese nciales del tubo de un osc iloscopio quedan reflejados en la figura. La diferencia de
tensi ón entre K y A es V.' y entre P I y P2 es V . Ninguno de los dos campos eléc tricos afecta al
otro. Los electrones se emiten desde K con veracidad inicial nula y pasan a trav és de un ta ladro
practicado en el centro del electrodo A. Debido al cam po en tre P, y P2 cambian de dirección
mientras pasa n por estos platos, siguiendo luego a velocidad constante hacia la pantalla S. La
distancia entre platos es d.
(a ) Hallar la velocidad '', de los electrones e n función de V" al c ruza r A.
(h) Hallar la componente Y de la veloc idad de los electrones. 1',. e n funci ón de V,.. I,r d. Y" , al
abando nar éstos el campo P j - P2•
(e) Hallar la dis tancia desde el centro de la pantalla hasta el punto de l imp acto e n función de las
dimensí.....es del tubo y de la tensión aplicada .
(d) Hallar los valores numé ricos de 1' . v , Y d, siendo V ::: 2 kV. Vf' = 100V, 1, ::: 1,27 cm. y
, , N ~

1, ::: 20 cm. y d ::: 0.5 cm.

(e) Si deseam os una deflexión de 1 cm. del haz de elec trones, ¿Cuál se rá el valor de V) . Los
demás valores son los del apartado anterior.

"o, f
J,
. - --- - - - - - - - --.f-J'--- .r
P,- - -
i-',-.j Panta lla

v. P ro boe-a
844 Microelectrónica moderna

1·4. Una cinta plana de aluminio tiene una resistividad de 3,44x lO"M o.m. una sección transversal de
2x lO-ol mm' y una longitud de 5 mm. ¿Cuál es la caída de tensión a lo largo de la cinta? La corriente
es de 50 mA .
1·5. Si a la c inta de aluminio del problema anterior se le aplica una tensión de 30 ~ V. ¿Qué co rriente
circulará por ella?
1·6. (o) Calcular el campo e l éctrico necesario para dar a un ele ctrón en silicio una energía media de
1.1 -v,
(b) ¿Es práctico generar pares electrón-hueco aplicando una tensi ón a través de una barra de
silicio? Explíquese.
1·7. Repetir el Probo1·5 para una cinta de silicio intrínseco a 800 K.
1-8. Calcular la movilidad de los electrones libres en aluminio. cuya densidad es de 2.7Ox I O~ kglm,l y
su resistividad 3,44x lO'Mo.m. Supóngase que el aluminio tiene tres electrones de valencia por
átomo y un peso at ómico de 26.98.
)·9. (a ) Determinaría concemraci ón de electrones libres y de huecos a 300 ' Kde una muestrade silicio
con una concentración de átomos donadores N() = 2x 10 14 étomos/cm y de étornos aceptadores
NI! = 3x lO14 átomos/cm'.
(b ) La muestra del apartado anterior ¿es de silicio tipo P o tipo 11?
)· 10. Repetir el Probo1-9 para NI! = No = IO ' ~ éromos/cm'.
)· 11. Repetir el Probo 1-9 para ND = 10 ' ~ y NI! = 10 14 átomos/cm'.
)· 12. (a) Hallar la concentración de huecos y electrones en un silicio tipo p a 300'1K . si la resistividad
es de 0.02 Clcm.
(b ) Repetir el apartado anterior para un silicio tipo 11.
1-13. Repetir el Prob. 1·12 para una resistividad de 5 ncm.
1· 14. Se añaden impurezas donadoras a un silicio intrínseco y la resistividad baja a I Qcm. Calcular la
relación entre átomos donadores y átomos de silicio por una unidad de volumen.
I-I S. Si el silicio fuera un metal mcnovalente ¿Cuál sería la relación entre su conductividad y la del
silicio intrínseco a 300 -K?
1· 16. La figura representa la concentraci ón de electrones en un semiconductor.
(o) Hallar la expresión y esbozar la densidad de corriente de eletrones J'<-~} suponiendo que no
exista ningún campo eléctricoexterior.
(b) Esbozar y deducir una expresión del campo eléctrico interno que debe existir para que la
corriente neta de electrones sea nula.
(e) Detenninar el potencial entre los puntos x=O y .\" = W dado 11(0)/" .. = 10-' .
II(X )

,,~ -----------+ - - -
o P ro b . 1·16

1·)7. Comprobar la Ec. ( 1-40) para un semiconductor gradual en circuito abierto.

1·1 8. Comprobar la expresión del potencial de contacto V" dada en la Ec. ( 1-42) para la unión abrupta
de la Fig. 1-1Oh considerando la densidad de corriente de electrones J.. = O.
1·19. La unión de la Fig. 1- IOh esté dopada con NI! correspondiente a un ála mo aceptador por cada I<t'
átomos de silicio. Calcular la diferencia de tensi ón de contacto V~ a temperatura ambiente.
 Problemas 845

1.20. Determinar el cambio de la diferencia de tensión de contacto en una unión pn en circuito abierto
y a 300 ' K, suponiendo que ND se cambia por un factor de 2500, manten iéndose N", fijo.
1.21. (a ) Repetir el Probo1-20 suponiendo queND no varía. y N", lo hace con un factor de 8000.
(b) La respuesta del apartado anterior ¿depende de que N", aum ente o disminuya? Explíquese
breveme nte.
1.22. Las resist ividades de los dos lados de una unión de silicio en escalón son de 5 Qcm en el lado p y
de 2.5 Qcm en el lado 11. Calcular la altu ra de la barrera de potencial V"'
1-23. Repetirel Prob oanterior suponie ndo que se intercambian las resistividade s de ambos lados.

CAPÍTU LO 2

2·1. Esbozar el diagrama logarítmico de la concentración de portadores en función de la distancia, para

una unión abrupta de silicio si N", = 5x lOl ~ átomos/cm' y ND = 5x 1016 átomos/cm-l. Dar los valore s
numéricos de las ordenadas. Señalar las regiones 1/. p Yde deflexión.
2·2. Las resistividad es de ambos lados de una unión abrupt a de silicio son de 2,4 Qcm en el lado p y
25 Qcmen el lado 11 . Esbozarel diagrama logarítmico de la concentración de portadores en func ión
de la distancia. Dar los valores numéricos de las ordenadas. Señalar las reg iones 11, p Yde deflexi ón.
2·3. (a) ¿A qué tensión la corriente inversa en un diodo de silicio Pn alcanza el 95% de su valor de
saturación a temperatura ambiente?
(h ) ¿Cuál es [a relación entre las corrientes con polarización directa de 0,1V y con polarización
inversa del mismo valor?
(e ) Si la corriente de saturación inversa es de la pA ¿Cuáles serán las corriente s d irectas para las
tensiones de 0,5, 0.6 Y0,7 V respectivamente?
2-4. Si la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio de uniónpII es de 1 l/A . ¿Cuá l debe ser
la tensión aplicada para una corriente directa de 2.5 ¡lA?
2·5. (a ) Un diodo de silicio a temperatura ambiente (300K) conduce I mA a 0,7V. Ca lcu lar la corrie nte
=
en el diodo si la tensión sube a 0,8V. Tóme se 11 2
(h) Calcular la corriente de saturación inversa.
«(;) Repetir el apartado (a) con 11 = l.
2-6. (a) ¿Qué incremento de temperatur a dará una co rriente de saturació n inversa 60 veces mayor que
la tenida a temperatura ambiente?
(h ) ¿.Qué descenso de temperatura dará una corriente de saturación inversa de un décimo de la de
temperatura ambiente?
2·7. Un diodo se monta sobre un chasis de tal forma que por cada grado de temperatura por encima de
la amb iente se transfiere térmicamenteü.l m W desde el diodo a su entorno. (La resistenc ia térmi ca
del contacto mecánic o entre el diodo y su enlomo es de O, I mWf2 C. ) La tem peratura amb iente es
de 25 'c. La temperat ura del diodo no debe superar en más de 10 ' C la del ambiente . Si la corriente
inversa de saturación es de 5 l/A a 25 OC Yaumen ta a razón de 0,07 ' C l, ¿Cuál es la máxima tensión
de polarización inversa que se puede mantener en el diodo?
2·8. Un diodo de silicio trabaja a una tensión directa constante de 0.7V. ¿Cuál será la relació n entre las
corrientes máxima y mínima en el diodo dent ro de un campo de temperaturas de - 55 a + 100 ' C?
2·9. El diodo de silicio descrito en la Fig. 2-5 se emplea en el circu ito de la Fig. 2-8a, siendo V,\,I = 61'
YR = lOOn ,
(a ) Determinar la corriente y la tensión del diodo.
(h) Si V,I,\ se baja hasta 3V. ¿Cuál debe rá ser el nuevo valor de R para que la corr iente del diodo
conserve el mismo valor del apartado anterior?
846 Mieroeleclróniea moderna

2·10. Un diodo de silicio con las características indicadas se emplea en el circuito de la Fig. 2-8a. siendo
VM =5V yR = l kn.
(a) Determinar la corriente en R y la tensi ón entre sus extremos.
(b) ¿Cuánla potencia disipa el diodo?
(e) ¿Cuál será la corriente del diodo si se cambia R a 2 y a 5kQ?
7

<E 5
¿
~ 4
~
;¡
~

E
o
3
·E
o
u 2

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

Tensión del diodo, V.
Pro". a·tO

2·11. (a) Repetir las partes (a ) y (b) del Probo2· 10 para VM = 10 Vy R ~ 2 ka .

(b) ¿Cuál es la corriente de carga si VM se reduce a 5\17
(e) ¿Cuál es la corriente en el diodo si VM aumenta hasta 20\17
2·12. El circuito de la figura utiliza el diodo del Probo2·10. Hallar V" dado V/I/I =9V.
ObLn
•

Pro". a.1a
2·13. El diodo de silicio de las características dadas en la Fig. 2·5 se emplea en el circuito del Prob. 2-12
con V/I/I =60V. Calcular la potenciadisipada por la resistencia de 0,4 kíl.
2·14. A lacombinación de diodo y resistencia indicada se le suministra una corriente constante I = 70mA.
La resistencia R es de precisión y vale I ka. A 25 ·C la tensión del diodo es de 700 mV.
(a) Trazar una gráfica de IRen función de la temperatura T entre - 55 Y + 125 ·C.
(b) Comentar el empleodel circuito a manera de termómetro. Admitamos que tanto la resistencia
R como la corriente del diodo tienen variaciones despreciables dentro del campo de tempera-
tura.

- I

]J. Prob. 2· 14
 Problemas 847

2·15. Determinar la corriente en el circuito de la Fig. 2-80 para VAA = 12 V YR = 4 Hl. suponiendo que
e l diodo:
(o) sea ideal.
(b) está representado como en la Fig. 2· 11 con V'Y = 0.6 V YR, = 20n .
2· 16. Determinar V. en el circuito del Probo2- 12 suponiendo que el diodo:
(a) se a idea l.
(b) que esté repre sentado como en la Ag. 2· 11 co n Vy = 0.6 V Y R, = 30n .
2· 17. (a) Represe ntar e l diodo de silicio de la Fig. 2-5 por el modelo dado en la Fig. 2- 11. es decir.
calcular V'Y y R,
(b) Utiliza r esta representación para resol ver el Prob. 2·9(0).
(e) Comparar la respuesta a eh) con la respuesta al Probo2·9(0 ).
2· 18. (a) Repetir el Probo2-17(0) para la característica del diodo del Probo2-10.
(b) Utilizar esta representación para resolver el Prob. 2· 12.
(e) Comparar la respuesta con la del Probo2-12.
2·19. La corriente en el circuito de la Fig. 2-8 debe ser de IDmA . Siendo V~A = 1.5V. Calcular RL siendo
el diodo:
(a) ideal.
(h) representado por VI' = O.5V y R = 500 .
2·20. Esbozar la tensión de salida 1'.,(1) defcircuito representado. para O $ f S 5 rns. suponiendo el diodo
ideal.

'00 n
•
200 n

I"rcl".2-20 L
,.)
'_V
....l-: 1
'"
2-21. Repetir el problema anterior si el diodo está representado por Vy = 0.5 V YR, = 500 .
2-22. Esbozar la tensión de salida paraelcircuito representado. para ü S I S 10 ms. suponiendo el diodo:
(a ) ideal.
(h) representado por VI' '" 0.6V y R, = 20Q.
ul tl

200 n

u{ t)
• -¡
1I"ro" . 2 .22 L-_ --+---'
(. )
I l b)

2-23. Esbozarla característicade transferencia de tensión (v..en función de \,) del circuito del Probo2-10
suponiendo el diodo:
(a) ideal,
848 Microd utr6niC'a moderna

(b) representado por Vy = O.6V. y R¡ = 25Q.

2·24. Esbozarla característica de transferencia de tensión ( \'. en función de \,) del circuito del Prob o2-22
supuesto el diodo:
(a) idea l.
(b) representado por Vy=05 VyR¡=4on.
2-25. Trazar la característica de transferencia de tensión del circuito repre sen tado. suponiendo los dos
diodos idénticos. teniendo Vy= 0.6Vy R¡= O.

I StO

J,: u .o ' W :.L

Prob,2·25 L -1
2·26. (a) Obtener la característica de transferencia de tensión del ci rcuito representado suponiendo los
diodos idea les.
(b ) Esbozar un ciclo de la tensión de salida suponiendo que la ten sión de entrada sea \',(1) = 20 sen
CíJ/.

6kn
•
IH O

01
IB n

D'
I. .. 111

U
•
12 V IO V

~ob. 2 ·2 6

2.27. La tensión de entrada a la red cuya característica de transferencia es la representada es 1', = 2 + 2

sen WI . Esbozar la tensión de salida \'..(1) en un ciclo de la entrada.

••. v

'f-"
o¡-- - -\-- --',- u" v
:
1·28 (a )

lb)

......... 2·27

2·28. (a ) La característica de transferencia de tensión de una red de diodo es la representada. Esboza r

la tensión de salida para v,W = 2.0 + 3 sen rot.
(h) Diseñar una red de diodo simple. con diodo s ideales. que tenga la función de transferencia
dada.
 Problemas 849

'., v

-u
Prob.2·28

2·29. (a) Se aplicauna senoide ",(1) = 3 + 2 sen rol a una redde diodocuya característicade transferencia
de tensión está señalada A. Esbozar la onda de salida v (f) durante un ciclo.
(h ) ¿Quécambios cabe esperar en la onda de salida si la característica de transferencia de tensión
es B?
(e) Diseñar un circuito que tenga la característica A usando diodos ideales.

l f-----,...
B

Prob.2.28

2·30. (a) Obtener la característica de transferencia de tensión del circuito de la Fig. 2.23.
(h ) Empleando el resultado de (a ) comprobar que el circuito es un recortador a dos niveles.
2-31 (a) La corriente I del Probo2· 14 cambia en M<<1. Emplear el análisis de pequeña señal para
determinar 6J1/'
(h) Con R = 1ka, ¿cuál es el mínimo valor de l para elque (M,IIM) ~O,O I a temperatura ambiente?
Prescíndase del efecto de eO'
2-32. En el circuito del Probo 2-12, V" pasa de 6 a 6.25 \l . Determinar:
(a) La variación l1V" de V H
•

(h) El nuevo valor de V .

2·33. En el circuito del Probo2-20(0), 1'(1) = 8 + 0.02 sen roroDespreciando el efecto de la capacidad de
difusión y suponiendo que el modelo en continua del diodo es Vy = 0.6 Y R = O. determinar y
esbozar la tensión de salidaque apareceráen un osciloscopio siel selector se colocaen: (a) alterna.
y (h) continua.
"
11•• V

t---' sf-- ..., s - - r -- ,

R '.
(180m
,1- ,
OL _ _ .;-_ _-,-_. '. m$
J

Prob.2.:l4 c.) (b) C,)

850 Microelectrónica moderna

2.34. Al c ircuito d iodo-resistencia representado se le ap lica n las ondas 1'1 y I·~ . Esbozar I',,(t) para
0:5 (:54 ms. Supóngase que e l diodo de silicio corta instantáneamente y que Vy = 0.6Vy R, = 20.0:.
2.35. (a) La fig ura representa la característica de transferenci a de un c ircuito de di odo. Esbozar la
ten sión de salida de un cicl o. supuesto que l'; = 6 + V", se n ro,.
(h) Si 1';= 6 + .1.V,. ¿Cuál será el cambio .1.V" en l' " pa ra un incre mento .6.V, tanto positivo como
negativo?
~g ' v

P,ob.2.35 ---*"'--+------
o ~I' v

2~36. Esbozar la ca racte rística de transferencia de l circuito de d iodo Ze ne r re pre sentado suponiendo que
D I y D2 son idént icos. y tienen los pará metros V" Vy y Rt
R
--
•
DI

D'
P,ob.2.36

2~37. Repetir e l problema 2· 36 pa ra V I :::5 Vy V , ::: 10 V. Supó ngase Vy= 0.6V. R = 10 k.o:. R, ::: 20.0:
y una corriente de saturación despreciable. --
2~38. En el circ uito de la Fig. 2-32 se emp lea un diodo Zener q ue prop orci ona regulación para
SO mA :51", S; 1.0 A. Determinar el campo de las corrie ntes de carga c uya regulación se consig ue
si la tensió n no reg ulada V, var ía entre 7.5 Y 10 V. La resistencia es R, = 4.75.0:.
2.39. El reg ulador de la Fig. 2-32 suministra una tensión de carga de 6 V pa ra toda corriente de carga
IL S O,SA. La alime ntación no regu lada varía e ntre 8 y IOV y el d iodo Ze ner regula para 1: > O.
Determinar:
(a ) La resistencia en serie R, necesaria.
(b) La d isipación de potencia nom inal de Zener.
2·40. El circuito de la Píg. 2- 32 está diseñado con R = 20.0:. El diodo Zener de 5.6 V regula para
l n/A S; 1. :5 300 mA y una corriente de carga O S; / LS 200 mA. Determinarelcampo deamplitudesdel
suministro no regu lado en el q ue se ma ntien-eregu lada la ca rga .
2·4 1. Los d iodos con polarización inversa se emp lean frec ue ntemente como co ndensadores variables
gobernados eléc tricamente.
La capacidad de una unión abrupta de diodo es de 4 pF a 4V. De terminar le s cambios de la
capacidad:
(a) incrementando en 0.5 V la polarización.
(b) dis minuye ndo en 0.5 V la polarización.
2·42. La dedu cción de la Ec. ( 2~4 0) para la capacidad de d ifusión C D supone que e l lado p está más
dopado que e l n. por lo que la corriente en la unión es esencialme nte la corriente de huecos. Deducir
una expresión de CD cuando se prescinde de esta apr oximación .
2.43. En el circ uito representad o. la tensió n umbra l de un d iodo es de 0.6 V Y la c aída a través de un
diodo en cond ucción es V' = 0.7 V. Ca lcular v" para las siguientes te nsio nes de entrada e indicar
 Problemas 85 1

el estado de cada diodo (ON u OFF). Justificar la presunción sobre el estado de cada diodo.
(a) v1 = IOV yv 2 =OV.
(b) v l = 5V yv1 = OV.
(e) v1= IOV y v 2= 5V.
(ti) v1 = 5Vy v2 =5V.
2kn DI

"
'.
2k n Dl
¡8 U}
"
~

Pro b. 2.-43

2·44. Repetir el Probo2-43 suponiendo que la resistencia de IRQ retoma a tierra a través de una fuente
de SV.
2·45. En el circuito representado \' 1 es un impulso de 5V cuya duración es de 10 a 40 ns. Esbozar el
impulso de salida para anchos del impulso de entrada de lO, 20. 30 Y40 ns. Supóngase que los
diodos son ideales. (in sinuaci ón: para x « 1, E " '" 1 - x) ,
son DI

50 en
'. O.OI IlF
-=- so v
•

Prob. 2.- 45

CAPiTULO 3
J.I . En el circuito de la Fig. 3·3 se emplea una fuente de corriente gobernada por corriente. La fuente
gobernada queda definida por:
'2= 100 ;1mA . para f ~ O
i2 =O parai l <0
siendo por otra parte ideal. Los parámetros valen: R, = 100.0:. R! = I k.O:, YVu = IOV.
(a )Dibujar una serie de características de salida (i 2 en función de 1\ ) para O S; ; . S; 200 ~ .
(b) Trazar una característica de transferen cia ( \'1 en función de v) para I ',~.
(e) ¿Qué valor de ", se necesita para hacer v! « 0,5V?
3·2. En el circuito representado se utiliza una fuente gobernada no ideal. Esbozar la característica de
transferencia (v 2 en función de v) para r" tendiendo a infinito (circuito abierto). ¿Qué partes de la
caracterfstica deberán emplearse si el circuito debe actuar a manera de interruptor? ¿Y como
amplificador'? (Sugere ncia: Dibujar primero una serie de característicasdel dispositivo. Supóngase
que las tensiones umbral y en conducción del diodo son ambas de 0.5 V. y R, = 50.0:.)
852 Microelectrónica moderna

200 a
+ +
Ha
v, v, v,
•_-=- 5 V

Fuente gobernada
Prob.3·2

J.J. Repetir el Probo3-2, dado r" = 20 ka.

3·4. El dispositivo de la Fig. 3-2 es una fuente ideal de tensión gobernada por corrie nte. Dibujar un
conjunto de característ icas de salida típicas y explicar cómo puede emplearse este dispositivo a
manera de interruptor gobernado o como amplificador.
J·5. (a) Estando la base en circuito abierto (/, = O) determinar si las uniones emisor-base y colector-
base están polarizadas directa o inversamente.
(b) Calcular la corriente que existe en el transistor pnp, teniendo l ES = l pA , a F = 0,99 y a R = 0,5,
a temperatura ambiente.
3·6. Deducir la ecuación (3-16). Modificar esta ecuación para un transistor npn .
3-7. Deducir la Ec. (3-24) de las ecuaciones de Ebers-MolI.
3-8. El circuito de la Fig. 3-24(0) se usa para polarizar un trans istor 2N2222A con las características
dadas en la Fig. 3-16, a VCEQ = 5 V, e iCQ = 15 mA. La tensión de alimentación es Vce = 12V.
(o) Determ inar los valores de RB y R,. necesarios.
(b) Hallar el valor de J3F en estas condiciones.
3·9. Dibujar el circuito, análogo a la Fig. 3-24(0), empleando para polarizar el transistor pnp 2N2907 A.
(Este transistor y el 2N2222A son complementar ios.)
Siendo Vce = 15V determinar los valores de RB y Rc necesar ios para estab lecer VCE = - 10V, e
le = ~20 mA .
3· 10. En el circuito de la Fig. 3-24(a ) se emplea un transistor 2N2222A con Re = 2250, RB = 100 kO y
Vce = 9V. Determinar le y VeE'
3· 11. Empléese el circuito de la Fig. 3-25(0) para polarizar el 2N2222A a VeE = 5V, e l e = 15 mA, con
V"
= 10V .
3·1 2. Un transistor con J3F = 99 Ycorriente de saturació n inversa desprec iable se emplea en el circuito
de la Fig. 3-25(0 ), con Re =2 kO , RE= l ka, R, = 200 ka y VEE = 6V.
(o) Determinar le y Ve .
(b) Repetir (o) siendo PF = 199.
3-13. El transistor empleado en el circuito representado tiene J3¡ = 150 Y una corriente de saturación
inversa despreciable.
(o) DeterminarleyVe[.
(b) Repeti r (o) con J3 F reducida a 50

400 kn
Ha

....ob.3·13
 Problemas 853

3-14. En e l circuito representado se emplea un transistor co n (l, = 99 Yco rrien te de sa turació n inversa
desp reciable. Los valores son V("C= 10V. Rc = 2.7 kn y R, = 180 kn.eslando R,en circ uito abie rto .
(a) Hallar los valores de VC[ e "
(h) Repe lir(a)conp, = 199.

",

".
Pr cb . ).14

3-15. = =
El c ircuito de l problema anterior se emplea para estab lece r Va = 5 V.e Ic 5 mA . s iendo Vce 9V.
Se usa e l transistor de l prob lema an terior y R, está en circuito ab ierto.
(o) Determinar Re y Rr
(b ) Ha llar los nue vos valo res de '. ~' Vce para P,= 49 .
3-16. Se emplea el circuito del Prob. j -ta con los siguientes valores: R c = 2kn. R, = 25 H): Y Vce = 12V.
El transisto r tiene P, = 49 Yuna co rriente de saturación inversa despreci able.
(a) Determina r R, para que 1[ = - 2 mA.
'E
(b) Co n e l valor de R, hallado en (a) determinar cambiando P, a 150.
3-17. El c ircuilorepresenladoemplea un lransistorconp, = l OO y los parimetrosRe = 0.5 kn .R[ = 1 ID.
R. = 44 kn . Vcc = 15V. V[[ = - 15V. y V,, = 0.
(a) Determinar V.. YV. l
(h) ¿Qué nuevo valor de Re hace que V... = O'!
(e) ¿Qué nuevo valo r de Re hace q ue Vool = O'!
Des préciese la corriente de saturación inversa.
vrr

",
•
v••
v.. '. 1-
~

•
voz
",
.r
~

v" Prob. .J.17

3-18. En el circ uito de l Probo3·1 7 ca da una de las tensiones de suministro Vu ' Vce' YVE[ pueden ser de
10•• 10 o OVoCi tar todas las com binacio nes pos ibles de esta s tensione s co n las que e l trans istor
puede polarizarse e n la región activa directa.
3· 19. Repetir el problema anterior para la reg ión activa inversa.
=
3-20. En e l circuito de la Fig. 3·27(0) se emp lea un transistor co n B, 125 Y ~.= l . Siendo V... = 6 V.
854 Microelectrónica moderna

RE= Rc = I ID. determinar R, para que la comente en REsea de I mA.

3·21. Los valores de los elementos del circuito de la Fig. 3·26(a ) son: R. = 150 ID. R2 = 37.5 ID.
Rc =7 ID Y Re =3 ID. El transistor tiene PF =100 Y corriente de saturación inversa despreciable.
Con Vce =9V.
(a) Determinar VCEe le-
lb) Repetir la ) para B, =50.
3-22. El circuito de la Fig. 3·26(a) emplea los transistores dados en el Prob. 3·21. Los valores de los
elementos son: R. =90 ka.RJ = 10 ll. Rc = 10 ID, Re = 0.9 ka y v ce = 12V.
(a) Determinar VeEe le-
(h) Repetir (a) para~, = 200.
3·23. El circuito de la Fig. 3-26(a) debe emplearse con un transistor pnp con ~F =50 Ycon corriente de
saturación inversa despreciable. Se dispone de una tensión positiva de suministro de 12V. Las
resistencias de emisor y de colector son de 2 H} cada una. Determinar los valores de R. YR2 que
hagan que Vce = - 6V.
3.24. Determinar el valor de V,c en el circuito del Probo3· 17 con el que:
(a) Justamente sature el transistor.
lb) Obliga que ~ = 10.
Los valores de los elementos son los dados en el Probo3 ~ 17.
3·25. Los valores de los elementos en el circuito del Probo3· 17 son: Vce= O, Vu =:' ·IOV, R E= O.
Re =2 kQ, R, =50 ka . El transistor tiene ~F= 125, Ycorriente de saturación inversa despreciable.
Esbozar la característica de transferencia V". en función de V" indicando claramente la región de
trabajo del transistor.
3·26. Repetir el problema anterior siendo Vce = IOVy lodos los demás valores manteniendo los dados.
3·27. (a) Repetir el Prob. 3·25 para los siguientes parámetros: Re = 5 kn, R, = 100 ka, Re =2 m,
Vce = 9V. y Vu = OVoEltransistor tiene ~F = 150 Ycorriente de saturación inversa despreciable.
(b) Esbozar la característica de transferencia V~ en función de V' E"
3·28, Esbozar la característicade transferencia v..en función de v; del circuito representado. El transistor
tiene PF = 75 e leo = O.
12 Y

R,
IBO Jkn
Q

roo en 27 en

- 12 V Proh.3.28 - IOV

3-29. Esbozar la característicade transferencia V..en función de V/del circuito representado. El transistor
empleado es el descrito en el Prob. 3-28.
3-30. Esbozar lacaracteristica de transferencia V. en funci6n de V, delcircui to representado. El transistor
tiene PF = ISO Ycorrieme de saturación inversa despreciable. El diodo Schonky tiene una caída
de O,4Vcuando conduce.
 Prob/~mtJS 85 5

r-tlH - - -.
reen
-,.~'IM,-J.-

.. , . .... ,)·30

3.3 t. Los transistores Q l YQ2 son idénticos con 11,. = lOO Ycorriente de saturaci ón inversa. despreciable.
(a) Hallar V" cuando V, =O. Supóngase que QI está en corte y justiffquese el supuesto.
(h) Hallar V" cuando V, = 6V. Supóngase que Q2 esté en corte y [ustíflquese el supuesto.
(e) Esbozar la característica de transferencia de tensión. V" en función de Vi' a medida que V, pasa
de Oa6V.
(d) Repetir (e) decreciendo V, desde 6 a OVo

+1~ v

"n
-.
-,
T P,0"'. 3 ·31

1
3·32. La tensión de entrada 1'; en el circuito es l',(t) = 20 + 1.0 senznx 10 t. El transistor es el descrito en
el Probo)·3 1, y l'c(t) lal como se indica. Esbozar ",,(1) en un ciclo.
•, v

oLJ. LJ. ---''""' .. ..

1---100--1 I
: uo
o 11111

3·33. En el circuito representado se utiliza el transistor del Prob. 3-3 1.

(a) Determinar R. para que el transistor quede justamente saturado con Vi = 5V.
(b) Si V. es el impulso rectangular señalado. esbozar v.( t) . Supóngase que el transistor responde
Insranréneamenre.
856 Mlcroeleclr6nlca moderna

.s v
v,

• s

40'] '. ,!----+---',,.

o

J.34. (a) Esbozar la característica de trans ferenci a de tensión del ci rcuito represen tado. Bl trensistor
P
tiene F= 120. P.= =
2 e l ro O. El diodo Zener está tarado a Yz S.6Y.=
(b) Esbozar L en Iunci ón de v,

•• v

l.7kn

J.35. =
Un transistor se polariza a le 0..5 mA Ytiene P..150.
(a) Determinar g. Y'. a temperatura ambiente .
(b) La res istencia de entrada hit = 7.6 W. Hallar ' a.
(e) Se em plea una resistencia de carga Re = 2 ID Yel transistor se excita de una fuent e de 300Q
Estimar la gananci a de tensión.
3·36. EI 2N 2222A se polariza a ICQ = 20mA y VCEQ = SV. La tensión de suministro es de JOV.
P..
(a) Estimar el valor de para el transistor.
=
(b) Una señal de entrada ;..(t) 20 sen rol J1A se superpone al nivel de reposo. Estimar la
componente de señal de la corriente de colector.
J.37. (a) Dibujarel equ ivalente de peque ña señal . válido a baja frecuencia . del circuito de la Fig. 3-25(a)
(b) Deducir una expresión de la resis tencia vista entre base y tierr a.
3·38. Repetir el Prob . 3·37 para el circuito de la Fig . 3·26(a).
3·39. P P"
El transistor del circuito del Prob. 3-28 tiene F = 100 Y = 100 . La corriente de sa turación inversa
=
es despreciable. La tensión Barly VA tiende a infinito y la resistencia de dispersi6n de la base r; O.
La tensión Vj = 3,75 + aVIV,
(a) Dibujar el modelo de pequeña señal de circuito a baja frecuencia. inclu yend o los valores
numéricos de los parámetros del transistor.
(b) Emplear (a) para calc ular la variac ión aV..de V.. motivada por 6 V¡.
(e) Calcu lar 6V..para aV¡ = O.2SV.
(ti) Co mparar los resultados de (e) con un análisis en con tin ua de l circuito. para VI 4 V. =
Explíq uese cualquier diferencia .
340. (a) Dibuj ar el circuito equivalente de pequeña señal , de la etapa en base común de la Fig . 3-13.
(b ) Calcu lar a baja frecuencia la resistencia entre em isor y base (vista hacia el tran sistor).
341. (a) Dibujar el circ uito equ ivalente de pequeña señal, válido a baja frecuencia. del circuito de la
Fig,3-37 ,
 Problemas 857

(h) Determinar V"' dad o V, ::: - V2 ::: 25V . Los valores de los parámetros del tran sistor son:
P,,::: 125, r ¡, :::O y "," I Mil . La fuente de corrien te Iu; ::: 0,2mA , y Re ::: 250 kil.
3·42. Repetir el prob lema anterio r, parte (h), para V, ::: 25 ~V y V2 ::: O.
3-43. Repetir el Probo 3-4 1(h) para VI ::: Oy V, ::: - 25 ~V.
3· 44. Los parámetros de baja frecuencia y pequeña seña l de l tran sistor en e l c ircuito e n colector común
son :gm :::40 m a, 1-' r:t ::: 150, r---7ooyr =0.
" " lo
(a) Dibujar el equivalente de pequeña señal de esta etapa .
(h ) Determinar R", y R,;
(e) Evaluar la función de transferencia V/V,.

+vcc

~~
.;.
I! ." /( . Probo 3· 4 4

3·45, El tran sistor del c ircuito representado es tá descrito en el Probo 3-44. Determina r la res isten cia
equi valente R de pequ eñ a señal de l transistor en conexión diodo.
"

+I I. ~ V

r~Probo
1("1 3· 45

3·46. Se emp lea un transistor con PF ::: 100 en e l circuito de la Fig. 3-36(a). Siendo Vee:= 15V determ inar
e l valor de R que hace q ue l e ::: 0,2 mA.
] ·47. Los parámetros de la Fig. 3-32 son : r¡, := son, !". := 950n, C. := 50 pF, C~ := I pF, ",,::: 50 kn y
gm ::: O, IV . Determinar, con los terminales e y e cortocircuitados:
(a ) La relación 1,Ilh como función de la frecuencia.
(b) A qué frec uencia la relaci ón en (a ) es igual a la un idad .
(e) La impedancia Z,Js) vista entre los term inales b y e.

CAPÍTU LO 4

4· 1. El dispositivo del circuito representado es una fuente idea l de corriente gobernada por tensión
definida por 1, ::: 3x 1O-"V,mA,
858 Mtcroelectronica moderna

(a ) Esbo zar la característica de salida (/2 en función de VI) par a O :5 VI :5 3V con inc rementos de
O,5V.
=
(b) Siendo Vj I ,5V. dete rminar I } y v,
(e) Si V, es un impu lso positivo ¿c uál ha de ser su amplit ud pa ra q ue es te c ircuito actúe co mo u n
interru ptor gobe rnado?

v,
- 1,
.
v, Dispositivo.

Pro b.4- t

4·2. Con relación al dispositivo y circ uito de l Probo4- 1, '

(a ) Esboza r la característica de transferencia V, en función de V .
(h ) S iendo V = 1,5 + 1,0 sen ro, esbozar un cicio de la o nd a de ti,.
(e) En las co'nd iciones de (h ) e sbozar un ciclo de la tensi ón a travé s de la resiste ncia de 2 kO.
(ti) S i se ob serv a V2 en un osc iloscopio con e l se lec tor e n AC (en a lterna), esb ozar un ciclo de la
onda q ue se verá.
1
4·3. Una fuente de co rriente gobernada por lensión , definida por I} ~ 2,5 X 10-. Vj + 5 x 10 ~ V} se emplea
en e l circu ito del Probo4-1, Repetir e l Prob. 4-2.
4·4. Co ns ide remos un dispositi vo de canal " co n una concent rac ión de donadores de No átomos/cm' y
l
una puert a fuertemente dopada co n una co ncent ración de ace ptado res de N" álomos/cm siendo
N,,»No' con una unión canal-puerta abrupta. S upongamos q ue Vos = O Y qu e e l potencial de
co ntac to de la unión es muy inferior a 1V l. Demostrar que con la geomerrfa de la Fig . 4-6
lv,l = qN a2 nr, siendo E la constante d ie léctri ca de l material del ca nal, y q la magnitud de la
14
car"ga e lecÍrónica. Hallar V para un JFEf de silicio de ca na l 11 con a = 2 Ilm, N = 7x lO
,
átomos/cm y E. = 12.
' ,
4·5. Deduc ir la Ec. (4- u
4·6. (a) Ca lcular r 0 5lON, a Ves = OVpara e l JFEf cuyas ca ract erísticas sean las dada s en la Fig. 4-7.
(h) Un JFET de silicio de canal 11 tiene la est ruc tura mos trada e n la Fig. 4-6. Hall ar "DSto!o-' para Vti J
=O, siendo L = 10 ~m, a =2 Jlm , W =8 Ilm y V,. = . 4V. (SI/geren cia : Em plea r la e xpresión
de V en el Probo4-4.)
4·7. El JFET"cuyas caracterís ticas se da n en la Fig. 4-7 se emplea e n e l c ircuito de la Fig. 3· 19. Los
valo res de los elementos son: VIIII =24 V. Ro =4 kO , R. = 1 kO: Y Rti 2:'100 kO. Determi nar V/" , Io
y V (;I'
4·8. El circuito de la Fig. 4· 19 emplea el J FET de la Fig. 4 ·7.
Lo. tensión s um inistro es de 30V y se desea ten er VI I.\ = 17,5V e /11 = 2,5 mA. Determina r Rn y
R\.
4·9. Un JF ET de cana l p tiene V~ = 5Ve 11, \ \ = - 12 mA. La tensión d e al imen tación d isp on ible es de
12V. Empl eand o un circuito aná logo al de la Fig. 4 - 19 para un e leme nto de ca na l p de terminar Ro
y RI para qu e 111 = ·4 mA. y V'IS = - 6V.
4· 10. Un JFET de cana l " tiene V =. =
5V e I~ 12 mA y se emplea en el ci rcu ito rep resentado . Los
valo res de los pa rámet ros s~n V,)/} = 18 V. Rs = 2 rn, R" = 2 kU , R I =400 kU, Y R~ =90 Hl.
Determinar VII.' e In'
4· 11. (a) Se ca mbia la resistencia R, de l Prob_4- IO. ¿C uál de be se r e l n uevo valor de R, si lo = 8 tilA?
(h) Con los mismos va lores dados pa ra el Pro b. 4· 10, pero ca mbiando e l de V 00' ha lla r el nue vo
valo r de ést e para que lu = g mA.
(r} En las condiciones de (h ) ¿C uál es e l nuevo va lor de V,,\?
 Problemas 859

R, "'v

2
R,

v,

Prob.4·16

4·12. Se emp lea el circuito del Probo 4-10 para tener 1 D = 2,5 mA, y VOI = I7,5V con un sum inistro de
= =
30V para el JFET de la Fig. 4-7. La resistencia Re R I 11R1 ;::>: 100 ka y Rs 1,2 kQ. Determinar
R,> R2 y Re'
4·13. El MOSFET descri to por la característica de transfe rencia de la Fig . 4- 13 se emplea en el circuito
=
de la Pig. 4-2 1(a). Los valores de los parámetros son : Voo = 18 V , Ro 50 ka y RI = 10 kQ.
(a) Determinar la relación R/R 2 que hace ID= 0, 1 mA.
(b) ¿Cuál es el valor de Vos?
2
4·14. En el circu ito de la Fig. 4-21 se emplea un transistor de acumulación NMQS con k = 1 mA/V ,
W/L =2y Vr= 4V. La tensió n de suministro es de 12V, RfJ =R s = 2 kQ, R, = 100 ka, y
R2 = 300 ka. Determinar:
(a) IDy Vo_~ '
(b) El nuevo valor de Rs necesario para mantene r el valor de Iv del apa rtado (a) si W/L = 4.
4·15. Un trans istor de acumulación PMOS con Vr = - IV, W/L = =
1, Y k 0,2 mA/V2 se emp lea en un
circ uito análogo al de la Fig. 4-21(a). La tensió n de sum inistro es de 9V, R , = 240 ka . y
R 2 = 120 ka.
(a) Determinar Rs para que VG.~ = - 2V.
(h) Determinar el valor de Rv necesario para que VDS = 3V.
(e) Hallarel nuevo valor de R2 que mantiene el valor de ID en (a) y (b ) con VD cambiada a - 1,5V.
Supóngase que todos los demás parámetros conservan los valores dados o calculados en (a )
yen (h),
4·16. Los transistores Q l YQ2 del circu ito representado son idénticos, con las características dadas en
la Fig. 4-24(b).
(a ) Determinar la corriente de drenaj e en QI y la tensión V"'
(b ) ¿Cuál es el valor de VO.ll?
4·17, (a) Repetir el problema anterior, parte (a) suponiendo que la rel ación de aspecto W/L de Q2
disminuye en un factor 4 sin cambiar Q l .
(h ) Repetir lo anterior suponiendo que la relación W/L de Q l disminuye en un factor 4 sin variar
Q2.
4·18, Las características de Q I y Q2 empleados en el circuit o repre sentado son las dadas en las Figs.
4-24(b) y 4-26 respectivamente. Determinar VOI 1 y V/l\!'
860 Mtcroeíectróntca moderna

'6 V

•
v=

Prob.4.18

4-19. Repetir el Probo4·1 8 suponiendo que la relación de aspecto W/L de Q2 disminuye en un factor 5
sin variar Ql.
4-20. Repetir el Probo4-18 suponiendo que la relación W/L de Ql disminuye en un factor 5 sin variar
Q2.
4·21. Repetir el Probo 4-18 para el circuito representado.

Prob.4·21
4-22. Repet ir el Prob. 4· 21 suponiendo que:
(o) La relación W/L de QI disminuye en un factor 5 sin variar Q2
(b) La relación W/L de Q2 disminuye en un factor 5 sin variar Q l .
(e) Las relaciones W/L tanto de Ql como de Q2 aumentan en un factor 3.
4.23. En el circuito representado , Q l. Q2 YQ3 son transistores idénticos. de las carac terísticas de la Fig.
4-12 . Determinar 1" y V"'
'6 V

R,
nu km

Q3

Prob.4.23
 Problemas 86 1

4-24. Repetir el Probo4-23 suponie ndo que se intercam bian las conexi ones de la resistencia de JO kQ Y
de Q2.
J ·25. Repet ir el Pro bo4 -23 suponi endo que se sustituye Q2 por un transisto r de deflexión con ecta do
como resistencia y con las caracte rísticas de la Fig. 4-26.
=
4·26. En el circuito del Probo4-23. Q I. Q2. YQ3 son trans istores idénticos con k 40 ~fVl. W/L = 5
=
Y Vr 1.0 V. Determinar Ro para que V.. 3,5V. =
4· 27. Esbozar la runc ión de transferencia V"e n función de V,del circuito de la Fig. 4-24(a) con V00 = 6V.
El transistor Q I tiene las características dadas en la Fig. 4-26(h ) YQ2 es un transistor idéntico con
una relación W/L de 0,4 veces la de Q I.
4-28. Los transistores del circuito de la Fig. 4-24«(/) tiene n k = 50 J,J.A/ Y! Y V, = IV. Las dimensiones de
=
la puerta de Q 1 son W = 50 Jlm y L = 5JlIII. Q2 tiene W = JO Jlm y L 5JlIll. Esbozar la funció n
de transferenci a V" en función de V , para YLW = 5V.
4-29. (o) Un circuito NMOS tiene la carac terística de trans ferenci a dada en la Fig. 4-30. Sie ndo
l '; = 3.0 + 0.25 sen CJ)I. esbozar la onda de V..en un ciclo. vista e n un osc iloscop io co n el selecto r
e n OC (continua)
(h) Repetir lo anterior con el selecto r del osc ilosco pio en AC (a lterna)
4-30. (a ) Repetir el Probo4-29 para la característica de transferenci a de la Fig. 4-2 5.
(h) La amplitud de la entrada senoidal se eleva a 1.25 V. Describir la onda de sa lida.
=
4-3 1. EL FET usado e n el circuito de la Fig. 4-3 1 tiene V = -6V. lo_u 15 mA y 1 = 0.02 V i
polarizándose a 1o = 6111A Y Vos = IOV. ,.
(a ) Dibujar el modelo de pequeña señal del circuito a baja frecuencia .
(h ) ¿Qué valor de RD se necesita si la ampli tud de la compo nente de señal de 1'.. debe ser de 10
veces la amplitud de v,?
4·32. (a) Dibuj ar el equivalente de peque ña se ñal del ci rcuito del Probo4-10.
(b) Dete rminar la resistencia de salida vista entre el term inal I y tierra.
(e) Si Rs = O, la resistencia en (a ) ¿aumenta. dism inuye o se mantiene la misma?
4-33. En el circuito del Probo4-10:
(a) Determin ar la resistencia vista mirando al circuito entre el term inal 2 y tie rra. a baja frecue ncia.
(b ) Calcular la resistencia en (a) para R D = 5 kO:. R, = 3 ka . R. = 240 ID. Rz = 80 kO:, R.. = 2100,
yrJ = 50 kO.
(c) Repetir (b) para Ro = O.
4-34. El JFET del circuito representado tiene las caracterís ticas indicadas en la Fig. 4·32. Determi na r
para l ro = 2.5 mA la compone nte de señal de l '.. deb ida a una señal de e ntrada ",=2 sen (J)I mV. Los
valores de los parámetros son: Ro = l OO kO , y r,¡ = 100 kO:. Se supone que la corriente en continua
de Ro es despreciable y que la frecuencia de la señal es suficiente me nte baj a para que sea vá lido
el mod elo FET de baja frecuencia.

R.

I----L~ .

'.
"

Pro b. 4-J 4
862 Microeleclr6nica moderna

4·35. (a ) Dibujar el modelo de pequeña señal y baja frecuen cia del circuito re presentado.
(b) Determinar s,
(e) Calcu lar R" para g", = 1,0 mU. rol = 50 kO Y RD = 10 kn.

4·36. Repetir el Prob o4·35, partes (o ) y (h ) con la resistencia de deflexi6n re presentada.

- R.

P rob.4 ·36

4·37. (o ) Dibujar el modelo incremental del circuito del Probo4- 35, vá lido para alta s frecue ncias.
(b) ¿C uál es la capacidad equivalente vista entre drenaje y tierra ?
4·38. (a ) Dibujar el modelo de alta frecuencia de l circuito de l Prob o4·36.
(b) Determinar la capacidad equivalente vista entre fuente y tierra.
4.39. (o) Dibujar el equivalente de pequeña señal de la etapa MOSFET representada en la Fig . 4·290.
(h) Deducir la Ecuación (4- 19).
(e) Deducir una expresión válida a baja frecuen cia que relacion e las amplitudes de las seña les de
salida y de entrada . (Sugerencia: Pueden resultar útiles los result ados del Prob o4-36 .)
4·40. Esbozar la característica de transferencia del circuito repre sentado con VDD = 6Vy s iendo Q I YQ2
transistores idénticos descritos por la Fig. 4·12.
"'VOl'

QI

", •
Q' e.

Prob. 4. 40

4·41. (o) Dibujar el modelo de pequeña señal y baja frecuen cia del circuito del Prob.4-40.
.
(b) Deducir una expresión de la componente de señal de \' debida a la señal de entrada 1',.
 Problemas 863

4-42. Los transistores NMOS y PMOS de la Fig. 4-38 son compleme ntarios y tienen K = 20 ~ /Vl .
W/L = 1 Y VT = IV. Esbozar la carac terística de transferencia '', en func ión de Vi para V/m 5V.=
4·4 3. En la Fig. 4-38 el transístor NMOS tiene k = 15 ~/ VZ. W/L = 10 Y VT = 2 V. y el PMO S tiene
VT = · 1,0 V. W/L = 10 Y k = 15 ~ ¡V~ . Esboz ar la caracrerfstica de transfere ncia Vo en función de
Vi para V
DD
=
6 V.
4·44. Los rransísrores de la Fig. 4-38 so n elementos com plemen tarios cuyos parámetros se dan e n el
Probo4-42. La relación de aspecto W/L se cambia a 2. Esbozar la caracte rística de tran sferencia
del circ uito.

CAPÍTULOS

S-l. C itar por orden los pasos requeridos en la fabricación de un transistor integrado de silicio po r el
método de difusión epitaxial. Esboza r la secció n transve rsa l despu és de cada creci miento de óx ido.
5-2. (o) Consideremos un transistor npn integrado Q I construido sobre un sustrato S de lipa p.
Demostrar que ent re los cuatro terminales E. B , e y S e xiste un transistor pflp Q2 además del
Q I.
(h ) Si QI está en su región activa. ¿e n qué modo trabaja Q2? Ex plíquese .
(e) Repítase la parte (h ) con Q I en saturación.
(el) Repítase la parte (h) con Q I en carie.
5-3. Esboza r (en form a de circuito) las cinco conexiones básicas de diod o para circuitos integrados.
¿C uál de ellas tiene la menor caída de tensión directa ? y ¿c uál la máxima ten sión de ruptura?
5-4. Una oblea de 25¡.ull. de espeso r ha sido dopada unifonnemente co n fósforo a la co nce nrracién de
101 cm'), más boro a la de 5x 1016 cm'). Hallar su resistencia pelicul ar.
S-S. (a) ¿Cuál es la longitud total requerid a para fab ricar una resistencia de 20kn de 251lm de anchura
s i R. = 200 W cuadro?
(h) ¿Qué ancho es necesario para construir una resistencia de 5 k n cuya longitud sea de 25 lJ,m?
5-6. Un con densado r de película fina tiene una capacidad de 0,4 pF/(llm p . El espesor de la ca pa de
SiO es de 500 A. Calcular la constante dieléctrica relati va E, del Sial'
5-7. Se fabrica un condensador MOS con un es peso r de óx ido de 500 Á. ¿Qué superficie de chip se
necesita para tener una ca paci dad de 200 pF ? La constante dieléctrica relati va e. del Si0 2 es de
3.5.
5-8. Hallar. para el circuito representado: (a) el mínimo y (h) el máximo núm ero de reg iones aisladas.
,

Prob. 5. 8

5-9. (a ) ¿Cuál esel número mínimo de regiones aisladas necesaria s para consegui r en fonn a monol ítica
la puerta lógica representada?
(h) Dibujar una disposición monolítica de la puerta e n la form a de la Fig. 5- 1.
864 Microelectrónica moderna

R,
R,
QJ

4
6

10 R, R,
R,

Prob. S-9 2

S-lO. Repetir el Probo anterior para el amplificador diferencial representado.

2

R, 4
1 4 Vrr
Q4 J

R,
R,
l--.----<----~ S 2

R,
QS QI

R, R,
R,

ProboS-ID ProboS-11
6

5-11. Para el circuito representado: (a) hallar el mínimo número de regiones aisladas. y (b) dibujar una
disposición monolítica.
(Nota : En los problemas 5-12 a 5-22 señalar la letra de la premisa que se considere correcta.)
5-12. El número típico de difusiones empleadas para construir un circuito integrado de silicio con
difusión epitaxial es: (0)6, (b)3. (c )4. (d)5 , (e)2.
5-13. La «capa enterrada» en un transistor npn fabricado sobre un sustrato tipo p de un circu ito integrado:
(a) Se usa para reducir la capacidad parásita.
(b) está dopada p+,
(e) está localizada en la región de emisor.
(d) está dopada n+.
5-14. Se emplea en los circuitos integrados el crecimiento epitax ial:
 Problemas 865

(a) Porque origi na capacidades par ásitas peq ueñas.

(h) porque forma unio nes P" en oposición. aisladoras.
(e) pa ra crecer un cristal de silicio dopado 11 so bre un sustrato de c risral tipop.
(d) para crecer selectivamente un crist al de silicio dopado p de resis tividad dada so bre un sustrato
de distinta resistividad .
S·IS. En los c ircuitos integrados se utiliza el Sial:
(a ) Para cont rolar la localizac ión de la difusión y para proteger y a isla r la supe rfic ie de silic io.
(b) porque faci lita la penetración de los difusores.
(e) para controlar la co ncentración de los d ifusores.
(d) por su e levada cond ucción térmica.
S.16. Cuando se practica una abe rtura e n e l S iO , y se int rodu ce n imp urezas. éstes se difundirán
vert icalment e: -
(a ) A mayo r distancia que lateralm ente.
(h) a la misma d istancia que lateralmente.
(e) a men or distancia que lateralmente.
(ti) a do ble distancia que lateralmente.
S.17. El sustrato tipo p en un circuito mon olít ico debe co nectarse:
(a) A cualq uier punt o a tierra en cont inua.
(b) a ningún siti o; se deja flotante,
(e) a la tensión más positiva de l circuito.
(d) a la ten sión más negativa del c ircuito .
5-18. La resistenc ia pel icular de un semicond uc tor es :
(a) Un parámet ro cuyo valor importa en una res istencia de pelícu la de lgada.
(h ) una característica cuyo valor de termi na e l área requerida para un valor dado. de una capacidad
integrada.
(e) una característica importante de una región de di fusió n. especialmente si se usa para forma r
resistencias d ifundidas.
(d) un e lemento parás ito indeseable.
5· 19. En los circ uitos integ rados se requ iere un aislam iento para :
(a) Minimizar la interacción eléctricaentre los com ponente s de l circuito.
(b) simplificar las interconexiones entre dispo siti vos.
(e) pro tege r los co mpone ntes fre nte a daños mecánicos.
(ti) proteger el transistor de posibles e levac iones térmicas.
S-20. La mayor parte de las resistencias de un circuito integrado monolftico se forman:
(a) Durante la metalización. __ o

(h) durante la d ifusi ón de emisor .

(e) mientra s crece la capa epüexial.
(d) dura nte la d ifusión de base.
5·21. En un circuito integrad o monolúico:
(a) Cada transistor se difunde en una reg ión de aisla miento sepa rada .
(b) pueden construirse resistencias y condensado res de cua lq uier va lor.
(e) se eli mina n todos los problemas de aislamie nto.
(d) lodos los co mpooenres se fabr ican sobre un solo cristal de silicio.
5-22. Repetir e l Prob. 5- 16 suponie ndo que las impurezas se ha n introd uc ido por im plantación de ione s.
5-23. Citar. pors uo rde n. los paso s necesarios para la fabricación de un transis rorde acumulació n NMOS .
Esbozar la sección transversal de spués de cada paso de o xidación .
5-24. Repetir e l Probo5-23 para un transistor de de plex ión .
5-25. Dibujar la d ispo sición de los circuitos representados.
866 Microelearonica moderna

L--t---~ y

QJ

f---.c

f---. D
Q' Q4

Prob.5 ·2 5

(o) lb)
5·26. Citar por su orden los pasos necesarios para la fabricación de l circuito CMOS representado.

Puerta NORbásica. Inversor 1 Inversor 2

Prob.5·26 Dobleseparador

CAPÍTULO 6

6· 1. Convertir los siguientes números decimales a binarios:

(a) 127, (h) 360, (e) 1066.
6· 2. Repetir el Probo anterior para:
(a) 222, (b) 302, (e) 1176.
6·3. Converti r los números decimales del Probo 6· 1 a números de l sistema de base 8.
6·4. Converti r los números decimales del Probo6·2 a números de l sistema de base 16.
6·5. Expresar, para las ondas representadas. A, B YC como números binarios, suponiendo que:
(a) se emplea un sistema de lógica positiva,
(b) se emplea un sistema de lógica negativa.
 Problemas 867

f o
8
!-
' - - -
II I3 S 7 8
.,
>- .-- e- -
o l a " S 6 7 8
e

':1 I, •
., P robo • •,

6·6. Supongamos que el interruptor de la Fig. 6-1 está gobernado por una tensión v, estando cerrado si
1'= V( l ) yabierto si v = V(O). Cuando está cerrado. el interruptor tiene RON = son, ycuando está
abiertose puede representar por ROFf =50 kQ. Determinar el campo de valoresde R que garantice
que V(O)SO,2Vy V(I)~4,5V.
6·7. Repetir el Proboanterior para VeO ) S 0.3V y VO ) ~ 4,7V.
6·8. El circuito de la Fig. 6-1se emplea tal comoestá descrito en el Probo6-6. El valor empleado para
R es de 5 kn . Determinar:
(a ) el valor mínimo de ROf'f con el que V(l ) ~ 4.8V.
(b) el valor máximo de RON con el que VeO) S O,2V.
6·9. Las ondas del Probo6-5 son las tres entradas a una puerta ORde lógica positiva.
(a) Esbozar la onda de la tensión de salida de la puerta.
(b) Escribir la tabla de la verdad de la puerta.
6·10 Repetir el Probo6·9 para una puerta de lógica negativa.
6·11. Las ondas del Probo6-S son las tres entradas a una puerta NANO de lógica positiva:
(a) Escribir la tabla de la verdad de una puerta AND de tres entradas.
(b) Esbozar la onda de tensión de salida con las entradas dadas.
6·12. Repetir el Probo6-11 para una puerta ANO de lógica negativa.
6-13. Las tres entradas mostradas en el Probo6·5 alimentan un inversor (puerta NOT). Las salidas del
inversor se emplean como entradas a una puerta ANO de lógica positiva:
(a ) Esbozar las ondas de salida de la puerta ANO
(b) ¿Qué operación lógica se cumple en las entradas A, B Yel
6-14. Repetir el Proboanterior suponiendo que las salidas del inversor son las entradas a una puerta OR.
6-15. La onda e del Probo6·5 se introduce en un inversor. La salida del inversor y A Y B son las tres
entradas de una puerta ANO.
(a) Esbozarla onda de salida de la puerta ANO
(b) ¿Qué operación lógica se realiza?
6-16. Las ondas dadas en el Probo6·5 se aplican a una puerta NOR de tres entradas. Esbozar la onda de
salida de la puerta.
6·17. Repetir el Proboanterior si las ondas se aplican a una puerta NAND.
6·18. Construir puertas AN O. OR YNOTempleando sólo puertas NAN O de dos entradas.
868 Microetearontca moderna

6·19. Mediante el álgebra de Boole, comprobar:

(a) (A + B)(,4+C)(B + C) =AB + AC +BC
(h) (A + B)(A + C) = AC + A-ª-
(e) (AB+BC+AC)=AB+BC
6-20. (a) Empleando sólo puertas NOR construi r un circuito lógico que cumplan los dos miembros de la
Ecuación de Boole del Probo6-19(b).
(b) Repetir el punto anterior usando sólo puertas NAND.
(e) ¿Cuál de los dos circuitos (a) o (b) emp lea menor número de puertas?
6-21. Repet ir el Prob. 6~20 para la ecuación de Boo le del Prob. 6-19(c).
6-22. (a) Usando sólo puertas NOR constru ir un circuito Exclusivo-ca
(h) Repetir el punto anterior emp leando puertas NAND.
6· 23. Un semisumador es un circuito lógico de dos entradas y dos sal idas con la siguiente tabla de la
verdad:

Entr. I Entr.2 Salida l Salida 2

O O O O
O I 1 O
O 1 O
1 O I

Fonnar este circuito empleando:

(a) puertas NANO,
(h) puertas NOR.
6~24. El circuito representado es un inversor de lógica positiva que excita N circuitos idénticos en
paralelo. El interruptor gobernado tiene RON = lOOa, Rflf f = 50 kil Y R¡" = 200 ka. Determi nar el
fan-out (nú mero de salidas en abanico). Los niveles lógicos son V(Ol:::;; 0.5V y V( 1) 2:: 3V.
'v

InleITUptor gobernado + Carga; N

etapas
idéntic as

'"
paralelo

P rob. 6 ·24

= =
6-25. En el circuito del problema anterior RON 0.5 ka y ROf f 100 kil. siendo los niveles lógicos
V(O) s O.5Vy V(1) > 2.5V.
(a) ¿Cuál es el mínimo valor de R¡" para que el fan-out sea ID?
(h) Dado el valor de R hallado en (a). ¿qué efecto tiene la disminución de Ron sobre el fan-out
jK

y los niveles lógicos?

(e) Repetir (h) si R aumenta.
 Problemas 869

6-26 . En el interruptor gobernado del circuito re presentado es tá ce rrado con 1', =\'(
1) Y abierto co n
= (O). C ua ndo est é ce rrado. e l interruptor se caracteriza po r N(" .• y por R'''f si est é abie r to. La
1',
tensión de en trada ha estado en V(I ) d urante un largo ralo . En e l insta nte 1=0.1', p<lsa a " (O).
Deducir una e xpresión para el retardo de propagaci ón '~

'1 '0 0

r
InlemJ plor
'. ~ ....m odo

-l
~ P rob .6·26

6· 27. La ten sión 1', en e l circuito del problema anterio r ha sido de \'(0 ) du ran te un raro largo. En e l instant e
f= O pasa a V( 1), Deduc ir una expres ión para t",,,.'
=
6-28. Los valores de lo s parámetros del ci rc uito descrit o en e l Prob. 6-26 son \ ' I)/) 5 V. N lO .tU. =
e = 50JlF. N(~ = 417il YRl'o = 40 H l. En e l instante I = O. " , pasa de \ '(0) a \/ ( 1) Ye n el instante
f = 0.2 I..IS. vue lve a V(O).
(a ) Dete rmin ar e l retardo de propagac ión (promed io).
(IJ) ¡.Cuá l e s la corriente instantá nea máxima qu e el interruptor es ca paz de sopo rtar"
Ce) ¡.Cuál es e l mínimo tiem po de ciclo de es te c ircuito?
6-29. S upo ngamos q ue el interrupto r del Probo6-28 est é ce rrado la mitad deltiempo y ab iert o la ot ra
mitad ,
(a) Determinar la potencia media di sipada po r e l circuito d urante un ciclo.
Ch) Calcu lar el produ cto retardo-potencia.
= =
6-30. En el circ uuo de la Pig . 6 ·2n(h ). lantoQ I co mo Q2 licncn .t 25 ~1l/~ y \ ', 15V. Las relaciones
de aspecto son \VIL = 5 para QI y IVIL = I para Q 2. La te nsión de suminist ro es ",,1'
= 5 1'.
(ti) Esboza r la caracte nsric a de transfe rencia de la puert a .
(h) Determinar V I N0 Vm /. VU" y Vm y el ma rge n d e ruido .
6·3 1. E l inversor del Probo6-)0 es tá suje to a variac ione s de fabncación.
Repetir e l Prob. anteri o r d ado q ue /.: va ría e n ± 20%. Señ ala r lo s c am bios de actuac ión .
6·32. Los transisto re s de la F ig . 6 -20(11) so n idénti co s. con \'r = 1.25\'. siendo J..' WIL de 1O()~lA W~ pura
Q I y de 50 W\l\,l para Q2. y la tensión de suminist ro V/m = 5 \'.
(a ) Esbozar la caracrertsñcn de transfe rencia de tensión.
(h) Calc ular e l margen de m ido .
6· 33. Debido u variac iones en la lub ricación V, varía en ±O.25 V. Repe tir el Probo 6 -32 co n estas
var iacion es de \',
y señalar b s dife ren cias en e l compo na nuc nro de l c ircuito .
=
6·34 . Las tensiones de aliment ac ión de 1" Fig. 6· 23(0) son: 1',>/, 5 \' Y l',;c; = IlW. Q I YQ 2 so n id énticos
teniendo .tWIL = I mAfyl y V, = 5V. Esb ozar las caructcrisncas del c ircuito y calco!a r el margen
de ruido.
6-35. (a) La relaci ón de aspecto de Q 2 en el ci rcuit o de l Probo6 -34 a ume nta en un 10 %. ¿C uál es e l
po rcentaje de variac ión del margen de ruido?
(h) Repetir e l puruo anterior en e l supuesto de que varíe só lo la re lación de aspecto de Q I en un
10% .
870 Microelectronlca moderna

6-36. La polarización de puerta VGG del circuito de las Fig. 6-23 varía de 7 a 12V.Trazar las curvas del
margen de ruido en función de Voo'
6-37. En el circuito de la Fig. 6-24(a) el transistor de acumulación tiene kW/L =U,l mA/V2y Vr = 1,5V.
El MOSFET de deflexión tiene kW/L =20J1Af\P Y Vr =- 1,5V. Siendo VDD =5V:
(a) Esbozar la característica de transferencia de tensión .
(b) Calcular el margen de ruido.
6-38. ElcircuitodelaFig. 6-24(a) emplea el Ql descritoenelProb. 6-37. teniendo VDD = 5V. El transistor
de deplexión tienekW/L = 25J1A/V2 Ysu tensión umbral varía entre - 0,5 Y - 2,5V. Trazarlas curvas
del margen de ruido en función de Vr de Q2. Tomar incrementos de O,5V.
6·39 El circuito de la Fig. 6-24(a) emplea el Ql descrito en el Prob. 6~37 y una alimentación VDD =5V.
El MOSFET de deplexión tiene Vr = - l,5V. y k = 1OJ1A/V2.
(a) Esbozar las características de transferencia con relaciones de aspecto de Q2 de 1,2,5,5.7.5,
Y 10.
(b) Trazar curvas del margen de ruido en función de la relación entre kW/L de QI y kW/L de Q2.
6·40. Determinar l pUf del circuito del Ejemplo 6-5.
6-41. Calcular el retardo de propagación medio del circuito descrito en el Probo 6·3 7.
6-42. Calcular, para el circuito del Prob. 6~38 con Vr = - 1.0Vel producto retardo-potencia. Supóngase
que la salida es alta durante el 50% del tiempo.
6·43, Calcular el producto retardo-potencia del circuito del Probo6- 30. Supóngase que la salida es alta
durante el 25% del tiempo .
6-44. Consideremos que en la puerta NOR de la Fig. 6-28(a) los dos excitadores tienen V(l) =5V. En
efecto. los MüSFETs están en paralelo. Los MOSFETs utilizados quedan descr itos en el Prob.
6-37. y VDD = 5V. Determinar la corriente de drenaje de cada transistor. (Sugerencia: ya que los
excitadores están en paralelo dibujar una característica compuesta del conjunto y construir la recta
de carga.)
6-45. (a) Consideremos dos inversores NMOS aislados. La entrada de uno de ellos es A. y la del otro
es B. Se conectan entre sí las dos salidas. y la salida común es Y. ¿Cuál es la relación lógica
entre A. B e Y?
(b) Dibujar el circuito y demostrar que la lógica en (a) queda satisfecha. Prescindir de una carga
FET ya que las cargas están en paralelo.
6·46. Repetir el Proboanterior empleando puertas NAND de dos entradas en lugar de los inversores.
6·47. (a) Se conectan en cascada tres inversores teniendo cada uno de ellos la característica de
transferencia de tensión representada. Esbozar la característica de transferencia de la cascada.
(Sugerencia: se necesita tomar varios valores entre 2,45 <v¡,<2.55V.)
(b) Comparar la pendiente de la característica de transferencia en la región lineal de la cascada
con la de un inversor solo.
(e) Comparar los margenes de ruido del inversor solo y de la cascada.

".
sf-"

OL-¡7--~7"--"'
I.S 3. S

Probo • .47

6-48. Dibujar el esquema del circuito de una puerta NAND CMOS de dos entradas.
 Problemas 871

6·49. Si los inversores del Probo6-45 han sido fabricados con recnologfa CMOS ¿pueden conectarse
entre sí las salidas para tener la misma relaciónlógica entre A. B e Y? Explíquese.
6·50. Consideremosel circuitode la Fig. 6-30(a) parael que se han descrito los MOSFETsen la Sección
6-8. La tensión de entrada Vi varia linealmente con el tiempo alcanzando los 5V en 1001Js.
(a) Esbozarla corrienteen el circuitoen función del tiempo.
(b) ¡.Cuáles la potencia media disipadadurantecada intervalo de IOOIJ.S?
6·51. Tenemosla representación de laentradaal inversorCMOSde la Fig. 6-30(a) descrito en la Sección
6·8.
(a) Determinarla potencia mediadisipada en un ciclo.
(b) AldisminuirT(a umenlarla frecuencia) el resulladode (a) ¿aumenla. disminuyeo se mantiene
igual? ., v

2.4 en

I. [ g: T
10 2 10

Prob.6·51 J. 1 Prob.6-56

6·52. Dibujar el circuito CMOSque cumpla la operación lógica aplicada en el Prob. 6-46.
6·53. Consideremos la puerta de transrnisién de la Fig. 6·32 con tensiones de control V(O) = - 5V.
V(I ) = 5V. y una senoide con picode 5V. Supóngaseque la tensión umbral es Vr = O.
(a) Comprobarque a la salida.con e = V( 1) aparece la senoide completa.
(b) Demostrarque la transmisión queda inhibidasi e =V(O)
(e) Repetir (a) y (b) dado V T = 2,5V. Señalar el campo de las tensionesde entrada con las que Ql
y Q2 conducen.
(d) Supóngase una tensión senoidal de entrada de 7 .5V. de pico. Esbozar la tensión de salida si la
tensión gobiernoes V( 1).
(e) Repetir (d) dado que la tensión de gobierno sea V(O) y Vr =2.51 .
6-54. El BJTinversor de la Fig. 6-34(a) estádiseñadocon R. = 12kn . Rc = 3kn y Vce = 6V. La corriente
de saturación inversa es despreciable.
(a) Determinar el valorrnfnimo de PF para saturarjustamente el transistor cuando '', =V( 1) = 6V.
(b) Suponiendoque la salidadel transistores V( 1)duranteel 50%del tiempo.calcular la potencia
mediadisipada.
6·55. El transistorempleado en la Fig. 6·34(a) tiene 50:5 PF :5 150. La tensi ón de suministroes de 5V,
V(O) = 0,3V. y V( 1) = 4.8V. Un impulso de corrientede salida debe ser de JO mA.
(a) DeterminarRe y R, de fonna que el rransístor quede justamente saturado al PF mínimo.
(b) Suponiendoque el transistorconducedurantee15% del tiempo, determinar la potencia media
disipadapor la puerta. Tómese PF = 150.
(e) La respuestaa (h) ¿essignificativamente distinta si PF = 50?Justificar larespuesta(sin resolver
nuevamente el problema).
6·56. El inversorrepresentadodebe excitar N puertas idénticas.
(a) Siendo PF = 40 ¿qué valor de v" = V(I) satura justamente el transistor?
(b) Dado Vi = V(O) = 0.3V. calcular N suponiendo que cada una de estas etapas est é justamente
saturada.
6·57. El inversordel Probo 6·55 debe excitar N puertas idénticas.
(a) Calcular el mínimo valor de PF del transistor si un transistor en conducción está justamente
872 Microelectrónica moderna

saturado.
(h) Hallar el valor de 1'" = V( 1)
(e) ¿Cuál es, aproximadamente, el margen de ruido?
6-58. En el inversor de la Fig. 6-34(a) se emp lea un transistor 2N2222A con Cee = 10V , Re = 5000 Y
=
RB 50kO. Traza r la característica de transferencia de tensión de la puerta para 0:5 1'; :5 JOV.
6·59. El circuito representado se emplea a veces como inversor en chips de lógica TIL. Los transistores
empleados son idénticos, con p¡= 25 Y PR = 0,5. Con V(O) = O,2V y V( 1) =3,5V :
(a) Comprobar que el circuito se comporta como un inversor.
(h) Determinar las corrientes de base y de colector en cada transistor para v = VeO) y l ' = V( 1).
(c) ¿Cuál es el Jan-cut del circuito? ' .,
., v

R, R,
(4k Ol ( 1.2 knJ

•
v, Q'

Pr t>b. 6-59

6·60. Hallar la característica de transferencia de tensión del circuito de l Probo6-59.

6· 61. Entre el colector y la base del circuito del Probo6-56 se conecta un diodo Scbottky. Esbozar la
carac terística de transferencia de tensión para 0 :5 l ' :5 5V, e indicar a estima el margen de ruido .
6-62. El transistor del circuito representado tiene p¡ = 50. betenni nar 1'" y las corrientes de colector, base
y diodo para 1', = V( 1) = 4V.

., v

Re
(2 kU j

R,
(l 8 km

Prob.6.62

6·63. Dado V(O)=O,3V. en el circuito del Probo6-62, determinar el fan-out.

6·64. (a) Comp robar que con el circuito representado Y = ABC
(h) Si PF = 25 ¿cuál es el tan-out?
(e) ¿Cuál es la potencia media disipada por la puerta suponie ndo Y = V(l) durante el 50% del
tiempo?
 Problemas 873

"V

..n Hn
..n
A

B Q2 Y

e
Q'
Ikn
~ -e- Ptob. 6-64

6-65. (a ) Calcular I3n ....., para la puerta NAND TIL de la Fig . 6-37 para un funcionamiento apropiado.
Supóngase que Q2 y Q3 se saturan si todas las entradas son V( 1) Yque I3R = 0.1 para Q l .
(h) Repetir (a ) suponiendo que Q2 se mantiene en la región activa y Q3 se satura cuando todas
las entradas son V(I ).
6·66. (a) Esbozar la función de transferencia de tensión de la puerta NAND TTL de la Fig. 6-37. Indicar
cuidadosamente elestadode cada transistoren cada una de las partes de la caracterlstica. Tomar
para lodos los transistores 13, = 25 Y13. = 0,2
(b) Determinar el margen de ruido.
(e) Determinar el Jan-out.
6-67. La puerta NAND 1TL representada emplea una etapa en tótem modificada. Supóngase que las
entradas proceden de las salidas de puertas idénticas y que 13, = 20 Y P. = 0,5.
(a) Dado A = B = e = V( I), determinar la corriente en cada resistencia. en cada colector y en cada
base. Calcular la tensión respecto a tierra de cada base y de cada colector. Comprobar que Q5
está en la región activa directa.
(b) Repetir (a ) para el caso en que por lo menos un nivel 16gico sea VeO). Comprobar que Q5 está
en saturación.
(e') Determinar los niveles lógicos.
(d) Determinar el fen-our.
' SV

1.4 kfl I!D e

QS
Ql
Q' ,.
A Q' '.
B
e Q'
"""'"
klm licas

Ikn 1U1

Prob.6-" ~
874 Mtcroetectrontca modema

= =
6·68. (a) En e l circ uito represen tado en la parte (a) de la fig ura. 1'. V( J) 5V durante un ralo largo
= = =
En e l instan te I O. 1', V( 1) O,2V. Determin ar e l tie mpo de ..ubida de 1',,_
(h ) Para red ucirel tiempo de subida de (a) se añade en pa rale lo con la res istenc ia de 5kO e l circuitc
señalado con trazo mas déb il en la parte (h ) de la figura. Explicar có mo trabaja e l circuito }
por q ué es deseabl e reducir e l tiempo de subida.
(e) ¿Por qué la simple sustitución de la resistencia de 5kO por otra de 0 .5,(:0 es una forma efica z
de reducir e l tiemp o de subida?
-s v

Q.5 kll
Skn
., v
Ol
Skn

P, o b . 6 ·6 8
»,

'"'
r
~
".
~
01

,b,
r
6-69 . La salida de la puerta lTL de la Fig. 6-38 queda accid e nta lme nte cortocircuita da a tierra.
Determi nar la corriente de cortocircuito. dado q ue 11, = 20 Yq ue:
(a ) Todas las entradas están a V( 1).
(h ) Por lo menos una en trada es tá a V(OI.
6-70 . Las dos entradas de la puert a TIL están unidas e ntre sí tal co mo queda repre sentado. Los
transistores son idé nticos con ~" 0.5. =
(a) Determina r J3 f r _ " para tener un func iona miento co rrec to. Sup ónga..e que Q2 y Q3 se saturan
con e, = V( 1).
(h) Re petir (a) suponie ndo que Q2 no se satura.
+~ \'

!Ja n

".
01

1.4 kil

P ro b . 6 ·7 0

6-7 1. (a) Esbozar la ca racte rística de transferencia de tensió n del circuito del Probo 6-70. S upo nga..e
~, = 25.
 Problemas 875

(h) ¿Cuál es el tan-out?

(e) ¿Cuál es. aproxi madamente, el margen de ruido?
6·72. (a) Deducir la caracterfsrica de Iransferencia de tensión de la salida OR de la puerta ECLde la Fig.
6-47.
(h) Calcular el margen de ruido.
6·73. Repetir el Proboanterior para la salida NOR .
6·74. Deducir los márgenes de ruido correspondientes a los puntos de pendiente unidad de la corriente
del interruptor. (Sugerencia: Esto se puede dar analíticamente empleando la relación exponencial
de I c'l e In ' )
6·75. (a) Para la puerta ECL básica de la Fig. 6·47 determinar VeO) y V(I) teniendo en cuenta las
corrientes de base. Tómese ~F = 50.
(h) ¿Cuáles son los márgenes de ruido?
6·76. Demostrar que cuando Q2 est é en conducción, Lo de la Fig. 6-45(a) es mayor que IC I (con Q I en
conducción)
6·77. Para el circuito representado, Vu = 5V. V" = • 1,2V Y v, es la salida de una puerta idéntica. Los
niveles lógicos son V(I} = - O,8V. y VeO} = - 1,6V, La corriente máxima en cualquier transistor es
de 6 mA . Supóngase que~,;» l. con lo que se puedendespreciar las corrientes de base. Detenn inar
los valores de las resistencias RI • R2, RII• R, YRf •

R.

Q' Q'

"

R, R,

Pr ob.6-77

CAPÍTULO?
7-1. (a ) Indicar cómo llegar aS de la Ec. (7-1)con puertas ANO, OR YNOT.
M

(h) Comprobar que la sumaS. de la Ec. (7· I) para un sumador completo puede ponerseen la fonna
S.= A.$ B.$C• . ,
7-2. (a) . . .. ,
Hagamos. por conveniencia A =A, B = B. C
Mediante la Ec. (7-4) para C' demostrar que
= e yC .= C' .

C' = BC +CA + AB
(h) Calcular D :!! (A + B + C) C' y demostrar que S. de la Ec. (7- 1) viene dado por
S.= D+ ABC.
876 Microetear ántca moderna

7·3. Consi deremos un sistema digital de lógica mayoritaria. Hay tres e ntradas A. B y C. La sa lida Y es
igual a uno si dos o tres e ntradas son l .
(a) Escribir la tabla de la verdad.
(h) A partir de esta tabla obtener la expresión de Boole de Y.
(e) Minimiza r Y y mostrar el diagrama de bloques lógico.
7-4, El tiem po e mpleado para sumar dos números en paralelo está limitado por el tiem po nece sa rio
para propagar el arrastre a través de la información . Este tiempo de pro pagación se puede ev itar
generando una señal de arrastre apropiada. Demostrar que si se suman dos informaciones de 4 bit
(A.I • A!.A I.A \I Y B.I.B !, B I , Bn, siendo A.l el bit más significativo) el arrastre CJ vie ne dado po r

C, := C . I(AA)(B IAI)(B IA :) (Bl Al ) + (A II + Bo)(BIA. )(M)(BJA ,)

+ (Al + B d (B 1A : )( B~ l ) + (A l + B l)(B~ l ) + (Al + B .I )

donde C", es el a rrastre de entrada. Obs érvese que la sa lida de arras tre viene dada únicament e en
función de variables de entrada y no involucra arra stres intermed ios. (SI/gerencia : Ap licar
~ pet i~vam~n!..e la ~ . ( 7~) cuatro veces (n:= O. 1, 2 y 3). Partir de la Ec. (7·5) en la forma
C, := Cn ! (BIIAn ) + (A n + BII )
7·5. El sistema represent ado se denomina unidad verdade ra co mpleme ntaria. Co mpro bar la tabla de la
verdad.
Entradas
de conuol Salida
y
L "
O O A
O I A
I O I
I I O Prob.7.5

7·6. (a) Comprobar que una puerta ca-Exclusiva es una unidad ve rdade ra co mpleme ntaria.
(b ) Una entr ada es A, la otra (de control) es C y la salida es Y. ¡,Y será igual a A cuando C = I o
c uando C= O?
7·7. (a) Construir la labia de la verdad de un semirrestador binario, A me nos B (correspondiente al
semlsumado r de la Fig. 7-4. En lugar del arrastre C introd ucir el aux iliar P.
(b) Com probar que el dígito O se satisface con una puerta o a -Excí usiva. y que P sigue la lógica
«8 pero no A...
7·8. Co nsidere mos un comprobador de 8 bit. Justificar las cone xiones C'=C,.• D' = D~ YE' =EL para el
chip que manipu la los bit más significativos. Sugerencia : Sumar 4 a cada subíndice de la Fig.
(7- 13). Extender la Ec. (7· 12) para Ey la Ec . (7-13 ) para C. para tener en cuenta los 8 bit.
7·9, Considere mos un comparador que tenga como e ntrada do s informaci ones de " bit y como sali das
E. C y D como en la Fig. 7· 13. pero los terminales de entrada E', C' y D' no so n accesibles. ¿Qué
lógica adicional se necesitará para comparar dos núme ros de 211 bit e mpleando do s co mparadores
de n bit?
7·10. Conside remos dos informacio nes de 5 bit, S"A,\A ~ lA" Y S,/J.,B.¡J .8". sie nuo S" Y S8 los bit de sig no.
mientras que los demás indican la magnitud de la inform ación . S" (o S/I) = O indica q Ut: la
inform ación correspondiente es positiva y S" (o 58) = 1 indica q ue es nega tiva. Dise ñar un siste ma
para comparar ambas informaciones, empleando un comparador de 4 bit para comparar las
magnitudes y un com parado r de I bit para los signos.
7·11. (a) Comprobar la siguiente ident idad de Boole media nte una la bia de la verdad
y =CA EllB) Ell C=A Ell (B Ell C¡
(h) Comproba r que Y = I (O)si un número impar (par ) de variables son iguales a l . Este resultado
 Problemas 877

no está limitado a tres entradas sino que es válido para cualquier número de ellas. En la Seco
7·5 se ha empleado para construir un comprobador de paridad.
7-1Z. Construir la tabla de la verdad para la c e-Excl usiva de la Fig. 7· 14 para todas las entra das A. B. C
y D posibles. Incluir A E9 By C E9 D así como la salida Z. Co mprobar que Z = I (O) para parid ad
impar (par).
7· 13. (a) Dibujar el diagrama de un circuito lógico para un comprobador generador de paridad de 8 bit.
(h) Comprobar que la salida es O ( 1) para paridad impar (par).
7· 14. la ) Indicar un comprobador de paridad de 8 bit como un bloque con 8 bit de entrada (designados
colec tivamen te Al)' una salida P I y una entrada de control P' r Co nsideremos una segu nda
unidad de 8 bit con entradas A.. salida P, y control p '" Mostrar có mo conecta r en casca da
ambos bloques para comprobar ia paridad Impar de una In formaci ón de 16 bit, Com probarque
el sistema funciona correctamente si P' 1 = l. To matenconsíderacl ón las cuatro combinaciones
pos ibles de paridad de Al y A!.
(h) Mostrar cómo conectar en cascada tres unidade s para obtener la paridad de una infonn ac ión
de 24 bit. Co n paridad impar ¿p'. será igual a cero O a uno?
co Indicar cómo conectar varias unidades en cascada para ob tene r la paridad de una infonnación
de 10 bit.
7-15. Ca ) Dibujar un decodificador de 4 a 10 líneas.
(h ) Mostrar c ómo convertirlo en decodificador de 3 a 8 líneas.
7-16. Ca) Dibujar el diagrama de bloques de un demu tuple x con 32 salidas. empleando NI = 8 Y N1 = 4.
Explicar el funcionamiento referido a la línea 25.
7· 17. ( a) Dibujar el diagrama de bloques de un dem ultíplex con 1.024 salidas, Obsérvese que
1.024 = 16 x 8 x 8, por lo que se requieren dos nivele s de ramificac ión.
(h) ¿Cuántos enca psulados equ ivalentes se emplean?
(el Si se subdivide 1.024 en el producto 16 x 16 x a, indíquese el nuevo s istema y fíjese el número
de encapsu lados requer idos.
7· 18. (a) ¡,Cuántas entradas de puertas NAND debe tener un demu ltíp lex de I a 16?
( h) ¿Cuánlas entradas de puertas tiene un dernuluplex ramificado de I a 16 fonnado sólo a base
de demultiplexes de I a 4?
7-19. (a ) Dibujar el diagrama lógico de un muhíplex de 6 a I línea s.
lh) ¿Cómo debe ampliarse el sistema anterior para convert irlo en un multíplex de 8 a I líneas?
7-20. Diseñar un s i~l ema para convertirdos chips selectores de I entre 16datos, en un selector de J entre
32. Explíquese e l funcionamiento del sistema. CS"Xt'I"("I/C"ia: La entrada de habil itación S. al chip
de orden superiores el co mplenento de S I al de orde n inferior. Asim ismo las salidas y. e Yl de los
dos chips son las entradas a una puerta OR cuya salida Yes la salida de l sistema.¡
7-21. (a l Dibujar el diagrama de bloques de un selector de 32 a I línea como el de la Fig. 7-21. pero
con N! = 4 YNI =H. Explíquese el funcionamiento res pecto a la entrada Xw
(hl ¡,Cuúntus encaps ulados equivalentes se necesitan'!
7-22. Repetir el problema 7·2 1 para un multíplex de 64 a I empleando chips idénticos,
7-23. Ca ) Dibujar el diagrama de bloques de un multíple x con 2.04H en tradas . observando e l hecho de
que 2.ll4X= 16 x 16 x H.
Ch ) ¿Cuántos chips se nece sitan?
7-24. (a ) Determinar la Ec. (1-1) para la suma S. de un sumado r completo em pleando un multiple x.
Hallar l a.~ X en función de C, C. O y l . NO/a : Para simplificar. prescindir de los subínd ices de
A.B y C yhacerY =: S•.
(b) Determinar la Ec. 17-2) para el arrastre C. emp leando un mu ltíplex . Nota: hacer C.. . :¡ e y
C. " Y.
(r} ¡,Puede emplearse el mismo multíplex para S. y para C.? Explíquese.
7·25. Emplear un multfplex para establecer la s iguiente ecuación lógica combinaciona l
878 Microelectrónica moderna

¿Cuántas entradas de datos se necesitan? Hállense los valores de las entradas de datos X.
7·26. Cons ideremos un sistema digital con cuatro entradas A, B. e y D. La salida va le 1 si tres o cuatro
entradas valen 1.
(a) Escr ibir la expresión de Boole para Y.
(h) Empléese un multíplex selector para satisfacer esta lógica. ¿C uáles son los valores de las
entradas de dato s X?
7· 27. Dise ñar un codificador que satisfaga la siguiente tabla de la verdad, empleando una matriz de
diodos.

Entradas Salidas

W' W, w, W" r, y, y, y"

O O O O I
O O I O I O O
O I O O I I O I
I O O O O O O

7·28. (a) Diseñar, empleando transistores de emisores múltiples. un cod ificadorque satisfaga la siguien-
te labia de la verdad .
(h) ¿Cuántos transistores se necesitan. y con cuantos emisores cada uno?

Entradas Salidas

W, W, W. y. y, y, y, y.

O O O I O
O I O I I I O O
I O O O I O I I

,v
1

A o-i-+-+-+----jf-+-+-+-+_l
A ~H-+-+-+-J-+- +-+_l

B~H-+-+-+-J-+-+-+_l
.o-i-+-+-+ ----j~+-+-+-+_l

e o-I+ + -+-+-+-+-+----j-l
1'~=t±tt=tjj
Prob. 7-29
 Problemas 879

7·29. La figura representa en diagrama de bloques una matriz decodificado ra de tres entradas (A . B Ye)
y ocho salidas (Yo a Y7) . El bit Y, debe ser I (5 V) si el código de entrada es 101. correspondiente
al decimal 5.
(o) Indicar cómo se deben conectar los diodos a la Ifnea 5.
(b) Repítase para Y2• y] e y•.
7·30. Comprobar que para el codificador de prioridad de la Tabla 7-3 se cumple:
(a) Y, " W, + W, _
(b) Y~ " (W,": W.)(W 1 + W, +·Ws + W. ).
7·3 1. Comprobar que en un codificador de prioridad de 10 líneas decima les a 4 líneas BCD se cumple:
Yo = W9 + W. (W7 + W,Ws +W,W.WJ + W,W.WlW 1)
7·32. (a) Escribir la tabla de la verdad de un codificador de prioridad de 8 lfneas de datos a 3 líneas
binarias. indicando con Xel estado indiferente.
(h) Hallar la expresión para Yo'
7·33. Repetir el problema 7-32 para YI •
7·34. (a) Llevar a cabo la conversión de código indicada más abajo. utilizando una memoria de solo
lectura (ROM). Indicar todas las conexiones entre las entradas X y las salidas Y. Empléense
los símbolos normalizados de inversores. puertas ANO y puertas ORo

Entradas Salidas

X, X. Y, Y, Y, y.
O O I O I I
O I O I O I
I O O I I I
I I I I O O

(b) Dibujar las puertas OR como transistores de emisores múltiples.

7·35. (a) Dibujar el diagrama de bloques de un ROM de 1.024 x 4 bit. utilizando direccionado
bidimensional.
(h) ¿Cuántas puertas NANO se necesitan?
(e) ¿Cuántos transistores deben emplearse en la matriz de la memoria y cuántos emisores debe
tener cada uno de ellos?
7·36. Consideremos un ROM de 1.024 x 8 bit utilizando direccionamiento bidimensional con selectores
de8al.
(a) ¿Cuántos bit se necesitan para el direccionamiento del ROM?
(b) ¿Cuántos bit se precisan para el direccionado de X?
(e) ¿Cuánlas puertas NANO se requieren?
(d) Especifíquese el número de transistores en la matriz y el número de emisores en cada uno de
ellos.
7·37. (a) Escribir las expresiones para Yo e Y2 en el convertidor de código binario a Gray.
(b) Indicar cómo establecer con diodos la relación para Yo,
7·38. (a) Dar la relación entre los bit de salida y de entrada para YJ e Yl en el convertidor de código Gray
a binario.
(h) Indicar c ómo cumplimentar con transistores la ecuación para YJ •
7·39. (a) Escribir en forma canónica la suma de productos para Ys de la Tabla 7-5. para el código del
indicador de siete segmentos.
880 Mtcroetectrontco moderna

=
(h ) Comprobar que esta expresión puede reducirse a Ys DCA + B A + B A.e
7·4 0. Minimizar el número de t érminos de la Ec. (7· 33 ) para obte ner la Ec. (7 -34).
7·4 1. Consideremos un ROM de 4 kb de salida. Si el codificador es cuadrado ¿cuántos bit se necesitan
para: (a) direccionar X. (h ) direccionar Y"! Esbozar el d iagrama de bloques del sistema.
7·42. Consideremos un ROMde 8 khc on 8 bit de salida. Si la matriz de memoria tiene 128 filas. ¿cuántos
bit se necesitan para: (o ) direccionar X . ( b) direccionar Y"!
(e) Repetir (a) y (h ) suponiendo que en el codificador hay 64 filas.
(ti) ¿Cuántas infonn aciones tiene este ROM y cu ántos bit se neces itan para decod ificar estas
infonnacio nes1 Buscar la respuesta para la suma de bits de los direccionados X e Y de cada
una de las dos ROM consideradas en este problema.
7·43. Se dispone de dos ROMs de 16 t h (2048x8). Mostrar cómo conectar los para tener: (a) un ROM
de 32 kh (2048x I6). y (h) un ROM de 32 kh (4096x8)
7-44. Indicar en forma de diagrama de bloques cómo m ont ar 32 ROM de 16 kb (2048x8) para tener un
ROM equivalente con 16 líneas de direccionado y 8 líneas de salida.
7-45. Hay que convertir un ROM de 32x8 en otro de 64x4 . Las ocho salidas son OO" .01 Y los
direcciouados é; ...A ~. Añadamos un direccionado más X = As para controlar las puertas AND·OH de
°
forma que con X = 1 se emplean las cuatro salidas O".. .0 , Y cuando X = se emplean las otras
cuatro O~ ... 0)" Mostrar este sistema ROM de 64x4 .
(h) Indicar cómo convertir dos chips ROM 32x8 en un ROM 12&x4 .
7-46. (a) Mostrareldiagrama de bloques de un sistema para convert ir un ROM de 64x & en uno de 5 12x I
empleando un mullíplex selector.
(h) Repetir (a ) para convertir de 64x8 a 256x2.

CAPÍTULO S
8·1 . (a) Comprobar que no es posible que las dos salidas de la Fig. 8· 1 estén en el mismo estado.
= =
(h ) Comprobar que no es posible que en la Fig. 8- 1(h). B , B! O.
8·2. Consideremos el interr uptor de la Fig. 8-2. En el instante ,. ? ',. se pulsa la llave de forma que el
contacto pasa de 1 a 2 alcanzando éste en el instante, ' . rebo tando seguidamente tres veces. Indicar
las formas de onda de B!. 8, Y Q razonando la respuesta.
8·3. (al Comprobar que la topología AOI representada da la misma lógica que el biestable de fijación
de la Fig. 8-3.
(h) Transformar el diagrama de bloques de fonna que resulte equivalente al de la Fig. 8-3.

N5 ' ~T-Q

P,
....'4
R
 Problemas 881

8·4. Las puertas NDR de la Fig. 84 se han fabricado con tecnología NMOS. Los excitadores tienen
kW/L= 400.J.1AJ1!2 y Vr= IV. Lacargade deflexión tiene kW/L = lOO~. Haciendo V00 = 5 V,
determinar los nivelesde salidadel circuito biestable.
8-5. Las puertasNAND de la Fig. 8-) se han fabricadocon tecnologíaTI1..con Vce = - 5 V. Las puertas
1TL tienen V(l) =2,7 V, V(O) =0,3 Vy NMH =NML =0.2 V. Suponiendo que la puertaTIl.. NAND
tenga una característica de transferencia de tensión como la dada en la Fig. 8-5(a) determinar los
niveles de salida del biestable y la señal de disparo mínima necesaria para cambiarde estado.
8-6. LaspuertasNOR de la Fig. 84 estánconstruidascon tecnologíaCMOS. Eldispositivo NMOStiene
kW/L =200 J.1AtV y Vr =2V, yel dispositivo PMOS tienekW/L =200 J.lAJV2,y Vr = • 2V. Siendo
Voo = 5V, detenninar, (a) los niveles de salida del biestable y (h) la señal de entrada mínima
necesariapara provocarque la salidacambie de estado.
8·7 Mostrarcómo se puedeconstruirel biestablede la Fig. 8-3 empleando la configuración AOI.
8·8. La tabla indicada es la de excitación de un FLIP-FLOP J- K. Una X en la tabla debe interpretarse
como que no importaque esa entradasea I ó O, condicióndenominada «indiferente». La segunda
línea indicaque paraque la salidacambiede Oal, laentradaJ deberá ser 1 mientrasque no importa
que K sea 1 ó O. Comprobaresta tabla de excitación con referencia a la tabla de la verdad de la
Fig. 8-1 1.
Q. Q"+I J. K.
O O O X
O I I X
I O X I
I I X O

8·9. Comprobarque la labia de la verdad de un FLIP·FLOpJ·K se cumplimenta con la ecuación

Q~.I=).Q.+K.Q".
8-10. (a) Demostrarqueel FLIP-A.Qp)-K de laFig. 7-7 quedará dispuestocorrectamente (Pr=O, Cr = 1)
sólosiK+Ck= 1.
=
(h) DemostrarquedichoFLlp·FLOP borraré correctamente(PI' = 1,C,. O) únicameniesi] + Ck =l .
(e) Demostrarque C,. = PI' = Ck = Oconducen a un estado indeterminado.
(d) Mostrarque PI' = 1"YCr = I habilitan el FLIP·FLDP.
8-11. (a) Comprobarque no hay dificultad respecro a las condiciones de auto-oscilación en el circuito
)-K de la Fig. 8·12 paracualquiercombinaciónde losdatos de entrada,excepto para) K l. = =
(h) Explicarporqué no existencondicionesde auto-oscilación ni aun con J = K = 1, siempre que
t «si ct:
8·12. (a) Supóngaseque en el FLIP-FLOP J-K ordenador-seguidor de la Fig. 8·13, Q = o. Q= l. Ck =1.
J = OYK arbitrario. ¿Cuálserá QM?
(h) Si) pasa a l. ¿cuál será Q.,?
(C") Si) vuelve a O. ¿cuál será QM? Obsérvese que Q", no retorna a su valor primitivo y por tanto
ni J ni K deben variarduranteel impulso.
8·13. Las ondasJ. K y Ck de la figura se aplican a un FLIP-FLOpJ·K. Dibujar las ondas de salida de Q y

f "/:
,
'---j I,, m
, -----J U I PTGb. B-lJ
882 Microetectrontca mode rna

Q alineadas respecto a los impulsos del reloj. Nora : Supóngase que cuando se aplica el primer
impulso del reloj Q = O Yque Pr :::: Cr = l. _
8·14 . (o) Comprobar que un FLlp·FLOP SoR se convierte en tipo T si S se conec ta aj? y R a Q.
(h) Co mprobar que un FLlp·FLOP tipo D se convierte en tipo T si D se une a Q.
8- 15. Mostrar córno construir un FLlp· FLOP A-S eon la tabla de la verdad expues ta a continuación, a part ir
de un FLlp·FLOP J-K y cualquier otra lógica adicional que se requiera.

A. B. Q,,+r

O O Q.
I O Q.
O I 1
I I O

8-16. La figura representa un registrador de prioridad de 4 bit formad o por biestables tipo D.
(a) Hagamos P,, :::: O, D" = D I :::: DI :::: O y D l = I Ytoda s las dem ás salidas son O.
(h) Hagamos PIJ =O ,D,, =D I = Oy D¡ :::: 0.\:::: 1. Comp robar qu e só lo Y2:::: 1.
(c) Generalizar los resultado s anteriores demostrando que el Do de menor orden de entre [os que
están en estado alto ( 1) se transf iere para hacer alta la correspo ndie nte y".
(d) Poner en cascada dos de estos chips de 4 bit. Hagamos PI' :::: O para el chip de orden inferior.
En el chip de orden superior unir PI' al complemento de la salida PI del de orden inferior.
Demostrar que este sistema en casca da funciona como un registrad or de prioridad de 8 bit.

D, D, D, D.
1

Prob.8·1 6

8·17. Comprobar, para el registrador bidireccional de desplazamiento de la Fig . 8·17, la modalidad de

operación representada en la Tabla 7·4 en su (a) segunda línea, (h) tercera línea y (e) cuarta línea.
8-18. Aumentemos el registrador de desplazamiento de la Fig. 8- 16 con pun a puerta NOR de cuatro
entrad as cuya salida se conecta al term inal de entrada en serie . Las ent radas de la puerta NOR son
Q~ . Q\. e, YQI'
(a) Co mprobar que independientemente del estado inicial de cad a FLlP·FLOP, al ap licarle la
alimentación. el registrador funciona rá como un contador de ani llo después de P impulsos de
reloj, siendo P ::; 4,
 Problemas 883

(b) Si inicialmente Q. =O. Q.l =1, Q! = l. QI =O. Qo = l. esbozar la forma de onda de Qodurante
los 16 primeros impulsos.
(e) Repetirel apartado b si Q. = l. Q.l = l. Ql =O. QI = 1 YQo= O.
8·19. (a) Dibujarlas formas de ondade un contadorde anillode Johnson. es decir. dibujar las ondas de
Q.,e, Q!, QI y Qoen, por ejemplo, 12impulsos. Supóngase que inicialmenteQo' QI' Ql' Q .l
y Q. valentodos O.
(b) Escribirla tabla de la verdad despuésde cada impulso.
(e) De la observaciónde la tablademostrarque se pueden emplear.E.uenas AND de dos entradas
paradecodificar. Por ejemplo. el impulso l se decodifica por Q.Q .l. ¿Por qué?
8·20. (a) Supóngase que en el contador de anillo modificadode la figura se tiene inicialmente Qo = 0,
QI = OYQl = l. Hágaseuna tablade lecturas de Qo' Qr- Ql' J 2 YKl después de cada impulso
del reloj. ¿Cuántos impulsosse necesitan antes de que el sistema empiece a funcionar como
contador divisor por N? ¿Quées N?
(h) Repetir (a) si inicialmente Qo = O, QI = I YQl = O.

L
J. Q.1-- J, Q, 1- J. Q.
- C. e. e.
K. ¡¡o K, ¡¡, K, ¡¡o
R. ¡oj

Prob. 8-20

8·21. Se desea un contadorasíncrono de 25:l .

(a) ¿Cuántos FUP-FLOPS se precisan?
(b) Si se dispone de chips con FLIP·FLOPS de 4 bit. ¿cuántos chips se necesitan? ¿Cómo deberán
interconectarse?
(e) Indicarlas conexiones de realimentación a los terminales de borrado.
8·22. (a) Trazarel diagramade bloques de un contadorasíncronodivisor por 20. Inclúyaseun biestable
en la entrada de borrado.
(b) ¿Cuáles son las entradas a la puerta NAND de realimentación. para un contador asíncrono de
125:11
8·23. Consideremos el funcionamiento del biestablede la Fig. 8-21 . Hacer una tabla de los valores de
Ck, QI' Ql' PI' Ck y PI = Cr en las siguientes condiciones:
(a) Inmediatamentedespuésdel décimo impulso.
(b) Después del décimo impulso suponiendoque QI se reponga antes que Ql'
(e) Durante el undécimo impulso.
(d) Después del undécimo impulso.
Esta tabla deberá demostrar que:
(a) El décimo impulso prepara el biestable para borrar el contador.
(b) El biestable permanece fijo hastaque se hayan borrado lodos los FLlP·FLOP.
(e) El flanco positivodel undécimo impulsoreponeel biestablede forma que C,. = l .
(d) El naneo negativo del undécimo impulso inicia un nuevo ciclo de cuenta.
8·24. Dibujaren forma de diagramade bloques un sistemacontador que se pueda emplear para generar
señalesdesde 0.1 s, a l h. con incrementos de 0. 1s.
Se disponede una señal de reloj de 1,8 MHz.
8·25. (a) Indicar en forma de diagrama de bloques un contador asfncrono divisor por 11. Señalar las
 conex iones a J. K Y Ck de cada FLlp·fLOP así co mo las e ntradas a la pue rta de realime ntac ión
a las e ntradas de bo rrado (puede o mitirse el biestable ). Las ent radas de habilitac i ón se
mantienen al nive l l .
(b) Existe un segundo proced im iento pa ra ob tener un contador as íncrono 11 : l . Las e ntrada s de
borra do M: ma ntiene n al nivel I y la puerta dc rea limentac ión exci ta las entradas de ha bilitación .
Dibujar el diagrama de bloques de un contador asíncrono programable de este tipo se ñalando
cuidadosamente las conexione s.
8·26. (a) Para e l diagra ma lógico de l con tador de d écadas de la Figura establecer la tab la de Q". Q,. Q ~
y Q l des pués de cada impulso (partiendo de <XXX» . S i no se se ña la ni ng una conex ión a la s
c nrradas J o K se sobreentien de qu e tal termi na l es tá alto ( 1). Comproba r qu e es te siste ma es
un contado r de 10: l .
(b) ¿Cómo puede emp lea rse e ste sistem a a mane ra de contador 5: I?

v, V.
¡

F~;~a-c:.; F~~vj
.
Entrada
J.
U:í- - J, U,
FFIQ, f--
J,

del reloj o-- CA

A• r;:1
U.
Ck
A,
~ CA
/i, Q, r-r- /i , U, I
I
Prob. 8 -26 I i
8·27. Modi ficar e l di agrama lógico de l prob lema 8-26 de la siguiente fo rma: S uprim ir e l reloj de la
e ntrada a FFO y aplicar a esta en trada la sa lida Q•. Su primir O"de l le rnl ina l o. de FF I y ap lica r
a este rcrm inalla enrrada del reloj. novariando mngunaorra co ne xió n. Esc ribirla labia de la verd ad
para Q". Q,. Q ~ y Q. (pa rtiendo de 00(0) de spués de cada impu lso. Comprobar que e ste sistema e s
un co ntado r 10: l . Este co ntador da en Q" una o nda cuadrada s imétrica. La labia de la ve rdad debe
confirmar que es to es c ierto.
8.28. (ti) Para e l d iagrama de bloque s de la figu ra escribi r la labia tIC' la ve rda d para QII' O,. Q: y Q,
despu és de cada impu lso (empezando co n 0lXX»). Dcr nosr rar qu e ..e- trata de un contador 12: l .
(h) ¡.Có mo puede e mplearse este sistem a como contador 6: l'?

, v, o, I Q,

Entrada
del reloj o-f1
J.
c«
K.
Q.

Q.
- r-' J ,
CA
K1 - 1
V,

Q,
- J,
r - Ck
}' l . I
Q,

Q
'l ~
-i J'
ce
/i ,
Q.

Q,

Prob. 8 ·28

8·29 . (ti ) El c ircuito de la figura es un contado r asrncrono ¡Iro.t:m lllll bll'. Inic ialmente C{ = OYse borra
el contador poniendo momenníncamer ue Cr = n. Se so breent iende qu e a co ntinuac ión
J = K = Cr= I y q ueeJ bies table de la Fig. X·21 eSlá shuado eru re P , y P ~_ S i r r, » PI', = 0 Y
PI'. =Pr o= I Ysi se aplica un imp ulso procede nte tic una flll'IIfl' eaeríor (no representada) a
la en trada de habilitació n ¡,e n qué estado q uedará situado cada FLl P-FLOP? S i aho ra se ap lica a
la entrada de l contador un tren de im pulsos del reloj. ¡.cuá l será la cue nta N? Ex plíq uese
cuidadosamente e l funcionamiento.
 Problemas 885

(b) ¿Por qué se necesila el biestable'?

(e) Genera lizar el resultado del apartado (al de la siguiente fonna : el contado r tiene 11 etapas y
debe dividir por N siendo 2~ > N > ']:'-1. ¿Cómo deben programarse las entrada s de puesta en I
(habi litación )'?

Habilitación

I
Impulsos
a,
del reloj FFJ

S-30. Dibujar el diagrama lógico de un contador síncrono reversible de 5 bit con arrastre en se rie.
8-31. Comprobar que el sistema de la figu ra es un contador síncrono 3: l. Part ir de Q" = 0 1 = OYseñalar
el estado de Q" y de QI después de cada impulso.

Reloj
L J, a,
- Ck
J, a, r--o
~ C: ,..~¡0 a,
I
Ko 0
"
Prob.8-3t

8·32. Escribir la tabla de la verdad de Q" •QI y O._ después de cada impu lso. para el diagrama lógico del
contado r síncrono de la figura y comprobar que se trata de un contador 5: l.
Q, Q,

1
~, -
Q- ' L J af--

-,
Ck FFO r-' Ck FF l C' FF2
'- , ¡; ¡; a

Prob. 8.32 Impulsos "

8·33. Considérese un contador síncrono de dos etapas (ambas etapas recibe n los impu lsos en la entrada
Ck). En cada contador K = 1. Si J" =0 1 YJ I = O". dibújese el circuito. A partir de la tabla de la
verdad de O" y 0 1 después de cada impulso. demuéstrese qu e se trata de un co ntador 3: l.
8·34. Dibujar las formas de onda de un divisor 6: I de la Fig. 8· 19 Y deducir las conexiones para un
contador síncrono. Dibujar el diagrama de bloques lógico.
8·35. Resolver el problema 8· 34 para un divisor 5: l .
8·36. Supongamos que se tiene un circuito oscilador de cristal que sumini stra una serie de impu lsos de
reloj a la frecuencia de 131 kHz. Construir un sistema cuya salida sea un diod o emisor de luz que
886 Microelectrónica moderna

parpadee aproximadamente una vez cada segu ndo. e mpleando como entrada los impul sos del
cristal. ¿Cuánlos segu ndos pierde el sistema a lo largo de una hora ? (Sugerencia: 2 " = 131.072.)

CAPÍTULO 9
9-1 . (a ) Modificar el inversor MOS dinámic o de la Fig . 9- 1 ai'iadi endootro FET. Q4. en serie con QI.
Designar la entrada a Q4 (y a QI ) por V. (o VI)' Co mprobacque este circui to cump le la función
de una puerta NANDdinám ica. Los niveles de e ntrada de VI y V. son O y 10 V.
(b) Demostrar que este circuito disipa meno s potencia que la correspondiente puerta NAND eslálica
de la Fig. 6-29a.
9·2. Mod ificar el circ uito de la Fig. 9· 1 añadienmdo a iro FET. Q4. en paralelo con QI. Rep ítase el
prob lema 9- 1 (sustituyendo la voz NAND por NDR y la Fig. 6-29a po r la Fig. 6-28a).
9-3. (a) Co nsideremos la etapa de registrador de desplazemíenrc de la Fig. 9· 2 pero con ca rga no
tempo rizada, es deci r, que las puertas de Q2 y Q5 se unen a V"lo en lugar de ser excitada s por
las onda s de reloj. Explíquese el funcionamiento de es te circuito.
(b) Demostrar que en esta célula hay mayor disip ación de pote ncia que en la versión de carga
tenporiza da de la Fig. 9·2 .
9·4. (a ) La figura representa una etapa de regist rador de desplazam ien to dinám ico NMOS . Las do s
ondas 0 1 y O2 pueden verse e n la Figura 9-2b. Explíque se cui dadosa me nte el funcion amie nto
de este circuito. Supóngase el » Cl'

.,
(b) ¿Son los inversores de relación o no? Explíquese.
y~

" y~

~ ~ y.

e,
~
Prvb.9-4

9·5 . Comprobar la Ec . (9- 1). (Sugerencia. Cuando la puerta de transmi si ón Q3 cierra, la misma carga
que aligera el debe añadirse a C J . )

Proh. 9-6
 Problemas 887

9·6. (a) Co ns ide remos e l inversor NMOS de do s fases de la figura. qu e e mplea las ondas mostradas
e n la Fig . 9-5h. Expticar el funcionarníento del circuito conside rando pnme ramenre e l inter valo
',,1.. luego e l / ,-I,.elc.
(h) j. E..~ éste un inverso r de relació n o no? Exp líquese .
(e) Esbo zar una e tapa de registrador de desplazamiento empleando dos inversores co mo los
anteriorme nte ci tado s y dos puerta s bidireccionales. (SIl,~r,.rlldCl. Inte rc ambia r 0 1 y 0 ~ en el
segundo inversor y tomar la salida durante 0 ,.)
(el) Expl ica r el funcionamiento de esta cé lula de reg istrador de de splazamiento .
9·7 . Consider emos la cé lula de registrador de desp lazamie nto di ná mico NMOS d e cuatro fa ses
repre sentada en la fig ura . Obsérvese que los cuatro impulsos de re loj no se supe rpo ne n. de forma
q ue si una fase e stá alta . las ot ras es tarán bajas, Explicar e l fun cionamiento y com probar que V"
es igual a l va lor que IU VO \ ', un período antes.
ó: '00 o. Ó .' 1',, /1

Probo. ·1

9· 8. El circuito de la figura se conoce a vece s como puerta NO R N MOS a c ontra fase (push-pull) y se
empl ea para mejorar e l product o retard o-potencia respecto a las pue rtas N MOS convencionales.
(o) Comprobar qu e se cumple una lógica NO R
(h ) Comparar las tensio nes \f(i~ ,' y 1' (; \.1 co n \ '(i.~ del transistor de carga e n una puerta N O R NMOS
normal durante una transición de la e ntrada de 1/(0) a 1/(Il .
(e) ¿Cómo afectan e sto s nive le s a la carga y de scarg a de e,. d uran te una Iransición?

Prob.9-8

9·9. (o) En el ci rcuit o rep rese ntado. ¿c uá l e s la relación lógica entre V_y VOl?
(b ) ¿Qué cambio de l nivel de entrada se nece sita para pro voc ar una transición de V(O) a 1/( I)?
888 Mic:roelecl ró"iea moderna

(e) Repetir (b ) de V{ 1) a V(O) .

(d ) ¿Pueden usarse los resultados d: (b ) y (c) para mejora r el producto retardo- potencia?

Prllb.9.9

9-10. Un RAM de 1014 bit consta de 128 informaciones de 8 bit cada una. Si se emplea selección lineal
mostrar el dtag rama cie bloques de la organización del sistema . (Nota : Emplear un rectángu lo para
representar la célula de lectura-escritura de I bit de la Fig. 9-8 con tres terminales: X para la entrada
de direccionado, W para la de escritura y R para la salida de lectu ra).
9-11. (o) Si se emplea selección lineal ¿Cuántas puertas NA NO y de cuántas entradas cada una hay en el
decodificador (o decodificadores) de un RAM 4096x l?
(b) Repetir (a) suponiendo que se emplea un direccio nado bidimens ional para tener una disposi-
ción de memoria cuadrada.
(e) Repetir (a) suponiendo que se emplea un direcc ionado bidimen sional para disponer una
memoria de 256x16.
9-12. En la Fig. 9· 19 el ch ip (O) contiene las informaciones Oa 1023, el chip (1) las 1024 a 2047, Yasí
sucesivamente. ¿Qué información es decodificada por AI I ... A" a:
(a) 011 100101011,
(b) 11 1000010 1I0?
(e) ¿Qué direccionado se debe aplicar para tener la información 2600?
9·13. Dibujar el diagrama de bloques de un sistema RAM de 4096x 16 co nstruido a base de RAMs de
1024xl
9·14. Dibujar el diagrama de bloques de un sistema de lectura-escritura de 128x 4 bit formado a abase
de RAMs de 16 kbxlbit.
9· 15. Consideremos la estructura CCD de la Fig. 9-23(a) accio nada por las ondas de la Fig. 9-27. Todos
los electrodos de numeración impar están unidos a 0 1' y todos los pares están exc itados. por O2:
Dibujar los perfiles de tensión como en la Fig. 9-23 Y demostrar que este sistema 1. 0 resulta
satisfactorio porque queda indeterminado el sentido de transferencia de la carga.
9·16 . Cons idere mos un CCD dedos fases. la longitud efectiva de cada electrodo es de 8 um . y su ancho
también de g um. Asimismo la separación entre filas de electrodos es de Bpm.
(a) Calcular, en mm-la superficie ocupada por una célula de memori a.
(b) La «Mnemonics Inc.s ha construido una memoria de 64 kb (65536 bit) empleando la célula
descrita en (a) . El tamaño del chip es de 5,54x5,97 mm . ¿Qué fracc ión del área del chip está
ocupada por los circuitos auxiliares (entrada, salida, reloj. etc.)?
9·17. Mostrar la organización del RAM del Probo9- 10 dada la célula em pleada como se ve en la Fig.
9-20.
9·18 . Cons ideremos la esrructura Cc'D dedos fases de laFig. 9-26(0 ) exc itada por los impulsos positivos
= =
del reloj. Supongamos que V¡ V Y V I VI2. Dibujar los perfil es de energía potencial bajo los
cuatro primeros electrodos en los instantes de tiempo 11 ... t, indicado s. Empezar con carg a bajo El
 Problemas 889

= =
en e l instante / 1I Y de mos trar qu e se desplaza a E2 e n e l fila mento 1 ' s . Empl ea r papel
cuad ricula do .
9- 19. Co nsideremo s la estructura CCO de dos fases de la Fig. 9-26(0) exc itad a po r los impulsos ne gativo s
del re loj representados . Tóme se V1 = V y VI = O. D ibuj ar los pe rfi les de e nerg ía potencial bajo los
cua tro primeros e lectrodos en los instantes' •.../s indicados. Empezar con un bit almacenado debajo
de El e n e l momento/ I y demostrar que la informaci ón se transfiere a l depós ito debajo de El en el
instante' = 1,. Emplear pape l cuad riculado .
9.20. (a ) Consideremos una estructura CCD de una fase . Los el ectrodos im pares está n po lari zados a
una tensi ón constante vn . Los e lec trod os pare s se exc itan por los im pulsos positiv os de la
= =
onda 0 1 de la Fig. 9-27 co n V I OY V2 V. D ibujar los perfi les de energ ía po tenci al bajo los
cuatro primeros e lectrodos en los tiem pos ' 2,/) Y'~ ' Pa rtir con e lec trones a lmacenados bajo
'1
E. en e l insta nte y de mo stra r que la carga queda reten ida e n el depósito debaj o El e n 1 = I~ .
Empl ea r papel cuadricu lado.
(h ) Dibuj ar los perfi les de e nergía pot encial en e l momcnr o v, (donde 0 2= 0,25 lI}en f , o I~ (don de
0 1 = O) Y en / 1 (donde 0 2 = 0.5 V). Demostrar que la in fo rmación bajo E l se ha transferido a
El en un period o del reloj.
9·2 1. C ons ide remos tres var iables lóg icasA . 11 y Cen los cole ctores de tre s inve rso res de l ógica integrada
inyectada (¡2I. ). Conectar entre sí estas tres salidas. Demostrar co n argumentos fís icos q ue e n el
=
nudo com ún la variab le lógica es Y ABe. En ot ras pa labras. j ustificar el fun cion aml cnro
AI\iO-Conec lado e n la lógica inye ctada .
9-22, Dadas las cu atro variables externas A. B. C Y D . d ibuja r un diagrama de conexiones (1. para la
salida AOI , Y=A B+ CD.
9·23. Las tres entradas a un decod ificador son A. R. Y C. Dibuj a r un diag ram a de cone xiones ( l. para
tener las och o sa lidas.
9-z.t. Consideremos un m ultfplex de 2 a 1 línea s. sin e ntradas de habili taci ón . D ibujar u n dia grama de
co nex iones n.para este selec to r de datos.
9-25. El arras tre e n un sumador com pleto es de la fonna :
=
C' AB + BC + CA. Dibujar e l diagrama de conex iones ti. para C' .
9·26. Dibujar un dia g ram a de conex iones n.para el FUP-FWI' J·K temporizado .

CAPÍT ULO 10

NOTA: A lo lar go de los problemas de es te capitulo se cm plcun los sig uie ntes tran sistore s:

TrulI.\i,.{OI'

Ji
e l/mida"
" " "
('

Tip" "(>" "f'" "1'" /"'11 11111'

p, 115 15n 21 MI 15n .'in
p.. 115 15(1 2111 l .'in .'in
V4 • V .,. UM) , , 5n

Se supo ne qu e pa roJ esto s rransistore.. ,.~ =OYq ue trabajan a T =25 oc. sal ve que se indique orm cosa.
t ü-I . La fuente de corriente de la Fig . 10-5«(1) eslá dise ñada con transi stor A. y de be dar una comente
de 0.5 lilA con V" = lO \l.
890 Mtcroetectronlca moderna

(a) Determinar e l valor de R.

(h) Su poni endo que todos los demás parámetros se mantenga n cons ta ntes y q ue la va riac ión de
V/lf es de - 2,2 ",V/T . ¿Qué variació n de tempe ratura se puede adm itir si se ha de mantener
In den tro del 1% de su valor nominal de d iseñ o?
10·2 . En e l circuito de la Fig . 1O-5(a) se emplea un tran sistor C con Vee = 5 V y R = 5 k.o..
(a) Determinar l o '
(h) ¿C uáles son los valo res mín imos y máxim os de Pf si la variac ió n de In no de be ser mayo r de l
1% de l valor en (a)?
10·3. La fuente de corriente pllp representada utiliza transistores D . Con In = =
I mA y V("{. 15 V.
(a) Determinar R.
(h) Determinar en tanto por ciento e l cambio en lel para un cambio de temperatura de 50 · C si V8f
varía 2,2 mVrC manteniéndo se invariables todo s lo s de más parámetros.

>Sv

-"

R ro ea

- 5V

Pr obo IO-J Pr ob.IO·"

10-4. Los transistores de l c ircuito representad o son idént icos. ¿C uá les son los va lores mínim os y
máx imo s de le si 75:5P,.S I75?
l O-S. En el circuito representado se emplea e l transistor C .
(a ) Determinar In e 10'
(h ) Hall ar Re para que V" = 6 V.
+ 11.2 V +15 V

21 ka 15 ka Re

- t.n

2.8 kl1

('rob. 10·6 - 15 V

Pr obo tO·5

10-6. En e l circuito representado se usa el transistor B.

(a) Co nsidé rese que V" tiende a infinito y hall ar Re pa ra que V" O. =
(h) Utilícese e l valor de Re hallado en (a ) para dete rminar V" cuando V" = lOO V. [Sugerencia:
le = (les EVM./Vr) (1 + Va IV,,) da razón de la tensión Ea rly]
 Problemas 89 1

10-7. Hay que convertir la fuente de corriente del Probo 10- 1 en el ci rcuito de la Fig. 10-8 haciendo
In = 50 JiA. Determ inar RE'
10-8. El circuito de la Fig. 10-8 se ha diseñado con Vce = 15 V. R = 30 ke y RE = I ke . Se emplean
transistores C:
(a) Determinar le,'
(b) ¿Cuál es. en porcentaje. la variación de l e . si Vce aumenta 0.3 V?
10-9. El circuito de la Fig. 10-9 está diseñado con transistores idénticos. Deducir una ecuación para
le/ lo y demostrar que esta relación es proporcional a RJR ,.
l O-l O. Demostrar que en el circuito de la Fig. 1O-8.lil,P . es inversa mente proporcional a ((VccfVJl) - 1I
si VJl varía en L\V,c Supóngase que todos los demás parámetro s se mantienen co nstantes.
10-1 J. Hay que diseñar una fuente Widlar usando transistores P"P (transistor 0). Se d ispone de un
suministro de tensión negativa de 9 V. empleándose una R = 25 kO, Determinar REde forma que
la co rriente de fuente sea de 40 ¡.tA ,
10-12. (a ) Repetir el problema anterior con una tensión de suministro positiva de 9 V.
(h) Dibujar el diagrama del circuito de la fuente de corriente.
10-13. Deducir la Ecuación (10· 15).
10-14. Deducir la Ecuación ( 10- 16).
10-15. Se emplea el circuito de la Fig. lO- l Oa para obtener una corriente de 1 mA co n un suministro de
12 V con transistor A.
(a ) Determinar el valor de R.
(b ) Si Jl, disminuye un 60% ¿Cuál será la variación en porcen taje de In ?
10-16. Repetir el Prob. anterior para el circuito de la Fig. 10-I Ob.
10-17. Los transistores de la Fig. 10-1 1 son idénticos y tienen VAtendiendo a infinito.
(a) Deducir la expresión de le, en función de Jl,.. V,e R y Vce-
= = =
(b) Con Vce 15 V Y Jl, 150 determinar R de forma que In 300 JiA.
(e) Suponiendo que todos los demás parámetros se mantienen inalterados. ¿qué cam bio de
temperatura es admisible sillil I n S 30 J.1A y VIL cambia a razó n de - 2.2 mvrC?
10-18. Enel circuuo de la Fig. 1v-12 se usaeltransisrorC, Los valores de los paráme tros son: Vce = 11 .2 V.
s, =
Re = 1.2 Hl. = 0.3 kíl. R. 9OkO YR! = IOke .
(a) Determinar el punto de trabajo.
(b ) Si Pi decrece un 50 %. ¿cuáles serán los nuevos valore s de l eQ y VecQ?
10-19. El circuito de la Fig. 10-1 2 se ha dise ñado con Vee = 15 V. R, = 72 kn. R! = 18 kn. RE= 1,4 ke y
Re = 4.0 kO. Se emplea el transistor A.
(a) Determinar e l punto de trabajo.
(h) Determinar e l nuevo punto de trabajo duplicando Jl,.
(e) Coménrese la eficiencia del circuito.
e
10-20. El circuito representado emplea transistores y está d iseñado para hacer v.,= =
OY Va Q 3 V.
(a) Deter minar Re y Rl , +6 V

'()k0

•
•

10 ka

['rol>. 10-20
892 Microelectrónica moderna

(b) Valiéndose de los valores obtenidos en (a) hallar la variación de V dado que
p
Pe,
se reduce a la mitad.
(e) Las tensiones de alimentación varían en un 5% cada una. Dete rminar la máx ima vari ación en
V, Usense los valores de los parámetro s hallado s en (a).
10-21. El circuito represe ntado utiliza un Iransistor B (considerar que VAtie nde a infin ito).
(a) Delerm inar/co y V CF.Q'
(b) Se añade una resistencia R al circuito entre la base y tierra. ¿Q ué valor de R se necesita para
hacer VU Q = 6.7 V?
(c) Si Pe, cambia en ±100 ¿Cuál es el campo de valores de Vu o en el circuito de (b)?

1- 12 V

I. S ka
soen
e

E
Prob.IO.lI

10-22. Hay que diseñar el circuito de la Fig. 10·1 2 e mplea ndo un suminist ro de 28 V. El transistor tiene
50 ~ P,~200 y debe trabajar entre T = OOC YT = l oo · e. El punto de repo so nom inal es Ico = 1,5 mA
y Vu o = 13 V. En el peor de los casos se requie re que Ic sea de 150flA . Desp réciese IcoY supóngase
que tanto las variaciones de P, como las de V8E motivan desviaciones iguales. Determin ar R ,• R2,
Rc y RE'
10. 23. El circ uito representado es un par acoplado en e miso r e n el que Q3 y Q4 se emplean par a po larizar
Q I y Q2. Los transistores Q5, Q6 y Q7 form an un repetid or de co rriente y Q6 Y Q7 form an la
=
carga para Q I y Q2. Todos los transistores P"P tienen PF 50 Ylos I/plI. Pe, = 150. Supóngase VA
tendiendo a infinito. Hallar R para que se satisfagan las relaciones de corriente.
1- IS v

2K en

J'roh. IO.2) - IS V
 I'roblemos 893

1O· 2'¡. Co n el repetido r represent ado se em plea eltransistor t\. De te r minar

., V
"'l''e: e" "

JO Ul

1.9-1 en

Pru". 10.N ~

10· 25. Los MOSFETs de la Fig. 10-1) (/ q uedan de finidos cu satu ración por:

1/1 .. 25 C~) I Vr;J - U f ~A

=
(o ) Hallar R con W/L 4 . de forma tille ' " 400 = wt =
con IIml 9 \ '.
(h) Emplean do el vnlor dc R hallado en (a)dc teml ína r la vana ción en '/JI
si W/L de QI se hace = 2.
trl Repe tir (M para "'/1. =K.
10-26. El cir cuit o de la Fig. lO-I Sa emplea MOSFETs de las curncte rtsticas d ada s en 101 Pig . I O ~1 5 " . Ln
tensión de a lim entación es de 5 V. Deter minar R de forma qu e ' " = 10 0 wt ·
10-27 . Los MOSFETs de la Fig. 1O- 1) {/ tienen k(W/L) =20ll pA Y \/, =2 V. Están alimentados po r una
fuente de 12 \'. Deter minar R para q ue t, = 0.5 mA.
1CI-28. Los truu- dsrorcsdc acumu lac ión de l circuito represent adotienen ' " = 1no(\ ',¡\ - 3): ~IA. El transist or
de de ñ c xióntiene t, = 1O()(\/c;~ + 1 f ~\. De terminar " " .
+24 V
uu V

~+--,
QJ
•
Q: Ql O'.

¡'m " . 10· 28

- 12 V
¡
I'ru". 10-29

=
10-29. El FET de la fig ura líeol" 'M 4 lilA Y \'" =- 4 \'.
(a ) Hallar \ '" par a \ '1= O.
=
(h) H:¡IIOlr \ '" para \'1 15 \ '.
fe) Bullar \ ', para 11" = O.
10-,' 0. El FET del circuito de la Hg. 1O·IKal iene "'H= j lilA Y \1 = . :\ \l. Determinar ,,>(, . ""\(1' \',,'v
= mn. =
para R 1 1.5 R! 0. 3 Mn . RI • 20 Hl . R. 5 iu Y \~'" 60 \'.
= = =
10-3 1. La variació n de V~ en el FET del Probo 10-:\0 e s de t O.5 1' . Det e rmina r e l cam po de valores de '1>('
y V/l~
1(J-.H . El Ft.1' cuya caracte rística de tran sfe rencia se m uestra en la Fig . 10 - 19 se emplea e n el c ircuitc de
894 Microelectr ónica moderna

la Fig. 10-180. La co rriente de d renaje está restrin g ida a va ler en tre 4.0 y 5.0 mA y VD;:: 6 V. La
te nsión de suminist ro es de 24 V y RG~ I OO ,1;0, Dete rmi na r n; R2 • Re y R.~ .
10· 33. El fabricante de un JFET de cana l p facili ta los sig uientes da tos :
V ::: 5 V mínim o y 6 V máximo.
1;$$ ::: · 2.5 mA mínimo y 4.5 mA máximo.
Hay que d iseñar un circuito aná logo al de la Fig. 10- 18a para d isp ositivos de canal p de forma qu e
leq esté entre • 1,6 y -2mA .ConVj}j} ::: .30Vy RG~ 100k 11.
(a ) Determinar RI • R2 YRs'
(h) Dado RI . ::: 10 ,1;11 ¿Cuá les son los valores mínimo s y máximo s de V . ?
DI Q
10· 34. Deduci r la Ec uación ( 10-29),
10· 35. En el circuito de la Fig. 10-21(1 se usa elt ransisto r A. y es tá polari zad o a , CQ ::: I lilA. Determinar
A,. y R, para Rj ::: 3000 y Rc ::: 1.2 kO.
10·36. El transisro r C po larizado a t .:» 0.5 lilA se emplea en el cir cuito de la Fig. 10 -2 10.
10· 37. En e l c ircuito de la Fig. 1O-22h se emplea el transistor IJ. La co rriente ' "' q ue es de 50 IJA , se ob tiene
de una fuente q ue emplea elt ran sisto r E. S iendo Rj ::: 5 ,1;11, determinar Al ' R, Y R".
10-38, Para la fuente de co rriente de la Fig. IO-22h se e mplea el tran sis tor E. El tran sistor 8 se exc ita po r
una fuente de seña l co n R, ::: 20 kíl Yde be polanzarsc d e forma qu e R, ::: R"
(a ) Hallar I .
(h ) Detenni'n ar el valor de Al '
10-39. El c ircuito de la Fig. 1O-22a se excita con una fue nte d e señal que tie ne R. ::: 10 ,1;11. Se em plea e l
transistor C po lariza do a ' CQ ::: 1.5 lilA. S iendo RE ::: 2 ,1;11, deter mi nar:
(a) Al"
(b) R,_
(e) R y R" _
10·40. Una ~í apa ~n co lec tor común emplea el transistor D polarizado a ' eo ::: · 0 .25 lilA Yexcitado po r
una fuente de 3 .1.:11.
(a ) ¿Q ué va lor de REse necesita para hacer que R'" ::: 110 11?
(h) Con el va lor de Re hallado en (a). de termina r A, y R,.
10·41 . Un seg uidor de em isor emplea e l transisto r A po larizado a ' co ::: 2 mA. y se pide que tenga
R/~ 500 .1.:11.
(a) Hallar Rt .
(h) Determinar Al ' R". Y R'". para R, ::: 5 .1.:11.
10·42. Comproba r las ecuaciones aprox imada s de la etapa e n base co mú n de la Tabla 1O-3A.
10··B. El circuito de la Fig. 10 -250 emplea el tra nsistor A po larizado a 0. 2 "lA , Con R, = 2 .1.:11. RE::: 10011
Y Rc ::: 5 .1.:11. hallar:
(a ) A , y R,.
(!J) El campo de valores de Al" variando P" e n un 60C'!c"
10.44.-(0) Re pelir e l Prob. anterior suponiendo qu e se e mpica e l transisto r B.
(I¡) Determinar R" y R'" para el amplificador.
111·45. (a) S upo niendo P~» l dedu c ir una e xpres ió n paraM I IA1 . co n una v¡lriaci ó n .1p de P..en e l ci rcuito
de la Fig . 10 -250.
(h ) Emp leando el rransisto r C y considerando un ca mbio en P" de I 5J% . dedu c ir una ecuac ión pa ra
RF'Iue lirnitc IM J A, 1::; 0. 1.
(e) Hallar Rf ¡- para R, ::: U,6 .1.:n y elt ransis tor polarizado a ' co ::: 0 ,5 fil A.
(d ) S upo niendo q ue el valor nominal de Al es 10. hall ar Rf "
10-46. Co mprobar lo s resu ltados de 1<1 Tabla 10 -38 para la etapa en co lec tor co mún .
10·47. Co mprobar los resultados de la Tabla 10-38 para la etapa e n em isor común co n una re sisten cia de
errusor.
1O·4ft Co mprobar los resultado s de la Tabla 10-38 para la etapa en base co mún.
 Problemas 895

10-49. Comprobar los valores numéricos aproximados de la Tabla 10-4

lO-SO. Repetir el Proboanteriorpara el caso de que r.. = 50 ka .
lO-SI. Para cada una de las config uraciones de la Tabla 104 det erminar A v suponiendo r, = 50 O Y
r =50 kO.
lO-52. Óeducir una expresión de la resistencia de salida en una fuente Widlar.
ID-53. Un JFET con Ion = 5 mA y V, = · 4 V. está polarizado a VGSg = • l V. Se utiliza en el circ uito de
la Fig. 10-270 para el que los parámetros son Ro = 161;0 YRs=1 .I.:Q
(a ) Hallar Ay = V..I IV,.
(b) Hallar R.. y R'.. vistos entre ".1 y tierra. Tómese ItA. = 90 V.
lO-54. Hallar, para el circuito JFET del ProbolO-53:
(a) Av =V,.J !Vs ,
(b) R,. YR'. vista entre "..: y tierra.
l O-SS, El JFET del probo10-53 se polariza a VGSO = - 2 V.
(a ) Determinar R o de formaque en una etapa en fuente común IAI , I = 20.
(h ) Suponiendo que ' on se mantenga constante y empleando la Ro de (a ) hallar el nuevo valor de
Arpara V = - 5 V.
(e) Repetir (h) para V = - 3 V,
lO-56. El circuito representado es el de una elapa en puerta común o a tierra. Deducir las expresiones de
Ay, R,. YRo. U
Q

R,

Prob. 10-56

ID-57 En el circuitode la Fig. 10-27a se emplea un JFET con Ro = 20 Hl YRs = 1.5 ID. Los parámetros
Jel JFET son: K. = I mO y r~ =40 l O:.
(a ) Determinar Al' =Vo¡Vs '
(b ) Suponiendoque VDU varíe en un 20%, determinar el nuevo valorde Al si V.. y VGS se mantienen
constantes.
lO-SS. El JFET del ProbolO-57 se utiliza como seguidor de fuente.
(a) Hallar Rs de fonna que Al' = 0.95
(h) Con el valor de Rs en (o) hallar Ro y R' o.
l O-59, El circuito representado es una etapa MDS FETen fuente común en la que QI tiene los par ámetros
8.." I"J I' YQ2 tiene los 8..1 y " JI" Hallar A l = V./V, comentando la eficiencia de la etapa.
,

Ql

,
"-
"
~
- · 11-
¡
896 Microelectrónica moderna

10-60. Repetir el Probo 10-59 para el circuito CMQS representado.

•
Q2

• •
" V.
QI

¡
Pr ob. 10_60 ~

10·61. Cada etapa de unacascadae n Emisorcomún-Emisorcomúnemplea eltransistor Ay está polarizada

a l eQ = I mA . Los valores de los componentes son R.~ =0,6 kn y R CI =Re ~ =1,2 kn . Determinar
AI'I ,AI'l,y AI , ·
10-62. A la cascada del Probo10-61 se le añade una tercera etapa, y emplea el transistor A polarizado a
le = 2 mA . La resistencia del colector es 0,6 kn.
(a~ Determinar A~. del amplificador suponiendo que esta etapa sigue a las dos etapas anteriores.
(h) Repetir (a) suponiendo que esta etapa preceda a las dos del Probo10-61 .
(e) Repetir (a) suponiendo que esta etapa se sitúe entre las dos etapas del Probo 1O-6 l.
•

I en H n

»,

ruon
"
Prob.10.62
10-63. Las etapas del amplificador del Ejemplo 10-7 se conectan como queda indicado.
(a) Determinar la ganancia global Al.

"
clan.
10-64. Repetir el Probo10-62 para el circuito representado.
.
(h) Comparar la respuesta de (a) con Al del ejemplo 10-7 Yjustificar verbalmente esta compara-

een 1 en

•
QI

~ xn
'"
IOOU
" HU
Pro bo1l1,64
 t 'rob temos 897

10·65. La fuente de seña l y la resistencia de fuen te del Ejemplo 10-7 e xc itan una so la et apa en em isor
común emplea ndo Q2.
(u) De terminar e l valor de Rc necesario pa ra tene r la misma gananc ia g loba l que en e l Eje mplo
10·7.
(h) ¡,C uál es la tensi ón de a limenta ción míni ma nece saria si se e mplea e l va lor de Rc de (a)?
10·6 6. En el amplificador representado se e mplea la co mb inac ión Colector común-E misor común de la
Fig. 1O-34h. Ta nto QI como Q2 llenen P, = 150 Y \ '. = 130 \' , es tando polarizad os a I n Q = 100
¡.tA e lO(! = l OO ¡.tA. Determinar la gananc ia A, = 1') \'" para R, = 50 tíl Y Re = 250 Hl .
,

R,

,
", 01
",

1-
Pruh . 10·(,(1

e
10· 67. Se conectan en cascada dos etapas e n base común. usando ambas el nunsís ror po lariza do a 1 ( .(>
= 05mA. El circ uito esta excitado por una fuente de señal de JOU y Hn = R{ _ ~ = 5 tíl . Deremunar:
(11) Las gananc ias de las eta pas indiv iduale s.
( h ) La ganancia de la ca scada .
lO-MI. Para cada tran sisto r de un amplificador cascodc se usa un tran sistor C. po lariz ado cad a una a 0.2
=
lilA, esta ndo el conjunto excitado por una Iuerue co n R, I Hl siendo Rc 5 t U. =
(ti) Determ inar Al.
(h) ¿C uál es la va riac ión en porcentaje de A, si R c varfa e n ±20%'!
(e) Repetir (h) supo niendo que R, varíe e n ±JO%.
10·69, Comprobar qu e e n el circuito representado:
.,
(a) A -
V...~
K..., /J.. R~
V. I + K..., /J.. R.,
lb) A = V..: 30 K... . /J"IR s + R.-I
n
,
V, I + K.. {J.. RJ
S upo ne r R,.'" f., f,, '" r • • {J.. V 1. Y Ji '" l .
Ro

02

01
"
""
R,

'.,
R,

P~uh. 10-6'
898 Mtcroe íear ánica moderna

10·70. Se emp lea un par Darlington (Fig. 10-34a ) co mo seguidor de e m iso r. co n R f = 500!1: exc itado por
una fuente de 50 k!1:. Se emplea e l transistor B. Q2 e stá polar izado a 1.0 mA y Q [ a 15 ~ A . Hallar
AI'.R" yR..
10·7 1. Los FET s de unión Q l . Q2 YQ3 son idénticos y sus pará metros so n los da dos en el Probo 10· 57.
Dete rmin ar :
(ti ) La gana ncia de cada etapa .
(h) La ga nancia global V/V, .
(c) Las resistencias de salida R" y R'".
•
•

40kU te en
•

«,

".

Pmb.IO.71 Prob.IO· 72

10-72. Dedu cir una ex presión de V/V, para e l amp lificador casc a do rep resentado.
10·73. El transislorQ I tiene ~'¡ I = 10 kn y 8. oi = 3 mn. Q2 tienerJ2= 15 kQ y 8",¡ = 2 m U
(o) Hallar la ganancia VdV~ para VI = O
(b) Hallar la ganancia VJ V, para V¡ = O.
(c) S iendo \ '1 = 5 sen 001. y I'~ = - 2.5 se n oot. hall ar v"
,,"
",

".
",
0,5 »n

Pr ob. 10. 7J

16·74. El amplificador diferencial de la Fi~ . 10-36 usa e l transisto r e pola rizado a leQ = lOO 1lA.
Determinar Re y Re de forma que lADM I =500 Yla Rel ación de Rechazo de Modo Comú n (CMRR)
= 80 dB.
10·75. Las entradas al amplificador d iferencial de l Probo 10-74 son:
VI "" 15 sen 120 Tri + 5 sen 2Tr x 10 l l mV
v~ "" 15 senl 20 Trl - 5s e n2Tr x 10 l l mv
 Problemas 899

La señal de 60 Hz representa una Interfe rencia y la de I kfl:z es la que debe ser procesada:
(a) Determinar ",,1(1).
(h) Determinar \',) 1).
10-76. En el circuito representado. para QI y Q2 se emplea et transistor C.
(a ) Siendo \ '1 = \'] = O. determinar las corrientes de polarización ICQe I IJQ'
(h ) Hallar ""1 y 1',,] para las condicionesen (a) . t lS v
(e) Calcular Arm • ACMy la CMRR,
(d) Determinar R,.¡ y Ri , .
IOkO IO kU

"

14.3 kO

- IS V Pr ob.10.76

JO-77. La resistencia de 14.3 kQ del Probo10-76 se sustituye por una fuente de corriente para establecer
las mismas corrientesde polarizaciónque en dicho problema, Para la fuente se emplea el transistor
Csalvo que V" = 130 V.
(a ) Diseñar la fuente de corriente.
(h) ¿Cuáles son los nuevos valores de AmI y de CMRR?
JO-78. La etapa diferencial de la Pig. 10-3 tiene unos valores dados de ALMI y de CMRR.
(a) Determinar \'.. 1 y,.,,2 para \'I =V, Yl ' 2 = O.
(h) Determinar \'..1 y " ,,2 para \ '1 =OYl 'z =V•.
10-79. (a) Demostrar que para la etapa diferencial integrada representada

t A" ., 1 = -y
Y, + VY,)-,
( ,, ~ "I'
donde V"" y V" ' son las tensiones Early de los transistores l/pI! y ¡mp respectivamente.
(h ) Dado V,,~ = 120 V. y V" = 50 V. calcular 1 A/l.\f l.
(e) La variación de la corri~nle de polarización ¿Altera el valor de Af).If? Explfquese brevemente.
+ I'ce

"

l' r llh.I Il. ' !}

- I'n-
900 Microelectrónica moderna

10-80. En e l circu ito de l Probo 10-79 calc ular su C MRR y AC II d ado s V(T = 15 V. R,. = 55.5 H2. V" = IS
V, Y R/II = 28 kQ. Los transistores " Im tienen P,. = P.. = 200 . Y los IJIIP tie nen P, = P.. = 50. Las
tensiones Early está n dadas en el Probo 10 -79.
10-81 . El ci rcuito representado corresponde a unaetapa difere ncia l CMOS en la qu e la re lación de aspec to
W/L está ind icada en la figura junto a los ele men tos . Los NMOS tienen k = 25 ~fV l . V, = 1.5 v.
y VA = 1/A. = 50 V.y los PM OS tiene nk= 1 2,5 ~fV l. V,= - 1.5 V.y VA::: IA = 100 V.
(a) Determ inar las corrientes de d renaje de po larizac ión en Q3. QS y Q7.
(b ) Calcular A v y la C MRR.

-tl OV

Probo t O·8t - 10 V

10-82. Los FETs de un par acoplado en fuente tienen g.. = I mUoy rJ = 50 Hl Están polarizados por una
fue nte de corriente co n resistencia de salid a de 40 k!l La s resistenc ias de d renaje R = JO kQ .
Determinar A V l/ ' A O I y la CM RR. "
10-83. Comprobar la Ec uación ( 10- 110).
1 0- ~. En el circuito de la Fíg . 10-46 . l '" I '~ .... 1'. = I V. y R~ = 2R,. R, = 2R~ •... R. = 2R.. , • Y R' = R / 2.
(a ) Determ inar l'" al ten der 11 a infin ito.
(1)) Ca lcular 1'" si Ir ::: 4
10-85. El circuito de la Fig . 10-46 se ha d iseñado co n R , ::: R ' = I .H 2. Y R ~ ::: 2R " R , ::: 2R ~ .... R" ::: 2R. _I .
Las ten sion es de e ntrada "¡ \ '~ .... '', pueden ser O o lO V.
(a ) Para 11 = 4 ¿C uál es la te nsión de sa lida m ínima si por lo meno s un a de las en tradas no es ce ro?
(h ) Para 11 ::: 4 ¿C uál es la lensión de salida máxim a?
10-86. (ti ) Determinar la tensi ón de salida mí nima en e l supues to de q ue por lo menos un a de las en trada s
no sea ce ro , y en las cond iciones del Probo 10 -85 . La máxim a re s isten ci a d ispo nible es de 55
m.
(h) ¿Q ué nue vo va lor de " se puede toma r si R I se red uce a 100 !l?
10-87. Deseamos emplea r e l ci rcuito de la Fig. 10 --46 para o btene r el promed io de la c lase e n un exame n.
El núme ro de alumnos e s 25 y todas las ca lificac iones son núme ro s erucros compre nd idos ent re I
y 10. La máxima te nsión de salid a e s de 10 V. y la resistencia m ínima q ue se pu ede utilizar es de
I kQ . El valor mínimo de la tensión de entrada que se puede uti liza r e s de 250 !J\'.
(o) Diseñ ar e l c ircu ito.
(h) Comprobar el diseño con la siguiente d istribución :
 Pr oblemas 90 1

o z 7 ) ,
Culifil"uámu's dd nu",,,,, z , , • 7
• 9 10

10-88. El Arnp-Op de la Fig. J(W6 liene una ganancia finita A,. pero por otra parte es ideal.
(a) Determinar la función de transferencia i/r,.
(h) Si R I = 10 A-n ¿Qué valor de A , se debe emplear si el resultado de (o ) ha de estar dentro del
porcentaje dado en la Ec. 10-1151
10-89. Repetir el Probo10-88 parael circuito de la Fig. I().4Rh. Hacer R, = IDU l y comparar el resultado
con la Ec.( IO- 1161. -
10-90. Repetir el Probo10-88 para el integrador de la Fig, 10-50 Ydescrito por la Ec. ( 10- 117).

CAPíT ULO 11
Nora: En muchos de los diagramas de circuitos correspond ientes a los problemas de este capüulo no
figuran las disposiciones de polarización. Se supone que los dispositivos están polarizados conveniente-
mente y que los componentes empleados para tal polarización (no representados¡ tienen un efecto
despreciable sobre el funcionamiento del circuito.
En los problemas que siguen se emplean frecuentemente los siguientes transistores

TruIIsislor..S

" B e o •
Tipo "P" "P" " P" P"P P"P
O. l 2S ISO 200 ISO SO
O. 12S ISO 200 ISO SO
1' , . V • 100 • • SO
t. . M th '00 aoo 400 100 10

C... I'F O., O) O., O., O.,

11·1, Se excita un amplificador con una señal ,' = 0. 1sen ro 1 + (1, I sen 2ro t. La salida \' sin distorsión
en frecuencia viene dada en la Fig. 11-1 écurva 1) .. ~ ..
(a ) Si hay distorsión de amplitud y de fase. ,... = 1.0 sen ro} + 0,75 sen (2(t)J - 30" ). Dibujar un
ciclo de 1'.. y compárese con la ondano distorsionada.
(h ) Repetir (a l para 1'" = 1.0 sen (00..' - 15' ) + 1.0 sen (200,,1 - J ()") Com éntesc el resultado.
11· 2, Calcular. para el circuito representado, la frecuencia superior de media potencia suponiendo que
el amplificador de baja frecuencia es una etapa en emisor común.
e
- -IIf-----,

B,
• R, ' .
"
,"",lo. tt ·2
90 2 Microelectr ónica moderna

11· 3. Rep etir e l Probo11-2 suponiendo q ue el amplificado r de baja frec uenc ia es un seg uid or de em isor.

'
11-4. Determ inar . pa ra e l circuito rep resen tado. la frecue ncia inferior de med ia potenc ia supon ien do q ue
el amplificador de baja frec uencia es un seg uido r dc fuente .
e/.

J
R, Amplificador
, de baja s¿ -,
frecuencia

P rob . 1 1 ·4
11·5. Re petir e l problema anterior para una etapa en fuent e co mún con res isten cia de fuente .
11·6. La entrada en e l Probo 11·5 es una onda cuad rada.
(a ) Determin ar la pend iente e n la o nda de salida .
(h) Repetir (a ) p<lr<l una etapa única en fuente común.
11-7. El co nstructo r de un transistor facilita los s iguientes d ato s: A baja frecuencia B, = 160; a/= 50
MHz, IPOOl) I =8. Hallarf, Yf, .
11·8. Un fabr icante de sem iconductores indica que con un a co rriente de polar izació n le = 1 lilA. un
transistor e n part icular tiene ~,, = 120. Con la misma corrie nte de po lari zac ión y a la frecuencia de
I I
25 MHz. ~Uro) = 10. Determ inar e . en e l modelo hfbrido -n a le ImA suponiendo C~ = 1 pF. =
11-9. La func ión de transferencia de un amp lifica do r es (AJ( 1+s/oo).
(a) Dem ostra r qu e la respuesta a un escalón unidad de dos de ta les amplificad ores e n cascada (no
interactiva) es
t',,(t l = A ,~ [ 1 - 11 + xl E '1
donder =- 00./
(h) Dem ostrar q ue con ooJ«1, la salida varía cuad ráticamente co n e l tiemp o.
11-10. Demo strar que la ganancia de co rriente en co rtoc ircuito y base comú n o:(s ) puede e xpresars e
a (s ) = ".
[ + s/w..
donde e... =P.. /( 1+ P"ly "'" = "'/( "'"l
1-
11·1 1. Un amplificado r de dos po los tiene la función de transfe ren c ia de la Ec. (11 -22 ) con a l = O.
(a) Estimar las frecuencias de polos. .
(h ) Defl nlendo ne a l l/al como factor de separación aprox imada de lo s po los. demostra r q ue con
11> 10 la separac ión real de ellos es por lo menos de tre s octava s.
11-12. (a) Determinar la impedancia de salida en alta frec uencia ZJs ) d e una e tapa en em isor común.
Supóngase que r" tien de a inf inito . pero utilizar el mode lo hfbrid o-rr.
(h ) Repetir (a ) para ",,<0<>.
11 ·13. (a ) En un circuito e n emisor co mún y polarizado a leQ= 1lil A. se e mple a el transistor A. S iendo
R,=300 a y Re = 1.2 ka determinar la ga nancia a mi tad de la band a y la frecuencia superior
00// a med ia po tencia.
(h ) ¿Cuá l es la impedancia de entrada a s = jw H?
(NOTa: Este es e/ circuito del Proh. 10-35 .)
11-14. Un transi stor co n ,t: '" = 4111U. e• = e~ = I/ F Yn
1-'"
= 120 se emplea en la config uraci ón en co lector
común. Demostrar que Z" tiene un funcion am iento inductivo para I 25Q <R, <3DkQ.
=
11·1 5. Se utiliza un trans istor e polar izado a leQ 0.5 lilA e n la co nfigurac ió n en em iso r co mún. excitado
po r una fuente de ten sión con resistencia de fuente de 2 kQ. La re sistencia de c olecto r es de 6 Hl
Determina r la ganancia a mitad de la banda y la frecuencia supe rio r a me dia potencia .
11· 16. En e l c ircuito represen tado seemplea el translstor D po lari zado a - 2.5 mA. Determ inar la ganancia
a mitad de la banda y la frecuencia superior a media po ten cia .
 Problemas 903

- "o-

Proh.1I_1 6

11·17. Se emplea el transistor C polarizado a In} = 1.0 lilA . en la configura ~ióll en base conuí n, c Ol~ Re.=
5 kO. La señal aplicada es \.,{t) = 2.0 se n ro,mVy R. = 500. Determinar AI O y el valor aproximado
de JII"
11·18. Un JFET con J.l = 50 y rJ = lO kU se emplea en un seguidor de fuente con Rs = I Hl. Las
capacidades de l JFET son: C • = 5 pF. C. J = 2 pF Y CJ , = 2 pF. Determinar A l o y el valor
aproximado de f H siendo R, = kO. 5
11 .19. (a ) Deter minar Z" del seguidor de fuente del Probo 11 -18 en función de R,.
(h) ¿Puede Z" mostrarse inductiva en alguna zona de frecuencias?
11·20. En elcircuito representado se ufiliza el JFET del Probo11 -18. DetemlinarA I"y el valor aproximado
d c~ . +

10 en

,,"
I H2

Prob.II- 20

=
11·21. El transistor A polarizado a I nl 0.2 lilA. se emplea en la conñ guraci ón en emisor común con
resistencia de em isor. Teniendo R, = 2 kU. Rf = 0, 1 Hl Y Re = 5 kn. determ inar A\Oy 111" (Nora:
Este es el ci rcuito del Probo 10-43.)
11 ·22. Una etapa en emisor común utiliza el transistor cuyos parñmerros están dados en la Fig. II ~ 19.
Determinar Al,o y f H para Re = 1,5 ka y R, = 0,6 kn .
11·23. Comprobar las Ecuaciones (1 1·47) y ( 11 -48 ).
11-24. Comprobar las Ecuaciones (11-53), (11-54) ~ ( 11-55).
11·25. Comprobar las ecuaciones (1 1-56) Y( 11·57) .
11-26. (a ) Determinar los coeficie ntes a l y al para el circuito representad o. empleando el método de la
consrar uc de tiempo.
c.
(h) Sugerir la posición de los polos si R I = Rl = R, e l = e l = y A, = 2.
(e) Comparar los resultados de (h) con [os po los reales obtenidos de las raíces de la ecuació n
cuadrática.
(d ) Comentar la validez de la aproximación de polo dominame.
 904 Microetectrontca moderna

.
r, R, e,

o
R, R,
"
r-,
Lo<"
o
'. t R, e, 1,.
Amplificador de
c, tensiÓllideal
"
" P ro b . 1 ' · 2 7
Ro
R .•
- -
J.
P ro b . 11 · 2 8
o

'"
Pro b.11 . 2 8

11.27. Repe tir el proble ma anterior par¡¡ el circ uito represent ado.
11·28. (a ) Repetir el Probo 11·26, parte (a l para el circ uito represe ntado . Supónga se que A, es un
amplificador de tensión ideal.
= = = =
(h) Señalar a estima los polos para R, R, N1 R. C I C 1 , A, 2. =
(c) Repetir el Probo 11-26. parles (r} y (el).
11·29. Cada etapa de una configuración CE-CE emplea el transis tor A, polarizada cada una a 1 1"(J I mA. =
Los valores de los cornp oncmes son R. = 0.6 H1, Rn = Re 1 = 1.2 1..'1 1.
(a ) Dete rminar Vl'fI y el valor aproximado de J".
(h l Estimar la localización del polo no dominan te más próximo .
11•.)0. (ti ) El circ uito representado usa los transistores descritos e n el Ejemplo 10-7. Suponiendo que
cada transistor tie ne j ', = 2(MJ M I~ z y Cu = I pF. determ inar A,,, y el valor apro ximado de JII"
(b) Estimar la localización del pcloncdorriinarue más próximo. (NO/a: Supóngase que la respuesta
e n frecuencia del seguidor de emiso r es suficiente mente alta para pode r desprecia r sus efectos
sobre el valor deJ;, de 1u cascada.)
o

n íl 1 en

"n '.
o
IOOíl
'.

Pro b . '1·3 0

1) · 31. Los transistores del Eje mplo 1O.7I ienen/ . = 200 MHz y e
= l pF.
(a) Estimar el valor deJ;, para la cascada. "
 Problemas 905

(h ) Compá rese es te resultado con los del amp lificador del Prob o 10-30 .
(e) Determinar la situación aproximada del polo no dom inante má s próxim o. (NOIa: S upóngase
que la respuesta en frecuencia del seguido r de em iso r eje rce un e fecto desp reciable e n la
respuesta en frecuencia de la cascadn.)
11· 32. Repet ir el Probo 11 -31 para el circuito rep resentado.

]k O no no

v, R, 1'"

toc n 200 n
5 kn ",

Pro b . 11 . 3 2 Probo tt·33

n ::: 150, e• ::: 50 pF,

11.33. Los transistore s de l circuito representado son idén ticos, co n 1"• ::: 1.5 k.o., !-,,,
c~ ::: 1,0 pF.
(a ) Determinar A III y el valor aproximado de l ;/, dado R, ::: 20 kn. (No /a : S upó ngase q ue la
respuesta e n frecue ncia de la etapa en emisor común es bastante alta para que no eje rza ningún
efecto sobre la respuesta e n frecuencia de la cascada.)
( /J) Estimar la situación del polo no dominante [mis próximo.
11-34. En el circuito rep resentado Q 1 Y Q2 tienen Pf ::: 150, V~ ::: 120 v.j, ::: 400 M Hz y e ::: 0,5 pF, a
la corriente de polarización II-'! ::: 100 ).lA . l'

(a l De terminar el valor aproximado de 1;, para R, ::: 50 k.o. Y R(, ::: 250 kn.
(lJ) Estima r la situación del polo no dom inante más próx imo .
(No/a : En e l Probo10-66 se calculó A, u para este circuito.j

R,

o
v, »,
Q'

J-
P robo 1 1 ·34

11 -.15. El c ircuito de l problema anterior emplea elt ranslstor B , co n Q l pola rizado a 75¡.tA , y Q2 a 250
).lA . Determina r AI O y e l valor aproximado de l ;, para R, ::: 500 k.o. YRe ::: 500 kn .
11-.16. En cada etapa de un amplificado r casca do se emplea el transistor C. es tando cada una polarizada
a /( f! ::: 0. 2 mA . -
(a) Sie ndo R, ::: 1 kD. YR("I ::: Re ! ::: 5 k.o. determin ar el valo r ap roximado de l ;!'
906 Microelectrónica moderna

(h ) Compárese el resultado de (a l con el de una etapa en emisor co mún con transistorC polarizado
a ICQ = 0.2 mA con R. = I k.oyR r =5k.o.
11-37. (al En el circuiro cascodo integrdo representado . se usan transistores B y E polarizados a I' r Q 1 =
125 J.1A. Determinar A,o Y el valor aproximado de f w
(h ) Estimar la frecuencia del polo no dominante más próximo.

•
110 kn

•
"
J-
300 en '.
Pr ob. II . J 7

11-38. Una cascada Fuente común-Fuente común. emplea JFETs idénticos cuyos parámetros son:
K.. = l mU.RJ=40k!),C~. = 5pF, CtJ = l pF y CJ . = l pF.
(a ) Determ inar A,oY el valor aproximado de/ Hcon: R. = 5 k.o. R/l = 40 k.o Y Rm = 10 k.o .
lh) Estimar la frecuencia del polo no dominante más próximo. '
11·39. Los FETs del circuito representado tienen los parámetros dados en el problema anterior.
(a) Determina r A I,o y el valor aproxi mado de f H"
(h) Estimar la frecuencia del polo no domina nte más próximo.

40 kn 10 kn lkil
lOk n

•
»,

"

Pr oh. l l·J 9 Proh. I I.'U

11·40. Se intercambian las etapas de la cascada del Probo11-39. Repetir el problema.

11·41. El JFET del circuito representado tiene g.. = 2 mU . rJ = 30 k.o . C~ , = 10 pF. C ,¡ = 5 pF YCJ> = 5
pF. Los parámetros del BJT son: R. = 2.5 k.o. ~,, = 125. C_ = 100 pF YCIl = pE 1.5
(a ) Determinar A" o y el valor aproximado de/N"
(h ) Estima r la frecuencia del polo no dominante más próximo.
11·42 . Repetir el Probo anterior para el caso en que se intercambien el BJT y el FET.
11·43. (a) La figura representa el modelo de un amp lificador diferencia l co n una señal difere ncial I'J
aplicada . Dado ~o = 125. 1'. = 25 k.o. C. = 5 pF. CIl = l pF Y'''" = 1 uc: de terminar el valor
 Problemas 907

aprox ima do de ! //,

(h) Estimar la frecuencia del polo no dominan le nui s próx imo .

,."
" , "
•
«, ,. e
" ~>". '. R,
(2S0 kU)

" T
,.
" = ,.. ~ ,." ". ,.. R,
(2S0 km
- ,
" Prab . 1 t · 4 3

11· 44. La figura rep resenta e l mod elo de alta frecuenc ia de la etapa d ifer en ci al del Pro bo 11-43 conuuu
señal e n modo co mún apli cad a.
(a) Det erminar e l va lor aproximado de 1;/.
( h) Estimar la frecuencia de l polo no dominante má s pró ximo.

'. '.

R,
( 500 km

P ro b . 11 · 4 4

11·45 Las ganancia s difer encia l y de mod o co m ún de un am plificado r dife rencial pued en tornarse
aproximadament e co mo
- n.s
A' .\I = 1 f ,1 1211 X ltI"

(a ) Esbozur e t dia grama ashuótico dc Bode de la Rel ad ón de Rech azo delmodo co nutn (CMR R l.
(h) I.A qué frecuen cia la CMRR es la mitad de su valor a baj a frecuencia '!
11·46. Comprobar las Ecuac iones ( 11-13 ) Y ( 11 -74) .
11·47. Lo s Amp -Op de l circuito represent ado so n id éntic os . ten iendo A,.. := lO' Y/ ;, = 10 Hz. Entodos los
demás aspect os los Amp-Op so n ideale s.
(a) Determinar la ganancia en baja frecuen cia y e l a ncho (le banda de cad a et ap a.
(h) Va liéndose de los resu ltado s de ( a) escribir una ecuac ión de A, JI) para la c ascad a .
(e ) Trazar el diagrama asintóti co de Bod e de la func ión de (/JI y e stimar 1;,.
(ti) Med iante la aproximación por po lo dominant e . deter mi nar 1;/ y com pararlo co n e l rcvultado
de ( e ), com enta ndo la comparac ión .
908 ñttcroetectr énica moderna

Prob. "-47
soxn

¡- ~otn
"
r,
",
toen

Primera elapa Segunda etapa Tercclllellpa

II ." S. Razones tec nológicas y de fabricación o bligan mucha s veces a que la re laci ón entre las resist enci as
máxima y mínima empleadas e n e l ci rcuito sea ig ual o me no r q ue d iez .
(a) Te niendo e n cuenta esta limitación. hallar la ga nancia máxima en m itad de la banda q ue se
puede co nseg uir co n un amplificador de tres etapas Amp-Op e n cascada. suponie ndo q ue In
sa lida esté desfasada 180' respecto la entrada .
lh) Con la limitación citada y suponie ndo que las ca rac tert..ticas del A mp-Op se an: A... = 126 dB
YIn = 5 Hz. hallar e l ancho de banda del amplificado r o btenido e n ( ti ).
J 1·-19. Repe tir e l problema anterior suponiendo que la salida del amplifi cad or y las se ñales de entrada
tengan que estar en fase.
11-50. En el circu ito repre sen tado se empIca el transistorC.
(a) Determinar los valores de reposo de l e y de "oo'
(h) Su poniendo que C, pueda hacerse arbitrariamente g rande. determinar C. de forma que
1,. = 20 Hz.
(c) Suponiendo que C. pueda hacerse arbitrariament e gra nde determinar C, para / E= 20 Hz.
(d ) Elegir Cl y C. para,ft = 20 Hz. para minim izar la c apac idad 100al. S upóngase que el efecto
capacitivo no domin ante tiene una frecuencia me nor de 2 Hz.

" V

I .S en
38 H I C

C.
,
R »,

OH n
, s 1
T

" 1<I H n o.e en

T

O.I Hn
r
T
C
'

-a V
 Problemas 909

11-51. Comprobar la Ec. t l I-XIl,

11 -52, (a ) Dcrenfunar A ,o y e l valor aproximado de h/ de l c ircuito de l Probo I 1-50.
(h) Se conec ta un condensador e e ntre 8 y C. Determinur C para q ue};, q uede redu c ida a 20 kll z.
(e) Si se aplica \",(1) = V.. sen{2nx 10' l) i.C uál es la tensión de salid a 1'" si \'.. ;:: 0 , 1 V?
( d ) ¿C uán to puede crecer V.. untes de que la etapa acu se di sto rsión ?
11-53. (a ) Dem ostrar que la ganancia de una etapa FET con capac idad de paso de fuente C, es
A l'<> I + Jfw.,
An h l '"
+ KmR., [ + .\'!w ¡ l
dondeA1,o = -X", RIJ , 0>, = l/RI e l' y roL = (1 + g",R s)/R.\C\. Suponer Rol + RI) « ,.,1'
(h ) Dados gmR.,« [ y ~m =3 mU, determi nar Cr de forma qu e una o nda cuad rada de 60 Hz no acuse
una pend ien te mayor de l [0%, ' t

,
1
l a kl1 4S kil HO
"O
10 JO !" 100 en
v.,
C W¡
" O c"
: kl" l

10 k.Q
" 100 n Cl l HO en
~

Pr "h . 11-54
~
Probo 11-55
11·54. El tran sistor empleado tiene P. = 100. 1". = I kQ Y 1".. -----"00.
(a ) Detenni narel valor dcj. .
(h ) Dada una o nda cuad rada i(l) = 20 0 Hz. determinar la pend iente en porcen taje e n la sa lid a.
(e) ¿Cuál es la onda c uadrada de menor frecuencia que acuse una pe nd iente no mayor del 2% '!
11-55. Los tra nsistor es del circuito rep resentado son idén tico s y tienen 1". 4 Hl Y P.. 200. = =
(a) Determlnarj ; de cada etapa suponiendo CWI C/l l 1 Jlf'. YC ' l = C, l 100 JlF, = = =
(h ) ¿C uál es la frecuen cia inferior de media potencia de la cascad a"!
(e) Co mpá rese el valor de (11 ) con e l deh , obt en ido de l di agrama asintótico de Bode dé la c ascada.
11·56 . El c ircuito de l Probo l 1-55 de be tener g lobalm ente una frec uencia infe rio r de med ia pote ncia de
50 Hz. Seleccionar los valores de C 8 1• C~! , C l l y C u para m inimizar la capac idad ro tal e mple ada.
11·57. Los JFETs del c ircuito re presentado son idén tico s, tenicndoc, = 2 mU y ", = 40 kQ .

'¡O~ il o.e an ~o Hl
0.9 Mil
v,
( ;,1 Cm
S kí l

0,1 5 Mil
U I MU
'.
: kn c" 4k U ("S I

I' r oh.ll.57
908 Mtcroeíectr ántca moderna

..
,, S,..U

r ¿-
1
r-,
>
H :1 IOH!

r,
.... ~ '1
",
~ en 10kO

- -
Primer. el'pI Secund. etapa T ercera etaPA

11 ·48. Razones tecnol ógicas y dc fabricación o bligan muchas vece s a que la re laci ón entre las resistencias
máxima y mínima emp leadas e n el c ircuito sea igual o me nor q ue die z.
(ti ) Te niendo en c uenta esta limitación . hallar la ganancia m áxima e n m itad de la banda q ue se
puede co nseg uir co n un ampli ficado r de tres etapas Amp -Op e n cascada. supo niendo que la
salida es t é desfasada 180' respecto la entrada.
( h ) Con la limitación citada y suponiendo que las ca rucrerfsticas de l Amp-Op sean: A ... = 126 dB
Yf H = 5 Hz. hallar el ancho de banda del amplificador o btenido e n ( a).
11·49. Re petir e l problema anterior suponiendo que la salida del amplifica dor y las se ña les de entrada
ten gan que es tar en fase.
11·50. En e l circui to representado se emplea el transisto r C.
(a) Determinar los valores de reposo de l e y de "oo'
(h) Supon iendo que C l pueda hacerse arbitra riame nte g rande, de terminar e,
de fonna q ue
/,. = 20 Hz.
(c ) Supon iendo que C, pueda hace rse arbitrariame nte g rande de termi na r Cl pa ra /,. = 20 Hz.
(dI Elegir Cl y C, para /,. = 20 Hz. para minimizar la c apacidad lotal. Supóngase q ue e l efec to
ca pacitivo no dominante tiene una frecuencia me nor de 2 Hz.

'3V

r.s kn
38 kn C
,
" H v,

o.H O
, E 1
T

en 0.6 en
" 2.. ..

0. 15 en
l C'
T

-r V
 Problemas 909

11.51. Comprobar la Ec. ( 11·8 1).

11 .52. (a ) Determinar Aro y el valor aproximado de!H del circuito del Prob o 11-50.
e
(b) Se conecta un condensador entre By C. Detenni nar C para queJ H quede reducida a 20 kHz.
=
(e) Si se aplica I',(t) V. sen(27tx lO' ,) ¿Cuál es la tensión de salida \'" si V. 0. 1 V? =
(ti) ¿Cuánto puede crecer V. antes de que la etapa acuse distors ión?
11-53. (a) Demostrar que la ganancia de una etapa FET con capacidad de paso de fuente C, es
A yo I + slw_~
,---;-'-'''-;c
A Vl.(s j =
1 + gmRs 1 + s/w,
donde Avo =·8", Ro. 00, = I/Rs Cs' y 001. = ( 1 + gIll Rs)/R.~Cs · Suponer Rs + RrJ « r.r
(h) Dados 8. Rj«. 1 y g.. = 3 mO, determinar Cs de forma que una onda cuadrada de 60 Hz no acuse
una pendiente mayor del 10%. +

•
4kil roen 45 kO no
10 ",1' lOO kO
'.
1k0 C" C"

HO

0, re en
100 0 Cn HO Cn
3300
Prob. l l·S4
e-e.u.ss
11-54. El transistor empleado tiene Pn" = lOO. r• = 1 k!l Y r..---t0Cl.
(a) Determinar el valor deje
(h) Dada una onda cuadrada i( l) = 200 Hz, determinar la pendiente en porce ntaje en la salida.
(l") ¿Cuál es la onda cuadrada de menor frecue ncia que acuse una pend iente no mayor deI 2%?
11-55. Los transistores del circuito representado son idénticos y tienen 1". = 4 kil Y p" = 200.
=
(a) Determinar JI. de cada etapa suponiendo CS l Cs 1 I ~ F. Y CE1 CE! 100 ~ F. = = =
(h) ¿Cuál es la frecuencia inferior de media potenci a de la casc ada?
(l") Co mpárese el valor de (h) con el de! u obtenido del diagra ma asintótico de Bode de la cascada.
11-56. El circuito del Probo 11·55 debe tener globalmente una frec uencia inferior de media potencia de
50 Hz. Seleccionar los valores de CII • CS!. Cn y Cu para minimizar la capacidad toral empleada.
11·57. Los JF ETs del circuito representado son idénticos. teniendo .~. 2 mO y rJ 40 kil. = =
•

40 en 0.6 Mil 20 en
O.9 MíI
'.
("C l
HO C" I

ot s "in
o, 0.1 Mn

~ kn c" 4k0 C"

Prob.I I· S7
 Problemas 9 11

12·5. Repetir el Prob. anterior para el circuito represe ntado . Los transisto res son los dados en el Probo
12·4.
•
,
•
0.6 en R,
Amphli ·

• CM'"
inoc" " .
• e,
l-, 01 R, V,
0"

"2
~

Q' R,
Fuente f.. R. d dc
Hn •,
l'
,. al;"", n-
•• i<In
- I R,
P ro b . 12·6

Pr o b. 12·5

X, Xl

X, X.

,
Pro b o t2 ·7

12·6. (ti) Hallar . para el circuito representado. la componente de señal de la tensión ", e n función de 1'.
y \ '1' Supóngase que el amplificador inve rsor tiene una res iste ncia de entrada infinita y una
ganancia de te nsión A, = 4000 . La red de realimemnción está caracterizada por ~ = \1/\1" =
= =
1/ 300. Los valores de los parámetros del circuito son: R. RI' 2 .H):. Y Re 6 Hl. teniendo =
cltmnslsror p" = 200 Y", = 4 H1: .
Ih ) Halla r A = V'I "
, I' .
12.7 . El diagrama de bloques representa II n sistema de realime ntación de do s etapas. en el que X. es la
seña l que hay que ampliar, X, es el ruido introducido con la se ñal. X. es un disturbio introducido
en el propio amplificador (quizás debido a un rizado del suministro de potencia) y X, otro disturbio
introducido a la salida del amplificador:
(a ) Hall:lr Am • T y A, • siendo X, X! x, O.= = =
(h) Determinar las relaciones de transferencia X" IX ,• X,/X:. y X" IX,.
(e) Comprobar que

x = AndX, + X ,) + (X / A ,) + X ,IA u..!

.. [ + T

Sea X,,, III componente de la salida debida a X" X", la componente de la salida debida a X ~ y
(el)
así suces ivamente. Calcu lar X.JX" , • XjX"l y X".X" • .
(e) Repctir (h ) con p = O.
tj) Repetir (el) con p = OYcompárense los resultados. ¿Qué conclusión se ded uce'?
12-8. Hay que diseñar un amplificador realimentado para que tenga una ganancia e n lazo ce rrado de
50 ± 0. 1. El amp lificador básico tiene una ganancia que puede gobernarse dentro de un ± 10%.
Determin ar los valores de la ganancia en lazo abie rto. la relación de re tomo y la transm isión inve rsa
p de la red de realimentación.
12·9. Un amplificador sin realimentación da una señal de slllida de 15 v. co n un 10% de distorsión por
9 10 s ticroetectronica moderna

(a ) Con C G 1 = =
Ce.! = =
I ~ ,.., Y C" Cl ! 100 ~F, de terminar la frecu encia inferior de med ia
po tencia de cad a etapa.
(h) ¿C uál esft de la cascada?
(c) Co mpárense estos valores co n los obtenidos del di agrama asi nt ótico de Bode para la cascada.
11· 58 . El c ircuitodel pro blema I 1·57 debe lenerf l = 50 Hz. Delenninar CG,. C G ! . C n »<,
para minimizar
la capac id ad total empleada .

CAPÍT ULO 12

No/a: En mucho s de lo s d iagramas de circuitos corres pondie ntes a los pro ble ma s de este capñulo no
figu ran las di sposicio nes de po larización. Se supone q ue tales di spo sitivo s es tán po larizado s conventen-
rememe y q ue los componentes empleados para e llo (no re presentad os ) tienen un efecto desprec iab le sobre
e l func ionamiento de l circuito. En los prob lemas q ue sigue n se em plean frec uente mente lo s siguientes
transistores :

TraIl JiJ¡,}I '('I

A H e n ,.
Tipo "1'" npn II{III "lIp pll"
P.. 125 ''0 200 150 sn
P, ns I ~I 200 150 so
VA' V • 100 I::!.'i • so
La resistencia de d ispe rsión de la base es 1". = O si no se indica otra cosa.

12·1 . i.A q ué tipo de amplificador idea l se aproxima cada uno de lo s siguiente s? Ju stificar la respu esta.
(a ) El segui dor de emi sor.
(h ) A la etapa en fuente común co n resis tencia de fuente.
= = =
12.2 . Un amplifica dor de lransimpedancia tie ne Z, R, = 50 O . Z.. R.. 50 O . y R.. 10 l O . Las =
caractertsncas de cieno amp lificado r de uunsconductancia "ion Z, = R, = 50 kO. Z.. = R.. = lOO .lO .
yG.. = O.1 U
(a) Con los ci rcuitos dados const ruir un amplificado r de co rr icmc.
(/J) i,Cuáles so n los valores de R,. R.. YA,'?
12·3. (a ) Emp lear los amplificadore s de transco nductan c¡a y de tran sim ped anc ¡a de l Prob . 12· 2 para
con st ruir un amplificad or de tensión .
(/1) i,CuiÍles so n lo s va lores de r,' R.. y Al ?
12·... En e l ci rcuito representado QI y Q2 "io n transistore s idént ico s co n ", = I kQ. Y g", = 0 ,1 U .
(a ) i,A qu é tipo de amptiflcudor se aproxima este circuito?
(/J) Determinar las rcststencias de entrada y de sa lida y la re lac ión de tran sfer encia del amp lifica -
dor. Amplificador

QI

..L " Q'

Puente nn

I Pro b o '2·4
 t'robtemas 9 13

12· 19. En el scg uido r de fuente representado. I'N = \ 'N" scn 2n x 120/. es hucnsi ón de rizado del suminis tro
de potencia y puede ser tratada corno UI1: 1 pertu rbación en la e tapa. De terminar. para R, = 2 H2 .
s ; = 2 m n , 1'" = 20 .1,12 Y R = 5(X) .1.12. elm áximo va lor de VNU suponie ndo quela c omponente de l
rizado de la salida no de be superar los 20 J.tV.
Amplificador

o R.
•
R,
R, '0,
-
~".v, e
- -,c

" •
'" - R,

-
P to b . 1 2 · 1 '-' 1" " 0 11 ~ ..
r,

9 R"
R
Ro

Red de realimentación
R,

Km
D
1
,

12· 20, (a ) ¿Qué topolog ía se e mplea en el circ uito represe ntado"

= = =
(h ) Con R, = I kO. R.. 5 kQ, A, 10 '. R! 50 H2. R I 2 kO. y R, 0.6 H2 . de terminar Am , T = =
y A, .
(e) Dado A , - )00, hallar Al'
(l/ ) Ca lcular Ru y RO/ .
( e) ¡,Qué nue vo va lor de A, deberá usarse si Rm debe se r 600 O'! .
12·21. (a ) ¡,Qué topología se emplea?
(1,) Dibujar el d iagrama del circuito de un am plificador sin rea limen tació n.
(1') Con R, =500 n. f( = 20 ut R~ = 50 kO, R I = I Ul C m = 100n. R,=600 n y NI = 2 kU.
hallar A"" T yA ,.
(d ) Determinar R y Rf/!'
"
(e ) Co n C... ~oo , hallar A, .
Amp lifil"uJnr

A e
•
,
R, V,
G.~R'
., •
•
r-: - R, 0°
"

'9
v R,
Ro
u D

R ,, · ROl
Red de realimentación P' o b ,l :.' · ~ ·

12· 22. (a ) Repetir e! Probo [2· 2 1 para el circuito represen tad o. Los valores tic los e lemen tos son: R, = 5
iu.n, = 0.5 kn , R., = lOO H2. R ~ = 10 tu. R I = I 1;12. R, = 50 u , y R1_ = 2 1;12.
9 12 Microe íectn ñüca modema

seg undo armónico cuando la señal de entrada es de 15 m\',

(a) S i e l 151l de la salida se ree nvía a la entrada en un ampli fica dor se rie -paralelo neg ativo. ¡,cuál
es la tensión de salida?
lb} S i la salida fundamental se mar uicne en 15 \'. pero la distorslón de segundo arm ónico se red uce
a l l 'k i.cuá l es la tensió n de entrada?
12·10. Valiéndose del análisis aproximado. determinar A' IIl ' Ji. T Y A, de l segu ido r de fuente.
12·1 1. (a ) Empleando el análi sis aproxi mado determinar A' IIl ' Ji. T Y A, de u na e ta pa e n emisor común
con resistencia de emisor R, .
(h) Compara r e l valor de A, con el de la Tabla 1O-3A y ra zonar c ualq uie r d iferen cia hallada ,
12· 12. (al Determinar A(.I{" T, Ji y A, de l circuito represen tado . Emp lée se e l a nál isis aproxi mado,
( h) ¿C uál es la topología de realimentación empleada ?
•

" ",O---
----o v" ~ , .. R,~
, ~~~ " ..

"

Prob.1 2 .t2 1'1'0110. n ·t s

(2-13, (d ) Emplea r la fórmula de la impedancia de Blackman pa ra detemunr RII de la etapa de l Prob .
12- 11.
(h ) Repetir (a) pa ra R,,, . I ncl u i r ,.~ del BJT.
td Com parar estos valores co n lo s dado s e n la T abla 10-.'\.
12· 14. Obtener Rtf y R,,, de l circuito del Probo 12-12.
12-15. E l Amp- O p del c ircuito represent ado tiene una ga nanc ia en lazo abierto A, y una resiste nc ia de
sillida R .
(el) Det~nn¡ nar A,... , p. T YAl de la e tapa .
(h ) Determi nar ROl de l circuito .
(d ¿Q ué topo log ía de realim entac i ón se emplea ?
(2· 16. Emplear lo s pará me tro s I ISec. 12·K) para ob tener A/l' A' II' T YA, de un seguidor- de fuente ahajas
frecuenci as.
12·17. Repetir e l Prob. umerior paru una e lapa en e miso r conutn con resiste nci a de emisor R¡,
12·18. El Amp-Op. del circuito representado eSI¡\ caracterizado por A, y R,.'
(a) Usando los parámet ros r obtene r "1>" A"L' T YAl '
(b) Utilíce se la fórm ula de la impedancia de Blackman para o bte ne r R II y R""
R,

', ~
"M Á • • R. Ii'..

P robo t2 ·18
 Problemas 915

12-29. (a) Determinar T . Am.' y A, para el circuito representado .

(h) Ca lcular H", . Los MOSFETs tienen .l:,., = 1 IIItJ Y I"J = 20 H2.
•
¡•
ro en roen 08 ~ en

• Q'
Sk n
Ikn
•
" 04 7 en
"
'1
10Hl Prob o t 2·3'

12-J O. Co mpro bar las Ecuaciones (1 2-48 ) Y( 12-50).

12-JI. (a ) Repe tir e l Probo 12-29 parte (a) pllra e l circu ito repre sent ado. Se e mplean tran sistores e y IJ
=
polarizados a ' ((1 0.25 Y - 0.5 filA respectivament e.
(h ) Ca lcular R I ,.
' 2·32. (a) ¿Que topología se emplea en el amplificado r representado?
(h) S uponiendo que T » l. dem ostrar q ue A, = ¡.IV, "" R, IR I R1 siempre que N, » (R I + R1) .
e =
(e) Dudo que Ql . Q2 Y Q3 son transistores co n 1('(11 0.25 1IIt\ . IC'l~ =1,0 lilA e I, 'l.' = 0.5 mA .
Los ele mento s de l c ircuito son: Rn = =
5 kQ. Rn 7.5 kU. Reo = 1U kU. R I = 0 .2 k.l.1. R! = 0.33
kU y R, = O.flkU. Calcular A, y T si R, = 20 Hl.
(el) Hallar la ga nancia de tensión V/V , ,.

-,
Q)

Probo t2·32

12·33. Determinar R" y ROl del ci rcuito del Probo 12-32.

12·34. Comprobar la.. Ecs. ( 12-55) Y(12-56l.
12·35. Empléense los parámetros, para calcular A"l' T YA, del circ uito de l Ejemp lo 12-6 .
12·36. Repetir el Prob o [2-35 para e l circuito del ejemplo 12-7.
12·.'1. Repet ir el Prob o 12-35 para e l circ uito del eje mplo 12-9.
9 J4 Mtcroetectronlca moderna

lb) ¿Qué valor de R. se necesha para hacer RII =50 U?

AmplirlCadof

e
A

" t R, R,

o PNb. t 2-2 2

Red de realimentaó6n
(2· 23. Comprobar las Ecuaciones ( 12-41) Y( 12-42).
(2 · 2'-. Los FETsd el circuilo representado wn idéntícos. teniendogj = 2mUy r ,¡ = 20Ul . Los parámet ros
del circuito son: Ru = 12 Ul R(j = 500 tO. R. = 50 U Y RI = 5 Ul. Determinar A,y Rm •
R.
,

R
4 ,) en (1.2 kU)

R.
,
R.

R,
R.

•
.
' . 'kn
Ql
R, R,
'.
"
Prob . t2·24
·l R"
6.2 en

12-25. En el ci rcuito representado se emplea el transistor A polarizado a le!} = 1.5 mA.

(a ) Determinar A, y T.
(h) Hallar R" I Rm .
(e) ¿Qué valor de R se necesite. si se necesita alguno. para hacer que ROl = 470 ?
12-26. Comprobar la Ecuación (12-431.
(2· 27. Una etapa en emisor común con resistencia de emisor N, se diseña co n un transistor que tiene r.
=2,5 ,{ly ~. = 125.
=
(a) Dado R. = 2.5 t O y Re 3 kO. hallar RE para que S~ = • 1131.
(h) Con el valor de Rl hallado en (a) determinar A,.
(e) Comparar la respuesta a (h ) con A, del ejemplo 12·8.
)2 ·28. El ci rcuito de la Fig. 12·1 2 emplea el trensisror desc rito en el Probo 12· 27.
(a) Dad oR. = 2 .5 kU yRe = 3 tn .hallarRl paraque S~ = 1131
(b) Calcular Al usando el valor de R, de (a ).
 Problemas 917

de med ia potencia seafH2: 2 MHz. Supóngase que no hay inte racción entre etapas . ¿Q ué campo
de va lores de Psatisface las co nd iciones de l d iseño?
13·3 . Deben co m pa ra rse dos amp lificadore s re ali men tados . Su pó ngase q ue Al = a/( I + sI(02) ;
P
A2 = a/( I + S/OO2) y que PI' Pl • Y son independie nte s de la frecu encia.
(a) S uponiendo que A'Pl , A2P1• Y A.A¡P. sea n mucho mayore s que la unidad, de terminar P de
forma que la gana ncia con lazo cerrado de los dos amp lificadore s sea n iguales a baj a
frecuenc ia.
(b) Com pa rar S~i a baja frecuencia de los dos ampli ficado res.
=
PI P2 ¿cuál de los dos amplific adores tiene mayo r anc ho de band a?
(e) S i A l = A 2 Y
(á) ¿C uál de los dos tiene en co njunto mejo r funcionamie nto? Explíquese .
13· 4. La relació n de reto mo de un amplificador reali men tado viene dada por

T(s) = To
(1 + sl w ,) (1 + sl w:) (1 + sltUJ)

(a) Con T¡¡ = =

10-', 001 0.1 Mrad/s, y OOl = =
I Mrad/s y OOJ 10 Mrad/s determinar si e l amp lificado r
co n lazo cerrado es estable.
(b) ¿Cuáles son la ganancia yel margen de fase en (a)? Empléese e l dia grama asinrérico de Bode.
= =
13-5. Repetir el Proboanterior para TI' 2x lO~ • 001 0.2 Mrad/s. rol 40 Mrad/s y OOl 200 Mrad/s. = =
13· 6. La re lación de retom o a baja frecue nc ia de un amp lificado r rea lime ntado viene dada po r
2 xlO - J sl
1'(s) a (1 + s) (1 + slIOO) (1 + s/ l000)

(a) El amplificador con lazo cerrado ¿es estab le?

(h) ¿C uáles son la ga nancia y e l margen de fase?
13·7. La relac ión de retomo es :
Tu (1 + sI IO"')
+ sI lO' ) (1 + sI l O" ) (1 + s1 107)2

(a) Determina r el mayo r valor de To co n el que el amp lificador es estable .

(b) ¿Qué valor de r o hace que CM = 10 d B?
(e) ¿Qué valor de r o hace que 0 M = 45"? Empléese el d iagram a asint ótico de Bode.
13·8. Se req uie re que e l amplifica do r de l Probo 13-4 tenga 0 M "" 9W.
(a) ¿Qué nuevo valor de 001 se necesita?
(b) i.Cuánlo es GM en las co ndicio nes de (a)?
(e) ¿Cuá l es aprox imadamente el ancho de banda con lazo cerrado?
(d) Usando la expresión analüica de T(s) ca lcular LTUooG) y TUro",). Utilíce nse los valores roe y
ro0 ob tenidos del diag rama asin t ótico de Bode.
13·9. El amplifica do r de l Prob o 13-5 debe co mpensarse usando la ca nce lación po lo-ce ro para tener un
margen de fase de 45°. La red empleada para propo rcionar la ca nce lación po lo-cero tie ne la función
de transfe renci a (1 + slzl)/( 1 + sI roA) '
(a) Determi nar =1y ro.. .
(b) ¿Cuál es el nuevo marge n de ga nancia?
13· 10. S upóngase que des pués de añad ir una red de co mpe nsac ión po lo-cero . T(s) de l Probo 13· 5 pued e
aproximarse por la funció n de dos po los

lls) = :-~-,---,-_T~o,;;--,---,--;
(1 + sltU... ) ( 1 + slwJ)

(a) Determinar 00.. de forma que 0Af = 45 11•

(b) Compárese e l valor de 00, hallado en (a ) con e l result ado de l Probo 13-9.
9 16 Microetear ánica moderna

12·38. Repet ir el Probo 12-35 para el circu ito del eje m plo 12·29.
12·39. (a) Comprobarla Ec . 02-60).
(b) Sea A¡t ) = A en la Ec . (12-60): Determinar la sens ibilid ad A;, em p leando la Ec. ( 12-8).
(e) Ca lcular el resu ltado de (b) para Al: = I
12-40. En e l ci rcuito muhi-Iazo de la Fig. 12-42 hagamo s: A, =a/ CI + 't,s). A2 = a/ ( I + tI> y AJ =
a /O + t ,s). Las transmisiones de realime ntación / './2y / , so n consta ntes reales.
(a) Obtener la funci ón de transferencia A~s) .
(b) Co mprobar que cada coeficiente de AT(s) puede espec ifica rse aj usta ndo la gananc ia (A, ) de un
sololazo.
12-41. Repeti r el Proboanterior para la estruc tura en «sallo de rana.. de la Fig . 12-43.
12-42. El transistor de l c ircuito re presentado tiene lo s paráme tros I"• • ", YP...
(a) ¿Q ué rel ación de be e xistir si R¡, ha de ser 1".1
(h ) Ca lcular VJ V, en las cond iciones de (a ).

•
".
1</1 -

• R,
¡
",
R,
¡ Probo ' 2 ·42

12·43. (a) En e l ci rcuito del Probo 12-42. ¿q ué rela ció n debe ex istir si RO( = 1")
(b) Calcular A,. = V..IV, en esta cond ición.
12-14. Diseñar el circuito de l Prob o 12·20 uti lizan do el tran sistor C.

CAPÍTULO 13

13·1. Un amp lificador de una etapa sin reali ment ac ión puede representa rse po r

~A~,,~'~/~
w,,-
,
Al"' ()
s = •
" I + SI/Ah

a alta y a baj a frec uencia respectivament e . siendo A." la g ananci a a mitad de la banda .
Entre la sa lida y la entrada de l amplificad or básico se interca la una red de reali men tac i ón p.
P =
(a) Siendo A .... = 500. = O.oJ ./. 50 kHz y /L= 1 kf-lz, de te rmi nar lo s va lores de las frecue ncia s
superior e infe rior de 3 dB del amp lifica dor realime ntado .
(h) Determinar los produ ctos ganancia -ancho de banda de l a m plificador con y sin realimentac ión.
y compa rar los resultados.
13-2. Se dispone de dos bloques amplificado res idé ntico s te nie ndo cada uno de ellos A = 200 Y/ . = 100
kHz. con los que diseñar un amplificado r de ga nanc ia g lobal ig ual a 1000 y cu ya frecuencia superior
13· 19. Valiéndose del urullisis de la realimentac i ón co mprobar 'lile los produc tos gana nci a-anc ho de
banda, en lazo ab ierto y en lazo ce rrado de una eta pa de Amp -Op no inve rsor son iguales.
13·20. Con las técnica s de la realimentac ión co mpro bar q ue para una etapa Am p-O p inversor a
A ,~,Ulh
Ul II =
1 + IAf,,1
en dOlldeA ,,, wh es el producto ganancia-ancho de banda de l Amp-O p y Af(! es la gananc ia en baja
frecuenc ia de la etapa inversora.
13· 21. En el ci rcuito re presentado. demo strar q ue e l polo do minante e n lazo cerrado es el polo domi nante
en c ircuito abierto multiplicado por ( 1 + T) . Empléese clr ransistor C polari zado a Ir {} = 0.5 mA.

7.5 en

•
'.

'. roo n
¡
I'r oh. 1J.21 -e-

13-22. Los tran sistores empleados en el Eje mplo 12-7 tienen , cada uno dc elfo s.j' = 200 M Hz y C = I pF.
(a ) Dete rminar aproximadamente las frecu enc ias de los dos polos dominantes en lazo abierlo.
(b ) Basándose en (a ) estimar las frec uencias de l polo en la zo ce rrado.
(e ) Esboza r e l d iagrama asintótico de Bode basándose en ( a) y es timar e l ma rgen de fase.
13·23. Los JFETs del Ejem plo 12-9 Iienen, cada uno de e llos, C~ , = 5 pF . C,'I = 2 pF YC., = I pF.
(a ) Estimar ap roximadamente las frecuencia s en lazo abie rto de los dos po los más pró ximos al
o rigen.
(h) Rasándose en (a ) esbo zar e l dia grama asint ótico de Bode y determ inar e l margen de fase 0 11'
(e) Dt'I resultado de (h) , indica r la estabilidad de l amplificado r glo ba l.
13·24. En el Probo 13-23 se dan los valores de las capacidade s de los FET de l circ uito del Prob o 12-24.
Repet ir e l Probo13-23.
13·2 5. Repet ir e l Prob o13-22 para e l circ uito del Prob o 12-25.
13·26. Repet ir e l Probo 13· 22 para el c ircuito del Pro bo12-29. L¡IS ca pac idade s de los JF ET vienen dadas
e n el Prob o13-23 .
13"·27. Repetir el Prob o 13-22 para el c ircuito del Prob o 12· 3 1.
13· 28. Repetir el Probo 13-23 p¡¡ra el circ uito de l Pro bo 12-32.
13·29. En el circui to de los pro blemas 12-24 y 13-23 se conec ta una ca pacidad C{. entre la puerta y el
dre naje de Q2.
=
(a ) Determ inar Ce para tener 1.: O.!'! .
(M ¡,Cuál e s e l margen de fase para la situació n en (a)'!
(e') Estimar e l ancho de banda con lazo cerrado.
13·30. En e l circuito de los Probo 12-32 y 13-28 se co nec ta una c apacida d CI entre la base y e l co lector
dc Q2.
(a ) Determin ar C(. de forma que Ql = 0.1.
(h) Estimar e l ancho de banda a 131.0 ce rrado.
918 Microelectrónica moderna

13·11 . La relación de retorno de un amp lificador es

4 x 10'
T{s) = [1 + (s/w, )J [1 + (sl WJ l lI + (s/ I09)j
(a) Determ inar el valor de ro, necesario para te ner 0 .., = 45'.
( h) Un método alternativo dc co mpensación es el de añadir una red en ellazo de re alimentació n,
que haga
4 x l ()-l (1 + slz, l
T{s) = (1 + (SIW,) l ] (1 + (s/WI ] [ 1 + (sI1 0~))
Con =,>00, y =,«; 10" detemunar ro, y =, para tene r 0" = 45' .
(e) Comparando los resultados de (a) y de (b ) determinar cuál de las téc nicas de compensació n
da unmayor ancho de banda en lazo cerrado . Explíq uese .
13·12. (a ) Co n 00, = 20 rad/s. determinar e l marge n de ganancia y e l de fa se para T(.f ) de l Pro bo 13- 11,
parte (u) med iante el diagrama asintót ico de Bode.
( h ) Oc la ex presión analúica de T(s) calcu lar L TUro() y TUwo )' e n decib elios . Emp lée nse los
valo res ro(; y W o deducido s del diagrama asintótic o de Bode.
(e ) Co mparar los valores obtenidos en (b) co n los sacados del diagrama de Bode. y comér uese
cualq uie r diferencia .
13·13. (a) Un amplificador de dos polos tiene las frecuenc ias de coda l , = 400 kl-lz. y1: = 1.6 MHz. ¿Q ué
valor de T se necesita (en decibe lios) para tener la subida sin so bre valor más rápid a?
( h) Co mparar los resultados de (o, con el tiempo de subida de un amplificador co n las dos
frecuencias de codo dada s.
13-14. Si se aplica T= 30 dB al amp lificador del Probo 13-1 3. ¿C uáles son e l tiem po de subida y e l
sobrevalo r (si lo hay)?
13·1 5. =
(a) Las dos frecue ncias de codo de un amplifi cad or son:!, = SO kH z y!! S MHz. Determ inar e l
valor máximo de Tu co n e l q ue el sc brevalor de la respuesta a un escalón sea de l 5%.
(h) ¡.En qué momento se alcanza el pico?
(e) Calc ular la mag nitud del prime r mínimo y el momen to e n q ue ocurre.
13·16. Deducir las Ec. (1 3-28) a (13· 3 1) para la resp uesta a un esc alón de un amplificador de dos polos.
[SlIx erencia : Para e l caso sobre-arno níguado, tomar k 1 » 1. y ( 1 _ l/k 2) W en una se rie de Tay lor.]
13· 17. Calcular e l margen de fase correspondie nte a k = DA. 0.6. 0.707, O,M Y 1 de un amp lificador de
dos po los.
13·18. En el circuito represen tado se emp lea el tran sistor A polarizado a ' Cf} = 1.5 mA. Los valores de los
pará metro s son: R. :::: 2.5 Hl. Re = 3 kQ Y R¡ = 20 Hl. Determinar las frecue ncias del polo
dominante con lazo abierto y con lazo cerrado. (Nota : Los da la s de los transistores A y E vienen
dados al principio de los problemas del Capítulo 12.)

R,

-=- Pr uh , iJ·IR
 Problemas 92 1

+
ee
R, •

Prnb . l ;l·;! !;

13·36. (a) Demostrar que la compensación de polo dom inante en la que Q1S 10/ 12 1 da por resu ltado una
separación entre polos a lazo cerrado de por lo me nos una década .
(h ) Si To = lOO ¿Cuál es la separación de polos apropiada en lazo abierto?
13·37. La cascada Colector común-Emisor común utiliza transistores idénticos con P" =250, V~ = 125 V.
Ir= 400 MHz, y C = 0,5 pF. Q l está polarizado a l eQI = 5 JlA . e/eQl = 250 JlA .
(a ) Siendo ro = O determ inar R¡, R" Yla relación de transferen cia Vjl,.
(h ) Si i, procede de una fuente de tensión 1', = ¡,R,con resistencia de fuenteR, ¿Cuál es la gana ncia
de tensión VjV, a ro = O?
(e) Determ inar la situación aproximada del polo domi nante de la cascada .
(d) ¿Qué valor de Ce debe emplearse para hacer la frecuencia de l polo dominante igual a 10 Hz?

Ce

• •
I Mn

01
•
R, 02 I Mn
(5 MnJ
50 xn
P rnb. 1 :; · 1 '

13·38. (a ) Analizar el circuito del Probo13-37em pleando las téc nicas de la realimen tación, y ha llar AOL (s),
P{s) , T(s ) y Ar( s). Obsérvese que todos ellos son funciones de Ce'
(h ) Calcular T para s = jro = O. Este resultado ¿es razonable?
(e) Dado que i, es una corr iente en escalón, esbozar la tensión de salida I',,{I).
13· 39, El polo dominante - rol de la etapa representada en el Prob o 11 -37 es uno de los dos po los de la
ganancia en circuito abierto AoJ s) = IO~/( I + sIro!) ( 1 + s/2Tt x 1( 7) de un Amp-Op. Deterrrunar C,
para que dé un margen de fase de 45· para una ganan cia unidad en lazo cerrado.

CAPÍTULO 14

14· 1. Los transistores ose en la fuente de corriente representada tienen Pr = 50, P" = 50 Y V~ = 50 V.
(a ) Determinar R para 1" = 100 ¡.tA.
(h ) ¿Cuál es la resistenc ia de salida de pequeña señal?
(e) Este circuito ¿puede fabricarse en un chip?
920 Microelectrónica moderna

13-31. Para hacer Q2 = 0.1 hay q ue añad ir un co ndensador de com pen sac i ón Ce al circ uito de l Ejemplo
13-7.
(a) Determinar Ce suponiendo que es té conec tado entre la base y e l co lec tor d el tra nsistor de
entrada .
("> Repetir (a) suponiendo que C(. se conecte e ntre la base y e l co lect o r de l BJT de salid a.
13-32. Hay qu e co mpensa r e l circuito tratado en los Probo 12 -32. 13-28 Y 13-30 conec tando Ce e ntre la
base de Q2 y tie rra.
(a ) Determinar Ce para (lile Q! = 0. 1
(h ) Estimar el ancho de banda a lazo cerrado y compa rarlo con e l res ultado del Probo 13-30.
(e-) Co mparar los valores de C, obte nido s en (a) y e n e l prob o 13-30. parte (a) . y comenta r las
posi bilidades de cada lino.
13·33. Se desea que el c ircuito del Ejemplo 13-7 exc ite una ca rga ca pacitiv a C L = 20 pF.
(a ) Determinar los nuevos valores de rol y rol'
(h) Estima r las nuevas frecuencias de l polo (lazo ce rrado) y e l ancho de ba nda resultante e n luzo
ce rrado.
(c) ¿C uál es el tiem po de subida de la salida y e l sobrevnlor (si lo hay ) an te un a te nsión de entrada
en esc alón?
13·34. Cons ide remos la etapa en emisor co mún re prese ntada a la qu e se le añ ade una ca pac ida d de
rea limentación C(.»C~ .
(a ) Estimar la frecuencia del polo dominante.
(h ) ¿C uál es la nueva situació n del cero en la función de transferen ci a?
(e) Estimar la localización de l polo no dominante.
(el) Ca lcular las po siciones del po lo y d el ce ro para los siguientes pa ráme tros : Rm = 1,5 mUo /'. =
lOO tu. C. = 1,5 pF. C~ =0 ,5 pF. Ce =25 pF. R, = 10 kQ , Y R( = 10 kn. Coméntcsc la
separació n.
(1" ) Co mparar los valores en (ti) con los que se obtendrfan si C r = O.

R, •
»,

I'rub. 1J.j~

13 -35. El Amp-O p de l c ircuito rep resentado es ideal : Lo s parámetros deltransis tor y del c ircuito so n los
da dos en e l Probo 13· 34.
(a ) Dem ost rar q ue e l poto dom inante v iene da do por
1
JI, "" - -;;;-
. ;;-':-;,-
R , Rcg ~, C/

siendo R : == R. I! r~. g",1<1 ~ 1, y Ce ~ C" + C.

(h) Co mprobar qu e e l ce ro aparece en s = Roo /C u•
.i = g..,/C,.
(e) Compáre nse lo s valores en (a) y (h) co n los o btenidos c uando Cl' = O.
(d ) Compárese la efic iencia de este c ircuito co n la del ci rc uito del Pro bo 11 -34.
 Problemas 923

14-6. Diseñar el repetidor de corriente de forma que Ilc Ql 1 = IcolO =12 J.1A. en el Amp-Op del Probo
14-5.
14-7. (a) Determinar la ganancia a baja frecuencia de la cascada CC·CE. Tómese l COl = - 12 J.1A . ICQ'O
= 1211A. el = 14 11A.
(b) ¿Cuáles so/fas resistencias de entrada y de salida de esta etapa?
14·8. (a) Calcular CMRR. A[W y R. de la etapa diferencial del Probo14-5.
(b) ¿Cuál es la resistencia de entradadiferencial?
14-9. (a ) Determinar la gananciade tensión y la resistencia de salida del seguidor de emisor. Supóngase
que QJO está polarizado a 'e=12 ~ _ Supóngase también que la resistencia de entrada al
seguidor de emisor pueda tomarse aproximadamente pRE siendo Pla ganancia de co rriente del
transistor compuesto. y REla resistencia efectiva.
14-10. (a) Calcular la ganancia en lazo abierto del Amp-Op.
(b) Determinar (aproximadamente)el polo dominante de las etapas diferencial y de ganancia.
(e) Determinar Ce para una frecuencia de cruce de ganancia de I MHz.
14·11 . (a) Hallar la resistencia de salida del circuito de la Fig. 14-1 4a .
(b ) Emplearel resultado de (a) para hallar la resistencia de salida de la Fig. 14-14b.
14·12. Para el Amp-Op de dos etapas del Probo14-5.
(a) Determinar la ganancia en lazo abierto. la resistencia de salida y la resistencia diferencial de
entrada del Amp-Op.
(b) Compensar el Amp-Op para que dé una frecuencia de cruce de ganancia de 1 MHz.
'n
14·13. (a) Trazarl ascaracterísticas de transferencia en función de \ 'D e ' n en función de \ '0 del circuito
representado.
(b) Empleando el transistor del Prob. 14-5. Ysiendo R I = 100 Q . determinar las corrientes en los
transistores. Tómese la = I mA.
+ 1'Cl" Il V

1, 1 R, 1, I R,

'., P8!

01 O'
•
Y,
Y.
R, R,
" 01 R,

Prob.l4-IS
Proh.l....l ~

l'rob.I....U - l '"

14-14. Determinar V! - V I de la redde desplazamiento de nivel representada.

14·15. Demostrar que en el circuito representado. VD=(Vz + V.e) (1 + R / Rl ) .
14·16. (a) Demostrar que en la fuente de corriente representada:
!! = R, [1 _ VTln (// 1,)]
' ,R~ R ,/ ,
Prescíndase de las corrientes de base.
922 Microelectrónica moderna

1"
-" 1"
Ptob.I+1
Prob. I+2

14·2. (a) En el circuito representado '. = SO J.1A. ¿Qué relación R /R~ se necesita para que '.. = 100 ¡.tA?
(h) ¿Cuál es la resistencia de salida de la fuente?
14·3. (a) Los transistoresp"pde la Fig. 14·2 lienen una tensión Early V~ I" = 50 Vy los IIpll la tienen V~N
= 120 V. Demostrar que con una corriente de polarización 'f'rJ la resis tencia efectiva de carga
del transistor npn es:

(b) Calcular RL•

(e) Con r.»R, e ,o¡= 0. 1 mA. calcular VP . de la etapa.
(ti) El resultado de tc) ¿queda afectado si ' CQ varía?
14·4. (a) Comprobar la Ec. (14·2). Supóngaseque las corrientes de base son despreciables.
(b) ¿Qué relación de superficies necesita una fuente de 300 ¡.tA. si la corriente de referencia es de
50 ItA?
(c) ¿Cómo se puede alcanzar tal corriente con una fuente p"p?
(d) Con una corriente de referencia de 50 ¡.tA. ¿qué se requiere para que la corriente de fuente est é
comprendida entre 50 y loo ~ ?
14·5. La figura representa un Amp-Op de dos etapas tvéanse lambién los Probs. 14-6 a 14-10).
(a) Identificar la función de cada transistor.
(b) Comprobar que sin señal de entrada (las bases de QI y Q2 ambas a tierra), "..= O. Todos los
transistores "P" tienen P. = P, = 200. VA = 120 V, C~ = 0,5 pF. YIr = 400 MHz. y lodos los'
P"P tienen P, = P. = 50. VA =60 V. CI' =0.5 pF Y/ r = 10 MHz. Tómese Cee = 15 V.
" .
••

,, --{ '.
. ---+--1-'
f---'-{ . . "
••
...
'. Pr ob..l4-S
 924 Mtcroetectr énica moderna

(b) Si 0,1 < 1111 < lO, ¿qué error se comete si se toma l .j/, = RI /R1? Tómese I IR I = 1 V.
(e) ¿Cómo queda afectada la respuesta a (b) si se aumenta R/ ,?

tl ~V

1, ¡ JI, I zc JlA
".
OJ
R,

01 01 ", ~

R, R,

Prob. 14.18
Prob. 14·17 - 15 v

14·17. En el Amp-Op simple representado, todos los dispositivos IIpll lienen p, = 200. Ytodos los Imp.
p, = 50. Las fuentes de corriente representadas están formadas por fuentes de corriente Imp.
Comprobar que cuando 1'1 =I '! =O, \'" =O,
14-18. Las tres fuentes de corriente se alimentande la misma corriente de referencia IR= 300 W\ , Diseñar
el circuito.
14-19. Tomando p, =250 para los dispositivos IIpll y P, =50 para los ¡JI/p . determinar las corrientes de
polarización en las etapasdiferencial y de ganancia del Amp-Op tipo 741 de la Fig. 14-19,
14-20. El circuito representado es un modelo de una etapa de Amp-Op en el que se indican la corriente y
la tensión offset.
(a) Determinar la componente de señal de 1'" en función de la señal diferencial 1'1 - l '~.
(h) Determinar la componente de 1'" motivada por 1..12,
(e) Repetir (h) para V'"'
(d) Siendo \', = l '! determinar la tensión offsettotal a la salida.
(el Calcular la tensión offset de salida Vfl\ =6 mV, I",~ =0.2 ¡.tA . 11/ =0.5 W\ , RI = 50 HJ. Y
R, = 500 kn.

R,

....J _ "..
Pro b .14.2 0
R,
 Problemas 925

14·21. (a) Mediante el análisis de la realimentación determinar la componente de señal de la salida.

( h ) ¿Cuál es la componente offset de la salida?
R'

R
v,.

•
v,

-e- Prob.14·:21

14·22. Consideremos el Amp-Op de la Fig. 14· 22h con el modelo repre sen tado en la Fig. 14·21. Tómese
R,,=O y V... = 0. Demostrar que:
(a ) La ten si ón de salida V..! debida a la corriente de polarización I ,I! es

- R' RR,A r
V..~ = (R, t R,)(R' t R l t RR ' A ,RR, III~

(h) La ten sión de salida V.., debida a la corriente de polarización 1" , es

_ R,R,(R + R'jA . I
v". - (R t R' )(R , + R;l - A,RR¡ + RR' " ,

(e) Dem ostrar que si l"jI /11 '" l. entonces Vo'l + V..r queda reducido al mínimo tomando
R, = RR' /IR + R')
14·23, En el ampliñcador rcprescnrado, VI y V! son tensiones indeseadas, Demostrar que si R, = ce , Ro' = O,
al tiempo que A,¡<O yA/ O,

v.. = AdA pl(V' - V,I - V~J donde V' "" V" R : R'

Demostrar también que si A,!A " R !( R + R' ) >> l. entonces

V" = (1 ~) (VI + ;J
t

_ v' +

R'

14·24, La etapa diferencial JFET representada se emplea en Amp-Op híbridos. Es decir, que la etapa de
entrada JFET se construye a base de componentes discretos y las BJT y restantes son monolít icos.
El JFET tiene 1111.1 = 3 lilA Y V, = · 3 V, El BJT tiene flf = Il" = 200 Y V~ = 100 V. Dele~inar la
Relación de Rechazo del Modo Común (CMRR) y AnAl de la etapa. Tómese A = 0,01 V- .
926 Microeleclr6nica modema

6Ul e en
20kn zc en

"
'.

].2 V

Prob.I4-24

=
14-25. LaeiapadiferencialBIMOSrepresentadaempleaMOSFETscon VT 0,5 V,ykWIL 4OO¡JANl. =
=
Los BITs tienen II 200 YVil = lOO V. Determinar ADM empleando el concepto de semi-circuito.
p

+'a

.,o-j
" __---1_---1I-_...J

soon
Prob. 14-:¡5

14-26. El circuito representado se refiere a un amplificador diferencial de corriente que se usa frecuente-
mente en amplificadores operacionales de transconductancia.
(a) Comprobar que i es proporcional a i l ~ ;2'
p
 Problemas 927

(b) Determinar la resistencia de salida de pequeña señal de la etapa.

R.

"

" Ql

Q'

Prob.I4-26

14·27. Un Amp-Op tiene una ganancia a lazo abierto

Am . = (1 + S!WI)(1 + s/w:1
(a) El amplificador se usa como un compensador de ganancia unidad. Determinar 00 1 para un
margen de fase de 45° dado ro. = 101rad/s.
(b) ¿Cuál es el margen de fase si-el amplificador tiene una ganancia a lazo cerrado de 5. y está
compensado como en (b)1
(e) ¿Quévalorde rol se necesitasiel amplificadordebe tener un margendefasede45" con Aro = 51
14-28. Repetir el Probo anterior para una etapa de Amp-Op inversora.
14-29. La aproximación de dos polos de AQL es
2 x 10'
Aol. = (1 + slwl)(1 + slw¡)

(a) Repetir el Probo 14·27(0) Rara rol = 101.s rad/s.

(b) ¿Cuál es el margen de fase si Aro = 2 Y rol viene dado como se ha determinado en (a)?
(e) ¿Qué valor de 00 1 se precisa si Aro = 2 Yel margen de fase requerido es de 60"?
14-30. AlgunosAmp-Opestáncompensadosparcialmente.es decir. se emplea compensación interna para
alcanzar un margen de fase de 45° para A,o = 5. En el Amp-Op del Probo 14-29. <02 = )O' rad/s. y

WI = ~R~~-(~C~,I~+.,---C~c~)
donde C I es el condensador interno y Ccel exterior de compensación.
(a) Siendo Cc = O YC I = 2 pF, detenninar R .
(b) El amplificador debe usarse como comp~nsador de ganancia unidad y tener0M = 9()1l. Hallar
Cc'
14·31. El amplificador del Probo 14-30 se emplea como inversor. Determinar Cc admitiendo que
I I
A,o = I Yque el margen de fase requeridoes de 60·.
928 Microelectrónica moderna

14~32. La gananciaen lazo abiertodel Amp-Op de la Fig. 14-320 puede tomarse aproximadamentecomo
A,." I( l + srol ) (1 + 5/(02),
(a) DeterminarT(5) del circuito.
(b) ¿Qué relacióndebe existirsi hay que usar la cancelación polo-cero?
(e) Dado A,... = lOS, 001 = 106 rad/s, y ~ = lO' rad/s., diseñar el circuito para tener 0,11 = 4Y con
AFO =1.
14·33. Repetirel Prob. anteriorparael circuitode la Fig. 14~36b.
14~34. La figura corresponde a un modelo idealizado de un Amp-Op de tres etapas con ganancia unidad
en lazo cerrado.
(a) ¿Cuál debe ser 00 1 si 0,41 = 45°?
(b) Se añade una vía de realimentación confunciónde transferencia1'sl(1 + 1's) como se ve en (b).
Con la 001 obtenidaen (a), ¿qué campode valores de l' incrementan 0 M?

X,O •
1 ~, , ~ 1
• oXQ

•
1+ 8/10'
30
I +&{"'I
---lL
1 + "lOS
1')

-1

" v,

(6) Prob.14-34

- 1
R,
e
30 _3_0_
1 + &/"'1 1 +&}IOs
Prob. 14-31l

-'-
1+8/1()6

Prob.l4-3S "
1 +u

14~35. Repetirel Prob. 14-34 parael recorrido de la señal representado.

14·36. (a) Un Amp-Op tiene un ritmode variación de 0,5 VI J,lS. ¿Cuál es la frecuencia máxima de una
senoidede salidade 5V de picoantesde que aparezca distorsión en el ritmo de variación?
(h) Repetir (o) para unaseñal de IS V.
14·37. Repetirel Prob. 14·36para un Amp-Op con ritmode variaciónde IOVIJ,lS.
14·38. Repetirel Prob. 14·36para un Amp-Op con ritmode variación de 50VIJ,lS.
14·39. (a) Determinar T(s) parael amplificador representado.
(b) ¿Puedeemplearse esta disposiciónparacompensarel amplificador? Explíquese.
14.40. Para el circuito de la Figura 14·39expresarAD y la CMRR en función de R R2, R.\, YR4 •
14·41. En el circuito de la Fig. 14·39se cambia R4 a 110ID; "
(a) Calcularla CMRR.
(h) DeterminarVn para V, =SV,yV2 = 5.00 1 V.
 Problemas 929

14·42. (a ) Comprobar la Ec. (14-37 ).

(h) Determinar la CMRR,
14· 43. Los tra nsisto res de la Fig. 14-42 tienen p" = 150.
= =
(a) Con RL 1 ka y V"'! SV. dete rminar R/( para ten er una gananc ia 100. Tómese Vn · = Vu . :'"
lSV.
(h) S i V var ía un 10% ¿en qué porcentaje va riará la g ananci a?
g.
14·44. En la F i 14-43 e l amp lificador d iferencia l tiene una ga nanc ia 12. la etapa de ga nanc ia y e l
ampl ificador de salida tienen. cada uno de e llos. una ga nan c ia de 30. y e l seg uidor de fuen te la
tiene de 0.9 ,
(a ) Dete r minar la gananc ia V IV ,
(h ) El Amp-Op se emplea co;n¿"no inverso r de ga nanc ia un idad , La respuesta e n frec uencia del
seguidor de fuen te puede des preciar se y consid erar a isladas las etapas. Lo s do s po los dom i-
nantes de l amplificador están en s = - ID"y- lO' rad/s. La etapa de ganancia tiene g", = I IIIU.
/'"= =
60 ka . y Rl ) 60 ka, La resi stencia de salida del segu idor de fuente 2 es 1 ka . Determinar
Ce para un margen de fase de 4S·.
= =
14.45. En e l c ircuito de la Fig. 14-46 . R. S ka . Rl . 30 ka . .1:", = I mUo C,' = 5 p F Y C.,I = 2. pF.
(a) Co n Ce = Odete rminar la frecue ncia de l polo dominan te ,
(h) ¿C uál es la frec uencia del cero de la func ión de transferenc ia'?
(e) Determinar Ce para tener una frecuencia del polo do mi nan te de [ kHz.
(d ) Dad o Ce obtenido e n (e) ¿cuál sería la frec ue ncia de l ce ro si se e lim inara e l se pa rad or'?
14·46. Co mprobar que en el amplificador de instrument ación re present ado
,. ( + R~R. + 'R.)
.. '" J R t1 '~ - 1',1

O bsérvese que puede aj ustarse la gana nc ia variando R.

R Ampliflcadorde
instrumentación
R, ,-_ -F......
R, R, R, R.
,., •
..........
,., "'".....
Probo 14 · 4 6
? I '~ o- +

P r o b o 14 · 4 8

14-47. Dadas las señales 1', y r, usar dos amplificado re s inverso res pnm tene r un a salida l' = k(l '. - v.)
-
siendo k un número pos itivo ,
.' - ,
14·48. Para amp lificar la salida de un tra nsd uctor de pue nte co mo e l repre sent ado . frecuentemente se
emplea un umplificndo r de inst rumentación , Por eje mplo. para medi r es fue rzos las resis tencia s R,
son res istenc ias fij as de precisión. mientras que R, + !1R es e l tran sducto r unido a un punt o de la
estruc tura en ensayo: deb ido a la carga aplic ada a "tu es truc tura la re siste ncia varía, La resiste ncia
R~ en el brazo restante de l puente no esté ca rgada y sirve para eq uilibrar las va riaciones de
resistencia dc bidus a cambios de temp erat ura o de otro s parám et ros.
(a ) Supon iendo qu e la gananc ia de l am plificador de instru me ntac ión sea Al>' demostrar qu e pa ra
o= !:J.R/R.« l .

v., = ,
A"V" [;
930 Microelectrónica moderna

(h ) Dado CMRR y A l ) dej-arnplíflcador. expresar V" en función de Al)' CMRR. VR y S.

(e) Sea R. = R1,A o = 10YV... = 12 V. ¿Cuál debe ser CMRR si la componente diferencial de salida
ha de ser de 100 veces la componente de salida de modo común para S = 10-<11 Este valor ¿es
realista?

CAPÍTULO 15
15·1. Comproba r la Ec. ( 15-4).
15·2. (a) Empléense las técnicas de la realimentación para dem ostrar que la impedan cia de entrada para
la red de la Fig. 15-2a es:
2 , '" R 1 - 5wL - jW N(6 - wLl
3 wL j4WN
(b) Calcular Z, a la frecuencia de oscilación.
15·3, Determinar la ganancia requerida y la frecuencia de osc ilación del circuito de la Fig. 15-20.
incluyendo el efecto de carga de la etapa JFET .
15-4. En el oscllador de desplazamiento de fase representado. R I y R1 tienen un efecto despreciab le y e
es suficientemente elevado para actuar como de paso perfecto.
(a ) Determina r T(s).
(b) Demostrar que las condiciones de oscilación dan

1 /1
f .. = Z-rrRC y ~

fJ.. ~
2.
4k + T + 2 3

siendo k = R/R .
(e) Demostrar que el mínimo valor de~.. requerido supera el 44 ,5.

¡
R,

R,
-
1,
R, :.
"
~
-
1, e

R,
8, 8,
- '" R R

C" R,

Proo.1S·04 J,.

15-5, Diseñar un oscilador de desplazamiento de fase para trabajar a una frecu enci a de 8 kHz. Empléese
un MOSFET con ~ = 59 Y rJ = 10 kíl La red de desplazamiento no debe cargar el ampli ficador.
(a ) Hallar el valor mfnimo de la resistencia Ro del circuito de drenaje para que el circuito osci le.
 Problemas 93 1

(h) Hallar el producto Re .

(e) Elegir un valor razonable de R y hallar C.
15-6. (a) Hallar V¡VOpara el oscilador FET representado.
(b) Hallar la frecuencia de oscilación.
(e) Determinar la ganancia mínima del seguidor de fuente necesaria para que oscile.

' VM

• e
f-

• e
'1v,
•

• e
"
T ,-
Prob .15·6

lS-7. El circuito de la Fig. 15-20 utiliza un JFET con per émetros K", =5 mU y r; = 50 ka. Los
condensadores Cd , y C., inf luyen despreciablemente a la frecue ncia de trabajo. Determinar, para
R = 100 kil. los valores de RD y de C necesarios para mantener la osc ilación a 10 kHz.
15-8. (a) Comprobar la Ec. (15-6).
(b) Determinar la frecuencia de oscilació n y la ganancia necesaria para el puente osci lador de
Wien de la Fig. 10-7.
15-9. En el diseño de un determinado puente osci lador de Wien los valores de RI y Cl se ajustan de
acuerdo con las relaciones O, ISR .IR2SI 0. y a .lsc/c. S 10.
(a) Hallar los va lores mínimos y máximos de la frecuencia de osci lación para Rl = 10 kQ Y
C I = a ,IIlF.
(h) ¿Cuál debe ser el mínimo producto ganancia-ancho de banda del am plificador de tens ión si la
respuesta del amplificador de frecuencia no debe afectar sens iblemente al funcionamiento del
oscilador?
15-10. (a) Diseña r el circuito de la Fig. 15-33 para que osc ile con 2 kHz. Elegir R I =RI YC I = C!siendo
la menor resistencia disponible igual a I k!l:.
(h) Si la tecnología empleada para fabricar el circuito permite ajustar las resistencias y los
condensadores dentro del l % de su valor nominal ¿Cuál es el campo abarcado por la frecuencia
de oscilación?
15-11. Se diseña un oscilador Hartley conL, = 2 mH y Ll =20)1H. Yuna capacidad variable.
(a) Determlnar el campo de valores de la capacid ad para el caso en que la frecuencia de osci lación
varíe entre 950 y 2050 kHz.
(h) Diseñar una etapa de Amp-Op apropiada para co nseguir A,.
15-12. Se diseña un osc ilador Colpins con C , = 100 pF Y el = 7.500 pF. La inductancia es variable.
(a) Determinar el campo de valores de la inductancia si la frecuencia de oscilación varía entre 950
y 2050 kHz.
(h) Dise ñar una etapa de Amp-Op apropiada para conseguir A,.
15-13. La figura corresponde a una variante de oscilador Hartley en el que ZI =jroL I • Z l =jroL l y ZJ =
- jlro C. El amplificador de tensión tiene una resistencia de entrada infinita y una de salida R".
932 Microetear ánica moderna

Determinar el valor de A, para mantener la oscilación. y la frecuencia de ésta.

Amplificadorde corrieme

- -, 'rT r
~"'I' . c
1,
/. ~

~
R, v" e

/. .' 1>-- - ->-- -

Prob.1 5. 11
/.,

Prob.15·13

15·14. El circuito mostrado en el Probo 15-1 3 puede utilizarse a manera de oscilador Colpitts cuando
ZI ::: - j wC 1 ,Z _,::: - j wC,_ y Zl, ::: j roL . El amplificador de corriente tiene una resistencia de entrada
R, Yuna de salida infinita. Determinar la frecuencia de oscilación y el valor de A, necesario para
mantenerla.
15·15. En este problema se examinan los efectos de los elementos prácticos en el comportamiento de un
oscilador. Consideremos el circuito Colpitts de la Fig. 15-5 en el que las capacidades son 500 pF
Y 0.05 IlF Y la lnductancia de 20 IlH tiene una resistencia en serie R¡. ::: 4 n. Determinar la
frecuencia de oscilación y el valor de A" necesario para mantener la oscilación.
15· 16. Hay que analizar el efecto de la resistencia en serie asociada a las inductancias prácticas sobre el
funcionamiento del circuito Hartley de la Fig. 15-5. Hallar la frecuencia de oscilación y el valor
de A"necesario para mantenerla, siendo C ::: 100 pF, L, ::: 991lH en serie con 10 ohmios y L~ ::: IIJ/f
en serie con I ohmio.
15·17. (a) Demostrar que en la red representada
v, I
V" 3 + j(w RC l/wR C )

(h) Esta red se emplea con un Amp-Op para formar un oscilador. Demostrar que la frecuencia de
oscilación ssf » 2J[RC y que la ganancia debe ser superior a 3.
(el Dibujar el circuito del oscilador
15· 18. En la topología del puente de Wien de la Fig. 15-3, Z, está formada de R , e y L en serie, y Z2es
una resistencia R 1 • Hallar la frecuencia de oscilación y la relación mínima R/R 1•
15· 19. Hallar la frecuencia de oscilación y el mínimo valor de R para el oscilador representado.
lOO en

O.Oljl.f 10 rnH

"=" P rob.15.19

15·20 . ((1 ) Comprobar la Ec. ( 15- 14) para la reactancía de un cristal.

(h) Demostrar que la relación entre las frecuencias resonantes en serie y en paralelo es aproxima-
 Problemas 933

damente de I + O.5C/C'
(c) S i C :::: 0,025 pF y C' = 1,25 pF ¿en q ué porcent aje la frecue ncia resona nte en parale lo es mayo r
que la e n se rie?
15· 2" (a) Las puer tas NORde la Fig. 15- [3 só lo pued en tomar o ceder 5 lilA. Siendo V/JIJ:::: 5 V Y V r ::::
2.5 V, determinar la d uración máxima de impul so , dado e :::: 1000 pF.
(h ) El d iodo de fijac ión tiene Vy = 0.5 V, Y R¡ si e l d iod o es de 20n , ¿C uál es e l va lor máximo de
l' '?
15· 22. Las puert as NORde la Fig. [5-1 3 están fabricadas con tecnolog ía N MOS. La ten sió n de sumi nistro
es de 5 V. y los niveles lóg icos son V(O) = 0,2 V Y V( 1) :::: 5 V. To memo s Vr :::: 2,5 V.
(a ) Dedu cirla e cuación pa ra la duración del imp ulso. Supóngas e qu e se emplean diod os de fijación
que tienen V :::: 0 ,6 V, Y R¡ :::: zcn.
y,,,.
(h ) Esboz ar las lo rmas de onda de 1',, 1' 1'''1
15· 23, S i Vrde[ probl ema 15-22 puede variar en un 10% de tina unidad a otra. i.cuál es e l ca mpo qu e se
puede abarcar en la durac ión de los impulsos?
15· 24. La puerta NOR de la Fig . 15-1 3 tiene unos pa rámetros qu e varían c on la fabricación .
e
(a) Supongamos que Vr del MOSF ET varía un 20% y VIlIl e n un 5%. R Y pued en va riar, cada
uno de e llos, un 20%.
(h) ¿C uál es, e n e l peor caso, e l ancho de l im pulso si el valor no mi nal d e R es de 10 ka , y C :::: 200
pF'?
e
15· 25, El rnultivibrador astable de la Fig. 15-1 5 e stá diseñado con R = 50 kil Y = 0,01 IlF. Las puert as
CMOS NOR tienen Vr :::: 2,5 V, Ydiodo s de fijación con Vy :::: 0.5 v. El c ircuito está alimentado por
Vno = 5 V.
(a ) Determinar el periodo de la onda de salida.
(h) ¿Cuál es la co rriente instant ánea máxima qu e la puerta CMOS tien e qu e tom ar o ce de r?
15· 26. El circuito esta ble del Prob o 15-25 se alimenta aho ra con V/)n :::: 6 V.
(a ) Determinar el periodo de la onda cua drada de salid a.
(h) Esbozar las ond as de 1'''1 ' ""1' 1', Y I 'C en func ión de l tiem po. Ide ntifica r cuid adosa mente las
constantes de tiempo.
15· 27. Ahora el mulrivlbrado r astable de l Probo 15-25 se alimenta co n Von :::: 3,5 V. Repet ir e l Prob o 15-25.
15·28. El circuito de la Fig. 15-17 está diseñ ado con e = 0,0 1 llF. Las puert as CMOS tienen v, = 2,5 V,
Yse alimentan de una fuente de S V. Los diodo s D I y D2 se cons ideran idea les. Determi nar R 1 y
R, para obtener una onda cuadrada de 50 ¡.ts en la qu e un impulso sea d e 10 115.
15·29. Rep etir el Prob o 15-28 para d iodos con V = 0,5 v.
r
15·3 0. Hay qu e diseñar, con las puert as NOR del Probo 15·28 una o nd a cuad rada asi métri c a con una
durac ión de impu lso de 20 ¡H Yperi od o 20 ms. S upo niendo qu e la mayor resistenc ia que se puede
utilizar es de 1 MQ determ inar R¡, R1 Y C. El valor de e ¿es rea lista?
15·31. (a) Diseñar el circuito del Probo 15-30 con la co nd ició n de qu e lo s valores de re sistencia es tén
co mprendido s entre 10 kil Y 22Mil, minimizand o [a capaj-id ad. Elegir valo res de re sisten cia
y de capacid ad normales del 5%.
(h ) ¿C uál es , en e l peor de los casos, el error porcentua l en el per iodo?
(c) ¿C uál es el valor mín imo de l impulso más es trecho?
15·32. El ci rcuito repre sentado es una forrna de multi vibrad or mon oestab le de co mponente discr eto BJT.
Cuando co nducen, los transistore s están saturados .
(a) Esbozar las te nsione s de co lector y de base VC I ' Vn , V8 1 y V8 1 de sde f :::: (r,j us tamente antes
de aplicar e l disparo, hasta f = T' , j ustamente de spués de q ue e l circuito haya retomado a su
estado esta ble.
(h ) Dedu cir una expresión para T, el ancho del im pulso.
15-33. Esta representado un circuito lFET astable .
(a ) Repe tir e l Probo 15-32, parte (a ).
934 Microelectrónica moderna

+I'DD

R.
R,
e
R, R
R, e

01 O'

- I ·~. - 1'(;(1

Pr o b. 1 5 ·3 2 Prob.15·33

(b) Deducir la relación entre periodo y duración de los impulsos de salida.

15-34. Trazar la característicade transferenciadel circuito comparador representado, suponiendo que
(ti )
la ganancia del Amp-Op es infin ita y que Vl l = Vn =5 V. Razónese.
(b ) Repetir la parte (a) si la ganancia de gran señal es 10.000.
(r) Repetir la parte (a) si se aplica una tensión de 2 v entre el tenni nal negativo y tierra.
15-35. (a) Con dos comparadores y una puerta AND dibujar un sistema cuya salida sea lógica I si. y sólo
si. la entrada está entre V"I y VR~' Explíquese el funcionamiento.
(h) Se desea determinar la alturade un impulsoque puede venar enrreOy 5 V. con una fluctuaci ón
de 50 mV. Modificar el sistema del apartado (a) para obtener este analizador'de allura de
impulso.
15-36. En el comparadorregenerativo de la Fig. 15-22 se desea que la tensión umbral V, sea igual a la de
referencia V... y que se obtenga una histéresis de 0. 1 V. Para A, = 100.000. la ganancia del lazo es
de 2.000. YR] = 0.5 kU . Hallar V/I' V, y RI .
15-37. (a ) EldisparadorSchmtude la Fig. 15-22empleadiodosZener de 6 V. con I/IJ = 0.7 V. Suponiendo
que la tensión umbral VI sea nula. y la hist éresís VN= 0.2. calcular R .JR~ y V... .
(b) Este comparador convierte una onda senoidal de 4 kHz cuyo valor de pico a pico es de 2 V.
en una onda cuadrada. Calcular el tiempo de duración de las porciones negativa y positiva de
la onda de salida.
15-38. (a) En el disparador Schmill de la Fig. 15-22. V~ = 4 V. V. =2 V. y V~ = 1.5 V. Hallar RI IR~ y VII'
(b ) i.Cómo hay que elegir V/I para que V! sea negativo?
(1") i,Cómo hay que elegir VI! si VI = -V!?
15-39. (a) Hallar. para el comparador representado. unas expresiones para las tensiones umbral VI y V!
en función de RI • R!. ye l valor limitado del Amp-Op. (de magnitud Yo)' (Explicar los cálculos.)
(b) Dibujar la característica de transferencia (similar a la Fig. 15-22d).
(e) El pico de salida es de 20 V. y R ~ = 5R,. Dibujar la onda de salida si se aplica una senoide de
8 V de pico. Empléese la misma escala de tiempos que para la entrada.
R,
 Problemas 935

15·-10. (a) Co nside re mos el generador de onda cuadrada de la Fig. 15-25 en el q ue se usan lo s diodos de
ava lanch a no idé nticos V11 y Vz:
. Suponiendo
'" u ue la sa lida es o bien + \' 01 o - V112 ' siendo
.
V01
= V¿ 1 + VIJ y Vo: = Vz ~ + V,I' compro bar que la d urac ió n de la secc ión pos itiva vien e dada por

TI = RC In 1 + ,Bl'.,2IV,,1
I - ~
(h) Comproba r qu e T l (du ració n de la secc ión negativa ) viene d ada por la m isma ec uació n
intercam bian do VOl y 110:'
(e) S i VOl » Vm • TI ¿se rá mayor o men or que T2? Exp líquese.
15·-11 . El generado r d e onda triangu lar de la Fig. 15-27 tien e una tensió n de control simétrica VI a ñadida
al term inal no inversor del integrador.
(al Com probar que la velocidad de barr ido para la rampa posi tiva es (110 + VIl/Re.
(h) Hallar TI' T, Yf.
(e ) Co mpro bar "que e l ciclo de servicio viene dado po r la Ec. ( 15-34),
15·42. Comprobar la Ec. ( 15 -37 ) para e l ancho T de l impulso del mu lli monoestable de la Fi g, 15-29.
15-43. (a ) Cons ide rem os el generador de impulsos representado. Hall ar \'2' \' 0 Y 1' , en e l punto de reposo
(antes de ap licar un d ispa ro),
(h) En el instante I = O se ap lica un impulso de d isparo estrecho y posi tivo 1', cuya magn itud supera
VN• Hallar 1'" y 1'1 en el instante 1=0' (recué rdese qu e la tensió n a travé s de un co nde nsado r
no puede ca mbia rinstantáneamente) . Tr azar las ondas 1'" y "1 en fun ción de l tie mpo. Dem ostra r
que e l circuito actú a como un multivibrador monoestab le co n un a ncho de im pulso T.
(e) Halla r 1'" y \', en I = T + y prolonga r las o ndas hasta alcan zar el es tado permanente. ¿Qué es
la const ante de tiempo de recuperación? (¡,el d iodo. está en ON o en OFF'!)
(d) Co mpro bar que T viene dado por

HC In v:-
2 V"

'.
Jl ~
VIO---1~
,

te

Pro b .15. 4 3

15·44. El circuito de la Fig. 15-24 se diseña con los siguientes va lores de los parámet ros: Vn = 5 V,
R 1 = 3,9 kQ . R2 = 2,6kQ Y R~ = I kQ. Los transistores Q I Y Q2 son idé nticos con P~ = 100 e n la
región act iva y PI . J = 50 en saturac ión.
(a) Determinar 1~~·~~lores alto y bajo de la tensión de salida .
(h) Calcu lar la tensión de hisréres¡s.
15· 45. En el circuito de la Fig. 15-24, R I = 7,5 kQ , R, = 5. 1 kQ , YRf = 2 kQ. Los tran sistores so n idénticos
y conducen co n V" = 0.7 V. Esbozar la característica de tra, ns feren cia Vf! en fu nci ón de Vm ,
se ñalando cuida dosa men te las ten siones umbral y niveles de sa lid a. Iden tificar la ten sión de
hlstéresis en e l es bozo .
936 M tcroetearontca moderna

15·46, Comprobar las Ecs. ( 15-42) Y( 15·43).

15·47 . (a) Emplear el temporizador 555 para diseñar un. circuito monoes table con. 20 ~s de du ración. del
impulso. Los parámetros son Vee = 5V. VeO) = OY R = 9 1 kO.
(h) Co n los valores anteriores ¿Cuál es la duración del impulso si VeO) = 0 ,2 V?
15· 48, Hay que diseñar una onda cuadrada de periodo 100 ps de forma que los impul sos positivos y
negativos guarden la relación 3: l . Dado C = 0.00 1 ~ F. detenn inar R~ y R"
15·49. (a) Determinar la duración del impulso para el CMOS monoe stable represe ntado.
(b) Esboza r ,'o!.
"f}!' ", y "e en función del tiempo.

r-.. - - ~

l-"~~ e
Protl . t 5 · 50

Prob.1 5 ·49

15·50, El circuito repre sentado se emplea como circuito asrable que puede serv ir para medi r el retardo de
propagación de una puerta,
(a) Dando por supuesto que cada puerta tenga un retardo de propagaci ón de 10 ns. esbozar las
tensiones "/11 ' "m' "", y "'J.I en función del tiempo. Cada puerta se suministra de una fuente de
5 v. teniendo un umbral de 2.5 V.
(h) Esta técnica ¿puede extenderse para tener cuatro puertas en el lazo de reali mentaci ón?
Explíquese.
k) Re petir (h ) para cinco puertas.
15·51. (a ) Comprobar la Ec. ( 15-46) para el errorl", de la velocidad de barrido de un barrido exponencial ,
(h ) En el circu ito de la Fig. 15-370 se pone en paralelo con e,
una resis tencia RI , Demost rar que
t' , queda multiplicada por IR, + R!)/R! .
15-52. Supóngase que en el Amp-Op gene rado r de barrido de la Fig. 15-35, R. es finito. A, también finito.
y R" no nulo,
«(1) Dibujarel mode lo de ampliñ cador cortR en la entrada y A, en se rie con R" a través de la salida.
(h ) Aplicar el teorema de Miller a la impedancia formada por C I en serie con Ro.
(e ) Haciendo apro ximaciones razonables en cuanto al orden de magnitud . demostrar que la
exp res ión del error en la pendiente es
V, R I + R,
' , 0 -A" Rj
15-53, En el barrido Miller de 1:1 Fig. 15-35, V = 30 V, R = I MU , y l¡l gananci a del Amp-Op es IO.(XlO,
La amplitud del barrido de salida C~ de 10 V, El b;m ido m ñs largo es de I s y el mas corto de I ~H,
(ti) Hallar e, para T, = I s.
(h) Calc ular el error e, de la velocidad de barrido .
Ce) Re petir las partes (a ) y (h ) para T, = I ~.u.
(ti) i,Cómo se puede conseguir un barrido de I ur con un valor más razo nable de C , que el hallad o
en k). es decir, como unas 100 veces mayor?
(t') i,Cuál es el máximo valor de T, que se puede medi r por este sis tema'
15-54, (a) Pura el sistema de barrido «bootstrap.. mostrado en la parte (a) de la figu ra. el co ndensador C ,
puede tom arse arbitraria men te grande. La caída a través de l d iodo ideal O puede despreciarse
durante la conducción. y se puede admitir que cualquiertensión negat iva co rta a D. El Amp-Op.
 Problemas 937

es ideal (R, =<><>, R(J =O, YA = ee t. Estando cerrado S ¿c uál es la tensión a través de y de R7 e
Estando S abierto y C cargado a r, ¿cu ál es la tensión a través de C I y de R'! Dem ostrar que
se obtie ne un barrido e xactamen te lineal y que 1', = \!l/RC.
(h) Del sistema representado en la parte (h) de la figura hay q ue ob ten e r un barrido lineal co n un
par de salidas simé tricas (1 '01 = - l 'fI~)' Hallar los valo res de R'/R y R" /R ,
t ,.
D e, D e,
'1--- - - - ----1f-- - - ----,
R ··
R R

¡
.......... R
l",,1 R
~· _Lo l'"

SLÍ'r V
s
e

1101 P ro b . 15· 54
¡'Il

15-55. (a) Conside remos el modulador cort ado r de la Fig. 15 -4 1 co n SI go be rnado por + 1'" en lugar de
por - 1'0 ' Esboz ar los cinco primeros impulsos de la onda modu ladora 1'", de la Fig. 15-4I h.
Llamemos a esta onda 1'" Ali nead o en tiempo con ", d ibujar la sal ida l' del rec ortador c uando
S, est á gobernado por -1'0 (en la Pig. 15- 4Ih:,,' = 1')
(b) Indicar cómo co mbina r 1', y 1'. con Amp -Ops para tener la se ñal AM seña lada en la Fig.
15-40c ,

CAP ÍTUL O 16

16-1. La gráfi ca co rres ponde a la ten sión de go bierno de la puerta ap licada al circuito de la Fig. 16 -7h,
Esbozar la te nsión de salida para cada una de las ondas de la Fig. 16-6 .

1"111 - - ,-

1·I01L.L_ L ...L_.L_ _

,
de puerta V Prob , 16,2

16-2. Rep etir el Probo 16- 1 para e l c ircuito rep resen tado,
938 Microelectrónica moderna

16-3. Repetir el Probo 16-1 para la onda de entrada representad a.

",

~---~---~:---------"- I .".
L---- Tensión de
P robo " $.3
'r- --i r~ control
Pr o b. 16 .4 "':"

16·4 . (a ) El interruptor S del circuito representado está abierto durante medio periodo y ce rrado dur ante
la alfa mitad. Determinar la ganancia en cada semi-pe riodo.
(h) El circuito representado se emplea para generar la se ñal de entrada al cir cuito de toma y
retención de la Fig.16-7h. El interruptor S actúa a un ritmo de 8 kl-l z, y la tensión de gobierno
es la dada en el Probo 16- 1. Determinar la salida de l sistema. supo niendo que la tensión de
entrada es la senoide de 3.5 kHz de la Fig. 16-6.
16· 5. (a ) En el módul o de toma y retención de la Fig. 16-7h e l tenn ina l de entrada negativo de A1 se
separa de su salida y se conecta a la salida \ '0 del segundo Am p-Op . Este s istema ¿ runcio nará
corre ctamente? Explíquese.
(h ) Se conecta una resistencia R ~ desde la salida en se rie con Rj a tierra. Ahora se conect a el
termin al inversor de Al a la unión entre R1 y R , . Demostrar que esta configuración opera como
un sistema de toma y retención no inversor con ganancia. ¿C uál es la expre sión de la ganancia?
(e) Modificar las conexiones para tener un sistema de toma y retención inversor con ganancia .
Ca lcular la ganancia.
16·6. (a) En el convertidor de la Fig. 16- 13 el tercer bit más significa tivo (MSB) N-3 es I y todos los
demás bit son cero. Hallarlas tensiones en los nudos N-3. N-2. N-I yen la salida Voen función
de V/1 Yde las resistencias.
(h) Para un convertidor de 8 bit con el bit menos significativo (LSB) igu al a uno y todos los dem ás
iguales a cero. hallar las tensiones e n todos los nudos. 1. 2• ... Yen la salida.
1647. En el convertidor representado los interruptores van conec tados dire ctam ente a la entrada del
Amp -Op. " ,
Nudo l' ,. M58

Xl

R
,.
"
R
,.
R
s"
o '"
,. L58

P r ob. 16.1
 Problemas 939

(a) Demostrar que la corriente / emanada de VR es una constante independi ent e de la información
digital. Explicar por qué con es te sistema se eliminan los transitorios del tiem po de retardo de
propagación.
(h) ¿Cuál es la comente del interruptor y Vo si el bit más significativo (MSB ) es I y todos los
demás son cero?
(e) Repetir (h) suponiendo que el siguiente MSB es uno y todo s los dem ás son O.
(d) Calcular Vo para el LSB en el convertidor Digital/Analógico de q-bit siendo cero todo s los
demás bit.
16.8. Los interruptores del convertidor representado en la Fig. l6~11 es tán dispuestos co mo se ve e n la
Fig. 16-12h. El Amp-Op se alimenta de una fuente de IOV, en continua. La ten sión de sa lida
analógica ha de ser como máximo de IOV, y la mayor res istencia uti lizad a es de aproximadamente
32 ka (32x2 1Ilil)
(a ) Especificar los valores de los elementos para un conve rtidor di gita l-analógico de 8-bit.
(h) ¿Cuál es la corriente máxima en la resistencia de realimen tación del Am p-O p?
(e) ¿Cuál es la tensión mínima que se puede convert ir'?
16·9. (a) Dibujar el diagrama del circuito de un DAC en escal era R-2R invert ido de 6 bit.
(h) Siendo V(I)=5 V, ¿cuál es la tensión rn éxima de salida?
(e) ¡,Cuál es la te nsión mínima que se puede conver tir?
16·10. Describir cómo se pueden utilizar bloques constructivos A/O (Ana lógico/digital) y/o O/A e n un
voltímetro digital. Esboza r un diagrama esquemático en forma de bloque.
16· 11. El integrador de la Fig. 16- 19 se ha diseñado con R=IO ka , C = 1000 pF Y un Amp-Op c uya
ganancia en lazo abierto y ancho de banda son 106 dB y 5 Hz, respec tivamente.
(a) Esboza r el diagrama as intótico de Bode e indicar el campo de frec uencias sobre el que el
circuito funciona como integrador.
(h) Esbozar la onda de te nsión de salida de una tensión de ent rada en escalón. Indicar el campo
de tiempos en el que la salida es la integral de la entrada.
16·12. Obtener la función de transferencia de la red representada. Compro bar que Vn = ( I/RC) JI', dt de
manera que se forma una integració n no inversora.
n
" ,~Wv-..----Il~ R R

~--+~ ".

Prob.16.12
¡e
Prob. 16· 13

16· 13. Demostrar que la red represe ntada es un integrado r no inve rsor con 1'(/ = (2/Re) JI', (r)dl.
16-14. Co mprobar que el sistema representado , que emp lea sólo un Amp - Op. es un integ rador dob le. En
otra s palabras. demo strar que la ganancia de transfe rencia es

V" 1
V , = - ( RO ' )!

Sugerencia: Ca lcular ' 1e 1: independientemente, y luego hacer /1= 1: ¿por qué?

940 Microelectr ánica moderna

1,
R R-

X'
• -r'
-
1, ,~.-i~
iR : ~
P .ob.16·14

16-15. Comproba r la Ec. (16-9).

16· 16. Hay que di señar un filtro paso-bajo que te nga un ancho de band a de 3 d B, de 4 kH z, y una
atenuación de por lo menos 30 dB a 6 kHz.
(a) ¿Qué ord en de filtro Buuerworth se necesita?
(h) Repeti r (a ) para un filtro Che byshev de 0,5 d B.
(e) ¿Cuál es la función paso-banda correspondiente a (a) si la frecu encia ce ntral es de 40 kH z?
16· 17. Hay q ue d iseñar un filtropase- bajo q ue ten ga un ancho de banda de 3 d B, de 200 Hz, y una
atenuación de 50 d B a 400 Hz.
(a) Determinar el orden del filtro Butterworth necesario.
(h) Repetir (a) para un filtro Cheb yshev de I d B.
(e) Convert ir la función de (h) a su equivalente paso-alto c on un anc ho de banda de 200 Hz.
16·18. Comprobar la Ec. ( 16-22).
16·19. Diseñar un filtro paso bajo Buuerwonh de cuarto orde n c uyo anch o de band a se a de 1 kHz.
Selecc ionar IOdos los co ndensadores iguales a 1000 pE S i se pueden e legir arbitrariamente algunos
va lores de resisten cias, ¿cuáles son éstas?
16·20. Compro bar la Ec. (16-23 ).
16-21. Comprobar la Ec. (16-24).
16-22. (a) Una alternativa al diseño dado en las Ecs. (16-2 6) y ( 16- 27) es hacer A,. = 2 en tod as las
secciones. Diseñar un filtro paso-bajo Chebyshev de 0,5 dB, de sex to orde n, co n frecu en cia
de corte de 2 kHz. Seleccionar todos los valores de los com pone ntes. Ob sérvese que e l valo r
de algunos co mponentes es arbitrario ; señalar cuáles se enc uentran e n este caso, pero em plear
valores razon ables.
(h) ¿Cuál es la frec uen cia de 3 dB del filtro?
16·23. Comprobar la Ec. ( 16-28 ).
16·24. Repeti r el Prob o 16 -19 empleando el circuito de la Fig. 16-30 h.
16-25. Repetir el Prob o 16·22 para un filtro paso-alto.
16·26. Diseñar un circuito paso-banda con frecuenc ia cen tral de 8 kHz y anc ho de ba nda de 1,5 kHz. La
atenuación una octava mas allá del paso-banda debe se r de 30 dB .
(a ) Diseña r e l circuito, supuesto que no se tolera nin gu na fluctu ació n del paso -ban da. Para los
e leme ntos que se puedan e legir arbitrariamente emp lear va lores razo na ble s. Ind icar c uáles so n
estos e lementos .
(h ) ¿Cuál es la atenuac ión de 9 kHz?
16-27 . Repetir el Probo16-26 suponiendo que se admite una fluctua ció n paso-banda de 0,5 d B.
16-28. Comprobar la Ec. ( 16 -30) .
16-29. Comprobar la Ec. ( 16-3 1).
16-30. Emplear la sec ción bicuadrada de la Fig. 16-34h pa ra d iseñar e l c ircuito descrit o e n e l Prob o16-26.
16-31. Co mproba r la Ec. ( 16-3 2).
16· 32. Un filtro paso-bajo ideal cuya frec uencia de co rte es de 5 kH z se conec ta e n cascada co n un filtro
paso-alto ideal confc. = 4,8 kHz.
 Problemas 94 1

(a) Esbozar la respuesta en frecuencia de la cascada.

(h) Supongamos que la frecuencia de corte de cada unode los filtro s de la casc ada se puede regular
dentro de un + 1%. Esbozar la respuesta e n frecuencia correspondie nte a las condiciones más
des favorables . Comentar la eficacia de esta realización para los filtro s práctico s.
16·33. Diseñar una red de dentado teniendo Q = 10 afo = 8 kHz. To mar C = 500 pF. Eleg ir los valores
de las resistencias de forma que la relación entre la ma yor y la menor de ellas no sea mayor de 10.
16·34. Co mprobarla Ec. (16-34).
16·35. (a) Determinar la función de transferencia del circuito de la Fig. 16-39. Sup óngase Y = O.
(h) Comp robar la Ec. ( 16-33).
16·36. (a) Repetir el Probo 16-35 parle (a ) para y;tQ.
(h) Demostrar que Y = 1/R4 da un filtro dentado paso-bajo.
(e) Demostrar que Y = sC da un filtro dent ado paso-alto.
16·37. Demo strar que el circuito de la Pig. 16-42 tiene la respuesta dada por la Ec. ( 16-36).
16·38. (a ) El circuito representado se denomina convertidor de impedancia genera lizado (CI C ). Dem os-
trar que si los Amp-Ops son ideales:
/ 1 Y I Y¡
Y¡ = VI = Y~Y4 YI
(h) Este circ uito se emplea frecuentemente para simular una inductancia en un chip. Demostrar
que si Y4= sC~ Ytodos los demás componentes son resistivos Y, es induc tivo.
(e) Suponiendo que cualquier resistencia puede es tar comprendida entre 0, 1 y 10 ka , y que
10<C<500 pF, ¿cuál es el campo de los valores de indu ctancia posibles?

"
•

z,
z,

z,
Prob.16·38

16·39. Comp robar que el ci rcuito representado simula una tnductancla en se rie con una res istencia. Dicho
de otra forma, demo strar que Vji, = R + Ls.
16·40. El circuito represe ntado (girador) se e mplea para simular una inductancia.
(a ) Demostrar que V/i,= R I R¡ Z.
(h ) Repetir el Prob o 16-38, parle (e) . N¡

-•1,

r~f------t-
Z, e

Prob.1..39
942 Microelectrónica moderna

R,

1
R,

/.
,...==---"--F'.....

R,
Prob. 110·4 0

R,

R
/

-/.

•
-s,

,
r- e
R
R R
Prob .1 6-41
Prob.1 .... 2

16-41 . La representación corresponde a una forma alte rnativa del dispositivo anteri or. Demostrar qu e VJI.
es inductivo . Supóng ase que los Amp-Ops son ideales.
16-12. (a) Comprobar que la ímpedancia deentrada \'J i, = · 2. A este circuito se le den om ina convertidor
de impeda ncia negativo (NIC).
(h ) Determina r V ¡V"
16·43. El NIC del circuito represemado tiene las siguientes prop iedades: 2 1 = - l,. Y " ~ = " l ' La carga
empleada es Rl en paralelo con e,.
con la restricción de que RlC l = l.
(al Determinar V j V .
(h ) Seleccionar R~ d~ forma que el circuito sea una sección de paso-bajo.
(r) Repetir (h ) para obtener una sección paso-b anda. e

• • •
Y, v,
Prob . ' 6·43

1644. (a ) Co mprobar la Ec. ( 16-37).

(h ) Co mprobar la Tabla 16-5.
16·45. Com probar las Ecs. ( 16-38) Y (16·39).
16-46. Diseñar el filtro del Prob. 16-19 usando la sección bicuad rática de la Fig. 16-44. Elegir R. = NI =
R~ =R,,= IOkQ. .
16-47. Repetir el Probo 16--26 usando la sección de filtra de la Ag. 16-44. Los valores de lo. ·' amponer nes
seleccionados se dan en el Probo16-46.
 Problemas 943

16· 48. Repetlr el Probo 16 -27 usando la sección de filtro de la Fig 16-44. Los va lores de lo s compone ntes
selecc ionados se dan en el Probo 16-46.
16-49. Mostrar e l eq uivalente del circ uito de la Fig. 16-22 de un co ndensador de con mutac ión.
16· 50. Mostrar un co ndens ador-conmutador equ iva lente del circuito de la Fig. 16-4 4.
16·51. Dem ostr ar q ue si la ten sión de referencia VR de la Fig. 14-4 2 es variable en el tiempo. el
amplific ador de transconductan cia operaciona l funciona co mo m ultiplicador.
16·52. Emplear uno o más multip licadores para enge nd rar una onda senoidal de frec uencia 3/0 a partir de
una seno ide de frecuencia/o'
16·53. (a) Emp lea r e l multiplicador para genera r una seña ll'o(r) pro porciona l a 1'/.
(h) Repetir (a) para \'0 proporcional a 1'111-1.
16-54. Las seña les de entrada al circuito multiplicador represent ad o so n: una seña l \'", = V(r ) COS fiV, y la
señal portadora Vecos rorro
(a) Dem ostrar qu e se puede usar Vo para obtene r la información Ver)
(h) S i V(I) = Vm COS w,r, siendo ro,«ro,. ¿c uál sería la frecuencia de corte del filt ro?

Portadora modulada
v.,

Portadora no modulada Prob.16·54

16-55. Esbozar una onda senoidal de valor de pico V", qu e se a la ent rad a a un rect ificador de media onda.
Directamente de bajo dibujar la onda de salida e indicar sus valores de pico pos itivo y negativo si
el sistema es: (a) el dado en la Fig. 16-60a ; (h) e l mism o sistema co n lo s diod os invertidos: (e) el
sistema o btenido de la Fig. 16-600 con el lazo izquierdo de R puesto a tie rra y 1', fijado altermi na l
no inve rsor; (d) e l sistem a de la parte (e) co n los d iodos invertidos.
16·56. (a) Co mprobar q ue el c ircuito represe ntado da una rec tif icac ión de o nda co mp leta sup uesto q ue
R! = KR I • Hall ar K.
(h) ¿Cuá l es e l va lor de pico de la salida recti ficada?
=
(e) Dibuja r cu idadosamente las ondas 1', = 10 sen ror r, I'r' y 1'0 si R , = R~ .
N, N.I

11 V,,

u
'"

Pro"'. 16.5f;

16·57. Una onda tien e un pico positivo de mag nu ud VI y uno negati vo de ma gnitud V 2• Di buj ar un circ uito
emplea ndo dos detectores de pico cuya sa lida sea igu al al va lor pico-a-pi co VI - V~ .
16·58. (a) El amplificador expo nencial de la Fig. 16-54 está en cascada co n e l amplificador logarítmico
de la Fig . 16 -53. S i V, es la en trada a l ampli ficador logarít m ico y V'o la sa lida ex po nenc ial,
¿cómo se puede demostrar que 1"0 = V, ?
(h) S upo ngamos que las resis tenc ias R1, R!. R l Y R~ de la Fig. 16-53 no son idént icas a las
co rres pondie ntes resistencias de la Fig . 16-54. Designa r las co nstantes de la Ec. ( 16- 60 ) por
K/,K l y K' ~"#K~. Demostrar que con la dis posición e n cascada de (a), V'" a la »- ésima poten cia
de V" siendo 11 = K, IK' l '
944 Microelectrónica moderna

(e) Suponga mos que R J del amplificador expo nencia l es aj ustab le, pero los valores de todas las
demás resistencias son los indicados en las Figs. 16-53 y 16-54. Calcular RJ para que 11 = 3.
=
Repetir para 11 1/3.

CAPÍTULO 17

17-1. Un diodo cuya resistehcia interna es de 200, debe suministrar potenci a a una carga de 2000, desde
una fuente de 110 V de tensión eficaz. Calcular, (a ) el pico de corriente de carg a; (b) la corriente
de carga en continua; (c) la corriente de carga en alterna; (<1) la tensión en continua del diodo; (e) la
potencia total de entrada al circ uito; (1) el porcentaje de regulación desde descargado hasta la
carga dada.
17·2, Comprobar las Ecs (17-15) y (17- 16).
17·3 , Demostrar que la máxima potencia de salida en continua Poh = VJJ Jl. en un circuito de media onda
y una fase se tiene cuando la resistencia de carga se iguala la del diodo R
17-4. El rendimiento de la rectificación 11, se define como la relación entre fa potencia de salida en
continua PJ< = VJJ Jl. y la potencia de entrada
PI == ( 1I2w) fA'" vi do,

(a) Demostrar que para el circuito rectificador de media onda

40.5 %
17, = 1 +Rf lR L

(b) Demostrar que en el rectificador de onda comp leta 11, vale el dob le de lo hallado en (a) .
17-5. Demostrar que la regulación tanto del rectificador de medi a onda como la de l de onda completa
viene dada por: % regulación = (R/ RL ) x 100%.
17-6. En un puente de una fase y onda completa ¿pueden intercambiarse el transformador y la carga?
Explíquese detalladamente.
17-7. El sistema de puente rectificador de la Fig. 17-8 se emplea para construir un voltímetro de alterna.
La resistencia directa de los diodos es de 500 , la resistencia R es de 250 , y la resistencia del
amperímetro es desp reciable. La tensión de señal es v, =200 sen ro!.
(a) Esboza r la onda de corrien te iL a través del amperímetro. Calc ular el valor instantáneo máximo.
(b) Escribir una integral cuyo valor dé la lectura del am perímetro de cont inua. Ca lcular esta
expres ión y hallar I dt"
(e) Esbozar realísticamente la onda de tensión a través del diodo D l . Indicar los valores inst antá-
neos máximos. Calc ular la tensión med ia de l diodo.
(<1) Escr ibir una integral cuyo valor nos dé la lectura de un voltímet ro de tens ión eficaz situado a
través de D l . (Este voltímetro no debe tener un condensador de bloqueo en serie.) Hallar el
valor de esta tensión eficaz del diodo.
17·8. UJI medidor de continua 5 n/A cuya resistencia es de 40 ohmios secalibra para que indique tensione s
eficaces cuando se emplea en un circu ito puente con d iodos semiconducto res. La resistencia
efect iva de cad a elemento puede considera rse nula en se ntido di recto e infinita en el inverso. La
tensión senoídal de entrada se aplica en serie con una res istencia de 20 ka. ¿Cuál es la lectura a
fondo de escala de este aparato?
17-9. (a) Consideremos el circ uito puente dob lador de tensión de la Fig . 17-9 con R L infinita. Demostrar
que en estado permanente cada condensador se carga a la tensión de pico del transformador
Vm y que por tanto, v~ = 2Vm• Considérense diodos ideales.
(b) ¿Cuál es la tensión inversa de pico a través de cada diodo?
 Prob/~m4S 945

17. 10. El circuito represe ntado es un doblador de tensi ón de media onda. Analizar el funcionamiento de
este circuito esbozando como función del tiemp o las ondas VI' l'n' 1'01' vD2 y l'~ . Supóngase que en
el instante I = O los condensadores están descargados. Calcular (a) la tensión máxi ma posible a
través de cada condensador, y (h) la tensión inversa de pico de cada diodo. Compárese este ci rcuito
con el puente doblador de tensión de la Fig. 17-9. En este circuito la tensión de salida es negativa
respecto a tierra. Demostrar que si se intercambian las co nexiones al cátodo y al ánodo de cada
diodo. la tensión de salida será positiva respecto a tierra.

D2
•
;b e,
'd , ~ Cl 110
, DI
1
•
-
Prob.17. ID

17.1 1. El circuito del Prob. 17·10 puede ampliarse de dob lador a cuadri plicador añadiendo dos diodos y
dos condensadore s como queda representado. Las partes (a) y ( b) de la fig ura son formas
alternativas de dibujar el mismo circuito.
(a) Analizar el funcionamiento de este circuito.
(b) Responder a las mismas cuestiones del Probo17· 10 partes (a) y (b) .
(e) Gene ralizar el circuito de éste y del Probo17-10 para multiplicar por 11 cualquier número par.
En particular. esbozar el circuito para multiplicar por seis.
(ti) Demostrar que también se puede multiplicar por n impar si se elige la salida adecuadamente.

D'
e,
O,'
e, Jo f----
01

e, Sali "
: e, 808111 D( D2 O, D'
DI

"
¡,.
• I--cu~Pl iflCadOf~
Prub.17· 11 (. 1
'"
17·12. (a) Consideremos el filtro capacitivo de la Fig. 17-10. Demos trar que dur ante el intervalo en que
el diodo conduce, la corriente del diodo viene dada por i = 1", sen{ror + \(1 ), siendo

1 • V
..
11. + "iCl
"VRi
y ¡JI . ercte n wCR L

(b) Hallar el ángulo de corte rol I de la Fig. 17- 12.

17· 13. (a) Determinar la función de transferencia V!V] de l circ uito rectificador y e l filtro capacitivo de
entrada representado.
(b) " iendo R =250, RL =2000, e =2~F . Y L =20 H. de terminar la tensión de salida supo-
946 Microelectrónica moderna

niendo que la entrada se puede representar por los do s primeros térmi nos de su se rie Fourier
como
1100 4
VI(t) = - - 11 - 3cOS 754t + . . .)
~

(e) El factor de rizado se define como la relación entre la componente en alterna (valor eficaz) de
la tensión de salida y el valor medio de dicha tensión de salida. Ca lcular el factor de rizad o en
las condiciones de (b) .

n ·¡:
Prob. 17_ IJ Prob. 17.14
==n:,
R L L

17·14. Repetir el Probo 17-13 para el circuito rectificador y filtro de entrada inductivo representad o. Los
valores de los elementos son: R, = 250, R = 50f.1:, RL = 5000, C = 100 J-lF , YL = IOH . La tensión
de entrad a se puede representar
220\!2
Vl(1) = -~
- (1 - 34 cos 10011"/ + . ..)

17~IS. Un rectificador de una fase y onda completa emplea un diodo se miconductor. La tensión del
transforrnador es de 40 V (valor eficaz) a la loma central. La carga con siste en un condensado r de
25 wen paralelo con una resistencia de 6000. Las resistencias de diodo y de transformador así
como la reactancia de dispersión pueden despreciarse. La frecuencia es de 60 Hz.
(a ) Calc ular el ángulo de corte.
(b) Trazar a esca la la tensión de salida y la corriente del diodo . Determinar gráficamente de este
trazado , el punto de conexión y hallar la corriente de pico del diodo correspondiente a este
punto .
(e) Repetir (a) y (b) empleando un condensador de 75 J-lF en lugar del de 25 J-lF.
17-16. Repetir el Proboanterior siendo la frecuencia de 50 Hz.
17-17. En la sección 17-6 se dan los coeficientes típicos de estabilización para un regulador monolítico.
La tensión continua no regulada varía en ±O,5 V, debido a fluctuacione s en la línea. La corriente
de carga puede variar en ±2 A. El pico de variación de temp eratura respe cto al ambiente de 30 -e,
es de ±50 oc. Calcul ar la excursión máxima total de la tensión de salida respecto a la que haya
30 oc.
17·18. En la Fig. 17-17 A,. = IO~ , R, = R2 , VII = 6 V, Yel des plazamiento de la ten sión offset de entrada
del Amp-Op es de 10 J-lVrc.
(a) ¿Cuál es aproximadamente la tensión de salida?
(b ) ¿Cuál es S1 debid o al desplazamiento de la tensión offset de l Amp-Op?
(e) ¿Cuál es S1 motivado por la variación de temperatu ra base-emisor de QI ? Supóngase que en
(b) S,= O.
17·19. La tensión de salid a V,.,.~ del regulador monolíti co de la Fig. 17·16 se puede ajustar a un valo r más
alto de Vo mediante los circ uitos representados. Halla r expres iones de Vo en función de V"',O e I Q,
definido en la Fig. 17-16. ¿Qué ventaja tiene (h) sobre (al?
17·20. Con el circuito representad o, el regulador de tres term inales y tensión fijada se con vierte en un
regulador de c01!iente. Si la tensión de salida del reguladores de 5 V. s i R = 50, Ys i lq = 10 n/A.
¿Cuál es la corriente de salida //.1 Obsérvese que I L es independiente de la carga . ¿Como puede
 Prob lemas 947

.
, r,

R,

I r;
•
R,
R, '.
R

H,
"" Pro'" t7.20 "
T T

'" ," P ro b o t7·1 9

hacerse 1, independiente de I,} (Sugerencia: véase el circuito (h ) en el Probo 17- 19.)

17-21. Si la tensión de salida VII de un regulador de conmutación es negativa. se emplea el circuito
desplazador de nivel rep resent ado, en la entrada del amplificador de error de la Fig. 17·22.
( el) ¿Cuál es la tensión de realimentación efectiva?
(h) Comprobar que
V.. • -I V.... ( I - -=
2
R.)
R,
Obsérvese que para VIJ < O. RIR. > l.
(c) Demostrar que para unos valores dados de Vo y de V'rl debe elegirse la relación R/ R. de forma
que
R~ =' I _ 2V..
R, v....
lo que significa que para una V negativa R/ R.> 1.
(1

H, H

'.
H, R

T
l"" <o
.... ... 1., .21
17· 22. (a) La distorsión no lineal provoca la generación de frecuencias en la salida que no existen en la
entrada. Admitiendoque la curvadinámica puede representarse con la Be. ( 17·35), Ysi la señal
de entrada viene dada por

demostrar que la salida contendrá un t érmino en continua y otros términos sencida les de
frecuencias (O. ' rol' 2(1)•• 2(1):, oo. + w~. y ro. - ro~ .
948 Mtcroeíearónica moderna

(b) Gener alizar los resultados de (o ) demostrando que si la curva dinámica ha de estar represen tada
por término s de orden superior en i b la salida contendrá frecuencia s de inte rmodulación dadas
por la suma y la diferencia de múlliplos enteros de 00 1 y 00 2, co mo por ejemplo 200 1±2ro2, 2rol±002'
300 I ±ro2 ' etc.
17823. Un transistor suministra 2 W a una carga de 4kQ. La corriente co ntinua de co lector de señal cero
es de 35 mA, y la corriente continua de colector con señal es de 39 mA . Dete rminar en porcentaje
la distorsión de segundo armónico.
17·24. La excitación de entrada de un amplificadores ih = i", sen oor. Demo strar que la corriente de salida
se puede representar por una serie de Fourier que cont enga sólo componentes seno idales impares
y compone ntes cosenoidales pares.
17·25. (a) Co nsideremos un transistor ideal sin distorsión aun cuando se lleve desde corte al extremo de
saturación, siendo ve = V" ,.' Comprobar que el rendimiento de conver sión viene dado por

TJ = 25(Vn - - Vm in ) X 100 %
V ce
(b ) ¿Cuál es el máximo rendimiento posible y en qué circun stancias se logra?
17·26 . Demostrar que en un amplificador ideal de clase B a conrrafase la disipaci ón de colector Pe es nula
sin señal (V", = O), va aumentando al crecer V., pasando por un máximo dado por la Ec. (17- 58)
cuando V., = 2Vcc!Tt.
17-27. La simetría especular requiere que la parte inferior de la onda, al desplazarse 180· a lo largo del
eje de tiempos resulte ser la imagen especular de la parte superio r. Esta cond ición de simetría está
repre sentada matemáticamente por la ecuación

i{w l) = - i (w l + 11")

(a) Empleando la Ec. ( 17-64) demostrar que un sistema a contrafase de clase B posee simetría
especular.
(b) Demostrar, sin recurr ir a la serie de Fourier, que un sistema a corurafase de clase B posee
simetría especular.
17·28. En el amplificador ideal a conrrafase de claseB de la Fig. 17-29 , Vcc = 15 V. y R L = 80. . La entrada
es senoidal. Determinar (a) la máxima potencia de la seña l de salida; (h) la disl pacíó n de colector
en cada transistor, a la potencia de salida; (c) el rendimiento de conversión; (ti) ¿cuál es la máxima
disipación de cada transistor. y cuál es el rendimiento en estas condicio nes?
17·29. El amplificador ideal a contrafase de clase B de la Fig. 17-29 está ope rando a la amplitud senoidal
en la que la disipación es máxima. Comprobar que el rend imiento de la conversión es del 50% .

Ql

t--r~"'

Q2

Probo I7-JO
 t r abtemas 949

1'-30. En el circuito representado se puede admitir que la tensión base-emisor se mantiene constante al
valor de conexión V, para todos los valores de polarización directa. La tensión de polarización está
idealmente representada por dos baterías de tensión kV, siendo Od :5 1. Supongamos que \', = V,sen
rot.
(a) Siendo V, =0,6 V. y V. = I V. esbozar la salida \'0 en función del tiempo para k =O, 0,5 Y 1.
Calcular el ángulo de cierre para cada valor de k.
(h) ¿Qué sucede con la dispersión al aumentar V, ?
(e) ¿Qué sucede si k supera la unidad?
(d) Si se añade una resistencia R entre los dos emisores. ¡,q ué sucederá si k es mayor que uno?
(e ) En (a ) y en (d) el funcionamiento en comrafase. ¿es en clase A. B. AB. o C1
 Soluciones
de una selección
de problemas

CAPITULO 1 1-2 62.5 V.

1·4 4JmV .
,
1-6 (tll 41.4 k v zc m .
J·H HUI cmvv-s.
1·10 {uJ p "" 11 = 1.45 )( l ü'vc m ' ;(bllarnucslra cs intrínseca .
1-12 la) f' = 65K )( 111' 7 c m ', 11 = J. 2lJ x Ilf c m ': 1M " = 2.lUt x ItI" c m "
p = I. lJl x l ü' c m '
).14 O.K33 x ltl "
1-16 li"J - 173 rnV .
• -1 0 liJ6 mv.
1· 22 594 mv .

CAPITULO 2 2·.'\ (a) - 150 mv : (hJ .'1 4 .6; /( J 2211 ¡..lA . 1.6 .\ m A , Il.ll mA .
2·5 (a l fd12 mA : IhJ 1.42 nA: le ) 46.X Ol A.
2-7 lOO V .
2·9 (tl1 5 1 mA . u.v V; l b¡ IX.9 11 .
2- 11 l (jl 'J.JX V. 2.IJX mW ; Ih) L! rnA; Id 'J,? OlA.
2·13 410 mW.
2· 15 2.K4 mA .
2- 17 (ti ) v, = U.9 V. N, = 3.33 11 ; lhl /,. = 4lJA Ol A. V" = I.Oó V.
2·) 1) (/1) I.'i O H : lbl ."illll .
2·3 1 ¡ /I) 111" '" II",/rr" .. ¡() I 61: ,'" 5.M mA .
2-33 (a) 0.0483 sen 111/; ( b) 6.70 + 0.0483 sen Oll.
2·35 eh) /1V., = j/1V,.
2·39 (a ) 4 U: 'hi n w.
2-41 (a ) - 0.229 pF: IbJ tl.276 pF.
2-43 fu ) IU 7 V; (b! 3.K7 V; Id tU ? V; lcIJ 4.07 V.
952 Microelectrónica moderna

CAPITULO 3 3· 1 (e ) 9.5 mv.

3-5 (b) 0. 10 nA , - 0. 10 nA .
.1·8 (a ) R,. == 188 en. Re = 0.4 7 kn ; (b) 250.
3· 10 20.8 mA, 4.33 Y.
.1· 12 (t I) 1.75 mA. 0.732 Y.
J·IJ {(l) - 1.99 mA , - 4.09 Y; (b ) - 0.926 mA , - 7. 19 Y.
3· 14 (tlI2 .05 mA , 4.4 2 Y; (b ) 2.51 mA , 3.03 V.
3· 15 (i¡) Re = 1.52 xn. R, = 85. 1 kU ; (b) 3.65 mA , 7. 05 Y.
.1·17 (a ) V.., == 10.1 Y, V..1 = - 5.04 Y; (b) 1.52 kU ; (e) 1.51 kn .
.1-21 6.69 Y, 0.33 mA .
.1·22 (a ) 500 I-'-A . 7 Y; (b) 527 1-'- A, 6.73 Y.
.1-24 (a ) 14.3 Y; (b) 87.8 Y.
.1·35 (a ) 20 mü. 7.5 kU ; (b ) 100 U : (e) 38.
.1·.17 R, == ,~ + ' . + (13.. + I)R E •
.1-44 (b) R'n == 457 kn . R.. = 3 1.5 n: (e) 0.99.

CAPITULO 4 4-4 2.11 Y.

4·6 (a) 550 n: (b) 18.6 kU .
4·8 R D = 5 kn, s, '" 0.4 kil .
4·10 6.32 Y. 2.92 mA .
4·12 R 1 = 10.6 MU . RJ '" 100 kn . R D = 3.8 kü .
4·14 ( a ) 2 mA, 4 Y; ( b) 2.15 kn .
4·16 (a) 20 I-'- A, 3 Y; (b) 3 V.
4· 18 V OS l = 4 Y, Vl>5 J = 2 V.
4-20 VDS l "" 2.5 V, VOS J "" 3.5 Y.
4·23 20 I-'-A , 5.8 V .
4·25 80 JJ-A , 5.2 V.
4·3 1 (b ) 26.3 kil .
+ ,,,)/( 1 + JJ-); ( b) 461 n; (e ) 425 n.
4·.13 (a ) R s 11 (Ro

4·41 (b) V.. = ,ul' .nV/I'".O - JJ-J) + '.nO + 1-'-.».

CAPITULO 5 5·4 37.8 ni cuad rado

5·5 (a ) 2.5 mm ; (b) 1 JJ-m .

5·7 307 pF.

CAPITULO 6 ,., 11 0111 10, 100 1011 10, 111 111 0000 .
'.J 177, 550, 2052.
 Soluciones de una setecctan de problemas 953

6-4 DE. ¡2E, 6FO.

6·6 1.2 s R s 5.56 kil.
6·8 (a ) R O F F C!: 120 kO ; (b ) RON s 208 n.
6·13 lb) Y '" A S e.
6·15 (b ) Y '" ASe.
6·24 22.
6-25 (a) 52.6 kil .
6·45 (a) Y '" (A + S) .
6·54 (a)4 .39 ; (b) 7.1 mW.
6·56 (al 1.7 V: (b) 27.
6·62 0.3 V. i h '" 51.7 ~A . í, '" 131.3 ~A .
6·64 (b) 50; (d 9.63 mw.
6·67 (e) V(O) '" 0.2 V, V(I) '" 2.746 V; (el) 88 .
6 ·69 (a ) O; (b ) 43.5 mA.

CAPITULO 7 7-17 (a) 145 ; (h ) 145.

7-18 (a ) 80; (h) 60.

7-22 (b) 9.
7-25 8, X" = X. '" D, X I '" X. = D , X l = X h '" 1, X., = X 7 = O.
7-26 (h) X 7 ", I . X , '" X.• = X~ = D.alJ olh er X = o.
7· 28 (b) Tres transistores: QO y Qllienen dos emisores cada uno, Q2 liene dos emisores .
7-33 Y, = W~ + W J + W!W.W. + W,W,W~ ,

7-36 (ti ) to. l b) 7.

7-39 (a ) Y. = DeSA + DeS A + DCBA + DcBA + DeB A + DeBA + DCSA .
7·41 (a ) 6; (b) 4.
7·42 (a) 7; {b)3; (e l 6, 4; (d) 1024.

CAPITULO 8 8·5 0.3 V. 2.7 V, 533 mV.

8-20 (b) Un impulso, N - 5.
8·21 lh) 2.
8·29 (n) N = 4.
8·J6 1.91:1 s.

CAPITULO 9 9· 12 (11) IH l~ : lh ) 3606 : Id 101000101 000.

9- 16 (al 0.397 mil': lb) 0.492.

CAPITULO 10 10·1 (CI) UU kU : lb) 42.3 C. Q

10· 2 (/11 0.8 5 mA: (b) {j",,, , '" 1145. 13",," '" 9 1.
954 Microelectrónica moderna

10-.1 (a) 14, 1 kIL (h ) 0. 192')( .

10·4 (/.)""~ = 0.459 mA. (1.. )""" '" 0.462 mA .
10·5 (a ) In == tc- == O.24H rnA : {/JI 2 1.0 kn.
lO-6 (a) 7H I kO: {/JI - 1.95 V.
10-7 1.12 kH .
10· 8 (ti) (J.(}54 1 mA: (M O.554'h .
10-11 1.] 1 kn.
10-12 UI kH .
10-15 (11 ) HU, kl!: (h ) O.07/k.
10-16 ( II ) 10 .6 kH: ( b ) O.tlH'lc .
HI-17 Id) [{Ji/(m + 4{J,. + 2)J [(F, , - - 2V",jI RJ; (1)) 44 . 15 kn ; {e ) 30re.

IO-HI 111 11, = 1.21 mA. 1" == fd )ó mA. V" == 9.3H V ; 1M l e == 1.07 mA. Vo _ ~
9.59 V.
10-19 (11) 1, = 1.5 1 mA. 1,. == O.U I2 mA . V" = 6.H3 V ; (b) 1, = J.57 mA. 1"
O.O()Ó29 mA. V" = 6.5 1 V.
10-2 1 (u ) I' l' '" 5.355 mA. Vn l' '" 3.97 V; (h)9.nH kH ; (d ó.36 V 5: V. r 5: HAll V.
10-23 541l kü .
10-24 1" = I. ~ = 0. 27 1 mA . 1.-. = O.1l2H7 tu A .
10-25 (11) 2 1.] kf l : (M 152 p.A : (¡-) 2() p.A .
1U-26 17 kU .
10-27 4 kf! .
10· 28 100 /-lA.
10-29 (11) 1.8 5 V; Ibl 15.95 V: (d -2 V.
10-30 II>(! == 2.1198 mA. V" _I"Q = 7.5 5 V. V.;_, ,,, = - 0 .49 1 V .
10-31 2.083 5: 1"", es 2. 113 mA . 7. 18 ~ V"_' l' :S 7.93 V.
10-32 s, = 1.4 1 Mn . R~ == 108 kn . R" = 2. 17 kn . N, 1.43 kü.
10·35 A ,- == - 43.78. R, '" 30425 kn.
10-36 (a ) 6 kü : (b) - l i l A ; (e ) - 80 .
10-40 (a ) 104 2 kil ; I/JI 0.924.
10-41 (a ) 3.96 kO : (M A , = 0 .981l. R . == 52 n, U;, '" 5 1 n.
10-43 (a) A, = -20.7 . U, = 15.7 kf}; ( b) - 21.2 ~ A v :S -18 .7.
10·44 (11) A , == - 20 .9. R == 33,9 kit - 2 1.4 5: A ,_ 5: - 19.2: (b) R" :<o . R;.
5 kil.
10·53 (11 ) - 8.80: (b) R.. = 92.84 kft n: == 13.65 kn .
10·54 (a) 0.550; (h) Ro' == 789 ü . R:. = 44 1 H.
lO-57 (11) - ó.58: (b) - 6.97.
10-58 (11) 36.2 kü . ( b) R" = 976 n. R;. == 950 H.
10-61 An == -4n. J , A " == - 34.7. A, = 1398.
10-62 (a) - 38. noo: (b) - 48 .500; (d - 44.2no.
10-65 (a) 25.J kH : (b) 126 .8 V.
 SO/UciOIlf:S de filia selección de problemas 955

10·67 f ll ) A,I =: - 49.75. A . : '" - 0 .9X5: (b I 49 .0 .

10·71 ftl ) A. , = - 9 .8X. A n = - 20 . A " = 0 .111 6: fM A . , 16 1.2; (l") R., = 976 ü .
R:. = XI7 U .
10-74 Re = 125 kU . R, = 1.25 MU .
10-75 (a) 5000 sen ( 21t x 10 1)1 + 0.75 sen 120 n' mV ; (b) - 5aDO sen ( 2n x 103)1 +
0.75 sen 1201t/ mV.
10-7X = A t>",( V ,I2)( 1 + I /CM RR ). 1.'..1 = - A"." lV,nJn - I /CM RR ): (h ) V.. I =
(ti ) ~'..,
A" "f V'/2J( - 1 + I /C MRR) . PO': = A I>..,{ V.l 2J(1 + If CMRR) .
10·82 A"'I = - 111..15. A, '1 = - 0 .36 1. CM RR = 34.3 dB .
10 -84 ((t ) - 2 V ; fb) - 1.1175 V .
10-85 (ti ) - 1.25 V: lbl - 18.75 V.

CAPITULO 11 11-2 I/ [(R .11 n rlC( 1 + ¡.:",R i.) + R;.C ], siendo R I . - RI. II R c•
11 -5 l/ IR;, + R¡JC I . • sie ndo R: ... RDII [T.- + ( 1 + ~)R\J .
11 ·7 JI' = 2.5 M Hz,f1 = 400 MH z.
11-13 - 43.8. 77. 0 M rad/s.
11-15 - 97. 1. 2. 17 M Hz.
11·17 - 333. 1JO .4 MIIz.
11·1 8 0.82. HU MH z.
11-20 - 7.U4. 3.77 MH z.
11·26 fal ti l = (R , + R:JC: + f l - AlR ,C , ti :
fe) .\ '" f In RO f 1 :t jV3l.
11 -30 ftl ) 286f) , 3.3X M Hz : (bl IR.O MH z.
11-32 ((1 1 2R7U. J.(i l MH z; Id JI I MH z.
11-35 - 1340 . 32. 1 kH /..
11 -.' 11 ( ti ) 3211. 342 k H z : (h) 5.3 1 M H?.
11-42 l a ) 4 17. 439 kH z: (b) 2.21 MH z.
11·45 lb) 2 MH z.
11-47 fCl )A ., '" 50. A, : = - S. A" = 3. l m =: 20 k Hz , lu: =: Itl7 k Hz. / m
333 kH z : (11 21l k Hl.: Id) Itl.95 k Hz .
11-49 (a) 1331; ( b) 455 kH z (di agrama de Bod e ], 303 k Hz (pol o dominante].
11-5U (a ) 2 mA .O V : (11 ) 0 .594 p.F: (d 6ñ p.F : lt/) e" = 0.6 ¡.¡.F. el, =: 6.6 ¡.tF.
11 -54 lal 2.M H z ; (h , 4. 16% : fl' l 416 H z.

CAPITULO 12 12-4 (a) Am plificador de corriente; (b) R, - 10 ~1 , R" - 00 , A, - 75.

12-6 I tI) r, '" - 2IKI(¡', .- v,I: l b) 1211.
12·9 1/l1 24U mv : 1M I.~U mV.
12- 19 1.112 mV.
12- 21 ( a) Serie-se rie; ( e) A" , - - 6.57, T - 6.57 x 10'. A f - - fo-' U; ( ti) Rtf -
U X MI L U" I =: 4XO MU : (1' ) - In '11 ,
956 Microelectrónica moderna
12·24 - 93.6. 219 n .
12-29 (nI T = 0.925 . Afl l _ = 20.6. A = la )
t ; (b}2 .70 xn.
12·31 (a ) T = 7. 12, A" I. = 181, A t , = 22.3 ; (b) 5.03 O .
12-32 (a) Serie-serie; ( e) A¡ -0.2950 . T -18.2 ;(d) 2830.

CAPITULO 13 13·1 (a) 300 kHz, 167 Hz; (b) sin realimentación 24.5 MHz, con realimenlación 25 MHz.

"" ·4 (a) Inestable; (b) - 20 dB , - 45°.

13·7 (a) 71.6 d B: ( b) 61.6 dB ; (d 30 dB .
13· 10 (ti) 2 krad/s ; (b) el resu ltado difi ere en media octava
13· 11 «(j) 25 rad/s ; (b) Wl = 1.58 krad /s , e, = lO' rad/s .
13· 14 Aprox imadame nle 45% .
13·17 43. 1°. 59.2\ 65.5°, 69.9· , 76.3°.
13·22 {(j) 0.858 Mrad/s , 3. 16 Mrad /s: (b) ( -2.0 1 x 10")(1 ::!: )3 .62) rad /s; (e) 25.3°.
13·27 (a) 1.56 Mrad/s. 37.0 Mrad /s: (b ) ( - 19.3 x IO"){I ::!: jl.504) rad/s ; (e) ... 55°_
13-37 (a ) R , = 5.43 Mn . R" = 333 kO, v,Ji. = - 3200 míl ; ( c) In 1F(1 2.66 + 3930Cd
MHz; {(/) 4.05 pF .

CAPITULO 14 14-1 (a) 143 kO : (b ) 500 kíl : (e) No .

14·4 (b )5 ; !.
14-7 (a ) - 1620; (bl R, = 9.3 MO , R" '" 2.7 Míl .
14·8 (a) A" AI = - 1600. CM R R = 75.5 dB , R" = 3.33 Míl.
14·1 0 «(j) 99 dB : (el 13 pF .
14·16 (b ) 5.98%.
14·25 - 1200.
14·27 (el) lOO rad/s: ( b) 66.5°: (e) 500 rad /s .
14·30 (ti) 632 MO; (b) 98 pF.
14·34 (a ) 18.5 rad/s ; (1JJ T> 10 - l s,
14·48 (el 126 dB .

CAPITULO 15 15·5 (Il ) 6.13 kn : ( !J) 13.0 us : (e) 30 kO . 430 pF .

15· 7 6.56 kn. 65 pF.
15·9 (a ) 100 rad/s, 10' rad fs : (b) 1.2 x lO' rad/s .
15· 11 (11) 3.0 pF . 13.9 pF ; ( b) A v = lOO.
15·13 W" = II V( L , + L ~) C . A y = L:lL, .
15· 16 w•• = 9. 14 Mrad/s . A, = 11 9.
15· 18 R/R ,.
15·19 15.9 kH z. R m in = 476 n.
15-24 0.70 ¡tS. 2.44 ¡ts .
15·26 (a) 539 ns.
 Soluciones de una selección de problemas 957

15-28 1.44 i n. 5.77 kO .

15·36 5 V . 4.3 V. 99 kO .
15· 38 (a) 15. 3.73 V; (b) VII < R l V./ R I •
15·41 (b) TI = (2R 2RCIR.)[V'/(V.. + Vsll,f = (R,/4R 2 RC)[ 1 - (Vs!V,,)l].
15·44 «(/) 1.98 V, 5 V; (b) 1.6 V.
15·53 (a ) 9 ~ F; (b ) 1.1 x IO - l %; (e) 9 pF, 1.1 x 10- ]%.
15·54 ( b) 2, 1.

CAPITULO 16 16·4 (a) A . - - 1 con el interruptor cerrado, A . - +1 con el interruptor abierto.

16-6 «(1) V N _ I = WN- ~ = W N- l = V,J 12.
16·7 (b) VRI2R . - VR: (e) V1I /4R , ~ V.J2; (ti) - V,J8.
16·8 (a) R' - 128.5 D . Las resisten cias binari as crecientes son 2 1s D , 2 14 D, 2 lJ D , 2 12 Q,
2 11 n, 2 10 n, 2 9 n, y 28 n correspondientes para los LSB, .... MSB; (b) 77. 8 mA;
(c) 39.2 mV.
16· 16 (a ) 9; (h) 6 .
16· 17 {nI 9; (b) 6.
16·38 (b) L = R 2 CJR IR2RL ; (e) 1 f'H :se t: « 5 ¡.tH.

16·43 (b) C = CL; (e) R = R L .

16·55 R ' VmIR, O; (b) O. - R ' VmIR ¡ (e) (R '
(a ) + R) V,,/R , - V",; (d) Vm, - (R ' +
R)V•.tR.
16·58 (e) 1.55 kO, ~ 8 .

CAPITULO 17 17· ' (n) 1.6 A ; (b ) 1.02 A ; (e) 80 V, O; (d) 56.6 V.

17· 11 (b) V"" 2 V"" 2 V"" Y2 V", son las máximas tensiones a través de Cl' (l. C;. y C••
respectivamente. do nde V", es el valor pico de la ten sión aplicada. El pico de la ten'
si6n inversa para cada diod o es 2 V""
17·14 (b) 86. 1 + 4.85 x 10- .1 co s( 1007l1. - 269°) V; (b) 3.98 x 10- ' .
17·15 (a) 100°; (b) ~4° , 0.452 A ; (e) 93.4°, 62°, 0.835 A.
17·17 112 mv.
17· 18 (a) 12 V; (b) 20 ~vrc ; (e) - 0.05 «vrc.
17· 19 (a) Vo = f ,fi2 + V'<B ( 1 + R¡IR I).
17·23 12.65.
17·28 (a) 28.1 W ; (b) 3.84 W; (e) 78.6% ; (dJ 5.70 W , 50% .
17·30 (n) 37°, I7S, O.
mi ento cua litati vo d e las pr opi e-
dades de un sem ico nductor hasta
la com prens ión d el func ionam ien-
to de elementos en es tado só lido y
apre nde r a co m binar éstos para
fo rmar c irc uitos integrados. A lo
largo de la obra se est ud ia un a
gra n variedad d e chips int egrad os
y cómo se fabrican, y pod er cono-
ce r las funciones di gitales o ana-
lógicas q ue desempeña un ch ip.
Para completar la teoria d e estos
ele mentos se hacen referen cias a
c hips especificos comercialmente
adquiribles y qu e realiz an la fun-
ción desarrollada en el texto .
La atención prestada al aspecto
pedagógico se reflej a en la expli-
cación del comportam iento de los
dispositivo s, ci rc uitos y sis t ema s,
ast como en el contex to en q ue se
est ud ian sus functonamientos es-
pec ificos. Se han int rod ucido los
nuevos concep tos em pteando las
técnicas a naliticas conocidas y el
desarroll o de nu evos métodos de
análisis se basa en concept os ya
co nocidos, con lo q ue no se pro -
duc e ningún vacio al tom ar con-
t acto co n las innovaciones .
Una parte muy importante de la
ob ra la constit uyen lo s gráficos y
esq uemas de c ircuitos qu e c on
gr an pr ofusión aco mpañan y ayu -
dan a entender el t exto.
Cada c apitulo fin aliz a con un os
t ema s de repa so que permiten al
est udiante com proba r el nivel de
com prens ión del t em a y son una
buen a ayuda para resolver lo s 800
problema s qu e figuran en un
apéndice . En ot ro se ofrece la so-
lución de algunos d e dichos pro-
blemas.
Dejando aparte su contenido,
específicament e enc aminado a la
enseñanza, es indudable que
co ns t ituye ta mb ién un valioso au-
xili ar para ingen ieros, c ientífico s y
pr of esion ales d e ca m pos afi nes a
la in genieoa eléctrica y de co m pu-
ta do ras .