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    1PC - Ee418o-Ciclo 2021-2

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    Cristopher Anampa Tello
    Este documento presenta un examen práctico de 3 problemas sobre dispositivos y circuitos electrónicos para los estudiantes. El primer problema incluye calcular la concentración de portadores en materiales semiconductores a diferentes temperaturas, determinar la resistividad y corriente en una barra de germanio aplicando una tensión. El segundo problema implica calcular la resistividad del silicio intrínseco a varias temperaturas y determinar a qué temperatura se vuelve conductor u aislante. El tercer problema involucra hallar la conductividad y resistencia de una barra

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    Este documento presenta un examen práctico de 3 problemas sobre dispositivos y circuitos electrónicos para los estudiantes. El primer problema incluye calcular la concentración de portadores en materiales semiconductores a diferentes temperaturas, determinar la resistividad y corriente en una barra de germanio aplicando una tensión. El segundo problema implica calcular la resistividad del silicio intrínseco a varias temperaturas y determinar a qué temperatura se vuelve conductor u aislante. El tercer problema involucra hallar la conductividad y resistencia de una barra

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    1PC.EE418O-CICLO 2021-2

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    Este documento presenta un examen práctico de 3 problemas sobre dispositivos y circuitos electrónicos para los estudiantes. El primer problema incluye calcular la concentración de portadores en materiales semiconductores a diferentes temperaturas, determinar la resistividad y corriente en una barra de germanio aplicando una tensión. El segundo problema implica calcular la resistividad del silicio intrínseco a varias temperaturas y determinar a qué temperatura se vuelve conductor u aislante. El tercer problema involucra hallar la conductividad y resistencia de una barra

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2021

    FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 29-09-21


    DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1H. 50 m.

    CURSO: Dispositivos y Circuitos Electrónicos I COD. CURSO: EE418M

    TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 1 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

    NOTA: NOTA: Apellidos y Nombres:……………………………………………………………………..


    Nota: Son tres problemas dura 110 minutos incluyendo la subida a Moolde pasado este tiempo no
    podrán entregar el problema. (subir fotografía del celular legible o escaneado preferible Word)

    . Justificar quantitativamente cada pregunta.


    Problema 1.- (7 Puntos)
    a) La energía de la banda prohibida del germanio puro es Eg = 0.67 eV. Calcular el número de electrones por unidad
    de volumen en la banda de conducción a 230. °K, 300 °K, y a 330 °K. (2PT.) b) Hacer lo mismo para el silicio
    suponiendo que Eg = 1.1 eV. La masa efectiva de los electrones y huecos son en el germanio es 0.15 me y 0.25 me, y
    en el silicio 0.33 me y 0.37 me, donde me = 9.1·1031 Kg es la masa de electrón libre. (2PT.)
    c) Supóngase que la masa efectiva de los huecos en un material es 3 veces la de los electrones. A que temperatura el
    nivel de Fermi estará un 20% por encima del punto medio de la banda prohibida. Sea Eg = 1 eV. (1PT.)
    d) A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm 2 de sección se le aplica una tensión. de 10 V entre sus extremos.
    Conociendo como datos la concentración intrínseca de portadores, ni = 2.36·1019m–3, que µn (300K) = 0.39m2/V-s y que
    µp (300K) = 0.182 m2/V-s, determinar: (1) la resistividad del Ge; (2) la resistencia de la barra; (3) la velocidad de
    arrastre de electrones y huecos; y (4) la corriente que circula por la barra. (2PT.)

    Problema 2.- (6 Puntos)


    a) Determinar la resistividad del silicio intrínseco a temperatura ambiente, 350 k. y 450k, clasificarlo como un conductor,
    semiconductor o aislante según tabla. (2ptos).

    MATERIAL RESISTIVIDAD
    Aislantes 105< ρ
    Semiconductores 10-2>ρ<106
    Conductores ρ< 10-2

    b) ¿A qué temperatura el silicio intrínseco se volverá un conductor según las definiciones de la tabla? Supóngase que µ n = 110cm2 /
    v.s y µp = 90cm2 / v.s (Obsérvese que el silicio de funde a 1220 K.)
    (2ptos).
    c) ¿A qué temperatura el silicio intrínseco se volverá un aislador según las definiciones de la tabla? Supóngase que µ n = 2200cm2 /
    v.s y µp = 1080cm2 / v.s (2ptos).

    Problema 3.- (7 Puntos)


    Una barra de germanio tiene la forma indicada en figura, donde L= 1 cm. r= 1 cm. Si la barra es intrínseca siendo p=
    3·1013 cm–3 a la temperatura de 300 °K y n=2200 cm2/v-s; p=1200 cm2/v-s, justificar quantitativamente cada pregunta.
    a) Hallar la conductividad y la resistencia media entre los extremos de la barra. (1PT.)
    b) Si se sabe que la barra es de tipo n y que tiene una resistencia de 20 Ω ¿Cuál es la concentración de donantes?
    (1PT.)
    c) A que temperatura el voltímetro marca 10 voltios, cuando el material es intrínseco. (3PT.)
    d) ¿Cuál es la fracción de corriente que se transporta en los huecos para el caso (b)? (2PT.)

    20V

    Voltímetro
    5k

    +
    R Barra de germanio r
    10V
    - L

    El profesor

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