Seleccion y Diseno de Un Disipador de Calor - Iza - M
Seleccion y Diseno de Un Disipador de Calor - Iza - M
Seleccion y Diseno de Un Disipador de Calor - Iza - M
PARA EL TIP-31
Mauricio Iza1
Febrero 2010
powers, and differ in their physical structure, package temperatura aumenta lo suficiente, se produce la
and specification for small items signal. A body that fusión térmica de la unión que inicialmente provocara
conducts an electric current loses some energy as heat una reducción de vida útil del elemento y en el peor de
by the Joule effect. In the case of semiconductors, this los casis lo destruirá.
occurs mainly in the PN junctions. In the case of
En Electrónica de Potencia la REFRIGERACION juega un
transistors that work with engines there is a high
possibility of system failure due to overheating of the papel muy importante en la optimización del
transistor, so in this article we will have a special funcionamiento y vida útil del semiconductor de
interest in explaining a method to reduce these failures potencia.
by designing a heat sink.
Marco Teórico
The heat sinks are devices that enhance heat
dissipation from a hot surface by convection, for the 1. Circuito Térmico.
following analysis, the air is supposed to coolant. In
Antes de discutir el proceso de selección del disipador
most cases, the heat transfer through the interface
de calor que vamos a utilizar, es necesario definir los
between solid surface and air coolant is efficiency
términos comunes y establecer el concepto de circuito
within the system, and solid-air interface represents
térmico.
the greatest barrier for heat dissipation. A heat sink is a
function primarily of the increase in the area that is in El objetivo es proporcionar ciertos conceptos y
direct contact with the coolant. This allows more heat fundamentos de lo que es la transferencia de calor
to dissipate and thus reduce the temperature below para los lectores que no están familiarizados con el
the maximum allowable temperature specified by the tema.
device manufacturer.
Notaciones y definiciones de los términos son los
Introducción siguientes:
Las potencias manejadas por los dispositivos Q: Potencia total o la tasa de disipación de calor en W,
semiconductores, transistores MOSFET, FET, representa el índice de calor disipado por el
reguladores de tensión, etc., es en muchos casos de componente electrónico durante la operación.
una magnitud considerable. Los dispositivos de
: Temperatura máxima de la salida del dispositivo en
potencia reducida, disipan el calor a través de su
C. Los valores permitido de oscilan entre 115 C en
encapsulado hacia el ambiente, manteniendo un flujo
aplicaciones típicas de microelectrónica y hasta 180 C
térmico suficiente para evacuar todo el calor y evitar
para algunos dispositivos de control electrónico, en
su destrucción. En los dispositivos de más potencia, la
aplicaciones militares, 65 C a 80 C son frecuentes.
superficie del encapsulado no es suficiente para poder
evacuar adecuadamente el calor disipado. :Es la temperatura de sumidero en C. Una vez más,
esto representa la temperatura máxima de un
El estudio térmico de los dispositivos de potencia es
disipador de calor en la ubicación más cercana al
fundamental para un rendimiento óptimo de los
dispositivo.
mismos. Ya que el cuerpo que conduce una corriente
eléctrica pierde parte de energía en forma de calor por :Temperatura del aire ambiente C
efecto Joule. En el caso de los semiconductores, se
manifiesta principalmente en la unión PN, y si la
∆
4
∆
3
FUNCIONAMIENTO
Aplicando una señal positiva en la entrada marcada 3. Resistencia Térmica requerida por el
AVANCE se hace conducir al transistor Q1. La corriente disipador.
de Q1 circula por las bases, de Q2 y Q5, haciendo que
el terminal a del motor reciba un positivo y el terminal El primer paso en la selección del disipador es
b el negativo (tierra).
determinar la resistencia térmica que es requerida
para satisfacer el criterio térmico del componente.
Arreglando la ecuación anterior, la resistencia del
disipador puede ser obtenida fácilmente por:
6
TABLA 1: Tabla de las propiedades térmicas de los materiales los elementos de un montaje real.
Con todos estos parámetros calculados anteriormente, : !"# $ %" &" #&"!"'&(.
es la resistencia térmica tiene que ser igual o muy
poco mayor que el de la temperatura de unión * : !"# $ #&"!"'&( ' +$'&(.
para mantener especificado por el fabricante. * : !"# $ ' +$'&(.
Este montaje tiene el siguiente circuito térmico, o de Para nuestro caso tenemos que:
flujo de calor, asociado:
: 150 8
: 25 8
Figura 6: Circuito Térmico Equivalente
* 3 * 4 9
2
¿Qué temperatura alcanzará el disipador absorber la gran carga de calor. Puede ser de
corte, mecanizado. Sus aletas mejoran el
del ejemplo anterior? ¿Y la cápsula del rendimiento en aproximadamente un 10 a
transistor? 20%, pero con una tasa más lenta de extrusión.
Los limites de extrusión y espesores suelen
La unión estará, según hemos supuesto en el cálculo dictar la flexibilidad en opciones de diseño.
anterior, a 150ºC. En existirá una diferencia de
temperatura debida al flujo de calor. 3. DE ALETAS.- Este tipo de disipador es
refrigerado por aire con más ritmo, son de
En concreto: convección limitada, el rendimiento de un
disipador de calor refrigerado por aire puede
2 > 20 9 > 3.125 8:9 62.5 8 ser a menudo mejorado significativamente si a
la superficie está expuesta a ala corriente de
También en * caerá una temperatura dada por aire. Estos disipadores con altas prestaciones
de calor conductivo térmicamente utilizan filos
de aluminio y masilla epóxica para unir en un
* 2 > * 20 9 > 1.5 8:9 30 8
plano las aletas con las ranuras de extrusión de
la placa base. Debido a sus grandes
Entonces, la temperatura de la cápsula del transistor prestaciones, sus costos son mayores debido a
será que como uno puede escoger el tamaño de los
perfiles, sería absurdo utilizarlos si no son para
62.5 8 87.58 producirlos en serie.
[10]
Conclusiones.
Obtenemos nuestro resultado térmico: Ya mencionamos que los circuitos térmicos se manejan
exactamente igual que los circuitos eléctricos, por lo
tanto, podemos hacer cálculos más complejos
utilizando configuraciones en paralelo de resistencias
térmicas. Este es el caso cuando conectamos dos o más
elementos de potencia a un solo disipador.
Referencias
• http://www.farnell.com/datasheets/17619.pdf
• Assmann Electronic tm products 2005 higher
• http://www.semikron.com/