Informe Final 06 - Dispositivos Lab
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INFORME N°6
“ RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)”
PROFESOR DE CURSO:
LIMA – PERÚ
2020
OBJETIVOS
INTRODUCCION
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio es el de
mayor interés. Fue presentado por primera vez en 1956 por Bell Telephone
Laboratories. Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR incluyen
controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de potencia reguladas,
interruptores estáticos, controles de motor, recortadores, inversores, cicloconvertidores,
cargadores de baterías, circuitos de protección, controles de calefactores y controles de
fase. En años recientes, los SCR han sido diseñados para controlar potencias tan altas
como 10 MW con valores nominales individuales hasta de 2000 A a 1800 V. Su intervalo
de frecuencia de aplicación también se ha ampliado hasta 50 kHz, lo que ha permitido
algunas aplicaciones como calefacción por inducción y limpieza ultrasónica.
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL SCR
Al igual que la operación de un diodo de 4 capas, la operación del SCR se entiende
mejor si su estructura pnpn interna se ve como una configuración de dos transistores,
como muestra la figura 2. Esta estructura es como la del diodo de 4 capas excepto por
la conexión de compuerta. Las capas pnp superiores actúan como un transistor, Q1; las
capas npn inferiores lo hacen como un transistor, Q2. De nueva cuenta, Observe que
las dos capas intermedias están “compartidas”.
1. Voltaje de ruptura directo V (BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra
a la región de conducción. El asterisco (*) es una letra que se agregará
dependiendo de la condición de la terminal de compuerta de la manera siguiente:
O = circuito abierto de G a K
S = circuito cerrado de G a K
R = resistencia de G a K
V = Polarización fija (voltaje) de G a K
2. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR
cambia del estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las
condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la
condición de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo
de carga (corriente) del ánodo al cátodo.
4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje zener o a la región de
avalancha del diodo semiconductor de dos capas fundamental.
1. Corriente de Puerta.
2. Elevada tensión Ánodo-Cátodo.
3. Aplicación de tensión Ánodo-Cátodo positiva antes de que el proceso de
bloqueo haya terminado.
4. Elevada derivada de la tensión Ánodo-Cátodo
5. Temperatura elevada Normalmente no ocurre, aunque si se produce una
combinación de varias causas, podría provocarse la entrada en
conducción
6. Radiación luminosa Sólo se ocurre en los dispositivos especialmente
construidos para funcionar de esta forma (LASCR)
MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
Un multímetro digital.
Un miliamperímetro.
Un micro amperímetro.
Un SCR.
Una fuente de C.C.
Resistores: R1=100kΩ, R2=10 kΩ y RL entre 330Ω y 1 kΩ.
Una placa de zócalo con tres terminales.
Cables, conectores de cocodrilo/banano.
Potenciómetros: P1≥15 kΩ, y P2≥500kΩ.
Un multímetro (o voltímetro) analógico.
PROCEDIMIENTO
a. Con P1=0Ω y P2 a su valor máximo (SCR off), tomar datos observando el micro
amperímetro y multímetro digital; llenar la tabla 2, con estos valores iniciales para
el circuito resistivo.
b. Con P2 ajustado en el valor de disparo (SCR on) observar los nuevos datos en
microamperimtro, miliamperímetro y multímetro digital (voltímetro). Llenar la
tabla 2 y luego medir el valor resistivo de P2.
c. Con P2 ajustado en valor de disparo (SCR on) ajustar el potenciómetro P1 hasta
obtener la corriente de Ihold, donde Vo regrese a la condición de corte (SCR off);
en caso de no lograr ello, anotar estos datos en la tabla 3 como primera fila
horizontal.
d. Ajustar P2 a su valor máximo con P1 =0 (SCR on), luego de ello ajustar P1 hasta
obtener la corriente Ihold, donde V0 regrese a la condición de corte (SCR off);
anotar estos datos en la tabla 3 como segunda fila horizontal.
DATOS OBTENIDOS
TABLA 1
TABLA 2
TABLA 3
CUESTIONARIO FINAL