República Bolivariana de Venezuela

Ministerio Del Poder Popular Para Defensa

Universidad Nacional Experimental De La Fuerza Armada
UNEFA, Lara

Integrantes: Alexander Escalona 18.996.543

Sección: 6M1IE
Barquisimeto, Estado Lara.
 TRANSISTOR BJT

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores
máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la
temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos
estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los
distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos
orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de
la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un
NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de
corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro
lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de
colector dada (Ic); además de esto, suele presentar una variación acusada con la temperatura y con
la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros
son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una
indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta
a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación
(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales,
etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial I c).
3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:

1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.

2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

JFET: La polarización del jfet (junction fideld effect transistor), exigen que la unión PN estén
inversamente polarizadas para un JFET de canal N. El voltaje de drenaje debe ser mayor que el
voltaje de la fuente para que exista un flujo de corriente atreves del canal, además el voltaje de la
puerta debe ser más negativo que el voltaje de la fuente para que la unión PN se encuentre
polarizada inversamente.

Las curvas del JFET son muy parecidas a las curvas del los transistores bipolares, con la diferencia
que los transistores son controlados por tensión mientras que los bipolares por corriente.

MOSFET: Estos transistores (metal-oxido-semiconductor) son dispositivos de efecto de campo,

igual a los JFET que utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción, son dispositivos
más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología CMOS. Al igual que los JFET existen 2 tipos de transistores MOS, los
P-MOS y los N-MOS.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferentes, pero sus ecuaciones y
análisis son muy similares, por eso los transistores MOS tiene las mismas regiones de operación
que los JFET.

Características de funcionamiento

Las regiones de operación en las que trabaja el MOSFET y JFET, cuales son las características
principales de cada uno de elles y qué condiciones se deben establecer en el transistor para que
operen en dichas regiones. Sabiendo a prioridad que en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operación que en las del JFET corte, tríodo, saturación y ruptura. Comenzando
por el MOSFET se debe tener lo siguiente en la región de corte se verifica que VGS sea menor que
VT y las corriente ID es nula.

En la región del tríodo el transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado
por tensión.

En la región de saturación la mas importante si se trata de amplificación el transistor se comporta

como una fuente de corriente controlada por tensión VGS. En este caso la corriente permanece
bastante constante y el transistor opera muy bien.

En los transistores MOSFET también se puede ver una región llamada ruptura en este caso el
transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha por los terminales del drenado
y fuente y ruptura en las capa de oxido fino de la compuerta que pueden dañar irreversiblemente
el dispositivo.

Siguiente con el JFET se debe de tomar en cuenta lo siguiente

En la región de corte la intensidad de drenado y fuente es nula (ID=0). En este caso la tensión
entre compuerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y
estrangulan el canal cortando la corriente entre drenado y fuente. En el datasheet se denomina
esta tensión o tensión de estrangulamiento pinch-off y se representa por VGS (off) o VP.

Al igual que en el transistor MOSFET en este caso también existen la región de saturación, en esta
región lineal, el JFET tiene unas características lineales que son utilizadas para amplificación por so
son utilizadas para la amplificación, en este caso se comportan como una fuente de corriente
controlada por tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente del voltaje VDS, en este caso
entonces VDS es mayor o igual a VGS – VP donde VP es el voltaje de estrangulamiento.
En los JEFE las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y
fuente por la puerta cortocircuitada con la fuente, esta tensión se designa por BV DSS y su valor
está comprendido entre 20 y 50 voltios.

J
FET VS MOSFET