Inf-108-Unidad 8-A - Almacenamiento Primario-Memoria Ram

8-A
ALMACENAMIENTOS PRIMARIOS Y SECUNDARIOS (MEMORIAS Y

DISCOS)
Versión 1.1. REPÚBLICA DOMINICANA. 2019.

Direcció.n Virtual
virtual.itsc.edu.do
Inf-108 Unidad- 8 Almacenamientos Primarios y Secundarios
DESARROLLO DEL PROGRAMA
Objetivos.
• Saber qué es el almacenamiento secundario y cuáles son sus principales

características.
• Conocer el funcionamiento y las principales características de los discos
magnéticos.
• Conocer el cómo instalar c/u de los discos que forman el almacenamiento
secundario.
• Saber dar mantenimiento preventivo y correctivo a cada dispositivo.
• Conocer como diagnosticar los errores de cada componente.
• Dar solución precisa a cada situación problemática en cada componente.
Contenido de la Unidad:
• Introducción
• Concepto Almacenamiento Primario (Memorias-Ram-Rom-Cache)
• Historia de la memoria Ram
• Características, partes, función, Tecnologías y Tendencias futuras de la Ram.
• Concepto Almacenamiento Secundarios (Discos-Magnéticos-ópticos-Digitales y
Estado Solido).
• Historia de los discos y su función.
• Características, partes, función, Tecnologías de conexión y Tendencias futuras
de los discos.
PROF. SANDINO PERDOMO 2

8.0 Introducción
Almacenamiento de datos informáticos, a menudo llamado el almacenamiento o la

memoria, es una tecnología que consiste en la computadora componentes y soportes
de grabación que se utilizan para retener de datos digitales. Es una función básica y
componente fundamental de las computadoras.
La unidad de procesamiento central (CPU) de un ordenador es lo que manipula los

datos mediante la realización de cálculos. En la práctica, casi todos los ordenadores
utilizan una jerarquía de almacenamiento, lo que pone opciones de almacenamiento
rápido pero caro y pequeñas cerca de la CPU y más lento, pero más grandes y opciones
más baratas más lejos. En general, las tecnologías volátiles rápido (que pierden datos
cuando el suministro de energía) se les conoce como "memoria", mientras que las
tecnologías más lentas persistentes se les conoce como "almacenamiento secundarios
o discos".
En la arquitectura de Von Neumann, la CPU se compone de dos partes principales:

La unidad de control y la unidad lógica aritmética (ALU). Los antiguos controlan el flujo
de datos entre la CPU y la memoria, mientras que el último realiza operaciones
aritméticas y operaciones lógicas en los datos.

8.1. Concepto Almacenamiento Primario (Memorias-Ram-Rom-Cache)
El almacenamiento primario (también conocido como memoria principal o memoria

interna), a menudo denominado simplemente como memoria, es el único que puede
acceder directamente a la CPU. La CPU lee continuamente instrucciones almacenadas
allí y los ejecuta según sea necesario. Cualquier dato operado activamente en también
se almacena allí de manera uniforme.
Históricamente, los primeros ordenadores utilizan líneas de retardo, tubos Williams , o

girando tambores magnéticos como el
almacenamiento primario. En 1954, esos métodos
no fiables fueron sustituidos en su mayoría por la
memoria de núcleos magnéticos . La memoria
subyacente se mantuvo dominante hasta la
década de 1970, cuando los avances en circuito
integrado permitieron tecnología de memoria de
semiconductor a ser económicamente
competitiva.
Esto condujo a la moderna memoria de acceso

aleatorio (RAM). Es de tamaño pequeño, ligero,
pero es bastante caro, al mismo tiempo. (Los tipos
particulares de RAM utilizados para el
almacenamiento primario también son volátiles, es
decir, pierden la información cuando no accionado).
Como se muestra en el diagrama, tradicionalmente existen dos más sub-capas de

almacenamiento primario, además de principal RAM de gran capacidad:
• Registros del procesador se encuentran dentro del procesador. Cada registro

típicamente tiene una palabra de datos (a menudo 32 o 64 bits). Instrucciones de la
CPU instruyen la unidad aritmética lógica para realizar diversos cálculos u otras
operaciones en estos datos (o con la ayuda de la misma). Los registros son los más
rápidos de todas las formas de almacenamiento de datos informáticos.
• Caché del procesador es una etapa intermedia entre registros ultra-rápido y la
memoria principal mucho más lento. Fue introducido únicamente para mejorar el
rendimiento de los ordenadores. La información más utilizada activamente en la
memoria principal se acaba de duplicar en la memoria caché, lo que es más rápido,
pero de mucha menor capacidad. Por otro lado, la memoria principal es mucho más
lento, pero tiene una mucho mayor capacidad de almacenamiento que los registros
del procesador. Multi-nivel de caché jerárquico configuración es también
comúnmente utiliza- caché primaria siendo más pequeño, más rápido y situado en el
interior del procesador; caché secundario de ser un poco más grande y lento.
La memoria principal está directa o indirectamente conectado a la unidad central de

procesamiento a través de un bus de memoria. En realidad, es dos autobuses (no en el
diagrama): un bus de direcciones y un bus de datos. La CPU envía en primer lugar un
número a través de un bus de dirección, un número llamado dirección de memoria, que
indica la ubicación deseada de los datos. Luego se lee o escribe los datos en las celdas
de memoria utilizando el bus de datos. Además, una unidad de gestión de
memoria (MMU) es un pequeño dispositivo entre la CPU y la RAM volver a calcular la
dirección de memoria real, por ejemplo, para proporcionar una abstracción de la
memoria virtual o de otras tareas.

Como los tipos de memoria RAM utilizados para el

almacenamiento primario son volátiles (sin inicializar en
el arranque), un ordenador que contiene solamente
dicho almacenamiento no tendría una fuente para leer
instrucciones de estas con el fin de iniciar el equipo. Por
lo tanto, el almacenamiento primario no volátil que
contiene un pequeño programa de inicio (BIOS) se
utiliza para arrancar el ordenador, es decir, para leer un
programa más grande de no
volátil secundaria almacenamiento a la RAM y empezar
a ejecutarlo. Una tecnología no volátil utilizado para este
propósito se llama ROM, para memoria de sólo lectura (la terminología puede ser algo
confuso ya que la mayoría de los tipos ROM también son capaces de acceso aleatorio).
Existen muchos tipos de "ROM" no son, literalmente, de sólo lectura, ya que son posibles
cambios a ellas; sin embargo, es lento y la memoria debe ser
borrado en grandes porciones antes de que pueda ser re-
escrito. Algunos sistemas embebidos ejecutar programas
directamente desde la ROM (o similar), ya que este tipo de
programas son raramente cambian. Ordenadores estándar no
almacenan programas que no son rudimentarios en la ROM, y
más bien, el uso de grandes capacidades de almacenamiento
secundario, que es no volátil, así, y no tan costosa.
Esta foto de Autor desconocido está

Recientemente, el almacenamiento primario y de almacenamiento secundario en

algunos usos se refieren a lo que se llamó históricamente, respectivamente, de
almacenamiento secundario y almacenamiento terciario.
8.2.0. Historia de la memoria Ram.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo
de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria
requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético
de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad
de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de
retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal
con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en

semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de
memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bytes,
referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser
comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo
magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es
primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de
núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en

estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la dirección de

memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16

pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema
de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que
logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría
de los computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en
zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo
obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal impedía la miniaturización, entonces
se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la
construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines
metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a
los de las tarjetas de expansión, de hecho, los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la
misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho

de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original
MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las
siguientes:
FPM RAM
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486. Se implantó un modo direccionamiento en el que el
controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas
sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que
ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones
consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de
la primera vez no sería necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se
fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados
en el 486 y los primeros Pentium

EDO RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con
tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La
EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas, pero direcciona la columna
que va a utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando
como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de
salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
BEDO RAM
Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y

competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada
ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. Nunca salió
al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria
sincrónicos que, si bien tenían mucho del direccionamiento, MOSTEK, agregan
funcionalidades distintas como señales de reloj.
8.3. Características, partes, función, Tecnologías y Tendencias futuras de la Ram.
La memoria RAM es una memoria que se caracteriza por ser volátil, desaparece cuando
apagamos el ordenador. Al contrario que esta memoria, los datos almacenados en el
disco duro permanecen cuando apagamos nuestro sistema. Además de estos dos tipos
de memorias, tenemos una tercera, la memoria caché del procesador. Si estudiamos la
estructura de las memorias de nuestro ordenador, hay que tener en cuenta, que cuando
éste necesita algún dato, no va inmediatamente a buscarlo al disco duro, ni siquiera a

la memoria RAM; el primer lugar en el que busca si está almacenado ese dato es en la
memoria caché del procesador. Por tanto, podemos decir que la memoria de nuestro
ordenador está estructurada en tres niveles. El primer nivel y el de más rápido acceso,
también el más reducido en cuanto a tamaño, sería la cache del procesador. Si los datos
no son encontrados en esta memoria caché, el ordenador los buscaría en la memoria
RAM, que es una memoria de rápido acceso, pero no tanto como la anterior. Y si los
datos no están en ninguna de estas dos memorias, el ordenador los buscará en el disco
duro.
En cuanto a las características a tener en cuenta a la hora de elegir nuestra memoria

RAM, son varias y algunas de ellas nos vendrán determinadas por nuestra placa base.

Tanto la interfaz como la frecuencia de nuestra memoria RAM las deberemos buscar en
las especificaciones de nuestra placa base. Para esto debemos conocer:
- La interfaz se refiere al tipo de slot que tenemos en nuestra placa base.
- En cuanto a la denominación de los módulos de memoria, los módulos DDR2

tienen un nombre que empieza con PC2 y la de las DDR3 con PC3.
- Los slots de los ordenadores portátiles son diferentes a los de escritorio. En

general los ordenadores portátiles llevan memoria SO DIMM.
- La frecuencia determinada por nuestra placa base.
- La comunicación entre la memoria RAM y el controlador de memoria del

procesador.
- La latencia.
- La marca.
Tipos de RAM
as dos formas principales de RAM moderna son:
SRAM (Static Random-Access Memory), RAM estática, memoria estática de acceso

aleatorio.
o volátiles.
o no volátiles:
▪ NVRAM (non-volatile random access memory), memoria de acceso aleatorio no
volátil
▪ MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria de acceso
aleatorio magnetorresistiva o magnética.

DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM dinámica, memoria dinámica de acceso
aleatorio.
DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de

acceso aleatorio dinámica asincrónica.
o FPM RAM (Fast Page Mode RAM)

o EDO RAM (Extended Data Output RAM)
o
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory, memoria de acceso aleatorio
dinámica sincrónica)
Rambus:
o RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory)

o XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory)
o XDR2 DRAM (eXtreme Data Rate two Dynamic Random Access Memory)
SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM
de tasa de datos simple)
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM
de tasa de datos doble)
DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo
dos)
DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de
tipo tres)
DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo
cuatro).
DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo
cinco).
DDR6 SDRAM (Double Data Rate type six SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo
seis).

Nomenclatura.
La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los módulos de

memoria utilizados en las computadoras personales y servidores.
La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias
Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento
también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier
posición.
Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se
compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en
otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente
sobre la placa principal.

Los módulos de RAM
Son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados chips de

memoria DRAM, por una o ambas caras.
La implementación DRAM se basa en una topología de circuito eléctrico que permite

alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados
de cientos o miles de megabits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado
que permiten la identificación de estos ante la computadora por medio del protocolo de
comunicación Serial Presence Detect (SPD).
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en
uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el módulo al ser instalado en un
zócalo o ranura apropiada de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los
controladores de memoria y las fuentes de alimentación.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos, y de utilizar integrados de distintos

fabricantes, condujo al establecimiento de estándares de la industria como los Joint
Electron Device Engineering Council (JEDEC).
1. Paquete DIP (Dual In-line Package, paquete de pines en-línea doble).
2. Paquete SIPP (Single In-line Pin Package, paquete de pines en-línea simple):
fueron los primeros módulos comerciales de memoria, de formato propietario, es
decir, no había un estándar entre distintas marcas.

3. Módulos RIMM (Rambus In-line Memory Module, módulo de memoria en-línea

rambus): Fueron otros módulos propietarios bastante conocidos, ideados por la
empresa RAMBUS.
4. Módulos SIMM (Single In-line Memory Module, módulo de memoria en-línea
simple): formato usado en computadoras antiguas. Tenían un bus de datos de
16 ó 32 bits.
5. Módulos DIMM (Dual In-line Memory Module, módulo de memoria en-línea dual):
usado en computadoras de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos
de 64 bits.
6. Módulos SO-DIMM (Small Outline DIMM): usado en computadoras portátiles.
Formato miniaturizado de DIMM.
7. Módulos FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module): usado en
servidores.
Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las
funciones de lectura/escritura de manera que siempre está sincronizada con un reloj
del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran
asíncronas.
Toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, porque permiten construir
integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.

Tipos de DIMM según su cantidad de contactos o pines:
Cantidad Tipos de
Usados por: Observaciones
de pines DIMM
(no el mismo que un 72-pin

072 SO-DIMM FPM-DRAM y EDO-DRAM
SIMM)
100 DIMM printer SDRAM
144 SO-DIMM SDR SDRAM
(menos frecuente para

168 DIMM SDR SDRAM FPM/EDO DRAM en áreas de
trabajo y/o servidores)
Micro-
172 DDR SDRAM
DIMM
184 DIMM DDR SDRAM
200 SO-DIMM DDR SDRAM y DDR2 SDRAM
204 SO-DIMM DDR3 SDRAM
DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM

240 DIMM y Fully Buffered DIMM (FB-DIMM)
DRAM
Mini-
244 DDR2 SDRAM
DIMM

SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en

módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III ,
así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de
que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido
la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto
la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos disponibles son:
• PC66: SDR SDRAM, funciona a un máx de 66,6 MHz.

• PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
• PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133,3 MHz.

RDRAM
Se presentan en módulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los Pentium 4. Era
la memoria más rápida en su tiempo, pero por su elevado costo fue rápidamente
cambiada por la económica DDR. Los tipos disponibles son:
• PC600: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 300 MHz.

• PC1200: RIMN RDRAM, funciona a un máximo de 600 MHz
DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo
trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la
frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de
ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles.
La nomenclatura utilizada para definir a los módulos de memoria de tipo DDR (esto
incluye a los formatos DDR2, DDR3 y DDR4) es la siguiente: DDRx-yyyy PCx-zzzz;
donde x representa a la generación DDR en cuestión; yyyy la frecuencia aparente o
efectiva, en Megaciclos por segundo (MHz); y zzzz la máxima tasa de transferencia de
datos por segundo, en Megabytes, que se puede lograr entre el módulo de memoria y
el controlador de memoria. La tasa de transferencia depende de dos factores, el ancho
de bus de datos (por lo general 64 bits) y la frecuencia aparente o efectiva de trabajo.

La fórmula que se utiliza para calcular la máxima tasa de transferencia por segundo
entre el módulo de memoria y su controlador es la siguiente:
Tasa de transferencia en MB/s = (Frecuencia DDR efectiva) × (64 bits / 8 bits por cada
byte) Por ejemplo:
1 GB DDR-400 PC-3200: Representa un módulo de 1 GB (Gigabyte) de tipo DDR; con

frecuencia aparente o efectiva de trabajo de 400 MHz; y una tasa de transferencia de
datos máxima de 3200 MB/s.
4 GB DDR3-2133 PC3-17000: Representa un módulo de 4 GB de tipo DDR3; frecuencia

aparente o efectiva de trabajo de 2133 MHz; y una tasa de transferencia de datos
máxima de 17000 MB/s.
Los tipos disponibles son:
• PC1600 o DDR 200: funciona a un máx de 200 MHz.

• PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 266,6 MHz.
• PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 333,3 MHz.
• PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 400 MHz.
• PC3500 o DDR 433 funciona a un máx de 433 MHz.
• PC4500 o DDR 500: funciona a una máx de 500 MHz.

DDR2 SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las

memorias DDR (Double Data Rate), que
permiten que los búferes de entrada/salida
trabajen al doble de la frecuencia del núcleo,
permitiendo que durante cada ciclo de reloj se
realicen cuatro transferencias. Se presentan
en módulos DIMM de 240 contactos. Los
tipos disponibles son:
• PC2-3200 o DDR2-400: funciona a un máx de 400 MHz.

• PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz.
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan
significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo
una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240
pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente
incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. Los tipos disponibles
son:


DDR4 SDRAM

DDR5 SDRAM
DDR5 SDRAM (de las siglas en inglés, Double Data Rate

Type five Synchronous Dynamic Random-Access Memory), es la abreviatura de
memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de quinta generación de datos. Se
planea que DDR5 reduzca el consumo de energía, mientras se duplica el ancho de
banda pasando de 3,2 GB/s a los 6,4 GB/s, doblando también su tasa de transferencia
máxima de los 25,6 GB/s de las DDR4 actuales a un máximo de 51,2 GB/s y la

capacidad en relación con la SDRAM DDR4.
En una presentación de 2016 realizada por Intel sugirió un plan de JEDEC para lanzar
una especificación SDRAM DDR5 2016, con la disponibilidad de compra del usuario
final en 2020. En marzo de 2017, JEDEC anunció su plan para el lanzamiento de la
especificación DDR5 en 2018.
El 15 de noviembre de 2018, SK Hynix anunció la finalización de su primer chip de

memoria RAM DDR5. Funciona a 5200 MT / s a 1.1 voltios. La DDR5 permitirá que los
reguladores de voltaje sean montados directamente en los propios módulos de memoria
en vez de tener que ir en la placa base como hoy en día.
La frecuencia base para la RAM DDR5 será DDR5-4800.
El tamaño de la memoria que aceptarán las placas base compatibles con DDR5 también
aumentará, pasando de 12 a 16 canales. Esto permitirá pasar del límite actual de 64 GB
de las principales placas de consumo hasta los 128 GB de RAM.
Detección y corrección de errores.
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que
son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas.
Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el
diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son
más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a
los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos
almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras.
En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores

basadas en diferentes estrategias:
• La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de
datos y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (“paridad par”) o
impar (“paridad impar”), detectándose así el error.
•
• Una técnica mejor es la que usa “código de autochequeo y autocorrector” (error-

correcting code, ECC), que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores
que afecten a un solo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta
fiabilidad.
•
Por lo general, los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tienen un
coste más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los
sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y las
memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de las placas base
no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas

que realizan pruebas sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno
de los más conocidos es la aplicación Memtest86+ que detecta fallos de memoria.


BIBLIOGRAFIA
https://es.qwe.wiki/wiki/Computer_data_storage
https://en.wikipedia.org/wiki/File:Computer_storage_types.svg
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio#:~:text=En%201969%20fu
eron%20lanzadas%20una,primera%20en%20ser%20comercializada%20con
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio#:~:text=En%201969%20fu
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https://www.norender.com/wp-content/uploads/hei.png
https://www.norender.com/memoria-ram-funcionamiento-y-caracteristicas-a-tener-en-
cuenta-en-un-equipo-de-
video/#:~:text=La%20memoria%20RAM%20es%20una,permanecen%20cuando%20a
pagamos%20nuestro%20sistema.&text=Por%20tanto%20podemos%20decir%20que,
est%C3%A1%20estructurada%20en%20tres%20niveles.
https://es.wikipedia.org/wiki/DDR5_SDRAM

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Almacenamiento de datos informáticos, a menudo llamado el almacenamiento o la

La unidad de procesamiento central (CPU) de un ordenador es lo que manipula los

En la arquitectura de Von Neumann, la CPU se compone de dos partes principales:

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8.1. Concepto Almacenamiento Primario (Memorias-Ram-Rom-Cache)

El almacenamiento primario (también conocido como memoria principal o memoria

Históricamente, los primeros ordenadores utilizan líneas de retardo, tubos Williams , o

Esto condujo a la moderna memoria de acceso

Como se muestra en el diagrama, tradicionalmente existen dos más sub-capas de

• Registros del procesador se encuentran dentro del procesador. Cada registro

La memoria principal está directa o indirectamente conectado a la unidad central de

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Como los tipos de memoria RAM utilizados para el

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En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en

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memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho

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Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y

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En cuanto a las características a tener en cuenta a la hora de elegir nuestra memoria

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- La interfaz se refiere al tipo de slot que tenemos en nuestra placa base.

- En cuanto a la denominación de los módulos de memoria, los módulos DDR2

- Los slots de los ordenadores portátiles son diferentes a los de escritorio. En

- La frecuencia determinada por nuestra placa base.

- La comunicación entre la memoria RAM y el controlador de memoria del

SRAM (Static Random-Access Memory), RAM estática, memoria estática de acceso

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DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de

o FPM RAM (Fast Page Mode RAM)

o RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory)

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La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los módulos de

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Los módulos de RAM

Son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados chips de

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La necesidad de hacer intercambiable los módulos, y de utilizar integrados de distintos

1. Paquete DIP (Dual In-line Package, paquete de pines en-línea doble).

PROF. SANDINO PERDOMO 14

3. Módulos RIMM (Rambus In-line Memory Module, módulo de memoria en-línea

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Tipos de DIMM según su cantidad de contactos o pines:

(no el mismo que un 72-pin

100 DIMM printer SDRAM

144 SO-DIMM SDR SDRAM