Fabricación y Caracterización Electroquímica de ISFETs:

Progreso hacia el Desarrollo de la Bio-Electrónica

Joel Molina R.*, Wilfrido Calleja A., Mauro Landa V. Pablo Alarcón P.
Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica. INAOE, Puebla.
Luis Enrique Erro #1 Apartado Postal 51 y 216. Tonantzintla Puebla, México.
El ISFET (Ion-Sensitive Field-Effect Transistor) desarrollado inicialmente por Bergveld en 1970, es un sensor químico de estado
sólido empleado para la detección de la actividad iónica de una solución electrolítica. Este sensor emplea al transistor MOS como el
dispositivo transductor principal entre la señal química a detectar y la señal eléctrica de salida. Originalmente, los primeros ISFETs fabricados
se emplearon como detectores de pH o de la actividad ionica de hidrógeno (H+) presente en las soluciones. En la actualidad, los ISFETs se
emplean como dispositivos capaces de detectar iones de diferentes elementos e inclusive arreglos atómicos y/o moleculares más complejos.
EL ISFET se hizo sensitivo y selectivo a una especie en particular y esto aumentó su empleo en muchos campos de interés siendo el más
importante el de la biomedicina debido al reducido tamaño del elemento transductor. Debido a la importancia de este dispositivo para el
desarrollo de la bioelectrónica, presentamos en este trabajo los resultados preliminares de las mediciones de pH realizadas, empleando al
ISFET fabricado con una estructura dieléctrica de compuerta Si3N4–SiO2. La respuesta electroquímica del sensor se obtiene a partir de curvas
Ids-Vds de los transistores fabricados. Los niveles de corriente Ids en saturación del ISFET, resultan proporcionales y reproducibles para con
los niveles de pH de las soluciones bajo las mismas condiciones de polarización. Se demuestra la sensibilidad del ISFET fabricado para con el
pH de las soluciones analizadas.

Palabras clave: ISFET, SiO2-Si3N4. * jmolina@susu.inaoep.mx

I.- INTRODUCCIÓN
II.- ESTRUCTURA DEL ISFET
En 1970, Piet Bergveld [1] desarrolló un
dispositivo de estado sólido capaz de medir la La estructura presentada por los sensores de
actividad iónica de medios ambientes biológicos y pH se muestra en la figura 1:
electroquímicos tal como el registro del nivel de pH
de alguna solución. Este dispositivo fue denominado BULK
SOURCE DRAIN
por Bergveld como ISFET y su principio de
operación es similar al de un transistor MOS, esto es,
la generación de un canal de conducción entre fuente
y drenaje para una polarización de compuerta
aplicada. A diferencia de un transistor MOS, el
ISFET no posee el electrodo metálico de compuerta SiC

y el dieléctrico de esta misma región se expone SiO2 (CVD)

directamente a la solución a medir. Bergveld SiO2 (térmico)

N+
P+
demostró que al eliminar la compuerta metálica de Si3N4
SiO2

un MOSFET ordinario y exponiendo el dieléctrico a

un electrolito dado, las características SiC

electroquímicas del ISFET son afectadas por la Figura. 1.- Representación esquemática de un ISFET convencional.
actividad iónica del electrolito, generándose un
potencial interfacial electrolito-dieléctrico
dependiente de pH: ϕo = f(pH). Se observa de la figura anterior una vista
Las características operacionales básicas a general de los materiales empleados durante la
cumplir para estos dispositivos son 2 principalmente: fabricación del dispositivo, así como la disposición
que el dieléctrico superficial presente en la región de de las regiones activas de fuente, drenaje y
compuerta del ISFET tenga la mayor sensibilidad compuerta del transistor, las cuales deben diseñarse
posible con el fin de detectar rápida y de tal forma que se asegure una adecuada protección
confiablemente, valores mínimos del pH de las de la estructura general del ISFET durante las
soluciones a analizar, y que el material dieléctrico mediciones. Esto es importante ya que soluciones
seleccionado desarrolle la mínima cantidad posible demasiado ácidas pueden dañar la integridad física
de deriva e histéresis durante las mediciones, lo cual del sensor. En nuestro diseño, se plantea una
es importante si se desea utilizar ISFET’s para “extensión” de las regiones altamente dopadas n++
mediciones de pH a largo plazo. Esta última de fuente y drenaje hacia un extremo del chip
condición los hace viables en el campo biomédico. (definiendo a la vez los pad’s de contacto hacia estas

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regiones), mientras que la región de compuerta se
define al otro extremo del mismo. Los resultados idealmente esperados para
los transistores ISFET son curvas I-V, donde se
El patrón geométrico (layout) utilizado para observe claramente la dependencia de éstas para con
la fabricación de los ISFET’s así como uno de los el pH de las soluciones. Lo anterior se muestra a
sensores ya fabricados, se muestran a continuación: continuación:

VGS=constante

pH=2
IDS
(µ
A)

pH=12

VDS(V)
ISFETs
Figura 4.- Curvas I-V ideales de un ISFET para diferentes valores de pH.
Figura 2.- Patrón geométrico (layout) e ISFET fabricado y encapsulado.
IV.- MEDICIONES PRELIMINARES DE pH
De la figura 2 se observa la distribución
Posteriormente a la fabricación, se diseñó
geométrica de los ISFET’s en el área del circuito
un circuito impreso que sirviera como soporte
integrado (CI) destinada para la fabricación, así
mecánico para el chip terminado así como de
como de dispositivos de prueba como transistores y
extensión de contactos de fuente, drenaje y sustrato
capacitores MIS para la caracterización de
del ISFET, esto puede observarse de la fotografía
materiales. Una de las grandes ventajas que estos
presente en la figura 2.
dispositivos presentan con respecto a otros sistemas
sensibles al pH de las soluciones, es la capacidad de
Los resultados obtenidos de las primeras
integración de la electrónica de control dentro del
mediciones de pH son los siguientes:
mismo CI de manera simultánea. Lo anterior es
posible gracias a que estos sensores químicos pueden
ser diseñados y fabricados con la tecnología
convencional de fabricación de circuitos integrados,
y en nuestro caso, con la tecnología C-MOS de
fabricación de CI’s del Laboratorio de
Microelectrónica del INAOE.

III.- ESQUEMA DE MEDICIONES DE pH

El régimen usual de operación de un ISFET es el
modo de corriente IDS en saturación para un voltaje
de polarización VGS constante, dejando a VDS como
la única fuente de polarización variable (curvas Ids-
Vds). Un esquema general de medición se muestra
en la figura 3. Figura. 5.- Mediciones preliminares de pH con los ISFET’s ya fabricados.
De la figura anterior, se encuentra que los
niveles de corriente Ids en saturación del ISFET,
conexiones a
fuente/drenaje/sustrato
resultan proporcionales y reproducibles para con los
del ISFET niveles de pH de las soluciones bajo las mismas
SPA condiciones de polarización.
electrodo de ISFET
referencia V.- CONCLUSIONES
solución de
pH arbitrario Se presentó el diseño geométrico de los
sensores ISFET fabricados así como el resultado de
Figura 3.- Esquema de mediciones de pH.

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las primeras mediciones de pH, demostrándose que
el dispositivo es sensible a la actividad ionica de las
soluciones analizadas.

REFERENCIAS
[1] P. Bergveld, “Developments of an ion-sensitive solid-
state device for neuro-physiological measurements”, IEEE Trans.
Biomed. Eng., vol. BME-17., pp. 70-71, Jan. 1970.

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