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    Practica de Transistores

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    Christian Camilo Navia Ossa
    Este documento presenta un ejercicio de cálculo del voltaje colector-emisor de un circuito de polarización con realimentación colector-base para un transistor de silicio con β = 100. Se muestra el análisis teórico, la simulación y los resultados en una tabla. Luego, se diseña un circuito de polarización fija para un transistor npn con especificaciones dadas y se comparan los cálculos teóricos con las mediciones experimentales, encontrando bajos porcentajes de error.

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    Practica de Transistores

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    Christian Camilo Navia Ossa
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    Este documento presenta un ejercicio de cálculo del voltaje colector-emisor de un circuito de polarización con realimentación colector-base para un transistor de silicio con β = 100. Se muestra el análisis teórico, la simulación y los resultados en una tabla. Luego, se diseña un circuito de polarización fija para un transistor npn con especificaciones dadas y se comparan los cálculos teóricos con las mediciones experimentales, encontrando bajos porcentajes de error.

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    Este documento presenta un ejercicio de cálculo del voltaje colector-emisor de un circuito de polarización con realimentación colector-base para un transistor de silicio con β = 100. Se muestra el análisis teórico, la simulación y los resultados en una tabla. Luego, se diseña un circuito de polarización fija para un transistor npn con especificaciones dadas y se comparan los cálculos teóricos con las mediciones experimentales, encontrando bajos porcentajes de error.

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    PRACTICA VI

    TEMA: TRANSISTORES
    LABORATORIO DE ELECTRONICA GENERAL

    Christian Camilo Navia Ossa


    Carolina Ocampo Carvajal
    Facultad de Ingenierías, Universidad Tecnológica de Pereira, Risaralda, Colombia
    [email protected] [email protected]

    1. EJERCICIO

    Calcule el voltaje colector-emisor del circuito de polarización con realimentación colector-


    base que se mostrará a continuación, si el transistor es de silicio y tiene una 𝛽 = 100. Elabore
    un cuadro de concentración de datos del análisis y haga la simulación del circuito para efectos
    de comprobación del análisis teórico.

    +𝑽𝐶𝐶 = 12 𝑉

    Figura 1

    Hay que recordar que se calcula la corriente de base, mediante el análisis de Kirchhoff.
    Posteriormente se analiza la malla de salida para calcular el voltaje de colector a emisor.

    Anexar los cálculos digitados y los resultados consignarlos en la tabla 1.

    PARAMETRO VALOR PARAMETRO VALOR


    CALCULADO CALCULADO
    𝐼𝐵 0.00209mA 𝑉𝑅f 0.011077V
    𝐼𝐶 2.09mA 𝑉𝑅𝑐 10.032V
    𝐼𝐸 2.11mA 𝑉𝐶 10.032V
    𝑉𝑅𝑓 0.011077V 𝑉𝐶𝐸 0.5650V
    𝑉𝐵𝐸 -0.68823V 𝑉𝐸 0.7V
    Tabla 1

    en la tabla anterior podemos evidenciar los cálculos realizados tras el análisis del circuito
    donde podemos definir que el Vce=0.5650V, esto debido a que el transistor es de tipo pnp.
    1
    2. DISEÑO

    Diseñe un circuito de polarización fija para un BJT de silicio tipo npn cuyas características
    son:

    ✓ 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 7 𝑉
    ✓ 𝜷 = 150
    ✓ 𝑰𝑪𝑸 = 8 𝑚𝐴
    ✓ 𝑽𝑻 (𝑺𝒊) = 0.7 𝑉
    ✓ 𝑹𝑩 =250943.4 Ω
    ✓ 𝑹𝑪 =1750Ω
    ✓ 𝑽𝑪𝑪 =14V

    Calculado Medido Error%


    0,0525*10^-
    Ib 0,053*10^-3 Ib 3 0,94
    7,8436*10^-
    Ic 8*10^-3 Ic 3 1,9
    Ie 8,053*10^-3 Ie 7,896*10^-3 1,9

    Como podemos ver, los cálculos realizados teóricamente para el diseño de un circuito de
    2
    polarización fija para un BJT de silicio tipo npn con sus características y al realizar su
    montaje, las mediciones nos dieron con un bajo porcentaje de error.

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