Lab Multietapa
Lab Multietapa
Lab Multietapa
(AMPLIFICADOR MULTIETAPA)
UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA II
FUSAGASUGA
2006
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
(AMPLIFICADOR MULTIETAPA)
UNIVERSIDAD DE CUNDINAMARCA
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA II
FUSAGASUGA
2006
INTRODUCCION
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
La ecuación indica que para evitar una fuerte reducción en esta ganancia es
necesario que Zi1>>RS.
Nótese que si RS>> Zi1 entonces la
Un análisis similar se puede realizar a un amplificador multietapa basado en
modelos equivalentes de corriente de las etapas básicas. Su impedancia de
entrada es Zi=Zi1 y de salida Zo=Zo3. La expresión de la ganancia en corriente
del amplificador, teniendo en cuenta que ii=ii1, io1=ii2, io2=ii3 y io3=io, es:
y referida a is:
Un buen amplificador en corriente debe tener, además de altos valores de AI1, AI2
y AI3, un acoplo de impedancias adecuado. Para ello, es condición necesaria que
se verifique Zi2<<Zo1, Zi3<<Zo2, RL<<Zo3 y Zi1<<RS. Un amplificador de
corriente ideal debe verificar que Estas condiciones son
antagonistas a las necesarias para un amplificador en tensión. Esto significa que
un buen amplificador de corriente es un mal amplificador de tensión y, viceversa,
un buen amplificador en tensión no puede ser de corriente.
MATERIALES
Osciloscopio
Generador de señales
Fuente de poder DC
Transistor 2N3904
Transistor JFET K117
Resistencias
Condensadores
Varios (pinzas, cable, etc.)
PROCEDIMIENTO
20V
+V
RC
RD R1 10k
10k 2k
C2 C3
10uF 10uF
C1
10uF
V1 2N5640 2N3904
-10m/10mV
RL
RG RS R2 10k
RE
1kHz 1Mk 8.7k 2k 50
Figura 1.
R R L I b V in / hie re
V 0 I b c
Rc R L
V
V 0
in
hie re
RC || RL RC || R L
AV =
hie re hie re
RC || RL R || RL
AV C SI hib << Re y Rb << βRe
hib re hib e
RL RC 10 K
RC || RL 5 K
AV 100 Re 50
RE Re
1 1
Rb Re 200 500 1000 1K
10 10
Vb
10.000 *1.32mA 0.7 50 *132mA 0.832v
200
R1=R2=2k Rb=R1||R2=1k
PARAMETROS JFET
Para la primera etapa del amplificador usamos el transistor FET del cual se tiene
en cuenta los siguientes parámetros:
IDss=12mA
vp=-1.5v
VDD=20v
AV=-10
2
Vgs
Id=Idss 1
Vp
Seleccionar punto Q
IDSS 12mA
I DQ 6mA
2 2
20v
VGS Q 0.3Vp 10v
2
2 Id ss Vgs Q 212mA 0.45
gm 1 1 0.0161 0.3 11 .2ms
Vp Vp 1.5 1.5
Rm=89.28Ω
V DD I 0 R0 VDS Q I D RS
V DD VDSQ 20 10
RS R D 1666.6
IDQ 6mA
R L || R D R L || R D R L || R D
AV
1 1 1
Rs 1666.6 R D 1666.6 R D
gm gm gm
R D || R L 1000R D
10 1666.6 10R D 892.8
1666.6 R D 89.28 R D 1000
2 2
6558.8RD 17558800 10 RD 10RD 6558.8RD 17558800
6558.8 27301.4
RD
2
RD =10371.33Ω
I D RD VGS I D RS VSS 0
20 10
RS 10371.3 8704.7
6mA
7.500mV
5.000mV
2.500mV
0.000mV
-2.500mV
-5.000mV
-7.500mV
-10.00mV
0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms 2.500ms 3.000ms 3.500ms 4.000ms 4.500ms 5.000ms
Al llevar a cabo la simulación, en el circuit maker, nos fue imposible obtener las
formas de onda de salida, por lo tanto nos remitimos a revisar los cálculos, y no
encontramos el error.
CONCLUSIONES
De la práctica realizada anteriormente se puede concluir que:
BIBLIOGRAFIA
BOYLESTAD Robert, Electrónica teoría de circuitos. Prentice Hall, México 2004.
900pg.
http://es.monografias.org/practicadeelectronica/transistores/amplificoperacional/