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    BJT Polarizacion Estabilidad DC

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    de 11

    BJT TRANSISTORES BIPOLARES

    1. tipo NPN

    2. tipo PNP

    si queremos que el transistor amplifique entonces:


    Diodo BEON y Diodo BCOFF
    Ecuaciones basicas:
    IE = I C + I B
    IC = Ie + ICBO
    IC = IB + ICEO
    Sí = T=cte.

    1.
    I E=I C +I B

    2.
    I C =αI E

    3.
    I L= β I β
    (1),(2),(3).
    I E=I L+I β
    IL IC
    =I L +
    α β
    1 1 α
    =1+ ⇒ β=
    α β 1−α
    1 β+1 β
    = α=
    α β  β+1
    Los transistores se gobiernan por inyección de corriente de base.
    a. Para gran señal.
    V be
    VT
    I C =Iss e
    V be =>> V T
    V T =25 . 8 mV
    Iss. Dato de fabrica equivale a la corriente inversa de saturación del diodo (I0)

    b. Pequeña señal.
    V be (t )<< V T “por series”

    I c (t )=I ca +gma V be (t )
    I SS
    gma =
    VT
    El análisis primero en continua y luego el altera.
     Curvas del transistor:
    Polarización: del BJT (DC):
    Consiste en:
    DBE →ON

    ¿} ¿ ¿  BJT puede “amplificar”


    D BC →off

    V BB =I B R B +V γ .....................(1)
    V CC =I C + V CE ......................(2)

    I C =βI β Se cumple solo en la zona activa.

    Nota: Sin transitor se encuentra en saturación se


    considera como en corto circuito.
    Para reconocer si un transitor esta saturado. (los Diodos en “ON”)

    potencia = 0
    saturacion

    Zona de corte (Off)


    Nota: Los circuitos digitales trabajan con el BJT saturado o cortado.
    Para corte:
    V  Vumbral. (V)


    I base=0

    I C =0
    “Cuando un BJT” se corta.
    V CE=V CC
    Potencia en corte = 0

    Para saturar:
    V CC −V CEsat
    IC sat = ( out )
    1. RL

    V BB −V δ
    Ialignl¿ B ¿sat ¿= (in)¿
    2. Rβ

    Nota: Si faltan datos


    I Csat
    I B≥
    10
    Nota: Para los fabricantes
    V Cesat =0. 1 V y 0 .2V
    Nota: Pero para los cálculos (0 V)

    CONDICION DE DISEÑO:
    Amplifica: Q zona activa.
     DBEON
    DBCOFF
    In:
    V BB =R B I B +V γ +R E I E .....()
    Pero:
    I C =α I E (T=cte)
    I E=I C +I B
    I E =α I E +I B
    I B =I E (1−α ) .............(1)

    1 en (*)
    ( V BB−V B )=R B [ I E (1−α )] + R E IE

    ( V BB −V δ )
    I EQ = ≈I CQ
    R B ( 1−α )+ R E

     I EQ =I CQ=f (fuente , juntua termica , α )


    Consideración: (por diseño)
    V BB −V γ
    I EQ =I CQ=
    RE
    ⇔ R E >>> R B (1−α )
    β
    α=
    Pero: β+1
    Nota: Para fines prácticos:
    R E=10( R β )(1−α)
    β
    [
    R F =10 R B 1−
    β +1 ]
    1
    R E=10 R β
    ( β +1)
    β+1
    R β= R
    10 E
    Nota: Esta es la condición que genera estabilidad.

    MÁXIMA EXCURSIÓN SIMÉTRICA(M.E.S.)


    1. No existe carga CE.

    Nota: Procurar que la curva esté lejos de la frontera.


    1 V CC
    I CQ =
    2 (RE+ RC )
    V CE≈ V CC /2

    2. Existe carga CE

     Análisis en DC.

    R DC=R c +R E

    V CC =(R C +R E ) IC +V CE .. . .. .. λ

    1
    mDC =| |=tgθ
    RC +R E

     Análisis en AC.


    R AC =RC

    RC i C +V CE=0

    1
    m AC= =tg γ
    RC
    Nota: (>)
    En “”
    V CC =(R C +R E ) ICQ +R C ICQ
    V CC
    I CQ =
    ( RC + R E )+ R E
    V CC
    I CQ =
    R DC + R AC

    1 I
    tg φ= = CQ
    RC V CEQ
    V CEQ =R AC I CQ
    1 I
    tg φ= = CQ
    RC V CCQ
    V CEQ =RC I CQ
    V CEQ =R AC I CQ
    V CC =(R C +R E ) ICQ +R C I CQ
    V CC
    ⇒ I CQ=
    ( RC + R E )+ RC
    V CC
    ⇒ I CQ=
    R DC + R AC

    3. Existe CE ,CB ,CC.


     Análisis en DC

    RDC = RC +RE

     Análisis en AC

    Ro = RC//RL

    RAC = Ro
    V CC
    ⇒ I CQ=
    ( RC + R E )+ R0

    V CEQ =R0 . ICQ


    ESTABILIDAD TERMICA EN DC

    In:
    V ββ=R β I β +V γ + R E I E ......(*)
    Pero:
    I C =α I E +I Cβ 0
    I C −I Cβ 0
    I E=
    α ..................(1)
    I C =α [ I β + I C ]+ I Cβ 0
    I C =α I B +α IC +I CB 0
    I C (1−α )=α I B +I CB 0
    I C ( 1−α )+ I CB 0
    ⇒ I B=
    α ..............(2)
    (1) y (2) en (*)
    I C (1−α )−I CB 0 I −I
    V BB =R B [ α ] [
    +V γ + R E C CB 0
    α ]
    α (V BB −V γ )= IC [ R B (1−α)+R E ] −I CB 0 ( RB + R E )
    α(V BB−V γ )+ I CB 0 ( R B + R E )
    I CQ =
    RB (1−α )+ R E
    ICQ = f(fuente DC, juntura, ICB0, , T)
    Factores térmicos:
    ∂ I CQ RB+ RE
    SI = ; SI =
    1. ∂ I CB0 RB (1−α )+ R E

    Pero: REE >>> RB (1-) (por diseño)


    RB+ RE R
    =1+ B
     Sí  RE RE

    10 < SI < 30
    ∂ IC −α
    Sv = ; Sr =
    2. ∂ Vδ R B(1−α )+R E

    Pero: RE  RB (1-)


    −α −1
    S v =¿ ⇒ Sr =
     RE RE

    V γ =0 .2 V →Ge
    Vγ=0. 6→ Si
    Δ V γ =K 1 ΔT

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