JFET
1. Un JFET
a. es un dispositivo controlado por tensión
b. es un dispositivo controlado por corriente
c. tiene una resistencia de entrada baja
d. tiene una ganancia de tensión muy alta
2. Un transistor unipolar utiliza
a. electrones libres y huecos
b. sólo electrones libres
c. sólo huecos
d. unos u otros, pero no ambos
3. La impedancia de entrada de un JFET
a. tiende a cero
b. tiende a uno
c. tiende a infinito
d. es imposible de predecir
4. La puerta controla
a. la anchura del canal
b. la corriente de drenador
c. la tensión de puerta
d. Todas las anteriores
5. El diodo puerta-fuente de un JFET tiene que
a. polarizarse en directa
b. polarizarse en inversa
c. polarizarse en directa o en inversa
d. Ninguna de las anteriores
6. Comparado con un transistor de unión bipolar, el JFET tiene una mayor
a. ganancia de tensión
b. resistencia de entrada
c. tensión de alimentación
d. corriente
7. La curva de transconductancia es
a. lineal
b. similar a la gráfica de una
resistencia
c. no lineal
d. como una sola curva de drenador
8. La transconductancia aumenta cuando la corriente de drenador se aproxima a
a. 0
b. ID(sat)
c. IDSS
d. IS
9. Un amplificador en fuente común tiene una ganancia de tensión
igual a
a. gmrd
b. gmrs
c. gmrs /(1 _ gmrs)
d. gmrd /(1 _ gmrd)
10. Un seguidor de fuente tiene una ganancia de tensión igual a
a. gmrd
b. gmrs
c. gmrs /(1 _ gmrs)
d. gmrd /(1 _ gmrd)
11. La transconductancia se mide en
a. ohmios
b. amperios
c. voltios
d. mhos o siemens
12. La transconductancia indica cómo de efectivamente la tensión de entrada controla
a. la ganancia de tensión
b. la resistencia de entrada
c. la tensión de alimentación
d. la corriente de salida
1. a
2. d
3. c
4. d
5. b
6. b
7. c
8. c
9. a
10. c
11. d
12. d
MOSFET
1. Un D-MOSFET puede trabajar
a. sólo en modo de vaciamiento
b. sólo en modo de enriquecimiento
c. en modo de vaciamiento o en modo de enriquecimiento
d. en modo de baja impedancia
2. Cuando ID > IDSS en un D-MOSFET de canal n, el dispositivo
a. se destruirá
b. está trabajando en el modo de vaciamiento
c. está polarizado en directa
d. está trabajando en modo de enriquecimiento
3. La ganancia de tensión de un amplificador D-MOSFET depende de
a. RD
b. RL
c. gm
d. Todas las anteriores
4. ¿Cuál de los siguientes dispositivos revolucionó la industria informática?
a. JFET
b. D-MOSFET
c. E-MOSFET
d. FET de potencia
5. ¿Cuál de estos parámetros puede aparecer en la hoja de características de un MOSFET en modo de
enriquecimiento?
a. VGS(th)
b. ID(on)
c. VGS(on)
d. Todas las anteriores
6. La tensión VGS(on) de un E-MOSFET de canal n es
a. menor que la tensión de umbral
b. igual a la tensión de corte puerta fuente
c. mayor que VDS(on)
d. mayor que VGS(umbral)
7. Un E-MOSFET con la puerta conectada al drenador es un ejemplo de
a. dispositivo de tres terminales
b. carga activa
c. carga pasiva
d. dispositivo de conmutación
8. Un E-MOSFET que trabaja en la región de corte o en la región óhmica es un ejemplo de
a. fuente de corriente
b. carga activa
c. carga pasiva
d. dispositivo de conmutación
9. Un D-MOSFET se considera un
a. dispositivo normalmente en corte
b. dispositivo normalmente en conducción
c. dispositivo controlado por corriente
d. conmutador de alta potencia
Respuestas:
1. c
2. d
3. d
4. c
5. d
6. d
7. b
8. d
9. b
Efectos de la frecuencia
La respuesta en frecuencia es una gráfica de la ganancia de tensión en función de la
a. frecuencia
b. ganancia de potencia
c. tensión de entrada
d. tensión de salida
2. A bajas frecuencias, los condensadores de acoplo producen una disminución de la
a. resistencia de entrada
b. ganancia de tensión
c. resistencia del generador
d. tensión del generador
3. La capacidad parásita debida al cableado tiene efecto sobre la
a. frecuencia de corte inferior
b. ganancia de tensión en la banda
media de frecuencias
c. frecuencia de corte superior
d. resistencia de entrada
4. En la frecuencia de corte inferior o superior, la ganancia de tensión es
a. 0,35Av (media)
b. 0,5Av (media)
c. 0,707Av (media)
d. 0,995Av (media)
5. Si la ganancia de potencia se duplica, la ganancia de potencia en decibelios aumenta
a. en un factor de 2
b. 3 dB
c. 6 dB
d. 10 dB
6. Si la ganancia de tensión se duplica, la ganancia de tensión en decibelios aumenta
a. en un factor de 2
b. 3 dB
c. 6 dB
d. 10 dB
7. Si la ganancia de tensión es 10, la ganancia de tensión en decibelios es
a. 6 dB
b. 20 dB
c. 40 dB
d. 60 dB
8. Si la ganancia de tensión es 100, la ganancia de tensión en decibelios es
a. 6 dB
b. 20 dB
c. 40 dB
d. 60 dB
9. Si la ganancia de tensión es 2000, la ganancia de tensión en decibelios es
a. 40 dB
b. 46 dB
c. 66 dB
d. 86 dB
10. Dos etapas tienen ganancias de tensión en decibelios de 20 y 40 dB. La ganancia de tensión total normal es
a. 1
b. 10
c. 100
d. 1000
11. Dos etapas tienen ganancias de tensión de 100 y 200. La ganancia de tensión total en decibelios es
a. 46 dB
b. 66 dB
c. 86 dB
d. 106 dB
respuestas:
1. a
2. b
3. c
4. c
5. b
6. c
7. b
8. c
9. c
10. d
11. c
