Analisis de CA de Transistores
Analisis de CA de Transistores
Analisis de CA de Transistores
ELECTRÓNICA I
TEMAS DE INVESTIGACIÓN
• AMPLIFICADORES MULTIETAPA
Integrantes:
Fecha: 30/07/2020
INTRODUCCIÓN ............................................................................................................ 3
DESARROLLO ................................................................................................................ 3
Efecto de 𝒓𝒐 ................................................................................................................. 5
CONCLUSIONES .......................................................................................................... 22
BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................ 22
INTRODUCCIÓN
DESARROLLO
Emplea una ruta de realimentación del colector base para incrementar la estabilidad del
sistema, sin embargo, con el simple hecho de conectar un resistor de la base al colector
en lugar de la base a la fuente cd, tiene un efecto significativo en el nivel de dificultad
que presenta al anisarlo. El redibujar el circuito a uno equivalente nos permite observar
de una mejor manera los efectos producidos, como podemos observar en la figura número
2.
𝑉0 − 𝑉𝑖
𝐼′ =
𝑅𝐹
𝑉0 = −𝐼0 𝑅𝐶
𝐼0 = 𝛽𝐼𝑏 + 𝐼 ′
𝑉𝑖
𝐼𝑏 =
𝛽𝑟𝑒
𝑣𝑖 𝑅𝐶
𝑉0 = −𝛽 ( ) 𝑅𝐶 = − 𝑉𝑖
𝛽𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑉0 − 𝑉𝑖 𝑉0 𝑉𝑖 𝑅𝐶 𝑉𝑖 𝑣𝑖 1 𝑅𝐶
𝐼′ = = − − − = [1 + ] 𝑉𝑖
𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑟𝑒 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑟𝑒
1 𝑅𝑐
𝑉𝑖 = 𝐼𝑖 𝛽𝑟𝑒 − [1 + ] 𝛽𝑟𝑒 𝑉𝑖
𝑅𝐹 𝑟𝑒
𝛽𝑟𝑒 𝑅𝑐
𝑉𝑖 [1 + (1 + )] = 𝐼𝑖 𝛽𝑟𝑒
𝑅𝐹 𝑟𝑒
𝑉𝑖 𝛽𝑟𝑒
𝑍𝑖 = =
𝐼ⅈ 1 + 𝛽𝑟𝑒 [1 + 𝑅𝑐 ]
𝑅𝐹 𝑟𝑒
𝑅𝑐 𝑅𝑐
1+ ≡
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝛽𝑟𝑒
𝑍𝑖 =
𝛽𝑅𝑐
1+
𝑅𝐹
𝒓𝒆
𝒁𝒊 =
𝟏 𝑹𝒄 (1)
+
𝜷 𝑹𝑭
Es necesario ajustar 𝑉𝑖 a cero, en este caso la red aparecerá como se muestra en la figura
3, el efecto de 𝛽𝑟𝑒 , se elimina y 𝑅𝐹 aparece en paralelo con 𝑅𝐶
𝑍0 ≅ 𝑅𝑐 ||𝑅𝐹
Fig 3. Definición de Zo para la configuración de realimentación del colector.
𝐼0 = 𝛽𝐼𝑏 + 𝐼 ′
𝑉𝑖
𝑉0 = −𝛽 𝑅
𝛽𝑟𝑒 𝑐
𝑽𝟎 𝑹𝒄
𝑨𝒗 = =− (2)
𝑽𝒊 𝒓𝒆
Efecto de 𝒓𝒐
𝑅𝑐 ∥ 𝑟0
1+
𝑅𝐹
𝑍𝑖 =
1 1 𝑅𝑐 ∥ 𝑟0
+ +
𝛽𝑟𝑒 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑟𝑒
𝑅𝑐
1+𝑅
𝐹
𝑍𝑖 =
1 𝑅𝑐
+
𝛽𝑟𝑒 𝑅𝑒 𝑟𝑒
𝑅𝐶
pero por lo general ⁄𝑅 ≫ 1
𝐹
𝑟𝑒
𝑍𝑖 =
1 𝑅𝑐 (3)
+
𝛽 𝑅𝐹
Para 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐
𝑍0 ≅ 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐹
𝑍0 ≅ 𝑅𝑐 (4)
1 1
[ + ] (𝑟 ∥ 𝑅𝑐 )
𝑅𝐹 𝑟𝑒 0
𝐴𝑣 = −
𝑟 ∥ 𝑅𝑐
1+ 0
𝑅𝐹
Como 𝑅𝐹 ≫ 𝑟𝑒
𝑟0 ∥ 𝑅𝐶
−
𝑟𝑒
𝐴𝑣 ≅
𝑟 ∥ 𝑅𝑐
1+ 0
𝑅𝐹
Para 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐
𝑅𝑐
−
𝑟𝑒
𝐴𝑣 =
𝑅𝑐
1+
𝑅𝐹
𝑅𝐶
Y como en general ⁄𝑅 es mucho menor que uno
𝐹
𝑅𝑐
𝐴𝑣 ≅
𝑟𝑒
a) 𝑟𝑒
b) 𝑍𝑖
c) 𝑍0
d) 𝐴𝑣
e) 𝑅𝑒𝑝ⅈ𝑡𝑎 𝑏 𝑦 𝑑 𝑐𝑜𝑛 𝑟0 = 20𝑘Ω 𝑦 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑎𝑟𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑢𝑙𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠
Fig 4. Ejemplo de aplicación
a)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐹 + 𝛽𝑅𝑐
9𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 11,53µ𝐴
180𝑘Ω + (200)(2.7𝑘Ω)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝟐𝟔𝒎𝑽 𝟐𝟔𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = = 𝟏𝟏. 𝟐𝟏Ω
𝑰𝑬 𝟐. 𝟑𝟐𝒎𝑨
b)
𝑟𝑒
𝑍𝑖 =
1 𝑅𝑐
+
𝛽 𝑅𝐹
11.21Ω
𝑍𝑖 = = 560.5Ω
1 2.7𝑘Ω
+
200 180𝑘Ω
c)
𝑍0 = 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐹
𝑍0 = 2.66𝑘Ω
d)
𝑅𝐶
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒
2.7𝑘Ω
𝐴𝑣 = − = −240.86
11.21Ω
e) Zi no s satisfizo con la condición de 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐. Por consiguiente:
𝑅𝑐 ∥ 𝑟0
1+
𝑅𝐹
𝑍𝑖 =
1 1 𝑅𝑐 ∥ 𝑟0
+ +
𝛽𝑟𝑒 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑟𝑒
2.7𝑘Ω ∥ 20𝑘Ω
1+
𝑍𝑖 = 180𝑘Ω
1 1 2.7𝑘Ω ∥ 20𝑘Ω
+ +
(200)(11.21) 180𝑘Ω (180𝑘Ω)(11.21Ω)
= 617.7Ω 𝒗𝒔 𝟓𝟔𝟎. 𝟓Ω 𝒂𝒏𝒕𝒆𝒓𝒊𝒐𝒓
𝑍0 = 𝑟0 ‖𝑅𝑐‖𝑅𝐹
1 1
+ ] (𝑟0 ∥ 𝑅𝑐 )
[
𝑅 𝑟𝑒
𝐴𝑣 = − 𝐹
𝑟 ∥ 𝑅𝑐
1+ 0
𝑅𝐹
1 1
[ + ] (2.38𝑘Ω)
𝐴𝑣 = − 180𝑘Ω 11.21Ω = −209.56 𝑣𝑠 − 240.86 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑟ⅈ𝑜𝑟
2.38𝑘Ω
1+
180𝑘Ω
Para Zi:
𝑅𝐸
𝑍𝑖 =
1 (𝑅 + 𝑅𝑐) (5)
[ + 𝐸 ]
𝛽 𝑅𝐹
Zo:
𝑍0 = 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐹 (6)
Av:
𝑅𝐶
𝐴𝑣 ≅ (7)
𝑅𝐸
Para Zi:
𝑍0 = 𝑅𝑐 ‖𝑅𝐹2 ‖𝑟0
Para 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐
𝑍0 ≅ 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐹2 (9)
Av:
𝑅′ = 𝑟0 ‖𝑅𝐹2 ‖𝑅𝐶
𝑉0 = −𝛽𝐼𝑏 𝑅′
𝑉𝑖
𝐼𝑏 =
𝛽𝑟𝑒
𝑉𝑖 ′
𝑉0 = −𝛽 𝑅
𝛽𝑟𝑒
𝑉0 𝑟0 ‖𝑅𝐹2 ‖𝑅𝑐
𝐴𝑣 = =−
𝑉𝑖 𝑟𝑒
Para 𝑟𝑏 ≥ 10𝑅𝑐
𝑉0 𝑅𝐹2 ∥ 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = ≅ (10)
𝑉𝑖 𝑟𝑒
a) 𝑟𝑒
b) 𝑍𝑖
c) 𝑍0
d) 𝐴𝑉
a)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐹 + 𝛽𝑅𝑐
12𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 18.6µ𝐴
(120𝑘Ω + 68𝑘Ω) + (140)(3𝑘Ω)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝟐𝟔𝒎𝑽 𝟐𝟔𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = = 𝟗. 𝟗𝟐Ω
𝑰𝑬 𝟐. 𝟔𝟐𝒎𝑨
b)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐹1 ∥ 𝛽𝑟𝑒
𝑍𝑖 = 120𝑘Ω ∥ 1.39𝑘Ω = 1.37𝑘Ω
c) 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐
30𝑘𝛺 ≥ 10(3𝑘𝛺) = 30𝑘𝛺
𝑍0 ≅ 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐹2 = 3𝑘𝛺 ∥ 68𝑘𝛺 = 2.86𝑘𝛺
d) 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐
𝑅𝐹2 ∥ 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒
68𝑘𝛺 ∥ 3𝑘𝛺
𝐴𝑣 = − = −289.3
9.92𝛺
TRANSISTOR DARLINGTON
𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵 = 𝑉 (11)
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (12)
𝑉𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐸 = ; 𝐼𝐵 = (13)
𝑅𝐸 𝛽𝐷
La resistencia de emisor se determina por la ecuación 14 y 15 para cada etapa del par
Darlington.
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒2 = (14)
𝐼𝐸2
La corriente de emisor 𝐼𝐸2 es la corriente que sale del par Darlington como se determinó
en el análisis de c.d.
26 𝑚𝑉 𝐼𝐸2
𝑟𝑒1 = ; 𝐼𝐸1 = (15)
𝐼𝐸1 𝛽2
𝑍ⅈ = 𝑍𝑖 ′ ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 (17)
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝑐 ∥ 𝑟𝑒2 (18)
La ganancia de corriente se determina se determina por la ecuación 19, se analiza la fig.
13, se aplica un nodo en la unión de los dos colectores de los transistores.
𝐼𝑜 = 𝛽1 𝐼𝑏1 + 𝛽2 𝐼𝑏2
𝐼𝑏1 = 𝐼𝑖 ′
𝐼𝑜
𝐴′𝑖 = = 𝛽1 (𝛽2 + 1) ≈ 𝛽1 𝛽2 = 𝛽𝐷 (19)
𝐼𝑖 ′
𝐼𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑖 ′ 𝛽𝐷 (𝑅1 ∥ 𝑅2 )
𝐴𝑖 = = = (20)
𝐼𝑖 ′ 𝐼𝑖 ′ 𝐼𝑖 (𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑍𝑖 ′
𝛽𝐷 𝑅𝑐
𝐴𝑣 = (21)
𝑍𝑖 ′
Ejemplo:
Análisis en c.d.
𝑅2 220 𝑘Ω
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 = 27 = 8,61 𝑣
𝑅1 + 𝑅2 220 𝑘Ω + 470 𝑘Ω
𝐼𝐸 10,46 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 0,86 𝑢𝐴
𝛽𝐷 110 ∙ 110
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑒2 = = = 2,49 Ω
𝐼𝐸2 10,46 𝑚𝐴
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 (110)
𝑟𝑒1 = = = = 273,4 Ω
𝐼𝐸1 𝐼𝐸2 10,46 𝑚𝐴
𝛽2
𝛽𝐷 𝑅𝑐 1102 ∙ 1,2 𝑘
𝐴𝑣 = = = 241,2
𝑍𝑖 ′ 60,2𝑘
Dos o más amplificadores pueden ser conectados en cascada con la salida de uno
excitando la entrada del siguiente. Cada amplificador en una configuración de cascada se
conoce como etapa. El propósito básico de una configuración de etapas múltiples es
incrementar la ganancia de voltaje total.
Ejemplo:
Solución:
𝐴𝑣1(𝑑𝐵) = 20 log 10 = 20 𝑑𝐵
𝐴𝑣3(𝑑𝐵) = 20 log 20 = 26 𝑑𝐵
Efectos de carga
Fig 17. Equivalente en ca de la primera etapa que muestra una situación de carga derivada de la
resistencia de entrada de la segunda etapa.
10 𝑘Ω
𝑉𝐵 ≅ ∗ 10 𝑉 = 1.75 𝑉
10 𝑘Ω + 47 𝑘Ω
Los voltajes de cd del emisor y colector serían
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 0.7 𝑉 = 1.05 𝑉
1.05 𝑉
𝐼𝐸 = = 1.05 𝑚𝐴
1𝑘Ω
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 = 1.05 𝑚𝐴
25 𝑚𝑉
𝑟′𝒆 = = 23.8 Ω
1.05 𝑚𝐴
Resistencia de entrada base en Q2
1.63 𝑘Ω
𝐴𝒗𝟏 = = 68,5
23.8 Ω
Cálculo de Ganancia de la segunda etapa
4.7 𝑘Ω
𝐴𝒗𝟐 = = 197
23.8 Ω
La ganancia de la primera etapa se reduce debido a la carga de la segunda etapa.
Conexión Cascodo
La conexión cascodo tiene una de dos configuraciones. En cada caso el colector del
primer transistor está conectado al emisor del siguiente.
Fig 19. Configuración cascodo
Las configuraciones proporcionan una impedancia de entrada relativamente alta con una
baja ganancia de voltaje para la primera etapa que garantiza que la capacitancia de entrada
este en su valor mínimo, en tanto que la siguiente etapa de la base común proporciona
una excelente respuesta de alta frecuencia.
Ejemplo
Solución
• Análisis en c.d.
𝑅𝐵3
𝑽𝑩𝟏 = 𝑥 𝑉𝑐𝑐
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵3
𝑽𝑩𝟏 = 4.9 𝑉
𝑅𝐵3 + 𝑅𝐵2
𝑽𝑩𝟐 = 𝑥 𝑉𝑐𝑐
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵3
𝑽𝑩𝟏 = 10.8 𝑉
𝑅𝐵3 + 𝑅𝐵2
𝑽𝑩𝟐 = 𝑥 𝑉𝑐𝑐
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵3
𝑽𝑩𝟏 = 10.8 𝑉
𝑉𝑩𝟏 − 𝑉𝑩𝑬
𝑰𝒄𝟏 ≅ 𝑰𝒄𝟐 =
𝑹𝑬
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
3.8𝑚𝐴
𝑟𝑒 = 6.8𝛺
𝑅𝑐 𝑟𝑒
𝐴𝑣1 = − = − = −1
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑅𝑐 1.8𝑘𝛺
𝐴𝑣2 = = = 265
𝑟𝑒 6.8𝛺
La etapa de emisor común proporciona una impedancia de entrada mayor que la que se
puede esperarse de la etapa en base común. Con una ganancia de voltaje de
aproximadamente 1 para la primera etapa, la capacitancia de entrada de efecto Miller se
mantiene baja para soportar una buena respuesta de alta frecuencia. La etapa en base
común proporciono una gran ganancia de voltaje de 265 para dar al diseño un buen nivel
de impedancia de entrada con niveles de ganancia deseables.
CONCLUSIONES
• El Transistor Darlington es uno de los elementos que mayor utilidad tiene en las
aplicaciones de electrónica debido a la gran ganancia de corriente, ya que se puede
encontrar varios transistores encapsulados de potencia.
• En este tipo de amplificador acoplado capacitivamente en el cual la reactancia de
acoplamiento y de los capacitores de puenteo a frecuencias muy bajas puede
tornarse excesiva. La reactancia incrementada de los capacitores a bajas
frecuencias reduce la ganancia en amplificadores acoplados capacitivamente por
otra parte evita que la polarización de una etapa afecte la de la otra.
BIBLIOGRAFIA
[2] I. Thomas, Floyd, “Dispositivos electrónicos”, 8va Ed, Pearson Educación, México
2008.
𝑍0 ≅ 𝑅𝑐 ||𝑅𝐹
𝑍𝑖 ′ = 𝛽1 [𝑟𝑒1 + 𝛽2 𝑟𝑒2 ]
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 𝐼𝐸2
𝑟𝑒2 = ; 𝑟𝑒1 = ; 𝐼𝐸1 =
𝐼𝐸2 𝐼𝐸1 𝛽2
𝑍ⅈ = 𝑍𝑖 ′ ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2