UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE

Electrónica General

Informe de Laboratorio

Tema:
Transistores FET

Integrantes:
Tatiana Nataly Asitimbay Morocho
Anthony Joao Estévez Villacrés
Bryan Steven Ruiz Enríquez
Luis Alberto Toalombo Toapaxi

Tutor:
Ing. Jessica Ortiz

Latacunga

2019
INDICE

1. OBJETIVOS...........................................................................................2
1.1. Objetivo General...............................................................................2
1.2. Objetivos Específicos.......................................................................3
2. MARCO TEÓRICO................................................................................3
3. EQUIPOS Y CARACTERÍSTICAS......................................................5
4. PROCEDIMIENTO................................................................................6
5. ANÁLISIS DE RESULTADOS...........................................................12
6. CONCLUSIONES................................................................................14
7. RECOMENDACIONES.......................................................................15
8. BIBLIOGRAFIA..................................................................................15
 1. OBJETIVOS
1.1. O
bjetivo General

Analizar el comportamiento de un transistor efecto campo para identificar los

parámetros de operación de este transistor.

1.2. O
bjetivos Específicos

 Analizar e implementar un circuito de polarización para JFET.

 Analizar e implementar un amplificador usando JFET.
 Observar las señales de salida, de un amplificador JFET.

2. MARCO TEÓRICO

Transistor FET

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET

(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

 Transistor de Efecto de Campo de Unión:

JFET (Junction Field Effect Transistor)
 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

 JFET de canal n
 JFET de canal p

En la Figura 1. se ha representado la construcción básica de un JEFT de canal n.

Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en ambos
extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre
+
dos regiones de compuerta tipo p (material tipo p fuertemente dopado) con sendos
contactos óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos
terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo más habitual
es que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo un único terminal de puerta
(dispositivo de tres terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin
polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión (región
carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar en
el diodo la unión p-n en ausencia de polarización.

Figura 1.-Estructura básica del JFET de canal n.

Para el funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan
aplicando una tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión negativa
entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar debe
ser negativa y la tensión VGS positiva, de esta forma la corriente fluirá en el
sentido de la fuente hacia el drenador.

Figura 2.- Polarización del JFET.

Si juntamos ahora en una misma gráfica el efecto que sobre el funcionamiento del
dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y VGS). Al representar la corriente de
drenador en función de ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas
características del transistor JFET.
En la Figura 3. se representan las curvas características de salida para un JFET de
canal n. En ella se representa la corriente de drenador ID frente a la tensión
drenador - fuente VDS para distintos valores de la tensión puerta - fuente VGS.

En la misma podemos ver como el valor de la tensión VDS para el que se produce la
saturación de la corriente de drenador cuando VGS = 0, en algunos libro
aparece representado como VP haciendo referencia al “estrangulamiento” o “pinch-
off” que se ha producido en el canal. Indicar que esta tensión VP se puede considerar
de igual valor, pero de signo contrario, a la tensión VGSoff característica del
dispositivo.

Por otro lado, para otros valores de VGS el valor de la tensión VDS para el que se
producirá la saturación de la corriente de drenador vendrá dado por la expresión
VDSsat = VGS - VGSoff , donde todas las tensiones deben de ponerse con su signo
correspondiente. Es decir, cuanto más negativa sea la tensión VGS antes se
alcanzará la condición de saturación, o de otra forma, el canal se “estrangulará” para
valores menores de la tensión VDS, lo cual parece lógico ya que cuanto más negativa
sea VGS menor es el canal de partida que tenemos.

En las curvas características de la Figura 7.9. podemos distinguir 4 zonas bien

diferenciadas:

 Zona de corte o de no conducción.

 Zona óhmica o de no saturación.
 Zona de saturación o de corriente constante.
 Zona de ruptura.

Figura 3.- Características ideales de un JFET de canal n.

Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de
efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos de
transistores MOSFET.

 MOSFET de acumulación o de enriquecimiento

 MOSFET de deplexión o empobrecimiento
aparece representada la estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de

+
una zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n con
contactos metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada
corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de silicio. Por tanto,
si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metálica
(correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de semiconductor.
Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de
Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría un cuarto
terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra
conectado a la fuente.

Para el funcionamiento más habitual, los transistores MOSFET de acumulación se

polarizan tal y como aparece en la Figura:

Figura 4.- Polarización del MOSFET de acumulación.

Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando una

tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión positiva entre puerta y
fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a fuente.
En el caso del MOSFET de acumulación de canal p la tensión VDS a aplicar debe
ser negativa y la tensión VGS negativa, de esta forma la corriente fluirá en el
sentido de la fuente hacia el drenador.

3. EQUIPOS Y CARACTERÍSTICAS

Tabla 1 Equipos y características

1 Protoboard

2 Resistencias (1000-2000 Ω)

Transistor 2n3819
3

Cables de conexión (pinzas de

4 lagarto)

5 Transformador

Fuente de alimentación
6

7 Multímetro
 8 Oscilospcopio

4. PROCEDIMIENTO

1. Para resolver la polarización del circuito:

25∗22 K
i G=0i S =i D V G =VR2= =0.166 [ V ] V GS=V G−I D∗R 4
22 K +3.3 M

V G−2.7 K∗I D 2
−3
I D =10∗10 ∗ 1+ ( 3 )
I D =0.849 [ mA ]V Gs=−2.13 [ V ]

V D=25−I D∗680=24.42 [ V ]V s =I D∗2700=2.29 [ V ]V DG=V D −V G=24.26 [ V ]

2.
 30∗68 K
i G=0i S =i D V G =VR6= 1.3 [ V ] V GS=V G−I D∗R 8
68 K +1.5 M

V G −1 K∗I D 2
−3
I D =2∗10 ∗ 1+( 8 )
I D =1.77 [ mA ]V Gs=−0.47 [ V ]

V D=30−I D∗1 k=28.22 [ V ]V s =I D∗1 k=1.77 [ V ] gm=0.471 mS

AV =gm∗1000∨¿1.8 M AV =4.
5. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Tabla 1:
Voltajes de polarización
Circuito 1
  V. V. Medidos %Error
Calculados
VG 273mV 252.75 mV 7.42%
 VS 57.1 mV 56.43 mV 1.17%
VD 58.7 mV 58.03 mV 1.14%
VGS 216 mV 213.76 mV 1.04%
VDS 1.6 mV 1.55 mV 3.125%
VGD 214 mV 213.78 mV 0.10%

Tabla 2:
Corrientes de polarización
Circuito 1
  V. V. %Erro
Calculados Medidos r
IG 8.27uA 7.9uA 4.47%
ID 23.5uA 22.45uA 4.46%
IS 31.7uA 30.68uA 3.21%

Table 3:
Voltajes de polarización
Circuito 2
  V. V. %Erro
Calculados Medidos r
VG 3V 2.87V 4.33%
VS 3.41V 2.99V 12.31%
VD 16.9V 16.99V 2.43%
VGS 0.4V 0.37V 7.5%
VDS 13.5V 13.1V 2.96%
VGD 13.8V 13.61 V 1.38%

Tabla 4:
Corrientes de polarización
Circuito 2
  V. V. %Erro
Calculados Medidos r
IG 0mA 0mA 0%
ID 3.64mA 3.33mA 7.42%
IS 3.64mA 3.33uA 7.42%

Al realizar el cuadro comparativo de cada uno de los circuitos de los valores medidos y
calculados, tanto de los voltajes como las corrientes se puede observar que error
porcentual es muy pequeño lo cual nos da a conocer que los valores reales varían de
manera insignificativamente.
Señal de entrada y salida

Figura 1. Señales obtenidas en el simulador Proteus

Figura 2. Señales obtenidas en el laboratorio mediante el osciloscopio

6. CONCLUSIONES

 Se implemento un circuito de polarización para un JFET con el cual se observo

los voltajes y las corrientes de polarización del circuito con lo cual pudimos
demostrar prácticamente lo que resolvíamos en clases.
 La importancia de incorporar la práctica con la parte teórica permite que el
estudiante relaciones los conceptos aprendidos con anterioridad de manera más
 efectiva, permitiéndoles que cualquier duda que se llegó a generar sea
respondida.
 Implementamos un amplificador JFET, en el cual ingrese una señal la cual es
generada con el generador de señales, y en la salida se pudo observar como la
señal de salida es mucho mayor en amplitud a la señal de entrada.
 Al observar las señales se comprobó de forma practica como funciona un
amplificador JFET. Al igual que se obtuvo sus corrientes y voltajes de
polarización con la ayuda del multímetro digital.

7. RECOMENDACIONES

 Es importante verificar que los equipos y los componentes que se van a utilizar
durante la práctica estén funcionando adecuadamente, para de no tener
complicaciones en el desarrollo de dicha práctica.
 Se recomienda que los estudiantes revisen con anterioridad los datasheet de los
componentes electrónicos que se va a utilizarse en la práctica, evitando demora
en la realización de las mismas.
 Se recomienda tener conocimiento acerca de los amplificadores operacionales
para poder realizar diseños y de esta manera poder implementar en diferentes
circuitos electrónicos.
 Es necesario conocer y diferenciar las distintas conexiones que presentan los
amplificadores operacionales, los cuales permiten obtener diferentes señales de
salida.

8. Anexos
 9. BIBLIOGRAFIA

[1] N. Ibáñez, «UNIVERSIDAD NACIONAL DE LA PLATA,» [En línea].

Available: http://catedra.ing.unlp.edu.ar/. [Último acceso: 01 12 2019].

[2] Alexander, C. (2013). Fundamentos de Circuitos Eléctricos 5ta Edición.

[3] Boylestad, R. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos.

[4] J.A. Chávez, «FET,» [En línea]. Available:

http://fuenteselectronica.blogspot.com/. [Último acceso: 01 12 2019].

Rodríguez, E. (2015). Electrónica Básica.

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