Disparo Igbt
Disparo Igbt
Disparo Igbt
2.2.- Se requiere realizar dos circuitos de manera que los diodos que los conformen
permitan circular la misma corriente y el otro este a la misma tensión. Para ello deberá
seleccionar los diodos cuyos datos están expuestas e indicar el circuito. Característica V-I
y elemento resistivo considerando que solo se utilizara este como elemento limitador.
Cuál será el tipo de recuperación de los diodos.
Características
IFAV: 1A – 6000 A
trr: 10 µs
Características VRRM: 400V –
3.- Para el siguiente circuito tenemos tres diodos, cuyas características idealizadas se
muestran a continuación