Electrónica I. Apuntes de Clase

ELECTRÓNICA I.
APUNTES DE CLASE
ELECTRÓNICA I. APUNTES DE CLASE
REALIZADO POR: MG. MABEL ROCIO DÍAZ PINEDA
UNIDADES TECNOLÓGICAS DE SANTANDER

FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERIAS
TECNOLOGIA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
Bucaramanga, Junio de 2016
JUSTIFICACIÓN
Dispositivos electrónicos como el diodo, el transistor y los amplificadores operacionales
son de gran uso en la electrónica analógica debido a su extensa gama de aplicaciones en
áreas tan importantes como los sistemas de control, las comunicaciones y la
bioingeniería. Por eso es importante que los estudiantes del programa conozcan los
conceptos y técnicas asociadas a estos dispositivos para desarrollar habilidades en el
diseño y análisis de circuitos electrónicos. En esta asignatura el estudio se centrará en los
diodos rectificadores y los transistores bipolares.
OBJETO DE ESTUDIO
Los circuitos electrónicos con diodos rectificadores, diodos zeners, filtros capacitivos e
inductivos y transistores de unión bipolar y de efecto de campo.
OBJETIVO DE FORMACIÓN
Analizar y diseñar circuitos electrónicos con diodos y transistores teniendo en cuenta las
características técnicas de los elementos, modelos circuitales, y las leyes y normas que
rigen su análisis, para describir el funcionamiento y/o realizar el montaje de un sistema
electrónico.
ESTRUCTURA DE LA ASIGNATURA POR UNIDADES TEMÁTICAS

ELECTRÓNICA I
Unidades
Temáticas
Diodos Filtros y fuentes Diodo zener Transistores de

semiconductores y no reguladas
unión bipolar BJT
aplicaciones
Competencia
Competencia Competencia
Competencia Analizar
circuitos
electrónicos con Analizar y
Analizar circuitos electrónicos Diseñar filtros y diodos zener, diseñar circuitos
con diodos semiconductores, fuentes DC no con base en sus electrónicos con
con base en sus reguladas, características transistores BJT,
características técnicas y técnicas y
modelos circuitales .
utilizando las en las diferentes
aplicaciones de los modelos configuraciones y
diodos circuitales. polarizaciones en
DC
semiconductores
Contenidos Contenidos
Contenidos Contenidos
• Diodo *Estructura Física

• Física de los • Filtros pasivos Zeners. del *transistor BJT,
Semiconductores. Capacitivo e NPN y PNP.
• Modelo
• Semiconductores Inductivo. *Factores de
Tipo p y Tipo n.
simplificad
Ganancia de
• Polarización de los oy Corriente Beta y
• Filtro LC.
Diodos aproximac Alfa.
Semiconductores iones *Configuraciones
• Filtro RC.
• Diodo Rectificador • Recortado Emisor común,
de Silicio y res y Base común y
• Fuentes DC no Colector común.
Germanio Sujetador
• Modelo
Reguladas *Curvas de
es con
simplificado, Colector.
Zener. *Regiones de
Aproximación ideal.
• Circuitos
• El Zener operación.
Recortadores serie como *Línea de carga.
y parale lo regulador *Punto de
nopolarizados y de voltaje. operación.
polarizados. • Opcional: *El transistor como
• Sujetadores o conmutador.
Fuentes *Fuente de
Fijadores de Nivel
reguladas corriente en el
no polarizados y
con Zener transistor.
polarizados.
*Circuitos de
• Rectificador de polarización en DC.
Media Onda *Polarización por
• Rectificador Onda divisor de Voltaje.
completa *Polarización por
retroalimentación
• Circuitos de emisor y
Multiplicadores de colector.
UNIDAD TEMÁTICA NO 1. DIODOS SEMICONDUCTORES Y

APLICACIONES
1.1 FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES, NIVELES DE ENERGÍA Y

MATERIALES EXTRÍNSECOS.
La palabra semiconductor se aplica normalmente a un rango de nivel entre dos

límites. Los materiales se clasifican de acuerdo con la facilidad para permitir el
flujo de carga o conductividad cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada
se aplica a sus terminales, así: conductores, cuando hay un gran flujo de carga ;
aislante o dieléctrico cuando ese flujo es nulo o casi nulo y semiconductor cuando
el flujo de carga es mucho mayor al dieléctrico y mucho menor al de un conductor.
La resistividad o resistencia al flujo de carga es una magnitud relacionada

inversamente con la conductividad.
Mientras mayor sea la conductividad del material menor será la resistividad del
mismo.
Se define la resistividad (ƿ) como la magnitud característica que mide la capacidad

de un material para oponerse al flujo de una corriente eléctrica. También recibe el
nombre de resistencia específica. Es la inversa de la conductividad eléctrica (σ).
La resistividad se mide en ohmímetro.
La resistividad eléctrica de un material viene dada por la expresión R · S/l, donde

R es la resistencia eléctrica del material, l la longitud y S la sección transversal.
Entonces:
En la tabla 1 se visualizan los valores de la resistividad en los diferentes clases de

materiales
Tabla 1. Valores representativos de la resistividad
Conductor Semiconductor Dieléctrico

p=10-6Q-m. Cobre ρ ≈ 50 Ω- cm. Germanio ρ ≈ 1012 Ω- cm. Mica
ρ ≈ 50 * 103 Ω- cm. Silicio
Fuente: https://books.google.co
Nos centraremos en los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el

silicio (Si) no son los únicos dos materiales semiconductores, pero ellos son los
que más se han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues
estos materiales poseen una consideración especial, se pueden fabricar con un

alto nivel de pureza. Se ha logrado una razón de una parte de impureza en diez
mil millones de partes de material (1:10.000.000.000). Esto es fundamental,
porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un material
semiconductor a uno conductor.
La otra razón importante para que el silicio y el germanio sean tenidos en cuenta
en la fabricación de semiconductores está en la habilidad para transformar
significativamente las características del material en un proceso
llamado dopaje. Además, pueden ser modificados por otros métodos como la
aplicación de luz o de calor.
El silicio y el germanio tienen una estructura atómica bien definida que por
naturaleza es periódica, es decir, que se repite continuamente. El patrón completo
se denomina cristal y el arreglo periódico se denomina red. En un cristal puro de
germanio o de silicio, los átomos están unidos entre sí en disposición periódica,
formando una rejilla cúbica tipo diamante perfectamente regular. Cada átomo del
cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interactúa con el
electrón del átomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los
electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino
puro, el material actúa como un aislante.
Pero es posible que estos electrones adquieran suficiente energía cinética de

origen natural para romper el enlace y asumir el estado de “libre”.
El término libre manifiesta que su movimiento será muy sensible a la aplicación de

potenciales eléctricos. Las causas naturales incluyen efectos como la energía
luminosa en forma de fotones o energía térmica que proviene del entorno.
El silicio tiene alrededor de 1,5 X 1010 portadores libres en un centímetro
cuadrado de materialintrínseco de silicio. Los electrones libres generados por
causas naturales se denominan portadores intrínsecos.
Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeñas cantidades de

impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las
impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fósforo,
antimonio o arsénico se denominan impurezas donantes porque aportan
un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de
valencia, de los cuales sólo cuatro establecen enlaces con los átomos de
germanio o silicio.
Por lo tanto, cuando se aplica un campo eléctrico, los electrones restantes de las
impurezas donantes quedan libres para desplazarse a través del material
cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de sólo tres
electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de
enlaces interatómicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas
receptoras, porque aceptan electrones de átomos vecinos. A su vez, las
deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los átomos vecinos se

rellenan con otros electrones y así sucesivamente.
Mientras más distante se encuentre un electrón del núcleo, mayor será su estado
de energía. La región prohibida se encuentra entre la banda de valencia y la
banda de ionización. Donde ionización es el mecanismo por medio del cual un
electrón puede absorber energía suficiente para escapar de la estructura atómica
e ingresar a la banda de conducción. Aparece el término de electrón volts. El cuál
es la medida con la cual se mide la energía asociada a cada electrón.
Se define la energía como el producto entre voltaje y carga asociada a cada
electrón y está dada en electrón voltios (eV).
En la figura No. 2 se visualizan las bandas de conducción y de valencia para las

diferentes clases de materiales
Fuente: http://cursos.tecmilenio.edu.mx/
Si sustituimos la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 voltio en

ese producto, obtendremos como resultado un nivel de energía referido como un
electrón voltio. La energía se expresa también en joules y la carga de un electrón
en 1,6 X 10-19 coulomb, entonces:
W= QV = (1,6 X 10-19 C) * (1 V) (1.3)
1 Ev = 1,6 X 10-19 J (1.4)
Cuando la temperatura es de 0 K o cero absolutos (-273,15 °C), todos los

electrones de valencia de un material semiconductor estarán ligados a la
estructura atómica. Pero si la temperatura llegase a 300 K o 25 °C, un número alto
de electrones de valencia habrán adquirido la suficiente energía para abandonar la
banda de valencia, cruzar la banda de energía vacía definida por Eg e ingresar a
la banda de conducción. En la figura 2 se establece una tabla para diferentes
materiales semiconductores y el valor de Eg. Es evidente que a temperaturas
ambiente existirán portadores libres, más que suficiente para mantener un flujo
constante de carga o corriente.
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y
compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el
seleniuro de zinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad
provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al
aumento del número de electrones conductores que transportan la corriente
eléctrica. En un semiconductor característico o puro como el silicio, los electrones
de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y son
compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al
cristal unido. Estos electrones de valencia no están libres para transportar
corriente eléctrica.
Para producir electrones de conducción, se utiliza la luz o la temperatura, que

excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de
manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan
contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga
positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de
los semiconductores a causa de la temperatura
Clases de materiales semiconductores
• Material intrínseco: material semiconductor refinado para reducir sus

impurezas a un nivel tan bajo que sea esencialmente puro (tecnología
moderna).
• Material extrínseco: material semiconductor que ha sido sujeto a un
dopado, con la finalidad de alterar sus características eléctricas mediante la
adición de átomos de impurezas.
Clases de materiales extrínsecos: tipo n y tipo p
• Material tipo n: se forman añadiendo elementos de impureza con cinco

electrones de valencia (pentavalentes) como arsénico (As), antimonio (Sb)
y fósforo (P). Ejemplo: Figura No.3 Impureza de antimonio
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama átomos
donadores.
El agregado de impurezas no hace que el átomo pierda su neutralidad, aunque
existan un gran número de portadores libres (electrones), # de electrones = # de
protones en las órbitas del átomo.
Ahora, los electrones libres pasan de la banda de valencia a la banda de
conducción con menor dificultad a temperatura ambiente, dando como resultado
un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción y
aumentando la conductividad del material de forma significante.
Material tipo p: se forma añadiendo elementos de impureza con tres electrones
de valencia; como el boro (B), galio (Ga) e indio (In). Ejemplo: Figura No. 4:
impureza del boro
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como
átomos aceptadores.
El agregado de impurezas no hace que el átomo pierda su neutralidad, aunque
exista un gran número de portadores libres (huecos), # de electrones = # de
protones en las órbitas del átomo.
En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el
portador minoritario.
En un material tipo p al hueco se le llama portador mayoritario y el electrón es el
portador minoritario.
La corriente convencional está establecida por el movimiento de huecos.
Una unión pn está formada por la aleación metálica de un material semiconductor
tipo p y n.
Una unión pn se convierte en diodo, agregando contactos óhmicos que permiten

que la unión quede conectada a otros elementos del circuito. Es decir un diodo
semiconductor está formado por materiales tipo p y tipo n así:
Símbolo eléctrico
Fuente:www.asifunciona.com
1.2 APROXIMACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES.
1.2.1 Primera Aproximación (el diodo ideal)
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen
de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por
eso es ideal.
Figura No. 5 Curva característica del diodo ideal

Fuente: http://www.sc.ehu.es/
Polarización directa: En polarización directa el diodo ideal actúa como un

interruptor cerrado, es decir se visualiza como un corto circuito.
Figura No.6. Diodo ideal en polarización directa
Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/
Polarización inversa: en polarización inversa el diodo ideal actúa como un

interruptor abierto, es decir se visualiza como un circuito abierto.
Figura No. 7 diodo ideal en polarización inversa
EJEMPLO: en el siguiente circuito hallar la corriente del circuito y el voltaje en la

resistencia de carga usando la primera aproximación del diodo semiconductor
Figura No. 8
En polarización directa:
1.2.2 Segunda Aproximación
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V
(este valor es el valor del voltaje de umbral para el silicio y para el germanio se
toma el valor de 0,3 V como voltaje de umbral).
Figura No. 9. Curva característica del diodo de silicio en su segunda aproximación

Hasta que el diodo de silicio llegue a su voltaje de umbral ( 0.7v) hay corriente de
conducción , antes de esto, el diodo está abierto y su corriente de conducción es
de 0A.
Polarización directa: en polarización directa el diodo de silicio actúa como una

fuente de voltaje de 0,7 V.
Figura No. 10
Polarización inversa: en polarización inversa el diodo de silicio actúa como un

interruptor abierto.
Figura No. 11
EJEMPLO: Resolver el mismo circuito anterior pero utilizando la segunda

aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior se analiza en
polarización directa:
Figura No. 12
Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/.
1.2.3 Tercera Aproximación
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
Figura No. 13. Curva característica del diodo semiconductor en su tercera

aproximación
En polarización directa:
Figura No. 14
Fuente: http://www.sc.ehu.es
EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, se toma 0,23

Ω como valor de la resistencia interna.
Figura No. 15
Fuente: http://www.sc.ehu.es
Figura No. 16 Curva característica de cualquier diodo semiconductor ( diodo

1N4001, diodo led, diodo zener)
Vu Tensión umbral
Vs Tensión de saturación
Vr Tensión de ruptura
OA Zona de baja polarización directa, pequeña corriente
AB Zona de conducción
OC Corriente inversa de saturación
Fuente: http://www.ifent.org
1.3 APLICACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES
1.3.1 Circuitos Recortadores de Voltaje
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que
se encuentre por encima o por debajo de algún nivel de referencia. También se
conocen como limitadores, selectores de amplitud o rebanadores.
1.3.1.1Circuitos Recortadores de voltaje sin polarizar
• Serie: en este circuito el diodo semiconductor está en serie con la salida.
Figura No. 17. Circuito recortador serie sin polarizar
Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad . Décima edición, pag 77
• Paralelo: en este circuito el diodo está en paralelo con la salida
Figura No. 18 Circuito recortador paralelo sin polarizar

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad . Décima edición, pág. 88
1.3.1.2 Circuitos Recortadores polarizados
• Serie: este circuito usa la fuente de voltaje DC para darle un recorte

diferente de cero a la señal de salida.
La fuente de DC debe tener un valor mucho menor que la fuente de
alimentación de alterna.
Figura No. 19 Circuitos recortadores serie polarizados
V<< Vi
• Paralelo
Figura No. 20. Circuito recortador polarizado paralelo

V<< Vi
1.3.2 Circuitos Sujetadores o fijadores de nivel
Un circuito sujetador añade un nivel de DC al voltaje de AC.

Hay dos tipos de sujetadores, los de nivel positivo y los de nivel negativo.
• Sujetador o cambiador de nivel positivo
Figura No. 21. Circuito sujetador de nivel positivo
Fuente: http://datateca.unad.edu.co/
Durante los semiciclos negativos el diodo esta polarizado en directa

permitiendo que el capacitor C se cargué aproximadamente a VP – 0.7V
donde VP es el voltaje pico de la señal de entrada. Después del pico
negativo el diodo queda polarizado en inversa y esto es porque la carga
positiva adquirida por el condensador bloquea al cátodo del diodo y busca
descargarse a través de R.
La idea es que el capacitor no se descargue totalmente cuando el diodo
esta en inversa para así mantener una corriente continua aproximada a VP
– 0.7V que por superposición cambie el nivel DC de la señal de entrada.
Para calcular la constante de tiempo de carga y descarga del condensador
se emplea la fórmula: T= R∙C
Una regla práctica de diseño es hacer que la constante de tiempo RC sea
10 veces el valor del periodo de la señal de entrada.
• Sujetador o limitador de nivel negativo

Si se invierta la polaridad del diodo y la del capacitor obtenemos un
Sujetador de nivel negativo.
Figura 22. Circuito sujetador de nivel negativo
Fuente: http://datateca.unad.edu.co
Los circuitos Sujetadores son frecuentemente utilizados en receptores de

televisión como restauradores del nivel DC de señales de video.
1.3.3 Circuito rectificador de media onda
Este circuito puede ser cualquier circuito recortador sea serie o paralelo,
polarizado o sin polarizar cuya señal de salida está compuesta por una
componente AC y una componente DC, es decir:
Figura No. 23 Circuito rectificador de media onda

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 77
Vdc = 0.318 vp componente DC del voltaje de salida

Vac = 0.385 vp componente AC del voltaje de salida
T = 16.666ms periodo señal rectificada
F = 60Hz Frecuencia de la señal rectificada
El proceso de eliminar la señal de entrada de media onda para establecer

un nivel de DC se llama rectificación de media onda.
PIV (PRV) (voltaje de pico inverso)

La capacidad de voltaje de pico inverso (PIV) o PRV (voltaje reverso pico)
del diodo es de primordial importancia en el diseño de sistemas de
rectificación.
El valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media onda se
determina con la figura No. 24, la cual muestra el diodo polarizado en
inversa con un voltaje máximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de
Kirchhoff, que el valor nominal de PIV del diodo debe ser igual a o exceder
el valor pico del voltaje aplicado. Por consiguiente:
Figura No. 24 PIV circuito rectificador media onda
Análisis matemático: por LVK se tiene: Vm + Vo + PIV = 0 , pero Vo = 0v

Entonces: PIV = Vm
1.3.4 Rectificador onda completa
El nivel de cd obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar al

100% mediante un proceso llamado rectificación de onda completa cuyo
circuito más usado para tal fin es el denominado puente de cuatro diodos.
1.3.4.1 Rectificador onda completa con puente de cuatro diodos
Figura No. 25 circuito rectificador de onda completa con puente de cuatro

diodos

La señal de salida con rectificación de onda completa está compuesta por

una componente DC y una componente AC, así:
Vdc = 0.636 vp
Vac = 0.308 vp,
Además el periodo y la frecuencia en una señal con rectificación onda
completa está dada por:
Periodo (T) = 8.33mseg
Frecuencia (F) = 120Hz
PIV: El PIV requerido de cada diodo (ideal) se determina en la figura No.

26 obtenida en el pico de la región positiva. Para el lazo indicado el voltaje
máximo a través de R es Vm y el valor nominal del PIV está definido por:
PIV ≥ Vm
Figura No. 26. PIV circuito rectificador onda completa con puente de 4
diodos
Análisis matemático: por LVK se tiene que: - PIV + Vm = 0

Entonces: PIV = Vm
1.3.4.2 Rectificador onda completa con Tab central
Figura No. 27 Circuito rectificador onda completa con tab central

PIV: en la red de la figura No. 28 se determina el PIV neto para cada diodo
de este rectificador de onda completa. Insertando el valor máximo del
voltaje secundario y Vm como se establece en la malla adjunta el resultado
es: PIV = Voltaje del secundario + VR
Figura No. 28 Gráfica PIV circuito rectificador onda completa con tab central
PIV = Vm + Vm
PIV = 2Vm
1.3.5 Circuitos Multiplicadores de voltaje
Un circuito multiplicador aumenta los valores de voltaje sin necesidad de cambiar

el transformador de la fuente principal. Multiplicando por 2, 3 y 4 el valor de voltaje
a su entrada.
El principio de operación de estos circuitos es la carga sucesiva de condensadores
debido a la habilitación en cascada de diodos.
Estos circuitos se implementan cuando hay cargas que necesitan una tensión muy
alta y que absorben una corriente pequeña.
Una aplicación común se da en los circuitos que elevan el voltaje para alimentar el
Tubo de rayos catódicos de Televisores, Monitores y Osciloscopios.
Existen varios tipos de multiplicadores de tensión:
• El Doblador de voltaje de media onda

• El Triplicador
• El Cuadriplicador
• El Doblador de tensión de onda completa
1.3.5.1 Circuito Doblador de voltaje de media onda
Un doblador de voltaje de media onda es la combinación de un rectificador de

media onda con un multiplicador de voltaje con factor de multiplicación 2.
Figura No. 29 Circuito doblador de media onda

El circuito funciona de la siguiente manera:

Durante el semiciclo positivo el diodo D1 está polarizado en directa y el diodo D2
está polarizado en inversa y el condensador C1 se carga aproximadamente al
valor pico del voltaje en la entrada menos la caída de voltaje del diodo (VP – 0.7V).
Durante el semiciclo negativo el diodo D2 está polarizado en directa y el diodo D1
está polarizado en inversa. En este punto el voltaje almacenado en C1 se suma al
voltaje de entrada cargando el condensador C2 a (2VP).
D2 rectifica a media onda y C2 filtra la onda pulsante, el resultado es una salida de
corriente continua de voltaje aproximadamente el doble de la entrada (2VP).
Demostración por ley de Kirchhoff:
VC1 − VC2 + VP = 0
VC1 = VP – 0.7V
VC2 = VP + VC1
Despreciando la caída del diodo de:
VC2 = VP + VP = 2VP
1.3.5.2 Circuito Triplicador de voltaje
Figura No. 30 Circuito Triplicador de voltaje
http://datateca.unad.edu.co/

Durante el semiciclo positivo el diodo D1 está polarizado en directa y el
condensador C1 se carga aproximadamente al valor pico del voltaje en la entrada.
Durante el semiciclo negativo el diodo D2 está polarizado en directa. En este
punto el voltaje almacenado en C1 se suma al voltaje de entrada cargando el
condensador C2 a (2VP).
La descarga de C2 carga C3 mientras D3 esta polarizado en directa.
La salida del circuito es aproximadamente 3VP.
1.3.5.3 Circuito Cuadriplicador de voltaje
Figura No. 31 Circuito Cuadriplicador de voltaje
.
Si a un circuito Triplicador se le agrega un Diodo y un Condensador adicional en

cascada se obtiene un circuito cuadriplicador de voltaje que multiplica por 4 el
valor del voltaje de entrada.
En este caso C4 se carga durante el semiciclo negativo a través de D4; la salida
del voltaje cuadriplicado se toma en los extremos de C2 y C4.
1.3.5.4 Circuito Doblador de tensión de onda completa
Figura No. 32 Circuito Doblador de tensión de onda completa

Durante los semiciclos positivos D1 esta polarizado en directa y C1 se carga

aproximadamente al valor de VP, luego durante los semiciclos negativos D2 esta
polarizado en directa y C2 se carga aproximadamente también al valor de VP; la
salida se toma de un extremo de C1 y C2 y el voltaje resultante es 2VP.
2. UNIDAD TEMÁTICA 2. CIRCUITOS FILTROS Y FUENTES NO

REGULADAS DE VOLTAJE
2.1 CIRCUITOS FILTROS
Teniendo en cuenta que la mayor parte de los aparatos electrónicos deben

trabajar con corriente continua esencialmente pura o similar a la que se obtiene de
una batería. Debido a la salida de un circuito rectificador no se debe aplicar
directamente a un aparato electrónico sin antes haber limitado su ondulación o
componente alterna. A los circuitos utilizados para alisar dicha ondulación se les
llama filtros a través de los cuales se obtiene un voltaje DC más estable.
2.1.1 Clases de filtros
2.1.1.1 Filtro capacitivo
La salida de un rectificador se caracteriza por sus ondulaciones (componente AC)

porque la energía se suministra a la carga en forma de pulsos. Tales ondulaciones
se atenuarán considerablemente si se almacena una parte de la salida producida
durante los pulsos, con el fin de liberarla y suministrarla a la carga en los intervalos
que hay entre los pulsos.
El condensador como filtro se conecta a la salida del rectificador y en paralelo con

este mismo y con la carga (ver figura No 33). En paralelo debido a que el
condensador se debe cargar a un nivel de voltaje igual a vp de la señal rectificada.
Además se usa un condensador electrolítico cuya polaridad debe coincidir con la
polaridad del circuito rectificador, si no es así el condensador se daña.
El objetivo del condensador como filtro es eliminar la componente AC del voltaje

rectificado.
Figura No. 33. Circuito filtro capacitivo
Fuente: http://es.scribd.com/
La figura No. 34 muestra la salida de la señal filtrada del circuito No 33
Figura No. 34. Voltaje de salida de la señal filtrada
Fuente: apuntes Electrónica I Mabel Rocío Díaz Pineda. Bucaramanga 2016
Puesto que el ciclo de carga y descarga del condensador ocurre cada medio ciclo
de un rectificador de onda completa, el periodo de la formal de onda de la señal
rectificada es T/2, es decir el doble de la frecuencia de la señal de entrada, a este
proceso se le conoce en los filtros capacitivos como Detección pico o rectificación
pico.
Factor de rizado (Kr): Es la variación entre el voltaje de rizado y el voltaje DC

filtrado y está dado por la siguiente ecuación:
Kr = VACriz/( VDCriz) , por lo tanto, el rizado de la señal filtrada es:

r = Kr * 100%
Por otro lado de la Figura No. 34 se obtienen las siguientes fórmulas:
VDCriz= Vp – (Vppriz/2) Voltaje DC a la salida del filtro o
VDCriz = VpRL /( 1+ √ 3*r) Voltaje DC a la salida del filtro
VACriz = Vppriz / (2√3) Voltaje AC a la salida del filtro
Vppriz = IDC / (2*fent*C) , Donde fent = 60Hz voltaje pico-pico de rizado
C = 0.24 / (RL* r) capacitancia
IDC = VDC riz / RL
r = VACRL / (VDCRL) * 100% rizado de la señal rectificada
Donde VACRL = 0.385 Vp RMO
VACRL = 0.308 Vp ROC
VDCRL = 0.636 Vp ROC
VDCRL = 0.318 Vp RMO1
Fent = frecuencia de entrada
VACRL = voltaje AC rectificado o sin filtrar
VDCRL = voltaje DC rectificado o sin filtrar
IDC = corriente DC que pasa por el filtro
1
RMO: rectificación media onda
ROC: rectificación onda completa
NOTA: para cualquier clase de filtro si el rizado r ≤ 6.5% entonces VDCriz = VP
2.1.1.2 Filtro Inductivo
El inductor o bobina es otro dispositivo que puede almacenar y liberar

alternadamente energía eléctrica.
La bobina se conecta en serie con la carga (Figura No. 35) con el fin de alisar la
corriente alterna.
La inductancia almacena la energía en un campo magnético, mientras la

intensidad de la corriente rectificada crece y cede eta energía más o menos
rápidamente según la constante de tiempo L/RL, cuando la corriente de la señal
rectificada de la fuente va disminuyendo, es decir, que si el factor tao es pequeño
se obtiene menor filtrado debido a que la componente de alterna aumenta, pero si
el factor L/RL es grande se obtiene mejor filtrado porque la componente alterna
(rizado) disminuye. Luego si el factor L/RL es demasiado grande, se tiene
entonces que el rizado tiende a cero voltios (VACriz = 0v) mientras que el VDCriz =
VDCRL (detección promedio), es decir, que los filtros inductivos también reciben el
nombre de detectores de valor promedio, debido a que V DCriz = VDCRL porque la
inductancia “choquea o estrangula” la señal rectificada por encima y por debajo del
valor promedio entregado por el rectificador.
Figura No. 35 Circuito filtro inductivo
Fuente: http://www.monografias.com
2.1.1.3 Circuito Filtro de entrada simple inductiva (Filtro L)
Este circuito se denomina de entrada simple inductiva o por choque debido a la

capacidad que tiene el inductor para choquear el paso de la componente de
alterna que circula por la carga (RL).
En la figura No. 36 se muestra el circuito de entrada simple inductiva

Figura No. 36 Circuito filtro de entrada simple inductiva
Fuente: http://www.monografias.com/
El filtro de entrada simple inductiva está constituido por una bobina, un

condensador y una resistencia. La bobina está en serie con la carga con el fin de
alisar la componente de la corriente alterna, el condensador está en paralelo para
alisar la tensión.
La bobina permite que la componente de DC pase a través de ella fácilmente,
porque la reactancia inductiva (XL= 2*π*f *L) tiende a 0Ω para una señal de DC
(circuito cerrado) debido a que F = 0Hz. El condensador impide que la
componente DC pase a través de él, porque a su reactancia capacitiva ( Xc=
1/(2*π*f*C) tiende a infinito ( circuito abierto) debido a que f=0Hz. Por lo tanto
idealmente toda la componente DC que pasa por la inductancia llega a la carga
(RL). Del circuito de la figura No. 36 se generan las siguientes fórmulas:
VDCriz= (VDCRL *RL)/ (RDC + RL) Voltaje DC filtrado

VACriz = VACRL *(XC/XL) Voltaje AC filtrado
XC = 1/(2*π*fsal*C) inductancia capacitiva
XL= 2*π*fsal*L inductancia inductiva
L= RL/ (6*π*fsal) inductancia
Fsal = 60 Hz para ctos con rectificación media onda
Fsal = 120 Hz para ctos con rectificación onda completa
RDC = resistencia DC de la bobina
RL = resistencia de carga
VDCRL = voltaje DC rectificado
VACRL = voltaje AC rectificado
2.1.1. 4 Circuito filtro de entrada simple capacitiva o filtro LC
Ni el filtro simple capacitivo, ni el de entrada simple inductiva pueden eliminar

eficientemente las ondulaciones (componente AC rectificada) del voltaje, por lo
cual se usa filtros en los cuales se combinan los dos métodos. En la figura No. 37
se muestra un filtro de entrada simple capacitiva, el cual recibe este nombre
debido a que el primer elemento que actúa como filtro después del rectificador es
una capacitancia (C1).
Figura No. 37. Circuito filtro de entrada simple capacitiva

Fuente: http://www.monografias.com/
Del circuito de la figura No. 37 se generan las siguientes ecuaciones:
VDCriz= (VDCc1 *RL)/ (RDC + RL) Voltaje DC filtrado

VACriz = VACc1 *(XC/XL) Voltaje AC filtrado
XC = 1/(2*π*fsal*C) inductancia capacitiva
XL= 2*π*fsal*L inductancia inductiva
Fsal = 60 Hz para ctos con rectificación media onda
Fsal = 120 Hz para ctos con rectificación onda completa
RDC = resistencia DC de la bobina
RL = resistencia de carga
VDCc1 = es el voltaje DC del condensador C1
VACc1= es el voltaje AC del condensador C1
2.2 FUENTES DC NO REGULADAS
Las fuentes de alimentación no reguladas se usan en aquellos casos en los que

las variaciones del voltaje de salida no son críticas como por ejemplo en muchos
circuitos de radios, cargadores de pilas, etc. Se emplean por su característica de
bajo costo y simplicidad.
Tipos de fuentes no reguladas:
1- Fuente de alimentación con rectificador de media onda.

2- Fuente de alimentación con rectificador de onda completa.
3- Fuente de alimentación con rectificador de puente de onda completa.
4- Fuente de alimentación con multiplicador de voltaje.
En la figura No. 38 se muestra el diagrama de bloques de una fuente regulada de

voltaje DC
Figura No. 38 fuente regulada de voltaje DC

Fuente: http://www.electronicadigitalfuente.blogspot.com.co
3.0 UNIDAD TEMÁTICA NO 3. DIODO ZENER
3.1DIODO ZENER
3.1.1 Características generales del diodo zener
Los diodos zener, también se llaman diodo de suitcheo rápido, son diodos que
están diseñados para mantener un voltaje constante en sus terminales llamado
Voltaje o Tensión Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, y usarlo
principalmente como regulador de voltaje, es decir cuando está el cátodo con una
tensión positiva y el ánodo negativa.
En la siguiente figura se visualiza los símbolos del diodo zener
Figura No. 39. Símbolos del diodo zener
Fuente: http://www.areatecnologia.com
Cuando un diodo zener se polariza inversamente y se llega a Vz el diodo conduce

y mantiene la tensión Vz aunque ésta se aumente, de lo contrario si la tensión que
le llega por el cátodo es menor que su Vz el diodo se visualiza como un circuito
abierto. La corriente que pasa por el diodo zener cuando éste funciona como
regulador de voltaje se llama corriente inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz .Además cuando el zener está

polarizado directamente se comporta como un diodo de silicio siempre y cuando
le llegue un voltaje igual o mayor a 0.7v.
Las dos características más importantes de un diodo zener son: la Tensión Zener
y la máxima Potencia que pueden disipar = Pz (potencia zener).
La relación entre Vz y Pz determina la máxima corriente inversa, llamada Izmáx.

OJO si se sobrepasa esta corriente inversa máxima, el diodo zener puede
quemarse, ya que no será capaz de disipar tanta potencia. Por ejemplo: se tiene
un diodo zener de 5,1V y 0,5w. ¿Cuál será la máxima corriente inversa que
soportará?
Recordando que P = V x I; I = P/V. Entonces: Izmáx = Pz/Vz = 0,5/5,1 = 0,098A.
Para evitar que nunca se pase de la corriente inversa máxima, los diodos zener se
conectan siempre con una resistencia en serie la cual se llama "Resistencia de
Drenaje".
3.1.2 Curva característica del diodo zener
En la gráfica No. 40 se muestra la curva característica del diodo zener
Gráfica No. 40 Curva característica del diodo zener
Fuente: http://www.areatecnologia.com
3.2 MODELO SIMPLIFICADO DEL DIODO ZENER Y APROXIMACIONES
3.2.1 Modelo ideal (1ª aproximación)
Figura No. 41. 1ª aproximación del diodo zener

Fuente: www. datateca.unad.edu.co
3.2.2 Segunda aproximación del diodo zener
Figura No. 42 Segunda aproximación del diodo zener
Fuente: www.datateca.unad.edu.c
La segunda aproximación se puede sustituir por un modelo equivalente como se

visualiza en la siguiente figura:
Figura No. 43. Modelo equivalente del zener
Fuente: www.datateca.unad.edu.c
3.3 RECORTADORES Y SUJETADORES CON ZENER

El diodo zener al ser polarizado por el ánodo se puede usar como circuito
recortador de voltaje o como circuito sujetador de voltaje cuyo funcionamiento es
igual al que se estudió anteriormente en la unidad temática 1 numerales 1.3.1 y
1.3.2.
3.4 EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE
Debido a problemas como: RL variable y variaciones de tensión de red, la onda de

salida de un circuito puede variar entre dos valores y como el objetivo del
regulador de voltaje es obtener una tensión constante a la salida, este problema
se resuelve al colocar un regulador de tensión basado en el diodo zener.
Una fuente regulada con diodo zener es como se visualiza en el siguiente circuito:
Figura No. 44. Fuente de voltaje regulada con diodo zener
Fuente: www.datateca.unad.edu.co
3.4.1 Regulador de voltaje con diodo zener y fuente de entrada variable
En el circuito de la figura No. 45, Vs estará entre un mínimo y un máximo, y el

regulador tiene que funcionar bien entre esos 2 valores (vSmáx y vSmín).En este
caso Vs es una fuente de continua variable.
Figura NO. 45 Regulador de voltaje con fuente de entrada DC variable

Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de
ruptura como se observa en la figura No. 46 y el diodo se visualizará como una
fuente de voltaje DC cuyo valor de voltaje es el vz , cuando entra en conducción al
ser polarizado por el cátodo
Figura No. 46
Para que el diodo zener esté en ruptura se debe cumplir que :

EJEMPLO: Comprobar si el siguiente circuito funciona correctamente:
Figura NO. 47
Desarrollo
Hallar IZmín y IZmáx para comprobar si funciona bien.
Figura NO. 48
En el circuito anterior el diodo zener funciona bien porque se encuentra entre los
dos valores (máximo y mínimo). La salida es constante, lo que absorbe la tensión
que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).
3.4.2 Regulador de tensión con carga
En el circuito de la figura NO. 49 se debe comprobar que el zener está en

ruptura, para esto se calcula el equivalente de Thevenin desde los terminales del
voltaje VZ:
Figura NO. 49
Para comprobar que el zener está en ruptura se hace lo siguiente:
Figura No. 50
Como en el caso anterior, los valores del circuito tienen que estar entre un
máximo y un mínimo:
Entonces, el zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y, la resistencia (R)

la tensión sobrante. Por lo tanto a la salida la forma de la onda es la siguiente:
Figura No. 51 Forma de onda de salida del circuito regulador de voltaje de la figura
No. 50
Fuente: Mabel Rocío Díaz P. Bucaramanga 2016 .UTS

4.0 UNIDAD TEMÁTICA NO 4. TRANSISTORES BIPOLARES BJT
4.1 CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LOS TRANSISTORES BJT
Un transistor BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos

uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,

mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte (constituye la región de corte), estado de saturación
(constituye la región de saturación) y estado de actividad (constituye la región
activa).
4.1.1 Estructura Física del transistor BJT, NPN y PNP
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:

la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N
en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta

de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
una gran β ( ganancia en DC).
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente

un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que
los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras
que el colector está ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La
unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La
razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor
deben provenir del emisor. En la figura No. 52 se muestra etranl símbolo eléctrico
de un transistor NPN y de un transistor PNP
Figura NO. 52.Símbolo eléctrico de los transistores NPN y PNP
Fuente: Transistor de unión bipolar en Google libros
4.1.2 Factores de Ganancia de Corriente Beta y Alfa.

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de

electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que
muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor
común está representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa
directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia
de corriente base común , . La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN o PNP):
4.1.3 Regiones de operación
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:
• Región activa: directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor: IE = (β + 1) * Ib , esta corriente se da en mA
Corriente del colector: IC= β* Ib , esta corriente se da en mA
Corriente de base se da en µA o nA nunca cero amperios.
VBE = 0.7v
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región

de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de señal.
• Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.
• Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el

voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay caída de voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como
un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
En esta región se tiene :
VC= Vcc = VCE
VE = 0v
• Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie =
Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de

alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat.
Cuando el transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación
Ic=β·Ib (y por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como
un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a
cero. En esta región se tiene:
VC = 0v
VE = es un voltaje grande
VCE= 0v
IB está dada en mA y las corrientes de emisor y colector están dadas en
amperios.
Las regiones de corte y saturación, es importante para la electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.
4.1.4 Punto de operación
Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de DC resultantes

establecen un punto de operación en las características que definen la región que
se empleará para amplificar la señal aplicada. Como el punto de operación es un
punto fijo en las características, también se llama punto quiescente (abreviado
punto Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo.
4.1.5 Recta de carga
En la figura No. 53 se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del

transistor, especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto
se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga estática:
si Q se encuentra en el límite superior de la recta, el transistor estará saturado, en
el límite inferior el transistor estará en corte y en los puntos intermedios en la
región lineal. Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que
relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas características del
transistor de la figura 54, corresponde a una recta.
La siguiente ecuación define la recta de carga obtenida al aplicar LVK al circuito
de polarización, de forma que:
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del transistor
se seleccionan dos puntos:
a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.
b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 53 y

representan los cortes de la recta de carga estática con los ejes de coordenadas.
Figura No. 53. Gráfica del punto Q y la recta de carga de un transistor BJT
Figura No. 54
4.2 CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR BJT

4.2.1 Configuraciones Emisor común, Base común y Colector común
• Configuración de base común: recibe este nombre porque la base es el

punto común (tierra) entre el colector y el emisor del transistor BJT.
Es una configuración bastante popular porque en el dominio de AC tiene
una muy baja impedancia de entrada, una alta impedancia de salida y una
buena ganancia. En esta configuración el transistor actúa como un
amplificador de corriente.
Figura NO. 55 Amplificador en base común
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff se obtiene:

- VEE + IERE + VBE = 0
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a todo el perímetro de la red de la

figura 55 se obtiene: - VEE + IERE + VCE + ICRC - VCC = 0
VCE = VEE + VCC - IERE – ICRC
IE = IC
El voltaje de la figura VCB se determina aplicando la ley de voltajes de
Kirchhoff a la malla de salida de la figura 55 para obtener:
VCB + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC – ICRC
IE = IC
VCB = VCC – ICRC
• Configuración de Emisor común (el transistor como conmutador): este

circuito se denomina de esta forma porque el emisor es el punto común
entre la base y el colector del transistor. Este circuito se utiliza como
interruptor o switche en computadoras y sistemas de control.
Figura No. 56 Configuración de emisor común
Trabajando en la región activa se tiene que:
IB = (VBB – 0.7 ) / RB
VCE = Vc – VE pero VE = 0v entonces: VCE = VC = VCC - VRC
La red de la figura No. 56 se puede emplear como un inversor en los

circuitos lógicos de una computadora. El voltaje de salida VC se opone al
aplicado a la terminal de entrada o base.
El diseño apropiado para el proceso de inversión requiere que el punto de
operación cambie de corte a saturación a lo largo de la recta de carga. Por
lo tanto se tiene:
IC = ICEO = 0 mA cuando IB = 0 mA
VCE = VCEsat = 0 V
Además de contribuir a lógica de la computadora, el transistor también se puede

emplear como interruptor si se utilizan las mismas extremidades de la recta de
carga. En condiciones de saturación, la corriente IC es bastante alta y el voltaje
VCE muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos terminales,
determinado por:
que se ilustra en la figura No. 57
Figura NO. 57
• Configuración de Colector común: Este circuito se llama así porque el

colector es el punto común entre la base y el emisor del transistor.
A esta configuración se la suele llamar seguidor de emisor. La entrada de
señal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el
colector como en el resto de los circuitos.
Si la unión base emisor está polarizada directamente, el transistor va a
conducir, mientras que si está inversamente polarizada no lo hará.
En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión
que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga,y, la impedancia de
salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de

señal, por lo cual es usado para acople de impedancias.
Figura No. 58 Configuración de colector común
En esta configuración en la región activa se tiene:
IB = (VBB – 0.7) / (β * IB) R
VCE= VC – VE , pero VC = 0v, Entonces:
VCE = -VE = -(IE * R)
4.3 POLARIZACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR BJT

4.3.1 Punto de operación en las diferentes polarizaciones
4.3.2.1.1 Polarización Fija

Figura NO 59 Curva de carga y punto Q configuración Fija
4.3.2.1.2 Configuración de polarización de emisor
Figura NO. 60 Recta de carga y punto Q para la configuración de polarización de

emisor
4.3.2.1.3 Configuración de polarización por divisor de voltaje
Figura No. 61 Punto Q y recta de carga de la configuración de polarización por

divisor de voltaje
RTH= R1// R2

Electrónica I. Apuntes de Clase

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Electrónica I. Apuntes de Clase

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Electrónica I. Apuntes de Clase

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

ELECTRÓNICA I.

ELECTRÓNICA I. APUNTES DE CLASE

REALIZADO POR: MG. MABEL ROCIO DÍAZ PINEDA

UNIDADES TECNOLÓGICAS DE SANTANDER

ESTRUCTURA DE LA ASIGNATURA POR UNIDADES TEMÁTICAS

Diodos Filtros y fuentes Diodo zener Transistores de

• Diodo *Estructura Física

UNIDAD TEMÁTICA NO 1. DIODOS SEMICONDUCTORES Y

1.1 FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES, NIVELES DE ENERGÍA Y

La palabra semiconductor se aplica normalmente a un rango de nivel entre dos

La resistividad o resistencia al flujo de carga es una magnitud relacionada

Se define la resistividad (ƿ) como la magnitud característica que mide la capacidad

La resistividad eléctrica de un material viene dada por la expresión R · S/l, donde

En la tabla 1 se visualizan los valores de la resistividad en los diferentes clases de

Tabla 1. Valores representativos de la resistividad

Conductor Semiconductor Dieléctrico

Nos centraremos en los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el

estos materiales poseen una consideración especial, se pueden fabricar con un

Pero es posible que estos electrones adquieran suficiente energía cinética de

El término libre manifiesta que su movimiento será muy sensible a la aplicación de

Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeñas cantidades de

deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los átomos vecinos se

En la figura No. 2 se visualizan las bandas de conducción y de valencia para las

Si sustituimos la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 voltio en

W= QV = (1,6 X 10-19 C) * (1 V) (1.3)

1 Ev = 1,6 X 10-19 J (1.4)

Cuando la temperatura es de 0 K o cero absolutos (-273,15 °C), todos los

Para producir electrones de conducción, se utiliza la luz o la temperatura, que

Clases de materiales semiconductores

• Material intrínseco: material semiconductor refinado para reducir sus

Clases de materiales extrínsecos: tipo n y tipo p

• Material tipo n: se forman añadiendo elementos de impureza con cinco

Una unión pn se convierte en diodo, agregando contactos óhmicos que permiten

1.2 APROXIMACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES.

1.2.1 Primera Aproximación (el diodo ideal)

Figura No. 5 Curva característica del diodo ideal

Polarización directa: En polarización directa el diodo ideal actúa como un

Figura No.6. Diodo ideal en polarización directa

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/

Polarización inversa: en polarización inversa el diodo ideal actúa como un

Figura No. 7 diodo ideal en polarización inversa

EJEMPLO: en el siguiente circuito hallar la corriente del circuito y el voltaje en la

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/

1.2.2 Segunda Aproximación

Figura No. 9. Curva característica del diodo de silicio en su segunda aproximación

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/

Polarización directa: en polarización directa el diodo de silicio actúa como una

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/

Polarización inversa: en polarización inversa el diodo de silicio actúa como un

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/

EJEMPLO: Resolver el mismo circuito anterior pero utilizando la segunda

Fuente: Fuente: http://www.sc.ehu.es/.

1.2.3 Tercera Aproximación

Figura No. 13. Curva característica del diodo semiconductor en su tercera

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, se toma 0,23

Figura No. 16 Curva característica de cualquier diodo semiconductor ( diodo

1.3 APLICACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

1.3.1 Circuitos Recortadores de Voltaje

1.3.1.1Circuitos Recortadores de voltaje sin polarizar