INFORME DE LABORATORIO

CIRCUITOS DE AUTOPOLARIZACION Y POLARIZACION FIJA

INTEGRANTES:

DANIEL ESTEBAN ARIAS

1017225782

MANUELA CANO

1020483103

MARIA CAMILA BEDOYA GOMEZ

1017242269

PROFESOR:

VICTOR HUGO JARAMILLO ZULUAGA

ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

GRUPO: EAO54-4

FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS

INSTITUTO TECNOLÓGICO METROPOLITANO

MEDELLÍN

2018
 CIRCUITOS DE AUTO POLARIZACIÓN Y POLARIZACIÓN FIJA

1. Introducción

2. Objetivos

3. Marco teórico

3.1 Circuito de polarización fija

3.2 Circuito de auto polarización

3.3 Data sheet

4. Conclusiones
 Introducción

En el presente documento abordaremos todo lo relacionado con los circuitos de polarización fija
y auto polarización que como ya sabemos son dos maneras de manejar el transistor como
amplificador. Recordemos que el transistor que es la base o el fundamento de estos circuitos es
un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión actuando como un interruptor o
amplificador para señales electrónicas, también es muy importante tener en cuenta que los
transistores son los elementos que han facilitado el diseño de circuitos electrónicos de reducido
tamaño. Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,moviles y mas..

Objetivos
* Comparar de manera teórica y práctica los conocimientos adquiridos en clase

* Verificar si la elección del punto Q para la realización de los cálculos matemáticos fue la
correcta.

* Entender las diferencias entre un circuito de polarización fija y auto polarizado

* Simular de los circuitos características con los datos obtenidos previamente para la
construcción del circuito

* Construir de manera correcta con los conocimientos adquiridos en clase cada uno de los
circuitos

* Implementar los conocimientos básicos de electrónica para encontrar los valores de las
resistencias que se deben implementar para el correcto funcionamiento del circuito
 Marco conceptual

Los transistores tienen como función principal la amplificación de señales, para lograr este
cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicación de voltajes DC en sus
uniones B-E y B-C. Esto se consigue a través de circuitos de polarización, los cuales garantizan
que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en su zona
activa.

Existen una gran variedad de circuitos de polarización, dentro de los cuales podemos
identificar claramente cuatro tipos básicos:

a) circuito de polarización fija (corriente de base constante)

b) circuito de auto polarización

c) circuito de polarización por divisor de voltaje (tipo H o universal)

d) circuito de polarización por realimentación de colector

Empezaremos analizando el más sencillo de éstos circuitos

3.1 a) circuito de polarización fija: este circuito es el mas sencillo de todos los circuitos de
polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando
este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de
co - rriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará
el transistor (saturación, activa o corte).

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con exactitud el

punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencionó al inicio, lo que se busca es polarizar al
transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr esto debemos hacer uso de
ecuaciones características del circuito. Empezaremos por analizar dichas ecuaciones. Para
realizar esto último, debemos identificar la malla de entrada y de salida del circuito.

Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa RB, la unión B-E (produciendo el
voltaje VBE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación de malla:

Vcc= IB*RB + VBE ...(1) Por tratarse de transistores de silicio, VBE= 0,7 v

De la ecuación (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q),
considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces: IBQ = (Vcc -
VBE)/RB ... (2)

Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E (produciendo el
VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación:

Vcc= IC*RC + VCE ... (3)

De la ecuación (3) podemos despejar IC:

IC = -(1/RC)*VCE + (Vcc/RC) ... (4)

La ecuación (4) representa la Ecuación de la Recta de Carga, cuya gráfica nos permite
encontrar dos puntos característicos: la corriente máxima de colector (Isat) y el voltaje
colector-emisor máximo (Vcorte). Además podemos ubicar sobre ella el punto de trabajo (Q)
del transistor, que gráficamente representa la intersección de la Recta de carga con la curva
característica.

Para: VCE= 0, tenemos:

ICmax= Isat= Vcc/RC (saturación)

Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0

Además, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el valor de
VCEQ:

ICQ = b*IBQ

IEQ = (1+b)*IBQ

VCEQ = Vcc - ICQ*RC

Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de trabajo.Este tipo
de polarización no es muy estable, pues el punto Q varía bastante a medida que el transistor se
encuentra trabajando más tiempo. Cuando se requiere realizar el diseño de un circuito de este
tipo, es necesario tener como datos el punto Q, el Vcc y el beta (b) del transistor. Por ejemplo,
si deseamos polarizar a un transistor 2N2222A en el punto: ICQ= 10 mA y VCEQ= 10 v, con
Vcc= 20 v, debemos calcular el valor de RB y RC.

Considerando el beta típico que proporciona el fabricante, b= 200. Entonces:

RB= (Vcc - VBE)/IBQ

Como: IBQ= ICQ/b, entonces: RB= (Vcc - VBE)/(ICQ/b) , remplazando valores:

RB= (20 - o.7)/(10/200) = 386 k

Ahora calculamos RC:

RC= ( Vcc - VCEQ)/ICQ , remplazando valores tenemos:

RC= ( 20 - 10 )/ 10 = 1 k

El beta típico considerado en los cálculos no necesariamente coincide con el beta real, cada
transistor posee un valor de beta diferente, a pesar de pertenencer al mismo código. Por esta
razón es necesario a veces recalcular los valores iniciales, cuando en las mediciones
obtenemos valores bastante alejados de los teóricos.

También es importante obtener el valor de RB que satura al transistor, este valor de obtiene
de la misma fórmula utilizada anteriormente, solo que esta vez se evalúa en saturación,
entonces:

RB= ( Vcc - VBE)/(Isat/b) , entonces: hallamos primero el valor de Isat.

Isat= Vcc/Rc, remplazando valores tenemos:

Isat= 20/1 = 20 mA , entonces:

RB = ( 20 -0.7) /( 20/200) = 193 K

Simulación
3.2 b) circuito de auto polarización:

LVK en malla de compuerta

A esta ecuación se le conoce como ecuación de la recta de polarización. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:

La recta 1 representa una pequeña y proporciona un elevado valor de, ideal para una buena
ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en los parámetros
del JFEt, como puede observarse.

La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.

La recta 3 produce buena estabilidad del punto de operación, sin embargo produce valores de
bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseñadores optan por el tipo de polarización dado por la recta 2 Este
tipo de polarización es mejor que la polarización fija ya que el punto de operación es más
estable.

En la recta 2 la puede llamarse óptima ya que esta recta pasa por el centro de una de las
curvas de transconductancia.

Óptima puede calcularse:

Las coordenadas del punto de operación cuando se presenta óptima es:

Normalizando:

Si el punto de operación está a la mitad de la curva entonces:

Resolviendo la ecuación cuadrática:

Como:
Y como < entonces la solución es:

El mismo razonamiento se obtiene para :

LVK en malla de compuerta

A esta ecuación se le conoce como ecuación de la recta de carga en C.C

Simulación

Conclusiones
El uso del transistor como dispositivo electrónico ha facilitado muchos procesos en el
campo debido a sus múltiples ventajas como lo son la operación con muy poco voltaje y
poco suministro de energía, que no necesita periodo de calentamiento también debemos
de tener en cuenta que ha reducido de forma notoria el tamaño de muchos dispositivos
electrónicos. En conclusión dicho dispositivo es el causante de la nueva era en la
electrónica y debemos saberlo aplicar con sus respectivos cálculos matemáticos y
aplicando las características antes vistas del mismo y de sus interesantes aplicaciones en
nuestro campo. Por ultimo mencionaremos que el funcionamiento del transistor no sería
de tal magnitud si no fuera por un gran número de componentes que lo suelen
acompañar y ayudar para lograr tales propósitos por ende también debemos conocer y
aplicar estos dispositivos que por no ser mencionados no quiere decir que tengan menos
importancia.