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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESIME ZACATENCO

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y
ELECTRÓNICA

DISPOSITIVOS

PRACTICA 05

TRANSISTOR BIPOLAR

MONROY MARÍN ADRIÁN

Grupo 5CV3
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Práctica No. 5

“Transistor Bipolar”

Objetivos:

1. Identificar las terminales del transistor.

2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base – emisor y de colector – base de un
transistor de silicio.
4. Obtener la curva característica de entrada del transistor bipolar en configuración de emisor-
común observar su variación con el voltaje de colector emisor.
5. Obtener las curvas características de salida en configuración de emisor común. Observar
su variación con la temperatura. Identificar las regiones de operación corte, saturación y
activa directa.

Desarrollo Experimental:

Conceptos Básicos:

Transistor Bipolar.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificados, oscilador, conmutador o rectificador. El término “transistor” es la contracción en ingles
de transfer resistor (resistencia de transferencia).

Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilización porque toda la
electrónica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como también formando parte
de circuitos integrados, analógicos o digitales, de todo tipo: microprocesadores, controladores de
motores eléctricos, procesador de señal, reguladores de voltaje, etc.

Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso

diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavarropas automáticas, automóviles, equipo de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadores, impresoras, lámparas fluorescentes, equipo de rayos X, tomógrafos,
ecógrafos, etc.
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Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o tríodo, el transistor bipolar fue

inventado en loslaboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1942 por John Bardeen, Walter
HouserBrattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el premio Nobel
de Física en 1956.

Sus inventores lo llamaron así por la propiedad que tiene el transistor de cambiar su
resistencia al paso de la corriente eléctrica que lo atraviesa entrando por uno de los   3 terminales
(el “emisor”) y saliendo por otro (el “colector”) en función de la mayor o menor corriente eléctrica
que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la “base”).

El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente que  

forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores(base). A diferencia de las válvulas el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se
les considera un elemento   activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante mecánica cuántica, luego
en realidad el transistor es un dispositivo cuántico. 

El transistor bipolar es el más común de los transistores y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.

Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la dirección del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una

cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregara por otra (emisor), una cantidad
mayor a esta, en una factor que se llama amplificación.

Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces: 

 IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a β (factor de amplificación)

por IB (corriente que pasa por la patilla base).
 IC = β*IB
 IB (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que I C, sólo que la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de él o viceversa.
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Según la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente I B cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver
figura.

En el gráfico las corrientes de base (I B) son ejemplos para poder entender que a más
corriente la curva es más alta.

Material:

 Osciloscopio de doble trazo

 Generador de señales
 Multímetro analógico y/o digital
 Una pinza de punta
 Una pinza de corte
 6 cables caimán – caimán de 50cm.
 6 cables caimán – banana de 50cm.
 6 cables banana – banana de 50cm.
 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación BNC y en el otro caimanes
 Tablilla de conexiones (protoboard)
 Fuente de voltaje CD (variable)
 Fuente de corriente CD (variable)
 1 transistor de germanio NPN AC127
 4 transistor de silicio NPN BC547
 4 resistor de 1kΩ a ½ watt
 1 resistor de 100kΩ a ½ watt
 1 encendedor

Experimentos:

1. Es requisito que para antes de realizar la práctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar:
a) Símbolo 
b) Construcción interna 
c) Diagrama típico de uniones 
d) Modelo matemático
e) Comportamiento gráfico de entrada y salida
f) Parámetros principales y su definición 
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g) Circuitos equivalentes
h) Parámetro “h”
i) Polarización típica 

El profesor deberá revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, así como que se presente con los circuitos correspondientes debidamente armados, de
NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendrá derecho a quedarse en el laboratorio y se le
considerara como falta al mismo.

2. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar
y si este es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cómo están ubicadas las
terminales de emisor colector y base.

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el

dispositivo este en buen estado.

En el caso que no se cuete con la información suficiente, mediante algunas mediciones

realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el
tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

2.1. Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como

“prueba de amplificador” e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre

las uniones emisor - base y colector – base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca
el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras
dos terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir la polaridad, la resistencia medida
deberá de ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre
las terminales de colector – emisor se observará alta resistencia sin importar como se coloque la
polaridad de las terminales de las uniones certificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor
NPN o PNP. Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor será necesario aplicar
la “prueba del amplificador”.

b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de

transistor NPN o PNP la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso del NPN,
conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al
emisor, la lectura que debe de aparecer en el óhmetro es de alta resistencia, en seguida hacer
contacto con el dedo entre colector y la base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales
una resistencia de orden de M ohms) y observar la disminución de la resistencia medida entre
colector – emisor, cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta disminución en
el valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor al efectuar dicha prueba la disminución de la resistencia no será tan importante. Para estar
seguro de cual es cual, deberá realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.

2.2. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es mediante el uso
de un multímetro digital que nos permite medir la “beta” de transistor. Esto es que
elegimos en el multímetro digital la función de medición de la beta colocamos las
terminales del transistor como creamos que están correctas y medimos la beta, cuando
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el dispositivo está correctamente colocando la beta medida, generalmente es grande

(en la mayoría de los casos mayor a 50), cuando no está bien colocados la beta que se
mide es pequeña (en la mayoría de los casos menores a 20 y en algunos cosos indica
circuito abierto.

2.3. Después de identificar las terminales de sus transistores bipolares. Dibújelos en

isométrico en la figura 1, indicando donde está el colector, el emisor y la base.

BC547 AC127

Figura 1. Dibujo isométrico del Transistor Bipolar indicando la base, el emisor y el colector en un
NPN y en un PNP.

Figura 2. Símbolo del transistor.

3. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes de fuga
(generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares también se presentan de
tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per de terminales del transistor se podrán medir
estas corrientes. Según el par de terminales que elija, la corriente tendrá valores diferentes aunque
del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeñas
comparadas con las corrientes de operación del dispositivo y que además para el caso del silicio
son muchos menores que para el germanio. En la expresión matemática que se usa para la
corriente de saturación inversa colector – base con el emisor abierto en la figura 3 se propone un
circuito para medir esta corriente y observar como varia con la temperatura. Para esta medición
usaremos el transistor de germanio AC127.
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Figura 3. Circuito propuesto para medir la corriente I CBO y su variación con la temperatura usando
el transistor de germanio.

ICBO = ICO= 4.65 mA a temperatura ambiente.

ICBO1 = ICO1= 4.83 mA a temperatura mayor que la ambiente.

Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos.

4. Observar y medir el voltaje de ruptura de la unión base – emisor y de la unión colector –

base de un transistor bipolar con tecnología planar.

Actualmente la gran mayoría de los transistores bipolares están construidos con tecnología
planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan diferentes concentraciones de
impurezas y tamaños debido a las características de construcción que se tienen en las uniones
emisor – base y colector - base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unión emisor – base es
menor que el que se presenta en la unión colector – base, llegándose en la práctica a generalizar
diciendo; que launión emisor – base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un diodo
zener.

Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor – base posteriormente
desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo colector – base, use una
señal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12V a una frecuencia entre 60Hz y 1KHz.

Figura 4.a. Circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector base de un
transistor bipolar.
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Figura4.b. Curva del diodo emisor-base.

Reporte el voltaje al cual rompe la unión emisor – base V EB = 9 V.

Figura 4.c. Curva del diodo colector – base.

Figura 4

5. Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración emisor
común. Observar su variación con el voltaje de colector – emisor.

Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura 4,

solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento de la unión emisor –
base del transistor bipolar y observar su variación con el voltaje de colector – emisor.
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Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor – base en un
transistor bipolar y su variación con el voltaje colector – emisor.

Figura 5.b. Curvas características de entrada del transistor bipolar.

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Figura 5

Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base – emisor.

IB (µA) medida sobre VBE (V) medido sobre VBE (V) medido sobre VBE (V) medido sobre
la curva del diodo la curva del diodo la curva del diodo la curva del diodo
emisor – base emisor – base emisor – base emisor – base
cuando VCE=0V cuando VCE=0.5V cuando VCE=5V
20 0.7 0.80 0.76
100 0.7 0.81 0.81
150 0.7 0.78 0.75
Tabla 1.

6. Obtener las curvas características de salida del transistor bipolar en configuración de

emisor común. Observar y reportar su variación con la temperatura. Armar el cuito de la
figura 6 y obtener una a una las curvas características de salida del transistor bipolar
emisor – común, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas características de salida del transistor bipolar.
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Figura 6.b. Curvas características de salida del transistor bipolar ubicando las regiones de corte,
saturación y activa directa

Figura 6.c. Curvas características del transistor bipolar.

Figura 6

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector –
emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB,
haga que el transistor bipolar trabaje en la región de corte, los valores de I B2 y IB3 lo hagan trabajar
en la región activa directa (de amplificación) y la corriente I B4 lo lleve a la región de saturación. 

Corriente en la Medir los valores de corriente de colector I C (mA) para cada uno de los
base valores.
VCE = VCE = VCE = VCE = VCE = VCE = VCE =
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IB1 Corte 0 0.02 0.03 0.04 0.06 0.10 0.13
IB2 Activa 0.01 0.07 0.09 0.04 0.10 0.11 0.13
IB3 Activa 0.01 0.08 0.09 0.09 0.11 0.13 0.11
IB4Saturación 0.04 0.09 0.09 0.09 0.09 0.10 0.91
Tabla 2

Fije la corriente de base en el valor de I B3 (región Activa), acerque un cerillo encendido al

transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de colector. Digas si aumento o
disminuye la corriente.

De 4.23 mA a Temperatura ambiente pasa a 4.83 mA con una temperatura ambiente mayor por lo
tanto aumenta.

Reporte en la gráfica de abajo la curva característica de salida del transistor bipolar para la
IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la misma grafica el cambio con
diferentes colores de tinta.
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Figura 7. Curva característica de salida en configuración de emisor común para el transistor bipolar
a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base constante.

Cuestionario

1.- Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unión emisor – base
este polarizada directamente y la unión colector – base presente polarización cero.

Unión Emisor – Base.

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Unión Colector – Base.

2.- Determinar el valor de la alfa (α) para las lecturas que se realizaron en el circuito de la
figura 2.

R:

3.- Escriba la expresión matemática que se usa para determinar el aumento de la corriente
de fuga en una unión rectificante cuando aumenta la temperatura, hágalo tanto para el caso
del silicio como para el germanio.

Para el silicio

Para el germanio

4.- Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un
transistor bipolar e indique con que literales se conocen.

La corriente de fuga con la terminal de emisor abierta IC.

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5.- Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unión emisor
– base con el colector corto – circuitado.

6.- ¿De qué orden es el voltaje de ruptura colector – emisor en el transistor de silicio
BC547?

Es de segundo orden.

7.- A partir de la tabla 2 obtenga las curvas características de salida del transistor
bipolar en emisor común.

9.-Proponga el circuito equivalente de parámetros “h” para el transistor bipolar en

emisor – común y defina cada uno de los parámetros “h”.

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hie= La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re).

hre = Representa la dependencia de la curva I B – VBE del transistor en el valor de VCE. Es

usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero). 

hfe = La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido como h fe o

como la ganancia de corriente continua (β) en las hojas de datos. 

hoe = La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado como una

admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

10.- A partir de las curvas características de la pregunta 7 obtenga los parámetros

hfe, hoe, para la gráfica que obtuvo con la corriente de IB3 y un VCE = 4V respectivamente.

11.- Cuando la corriente en la base es cero, ¿Cuánto debe de valer la corriente de

colector?

Es cero ya que

12.- Usando los datos de la tabla 1, obtenga las curvas características de entrada del

transistor bipolar en emisor común.

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13.- Determine los parámetros híbridos h fe, hre, usando las gráficas de la pregunta

anterior para una corriente de base de 40µA

14.- Anote sus conclusiones.

En esta práctica pudimos observar la configuraciones de un transistor bipolar además de

su funcionamiento el cual pude emplearse en cualquier ámbito de la electrónica digital y la
electrónica analógica así mismo pudimos observar la corriente fuga y su variación con la
temperatura con la cual se pudo obtener las curvas características de entrada y salida del transistor
bipolar lo cual nos llevó a ver las regiones de corte, saturación y activa directa.