Guia Lab2
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pág. 1
LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS
CUADRO Vo2
I-A
Vo1
Frec. Res
CUADRO max
I-B
Frec. Res
min
pág. 2
6. Cambie de posición del colector al terminal intermedio de la Bobina (Fig #2) y
siguiendo el mismo procedimiento que en el caso anterior llene el cuadro II-A Y
II-B
CUADRO Vo2
II-A
Vo3
Frec. Res
CUADRO max
II-B
Frec. Res
min
pág. 3
Cin+Cext = Cin; Frecuencia de Frecuencia de Frecuencia de
Resonancia de Bobina Resonancia de Bobina Resonancia de Bobina
Amarrilla Blanca Negra
Cext = 50pF
Cext= 100pF
Cuadro III
Vo2
𝑉𝑅5(𝐷𝐶)
INFORME FINAL
1. Presente los datos y cuadros obtenidos en el laboratorio.
2. De los cuadros I-A Y II-A obtenga el valor de N1/N2 y N1/N3.
3. Del cuadro III obtenga Lin y Cin para cada bobina.
4. De los datos del paso 8 del procedimiento grafique la respuesta en
frecuencia de cada bobina y determine gráficamente el ancho de
banda de BW y calcule el factor de calidad Q de cada bobina.
5. Observaciones y conclusiones.
pág. 4
EXPERIENCIA #2 LA CARACTERISTICA EXPONENCIAL
, DEL TRANSISTOR BIPOLAR
OBJETIVO
Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente del
colector del transistor bipolar.
INFORME PREVIO
1. Calcule el punto de operación del transistor del amplificador de la figura
#1.
2. Determine una expresión general para VA, VB y VO en resonancia
asumiendo los datos de la bobina y un QT alto (los datos del transistor
son conocidos).
2𝐼2 (𝑋)
3. Calcule Gm(x) y para los valores de V1 = 20, 50, 70, 100, 200, 300,
𝐼0 (𝑋)
350mV.
w0 t⁄
4. Para Vin = 260Mv cos( n) encuentre una expresión general para Vo(t).
pág. 5
LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS
PROCEDIMIENTO
1. Arme el circuito de la figura #1 con los valores diseñados en su informe
previo.
2. Conecte el generador Vin con V1 = 260mV; llene el cuadro #1
anotando la frecuencia de resonancia fo y el ancho de banda BW; es
decir se graficará la respuesta en frecuencia
Frecuencia 400 430 450 455 470 490 500 520 540
KHz
Vo
Cuadro #1
3. Con el generador de señales a la frecuencia de resonancia del circuito
tanque varié la amplitud de entrada Vin y llene el cuadro #2
Vin (mV) 20 30 40 50 75 100 125 150 200
Vo
VB
VEQ
Cuadro #2
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Nota para VB dibuje la forma de onda para cuatro valores de V1
Vo
VB
VEQ
Cuadro #3
Nota para VB dibuje la forma de onda para cuatro valores de V1
VB (mV)
Cuadro #4
INFORME FINAL
1. Presente los cuadros y datos obtenidos en el laboratorio.
2. Determine el ancho de banda con los datos del cuadro #1
3. Grafique
2𝐼1 (𝑋) 𝑉𝑖
a. 𝐼0 (𝑋)
VS 𝑉𝑇
b. La transconductancia Gm(x) en función de X para esto use el
cuadro #2
2𝐼2 (𝑋) 𝑉𝑖
c. 𝐼0 (𝑋)
VS 𝑉𝑇
4. Compare el cuadro #4 con los resultados teóricos obtenidos por las
tablas o gráficos, considerar el transformador utilizado.
5. Observaciones y conclusiones.
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EXPERIENCIA #3 LA CARACTERISTICA CUADRÁTICA DEL
, TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
OBJETIVO
Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de drenador
del transistor efecto de campo (FET)
INFORME PREVIO
1. Diseñe la red de polarización del Gate determinando los valores de Rb y
Cb, tal que Cb se cargue al valor pico Vg(t) (Frecuencia del generador =
455KHz)
2. Determine una expresión general para Vo en resonancia asumiendo los
datos de la bobina y un QT alto( los datos del transistor son conocidos)
3. Especifique dos métodos para determinar los parámetros del FET (uno
para determinar experimentalmente Vp y otro IDSS). Explique en forma
clara y concisa.
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LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS
PROCEDIMIENTO
1. Con el método descrito en el informe previo determine
experimentalmente Vp e IDSS en el FET.
2. Arme el circuito de la figura #1 con los valores de Cb y Rb diseñados en
su informe previo.
𝑉1
3. Conecte la señal de entrada Vin = V1coswt de tal manera que = 0.25 y
𝑉𝑝
fo= 455KHz y sintonice el circuito tanque a esta frecuencia. Luego llene
la tabla #1.
𝑉1 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.50 2.00
𝑉𝑝
Vo
Vd (DC)
V1
Tabla #1
pág. 9
4. Cambie la frecuencia del generador de señales a la mitad de la
frecuencia de resonancia del circuito tanque varié la amplitud de entrada
𝑉1
y llene la tabla #2.
𝑉𝑝
𝑉𝑝
Vo
Vd (DC)
V1
Tabla #1
Nota: Para todos los casos dibuje la forma de onda Vo tanto el paso (3) como
para el paso (4).
INFORME FINAL:
1. ¿Cuáles fueron los valores determinados experimentalmente para Vp e
IDSS?
2. Presente las tablas obtenidas en el laboratorio y con ellas grafique
𝐺𝑚 (𝑥) 𝑉 𝐼2 𝑉1
vs 𝑉1 y además VS . Compare los resultados
𝑔𝑚0 𝑝 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑝
con los gráficos de libro Clark & Hess y determine las desviaciones entre
los valores teóricos y experimentales.
3. ¿Qué conclusiones u observaciones ha podido obtener de las formas de
onda cuando el circuito tanque resonó a 2wo?
4. Observaciones y conclusiones.
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EXPERIENCIA #4 EL OSCILADOR COLPITTS
OBJETIVO
Diseñar y verificar el funcionamiento del oscilador Colpitts usando BJT.
INFORME PREVIO
1. Diseñe la red de polarización para una corriente de emisor igual a 100 uA
para la configuración dada en la figura #1 y encontrar además el valor de
Rp y R1 para que la corriente IE(DC) varié entre 0.2mA y 0.04mA.
2. Encuentre el desplazamiento IEQ para V1 = 50, 100, 150, 200mV.
pág. 11
LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS
Tabla #1
pág. 12
4. Ajuste nuevamente la corriente de emisor IEQ = 100uA y varíe la
resistencia de colector R3. Llene la tabla #2.
R3 10K 15K 22K 47K 100K 220K
Vc
(pico)
VE
(pico)
VBE(DC)
Tabla #2
INFORME FINAL
1. Presente los datos y las tablas obtenidas en el laboratorio.
2. ¿Para que valor de corriente IEQmin oscila, con R3 = 15K?
3. Grafique
➢ IE(DC) vs VC(pico)
➢ VBE(DC) vs VC(pico)
Verifique teóricamente algunos puntos.
4. Grafique Vc(pico) y VE(pico) vs R3; determine para que valor de R3 el
circuito deja de oscilar. Compare con el valor teórico.
5. Observaciones y conclusiones.
pág. 13
EXPERIENCIA #5:- EL MEZCLADOR CON PAR DIFERENCIAL
INFORME PREVIO
1. Diseñar la red polarización del circuito de la figura #2 para IEQ= 0.1mA.
Elegir valores adecuados de condensadores.
2. Determinar expresiones generales para Vo(t), VA(t) y VB(t). Asumir los
datos de la bobina amarilla. ( QT alto) y del transistor conocidos.
3. Calcular Gc(x) para V1 = 10 mVp y V2 = 150mVp , IEQ1 = 0.1mA.
4. Diseñar el oscilador Colpitts mostrado en la figura #1 cuyas características
son: fo= 1.4MHz; THD <2%; RL=22K
LISTA DE COMPONENTES
3 C1 Condensadores 1X10uf/16V,
1X0.68nf/16V,
47pf.
4 Pot Potenciómetro 1 X 10K, 1 X 100K
5 Q1, Q2, Q3 Transistores BF 494 NPN
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PROCEDIMIENTO
1. Armar el circuito mostrado en la figura #2 con los valores obtenidos en el
informe previo. Previamente deberán determinar las características de la
bobina amarrilla tales como n, Lin, Cin, Rp, Q, BW. Anotar dichos valores.
2. La entrada V1, f1, es el oscilador de 1.4Mhz diseñado en el informe previo
la entrada V2, f2, es el generador de RF a una frecuencia de 1.4 +/- 0.455
MHz.
Figura #2
Vo(mVpp)
4.
A. Para V1=20mVp, f1=1.4MHz
V2=100mVp, f’2=945 KHz
Donde f’2=f1- 455KHz
Llenar el siguiente cuadro y dibujar las formas de onda
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f’2(Khz) 945
Vo(mVpp)
Vo(mVpp)
INFORME FINAL
1. Mostrar los cuadros y tablas obtenidas en el laboratorio.
2. Grafica la respuesta en frecuencia con la tabla del paso (3) y
determinar su ancho de banda.
3. Graficar IEDC vs V1 (Vpp)
4. Que puede concluir con respecto a los cuadros obtenidos en el
paso (4). Explique
5. Observaciones y conclusiones.
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