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    Exam 7 - 1 Fisica Semis

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    Abigail Echeverry Valencia
    Este examen cubre conceptos básicos de física de semiconductores como: 1) Cálculo de la concentración de electrones libres y su velocidad de desplazamiento en una muestra de silicio a la que se le aplica un voltaje. 2) Cálculo de la densidad de corriente total de conducción en una muestra de germanio impurificada con donadores y aceptadores aplicando un campo eléctrico. 3) Cálculo de la temperatura a la que coincidirá el nivel de Fermi con el borde de la

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    Este examen cubre conceptos básicos de física de semiconductores como: 1) Cálculo de la concentración de electrones libres y su velocidad de desplazamiento en una muestra de silicio a la que se le aplica un voltaje. 2) Cálculo de la densidad de corriente total de conducción en una muestra de germanio impurificada con donadores y aceptadores aplicando un campo eléctrico. 3) Cálculo de la temperatura a la que coincidirá el nivel de Fermi con el borde de la

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    Exam 7_1 Fisica Semis

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    UNIVERSIDAD DEL VALLE

    FACULTAD DE INGENIERÍA
    ESCUELA DE ING. ELÉCTRICAY ELECTRÓNICA
    CÁTEDRA DE ARQUITECTURAS DIGITALES Y MICROELECTRÓNICA
    FÍSICA DE LOS SEMICONDUCTORES
    EXAMEN No. 2

    1. Una muestra de silicio de 2 cm de longitud y una sección recta cuadrada de 2 mm de lado


    soporta una corriente debida a electrones cuya movilidad es de 1300 cm2/v-s. Un voltaje de
    1V aplicado a la barra origina una corriente de 62.5 nA.

    (a) Calcular la concentración de electrones libres.


    (b) Calcular la velocidad de desplazamiento.

    2. Una muestra de Germanio se impurifica con 10 14 átomos donadores/cm3 y 7x1013 átomos


    aceptadores/cm3. A la temperatura de la muestra la resistividad de Germanio puro
    (intrínseco) es 60 W.- cm. Si se aplica un campo eléctrico de 2 V/cm, calcular la densidad de
    corriente total de conducción

    2. En una muestra de silicio tipo-n la concentración de donadores es 1 átomo por 2x10 8 de


    silicio. Suponga que la masa efectiva del electrón es igual a la masa real. ¿A qué temperatura
    coincidirá el nivel de Fermi con el borde de la banda de conducción ?. Suponer m p = 0.6m0 y
    una concentración de átomos de Si = 5x 1022 at/cm3.

    c = 3 x 108 m/seg m = 9.1 X 10-31 kg


    h = 6.626 x 10-34 joules-seg q = 1.6 x 10-19 coul.
    k = 1.381x10-23 joule/°K

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