Electronica Analógica (Upct) PDF

Capítulo
2
Filtros eléctricos pasivos
U n filtro eléctrico es un cuadripolo capaz de atenuar

determinadas frecuencias del espectro de la señal de entrada y
permitir el paso de las demás.
Se denomina espectro de la señal a su descomposición en una

escala de amplitudes respecto a la frecuencia, y se hace por medio
de las series de Fourier o con el analizador de espectro. El
analizador de espectro visualiza las señales con respecto a la
frecuencia, el osciloscopio lo hace con respecto al tiempo.
En el presente documento se tratarán circuitos que poseen un

comportamiento variable en función de la frecuencia. Es decir, la
función de transferencia del circuito estará ligada a la frecuencia
que se le aplique a la entrada del mismo.
Contenido
2.1 Reseña histórica

2.2 Conceptos básicos
2.3 Disposición circuital paso bajo
2.4 Disposición circuital paso alto
2.5 Disposición circuital paso banda
2.6 Disposición circuital rechaza banda
2.7 Ejercicios tipo
2.8 Problemas propuestos
2.9 Bibliografía
12 Electrónica analógica: Análisis y diseño
Pierre Simon Laplace (1749-1827). Matemático, astrónomo y físico francés cuya

obra es reconocida en la actualidad por la importancia de sus aportaciones a la
Ciencia en campos tan diversos como: Astronomía, Análisis Matemático, Álgebra,
Teoría de Probabilidades, Electromagnetismo, Termoquímica, Estudio del
movimiento, Teoría de los gases, Capilaridad, ... Conocemos la Transformada de
Laplace, como una transformación que asocia a cada función real una función
compleja, designada generalmente por L(f). Esta transformada tiene aplicaciones
muy interesantes, como la resolución de ciertas ecuaciones diferenciales, y el estudio de problemas
con condiciones de contorno. Se utiliza frecuentemente en análisis de circuitos eléctricos y en
servosistemas. Contribuyó a la fundación de la ciencia matemática de la electricidad y el magnetismo.
Estableció las leyes relativas a los campos magnéticos y a las corrientes eléctricas que circulan bajo
su influencia.
Jean Baptiste Joseph Fourier (1768-1830). Matemático francés nacido en Auxerre

y fallecido en París. Fue preparado para sacerdote, pero se empeñó en llegar a
oficial de artillería, acompañando a Napoleón a Egipto, de manera que pudiera
aplicar las matemáticas. En 1801 a su regreso de Egipto, empezó a ocuparse de
lleno de la ciencia. El problema que más le interesaba era el del modo en que el
calor fluía de un punto a otro a través de un objeto en particular. Fourier recopiló
todo su ingenio matemático y descubrió lo que hoy se conoce como teorema de
Fourier. Según este, cualquier oscilación periódica, por complicada que sea, se puede descomponer
en serie de movimientos ondulatorios simples y regulares, la suma de los cuales es la variación
periódica compleja original. Es decir se puede expresar como una serie matemática en la cual los
términos son funciones trigonométricas. El teorema de Fourier tiene muchas aplicaciones; puede ser
utilizado en el estudio del sonido y de la luz y desde luego en cualquier fenómeno ondulatorio. El
estudio matemático de tales fenómenos, basado en el teorema de Fourier se llama análisis armónico.
Hendrik Wade Bode (1905-1982). Ingeniero estadounidense. Profesor en la

Escuela Técnica de Harvard, se especializó en sistemas automáticos, campo en el
que ha desarrollado interesantes trabajos. El diagrama de Bode es una
representación gráfica de la relación entre la frecuencia de la señal de entrada de
un sistema automático y la ganancia del mismo para dicha frecuencia, de suma
importancia en el diseño de nuevos sistemas automáticos.
Un filtro eléctrico se utiliza para eliminar una componente frecuencial de una señal a
partir de una determinada frecuencia. A esta frecuencia se le denomina frecuencia de corte del
filtro si es un filtro paso bajo o paso alto, o bien frecuencia media, f m , para el caso de filtro
pasa banda y rechaza banda. En ocasiones, también se dice que el filtro a esa frecuencia entra
en resonancia o que corresponde con la frecuencia de resonancia del filtro. Se dice que a esa
frecuencia de corte la amplitud de la señal de salida del filtro reduce su valor:
 50% de la potencia de entrada.

 1.4142 veces la tensión de entrada.
 -3 dB respecto de la entrada.
Capítulo 2: Filtros eléctricos pasivos 13
a) Para la primera afirmación: Teniendo en cuenta que la ganancia de potencia, G dB ,

en decibelios se define como
P2
GdB  10 log (2.1)
P1
Siendo P 2 la potencia a la salida y P 1 la potencia a la entrada. Sabiendo que la

potencia a la salida, en valor eficaz, vale V2/R, sustituyendo en la Ec. 2.1, nos queda
V22
P R R 
G  2  22  A2  1  (2.2)
P1 V1  R2 
R1
Siendo A la ganancia en tensión del circuito (V 2 /V 1 ).
Como a la frecuencia de resonancia del filtro, el valor de la componente resistiva y

capacitiva del filtro se igualan, R 1 /R 2 = 1 (ver figura 2.3). La ecuación precedente, se
transforma en G = A2. Que tomando logaritmos y multiplicando por 10, nos queda
10 log G  20 log A
GdB  20 log Av (2.3)
b) Para la segunda afirmación: Partiendo de la figura 2.3.
La señal de entrada que le aplicamos al circuito es
Vin  v·Sen t  (2.4)
Al aumentar la frecuencia, la reactancia capacitiva del condensador, X C , disminuye

hasta casi desaparecer, con lo cual, la corriente máxima que circulará por el circuito será:
Vin
I max  (2.5)
R
De otra parte, la corriente que circulará por el circuito en un momento dado será:
Vin
I (2.6)
2
R  XC
2
Como a la frecuencia de resonancia R = X C , la Ec. 2.6, nos queda:
Vin Vin 1
I  ·
2R 2 R 2
I max
I (2.7)
2
c) Para la tercera afirmación: Si deseamos calcular la ganancia de potencia, cuando

se reduzca la potencia a la mitad, suponiendo que partimos de una G de 5, tendremos
G dB1  10 log 5  7dB 

   3dB (2.8)
5 
G dB2  10 log  4dB 
2 
Si operamos de igual forma para la ganancia en tensión A de 10, cuando ésta se reduzca en
1.4142 veces tendremos
A1  20 log 10  20dB 

10    3dB (2.9)
A2  20 log  17dB 
2 
Este tipo de filtros pasivos se suelen implementar con células RC o LC, que pueden
colocarse en cascada si deseamos incrementar la atenuación del filtro. Por el tamaño y peso de
las bobinas, salvo en contadas excepciones, donde el volumen, peso y precio no sea un escollo
insalvable, la mayoría de las veces se suelen utilizar filtros en base a células RC
exclusivamente.
Filtro paso bajo: Aquel cuya señal de salida es atenuada a partir de la frecuencia de corte.
Filtro paso alto: Aquel cuya señal de salida es atenuada antes de la frecuencia de corte.
Filtro paso banda: Aquel cuya señal de salida es atenuada antes y después de una frecuencia
de corte, llamada inferior y otra frecuencia llamada superior. La
frecuencia entre estas dos se le denomina frecuencia media f m o central
del filtro.
f 2  f1 f1  f 2
f m  f1   (2.10)
2 2
Filtro elimina banda: Aquel cuya señal de salida es atenuada entre la frecuencia de corte
llamada inferior y otra frecuencia llamada superior. La frecuencia
entre estas dos se le denomina frecuencia media o central del filtro.
Ancho de banda del filtro (BW): (Band Width) La diferencia entre las frecuencias de corte
superior e inferior de un filtro paso banda o elimina banda.
BW  f 2  f1 (2.11)
Factor de calidad o selectividad del filtro (Q): La relación entre el ancho de banda del filtro
y su frecuencia central.
fm
Q (2.12)
f 2  f1
F corte inferior F corte superior

fm
-3dB
BW
F
f1 f2
Figura 2.1: Parámetros de frecuencias de un filtro pasa banda
Octava: Una octava es la diferencia entre dos frecuencias una doble de la otra. Es decir, se
cumple que f 2 /f 1 = 2.
Década: Dos frecuencias están separadas una década si f 2 /f 1 = 10.
Pendiente de corte: La pendiente de corte o atenuación del filtro lo establece el número de

células RC existentes en el circuito. Para un filtro pasivo de una sola
célula RC, se dice que tiene orden uno o que la señal disminuye a la
salida 6dB/Octava. Esta pérdida se mantiene durante toda la banda
atenuada. El valor de esta atenuación es siempre negativo a efectos de
sustituirla en cualquier ecuación.
Otros valores a conocer en un filtro son las bandas de trabajo. La banda de paso es el
margen de frecuencias sin atenuación de un filtro, hasta la frecuencia de corte. La banda
atenuada está formada por las frecuencias atenuadas a partir de la frecuencia de corte. Y por
último, la zona de transición es el margen existente entre la banda de paso y la banda
atenuada. En la figura 2.2 también se puede apreciar la aproximación de un filtro real a un
filtro ideal.
Figura 2.2: Bandas y zonas de trabajo en un filtro eléctrico

2.3 Disposición circuital paso bajo
Para realizar un filtro pasivo paso bajo, deberemos construir el circuito de la siguiente
figura. Como se ha citado previamente, a la frecuencia de corte se produce la resonancia del
filtro RC, o lo que es lo mismo, que los valores de la resistencia y de la reactancia capacitiva a
esa frecuencia se igualan.
Figura 2.3: Disposición circuital de un filtro pasivo paso bajo
1 1
R  XC  
ωC 2 π f C
1
fC  (2.13)
2 R C
La gráfica obtenida de un filtro paso bajo, indicando la relación entre la frecuencia y la

amplitud máxima de salida del filtro, en voltios o en decibelios, se conoce como Diagrama de
Bode, en honor a su inventor Hendrik W. Bode. El diagrama de Bode puede referirse a la magnitud
(Fig. 2.4) o fase de la señal (Fig. 2.5b).
Figura 2.4: Diagrama de Bode en decibelios de un filtro paso bajo (magnitud)

Por el efecto de retardo o integración que posee el filtro, se produce un retraso entre la
señal de entrada y salida. Este desfase se calcula teóricamente, a la frecuencia de corte,
mediante la expresión siguiente
   arctan  2 RCf  (2.14)
a) b)
Figura 2.5: Desfase entrada/salida de un filtro paso bajo. a) en tiempo, b) en frecuencia
Otra forma de calcular cual es la frecuencia de corte de un filtro paso bajo dados los
datos de la atenuación medida a una frecuencia alejada de la de corte, es aplicando la
siguiente ecuación. La atenuación es un valor negativo.
1
dB  20 log (2.15)
2
 f 
1  
 fC 
Teniendo en cuenta que el cociente f/fc suele ser mucho mayor que la unidad, esta
ecuación puede transformarse en esta otra algo más simple y fácil de operar. La atenuación es
un valor negativo.
dB
f C  f ·10 20
(2.16)
Si se desea calcular la frecuencia de corte de un filtro paso alto, deberemos permutar

los valores de f y f C . Si lo que deseamos es utilizarla para un filtro pasa banda, deberemos
utilizar ambos casos. Obteniendo los valores de las frecuencias de corte inferior y superior del
filtro deseado. Figura 2.1.
Cuando necesitamos toda la precisión posible, el valor de la frecuencia de corte para

un filtro paso bajo nos queda como se muestra en la siguiente ecuación. Como puede
observarse es algo más complicada en su manejo que la expresión 2.16. Recuérdese que la
atenuación es un valor negativo.
f2
fC  (2.17)
1
2
1
 dB 
 10 
20
 
2.4 Disposición circuital paso alto
Para realizar un filtro pasivo paso alto, deberemos construir el circuito de la siguiente
figura. Como se ha citado previamente, a la frecuencia de corte se produce la resonancia de la
célula RC, o lo que es lo mismo, que los valores de la resistencia y de la reactancia capacitiva
se igualan a esa frecuencia. Por tanto, la ecuación de cálculo de la frecuencia de corte de este
filtro es idéntica a la del filtro paso bajo. Ec. 2.13.
Figura 2.6: Disposición circuital de un filtro pasivo paso alto
El diagrama de Bode en magnitud para el filtro paso alto se muestra a continuación y

el diagrama de Bode en fase se muestra en la figura 2.8b.
Figura 2.7: Diagrama de Bode en magnitud de un filtro paso alto
Por el efecto de diferenciación que posee el filtro, se produce un adelanto entre la

señal de entrada y salida. Este adelanto de fase se calcula teóricamente, a la frecuencia de
corte, mediante la expresión siguiente
  arctan  2 RCf  (2.18)
a) b)
Figura 2.8: Desfase entrada/salida de un filtro paso alto. a) en tiempo, b) en frecuencia
2.5 Disposición circuital paso banda
Para la realización de un filtro paso banda existen dos disposiciones posibles. La

construida en torno a la conexión en serie de un filtro paso alto más un filtro paso bajo o bien
la mostrada en la figura 2.9b.
En la primera de ellas, al estar formada por la unión de los dos filtros estudiados
anteriormente, los valores de las resistencias y condensadores serán los obtenidos mediante
sus respectivos cálculos, es decir, ambas células RC serán diferentes. Mientras que en el
segundo caso, los valores de las resistencias y condensadores son idénticos.
En cuanto a sus procedimiento de cálculo y resultados prácticos obtenidos también

varían sustancialmente. En el caso de paso alto más paso bajo, podemos calcular sin problema
las frecuencias de corte inferior y superior (f C1 y f C2 ), el factor de calidad del filtro (Q) y el
ancho de banda resultante (BW). Para la figura 2.9b, exclusivamente calcularemos una
frecuencia de trabajo, la frecuencia media o central. Tampoco tendremos posibilidad de
controlar el Q o el ancho de banda del filtro resultante.
a) b)
Figura 2.9: Disposición de filtro paso banda. a) PA más PB, b) Configuración especial
El diagrama de Bode en magnitud para el filtro paso banda, tanto en modo lineal como
logarítmico, se muestran en la figura 2.10 a y b respectivamente.
a) b)
Figura 2.10: Diagrama de Bode en magnitud de un filtro paso banda. a) modo lineal, b) en decibelios
Como se ha comentado anteriormente, la frecuencia media o de corte, según el modelo

utilizado de disposición, se obtiene mediante
1
f (2.19)
2 R C
Siendo el valor de la fase obtenido mediante
2
 f 
1  
f
  arctan  m  (2.20)
f
3
fm
En el filtro paso banda el desfase entre la entrada y la salida para un frecuencia de

entrada igual a la frecuencia media o de corte es nulo. En la siguiente figura puede observarse
este hecho en el diagrama de Bode de fase, figura 2.11a. No siendo así para otros valores de
frecuencia de entrada, variando estos valores tanto en adelanto como en retraso, figura 2.11b.
a) b)
Figura 2.11: Diagrama de Bode en fase de un filtro paso banda. a) modo lineal, b) en decibelios
2.6 Disposición circuital rechaza banda
La última configuración que vamos a estudiar es el filtro de funcionamiento contrario

al pasa banda, denominado rechaza banda. Esta configuración es especial y poco utilizada, ya
que únicamente elimina un margen de frecuencias de trabajo muy escaso. Es común utilizarle
para eliminar la frecuencia de red en circuitos donde se nos acopla a otros montajes, tanto los
50Hz como los 100Hz. Como se sabe, este hecho se debe a la utilización de un rectificador de
media onda o de onda completa en la fuente de alimentación de nuestros diseños.
Esta disposición también es conocida como de hendidura o de rechazo en doble T, por

la disposición particular de sus componentes.
Al igual que en algún modelo de filtro paso banda, con esta disposición no podremos
controlar ni el Q ni el ancho de banda del filtro.
Figura 2.12: Disposición de filtro rechaza banda
La frecuencia media para esta disposición se obtiene, al igual que en el resto de

montajes que hemos visto, mediante
1
fm  (2.21)
2 R C
Figura 2.13: Diagrama de Bode en magnitud de un filtro rechaza banda

El diagrama de Bode en magnitud para el filtro rechaza banda se muestra en la figura

2.13. Como puede observarse, la eliminación de frecuencias en torno a la frecuencia media es
muy acusada.
a) b)
Figura 2.14: Desfase de un filtro rechaza banda. a) modo lineal, b) en decibelios
Como puede apreciarse en modo lineal, la pérdida de señal es casi total a partir de tan
solo el segundo ciclo de la señal aplicada. Figura 2.14a.
En el diagrama de Bode en fase, se aprecia la parte de un filtro paso bajo más un paso
alto. Como ya se ha comentado, este filtro es de funcionamiento contrario al paso banda. El
cruce entre ambos filtros se produce a 90 grados de desfase respecto de la entrada, tanto en
adelanto como en retraso. Figura 2.14b.
2.7 Ejercicios tipo
2.7.1 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso bajo, mediante células RC, para
una frecuencia de corte de 3.8KHz. Obtener el diagrama de Bode en magnitud
logarítmica y el diagrama de Bode en fase.
--- 000 ---
El filtro pedido corresponde a la disposición circuital de la figura 2.3, cuya frecuencia

de corte se obtiene de la ecuación 2.13.
Podemos elegir los valores que deseemos de la pareja RC, siempre y cuando se
cumpla la ecuación. En realidad, por la existencia de múltiples valores de resistencias y su
posibilidad de ajuste sin problemas se suele fijar el valor del condensador. Éste no debería ser
polarizado ni de alto valor, ya que suelen tener mayores pérdidas internas y tolerancias de
capacidad que, posteriormente redundan en una falta de exactitud durante su funcionamiento.
Por este motivo, se suelen utilizar condensadores del orden de los nanofaradios, entre
1nF y 680nF tenemos un margen de selección bastante amplio. Téngase en cuenta que estos
filtros suelen trabajar en baja frecuencia, entre 20Hz y 20KHz.
Si seleccionamos un condensador de 10nF de tipo cerámico, obtendremos un valor

resistivo de
1
R  4188.28
2  ·10·109 ·3800
En la mayoría de los casos, no es necesario alcanzar esta precisión en el cálculo.

Podríamos seleccionar sin problema alguno una resistencia de 4188 Ohmios.
Realizando en montaje de la figura 2.3, nos quedaría un diagrama de Bode en

magnitud representado en decibelios de la siguiente forma
Como se aprecia en la figura, la frecuencia de corte está en 3802Hz con una

atenuación de -3.01dB. Valor muy cercano al calculado teóricamente.
En este caso, a la frecuencia de corte de 3805Hz, posee un retraso de 45.04 grados.

Con lo que queda demostrado la exactitud entre el cálculo teórico y los datos
obtenidos por el simulador de circuitos.
2.7.2 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso alto, mediante células RC, del
que se conoce que a 1KHz está atenuada la señal 31dB. Obtener el filtro
necesario que cumpla con estos datos y mostrar el diagrama de Bode en
magnitud lineal, el diagrama de Bode en fase y el desfase en tiempo generado
por el filtro.
--- 000 ---
El filtro pedido corresponde a la disposición circuital de la figura 2.6, cuya frecuencia

de corte se puede obtener del arreglo de la ecuación 2.16.
f 1000
fC  dB
 31
 35481Hz
10 20
10 20
Utilizando ahora la ecuación 2.13 podremos calcula los valores de R y C. Teniendo en

cuenta la disquisición realizada en el primer ejemplo, seleccionamos un condensador de 22nF,
lo que nos obligará a utilizar una resistencia de
1
R  203.89
2  ·22·109 ·35481
De forma práctica, seleccionaremos una resistencia de 204 Ohmios para el circuito.
Como se aprecia en la figura, a 35459Hz, la señal a caído 1.4142 veces, y a 1KHz la

señal tiene una atenuación de -31dB, es decir, 0.02818V para una señal de entrada de 1V.
dB
VOUT  VIN ·10 20  10 1.55  28.18mV
En el diagrama de Bode en fase se muestra a una frecuencia de 35525Hz un desfase de

44.95 grados. Bastante cercano al cálculo teórico.
Como se muestra en la siguiente figura, la pérdida de amplitud de la señal respecto de

1V de entrada es 0.70717V, que corresponde con la atenuación esperada a la frecuencia de
corte. Por otro lado, para obtener el desfase entre las señales de entrada y salida, tenemos
Si el período de la señal de entrada vale
T = 1/35481Hz = 28.1841E-6s
Aplicando una simple regla de tres
(28.1841us · 45º) / 360º = 3.523us
Que corresponde a
42.276us – 38.754us = 3.522us
Datos obtenidos de la gráfica que ha suministrado el simulador de circuitos. Como se

muestra, la similitud entre los cálculos teóricos y los ofrecidos por el simulador son muy
altos.
2.7.3 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso banda, mediante células RC,
para que trabaje a una frecuencia media de 35KHz. Obtener mediante la gráfica
del simulador, el ancho de banda del filtro, el valor del Q del filtro y dibujar el
diagrama de Bode en fase de forma aproximada.
--- 000 ---
Para realizar este filtro, al no poder seleccionar las frecuencias de corte inferior y
superior, lo realizaremos con el montaje de la figura 2.9b.
Con la ecuación para calcular la frecuencia media de trabajo solicitada y fijando un

condensador de 10nF, nos queda
1 1
R   454.72
2  f C 6.28·35000·10·109
De la curva obtenida en el simulador podemos calcular el ancho de banda del filtro y

el Q del mismo.
BW  f 2  f1  116000  10500  105500Hz
fm 35000
Q   0.331
f 2  f1 116000  10500
En el diagrama de Bode de fase que nos ofrece el simulador, se muestra un desfase

nulo a la frecuencia de corte, como era de esperar de los cálculos teóricos.
2
 35000 
1  
  arctan  35000 
 0 grados
35000
3·
35000
El circuito completo realizado en el simulador quedaría de la siguiente forma.
2.7.4 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso bajo. Conocido que a la

frecuencia de 82.6KHz tiene una atenuación de 37dB. Dibujar el circuito
completo, el diagrama de Bode en magnitud lineal y logarítmica, el diagrama de
Bode en fase y el desfase en tiempo entre la entrada y salida del filtro.
Comprobar en el gráfico del simulador la caída en la banda atenuada de
6dB/Octava de todo filtro pasivo RC. Calcular la frecuencia de corte y el desfase
a la frecuencia de corte.
--- 000 ---

El circuito a realizar es el mostrado en la figura 2.3. Utilizando la ecuación 2.16 o

2.17, dependiendo de la precisión requerida, obtendremos la frecuencia de corte. Si utilizamos
la fórmula reducida, por simplicidad en los cálculos, nos queda
dB 37
fC  f ·10 20
 82600·10 20
 1166 Hz
Fijando un valor de condensador en 22nF, y utilizando la ecuación 2.13, nos queda
1 1
R   6204
2  fC C 6.28·1166 ·22·10 9
Por tanto, el circuito completo que deberemos realizar sería
Dibujando el diagrama de Bode en magnitud, tanto en lineal como en decibelios, nos

queda lo siguiente
1166Hz a 0.7070V 1165Hz a -3.007dB

82665 a 14.105mV 82700Hz a -37.02dB
Para el diagrama de Bode en magnitud lineal nos queda, utilizando la segunda y

primera afirmaciones del apartado 2.2, con 1V de tensión de entrada, lo siguiente
37
V 1
Vout  in   0.7071V Vout  Vin 10 20
 14.125mV
2 2
Como puede observarse, es más laborioso trabajar con el diagrama de Bode en

magnitud lineal que en decibelios, ya que el simulador nos ofrece la medida directamente en
esta unidad logarítmica y no debemos realizar ninguna operación matemática o

transformación.
Utilizando la ecuación 2.14 para calcular el desfase teórico a la frecuencia de corte,

nos queda
   arctan  2 RCf    arctan( 0.99993 )   45º
Amplitud V out = 0.7071V 1164Hz a -44.95º

Desfase V in = 1.2865ms
Desfase V out = 1.3937ms
De forma práctica, del gráfico de desfase en tiempo entre entrada y salida, también lo
podríamos calcular
Tiempo para V out 1.3937ms

Tiempo para V in 1.2865ms
Diferencia temporal 107.2us
Período de la señal 1/1166 = 8576.3us

Para -45º de desfase (8576.3 · 45º) / 360º = 107.2us
Del gráfico del simulador, podemos comprobar la pendiente de corte de un filtro

pasivo. Si nos alejamos lo suficiente de la frecuencia de corte y seleccionamos una octava, la
pérdida de amplitud es de 6dB. (|24.696| - |30.707| = -6.01dB/Octava).
2.8.1 Diseñar y calcular un filtro paso alto pasivo, mediante células RC, para
una frecuencia de corte de 27KHz. Dibujar aproximadamente el diagrama
de Bode en magnitud y fase. Sol.: 1nF, 5895Ω
2.8.2 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso banda, mediante células RC, para
una frecuencia media de 8KHz y un ancho de banda de 5KHz. Obtener el
Q del filtro resultante.
2.8.3 Diseñar y calcular un filtro pasivo rechaza banda para una frecuencia
media de 1KHz. Dibujar de forma aproximada el diagrama de Bode en
magnitud y fase.
2.8.4 Obtener del circuito de la figura, qué tipo de filtro es, la frecuencia de
corte, dibujar de forma aproximada el diagrama de Bode en magnitud
logarítmica. Sol.: Filtro paso bajo. F C = 723.43Hz
2.8.5 El circuito de la figura corresponde con el diagrama de Bode en magnitud

lineal de la salida de un filtro pasivo. Obtener del circuito, qué tipo de
filtro es, el montaje del cual se obtiene, la frecuencia de corte, la
atenuación de la señal a 1KHz, el desfase que sufriría la señal de salida a
3KHz, y las formas aproximadas de las ondas de entrada y salida que se
visualizaría en el osciloscopio si la entrada corresponde con la de corte.
2.8.6 Diseñar y calcular un filtro pasivo paso alto sabiendo que a la frecuencia
de 3.5KHz la señal está atenuada 21dB/Octava. Dibujar de forma
aproximada el diagrama de Bode en magnitud y fase. Dibujar el desfase
en tiempo entre la señal de entrada y salida del circuito.
Sol.: 1nF, 39271Ω
2.8.7 El gráfico de la figura corresponde con las señales de entrada y salida de

un filtro pasivo RC. Obtener de la misma, qué tipo de filtro es, el montaje
del cual se obtiene, la frecuencia de corte, el desfase que sufre la señal de
salida, las formas aproximadas del diagrama de Bode en magnitud
logarítmica y del diagrama de Bode en fase y una pareja de valores RC
válidos para su correcto funcionamiento.
2.9 Bibliografía
1. Torres Portero, M., Circuitos integrados lineales, Paraninfo, 1994, ISBN: 84-283-1565-5.
2. Hambley, Allan R., Electrónica, Prentice-Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0.
3. Fiore J.M., Amplificadores operacionales y Circuitos integrados lineales, Thomson, 2002,
ISBN: 84-9732-099-9.
4. Irwin, J. David, Análisis básico de circuitos en ingeniería, Prentice Hall
Hispanoamericana, 1997, ISBN: 968-880-816-4.
5. Humphries J.T. y Sheets L.P., Electrónica industrial: Dispositivos, Máquinas y Sistemas
de potencia industrial, Paraninfo, 1993, ISBN: 84-283-2278-3.
6. Malvino. Albert P., Principios de Electrónica, 1996, McGraw-Hill, ISBN: 84-481-1999-1.
Capítulo
3
Circuitos con diodos. Diodos Zener
E n este capítulo se tratará de introducir y asentar conceptos de

circuitos con diodos semiconductores.
Iniciaremos esta introducción con circuitos recortadores con

diodos semiconductores, para seguir con las disposiciones básicas
para la realización de una fuente de alimentación regulada,
incluyendo desde el transformador de entrada hasta la carga a
alimentar.
Se verán con detenimiento los bloques de rectificación de tensión,

filtrado por condensador y estabilización de la tensión de salida.
Contenido

3.3 Circuitos con diodos. Recortadores
3.4 Rectificador de media onda
3.5 Rectificador de onda completa
3.6 Filtrado por condensador
3.7 Diodo zener. Características y aproximaciones
3.8 Circuito estabilizador con diodo zener
3.9 Ejercicios tipo
3.11 Bibliografía
William Bradford Shockley (1910-1989). Físico estadounidense, premiado con el

Nobel y coinventor del transistor. Nació en Londres de padres estadounidenses.
Trabajó en los laboratorios de la Compañía Telefónica Bell desde 1936 hasta
1956, año en que fue nombrado director de la Shockley Transistor Corporation en
Palo Alto, California. Sus investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al
desarrollo del transistor en 1948. Por esta investigación compartió en 1956 el
Premio Nobel de Física con sus asociados John Bardeen y Walter H. Brattain. La
ecuación del diodo o ecuación de Shockley lleva su nombre en su honor.
Clarence Melvin Zener (1905-1993). Físico estadounidense que descubrió el

efecto que lleva su nombre en los diodos semiconductores. Con amplios
conocimientos de matemáticas, escribió sobre una gran variedad de materias,
entre ellas la superconductividad, la metalurgia, etc. Tras doctorarse en Física en
la Universidad de Harvard en 1930, enseñó en varias universidades del país y
trabajó durante un breve periodo en Westinghouse.
El valor medio de la corriente que circula por un componente electrónico se define

como el área de un ciclo de la curva dividido por el período de la señal.
1 2π
2 π ∫0
I medio = I cc = i dα (3.1)
El valor eficaz o RMS (Root Mean Square) de la corriente que circula por un
componente electrónico se define como la raíz cuadrada del cuadrado del área de un ciclo de
la curva dividido por el período de la señal.
1 2π 2
2 π ∫0
I ef = i dα (3.2)
El factor de forma, FF, se define como la relación entre la tensión en valor eficaz y la
tensión en valor medio de una señal.
V V
FF = ef = ef (3.3)
Vmedio Vcc
El factor de rizado, FR, se define como la relación entre la tensión en valor eficaz de la
ondulación residual y la tensión en valor medio. Este factor da una indicación de las
componentes alterna que tiene una señal.
Vef ondulación Vef2 − Vcc2 Vef2

FR = = = 2
− 1 = FF2 − 1 (3.4)
Vcc Vcc V cc
Capítulo 3: Circuitos con diodos. Diodos zener 35
3.3 Circuitos con diodos. Recortadores
Cabría recordar algunos de los circuitos con diodos más típicos. Puede observarse en
ellos el dibujo esquemático y las gráficas de salida de los mismos. Se ha incluido la fórmula
de cálculo de la tensión de salida o la tensión de inicio de funcionamiento.
• Recortador positivo de nivel. Se utiliza para eliminar una porción del semiperíodo
positivo de la señal. Como se muestra, el semiperíodo negativo queda inalterado.
Sólo indicar la disminución de la tensión debido a la pérdida sufrida por el divisor
formado por R1 y RLoad. La ecuación 3.5 está formada por una sumando,
aproximadamente constante, más otro sumando que añade una perturbación.
Atenuada por la relación de la resistencia dinámica del diodo y la resistencia
limitadora del mismo. Figura 3.1.
a) b)
Figura 3.1: a) Circuito de un recortador positivo de nivel, b) Gráfica de salida
R1 R
Vout = (V2 + Vγ ) + V1 D1 (3.5)
R1 + RD1 R1 + RD 1
• Recortador negativo de nivel. Esta disposición es similar al anterior solo que

elimina la parte del semiperíodo negativo. Figura 3.2.
R1
Vout = (V2 − Vγ ) + V1 RD 1 (3.6)
R1 + RD 1 R1 + RD 1
• Elevador de nivel. Este montaje eleva con un nivel de continua el valor de

comienzo de la señal alterna introducida. Téngase en cuenta la necesidad de una
resistencia de alto valor para evitar la descarga rápida de la carga almacenada en
del condensador. Figura 3.3.
• Fijador positivo de nivel. Este montaje es útil para fijar un pedestal de tensión a
partir del cual se dejará pasar toda la señal que apliquemos al circuito. Figura 3.4.
a) b)
Figura 3.2: a) Circuito de un recortador negativo de nivel, b) Gráfica de salida
a) b)
Figura 3.3: a) Circuito de un elevador de nivel, b) Gráfica de salida
a) b)
Figura 3.4: a) Circuito de un fijador positivo de nivel, b) Gráfica de salida
El valor de la tensión inicial de conducción de la señal de salida viene definida por
Vinicial = V2 − Vγ (3.7)
• Fijador negativo de nivel. Este circuito tiene un funcionamiento contrario al

anterior.
a) b)
Figura 3.5: a) Circuito de un fijador negativo de nivel, b) Gráfica de salida
El valor de la tensión inicial de conducción de la señal de salida viene definida por
Vinicial = V2 − Vγ (3.8)
3.4 Rectificador de media onda
Del circuito mostrado en la figura 3.6, se puede obtener un rectificador de media onda,
cuyas formas de onda se muestran en la figura 3.7. Siendo los valores característicos de este
circuito los siguientes
Fentrada 50Hz
Fsalida 50Hz
Vinversa -Vmax
Vsalida Ventrada – Vγ
FF 1.57
FR 1.21
Figura 3.6: Circuito rectificador de media onda
Obteniendo los valores de la tensión eficaz y de valor medio, ecuaciones 3.1 y 3.2,
para una onda de salida como la mostrada en la figura 3.7, los valores del factor de forma y
factor de rizado nos quedan como siguen
Vmax
Vef
FF = = 2 = 1.57 FR = 1.57 2 − 1 = 1.21
Vcc Vmax
π
Figura 3.7: Formas de onda entrada/salida de un rectificador de media onda
3.5 Rectificador de onda completa
Se puede realizar este rectificador mediante dos circuitos diferentes, los mostrados en
las figuras 3.8 y 3.9. Varias son las diferencias entre ellos, tanto en valores característicos
obtenidos como en valores que deben soportar durante su funcionamiento.
En el primero de ellos, el de transformador con toma media, se aprecia que debe

utilizarse un transformador especial. En realidad, no es un problema, ya que, la mayoría de los
transformadores utilizados en Electrónica poseen esta característica. Con el conexionado
adecuado, estos transformadores pueden funcionar como dos devanados conectados en serie o
en derivación. En el caso que nos ocupa, se conectarán ambos devanados en serie. El punto de
unión de ambos devanados se conectará posteriormente a la masa del circuito.
Fentrada 50Hz
Fsalida 100Hz
Vinversa –2 Vmax
Vsalida Ventrada – Vγ
FF 1.11
FR 0.48
Figura 3.8: Rectif. de onda completa con trafo con toma media
Como se aprecia, el problema principal de este montaje es que cada diodo, durante su
funcionamiento en inversa, deberá soportar el doble de la tensión máxima del transformador.
Esto nos obligará a una selección de los diodos a utilizar con mayor cuidado. Obsérvese que
la frecuencia de salida del circuito es doble que a la entrada. Esto, lejos de suponer un
problema, nos facilita el cálculo de los componentes posteriores, sobre todo si se colocase un
condensador de filtrado. Esto se tratará con detenimiento posteriormente.
Obteniendo los valores de la tensión eficaz y de valor medio, ecuaciones 3.1 y 3.2
respectivamente, para una onda de salida como la mostrada en la figura 3.10, los valores del
factor de forma y factor de rizado nos quedan como siguen
Vmax
V
FF = ef = 2 = 1.11 FR = 1.112 − 1 = 0.48
Vcc 2Vmax
π
Para el segundo montaje, el rectificador con puente de diodos, como se aprecia en la

figura 3.9, está formado por cuatro diodos. A esta conexión especial se la conoce como puente
de Graetz o puente de diodos y, al conectar cuatro diodos en vez de dos es más costosa que el
montaje anterior. También habríamos de tener en cuenta el mayor número de agujeros en la
placa, el mayor espacio ocupado, mayor números de soldaduras, un índice de fallo de la placa
mayor al aumentar el número de componentes, etc. Su mejor ventaja sería una tensión inversa
soportada por el circuito mucho mayor y, en realidad, las soldaduras tampoco serían tantas, ya
que en muchas ocasiones, esta interconexión de diodos se adquiere encapsulada sólo con
cuatro terminales externos. Aunque estas valoraciones y la decisión final a adoptar, la mayoría
de las veces, no son electrónicas sino económicas, sobre todo cuando el número de unidades a
fabricar es elevado.
Fentrada 50Hz
Fsalida 100Hz
Vinversa –Vmax
Vsalida Ventrada – 2 Vγ
FF 1.11
FR 0.48
Figura 3.9: Rectif. de onda completa con P. de Graetz
Figura 3.10: Formas de onda entrada/salida de un rectificador de onda completa

3.6 Filtrado por condensador
La forma de onda del rectificador de media onda o de onda completa, también

llamada, onda pulsatoria, posee un valor medio o de corriente continua bajo. Con esta etapa
de filtrado por condensador se elevará el valor medio de la tensión obtenida con el
rectificador, disminuyendo consecuentemente el valor de la tensión eficaz de la onda. A la
señal eficaz resultante se le conoce como rizado. Con etapas posteriores se tratará de
disminuir más aún este valor. Idealmente debería desaparecer por completo, y conseguir de
este modo una señal continua perfecta. Por diferentes motivos, preponderantemente
económicos, esto no es viable en la práctica.
Sabemos que la corriente en un condensador está definida por la ley de conservación

de la carga
dQ de
Σinodo = =C (3.9)
dt dt
O bien de esta otra forma
dV
IC = C (3.10)
dt
Mediante esta ecuación podemos calcular el valor del condensador adecuado para un
determinado nivel de rizado residual o nivel de tensión pico-pico no rectificada de una onda
alterna, denominado ΔVpp, esto lo obtendremos del arreglo de la ecuación 3.10.
I·t
C= (3.11)
ΔV pp
El circuito utilizado para el filtrado por condensador es el siguiente. Como se observa

está compuesto de una etapa rectificadora, vista en el apartado anterior, más la de filtrado.
Figura 3.11: Circuito de filtrado mediante condensador
En el gráfico de la figura 3.12, podemos observar los valores de la señal Vcc y la

tensión en valor eficaz de la señal filtrada por un condensador, que tienen un valor de
Vr Vr
Vcc = Vmax − Vef(triangular) =
2 2 3
Figura 3.12: Tiempos de carga y descarga de un condensador en un rectificador de onda completa
Como se muestra, durante el tiempo t2, es el condensador el que aporta la corriente a la

carga. Como sabemos
Q = C ·Vr = I · t = I cc · t2 (3.12)
Obteniendo la tensión de rizado, Vr, para el caso extremo en el cual el condensador sea
el único elemento que aporte energía al circuito, es decir, t2 = T/2 = 1/2f, nos queda
I cc · t2 I
Vr = = cc (3.13)
C 2fC
Como se observa en la ecuación, la tensión de rizado es inversamente proporcional al

valor del condensador de filtrado.
Por otro lado, si deseamos observar la dependencia del rizado con la resistencia de
carga, podemos decir
V Vr
2
Vcc
Vmax
Figura 3.13: Aproximación de la curva resultante del rizado residual de un rectificador de onda completa
Vr 1 I cc
V 2 3 2 32fC I cc 1
Fr = ef(triangular) = = = = (3.14)
Vcc Vcc Vcc 4 3 f C Vcc 4 3 f C Rload
Donde se observa que el factor de rizado es inversamente proporcional al valor de la

resistencia de carga del circuito y al valor del condensador de filtrado.
3.7 Diodo zener. Características y aproximaciones
Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se conocen como diodos zener o diodos
de avalancha. Esto es debido a los dos fenómenos que se producen durante su
funcionamiento. Para valores inferiores a VZ ≈ 5.6V, el diodo de ruptura trabaja bajo el efecto
zener. Para diodos con una tensión de ruptura por encima de 5.6V, trabajan bajo el efecto
avalancha. Estos valores son aproximados, ya que, existe una zona fronteriza entre los 4.7V y
5.6V en los que nos es fácil distinguir bajo qué efecto están trabajando, ya que depende de la
fabricación de los mismos. En función de esto, el modelo matemático a utilizar en la
resolución de circuitos será diferente. El efecto bajo el que estén trabajando es dependiente
del procedimiento de fabricación, no comportándose indistintamente de una u otra forma.
Estos fenómenos se deben a una fuerte generación de portadores en la zona de

transición debido a que la intensidad de campo eléctrico alcanza un valor suficientemente
grande. En el caso de la ruptura zener, el campo eléctrico es suficientemente intenso como
para romper directamente los enlaces. Es el mecanismo típico si VZ ≤ 4.5V. En este caso el
coeficiente de temperatura es negativo. En el caso de multiplicación por avalancha, el
campo eléctrico acelera los portadores que atraviesan la zona de transición. Algunos chocan y
generan más portadores. Si el campo es suficientemente intenso, los nuevos portadores
vuelven a chocar y vuelven a generar más portadores. Se produce entonces una reacción en
cadena que genera muchísimos portadores, y con ello una fuerte corriente. Es el mecanismo
típico si VZ ≥ 5.6V. El coeficiente de temperatura es positivo.
En la siguiente figura se pueden observar las diferentes formas o símbolos

esquemáticos utilizados para identificar a los diodos zener.
Figura 3.14: Diferentes símbolos esquemáticos de un diodo zener
Obsérvese el coeficiente de temperatura negativo con la tensión zener inferior a 5.1V y

el coeficiente de temperatura positiva para valores superiores de tensión de ruptura. En las
tablas 3.19 y 3.20 se aprecia el cambio de valor de la impedancia zener, primero
disminuyendo y luego aumentando en función de la tensión zener seleccionada.
La aplicación más habitual del diodo zener es utilizarle en circuitos donde se necesite
mantener constante un valor de tensión, en correspondencia con la tensión de ruptura del
diodo. Estos valores normalizados se encuentran en las tablas 3.19 y 3.20.
Para el funcionamiento como diodo de ruptura o, simplemente, zener su polarización

es en inversa. Si lo polarizamos en directa, su comportamiento es similar a la de un diodo
rectificador normal, con una tensión directa similar a la de un diodo rectificador normal.
Los puntos característicos de su curva de funcionamiento se pueden observar en la

figura 3.16. Cabe destacar la zona de funcionamiento en inversa (Reverse), la zona de codo
(Knee) y la de funcionamiento con la corriente especificada por el fabricante como corriente
zener de test (Zener Test).
Figura 3.15: Efectos zener y avalancha Figura 3.16: Curva de funcionamiento del diodo
en función de la tensión de ruptura zener y puntos característicos
Si deseamos obtener los valores de polarización de un zener en un circuito

determinado, deberemos obtener primero su recta de carga. Para ello, partiendo del circuito de
la figura 3.17 y aplicando el cálculo de las tensiones de la malla, nos queda
VCC = R·iD + vD (3.15)
Obteniendo los valores extremos, es decir, cuando vD = 0 y cuando iD = 0, tenemos
VCC
iD = VCC = vD (3.16)
R
Estos dos valores nos ofrecen los puntos de corte con los ejes de coordenadas. De la
intersección de esta recta con la curva característica del diodo zener se obtiene el punto de
trabajo o de funcionamiento para un circuito en particular.
Figura 3.17: Circuito de polarización de un diodo zener
En la figura 3.19 se muestran los valores característicos de los diodos zener de 0.5W y
en la figura 3.20 los valores de los diodos zener de 1W.
Los elementos de esta tabla son:
• Tensión zener e impedancia zener.

• Corriente zener de test.
• Impedancia zener y corriente zener en la zona de codo.
• Tensión y corriente zener en la zona inversa.
• Sobrecorriente máxima.
• Corriente máxima admisible en funcionamiento normal.
Como se mencionó anteriormente, para un funcionamiento del diodo de ruptura como

estabilizador de tensión es necesario que esté trabajando en zona inversa o polarizado
inversamente.
A la hora de comprender mejor el funcionamiento de este componente debemos

obtener un modelo matemático de comportamiento. Para ello, en la figura 3.18 se muestra el
circuito equivalente de un zener, siendo éste una aproximación al funcionamiento real,
también llamado modelo para gran señal.
Figura 3.18: Modelo para gran señal de un diodo zener

Figura 3.19: Tabla de características de diodos zener de 0.5W
Figura 3.20: Tabla de características de diodos zener de 1W

En este modelo de comportamiento, los diodos D, de polarización directa e inversa son

ideales. A efectos prácticos, en la polarización directa sólo se considerará la resistencia
dinámica en directa RF, y la pila de 0.7V, como si se tratase de un diodo rectificador normal.
Para la polarización en inversa, que es la que nos interesa en este momento, consideraremos el
valor de ZZ, que es la impedancia o resistencia zener y la tensión V’zener. Ambos datos los
obtenemos de las tablas 3.19 y 3.20, dependiendo de la potencia que necesitemos.
Debido a los dos posibles efectos de funcionamiento del diodo de ruptura, la forma de
resolver los circuitos también es doble. Para el caso de funcionamiento mediante efecto zener,
VZ ≤ 4.5V, se dice que el diodo zener no utiliza ninguna aproximación, es decir, la tensión
de ruptura del diodo es la indicada por el fabricante, sin más.
VZ ( KA) =VZ' (3.17)
Para el caso del funcionamiento mediante efecto avalancha, se utiliza la primera

aproximación del diodo zener. Es decir, se tiene en cuenta una perturbación, introduciendo la
idea de la impedancia zener como causante de la misma. En este caso el valor de la tensión en
bornes del diodo zener es
VZ ( KA) = VZ' + ( Z Z · I Z ) (3.18)
Siendo el valor de la tensión Vz’ el indicado por el fabricante, y el otro sumando, el

correspondiente a la perturbación debida al valor de la impedancia zener, Zz, en función de la
corriente que circule a su través. Este valor lo deberá fijar el diseñador.
Para justificar la bondad de funcionamiento del diodo zener y su utilidad en los

circuitos electrónicos como estabilizador de tensión, observemos el siguiente circuito.
Figura 3.22: Circuito equivalente para obtener el Factor de regulación
Si definimos el factor de regulación como la relación entre la variación de la tensión

de salida y la variación de la tensión de entrada, podremos observar la sensibilidad del
circuito para cambios importantes en el valor de la tensión de entrada.
ΔVs
Freg = (3.19)
ΔVe ΔI s = 0
ΔVs = I e Z z (3.20)
ΔVe = I e ( Rs + Z z ) (3.21)
Sustituyendo las ecuaciones 3.20 y 3.21 en el Factor de regulación, nos queda
Zz
Freg = (3.22)
Rs + Z z
Dado que RS suele ser mucho mayor que ZZ, para una variación importante de tensión
a la entrada, ésta quedará atenuada a la salida por el factor de regulación.
3.8 Circuito estabilizador con diodo zener
Para que el diodo zener funcione como tal debe estar funcionando en la zona de
ruptura. La resistencia limitadora para polarizar adecuadamente al diodo la calculamos del
circuito de la figura 3.23.
Figura 3.23: Circuito estabilizador de tensión
Nótese que esta ecuación corresponde a la utilización del zener sin aproximación, es
decir, la tensión en bornes del diodo zener es la suministrada por el fabricante, no teniendo en
cuenta el efecto perturbador de la impedancia zener. Si deseamos utilizar el zener con la
aproximación y/o resistencia de carga variable y/o tensión de entrada variable, la ecuación
3.23 puede variar sus elementos de forma apreciable.
Vin −VD 1
RLim = (3.23)
I zener + I Load
Si estamos trabajando con un diodo zener de más 5.6V deberemos de tener en cuenta
la aproximación expresada en la ecuación 3.18 y, partiendo de la ecuación 3.23, si sustituimos
los valores que las integran, es decir, ILoad y VD1, nos queda
VD1
VD 1 = VZ' + (Z Z · I Z ) I Load =
RLoad
Vin − VZ' − ( Z Z · I Z )
RLim =
VZ' + ( Z Z · I Z )
I zener +
RLoad
Reagrupando términos, nos queda

⎛ R ⎞
Vin − VZ' ⎜ 1 + Lim ⎟
Vin − V − ( Z Z · I zener )
'
⎝ RLoad ⎠
RLim = Z
I Zener = (3.24)
⎛ Z ⎞ V' ⎛ Z ⎞
I zener ⎜ 1 + Z ⎟ + Z RLim ⎜ 1 + Z ⎟ + Z Z
⎝ RLoad ⎠ RLoad ⎝ RLoad ⎠
Esta ecuación nos ofrece el valor de la resistencia limitadora del diodo zener con la
aproximación citada, resistencia de carga fija y tensión de entrada fija. Si necesitamos que la
entrada de tensión sea variable y la resistencia de carga también lo sea, la ecuación 3.24 se
convierte en
VIn max − VZ' − (Z Z I Zener max )

RLim min = (3.25)
⎛ Z Z ⎞⎟ VZ'
I Zener max ⎜ 1 + +
⎜ R ⎟ R
⎝ Load max ⎠ Load max
Indicándonos el mínimo valor que podremos colocar en la resistencia limitadora

para que el circuito funcione correctamente. Para un valor inferior de RLim, el circuito puede
dejar de funcionar, estropeándose el diodo zener por exceso de corriente.
De la misma forma, para el caso contrario, nos queda
VIn min −VZ' − (Z Z I Zener min )

RLim max = (3.26)
⎛ Z Z ⎞⎟ VZ'
I Zener min ⎜ 1 + +
⎜ R ⎟ R
⎝ Load min ⎠ Load min
Este será el máximo valor que podremos colocar en la resistencia limitadora para
que el circuito funcione correctamente. Para un valor superior de RLim, el zener dejará de estar
en zona de ruptura (por falta de corriente) y la tensión de salida no estará regulada, aunque el
diodo zener no se estropeará.
Analizados los elementos que componen una fuente de alimentación regulada, nos
queda abordar el cálculo completo de algunas de ellas.
3.9 Ejercicios tipo
3.9.1 Calcule el circuito estabilizador mediante diodo zener de la figura.

Obtenga la corriente a través de la carga, teniendo en cuenta una
corriente por el diodo zener del 50% de IZM, la corriente total solicitada a
la fuente y la resistencia limitadora del diodo zener.
--- 000 ---
De la tabla 3.20 podemos obtener los valores característicos del zener del circuito, es
decir:
VZener = 12V
ZZener = 9Ω
IZM = 76mA
Como la tensión zener supera los 5.6V utilizaremos la aproximación del la ecuación
3.18 para calcular la tensión en bornes del diodo. Teniendo en cuenta el 50% de la corriente
zener máxima, nos queda
VZ ( KA) =VZ' + ( Z Z · I Z ) = 12 + ( 9·38·10 −3 ) = 12.34V
Esta tensión también será la existente en bornes de la carga, con lo cual la corriente a
través de la misma tendrá un valor de
VZ ( KA) 12.34
I Load = = = 9.67mA
RLoad 1275
Sumando esta cantidad a la que circula por el diodo zener obtendremos la corriente
total solicitada a la fuente.
IT = I Z + I RLoad = 38·10 −3 + 9.67 ·10 −3 = 47.67mA
Esta corriente también es la que circula por la resistencia limitadora, encargada de

polarizar el zener en zona de ruptura, que deberá tener un valor de
VCC −VZ ( KA) 24 − 12.34

RLim = = = 244.59Ω
IT 47.67 ·10 −3
Además, podríamos calcular la potencia disipada por la resistencia limitadora y la

carga del circuito, mediante el efecto Joule, que serían de
PRLim = RLim · IT2 = 0.55W
PRLoad = RLoad · I Load

2
= 0.11W
3.9.2 Calcule la resistencia limitadora del circuito estabilizador mediante diodo

zener de la figura. Fije una corriente zener del 61% de IZM.
--- 000 ---
De la tabla 3.19 podremos obtener los siguientes valores del diodo zener BZX55C3V9
VZener = 3.9V
ZZener = 85Ω
IZM = 95mA
Como la tensión zener es inferior a 5.6V no utilizaremos ninguna aproximación para

obtener el valor de la tensión en bornes del diodo. Aplicando la ecuación 3.17, nos queda
VZ ( KA) =VZ' = 3.9V
Esta tensión será idéntica a la de los extremos de la resistencia de carga, con lo cual
VZ ( KA) 3.9
I Load = = = 14.6mA
RLoad 267
Y aplicando la ecuación 3.23 obtendremos la resistencia limitadora necesaria para el

correcto funcionamiento del circuito.
Vin −VD Z 1 18 − 3.9

RLim = = = 194.34Ω
I zener + I Load 57.95·10 −3 + 14.6 ·10 −3
Aclaración:
Si por despiste, se nos hubiese ocurrido obtener el valor de la tensión en bornes del
zener mediante la ecuación 3.18, hubiésemos obtenido
VZ ( KA) =VZ' + ( Z Z · I Z ) = 3.9 + ( 85·57.95·10 −3 ) = 8.82V
Un valor a todas luces erróneo y exagerado, ya que, tendríamos un estabilizador de

tensión que nos ofrece 2.26 veces la tensión solicitada.
3.9.3 Con los datos del ejercicio, calcule la tensión de la batería para que el
circuito de la figura funcione correctamente. Estime un valor adecuado
de la corriente por el zener.
--- 000 ---
Los datos de este ejercicio son
VZener = BZX55C9V1
RLoad = 1000Ω
R1 = 220Ω
De la tabla 3.19 obtenemos los valores del diodo zener
VZener = 9.1V
ZZener = 10Ω
IZM = 43mA
Dado que la tensión zener supera los 5.6V utilizaremos la aproximación de la ecuación
3.18 para calcular la tensión en bornes del diodo. Estimaremos un 25% de la corriente zener
máxima IZM, con lo que nos queda
VZ ( KA) =VZ' + ( Z Z · I Z ) = 9.1 + (10·10.75·10 −3 ) = 9.2V
Esta tensión también será la existente en bornes de la carga, con lo cual la corriente a
través de la misma tendrá un valor de
VZ ( KA) 9.2
I Load = = = 9.2mA
RLoad 1000
Sumando esta cantidad a la que circula por el diodo zener obtendremos la corriente
total solicitada a la batería.
IT = I Z + I RLoad = 10.75·10 −3 + 9.2·10 −3 = 19.95mA
La tensión necesaria en la batería será la suma de la tensión en bornes del diodo zener,
más la caída de tensión en la resistencia limitadora, que la obtendremos mediante
VRLim = RLim · IT = 220·19.95·10 −3 = 4.38V

Con lo cual, la tensión necesaria en la batería será de
BAT = VZ ( KA) + VRLim = 9.2 + 4.38 = 13.58V
3.9.4 Justifique si, en el circuito de la figura, se produce la destrucción del

diodo zener por superación de la corriente zener máxima.
--- 000 ---
De la tabla 3.20 obtenemos los valores característicos del diodo zener
VZener = 8.2V
ZZener = 4.5Ω
IZM = 110mA
Aclaración:
En un principio se podría pensar en calcular la tensión en bornes del zener

suponiendo, por ejemplo, un 50% la IZM, obtener la corriente por la carga, sumar estos
valores de corriente y decidir en consecuencia. Esto es
VZ ( KA) =VZ' + ( Z Z · I Z ) = 8.2 + ( 4.5·55·10 −3 ) = 8.44V
VZ ( KA) 8.44
I Load = = = 42.2mA
RLoad 200
IT = I Z + I RLoad = 55·10 −3 + 42.2·10 −3 = 97.2mA
En base a este cálculo, podríamos decidir que el valor de IT es suficientemente inferior

a IZM y, en consecuencia, decidir erróneamente que el zener no se destruiría. Pero esto sería
tener una visión premeditada de lo que sucede en el circuito al desconectarse la carga. Lo
que realmente sucede es lo siguiente.
Dado que se solicita si se excede el valor de IZM al desconectar RLoad y que debido a la
tensión del diodo zener utilizaremos la aproximación matemática expresada en la ecuación
3.18, obtendremos el circuito equivalente siguiente para tal caso.
Calculando la corriente que circula por la malla, tendremos
VCC − VZener
'
12 − 8.2
IZ = = = 143.39mA
RLim + Z Z 22 + 4.5
Como podemos apreciar ahora, el valor obtenido es muy superior al máximo

soportado por el diodo zener, con lo que supondría la destrucción del diodo si la carga se
desconectase por algún motivo.
Moraleja: Realizar cálculos premeditados y sin base científica puede ser un mal
consejero en la resolución de problemas de Ingeniería.
3.9.5 Calcule en el circuito de la figura la tensión entre el punto A y masa.

¿Cómo afectará y en qué medida la desconexión de R1 a la tensión en
bornes del diodo zener?.
--- 000 ---
De la tabla 3.20 obtenemos los valores característicos del diodo zener 1N4731.
VZener = 4.3V
ZZener = 9Ω
IZM = 217mA
El circuito de la figura es idéntico al circuito estabilizador clásico, salvo que la

resistencia limitadora está en la rama inferior. El ejercicio nos solicita el valor de la tensión
entre el punto A y masa y, al estar la resistencia limitadora antes de la conexión a masa,
deberemos tener en cuenta la caída de tensión en esta resistencia y no pensar que la red de
resistencias en derivación R2 y R3 están entre R1 y masa como podría parecer en primera
instancia.
Si observamos con detenimiento el circuito, las resistencias R1, R2 y R3 están

conectadas entre los bornes del diodo zener, con lo que será muy fácil calcular el valor de
tensión en esta red, máxime cuando R2 y R3 son del idéntico valor. Esto quiere decir que
tenemos entre bornes del diodo zener dos resistencias en serie de
REq = R1 + ( R2 // R3 ) = 1000 Ω + 1000Ω
Luego la tensión en bornes de la resistencia equivalente es el 50% de la existente entre

bornes del diodo zener. Al aplicar la ecuación 3.17, en bornes de R2 y R3 tendremos
VZ ( KA) 4.3
VR 2 // R3 = = = 2.15V
2 2
Si la tensión en bornes del diodo zener es de 4.3V, el resto hasta el valor de VCC caerá
en la resistencia limitadora, es decir
VRLim = VCC − VZ ( KA) = 10 − 4.3 = 5.7V
La suma de estas dos últimas cantidades será la solución de la primera pregunta del
ejercicio, es decir
VA− Masa = VRLim + VR2 // R3 = 5.7 + 2.15 = 7.85V
Sobre la otra cuestión, la desconexión de R1 no afectará a la tensión en bornes del

diodo zener, ya que no estamos utilizando aproximación alguna para el cálculo de la tensión
y ésta la consideramos fija. Siempre y cuando la resistencia equivalente que coloquemos en
paralelo con el zener no le solicite una corriente suficiente como para despolarizarle, la
tensión en bornes del zener será estable. El circuito resultante al desconectar R1 es
Si deseamos calcular ahora la corriente que circula por la malla, tendremos

VCC −VZener( KA) 10 − 4.3

IZ = = = 57mA
RLim 100
3.9.6 Calcule una fuente regulada zener para obtener 7.5V a la salida con un
rizado máximo de 100mVpp. La carga a conectar será de 180Ω. Se
considera oportuno que el diodo zener trabaje al 50% de su corriente
máxima. El diseño deberá soportar la desconexión de la carga sin pérdida
de funcionamiento. Calcule igualmente el factor de regulación del
circuito, la corriente de pico en los diodos y la potencia disipada en la
resistencia limitadora. El transformador utilizado será de 220/12Vef.
--- 000 ---
Antes de comenzar con la resolución definitiva del ejercicio deberemos estimar

algunos valores iniciales del mismo. Estos datos nos permitirán averiguar si es posible un
buen funcionamiento del circuito a priori. Para ello, empezaremos por calcular una estimación
de la corriente total consumida por el conjunto, y con ello, suponer si el zener soportará la
desconexión de la resistencia de carga sin su destrucción por exceso de corriente.
De la tabla 3.19 o 3.20, podremos seleccionar el zener adecuado para este circuito y
obtendremos los datos que nos interesan del diodo. Al tener mayor potencia de disipación
seleccionaremos mejor la tabla 3.20. El zener adecuado será el 1N4737, y su datos más
característicos son
VZener = 7.5V
ZZener = 4Ω
IZM = 121mA
Estimación:
Considerando la tensión del diodo zener como la ofrecida por el fabricante, podemos
estimar la corriente por la carga, que será aproximadamente
VZ 7.5
I RLoad = = = 41.66 mA
RL oad 180
La corriente por el zener será la estimada en el enunciado del 50% de IZM, que tiene
un valor de 60.5mA. Esto nos generará un consumo estimativo total del circuito de
ITotal = I Load + I Zener = 0.04166 + 0.0605 = 102.16 mA
Conocidos estos datos podremos decir que
El circuito es posible que soporte la desconexión de la carga, ya que, incluso

absorbiendo el diodo zener el total de la corriente de la carga, estaría trabajando
aproximadamente al 84.4% de la corriente máxima admisible.
Pasando al cálculo efectivo del circuito, obtendremos la tensión en el diodo zener

aplicando la aproximación expresada en la ecuación 3.18. El valor de la corriente zener es del
50% de IZM citados en el enunciado.
VZ ( KA) = VZ' + ( Z Z I Z ) = 7.5 + ( 4 ·0.0605 ) = 7.74V
Conocida la tensión de salida del diodo zener, podremos calcular de nuevo las
corrientes por el circuito.
VZener( KA) 7.74

I Load = = = 43mA
RLoad 180
Siendo la corriente total consumida de
ITotal = I L oad + I Zener = 0.043 + 0.0605 = 103.5 mA
Calculando ahora el valor del condensador de filtrado, ecuación 3.11
ITotal ·t 0.1035 ·0.01

C= = = 0.01035 F
ΔV pp 0.1
El tiempo de 10ms corresponde a la frecuencia de 100Hz de la señal de salida de un

rectificador de onda completa, apartado 3.5.
Lo que nos obligará a utilizar un condensador de 10350μF para una tensión de 7.5V,
algo más de 100mA y un rizado de 100mVpp. Este dato es, a todas luces, muy elevado.
Existen soluciones y circunstancias para mejorar este circuito que se ofrecerán más adelante.
Estamos ahora en disposición de calcular el valor de la resistencia limitadora del diodo

zener y el factor de regulación de la fuente. Ecuaciones 3.24 y 3.22 respectivamente.
Antes debemos obtener el valor de tensión en el condensador, que será de
VC = (VSec · 2 ) − VPD1 = 16.97 − 1.4 = 15.57V
El valor de tensión del secundario hay que pasarlo a valor de pico al estar dado en
valor eficaz, y los 1.4V del puente de diodos corresponde a una caída estimada de 0.7V por
cada uno de los dos diodos que conducen en cada semiperíodo. Al ser la corriente total del
circuito pequeña, aproximadamente una décima parte de la corriente total especificada por el
fabricante, la estimación de 0.7V por diodo es correcta. Ver tabla siguiente de la serie 1N4001
a 1N4007.
Tabla 3.1: Datos parciales de la serie 1N4001-7
Aplicando ahora la ecuación 3.24, nos queda
15.57 − 7.5 − ( 4·0.0605 ) 7.828

RLim = = = 75.62 Ω
⎛ 4 ⎞ 7.5 0.1035
0.0605 ⎜ 1 + ⎟+
⎝ 180 ⎠ 180
Haciendo lo mismo con la ecuación 3.22, obtenemos
4
Freg = ·100 = 5.02%
4 + 75.62
Esto quiere decir que, las variaciones de tensión a la entrada del circuito, el diodo
zener las atenúa hasta dejarlas en un 5.02% del valor inicial.
Para calcular la potencia disipada por la resistencia limitadora del diodo zener,
aplicando el efecto Joule, nos queda
PRlim = RLim I Total

2
= 75.62 · 0.1035 2 = 810.06 mW
Por otro lado, si se produjese la desconexión de la carga, el circuito se transformaría

en el mostrado en la siguiente figura, y tendríamos una corriente por el zener de
15.57 − 7.5
IZ = = 101.35 mA
75.62 + 4
Valor que está por debajo del límite máximo admisible por el diodo zener, los 121mA
obtenidos de la tabla 3.20. Con lo cual, el circuito no se estropearía ante una eventual
desconexión de la resistencia de carga.
Si calculamos ahora la corriente que circula por el condensador aproximándole a su

reactancia capacitiva, por efecto de la tensión de rizado del circuito, y teniendo en cuenta que
el condensador estará trabajando como mucho la mitad de un semiciclo, nos queda
ΔVpp 0.1
IC = = = 1.3 A
XC 5·10 −3
2·π ·0.01035
Que sumados a los 103.51mA del zener y la carga, nos darán un total de 1.4A que
circularán por el puente de diodos. Observando las gráficas de corrientes y tensiones que nos
ofrece el simulador, observamos que los cálculos se acercan bastante a los obtenidos
teóricamente.
a) 1.25A b) 1.35A
Corrientes en el condensador de filtrado y uno de los diodos del puente
Como se muestra, los datos de las corrientes por el zener y la resistencia de carga
difieren poco de los cálculos teóricos.
a) 57.03mA b) 41.9mA
Corrientes por el diodo zener y la carga
Para las tensiones en el condensador y salida del circuito igualmente se obtienen

valores muy similares a los calculados teóricamente.
a) 15V b) 7.55V
Tensiones en el condensador y salida del circuito
Si ampliamos la tensión del rizado a la salida del circuito, nos queda

Ampliación del rizado a la salida del circuito. (2.7mV)
Este valor es muy inferior al solicitado. Esto se debe, fundamentalmente, a no haber

introducido en el circuito la corrección del factor de regulación del diodo zener. Es decir, en
nuestro cálculo todo el peso de la eliminación del rizado había recaído sobre el condensador.
Teniendo en cuenta este factor y para acercarnos con mayor precisión a los solicitados
100mVpp en la carga, deberíamos calcular nuevamente el condensador con un valor igual a la
disminución ofrecida por el factor de regulación del zener, es decir, el condensador sería de
C = 0.01035 · 0.0502 = 519.57 μ F

Realizando nuevamente la simulación del circuito son los estos valores, tenemos
Tensión de rizado en la salida del circuito con la corrección del Factor de regulación (40mV)
Aún alejándose este valor de los cálculos teóricos, se comprueba la mejora introducida
por el zener, mediante el factor de regulación, en la disminución drástica (20 veces) del
condensador de filtrado necesario para el correcto funcionamiento del circuito.
3.10.1 Calcule la resistencia limitadora del diodo zener, R1, la corriente total
consumida por el circuito y la tensión en RLoad .
--- 000 ---
Los datos para solucionar este ejercicio son los siguientes
VZener = BZX55C3V6
RLoad = 470Ω
VBAT = 8V
3.10.2 Calcule los valores de la resistencia de carga que mantiene al zener

dentro de la zona de ruptura.
--- 000 ---
Los datos para solucionar el ejercicio son los siguientes
RLim = 73Ω VCC = 15V

D1 = 1N4739 IZener = Considere entre el 10-80% de IZM
3.10.3 Calcule los valores de la tensión de alimentación que hacen funcionar al

diodo zener de la figura en la zona de ruptura. Puede seleccionar un valor
de IZener entre el 10-80% de IZM. VD1 = 0.7V.
--- 000 ---
3.10.4 Calcule el condensador y el transformador adecuados para el correcto

funcionamiento del circuito de la figura. Estime, justificadamente, los
valores que pueda necesitar para completar el cálculo
--- 000 ---
Los datos necesarios para la resolución de este ejercicio son los siguientes
VZener = BZX55C12 RLoad = 2K2Ω.

RLim = 110Ω ΔVPP = 150mV
3.11 Bibliografía

2. Savant, Jr., C. J., Roden, Martin S., Carpenter, Gordon L., Diseño Electrónico. Circuitos y
Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
3. Malik, Norbert R., Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño, Prentice Hall,
1999, ISBN: 84-89660-03-4.
5. Cuesta, L., Gil Padilla, A. y Remiro, F., Electrónica Analógica, Análisis de circuitos.
Amplificación. Sistemas de Alimentación, McGraw-Hill/Interamericana de España, 1991,
ISBN: 84-7615-664-2.
6. Zorzano Martínez, Antonio, Problemas de electrónica analógica, Servicio de
publicaciones de la Universidad de La Rioja, 1999, ISBN: 84-88713-96-7.
Capítulo
4
Transistores Bipolares
E l término transistor es la contracción de transfer resistor, es

decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un
dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza como
amplificador o conmutador electrónico. El transistor se utiliza, por
tanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y
como conmutador on-off.
Es un componente clave en nuestra civilización ya que toda la

electrónica moderna los utiliza en: circuitos integrados,
microprocesadores, controladores de motores eléctricos de
corriente continua y, actualmente, están integrados a todos los
dispositivos electrónicos de utilización diaria: radios, televisores,
grabadores, etc.
Contenido

4.3 Constitución física
4.4 Modelo de comportamiento
4.5 Estados del transistor
4.5.1 Estado activo directo. Configuración emisor común
4.5.2 Estado cortado
4.5.3 Estado saturado
4.5.4 Estado activo inverso
4.6 Modulación de la anchura de la base del transistor. Efecto Early
4.7 Variación de la ganancia de corriente
4.8 Bibliografía
(1910-1989) William Bradford Shockley, físico estadounidense, premiado con el Nobel y

coinventor del transistor. Nació en Londres de padres estadounidenses. Trabajó en los
laboratorios de la Compañía Telefónica Bell desde 1936 hasta 1956, año en que fue nombrado
director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California (su propia empresa).
Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y fue profesor de ingeniería en 1963.
Sus investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al desarrollo del transistor en 1948.
Por esta investigación compartió en 1956 el Premio Nobel de Física con sus asociados John
Bardeen y Walter H. Brattain.
(1902-1987) Walter Houser Brattain, físico y premio Nobel estadounidense, nacido en Amoy,
China. Después trabajó como físico en la división de radio del Instituto Nacional de Modelos y
Tecnología. En la época en que trabajaba allí, él y los físicos estadounidenses William
Shockley y John Bardeen inventaron un pequeño dispositivo electrónico llamado transistor. Se
anunció por primera vez en 1948 y se terminó en 1952. Por su trabajo con los
semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain compartió con Shockley y
Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Física.
(1908-1991) John Bardeen, físico y premio Nobel estadounidense, nació en Madison

(Wisconsin) y estudió en las universidades de Wisconsin y Princeton. Como físico investigador
(1945-1951) en los Laboratorios Telefónicos Bell, fue miembro del equipo que desarrolló el
transistor. Por este trabajo, compartió en 1956 el Premio Nobel de Física con dos
compatriotas, los físicos William Shockley y Walter H. Brattain. En 1972 compartió nuevamente
el Premio Nobel de Física con los físicos estadounidenses Leon N. Cooper y John R. Schrieffer
por el desarrollo de una teoría que explicaba la superconductividad. Bardeen fue el primer
científico que ganó dos premios Nobel en la misma disciplina.
(1922-2004) James M. Early, ingeniero estadounidense. Se doctoró en Ingeniería eléctrica en

la Universidad de Ohio en 1951, a partir de entonces, estuvo 18 años trabajando en los
Laboratorios de la compañía Bell. Posteriormente trabajó para Fairchild, donde inventó
diferentes dispositivos que concluyeron con la cámara CCD. Early desarrolló los transistores
para el primer satélite de comunicaciones Americano, el Telstar I.
A mediados de los 50, Raytheon Manufacturing Company distribuía comercialmente el primer

transistor de Germanio, al precio de 99 centavos de dólar. El modelo fue el CK722. La foto
muestra uno de ellos, que se fabricó la semana 17 del año 1956 (617). Aún hoy, se sigue esta
nomenclatura en la fabricación de los circuitos integrados, indicando la semana y el año de
fabricación de los mismos.
(1921) John Louis Moll, se doctoró en Ingeniería Eléctrica en la Universidad estatal de Ohio en
1952, trabajando en multitud de empresas como RCA, BTL, Fairchild, Hewlett-Packard, etc. Su
trabajo más conocido es el modelado del transistor bipolar realizado junto a Jewell J. Ebers.
(1921) Jewell James Ebers, contribuyó de forma decisiva al modelo del transistor bipolar junto con
John L. Moll. El IEEE estableció en 1971 un premio en su honor. El primer ganador de este
galardón fue su compañero de desarrollo del modelo del transistor bipolar John L. Moll.
Capítulo 4: Transistores Bipolares 65
Antecedentes
Para comprender algunas de las ecuaciones que conforman el funcionamiento del

transistor, se hace necesario recordar algunas ecuaciones y relaciones previas.
Relación de Einstein
Dp Dn kT
= = VT =
μp μn q
Dp, Dn = Constante de difusión de huecos y electrones.

μn, μp = Movilidad de electrones y huecos.
VT = Tensión térmica = 25.84mV ≈ 26mV a 300K.
k = Constante de Boltzman ≈ 1.38x10-23 J/K.
T = Temperatura absoluta ≈ 27ºC = 300K.
q = Carga del electrón ≈ 1.602x10-19 C.
Ecuación del diodo, ley del diodo o ecuación de Shockley
Teniendo en cuenta la suma de corrientes de electrones y huecos, la corriente que

circula por un diodo viene definida por:
DP ⎤ ⎛ ηVFT ⎞ ⎛ ηVVF ⎞
V
⎡ DP
iF = An q ⎢
2
i + ⎥ ⎜⎜ e − 1 ⎟⎟ = I s ⎜⎜ e − 1 ⎟⎟
T
⎣ N d LP N a LN ⎦ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
A = Área de Silicio.
ni2 = Concentración de huecos o electrones.
(Ley de acción de masas: Producto de huecos y electrones libres es constante).
LP, LN = Longitudes de difusión de huecos y electrones.
Nd, Na = Concentraciones de átomos donadores y aceptores.
η = Parámetro dependiente del material (1 para el Germanio y 2 para el Silicio).
4.3. Constitución física
Descripción cualitativa
Una de las muchas clasificaciones que pueden realizarse de los transistores, es la

debida a las dos grandes familias que los componen, es decir, Bipolares y “no bipolares”.
Cada una de estas familias están, a su vez, subdivididas en los dos tipos de impurezas
que se les añade a los materiales semiconductores, tipo P o tipo N.
Figura 4.1: Clasificación constructiva de los transistores
BJT: Transistores Bipolares de Unión.

FET: Transistores de Efecto de Campo.
JFET: Transistores de Efecto de Campo de Unión.
MESFET: Transistores de Efecto de Campo de MEtal Semiconductor.
MOSFET: Transistores de Efecto de Campo de Metal-Oxido-Semiconductor.
Si atendemos a la forma en la cual se fabrican los transistores, el siguiente gráfico

ilustra muy bien las variables a las que están sometidos la obtención de transistores bipolares.
Por un lado, los materiales que dopan al Silicio puro y, por otro lado, la concentración
de éstas impurezas. Si controlamos adecuadamente estos valores, podremos construir un
transistor bipolar que cumpla con los requisitos válidos para el funcionamiento de los mismos,
a saber:
Δf/cm3
Fósforo
1020 Boro: 3 electrones ⇒ Exceso de huecos
Fósforo: 5 electrones ⇒ Exceso de electrones
Boro
1017 Fósforo
1015
Distancia a la superficie
E B C
N+ P- N
Figura 4.2: Gráfico de concentraciones de portadores de un transistor NPN. (Escalado)
• El emisor debe estar mucho más dopado que la base.

• La longitud de la base debe ser mucho más pequeña que la longitud de difusión de los
portadores mayoritarios del emisor.
Sin estas dos premisas, no conseguiremos un elemento de tres uniones NPN o PNP en
el cual se produzca el efecto transistor.
C B E C B E
P N- P+ N P- N+
Colector (P) Colector (N)

Base (N) Base (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
Figura 4.3: Dibujo esquemático de un transistor PNP y NPN con sus terminales identificativos. (No a escala)
En el transistor esquematizado en la figura 4.2, existen dos uniones NP, que se

comportan de manera individual como dos diodos, siguiendo su ecuación de comportamiento
la ecuación del diodo. Sin embargo al estar unidas las tres regiones de esta forma, aparece un
nuevo fenómeno debido a que las uniones están dentro de una misma red cristalina y pueden
comunicarse. Este efecto nuevo es el efecto transistor.
En un transistor sin polarizar, es decir, en ausencia de voltajes, el potencial que deben tener
los electrones del emisor para poder atravesar la región de la base es tan alto que, sólo aquellos con
una alta energía cinética serán capaces de llegar hasta el colector. Figura 4.4.
Emisor Base Colector

+ - - +
N
+ - P
- + N
+ - - +
+ - - +
Potencial
de electrones
x
Figura 4.4: Regiones de deplexión de un transistor sin polarizar
Si polarizamos las regiones como se indica en la figura 4.5a, se produce un cambio en

los potenciales de barrera de las uniones. Se reduce el ancho de deplexión de la región BE y
se aumenta el de BC, con el consiguiente cambio en los potenciales de los electrones. Figura
4.5b.
Como consecuencia de ello, los electrones son inyectados desde el emisor en la base
del transistor, donde se convierten en portadores minoritarios. Gran parte de estos electrones
se difunden por la base y llegan hasta el colector, atraídos por el alto potencial existente, el
resto se recombinan con los huecos mayoritarios de la base. Los electrones que alcanzan el
colector lo hacen en una cantidad llamada factor de transporte o αt. Este valor debe ser lo
más cercano a la unidad que sea posible. Para compensar la recombinación de electrones
durante su travesía por la base, y la disminución de αt, se hace la región de la base muy
estrecha.
Emisor Base Colector
- - ++
IE IC N
-
P -
- ++ N
E C
- ++
- - ++
Potencial
IB de electrones
x
B
VBE VCB
a) b)
Figura 4.5: Regiones de deplexión de un transistor polarizado en Directa-Inversa

Estos electrones que llegan desde el emisor más los correspondientes a la polarización
inversa BC, conforman el total de la intensidad de colector, IC. Una pequeña corriente de base,
IB, recoge los electrones recombinados en su travesía y genera nuevos huecos para permitir el
funcionamiento del dispositivo de forma continuada, figura 4.6. A esta configuración se la
denomina activa directa.
N P N
iE γiE αt(γiE) = αF iE
Corriente
total del
emisor { Corriente de electrones
Recombinación
Corriente de
} Corriente
total del
colector
Corriente de huecos { saturación inversa
Corriente total de la base
Figura 4.6: Flujo de corrientes y cargas en un transistor polarizado en Directa-Inversa
Al reducir el potencial de barrera de la unión base emisor se produce una

recombinación indeseable de huecos de la base hacia el emisor. Para lograr que esta fracción
sea lo más pequeña posible, el denominado rendimiento de la inyección, γ; se dopa al emisor
con mayor cantidad de impurezas que la base. Esta característica está recogida
matemáticamente en la ecuación del diodo.
Al estar polarizada inversamente la unión base-colector, línea punteada de la figura

4.6, aparece una componente de saturación inversa entre BC. Esta componente es de pequeño
valor comparado con los electrones que llegan al colector, αF IE.
Resumiendo, una parte importante de los electrones que salen del emisor llegan al
colector. Al parámetro que indica esa proporción se la denomina alfa directa, αF.
iC = α t ( γ iE ) = α F iE α F =αt γ
Este parámetro, αF, es muy importante dentro del funcionamiento en directa del
transistor. Su valor tiene oscilaciones entre 0.98 y 0.999.
4.4. Modelo de comportamiento
Descripción cuantitativa
Los investigadores Ebers y Moll introdujeron una descripción general del transistor
útil para todas las configuraciones del mismo. A este modelo de comportamiento se le
denominó Modelo Ebers-Moll. Figura 4.7.
αR iDC αF iDE
iE iC
E C
iDE iDC
iB
B
Figura 4.7: Circuito equivalente del Modelo de Ebers-Moll
Aplicando la primera ley de Kirchoff al colector, nos queda
iC = α F iDE − iDC
Donde iDC es la corriente de la unión base-colector como diodo y αF IDE es el efecto

transistor de esta unión. Si sustituimos estos valores en la ecuación del diodo, sin tener en
cuenta las polarizaciones de las uniones, nos queda
( ) (
iC = α F I ES eVBE / VT − 1 − I CS eVBC / VT − 1 ) Ec. 4.1
Donde IES e ICS son las corrientes de saturación inversas de las respectivas uniones.
Si hacemos trabajar el transistor con la unión colector-base en directa y la unión

emisor-base en inversa, esto es, en modo activo inverso, los electrones inyectados desde el
colector son recogidos por la base y el emisor.
De la misma forma que existe una alfa directa existe una alfa inversa, αR. De la misma
forma que αF, αR, es el producto de un rendimiento de inyección por un factor de transporte.
Aplicando la primera ley de Kirchoff al emisor del modelo de Ebers-Moll, nos queda
( ) (
iE = I ES eVBE / VT − 1 − α R I CS eVBC / VT − 1 ) Ec. 4.2
Dado que el transistor está construido para una alfa directa grande, la alfa en inversa
deberá ser pequeña. Además, el colector está poco dopado con respecto a la base para limitar
la expansión de la región de deplexión dentro de la base. Normalmente se encuentra entre
valores de 0.05 a 0.5.
De esta circunstancia se intuye que hay una relación entre la alfa directa y la inversa.
A esta relación, cuya explicación cae fuera del estudio que nos ocupa, se la denomina ley de
reciprocidad.
α F I ES = α R I CS = I S
Como se ha comentado anteriormente el valor de αF es muy próximo a la unidad, con

lo que el valor de IS es muy similar al valor de IS de la ecuación del diodo.
Sustituyendo el valor de este parámetro, IS, en las ecuaciones 4.1 y 4.2, nos quedan
definidas las ecuaciones de Ebers-Moll.
(
iC = I S eVBE / VT − 1 − ) IS
αR
(e VBC / VT
−1 ) Ec. 4.3
iE =
IS
αF
(e
VBE / VT
) (
− 1 − I S eVBC / VT − 1 ) Ec. 4.4
Queda claro en la figura 4.6 que la corriente de emisor se desdobla en la corriente de base y la
corriente de colector. Por lo tanto
iE = iC + iB Ec. 4.5
Por otro lado, si contemplamos todos los estados de conducción de las uniones del
transistor, nos queda
Modo de funcionamiento Pol. Base-Emisor Pol. Base-Colector

Activo directo Directa (VBE ≥ Vγ) Inversa (VBC ≤ Vγ)
Activo inverso Inversa (VBE ≤ Vγ) Directa (VBC ≥ Vγ)
Cortado Inversa (VBE ≤ Vγ) Inversa (VBC ≤ Vγ)
Saturado Directa (VBE ≥ Vγ) Directa (VBC ≥ Vγ)
Tabla 4.1: Definiciones de los estados del transistor
4.5. Estados del transistor
4.5.1. Estado activo directo. Configuración emisor común
En este modo de funcionamiento el transistor trabaja como una fuente de corriente

controlada por corriente.
IC Según vimos en la figura 4.6 IC = αF IE y, teniendo en

IB cuenta la ecuación 4.5, nos queda
VCE
I C = α F (I B + I C ) ⇒ I C ( 1 − αF ) = I B αF
VBE
IE
αF
Figura 4.8: Configuración en emisor común IC = I B = βF I B Ec. 4.6
1 − αF
A este parámetro βF o β, se le denomina ganancia de corriente en directa o Beta

Forward. Es un parámetro de fácil medición en los transistores, con un valor comprendido
entre 20 y 800.
Se dice que un transistor está en la configuración activa directa cuando la tensión VBE
está comprendida entre 0.5-0.7V y la tensión VCB es mucho mayor que este valor.
Figura 4.9: Circuito emisor común
Figura 4.10: Curvas de colector de la configuración emisor común (1mA máx.)

Saturación
c tiva
aA
Z on
Zona de corte
Figura 4.11: Zonas de trabajo del transistor

Figura 4.12: Zonas de funcionamiento del transistor y su comportamiento
Modelo de gran señal
Los modelos de gran señal se utilizan para estudiar la polarización de los componentes
en corriente continua. El valor de la tensión base-emisor corresponde con la tensión de un
diodo estándar, es decir, VBE = 0.7V.
B C
ib βF
VBE
Figura 4.13: Modelo de gran señal del transistor en emisor común
4.5.2. Estado cortado
Si las dos uniones se encuentran polarizadas en inversa, se dice que el transistor está
en corte. En esta situación, el transistor se considera abierto. Algunos fabricantes ofrecen el
dato de ICB0, indicado para polarización inversa del diodo colector-base con emisor
desconectado. Este dato se utiliza para situaciones de funcionamiento en corte a altas
temperaturas.
4.5.3. Estado saturado
En este estado el transistor deja de funcionar como tal, de hecho, no son válidas las
ecuaciones anteriores de funcionamiento del transistor. Cuando las dos uniones están
polarizadas en directa, existe una caída de 0.8V entre base-emisor y una diferencia de
potencial de 0.2V entre colector-emisor. En este punto, el transistor se comporta como un
cortocircuito entre C-E, con la citada caída de 0.2V.
B C
0.8V 0.2V
E
Figura 4.14: Estado de saturación de un transistor bipolar
4.5.4. Estado activo inverso
Si permutamos los terminales de emisor y colector obtendremos la configuración

activo-inverso. Con ello, la unión colector-base queda polarizada a 0.7V y la fuente de
corriente dependiente está ahora en sentido emisor-colector. Figura 4.15.
B E
0.7V βR iB
C
Figura 4.15: Funcionamiento activo-inverso
En estas circunstancias, la corriente de emisor viene definida por βR iB, donde
αR
βR =
1 −α R
Denominándose el valor de βR, beta inversa del transistor. Aplicando la ecuación 4.5,
nos queda
iC = iE − iB = − (β R + 1) iB
Esta ecuación describe las curvas del colector de esta configuración. Teniendo en
cuenta que βR +1 << βF las curvas de la figura 4.16 están mas juntas que sus homónimas de la
figura 4.10. Los valores de estas curvas son de bajo valor debido a la configuración inversa de
la unión colector-base.
Figura 4.16: Curvas del transistor activo inverso
4.6. Modulación de la anchura de la base del transistor. Efecto Early
Al estar polarizado el transistor en activa directa, la unión colector-base se estrecha y

la zona de unión base-emisor prácticamente desaparece, figura 4.5b. Con este fenómeno, la
cantidad de electrones que circulan por el colector es mayor, el valor de αF se acerca a la
unidad y la corriente de base disminuye. Igualmente, también se ve afectado el valor de la
ganancia de corriente βF.
Si continuamos aumentando el valor de la tensión inversa entre la unión colector-base,

este fenómeno se ve incrementado, hasta un valor en el cual crece tanto iC, que acaba por
destruir el transistor. A esta tensión VA, se la denomina tensión Early, debido a la persona que
la descubrió. Este fenómeno se muestra más acentuado en la configuración emisor común.
De forma gráfica podemos observar esta tensión en la continuación de las curvas de la

base en sentido -VCE. Todas las curvas de la corriente de base se unen en un valor de tensión
negativa, la citada VA o tensión Early.
Antes de que alcancemos el valor de la tensión Early, el cambio que se produce en la

corriente de colector afecta a la ecuación 4.6. Quedando ésta como
⎡⎛ V ⎞ ⎤
iC = f ( VCE ,iB ) = ⎢⎜⎜ 1 + CE ⎟⎟ β ⎥ · iB Ec. 4.7
⎣⎝ VA ⎠ ⎦
Como se observa, dado el alto valor de la tensión Early respecto de las tensiones de
polarización que vamos a utilizar tiene un efecto casi despreciable en los cálculos que
realicemos. Por tanto, no se contemplará en las ecuaciones salvo indicación expresa.
Figura 4.17: Representación gráfica del Efecto Early. Tensión Early = –126V
En los cálculos por ordenador se suele incluir este efecto para aumentar la precisión de
los mismos. Para ello, añadimos al modelo del transistor de Ebers-Moll una resistencia de
salida, ro. Que se define como
1 ∂iC
= puntoQ
ro ∂vCE
Derivando la ecuación 4.7 y evaluándola respecto del punto de funcionamiento en

continua, nos queda
1 1
= β IB
ro V A
Teniendo en cuenta la ecuación 4.6 y siendo VCE << VA, nos queda
VA
ro =
IC
Como se ha comentado, esto supone añadir una resistencia de alto valor entre colector
y emisor en el modelo del transistor. Esta circunstancia no perjudica el cálculo que se realice
si despreciamos la misma.
Al disminuir el ancho efectivo de la base, y por ello las corrientes de base y colector,
se produce un fenómeno de interactuación entre el circuito de entrada, la base del transistor, y
el circuito de salida, es decir, el colector. A este hecho se le denomina de realimentación
interna dentro del transistor. Por ello, se hace necesario modificar el modelo de gran señal en
emisor común de la figura 4.13.
γF VCE
B + - C
ib βF
ro
VBE VCE
Figura 4.18: Modelo en emisor común teniendo en cuenta el Efecto Early
4.7. Variación de la ganancia de corriente
Como se ha comentado anteriormente, α es variable, sin embargo, la ganancia de

corriente en directa, β, definida como α/(1-α) es bastante sensible a las pequeñas variaciones
de α, a la temperatura y al propio valor de las corrientes. Por si esto fuese poco, además es
dependiente de la física del transistor. Podemos comprobar como pequeños cambios en α
afecta bastante a la ganancia de corriente.
Si α = 0.99 → β = 0.99/(1-0.99) = 99
Si α = 0.999 → β = 0.999/(1-0.999) = 999
Figura 4.19: Variación de β con T (-20ºC +27ºC y 125ºC) e IC. 2N3055
Figura 4.20: Variación de β con T (-20ºC +27ºC y 125ºC) e IC. BC547

Log βF
Log IC
Log IB
VBE
Figura 4.21: Gráfico de Gummel-Poon: Variación de β con la VBE (0.35-0.85V)
Bibliografía
1. N.R. Malik, Circuitos Electrónicos. Análisis, simulación y diseño, Ed. Prentice Hall,
1998, ISBN: 84-89660-03-4.
2. G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unión, Ed. Addison-Wesley Iberoamericana,
1989, ISBN: 0-201-60143-5.
3. E. Muñoz Merino, Circuitos Electrónicos: Analógicos I, E.T.S. de Ingenieros de
Telecomunicación (U.P.M.), 1986, ISBN: 84-7402-066-2.
4. A.P. Malvino, Principios de Electrónica. Ed. Mc Graw Hill, 1996, ISBN: 84-481-1999-1.
5. C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseño Electrónico: Circuitos y sistemas,
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
6. A.R. Hambley, Electrónica, Ed. Prentice Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0.
7. M.H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson
Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2
Capítulo
5
Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar
L os dispositivos electrónicos a nivel elemental no son

funcionales. Debemos pues, incorporar algunos componentes
adicionales para que el transistor esté polarizado donde
necesitemos y conformar así un circuito electrónico. Como se
puede comprender, existirán multitud de elementos y formas de
colocar éstos para que el transistor funcione adecuadamente. De
todas ellas, vamos a estudiar las más conocidas, que por otro lado,
nos ofrecen las mejores características frente a: estabilidad de
funcionamiento, variaciones de temperatura, simplicidad de
montaje y cálculo, evitar en la medida de lo posible la distorsión,
etc.
Las configuraciones de los transistores hay que comenzarlas en

corriente continua para, si es necesario, aplicar posteriormente
corriente alterna, con las modificaciones del circuito que esto
conlleve.
Contenido

5.2 Configuración emisor común
5.2.1 Polarización de base
5.2.2 Polarización de colector
5.2.3 Polarización de emisor
5.3 Otras configuraciones
5.3.1 Etapa Darlington
5.3.2 Fuente de corriente constante
5.3.3 Fuente de corriente Widlar
5.3.4 Etapa de emisores acoplados o diferencial
5.3.5 Intercambio de polarizaciones NPN y PNP
5.4 Ejercicios tipo
5.6 Bibliografía
Capítulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar 79
(1937-1991) Robert J. Widlar, durante sus estudios en la Universidad de Colorado, donde se

graduó en 1962 en Ingeniería Eléctrica, trabajó para la empresa Ball Brothers y, en el 63,
comenzó a trabajar para Fairchild donde diseñó el conocido amplificador operacional µA709.
Inventó la fuente de corriente constante que lleva su nombre. Posteriormente pasó a formar parte
del equipo de National Semiconductor.
5.2 Configuración emisor común
Configuración en la que el emisor del transistor y la fuente de tensión están unidos en

un mismo punto.
Con esta disposición general existen tres polarizaciones ampliamente utilizadas, a

saber: polarización de base, de colector y de emisor. Cada una de ellas con unas
características bien definidas.
5.2.1 Polarización de base
Fig. 5.1: Circuito de polarización de base
Ventajas Inconvenientes
- Fácil de construir - Resistencia de colector dependiente de β
- Pocos componentes - Polarización sensible a cambios de β
- Polarización utilizada como interruptor
Para resolver este circuito, utilizamos las dos mallas de circulación de corriente, la del
circuito de base y del colector:
VCC − VBE
c VCC − ( RB · I B ) − VBE = 0 RB = Ec. 5.1
IB
VCC − VCE VCC − VCE

d VCC − ( RC · I C ) − VCE = 0 RC = = Ec. 5.2
IC IB · β
En la malla de colector, se aprecia la dependencia del valor de la resistencia de la β del

transistor. Esto nos podrá provocar cierta inestabilidad en la polarización. Por este motivo,
esta polarización se utiliza ampliamente como interruptor. No debería utilizarse en ningún
momento como amplificador de tensión.
La recta de carga
Los límites de la recta de carga nos definirá una pareja de valores VCE-IC que fijará los
posibles puntos que podrá ocupar el punto de funcionamiento del transistor.
Si retomamos la ecuación de la malla del colector de esta polarización, nos queda
VCC − (RC · I C ) − VCE = 0
Para obtener uno de los extremos de la recta de carga, anulamos la corriente de

colector. Entonces se dice que el transistor estará trabajando en corte.
VCC = VCE Corte Ec. 5.3
Si anulamos ahora la tensión VCE obtendremos el otro extremo de la recta de carga. En

estas circunstancias, el transistor estará trabajando en saturación.
VCC
VCC = RC · I C I C Sat = Ec. 5.4
RC
Fig. 5.2: Recta de carga de un transistor bipolar. Punto de trabajo del transistor
5.2.2 Polarización de colector
Fig. 5.3: Polarización de colector
- Buena impedancia de entrada - No destaca
- Realimentación negativa
Esta polarización tiene una mayor estabilidad que la polarización de base. Si la

ganancia de corriente del transistor tiende a aumentar, debido a un cambio de temperatura o
sustitución del transistor por otro de β mayor, la corriente de colector tenderá a aumentar
también. Esto generará un aumento de la caída de tensión en colector RC, o bien, una
disminución de la tensión VCE, provocando una tendencia a disminuir del valor de IB. De esta
forma se limita el aumento iterativo de IC. Debido a este hecho se dice que esta polarización
posee, de forma intrínseca, realimentación negativa.
De la malla del circuito de colector nos ofrece el valor de la resistencia de colector
VCC − VCE VCC − VCE

VCC − (RC · I E ) − VCE = 0 RC = = Ec. 5.5
IE I B (1 + β )
Como se observa, el valor de RC se ve afectado por la ganancia de corriente aunque,

debido al efecto comentado de realimentación negativa, no tiene tanta importancia como en la
polarización de base.
Operando ahora con la malla de base, nos queda
VCC − VBE V − VBE

VCC − (RC · I E ) − (RB · I B ) − VBE = 0 RB = − [RC (β + 1)] = CE Ec. 5.6
IB IB
Nótese que la corriente que multiplica a RC no es IC, como de costumbre, sino la suma
de la corriente que se deriva a través de la base más la propia de colector, es decir, IE.
Si necesitásemos calcular las corrientes que circulan por esta polarización, en vez de
las resistencias, nos quedarían las siguientes ecuaciones
VCC − (RC · I E ) − (RB · I B ) − VBE = VCC − (RC · I B (1 + β )) − (RB · I B ) − VBE = 0
VCC − VBE
IB = Ec. 5.7
RC (1 + β ) + RB
VCC − VBE
IC = β · I B = β ·
RC (1 + β ) + RB
VCC − VBE
IC = Ec. 5.8
⎛ 1 + β ⎞ RB
RC ⎜⎜ ⎟⎟ +
⎝ β ⎠ β
Para tratar de minimizar el efecto de la ganancia de corriente y que, IC sea

independiente de la β del transistor, debe cumplirse que
RB
RC 〉〉
β
5.2.3 Polarización de emisor
Esta polarización tiene una mayor estabilidad de funcionamiento que la polarización

de base y de colector, gracias al efecto de la realimentación negativa y a la independencia de
las mallas de base y colector. Si la ganancia de corriente del transistor aumentase, debido a un
cambio de temperatura o sustitución del transistor por otro de β mayor; las corrientes de
colector y emisor aumentarán también. Esto generará un aumento de la caída de tensión en
RE. Al estar la tensión de base fijada, de forma independiente, por R1 y R2 provocará una
disminución del valor de VBE. Es decir, tenderá a llevar el transistor más hacia el corte que
hacia saturación.
Fig. 5.4: Polarización de emisor o de cuatro resistencias

- Impedancia de entrada media - Más complejo de calcular
- Realimentación negativa - Mayor número de componentes
Las mallas del circuito de base y de colector son las siguientes:
VCC − VR1 − VBE − (RE · I E ) = 0 VCC − (RC · I C ) − VCE − (RE · I E ) = 0
Para calcular más adecuadamente la malla de base podemos utilizar el teorema de

Thevenin. Téngase en cuenta que para este circuito, la posible variación de la corriente de
base, que sucederá al variar IC, desestabilizará la rama formada por las resistencias R1 y R2.
Por ello, no podemos calcular de forma independiente el valor de tensión de la base del
transistor como la tensión existente entre la resistencia R1 y R2. Es más cómodo, aplicar el
teorema de Thevenin al punto medio de las resistencia R1 y R2. Para ello, sustituiremos la
tensión en la base del transistor por la tensión Thevenin equivalente y las resistencias de R1 y
R2, por su equivalente de resistencia Thevenin, es decir R1//R2. En estas circunstancias, el
circuito quedaría ahora de esta forma
Fig. 5.5: Circuito equivalente Thevenin de la polarización de emisor
Los valores de tensión y resistencia Thevenin lo obtendríamos de
R2 R1 · R2
VTh = VCC RTh = R1 // R2 =
R1 + R2 R1 + R2
Quedando ahora la malla del circuito de base de la siguiente forma
VTh − (RTh · I B ) − VBE

VTh − (RTh · I B ) − VBE − (RE · I E ) = 0 RE = Ec. 5.9
IE
Despejando de la malla de colector, nos queda
VCC − VCE − (RE · I E )

RC = Ec. 5.10
IC
Para comprobar la afectación de la corriente de colector por la ganancia de corriente,

operando de forma similar al caso anterior, nos queda
VTh − VBE VTh − VBE

IB = IC =
RTh + ( 1 + β ) RE RTh ⎛ 1 + β ⎞
+
β ⎜⎝ β ⎟⎠ E
R
Si tomamos para los diseños un valor de RE varias veces superior a RTh/β, el circuito
será poco sensible a los efectos de cambio de β. Téngase en cuenta que (1+β)/β ≈ 1 para
valores de β ≥ 100.
5.3 Otras configuraciones en c.c.
5.3.1 Etapa Darlington
En algunas ocasiones es necesario aumentar la ganancia de corriente del circuito

transistorizado, en otras, que un circuito funcione con señales de entrada débiles o bien que
posea una alta impedancia de entrada. Estas son las ventajas que identifican a una etapa
Darlington.
- Impedancia de entrada alta - Mayor número de componentes
- Sensible a pequeñas señales - Puede ser inestable con señales grandes
- Alta ganancia de corriente - Mayores caídas colector-emisor y base-emisor en saturación
IB1 IC1
IC2
B
IE1
IB2
IE2
E
Fig. 5.6: Circuito o conexión Darlington
Este montaje se puede realizar con dos transistores conectados de la forma indicada o
bien mediante un transistor Darlington en un único encapsulado (Tipo BDX53 o equivalente).
Del circuito en conexión Darlington se deduce lo siguiente

IC 2
I E1 = I B2 β Darlington = Ec. 5.11
I B1
La corriente de colector del segundo transistor vale
I C 2 = β 2 · I B 2 = β 2 · I E1 Ec. 5.12
Teniendo en cuenta que la corriente de colector del primer transistor vale
I E 1 = I C 1 + I B1 = (β 1 · I B 1 ) + I B1 = I B 1 (β 1 + 1)
Sustituyendo este valor en la Ec. 5.12, nos queda
I C 2 = β 2 ( β1 + 1) I B1
Sustituyendo este valor en la Ec. 5.11, obtendremos la ganancia del transistor

Darlington, que vendrá dada por
β 2 ( β1 + 1) I B1
β Darlington = = β 2 ( β 1 + 1) ≅ β 1 · β 2 Ec. 5.13
I B1
Tabla 5.1: Datos característicos del transistor Darlington BDX53
5.3.2 Fuente de corriente constante
Ante la necesidad de un circuito que nos ofrezca una corriente de forma constante por
un componente, tenemos varias soluciones. Podemos realizar de forma sencilla una fuente de
corriente constante con transistor como se muestra en la siguiente figura
a) b)
Fig. 5.7: Fuente de corriente constante
Al estar cortocircuitada la unión BC del transistor Q2 de la figura 5.7b, la ecuación de

colector de Ebers-Moll, queda
iC 2 = α F I ES ( eVBE 2 / VT − 1) iC1 = α F I ES ( eVBE 1 / VT − 1) Ec. 5.14
Al estar unidas las dos bases de Q1 y Q2, las corrientes de base y por tanto las de
colector son idénticas, generando con ello lo que se denomina un espejo de corriente.
Si dividimos entre sí estas corrientes de colector, nos queda
V BE 2 − V BE 1
iC 2 eVBE 2 / VT
= =e VT
Ec. 5.15
iC 1 eVBE 1 / VT
Siendo las corrientes de base iguales, también lo serán las tensiones base-emisor de los
transistores, es decir
iC 2
=1 → iC 2 = iC 1 = I C
iC1
Luego, aplicando Kirchoff a la malla de la base de Q2, nos queda
V1 − VBE 2
I R1 = Ec. 5.16
R1
En cuanto a las corrientes existentes en ese nudo, tenemos
IC ⎛ β +2 ⎞
I R1 = I C + 2I B = I C + 2 = IC ⎜ ⎟
β ⎝ β ⎠
Sustituyendo este dato en la ecuación 5.16, nos queda

⎛ β ⎞ V1 − VBE
I C1 = I C2 = ⎜ ⎟ Ec. 5.17
⎝ β + 2 ⎠ R1
5.3.3 Fuente de corriente Widlar
Las variaciones observadas en la fuente de corriente constante anterior no son muy

elevadas, pero existe otro montaje que disminuye más aún las variaciones en la corriente del
colector. A este montaje se le denomina fuente de corriente Widlar. Este tipo de fuentes se
utilizan para corrientes de colector muy pequeñas, las que se suelen utilizar en la fabricación
de circuitos integrados.
Fig. 5.8: Fuente de corriente Widlar
En este montaje los valores de las tensiones entre base y emisor de ambos transistores
no son idénticas. Para la malla de Q2 y Q1, tenemos
VCC = R IR + VBE2 → VBE2 > VBE1

VCC = R IR + VBE1 + IE1 RE
De la fuente de corriente estudiada anteriormente tenemos, Ec. 5.15
VBE 2 −VBE 1
iC 2
=e VT
→ IC2 > IC1 Ec. 5.18
iC1
Como los dos transistores están al mismo potencial de base, nos queda
VBE 2 = VBE1 + ( RE · I E1 ) = VBE1 + RE· ( I C1 + I B1 )
⎛ β +1⎞
VBE 2 − VBE1 = RE · I C1 ⎜ ⎟ Ec. 5.19
⎝ β ⎠
Tomando neperianos en la ecuación 5.18, nos queda
⎛I ⎞
VBE 2 − VBE 1 = VT · Ln ⎜⎜ C 2 ⎟⎟ Ec. 5.20
⎝ IC1 ⎠
Igualando ahora las ecuaciones 5.19 y 5.20, nos resulta
VT ⎛I ⎞
RE = Ln ⎜⎜ C 2 ⎟⎟ Ec. 5.21
⎛ β +1⎞ ⎝ IC1 ⎠
I C 1 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ β ⎠
En la malla de base de Q1, tenemos
⎛ β +1⎞ ⎛ β + 1 ⎞ I C1
I R = I C 2 + I B 2 + I B1 = I C 2 ⎜ ⎟ + I B1 = I C 2 ⎜ ⎟+
⎝ β ⎠ ⎝ β ⎠ β
Al ser IC2 > IC1 y la corriente IB1 muy pequeña, se puede despreciar el valor de ésta.
Con esto, obtenemos
⎛ β +1⎞
I R = IC 2 ⎜ ⎟
⎝ β ⎠
Teniendo en cuenta la Ec. 5.16 y la precedente, nos queda
⎛ β ⎞ VCC − VBE 2
I C 2 = ⎜⎜ ⎟⎟ Ec. 5.22
⎝ β +1⎠ R
5.3.4 Etapa de emisores acoplados o diferencial
Este montaje es el típico que se utiliza en la entrada de los amplificadores

operacionales, que posteriormente pueden funcionar como interruptores, operadores
matemáticos, amplificadores de audio, etc.
El circuito parte de dos transistores iguales con dos resistencias de polarización

idénticas. Fig. 5.9.
Si obtenemos la malla entre ambas tensiones de entrada nos queda
V1 − VBE 1 + VBE 2 − V2 = 0
Fig. 5.9: Etapa diferencial o de emisores acoplados
Las corrientes de colector de ambos transistores, funcionando en zona activa, vienen

definidas por
(
iC 1 = α F I ES eVBE 1 / VT ) (
iC 2 = α F I ES eVBE 2 / VT ) eVBE / VT 〉〉 1
Dividiendo entre sí estas expresiones, nos queda
V BE 1 − V BE 2 Vd
iC 1
=e VT
=e VT
Vd = Tensión diferencial
iC 2
Si calculamos ahora las corrientes por las ramas, nos queda
⎛ β +1⎞ ⎛ β +1⎞
I EE = I E1 + I E 2 = I C1 +I B1 + I C 2 + I B2 = I C1 ⎜ ⎟ + IC 2 ⎜ ⎟
⎝ β ⎠ ⎝ β ⎠
Si dividimos esta expresión por

⎛ β +1⎞
I C1 ⎜ ⎟
⎝ β ⎠
nos queda
β
I EE
β +1 IC 2
=1+
I C1 I C1
Teniendo en cuenta que

− Vd
iC 2
= e VT Ec. 5.23
iC 1
La ecuación anterior, nos queda
β
I EE −Vd
β +1
=1+ e VT
IC 1
Despejando la corriente de colector, para ambos transistores, nos queda
β β
I EE I EE
β +1 β +1
I C1 = −Vd
IC 2 = Vd Ec. 5.24
1+ e VT
1+ e VT
Si dibujamos estas funciones, nos queda
⎛ β ⎞
I EE ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ β+1⎠
IC2 IC1
I EE ⎛ β ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
2 ⎝ β+1⎠
-4VT -3VT -2VT -VT 0 VT 2VT 3VT 4VT
Fig. 5.10: Variaciones de las corrientes de colector en la etapa diferencial
Al acercarse la tensión diferencial Vd a 4VT, los valores de las corrientes de colector

valen
β β β
I EE I EE I EE
β +1 β β +1 β +1
I C1 = → I EE IC 2 = = →0
1+ 0 β +1 1+ e 4
56
Si Vd tiende a –4VT, operando de la misma forma, las corrientes quedan como
β
IC1 ≅ 0 I C 2 = I EE
β +1
Si dibujamos estos hechos en forma de tensiones y no de corrientes, nos queda
VOut ( + ) = VCC − (I C 1 · RC ) VOut ( − ) = VCC − (I C 2 · RC )
VCC
VOut (+) VOut(-)
VCC
2
-4VT 0 4VT
Fig. 5.11: Variaciones de las tensiones de colector en la etapa de emisores acoplados
Al estar conectados los emisores a una fuente de corriente constante, si aumentamos la

polarización de uno de los transistores, se genera una despolarización de la otra rama, siendo este
efecto reversible. Si vemos esta característica en el simulador, nos queda
Fig. 5.12: Variaciones de polarización en corriente en la etapa diferencial
5.3.5 Intercambio de transistores NPN y PNP
Las polarizaciones que hemos utilizado hasta ahora han sido generalmente para transistores
NPN. Teniendo en cuenta unas pocas normas, podemos utilizar para las mismas indistintamente
transistores NPN o PNP, éstas son:
• Mantener todos los tipos de polarización (directa o inversa).

• Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensión que hemos dibujado. Por
convenio, mantendremos los sentidos en los que medimos las tensiones. Sentido
eléctrico.
• Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente. Por convenio,
mantendremos los sentidos en los que medimos las corrientes. Sentido eléctrico.
Figura 5.13: Polarización de base. Transistor NPN
Figura 5.14: Polarización de base. Transistor PNP. Tipo 1
Figura 5.15: Polarización de base. Transistor PNP. Tipo 2

5.4 Ejercicios resueltos
Polarización de base con transistor NPN
Calcular el circuito de la figura sabiendo que las características del LED son 1.5V y 10mA,
supondremos una VCE = 4V y una βFE del transistor de 210.
Fig. 5.16: Circuito a calcular de polarización de base
--0--
Calculando las dos mallas del circuito, nos queda
VCC − (RC · I C ) − VLED − VCE = 0
VCC − (RB · I B ) − VBE = 0
Sustituyendo los valores
12 − 5.5
12 − (RC ·0.01) − 1.5 − 4 = 0 RC = = 650Ω
0.01
⎛ 0.01 ⎞ 12 − 0.7
12 − ⎜ RB · ⎟ − 0.7 = 0 RB = = 237300Ω
⎝ 210 ⎠ 0.01
210
Para calcular los datos de la recta de carga para este circuito, tenemos
VCC − (RC · I C Sat )−VLED − VCE Sat = 0 12 − (650 · I C Sat )− 1.5 − 0.2 = 0
12 − 1.5 − 0.2
I C Sat = = 15.84 mA
650
VCE Corte = VCC = 12V

0.01
I E = I C + I B = 0.01 + = 10 · 10 −3 + 47.6 · 10 −6 = 0.0100476 A
210
Polarización de colector con transistor PNP
Calcular el circuito de la figura para una corriente de colector de 10mA y una

caída colector-emisor de 3V. La ganancia de corriente en directa β = 175 y la
alimentación del circuito de 5V.
Fig. 5.17: Polarización de colector con transistor PNP y su equivalente con transistor NPN
--0--
Al ser VCE = 3V, la caída en RC será de 2V. Teniendo en cuenta que por RC circulará
tanto IC como IB, nos queda
IC 0.01 VCC − VCE

IB = = = 57.142 μA I E = I C + I B = 0.01005714 A RC = = 198.86 Ω
β 175 IE
Suponiendo que el transistor está trabajando en zona activa, para la resistencia de base
nos queda un valor de
VCC −VBE − VRC 2.3

RB = = = 40250Ω
IB 57.142 *10 −6
Dibujando los valores de tensiones y corrientes en el circuito obtenidos por el

simulador, nos queda:
Fig. 5.18: Valores de las corrientes y tensiones obtenidas por el simulador
Como se observa, los datos de cálculo teórico son muy similares a los obtenidos por el
simulador.
La razón de esta pequeña diferencia en los cálculos está en la caída de tensión base-
emisor y el valor de la ganancia de corriente en directa del transistor. El simulador toma VBE
= 0.773V en vez de los 0.7V típicos y un valor β = 162.8 en vez de 175 como valor medio de
los datos del fabricante.
Fig. 5.19: Datos obtenidos por el simulador para la caída de tensión Base-Emisor y valor de la β
Polarización de emisor con transistor NPN
Obtener los datos de tensiones y corrientes en todos los puntos del circuito siguiente. Las
características del LED son 1.5V y 10mA. Supondremos una VB ≡ VTh = 4V y la βFE del transistor es
210.
Fig. 5.20: Ejemplo de polarización de emisor
--0--
Al obtener el circuito equivalente de Thevenin del ejemplo, nos quedaría el circuito de

la figura 5.21. En estas condiciones tendríamos
R2 R2 R1
VTh = VCC ⇒ 4 = 12 ⇒ R2 =
R1 + R2 R1 + R2 2
Si fijamos un valor para R1 = 10KΩ, nos fijará un valor de R2 = 5KΩ. Podemos

calcular ahora la resistencia equivalente de Thevenin
Fig. 4.7: Circuito equivalente
R1 · R2
RTh = R1 // R2 = = 3333.3Ω
R1 + R2
Fig. 5.21: Circuito equivalente
La malla de base-emisor nos queda
4 − (3333 · I B ) − VBE − (RE · I E ) = 0
Como conocemos la corriente de colector y la βFE, podemos calcular el valor de las

corrientes de base y de emisor del transistor.
0.01
IB = = 47.6 μA I E = I C + I B = 0.0100476 A
210
Ahora estamos en disposición de calcular el valor de la resistencia de emisor
RE =
( )
4 − 3333 · 47.6 · 10 −6 − 0.7
= 312.64 Ω
0.0100476
Utilizando la malla de colector-emisor, calcularemos la resistencia de colector
VCC − (RC · I C ) − VLED − VCE − (RE · I E ) = 12 − (RC · 0.01) − 1.5 − VCE − 3.141 = 0
Los 7.359V restantes de la VCC podemos distribuirles a nuestro parecer. Para que el
transistor funcione en zona activa, y disipe menos calor que saturado, supondremos una VCE
= 3V.
12 − 1.5 − 3 − 3.141
RC = = 435.9Ω
0.01
Fuente de corriente constante
Se desea calcular una fuente de corriente constante, según el circuito de la figura 4.7b. Nos
interesa que el transistor esté en zona activa (VCE = 2.3V) con una corriente de colector de 50mA. El
transistor a utilizar será un BC547 con una ganancia de corriente, según el fabricante, de 253. La
tensión de alimentación será de 12V.
--0--
Para la malla de base, el circuito nos queda
⎛ β +2⎞ ⎛ 253 ⎞ 12 − 0.7

VCC = (R1 · I R1 ) + VBE 2 I R1 = I C 2 ⎜⎜ ⎟⎟ R1 = ⎜⎜ ⎟⎟ = 224.2Ω
⎝ β ⎠ ⎝ 253 + 2 ⎠ 0.05
Operando de la misma forma para la malla de colector, teniendo en cuenta que IC1 =
IC2, nos queda
12 − 2.3
VCC = (RLoad · I C 1 ) + VCE RLoad = = 194 Ω
0.05
Si hacemos una simulación del circuito, observamos que los datos ofrecidos por el
simulador, tanto en tensiones como intensidades, son muy similares a los calculados
teóricamente.
Fig. 5.22: Fuente de corriente constante con los datos obtenidos teóricamente
Para comprobar la constancia de la intensidad de colector, si variamos un 100% la

resistencia de carga, esto generará un cambio en la corriente de colector IC1 es de tan sólo
1.8mA.
Fig. 5.23: Datos obtenidos al variar la RLoad un 100%
Al ser la IC constante, la caída entre colector y emisor debe aumentar

proporcionalmente.
Fuente de corriente Widlar
Se desea calcular una fuente de corriente constante mediante la configuración Widlar como
se muestra en la figura 5.8. Nos interesa el cálculo con una corriente ICQ1 = 62μA. El transistor a
utilizar será un BC547 con una ganancia de corriente de 259 y funcionando en zona activa. La tensión
de alimentación será de 12V. Considérese una tensión térmica en el transistor de VT = 25mV.
--0--
Partiendo de la Ec. 5.16 y seleccionando una corriente por la resistencia R de 1mA,

tenemos
VCC − VBE 2 12 − 0.7

IR = R= = 11300Ω
R 0.001
Sustituyendo ahora valores en la Ec. 5.22, nos queda
⎛ β ⎞ VCC − VBE 2 ⎛ 259 ⎞ 12 − 0.7

I C 2 = ⎜⎜ ⎟⎟ · IC2 = ⎜ ⎟· = 996.15μA
⎝β+1⎠ R ⎝ 260 ⎠ 11300
Valor muy superior a IC1 = 62μA, como se indicó en la Ec. 5.18. Sustituyendo en la
Ec. 5.21, tenemos
VT ⎛I ⎞ 0.025 ⎛ 996.1· 10 −6 ⎞
RE = · Ln ⎜⎜ C 2 ⎟⎟ RE = · Ln ⎜⎜ −6
⎟⎟ = 1115.33Ω
⎛ β+1⎞ ⎝ IC1 ⎠ ⎛ 260 ⎞ ⎝ 62 · 10 ⎠
I C 1 ⎜⎜ ⎟⎟ 62 · 10 −6 ⎜ ⎟
⎝ β ⎠ ⎝ 259 ⎠
Como muestra el simulador los datos obtenidos teóricamente son muy aproximados a
los indicados por éste.
Fig. 5.24: Fuente de corriente Widlar obtenida con los datos teóricos
Si hacemos otra simulación con datos obtenidos, observamos que al cambiar la

resistencia de carga 10 y 20 veces, tan sólo se modifican 0.73μA de ICQ1, frente a los 1.8mA
que variaban en el caso de la fuente de corriente constante anterior.
Fig. 5.25: La variación de IC1 para un cambio de 10 y 20 veces RLoad no es significativa

Bibliografía
1. N.R. Malik, Circuitos Electrónicos. Análisis, simulación y diseño, Ed. Prentice Hall,
1998, ISBN: 84-89660-03-4.
2. G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unión, Ed. Addison-Wesley Iberoamericana,
1989, ISBN: 0-201-60143-5.
5. C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseño Electrónico: Circuitos y sistemas,
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
7. M.H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson
Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2
Capítulo
6
Transistores unipolares de efecto de campo
L os transistores unipolares de efecto de campo o FET fueron los

precursores del gran avance de la electrónica, al posibilitar la
producción en grandes cantidades de este tipo de dispositivos.
Gracias a las mejoras que aportó respecto de los transistores

bipolares, se pudieron realizar circuitos más rápidos, económicos y
fiables. A principios de la década de los 50 nada hacía presagiar el
influyente elemento que ideó W. B. Shockley.
Durante su evolución, han pasado desde los originales JFET,

MESFET, NMOS–PMOS, hasta los actuales y versátiles CMOS.
El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto

en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal N, la
corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal P,
se debe a huecos.
Contenido

6.3 El JFET. Constitución y funcionamiento
6.4 La transconductancia en un JFET
6.5 Modelo en pequeña señal del JFET
6.6 Otros efectos a tener en cuenta en los JFET
6.7 Polarización de los JFET
6.8 Ejercicios tipo
6.10 Bibliografía
Julius Edgar Lilienfeld (1881-1963), nacido en

Polonia y doctorado en física en 1905 en Berlín,
emigró a USA en 1927 huyendo del
antisemitismo nazi. En octubre de 1926 presentó
una patente (1.745.175) como “Method and
apparatus for controlling electric currents”,
que sería el precursor de lo que hoy conocemos
como transistor de unión FET, con el propósito
de utilizarle como amplificador. Dada la tecnología existente en aquellos años, no pudo conseguir un
dispositivo utilizable para la fabricación industrial.
William Bradford Shockley (1910-1989). Físico estadounidense, nació en Londres

de padres estadounidenses. Trabajó en los laboratorios de la Compañía Telefónica
Bell desde 1936 hasta 1956. Sus investigaciones sobre los semiconductores le
llevaron al desarrollo del transistor en 1948. Por esta investigación compartió en
1956 el Premio Nobel de Física con sus asociados John Bardeen y Walter H.
Brattain. Posteriormente, Shockley desarrolló sus investigaciones para el
perfeccionamiento de los transistores, que culminaron con la invención en 1952
del transistor unipolar de efecto de campo. Este fue el paso más importante para
la fabricación de dispositivos en masa y a bajo coste. Recuérdese que los primeros
transistores se realizaban a mano y de forma individual. Conjuntamente con otros hechos, en 1956,
año en que fue nombrado director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California,
empezó a gestarse lo que hoy en día es Silicon Valley. La historia cuenta que la invención del
transistor, denominado entonces “Point contact germanium transistor”, ocurrió el año 1948 sin
embargo, fue el 16 de Diciembre de 1947 cuando Shockley, Bardeen y Brattain descubrieron este
efecto. Dadas las especiales fechas, no se publicaron las investigaciones y logros conseguidos hasta
meses después, tiempo que aprovecharon los “Bell Laboratories” para patentar estas ideas.
Capítulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo 107
Después de la invención del transistor, sucedieron rápidamente diferentes hechos que

culminaron con la realización del transistor JFET por parte de Shockley. Éste, trabajando en
secreto en el Laboratorio de su empresa, alejado de sus colegas Bardeen y Brattain que
siguieron en Bell Laboratories, pretendía idear un dispositivo que se pudiese fabricar a nivel
industrial, y no como hasta entonces que cada transistor de punta de contacto de Germanio se
realizaba a mano. Tras unos años de ferviente investigación, aparecieron en el mercado
diferentes dispositivos, más o menos relacionados entre sí, que solucionaron el inconveniente
de la fabricación en grandes series.
Se podría considerar como válida la clasificación siguiente, a efectos de las diferentes

familias que se obtuvieron.
JFET
Canal P, Canal N
(Shockley 1952)
Acumulación
Canal P, Canal N
FET MOSFET
(Shockley 1952) (Hofstein-Heiman 1962) Deplexión
Canal P, Canal N
MESFET
(Mead 1962)
Figura 6.1: Clasificación constructiva de transistores
Estos dispositivos han sido los artífices de los circuitos digitales de alta velocidad y
bajo consumo. Probablemente no existirían microprocesadores con las prestaciones actuales si
no se hubiera desarrollado la tecnología MOS. En la actualidad se dispone de transistores de
metal semiconductor MESFET y de arseniuro de Galio GASFET para aplicaciones de muy
alta frecuencia. De igual manera para aplicaciones de potencia nació el FET de estructura
vertical o VMOS.
6.3 El JFET. Constitución y funcionamiento
Figura 6.2: Distribución de las zonas de dopado del JFET

Constructivamente, el transistor unipolar de efecto de campo está formado por una

sola capa de semiconductor de tipo N - sobre un substrato de tipo P -. Se distingue el canal
cuyo dopado es N - y las conexiones al exterior denominadas drenador y fuente, que son del
tipo N +. Encima del canal, que conecta drenador y fuente, se ha difundido una capa adicional
de tipo P. Las dos zonas dopadas tipo P se conectan conjuntamente y se llama terminal de
puerta.
Su funcionamiento es algo diferente al del BJT. Como en cualquier unión P-N se

forma una zona de agotamiento entre la puerta y el canal, debida a la recombinación
producida durante la unión metalúrgica de ambas zonas. Si aplicamos tensión a algunos
terminales del JFET, se producen ciertos fenómenos que nos resultarán de utilidad.
Zona de transición en zona

poco dopada Æ Ancha
Puerta (G1)
JFET (canal N) JFET (canal P)

P+
D D
Fuente (S) Drenador (D) G G
N-
S S
P+
G D G D
Puerta (G2)
S S
Zona de transición en zona
muy dopada Æ Estrecha
a) b)
Figura 6.3: a) Zonas de dopado cercanas al canal, b) Símbolos esquemáticos del JFET
Si interconectamos los terminales puerta-fuente a masa y además, el drenador a una

tensión positiva, obtendremos una tensión inversa aplicada a la zona de agotamiento entre
drenador-puerta con una corriente de circulación pequeña. Por otro lado, si variamos esta
tensión VDS, provocaremos un cambio de tamaño de la zona de agotamiento y con ello la
anchura del canal. Es decir, con esta técnica podremos controlar la conductividad del canal.
P+
D
S
N-
P+ VDS
G
V1 < V2 < V3
Figura 6.4: Crecimiento de las zonas de transición
Si continuamos aumentando la tensión de drenador, se agrandará más aún la zona de

agotamiento, pudiendo suceder la estrangulación completa del canal.
Como el canal es de un único tipo de material, tendrá una resistencia determinada en

función de la tensión que apliquemos (Evolución lineal). La curva que obtendríamos en estas
condiciones está representada en la figura siguiente. En la cual, se muestra un
comportamiento lineal, hasta que alcancemos ciertos valores de tensión en los cuales el
crecimiento de corriente deja de ser proporcional. Este fenómeno se debe al estrechamiento
del canal y consiguiente aumento de la resistencia del mismo (Evolución real).
Evolución ideal
ID Evolución real
ID
D
+
G
- VDS
S
IG VDS
0 V1 V2 V3
Figura 6.5: Zona óhmica de funcionamiento del JFET
Esta zona de comportamiento casi lineal, es parte de la curva característica del JFET, y
es la que nos ofrece la posibilidad de utilizarle como resistencia variable con la tensión. A esta
zona se le conoce como zona óhmica del JFET.
La otra corriente de circulación por el JFET de este montaje, corresponde con la

corriente de puerta IG, que es muy reducida, ya que corresponde con la corriente de pérdidas
de una unión p-n inversamente polarizada. Por tanto, el error es mínimo si consideramos que
la corriente de fuente es igual a la corriente de drenador (IS = ID).
Como se ha comentado, si continuamos aumentando la tensión VDS y ésta alcanza

cierto valor, el estrechamiento del canal se convierte en estrangulamiento del mismo. La
tensión a la que esto sucede se llama tensión de estrangulamiento o "pinch off", VP.
Recordemos que, a través del canal siempre circulan portadores mayoritarios, que lo hacen
por arrastre y debido al campo eléctrico creado por la tensión externa aplicada. Por tanto, la
conducción en los JFET se debe a portadores mayoritarios no como en los BJT’s.
P+
D
- + VP
S N- VDS
P+
G
Figura 6.6: Tensión de estrangulamiento del canal, VP
En estas circunstancias de estrangulamiento del canal, se esperaría que no pasasen

portadores, sin embargo no es así. Circula una corriente de saturación y que es debida a
portadores altamente energéticos que son capaces de atravesar la zona de agotamiento.
Además, la corriente será constante a partir de ese momento y se llama corriente drenador-
fuente de saturación, IDSS.
P+
LZTC D
N- LC
S
VDS
P+
G VDS = V4 > VP
Figura 6.7: Comienzo de la zona de saturación
Esto se debe a que, al aplicar una tensión superior a la de estrangulamiento del canal,
la zona de contacto o de transición del canal, LZTC, no crece proporcionalmente y,
comparándola con la longitud total del canal es pequeña, LC.
VDS = 0
Comportamiento
ID resistivo
VDS = V1 Comportamiento como
fuente de corriente
VDS = V2
VDS = VP
VDS = V4 VDS
VDS = V5
0 V1 V2 VP V4 V5
Figura 6.8: Modos de funcionamiento del JFET
A esta situación se la conoce como hipótesis del canal largo. Durante la cual, si
continuamos aumentando la tensión de drenador, al permanecer la longitud del canal casi
constante, la corriente no aumentará, obteniéndose de esta forma la citada corriente IDSS.
Resumiendo, existen dos modos de trabajo en el JFET, el lineal u óhmico inicialmente

y el de saturación posteriormente. Figura 6.8.
P+
P+
D D
N- N-
S S
P+ P+
G + G +
UB1 VGS UB1 < UB2 VGS = -VP
- -
Figura 6.9: Efecto que provoca VGS sin aplicación de VDS
Si ahora anulamos la tensión VDS y aplicamos la tensión VGS hasta que alcance un valor
negativo suficientemente grande, la zona de transición invade igualmente la totalidad del
canal, provocando su estrangulación. Este valor coincide con la tensión de estrangulamiento

del canal, VP, pero con el signo cambiado. Figura 6.9.
Estrangulamiento del canal |VDS| = |VP|
ID (mA)
ID
VGS = 0V
4
D VGS = -0.5V
G +
VDS 2
+ VGS = -1V
VGS S
- VGS = -1.5V
- VGS = -2V
0 2 4 6 VDS (V)
Contracción del canal |VDS| = |VP| - |VGS|
Figura 6.10: Curvas reales de salida del JFET Canal N
Si aplicamos las dos tensiones anteriores de forma simultánea, por un lado la tensión
VGS menor que cero y vamos aumentando la tensión VDS, observamos que estrangulamos el
canal a una tensión menor que con cada tensión por separado. A este fenómeno se le conoce
como contracción o estrechamiento del canal.
Con el canal contraído, la estrangulación se produce a una tensión de
|VDS| = |VP| - |VGS| (6.1)
Si mantenemos el valor de VDS y seguimos aumentando la tensión inversa VGS, llegará

un momento en el que estrangularemos completamente el canal. A partir de estos valores ya
no habrá portadores suficientemente energéticos para atravesar la zona de agotamiento y el
JFET estará cortado completamente. La tensión de puerta a la que se estrangula el canal
completamente se llama tensión de corte o extinción del JFET, VGS(OFF).
|VGS(OFF)| = |VP| (6.2)
ID (mA)
VGS = 0V
4
IDSS VGS = -0.5V

Óhmica
2 Saturación
VGS = -1V
VGS = -1.5V
Corte VGS = -2.5V

VDS (V)
0 4 8 12
VP VGS(OFF) = -VP
Figura 6.11: Zonas de trabajo y puntos conocidos del JFET Canal N

La ecuación empírica para obtener los valores de ID en la zona de saturación se rige

por la ecuación general para canal N o canal P, es decir
2 2
⎛ V − VGS ⎞ ⎛ VGS ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ P ⎟⎟ = I DSS ⎜⎜ 1 − ⎟⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ VP ⎠
2
⎛ VGS ⎞
I D = I DSS ⎜ 1 − ⎟ (6.3)
⎜ VGS( OFF ) ⎟
⎝ ⎠
I D2
(R 2
S I DSS ) ⎛ 2R I
− I D ⎜ 1 + S DSS
⎞
⎟ + I DSS = 0
VGS ( off ) 2
⎜ VGS( off ) ⎟
⎝ ⎠
Al obtener dos resultados de esta ecuación deberemos tomar el que tenga sentido
físico. Uno de los valores suele superar IDSS. En otras ocasiones, obtenemos un valor de VGS
inferior a VGSoff, para Canal N, lo cual tampoco tiene sentido físico.
Esta ecuación también se puede transformar en

2
ID ⎛ VGS ⎞
≈ ⎜1− ⎟ (6.4)
I DSS ⎜ VGS ( OFF ) ⎟
⎝ ⎠
Que se conoce como ecuación de Shockley para el JFET.
En la mayoría de las hojas de los fabricantes aparecen los valores de IDSS y VGS(OFF),
con lo cual resulta sencillo dibujar la curva de transferencia de un JFET si no disponemos de
la misma. Figura 6.12a.
a) Característica de transferencia b) Curvas de drenador
Figura 6.12: Curvas del BF245B. JFET canal N
6.4 La transconductancia en un JFET
Los transistores BJT sustituyeron a las válvulas de vacío por su capacidad para
amplificar/controlar mediante tensiones/corrientes pequeñas grandes cantidades de tensión o
corriente. Esta idea estaba expresada en los transistores bipolares mediante la ganancia de
corriente en directa (β , hfe), que como se recordará estaba definida como ∂IC/∂IB.
Para obtener una medida de la amplificación posible con un JFET y poder compararla
con la de los BJT, se introduce el parámetro gm, que es la transconductancia en directa. Por
definición, relaciona el cambio en la corriente de drenador y la tensión puerta-fuente. Esto se
puede expresar como
∂I D ΔI
gm = ≈ D (6.5)
∂VGS ΔVGS VDS = Constate
Desarrollando esta ecuación, nos queda
⎛ ⎛ ⎞
2
⎞ ⎛ ⎞
∂ ⎜ VGS ⎟ = 2 · I DSS VGS
gm = I DSS ⎜ 1- ⎟ ⎜1− ⎟ (6.6)
∂ VGS ⎜ ⎜ ⎟ ⎟ VGS ( OFF ) ⎜ VGS ( OFF ) ⎟
⎝ ⎝ VGS(O FF ) ⎠ ⎠ ⎝ ⎠
Como se aprecia, la transconductancia o gm, no permanece constante, ya que, es

dependiente de la tensión VGS. Su medida es el Siemens, aunque en la práctica, dado su
pequeño valor, se emplea el μSiemens o μS.
Si definimos la transconductancia cuando la tensión VGS = 0, nos queda
2 · I DSS
g m0 = − (6.7)
VGS ( OFF )
Como se comentó anteriormente, los datos para obtener gm0, aparecen en la tabla de
datos de los fabricantes, y es un valor constante.
La transconductancia quedaría entonces como
⎛ VGS ⎞
g m = g m0 ⎜ 1 − ⎟⎟ (6.8)
⎜ V
⎝ GS ( OFF ) ⎠
Otro dato que se utiliza en el cálculo del JFET es la resistencia dinámica en inverso,
rDS, que se define como el inverso de la pendiente de la curva ID y VDS en la región de
saturación, esto es
1 ∂I ΔI
= D ≈ D (6.9)
rDS ∂VDS ΔVDS ΔVGS = Cons tante
Como la pendiente de esta curva es muy pequeña en la región de saturación, rDS es

grande. Figura 6.12b. Dado su alto valor, en los cálculos no simulados, este parámetro se
suele despreciar.
6.5 Modelo en pequeña señal del JFET
Con la misma idea de linealización en torno al punto de trabajo de un BJT, en un JFET

se sigue un procedimiento similar. Teniendo en cuenta que en un JFET IG ≅ 0, la ecuación de
la corriente que tiene efecto es únicamente ID, ya que ID = IS. Por tanto, la ecuación de partida
para obtener el modelo es la siguiente
I D = g m VGS +
VDS
→ I D + Δ I D = g m (VGS + ΔVGS ) +
(VDS + ΔVDS )
rDS rDS
Tomando únicamente los incrementos, nos queda
1
Δ I D = g m ΔVGS + ΔVDS
rDS
o bien, sustituyendo los incrementos por letras minúsculas para c.a., nos queda
1
iD = g m vGS + vDS (6.11)
rDS
Esta ecuación conduce al circuito equivalente para c.a. mostrado en la figura 6.13a.
Debido a que rDS es muy grande, por lo general se puede utilizar el circuito simplificado de la
figura 6.13b para determinar el funcionamiento en la región activa (zona de saturación) de un
JFET. Nótese que la entrada está abierta (IG = 0). La ecuación anterior se reduce entonces a
iD = g m vGS (6.12)
iD iD
G D G D
+ +
vGS g m vGS rDS g m vGS
vGS
- -
S S
a) Completo b) Simplificado
Figura 6.13: Modelo equivalente en pequeña señal de un JFET
Si partimos de los circuitos equivalentes de un BJT y un JFET y deseamos comparar

las ganancias de tensión entre ambos, nos queda
B C G D
rπ β iB g m vGS
E S
VOut βi β 200
AV ( BJT ) = = − B rPOL = rPOL ≈ = 0.06 ( décimas )
VIn rπ iB rπ 3000
g m VGS 2·10·10 −3 ⎛ 3 ⎞
AV ( JFET ) = rPOL = gm rPOL ≈ ⎜ 1 − ⎟ = 0.0016 ( centésimas )
VGS 6 ⎝ 6⎠
Es decir, los transistores BJT están más indicados para utilizarles como amplificadores
que los JFET.
• Son dispositivos con alta impedancia de entrada • Exhiben una respuesta en
(107Ω a 1012Ω). Debido a esto, se prefieren los FET a frecuencia pobre, debido a la alta
los BJT para la etapa de entrada de un amplificador. capacidad de entrada.
Puede ser utilizado como almacenador de carga. • Algunos tipos de FET presentan
• Generan un nivel de ruido menor. Son más estables una linealidad muy pobre.
con la temperatura y más pequeños que los BJT. • Se pueden dañar al manejarlos,
• Se comportan como resistencias variables controladas por electricidad estática, debido a
por tensión para valores pequeños de tensión la puerta aislada que poseen.
drenador-fuente.
• Al tener una RDS(ON) baja, los FET de potencia pueden
disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Tabla 6.1: Ventajas e inconvenientes de los JFET
6.6 Otros efectos a tener en cuenta en los JFET
Afectación con la temperatura
Al igual que otros semiconductores, el JFET se ve afectado por la temperatura, aunque

algo menos que los BJT, por tanto, debemos conocer estas variaciones para evitar que afecten
al punto de funcionamiento de nuestros diseños. Los dos principales efectos producidos por la
temperatura en los JFET son
• Un incremento de temperatura provoca una disminución de la zona de

agotamiento, lo que provoca un aumento de la anchura del canal. Es decir,
aumenta la corriente de drenador.
• Una disminución de la temperatura provoca una reducción de la movilidad de los
portadores mayoritarios.
El primer efecto hace que la corriente ID aumente con la temperatura, o dicho de otra
manera, que VGS(OFF) aumente con la temperatura. Típicamente, VGS(OFF) tiene un coeficiente
de temperatura de +2.2mV/ºC.
Por parte del segundo efecto, al reducirse la movilidad de los portadores por la
disminución de la temperatura, se reduce la corriente de drenador.
Al producirse estos dos efectos de forma simultánea, significa que existirá un punto de
operación en el que se cancelarán y las curvas del JFET no variarán con la temperatura. Esto
ocurre para una tensión de puerta VGS para la cual la corriente de drenador no depende de la
temperatura. Este fenómeno se observa tanto en las curvas de drenador como en la curva de
transconductancia y es dependiente del modelo de JFET utilizado. La tensión puerta-fuente a
la que sucede este hecho, para el JFET de canal N BF245B, es la siguiente
VGS = VP - 1.3V (6.13)
donde VP es la tensión de estrangulamiento a 25ºC. En la siguiente figura se muestra en línea

continua las curvas de drenador a 25ºC y en línea discontinua a 45ºC.
Figura 6.14: JFET BF245B. Efectos de temperatura para 25ºC y 45ºC
En la figura 6.14, se observa claramente que existe una tensión de puerta-fuente para
la cual la corriente de drenador no varía con la temperatura. Además, se muestra un
comportamiento de las curvas con coeficiente de temperatura negativo al principio, cero
donde desaparece el efecto de temperatura y coeficiente de temperatura positivo para valores
cercanos a la extinción del JFET.
Este fenómeno también se observa en las curvas de transconductancia para el mismo

JFET a 25º, 55º y 150ºC. La línea continua corresponde a 25ºC, la punteada a 55ºC y la de
guiones a 150ºC. El punto de corte de las tres gráficas corresponde, aplicando la ecuación
6.13, a una VGS de 1.4V = 2.7V - 1.3V. Figura 6.15.
Otro parámetro que se ve afectado por la temperatura es la generación de portadores

minoritarios en la zona de agotamiento. Estos portadores son los responsables de la corriente
de pérdidas de puerta, IGSS. Esta corriente es equivalente a la corriente de puerta estando
cortocircuitados drenador y fuente. Al igual que en cualquier otra unión p-n inversamente
polarizada, la corriente de conducción en inversa se duplica cada 10ºC.
Figura 6.15: JFET BF245B. Efectos de temperatura sobre la curva de gm
Capacidades parásitas
El transistor de efecto de campo se ve afectado por efectos capacitivos entre sus tres
terminales, al igual que sucede en el BJT en menor cuantía. Para el JFET tendremos unas
capacidades asociadas con las uniones inversamente polarizadas y que, en función de sus
terminales, se denominan Cdg y Cgs. Por último, existe una capacidad asociada al canal, Cds,
que se debe generalmente a la fabricación del componente sobre la oblea.
Los fabricantes suelen medir tres capacidades diferentes a las que acabamos de definir,
que son, la capacidad de entrada con la salida en cortocircuito para corriente alterna, Ciss o
capacidad de entrada; la capacidad de salida con la entrada en corto para corriente alterna,
Coss o capacidad de salida y por último, la capacidad inversa de transferencia o Crss. Los
valores típicos de estas capacidades suelen estar entre 1pF y 8pF medidas a 1MHz.
Cdg
G Cds
Cgs
Figura 6.16: Capacidades parásitas de los JFET entre terminales
Se puede deducir fácilmente la relación entre las capacidades existentes entre

terminales y las capacidades ofrecidas por los fabricantes. Estas relaciones son
Cdg = Crss
Cgs = Ciss - Cdg = Ciss - Crss
Cds = Coss - Cdg = Coss - Crss

D D
Cdg
.
.A
Cdg
C
Coss = Cdg + Cds
ra
pa
G G
to
Cds
ui
rc
ci
to
.
.A
or
Cgs
C
C
ra
pa
to
ui
rc
S
ci
S
to
or
C
Ciss = Cdg + Cgs
Figura 6.17: Capacidades parásitas de los JFET ofrecidas por los fabricantes
Hoja de características del BF245B
Tabla 6.2: Distribución de terminales de un JFET BF245
Tabla 6.3: Datos de referencia rápida de un JFET BF245

Tabla 6.4: Valores límite de un JFET BF245
Tabla 6.5: Características estáticas de un JFET BF245
Tabla 6.6: Características dinámicas de un JFET BF245

6.7 Polarización de los JFET
Autopolarización
Con esta disposición de resistencias conseguimos polarizar el JFET de una manera

sencilla, económica y sin complicaciones en su obtención de valores.
Figura 6.18: Circuito de autopolarización de un JFET
Para obtener la tensión entre puerta y fuente utilizaremos la siguiente ecuación
VGS = VG – VS = 0 – (ID RS) = –ID RS (6.14)
Si operamos con la ecuación 6.3, nos queda

2
⎛ VGS ⎞ ⎛ ⎛ V ⎞
2
VGS ⎞
I D = I DSS ⎜ 1 − ⎟ = I DSS ⎜ 1 + ⎜ GS
⎟ −2 ⎟
⎜ VGS ( OFF ) ⎟ ⎜ ⎜⎝ VGS ( OFF ) ⎟⎠ VGS ( OFF ) ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Sustituyendo en esta ecuación los valores de la ecuación 6.14, nos queda
⎛ ( I D RS )2 2 I R ⎞
I D = I DSS ⎜ 1 + − D S
⎟ (6.15)
⎜ VGS ( OFF ) VGS ( OFF )
2
⎟
⎝ ⎠
Resolviendo esta ecuación de segundo grado, obtendremos dos valores de ID, uno de
ellos lo deberemos despreciar, ya que no tendrá sentido físico para el circuito.
Polarización por divisor de tensión
Para mejorar la dispersión de características de los JFET, se puede utilizar la

polarización por divisor de tensión, también llamada de cuatro resistencias o, por
comparación con la polarización de los BJT, polarización de fuente.
Figura 6.19: Polarización por división de tensión de un JFET
Para calcular esta polarización, seguimos con el procedimiento habitual, es decir,

calculamos la tensión puerta-fuente y posteriormente, la corriente de drenador. Por tanto, la
tensión VGS valdrá, utilizando el equivalente Thevenin
VGS = VG − VS = VTH − I D · RS (6.16)
Siendo VTH
R2
VTH = VCC (6.17)
R1 + R2
A partir de aquí seguiríamos con el procedimiento habitual de cálculo.
⎛ RS2 I DSS ⎞ ⎛ 2 I R 2V I R ⎞ ⎡ ⎛ VTH2 2VTH ⎞⎤

2
I ⎜ ⎟⎟ − I D ⎜ 1 + DSS S − TH DSS2 S ⎟ + ⎢ I DSS ⎜ 1 + − ⎟⎥ = 0
D⎜ 2
⎜ ⎟ ⎜ VGS ( off ) VGS( off )
2
⎟⎥
⎝ VGS ( off ) ⎠ ⎢⎣
⎠ VGS ( off ) VGS ( off )
⎝ ⎝ ⎠⎦
Para obtener la recta de carga en este circuito utilizaremos la curva de transferencia del
JFET. Debido a la dispersión de características de la mayoría de los JFET, nos saldrían dos
puntos de trabajo. Según la tabla 6.3, VGS(OFF) puede estar entre dos valores muy diferentes
entre sí (-0.25V y -8V). Como es de suponer, esto acarreará dificultades en el cálculo exacto
del punto de polarización del circuito. Esta polarización de divisor de tensión atenúa en gran
medida esta dispersión, que afecta en mayor medida a las configuraciones de
autopolarización.
El punto de partida de VGS, con signo positivo, será el valor de la tensión Thevenin en
continua, es decir, aplicando la ecuación 6.17. Y el corte con el eje de ordenadas (ID) será el
definido por el valor de VGS = 0V y la resolución de la ecuación 6.16, es decir
0 = VTH − I D · RS
VTH VCC · R2
ID = = (6.18)
RS ( R1 + R2 ) RS
Desde el punto de vista grafico, las curvas quedarían de la siguiente manera

ID (mA)
VP Máx.
Recta de carga
VP Mín.
ID Máximo
ID Máximo
-VGS (V) VGS (V)

0 VTH
VCC · R2
ID =
( R1 + R2 ) RS
Figura 6.20: Recta de carga y dispersión de características de ID
Dependiendo de la inclinación de la recta de carga, el corte con las dos curvas de

transferencia será mayor o menor. Para esta polarización, como se muestra, la diferencia no es
muy acusada, es decir, la estabilidad de la corriente de drenador es de tipo medio.
Fuente de corriente
Esta disposición es bastante sencilla y está basada en la explicación de las propias

curvas de JFET sin tensión entre puerta y fuente, es decir con VGS = 0V, apartado 6.2. La
curva del JFET en estas circunstancias tiene un comportamiento resistivo hasta alcanzar el
punto de estrangulamiento o VP. A partir de aquí la corriente que atraviesa el JFET es
prácticamente constante, hipótesis de canal largo.
El único cuidado que deberemos tener es mantener la tensión VDS por encima del valor
VP. Este valor de estrangulamiento viene especificado en las hojas de datos del componente
como VGS(OFF). Aunque expresado como un valor negativo para un JFET canal N, se tomará la
cantidad en positivo, ya que, como se comentó, VGS(OFF) = -VP. La corriente de drenador de
saturación IDSS también aparece como dato del fabricante.
Por tanto, teniendo en cuenta la malla de drenador-fuente, el máximo valor que

podremos utilizar de RLoad será de
VCC = RLoad · I DSS + VDS = RLoad · I DSS + VP = RLoad · I DSS − VGS ( OFF )
VCC − VP
RLoad Máximo = (6.19)
I DSS
Con lo cual, RLoad podrá variar desde cero Ohmios hasta el que se obtenga en la
ecuación 6.19 como máximo.
Figura 6.21: Fuente de corriente constante (ID = IDSS)
6.8 Ejercicios tipo
6.8.1 Calcular, para el circuito de autopolarización de la figura, la tensión VGS

y el valor de la corriente de drenador.
--- 000 ---
Utilizando las ecuaciones 6.14 y 6.15, podremos calcular la tensión VGS y el valor de
ID. Por otro lado, conocemos los siguientes datos para el BF245B.
VP ≈ 2.5V IDSS = 10mA
Sustituyendo datos en la ecuación 6.15, nos queda

⎛ ⎞
( I D RS ) ⎛ ( I D 860 )2 2 I 860 ⎞
2
⎜ 2 I D RS ⎟
I D = I DSS 1 + − = 0.01 ⎜ 1 + − D ⎟
⎜ (V )
2
VGS ( OFF ) ⎟ ⎜ 2.5 2
2.5 ⎟⎠
⎝ GS ( OFF ) ⎠ ⎝
1183.36 I D 2 − 7.88I D + 0.01 = 0

Resolviendo esta ecuación, obtenemos
ID1 = 4.952mA
ID2 = 1.706mA
Con estos datos, no es posible saber con seguridad cual será el valor con sentido físico
y cual no. La mayoría de las veces uno de estos valores supera la corriente de drenador de
saturación, IDSS = 10mA.
Calculando ahora los valores de VGS mediante la ecuación 6.14, nos queda
VGS1 = – ID RS = – 0.004952 · 860 = – 4.258V 2

VGS2 = – ID RS = – 0.001706 · 860 = – 1.467V 3
El valor de VGS1 = – 4.258V no es posible, ya que supera ampliamente el valor de

estrangulamiento del canal, VGSoff = – 2.5V.
Para averiguar el valor de la tensión VDS a la cual el JFET entrará en zona de

saturación, teniendo en cuenta la contracción del canal, tendremos
|VDS| = |VP| – |VGS2| = 2.5 – 1.467 = 1.033V
Si operásemos en esta ecuación con el valor de VGS1, obtendríamos un valor de VDS

negativo, que igualmente, no tendría sentido en el circuito.
Si calculamos ahora la tensión existente entre drenador-fuente, para averiguar en la

zona en la que está trabajando el JFET, al aplicar Kirchoff a la malla de drenador, nos queda
VDS = VCC – ID (RD + RS) = 24 – 7.096 = 16.903V
Este valor es muy superior al de comienzo de zona de saturación, VDS = 1.033V. Por
tanto, el JFET está trabajando en zona de saturación.
De forma gráfica, sobre las curvas de drenador, los datos del circuito quedarían de la
siguiente forma
ID (mA)
VP
VGS = 0V
10 IDss
Recta de carga
Contracción del canal
VGS = -1.46V
1.706
Punto Q
VDS (V)
0 2.5 24
1.033 16.903
La simulación del circuito ofrece las gráficas siguientes
VGS = -1.32V VDS = 18V
ID = 1.54mA
6.8.2 Calcular una fuente de corriente constante de 10mA mediante JFET.

Comprobar su funcionamiento para diferentes valores de resistencia de
carga.
--- 000 ---
La corriente que será capaz de suministrar corresponde con la corriente de saturación

del JFET, IDSS, que para nuestro caso, el fabricante indica un valor de 9.48mA (media
geométrica de los datos de la tabla 6.3 correspondientes a IDSS).
El único cuidado que deberemos llevar será conseguir una tensión drenador-fuente
mayor que la tensión de estrangulamiento, VP o VGS(OFF), dado que VGS = 0.
Utilizando la malla de drenador nos queda
VCC = I D · RLoad + VDS
Teniendo en cuenta los datos ofrecidos por el fabricante VDS = VP = -VGS(OFF) = 2.5V,
la corriente de saturación IDSS = 9.48mA y lo citado anteriormente. Al sustituir en la ecuación
anterior, obtendremos el máximo valor de RLoad que podremos utilizar. El valor mínimo será
de cero Ohmios.
VCC − VDS 17 − 2.5

RLoad ( Max.) = = = 1530 Ω
I DSS 0.00948
Si la resistencia estuviese fijada con anterioridad, podríamos calcular el circuito

modificando el valor de la tensión de alimentación.
Al simular el circuito, la gráfica que nos resulta es la siguiente
ID (mA)
VP
VGS = 0V
10 IDss
VDS (V)
0
2.5
Gráfica esperada Gráfica simulada: VGS = 0V, ID = 8.4mA, VP = 2.3V
Los datos que toma el programa para la simulación son:
IDSS = 8.4mA
VGS(OFF) = - 2.3V
Al sustituir estos datos en las ecuaciones anteriores, se acercan mucho más a los
valores esperados.
17 − 2.3
RLoad ( Max.) = = 1750 Ω
0.0084
6.9.1 Calcular, para el circuito de la figura, la tensión VGS y el valor de la

corriente de drenador.
Utilizar los valores del fabricante siguientes:
VGS(OFF) = +2.3V
IDSS = 8.4mA
VGS = 1.63V
ID = 1.63mA
1587.9ID² -7.73ID + 0.0084 = 0
6.9.2 Para el circuito anterior, calcular la contracción del canal producida al

ser VGS ≠ 0.(|VDS| = -0.668V)
6.9.3 Calcular, para el circuito de la figura, en cual zona está trabajando el

JFET. Utilizar los valores del fabricante siguientes:
VGS(OFF) = -3V
IDSS = 9mA VDS = 11.11V (Saturación)
1000ID² -6.33ID + 0.009 = 0
6.9.4 Calcular, para el circuito de la figura, en cual zona está trabajando el

JFET. Represente la recta de carga del circuito. Utilizar los valores del
fabricante siguientes:
VDS = 15.89V (Saturación)
VGS(OFF) = -2.5V 110976ID² -79.64ID + 0.0139 = 0
IDSS = 15mA
6.10 Bibliografía
1. Malik, Norbert R., Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño, Prentice Hall,
1999, ISBN: 84-89660-03-4.
2. Savant, Jr., C. J., Roden, Martin S., Carpenter, Gordon L., Diseño Electrónico. Circuitos y
Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
4. E. Sanchís, Transistores Unipolares, Dpto. de Ingeniería Electrónica, Universidad de
Politécnica de Valencia, 2002.
5. J. Sebastián Zúñiga, Introducción a la Electrónica de dispositivos: Transistores JFET,
Dpto. de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Computadores y de Sistemas, Universidad
de Oviedo, 2003.
Capítulo
7
Transistores MOS
L os transistores MOS (Metal Oxido Semiconductor) o

MOSFET o transistores de puerta aislada fueron la evolución
lógica de los transistores JFET.
Dependiendo del tipo de canal con el que se realicen y de la forma

de fabricarles recibieron diferentes nomenclaturas, a saber: NMOS
y PMOS para transistores MOS de canal N y canal P
respectivamente; o bien VMOS para los transistores MOS de
potencia de estructura vertical. Existe una conexión particular de
transistores NMOS y PMOS conocida como inversor CMOS
(Complementary MOS).
Actualmente existen otros transistores derivados de los FET’s para

aplicaciones de alta velocidad, los MESFET (MEtal
Semiconductor) o los transistores de Arseniuro de Galio
(GASFET).
Otra evolución de los transistores MOS es la BiCMOS. En ella se

pretende combinar en un mismo cristal de Silicio transistores
bipolares de alta velocidad con transistores CMOS. Los
transistores CMOS se colocan al principio, para mejorar la
impedancia de entrada y la velocidad de conmutación, mientras
que, colocando a la salida los transistores bipolares podremos
manejar cargas con capacidades mayores que si se colocasen
CMOS.
Contenido

7.3 El MOS de Acumulación. Constitución y funcionamiento
7.4 Diseño físico de circuitos MOS
7.5 Polarización de los MOS de acumulación
7.6 El MOS de Deplexión. Constitución y funcionamiento
7.7 Polarización de los MOS de deplexión
7.8 Ejercicios tipo
7.10 Bibliografía
A finales de 1959 Dawon (David) Kahng y Mohammed (John) Atalla inventaron en los Laboratorios
Bell el transistor MOS, una nueva implementación del FET en forma planar.
A finales del 61, trabajando en Fairchild, el físico chino Chih-Tang Sah (conocido como “Tom”)
realizó los primeros trabajos sobre el MOSFET.
En 1962, Steven R. Hofstein y Frederic P.

Heiman en los laboratorios de investigación
de RCA en Princeton, New Jersey, incluyeron
el MOSFET en un circuito integrado. Este
circuito integrado poseía 16 transistores
NMOS. Actualmente Hofstein es presidente de
ATI Systems.
Foto del primer transistor MOS fabricado por D. Khang, Mark M. Atalla, y E.
Labate a finales de 1959. Observaron que al aplicar una tensión pequeña a un
metal que estaba encima de una capa de óxido que se había depositado sobre
Silicio, se generaba una capa de inversión entre el óxido y el Silicio. Habían
descubierto la “Inducción de campo en la superficie de dispositivos Silicio-
Dióxido de Silicio”.
Carver A. Mead (1934- ). Entre 1956 y 1960 se graduó y doctoró en Ingeniería

eléctrica en el Instituto de Tecnología de California. En 1960 cambió la opinión
sobre la imposibilidad de fabricar transistores de menos de 10micras. En 1969
ideó el concepto para los circuitos VLSI (Veri Large Scale Integrated) y probó que
los transistores podrían llegar a ser de 0.15micras. Desde 1999 es presidente y
fundador de Foveon, desarrolladora de sensores de imagen para cámaras digitales
de alta resolución. Fue el inventor del MESFET (MEtal Semiconductor Field Effect
Transistor).
Tras la invención del JFET varios investigadores dedicaron su tiempo a mejorar las
características de estos dispositivos.
Solucionaron algunos inconvenientes de los JFET como la alta densidad de

integración, la estabilidad con la temperatura o el consumo de corriente de puerta y por
consiguiente la impedancia de entrada. Sin embargo, no obtuvieron tan buenos resultados con
la sensibilidad con la electricidad estática y las sobretensiones o la pobre linealidad de
funcionamiento.
De estos estudios y su evolución, surgieron dos modelos de transistores MOS, los de

enriquecimiento (Acumulación) y los de empobrecimiento (Deplexión), ambos existentes en
canal N y canal P. Por diferentes motivos han triunfado los primeros en la industria
electrónica.
Capítulo 7: Transistores MOS 131
7.3 El MOS de Acumulación. Constitución y funcionamiento
El transistor MOS debe su nombre a la disposición de los elementos que lo componen.

Los contactos con el exterior se realizan mediante la vaporización de Aluminio (Metal). Éstos
contactos están unidos a un único tipo de material semiconductor N o P (Semiconductor),
que forman los contactos de Drenador y Fuente, que a su vez se encuentran inmersos en un
material que hace de substrato del conjunto, de material contrario al semiconductor utilizado
en los terminales. Por último, los elementos citados se encuentran separados por una fina capa
de dióxido de Silicio (Aislante).
El conjunto así formado (Metal-Oxido-Semiconductor) se le denomina transistor MOS

de efecto de campo o MOSFET. Figura 7.1.
Contactos
Metal metálicos
SiO2
S G D
Metal
N+ N+ S G D
P- Óxido
+ Semiconductor
Substrato
(a) (b)
Figura 7.1: Estructura de fabricación del transistor MOS de acumulación
Dependiendo de los materiales utilizados podemos conseguir dos tipos de transistores

MOS, los canal N y los canal P. Como indica la figura 7.1, entre los terminales de Drenador y
Fuente, así como en la figura 7.2a, (MOS de Acumulación) no existe canal entre drenador y
fuente, como sucedía en los transistores JFET. Por el contrario, existe otro tipo de
construcción de transistores MOS que sí disponen de canal entre estos terminales, éstos son
los MOS Deplexión. Así pues, podemos obtener una clasificación de los transistores MOS
como se muestra a continuación.
Canal N (NMOS) Canal P (PMOS)
D D D D
G G G G
S S S S
Tipo Enriquecimiento Tipo Deplexión Tipo Enriquecimiento Tipo Deplexión
Acumulación Empobrecimiento Acumulación Empobrecimiento
(a) (b)
Figura 7.2: Clasificación y simbología de los transistores MOS
En la mayoría de los circuitos prácticos, los transistores NMOS se utilizan con mayor
asiduidad que los canal P, algunas de las razones se muestran en la tabla adjunta.
NMOS PMOS
Área 1 3
2
Movilidad 660cm /Vs 210cm2/Vs
Resistencia 1 2.5
Corriente 1 0.4
Tabla 7.1: Comparativa de los NMOS y PMOS
Principios de operación
Si comenzamos a aplicar una tensión pequeña al terminal de puerta (Gate) del MOS,
se comienza a producir una acumulación de cargas entre los terminales de Drenador (Drain) y
Fuente (Source). Si continuamos aumentando paulatinamente esta tensión, los electrones
minoritarios del substrato se comenzarán a acumular junto al aislante (SiO2). Esta
acumulación, debido a la diferencia de potencial aplicada, se estratificará en zonas o capas
con diferente concentración de electrones.
G G
S D S D
++ ++ +++
++ +++
++
- - - - N+
+ + + +
N+ N+ -- -- -- -- N+
- -
V1 V2 > V1
P- P- - -
Substrato Substrato
a) b)
Figura 7.3: Comienzo de creación del canal en un NMOS de acumulación
Llegará un valor de tensión a la cual, la acumulación de electrones sea tal que forme
un canal de conducción entre los terminales de Drenador y Fuente, que hasta ahora no existía.
A esta acumulación o capa de portadores minoritarios se la denomina capa de inversión.
G
S D
++++ ++++
N+ -- -- -- -- N+
P- V3 = V TH > V2
+
Substrato
Figura 7.4: Creación de la capa de inversión al alcanzar la tensión umbral
Consideraremos formada la capa de inversión cuando la concentración de electrones

en el canal artificialmente creado es igual a la concentración de huecos del substrato. La
tensión a la que esto ocurre se la denomina threshold voltage o tensión umbral (VTH).
Una vez que hemos creado este canal de conducción entre Drenador-Fuente y, siempre
que mantengamos la tensión superior a esta VTH, el dispositivo puede funcionar como
transistor, regulando y/o controlando la corriente que circule entre sus terminales.
G
S D
+++++ +++++
N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
Substrato
Figura 7.5: La capa de inversión hace de canal de conducción
En estas condiciones, si aplicamos una tensión pequeña (VDS << VGS) entre los
terminales de Drenador y Fuente prácticamente no circula corriente entre sus terminales y el
canal es uniforme.
VDS ≈ 0 ID ≈ 0
G
S D
+++++ +++++
VGS
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
Substrato
Figura 7.6: Sin aplicación de tensión VDS no hay circulación de corriente por el canal
VDS =VDS1 > 0

ID
G
S +++++ +++++ D
VGS
N+ -- - -- -- -- - N+
P-
Substrato
Figura 7.7: El canal de conducción se contrae con VDS > 0.
Al continuar aumentando la tensión DS aplicada al circuito, el canal se deforma,

disminuyendo su área. Este caso es similar al comportamiento de un JFET. Es decir, tenemos
un canal creado y con la aplicación de tensión se contrae el canal y tenderá a anularse.
Este canal disminuye proporcionalmente a la tensión aplicada, hasta un punto tal en el

que el canal se contrae totalmente. A este valor de tensión se le denomina pinch off o VDSPO o
de estrangulamiento.
VDS2=VDSPO >VDS1
ID
G
S D
+++++ +++++
- - - VGS
N+ ------- N+
P-
Substrato
Figura 7.8: El canal se contrae totalmente al alcanzar la tensión de estrangulamiento (pinch off).
A partir de esta tensión, el MOS se comporta como un fuente de corriente. Similar a

como sucedía con los JFET.
Las curvas que expresan el comportamiento descrito del MOS son las curvas de
Drenador y sus zonas o regiones de funcionamiento; a saber: corte lineal y saturación.
ID (mA)
VGS = 5V
4
al
ne
VGS = 4V
Li
2 Saturación
VGS = 3V
VGS = 2.5V
Corte
0 2 4 6 VDS (V)
VGS < VTH = 2V
Figura 7.9: Curvas de Drenador de un NMOS de acumulación en fuente común
Si no le aplicamos VGS al MOS, la corriente de drenador que se produce en casi

despreciable. En general, sin la VGS no supera la de umbral, el dispositivo no conduce
corriente apreciable.
VDS ID≈ 0
G
S D
N+ N+
P-
Substrato
Figura 7.10: Si no existe canal no hay circulación de corriente drenador-fuente
La polarización adecuada para el MOS es, una VGS mayor que la umbral, para que
exista canal creado y, una VDS mayor que cero para que circule corriente de drenador. La zona
lineal del MOS no es tan adecuada para trabajar como la del JFET. Por eso se suele utilizar el
MOS en la zona de corte o la de saturación. En ésta última VGS > VTH y VDS > VDSPO.
ID
R
D
+
VDS
G
VDS >VDSPO
VGS >VTH + S -
VGS
-
Figura 7.11: Polarización de un MOS de acumulación en la zona de saturación
Como se observa en la figura las dos fuentes de tensión del circuito tienen la misma
polaridad. Esta ventaja, entre otras, les hizo triunfar frente a los JFET.
La ecuación empírica para obtener los valores de ID en la zona de saturación, para un

MOS de canal N de pequeña o media potencia, se rige por
I D = K (VGS − VTH )
2
(7.1)
μ ε W
( 1 + λ VDS ) = N OX ( 1 + λ VDS ) ⎢⎡ 2 ⎥⎤ ⎡⎣0.2 − 1.1mAV −2 ⎤⎦
kp W A
K=
2 L 2 tOX L ⎣V ⎦
La ecuación empírica para obtener los valores de ID en la zona de lineal (VGD< VTH),
para un MOS de canal N de pequeña o media potencia, se rige por
⎡ V2 ⎤
I D = 2K ⎢(VGS − VTH ) VDS − DS ⎥ (7.2)
⎣ 2 ⎦
Al obtener dos resultados de estas ecuaciones deberemos tomar aquella que tenga
sentido físico. Normalmente, se suele utilizar el MOS en la zona de saturación para obtener
resultados como amplificador. La zona lineal queda reservada al hecho de utilizarla como una
resistencia variable con la tensión.
Al dibujar las curvas de transferencia y de drenador de un MOS nos quedan
a) Dispersión de características de puerta b) Curvas de drenador
Figura 7.12: Curvas de trasconductancia y de drenador de un NMOS de acumulación
La trasconductancia de un MOS en la zona de saturación viene definida por
∂I D 1
gm = = 2K (VGS − VTH ) = (7.3)
∂VGS RON
Si estuviésemos trabajando con un MOFET de potencia, en la zona de saturación, las

ecuaciones para la corriente de drenador para un dispositivo canal N, no son cuadráticas, sino
lineales.
I D = (VGS − VTH ) g m
Que difiere un poco de la ecuación para un MOSFET de corriente pequeña-mediana,

Ec. 7.1.
7.4 Diseño físico de circuitos MOS
Un dispositivo MOS se fabrica por la superposición de varias capas o layers sobre la

superficie base de Silicio. Existen varias técnicas de realización de esta tarea. La más utilizada
en la actualidad es la Litografía. Veamos una introducción de esta técnica de fabricación de
transistores MOS y circuitos integrados en general.
Proceso de Litografía
Material base. Óxido grueso. Vapor de agua u O2. Material fotosensible.
Luz ultravioleta Ataque químico. (Etching). Resultado intermedio

(El material expuesto se hace soluble) (Eliminamos material fotosensible)
Punto de partida. Óxido fino. Deposición de Polisilicio.
Preparación zonas semiconductoras. Iones semiconductores Semiconductores Drenador y Fuente.

(Implantación iónica o
Crecimiento epitaxial)
Óxido grueso (Capa de preparación) Preparación de terminales metálicos. Metalización. Aluminio vaporizado.
Figura 7.13: Vista al microscopio de parte de un circuito integrado
Figura 7.14: Secciones de un transistor MOS de enriquecimiento y de un transistor bipolar tipo NPN
Como se observa en presente figura, la facilidad de fabricación de un MOS es mucho

mayor que la compleja fabricación de un BJT.
Esta forma de fabricación de los MOS pueden generar componentes indeseados o

parásitos del procedimiento en sí mismo. Los más importantes son el diodo en antiparalelo
Drenador-Fuente y los tres efectos capacitivos entre los terminales del transistor. A saber:
Diodo parásito
Debido al proceso de fabricación de los MOS de enriquecimiento, entre los terminales

de drenador y fuente aparece un diodo indeseado. En realidad el diodo aparece entre Drenador
y Substrato pero, normalmente el Substrato se une al terminal de Fuente.
G
S
Figura 7.15: Diodo en antiparalelo en un MOS de enriquecimiento

Este diodo, a pesar de ser un subproducto de la fabricación del MOS no es perturbador

de su funcionamiento, sino todo lo contrario. Ya que, ante una carga no resistiva, el citado
diodo nos mejora el camino de descarga del efecto inductivo o capacitivo de la misma.
Capacidades parásitas
Figura 7.16: Distribución de capacidades en un NMOS de enriquecimiento
El transistor MOS se ve afectado por efectos capacitivos entre sus tres terminales, al
igual que sucede en el BJT en menor cuantía. Los valores de estas capacidades se denominan
de igual forma que en los JFET, es decir, CDG y CGS. Por último, existe una capacidad
asociada al canal, CDS. Como se aprecia en la figura precedente, estos efectos capacitivos se
deben al proceso de fabricación y son insoslayables.
Los fabricantes suelen medir tres capacidades diferentes a las que acabamos de definir,
que son, la capacidad de entrada con la salida en cortocircuito para corriente alterna, Ciss o
capacidad de entrada; la capacidad de salida con la entrada en corto para corriente alterna,
Coss o capacidad de salida y por último, la capacidad inversa de transferencia o Crss. Los
valores típicos de estas capacidades suelen estar entre 15pF y 180pF medidas a 1MHz.
Figura 7.17: Diodo en antiparalelo y efectos capacitivos en un MOS de enriquecimiento

Se puede deducir fácilmente la relación entre las capacidades existentes entre

terminales y las capacidades ofrecidas por los fabricantes. Estas relaciones son
CDG = CRSS
CGS = CISS - CRSS
CDS = COSS - CRSS
Este fenómeno capacitivo del NMOS puede influir en las características de la tensión
de puerta del transistor. Los valores CDG y CGS pueden afectar negativamente al
comportamiento en conmutación del MOS. Sus consecuencias más efectivas son:
• Superar el valor máximo que pueda soportar el óxido de separación de puerta.

Provocando su perforación y estropeando el dispositivo sin remisión.
• Hacer que, incluso estando el transistor cortado, éste entre en conducción.
Ante la aplicación de disparos de puerta del MOS con flancos de subida y bajada
importantes, se puede producir lo siguiente, ver Figura 7.17:
Flanco de subida. Si el valor de tensión aplicado a la puerta supera el valor de la

tensión umbral, el MOS entrará en conducción.
Esto bajará la tensión VDS, con lo que el efecto se compensará, cortándose el
funcionamiento del transistor. El único inconveniente es la pérdida disipativa durante
el intervalo de conducción.
Flanco de bajada. El valor de tensión aplicado no provocará la conducción del MOS,

pero si su valor es excesivo, puede provocar la perforación del óxido aislante de la
puerta del transistor, produciendo su destrucción.
En ambos casos es determinante la resistencia de la fuente que excita la puerta del

transistor MOS, RGATE, cuanto menor sea ésta, menos se notarán los efectos citados. Ya que,
ante una resistencia baja, la carga almacenada en los condensadores tendrá un camino fácil de
descarga. Se deberá tener especial cuidado en la posible existencia de cargas inductivas
parásitas en la puerta. Esta circunstancia dará una impedancia equivalente muy alta ante
cambios bruscos de la señal de excitación de puerta.
Hoja de características del IRF510
Tabla 7.2: Datos constructivos de un NMOS IRF510

Tabla 7.3: Datos absolutos máximos de un NMOS IRF510. Acumulación
Tabla 7.4: Datos eléctricos de un NMOS IRF510. Acumulación
7.5 Polarización de los MOS de acumulación
Polarización por divisor de tensión con MOS de acumulación
Para mejorar la dispersión de características de los MOS, se puede utilizar la

polarización por divisor de tensión, también llamada de cuatro resistencias.
Figura 7.18: Polarización por división de tensión de un NMOS de acumulación
Para calcular esta polarización, seguimos con el procedimiento habitual, es decir,

tensión VGS valdrá
VGS = VG − VS (7.4)
Obteniendo VG y VS como
R2
VG = VCC VS = I D RS
R1 + R2
con lo cual, VGS
⎛ R2 ⎞
VGS = ⎜ VCC ⎟ − ( I D RS ) (7.5)
⎝ R1 + R2 ⎠
El valor de VG es una constante, con lo cual se simplifica el cálculo de la corriente de

drenador. Ec 7.1.
A partir de aquí, continuando con el procedimiento de cálculo, obtendremos los

valores de ID. Sólo uno de ellos tendrá sentido físico. Es posible que debamos seguir
calculando con los dos valores obtenidos de ID hasta encontrar algún dato que nos indique
cuál de los dos valores carece de sentido.
2
⎡1 ⎛V R ⎞⎤ ⎡ V R ⎤
I ⎡⎣ R ⎤⎦ − I D ⎢ + 2 RS ⎜ CC 2 − VTH ⎟ ⎥ + ⎢ CC 2 − VTH ⎥ = 0
2
D
2
S (7.6)
⎣K ⎝ R1 + R2 ⎠ ⎦ ⎣ R1 + R2 ⎦
Con este dato de ID podremos retomar el cálculo de la ecuación 7.5.
El valor de la tensión de pinch-off se obtiene de forma similar a los JFET, es decir
VPO = VGS − VTH (7.7)

El valor de la tensión umbral de conducción, VTH, del MOS es un dato del fabricante.
Para la obtención de la tensión drenador-fuente del punto de trabajo, operaremos con

la malla del drenador del circuito, quedando
VDS = VCC − ⎡⎣ I D ( RS + RD ) ⎤⎦ (7.8)
Los puntos de corte con los ejes y la recta de carga del circuito, los obtendremos de
esta malla de Drenador, de la siguiente manera
VCC = VDS + I D ( RS + RD )
Haciendo ID = 0 y VDS = 0, nos quedan
VCC
VDSmáx = VCC I DMáx. = (7.9)
RS + RD
La situación gráfica de estos valores sobre las curvas de Drenador y trasconductancia

quedarían como se muestra en las siguientes figuras (Nótese que el dato de IDSS en los MOS de
acumulación no posee ni el sentido ni la relevancia que tenía en los JFET).
Figura 7.19: Curva de Drenador del NMOS de acumulación
Figura 7.20: Curva de trasconductancia del NMOS de acumulación

Fuente de corriente con MOS de acumulación
Esta disposición es muy similar, en su disposición, a la estudiada anteriormente, salvo

la eliminación de la resistencia de fuente. Con este circuito, mantenemos el valor de VGS
constante. Con lo cual, variando el valor de la resistencia de carga, sólo modificaremos la
tensión de caída en RLoad y la tensión VDS.
El único cuidado que deberemos llevar será mantener la VDS por encima de la tensión
de pinch-off del NMOS. Durante todo este intervalo, el circuito estará trabajando en la zona
de saturación y, obtendremos la función de fuente de corriente constante deseada.
Figura 7.21: Fuente de corriente mediante un NMOS de acumulación
Para calcular esta polarización, continuamos con el procedimiento habitual, es decir,

R2
VGS = VG − VS VG = VCC VS = 0
R1 + R2
con lo cual, VGS
R2
VGS = VCC (7.10)
R1 + R2
En esta polarización, el valor de VGS es una constante, con lo cual se simplifica en gran
medida el cálculo de la corriente de drenador. Ec 7.1.
2
⎡⎛ V R ⎞ ⎤
I D = K ⎢⎜ CC 2 ⎟ − VTH ⎥ (7.11)
⎣⎝ R1 + R2 ⎠ ⎦
Como se observa, en esta ocasión sólo aparece un valor posible de ID.

El valor de la tensión de pinch-off se obtiene mediante la ecuación
VPO = VGS − VTH (7.12)
El valor de la tensión umbral de conducción, VTH, del MOS, como se ha visto

anteriormente, es un dato del fabricante del MOS.

VDS = VCC − ( I D RLoad ) (7.13)
Los puntos de corte con los ejes y la recta de carga del circuito, los obtendremos de la
malla de drenador de la siguiente manera
VCC = VDS + ( I D RLoad )
VCC
RLoad
Por otro lado, si deseamos averiguar el máximo valor de la resistencia de carga que
podremos colocar en el circuito, deberíamos tener en cuenta que el NMOS tendrá que estar
trabajando siempre en la zona de saturación. Por tanto, operando con la malla de drenador,
nos queda
VCC − VPO
RLoad ( máx ) = (7.15)
ID
Los valores de RLoad estarán entre 0Ω (cero) y el valor de la ecuación precedente. Si

esto parece extraño, téngase en cuenta que la corriente de drenador se fija mediante VG y VTH.
Para nuestro caso, VG es un dato obtenido con la rama de puerta, ajena a las circunstancias de
drenador y VTH es un dato de fabricante, al igual que el valor de K, ajenas igualmente a lo que
suceda en la malla de drenador.
7.6 El MOS de Deplexión. Constitución y funcionamiento
Como se comentó al principio del presente tema, los transistores MOS se clasifican en
dos grandes familias, los de Acumulación y los que nos ocupan ahora, los de Deplexión.
Las diferencias entre estas dos familias es apreciable desde muchos puntos de vista, el
más llamativo es a nivel de funcionamiento. Incluso a nivel de fabricación, es un dispositivo
que, al igual que los transistores JFET, cuenta con un canal entre los terminales de drenador y
fuente, sin ningún tipo de aplicación de tensión entre los terminales. En el apartado
constructivo, dejando a un lado la existencia del citado canal entre drenador y fuente, se
parece bastante a un MOS de acumulación. Figura 7.22.
S G D
Metal
S G D
-
N+ N N+ Óxido
P-
Semiconductor
Substrato Canal
Figura 7.22: Estructura de fabricación de transistor MOS de Deplexión
Si tuviésemos que enumerar las características más llamativas de un MOS de

deplexión frente a uno de acumulación, podríamos decir:
• Posee un canal entre Drenador y Fuente sin aplicación de tensión VGS.

• La tensión umbral de funcionamiento, VGS, es negativa para ID nula.
• El consumo de entrada, IG, es nulo, al estar la puerta aislada.
• Podremos establecer una circulación de corriente entre drenador y fuente sin aplicar
tensión positiva en la puerta.
Vistas estas características, cabría pensar que nos estamos refiriendo a un dispositivo
JFET más que a un MOS. Y hay un poco de verdad en esto.
Al igual que hicimos con los BJT y con los JFET, vamos aplicar tensiones entre los
diferentes terminales del MOS para observar lo que sucede y, poder dibujar sus curvas
características.
G + G +
S +++ +++ D VGS = V1 S --- --- D VGS = - V1
- - - - - - + + + + + + V1
N+ N- N+ N+ N- N+
P- V1 P-
Substrato - Substrato -
a) Modo acumulación b) Modo deplexión
Figura 7.23: Comportamiento del canal de un NMOS de deplexión en función del signo de la tensión aplicada
Como se observa en la figura precedente, el MOS de Deplexión posee, en función de

la polaridad de la tensión que estemos aplicando, dos modos de trabajo. El modo de
acumulación, es decir, si aplicamos tensión positiva a VGS, el canal se refuerza con un mayor
número de electrones procedentes del substrato, pudiendo conducir una mayor corriente.
Figura 7.23a. Por otro lado, el modo de deplexión, figura 7.23b, el canal tiende a anularse y
conducir menos cuando aplicamos una tensión negativa entre VGS.
De acuerdo con este comportamiento, podríamos decir que, en modo acumulación, el

MOS de deplexión se comporta como un MOS de acumulación y, en modo deplexión el MOS
de deplexión se comporta como un JFET.
Si aplicamos ahora tensión entre drenador y fuente, manteniendo las tensiones entre
VGS, se obtiene lo siguiente
VDS VDS
ID ID
G G
S D S --- --- D
+++ +++
- - - - + + + + + +
N+ N- N+ N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +
a) Modo acumulación b) Modo deplexión
Figura 7.24: Comportamiento del canal de un NMOS de deplexión al aplicar VGS y VDS
Para el modo acumulación: Si aplicamos VDS y disminuimos VGS, el canal se debilita,

como sucedía con los MOS de acumulación.
Para el modo deplexión: Si aplicamos VDS y aumentamos VGS, el canal se debilita,

como sucedía con los JFET canal N.
Si conocido este comportamiento, tratásemos de dibujar las curvas que representan el

funcionamiento de este MOS, obtendríamos para las gráficas de trasconductancia y de
drenador lo siguiente.
ID (mA)
VGS = 1V
4
ID (mA)
Modo
Acumulación
VGS = 0.5V acumulación
Deplexión
2
VGS = 0V
IDSS
VGS = - 0.5V Modo
IDSS
VGS = - 1V deplexión
VGS (Off)
VDS (V)
0 2 4 6
-VGS (V) + VGS (V)
0 VGS (Off) < -1.5V
a) Trasconductancia b) Drenador
Figura 7.25: Curvas de trasconductancia y drenador de un NMOS de deplexión

Afectación de la temperatura a los MOS de deplexión
Figura 7.26: Curvas de trasconductancia obtenida por el simulador de un NMOS de deplexión (BSS129)
En la figura precedente, para este MOS de deplexión, se observa el efecto de

temperatura en la curva de trasconductancia; y la anulación de este comportamiento para una
tensión VGS = -0.75V. Este hecho ya se comentó ampliamente en los JFET, apartado 6.6.
Figura 7.27: Curvas del drenador obtenida por el simulador de un NMOS de deplexión (BSS129)
El valor de IDSS en el caso de los MOS de deplexión no significa exactamente lo

mismo que en los JFET. Como se aprecia, no es la máxima corriente que puede controlar el
MOS. No obstante, para el caso de una fuente de corriente, podrá utilizarse esta cantidad
como ID constante, al igual como sucedía en la resolución de supuestos con JFET.
7.7 Polarización de los MOS de deplexión
Debido al comportamiento dual de este tipo de transistores MOS (modo acumulación

y modo deplexión), los circuitos se resolverán de dos formas diferentes. Si el MOS está
trabajando con una VGS < 0V, se resolverá como si fuese un JFET, con las mismas ecuaciones
que se utilizan para estos dispositivos. Si por contra, la VGS > 0V, se resolverá como si fuese
un MOS de acumulación, utilizando las ecuaciones vistas para ello en apartados anteriores.
Fuente de corriente con MOS de deplexión
Según lo comentado en el párrafo anterior, al ser VGS = 0V mantendremos el valor de

la corriente de drenador ID = IDSS. Con lo cual, variando el valor de la resistencia de carga,
sólo modificaremos la tensión de caída en RLoad y la tensión VDS.
Figura 7.28: Fuente de corriente mediante un NMOS de deplexión
Para calcular esta polarización, continuamos con el procedimiento habitual, es decir,

VGS = VG − VS = 0V
Al resolver este ejercicio como si fuese un JFET, deberemos utilizar las ecuaciones
vistas para el JFET canal N en el tema anterior.
2
⎛ VGS ⎞
I D = I DSS ⎜ 1 − ⎟⎟ = I DSS (7.16)
⎜ V
⎝ GS ( OFF ) ⎠
Como se observa, en este circuito sólo aparece un valor posible de ID. El valor de la
tensión de pinch-off se obtiene mediante la ecuación del JFET, siendo VGS nula.
|VDS| = |VP| – |VGS| = VP

Que corresponde con el dato suministrado por el fabricante del MOS, al igual que IDSS.

VDS = VCC − ( I D RLoad ) (7.17)
malla de drenador de la siguiente manera
VCC = VDS + ( I D RLoad )
VCC
RLoad
Por otro lado, si deseamos averiguar el rango de valores de la resistencia de carga que
podremos colocar en el circuito, deberíamos tener en cuenta que el NMOS tendrá que estar
trabajando siempre en la zona de saturación, es decir, VDS ≥ VP. Por tanto, operando con la
malla de drenador, nos queda
VCC − VP
RLoad ( máx ) = (7.19)
ID
VCC − VDSmáx
RLoad ( mín ) = (7.20)
ID
Como se aprecia en esta ecuación, el valor de RLoad mínimo puede ser cero, ya que, el
máximo valor de VDS puede ser VCC.
ID (mA)
Recta de carga
IDmáx. VGS = 0V
ID = IDSS
VDS (V)
0
VP Posibles valores de VDS VDSmáx = VCC
Figura 7.29: Curva de drenador de la fuente de corriente con NMOS de deplexión

7.8 Ejercicios tipo
7.8.1 Calcular, para el circuito de polarización por división de tensión de la

figura (NMOS de acumulación), el punto de trabajo y la recta de carga
del circuito.
--- 000 ---
Si fijamos los siguientes valores para el circuito de la figura:
R1 = 2.2MΩ VCC = 24V

R2 = 1MΩ VTH = 2.8V
RD = 1KΩ
RS = 220Ω K = 0.5mAV-2
Aplicando el procedimiento de cálculo seguido hasta ahora, obtendremos los valores

de VG y VS. Utilizando la ecuación 7.5
⎛ 1M Ω ⎞
VGS = ⎜ 24 ⎟ − ( I D RS ) = 7.5 − ( 220· I D )
⎝ 3.2M Ω ⎠
Calcularemos ahora la corriente de drenador, para ello, utilizaremos la ecuación 7.6
2
⎡1 ⎛V R ⎞⎤ ⎡ V R ⎤
I ⎡⎣ R ⎤⎦ − I D ⎢ + 2 RS ⎜ CC 2 − VTH ⎟ ⎥ + ⎢ CC 2 − VTH ⎥ = 0
2
D
2
S
⎣K ⎝ R1 + R2 ⎠ ⎦ ⎣ R1 + R2 ⎦
I D2 48.4 − I D 4.068 + 22.09 = 0 ID1 = 5.83mA ID2 = 78.2mA
Los valores obtenidos parecen válidos. Esto nos obligará a arrastrar el cálculo con los
dos valores hasta que uno de los datos que obtengamos no tenga sentido físico.
VGS1 = 7.5 – 1.28 = 6.22V 3

VGS2 = 7.5 – 17.2 = -9.7V 2
El valor de la tensión puerta-fuente de un NMOS no puede ser negativa, luego el valor

de ID2 no tiene sentido físico.
El valor de la tensión de pinch-off, lo obtenemos de la ecuación 7.7
VPO = VGS − VTH = 6.97 − 2.8 = 4.17V

la malla del drenador del circuito, quedando, Ec. 7.8
VDS = VCC − ⎡⎣ I D1 ( RS + RD ) ⎤⎦ = 24 − 2.92 = 21.07V
Calculando los puntos de la recta de carga, Ec. 7.9
VDSmáx = 24V
VCC 24
I DMáx. = = = 19.6mA
RS + RL 220 + 1000
ID (mA)
ID = 2.4
-VGS (V)
0
VTH = 2.8 VGS = 6.97 VGS (V)
ID (mA)
IDmáx = 19.6
Recta de carga
VGS = 6.97V
ID = 2.4
Punto Q
0
VDS (V)
VPO = 4.17 VDS = 21.07 VCC = 24

7.8.2 Calcular, para el circuito de fuente de corriente de la figura (NMOS de

deplexión), el valor máximo de la resistencia de carga y la curva de
drenador con sus puntos característicos.
--- 000 ---
Si fijamos los siguientes valores para el circuito de la figura:
VCC = 18V VP = 3V IDSS = 20mA
Como se observa claramente en la figura, el valor de VGS = 0V.
Aplicando la ecuación 7.16, nos quedará el valor de la corriente de drenador.

2
⎛ 0 ⎞
I D = I DSS ⎜ 1 − ⎟ = I DSS = 20mA
⎝ VPO ⎠
El valor de la tensión de entrada en saturación o punto de pinch-off se obtiene

mediante la ecuación
|VDS| = |VP| – |VGS| = VP = 3V
El valor máximo de la resistencia de carga corresponderá con el mínimo valor de VDS,

es decir, la tensión de pinch-off del NMOS de deplexión
VCC − VP 18 − 3
RLoad ( máx ) = = = 750Ω
ID 0.02
malla de drenador del circuito, aplicando la ecuación 7.18
18
VDSmáx = 18V I DMáx. = = 24mA
750
La curva de drenador se muestra en la siguiente figura. Nótese que, al ser una fuente
de corriente constante, la recta de carga coincide con la curva del NMOS, teniendo como
valores posibles de VPO a VCC.
ID (mA)
Recta de carga
IDmáx = 24 VGS = 0V
ID = IDSS = 20
VDS (V)
0
3 Posibles valores de VDS VDSmáx = 18
7.9.1 Calcular, para el circuito de la figura, el punto de trabajo del NMOS.
R1 = 2.2MΩ VCC = 20V

R2 = 1MΩ VTH = 3V
RD = 1K2Ω
RS = 150Ω K = 0.5mAV-2
(VDS , ID) = (15.1V, 3.7mA)
22500ID² -2.97ID + 10.56 = 0
7.9.2 Calcular, para el circuito de la figura, el valor de VDS.
R1 = 2MΩ VCC = 21V

R2 = 1MΩ VTH = 2.5V
RLoad = 220Ω K = 0.4mAV-2
VDS = 19.22V (Saturación)

7.9.3 Calcular, para el circuito de la figura, la curva de drenador del PMOS

con sus puntos característicos.
R1 = 2MΩ VCC = 26V

R2 = 1.1MΩ VTH = -3V
RD = 1K5Ω
RS = 180Ω K = 0.51mAV-2
7.9.4 Calcular, para el circuito de la figura, el valor de VDS.
RLoad = 250Ω VCC = 15V

VP = 2.5V IDSS = 25mA
7.9.5 Calcular, para el circuito PMOS de la figura, la curva de drenador con

sus puntos característicos.
RLoad = 33Ω VCC = 19V

VP = -2.9V IDSS = -26mA
7.10 Bibliografía

2. Fiore J.M., Amplificadores operacionales y Circuitos integrados lineales, Thomson, 2002,
ISBN: 84-9732-099-9.
4. Humphries J.T. y Sheets L.P., Electrónica industrial: Dispositivos, Máquinas y Sistemas
de potencia industrial, Paraninfo, 1993, ISBN: 84-283-2278-3.
5. J. Sebastián Zúñiga, Introducción a la Electrónica de dispositivos: Transistores MOS,
Dpto. de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Computadores y de Sistemas, Universidad
de Oviedo, 2003.
6. J. M. Mendías Cuadros y H. Mecha López, Diseño de circuitos integrados, Dpto. de
Arquitectura de computadores y Automática, Universidad Complutense de Madrid, 2006.
7. J. T. Clemens, Silicon microelectronics technology, Bell Labs Technical Journal. Autumn
1997, Lucent Technologies Inc., 1997.
8. Kenneth, Laker R., MOS Transistor Theory: EE560 Part 1, University of Pennsylvania,
2003.
Universidad Politécnica de Cartagena. Dpto. de Tecnología Electrónica Electrónica analógica (GB5)
TEMA 5: MODELO EN PEQUEÑA SEÑAL DE BJTs
Índice
5.1 Modelo equivalente en pequeña señal de un BJT. Modelos en “R” y en “π”

5.2 Impedancias de entrada y salida
5.3 Ganancia de tensión
5.4 Recta de carga en c.a.
5.5 Excursión máxima de salida
5.6 Otros circuitos de polarización de transistores en c.a.
5.7 Rendimiento de un amplificador. Clasificación de los amplificadores
5.1 Modelo equivalente en pequeña señal de un BJT
Las variaciones en pequeña señal son despreciables respecto a las de polarización en c.c. No
afectando a los puntos de polarización calculados. Estos modelos serán para aplicaciones de baja
frecuencia, por lo tanto, no se tendrán en cuenta las capacidades parásitas asociadas al funcionamiento
de los mismos.
Si partimos del modelo de Ebers-Moll simplificado, podemos considerar lo siguiente

iDE F iDE
iE iC
E C
iB
B
Fig. 5.1: Circuito equivalente de Ebers-Moll simplificado
Aplicando la Ley de Kirchoff de las tensiones y sustituyendo por las ecuaciones de Ebers-Moll
simplificadas (Ec. 3.1), nos queda

iC   F iDE   F I ES eVBE / VT  1  
iE  iDE  I ES eVBE /VT  1  Ec. 5.1
Teniendo en cuenta que eVBE / VT  1
Figura 5.2: Evolución del valor de la ‘exponencial’ y de la ‘exponencial - 1’ en la unión Base-Emisor
Tema 5: Modelo en pequeña señal de BJTs 1

I E  I ES eVBE / VT Ec. 5.2
De la ecuación 3.6 (IC = F IE) y de IE = IB + IC , nos queda
αF
I C   F I E   F I B  I C  IC  IB I C  βF I B Ec. 5.3
1  αF
I E  I B  IC Ec. 5.4
Modelo equivalente en “R” del transistor bipolar en c.a.
Al trabajar con variaciones muy pequeñas del punto de funcionamiento, podemos considerar
lineal el tramo de respuesta del transistor y linealizar en torno a ese punto de trabajo las ecuaciones
anteriores.
VBE
I E  I ES eVBE / VT  I E  I E  I ES eVBE / VT  I ES eVBE / VT
Q VT Q
I C  βF I B  I C  I C   F I B  I B 
I B  I E  IC  I B  I B  I E  I E  I C  I C
Trabajando con los incrementos, nos queda
VBE
I E  IE I C   F I B I B  I E  I C
VT
Si los incrementos son las variaciones respecto del punto Q debido a la señal aplicada y
escribimos con letras minúsculas sus valores para simbolizar funcionamiento en c.a., nos queda
vBE vBE VT
iE  IE  re r' e  Ec. 5.5
VT iE IE
iC   iB Ec. 5.6
iB  iE  iC Ec. 5.7
El modelo en “R” para c.a. que se rige por estas ecuaciones queda mostrado en la figura 5.3a
Modelo equivalente en “π” del transistor bipolar en c.a.
Operando de forma similar al modelo en “R”, pero con la rama de base, las ecuaciones nos
quedan
I E  I B  IC  I E  I E  I B  I B  I C  I C
I C  βF I B  I C  I C   F I B  I B 
IC  F I ES eV BE / VT
 F I ES eVBE / VT
VBE  F I ES eVBE / VT
IB    I B  I B  
F F F Q
VT F Q

a) b)
Figura 5.3: Modelos en “R” y en “π” del transistor bipolar en pequeña señal
Trabajando con los incrementos, nos queda
VBE I C
I E  I B  I C I C   F I B I B 
VT  F
Utilizando letras minúsculas para corriente alterna, nos queda
iE  iB  iC Ec. 5.8
iC   iB
vBE vBE VT VT
iB  IB  r  Ec. 5.9
VT iB I B IB
El modelo en “π” para c.a. que se rige por estas ecuaciones queda mostrado en la figura 5.3b.
Tanto en los modelos en “R” como en “π” se le puede añadir la resistencia ro o de salida para
tener en cuenta el Efecto Early.
5.2 Impedancias de entrada y salida
Si deseamos obtener los valores de las impedancias de entrada y salida de un circuito,

debemos obtener el circuito equivalente de c.a. Para ello deberemos realizar las siguientes acciones.
a) Se cortocircuitan los condensadores existentes.

b) Se cortocircuitan las fuentes de tensión continuas y alternas.
c) Se abren las fuentes de corriente existentes.
Veamos un ejemplo para clarificar esta idea.

Figura 5.4: Circuito amplificador de corriente alterna
Para realizar los cálculos en pequeña señal siempre partimos de la polarización en corriente
continua. Es decir, el circuito anterior se transformaría en la siguiente figura a efectos de los cálculos
en c.c. Esta polarización es el de polarización de emisor, circuito cuya resolución se vio con
anterioridad.
Figura 5.5: Circuito equivalente de c.c.
Circuito equivalente en c.a. Modelo en “R”
Lo primero que deberemos hacer para la resolución del montaje de la figura 5.4 será obtener el
circuito equivalente de c.a. del mismo, operando según los apartados a y b citados anteriormente.
Figura 5.6: Circuito equivalente de c.a. en “R”

Circuito equivalente en c.a. Modelo en “π”
Si deseamos utilizar este modelo equivalente de c.a. obtendremos el siguiente circuito.
Figura 5.7: Circuito equivalente de c.a. en “π”
Impedancias del modelo en “R”
La impedancia de entrada del transistor del modelo de la figura 5.6 viene expresado por:
  1 i
iC   r' e C   1 r' e
vinput i r' i  i  r'   
Z in ( TR )   E e C B e      1 r' e Ec. 5.10
iinput iB iB iB iB
La impedancia de entrada de este circuito completo queda como
Z in ( Cir )  R1 // R2 // Z in ( TR ) Ec. 5.11
La impedancia de salida del circuito, con la carga desconectada, vale
vout iC RC
Z Out    RC Ec. 5.12
iout iC
Impedancias del modelo en “π”
La impedancia de entrada del transistor del modelo de la figura 5.6 viene expresado por:
vinput iB r
Z in ( TR )    r
iinput iB
Z in ( Cir )  R1 // R2 // Z in ( TR ) Ec. 5.13
La impedancia de salida del circuito, con la carga desconectada, vale
Z Out  RC Ec. 5.14

5.3 Ganancia de tensión
Modelo en “R”
Como en cualquier otro circuito, la ganancia de tensión cuya nomenclatura puede ser Av, G o
bien ΔV, viene definida como VOUT/VIN.
Figura 5.8: Circuito equivalente de c.a. en “R” con resistencia equivalente de salida
Operando de esta forma y teniendo en cuenta que el sentido de las corrientes entre la entrada
y la salida son contrarios, es decir, la señal de salida estará desfasada 180º respecto de la entrada, nos
queda
vout  iC rC  iC rC r   
AV     C  
vin iE r' e   1
iC   r' e
r' e   1
  
   rC
AV     Ec. 5.15
   1  r'e
Modelo en “π”
Operando de la misma forma que en el caso del modelo en “R”, nos queda el siguiente circuito
Figura 5.9: Circuito equivalente de c.a. en “π” con resistencia equivalente de salida
Teniendo en cuenta nuevamente que el sentido de las corrientes entre la entrada y la salida
son contrarios, es decir, la señal de salida estará desfasada 180º respecto de la entrada, nos queda

vout  iC rC  iB  rC
AV   
vin iB r iB r
rC
AV    Ec. 5.16
r
5.4 Recta de carga en c.a.
Al modificarse el circuito inicialmente diseñado en c.c., nos obliga a pensar que se habrán
modificado igualmente los valores extremos de la recta de trabajo desde su funcionamiento en
continua a su funcionamiento en alterna. Partiendo de la malla de colector en alterna, nos queda
Modelo en “R”
Partiendo del modelo equivalente en “R”, aplicando 2ª Ley de Kirchoff el circuito que nos
interesa nos queda
vCE  iC rC  0 Ec. 5.17
Figura 5.10: Malla del colector en corriente alterna. Modelo en “R”
Como este circuito está trabajando en c.a. se verá afectado por las mismas circunstancias que
el resto de las ecuaciones anteriores, es decir, los incrementos de funcionamiento por efecto de la
aplicación de una señal alterna.
Para los valores de la corriente de colector tendremos las variaciones respecto del punto de
trabajo, esto es
I C  I Cq  I C  I C  iC  I C  I Cq
De la misma forma para la tensión colector-emisor, nos queda
VCE  vCE  VCE  VCEq
Sustituyendo estos valores en la ecuación 5.17, nos queda
VCE  VCEq  I C  I Cq  rC  0
Despejando el valor de la IC, nos queda la ecuación de partida de la ecuación de la recta de

carga en c.a.

VCEq VCE
I C  I Cq   Ec. 5.18
rC rC
Obteniendo los extremos de corte con los ejes de esta recta, es decir, IC = 0 y VCE = 0,
obtenemos
Zona de corte (IC = 0)  VCE  VCEq  I Cq rC 
VCEq
Zona de saturación (VCE = 0)  I C ( sat )  I Cq 
rC
Esto nos provocará un cambio en la inclinación de la recta de carga, que puede ser para
incrementar o disminuir su pendiente, dependiendo de esta circunstancia y de la posición del punto de
trabajo, así tendremos un valor de tensión de salida sin distorsión u otro.
Recta de carga c.a.
ICq Punto q Recta de carga c.c.

iB
VCEq
Figura 5.11: Evolución de la señal de entrada-salida de un amplificador con BJT’s
5.5 Excursión máxima de salida
Modelo en “R” y modelo en “π”
Para comprender mejor esta ecuación debemos recordar que el punto de trabajo se puede situar
sobre la recta de carga, teniendo como coordenadas el eje de la tensión Colector-Emisor y el eje de la
intensidad de colector. Sería lógico pensar que el margen de movimiento deberá ser igual en ambos
sentidos para que no exista distorsión o deformación de la señal de salida. Luego para que no exista
distorsión, el máximo valor de salida del circuito, o bien la excursión máxima de salida del circuito
viene definida por el valor más pequeño de las igualdades siguientes.
M pp  2 VCEq  2 I Cq rC Ec. 5.19

Recta de carga c.c.
Recta de carga c.a.
Punto q
Figura 5.12: Evolución del punto Q sobre la recta de carga
5.6 Otros circuitos de polarización de transistores en c.a.
Seguidor de tensión
Cuando se desea disponer de un circuito con alta de impedancia de entrada y bajo valor de la
impedancia de salida, puede utilizarse un circuito seguidor de emisor o colector común como el
mostrado en la figura siguiente. Este montaje tiene algunas particularidades que se resumen en la tabla
siguiente.
Figura 5.13: Circuito seguidor de emisor en c.a.
Como se observa, este circuito no dispone de resistencia de colector y la salida se realiza por
el terminal del emisor. La diferencia de valor entre los condensadores de acoplamiento y
desacoplamiento es considerable, debido al alto valor de la Zin y el bajo valor de Zout citado con
anterioridad.

- Impedancia de entrada alta - No tiene ganancia de tensión
- Baja impedancia de salida - La Zin depende de la carga
- No hay desfase entre Vin/Vout
Tabla 5.1: Características destacables del seguidor de emisor
Como se puede observar en la siguiente figura, la diferencia entre la tensión de entrada y

salida del circuito es mínima. De hecho, existe una pequeña pérdida de tensión. Normalmente no más
de 0.98-0.99 de la tensión de entrada. Igualmente, se observa que no existe desfase entre la señal de
entrada y la salida del mismo (gráfica de puntos). Este es uno de los pocos montajes que dispone de
esta característica de no desfase.
Figura 5.14: Entrada y salida de un circuito seguidor de emisor en c.a.
Operando de forma similar a lo realizado en los modelos en “R” de los apartados anteriores,
para obtener los valores de las impedancias de entrada y salida, nos queda
Figura 5.15: Entrada y salida de un circuito seguidor de emisor en c.a.

La impedancia de entrada del transistor del modelo de la figura 5.15 se puede obtener de dos
formas. Como se ha resuelto en los apartados anteriores u obteniéndole directamente.
iC
vinput i E r' e  rE  iC  i B r' e  rE  
  1r' e  rE 
Z in ( TR )        1r' e  rE  Ec. 5.20
iinput iB iB iB
Z in( Cir )  R1 // Z in( TR ) Ec. 5.21
Obteniendo el valor directamente de la impedancia de entrada del circuito, nos queda
vinput vinput vinput 1 R   1r´ e  rE  Ec. 5.22

Z in      1
iinput vinput vinput vinput 1 1 R1    1r´ e  rE 
ib   
R1   1ré  rE  R1   1ré  rE  R1
Como se puede observar, es el paralelo entre la resistencia R1 y la Zin del transistor de las
ecuaciones precedentes.
Si desconectamos la carga, podremos calcular la impedancia de salida del circuito. Al calcular

la resistencia Thevenin de la salida, la fuente de tensión de la entrada se cortocircuita.
Figura 5.16: Circuito de salida de un seguidor de emisor en c.a.
Z out  R th  R E // ré Ec. 5.23
Como se comentó anteriormente, la Zout de este circuito es bastante baja, sobretodo si la

comparamos con la de otras configuraciones.
Como se vio anteriormente, la ganancia de tensión viene definida como VOUT/VIN. Operando
de esta forma y teniendo en cuenta que el sentido de las corrientes entre la entrada y la salida son
idénticos, es decir, la señal de salida estará en fase respecto de la entrada, nos queda (Fig. 5.15)
vout iE rE r
AV    E Ec. 5.24
vin iE r'e  rE  r'e  rE
Dado que el equivalente de c.a. de la resistencia de emisor suele ser mayor que el valor de ré,
la ganancia de tensión de este circuito es algo inferior a la unidad y estable frente a ré. Téngase en
cuenta que si rE es pequeño, debido a una carga de bajo valor, también será muy pequeña ré. Pero lo
que si tiene es ganancia de corriente.

Para el cálculo de la ganancia de corriente de un circuito, partimos del gráfico de la siguiente

figura.
iin
vin Zin Zout iout Vout
Figura 5.17: Red de dos puertos
Aplicando la Ley de Ohm a la figura, tenemos
vout  iout Z out
vin  iin Z out
Las ganancias de tensión y corriente las definimos anteriormente como
vout iout
Av  Ai 
vin iin
Si relacionamos las ecuaciones de las tensiones a la entrada y salida, nos queda
vout iout Z out


vin iin Z in
Sustituyendo por su equivalentes, nos queda
Z out
Av  Ai Ec. 5.25
Z in
Esta fórmula se conoce como la ganancia de impedancia. Luego para calcular la ganancia de
corriente de un circuito, la calcularemos utilizando la siguiente expresión
Z in
Ai  Av E. 5.26
Z out
Los datos de esta ecuación ya han sido obtenidos en los apartados anteriores, tanto para el
modelo en “R” como en “π”.
5.7 Rendimiento de un amplificador. Clasificación de los amplificadores
El rendimiento en un amplificador se define como
Pu Pc arg a
  Ec. 5.27
Pt Pfuente
La potencia de la fuente viene definida como

Pfuente  VCC I T
Siendo IT la corriente total consumida por el circuito. Para un circuito transistorizado, la

corriente de emisor.
Y, al ser un amplificador para corriente alterna, la potencia en la carga es en valor eficaz, por
tanto
Vef2
Pc arg a  Vef I ef  Ec. 5.28
R
Esta sería la mejor ecuación para realizar medidas con un voltímetro de c.a., ya que éstos
realizan la medida en valor eficaz.
Como para una señal alterna senoidal los valores eficaces valen
Vp V pp Ip
Vef   I ef 
2 2 2 2
La potencia en la carga si deseamos realizar la medida con un osciloscopio, nos quedaría
Vp I p
Pc arg a  Vef I ef  Ec. 5.29
2
O bien, si lo deseamos para medidas pico a pico de una señal senoidal
Vef2
2
VPP
Pc arg a   Ec. 5.30
R 8R
Conocidos estos datos, la potencia máxima en la carga a obtener por una etapa amplificadora
vine definida por
MPP 2
Pc arg a ( máx )  Ec. 5.31
8R
Recordamos que el valor medio de la corriente que circula por un componente electrónico se
define como el área de un ciclo de la curva dividido por el período de la señal.
1 2π
2 π 0
I medio  I cc  i d t
Y el valor eficaz o RMS de la corriente que circula por un componente electrónico se define
como la raíz cuadrada del cuadrado del área de un ciclo de la curva dividido por el período de la señal.
1 2π 2
2 π 0
I ef icaz  i d t

Amplificadores clase A
En este tipo de amplificadores el transistor está conduciendo todo el tiempo, es decir, el punto
Q nunca alcanza el estado de corte o saturación. Esto quiere decir que, incluso sin entrada alterna, el
transistor está disipado potencia. Por este motivo la eficiencia o rendimiento de un amplificador
trabajando en clase A no es muy alta. Su límite teórico es de 25%.
La razón de utilizar este circuito es porque para una entrada senoidal la salida del circuito
también es senoidal. No existiendo distorsión alguna de la señal a la salida.
Si se desea centrar el punto Q de la recta de carga en corriente alterna, puede utilizarse la

siguiente ecuación. Esta ecuación es útil para el circuito de polarización por puente divisor o de cuatro
resistencias o polarización de emisor.
RC  rc
RE  Ec. 5.32
VCC
1
VE
Un circuito ejemplo de esta disposición puede verse en la siguiente figura.
Figura 5.18: Amplificador clase A
Figura 5.19: Curvas de entrada y salida del amplificador clase A. (AV = 20)

Para calcular el rendimiento máximo de este tipo de amplificadores comenzaremos por el

cálculo de la potencia suministrada por cada fuente.
Vcc2
Pfuente  Vcc I cc 
R
Y para la potencia entregada a la carga
V p2
Pc arg a 
2R
Sustituyendo estos valores en la ecuación del rendimiento, siendo como máximo el valor que
podremos obtener de Vp = Vcc, nos queda
Vcc2
Pc arg a
  2 R  0.5 · 100  50%
Pfuente Vcc
R
Como en los amplificadores polarizados por emisor o en seguidor de emisor la carga está en
paralelo con otra resistencia, rc = RC//RLoad o bien rE = RE//RLoad el valor del rendimiento se divide
entre ambas, con lo cual
0.5
  0.25 ·100  25% Ec. 5.33
2
Esta es una de las limitaciones más importantes de este tipo de amplificadores, junto con la
disipación de potencia por parte del transistor sin aplicar señal a la entrada.
Amplificadores clase B
Para tratar de obtener un rendimiento mayor, en los amplificadores en clase B también

llamados Push-Pull o de simetría complementaria, conduce un transistor en cada semiperiodo.
Estando los puntos de trabajo de ambos transistores situados en la zona de corte, evitando la disipación
en el transistor si no le aplicamos tensión a la entrada. Esto es posible por la inclusión de dos fuentes
de alimentación para que funcione correctamente este circuito. Debido a este punto de partida desde el
corte, se produce una pequeña distorsión en la señal de salida del circuito, en torno al 5%.
De forma constructiva, está formado por la asociación de dos transistores en configuración

seguidor de emisor.
Estos amplificadores son más complejos de calcular y fabricar, además necesitan las citadas
fuentes de alimentación.
Para obtener el rendimiento máximo de este tipo de amplificadores comenzaremos por el

cálculo de la potencia suministrada por cada fuente. Téngase en cuenta que, como se mencionó
anteriormente, cada transistor conduce sólo durante la mitad del ciclo.
1 ip i p VCC
VCC  Cos wt 0 



Pfuente  i p Sen wt VCC dwt  Ec. 5.34
2 0 2 

Este valor deberemos multiplicarle por dos para obtener el consumo de las dos fuentes de
alimentación del circuito.
Y la potencia suministrada a la carga viene definida por
V p2
Pc arg a  Ec. 5.35
2R
Con lo que el rendimiento nos queda
V p2
Pc arg a
  2R
2 Pfuente 2Vcc i p

Figura 5.20: Amplificador Push-Pull o clase B. Circuito elemental
Figura 5.21: Curva de salida de un amplificador en clase B

Para que la potencia sea máxima, la ip = Vcc/R, con lo que nos queda un rendimiento del
Vcc2

  2 R   0.7854 · 100  78.5% Ec. 5.36
Vcc 4
2Vcc
R

Como se observa en la gráfica anterior, la tensión en RLoad presenta una anomalía en la onda de
salida del circuito. A esta forma de salida se le denomina distorsión en el cruce por cero o Crossover.
Esto es debido al tiempo que pasa entre que uno de los transistores deja de funcionar y el transistor
complementario entra en funcionamiento.
Esta configuración consume menos potencia y tiene un rendimiento mayor que los
amplificadores trabajando en clase A. Al estar formado por la asociación de dos seguidores de emisor,
estos amplificadores no disponen de ganancia de tensión y no existe desfase entre la entrada y la salida
del circuito.
Amplificadores clase AB
Si deseamos aprovecharnos de la muy baja distorsión de los amplificadores en clase A y

obtener un rendimiento algo mayor, como en los amplificadores en clase B, la solución viene de la
mano de los amplificadores que trabajan en la denominada clase AB. Conjugando las mejoras de los
amplificadores anteriores.
Para ello, se polariza el punto de trabajo por encima de la zona de corte y así se evita la zona
no lineal de trabajo del transistor entorno a este punto.
Figura 5.22: Amplificador en clase AB
Los diodos D1 y D2 son los encargados de elevar un poco el valor de la tensión base emisor de
los transistores, evitando con ello que alcancen la zona de corte de los mismos.
Al igual que sucedía en los amplificadores clase B, no existe desfase entre la entrada y la
salida del circuito y tampoco ganancia de tensión. Ver siguiente figura.

Figura 5.23: Curva de salida de un amplificador en clase AB
I) Para el circuito de la figura calcular los valores de funcionamiento en c.c., la impedancia de

entrada y salida del circuito y la ganancia de tensión. Dibuje los circuitos equivalentes de c.c. y
c.a. Utilice el modelo del transistor en “R”. Utilice los valores de las tablas del fabricante del
transistor para obtener los datos que necesite. Vcc = 12V.
Problema 5.1: Circuito de polarización con transistor NPN
II) Para el circuito de la figura calcular los valores de funcionamiento en c.c., la impedancia de salida
del circuito y la ganancia de tensión. Dibuje los circuitos equivalentes de c.c. y c.a. Utilice el
modelo del transistor en “π”. Utilice los valores de las tablas del fabricante del transistor para
obtener los datos que necesite. Vcc = 10V.

Problema 5.2: Circuito de polarización con transistor NPN
III) Para el circuito de la figura calcular los valores de funcionamiento en c.c. (tensiones y corrientes),
la impedancia de entrada del circuito y la ganancia de potencia. Dibuje los circuitos equivalentes
de c.c. y c.a. Utilice el modelo del transistor en “R”. Utilice los valores de las tablas del fabricante
del transistor para obtener los datos que necesite. Vcc = 15V.
Problema 5.3: Circuito de polarización mediante puente divisor con transistor PNP
IV) Para el circuito de la figura calcular los valores de los componentes necesarios para obtener una
ganancia de tensión total de 82, una impedancia de entrada de más de 5K, una impedancia de
salida de menos de 300. Dibuje los circuitos equivalentes de c.c. y c.a., la recta de carga de c.a.
de la segunda etapa, la excursión máxima de salida sin distorsión y obtenga la ganancia de
potencia del circuito completo. Utilice el modelo del transistor en “R”. Tenga en cuenta que este
circuito no dispone de resistencia de carga. Utilice los valores de las tablas del fabricante del
transistor para obtener los datos que necesite. Vcc = 12V.

Problema 5.4: Circuito multietapa con EC y Seguidor de emisor
Bibliografía
1. N.R. Malik, Circuitos Electrónicos. Análisis, simulación y diseño, Ed. Prentice Hall, 1998, ISBN:
84-89660-03-4.
4. C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseño Electrónico: Circuitos y sistemas, Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
6. M.H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson Editores.
2000. ISBN: 968-7529-79-2.

UPCT. ETSII. Dpto. de Tecnología Electrónica Electrónica analógica (126212004)
FUNCIONAMIENTO DE LOS BJT’S EN CORRIENTE ALTERNA
El circuito de partida es una configuración en emisor común con transistor en

polarización de emisor o de puente resistivo.
En los siguientes apartados se mostrará el procedimiento para resolver el siguiente

circuito, obteniendo las impedancias de entrada y salida, las ganancias de tensión y corriente,
la recta de carga en corriente alterna y la máxima tensión de salida del circuito sin distorsión.
El procedimiento se realizará para los modelos equivalentes del transistor en R y en π.
Fig. 1: Amplificador transistorizado mediante BJT
C1: Condensador de acoplamiento. C2: Condensador de desacoplamiento.

C3: Condensador de paso.
1.1. Obtener el circuito de corriente continua

Para ello, se abren los condensadores, tanto polarizados como no polarizados, y se dibuja
el circuito resultante.
Fig. 2: Circuito equivalente de corriente continua
Se calculan las corrientes y tensiones en todos los puntos del circuito, recta de carga y
punto de funcionamiento del transistor. El procedimiento para su resolución se supone
conocido por parte del lector.
Modelo en pequeña señal de los BJT’s 1 de 17

1.2. Obtener el circuito de corriente alterna

Los pasos que debemos seguir, según lo que necesitemos calcular, son los siguientes:
a) Se cortocircuitan los condensadores existentes.
b) Se cortocircuitan las fuentes de tensión continuas y alternas.
c) Se abren las fuentes de corriente existentes.
1.3 Modelo en R
Se sustituye el transistor por su modelo en corriente alterna
Fig. 3: Modelo en “R” o en “T” de un BJT en corriente alterna
El circuito resultante con el modelo del transistor sustituido y aplicando el apartado

1.2a y parte del 1.2b, queda como sigue:
Fig. 4: Circuito equivalente en “R” para corriente alterna
El valor de ZG corresponde a la impedancia de salida del generador de señales. A

efectos de los circuitos equivalentes, las fuentes de tensión alterna se separan en dos partes, un
generador ideal, VG, seguido de una resistencia externa al generador, ZG. De esta forma,
cuando se aplica el apartado 1.2b, la fuente de tensión alterna ideal se cortocircuita, pero la
resistencia externa de la misma (la impedancia de salida del generador) permanece.
Para el caso de la fuente de tensión continua esto no sucede de la misma forma, ya que
la resistencia interna asociada a la fuente de tensión es de muy bajo valor, con lo cual al
cortocircuitar la misma, es insignificante el valor óhmico conectado a masa.
Impedancias de entrada del transistor y del circuito

La impedancia de entrada del transistor se expresa como
vIn iE r'e iB ( β + 1) r'e

Z In( TR ) = = = = ( β + 1) r'e
iIn iB iB

Fig. 5: Equivalente para la impedancia de entrada del BJT
La impedancia de entrada del circuito completo de la figura 6a, queda como
Z In( Cir ) = R1 / / R2 / / Z In( TR )
Fig. 6a: Equivalente para la impedancia Fig. 6b: Equivalente para la impedancia
de entrada del circuito de salida del circuito
Impedancia de salida del circuito

La impedancia de salida del circuito, para el equivalente de la figura 6b, vale
vOut iC RC
Z Out = = = RC
iOut iC
Ganancia de tensión
En este cálculo debemos hacer varias precisiones. La primera: que la resistencia de
carga del circuito ahora sí se contabiliza. De hecho, la resistencia de colector en alterna rC es
el paralelo de RC y RLoad. Luego cabe intuir que, la ganancia de tensión de circuito completo
será función de la carga conectada al mismo. Y la segunda: que el sentido de las corrientes
que confluyen en el transistor indican el signo de la ganancia del circuito. En nuestro caso, la
salida está desfasada 180 grados con respecto a la entrada. Es decir, el signo de la
ganancia de este amplificador es negativo (las corrientes de base y colector confluyen).
La ganancia de tensión, cuya nomenclatura puede ser AV o G, viene definida por la

relación VOut/VIn, por tanto
vOut − iC rC − iC rC − iC rC ⎛ β ⎞ rC
AV = = = = =−⎜ ⎟
vIn iB Z In( TR ) i · iE r'e ⎛ β +1⎞
iC ⎜ r' ⎝ β + 1 ⎠ r'e
B ⎟ e
iB ⎝ β ⎠

Fig. 7: Equivalente para la ganancia de tensión del circuito
El valor de ZG corresponde a la impedancia de salida de la fuente de tensión alterna,

que le aplicaremos al circuito para que funcione correctamente. Recuérdese que se dividía en
una fuente ideal más la impedancia de salida correspondiente. Por tanto, cortocircuitaremos la
fuente ideal, pero no la impedancia que posee la misma. En alguna bibliografía, la impedancia
asociada a la fuente de alterna se suele colocar fuera del símbolo esquemático, como es
nuestro caso, para acentuar su existencia y la no eliminación de la misma durante el proceso
de cálculo. No obstante, para nuestro circuito, no afecta en absoluto a nuestros cálculos.
Recta de carga en corriente alterna

Como no existe igualdad entre los circuitos de corriente continua y corriente alterna,
podría intuirse acertadamente que se modificarán los valores extremos de la recta de carga
desde su funcionamiento en continua a su funcionamiento en alterna.
Partiendo de la malla de colector en alterna y aplicando la segunda Ley de Kirchoff a

la malla de colector, nos queda
vCE + iC rC = 0
Colector
Base ß·IB rC = RC //RLoad ΔIC

r’e
Emisor
I Cq
VCEq ΔVCE
a) b)
Fig. 8: a) Equivalente para la recta de carga en c.a., b) recta de carga en c.a.

Como en explicaciones anteriores, el funcionamiento en c.a. se entiende como una

perturbación (o incremento) respecto de continua. Es decir, las ecuaciones quedan como
I Ceje = I Cq + Δ I C → Δ I C ≅ iC = I Ceje − I Cq
ICeje y VCEeje son los puntos de corte con los ejes para corriente alterna. Operando de la
misma forma, para la tensión colector-emisor, nos queda
VCEeje = VCE + ΔVCE → ΔVCE ≅ vCE = VCEeje − VCEq
Sustituyendo estos valores en la malla de colector de alterna
VCEeje − VCEq + ( I Ceje − I Cq ) rC = 0
Despejando el valor de ICeje, nos queda la ecuación de partida de la ecuación de la recta

de carga en c.a.
VCEq VCEeje
I Ceje = I Cq + −
rC rC
Obteniendo los extremos de corte con los ejes de esta recta, es decir, haciendo IC = 0 y
VCE = 0, obtenemos
Zona de corte (IC = 0) → VCEeje = VCEq + ( I Cq rC )
VCEq
Zona de saturación (VCE = 0) → I Ceje( sat ) = I Cq +
rC
Esto nos provocará un cambio en la inclinación de la recta de carga, que puede ser
para incrementar o disminuir su pendiente, dependiendo de esta circunstancia y de la posición
del punto de trabajo (Figura 8b). Este hecho nos ofrecerá valor de tensión de salida sin
distorsión u otro.
Desde el punto de vista gráfico también, se pueden apreciar los cambios entre la fase
de entrada y salida, y las ganancias de corriente y tensión del circuito, Figura 9.
Excursión máxima de salida (Válidos para los modelos en “R” y en “π” )

Para comprender mejor esta ecuación debemos recordar que el punto de trabajo se
puede situar sobre la recta de carga, teniendo como coordenadas el eje de la tensión Colector
Emisor y el eje de la intensidad de Colector. Sería lógico pensar que el margen de movimiento
deberá ser igual en ambos sentidos (para que no exista distorsión o deformación de la señal de
salida). Luego, el máximo valor de tensión de salida sin distorsión viene definida por el
valor más pequeño de las igualdades siguientes.

M pp = 2VCEq = 2 I Cq rC
Fig. 9: Evolución temporal de las señales de entrada y salida en un BJT en Emisor Común
1.4 Modelo en π
Para obtener los mismos valores del modelo en “π” que los obtenidos para el modelo
en “R”, partiremos del modelo equivalente del transistor en “π”, Figura 10.
Fig. 10: Modelo en “π” de un BJT en corriente alterna
El circuito equivalente para c.a. con el modelo en “π” del transistor sustituido y
aplicando el apartado 1.2a y parte del 1.2b del circuito que nos ocupa, queda como sigue
Fig. 11: Circuito equivalente en “π” para corriente alterna


Por tanto, la impedancia de entrada del transistor para este modelo se puede expresar
como
vInput iB rπ
Z In( TR ) = = = rπ
iInput iB
La impedancia de entrada del circuito completo (Figura 13a), queda como
Z In( Cir ) = R1 / / R2 / / Z In( TR )
VIN VOUT VIN VOUT
R1 R2 rπ rC = RC // RLoad R1 R2 rπ RC
ZG
Fig. 13a: Equivalente para la impedancia Fig. 13b: Equivalente para la impedancia
de entrada del circuito de salida del circuito

La impedancia de salida del circuito (Figura 13b), con la carga desconectada, vale
vOut iC RC
Z Out = = = RC
iOut iC
Al igual que sucedía en el modelo en “R”, el sentido de las corrientes que confluyen
en el transistor indican el signo de la ganancia del circuito. En nuestro caso, la salida está
desfasada 180 grados con respecto a la entrada. Es decir, el signo de la ganancia de este
amplificador es negativo (las corrientes de base y colector confluyen). Recuérdese que sigue
siendo una configuración en Emisor Común (La salida del circuito se realiza por el Colector
del transistor).

La ganancia de tensión, cuya nomenclatura puede ser AV o G, viene definida por la

relación VOut/VIn, por tanto
vOut − iC rC − iB β rC r
AV = = = =−β C
vIn iB rπ iB rπ rπ
1.5 Seguidor de tensión en c.a.

Cuando se desea disponer de un circuito con alta de impedancia de entrada y bajo
valor de la impedancia de salida, puede utilizarse un circuito seguidor de emisor o colector
común como el mostrado en la figura siguiente. Este montaje tiene algunas particularidades
que se resumen en la tabla siguiente.
- Impedancia de entrada alta - No tiene ganancia de tensión
- Baja impedancia de salida - La ZIn depende de la carga
- No hay desfase entre VIn/VOut
Tabla 1: Características destacables del seguidor de emisor en c.a.
VCC
R1
VIN
C1 C2
VOUT
Gen
RE
RLoad
Fig. 15: Amplificador seguidor de emisor en c.a.

Como se observa, este circuito no dispone de resistencia de colector, y la carga se

conecta al terminal del emisor. Igualmente, el condensador de acoplamiento no suele ser
grande, debido a la alta impedancia de entrada del circuito. Sin embargo, el condensador de
desacoplamiento, C2 , sí lo suele ser por la baja impedancia de salida del montaje.
Operando de forma similar a lo realizado en los modelos en “R” y en “π” de los

apartados anteriores, obtendremos los valores de las impedancias de entrada y salida del
circuito seguidor de tensión.
Fig. 16: Circuito equivalente seguidor de emisor en “R” para corriente alterna

Como en casos anteriores, para calcular la impedancia de entrada del BJT o del
transistor, mantenemos conectada la carga del circuito. Al estar conectada la carga al emisor
del transistor la resistencia equivalente de emisor que tiene conectado el transistor es el que se
muestra en la figura 17. Por tanto, la impedancia de entrada del transistor queda como sigue.
vInput iE ( r'e + rE ) iB ( β + 1)( r'e + rE )

Z In( TR ) = = = = ( β + 1)( r'e + rE )
iInput iB iB
Al considerar ahora la impedancia de entrada del circuito completo, la impedancia de

entrada de queda como

Z In( Cir ) = R1 / / Z In( TR )
Fig. 18: Equivalente para la impedancia de entrada del circuito

Si deseamos calcular la impedancia de salida del circuito, igual que en casos
anteriores, desconectaremos la carga, pero no la impedancia de salida del generador de señal
que tengamos conectado a la entrada del circuito.
Fig. 19: Equivalente para la impedancia de salida del circuito
⎡ ⎛ R / /Z G ⎞⎤
Z Out = RE / / ⎢ r´ e + ⎜ 1 ⎟⎥
⎣ ⎝ β +1 ⎠⎦
Haciendo algunas consideraciones:

a) En alguna bibliografía aparece la impedancia de salida como RE//r’e
exclusivamente. Esto es debido a no considerar la impedancia de salida del
generador de señal a la entrada del circuito. En este sentido, la resistencia R1
quedaría cortocircuitada a masa y desaparecería del circuito. Figura 20.
b) Por otro lado, el incremento sobre r’e que implica considerar R1 y ZG no es
significativo. Toda vez que, al ser ZG de pequeño valor, estar en paralelo con R1 y
dividida por β+1, no aumenta el valor de r’e más de 0.5Ω. (R1>30KΩ, ZG<75Ω,
β>200).

La impedancia de salida de este circuito y de las configuraciones Colector Común en

general, es muy bajo. Téngase en cuenta que, r’e no suele superar la decena de Ohmios y, al
estar en paralelo con RE, incluso el total saldrá de menor valor.
Z Out = RE / / r´ e
Fig. 20: Equivalente para la impedancia de salida del circuito sin considerar ZG
A diferencia de lo que sucedía en el modelo en Emisor Común, el sentido de las
corrientes entrada/salida del transistor son del mismo signo (IB e IE). Es decir, la salida está
en fase con la entrada. Por tanto, el signo de la ganancia de este amplificador es positivo.
vout iE rE r
AV = = = E
vin iE ( r'e + rE ) r'e + rE
Dado que el valor del equivalente de c.a. de la resistencia de emisor suele ser mayor
que el valor de r’e, la ganancia de tensión de este circuito es algo inferior a la unidad y por
tanto estable frente a r’e. Téngase en cuenta que si rE es de pequeño valor, debido a una carga
de bajo valor, también será muy pequeña r’e, ya que IE será grande. Este circuito sí posee
ganancia de corriente, que se debe al transistor (β o hfe).

1.6 Rendimiento de un amplificador. Clasificación de amplificadores

El rendimiento en un amplificador se define como
PU PC arg a
η= =
PT PFuente
La potencia de la fuente viene definida como
PFuente = VCC IT
Siendo IT la corriente total consumida por el circuito y VCC la tensión de alimentación

del circuito.
La potencia en la carga de un amplificador de corriente alterna es en valor eficaz, por

tanto
Vef2
PC arg a = Vef I ef =
R
Para una señal alterna senoidal los valores eficaces para la tensión y la corriente valen
Vp V pp Ip
Vef = = I ef =
2 2 2 2
Si deseamos realizar la medida práctica con un osciloscopio, la potencia en la carga,

nos quedaría como
Vp I p Vp I p
PC arg a = Vef I ef = =
2 2 2
Si la medida de la corriente puede ser incómoda, podemos realizar medidas pico a pico
de una señal senoidal en la carga mediante un osciloscopio con la fórmula siguiente
2
⎛ VPP ⎞
Vef ⎜⎝ 2 2 ⎟⎠ VPP
2 2
PC arg a = = =
R R 8R
A nivel de cálculo teórico, la potencia máxima en la carga sin distorsión a obtener por
una etapa amplificadora definida, mediante la excursión máxima de salida o la tensión
máxima de salida sin distorsión, como
2
M PP
PC arg a( máx ) =
8R

Amplificador en clase A
En este tipo de amplificadores el transistor está conduciendo todo el tiempo, es decir, el punto
Q nunca alcanza el estado de corte ni saturación. Esto quiere decir que, incluso sin entrada alterna, el
transistor está disipado potencia. Por este motivo la eficiencia o rendimiento de un amplificador
trabajando en clase A no es muy alta. Su límite teórico es de 25%.
La razón de utilizar este circuito es porque para una entrada senoidal la salida del circuito
también es senoidal. No existiendo distorsión alguna de la señal a la salida.
Si se desea centrar el punto Q de la recta de carga en corriente alterna, puede utilizarse la

siguiente ecuación. Esta ecuación es útil para el circuito de polarización por puente divisor o
polarización de emisor.
RC + rc
RE =
VCC
−1
VE
- Para una entrada senoidal la salida - El transistor está conduciendo todo el tiempo.
del circuito también es senoidal. - Sin entrada de tensión alterna, el transistor está disipado potencia.
- No existe distorsión de la señal a la - La señal de salida está desfasada 180º.
salida. - El rendimiento de un amplificador en clase A tiene un límite teórico
del 25%.
Tabla 2: Características del amplificador clase A
Fig. 22: Amplificador en clase A
Para calcular el rendimiento máximo de este tipo de amplificadores comenzaremos por

el cálculo de la potencia suministrada por la fuente.
2
VCC
PFuente = VCC I CC =
R

Y para la potencia entregada a la carga
Vef2 VP2
PC arg a = =
R 2R
Sustituyendo estos valores en la ecuación del rendimiento, siendo como máximo el

valor que podremos obtener de VP = VCC, para una excursión máxima de salida entre corte y
saturación, nos queda
2
VCC
PC arg a R
η= = 2R2
= = 0.5·100 = 50%
PFuente VCC 2 R
R
Como en los amplificadores en Emisor Común o en Colector Común la carga está en

paralelo con otra resistencia, rC = RC//RLoad o bien rE = RE//RLoad el valor del rendimiento se
divide entre ambas. Téngase en cuenta que, para una máxima transferencia de potencia, la
impedancia de salida del amplificador y la carga que se conecte deben tener el mismo valor.
0.5
η= = 0.25 ·100 = 25%
2
Esta es una de las limitaciones más importantes de este tipo de amplificadores, junto
con la disipación de potencia por parte del transistor sin aplicar señal a la entrada.
Fig. 23: Esquemático de un amplificador en clase A. Señales de entrada y salida
Amplificador en clase B
Dado que el rendimiento de los amplificadores en clase A no es muy alta, se ideó otra
configuración para tratar de aumentar el rendimiento de los amplificadores de audio. Se
denominaron amplificadores en clase B, también llamados Push-Pull o de simetría
complementaria. En estos circuitos conduce un transistor en cada semiperiodo de la señal. En
estos montajes son necesarios dos transistores, un NPN y un PNP, éstos deben ser
complementarios para un mejor funcionamiento del conjunto. Además, necesitamos dos
fuentes de alimentación, una positiva y otra negativa.

Fig. 24: Amplificador elemental en clase B
Los puntos de trabajo de ambos transistores están situados en la zona de corte,

evitando la disipación en el transistor sin aplicación de tensión de entrada. Debido a ello, se
produce una pequeña distorsión en la señal de salida del circuito, en torno al 5%.
De forma constructiva, está formado por la asociación de dos transistores en

configuración seguidor de emisor. Siendo más complejos de calcular y fabricar que los
amplificadores en clase A. Además de necesitar dos transistores complementarios, éstos
deben estar “apareados” para disminuir la distorsión de cruce. Figura 25.
Para obtener el rendimiento máximo de este tipo de amplificadores comenzaremos por

el cálculo de la potencia suministrada por cada fuente. Téngase en cuenta que, como se
mencionó anteriormente, cada transistor conduce sólo durante una mitad del ciclo completo.
1 π iP i V
VCC [ − Cos ωt ]0 = P CC
π
PFuente =
2π ∫
0
iP Sen ωt VCC d ωt =
2π π
Este valor deberemos multiplicarle por dos para obtener el consumo de las dos fuentes
de alimentación del circuito.
Y la potencia suministrada a la carga viene definida por
VP2
PC arg a =
2R
Con lo que el rendimiento nos queda
VP2
PC arg a
η= = 2R
2 PFuente 2 iP VCC
π

Fig. 25: Esquemático de un amplificador en clase B. Señal de entrada y distorsión de cruce a la salida
Para que la potencia sea máxima, iP = VCC/R, con lo que nos queda un rendimiento del
2
VCC
π
η = 2R = = 0.7854·100 = 78.5%
V
2VCC CC 4
R
π
Como se observa en la gráfica anterior, la tensión en RLoad presenta una anomalía en la

onda de salida del circuito. A esta forma de salida se le denomina distorsión en el cruce por
cero. Esto es debido al tiempo que pasa entre que uno de los transistores deja de funcionar y el
transistor complementario entra en funcionamiento.
Esta configuración consume menos potencia y tiene un rendimiento mayor que los
amplificadores trabajando en clase A. Al estar formado por la asociación de dos seguidores de
emisor, estos amplificadores no disponen de ganancia de tensión y no existe desfase entre la
entrada y la salida del circuito.
Amplificador en clase AB
Si deseamos aprovecharnos de la muy baja distorsión de los amplificadores en clase A
y obtener un rendimiento mayor que éstos, la solución viene de la mano de los amplificadores
que trabajan en la denominada clase AB. Conjugando las mejoras de los amplificadores
anteriores.
Para conseguir nuestro objetivo, se polariza el punto de trabajo un poco por encima de
la zona de corte y así se evita la zona no lineal de trabajo del transistor entorno a este punto de
funcionamiento, Figura 26.
Los diodos D1 y D2 son los encargados de elevar el valor de la tensión base emisor de
los transistores, evitando con ello que alcancen la zona de corte de los mismos. El resto de
funcionamiento es idéntico a los amplificadores en clase B.
En cuanto a características eléctricas, como sucedía en los amplificadores clase B, no

existe desfase entre la entrada y la salida del circuito y tampoco obtenemos ganancia alguna
de tensión, Figura 27.

Fig. 26: Amplificador en clase AB
Fig. 27: Esquemático de un amplificador en clase AB. Señales de entrada y salida

Electronica Analógica (Upct) PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Electronica Analógica (Upct) PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Electronica Analógica (Upct) PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Capítulo

U n filtro eléctrico es un cuadripolo capaz de atenuar

Se denomina espectro de la señal a su descomposición en una

En el presente documento se tratarán circuitos que poseen un

2.1 Reseña histórica

2.1 Reseña histórica

Pierre Simon Laplace (1749-1827). Matemático, astrónomo y físico francés cuya

Jean Baptiste Joseph Fourier (1768-1830). Matemático francés nacido en Auxerre

Hendrik Wade Bode (1905-1982). Ingeniero estadounidense. Profesor en la

2.2 Conceptos básicos

 50% de la potencia de entrada.

a) Para la primera afirmación: Teniendo en cuenta que la ganancia de potencia, G dB ,

Siendo P 2 la potencia a la salida y P 1 la potencia a la entrada. Sabiendo que la

Siendo A la ganancia en tensión del circuito (V 2 /V 1 ).

Como a la frecuencia de resonancia del filtro, el valor de la componente resistiva y

GdB  20 log Av (2.3)

b) Para la segunda afirmación: Partiendo de la figura 2.3.

La señal de entrada que le aplicamos al circuito es

Vin  v·Sen t  (2.4)

Al aumentar la frecuencia, la reactancia capacitiva del condensador, X C , disminuye

Como a la frecuencia de resonancia R = X C , la Ec. 2.6, nos queda:

c) Para la tercera afirmación: Si deseamos calcular la ganancia de potencia, cuando

G dB1  10 log 5  7dB 

F corte inferior F corte superior

Figura 2.1: Parámetros de frecuencias de un filtro pasa banda

Década: Dos frecuencias están separadas una década si f 2 /f 1 = 10.

Pendiente de corte: La pendiente de corte o atenuación del filtro lo establece el número de

Figura 2.2: Bandas y zonas de trabajo en un filtro eléctrico

2.3 Disposición circuital paso bajo

Figura 2.3: Disposición circuital de un filtro pasivo paso bajo

La gráfica obtenida de un filtro paso bajo, indicando la relación entre la frecuencia y la

Figura 2.4: Diagrama de Bode en decibelios de un filtro paso bajo (magnitud)

   arctan  2 RCf  (2.14)

Figura 2.5: Desfase entrada/salida de un filtro paso bajo. a) en tiempo, b) en frecuencia

Si se desea calcular la frecuencia de corte de un filtro paso alto, deberemos permutar

Cuando necesitamos toda la precisión posible, el valor de la frecuencia de corte para

2.4 Disposición circuital paso alto

Figura 2.6: Disposición circuital de un filtro pasivo paso alto

El diagrama de Bode en magnitud para el filtro paso alto se muestra a continuación y

Figura 2.7: Diagrama de Bode en magnitud de un filtro paso alto

Por el efecto de diferenciación que posee el filtro, se produce un adelanto entre la

  arctan  2 RCf  (2.18)

Figura 2.8: Desfase entrada/salida de un filtro paso alto. a) en tiempo, b) en frecuencia

2.5 Disposición circuital paso banda

Para la realización de un filtro paso banda existen dos disposiciones posibles. La

En cuanto a sus procedimiento de cálculo y resultados prácticos obtenidos también

Como se ha comentado anteriormente, la frecuencia media o de corte, según el modelo

Siendo el valor de la fase obtenido mediante

En el filtro paso banda el desfase entre la entrada y la salida para un frecuencia de

2.6 Disposición circuital rechaza banda

La última configuración que vamos a estudiar es el filtro de funcionamiento contrario

Esta disposición también es conocida como de hendidura o de rechazo en doble T, por

Figura 2.12: Disposición de filtro rechaza banda

La frecuencia media para esta disposición se obtiene, al igual que en el resto de

Figura 2.13: Diagrama de Bode en magnitud de un filtro rechaza banda

El diagrama de Bode en magnitud para el filtro rechaza banda se muestra en la figura

Figura 2.14: Desfase de un filtro rechaza banda. a) modo lineal, b) en decibelios

2.7 Ejercicios tipo

--- 000 ---