CRISTALOGRAFIA

PLANOS CRISTALOGRAFICOS
Tener en cuenta,

Para describir a los planos cristalográficos

en función de los índices de Miller se utiliza
la nomenclatura: (h k l) Los planos
cristalográficos paralelos a cada uno de los
ejes X Y Z se definen por los índices según:
(0kl), (h0l) y (hk0) respectivamente.

Los planos paralelos a cada una de las

caras de la celda unidad A, B y C, se
definen por los índices según: (h00), (0k0) y
(00l) respectivamente.

Planos paralelos = tienen los ‘mismos índices de Miller

REGLAS PARA DEFINIR UN PLANO CRISTALOGRÁFICO

• El plano debe intersecar o ser paralelo a cualquier eje
• Si no se cumple lo anterior, el plano debe trasladarse o se necesita un origen
• Determinar los puntos de intersección del plano con los ejes cristalográficos en
función de a, b, c, o infinito si es paralelo a alguno de los ejes
• Determinar el recíproco (1/a 1/b 1/c 1/∞)
• Reducir al menor número posible según factor común o mínimo común múltiplo
INDICES DE MILLER
Los índices de Miller, en cristalografía, son un juego de tres números que permiten
identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos. Los índices de un
sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l).
Los índices de Miller son números enteros, negativos o positivos, y son primos
entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho
número.
Obtención de los índices de Miller
Los índices de Miller de un plano cristalográfico están definidos como los
recíprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes (x, y, z) de
nuestro sistema de ejes coordenados. Para obtener los índices de Miller de un
plano primero determinamos la intersección de este con los ejes. Una vez
obtenidos los números, se hallan sus inversos y los multiplicamos por el mínimo
común múltiplo (A). Un plano queda así representado por la forma (h, k, l):
h = A/m; k = A/n; l = A/p
Se deduce que, si un plano es paralelo a uno de los ejes, lo corta en el infinito, y
su índice será cero. Si lo cortara en la parte negativa, el índice será negativo, lo
cual se indicará con un guion sobre dicho índice. Si el plano pasa por el origen se
desplazará a una posición equivalente en la celda.
En el caso de que se tengan planos de redes equivalentes, relacionadas por la
simetría del sistema cristalino, se le llamara Familia de Planos y se encerraran
entre llaves {h, k, l}.
Para determinar los índices de una dirección cristalográfica cualquiera, se traza
por el origen una paralela a esta. Sobre ella se toma el nudo (A) arbitrario de
coordenadas (x, y, z), tal que sea múltiplo de las aristas (a, b, c) del cubo:
x = r·a; y = s·b; z = t·c
Una vez obtenidas (r, s, t) se dividen por su máximo común divisor (D), con lo que
resultan los números:
u = r/D; v = s/D; w = t/D
La recta queda así definida por sus índices entre corchetes [u, v, w].
Es importante la relación que existe solo en el sistema cúbico, en los que los
índices de Miller de una dirección perpendicular a un plano son los mismos.
Para la Familia de Direcciones aquí se usa como notación < u v w >
DIRECCIONES DE CELDAS
Celdas Unitarias
La estructura atómica influye en la forma en que los átomos se unen entre sí; esto
además nos ayuda a comprender la clasificación de los materiales como metales,
semiconductores, cerámicos y polímeros y nos permite llegar a ciertas
conclusiones generales referentes a propiedades mecánicas y comportamiento
físico de estas cuatro clases de materiales.
La estructura electrónica del átomo, que queda descrita por cuatro números
cuánticos ayuda a determinar la naturaleza de los enlaces atómicos y las
propiedades físicas y mecánicas de los materiales.
a) Enlace metálico: encontrado en los metales, los electrones de valencia se
mueven con facilidad, en consecuencia, los metales son dúctiles y tienen alta
conductividad eléctrica y térmica.
b) El enlace covalente se encuentra en muchos materiales cerámicos,
semiconductores y polímeros. Requiere que los átomos compartan electrones de
valencia, los enlaces son fuertes y altamente direccionales, haciendo que estos
materiales sean frágiles y tengan baja conductividad eléctrica y térmica.
c) El enlace iónico encontrado en muchos cerámicos se produce cuando un átomo
muy electropositivo dona un electrón a otro muy electronegativo generando un
anión y un catión que se unen electrostáticamente. Al igual que los materiales
enlazados covalentemente, estos tienden a ser frágiles y malos conductores.
d) Fuerzas de Van der Waals unen principalmente a moléculas que tienen una
distribución desigual de cargas o están polarizadas. Son de naturaleza
electrostática y se encuentran en polímeros termoplásticos.
La energía de unión está relacionada con la fuerza de los enlaces y es alta en
materiales unidos en forma iónica o covalente. Los materiales con energía de
unión alta normalmente tienen:
• Alta temperatura de fusión
• Alto módulo de elasticidad
• Bajo coeficiente de expansión térmica.
Celda Unitaria: es la subdivisión del retículo cristalino que retiene todas las
características del mismo.
Existen 14 tipos de celdas unitarias contenidas en siete estructuras cristalinas o
redes de Bravais.
Los puntos reticulares se sitúan en las esquinas de la celda y en algunos casos en
los centros de las caras o en el centro de la misma celda. Una celda unitaria
queda denotada completamente por los parámetros reticulares.
Los parámetros reticulares definen el tamaño y la forma de una celda unitaria.
Estos incluyen las dimensiones de los lados de la celda y el ángulo entre ellos.
Por ejemplo, para la celda unitaria cúbica simple. El parámetro reticular es la
longitud de uno de sus lados. El ángulo y las demás aristas están
sobreentendidos. Esta longitud se expresa en angstroms o nanómetros.
Celdas unitarias más complejas requieren un mayor número de parámetros
reticulares para ser descritas. Por ejemplo, una celda unitaria ortorrómbica debe
especificarse con tres parámetros reticulares que son las dimensiones de los tres
lados.

NOTACION DE PLANOS CRISTALOGRAFICOS

En una red cristalina, un plano cristalográfico es el que contiene diversos centros
de átomos de la red. Puesto que la estructura cristalina se repite uniformemente
en todas las direcciones, todos los planos paralelos que contengan la misma
distribución de átomos corresponderán al mismo plano cristalográfico.
Una forma usual de identificar los planos cristalográficos es mediante los índices
de Miller, que poseen la ventaja de poderse utilizar directamente en análisis
mediante rayos X. Para el caso de redes cúbicas, la determinación de los índices
de Miller se realiza, con el siguiente proceso:
1. Se trazan los ejes de referencia cartesianos (x, y, z) coincidentes con los
parámetros de una celdilla estructural.
2. Se determinan las intersecciones del plano con los ejes de referencia
cuantificadas en unidades del parámetro característico.

LEY DE SCHMIDT
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen
diferentes estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de
deslizamiento.
Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es
un cristal simple o monocristal. Es posible ubicar el plano de deslizamiento y la
dirección del desplazamiento al aplicar la fuerza, definiendo los ángulos λ y Ø. λ es
el ángulo entre la dirección del desplazamiento y la fuerza aplicada, y Ø es el
ángulo entre la normal al plano de desplazamiento y la fuerza aplicada.
Para que la dislocación se mueva en el
sistema de deslizamiento, se necesita
que actúe una fuerza de corte en la
dirección del desplazamiento,
producida por la fuerza aplicada. Para
la situación de la figura, por ejemplo, τR
viene dada por:
El factor M = cos λ cos Ø se denomina factor de Schmid, y tiene un valor máximo
igual a 0.5 debido a la relación entre los ángulos λ y Ø (puede verificarse
fácilmente para el caso en que las 3 direcciones sean coplanares ya que entonces
λ + Ø = 90º). Si alguno de los dos ángulos (λ o Ø) es 90º entonces M = 0. Como el
esfuerzo crítico τc no depende del sistema de deslizamiento, la activación de un
sistema de deslizamiento es tanto más probable cuanto mayor sea su esfuerzo de
corte resuelto, es decir, su factor de Schmid.
DIFUSION.
La difusión es un proceso físico irreversible, en el que partículas materiales se
introducen en un medio que inicialmente estaba ausente de ellas aumentando la
entropía del sistema conjunto formado por las partículas difundidas o soluto y el
medio donde se difunden o disolvente.
Normalmente los procesos de difusión están sujetos a la Ley de Fick. La
membrana permeable puede permitir el paso de partículas y disolvente siempre a
favor del gradiente de concentración. La difusión, proceso que no requiere aporte
energético es frecuente como forma de intercambio celular.

Tipos de difusión
Desplazamiento de difusión: El desplazamiento medio de una partícula debido a la
difusión puede ser descrito por la siguiente fórmula:

Donde k indica el número de componentes del movimiento, es decir, si la dirección

del movimiento se define con 1, 2 o 3 componentes (x, y o z). D es el coeficiente
de difusión de las partículas y t es tiempo. Para los sistemas tridimensionales la
ecuación previa sería:
.
Difusión sustitucional: Este tipo de difusión, llamada también difusión por
mecanismo de vacantes consiste en el movimiento de los átomos en estructuras
cristalinas; dichos movimientos se generan principalmente a causa de la energía
térmica de los átomos, aunque también existen otros factores que pueden
contribuir a este tipo de difusión como lo suelen ser las impurezas en el cristal.
Difusión intersticial: En cambio este tipo de difusión se produce cuando los átomos
entrantes son más pequeños que los existentes en la red cristalina.

LEYES DE FICK
Primera ley de Fick.
Según Fick, la velocidad de transferencia de materia de un componente en una
mezcla de dos componentes 1 y 2, estará determinada por la velocidad de difusión
del componente 1 y el comportamiento del componente 2. La velocidad molar de
transferencia del componente 1 por unidad de área debida al movimiento
molecular viene dada por:

siendo:
J1: velocidad molar de difusión por unidad de área.
D12: difusividad del componente 1 en el componente 2.
C1: concentración molar del componente 1.
Z: distancia en la dirección de la difusión.

De la misma manera, la velocidad de difusión en el componente 2 viene dada por:

Si la presión total, y por tanto, la concentración molar total es constante, los

términos dC1/dz y dC2/dz, tienen que ser iguales y de signo contrario, por lo que
los componentes 1 y 2 se difunden en sentidos contrarios.
Segunda ley de Fick.
La difusión en régimen permanente es un caso especial de uno de los más
generales de la difusión transitoria, en la cual los flujos y la concentración varían
con el tiempo. La difusión en régimen no permanente se aplica a muchos métodos
experimentales en donde se determina el coeficiente de difusión, y en las teorías
de transferencia de masa, así como en la teoría de penetración.
La ecuación diferencial de difusión transitoria se obtiene combinando la expresión
de la primera ley de Fick con la que ahora veremos.
Para un caso unidimensional, la segunda ley de Fick se obtiene igualando la
acumulación del componente 1 en una porción de líquido de espesor dz en una
dirección normal a la dirección de la difusión, al correspondiente cambio en el flujo,
dada por la expresión:

siendo la integral de N1 = constante.

Esta ecuación, en combinación con la relativa a la primera ley de Fick, expresada
por la ecuación:
, nos da la segunda ley de Fick, que viene dada por:
Referencias:
1.- Sebastián Suarez. (2015). Técnicas de caracterización de
sólidos cristalinos. 2018, de Departamento de química
inorgánica, Sitio web: http://solidoscristalinos.com
2.- Ronaldo Márquez. (2017). Organización Atómica. 2018, de
Tecnológico Nacional de México Sitio web:
http://webdelprofesor.ula.ve/ingenieria/marquezronald.pdf
3.- Askeland, Donald R., Ciencia e Ingeniería de los
Materiales, México, 4ª Ed., Editorial Cengage Learning, 2008.
4.- Shackelford, James F., Introducción a la Ciencia de
Materiales para Ingenieros, México, 6ª Ed., Editorial Pentice-
Hall, 2006.