Informe 4 Electrónicos 2
Informe 4 Electrónicos 2
Informe 4 Electrónicos 2
FACULTAD DE INGENIERIA
ELECTRONICA, ELECTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
LABORATORIO N°4:
RESPUESTA EN BAJA FRECUENIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
Grupo: L16
ALUMNOS:
Paredes Alarista Eduardo Li 18190021
Poma Chamorra Cielo Celeste 18190196
Sanchez Ramos Richard Gerson 17190278
Urquizo Moreno Alfredo Adrián 18190256
Mayo Godoy Roly Alfredo 17190120
Lima-Perú
2020
I.INTRODUCCION
El uso de un amplificador con transistor BJT va a presentar muchos usos, entre
ellos el análisis de la frecuencia, esta puede variar entre el rango de baja, media y
alta frecuencia. A lo largo de nuestras anteriores experiencias, nosotros utilizamos
la media frecuencia lo cual nos permite despreciar el uso de los condensadores
en forma de corto circuito. En esta experiencia utilizaremos como entrada las
bajas frecuencias, lo cual el uso de condensadores de acoplo y desacoplo afectan
la respuesta de nuestro amplificador.
Este análisis de respuesta de baja frecuencia es muy importante, ya que los
condensadores presentaran una reactancia que será de total influencia en el
diseño, análisis, funcionamiento y sobre todo en la ganancia de tensión de
nuestro amplificador.
II. MARCO TEORICO
En la región de baja frecuencia del amplificador con BJT o FET de una sola etapa,
las combinaciones de RC formadas por los capacitores CC, CE y Cs y los
parámetros resistivos de la red determinan las frecuencias de corte. En realidad,
se puede establecer una red RC similar a la figura 9.13 por cada elemento
capacitivo y se puede determinar la frecuencia a la cual el voltaje de salida se
reduce a 0.707 de su valor máximo. Una vez que se determinan las frecuencias
de corte producidas por cada capacitor, se comparan para establecer cuál de
ellas determinará la frecuencia de corte inferior para el sistema. Nuestro análisis,
por consiguiente, empezará con la combinación en serie de la figura 9.13.
Vo
∗Ib
Ib
∗Vi
Vo Vi
Av= =
Vg Vg
β∗26 mV 120∗26 mV
hie= = =1.7 K Ω
Ie 1.83 mA .
56 K Ω∗12 KΩ
Rth= =9.882 K Ω≈ 9.88 KΩ .
56 K Ω+12 KΩ
Vo=−hfe∗Ib ( Rc /¿ RL)
Vo
=−hfe (Rc /¿ RL)
Ib
Vi=Ib∗hie + ( hfe +1 )∗Ib∗ℜ1
Ib 1
=
Vi hie+ ( hfe+1 )∗ℜ1
Zi=Rth /¿ ¿
Zi∗Vg
Vi=
Zi+ Rg
Vi Zi
= =Rth /¿ ¿¿
Vg Zi+ Rg
(Rc /¿ RL)∗1
∗Rth /¿ (hie+ ( hfe+1 )∗ℜ 1)
Vo hie + ( hfe+1 )∗ℜ1
Av= =−hfe
Vg ( Rth/ ¿(hie+ ( hfe+1 )∗ℜ1))+ Rg
Reemplazando:
Z¿ =R 1/ ¿ R 2/¿ Zb
Zb=hie+ ( hfe+1 ) ℜ1=1.65 K Ω+ ( 121∗220 Ω )=28.27 KΩ
Z¿ =9.88 K Ω/¿ 28.27 KΩ=7.32 KΩ
Entonces para Ci:
1 1
f Li = = =0.87 Hz
2 π ( Rg+ Z ¿ ) Ci 2 π ( 1 K Ω+7.32 KΩ )∗22 μF
f Li =0.87 Hz
Analizando el condensador Co:
1 1
f Lo = = =0.63 Hz
2 π ( Rc+ RL ) Ci 2 π ( 1.5 K Ω+10 KΩ )∗22 μF
f Lo =0.63 Hz
R e ' =159 Ω
1 1
f ¿= = =21.3 Hz
2 π ( R e ) Ci 2 π (1 59 Ω )∗47 μF
'
f ¿=21.3 Hz
f Lo =0.63 Hz
f ¿=21.3 Hz
IV. PROCEDIMIENTO
1. Realice la simulación del circuito mostrado en la figura 4.1. Encuentre el punto
de trabajo y complete la tabla.
2. Implementar el circuito.
3. Determinar experimentalmente el punto de trajo y la ganancia de tensión.
Completar la tabla.
RESOLUCIÓN:
XSC1
V2
Tektronix
12V
R4
P 1 2 3 4 T
R2 1.5kΩ G
56kΩ Co
4.7µF
R1 C1 Q1 R7
2N2222A 10kΩ
1kΩ 0.01µF
R3
R5
Vg 12kΩ
0.22kΩ
0.1Vrms
10kHz Ce
0°
R6 22µF
0.47kΩ
V2
XSC1
I: 1.70 mA
I(p-p): 1.02 mA 12V Ext Trig
I(rms): 2.01 mA R2 R4
_
+
A
Punta1
4.7µF
R1 C1 +
Q1 R7
1
7.667 V
- 10kΩ
2
1kΩ 0.01µF
2N2222A
R5
Vg R3
0.22kΩ
0.1Vrms 12kΩ
10kHz Ce
0°
R6 22µF
0.47kΩ
I CQ =1.98 mA
V CEQ =7.667 v
Veremos que curvas nos entrega el transistor con las características que lo
polarizamos, para eso utilizamos la herramienta de LabVIEW que analizará el
BJT.
V2
12V
R2 R4
56kΩ 1.5kΩ
Co
4.7µF XLV1
R1 C1 Q1 R7
c
10kΩ e
b
1kΩ 0.01µF
2N2222A
R5
Vg R3
0.22kΩ
0.1Vrms 12kΩ
10kHz Ce
0°
R6 22µF
0.47kΩ
Ahora, hallaremos la ganancia de voltaje:
662.040
A v= =−4.901
−135.066
V CEQ (v ) I CQ ( mA) Av
Valor
7.9v 1.83 mA -4.85
calculado
Valor
7.667v 1.98mA -4.901
simulado
4. Completar la tabla 4.2. Note que el punto de corte inferior se produce a una
frecuencia en que la ganancia (AV) alcanza el 0.707 de su máximo valor.
Tabla 4.2
Av
fo 100Hz 200Hz 300Hz 500Hz 700Hz 900Hz 1.5KHz
Co=4.7սF
Ci=0.01uF 0.259 0.540 0.811 1.326 1.795 2.21 3.15
Av
fo 3kHz 4kHz 5kHz 7kHz 10kHz 20kHz 50KHz
Co=4.7սF
Ci=0.01uF 4.19 4.43 4.57 4.69 4.77 4.82 4.84
Con respecto a la primera tabla, para el primer caso (Co=4.7 uF, Cf=0.01 uF), podemos
observar que la frecuencia de corte esta entre las frecuencias de 3kHZ y 4kHZ, ya que a
partir de ella la ganancia se empieza a estabilizar entre 4.19 y 4.43.
Ahora para el segundo caso (Co=0.47 uF, 0.1 uF), podemos observar que la frecuencia
de corte esta entre las frecuencia de 300 y 500 Hz ya que a partir de esta frecuencia la
ganancia se empieza a estabilizar entre 4.10 y 4.54.
Esta diferencia entre las frecuencias de corte es posible ya que en ambos casos estamos
variando los valores de los capacitores, por lo cual esto influye de la siguiente forma,
como sabemos:
1
Fc=
2 π∗Req∗Ceq
Entonces si variamos el valor de una de las capacitancias que determina la frecuencia de
corte (la mayor de la causada por los condensadores que forman el amplificador),
también modificaremos el valor de la frecuencia de corte que me indica el punto donde el
amplificador sale de la zona de baja frecuencia y entra a la zona de alta frecuencia
(ganancia máxima y estable).
Av
fo 100Hz 200Hz 300Hz 500Hz 700Hz 900Hz 1.5KHz
Co=4.7սF 0.74 1.90 3.03 5.2 7.27 9.26 14.5
Ci=0.01uF
Av
fo 3kHz 4kHz 5kHz 7kHz 10kHz 20kHz 50KHz
Co=4.7սF
Ci=0.01uF 22.74 25.45 27.13 28.85 29.90 30.73 30.83
Ahora en la segunda tabla, cuando desacoplamos todas las resistencias del emisor,
vemos que:
Caso 1 (Co=4.7 uF, Cf = 0.01):
1500>Fcorte>900
Con una ganancia de 27.13
Caso 2 (Co=0.47 uF, Cf = 0.1 uF):
200Hz>Fcorte >100Hz
Con una ganancia de 31.15.
Entonces de estos resultados podemos ver que, obviamente la ganancia es mucho mayor
a lo que se dio en la primera tabla ya que se desacoplo’ el emisor y eso implica más
ganancia.
V. CUESTIONARIO
1.
2.
3.