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Relación Vce

Este documento describe el funcionamiento del transistor bipolar y cómo se puede controlar una gran corriente de colector (IC) usando una pequeña corriente de base (IB). Explica que al variar la resistencia de base (RB), se pueden lograr grandes variaciones en IC. Luego presenta tablas mostrando cómo varían IC y el voltaje colector-emisor (VCE) para diferentes valores de corriente de base y voltaje de colector cuando se usan valores de RB que producen IB de 10 μA y 30 μA. Finalmente, concluye que

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Relación Vce

Este documento describe el funcionamiento del transistor bipolar y cómo se puede controlar una gran corriente de colector (IC) usando una pequeña corriente de base (IB). Explica que al variar la resistencia de base (RB), se pueden lograr grandes variaciones en IC. Luego presenta tablas mostrando cómo varían IC y el voltaje colector-emisor (VCE) para diferentes valores de corriente de base y voltaje de colector cuando se usan valores de RB que producen IB de 10 μA y 30 μA. Finalmente, concluye que

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Pre informe

RELACIÓN VCE-IC EN EL TRANSISTOR


El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es
posible controlar una gran potencia a partir de una pequeña. En la figura se
puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos
la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de
base, se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de colector
y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de
corriente en variaciones de tensión según sea necesario.

Parte 4.1

Calcular el valor de RB que permita obtener una corriente de base de: IB = 10 uA

RB = 4.3/IB

RB = 430k

Vcc IC Vce B
0v 0A uA 0V
0.5v 435.26uA 0.064V
1v 903.05uA 0.096V
1.5V 1.36mA 0.14V
2V 1.55 mA 0.45V 155
2.5V 1.56 mA 0.94V 156
3V 1.57 mA 1.43V 157
3.5V 1.581 mA 1.919V 158.1
4V 1.591 mA 2.409V 159.1
5V 1.612 mA 3.389V 161.2
6V 1.632 mA 4.368V 163.2
7V 1.653 mA 5.348V 165.3
8V 1.673 mA 6.327V 167.3
9V 1.695 mA 7.306V 169.5
10V 1.714 mA 8.286V 171.4
11V 1.736 mA 9.265V 173.6
12V 1.757 mA 10.24V 175.7
Parte 4.2

Realizar la 1ra parte para una corriente de base: iB = 30u A.

RB = 4.3/IB

RB = 143.33k

Vcc IC Vce B
0v 0A uA 0V
0.5v 462.85uA 0.037V
1v 995.244uA 0.054V
1.5V 1.432mA 0.067V
2V 1.91 mA 0.079V
2.5V 2.41 mA 0.089V
3V 2.9mA 0.100V
3.5V 3.389mA 0.111V
4V 3.876 mA 0.124V
5V 4.825 mA 0.17V
6V 5.078 mA 0.922V 169.26
7V 5.145 mA 1.858V 171.5
8V 5.207 mA 2.794V 173.56
9V 5.27 mA 3.73V 175.6
10V 5.334 mA 4-667V 177.8
11V 5.398 mA 5.602V 179.93
12V 5.462 mA 6.538V 182.06
Informe
RELACIÓN VCE-IC EN EL TRANSISTOR
CONCLUCIONES
Nos damos cuenta como varia el valor de Vce y Ic dependiendo del valor de la
resistencia RB y de la corriente IB

CUESTIONARIO.
1. ¿Qué tipo de polarización se utiliza en esta práctica?
R. Polarización del transistor bipolar
2. ¿El punto de operación del transistor en esta configuración varia poco,
mucho o nada con el cambio de beta
R. Un circuito con resistencia de base hace que b dependa de la temperatura y
beta varía mucho porque no es exacto.

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