Electronica Digital

TECSUP - PFR Electrónica Digital
Unidad VII
MEMORIAS
1. INTRODUCCIÓN
En electrónica, actualmente, muchos sistemas necesitan elementos para guardar

o/y leer información. Ejemplos de estos pueden ser: los teléfonos, televisores,
ordenadores y otros muchos equipos electrónicos.
Hay muchos tipos de memorias. Estas se pueden clasificar en:
Memorias volátiles. Son memorias que guardan la información mientras se

encuentran conectadas a la corriente eléctrica; al desconectarlas pierden toda la
información. Dentro de este grupo tenemos las memorias RAM.
Memorias no volátiles. Son memorias que guardan la información aunque se

desconecte la corriente eléctrica. Dentro de este grupo tenemos:
Memoria de masa. Son memorias de alta capacidad. Las mas importantes hoy
día se pueden clasificar en: ópticas (CD-ROM, DVD) y magnéticas (discos duros,
discos flexibles, cintas de copia de seguridad).
En esta unidad de trabajo solo se van a estudiar los fenómenos integrados (RAM
y ROM). Las características más importantes de estas son:
Capacidad. Es la cantidad de información que puede almacenar. La unidad de

medida de la capacidad es el bit; corresponde a una posición de memoria donde
se puede guardar un solo dato lógico (un uno o un cero).
La capacidad de las memorias comerciales ha crecido mucho; hoy día la

capacidad se da en miles o millones de byte (octeto) es una agrupación de ocho
bits. El uso del byte esta muy extendido, ya que muchos sistemas han utilizado,
y actualmente utilizan, buses de datos de 8 bit. Esto hizo que normalizara el uso
de esta agrupación tanto para medir la capacidad de una memoria, como para
construirlas.
111
Electrónica Digital TECSUP - PFR
En la actualidad muchas memorias se construyen haciendo que el numero de

salidas sea ocho y se pueda leer o escribir los ocho datos a la vez, sin necesidad
de acoplar memorias. El número de salidas de las memorias esta evolucionando
hacia los dieciséis bits.
En las memorias, cuando se habla de kilobyte (kbyte =210 bytes), no se refieren

a 1.000 bytes, sino a 1.024, por tanto una memoria de 64 Kbyte, es una
memoria con 65.536 bytes o de 524.288 bits de información. Igual ocurre con el
Megabyte que es 1020 bytes = 1.024 * 1.024 = 1.048.576 bytes; este es el
motivo de que, cuando a un ordenador se le pide la capacidad de un disco duro,
nos aparezcan dos datos que parecen diferentes, pero que no lo son.
Tiempo de acceso. Es el tiempo que la memoria tarda desde que se le solicita

una información hasta que dicha información esta disponible. En la figura 7.1 se
ha dibujado el diagrama de tiempos de una memoria, como se ve, desde que
todas las señales están activadas (la última en aplicarse es OE, activa a cero)
hasta que en la salida hay un dato valido transcurre un tiempo; este es el tiempo
de acceso.
Figura 7.1
Las líneas más usuales que posee una memoria (figura 7.2), son:
• Lineas de direcciones (A0..AX). Son las entradas que seleccionan la posición

interna de la memoria en la que seleccionan la posición interna de la memoria
en la que se va a leer o escribir un dato. El número de las entradas de
dirección, define la capacidad que posee dicha memoria, de forma que la
capacidad es igual a dos elevado al número de entradas del bus de
direcciones multiplicado por el número de líneas de datos.
112
Por ejemplo, una memoria con ocho líneas del bus de datos (D0 a D7) y ocho
líneas del bus de direcciones (A0 a A7) tendrá una capacidad de:
Capacidad = 28 · 8 = 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 8 = 2.048 bits = 2Kbits = 256byte
• Líneas de datos (D0..DX). Los valores de líneas de datos que se pueden

encontrar en el mercado normalmente son: uno, cuatro, ocho y dieciséis bit.
De estos, lo más usual es que tenga ocho líneas de datos D0, D1, D2, D3, D4,
D5, D6 y D7.
Figura 7.2
• CS (CHIP SELECT). También llamada CE (CHIP ENABLE), sirve para

seleccionar el integrado de memoria al que se va a acceder.
• OE 8OUPUT ENABLE). Se utiliza para hacer que en las salidas de datos, se

encuentre el dato que hay en la posición de memoria seleccionada. Si esta
entrada no tiene una señal activa, las salidas están en alta impedancia, o
actúan como entradas.
• R/W (READ/WRITE). Entrada utilizada por las memorias RAM. Habilita la

memoria para leer datos (READ leer), o para escribir (WRITE escribir); la
selección depende del nivel lógico que tenga dicha entrada. En este caso, al
tener la W de WRITE con la raya encima (W barrada), es por que es activa a
cero, es decir cuando hay un cero se selecciona la función de escribir.
113
• VCC y GND. Son las líneas de alimentación, es decir por donde se conecta la
corriente eléctrica que hace que la memoria funcione. Dependiendo de la
memoria que se utilice puede tener dos o más líneas. El nivel de tensión con
que se alimentara la memoria depende de la tecnología de fabricación del
circuito.
1.1 MEMORIAS RAM
Las memorias RAM son memorias volátiles de acceso aleatorio, es decir,

son memorias que necesitan estar alimentadas con corriente eléctrica
para que conserven los datos y son de acceso aleatorio porque se pueden
recuperar los datos de la posición de memoria directamente y no es
necesario leer antes otras posiciones para llegar a esta.
Las memorias RAM se pueden clasificar en estadísticas y dinámicas.
1.1.1. MEMORIAS RAM ESTÁTICAS
Son memorias que tienen clip-flops como celdas de

almacenamiento. Como ya se estudio, el funcionamiento de un
clip-flop consiste en recibir una información y mantenerla hasta
que reciba otra.
Una memoria RAM estática, no es más que una matriz de slip-

flops a la que se accede mediante un sistema lógico. En la
figura 7.3, se ha dibujado el circuito de bloques de la memoria
2114, que es una memoria RAM estática de 1.024 bits. En esta
se pueden distinguir dos zonas:
• La memoria propiamente dicha, que es el bloque

denominado matriz de memoria, donde esta el conjunto de
slip-flop.
• Y la zona de control y selección. Esta formada por los

decodificadores, las puertas y el circuito de control. Esta
zona es la que se encarga de seleccionar los slip-flop a los
que se le va a escribir o de los que se va a leer el dato, asi
como activar las salidas o entradas, según se vaya a leer o
escribir esta.
114
Figura 7.3
Una memoria RAM puede escribir o leer datos; para ello sigue
una secuencia. En la figura 7.4, se ha dibujado un ciclo de
lectura y otro de escritura.
Figura 7.4
Ciclo de lectura: para poder leer un dato de la memoria, lo

primero que hace el sistema es colocar en el bus de direcciones
el dato correspondiente a la posición de memoria que se
requiere leer. Seguidamente se selecciona el integrado del que
se va a leer el dato 8ya que puede haber mas de uno); esto se
hace activado la entrada CS (CHIP SELECT) de dicha memoria.
Y finalmente aparecerá el dato en la salida D0.
Ciclo de escritura: Para poder escribir un dato en la memoria, el

procedimiento básicamente es igual que el de lectura; solo
cambia en que hay que colocar un cero en la entrada R/W, ya
115
que cuando hay un cero se indica al circuito que se va a escribir

un dato. Esta última señal será la que se aplicara cuando ya se
haya seleccionado el circuito y el dato que se guarda en la
memoria corresponde al dato que hay en el instante en que la
señal de lectura/escritura pasa de cero a uno (línea de puntos).
Para entender los diagramas de tiempo, en la figura 7.5 se han

dibujado los símbolos más utilizados, donde el símbolo de la
figura 7.5, es un símbolo de indeterminación; dada igual lo que
tenga en esa zona, ya que no influye en nada. En el de la figura
7.5.b se representa la salida de datos, donde, cuando no hay
un dato valido, las salidas están en alta impedancia. Y el de la
figura 7.5.c indica el cambio que se produce en una salida o
entrada, en el símbolo de la figura 7.5.c, la señal cambia de
nivel 0 a nivel 1 y seguidamente de nivel 1 a nivel 0.
Figura 7.5
En la figura 7.6, se ha dibujado una RAM estática y la

distribución de sus patillas. Esta es una memoria de 8.192
bytes (213 byte). WE es la línea de lectura y escritura (R/W).
Figura 7.6
116
Hay un tipo de RAM no volátiles; estas son memorias normales

que llevan dentro del encapsulado unas pilas para alimentarlas
permanentemente y conseguir así que no pierdan la
información.
1.1.2. MEMORIAS RAM DINÁMICAS
Son memorias que utilizan para mantener la información unos

condensadores muy pequeños y con muy pocas pérdidas.
En la figura 7.7, se ha dibujado una celda básica de memoria

RAM dinámica. En esta figura se ve un condensador y un
transistor MOS, que tiene como función la de un conmutador
analógico y por tanto, sirve tanto para conectar el transistor a
una puerta, como para permitir que a través de el se cargue el
condensador. Si el condensador esta cargado, cuando se le
acopla a una puerta a través del transistor MOS, dará un nivel
uno, mientras que si esta descargado dará un nivel cero. Si lo
que se quiere es grabar un uno, habrá que cargar el
condensador. Para grabar un cero, habrá que descargar el
condensador.
Figura 7.7
Las ventajas de estas memorias frente a las memorias estáticas

son varias; una de ellas es que se pueden integrar muchas mas
caldas elementales de memoria por unidad de superficie;
también es mas barata de fabricar. Por el contrario, un
inconveniente es que al hacerlas tan grandes, para poder
acceder a toda la memoria se tienen que multiplexor las
entradas con el fin de reducir el número de pines; otra
117
desventaja es que los condensadores se van descargando con

el tiempo, por lo que es necesario ir de cargando
periódicamente para que no pierda la información que tienen.
Al proceso de recarga de los condensadores, se llama refresco y
para ello tiene dos entradas RAS y CAS. En la figura 7.8 se ha
dibujado el símbolo y la distribución de pin de la memoria MCM
4096. Esta es una RAM con seis líneas de dirección, y por tanto
tiene una capacidad de 64 bit.
Figura 7.8
1.2 MEMORIAS ROM
Las ROM se consideran memorias de solo lectura debido a que la

grabación se hace en la fabrica (grabación por mascara), o mediante
procesos relativamente complejos y que no se añaden a los sistemas, por
lo que para grabar datos, normalmente se hace en sistemas externos.
En la tabla siguiente se representa la clasificación de las memorias ROM

más usuales, aunque constantemente están apareciendo nuevos modelos
con nuevas características.
118
Programables por
Máscara
ROM
Por fusible (PROM); solo se graba
una vez.
Programables por Borrables por luz (EPROM,
El usuario UVPROM)
Borrables eléctricamente
(EEPROM, FLASH EPROM)
1.2.1 MEMORIAS ROM GRABADAS POR MÁSCARA
La grabación de este tipo de memoria se hace en la fábrica y

consiste en fabricar transistores MOS de dos tipos, uno de capa
gruesa (1 micra de espesor) para grabar un 1, y otro de capa
fina (0,1 micra de espesor) para grabar un 0.
La diferencia de grosor entre el canal y la rejilla de control,

determina la tensión que hay que aplicar a la rejilla para que el
transistor MOS entre en conducción. Para el grosor de una
micra, se necesitara una tensión diez veces superior a la que
necesita un de 0,1 micra.
El aplicar los 5 voltios a estos transistores, el fino conduce (da

un 0) y el grueso no conduce (da un 1). Figura 7.9.
119
VENTRADA D
0 +VCC
+5 V 0 V SI CONDUCE
+ 5 SI NO CONDUCE
Figura 7.9
En la figura 7.10 se ha dibujado el símbolo y la distribución de

los pines de la memoria ROM 6830. Esta es una memoria con
una capacidad de 210 bytes, es decir 1 Kbyte.
Figura 7.10
1.2.2 MEMORIAS PROM
Son memorias de solo lectura (ROM) las cuales pueden ser

grabadas por el usuario una solo vez. En la figura 7.11, se ha
dibujado el circuito equivalente de una memoria PROM de dos
líneas de dirección y cuatro líneas de datos. Se aplica tensión a
las entradas del bus de direcciones (A0 y A1) se vera que,
cualquiera que sea la combinación de estas, en todas las salidas
siempre tendremos un nivel 1, ya que a través del diodo y del
fusible llega el 1 del decodificador a la salida.
120
Este es el estado de una memoria no programada, es decir,

todos los bit están a uno. Solo estarán a cero los bites
programados, o sea, a los que en el proceso de programación
se les ha quemado el fusible.
Figura 7.11
La información programada en una memoria PROM, como es

fácil de imaginar, no s borra nunca.
En la figura 7.12 se ha dibujado el símbolo y la distribución de

plantillas de la memoria PROM 74S473.
Figura 7.12
121
1.2.3 MEMORIAS EPROM
Son memorias que se programan mediante impulsos de

tensión. En este proceso no se destruye nada como ocurría en
las PROM de fusible, sino que, al aplicar el impulso, algunos
electrones consiguen la suficiente energía como para atraviesa
un aislante y quedar atrapados en esa zona (entre aislantes).
La zona donde se inyectan estos electrones corresponde a la

que hay entre la rejilla de control de un transistor MOS y el
canal de este.
La rejilla esta totalmente aislada, por lo que el transistor MOS

no conduce nunca 8 en la salida sin programar tenemos
siempre un 1; figura 7.13.a); al aplicarle este impulso e
inyectable los electrones, el transistor MOS conduce siempre
debido al potencial eléctrico que le aportan estos electrones (en
la salida habrá un 0 en este caso, figura 7.13.b).
122
Figura 7.13
Para borrarla, se somete a una fuerte de luz ultravioleta; esta le

da energía a través de la ventana qué tiene en el centro de la
parte superior, consiguiendo que los electrones que hay
atrapados en las rejillas de control adquieran la suficiente
energía como para salir de esa zona y dejar las rejillas sin
potencial para conducir. Esto hace que haya un 1 en todas las
posiciones de memoria otra vez.
Contrario a lo que casi siempre, en las memorias EPROM los

fabricantes llegaron a un acuerdo y los encapsulados están
normalizados. En la figura 7.14 se describen cinco de los
modelos más usuales de EPROM. Las memorias 2716 y 2732 no
poseen nada en las primeras filas debido a que el encapsulado
que tienen es de 24 pines, por lo que el pin número 3 de la
2764 es donde estará el pin uno de estas memorias y así
sucesivamente (encapsulado interior).
Las memorias de tecnología CMOS se llaman igual que las

memorias de tecnología MOS insertándole un ¨C¨ entre el 27 y
el resto de la numeración. Por ejemplo, la memoria 27C512, es
igual que la memoria 27512 realizada en tecnología CMOS.
123
El nombre de estas memorias indica las características que

poseen, ya que después del 27, el número siguiente expresa la
capacidad de dicha memoria y el número final indícale tiempo
de acceso máximo que tiene dicha memoria. La memoria
27C512-70, es una memoria EPROM, fabricada con tecnología
CMOS( C), con una capacidad de 512 kbits (512 y un tiempo de
acceso de 70ns (70).
Como en toda norma existen excepciones, una de ellas es la

numeración de las memorias 27C010 y 27C020; estas tienen
una capacidad igual que las memorias 27C1042 y 27C2048; la
diferencia es que a partir de la memoria 27C512, la numeración
sigue la misma estructura para las memorias que posee un bus
de datos de dieciséis líneas, por lo que a las memorias de ocho
bit se las ha tenido que cambiar la forma de denominarlas. La
memoria 27C010 y la 27C020 son memorias con 1.024 y 2.048
bit sucesivamente y un bus de ocho líneas de datos (D0..D7) y
las memorias 27C1024 y 27C2048 tienen una capacidad de
1.024 y 2.048 bits y un bus de datos de dieciséis líneas
(D0..D15).
Figura 7.14
Los modos de funcionamiento de las memorias 27C256 en

función de los niveles qye hay en sus entradas, se muestran en
la tabla siguiente:
124
1.2.4 MEMORIAS BORRABLES ELÉCTRICAMENTE
A este grupo de memorias pertenecen las memorias EEPROM

llamadas también E2PROM y las memorias EPROM FLASH.
• Memorias EEPROM.
Las diferentes más importantes entre estas y las memorias

borrables por luz (EPROM) son:
1. Estas se pueden borrar eléctricamente, y por tanto no

necesitan extraerse del circuito donde se han colocado para
poder borrarlas. Para ello solo hay que incluir una serie de
circuitos que permitan realizar esta función.
2. Se pueden borrar todas las posiciones de una vez o por

bloques de memoria.
3. No necesitan tensiones elevadas para programarse; solo

con una fuente de 5 voltios pueden ser grabadas y
borradas.
4. Las memorias EEPROM tienen una estructura más compleja

que las memorias EPROM, lo cual las hace más caras y
limita su capacidad a valores más pequeños que el de las
memorias EPROM. Por este motivo no desaparecen las
memorias EPROM y se están buscando alternativas que no
tengan estos inconvenientes.
125
El tiempo que dura la información que se graba en una de estas

memorias sin deteriorarse es similar al de las EPROM, es decir,
un mínimo de 10 años y el número de ciclos que se puede
borrar y programar sin que aparezcan problemas es 1,000,
igual que las EPROM.
El modo de empleo y la distribución de plantillas son similares a

las de EPROM; por ejemplo, en la figura 7.15 se ha dibujado el
símbolo y las distribuciones de patillas de la memoria X28C64A
del fabricante XICOR; dicha memoria cuenta con algunas
características diferenciales: la información dura sin
deteriorarse durante 100 años y los de borrado y grabado que
soporta son 100.000.
Figura 7.15
En la tabla siguiente se describen los modos de

funcionamiento; si se analiza es idéntico al de las memorias
RAM; la única diferencia es que, para programar cada octeto o
cada grupo de 32 octetos, necesita en torno a 10 ms, por lo
que es necesario un sistema exterior que tenga en cuenta este
tiempo.
126
• Memorias FLASH o FLASH EPROM.
Son memorias que, al igual que las EEPROM, pueden

programarse y borrarse eléctricamente. Las características más
importantes de estas memorias son:
• Se borran todas las posiciones a la vez, no pudiendo hacerlo

por bloque.
• Necesita una tensión elevada (12 ó 12,75 V) para ser

programadas.
• Fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de

capacidad equivalentes a las EPROM y mas baratas que las
EPROM.
• Tiempos de borrado y grabación muy pequeños. Por

ejemplo, la 27F256 de Intel, tarda 1 segundo de borrarse
totalmente y 100 µs para programar cada octeto 8byte).
• El tiempo de retención de la información garantizado es

superior a los 10 años.
• Los ciclos de borrado y grabado, dependen de la tensión de

programación siendo 100 ciclos si se programa a 12 V y
10.000 si se programa a 12,75 V.
127
Figura 7.16
La memoria 27F256 (figura 9.16) tiene el mismo símbolo y

distribución de plantillas que la memoria 27C256, exceptuando
la patilla numero 27, que tiene la doble función de bus de
direcciones (A14) y pin para grabar datos (WE).
El funcionamiento en modo de lectura es igual que para las

EEPROM o las EPROM, pero el modo de escritura es bastante
más complejo. Aquí no se estudia por considerarse que excede
el planteamiento de este libro.
1.3 ACOPLAMIENTO DE MEMORIAS
En un sistema que utilice memorias, es normal que se empleen varios

circuitos integrados de memoria, ya sea por que la capacidad que
necesita el sistema supera a la que posee cada circuito integrado, por que
el bus de datos sea mayor que el bus de datos de cada integrado o que el
sistema necesite varios tipos de memorias. En cualquiera de estos casos
es necesario acoplar varios circuitos integrados para, así, conseguirla
capacidad necesaria.
En resumen, el acoplamiento de memorias cubre tres casos diferentes:
• Necesidad de aumentar la capacidad total, manteniendo el número de

líneas de bus de datos.
128
• Necesidad de aumentar la capacidad y el número de líneas del bus de

datos.
• Necesidad de tener varios tipos de memorias en el sistema (RAM,

EPROM, etc).
1.4 MAPA DE MEMORIA
Se llama mapa de memoria a la representación grafica de toda la

capacidad de direccionamiento del sistema. Por ejemplo, si en un sistema
tenemos solo un circuito integrado del tipo X28C64A, el cual, como ya se
ha visto es una memoria EEPROM de 64 kbits de capacidad, tendremos
un mapa de memoria que cubrirá los 8.192 bytes que posee dicha
memoria. En la tabla siguiente se ha dibujado un posible mapa de
memoria con el sistema que sirve de ejemplo.
129
A este mapa de memoria se le llama mapa de memoria funcional, ya que

describe la función de cada zona.
¿Qué ocurre si en vez de un solo circuito integrado hay varios? Es muy

simple: se dibuja el mapa de memoria que corresponde al número de
líneas de direcciones que tiene el sistema, y dentro de este se van
asignando las posiciones al circuito que ocupa. La tabla siguiente puede
ser un ejemplo.
Valor En binario En hexadecimal En decimal

Menor 000 0000 0000 0000 0000 0
Mayor 111 1111 1111 1111 7FFF 32.767
A este mapa de memoria se le llama mapa de memoria físico, ya que se

describe la posición que ocupa cada elemento o agrupación de elementos
físicos.
1.5 APLICACIÓN DE MEMORIA MANTENIÉNDOLE NUMERO DE

LÍNEAS DEL BUS DE DATOS
Para ilustrar este caso se ha dibujado en la figura 7.21 un ejemplo de

este caso realizado con dos memorias 2112.
Al realizar este tipo de acoplamiento, hay que unir las líneas del bus de
datos, las líneas del bus de direcciones y las líneas de uso común, como
es en este caso la línea de escritura o lectura. Aunque pudiera parecerlo,
las líneas CE o OE no se unen, ya que están se utilizan para seleccionar o
habilitar las salidas de cada circuito integrado y no del conjunto tiene el
doble de capacidad que una sola de ellas, y en cada mitad en la que
estará situado cada uno, dependerá del lugar al que se conecten las
entradas de selección de cada uno de ellos.
130
Figura 7.21
Otro ejemplo mas complejo de acoplamiento de memorias es el de la

figura 9.22, donde se han acoplado una memoria RAM, una EEPROM y
una EPROM, en la parte inferior de la figura se ha dibujado el mapa de
memoria que ocupa cada uno de ellos. Para comprender esta división se
debe tener en cuenta dos elementos:
1. El número total de línea de dirección. La zona total que ocupa el mapa

de memoria viene dada por la cantidad de líneas que tiene el bus de
direcciones totales del sistema; en la figura 7.22, el numero de líneas
es de 15, por lo que se podrá direccional desde el valor en que todas
sean 0 hasta el valor en que todas sean 1:
Figura 7.22
131
2. Capacidad de cada una de las memorias y zona que ocupan. La RAM

es de 8 kbytes, la EEPROM de 8 kbytes también y la EPROM con 16
kbytes, y la zona que ocupa la define el sistema lógico que hace de
decodificador, si se analiza, es un decodificador; si se analiza, es un
decodificador de dos entradas A14 y A13 y por lo tanto debería tener
cuatro salidas, pero como la EEPROM ocupa la mitad de la memoria,
tendría que utilizarse una puerta lógica OR que habilitara la EPROM en
las salidas Q2 y Q3, por lo que, simplificando el circuito, queda como
el que se ha dibujado, donde la línea que selecciona la memoria RAM
(CSI) corresponde a Q0, la que selecciona la EEPROM (CE(B))
corresponde a la salida Q1 y la línea que selecciona la EPROM
(CE(A)), como se ha dicho, corresponde a las salidas Q2 y Q3.
Por tanto, la RAM ocupa los primeros 8 kbytes del mapa de memoria
(desde la posición 0 hasta la posición 8191). La EEPROM ocupa desde la
posición siguiente a la última de la RAM (8191), hasta la posición
siguiente a la última de la EEPROM hasta la ultima posición del mapa de
memoria (desde la posición 16384 hasta la posición 32767).
1.6 APLICACIÓN DE MEMORIA AUMENTANDO EL NÚMERO DE

LÍNEAS DEL BUS DE DATOS
Cuando se tienen memorias con un número de salidas de datos menores

que las del bus de datos del sistema, se han de acoplar varias memorias
hasta conseguir que le número de líneas de datos del conjunto sea igual o
superior a las que necesita el bus de datos del sistema.
En el caso de que sean iguales, no hay problema, y si el número

resultante del acoplamiento fuera mayor, se dejaran sin utilizar las líneas
que sobren.
En la figura 7.23 se ha dibujado un ejemplo de este tipo de acoplamiento.
Como se observa, al igual que en el acoplamiento anterior, también han

de unirse las líneas de direcciones y las líneas de uso común,
considerándose también de uso común líneas como CE y OE, ya que
ambos circuitos integrados funcionan como si fuera uno donde lo único
que no se unen son las líneas de datos, resultando el equivalente a una
memoria de igual numero de líneas de direcciones y las líneas de datos, la
suma de las de cada circuito integrado.
132
Figura 7.23
En cuanto al mapa de memoria, ambas estarían en la misma zona, ya que

se usan dos memorias de 4 bit de datos para conseguir una equivalente
de 8 bit.
133
ANOTACIONES:
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
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……………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………
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En electrónica, actualmente, muchos sistemas necesitan elementos para guardar

Hay muchos tipos de memorias. Estas se pueden clasificar en:

Memorias volátiles. Son memorias que guardan la información mientras se

Memorias no volátiles. Son memorias que guardan la información aunque se

Capacidad. Es la cantidad de información que puede almacenar. La unidad de

La capacidad de las memorias comerciales ha crecido mucho; hoy día la

En la actualidad muchas memorias se construyen haciendo que el numero de

En las memorias, cuando se habla de kilobyte (kbyte =210 bytes), no se refieren

Tiempo de acceso. Es el tiempo que la memoria tarda desde que se le solicita

• Lineas de direcciones (A0..AX). Son las entradas que seleccionan la posición

Capacidad = 28 · 8 = 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 2 · 8 = 2.048 bits = 2Kbits = 256byte

• Líneas de datos (D0..DX). Los valores de líneas de datos que se pueden

• CS (CHIP SELECT). También llamada CE (CHIP ENABLE), sirve para

• OE 8OUPUT ENABLE). Se utiliza para hacer que en las salidas de datos, se

• R/W (READ/WRITE). Entrada utilizada por las memorias RAM. Habilita la

1.1 MEMORIAS RAM

Las memorias RAM son memorias volátiles de acceso aleatorio, es decir,

Las memorias RAM se pueden clasificar en estadísticas y dinámicas.

1.1.1. MEMORIAS RAM ESTÁTICAS

Son memorias que tienen clip-flops como celdas de

Una memoria RAM estática, no es más que una matriz de slip-

• La memoria propiamente dicha, que es el bloque

• Y la zona de control y selección. Esta formada por los

Ciclo de lectura: para poder leer un dato de la memoria, lo

Ciclo de escritura: Para poder escribir un dato en la memoria, el

que cuando hay un cero se indica al circuito que se va a escribir

Para entender los diagramas de tiempo, en la figura 7.5 se han

En la figura 7.6, se ha dibujado una RAM estática y la

Hay un tipo de RAM no volátiles; estas son memorias normales

1.1.2. MEMORIAS RAM DINÁMICAS

Son memorias que utilizan para mantener la información unos

En la figura 7.7, se ha dibujado una celda básica de memoria

Las ventajas de estas memorias frente a las memorias estáticas

desventaja es que los condensadores se van descargando con

1.2 MEMORIAS ROM

Las ROM se consideran memorias de solo lectura debido a que la

En la tabla siguiente se representa la clasificación de las memorias ROM

1.2.1 MEMORIAS ROM GRABADAS POR MÁSCARA

La grabación de este tipo de memoria se hace en la fábrica y

La diferencia de grosor entre el canal y la rejilla de control,

El aplicar los 5 voltios a estos transistores, el fino conduce (da

En la figura 7.10 se ha dibujado el símbolo y la distribución de

1.2.2 MEMORIAS PROM

Son memorias de solo lectura (ROM) las cuales pueden ser

Este es el estado de una memoria no programada, es decir,

La información programada en una memoria PROM, como es

En la figura 7.12 se ha dibujado el símbolo y la distribución de

1.2.3 MEMORIAS EPROM

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