Preparatorio 4

OBJETIVOS
A. Diseñar e implementar el circuito de control para la activación de un transistor bipolar de

juntura de potencia.
B. Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura en circuitos de
potencia.
C. Tomar medidas de voltaje, corriente y potencia para observar el desempeño en las
conmutaciones que realiza el transistor bipolar de juntura.
1. Consultar las condiciones para el disparo de TBJs en aplicaciones de electrónica de

potencia, incluir el dimensionamiento de la resistencia en la base y el disparo mediante el
uso de un opto-transistor.
Los TBJ en aplicaciones de electrónica de Potencia, son generalmente utilizados como

interruptores. Los circuitos de disparo son diseñados para que el TBJ trabaje en la zona de
saturación (conducción) o la zona de corte (bloqueo), debido que si se trabajara en la zona
activa se disipa mucha potencia.
Una de las principales ventajas al usar TBJ´s es que estos elementos son controlados y aquí
básicamente tendríamos interruptores de potencia controlados por corriente y los más usados
serían los npn.
También se recomienda usar circuitos en configuración Darlington donde nos permitiría
aumentar la ganancia total del transistor.
Para el disparo del TBJ´s se trabaja con corrientes de base alta para que el dispositivo trabaje en
la zona de saturación y para apagarlo es necesario un corriente de base sumamente pequeña.
[ CITATION Anó4 \l 3082 ]
Vcc−VBE
Rb=
Isat
El siguiente circuito puede ser usado como disparo mediante opto transistor
Fig. 1. Driver para disparo de TBJ (configuración Darlington) con opto transistor[ CITATION
Vic13 \l 3082 ]
Vc ( opto )−VCE opto ( sat )−VBE (bjt )

RB=
IB ( sat)
2. Consultar acerca de los Gate Drivers comerciales para disparo de TBJs.
1EDF5673FXUMA1  Corriente de salida: 8A

 Alimentación: 3V
UCC21520AQDWRQ1  Corriente de salida: 2.3A
 Alimentación: 3V a 18V STGAP2DMTR
 Corriente de salida: 6A  Alimentación: 3.5V a 5V
 Corriente de salida: 4A
UCC5320SCDWVR UCC21541
 Alimentación: 3V a 15V  Alimentación: 5V a 8V
 Corriente de salida: 4.5A  Corriente de salida: 4A[ CITATION
ADUM4121-1TRIZ-EP Tex \l 3082 ][ CITATION Vic13 \l
 Alimentación: 2.5V a 35V 3082 ]
3. Diseñar y simular el circuito de la Figura 2 si la fuente a usarse es de aproximadamente

100 V y la resistencia de carga es una lámpara incandescente de 120V/100W. El
generador de onda PWM se obtiene utilizando el circuito integrado 555 funcionando
como aestable con frecuencia variable entre 1KHz y 10 KHz y relación de trabajo entre
0.1 y 0.9. (Consultar la datasheet del 555 para funcionamiento aestable).
Figura 2. Circuito de conmutación de potencia.
DISEÑO DEL GENERADOR DE ONDA PWM 555

De acuerdo al Datasheet del 555 vamos a realizar el siguiente circuito
T on=ln ( 2 )∗C∗( R 1+ R 2 )
Toff =ln ⁡(2)∗C∗R 2
R 1+ R 2
DutyCicle=
R 1+2∗R 2
Con la formula del DutyCicle vamos a variar la relacion de trabajo
Asumo R 2=10 k Ω
R 1+10 K
0.9=
R 1+2∗10 K
R 1=17 K Ω → R 1 ≈18 k
R 1+10 K
0.1=
R 1+2∗10 K
R 1=111 Ω→ R 1≈ 100
Por las resistencia obtenidas se necesita un potenciomentro de 18K, pero como este no es un
valor comercial, se va a usar un potenciometro de 50K.
Para la variacion de la frecuencia en necesario hacer el calculo del capacitor y en la practica
este valor es necesario cambiar cuando se desee trabajar en las diferentes frecuencias.
VC C
1
f=
ln ( 2 )∗C∗( R 1+ R 2)
Para f=1kHz R 5
18k
1
1 KHz=
ln ( 2 )∗C∗(100+10 K ) X1
8
R 6
C=100 nF 2
VC C
10k T R IG G E R
4 3
5 R E S E T O U TP U T
6 C O N TR O L
7 TH R E SH O LD
Para f=10kHz D IS C H A R G E
G N D
1 555D
R 7V
1 0 KHz= 10k
1
ln ( 2 )∗C∗(18 k +10 K)
C 1 C 2
C=10 nF 100n 10n
0
Figura.3 PWM con 555 aestable
DISEÑO DEL CIRCUITO DE CONMUTACION DE POTENCIA

Al usar el optoacoplador 4N25 tenemos los siguientes datos obtenidos del datasheet
VF=1.2V IF=10 mA
12V −1.2V
R 1= =1080 Ω → R 1 1 K Ω
10 mA
Para la siguiente etapa vamos a usar un Tip 122, debidoa que este es un TBJ de potencia, de
acuerdo a sus datasheet su corriente necesaria de disparo es de 12mA y como es configuracion
darlington su VBE=1.4V.
V CC −V CE ( opt )−V BE (tbj) 12 V −3 V −1.4 V

R 3= =
12 mA 12mA
R 3=633.33Ω → R 3=620 Ω
Para Ic=16mA
I 2=I C ( opt )−I B =16 mA−12.26 mA
I 2=3.74 mA
Entonce la R2 será:
V CC −V CE ( opt ) 12 V −3 V
R 2= =
I2 3.74 mA
R 2=2.41 KΩ
∴ R 2=2.7 KΩ VC C
R 5
SIMULACION
18k CIRCUITO FINAL VC C
VC C
X1 R 1 V3
8
R 6 12Vdc R 4 V+ D 1
2
VC C
10k TR IG G E R 1k 144 D 1N 4148

4 3
5 R ESE T O U TPU T U 2
6 C O N TR O L A 4N 25
TH R E SH O LD V-
7
D IS C H A R G E 0
G N D
Q 1
R 7 R 2 V2
555D 100Vdc
10k
1
620
C 1 C 2
100n 10n T IP 1 2 2
R 3
0 560
0
0
ONDAS OBTENIDAS
Fig.4 Onda obtenida para relacion de trabajo 0.9
Fig.5 Onda obtenida para relacion de trabajo 0.1
Referencias
[1] Anónimo, «Dispositivos de Electronica de Potenicia,» [En línea]. Available:

http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase22_apunte.pdf.
[2] V. García, «Controladores básicos (Drivers).,» 10 Abril 2013. [En línea]. Available:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/controladores-basicos-drivers.
[3] T. Instruments, «UCC21220,» [En línea]. Available:

https://www.ti.com/product/UCC21220?
utm_source=google&utm_medium=cpc&utm_campaign=APP-HVP-HPD-
prodfolderdynamic-cpc-pf-google-
wwe&utm_content=prodfolddynamic&ds_k=DYNAMIC+SEARCH+ADS&DCM=yes&gcli
d=EAIaIQobChMIkMaM8JX35QIVjoVaBR2HYQQsEAAYASAAEgLTGfD_BwE&gcl.
[4] T. INSTRUMENTS, «LM555 Timer,» [En línea]. Available:
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm555.pdf.

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A. Diseñar e implementar el circuito de control para la activación de un transistor bipolar de

1. Consultar las condiciones para el disparo de TBJs en aplicaciones de electrónica de

Los TBJ en aplicaciones de electrónica de Potencia, son generalmente utilizados como

Vc ( opto )−VCE opto ( sat )−VBE (bjt )

1EDF5673FXUMA1  Corriente de salida: 8A

3. Diseñar y simular el circuito de la Figura 2 si la fuente a usarse es de aproximadamente

Figura 2. Circuito de conmutación de potencia.

DISEÑO DEL GENERADOR DE ONDA PWM 555

DISEÑO DEL CIRCUITO DE CONMUTACION DE POTENCIA

V CC −V CE ( opt )−V BE (tbj) 12 V −3 V −1.4 V

10k TR IG G E R 1k 144 D 1N 4148

Fig.4 Onda obtenida para relacion de trabajo 0.9

Fig.5 Onda obtenida para relacion de trabajo 0.1

[1] Anónimo, «Dispositivos de Electronica de Potenicia,» [En línea]. Available:

[3] T. Instruments, «UCC21220,» [En línea]. Available:

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