.Final 6 Electronicos 1
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RESUMEN:
Para esta ocasión, los circuitos a realizar tienen como Generalmente podemos decir que la unión base -
propósito la polarización y estabilización del transistor emisor se polariza directamente y la unión base -
colector inversamente.
bipolar, propósito que logramos gracias a la inclusión
de una resistencia con un valor condicionado.
3.Polarizacion de un transistor
Índice de Términos – Estabilización, polarización,
corriente y voltaje alterna, colector, emisor y base.
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que,
la intensidad de Colector y Emisor también es nula.La
1. OBJETIVOS tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El
Corroborar el fundamento teórico sobre este transistor, entre Colector y Emisor se comporta como
experimento, que nos propone que con una baja un interruptor abierto.
resistencia Re con respecto a la resistencia Rb, nos
permite estabilizar y polarizar el circuito. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
ß = IC / IB
En resumen:
(amplificación). Los valores de corrientes y
Los encapsulados en los transistores dependen de tensiones en continua en los terminales de un
la función que realicen y la potencia que disipen, transistor se denomina punto de trabajo y se suele
así nos encontramos con que los transistores de expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
pequeña señal tienen un encapsulado de plástico, En transistor del circuito de la figura 1.8.a está
normalmente son los más pequeños ( TO- 18, TO- polarizado con dos resistencias y una fuente de
39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, tensión en continua VCC. En este circuito se
son algo mayores y tienen en la parte trasera una verifica que:
chapa metálica que sirve para evacuar el calor
disipado convenientemente refrigerado mediante Si
radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran
potencia, son los que poseen una mayor dimensión suponemos que el transistor se encuentra en
siendo el encapsulado enteramente metálico . Esto, la región directa lineal, entonces se puede
favorece, en gran medida, la evacuación del calor a relacionar las intensidades de base y colector a
través del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO- través de la hFE y asignar una tensión base-emisor
123, TO-213...). típica de 0.7 V. El cálculo de las tensiones e
4.Esquemas de polarizacion intensidades del transistor proporciona su punto de
La polarización con una fuente (con resistencia de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por
emisor) las siguientes ecuaciones:
que nuestro circuito deje de funcionar 50 Teoría 6.7 12 0.07 6.3 84.3 0.0 1.2
tolerancias, son mucho más acusadas con los Simula 6.4 12 0.06 6 81.7 0.0 1.1
do 5 8
dispositivos semiconductores. Así, por ejemplo,
dentro de una misma serie de transistores, podemos Medido 5.7 11 0.057 5.4 77.8 0.0 1
0 7
tener unidades con grandes diferencias en sus
características. En las hojas características de los Con Teoría 2.6 44 0.07 6.1 78.5 0.0 0.7
5
mismos podemos observar este hecho, por ejemplo,
Rl=1k
en la β; los fabricantes suelen dar un margen de Ω Simula
do
2.7 46.
3
0.07 6.2 79.3 0.0
5
0.7
Vi (mVpp) Vo Av Vi Vo Av Vo Av
(Vpp) Sin (Vpp) Sin Sin Sin
distors distor Ce Ce
sión
ión
5. CONCLUSIONES