UNIVERSIDAD DEL ZULIA

FACULTAD DE INGENIERIA

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALOGÍCA I

CÓDIGO: 270247

ÁREA: PROFESIONAL ESPECÍFICA

SEMESTRE: V

CARÁCTER: OBLIGATORIA

PRELACIÓN: 270246 / 270386

DISTRIBUCIÓN HORARIA:

Horas Teóricas: 4
Horas de Practica de Laboratorio: 2
Horas de Practica Dirigida:
Horas de Practica Profesional:

JUSTIFICACIÓN:

El campo de la ingeniería Eléctrica ha evolucionado de manera muy veloz en los

últimos 30 años.
La Electrónica de estado sólido desplazo casi por completo a la electrónica de
Bulbos, y en los últimos 15 la tecnología de los circuitos integrados ha ampliado
dinámicamente los planes de estudio de nuestra Universidad, se hace necesario por
tanto, una cátedra que requiere del estudiante, los cursos básicos de álgebra lineal.,
geometría y cálculo, así como de física de semiconductores.
El conocimiento de Ecuaciones diferenciales será muy útil, además de las técnicas,
leyes que rigen el comportamiento de los circuitos eléctricos.
La cátedra de Electrónica Analógica I, abarca pues, el espacio de los dispositivos
discretos (diodos, transistores de uso común como aquellas de carácter especial como

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 por ejemplo: optoelectrónica, alta frecuencia, etc.) sus interconexiones, la respuesta a
las tecnológicas lógicos dentro Electrónica digital, y una visión de los dispositivos de
conmutación usado en el manejo y control de la potencia en instalaciones eléctricas e
industriales.
Se purifica además, ya que exige al estudiante, aptitudes de diseño, capacidad que
logra desarrollar como exigencia de futuros cursos en la carrera.

CONTENIDO PROGRAMATICO:

TEMA I: DIODOS Y APLICACIONES

Curva característica.
Modelos del diodo.
El diodo como elemento circuital.
Concepto de línea de carga.
Circuitos limitadores y fijadores.
Rectificadores de media onda y onda completa.
Fuentes de alimentación no regulada.
Regulador con diodos zeners.
Reguladores integrados: arquitectura y configuraciones de aplicación.

TEMA II: TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Curvas características.
Modos de operación del BJT.
Polarización del BJT.
Estabilización térmica del punto de operación.
El BJT como diodo.
El BJT como elemento amplificador.
Acople de señales en corriente alterna y configuraciones básicas.
Emisor común (EC),Colector común (CC) y base común (BC).
Modelos del BJT a baja frecuencia y pequeña señal.
Determinación de los parámetros híbridos.
Modelo r del BJT a alta frecuencia.
Parámetros del BJT usados por SPICE y otros paquetes de simulación.
Problemas de análisis y diseño.

TEMA III: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Curvas características del JFET, MOSFET de enriquecimiento y

MOSFET de empobrecimiento.
Diferencias entre FET y BJT.
Polarización del FET:

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 ElC-MOS.
Estabilización del punto de operación.
El FET como resistencia.
El FET como elemento amplificador.
Configuraciones básicas.
Fuente común (SC), drenador común (DC) y compuerta común (GC).
Modelos del FET a baja frecuencia y pequeña señal.
Determinación de los parámetros en corriente alterna
Modelo del FET a alta frecuencia.
Problemas de análisis y diseño.

TEMA IV: AMPLIFICADORES MULTIETAPAS

Análisis de amplificadores multietapas.

Acoplamiento por capacitor y acoplamiento directo.
Configuraciones Darlington y cascodo.
Circuitos fuentes de corriente y espejos de corriente.
Amplificadores diferenciales.
Carga activas.

TEMA V: RESPUESTA EN FRECUENCIAS DE LOS AMPLIFICADORES

Distorsión en frecuencia.
Notación en decibelios.
Diagramas de Bode.
Respuesta en frecuencia de una etapa en fuente común de un
amplificador en cascada.
Factores que afectan a esta respuesta.
Respuesta en frecuencia de una etapa en emisor Común de un
amplificador en cascada.
Factores que afectan a esta respuesta en frecuencia.
Capacitores de desacoplo.
El amplificador seguidor de voltaje.
El amplificador en base común.
Entrada y salida en un amplificador en cascada.
Ancho de banda de amplificadores en cascada.
Diseño de amplificadores de banda con FET.
Diseño de amplificadores de banda ancha con BJT.

TEMA VI: TECNOLOGÍAS LÓGICAS

Análisis del transistor como conmutador.

Tiempos de respuesta.
Transistor de varios emisores.

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 Conexión de varios transistores en conmutación.
Compuertas lógicas y funciones.
Familias lógicas: RDL, DTL, TTL, IIL, N-MOS, C-MOS y BICMOS.
Evolución de las familias TTL, y C-MOS.
Compatibilidad entre las familias lógicas.

TEMA VII: TRANSISTORES UNIUNION (UJT) Y DISPOSITIVOS DE CUATRO O MAS

CAPAS

El UJT: Descripción y características.

El oscilador de relajación con UJT.
El transistor uniunión programable (PUT): Descripción y
características.
Aplicaciones del PUT.
El rectificador controlado de silicio (SCR): Descripción y
características.
Aplicaciones del SCR en AC y CD.
Rectificación controlada de media onda y onda completa.
Circuitos de protección del SCR.
El diodo Schokley.
El DIAC.
El TRIAC: Descripción y características.
Control de potencia con TRIACs.
El interruptor bilateral de silicio (SBS).
Los varistores.

TEMA VIII: DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS.

Naturaleza de la luz: Intensidad, espectro de frecuencia, dirección de

propagación.
Clasificación de los dispositivos optoelectrónicos.
Celda fotoconductora base.
Celdas fotovoltaicas y solares.
Fotodiodos.
Fototransistores.
Fotofets.
Fototiristores.
Diodo emisor de luz (LED).
Diodo de luz infrarroja (IRED).
Diodo láser.
Acopladores ópticos.
Aplicaciones de circuitos con dispositivos optoelectrónicos.

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OBJETIVOS GENERALES:

Al finalizar el curso los participantes estarán en capacidad de:

1) Analizar las características eléctricas y el funcionamiento de los componentes

electrónicos discretos.

2) Modelar los componentes electrónicos de manera matemática, circuital y mediante

técnicas de Computador.

3) Diseñar circuitos que empleen componentes electrónicos discretos.

4) Evaluar la respuesta en frecuencia en amplificadores diseñados con transistores.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

TEMA I:

Analizar el comportamiento del diodo como elemento circuital y sus aplicaciones

mas comunes.
Diseñar sistemas electrónicos elementales con diodos.

TEMA II:

Reconocer las características circuitales del BJT y sus aplicaciones elementales.

Analizar los modelos en DC y AC en baja y alta frecuencia del transistor de unión
Bipolar BJT.
Uso de los parámetros híbridos en las diferentes configuraciones básicas
amplificadores.

TEMA III:

Reconocer las características circuitales de los diferentes FETs y sus aplicaciones

elementales.
Analizar los modelos en DC y AC en baja y alta frecuencia del transistor de efecto
de campo FET en sus diferentes tipos (JFET y MOSFET).
Uso de los parámetros en corriente alterna en las diferentes configuraciones
básicas amplificadores.

TEMA IV:

Interpretar las características eléctricas para el acoplamiento entre diferentes

etapas amplificadoras.

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 Analizar circuitos que contienen dos o mas transistores en un mismo circuito en
configuración diversas (cascada, darlington, diferencial, cascada, et) y usos específicos
(fuentes y espejos de corriente, amplificadores, acople directo y capacitivo)

TEMA V:

Valorar el ancho de banda de amplificadores y los factores que la afectan.

Analizar el comportamiento de la señal (entrada y salida) de diferentes
configuraciones amplificadores en función de la frecuencia.
Diseño de circuitos con especificaciones prescritas (ancho de banda, ganancia,
impedancia de entrada y salida, etc.)

TEMA VI:

Distinguir las diferentes familias tecnológicas digitales actuales.

Analizar el comportamiento y usos de las familias lógicas.
Integradas (RTL, DTL, ECL, TTL, NMOS y CMOS).

TEMA VII:

Describir las características de distintos dispositivos semiconductores de control de

potencia y ser capaz de analizar y diseñar sus circuitos de aplicación básica, analizar
el comportamiento y usos de los dispositivos discretos de Control y conmutación en
baja, mediana y alta potencia (UJT, PUT y Tiristores )
Seleccionar la mejor alternativa en el uso de cada dispositivo.

TEMA VIII:

Comprender la función y clasificación de los dispositivos optoelectronicos.

Analizar el comportamiento de dispositivos discretos e integrados de aplicación en
optoelectrónica (Fotodiodos, fototransistores y acopladores .
Clasificar y seleccionar la mejor alternativa en el uso de tales dispositivos.

ESTRATEGIAS GENERALES DE ENSEÑANZA:

1.- Uso del pizarrón en la resolución de ejercicios.

2.- Uso de calculadoras y software en la resolución de diseños propuestos y ejercicios

numéricos.

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 3.- Uso del laboratorio para la realización de la realización de las prácticas
recomendadas.

4.- Uso de transparencias en la descripción y explicación de gráficos complejo.

5.- Lectura de revistas especializadas y papeles de aplicación en el área de Electrónica

analógica.

DISTRIBUCIÓN HORARIA Y EVALUACIÓN

TEMAS TIEMPO (HORAS ACTIVIDADES DE EVALUACIÓN PESO (%)

I 4

II 6 1° Parcial (2h) 25 %

III 5

IV 5 2° Parcial (2h) 25 %

V 6

VI 4 3° Parcial (2h) 25 %

VII 6

VIII 4 4° Parcial (2h) 25 %

TOTALES : 40 8h

OPCIÓN: La distribución de exámenes puede repartirse en 3 parciales, Quices y trabajos individuales a

criterio del profesor.

OBSERVACIÓN: La nota definitiva de teoría vale un 80 % al promediar con el 20 % de trabajos prácticos.

Es requisito indispensable la conclusión y aprobación del lab. Para aprobar la materia.
Se debe proponer un trabajo de aplicación de software.

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 BIBLIOGRAFÍA:

MILLMAN J. y GRABEL, A Microelectrónica. Hispana Europa.

CHIRLIAN, Paul M. Analysis and design of integrated electronic circuits. 2nd

edition. Wiley International Editions. New York 1986.

Sedra, adel y Keneth c Smith. Dispositivos electrónicos y amplificación de señales

Mc Braw Hill 1989.

TOCCI, T.J. Circuitos y Dispositivos Electrónicos 3° Edic. Nueva Editorial

Interamericana 1985.

Millman y Halkias Electrónica Integrada Hispano Europea.

Boylestad, R y Nashelskyl. Electrónica. Teoría de circuitos 5° edición Prentice Hall

1994.

MALVINO, Albert P. Principios de Electrónica. 4ª Edición. Mc Graw-Hill.

México. 1993.

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 TRABAJOS PRACTICOS RECOMENDADOS

PRACTICA I.

Manejo del osciloscopio y otros equipos de laboratorio.

PRACTICA II.

Determinación de algunos parámetros de sistemas electrónicos: Ganancia de

voltaje; Ganancia de corriente; Ganancia de Potencia (decibelios); Respuesta en
frecuencia; Relaciones de fase; impedancia de entrada y salida.

Estudio de algunos sistemas integrados lineales.

PRACTICA III.

Iniciación al software de aplicaciones electrónicas: Smartwork; Orcad;

Microcap; Spice.

PRACTICA IV.

Características de los diodos de unión, zener y varactor.

PRACTICA V.

Circuitos básicos con diodos.

El limitador de media onda completa.
Circuitos fijadores.
Rectificadores de media onda y de onda completa.
Filtros para rectificadores.
Regulador zener básico.
Fuente básica con regulador integrado.

PRACTICA VI.

Estudio del transistor.

Pruebas.
Curvas características (transistores BJT, MOSFET y Schottky).
Obtención de los parámetros h y r.

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PRACTICA VII.

Diseño de un amplificador con BJT y de un amplificador con JFET.

Medición de sus parámetros fundamentales.

PRACTICA VIII.

Diseño de un amplificador multietapa.

Medición de sus parámetros fundamentales.

PRACTICA IX.

Estudio, prueba y aplicaciones sencillas de los Tiristores.

PRACTICA X.

Estudio y aplicaciones de algunos dispositivos optoelectrónicos y acopladores

ópticos.

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